3.1.1 Propiedades Electricas

Unidad 3 Propiedad de los Materiales
3.1. Físicas.
3.1.1. Eléctricas:
Conductividad, resistividad, semi-conductividad,
superconductividad, efecto fotovoltaico,
ferroelectricidad, piezoelectricidad
Presentación
La determinación de los índices que miden esas cualidades, o

características de respuesta de los materiales ante un
determinado requisito, se realizan por medio de ensayos y
equipos normalizados. Estos deben de suministrar los
parámetros de respuesta para la correcta selección del material
más conveniente, bien en valor absoluto, permitiendo el
dimensionamiento, bien en valor relativo, definidor de niveles de
aceptación.
Planteamos, como objetivos, el estudio de las propiedades
eléctricas de los materiales conductores: metales, aleaciones, y
semiconductores, los modelos teóricos que justifican la
conducción eléctrica y las variables de influencia sobre el
comportamiento conductor en metales y semiconductores.
Propiedades eléctricas: Conductividad en los materiales
En los materiales y dispositivos conductores, la propiedad

principal para su diseño es:
 Resistividad (ρ)
 Conductividad. (σ)
Las propiedades eléctricas de los metales tienen su origen
en:
 Microestructura cristalina
 Estructura electrónica asociada
Figura 2.3.1. Conductividad eléctrica de metales y no metales.

Factores de influencia en la conductividad
Influencia de la temperatura
La representación gráfica ρ - T de la figura, nos indica la
correlación entre resistividad y temperatura.
Para el intervalo 0-100°C,

la correlación observada
obedece a la ecuación:
siendo rT y r0 las resistividades a

las temperaturas T(293 °K), a el
coeficiente térmico resistivo en °K-1
, y T es la diferencia entre las
temperaturas T y 293 °K.
Influencia de la temperatura
Deducimos que:
 La resistividad es casi nula a temperaturas próximas al

0 absoluto.
 En los metales y aleaciones, la resistividad aumenta
con la temperatura: a mayor temperatura, mayor
resistividad, y por tanto, menor conductividad.
Estas variaciones son siempre positivas para los metales y
sus aleaciones.
hipótesis de Einstein: supone una estructura cristalina
formada por restos atómicos (núcleos + electrones
internos) y electrones de valencia actuando como resortes
elásticos, para mantener unidos a los átomos del metal.
Figura 2.3.5 Hipótesis de Einstein: microestructura cristalina del metal

actuando como un oscilador armónico.
Las causas del aumento de la resistencia eléctrica parecen
justificarse con el aumento de las fuerzas de rozamiento que
se oponen al libre movimiento de los electrones,
consecuencia de las interferencias entre éstos y los restos
atómicos, contemplados como osciladores armónicos
excitados por la temperatura.
El electrón libre no interacciona con la red cristalina,
formada por los restos atómicos que se encuentran en
reposo sobre sus posiciones de equilibrio.
 La movilidad es directamente proporcional al tiempo de
relajación.
 Mayores temperaturas y amplitudes implican menores tiempos de
relajación, por tanto, menor movilidad.
 Si disminuye la movilidad, disminuye la conductividad eléctrica.
La defectología cristalina
En la proximidad de 0°K, la
resistividad no es cero,
mas bien tiende
asintóticamente a un valor
finito, dejando de ser la
correlación de tipo lineal.
ρT Existen 2 contribuciones a
la resistividad:
ρ = ρT + ρR
 Térmica (ρT)
ρR  Residual. (ρR)
Figura 2.3.6 Contribuciones a la resistividad de un metal.

