CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

PROFESOR: MARIO ROJO GONZÁLEZ

 UNIDAD 1: DIODOS.

CONTENIDOS:

 FÍSICA DE LOS SEMICONDUCTORES.

 JUNTURA PN.
 DIODO SEMICONDUCTOR.
 RECTIFICACIÓN MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA.
 FILTROS.
 FACTOR DE RIZADO, REGULACIÓN Y RESISTENCIA INTERNA DE
UNA FUENTE DE PODER.
 DIODOS ZENER Y FUENTE ESTABILIZADA CON DIODO ZENER.
 DIODOS ESPECIALES.
 RESISTENCIAS DEPENDIENTES.
 TEORÍA ELECTRÓNICA

ESTRUCTURA ATÓMICA

La materia esta constituida por moléculas, las que a su vez están

compuestas por átomos, que son la parte más pequeña en que se puede dividir un
elemento, conservando sus propiedades físico - químicas. Átomo significa
indivisible, y es la unidad básica de todo elemento químico.

Desde el punto de vista físico, el átomo esta compuesto por múltiples

partículas elementales que conforman su estructura. Las principales partículas
estables del átomo son:

Protones y neutrones, que se encuentran en el núcleo.

Electrones, que giran alrededor del núcleo.

De estas partículas interesa el electrón, debido a su movilidad y a su carga

eléctrica.

Los electrones se distribuyen por capas alrededor del núcleo, a estas

capas se les asigna un número cuántico o energético. Cuanto mayor sea el valor
del número cuántico, mayor será la energía de los electrones de esa orbita.

Capas K L M N
Número 1 2 3 4
cuántico
Orbitales s s p s p d s p d f
Electrones 2 2 6 2 6 10 2 6 10 14
por órbita
Núm. 2 8 18 32
máximo
de
electrones

Para el estudio de los semiconductores interesa la última capa de energía.

Los electrones que ocupan este nivel son denominados electrones de valencia.

El Silicio y el Germanio principales semiconductores, tienen cuatro

electrones de valencia, es decir, son tetravalentes. Además, interesan elementos
adyacentes: trivalentes y pentavalentes.
 ESTADOS ENERGÉTICOS DEL ÁTOMO

El electrón tiene la propiedad de cambiar de órbita y de nivel de energía

cuando se le aplica una determinada cantidad de energía, produciéndose los
siguientes estados:

Estado fundamental: De mínima energía, los electrones ocupan los niveles

más bajos.

Estado de excitación: Elevación de uno o más electrones a orbitas

superiores.

Estado de ionización: Liberación de uno o más electrones.

ESTRUCTURA CRISTALINA

Un material se denomina cristal cuando los átomos se asocian formando

figuras geométricas semejantes. La estructura cristalina es característica de casi
todos los sólidos, con excepción de los vidrios que representan líquidos
congelados.

Todo cristal a temperatura ambiente contiene 5 x 10²² átomos por

centímetro cúbico. A este valor se le denomina densidad o concentración atómica.

La unión de átomos da origen a distintos enlaces atómicos:

Enlace iónico.
Enlace covalente.
Enlace atómico.

Para el estudio de los semiconductores importa conocer de modo especial

el enlace covalente.
 El enlace covalente consiste en la unión de átomos compartiendo pares
electrones. Es decir, los electrones de valencia se comparten de a dos entre
átomos vecinos afines. Esta propiedad constituye la base de toda la teoría de la
conducción en los semiconductores.

Los niveles cuánticos interesantes para el estudio de los semiconductores

son los correspondientes a los de la última capa, generalmente incompleta, y a la
inmediatamente inferior, ya que ambas producen las bandas de conducción y de
valencia.

Banda de valencia: es la zona en la que los electrones se encuentran

semilibres.

Banda de conducción: es la zona donde los electrones se encuentran con

la suficiente energía como para moverse libremente en la estructura cristalina.

Banda prohibida: zona cerrada al paso libre de los electrones entre las
bandas de conducción y de valencia.

En un conductor las bandas de valencia y de conducción se encuentran

entrecruzadas y prácticamente desaparece la banda prohibida.

