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VÁLVULAS DE VACÍO
1907: Invención
del triodo →
~1965:
Comienza
sustitución por
transistores
Colossus: Primera computadora digital Radio de con una válvula
TRANSISTOR
1947: Invención del transistor
1951: Primer BJT
1960’s: Comienzan a reemplazar a las válvulas de vacío
comercialmente
1970’s: Accesibles para entusiastas de la electrónica
Dopaje: Impureza de la red cristalina de silicio por boro (P) o fosforo (N).
La región del emisor
El transistor es un es bastante dopada.
Emite portadores de
semiconductor construido corriente a la base.
con tres regiones
dopadas y tres
La región de la base
terminales. es ligeramente
dopada y delgada.
Modelo Ebers-Moll
simplificado para un
transistor npn.
Conexiones internas de un transistor.
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE CORRIENTE
El diodo base-colector El diodo base-emisor
está conectado en está conectado en
polaridad inversa. polaridad directa.
EMISOR
N P N
COLECTOR
IC IE
IB BASE VEE
VCC
P BASE
VCC
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
VBB
IB
N EMISOR
𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
IC
IE
Para el transistor NPN.
Análisis en emisor común.
N EMISOR
P BASE
VEE
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
VBB
IB
N COLECTOR 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
IE
IC
Para el transistor NPN.
Análisis en colector común.
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE CORRIENTE
EMISOR
P N P COLECTOR
IC
IE
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
Para el transistor PNP.
Análisis en base común.
P COLECTOR
N BASE
VCC
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
VBB
IB
P EMISOR
𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
IC
IE
Para el transistor PNP.
Análisis en emisor común.
P EMISOR
N BASE
VEE
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
VBB
IB
P COLECTOR 𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
IE
IC
Para el transistor PNP.
Análisis en colector común.
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶
ALFA Y BETA DE CORRIENTE DIRECTA
𝐼𝐶
𝛼= 𝐼𝐶 Los niveles de corriente
Los niveles de corriente
de colector y emisor 𝐼𝐸 𝛽= de colector y base se
(mayoritarios) se 𝐼𝐵 relacionan mediante beta.
(hFE). Este puede variar
relacionan mediante alfa.
𝛼≈1 entre 50 y 500.
REGIONES DE OPERACIÓN
Saturación: Al tener voltajes
positivos suficiente altos en la
unión colector-emisor, Se
presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el
Activa: El circuito del colector actúa como
emisor desciende por debajo del
fuente de corriente, donde la corriente del
valor umbral VCEsat.
colector será mayor que la de la base,
siguiendo la relación 𝐼𝑐 = 𝛽𝐼𝐵 . Así se mantendrá
con cualquier valor mayor de voltaje.*
Corriente de colector.
Corriente de colector.
Beta de DC.
Diferentes encapsulados
que se ofrecen.
Regiones del transistor.
USO COMO INTERRUPTOR
RESUMEN
La designación indica el nodo
del transistor que no sirve
como entrada o como salida.
CIRCUITOS DE ELEMENTO COMÚN
RC=2kΩ
RE=1kΩ
R1=1kΩ
R2=1kΩ
Vb=5V