AÑO 2022 Ingeniería en

Mecatrónica

Unidad Nº 1
Panorama general de los
Semiconductores de potencia
ELECTRONICA DE POTENCIA

Ing. Alcides L. Burna

Bibliografía:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA CONVERTIDORES, APLICACIONES Y DISEÑO - Ned Mohan - T. Undeland - W. Robbins

ELECTRÓNICA DE POTENCIA, COMPONENTES, TOPOLOGÍAS Y EQUIPOS. Juan A. Gualda Gil , Salvador Martínez García

ELECTRÓNICA DE POTENCIA BÁSICA - Henriquez Harper

ELECTRONICA DE POTENCIA - Rashid, Muhammad H.

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Índice temático
1. PANORAMA GENERAL DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA _______________________________ 3
1.1. INTRODUCCIÓN_____________________________________________________________________________ 3
1.2. DIODOS ___________________________________________________________________________________ 3
1.3. TIRISTORES ________________________________________________________________________________ 4
1.4. CARACTERÍSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES CONTROLABLES ___________________________________ 7
1.5. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR Y DARLINGTONS MONOLÍTICOS _________________________________ 10
1.6. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR ___________________________ 11
1.7. TIRISTOR DESACTIVADO POR COMPUERTA (GTO) ________________________________________________ 12
1.8. TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT) ____________________________________________ 13
1.9. TIRISTORES CONTROLADOS MOS (MCT) ________________________________________________________ 14
1.10. COMPARACIÓN DE INTERRUPTORES CONTROLABLES _____________________________________________ 15
1.11. CIRCUITOS DE CONTROL Y AMORTIGUADORES (SNUBBERS) ________________________________________ 15
1.12. JUSTIFICACIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE DISPOSITIVOS IDEALIZADAS _____________________________ 16

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1. PANORAMA GENERAL DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1.1. INTRODUCCIÓN

Las crecientes capacidades de energía, la facilidad de control y los costos reducidos de los dispositivos de
semiconductores modernos de potencia, en comparación con los de hace apenas unos cuantos años, han hecho que los
convertidores sean asequibles en un gran número de aplicaciones y han abierto una infinidad de nuevas topologías de
convertidores para aplicaciones de la electrónica de potencia. A fin de entender claramente la factibilidad de estas
nuevas topologías y aplicaciones es fundamental apreciar en su conjunto las características de los dispositivos de
potencia disponibles. Para este fin se presenta en este capítulo un breve resumen de las características de terminales y
las capacidades de tensión, corriente y velocidad de conmutación de dispositivos de potencia actualmente disponibles.

Si los dispositivos de semiconductores de potencia se consideran interruptores ideales, el análisis de las topologías de
convertidores se facilita en gran medida. Este planteamiento tiene la ventaja de que los detalles de la operación de
dispositivos no ocultará la operación básica del circuito. Por tanto, se entienden mejor las importantes características
de los convertidores. Un resumen de las características de dispositivos permitirá determinar hasta qué grado es posible
idealizar las características de dispositivos.

Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se clasifican en tres grupos, de acuerdo con su grado de
controlabilidad:

1. Diodos. Estados de conexión y desconexión controlados por el circuito de potencia.

2. Tiristores. Son activados mediante una señal de control, pero pueden ser desactivados por medio del
circuito de potencia (control por fase) o por un circuito de control externo.

3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante señales de control.

La categoría de interruptores controlables abarca varios tipos de dispositivos, como transistores de unión bipolar
(bipolar junction transistors, BJT), transistores de efecto de campo óxido metálico semiconductor (metal-oxide-
semiconductor field effect transistors, MOSFET), tiristores desactivables por puerta (GTO) y transistores bipolares de
puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IGBT). Durante los últimos años se registraron avances importantes
en esta categoría de dispositivos.

1.2. DIODOS

Las figuras 2-1a y 2-1b muestran el símbolo de circuito para el diodo y su característica de estado permanente .
Cuando el diodo está polarizado en directa, empieza a conducir con sólo un pequeño voltaje en directo a través de él,
que está en el orden de 1 V. Cuando el diodo está en polarización inversa, sólo una corriente de fuga muy insignificante

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fluye a través del dispositivo hasta que se alcanza la tensión de ruptura inversa. En la operación normal, el voltaje de
polarización inversa no debe alcanzar el punto de ruptura.

En vista de una corriente de fuga muy pequeña en el estado de bloqueo (polarización inversa) y una pequeña tensión
en el estado de conducción (polarización directa), en comparación con las tensiones y corrientes de operación en las
que se usa el diodo, se puede idealizar la característica de i-v para el diodo, como se muestra en la figura 2-1c. Esta
característica idealizada sirve para analizar la topología del convertidor, pero no se debe usar para el propio diseño del
convertidor cuando se estiman, por ejemplo, los requisitos del disipador de calor para el dispositivo.

