UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTN FACULTAD DE INGENIERAS DE PRODUCCIN Y SERVICIOS ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

Pgina:1/2 Jefe de Prcticas: Ing. Juan Carlos Cuadros Cdigo: Semestre: Grupo: Lab. N 0403231 VI A, B y C

Laboratorio de Electrnica Anloga 1

Tema: REGIONES DE CORTE Y SATURACIN DE LOS TRANSISTORES BJT

03

FECHA: 20/JUN/2011

INFORME PREVIO

I.1. Desarrolle un breve resumen de las regiones de Corte y Saturacin I.2. Circuitos de Polarizacin ms usuales para conseguir los estados de corte y saturacin en el BJT. Similitudes y diferencias. Aplicaciones. I.3. Presente la simulacin del procedimiento de la prctica. Consigne sus datos en tablas para luego realizar las comparaciones con los obtenidos en el laboratorio. I.4. Armar los circuitos del procedimiento y presentarlos al inicio de la prctica.

II

OBJETIVOS II.1. Determinar el punto de operacin y la regin de trabajo de un transistor en corte y saturacin II.2. Comprobar el funcionamiento de algunos circuitos de aplicacin del transistor de unin de acuerdo a sus regiones de trabajo de corte y saturacin.

III EQUIPO Y MATERIALES: Fuente de Alimentacin DC Resistencias de: 330 ohm (3), 1 Kohm (5), 22 Kohm Transistor de unin bipolar NPN 2N2222 (3) Diodos de unin bipolar 1N4004 o equivalente (5) Diodos LEDs (3)

IV PROCEDIMIENTO

Actividades: IV.1. IV.2. Arme el circuito de la Figura 4 Analice el circuito, haga los clculos, construya la recta de carga y ubique en ella los

puntos de trabajo cuando en el punto A se aplica 0 V y 5 V IV.3. Reporte las mediciones obtenidas en la tabla 1.

R10
1.0kohm

Entrada
C
V4 R12
330ohm 5V

Salida VC IC IR12

R11
1.0kohm

VA 0V 5V

Q4
2N2222A

LED1
LED_green

Tabla 1
Figura 4

Laboratorio de Electrnica Anloga 1

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LAB N 3

EA1

Tema: REGIONES DE CORTE Y SATURACIN DE LOS TRANSISTORES BJT

JP: Ing Juan Carlos Cuadros

IV.4. IV.5.

Arme los circuitos de las figuras 5 y 6 Para cada caso, analice los circuitos, haga los clculos , construya la recta de carga y

ubique en ella los puntos de trabajo cuando en el punto A se aplican las tensiones 0 V y 5 V en forma combinatoria IV.6. Reporte las mediciones obtenidas en las tablas 2 y 3

R13

Entradas
D

Salidas VC IC IR15

D2 1N4004GP

1.0kohm

VA
V5
5V

VB 0V 5V 0V 5V

D1
1N4004GP

R14
1.0kohm

R15
330ohm

0V 0V 5V 5V

Q5 LED2
LED_green

R16
22kohm

2N2222A

Figura 5

Tabla 2 Entradas VA
E
V6 R17
5V

R20 D3
22kohm

R18
1.0kohm

Salidas VC IC IR17

1N4004GP

VB 0V 5V 0V 5V

D5

B
D4
1N4004GP

1N4004GP

0V 0V 5V 5V

Q6
2N2222A

330ohm

LED3
LED_green

Tabla 3
Figura 6

CUESTIONARIO FINAL V.1. Explique el funcionamiento y condiciones de la polarizacin que trabaja en regiones de corte y saturacin tanto de un transistor pnp como de un npn V.2. Describa el funcionamiento de los circuitos de las figuras 4, 5 y 6 V.3. Explique qu representan los resultados de las tablas 1, 2 y 3 V.4. Muestre algunas aplicaciones del transistor trabajando en regiones de corte y saturacin V.5. Contraste todos los resultados de la prctica con los obtenidos en con un programa simulador V.6. En las rectas de carga dibujadas en el procedimiento, determine la zona de operacin del transistor fijando el rango de variacin de las variables de salida. Qu variable y con qu valor determina la saturacin del transistor? y el corte del transistor?

VI CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES VI.1. Emita al menos cinco conclusiones entorno a la prctica realizada. ______________________________________________________________________________________________