Está en la página 1de 208

formulario

EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA


EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Dirección General Adjunta de los EGEL

ENERO • 2014
formulario
EXAMEN GENERAL PARA EL EGRESO DE LA LICENCIATURA
EN INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Dirección General Adjunta de los EGEL

ENERO • 2014
Este Formulario es un instrumento de apoyo para quienes sustentarán el Examen General
para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO) y está
vigente a partir de marzo de 2014.

El Formulario para el sustentante es un documento cuyo contenido está sujeto a


revisiones periódicas. Las posibles modificaciones atienden a los aportes y críticas que
hagan los miembros de las comunidades académicas de instituciones de educación
superior de nuestro país, los usuarios y, fundamentalmente, las orientaciones del
Consejo Técnico del examen.

El Ceneval y el Consejo Técnico del EGEL-IELECTRO agradecerán todos los


comentarios que puedan enriquecer este material. Sírvase dirigirlos a:

Dirección General Adjunta de los EGEL


Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
Centro Nacional de Evaluación para la Educación Superior, A. C.
Av. Revolución núm. 1570
Col. Guadalupe Inn
Del. Álvaro Obregón
C.P. 01020 México, D. F.
Tel: 01 (55) 5322-9200, ext. 5103
http://www.ceneval.edu.mx
Email: eloin.alarcon@ceneval.edu.mx

D. R.  2014
Centro Nacional de Evaluación
para la Educación Superior, A. C. (Ceneval)

[EGEL-IINDU]
Directorio

Dirección General
Mtro. Rafael Vidal Uribe

Dirección General Adjunta de los Exámenes


Generales para el Egreso de la Licenciatura (EGEL)
Lic. Jorge Hernández Uralde

Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura


M. en C. Laura Delgado Maldonado

Coordinación del Examen General para el Egreso


de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Ing. Eloín Alarcón Maldonado
Consejo Técnico

Representantes de instituciones educativas

M. en C. Rodolfo Fernando Porras


Sánchez Dr. Jorge de la Torre y Ramos
Benemérita Universidad Autónoma de Universidad Autónoma de Zacatecas
Puebla

M. en C. Arturo Javier Escoto Méndez


Dr. José Antonio Ruz Hernández
Centro de Enseñanza Técnica y
Universidad Autónoma del Carmen
Superior

M. en I. Carlos Roberto González Dr. Omar Jacobo Santos Sánchez


Escarpeta Universidad Autónoma del Estado de
Instituto Tecnológico de Veracruz Hidalgo

Dr. Edgar Omar López Caudana


M. en C. José Luis Álvarez Flores
Instituto Tecnológico y de Estudios
Universidad de Colima
Superiores de Monterrey

M. en C. Gabriel Domínguez Sánchez


M. en C. Juan Carlos Aldaz Rosas
Universidad Autónoma de
Universidad de Guadalajara
Aguascalientes

M. en C. Marco Antonio Félix Lozano


Ing. Perla Artemisa Escalante Crespo
Universidad Autónoma de Baja
Universidad de la Salle Bajío
California

M. en C. David García Chaparro


M. en C. Mauricio Alberto Ortega Ruiz
Universidad Autónoma de Ciudad
Universidad del Valle de México
Juárez

Dr. José Luis Tecpanecatl Xihuitl


M. en C. Víctor Enrique Gómez del Villar
Universidad Autónoma de San Luis
Universidad Politécnica de Aguascalientes
Potosí

Dr. Gerardo Romero Galván Dr. Ricardo Oscar Magos Pérez


Universidad Autónoma de Tamaulipas Universidad Tecnológica de México

Dr. Miguel Ángel Carrasco Aguilar


Universidad Autónoma de Tlaxcala

Representantes del Sector empleador


Ing. Juan Carlos Altamirano Cano
Comisión Federal de Electricidad
Contenido
Administración de sistemas electrónicos ......................................................... 11
Operación y mantenimiento de sistemas electrónicos .................................... 11
Inversión inicial ...............................................................................................................11
Tasa mínima aceptable de rendimiento ..........................................................................11
Tasa mínima aceptable de rendimiento mixta ................................................................11
Valor presente neto (con TMAR) ....................................................................................12
Valor presente neto (con anualidad e interés) ................................................................12
Tasa interna de retorno ..................................................................................................12
Periodo de recuperación de la inversión ........................................................................13
Punto de equilibrio en ventas .........................................................................................13
Costo beneficio ...............................................................................................................13
Ingeniería económica .....................................................................................................14
Interés simple .................................................................................................................14
Interés compuesto .................................................................................................................... 14
Valor futuro pago único............................................................................................................. 14
Valor presente pago único ........................................................................................................ 14
Cantidad compuesta serie uniforme ......................................................................................... 14
Ingeniería económica .....................................................................................................15
Interés simple .................................................................................................................15
Interés compuesto .................................................................................................................... 15
Valor futuro pago único............................................................................................................. 15
Valor presente pago único ........................................................................................................ 15
Cantidad compuesta serie uniforme ......................................................................................... 15
Fondo de amortización ............................................................................................................. 16
Recuperación del capital de una serie uniforme ...................................................................... 16
Valor presente de una serie uniforme ...................................................................................... 16
Series de gradiente................................................................................................................... 16
Tasa efectiva de interés anual .................................................................................................. 16
Capitalización continua ............................................................................................................. 16
Definición de e .......................................................................................................................... 17
Pagos continuos ....................................................................................................................... 17
Tasa mixta ................................................................................................................................ 17
Métodos de análisis de inversiones .......................................................................................... 18
Diseño e integración de sistemas electrónicos................................................ 19
Construcción e implementación de sistemas electrónicos............................. 19
Comunicaciones .............................................................................................................19
Radiofrecuencia ........................................................................................................................ 19
Parámetros de dispersión ......................................................................................................... 22
Líneas de transmisión.....................................................................................................23
Impedancia característica ......................................................................................................... 23
Línea de transmisión de tipo microcinta ................................................................................... 24
Constante de propagación ....................................................................................................... 25
Velocidad de propagación ........................................................................................................ 25
Tiempo de retardo .................................................................................................................... 25
Coeficiente de reflexión ............................................................................................................ 26
Relación de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexión ( ) ................................... 26
Impedancia de entrada ( Zin ).................................................................................................... 26
Tabla de parámetros distribuidos ............................................................................................. 27
Conectores .....................................................................................................................31
RJ45.......................................................................................................................................... 31
RJ11.......................................................................................................................................... 32
VGA .......................................................................................................................................... 33
USB........................................................................................................................................... 34
DB9 ........................................................................................................................................... 34
DB-25 ........................................................................................................................................ 35
IEEE.488 ................................................................................................................................... 36
RS-232 DB9 .............................................................................................................................. 37
RS – 422/485 DB – 9 ................................................................................................................ 38
Formulario general .............................................................................................. 39
Matemáticas ...................................................................................................................39
Álgebra...................................................................................................................................... 39
Cálculo diferencial .................................................................................................................... 45
Cálculo integral ......................................................................................................................... 50
Geometría ................................................................................................................................. 59
Geometría analítica plana......................................................................................................... 60
Geometría analítica del espacio ............................................................................................... 62
Trigonometría ........................................................................................................................... 66
Números complejos .................................................................................................................. 71
Análisis vectorial ....................................................................................................................... 72
Función de fracciones racionales ............................................................................................. 77
Series de Fourier ...................................................................................................................... 78
Transformada de Fourier .......................................................................................................... 82
Transformada de Laplace ......................................................................................................... 85
Probabilidad y estadística ......................................................................................................... 90
Física ..............................................................................................................................95
Mecánica .................................................................................................................................. 95
Electricidad y magnetismo ...................................................................................................... 104
Química ........................................................................................................................109
Análisis de circuitos eléctricos ......................................................................................111
Ley de Ohm ............................................................................................................................ 111
Voltaje y corriente en elementos reactivos ............................................................................. 111
Divisor de corriente ................................................................................................................. 111
Divisor de voltaje .................................................................................................................... 112
Leyes de Kirchhoff .................................................................................................................. 112
Potencia .................................................................................................................................. 113
Resonancia RLC serie ............................................................................................................ 113
Resonancia RLC paralelo ....................................................................................................... 114
Circuitos excitados con señales senoidales de diferentes frecuencias ................................. 114
Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales............................................. 115
Teoremas de redes................................................................................................................. 115
Parámetros de dos puertos .................................................................................................... 117
Respuesta transitoria .............................................................................................................. 119
Función de transferencia ........................................................................................................ 122
Sistemas acoplados................................................................................................................ 123
Sistemas trifásicos .................................................................................................................. 123
Potencia trifásica .................................................................................................................... 125
Electrónica Analógica ...................................................................................................126
Diodo de propósito general .................................................................................................... 126
Diodo zener ............................................................................................................................ 126
Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentación) ........................... 127
Transistor de unión bipolar (BJT) ........................................................................................... 129
Transistor de efecto de campo (FET) ..................................................................................... 138
Transistor MOSFET ................................................................................................................ 145
Amplificadores operacionales ................................................................................................. 146
Filtros ...................................................................................................................................... 149
Convertidores ......................................................................................................................... 150
Amplificadores de corriente .................................................................................................... 152
Electrónica digital ..........................................................................................................156
Algebra Boole ......................................................................................................................... 156
Mapa de Karnaugh ................................................................................................................. 158
Conversión de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3 ..................................... 160
Conversión de Decimal a Binario, Hexadecimal .................................................................... 160
Circuitos digitales básicos ...................................................................................................... 161
Flip – flops .............................................................................................................................. 162
Electrónica de potencia ................................................................................................165
Fórmulas básicas.................................................................................................................... 165
Dispositivos ............................................................................................................................. 166
Teoría de control...........................................................................................................175
Terminología de la ingeniería de control ................................................................................ 175
Modelos de control ................................................................................................................. 175
Tipos de respuesta ................................................................................................................. 176
Regla de Mason...................................................................................................................... 178
Controladores ......................................................................................................................... 179
Comunicaciones ...........................................................................................................181
Osciladores ............................................................................................................................. 181
Modulación y demodulación AM-FM ...................................................................................... 186
Decibel .................................................................................................................................... 186
Oscilador de relajación UJT ................................................................................................... 188
Oscilador de relajación PUT ................................................................................................... 188
Instrumentación ............................................................................................................190
Valor promedio ....................................................................................................................... 190
El valor rms ............................................................................................................................. 190
Errores en medición................................................................................................................ 190
Desviación estándar y varianza .............................................................................................. 191
Distribución gaussiana............................................................................................................ 191
Puentes de Wheatstone ......................................................................................................... 192
Puente de Kelvin..................................................................................................................... 192
Ruido térmico o ruido de Jhonson .......................................................................................... 193
Amplificador de instrumentación ............................................................................................ 193
Termopar ................................................................................................................................ 194
Termistor ................................................................................................................................. 194
Sensores ................................................................................................................................. 195
Transformada Z ...................................................................................................................... 200
Datos prácticos .............................................................................................................201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Administración de sistemas electrónicos

Operación y mantenimiento de sistemas electrónicos


Inversión inicial

II = CO + CP + CA

donde:

II: Inversión inicial


CO: Costos de operación
CP: Costos de producción
CA: Costos de administración y ventas

Tasa mínima aceptable de rendimiento

TMAR = (µ * i)n

donde:

TMAR: Tasa mínima aceptable de rendimiento


µ: Monto
i: Tasa de interés
n: Número de periodos a considerar

Tasa mínima aceptable de rendimiento mixta

TMARmixta = [I1 + PR1 + %I1 + %PR1] + [I2 + PR2 + %I2 + %PR2] +…+ [In + PRn + %In + %PRn]

donde:

TMARmixta: Tasa mínima aceptable de rendimiento mixta


In: Inflación
PRn: Premio al riesgo
%In: Inflación ÷ 100
%PRn: Premio al riesgo ÷ 100

11
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Valor presente neto (con TMAR)

n
St
V P N = −S0 + 
t =1 (1 + i)t

donde:

VPN = Valor presente neto


SO = Inversión Inicial
St = flujo de efectivo neto del periodo t
n = número de periodos de la vida del proyecto
i = tasa de recuperación mínima atractiva

Valor presente neto (con anualidad e interés)

 (1 + i )n − 1
V P N = −P + A  + VS
 i (1 + i )n 

donde:

VPN: Valor presente neto


P: Inversión inicial
A: Anualidad
i: Tasa de interés
VS: Valor de salvamento al final del periodo n
n: Número de periodos

Tasa interna de retorno

n F N En VS
TIR =  n
+
1 (1 + i) (1 + i)n

donde:

TIR: Tasa interna de retorno


FNE: Flujo neto de efectivo del periodo n, o beneficio neto después de impuesto más depreciación
VS: Valor de salvamento al final del periodo n
i: Tasa de interés
n: Número de periodos

12
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Periodo de recuperación de la inversión

UN
ROI =
I

donde:

ROI: Periodo de recuperación de la inversión


UN: Utilidad neta
I: Inversión

Punto de equilibrio en ventas

CF
PE =
CV
1−
VT

donde:

PE: Punto de equilibrio


CF: Costos fijos
CV: Costos variables
VT: Ventas totales

Costo beneficio

B B −D
=
C C

donde:

B: Beneficios asociados al proyecto


C: Costo neto del proyecto
D: Valor de las desventajas

13
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Ingeniería económica

Glosario de términos para ingeniería económica

I: Inversión  : Factor de pago continuo


n: Periodo RC: Factor de recuperación de capital
i: Tasa de interés Vs: Valor de salvamento
P: Valor presente Θ: Tasa mixta
F: Valor futuro Pr: Periodo de recuperación
A: Serie uniforme B: Beneficio
G: Gradiente C: Costo
Ief: Tasa efectiva D: Desventaja
R: Tasa de interés divisible e: Base de logaritmos neperianos
m: Periodo de intervalo

Interés simple

I=niP

Interés compuesto

F
i=n −1
I
Valor futuro pago único

F = P (1 + i )
n

Valor presente pago único

1
P=F
(1 + i )
n

Cantidad compuesta serie uniforme

 (1 + i )n − 1
F= A 
 i 

14
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Ingeniería económica

Glosario de términos para ingeniería económica

I: Inversión  : Factor de pago continuo


n: Periodo RC: Factor de recuperación de capital
i: Tasa de interés Vs: Valor de salvamento
P: Valor presente Θ: Tasa mixta
F: Valor futuro Pr: Periodo de recuperación
A: Serie uniforme B: Beneficio
G: Gradiente C: Costo
Ief: Tasa efectiva D: Desventaja
R: Tasa de interés divisible e: Base de logaritmos neperianos
m: Periodo de intervalo

Interés simple

I=niP

Interés compuesto

F
i=n −1
I
Valor futuro pago único

n
F = P(F/P,i,n) F = P (1 + I)

Valor presente pago único

P = F(P/F,i,n) P = F(1+I)–n

Cantidad compuesta serie uniforme

F = A(F/A,i,n)

 (1 + i )n − 1 
A 
 i 
F=  
I

15
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Fondo de amortización

 i 
A =F  
 (1 + i )n − 1 
 

Recuperación del capital de una serie uniforme

 i (1 + i )n 
A = P 
 (1 + i )n − 1 
 

Valor presente de una serie uniforme

 1 − (1 + I)−n 
P = A 
 i 
 
Series de gradiente

 
 
 1 
A=G
 i−n 
 
 (1 + i )n − 1 
 

Tasa efectiva de interés anual

m
 r 
ie f = 1+  − 1
 m

Capitalización continua

m
 r 
i = l i m  1 +  − 1 = er − 1
m→∞  m

16
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Definición de e

 1
m
i = l i m 1+  = e A
=
( )
er − 1
m→∞  m F ( )
em − 1

A ( e − 1)
r
F
= em =
P P (1 − e ) m

P (1 − e )
P −m
= e −m
F =
F (
e −1m
)
A ( e − 1)
r

= A  1   n 
A (
er − 1 ) = −
G  1 − e−m   em − 1 

Pagos continuos

F
=
(em − 1 ) P
=
(e
m
−1 )
Aˆ r  r em
 r em
 r =
= P em − 1
F ( m
e −1 )
Tasa mixta

θ = (i – λ)/(1 – λ)

17
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Métodos de análisis de inversiones

Valor presente Valor futuro

n n
V p =  F l u j o(P / F,i, j) V p =  F l u j o(F / P,i, j)
j= 0 j= 0

Costo anual uniforme equivalente (CAUE)

 n 
V p =   F l u j o(P / F,i, j)  * ( A / P,i, j )
 j= 0 
 

Serie uniforme equivalente

SAUE = - CAUE

Recuperación de capital

CAUE = - SAUE = RC

(P – Vs)(A/P,i,n) + iVs

Retiro y reemplazo

CAUE (j) = RC(j) + A(j)

Tasa interna de retorno

 n 
V p = − F l u j o i n i c i a l +   F l u j o(P / F,i, j) 
 j=1 
 

Periodo de recuperación

A B S(f l u j o)
Pr =
ingreso por periodo

Razón costo-beneficio

B D
=B−
C C

Nota: El ROI no se maneja en este contexto ya que es un indicador financiero.

18
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Diseño e integración de sistemas electrónicos

Construcción e implementación de sistemas electrónicos


Comunicaciones

Radiofrecuencia

Estabilidad

YrYt
C=
2 g1 g 0 − Re (YrYt )

Sí C < 1 el transistor es incondicionalmente estable


Si C > 1 el transistor es potencialmente inestable

Factor de estabilidad de Stern

2 ( g1 + Gs )( g 0 + GL )
K=
Yr Yt + Re (Yr Yt )

Ganancia máxima disponible en el transistor (MAG)

2
Yr
MAG =
4 g1 g 0

donde:

Yr = La admitancia de transferencia inversa


Yt = La admitancia de transferencia directa
g1 = La conductancia de entrada
g2 = La conductancia de salida
Re = La parte real del número complejo
Gs = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga

Criterio de estabilidad incondicional en términos de los parámetros S

2 2 2
1 − S11 − S22 + Δ
K= <1
2 S12 S12
donde:
Δ = S11S22 − S12 S12

19
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Teorema de Miller

Cent ( Miller ) = Cbo (1 + Av ) Capacitancia de entrada Miller, donde C = Cbo

 1 + Av  Capacitancia de salida Miller, donde C = Cbo


Csal ( Miller ) = Cbo  
 Av 

donde: Cbo es la capacitancia entre la entrada y la salida amplificador.

Respuesta en frecuencia de un amplificador

Modelo de señal pequeña del BJT

Modelo de señal pequeña del FET

Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor común (BJT)

Modelo equivalente de señal pequeña del amplificador

20
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Los polos del circuito son:


1
f p1 =
 R 
2π rπ o  Cπ + Cμ (1 + g m RL )  + L ( Cμ + CL )  
 rπ o 
C g + Cμ ( g m + gπ o + g L ) + CL gπ o gm
f p2 = π L ≅
2π Cπ ( Cμ + CL ) + Cμ Cπ + CL
donde:

1
RL =
gL
1
rπ o =
g πo

Respuesta en altas frecuencia de un amplificador fuente común (FET)

Considere el caso anterior (Respuesta en altas frecuencias de un amplificador emisor común (BJT)) y
en las expresiones según la figura.

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador emisor común (BJT)


Si Ci >> Cπ: y Cμ es despreciable:

La función de transferencia está dada por:

21
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

rπ ro
g m RL s 2
Ri + rπ RL + ro
H (s) =
 1  1 
s+  s + 
 Ci ( Ri + rπ )  Co ( ro + RL ) 
Los polos del circuito están dadas por:
1
f p1 =
2π Ci ( Ri + rπ )
1
f p2 =
2π Co ( ro + RL )

Respuesta en bajas frecuencias de un amplificador fuente común (FET)


Si Cμ es despreciable:

La función de transferencia está dada por:

1 ro
g m RL s
Ri Cgs RL + ro
H (s) =
 1 Ci + Cgs  1 
 s +   s + 
 Ri Ci Cgs   Co ( ro + RL ) 

y los polos del circuito son:


1
f p1 =
Ci C gs
2π R1
Ci + C gs
1
f p2 =
2π Co ( ro + RL )

Parámetros de dispersión

22
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

 b1   S11 S12   a1 
b  =  S S22   a2 
 2   21

b1
S11 = Coeficiente de reflexión del puerto 1 (Entrada)
a1 a2 = 0

b2
S21 = Coeficiente de transmisión del puerto 1 al 2 (Ganancia)
a1 a2 =0

b1
S12 = Coeficiente de transmisión del puerto 2 al 1 (Ganancia en inversa)
a2 a1 =0

b2
S22 = Coeficiente de reflexión del puerto 2 (Salida)
a2 a1 =0

Líneas de transmisión

Impedancia característica

2D
Z 0 = 276 log
d

donde:

D = distancia entre conductores o diámetro exterior


d = diámetro del conductor o diámetro interior

Impedancia característica para cable coaxial:

23
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

1 μ D μ D
Z0 = ln   ≈ 138 r log  
2π ε d εr d

donde:

D = distancia entre conductores o diámetro exterior


d = diámetro del conductor o diámetro interior
μr y ε r es la permeabilidad relativa y la permitividad relativa del material aislante, respectivamente.

Línea de transmisión de tipo microcinta

Si t << W
 60  8b W 
 ln  + 
 ε e  W 4b  Si W / b < 1
Z0 = 
 120π
Si W / b > 1
 ε e W / b + 1.393 + 0.667 ln (W / d + 1.444 ) 
  

donde:

ε r + 1 ε r −1 1
εe = +
2 2 1 + 12d / W
En otro caso:

24
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

87  5.98b 
Z0 = ln  
ε + 1.41  0.8W + t 
ε r = constante dieléctrica
W = ancho de la pista
t = espesor de la pista
h = distancia entre la pista al plano a tierra

Impedancia característica de líneas de microcinta paralelas

60  4d 
Z0 = ln  
ε  0.67πW ( 0.8 + t / b ) 

Impedancia característica

R + jω L
Z0 =
G + jωC

Constante de propagación

γ= ( R + jω L )( G + jωC )
Velocidad de propagación

1
vp =
LC

Tiempo de retardo

td = LC

Ondas estacionarias

25
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Coeficiente de reflexión

Vr
Γ=
Vi
Z − Z0
Γ= L
Z L + Z0

Si Vmax = 1 + Γ y Vmin = 1 − Γ , entonces,

Vmax − Vmin
Γ=
Vmax + Vmin

donde:

Γ = Coeficiente de reflexión
Vr = Voltaje reflejado
Vi = Voltaje incidente

Relación de onda estacionaria (SWR) y el coeficiente de reflexión ( )

V max 1 + Γ
SWR = =
V min 1 − Γ
y
SWR − 1
Γ=
SWR + 1

Si Z L ∈ℜ y Z L > Z0 , entonces:

ZL
SWR =
Z0
Si Z L ∈ℜ y Z L < Z0 , entonces:
Z0
SWR =
ZL
Impedancia de entrada ( Zin )

26
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Z L + jZ 0 tan ( β l )
Z in = Z 0
Z 0 + jZ L tan ( β l )
donde:

β = es el número angular de onda


l = es la longitud de la línea

Para una línea de transmisión de λ / 2


Zin = Z L

Para una línea de transmisión de λ / 4


Z 02
Z in =
ZL

Tabla de parámetros distribuidos

27
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Antenas

Ganancia directiva

Pantena de refecia
G( dB ) = [ dB ]
Pantena de prueba

Resistencia de radiación

Pradiada
Rr = 2 [Ω]
I entrada
2
l
Rr = 790   [ Ω]
λ
Ancho de banda de la antena

28
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

fm = f L ⋅ f H [ Hz ]
Longitud efectiva

292
le = [ m]
f
Área efectiva

Wr
Aef =
Pi

Densidad de potencia radiada

P (θ , φ ) = Re ( E × H ∗ )

Impedancia característica del medio

E

H

Potencia total radiada

Wr =  P (θ , φ ) ⋅ ds

Directividad

Pmax
D=
Wr
4π r 2

Lóbulo

29
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Ancho del haz principal

BWn ≈ 2.25BW−3dB

Intensidad del campo

30 Dt ⋅ Pt
E=
d

30
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Conectores

RJ45

31
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

RJ11

32
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

VGA

Pines

Un conector DE15 hembra.