Al encenderlo, el diodo puede considerarse un interruptor ideal porque se enciende rápido en comparación con los
transitorios en el circuito de energía. Sin embargo, al apagarlo, la corriente del diodo se invierte para un tiempo de
recuperación inversa , como se indica en la figura 2-2, antes de caer a cero. Esta corriente de recuperación inversa
(negativa) es necesaria para barrer los portadores de exceso en el diodo y permitirle bloquear un voltaje de polaridad
negativa. La corriente de recuperación inversa puede dar lugar a excesos de voltaje en circuitos inductivos. En la mayoría
de los circuitos, esta corriente inversa
no afecta la característica de
entrada/salida del convertidor, así
que el diodo también puede
considerarse ideal durante el
fenómeno transitorio de
desconexión.

Según los requisitos de la aplicación, están disponibles varios tipos de diodos:

1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una caída baja de tensión directa (normalmente 0.3
V) en circuitos de tensión de salida muy baja. Estos diodos están limitados en su capacidad de tensión de
bloqueo a 50 100 V.

2. Diodos de recuperación rápida. Estos diodos están diseñados para el uso en circuitos de alta frecuencia, en
combinación con interruptores controlables donde se necesita un tiempo corto de recuperación inversa. En
niveles de energía de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos tienen un grado de
, de menos que unos cuantos milisegundos.

3. Diodos de frecuencia de línea. El voltaje de estado de encendido de estos diodos está diseñado para ser lo
más bajo posible, y en consecuencia tienen tiempos más grandes, aceptables para aplicaciones de
frecuencia de línea. Estos diodos están disponibles con magnitudes de voltaje de bloqueo de varios kilovoltios
y magnitudes de corriente de varios kiloamperios. Además, se pueden conectar en serie y paralelo para
satisfacer cualquier requisito de corriente.

1.3. TIRISTORES

El símbolo de circuito y su característica de i-v se muestran en las figuras 2-3a y 2-3b. La corriente principal fluye desde
el ánodo (A) al cátodo (K). En su estado inactivo, el tiristor puede bloquear una tensión de polaridad directa y no
conducir, como se muestra en la figura 2-3b por la parte inactiva de la característica de .

El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de la aplicación de un pulso de corriente de puerta
positiva durante un periodo breve, siempre que el dispositivo esté en estado de bloqueo directo. La relación de
resultante se ilustra por la parte activa de las características que se muestran en la figura 2-3b. La caída de tensión
directa en el estado activo sólo es de unos cuantos voltios (por lo general 1-3 V, según la magnitud de bloqueo de voltaje
del dispositivo).

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Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y la corriente de puerta puede eliminarse. El tiristor
no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce como un diodo. Sólo cuando la corriente del ánodo intenta
volverse negativa (por influencia del circuito en el que el tiristor está conectado) se apaga el tiristor y la corriente va a
cero. Esto permite que la puerta recupere el control, a fin de encender el dispositivo en algún momento controlable
después de que nuevamente haya entrado en el estado de bloqueo directo.

En polarización inversa y con tensiones debajo del voltaje de ruptura inversa, sólo una corriente de fuga muy
insignificante fluye en el tiristor, como se muestra en la figura 2-3b. Normalmente las corrientes nominales de tiristores
para voltajes de bloqueo directo e inverso son las mismas. Las corrientes nominales del tiristor se especifican en
términos de los rms (de root-mean-square) máximos y las corrientes medias que fuese capaz de conducir.

Con los mismos argumentos que se emplearon para los diodos, el tiristor puede representarse por las características
idealizadas que se muestran en la figura 2-3c para el análisis de topologías de convertidores.

En una aplicación como el circuito sencillo que se muestra en la figura 2-4a, el control se ejerce sobre el instante de la
conducción de corriente durante el semiciclo positivo de la tensión del generador. Cuando la corriente del tiristor trata
de invertirse, cuando la tensión del generador se vuelve negativa, el tiristor idealizado tendría su corriente en cero
inmediatamente después de 1/2 , tal como se muestra en la forma de onda en la figura 2-4b.

Sin embargo, como se especifica en las hojas de datos de tiristores y se ilustra por las formas de onda en la figura 2-4c,
la corriente del tiristor se invierte antes de llegar a cero. El parámetro importante no es el tiempo que transcurre para
que la corriente se vuelva cero desde su valor negativo, sino el intervalo de apagado definido en la figura 2-4c desde
el paso de enlace cero de la corriente hasta el paso de enlace cero de la tensión a través del tiristor. Durante se debe
mantener una tensión inversa a través del tiristor, y sólo después de este tiempo el dispositivo es capaz de bloquear
una tensión directa sin entrar en su estado activo.

