TEMA 3.

Corrientes eléctricas: Conductores y

semiconductores

1. Introducción

2. Movimiento de cargas en un conductor

3. Ley de Ohm

4. Potencia eléctrica
5. Materiales semiconductores:
características.
6. Corrientes en semiconductores
7. Dispositivos: diodo de unión y transistor de
unión (BJT)
1

Introducción: Corriente eléctrica

 Una corriente eléctrica consiste en un flujo de partículas

cargadas o iones:

 Partículas cargadas en un acelerador

 Iones en una solución electrolítica
 Gas ionizado o plasma
 Electrones en un conductor
 Electrones y huecos en un semiconductor

1
 Introducción: Corriente eléctrica

 En función de la capacidad de una sustancia para dejar circular la

corriente en su interior, los materiales los clasificamos en:

 Conductores: Al aplicar una diferencia de potencial entre dos puntos

del material se establece de inmediato un flujo de corriente, ofreciendo
poca resistencia al movimiento de cargas en su interior.

 Aislantes: Materiales cuyas cargas están fuertemente ligadas entre sí y

presentan mucha dificultad para moverse.

 Semiconductores: Pueden comportarse como conductor y/o aislante.

Su capacidad par conducir una corriente eléctrica puede variar
considerablemente dependiendo de las condiciones de trabajo.

Introducción: Sólidos (tipos de enlaces)

Amorfo: Las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada
Cristalino: Distribución tridimensional regular de sus partículas

En los sólidos cristalinos, si tenemos en cuenta las fuerzas involucradas en la

interacción entre sus partículas, los enlaces son:

• Iónico: atracción electrostática entre iones

• Covalente: uno o más electrones se comparten entre dos átomos para

alcanzar configuraciones estables

• Metálico: los átomos ceden electrones de valencia para alcanzar

configuración de gas noble. Los iones conforman una red cristalina muy
compacta y se forma una nube de electrones entre los núcleos positivos.

• Intermoleculares: Puente de hidrógeno, fuerzas de Vander Waals, etc.

Ver en apéndice 1 la capacidad de conducir de los materiales en función de su

estructura de bandas de energía.

2
Movimiento de cargas en un conductor: Intensidad de corriente

 La intensidad de la corriente eléctrica I, se define como la carga

que pasa por unidad de tiempo a través de una sección ( SN )
perpendicular a la dirección del movimiento de las cargas (en un
circuito, sería a través de la sección del cable conductor).

dq

I dq dt
[C/s = A] Amperio

SN
5

Intensidad de corriente
La intensidad de corriente eléctrica es un escalar, aunque se
habla de sentido de la corriente.

Por convenio el del movimiento de portadores de carga positivos

El mismo el del campo eléctrico aplicado

I I I
  
E E E

3
 Densidad de corriente

A partir de la intensidad podemos definir una magnitud, relacionada con el

movimiento de cargas, con carácter vectorial e independiente de la sección

j Densidad de corriente: es la corriente por unidad de área
perpendicular al movimiento de cargas en el conductor

dI
Módulo: j [A/m2] dSn : sección normal a la corriente
dS n
Dirección: La del movimiento de cargas

Sentido: El de desplazamiento de las cargas positivas

 
dI  j dS n I   j ·dS
S
7

Densidad de corriente
ejercicio/ Cálculo de la corriente en un conductor para una densidad
de corriente variable:
 r
j ( r )  j0
R
dS = 2rdr
 
dI  j (r )  dS
  R
I   j ( r )  dS   j (r )  2rdr 
dS 0
2 j0 2 2 j0 R 3
R R
r
R 
0
j0 2 rdr 
R R 0
r dr 
R 3

I
2
I   j0 R 2
3
8

4
 Densidad de corriente y velocidad de arrastre

Consideramos un conductor cilíndrico de sección S con j uniforme:
 hay n partículas cargadas por unidad de volumen
 cada partícula cargada tiene carga q
 se mueven en la dirección de E con velocidad va (velocidad de arrastre)