Elementos de aleación
Grado de influencia que la
naturaleza del aleante y
su concentración influyen
en la resistividad.
La impurificación
implica un aumento en
la resistividad.
Las impurezas:
 Perturban la regularidad de la
red cristalina
 Incrementa la densidad de los
defectos, por diferencias de
tamaño y de estructura Figura: Efecto de las impurezas en la
electrónica con el metal solvente. resistividad del cobre.
Elementos de aleación
 Cuanto mayor es la diferencia de tamaños metal-
impureza, mayor es la pérdida de conductividad.
 También incrementa la resistividad la naturaleza
metaloide o no-metálica de la impureza.
 La adición de soluto en concentración X a un metal da
por resultado un aumento en la resistividad residual.
ρ R (x)= C x(1 – x)
Siendo:
ρR(X) = resistividad residual Ω-m,
X = concentración de impureza en %,
C = constante en Ω-m/%
Aleaciones metálicas y sus aplicaciones eléctricas
Ag, Cu, Au, Al Baja resistividad, buena resistencia a Hilo conductor, bobinado para motores,
corrosión, alta conductividad térmica contactos eléctricos, circuitos impresos e
buena soldabilidad integrados
Cu-Zn, Cu-Ni, Cu- Alta resistencia mecánica y a la Contactores y resortes conductores, hilo
Cd, Cu-Be-Co, Cu- corrosión, buena conductividad, buena conductor telefonía y coaxial, componentes
Zr, Cu-Cr soldabilidad. eléctricos.
Mo, W, Ta, Os, Hf, Alta resistencia mecánica en caliente, Filamentos, Termistores, contactos para
Nb mediocre a la oxidación, moderada microelectrónica.
conductividad.
Ni, Cr, Ti, Pt Buena conformabilidad resistentes a la Contactos para microelectrónica,
corrosión, moderada conductividad. resistencias eléctricas, electrodos
NiFe, CuMn, Alta resistencia mecánica y a la corrosión, Resistencias de carga, precisión,
PtRh, WrRe, baja conductividad termostáticas, termopares
IrRh, PtMo, NiCr,
FeCr, NiCrFe
SnPb, SnPbAg, Baja conductividad, material de Aleaciones de soldadura para electrónica y
CdBiIn, InPb, soldadura resistente microelectrónica.
SnBi, SnAgSb,
PbSnCu
P-1 What is the resistance R of a length of copper wire whose

length = 10 m and whose diameter = 0.10 mm? Use Table
4.3 as a reference. ( ρ = 1.7 x 10-8 Ω-m2/m )
Solución:
𝑳
𝑹=𝝆
𝑨
A = π(0.1)2/4 = 0.007854 mm2
A = 0.007854(10-6) m2
De la Tabla 4.3,
ρCu = 1.7 x 10-8 Ω-m2/m
R = (1.7 x 10-8 Ω-m2/m)(10 m)/( 0.007854(10-6)m2)
-2
R= 2,164.5 x 10 Ω = 21.65 Ω
P-2 Una aleación de Cu-5%Zn presenta la siguiente tabla de

características eléctrico - mecánicas dependiendo del
grado de deformación de la misma.
Calcular:
a) Índice intrínseco de endurecimiento para una
aleación de RM = 300 MPa.
σy(Mpa) RM(Mpa) Ig A% σ(%
b) Resistividad de la aleación con el mismo )
1 165 235 0.702 20.2 56.5

endurecimiento.
2 195 267 0.73 15.4 53.1
c) Deformación máxima que puede 259
suministrarse
328 0.79
al
12.3 46.8
3
conductor de diámetro inicial 1 mm.
4 291 355 0.82 8.5 43.4
d) Diámetro final de dicho conductor
5 320 al 376
proporcionarle
0.85 2.9 40.5
la máxima deformación posible.
6 356 395 0.90 1.0 35.7
a) La correlación lineal entre el índice de endurecimiento (Ig) y la resistencia
mecánica máxima (RM), cuya función de ajuste se simplifica de acuerdo
a la expresión: Ig = 0.42 + 1.16 X 10-3 RM
En la figura se representa la correlación lineal entre el índice de
endurecimiento (Ig) y la resistencia máxima (RM), cuya función de ajuste
simplificada es: Ig = 0.42 + 1.16 X 10-3 RM
luego para RM = 300 MPa, tendremos:
Ig = 0.42 + 1.16 X 10-3 (300 Mpa) = 0.77
b) Considerando la expresión que representa la correlación entre la

