UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS,

ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA Y

COMUNICACIONES
OPTATIVA II - MICROONDAS

OCTAVO SEMESTRE

Docente: ING. MARCO JURADO.

Septiembre 2019 – Febrero 2020

AMBATO - ECUADOR
2019 - 2020

1
 Contenido
Capítulo 1 ....................................................................................................................................................... 4
Introducción a Microondas ......................................................................................................................... 4
Aplicaciones de las Microondas ................................................................................................................. 5
Cuadripolos ................................................................................................................................................ 5
Circuito tipo T ............................................................................................................................................ 6
Ejercicio 1.............................................................................................................................................. 8
Ejercicio 2............................................................................................................................................ 12
Conexión de Cuadripolos ......................................................................................................................... 14
1.- Operación Imagen ........................................................................................................................... 14
2.- Operación Iterativa ......................................................................................................................... 16
Constantes de transferencia ...................................................................................................................... 25
1.- Constante de transferencia Imagen .................................................................................................. 25
Ejercicio 3............................................................................................................................................ 26
2.- Constante de transferencia Iterativa................................................................................................. 28
Ejercicio 4............................................................................................................................................ 29
Atenuadores ............................................................................................................................................. 32
Ejercicio 5............................................................................................................................................ 32
Circuitos Simétricos ................................................................................................................................. 34
Conexiones en cascada ......................................................................................................................... 35
Ejercicio 6............................................................................................................................................ 36
Perdidas de inserción ................................................................................................................................ 38
Ejercicio 7............................................................................................................................................ 39
Redes de acoplamiento de impedancias .................................................................................................... 39
Ejercicio 8............................................................................................................................................ 40
Capítulo 2 ..................................................................................................................................................... 42
Guía de Onda ........................................................................................................................................... 42
Principios Básicos .................................................................................................................................... 43
Guía de Onda Propiamente Rectangular ................................................................................................... 45
Ejercicio 1............................................................................................................................................ 45
Guía de Onda Circular .............................................................................................................................. 49
Relación de Áreas y Peso entre Guía de Onda Circular y Guía de Onda Rectangular. ............................... 50
Guía de Onda Acanalada .......................................................................................................................... 53
Métodos de Excitación ............................................................................................................................. 53
Junturas Múltiples .................................................................................................................................... 55
Aisladores y Circuladores ......................................................................................................................... 57

2
 Ferritas................................................................................................................................................. 57
Rotación de Faraday............................................................................................................................. 57
Temperatura de Courier ....................................................................................................................... 59
Ancho de Línea .................................................................................................................................... 59
Aislador de Ferrita ............................................................................................................................... 59
Capítulo 3 ..................................................................................................................................................... 60
Generación de Señales de Microondas ...................................................................................................... 60
Klystrom .................................................................................................................................................. 60
Diagrama de Apple Gate ...................................................................................................................... 61
Klystrom de dos cavidades ................................................................................................................... 61
Klystrom Réflex................................................................................................................................... 62
TWT ........................................................................................................................................................ 62
Condiciones Para interacción continua ................................................................................................. 63
Velocidad de la o.e.m ........................................................................................................................... 63
Magnetrón ................................................................................................................................................ 64
Estructura de Radiofrecuencia .............................................................................................................. 64
Capítulo 4 ..................................................................................................................................................... 66
Dispositivos de Estado Sólido .................................................................................................................. 66
Dispositivos Basados en el tiempo de tránsito de los portadores ........................................................... 66
Dispositivos de Avalancha (Si, Ge, AsGa) pn ........................................................................................... 67
Diodo GUN (Dispositivos de Transferencia de Electrones) ...................................................................... 67
Bandas de Energía................................................................................................................................ 68
Modos de Funcionamiento ................................................................................................................... 68
IMPATT (IMPact Avalanche y Transit Time) .......................................................................................... 69
TRAPATT ............................................................................................................................................... 69
Estados del Diodo TRAPATT .............................................................................................................. 70
BARITT ................................................................................................................................................... 70
Mediciones en Microondas ....................................................................................................................... 71
Medición Terminada ............................................................................................................................ 73
Medición de Potencia de RF................................................................................................................. 73
Transistores en Microondas ...................................................................................................................... 74
Componentes ....................................................................................................................................... 74

3
 Capítulo 1
Introducción a Microondas

Microondas es un término descriptivo que se utiliza para identificar ondas electromagnéticas en el espectro de
1 GHz a 30 GHz. En Europa son conocidas como “ondas centimétricas”. Las señales de microondas, por sus
altas frecuencias, tienen longitudes de onda relativamente cortas, de ahí viene su nombre “micro”. Las
longitudes de las frecuencias de microondas van desde 1cm a 30cm un poco mayores a la energía infrarroja.
c
f=
λ
8 𝑚
c 3 ∗ 10 [ 𝑠 ]
λ= = = 0.3 𝑚 = 30 𝑐𝑚
f 1
1 ∗ 109 [ 𝑠 ]

8 𝑚
c 3 ∗ 10 [ 𝑠 ]
λ= = = 0.01 𝑚 = 1 𝑐𝑚
f 30 ∗ 109 [1]
𝑠

Frecuencias (f): 1 GHz a 30 GHz

Longitud de onda (λ): 30 cm a 1 cm

𝑚
Velocidad de la Luz (c): 3 ∗ 108 𝑠

Los radios de microondas propagan señales a través de la atmosfera terrestre, entre transmisores y receptores
que con frecuencias están en la punta de torres a distancia de 15 a 30 millas. Así, los sistemas de radio
microondas tienen ventaja obvia de contar con capacidad de llevar miles de canales individuales información
entre dos puntos, sin necesidad de instalaciones físicas. Entre las ventajas de las microondas conocemos:

• No necesitan adquisición de derechos de vía entre estaciones

• Cada estación requiere la compra o alquiles de solo una pequeña extensión de terreno
• Por sus grandes frecuencias de operación, los sistemas pueden llevar grandes cantidades de
información.
• Las altas frecuencias equivalen a longitudes cortas de onda, requieren antenas relativamente pequeñas.
• Las señales se propagan con más facilidad en torno a obstáculos físicos.
• Para ampliar su señal se requiere menos repetidores.
• Las distancias entre los centros de conmutación son menores.

Características de las Microondas:

a) La fase varia rápidamente con la distancia. Sirve para:

- El análisis y diseño de circuitos
- Medición y generación de potencia
- Amplificación
Se utiliza campos eléctricos, magnéticos, ondas electromagnéticas y la relación de onda estacionaria.

b) La dimensión de los componentes debe ser mucho menor que la longitud de onda.
Se utilizan elementos distribuidos o concentrados. Al incrementar la frecuencia, los valores de
inductancia y capacitancia son menores y también su tamaño físico, por lo que se generan reactancias
parasitas en el dispositivo por la longitud de los cables. Se reemplazan entonces por secciones cortas

4
 de LTx en frecuencias mayores a 500 MHz y a frecuencias mayores a 1 GHz se debe considerar el
tiempo de tránsito.

c) Posibilidad de radiación por discontinuidad.

Ecuaciones de Maxwell
ρ
⃗ =
∇∙E Ley de Gauss para el campo Eléctrico
ϵ0

∇ ∙ ⃗B = 0 Ley de Gauss para el campo Magnético

⃗
∂B
⃗ =−
∇xE Ley de Faraday
∂t
⃗
∂E
∇ x ⃗B = μ0 J + μ0 ϵ0 Ley de Maxwell Ampere
∂t

Aplicaciones de las Microondas

a) Telecomunicaciones
- Posee un gran ancho de banda. A frecuencia de 1GHz, se puede tener aproximadamente 25000
conversaciones con solo el 10% de ancho de banda.
- Simplifica el diseño y la instalación de antenas de alta direccionalidad.
- Se utiliza en aplicaciones como el Radar.
- Se utiliza en comunicaciones Satelitales.

b) Investigaciones Físicas, Medicas, entre otras.

c) Se utiliza también para Cocción.

Cuadripolos
Son sistemas de transmisión que tienen dos puertos uno de entrada y otro de salida.

Se llama cuadripolo a cualquier red con cuatro terminales en la cual se cumpla que la corriente neta que entra a
cada par es igual a cero. Existen dos clasificaciones generales para los cuadrupolos según sus elementos, estos
son activos y pasivos.

Redes pasivas:

La potencia entregada a la carga nunca puede ser mayor que la potencia de excitación entrega a la entrada. Es
decir, está formada por elementos pasivos únicamente.

5
Un circuito es balanceado cuando el voltaje del punto de referencia a tierra es el mismo.

Impedancias en Corto circuito y Circuito abierto

𝐸1
𝑍1𝑜 = | = Impedancia en las terminales de entrada cuando los terminales de salida están en C.A.
𝐼1 𝐼2=0

𝐸1
𝑍1𝑠 = | = Impedancia en las terminales de entrada cuando los terminales de salida están en C.C.
𝐼1 𝐸2=0

𝐸2
𝑍2𝑜 = | = Impedancia en las terminales de salida cuando los terminales de entrada están en C.A.
𝐼2 𝐼1=0

𝐸2
𝑍2𝑠 = | = Impedancia en las terminales de salida cuando los terminales de entrada están en C.C.
𝐼2 𝐸1=0

Circuito tipo T
Esquema del circuito tipo T:

6
Ecuaciones del circuito tipo T:

𝑍1𝑜 = 𝑅1 + 𝑅3
𝑅2 ∗ 𝑅3
𝑍1𝑠 = 𝑅1 +
𝑅2 + 𝑅3

𝑍2𝑜 = 𝑅2 + 𝑅3
𝑅1 ∗ 𝑅3
𝑍2𝑠 = 𝑅2 +
𝑅1 + 𝑅3

Condición para todo cuadripolo

𝑍1𝑜 ∗ 𝑍2𝑠 = 𝑍1𝑠 ∗ 𝑍2𝑜

𝑅1 𝑅3 𝑅2 𝑅3
(𝑅1 + 𝑅3 ) ∗ (𝑅2 + ) = (𝑅1 + ) ∗ (𝑅2 + 𝑅3 )
𝑅1 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3
𝑅1 𝑅3 𝑅1 𝑅3 𝑅2 𝑅3 𝑅2 𝑅3
(𝑅1 𝑅2 + 𝑅2 𝑅3 + 𝑅1 ∗ + 𝑅3 ∗ ) = (𝑅1 𝑅2 + 𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 ∗ + 𝑅3 ∗ )
𝑅1 + 𝑅3 𝑅1 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3
𝑅1 𝑅3 𝑅1 𝑅3 𝑅2 𝑅3 𝑅2 𝑅3
(𝑅2 𝑅3 + 𝑅1 ∗ + 𝑅3 ∗ ) = (𝑅1 𝑅3 + 𝑅2 ∗ + 𝑅3 ∗ )
𝑅1 + 𝑅3 𝑅1 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3

𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 2 + 𝑅1 2 𝑅3 + 𝑅1 𝑅3 2 𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅1 𝑅3 2 + 𝑅2 2 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 2
=
𝑅1 + 𝑅3 𝑅2 + 𝑅3

(𝑅2 + 𝑅3 )(𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 2 + 𝑅1 2 𝑅3 + 𝑅1 𝑅3 2 ) = (𝑅1 + 𝑅3 )(𝑅1 𝑅2 𝑅3 + 𝑅1 𝑅3 2 + 𝑅2 2 𝑅3 + 𝑅2 𝑅3 2 )

(𝑅1 𝑅2 2 𝑅3 + 𝑅2 2 𝑅3 2 + 𝑅1 2 𝑅2 𝑅3 + 2𝑅1 𝑅2 𝑅3 2 + 𝑅2 𝑅3 3 + 𝑅1 2 𝑅3 2 + 𝑅1 𝑅3 3 )
= (𝑅1 2 𝑅2 𝑅3 + 𝑅1 2 𝑅3 2 + 𝑅1 𝑅2 2 𝑅3 + 2𝑅1 𝑅2 𝑅3 2 + 𝑅1 𝑅3 3 + 𝑅2 2 𝑅3 2 + 𝑅2 𝑅3 3 )

1=1

Cálculo de las resistencias del Circuito T en función de las impedancias en C.C y C.A:

𝑍1 = 𝑍1𝑜 − 𝑍3

𝑍2 = 𝑍2𝑜 − 𝑍3

7
 𝑍2 ∗ 𝑍3 (𝑍2𝑜 − 𝑍3 ) ∗ 𝑍3
𝑍1𝑠 = 𝑍1 + = (𝑍1𝑜 − 𝑍3 ) +
𝑍2 + 𝑍3 𝑍2𝑜

𝑍1𝑠 𝑍2𝑜 = 𝑍1𝑜 𝑍2𝑜 − 𝑍3 𝑍2𝑜 + 𝑍3 𝑍2𝑜 − 𝑍3 2

𝑍3 = ±√𝑍2𝑜 (𝑍1𝑜 − 𝑍1𝑠 )

𝑍1 ∗ 𝑍3 (𝑍1𝑜 − 𝑍3 ) ∗ 𝑍3
𝑍2𝑠 = 𝑍2 + = (𝑍2𝑜 − 𝑍3 ) +
𝑍1 + 𝑍3 𝑍1𝑜

𝑍2𝑠 𝑍1𝑜 = 𝑍1𝑜 𝑍2𝑜 − 𝑍3 𝑍1𝑜 + 𝑍3 𝑍1𝑜 − 𝑍3 2

𝑍3 = ±√𝑍1𝑜 (𝑍2𝑜 − 𝑍2𝑠 )

Ejercicio 1
1.- Se mide mediante un puente de Winston y se tiene los siguientes valores.

𝑍1𝑜 = 500Ω

𝑍1𝑠 = 285.5Ω

𝑍2𝑠 = 167Ω

a) Determinar los valores de las impedancias del circuito equivalente tipo T.

Condición general de los cuadripolos

𝑍1𝑜 ∗ 𝑍2𝑠 = 𝑍1𝑠 ∗ 𝑍2𝑜

𝑍2𝑠 ∗ 𝑍1𝑜 (167Ω) ∗ (500Ω)
𝑍2𝑜 = = = 292.47Ω
𝑍1𝑠 (285.5Ω)

𝑍3 = ±√𝑍1𝑜 (𝑍2𝑜 − 𝑍2𝑠 ) = ±√500Ω(292.47Ω − 167Ω) = 250.47Ω

𝑍1 = 𝑍1𝑜 − 𝑍3 = 500Ω − 250.47Ω = 249.53Ω

𝑍2 = 𝑍2𝑜 − 𝑍3 = 292.47Ω − 250.47Ω = 42Ω

b) Si se coloca en el emisor una fuente de 50V con una impedancia de 𝑍𝑔 = 750 Ω. Calcular la corriente
en una resistencia de carga 𝑍𝐿 = 500 Ω.

