Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
ENERO • 2014
formulario
EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA
EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ENERO • 2014
Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarán el Examen General
para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO) y está
vigente a partir de marzo de 2014.
D. R. 2014
Centro Nacional de Evaluación
para la Educación Superior, A. C. (Ceneval)
[EGEL-IINDU]
Directorio
Dirección General
Mtro. Rafael Vidal Uribe
II = CO + CP + CA
donde:
TMAR = (µ * i)n
donde:
TMARmixta = [I1 + PR1 + %I1 + %PR1] + [I2 + PR2 + %I2 + %PR2] +…+ [In + PRn + %In + %PRn]
donde:
11
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
n
St
V P N = −S0 +
t =1 (1 + i)t
donde:
(1 + i )n − 1
V P N = −P + A + VS
i (1 + i )n
donde:
n F N En VS
TIR = n
+
1 (1 + i) (1 + i)n
donde:
12
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
UN
ROI =
I
donde:
CF
PE =
CV
1−
VT
donde:
Costo beneficio
B B −D
=
C C
donde:
13
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ingeniería económica
Interés simple
I=niP
Interés compuesto
F
i=n −1
I
Valor futuro pago único
F = P (1 + i )
n
1
P=F
(1 + i )
n
(1 + i )n − 1
F= A
i
14
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ingeniería económica
Interés simple
I=niP
Interés compuesto
F
i=n −1
I
Valor futuro pago único
n
F = P(F/P,i,n) F = P (1 + I)
P = F(P/F,i,n) P = F(1+I)–n
F = A(F/A,i,n)
(1 + i )n − 1
A
i
F=
I
15
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Fondo de amortización
i
A =F
(1 + i )n − 1
i (1 + i )n
A = P
(1 + i )n − 1
1 − (1 + I)−n
P = A
i
Series de gradiente
1
A=G
i−n
(1 + i )n − 1
m
r
ie f = 1+ − 1
m
Capitalización continua
m
r
i = l i m 1 + − 1 = er − 1
m→∞ m
16
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Definición de e
1
m
i = l i m 1+ = e A
=
( )
er − 1
m→∞ m F ( )
em − 1
A ( e − 1)
r
F
= em =
P P (1 − e ) m
P (1 − e )
P −m
= e −m
F =
F (
e −1m
)
A ( e − 1)
r
= A 1 n
A (
er − 1 ) = −
G 1 − e−m em − 1
Pagos continuos
F
=
(em − 1 ) P
=
(e
m
−1 )
Aˆ r  r em
 r em
 r =
= P em − 1
F ( m
e −1 )
Tasa mixta
θ = (i – λ)/(1 – λ)
17
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
n n
V p = F l u j o(P / F,i, j) V p = F l u j o(F / P,i, j)
j= 0 j= 0
n
V p = F l u j o(P / F,i, j) * ( A / P,i, j )
j= 0
SAUE = - CAUE
Recuperación de capital
CAUE = - SAUE = RC
(P – Vs)(A/P,i,n) + iVs
Retiro y reemplazo
n
V p = − F l u j o i n i c i a l + F l u j o(P / F,i, j)
j=1
Periodo de recuperación
A B S(f l u j o)
Pr =
ingreso por periodo
Razón costo-beneficio
B D
=B−
C C
18
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Radiofrecuencia
Estabilidad
YrYt
C=
2 g1 g 0 − Re (YrYt )
2 ( g1 + Gs )( g 0 + GL )
K=
Yr Yt + Re (Yr Yt )
2
Yr
MAG =
4 g1 g 0
donde:
2 2 2
1 − S11 − S22 + Δ
K= <1
2 S12 S12
donde:
Δ = S11S22 − S12 S12
19
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Teorema de Miller
20
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1
RL =
gL
1
rπ o =
g πo
Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor común (BJT)) y
en las expresiones según la figura.
21
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
rπ ro
g m RL s 2
Ri + rπ RL + ro
H (s) =
1 1
s+ s +
Ci ( Ri + rπ ) Co ( ro + RL )
Los polos del circuito están dadas por:
1
f p1 =
2π Ci ( Ri + rπ )
1
f p2 =
2π Co ( ro + RL )
1 ro
g m RL s
Ri Cgs RL + ro
H (s) =
1 Ci + Cgs 1
s + s +
Ri Ci Cgs Co ( ro + RL )
Parámetros de dispersión
22
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
b1 S11 S12 a1
b = S S22 a2
2 21
b1
S11 = Coeficiente de reflexión del puerto 1 (Entrada)
a1 a2 = 0
b2
S21 = Coeficiente de transmisión del puerto 1 al 2 (Ganancia)
a1 a2 =0
b1
S12 = Coeficiente de transmisión del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)
a2 a1 =0
b2
S22 = Coeficiente de reflexión del puerto 2 (Salida)
a2 a1 =0
Líneas de transmisión
Impedancia característica
2D
Z 0 = 276 log
d
donde:
23
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1 μ D μ D
Z0 = ln ≈ 138 r log
2π ε d εr d
donde:
Si t << W
60 8b W
ln +
ε e W 4b Si W / b < 1
Z0 =
120π
Si W / b > 1
ε e W / b + 1.393 + 0.667 ln (W / d + 1.444 )
donde:
ε r + 1 ε r −1 1
εe = +
2 2 1 + 12d / W
En otro caso:
24
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
87 5.98b
Z0 = ln
ε + 1.41 0.8W + t
ε r = constante dieléctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
h = distancia entre la pista al plano a tierra
60 4d
Z0 = ln
ε 0.67πW ( 0.8 + t / b )
Impedancia característica
R + jω L
Z0 =
G + jωC
Constante de propagación
γ= ( R + jω L )( G + jωC )
Velocidad de propagación
1
vp =
LC
Tiempo de retardo
td = LC
Ondas estacionarias
25
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Coeficiente de reflexión
Vr
Γ=
Vi
Z − Z0
Γ= L
Z L + Z0
Vmax − Vmin
Γ=
Vmax + Vmin
donde:
Γ = Coeficiente de reflexión
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente
V max 1 + Γ
SWR = =
V min 1 − Γ
y
SWR − 1
Γ=
SWR + 1
Si Z L ∈ℜ y Z L > Z0 , entonces:
ZL
SWR =
Z0
Si Z L ∈ℜ y Z L < Z0 , entonces:
Z0
SWR =
ZL
Impedancia de entrada ( Zin )
26
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Z L + jZ 0 tan ( β l )
Z in = Z 0
Z 0 + jZ L tan ( β l )
donde:
27
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Antenas
Ganancia directiva
Pantena de refecia
G( dB ) = [ dB ]
Pantena de prueba
Resistencia de radiación
Pradiada
Rr = 2 [Ω]
I entrada
2
l
Rr = 790 [ Ω]
λ
Ancho de banda de la antena
28
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
fm = f L ⋅ f H [ Hz ]
Longitud efectiva
292
le = [ m]
f
Área efectiva
Wr
Aef =
Pi
P (θ , φ ) = Re ( E × H ∗ )
E
=η
H
Wr = P (θ , φ ) ⋅ ds
Directividad
Pmax
D=
Wr
4π r 2
Lóbulo
29
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
BWn ≈ 2.25BW−3dB
30 Dt ⋅ Pt
E=
d
30
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Conectores
RJ45
31
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RJ11
32
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VGA
Pines
33
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
USB
Patillaje
Pin 2 Data-
Pin 3 Data+
Pin 4 Ground
DB9
Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fácilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.
Pines
34
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
DB-25
Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras: Este conector trabaja para el puerto
paralelo.
35
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IEEE.488
Terminales
36
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RS-232 DB9
37
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RS – 422/485 DB – 9
38
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Formulario general
Matemáticas
Álgebra
Si x < y
x + z < y + z
Si x < y; z > 0 xz < yz
∀x, y, z ∈ ℜ
Si x < y; z < 0 xz > yz
Si x < y; y < z x < z
n n
r ∠θ = r ∠
(
θ + k 360 ); k entero
n
( )
ln r e θi = ln r + ( θ + 2 k π ) i ; k entero
∀ f(x) ; g(x) ≠ 0, existen q(x); r(x); f, g, q, r polinomios tales que: f(x) = g(x) q(x) + r(x), con gr(r) < gr(g)
o r(x) = 0
39
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Para matrices A y B
(AB )−1 = B −1 A −1 ; A y B no singulares
tr(A + B) = tr A + tr B
tr (aA ) = a (tr A )
(AB )T = BT A T
det (A) = det (A T )
det (AB) = det(A) det(B)
A (Adj A ) = (Adj A)A = det(A) I
1
det (A -1 ) = ; A no singular
det (A)
{
Si B = v 1 , v 2 , , v n } es base de un espacio V; x ∈ V
y x = α 1 v 1 + α 2 v 2 + + α n v n ; entonces, el vector de coordenadas de x respecto a B es:
(x) B
= (α 1, α 2 , , α n )
T
( ) ( )
Si u, v, w ∈ V (C ) espacio vectorial, entonces f u, v = u | v es producto interno en V si:
( ) ( )
1) u | v = v |u
2) (u | v + w ) = (u | v ) + (u | w )
3) (α u | v) = α(u | v )
4) (u | u) > 0 si u ≠ 0
( )
12
v = v| v norma de v
(
d u, v = v − u ) distancia de u a v
cos θ =
(u • v ) coseno del ángulo entre u y v
u v
40
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
(v | g ) ;
( v) = (α 1 , α 2 , , α n )
T
entonces α i =
i
i = 1, 2, , n
B
(g | g )
i i
{
Si e 1, e 2 , , e m } es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v ∈ V ; entonces, la
m
proyección de v sobre W es: ( v | e ) e i i
i=1
T (V ) = T v | v ∈ V
{ ( )
re co rrid o d e V }
Para la transformación lineal T:V→W
N (T ) = v ∈ V / T v = O
{n u cle o d e T ( ) }
d im V = d im T ( V ) + d im N ( T )
{ }
Para T:V→W; A= v 1, v 2 , , v n base de V y B base de W la matriz asociada a T, M BA ( T ) tiene por
columnas a:
()
T v = λ v con λ ≠ 0 y v ≠ 0
41
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
p ⋅ an ± q ⋅ an = ( p ± q ) ⋅ an a m ⋅ a n = a m+n
am
an
= a m−n (a ) = (a )
m n n m
= a m⋅n
n
−n 1 an a
a = n n =
a b b
p ⋅ n a ± q ⋅ n a = ( p ± q)⋅ n a n
a ⋅b = n a ⋅ n b
1
n
a n a a n n⋅ x
= = a m⋅x = n a m
n
b b b
m
( )
m
n
am = n
a = an ∗
−a = i ⋅ a
( )
2
( −2)
∗ 2
No es válida en algunos casos; p. ej., = +2, −2 = −2
(a ± b) (a ± b)
2 3
= a 2 ± 2ab + b 2 = a 3 ± 3a 2b + 3ab 2 ± b3
(a + b + c) a2 − b2 = ( a + b )( a − b )
2
= a 2 + 2ab + 2ac + b 2 + 2bc + c 2
a 3 + b3 = ( a + b ) ( a 2 − ab + b 2 ) a 3 − b3 = ( a − b ) ( a 2 + ab + b 2 )
2 −b ± b2 − 4ac
ax + bx + c = 0 x1,2 =
2a
p p2
(a − b + c)
2
x 2 + px + q = 0 x1,2 = − ± −q = a 2 − 2ab + 2ac + b 2 − 2bc + c 2
2 4
n n −1 n ( n − 1) n − 2 2 n ( n − 1)( n − 2 ) n −3 3
(a + b)
n
= an + a b+ a b + a b + + bn
1 1⋅ 2 1⋅ 2 ⋅ 3
a n + b n = ( a − b ) ( a n −1 − a n − 2b + a n −3b 2 + ab n − 2 + b n −1 )
42
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Logaritmos
x
log ( x ⋅ y ) = log x + log y log = log x − log y
y
1
log x n = n log x log n x = log x
n
log a n = n log a log a a = 1
log1 = 0
Binomio de Newton
n n ( n − 1)( n − 2 ) n − k + 1
=
k 1⋅ 2 ⋅ 3 k
n x n ( n − 1) x
2
n
(1 + x ) = 1 + + +...
