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TESIS
QUE PARA OBTENER EL GRADO DE:
MAESTRO EN CIENCIAS EN INGENIERIA ELECTRICA
PRESENTA:
ING. JOSE LUIS MATA LEDESMA
Directores de tesis:
Para validar los modelos y el diseño de los controladores obtenidos con las
técnicas anteriormente mencionadas se emplean las herramientas de simulación
PSIM 11.0 y Matlab/Simulink, lo que permite evaluar su rendimiento, así como la
realización de ajustes en caso de ser necesario. La implementación y mediciones de
los resultados obtenidos se realizaron en el laboratorio de electrónica de potencia,
utilizando el módulo inversor DC-AC TIDM-SOLAR-ONEPHINV de la empresa
Texas Instruments con la programación de un controlador digital de señales
TMS320F28335. Obteniendo resultados experimentales de la implementación de los
diferentes algoritmos de control propuestos; se presentan las conclusiones y
recomendaciones para trabajos futuros.
ABSTRACT
To validate the models and the design of the controllers obtained with the
techniques before mentioned, are used the simulation tools PSIM 11.0 and Matlab
/Simulink, which allows evaluating their performance, as well as making
adjustments if necessary. The implementation and measurements of the results
obtained were performed in the power electronics laboratory, using the DC-AC
inverter module TIDM-SOLAR-ONEPHINV of the Texas Instruments company with
the programming of a digital signal controller TMS320F28335. Obtaining
experimental results of the implementation of the different control algorithms
proposed; conclusions and recommendations for future work are presented.
CONTENIDO
Página
RESUMEN
ABSTRACT
CONTENIDO…………………………………………………….. i
LISTA DE FIGURAS…………………………………………….. vii
LISTA DE TABLAS……………………………………………… xx
NOTACIONES Y ABREVIATURAS…………………………... xxiii
ii
4.2.1 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con cargas
resistivas…………………………………………………………… 104
4.2.2 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con cargas
resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas…………………... 105
4.2.3 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con
cambios de cargas…………………………………………………. 106
4.2.4 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con
conexión-desconexión de cargas………………………………… 109
4.2.5 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con cargas
no lineales………………………………………………………….. 111
4.3 Simulación del inversor con (SMC) estructura integrada…… 114
4.3.1 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
cargas resistivas…………………………………………………… 119
4.3.2 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
cargas resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas ………..… 120
4.3.3 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
cambios de cargas…………………………………………………. 121
4.3.4 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
conexión-desconexión de cargas………………………………… 124
4.3.5 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
cargas no lineales………………………………………………….. 126
4.4 Simulación del inversor con ISMC en lazo de corriente……….. 129
4.4.1 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cargas resistivas................................................................................ 132
4.4.2 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cargas resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas…………... 133
4.4.3 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cambios de cargas…………………………………………………. 134
4.4.4 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
conexión-desconexión de cargas………………………………… 136
4.4.5 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cargas no lineales………………………………………………….. 139
4.5 Simulación del inversor con HOSM algoritmo Supertwisting 142
4.5.1 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting con
cargas resistivas…………………………………………………… 146
4.5.2 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting con
cargas resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas…………... 147
4.5.3 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting con
cambios de cargas……………………………………………. 148
4.5.4 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting con
conexión-desconexión de cargas………………………………… 150
iii
4.5.5 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting con
cargas no lineales………………………………………………….. 153
4.6 Análisis de resultados de las simulaciones…………………… 155
4.6.1 Análisis de porcentajes de THDv de los controladores………... 155
4.6.2 Análisis del voltaje de rizado de los controladores…………….. 156
4.6.3 Análisis del sobrepaso de voltaje de los controladores………… 158
4.6.4 Análisis de la forma de onda de corriente para carga no lineal
de los controladores………………………………………………. 160
iv
5.8.2 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas resistivas-capacitivas…………………….. 207
5.8.3 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas resistivas-inductivas……………………... 209
5.8.4 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas no lineales…………………………………. 211
5.9 Algoritmo HOSM Supertwisting en tiempo discreto………….. 213
5.9.1 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas…………………………….. 215
5.9.2 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas-capacitivas………………. 217
5.9.3 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas-inductivas……………….. 219
5.9.4 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas no lineales…………………………… 221
5.10 Análisis de resultados experimentales………………………….. 223
5.10.1 Análisis de los porcentajes experimentales de THDv de los
controladores……………………………………………………… 223
5.10.2 Análisis del desfasamiento experimental de los controladores
con cargas resistivas-capacitivas y resistivas inductivas………. 224
5.10.3 Análisis de la forma de onda de corriente experimental para
cargas no lineales de los controladores………………………….. 226
BIBLIOGRAFIA………………………………………………….. 237
PUBLICACIONES……………………………………………….. 245
ANEXOS……………………………………………………...…… 247
A Criterio de estabilidad de Lyapunov…………………………… 249
B Programas en Matlab…………………………………………….. 251
B.1 Diseño del inversor en pequeña señal. ………………………… 251
B.2 Diagrama de Bode del SMC. …………………………………… 254
B.3 Diagrama de Bode del ISMC y cálculo del control PI. ………… 255
C Configuración del DSC TMS320F28335……………………… 259
C.1 Proyectos en Code Composer Studio……………………………. 259
C.2 Diseño de la implementación para algoritmos de control…….. 259
C.3 Configuración del módulo PWM………………………………... 261
C.4 Configuración del módulo convertidor analógico digital…….. 265
v
C.5 Configuración de las interrupciones…………………………….. 267
C.6 Configuración de la señal de referencia…………………………. 268
C.7 Configuración del main…………………………………………... 269
D Programas de los algoritmos de control……………………… 272
D.1 Perifericos.c……………………………………………................... 272
D.2 Perifericos.h……………………………………………................... 275
D.3 Presonante.c…………………………………………….................. 276
D.4 Presonante.h…………………………………………….................. 279
D.5 SMControl.c…………………………………………….................. 280
D.6 SMControl.h…………………………………………….................. 283
D.7 ISMControl.c……………………………………………................. 284
D.8 ISMControl.h……………………………………………................ 286
D.9 STwisControl.c……………………………………………............. 287
D.10 STwisControl.h……………………………………………............. 290
E Esquemáticos del módulo inversor TIDM SOLARONEPHINV… 292
E.1 Pinout DSC TDMS320F28335……………………………………. 292
E.2 Esquemático del inversor monofásico…………………………... 293
vi
LISTA DE FIGURAS
Página
Figura 1.1 Representación de los armónicos presentes de una señal
senoidal fundamental…………………………………………… 4
Figura 1.2 Símbolos de los semiconductores de potencia………………… 12
Figura 1.3 Voltaje pico fundamental normalizado en función del índice
de modulación……………………………………………………. 14
Figura 1.4 Inversor de puente completo controlado por los interruptores
S1, S2, S3 y S4……………………………………………………... 15
Figura 1.5 Implementación de la modulación bipolar con elemento de
comparación entre la moduladora y portadora……………….. 16
Figura 1.6 Funcionamiento de la modulación por ancho de pulsos
bipolar…………………………………………………………….. 16
Figura 1.7 Espectro armónico de la modulación bipolar………………… 17
Figura 1.8 Implementación de la modulación bipolar con elemento de
comparación entre la moduladora y portadora………………. 18
Figura 1.9 Funcionamiento de la modulación por ancho de pulsos 18
bipolar……………………………………………………………..
Figura 1.10 Espectro armónico de una modulación unipolar…………….. 19
Figura 1.11 Representación en el plano de fase de la superficie deslizante. 22
Figura 1.12 Módulo inversor solar del fabricante Texas Instruments
(TIDM-SOLAR-ONEPHINV)…………………………………... 23
Figura 2.1 Plano de fase de un oscilador armónico……………………...... 30
Figura 2.2 Plano de fase bajo el sistema de control de estructura
variable……………………………………………………………. 31
Figura 2.3 Función signum…………………………………………………... 32
Figura 2.4 Plano de fase de un modo deslizante………………………….. 34
Figura 2.5 Acción de control discontinuo………………………………….. 35
Figura 2.6 Condición Hitting………………………………………………... 37
Figura 2.7 Trayectoria deslizante a) Estable. b) Inestable ………………… 38
Figura 2.8 Trayectorias en la fase de deslizamiento………………………. 39
Figura 2.9 Interpretación geométrica del control equivalente…………… 41
Figura 2.10 Diagrama de bloques para la implementación de un SMC…. 44
Figura 2.11 Representación geométrica de conjuntos deslizantes………... 48
Figura 2.12 Diagrama de flujo del algoritmo de control Supertwisting…... 50
Figura 2.13 Planos de fase algoritmo Supertwisting………………………… 51
Figura 2.14 a) Banda de Histéresis. b) Oscilaciones en la vecindad
deslizante…………………………………………………………. 52
Figura 2.15 Implementación del control a) Modos deslizantes.
b) Promediado……………………………………………………. 53
vii
Figura 3.1 Esquema general de Control…………………………………… 57
Figura 3.2 Control de voltaje de lazo simple………………………………. 57
Figura 3.3 Control de voltaje en doble lazo de realimentación………… 58
Figura 3.4 Célula de conmutación básica………………………………….. 59
Figura 3.5 Modelo equivalente del punto de operación del conmutador
en modo CCM……………………………………………………. 60
Figura 3.6 Circuito en pequeña señal del conmutador PWM en CCM…. 60
Figura 3.7 Esquema del circuito inversor para operación en modo isla…. 61
Figura 3.8 Sentido de las corrientes de salida del inversor de puente
completo para a) D. b) 1-D. 62
Figura 3.9 Circuitos Buck obtenidos partir del circuito inversor de
puente completo considerando a) D. b) 1-D. 62
Figura 3.10 Modelo equivalente en el punto de operación combinado los
circuitos Buck del inversor monofásico........................................ 63
Figura 3.11 Modelo equivalente del inversor en el punto de operación…... 64
Figura 3.12 Modelo equivalente del inversor en pequeña señal…………... 64
Figura 3.13 Esquema de control de corriente media ACC para inversor…. 65
Figura 3.14 Diagrama de Bode de GiL_d(s) a diferentes cargas resistivas….. 68
Figura 3.15 Diagramas de Bode de Gvo_d(s) a diferentes cargas resistivas... 69
Figura 3.16 Diagramas de Bode de 𝑇 (𝑠) del lazo de corriente a diferentes
cargas resistivas………………………………………………….. 70
Figura 3.17 Diagrama de Bode del lazo de corriente con el controlador PI.. 71
Figura 3.18 Diagrama del inversor para el modelo promediado………….. 72
Figura 3.19 Diagrama de bloques de la representación lineal del inversor
para el modelo promediado…………………………………….. 73
Figura 3.20 Implementación del SMC con banda de histéresis a frecuencia
fija empleando un Flip-Flop……………………………………… 77
Figura 3.21 Implementación del SMC con frecuencia fija empleando un
circuito comparador de señal triangular……………………….. 78
Figura 3.22 Plano de fase de la superficie deslizante del inversor
monofásico………………………………………………………... 82
Figura 3.23 Límites de existencia de la región de deslizamiento para el
inversor monofásico……………………………………………... 83
Figura 3.24 Respuesta en frecuencia para distintas cargas conectadas con
SMC……………………………………………………………….. 85
Figura 3.25 Diagrama de bloques en lazo cerrado del control PI para el
ISMC………………………………………………………………. 89
Figura 3.26 Diagrama de Bode para 𝑽𝒐 (𝒔)
para el control ISMC, para
𝒊𝑳 (𝒔)
90
diferentes cargas resistivas conectadas…………………………
viii
Figura 4.1 Esquema del inversor monofásico con la herramienta de
simulación PSIM 11.0……………………………………………. 97
Figura 4.2 Implementación de cargas conectadas en PSIM 11.0 del
inversor monofásico a) Resistiva. b) Resistiva-capacitiva.
c) Resistiva-inductiva……………………………………………. 100
Figura 4.3 Esquema de implementación en PSIM 11.0 del circuito de
conmutación de cargas de prueba para el voltaje de salida del
inversor…………………………………………………………… 100
Figura 4.4 Esquema de implementación en PSIM 11.0 del circuito de
prueba rectificador de onda completa con carga resistiva-
capacitiva…………………………………………………………. 101
Figura 4.5 Esquema de implementación del inversor monofásico
empleando PSIM 11.0 del control P+CRES y PI……………….. 102
Figura 4.6 Señal de control 𝑑(𝑡) del algoritmo P+CRES y PI obtenido por
simulación………………………………………………………… 103
Figura 4.7 Voltaje y corriente de salida para el control P+CRES y PI
empleando PSIM 11.0, para una carga resistiva de 120 …….. 103
Figura 4.8 Esquema de implementación del inversor monofásico para el
control P+CRES y PI en Matlab/Simulink……………………... 104
Figura 4.9 Corrientes obtenidas por simulación con distintas cargas
resistivas conectadas para el control P+CRES y PI……………. 104
Figura 4.10 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-capacitiva para el control P+CRES y PI…. 105
Figura 4.11 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-inductiva para el control P+CRES y PI….. 106
Figura 4.12 Implementación del cambio de cargas en la salida de un
inversor empleando un control P+CRES y PI en
Matlab/Simulink………………………………………………… 107
Figura 4.13 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 90° empleando
un control P+CRES y PI………………………………………….. 107
Figura 4.14 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 45° empleando
un control P+CRES y PI………………………………………….. 108
Figura 4.15 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre la carga
mínima y máxima para un ángulo de 180° empleando un
control P+CRES y PI……………………………………………... 108
Figura 4.16 Implementación de conexión-desconexión en
Matlab/Simulink empleando un control P+CRES y PI………. 109
ix
Figura 4.17 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 ,
con un tiempo de desconexión de 500 µs, para el control
PCRES y PI………………………………………………………... 110
Figura 4.18 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 ,
con un tiempo de desconexión de 1 ms, para el control
P+CRES y PI………………………………………………………. 110
Figura 4.19 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 ,
con un tiempo de desconexión de 2 ms, para el control
P+CRES y PI………………………………………………………. 111
Figura 4.20 Implementación de carga no lineal con control P+CRES y PI,
empleando Matlab/Simulink…………………………………... 112
Figura 4.21 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096
con un THDv de 9.27% para el control P+CRES y PI………….. 112
Figura 4.22 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 113
con un THDv de 5.64% para el control P+CRES y PI…………..
Figura 4.23 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 113
con un THDv de 3.58% para el control P+CRES y PI…………..
