Notas: Materiales

Resumen Capítulos Dedicatoria: Elizabeth (Ely)

Salta Argentina - 25/05/2020

Índice:

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 1

 1. Estructura de los Metales y sus Propiedades

Ejemplos de los materiales cristalinos son los metales, las aleaciones y algunos materiales
cerámicos.

El ordenamiento de átomos en sólidos cristalinos se representa asimilando a estos con los puntos
de intersección de una red de línea conocida como retículo espacial. Estos de manera ideal se suponen
en un plano coordenado, donde se le asigna un vector reticular a cada uno.

Donde la figura con varias celdas unidad se le conoce como retículo espacial (para un sólido
cristalino ideal) y la vista ampliada de al lado es una celda unidad con las constantes reticulares.

Sistemas Cristalinos y Redes de Bravais

Para valores asignados de las longitudes axiales (a, b y c) y los ángulos interaxiales se construyen
diferentes tipos de celda unidad. La cristalografía afirma que son necesarias solo siete tipos diferentes
de celdas unidad para crear todas las redes puntuales existentes. Augusto Bravais demostró que estas
variaciones crean un total de 14 celdas unidad estándar, a dichas redes se le conoce como redes de
Bravais, además éste las resumió en cuatro tipos básico de celdas unidad. Lo descrito anteriormente se
visionará en las siguientes gráficas. En la tabla siguiente se puede ver los tipos de estructuras para
cada variación de las componentes descritas:

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 2

A continuación se muestran los cuatro tipos básicos de celda unidad, (1) sencilla, (2) centrada en el
cuerpo (BCC), (3) centrada en las caras (FCC) y (4) centrada en las bases.

Éstas son las 14 celdas unidad básicas - convencionales de Bravais.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 3

Dicha figura se puede ordenar a manera de resumen en una tabla donde se verifica que para los 7
sistemas cristalinos y los cuatro tipos básicos dan origen a 14 redes de Bravais:

Principales Estructuras Cristalinas Metálicas

Los metales elementales cristalizan en alguna de las tres estructuras cristalinas más densamente
empaquetadas (mayor factor de empaquetamiento FP o mayor factor de empaquetamiento atómico
APF), cúbica centrada en el cuerpo (a) (BCC, donde « B » de body para reconocer), cúbica centrada en
las caras (b) (FCC, donde « F » de face para reconocer) y hexagonal compacta (c) (HCP).

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 4

La razón de porqué la mayoría de los metales cristaliza en estas estructuras es debido a que en éstas
están densamente empaquetadas se libera energía a medida que los átomos se aproximan y se enlazan
más cercanamente entre ellos. De este modo, dichas estructuras densamente empaquetadas se
encuentran en disposiciones u ordenamientos de energía cada vez más baja y estable.

Se denotan tres hechos: siempre se supone a los átomos como esferas rígidas y las distancias
que hay en la celda unidad son del orden de los nanómetros (!1 nm = 1 × 10−9 m).

A continuación se hacen descripciones útiles para cada tipo de estructura básica

mencionadas:

Se le conoce como número de coordinación al número de átomos del que está rodeado el
átomo central (pueden ser partes de átomos, debido a que se considera solo la parte interna
de la celda) :

- Estructura cúbica centrada en el cuerpo (BCC): tiene un número de coordinación igual

a 8, por celda unidad tiene dos átomos (se consideran completos) 2 ! átomos / celda unidad, y
cada parte de átomo que está en las esquinas se considera la octava parte de un solo. La
relación que hay entre la constante de red (longitud de la cara) a
! y el radio atómico R! es:

! 3a = 4R
Para el factor de empaquetamiento se usa:
4
3
πR3 × 2 átomos / celda unidad
APF =
a3
Usando la relación que hay entre el radio R y la constante de red a, se calcula un valor invariable de
APF:
4
3
πR3 × 2 átomos / celda unidad
APF =
a3
8π 3 ⋅ 3 ⋅ a3
APF =
3 43a3
2⋅ 3⋅π
APF = = 0.68 ⋅ 100 % = 68 %
42

Esto significa que el 68% de la celda está ocupada por átomos y el 32% está vacía, esto por lo tanto
muestra que el cristal BCC no es una estructura totalmente compacta, ya qué aún podrían ubicarse más
cerca de ellos. A temperatura ambiente los metales Hierro, Cromo, Tungsteno, Molibdeno y Vanadio
tienen estructura BCC.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 5

 - Estructura cúbica centrada en la cara (FCC): tiene un número de coordinación igual a 12.
Por celda unidad tiene cuatro átomos (se consideran completos) 4 ! átomos / celda unidad , y
cada parte de átomo que está en las esquinas se considera la octava parte de un solo y los que
están en las caras la mitad de un átomo. La relación que hay entre la constante de red
(longitud de la cara) !a y el radio atómico R
! es:
! 2a = 4R
Para el factor de empaquetamiento se usa:
4
3
πR3 × 4 átomos / celda unidad
APF =
a3
Usando la relación que hay entre el radio R y la constante de red a, se calcula un valor invariable de
APF:
4
3
πR3 × 2 átomos / celda unidad
APF =
a3
8π 2 ⋅ 2 ⋅ a3
APF =
3 43a3
2 2⋅π
APF = = 0.74 ⋅ 100 % = 74 %
3⋅4

Esto significa que el 74% de la celda está ocupada por átomos y el 26% está vacía, esto por lo tanto
muestra que el cristal FCC es más compacto que el BCC. El valor de 74% es el mayor valor posible
para átomos esféricos. A temperatura de 910ºC a 1401ºC los metales Aluminio, Cobre, Plomo, Níquel
y Hierro tienen estructura FCC.

- Estructura Hexagonal compacta (HCP): tiene un número de coordinación igual a 12. Por
celda unidad tiene 6 átomos (se consideran completos) 6 ! átomos / celda unidad . Existen 6 x
1/6 secciones de átomos en las capas de arriba y de abajo, haciendo un equivalente de 2
átomos más (2 x 6 x 1/6 = 2). Finalmente, hay dos mitades de átomos en el centro de ambas
capas superior e inferior, haciendo el equivalente de un átomo más: 3+2+1=6. En este existe
una altura c! , y a la relación que existe entre dicha altura y el lado de la base a
! se le conoce
como relación c! /a, cuyo valor ideal es: c! /a = 1.633

Se sabe que el área del triángulo equilátero de lado a viene dada por:
a 3 2
A = bh → ⋅ (a sin(60º) = a,
2 4
6⋅ 3a2 c 3
por lo tanto el volumen es: V = 6 ⋅ Ah = = 3a2 c, el seis es debido a que se calcula
4 2
para una porción que resulta ser la sexta parte, por lo tanto el total será el valor de una multiplicada por
6.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 6

 4
3
πR3 × 6 átomos / celda unidad
APF = ; Se usa: c = 1.633 ⋅ a
3
2
3a2 c
3
16π R
APF = = 0.74; Se supone: R = Ka
3 3 1.633 ⋅ a3

16π 3
APF = K 3 = 0.74 → K = 0.1249 ≈ 0.5
3 3 ⋅ 1.633

Por lo tanto, para cuando el radio de las esferas sea la mitad de la constante de red (a /2 = R), y
además se cumpla la relación c /a = 1.633, se tiene el mismo valor de APF que para la estructura FCC.
Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es demasiado bajo.

Tenerse en cuenta que en ocasiones para hallar el valor de la constante de red se parte del hecho de
conocer la densidad y la masa molar, y por lo tanto a se calculará con:

( NA ρ )
m n Ma 3
n Ma 1/3
ρ= ≡ ; V=a →a= , como ejemplo se propone:
V NAV
Considerando que la densidad del plomo FCC (4 mol/celda unidad) a 20 o C es 11,34 g/cm3 y que su
masa atómica es de 207,1256 g/mol. Se pide calcular cual es el valor de la constante de red.