1! 2!
Teorema binomial
n k n−k
( x + a )n = k =0
n
x a
k
Permutaciones
Pn = n! = 1× 2 × 3×× n
43
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Combinaciones y ordenaciones
n! n r
Ckn =
( n + k − 1)! = n + k − 1
Ckn = =
k !( n − 1) ! k
k !( n − k ) ! k
r con repetición
α α (α − 1)
f ( x ) = (1 ± x ) = 1 ± α x + x 2 + ...
2!
f ' (a ) f '' ( a )
f ( x) = f (a ) + (x − a) + (x − a) +
2
1! 2!
Expansión de Taylor
x x 2 x3
ex = 1 + + + +..., − ∞ < x < ∞
1! 2! 3!
44
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Cálculo diferencial
Δy'
m = tan α =
Δx '
Δy
La intensidad media de variación de la función y = f ( x ) es la relación de los incrementos
Δx
correspondientes al segmento de curva PP1
Δy f (x + Δx) − f (x)
=
Δx Δx
Cuando Δx tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relación de incrementos se convierte en la relación de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la función en P:
Δy dy
y' = lim = = f '(x)
Δx→0 Δx dx
Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendrá la curva de y ' = f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y = f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' = f '( x ) se obtendrá y '' = f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y = f ( x ) , etc.
(1+ y′ 2 )3
ρ=
y′′
45
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1 + y′ 2
a= x− y′
y′′
1 + y′ 2
b= y+
y′′
Punto de inflexión
46
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Crecimiento y decrecimiento
Curvatura
Otros casos
Si para x = a
y '( a ) = y ''( a ) = y '''( a ) = = y ( n −1) ( a ) = 0 , pero y n ≠ 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:
47
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Tablas de derivadas
d d
( c) = 0 ( cx ) = c
dx dx
d d du dv dw
( cx n ) = ncx n −1 ( u ± v ± w±) = ± ±
dx dx dx dx dx
d du d dv du
( cu ) = c ( uv ) = u + v
dx dx dx dx dx
d
( uvw ) = u v
dw
+uw
dv
+vw
du d u v
=
( du dx) − u( dv dx)
dx dx dx dx dx v v2
d n du du 1
( u ) = nu n−1 =
dx dx dx dx
du
dF dF du
= (Regla de la cadena)
dx du dx
d v d v ln u d
u = e = ev ln u [ v ln u ] =
dx dx dx d log a e du
log a u = a > 0, a ≠ 1
du dv dx u dx
vu v -1 + u v ln u
dx dx
d u du d d 1 du
a = a u ln a ln u = log e u =
dx dx dx dx u dx
d u du
e = eu
dx dx
d du d du
sen u = cos u cot u = − csc 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cos u = − sen u sec u = sec u tan u
dx dx dx dx
d du d du
tan u = sec 2 u csc u = − csc u cot u
dx dx dx dx
d −1 du d 1 du
cos−1 u = 0 < cos−1 u < π sen −1 u = − π2 < sen −1 u < π2
dx 1 − u 2 dx dx 1 − u dx
2
d 1 du d −1 du
tan −1 u = − π2 < tan −1 u < π2 cot −1 u = 0 < cot −1 u < π
dx 1 + u 2 dx dx 1 + u 2 dx
48
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
d 1 du ±1 du d −1 du 1 du
sec −1 u = = , csc −1 u = = ,
dx u u − 1 dx u u 2 − 1 dx
2 dx u u − 1 dx u u 2 − 1 dx
2
d du d du
senh u = cosh u coth u = − csc h 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cosh u = senh u sec h u = − sec h u tanh u
dx dx dx dx
d du d du
tanh u = sec h 2 u csc h u = − csc h u coth u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
dx
sen h -1u = tanh −1 u = , [ −1 < u < 1]
u 2 + 1 dx dx 1 − u 2 dx
d ±1 du
d −1 du cos h -1u = ,
csc h -1u = , dx u 2 − 1 dx
dx u 1 + u dx
2
49
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Cálculo integral
Significado de la integración
Por integración se entiende el encontrar una función F ( x ) a partir de una función dada y = f ( x) de
manera que la derivada F ′( x ) sea igual a la original f ( x) . Por lo tanto,
dF ( x )
F ′( x ) = = f ( x)
dx
La integral indefinida
f ( x )dx = F ( x ) + C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.
Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y = F ( x ) con pendiente o derivada y ′ = F ( x ) .
Todas las curvas y = f ( x ) son iguales pero desplazadas paralelamente y en la dirección del eje y .
La constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y0 se tendrá:
C = y0 − F ( x0 )
La integral definida
b
b
f ( x)dx = F ( x) a = F (b) − F (a)
a
50
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
En la integral resultante se sustituye primero el límite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece así la constante C.
51
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Reglas de integración
Formas fundamentales
u dv = uv − v du e
u
du = eu + C
1 au
u du = n + 1 u
n n +1
+C n ≠ −1 a du = ln a + C
u
du
u
= ln u + C
Formas trigonométricas
Formas cuadráticas
u 2 a2 du u
a 2 + u 2 du = a + u 2 + ln u + a 2 + u 2 + C 2 2
= sen −1
a
+C
2 2 a −u
u 2 a2 du 1 −1 u
u 2
a 2 + u2 du =
8
( a + 2u2 ) a 2 + u2 − ln u + a 2 + u2 + C
8 a 2 + u 2 = a tan a + C
du 1 u
a 2 + u2
du = a 2 + u 2 − a ln
a + a 2 + u2
+C 2 2 = a sec−1 a + C
u u u u −a
du 1 u+a
du
=−
a 2 + u2
+C a 2
−u 2 = ln
2a u − a
+C
u2 a 2 + u2 a 2u
52
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
du u du 1 u−a
= +C u 2 = ln +C
(a 2
+u )
2 3/ 2
a 2 2
a +u 2 2
−a 2a u + a
2 2
a +u a 2 + u2 du
1 a 2 + u2 + a
u2
du = −
u
+ ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = − a ln +C
u a +u u
u a4 u u 2 a2 u
u 2 a 2 − u 2 du = 8
( 2 u 2 − a 2 ) a 2 − u 2 + sen −1 + C
8 a a − u du = 2 a − u + 2 sen −1 a + C
2 2 2
u 2 du u a2 du
=
2
a 2 + u2 −
2
ln u + a 2 + u 2 + C 2 2 = ln u + a 2 + u2 + C
a 2 + u2 a +u
u 2 a2 u 2 du u a2 u
2
u − a du =
2
2
u − a − ln u + u 2 − a 2 + C
2
2
2 2
=−
2
2 2
a −u +
2
sen −1 + C
a
a −u
a 2 − u2 a + a 2 − u2 a 2 − u2 1 2 u
du = a 2 − u 2 − a ln +C u 2 du = −
u
a − u 2 − sen −1 + C
a
u u
u 2 2 2 2 a4
1 a + a 2 − u2
2 2 = − a ln
du
+C u 2
u2 − a2 du =
8
( 2u − a ) u − a − ln u + u2 − a2 +C
8
u a −u u
du 1
=−
a 2u
a 2 − u2 + C
u2 − a 2 a
du = u 2 − a 2 − a cos−1 + C
u2 a 2 − u2 u u
u 3a 4 u 2
u −a 2 2
u −a 2
(a
3
2
− u 2 ) 2 du = − ( 2u2 − 5a 2 ) a 2 − u2 + sen−1 + C du = − + ln u + u 2 − a 2 + C
8 8 a u 2
u
du u du
3 = +C = ln u + u 2 − a 2 + C
( a 2 − u2 ) 2 a 2
a 2 − u2 2
u −a 2
u 2 du u a2 udu 1
=
2
u2 − a2 +
2
ln u + u 2 − a 2 + C a + bu = b ( a + bu − a ln a + bu ) + C
2
u2 − a2
du a + bu b( 2 n − 3) du u2 − a 2
du
u n a + bu = − a( n − 1) u n −1 − 2 a( n − 1) u n −1 a + bu 2 2 2 = a 2u + C
u u −a
u 2 du 1 du u
a + bu = 2b [( a + bu) 3
2
− 4a ( a + bu ) + 2 a 2 ln a + bu ] + C 2 2 32 = − a2 u 2 − a2 + C
(u − a )
du 1 u
u( a + bu) = a ln a + bu + C u
du
=
1
ln
a + bu − a
+ C , si a > 0
a + bu a a + bu + a
2 a + bu
= tan −1 + C , si a < 0
−a −a
du 1 b a + bu a + bu
u ( a + bu) = − au + a
2 2 ln
u
+C du = 2 a + bu + a
du
u u a + bu
53
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
udu a 1
( a + bu) = + ln a + bu + C
b ( a + bu) b
2 2
a + bu
2 du = −
a + bu b
+
du
u u 2 u a + bu
du 1 1 a + bu udu 2
u( a + bu) 2 = a( a + bu) − a 2 ln u + C =
a + bu 3b 2
( bu − 2 a ) a + bu
u 2 du 1 a2 u n du 2 u n a + bu 2 na u n − 1 du
(a + bu )2
a + =
bu −
a + bu
b3
− 2a ln a + bu + C a + bu
=
b( 2 n + 1)
−
b( 2 n + 1)
a + bu
2
u a + budu = 15b 2 ( 3bu − 2a )( a + bu) 2 + C
3
csc sen
3 2
u du = − 12 csc u cot u + 12 ln csc u − cot u + C u du = 12 u − 14 sen 2u + C
n −1
cos
2
u du = 12 u + 14 sen 2u + C
sen u du = − 1n sen n −1 u cos u +
n
sen n − 2 u du
n
n −1
cos tan
2
n
u du = n1 cosn −1 u sen u + cosn − 2 u du u du = tan u − u + C
n
1
cot
2
u du = − cot u − u + C
tan u du = tan n −1 u − tan n − 2 u du
n
n −1
−1
cot n u du = n − 1 cot n−1 u − cot n− 2 u du sen
3
u du = − 13 ( 2 + sen 2 u ) cos u + C
1 n−2
sec n u du = n − 1 tanu sec n− 2 u + n − 1 sec n−2 u du cos
3
u du = 13 ( 2 + cos 2 u ) sen u + C
1 n−2
csc n u du = n − 1 cot u csc n− 2 u + n − 1 csc n− 2 u du tan
3
u du = 12 tan 2 u + ln cos u + C
sen ( a − b ) u sen ( a + b ) u
cot
3
u du = − 12 cot 2 u − ln sen u + C
sen au sen bu du = 2( a − b)
−
2( a + b)
+C
sen( a − b) u sen( a + b) u
sec
3
cos au cos bu du = 2( a − b)