Q  n q  volumen
Q  q n S v a t
va volumen  S va t
va S I Q
j   q n va
S St

E
 
j  q n va
I 9

Densidad de corriente y velocidad de arrastre

ejercicio/ Cálculo de la velocidad de arrastre en un hilo de aluminio.


va r j I = 20 A ; r = 1.3 mm
Al Aluminio (Al):
densidad  = 2700 kg/m3

densidad electrónica p. atómico Ar= 0.027 kg/mol

nº de electrones libres por átomo

 2700 -
ne  3 NA  3 6.02  10 23 = 1.8061029 e /m3
Ar 0.027

densidad atómica
20 A
j  (1.3 10 ) m 2
3 2
va   = 0.13 mm/s  0,5 m/h
ne e e C
1.806 10 29 3 1.6 10 19 
m e 10

5
 Ley de Ohm. Resistencia
 Parece natural suponer que la intensidad de la corriente debe estar
relacionada con el campo eléctrico aplicado (o lo que es lo mismo con
el potencial eléctrico aplicado)

 Si aplicamos d.d.p. V a los extremos de un conductor, a temperatura

constante, se produce una corriente I. El potencial eléctrico necesario
para proporcionar una corriente dada depende de una propiedad del
trozo de material utilizado como conductor

 Esta propiedad es su
V
resistencia eléctrica R
R, que definimos como: I

En el S.I. la resistencia R se mide en ohmios (): 1  = 1 V/A

11

Ley de Ohm. Resistencia

 Para muchos conductores su resistencia es independiente del

potencial eléctrico aplicado, es decir la relación V/I se
mantiene constante.

 Ley de Ohm:

V=R.I (con R constante)

Georg Simon Ohm
(1787-1854)

 Los materiales que cumplen la Ley de Ohm se denominan óhmicos. Un

conductor óhmico se caracteriza por tener un único valor de su
resistencia para una temperatura dada.

12

6
 Ley de Ohm. Resistencia

Conductores óhmicos Conductores no óhmicos

V  RI V  R( I ) I
En general, los conductores responden a
R es constante
la Ley de Ohm.
13

Ley de Ohm. Conductividad

Ley de Ohm V
I
l

considero conductor cilíndrico

R
I
al que aplicamos V
 S
 Si j uniforme en todo el volumen E
I  jS jS
El Va Vb
V
V  El R
l
j E; j  E
  SR
j  E Ley de Ohm vectorial (microscópica)

l conductividad eléctrica (característica de cada material)


SR En el S.I.  se mide en (m)-1
14

7
 Ley de Ohm. Conductividad

 
j  E Ley de Ohm vectorial (microscópica)

 1 
j E


1 resistividad eléctrica (característica de cada material)

 En el S.I.  se mide en m

R magnitud macroscópica. Depende:
l l
R  Del material (resistividad)
S

S
 De la geometría del conductor ( l , S )

15

Ley de Ohm. Conductividad

Conductividades eléctricas a temperatura ambiente

Sustancia  (-1 m-1) Sustancia  (-1 m-1)

Metales Semiconductores
Cobre 5.81 x 107 Carbono 2.8 x 104
Plata 6.14 x 107 Germanio 2.2 x 10-2
Aluminio 3.54 x 107 Silicio 1.6 x 10-5
Hierro 1.53 x 107 Aislantes
Tugsteno 1.82 x 107 Vidrio 10-10 a 10-14
Aleaciones Lucita < 10-13
Manganina 2.27 x 106 Mica 10-11 a 10-15
Constantán 2.04 x 106 Cuarzo 1.33 x 10-18
Nicromo 1.00 x 106 Teflón < 10-13
16

8
 Ley de Ohm. Conductividad

La resistividad  depende de la temperatura

 = 20(1 + (t - 20))

cobre

17

Potencia eléctrica. Ley de Joule

R
U = qV = q (V2 - V1) = q V (dU = dq V)
I
dU dq
P  V  IV
U1 =qV1 U2 =qV2 dt dt
V1 V2 Es necesario aportar energía para
V
mantener una corriente circulando