DATOS:

NA = 6,023 x 1023 átomos/mol
1/3

( Na ρ )
n Ma
a=

( (6.023 × 10 23 átomos / mol)(11.34 × 106 g / m3) )

1/3
(4 mol)(207.1256 g / mol)
a=

a = 0.49501 n m

Posiciones atómica en Celdas Unidad Cúbicas

Para localizar las posiciones atómicas en las celdas unidad se utiliza el sistema de ejes coordenados x,
y, z. En cristalografía, el eje x positivo es normalmente la dirección perpendicular al plano del papel, el
eje y positivo es la dirección hacia la derecha del papel y el eje z positivo es la dirección hacia la parte
superior del papel. Las direcciones negativas son las opuestas a las indicadas antes.

Se localiza por lo general asumiendo que hay una distancia de 1 unidad para la posición medidos desde
el origen decidido. Para denotar la posición sólo se usa: (a,b,c), donde en estos casos de BCC y FCC
estos valores varían desde 0 a 1.

Direcciones en Celdas Unidad Cúbicas

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 7

Para cristales cúbicos los índices de las direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de
las direcciones a lo largo de cada eje coordenado y reducidos a los enteros más pequeños.

Para hacerlo se marca la posición de inicio (donde está la cola del vector) Pi = [ai bi ci ] (NO SE
SEPARA CON « , ») y se marca la posición final Pf = [af bf cf ], y el vector será:

V = ΔP = Pf − Pi = [af − ai bf − bi cf − ci ], en caso de que algún resultado de la resta dé negativo

esto se cambia y se coloca como: −1 = 1̄.

Un hecho es que todos los vectores de dirección paralelos tienen los mismos índices de dirección.

Las direcciones equivalentes se llaman familia de índices. La notación <100> es usada para indicar
colectivamente las direcciones de lados del cubo.

A manera de ejemplo se propone:

Determinar los índices de las direcciones de la celdilla cúbica unitaria mostrada en la figura adjunta.

A)− 1) se plantea la posición inicial y la final :
Ai = (1,0,1)
Af = (0,1,1)
− 2) se plantea Af − Ai :
Ar = [0 − 1 1 − 0 1 − 1] = [−1 1 0]
Ar = [1̄ 1 0]
B)− 1) se plantea la posición inicial y la final
Bi = (1,1/2,1)
Bf = (1,0,0)
− 2) se plantea Bf − Bi :
Br = [1 − 1 0 − 1/2 0 − 1] = [0 − 1/2 − 1] ⋅ 2
Br = [0 1̄ 2̄]
C)− 1) se plantea la posición inicial y la final
Ci = (1/2,1,0)
Cf = (1,0,1/2)
− 2) se plantea Cf − Ci :
Cr = [1 − 1/2 0 − 1 1/2 − 0] = [1/2 − 1 1/2] ⋅ 2
Cr = [1 2̄ 1]

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 8

 Índices de Miller para planos Cristalográficos en Celdas Unidad Cúbicas
Estos están definidos como los recíprocos de los valores en donde ocurren las intersecciones de los
planos X,Y y Z. Para hacerse esto debe verificarse primero que el plano considerado no pase por el
origen, ya que si esto ocurre debe definirse otro sistema de coordenadas, evitando que ocurra lo mismo,
después determinar las intersecciones y a éstas aplicarle la inversa (x = 2, → x −1 = 2−1) , se
despejan las fracciones multiplicando por dicho término toda la expresión a dicho resultado se le
denota como (h kl ) se le conoce como índices de Miller. Se le conoce a familia de planos a aquel
conjunto de planos que tienen redes equivalentes al estar relacionados por la simetría del sistema
cristalino, a estos se le denota como {hkl}.
En estructuras cristalinas cúbicas la distancia interplanar entre dos planos paralelos muy cercanos con
los mismos índices de Miller se designa como dhkl , donde h, k y l son los índices de Miller de los
planos. Este espaciado representa la distancia desde un origen elegido contenido en un plano y otro
plano paralelo con los mismos índices que sea muy cercano a él.

a
d
! hkl =
h2 + k2 + l2

A manera de ejemplo se propone:

Determinar los índices de Miller de los planos de la celdilla unidad mostrados en la figura adjunta.

Plano E: Plano F:
1) Se plantean los interceptos 1) Se plantean los interceptos
del plano con cada eje: del plano con cada eje:
1 1 1
x = 1, y = ∞, z = x = ,y = ,z =1
! 2 2 2
2) Se toman los recíprocos: 2) Se toman los recíprocos:
1 1 1 1 1 1
= 1, = 0, = 2 = 2, = 2, = 1
x y z x y z
Plano E : (102) Plano F : (221)

El níquel tiene una estructura cristalina FCC y una celda unidad con constante de red de 0,35236 nm.
¿Cuál es la distancia entre planos d120, d111 y d221?

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 9

 (0.35236 n m)
d120 = = 0.1576 n m
12 + +
22 02
(0.35236 n m)
d111 = = 0.2034 n m
12 + 12 + 12
(0.35236 n m)
d 221 = = 0.1174 n m
22 + 22 + 12

Planos y direcciones Cristalográficas en Celdillas unidad Hexagonales

Índices para planos cristalinos en celdillas unidad hexagonales HCP: Las superficies cristalinas en
celdillas unidad HCP son identificadas comúnmente utilizando cuatro índices en vez de tres. Los
índices para los planos cristalinos HCP, llamados índices de Miller - Bravais, son designados por las
letras h, k, i, l y encerrados entre paréntesis y sin comas (hkil). Estos sistemas hexagonales de cuatro
índices están basados en un sistema coordenado de cuatro ejes para una celdilla unidad HCP.

Existen tres ejes básicos a1, a2, y a3 que forman ángulos de 120º entre sí. El cuarto eje o eje c es el eje
vertical y está localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de medida a lo largo de los ejes
a1, a2, y a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes como se indica en la figura 10. La
unidad de medida a lo largo del eje c es la altura de la celdilla unidad. Las inversas de las
intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes a1, a2, y a3 proporcionan los índices h, k
e i mientras que la inversa de la intersección con el eje c da el índice l.

Planos Basales: Los planos basales de la celdilla unidad HCP son unos planos muy importantes. Puesto
que el plano basal de la parte superior de la celdilla unidad HCP en la figura 11-a es paralelo a los ejes
a1, a2, y a3, las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así, a1 = ∞, a2
= ∞, a3 = ∞. El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje
c a una distancia unidad. Tomando las inversas de estas intersecciones tenemos los índices de Miller –
Bravais para el plano basal HCP. Así, h = 0, k = 0, i = 0 y l = 1 es decir (0001).

Planos del Prisma: Utilizando el mismo método, las intersecciones del plano (cara) del prisma frontal
(ABCD) son a1 =+1, a2 =∞, a3 =-1y c=∞.Tomando las inversas de estas intersecciones tenemos h = 1,
k = 0, i = -1 y l = 0 o sea el plano (101̄0). De modo análogo, el plano (cara) del prisma ABEF de la
figura 11-b tiene los índices (11̄00) y el plano (cara) DCGH los índices (011̄0). Todos los planos del

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 10

prisma HCP pueden ser identificados colectivamente como la familia de planos {101̄0}. Algunas veces
los planos HCP son identificados únicamente por tres índices (hkl) puesto que h + k = - i. Sin embargo,
los índices (hkil) se utilizan de modo más común debido a que ellos revelan la simetría hexagonal de la
celdilla unidad HCP.

Índices de dirección en las celdas unitarias HCP: Las direcciones en las celdas unitarias HCP
normalmente se indican también por cuatro índices u, v, t y w encerrados entre corchetes como [uvtw].
Los índices u, v, t son vectores reticulares en las direcciones a1, a2, y a3, respectivamente y el índice w
es un vector reticular en la dirección c. Al objeto de mantener uniformidad entre ambos índices HCP
para planos y direcciones se ha acordado que u + v = - t lo sea también para direcciones. Algunas de las
direcciones más importantes de las celdas unitarias HCP se muestran en la figura.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 11

 Comparación entre las estructuras cristalinas FCC, HCP y BCC.
Ambas estructuras cristalinas FCC y HCP son estructuras compactas. Esto significa que, sus átomos
que son considerados aproximadamente “esferas” y se encuentran tan íntimamente agrupados cómo es
posible, poseen un factor de empaquetamiento atómico (APF) de 0,74. Los planos (111) de la
estructura cristalina FCC mostrados en la figura (a) tienen un orden de agrupamiento idéntico al de los
planos (0001) de la estructura cristalina HCP mostrados en la figura (b). Sin embargo,
tridimensionalmente, las estructuras cristalinas FCC y HCP no son idénticas debido a que existe una
diferencia en la disposición de apilamiento de sus planos atómicos, los cuales pueden describirse mejor
por consideración del apilamiento de esferas rígidas que representa a los átomos.