+
2( a + b)
+C u du = 12 sec u tan u + 12 ln sec u + tan u + C
cos( a − b) u cos( a + b) u
u cos u du = u sen u − n u sen u du
n −1
sen au cos bu du = −
n n
− +C
2( a − b) 2( a + b)
u sen u du = sen u − u cos u + C sen
n
u cos m u du
sen n −1 u cosm+1 u n − 1
=−
n+m
+
n+m
sen n−2 u cosm u du
sen n +1 u cosm−1 u m − 1
=−
n+m
+
n+m
sen n u cosm−2 u du
2u − 1 2
u 1− u2 u 2 +1 u
u cos u du = 4 cos u −
−1 −1
4
+C utan u du =
−1
2
tan −1 u − + C
2
54
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1 n +1 u n+1du
sen
−1
u n
sen −1 u du = −1
− u du = u sen −1 u + 1 − u 2 + C
u sen u , n ≠ −1
n + 1 1 − u2
1 u n +1du
cos
−1
u n cos−1 u du = n + 1 u n+1 cos−1 u + u du = u cos−1 u − 1 − u 2 + C
, n ≠ −1
1 − u2
1 n +1 −1 u n +1 du tan
−1
(
u du = u tan −1 u − 12 ln 1 + u 2 + C )
u tan u du = 1+ u 2
n −1
u tan u − , n ≠ −1
n +1
1
ue au
( au − 1) e au + C
du =
a2
ln u du = u ln u − u + C
1 n u n +1
u n e au du = a u n e au − a u n−1e au du u n
ln u du = [ ( n + 1) ln u − 1] + C
( n + 1) 2
e au 1
e sen bu du = a 2 + b 2 ( a sen bu − b cos bu) + C
au
u ln u du = ln ln u + C
e au
e au
cos bu du =
a + b2
2
( a cos bu + b sen bu ) + C
Formas hiperbólicas
u−a a2 a − u du a − u
2au − u 2 du =
2
2 au − u 2 + cos−1
2 a
+ C = cos−1
a
2
+ C
2a u − u
2u − au − 3a 2 a3 a − u u du a − u
u 2au − u2 du =
6
2au − u2 + cos−1
2 a
+ C = − 2a u − u 2 + a cos−1
2 a
+ C
2au − u
2a u − u 2 a − u du 2a u − u 2
u 2 du = 2a u − u 2 + a cos−1
a
+ C =−
au
+C
u 2a u − u 2
u 2 du (u + 3a ) 3a 2 a−u 2a u − u 2 2 2a u − u 2 a − u
2au − u 2
=−
2
2au − u 2 +
2
cos −1 +C
a du = − − cos−1 + C
u 2
u a
55
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Regla de Simpson
h
Ai = (
y + 4y1 + y 2
3 0
)
Para curvas de grado mayor que el tercero
h
A= ( )
y + yn + 2 y 2 + y 4 + ... + yn − 2 + 4 y1 + y 3 + ... + yn −1
3 0 ( )
Integrales múltiples
b
x=a
f2 ( x )
y = f1 ( x )
F ( x, y ) dydx =
b
x=a { f2 ( x )
y = f1 ( x )
F ( x, y ) dy dx }
Donde y = f1( x) e y = f 2 ( x ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral también se puede escribir así:
d
y =c
g2 ( y )
x = g1 ( y )
F ( x, y ) dxdy =
d
y =c { g2 ( y )
x = g1 ( y )
F ( x , y ) dx dy}
Donde x = g1 ( y) , x = g2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.
Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de área. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen así como integrales múltiples en más de tres
dimensiones.
t
s = s (t ) = r ′(t ) dt
a
(
Los vectores unitarios t , n , b forman una triada positiva b = t xn , n = b xt , t = nxb )
56
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Recta tangente en t0
r ( λ) = r ( t0 ) + λr ′( t0 )
x − x0 y − y0 z − z0
= =
x0′ y0′ x0′
Plano oscilador( t , n ) en t0
x − x0 y − y0 z − z0
( ) ( )
r − r ( t 0 ) • r ′( t 0 ) xr ′′( t0 ) = 0 x 0′ y 0′ z 0′ =0
x 0′′ y 0′′ z 0′′
Curvatura y torsión
y´´ r ′( t ) xr ′′( t ) r ′( t ) ⋅ ( r ′′( t ) xr ′′′( t ) )
κ= κ(t) = 3 τ ( t) = 2
3
r ′( t ) r ′( t ) xr ′′( t )
1 + ( y´) 2 2
Plano normal
( r − r( t ) ) ⋅ r′( t ) = 0
0 0
x0′ ( x − x0 ) + y0′ ( y − y0 ) + z0′ ( z − z0 ) = 0
Plano rectificante t , b en t0 ( )
Ecuación vectorial: Ecuación paramétrica:
x - x0 y - y0 z - z0
( )
r − r ( t0 ) ⋅ n( t0 ) = 0 x 0′ y 0′ z 0′ =0
y 0′ z 0′′ − y 0′′z 0′ z 0′ x 0′′ − z 0′′x 0′ x 0′ y 0′′ − x 0′′y 0′
57
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
→ →
→ → ν. a
a T = a T = →
ν
→ →
→ →
ν x a
a N =aN = →
ν
Propiedades de la divergencia
i) div( F + G) = div( F ) + div(G)
ii) div(φ F ) = φ div( F ) + (gradφ ) • F
( ) ( )
iii) div( F + G) = G • rot F -F • rot G
58
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Geometría
Áreas
Círculo =
B + b
Trapecio A= h
2
ab sen α bh
Triángulo A= =
2 2
Volúmenes
Prismas V= SB h
donde SB = área de la base
SBh
Pirámides V=
3
donde SB = área de la base
Volumen = 43 π r 3
Área de la superficie = 4 π r 2
Volumen = π r 2h
Área de la superficie lateral = 2 π rh
59
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Volumen = 13 π r2h
Volumen = 13 π h ( a 2 + a b + b 2 )
Área de la superficie lateral
= π ( a + b) h2 + ( b − a)
2
= π ( a + b) l
(x − x 1 ) + (y 2 − y 1 )
2 2
Distancia entre dos puntos 2
y 2 − y1
Pendiente de una recta m=
x 2 − x1
m1 − m 2
Ángulo entre rectas tan θ =
1 + m1m 2
Parábola
Elipse
( x − h) (y − k)
2 2
60
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2b 2 c
a 2 = b2 + c2 ; ;LR =
e = <1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC > 0
Hipérbola
( x − h) (y − k)
2 2
2b 2 c
c2 = a 2 + b2 ; ;LR =
e = >1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC < 0
61
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Considerando P1 = ( x1 , y1 , z1 ) y P2 = ( x2 , y2 , z2 )
P1 P2 = (x 2 − x 1 ) , ( y 2 − y1 ) , ( z 2 − z 1 ) = ( l , m , n )
d= (x 2 − x1 ) + ( y2 − y1 ) + ( z2 − z1 ) = l 2 + m2 + n2
2 2 2
Forma paramétrica:
x = x1 + l t y = y1 + mt z = z1 + n t
Forma simétrica:
x − x1 y − y1 z − z1
t= t= t=
l m n
Cosenos directores:
x2 − x1 l y2 − y1 m z2 − z1 n
cos α = = cos β = = cos γ = =
d d d d d d
donde α, β, γ denotan los ángulos que forman la línea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.
a 1 ( x − x 1 ) + a 2 ( y − y 1 ) + a 3 ( z − z1 ) = 0
-Forma general:
Ax + By + Cz + D = 0
62
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ax 0 + By 0 + Cz0 + D
d=
± A2 + B 2 + C 2
en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.
Coordenadas cilíndricas:
r = x 2 + y 2
x = r cosθ
y = r sen θ ()
θ = tan x
−1 y
z= z z = z
Coordenadas esféricas:
x = ρ senφ cos θ
y = ρ senφ senθ
z = ρ cos φ
ρ = x2 + y 2 + z 2
θ = tan x ()
−1 y
z
ϕ = cos 2
−1
2 2
x +y +z
63
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
m1 − m2
Ángulo entre dos rectas en el plano tan α =
1 + m1m2
i j k
Producto vectorial a x b = a1 a2 a3
b1 b2 b3
a1 a2 a3
Producto mixto [a ]
b c = b1 b2 b3
c1 c2 c3
a•b axb
Ángulo entre dos vectores cosθ = ; senθ =
a b a b
x = xo + at
Ecuaciones paramétricas de la recta y = y o + bt u = (a, b, c)
z = z + ct
o
x − xo y − yo z − zo
Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma = =
a b c
simétrica
u = ( a, b, c)
Po Q x u
Distancia de un punto Q a una recta d=
u
64
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
x = x o + ru x + sv x
Ecuaciones paramétricas de un plano y = y o + ru y + sv y
z = z + ru + sv
o z z
PoQ • N
Distancia de un punto Q a un plano d =
N
u • N
Ángulo entre una recta y un plano senα =
u N
65
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Trigonometría
Representación:
Unidad de arco:
1 radián (rad) es el ángulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
también unitario. Por lo tanto,
1m
1 rad = = 1(número adimensional)
1m
66
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
180°
360° = 2π rad, 1 rad = = 57.2967°
π
π
1° = rad = 0.017453 rad
180
π α
αˆ = α=
180 57.2967
longitud de arco
αˆ = arc α =
radio
La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ángulo central α̂ (en radianes) de la
circunferencia:
b = rα̂
Funciones trigonométricas
En un triángulo rectángulo:
cateto opuesto a
sen α = =
hipotenusa c
cateto adyacente b
cos α = =
hipotenusa c
cateto opuesto a
tan α = =
cateto adyacente b
67
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
cot A =
cos A sen ( A ± B ) = sen A cos B ± cos A sen B
sen A
senAcscA=1 cos ( A ± B ) = cos A cos B sen A sen B
cosAsecA=1 tan ( A ± B ) =
tanA ± tanB
1 tanAtanB
tanAcotA=1 sen
A
= ±
1 − cos A
2 2
sen ( − A) = − sen A A 1 + cos A
cos = ±
2 2
cos ( − A) = cos A sen Asen B = 1
2 [ cos( A − B) − cos( A + B)]
tan (− A ) = − tan A sen A cos B = 1
[ sen( A − B) + sen( A + B)]
2
68
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Las leyes siguientes son válidas para cualquier triángulo plano ABC de lados a, b, c y de ángulos A,
B, C.