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Si se aplica una tensión directa al tiristor antes de que haya pasado este intervalo, puede que el dispositivo se encienda
en forma permanente, lo que podrá infligir un daño al dispositivo y/o circuito. Las hojas de datos de tiristores especifican
con un voltaje inverso especificado que se aplica durante este intervalo, así como una magnitud especificada de

aumento de la tensión más allá de este intervalo. Este intervalo se denomina a veces el tiempo de recuperación del
tiristor conmutado por el circuito.

Según los requisitos de aplicación, están disponibles varios tipos de tiristores. Además de tensiones y corrientes
nominales, el tiempo de apagado y la caída de la tensión directa, otras características que se deben tomar en
consideración son la magnitud de incremento de la corriente ( / ) en la conexión, y la magnitud de incremento de la
tensión ( / ) en la desconexión.

1. Tiristores de control de fase. Algunas veces denominados tiristores de conversión, se usan sobre todo para rectificar
tensiones y corrientes de frecuencia de línea en aplicaciones como rectificadores controlados por fases para
accionamientos motrices de CA y CC, y en transmisiones de energía de alta tensión. Los requisitos principales de
estos dispositivos son grandes capacidades de manejo de tensión y corriente, y una baja caída de tensión activa.
Este tipo de tiristor se produjo en diámetros de pastilla de hasta 10 cm, donde el promedio de corriente es más o
menos de 4 000 A con voltajes de bloqueo de 5 - 7 kV. Los voltajes de encendido (activos) abarcan desde 1.5 V
para dispositivos de 1 000 V hasta 3.0 V para los dispositivos de 5 - 7 kV.

2. Tiristores de grado inversor. Se diseñaron para tener tiempos de apagado pequeños, además de bajas tensiones
activas, aunque las tensiones activas son más grandes en dispositivos con valores más cortos de . Estos
dispositivos están disponibles con magnitudes de hasta 2 500 V y 1 500 A.

Sus tiempos de desconexión están por lo regular en el rango de unos cuantos milisegundos hasta 100 μs, según
sus voltajes nominales de bloqueo y caídas de tensión activa.

3. Tiristores activados por luz (Fototiristores o LASCR). Se activan mediante un pulso de luz conducido por fibras ópticas
a una región especial sensible del tiristor. El disparo del fototiristor o LASCR, usa la capacidad de la luz de longitudes
de onda correspondientes para generar un exceso de pares de electrones/huecos en el silicio. El uso principal de
estos tiristores es en aplicaciones de alta tensión, como la transmisión de CC de alta tensión, donde se conectan
muchos tiristores en serie para conformar una válvula de tiristores. Los distintos potenciales altos que cada

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dispositivo ve respecto de la tierra física presenta considerables dificultades para proporcionar impulsos de
disparo. Existen reportes de tiristores activados por luz con grados de 4 kV y 3 kA, voltajes activos de alrededor de
2 V y requisitos de potencia de disparos de luz de 5 mW.
Su principal ventaja es proveer aislamiento galvánico entre el circuito de disparo y el circuito de potencia.
Otras variaciones de estos tiristores son tiristores de desconexión asistidos por puerta (gate-assisted turn-off thyristors,
GATT), rectificadores asimétricos controlados por silicio (asymmetrical silicon-controlled rectifiers, ASCR) y tiristores de
conduccion inversa (reverse-conducting thyristors, RCT). Se usan con base en su aplicación.

1.4. CARACTERÍSTICAS DESEADAS EN INTERRUPTORES

INTERRUPTORES CONTROLABLES

Como se mencionó en la introducción, varios tipos de dispositivos de semiconductores de potencia,

como BJT, MOSFET, GTO e IGBT, pueden encenderse y apagarse mediante señales de control aplicadas
a la terminal de control del dispositivo. Se denomina a estos dispositivos interruptores controlables, y se
representan en forma genérica por el símbolo del circuito que se muestra en la figura 2-5. Cuando el
interruptor está apagado, no fluye corriente alguna, y cuando esta encendido, la corriente fluye solo en
la dirección de la flecha. El interruptor controlable ideal tiene las siguientes características:

1. Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas con flujo de corriente cero.
2. Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con caída cero de tensión cuando esta encendido.
3. Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantánea cuando se dispara.
4. Se requiere una cantidad de energía insignificante de la fuente de control para disparar el interruptor.
Los dispositivos verdaderos, como se esperaría, no tienen estas características ideales, y por ende disiparan energía
cuando se usan en las numerosas aplicaciones que ya se mencionaron. Si disipan demasiada energía, los dispositivos
pueden fallar y de esta manera no solo se destruirán a sí mismos, sino que también podrán dañar los demás
componentes del sistema.