En un aislante, la banda prohibida es de varios electrón-volt (eV) y en los

semiconductores, es de aproximadamente 1 eV.

RESISTENCIA ESPECÍFICA

La resistencia específica de una sustancia es el valor que se mide entre

dos caras opuestas de un cubo de un metro de arista, y su unidad de medida es
ohm por metro.

Cobre = 1,7 x 10‾ 8 Ωm

Silicio = 2,3 x 103 Ωm
Germanio = 4,6 x 10-1 Ωm

Par electrón - hueco: los átomos se unen a otros mediante enlaces

covalentes. Cuando a un átomo se le saca un electrón de estos enlaces, queda
un hueco que puede ser eventualmente llenado por otro electrón. Por
consiguiente, el hueco es ausencia de carga en la posición del átomo en que
debería existir esta carga. Por convención, al hueco se le asigna carga positiva y
se habla de conducción o de corriente de huecos.

La conducción en los semiconductores se realiza por portadores de carga,

pares electrón - hueco, donde el electrón es negativo y el hueco positivo.

La conducción por pares electrón - hueco se realiza por generación térmica.

A más temperatura, mayor cantidad de portadores de carga libres y menor
resistividad.
 Semiconductor intrínseco: Se llama así al cristal puro de silicio o
germanio, es decir que prácticamente no tiene átomos extraños.

Semiconductor extrínseco: Se llama así al cristal al cual se le han

incorporado impurezas con el fin de aumentar su conductividad. Dependiendo del
tipo de impurezas, es posible obtener semiconductores en dos tipos muy
importantes; tipo N y tipo P.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO N

Si al cristal se le inyectan impurezas de tipo pentavalente, cuatro electrones

se unirán con otros cuatro del cristal, formando enlaces covalentes. El quinto
electrón de la impureza quedará libre y podrá extraerse fácilmente de la acción del
núcleo, debido a que se encuentra cerca de la banda de conducción del
semiconductor. A temperatura ambiente, este electrón se encuentra en la banda
de conducción y puede actuar como portador de carga negativa.

Aunque la concentración de impureza dopante no es muy alta, es muy

significativa la concentración de electrones que libera en el cristal, muy superior a
la concentración de pares electrón - hueco producido por generación térmica. Por
este motivo es posible clasificar los portadores en mayoritarios y minoritarios. En
un cristal semiconductor tipo N, los portadores mayoritarios son los electrones y
los minoritarios, los huecos.

SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO TIPO P

Si al cristal se le inyectan impurezas de tipo trivalente, los cuatro átomos del

cristal no podrán compartir totalmente sus electrones con el átomo de impureza,
ya que se formaran tres enlaces covalentes quedando un átomo semiconductor
con un hueco, que podrá ser llenado con electrones de átomos próximos. A
temperatura ambiente, el hueco queda libre en el cristal y se comporta como
portador de una carga positiva en la conducción.
 Cuando la concentración de impurezas es alta, el número de huecos libres
es muy superior al número de pares electrón - hueco.

A los átomos de impureza se les llama aceptadores porque captan

electrones de los átomos del semiconductor.

LA UNIÓN NP

A través de procesos físico - químicos es posible unir dos semiconductores

extrínsecos, uno tipo N y otro tipo P, en un cristal único, como lo muestra la
figura.

N P

Los signos positivos representan los huecos del cristal P y con signo
negativo, los electrones libres del cristal N.

El cristal tipo P se caracteriza por tener una gran cantidad de huecos

móviles (portadores mayoritarios) y un número limitado de electrones libres,
permaneciendo en su conjunto eléctricamente neutro; mientras que el tipo N
contiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) y un número pequeño
de huecos permaneciendo también en su conjunto eléctricamente neutro.