a b c
= =
sen A sen B sen C
c 2 = a 2 + b 2 − 2 a b cos C
a + b tan 21 ( A + B )
=
a − b tan 21 ( A − B )
Teorema de Pitágoras
a 2 + b2 = c 2
0° 0 1 0 ∞ 1 ∞
1 3 3 2 3
30° 3 2
2 2 3 3
2 2
45° 1 1 2 2
2 2
3 1 3 2 3
60° 3 2
2 2 3 3
90° 1 0 ∞ 0 ∞ 1
69
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
70
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Números complejos
−1 y
Se tiene que r = z = ( x, y ) y que θ = arg( z ) = tan
x
Luego:
y
sin θ = y = r sin θ
r
cos θ = x
x = r cos θ
r
Por lo tanto:
z = r (cos θ + i sin θ) = r e iθ
Teorema de De Moivre
[r(cosθ + isenθ )]
p
= r p (cos pθ + isenpθ )
donde k es un entero positivo. De aquí se pueden obtener las n raíces n-ésimas distintas de un
número complejo haciendo k = 0,1, 2, , n − 1
71
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Análisis vectorial
Vectores unitarios sobre los ejes OX ,OY ,OZ : i , j , k
Componentes escalares
a x , ay , a z > 0
<
ax = x 2 − x 1
ay = y2 − y1
az = z 2 − z1
Componentes vectoriales
a = ax + ay + az
a = ax i − ay j + az k
Magnitud de un vector: a (o bien, a )
| a |= ax2 + ay2 + az2 ( | a | siempre ≥ 0 )
α , β , γ son los ángulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ . (α , β , γ = 0° 180° ) .
a a a
cos α = x , cos β = y , cos γ = z
|a | |a | |a |
Cálculo de las componentes. Si se conocen | a |, α, β, γ ,
ax =| a | cos α ; ay =| a | cos β ; az =| a | cos γ
72
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Suma vectorial s de dos vectores libres a y b
s = a + b = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx , sy = ay + by , sz = az + bz
| s |= sx2 + sy2 + sz2
Diferencia vectorial s de dos vectores libres a y b
s = a + (−b )
sx = ax − bx , sy = ay − by , sz = az − bz
| s |= sx2 + sy2 + sz2
Suma vectorial s de dos vectores libres a y b , −c , etc.:
s = a + b − c + = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx − cx + , sy = ay + by − cy + , sz = az + bz − cz +
| s |= sx2 + sy2 + sz2
73
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Si k > 0, entonces c ↑↑ a , por lo que
Si k < 0, entonces c ↑↓ a , por lo que
El producto escalar de dos vectores libres a y b da el escalar k
Símbolo del producto escalar: punto “ˑ”
k = a ⋅ b = b ⋅ a = a ⋅ b ⋅ cos ϕ =| a | ⋅ | b | cos ϕ
k = ax ⋅ bx + ay ⋅ by + az ⋅ bz
a ⋅b + a ⋅b + a ⋅b
ϕ = cos −1 x x y y z z
|a | ⋅ |b |
W = F s cos ϕ
74
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
El producto vectorial de dos vectores libres a y b da el vector c
Símbolo del producto vectorial: cruz “x”
(
c = a ×b = − b ×a
) c
0°<Φ<180° b
| c |= ab sin ϕ =| a || b | sin ϕ <
(c = 0)
c ⊥a y c ⊥b
Φ
>
a , b , c forman una triada derecha
a
cx = aybz − azby Φ 180°<Φ<360°
a
cy = azbx − axbz
cz = axby − aybx
| c |= cx2 + cy2 + cz2 b c
A • B = A B cos θ 0≤θ ≤π
A • B = A1 B1 + A2 B 2 + A3 B 3
donde:
A = A1 i + A2 j + A3 k
∧ ∧ ∧
B = B1 i + B2 j+ B3 k
∧ ∧ ∧
i j k
Producto cruz: A × B = A1 A2 A3
B1 B2 B3
75
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
∂ ∂ ∂
∇= i+ j+ k
∂x ∂y ∂z
∂ ∂ ∂ ∂U ∂U ∂U
Gradiente de U grad(U ) = ∇ U = i + j + k U = i+ j+ k
∂x ∂y ∂z ∂x ∂y ∂z
∂ ∂ ∂ ∂A ∂A ∂A
Divergencia de A div( A) = ∇ • A = i + j + k • ( A1i + A2 j + A3k ) = 1 + 2 + 3
∂x ∂y ∂z ∂x ∂y ∂z
i j k
∂ ∂ ∂ ∂ ∂ ∂
rotA = ∇ × A = i + j + k × ( A1i + A2 j + A3k ) = =
Rotacional de A ∂x ∂y ∂z ∂x ∂y ∂z
A1 A2 A3
∂A3 ∂A2 ∂A1 ∂A3 ∂A2 ∂A1
− i + − j+ − k
∂y ∂z ∂ z ∂x ∂ x ∂y
∂ 2U ∂ 2U ∂ 2U
Laplaciano de U ∇ 2U = ∇ • (∇U ) = + +
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
76
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Descomposición
P ( x ) a0 + a1 x + a2 x 2 + ... + am x m
y ( x) = = , donde n y m son enteros y n > m
Q ( x ) b0 + b1 x + b2 x 2 + ... + bn x n
Los coeficientes aγ , bμ pueden ser reales o complejos. Si nδ son las raíces de Q (x ) , se obtiene la
forma factorizada:
P( x) P ( x)
y( x) = =
Q ( x ) α ( x − n1 ) ( x − n2 ) k 2 ...( x − nq ) kq
k1
P ( x) A A12 A1k 1
y ( x) = = 11 + 2
+ ... +
Q ( x ) x − n1 ( x − n1 ) ( x − n1 ) k 1
A21 A22 A2 k 2
+ 2
+ ... + ... +
x − n2 ( x − n2 ) ( x − n2 ) k 2
Aq1 Aq 2 Aqkq
+ 2
+ ... +
x − nq ( x − nq ) ( x − nq ) kq
Si los coeficientes de Q( x) son reales, aparecen raíces complejas por parejas (raíces complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposición se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 = n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparición por parejas k1 = k2 = k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11 ,..., A2 k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:
77
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Series de Fourier
a0 ∞
f (x) = + an cos ( nx ) + bn s e n ( nx )
2 n =1
π π
1 1
ak = f ( x ) cos ( kx ) dx bk = f ( x ) s e n ( kx ) dx
π −π
π −π
Funciones pares: f ( x ) = f ( − x )
π
2
ak =
π f ( x ) cos ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,
bk = 0
78
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Funciones impares: f ( x ) = − f ( − x )
ak = 0
π
2
bk =
π f ( x ) s e n ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,
2a π − α s e n(π − α ) s e n2(π − α )
y= − cos x + cos2x a
π 2 1 3 o π 2π 3π x
s e n 3(π − α ) α
− cos 3x + ...
3
y = ax / b para 0 ≤ x ≤ b
y = a para b ≤ x ≤ π − b
y = a (π − x ) / b para π − b ≤ x ≤ π
79
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
4a 1 1
y= s e n b s e n x + 2 s e n(3b)s e n(3x )
πb 1 2
3
1
+ 2 s e n(5b)s e n(5x ) + ...
5
ax
y = para 0 < x < 2π
2π
(
y = f 2π + x )
a a s e n x s e n 2x s e n 3x
y = − + + + ...
2 π 1 2 3
y = 2ax / π para 0 ≤ x ≤ π / 2
( )
y = 2a π − x / π para π / 2 ≤ x ≤ π
y = − f (π + x )
8 s e n 3x s e n 5x
y = a s e n x − + − ...
π 2 3 2
5 2
y = ax / π para 0 ≤ x ≤ π
( )
y = a 2π − x / π para π < x < 2π
y = f ( 2π + x )
a 4a cos x cos 3x cos 5x
y = − 2 2 + + + ...
2 π 1 3 2
5 2
y = a s e n x para 0 ≤ x ≤ π
y = −a s e n x para π ≤ x ≤ 2π
(
y = f π +x )
2a 4a cos 2x cos 4x cos 6x
y = − + + + ...
π π 1⋅3 3⋅5 5⋅7
y = 0 para 0 ≤ x ≤ π / 2
y = a s e n(x − π / 2) para π / 2 ≤ x ≤ 3π / 2
(
y = f 2π + x )
2a 1 π cos 2x cos 4x cos 6x
y = − cos x + 2 − 2 +. 2 − ...
π 2 4 2 − 1 4 − 17 6 −1
y = x 2 para π ≤ x ≤ −π
( )
y = f −x = f 2π + x ( )
π2 cos x cos 2x cos 3x
y = − 4 2 − 2
+ 2
− ...
3 1 2 3
80
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
ax
y= para 0 < x < π
π
(
y = f 2π + x )
a 2a cos x cos 2x cos 3x
y= − + + + ...
4 π 2 12 22 32
a s e n x s e n 2x s e n 3x
+ − + − ...
π 1 2 3
81
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Transformada de Fourier
Definiciones:
∞
F {s ( t )} = S ( w ) = s ( t ) e− jwt dt; j = −1
−∞
1 ∞
F−1 {S ( w )} = s ( t ) = S ( w ) e dw;
jwt
j = −1
2π −∞
Reglas de operación
Convolución
∞ ∞
s1 ( t ) ⋅ s2 ( t ) = s1 ( τ ) ⋅ s2 ( t − τ ) dτ = s2 ( τ ) * s1 ( t − τ ) dτ
−∞ −∞
F {s1 ( t ) ⋅ s2 ( t )} = S1 ( w ) * S2 ( w )
F {s ( t )} = S ( w )
1 w
F {s ( at )} = S , a>0
a a
F {s1 ( t ) + s2 ( t )} = S1 ( w ) + S2 ( w )
Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.
82
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
( )=− 2 2
2
( )=4 (2 )
( )
( )= = ( )= ( ) (Función rectángulo)
Función triángulo ( ) ( )= 2
2
Rectángulo modulado
∙ ( ) ( ) = =
( + ) ( − )
( )= +
+ −
83
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
( )= √ ∙
Impulso coseno ( ) =
( )= 4
1−
2
Impulso cos2 ( ) =
4 1
( )=
4
4 1−
4
Impulso exponencial
( )=
+
84
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Transformada de Laplace
Definiciones:
f (t )e
−st
L{f (t )} = F (s ) = dt;
0
+∞
1
F (s)e
-1 st
L {F (s )} = f (t ) = ds; j = −1
2π j −∞
Reglas de operación
k =0
Integración L{ f (t ) ⋅ dt } = s1 F (s )
85
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
f(t) L f(t)}=F(s)
1. 1 1
s
2. tn, n = 1, 2, 3,... n!
s n +1
3. t −1/2 π
s
4. e ±at 1
sa
5. senkt k
s + k2
2
6. coskt s
s + k2
2
7. senhkt k
s − k2
2
8. coshkt s
s − k2
2
9. eat f (t ) F (s − a )
10. μ(t − a ), a ≥ 0 e − as
s
11. f (t − a )U (t − a ), a ≥ 0 e −as F (s )
12. t n f (t ), n = 1, 2, 3... dn
(−1)n F (s)
dsn
15. δ (t − t0 ), t0 ≥ 0 e − st0
86
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
20. t cos kt s2 − k 2
(s 2 + k 2 ) 2
26. kt − senkt k3
s2 (s2 + k 2 )
asenbt − bsenat 1
27.
ab(a 2 − b 2 ) (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )
cos bt − cos at s
28.
a2 − b2 (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )
29.
δ (t ) 1
t n −1 1
30.