Se considera primero un plano de átomos compacto designado como plano A, tal como se muestra en
la figura (a). Obsérvese que hay dos tipos diferentes de espacios vacíos o huecos entre los átomos. Los
espacios señalados en la parte superior de la figura son designados espacios a, y los señalados en la
parte inferior de la figura, espacios b. Un segundo plano de átomos puede ser localizado sobre los
huecos a y b y se producirá la misma estructura tridimensional. Localicemos el plano B sobre los
espacios a, como se muestra en la figura (b). Ahora si un tercer plano de átomos se coloca sobre el
plano B para formar una estructura compacta, es posible formar dos estructuras de empaquetamiento
compacto diferentes. Una posibilidad es situar los átomos del tercer plano sobre los huecos b del plano
B. Entonces los átomos del tercer plano descansarán directamente sobre el plano A y así pueden
designarse como nuevo plano A (c). Si subsiguientes planos de átomos se colocan en este orden
alternativo de apilamiento, entonces la secuencia de apilamiento de la estructura tridimensional
producida puede ser denominada ABABAB.... Tal secuencia de apilamiento lleva a la estructura
cristalina HCP (figura b anterior). La segunda posibilidad para formar una estructura compacta es
situar el tercer plano en los huecos a del plano B (d). Este tercer plano se designa como plano C, puesto
que sus átomos no descansan sobre los del plano B, ni sobre los del plano A. La secuencia de

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 12

apilamiento en esta estructura compacta se designa así como ABCABCABC....y lleva a una estructura
FCC, mostrada en la figura a anterior.

Estructuras cristalinas cúbica centrada en el cuerpo: La estructura BCC no es una estructura compacta,
de ahí, que no tenga planos compactos como los {111} de la estructura FCC y los planos {0001} de la
estructura HCP. Los planos más densos en la estructura BCC son los planos de la familia {110} de los
cuales el plano (110) se muestra en la figura (b). Los átomos, sin embargo, en la estructura BCC tienen
unas direcciones compactas a lo largo de las diagonales del cubo, que son las direcciones <111> .

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 13

 Cálculos de densidad volumétrica, planar y lineal en Celdillas Unidad.

- Densidad Volumétrica: Utilizando el modelo atómico de esfera compacta para la celdilla

unidad de la estructura cristalina de un metal y un valor para el radio atómico del metal
obtenido del análisis de difracción de rayos X, se puede obtener un valor para la densidad
volumétrica usando la ecuación:
masa de la celdilla unidad
ρV =
Volumen de la celdilla unidad

- Densidad Atómica Planar: Algunas veces es importante determinar la densidad atómica

en varios planos cristalinos. Para hacer esto, se calcula una magnitud llamada densidad
atómica planar usando la relación:
nº de átomos que se encuentran en el área
ρp =
Área Seleccionada

Como ejemplo se propone:

Calcular la densidad planar de átomos en el plano (111) en el tungsteno que tiene una estructura
cristalina BCC. Repetir el cálculo en el mismo plano para el aluminio que tiene una estructura
cristalina FCC.

Radio atómico tungsteno = 0,137 nm. Constante reticular (a) tungsteno = 0,3163 nm Radio atómico
aluminio = 0,143 nm. Constante reticular (a) aluminio = 0,4045 nm

(Realmente las esferas son

todas del mismo tamaño)

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 14

 n 1 + 3 ⋅ 16
ρpw = =
A 3a 2 /2
1.5 ⋅ 2
=
3 (4/ 3R)
2

3
= = 17.3029 átomos n m −2
3(4/ 3 ⋅ 0.137 n m)2
1 1
3⋅ 2
+3⋅ 6
ρpAl =
3a 2 /2
2⋅2
=
3(4/ 2R)2
4
= = 14.1168 átomos n m −2
3(4/ 2 ⋅ 0.143 n m)2

- Densidad Atómica Lineal: Algunas veces es importante determinar las densidades atómicas
en varias direcciones de las estructuras cristalinas. Para hacer esto, se calcula una magnitud llamada
densidad atómica lineal utilizando la relación:
nº de átomos que se encuentran en la línea
-
ρL =
Longitud de la línea

Como ejemplo se propone:

a) Calcular la densidad lineal de átomos a lo largo de la dirección [111] en el tungsteno que presenta
una estructura cúbica BCC.

b) Repetir el cálculo en la misma dirección para el aluminio que tiene una estructura cúbica FCC.

Radio atómico tungsteno = 0,137 nm. Radio atómico aluminio = 0,143 nm.

(Realmente las esferas son

todas del mismo tamaño)

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 15

 n 1 + 2 ⋅ 12
ρLw = =
d 3a
2
=
3 (4/ 3R)
2
= = 3.64964 átomos n m −1
4(0.137 n m)
1
2⋅ 2
ρL Al =
3a
1
=
3(4/ 2R)
2
= = 1.42744 átomos n m −1
4 3(0.143 n m)

Polimorfismo o Alotropía
Se le conoce como Polimorfismo o alotropía cuando algunos elementos y compuestos existen en más
de una forma cristalina bajo diferentes condiciones de temperatura y presión. Metales industrialmente
importantes como hierro, titanio y cobalto experimentan transformaciones alotrópicas a elevadas
temperaturas a presión atmosférica.

El hierro existe en ambas estructuras BCC y FCC, sobre un rango de temperatura que va desde la
temperatura ambiente hasta su punto de fusión de 1535 °C, como se muestra en la figura. El hierro alfa
(Fe α) existe desde – 273 a 910 °C y tiene la estructura cristalina BCC. El hierro gamma (Fe γ) existe
desde 910 hasta 1401 °C y tiene una estructura cristalina FCC. El hierro delta (Fe δ) existe desde 1401
hasta 1535 °C, que es el punto de fusión del hierro. La estructura cristalina del hierro delta es también
BCC pero con una constante de red mayor que la del hierro alfa.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 16

 Análisis de la estructura del cristal

Fuentes de rayos X: Los rayos X utilizados para la difracción son ondas electromagnéticas con
longitudes de onda que oscilan entre 0,05 y 0,25 nm (0,5 y 2,5 Å). Para producir rayos X para
propósitos de difracción es necesario un voltaje de unos 35 kV y se suministra entre un cátodo y un
metal anódico o blanco, ambos mantenidos en vacío como se muestra en la figura (1). Cuando el
filamento de wolframio del cátodo se calienta, se liberan electrones por emisión termoiónica y se
aceleran a través del vacío por la gran diferencia de voltaje entre el cátodo y el ánodo, por consiguiente
ganando energía cinética. Cuando los electrones golpean la lámina de metal (por ejemplo molibdeno)
se emiten rayos X. Sin embargo, la mayor parte de la energía cinética (cerca del 98 %) se convierte en
calor, por lo tanto, la muestra tiene que enfriarse externamente.

El espectro emitido a 35 kV usando una lámina de molibdeno se muestra en la figura (2). El espectro
de radiación continúa de rayos X para una longitud que oscila entre 0,2 y 1,4 Å (0,02 y 0,14 nm) y dos
picos de radiación determinada que designan las líneas Kα y Kβ. Las longitudes de onda de las líneas
Kα y Kβ son características para un determinado elemento. En el molibdeno la línea Kα aparece a una
longitud de onda de unos 0,7 Å (0,07 nm). El origen de esta radiación se explica cómo sigue. Primero,
electrones K (electrones del orbital n = 1) se expulsan del átomo por bombardeo de la lámina con
electrones altamente energéticos, dejando los átomos excitados. A continuación, algunos de los
electrones de orbitales más altos (es decir n = 2 o n = 3) caen a niveles energéticos más bajos, para
reemplazar los electrones K perdidos, emitiendo energía de una determinada longitud de onda. La
transición de electrones del orbital L (n = 2) al orbital K (n = 1) genera energía de longitud de onda
correspondiente a la línea Kα como se indica en la figura (3).