Al realizar la unión de estos dos cristales, el exceso de electrones libres del

cristal N tiende a difundirse hacia el cristal P a través de la unión. Cuando un
electrón abandona el cristal N, en su lugar aparece una carga eléctrica positiva
(ión positivo). Cuando este electrón penetra en el cristal P se recombina con el
hueco, creando una carga negativa (ión negativo). El resultado es que, cada vez
que un electrón libre de la zona N se difunde, a través de la unión, hacia la
zona P, se forma una pareja de cargas eléctricas de diferente signo.
 Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona
de carga espacial, de agotamiento, de deflexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura a ambos lados de la unión. Sin embargo, la
acumulación de iones positivos en la zona N y de iones negativos en la zona P,
crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona N
con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de
electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensión entre las zonas P y N. Esta diferencia de potencial es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio,

suele ser del orden de 0,5 micras, pero cuando uno de los cristales está mucho
más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el

descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa,
se dice que no está polarizado. Al extremo P, se le denomina ánodo,
representándose por la letra A, mientras que la zona N, el cátodo, se representa
por la letra C o K.

El resultado de este proceso es que en la zona de difusión se produce una

escasez de electrones libres y de huecos, formándose una capa de iones. Debido
a eso aparece una diferencia de potencial eléctrico, llamada barrera de potencial,
que se opone a que continúe la difusión de electrones libres de la zona N a la
zona P, lográndose el equilibrio.

La tensión de la barrera de potencial depende de la temperatura de la unión

y de la sustancia empleada para la fabricación del semiconductor.

POLARIZACIÓN DE LA UNIÓN NP

Se entiende por polarizar la unión NP, a la aplicación de una tensión

continua en sus extremos, existiendo dos formas de polarización: directa e
inversa.

POLARIZACIÓN DIRECTA

Al polarizar directamente un diodo, por un lado, se aplica un potencial

negativo al cristal N. Por otro lado, se le aplica un potencial positivo al cristal P.
Esto trae consigo que la barrera de potencial sea compensada, siendo ahora
mucho más fácil que los electrones libres traspasen la unión.

La tensión de polarización suele tener un valor tal que los electrones libres
de la zona N son empujados hacia la zona P, donde se recombinan con los huecos
hasta alcanzar el terminal positivo de la fuente. Al mismo tiempo que esto ocurre,
el terminal negativo de dicha fuente suministra electrones a la zona N como lo
indica la figura.
 El resultado es que se obtiene una corriente eléctrica considerable a través
de la unión, a la que denominaremos corriente directa.

POLARIZACIÓN INVERSA

Al aplicar una tensión de polarización inversa al diodo, los electrones libres

del cristal N se sentirán atraídos por el polo positivo de la fuente, y los huecos del
cristal P por el polo negativo de la misma, reforzándose la barrera de potencial
que aparece en la unión. El resultado de esto es que se hace imposible el
establecimiento de corriente eléctrica por portadores mayoritarios, pero aparece
una débil corriente de fuga en sentido inverso, que recibe el nombre de corriente
inversa de saturación, cuyo valor depende fundamentalmente de la temperatura.

Según aumenta la tensión inversa, también lo hace la corriente, hasta que

llega a un valor llamado tensión de ruptura del diodo o tensión zener. En este
momento aparece un efecto de avalancha y aumenta bruscamente la intensidad
de corriente inversa, lo que provoca la destrucción del diodo por la excesiva
disipación de calor.
 ECUACIÓN GENERAL DE LA CORRIENTE EN UNA UNIÓN NP

De acuerdo a esta ecuación, se producen tres estados de funcionamiento:

1.- Sin polarización: la corriente es cero

2.- Con polarización directa: se tiene una corriente directa que crece en
forma exponencial con el aumento de la tensión de polarización.

3.- Con polarización inversa: se produce una corriente inversa igual a - i

que permanece constante.

La ecuación de la corriente expresa la relación corriente - tensión, tanto en

polarización directa como inversa, y a partir de ella se construye la siguiente
gráfica.
 POTENCIA Y CORRIENTE NOMINAL DEL DIODO

Los diodos se diseñan para trabajar óptimamente en condiciones

nominales determinadas, existiendo dos formas de provocar la destrucción del
diodo:

- Exceder la tensión inversa de ruptura.

- Exceder la potencia nominal.