(n − 1)! sn
31.
exp(at ) − 1 a
s(s − a )
87
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1 exp(−t / T ) 1
32. T
1 + Ts
1 sin(kt ) s
33. 2k
(s + k 2 )2
2
1 sin(kt ) +
2k s2
+ 2t cos(kt ) (s 2 + k 2 )2
34.
cos(kt ) − s3
− k2 t sin(kt ) (s 2 + k 2 )2
35.
ebt − eat 1
,b ≠ a
36. b −a (s − a )(s − b)
1 e −at ⋅ sin(kt ) 1
37. k
(s + a )2 + k 2
1 1
38. πt s
t 1
2
39. π s s
1
− 3 s
40. 2 π ⋅t 2
3
5 s s
41. 4 π ⋅t 2
42.
1 −at
t
(
e − e −bt ) ln
s +b
s +a
1 tan −1(a s )
sin(a ⋅ t )
43. t
−a 2
a
e 4t
e −a s ; a > 0
44. 2t π t
88
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
a 1 −a s
erfc e ; a≥0
45. 2 t s
46. Función de Bessel J o (kt ) 1
s2 + k 2
89
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Probabilidad y estadística
Media μ
1 n σ σ
(varianza σ2 conocida) X = Xi X − zα ≤ μ ≤ X + zα
n i =1 n n
2 2
Sn2−1 =
1 n 2 (n − 1)Sn2−1 ≤ σ2 ≤
(n − 1)Sn2−1
( Xi − X)
n − 1 i =1 χ 2α χ2 α
, n -1 1− , n-1
2 2
σ
σx =
n
i=1 xi
n
x=
n
Media de medias
j=1 x j
m
x=
n
R = Vm a x − Vm i n
Media de rangos
j=1R j
m
R=
m
90
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
X − μ0
H0 : μ = μ0, σ2 conocida Z0 =
σ
n
X − μ0
H0 : μ = μ0, σ2 desconocida t0 =
Sn −1
n
H0 : σ2 = σ02 χ 20 =
(n − 1) S2n−1
σ 20
Regresión lineal
yˆ = βˆ0 + βˆ1xˆ
βˆ = yˆ − βˆ xˆ
0 1
n n
n yi xi
yi x i − i =1
i =1
n
βˆ1 = i =1
2
n
n xi
xi −
2 i =1
i =1 n
y (x i i
− x)
Coeficiente de correlación de la muestra r= i =1
1/2
n n
i
2
(x − x ) (yi − y )2
i =1 i =1
n!
Permutaciones Prn =
(n − r )!
n n!
Combinaciones =
(
r r ! n − r !
)
n!
Permutaciones con objetos similares Pnn,n ,...,n =
1 2 k
n1 ! n2 !...nk !
91
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
P (A ∩ B )
Probabilidad condicional P (A B ) =
P (B )
P (Bk )P (A Bk )
Teorema de Bayes P (Bk A) = N
P (B )P(A B )
i =1
i i
92
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
93
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
ν2 > 2 ν2 > 4
Erlang r -1 - λt
λ( λt ) e r r
(r - 1)! t > 0
λ λ2
94
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Física
Mecánica
Centroides
Arco de circunferencia
r ( senα ) (180 ) rs
y= =
π (α
) b
Triángulo
1
y= h
3
Sector de círculo
Trapecio
h a + 2b
y= ⋅
3 a+b
2 R3 − r 3 senα
y= ⋅ 2 2⋅
3 R −r α
2 R3 − r 3 s
y= ⋅ 2 2⋅
3 R −r b
Segmento de círculo
s3
y=
12 A
95
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Estática
Fricción estática
Ff 1 = −F1 = G tan φ1
N = −G
C < φ1(variable) < φ0
Valor límite
Ff 0 = −F0 = G tan φ0
N = −G
μ0 = tan φ0 > μ
φ0 = constante > φ
Fricción dinámica
Ff = −F = G tan φ
N = −G
μ = tan φ > μ0
φ = constante > φ0
μ0 senφ 0
F=G =G
senα - μ 0 cos α sen(α - φ 0 )
tan α = tan φ = μ
Fricción de chumaceras
De carga radial
M 1 = μr rF
96
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
De carga axial
r1 + r2
M f = μa F
2
Fricción rodante
f f
F = N≅ G
r r
Condición de rodamiento
Ff < μ0N
(f1 + f2 ) G1 + nf2 G 2
F =
2r
Si f1 = f2 = f y nG < G
2 1
f
F = G
r 1
Fricción en cables
F1 = e μaG , Ff = (e μa − 1)G
F2 = e − μaG, Ff = (1 − e − μa )G
Mi
Fp = y Fp = F
r
97
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
En movimiento
Fp
F0 = μa
−1
e
e μa
F1 = Fp μa
e −1
e μa + 1
Fa = Fp μa
e −1
En reposo
Fa ( e μa + 1)
F0 = F1 =
2( e μa − 1)
e μa + 1
Fa = Fp μa
e −1
Cinemática
dr dv
F = xi + yj + zk v = a =
dt dt
dv v 2
a = u + u v = vut
dt t ρ n
ˆr + rθuˆθ
v = ru
a = (r − rθ2 )uˆr + (rθ + 2rθ)uˆθ
x = vt
x = x 0 + vt
1
(
v = v + v0
2
)
v = v 0 + at
1
(
x = x 0 + v0 + v t
2
)
1
x = x 0 + v 0t + at 2
2
v 2 = v 02 + 2a(x − x 0 )
98
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Dinámica
W
F = ma = a W: peso
g
mM
F=G
r2
F = m dV / dt
XB = XB − XA
A
VB = VB − VA
A
aB = aB − a A
A
v= ωx r
Aceleración (lineal) , = =
1
Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) ≡ V.
99
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Aceleración (angular) , = =
r = r (t ) = xi + yj + zk, v = r = xi
+ yj
+ zk
, a = r = xi
+ yj
+ zk
r = r = xi + yj, v = xi
+ yj
, a = xi
+ yj
r = xi, v = xi
, a = xi
a = ω × (ω × r ) + α × r
= +
= + + ( )
v =ω×Γ
n n n
M xy = m z ,
i =1
i i
M xz = m y ,
i =1
i i
M yz = m x
i =1
i i
100
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
n n n
M Xc = mixi ,
i =1
MYc = miyi ,
i =1
M Zc = m z
i =1
i i
I xx = MM xz + MM xy I yy = MM yz + MM xy I zz = MM yz + MM xz
Dinámica de la partícula
Ecuaciones de movimiento
F = ma
F
a=
m
Trabajo y energía
dT = p • dr
Energía cinética y su relación con el trabajo realizado por la fuerza resultante que actúa sobre una
partícula
1 2
EC = mv
2
Fdt = (mv)
2
2
− (mv )1
101
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
n
F= m a
i =1
i 1
F = Mac
2
n n
1 F dt = i i − m i vi
m v
i =1 2 i =1 1
n n
miν i − miν i = 0
i =1 2 i =1 1
HCC = ICC ω
Ecuación para obtener la suma de los momentos de los elementos mecánicos que actúan sobre un
cuerpo rígido.
MCC = ICC α
Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actúan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.
n
MCC = (ρ
i =1
i
* Fi )
Primera forma de la ecuación del trabajo y la energía para un cuerpo rígido que realiza un movimiento
plano general.
n n
1 1
F • drC + Fi • dρi + Q j dθ j =
1 2 2
MV 2 + I CCω 2
2
i =1
1
j =1
1 2 c 2
2
M CC dt = I CC (ω2 − ω1 )
1
102
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
+ = 0 con =
+ = con =
= .
= .
.
= = = . P: potencia
= η: eficiencia
=Δ = −
= K: energía cinética
W = −Δν = ν − ν V: energía potencial
( )=
1
=
2
Impulso e ímpetu
I = Fdt
I = Δp
p = mv p: ímpetu
Δp = p f − pi = Fdt Δp : impulso
103
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electricidad y magnetismo
q1q2 r qq
F =k 2 F = k 1 22 r = r1 − r2
r r r
F
E=
q
q
Φ E = E ⋅ dA = Φ E : flujo eléctrico
ε0
q
V =k V : potencial electróstatico
r
Ub − U a W
b
Vb − Va = = − ab = − E ⋅ dl
q q a
m i −1 qi q j
U = 4πε r U : energía potencial electrostática
i =1 j =1 0 ij
Capacitancia
q = CV C : capacitancia
A
C = kε 0 Capacitor de placas paralelas
d
A
C =ε ε =kε 0 k: constante dieléctrica
d
2π l
C = kε 0 Capacitor cilíndrico
ln(b / a)
q2 1 1
U= = CV 2 = qV U: energía almacenada en un capacitor
2C 2 2
1
u = kε 0 E 2 u: densidad de energía
2
104
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
q
i= i: corriente eléctrica
t
i = nqvA
i
j= = ni qi vi j: densidad de corriente, A: área
A i
E
ρ= ρ: resistividad
j
V l
R= =ρ R: resistencia
i A
R = R0 (1 + αΔt ) Variación de R con la temperatura
Vab = IR − ε
i = i
ent sal
105
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Magnetismo
F = qv × B v: velocidad, B: campo magnético
F = il × B l : elemento de longitud
τ =NiABsenθ
⋅ dl = μ0i
B
Φ = B ⋅ dA
μ0 i
B= r: distancia
2π r
μ0 I
B=
2a
μ Ni
B= 0 N: número de vueltas
2π r
μI
dB = 0 senθ dθ r: radio
4π a
μI
B = 0 (cosθ1 -cosθ2 )
4π a
dΦ
ε =- B ε : fuerza electromagnética
dt
ε = -vBl
dΦ
ε=
dt
106
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Equivalencias
Longitud
m in ft mi
1m 1 39.37 3.281 6.214x10-4
1 in 2.54x10-2 1 8.333x10-2 1.578x10-5
1 ft 0.3048 12 1 1.894x10-4
1 mi 1 609 6.336x104 5 280 1
Masa
Kg uma lb
1 kg 1 6.022x1026 2.205
1 uma 1.661x10-27 1 3.662x10-27
1 lb 0.4536 2.732x1026 1
Fuerza
Presión
atm mm Hg Pa bar
1 atm 1 760 1.013x105 1.013
1 mm Hg 1.316x10-3 1 133.3 1.333x10-3
1 Pa 9.869x10-6 7.501x10-3 1 10-5
1 bar 0.987 750.062 105 1
Campo magnético
gauss T
1 gauss 1 10-4
1 tesla 104 1
107
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Flujo magnético
maxwell Wb
1 maxwell 1 10-8
8
1 weber 10 1
108
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Química
Constantes
109
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
110
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ley de Ohm
V
I=
Z
donde:
I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia [Ω]
Capacitor
1 dV
C
Vc = Idt Ic = C
dt
1 dI
L
IL = Vdt VL = L
dt
N
1 N
dI l
IL = VL = Ll
Lkl
Vl dt k = 1, 2,3..., N k = 1, 2,3..., N
l =1 l =1 dt
donde:
Divisor de corriente
111
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RA
IB = If
RA + RB
ZA
IB = If
Z A + ZB
Rrama contraria
I Rx = If
RT
Z rama contraria
I Zx = If
ZT
Divisor de voltaje
RB
VRB = Vf
RA + RB
RA
VRA = Vf
RA + RB
Leyes de Kirchhoff
Vk = 0
k =1
I
k =1
k =0
donde:
112
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Potencia
Potencia activa
P = VI cos (θ ) [W ]
V2
P= cos (θ ) [W ]
Z
P = I 2 Z cos (θ ) [W ]
Potencia reactiva
Q = VI sin (θ ) [VAR ]
V2
Q= sin (θ ) [VAR ]
Z
Q = I 2 Z sin (θ ) [VAR ]
Potencia compleja
S = VI * [VA]
Factor de potencia
f p = cos (θ )
113
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1 Rl2C
fp = 1−
2π LC L
R || R p
Qp = s
XL
1
fp =
2π LC
ZTP = Rs || Q 2 Rl
Z
Qp = TP
ωpL
Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensión V ( t ) es:
1 n
Vrms = Vo2 + Vk2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente I ( t ) es:
1 n
I rms = I o2 + I k2 donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
1 n
P = Vo I o + Vk I k cos (α k − β k ) donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1
114
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Impedancia
Δ Z kl
ZT =
cof Z kk
Admitancia
Δ Ykl
YT =
cof Ykk
Teoremas de redes
Teorema de Thevenin
Vth
Z th =
I cc
Teorema de Norton
115
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Vca
ZN =
IN
Teorema de reciprocidad
Si se tiene un circuito formado sólo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:
Teorema de superposición
Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:
116
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Parámetros de impedancias(Z)
V1 = Z11 I1 + Z12 I 2
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2
V1
Z11 = Impedancia de entrada
I1 I 2 =0
V2
Z 21 = Impedancia de transferencia directa
I1 I 2 =0
V1
Z12 = Impedancia de transferencia inversa
I2 I1 = 0
V2
Z 22 = Impedancia de salida
I2 I1 = 0
I1 = Y11V1 + Y12V2
I 2 = Y21V1 + Y22V2
I1
Y11 = Admitancia de entrada
V1 V =0
2
I2
Y21 = Admitancia de transferencia directa
V1 V =0
2
I1
Y12 = Admitancia de transferencia inversa
V2 V1 = 0
I2
Y22 = Admitancia de salida
V2 I1 = 0
117
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V1 = h11 I1 + h12V2
I 2 = h21 I1 + h22V2
V1
h11 = Impedancia de entrada con terminales de salida en corto
I1 V =0
2
I2
h21 = Ganancia en corriente
I1 V2 = 0
V1
h12 = Inverso de la ganancia de voltaje
V2 I1 = 0
I2
h22 = Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas
V2 I1 = 0
I1 = g11V1 + g12 I 2
V2 = g 21V1 + g 22 I 2
I1
g11 = Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas
V1 I 2 =0
V2
g 21 = Ganancia en voltaje
I1 I 2 =0
I1
g12 = Inverso de la ganancia corriente
I2 V1 = 0
V2
g 22 = Impedancia de salida con terminales de entrada en corto circuito
I2 V1 =0
118
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Respuesta transitoria
Elemento Circuito equivalente inicial para t < 0 Circuito equivalente pata t>>0
Cargado Descargado
R Resistencia
L iL(0-) = iL(0+) iL(0+) = 0
Cortocircuito
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
C vC(0-) = vC(0+) VC(0+) = 0
Circuito abierto
Fuente ideal de Voltaje Cortocircuito
Para la corriente
−t
( E − V ( 0)) e RC
i (t ) =
c
[ A]
R
Para el capacitor
−t
VC ( t ) = E + (VC ( 0 ) − E ) e RC [V ]
Para la resistencia
−t
VR ( t ) = Ri ( t ) = ( E − Vc ( 0 ) ) e RC
[V ]
Constante de tiempo
τ = RC [ s]
donde Vc ( 0 ) es el voltaje inicial en el capacitor.