La disipación de energía en dispositivos de semiconductores de potencia es de naturaleza muy genérica; es decir, los
mismos factores básicos que dominan la disipación de energía también valen para todos los dispositivos de la misma
manera. El diseñador de convertidores debe entender que son estos factores y como minimizar la disipación de energía
en los dispositivos.

A fin de considerar la disipación de energía en un dispositivo de semiconductores, se conecta un interruptor controlable

en el circuito sencillo que se muestra en la figura 2-6a. Este circuito modela una situación muy común en la electrónica
de potencia; la corriente que fluye a través de un interruptor también tiene que fluir a través de alguna(s) inductancia(s)
de serie. Este circuito es parecido al circuito de la figura 1-3b que sirvió para introducir los circuitos de electrónica de
potencia del modo de conmutación. La fuente de corriente CC es aproximadamente la corriente que realmente fluiría
debido al almacenamiento de la energía inductiva. El diodo se asume como ideal porque este enfoque se centra en las
características del interruptor, aunque en la práctica la corriente de recuperación inversa del diodo puede afectar de
manera notable la tensión sobre el interruptor.

Cuando el interruptor esta encendido, la corriente completa fluye a través del interruptor, y el diodo está en
polarización inversa. Cuando la corriente está apagada, fluye a través del diodo, y aparece una tensión igual al voltaje
de entrada a través del interruptor cuando se opera con una velocidad de repetición o frecuencia de conmutación
de 1/ , donde es el periodo de conmutación. Las formas de onda de la conmutación se representan por
aproximaciones lineales a las formas de onda propias a fin de simplificar el análisis.

Cuando el interruptor ha estado apagado durante un tiempo, se enciende mediante la aplicación de una señal de control
positiva, como se muestra en la figura 2-6b. Durante la transición de la conexión de este interruptor genérico, el
aumento de corriente se presenta con un corto tiempo de retraso , seguido por el tiempo de incremento de la

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corriente Solo después de que la corriente fluye en su totalidad a través del interruptor, el diodo revierte su
polarización inversa y el voltaje del interruptor cae a un pequeño valor activo de con un tiempo de caída de voltaje
de . Las formas de onda en la figura 2-6b indican la presencia de grandes valores de tensión y corriente de
conmutación simultáneamente durante el intervalo de cruce , donde
(2--1)
(2

La energía disipada en el dispositivo durante esta transición de encendido puede aproximarse a partir de la figura 2-6c
como
"( ) 1/2 # ( ) (2--2)
(2
Donde se detecta que no ocurre ninguna disipación de energía durante el intervalo de retraso de encendido ( ).

Una vez que el interruptor está completamente encendido, el voltaje activo estará en el orden de alrededor de un
voltio, según el dispositivo de que se trate, y conducirá una corriente $. El interruptor permanece en conducción
durante el intervalo de encendido , lo que por lo general es mucho más grande que los tiempos de transición de
conexión y desconexión. La disipación de energía " en el interruptor durante este intervalo activo se puede
aproximar como
" # (2--3)
(2
Donde ≫ ( ), (()(*). .

A fin de apagar el interruptor, se aplica una señal de control negativa a la terminal de control del interruptor.

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Durante el periodo de transición de la desconexión del interruptor genérico, el aumento de tensión se presenta con un
tiempo de retraso de desconexión ()(* . y un tiempo de incremento de voltaje . Una vez que el voltaje alcance su
valor final de (véase la figura 2-6a), el diodo puede volverse a polarizar en directa y empezar a conducir corriente. La
corriente en el interruptor cae a cero con un tiempo de caída de corriente al tiempo que la corriente 0 conmuta del
interruptor al diodo. Se presentan al mismo tiempo grandes valores de tensión de conmutación y corriente de
conmutación durante el intervalo de cruce ()(* . , Donde

-.-/ (2--4)
(2
La energía disipada en el interruptor durante esta transición de desconexión se puede escribir, con el modelo de la
figura 2-6c, de esta manera:
" (-.-/) 1/2 # (-.-/) (2--5)
(2
Donde toda disipación de energía durante el intervalo de retraso de desconexión (()(*) se ignora por ser pequeña en
comparación con " (()(*) .

La disipación instantánea de energía )2 ( ) 2 2 trazada en la figura 2-6c deja claro que ocurre una gran disipación
instantánea de energía en el interruptor durante los intervalos de conexión y desconexión.

Hay de estas transiciones de conexión y desconexión por segundo. Por ende, el promedio de pérdida de energía por
conmutación 3 en el interruptor debido a estas transiciones se puede aproximar según las ecuaciones 2-2 y 2-5 como
3 1/2 #4 ( ( ) (-.-/) ) (2-
(2-6)
Esto es un resultado importante porque muestra que la pérdida de energía por conmutación en un interruptor de
semiconductor varía en forma lineal con la frecuencia de conmutación y los tiempos de conmutación.