LÍNEA DE CARGA DEL DIODO

El siguiente circuito nos permitirá encontrar el valor exacto de la corriente y

tensión del diodo para una carga determinada.

Esta corriente se puede representar mediante una recta que nos va a

ayudar a determinar el punto de trabajo del diodo para unos valores determinados
de tensión y resistencia.

RESISTENCIA DE UN DIODO

Toda sustancia se opone a que por ella circule la corriente eléctrica. Debido
a esto el diodo va a presentar una cierta resistencia cuando se le aplique una
tensión en sus terminales.

Para una polarización directa el diodo presenta una buena conductividad,

por lo tanto su resistencia tendrá un valor bajo (interruptor cerrado), y, en
polarización inversa el diodo se comporta como un mal conductor, por lo que su
resistencia tiende a ser bastante elevada (interruptor abierto). Las siguientes
figuras nos ayudan a ejemplificar lo anterior.

APLICACIÓN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Una de las principales aplicaciones del diodo semiconductor es como

rectificador de señales alternas en continuas.

Al estar sometido a tensiones de polarización alternas, con semiciclos

positivos y negativos, la polarización pasara de directa a inversa, dejando circular
corriente o interrumpiéndola, respectivamente. De esta manera pasarán solo los
semiciclos positivos o negativos, dependiendo de la conexión del diodo, como se
muestra en las siguientes figuras.

A estos circuitos se los denomina rectificadores de media onda ya que

transforman una señal alterna en una señal continua pulsante.

Con el mismo principio de funcionamiento de los rectificadores de media

onda, es posible obtener rectificadores de onda completa. Mediante un
transformador con punto medio, se generan dos señales alternas iguales y
desfasadas en 180º. La figura nos indica tal procedimiento.

También es posible optimizar la rectificación de onda completa a través de

una configuración de cuatro diodos llamada puente rectificador, como lo indica la
figura.
 EL FILTRADO

La corriente de salida de un rectificador no se corresponde a una corriente

continua ideal, como por ejemplo la que proporciona una pila o batería.
Normalmente esta corriente es del tipo ondulatorio, lo cual indica que existen
variaciones de amplitud. Este tipo de corriente no es recomendable en la mayoría
de las aplicaciones, sobre todo para la alimentación de equipo electrónico, la cual
se manifiesta como un zumbido de baja frecuencia a la salida del equipo.

Las siguientes figuras nos muestran los aspectos de una corriente continua
pura y una pulsante.

La misión de los circuitos de filtrado es la de reducir las variaciones de

amplitud de la corriente y conseguir que sea lo más constante posible en la carga
por alimentar. Cuando se consigue esto, se dice que se ha reducido la
componente alterna de la corriente de salida del rectificador, o que se ha
reducido el rizado.

Los circuitos de filtrado se construyen a base de condensadores o

inductancias y condensadores.

FILTRO CON CONDENSADOR

Para conseguir los efectos de filtrado con este sistema se conecta un

condensador de gran capacidad en paralelo con la salida del rectificador, con lo
cual el rizado que aparece en la tensión de salida será mucho menor en el
rectificador de media onda que en el de onda completa.
El aspecto que tiene la tensión de salida en un circuito rectificador de onda
completa con un condensador de filtrado es como el que se muestra en la figura.
 Para explicar la actuación del condensador en el filtrado, la figura nos
muestra la tensión de salida del filtro en superposición con la tensión de
rectificación de onda completa aplicada a la entrada del filtro.

O a t1 el rectificador conduce y se carga el condensador.

t1 a t2 el condensador se descarga y deja de conducir el rectificador.
t2 a t3 el rectificador conduce y se carga el condensador.
t3 a t4 el condensador se descarga y deja de conducir el rectificador.
t4 a t5 etc……

EL FUNCIONAMIENTO DE ESTE FILTRO ES COMO SIGUE:

En el primer instante, los diodos del rectificador se polarizan directamente y

el condensador se carga de energía mientras la tensión aplicada a sus bornes va
en aumento. Una vez superada la tensión máxima, y mientras la tensión
desciende de valor, los diodos del rectificador se polarizan inversamente, ya que la
tensión con que ha quedado cargado el condensador es algo superior que la
aplicada a los mismos. En consecuencia, los diodos dejan de conducir y el
condensador descarga la energía acumulada por la resistencia de carga. Este
fenómeno se repite continuamente en cada uno de los ciclos de tensión pulsante
de salida del rectificador, manteniendo así la tensión en la carga a un valor más
constante.