119
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Respuesta en circuitos RL
La corriente para
E − Rt
− Rt
i ( t ) = 1 − e + i ( 0 ) e L
L
[ A]
R
Para el resistor
− Rt
− Rt
VR ( t ) = Ri ( t ) = E 1 − e + Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
Para el inductor
di ( t ) − Rt − Rt
VL ( t ) = L = Ee − Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
dt
L
τ= [ s]
R
−
t
q ( t ) = EC 1 − e RC
E − RCt
i (t ) = e
R
t
−
vR = Ri = Ee RC
−
1
t
vC = E − vR = E = 1 − e RC
120
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
E
R
− t
i (t ) = 1 − e L
R
−
R
t
v R = E 1 − e L
R
− t
vL = E e L
Caso I:
Respuesta bajo amortiguada (raíces complejas conjugadas)
i ( t ) = k1e( −α + j β )t + k2 e( −α − j β )t
k1 = −k2
vc ( 0− )
k=
2β L
vc ( 0 − )
i (t ) = e −α t sen ( β t )
βL
Caso II:
Respuesta críticamente amortiguada (raíces reales y repetidas)
i ( t ) = k1e−αt + k2e−αt
k1 = 0
vc ( 0− )
k2 =
L
121
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
vc ( 0− )
i (t ) = e −α t
L
Caso III:
Respuesta sobre amortiguada (raíces reales y diferentes)
i ( t ) = k1e( −α + j β )t + k2 e( −α + j β )t
k1 = −k2
vc ( 0 − )
k1 =
2β L
vc ( 0− )
k2 = −
2β L
vc ( 0− )
i (t ) = e−α t senh ( β t )
βL
Función de transferencia
Vo ( s )
H (s) = Relación de voltajes
Vi ( s )
Vo ( s )
H (s) = Impedancia de transferencia
Ii ( s )
Io ( s )
H (s) = Relación de corrientes
Ii ( s )
Io ( s )
H (s) = Admitancia de transferencia
Vi ( s )
122
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Sistemas acoplados
Factor de acoplamiento
Llk
K kl =
Lkk ⋅ Lll
Inductancia mutua
donde:
Sistemas trifásicos
La impedancia Z de una carga reactiva que está formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:
Z = R + jX
V = ZI
y
I = YV
Entonces:
VR − jVX
I= 2
Z
VR VX
I= 2
−j 2
Z Z
123
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
I = I P − jI Q
VR
IP = 2
= I cos (θ )
Z
VX
IQ = 2
= I sin (θ )
Z
Q P Q
θ = a tan = a cos = a sin
P S S
Si se aplica una tensión V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q están dadas
por:
ZV 2 2
S = VI * = 2
= I Z
Z
V 2R
P = VI P = 2
Z
V 2X
Q = VI Q = 2
Z
R
fp = cos (θ ) =
Z
X
fr = sen (θ ) =
Z
124
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Potencia trifásica
Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :
Vlinea
Vestrella =
3
I estrella = Ilínea
V Vlinea
Z estrella = estrella =
I estrella 3I estrella
Vlinea 2
Sestrella = 3Vestrella I estrella = 3Vlinea I línea = = 3I línea 2 Z estrella
Z estrella
Para una carga balanceada conectada en delta con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :
Vdelta = Vlínea
I
I delta = línea
3
Vdelta V
Z delta = = 3 línea
I delta I línea
3Vlínea 2
S delta = 3Vdelta I delta = = I línea 2 Z delta
Z delta
Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:
Zdelta = 3Zestrella
125
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica Analógica
q⋅VD
I D = I S e n⋅k ⋅T − 1
donde:
Diodo zener
Rz
Regulación de línea =
Rz + Rs
Regulación de carga = − ( Rz Rs )
Rs
Regulación zener =
Rz + Rs
Vzo = Vz − ( Rz ⋅ I z )
Para RL = 0
Iz =
(Vs − Vzo )
( Rz + Rs )
Vo = Vzo + ( Rz ⋅ I z )
Vs − Vzo − Rz ⋅ I z
Rs =
Iz + IL
126
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Pz = Vz ⋅ I z
Regulación de voltaje
ΔV
R. línea = sal ⋅100%
ΔVent
V −V
R. carga = NL FL
VFL
R
Regulación de carga = sal ⋅100
RFL
127
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
VNL = Voltaje sin carga
VFL = Voltaje a plena carga
R
Vo = 1 + 2 Vref
R3
Vin
I L( max ) =
RL
t
Vo = on Vin
T
donde:
T = tin + toff
R
VSAL = VREF 1 + 2 + I ADJ R2
R1
VSAL
I L (max) = + IG
R11
128
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Ic
βcd =
IB
Ic
α cd =
IE
donde:
Corrientes en un transistor
I E = IC + I B
VBE ≅ 0.7V
Corriente en la base
VCC − VBE
IB =
RB
donde:
VCE = VCC − IC RC
donde:
129
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
Condición de corte
I C ( SAT )
I B( min ) =
β cd
Polarización
VB = I E RE + VBE
130
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VC = VCC − IC RC
VE = VB − VBE
VCC − VBE
IE =
RE + ( RB / β cd )
IC ≅ I E
VC = VCC − IC RC
VB = VBE
VE = 0 V
VCC − VBE
IC ≅
RC
VCC − VBE
IC =
R
RC + B
β cd
VCE = VCC − IC RC
I E ≅ IC
V −V
I B = C BE
RB
131
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Polarización de base
VB = VBE
VC = VCC − IC RC
VE = 0 V
V − VBE
I C = β cd CC
RB
I E ≅ IC
VC − VBE
IB =
RB
VCE = VCC − IC RC
132
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VB = VE + VBE
VC = VCC − IC RC
VE = VEE + I E RE
−VEE − VBE
IE ≅
RE
−VEE − VBE
IE =
R
RE + B
β cd
I E ≅ IC
VB V
IB = IB = B
RB RB
133
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
R2
VB = VCC
R1 + R2
VC = VCC − IC RC
VE = VB − VBE
VE
IE =
RE
I E ≅ IC
VTH − VBE
IE =
R
RE + TH
β cd
VB
IB =
βcd RE
134
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
25mV
r 'e =
IE
Rout ≈ RC RL
RC RL
AV =
r 'e
IC
AI =
I in
135
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RC RL
AV ≅
RE1
Rout = RC RL
25mV
r 'e =
IE
136
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Rin = R1 R2 ( β ca + 1) r 'e + ( RE RL )
Rout = ( RE RL ) r 'e + R1 R2 rout ÷ ( β ca + 1)
Re
AV = ≈1
r 'e + R e
Ie
Ai =
I in
25mV
r 'e =
IE
R ENT(emisor) = r 'e
RSAL ≅ R C
RC
AV ≅
r 'e
Ai ≅ 1
donde:
137
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
VGS
I D = I DSS 1 −
V
GS (corte)
Transconductancia
2
VGS
gm = gm0 1 −
VDS ( corte )
2 I DSS
gm0 =
VGS (corte)
138
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Polarización
Polarización fija
VGS = −VGG
VDD − VDS
I DS =
RD
VDD = I DS + VDS
Autopolarización
VGS
I DS = −
RS
VGS( OFF )
RS =
I DSS
139
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
V
I DS = I DSS 1 − GS
VGS
( OFF )
VGSQ = 0.382VGSoff
VDD − VDS
I DS =
RD + RS
VDD = I DS ( RD + RS ) + VDS
VGG − VGS
I DS =
RS
RG = R1 R2
R1
VGG = VDD
R1 + R2
VDD − VDS
I DS =
RS + RD
140
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
RG = R1 R2
RL = RC RL
Z i = RG
Z o = rds RD
VL RG
AV = = − gm ( rds RD RL )
VS RG + rS
V rDS RD
Ai = L = − g m ⋅ RG
VS rDS RD + RL
2
I R
I D = I DSS 1 − D S
VGS
( CORTE )
AV = gmRd
V
R ent = RG GS
I GSS
141
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
I R
I D = I DSS 1 − D S
V
GS ( corte )
gmRS
AV =
1 + gmRS
V
R ent = RG GS
I GSS
142
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
2
I R
I D = I DSS 1 − D S
V
GS ( corte )
AV = gmRD
1
R ent = RS
gm
donde:
143
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
144
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Transistor MOSFET
Curva característica
2
VDS
I D ( Act ) = K (VGS − VT ) VDS −
2
K +1
(VGS − VT )
2
I D ( sat ) =
K0
145
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificadores operacionales
Características
AV
CMRR =
Amc
A
CMRR = 20 log V
Amc
ΔVsal
SR =
Δt
I1 + I 2
I polarización =
2
IOS = I1 − I 2
SR
f max = AB si AB ≤
2πVp
SR SR
f max = si AB >
2πVp 2πVp
146
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Configuraciones de amplificadores
Amplificador no inversor
Rf
Av = 1 +
Ri
Seguidor de voltaje
AV = 1
Amplificador inversor
Rf
AV = −
Ri
Zent ≅ Ri
V V V
Vsal = − R f ent1 + ent 2 + ⋅⋅⋅ + entn
R1 R2 Rn
Amplificador restador
R R4 R2
Vsal = 1 + 2 V2 − V1
R1 R3 + R4 R1 + R2
Amplificador derivador
dVent
Vsal = − RC
dt
147
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificador integrador
1
Vent ( t ) dt + Vc ( 0 )
RC
Vsal = −
R2
Vdisparo alto = ( +Vsal max )
R1 + R2
R2
Vdisparo bajo = ( −Vsal max )
R1 + R2
Amplificador de histéresis
Amplificador de instrumentación
2R
Acl = 1 +
RG
2R
RG =
Acl − 1
Amplificador de aislamiento
Rf 1
Av1 = +1
Ri1
Rf 2
Av 2 = +1
Ri1
Amplificador logarítmico
V
Vsal = − ( 0.025 ) ln ent
I EBO R1
148
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
V
Vsal = − R f I EBO anti ln ent
25mV
Vsal = I i R f
Vent
IL =
R1
Disparador Schmitt
Vsat
RF = R1
Vth
RX = R1 RF
Filtros
AB = fc
AB = fcs − fci
f0 = f cs ⋅ f ci
Filtros Butterworth
2 1
H ( jω ) =
1 + ω 2n
149
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1
H ( s) =
Bn ( s )
B1 ( s ) = s + 1