8
 𝑍𝑎𝑢𝑥 = [(𝑍2 + 𝑍𝐿 ) ||𝑍3 ]
𝑍𝑎𝑢𝑥 = [(42Ω + 500Ω) ||250.47Ω]
𝑍𝑎𝑢𝑥 = 171.3Ω

𝑍𝑎𝑢𝑥 171.3Ω
𝑉𝑍3 = 𝑉 ∗ = 50𝑉 ∗ = 7.31𝑉
𝑍𝑎𝑢𝑥 + 𝑍1 + 𝑍𝑔 171.3Ω + 249.53Ω + 750Ω

𝑉𝑍3 = 𝑉𝑍𝐿 + 𝑉𝑍2

𝑉𝑍𝐿 + 𝑉𝑍2 7.31𝑉
𝐼𝑍𝐿 = = = 13.48𝑚𝐴
𝑍𝑍𝐿 + 𝑍𝑍2 42Ω + 500Ω

Deducción de la fórmula de impedancia de entrada en un cuadripolo tipo T

𝑍3 (𝑍2 + 𝑍𝐿 ) 𝑍1 𝑍20 + 𝑍1 𝑍𝐿 + 𝑍2 𝑍3 + 𝑍3 𝑍𝐿
𝑍𝑠 = 𝑍1 + =
𝑍2 + 𝑍3 + 𝑍𝐿 𝑍20 + 𝑍𝐿

𝑍10 𝑍20 + 𝑍10 𝑍𝐿 + 𝑍20 𝑍3 − 𝑍20 𝑍3 + 𝑍3 𝑍𝐿 − 𝑍3 𝑍𝐿 − 𝑍3 2 𝑍10 𝑍20 + 𝑍10 𝑍𝐿 − 𝑍3 2

𝑍𝑠 = =
𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍20 + 𝑍𝐿

9
 𝑍10 𝑍20 + 𝑍10 𝑍𝐿 − 𝑍10 𝑍20 + 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍10 (𝑍𝐿 + 𝑍2𝑠 )
𝑍𝑠 = =
𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍20 + 𝑍𝐿

Relaciones de Transferencia en el circuito tipo T

Cálculo de las relaciones de transferencia del circuito tipo T:

𝐸1 = 𝐼1 (𝑍1 + 𝑍3 ) − 𝑍3 𝐼2 𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − 𝐼2 (𝑍2 + 𝑍3 )

𝐼1 = 𝐹(𝐸1 , 𝐸2 )
𝐼1 𝑍10 − 𝐸1 𝐼1 𝑍3 − 𝐸2
=
𝑍3 𝑍20

𝐼1 𝑍10 𝑍20 − 𝐸1 𝑍20 = 𝐼1 𝑍3 2 − 𝐸2 𝑍3

𝐼1 (𝑍10 𝑍20 − 𝑍3 2 ) = 𝐸1 𝑍20 − 𝐸2 𝑍3

𝐸1 𝑍20 − 𝐸2 𝑍3 𝐸1 𝑍20 − 𝐸2 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐼1 = =
𝑍10 𝑍20 − 𝑍10 𝑍20 + 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍10 𝑍2𝑠

𝐼1 = 𝐹(𝐸1 , 𝐼2 )

𝐸1 = 𝐼1 𝑍10 − 𝐼2 𝑍3

𝐸1 + 𝐼2 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐼1 =
𝑍10

𝐼1 = 𝐹(𝐸2 , 𝐼2 )

𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − 𝐼2 𝑍20

10
 𝐸2 + 𝐼2 𝑍20
𝐼1 =
√𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐼2 = 𝐹(𝐸1 , 𝐸2 )
𝐸1 + 𝐼2 𝑍3 𝐸2 + 𝐼2 𝑍20
=
𝑍10 𝑍3

𝐸1 𝑍3 + 𝐼2 𝑍3 2 = 𝐸2 𝑍10 + 𝐼2 𝑍10 𝑍20

𝐼2 (𝑍3 2 − 𝑍10 𝑍20 ) = 𝐸2 𝑍10 − 𝐸1 𝑍3

𝐸2 𝑍10 − 𝐸1 𝑍3 𝐸1 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝐸2 𝑍10

𝐼2 = =
𝑍10 𝑍20 − 𝑍10 𝑍20 − 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍10 𝑍2𝑠

𝐼2 = 𝐹(𝐸1 , 𝐼1 )

𝐸1 = 𝐼1 𝑍10 − 𝐼2 𝑍3
𝐼1 𝑍10 − 𝐸1
𝐼2 =
√𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐼2 = 𝐹(𝐸2 , 𝐼1 )

𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − 𝐼2 𝑍20

𝐼1 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝐸2

𝐼2 =
𝑍20

𝐸1 = 𝐹(𝐼1 , 𝐼2 )

𝐸1 = 𝐼1 𝑍10 − 𝐼2 𝑍3

𝐸1 = 𝐼1 𝑍10 − 𝐼2 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐸1 = 𝐹(𝐸2 , 𝐼1 )
𝐼1 𝑍10 − 𝐸1
𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − ( )(𝑍20 )
𝑍3

𝐸2 𝑍3 − 𝐼1 𝑍3 2 + 𝐼1 𝑍10 𝑍20
𝐸1 =
𝑍20

𝐸2 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝐼1 𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) + 𝐼1 𝑍10 𝑍20

𝐸1 =
𝑍20

𝐸2 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) + 𝐼1 𝑍10 𝑍2𝑠

𝐸1 =
𝑍20

𝐸1 = 𝐹(𝐸2 , 𝐼2 )

11
 𝐸1 + 𝐼2 𝑍3 𝐸2 + 𝐼2 𝑍20
=
𝑍10 𝑍3

𝐸1 𝑍3 + 𝐼2 𝑍3 2 = 𝐸2 𝑍10 + 𝐼2 𝑍10 𝑍20

𝐼2 (𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝑍10 𝑍20 ) = 𝐸2 𝑍10 − 𝐸1 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐸2 𝑍10 + 𝐼2 𝑍10 𝑍2𝑠
𝐸1 =
√𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐸2 = 𝐹(𝐼1 , 𝐼2 )

𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − 𝐼2 𝑍20

𝐸2 = 𝐼1 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝐼2 𝑍20

𝐸2 = 𝐹(𝐸1 , 𝐼1 )
𝐼1 𝑍10 − 𝐸1
𝐸2 = 𝐼1 𝑍3 − ( )(𝑍20 )
𝑍3

𝐼1 𝑍3 2 − 𝐼1 𝑍10 𝑍20 + 𝐸1 𝑍20

𝐸2 =
𝑍3

(𝐼1 𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )) − 𝐼1 𝑍10 𝑍20 + 𝐸1 𝑍20 𝐸1 𝑍20 − 𝐼1 𝑍10 𝑍2𝑠
𝐸2 = =
√𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 )

𝐸2 = 𝐹(𝐸1 , 𝐼2 )
𝐸1 + 𝐼2 𝑍3 𝐸2 + 𝐼2 𝑍20
=
𝑍10 𝑍3

𝐸1 𝑍3 + 𝐼2 𝑍3 2 = 𝐸2 𝑍10 + 𝐼2 𝑍10 𝑍20

𝐸1 √𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) − 𝐼2 𝑍10 𝑍2𝑠

𝐸2 =
𝑍10

Ejercicio 2
Un cuadripolo con el terminal dos abierto, se han realizado las siguientes mediciones

𝐸1 = 10𝑉

𝐼1 = 0.166𝐴

𝐸2 = 6.73𝑉

Ambas cantidades en fase común. Con el terminal dos en corto circuito se ha medido.

𝐸1 = 10𝑉

12
𝐼1 = 0.199𝐴

Determinar el circuito equivalente tipo T. Si se tiene una impedancia de carga de 300 Ω y una corriente que
circula de 0.0125 A. Cuales deben ser los valores de 𝐸1 𝑒 𝐼1

Con el lado 2 en C.A:

𝐸2 6.73𝑉
𝑍3 = = = 40.54Ω
𝐼1 0.166𝐴
𝐸1 − 𝐸2 3.27𝑉
𝑍1 = = = 19.70Ω
𝐼1 0.166𝐴

𝑍10 = 𝑍1 + 𝑍3 = 40.54Ω + 19.70Ω = 60.24Ω

Con el lado 2 en C.C:

𝑉𝑍1 = 𝐼1 ∗ 𝑍1 = 3.92𝑉

𝑉𝑍2 = 𝑉𝑍3 = 10𝑉 − 3.92𝑉 = 6.08𝑉

𝑉𝑍3 6.08𝑉
𝐼𝑍3 = = = 0.150𝐴
𝑍3 40.54Ω

𝐼𝑍2 = 𝐼1 − 𝐼𝑍3 = 0.199𝐴 − 0.150𝐴 = 0.049𝐴

𝑉𝑍2
𝑍2 = = 124.08Ω
𝐼𝑍2

13
Calcular E1 e I1

𝑉𝑍3 = 𝐼𝑍𝐿 ∗ (𝑍𝐿 + 𝑍2 ) = 0.0125𝐴 ∗ (300Ω + 124.08Ω) = 5.3𝑉

𝑉𝑍3 5.3𝑉
𝐼𝑍3 = = = 0.130𝐴
𝑍3 40.54Ω

𝐼1 = 𝐼𝑍3 + 𝐼𝑍𝐿 = 0.130𝐴 + 0.0125𝐴 = 0.1425𝐴

𝑉𝑍1 = 𝐼1 ∗ 𝑍1 = 0.1425𝐴 ∗ 19.70Ω = 2.8𝑉

𝐸1 = 𝑉𝑍1 + 𝑉𝑍3 = 2.8𝑉 + 5.3𝑉 = 8.1𝑉

Conexión de Cuadripolos
Existen dos maneras que son: Operación imagen y Operación Iterativa. Las dos deben cumplir MTP.

1.- Operación Imagen

Hace referencia a que, si se coloca en cualquier parte del circuito, se tiene la misma impedancia a los dos lados.

14
 𝑍10 (𝑍𝐼2 + 𝑍2𝑠 )
𝑍𝐼1 =
𝑍20 + 𝑍𝐼2

Por simetría
𝑍20 (𝑍𝐼1 + 𝑍1𝑠 )
𝑍𝐼2 =
𝑍10 + 𝑍𝐼1

Demostración de la operación imagen:

Para 𝑍𝐼1

𝑍𝐼1 𝑍20 + 𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 = 𝑍10 𝑍𝐼2 + 𝑍10 𝑍2𝑠

𝑍10 𝑍2𝑠 − 𝑍𝐼1 𝑍20
𝑍𝐼2 =
𝑍𝐼1 − 𝑍10
𝑍20 𝑍𝐼1 + 𝑍20 𝑍1𝑠 𝑍20 𝑍1𝑠 − 𝑍𝐼1 𝑍20
=
𝑍10 + 𝑍𝐼1 𝑍𝐼1 − 𝑍10

𝑍20 𝑍𝐼1 2 + 𝑍20 𝑍1𝑠 𝑍𝐼1 − 𝑍20 𝑍𝐼1 𝑍10 − 𝑍10 𝑍20 𝑍1𝑠 = 𝑍10 𝑍20 𝑍1𝑠 − 𝑍10 𝑍𝐼1 𝑍20 + 𝑍20 𝑍1𝑠 𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼1 2 𝑍20

𝑍20 𝑍𝐼1 2 − 𝑍10 𝑍20 𝑍1𝑠 = 𝑍10 𝑍20 𝑍1𝑠 − 𝑍𝐼1 2 𝑍20

2𝑍20 𝑍𝐼1 2 = 2𝑍10 𝑍20 𝑍1𝑠

𝑍𝐼1 = √𝑍10 𝑍1𝑠

15
Para 𝑍𝐼2

𝑍𝐼2 𝑍10 + 𝑍𝐼2 𝑍𝐼1 = 𝑍20 𝑍𝐼1 + 𝑍20 𝑍1𝑠

𝑍20 𝑍1𝑠 − 𝑍𝐼2 𝑍10
𝑍𝐼1 =
𝑍𝐼2 − 𝑍20
𝑍10 𝑍𝐼2 + 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍10 𝑍2𝑠 − 𝑍𝐼2 𝑍10
=
𝑍20 + 𝑍𝐼2 𝑍𝐼2 − 𝑍20

𝑍10 𝑍𝐼2 2 + 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍𝐼2 − 𝑍20 𝑍𝐼2 𝑍10 − 𝑍10 𝑍20 𝑍2𝑠 = 𝑍10 𝑍20 𝑍2𝑠 − 𝑍10 𝑍𝐼2 𝑍20 + 𝑍10 𝑍2𝑠 𝑍𝐼2 − 𝑍𝐼2 2 𝑍10

2𝑍10 𝑍𝐼2 2 = 2𝑍10 𝑍20 𝑍2𝑠

𝑍𝐼2 = √𝑍20 𝑍2𝑠

2.- Operación Iterativa

Hace referencia a que, si se coloca en cualquier parte del circuito, se tiene siempre una impedancia a la izquierda
y otra a la derecha.