El rizado que todavía perdura en la tensión de salida del filtro es debido a la

carga y descarga del condensador. Un modo de aminorar el rizado consiste en
aumentar el tiempo de descarga del condensador, lo cual se consigue con
condensadores de gran capacidad, o lo que es lo mismo, aumentando la
constante de tiempo de descarga, la cual esta en función del producto RC.

EL RIZADO

A las variaciones de tensión que aparecen en la salida del filtro se les

denomina tensión de rizado. La tensión de rizado se debe a las sucesivas cargas
y descargas del condensador. La tensión de rizado será igual a la diferencia de
las tensiones de carga y descarga del condensador, como se ve en la figura.
 A partir de la cantidad de electricidad que almacena el condensador
podemos establecer una relación matemática entre la tensión de rizado y la
capacidad de un condensador.

q=cxv v = i / fc

Esta expresión nos indica que es posible reducir la tensión de rizado con
condensadores de gran capacidad, además a medida que aumenta la corriente de
carga la tensión de rizado aumenta, disminuyendo el valor medio de la tensión de
salida de la fuente.

Por lo general se consideran condensadores para conseguir una tensión

de rizado del 10% de la tensión pick máxima.

FILTRO CON INDUCTANCIA Y CONDENSADOR

Debido a que el filtro por condensador todavía presenta en su salida una

pequeña tensión de rizado, se han desarrollado otros tipos de filtros más
complejos para conseguir que el rizado quede prácticamente eliminado. Uno de
estos filtros consiste en conectar a la salida del rectificador una inductancia en
serie y un condensador en paralelo con la carga, como lo indica la figura.

El efecto que produce la bobina al estar en serie con la carga es el de

reducir la tensión a valores prácticamente despreciables, por lo que se obtiene una
tensión muy similar a la que producen las pilas y baterías. Al pasar la corriente por
la bobina, esta se opone a las variaciones de corriente debido al efecto de
autoinducción, el cual combinado al efecto que produce el condensador dan como
resultado una tensión con un muy pequeño rizado. Este filtro se conoce con el
nombre de filtro PI.
 Este tipo de filtros presentan algunos inconvenientes por su tamaño, peso
y poco económicos, lo que les hace útiles solo en aquellas aplicaciones donde
se necesite suministrar grandes potencias. Actualmente se han sustituido por
reguladores de tensión los cuales consiguen reducir el rizado y entregan en su
salida una tensión prácticamente constante.

EL DIODO ZENER

Para reducir al máximo la tensión de rizado de la salida de un circuito de

rectificación, y así conseguir una tensión de CC lo más constante posible, se
usan circuitos estabilizadores.

Al aplicar una tensión inversa a un diodo, la corriente inversa que fluye por
la unión es muy débil. Si aumentamos gradualmente la tensión inversa, se
provoca un aumento brusco de la corriente (avalancha).

A este efecto de ruptura del diodo se le conoce con el nombre de efecto

zener, y a la tensión que lo produce se llama tensión zener.

Existe un diodo llamado zener, que puede trabajar en estas condiciones de

funcionamiento sin que se destruya y cuyo símbolo es el siguiente.

El diodo zener se construye a base de silicio conduciendo a los 0,7 Volt y

su tensión de trabajo va desde los 2 Volt hasta los 200 Volt, comportándose como
un diodo normal al estar polarizado directamente.

CORRIENTE ZENER

La corriente zener que puede soportar un diodo zener, en polarización

inversa, dependerá de la potencia que este pueda disipar térmicamente y al
aumentar la corriente inversa, aparece un pequeño aumento de tensión. Este
fenómeno aparece provocado por una pequeña resistencia dinámica, llamada
resistencia zener.