Pin 1 RED Canal rojo

Pin 2 GREEN Canal verde

Pin 3 BLUE Canal azul

Pin 4 N/C Sin contacto

Pin 5 GND Tierra (HSync)

Pin 6 RED_RTN Vuelta rojo

Pin 7 GREEN_RTN Vuelta verde

Pin 8 BLUE_RTN Vuelta azul

Pin 9 +5 V +5 V (Corriente continua)

Pin 10 GND tierra (Sincr. Vert, corriente continua)

Pin 11 N/C Sin contacto

Pin 12 SDA I²C datos

Pin 13 HSync Sincronización horizontal

Pin 14 VSync Sincronización vertical

Pin 15 SCL I2Velocidad reloj

33
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

USB

Patillaje

The standard USB A plug (left) and B plug (right)

Pin 1 VCC (+5 V)

Pin 2 Data-

Pin 3 Data+

Pin 4 Ground

DB9

Se debe tener en cuenta que existen adaptadores DB9-DB25 para convertir fácilmente un enchufe
DB9 en uno DB25 y viceversa.

Pines

Número de clavija Nombre


1 CD: Detector de transmisión
2 RXD: Recibir datos
3 TXD: Transmitir datos
4 DTR: Terminal de datos lista
5 GND: Señal de tierra
6 DSR: Ajuste de datos listo
7 RTS: Permiso para transmitir
8 CTS: Listo para enviar
9 RI: Indicador de llamada
Protección

34
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

DB-25

Asignaciones de patas el conector D-25 para impresoras: Este conector trabaja para el puerto
paralelo.

Pata Señal E/S Definición


1 STB# E/S Estrobo
2 PD0 E/S Bit 0 de datos de impresora
3 PD1 E/S Bit 1 de datos de impresora
4 PD2 E/S Bit 2 de datos de impresora
5 PD3 E/S Bit 3 de datos de impresora
6 PD4 E/S Bit 4 de datos de impresora
7 PD5 E/S Bit 5 de datos de impresora
8 PD6 E/S Bit 6 de datos de impresora
9 PD7 E/S Bit 7 de datos de impresora
10 ACK# E Reconocimiento
11 BUSY E Ocupado
12 PE E Fin del papel
13 SLCT E Seleccionar
14 AFD# S Avance automático
15 ERR# E Error
16 INIT# S Iniciar impresora
17 SLIN# S Seleccionar
18–25 GND N/D Tierra de señal

35
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

IEEE.488

Terminales

Conector hembra IEEE-488

Pin 1 DIO1 Entrada de dato / bit de salida


Pin 2 DIO2 Entrada de dato / bit de salida.
Pin 3 DIO3 Entrada de dato / bit de salida
Pin 4 DIO4 Entrada de dato / bit de salida
Pin 5 EOI Final o identificación
Pin 6 DAV Validación de datos
Pin 7 NRFD No está listo para recibir dato
Pin 8 NDAC No se acepta el dato
Pin 9 IFC Interfaz limpia
Pin 10 SRQ Servicio
Pin 11 ATN Atención de datos
Pin 12 SHIELD
Pin 13 DIO5 Entrada de dato / bit de salida
Pin 14 DIO6 Entrada de dato / bit de salida
Pin 15 DIO7 Entrada de dato / bit de salida
Pin 16 DIO8 Entrada de dato / bit de salida
Pin 17 REN Remoto activado
Pin 18 GND (emparejado con DAV)
Pin 19 GND (emparejado con NRFD)
Pin 20 GND (emparejado con NDAC)
Pin 21 GND (emparejado con IFC)
Pin 22 GND (emparejado con SRQ)

36
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

RS-232 DB9

PIN 1: Detector de acarreo


PIN 2: Recibe dato
PIN 3: Transmite dato
PIN 4: Terminal de dato lista
PIN 5: Tierra
PIN 6: Dato listo
PIN 7: Requisita para mandar
PIN 8: Limpia para enviar
PIN 9: Indicador

Convertidor RS-232 a DB-25

37
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

RS – 422/485 DB – 9

PIN 1: Salida auxiliar +


PIN 2: Dato de salida +
PIN 3: Tierra
PIN 4: Entrada de dato +
PIN 5: Salida auxiliar +
PIN 6: Salida auxiliar –
PIN 7: Salida de dato –
PIN 8: Entrada de dato –
PIN 9: Entrada auxiliar –

38
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Formulario general
Matemáticas

Álgebra

Si x < y 
x + z < y + z
Si x < y; z > 0  xz < yz 
 ∀x, y, z ∈ ℜ
Si x < y; z < 0  xz > yz 
Si x < y; y < z  x < z 

(r1 ∠θ1 )(r2 ∠θ 2 ) = r1 r2 ∠ ( θ1 + θ 2 ) Nota: ∠θ = cosθ + i senθ

n n
r ∠θ = r ∠
(
θ + k 360 ); k entero
n

( )
ln r e θi = ln r + ( θ + 2 k π ) i ; k entero

∀ f(x) ; g(x) ≠ 0, existen q(x); r(x); f, g, q, r polinomios tales que: f(x) = g(x) q(x) + r(x), con gr(r) < gr(g)
o r(x) = 0

f ( x) = an xn + an−1xn−1 + ... + a1x + a0 ; an ≠ 0 ; a0 ≠ 0 las raíces racionales de f son de la forma p


q
donde p es factor de a0 y q de an.

39
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Para matrices A y B

 (AB )−1 = B −1 A −1 ; A y B no singulares

 tr(A + B) = tr A + tr B


 tr (aA ) = a (tr A )


 (AB )T = BT A T

 det (A) = det (A T )


 det (AB) = det(A) det(B)

 A (Adj A ) = (Adj A)A = det(A) I

 1
 det (A -1 ) = ; A no singular
 det (A)

{
Si B = v 1 , v 2 ,  , v n } es base de un espacio V; x ∈ V
y x = α 1 v 1 + α 2 v 2 + + α n v n ; entonces, el vector de coordenadas de x respecto a B es:

(x) B
= (α 1, α 2 , , α n )
T

( ) ( )
Si u, v, w ∈ V (C ) espacio vectorial, entonces f u, v = u | v es producto interno en V si:

( ) ( )
1) u | v = v |u

2) (u | v + w ) = (u | v ) + (u | w )

3) (α u | v) = α(u | v )

4) (u | u) > 0 si u ≠ 0

( )
12
v = v| v norma de v

(
d u, v = v − u ) distancia de u a v

cos θ =
(u • v ) coseno del ángulo entre u y v
u v

40
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Si B = {g 1 , g 2 ,  , g n } es base ortogonal de un espacio V; v ∈ V y

(v | g ) ;
( v) = (α 1 , α 2 ,  , α n )
T
entonces α i =
i
i = 1, 2,  , n
B
(g | g )
i i

{
Si e 1, e 2 ,  , e m } es base ortonormal de un subespacio W del espacio V y v ∈ V ; entonces, la
m
proyección de v sobre W es:  ( v | e ) e i i
i=1

T (V ) = T v | v ∈ V
 { ( )
re co rrid o d e V }
Para la transformación lineal T:V→W 
 N (T ) = v ∈ V / T v = O

{n u cle o d e T ( ) }
 d im V = d im T ( V ) + d im N ( T )

{ }
Para T:V→W; A= v 1, v 2 ,  , v n base de V y B base de W la matriz asociada a T, M BA ( T ) tiene por
columnas a:

[ T(v )] , [ T(v )] , , [ T(v )]


1
B
2
B
n
B

para T:V→V, v ∈ V es vector característico de T si:

()
T v = λ v con λ ≠ 0 y v ≠ 0

41
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Fórmulas para potencia y raíces

p ⋅ an ± q ⋅ an = ( p ± q ) ⋅ an a m ⋅ a n = a m+n

am
an
= a m−n (a ) = (a )
m n n m
= a m⋅n

n
−n 1  an   a 
a = n  n = 
a b  b

p ⋅ n a ± q ⋅ n a = ( p ± q)⋅ n a n
a ⋅b = n a ⋅ n b
1
n
a n a  a n n⋅ x
= =  a m⋅x = n a m
n
b b b
m

( )
m
n
am = n
a = an ∗
−a = i ⋅ a

( )
2
( −2)
∗ 2
No es válida en algunos casos; p. ej., = +2, −2 = −2

Nota: Los exponentes para potencias y raíces deben ser escalares

Transformación de expresiones algebraicas usuales

(a ± b) (a ± b)
2 3
= a 2 ± 2ab + b 2 = a 3 ± 3a 2b + 3ab 2 ± b3

(a + b + c) a2 − b2 = ( a + b )( a − b )
2
= a 2 + 2ab + 2ac + b 2 + 2bc + c 2

a 3 + b3 = ( a + b ) ( a 2 − ab + b 2 ) a 3 − b3 = ( a − b ) ( a 2 + ab + b 2 )

2 −b ± b2 − 4ac
ax + bx + c = 0 x1,2 =
2a
p p2
(a − b + c)
2
x 2 + px + q = 0 x1,2 = − ± −q = a 2 − 2ab + 2ac + b 2 − 2bc + c 2
2 4
n n −1 n ( n − 1) n − 2 2 n ( n − 1)( n − 2 ) n −3 3
(a + b)
n
= an + a b+ a b + a b +  + bn
1 1⋅ 2 1⋅ 2 ⋅ 3

a n + b n = ( a − b ) ( a n −1 − a n − 2b + a n −3b 2 +  ab n − 2 + b n −1 )

42
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Logaritmos

x
log ( x ⋅ y ) = log x + log y log = log x − log y
y
1
log x n = n log x log n x = log x
n
log a n = n log a log a a = 1
log1 = 0

Binomio de Newton

n n n n


(a + b)
n
=   a n +   a n −1 ⋅ b +   a n − 2 ⋅ b 2 +   a n −3 ⋅ b3 + 
0 1  2 3
Donde n tiene que ser un número entero

 n  n ( n − 1)( n − 2 ) n − k + 1
 =
k  1⋅ 2 ⋅ 3 k

Teorema del binomio (de Newton)

n x n ( n − 1) x
2
n
(1 + x ) = 1 + + +...
1! 2!

Teorema binomial

 n  k n−k
( x + a )n =  k =0 
n
x a
k 

Permutaciones

Número de permutaciones de n elementos

Pn = n! = 1× 2 × 3×× n

43
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Combinaciones y ordenaciones

Número de combinaciones sin Número de combinaciones con


repetición repetición

n! n r
Ckn =
( n + k − 1)! =  n + k − 1
Ckn = =   
k !( n − 1) !  k 
k !( n − k ) !  k 
r con repetición

Número de ordenaciones sin repetición Número de ordenaciones con repetición


n n!
Okn = C kn ⋅ Pk =   ⋅ k ! = r
Okn = n k
k  ( n − k )!
donde:

C: número de combinaciones posibles


n: número de elementos dados
k: número de elementos seleccionados de entre n elementos dados
O: número de ordenaciones posibles

Serie binómica o binomial

α α (α − 1)
f ( x ) = (1 ± x ) = 1 ± α x + x 2 + ...
2!

α es un número cualquiera, positivo o negativo, entero o fraccionario


 α  α (α − 1)(α − 2 )(α − 3) (α − n + 1)
 =
n n!

Serie de Taylor (serie de McLaurin)

f ' (a ) f '' ( a )
f ( x) = f (a ) + (x − a) + (x − a) +
2

1! 2!

Forma de McLaurin, cuando a = 0

f ' (0) f '' ( 0 ) 2


f ( x ) = f (0) + x+ x +
1! 2!

Expansión de Taylor

x x 2 x3
ex = 1 + + + +..., − ∞ < x < ∞
1! 2! 3!

44
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Cálculo diferencial

Relación de cambio: Derivada

Pendiente en un punto. Relación (o intensidad) de cambio

Pendiente de una curva

En una curva y = f ( x ) , la pendiente m varía en cada punto. La pendiente de la curva en un punto P


es también la pendiente de su tangente en dicho punto:

Δy'
m = tan α =
Δx '

Relación media de cambio (cociente incremental)

Δy
La intensidad media de variación de la función y = f ( x ) es la relación de los incrementos
Δx
correspondientes al segmento de curva PP1

Δy f (x + Δx) − f (x)
=
Δx Δx

Derivada (cociente diferencial)

Cuando Δx tiende a cero, el punto P1 tiende al punto P, y la secante PP1 , a la tangente a la curva en
P. De manera que la relación de incrementos se convierte en la relación de diferenciales, que es la
derivada (o Intensidad de cambio) de la función en P:

Δy dy
y' = lim = = f '(x)
Δx→0 Δx dx

Interpretación geométrica de la derivada

Curvas de derivadas sucesivas

Si para cada x de una curva se lleva la pendiente (o derivada) correspondiente y' como ordenada, se
obtendrá la curva de y ' = f '( x ) , o de la primera derivada de la curva dada y = f ( x ) . Si se deriva la
curva y ' = f '( x ) se obtendrá y '' = f ''( x ) o la segunda derivada de la curva dada y = f ( x ) , etc.

Radio de curvatura ρ en un punto dado x.

(1+ y′ 2 )3
ρ=
y′′

45
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Coordenadas del centro de curvatura C correspondiente a un radio ρ

1 + y′ 2
a= x− y′
y′′
1 + y′ 2
b= y+
y′′

Determinación de los valores máximos, mínimos y puntos de inflexión

Valores máximos y mínimos

Hágase y ' = 0 y sea a el valor obtenido de x . Sustitúyase ahora x = a en y ''

Si y ''(a) > 0 habrá un mínimo en x = a


Si y ''(a) < 0 habrá un máximo en x = a

Punto de inflexión

Hágase y '' = 0 y sea a el valor obtenido de x . Sustitúyase ahora x = a en y ''

Si y ''(a) ≠ 0 habrá un punto de inflexión en x = a

Forma de la curva y = f (x)

46
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Crecimiento y decrecimiento

y '(x) > 0 y(x) crece si aumenta x


y '(x) < 0 y(x) decrece si aumenta x
y '(x) = 0 y(x) tiene en x una tangente paralela al eje x

Curvatura

y''(x) > 0 y(x) será cóncava hacia arriba


y''(x) < 0 y(x) será cóncava hacia abajo
y''(x) = 0 con cambio de signo y(x) tendrá en x un punto de inflexión
sin cambio de signo y(x) tendrá en x un máximo o un mínimo

Otros casos

Si para x = a
y '( a ) = y ''( a ) = y '''( a ) =  = y ( n −1) ( a ) = 0 , pero y n ≠ 0 , pueden presentarse los cuatro casos
siguientes:

47
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Tablas de derivadas

d d
( c) = 0 ( cx ) = c
dx dx
d d du dv dw
( cx n ) = ncx n −1 ( u ± v ± w±) = ± ± 
dx dx dx dx dx
d du d dv du
( cu ) = c ( uv ) = u + v
dx dx dx dx dx
d
( uvw ) = u v
dw
+uw
dv
+vw
du d u v
 =
( du dx) − u( dv dx)
dx dx dx dx dx  v  v2
d n du du 1
( u ) = nu n−1 =
dx dx dx dx
du
dF dF du
= (Regla de la cadena)
dx du dx

Derivadas de las funciones exponenciales y logarítmicas

d v d v ln u d
u = e = ev ln u [ v ln u ] =
dx dx dx d log a e du
log a u = a > 0, a ≠ 1
du dv dx u dx
vu v -1 + u v ln u
dx dx
d u du d d 1 du
a = a u ln a ln u = log e u =
dx dx dx dx u dx
d u du
e = eu
dx dx

Derivadas de las funciones trigonométricas y de las trigonométricas inversas

d du d du
sen u = cos u cot u = − csc 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cos u = − sen u sec u = sec u tan u
dx dx dx dx
d du d du
tan u = sec 2 u csc u = − csc u cot u
dx dx dx dx
d −1 du d 1 du
cos−1 u = 0 < cos−1 u < π  sen −1 u =  − π2 < sen −1 u < π2 
dx 1 − u 2 dx dx 1 − u dx
2

d 1 du d −1 du
tan −1 u = − π2 < tan −1 u < π2  cot −1 u =  0 < cot −1 u < π 
dx 1 + u 2 dx dx 1 + u 2 dx

48
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

d 1 du ±1 du d −1 du 1 du
sec −1 u = = , csc −1 u = = ,
dx u u − 1 dx u u 2 − 1 dx
2 dx u u − 1 dx u u 2 − 1 dx
2

 + si 0 < sec −1 u < π2   − si 0 < csc −1 u < π2 


   
 − si 2 < sec u < π 
−1
π
 + si − π2 < csc −1 u < 0 

Derivadas de las funciones hiperbólicas y de las hiperbólicas recíprocas

d du d du
senh u = cosh u coth u = − csc h 2 u
dx dx dx dx
d du d du
cosh u = senh u sec h u = − sec h u tanh u
dx dx dx dx
d du d du
tanh u = sec h 2 u csc h u = − csc h u coth u
dx dx dx dx
d 1 du d 1 du
dx
sen h -1u = tanh −1 u = , [ −1 < u < 1]
u 2 + 1 dx dx 1 − u 2 dx
d ±1 du
d −1 du cos h -1u = ,
csc h -1u = , dx u 2 − 1 dx
dx u 1 + u dx
2

 + si cosh −1 u > 0, u > 1


[− si u > 0, + si u < 0]  −1 
 − si cosh u < 0, u < 1
d ±1 du
sec h -1u = , d 1 du
dx u u 2 − 1 dx coth −1 u = ,
dx 1 − u 2 dx
 − si sec h −1u > 0, 0 < u < 1
 −1  [u > 1 ó u < −1]
 + si sec h u < 0, 0 < u < 1

49
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Cálculo integral

Significado de la integración

Por integración se entiende el encontrar una función F ( x ) a partir de una función dada y = f ( x) de
manera que la derivada F ′( x ) sea igual a la original f ( x) . Por lo tanto,

dF ( x )
F ′( x ) = = f ( x)
dx

La integral indefinida

 f ( x )dx = F ( x ) + C
C es una constante indeterminada que desaparece al derivar, ya que la derivada de una constante es
igual a cero.

Significado geométrico de la integral indefinida.

Como muestra la figura, hay una infinidad de curvas y = F ( x ) con pendiente o derivada y ′ = F ( x ) .
Todas las curvas y = f ( x ) son iguales pero desplazadas paralelamente y en la dirección del eje y .
La constante C fija una curva determinada. Si la curva debe pasar por el punto x0 , y0 se tendrá:

C = y0 − F ( x0 )

La integral definida

La integral definida tiene la forma:

b

b
f ( x)dx = F ( x) a = F (b) − F (a)
a

50
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

En la integral resultante se sustituye primero el límite superior y luego el inferior, y se resta el segundo
resultado del primero. Desaparece así la constante C.