16
Demostración de la operación iterativa:
𝑍10 (𝑍𝐾1 + 𝑍2𝑠 )
𝑍𝐾1 =
𝑍20 + 𝑍𝐾1

𝑍𝐾1 𝑍20 + 𝑍𝐾1 2 = 𝑍10 𝑍𝐾1 + 𝑍10 𝑍2𝑠

𝑍𝐾1 2 + 𝑍𝐾1 (𝑍20 − 𝑍10 ) − 𝑍10 𝑍2𝑠 = 0

𝑎 = 1, 𝑏 = (𝑍20 − 𝑍10 ), 𝑐 = −𝑍10 𝑍2𝑠

𝑍10 − 𝑍20 ± √(𝑍20 − 𝑍10 )2 + (4𝑍10 𝑍2𝑠 )

𝑍𝐾1 =
2
Por simetría
𝑍20 (𝑍𝐾2 + 𝑍1𝑠 )
𝑍𝐾2 =
𝑍10 + 𝑍𝐾2

𝑍𝐾2 𝑍10 + 𝑍𝐾2 2 = 𝑍20 𝑍𝐾2 + 𝑍20 𝑍1𝑠

𝑍𝐾2 2 + 𝑍𝐾1 (𝑍10 − 𝑍20 ) − 𝑍20 𝑍1𝑠 = 0

𝑎 = 1, 𝑏 = (𝑍10 − 𝑍20 ), 𝑐 = −𝑍20 𝑍1𝑠

𝑍20 − 𝑍10 ± √(𝑍10 − 𝑍20 )2 + (4𝑍20 𝑍1𝑠 )

𝑍𝐾2 =
2

17
Circuito tipo L

Ecuaciones del circuito tipo L:

𝑍10 = 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵

𝑍1𝑠 = 𝑍𝐴

𝑍20 = 𝑍𝐵
𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵
𝑍2𝑠 =
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵

𝑍𝐴
𝑍𝐼1 = √𝑍10 𝑍1𝑠 = √𝑍𝐴 (𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 ) = √𝑍𝐴 𝑍𝐵 (1 + )
𝑍𝐵

18
 𝑍𝐴 𝑍𝐴 𝑍𝐵
𝑍𝐼2 = √𝑍20 𝑍2𝑠 = 𝑍𝐵 √ =√
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 𝑍
(1 + 𝑍𝐴 )
𝐵

Circuito T a partir de circuito L

Demostración:

𝑍1 = 2𝑍𝐴
𝑍𝐵
𝑍2 =
2

𝑍1
2𝑍1 𝑍2 𝑍1
𝑍𝐼1 = √ (1 + 2 ) = √𝑍1 𝑍2 (1 + ) = 𝑍𝐼2 = 𝑍𝑇
2 2𝑍2 4𝑍2

𝑍1 𝑍1 + 2𝑍2
𝑍10 = + 𝑍2 = = 𝑍20
2 2
𝑍1 𝑍2
𝑍1 2 𝑍1 𝑍1 𝑍2 𝑍1 2 + 4𝑍1 𝑍2
𝑍1𝑠 = + = + = = 𝑍2𝑠
2 𝑍1 + 2𝑍2 2 𝑍1 + 2𝑍2 2𝑍1 + 4𝑍2
2

19
Circuito T a partir de circuito π

Demostración:

𝑍1 = 2𝑍𝐴
𝑍𝐵
𝑍2 =
2

20
 2𝑍1 𝑍2 + 4𝑍2 2 2𝑍1 𝑍2 2𝑍2 4𝑍2 2 𝑍1 𝑍1 𝑍2
𝑍𝐼1 = √ ( )=√ (2𝑍1 𝑍2 ) = √ =√ = 𝑍𝐼2
4𝑍2 + 𝑍1 𝑍1 + 2𝑍2 4𝑍2 + 𝑍1 𝑍 𝑍
4𝑍2 (1 + 1 ) (1 + 1 )
4𝑍2 4𝑍2

𝑍𝐼1 = 𝑍𝐼2 = 𝑍𝜋

2𝑍2 (𝑍1 + 2𝑍2 ) 2𝑍2 𝑍1 + 4𝑍2 2

𝑍10 = = = 𝑍20
2𝑍2 + 𝑍1 + 2𝑍2 4𝑍2 + 𝑍1
2𝑍1 𝑍2
𝑍1𝑠 = = 𝑍2𝑠
𝑍1 + 2𝑍2

Encontrar 𝑍𝐴 y 𝑍𝐵 en función de 𝑍𝐼1 y 𝑍𝐼2:

𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 = 𝑍𝐴 𝑍𝐵
𝑍𝐼1 𝑍𝐴
=1+
𝑍𝐼2 𝑍𝐵

21
 𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 𝑍𝐴
=
𝑍𝐴 𝑍𝐼1
𝑍𝐼2 − 1

𝑍𝐼1 2 − 𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 = 𝑍𝐴 2

𝑍𝐼1 𝑍𝐼1
𝑍𝐴 = √𝑍𝐼1 2 (1 − ) = 𝑍𝐼1 √1 −
𝑍𝐼2 𝑍𝐼2

𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 𝑍𝐼1 𝑍𝐵 − 𝑍𝐵 𝑍𝐼2

=
𝑍𝐵 𝑍𝐼2

𝑍𝐼1 𝑍𝐼2 2 = 𝑍𝐵 2 (𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 )

𝑍𝐼1
𝑍𝐵 = 𝑍𝐼2 √
𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2

Funciones de transferencia con un circuito tipo L y la constante de operación iterativa:

𝑍𝐾1 = 𝑓(𝑍𝐴 , 𝑍𝐵 )

𝑍10 − 𝑍20 ± √(𝑍20 − 𝑍10 )2 + (4𝑍20 𝑍1𝑠 )

𝑍𝐾1 =
2

𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 − 𝑍𝐵 ± √(𝑍𝐵 − 𝑍𝐴 − 𝑍𝐵 )2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 )
𝑍𝐾1 =
2

𝑍𝐴 ± √𝑍𝐴 2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 )
𝑍𝐾1 =
2

(2𝑍𝐾1 − 𝑍𝐴 )2 = (±√𝑍𝐴 2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 ))2

𝑍𝐾1 2 − 𝑍𝐾1 𝑍𝐴 − 𝑍𝐴 𝑍𝐵 = 0

𝑍𝐾2 = 𝑓(𝑍𝐴 , 𝑍𝐵 )

𝑍20 − 𝑍10 ± √(𝑍10 − 𝑍20 )2 + (4𝑍20 𝑍1𝑠 )

𝑍𝐾2 =
2

𝑍𝐵 − 𝑍𝐴 − 𝑍𝐵 ± √(𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 − 𝑍𝐵 )2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 )
𝑍𝐾2 =
2

−𝑍𝐴 ± √𝑍𝐴 2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 )

𝑍𝐾2 =
2

22
 (2𝑍𝐾2 + 𝑍𝐴 )2 = (±√𝑍𝐴 2 + (4𝑍𝐴 𝑍𝐵 ))2

𝑍𝐾2 2 + 𝑍𝐾2 𝑍𝐴 − 𝑍𝐴 𝑍𝐵 = 0

𝑍𝐴 = 𝑓(𝑍𝐾1 , 𝑍𝐾2 )

𝑍𝐾1 2 − 𝑍𝐾1 𝑍𝐴 − 𝑍𝐴 𝑍𝐵 = 0

𝑍𝐾2 2 + 𝑍𝐾2 𝑍𝐴 − 𝑍𝐴 𝑍𝐵 = 0

𝑍𝐾2 2 − 𝑍𝐾1 2 = −𝑍𝐴 (𝑍𝐾2 + 𝑍𝐾1 )

(𝑍𝐾2 + 𝑍𝐾1 )(𝑍𝐾2 − 𝑍𝐾1 )
= −𝑍𝐴
(𝑍𝐾2 + 𝑍𝐾1 )

𝑍𝐴 = 𝑍𝐾1 − 𝑍𝐾2

𝑍𝐵 = 𝑓(𝑍𝐾1 , 𝑍𝐾2 )

𝑍𝐾1 2
= 𝑍𝐴
𝑍𝐾1 + 𝑍𝐵

𝑍𝐾2 2
= 𝑍𝐴
𝑍𝐵 − 𝑍𝐾2

𝑍𝐾1 2 𝑍𝐾2 2
=
𝑍𝐾1 + 𝑍𝐵 𝑍𝐵 − 𝑍𝐾2

𝑍𝐾1 2 𝑍𝐵 − 𝑍𝐾1 2 𝑍𝐾2 = 𝑍𝐾2 2 𝑍𝐾1 + 𝑍𝐾2 2 𝑍𝐵

𝑍𝐾1 𝑍𝐾2 (𝑍𝐾1 + 𝑍𝐾2 ) 𝑍𝐾1 𝑍𝐾2 (𝑍𝐾1 + 𝑍𝐾2 ) 𝑍𝐾1 𝑍𝐾2
𝑍𝐵 = 2 2 = =
(𝑍𝐾1 − 𝑍𝐾2 ) (𝑍𝐾1 + 𝑍𝐾2 )(𝑍𝐾1 − 𝑍𝐾2 ) (𝑍𝐾1 − 𝑍𝐾2 )

El transformador como cuadripolo

El transformador es una red de cuatro terminales muy importante, ya que sirve para cambiar el nivel de voltaje,
transformar el nivel de impedancia y proporcionar aislamiento d-c entre dos partes de un circuito

Un núcleo ferromagnético se utiliza generalmente en las frecuencias a través de la gama de audio, y esto
introduce una no linealidad. Además, las capacitancias distribuidas del transformador

Cada uno de estos efectos es difícil de analizar rigurosamente, el primero debido a las dificultades habituales
con el análisis no lineal, y el segundo debido a la complicada geometría del circuito distribuido real.

Ambos efectos serán ignorados al principio en el análisis. El efecto de la no linealidad puede observarse
posteriormente de forma cualitativa y, afortunadamente, en las aplicaciones habituales de un transformador bien
diseñado, no es de gran importancia. El efecto de las capacitancias se añadirá más tarde de una manera
aproximada.

23
El circuito equivalente del transformador es útil en la visualización y cálculo de transitorios, así como en su
aplicación habitual a los cálculos en estado estacionario. Para demostrarlo, pozo comenzará el análisis a partir
de las ecuaciones diferenciales del circuito, usando valores instantáneos de voltaje y corriente. Comenzamos
con el diagrama esquemático de la figura, que muestra las convenciones de la dirección positiva tanto para la
tensión como para la corriente. Las polaridades relativas de las dos bobinas están indicadas por puntos.

𝑁1 𝑉1 𝐼2
𝑎= = =
𝑁2 𝑉2 𝐼1

La corriente en una bobina está aumentando en el terminal punteado de ese lado, el voltaje inducido resultante
en la otra bobina hará que su punto sea positivo con respecto a su terminal sin pelar. Ahora consideramos la
tensión instantánea y las corrientes del transformador y escribimos las ecuaciones de voltaje alrededor de los
dos bucles:
𝜕𝑖1 𝜕𝑖2
𝑉1 = 𝑖1 𝑅 + 𝐿1 −𝑚
𝜕𝑡 𝜕𝑡
𝜕𝑖2 𝜕𝑖1
−𝑉2 = 𝑖2 𝑅2 + 𝐿2 −𝑚
𝜕𝑡 𝜕𝑡

24
Constantes de transferencia
En las líneas de transmisión tenemos:

𝐸 = 𝐸𝑠 𝑒 −𝛿𝑋

𝛿 = 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑎𝑔𝑎𝑐𝑖ó𝑛

𝑋 = 𝐷𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎

𝐸𝑠 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟

𝐸2 = 𝐸1 𝑒 −𝛿𝑋 = 𝐸1 𝑒 −𝛿

𝐸3 = 𝐸2 𝑒 −𝛿 = 𝐸1 𝑒 −𝛿 𝑒 −𝛿 = 𝐸1 𝑒 −2𝛿

Para los cuadripolos:

1.- Constante de transferencia Imagen

Constantes:

𝜃 = 𝛼 + 𝑗𝛽

𝜃𝑇 = 𝜃1 + 𝜃2 + 𝜃3

𝐸1 = 𝐼1 𝑍𝐼1

𝐸2 = 𝐼2 𝑍𝐼2

𝐸1 𝐼1 𝐼1 2 𝑍𝐼1 𝐼1 𝑍𝐼1
𝑒𝜃 = √ =√ 2 = √
𝐸2 𝐼2 𝐼2 𝑍𝐼2 𝐼2 𝑍𝐼2

25
 𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍 𝑍 (𝑍 + √𝑍20 𝑍2𝑠 )2 𝑍10 𝑍1𝑠
𝑒 2𝜃 = ( √√ 10 1𝑠 )2 = 20 √
√𝑍20 (𝑍10 − 𝑍1𝑠 ) 𝑍20 𝑍2𝑠 𝑍10 (𝑍20 − 𝑍2𝑠 ) 𝑍20 𝑍2𝑠

𝑍 𝑍 𝑍
𝑍20 + (1 + √𝑍2𝑠 )2 𝑍 𝑍 1 + √𝑍2𝑠 𝑍 2 𝑍 𝑍 1 + √𝑍2𝑠
20 10 1𝑠 20 20 10 1𝑠 20
𝑒 2𝜃 = √ = √ 2 =
𝑍2𝑠 𝑍 𝑍
20 2𝑠 𝑍 𝑍 𝑍 𝑍 𝑍
𝑍10 (1 − 𝑍 ) 1 − √𝑍2𝑠 10 20 2𝑠
1 − √𝑍2𝑠
20 20 20

𝑍
1 + √𝑍2𝑠
20
2𝜃 𝑙𝑛 (𝑒) = 𝑙𝑛 ( )
𝑍
1 − √𝑍2𝑠
20

𝑍
1 1 + √𝑍2𝑠 𝑍2𝑠
20
𝜃 = 𝑙𝑛 = 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ(√ )
2 𝑍 𝑍20
1 − √𝑍2𝑠
( 20 )

𝑍2𝑠
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √
𝑍20

Ejercicio 3
Una red de cuadripolo tipo L tiene una 𝑍𝐼1 = 750Ω y tiene una 𝑍𝐼2 = 150 Ω. Determinar la constante de
transferencia imagen, así como las impedancias del cuadripolo.

𝑍𝐴 = √𝑍𝐼1 (𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 ) = √750Ω(750Ω − 150Ω) = √750Ω ∗ 600Ω = 670.82Ω

𝑍𝐼1 750Ω 750Ω

𝑍𝐵 = 𝑍𝐼2 √ = 150Ω√ = 150Ω√ = 167.70Ω
𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 750Ω − 150Ω 600Ω

𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵 670.82Ω ∗ 167.70Ω
𝑍2𝑠 = = = 134.16Ω
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 670.82Ω + 167.70Ω

𝑍20 = 𝑍𝐵 = 167.70Ω

𝑍2𝑠
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = (√ )
𝑍20

134.16Ω
𝜃 = 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ (√ ) = 1.44
167.70Ω

26
Funciones de transferencia con el coeficiente imagen

𝑍𝐴 𝑍𝐵
√ 𝑍𝐴 + 𝑍𝑏 𝑍𝐴
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = =√
𝑍𝐵 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵
( )

𝑍𝐼1 = √𝑍10 𝑍1𝑠 = √𝑍𝐴 (𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 )

𝑍𝐴
𝑡𝑔ℎ(𝜃) ∗ 𝑍𝐼1 = √ ∗ √𝑍𝐴 (𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 ) = 𝑍𝐴
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵

𝑍2𝑠
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = (√ )
𝑍20

𝑍𝐼2 = √𝑍20 𝑍2𝑠

𝑍𝐼2
= 𝑍20 = 𝑍𝐵
𝑡𝑔ℎ(𝜃)

𝑡𝑔ℎ(𝜃) ∗ 𝑍𝐼1 𝑡𝑔ℎ2 (𝜃) ∗ 𝑍𝐼1

𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √ =√
𝑍𝐼2 𝑍𝐼1 ∗ 𝑡𝑔ℎ2 (𝜃) + 𝑍𝐼2
𝑡𝑔ℎ(𝜃) ∗ 𝑍𝐼1 + 𝑡𝑔ℎ(𝜃)

𝑍𝐼1 ∗ 𝑡𝑔ℎ2 (𝜃) + 𝑍𝐼2 = 𝑍𝐼1

𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √
𝑍𝐼1

Constante de trasferencia imagen en circuito tipo T

𝑍2 𝑍3 + 𝑍1 𝑍2 + 𝑍1 𝑍3
𝑍2𝑠 √ 𝑍1 + 𝑍3 𝑍2 𝑍3 + 𝑍1 𝑍2 + 𝑍1 𝑍3
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √ = =√
𝑍20 𝑍2 + 𝑍3 𝑍1 𝑍2 + 𝑍1 𝑍3 + 𝑍2 𝑍3 + 𝑍3 2

