Arias Meza Nestor

Lab. Dispositivos y Circuitos Electrónicos

Gpo. 2
Previo 10 y 11. “El transistor efecto de campo MOSFET: Polarización y
aplicaciones”.
1.- Analice los siguientes circuitos y determine para cada uno:
ID, VGS y VDS
Considere el voltaje de umbral VT = 2.2 V y K = 50mA/V2

5.6k 4.7k
RD RD

+ 2.2M
A +
0.000 ID R1
- 0.000 A ID
-

2.2M

+ +
2N7000 0.000 V VDS 0.000 V VDS 20 V
- 20 V -
2N7000
VDD
+
0.000 V VGS
-
+
0.000 V VGS
- 330K
R2
100
RS

Calculando los parámetros solicitados en el primer circuito de la izquierda:

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Al observar que la configuración de polarización es por realimentación, se tiene en
cuenta que:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
De la última expresión se puede despeja la corriente del drenaje, lo cual tenemos la
siguiente expresión:
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = …1
𝑅𝐷
Así mismo, para calcular la corriente del drenaje utilizando el valor de K y VT se tiene
la expresión:
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 … 2
Igualando ambas expresiones, y considerando la igualdad planteada al inicio del
análisis se tiene la siguiente deducción:
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 =
𝑅𝐷

2
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐺𝑆 − 2𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 + 𝑉𝑇2 =
𝐾𝑅𝐷

2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺𝑆 − 2𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 + = − 𝑉𝑇2
𝐾𝑅𝐷 𝐾𝑅𝐷

2
1 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆 (2𝑉𝑇 + )= − 𝑉𝑇2
𝐾𝑅𝐷 𝐾𝑅𝐷
Sustituyendo valores se tiene la siguiente ecuación:
2
𝑉𝐺𝑆 − 4.4036𝑉𝐺𝑆 + 4.8684 = 0
Resolviendo la ecuación se tiene los valores de:
𝑉𝐺𝑆1 = 𝑉𝐷𝑆1 = 2.299 [𝑉]
𝑉𝐺𝑆2 = 𝑉𝐷𝑆2 = 2.104 [𝑉]
Utilizando la expresión 1 para calcular la corriente del drenaje se obtiene que:
20 − 2.299
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷1 = 3.1609 [𝑚𝐴]
5.6𝑥103
20 − 2.104
𝐼𝐷2 = 𝐼𝐷2 = 3.1957 [𝑚𝐴]
5.6𝑥103
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Calculando los parámetros solicitados en el segundo circuito de la derecha:

Se observa que la configuración de polarización es por medio del divisor de voltaje,

se tiene en cuenta que las expresiones que se suelen utilizar son las siguientes:
𝑅2
𝑉𝐺 = ( )𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 … 3
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ). .4
Ahora, se procederá a realizar los cálculos correspondientes para obtener los
valores de las incógnitas que nos solicitan
330𝑥103
𝑉𝐺 = ( ) (20) = 2.6087 [𝑉]
2.2𝑥106 + 330𝑥103

Como no se sabe el valor exacto de 𝐼𝐷 , este será sustituido de la expresión 2 en la

expresión 3 para poder despejar 𝑉𝐺𝑆 .
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 𝑅𝑆
2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐾𝑅𝑆 (𝑉𝐺𝑆 − 2𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 + 𝑉𝑇2 )
2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 + 2𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 − 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝑇2
2
𝑉𝐺𝑆 + 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 − 2𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 = 𝑉𝐺 − 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝑇2
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2 2
𝑉𝐺𝑆 + 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 − 2𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑇 = 𝑉𝐺 − 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝑇
2
𝐾𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 (1 − 2𝐾𝑅𝑆 𝑉𝑇 ) = 𝑉𝐺 − 𝐾𝑅𝑆 𝑉𝑇2
Sustituyendo valores se obtiene la expresión:
2
5𝑉𝐺𝑆 − 21𝑉𝐺𝑆 = −21.5913
2
5𝑉𝐺𝑆 − 21𝑉𝐺𝑆 + 21.5913 = 0
Resolviendo la ecuación se tiene los valores de:
𝑉𝐺𝑆1 = 2.4029 [𝑉]
𝑉𝐺𝑆2 = 1.7971 [𝑉]
Utilizando la expresión 2 para calcular la corriente del drenaje se obtiene que:
𝐼𝐷1 = (50𝑥10−3 )(2.4029 − 2.2)2 𝐼𝐷1 = 2.0584 [𝑚𝐴]
𝐼𝐷2 = (50𝑥10−3 )(1.7971 − 2.2)2 𝐼𝐷2 = 8.1164 [𝑚𝐴]
Para finalizar, se utilizará la expresión 4 para calcular el valor de 𝑉𝐷𝑆 , utilizando los
dos valores obtenidos de la corriente de drenaje.
𝑉𝐷𝑆1 = 20 − (2.0584𝑥10−3 )(100 + 4.7𝑥103 ) 𝑉𝐷𝑆1 = 10.1197 [𝑉]
𝑉𝐷𝑆2 = 20 − (8.1164𝑥10−3 )(100 + 4.7𝑥103 ) 𝑉𝐷𝑆2 = −18.9588 [𝑉]
Al observar los últimos resultados obtenidos, se puede indicar que los valores
verdaderos de 𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 y de 𝑉𝐷𝑆 serán aquellos que estén indicados por el subíndice
1, o bien aquellos que estén enmarcados de color azul.
2.- Simule los circuitos y compare resultados.
Simulando el primer circuito de la izquierda del punto anterior:
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Teórico Simulado
VGS 2.299 2.247 [V]
ID 3.1609 3.082 [mA]
VDS 2.299 2.742 [V]
Al tener dos valores distintos de la corriente de drenaje, se utilizó aquella que
estuviera cercano al valor del voltaje de umbral, en este caso son los primeros
valores obtenidos del análisis hecho correspondiente al circuito. Este último es la
condición para que el transistor empiece a operar (encendido).
Realizando la simulación del segundo circuito de la derecha del punto anterior:

Teórico Simulado
VGS 2.4029 2.244 [V]
ID 2.0584 3.001 [mA]
VDS 10.1197 5.591 [V]

3.- Mencione algunas aplicaciones donde se utilizan los transistores MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretas más comunes son:
- Resistencia controla por tensión.
- Circuitos de conmutación de potencia (HEXDET, FREDFET, etc.).
- Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Referencias.

- Boylestad, R. & Nashelsky, L.. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos. México: Pearson Educación.