51
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Reglas de integración

Formas fundamentales

 u dv = uv −  v du e
u
du = eu + C

1 au
 u du = n + 1 u
n n +1
+C n ≠ −1  a du = ln a + C
u

du
 u
= ln u + C

Formas trigonométricas

 sen u du = − cos u + C  csc u cot u du = − csc u + C


 cos u du = sen u + C  tan u du = ln sec u + C
 sec  cot u du = ln sen u + C
2
u du = tan u + C

 csc  sec u du = ln sec u + tan u + C


2
u du = − cot u + C

 sec u tan u du = sec u + C  csc u du = ln csc u − cot u + C

Formas cuadráticas

u 2 a2 du u
 a 2 + u 2 du = a + u 2 + ln u + a 2 + u 2 + C  2 2
= sen −1
a
+C
2 2 a −u
u 2 a2 du 1 −1 u
u 2
a 2 + u2 du =
8
( a + 2u2 ) a 2 + u2 − ln u + a 2 + u2 + C
8  a 2 + u 2 = a tan a + C
du 1 u

a 2 + u2
du = a 2 + u 2 − a ln
a + a 2 + u2
+C  2 2 = a sec−1 a + C
u u u u −a
du 1 u+a

du
=−
a 2 + u2
+C a 2
−u 2 = ln
2a u − a
+C
u2 a 2 + u2 a 2u

52
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

du u du 1 u−a
 = +C u 2 = ln +C
(a 2
+u )
2 3/ 2
a 2 2
a +u 2 2
−a 2a u + a
2 2
a +u a 2 + u2 du
1 a 2 + u2 + a
 u2
du = −
u
+ ln u + a 2 + u 2 + C  2 2 = − a ln +C
u a +u u
u a4 u u 2 a2 u
 u 2 a 2 − u 2 du = 8
( 2 u 2 − a 2 ) a 2 − u 2 + sen −1 + C
8 a  a − u du = 2 a − u + 2 sen −1 a + C
2 2 2

u 2 du u a2 du
 =
2
a 2 + u2 −
2
ln u + a 2 + u 2 + C  2 2 = ln u + a 2 + u2 + C
a 2 + u2 a +u

u 2 a2 u 2 du u a2 u
 2
u − a du =
2
2
u − a − ln u + u 2 − a 2 + C
2
2
 2 2
=−
2
2 2
a −u +
2
sen −1 + C
a
a −u

a 2 − u2 a + a 2 − u2 a 2 − u2 1 2 u
 du = a 2 − u 2 − a ln +C  u 2 du = −
u
a − u 2 − sen −1 + C
a
u u

u 2 2 2 2 a4
1 a + a 2 − u2
 2 2 = − a ln
du
+C u 2
u2 − a2 du =
8
( 2u − a ) u − a − ln u + u2 − a2 +C
8
u a −u u

du 1
 =−
a 2u
a 2 − u2 + C 
u2 − a 2 a
du = u 2 − a 2 − a cos−1 + C
u2 a 2 − u2 u u
u 3a 4 u 2
u −a 2 2
u −a 2
(a
3
2
− u 2 ) 2 du = − ( 2u2 − 5a 2 ) a 2 − u2 + sen−1 + C  du = − + ln u + u 2 − a 2 + C
8 8 a u 2
u
du u du
 3 = +C  = ln u + u 2 − a 2 + C
( a 2 − u2 ) 2 a 2
a 2 − u2 2
u −a 2

u 2 du u a2 udu 1
 =
2
u2 − a2 +
2
ln u + u 2 − a 2 + C  a + bu = b ( a + bu − a ln a + bu ) + C
2
u2 − a2
du a + bu b( 2 n − 3) du u2 − a 2
du
 u n a + bu = − a( n − 1) u n −1 − 2 a( n − 1)  u n −1 a + bu  2 2 2 = a 2u + C
u u −a
u 2 du 1 du u
 a + bu = 2b [( a + bu) 3
2
− 4a ( a + bu ) + 2 a 2 ln a + bu ] + C  2 2 32 = − a2 u 2 − a2 + C
(u − a )
du 1 u
 u( a + bu) = a ln a + bu + C u
du
=
1
ln
a + bu − a
+ C , si a > 0
a + bu a a + bu + a
2 a + bu
= tan −1 + C , si a < 0
−a −a
du 1 b a + bu a + bu
 u ( a + bu) = − au + a
2 2 ln
u
+C  du = 2 a + bu + a 
du
u u a + bu

53
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

udu a 1
 ( a + bu) = + ln a + bu + C
b ( a + bu) b
2 2 
a + bu
2 du = −
a + bu b
+ 
du
u u 2 u a + bu
du 1 1 a + bu udu 2
 u( a + bu) 2 = a( a + bu) − a 2 ln u + C  =
a + bu 3b 2
( bu − 2 a ) a + bu

u 2 du  1 a2  u n du 2 u n a + bu 2 na u n − 1 du
 (a + bu )2 
 a + =
bu −
a + bu
b3
− 2a ln a + bu  + C  a + bu
=
b( 2 n + 1)

b( 2 n + 1)
 a + bu
 
2
 u a + budu = 15b 2 ( 3bu − 2a )( a + bu) 2 + C
3

Otras formas trigonométricas

 csc  sen
3 2
u du = − 12 csc u cot u + 12 ln csc u − cot u + C u du = 12 u − 14 sen 2u + C
n −1
 cos
2
u du = 12 u + 14 sen 2u + C
 sen u du = − 1n sen n −1 u cos u +
n 
sen n − 2 u du
n

n −1
 cos   tan
2
n
u du = n1 cosn −1 u sen u + cosn − 2 u du u du = tan u − u + C
n
1
 cot
2
u du = − cot u − u + C
 tan u du = tan n −1 u −  tan n − 2 u du
n

n −1
−1
 cot n u du = n − 1 cot n−1 u −  cot n− 2 u du  sen
3
u du = − 13 ( 2 + sen 2 u ) cos u + C
1 n−2
 sec n u du = n − 1 tanu sec n− 2 u + n − 1  sec n−2 u du  cos
3
u du = 13 ( 2 + cos 2 u ) sen u + C

1 n−2
 csc n u du = n − 1 cot u csc n− 2 u + n − 1  csc n− 2 u du  tan
3
u du = 12 tan 2 u + ln cos u + C

sen ( a − b ) u sen ( a + b ) u
 cot
3
u du = − 12 cot 2 u − ln sen u + C
 sen au sen bu du = 2( a − b)

2( a + b)
+C

sen( a − b) u sen( a + b) u
 sec
3
 cos au cos bu du = 2( a − b)
+
2( a + b)
+C u du = 12 sec u tan u + 12 ln sec u + tan u + C

cos( a − b) u cos( a + b) u
 u cos u du = u sen u − n u sen u du
n −1
 sen au cos bu du = −
n n
− +C
2( a − b) 2( a + b)
 u sen u du = sen u − u cos u + C  sen
n
u cos m u du
sen n −1 u cosm+1 u n − 1
=−
n+m
+
n+m
 sen n−2 u cosm u du
sen n +1 u cosm−1 u m − 1
=−
n+m
+
n+m
 sen n u cosm−2 u du

 u cos u du = cos u + u sen u + C u sen u du = u n cos u + n  u n −1 cos u du


n

2u − 1 2
u 1− u2 u 2 +1 u
 u cos u du = 4 cos u −
−1 −1
4
+C  utan u du =
−1

2
tan −1 u − + C
2

54
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

1  n +1 u n+1du 
 sen
−1
u n
sen −1 u du = −1
−  u du = u sen −1 u + 1 − u 2 + C
 u sen u , n ≠ −1
n + 1 1 − u2 
1  u n +1du 
 cos
−1
 u n cos−1 u du = n + 1 u n+1 cos−1 u +  u du = u cos−1 u − 1 − u 2 + C
, n ≠ −1
1 − u2 
1  n +1 −1 u n +1 du   tan
−1
(
u du = u tan −1 u − 12 ln 1 + u 2 + C )
 u tan u du =  1+ u 2
n −1
u tan u −  , n ≠ −1
n +1  

Formas exponenciales y logarítmicas

1
 ue au
( au − 1) e au + C
du =
a2
 ln u du = u ln u − u + C
1 n u n +1
 u n e au du = a u n e au − a  u n−1e au du u n
ln u du = [ ( n + 1) ln u − 1] + C
( n + 1) 2
e au 1
 e sen bu du = a 2 + b 2 ( a sen bu − b cos bu) + C
au
 u ln u du = ln ln u + C
e au
e au
cos bu du =
a + b2
2
( a cos bu + b sen bu ) + C

Formas hiperbólicas

 senh u du = cosh u + C  sech u du = ln tan u + C 1


2

 cosh u du = senh u + C  sech u du = tanh u + C


2

 tanh u du = ln cosh u + C  csch u du = − coth u + C


2

 coth u du = ln senh u + C  sech u tanh u du = −sech u + C


 sech u du = tan senh u + C  csch u coth u du = −csch u + C
−1

Otras formas cuadráticas

u−a a2 a − u du a − u
 2au − u 2 du =
2
2 au − u 2 + cos−1
2  a 
+ C  = cos−1
 a 
2
+ C
2a u − u

2u − au − 3a 2 a3 a − u u du a − u
u 2au − u2 du =
6
2au − u2 + cos−1
2  a 
+ C  = − 2a u − u 2 + a cos−1
2  a 
+ C
2au − u

2a u − u 2 a − u du 2a u − u 2
 u 2 du = 2a u − u 2 + a cos−1
 a 
+ C  =−
au
+C
u 2a u − u 2

u 2 du (u + 3a ) 3a 2 a−u 2a u − u 2 2 2a u − u 2 a − u
 2au − u 2
=−
2
2au − u 2 +
2
cos −1  +C
 a   du = − − cos−1 + C
u 2
u  a 

55
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Regla de Simpson

Para curvas hasta de tercer grado

h
Ai = (
y + 4y1 + y 2
3 0
)
Para curvas de grado mayor que el tercero

h
A= ( )
y + yn + 2 y 2 + y 4 + ... + yn − 2 + 4 y1 + y 3 + ... + yn −1 
3 0  ( )
Integrales múltiples

b
 
x=a
f2 ( x )

y = f1 ( x )
F ( x, y ) dydx = 
b

x=a { f2 ( x )

y = f1 ( x )
F ( x, y ) dy dx }
Donde y = f1( x) e y = f 2 ( x ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ respectivamente, mientras
que a y b son las abscisas de los puntos P y Q. Esta integral también se puede escribir así:

d
 
y =c
g2 ( y )

x = g1 ( y )
F ( x, y ) dxdy = 
d

y =c { g2 ( y )

x = g1 ( y )
F ( x , y ) dx dy}
Donde x = g1 ( y) , x = g2 ( y ) son las ecuaciones de las curvas HPG y PGQ, respectivamente, mientras
que c y d son las ordenadas de H y G.

Estas son las llamadas integrales dobles o integrales de área. Los anteriores conceptos se pueden
ampliar para considerar integrales triples o de volumen así como integrales múltiples en más de tres
dimensiones.

t 
s = s (t ) =  r ′(t ) dt
a

Es la longitud de curva correspondiente al intervalo paramétrico a , t .

En parámetro arbitrario: En parámetro s:



 r ′(t )  
Vector tangente unitario t (t ) =  t ( s ) = r ( s )
r ′(t )

    r( s)
Vector normal principal n(t ) = b (t ) ×t (t ) n ( s) = 
r( s)
   
 r ′ × r ′′(t )  r ( s ) × 
r ( s)
Vector binormal b (t ) =   b (s) = 
r ′ × r ′′(t ) 
r (s)

       
  
(
Los vectores unitarios t , n , b forman una triada positiva b = t xn , n = b xt , t = nxb )
56
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Recta tangente en t0

Ecuación vectorial: Ecuación paramétrica

  
r ( λ) = r ( t0 ) + λr ′( t0 )
x − x0 y − y0 z − z0
= =
x0′ y0′ x0′
 
Plano oscilador( t , n ) en t0

Ecuación vectorial Ecuación paramétrica

x − x0 y − y0 z − z0
   
( ) ( )
r − r ( t 0 ) • r ′( t 0 ) xr ′′( t0 ) = 0 x 0′ y 0′ z 0′ =0
x 0′′ y 0′′ z 0′′

Curvatura y torsión
    
y´´ r ′( t ) xr ′′( t ) r ′( t ) ⋅ ( r ′′( t ) xr ′′′( t ) )
κ= κ(t) =  3 τ ( t) =   2
3
r ′( t ) r ′( t ) xr ′′( t )
1 + ( y´) 2  2

 d   d    d  


κ ( s ) = 
r (s) T = kN N = τ B − kT B = −τ N
ds ds ds

Plano normal

Ecuación vectorial: Ecuación paramétrica:

( r − r( t ) ) ⋅ r′( t ) = 0
0 0
x0′ ( x − x0 ) + y0′ ( y − y0 ) + z0′ ( z − z0 ) = 0
 
Plano rectificante t , b en t0 ( )
Ecuación vectorial: Ecuación paramétrica:
x - x0 y - y0 z - z0
  
( )
r − r ( t0 ) ⋅ n( t0 ) = 0 x 0′ y 0′ z 0′ =0
y 0′ z 0′′ − y 0′′z 0′ z 0′ x 0′′ − z 0′′x 0′ x 0′ y 0′′ − x 0′′y 0′

Componentes tangencial y normal de la aceleración

57
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

→ →
→ → ν. a
a T = a T = →
ν

→ →

→ →
ν x a
a N =aN = →
ν

Propiedades de la divergencia
   
i) div( F + G) = div( F ) + div(G)
  
ii) div(φ F ) = φ div( F ) + (gradφ ) • F
     
( )  ( )
iii) div( F + G) = G •  rot F  -F •  rot G 
 

58
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Geometría

Áreas

Círculo =

B + b 
Trapecio A=  h
 2 

ab sen α bh
Triángulo A= =
2 2

Volúmenes

Prismas V= SB h
donde SB = área de la base

SBh
Pirámides V=
3
donde SB = área de la base

Volumen = 43 π r 3

Área de la superficie = 4 π r 2

Volumen = π r 2h
Área de la superficie lateral = 2 π rh

59
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Volumen = 13 π r2h

Área de la superficie lateral = π r r 2 + h 2 = π r l

Volumen = 13 π h ( a 2 + a b + b 2 )
Área de la superficie lateral
= π ( a + b) h2 + ( b − a)
2

= π ( a + b) l

Geometría analítica plana

(x − x 1 ) + (y 2 − y 1 )
2 2
Distancia entre dos puntos 2

y 2 − y1
Pendiente de una recta m=
x 2 − x1

Ecuación de una recta y − y1 = m( x − x1 ); Ax + By + C = 0

m1 − m 2
Ángulo entre rectas tan θ =
1 + m1m 2

Circunferencia ( x − h)2 + ( y − k )2 = r 2 ; Ax2 + Ay 2 + Dx + Ey + F = 0

Parábola

Eje vertical ( x − h)2 = 4 p( y − k ); Ax2 + Dx + Ey + F = 0


( y − k ) 2 = 4 p( x − h); By 2 + Dx + Ey + F = 0
Eje horizontal
LR = 4 p e =1

Elipse
( x − h) (y − k)
2 2

Eje focal horizontal + = 1 ; a> b


a2 b2
( x − h) (y − k)
2 2

Eje focal vertical + =1 ; a> b


b2 a2

60
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

2b 2 c
a 2 = b2 + c2 ; ;LR =
e = <1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC > 0

Hipérbola
( x − h) (y − k)
2 2

Eje focal horizontal − =1


a2 b2
(y − k) ( x − h)
2 2

Eje focal vertical − =1


a2 b2

2b 2 c
c2 = a 2 + b2 ; ;LR =
e = >1
a a
2 2
Ax + Cy + Dx + Ey + F = 0; AC < 0

61
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Geometría analítica del espacio

Considerando P1 = ( x1 , y1 , z1 ) y P2 = ( x2 , y2 , z2 )

Vector que une P1 y P2:

P1 P2 = (x 2 − x 1 ) , ( y 2 − y1 ) , ( z 2 − z 1 ) = ( l , m , n )

Distancia entre dos puntos:

d= (x 2 − x1 ) + ( y2 − y1 ) + ( z2 − z1 ) = l 2 + m2 + n2
2 2 2

Recta que pasa por dos puntos:

Forma paramétrica:

x = x1 + l t y = y1 + mt z = z1 + n t

Forma simétrica:

x − x1 y − y1 z − z1
t= t= t=
l m n

Cosenos directores:

x2 − x1 l y2 − y1 m z2 − z1 n
cos α = = cos β = = cos γ = =
d d d d d d

donde α, β, γ denotan los ángulos que forman la línea que une los puntos P1 y P2 con la parte
positiva de los ejes x, y, z, respectivamente.

Ecuación del plano:



- Que pasa por un punto P1(x1, y1, z1) y tiene vector normal a = a1 ,a2 ,a3 :

a 1 ( x − x 1 ) + a 2 ( y − y 1 ) + a 3 ( z − z1 ) = 0

-Forma general:
Ax + By + Cz + D = 0

cos 2 α + cos 2 β + cos 2 γ = 1 o l 2 + m2 + n2 = 1

62
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Distancia del punto P0(x0, y0, z0) al plano Ax + By + Cz + D = 0

Ax 0 + By 0 + Cz0 + D
d=
± A2 + B 2 + C 2

en la cual el signo debe escogerse de tal manera que la distancia no resulte negativa.

Coordenadas cilíndricas:

 r = x 2 + y 2
 x = r cosθ 
 y = r sen θ ()
 θ = tan x
−1 y

z= z z = z
 

Coordenadas esféricas:

 x = ρ senφ cos θ

 y = ρ senφ senθ
 z = ρ cos φ



 ρ = x2 + y 2 + z 2

 θ = tan x ()
−1 y


  z 
ϕ = cos  2 
−1
2 2 
  x +y +z 

63
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Definiciones geométricas importantes

m1 − m2
Ángulo entre dos rectas en el plano tan α =
1 + m1m2

Producto escalar para a y b que pertenecen a


a • b = a1b1 + a2b2 + a3 b3
R3

i j k
Producto vectorial a x b = a1 a2 a3
b1 b2 b3
a1 a2 a3
Producto mixto [a ]
b c = b1 b2 b3
c1 c2 c3

a•b axb
Ángulo entre dos vectores cosθ = ; senθ =
a b a b

Ecuación vectorial de la recta p = p o + tu

 x = xo + at

Ecuaciones paramétricas de la recta  y = y o + bt u = (a, b, c)
 z = z + ct
 o

x − xo y − yo z − zo
Ecuaciones cartesianas de la recta, en forma = =
a b c
simétrica
u = ( a, b, c)

Po Q x u
Distancia de un punto Q a una recta d=
u

Distancia entre dos rectas d=


PP (
1 2 • u1 x u2 )
u1 x u 2

Ecuación vectorial de un plano p = p o + ru + sv

64
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

 x = x o + ru x + sv x

Ecuaciones paramétricas de un plano y = y o + ru y + sv y
 z = z + ru + sv
 o z z

Ecuación cartesiana de un plano en forma Ax + By + Cz + D = 0


general N = ( A, B, C)

Ecuación normal de un plano PoP • N = 0 ; N = ( A , B, C )

PoQ • N
Distancia de un punto Q a un plano d =
N

u • N
Ángulo entre una recta y un plano senα =
u N

65
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Trigonometría

Medida de ángulos planos

Representación:

La medida de un ángulo puede expresarse en unidades comunes (grados) o en unidades de arco


(radianes). Se representa a veces, respectivamente, por α y α̂ .

Unidades comunes (sexagesimales): grado (°), minuto ('), segundo (").

1° = 60'; 1' = 60"

Unidad de arco:

1 radián (rad) es el ángulo central de una circunferencia de radio unitario que intercepta un arco
también unitario. Por lo tanto,

1m
1 rad = = 1(número adimensional)
1m

Con frecuencia no se indica específicamente la unidad, como en la siguiente tabla.

α 0° 30° 45° 60° 75° 90° 180° 270° 360°


0 π /6 π /4 π /3 5π / 12 π /2 π 3π / 2 2π
α̂
0 0.52 0.78 1.05 1.31 1.57 3.14 4.71 6.28

66
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Equivalencias. Por definición:

180°
360° = 2π rad, 1 rad = = 57.2967°
π
π
1° = rad = 0.017453 rad
180
π α
αˆ = α=
180 57.2967
longitud de arco
αˆ = arc α =
radio

La longitud de un arco (b) es el producto del radio r y el ángulo central α̂ (en radianes) de la
circunferencia:

b = rα̂

Funciones trigonométricas

En un triángulo rectángulo:

cateto opuesto a
sen α = =
hipotenusa c
cateto adyacente b
cos α = =
hipotenusa c
cateto opuesto a
tan α = =
cateto adyacente b

67
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Operaciones con funciones trigonométricas

sen2 A + cos2 A = 1 sen 2 A = 1


2 − 21 cos 2 A

sec2 A − tan2 A = 1 cos 2 A = 1


2 + 21 cos 2 A

csc2 A − cot2 A = 1 sen2A = 2senAcosA


sen A cos2 A = cos2 A − sen2 A
tan A =
cos A

cot A =
cos A sen ( A ± B ) = sen A cos B ± cos A sen B
sen A
senAcscA=1 cos ( A ± B ) = cos A cos B  sen A sen B

cosAsecA=1 tan ( A ± B ) =
tanA ± tanB
1  tanAtanB
tanAcotA=1 sen
A
= ±
1 − cos A
2 2
sen ( − A) = − sen A A 1 + cos A
cos = ±
2 2
cos ( − A) = cos A sen Asen B = 1
2 [ cos( A − B) − cos( A + B)]
tan (− A ) = − tan A sen A cos B = 1
[ sen( A − B) + sen( A + B)]
2

cos Acos B = 21 [ cos( A − B) + cos( A + B)]

68
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Las leyes siguientes son válidas para cualquier triángulo plano ABC de lados a, b, c y de ángulos A,
B, C.

Ley de los senos

a b c
= =
sen A sen B sen C

Ley de los cosenos

c 2 = a 2 + b 2 − 2 a b cos C

Los otros lados y ángulos están relacionados en forma


similar

Ley de las tangentes

a + b tan 21 ( A + B )
=
a − b tan 21 ( A − B )

Los otros lados y ángulos están relacionados en forma similar

Teorema de Pitágoras

a 2 + b2 = c 2

Valores de las funciones de ángulos importantes

θ sen θ cos θ tan θ cot θ sec θ csc θ

0° 0 1 0 ∞ 1 ∞

1 3 3 2 3
30° 3 2
2 2 3 3
2 2
45° 1 1 2 2
2 2
3 1 3 2 3
60° 3 2
2 2 3 3

90° 1 0 ∞ 0 ∞ 1

69
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Relaciones entre ángulo simple, ángulo doble y mitad de ángulo:

sin α = cosα = tan α = cot α =


cos(90° − α ) s e n(90° − α ) cot(90° − α ) tan(90° − α )
1 1
1 − cos2 α 1 − s e n2 α
cot α tan α
α α α α se n α cos α
2 se n ⋅ cos cos2 − s e n2
2 2 2 2 cos α se n α
tan α cot α se n α cos α
1 + tan 2 α 1 + cot2 α 1 − s e n2 α 1 − cos2 α
α 1 1
cos2 α − cos 2α 1 − 2 s e n2 −1 −1
2 cos2 α s e n2 α
1 1
1 + cot2 α 1 + tan 2 α
α α α α
2 tan 1 − tan2 2 tan cot2 −1
2 2 2 2
α α α α
1 + tan2 1 + tan2 1 − tan2 2 cot
2 2 2 2
s e n 2α = cos 2α = tan 2α = cot2α =
2 tan α cot2 α − 1
cos 2 α − s e n 2 α
1 − tan2 α 2 cot α
2 s e n α ⋅ cos α
2 cos 2 α − 1 2 1 1
cot α − tan α
1 − 2sen α 2
cot α − tan α 2 2
α α α α
se n = cos = tan = cot =
2 2 2 2
se n α se n α
1 + cos α 1 − cos α
1 − cos α 1 + cos α
1 − cos α 1 + cos α
se n α se n α
2 2
1 − cos α 1 + cos α
1 + cos α 1 − cos α

70
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Números complejos

Forma trigonométrica o polar de un número complejo

−1  y
Se tiene que r = z = ( x, y ) y que θ = arg( z ) = tan  
x

Luego:

 y
 sin θ =  y = r sin θ
r

cos θ = x
 x = r cos θ
 r

Por lo tanto:

z = ( x, y ) = x + yi = r cos θ + i r sin θ = r (cos θ + i sin θ)

Forma exponencial de un número complejo

Sea z = r (cos θ + i sin θ) un número complejo donde r es su módulo y θ su argumento. Entonces


mediante el empleo de la fórmula de Euler se obtiene:

z = r (cos θ + i sin θ) = r e iθ

Teorema de De Moivre

Siendo p un número real cualquiera, el teorema de De Moivre establece que

[r(cosθ + isenθ )]
p
= r p (cos pθ + isenpθ )

Sea n cualquier entero positivo y p = 1 , entonces


n

[cos θ +2kn π + isen θ +2kn π ]


1
[r(cosθ + isenθ )]
1
n
=r n

donde k es un entero positivo. De aquí se pueden obtener las n raíces n-ésimas distintas de un
número complejo haciendo k = 0,1, 2,  , n − 1

71
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Análisis vectorial

Magnitud, dirección y componentes de vectores.

