UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2021-2

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 22/11/2021

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h 30Min

CURSO: ELECTRÓNICA DE POTENCIA COD. CURSO: EE 532P

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 3 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

PARTE 1 (40 MINUTOS)

Problema 1
Para el circuito de conmutación con transistor MOSFET de canal N mostrado en la
figura:
a) Dibuje un diagrama de tiempo mostrando las señales Vs, 𝐼𝐺 y 𝑉𝐺𝑆 .
b) Determine Vs a partir de las curvas características 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 para lograr una
corriente Id = 11X Amp con un voltaje Vds<1V.
c) Determine la cantidad de carga 𝑄𝑇 a partir de las curvas características 𝑉𝐺𝑆 𝑣𝑠 𝑄𝐺𝑆
de acuerdo con lo obtenido en el paso (b).
d) Calcule la corriente de pico de activación 𝐼𝐺(𝑂𝑁) y la corriente de pico de
desactivación 𝐼𝐺(𝑂𝐹𝐹) .
e) Calcule la resistencia 𝑅𝐺(𝑂𝑁) 𝑦 𝑅𝐺(𝑂𝐹𝐹) .

Datos: 𝐼𝑑 = 11𝑋 𝐴𝑚𝑝 ; 𝑉𝐷𝑆(𝑂𝑁) < 1𝑉 V1=𝑉𝐷𝐷 = 7𝑌 Voltios

𝑡𝑟 = 220𝑛𝑠 𝑡𝑓 = 270𝑛𝑠, frecuencia de conmutación fs = 250KHz.

donde XY son los dos últimos dígitos decimales del código del estudiante.

R1

RGon D1

Q1
V1

RGoff D2

Vs