Una de las aplicaciones más comunes del zener es como estabilizador de

tensión, aprovechando la propiedad de conducir con tensiones inversas,
manteniendo la tensión entre sus extremos prácticamente constante, aunque varíe
la intensidad de corriente inversa que circula por él.

La siguiente figura nos muestra el circuito de aplicación más usado con

diodo zener.
 El diodo zener mantiene la tensión en la carga, aunque existan variaciones
a la salida del rectificador y aunque varíe la corriente que circula por la carga. La
resistencia que se conecta en serie con el zener tiene como misión mantener la
tensión de polarización del zener entre valores aceptables, valiéndose para ello de
las caídas de tensión que se producen en ella cuando la corriente que la atraviesa
tiende a variar.

CORRIENTE MÍNIMA DEL ZENER

Para que el diodo zener mantenga sin variación la tensión en la salida del
regulador es necesario que trabaje en todo momento en la región de ruptura. La
peor situación se da cuando la tensión aplicada al diodo cae a un valor tal que la
corriente por él tienda a cero, lo cual ocurrirá cuando la tensión de entrada tienda
a ser mínima y la corriente por la carga tienda a ser máxima. Una forma de
determinar con aproximación la intensidad mínima del zener es fijar un valor que
este comprendido entre el 5 % y el 10 % de la máxima corriente por la carga. Para
corrientes superiores a la corriente mínima del zener, el diodo mantiene la tensión
estable dentro de unos límites.

COEFICIENTE DE TEMPERATURA

La tensión zener se puede ver modificada cuando se producen variaciones

en la temperatura de la unión del diodo semiconductor. En su ficha técnica se
indica el coeficiente de temperatura, el cual indica el porcentaje de incremento de
tensión zener que se puede producir por el aumento de la temperatura. Estos
valores suelen ser negativos para diodos zener con una tensión inferior a los 5
volt, y positivos para diodos con tensión superior a 6 volt.

DIODOS ESPECIALES

Además de los diodos estudiados anteriormente, se puede aprovechar

las características de ciertos materiales semiconductores para conseguir
fabricar diodos especiales que emitan luz, o dispositivos que modifican su
conductividad según la luz que incida sobre ellos. También se pueden
fabricar elementos que modifiquen su valor ohmico dependiendo de una
variable física, como las resistencias dependientes.

Con estos dispositivos es posible construir dispositivos como los

interruptores sensibles a la luz, termostatos, termómetros electrónicos,
indicadores luminosos, barreras fotoeléctricas, etc.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

Dentro de la denominación de dispositivos optoelectrónicos se incluyen

todos aquellos elementos semiconductores capaces de producir una
radiación luminosa comprendida dentro del espectro visible o fuera del
mismo (infrarrojo), como lo son los LED y los fotodiodos.

DIODOS LUMINISCENTES (LED)

Estos dispositivos poseen gran aplicación como elementos

señalizadores del encendido de cualquier equipo electrónico. Haciendo una
combinación entre ellos se pueden emplear para visualizar números y letras
(display), con los cuales se pueden presentar resultados en equipos de
medida.

Los diodos LED se fabrican mediante la unión de dos cristales

semiconductores NP, a los cuales se les ha contaminado de una forma
especial. Cuando una unión de este tipo se polariza directamente, los
electrones de valencia del cristal tipo N atraviesan la unión y se
recombinan con los huecos del cristal tipo P. Dado que dichos electrones
se trasladan de un nivel de energía más alto a uno más bajo, se produce
una liberación de energía, que en este tipo de diodos se manifiesta en
forma de radiaciones electromagnéticas dentro del espectro luminoso.

Los diodos LED se fabrican con elementos especiales, como

arseniuro de galio y fósforo. Para conseguir modificar la longitud de onda
de la radiación, y así conseguir diodos con diferentes colores, se
contaminan los cristales de una forma adecuada. Así por ejemplo, los
diodos que emiten luz roja se fabrican con galio y fósforo, contaminados
con cinc, y emiten luz verde al ser contaminados con nitrógeno.
 CARACTERÍSTICAS DE LOS LED

Además del color, sus características más relevantes son:

* Tensión directa ( Vf ): es la caída de tensión que se produce entre los

extremos del LED cuando por el circula una corriente eléctrica, la cual es
del orden de los 1,5 v a 2,2 v, para la mayoría de ellos. En caso de no
conocer su tensión se le asigna como valor aproximado 2 v.