Vector: Representación de una cantidad física con magnitud y dirección.



Coordenadas del punto inicial A del vector a : x1, y1, z1

Coordenadas del punto final B del vector a : x 2, y2, z2

  
Vectores unitarios sobre los ejes OX ,OY ,OZ : i , j , k

Componentes escalares

a x , ay , a z > 0
<
ax = x 2 − x 1
ay = y2 − y1
az = z 2 − z1

Componentes vectoriales
   
a = ax + ay + az
   
a = ax i − ay j + az k


Magnitud de un vector: a (o bien, a )

 
| a |= ax2 + ay2 + az2 ( | a | siempre ≥ 0 )

Cosenos directores de un vector: cos α , cos β , cos γ


α , β , γ son los ángulos entre el vector a y los ejes OX ,OY ,OZ . (α , β , γ = 0°  180° ) .
a a a
cos α = x , cos β = y , cos γ = z
|a | |a | |a |

Cálculo de las componentes. Si se conocen | a |, α, β, γ ,
  
ax =| a | cos α ; ay =| a | cos β ; az =| a | cos γ

72
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Observación: Operaciones vectoriales como la determinación de magnitudes, cosenos directores,


sumas y productos se llevan a cabo con las componentes de los vectores a lo largo de los ejes
OX ,OY ,OZ .

Adición y sustracción de vectores

  
Suma vectorial s de dos vectores libres a y b
     
s = a + b = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx , sy = ay + by , sz = az + bz

| s |= sx2 + sy2 + sz2

  
Diferencia vectorial s de dos vectores libres a y b
  
s = a + (−b )
sx = ax − bx , sy = ay − by , sz = az − bz

| s |= sx2 + sy2 + sz2

Valores ϕ 0°; 360° 90° 180° 270°


importantes          
 | a |≠| b | |a | + |b | | a |2 + | b |2 |a | − |b | | a |2 + | b |2
| s | para 2
vectores     
| a |=| b | 2 |a | |a | 2 0 |a | 2

  
Suma vectorial s de dos vectores libres a y b , −c , etc.:
      
s = a + b − c +  = s x i + sy j + s z k
sx = ax + bx − cx + , sy = ay + by − cy +  , sz = az + bz − cz + 

| s |= sx2 + sy2 + sz2

73
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Producto de un escalar por un vector

Escalar: Magnitud física sin dirección.


 
El producto escalar k con el vector a da el vector c
 
c = k ⋅a

cx = k ⋅ ax ; cy = k ⋅ ay ; cz = k ⋅ az ; c = k ⋅ | a |

 
Si k > 0, entonces c ↑↑ a , por lo que

 
Si k < 0, entonces c ↑↓ a , por lo que

Productos de dos vectores libres

 
El producto escalar de dos vectores libres a y b da el escalar k
Símbolo del producto escalar: punto “ˑ”
     
k = a ⋅ b = b ⋅ a = a ⋅ b ⋅ cos ϕ =| a | ⋅ | b | cos ϕ
k = ax ⋅ bx + ay ⋅ by + az ⋅ bz
a ⋅b + a ⋅b + a ⋅b
ϕ = cos −1 x x  y y z z
|a | ⋅ |b |

Valores ϕ 0°; 360° 90° 180° 270°


importantes      
| a | ⋅ | b | cos ϕ + | a || b | 0 − | a || b | 0

Ejemplo: Trabajo W de una fuerza F en el


desplazamiento s
 
W = Fuerza × Desplazamiento = F ⋅ s

W = F s cos ϕ

74
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

  
El producto vectorial de dos vectores libres a y b da el vector c
Símbolo del producto vectorial: cruz “x”

    

(
c = a ×b = − b ×a
 
) c
0°<Φ<180° b
| c |= ab sin ϕ =| a || b | sin ϕ <
    (c = 0)
c ⊥a y c ⊥b
  
Φ
>
a , b , c forman una triada derecha
a
cx = aybz − azby Φ 180°<Φ<360°
a
cy = azbx − axbz
cz = axby − aybx

| c |= cx2 + cy2 + cz2 b c

Valores ϕ 0°; 360° 90° 180° 270°


importantes      
| a | ⋅ | b | sin ϕ 0 + | a || b | 0 − | a || b |

A • B = A B cos θ 0≤θ ≤π

donde θ es el ángulo formado por A y B

A • B = A1 B1 + A2 B 2 + A3 B 3

donde:

A = A1 i + A2 j + A3 k
∧ ∧ ∧
B = B1 i + B2 j+ B3 k

Son resultados fundamentales:

∧ ∧ ∧
i j k
Producto cruz: A × B = A1 A2 A3
B1 B2 B3

= ( A 2 B 3 − A 3 B 2 )ˆi + ( A 3 B 1 − A1 B 3 )ˆj + ( A1 B 2 − A 2 B 1 )kˆ

Magnitud del producto cruz A × B = A B sen θ

El operador nabla se define así:

75
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

∂ ∂ ∂
∇= i+ j+ k
∂x ∂y ∂z

En las fórmulas siguientes se asume que U = U ( x, y, z ) y A = A( x, y, z ) tienen derivadas parciales.

 ∂ ∂ ∂   ∂U ∂U ∂U 
Gradiente de U grad(U ) = ∇ U =  i + j + k U =  i+ j+ k
 ∂x ∂y ∂z   ∂x ∂y ∂z 

 ∂ ∂ ∂  ∂A ∂A ∂A
Divergencia de A div( A) = ∇ • A =  i + j + k  • ( A1i + A2 j + A3k ) = 1 + 2 + 3
 ∂x ∂y ∂z  ∂x ∂y ∂z

i j k
 ∂ ∂ ∂  ∂ ∂ ∂
rotA = ∇ × A =  i + j + k  × ( A1i + A2 j + A3k ) = =
Rotacional de A  ∂x ∂y ∂z  ∂x ∂y ∂z
A1 A2 A3
 ∂A3 ∂A2   ∂A1 ∂A3   ∂A2 ∂A1 
 − i +  −  j+ − k
 ∂y ∂z   ∂ z ∂x   ∂ x ∂y 

∂ 2U ∂ 2U ∂ 2U
Laplaciano de U ∇ 2U = ∇ • (∇U ) = + +
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2

76
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Función de fracciones racionales

Descomposición

P ( x ) a0 + a1 x + a2 x 2 + ... + am x m
y ( x) = = , donde n y m son enteros y n > m
Q ( x ) b0 + b1 x + b2 x 2 + ... + bn x n

Los coeficientes aγ , bμ pueden ser reales o complejos. Si nδ son las raíces de Q (x ) , se obtiene la
forma factorizada:

P( x) P ( x)
y( x) = =
Q ( x ) α ( x − n1 ) ( x − n2 ) k 2 ...( x − nq ) kq
k1

En esta expresión pueden representarse raíces de multiplicidad k1 , k2 , ..., kq de Q ( x ) , que pueden


ser reales o complejas; α es un factor constante.

Descomposición de fracciones parciales

Para lograr un manejo más sencillo de y ( x ) es conveniente descomponerla en fracciones parciales:

P ( x) A A12 A1k 1
y ( x) = = 11 + 2
+ ... +
Q ( x ) x − n1 ( x − n1 ) ( x − n1 ) k 1
A21 A22 A2 k 2
+ 2
+ ... + ... +
x − n2 ( x − n2 ) ( x − n2 ) k 2
Aq1 Aq 2 Aqkq
+ 2
+ ... +
x − nq ( x − nq ) ( x − nq ) kq

Si los coeficientes de Q( x) son reales, aparecen raíces complejas por parejas (raíces complejas
conjugadas). Para efectuar la descomposición se agrupan estas parejas en fracciones parciales
reales. Si en b '1, n2 = n1 (compleja conjugada de n1 ) y debido a su aparición por parejas k1 = k2 = k3 ,
entonces las fracciones parciales de b ' 2 , con las constantes A11 ,..., A2 k 2 pueden agruparse en las
fracciones parciales:

B11 x + C11 B x + C12 B x + C1k


2
+ 2 12 2
+ ... + 2 1k
x + ax + b ( x + ax + b ) ( x + ax + b ) k

77
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Series de Fourier

Toda función periódica f(x), que puede descomponerse en el intervalo de periodicidad −π ≤ x ≤ π en


un número finito de intervalos continuos, podrá descomponerse en ese intervalo en una serie
convergente de la forma:

a0 ∞
f (x) = +   an cos ( nx ) + bn s e n ( nx ) 
2 n =1 

Los coeficientes de cada término se forman como sigue:

π π
1 1
ak =  f ( x ) cos ( kx ) dx bk =  f ( x ) s e n ( kx ) dx
π −π
π −π

Funciones pares: f ( x ) = f ( − x )

π
2
ak =
π  f ( x ) cos ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,

bk = 0

78
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Funciones impares: f ( x ) = − f ( − x )

ak = 0
π
2
bk =
π  f ( x ) s e n ( kx ) dx
0
Para k = 0,1, 2, ,

Tablas de desarrollo en series de Fourier

y = a para 0 < x < π


y = −a para π < x < 2π
4a  se n(3x ) se n(5x ) 
y =  se n x + + + ...
π  3 5 

y = a para α < x < π − α


y = −a para π + α < x < 2π − α
4a  1
y= cos α s e n x + cos(3α )s e n(3x )
π  3
1
+ cos(5α )s e n(5x ) + ...
5 
y = a para α < x < 2π − α
(
y = f 2π + x ) y

2a  π − α s e n(π − α ) s e n2(π − α )
y=  − cos x + cos2x a

π  2 1 3 o π 2π 3π x
s e n 3(π − α )  α
− cos 3x + ...
3 

y = ax / b para 0 ≤ x ≤ b
y = a para b ≤ x ≤ π − b
y = a (π − x ) / b para π − b ≤ x ≤ π

79
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

4a  1 1
y= s e n b s e n x + 2 s e n(3b)s e n(3x )

πb 1 2
3
1
+ 2 s e n(5b)s e n(5x ) + ...
5 
ax
y = para 0 < x < 2π

(
y = f 2π + x )
a a  s e n x s e n 2x s e n 3x
y = − + + + ...
2 π  1 2 3 
y = 2ax / π para 0 ≤ x ≤ π / 2
( )
y = 2a π − x / π para π / 2 ≤ x ≤ π

y = − f (π + x )
8 s e n 3x s e n 5x
y = a s e n x − + − ...
π 2  3 2
5 2 
y = ax / π para 0 ≤ x ≤ π
( )
y = a 2π − x / π para π < x < 2π
y = f ( 2π + x )
a 4a  cos x cos 3x cos 5x 
y = − 2 2 + + + ...
2 π  1 3 2
5 2

y = a s e n x para 0 ≤ x ≤ π
y = −a s e n x para π ≤ x ≤ 2π
(
y = f π +x )
2a 4a  cos 2x cos 4x cos 6x 
y = −  + + + ...
π π  1⋅3 3⋅5 5⋅7 
y = 0 para 0 ≤ x ≤ π / 2
y = a s e n(x − π / 2) para π / 2 ≤ x ≤ 3π / 2
(
y = f 2π + x )
2a  1 π cos 2x cos 4x cos 6x 
y =  − cos x + 2 − 2 +. 2 − ...
π 2 4 2 − 1 4 − 17 6 −1 
y = x 2 para π ≤ x ≤ −π
( )
y = f −x = f 2π + x ( )
π2  cos x cos 2x cos 3x 
y = − 4 2 − 2
+ 2
− ...
3  1 2 3 

80
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

ax
y= para 0 < x < π
π
(
y = f 2π + x )
a 2a  cos x cos 2x cos 3x
y= − + + + ...
4 π 2  12 22 32 
a s e n x s e n 2x s e n 3x
+  − + − ...

π 1 2 3 

81
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transformada de Fourier

Definiciones:


F {s ( t )} = S ( w ) =  s ( t ) e− jwt dt; j = −1
−∞
1 ∞
F−1 {S ( w )} = s ( t ) =  S ( w ) e dw;
jwt
j = −1
2π −∞

Reglas de operación

Desplazamiento en tiempo F {s ( t − τ )} = S ( w ) e− jwt

Convolución
∞ ∞
s1 ( t ) ⋅ s2 ( t ) =  s1 ( τ ) ⋅ s2 ( t − τ ) dτ =  s2 ( τ ) * s1 ( t − τ ) dτ
−∞ −∞

F {s1 ( t ) ⋅ s2 ( t )} = S1 ( w ) * S2 ( w )
F {s ( t )} = S ( w )
1 w
F {s ( at )} = S , a>0
a  a 
F {s1 ( t ) + s2 ( t )} = S1 ( w ) + S2 ( w )

Enseguida se indican las densidades espectrales calculadas para algunas importantes funciones del
tiempo.

Función tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Función rectángulo ∙ ( ) ( )=2 ( )/

82
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Función tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Función rectángulo con cambio de signo

( )=− 2 2
2

( )=4 (2 )

( )
( )= = ( )= ( ) (Función rectángulo)

Función triángulo ( ) ( )= 2
2

Rectángulo modulado

∙ ( ) ( ) = =

( + ) ( − )
( )= +
+ −

83
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Función tiempo ( ) Densidad espectral ( )


Impulso de Gauss

( )= √ ∙

Impulso coseno ( ) =

( )= 4
1−
2

Impulso cos2 ( ) =

4 1
( )=
4
4 1−
4

Impulso exponencial

( )=
+

84
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transformada de Laplace

Definiciones:

 f (t )e
−st
L{f (t )} = F (s ) = dt;
0
+∞
1
 F (s)e
-1 st
L {F (s )} = f (t ) = ds; j = −1
2π j −∞

Reglas de operación

Linealidad L{f1(t ) + f2 (t )} = F1(s ) + F2 (s )


L{c ⋅ f1(t )} = cF1(s )
Teorema de traslación
L{⋅f (t − a )} = e −as F (s )
Teorema de convolución t t
f1(t ) ∗ f2 (t ) =  f1(τ ) ⋅ f2 (t − τ )dτ =  f2 (τ ) ⋅ f1(t − τ )dτ
0 0
L{f1(t ) ∗ f2 (t )} = F1(s ) ∗ F2 (s )
Cambio de variable L{a1 f (at )} = F (a ⋅ s )
Diferenciación L{f '(t )} = sF (s ) − f (0)
L{f ''(t )} = s 2F (s ) − sf (0) − f '(0)
n −1
L{f (n )
(t )} = s F (s ) −  f (k )(0)s n −k −1
n

k =0
Integración L{ f (t ) ⋅ dt } = s1 F (s )

85
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Tabla de transformadas de Laplace:

f(t) L f(t)}=F(s)
1. 1 1
s

2. tn, n = 1, 2, 3,... n!
s n +1

3. t −1/2 π
s

4. e ±at 1
sa

5. senkt k
s + k2
2

6. coskt s
s + k2
2

7. senhkt k
s − k2
2

8. coshkt s
s − k2
2

9. eat f (t ) F (s − a )

10. μ(t − a ), a ≥ 0 e − as
s

11. f (t − a )U (t − a ), a ≥ 0 e −as F (s )

12. t n f (t ), n = 1, 2, 3... dn
(−1)n F (s)
dsn

13. f n (t ), n = 1, 2, 3... s n F (s ) − s n −1 f (0) − ... − f (n −1)(0)


t
14.  f (τ ) g (t − τ )dτ
0
F (s )G (s )

15. δ (t − t0 ), t0 ≥ 0 e − st0

16. t neat , n = 1, 2, 3... n!


( s − a)n +1

86
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

17. eat senkt k


( s − a)2 + k 2

18. eat cos kt s−a


( s − a)2 + k 2

19. tsenkt 2ks


( s + k 2 )2
2

20. t cos kt s2 − k 2
(s 2 + k 2 ) 2

21. senkt − kt cos kt 2k 3


(s + k 2 )2
2

22. senkt + kt cos kt 2ks 2


(s 2
+ k2 )
2

23. senhkt − senkt 2k 3


s4 − k 4
24. cosh kt − cos kt 2k 2 s
s4 − k 4
25. 1 − cos kt k2
s (s2 + k 2 )

26. kt − senkt k3
s2 (s2 + k 2 )

asenbt − bsenat 1
27.
ab(a 2 − b 2 ) (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )

cos bt − cos at s
28.
a2 − b2 (s 2
+a 2
)( s 2
+ b2 )

29.
δ (t ) 1

t n −1 1

30.
(n − 1)! sn

31.
exp(at ) − 1 a
s(s − a )

87
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

1 exp(−t / T ) 1
32. T
1 + Ts
1 sin(kt ) s
33. 2k
(s + k 2 )2
2

1 sin(kt ) +
2k s2
+ 2t cos(kt ) (s 2 + k 2 )2
34.
cos(kt ) − s3
− k2 t sin(kt ) (s 2 + k 2 )2
35.

ebt − eat 1
,b ≠ a
36. b −a (s − a )(s − b)
1 e −at ⋅ sin(kt ) 1
37. k
(s + a )2 + k 2

1 1
38. πt s

t 1
2
39. π s s
1
− 3 s
40. 2 π ⋅t 2

3
5 s s
41. 4 π ⋅t 2

42.
1 −at
t
(
e − e −bt ) ln
s +b
s +a
1 tan −1(a s )
sin(a ⋅ t )
43. t
−a 2
a
e 4t
e −a s ; a > 0
44. 2t π t

88
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

a 1 −a s
erfc e ; a≥0
45. 2 t s
46. Función de Bessel J o (kt ) 1
s2 + k 2

89
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Probabilidad y estadística

Parámetro Estimador Intervalo de confianza


puntual (1-α) 100%

Media μ

1 n σ σ
(varianza σ2 conocida) X =  Xi X − zα ≤ μ ≤ X + zα
n i =1 n n
2 2

Varianza σ2 (de una distribución normal)

Sn2−1 =
1 n 2 (n − 1)Sn2−1 ≤ σ2 ≤
(n − 1)Sn2−1
 ( Xi − X)
n − 1 i =1 χ 2α χ2 α
, n -1 1− , n-1
2 2

Desviación estándar de distribución de medias

σ
σx =
n

Valor promedio (media)

 i=1 xi
n

x=
n

Media de medias

 j=1 x j
m

x=
n

Intervalo o rango de valores

R = Vm a x − Vm i n

Media de rangos

 j=1R j
m

R=
m

90
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Hipótesis nula Estadístico de prueba

X − μ0
H0 : μ = μ0, σ2 conocida Z0 =
σ
n
X − μ0
H0 : μ = μ0, σ2 desconocida t0 =
Sn −1
n

H0 : σ2 = σ02 χ 20 =
(n − 1) S2n−1
σ 20

Regresión lineal

yˆ = βˆ0 + βˆ1xˆ
βˆ = yˆ − βˆ xˆ
0 1

 n  n 
n   yi    xi 
 yi x i −    i =1 
i =1

n
βˆ1 = i =1
2
 n 
n   xi 
 xi −  
2 i =1

i =1 n

 y (x i i
− x)
Coeficiente de correlación de la muestra r= i =1
1/2
n n

 i 
2
(x − x ) (yi − y )2 
 i =1 i =1 

n!
Permutaciones Prn =
(n − r )!

n  n!
Combinaciones  =
(
r  r ! n − r !
  )
n!
Permutaciones con objetos similares Pnn,n ,...,n =
1 2 k
n1 ! n2 !...nk !

