Circuitos de disparo para un tiristor SCR

Lazo Saguay Bryan Steven

Zhindón Minchala Brian David
Tapia Roldan Lenin Josué
Vázquez González Sebastián Onofre
Andrade Ormaza Jean Pierre
Andrade Vargas Adrián Francisco
Romero Urgilez Paolo avier
Universidad Politécnica Salesiana

Resumen— Esta investigación se realizó para conocer los

circuitos de disparo del tiristor SCR, los cuales serán
diseñados en base a cálculos previos, que se los comprobará
más adelante mediante su simulación. Logrando fortalecer
nuestro conocimiento mediante la búsqueda de información
y el diseño de circuitos.

Abstract— This research was carried out to know the SCR

thyristor firing circuits, which will be designed based on
previous calculations, which will be verified later by
simulation. Managing to strengthen our knowledge by
searching for information and designing circuits.

Tiristor [1]
I. INTRODUCCIÓN
SCR
Los tiristores son interruptores electrónicos utilizados en
circuitos de potencia, permitiéndonos realizar una gran
Rectificador controlado de Silicio (SCR) es una clase de
cantidad de aplicaciones, estos dispositivos son el resultado
tiristor formado por 4 capas que tienen material
de antiguas necesidades eléctricas y el inicio de mejoras
semiconductor NPNP o PNPN
tecnológicas.
Al aplicar una corriente de puerta cuando la tensión ánodo-
II. OBJETIVOS cátodo sea positiva el SCR estará en conducción así que la
señal de puerta ya no será necesaria para mantener la
• Determinar las características que posee un SCR.
• Analizar y comprender el comportamiento del
corriente de ánodo.
Rectificador controlado de Silicio
• Diseñar un circuito rectificador con SCR con carga El Rectificador controlado de Silicio seguirá conduciendo
resistiva o resistiva inductiva. mientras la corriente de ánodo siga siendo positiva y sea
mayor a un valor mínimo denominado NIVEL DE
MANTENIMIENTO.
III. MARCO TEÓRICO
Tiristores

Los tiristores son dispositivos electrónicos usado como

interruptor podemos encontrar tres tipos: el rectificador
controlado de silicio (SCR), el MOSFET y el Tiristor de
Bloqueo de Puerta (GTO).

Están compuestos de tres terminales: ánodo, cátodo y puerta.

Estos semiconductores de potencia son capaces de soportar
corrientes y voltajes altos de bloqueo en aplicaciones de alta
potencia, aunque sus frecuencias de conmutación tienen
valores limitados aproximadamente entre 10 a 20KHz.
SCR (Rectificador Controlado por Silicio) [2]
 IV. CARACTERÍSTICAS DE LOS SCR
El proceso más utilizado es el de disparo por puerta, mientras
A. Características Principales de los SCR
que los disparos por módulo y gradiente de tensión son
• Son capaces de hacer que circulen corrientes < 1 A, indeseados.
hasta 1000 A o más.
son muy útiles para actuar como interruptores en A. Disparo por puerta.
equipamientos eléctricos pesados cuando reemplazan a los Usado normalmente. Consiste en la aplicación en la puerta
contactores. de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de
puerta y cátodo a la vez que mantenemos una tensión positiva
entre ánodo y cátodo.
B. Ventajas:
• No tienen partes móviles. B. Disparo por módulo de tensión.
• No generan arcos de contacto. Se da debido al mecanismo de multiplicación por avalancha.
• No se producen contactos defectuosos a causa de Este proceso se emplea para disparar al tiristor de manera
suciedad o corrosión. intencionada; aunque, ocurre de forma fortuita provocada
• Se usan para controlar el valor medio de una por sobre tensiones anormales en los equipos electrónicos.
corriente de carga sin disipar grandes potencias.
C. Disparo por gradiente de tensión.
Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido
V. FUNCIONES DEL SCR directo de conducción provoca el disparo.
El Rectificador Controlado de Silicio puede realizar diversas
funciones: D. Disparo por radiación.
Creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz
1. Rectificación controlada del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se
2. De interruptor llama LASCR.
3. De regulación
4. De amplificación E. Disparo por temperatura.
Está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados
en las uniones del semiconductor. Así, la suma de las
VI. DISPARO DE UN SCR corrientes tiende rápidamente al aumentar la temperatura. La
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado tensión de ruptura permanece constante hasta un cierto valor
a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la de la temperatura y disminuye al aumentar ésta.
unión entre la compuerta y el cátodo, y sale del SCR por la
terminal del cátodo.

