UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

SEDE AZUERO

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRIMER SEMESTRE 2022

05 TIRISTORES

DISPOSITIVOS DE DISPARO
UJT Transistor Unijuntura
El transistor unijuntura (UJT, por sus siglas en ingles), es un El UJT puede ser representado como dos resistores acoplados a
dispositivo de conmutación. un diodo cómo se muestra en la figura. De aquí, que el UJT sea
también llamado diodo de doble base. El diodo representa la
unión p-n, RB1 es la resistencia entre la base 1 y la unión p-n;
mientras que RB2 es la resistencia entre la base dos y la unión p-
n. Por el diagrama del circuito equivalente, RB1 se muestra como
su resistor variable, dado que su magnitud varía con el valor de la
corriente de emisor.

Básicamente es una barra de silicio tipo n que tiene en cada extremo

un terminal base y en la otra cara una barra de material tipo p
(aluminio). La unión p - n del dispositivo se encuentra en la frontera de
la barra de aluminio (tipo P) de silicio (tipo N). Se le llama unijuntura
porque sólo existe una unión p - n. La barra de aluminio está fundida a
la barra de silicio en un punto más cercano al contacto del terminal
denominado base 2 que al terminal denominado base 1, lo cual da
como resultado que las resistencias entre la barra de aluminio, llamada
emisor, y cada una de las bases, sea diferente.

Características típicas de un UJT

 Operación Característica y Parámetros.
(a) Símbolo del UJT.
(b) Esquema de polarización del UJT.
Los parámetros más importantes de UJT son la resistencia
Interbase RBB que se define como la resistencia entre los
terminales B1 y B2 cuando la corriente es cero.
Esto se deduce simplemente de la ecuación de un divisor de
tensión, aplicado al circuito. La letra griega η (eta) se
denomina la razón intrínseca del dispositivo, se define como:
𝑅𝐵1
η=
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2
Otros parámetros del UJT se muestran en el gráfico. En él se
gráfica la atención de emisor en función de la corriente de
emisor para la polarización básica del UJT.

R 𝐵𝐵 = 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ቚ =0
𝐼𝐸
Los valores de 𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2 están determinados por la posición
de la varilla de aluminio: La tensión total aplicada. VB1B2 se
divide entre los resistores internos del UJT. La porción de
esta tensión que aparece aplicada a RB1 es:
𝑅𝐵1
𝑉𝑅𝐵1 = 𝑉
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐵1𝐵2

𝑉𝑅𝐵1 = η VB1B2
Características típicas de un UJT
Operación Característica y Parámetros. (cont.)
Características típicas de un UJT
La base 𝐵2 se polariza a la tensión 𝑉𝐵1𝐵2 , lo cual hace
que fluya una corriente por 𝑅𝐵𝐵 . Si la tensión del emisor
es cero, el cátodo del diodo de emisor se encuentra a la
tensión definida por 𝑉𝑅𝐵1
Mientras la tensión 𝑉𝐸𝐵1 sea inferior a 𝑉𝑅𝐵1 , el diodo está
en polarización inversa y sólo circula por él un flujo de
corriente muy pequeña, 𝐼𝐸 𝑖𝑛𝑣 . Cuando 𝑉𝐸𝐵1 es superior
a 𝑉𝑅𝐵1 , el diodo está en polarización directa y circula por
él una corriente 𝐼𝐸 en la dirección ánodo-cátodo.
Cuando esto sucede 𝑅𝐵1 disminuye su valor lo cual hace que la tensión
𝑉𝑅𝐵1 también disminuya su valor. Si 𝑉𝐸𝐵1 es constante, 𝐼𝐸 aumenta,
situación que hace que 𝑅𝐵1 disminuya aún más. Este fenómeno es
acumulativo y se produce en cuanto 𝐼𝐸 supera el valor de la corriente de
pico 𝐼𝑝 . La tensión de disparo de pico o tensión de encendido viene dada
por la relación:
𝑉𝑒𝑛𝑐 = 𝑉𝑝 = η VB1B2 + VD
En dónde VD es la caída de tensión en el diodo cuando circula por el UJT
una corriente 𝐼𝑝 .
La región de corte, a la izquierda del punto pico, se caracteriza por tener el
UJT un potencial menor que la tensión de encendido. Aquí, la magnitud de
𝐼𝐸 es siempre menor que cero amperios.
Una vez se establece la conducción en 𝑉𝐸𝐵 = 𝑉𝑝 , el potencial emisor-base
1 disminuirá con el incremento del flujo de corriente de emisor 𝐼𝐸 . Esto se
muestra como la región de resistencia negativa. Al final de esta región se
alcanza el punto de valle y cualquier aumentó posterior en 𝐼𝐸 pondrá al
dispositivo en la región de saturación. En esta región la característica se
aproxima a la de un diodo semiconductor en el circuito equivalente.
Operación Característica y Parámetros. (cont.)