91
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

P (A ∩ B )
Probabilidad condicional P (A B ) =
P (B )

P (Bk )P (A Bk )
Teorema de Bayes P (Bk A) = N

 P (B )P(A B )
i =1
i i

92
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Tabla de distribución de probabilidad normal estándar

z 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09


0 0.5 0.504 0.508 0.512 0.516 0.5199 0.5239 0.5279 0.5319 0.5359
0.1 0.5398 0.5438 0.5478 0.5517 0.5557 0.5596 0.5636 0.5675 0.5714 0.5753
0.2 0.5793 0.5832 0.5871 0.591 0.5948 0.5987 0.6026 0.6064 0.6103 0.6141
0.3 0.6179 0.6217 0.6255 0.6293 0.6331 0.6368 0.6406 0.6443 0.648 0.6517
0.4 0.6554 0.6591 0.6628 0.6664 0.67 0.6736 0.6772 0.6808 0.6844 0.6879
0.5 0.6915 0.695 0.6985 0.7019 0.7054 0.7088 0.7123 0.7157 0.719 0.7224
0.6 0.7257 0.7291 0.7324 0.7357 0.7389 0.7422 0.7454 0.7486 0.7517 0.7549
0.7 0.758 0.7611 0.7642 0.7673 0.7704 0.7734 0.7764 0.7794 0.7823 0.7852
0.8 0.7881 0.791 0.7939 0.7967 0.7995 0.8023 0.8051 0.8078 0.8106 0.8133
0.9 0.8159 0.8186 0.8212 0.8238 0.8264 0.8289 0.8315 0.834 0.8365 0.8389
1 0.8413 0.8438 0.8461 0.8485 0.8508 0.8531 0.8554 0.8577 0.8599 0.8621
1.1 0.8643 0.8665 0.8686 0.8708 0.8729 0.8749 0.877 0.879 0.881 0.883
1.2 0.8849 0.8869 0.8888 0.8907 0.8925 0.8944 0.8962 0.898 0.8997 0.9015
1.3 0.9032 0.9049 0.9066 0.9082 0.9099 0.9115 0.9131 0.9147 0.9162 0.9177
1.4 0.9192 0.9207 0.9222 0.9236 0.9251 0.9265 0.9279 0.9292 0.9306 0.9319
1.5 0.9332 0.9345 0.9357 0.937 0.9382 0.9394 0.9406 0.9418 0.9429 0.9441
1.6 0.9452 0.9463 0.9474 0.9484 0.9495 0.9505 0.9515 0.9525 0.9535 0.9545
1.7 0.9554 0.9564 0.9573 0.9582 0.9591 0.9599 0.9608 0.9616 0.9625 0.9633
1.8 0.9641 0.9649 0.9656 0.9664 0.9671 0.9678 0.9686 0.9693 0.9699 0.9706
1.9 0.9713 0.9719 0.9726 0.9732 0.9738 0.9744 0.975 0.9756 0.9761 0.9767
2 0.9772 0.9778 0.9783 0.9788 0.9793 0.9798 0.9803 0.9808 0.9812 0.9817
2.1 0.9821 0.9826 0.983 0.9834 0.9838 0.9842 0.9846 0.985 0.9854 0.9857
2.2 0.9861 0.9864 0.9868 0.9871 0.9875 0.9878 0.9881 0.9884 0.9887 0.989
2.3 0.9893 0.9896 0.9898 0.9901 0.9904 0.9906 0.9909 0.9911 0.9913 0.9916
2.4 0.9918 0.992 0.9922 0.9925 0.9927 0.9929 0.9931 0.9932 0.9934 0.9936
2.5 0.9938 0.994 0.9941 0.9943 0.9945 0.9946 0.9948 0.9949 0.9951 0.9952
2.6 0.9953 0.9955 0.9956 0.9957 0.9959 0.996 0.9961 0.9962 0.9963 0.9964
2.7 0.9965 0.9966 0.9967 0.9968 0.9969 0.997 0.9971 0.9972 0.9973 0.9974
2.8 0.9974 0.9975 0.9976 0.9977 0.9977 0.9978 0.9979 0.9979 0.998 0.9981
2.9 0.9981 0.9982 0.9982 0.9983 0.9984 0.9984 0.9985 0.9985 0.9986 0.9986
3 0.9987 0.9987 0.9987 0.9988 0.9988 0.9989 0.9989 0.9989 0.999 0.999
3.1 0.999 0.9991 0.9991 0.9991 0.9992 0.9992 0.9992 0.9992 0.9993 0.9993
3.2 0.9993 0.9993 0.9994 0.9994 0.9994 0.9994 0.9994 0.9995 0.9995 0.9995
3.3 0.9995 0.9995 0.9995 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9996 0.9997
3.4 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9997 0.9998
3.5 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998 0.9998
3.6 0.9998 0.9998 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.7 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.8 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999 0.9999
3.9 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

93
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Modelos probabilísticos comunes

Nombre Distribución Rango Media Varianza Función


generatriz de
momentos
Binomial
 n x n - x
  p q x = 0,1, . . n np npq (q + p eθ )n
 x
Geométrica 1 q p eθ
p qx-1 x = 1,2, . . .
1 - q eθ
2
p p
De Pascal r
(Binomial  x − 1 r x − r r rq  peθ 
negativa)   p q x = r, r + 1, .  
 r −1 p p2  θ
 1 − qe 
De Poisson
(λt ) x e- λt x = 0,1,2, . . θ
λt λt eλt(e -1)
x!
Uniforme
1 a + b ebθ - eaθ
2
(b - a )
a ≤ x ≤ b
b - a 2 12 (b - a)θ
Exponencial 1
1 λ
λ e - λx x ≥ 0
λ λ - θ
2
λ
Normal 2
1  x- μ 
-  
1 2 σ  -∞ < x < ∞ μ σ
2
e μθ +
1 2 2
σ θ
2
e
2πσ
Ji-cuadrada v
x > 0 ν 2ν (1 - 2θ ) − 2
t de Student ν
-∞ < x < ∞ 0 , ν > 2
ν - 2
F (de
Fisher) ν2 2ν22(ν1 + ν2 - 2)
, 2
ν2 - 2 ν1(ν2 - 2) (ν2 - 4)
0 < x < ∞

ν2 > 2 ν2 > 4
Erlang r -1 - λt
λ( λt ) e r r
(r - 1)! t > 0
λ λ2

94
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Física

Mecánica

Centroides

Arco de circunferencia
r ( senα ) (180 ) rs
y= =
π (α 
) b

Triángulo

1
y= h
3

Sector de círculo

2r ( senα ) (180 ) 2rs


y= =
3π (α 
) 3b

Trapecio

h a + 2b
y= ⋅
3 a+b

Segmento de corona circular

2 R3 − r 3 senα
y= ⋅ 2 2⋅
3 R −r α

2 R3 − r 3 s
y= ⋅ 2 2⋅
3 R −r b

Segmento de círculo

s3
y=
12 A

95
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Estática

Fuerza aplicada paralelamente al plano de deslizamiento

Fricción estática

Ff 1 = −F1 = G tan φ1
N = −G
C < φ1(variable) < φ0

Valor límite

Ff 0 = −F0 = G tan φ0
N = −G
μ0 = tan φ0 > μ
φ0 = constante > φ

Fricción dinámica

Ff = −F = G tan φ
N = −G
μ = tan φ > μ0
φ = constante > φ0

Fuerza aplicada oblicuamente respecto al plano de deslizamiento

μ0 senφ 0
F=G =G
senα - μ 0 cos α sen(α - φ 0 )

Rozamiento en un plano inclinado

tan α = tan φ = μ

Fricción de chumaceras

De carga radial

M 1 = μr rF

96
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

De carga axial

r1 + r2
M f = μa F
2

Fricción rodante

Rodamiento de un cilindro macizo

f f
F = N≅ G
r r

Condición de rodamiento

Ff < μ0N

Movimiento de una placa sobre rodillos

(f1 + f2 ) G1 + nf2 G 2
F =
2r

Si f1 = f2 = f y nG < G
2 1
f
F = G
r 1

Fricción en cables

Fuerza de tracción para subir la carga G

F1 = e μaG , Ff = (e μa − 1)G

Fuerza de tracción para bajar la carga G

F2 = e − μaG, Ff = (1 − e − μa )G

Transmisión de banda o correa

Mi
Fp = y Fp = F
r

97
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

En movimiento

Fp
F0 = μa
−1
e
e μa
F1 = Fp μa
e −1
e μa + 1
Fa = Fp μa
e −1

En reposo

Fa ( e μa + 1)
F0 = F1 =
2( e μa − 1)
e μa + 1
Fa = Fp μa
e −1

Cinemática
 
 dr  dv
F = xi + yj + zk v = a =
dt dt
 dv  v 2   
a = u + u v = vut
dt t ρ n

 ˆr + rθuˆθ
v = ru

a = (r − rθ2 )uˆr + (rθ + 2rθ)uˆθ

Movimiento en una dimensión

x = vt
x = x 0 + vt
1
(
v = v + v0
2
)
v = v 0 + at
1
(
x = x 0 + v0 + v t
2
)
1
x = x 0 + v 0t + at 2
2
v 2 = v 02 + 2a(x − x 0 )

98
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Dinámica

  W 
F = ma =  a W: peso
g
mM
F=G
r2
 F = m dV / dt
XB = XB − XA
A
VB = VB − VA
A
aB = aB − a A
A

Características cinemáticas de puntos y segmentos rectilíneos

Conceptos lineales y angulares1

Se tiene que son conceptos lineales:

r = posición, v= velocidad, a = aceleración, t = tiempo

Se tiene que son conceptos angulares:

θ = posición, ω= velocidad,α= aceleración, t = tiempo

Expresión que relaciona ambos conceptos:

v= ωx r

Conceptos correspondientes a puntos y partículas en movimiento

Símbolo(s) más Relación con otra(s)


Concepto
común(es) función(es)
Vector de posición (lineal)
Velocidad (lineal) , =

Aceleración (lineal) , = =

1
Por simplicidad se omite la dependencia del tiempo en las funciones. Por ejemplo: v(t) ≡ V.

99
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Conceptos correspondientes a segmentos rectilíneos que modifican su dirección durante el


movimiento, y de cuerpos rígidos que contengan ese tipo de segmentos

Símbolo(s) más Relación con otra(s)


Concepto
común(es) función(es)
Vector de posición (angular) θ
Velocidad (angular) , =

Aceleración (angular) , = =

Componentes cartesianas de los vectores de posición, velocidad y aceleración lineales para


movimientos en el espacio, en un plano y rectilíneos.

r = r (t ) = xi + yj + zk, v = r = xi
 + yj
 + zk
, a = r = xi
 + yj
 + zk


Entonces, si P se mueve en el plano xy tenemos:

r = r = xi + yj, v = xi
 + yj
, a = xi
 + yj


Si P realiza un movimiento rectilíneo cualquiera en el eje x se tienen:

r = xi, v = xi
, a = xi


Relaciones entre conceptos lineales y angulares.

a = ω × (ω × r ) + α × r

Cinemática del cuerpo rígido

= +
= + + ( )

Ecuaciones aplicables a cualquier tipo de movimiento del cuerpo rígido.

Centro y eje instantáneo de rotación.

v =ω×Γ

donde Γ es un vector perpendicular al eje instantáneo de rotación.

Primeros momentos de la masa de un sistema de partículas.

Con respecto a los planos xy, xz, yz tenemos:

n n n
M xy = m z ,
i =1
i i
M xz = m y ,
i =1
i i
M yz = m x
i =1
i i

100
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Primeros momentos de la masa de un cuerpo rígido.

M xy =  zdM , M xz =  ydM , M yz =  xdM


V V V

Ecuaciones escalares de centro de masa.

n n n
M Xc =  mixi ,
i =1
MYc =  miyi ,
i =1
M Zc = m z
i =1
i i

Para cuerpos rígidos tenemos:

M Xc =  xdM , MYc =  ydM , M Zc =  zdM


V V V

Momentos de inercia de la masa de un cuerpo rígido.

I xx = MM xz + MM xy I yy = MM yz + MM xy I zz = MM yz + MM xz

Dinámica de la partícula

Ecuaciones de movimiento
F = ma
F
a=
m

Trabajo y energía
dT = p • dr

Energía cinética y su relación con el trabajo realizado por la fuerza resultante que actúa sobre una
partícula

1 2
EC = mv
2

Impulso y cantidad de movimiento lineales

 Fdt = (mv)
2
2
− (mv )1

Ecuación del impulso y la cantidad de movimiento lineales

Ecuación diferencial de movimiento para sistemas de partículas

101
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

n
F= m a
i =1
i 1

Ecuación fundamental para el estudio de la dinámica del cuerpo rígido.

F = Mac
2
 n   n 
1 F dt =   i i  −   m i vi 
m v
 i =1 2  i =1 1

Ecuación de impulso y cantidad de movimiento lineales para sistemas de partículas

Principio de la conservación de la cantidad de movimiento lineal para sistemas de partículas.

 n   n 
  miν i  −   miν i  = 0
 i =1 2  i =1 1

Ecuación para obtener la cantidad de movimiento angular de un cuerpo rígido.

HCC = ICC ω

Ecuación para obtener la suma de los momentos de los elementos mecánicos que actúan sobre un
cuerpo rígido.

MCC = ICC α

Momento de un sistema de fuerzas y/o pares que actúan sobre un cuerpo, con respecto el eje CC.

n
MCC =  (ρ
i =1
i
* Fi )

Primera forma de la ecuación del trabajo y la energía para un cuerpo rígido que realiza un movimiento
plano general.

n n
1 1
 F • drC +   Fi • dρi +   Q j dθ j =
1 2 2
MV 2 + I CCω 2
2
i =1
1
j =1
1 2 c 2

Ecuación del impulso y la cantidad de movimiento angulares.

2
 M CC dt = I CC (ω2 − ω1 )
1

102
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Modelo matemático correspondiente a las vibraciones libres con un grado de libertad.

+ = 0 con =

Modelo matemático correspondiente a las vibraciones forzadas con un grado de libertad.

+ = con =

Trabajo, energía y conservación de la energía

= .
= .
.
= = = . P: potencia
= η: eficiencia
=Δ = −
= K: energía cinética
W = −Δν = ν − ν V: energía potencial
( )=
1
=
2

Impulso e ímpetu
 
I =  Fdt
 
I = Δp
 
p = mv p: ímpetu
    
Δp = p f − pi =  Fdt Δp : impulso

103
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Electricidad y magnetismo

  
q1q2  r  qq 
F =k 2   F = k 1 22 r = r1 − r2
r r r

 F
E=
q
  q
Φ E =  E ⋅ dA = Φ E : flujo eléctrico
ε0
q
V =k V : potencial electróstatico
r
Ub − U a W
b  
Vb − Va = = − ab = −  E ⋅ dl
q q a
m i −1 qi q j
U =  4πε r U : energía potencial electrostática
i =1 j =1 0 ij

Capacitancia

q = CV C : capacitancia
A
C = kε 0 Capacitor de placas paralelas
d
A
C =ε ε =kε 0 k: constante dieléctrica
d
2π l
C = kε 0 Capacitor cilíndrico
ln(b / a)
q2 1 1
U= = CV 2 = qV U: energía almacenada en un capacitor
2C 2 2
1
u = kε 0 E 2 u: densidad de energía
2

104
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Corriente, resistencia y fuerza electromagnética

q
i= i: corriente eléctrica
t
i = nqvA
i
j= =  ni qi vi j: densidad de corriente, A: área
A i
E
ρ= ρ: resistividad
j
V l
R= =ρ R: resistencia
i A
R = R0 (1 + αΔt ) Variación de R con la temperatura
Vab =  IR −  ε
i = i
ent sal

 Elevaciones de potencial = Caídas de potencial v i =0


V2
P = Vi = Ri 2 = P: potencia eléctrica
R

105
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Magnetismo
    
F = qv × B v: velocidad, B: campo magnético
   
F = il × B l : elemento de longitud
τ =NiABsenθ
 
 ⋅ dl = μ0i
B
 
Φ =  B ⋅ dA
μ0 i
B= r: distancia
2π r
μ0 I
B=
2a
μ Ni
B= 0 N: número de vueltas
2π r
μI
dB = 0 senθ dθ r: radio
4π a
μI
B = 0 (cosθ1 -cosθ2 )
4π a

ε =- B ε : fuerza electromagnética
dt
ε = -vBl

ε=
dt

106
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Equivalencias

Longitud

m in ft mi
1m 1 39.37 3.281 6.214x10-4
1 in 2.54x10-2 1 8.333x10-2 1.578x10-5
1 ft 0.3048 12 1 1.894x10-4
1 mi 1 609 6.336x104 5 280 1

Masa

Kg uma lb
1 kg 1 6.022x1026 2.205
1 uma 1.661x10-27 1 3.662x10-27
1 lb 0.4536 2.732x1026 1

Fuerza

dina N lbf kgf


1 dina 1 10-5 2.248x10-6 1.020x10-6
1N 105 1 0.2248 0.1020
1 lbf 4.448x105 4.448 1 0.4536
1 kgf 9.807x105 9.807 2.205 1

Presión

atm mm Hg Pa bar
1 atm 1 760 1.013x105 1.013
1 mm Hg 1.316x10-3 1 133.3 1.333x10-3
1 Pa 9.869x10-6 7.501x10-3 1 10-5
1 bar 0.987 750.062 105 1

Energía, trabajo, calor

Btu HP·h J cal kWh eV


1 Btu 1 3.929x10-4 1 055 252 2.930x10-4 6.585x1021
1 HP·h 2 545 1 2.385x106 6.413x105 0.7457 1.676x1025
1J 9.481x10-4 3.725x10-7 1 0.2389 2.778x10-7 6.242x1018
1 cal 3.969x10-3 1.560x10-6 4.186 1 1.163x10-6 2.613x1019
1 kWh 3 413 1.341 3.600x106 8.600x105 1 2.247x1025
1 eV 1.519x10-22 5.967x10-26 1.602x10-19 3.827x10-20 4.450x10-26 1

Campo magnético

gauss T
1 gauss 1 10-4
1 tesla 104 1

107
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Flujo magnético
maxwell Wb
1 maxwell 1 10-8
8
1 weber 10 1

1 rpm = 6.283 rad/min

108
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Química

Constantes

Carga del electrón = -1.6021 x 10-19 C


Carga del protón = 1.6021 x 10-19 C
Masa electrón = 9.1094 x 10-31 kg
Masa protón = 1.673 x 10-27 kg
Constante de Boltzmann = 1.3805 x 10-23 J/K
Constante de Planck = 6.6261 x 10-34 J s
Constante gravitacional G = 6.67384 x 10-11 Nm2/kg2
Constante dieléctrica εo = 8.8542 x 10-12 F/m
Constante de permeabilidad = 4π x 10-7 H/m = 1.2566 x 10-6 H/m
Electrón-volt (eV) = 1.6021 x 10-19 J
Radio medio de la Tierra = 6.378 x 106 m
Distancia de la Tierra a la Luna = 3.844 x 108 m
Masa de la Tierra = 5.972 x 1024 kg
Masa de la Luna = 7.349 x 1022 kg
Aceleración en la superficie de la:
Luna 1.62 m/s2
Tierra g = 9.81 m/s2
ρCu = 1.71 x 10-8 Ω.m
ρAl = 2.82 x 10-8 Ω.m
ρAg = 1.62 x 10-8 Ω.m
ρFe = 9.71 x 10-8 Ω.m
δCu = 8.96 x 103 kg/m3
δAl = 2.7 x 103 kg/m3
δmadera = 0.6 - 0.9 x 103 kg/m3

109
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

110
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Análisis de circuitos eléctricos

Ley de Ohm

V
I=
Z
donde:

I = Corriente [A]
V= Voltaje [V]
Z = Impedancia [Ω]

Voltaje y corriente en elementos reactivos

Capacitor

1 dV
C
Vc = Idt Ic = C
dt

Inductor libre de acoplamientos magnéticos

1 dI
L
IL = Vdt VL = L
dt

Inductor con acoplamientos magnéticos

N
1 N
dI l
IL =  VL =  Ll
Lkl 
Vl dt k = 1, 2,3..., N k = 1, 2,3..., N
l =1 l =1 dt

donde:

Lkl = Inductancia mutua entre el inductor k y el inductor l.


N = número total de inductores que se encuentren acoplados

Divisor de corriente

Si el circuito está integrado sólo por dos elementos:

111
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

RA
IB = If
RA + RB
ZA
IB = If
Z A + ZB

Si el circuito se encuentra formado por más de una resistencia por rama:

Rrama contraria
I Rx = If
RT
Z rama contraria
I Zx = If
ZT

donde Rrama contraria es la resistencia de toda la rama y RT es la suma de las resistencias


de cada una de las ramas.

Divisor de voltaje

RB
VRB = Vf
RA + RB
RA
VRA = Vf
RA + RB

Leyes de Kirchhoff

Ley de Kirchhoff de voltaje Ley de Kirchhoff de corriente


Ne Ni

 Vk = 0
k =1
I
k =1
k =0

donde:

Ne = Número de caidas o elevaciones de tensión en una malla cerrada


Ni = Número de corrientes que entran o salen a un nodo

112
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Potencia

Potencia activa

P = VI cos (θ ) [W ]
V2
P= cos (θ ) [W ]
Z
P = I 2 Z cos (θ ) [W ]
Potencia reactiva

Q = VI sin (θ ) [VAR ]
V2
Q= sin (θ ) [VAR ]
Z
Q = I 2 Z sin (θ ) [VAR ]

Potencia compleja

S = VI * [VA]

Factor de potencia

f p = cos (θ )

Resonancia RLC serie


1
ωs =
LC
1
fs =
2π LC
1 L
Qs =
R C
BW−3dB = f2 − f1
1  R 1 R
2
4 
f1 = − +   + 
2π  2L 2  L  LC 

1 R 1 4 
2
 R 
f2 = +   +
2π  2 L 2  L  LC 

113
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Resonancia RLC paralelo

1 Rl2C
fp = 1−
2π LC L
R || R p
Qp = s
XL
1
fp =
2π LC
ZTP = Rs || Q 2 Rl
Z
Qp = TP
ωpL

Circuitos excitados con señales senoidales de diferentes frecuencias

Sea V ( t ) una función de la forma:

V ( t ) = Vo + V1sen (ω1t + α1 ) + V2 sen (ω2t + α 2 ) + ... + Vn sen (ωnt + α n )

Entonces, el voltaje eficaz (RMS) en una red excitada con una tensión V ( t ) es:

1 n 
Vrms = Vo2 +  Vk2  donde k = 1, 2,3,..., n
2  k =1 

Sea I ( t ) una función de la forma:

I ( t ) = I o + I1sen (ω1t + β1 ) + I 2 sen (ω2t + β 2 ) + ... + I n sen (ωnt + β n )

La corriente eficaz (RMS) en una red en la que circula una corriente I ( t ) es:

1 n 
I rms = I o2 +   I k2  donde k = 1, 2,3,..., n
2  k =1 

La potencia media es:

1 n
P = Vo I o + Vk I k cos (α k − β k ) donde k = 1, 2,3,..., n
2 k =1

114
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Impedancia y admitancia de una red pasiva de dos terminales

Impedancia

Δ Z kl
ZT =
cof Z kk

Admitancia

Δ Ykl
YT =
cof Ykk

Teoremas de redes

Teorema de Thevenin

Pasos para obtener el circuito equivalente de Thevenin

• Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Thevenin.
• Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un circuito abierto.
• Calcular el voltaje en los puntos A y B ( Vth ).
• Poner en cortocircuito los nodos A y B y calcular la corriente de corto circuito (
Icc ).
• Calcular la impedancia de Thevenin como:

Vth
Z th =
I cc

• Construir el circuito equivalente de Thevenin.


• El teorema de Thevenin se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnéticos, siempre y cuando, éste no se encuentre dentro por
completo dentro del circuito al que se desea encontrar el equivalente.

Teorema de Norton

Pasos para obtener el circuito equivalente de Norton

• Identificar los nodos A y B dentro del circuito donde se desea encontrar el


circuito equivalente de Norton.
• Desconectar del circuito original el circuito del que se desea obtener su
equivalente. Entre los nodos A y B debe considerarse un corto circuito.
• Calcular la corriente de Norton que circula entre los nodos A y B ( I N ).

115
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

• Considerar entre los nodos A y B u circuito abierto y calcular el voltaje de


circuito abierto ( Vca ).
• Calcular la impedancia de Norton como:

Vca
ZN =
IN

• Construir el circuito equivalente de Norton.


• El teorema de Norton se puede aplicar para redes que cuenten con
acoplamientos magnéticos, siempre y cuando, éste no se encuentre dentro por
completo dentro del circuito al que se desea encontrar el equivalente.

Teorema de reciprocidad

Si se tiene un circuito formado sólo por elementos pasivos, entonces, es posible aplicar el
teorema de reciprocidad. Si este circuito tiene una fuente de corriente o voltaje a la
entrada, entonces, los pasos para aplicar el teorema de intercambio de fuentes son:

• Identificar los nodos A y B donde se va a aplicar el teorema de reciprocidad.


• Calcular el voltaje o corriente entre A y B.
• Desconectar la fuente de entrada y conectarla entre A y B.
• Si la fuente es de voltaje, la entrada se cortocircuita. Si la fuente es de
corriente, la entrada se pone en circuito abierto.
• La corriente o el voltaje, según sea el caso, a la entrada del circuito es la
misma que en el caso original.

Teorema de superposición

Si el circuito es lineal es posible aplicar este teorema. Los pasos necesarios son:

• Identificar el número de fuentes que se encuentran en el circuito.


• Seleccionar una de ellas y con el resto de las fuentes debe considerarse lo
siguiente: si es una fuente de voltaje, ésta debe substituirse por un corto
circuito y si es una fuente de corriente, ésta debe substituirse por un circuito
abierto.
• Obtener los voltajes y corrientes en el circuito.
• Repetir el proceso según el número de fuentes que haya en el circuito
seleccionando en cada iteración una fuente diferente.
• Sumar los voltajes y corrientes obtenidos para cada una de las fuentes dadas
en el circuito.