* Corriente directa ( if ): es la corriente que debe circular por el diodo

para alcanzar la intensidad luminosa deseada, cuyo valor esta comprendido
entre los 10 mA y los 50 mA.

* Corriente inversa ( ir ): es la máxima corriente que puede fluir por el

diodo cuando se le aplica una tensión inversa, valor del orden de los 10
uA.

* Disipación de potencia: es aquella parte de la potencia que el diodo no

convierte en luz y se transforma en calor, debiendo evacuarla al exterior,
razón por la cual se le conecta una resistencia limitadora de corriente,
cuyo valor se calcula con la siguiente expresión.

Rs = (V - Vf) / if

Las ventajas que presentan los LED son:

 Gran duración.
 Gran resistencia mecánica.
 Tamaño reducido.
 Bajo consumo.

En la actualidad los LED están siendo desplazados por los

indicadores de cristal líquido (LCD).

FOTODIODOS

Este dispositivo está diseñado para que sea sensible a las

radiaciones luminosas que inciden en él, de tal forma que al aumentar la
radiación también lo haga la corriente inversa que circule por él. Su
principal aplicación es como fotodetector, elemento capaz de transformar
una magnitud luminosa en una eléctrica.

FUNCIONAMIENTO

Cuando a un diodo se le aplica energía térmica se rompen un

determinado número de enlaces covalentes y, por tanto, aparece en ambos
cristales un determinado número de portadores de carga minoritarios. En el
fotodiodo aparece un aumento de portadores minoritarios cuando se le
aplica energía en forma de radiaciones luminosas. Así, si conectamos un
fotodiodo con una tensión de polarización inversa, fluirá una pequeña
corriente inversa por él. Los fotodiodos se fabrican de tal forma que pueda
incidir en ellos luz, y cuando la intensidad de la radiación luminosa se
hace más grande, aumentan los portadores minoritarios, y con ellos la
corriente inversa, existiendo una relación determinada entre la luz y la
corriente.

Una de las aplicaciones que se puede hacer con el fotodiodo, en

conjunto con un diodo LED, es la fabricación de un optoacoplador, como se
ve en la figura.

Con un optoacoplador se pueden aislar eléctricamente dos circuitos

entre los que hay que intercambiar una señal. La señal de entrada se
aplica al diodo LED, generando este una intensidad luminosa que estará
en función de la corriente entregada por la señal. Esta radiación luminosa
incide en el fotodiodo, el cual genera una corriente en la salida
proporcional a la entregada a la entrada del optoacoplador. Con el uso del
optoacoplador se eliminan todos los riesgos que pueden surgir al conectar
circuitos, que trabajan con señales de muy pequeñas tensiones, con otros
que lo hacen con tensiones elevadas. Por ejemplo, se usan para aislar la
salida de un computador con circuitos exteriores que estén alimentados con
tensiones peligrosas.

RESISTENCIAS DEPENDIENTES

Existen algunas aplicaciones en las que es de gran utilidad disponer

de componentes cuya resistencia ohmica se modifique bajo la acción de
una variable física, como la temperatura, luz, presión, etc.

A este tipo de componentes se les conoce con el nombre de

componentes activos. Además, por ser resistencias que no mantienen una
proporcionalidad entre la corriente y la tensión aplicada, se dice que son
resistencias no lineales.

RESISTENCIAS DEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA

Por lo general, las resistencias fabricadas con materiales metálicos

modifican su valor ohmico con la temperatura. En la mayoría de los
metales el coeficiente de temperatura es positivo, lo que significa que la
resistencia tiende a aumentar un poco con la temperatura. La fabricación
de resistencias a base de óxidos semiconductores que exageran esta
dependencia del valor ohmico con la temperatura. De esta forma, se
pueden construir resistencias con coeficiente de temperatura negativo ( NTC)
y resistencias con coeficiente de temperatura positivo (PTC).

