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En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple®
MacOS, Microsoft® Windows 7, etc.), los programas como (Office, Winzip®, Nero®,
etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente
una copia del contenido de la memoria ROM.
+ Ejemplo: cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa
será leído desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo
en la memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría
trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicación, la RAM se
libera para poder cargar el próximo programa a utilizar.
Figura 1. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128
MB, bus 266 MHz.
Hay tres tipos de memorias RAM, la primeras son las DRAM, SRAM y una emulación
denominada Swap:
Tipo 1, DRAM: las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó
dinámicas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores
(capacitores), los cuáles necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les
resta velocidad pero a cambio tienen un precio económico.
+ Ejemplo: hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo, pero para
ello no cuenta con una toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con
agua para realizar su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le
lleven la materia de trabajo constantemente.
La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga
es la mas antigua y la última la mas reciente.
1
7. Memoria G-RAM / V-RAM (Actual).
8. Memoria RAM tipo DDR2 y SO-DDR2 (Actual).
9. Memoria RAM tipo DDR3 y SO-DDR3(Actual).
10. Memoria RAM tipo DDR4 y SO-DDR4 (Próxima Generación).
2
operativo UNIX lo utilizaba de manera
normal antes que sus competidores.
Nota: Es bien sabido que el uso "puro" de la RAM es lo más veloz, ya que el
tiempo de acceso es mucho menor que el de una memoria Flash (USB, SD, MMC, etc.)
ó de un disco duro; esto se logra deshabilitando la memoria virtual en el Panel de
Control, sin embargo sólo se recomienda si se cuenta con una gran cantidad de RAM
disponible (Microsoft® Windows 95, 98 y ME con 512 MB, Microsoft® Windows XP con
más de 1 GB, Microsoft® Windows 7 con más de 3 GB), en caso de no contar con RAM
suficiente, Windows® automáticamente creará el archivo SWAP para evitar detener
sus servicios, en el caso de Linux, es requisito contar con espacio asignado para
memoria Swap.
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logra con optimizadores de memoria como el comando "memmaker" de Ms-DOS®, que
se utilizaba estos bloques para cargar ciertos Drivers (controladores que permiten al
Hardware ser utilizado en el sistema).
Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían
utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para optimizar su
funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS necesitaba de un
controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria extendida, sin él solo
reconocía 640 KB aunque hubiera instalados más de 1 MB.
Tipo de
Significado Descripción
memoria
Tipo RAM
Memoria primaria de la computadora, en la
"Random Aleatory
que puede leerse y escribirse información en
RAM Memory", memoria de
cualquier momento, pero que pierde la
acceso aleatorio
información al no tener alimentación eléctrica.
EDO RAM "Extended Data Out Tecnología opcional en las memorias RAM
4
Random Access
Memory", memoria de utilizadas en servidores, que permite acortar el
acceso aleatorio con camino de la transferencia de datos entre la
salida de datos memoria y el microprocesador.
extendida
"Burst EDO Random
Access Memory", Tecnología opcional; se trata de una memoria
memoria de acceso EDO RAM que mejora su velocidad gracias al
BEDO RAM
aleatorio con salida de acceso sin latencias a direcciones contiguas de
datos extendida y acceso memoria.
Burst
Es el tipo de memoria mas común y
"Dinamic Random Access
económica, construida con capacitores por lo
Memory", memoria
DRAM que necesitan constantemente refrescar el
dinámica de acceso
dato que tengan almacenado, haciendo el
aleatorio
proceso hasta cierto punto lento.
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para
"Synchronous Dinamic sincronizar con el microprocesador la entrada
Random Access y salida de datos en la memoria de un chip. Se
SDRAM Memory", memoria ha utilizado en las memorias comerciales como
dinámica de acceso SIMM, DIMM, y actualmente la familia de
aleatorio memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4,
GDDR, etc.), entran en esta clasificación.