Figura 4.24 Esquema en PSIM 11.0 del control SMC con estructura
integrada diseñado………………………………………………. 115
Figura 4.25 Superficie deslizante 𝑠 para el control SMC con estructura
integrada obtenido por simulación…………………………….. 116
Figura 4.26 Voltaje y corriente de salida con el control SMC estructura
integrada, empleando PSIM 11.0 para una carga resistiva de
120 ………………………………………………………………. 116
Figura 4.27 Esquema en Matlab/Simulink para el control SMC estructura
integrada………………………………………………………….. 117
Figura 4.28 Plano de fase voltaje del capacitor contra corriente del
capacitor para diferentes frecuencias de conmutación, en el
control SMC de estructura integrada…………………………... 118
Figura 4.29 Seguimiento de la superficie deslizante a la referencia a
diferentes frecuencias de conmutación para el control SMC
de estructura integrada………………………………………….. 118
Figura 4.30 Plano de fase 𝑥 vs 𝑥 para diferentes frecuencias de
conmutación para el control SMC de estructura integrada…... 119
Figura 4.31 Corrientes obtenidas por simulación con cargas resistivas
conectadas para el control SMC con estructura integrada……. 119
Figura 4.32 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-capacitiva para el control SMC estructura
integrada………………………………………………………….. 120
x
Figura 4.33 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-inductiva para el control SMC estructura
integrada………………………………………………………….. 121
Figura 4.34 Esquema de cambio de carga con un control SMC con
estructura integrada empleando Matlab/Simulink…………... 122
Figura 4.35 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 90° con el control
SMC estructura integrada……………………………………….. 122
Figura 4.36 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 45° con el control
SMC estructura integrada……………………………………….. 123
Figura 4.37 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 180° con el
control SMC estructura integrada………………………………. 123
Figura 4.38 Implementación de conexión-desconexión con control SMC
estructura integrada, empleando Matlab/Simulink………….. 124
Figura 4.39 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 500 µs, para el control SMC con
estructura integrada……………………………………………... 125
Figura 4.40 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 1 ms, para el control SMC con
estructura integrada……………………………………………... 125
Figura 4.41 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 2 ms, para el control SMC con
estructura integrada……………………………………………... 126
Figura 4.42 Implementación de carga no lineal con control SMC
estructura integrada empleando Matlab/Simulink…………... 126
Figura 4.43 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096 y
THDv de 2.15% para el control SMC estructura integrada…… 127
Figura 4.44 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 y
THDv de 2.00% para el control SMC estructura integrada….. 128
Figura 4.45 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 y
THDv de 0.77% para el control SMC estructura integrada…… 128
Figura 4.46 Esquema en PSIM 11.0 del control ISMC en lazo de corriente.. 130
Figura 4.47 Superficie deslizante 𝑠 para el control ISMC en lazo de
corriente obtenido por simulación……………………………… 130
Figura 4.48 Voltaje y corriente de salida para el control ISCM en lazo de
corriente empleando PSIM 11.0, para una carga resistiva de
120 ………………………………………………………………. 131
Figura 4.49 Esquema en Matlab/Simulink del control ISMC en lazo de
corriente…………………………………………………………... 131
xi
Figura 4.50 Corrientes obtenidas por simulación con cargas resistivas
conectadas para el control ISMC en lazo de corriente………… 132
Figura 4.51 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-capacitiva para el control ISMC en lazo
de corriente……………………………………………………….. 133
Figura 4.52 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-inductiva para el control ISMC en lazo de
corriente…………………………………………………………... 133
Figura 4.53 Esquema de cambio de carga con un control ISMC en lazo de
corriente empleando Matlab/Simulink………………………... 134
Figura 4.54 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 90° con el control
ISMC en lazo de corriente……………………………………….. 135
Figura 4.55 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 45° con el control
ISMC en lazo de corriente……………………………………….. 135
Figura 4.56 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 180° con el
control ISMC en lazo de corriente………………………………. 136
Figura 4.57 Implementación de conexión-desconexión con control ISMC
en lazo de corriente, empleando Matlab/Simulink…………… 137
Figura 4.58 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 500 µs, para el control ISMC en
lazo de corriente………………………………………………….. 138
Figura 4.59 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 1 ms, para el control ISMC en
lazo de corriente………………………………………………….. 138
Figura 4.60 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 con
un tiempo de desconexión de 2 ms, para el control ISMC en
lazo de corriente………………………………………………….. 139
Figura 4.61 Implementación de carga no lineal con control ISMC en lazo
de corriente empleando Matlab/Simulink…………………….. 139
Figura 4.62 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096 y
THDv de 1.63% para el control ISMC en lazo de corriente…… 140
Figura 4.63 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 y
THDv de 0.98% para el control ISMC en lazo de corriente…… 141
Figura 4.64 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 y
THDv de 0.83% para el control SMC estructura integrada…… 141
Figura 4.65 Esquema en PSIM del control HOSM Supertwisting diseñado.. 142
Figura 4.66 Control equivalente 𝑢 para el control HOSM Supertwisting
obtenido por simulación………………………………………… 143
xii
Figura 4.67 Voltaje y corriente de salida con el control HOSM
Supertwisting para una carga resistiva de 120 ……………….. 143
Figura 4.68 Esquema en Matlab/Simulink del control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 144
Figura 4.69 Respuesta en estado estable control HOSM Supertwisting para
obtener el tiempo de convergencia……………………………... 145
Figura 4.70 Planos de fase del controlador HOSM Supertwisting a
diferentes frecuencias……………………………………………. 145
Figura 4.71 Corrientes medidas para distintas cargas conectadas control
HOSM Supertwisting……………………………………………... 146
Figura 4.72 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-capacitiva para el control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 147
Figura 4.73 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento
con cargas resistiva-inductiva para el control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 147
Figura 4.74 Esquema de cambio de carga con un control HOSM
Supertwisting empleando Matlab/Simulink…………………. 148
Figura 4.75 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 90° para el
control HOSM Supertwisting……………………………………. 149
Figura 4.76 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 45° para el
control HOSM Supertwisting……………………………………. 149
Figura 4.77 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las
cargas mínima y máxima para un ángulo de 180° para el
control HOSM Supertwisting……………………………………. 150
Figura 4.78 Implementación de conexión-desconexión para el control
HOSM Supertwisting empleando Matlab/Simulink………….. 151
Figura 4.79 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con
un tiempo de desconexión de 500 µs, para el control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 151
Figura 4.80 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con
un tiempo de desconexión de 1 ms, para el control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 152
Figura 4.81 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con
un tiempo de desconexión de 2 ms, para el control HOSM
Supertwisting……………………………………………………… 152
Figura 4.82 Implementación de carga no lineal con control HOSM
Supertwisting empleando Matlab/Simulink…………………... 153
xiii
Figura 4.83 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096 y
THDv de 2.43% para el control HOSM Supertwisting…………. 154
Figura 4.84 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 y
THDv de 1.58% para el control HOSM Supertwisting…………. 154
Figura 4.85 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 y
THDv de 1.03% para el control HOSM Supertwisting…………. 155
Figura 4.86 Porcentajes de THDv contra resistencias de prueba para cada
uno de los algoritmos de control………………………………... 156
Figura 4.87 Voltajes de rizado para a) Control PI, P+CRES. b) Control
SMC estructura integrada. c) Control ISMC en lazo de
corriente. d) Control HOSM Supertwisting…………………….. 157
Figura 4.88 Voltajes de sobrepaso para a) Control PI, P+CRES. b) Control
SMC estructura integrada c) Control ISMC en lazo de
corriente. d) Control HOSM Supertwisting…………………….. 159
Figura 4.89 Voltajes y corrientes para carga no lineal, a) Control PI,
P+CRES. b) Control SMC estructura integrada c) Control
ISMC en lazo de corriente. d) Control HOSM Supertwisting…. 161
Figura 5.1 Fuente de voltaje DC TDK Lambda GEN 300-17……………….. 168
Figura 5.2 Instrumentos de medición a) Osciloscopio Tektronik MSO
2014B. b) Analizador de Calidad de Energía HIOKI PQ3100… 168
Figura 5.3 Tarjeta de control TMS320F28335………………………………. 170
Figura 5.4 Módulo TIDM-SOLAR-ONEPHINV de Texas Instruments
para la implementación de los algoritmos de control…………. 170
Figura 5.5 Diagrama funcional del controlador del IGBT………………… 171
Figura 5.6 Máquina de estados para el inversor………………………….. 173
Figura 5.7 Esquema de control para la implementación de los algoritmos
de control…………………………………………………………. 174
Figura 5.8 Diagrama de bloques de equipos e instrumentos de medición
para las pruebas con distintas cargas del inversor …………… 175
Figura 5.9 Bancos de pruebas experimentales e instrumentos de
medición del laboratorio de electrónica de potencia………….. 175
Figura 5.10 Diagrama de bloques para la discretización de controladores.. 177
Figura 5.11 Diagrama de bloques del controlador PI en tiempo discreto… 178
Figura 5.12 Diagrama de bloques del control P+CRES en tiempo discreto. 179
Figura 5.13 Diagrama de flujo del algoritmo de control P+CRES y PI
discretizado………………………………………………………. 181
Figura 5.14 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control P+CRES y PI, para una resistencia de 42.2 Ω………. 183
Figura 5.15 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control P+CRES y PI, para una resistencia de 84.3 Ω. ……... 183
xiv
Figura 5.16 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control P+CRES y PI, para una resistencia de 452.0 Ω……. 184
Figura 5.17 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RC en serie, R= 42.2 Ω y
C= 43.2 F………………………………………………………… 185
Figura 5.18 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RC en serie, R= 42.2 Ω y
C= 75.1 F…………………………………………………………. 185
Figura 5.19 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RC en serie, R= 42.2 Ω y
C= 115.2 F………………………………………………………... 186
Figura 5.20 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y
L= 88.4 mH………………………………………………………... 187
Figura 5.21 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y
L= 173.5 mH………………………………………………………. 187
Figura 5.22 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y
L= 297.0 mH………………………………………………………. 188
Figura 5.23 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R= 215.7 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.096………………………………………………………… 189
Figura 5.24 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R= 452.7 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.043………………………………………………………… 189
Figura 5.25 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control P+CRES y PI, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R= 1000 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.019…………………………………………………………. 190
Figura 5.26 Diagrama de flujo del algoritmo de control SCM con
estructura integrada…………………………………………… 194
Figura 5.27 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control SMC estructura integrada, para una resistencia de
42.2 Ω.……………………………………………………………... 195
Figura 5.28 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control SMC estructura integrada, para una resistencia de
84.3 Ω.……………………………………………………………... 196
xv
Figura 5.29 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control SMC estructura integrada, para una resistencia de
452 Ω……......................................................................................... 196
Figura 5.30 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RC en
serie, R= 42.2 Ω y C= 43.2 F…………………………………….. 197
Figura 5.31 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RC en
serie, R= 42.2 Ω y C= 75.1 F…………………………………….. 198
Figura 5.32 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RC en
serie, R= 42.2 Ω y C= 115.2 F…………………………………… 198
Figura 5.33 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RL en
serie, R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH…………………………………… 199
Figura 5.34 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RL en
serie, R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH….................................................. 200
Figura 5.35 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para una carga RL en
serie, R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH….................................................. 200
Figura 5.36 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 215.7 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.096……………………………………… 201
Figura 5.37 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 452.7 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.043………………………………………... 202
Figura 5.38 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control SMC con estructura integrada, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 1000 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.019………………………………………... 202
Figura 5.39 Diagrama de flujo del algoritmo de control ISCM en lazo de
corriente………………………………………………………….. 204
Figura 5.40 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control ISMC en lazo de corriente, para una resistencia de
42.2 Ω……………………………………………………………… 205
Figura 5.41 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control ISMC en lazo de corriente, para una resistencia de
84.3 Ω..……...................................................................................... 206
xvi
Figura 5.42 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control ISMC en lazo de corriente, para una resistencia de
452 Ω...……...................................................................................... 206
Figura 5.43 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω y C= 43.2 F…………………………………………… 207
Figura 5.44 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω y C= 75.1 F…………………………………………… 208
Figura 5.45 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω y C= 115.2 F………………………………………….. 208
Figura 5.46 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH………………………………………….. 209
Figura 5.47 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH………………………………………… 210
Figura 5.48 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH………………………………………… 210
Figura 5.49 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 215.7 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.096………………………………………... 211
Figura 5.50 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 452.7 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.043………………………………………... 212
Figura 5.51 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control ISMC en lazo de corriente, para un rectificador de
onda completa conectado con un filtro RC, R= 1000 Ω y
C= 220 F, con FC = 1.019………………………………………... 212
Figura 5.52 Diagrama de bloques del algoritmo de control HOSM
Supertwisting ……………………................................................... 213
Figura 5.53 Diagrama de flujo del algoritmo de control HOSM
Supertwisting ……………………………………………………... 214
Figura 5.54 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control HOSM Supertwisting, para una resistencia de
42.2 Ω……………………………………………………………… 215
xvii
Figura 5.55 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control HOSM Supertwisting, para una resistencia de
84.3 Ω …………………………………………………………….. 216
Figura 5.56 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando
un control HOSM Supertwisting, para una resistencia de
452.0 Ω ……………………………………………………………. 216
Figura 5.57 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω Y C= 43.2 F…………………………………………… 217
Figura 5.58 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω y C= 75.1 F…………………………………………… 218
Figura 5.59 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RC en serie,
R= 42.2 Ω y C= 115.2 F………………………………………….. 218
Figura 5.60 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH………………………………………….. 219
Figura 5.61 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH………………………………………… 220
Figura 5.62 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
control HOSM Supertwisting, para una carga RL en serie,
R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH………………………………………… 220
Figura 5.63 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
HOSM Supertwisting, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R= 215.7 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.096…………………………………………………………. 221
Figura 5.64 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
HOSM Supertwisting, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R = 452.7 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.043…………………………………………………………. 222
Figura 5.65 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un
HOSM Supertwisting, para un rectificador de onda completa
conectado con un filtro RC, R= 1000 Ω y C= 220 F, con
FC = 1.019…………………………………………………………. 222
Figura 5.66 Porcentajes de THDv obtenidos de forma experimental
contra resistencias de prueba para cada uno de los algoritmos
de control…………………………………………………………. 223
xviii
Figura 5.67 Gráficas comparativas de los picos de corriente obtenidos
experimentalmente en cargas no lineales en cada uno de los
algoritmos de control ……………………………………………. 227
Figura 5.68 Gráficas comparativas de la duración de los picos de corriente
obtenidos experimentalmente en cargas no lineales en cada
uno de los algoritmos de control………………………………... 228
Figura 5.69 Gráficas de los porcentajes de THDv obtenidos
experimentalmente para cargas no lineales de cada uno de los
algoritmos de control…………………………………………….. 229
A.1 Estabilidad asintótica en el sentido de Lyapunov……………... 245
B.1 Controlador PI, diseño del control P+CRES y PI obtenido con
la herramienta sisotool de Matlab………………………………. 249
B.2 Diagramas de bode, lugar geométrico de las raíces y
respuesta al escalón del sistema para el controlador PI,
P+CRES…………………………………………………………… 249
B.3 Controlador PI, diseño del control ISMC en lazo de corriente
obtenido con la herramienta sisotool de Matlab………………. 253
B.4 Diagramas de bode, lugar geométrico de las raíces y
respuesta al escalón del sistema para el controlador ISMC en
lazo de corriente………………………………………………….. 253
C.1 Señal triangular portadora, acciones de cualificación con el
valor del registro CMPA………………………………………… 258
C.2 Configuración de la banda de tiempo muerto en alto
complementario………………………………………………….. 259
C.3 Diagrama de flujo en modo operación normal de los
algoritmos de control…………………………………………….. 266
C.4 Diagrama del flujo de proceso de las funciones y estructuras
de control para el algoritmo P+CRES y PI……………………… 267
xix
LISTA DE TABLAS
Página
Tabla 3.1 Voltaje de salida 𝑉 de acuerdo con el estado de los
interruptores... 61
Tabla 3.2 Parámetros de operación del módulo inversor TIDM-
SOLAR-ONEPHINV…………………………………………….. 67
Tabla 3.3 Valores medidos del módulo de cargas resistivas del
laboratorio de electrónica de potencia…………………………. 68
Tabla 4.1 Valores medidos de los módulos de cargas resistivas y
capacitivas del laboratorio de electrónica de potencia y
cálculos de corriente salida.……………………………………... 99
Tabla 4.2 Valores medidos de los módulos de cargas resistivas e
inductivas del laboratorio de electrónica de potencia y
cálculos de corriente salida.……………………………………... 99
Tabla 4.3 Factores de cresta para la carga no lineal empleados en las
simulaciones de los algoritmos de control.…………………….. 101
Tabla 4.4 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas
resistivas conectadas para el control P+CRES y PI.…………… 105
Tabla 4.5 Mediciones de porcentajes THDv, picos de corriente y su
duración en diferentes cargas no lineales, empleando un
control P+CRES y PI.…………………………………………….. 111
Tabla 4.6 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas
resistivas conectadas para el control SMC con estructura
integrada.......................................................................................... 120
Tabla 4.7 Mediciones de porcentajes THDv, picos de corriente y su
duración en diferentes cargas no lineales, empleando un
control SMC de estructura integrada.………………………….. 127
Tabla 4.8 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas
resistivas conectadas para el control ISMC en lazo de
corriente…………………………………………………………... 132
Tabla 4.9 Mediciones de porcentajes THDv, picos de corriente y su
duración en diferentes cargas no lineales, empleando un
control ISMC en lazo de corriente.……………………………… 140
Tabla 4.10 Tiempos de convergencia del controlador HOSM
Supertwisting al incrementar la frecuencia de conmutación del
modulador PWM.…………………………………………….…. 144
Tabla 4.11 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas
resistivas conectadas para el control HOSM Supertwisting.… 146
Tabla 4.12 Mediciones de porcentajes THDv, picos de corriente y su
duración en diferentes cargas no lineales, empleando un
control HOSM Supertwisting……………………………………. 153
xx
Tabla 4.13 Características del voltaje de rizado para los diferentes
controladores……………………………………………………... 158
Tabla 4.14 Características de los voltajes de sobrepaso para cada uno de
los controladores…………………………………………………. 160
Tabla 4.15 Características de los voltajes y corrientes de salida para una
carga no lineal para cada uno de los controladores…………… 162
Tabla 5.1 Principales equipos e instrumentos de medición para la
implementación y verificación de las leyes de control………... 167
Tabla 5.2 Principales características del DSC TMS320F28335…………… 169
Tabla 5.3 Especificaciones básicas del inversor TIDM-SOLAR-
ONEPHINV………………………………………………………. 171
Tabla 5.4 Factores de escalamiento para las mediciones de las variables
de control del módulo inversor TIDM-SOLAR-ONEPHINV... 172
Tabla 5.5 Métodos de discretización………………………………………. 176
Tabla 5.6 Valores de los coeficientes del control PI para su
implementación………………………………………………….. 179
Tabla 5.7 Valores de los coeficientes del control P+CRES para su
implementación………………………………………………….. 180
Tabla 5.8 Mediciones obtenidas experimentalmente con distintas
cargas resistivas conectadas al inversor, empleando un
control P+CRES y PI……………………………………………... 182
Tabla 5.9 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-capacitivas conectadas, empleando un control
P+CRES y PI………………………………………………………. 184
Tabla 5.10 Mediciones obtenidas experimentalmente con distintas
cargas resistivas-inductivas conectadas, empleando un
control P+CRES y PI……………………………………………... 186
Tabla 5.11 Mediciones obtenidas experimentalmente para cargas no
lineales con diferentes factores de cresta, empleando un
control P+CRES y PI……………………………………………... 188
Tabla 5.12 Valores de los coeficientes del control SMC de estructura
integrada para su implementación……………………………... 193
Tabla 5.13 Mediciones obtenidas experimentalmente con distintas
cargas resistivas conectadas al inversor, empleando un
control SMC con estructura integrada…………………………. 195
Tabla 5.14 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-capacitivas conectadas, empleando un control SMC
con estructura integrada………………………………………… 197
Tabla 5.15 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-inductivas conectadas, empleando un control SMC
con estructura integrada………………………………………… 199
xxi
Tabla 5.16 Mediciones obtenidas experimentalmente para cargas no
lineales con diferentes factores de cresta, empleando un
control SMC con estructura integrada…………………………. 201
Tabla 5.17 Valores de los coeficientes del control ISMC en lazo de
corriente para su implementación……………………………… 203
Tabla 5.18 Mediciones obtenidas experimentalmente con distintas
cargas resistivas conectadas al inversor, empleando un
control ISMC en lazo de corriente………………………………. 205
Tabla 5.19 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-capacitivas conectadas, empleando un control
ISMC en lazo de corriente……………………………………….. 207
Tabla 5.20 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-inductivas conectadas, empleando un control
ISMC en lazo de corriente……………………………………….. 209
Tabla 5.21 Mediciones obtenidas experimentalmente para cargas no
lineales con diferentes factores de cresta, empleando un
control ISMC en lazo de corriente………………………………. 211
Tabla 5.22 Mediciones obtenidas experimentalmente con distintas
cargas resistivas conectadas al inversor, empleando un
control HOSM Supertwisting……………………………………. 215
Tabla 5.23 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-capacitivas conectadas, empleando un control
HOSM Supertwisting……………………………………………. 217
Tabla 5.24 Mediciones experimentales obtenidas con distintas cargas
resistivas-inductivas conectadas, empleando un control
HOSM Supertwisting……………………………………………... 219
Tabla 5.25 Mediciones obtenidas experimentalmente para cargas no
lineales con diferentes factores de cresta, empleando un
control HOSM Supertwisting……………………………………. 221
Tabla 5.26 Ángulos de desfasamiento y corrientes pico experimentales y
teóricos con cada una de las cargas resistiva-capacitiva, para
cada uno de los algoritmos…………………………………….... 224
Tabla 5.27 Ángulos de desfasamiento y corrientes pico experimentales y
teóricos con cada una de las cargas resistiva-inductiva, para
cada uno de los algoritmos……………………………………… 225
Tabla 5.28 Corrientes pico (𝐼 _ ), duración de la espiga de corriente
(∆𝑡) y porcentajes de THDv, experimentales y teóricos, con
diferentes cargas resistivas-capacitivas para cada uno de los
algoritmos………………………………………………………… 226
xxii
NOTACIONES Y ABREVIATURAS:
SG Sistema de Generación
DSC Controlador Digital de Señales
DSP Procesador Digital de Señales
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers
HFn Factor Armónico de la n-ésima armónica
THD Distorsión Armónica Total (Total Harmonic Distortion)
CD Corriente Directa
CA Corriente Alterna
BJT Transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor )
MOSFET Transistor de efecto de campo de metal-oxido semiconductor
(Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor)
GTO Tiristor de apagado en la puerta (Gate Turn Off Thyristor)
IGBT Transistor bipolar de puerta aislada
(Isolated Gate Bipolar Transistor)
VSI Inversor de fuente de voltaje (Voltage Source Inverter)
CSI Inversor de fuente de corriente (Current Source Inverter)
PWM Modulación por Ancho de Pulso (Pulse Width Modulation)
PI Control Proporcional Integral
PR Control Proporcional Resonante
SMC Control por Modos Deslizantes
VSC Control de Estructura Variable (Variable Structure Control)
MIMO Sistemas de Múltiples Entradas y Múltiples Salidas
VSS Sistemas de Estructura Variable (Variable Structure Systems)
CD-CD Convertidor de Corriente Directa a Corriente Directa
CD-CA Convertidor de Corriente Directa a Corriente Alterna
CA-CD Convertidor de Corriente Alterna a Corriente Directa
ISMC Control por Modo Deslizante Integral
(Integral Sliding Mode Control)
HOSM Modos Deslizantes de Orden Superior
(High Order Sliding Modes)
SPWM Modulación por ancho de pulso sinusoidal
(Sinusoidal Pulse Width Modulation)
xxiii
Capítulo 1
Marco teórico conceptual
2
1.1 Antecedentes y definición del problema.
Por las razones anteriores, la generación distribuida (GD) resulta ser una
alternativa de solución a este problema al poder acercar los centros de generación
de energía al consumidor, aprovechando para esto las energías renovables como la
energía solar o eólica. Bajo este esquema de generación, gobiernos y empresas de
diferentes naciones están promoviendo grandes inversiones donde se involucran
recursos humanos y financieros para la investigación y desarrollo de integración de
la energía proveniente de la GD en la red eléctrica de distribución conocidos como
sistemas de generación (SG), los cuales se conectan o desconectan a un sistema de
generación centralizado. En este contexto, la dinámica de cogeneración energética
empleando energías renovables toma importancia, principalmente donde la
ausencia de suministro eléctrico es notable, como en lugares remotos apartados de
las grandes urbes. Debido a lo anterior, es posible implementar interfaces
denominadas microrredes, que son pequeños sistemas inteligentes de distribución
eléctrica autogestionados localmente, con la capacidad de conectarse tanto a la red
eléctrica pública de distribución como aislados de la misma (condición en modo isla)
[1]. Bajo este contexto anterior, el inversor desempeña un papel importante, debido
a que es interfaz entre las fuentes de energía renovables y la red eléctrica de
distribución, por lo que será necesario contar con algoritmos de control que
garanticen un buen funcionamiento del mismo, así como, de su conexión y
desconexión a la red de distribución eléctrica.