La cantidad de corriente de compuerta necesaria para Rectificador controlado por SCR

disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para Datos:
dispararse, la mayoría de los SCR requieren una corriente de F=60 Hz
compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Vo=50 V
Vs=127 V rms
Dado que hay una unión pn estándar entre la compuerta y el R=100Ω
cátodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser PR=?
ligeramente mayor a 0.6 V. fp=?
1 1
𝑇= = = 16 𝑚𝑠
𝐹 60
VII. MÉTODOS DE DISPARO Resolución:
𝑉𝑠
𝑉𝑜 = (1 + cos (𝛼))
El disparo de los tiristores se puede realizar por varios 2𝜋
métodos:
𝑉𝑜
- Por puerta. 𝛼 = 𝑐𝑜𝑠 −1 ( 2𝜋 − 1)
- Por módulo de tensión. 𝑉𝑠
- Por gradiente de tensión 50
- Disparo por radiación. 𝛼 = 𝑐𝑜𝑠 −1 ( 2𝜋 − 1) = 0.724 𝑟𝑎𝑑
127√2
- Disparo por temperatura.
 180 2)
𝛼 = 0.724𝑟𝑎𝑑 ∗ = 41.5°
𝜋𝑟𝑎𝑑 Datos:
F=60 Hz
𝑉𝑠 𝛼 𝑠𝑒𝑛(2𝛼) Vt=0,75 V
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √1 − + It=7 mA
2 𝜋 2𝜋
Ih= 6mA

127√2 0.723 𝑠𝑒𝑛(2(0.723)) Circuito de disparo controlado por señal alterna

𝑉𝑟𝑚𝑠 = √1 − +
2 𝜋 2𝜋
Datos:
F = 60 Hz
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 86.486 𝑉
Vi = 110 Vpp
𝑉𝑟𝑚𝑠 IG = 1 mA
𝐼𝑟𝑚𝑠 = R1 ?
𝑅
R2 (potenciómetro) ?
86.486
𝐼𝑟𝑚𝑠 = = 0.86486 𝐴 1 1
100 𝑇= = = 16 𝑚𝑠
𝐹 60
𝑉 2 𝑟𝑚𝑠
𝑃𝑅 = 𝑇 = 16 𝑚𝑠 ∗ 2 = 32 𝑚𝑠
𝑅

86.4862 𝐶1, 𝐶2 = 0.01 𝐹

𝑃𝑅 = = 74.798 𝑊
100
𝑇 = (𝑅1 + 𝑅2) ∗ 𝐶1
𝑃𝑅
𝑓𝑝 =
𝑉𝑟𝑚𝑠 ∗ 𝐼𝑟𝑚𝑠 Para calcular la R1 el potenciómetro tiende a cero y se divide
el periodo en tres partes 2 ms, 25 ms, 5 ms
74.798
𝑓𝑝 = = 0.68
127 ∗ 0.86486 2 𝑚𝑠 = (𝑅1) ∗ 𝐶1

2𝑚𝑠
𝑅1 =
𝐶1

2 ∗ 10−3
𝑅1 =
0.01 ∗ 10−6

𝑅1 = 200 𝐾

𝑇 = (𝑅1 + 𝑅2) ∗ 𝐶1

25 𝑚𝑠 = (𝑅1 + 𝑅2) ∗ 𝐶1

25 ∗ 10−3
Figura 1: Circuito rectificador controlado por SCR 𝑅2 = − 200 ∗ 103
0.01 ∗ 10−6

𝑅2 = 2.3 𝑀

𝑅3 ∗ 𝐶2 = 𝑇

𝑇
𝑅3 =
𝐶2

5 ∗ 10−3
𝑅3 =
0.01 ∗ 10−6
Figura 2: Grafica circuito rectificador
= 200 𝐾
IX. REFERENCIA

[1] Muhammad Rashid, Electrónica de Potencia,

Dispositivos y Aplicaciones, Segunda Edición.

[2] HART DANIEL, Electrónica de Potencia, Valparaiso,

University, Indiana, Pearson Educacion S.A.,Madrid 2001

Figura 4: Grafica circuito rectificador

Figura 3: Grafica circuito rectificador

VIII. CONCLUSIONES
• Un SCR tiene 3 conexiones: cátodo, ánodo y
puerta. Si no se aplica nada de tensión en la
puerta del semiconductor este no iniciará la
conducción, por el contrario, cuando se le
aplique dicha tensión, el tiristor comenzará a
conducir. El pulso de disparo será de una
duración considerable o repetitivo.

• Para que un tiristor SCR pueda funcionar

necesita de un impulso, por lo que puede retardar
el momento de conmutación.

• Hay distintas formas de controlar el disparo de

un circuito en este ensayo se han expuesto 2 y se
los ha simulado.

• Para las simulaciones de estos circuitos se

pueden utilizar simuladores como multisim.
Proteus y Simulink de Matlab.