Por consiguiente, si se cuenta con dispositivos con breves tiempos de conmutación, es posible operar con altas
frecuencias de conmutación a fin de reducir los requisitos de filtrado y al mismo tiempo evitar que sea excesiva la
pérdida de energía por conmutación en el dispositivo.

La otra contribución importante para la pérdida de energía en el interruptor es el promedio de energía disipada durante
el estado activo 3 , que varía en proporción al voltaje del estado activo. Según la ecuación 2-3, 3 se da por
6789
3
2:
(2--7)
(2

Lo que muestra que el voltaje de estado activo en un interruptor debe ser lo más pequeño posible.

La corriente de fuga durante el estado inactivo (interruptor abierto) de los interruptores controlables es insignificante,
y por tanto la pérdida de energía durante el estado inactivo se puede ignorar en la práctica.

Por consiguiente, la disipación total de energía en promedio 32 en un interruptor es igual a la suma de 3< y 3 .

Según las consideraciones que se analizaron en los párrafos antecedentes, las siguientes características son deseables
en un interruptor controlable:

1. Una pequeña corriente de fuga en el estado inactivo.

2. Un pequeño voltaje de estado activo para minimizar pérdidas de energía en estado activo.

3. Tiempos cortos de voltaje de conexión y desconexión. Esto permitirá el uso del dispositivo con altas frecuencias de
conmutación.

4. Gran capacidad de bloqueo de tensión directa e inversa. Esto minimizará la necesidad para la conexión en serie de
varios dispositivos, lo cual complica el control y la protección de los interruptores.

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Además, la mayoría de los tipos de dispositivos tiene un mínimo de voltaje de estado activo, sin tener en cuenta
su voltaje de bloqueo nominal. La conexión en serie de varios de estos dispositivos ocasionaría una tensión más
alta en estado activo y, por tanto, más pérdidas de conducción.

En la mayoría de los circuitos de convertidores (no en todos) se coloca un diodo a través del interruptor
controlable, para permitir que la corriente fluya en dirección inversa. En estos circuitos no se requiere que los
interruptores controlables tengan una capacidad significativa de bloqueo de tensión inversa.

5. Corriente nominal alta del estado activo. En aplicaciones de corriente alta esto minimizaría la necesidad de conectar
varios dispositivos en paralelo, lo que evitaría el problema de compartición de corriente.

6. Un coeficiente positivo de temperatura de resistencia en estado activo. Esto asegura que los dispositivos en paralelo
compartan de manera igual el total de la corriente.

7. Una pequeña cantidad de energía para conmutar el dispositivo. Esto simplificaría el diseño del circuito de control.

8. Capacidad de soportar tensión nominal y corriente nominal en forma simultánea durante la conmutación.

Esto eliminaría la necesidad de circuitos de protección externa (amortiguadores) a través del dispositivo.

9. Grandes capacidades de / y / . Esto minimizaría la necesidad de circuitos exteriores que de lo contrario se

necesitarían para limitar / y / en el dispositivo para que no se dañe.

Cabe notar que el circuito de conmutación inductivo de sujeción de la figura 2-6a genera una mayor pérdida de energía
de conmutación y pone mayor tensión sobre el interruptor en comparación con el circuito de conmutación resistiva que
se muestra en el problema 2-2 (figura P2-2).

Ahora veremos brevemente las características de de estado permanente y los tiempos de conmutación de los
dispositivos de semiconductores de potencia de uso común útiles como interruptores controlables.

Como ya se mencionó, estos dispositivos son los BJT, MOSFET, GTO e IGBT.

1.5. TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR Y DARLINGTONS MONOLÍTICOS

El símbolo de circuito para un NPN BJT se muestra en la figura 2-7a, y sus características de estado permanente, en la
figura 2-7b. Como se muestra en las características de , resulta una corriente de base lo bastante grande (según la
corriente del colector) cuando el dispositivo está completamente encendido. Esto requiere que el circuito de control
proporcione una corriente de base lo bastante grande, de modo que
?
= > A@ (2--8)
(2
BC

Donde EFG es la ganancia de corriente de CC del dispositivo.

El voltaje del estado activo HG( -6) de los transistores de potencia suele encontrarse en el rango de 1-2 V, así que la
pérdida de energía de conducción en el BJT es muy pequeña. Las características idealizadas del BJT al operar como
interruptor se muestran en la figura 2-7c.

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Los transistores de unión bipolar son dispositivos controlados por corriente, y se les tiene que suministrar corriente de
base de manera continua para mantenerlos en estado activo. La ganancia de corriente CC EFG es normalmente en
promedio de sólo 5-10 en transistores de alta potencia, así que estos dispositivos en ocasiones están conectados en una
configuración Darlington o triple Darlington, como se muestra en la figura 2-8, a fin de lograr una mayor ganancia de
corriente. En esta configuración se acumulan algunas desventajas, como valores generales HG -6 un poco más altos,

así como velocidades de conmutación más lentas.