3
como los que se analizaran e implementaran en el presente trabajo de tesis, que
permitirán mejorar el rendimiento de los sistemas donde estos sean aplicados,
particularmente donde haya que alimentar cargas no lineales que producen
distorsión armónica en la señal de corriente afectando la forma de onda, amplitud y
frecuencia de las señales de tensión que habrán de entregarse a la carga [2],[3]. Un
ejemplo de lo anterior es cuando se emplea inversores operando en modo isla, donde
la forma de onda, su amplitud y frecuencia generadas no debe contener un alto
contenido armónico en la señal de voltaje que se suministra a la carga. Este tipo de
problemas ha propiciado un mayor interés en el desarrollo de los llamados métodos
de control, para disminuir algunos de estos efectos no deseados. La figura 1.1
muestra los armónicos que pueden estar presentes en una onda senoidal.
𝑉 (1.1)
𝐻𝐹 =
𝑉
4
Distorsión armónica total (THDv). Es una medida de la coincidencia de formas
entre una onda y su componente fundamental y está definida por:
1 (1.2)
𝑇𝐻𝐷𝑣 = 𝑉
𝑉
, ,..
5
1.3 Justificación.
1.4.1 Tesis.
6
En 2017 [8], J. A. Maysse Roque realiza la implementación de un controlador
proporcional integral (PI), un controlador proporcional integral más proporcional
(PI+P) con un controlador Posicast, empleando el modelo lineal de pequeña señal
con la técnica del modelo conmutado PWM, mejorando el seguimiento a la consigna
de referencia disminuyendo la distorsión armónica total de voltaje (THDv) en la
salida del inversor monofásico.
7
En 2015 [15], C. Gobbato implementa un control de modos deslizantes
discretizado con estructura integrada a frecuencia fija, en un sistema con controlador
digital de señales, obteniendo un porcentaje menor al 2% en la distorsión armónica
total de voltaje (THDV) en cargas resistivas.
1.4.2 Artículos.
8
D. Cortes, J. Álvarez, E. M. Navarro López y C. Castro [22], presentan en 2007 la
equivalencia en la implementación del control por modos deslizantes y el control
promediado. Emplean un control de modos deslizante integral a una frecuencia fija
en un convertidor Boost.
9
1.4.3 Libros.
10
Sliding Mode Control Theory and Applications. En el capítulo 3 Sliding Mode
Control, C. Edwards y S. K. Spurgeon [39] desarrollan los principios matemáticos del
control de modos deslizantes, fundamenta la existencia de un modo deslizante y el
control equivalente a partir del concepto de estabilidad de Lyapunov.
11
1.6 Inversores.
Todos los inversores operan por medio del control de encendido y apagado de
interruptores controlados. La categoría de los semiconductores de potencia incluye
una gran variedad de dispositivos como se muestra en la figura 1.2 incluyendo BJT
(Bipolar Junction Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Efect
Transistor), GTO (Gate Turn On Thyristor), IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor), etc.
Todos los inversores modernos utilizan el IGBT como dispositivo de conmutación
principal, El MOSFET es utilizado especialmente en aplicaciones de baja tensión o
potencia y en aquellas aplicaciones donde se requiere una alta frecuencia de
conmutación [36]. Los criterios más importantes para la selección del dispositivo a
emplear en aplicaciones de electrónica de potencia comprenden: capacidad de cada
dispositivo, pérdidas por conducción, pérdidas de conmutación, frecuencia de
conmutación, estrategia de control a emplear y el costo.
12
En los inversores ideales, las formas de onda de voltaje de salida deberían ser
senoidales, sin embargo, en los inversores reales no son ondas senoidales puras y
contienen ciertos componentes armónicos. Para aplicaciones de mediana y baja
potencia, se pueden aceptar los voltajes de onda cuadrada o cuasi cuadrada, para
aplicaciones de alta potencia y ciertas aplicaciones de instrumentación, son
necesarias las formas de onda sinusoidales de baja distorsión [35],[36]. El inversor
es caracterizado por la potencia que suministra a una determinada carga desde unos
Watts hasta varios MegaWatts y por una eficiencia que depende de la potencia
entregada. Además, de mantener un valor eficaz a un voltaje o una corriente
constantes a la salida de CA, el inversor debe convertir la potencia de entrada en la
potencia de salida con la mayor eficiencia posible [34]. Los inversores se encuentran
en una gran variedad de configuraciones tales como: los de puente completo o
medio puente, monofásicos o trifásicos, de alta frecuencia o baja frecuencia, los
conmutados por línea o auto conmutados, existen algunos criterios para clasificar
los inversores, tales como:
Existen inversores del tipo VSI (Voltage Source Inverter), donde el voltaje de
alimentación permanece constante y los inversores de tipo CSI (Current Source
Inverter), donde la corriente de alimentación permanece constante. Los VSI se puede
clasificar como:
13
El principio básico de estas modulaciones consiste en comparar la señal de
control (Moduladora) con una señal triangular (Portadora), generando así una
modulación en ancho de pulso; dependiendo de qué tipo de combinaciones de estas
señales se apliquen a cada interruptor se obtiene uno u otro tipo de modulación [34]-
[36]. Las siguientes definiciones relacionan la señal moduladora y la portadora en su
amplitud y frecuencia y son:
𝑉 (1.3)
𝑚 =
𝑉
14
En la zona lineal, el ancho de los pulsos obtenido en la modulación aumenta a
medida que lo hace la tensión de referencia, en la zona de sobremodulación en la
que dos o más pulsos se unen formando un único pulso y en la zona de onda
cuadrada en la que únicamente hay un pulso por semiciclo [52].
𝑓 (1.4)
𝑚 =
𝑓
𝑉 >𝑉 ⟹ 𝑆 𝑦 𝑆 [𝑂𝑁]
𝑉 <𝑉 ⟹ 𝑆 𝑦 𝑆 [𝑂𝑁]
15
La figura 1.5 muestra la implementación de la modulación bipolar, donde se
observa la operación de comparación de la señal moduladora y la portadora,
habilitando los interruptores S1, S2, S3 y S4 del inversor con las condiciones antes
citadas.
16
La figura 1.7 muestra el espectro de frecuencias, donde se observa que los
primeros armónicos aparecen a la frecuencia de conmutación, la cual no es una
característica adecuada en comparación con la modulación unipolar [35].
17
Figura 1.8 Implementación de la modulación bipolar con elemento de comparación
entre la moduladora y portadora [35].
18
Figura 1.10 Espectro armónico de una modulación unipolar [35].
19
de control o de consigna, integrando esta desviación en el tiempo y sumándola. Este
controlador cumple con tal objetivo siempre y cuando la referencia y las
perturbaciones sean constantes, lo cual, se presenta cuando las cargas alimentadas
por el inversor son lineales; sin embargo, ante la presencia de cargas no lineales su
rendimiento disminuye considerablemente, ya que, a la frecuencia de los armónicos
de la carga, presenta una ganancia pequeña.
𝐾 (1.5)
𝑢(𝑡) = 𝐾 𝑒(𝑡) + 𝑒(𝑡)𝑑𝑡
𝑇
𝑈(𝑠) 1 (1.6)
=𝐾 1+
𝐸(𝑠) 𝑇𝑠
𝐾 2𝜋𝑓 𝑠 (1.7)
𝐺 (𝑠) = 𝐾 +
𝑠 + (2𝜋𝑓 )𝑠 + (2𝜋𝑓 )
20
1.7.3 Representación en variables de estado.
21
permanecer en la superficie deslizante por medio de un controlador discontinuo.
Una vez alcanzada la superficie deslizante, el controlador conmutara de forma ideal
a una frecuencia infinita, provocando que los estados del sistema permanezcan en
ella [53], [54], [57].
22
memoria. Tanto es así, que la eficiencia de código ya no es un factor preponderante,
con lo que la utilización de sistemas de simulación que generan código de control
de forma automática como PSIM y Matlab/Simulink empieza a ser una opción más
que viable en la actualidad. Esto implica una gran ventaja, pues permite desarrollar
de forma rápida y fiable algoritmos de control en plataformas de alto nivel, y por
tanto en un tiempo reducido, mientras que la conversión a código es rápida y
automática [42]. El controlador digital de señales (DSC) es un procesador digital de
señales (DSP) dedicado al control, ofrece diversas ventajas sobre los sistemas
tradicionales analógicos. Los sistemas basados en DSC son capaces de lograr con un
menor costo la implementación de algunas tareas que podrían ser difíciles usando
sistemas analógicos. Tienen la versatilidad de cambiar valores o algoritmos de
programación, lo que hace a los sistemas con DSC altamente competitivos.
23
El módulo inversor tiene una entrada nominal de 400 V en DC y su salida es de
600 Watts, la cual se puede inyectar a la red u operar en modo isla. Este módulo se
utiliza en muchos campos como los sistemas de control de motores, UPS e inversores
fotovoltaicos. La función principal del inversor es convertir energía de CD en
energía de CA mediante el uso de la electrónica de potencia, en este caso en
particular el IGBT. Los inversores son implementados por componentes analógicos,
sin embargo, para su control se emplea un DSC de alto rendimiento. Para
implementar el control del inversor es necesario implementar una estructura de
control, a través de alguna implementación discreta y su programación
correspondiente. El módulo de inversor solar contiene una ranura DIM100 capaz de
alojar un DSC de Texas Instruments, tal como el TMS320F28335 o alguno
compatible, además de contener los sensores de voltaje y corriente necesarios para
la implementación de algoritmos de control [83].
1.11 Aportaciones.
24
1.12 Estructura de la tesis.
La presente tesis está integrada por seis capítulos que se detallan a continuación:
Capítulo 2 “Descripción del control de modos deslizantes”. Se hace una extensa revisión
de los fundamentos matemáticos de los sistemas de estructura variable y su
aplicación al control de modos deslizantes, sus propiedades, características y la
metodología de diseño para su implementación.
25
26
Capítulo 2
Descripción del control de modos
deslizantes
27
2.1 Sistemas de control de estructura variable y modos deslizantes.
Los sistemas de control con VSS son un tipo de sistema de control no lineal, en
los que la estructura del controlador varía de tal forma que un punto representativo
del sistema debe seguir una trayectoria definida en el espacio de estados. Esto ocurre
cuando se satisfacen ciertas condiciones, por lo que se menciona que el estado se
“desliza” sobre esta superficie, siendo insensible a variaciones en los parámetros de
la planta y a perturbaciones externas. Bajo esta condición, la ley de control cambia
deliberadamente durante el proceso de control, de acuerdo con algunas reglas
definidas que dependerán del estado del sistema. La teoría de los VSS y el modo
deslizante se desarrolló hace décadas en la Unión Soviética, principalmente por
Vadim I. Utkin y David K. Young [39],[40].
29
Considere el efecto de usar realimentación en la ley de control.
𝑦̇ 𝑦̈ = −𝑘𝑦̇ 𝑦 (2.3)
𝑦̇ + 𝑘𝑦 = 𝑐 (2.4)
30
La ley de control u=-k2y solo tendrá efecto en los cuadrantes señalados en la
región (a). En esta región, la distancia del origen hacia los puntos del plano de fase
disminuye a lo largo de la trayectoria del sistema. De la misma forma ocurrirá en la
región (b), cuando la ley de control u=-k1y está en operación, la distancia del origen
hacia los puntos del plano de fase disminuye a lo largo de la trayectoria del sistema
[39]. El plano de fase del sistema de lazo cerrado se encuentra bajo una ley de control
de estructura variable u, la cual se obtiene empalmando ambas regiones de los
planos de fases. De esta forma, se obtiene un plano de fase en forma de una espiral,
que converge hacia el origen y el movimiento resulta ser asintóticamente estable, tal
como se observa en la figura (2.2).
Figura 2.2 Plano de fase bajo el sistema de control de estructura variable [39].
𝑉(𝑦, 𝑦̇ ) = 𝑦 + 𝑦̇
(2.6)
Que representa el cuadrado de la distancia de cualquier punto (𝑦, 𝑦̇ ) al origen
del plano de fase, desde el punto de vista físico representa la energía del sistema. La
derivada en el tiempo de 𝑉(𝑦, 𝑦̇ ) a lazo cerrado y sus trayectorias están dadas por:
De otra manera:
2𝑦̇ 𝑦(1 + 𝑘 ) 𝑦𝑦̇ < 0
𝑉̇ = (2.8)
2𝑦̇ 𝑦(1 + 𝑘 ) 𝑦𝑦̇ > 0
31
Esta función es siempre negativa, debido a que los valores (𝑦, 𝑦̇ ) tienden a cero,
por lo tanto, la distancia al origen es siempre decreciente. A partir de este análisis se
concluye:
−1 𝑠(𝑦, 𝑦̇ ) > 0
𝑢(𝑡) =
1 𝑠(𝑦, 𝑦̇ ) < 0 (2.9)
𝑠(𝑦, 𝑦̇ ) = 𝑚𝑦 + 𝑦̇
(2.10)
Considerando m un escalar positivo, la razón por la cual se utiliza el término
función de conmutación, es para decidir cuál estructura de control es empleada en
cualquier punto (𝑦, 𝑦̇ ) en el plano de fase. Reescribiendo (2.9) se obtiene:
Donde 𝑠𝑖𝑔𝑛() es la función signum, que se muestra en la figura 2.3, la cual exhibe
la siguiente propiedad:
32
(2.9) se emplea para el control del doble integrador, para valores grandes de 𝑦̇ ,
el plano de fase se obtiene uniendo las trayectorias parabólicas de las leyes que la
constituyen. La ecuación de la línea recta representa el conjunto de puntos para los
cuales 𝑠(𝑦, 𝑦̇ ) = 0, en este caso la línea recta atraviesa el origen con una pendiente
de -m. Para valores de 𝑦̇ que satisfagan la desigualdad 𝑚|𝑦̇ | < 1, se tiene:
lim 𝑠̇ < 0
→
𝑦 lim 𝑠̇ > 0
→
(2.14)
Por consecuencia, cuando 𝑚|𝑦̇ | < 1 la trayectoria del sistema está sobre un lado
u otro de la línea.
Idealmente existe una alta frecuencia de conmutación entre las dos diferentes
estructuras de control cruzando repetidamente la línea recta, que una vez
interceptada por el control conmutado permanecerá en la trayectoria de estado en la
superficie deslizante. Si se verifica constantemente el estado de la planta, este tipo
de movimiento se considera un modo deslizante ideal [39].
33
Figura 2.4 Plano de fase de un modo deslizante [39].
34
2.2 Propiedades de los modos deslizantes.
De esta manera, cuando 𝑠̇ (𝑡) = 0 para toda t>ts, de este resultado se obtiene, la
ley de control que mantiene el movimiento sobre ℓ es:
35
2.3 Formulación matemática de los modos deslizantes.
1. Diseño de una nueva variable ‘s’, que se denominara "superficie deslizante", este
diseño debe ser el adecuado para asegurar la estabilidad de las soluciones de un
sistema de lazo cerrado. Es decir, debe ser tal que cuando las variables de estado
del sistema empiecen a tomar soluciones estables, dichas soluciones son
asintóticamente estables o estables en tiempo finito [39],[40],[50].
2. Diseño del control por modos deslizantes “u”, que se denominara “control
equivalente”, este diseño está basado principalmente en considerar alguna
función de Lyapunov llamada función candidata. La cual nos ayuda a diseñar el
controlador adecuado para lograr que la superficie deslizante ‘s’ converja a cero
en un tiempo finito; donde este control será capaz de seguir manteniendo ‘s=0’
para todo tiempo posterior [39],[40],[50].