"Fast Page Mode Dinamic
Tecnología opcional en las memorias RAM
Random Access
utilizadas en servidores, que aumenta el
FPM DRAM Memory", memoria
rendimiento a las direcciones mediante
dinámica de paginación
páginas.
de acceso aleatorio
"Rambus DRAM", Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada
memoria dinámica de para procesadores con velocidad superior a 1
RDRAM
acceso aleatorio para GHz, en esta clasificación se encuentra la
tecnología Rambus familia de memorias RIMM.
Memoria RAM muy veloz y relativamente cara,
construida con transistores, que no necesitan
"Static Random Access de proceso de refresco de datos.
SRAM / Memory", memoria Anteriormente había módulos de memoria
Caché estática de acceso independientes, pero actualmente solo se
aleatorio encuentra integrada dentro de
microprocesadores y discos duros para
hacerlos mas eficientes.
Tipo ROM
Memoria que permite un número
"Read Only Memory",
ROM indeterminado de lecturas pero no puede ser
memoria de solo lectura
modificada.
"Programmable Read
Memoria ROM que permite una programación
Only Memory", memoria
PROM y posteriormente un número indeterminado de
programable de solo
lecturas pero no puede ser modificada.
lectura
5
"Erasable Programmable
Memoria PROM que permite reprogramación
Read Only Memory",
EPROM por medio de un dispositivo especial y borrado
memoria programable y
por medio de luz ultravioleta.
borrable de solo lectura
"Electrically Erasable
Evolución de las memorias EROM que permite
Programmable Read
alterar su contenido por medio de señales
Only Memory", memoria
EEPROM eléctricas. Es la mas utilizada en las
eléctricamente
computadoras actuales para albergar el SetUp
programable y borrable
de la computadora.
de solo lectura
Tipo Flash
"Flash NAND", el término Memoria que permite almacenar datos y
Flash es debido a la alta mantenerlos almacenados sin necesidad de
velocidad que puede alimentación eléctrica hasta por 10 años. Se
Flash manejar y NAND a un utiliza en las memorias USB , memorias SD,
NAND tipo de conexión especial MemoryStick de Sony®, unidades SSD, e
de sus elementos incluso para BIOS, etc.
electrónicos (Compuerta
tipo NAND)
Tipo Swap
Se trata de una simulación de RAM en un área
de un disco duro, lo cuál no permite que se
detengan servicios al escasear memoria RAM
pero ralentiza a la computadora. También se
Swap /
De intercambio ó puede actualmente crear SWAP en una
Virtual
memoria virtual memoria USB, utilizando el Software
Memory
ReadyBoost de Microsoft® Windows Vista u
otros programas para Microsoft® Windows XP,
de este modo se vuelve mas eficiente el
equipo de cómputo.
Otros
Soporta información que se encuentra en
espera de ser procesada y una vez realizado
Buffer "Amortiguador" ese proceso, la borra para esperar nuevos
datos, puede ser espacio asignado en una
memorias RAM ó en un disco duro.
6
TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa
conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se
introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips
en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo.
Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino que se
conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las terminales
con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar de memorias SIP
("Single In-line Package").
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con microprocesador
AMD 286.
Conector Figuras
7
Conector de la
TSOP de 20 memoria
terminales Zócalos de la tarjeta
principal
La memoria de paridad
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número
de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Caracter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
8
Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM
("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una placa
plástica y se hizo mas resistente a los dobleces.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
Conector Figuras
SIP 30 Conector de la
pines memoria
9
"Ranura" de
la tarjeta
principal
Velocidad de la memoria SIP
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los SIP su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores del
momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.
La memoria de paridad
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número
de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Caracter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIP
es Kilobyte (KB) y el Megabyte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas
varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes
capacidades:
10
SIP 30 pines 256 KB, 512 KB, 1 MB?
SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa
módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus
contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen
los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line
Package").
Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In
line Memory Module").
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Partes que componen la memoria SIMM
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
Conector Figuras
Conector
de la
SIMM 30 memoria
terminales Ranura de
la tarjeta
principal
Velocidad de la memoria SIMM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los SIMM su velocidad de trabajo era la misma que los microprocesadores
del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.
La memoria de paridad
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Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la
detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes
de que la computadora utilice el dato.