I
P  IV Potencia: vatio (W)

U
Expresión particular para conductor
qV1 R óhmico (Ley de Ohm):

V2
qV2 P  IV  I R  2

x
R
18

9
 Materiales semiconductores: características
•Semiconductor intrínseco.
último nivel semillenoenlace
14Silicio:
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 covalente: comparten electrones
32Germanio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p2 para tener última capa completa (8
electrones)
T0K
E E E
Ie Ie
generación – –
par e–-h Ih Ih

Si Si Si

tiempo t1 tiempo t2> t1 tiempo t3> t2

Materiales semiconductores: características

•Semiconductor extrínseco.
Se dopa el Si o el Ge con impurezas que añaden portadores de corriente.
Átomo donador P,As,Sb: (ND) Átomo aceptor B,Al,Ga,In: (NA)
(5 e- en su última capa) (3 e- en su última capa)
semiconductor tipo n semiconductor tipo p

e– poco ligado
(0.03 -0.1 eV)

As Ga

e– ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Portadores mayoritarios: n  1016/cm3 Portadores mayoritarios: p  1016/cm3

Portadores minoritarios: p  1010/cm3 Portadores minoritarios: n  1010/cm3
(por excitación térmica) (por excitación térmica)

10
 Materiales semiconductores: características
•Donadores y aceptores para el silicio

1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

Corrientes en semiconductores

En un semiconductor se presentan dos tipos de corriente eléctrica:

Corriente de arrastre: Producida por un campo eléctrico aplicado al material.

Es análoga a la que se produce en los materiales conductores salvo que en este caso
hay dos tipos de portadores en movimiento: Electrones moviéndose en sentido
contrario al campo y huecos en el mismo sentido. Ambos movimientos de carga
contribuyen a crear una corriente en el sentido del campo aplicado.

Corriente de difusión: Se produce cuando en el volumen del material la

concentración de portadores no es uniforme. Esto origina un movimiento de cargas
en el semiconductor para buscar el equilibrio.

11
 El diodo de unión
• Unión p-n sin polarizar: La diferencia de concentraciones de electrones y huecos
produce corrientes de difusión que tiende a igualar las concentraciones  electrones de
N pasan hacia P y huecos de P pasan hacia N.
Idif,h
P Idif,e N
Idif,h ≡ Corriente de difusión por
Idif,h huecos (+) de P a N

Idif,e ≡ Corriente de difusión por

Idif,e electrones (-) de N a P


• Debido a Idif,h e Idif,e “quedan al descubierto” las impurezas (iones) aceptoras y donadoras
 carga eléctrica en zona de transición  campo eléctrico E
P N
 El campo eléctrico se
opone a las corrientes de
E
difusión llegándose a un
EQUILIBRIO en la
separación de carga.

El diodo de unión
•Unión p-n sin polarizar.

Hay una diferencia de potencial entre las dos zonas de la unión.

P V N
0 
E V
0

V0 se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de potencial

entre los extremos de la zona de transición en equilibrio.
V0 = 0.7 V para diodos de Si y V0 = 0.3 V para diodos de Ge, a 20 ºC

12
 El diodo de unión
•Polarización directa.

P N

E V
0
V’0

La pila crea un campo eléctrico opuesto al de la unión, disminuye el Etotal en la unión

y la barrera de potencial, y aumenta la corriente de mayoritarios por difusión 
circula corriente cuando se supera la barrera de potencial (tensión umbral)

El diodo de unión
•Polarización inversa.
P N


E
V’0

V
0
I0 <<<<

La pila crea un campo eléctrico en el mismo sentido que el de la unión, aumenta el Etotal,
aumenta la barrera de potencial V0´, y disminuye la corriente de mayoritarios.
Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e- hacia la zona n,
ensanchándose la zona de transición. Pero estos h+ y e- provienen de zonas donde son
minoritarios. El resultado es que fluye una pequeña corriente I0, debida únicamente a los
pares e-h+ que se generan por agitación térmica llamada CORRIENTE INVERSA DE
SATURACIÓN.