Características típicas de un UJT

La reducción en 𝑅𝐵1 luego de alcanzado el punto pico, se

debe a que la barra tipo p inyecta huecos en la barra tipo
n. Como hay más huecos, la barra tipo n puede aceptar
más electrones lo cual aumenta la conductividad y, por
consiguiente, se reduce la resistividad.

Hay otros parámetros importantes para el UJT como lo

son la corriente de pico (𝐼𝑝 ), la tensión de valle 𝑉𝑉 y el
flujo de corriente de valle (𝐼𝑉 ).

La figura 3-5 muestra la característica de UJT como son

proporcionadas normalmente. Note en la ecuación (3-4)
que para un UJT especifico, 𝑉𝑒𝑛𝑐 sólo varia con VB1B2 , ya
que tanto 𝜂 como 𝑉𝐷 son fijos. Curva característica de un UJT
EJEMPLO 1
Si 𝑉𝐵1𝐵2 = 15 𝑉 y 𝜂 = 0.5, encuentre la tensión de
encendido del UJT y 𝑉𝑅𝐵1 la tensión del diodo es 0.6𝑉.
EJEMPLO 1
Si 𝑉𝐵1𝐵2 = 15 𝑉 y 𝜂 = 0.5, encuentre la tensión de En la actualidad existe otra configuración diferente a la mostrada para un
encendido del UJT y 𝑉𝑅𝐵1 la tensión del diodo es 0.6𝑉. UJT, se conoce como UJT planar (el UJT anterior se conoce como UJT de
barra). El circuito equivalente, símbolo y las curvas características de estos
dos UJT son similares.
Solución:
El UJT planar es el más utilizado por las ventajas que presenta. Es más
𝑉𝑒𝑛𝑐 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 + 𝑉𝐷 económico, requiere de menos potencia para encenderse, consume
𝑉𝑒𝑛𝑐 = (0.5) (15𝑉) + 0.6𝑉 menos energía y es más fácil ajustarlo para que trabaje a la frecuencia
𝑉𝑒𝑛𝑐 = 8.1𝑉 deseada. Su principal desventaja es que 𝜂 varía mucho con la temperatura

De la ecuación
𝑉𝑅𝐵1 = 𝜂𝑉𝐵1𝐵2 E 𝐵1
𝑉𝑅𝐵1 = (0.5) (15𝑉)
Pasivación
𝑉𝑅𝐵1 = 7.5𝑉 de SiO2

P N

N
𝐵2

Estructura de un UJT planar

Aplicaciones
Como se ha enunciado, el emisor de un UJT tiene una resistencia que
decrece rápidamente cuando la tensión de entrada alcanza la tensión pico.
Este efecto, llamado característica de resistencia negativa, hace que el
UJT se utilice en aplicaciones de circuitos osciladores, de tiempo,
generadores de onda.

Oscilador De Relajación
Este circuito se utiliza en la mayoría de los osciladores y temporizadores
con UJT. Aparte del UJT, este circuito consta de dos resistores R1 y R2
conectadas a las bases B1 y B2, respectivamente. Estos resistores son
pequeños en comparación con la resistencia interbase del UJT. Completa
él circuito, el capacitor C1 el cual se carga a través del resistor 𝑅𝐸 .