116
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Parámetros de dos puertos

Parámetros de impedancias(Z)

V1 = Z11 I1 + Z12 I 2
V2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2

Los parámetros de impedancias están dados por:

V1
Z11 = Impedancia de entrada
I1 I 2 =0

V2
Z 21 = Impedancia de transferencia directa
I1 I 2 =0

V1
Z12 = Impedancia de transferencia inversa
I2 I1 = 0

V2
Z 22 = Impedancia de salida
I2 I1 = 0

Parámetros de admitancias (Y)

I1 = Y11V1 + Y12V2
I 2 = Y21V1 + Y22V2

I1
Y11 = Admitancia de entrada
V1 V =0
2

I2
Y21 = Admitancia de transferencia directa
V1 V =0
2

I1
Y12 = Admitancia de transferencia inversa
V2 V1 = 0

I2
Y22 = Admitancia de salida
V2 I1 = 0

117
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Parámetros híbridos directos

V1 = h11 I1 + h12V2
I 2 = h21 I1 + h22V2

V1
h11 = Impedancia de entrada con terminales de salida en corto
I1 V =0
2

I2
h21 = Ganancia en corriente
I1 V2 = 0

V1
h12 = Inverso de la ganancia de voltaje
V2 I1 = 0

I2
h22 = Admitancia de salida con terminales de entrada abiertas
V2 I1 = 0

Parámetros híbridos inversos

I1 = g11V1 + g12 I 2
V2 = g 21V1 + g 22 I 2

I1
g11 = Admitancia de entrada con terminales de salida abiertas
V1 I 2 =0

V2
g 21 = Ganancia en voltaje
I1 I 2 =0

I1
g12 = Inverso de la ganancia corriente
I2 V1 = 0

V2
g 22 = Impedancia de salida con terminales de entrada en corto circuito
I2 V1 =0

118
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Respuesta transitoria

Condiciones iniciales y finales de los elementos

Elemento Circuito equivalente inicial para t < 0 Circuito equivalente pata t>>0
Cargado Descargado
R Resistencia
L iL(0-) = iL(0+) iL(0+) = 0
Cortocircuito
Fuente ideal de corriente Circuito abierto
C vC(0-) = vC(0+) VC(0+) = 0
Circuito abierto
Fuente ideal de Voltaje Cortocircuito

Respuesta libre en circuitos RC

Para la corriente

−t

( E − V ( 0)) e RC
i (t ) =
c
[ A]
R

Para el capacitor

−t
VC ( t ) = E + (VC ( 0 ) − E ) e RC [V ]
Para la resistencia

−t
VR ( t ) = Ri ( t ) = ( E − Vc ( 0 ) ) e RC
[V ]
Constante de tiempo

τ = RC [ s]
donde Vc ( 0 ) es el voltaje inicial en el capacitor.

119
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Respuesta en circuitos RL

La corriente para

E − Rt
 − Rt
i ( t ) = 1 − e  + i ( 0 ) e L
L
[ A]
R 

Para el resistor

 − Rt
 − Rt
VR ( t ) = Ri ( t ) = E 1 − e  + Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
 

Para el inductor

di ( t ) − Rt − Rt
VL ( t ) = L = Ee − Ri ( 0 ) e L
L
[V ]
dt

La constante de tiempo es:

L
τ= [ s]
R

Respuesta forzada en un circuito RC

 −
t

q ( t ) = EC 1 − e RC

 

E − RCt
i (t ) = e
R
t

vR = Ri = Ee RC

 −
1
t
vC = E − vR = E = 1 − e RC 
 

120
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Respuesta forzada en un circuito RL

E 
R
− t
i (t ) = 1 − e L 

R 

 −
R
t 
v R = E 1 − e L 

 
R
− t
vL = E e L

Respuesta libre de un circuito RLC

Caso I:
Respuesta bajo amortiguada (raíces complejas conjugadas)

i ( t ) = k1e( −α + j β )t + k2 e( −α − j β )t

k1 = −k2

vc ( 0− )
k=
2β L

vc ( 0 − )
i (t ) = e −α t sen ( β t )
βL

Caso II:
Respuesta críticamente amortiguada (raíces reales y repetidas)

i ( t ) = k1e−αt + k2e−αt
k1 = 0
vc ( 0− )
k2 =
L

121
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

vc ( 0− )
i (t ) = e −α t
L

Caso III:
Respuesta sobre amortiguada (raíces reales y diferentes)

i ( t ) = k1e( −α + j β )t + k2 e( −α + j β )t
k1 = −k2
vc ( 0 − )
k1 =
2β L
vc ( 0− )
k2 = −
2β L
vc ( 0− )
i (t ) = e−α t senh ( β t )
βL

Función de transferencia

Vo ( s )
H (s) = Relación de voltajes
Vi ( s )

Vo ( s )
H (s) = Impedancia de transferencia
Ii ( s )

Io ( s )
H (s) = Relación de corrientes
Ii ( s )

Io ( s )
H (s) = Admitancia de transferencia
Vi ( s )

donde I o ( s ) y Vo ( s ) son la corriente y el voltaje en la salida, respectivamente. I i ( s ) y


Vi ( s ) son la corriente y el voltaje en la entrada, respectivamente.

122
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Sistemas acoplados

Factor de acoplamiento

Llk
K kl =
Lkk ⋅ Lll

Inductancia mutua

Lkl = K kl Lkk ⋅ Lll

donde:

Kkl = factor de acoplamiento entre los inductores k y l


Lkl = inductancia mutua entre los inductores k y l
Lll = inductancia propia del inductor l
Lkk = inductancia propia del inductor k

Sistemas trifásicos

Resistencia y reactancia en serie

La impedancia Z de una carga reactiva que está formada por una resistencia R y una
reactancia en serie es:

Z = R + jX

Convirtiéndola a su admitancia equivalente Y:


R − jX
Y= 2
Z
donde
Z = R2 + X 2
Según la ley de Ohm:

V = ZI
y
I = YV
Entonces:

VR − jVX
I= 2
Z
VR VX
I= 2
−j 2
Z Z

123
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

I = I P − jI Q

donde I P e IQ son las corrientes activa y reactiva, respectivamente.

La corriente activa IP y la corriente reactiva IQ son:

VR
IP = 2
= I cos (θ )
Z
VX
IQ = 2
= I sin (θ )
Z

donde θ está dada por:

Q P Q 
θ = a tan   = a cos   = a sin  
P S  S 

Si se aplica una tensión V, a una carga reactiva Z y la corriente I que circula en el circuito,
entonces, la potencia compleja S, potencia activa P y potencia reactiva Q están dadas
por:

ZV 2 2
S = VI * = 2
= I Z
Z

V 2R
P = VI P = 2
Z
V 2X
Q = VI Q = 2
Z

El factor de potencia ( fp ) y el factor reactivo ( fr ) son:

R
fp = cos (θ ) =
Z
X
fr = sen (θ ) =
Z

124
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Potencia trifásica

Para una carga balanceada conectada en estrella con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :

Vlinea
Vestrella =
3
I estrella = Ilínea
V Vlinea
Z estrella = estrella =
I estrella 3I estrella
Vlinea 2
Sestrella = 3Vestrella I estrella = 3Vlinea I línea = = 3I línea 2 Z estrella
Z estrella

Para una carga balanceada conectada en delta con una tensión de línea Vlinea y una
corriente de línea Ilínea :

Vdelta = Vlínea
I
I delta = línea
3
Vdelta V
Z delta = = 3 línea
I delta I línea
3Vlínea 2
S delta = 3Vdelta I delta = = I línea 2 Z delta
Z delta

Note que la equivalencia entre cargas balanceadas conectadas en estrella y delta es:

Zdelta = 3Zestrella

125
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Electrónica Analógica

Diodo de propósito general

Ecuación de Shockley del diodo

 q⋅VD 
I D = I S  e n⋅k ⋅T − 1
 
donde:

ID = Corriente a través del diodo [A]


Is = Corriente de saturación (10-12 A)
VD = Voltaje de polarización directo [V]
q = Carga del electrón (1.6022E-19)
n = Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8
k = Constante de Boltzman 1.3806E-23 [J/K]
T = Temperatura absoluta [K]

Diodo zener

Rz
Regulación de línea =
Rz + Rs

Regulación de carga = − ( Rz  Rs )

Rs
Regulación zener =
Rz + Rs

Vzo = Vz − ( Rz ⋅ I z )

Para RL = 0

Iz =
(Vs − Vzo )
( Rz + Rs )

El voltaje de salida está dado por:

Vo = Vzo + ( Rz ⋅ I z )

Vs − Vzo − Rz ⋅ I z
Rs =
Iz + IL

126
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

En caso de conocer los rangos de VS e IL

Vs (max) − Vzo − Rz ⋅ I z (max)


Rs =
I z (max) + I L (min)

Vs (min) − Vzo − Rz ⋅ I z (min)


Rs =
I z (min) + I L (max)

Pz = Vz ⋅ I z

Rectificadores de media onda y onda completa (fuentes de alimentación)

Rectificador de media Rectificador de onda


onda completa
Voltaje de rizo pico-pico Vm Vm
Vr ( pp ) = Vr ( pp ) =
f ⋅ RL ⋅ C 2 f ⋅ RL ⋅ C
Voltaje de salida VO V ( 2 f ⋅ RLC − 1) V ( 4 f ⋅ RLC − 1)
VO ( cd ) = m VO ( cd ) = m
2 f ⋅ RL ⋅ C 4 f ⋅ RL ⋅ C
Voltaje rizo rms Vm Vm
Vr ( rms ) = Vr ( rms ) =
2 ⋅ 2 ⋅ f ⋅ RL ⋅ C 4 ⋅ 2 ⋅ f ⋅ RL ⋅ C
Factor de rizo 1 1
FR = FR =
2 ( 2 f ⋅ RL ⋅ C − 1) 2 ( 4 f ⋅ RL ⋅ C − 1)
Cálculo del capacitor 1  1  1  1 
C=  1+  C= 1 + 
2 f ⋅ RL  2 ⋅ RF  4 f ⋅ RL  2 ⋅ RF 
Vrms 1
Relación Vrms y VL ≈ ≈ 0.0024
VL 420

Regulación de voltaje

 ΔV 
R. línea =  sal  ⋅100%
 ΔVent 

 V −V 
R. carga =  NL FL 
 VFL 

R 
Regulación de carga =  sal  ⋅100
 RFL 

127
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

donde:
VNL = Voltaje sin carga
VFL = Voltaje a plena carga

Regulador básico en serie con OA

 R 
Vo =  1 + 2  Vref
 R3 

Reguladores en paralelo lineales básico

Vin
I L( max ) =
RL

Reguladores de conmutación básicos

t 
Vo =  on  Vin
T 

donde:

T = tin + toff

Reguladores de voltaje en circuito integrado

 R 
VSAL = VREF 1 + 2  + I ADJ R2
 R1 

VSAL
I L (max) = + IG
R11

128
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transistor de unión bipolar (BJT)

Parámetros de corriente directa

Ic
βcd =
IB

Ic
α cd =
IE

donde:

βcd = Ganancia en corriente en CD


αcd = Factor de amplificación de corriente en polarización directa
IC = Corriente de colector
IB = Corriente de base
IE = Corriente de emisor

Corrientes en un transistor

I E = IC + I B

Voltaje entre la base y el emisor

VBE ≅ 0.7V

Corriente en la base

VCC − VBE
IB =
RB

donde:

VBB = Voltaje de polarización en la base


VBE = Voltaje base – emisor
RB = Resistencia de base

Voltaje en el colector con respecto al emisor

VCE = VCC − IC RC

donde:

VCC = Voltaje de polarización en el colector

129
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

VCE = Voltaje colector – emisor


RC = Resistencia de colector

Voltaje en el colector con respecto a la base

VCB = VCE − VBE

donde:

VCB = Voltaje colector – base


VCE = Voltaje colector – emisor
RC = Resistencia de colector

Condición de corte

VCE ( corte) = VCC

Corriente de saturación en el colector

VCC − VCE ( SAT )


I C ( SAT ) =
RC

Corriente de base mínima para saturación

I C ( SAT )
I B( min ) =
β cd

Polarización

Polarización con realimentación del emisor

VB = I E RE + VBE

130
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

VC = VCC − IC RC

VE = VB − VBE

VCC − VBE
IE =
RE + ( RB / β cd )

IC ≅ I E

Polarización con realimentación del colector

VC = VCC − IC RC

VB = VBE
VE = 0 V

VCC − VBE
IC ≅
RC

VCC − VBE
IC =
R
RC + B
β cd

VCE = VCC − IC RC

I E ≅ IC
V −V
I B = C BE
RB

131
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Polarización de base

VB = VBE

VC = VCC − IC RC

VE = 0 V

 V − VBE 
I C = β cd  CC 
 RB 

I E ≅ IC

VC − VBE
IB =
RB

VCE = VCC − IC RC

132
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Polarización del emisor

VB = VE + VBE

VC = VCC − IC RC

VE = VEE + I E RE

−VEE − VBE
IE ≅
RE

−VEE − VBE
IE =
R
RE + B
β cd

I E ≅ IC

VB V
IB = IB = B
RB RB

133
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Polarización con divisor de voltaje

 R2 
VB =   VCC
 R1 + R2 

VC = VCC − IC RC

VE = VB − VBE

VE
IE =
RE

I E ≅ IC

VTH − VBE
IE =
R
RE + TH
β cd

VB
IB =
βcd RE

134
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Parámetros de corriente alterna (amplificador)

Amplificador emisor común

Ecuaciones considerando el modelo T en señal pequeña de primer orden

25mV
r 'e =
IE

Rin = R1  R2  ( βca ⊕⋅r 'in )

Rout ≈ RC  RL

RC  RL
AV =
r 'e

IC
AI =
I in

135
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificador con compensación para variación de temperatura

RC  RL
AV ≅
RE1

Rout = RC  RL

Rin = R1  R2  ( β ca + 1) ⋅ ( r 'e + RE1 ) 

Amplificador colector común

Ecuaciones considerando el modelo T en señal pequeña de primer orden

25mV
r 'e =
IE

136
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Rin = R1  R2  ( β ca + 1)  r 'e + ( RE  RL ) 
Rout = ( RE  RL )   r 'e + R1  R2  rout ÷ ( β ca + 1) 

Re
AV = ≈1
r 'e + R e

Ie
Ai =
I in

Amplificador en base común

Ecuaciones considerando el modelo T en señal pequeña de primer orden

25mV
r 'e =
IE

R ENT(emisor) = r 'e

RSAL ≅ R C

RC
AV ≅
r 'e

Ai ≅ 1

donde:

r’e = Resistencia interna de CA en el emisor


Rent = Resistencia de entrada
Rsal = Resistencia de salida
Av = Ganancia en voltaje
Ai = Ganancia en corriente

137
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transistor de efecto de campo (FET)

Parámetros de corriente directa

Características de transferencia de un JFET

2
 VGS 
I D = I DSS 1 − 
 V
 GS (corte) 

Transconductancia

2
 VGS 
gm = gm0  1 − 
 VDS ( corte ) 
 

Transconductancia con VGS = 0

2 I DSS
gm0 =
VGS (corte)

Característica de transferencia de E – MOSFET

I D = K (VGS − VGS (umbral) 2 )

138
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Polarización

Polarización fija

VGS = −VGG

VDD − VDS
I DS =
RD

VDD = I DS + VDS

Autopolarización

VGS
I DS = −
RS

VGS( OFF )
RS =
I DSS

139
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

2
 V 
I DS = I DSS  1 − GS 
 VGS 
 ( OFF ) 

I DS = K1I DSS K1 = 0.382

VGSQ = 0.382VGSoff

VDD − VDS
I DS =
RD + RS

VDD = I DS ( RD + RS ) + VDS

Polarización por divisor de voltaje

VGG − VGS
I DS =
RS

RG = R1  R2

R1
VGG = VDD
R1 + R2

VDD − VDS
I DS =
RS + RD

140
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificador fuente común

RG = R1  R2
RL = RC  RL

Z i = RG
Z o = rds  RD

VL RG
AV = = − gm ( rds  RD  RL )
VS RG + rS
V rDS  RD
Ai = L = − g m ⋅ RG
VS rDS  RD + RL

2
 I R 
I D = I DSS  1 − D S 
 VGS 
 ( CORTE ) 

AV = gmRd
V 
R ent = RG   GS 
 I GSS 

141
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Parámetros de corriente alterna (amplificador)

Amplificador drenaje común

Característica Drenaje común


Zi RG
Zo  r 
Rs   ds 
 μ +1 
VL μ RS  RL
AV 1 = ⋅
Vin μ + 1 R  R + rds
S L
μ +1
IL Z
AI 1 = AV 1 = in
I in RL

2
 I R 
I D = I DSS 1 − D S 
 V 
 GS ( corte ) 

gmRS
AV =
1 + gmRS

V 
R ent = RG   GS 
 I GSS 

142
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificador en compuerta común

Característica Compuerta común


Zi  r + RD  RL 
RS   ds 
 μ +1 
Zo RD   rds + ( μ + 1)( RS  ra ) 
VL μ +1
AV 1 = ≈ g m ( rds  RD  RL )
Vin rds
1+
RD  RL
IL Z in
AI 1 = AV 1 ⋅
I in RL

2
 I R 
I D = I DSS 1 − D S 
 V 
 GS ( corte ) 

AV = gmRD

 1 
R ent =    RS
 gm 

donde:

ID = Corriente a través de un FET autopolarizado


Av = Ganancia en voltaje
Rent = Resistencia de entrada
IDSS = Corriente en drenaje
VGS = Voltaje en la compuerta
RS = Resistencia en la fuente
IGSS = Corriente de fuga en inversa

143
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Capacitancia Compuerta común Drenaje común


1
1
Ci F 
2π ( FL )( ra + Zin ) 2π  L  ( ra + Z in )
 10 
1
1
Co  f 
2π  L  ( rL + Z out ) 2π ( f L + Z o )
 10 

144
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transistor MOSFET

Curva característica

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su región lineal:

2
VDS
I D ( Act ) = K (VGS − VT ) VDS −
2

donde: = en la que b es el ancho del canal, μn la movilidad de los electrones, ε es la


permitividad eléctrica de la capa de óxido, L la longitud del canal y W el espesor de capa
de óxido.

Cuando el transistor opera en la región de saturación, la fórmula pasa a ser la siguiente:

K +1
(VGS − VT )
2
I D ( sat ) =
K0

145
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificadores operacionales

Características

Razón de rechazo de modo común

AV
CMRR =
Amc

 A 
CMRR = 20 log  V 
 Amc 

Rapidez de variación de voltaje (slew-rate)

ΔVsal
SR =
Δt

Corriente de polarización de entrada

I1 + I 2
I polarización =
2

Desequilibrio de corriente de entrada

IOS = I1 − I 2

Voltaje de error de salida

Vsal( error ) = Av Ios Rent

Frecuencia máxima de operación

SR
f max = AB si AB ≤
2πVp
SR SR
f max = si AB >
2πVp 2πVp

146
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Configuraciones de amplificadores

Amplificador no inversor

Rf
Av = 1 +
Ri

Seguidor de voltaje

AV = 1

Amplificador inversor

Rf
AV = −
Ri

Zent ≅ Ri

Amplificador sumador de n entradas

Vsal = − (Vent1 + Vent 2 + ⋅⋅⋅ + Ventn )

Amplificador sumador con ganancia de n entradas

V V V 
Vsal = − R f  ent1 + ent 2 + ⋅⋅⋅ + entn 
 R1 R2 Rn 

Amplificador restador

 R   R4 R2 
Vsal = 1 + 2   V2 − V1 
 R1  R3 + R4 R1 + R2 

Amplificador derivador

dVent
Vsal = − RC
dt

147
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificador integrador

1
Vent ( t ) dt + Vc ( 0 )
RC 
Vsal = −

Amplificador de disparo alto

R2
Vdisparo alto = ( +Vsal max )
R1 + R2

Amplificador de disparo bajo

R2
Vdisparo bajo = ( −Vsal max )
R1 + R2

Amplificador de histéresis

VH = Vdisparo alto − Vdisparo bajo

Amplificador de instrumentación

2R
Acl = 1 +
RG

2R
RG =
Acl − 1

Amplificador de aislamiento

Rf 1
Av1 = +1
Ri1
Rf 2
Av 2 = +1
Ri1

Amplificador logarítmico

 V 
Vsal = − ( 0.025 ) ln  ent 
 I EBO R1 

148
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificador anti logarítmico

 V 
Vsal = − R f I EBO anti ln  ent 
 25mV 

Convertidor de voltaje a corriente

Vsal = I i R f

Convertidor de corriente a voltaje

Vent
IL =
R1

Disparador Schmitt

Vsat
RF = R1
Vth

RX = R1  RF

Filtros

Ancho de banda de un filtro pasa bajas

AB = fc

Ancho de banda de un filtro pasa banda

AB = fcs − fci

Frecuencia central de un filtro pasa banda

f0 = f cs ⋅ f ci

Filtros Butterworth

La magnitud de la función de transferencia al cuadrado es:

2 1
H ( jω ) =
1 + ω 2n

149
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

La función de transferencia para un filtro Butterworth se expresa como:

1
H ( s) =
Bn ( s )

Los polinomios normalizados para los filtros Butterworth son:

B1 ( s ) = s + 1
B2 ( s ) = s 2 + 1.4142s + 1
B3 ( s ) = s3 + 2s2 + s + 1

Convertidores

Convertidores de voltaje a frecuencia

v1
f0 =
Vref Rent Cref

donde:

V1 = voltaje de entrada
Vref = voltaje de refencia
Cref = capacitancia de referencia

Convertidores de frecuencia a voltaje

V0 = Vref Rint Cref f ent

donde:

f ent = frecuencia de entrada en Hz


| V ref | = voltaje de referencia en V
Rint = resistencia del integrador interno
C ref = capacitancia de referencia

Convertidores digital analógico

B B B B 
I s = Vref  0 + 1 + 2 + 3 
 R0 R1 R2 R3 

150
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

B B B B 
V0 = − RF I F = − RFVref  0 + 1 + 2 + 3 
 R0 R1 R2 R3 

donde:

R
R0 = =R
20
R R
R1 = 1 =
2 2
R R
R2 = 2 =
2 4
R R
R3 = 3 =
2 8

Convertidor digital analógico con red de escalera R – 2R

Vref RF  B0 
V0 = −   para LSB = 1 único
3R  2 4 

Vref RF  B3 
V0 = −   para MSB = 1 único
3R  21 

Vref RF  B0 B1 B2 B3 
V0 = −  + + +  cuando el sistema está completamente activado
3R  24 23 22 21 