B2 ( s ) = s 2 + 1.4142s + 1
B3 ( s ) = s3 + 2s2 + s + 1
Convertidores
v1
f0 =
Vref Rent Cref
donde:
V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia
donde:
B B B B
I s = Vref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
150
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
B B B B
V0 = − RF I F = − RFVref 0 + 1 + 2 + 3
R0 R1 R2 R3
donde:
R
R0 = =R
20
R R
R1 = 1 =
2 2
R R
R2 = 2 =
2 4
R R
R3 = 3 =
2 8
Vref RF B0
V0 = − para LSB = 1 único
3R 2 4
Vref RF B3
V0 = − para MSB = 1 único
3R 21
Vref RF B0 B1 B2 B3
V0 = − + + + cuando el sistema está completamente activado
3R 24 23 22 21
1 para Va > Vb
Vconv = sgn (Va − Vb ) =
0 para Va < Vb
151
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Amplificadores de corriente
La corriente en el colector
IR
I C1 = I C 2 =
2
1+
βF
VCC − VBE1
R1 =
IR
152
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
I C1
VT ln = I S RE
IS
VCC − VBE
donde: I C1 =
R1
β R
Z O = hoe−12 1 + F E
hie 2 + RE
I E 2 = (1 + β F ) I B 2
1 I C1
I E 2 = I C 3 + I B 3 + I B1 = 1 + +
βF βF
VCC − 2VBE
I OUT =
R1
153
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Resistencia de salida
h fe hoe−1
Z out =
2
VCC − 2VBE
I out =
R1
Z out = h fe ⋅ hoe−1
154
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Si R2 = R4
R2Ve
IS =
RS R1
V + Ve V + − RS I S
= +
R4 R1 R2
V2 = V + − RS I S
155
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica digital
Algebra Boole
Propiedades:
a+b =b+a
a ⋅b = b ⋅ a
b) Dentro del álgebra existen dos elementos neutros, el 0 y el 1, que cumplen la propiedad
de identidad con respecto a cada una de dichas operaciones:
0+a = a
1⋅ a = a
a ⋅ (b + c) = a ⋅ b + a ⋅ c
a + ( b ⋅ c ) = ( a + b) ⋅ ( a + c )
d) Para cada elemento a del álgebra existe un elemento denominado a tal que:
a + a =1
a⋅a = 0
A+0 = A A⋅0 = 0
A +1 = 1 A ⋅1 = A
A+ A = A A⋅ A = A
A+ A =1 A⋅ A = 0
Principio de dualidad
A + 0 = A A ⋅1 = A
A⋅ A = 0 A + A = 1
156
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Operaciones binarias
Suma binaria
0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 0
Resta binaria
0−0 = 0
0 −1 = 1
1− 0 = 1
1 −1 = 0
Operaciones lógicas
Suma lógica
0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 1
Producto lógico
0⋅0 = 0
0 ⋅1 = 0
1⋅ 0 = 0
1 ⋅1 = 1
Complementación
0 1
1 0
Propiedades
Propiedad conmutativa
A⋅ B ⋅C ⋅ D = D ⋅C ⋅ B ⋅ A
A+ B +C + D = C + D + A+ B
D ⋅C ⋅ B ⋅ A + D ⋅C ⋅ A + B ⋅C = D ⋅C ⋅ A + C ⋅ B + D ⋅ A⋅C ⋅ B
157
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Propiedad asociativa
A + B + C + D = ( A + B ) + ( C + D)
D ⋅ C ⋅ B ⋅ A = ( D ⋅ C ) ⋅ ( B ⋅ A)
Propiedad distributiva
A⋅ ( B + C ) = A⋅ B + A⋅ C
A + ( B ⋅ C ) = ( A + B) ⋅ ( A + C )
Teorema de Shanon
f = ( A + B)⋅C = ( A⋅ B) + C
Teorema de De Morgan
A⋅ B = A + B
A + B = A⋅ B
Mapa de Karnaugh
158
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
A B SALIDA
0 0
0 1
1 0
1 1
159
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
160
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
161
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Flip – flops
S R Q(t+1) Ǭ(t+1)
0 0 invalido invalido
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Q(t) Ǭ(t)
S R Q(t) Ǭ(t)
0 0 Q(t) Ǭ(t)
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 invalido
162
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Q S R Q(t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 indeterminado
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 indeterminado
Flip – flop D
Q D Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 0
1 1 1
163
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Flip – flop JK
Q J K Q (t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 0
Flip – flop T
Q T Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
164
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Electrónica de potencia
Fórmulas básicas
Eficiencia
PCD
η=
PCA
Valor efectivo CA
2 2
VCA = Vrms − VCD
PCD
TUF =
Vs I s
donde:
1
I S2 − I S21 2
THD =
I S2
1
2 T2 2V
VCD =
T 0
Vm senω tdt = m
π
donde:
VCD
I CD =
R
165
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Vrms
I rms =
R
1
2 T 2 V
Vrms = 2 Vm2 sen 2 ω tdt = m
T 2
0
π
2 3 3
VCD =
2π / 6 0
6
3 Vm cosω t dt =
π m
V
donde:
1 1
2 π
3 9 3 2
2
Vcd =
π 6
3 Vm2 cos 2ω t dt = + Vm
2 / 6 2 4π
0
Dispositivos
nV
VD
I D = I S e T − 1
donde:
kT
VT = ≈ 25.8 mV
q
donde:
166
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VT = Voltaje térmico
Q = Carga del electrón (1.6022 x 10-19) [C]
T = Temperatura absoluta [K]
K = Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
Tiempo total de recuperación inversa (trr)
trr = ta + tb
donde:
di d
I RR = tα = 2QRR i
dt dt
donde:
Potencia de salida en CD
Potencia de salida en CA
167
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
UJT
El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está
dado por la fórmula:
Vp = 0.7 + nVB2 B1
donde:
VBB − VP V −V
> R1 > BB V
IP IV
168
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
PUT
Cuando IG = 0
RB 2
VG = VBB
RB1 + RB 2
VG = nVBB
1 Vs R2
T= = RC ln = RC ln 1 +
f Vs − Vp R1
169
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
DIAC
SCR
Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver la
corriente de fuga Is.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a
cátodo es menor (VC).
170
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
TRIAC
171
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
IGBT
172
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
GTO
Característica estática
Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.
Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando una
corriente de puerta negativa:
− IA
luego I G >
βoff
α2
β off =
α1 + α 2 − 1
Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser βoff lo
mayor posible, para ello debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).
173
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
SIT
Curva característica
β
− IG = I A + I CBO
1+ β
IA
− IG =
1 + gmRG
I CBO (1 + gmRG )
IA =
β
1+ (1 + gmRG )
1+ β
174
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Teoría de control
donde:
Modelos de control
d n y (t ) d n −1 y ( t ) dy ( t )
a0 n
+ a1 n −1
+ ... + an − 2 + an −1 y ( t ) + an = k u ( t )
dt dt dt
dy ( t ) 1 k
= − y (t ) + u (t )
dt τ τ
donde:
Frecuencia amortiguada
ωd = ωn 1 − ζ 2
175
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Tipos de respuesta
Respuesta escalón
t
−
y (t ) = 1− e τ
C ( s) ωn 2
= 2
R ( s ) s + 2ζωn s + ωn 2
donde:
ζ es el factor de amortiguamiento
ω es la frecuencia angular
176
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde
(
s1 = ζ + ζ 2 − 1 )
s2 = (ζ − ζ2 −1)
4. No amortiguado ζ = 0 , raíces
imaginarias puras.
y ( t ) = 1 − cos (ωn t )
Es el tiempo que tarda la respuesta del sistema en alcanzar por primera vez la mitad del
valor final.
Es el tiempo requerido para que la respuesta crezca del 0 al 100% de su valor final o del
10 al 90%.
π −β
Tr =
ωd
ωd
β = tan −1
ζωn
Es el tiempo en el cual la respuesta del sistema alcanza el primer pico del sobreimpulso.
π
Tp =
ωd
177
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
ζ
− π
ζ 2 −1
Mp =e
La función de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) está dada por:
Y (s) 1
G (s) =
U (s)
=
Δ
Gi Δ i
donde:
Kc
178
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Controladores
Controlador Ganancia
P Gc ( s ) = Kc
1
PI Gc ( s ) = Kc 1 +
τis
PD Gc ( s ) = Kc (1 + τ d s )
1
PID Gc ( s ) = Kc 1 + +τ d s
τis
Controladores PID
Estructura ideal
U (s) 1
Gc ( s ) = = Kc 1 + +τ d s
E (s) τis
donde:
E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulación
Sintonización por criterios integrales para cambios en perturbación para un PID ideal
Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE
.
1.305
=
.
0.984
=
179
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
.
0.859
=
.
=
0.492
.
=
0.608
.
=
0.674
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE
.
1.495
=
.
1.435
=
.
1.357
=
.
=
01.101
.
=
0.878
.
=
0.842
.
= 0.560
.
= 0.482
.
