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AMPLIFICADORES DE RF
Ing. José Ignacio Cangemi
Laboratorio de Telecomunicaciones – FACET - UNT
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES
CON TRANSISTORES
Z0
Circuito de Circuito de
Adaptación Transistor Adaptación
Vg Z0
de [S] de
Entrada Salida
Γg Γe Γs Γc
Zg Ze Zs Zc
• Potencialmente inestable:
La red es potencialmente inestable si Γ𝑒𝑒 < 1 y Γ𝑠𝑠 < 1 sólo para
un rango de impedancias de generador y de salida.
CÍRCULOS DE ESTABILIDAD
• Si aplicamos los criterios de estabilidad incondicional:
𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 Γ𝑐𝑐
Γ𝑒𝑒 = 𝑆𝑆11 + <1
1 − 𝑆𝑆22 Γ𝑐𝑐
𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 Γ𝑔𝑔
Γ𝑠𝑠 = 𝑆𝑆22 + <1
1 − 𝑆𝑆11 Γ𝑔𝑔
𝑺𝑺𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑺𝑺𝟐𝟐𝟐𝟐
𝑅𝑅𝑐𝑐 =
𝑺𝑺𝟐𝟐𝟐𝟐 𝟐𝟐 − 𝜟𝜟 𝟐𝟐
𝑺𝑺𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑺𝑺𝟐𝟐𝟐𝟐
𝑅𝑅𝒈𝒈 =
𝑺𝑺𝟏𝟏𝟏𝟏 𝟐𝟐 − 𝜟𝜟 𝟐𝟐
CÍRCULOS DE ESTABILIDAD
• Los círculos representan la frontera de estabilidad dados Γ𝑔𝑔 𝑍𝑍𝑔𝑔 y Γ𝑐𝑐 𝑍𝑍𝑐𝑐 y
estos son los valores de Γ𝑔𝑔 y de Γ𝑐𝑐 que hacen Γ𝑠𝑠 = 1 y Γ𝑒𝑒 = 1
Γ𝑒𝑒 = 1
Cc Rc
|Γe|<1
(región estable)
CÍRCULOS DE ESTABILIDAD
Cc
Rc
• Dispositivo incondicionalmente
estable ( 𝑆𝑆11 < 1)
PRUEBAS DE ESTABILIDAD
INCONDICIONAL
• Existen 2 pruebas que se pueden realizar para determinar estabilidad
incondicional.
• Condición de Rollet:
2 2 2
1 − 𝑆𝑆11 − 𝑆𝑆22 + Δ
𝐾𝐾 = >1 Δ = 𝑆𝑆11 𝑆𝑆22 − 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 < 1
2 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21
• Condición de Edwards:
1 − 𝑆𝑆11 2
𝜇𝜇 = ∗ >1
𝑆𝑆22 − Δ𝑆𝑆11 + 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21
ADAPTACIÓN CONJUGADA
• Si se cumplen las condiciones de estabilidad incondicional, de Rollet (𝑘𝑘 > 1, Δ < 1) o
de Edwards (𝜇𝜇 > 1) se pueden encontrar Γ𝑔𝑔 y Γ𝑐𝑐 que produzcan máxima ganancia
de transducción 𝐺𝐺𝑡𝑡 𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 con una adaptación conjugada, esto es:
Γ𝑒𝑒 = Γ𝑔𝑔∗ Γ𝑠𝑠 = Γc∗
𝑆𝑆21
𝑔𝑔𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 =
𝑆𝑆12
• Condición de Rollet:
1 − 𝑆𝑆11 2 − 𝑆𝑆22 2
+ Δ 2
𝐾𝐾 = >1 Δ = 𝑆𝑆11 𝑆𝑆22 − 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 < 1
2 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21
• Condición de Edwards:
1 − 𝑆𝑆11 2
𝜇𝜇 = ∗ >1
𝑆𝑆22 − Δ𝑆𝑆11 + 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21