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 17

Difracción de rayos X: Puesto que las longitudes de onda de algunos rayos X son más o menos iguales
a la distancia entre planos de átomos en sólidos cristalinos, los picos de difracción debido a la
radiación de intensidades variables se pueden producir cuando un grupo de rayos X golpea un sólido
cristalino.
Se considera que un haz de rayos X monocromático (longitud de onda sencilla) incide sobre un cristal,
como se muestra en la figura. Por simplificación, permitamos el reemplazo de planos cristalinos de
centros de dispersión atómicos por planos cristalinos que actúan como espejos reflejando el haz de
rayos X incidente. En la figura las líneas horizontales representan un conjunto de planos cristalinos
paralelos con índices de Miller (hkl). Cuando un haz incidente de rayos X monocromáticos de longitud
de onda λ golpea este conjunto de planos con un ángulo tal que el diagrama de ondas del haz deja los
diversos planos en una situación fuera de fase, no se producirá haz reforzado alguno (figura a). De este
modo tienen lugar interferencias destructivas. Si los diagramas de ondas reflejados del haz dejan a los
diversos planos en fase, entonces se producirá un reforzamiento del haz o interferencia constructiva

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 18

(figura b). Consideremos los rayos X incidentes 1 y 2 como se indican en la figura c. Para que estos
rayos estén en fase, la distancia extra de recorrido del rayo 2 es igual a MP + PN, que debe ser un
número entero de longitudes de onda λ. De este modo.

n λ = MP + PN, con n=1,2, 3 … (orden de difracción)

Puesto que ambos MP y PN son iguales a d hkl senθ, donde d hkl es el espaciado interplanar de los
planos cristalinos de índices (hkl) la condición para interferencia constructiva (p.ej., la producción de
un pico de difracción de radiación intensa) debe ser:

n λ = 2dhkl sin(θ ) (ley de Bragg)

Esta ecuación, conocida como ley de Bragg establece la relación entre las posiciones angulares de los
haces difractados reforzados en términos de longitud de onda λ de la radiación de rayos X incidente y
de los espaciados interplanares dhkl de los planos cristalinos. En la mayor parte de los casos, se utiliza
el primer orden de difracción donde n = 1, y así, para este caso, la ley de Bragg adopta la forma:

λ = 2dhkl sin(θ )

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 19

Análisis de Rayos X por el método de Polvo: En esta técnica se utiliza una muestra pulverizada a fin de
que se produzca una orientación al azar de muchos cristales que aseguran que algunas de las partículas
estén orientadas en el haz de rayos X para satisfacer las condiciones de difracción de la ley de Bragg.
Los análisis modernos de cristales utilizan un difractómetro de rayos X que tiene un contador de
radiaciones para detectar el ángulo y la intensidad del haz difractado. Un registrador representa
automáticamente la intensidad del haz difractado mientras el contador se mueve a lo largo de un
goniómetro de círculo que está sincronizado con la muestra en un rango próximo a valores de 2θ. La
figura muestra un registro de difracción de rayos X para la intensidad del haz difractado frente a
ángulos de difracción 2θ para una muestra de metal puro pulverizado. De esta forma los ángulos de los
haces difractados y sus intensidades pueden ser registrados simultáneamente. Algunas veces se utiliza
una cámara de polvo con un rollo de película en lugar de un difractómetro, pero este método es mucho
más lento y en la mayoría de los casos, menos conveniente.

Condiciones de Difracción para Celdillas Cúbicas Unidad: Las técnicas de difracción de rayos X
permiten determinar las estructuras de sólidos cristalinos. El análisis de difracción de rayos X para
celdillas unidad cúbicas puede ser simplificado combinando la ecuación:

a
! hkl =
d
h2 + k2 + l2
Con la ley de Bragg: λ = 2dhkl sin(θ )

2a sin(θ )
λ=
h2 + k2 + l 2

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 20

Para utilizar la anterior ecuación en el análisis de difracción, se debe saber qué planos del cristal son
los planos de difracción para cada tipo de estructura cristalina. Para la red cúbica simple, son posibles
reflexiones desde todos los planos (hkl). Sin embargo, para la estructura BCC la difracción ocurre sólo
sobre los planos cuyos índices de Miller sumados (h + k + l) nos da un número par (Tabla 2). Por ello,
para la estructura cristalina BCC, los planos principales de difracción son {110}, {200}, {211}, etc.,
que están numerados en la tabla 3. En el caso de la estructura cristalina FCC, los planos principales de
difracción son aquellos cuyos índices de Miller son todos pares o todos impares (el cero se considera
par). De este modo, para la estructura cristalina FCC, los planos difractantes son {111}, {200}, {220},
etc., que están numerados en la Tabla 3.

Interpretación de datos experimentales de difracción de Rayos X para Metales con estructuras cúbicas
cristalinas: Se puede utilizar datos de difractómetros de rayos X para determinar estructuras cristalinas.
Un caso simple para ilustrar cómo puede ser utilizado este análisis es para diferenciar entre las
estructuras BCC y FCC de un metal cúbico. Se tiene un metal que tiene una estructura cristalina BCC
y FCC y que es posible identificar los planos principales de difracción y sus correspondientes valores 2
θ, como se indica en la figura anterior para el metal wolframio.
De los datos de difracción de rayos X se obtienen valores experimentales de 2θ para una serie de
planos principales difractantes {hkl}. Puesto que la longitud de onda de la radiación emitida y la
constante de red a son dos valores constantes, se puede eliminar estas cantidades dividiendo los dos
valores de sin2θ del modo siguiente:

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 21

sin2(θA) hA2 + kA2 + lA2
= ; Donde θ A y θ B son dos ángulos difractantes asociados con los planos
sin2(θB ) hB2 + kB2 + lB2
principales de difracción {hAkAlA} {hB kBlB}.

Para la estructura cristalina BCC, las dos primeras series de planos principales difractantes son los
planos {110} y {200} (Tabla 3). Sustituyendo los índices de Miller {hkl} de estos planos en la
ecuación (13), queda:

sin2(θA) 1+1+0 1
= = = 0.5
sin2(θB ) 22 + 0 + 0 2

De este modo, si la estructura cristalina del metal cúbico desconocido es BCC, el cociente de los
valores de sin2(θ ) que corresponden a los dos primeros planos principales de difracción será 0,5.

Para la estructura cristalina FCC, las dos primeras series de planos principales difractantes son los
planos {111} y {200} (Tabla 3). Sustituyendo los índices de Miller {hkl} de estos planos en la
ecuación, queda:

sin2(θA) 1+1+1 3
= 2 = = 0.75
sin (θB )
2 2 +0+0 4
Por ello, si la estructura cristalina del metal cúbico desconocido es FCC, la razón de los valores del
sin2(θ ) que corresponden a los dos primeros planos principales de difracción será 0,75.

A manera de ejemplo se propone:

1) Determinar para qué conjunto de planos cristalográficos ocurrirá una reflexión de primer orden con
un ángulo de difracción de 44,53° para el níquel con estructura FCC, cuando se usa una radiación
monocromática que tiene una longitud de onda de 0,1542 nm.

DATOS:

Radio atómico níquel = 0,1246 nm

2a sin(θ /2)
Primero se usa la fórmula conocida cómo la ley de Bragg, donde n=1: n λ =
h2 + k2 + l 2
2

( )
2 ⋅ 4R sin(θ /2)
h2 + k 2 + l2 =
2λ
2

( )
2 ⋅ 4(0.1246 n m))sin(44.53/2)
=
2(0.1542 n m)
= 2.999 ≈ 3

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 22

Se verifica que para el único plano que la suma de h,k y l es 3, es cuando el plano es {111} (siendo
estructura FCC).