Constante de trasferencia imagen en circuito tipo π

𝑍2 𝑍3
𝑍2𝑠 𝑍2 + 𝑍3 𝑍1 𝑍2 𝑍3 + 𝑍2 2 𝑍3 + 𝑍2 𝑍3 2 𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √ =√ =√ =√
𝑍20 𝑍1 𝑍3 + 𝑍2 𝑍3 𝑍1 𝑍2 𝑍3 + 𝑍2 2 𝑍3 + 𝑍1 𝑍3 2 + 𝑍2 𝑍3 2 𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3 + 𝑍1 𝑍3
𝑍1 + 𝑍2 + 𝑍3

27
2.- Constante de transferencia Iterativa
Demostración:
𝐸1 𝐼1
𝑒𝑃 = =
𝐸2 𝐼2

𝑍𝐿 = 𝑍𝐾1

𝐸1 − 𝐸2 𝐸2
𝐼1 = 𝐼2 =
𝑍𝐴 𝑍𝐾1

𝐸1 − 𝐸2
𝑍𝐴 𝑍𝐾1 𝐸1
𝑒𝑃 = = ( − 1)
𝐸2 𝑍𝐴 𝐸2
𝑍𝐾1

𝑍𝐴 𝑒 𝑃 = 𝑍𝐾1 𝑒 𝑃 − 𝑍𝐾1

𝑍𝐴 = 𝑍𝐾1 (1 − 𝑒 −𝑃 )

𝑍𝐵
𝐼2 = 𝐼
𝑍𝐵 + 𝑍𝐾1 1
𝑍𝐵 + 𝑍𝐾1 𝐼1
= = 𝑒𝑃
𝑍𝐵 𝐼2

𝑍𝐵 + 𝑍𝐾1 = 𝑍𝐵 𝑒 𝑃
𝑍𝐾1
𝑍𝐵 =
(𝑒 𝑃 − 1)

𝑍𝑔
𝐸1 = 𝐸
𝑍𝑔 + 𝑍𝐴 2

𝐸1 𝑍𝑔
= = 𝑒 −𝑃
𝐸2 𝑍𝑔 + 𝑍𝐴

𝑍𝐾2 𝑒 𝑃 = 𝑍𝐾2 + 𝑍𝐴

𝑍𝐴 = 𝑍𝐾2 (𝑒 𝑃 − 1)

𝑍𝐵
𝐼1 = 𝐼
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 + 𝑍𝐾2 2

28
 𝐼1 𝑍𝐵
= = 𝑒 −𝑃
𝐼2 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 + 𝑍𝐾2

𝑍𝐵 𝑒 𝑃 = 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 + 𝑍𝐾2

𝑍𝐵 (𝑒 𝑃 − 1) = 𝑍𝐴 + 𝑍𝐾2

𝑍𝐵 (𝑒 𝑃 − 1) = 𝑍𝐾2 (𝑒 𝑃 − 1) + 𝑍𝐾2

𝑍𝐵 (𝑒 𝑃 − 1) = 𝑍𝐾2 (𝑒 𝑃 )

𝑍𝐵 (1 − 𝑒 −𝑃 ) = 𝑍𝐾2

Ejercicio 4
Se tiene una impedancia 𝑍𝐼1 = 750Ω y 𝑍𝐼2 = 150Ω.Calcular:

a) 𝑍𝐴 , 𝑍𝐵 𝑦 𝜃 para un circuito tipo L

𝑍𝐴 = √𝑍𝐼1 (𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 ) = √750Ω(750Ω − 150Ω) = √750Ω ∗ 600Ω = 670.82Ω

𝑍𝐼1 750Ω 750Ω

𝑍𝐵 = 𝑍𝐼2 √ = 150Ω√ = 150Ω√ = 167.70Ω
𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 750Ω − 150Ω 600Ω

𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵 670.82Ω ∗ 167.70Ω
𝑍2𝑠 = = = 134.16Ω
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 670.82Ω + 167.70Ω

𝑍20 = 𝑍𝐵 = 167.70Ω

𝑍2𝑠
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = (√ )
𝑍20

134.16Ω
𝜃 = 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ (√ ) = 1.44
167.70Ω

b) 𝑍𝐴 , 𝑍𝐵 𝑦 𝜃 para un circuito tipo T y tipo π

Tipo T:

29
 𝑍1 = 2𝑍𝐴 = 1341.64Ω

𝑍𝐵
𝑍2 = = 83.85Ω
2

𝑍𝐴 1
𝑡𝑔ℎ(𝜃𝐿 ) = √ =
𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 √1 + 𝑍𝐵
𝑍𝐴

𝜃𝑇 1 1
𝑡𝑔ℎ ( )= =√
2 2𝑍
√1 + 2 4𝑍
𝑍1 1+ 2
𝑍1
2

1 1
𝜃𝑇 = 2 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ √ = 2 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ √ = 2.88
4𝑍 4(83.85Ω)
1+ 𝑍2 1 + 1341.64Ω
1
( ) ( )

𝑍𝐴 = 𝑍𝐼1 𝑡𝑔ℎ(𝜃𝐿 )
𝑍1 𝜃𝑇
= 𝑍𝑇 𝑡𝑔ℎ( )
2 2
𝜃𝑇
𝑍1 = 2𝑍𝑇 𝑡𝑔ℎ( )
2

𝑍1
𝑍𝑇 = √𝑍1 𝑍2 (1 + )
4𝑍2

30
 𝑍𝐼2
𝑍𝐵 =
𝑡𝑔ℎ(𝜃𝐿 )
−𝑍𝑇
2𝑍2 =
𝜃
𝑡𝑔ℎ( 𝑇 )
2
−𝑍𝑇
𝑍2 =
𝜃
2𝑡𝑔ℎ( 2𝑇 )

Tipo π:

𝑍1 = 2𝑍𝐴 = 1341.64Ω

𝑍𝐵
𝑍2 = = 83.85Ω
2

𝜃𝜋 = 2𝜃𝐿

𝜃𝜋 1
𝑡𝑔ℎ ( )=√
2 4𝑍
1+ 𝑍 2
1

1 1
𝜃𝜋 = 2 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ √ = 2 𝑎𝑟𝑐 𝑡𝑔ℎ √ = 2.88
4𝑍 4(83.85Ω)
1+ 𝑍2 1 + 1341.64Ω
1
( ) ( )

31
Atenuadores
Los atenuadores son componentes que reducen la potencia de la señal, en una cantidad previamente prefijada,
absorbiendo o reflejando parte de su energía y disipándola en forma de calor. Existen dos tipos de atenuadoras:
fijos y variables. Entre las propiedades del atenuador debe esta la adaptación de las puertas de entrada y salida.

Los atenuadores generalmente se usan cuando se conoce el valor de atenuación, para máxima transferencia de
potencia y para conexiones en cascada.

𝑅𝐴 = 𝑅𝐿 (1 − 𝑒 −𝑃 )
𝑅𝐿
𝑅𝐵 =
(𝑒 𝑃 − 1)

𝑅𝐴 = 𝑅𝑔 (𝑒 𝑃 − 1)

𝑅𝑔
𝑅𝐵 =
(1 − 𝑒 −𝑃 )

Ejercicio 5
Se requiere un atenuador tipo L que de una atenuación de 6dB cuando la resistencia de carga es de 150Ω.

P=6dB

𝑅𝐿 = 150Ω
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 6𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.6912𝑁𝑝
6𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵

𝑅𝐴 = 𝑅𝐿 (1 − 𝑒 −𝑃 ) = 150Ω(1 − 𝑒 −0.6912 ) = 74.85Ω

𝑅𝐿 150Ω
𝑅𝐵 = = = 150.58Ω
(𝑒 𝑃 − 1) (𝑒 0.6912 − 1)

32
 𝑅𝐿 𝑅𝐵
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵
𝐸1 = 𝐸
𝑅 𝑅𝐵 2
𝑅𝐴 + 𝑅 𝐿+ 𝑅
𝐿 𝐵

𝑅𝐿 𝑅𝐵 150Ω ∗ 150.58Ω
𝐸1 𝑅𝐿 + 𝑅𝐵 150Ω + 150.58Ω 75.15Ω
| = = = = −6𝑑𝐵
𝐸2 𝑑𝐵 𝑅 + 𝑅𝐿 𝑅𝐵 74.85Ω +
150Ω ∗ 150.58Ω 149.99Ω
𝐴 𝑅 +𝑅 150Ω + 150.58Ω
𝐿 𝐵

Un atenuador tipo L opera con 𝑅𝐿 = 70Ω, la impedancia de entrada también es de 70Ω. Determinar los
elementos del equipo y la impedancia interna de la fuente para tener atenuación de 3dB, 6dB y 9dB.

Para 3 dB:
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 3𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.3456𝑁𝑝
3𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵

𝑅𝐴 = 𝑅𝐿 (1 − 𝑒 −𝑃 ) = 70Ω(1 − 𝑒 −0.3456 ) = 20.4543Ω

𝑅𝐿 70Ω
𝑅𝐵 = = 0.3456 = 169.5582Ω
(𝑒 𝑃 − 1) (𝑒 − 1)

𝑅𝐿 𝑅𝐵
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵
𝐸1 = 𝐸
𝑅 𝑅𝐵 2
𝑅𝐴 + 𝑅 𝐿+ 𝑅
𝐿 𝐵

𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 169.5582Ω
𝐸1 𝑅𝐿 + 𝑅𝐵 70Ω + 169.5582Ω
| = 20𝑙𝑜𝑔 ( ) = 20𝑙𝑜𝑔 ( ) = 20𝑙𝑜𝑔 (0.7077) = −3𝑑𝐵
𝐸2 𝑑𝐵 𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 169.5582Ω
𝑅𝐴 + 𝑅 + 𝑅 20.4543Ω + 70Ω + 169.5582Ω
𝐿 𝐵

𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵
𝑍10 (𝑍𝐿 + 𝑍2𝑠 ) 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 (𝑍𝐿 + 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 )
𝑍𝑠 = =
𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍𝐵 + 𝑍𝐿
20.4543Ω ∗ 169.5582Ω
20.4543Ω + 169.5582Ω(70Ω + )
= 20.4543Ω + 169.5582Ω
169.5582Ω + 70Ω
𝑍𝑠 = 70Ω

Para 6 dB:
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 6𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.6912𝑁𝑝
6𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵

𝑅𝐴 = 𝑅𝐿 (1 − 𝑒 −𝑃 ) = 70Ω(1 − 𝑒 −0.6912 ) = 34.9317Ω

𝑅𝐿 70Ω
𝑅𝐵 = = 0.6912 = 70.2734Ω
(𝑒 𝑃 − 1) (𝑒 − 1)

33
 E2 𝑅𝐿 𝑅𝐵
E1
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵
𝐸1 = 𝐸
𝑅 𝑅𝐵 2
𝑅𝐴 + 𝑅 𝐿+ 𝑅
𝐿 𝐵

𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 70.2734Ω
E1/E2𝐸1 | = 20𝑙𝑜𝑔 (
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵
) = 20𝑙𝑜𝑔 ( 70Ω + 70.2734Ω ) = 20𝑙𝑜𝑔 (0.5009) = −6𝑑𝐵
𝐸2 𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 70.2734Ω
𝑑𝐵 𝑅𝐴 + 𝑅 + 𝑅 34.9317Ω + 70Ω + 70.2734Ω
𝐿 𝐵

𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵 34.9317Ω ∗ 70.2734Ω
𝑍10 (𝑍𝐿 + 𝑍2𝑠 ) 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 (𝑍𝐿 + 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 ) 34.9317Ω + 70.2734Ω(70Ω + 34.9317Ω + 70.2734Ω)
𝑍𝑠 = = =
𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍𝐵 + 𝑍𝐿 70.2734Ω + 70Ω

𝑍𝑠 = 70Ω

Para 9 dB:
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 9𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 1.0368𝑁𝑝
9𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵

𝑅𝐴 = 𝑅𝐿 (1 − 𝑒 −𝑃 ) = 70Ω(1 − 𝑒 −1.0368 ) = 45.1788Ω

𝑅𝐿 70Ω
𝑅𝐵 = = 1.0368 = 38.4577Ω
(𝑒 𝑃− 1) (𝑒 − 1)

𝑅𝐿 𝑅𝐵
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵
𝐸1 = 𝐸
𝑅 𝑅𝐵 2
𝑅𝐴 + 𝑅 𝐿+ 𝑅
𝐿 𝐵

𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 38.4577Ω
𝐸1 𝑅𝐿 + 𝑅𝐵 70Ω + 38.4577Ω
| = 20𝑙𝑜𝑔 ( ) = 20𝑙𝑜𝑔 ( ) = 20𝑙𝑜𝑔 (0.3545) = −9𝑑𝐵
𝐸2 𝑑𝐵 𝑅𝐿 𝑅𝐵 70Ω ∗ 38.4577Ω
𝑅𝐴 + 45.1788Ω +
𝑅𝐿 + 𝑅𝐵 70Ω + 38.4577Ω
𝑍𝐴 ∗ 𝑍𝐵 45.1788Ω ∗ 38.4577Ω
𝑍10 (𝑍𝐿 + 𝑍2𝑠 ) 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 (𝑍𝐿 + 𝑍𝐴 + 𝑍𝐵 ) 45.1788Ω + 38.4577Ω(70Ω + 45.1788Ω + 38.4577Ω)
𝑍𝑠 = = =
𝑍20 + 𝑍𝐿 𝑍𝐵 + 𝑍𝐿 38.4577Ω + 70Ω

𝑍𝑠 = 70Ω

Circuitos Simétricos
Los circuitos simétricos en cuadripolos son aquellos que sus impedancias ya sean imagen o
iterativas son iguales. Es decir 𝑅𝐼1 = 𝑅𝐼2 o 𝑅𝐾1 = 𝑅𝐾2 .