conductividad, σ (%), e Ig, podemos obtener lo siguiente.
En la figura se representa la correlación entre la
conductividad, σ (%), e Ig, de la que podemos obtener su recta de
ajuste que es:
σ = 129.6 – 104.6 Ig = 129.6 – 104.6 (0.77)= 49.05%
𝟏. 𝟕𝟐𝟒
En términos de conductividad relativa, tenemos que: 𝝈 %𝑰𝑨𝑪𝑺 = × 𝟏𝟎𝟎
𝝆
𝟏.𝟕𝟐𝟒
𝝆= X 100 𝝆 = 1.724/49.05 x 100 𝝆=3.51 µΩ-cm
𝝈 %𝑰𝑨𝑪𝑺
Propiedades eléctrica: Conductividad en metales
c) Para el índice de endurecimiento puede obtenerse la gráfica
para correlacionar Ig en función del alargamiento proporcional
a rotura A(%) tal y como muestra la figura cuya función de
ajuste es una recta de expresión:
Ig = 0.8988 – 0.99x10-2 A%
por lo que para Ig = 0,77, A% valdrá:
𝟎.𝟖𝟗𝟖𝟖−𝟎.𝟕𝟕
𝑨% = − = 13.01
𝟎.𝟗𝟗×𝟏𝟎 𝟐
Propiedades eléctrica: Conductividad en metales
d) El volumen del material permanecerá constante, por lo que:

𝑫𝟎
𝟐
𝑫𝒇
𝟐
𝑫𝟐𝟎 × 𝒍𝟎
𝒗𝟎 = 𝝅 𝒙 𝒍𝒐 𝒗𝒇 = 𝝅 𝒙 𝒍𝒇 𝒗𝟎 = 𝒗𝒇 → 𝟏 = 𝟐
𝟐 𝟐 𝑫𝒇 𝒙𝒍𝒇
por lo que despejando el diámetro final de la pieza tendremos:
𝒍
𝟐 𝟎
𝑫𝒇 = 𝑫𝟎
𝒍𝒇
suponiendo una longitud inicial del conductor de lo=1 m, su longitud final será,
sabiendo que el alargamiento es un 13 %:
𝑨%
𝒍𝒇 = 𝒍𝟎 𝟏 + = 𝟏 + 𝟎. 𝟏𝟑 = 𝟏. 𝟏3 m 𝟏
𝟏𝟎𝟎
𝑫𝒇 = 𝟏 𝟐 ⋅ = 𝟎. 𝟗𝟒𝒎𝒎
𝟏. 𝟏𝟑
Materiales
Semiconductores
Propiedades eléctricas: Materiales semiconductores
Visión general
1) Los materiales semiconductores provienen de

diferentes grupos en la tabla periódica, pero
comparten ciertas similitudes
2) Las propiedades del material semiconductor están
relacionadas con sus características atómicas y
cambian de grupo a grupo.
3) Los investigadores y diseñadores aprovechan estas
diferencias para mejorar el diseño y elegir el material
óptimo para una aplicación fotovoltaica.
Visión general
Combinación
Grupo III-V
Al-Ga-In + P-As-Sb
Grupo II-VI
Zn-Cd + S-Se-Te
Los elementos semiconductores
más comunes se muestran en
azul.
Un semiconductor puede ser de un solo elemento, como Si o Ge, un
compuesto, como GaAs, InP o CdTe, o una aleación, como Si x Ge (1-x) o
Al x Ga (1-x) Como, donde x es la fracción del elemento particular y varía
de 0 a 1
Estructura
1) Los semiconductores están formados por átomos unidos
entre sí para formar una estructura uniforme.
2) Cada átomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia que
se comparten, formando enlaces covalentes con los cuatro
átomos de Si que lo rodean.
3) Comprender cómo están dispuestos estos átomos es vital
para entender las propiedades de los materiales de los
diferentes semiconductores y cómo diseñarlos mejor.
Representación esquemática de enlaces

covalentes en una red de cristal de
silicio. Cada línea que conecta los átomos
representa un electrón que se comparte
entre los dos. Dos electrones compartidos
son los que forman el enlace covalente.
Conducción en semiconductores
1) Los semiconductores actúan como aislantes a bajas
temperaturas y los conductores a temperaturas más
altas.
2) La conducción se produce a una temperatura más alta porque
los electrones que rodean los átomos semiconductores
pueden separarse de su enlace covalente y moverse
libremente alrededor de la red.
3) La propiedad conductiva de los semiconductores constituye la
base para comprender cómo podemos usar estos materiales
en dispositivos eléctricos.
El espacio dejado por los electrones permite que un
enlace Animación
covalente seque
mueva de un electrón
muestra a otro,de
la formación lo
que parece ser unay carga
electrones positiva
agujeros que se
"libres" mueveun
cuando a
través electrón
de la red cristalina.
puede escapar Este
de su espacio
enlace.vacío se
denomina comúnmente "agujero" y es similar a un
electrón, pero con una carga positiva.
Conducción en semiconductores
Los parámetros más importantes de un material