IB2

VC
VB2

IE
VB1
Una vez la tensión del capacitor alcanza la tensión
de encendido Vp, el UJT se dispara y C1 se descarga
rápidamente hasta Vv, (tensión mínima emisor -
base 1 la cual es llamada tensión en el punto valle).
El dispositivo se corta y el capacitor reinicia la carga.
El ciclo es repetitivo, generándose una forma de
onda de diente de sierra a través de C1.
El tiempo de carga (tc) de C1 es:
VBB−Vinicial
Tc = REC1 ln( )
VBB−Venc
Donde C1 está dado en faradios, 𝑅𝐸 en ohmios, VBB
es la fuente de alimentación, Vinicial es la tensión
inicial del capacitor y Venc es la tensión de encendido
del UJT.
La ecuación se puede expresar en función de la razón
intrínseca como:
1 Esto se debe a que RB1 decae rápidamente con la aparición de
Tc = REC1 ln( )
1−η
Para operación correcta del UJT existe un límite superior e
inferior para el 𝑅𝐸 . Para el encendido del UJT, una mínima
corriente igual a 𝐼𝑝 debe fluir a través de 𝑅𝐸 cuando la tensión
VEB1 es VENC. Con este análisis se obtiene el máximo valor de RE:
VBB−Venc
RE (max) = ( )
Ip
Para el oscilador de relajación, 𝑅𝐸 debe ser una magnitud tal que
prevenga el flujo de la corriente de valle, de otro modo el UJT no
se apagaría. El mínimo valor de Re viene dado por:
VBB −V𝑉
RE (min) = ( )
I𝑉
Cuando el UJT se dispara, el capacitor se descarga debido a la
baja resistencia que existe entre el emisor y tierra, presentando
un pulso de tensión en el terminal B1.
Simultáneamente aparece un pulso negativo en B2 como se.
corriente de emisor y, en consecuencia, aumenta la corriente a
través de R2.
EJEMPLO 2
El UJT del circuito tiene una RBB igual a 5kΩ, 𝜂 = 0.8, VD=0.7V,
VV=2.0V, IP=1𝜇𝐴, e IV igual a 4 mA. Si VBB=15V y C1=0.5 𝜇𝐹,
calcule:
a. 𝑅1 y 𝑅2 si y 𝑅2 = 7𝑅1 ,𝑉𝑅2 =1.2V IB2
b. 𝑉𝐵2𝐵1
VC
c. 𝑉𝑒𝑛𝑐 b) VB2
d. 𝑅𝐸 𝑚í𝑛 y 𝑅𝐸 𝑚á 𝑉𝐵2𝐵1 = 𝑉𝐵𝐵 – 𝑉𝑅2 – 𝑉𝑅1
IE
𝑉𝐵2𝐵1 = 15 – 1.2 − 1.2 /7 VB1
Solución:
𝑉𝐵2𝐵1 = 13.63𝑉
a) Efectuando un divisor de tensión para VR2, se tiene:
𝑉𝐵𝐵 𝑅2
𝑉𝑅2 = c) de ecuación,
𝑅𝐵𝐵 +𝑅1 +𝑅2
𝑉𝑒𝑛𝑐 = 0.8(13.63) + 0.7
Despejando R1 y teniendo en cuenta que 𝑅2 = 7𝑅1 , 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 11.60𝑉
VR2 (𝑅𝐵𝐵 + 8𝑅1 ) = 𝑉𝐵𝐵 (7𝑅1 )
𝑉𝑅2 𝑅𝐵𝐵 d) de la ecuación y la ecuación ,
𝑅1 = 15−11,60
7𝑉𝐵𝐵 −8VR2
1.2 (5𝑘Ω)
𝑅𝐸 𝑚í𝑛 =
4𝑚𝐴
𝑅1 = 𝑹𝑬 𝒎í𝒏 = 𝟖𝟓𝟎𝛀
7 15V −8(1.2V)
𝑹𝟏 = 𝟔𝟐. 𝟖𝟗 𝛀
15−11,6
𝑅𝐸 𝑚á =
como 𝑅2 = 7𝑅1 , 1𝜇𝐴
𝑅2 = 7 (62.89Ω) 𝑹𝑬 𝒎í𝒏 = 𝟑, 𝟒𝐌𝛀
𝑹𝟐 = 𝟒𝟒𝟎. 𝟐𝟑 𝛀
Generador de Onda Cuadrada

El circuito de relajación anterior puede modificarse para

obtener un generador de onda cuadrada. En el circuito, el
capacitor se recarga a través del diodo y del resistor R1