Convertidor analógico digital de aproximaciones sucesivas

1 para Va > Vb
Vconv = sgn (Va − Vb ) = 
0 para Va < Vb

Proceso de aproximaciones sucesivas

Paso Vb B3 B2 B1 B0 Comparaciones Respuesta


1 8V 1 0 0 0 ¿Es Va > 8 V? Sí
2 12 V 1 1 0 0 ¿Es Va > 12 V? No
3 10 V 1 0 1 0 ¿Es Va > 10 V? Sí
4 11 V 1 0 1 1 ¿Es Va > 11 V? No
10 V 1 0 1 0 Leer salida

151
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Amplificadores de corriente

Fuentes de corriente con BJT

VBE1 = VBE 2 = VCE1 = 0.7V

La corriente en el colector

IR
I C1 = I C 2 =
2
1+
βF

VCC − VBE1
R1 =
IR

Fuente de corriente con Widlar

152
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

La suma de las tensiones en la base de los transistores

VBE1 − VBE2 − IC2 RE = 0

Para el análisis de esta fuente de corriente es preciso utilizar la ecuación de Ebers-Moll


simplificada de un transistor en la región lineal que relaciona la IC con la tensión VBE:

I C1
VT ln = I S RE
IS
VCC − VBE
donde: I C1 =
R1

La resistencia de salida de esta fuente es:

 β R 
Z O = hoe−12 1 + F E 
 hie 2 + RE 

Fuente de corriente de Wilson

I E 2 = (1 + β F ) I B 2

Si los transistores son idénticos

 1  I C1
I E 2 = I C 3 + I B 3 + I B1 = 1 + +
 βF  βF

VCC − 2VBE
I OUT =
R1

153
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Resistencia de salida

h fe hoe−1
Z out =
2

Fuente de corriente Cascode

VCC − 2VBE
I out =
R1

Z out = h fe ⋅ hoe−1

Fuentes de corriente controlada con voltaje

154
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Si R2 = R4

R2Ve
IS =
RS R1

Para que el operacional esté en equilibrio se debe de cumplir que:

V + Ve V + − RS I S
= +
R4 R1 R2

Para la polarización del transistor

V2 = V + − RS I S

155
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Electrónica digital

Algebra Boole

Propiedades:

a) Ambas operaciones son conmutativas, es decir si a y b son elementos del álgebra, se


verifica:

a+b =b+a
a ⋅b = b ⋅ a

b) Dentro del álgebra existen dos elementos neutros, el 0 y el 1, que cumplen la propiedad
de identidad con respecto a cada una de dichas operaciones:

0+a = a
1⋅ a = a

c) Cada operación es distributiva con respecto a la otra:

a ⋅ (b + c) = a ⋅ b + a ⋅ c
a + ( b ⋅ c ) = ( a + b) ⋅ ( a + c )

d) Para cada elemento a del álgebra existe un elemento denominado a tal que:

a + a =1
a⋅a = 0

Leyes del algebra de Boole

A+0 = A A⋅0 = 0
A +1 = 1 A ⋅1 = A
A+ A = A A⋅ A = A
A+ A =1 A⋅ A = 0

Principio de dualidad

A + 0 = A  A ⋅1 = A
A⋅ A = 0  A + A = 1

156
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Operaciones binarias

Suma binaria

0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 0

Resta binaria

0−0 = 0
0 −1 = 1
1− 0 = 1
1 −1 = 0

Operaciones lógicas

Suma lógica

0+0 = 0
0 +1 = 1
1+ 0 = 1
1+1 = 1
Producto lógico

0⋅0 = 0
0 ⋅1 = 0
1⋅ 0 = 0
1 ⋅1 = 1
Complementación

0 1
1 0

Propiedades

Propiedad conmutativa

A⋅ B ⋅C ⋅ D = D ⋅C ⋅ B ⋅ A
A+ B +C + D = C + D + A+ B
D ⋅C ⋅ B ⋅ A + D ⋅C ⋅ A + B ⋅C = D ⋅C ⋅ A + C ⋅ B + D ⋅ A⋅C ⋅ B

157
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Propiedad asociativa

A + B + C + D = ( A + B ) + ( C + D)
D ⋅ C ⋅ B ⋅ A = ( D ⋅ C ) ⋅ ( B ⋅ A)

Propiedad distributiva

A⋅ ( B + C ) = A⋅ B + A⋅ C
A + ( B ⋅ C ) = ( A + B) ⋅ ( A + C )

Teorema de Shanon

Indica que cualquier expresión booleana negada es equivalente a la misma expresión en


la que todas las variables son negadas y se sustituyen las operaciones (+) por (·) y
viceversa.

f = ( A + B)⋅C = ( A⋅ B) + C

Teorema de De Morgan

Primer teorema de De Morgan

El complemento de un producto de variables es igual a la suma de los complementos de


las variables. Fórmula para expresar el teorema para dos variables:

A⋅ B = A + B

Segundo teorema de De Morgan

El complemento de una suma de variables es igual al producto de los complementos de


las variables. Fórmula para expresar el teorema para dos variables:

A + B = A⋅ B

Mapa de Karnaugh

Reglas para simplificar una función mediante el mapa Karnaugh

• Determinar el número de varias involucradas


Ejemplo: A y B
• Realizar un mapa que cumpla con la relación 2N. Donde N representa el número
de variables y 2N el número de combinaciones posibles
Ejemplo: Si N es igual a 2 entonces 22 = 4 combinaciones posibles

158
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

A B SALIDA
0 0
0 1
1 0

1 1

• Debe de existir un cuadro para cada combinación de entrada

• Introducir el valor lógico de cada minitérmino en su cuadro correspondiente.


Ejemplo: F(A,B)= ∑m( 0,1 )

• Buscar encerrar 2N cuadros adyacentes. Hacer encierros de 1,2,4,8, etc.

Determinar la función de salida correspondiente:


Ejemplo: Salida = /B
• Aspectos a considerar
a) Tratar de hacer el máximo encierro posible
b) Buscar que no exista redundancia en los encierros seleccionados

159
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Conversión de decimal a BCD natural, BCD Aiken y BCD exceso 3

Decimal BCD natural BCD Aiken BCD exceso 3


8 4 2 1 2 4 2 1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1
1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0
2 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1
3 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0
4 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0
6 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1
7 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0
8 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0

Conversión de Decimal a Binario, Hexadecimal

Decimal Binario Hexadecimal


0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 1
2 0 0 1 0 2
3 0 0 1 1 3
4 0 1 0 0 4
5 0 1 0 1 5
6 0 1 1 0 6
7 0 1 1 1 7
8 1 0 0 0 8
9 1 0 0 1 9
10 1 0 1 0 A
11 1 0 1 1 B
12 1 1 0 0 C
13 1 1 0 1 D
14 1 1 1 0 E
15 1 1 1 1 F

160
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Circuitos digitales básicos

Compuerta Función Tabla de verdad


B A f
0 0 0
OR f = A+ B 0 1 1
1 0 1
1 1 1
B A f
0 0 0
AND f = A⋅ B 0 1 0
1 0 0
1 1 1
A f
NOT f =A 0 1
1 0
B A f
0 0 1
NOR f = A+B 0 1 0
1 0 0
1 1 0
B A f
0 0 1
NAND f = A⋅B 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 0
XOR f = A⊕ B 0 1 1
1 0 1
1 1 0
B A f
0 0 1
XNOR f = A⊗ B 0 1 0
1 0 0
1 1 1

161
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Flip – flops

Flip – flop SR básico con compuerta NAND

S R Q(t+1) Ǭ(t+1)
0 0 invalido invalido
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 Q(t) Ǭ(t)

Flip – flop básico con compuerta NOR

S R Q(t) Ǭ(t)
0 0 Q(t) Ǭ(t)
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 invalido

162
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Flip – flop RS Temporizado

Q S R Q(t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 indeterminado
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 indeterminado

Flip – flop D

Q D Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 0
1 1 1

163
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Flip – flop JK

Q J K Q (t+1)
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 0

Flip – flop T

Q T Q (t+1)
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

164
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Electrónica de potencia

Fórmulas básicas

Eficiencia

PCD
η=
PCA

Valor efectivo CA

2 2
VCA = Vrms − VCD

El factor de utilización del transformador

PCD
TUF =
Vs I s

donde:

VS = Voltaje rms en el secundario del transformador [V]


IS = Corriente rms en el secundario del transformador [A]

Distorsión armónica total THD

1
 I S2 − I S21 2
THD =  
 I S2
 1 

Rectificador monofásico de onda completa

2 T2 2V
VCD = 
T 0
Vm senω tdt = m
π
donde:

Vm = Voltaje máximo inverso [V]

Corriente promedio de carga es

VCD
I CD =
R

165
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Corriente rms de salida

Vrms
I rms =
R

Voltaje rms salida

1
2 T 2 V
Vrms =   2 Vm2 sen 2 ω tdt  = m
T 2
0

Rectificador trifásico en puente

π
2 3 3
VCD =
2π / 6 0
6
3 Vm cosω t dt =
π m
V

donde:

Vm = Voltaje máximo [V]

El voltaje rms de salida es:

1 1
 2 π
  3 9 3 2
2
Vcd = 
π  6
3 Vm2 cos 2ω t dt  =  +  Vm
2 / 6  2 4π 
0
 

Dispositivos

Ecuación del Diodo Schockley

 nV
VD

I D = I S  e T − 1
 
 

donde:

ID = Corriente a través del diodo [A]


VD = Voltaje de polarización directo [V]
IS = Corriente de fuga [A]
n = Constante para Ge = 1 y para Si = 1.1 y 1.8

kT
VT = ≈ 25.8 mV
q

donde:

166
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

VT = Voltaje térmico
Q = Carga del electrón (1.6022 x 10-19) [C]
T = Temperatura absoluta [K]
K = Constante de Boltzman 1.3806 x 10-23 [J/K]
Tiempo total de recuperación inversa (trr)

trr = ta + tb

donde:

ta = Tiempo de almacenamiento de carga en la región de agotamiento [s]


tb = Tiempo de almacenamiento de carga en el cuerpo del semiconductor [s]

Corriente inversa pico (IRR)

di d
I RR = tα = 2QRR i
dt dt

donde:

QRR = carga de recuperación inversa [C]

Rectificadores monofásicos de media onda

Potencia de salida en CD

PCD = VCD ICD

Potencia de salida en CA

PCA = Vrms Irms

167
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

UJT

El disparo ocurre entre el emisor y la base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está
dado por la fórmula:

Vp = 0.7 + nVB2 B1

donde:

n = intrinsic stand off radio (dato del fabricante)


VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

Condición para encendido y apagado

VBB − VP V −V
> R1 > BB V
IP IV

168
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

PUT

Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0

 RB 2 
VG = VBB  
 RB1 + RB 2 
VG = nVBB

donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:

1  Vs   R2 
T= = RC ln   = RC ln 1 + 
f  Vs − Vp   R1 

Circuito de disparo para un PUT

169
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

DIAC

Si (+V) o (- V) es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un circuito


abierto
Si (+V) o (- V) es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito

Circuito equivalente del DIAC

SCR

Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver la
corriente de fuga Is.

En la región de polarización en directo el SCR se comporta también como un diodo


común, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.

Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a
cátodo es menor (VC).

170
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje


ánodo-cátodo VB y VA).

Circuito equivalente del SCR

TRIAC

171
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Circuito equivalente al TRIAC

IGBT

172
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

GTO

Característica estática

Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que
en el SCR normal.

Para bloquearlo, será necesario sacar los transistores de saturación aplicando una
corriente de puerta negativa:

− IA
luego I G >
βoff

donde es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendrá expresada por:

α2
β off =
α1 + α 2 − 1

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser βoff lo
mayor posible, para ello debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).

173
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

SIT

Curva característica

Nota: A=D y K=S

β
− IG = I A + I CBO
1+ β

IA
− IG =
1 + gmRG

I CBO (1 + gmRG )
IA =
β
1+ (1 + gmRG )
1+ β

174
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Teoría de control

Terminología de la ingeniería de control

donde:

r = señal de referencia o set point


e = señal de error (e = r – y)
u = acción de control (variable manipulada)
y= señal de salida (variable controlada)
C = controlador
P= Proceso

Modelos de control

Los modelos clásicos de control clásico comprenden ecuaciones diferenciales de orden n.

d n y (t ) d n −1 y ( t ) dy ( t )
a0 n
+ a1 n −1
+ ... + an − 2 + an −1 y ( t ) + an = k u ( t )
dt dt dt

Modelo diferencial de primer orden

dy ( t ) 1 k
= − y (t ) + u (t )
dt τ τ
donde:

u(t) = variable de entrada


y(t) = variable de salida
= Constante de tiempo
k= ganancia del sistema

Modelo diferencial de segundo orden

Frecuencia amortiguada

ωd = ωn 1 − ζ 2

175
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Tipos de respuesta

Respuesta escalón

La respuesta escalón es la variación, respecto al tiempo, de la variable de salida de un


elemento de transferencia, cuando la variable de entrada es una función escalón
r (t ) = c, c = cte.

Respuesta al escalón de sistemas de primer orden

t

y (t ) = 1− e τ

Respuesta al escalón de sistemas de segundo orden

Forma estándar del sistema de segundo orden:

C ( s) ωn 2
= 2
R ( s ) s + 2ζωn s + ωn 2

donde:

ζ es el factor de amortiguamiento
ω es la frecuencia angular

1. Subamortiguado 0 < ζ < 1 , raíces


complejas conjugadas.
 ζ 
y ( t ) = 1 − e −ζωnt  cos (ωn t ) + sen (ωn t ) 
 ζ 2 −1 
 
2. Críticamente amortiguado ζ = 1 , raíces
reales e iguales.
y ( t ) = 1 − e−ωnt − ωn te−ωnt
3. Sobreamortiguado ζ > 1 , raíces reales
y diferentes.
ωn  e − s1t ω n te − s2t 
y (t ) = 1 +  − 
2 ζ 2 − 1  s1 s2 

176
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

donde
(
s1 = ζ + ζ 2 − 1 )
s2 = (ζ − ζ2 −1)
4. No amortiguado ζ = 0 , raíces
imaginarias puras.
y ( t ) = 1 − cos (ωn t )

Parámetros de la respuesta transitoria

Tiempo de retardo (Td)

Es el tiempo que tarda la respuesta del sistema en alcanzar por primera vez la mitad del
valor final.

Tiempo de crecimiento (Tr)

Es el tiempo requerido para que la respuesta crezca del 0 al 100% de su valor final o del
10 al 90%.

π −β
Tr =
ωd
 ωd 
β = tan −1  
 ζωn 

Tiempo pico (Tp)

Es el tiempo en el cual la respuesta del sistema alcanza el primer pico del sobreimpulso.

π
Tp =
ωd

177
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Máximo sobreimpulso (Mp)

Es el valor pico máximo de la respuesta medido desde la unidad.

 ζ 
− π
 ζ 2 −1 
Mp =e  

Tiempo de establecimiento (Ts)

Es el tiempo requerido por la curva de respuesta para alcanzar y mantenerse dentro de


determinado rango alrededor del valor final especificado en porcentaje absoluto del valor
final. Se usa generalmente el 5% o 2%
4
Para un criterio de 2%, Ts =
ζωn
3
Para un criterio de 5%, Ts =
ζωn
Regla de Mason

La función de transferencia entre una entrada U(s) y una salida Y(s) está dada por:

Y (s) 1
G (s) =
U (s)
=
Δ
 Gi Δ i
donde:

Gi = ganancia de la trayectoria directa i-ésima entre y


entrada y ysalida

Δ = determinante del sistema = 1 -  (ganancia de todos los lazos individuales) + 


(productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de dos lazos que no se
tocan) -  (productos de las ganancias de todas las combinaciones posibles de tres
lazos que no se tocan) +...
Δ i = el valor de Δ para aquella parte del diagrama de bloques que no toca la k-ésima
trayectoria directa

Tabla 1. Fórmulas para sintonización por el método de ganancia última


Ganancia Tiempo Tiempo
Tipo de controlador
proporcional integral derivativo
Proporcional P Ku/2 -- --
Proporcional-Integral PI Ku/2.2 Tu/1.2 --
Proporcional-Integral-Derivativo
Ku/1.7 Tu/2 TU/8
PID

Kc

178
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Controladores

Raíces en el plano complejo

Controlador Ganancia
P Gc ( s ) = Kc
 1 
PI Gc ( s ) = Kc 1 + 
 τis 
PD Gc ( s ) = Kc (1 + τ d s )
 1 
PID Gc ( s ) = Kc 1 + +τ d s 
 τis 

Controladores PID

Estructura ideal

U (s)  1 
Gc ( s ) = = Kc 1 + +τ d s 
E (s)  τis 

donde:

E(s)=R(s) - Y(s)
R(s) es la transformada de Laplace de la referencia
Y(s) es la transformada de Laplace de la variable de proceso controlada
U(s) es la transformada de Laplace de la variable de manipulación

Sintonización por criterios integrales para cambios en perturbación para un PID ideal

Proporcional-Integral
ISE
IAE
ITAE
.
1.305
=
.
0.984
=

179
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura
.
0.859
=
.
=
0.492
.
=
0.608
.
=
0.674
Proporcional-Integral-Derivativo
ISE
IAE
ITAE
.
1.495
=
.
1.435
=
.
1.357
=
.
=
01.101
.
=
0.878
.
=
0.842
.
= 0.560
.
= 0.482
.
= 0.381

donde:

K = la ganancia del proceso de primer orden


τ = constante de tiempo
to = tiempo muerto

Sintonización por criterios integrales para cambios en referencia para un PID ideal

Proporcional-Integral
IAE
ITAE

Proporcional-Integral-Derivativo
IAE
ITAE

180
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Comunicaciones

Osciladores

Oscilidor controlado por voltaje

Modo de carga

Tiempo de carga en el capacitor

C1 C
Δ f1 = ΔvC = 1 (VH − VL )
IQ IQ

Modo de descarga

C1 C C
Δf2 = − ΔvC = − 1 (VL − VH ) = 1 (VH − VL )
IQ IQ IQ

2C1 (VH − VL )
T = Δf1 + Δ f 2 =
IQ

La frecuencia de oscilación es:

1 IQ
f0 = =
T 2C1 (VH − VL )

IQ = Gm ( vCN + vCO )

donde:

Gm = Transconductancia de la fuente de corriete, en A/V


VCN = voltaje de control aplicado, en V
VCO = voltaje constante

df 0 Gm
KvF = =
dvCN 2C1 (VH − VL )

Oscilador de corrimiento de fase

La función de transferencia del oscilador es:

VF ( s ) R 3C 3 s 3
β (s) = =
Vo ( s ) R 3C 3 s 3 + 6 R 2C 2 s 2 + 5 RCs + 1

181
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

La ganancia de voltaje de lazo cerrado es:

Vo ( s ) RF
A(s) = =−
VF ( s ) R1

La frecuencia de oscilación es:

1
f0 =
2π 6 RC

La resistencia de retroalimentación es:

 5 
RF = R1  2 2 2 − 1
R C ω 

Osciladores de cuadratura

La función de transferencia es:

1
Vf (s) 1
β (s) = = Cs =
Vo ( s ) R + 1 1 + RCs
Cs

La frecuencia de oscilación es:

1
f0 =
2π RC

La ganancia en lazo cerrado es:

1
Af = = 2
β

El voltaje en la salida es:

RVo1
Vo =
1 + RCs

182
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Osciladores de Puente Wien

La función de transferencia es:

VF ( s ) RCs
β (s) = =
Vo ( s ) 2 2 2
R C s + 3RCs + 1

La ganancia en voltaje de lazo cerrado es:

RF
A(s) = 1+
R1

La frecuencia de oscilación es:

1
f0 =
2π RC

La condición para la oscilación es:

RF
=2
R1

Oscilador Colpitts

La ganancia de lazo cerrado es:

1 − Aβ = 0

La frecuencia de oscilación es:

1
1  C1 + C2  2
f0 =  
2π  C1C2 L 

183
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Oscilador de Harley

La frecuencia de oscilación es:

1  1  2
f0 =  
2π  C ( L1 + L2 ) 

Osciladores de cristal

La impedancia del cristal esta dada por:

1 s 2 + ω s2
Z (s) =
sC p s 2 + ω p2

La frecuencia de oscilación es:

1
f0 =
2π LCs

555/556 (Multivibrador astable)

donde:

TA = 0.693 ( Ra + Rb ) C
TB = 0.693RbC

La frecuencia con que la señal de salida oscila está dada por la fórmula:

1.44
f0 =
( Ra + 2Rb ) C

184
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

y el período es simplemente: T = 1/ f0

555/556 (monoestable)

El tiempo o periodo es igual a:

T = 1.1RaC

La especificación mínima de muestras por segundo de una tarjeta DAQ

frecuencia mínima de muestreo = 2*fmax

185
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Modulación y demodulación AM-FM

Modulación en amplitud

Señal moduladora

ys ( t ) = As cos (ωst )

Señal portadora

y p ( t ) = Ap cos (ω p t )

Señal modulada

y ( t ) = Ap 1 + mAp xn ( t )  cos (ω p t )

donde:

y(t) = señal modulada


xn(t) = señal moduladora normalizada con respecto a su amplitud = ys(t) / As
m = índice de modulación (suele ser menor que la unidad)=As / Ap

La expresión matemática de la señal modulada en frecuencia está dada por:

 Δf 
v ( t ) = V p sen  2π f p t + cos ( 2π f mt ) 
 fm 

El índice de modulación es:

Δf
m=
fm
donde:

mf = índice de modulación
∆f = variación de la frecuencia de la portadora
Fm = frecuencia de la portadora

Decibel

P
dB = 10 log10  1 
 P0 

186
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

El decibel referenciado a 1 mW

 P 
P ( dBm ) = 10 log10  1 
 1 mW 

Densidad de flujo (W/m2)

 P1 
( )
S dBW / m 2 = 10 log10  2 
 1W / m 

Decibel referenciado a µV

 U 
U ( dBμV ) = 20 log10  1 
 1 μV 

Acoplamiento de impedancias

Decibel en antenas

dBi = Ganancia de una antena referenciada a una antena isotrópica


dBd = Ganancia de una antena referenciada a una antena dipolo
dBq = Ganancia de una antena referenciada a una antena de un cuarto longitud de onda

Decibel en acústica

dB(SPL) = Nivel de presión del sonido relativo a 20 µPa


dB(PA) = dB relativo a un pascal
dB SIL = intensidad de nivel de sonido referenciado a 10 E - 12 W/m2
dB SWL = Nivel de potencia del sonido referenciado a 10 E – 12 W

187
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Oscilador de relajación UJT

donde:

V p = Vd + Va = Vd + nVbb
n = R1 / ( R1 + R2 ) = R1 / Rbb
T = Re Ce ln 1 / (1 − n ) 
Re max = (Vbb − V p ) / I p
Vbb = ( Re min ) Iv + Vv

Oscilador de relajación PUT

donde:

Vg = Vbb Rb1 / ( Rb1 + Rb 2 ) = nVbb

188
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Vak = V p = Vd + Vg = 0.7 + nVbb


T = RC ln (1 + Rb1 / Rb 2 )
Rmax = (Vbb − V p ) / I p
Rmin = (Vbb − Vv ) Iv

189
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Instrumentación

Valor promedio

área bajo la curva


Aprom =
longitud del periodo

Siendo A prom el valor promedio de la onda

T
1
Aprom =
T  f ( t ) dt
0

El valor rms

T
1 
f (t )  f ( t )  dt
2 2
Arms = =
T 0 

Señal senoidal Rectificador de media onda


APROM = 0 APROM = 0.31A0
Arms = 0.7071A0 Arms = 0.5 A0
Rectificador de onda completa Señal triangular
APROM = 0.636 A0 APROM = 0
Arms = 0.7071A0 A03
Arms =
3
Señal cuadrada Señal senoidal desplazada con
CD
A0 APROM = A1
APROM =
2 1
( A0 − A1 )
2
A Arms = A12 +
Arms = 0 2
2

Errores en medición

Error absoluto = Resultado - Valor verdadero

Error absoluto
Error relativo =
Valor verdadero

190
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Valor promedio

a1 + a2 + ... + an
a prom =
n

donde:

aprom = valor promedio


an = valor de cada lectura
n = número de lecturas

Desviación estándar y varianza

d12 + d 22 + ... + d n2
σ=
n −1

donde:

σ = desviación estándar
di = desviación de la lectura i-ésima con respecto al valor promedio
L a varianza V es el valor de la desviación estándar σ elevado al cuadro

Distribución gaussiana

V =σ2

191
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Puentes de Wheatstone

Rx R2
=
R3 R1

Puente ligeramente desbalanceado

RTH = ( R1  R2 ) + ( R3  Rx )

R3 ΔR
VTH = V0
2 R3 Rx + R32 + Rx2

Si las cuatro resistencias son iguales el puente esta en equilibrio por lo cual:

RTH = R
ΔR
VTH = V0
4R

Puente de Kelvin

R5 R1
=
R6 R2

192
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Ruido térmico o ruido de Jhonson

En = 4 KTR ( f H − f L )

donde:

K = constante de Boltzman = 1.38E-23 J/K


T = temperatura (K)
R = Valor de la resistencia (Ω)
fH = frecuencia máxima de operación (Hz)
fL = frecuencia mínima de operación (Hz)

Amplificador de instrumentación

193
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

 1 
I g = (V2 − V1 ) 
 R 
 g
 2R 
Vintermedio = (V2 − V1 )  1 + 1 
 Rg 

 2R  R
Vout = (V2 − V1 )  1 + 1  3
 Rg  R2

 2R 
Vout = (V2 − V1 )  1 + 1 
 Rg 

El rechazo de modo común es máximo cuando:

R5 R7
= =k
R 4 R6

Termopar

La relación de temperatura voltaje es:

V0 = AT + BT 2

Termistor

El cambio de resistencia de los termistores en respuesta a cambios en la temperatura

1
= A + B ln R + C ( ln R )
3

donde:

T = temperatura (K)
R = resistencia del termistor (Ω)
A,B,C = constantes del ajuste de curva

La proximación de la resistencia se obtiene con:

1 1 
β − 
 T T0 
R = R0 e

donde:

R = resistencia a la temperatura T (K)


R0 = resistencia a T0 (K)

194
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

β = constante del ajuste de curva

Sensores

Sensores resistivos

Potenciómetros

ρ ρ
R= l (1 − α ) = (l − x )
A A

donde:

x = distancia recorrida desde un punto fijo


α = fracción de longitud correspondiente en un punto fijo
ρ = coeficiente de resistividad del material
l = longitud del material
A = sección transversal del material

Galgas extensométricas

Las galgas extensométricas se basan en la variación de la resistencia de un conductor o


un semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo mecánico.

l
R=ρ
A

Si se somete a un esfuerzo en la dirección longitudinal R cambia.

dR d ρ dl dA
= + −
R ρ l A

El cambio de longitud que resulta se determina a través de la ley de Hooke

F dl
σ= = Eε = E
A l

donde:

E = módulo de Young
σ = tensión mecánica
ε = deformación unitaria

195
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Fotorresistencia

Energía de la radiación óptica

E = hf

donde:

E = energía
h = constante de Planck 6.62 x 10-34 Ws2
f = frecuencia

Para la longitud de onda de radiación

hc
λ=
E

donde:

c = velocidad de la luz
h = constante de Plack
E = 1.602E-19 J

Sensores capacitivos

Condensadores variables

A
C ≈ ε 0ε r ( n − 1)
d

donde:

A = área de las placas


d = distancia entre pares de placas
εr = constante dieléctrica relativa
ε0 = 8.85 pF/m

Los sensores capacitivos no son lineales, su linealidad depende del parámetro que varía y
del tipo de medición. En un condensador plano, si varía A o εr por lo cual:

A
C =ε
d (1 + α )

donde:
d
α=
x

196
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Condensador diferencial

εA
C1 =
d1 + x

εA
C2 =
d2 − x

1
di − x di − x
Vi = V =V
1 1 2d i
+
di + x di − x

Por lo cual, para el caso en que d1 y d2, se tiene:

x
V1 − V2 = V
d

Sensores inductivos

La inductancia se expresa como:


L=N
di

donde:

N = número de vuelas del circuito


I = corriente
Φ = flujo magnético

El flujo magnético se obtiene con:

M
Φ=
R

197
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

donde:

M = fuerza electromotriz
R = reluctancia

Para una bobina de sección A y de longitud l, la reluctancia es:

1 1
R=
μ0 μr A

Sensores electromagnéticos.

Sensor basados en la ley de Faraday


e = −N
dt

Tacogeneradores

La tensión inducida por el generador es:

e = NBAω  senω tdt

Si ω es constante

e = − NBAω cos ωt

Sensores de velocidad lineal

e = Blv

donde:

L = longitud del conductor


v = velocidad lineal

198
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Sensores de efecto Hall

VH t
AH =
IB

Aportación de magnitud y fase para cada término de la función de transferencia

Término Magnitud Ángulo de fase Magnitud logarítmica Ángulo de


logarítmica fase
K 20 log K φ = 0° 20log K φ = 0°
Línea diagonal con
jω 20log ω φ = 90° pendiente 20 dB/dec que φ = 90°
cruza el punto (w=1,db=0)
1 Línea diagonal con
−20log ω φ = −90° pendiente –20 dB/dec que φ = -90°
jω cruza el punto (w=1,db=0)
0 db, hasta la frecuencia de
corte. φ de 0° a 90°
jωτ + 1 20log ωτ φ = tan −1 ωτ
(ω=1/τ Pendiente 20 dB/dec en (ω=1/τ) = 45°
a partir de ω>1/τ
0 db, hasta la frecuencia de
corte
1 (ω=1/τ
φ de 0° a – 90°
−20log ωτ φ = − tan −1 ωτ
jωτ + 1 en (ω=1/τ) = −45°
Pendiente - 20 dB/dec a
partir de ω>1/τ
 ω 
 2ς  Línea horizontal 0 db hasta
ω 2
jω ω  −1  ωn  ω=ωn φ de 0° a 180°
− + + 1 40 log   φ = tan  2
ωn ωn
2
 ωn  1 −  ω  
Pendiente 40 dB/dec para en (ω=ων ) = 90°
  ωn  
ω>ωn

 ω 
 2ς  Línea horizontal 0 db hasta
1 ω  −1  ωn  φ de 0° a -180°
−40 log   φ = − tan  ω=ωn
ω 2 jω 2
− 2+ +1  ωn  1 −  ω   Pendiente -40 dB/dec
en:
ω n ωn   ωn   para ω>ωn
(ω=ων ) = −90°

e− jωt0 0 φ = −57.3ωt0 0 φ = -57.3 ωto

199
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Transformada Z

La TZ bilateral de una señal definida en el dominio del tiempo discreto x[n] es una función
X (z) que se define:


X ( z ) = Z { x [ n ]} =  x [ n] z −n

n =−∞

donde:

n = un entero
z = un número complejo

200
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Datos prácticos

Sistema de unidades eléctricas. Fórmulas fundamentales en CD

Magnitud Sistema Fórmulas más


utilizadas para su
cálculo
MKSI CGSEM
Unidad Símbolo Unidad Símbolo
Desplazamiento o I, Ampere A I=V/R
inducción i
Cantidad de Q Coulomb Q Q=I·t
electricidad
d.d.p. o tensión U Volt V V=R·I
Resistencia R Ohm Ω R=V/I
Capacidad C Farad F C=Q/V
Campo eléctrico y E V/m -- E=F/Q
gradiente de
potencia
Desplazamiento o D Q/m2 -- D=ϵ·E
inducción
electrostática
Inducción B Tesla W/m2 Gauss Gs β=1,25 · N · I · μ/L
magnética (Gs)
Campo magnético H A/m -- Oersted Oe H=1,25 · N · I/L
(Oe)
Permeabilidad μ -- -- μ=β/H
Flujo magnético Φ Weber Wb Maxwell Mx Φ=1,25·N·I·μ·S/L
(mx)
Fuerza Ampere At, A Gisbert Gb ϵ=1,25 · N · I
magnetomotriz
Inductancia L Henry H L=N·φ/108·I
Reluctancia R At/Wb R=I/S·μ
Intensidad luminosa I Candela Cd I=φ/ω
Flujo luminoso Φ Lumen lm Φ=Q/t
Cantidad de luz Q lm/s -- --
Iluminación E Lux lx E=φ/S
Brillo Stilb sb Sb=1 cd/1 cm2
1 nit= 1 cd/1 m2

201
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Resistividad ρ y conductividad γ de conductores (a 20 °C)

ρ 1 ρ 1
Material 2 γ = Material 2 γ =
Ω ⋅ mm / m ρ Ω ⋅ mm / m ρ
Acero dulce 0.13 7.7 Latón Ms 63 0.071 14
Aluminio 0.0278 36 Magnesio 0.0435 23
Antimonio 0.417 2.4 Manganina 0.423 2.37
Cadmio 0.076 13.1 Mercurio 0.941 1.063
Carbón 40 0.025 Níquel 0.087 11.5
Cobre (eléc.) 0.0175 57 Niquelina 0.5 2.0
Constantán 0.48 2.08 Oro 0.0222 45
Cromo-Ni-Fe 0.10 10 Plata 0.016 62.5
Estaño 0.12 8.3 Plata alemana 0.369 2.71
Hierro fundido 1 1 Platino 0.111 9
Hierro (puro) 0.10 10 Plomo 0.208 4.8
Grafito 8.00 0.125 Tungsteno 0.059 17
Latón Ms 58 0.059 17 Zinc 0.061 16.5

Resistividad de ρ aislantes

Material Ω ⋅ cm Material Ω ⋅ cm
Aceite de parafina 1018 Mica 1017
Agua de mar 106 Parafina (pura) 1018
Agua destilada 107 Plexiglás 1015
Ámbar comprimido 1018 Poliestireno 1018
Baquelita 1014 Porcelana 1014
Caucho (hule) duro 1018 Tierra húmeda 108
Mármol 1010 Vidrio 1015

Coeficiente térmico de resistencia α20 (a 20 °C)

Material C −1, K −1
o Material C −1, K −1
o

Acero dulce + 0.00660 Manganina +/- 0.00001


Aluminio + 0.00390 Mercurio + 0.00090
Carbón - 0.00030 Níquel + 0.00400
Cobre + 0.00380 Niquelina + 0.00023
Constantán - 0.00003 Plata + 0.00377
Estaño + 0.00420 Plata alemana + 0.00070
Grafito - 0.00020 Platino + 0.00390
Latón + 0.00150 Zinc + 0.00370

202
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Constante dieléctrica ε r

Material aislante εr Material aislante εr Material aislante εr


Aceite de oliva 3 Caucho (hule) duro 4 Papel Kraft 4.5
Aceite de parafina 2.2 Caucho (hule) suave 2.5 Papel pescado 4
Aceite de ricino 4.7 Compuesto 2.5 Parafina 2.2
(compound)
Aceite mineral para 2.2 Cuarzo 4.5 Petróleo 2.2
transformadores
Aceite vegetal para 2.5 Ebonita 2.5 Pizarra 4
transformadores
Agua 80 Esteatita 6 Plexiglás 3.2
Aire 1 Fibra vulcanizada 2.5 Poliamida 5
Aislamiento para 4.2 Gutapercha 4 Polistireno 3
cable alta tensión
Aislamiento para 1.5 Laca (Shellac) 3.5 Porcelana 4.4
cable telefónico
Araldita 3.6 Mármol 8 Resina fenólica 8
Baquelita 3.6 Mica 6 Teflón 2
Cartón comprimido 4 Micanita 5 Tela 4
Papel 2.3 Trementina 2.2
(aguarrás)
Papel impregnado 5 Vidrio 5

Serie de potenciales electroquímicos


Diferencia de potencial referida a electrodo de hidrógeno

Material Volts Material Volts Material Volts


Aluminio -1.66 Hidrógeno 0.00 Platino +1.20
Berilio -1.85 Hierro -0.41 Plomo -0.13
Cadmio -0.40 Magnesio -2.37 Potasio -2.93
Calcio -2.87 Manganeso -1.19 Sodio -2.71
Cobalto -0.28 Mercurio +0.85 Tungsteno -0.58
Cobre +0.34 Níquel -0.23 Zinc -0.76
Cromo -0.74 Oro +1.50
Estaño -0.14 Plata +0.80

Números estandarizados mediante una razón progresiva

(
Serie E 6 ≈ 6 10 ) (
Serie E 12 ≈ 12 10 ) (
Serie E 24 ≈ 24 10 )
1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7 1.0 2.2 4.7
1.1 2.4 5.1
1.2 2.7 5.6 1.2 2.7 5.6
1.3 3.0 6.2
1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8 1.5 3.3 6.8

203
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

1.6 3.6 7.5


1.8 3.9 8.2 1.8 3.9 8.2
2.0 4.3 9.1
10 22 47 10 22 47 10 22 47
etc. etc. etc.

Intensidad de campo h y permeabilidad relativa μr en función de la inducción


magnética b deseada

Inducción o densidad Hierro fundido Acero fundido y Lámina de acero


de flujo lámina tipo aleado
“dynamo” ρFe10 = 1.3W / Kg
ρFe10 = 3.6W / Kg
B H μr H μr H μr
Tesla Gauss(Gs) A/m A/m A/m
(T=Vs/m2)
0.1 1 000 440 181 30 2 650 8.5 9 390
0.2 2 000 740 215 60 2 650 25 6 350
0.3 3 000 980 243 80 2 980 40 5 970
0.4 4 000 1 250 254 100 4 180 65 4 900
0.5 5 000 1 650 241 120 3 310 90 4 420
0.6 6 000 2 100 227 140 3 410 125 3 810
0.7 7 000 3 600 154 170 3 280 170 3 280
0.8 8 000 5 300 120 190 3 350 220 2 900
0.9 9 000 7 400 97 230 3 110 280 2 550
1.0 10 000 10 300 77 295 2 690 355 2 240
1.1 11 000 14 000 63 370 2 360 460 1 900
1.2 12 000 19 500 49 520 1 830 660 1 445
1.3 13 000 29 000 36 750 1 380 820 1260
1.4 14 000 42 000 26 1 250 890 2 250 495
1.6 16 000 3 500 363 8 500 150
1.7 17 000 7 900 171 13 100 103
1.8 18 000 12 000 119 21 500 67
1.9 19 000 19 100 79 39 000 39
2.0 20 000 30 500 52 115 000 14
2.1 21 000 50 700 33
2.2 22 000 130 000 13
2.3 23 000 218 000 4

204
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Valores para lámina tipo “dynamo” (de la norma din 46 400)

Clase Lámina Lámina de aleación


normal Baja Mediana Alta
Tipo I 3.6 II 3.0 III 2.3 IV 1.5 IV 1.3
Tamaño 1 000 x 2 000 750 x 1 500
mm x mm
Espesor, mm 0.5 0.35
Densidad, kg/dm3 7.8 7.75 7.65 7.6
Valor máximo ρFe10 3.6 3.0 2.3 1.5 1.3
de las pérdidas,
W/kg ρFe10 8.6 7.2 5.6 3.7 3.3
Valor B25 Tesla 1.53 1.50 1.47 1.43
mínimo Gauss 15 300 15 300 14 700 14 300
de la B50 Tesla 1.63 1.60 1.57 1.55
inducción Gauss 16 300 16 000 15 700 15 500
B100 Tesla 1.73 1.71 1.69 1.65
Gauss 17 300 17 100 16 900 16 500
B300 Tesla 1.98 1.95 1.93 1.85
Gauss 19 800 19 500 19 300 18 500

Explicaciones: B25 = 1.53 tesla significa que una inducción o densidad de flujo mínima de
1.53 T se alcanzará con una intensidad de campo de 25 A/cm. Para una línea de flujo de,
p. ej., 5 cm, se necesitarán: 5 x 25 = 125 A.

ρFe10 Pérdidas magnéticas por unidad de masa 10 000 Gs = 1.0 tesla


con las inducciones de:
ρFe15 15 000 Gs = 1.5 tesla

Los valores corresponden a las siguientes condiciones:

Densidad a t=15 °C
Temperaturas (o puntos) de fusión y de ebullición para ρ = 1.0132 bar = 760 Torr
Los valores entre paréntesis indican sublimación, o sea, cambio directo del estado sólido
al gaseoso.
Conductividad térmica a 20 °C

Capacidad térmica específica (o calor específico) para el intervalo de temperaturas 0 < t <
100 °C

Puntos de
Conductividad Calor
Densidad Fusión
ρ Ebullición térmica específico
Sustancia (soldf.)
k c
kg/dm3 °C °C W/(mK)(1) kJ/(kgK)(2)
Aceite de colza 0.91(3) -3.5 300 0.17 1.97
Aceite de linaza 0.94(3) -20 316 0.15

205
Formulario para el sustentante del
Examen General para el Egreso de la Licenciatura en Ingeniería Electrónica (EGEL-IELECTRO)
Dirección de Diseño, Ingenierías y Arquitectura

Aceite para
0.92(3) -5 175-350 0.12
calefacción
Aceite para máquinas 0.91 -5 380-400 0.126 1.67
Aceite para
0.87 -5 170 0.15 1.84
transformadores
Acero 7.85 ~1 350 2 500 47-58 0.46
Acero colado 7.8 ~1 350 52.3 0.502
Acero dulce 7.85 ~1 400 2 500 46.5 0.461
Acero de alta
8.4-9.0 ~1 650 2 600 25.6 0.498
velocidad
Acetona 0.79(3) 56.1
Ácido acético 1.08 16.8 118
Ácido cianhídrico 0.7 -15 27
Ácido clorhídrico 10% 1.05 -14 102 0.50 3.14
Ácido clorhídrico 40% 1.20
Ácido fluorhídrico 0.99 -92.5 19.5
Ácido nítrico 1.56(4) -1.3 86 0.53 2.72
Ácido sulfúrico 1.49(5) -73 -10 1.34
Ácido sulfúrico 50% 1.40
Ácido sulfúrico
1.84 10-0 338 0.5 1.38
concentrado
Ágata ~2.6 ~1 600 ~2 600 11.20 0.80
Agua 1.0(6) 0 100 0.58 4.183
Alcohol 0.79 -130 78.4 0.17-0.23 2.42
Alcohol etílico 95% 0.82(3) -90 78 0.16
Alcohol metílico 0.8 -98 66 2.51

206
Ceneval, A.C.
Camino al Desierto de los Leones (Altavista) 19,
Col. San Ángel, Del. Álvaro Obregón, C.P. 01000, México, D.F.
www.ceneval.edu.mx

El Centro Nacional de Evaluación para la Educación Superior es una asociación civil sin
fines de lucro que quedó formalmente constituida el 28 de abril de 1994, como consta en
la escritura pública número 87036 pasada ante la fe del notario 49 del Distrito Federal.
Sus órganos de gobierno son la Asamblea General, el Consejo Directivo y la Dirección
General. Su máxima autoridad es la Asamblea General, cuya integración se presenta a
continuación, según el sector al que pertenecen los asociados, así como los porcentajes
que les corresponden en la toma de decisiones:

Asociaciones e instituciones educativas (40%):


Asociación Nacional de Universidades e Instituciones de Educación Superior, A.C.
(ANUIES); Federación de Instituciones Mexicanas Particulares de Educación Superior,
A.C. (FIMPES); Instituto Politécnico Nacional (IPN); Instituto Tecnológico y de Estudios
Superiores de Monterrey (ITESM); Universidad Autónoma del Estado de México (UAEM);
Universidad Autónoma de San Luis Potosí (UASLP); Universidad Autónoma de Yucatán
(UADY); Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM); Universidad Popular
Autónoma del Estado de Puebla (UPAEP); Universidad Tecnológica de México (UNITEC).

Asociaciones y colegios de profesionales (20%):


Barra Mexicana Colegio de Abogados, A.C.; Colegio Nacional de Actuarios, A.C.; Colegio
Nacional de Psicólogos, A.C.; Federación de Colegios y Asociaciones de Médicos
Veterinarios y Zootecnistas de México, A.C.; Instituto Mexicano de Contadores Públicos, A.C.

Organizaciones productivas y sociales (20%):


Academia de Ingeniería, A.C.; Academia Mexicana de Ciencias, A.C.; Academia Nacional
de Medicina, A.C.; Fundación ICA, A.C.

Autoridades educativas gubernamentales (20%):


Secretaría de Educación Pública.

• Ceneval, A.C.®, EXANI-I®, EXANI-II® son marcas registradas ante la Secretaría de


Comercio y Fomento Industrial con el número 478968 del 29 de julio de 1994. EGEL®,
con el número 628837 del 1 de julio de 1999, y EXANI-III®, con el número 628839 del 1
de julio de 1999.
• Inscrito en el Registro Nacional de Instituciones Científicas y Tecnológicas del Consejo
Nacional de Ciencia y Tecnología con el número 506 desde el 10 de marzo de 1995.
• Organismo Certificador acreditado por el Consejo de Normalización y Certificación de
Competencia Laboral (CONOCER) (1998).
• Miembro de la International Association for Educational Assessment.
• Miembro de la European Association of Institutional Research.
• Miembro del Consortium for North American Higher Education Collaboration.
• Miembro del Institutional Management for Higher Education de la OCDE.
Dirección General Adjunta de los EGEL

ENERO • 2014

También podría gustarte