= 0.381
donde:
Sintonización por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal
Proporcional-Integral
IAE
ITAE
Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE
180
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Comunicaciones
Osciladores
Modo de carga
C1 C
Δ f1 = ΔvC = 1 (VH − VL )
IQ IQ
Modo de descarga
C1 C C
Δf2 = − ΔvC = − 1 (VL − VH ) = 1 (VH − VL )
IQ IQ IQ
2C1 (VH − VL )
T = Δf1 + Δ f 2 =
IQ
1 IQ
f0 = =
T 2C1 (VH − VL )
IQ = Gm ( vCN + vCO )
donde:
df 0 Gm
KvF = =
dvCN 2C1 (VH − VL )
VF ( s ) R 3C 3 s 3
β (s) = =
Vo ( s ) R 3C 3 s 3 + 6 R 2C 2 s 2 + 5 RCs + 1
181
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Vo ( s ) RF
A(s) = =−
VF ( s ) R1
1
f0 =
2π 6 RC
5
RF = R1 2 2 2 − 1
R C ω
Osciladores de cuadratura
1
Vf (s) 1
β (s) = = Cs =
Vo ( s ) R + 1 1 + RCs
Cs
1
f0 =
2π RC
1
Af = = 2
β
RVo1
Vo =
1 + RCs
182
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VF ( s ) RCs
β (s) = =
Vo ( s ) 2 2 2
R C s + 3RCs + 1
RF
A(s) = 1+
R1
1
f0 =
2π RC
RF
=2
R1
Oscilador Colpitts
1 − Aβ = 0
1
1 C1 + C2 2
f0 =
2π C1C2 L
183
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Oscilador de Harley
1 1 2
f0 =
2π C ( L1 + L2 )
Osciladores de cristal
1 s 2 + ω s2
Z (s) =
sC p s 2 + ω p2
1
f0 =
2π LCs
donde:
TA = 0.693 ( Ra + Rb ) C
TB = 0.693RbC
La frecuencia con que la señal de salida oscila está dada por la fórmula:
1.44
f0 =
( Ra + 2Rb ) C
184
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
y el período es simplemente: T = 1/ f0
555/556 (monoestable)
T = 1.1RaC
185
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Modulación en amplitud
Señal moduladora
ys ( t ) = As cos (ωst )
Señal portadora
y p ( t ) = Ap cos (ω p t )
Señal modulada
donde:
Δf
v ( t ) = V p sen 2π f p t + cos ( 2π f mt )
fm
Δf
m=
fm
donde:
mf = índice de modulación
∆f = variación de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora
Decibel
P
dB = 10 log10 1
P0
186
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
El decibel referenciado a 1 mW
P
P ( dBm ) = 10 log10 1
1 mW
P1
( )
S dBW / m 2 = 10 log10 2
1W / m
Decibel referenciado a µV
U
U ( dBμV ) = 20 log10 1
1 μV
Acoplamiento de impedancias
Decibel en antenas
Decibel en acústica
187
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
V p = Vd + Va = Vd + nVbb
n = R1 / ( R1 + R2 ) = R1 / Rbb
T = Re Ce ln 1 / (1 − n )
Re max = (Vbb − V p ) / I p
Vbb = ( Re min ) Iv + Vv
donde:
188
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
189
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Instrumentación
Valor promedio
T
1
Aprom =
T f ( t ) dt
0
El valor rms
T
1
f (t ) f ( t ) dt
2 2
Arms = =
T 0
Errores en medición
Error absoluto
Error relativo =
Valor verdadero
190
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Valor promedio
a1 + a2 + ... + an
a prom =
n
donde:
d12 + d 22 + ... + d n2
σ=
n −1
donde:
σ = desviación estándar
di = desviación de la lectura i-ésima con respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviación estándar σ elevado al cuadro
Distribución gaussiana
V =σ2
191
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Puentes de Wheatstone
Rx R2
=
R3 R1
RTH = ( R1 R2 ) + ( R3 Rx )
R3 ΔR
VTH = V0
2 R3 Rx + R32 + Rx2
Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:
RTH = R
ΔR
VTH = V0
4R
Puente de Kelvin
R5 R1
=
R6 R2
192
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
En = 4 KTR ( f H − f L )
donde:
Amplificador de instrumentación
193
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
1
I g = (V2 − V1 )
R
g
2R
Vintermedio = (V2 − V1 ) 1 + 1
Rg
2R R
Vout = (V2 − V1 ) 1 + 1 3
Rg R2
2R
Vout = (V2 − V1 ) 1 + 1
Rg
R5 R7
= =k
R 4 R6
Termopar
V0 = AT + BT 2
Termistor
1
= A + B ln R + C ( ln R )
3
donde:
T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor (Ω)
A,B,C = constantes del ajuste de curva
1 1
β −
T T0
R = R0 e
donde:
194
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Sensores
Sensores resistivos
Potenciómetros
ρ ρ
R= l (1 − α ) = (l − x )
A A
donde:
Galgas extensométricas
l
R=ρ
A
dR d ρ dl dA
= + −
R ρ l A
F dl
σ= = Eε = E
A l
donde:
E = módulo de Young
σ = tensión mecánica
ε = deformación unitaria
195
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Fotorresistencia
E = hf
donde:
E = energía
h = constante de Planck 6.62 x 10-34 Ws2
f = frecuencia
hc
λ=
E
donde:
c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J
Sensores capacitivos
Condensadores variables
A
C ≈ ε 0ε r ( n − 1)
d
donde:
Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parámetro que varía y
del tipo de medición. En un condensador plano, si varía A o εr por lo cual:
A
C =ε
d (1 + α )
donde:
d
α=
x
196
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Condensador diferencial
εA
C1 =
d1 + x
εA
C2 =
d2 − x
1
di − x di − x
Vi = V =V
1 1 2d i
+
di + x di − x
x
V1 − V2 = V
d
Sensores inductivos
dφ
L=N
di
donde:
M
Φ=
R
197
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
donde:
M = fuerza electromotriz
R = reluctancia
1 1
R=
μ0 μr A
Sensores electromagnéticos.
dΦ
e = −N
dt
Tacogeneradores
Si ω es constante
e = − NBAω cos ωt
e = Blv
donde:
198
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
VH t
AH =
IB
ω
2ς Línea horizontal 0 db hasta
1 ω −1 ωn φ de 0° a -180°
−40 log φ = − tan ω=ωn
ω 2 jω 2
− 2+ +1 ωn 1 − ω Pendiente -40 dB/dec
en:
ω n ωn ωn para ω>ωn
(ω=ων ) = −90°
199
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Transformada Z
La TZ bilateral de una señal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una función
X (z) que se define:
∞
X ( z ) = Z { x [ n ]} = x [ n] z −n
n =−∞
donde:
n = un entero
z = un número complejo
200
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Datos prácticos
201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
ρ 1 ρ 1
Material 2 γ = Material 2 γ =
Ω ⋅ mm / m ρ Ω ⋅ mm / m ρ
Acero dulce 0.13 7.7 Latón Ms 63 0.071 14
Aluminio 0.0278 36 Magnesio 0.0435 23
Antimonio 0.417 2.4 Manganina 0.423 2.37
Cadmio 0.076 13.1 Mercurio 0.941 1.063
Carbón 40 0.025 Níquel 0.087 11.5
Cobre (eléc.) 0.0175 57 Niquelina 0.5 2.0
Constantán 0.48 2.08 Oro 0.0222 45
Cromo-Ni-Fe 0.10 10 Plata 0.016 62.5
Estaño 0.12 8.3 Plata alemana 0.369 2.71
Hierro fundido 1 1 Platino 0.111 9
Hierro (puro) 0.10 10 Plomo 0.208 4.8
Grafito 8.00 0.125 Tungsteno 0.059 17
Latón Ms 58 0.059 17 Zinc 0.061 16.5
Resistividad de ρ aislantes
Material Ω ⋅ cm Material Ω ⋅ cm
Aceite de parafina 1018 Mica 1017
Agua de mar 106 Parafina (pura) 1018
Agua destilada 107 Plexiglás 1015
Ámbar comprimido 1018 Poliestireno 1018
Baquelita 1014 Porcelana 1014
Caucho (hule) duro 1018 Tierra húmeda 108
Mármol 1010 Vidrio 1015
Material C −1, K −1
o Material C −1, K −1
o
202
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Constante dieléctrica ε r
(
Serie E 6 ≈ 6 10 ) (
Serie E 12 ≈ 12 10 ) (
Serie E 24 ≈ 24 10 )
1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7
1.1 2.4 5.1
1.2 2.7 5.6 1.2 2.7 5.6
1.3 3.0 6.2
1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8
203
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
204
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una inducción o densidad de flujo mínima de
1.53 T se alcanzará con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una línea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarán: 5 x 25 = 125 A.
Densidad a t=15 °C
Temperaturas (o puntos) de fusión y de ebullición para ρ = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre paréntesis indican sublimación, o sea, cambio directo del estado sólido
al gaseoso.
Conductividad térmica a 20 °C
Capacidad térmica específica (o calor específico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 °C
Puntos de
Conductividad Calor
Densidad Fusión
ρ Ebullición térmica específico
Sustancia (soldf.)
k c
kg/dm3 °C °C W/(mK)(1) kJ/(kgK)(2)
Aceite de colza 0.91(3) -3.5 300 0.17 1.97
Aceite de linaza 0.94(3) -20 316 0.15
205
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Aceite para
0.92(3) -5 175-350 0.12
calefacción
Aceite para máquinas 0.91 -5 380-400 0.126 1.67
Aceite para
0.87 -5 170 0.15 1.84
transformadores
Acero 7.85 ~1 350 2 500 47-58 0.46
Acero colado 7.8 ~1 350 52.3 0.502
Acero dulce 7.85 ~1 400 2 500 46.5 0.461
Acero de alta
8.4-9.0 ~1 650 2 600 25.6 0.498
velocidad
Acetona 0.79(3) 56.1
Ácido acético 1.08 16.8 118
Ácido cianhídrico 0.7 -15 27
Ácido clorhídrico 10% 1.05 -14 102 0.50 3.14
Ácido clorhídrico 40% 1.20
Ácido fluorhídrico 0.99 -92.5 19.5
Ácido nítrico 1.56(4) -1.3 86 0.53 2.72
Ácido sulfúrico 1.49(5) -73 -10 1.34
Ácido sulfúrico 50% 1.40
Ácido sulfúrico
1.84 10-0 338 0.5 1.38
concentrado
Ágata ~2.6 ~1 600 ~2 600 11.20 0.80
Agua 1.0(6) 0 100 0.58 4.183
Alcohol 0.79 -130 78.4 0.17-0.23 2.42
Alcohol etílico 95% 0.82(3) -90 78 0.16
Alcohol metílico 0.8 -98 66 2.51
206
Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San Ángel, Del. Álvaro Obregón, C.P. 01000, México, D.F.
www.ceneval.edu.mx
El Centro Nacional de Evaluación para la Educación Superior es una asociación civil sin
fines de lucro que quedó formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pública número 87036 pasada ante la fe del notario 49 del Distrito Federal.
Sus órganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la Dirección
General. Su máxima autoridad es la Asamblea General, cuya integración se presenta a
continuación, según el sector al que pertenecen los asociados, así como los porcentajes
que les corresponden en la toma de decisiones:
ENERO • 2014