13
 El diodo de unión
•Curva característica.

 V 
0.15
I  I0  e V  1
T

 
I (mA)

0.05 kT
VT 
Io qe

-0.05
-70 -20 30 80
V (mV)

VT(300 K) = 25.85 mV I0: Corriente inversa de saturación

k (Constante de Boltzmann) = 1.38·10-23 JK-1

El diodo de unión

•El diodo como rectificador.

De media onda:

Vsal salida
Ven entrada
t Vsal = IR
Ven
~ R I
t
t

De onda completa
Vsal salida

+ I -

~
R
+ I - t

14
 El diodo de unión

• Algunos tipos de diodos relevantes:

•LED (Light Emitting Diode): En polarización

directa, las recombinaciones electrón-hueco
liberan energía en fotones de luz 
electroluminiscencia.

• Zéner: Aprovechan el fenómeno de ruptura en polarización inversa.

• Fotodiodos: En polarización inversa, los fotones de luz transfieren

energía generando pares electrón-hueco  aumento de portadores 
fotocorriente.

El transistor de unión

•Importancia histórica.

En 1949, Walter Houser Brattain,

John Bardeen y William Bradford
Shockley, científicos de la “Bell
Telephone Laboratories”, iniciaron una
revolución en la electrónica con la
invención del transistor. En 1956
recibieron el premio Nobel de Física
por su trabajo.

15
 El transistor de unión

• Transistor BJT: Dispositivo semiconductor en el que una fina capa n está

entre dos capas p (p-n-p) o una fina capa p está entre dos capas n (n-p-n).
Emisor Base Colector Emisor mucho Colector
Emisor Base
más dopado que
P N P base y colector N P N
Base mucho más
estrecha que
IE IC emisor y colector IE IC
IB IC  I B  I E IB
Tipos de transistores (entre otros):
• Transistor bipolar de unión: Bipolar Junction Transistor (BJT).
• Transistor de efecto de campo de unión: Junction Field Effect Transistor (JFET)
• Transistor de efecto de campo de metal-óxido  Metal Oxide Field Effect
Transistor (MOSFET).

El transistor de unión

Representación de la intensidad de colector IC frente a VCE para distintas

corrientes de base IB
• Amplificadores analógicos, región activa (2):
una pequeña corriente de base IB puede
controlar corrientes de colector IC mucho
mayores

• Conmutadores
R. Saturación (1): la
tensión entre colector y
emisor es ~ 0 V  aprox.
cortocircuito entre colector y
emisor

R. Corte (3): IE ~ 0, IC ~ 0
e IB ~ 0  aprox. circuito
abierto entre colector y
emisor

16
 El transistor de unión

• Transistor BJT como amplificador: dispositivo que aumenta una señal de

entrada sin modificar su forma de onda.
Valores típicos de ganancia en  BJT
50    300

I C  I B
I E    1I B

i B (t )  i B 0 sen (t   )
I E  I C  I B
• En este ejemplo simple la señal de salida será la
componente de continua más la de alterna
superpuesta. Utilizando condensadores en serie
en la entrada (IB) y la salida (IC) se puede eliminar
la componente continua de la señal.

El transistor de unión
• Ejemplo de aplicación en electrónica digital: PUERTAS LÓGICAS
Emisor E conectado a toma de tierra (0 Voltios). • “1” lógico  tensión alta ( > 2.5 V)
VAE: Entrada; VCE: Salida • “0” lógico  tensión baja (< 0.5 V)