ESTABILIDAD
• Ejemplo:
• Determinar la estabilidad de un transistor que presenta los siguientes parámetros
de dispersión en un punto de polarización:
a. 𝑆𝑆11 = 0.674 ∠ − 152° 𝑆𝑆12 = 0.075 ∠6.2° 𝑆𝑆21 = 1.74 ∠36.4° 𝑆𝑆22 = 0.6 ∠ − 92.6°
b. 𝑆𝑆11 = 0.385 ∠ − 55° 𝑆𝑆12 = 0.045 ∠90° 𝑆𝑆21 = 2.7 ∠ 78° 𝑆𝑆22 = 0.89 ∠ − 26.5°
c. 𝑆𝑆11 = 0.72 ∠ − 116° 𝑆𝑆12 = 0.03 ∠ − 116° 𝑆𝑆21 = 2.6 ∠ 76° 𝑆𝑆22 = 0.73 ∠ − 54°
a. 𝐾𝐾 = 1.284 Δ = 0.386 ∠ 134.2° ⟹ 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑔𝑔𝑡𝑡 𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 = 11.103 = 10.454 𝑑𝑑𝑑𝑑
b. 𝐾𝐾 = 0.909 Δ = 0.402 ∠ − 65.04° ⟹ 𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖
c. 𝐾𝐾 = 1.818 Δ = 0.578 ∠ − 175.9° ⟹ 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑔𝑔𝑡𝑡𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 = 25.98 = 14.15 𝑑𝑑𝑑𝑑
ESTABILIDAD
• b. Incondicionalmente estable
• Problema:
• d. Determinar la estabilidad de un transistor que presenta los siguientes
parámetros de dispersión en un punto de polarización:
𝑆𝑆11 = 0.7 ∠ − 50° 𝑆𝑆12 = 0.27 ∠75° 𝑆𝑆21 = 5 ∠120° 𝑆𝑆22 = 0.6 ∠80°
2 2 2 2
1 − Γ𝑠𝑠 1 − Γ𝑔𝑔 1 − Γ𝑠𝑠 1 − Γ𝑔𝑔
𝑔𝑔𝑡𝑡 � = 𝑆𝑆21 2 = 𝑆𝑆21 2 = 𝑔𝑔𝑎𝑎 (Γ𝑔𝑔 )
Γ𝑐𝑐 =Γ∗𝑠𝑠 2 2
1 − 𝑆𝑆11 Γ𝑔𝑔 1− Γ𝑠𝑠 Γ𝑠𝑠∗ 2 1 − 𝑆𝑆11 Γ𝑔𝑔 1 − Γ𝑠𝑠 2 2
2
1 − Γ𝑔𝑔
2
𝑔𝑔𝑎𝑎 Γ𝑔𝑔 = 𝑆𝑆21 2
1 − 𝑆𝑆11 Γ𝑔𝑔 1 − Γ𝑠𝑠 2
DISPOSITIVOS POTENCIALMENTE
INESTABLES
• Se pueden encontrar valores de Γ𝑔𝑔 que suministren una ganancia 𝑔𝑔𝑎𝑎
especificada. Estos valores forman un círculo en plano de la entrada de
centro y radio 𝐶𝐶𝑎𝑎𝑎𝑎 y 𝑅𝑅𝑎𝑎𝑎𝑎 respectivamente:
∗
𝑔𝑔 𝑆𝑆11 − Δ∗ 𝑆𝑆22 1 − 2𝐾𝐾 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 𝑔𝑔 + 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 2 𝑔𝑔2 𝑔𝑔𝑎𝑎
𝐶𝐶𝑎𝑎𝑎𝑎 = 2 2
𝑅𝑅𝑎𝑎𝑎𝑎 = 2 2
𝑔𝑔 =
1 + 𝑔𝑔 𝑆𝑆11 − Δ 1 + 𝑔𝑔 𝑆𝑆11 − Δ 𝑆𝑆21 2
2
1 − Γ𝑐𝑐 2 1 − Γ𝑒𝑒 2 2
1 − Γ𝑐𝑐 2 1 − Γ𝑒𝑒 2
𝑔𝑔𝑡𝑡 � = 𝑆𝑆21 = 𝑆𝑆21 = 𝑔𝑔𝑝𝑝 (Γ𝑐𝑐 )
Γ𝑔𝑔 =Γ∗𝑒𝑒 1 − 𝑆𝑆22 Γ𝑐𝑐 2 1 − Γ𝑒𝑒 Γ𝑒𝑒∗ 2
1 − 𝑆𝑆22 Γ𝑔𝑔
2
1 − Γ𝑒𝑒 2 2
2
1 − Γ𝑐𝑐 2
𝑔𝑔𝑝𝑝 Γ𝑐𝑐 = 𝑆𝑆21
1 − 𝑆𝑆22 Γ𝑐𝑐 2 1 − Γ𝑒𝑒 2
DISPOSITIVOS POTENCIALMENTE
INESTABLES
• Se pueden encontrar valores de Γ𝑐𝑐 que suministren una ganancia 𝑔𝑔𝑝𝑝
especificada. Estos valores forman un círculo en plano de la entrada de
centro y radio 𝐶𝐶𝑝𝑝 y 𝑅𝑅𝑝𝑝 respectivamente:
∗
𝑔𝑔 𝑆𝑆22 − Δ∗ 𝑆𝑆11 1 − 2𝐾𝐾 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 𝑔𝑔 + 𝑆𝑆12 𝑆𝑆21 2 𝑔𝑔2 𝑔𝑔𝑝𝑝
𝐶𝐶𝑝𝑝 = 𝑅𝑅𝑝𝑝 = 𝑔𝑔 =