2) Un difractograma de rayos X para un elemento que tiene una de las estructuras cristalinas BCC o
FCC muestra picos de difracción a los valores de ángulos 2θ siguientes: 39,763º; 46,243º; 67,454º y
81,286º.Sabiendo que la longitud de onda de los rayos X emitidos que se utilizó fue de 0,1541 nm. Se
pide:

a) Determinar cuál es la estructura cúbica del elemento.

b) Calcular el valor de la constante de red del elemento.

c) Identificar de que elemento se trata.

Primeramente se verifica que para el caso de que sea una estructura FCC o BCC el valor de:

sin2(θb ) {0.75, Si es FCC

sin2(θa ) 0.50, Si es BCC
=

En este caso se tiene que:

sin2 ( 2 )
39.763

= 0.7500, por lo tanto cumple con la estructura FCC.

( 2 )
46.243
sin2

, para calcular la constante de red se utiliza:

2a sin(θ /2)
nλ =
h2 + k2 + l 2

Donde se sabe que n=1, y que h2 + k 2 + l2 = 3:

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 23

 h2 + k 2 + l2n λ
a=
2 sin(θ /2)
3(0.1541 n m)
a=
2 sin(39.763/2)
a = 0.39242 n m
Finalmente, si se mira en la tabla:

Tapez pour saisir le texte

El Platino es el elemento que más se acerca a los datos hallados.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 24

 2.Transformaciones
Solidificación de Metales
La solidificación de los metales y aleaciones es un importante proceso industrial ya que la mayoría de
los metales son fundidos y después moldeados hasta una forma acabada o semiterminada. En general,
la solidificación de un metal o una aleación puede ser dividida en las siguientes etapas:

1 – La formación de un núcleo estable en el fundido (nucleación) (figura a)

2 – El crecimiento del núcleo hasta dar origen a cristales (figura b) y la formación de una estructura
granular (figura c)

Los aspectos de algunos granos reales formados por solidificación de una aleación de titanio se
muestran en la figura siguiente. El aspecto que cada grano adquiere después de la solidificación del
metal depende de varios factores, incluyendo como importantes los gradientes térmicos. Los granos
mostrados en la figura son equiaxiales, puesto que su crecimiento ha sido igual en todas las
direcciones.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 25

Formación de Núcleos Estables en metales líquidos: ésta se da principalmente por dos mecanismos los
cuales son la nucleación homogénea y heterogénea.

- Nucleación Homogénea: Es el caso más simple de nucleación. Ésta se da un líquido fundido cuando
el metal proporciona por sí mismo los átomos necesarios para formas los núcleos, se puede imaginar
un metal puro solidificándose, cuando se enfría éste por debajo de su temperatura de solidificación de
equilibrio a tal grado suficiente, se crean numerosos núcleos homogéneos por movimiento lento de
átomos que se mantienen unidos. La nucleación homogénea requiere un elevado sub-enfriamiento que.

Para que un núcleo estable pueda transformarse en un cristal éste debe alcanzar un tamaño crítico. Un
conglomerado de átomos enlazados entre sí (que es menor que el tamaño crítico) se llama embrión, y
otro que sea mayor que el tamaño crítico se llama núcleo. A causa de su inestabilidad, los embriones
son continuamente formados y redisueltos en el metal fundido debido a la agitación de átomos.

Componentes:

Energías involucradas en la nucleación homogénea: En el proceso de solidificación de un metal puro se

tienen en cuenta dos cambios de energía: 1) Energía Volumétrica o global la cual es aquella que se
libera por la transformación de líquido a sólido y 2) Energía Superficial la cual es aquella que se
requiere para formar las nuevas superficies sólidas de las superficies solidificadas.

Cuando un metal líquido puro se enfría (lentamente) por debajo de su punto de solidificación, la
energía requerida para la transformación de líquido a sólido es la diferencia entre la energía libre
volumétrica (ΔGV) del líquido y el sólido. Para el caso de un núcleo esférico de radio « r » su valor es
4/3πr3ΔGV. El cambio en la energía libre volumétrica frente al radio de un embrión o núcleo se
muestra esquemáticamente en la figura 4 en la curva inferior y es una cantidad negativa, ya que la
energía se libera por la transformación líquido a sólido.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 26

 Si el radio de la
partícula es mayor
que r*, continuará
creciendo un núcleo
estable.

Existe una energía que se opone a la de formación de embriones y núcleos que es la energía requerida
para formar la superficie de estas partículas. La energía necesaria para crear una superficie para estas
partículas esféricas ΔGS es igual a la energía libre superficial específica de la partícula γ, multiplicada
por el área de la superficie de la esfera, ó 4π r2 γ, donde 4πr2 es el área de la superficie de la esfera. Esta
energía de retardo ΔGS para la formación de partículas sólidas se muestra gráficamente en la figura
anterior por una curva creciente en el cuadrante superior de la figura. La energía libre total liberada
asociada con la formación de un embrión o núcleo, que es la suma de la energía libre volumétrica y los
cambios de la energía libre superficial, se muestra en la figura en la curva intermedia. En forma de
ecuación, el cambio de energía libre total liberado para la formación de un embrión o núcleo esférico
de radio « r » originado en el enfriamiento de un metal puro es:
4 Unidades:
ΔGT = π r3ΔGV + 4π r2 γ ΔGT = [J ]
3
r = [nm] = [1 × 10−9 m]
ΔGV = [J/nm3]
γ = [J/nm2]

Un sistema puede cambiar espontáneamente de un estado de energía más alto a otro más bajo. En el
caso de la solidificación de un metal puro, si las partículas sólidas formadas bajo solidificación
tienen un radio menor que el radio crítico r*, la energía del sistema será más baja si se
redisuelve. Estos pequeños embriones pueden, por lo tanto, redisolverse en el metal líquido. Sin
embargo, si las partículas sólidas tienen radios mayores que r*, la energía del sistema se reduce
cuando estas partículas (núcleos) se convierten en partículas más grandes o cristales (figura (b)).
Cuando r alcanza el radio ideal r*, ΔGT tiene el máximo valor de ΔG * .

Radio crítico frente a sub-enfriamiento: A mayor grado de sub-enfriamiento ΔT por debajo de la

temperatura de fusión de equilibrio del metal, mayor es el cambio en la energía libre volumétrica ΔGV.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 27

Sin embargo, la variación de energía libre debida a la energía superficial ΔGS no cambia mucho con la
temperatura. Así, el tamaño crítico del núcleo es determinado principalmente por ΔGV. Cerca de la
temperatura de solidificación, el tamaño crítico del núcleo debe ser infinito, ya que ΔT tiende a cero
(figura de abajo punto 1). A medida que el sub-enfriamiento aumenta, el tamaño crítico del núcleo
disminuye (figura de abajo punto 2). La figura siguiente muestra la variación del tamaño crítico del
núcleo para el cobre como una función del sub-enfriamiento. El sub-enfriamiento máximo para la
nucleación homogénea en los metales puros varía desde 327 a 1.772 °C. .

El tamaño crítico del núcleo se relaciona con el sub-enfriamiento (ΔT) por la ecuación:
2γ Tm
r* = Unidades:
Δ H f ΔT
Tm = [K]
r * = [nm] = [1 × 10−9 m]
Donde: Tm es la temperatura a la cual se encuentra el punto de ΔHf = [J/nm3]
solidificación del metal, ΔHf es el calor de fusión. γ = [J/nm2]
ΔT = [K]

A manera de ejemplo se propone:

a) Calcular el radio crítico, expresado en centímetros, del núcleo homogéneo que se forma cuando el
aluminio líquido puro se solidifica. Suponer ΔT (sub-enfriamiento) = 0,2 Tm.

b) Calcular el número de átomos en el núcleo de tamaño crítico a esta temperatura de sub-enfriamiento.