semiconductor para la operación de celdas solares son:
• La brecha de la banda (Band Gap)
• El número de portadores libres (electrones o agujeros)
disponibles para la conducción; y
• La "generación" y la recombinación de portadores libres
(electrones o agujeros) en respuesta a la luz que brilla
sobre el material.
Brecha de banda
1) La brecha de banda es la cantidad mínima de energía

requerida para que un electrón se libere de su estado
unido.
2) Cuando se cumple la banda de energía, el electrón se
excita en un estado libre y, por lo tanto, puede participar
en la conducción.
3) La brecha de la banda determina cuánta energía se
necesita del sol para la conducción, así como cuánta
energía se genera.
4) Se crea un agujero donde el electrón estaba
anteriormente atado. Este hoyo también participa en la
conducción.
Brecha de banda
La estructura de banda de un semiconductor proporciona la
energía de los electrones en el eje Y, y se denomina "diagrama
de banda". El nivel de energía más bajo de un semiconductor
se llama "banda de valencia" (EV ) y el nivel de energía en el
que un electrón puede considerarse libre se llama "banda de
conducción" (EC ).
Concentración de portadora intrínseca
1) Los portadores intrínsecos son los electrones y
agujeros que participan en la conducción.
2) La concentración de estos portadores depende de la
temperatura y del espacio entre bandas del material, lo
que afecta la conductividad del material.
3) El conocimiento de la concentración de portadores
intrínsecos está vinculado a nuestra comprensión de la
eficiencia de las células solares y cómo maximizarla.
La excitación térmica de un portador desde la banda de

valencia a la banda de conducción crea portadores libres
en ambas bandas. La concentración de estos portadores
se denomina concentración intrínseca de portadores, n i.
Concentración de portadora intrínseca
Concentración de portadora intrínseca en un semiconductor a dos
temperaturas. En ambos casos, el número de electrones y el número
de agujeros es igual. El silicio sin dopar (intrínseco) rara vez se utiliza
en la industria electrónica, casi siempre se dopa para la fabricación de
dispositivos.
Concentración intrínseca del portador de silicio en
función de la temperatura
El valor exacto de la concentración de portador intrínseco en

el silicio se ha estudiado ampliamente debido a su importancia
en el modelado. A 300 K, el valor generalmente aceptado para
la concentración intrínseca de silicio del portador, n i , es 9.65
x10 9 cm-3 según lo medido por Altermatt 1 , que es una
actualización del valor previamente aceptado dado por
Sproul 2 . Misiakos 3 da una fórmula para la concentración de
portador intrínseco en silicio en función de la temperatura :
.
𝟐𝟓𝟒
𝑻 (-6,726/T)
𝒏𝒊 𝑻 = 𝟓. 𝟐 × 𝟏𝟎𝟏𝟗 e
𝟑𝟎𝟎
Concentración intrínseca del portador de silicio en
función de la temperatura
https://www.pveducation.org
Dopaje
Visión de conjunto
1. El dopaje es una técnica utilizada para variar el número
de electrones y huecos en semiconductores
2. Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales
semiconductores del grupo IV se dopan con los átomos
del grupo V. Materiales de tipo P se crean cuando los
materiales semiconductores del grupo IV se dopan con
los átomos del grupo III.
3. Materiales de tipo N aumentan la conductividad de un
semiconductor mediante el aumento del número de
electrones disponibles; materiales de tipo P aumentan
la conductividad al aumentar el número de orificios
presentes.
Es posible cambiar el equilibrio de electrones y huecos en una
red cristalina de silicio por "dopaje" con otros átomos.
Dopaje
Los átomos con un electrón más de

valencia que el silicio se utilizan para
producir material semiconductor de
tipo ”n". Grupo V  tipo “n”
(5 electrones de valencia)
Los átomos con uno menos de los

electrones de valencia resultan en
material tipo ”p". Estos materiales de
tipo p son elementos del grupo III de
la tabla periódica. Grupo III  tipo “p”
3 electrones de valencia
Esquema de una red cristalina de silicio dopado con impurezas para
producir un material semiconductor de tipo n y de tipo p.
Dopaje
Tipo N (negativo) Tipo P (positivo)