• Cuando el potencial del ánodo del diodo alcanza un

valor 𝑉𝑃 . El UJT Se dispara, disminuyendo
consecuentemente la tensión 𝑉𝐸𝐵1 del UJT y
polarizado inversamente al diodo D.
• En consecuencia, el capacitor se descarga. Pero esta
vez no pueda hacerlo a través del UJT sino que lo
hace a través del resistor.𝑅2 .
• Durante el tiempo que el capacitor se está
descargando, el UJT conduce y fluye corriente a
través de 𝑅1 al emisor del UJT.
• Una vez el capacitor ha perdido suficientemente carga
como para que la caída de tensión en él sea menor
que la tensión de Valle del UJT. El diodo se polariza
directamente. UJT se apaga y el capacitor comienza a
cargarse nuevamente.

En la figura se muestra la onda de salida en 𝐵2 , la onda

en el emisor del UJT y la onda de carga y descarga del
capacitor.
Circuito de Retraso con UJT Y SCR

El SCR es empleado comúnmente en circuitos de control de

potencia, ya que actúa de una manera muy similar a un
conmutador. Cuando es necesario retrasar la entrega de
potencia a la carga o quitarla después de un período
determinado se utiliza un circuito de retraso de tiempo que se
acopla al circuito disparado del SCR.
Este circuito no es más que un oscilador de relajamiento al que
se le ha adicionado otro dispositivo para obtener el retraso
deseado y a la vez proporcionar la tensión de disparo al SCR.
Circuito de retraso con UJT y SCR.
En este circuito, el SCR disparado por la caída de tensión en R1 Una vez
el UJT se ha encendido. El diodo D1 permite que el semiciclo positivo de la
fuente carga el capacitor C1 a través de 𝑅𝐸 , 𝐷1 también aísla el circuito
UJT del semiciclo negativo de la onda de entrada. Mediante el ajuste de
𝑅𝐸 , el tiempo de carga de C1, y por lo tanto el tiempo de encendido del
UJT, puede ser seleccionado.
Por el arreglo circuital se garantiza que el UJT sólo dispara una vez cada
semiciclo positivo de la onda de entrada. Es posible casi 180 grados de
control de disparo de encendido del SCR.

Forma de onda del circuito.

Multivibrador Monoestable Mejorado
Los monoestables son circuitos que tienen una salida que se
activa por la entrada de un pulso. Depende de ser activada esta
salida se mantiene en un nivel alto por un tiempo determinado y
luego vuelve al nivel bajo.
La figura 3 - 11 presenta el diagrama de bloque de un
monoestable. Tienen la salida 𝑄 y su complemento 𝑄ത . La
duración del pulso de salida es diferente a la duración del pulso
de entrada.

a) símbolo de un monoestable como

Esquema de un monoestable bloque. b) forma de onda del pulso de
disparo de salida q y de la salida q
cuando el circuito es disparado
En el monoestable común, los transistores 𝑄1 y 𝑄2 están
diseñados para que operen en corte o en saturación. En
estado estable 𝑄2 está en saturación. La tensión en el colector
es prácticamente nula y, por esa razón, la tensión de base de
𝑄1 está en corte y, consiguiente la corriente que pase por 𝑅𝐶1
es la misma que pasa por C.

Sí deprecia la atención 𝑉𝐵𝐸 . cuando C termina de cargarse, el

potencial en sus bordes es casi igual a 𝑉𝐶𝐶 . Así, el potencial en
el colector de 𝑄1 es 𝑉𝐶𝐶 y mantiene a 𝑄ത en un nivel alto. El
potencial en el colector 𝑄2 es casi cero (0.2v) lo que mantiene
a Q en un nivel bajo. Esquema de un monoestable

El circuito diferenciador RC sirve de camino para el pulso de entrada. El

diodo D de asegura que no haya bifurcación de corriente por el camino RC
no hay pulso de entrada.