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del Byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número
de "unos" del Byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Caracter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
L 0100 1100 3 Impar 0
La tecnología ECC en memorias SIMM se utilizaba básicamente para equipos que
manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en equipos
domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los costos de la
memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para
corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál
se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el
código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es una
tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Read Aleatory
Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores , accediendo
a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página (...).
13
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales, pero
algunas placas integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en computadoras con
básicamente procesadores de la familia Intel® 486 y Pentium.
DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa
módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada
lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria):
son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las
cuáles pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjeta ó solo de un lado,
cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). Cabe destacar que la característica de las memorias de línea dual, es
precursora de los estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse
que también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.
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Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module").
Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM
("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").
Figura 2. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston® PC133, sin capacidad
definida, 168 pines.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
15
ranura de memoria.
Figura 3. Esquema de la
memoria RAM tipo DIMM -
SDRAM.
Conector Figuras
Conector de
DIMM - la memoria
SDRAM 168 Ranura de la
terminales tarjeta
principal
Velocidad de la memoria DIMM - SDRAM
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál
se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente
fueron las siguientes:
Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada Byte (8 bits), de modo que si el
número de "unos" del Byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el número
de "unos" del Byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:
Caracter
Byte Número de unos Impar ó par Bit de paridad
Humano
A 0100 0001 2 Par 1
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L 0100 1100 3 Impar 0
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para
corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál
se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el
código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es una
tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic Read Aleatory
Memory"), es decir memorias con almacenamiento basado en capacitores , accediendo
a las direcciones solicitadas por medio de cambios de página (...).
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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Tipo de memoria Latencia promedio CAS
DIMM - SDRAM 168 terminales 3
Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144
SODIMM - SDRAM, terminales, especiales para computadoras portátiles.
144 terminales, + Las demás especificaciones como latencia, capacidades de
100/133 MHz. almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DIMM - SDRAM para computadora de escritorio.
Definición de memoria tipo DDR
DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión doble
de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de
manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta
principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer
estándar DIMM.
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Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory
Module").
Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double
Data Rate - 2").
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128
MB, bus 266 MHz.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
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Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR 184
terminales Ranura
de la
tarjeta
principal
Velocidad de la memoria DDR
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene que
adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se
comercializaron las siguientes:
La tecnología ECC en memorias DDR se utiliza básicamente para servidores que
manejan datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos domésticos
porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para
corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál
se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el
código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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Latencia de la memoria DDR
21
+ Las demás especificaciones como latencia, capacidades de
almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato
DDR para computadora de escritorio.
Definición de memoria tipo RIMM
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa
módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que
incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia
tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus
Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas en
almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno
de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las
ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo DIMM
("Dual In line Memory Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double
Data Rate") las cuáles eran más económicas.
Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung®, modelo PC800, 184 terminales,
chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC.
22
tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.
+ Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para
ellas estén ocupadas.
Partes que componen la memoria RIMM
Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa como
disipador de calor:
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
Ranura
RIMM 184 de la
terminales tarjeta
principal
(viene
por
pares)
Tecnología de corrección de errores (ECC)
La tecnología ECC en memorias RIMM se utiliza básicamente para equipos que van
a manejar datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos
domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la memoria.
ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código para
corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de detectar y
corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero
en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.
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Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el cuál
se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se comparará el
código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta
de lo anterior el código original se decodificará para determinar la falla y se procede a
corregirlo.
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las
siguientes:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
Tipo de memoria
Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
RIMM 184 terminales
40 nseg aproximadamente
24
Tipo de memoria Capacidad en MegaBytes (MB)
RIMM 184 terminales 64 MB, 128 MB, 256 MB
Es una tarjeta para expansión de capacidades que sirve para procesar y otorgar mayor
capacidad de despliegue de gráficos en pantalla, por lo que libera al microprocesador y
a la memoria RAM de estas actividades y les permite dedicarse a otras tareas. La
tarjeta de video se inserta dentro de las ranuras de expansión ó "Slots" integradas en
la tarjeta principal ("Motherboard") y se atornilla al gabinete para evitar movimientos y
por ende fallas. Todas las tarjetas de video integran uno ó varios puertos para
conectar los dispositivos externos tales como monitores CRT, pantallas LCD,
proyectores, etc.