Dopante Grupo V (Fósforo) Grupo III (ejemplo, boro)
Enlaces Exceso de electrones Electrones ausentes (Agujeros)
Portadores Mayoritarios Electrones Agujeros
Portadores Minoritarios Agujeros Electrones
La siguiente tabla resume las propiedades de los tipos de

semiconductores en silicio.
Dopaje
En un semiconductor típico podría
haber 1017cm-3 portadores
mayoritarios y 106cm-3 portadores
minoritarios. Expresado en una
forma diferente, la proporción de
la minoría a la mayoría de los
portadores es de menos de una
persona con respecto a toda la
población del planeta.
Los portadores minoritarios son
creados ya sea térmicamente o
por fotones incidentes.
Semiconductor tipo n. Son llamados así, ya que los portadores

mayoritarios están cargados negativamente de electrones.
Dopaje
En un semiconductor típico podría
haber 1017cm-3 portadores
mayoritarios y 106cm-3 portadores
minoritarios. Expresado en una
forma diferente, la proporción de
la minoría a la mayoría de los
portadores es de menos de una
persona con respecto a toda la
población del planeta.
Los portadores minoritarios son
creados ya sea térmicamente o
por fotones incidentes.
Semiconductor tipo P: Son los llamados así. ya que los agujeros los
portadores mayoritarios están cargados positivamente.
Propiedades eléctricas: Comportamiento de los semiconductores
La conductividad en los semiconductores intrínsecos
La representación de los datos de conductividad frente a

temperatura que aparecen en la tabla 8.3 nos llevan a un modelo
matemático del tipo:
𝝈 = 𝑨 ⋅ ⅇ−𝑪Τ𝑻
Características eléctricas de los
 La conductividad es creciente en forma exponencial con
semiconductores frente a temperatura.
la temperatura.
T (°K) σ(Ωm)
 La conductividad es muy baja para temperaturas bajas,
inferiores a la ambiental, y173 7.21·10-11
273 5.29·10-7
 Prácticamente nula en las proximidades del 0 °K.
300 4.35·10-4
473 1.04
550 6.87
Cálculo de la energía de ionización del dopante.
el aumento en el número atómico del dopante introduce el

nivel aceptor mas al interior del intervalo prohibido,
requiriendo una mayor energía de ionización.
A bajas temperaturas
 Congelamiento electrónico
 Bajo nivel de agitación
térmica
 Generación de portadores
(ionización progresiva de las
impurezas dopantes)
la conductividad es
proporcional a una
función exponencial de
índice -Ed/KT.
𝚫 𝐥𝐧 𝒏
𝑬𝒅 = −𝑲
ഥ
𝚫 ⋅ 𝟏Τ𝑻
Concentración de portadores de carga con la

temperatura en silicio extrínseco.
Consultar página www.superconductors.org
Propiedades Eléctricas: SC Cerámicas piezoeléctricas
El efecto piezoeléctrico fue descubierto por Jacques y Pierre Curie
en 1880. Ellos encontraron que si ciertos cristales fueran sometidos
a tensión mecánica, se convertirían eléctricamente polarizados y el
grado de polarización resulto proporcional a la tensión aplicada.
También descubrieron que estos mismos materiales presentaban
deformación cuando eran expuestos a un campo eléctrico.
Esto se conoce como el efecto piezoeléctrico inverso.
Polarización: movimiento de entidades cargadas (nube de
electrones, de iones, bipolos y moléculas) en respuesta a un campo
eléctrico.
En cualquier escala de frecuencia o potencia, el elemento activo y

núcleo de la mayoría de los transductores ultrasónicos es
piezoeléctrico, pudiendo ser clasificados en uno de los siguientes
grupos [1]:
 Cerámicas piezoeléctricas,
 Cristales de cuarzo,
 Compuestos piezoeléctricos,
 Cristales hidrosolubles,
 Mono cristales piezoeléctricos,
 Semiconductores piezoeléctricos, y
 Polímeros piezoeléctricos;
¿QUÉ SON Y CÓMO FUNCIONAN?