1 + 𝑔𝑔 𝑆𝑆22 2 − Δ 2 1 + 𝑔𝑔 𝑆𝑆22 2 − Δ 2 𝑆𝑆21 2
𝑆𝑆 𝑆𝑆 Γ
• Una vez elegido Γ𝑐𝑐 se determina Γ𝑒𝑒 = 𝑆𝑆11 + 12 21 𝑐𝑐 y luego Γ𝑔𝑔 = Γ𝑒𝑒∗ . Si Γ𝑔𝑔 no
1−𝑆𝑆22 Γ𝑐𝑐
cae en el círculo de inestabilidad, la solución es correcta.
DISPOSITIVOS POTENCIALMENTE
INESTABLES
inestable
• Cargar la entrada
Rc
Cc
R Rg
Cg
|Γe|=1
|Γs|=1
Y
|Γe|=1
|Γs|=1
G/Y0
Carga conductiva de
valor G
DISPOSITIVOS POTENCIALMENTE
INESTABLES
inestable
• Cargar la salida
Rc
Cc
Rg
Cg
R
|Γs|=1
R/Z0
|Γe|=1
Y |Γs|=1
G/Y0
Carga conductiva de
valor G
DISPOSITIVOS POTENCIALMENTE
INESTABLES
• Para 𝐾𝐾 < 1 no existe una adaptación conjugada
• Existe una solución para un dispositivo potencialmente inestable con 𝐾𝐾 > 1 y Δ > 1
se puede encontrar una adaptación conjugada utilizando las ecuaciones
anteriores utilizando el signo (+):
∗ ∗
Notar que los círculos tienen el ángulo de 𝑆𝑆11 y de 𝑆𝑆22
DISEÑO PARA UNA GANANCIA
ESPECÍFICA
∗ ∗
• Notar que los círculos tienen el ángulo de 𝑆𝑆11 y de 𝑆𝑆22
gc3
gc2
S11* S22*
gg1 gc1
gg2
gg3
DISEÑO PARA UNA GANANCIA
ESPECÍFICA
• Ejemplo:
• Diseñar un amplificador que tenga una ganancia de 11 dB en 4[GHz]. Dibujar
los círculos de ganancia constante 𝐺𝐺𝑔𝑔 = 2 y 3 𝑑𝑑𝑑𝑑 y para 𝐺𝐺𝑐𝑐 = 1 y 0 𝑑𝑑𝑑𝑑 . Simular la
ganancia entre 3 y 5 [GHz]
𝒇𝒇 𝑺𝑺𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑺𝑺𝟐𝟐𝟐𝟐 𝑺𝑺𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑺𝑺𝟐𝟐𝟐𝟐
3 0.8 ∠ − 90° 2.8 ∠ 100° 0 0.66 ∠ − 50°
4 0.75 ∠ − 120° 2.5 ∠ 80° 0 0.6 ∠ − 70°
5 0.71 ∠ − 140° 2.3 ∠ 60° 0 0.58 ∠ − 85°
4 2
2
Γ − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 1 1 − Γ𝑔𝑔
2 𝑍𝑍0 𝑔𝑔
𝑌𝑌𝑔𝑔 − 𝑌𝑌𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 2 2 𝐺𝐺𝑔𝑔 = 2
1 + Γ𝑔𝑔 1 + Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑍𝑍0 1 + Γ
𝑔𝑔
Podemos reescribir la numero de ruido como:
2
4𝑅𝑅𝑁𝑁 Γ 𝑔𝑔 − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝐹𝐹 = 𝐹𝐹𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 +
𝑍𝑍0 1 − Γ 2 1 + Γ 2
𝑔𝑔 𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE
BAJO RUIDO
• Definimos entonces Parámetro de Ruido:
2
Γ𝑔𝑔 − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐹𝐹 − 𝐹𝐹𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 2
𝑁𝑁 = = 1 + Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
1 − Γ𝑠𝑠 2 4𝑅𝑅𝑁𝑁 /𝑍𝑍0
• 𝑁𝑁 es constante para un número de ruido dado y parámetros de ruido
determinados.