Datos:
Tm = Temperatura de solidificación = 1.220ºF γ = Energía superficial = 93 x 10−7 J/cm2
ΔHf= Calor de fusión = 1066 J/cm3. Estructura cristalina = FCC

a = Constante de reticular = 0,4049 nm.
Primeramente, se verifica que la unidades sean las adecuadas para proseguir con los cálculos:

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 28

 5
Tm = 1220ºF = (1220 − 32) + 273.15 = 933.15 K
9
ΔT = 0,2(933.15 K) = 186.63 K
2γ Tm
r* =
Δ H f ΔT
2(93 × 10−7 J / cm2 )(933.15 K)
r* =
(1066 J / cm3)(186.65 K)
r * = 8.7242 × 10−8 cm
Y para calcular el número de átomos por núcleo se usa (siendo 4 por ser una estructura cristalina FCC):
#átomos nV
=
Núcleo a3
4 átomos ⋅ ( 43 π (8.7242 × 10−8 cm)3)
=
(4.049 × 10−8 cm)3 ⋅ 1 núcleo
= 167.603 átomos / núcleo

- Nucleación Heterogénea: Es aquella que se produce en un líquido sobre las superficies del recipiente
que lo contiene, originada por la presencia de impurezas insolubles, u otras materias estructurales que
reducen la energía libre crítica requerida para formar un núcleo estable. Debido a que en las industrias
se dan normalmente sub-enfriamientos pequeños de 0.1 y 10 ºC, la nucleación es por lo general
heterogénea y no homogénea.

Para que se produzca la nucleación heterogénea, el agente de nucleación sólida (impureza sólida o
parte del recipiente) debe ser humedecido por el metal líquido. Además, el líquido debe solidificar
fácilmente en el agente de nucleación. La siguiente figura muestra un agente de nucleación (sustrato)
que es humedecido por el líquido solidificante, creando un ángulo de contacto θ muy pequeño entre el
metal sólido y el agente de nucleación. La nucleación heterogénea tiene lugar sobre el agente de
nucleación porque la energía superficial para formar un núcleo estable es más baja en este
material que si el núcleo estuviera formado en el mismo líquido puro (nucleación homogénea).
Puesto que la energía superficial es más baja para la nucleación heterogénea, el cambio de energía libre
total para la formación de un núcleo estable será más baja, y el tamaño crítico del núcleo será menor.
De este modo la cantidad de sub-enfriamiento requerido para formar un núcleo estable
producido por nucleación heterogénea es mucho menor que para nucleación homogénea.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 29

 - Crecimiento de Cristales en un Metal líquido y formación de una Estructura Granular: Los núcleos
estables se convierten en cristales (granos) una vez han sido formados en un metal solidificante. En
cada cristal los átomos están en un ordenamiento particular y la orientación de cada cristal varía.
Finalmente al completarse la solidificación del metal, los cristales se agregan en diferentes
orientaciones y forman fronteras cristalinas sobre las que los cambios de orientación tienen lugar en
distancias de « pocos átomos ». Un metal solidificado que contiene muchos cristales se le denomina
Policristalino, mientras que los que constan de un solo cristal Monocristales. Los cristales en un
metal solidificado se llaman Granos y las superficies entre ellos Fronteras Granulares o Fronteras
de Grano.

El números de sitios de nucleación disponibles para el metal de enfriamiento afectará a la estructura

granular del metal sólido producido. Si hay pocos puntos de nucleación disponibles durante la
solidificación, se produce una estructura de grano grueso y tosca. Si hay muchos puntos de
nucleación disponibles durante la solidificación, se dará una estructura de grano fino. Casi todos
los metales y aleaciones en ingeniería son fundidos con esta estructura de grano fino, puesto que ésta
constituye el tipo más deseable en la obtención de productos metálicos resistentes y uniformes.

Cuando un metal (relativamente) puro es fundido en un molde fijo sin el uso de refinadores de grano
(materiales que se añaden a un metal fundido para obtener granos más finos en la estructura granular
final), se producen dos tipos de estructuras granulares:

1- Granos Equiaxiales (Estructura de Grano fino): Ocurre en el caso de que los cristales crezcan
igual en todas las direcciones. Estos se encuentran junto a la pared del molde frío la mayor parte de
veces (como se ve en la siguiente figura a)). Al tenerse un enfriamiento grande cerca de la pared se crea
una concentración alta de núcleos durante la solidificación, lo cual es una condición para que se
produzca una estructura de granos equiaxiales.

2- Granos Columnares (Estructura de Grano Grueso): Se forman cuando el metal se solidifica

lentamente en presencia de una reducción regular de la temperatura y que además haya una disposición
pequeña de núcleos. Estos son largos, delgados y rústicos (siguiente figura b)). Estos crecen de manera
perpendicular a las caras del molde, debido a que los gradientes térmicos más grande se producen en
aquellas direcciones.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 30

- Estructura del Grano en Fundición Industrial: En la industria, los metales y las aleaciones se funden
de diversas formas. Si tras la fundición el metal va a ser posteriormente trabajado, primero se producen
grandes cantidades de piezas sencillas que después se procesan para crear productos semi-terminados.
Por ejemplo, en la industria del aluminio, las formas más comunes para su fabricación posterior son
lingotes en planchas que tienen secciones transversales rectangulares, y lingotes de extrusión que
tienen secciones transversales circulares. Para algunas aplicaciones es preferible fundir el metal en su
forma definitiva, como por ejemplo el pistón de un automovil.

Las grandes planchas y lingotes de aluminio, se funden mediante un proceso de enfriamiento directo
semi-continuo. En este método de fundición, el metal fundido es vertido en un molde con un fondo
móvil, el cual desciende lentamente a medida que se llena. El molde y los laterales de la superficie
solidificada del lingote son enfriados con agua. De esta forma, grandes lingotes de 15 pies (4,57 m) de
largo pueden ser fundidos continuamente. En la industria del acero, alrededor del 60 % del metal es
fundido en moldes fijos y el 40 % restante es fundido continuamente.

Para producir lingotes fundidos con un tamaño de grano fino, se agregan refinadores de grano al
metal líquido antes de la fundición. Para aleaciones de aluminio se añaden pequeñas cantidades de
elementos refinadores de grano como por ejemplo, titanio, boro o zirconio al metal líquido justo antes
de la operación de fundición, para que se dé una dispersión pura de núcleos heterogéneos durante la
solidificación. La siguiente figura muestra el efecto que se produce al utilizar un refinador de grano
durante la fundición de lingotes de extrusión de aluminio de 6 pulgadas (15,24 cm) de diámetro. Las
secciones de lingotes fundidos sin refinador de granos tienen grandes granos columnares (figura a) y la
sección fundida con refinador de grano tiene una estructura fina de grano equiaxial (figura b).

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 31

 Solidificación de Cristales Simples (monocristalinos)
Casi todos los materiales cristalinos (de interés en ingeniería) están compuestos de muchos cristales y,
por lo tanto, son policristalinos. De todos modos, hay unos pocos que constan de un solo cristal y se
llaman cristales simples o monocristales. Por ejemplo, determinados componentes electrónicos en
estado sólido, como los transistores y algunos tipos de diodos, están hechos de monocristales de
elementos y compuestos semiconductores. Los monocristales son necesarios para estas
aplicaciones, puesto que de otro modo los bordes de los granos destruirían las propiedades
eléctricas de los dispositivos derivados de los materiales semiconductores.

La solidificación, para la obtención de monocristales en crecimiento, debe tener lugar en torno a un

único núcleo, de modo que no se forme ningún otro monocristal. Para que esto suceda, la
temperatura de la interfase sólido – líquido debe ser ligeramente inferior al punto de fusión del
sólido, y la temperatura del líquido debe aumentar hasta una temperatura mayor que la interfase. Para
lograr este gradiente de temperatura, el calor latente de solidificación se debe conducir a través
del cristal que se está solidificando. La velocidad de crecimiento del cristal deberá ser lenta, de
modo que la temperatura de interfase sólido – líquido esté por debajo del punto de fusión del cristal
que está siendo solidificado.