Las cerámicas piezoeléctricas son cuerpos macizos semejantes a los
utilizados en aislantes eléctricos, ver Fig. 1; son constituidas de
innumerables cristales ferro-eléctricos microscópicos, siendo
inclusive denominadas como policristalinas.
Figura 1 – Ejemplos de cerámicas

piezoeléctricas. De izquierda a derecha:
disco para equipamientos de ultrasonido
para fisioterapia, tubo para sonares y
anillo para máquinas de soldadura por
ultrasonido.
Cerámicas Piezoeléctricas: funcionamiento y propiedades
Particularmente en las cerámicas tipo PZT, estos pequeños cristales poseen
estructura cristalina tipo Perovskita, que presenta simetría tetragonal,
romboédrica o cúbica simples, dependiendo de la temperatura en que el
material se encuentra, ver Fig. 2.
Estando bajo una determinada Tcritica , conocida como Tcurie, la estructura
Perovskita presenta la simetría tetragonal en que el centro de simetría de las
cargas eléctricas (+) no coincide con el centro de simetría de las cargas (-),
dando origen a un dipolo eléctrico, como se ilustrado en el primer elemento
de la Fig. 2.
Figura 2 - Estructura Perovskita de las cerámicas piezoeléctricas tipo PZT:

1) Debajo de la temperatura de Curie.
2) Por encima de la temperatura de Curie.
La existencia de este dipolo provoca que la estructura cristalina se deforme
en presencia de un campo eléctrico generándose un dislocamiento eléctrico
cuando es sometida a una deformación mecánica, lo que caracteriza a los
efectos piezoeléctricos inverso y directo respectivamente.
La deformación mecánica o la variación del dipolo eléctrico de la estructura
cristalina de la cerámica no implican necesariamente la presencia de efectos
macroscópicos, visto que los dipolos se arreglan en dominios, que a su vez
se distribuyen aleatoriamente en el material policristalino.
Para que ocurran manifestaciones macroscópicas es necesaria una
orientación preferencial de estos dominios, conocida como polarización(1).
Inclusive esta polarización desaparece con el tiempo y uso, inutilizando el
material para la transformación de energía eléctrica en mecánica.
(1) En el proceso de polarización el cuerpo cerámico recebe electrodos en un
par de caras paralelas a través de las cuales se somete al material calentado
a un campo eléctrico con intensidad próxima al límite de ruptura dieléctrica,
induciendo una polarización macroscópica remanente después de este
proceso.
En los sistemas de soldadura y limpieza por ultrasonido, por
ejemplo, es utilizado el efecto piezoeléctrico inverso mediante la
aplicación de un campo eléctrico alternado en una cerámica
piezoeléctrica debidamente polarizada.
Durante el proceso ocurre la transducción de una parte considerable
de la energía de la excitación eléctrica en energía mecánica, a través
de la deformación de la cerámica y consecuente generación de
ultrasonido, ver Fig. 3.
Fig.3- Efecto piezoeléctrico inverso en un bastón de cerámica piezoeléctrica

polarizado:
Si se aplica un campo eléctrico en concordancia con la polarización de la cerámica se
produce un alargamiento de la pieza; aplicando un campo con polaridad invertida la
muestra se contrae.
PRINCIPALES CONSTANTES
En sólidos ordinarios, el dislocamiento eléctrico puede ser
considerado una función exclusiva del:
 vector campo eléctrico ( E ) y

 De las constantes dieléctricas ( e ); y
 La deformación mecánica ( S ) una función exclusiva de
las tensiones mecánicas (T) y las constantes elásticas
(s), como se presenta en notación matricial en las
ecuaciones:
MATERIALES COMERCIALES Y APLICACIONES
Los principales materiales piezoeléctricos comerciales y sus

respectivas propiedades están listados en la Tabla 1.
PZT-4 es utilizado normalmente en sistemas de limpieza por