36
2.3.1 Condición Hitting.
37
2.3.2 Condición de existencia.
lim 𝑠̇ < 0
→
𝑦 lim 𝑠̇ > 0
⟶
(2.26)
38
2.3.4 Control equivalente.
Entonces:
39
La componente de alta frecuencia chattering o castañeo se debe filtrar, de tal forma
que el movimiento de la trayectoria sea determinado únicamente por la componente
de baja frecuencia. Por lo tanto, se debe considerar solo la conmutación continúa de
baja frecuencia 𝑢 (𝑡), como la acción de control capaz de generar una trayectoria
SMC casi equivalente a la trayectoria ideal.
𝜕𝑠 𝑑𝑥 𝜕𝑠
𝑠̇ = = 𝑓(𝑥, 𝑢, 𝑑) = 0
𝜕𝑥 𝑑𝑡 𝜕𝑥 (2.30)
Esto representa una ecuación algebraica en ‘x’, ‘u’ y ‘d’, y por definición, la señal
de control equivalente 𝑢 (𝑡) es la función de control continúo requerida para
mantener el deslizamiento, que está dada por:
𝜕𝑠
𝑓(𝑥, 𝑢, 𝑑) = 0
𝜕𝑥 (2.31)
𝑥̇ = 𝑓(𝑥) + 𝑔(𝑥)𝑢 + 𝑑
(2.32)
La estructura asegura que para una ‘x’ dada, se tiene una entrada de control. En
consecuencia, de (2.31) se obtiene:
𝜕𝑠 𝜕𝑠 𝜕𝑠
𝑓(𝑥) + 𝑔(𝑥)𝑢 + 𝑑=0 (2.33)
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥
𝜕𝑠 𝜕𝑠 𝜕𝑠 𝜕𝑠
𝑢 =− 𝑔(𝑥) 𝑓(𝑥) − 𝑔(𝑥) 𝑑=0 (2.34)
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥
40
La respuesta en lazo cerrado se obtiene sustituyendo (2.34) en (2.32).
𝜕𝑠 𝜕𝑠 𝜕𝑠 𝜕𝑠
𝑥̇ = 𝐼 − 𝑔(𝑥) 𝑔(𝑥) 𝑓(𝑥) + 𝐼 − 𝑔(𝑥) 𝑑
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 (2.35)
La expresión (2.35) describe el movimiento del sistema operando con SMC con
el control equivalente [39],[40],[50],[57] Si se cumple con las condiciones de
invarianza 𝑠 = 𝑠̇ = 0, que expresan que las trayectorias de estado están
evolucionando sobre la superficie de deslizamiento.
Muchas de las ideas relacionadas con los modos deslizantes se explican a través
de sus interpretaciones geométricas tal como: el uso de la derivada direccional o
derivada de Lie, que se presenta al estudiar sistemas dinámicos en general. La
misma notación es una notación compacta para las derivadas de funciones escalares
en dirección de uno o más campos vectoriales [39],[40],[57].
41
Dados un campo escalar ℎ(𝑥) y un campo vectorial 𝑓(𝑥) en el espacio de estados
con ℎ: ℝ → ℝ y 𝑓: ℝ → ℝ , la derivada de Lie se define como la función escalar
𝐿 ℎ: ℝ → ℝ, dada por:
𝜕ℎ
𝐿 ℎ(𝑥) = 𝑓(𝑥) (2.36)
𝜕𝑥
𝜕ℎ 𝜕ℎ 𝜕ℎ 𝜕ℎ
∇ℎ(𝑥) = = ⋯ (2.37)
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥
El cual es un vector, que indica para cada punto x, la dirección en la cual ℎ(𝑥)
varía más rápidamente y el ritmo al cual cambia en esa dirección. 𝐿 ℎ(𝑥) es una
función escalar, la cual se aplica de manera recursiva en dirección del mismo campo
vectorial de forma iterativa [39],[40]. Para el primer caso se tiene:
𝜕
𝐿 ℎ(𝑥) = 𝐿 ℎ(𝑥) 𝑓(𝑥) (2.38)
𝜕𝑥
𝜕
𝐿 𝐿 ℎ(𝑥) = 𝐿 ℎ(𝑥) 𝑔(𝑥) (2.39)
𝜕𝑥
𝜕ℎ
𝑠̇ (𝑥) = 𝐿 𝑠(𝑥) = 𝑓(𝑥) (2.40)
𝜕𝑥
42
La expresión (2.42) implica que la variación de la función de restricción 𝑠(𝑥) en
la dirección del campo controlado siempre se opone al signo de 𝑠(𝑥), con la cual
queda garantizada el cruce con la superficie deslizante desde ambos lados de la
misma [39],[40],[50],[57].
𝑠̇ = 𝐿 𝑠 =𝐿 𝑠+𝐿 𝑠𝑢 (2.43)
43
2.3.7 Conceptos de diseño.
44
2.4 Control de modos deslizantes con estructura integrada.
Esta estructura se emplea para superar algunos de los problemas que se tienen
en una estructura en cascada, tales como: su implementación física y las dinámicas
no modeladas que se presentan en un lazo de control interno o externo. Para cumplir
con este objetivo se propone un control de modo deslizante, en el cual se sigue una
trayectoria de referencia dada, en donde el lazo interior se encuentra implícito.
Las ventajas de emplear una estructura integrada son una rápida dinámica de
respuesta y una alta robustez con respecto a perturbaciones [39],[40],[54]. Para
aplicar un SMC con estructura integrada, el sistema debe estar descrito de la forma:
𝑥̇ 0 1 𝑥 0 0
= 𝑥 + + 𝑢 (2.46)
𝑥̇ −𝑎 −𝑎 𝑓(𝑡) −𝑏
𝑠(𝑥) = 𝑥 + 𝜆𝑥 (2.47)
𝑢 = 𝑢 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠(𝑥)) (2.48)
1
𝑢 > |𝜆𝑥 − 𝑎 𝑥 − 𝑎 𝑥 + 𝑓(𝑡)| (2.50)
𝑏
45
2.5 Control por modo deslizante integral ISMC.
46
Como ℎ (𝑥, 𝑡) son funciones escalares positivas, el diseño del control se obtiene
al encontrar una ley de control 𝑢(𝑥, 𝑡), tal que las trayectorias del sistema cumplan
con 𝑥(𝑡) = 𝑥 (𝑡), apartir del instante de tiempo inicial, es decir: 𝑥(0) = 𝑥 (0). Para el
sistema se redefine la ley de control como:
𝑢 =𝑢 +𝑢 (2.56)
47
2.6. Control de modos deslizantes de orden superior HOSM.
48
derivadas totales continuas de ‘s’ en la vecindad del modo deslizante. Por lo tanto,
el r-ésimo orden del modo deslizante se determina por la igualdad:
𝑠 = 𝑠̇ = 𝑠̈ = ⋯ = 𝑠 =0 (2.62)
Formando una condición r-dimensional, sobre el estado del sistema dinámico, los
modos deslizantes estándar sobre los cuales la mayoría de los sistemas de estructura
variable están basados son de primer orden (𝑠̇ es discontinua). Mientras que los
modos deslizantes estándar cuentan con convergencia en tiempo finito, la
convergencia de HOSM puede ser asintótica. La realización del r-modo deslizante
proporciona hasta el r-ésimo orden de precisión de deslizamiento con respecto al
intervalo de medición.
𝜕𝑠 𝜕𝑠
𝑠̇ = + 𝑓(𝑥, 𝑡) + 𝑏(𝑡)𝑢(𝑡)
𝜕𝑡 𝜕𝑥
𝜕𝑠̇ 𝜕𝑠̇ 𝜕𝑠̇ (2.64)
𝑠̈ = + 𝑓(𝑥, 𝑡) + 𝑏(𝑡)𝑢(𝑡) + 𝑢̇ (𝑡)
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥
49
Suponiendo que las constantes 𝜙, Γ ,Γ son constantes positivas.
𝜕𝑠̇ 𝜕𝑠̇
+ 𝑓(𝑥, 𝑡) + 𝑏(𝑡)𝑢(𝑡) <𝜙
𝜕𝑡 𝜕𝑥 (2.65)
𝜕𝑠̇
0≤Γ ≤ ≤Γ
𝜕𝑢
𝑢 = −𝑐 |𝑠|𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) + 𝑣
(2.66)
𝑣̇ = −𝑐 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠)
Donde:
𝜙
⎧𝑐 >
⎪ Γ
(2.67)
⎨ 2 (Γ ∙ 𝑐 + 𝜙) ∙ Γ (1 + 𝑞)
⎪𝑐 ≥ (Γ ∙ 𝑐 − 𝜙)
⎩ Γ ∙ (1 − 𝑞)
Con 0 < 𝑞 < 1, si las condiciones dadas en (2.67) son satisfechas el control dado
en (2.66) conducen a la superficie ′𝑠 a cero en un tiempo finito [74].
50
Figura 2.13 Plano de fase algoritmo Supertwisting [59].
51
conmutación infinita, para el caso más práctico de tener un límite superior para la
frecuencia de conmutación, la trayectoria del sistema no envuelve a la superficie;
pero la mantiene dentro de una capa que la rodea. En este caso, esto se escribe de la
forma:
Donde 𝑥 es el vector de estado promediado del sistema, ‘f’ y ‘g’ son campos de
vectores continuos y 𝑑 ∈ [0,1] es el ciclo de trabajo. El proceso de diseño del
controlador produce una expresión para el ciclo de trabajo.
𝑁𝑢𝑚(𝑥)
𝑑= (2.72)
𝐷𝑒𝑛(𝑥)
52
Esta señal debe ser llevada a través de un PWM para hacer la conmutación
actual, probando que ‘ueq’ es el promedio de ‘u’. De ahí el rendimiento de un
controlador por modos deslizantes, ‘u’ debe tener el rendimiento de un controlador
promedio ‘d’ siempre que ‘ueq = d’.
La figura 2.15 (a) muestra la implementación del SMC y la figura 2.15 (b) muestra
la implementación del control promediado, en ambas se observa la relación del
control promediado PWM con el control equivalente del SMC, por lo que es posible
diseñar un controlador por modos deslizantes e interpretarlo con un PWM a una
frecuencia fija; estableciendo una equivalencia entre ‘ueq’ y ‘d’, esto asegura que
𝐷𝑒𝑛(𝑥)𝑢 = 𝑁𝑢𝑚(𝑥) [22].
53
Capítulo 3
Modelos de un inversor operando en
modo isla y controles propuestos
55
3.1 Estructuras de control en un inversor.
57
3.1.2 Control de voltaje en doble lazo de realimentación.
Las señales son sensadas y comparadas con sus señales de referencia respectivas,
para obtener respectivamente las señales de error de cada lazo de control, que a su
vez son reguladas por los controladores de voltaje y corriente, Particularmente, el
controlador de corriente proporciona una consigna al modulador PWM para obtener
un ciclo de trabajo que es aplicado en los interruptores del inversor[46].
Debido a que los inversores son circuitos no lineales, se realiza una linealización
en torno a su punto de operación, con el propósito de aplicar técnicas de control
lineal [70].Las dos técnicas más empleadas son:
58
3.2 Modelo del conmutador PWM.
Una topología común del modelo del conmutador, se muestra en la figura 3.4
donde un interruptor “activo” (transistor) y un interruptor “pasivo” (diodo) se
conectan a una fuente de voltaje (condensador) y una fuente de corriente (inductor)
[7],[10],[19]
59
La figura 3.5 muestra el circuito equivalente en el punto de operación del
conmutador PWM en CCM.
Donde:
𝑉 =𝐷∙𝑉
(3.1)
𝐼 =𝐷∙𝐼
Figura 3.6 Circuito en pequeña señal del conmutador PWM en CCM [7].
60
3.2.2 Modelo en pequeña señal y en el punto de operación del
inversor en modo isla.
La figura 3.7 muestra el esquema básico del circuito inversor de puente completo
para su operación en modo isla, para su análisis en pequeña señal este se aproxima
a un circuito Buck, teniendo en cuenta que, para el punto de operación, se manejan
señales periódicas variantes en el tiempo.
Figura 3.7 Esquema del circuito inversor para operación en modo isla [10].
61
Para obtener una voltaje de salida 𝑉 igual a cero se pueden cerrar al mismo
tiempo los interruptores 𝑆 y 𝑆 o bien 𝑆 y 𝑆 ; otra forma de obtener un voltaje de
salida nulo es eliminando las señales de control en los interruptores electrónicos, es
decir, manteniendo abiertos todos los interruptores [4], [9], [10], [48].
Figura 3.8 Sentido de las corrientes de salida del inversor de puente completo
para a) D b) 1-D [52].
La figura 3.9 muestra cada uno de los circuitos Buck, los cuales son obtenidos a
partir del circuito equivalente del inversor, considerando para cada uno ellos los
ciclos de trabajo, donde A (Activo), P (Pasivo), C (Común) y S (Interruptor).
Figura 3.9 Circuitos Buck obtenidos a partir del circuito inversor de puente
completo, considerando a) D b) 1-D [52].
62
Combinando los circuitos equivalentes de la figura 3.9 (a) y de la figura 3.9 (b)
del inversor de puente completo y aplicando el modelo equivalente del conmutador
PWM en el punto de operación, se obtiene el modelo equivalente mostrado en la
figura 3.10.
De la figura 3.10 se obtienen las relaciones del voltaje de salida del inversor con
relación al voltaje de corriente directa de la fuente entrada y del ciclo de trabajo
aplicado al inversor; además de la corriente en el inductor en términos de la corriente
de la fuente de corriente directa de entrada y del ciclo de trabajo aplicado al inversor
[9], [13],[47].
𝑉 +𝑣 = (𝑉 +𝑣 ) 2 𝐷+𝑑 −1 (3.4)
𝐼 + 𝚤̂ = (𝐼 + 𝚤̂ ) 2 𝐷 + 𝑑 − 1 (3.5)
𝑉 = 𝑉 (2𝐷 − 1) (3.6)
𝑣 =𝑣 (2𝐷 − 1) + 2𝑉 𝑑 (3.7)
63
De forma similar se obtienen los términos en el punto de operación y de pequeña
señal para la corriente en el inductor del inversor.
𝐼 = 𝐼 (2𝐷 − 1) (3.8)
𝚤̂ = 𝐼 (2 ∙ 𝐷 − 1) + 2𝐼 𝑑 (3.9)
√2 ∙ 𝑉 √2 ∙ 𝑉 (3.10)
𝐼 = cos(𝜔𝑡) + cos(𝜔𝑡 − 𝜙 )
𝑅 |𝑍 |
1 𝑉 𝜔𝐿 𝜔𝐿
𝐷(𝑡) = + − 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡) − 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡 − 𝜙 ) + 𝑐𝑜𝑠(𝜔𝑡) (3.11)
2 √2 ∙ 𝑉 𝑅 |𝑍 |
64
Siendo:
1
|𝑍 | = (𝑅 ) +
𝜔∙𝐶
1 (3.12)
𝜙 = 𝑎𝑛𝑔𝑡𝑎𝑛 −
𝜔∙𝐶∙𝑅
Figura 3.13 Esquema de control de corriente media ACC para inversor [8].
Donde:
𝐺 ( ) es la función de transferencia del controlador de voltaje.
𝐺 ( ) es la función de transferencia del controlador de corriente.
𝑅𝐷(𝑠) representa un retardo digital de un periodo de conmutación (𝑇 ).
𝑠 ∙ 𝑇 (𝑠 ∙ 𝑇 )
1− +
𝑅𝐷(𝑠) = 𝑒 = 2 8
𝑠 ∙ 𝑇 (𝑠 ∙ 𝑇 ) (3.13)
1+ +
2 8
1
𝐹 =
𝑉 (3.14)
65
Para obtener las funciones de transferencia en lazo abierto de la etapa de
potencia que relacionan el voltaje de salida y el ciclo de trabajo 𝐺 _ , así como la
corriente en el inductor de salida y el ciclo de trabajo 𝐺 _ , a partir del modelo de
pequeña señal, se consideran las siguientes relaciones:
𝑉
𝐺 _ (𝑠) = (3.15)
𝑑
2∙𝑉 ∙ 𝑑 = 𝑠 ∙ 𝐿 ∙ 𝚤̂ + 𝑉 (3.16)
Despejando 𝚤̂ :
2∙𝑉 ∙𝑑−𝑉
𝚤̂ = (3.17)
𝑠∙𝐿
Donde:
𝑉
𝚤̂ = (3.18)
𝑍
𝑉 = 𝚤̂ ∙ 𝑍 (3.19)
𝑉 2∙𝑉 ∙𝑑−𝑉
= (3.20)
𝑍 𝑠∙𝐿
𝑉 2∙𝑉 ∙𝑍
𝐺 _ (𝑠) = = (3.21)
𝑑 𝑍 +𝑠∙𝐿
Donde:
1 (𝑠 ∙ 𝐶 ∙ 𝑅 + 1)𝑅
𝑍 = 𝑅 + ∥𝑅 = (3.22)
𝑠𝐶 𝑠 ∙ 𝐶(𝑅 + 𝑅 )+1
66
La segunda función de transferencia 𝐺 (𝑠), se obtiene teniendo en cuenta la
siguiente relación:
𝚤̂
𝐺 (𝑠) =
_
𝑑 (3.23)
𝚤̂ 2∙𝑉
𝐺 (𝑠) = =
_
𝑑 𝑍 +𝑠∙𝐿 (3.24)
67
Tabla 3.3 Valores medidos del módulo de cargas resistivas del laboratorio de
electrónica de potencia.
Resistencia
[Ω]
42.2
47.0
53.0
60.8
70.1
84.3
104.9
141.4
215.7
452.0
Las figuras 3.14 y 3.15 muestran los diagramas de Bode de las funciones de
transferencia de 𝐺 _ (𝑠) y 𝐺 _ (𝑠), con las resistencias medidas del módulo de
cargas resistivas.
68
Figura 3.15 Diagramas de Bode de Gvo_d(s) a diferentes cargas resistivas.
69
Para el diseño se tiene ℎ = 1, 𝐾 = 100, 𝐵 = 2𝜋, 𝜔 = 2𝜋60, el valor de la
constante proporcional 𝑘 , se determina empleando la siguiente expresión:
𝐿∙𝜔 _ (3.26)
𝑘 = = 0.6972
𝑅 ∙𝐹 ∙2∙𝑉
Para una carga de 42.2 Ω, donde se tiene la mayor demanda de corriente del
inversor, el controlador proporciona un margen de ganancia de 8.06 dB con un
margen de fase de 69.2° y un ancho de banda de 2.16 kHz.
Figura 3.16 Diagramas de Bode de 𝑻𝒊 (𝒔) del lazo de corriente a diferentes cargas
resistivas.
