Transistor BJT

Características

El transistor bipolar o bjt es un dispositivo electrónico, mediante el cual se puede controlar una
cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente, este  dispositivo consta
de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines tienen un nombre especial, es
importante no olvidase de esos nombres, los cuales son el colector, la base y el emisor, tal
como se ve en la imagen, el orden de los pines depende del transistor que se esté utilizando,
para ello será necesario recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el orden de los
pines correspondientes para el transistor bipolar.

Funcionamiento

El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p, de
acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos de transistor
bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el funcionamiento del
transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de allí el
nombre de transistor bipolar o bjt (transistor de unión bipolar).

Para un mejor entendimiento, se puede imaginar interiormente el transistor bipolar como se

muestra en la figura, se ve que entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo entre la base y
el colector hay otro diodo, el transistor bipolar tiene 3 zonas diferentes en los cuales puede
operar, los cuales se conoces como región activa, región de corte y región de saturación

Símbolo

Aplicación

 El transistor BJT como amplificador de corriente. Los transistores BJT poseen la

capacidad de amplificar la corriente que pasa entre los terminales emisor y colector,
las cuales dependerán de la corriente aplicada a la base del transistor.
 Como interruptor El transistor se encuentra en la región de corte cuando IC=0. Para
dejar en cero la corriente de colector, se requiere tener en cero la corriente de base IB.
Esta sera cero cuando VBB=0. El transistor se encuentra en saturación cuando el
voltaje colector emisor sea de cero VCE=0. Cuando VCE=0, podemos determinar el
valor de la corriente de saturación de colector ICsat=VCC/RC.

Cuidados que se deben tener

 No exceder la condición de saturación del transistor ya que esto puede generar fallas y
lo puede destruir.
 Se deben utilizar sobre superficies secas ya que estos tienden a calentantarse y por
ende puede ocasionar fallos en el circuito.
 Se debe respetar el tipo de transistor este puede ser NPN o a su ves PNP y que
conecten de una manera adecuada ya que si se conectan de una manera no adecuada
se los puede destruir o dañar el circuito integrado.
 Transistor UJT

Características

La constitución de un UJT, que en realidad está compuesto solamente por dos cristales. Al
cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un
número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por
lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre
las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce.

Funcionamiento

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR
y TRIACs.

El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor.

Para entender mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente
de la figura siguiente:

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales
de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N entre el terminal del
emisor y el cristal N.

Símbolo

Aplicación

 Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de
sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de
TRIACS y SCR.
Cuidados que se deben tener

 Para hacer que el UJT funcione se necesita un voltaje positivo, llamado el voltaje
Interbase.
 El transistor de unijuntura tiene un rango máximo de voltaje interbase, por lo que el
circuito no puede excederlo sin dañar el componente.
 Para conectar el transistor el circuito necesita solamente un condensador y un par de
resistencias.

Transistor FET

Características

Es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto,

la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source).

Funcionamiento

La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor),

de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la
fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y
los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.

Símbolo

Aplicación

 Una aplicación de este tipo de transistores como amplificadores, debido a su gran

resistencia de entrada y baja resistencia de salida.
 Son adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En
este concepto se basan los tablero de mezcla de estado sólido usados en la producción
musical.

Cuidados que se deben tener

 Se debe respetar corriente de polarización de base del transistor ya que esto puede
ocasionar fallas en el mismo.
 La profundidad de la región de estrangulamiento depende de la magnitud de la
polarización inversa. como en la polarización inversa es mínima la corriente circulante
por la juntura, el dispositivo se comporta como una válvula al vacío.
 Se debe controlar la señal de control opera en base a su corriente, sin importar
mayormente sus variaciones de tensión.
 Transistor JFET

Características

Es un transistor de tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado
como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por
voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G)
y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un

voltaje de entrada, no tiene corriente de polarización.

Funcionamiento

 La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el
drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se
"estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce
entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero
(región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad
adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica,
hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte.

Símbolo

Aplicación

 Se utiliza como amplificador común, el cual amplia la onda senoidal haciéndola más
grande y que pueda ser detectada por un osciloscopio.
 interruptor análogo el cual puede controlar el circuito abriendo o cerrando de una
manera automática según el paso de corriente que circule por el transistor.

Cuidados que se deben tener

 No exceder la región de saturación en el canal de drenaje.

 Valores altos del voltaje drenaje-fuente ya que esto puede dañar internamente al
transistor.
 Características Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente no permite que el
transistor desarrolle su trabajo de una manera eficiente.

Transistor MOSFET

Caracteristicas
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente
está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que
fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por
el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas.

Funcionamiento

Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros
son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el
drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es
decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El
término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a
un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El
canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o
NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye
con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se
construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Símbolo

Aplicación

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta

Cuidados que se deben tener

 Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la protección antes mencionada, la

persona que manipulará el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no esté
cargado de estática. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra,
pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.
 causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no están aislados de la línea
de corriente alterna (C.A.).
 Para evitar que el MOSFET se dañe de manera accidental, algunos fabricantes incluyen
un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el ánodo hacia la
compuerta y el cátodo hacia la fuente.