Con fines industriales se han desarrollado monocristales de silicio con diámetros que varían entre las 4
y 6 pulgadas de diámetro destinados para aplicaciones en dispositivos semiconductores. El método de
Czochralski (figura 11) es una de las técnicas más comunes para producir monocristales de silicio de
gran calidad (con defectos minimizados): primeramente, se funde silicio policristalino de alta pureza
en un cristal no reactivo y se mantiene a una temperatura ajustadamente por encima del punto de
fusión. Seguidamente, se hace bajar al fundido, mantenido con agitación constante, un núcleo
cristalino de silicio de alta calidad y con la orientación deseada. Parte de la superficie del núcleo del
cristal se funde en el líquido para eliminar tensiones de la región exterior y además para proporcionar
así una superficie al líquido con el fin de que solidifique sobre ella. El núcleo cristalino debe seguir

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 32

girando mientras se extrae lentamente del fundido. Mientras asciende, el silicio líquido de la vasija
refractaria se adhiere al núcleo de cristal, formando un cristal de silicio de un diámetro mucho mayor
que el monocristal de silicio (Figuras 11 y 12).

Después de haber producido el monocristal, se ajusta a un diámetro preciso y se corta en obleas de

aproximadamente 1 mm de espesor (Figura 13-a). Estas obleas se tratan químicamente con ácidos y se
pulen varias veces con pulidores abrasivos cada vez mas finos hasta que se consigue un acabado de
espejo libre de defectos (Figura 13-b). Estas láminas se pueden utilizar para la fabricación de
dispositivos semiconductores.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 33

Existen otros métodos para producir estos monocristales, pero el método de Czochralski es el más
importante y más usado en la industria de semiconductores. Además de la producción de obleas de
silicio, existen también otras aplicaciones para los monocristales. Por ejemplo, los monocristales son
útiles en el estudio de las propiedades mecánicas, ya que mediante su utilización es posible eliminar
los efectos producidos por los bordes de los granos y la orientación aleatoria de los mismos.

Soluciones Sólidas Metálicas

la mayoría de los metales usados en ingeniería son combinados con otros metales o no metales
para conseguir una mayor dureza, mayor resistencia a la corrosión o mejorar otras propiedades.
Una aleación metálica o, simplemente una aleación, es una mezcla de dos o más metales o de un metal
y un no metal. Las estructuras de las aleaciones pueden ser relativamente simples como es el caso del
latón que es una aleación constituida por un 70% de Cu y 30% de Zn. Pero también pueden ser
extremadamente complejas como por ejemplo el inconel 718 que es una aleación a base de níquel que
también contiene otros 10 elementos en su composición. El tipo más simple de aleación es la de las
soluciones sólidas. Una solución sólida es un sólido que consta de dos o más elementos dispersos
atómicamente en una estructura de fase única. En general, hay dos tipos de soluciones sólidas:
sustitucionales e intersticiales.

1-Soluciones Sólidas Sustitucionales: En soluciones sólidas sustitucionales formadas por dos

elementos, los átomos de soluto pueden sustituirse por átomos de disolvente en las posiciones de la red
cristalina. La figura siguiente muestra un plano (111) en una estructura cristalina FCC en la que
algunos átomos de un elemento han sustituido a los átomos de disolvente del elemento progenitor. La
estructura cristalina del elemento progenitor o disolvente permanece inalterada, pero las
posiciones cristalinas se pueden distorsionar debido a la presencia de átomos de soluto, esto si
hay una diferencia significativa de diámetros atómicos entre soluto y disolvente.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 34

La proporción de átomos de un elemento que puede disolverse en otro, puede variar desde una fracción
de su peso atómico hasta el 100% del mismo. Existen unas condiciones que favorecen la solubilidad
cuantitativa de un elemento en otro que se conocen como reglas de Hume - Rothery, las cuales son
las siguientes:

1. La diferencia entre los diámetros atómicos de los dos elementos no debe ser mayor del 15% de su
diámetro.

2. La estructura cristalina de los dos elementos debe ser la misma.

3. No debe haber diferencias apreciables en las electronegatividades entre los dos elementos, para
evitar su reacción y que formen compuestos.

4. Los dos elementos deben tener la misma valencia.

Si los diámetros atómicos de los dos elementos son muy distintos, habrá una distorsión en las
posiciones de la red cristalina. Debido a que existe un límite en la capacidad de contracción y
expansión de la red cristalina, hay un límite en la diferencia de diámetros de los átomos; por debajo de
ese límite la solución sólida puede mantenerse con el mismo tipo de estructura cristalina. Cuando los
diámetros atómicos difieren en más de un 15 %, el “factor tamaño” no es favorable para una
solubilidad sólida cuantitativa o generalizada.

Si los átomos de soluto y disolvente tienen la misma estructura cristalina se favorece la solubilidad
sólida generalizada. Para que dos elementos presenten una solubilidad completa en todas las
proporciones, ambos elementos deben tener la misma estructura cristalina. La diferencia de
electronegatividad no puede ser demasiado grande, ya que de serlo, el elemento más electropositivo
perdería electrones y el más electronegativo los ganaría, formándose así un compuesto. Finalmente, si
los dos elementos sólidos tienen la misma valencia, la solubilidad sólida también se verá favorecida. Si
se produce un déficit de electrones entre los átomos, el enlace entre ellos estará alterado, resultando
unas condiciones desfavorables para la solubilidad sólida.

2-Soluciones Sólidas Intersticiales: En las soluciones intersticiales los átomos de soluto encajan
en los espacios que hay entre los átomos del disolvente o átomos progenitores. Estos espacios o huecos
se denominan intersticios. Las soluciones sólidas intersticiales pueden formarse cuando uno de los
átomos es mucho mayor que el otro. Ejemplos de átomos que por su pequeño tamaño pueden formar
soluciones sólidas intersticiales son hidrógeno, carbono, nitrógeno y oxígeno.

Un ejemplo importante de solución sólida intersticial es la formada por el carbono en hierro γ (FCC)
que es estable entre 910ºC y 1.401°C. El radio atómico del hierro γ es de 0.129 nm y el del carbono es
de 0.075 nm, por tanto hay una diferencia de radio atómico de un 42%. Sin embargo, y a pesar de esta
diferencia, es posible disolver intersticialmente hasta un máximo de 2% de carbono en hierro a la
temperatura de 1148 °C. La figura siguiente lo ilustra esquemáticamente mostrando la distorsión de la
red de hierro γ alrededor de los átomos de carbono.

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 35

A manera de ejemplo se propone:

a) Suponga que se tiene una aleación de tungsteno que se encuentra dopada con vanadio debido a que
en forma intencional se procedió a reemplazar sustitucionalmente una cierta cantidad de átomos de
tungsteno (W) por átomos de vanadio (V). Se pide calcular, para dicha aleación, cual es la fracción
porcentual de átomos de tungsteno que han sido reemplazados sustitucionalmente por átomos de
vanadio.

Datos: 

Considerar despreciables los defectos del material. Considerar que se cumplen las reglas de Hume -
Rothery. Estructura cristalina de ambos metales: BCC (2 número de átomos por celda ). N Avogadro =
6,023 x 1023 átomos/mol Constante de red de la aleación: 0, 31378 nm Densidad de la aleación: 16,912
g/cm3. Pesos atómicos: Tungsteno = 183,85 g/mol Vanadio = 50,9414 g/mol.

Por relación de masas:

MaT = masa molar Total
Mav = masa molar Vanadio
Maw = masa molar Tungsteno
MaT − Mav
MaT = x Maw + (1 − x)Mav → x = , además se sabe:
Maw − Mav
n Ma ρV Na (16.912 g / cm3)(3.1378 × 10−8 cm)3(6.023 × 10 23 átomos / mol)
ρ= , a 3 = V, → MaT = =
V Na n 2 átomos
MaT = 157.34 g / mol

157.3452 g / mol − 50.9414 g / mol

x= = 0.800578
183.85 g / mol − 50.9414 g / mol

1 − 0.800578 = 0.19942 × 100 % = 19.9422 %

MATERIALES - SALTA ARGENTINA 36

 Imperfecciones Cristalinas
En realidad no existen cristales perfectos, sino que contienen varios tipos de imperfecciones y defectos,
los cuales afectan a muchas de sus propiedades físicas y mecánicas, que a su vez tienen repercusión
sobre propiedades interesantes desde el punto de vista de la ingeniería, tales como la capacidad de
formación de aleaciones en frío, la conductividad eléctrica de semiconductores, la velocidad de
migración de átomos en aleaciones y la corrosión de metales.