PUERTA NOT
VCE = 5 – R1IC ~ 5 V

R1 R1 IC ~ 0
5V C 5V C
A SATURACIÓN A CORTE

R2 VCE ~ 0 V VCE ~ 5 V
VAE = 5 V R2
R1 = R2 = 1 k VAE = 0 V
E E
VCE (V)
TABLA DE VERDAD NOT
5
VAE VCE
VAE VCE 1 0 2.5

0 1 0.5
5
VAE (V)
0.5 0.7 2.5

17
 El transistor de unión

• PUERTA OR: con punto T (toma de tierra) común a entradas y salida

X, Y ≡ Entradas E ≡ Salida (emisor común) C ≡ Colector común
R = 1 k C
Si VXT = 5 V  VXE ~ 0.7 V y VXC = 0 V (Q1
X Y activo)  VET = VXT – VXE ~ 4.3 V
Q1 Q2
Si VYT = 5 V  VYE ~ 0.7 V y VYC = 0 V (Q2
5V E activo)  VET = VYT – VYE ~ 4.3 V

IR Si VXT = VYT = 0 V  Q1 y Q2 en corte  IR

R VET
~ 0  VET = R·IR ~ 0 V

T
TABLA DE VERDAD OR
VXT VYT VET La salida “1” lógico pierde ~
VXT 0 0 0 0.7 V por la unión base-emisor
VET 0 1 1 en directa  solución con
VYT seguidores
1 0 1
1 1 1

El transistor de unión

• SEGUIDOR: Dispositivo que a la salida proporciona a el mismo nivel lógico que

a la entrada pero regenerando la tensiones a los valores 0 V y 5 V.

R1 = R2 = 1 k VAE VCE
R1
R3 = 50  R1 C TABLA DE VERDAD SEGUIDOR
5V A R2 VAE VCE
R3 Salida:
VCE 1 1
Entrada: VAE
0 0
E
VCE (V) Tensión VAE de 1
Tensión VAE de 0 5 lógico entre 2.5 V
lógico inferior a y 5 V  VCE = 5 V
0.5 V  VCE = 0 V
0 1
VAE (V)
0.7 2.5 5
0.5

18
 El transistor de unión

• OTRAS PUERTAS: Cualquier puerta lógica se puede realizar mediante puertas

OR y NOT (álgebra de Boole).

PUERTA AND TABLA DE VERDAD AND

A B C PUERTA AND MEDIANTE OR y NOT

A 0 0 0
A
C 0 1 0 C
1 0 0 B
B
1 1 1

PUERTA XOR TABLA DE VERDAD XOR

PUERTA XOR MEDIANTE OR y NOT
A B C
A
A 0 0 0
C 0 1 1 B
C
B 1 0 1
1 1 0

Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos

•Estructura electrónica.
Los niveles de energía en un átomo se hallan cuantizados.

Estados o niveles de 1Hidrógeno: 1s1

energía permitidos
ENERGÍA DEL e-

. Hidrógeno
.
.
.
. p +
3s

2p

2s
1s

19
 Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos

•Estructura electrónica. Desdoblamiento de los niveles electrónicos

Al formarse un sólido cristalino el movimiento de los electrones resulta
perturbado debido a la influencia de los átomos vecinos  desdoblamiento de
los niveles de energía  formación de bandas de energía
2 átomos enlazados N átomos enlazados
átomo aislado en un sólido cristalino
en una molécula
Estados o niveles de Estados o niveles de Estados o niveles de
energía permitidos energía permitidos energía permitidos
. . .
. . .
ENERGÍA DEL e-

ENERGÍA DEL e-

ENERGÍA DEL e-
. . .
. . .
. . .
3s

2p

2s

1s
N estados de energía muy
próximos banda de energía
N ~ 1023

Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos

•Modelo de bandas de energía.
Las propiedades de conducción del sólido vienen dadas por la estructura de las dos últimas
bandas de energía, ya que son las únicas que poseen electrones deslocalizados
(compartidos) por todos los átomos del sólido:
-BANDA DE VALENCIA: última banda con electrones (total o parcialmente llena)
-BANDA DE CONDUCCIÓN: banda inmediatamente superior a BV (vacía a T=0 K)