70
De la corriente del inductor y el voltaje del capacitor:
𝐼 𝑇 (𝑠)
𝐺 _ (𝑠) = = (3.28)
𝑉 𝑅 [1 + 𝑇 (𝑠)]
𝑉 𝐼 𝑉 𝐼 𝐼 𝑉
𝐺 _ (𝑠) = ∙ = ∙ ∙ = (3.29)
𝐼 𝑉 𝑑 𝑑 𝑉 𝑉
4000.581
𝑃𝐼(𝑠) = 0.6450 +
𝑠 (3.30)
Figura 3.17 Diagrama de Bode del lazo de corriente con el controlador PI.
71
3.3 Modelo promediado en variables de estado de un inversor
monofásico.
La figura 3.18 muestra el inversor conectado con una carga resistiva, la dinámica
y complejidad en el modelado se determina principalmente por el filtro LC, la carga
conectada y de los disturbios que ocurran en la misma.
𝑖 = 𝑖 +𝑖
𝑖 =𝑖 +𝑖 (3.33)
72
La figura 3.19 muestra el diagrama de bloques del inversor con una carga
resistiva conectada, el cual se determina a partir de las expresiones (3.32) y (3.33).
𝑑𝑖 1 𝑅∙𝑟 1 𝑅 𝑉 1 𝑅∙𝑟
=− 𝑖 − 𝑉 + 𝑑− 𝑖
𝑑𝑡 𝐿 𝑅+𝑟 𝐿 𝑅+𝑟 𝐿 𝐿 𝑅+𝑟
𝑑𝑉 1 𝑅 1 1 1 𝑅
= 𝑖 − 𝑉 + 𝑖 (3.34)
𝑑𝑡 𝐶 𝑅+𝑟 𝐶 𝑅+𝑟 𝐶 𝑅+𝑟
𝑅∙𝑟 𝑅 𝑅∙𝑟
𝑉 = 𝑖 + 𝑉 + 𝑖
𝑅+𝑟 𝑅+𝑟 𝑅+𝑟
𝑥̇ = 𝐴𝑥 + 𝑏𝑢 + ℎ𝑖
(3.35)
𝑦 = 𝐶𝑥
73
Por lo que el sistema en (3.34) se expresa en el espacio de estados como:
𝑑𝑖 1 𝑅∙𝑟 𝑅 1 𝑅 ∙ 𝑟𝑑
⎡ ⎤ ⎡ − − ⎤ 𝑉 ⎡− ⎤
𝐿 𝑅+𝑟 𝐿(𝑅 + 𝑟 )⎥ 𝑖 ⎢ 𝐿 𝑅+𝑟
⎢ 𝑑𝑡 ⎥ ⎢ ⎥
⎢ =
⎥ ⎢ ⎥ + 𝐿 𝑑+⎢ ⎥𝑖
⎢𝑑𝑉 ⎥ ⎢ 𝑅 1 ⎥ 𝑉 ⎢ 1 𝑅 ⎥
⎣ 𝑑𝑡 ⎦ ⎣ 𝐶(𝑅 + 𝑟 ) − 0
𝐶(𝑅 + 𝑟 ) ⎦ ⎣ 𝐶 𝑅+𝑟 ⎦
(3.36)
𝑅∙𝑟
⎡ 0 ⎤
𝑖
⎢ 𝑅+𝑟 ⎥ 𝑅∙𝑟
[𝑉 ] = ⎢ ⎥ + 𝑖
𝑅 ⎥ 𝑉 𝑅+𝑟
⎢ 0
⎣ (𝑅 + 𝑟 )⎦
Para realizar el diseño del controlador de voltaje, se considera una carga lineal,
sin disturbios en la misma, por lo que 𝑖 ≈ 0, además de que la contribución al
voltaje de salida del inversor en la resistencia de damping debe ser menor al 5%; por
lo que considerando lo anterior (3.36) se reduce:
𝑑𝑖 1
0 − 𝑉
𝑑𝑡 𝐿 𝑖
= + 𝐿 𝑑
𝑑𝑉 1 1 𝑉
− 0 (3.37)
𝑑𝑡 𝐶 𝑅𝐶
[𝑉 ] = 𝑉
𝑑𝑖
⎧𝐿 = 𝑢𝑉 − 𝑉
⎪ 𝑑𝑡
𝑑𝑉
𝐶 =𝑖 =𝑖 −𝑖
⎨ 𝑑𝑡 (3.38)
⎪ 𝑉
⎩ 𝑖 = 𝑅
74
Para implementar el control con SMC, se utiliza una estructura integrada en la
cual se definen los estados obtenidos por el error debido al voltaje de salida 𝑉 y el
voltaje de referencia 𝑉 ; el cual corresponde a una señal senoidal a una frecuencia
de 60 Hz. La función del SMC es forzar a que el voltaje de salida sea igual al voltaje
de referencia [27]-[29],[45]-[49].
𝑥 =𝑒 =𝑉 −𝑉
𝑑 𝑖 (3.39)
𝑥 = 𝑒̇ = 𝑉 −𝑉 = −𝑉 ̇
𝑑𝑡 𝐶
1 𝑑
𝑥̇ = (𝑖 − 𝑖 ) − 𝑉 ̈
𝐶 𝑑𝑡
1 𝑑𝑖 1𝑑 𝑉 (3.40)
𝑥̇ = − −𝑉 ̈
𝐶 𝑑𝑡 𝐶 𝑑𝑡 𝑅
1 1 1 𝑑𝑉 (3.41)
𝑥̇ = (𝑢𝑉 −𝑉 ) − −𝑉 ̈
𝐶 𝐿 𝑅𝐶 𝑑𝑡
Desarrollando:
1 1 1 𝑑𝑉 (3.42)
𝑥̇ = 𝑢𝑉 − 𝑉 − −𝑉 ̈
𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝑑𝑡
𝑥̇ = −
1
𝑉 −𝑉 −
1 𝑑
𝑉 −𝑉 +
1
𝑢𝑉 −
1
𝑉 −
1
𝑉 ̇ −𝑉 ̈
(3.43)
𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝑑𝑡 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶
0 1 0 0
𝑥̇ 𝑥
= 1 1 + 𝑉 𝑢− 𝑉 𝑉̇ (3.44)
𝑥̇ − − 𝑥 + +𝑉 ̈
𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶
75
Considerando la información presentada en el capítulo 2, referente a la
metodología para la implementación del SMC, se establece una superficie de
deslizamiento, la cual garantiza la estabilidad, convergencia y funcionamiento del
SMC [27]-[29],[43],[79]. La superficie deslizante establecida es:
𝑑
𝑠(𝑥) = + 𝜆 ∙ [𝑥 ] = 𝑥 ̇ + 𝜆𝑥 = 𝑥 + 𝜆𝑥 = 0
𝑑𝑡 (3.45)
𝑥̇ = 𝑥
𝑥 𝑥 𝑉𝑢 𝑉 𝑉̇
𝑥̇ = − − + − − −𝑉 ̈ (3.47)
𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶
Se obtiene:
𝑥 𝑥 𝑉𝑢 𝑉 𝑉̇
− − + − − −𝑉 ̈ + 𝜆𝑥 = 0 (3.48)
𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶
𝐿𝐶 1 1 1 1
𝑢 = 𝑥 + 𝑥 + 𝑉 + 𝑉 ̇ + 𝑉 ̈ − 𝜆𝑥
𝑉 𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶 𝑅𝐶 (3.49)
𝐿𝐶 𝜆 1
𝑢 = 𝜆 − + 𝑥 + 𝑓(𝑡)
𝑉 𝑅𝐶 𝐿𝐶 (3.50)
Con 𝑓(𝑡) = 𝑉 + 𝑉 ̇ +𝑉 ̈ .
76
La condición para que el control equivalente se encuentre en la región de
deslizamiento debe cumplir con la condición de existencia, expresada por:
𝐿𝐶 𝜆 1
𝑢 > 𝜆 − + 𝑥 + 𝑓(𝑡)
𝑉 𝑅𝐶 𝐿𝐶 (3.51)
𝑢 = −𝑢 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) (3.52)
Para el diseño de la ley de control que cumpla con la condición de existencia del
control SMC se emplea la equivalencia del control equivalente del SMC con el
control promediado PWM.
Figura 3.20 Implementación del SMC con banda de histéresis a frecuencia fija
empleando un Flip-Flop [65].
77
Otra manera de obtener una banda de histéresis a frecuencia constante, es
empleando un circuito comparador, el cual compara la señal proveniente de la
superficie deslizante con una señal triangular a frecuencia fija, es decir, una
modulación PWM, la cual se muestra en la figura 3.21 [65],[66],[79].
Figura 3.21 Implementación del SMC con frecuencia fija empleando un circuito
comparador de señal triangular [65].
𝑚 = 4𝑉 𝑓 (3.53)
𝑠 𝑥 + 𝜆𝑥 𝑖 𝑉̇ 𝜆
= = − + 𝑉 −𝑉
𝛼 𝛼 𝐶𝛼 𝛼 𝛼
𝑠 1 𝜆 (3.54)
= 𝑖 −𝑖 + 𝑉 −𝑉
𝛼 𝐶𝛼 𝛼
En estado estable, el voltaje de salida del inversor se considera como una señal
senoidal, de tal manera que el error es cercano a cero, esto ocurre cuando la corriente
de rizado del inductor 𝛥𝐼 es completamente la del capacitor; por lo que el error de
corriente en el capacitor es igual a la corriente de rizado en el inductor, por lo que la
expresión (3.54) se reduce a:
𝑠 1 ∆𝐼 (3.55)
≈ 𝑖 −𝑖 =
𝛼 𝐶𝛼 𝐶𝛼
78
Si la corriente de rizo en el capacitor del inversor es muy pronunciada, entonces
el modulador de ancho de pulso deberá tener una pendiente muy alta, por lo que se
coloca un valor adecuado para 𝛼 que permite disminuir la pendiente de la señal de
entrada al modulador PWM. La corriente de rizado en el inductor se calcula como:
𝑉 −𝑉 (3.56)
∆𝐼 = 𝑑𝑇
𝐿
𝑉 =𝑉 ∙ 𝑚 ∙ 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓 𝑡) (3.57)
𝑉 (3.58)
𝑚 =
4𝐿𝐶𝛼
𝑚 ≪𝑚 (3.59)
Por lo que:
𝑉
≪ 4𝑉 𝑓
4𝐿𝐶𝛼 (3.60)
𝑉 (3.61)
≪𝛼
16𝐿𝐶𝑉 𝑓
10𝑉 (3.62)
𝛼 ≅
16𝐿𝐶𝑉 𝑓
79
3.3.1.2 Seguimiento y generación de una señal.
El seguimiento de una señal es una estrategia encaminada a que la variable de
estado reproduzca una señal de referencia, por lo que el sistema de control necesita
la existencia física de la señal. La diferencia principal entre seguimiento y generación
consiste en que la generación no requiere la señal que se desea reproducir por parte
de la variable de estado [65],[66]. Para obtener una representación en el plano de
fase del comportamiento del inversor, se utiliza una representación independiente
del tiempo, la cual se obtiene expresando la superficie de conmutación en términos
de las variables de estado. Todo esto se logra usando el teorema de la función inversa
que se enuncia a continuación.
80
Simplificando:
𝑑𝑉 𝑑𝑉 𝑑𝑒(𝑡) (3.67)
𝑠 𝑉 , 𝑉̇ = − = =0
𝑑𝑡 𝑑𝑡 ( ) 𝑑𝑡 ( )
1 𝑉 −𝐵 (3.69)
𝑡=𝑉 (𝑉 ) = sin
𝜔 𝐴
𝑉 −𝐵 (3.70)
𝑠 𝑉 , 𝑉̇ = 𝑉̇ − 𝐴𝜔 cos sin =0
𝐴
𝑉 −𝐵
𝑠 𝑉 , 𝑉̇ = 𝑉̇ ∓ 𝐴𝜔 1 − =0 (3.71)
𝐴
Los signos – y + se aplican cuando 𝑉̇ > 0 y 𝑉̇ < 0, por lo que (3.71) se expresa
como:
𝑠 𝑉 , 𝑉̇ = 𝑉̇ + 𝜔 (𝑉 − 𝐵) − 𝜔 𝐴 = 0 (3.72)
(𝑉 − 𝐵) 𝑉̇ (3.73)
+ =1
𝐴 𝜔 𝐴
81
(3.73) corresponde a una elipse en el plano 𝑉 , 𝑉̇ centrada en (𝐵, 0) con
magnitud de eje vertical 𝜔𝐴 y magnitud 𝐴 en el eje horizontal. La figura 3.22 muestra
el plano de fase obtenido.
Figura 3.22 Plano de fase de la superficie deslizante del inversor monofásico [66].
𝑉̇ = 0 (3.75)
𝜔 (𝑉 − 𝐵) + 𝑉̈ = 0
Para establecer una región donde el SMC opere con normalidad, se obtienen una
expresión a partir del modelo que representa el voltaje de salida respecto del voltaje
de entrada, Siendo este un sistema de segundo orden del filtro LC y carga R
conectada al inversor y considerando la relación de equivalencia del control
equivalente con el ciclo de trabajo 𝑑 = 𝑢 , de donde se obtiene:
𝑑 𝑉 𝐿 𝑑𝑉 (3.76)
𝐿𝐶 + +𝑉 = 𝑉 ∙𝑢
𝑑𝑡 𝑅 𝑑𝑡
𝐿 (3.77)
𝑉 ∙𝑢 = −𝐿𝐶𝜔 (𝑉 − 𝐵) + 𝑉̇ + 𝑉
𝑅
82
Factorizando (3.77) y del conjunto de valores discretos del control equivalente
𝑢{−1,0,1}, el dominio de deslizante resultante se expresa:
𝐿 (3.78)
−𝑉 < 𝑉̇ + (1 − 𝐿𝐶𝜔 )(𝑉 − 𝐵) + 𝐵 < 𝑉
𝑅
𝐿
𝐿 : 𝑉̇ + (1 − 𝐿𝐶𝜔 )(𝑉 − 𝐵) + 𝐵 = −𝑉
𝑅 (3.79)
𝐿
𝐿 : 𝑉̇ + (1 − 𝐿𝐶𝜔 )(𝑉 − 𝐵) + 𝐵 = 𝑉
𝑅
La figura 3.23 muestra los límites de existencia del régimen deslizante, en el caso
que 𝜔 = , donde los límites resultantes son:
√
𝑅
𝐿 : 𝑉̇ = (𝑉 − 𝐵)
𝐿 (3.80)
𝑅
𝐿 : 𝑉̇ = − (𝑉 + 𝐵)
𝐿
83
Tal como lo muestra la figura 3.23, para el diseño del inversor se toman en cuenta
los valores de la resistencia de carga mínima, los valores de la amplitud, la frecuencia
y el offset del voltaje de salida máximo. Una mala elección de dichos parámetros da
lugar a una zona donde el régimen deslizante este limitado o este puede ser
inexistente.
𝐿
−𝑉 < 𝜔𝐴 cos(𝜔𝑡) + (1 − 𝐿𝐶𝜔 )𝐴 sin(𝜔𝑡) + 𝐵 < 𝑉
𝑅 (3.81)
Aplicando la identidad:
𝐿 𝜔 1
𝑅
𝜔𝐴 cos(𝜔𝑡) + (1 − 𝐿𝐶𝜔 )𝐴 sin(𝜔𝑡) = 𝐴 ∙ 𝐿𝐶
(𝑅𝐶)
+ 𝜔 −
𝐿𝐶
sin(𝜔𝑡 + 𝜙) (3.82)
Sustituyendo en (3.78):
(3.83)
𝜔 1
𝐴 ∙ 𝐿𝐶 + 𝜔 − sin(𝜔𝑡 + 𝜙) < 𝑉 − |𝐵|
(𝑅𝐶) 𝐿𝐶
Dado que la salida del inversor es una señal senoidal, se considera un offset nulo,
es decir 𝐵 = 0, por lo que la amplitud de salida debe cumplir con:
𝑉 1
𝐴< ∙
𝐿𝐶 (3.84)
𝜔 1
+ 𝜔 −
(𝑅𝐶) 𝐿𝐶
1 1
𝜑(𝜔) = ∙
𝐿𝐶 (3.85)
𝜔 1
+ 𝜔 −
(𝑅𝐶) 𝐿𝐶
84
La figura 3.24 muestra un barrido de diagramas de Bode resultantes para
diferentes cargas resistivas conectadas, la existencia del régimen deslizante se
garantiza para aquellos valores que se encuentren por debajo de la curva del
diagrama de amplitud.
Figura 3.24 Respuesta en frecuencia para distintas cargas conectadas con SMC.
𝐵 𝐴 𝐿 (3.86)
𝑢 = + 𝜔 cos(𝜔𝑡) + (1 − 𝐿𝐶𝜔 ) sin(𝜔𝑡)
𝑉 𝑉 𝑅
𝑑𝑖 1
= (𝑉 𝑢 − 𝑉 )
𝑑𝑡 𝐿 (3.87)
𝑑𝑉 1
= (𝑖 − 𝑖 )
𝑑𝑡 𝐶
85
Empleando una superficie de conmutación como (3.77) se determina el control
equivalente para una carga no lineal.
𝐿𝐶 1 𝑑𝑖 1 (3.88)
𝑢 = + 𝑉 − 𝜔 (𝑉 − 𝐵)
𝑉 𝐶 𝑑𝑡 𝐿𝐶
𝐿𝐶 1 𝑑𝑖 1 (3.89)
−1 < + 𝑉 − 𝜔 (𝑉 − 𝐵) <1
𝑉 𝐶 𝑑𝑡 𝐿𝐶
𝑑𝑖 (3.90)
𝐿 + 𝐵 < |𝑉 − |1 − 𝐿𝐶𝜔 | ∙ 𝐴|
𝑑𝑡
Análisis del dominio de deslizamiento para una carga reactiva: En el caso que
la carga conectada tenga una componente reactiva, se define la impedancia de la
misma, a través del operador de Laplace como:
𝑉 (𝑆) (3.91)
𝑍 (𝑠) =
𝐼 (𝑆)
De (3.88), se realiza el cambio para una corriente de una carga reactiva, aplicando
la transformada de Laplace (con condiciones iniciales nulas), el control equivalente
se expresa como:
86
De (3.89), el control equivalente se expresa fasorialmente como:
𝐵 (3.93)
𝑢 (𝑠) = 𝐴 ∙ |𝐺(𝑗𝜔)| sin 𝜔𝑡 + ∠𝐺(𝑗𝜔) +
𝑉
( )
( )
es similar a la expresión 𝐺 _ (𝑠) para el inversor en señal pequeña, esta
expresión garantiza la existencia de un régimen deslizante y satisface −1 < 𝑢 < 1,
para un voltaje de salida 𝑉 (𝑡) = 𝐴𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡) + 𝐵.
87
Para el inversor se emplea una estrategia de control PI para garantizar desde un
instante inicial el régimen deslizante, el cual cumple con las condiciones de
estabilidad de margen de fase y de ganancia, en conjunto con un modo deslizante
de primer orden. La combinación de ambas estrategias genera un control de modos
deslizantes integral. A partir de la representación en variables de estado del
inversor.
1 𝑉
𝑎) 𝚤 ̇ = − 𝑉 − 𝑢
𝐿 𝐿 (3.97)
1 1
𝑏) 𝑉̇ = − 𝑉 + 𝑖
𝑅𝐶 𝐶
𝑉̇ = −𝑎 ∙ 𝑉 + 𝑏 ∙ 𝑖 (3.98)
𝑖 =𝑘 𝑒+𝑘 𝑒 𝑑𝑡
(3.99)
𝑠 =𝑖 −𝑖 =0 (3.100)
(3.101)
𝑠 =𝑖 − 𝑘 𝑒+𝑘 𝑒 𝑑𝑡 = 0
𝑉 (𝑠) 𝑏
=
𝑖 (𝑠) 𝑠 + 𝑎 (3.102)
88
Con:
1
𝑎=
𝑅𝐶 (3.103)
1
𝑏=
𝐶
𝑖 (𝑠) 𝑘 (3.104)
=𝑘 +
𝑒(𝑠) 𝑠
Figura 3.25 Diagrama de bloques en lazo cerrado del control PI para el ISMC [16].
Para obtener los valores de 𝑘 y 𝑘 que proporcionen la respuesta más rápida sin
desestabilizar el sistema, se seleccionan los valores de 𝑘 y 𝑘 que hagan que las
raíces del denominador de la función de transferencia se encuentren más a la
izquierda del eje imaginario y más cercano al eje real, los polos se obtienen de las
raíces del denominador.
(3.106)
− 𝑎+𝑏∙𝑘 + 𝑎+𝑏∙𝑘 − 4(𝑏 ∙ 𝑘 )
𝑠 , =
2
𝑎+𝑏∙𝑘 (3.107)
>𝑘
4𝑏
89
Se propone un valor de 𝑘 , y se obtiene el valor de 𝑘 lo mayor posible para evitar
las raíces complejas, valores grandes de la constante proporcional logran minimizar
el error entre el voltaje de referencia y el voltaje de salida, acelerando la respuesta
del sistema. Sin embargo, si se presenta una variación muy grande en la carga, o
cargas no lineales con una duración prolongada; se logran que las raíces se alejen
del eje real llevando al control a la zona de inestabilidad de acuerdo con [16]. La
figura 3.26 muestra un barrido de diagramas de bode de la función de transferencia
( )
( )
para diferentes cargas resistivas conectadas.
( )
Figura 3.26 Diagrama de Bode para ( )
para el control ISMC, para diferentes
cargas resistivas conectadas.
( )
En el diseño del controlador se emplea la función de transferencia ( )
en la cual
ocurre la mayor demanda de corriente, es decir, cuando la carga presenta un valor
de 𝑅 = 42.2 Ω. Aplicando el control PI, se seleccionó un 𝑘 = 0.001 y para obtener
𝑘 , se debe cumplir.
2.5 × 10 > 𝑘 (3.108)
90
Por lo que, la superficie deslizante con ISMC del inversor monofásico es:
91
Calcular la segunda derivada de la superficie deslizante asociada para el caso de
algoritmos de segundo orden y revisar que se puedan expresar como en (3.111).
1 1
𝑠̈ = − 𝑉̇ + 𝚤 ̇ − 𝑉 ̇
𝑅𝐶 𝐶
1 1 1 1 1 𝑉
𝑠̈ = − − 𝑉 + 𝑖 + − 𝑉 + 𝑢 −𝑉 ̈
𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝐶 𝐶 𝐿 𝐿 (3.117)
1 1 1 𝑉
𝑠̈ = − 𝑉 − 𝑖 −𝑉 ̈ + 𝑢
(𝑅𝐶) 𝐿𝐶 𝑅𝐶 𝐿𝐶
1 1 1
𝜙(𝑥, 𝑡) = (𝑅𝐶) − 𝐿𝐶 𝑉 − 𝑅𝐶 𝑖 − 𝑉 ̈
𝑉 (3.118)
𝛾(𝑥, 𝑡) = 𝑢
𝐿𝐶
Para la condición (3.114 a), se calcula |𝜙(𝑥, 𝑡)| , la cual ocurre, cuando existe
un voltaje de salida pico de 180 𝑉con una corriente pico 𝑖 ≈ 𝑖 ≈ 4 𝐴, a la frecuencia
de 60 Hz, que se aplica a los elementos de salida del inversor 𝑅 = 42.2 Ω, L = 7 mH
y C=1 µF, sustituyendo estos valores en (3.118).
1 1 1
|𝜙(𝑥, 𝑡)| = (𝑅𝐶) − 𝐿𝐶 𝑉 − 𝑅𝐶 𝑖 − 𝑉 ̈ ≅ 1.945 × 10 (3.119)
92
Para la condición (3.114 b), se calculan las cotas Γ y Γ , para obtenerlas se
supone un voltaje de alimentación 𝑉 que opera en la región 295 ≤ 𝑉 ≤ 305,
obteniendo.
Γ = 4.21 × 10
(3.120)
Γ = 4.35 × 10
𝑢 = −𝑐 |𝑠|𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) + 𝑣
(3.121)
𝑣̇ = −𝑐 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠)
𝜙
⎧𝑐 >
⎪ Γ
(3.122)
⎨ 2 (Γ ∙ 𝑐 + 𝜙) ∙ Γ (1 + 𝑞)
⎪𝑐 ≥ (Γ ∙ 𝑐 − 𝜙)
⎩ Γ ∙ (1 − 𝑞)
Con 0 < 𝑞 < 1, se elige el valor de 𝑞 = 0.5 y se realizan los cálculos empleando
las cotas Γ , Γ y |𝜙(𝑥, 𝑡)| obtenidas en (3.119) y (3.120) por lo que las constantes
𝑐 y 𝑐 deben satisfacer con (3.122).
𝜙
𝑐 > ≈ 0.46 (3.123)
Γ
2 (Γ ∙ 𝑐 + 𝜙) ∙ Γ (1 + 𝑞)
𝑐 ≥ ≈ 2.9094 × 10 (3.124)
(Γ ∙ 𝑐 − 𝜙) Γ ∙ (1 − 𝑞)
93
De (3.124) se obtiene que 𝑐 ≥ 2.9094 × 10 , para que el control se encuentre en
la región de deslizamiento en [33],[88]. Se reporta el valor de 𝑐 = 1.1 que es
ampliamente utilizado en una infinidad de aplicaciones, el control Supertwisting
para el inversor es:
𝑢 = −1.1 |𝑠|𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) + 𝑣
(3.125)
𝑣̇ = −0.5 ∙ 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠)
94
Capítulo 4
Resultados de la simulación de los
algoritmos de control en modo isla
95
4.1 Introducción.
En este capítulo se realizan pruebas del rendimiento del inversor por medio de
simulaciones, para lo cual se implementan los algoritmos de control previamente
analizados y diseñados en los capítulos 2 y 3. Para cada uno de los algoritmos
implementados se realizan pruebas con cargas resistivas, reactivas capacitivas,
reactivas inductivas, cambios bruscos en la carga y cargas no lineales.
97
Para las simulaciones se emplea la modulación bipolar con portadora
triangular de frecuencia de 20 kHz, la ganancia del sensor de corriente (𝑅 = 0.2), la
ganancia del sensor de voltaje (𝛽 = 0.006).
Para la simulación con cargas resistivas se emplean los valores de la tabla 3.3,
que corresponden al banco de pruebas de cargas resistivas del laboratorio de
electrónica de potencia.
𝕍
𝕀= (4.1)
ℤ
1 1 (4.2)
|ℤ | = 𝑅 + ∠ tan
𝜔𝐶 𝜔𝑅𝐶
𝑉 1
𝑖 (𝑡) = ∠ sen 𝜔𝑡 − tan
1 𝜔𝑅𝐶 (4.3)
𝑅 +
𝜔𝐶
98
La tabla 4.1, muestra los valores para cargas resistivas-capacitivas, los cálculos
de impedancias obtenidos y las expresiones para la corriente de salida, considerando
𝑉 = √2 ∙ 127 𝑉.
Tabla 4.1 Valores medidos de los módulos de cargas resistivas y capacitivas del
laboratorio de electrónica de potencia y cálculos de corriente salida.
Impedancia
Resistencia Capacitancia Corriente de salida [A]
Capacitiva [Ω]
[Ω] [µF] 𝑖 (𝑡)
|ℤ |
42.2 43.2 74.50 ∠ − 55.50° 2.41 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 + 55.50°)
42.2 75.1 55.03 ∠ − 39.93° 3.26 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 + 33.93°)
42.2 115.2 48.07 ∠ − 28.61° 3.73 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 + 28.61°)
𝜔𝐿
|ℤ | = 𝑅 + (𝜔𝐿) ∠ tan (4.4)
𝑅
𝑉 𝜔𝐿
𝑖 (𝑡) = ∠ sen 𝜔𝑡 − tan (4.5)
𝑅 + (𝜔𝐿) 𝑅
La tabla 4.2, muestra los valores para cargas resistivas-inductivas, los cálculos
de impedancias obtenidos y las expresiones para la corriente de salida, considerando
𝑉 = √2 ∙ 127 𝑉.
Tabla 4.2 Valores medidos de los módulos de cargas resistivas e inductivas del
laboratorio de electrónica de potencia y cálculos de corriente salida.
Impedancia
Resistencia Inductancia Corriente de salida [A]
Inductiva [Ω]
[Ω] [mH] 𝑖 (𝑡)
|ℤ |
42.2 88.4 53.77 ∠ 38.30° 3.34 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 − 38.30°)
42.2 173.5 77.83∠ 57.17° 2.30 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 − 57.17°)
42.2 297.0 119.65 ∠ 69.35° 1.50 ∙ sen(2𝜋 ∙ 60𝑡 − 69.35°)
99
La figura 4.2 (a), muestra el elemento de simulación para una carga resistiva en
el programa de simulación PSIM 11.0, las figuras 4.2 (b) y 4.2 (c) muestran los
elementos de simulación para cargas resistiva-capacitiva y resistiva-inductiva,
respectivamente.
100
Para calcular los factores de cresta se emplea:
𝑉
𝐹𝐶 = (4.6)
𝑉
1
𝑉 ≅𝑉 ≅𝑉 1− (4.7)
4𝑓𝑅𝐶
4𝑓𝑅𝐶
𝐹𝐶 ≅ (4.8)
4𝑓𝑅𝐶 − 1
101
4.2 Simulación del inversor con un control P+CRES y PI.
Control de corriente:
628.3 ∙ 𝑠 (4.9)
𝐺 (𝑠) = 0.6972 +
𝑠 + 6.283 ∙ 𝑠 + 1.421 × 10
Control de voltaje:
4000.581 (4.10)
𝑃𝐼(𝑠) = 0.6450 +
𝑠
102
Figura 4.6 Señal de control 𝑑(𝑡) del algoritmo P+CRES y PI obtenido por
simulación.
103
Figura 4.8 Esquema de implementación del inversor monofásico para el control
P+CRES y PI en Matlab/Simulink.
Para las simulaciones con cargas resistivas, se emplean los valores de la tabla 4.4.
La figura 4.9, muestra las gráficas de las corrientes obtenidas en simulación. La tabla
4.4 muestra los valores de corriente, voltaje, potencia y el porcentaje de THDv
obtenidos en PSIM 11.0 y Matlab/Simulink para cada una de las cargas resistivas.
Figura 4.9 Corrientes obtenidas por simulación con distintas cargas resistivas
conectadas para el control P+CRES y PI.
104
Tabla 4.4 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas resistivas
conectadas para el control P+CRES y PI.
THDv THDv
Resistencia Potencia Voltaje Corriente
[%] [%]
[Ω] [Watts] RMS [V] RMS [A]
PSIM MATLAB
42.2 376.72 126.15 2.98 1.69 1.85
47.0 338.93 126.29 2.68 1.68 1.95
53.0 301.11 126.41 2.38 1.73 2.15
60.8 263.05 126.52 2.08 1.73 2.35
70.1 228.46 126.61 1.80 1.75 2.50
84.3 190.32 126.71 1.50 1.78 2.55
104.9 153.17 126.84 1.20 1.80 2.75
141.4 113.83 126.89 0.89 1.84 2.98
215.7 74.78 126.96 0.59 1.84 3.20
452.0 35.88 127.00 0.28 1.93 3.40
Las figuras 4.10 y 4.10, muestran los desfasamientos existentes cuando se colocan
cargas del tipo resistivo-capacitivo y resistivo-inductivo, aplicando un control
P+CRES y PI, los ángulos de desfasamiento son similares a los calculados de forma
fasorial de las tablas 4.1 y 4.2.
105
Figura 4.11 Voltaje y corriente de salida y su respectivo desfasamiento con
cargas resistiva-inductiva para el control P+CRES y PI.
4.2.3 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con
cambios de cargas.
106
Figura 4.12 Implementación del cambio de cargas en la salida de un inversor
empleando un control P+CRES y PI en Matlab/Simulink.
Figura 4.13 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 90° empleando un control P+CRES y PI.
107
Figura 4.14 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 45° empleando un control P+CRES y PI.
Figura 4.15 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre la carga mínima
y máxima para un ángulo de 180° empleando un control P+CRES y PI.
108
4.2.4 Simulaciones inversor con un control P+CRES y PI con
conexión–desconexión de cargas.
La figura 4.16, muestra el diagrama del inversor con el control P+CRES y PI, en
lazos de control de corriente y voltaje respectivamente, el cual se realizó con la
herramienta de simulación Matlab/Simulink, conectando y desconectando la carga
resistiva de 42.2 Ω, diferentes tiempos de desconexión.
Las figuras 4.17, 4.18 y 4.19, muestran los resultados de simulación de las formas
de onda de voltaje y corriente, considerando tiempos de desconexión de 500 µs, 1
ms y 2 ms respectivamente, Esta prueba del inversor se realizó para una carga
resistiva de 42.2 Ω, empleando un algoritmo de control P+CRES y PI. En las
simulaciones se observa un sobrepaso del 122.2%, el máximo valor del voltaje de
sobrepaso es 400.1 V, los transitorios presentan oscilaciones que disminuyen
conforme el control estabiliza el seguimiento a la referencia. En la figura 4.18 con un
tiempo de desconexión de 2 ms, el tiempo de recuperación es 𝑡 = 1.12 𝑚𝑠, tiempo
en que el control tarda en recuperar la señal senoidal de referencia.
109
Figura 4.17 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω, con un
tiempo de desconexión de 500 µs, para el control P+CRES y PI.
Figura 4.18 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω, con un
tiempo de desconexión de 1 ms, para el control P+CRES y PI.
110
Figura 4.19 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω, con un
tiempo de desconexión de 2 ms, para el control P+CRES y PI.
111
Figura 4.20 Implementación de carga no lineal con control P+CRES y PI
empleando Matlab/Simulink.
Figura 4.21 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096
con un THDv de 9.27% para el control P+CRES y PI.
112
Figura 4.22 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043
con un THDv de 5.64% para el control P+CRES y PI.
Figura 4.23 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019
con un THDv de 3.58% para el control P+CRES y PI.
113
4.3 Simulación del inversor con control de modos deslizantes
(SMC) estructura integrada.
𝑥 =𝑉 −𝑉
𝑥 = 𝑥̇ (4.11)
𝑠(𝑥) = 𝑥 ̇ + 𝜆𝑥 = 𝑥 + 𝜆𝑥 = 0 (4.12)
𝑢 = −𝑢 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) (4.13)
𝑠 𝑥 + 𝜆𝑥 (4.14)
=
𝛼 𝛼
10𝑉 (4.15)
𝛼 ≅
16𝐿𝐶𝑉 𝑓
114
Sustituyendo los valores de la tabla 3.2 en (4.15) con un voltaje de 3 𝑉 de la
portadora triangular.
𝛼 ≅
( )
≅ 446.4 × 10 (4.16)
( )( × )( )( × )
∝ ≅ 2.24 × 10 (4.17)
Figura 4.24 Esquema en PSIM 11.0 del control SMC con estructura integrada
diseñado.
115
Figura 4.25 Superficie deslizante 𝑠 para el control SMC con estructura
integrada obtenido por simulación.
La figura 4.26, muestra el voltaje y corriente de salida con la ley de control SMC
para una carga de 120 Ω.
116
La figura 4.27, muestra el esquema para la implementación del algoritmo de
control SMC con estructura integrado, con la herramienta de simulación
Matlab/Simulink para verificar los resultados en ambas herramientas
La figura 4.28, muestra los planos de fase 𝑉 , 𝑉̇ que corresponde al voltaje del
capacitor y la corriente del capacitor, empleando un control SMC de estructura
integrada, con los valores de 𝜆 = 1 × 10 y 𝛼 = −2 × 10 , para las frecuencias de
conmutación de 20 kHz, 40 kHz y 100 kHz, donde se observa un mejor seguimiento
a una mayor frecuencia.
La figura 4.30, muestra el error x1, con respecto a la derivada del error x2,
observando que al aumentar la frecuencia el error disminuye, esto se observa como
una disminución del área lo que implica una mejora en el desempeño del
controlador.
117
Figura 4.28 Plano de fase voltaje del capacitor contra corriente del capacitor
para diferentes frecuencias de conmutación, en el control SMC de estructura
integrada.
118
Figura 4.30 Plano de fase 𝑥 vs 𝑥 para diferentes frecuencias de conmutación
para el control SMC de estructura integrada.
Para las simulaciones con cargas resistivas, se emplean los valores de la tabla 4.6.
La figura 4.31, muestra las gráficas de las corrientes obtenidas en simulación.
119
La tabla 4.6, muestra los valores de corriente, voltaje, potencia y el porcentaje de
THDv obtenidos en PSIM 11.0 y Matlab/Simulink para cada una de las cargas.
Tabla 4.6 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas resistivas
conectadas para el control SMC con estructura integrada.