Las imperfecciones de la red cristalina están clasificadas de acuerdo con su geometría y forma. Las
cuatro principales divisiones son: (1) defectos puntuales de dimensión cero; (2) defectos de línea o
de una dimensión (dislocaciones); (3) defectos de dos dimensiones, los cuales incluyen superficies
externas y bordes de grano interno y finalmente (4) los defectos volumétricos, másicos o
macroscópicos tridimensionales pudieran ser también incluidos. Efectos de estos defectos son poros,
fisuras e inclusiones externas.

1-Defectos Puntuales o de Orden Cero: Defecto de la vacante o agujero es dejado por la

pérdida del átomo que se encontraba en esa posición (figura a). Las vacantes se pueden producir
durante el proceso de solidificación por perturbaciones durante el crecimiento del cristal, o por
reordenamientos atómicos en el cristal debidos a la movilidad de los átomos. En los metales la
concentración de huecos en el equilibrio por lo general es de 1 por cada 10.000 átomos. Las vacantes
en los metales son defectos en equilibrio, cuya energía de formación es del orden de 1 eV.

Las vacantes adicionales pueden ser producidas por deformación plástica del metal, por rápido cambio
de grandes diferencias de temperatura, y por bombardeo con partículas energéticas (neutrones). Las
vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, dando lugar a la formación
de vacantes y trivacantes. Las vacantes pueden trasladarse intercambiando sus posiciones con las de
sus vecinos. Este proceso es importante en la migración o la difusión de átomos en el estado
sólido, particularmente a altas temperaturas donde la movilidad de los átomos es mayor.

Se denomina defecto autointersticial o intersticial cuando un átomo en un cristal ocupa un lugar

intersticial entre átomos que le rodean ubicados en sitios atómicos normales (figura b). Estos
defectos no ocurren en la naturaleza por la distorsión estructural que ello produciría, pero se pueden
introducir en una estructura por irradiación.

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En cristales iónicos los defectos puntuales son más complejos, ya que se busca mantener la neutralidad
eléctrica de estos. Se le conoce como imperfección de Schottky cuando dos iones de carga opuesta se
pierden en un cristal iónico con esto se crea un par de huecos debidos al catión y al anión. Si un catión
se mueve hacia una posición intersticial en un cristal iónico, una vacante de catión se crea en la
posición del ión. Esta dualidad vacante – defecto intersticial se llama imperfección de Frenkel (figura
siguiente). La presencia de estos defectos en un cristal iónico incrementa su conductividad.

Por ejemplo se tiene, pequeñas cantidades de impurezas sustitucionales en silicio puro pueden hacer
que aumente mucho su conductividad eléctrica y las impurezas iónicas son también defectos puntuales
en cristales iónicos.

2-Defectos de línea o de Orden Uno: Los defectos de línea, o dislocaciones, en los sólidos
cristalinos son defectos que se crean con una distorsión de la red centrada alrededor de una línea. Se
crean durante la solidificación del sólido cristalino. Y se pueden formar por una deformación plástica o
permanente del cristal, por condensación de vacantes y desajustes atómicos en disoluciones sólidas.

Los dos tipos más importantes son las de tornillo o alabeo y la de borde o de arista. También puede
producirse una combinación de ambas para dar dislocaciones mixtas. La dislocación de borde se
genera por la inserción de un semiplano adicional de átomos, se evidencia en la figura a) encima
del símbolo ⊥ ( ⊥ indica una dislocación de borde positiva -tensión-, mientras ⊤ indica una
dislocación de borde negativa -compresión-).

La distancia de desplazamiento de los átomos alrededor de una dislocación se llama deslizamiento o

vector b de Burgers y es perpendicular a la línea de dislocación de borde (figura b). Las dislocaciones
son defectos de equilibrio y almacenan energía en la región distorsionada de la red cristalina
alrededor de la dislocación. La dislocación de borde tiene una zona de esfuerzo de compresión donde

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se encuentra el semiplano extra de átomos y una región de esfuerzo de tensión por debajo del
semiplano de átomos (figura siguiente a).

La cabeza de ⊥indica la zona

de tensión

La cizalla es una dislocación

de tornillo

La dislocación de tornillo se forma en un cristal perfecto al aplicar a las zonas del cristal que
fueron separadas por un plano cortante esfuerzos cortantes hacia arriba y hacia abajo (figura de
abajo a). Estos esfuerzos generan una zona de distorsión de la red cristalina en forma de rampa espiral
o dislocación de tornillo (figura de abajo b). La zona de distorsión del cristal es por lo menos de ancho
el diámetro de varios átomos. Una zona de fuerzas se crea alrededor de la dislocación de tornillo en las
cuales se almacena energía (figura de arriba b). El deslizamiento (vector b ) de Burgers de la
dislocación de tornillo es paralelo a la línea de dislocación (figura de abajo b)

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Muchas de las dislocaciones en los cristales son una mezcla de ambas. En la línea de dislocación
AB en la figura siguiente, la dislocación es de tornillo por donde entra al cristal y es de borde por
donde sale del cristal. Dentro del cristal la dislocación es de tipo mixto.

Las dislocaciones se observan a través de un equipo de microscopía de transmisión electrónica (TEM

por su nombre en inglés).

Un haz de electrones es producido por un filamento caliente de wolframio en la parte superior de una
columna, a la que se hace vacío, es acelerado a través de la columna mediante la acción de un alto
voltaje (75 a 120 kV). Con una bobina electromagnética se condensa el haz de electrones y se le hace
pasar a través de una finísima sección (100 nm) de un metal en la zona destinada a las muestras. Esta
zona debe ser muy delgada, para que algunos de los electrones sean capaces de pasar a través de ella.

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Mientras los electrones pasan a través de la muestra, algunos son absorbidos y otros pueden variar su
dirección (las diferencias en la disposición atómica del cristal puede producir la dispersión de algunos
electrones). Después de que el haz de electrones ha pasado a través de la muestra, éste es captado y
proyectado hacia una pantalla fluorescente. Si una región del metal objeto de estudio tiende a dispersar
mucho los electrones, aparecerá oscura en la pantalla. Por lo tanto, aquellas dislocaciones que tengan
una disposición atómica irregular, aparecerán como líneas oscuras en la pantalla del microscopio
electrónico.

3- Defectos Planares o de Orden Dos: Los bordes de grano son imperfecciones en la

superficie de materiales policristalinos que separan granos (cristales) de diferentes orientaciones.
Los límites de grano se crean durante la solidificación cuando los cristales formados a partir de
diferentes núcleos crecen simultáneamente y se encuentran unos con otros. El aspecto de los bordes
de grano viene determinado por las restricciones impuestas por el crecimiento de los granos
vecinos.

El borde de grano es una región estrecha entre dos granos, de ancho de dos a cinco diámetros atómicos,
se define como una región de átomos mal emparejados entre granos adyacentes. El empaquetamiento

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atómico de los bordes de grano es menor que dentro de los granos, debido al mal emparejamiento
atómico. Estos bordes también tienen algunos átomos en posiciones rígidas, lo cual aumenta la energía
de la región. Los bordes de grano de un material metálico o cerámico se pueden identificar en una
muestra de material preparado, como líneas oscuras.

(a) Aceros de
b a j o
contenido de
c a r b o n o
(ampliado
x100)

(b) (b) Oxido de

magnesio
(ampliado
x225)

Las muestras metálicas y cerámicas primero se pulen para obtener una superficie suave y luego son
grabadas químicamente por ataque con ácido, para que así los límites de grano sean químicamente
atacados más rápidamente que los granos, produciendo diminutas grietas a lo largo de los bordes.
Cuando se examina con un microscopio óptico (figura 27), la luz incidente no está tan intensamente
reflejada en los bordes de grano, y como resultado, los bordes aparecerán como líneas oscuras en el
ocular del microscopio (figura 28).

4- Defectos Volumétricos o de Orden Tres:

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MATERIALES - SALTA ARGENTINA 43