Cuando se introduce un pulso de entrada, la tensión en la base de 𝑄1 qué

conduzca. Este transistor está ahora en saturación y su colector refleja una
tensión igual a cero. Cómo C no tolera cambios bruscos de tensión, su
terminal de negativo está ahora en un valor de tensión menor que 0. Como
la base de 𝑄2 esta acoplada al terminal negativo de C este, el transistor
𝑄2 , es llevado a corte. Cuando esto acontece Q está en un nivel alto y 𝑄ത
en un nivel bajo.
Como 𝑄2 está en corte, su colector está en un nivel de tensión
casi igual a 𝑉𝐶𝐶 lo cual permite que se sigue inyectando corriente
en 𝑄1 para que se mantenga conducción aun cuando el pulso de
entrada ha terminado.
Como el terminal positivo del capacitor está aterrizado, se
descarga a través del transistor 𝑄1 y C disminuirá su tensión y
cuando alcance 0.6 voltios en la polaridad contraria a la
mostrada en la figura, 𝑄2 comenzará nuevamente a conducir
llegando a saturarse. 𝑄1 Estará nuevamente en corte y el
circuito se mantendrá en este estado hasta que aparezca
nuevamente un pulso de entrada.
El problema con este circuito es que cuando Q ha pasado a nivel
bajo (estado estable) C se tiene un potencial igual a 𝑉𝐵𝐸 en
conducción (0.6 voltios aproximadamente) y la polaridad de esta
tensión es contraria. Sólo cuando C totalmente cargado, el
monoestable estará listo para activarse nuevamente. El tiempo
que transcurre desde que Q pasa a nivel bajo hasta que C se
carga por completo se denomina tiempo de carga y
aproximadamente igual a
𝑇𝐶 = 5𝑅𝐶1 𝐶
Por otro lado, el tiempo en que este monoestable
permanece encendido es corto y depende de la
descarga en el capacitor. El camino de descarga
sólo incluye a 𝑅𝐵2 , C y 𝑄1 . Como la descarga de un
capacitor es proporcional a R y C los valores de 𝑅𝐵2
y C determina en el intervalo de punto de salida. Si
C aumenta, también aumenta el tiempo de carga lo
cual no es deseable. El máximo valor de 𝑅𝐵2
depende de la corriente necesaria para saturar a 𝑄2 ,
por lo que no se puede aumentar arbitrariamente el
tiempo de duración del pulso de encendido. Con el
monoestable mejorado se solucionan estas
dificultades.
monoestable mejorado
 En este diseño 𝑅𝐵2 es menor que 𝑅𝐵1 para que en estado estable
𝑄2 esté en saturación. Así el colector de 𝑄2 está a casi 0 voltios,
lo que garantiza que uno está en corte y 𝐶𝐸 esté descargado.
Cuando se produce un pulso de disparo, la base de 𝑄1 recibe
una tensión positiva lo cual hace que este transistor se active. 𝑄1
pasa a estar en saturación y 𝑄2 estará en corte. q estará en un
nivel alto y 𝑄ത estar a un nivel bajo. La tensión es el colector de
𝑄2 ser aproximadamente 𝑉𝑐𝑐 y esto garantiza que 𝑄1 siga en
saturación aún después que haya desaparecido el pulso de
monoestable mejorado entrada. 𝐶𝐸 comenzará a cargarse y cuando alcance la tensión
de encendido del UJT, este último se dispara y el pulso que
produce en 𝑅𝐵1 es retroalimentado a la base de 𝑄2 . Cuando esto
ocurre 𝑄2 es llevado nuevamente a saturación. 𝑄1 pasa a estar
en corte y el circuito vuelve a su estado estable.

Cómo se observa ya no hay tiempo de carga y el monoestable

está listo para ser activado una vez que el pulso de Q ha
terminado.

Por otro lado, el circuito de relajación puede ser diseñado de

forma que 𝐶𝐸 sea lo suficientemente grande como para obtener
pulso de salida de la duración que desee.
El Transistor de Unijuntura Complementario (CUJT)

El transistor de unijuntura complementario es, como su nombre lo indica, el complemento del UJT. Aun cuando la
estructura interna del UJT es totalmente diferente a la del CUJT. Las curvas características de ambos son similares.
Operación Característica y Parámetros
La figura 3 - 14 a muestra el símbolo del CUJT, en tanto que la figura 13 - 14 B es la Gráfica de la característica de
tensión corriente. Comparando la figura 3 – 14B con la figura 3 - 4 se observa que la característica del CUJT son
iguales e inversas a Las del UJT.
El CUJT es un circuito integrado que está formado por dos transistores y dos resistores como la muestra la figura 3 -
15 a. Tú es equivalente al mostrado en la figura 3 – 15b con un SCS.