34
 𝑒𝜃 − 1
𝑅1 = 2𝑅𝑇 ( )
𝑒𝜃 + 1
𝑅𝑇 𝑒 𝜃 + 1
𝑅2 = ( )
2 𝑒𝜃 − 1
𝑅𝐼1 = 𝑅𝐼2 = 𝑅𝑇

𝑒 2𝜃 − 1
𝑅1 = 𝑅𝜋 ( )
2𝑒 𝜃
𝑅𝜋 𝑒 𝜃 + 1
𝑅2 = ( )
2 𝑒𝜃 − 1
𝑅𝐼1 = 𝑅𝐼2 = 𝑅𝜋

Conexiones en cascada
Existen puntos de conmutación. Para una máxima transferencia de potencia se tiene:

35
 𝑍𝜋
𝑀𝑇𝑃 = 𝑍𝑔 =
2

Ejercicio 6
Se requiere un atenuador a pasos, el cual permita tener atenuaciones de 3dB, 5db y 9dB si se conecta una 𝑍𝐿 =
150Ω

Circuitos simétricos 𝑍𝐼2 = 𝑍𝐿 = 𝑍𝜋

a)
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 3𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.3456𝑁𝑝
3𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵
R11 𝑒 2𝜃 − 1 𝑒 2(0.3456) − 1
𝑅1 = 𝑅𝜋 ( ) = 150Ω ( ) = 52.5781Ω
2𝑒 𝜃 2𝑒 0.3456

𝑅𝜋 𝑒 𝜃 + 1 150Ω 𝑒 0.3456 + 1
𝑅2 = ( 𝜃 )= ( 0.3456 ) = 438.3392Ω
2 𝑒 −1 2 𝑒 −1

b)
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 2𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.2304𝑁𝑝
2𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵
𝑒 2𝜃 − 1 𝑒 2(0.2304) − 1
𝑅1 = 𝑅𝜋 ( ) = 150Ω ( ) = 34.8665Ω
2𝑒 𝜃 2𝑒 0.2304

𝑅𝜋 𝑒 𝜃 + 1 150Ω 𝑒 0.2304 + 1
𝑅2 = ( 𝜃 )= ( 0.2304 ) = 653.9191Ω
2 𝑒 −1 2 𝑒 −1

c)
8.68𝑑𝑏 → 1𝑁𝑝 4𝑑𝐵 ∗ 1𝑁𝑝
=> 𝑥 = = 0.4608𝑁𝑝
4𝑑𝐵 → 𝑥 8.68𝑑𝐵
𝑒 2𝜃 − 1 𝑒 2(0.4608) − 1
𝑅1 = 𝑅𝜋 ( ) = 150Ω ( ) = 71.5922Ω
2𝑒 𝜃 2𝑒 0.4608

𝑅𝜋 𝑒 𝜃 + 1 150Ω 𝑒 0.4608 + 1
𝑅2 = ( 𝜃 )= ( 0.4608 ) = 331.2605Ω
2 𝑒 −1 2 𝑒 −1

36
37
Perdidas de inserción

Relación de inserción:

𝐸2 ′ 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑠𝑖𝑛 𝑐𝑢𝑎𝑑𝑟𝑖𝑝𝑜𝑙𝑜(𝑀𝑔𝑛𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑦 𝑓𝑎𝑠𝑒)

𝑅𝐼 = =
𝐸2 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑎𝑙 𝑐𝑜𝑛𝑒𝑐𝑡𝑎𝑟 𝑒𝑙 𝑐𝑢𝑎𝑑𝑟𝑖𝑝𝑜𝑙𝑜

𝑍𝐿
𝐸2 ′ = 𝐸𝐿 = 𝐸
𝑍𝑔 + 𝑍𝐿 𝑔

Perdidas de inserción

𝐸2 ′ 𝐼2 ′
𝑃𝐼 = 𝑙𝑛 ( ) = 𝑙𝑛 ( ) [𝑁𝑒𝑝𝑒𝑟]
𝐸2 𝐼2

𝐸2 ′ 𝐼2 ′
𝑃𝐼 = 20 𝑙𝑜𝑔 ( ) = 20 𝑙𝑜𝑔 ( ) [𝑑𝐵]
𝐸2 𝐼2

Factor de reflexión:

Demostración
𝐸𝑔
𝐼1 =
2𝑍𝑔

𝐸𝑔
𝐼2 ′ =
𝑍𝐿 + 𝑍𝑔

38
 𝐼1 𝑍𝐼1
𝑒𝜃 = √
𝐼2 𝑍𝐼2

𝐸𝑔 −𝜃 𝑍𝐼1 𝐸𝑔 𝑒 −𝜃
𝐼2 = 𝑒 √ =
2𝑍𝑔 𝑍𝐼2 2√𝑍𝑔 𝑍𝐿

𝐸𝑔 𝑍𝑔
2𝑒 𝜃 √𝑍
𝐼2 ′ 𝑍𝐿 + 𝑍𝑔 2√𝑍𝑔 𝑍𝐿 𝐿
𝑅𝐼 = = = =
𝐼2 𝐸𝑔 𝑒 −𝜃 (𝑍𝐿 + 𝑍𝑔 )𝑒 −𝜃 𝑍𝑔
1+𝑍
2√𝑍𝑔 𝑍𝐿 𝐿

𝑍𝑔
2𝑒 𝜃 √𝑍
𝐿
𝑍𝑔
𝑍𝑔 2 √𝑍
𝑅𝐼 1 + 𝐿
𝑍𝐿
𝐹𝑅 = 𝜃 = =
𝑒 𝑒𝜃 𝑍𝑔
1+𝑍
𝐿

Si 𝑍𝑔 = 𝑍𝐿

𝑅𝐼 = 𝑒 𝜃 , 𝑃𝐼 = 𝜃 [𝑁𝑒𝑝𝑒𝑟], 𝐹𝑅 = 1

Ejercicio 7
Se tiene valores de 𝑍𝐿 = 5Ω, 𝑍𝑔 = 5𝑘Ω. Determinar la perdida de inserción.

𝑍𝐼1 − 𝑍𝐼2 𝑍𝐼2 5Ω

𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √ = √1 − = √1 − = 0.9994
𝑍𝐼1 𝑍𝐼1 5000Ω

𝜃 = 4.1467

5000Ω
2𝑒 4.1467 √ 5Ω
𝑅𝐼 = = 3.9947
5000Ω
1 + 5Ω

𝑃𝐼 = 𝑙𝑛(𝑅𝐼 ) = 𝑙𝑛(3.9947) = 1.3849[𝑁𝑒𝑝𝑒𝑟]

𝑃𝐼 = 20 𝑙𝑜𝑔(𝑅𝐼 ) = 20 𝑙𝑜𝑔(3.9947) = 12.0296[𝑑𝐵]

Redes de acoplamiento de impedancias

Un cuadripolo que se utiliza para acoplar impedancias es el trasformador con núcleo de hierro y en altas
frecuencias núcleo de aire.

Se utilizan generalmente cuadripolos (Tipo L) con elementos reactivos.

39
-Acoplan elementos puramente resistivos

-Trabajan en la conexión imagen

𝑅𝐼1 = 𝑅1

𝑅𝐼2 = 𝑅2

𝑅2
𝑡𝑔ℎ(𝜃) = √1 −
𝑅1

𝜃 = 𝛼 + 𝑗𝛽 → 𝑆𝑖 𝛼 = 0

𝜃 = 𝑗𝛽 (𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑓𝑎𝑠𝑒) → 𝑅2 > 𝑅1

𝑡𝑔ℎ(𝑗𝛽 ) = 𝑗𝑡𝑔(𝛽 )

𝑅2
𝑡𝑔(𝛽 ) = ±√ −1
𝑅1

𝑍𝐴 = 𝑡𝑔ℎ(𝜃) ∗ 𝑍𝐼1 → 𝑍𝐴 = 𝑗𝑡𝑔(𝛽 ) ∗ 𝑅1

𝑍𝐼2 𝑅2
𝑍𝐵 = → 𝑍𝐵 = −𝑗
𝑡𝑔ℎ(𝜃) 𝑡𝑔(𝛽)

Ejercicio 8
Se va a utilizar un circuito de acoplamiento entre una carga de 700Ω y una fuente con una resistencia de 70Ω.
El circuito opera a una frecuencia de 560KHz. Se desea eliminar los armónicos.

40
 𝑅2 > 𝑅1

𝑅2 700Ω
𝑡𝑔(𝛽 ) = ±√ − 1 = ±√ − 1 = ±3
𝑅1 70Ω

𝛽 = ±𝑡𝑔(3) = ±1.2490

Utilizamos el signo positivo por los valores de las reactancias:

𝑍𝐴 = 𝑗𝑡𝑔(𝛽 ) ∗ 𝑅1 = 𝑗 ∗ (3)(70Ω) = 𝑗210Ω

𝑅2 700Ω
𝑍𝐵 = −𝑗 = −𝑗 = −𝑗233.33Ω
𝑡𝑔(𝛽 ) (3)

Para encontrar los valores de inductancia y capacitancia:

𝑍𝐴 = 𝑋𝐿 = 𝑗𝑤𝐿
𝑍𝐴 𝑗210Ω
𝐿= = = 59.68𝑢𝐻
𝑗𝑤 𝑗2𝜋𝑓

𝑗
𝑍𝐵 = 𝑋𝐶 = −
𝑤𝐶
𝑗 𝑗
𝐶=− =− = 1.21𝑛𝐹
𝑤𝑍𝐵 2𝜋𝑓(−𝑗233.33Ω)

41
 Capítulo 2

Guía de Onda
Son secciones huecas construidas con un material conductor que pueden ser rectangulares cilíndricas o elípticas,
cuyas paredes internas deben estar perfectamente pulidas y tienen simetría perfecta

Se utiliza para transportar energía electromagnética de un punto a otro

DIFERENCIA DE GUÍA DE ONDA CON LÍNEA DE TRANSMISIÓN

LÍNEA DE TRANSMISIÓN GUÍA DE ONDA

Transmite señales hasta 1 GHz Transmite señales hasta 325 GHz

Requiere 2 conductores y un medio dieléctrico Requiere 1 conductor y aire deshidratado como medio
dieléctrico

Producen pérdidas de 4dB cada 100 metros Producen pérdidas de 2,3-2,6 dB cada 100 metros

Soportan bajas potencias Soportan altas potencias 10 veces mayor que una línea
de transmisión

Trabajan en los modos TEM Trabajan en los modos superiores TEmn y TMmn

Trabajan con elementos concentrados (R, C, L) Trabajan con elementos distribuidos (pequeñas
secciones de líneas de transmisión)

Varias señales en diferentes señales Varias señales en una sola frecuencia

La velocidad no depende de la frecuencia La velocidad depende frecuencia y de las dimensiones

distribuidas

NOTA: Las dimensiones para una guía de onda militar son 1160 x 866 mm y un espesor de 2 mm con una
frecuencia 1,12 y 1,76 GHz

42
Principios Básicos
En un conductor los componentes paralelos a la
superficie conductora se anulan.

En la guía de onda la onda electromagnética viaja en

forma de zigzag (reflexión) con una velocidad menor a
la velocidad en el espacio libre.
𝑣𝑛
𝑐𝑜𝑠 𝜃 = → 𝑣𝑛 = 𝑐. 𝑐𝑜𝑠 𝜃
𝑐
𝑣𝑔
𝑠𝑖𝑛 𝜃 = → 𝑣𝑔 = 𝑐. 𝑠𝑖𝑛 𝜃
𝑐

1. Señales en fase 𝐸1 = 𝑘𝐸2

2. Señales en desfase 𝐸1 = −𝑘𝐸2

𝜆 𝜆
𝑐𝑜𝑠 𝜃 = → 𝜆𝑛 =
𝜆𝑛 𝑐𝑜𝑠 𝜃

𝜆 𝜆
𝑠𝑖𝑛 𝜃 = → 𝜆𝑔 =
𝜆𝑔 𝑠𝑖𝑛 𝜃

Velocidad de grupo

Es la velocidad con la que se propaga la onda electromagnética dentro de la guía de onda y es menor a la
velocidad en el espacio libre y es paralela a la superficie conductora lo que ocasiona modos superiores de
propagación TEmn TMmn.

𝑣𝑔 < 𝑐

𝑣𝑔 = 𝑐. 𝑠𝑖𝑛 𝜃

Una característica entre la velocidad de grupo y la velocidad de fase, se cumple que:

𝑐
𝑣𝑔 . 𝑣𝑓 = 𝑐. 𝑠𝑖𝑛 𝜃 ∗
𝑠𝑖𝑛 𝜃
𝒗𝒈 . 𝒗𝒇 = 𝒄𝟐

Velocidad de fase (vf, vph)

Es la velocidad con la que cambia la señal de fase en dirección a la superficie conductora.

𝑣𝑝ℎ = 𝑓. 𝜆𝑔

43
 𝜆 𝑐
𝑣𝑝ℎ = 𝑓 =
𝑠𝑖𝑛 𝜃 𝑠𝑖𝑛 𝜃

La separación de los planos conductores debe ser un

múltiplo entero de la media longitud de onda
perpendicular a la superficie conductora.

𝜆𝑛 𝜆
𝑎 = 𝑚( ) = 𝑚( )
2 2𝑐𝑜𝑠 𝜃
𝜆
𝜆𝑔 =
𝑠𝑖𝑛 𝜃
𝜆
𝜆𝑔 =
√1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜃 2
𝜆
𝜆𝑔 =
2
√1 − (𝑚 𝜆 )
2𝑎

Si:

𝜆 2
1 − (𝑚 ) >0 𝐿𝑎 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑠𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑎𝑔𝑎
2𝑎

𝜆 2
1 − (𝑚 ) <0 𝐿𝑎 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑛𝑜 𝑠𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑎𝑔𝑎
2𝑎

𝜆 2
1 − (𝑚 ) =0 𝐶𝑜𝑛𝑑𝑖𝑐𝑖ó𝑛 𝑐𝑟í𝑡𝑖𝑐𝑎:
2𝑎
(𝑓𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑦 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑛𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝑜𝑛𝑑𝑎 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑜𝑠, 𝜆𝑐 )

Longitud de onda crítica

𝜆𝑐 2
1 − (𝑚 ) =0
2𝑎

𝜆𝑐 2
√1 = √(𝑚 )
2𝑎

𝟐𝒂 𝝀
𝝀𝒄 = ± ∴ 𝝀𝒈 =
𝒎 𝟐
√𝟏 − ( 𝝀 )
𝝀𝒄

𝑣𝑔 = 𝑐. 𝑠𝑖𝑛 𝜃

𝑣𝑔 = 𝑐 √1 − 𝑐𝑜𝑠 𝜃 2

44
 𝝀 𝟐
𝒗𝒈 = 𝒄. √𝟏 − ( )
𝝀𝒄

Impedancia característica
𝑍0
𝑇𝐸𝑚𝑛 → 𝑍 =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

𝜆 2
𝑇𝑀𝑚𝑛 → 𝑍 = 𝑍0 √1 − ( )
𝜆𝑐

Guía de Onda Propiamente Rectangular

2
𝜆𝑐 =
2 2
√ ( 𝑚) + ( 𝑛 )
𝑎 𝑏

Ejercicio 1
1.- Una señal se propaga en una guía de onda con una frecuencia de 6[GHz], si la distancia entre los planos
conductores es de 3[cm].

Determinar la frecuencia de corte para el modo dominante, la longitud de onda, la velocidad con la que se
propaga la señal en la guía, la velocidad de fase.