Este tipo de resistencias son de gran aplicación en el control,

compensación, regulación y medida de la temperatura.

RESISTENCIAS NTC

Son resistencias que poseen un coeficiente de temperatura negativo,

lo que significa que su valor ohmico disminuye rápidamente cuando
aumenta la temperatura.

Este tipo de resistencias se fabrican mediante semiconductores

débilmente contaminados, como el óxido de níquel o el óxido de cobalto,
combinados con óxido de litio. Aquí se aprovecha el efecto que produce la
energía calorífica en la rotura de los enlaces covalentes de los
semiconductores, lo cual hace que al aumentar la temperatura aparezcan
electrones libres y huecos, consiguiendo que los portadores de carga en el
semiconductor aumenten con la temperatura y, por tanto, que su valor
resistivo disminuya con esta.

El valor nominal de la resistencia de estos componentes se

especifica generalmente para una temperatura de 25º C. La siguiente figura
nos muestra la dependencia ohmica de una NTC en función de la
temperatura.
 La sensibilidad de las resistencias NTC es bastante más elevada que
la de los termómetros y termopares convencionales. Se pueden fabricar
resistencias NTC que modifiquen su valor en varios miles de ohmios por
cada grado centígrado de temperatura, por lo que son ideales para la
construcción de termómetros de precisión en los que sea importante la
medición de pequeñas variaciones de temperatura.

Las aplicaciones prácticas que se hacen de las resistencias NTC

son: Construcción de termómetros de resistencia, compensación térmica de
instrumentos de medida, alarmas, construcción de sistemas de regulación y
control.

RESISTENCIAS PTC

Estas poseen un coeficiente de temperatura positivo. Ellas aumentan

rápidamente su valor al aumentar la temperatura. Esto solo ocurre en un
margen determinado de temperaturas, como se observa en la figura.

Los fabricantes de este tipo de resistencias suelen indicar el margen

de temperaturas en las que debe trabajar y que habrá que tener presente
para la selección del modelo más adecuado para cada una de las
aplicaciones.
 Las aplicaciones practicas de las resistencias PTC son similares a las
NTC. Si bien su campo de aplicación se ve más restringido por el estrecho
margen de temperaturas en el que pueden operar.

RESISTENCIAS DEPENDIENTES DE LA LUZ

Las resistencias LDR son componentes que modifican su resistencia

eléctrica de acuerdo con la intensidad luminosa que incide sobre su
superficie. Esta propiedad es de gran utilidad para la fabricación de
dispositivos de control, regulación y medida que estén relacionados con la
luz, como son: Regulación automática del contraste y brillo de los
televisores en función de la intensidad de la luz, medida de la intensidad
luminosa para cámaras fotográficas, conexión y desconexión de la
iluminación urbana, según la luz solar, detectores para alarmas, etc.

Se fabrican con materiales semiconductores especiales, como el

sulfuro de cadmio para la luz visible y el sulfuro de plomo para las
radiaciones infrarrojas. Al igual que los fotodiodos, los enlaces covalentes se
rompen por la acción de la energía luminosa. Esto hace que el número
de portadores de carga aumente, produciéndose una disminución de la
resistencia según aumenta la intensidad luminosa que incide en el
semiconductor.

En síntesis, una LDR posee una resistencia muy elevada a plena

oscuridad y su resistencia disminuye según se aumenta la intensidad
luminosa, como se observa en su curva característica.

RESISTENCIAS DEPENDIENTES DE LA TENSIÓN

Las VDR son componentes que modifican su resistencia eléctrica de

acuerdo con la tensión que se aplica entre sus extremos. Se fabrican en
base a carburo de silicio, lo que les da esa especial característica. El valor
de la resistencia disminuye al aumentar la tensión aplicada entre sus
extremos, como se ve en su curva característica.

Su aplicación la encontramos en los estabilizadores de tensión,

evitando chispas que se producen en los contactos de elementos de
accionamiento cuando estos se abren con cargas inductivas.