ultrasonido y fisioterapia.
PZT-8 en sistemas de soldadura por ultrasonido,
PZT-5A en sensores y transductores para ensayos no destructivos,
PZT-5J y 5H para generadores de chispa por impacto (detonadores y
magic clicks) y posicionadores respectivamente.
Constantes dieléctricas K
Las constantes dieléctricas establecen una proporcionalidad entre el
dislocamiento eléctrico y el campo eléctrico aplicado. En la ecuación 4
podemos ver la definición diferencial de la permisividad dieléctrica e a
temperatura y campo eléctrico constante, siendo K=e/ e0.
Las constantes dieléctricas son importantes porque determinan la
capacitancia de la cerámica piezoeléctrica, que a su vez es
determinante en el cálculo y proyección de los circuitos cazadores de
impedancia.
Constantes piezoeléctricas g
Definidas como la razón entre las constantes d ye, correlacionan la
respuesta en tensión eléctrica del material a una tensión mecánica
aplicada (de dimensión Vm/N), siendo especialmente relevantes en la
proyección de sensores.
Constantes elásticas s
Las constantes elásticas s establecen una proporcionalidad entre la
deformación y la tensión aplicada. Son las “constantes de muelle” del
material. A partir de las constantes elásticas, definidas de
Constantes de frecuencia N
En geometrías en las que tenemos un modo de vibración
desacoplado, la constante de frecuencia
se define como el producto de la frecuencia de resonancia por la
dimensión en cuestión, pudiendo ser esta
última el largo, diámetro o espesura. A partir de la constante de
frecuencia podemos estimar la frecuencia
de resonancia para la misma geometría con dimensiones diferentes.
Las constantes de frecuencia son muy útiles en la proyección de

transductores ultrasónicos para
la estimativa de la frecuencia de operación. También podemos
estimar las velocidades de propagación del
sonido en un material a través de las constantes de frecuencia,
duplicándolas.
Factor de calidad mecánico Qm y factor de disipación dieléctrico tg d
El factor de calidad mecánico y el factor de disipación dieléctrico son las
constantes más importantes en la definición de las posibles aplicaciones
dinámicas del material ya que determinan cuales serán las pérdidas de
energía del proceso de transducción. Es a partir de estos factores que se
determina, por ejemplo, si el material es adecuado para aplicaciones de
potencia tales como los sistemas de limpieza por ultrasonido.
Temperatura de Curie
Es la temperatura crítica donde la estructura cristalina del material sufre
la transición de fase de la simetría tetragonal para la cúbica. Si una
cerámica policristalina es sometida a una temperatura superior o igual a
la temperatura de Curie, al ser posteriormente enfriada, podrá
recuperar sus características piezoeléctricas microscópicas, mas no las
macroscópicas, debido a la perdida de la orientación preferencial de los
dominios generados por el proceso de polarización, que posibilita la
utilización práctica del material como transductor electro-mecánico.
Limite de tracción dinámico
Es el límite máximo de tracción a que el material puede ser sometido
dinámicamente sin romperse. Este límite debe ser tomado en cuenta
principalmente al proyectar transductores de potencia, donde las
cerámicas piezoeléctricas son sometidas a altos campos eléctricos
que provocan tanto la
contracción (compresión) cuanto la expansión (tracción) del material.
Tasa de envejecimiento
Es la tasa con que las propiedades piezoeléctricas do material se
alteran con el tiempo a medida que la orientación de los dominios de
dipolos, creada por el proceso de polarización, desaparece.
Tabla I – Principales materiales piezoeléctricos comerciales y sus respectivas
constantes.

3.1.1 Propiedades Electricas

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Unidad 3 Propiedad de los Materiales

La determinación de los índices que miden esas cualidades, o

En los materiales y dispositivos conductores, la propiedad

Figura 2.3.1. Conductividad eléctrica de metales y no metales.

Para el intervalo 0-100°C,

siendo rT y r0 las resistividades a

 La resistividad es casi nula a temperaturas próximas al

Figura 2.3.5 Hipótesis de Einstein: microestructura cristalina del metal

Figura 2.3.6 Contribuciones a la resistividad de un metal.

P-1 What is the resistance R of a length of copper wire whose

P-2 Una aleación de Cu-5%Zn presenta la siguiente tabla de

1 165 235 0.702 20.2 56.5

b) Considerando la expresión que representa la correlación entre la

d) El volumen del material permanecerá constante, por lo que:

por lo que despejando el diámetro final de la pieza tendremos:

1) Los materiales semiconductores provienen de

Representación esquemática de enlaces

Los parámetros más importantes de un material

1) La brecha de banda es la cantidad mínima de energía

La excitación térmica de un portador desde la banda de

El valor exacto de la concentración de portador intrínseco en

Los átomos con un electrón más de

Los átomos con uno menos de los

Tipo N (negativo) Tipo P (positivo)

La siguiente tabla resume las propiedades de los tipos de

Semiconductor tipo n. Son llamados así, ya que los portadores

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