25
+ Pueden convivir con las tarjetas de video integradas en la tarjeta principal, ya
que al instalarlas, reemplazan su lugar en el sistema.
Clases de tarjetas gráficas
Resolución
Tipo Año Colores Memoria
(píxeles)
SVGA ("Super Video Graphics
1280 X
Array") ó arreglo gráfico de 1989 16.7 millones >4 Mb
1024
video.
XGA ("eXtended Graphics
1280 X
Array") ó arreglo extendido de 1987 256 colores 256 Kb
1024
gráficos.
VGA ("Video Graphics Array")
1987 640 X 480 256 colores 256 Kb
ó arreglo gráfico de video.
EGA ("Enhaced Graphics
Monocromo y
Array") ó arreglo mejorado de 1985 640 X 200 256 Kb
16-64 colores
gráficos.
HGC ("Hercules Graphics
Card") ó tarjeta gráfica 1982 720 X 348 Monocromo 64 Kilobytes
Hércules.
CGA ("Color Graphics Array") 16 Kilobytes
1981 640 X 200 16 colores
ó arreglo de gráficos de color. (Kb)
Partes que componen la tarjeta de video
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
26
pantalla LCD.
7.- Puerto S-Video: utilizado para trasmitir a
televisores de alta definición.
8.- Puerto DVI: transmite señal de video con
alta definición.
9.- Soporte: permite fijar de manera correcta la
tarjeta en el chasis del gabinete.
10.- Conector de alimentación PCIe: recibe
electricidad directamente desde la fuente ATX.
Partes y funciones de una tarjeta de video.
Tipos de interfase para ranuras
Se muestran las ranura de expansión, comenzando desde la mas moderna, hasta
los mas antiguos.
Nombre del
Imagen
conector
1) PCI-
Express X2
("Peripheral
Components
Interconect-
Express")
Tomar en
cuenta que hay
varias
versiones 1X,
2X 4X y 16X
2) AGP* (4X-
8X)
("Accelerated
Graphics Port")
3) PCI
("Peripheral
Components
Interconect-
Express")
4) MCA
("MicroChannel
Arquitecture")
5) EISA
("Extended
Industry
Standard
Architecture")
6) VESA
("Video
27
Electronics
Standards
Association")
7) ISA 8-16
("Industry
Standard
Architecture")
* Sin definir como ranura ó puerto, pero para fines prácticos lo consideraremos ranura.
8) EGA ("Enhaced
Monitores EGA de 64 colores.
Graphics Array")
28
Tipos de memoria integrada y capacidades
Capacidad comercial
Tipo de RAM Características
instalada Mb/Gb
Basada en tecnología DDR2,
esta nueva especificación para
tarjetas gráficas de alto
GDDR5 "Graphics Double 1.024 Gb, 1.536 Gb, 3.072
rendimiento, provee un doble
Data Rate 5" Gb hasta 4 Gb
ancho de banda a diferencia de
GDDR4, que permite ser
configurada a 32 y 64 bits.
Es un tipo de memoria que
también se basa en la
GDDR4 "Graphics Double tecnología DDR2, que mejora
256 Mb
Data Rate 4" las características de consumo
y ventilación con respecto a la
GDDR3.
Es un tipo de memoria
adaptada para el uso con
tarjetas de video, con 256 Mb, 384 Mb, 512 Mb,
GDDR3 "Graphics Double
características de la memoria 768 Mb, 896 Mb, 1 Gb,
Data Rate 3"
DDR2, mejoradas para reducir 1.792 Gb
consumo eléctrico y hacer
eficiente la disipación de calor.
Es un tipo de memoria
GDDR2 "Graphics Double adaptada para tarjetas de
256 Mb, 512 Mb, 1 Gb
Data Rate 2" video, con características de la
memoria DDR y DDR2.
GDDR "Graphics Double Es un estándar de RAM que 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,
Data Rate" transmite datos de manera 512 Mb
29
doble por canales distintos de
manera simultánea, en este
caso está diseñada para el uso
en tarjetas de video.