Datos:

𝑇𝐸10 → 𝑚 = 1 , 𝑛 = 0

a=3[cm], F= 6[GHz]

2𝑎
𝜆𝑐 = ±
𝑚
2(3)[𝑐𝑚]
𝜆𝑐 =
1
𝝀𝒄 = 𝟔 [𝒄𝒎]

45
 𝑐
𝜆=
𝑓

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝜆=
6 ∗ 109 [1⁄𝑠]

𝝀 = 𝟎. 𝟎𝟓[𝒎] → 𝟓[𝒄𝒎]

𝜆
𝜆𝑔 =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

5[𝑐𝑚]
𝜆𝑔 =
2
√1 − (5[𝑐𝑚])
6[𝑐𝑚]

5[𝑐𝑚]
𝜆𝑔 =
√1 − 25
36

𝝀𝒈 = 𝟗. 𝟎𝟓[𝒄𝒎]

𝑐
𝑓𝑐 =
𝜆𝑐

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝑓𝑐 =
0.06 [𝑚]

𝑓𝑐 = 5 ∗ 109 [𝐻𝑧]

𝒇𝒄 = 𝟓 [𝑮𝑯𝒛]

𝜆 2
𝑣𝑔 = 𝑐. √1 − ( )
𝜆𝑐

2
5 [𝑐𝑚]
𝑣𝑔 = 3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]√1 − ( )
6 [𝑐𝑚]

√11
𝑣𝑔 = 3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
6
𝒗𝒈 = 𝟏𝟔𝟓. 𝟖𝟑𝟏 ∗ 𝟏𝟎𝟔 [𝒎⁄𝒔]

𝑣𝑝ℎ = 𝑓 ∗ 𝜆𝑔

46
 𝑐 𝜆
𝑣𝑝ℎ = ∗
𝜆 2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

𝑐
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − (5 [𝑐𝑚])
6 [𝑐𝑚]

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝑣𝑝ℎ =
√11
6
𝒗𝒑𝒉 = 𝟓𝟒𝟐. 𝟕𝟐 ∗ 𝟏𝟎𝟔 [𝒎⁄𝒔]

2.- Una medida de la guía de onda es 3 x 4.5 [cm] en la cual se está propagando una frecuencia de 12 [GHz].

Determinar longitud de corte, velocidad de grupo, velocidad de fase e impedancia característica:

a) TE10

𝑐 3 ∗ 108
𝜆= = = 0.025 [𝑚] → 2.5 [𝑐𝑚]
𝑓 12 ∗ 109

m=1 n=0

2
𝜆𝑐 =
2 2
√ ( 𝑚) + ( 𝑛 )
𝑎 𝑏
2
𝜆𝑐 =
2 2
√(1 [𝑐𝑚]) + ( 0 [𝑐𝑚])
3 4.5
𝟐
𝝀𝒄 = = 𝟔 [𝒄𝒎]
𝟏
𝟑

47
 𝜆 2
𝑣𝑔 = 𝑐. √1 − ( )
𝜆𝑐

2
2.5 [𝑐𝑚]
𝑣𝑔 = 3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]√1 − ( )
6 [𝑐𝑚]

𝒗𝒈 = 𝟐𝟕𝟐. 𝟕𝟏𝟖 ∗ 𝟏𝟎𝟔 [𝒎⁄𝒔]

𝑐
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − (2.5 [𝑐𝑚])
6 [𝑐𝑚]

𝑣𝑝ℎ = 𝟑𝟑𝟎. 𝟎𝟏𝟐 ∗ 𝟏𝟎6 [𝒎⁄𝒔]

𝑍0
𝑍=
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

120𝜋
𝑍=
2
√1 − (2.5 [𝑐𝑚])
6 [𝑐𝑚]

𝒁 = 𝟒𝟏𝟒. 𝟕𝟎𝟓 [𝜴]

b) TM12

m=1 n=2

2
𝜆𝑐 =
2 2
√ ( 𝑚) + ( 𝑛 )
𝑎 𝑏
2
𝜆𝑐 =
2 2
√(1 [𝑐𝑚]) + ( 2 [𝑐𝑚])
3 4.5
𝟐
𝝀𝒄 = = 𝟑. 𝟔 [𝒄𝒎]
𝟓⁄
𝟗

48
 𝜆 2
𝑣𝑔 = 𝑐. √1 − ( )
𝜆𝑐

2
2.5 [𝑐𝑚]
𝑣𝑔 = 3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]√1 − ( )
3.6 [𝑐𝑚]

𝒗𝒈 = 𝟐𝟏𝟓. 𝟖𝟔𝟒 ∗ 𝟏𝟎𝟔 [𝒎⁄𝒔]

𝑐
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

3 ∗ 108 [𝑚⁄𝑠]
𝑣𝑝ℎ =
2
√1 − (2.5 [𝑐𝑚])
3.6 [𝑐𝑚]

𝑣𝑝ℎ = 𝟒𝟏𝟔. 𝟗𝟐𝟗 ∗ 𝟏𝟎6 [𝒎⁄𝒔]

𝜆 2
𝑍 = 𝑍0 √1 − ( )
𝜆𝑐

2
2.5 [𝑐𝑚]
𝑍 = 120𝜋 ∗ √1 − ( )
3.6 [𝑐𝑚]

𝒁 = 𝟐𝟕𝟏. 𝟐𝟔𝟑 [𝜴]

Guía de Onda Circular

49
 𝜆
𝜆𝑔 =
2
√1 − ( 𝜆 )
𝜆𝑐

𝟐𝝅𝒓
𝝀𝒄 = 𝒓 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑛𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟
𝒌𝒓
𝒌𝒓 𝑆𝑜𝑙𝑢𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑓𝑢𝑛𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑏𝑒𝑠𝑠𝑒𝑙

TEmn 𝒌𝒓 TMmn 𝒌𝒓

01 3.83 01 2.4

11 1.84

21 3.05

02 7.02

𝑚 → Múltiplo entero de medias longitudes de onda alrededor de la circunferencia.

𝑛 → Múltiplo entero de medias longitudes de onda que cambian radialmente desde el centro hacia la pared
interna de la guía

Ventajas de la guía de onda circular en comparación con las guías de onda rectangular

• Son de más fácil manufactura.

• Facilidad de rotación para su uso en junturas.
• Construcción con facilidad de manipulación para dispositivos como el radar que requieren rotación.

Desventajas de la guía de onda circular en comparación con las guías de onda rectangular

• Mayor cantidad de material para construcción.

• El peso es mayor que el de la guía de onda rectangular.

Modos dominantes:

Rectangular → TE10

Circular → TE11

Relación de Áreas y Peso entre Guía de Onda Circular y Guía de Onda Rectangular.
Guía de onda rectangular estándar:

m=1, n=0

50
 2𝑎
𝜆𝑐 = ±
𝑚
𝑚𝜆𝑐
𝑎=
2
𝜆𝑐
𝑎=
2
𝐴∎ = 𝑎 ∗ 𝑏

𝑎 𝑎2
𝐴∎ = 𝑎 ∗ =
2 2
2
𝜆
( 𝑐⁄2)
𝐴∎ =
2

𝜆𝑐 2
𝐴∎ =
8

Guía de onda circular:

2𝜋𝑟
𝜆𝑐 =
𝑘𝑟

𝜆𝑐 𝑘 𝑟
𝑟=
2𝜋

51
 𝐴° = 𝜋𝑟 2

𝜆𝑐 𝑘 𝑟 2
𝐴° = 𝜋 ( )
2𝜋

𝜆𝑐 2 (1.84)2
𝐴° =
4𝜋

𝜆𝑐 2
𝐴∎
= 2 8
𝐴° 𝜆𝑐 (1.84)2
4𝜋
𝐴∎ 𝜋
=
𝐴° 2(1.84)2

𝐴∎ = 0.464𝐴°

Relación de pesos por unidad de longitud:

𝑃∎ = 2(𝑎 + 𝑏) 𝑃° = 2𝜋𝑟
𝑎 𝜆𝑐 𝑘 𝑟
𝑃∎ = 2 (𝑎 + ) 𝑃° = 2𝜋
2 2𝜋
𝑃∎ = 3𝑎 𝑃° = 𝜆𝑐 (1.84)
𝑚𝜆𝑐
𝑃∎ = 3
2
3
𝑃∎ = 𝜆
2 𝑐

3
𝑝∎ 𝜆𝑐
= 2
𝑃° 𝜆𝑐 (1.84)

𝑃∎ = 0.8152𝑃°

Si: a=r=1

𝑝∎ 3𝑎
=
𝑃° 2𝜋𝑟

𝑝∎ 3
=
𝑃° 2𝜋

𝑃∎ = 0.4775𝑃°

52
Guía de Onda Acanalada

Este tipo de guías permite la operación a

frecuencias más bajas para un tamaño
determinado. Sin embargo, las guías de
onda acanaladas son más costosas de
fabricar que la guía de onda rectangular
estándar.

Una guía de onda acanalada tiene más

pérdida por unidad de longitud que la guía
de onda rectangular. Por este motivo y el alto costo es que este tipo de guía se limita a utilizarse sólo en
aplicaciones especializadas.

Permite también el funcionamiento a menores frecuencias, para determinado tamaño. En consecuencia, es

posible tener menores dimensiones generales de guía de ondas cuando son con entrantes. Esta característica,
combinada con su mayor costo, limita su utilidad a aplicaciones especializadas.

VENTAJAS:

• Utilizadas para reducir la frecuencia de corte con respecto a la guía de onda rectangular, teniendo guías
de onda más pequeñas con respecto a las guías de onda rectangulares
• Se reduce la velocidad de fase y aumentan el rango útil de trabajo de la guía de onda

DESVENTAJAS:

• Genera atenuación por sus canales por lo que no se utiliza a grandes distancias.

Métodos de Excitación
Siempre que se quiere excitar o detectar cualquier modo, e método empleado debe maximizar la transferencia
de potencia entre la fuente y la guía, o entre esta última y el receptor.

1. Antenas

Son consideras como métodos de excitación porque en el interior de las guías de onda se conecta o se
coloca una pequeña antena en forma de sonda.

La antena que irradia la señal, se la coloca dentro de la guía de onda, hasta no tener reflexiones, verificando
que no exista atenuación en la señal.

Para el uso de dos antenas se las separa λ/2 para tener un desfase entre señales de 180º, reforzando así la
señal dado que los C.E.M cambian de sentido de antena a antena.

Dependiendo de la colocación de las antenas se pueden obtener los diferentes modos de propagación, las
antenas con las que se trabaja generalmente son de cable coaxial.

𝜆
• TE10 la distancia entre la antena y la pared de la guía es de 4 colocada de forma perpendicular a la base
de la guía.

53
 𝜆
• TE20 se colocan dos antenas perpendiculares a la base la primera con una separación de 4 con respecto
𝜆
a la pared de la guía y la segunda separada una distancia 2 con respecto a la anterior.
𝜆
• TM11 se coloca la antena en forma perpendicular a la pared lateral de la guía con una separación 4

2. Lazo o punta de prueba

La manera más común de excitar o detectar la energía en una guía de onda es mediante la inserción de un
cable coaxial que actúe en forma de lazo o punta de prueba.

El cable se puede conectar a la guía de tal manera que, su dirección esté en la dirección del campo eléctrico,
o su excitación sea normal al campo magnético. En cualquiera de los casos anteriores, la parte del coaxial
que se introduce en la guía, forma una onda estacionaria corriente. La mínima distancia h que la prueba
debe introducir es de un cuarto de longitud de onda, ya que, de otra manera, no se formaría completa la
onda estacionaria. La punta de prueba es en realidad un cable que opera en circuito abierto y su circuito
equivalente es un circuito tal que resuena a la frecuencia del modo de operación.

3. Acoplamiento de cable coaxial

Dado que el acoplamiento de cable

coaxial no es 100% ideal, se generan
ondas reflejadas que se las eliminan por
medio de un Stub ajustable que es una
sección corta de LTx.

El cable coaxial se maneja para excitar

guías de onda rectangulares y tiene un
dispositivo llamado STUB ajustable que
permite eliminar ondas reflejadas y el
SWR.

El cable coaxial está colocado en modo que este radie energía electromagnética dentro de la guía.

4. Línea Ahusada

54
 Para la guía de onda circular se usa una
sección de línea ahusada para realizar el
acoplamiento del cable coaxial.

• Sirve para el acoplamiento de

impedancias.
• Los parámetros de inductancia y capacitancia dependen de la distancia x.
• La línea ahusada es una pequeña sección de la línea de transmisión.

Junturas Múltiples
Tipo T

a. Plano H
• La Rama T está en el mismo plano que la dirección del campo magnético cuya estructura es simétrica.
• Las líneas de campo magnético están en fase en las salidas.
• Tiene conexión en paralelo y genera un divisor de corriente.

b. Plano E
• La Rama T está en el mismo plano que la dirección del campo eléctrico y cuya estructura es simétrica.
• Las líneas de campo eléctrico están en contrafase en las salidas.
• Tiene conexión en serie y genera un divisor de tensión.

55
T. Mágica

• Los puertos 3 y 4 no están conectados eléctricamente

• El puerto 3 tiene conexión eléctrica con el puerto 1 y 2
• El puerto 4 tiene conexión eléctrica con el puerto 1 y 2
• La señal ingresa por el puerto 3 y sale por el puerto 1 y 2 pero no hacia el puerto 4, de igual manera al
ingresar por el puerto 4 no sale por el puerto 3

Aplicación práctica

• Mezclador. - Trabaja con las dos señales y se obtiene una frecuencia intermedia
• Frecuencia Intermedia. - Es la frecuencia para trabajar y manejar la información
• Carga de acoplamiento. - Disipa o elimina para no causar reflexión

56
Aisladores y Circuladores
En el rango de las microondas se realiza un acoplamiento unidireccional, Debido a que los generadores de
microondas varían significativamente o son afectados significativamente por pequeños cambios en la carga
(pérdidas de inserción.

Se basa en el concepto de Ferritas y Rotación de Faraday

Ferritas
Son materiales no metálicos con propiedades magnéticas similares a los materiales ferrosos pero que tienen una
conductividad muy baja (resistividad alta), pudiendo comportarse como aislante.

Las ondas electromagnéticas si pueden propagarse en materiales aislantes por eso se tienen efectos magnéticos.

Los materiales más utilizados son:

• Ferrita de Manganeso 𝑀𝑛𝐹𝑒2 𝑂3

• Ferrita de Zinc 𝑍𝑛𝐹𝑒2 𝑂3
• Yig 𝑌3 𝐹𝑒2 (𝐹𝑒𝑂4 )3

Rotación de Faraday
Al tener ondas electromagnéticas perpendiculares a la dirección de propagación de la onda del campo magnético
de radio frecuencia (𝐻𝑅𝐹 ) y si se aplican campos magnéticos directos o continuos (𝐻𝐷𝐶) (imán) en forma
transversal a la dirección de propagación de la onda del campo magnético de radio frecuencia surge una
interacción entre estos campos.

