SCAPS 1-D

𝜕𝐸 𝑒(𝛿𝑝 − 𝛿𝑛) Ecuación de Poisson

=
𝜕𝑥 𝜖𝑠

𝜕𝑝 𝜕𝐹𝑝+ 𝑝
=− + 𝑔𝑝 −
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜏𝑝𝑡
Ecuaciones de continuidad
𝜕𝑛 𝜕𝐹𝑛− 𝑛
=− + 𝑔𝑛 −
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜏𝑛𝑡

𝜕𝑝
𝐽𝑝 = 𝑒𝜇𝑝 𝑝E − 𝑒𝐷𝑝
𝜕𝑥
Ecuaciones de densidad
𝜕𝑛 de corriente
𝐽𝑛 = 𝑒𝜇𝑛 𝑛E − 𝑒𝐷𝑛
𝜕𝑥

SCAPS resuelve estas tres ecuaciones que surgen de la teoría de semiconductores. La

ecuación de Poisson relaciona el cambio del campo eléctrico interno que surge en la heterounión p-
n en función de la generación de portadores de carga extra debido a alguna perturbación externa
(radiación de luz). La ecuación de continuidad relaciona el cambio en la concentración de portadores
en función del flujo de los portadores, su generación y procesos de recombinación. Las ecuaciones
de densidad de corriente relacionan la movilidad y el coeficiente de difusión de los portadores de
carga. Al manipular estas ecuaciones se obtienen ecuaciones diferenciales que al resolverse
(planteando condiciones iniciales) se describe el comportamiento de los portadores de carga en
exceso dentro del dispositivo.

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 𝛿𝑝: 𝐸𝑥𝑐𝑒𝑠𝑜 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑝: 𝑐𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑔𝑝 : 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑚 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠

𝛿𝑛: 𝐸𝑥𝑐𝑒𝑠𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑛: 𝑐𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝑔𝑛 : 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠

𝜕𝐹𝑝+ 𝜕𝐹𝑛−
𝜖𝑠 : 𝑝𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 : 𝐹𝑙𝑢𝑗𝑜 𝑑𝑒 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 : 𝐹𝑙𝑢𝑗𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝜕𝑥 𝜕𝑥

𝑝 𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
: 𝑅𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑐𝑖ó𝑛 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠 𝜇𝑝 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
𝜏𝑝𝑡

𝑛 𝐷𝑝 : 𝐷𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠
: 𝑅𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝐷𝑛 : 𝐷𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠
𝜏𝑛𝑡

Figura 1. Panel principal de SCAPS.

1. Condiciones de la celda solar

2. Medición a simular
3. Definición del problema (creación de la celda)
4. 4. Inicio de la simulación
5. Muestra de curvas simuladas

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Figura 2. Interfaz para la definición del problema.

SCAPS permite configurar una celda solar de hasta siete capas y dos contactos. Además de un
total de 6 interfaces entre las posibles capas. También permite establecer el lado en que la luz
incidirá sobre el dispositivo y si los resultados de la simulación serán bajo iluminación o en oscuro.

Figura 3. Configuración de una capa dentro de SCAPS.

SCAPS requiere la entrada de datos para cada capa. Además de dar la opción de cargar un
archivo (información experimental) o elegir un modelo y ajustar el valor del coeficiente de
absorción. También es posible configurar hasta un total de siete tipos de defectos (en bulto) para
dicha capa.

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 Figura 4. Panel de curva J-V simulada.

Una vez que se ha configurado todo el dispositivo SCAPS podrá simular la curva de densidad
de corriente contra voltaje y mostrar los parámetros fotovoltaicos para dicho dispositivo. También
es posible simular curvas de eficiencia cuántica y de capacitancia contra voltaje.