Hay 2 siglas para este tipo de procesadores de gráficos, acuñadas por 2 empresas
dominantes actualmente: GPU ("Graphics Process Unity") ó unidad de proceso de
gráficos y VPU ("Visual Processing Unity") ó unidad de proceso visual.
Independientemente de la forma que se le quiera denominar, este circuito libera de
esa actividad al microprocesador y le permite dedicarse a otras tareas del sistema
haciendo más eficiente al equipo. Estos procesadores de gráficos actualmente tienden
a sobrecalentarse, por lo que se les coloca un disipador de calor con su respectivo
ventilador. Anteriormente dominaban el mercado varias marcas, entre ellas una
llamada Trident®, pero actualmente son 2 marcas de circuitos dominantes,
independientemente de la marca de la tarjeta de video que la integra.
+ Ejemplo: Tarjeta de video GeForce*, modelo TC7200 GS, marca Zogis®*, DDR2
256 Mb, PCI-E.
*Se puede observar que hay dos denominaciones presentes, GeForce es el del chip
procesador de gráficos y Zogis® es la marca de la tarjeta de video.
Se trata de tecnología desarrollada e integrada para que la tarjeta principal pueda
trabajar simultáneamente con 2 tarjetas aceleradoras de gráficos de cierta marca, esto
es, a la par, y por ende se aumentan las capacidades al tener dos procesadores de
gráficos (GPU) trabajado al mismo tiempo. La tecnología SLI es desarrollada por la
empresa fabricante de GPU´s NVidia® y solo es compatible con tarjetas de la
empresa, mientras que la tecnología CrossFire/XFire son de la empresa ATI Radeon®,
por supuesto aplica solo para tarjetas que tengan GPU de la misma marca. Ambas
tecnologías se encuentran enfocadas a ser utilizadas en los equipos de alto
rendimiento utilizados por jugadores de videojuegos (Gamers) ó para aplicaciones de
diseño.
Fuentes SLI/X-Fire
30
Como se ventila correctamente la tarjeta de video
Como apoyo a la comprensión del tema, te ofrecemos una animación sobre el
funcionamiento interno de una memoria RAM:
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos
canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen
los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente
independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
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Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3
"Double Data Rate -3 ".
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 MB,
velocidad 667 MHz, tipo PC5300.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
Conector Figuras
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Conector
de la
memoria
DDR-2 240
terminales Ranura
de la
tarjeta
principal
Velocidad de la memoria DDR-2
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria
DDR-2 es el MegaByte (MB) y el GigaByte (GB). Actualmente en México se
comercializan las siguientes capacidades:
Figura 4. Memoria + Todas las memorias SODDR2 cuentan con 200
SODDR2, 200 terminales, especiales para computadoras portátiles.
terminales,
533/667/800 MHz. + Las demás especificaciones como latencia, capacidades
de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del
formato DDR2 para computadora de escritorio.
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Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data
Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.
Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales,
capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V.
Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son
básicamente los siguientes:
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Figura 3. Esquema de partes de
la memoria DDR-3
Conectores - terminales para la ranura
Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR-3 240
terminales Ranura
de la
tarjeta
principal
Velocidad de la memoria DDR3
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene
que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se
comercializaron las siguientes:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en
colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un
paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con
la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la
latencia.
Los DDR-3 de 240 terminales se comienzan a utilizar en equipos con el procesador
iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador AMD® Phenom y
AMD® FX-74.
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Significado de SODDR3: proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 3"), siendo
la variante de memoria DDR3 para computadoras portátiles.
+ Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para
computadoras portátiles.
+ Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,
velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para computadora de escritorio.
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Conector Figuras
Conector
de la
memoria
DDR-4 240 Ranura
terminales de la
tarjeta
principal
(similar)
Velocidad de la memoria DDR4
La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En
el caso de los DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cuál se
tienen que adaptar los demás componentes del resto del sistema. Básicamente se
presentó la siguiente:
Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el
sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):
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Tipo de memoria Capacidad en GigaBytes (GB)
DDR-4 240 terminales en un sólo módulo 2 GB
Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM,
compatibles con modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015
aproximadamente.
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