Ya sea en unidades individuales o elaboradas como una configuración Darlington en un solo chip [un Darlington
monolítico (monolithic Darlington, MD)], los BJT tienen un tiempo de almacenamiento significativo durante la transición
de desconexión. Los tiempos normales de conmutación están en el rango de unos pocos cientos de nanosegundos a
unos cuantos microsegundos.

Los BJT, incluso los MD, están disponibles en tensiones de hasta 1400 V y corrientes de varios cientos de amperios. Pese
a un coeficiente de temperatura negativo de resistencia en estado activo, los BJT modernos, fabricados con un buen
control de calidad, pueden conectarse en paralelo, en tanto se tenga cuidado en el layout (arreglo) del circuito y se
provea un margen de corriente extra; es decir, donde teóricamente cuatro transistores en paralelo bastarían para la
compartición igualitaria de corriente, se podrán usar cinco a fin de tolerar un leve desequilibrio de corriente.

1.6. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE METAL-

METAL-ÓXIDO-
ÓXIDO-SEMICONDUCTOR
SEMICONDUCTOR

El símbolo de circuito de un MOSFET de canal n se muestra en la figura 2-9a. Se trata de un dispositivo controlado por
tensión, como lo indican las características i-v que se muestran en la figura 2-9b. El dispositivo está por completo
encendido y se parece a un interruptor cerrado cuando la tensión de fuente de puerta está debajo del valor umbral
I< 6A . Las características idealizadas del dispositivo en operación como interruptor se muestran en la figura 2-9c.

Los transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor requieren la aplicación continua de tensión puerta-
fuente de magnitud correspondiente a fin de estar en el estado activo. No hay flujo de corriente de puerta, excepto
durante las transiciones de encendido a apagado, o viceversa, cuando la capacitancia de la puerta se está cargando o

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descargando. Los tiempos de conmutación son muy cortos y se encuentran en el rango de unas cuantas decenas de
nanosegundos a unos cientos de nanosegundos, lo que depende del tipo de dispositivo.

La resistencia de estado activo J< del MOSFET entre la conexión de drenaje y la fuente aumenta rápidamente
conforme al voltaje nominal de bloqueo del dispositivo. En un área por unidad, la resistencia del estado activo como
función del voltaje nominal de bloqueo K J<< se expresa como
O,PQO,R
LM N. K LMM (2.9)

Donde N es una constante que depende de la geometría del dispositivo. Por eso, sólo están disponibles dispositivos con
voltajes nominales pequeños, los cuales tienen una baja resistencia del estado activo y, por tanto, pérdidas de
conducción pequeñas.

Sin embargo, debido a su gran velocidad de conmutación, las pérdidas por conmutación pueden ser pequeñas en
comparación con la ecuación 2-6. Desde el punto de vista de pérdida de energía total, los MOSFET de 300-400v compiten
con transistores bipolares sólo si la frecuencia de conmutación sobrepasa los 30 a 100 kHz. Sin embargo, no se puede
afirmar nada definitivo acerca de la frecuencia de cambio porque depende de las tensiones de operación, donde las
tensiones bajas favorecen al MOSFET.

Los transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor están disponibles en voltajes nominales de más de
1000 V, pero con corrientes nominales pequeñas y hasta 100 A con voltajes nominales pequeños. El máximo voltaje de
puerta-fuente es ±20 V, aunque hay disponibilidad de MOSFET controlables por señales de 5 V.

Puesto que su resistencia de estado activo tiene un coeficiente de temperatura positivo, los MOSFET se pueden conectar
fácilmente en paralelo. Esto causa que el dispositivo que conduce la corriente más alta se caliente y de este modo lo
obliga a compartir en forma igualitaria su corriente con los demás MOSFET en paralelo.

1.7. TIRISTOR DESACTIVADO

DESACTIVADO POR COMPUERTA
COMPUERTA (GTO)

El símbolo para el GTO se muestra en la figura 2-10a, y su característica de estado permanente , en la figura 2-
10b.

Igual que el tiristor (SCR), el GTO se enciende por medio de un impulso de corriente de puerta de corta duración, y una
vez en el estado activo, el GTO se mantiene encendido sin más corriente de puerta.

Sin embargo, a diferencia del tiristor (SCR), el GTO se apaga mediante la aplicación de una tensión de puerta a cátodo
negativa para que fluya una corriente de puerta negativa lo bastante grande. Esta corriente de puerta negativa sólo
necesita fluir durante unos cuantos microsegundos (durante el tiempo de apagado), pero debe tener una magnitud muy
grande, normalmente hasta una tercera parte de la corriente de ánodo que se esté desconectando. Los GTO bloquean
voltajes negativos cuya magnitud depende de los detalles del circuito amortiguador para reducir / en la
desconexión circuito de control de puerta-diseño del GTO.