THDv THDv
Resistencia Potencia Voltaje Corriente
[%] [%]
[Ω] [Watts] RMS [V] RMS [A]
PSIM MATLAB
42.2 385.94 126.70 3.00 0.91 0.59
47.0 347.17 126.72 2.69 0.65 0.56
53.0 308.50 126.91 2.39 0.41 0.49
60.8 269.68 126.91 2.08 0.40 0.37
70.1 234.63 126.92 1.81 0.38 0.36
84.3 196.04 126.91 1.50 0.36 0.36
104.9 158.64 126.92 1.20 0.25 0.34
141.4 119.14 126.91 0.89 0.05 0.31
215.7 80.00 126.91 0.58 0.05 0.29
452.0 41.04 126.91 0.28 0.03 0.17
120
La figura 4.33, muestra los desfasamientos de voltaje y corriente en
simulación, para cargas del tipo resistivo-inductivo, empleando un control SMC
estructura integrada, los ángulos de desfasamiento son similares a los calculados de
forma fasorial de las tablas 4.1 y 4.2.
121
Figura 4.34 Esquema de cambio de carga con un control SMC con estructura
integrada empleando Matlab/Simulink.
Figura 4.35 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas mínima
y máxima para un ángulo de 90° con el control SMC estructura integrada.
122
Figura 4.36 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas mínima
y máxima para un ángulo de 45° con el control SMC estructura integrada.
Figura 4.37 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas mínima
y máxima para un ángulo de 180° con el control SMC estructura integrada.
123
4.3.4 Simulaciones inversor con SMC estructura integrada con
conexión–desconexión de cargas.
Las figuras 4.39, 4.40 y 4.41, muestran los resultados de simulación del voltaje y
corriente, considerando tiempos de desconexión de 500 µs, 1 ms y 2 ms. Estos
resultados se obtuvieron para una carga resistiva de 42.2 Ω de carga de prueba en el
inversor, empleando un control SMC con estructura integrada.
124
Figura 4.39 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 500 µs, para el control SMC con estructura integrada.
Figura 4.40 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 1 ms, para el control SMC con estructura integrada.
125
Figura 4.41 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 2 ms, para el control SMC con estructura integrada.
La figura 4.42, muestra el diagrama del inversor con el control SMC de estructura
integrada, con la herramienta de simulacion Matlab/Simulink al conectar una carga
no lineal.
126
Cuando se presenta una carga no lineal, la corriente deja de ser senoidal y
presenta un comportamiento pulsante, lo cual genera armónicos y deforma la onda
senoidal del voltaje salida.
La tabla 4.7, muestra los valores obtenidos del pico de corriente, duración de la
espiga y porcentajes de THDv de las simulaciones, para las diferentes cargas
resistivas capacitivas conectadas en el puente rectificador.
Las figuras 4.43, 4.44 y 4.45, muestran las gráficas de los voltajes y corrientes
obtenidos en simulación para las diferentes cargas, las espigas de corriente
obtenidas en simulación son pronunciadas y de poca duración comparándolo con el
algoritmo anterior.
Figura 4.43 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096
con un THDv de 2.15% para el control SMC estructura integrada.
127
Figura 4.44 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043
con un THDv de 2.00% para el control SMC estructura integrada.
Figura 4.45 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019
con un THDv de 0.77% para el control SMC estructura integrada.
128
4.4 Simulación del inversor con ISMC en lazo de corriente.
Para aplicar la técnica ISCM, se toma como referencia una superficie deslizante
que involucre a la corriente en el inductor que se desea regular para esto se emplea
la superficie deslizante dada por:
(4.19)
𝐼 (𝑡) = 𝑘 𝑒 + 𝑘 𝑒 𝑑𝑡
1000 (4.20)
𝑃𝐼(𝑠) = 0.001 +
𝑠
129
La figura 4.46, muestra la implementación en PSIM 11.0 del algoritmo de control
ISMC en el lazo de corriente, el voltaje de referencia es una señal senoidal de 1.077
𝑉 . El error de voltaje es la diferencia del voltaje de salida escalado con una ganancia
de 0.006 y el voltaje de referencia senoidal; al error se le aplica un control PI para
obtener una regulación en la corriente 𝐼 .
Figura 4.46 Esquema en PSIM 11.0 del control ISMC en lazo de corriente.
130
La figura 4.48, muestra la corriente y voltaje de salida para una carga de 120 Ω
empleando un control ISMC en lazo de corriente.
131
4.4.1 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cargas resistivas.
Para las simulaciones con cargas resistivas, se emplean los valores de la tabla 4.8.
La figura 4.50, muestra las gráficas de las corrientes obtenidas en simulación. La
tabla 4.8, muestra los valores de corriente, voltaje, potencia y el porcentaje de THDv
obtenidos en PSIM 11.0 y Matlab/Simulink para cada una de las cargas resistivas.
Tabla 4.8 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas resistivas
conectadas para el control ISMC en lazo de corriente.
THDv THDv
Resistencia Potencia Voltaje Corriente
[%] [%]
[Ω] [Watts] RMS [V] RMS [A]
PSIM MATLAB
42.2 387.60 126.96 3.00 0.71 0.59
47.0 348.57 126.98 2.70 0.72 0.56
53.0 309.72 126.98 2.40 0.73 0.52
60.8 270.72 126.98 2.08 0.72 0.43
70.1 235.54 126.98 1.81 0.73 0.43
84.3 196.78 126.98 1.50 0.73 0.40
104.9 159.23 126.98 1.21 0.74 0.41
141.4 119.54 126.98 0.91 0.74 0.35
215.7 80.25 126.98 0.58 0.73 0.30
452.0 41.14 126.98 0.28 0.74 0.29
132
4.4.2 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cargas resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas.
Las figuras 4.51 y 4.52, muestran los desfasamientos existentes cuando se colocan
cargas del tipo resistivo-capacitivo y resistivo-inductivo, empleando un control
ISMC en lazo de corriente, los ángulos de desfasamiento son similares a los
calculados de forma fasorial de las tablas 4.1 y 4.2.
133
4.4.3 Simulaciones inversor con ISMC en lazo de corriente con
cambios de cargas.
La figura 4.53, muestra el diagrama del inversor con un control ISMC en lazo de
corriente, empleando la herramienta de simulación Matlab/Simulink, cuando se
presentan cambios bruscos de carga.
En todos los casos se observa que los transitorios decaen de forma lineal y su
duración es mayor que en los algoritmos anteriores.
134
Figura 4.54 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas mínima
y máxima para un ángulo de 90° con el control ISMC en lazo de corriente.
Figura 4.55 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 45° con el control ISMC en lazo de corriente.
135
Figura 4.56 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 180° con el control ISMC en lazo de corriente.
La figura 4.57, muestra el diagrama del inversor con un control ISMC en lazo de
corriente, con la herramienta de simulación Matlab/Simulink, conectando y
desconectando una carga resistiva de 42.2 Ω, empleando diferentes tiempos de
conexión y desconexión, cuando se tiene el máximo voltaje positivo a la salida
inversor, lo cual ocurre a un ángulo de 90°.
Las figuras 4.58, 4.59 y 4.60, muestran los resultados de simulación del voltaje y
corriente, considerando tiempos de desconexión de 500 µs, 1 ms y 2 ms
respectivamente, para una carga resistiva de 42.2 Ω de carga de prueba en el
inversor, empleando un control ISMC en lazo de corriente.
136
La figura 4.60, de igual forma muestra los resultados de simulación, obteniendo
el voltaje y corriente de salida, para un tiempo de desconexión de 2 ms, en donde se
observa un tiempo de recuperación de la referencia en 𝑡 = 1.3 𝑚𝑠.
137
Figura 4.58 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un tiempo
de desconexión de 500 µs, para el control ISMC en lazo de corriente.
Figura 4.59 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 1 ms, para el control ISMC en lazo de corriente.
138
Figura 4.60 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 2 ms, para el control ISMC en lazo de corriente.
La figura 4.61, muestra el diagrama del inversor con un control ISMC en lazo de
corriente, con la herramienta de simulacion Matlab/Simulink cuando se conecta una
carga no lineal.
139
Las figuras 4.62, 4.63 y 4.64, muestran las formas de onda de corrientes y voltajes
obtenidos para diferentes factores de cresta, se muestran además sus porcentajes de
THDv empleando un control ISMC con lazo de corriente.
Figura 4.62 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096 y
THDv de 1.63% para el control ISMC en lazo de corriente.
140
Figura 4.63 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 y
THDv de 0.98% para el control ISMC en lazo de corriente.
Figura 4.64 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 y
THDv de 0.83% para el control SMC estructura integrada.
141
4.5 Simulación del inversor con HOSM algoritmo Supertwisting.
𝑠 =𝑉 −𝑉 (4.22)
142
valores cercanos al cruce por cero, la segunda parte corresponde al termino
−𝑐 ∫ 𝑠𝑖𝑔𝑛(𝑠) 𝑑𝑠, este término corresponde a la acción de control promediada el cual
provee de robustez al control deslizante debido a la acción integral y disminuye el
chattering. La suma de ambos términos garantiza un modo deslizante de segundo
orden. La figura 4.66 muestra el control equivalente obtenido del algoritmo
Supertwisting.
La figura 4.67 muestra la corriente y voltaje de salida para una carga de 120 Ω
empleando un control HOSM Supertwisting.
143
La figura 4.68 muestra esquema de control HOSM Supertwisting empleando la
herramienta de simulación Matlab/ Simulink.
144
En las figuras 4.69 y 4.70, se observa que, al incrementarse la frecuencia de
conmutación del algoritmo de control, el tiempo de convergencia y el error en estado
estable disminuyen, de acuerdo con [72]. Con una correcta combinación de las
constantes 𝑐 y 𝑐 se modifica el tiempo de convergencia y el porcentaje de error en
estado estable. En la figura 4.70, se observa que, una vez alcanzado el valor de
consigna, el plano de fase muestra un ciclo límite, el cual corresponde a las
oscilaciones de chattering cercanas al valor consigna.
Figura 4.69 Respuesta en estado estable control HOSM Supertwisting para obtener
el tiempo de convergencia.
145
4.5.1 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting
con cargas resistivas.
Para las simulaciones con cargas resistivas, se emplean los valores de la tabla
4.11, la figura 4.71 muestra la gráfica de la corriente, en la tabla 4.11 se muestran los
valores de corriente, voltaje, potencia y el %de THDV en PSIM y Matlab/Simulink.
Figura 4.71 Corrientes medidas para distintas cargas conectadas control HOSM
Supertwisting.
Tabla 4.11 Mediciones obtenidas por simulación con distintas cargas resistivas
conectadas para el control HOSM Supertwisting.
THDv THDv
Resistencia Potencia Voltaje Corriente
[%] [%]
[Ω] [Watts] RMS [V] RMS [A]
PSIM MATLAB
42.2 382.27 127.04 3.01 1.54 0.36
47.0 344.30 127.04 2.70 1.45 0.35
53.0 305.10 127.04 2.40 1.35 0.35
60.8 265.32 127.08 2.08 1.30 0.35
70.1 229.50 127.06 1.81 1.27 0.36
84.3 191.16 127.06 1.51 1.28 0.36
104.9 153.68 127.01 1.21 1.20 0.36
141.4 113.7 127.01 0.89 1.16 0.37
215.7 74.10 126.99 0.58 1.07 0.36
452.0 35.47 126.98 0.28 0.97 0.36
146
4.5.2 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting
con cargas resistivas-capacitivas y resistivas-inductivas.
Las figuras 4.72 y 4.73, muestran los desfasamientos existentes cuando se colocan
cargas del tipo resistivo-capacitivo y resistivo-inductivo empleando un control
HOSM Supertwisting, los ángulos de desfasamiento son similares a los calculados de
forma fasorial de las tablas 4.1 y 4.2.
147
4.5.3 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting
con cambios de cargas.
148
Figura 4.75 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 90° para el control HOSM Supertwisting.
Figura 4.76 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 45° para el control HOSM Supertwisting.
149
Figura 4.77 Voltaje y corriente cuando se realiza un cambio entre las cargas
mínima y máxima para un ángulo de 180° para el control HOSM Supertwisting.
En las figuras 4.80 y 4.81, muestran los resultados de simulación del voltaje y
corriente de salida, para los tiempos de desconexión de 1 ms y 2 ms respectivamente.
En la figura 4.81 se observa un tiempo de recuperación de 𝑡 = 925 𝜇𝑠 para el
seguimiento de referencia. Los transitorios de las oscilaciones decaen de forma lineal
debido a la robustez del algoritmo Supertwisting que garantiza el seguimiento a la
referencia senoidal.
150
Figura 4.78 Implementación de conexión-desconexión para el control HOSM
Supertwisting empleando Matlab/Simulink.
Figura 4.79 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 500 µs, para el control HOSM Supertwisting.
151
Figura 4.80 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 1 ms, para el control HOSM Supertwisting.
Figura 4.81 Voltaje y corriente para una resistencia de carga de 42.2 Ω con un
tiempo de desconexión de 2 ms, para el control HOSM Supertwisting.
152
4.5.5 Simulaciones inversor con HOSM algoritmo Supertwisting
con cargas no lineales.
La tabla 4.12 muestra los valores obtenidos del pico de corriente, duración de la
espiga y porcentajes de THDv de las simulaciones, con las diferentes cargas
resistivas capacitivas conectadas en el puente rectificador. Las figuras 4.83, 4.84 y
4.85, muestran las gráficas de los voltajes y corrientes obtenidos en simulación para
las diferentes cargas empleando un control HOSM Supertwisting. Las espigas de
corriente obtenidas en simulación son pronunciadas y de poca duración.
153
Figura 4.83 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.096 y
THDv de 2.43% para el control HOSM Supertwisting.
Figura 4.84 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.043 y
THDv de 1.58% para el control HOSM Supertwisting.
154
Figura 4.85 Voltaje y corriente para una carga no lineal con FC de 1.019 y
THDv de 1.03% para el control HOSM Supertwisting.
155
resistencia de prueba. En el control ISMC en lazo de corriente el porcentaje de THDv
es cercano 0.75% y mantiene el valor casi de forma constante para todo el intervalo
de valores de resistencias de carga. Para el control Supertwisting presenta un
comportamiento logarítmico similar al SMC de estructura integrada, donde el
porcentaje de THDv para una resistencia de 42.2 es del 1.6% y disminuye a valores
cercanos al 1% para valores de resistencia cercanos a 452 Ω.
Figura 4.86 Porcentajes de THDv contra resistencias de prueba para cada uno
de los algoritmos de control.
El voltaje de rizado del voltaje de salida presenta diferencias para cada uno de
los algoritmos de control, debido a las diferencias en las estrategias del seguimiento
a la referencia senoidal y por consecuencia el error en el seguimiento será diferente.
La figura 4.87, muestra los voltajes de rizado para los diferentes algoritmos de
control, cuando se presenta el voltaje pico de la señal senoidal, para la realización de
estas graficas se emplea una carga resistiva de 120 Ω.
La figura 4.87 (a), se muestra el voltaje de rizado para el control P+CRES y PI,
donde se observa un voltaje de rizo suave y continuo con una amplitud de 5.2 𝑉 , y
no se observan oscilaciones de alta frecuencia.
156
La figura 4.87 (b), muestra el voltaje de rizado para el control SMC de estructura
integrada, donde, se observa un voltaje de rizo parecido a una señal triangular con
una amplitud de 1.8 𝑉 . Además, se presenta ruido de alta frecuencia (chattering)
montado en el voltaje de salida, debido a la conmutación de la superficie deslizante.
La figura 4.87 (c), muestra el voltaje de rizado para el control ISMC en lazo de
corriente, donde, se observa un voltaje de rizado continuo, suave y con un buen
seguimiento, debido a la presencia del control PI, pero presenta ruido de chattering
montado en el voltaje de salida.
a) b)
Control PI, P+CRES. Control SMC estructura integrada.
Voltaje de rizo = 5.4 V Voltaje de rizo = 1.8 V
c) d)
Control ISMC en lazo de corriente. Control HOSM Supertwisting.
Voltaje de rizado = 3.0 V Voltaje de rizado = 4.2 V
Figura 4.87 Voltajes de rizado para a) Control P+CRES y PI. b) Control SMC
estructura integrada c) Control ISMC en lazo de corriente. d) Control HOSM
Supertwisting.
157
La tabla 4.13 muestra un resumen del voltaje de rizado de los diferentes controles
aplicados.
Tabla 4.13 Características del voltaje de rizado para los diferentes controladores.
Voltaje pico Tipo de
Ruido de alta frecuencia en
Control a pico del oscilación de
el voltaje de rizado
rizado rizado
Suave,
continuo,
P+CRES y PI 5.2 V No presenta
oscilaciones
continuas
SMC Ruido de alta frecuencia
Triangular,
estructura 1.8 V chattering montado en el
discontinuo
integrada voltaje de salida
Suave,
Ruido de alta frecuencia
ISMC lazo de continuo,
3.0 V chattering montado en el
corriente oscilaciones
voltaje de salida
continuas
Suave,
Ruido de alta frecuencia
HOSM continuo,
4.2 V chattering montado en el
Supertwisting oscilaciones
voltaje de salida
continuas
La figura 4.88 (a), muestra el sobrepaso de voltaje para el control P+CRES y PI,
el sobrepaso es de 400.1 V el cual corresponde al 122.22% de sobrepaso, el tiempo de
recuperación es de 1.12 ms, el transitorio disminuye rápidamente presentando dos
oscilaciones típicas de un comportamiento subamortiguado.
158
La figura 4.88 (c), muestra el sobrepaso de voltaje para el control ISMC en el lazo
de corriente, donde, el sobrepaso es de 305.2 V que corresponde al 69.55%. Este
presenta cuatro oscilaciones que disminuyen en el tiempo, además se tiene un breve
desfasamiento; que desaparece cuando se restaura la conexión a la carga.
a) b)
Control P+CRES y PI. Control SMC estructura integrada.
Sobrepaso de 122.2% Sobrepaso de 71.38%
c) d)
Control ISMC en lazo de corriente. Control HOSM Supertwisting.
Sobrepaso de 69.55% Sobrepaso de 60.7%
Figura 4.88 Voltajes de sobrepaso para a) Control P+CRES y PI. b) Control SMC
estructura integrada c) Control ISMC en lazo de corriente. d) Control HOSM
Supertwisting.
159
La tabla 4.14 muestra un resumen del voltaje de sobrepaso de cada uno de los
controles analizados, mostrando el voltaje de sobrepaso máximo y el número de
oscilaciones presentadas.
Tabla 4.14 Características de los voltajes de sobrepaso para cada uno de los
controladores.