a) símbolo del CUJT. b) características tensión - corriente del CUJT


a) circuito del CUJT. b) equivalente del CUJT con SCS.
Cuando el emisor de 𝑄1 está un potencial menor que 𝑉𝑥 (figura 3
- 15a), 𝑄1 comenzar a conducir el potencial en el colector de 𝑄1
es también menor que 𝑉𝑥 y Esto hace que 𝑄2 también conduzca.
Este proceso es generativo y termina cuando 𝑄1 y 𝑄2 están en
estado de saturación. En el circuito equivalente de la figura 3 - 15
este efecto se traduce en tener al SCS en conducción. Siendo
así, 𝑅𝐵1 es prácticamente cortocircuitada, ya que tanto 𝑄2 como
él SCS presentan esta una resistencia despreciable cuando
están en conducción y esta resistencia se encuentra en paralelo
con 𝑅𝐵1 . Una vez esto conduce sucede 𝑅𝐵𝐵 se reduce de un
valor igual a 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 a un valor igual a 𝑅𝐵2 .
El CUJT presenta ciertas ventajas con respecto al UJT. Por
ejemplo, el CUJT puede trabajar con una tensión 𝑉𝐵𝐵 mucho
menor que la de un UJT, lo cual es deseable cuando se trabaja
con baterías. En el CUJT, 𝑅𝐵𝐵 sufre menos variación para un
cambio de temperatura que la 𝑅𝐵𝐵 del UJT. Por otro lado, el
CUJT puedo operar a frecuencias más altas que el UJT. La
desventaja principal del CUJT respecto al UJT es que el primero
es más caro.
Operación, Características y Parámetros

Para qué SCR simule al UJT, la resistencia inter base 𝑅𝐵𝐵 y la razón intrínseca puede ser
programada para cualquier valor deseado, seleccionando dos resistores esto significa que
la tensión de disparo del dispositivo 𝑉𝑒𝑛𝑐 puede también ser programada.

Considerando la figura 3 - 16a el dispositivo pnpn tiene su compuerta conectada al Unión

de los resistores 𝑅1 y 𝑅2 . La construcción de cuatro capas muestra que la unión ánodo con
puerta es polarizada en directa cuando el ánodo es positivo con respecto a la puerta (figura
3 - 16b). Cuando esto ocurre el dispositivo se enciende.
Una vez encendido el SCR, la tensión ánodo- cátodo cae a un nivel inferior y el dispositivo
conduce hasta tanto la tensión de entrada sea la suficiente como para sostener la
conducción de aquí que se simula el funcionamiento del UJT. El ánodo del dispositivo actúa
como el emisor del UJT 𝑅1 y 𝑅2 operan como 𝑅𝐵1 Y 𝑅𝐵2 , respectivamente. 𝑅𝐵𝐵 Y 𝑉𝑒𝑛𝑐 son
programados mediante la selección de 𝑅1 y 𝑅2 las características típicas de un UJT
programable son mostrados en la figura 3 - 16 C. El ánodo del put es el equivalente del
emisor del UJT. De la figura 3 - 16 a tenemos que la tensión de puerta es
a) circuito UJT programable. b)
construcción 4 capas de un
PUT. c) características de un
𝑉 𝑉 𝑅
𝑝= 𝑅𝐵𝐵 1 PUT.
1+ 𝑅2
ɳ = (𝑅1 )Τ( 𝑅1 + 𝑅2 )

Con lo que,

𝑉𝑃 = ɳ 𝑉𝐵𝐵

La tensión de disparo o encendido es

𝑉𝑒𝑛𝑐 = 𝑉𝑃 + 𝑉𝐴𝑃

En dónde 𝑉𝑃 es la tensión de puerta y vap es la tensión

de encendido del 4 capas.
Una vez el PUT está conduciendo, el retiro de la corriente
de puerta (𝐼𝑃 = 0) no apaga el UJT programable. En el
estado de conducción el PUT se puede presentar como
un cortocircuito Mientras que el estado de apagado se
representa como un circuito abierto.
EJEMPLO 3-3