Las características idealizadas del dispositivo al operar como interruptor se muestran en la figura 2-10c.

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Aunque el GTO es un interruptor controlable en la misma categoría que los MOSFET y los BJT, su transitorio de
conmutación de desconexión es distinto del que se ilustra en la figura 2-6b. La razón de esto es que los GTO actualmente
disponibles no se pueden usar para un apagado inductivo como el que se muestra en la figura 2-6, a menos que se
conecte un circuito de amortiguador (snubber) a través del GTO (véase la figura 2-11a). Esto es así porque los GTO
actuales no toleran un / grande que acompañe al apagado inductivo. Por tanto, se tiene que usar un circuito para
reducir / en la desconexión, que consiste en R, C y D, como se muestra en la figura 2-11a, a través del GTO. Las
formas de onda resultantes se muestran en la figura 2-11b, donde / está considerablemente reducido en
comparación con / que resultaría sin el circuito de amortiguador de desconexión.

El voltaje del estado activo (2 a 3 V) de un GTO es un poco más alto que los voltajes de tiristores. Las velocidades de
conmutación de GTO están en el rango de unos cuantos microsegundos a 25 μs. Debido a su capacidad de manejar
voltajes grandes (hasta 4.5 kV) y corrientes grandes (hasta unos cuantos kiloamperios), el GTO se usa cuando se necesita
un interruptor para altos voltajes y altas corrientes en un rango de frecuencia de conmutación de unos cuantos cientos
de hertzios a 10 kHz.

1.8. TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA (IGBT)

El símbolo de circuito para un IGBT se muestra en la figura 2-12a, y sus características de , en la figura 2-12b. Los
IGBT tienen algunas de las ventajas de los MOSFET, BJT y GTO combinados. Parecido al MOSFET, el IGBT tiene una puerta

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de alta impedancia que sólo requiere una pequeña cantidad de energía para conmutar el dispositivo. Igual que el BJT,
el IGBT tiene un voltaje de estado activo pequeño, incluso en dispositivos con grandes voltajes nominales de bloqueo
(por ejemplo, es de 2 a 3 V en un dispositivo de 1000 V). Parecidos al GTO, los IGBT se pueden diseñar para bloquear
tensiones negativas, como lo indican sus características de conmutación idealizadas que se muestran en la figura 2-12c.

Los transistores bipolares de puerta aislada tienen tiempos de conexión y desconexión en el orden de 1 μs, y están
disponibles módulos en rangos de hasta 1 700 V y 1 200 A. Están previstos rangos de tensión de hasta 2 a 3 kV.

1.9. TIRISTORES CONTROLADOS MOS (MCT)

El tiristor controlado MOS (MOS-controlled thyristor, MCT) es un dispositivo nuevo en el mercado comercial.

Su símbolo de circuito se muestra en la figura 2-13a, y su característica de , en la figura 2-13b. Los dos levemente
distintos símbolos para el MCT denotan si el dispositivo es un P-MCT o un N-MCT. La diferencia surge por las diferentes
ubicaciones de las terminales de control.

Al ver las características de , queda claro que el MCT tiene muchas de las propiedades de un GTO, como una caída
de baja tensión en el estado activo con relativamente altas corrientes, así como una característica de activación
(enclavado) (el MCT permanece encendido incluso cuando se quita la activación de la puerta). El MCT es un dispositivo
controlado por tensión, igual que el IGBT y el MOSFET, y se requiere más o menos la misma energía para conmutar un
MCT que para un MOSFET o un IGBT.

El MCT tiene dos ventajas principales ante el GTO, además de sus requisitos de control mucho más sencillos (no se
necesita una corriente de puerta negativa grande para la desconexión, como en el GTO) y velocidades de conmutación
más rápidas (tiempos de conexión y desconexión de unos cuantos microsegundos):

1. Los MCT tienen caídas de voltaje de estado activo más pequeñas en comparación con IGBT de dimensiones
comparables y están en la actualidad disponibles en tensiones nominales hasta 1 500 V con corrientes nominales
de 50 A a unos cuantos cientos de amperios.

2. Las corrientes nominales de MCT individuales son considerablemente más pequeñas que las de GTO porque los
MCT individuales no se pueden hacer tan grandes en el área transversal como un GTO, debido a su estructura
más compleja.

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1.10. COMPARACIÓN DE INTERRUPTORES CONTROLABLES

Sólo se pueden hacer pocas declaraciones

definitivas al comparar estos dispositivos, pues se
debe tomar en cuenta un número de propiedades
en forma simultánea y porque los dispositivos aún
se están desarrollando a pasos rápidos. No
obstante, se pueden hacer las observaciones
indicadas en la tabla 2-1.