• Reescribiendo la ecuación para N obtenemos:
2
Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑁𝑁 𝑁𝑁 + 1 − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
Γ𝑔𝑔 − =
𝑁𝑁 + 1 𝑁𝑁 + 1
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE
BAJO RUIDO
2
Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑁𝑁 𝑁𝑁 + 1 − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
Γ𝑔𝑔 − =
𝑁𝑁 + 1 𝑁𝑁 + 1
• Esta ecuación define círculos de ruido constantes con centro y radio en:
2
Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑁𝑁 𝑁𝑁 + 1 − Γ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝐶𝐶𝐹𝐹 = 𝑅𝑅𝐹𝐹 =
𝑁𝑁 + 1 𝑁𝑁 + 1
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE
BAJO RUIDO
gg3
Γopt gg2
F1 S11*
gg1
F2
F3
AMPLIFICADORES DE BANDA
ANCHA
• Amplificadores de banda ancha
• En un diseño ideal, los amplificadores tendrían ganancia y ancho de banda
constante, pero en la realidad no es así.
• Normalmente esto sucede porque los transistores no están adaptados a 50 Ω
• Existen variadas soluciones para lograr mantener buena relación
Ganancia/Ancho de Banda/Adaptación, podemos encontrar:
• Amplificadores diferenciales: Buen ancho rechazo al ruido, aumenta la 𝑓𝑓𝑇𝑇
• Amplificadores con adaptación resistiva: Buena adaptación, pero tiene pérdida de
ganancia e incremento de la cifra de ruido.
• Realimentación negativa: Mejora la estabilidad y el ancho de banda a costas de
ganancia
• Amplificadores balanceados: mejora la adaptación en aproximadamente una
octava.
DISEÑO DE AMPLIFICADORES
BALANCEADOS
• Amplificadores balanceados
GA
V1+ VA1+ VA2+
La salida es:
−𝑗𝑗 + 1 +
𝑉𝑉2− = 𝑉𝑉 + 𝑉𝑉𝐵𝐵2
2 𝐴𝐴𝐴 2
−𝑗𝑗 + 1 𝑗𝑗
𝑉𝑉2− = 𝐺𝐺𝐴𝐴 𝑉𝑉𝐴𝐴1 +
+ 𝐺𝐺𝐵𝐵 𝑉𝑉𝐵𝐵1 = − 𝑉𝑉1+ 𝐺𝐺𝐴𝐴 + 𝐺𝐺𝐵𝐵
2 2 2
DISEÑO DE AMPLIFICADORES
BALANCEADOS
Podemos escribir la ganancia como:
𝑉𝑉2− 𝑗𝑗
+ =− 𝐺𝐺𝐴𝐴 + 𝐺𝐺𝐵𝐵
𝑉𝑉1 2
La tensión reflejada en la entrada se puede escribir como:
−
1 − 𝑗𝑗 − 1 + 𝑗𝑗 +
1 +
𝑉𝑉1 = 𝑉𝑉𝐴𝐴𝐴 + 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵 = Γ𝐴𝐴 𝑉𝑉𝐴𝐴𝐴 − Γ𝐵𝐵 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵 = 𝑉𝑉1 Γ𝐴𝐴 − Γ𝐵𝐵
2 2 2 2 2
El coeficiente de reflexión a la entrada −
es:
𝑉𝑉1 1
𝑆𝑆11 = + = Γ𝐴𝐴 − Γ𝐵𝐵
𝑉𝑉1 2
También se puede demostrar que 𝐹𝐹 = 𝐹𝐹𝐴𝐴 + 𝐹𝐹𝐵𝐵 /2