57
Al tener ondas electromagnéticas propagándose, se generan campos RF y si se aplican campos magnéticos
directos o continuos 𝐻𝐷𝐶 conectando un magneto permanente alrededor de la ferrita, se logra alinear los espines
de los electrones en dirección al campo magnético, provocando un movimiento de peonza del electrón,
desplazando el eje a manera de trompo conocido como precesión, haciendo que los planos de polarización de
las ondas roten.

El imán permanente 𝐻𝐷𝐶 genera un efecto sobre los electrones, hace que el Spin
⃗⃗⃗⃗ 𝐷𝐶
de los electrones se alinee en dirección a las fuerzas 𝐻

El campo de Radio Frecuencia genera una precesión de los planos de polarización

(componente del campo eléctrico y vector de Poynting) de las ondas lo que se conoce
como Rotación de Faraday.

Rata de rotación (Velocidad o magnitud de rotación)

La magnitud de la rotación va a depender de la longitud de la ferrita, del espesor de la ferrita y de la intensidad

del campo magnético continuo (𝐻𝐷𝐶)

La velocidad de precesión se puede modificar, además para poder generarse el alineamiento de los electrones
debe existir un valor mínimo y se conoce como campo magnético de saturación y es el valor requerido para que
los ejes de giro estén alineados, esto es la base de lo que se conoce con el nombre de aparatos no recíprocos.
la velocidad de precesion: 3.52MHz/am. si el campo magnetico DC 1000 A/m ----3.52 GHz

Resonancia Giroscópica

Si logramos variar la frecuencia de precesión para que sea aproximadamente igual a la frecuencia de
propagación se la conoce como resonancia giroscópica.

Los electrones están rotando a la misma velocidad a la que se propaga la onda electromagnética.

Se tienen dos condiciones:

1) La dirección de rotación de los electrones y de propagación de la onda electromagnética son iguales.

• La onda electromagnética libera energía y es absorbida por los electrones. Significa que la energía
se va a disipar en el cristal (ferrita) y la onda no se propaga.
2) La dirección de rotación de los electrones y de propagación de la onda electromagnética son diferentes.
• La onda electromagnética libera energía que es absorbida por los electrones y viceversa, por lo que
se tiene un efecto neto cero.

58
Temperatura de Courier
Es la temperatura a la cual los elementos pierden sus propiedades magnéticas como por ejemplo las Ferritas
entre 600º a 1000º Cº y el YIG a los 250º Cº, por lo que el material ya no trabajaría según el fenómeno de la
rotación de Faraday. Para manejar potencias más altas de alrededor de 150 [kW] se aplica un enfriamiento
externo.

Ancho de Línea
Es el rango de magnitud de 𝐻𝐷𝐶 en el cual tiene lugar la absorción, entre los puntos de potencia media que están
3dB por debajo de la potencia máxima. La Ferrita trabaja entre los puntos 𝐻𝐷𝐶1 y 𝐻𝐷𝐶2 , lo que define la precisión
del material, siendo del YIG su ancho de línea pequeño y por ende es un material preciso.

Aislador de Ferrita

La pieza de ferrita se monta con un material aislante como espuma flex. Debido al efecto de rotación de
Faraday, se da una rotación de 45º y otra adicional del mismo valor al fabricarlo a la salida hacia la carga para
que la onda se propague al sumar una rotación de 90º. Si existen ondas reflejadas de la carga hacia la fuente
que logren tener una rotación de 90º, son eliminadas por atenuadores resistivos.

59
 Capítulo 3
Generación de Señales de Microondas

Limitaciones

Al incrementar la frecuencia, los valores de inductancia y capacitancia son menores y también su tamaño físico,
por lo que se generan reactancias parasitas en el dispositivo por la longitud de los cables. Se reemplazan
entonces por secciones cortas de LTx en frecuencias mayores a 500 MHz y a frecuencias mayores a 1 GHz se
debe considerar el tiempo de tránsito.

Tiempo de Transito 𝝉. Es el intervalo de tiempo finito, diferente de cero que tarda el electrón en viajar del
cátodo al ánodo.

A frecuencias bajas 𝜏 es mucho menor con respecto al periodo de oscilación de la señal

A frecuencias altas 𝜏 es comparable con el periodo de oscilación, generándose componentes imaginarias o

reactancias parasitas que generan un desfase de la corriente con respecto al voltaje, por lo que se tiene un límite
superior en la frecuencia de operación de los tubos de vacío.

Para superar dicho techo de frecuencia de trabajo se busca disminuir 𝜏

Reduciendo el espacio entre placas d. (se generan reactancias parasitas)

Se incrementa la diferencia de potencial entre placas. (Aumenta la disipación de potencia)

Se reduce el área entre placas

𝑑 𝑑
𝜏= = 𝑣0 : 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑𝑎 𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛
𝑣0 𝑉e 12
(2𝑚)

Klystrom
El principio básico es la interacción de un haz electrónico y un campo E.M. de un resonador de cavidad.

El filamento de tungsteno sirve para calentar al cátodo, hecho con una película de Níquel, el cual emite los
electrones, el Ánodo se conecta a voltaje positivo para darle una velocidad adicional a los electrones que salen
de C, al tiempo que los electrodos concentran a los electrones en el Haz.

La cavidad resonante reentrante es simétrica con respecto al eje del Haz y se llama así porque la separación de
los planos se hace menor al acercarse al acercarse al centro.

Al ingresar los electrones a la cavidad, la componente de campo eléctrico oscilante, paralela al eje del Haz
produce un efecto acelerante en estos en el semiciclo positivo y otro efecto retardante en el semiciclo negativo,
produciendo una modulación en la velocidad del haz electrónico y debido a que los electrones más rápidos
alcanzan a los más lentos se da un agrupamiento de estos, llamado modulación en densidad del haz electrónico.
(Aumenta el número de electrones por unidad de área)

60
Diagrama de Apple Gate

Es un diagrama de espacio-tiempo en el cual se describe la historia o la vida de un electrón, donde la pendiente

es inversamente proporcional a la velocidad de los electrones. En los puntos A, B y C los electrones conservan
su velocidad 𝑣0 . En el semiciclo positivo la pendiente disminuye y viceversa en el semiciclo negativo.

La ubicación de D depende de la velocidad promedio de los electrones 𝑣0 , de la amplitud del campo de RF, del
periodo de oscilación del campo RF 𝑇𝑅𝐹 .

Si en el punto D se coloca una cavidad resonante se puede extraer potencia de RF. Se pueden generar
oscilaciones dado que el campo RF es periódico. Con todo este proceso se logra convertir la energía cinética de
corriente continua en potencia de RF.

Klystrom de dos cavidades

Adicionalmente del Klystrom, se tiene un equipo que recolecta los electrones, denominado Colector.

Puede trabajar como Amplificador, con una entrada y salida de acoplamiento tipo Bastón.

Puede trabajar también como Oscilador, colocando una retroalimentación positiva con un Desfasador de fase
variable para la frecuencia que se requiera.

Se pueden aumentar más cavidades de forma intermedia para tener mayor potencia RF, ya que al llegar los
electrones a esta cavidad se generarían voltajes variables, con oscilaciones de RF que generan mayor campo
magnético y por ende mayor agrupación de electrones.

61
Klystrom Réflex
Se tiene un Repulsor conectado a un potencial negativo para que los electrones que lleguen, se regresen al
resonador de cavidad, logrando así realimentación positiva que genera oscilaciones. Se encuentra a una
distancia d entre Resonador y Repulsor.

Tanto los electrones o grupo parcialmente agrupado acelerados, retardados y sin cambios de velocidad 𝑣0 de
los puntos A, B y C, llegan todos al mismo tiempo al resonador, al tiempo que describen un movimiento
parabólico, generándose un agrupamiento adicional.

𝜏 es directamente proporcional a 𝑣0 y a d (distancia resonador-repulsor), e inversamente proporcional al voltaje

Vr (resonador-repulsor).

3
El agrupamiento se da cada 𝑛 + 4 de 𝑇𝑅𝐹 , donde n entero son los modos de oscilación réflex, el modo dominante
es 0

Cuando los electrones han cedido toda su potencia a la cavidad, caen al resonador.

ⅇ 𝑉 2𝑣0
𝑎 = 𝑚 ( 𝑑𝑟) 𝑡0 = 𝑎
𝑣 = 𝑣0 − 𝑎𝑡
1 3
𝑥 = 𝑣0 𝑡 − 2 𝑎𝑡 2 𝑡0 = (𝑛 + 4)𝑇𝑅𝐹

TWT
Tubo de onda viajera, Lenta o Progresiva

Se inventó en 1946 en Inglaterra por R. Kompfner y un año después en USA se los modificó para crear
dispositivos de banda ancha por Pierce con rangos de 2 a 10s de GHz con potencias de mW a 100s KW

Principio Básico. Se tiene la interacción continua entre electrones de un haz electrónico y un campo RF, que se
da en términos de Ondas de Carga Espacial en el haz electrónico, además que RF debe propagarse también en
la Estructura de Onda Progresiva, que se genera por la oscilación de 𝐸, que modula en velocidad y densidad

62
a los electrones a intervalos regulares de 𝜆, agrupando cada vez mas los electrones que cruzan por la estructura
de forma continua ya que el C.E.M. permanece invariante con respecto a los electrones.

El electrodo de enfoque ayuda a evitar dispersión de los electrones, con la ayuda de un campo 𝐻𝐷𝐶 longitudinal
producido por un iman conectado alrededor del tubo. Si un electrón se dispersa, su componente de velocidad
radial se compensa con la fuerza de 𝐻𝐷𝐶 según la ecuación de la Fuerza de Lorenz, que lo obliga a regresar con
un movimiento espiral al eje del haz.

Condiciones Para interacción continua

a) Estructura de ondas lentas

Las O.E.M. que ingresan por la G.O. de entrada, se pueden propagar a velocidad luz, pero el haz electrónico
solo va a un 10% de esta, por lo que se reduce la velocidad de las primeras a través de una estructura de onda
lenta para tener interacción continua entre estos dos.

b) La componente de 𝐸 debe ser paralela al eje del haz

Una estructura que cumple con lo mencionado es la Hélice de Vaina. Tiene un espaciamiento entre vueltas
adyacentes (p) aproximadamente de 0, igual manera el grosor del alambre. Lo que la convierte en una
Estructura Eléctricamente Suave, ya que la conductividad en la dirección del alambre tiene a infinito y de
forma perpendicular tiende a 0.

Velocidad de la o.e.m
𝑝
𝑣𝑝 = 𝑐 𝑠𝑒𝑛 𝛹 𝛹 = 𝑡𝑎𝑛−1 𝑝: 𝐸𝑠𝑝𝑒𝑐𝑖𝑎𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜, 𝑎: 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 𝑠𝑜𝑙𝑒𝑛𝑜𝑖𝑑𝑒
2𝜋𝑎

La Onda de Carga espacial en el Haz se da por las fluctuaciones de la velocidad de los electrones por E
paralelo al eje, lo que ocasiona fluctuaciones de Carga y Corriente, determinadas por la ecuación de
Continuidad, Ley generalizada de Gauss para el análisis de una señal pequeña, analizados en el eje Z (dirección
de propagación)

𝑣 = 𝑣0 + 𝑣1 𝑒 −𝑗(𝑤𝑡−𝛽𝑧) 𝑉𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝐶. 𝑅𝐹

𝜌 = 𝜌0 + 𝜌1 𝑒 −𝑗(𝑤𝑡−𝛽𝑧) 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎

𝐽𝑧 = 𝐽𝑧0 + 𝐽𝑧1 𝑒 −𝑗(𝑤𝑡−𝛽𝑧) 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒

𝐸𝑧 = 0 + 𝐸𝑧1 𝑒 −𝑗(𝑤𝑡−𝛽𝑧) 𝐴0 : 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑜

𝐽𝑧 = 𝑣 ∗ 𝜌

63
Magnetrón
Se creó en 1920 en Inglaterra por Albert Hall siendo un magnetrón de ánodo dividido para aplicaciones de
radar, y en 1940 se perfeccionó por John Randall y Harry Boot.

Principio de Funcionamiento. Es la interacción continua de campos RF con electrones que se desplazan a través
de C.E.M. estáticos y perpendiculares entre sí, para generar señales de µ𝑜𝑛𝑑𝑎𝑠. Dado que el Ánodo se conecta
a positivo, 𝐸𝐷𝐶 debe ser radial y 𝐵𝐷𝐶 axial.

Cuando 𝐵𝐷𝐶 es 0, los electrones salen de las estructura por acción de 𝐸𝐷𝐶 , a medida que 𝐵𝐷𝐶 crece en valor se
crea un radio de curvatura que va decreciendo hasta que los electrones regresen al Cátodo con un valor de 𝐵𝐷𝐶
igual a 𝐵𝐷𝐶 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒. Se trabaja con un valor superior a 𝐵𝐷𝐶 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 para que los electrones giren en la región
de interacción.

Las fuerzas que actúan en este movimiento de orbita circular concéntrica al cátodo son el campo magnético
𝑚𝑣 2
(e𝑣𝐵), el campo eléctrico (e𝐸) y la fuerza centrífuga ( ).
𝑟

𝑚𝑣 2
e𝑣𝐵 = e𝐸 +
𝑟
𝑉𝑎𝑛𝑜𝑑𝑜
𝐸= 𝑟2,1: 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 𝑎𝑛𝑜𝑑𝑜, 𝑐𝑎𝑡𝑜𝑑𝑜
𝑟2
𝑙𝑜𝑔 𝑟1

𝑚 𝐸
𝑟 = {( ) 𝑣 + } /𝐵 𝑟: 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜 𝑜𝑟𝑏𝑖𝑡𝑎 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑖𝑐𝑎
e 2𝑣

Estructura de Radiofrecuencia
Constituido por un cierto número de cavidades cilíndricas abiertas en un espacio angular o región de interacción,
donde el cátodo es cilíndrico.

Se trabaja con modos TE para que interactúen con E.

Los modos de trabajo dependen de:

• Numero de cavidades.
• Diferencia de fase entre cavidades adyacentes
• La diferencia de fase total debe ser múltiplo entero de 2π. El modo más conocido es π (diferencia de fase
entre cavidades es π)

64
65
 Capítulo 4
Dispositivos de Estado Sólido
Se debe tomar en cuenta el tiempo de tránsito para minimizarlo y con ello reducir las reactancias parasitas
asociadas a las uniones.