BC BC BC

T = 300 K
Egap >> Egap << Eg(Si)  1,1 eV
eV eV Eg(Ge)  0,7 eV

BV BV BV

Conductor Aislante Semiconductor

Eg(diamante) = 6
eV

20
 Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos
•Modelo de bandas de energía. Conductor
Situación 1: Situación 2: ¿Qué pasa al aplicar un campo eléctrico?
solapamiento ocupación
entre bandas parcial los electrones tienen estados de energía superior
próximos disponibles  pueden aumentar su
BC energía cinética bajo un campo eléctrico aplicado
(vacía)  se produce corriente eléctrica
BV=BC densidad de portadores ~ 1023 electrones/cm3
(parcialmente
llena)
BV 107 (m)-1
(llena) 

¿Qué pasa al aumentar la temperatura? Cu

la banda de conducción se llena por excitación
térmica  no quedan electrones que puedan
absorber energía cinética debida al campo eléctrico
aplicado  disminuye la conductividad ()
T

Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos

•Modelo de bandas de energía. Aislante
¿Qué pasa al aplicar un campo eléctrico?
BC (vacía)
los estados de energía superior se hallan separados por un
“gap” muy grande  no hay electrones térmicos en BC; no
pueden aumentar su energía cinética bajo un campo eléctrico
Eg >> eV aplicado  no hay corriente eléctrica (es despreciable)

densidad de portadores ~ 107 electrones/cm3

BV
(llena) 10-18 (m)-1

¿Qué pasa al aumentar la temperatura?
por excitación térmica saltan electrones desde BV
hasta BC  hay electrones que pueden absorber Cuarzo
energía cinética  aumenta la conductividad ()

21
 Apéndice 1: Bandas de energía en sólidos cristalinos
•Modelo de bandas de energía. Semiconductor intrínseco
¿Qué pasa al aplicar un campo eléctrico?
BC
(vacía) los estados de energía superior se hallan separados por un
“gap” pequeño  hay electrones térmicos en BC (y huecos en
BV); pueden aumentar su energía cinética bajo un campo
Eg << eV
eléctrico aplicado  hay una pequeña corriente eléctrica

BV densidad de portadores (Si) ~ 1010 electrones/cm3

(llena) densidad de portadores (Ge) ~ 1013 electrones/cm3

10-5 (m)-1

¿Qué pasa al aumentar la temperatura?
por excitación térmica saltan electrones desde BV
hasta BC  hay electrones que pueden absorber Si
energía cinética  aumenta la conductividad ()

Apéndice 2: Materiales superconductores

 La dependencia de la resistividad de los metales con la temperatura

deja de ser lineal para temperaturas inferiores a unos 20º K

 A bajas temperaturas la resistividad de un metal depende de la

cantidad de impurezas que contenga (la medida de resistividad a bajas
temperaturas se utiliza para determinar la cantidad de impurezas que contiene un
metal)

 Existen sustancias conductoras cuyas propiedades eléctricas

cambian drásticamente cuando su temperatura baja más allá de una
determinada temperatura, denominada temperatura crítica TC,
característica de cada sustancia

44

22
 Apéndice 2: Materiales superconductores

 Por debajo de la temperatura crítica el material se transforma en un

superconductor. En un superconductor, la corriente eléctrica fluye sin
resistencia por lo que no se producen pérdidas calóricas por efecto Joule.

 La mayoría de metales que presentan este fenómeno tienen una

temperatura crítica por debajo de los 10º K
 Al  1,2º K;
 Hg  4º K;
 Pb  7,2º K;

45

Apéndice 2: Materiales superconductores

 Se ha observado el fenómeno de superconductividad en materiales

cerámicos, como el YBa2Cu3O7, que presentan temperaturas críticas por
encima de los 77º K (temperatura de ebullición del nitrógeno)

 Estos materiales abren grandes perspectivas en aplicaciones tecnológicas

debido al bajo coste del nitrógeno líquido que se utiliza como refrigerante.

http://www.microsiervos.com/archivo/ciencia/efecto-meissner-levitacion-
cuantica.html

46

23