Para encender un PUT se requiere una corriente de disparo de

0.5 m a con una tensión 𝑉𝐴𝑃 = 0.9 V. Se programa a una ɳ de
0.9V. La fuente de alimentación suministra una corriente de 5 mA
y una tensión de 25 V. Calcule:

a) 𝑅1 , 𝑅2 , y 𝑅𝐵𝐵 𝑉𝑃 = 𝑉𝑅1 = ɳ𝑉𝐵𝐵 b) de la ecuación 3 - 13,

𝑉𝑅1 = 0.6(25𝑉)
b) 𝑉𝑒𝑛𝑐 𝑉𝑅1 = 15𝑉 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 0.6 25𝑉 + 0.9𝑉
si I 1 = 5am, entonces 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 15.9𝑉
Solución: 𝑉𝑅1 = 𝐼1 𝑅1
15𝑉
𝑅1 = = 3𝐾Ω
5𝑚𝐴
La tensión 𝑉𝑃 es dos: Por división de tensión,
𝑅
𝑉𝐵2 = 𝑉𝐵𝐵 ( 1 )
𝑅1 +𝑅2
25𝑉 𝑅2
25𝑉 − 15𝑉 =
𝑅1 +𝑅2

25𝑅2 = 3𝑘Ω + 10𝑅2

𝑅2 = 200Ω
COMPARACIÓN ENTRE EL UJT, CUJT Y EL PUT

De acuerdo a los autores deboo y burrous en su obra titulada dispositivo

semiconductor es la relación entre el UJT , wl CUJT y el PUT se puede resumir
haciendo uso de la tabla 3 - 1( extraída íntegramente de este texto).
De esa tabla se observa que el puk la más ventaja que los otros dos dispositivos,
tales como:
1) Tanto 𝜂, RBB, IP e IV se puede ajustar dependiendo de los valores de R1 y R2.
2) Presenta una RBB mayor, por lo que cuando está en corte el consumo
de potencia es menor.
3) IP, menor decir, la impedancia de entrada del PUT es más grande y, por lo tanto se
necesita menos potencia para encenderlo.
4) El impulso de la tensión de salida es mucho mayor, ideal en un circuito de
encendido.
El PUT puede trabajar, al igual que el CUJT con valores de VBB bajos.
COMPARACIÓN ENTRE EL UJT DE BARRA, EL UJT PLANAR, EL CUJT Y EL PUT

Características UJT UJT CUJT PUT

PLANAR Barra
Corriente inversa de 0.1 a 1.0 1 a 10
emisor nA 20 a 2000 1.0 a 10 (𝑉𝐸𝐵𝐼 = 5 V) (Ánodo a puerta de ánodo
(𝑉𝐸𝐵𝐼 =30 V) a 𝑉𝑃 = 40 V)

Margen de 0.45 a 0.8 0.55 a 0.85 0.58 a 0.62 Ajustable

Para 𝑽𝑩𝑩=10 V
𝑹𝑩𝑩 en 𝒌Ω 6.5 8.0 6 a 30
7.0 (equivalente)
𝑰𝑷 uA 9.0 3.0 10.0 (Max) 1. a 1.0
(𝑉𝐵𝐵 = 10 V) (𝑉𝑃 = 10 V, 𝑅𝑃 = 10 𝐾Ω )

𝑰𝑽 mA 8.0 2.0 2.0 0.1

(𝑉𝐵𝐵 = 20 V) (𝑉𝐵𝐵 =10 V) (𝑉𝑃 = 10 V, 𝑅𝑃 = 10 𝐾Ω )
Tensión mínima de
trabajo, V 10 5 5 4

Tensión de pico del

impulso de base, V 3.0 4.0 3.5 10.0
𝑉𝐵𝐵 = 20 V 𝑉𝐵𝐵 = 12 V 𝑉𝐵𝐵 = 20 V

Tensión de
saturación de 4.5 3.5 1.1 1.5
emisor (para 𝑰𝑬 =
𝟓𝟎 𝒎𝑨), V
Los UJT de barra tienen la mayor tensión inversa de emisor
(aproximadamente 60 voltios) comparada con los casi 10 V del
UJT. Por el contrario la máxima corriente de Misión se obtiene en
Los CUJT (cerca de 150 mA) y en los PUT0.

A temperatura ambiente, los UJT de barra tienen mayor

disipación de potencia que los demás dispositivos (por el orden
de 450 mW). La mínima disipación se da en los CUJT (200 mW).

