UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

LABORATORIO DE ELECTRONICA II

IDENTIFICACION
Nombre de la practica: Fecha:
CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE 04/09/2021
UNIÓN BIPOLAR _ BJT
Integrante: Grupo:
Guerreo Baez Yoyle Gissela E 151
Programa: Docente:
TECNOLOGIA EN IMPLEMENTACIÓN DE Luz Marina Rojas Gallardo
SISTEMAS ELECTRÓNICOS INDUSTRIALES

PROCEDIMIENTO
Identificación del tipo de transistor BJT y de sus terminales
 Utilice el multímetro digital para realizar las mediciones de continuidad entre los tres
pines del transistor. Para identificar la base, coloque el terminal negativo del
multímetro en el pin central del transistor, mientras mide continuidad entre los otros
dos pines. Si en ambas mediciones hay continuidad, el pin con el terminal negativo es
la base y el transistor es PNP. Si en ambas mediciones no hay continuidad, el pin con
el terminal negativo es la base y el transistor es NPN.

 Para identificar los pines de colector y emisor, mida la resistencia entre la baseemisor y
entre la base-colector, teniendo en cuenta que la mayor resistencia indica el emisor y la
menor resistencia indica el colector. Consigne los datos en la Tabla 1.
Tabla 1. Identificación del transistor
Transistor Tipo R BE R BC Observacion
Su configuracion es emisor
base colector mirandolo con las
letras hacia uno
2N2222 NPN

Su configuracion es colector base

emisor mirandolo con las letras
hacia uno
2N3904 NPN
 Su configuracion es emisor base
colector mirandolo con las letras
hacia uno
2N3906 PNP

 Mida la ganancia de corriente de los tres transistores, con el Multímetro digital, en la

posición del selector “HFE” y compare con el valor encontrado en la hoja de datos.
Consigne estos valores en la Tabla 2.

Tabla 2. Ganancia de los transistores

Transistor Hfe (teorica) Hfe (media)
2N2222 100 Hfe, típicamente se alcanzan 150.
2N3904 100 Hfe
2N3906 entre 30 -300 Hfe

Curva característica de entrada del BJT

 Realice el montaje del circuito de la Figura 1.

 Ajuste el potenciómetro para obtener los valores de corriente de base sugeridos en la

tabla 3.

 Mida el voltaje base-emisor y consigne en la tabla 3 los datos solicitados. Repita el

procedimiento para cada uno de los transistores, y consigne los datos en las tablas
4 y 5.

Tabla 3. Corriente de base transistor 2N2222

I B µA (nominal) 5-10 16-25 30-50 120-200
I B µA (real) 7.99 µA 25 µA 38.3µA 193 µA
 V BE mV 668 mV 699 mV 711 mV 765 mV

Tabla 4. Corriente de base transistor 2N3904

I B µA (nominal) 5-10 16-25 30-50 120-200
I B µA (real) 6.52 µA 19.3 µA 38.1 µA 132 µA
V BE mV 686 mV 715 mV 734 mV 774 mV

Tabla 5. Corriente de base transistor 2N3906

I B µA (nominal) 5-10 16-25 30-50 120-200
I B µA (real) 9.30 µA 23.5 µA 41.7 µA 191 µA
V BE mV 703 mV 728 mV 744 mV 792 mV

 Con los datos obtenidos, dibuje la curva característica de entrada del BJT (IB en
función del VBE), para cada uno de los transistores.

CURVA DE ENT RADA 2 N2 2 2 2

250

193
200

150
ig

100

50 38.3
25
7.99
0
660 680 700 720 740 760 780

vbe
 CURVA DE ENTRADA 2 N3 9 0 4
140 132

120

100

80
ig

60
38.1
40
19.3
20 6.52
0
680 690 700 710 720 730 740 750 760 770 780

vbe

CURVA DE ENTRADA 2 N3 9 0 6
250

191
200

150
ig

100

41.7
50
23.5
9.3
0
680 700 720 740 760 780 800

vbe

Ganancia de corriente
 Realice el montaje del circuito de la figura 2
Para cada uno de los transistores, determine experimentalmente la ganancia de corriente
Ic
aplicando la fórmula H FE= , para cada uno de los valores del potenciómetro solicitados
IB
en las tablas 6, 7 y 8.

Tabla 6. Ganancia de corriente del transistor 2N2222

Valor del IB IC V CE H FE
potenciometro
100kΩ 111.6 µA 11.85 mA 885.7 mV 106.18
200kΩ 57.05 µA 11.93 mA 0.15 209.11
300kΩ 37.67 µA 9.23 mA 2.70 245.02
400kΩ 28.2 µA 6.83 mA 5.05 242.19
500kΩ 22.56 µA 5.78 mA 6.13 256.21
600kΩ 19.08 µA 4.96 mA 7.17 259.95
700kΩ 16.28 µA 4.19 mA 7.84 267.37
800kΩ 14.26 µA 3.68 mA 8.35 258.06

Tabla 7. Ganancia de corriente del transistor 2N3904

Valor del IB IC V CE H FE
potenciometro
100kΩ 112 µA 5.44 mA 6.42 48.57
200kΩ 57.1 µA 5.42 mA 6.65 94.92
300kΩ 37.7 µA 5.2 mA 6.76 137.93
400kΩ 28.17 µA 5.11 mA 6.82 181.39
500kΩ 22.5 µA 5.08 mA 6.84 225.77
600kΩ 19.06 µA 5.25 mA 6.85 275.44
700kΩ 16.17 µA 5.17 mA 6.87 319.72
800kΩ 14.21 µA 5.14 mA 6.88 361.71

Tabla 8. Ganancia de corriente del transistor 2N3906

Valor del IB IC V CE H FE
potenciometro
100kΩ 113.1 µA 11.96 mA 0.14 105.74
200kΩ 57 µA 11.88 mA 0.21 208.42
300kΩ 37.46 µA 10.6 mA 1.27 282.96
400kΩ 28.15 µA 8.81 mA 3.12 312.96
500kΩ 22.46 µA 7.36 mA 4.54 327.69
600kΩ 18.78 µA 6.35 mA 5.56 338.12
700kΩ 16.32 µA 5.63 mA 6.43 344.97
800kΩ 14.18 µA 4.99 mA 7.02 351.90

 Con los datos obtenidos dibuje las curvas de VCE, en función de IB como parámetro
para cada uno de los transistores, e identifique las tres zonas de trabajo (corte,
saturación y región activa).

2N2222

2N3904
 2N3906

Conclusiones:
 En los transistores es importante reconocer cual de sus pines es el colector, emisor y
base. Cada uno de sus terminales permite un paso determinado de corriente diferente
entre cada una.

 Los transistores 2N2222 y 2N3906 tienes sus pines en la misma posicion pero su
polarizacion se hace de manera diferente

 La mala conexión de ellos no permite que realice bien su funcionamiento.

 Las corrientes medidas en base son mas pequeñas que las corrientes que hallamos en el
colector

 El voltaje de los transistores 2N2222 y 2N3906 varia, digamos que a grande escala a
medidad que aumentamos la resistencia de base, en cambio en el 2N3904 se puede
apreciar que el voltaje se mantiene bastante estable