Cabe notar que, además de las mejoras en estos dispositivos, se están investigando dispositivos nuevos.

El avance en la tecnología de semiconductores permitirá sin duda alguna rangos de potencia mayores, velocidades de
conmutación más rápidas y una reducción de costos. Un resumen de las capacidades de dispositivos de potencia se
muestra en la figura 2-14.

Por otro lado, el tiristor de conmutación forzada, que en una época se usó ampliamente en circuitos para aplicaciones
de interruptores controlables, ya no se usa en los nuevos diseños de convertidores, con la posible excepción de
convertidores de potencia en el rango de MVA múltiples. Éste es un ejemplo pertinente de cómo los avances en
dispositivos de semiconductores de potencia modificaron el diseño de convertidores.

1.11. CIRCUITOS DE CONTROL Y AMORTIGUADORES (SNUBBERS)

En un interruptor dado de semiconductores de potencia controlables, sus velocidades de conmutación y pérdidas en

estado activo dependen de la forma como es controlado. Para un diseño correcto de un convertidor es entonces
importante diseñar el circuito de control apropiado para la base de un BJT o la puerta de un MOSFET, GTO o IGBT. La

tendencia es la integración de una gran parte de la técnica de circuitos junto con el interruptor de potencia dentro del
paquete del dispositivo, para que se puedan usar por ejemplo las señales lógicas de un microprocesador y controlar así
el interruptor en forma directa.

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Los circuitos de amortiguadores, que se mencionaron brevemente junto con los GTO, se usan para modificar las formas
de ondas de conmutación de interruptores controlables. Por lo general, los amortiguadores se dividen en tres
categorías:

1. Amortiguadores de conexión para minimizar grandes sobrecorrientes a través del dispositivo en la fase de
encendido.
2. Amortiguadores de desconexión para minimizar grandes sobretensiones a través del dispositivo en la fase de
apagado.
3. Amortiguadores reductores de esfuerzo que forman las formas de ondas de conmutación del dispositivo de modo
que la tensión y la corriente asociadas al dispositivo no estén en alto en forma simultánea.
En la práctica se usan algunas combinaciones de los amortiguadores recién mencionados, según el tipo de dispositivo y
la topología del convertidor.

1.12. JUSTIFICACIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE DISPOSITIVOS IDEALIZADAS

Para el diseño de un convertidor de electrónica de potencia es de extrema importancia considerar los dispositivos de
semiconductores de potencia y sus características. La elección de dispositivos depende de la aplicación. Algunas
propiedades de los dispositivos, y cómo influyen en el proceso de selección, se enumeran a continuación:
1. La tensión del estado activo o la resistencia del estado activo dictan las pérdidas de conducción en el dispositivo.
2. Los tiempos de conmutación dictan la pérdida de energía por transición y determinan qué tan alta puede ser la
frecuencia de operación.
3. Las tensiones y corrientes nominales determinan la capacidad de manejo de potencia del dispositivo.
4. La potencia requerida por el circuito de control determina la facilidad de controlar el dispositivo.
5. El coeficiente de temperatura de la resistencia de estado activo de los dispositivos determina la facilidad de
conectarlos en paralelo para manejar corrientes grandes.
6. El costo del dispositivo es un factor en su selección.
Para el diseño de un convertidor desde el punto de vista del sistema se deben tomar en cuenta los requisitos de tensión
y corriente. Otros factores importantes son la eficiencia de energía aceptable, la frecuencia de conmutación mínima
para reducir el tamaño de filtros y equipos, sus costos, etc. Por tanto, la selección del dispositivo debe asegurar una
combinación apropiada entre las capacidades del dispositivo y los requisitos del convertidor.

Estas observaciones sirven para justificar el uso de características de dispositivos idealizadas en el análisis de topologías
de convertidores y su operación en varias aplicaciones, como sigue:
1. Puesto que por lo regular se desea que la eficiencia de energía sea alta, la tensión del estado activo debe ser
pequeña en comparación con las tensiones de operación, y por ende se puede ignorar en el análisis de
características de convertidores.
2. Los tiempos de conmutación del dispositivo deben ser cortos en comparación con el periodo de frecuencia de
operación, y por tanto se puede suponer que las conmutaciones son instantáneas.
3. En forma similar, pueden idealizarse las demás propiedades del dispositivo.
La suposición de características idealizadas simplifica en forma importante el análisis de convertidores sin pérdida
significativa de precisión. Sin embargo, para el diseño de convertidores, no sólo se deben considerar y comparar las
propiedades del dispositivo, sino también se deben comparar cuidadosamente las topologías de convertidores con base
en las propiedades de los dispositivos disponibles y la aplicación planeada.

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