BJT a 80 GHz genera Ganancia= 3.9 dB y un Facto de Ruido=3,8 dB

FET o MESFET a 46 GHz genera Pout=1 W a 22 GHz genera Pout=140 mW

Se tiene el diodo GUN de Avalancha (IMPATT, BARITT, TRAPATT, PIN)

Dispositivos Basados en el tiempo de tránsito de los portadores

Son dispositivos basados en dos terminales, los cuales el voltaje y corriente están desfasados un ángulo entre
90° y 270°, estos ángulos generan potencia en lugar de absorber potencia, su principal característica es que
tengan resistencia negativa o impedancia con parte real negativa.

𝑣 (𝑡) = 𝑣0 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡)
𝑣0
𝑖 (𝑡 ) = 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡 + ∅)
𝑅
𝑝(𝑡) = 𝑣 (𝑡) ∗ 𝑖(𝑡)
𝑣0
𝑝(𝑡) = 𝑣0 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡 + ∅)
𝑅
𝑣0 2
𝑝( 𝑡 ) = [𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡 + ∅)]
𝑅
𝑣0 2
𝑝 (𝑡 ) = [𝑐𝑜𝑠(𝑤0 )[𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑐𝑜𝑠(∅) − 𝑠𝑖𝑛(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(∅)]]
𝑅
𝑣0 2
𝑝 (𝑡 ) = [𝑐𝑜𝑠(𝑤0 )2 ∗ 𝑐𝑜𝑠(∅) − 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(∅)]
𝑅
1 1
𝑐𝑜𝑠 2 (𝑎) = 𝑐𝑜𝑠 2𝑎 +
2 2

𝑣0 2 1
𝑝 (𝑡 ) = [ (𝑐𝑜𝑠 2𝑤0 + 1) ∗ 𝑐𝑜𝑠(∅) − 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(∅)]
𝑅 2
𝑣0 2 1 1
𝑝( 𝑡 ) = [ (𝑐𝑜𝑠 2𝑤0 ∗ 𝑐𝑜𝑠(∅)) + 𝑐𝑜𝑠(∅) − 𝑐𝑜𝑠(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(𝑤0 𝑡) ∗ 𝑠𝑖𝑛(∅)]
𝑅 2 2

Potencia Media

𝑣0 2 ∗ 𝑐𝑜𝑠(∅)
𝑃̅ =
2𝑅
𝑠𝑖 ∅ = 180°

𝑣0 2 𝑣0 2
𝑃̅ = − =
2𝑅 2(−𝑅)

66
Se tiene la combinación de dos efectos:

1. Inyección de portadores. Que se hace por el efecto avalancha o inyección termoiónica.

2. Por tiempo de transito de los portadores en la zona de deriva.

Estas dos condiciones o efectos dan lugar a los diodos:

• IMPATT
• TRAPATT
• BARITT

Dispositivos de Avalancha (Si, Ge, AsGa) pn

Se encuentra en la unión pn (Silicio, Germanio, Arseniuro de Galio)

• Para tener este efecto los dispositivos se deben polarizar en forma inversa con valores superiores a la
llamada tensión de ruptura o avalancha.

Esto genera un campo eléctrico aplicados al semiconductor y hace que los electrones se aceleren y tengan
energía suficiente para ionizar los átomos y así crean pares de electrón – hueco y estos vuelven a crear pares
electrón – hueco, es una reacción en cadena que genera gran aumento de corriente por la elevada presencia de
portadores libres.

Efecto de Resistencia Negativa (-R) en Alta Frecuencia

Si la tensión de alta frecuencia forma parte de la creación avalancha. La corriente va a estar desfasada con
respecto a la tensión aplicada.

1) Si se tiene un retardo por el tiempo de transito de los portadores en el semiconductor, genera un retardo
adicional de la corriente con respecto a la tensión aplicada.
• Se lo tiene cuando las variaciones de corriente están en oposición de fase con respecto a la tensión
aplicada. Para esto debe estar desfasado 180°.

Diodo GUN (Dispositivos de Transferencia de Electrones)

Lo inventó J. B. Gun experimentalmente cuando vio que la I oscilaba si V aplicado superaba un valor nominal.

[V=I.R] Se cumple en DC, y no es lineal en semiconductores en presencia de E elevados, alterando el

comportamiento energético de los electrones, de forma no uniforme, lo que ocasiona que unos sean más
energéticos que otros y con ello diferente velocidad haciendo que la corriente se retrase respecto al voltaje, por
lo que se tiene la característica de R negativa.

Usando materiales tipo n, con huecos como portadores minoritarios, llega un punto donde los electrones se
frenan y comienzan a retrasarse.

67
Bandas de Energía
Niveles energéticos que pueden tener los portadores, cada una de las bandas de energía se tiene un numero de
electrones por unidad de volumen.

B. Prohibida y B. de conducción. Niveles que no pueden o no tener.

Banda de Conducción: no todos los niveles energéticos están ocupados.

Si aplicamos campos eléctricos los electrones modifican su nivel energético y ocupan los espacios vacíos en la
banda de conducción.

Banda Prohibida: todos los niveles energéticos están ocupados.

Banda de Valencia: banda de conducción externa que se tiene en los átomos, con ciertos niveles energéticos
no ocupados.

U tiene una capacidad 60% mayor al valle L, si se incrementa V, los electrones adquieren suficiente energía
para moverse de u1 a u2, esta transferencia de electrones de un valle de baja movilidad a uno de alta es la base
de Dispositivos de Transferencia de electrones.

Modos de Funcionamiento
• Modo de dominio y Tiempo de Transito
- Los electrones se frenan, causando un exceso de portadores en el cátodo y un déficit de los mismos
en el ánodo.
- Se tiene un campo eléctrico elevado o intenso localizado en el cátodo. → Dominio Intenso

Tiempo de transito
𝐿
𝒯=
𝑣𝑑

𝐿 = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟

𝑣𝑑 = 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎

68
IMPATT (IMPact Avalanche y Transit Time)

Principio Básico. Si el portador de carga (electrón-hueco) se mueve en dirección que lo desplaza E, entonces el
portador toma energía de E.

Si el portador se mueve en dirección opuesta a E, entonces el portador cede energía a E, en este modo se trabaja
para generar ondas. Esto se logra así:

• E continuo mueve los electrones en sentido opuesto a E alterno, entonces la energía de E continuo es
absorbida por E alterno.
• Se elimina el flujo de electrones en el semiciclo en que coinciden las cargas con E alterno para que no se
pierda energía, usando una estructura.

En 𝑝+ , 𝑛 se produce el fenómeno de avalancha

𝑊𝐷 Zona desértica de cargas, donde debe desplazarse el portador hasta 𝑛+ demorándose un tiempo.

Si en 𝑊𝐷 se tiene E intenso entonces la velocidad de los portadores es igual a la velocidad de saturación y la

velocidad de la carga es independiente de E.

TRAPATT

En 1967 en los laboratorios RCA se descubre un nuevo funcionamiento que es el Modo de Disparo

• La eficiencia de conversión de corto circuito a RF es alta (hasta el 60%)

• La frecuencia de oscilación está por debajo de la frecuencia correspondiente al tiempo de tránsito.
• Al inicio de las oscilaciones la tensión en los bordes disminuye y la corriente aumenta.
• Las potencias de oscilación eran más elevadas.

En 1968 se puede realizar Modelos de Simulación a través de dispositivos de dos terminales.

• Si se incrementa la tensión en forma rápida, genera una nueva modalidad de avalancha. La avalancha se
genera a lo largo en la llamada zona desierta conforme se propaga una de campo eléctrico.
• La onda RF va dejando un denso plasma de electrones y huecos
• Al tener el denso plasma se tiene una alta concentración de portadores producía que el campo eléctrico se
reduzca en forma drástica y de valores cercanos a cero.
- El campo eléctrico reduce la velocidad de deriva de los portadores hacia sus respectivos terminales es
menor que la velocidad de saturación. Por esta condición los portadores y el plasma están atrapados.
Los portadores van en forma lenta hacia los terminales, en el instante que cruzan la zona desierta el
campo eléctrico tiende a recuperar su valor inicial alto, repitiéndose el fenómeno.

69
Estados del Diodo TRAPATT
1) Estado de Tensión baja y alta corriente

Si el campo eléctrico en la zona activa disminuye y con ello la tensión en los bornes también disminuye la
corriente aumenta por la alta concentración de portadores de plasma.

2) Estado de tensión alta y baja corriente

Al desaparecer el plasma, la corriente disminuye y el campo eléctrico aumenta por lo que a la tensión entre los
terminales crece.

Si 𝐽 es grande la velocidad de los portadores es menor que la velocidad de la onda (MODO TRAPATT)

Los electrones se van a mover en la misma dirección que la onda.

Los huecos se mueven en dirección opuesta a la onda

𝜕𝐸⃗
𝐽=𝜀
𝑑𝑡
Si transcurre un intervalo de tiempo pequeño
𝐽 ∗ ∆𝑡
∆𝐸 =
𝜀
Velocidad de la onda de E dentro del semiconductor
𝐽
𝑣𝑤 =
𝑞 ∗ 𝑁𝑑

𝑞 → 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑎

𝑁𝑑 → 𝑐𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑒𝑧𝑎𝑠 𝑑𝑜𝑛𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑧𝑜𝑛𝑎 𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑜 𝑧𝑜𝑛𝑎 𝑛

BARITT

Semejanza con el diodo IMPATT

Utiliza el tiempo de tránsito para generar, el desfase entre la corriente y tensión que permite tener el criterio de
residencia dinámica negativa.

Diferencia con el IMPATT

70
 • La diferencia está en el mecanismo de inyección de portadores en la zona de deriva.
• Portadores son inyectables por emisión termoiónica a través de la barrera de potencial de una unión
polarizada en forma directa.

Ventaja BARITT vs IMPATT

• Genera menos ruido que el IMPATT

• Se puede utilizar los BARITT como amplificador a frecuencias superiores a 40 GHz.
• Si la tensión aplicada es nula, las uniones p+ n y np+ conectados en oposición de fase están en equilibrio
termoiónico.
𝑑𝐸 𝜌
o Se cumple: 𝑑𝑥 = 𝜀
• Si se aplica una tensión al dispositivo, la barrera de potencial de la unión p+n disminuye mientras que la
de la unión np+ aumenta o viceversa.

• Mientras se incrementa la tensión aplicada la distancia entre A y B va a disminuir.

• Al llegar a un voltaje de perforación (Vp) la distancia entre los puntos A y B se anula
o A partir de este voltaje la corriente aumenta rápidamente sin llegar al mecanismo de avalancha.

Componentes de la Corriente

a) La corriente de deriva a través de la unión np+

b) La corriente termoiónica permitida en la unión p+n
c) La corriente de difusión

Mediciones en Microondas
a) Pruebas en la estación (basados en los equipos)
b) Prueba de salto (se realizan de estación- estación)
c) Pruebas globales (equipo terminal – equipo terminal)

Impedancias de la LTx

600Ω → señal de audiofrecuencia en un par de hilos equilibrados

71
75Ω → señal de banda base. Señal de Frecuencia Intermedia (FJ)

50Ω → señal de RF en cable coaxial desequilibrado

Mediciones en paralelo

Medidor de nivel: debe tener impedancia alta (≥ 20 𝐾Ω)

Si 𝑍𝐿 = 𝑍𝑔 = 𝑍𝐹 la medición será 3,5 dB menor

𝑍𝐿 𝑒
𝑣0 = ∗𝑒 =
𝑍𝐿 + 𝑍𝑓 2

𝑍𝐿
, 2 𝑍𝐿 𝑒
𝑣0 = ∗𝑒= ∗𝑒 =
𝑍𝐿 𝑍𝐿 + 2𝑍𝑓 3
2 + 𝑍𝑓
𝑣0 ,
#𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔
𝑣0
𝑒
3 2𝑒
#𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 𝑒 = 20 𝑙𝑜𝑔
3𝑒
2
#𝑑𝐵 = −3,52 𝑑𝐵

72
Medición Terminada

• ZT debe ser igual a la impedancia de calibración del medidor

Si se realiza la medición sin ZL, ZT la medición debe ser 6dB más alta.
𝑣0 ,
#𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔
𝑣0
𝑒
#𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 𝑒 = 20 𝑙𝑜𝑔 2
2
#𝑑𝐵 = −6,02 𝑑𝐵

Medición de Potencia de RF
• La potencia se mide en forma indirecta con un puente que detecta el cambio de resistencia, esto es por la
variación de temperatura provocada por la absorción de la potencia aplicada RF.
• El elemento resistivo que mide es el Bolómetro (Termistores, Barretters)

Termistor: es un semiconductor y tiene coeficiente negativo de temperatura

- Variación (350 Ω/mW)

- Potencia media máxima (30 nW)

Barretters: constituido en con una película fina de platino y tiene un coeficiente de temperatura positivo.

- Variación (5 Ω/mW)
- Potencia media máxima (10 mW)

73
 R 2
P= (𝐼 − 𝐼2 2 )
4 1
Transistores en Microondas

• La operación básica de los transistores es similar a la utilización en baja potencia.

• Bipolar: los portadores sean electrones o huecos atraviesan capas semiconductoras de dos polaridades de
dopado distintos p, n.
• Se analizan bajo el siguiente esquema

RED DE RED DE
TRANSISTOR
FUENTE ACOPLAMIENTO ACOPLAMIENTO CARGA
DE POTENCIA
DE ENTRADA DE SALIDA

• Los circuitos no tienen perdidas

𝑃𝑖𝑛 = 𝑖𝑖𝑛 2 ∗ 𝑅𝑖𝑛 2

𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝑖𝑜𝑢𝑡 2 ∗ 𝑅𝑜𝑢𝑡 2

• Ganancia de Potencia

𝑃𝑜𝑢𝑡 𝑖𝑜𝑢𝑡 2 𝑅𝑜𝑢𝑡 2

𝐺𝑝 = =( ) ∗
𝑃𝑖𝑛 𝑖𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑛
𝑖𝑜𝑢𝑡 𝑓
ℎ𝑓𝑒 = =
𝑖𝑖𝑛 𝑃

𝑓 = 𝑓𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑠𝑝𝑜𝑛𝑑𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑎𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎

Tiempo de transito: el tiempo de tránsito en los transistores bipolares, se refiere al intervalo de tiempo que
necesitan los portadores de carga para ir del emisor al colector.
1
𝑓𝑡 =
2𝜋𝜏
Componentes
• Tiempo de carga del emisor

74
• Tiempo de transito de base
• Tiempo de transito de carga del espacio
• Tiempo de cargo del colector

IC

n
IB IB
V p V
n
IE

Zona activa: con una pequeña corriente de base ejerce control sobre alta corriente de colector (10 a 30 veces
más)

Zona de saturación (estado de saturación): se trabaja en forma de conmutador (transistor de potencia)

Ventajas

✓ Bajo costo
✓ Velocidad de conmutación alta
✓ Baja tensión colector- emisor de saturación con respecto a los MOSFET

75