Física de Semiconductores.

TRANSISTORES E19120322
Carlos Alberto Cintora
E19120356
Luis Arturo Jaramillo

De efecto de campo. E19120328 E19120346 1

INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Jesús4TO SEMESTRE
Pantoja Sandoval Luis Ángel Ruiz
1. Características de Transferencia
1.1. Derivación
Primeramente se propone la siguiente ecuación:
En donde se puede ver que Beta relaciona las
Corrientes de salida y de entrada IC e IB, sin
embargo, esta relacion de las corriente no exitste
como tal entre las cantidades de salida y de
entrada de un JFET (dispositivo en el cual
estuvimos trabajando en esta práctica) por lo que
usamos una ecuación diferente siendo esta la
ecuación de Shockley.
Esta ecuación genera una curva que crece
exponencialmente con la magnitude decreciente
del voltaje (VGS) pues un método gráfico es
mucho más práctico que un método matemático.
Sin embargo usando el método gráfico, las
características de transferencia definidas por la
ecuación de Shockley no se ven afectadas por la
red en la cual se emplea el dispositivo.
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
En esta gráfica se ven las curvas que se
pueden obtener de la ecuación de Shockley con
sus respectivas características de drenaje, El punto
de intersección en la curva de ID contra VGS será
como se muestra, puesto que el eje vertical se
define como VGS = 0 V.
1.2. Aplicación de Shockley
La curva de transferencia anterior Tambien se
puede sacar de forma directa usando la ecuación
de Shockley solamente teniendo los valores de
IDSS y VP, de esa manera nuevamente el metodo
matemático se ve relacionado con el método
gráfico. La validez de este método se demuestra
major examinando algunos niveles específicos de
una variable.
1.3. Mission Statement
2
4TO SEMESTRE
2. Simulación y Resultados

Realizar un circuito con un JFET

Materiales:
• Multisim
• Transistor de efecto campo de unión (2N5434)
• Dos fuentes de voltaje de 10 y 0 volts (DC_POWER)
• Resistencia de 100 ohms
• Ground

Obsérvese que en la fuente de voltaje V1

se conecto su parte positiva a la resistencia y
de la resistencia a la parte superior del
transistor que es el drenaje, mientras que la
fuente de voltaje V2 se conectó su parte
negativa a la sección de la puerta y por último
la parte negativa (V1) y la parte positiva (V2)
de las fuentes se conectaron en la parte de la
fuente del transistor.

3
INGENIERÍA ELECTRÓNICA 4TO SEMESTRE
 2N5434
Este JFET es un transistor que a
través de sus compuertas provoca
un voltaje negativo respeto a su
compuerta conectada a 0V,
frenando de esa manera la
corriente que azota al JFET,
usado normalmente para
amplificar, su símbolo es el
siguiente:

Al realizar la simulación obtenemos una gráfica que si

recordamos el resumen de las características de
transferencia, esta gráfica es la relacionada
matemáticamente con la ecuación de Shockley. También
obtenemos una tabla con los siguientes valores de ID para
cada VGS.
Cuando el 2N5434 se encuentra
saturado se comporta como una
Fuente de corriente en vez de un
freno de la misma.

Fin de la simulación.

4
INGENIERÍA ELECTRÓNICA 4TO SEMESTRE