APLICACIONES DEL CUJT Y DEL PUT

El UJT, el CUT y el PUT son utilizados en circuitos de disparo. La escogencia de uno u otro
depende de las condiciones de trabajo y de los requisitos de diseño.
Si se requiere un circuito de disparo sin muchas exigencias, se puede utilizar un UJT que
es más económico. Cuando la estabilidad con la temperatura es necesaria como los
osciladores de precisión, temporizadores sensores de tensión y circuitos divisores se
prefiere él CUJT.
Para temporizadores de grandes intervalos de tiempo o cuando se requiere trabajar con
tensiones altas, se debe utilizar el PUT.
PROBLEMAS
P1. Un UJT con 𝜂 = 0.63 y 𝑉𝐷 = 0.6 𝑉, se le aplica una tensión P3.5. Calcule el rango de RE del circuito de la Figura 3-3b, si
𝑉𝐵1𝐵2 = 12 𝑉. Calcula la tensión de encendido y 𝑉𝑅𝐵1 cuando 𝐼𝐸 = 0. VBB = 30 v, Venc =15v, IP=6uA. Vv= 3.5V e Iv= 9 mA.

Resp. 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 8.16𝑉 𝑉𝑅𝐵1 = 7.56𝑉 Resp. RE(min) =2.94KΩ RE(max)=2.5MΩ

P2. Se tiene un UJT con RB1 = 6.2 KΩ . RB2 = 2.2 KΩ y 𝑉𝐷 = 0.6𝑉.

Si se le aplica una tensión interbase igual a 20 voltios, calcular la P3.6. Calcule 𝜂 y la tensión de puerta de un PUT, si VBB es 3V,
tensión de encendido. RB1= 15KΩ y RB2 =5KΩ.
Resp. 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 15.36𝑉 Resp. 𝜂 = 0.75 V = 22.5V

P3. Para un UJT con 𝑉𝐵2𝐵1 = 20𝑉 , 𝜂 = 0.65 , 𝑅𝐵𝐵 = 7𝐾Ω

(𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝐼𝐸 = 0) y 𝑉𝐷 = 0.7𝑉. Determinar: 𝑅𝐵1 , 𝑅𝐵2 , 𝑉𝑅𝐵2 y 𝑉𝑒𝑛𝑐 . P3.7. Calcule R1 y VBB para un PUT que tiene un razón
intrínseca igual a 0.5, VP =5V y R2=1MΩ
Resp. 𝑅𝐵1 = 4.55𝐾Ω, 𝑅𝐵2 = 2.45𝐾Ω, 𝑉𝑅𝐵2 = 7𝑉 y 𝑉𝑒𝑛𝑐 = 13.7𝑉
Resp. VBB = 10V y R1 = 1MΩ
30V
P3.4. El UJT del circuito tiene una razón
intrínseca igual a 0.63. Calcular el rango de P3.8. Calcule la resistencia equivalente de puerta y la tensión
frecuencia de salida. puerta de la red del circuito.
Resp. 19.6𝐻𝑧 < 𝑓 < 1𝐾𝐻𝑧 Resp. 𝑅𝑝 = 545Ω20 % 𝑉𝑝 = 5.45𝑉
10KΩ

0.1µF
P9.𝑉𝑝 = 10𝑉, 𝐼𝑉 = 2.2𝑚𝐴. 𝑉𝑉 = 1𝑉. Calcule el rango de valores de R. P11. Un oscilador de relajación con UJT tiene una fuente de
alimentación c-d de 30 V, un capacitor de 5µf y un resistor de
Resp. 𝑅𝑚𝑖𝑛 = 8.6𝐾Ω 𝑅𝑚á𝑥 = 0.2𝑀Ω
carga de 12KΩ. Si el rango de 𝜂 varia de 0.65 a 0.73 y Vv =
1.5V, determine los valores máximos y mínimos e la frecuencia
de oscilación y la tensión de salida pico.
Resp. 𝑓𝑀Á𝑋 = 15.6 𝐻𝑧 𝑓𝑚í𝑛 = 12.4𝐻𝑧 𝑉𝑠𝑎𝑙 = 22.6𝑉

P10. Si en el circuito anterior, 𝐶 = 0.5µ𝐹, calcular el rango de

frecuencia al que puede operar el oscilador de relajación.
Resp. 14.4𝐻𝑧 < 𝑓 < 335𝐻𝑧.