Voltaje
Porcentaje Tiempo
de Oscilaciones
Control de de
sobrepaso presentadas
sobrepaso recuperación
máximo
P+CRES y PI 400.1 V 122.22% 1.12 ms 3
SMC
estructura 289.4 V 71.38% 1.1 ms 4
integrada
ISMC en lazo
305.2 V 69.55% 1.3 ms 5
de corriente
HOSM
289.4 [V] 60.70% 925 s 5
Supertwisting
La figura 4.89 (a), muestra la corriente y voltaje con el control P+CRES y PI para
una carga no lineal, la duración de la espiga de corriente es 3.15 ms, la corriente pico
máxima es 3.43 A, presenta un THDv de 9.27 %.
La figura 4.88 (b), muestra la corriente y voltaje con el control SMC de estructura
integrada para una carga no lineal, la duración de la espiga de corriente es 1.56 ms,
la corriente pico máxima es de 12.58 A, presentan un THDv de 0.77 %.
160
La figura 4.88 (c), muestra la corriente y voltaje con el control ISMC con lazo de
corriente para una carga no lineal, la duración de la espiga de corriente es 1.00 ms,
con un pico máximo de 13.37 A, presenta un THDv de 1.63 %.
La figura 4.88 (d), muestra la corriente y voltaje con el control Supertwisting para
una carga no lineal, la duración de la espiga de corriente es 1.74 ms, con un pico
máximo de 12.77 A, presenta un THDv de 2.43 %.
a) b)
Control P+CRES y PI. Control SMC estructura integrada.
𝐼 = 3.43 A, t = 3.15 ms, THDv = 9.27% 𝐼 = 12.58 A, t = 1.56 ms, THDv = 2.15%
c) d)
Control ISMC en lazo de corriente. Control HOSM Supertwisting.
𝐼 = 13.37 A, t = 1.00 ms, THDv = 1.63% 𝐼 = 12.77 A, t = 1.74 ms, THDv = 2.43%
Figura 4.89 Voltajes y corrientes para carga no lineal, a) Control P+CRES y PI.
b) Control SMC estructura integrada c) Control ISMC en lazo de corriente.
d) Control HOSM Supertwisting.
161
La tabla 4.15 muestra un resumen de los voltajes y corrientes de salida del
inversor alimentado una carga no lineal con factor de cresta de 1.096, para una
resistencia de 215.7 Ω y un capacitor de 220 µF, Estos datos se obtuvieron con la
implementación de cada uno de los controladores, mostrando la corriente pico
máxima, la duración de la espiga de corriente, el porcentaje de THDv y el
seguimiento de salida.
Tabla 4.15 Características de los voltajes y corrientes de salida para una carga
no lineal para cada uno de los controladores.
Corriente Duración de
Porcentaje
Control pico la espiga de Seguimiento de salida
THDv
máxima corriente
La espiga de corriente
presenta oscilaciones en
la duración de la espiga
P+CRES y PI 3.43 A 3.15 ms 9.27%
de corriente. La forma de
onda de voltaje de salida
presenta distorsión.
La espiga de corriente es
triangular, presenta
SMC
ruido al reestablecer la
estructura 12.58 A 1.56 ms 2.15%
referencia. La onda de
integrada voltaje de salida no
presenta distorsión.
La espiga de corriente es
triangular, presenta
ISMC lazo de ruido al reestablecer la
13.37 A 1.00 ms 1.63%
corriente referencia. La onda de
voltaje de salida no
presenta distorsión.
La espiga de corriente es
triangular, presenta
HOSM ruido al reestablecer la
12.77 A 1.74 ms 2.43%
Supertwisting referencia. La onda de
voltaje de salida no
presenta distorsión.
162
163
Capítulo 5
Implementación y resultados
experimentales de los algoritmos de
control
165
166
5.1 Introducción.
167
Las figuras 5.1 y 5.2 muestran la fuente de voltaje empleada para la alimentación
del inversor y los instrumentos de medición respectivamente.
a) b)
Figura 5.2 Instrumentos de medición a) Osciloscopio Tektronik MSO 2014B.
b) Analizador de Calidad de Energía HIOKI PQ3100.
168
real, a través de proyectos que emplean diferentes módulos, los cuales están
formados por archivos en C, C++ o ensamblador, librerías de funciones, archivos
include y otros más específicos para la aplicación que se esté realizando.
La figura 5.3 muestra el DSC TMS320F28335 en una tarjeta tipo DIMM de 100
contactos, el DSC es conectado al módulo TIDM-SOLAR-ONEPHINV mediante la
ranura DIMM para dicho propósito, el DSC es accesible y programable a través del
puerto JTAG mediante el módulo XDS110 con el software Code Composer Studio
(CCS).
169
Figura 5.3 Tarjeta de control TMS320F28335.
La figura 5.4 muestra los principales componentes del módulo inversor TIDM-
SOLAR-ONEPHINV, el cual emplea una topología de puente completo mediante
IGBT’s, en el siguiente apartado se revisan las características.
170
La tabla 5.3 muestra los parámetros de funcionamiento del inversor de acuerdo
con los datos del fabricante.
171
seleccionar la primera opción se puentea el jumper (JP2), mientras que para la
segunda opción se puentean los jumpers (JP1) y (JP3) de la placa del inversor [83].
Tabla 5.4 Factores de escalamiento para las mediciones de las variables de control
del módulo inversor TIDM-SOLAR-ONEPHINV.
Parámetro Factor de escala
Bus de voltaje de corriente 0.006
Corriente en el inductor 0.2
Voltaje de salida del inversor 0.006
Modo de espera: Cuando el sistema está en modo de espera, los módulos PWM están
desactivados y los relevadores que conectan la salida del voltaje del inversor con la
carga de prueba se encuentran en abiertos, el sistema está en espera a que se presione
el interruptor de encendido y detectará si ocurre alguna falla.
172
Modo de operación normal: Cuando el sistema está en modo de operación normal,
el sistema es alimentando por la fuente de voltaje de DC y los algoritmos de control
son ejecutados. Si se presiona nuevamente el interruptor de inicio el sistema el
sistema regresara al modo de espera, si ocurre una falla el sistema pasara al modo
de fallo hasta que sea corregida.
Modo de fallo: Cuando hay un fallo, por ejemplo, un sobrevoltaje en el bus de salida,
el sistema se transfiere al modo de fallo inmediatamente, donde se desactivan los
módulos PWM y los relevadores que conectan la salida de voltaje del inversor,
cambian al estado abierto para no alimentar a la carga de prueba mientras se corrige
la falla, el sistema regresará al modo de espera, una vez corregida la falla.
Para implementar los algoritmos de control se debe configurar como debe operar
el hardware mediante el software. La implementación hace un uso intensivo de dos
periféricos: ADC y PWM, además de las diversas capacidades que ofrece el DSC en
cuanto a operaciones de punto flotante y control de interrupciones y otros eventos.
173
De forma simplificada el ADC muestrea las variables analógicas de salida:
voltaje y corriente previamente acondicionados, de acuerdo con la configuración del
periodo de muestreo del ADC, En esta etapa, la señal de voltaje es comparada con
una referencia senoidal generada en el algoritmo de control; el sistema se configura
para que cada vez que termine de convertir las señales analógicas se ejecute de forma
automática una rutina de interrupción implementada en el algoritmo de control para
calcular los ciclos de trabajo o el control equivalente, los cuales son escalados para
actuar sobre los módulos PWM. Los voltajes obtenidos por los módulos PWM son
aplicados a los módulos controladores de cada IGBT del puente inversor
monofásico, quien a su vez permitirá que se aplique el voltaje de 300 V de la fuente
GEN 300-17 en el filtro LC de salida, cerrando así el lazo de control. El Anexo C
explica la configuración de todos los periféricos y módulos del DSC.
174
Figura 5.8 Diagrama de bloques de equipos e instrumentos de medición para
las pruebas con distintas cargas del inversor.
La figura 5.9, muestra una fotografía de las pruebas efectuadas con el inversor,
y los distintos equipos e instrumentos de medición en el laboratorio de electrónica,.
175
5.3 Discretización de los algoritmos de control.
176
5.4 Discretización de controladores clásicos .
𝑋(𝑧)
𝐻(𝑧) = (5.3)
1+𝑎 ∙𝑧 +𝑎 ∙𝑧 +⋯+𝑎 ∙𝑧
177
Las ecuaciones (5.6) y (5.7) expresan el algoritmo de control como ecuaciones en
diferencias.
𝑦(𝑧) 𝑘 ∙𝑇 1+𝑧
𝑃𝐼(𝑧) = =𝑘 + (5.8)
𝑒(𝑧) 2 1−𝑧
178
Tabla 5.6 Valores de los coeficientes del controlador PI para su implementación.
Parámetro Valor
𝑇 0.00005
𝑘 ∙𝑇
0.1000145375
2
𝑘 0.645
𝑇 1+𝑧
𝑘 ∙𝐵 ∙
2 1−𝑧 (5.10)
𝑃𝐶𝑅𝑒𝑠(𝑧) = 𝑘 +
𝑇 1+𝑧 𝑇 1+𝑧
+𝐵 ∙ +𝜔
2 1−𝑧 2 1−𝑧
𝑦(𝑧) 𝑏 −𝑏 ∙𝑧
𝑃𝐶𝑅𝑒𝑠(𝑧) = =𝑘 + (5.11)
𝑒(𝑧) 1−𝑎 ∙𝑧 −𝑎 ∙𝑧
179
La ecuación (5.12) es la representación de las ecuaciones en diferencias del
algoritmo de control P+CRES, la tabla 5.7 muestra los valores de los coeficientes del
control P+CRES discretizado.
Para la implementación del controlador PI, como lazo externo de voltaje se utiliza
como referencia una señal senoidal discretizada 𝑉 [𝑘] = 𝑉 ∙ 𝑠𝑒𝑛(2𝜋60𝑘𝑇 ), esta
referencia es comparada con el voltaje medido en el divisor de voltaje en la salida
del inversor, obteniendo un error que se aplica al controlador PI en ecuación en
diferencias, en la salida del controlador se realiza una ventana anti-windup para
limitar el efecto de la acción integral y la saturación del controlador.
180
Figura 5.13 Diagrama de flujo del algoritmo de control P+CRES y PI
discretizado.
181
En el archivo Presonante.h se definen las estructuras para los controles PI y
P+CRES, en donde se almacenan las constantes previamente definidas para cada
uno de los controladores. En el archivo Presonante.c se definen las funciones
User_PIControlTask y User_PRESControlTask, los cuales realizan los cálculos de las
ecuaciones en diferencias de los algoritmos de control, los valores de los
controladores se inicializan en la función User_InitControl, la función
User_GetVoltageReference genera la señal senoidal discretizada, la función
User_RunInv, realiza el paso de las lecturas del ADC de los sensores de voltaje y
corriente enviándolos a cada una de las estructuras correspondientes y envía al
registro CMPA de los módulos 1 y 2 del PWM para su modulación el valor obtenido
del lazo de corriente.
182
Todas las mediciones de voltaje y corriente se realizaron con el osciloscopio, el
voltaje se midió mediante las puntas diferenciales y la corriente mediante la pinza
amperimétrica. Todas las mediciones de la potencia entregada y los porcentajes de
THDv son medidos a través del analizador de la calidad de la energía.
183
Figura 5.16 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando un
control P+CRES y PI, para una resistencia de 452.0 Ω.
184
La figura 5.17, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, empleando un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 en serie con un capacitor de 43.2 F.
185
La figura 5.19, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, empleando un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 en serie con un capacitor de 115.2 F.
186
La figura 5.20, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, empleando un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 serie con un inductor de 88.4 mH.
187
La figura 5.22, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, empleando un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 en serie con un inductor de 297.0 mH. Se observa
un rizado en el voltaje de salida.
188
La figura 5.23, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
La figura 5.24, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 452.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
189
La figura 5.25, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control P+CRES y PI, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
190
Para la existencia de un DSMC se deben cumplir además las siguientes
condiciones:
191
La precisión de un modo deslizante de orden superior se evalúa de acuerdo con
la aplicación del algoritmo y el método de discretización empleada, de acuerdo con
lo revisado en el capítulo 2; en donde se establece que el orden del modo deslizante
es igual al orden de la derivada de la superficie deslizante. A continuación, se
establece una condición equivalente para sistemas en tiempo discreto con modos
deslizantes de orden superior, para modos deslizantes de segundo orden una
expresión en tiempo discreto es:
𝑠[𝑘] = 0
(5.18)
𝑠[𝑘 + 1] − 𝑠[𝑘] = 0
Donde 𝑐 y 𝑐 son las constantes obtenidas del diseño del controlador en tiempo
continuo y 𝑇 es el periodo de muestreo.
192
referencia 𝑉 ∗ [𝑘] = 𝑉 ∙ 𝑠𝑒𝑛(2𝜋60𝑘𝑇 ), esto último garantiza el seguimiento a la
referencia en el voltaje de salida del inversor.
1 (5.22)
𝑥 [𝑘] = (𝑥 [𝑘] − 𝑥 [𝑘 − 1])
𝑇
193
En los anexos D.5 y D.6 se muestran los archivos SMControl.c y SMControl.h de
implementación. La figura 5.26 muestra el diagrama de flujo del algoritmo SMC con
estructura integrada.
Figura 5.26 Diagrama de flujo del algoritmo de control SCM con estructura
integrada.
194
Todas las mediciones de voltaje y corriente se realizaron con el osciloscopio, el
voltaje se midió mediante las puntas diferenciales y la corriente mediante la pinza
amperimétrica. Todas las mediciones de la potencia entregada y los porcentajes de
THDv son medidos a través del analizador de la calidad de la energía.
195
Figura 5.28 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando un
control SMC estructura integrada, para una resistencia de 84.3 Ω.
196
5.7.2 Resultados experimentales para el control SMC con estructura
integrada para cargas resistivas-capacitivas.
Figura 5.30 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 43.2 F.
197
La figura 5.31, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control SMC con estructura integrada, al conectar en la
salida del inversor una resistencia de 42.2 en serie con un capacitor de 75.1 F.
Figura 5.31 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 75.1 F.
Figura 5.32 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 115.2 F.
198
5.7.3 Resultados experimentales para el control SMC con estructura
integrada para cargas resistivas-inductivas.
Figura 5.33 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH.
199
La figura 5.34, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control SMC con estructura integrada, al conectar en la
salida del inversor una resistencia de 42.2 serie con un inductor de 173.5 mH.
Figura 5.34 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH.
Figura 5.35 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH.
200
5.7.4 Resultados experimentales para el control SMC con estructura
integrada para cargas no lineales.
La figura 5.36, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control SMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
Figura 5.36 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
201
La figura 5.37, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control SMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 452.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
Figura 5.37 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 452.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
La figura 5.38, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control SMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
Figura 5.38 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control SMC
con estructura integrada, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
202
5.8 Algoritmo ISMC en lazo de corriente en tiempo
discreto.
𝑘 ∙ ∙ 𝑇 𝑒 [𝑘] + ℎ[𝑘 − 1]
ℎ[𝑘] =
2 (5.24)
𝑖∗ [𝑘] = 𝑘 𝑒 [𝑘] + ℎ[𝑘] + ℎ[𝑘 − 1]
Tabla 5.17 Valores de los coeficientes del control ISMC en lazo de corriente
para su implementación.
Parámetros Valor
𝑇 0.00005
𝑘𝑇
0.000000025
2
𝑘 1000
𝛼 -0.0011111111
203
En el archivo ISMControl.h se definen las estructuras para el control ISMC en
lazo de corriente, además se almacenan las constantes previamente definidas. En el
archivo ISMControl.c se define la función User_ISMCControlTask, la cual realiza el
cálculo de las ecuaciones en diferencias del controlador PI, la función
User_LazoControlTask, realiza el cálculo de la superficie deslizante, los valores del
controlador se inicializan en la función User_InitControl, la función
User_GetVoltageReference genera la señal senoidal discretizada, la función
User_RunInv, realiza el paso de las lecturas del ADC de los sensores de voltaje y
corriente enviándolos a cada una de las estructuras correspondientes y envía al
registro CMPA de los módulos 1 y 2 del PWM el valor obtenido del control
equivalente. En los anexos D.7 Y D.8 se muestran los archivos ISMControl.c e
ISMControl.h de implementación. La figura 5.39 muestra el diagrama de flujo del
algoritmo ISMC en lazo de corriente discretizado.
204
5.8.1 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas resistivas.
205
Figura 5.41 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando un
control ISMC en lazo de corriente, para una resistencia de 84.3 Ω.
206
5.8.2 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas resistivas-capacitivas.
Figura 5.43 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 43.2 F.
207
La figura 5.44, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control ISMC en lazo de corriente, al conectar en la salida
del inversor una resistencia de 42.2 en serie con un capacitor de 75.1 F.
Figura 5.44 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 43.2 F.
Figura 5.45 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 43.2 F.
208
5.8.3 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas resistivas-inductivas.
Figura 5.46 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH.
209
La figura 5.47, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control ISMC en lazo de corriente, al conectar en la salida
del inversor una resistencia de 42.2 serie con un inductor de 173.5 mH.
Figura 5.47 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH.
Figura 5.48 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH.
210
5.8.4 Resultados experimentales para el control ISMC en lazo de
corriente para cargas no lineales.
La figura 5.49, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control ISMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
Figura 5.49 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
211
La figura 5.50, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control ISMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 452.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
Figura 5.50 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 452.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
La figura 5.51, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control ISMC, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
Figura 5.51 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control ISMC
en lazo de corriente, para un rectificador de onda completa conectado
con un filtro RC, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
212
5.9 Algoritmo HOSM Supertwisting en tiempo discreto.
Figura 5.52 Diagrama de bloques del algoritmo de control HOSM Supertwisting [71].
213
función User_InitControl, la función User_GetVoltageReference genera la señal
senoidal discretizada, la función User_RunInv, realiza el paso de las lecturas del
ADC del sensor de voltaje enviando las lecturas a la estructura correspondiente, el
valor obtenido del control equivalente se envía al registro CMPA de los módulos 1
y 2 del PWM. En los anexos D.9 y D.10 se muestran los archivos STwisControl.c e
STwisControl.h de implementación. La figura 5.53 muestra el diagrama de flujo del
algoritmo HOSM Supertwisting discretizado para su implementación.
214
5.9.1 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas.
215
Figura 5.55 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas, empleando un control
HOSM Supertwisting, para una resistencia de 84.3 Ω, THDv de 2.02%.
216
5.9.2 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas-capacitivas.
Figura 5.57 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 43.2 F.
217
La figura 5.58, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control HOSM Supertwisting, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 en serie con un capacitor de 75.1 F.
Figura 5.58 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 75.1 F.
Figura 5.59 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RC en serie, R = 42.2 y C = 115.2 F.
218
5.9.3 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas resistivas-inductivas.
Figura 5.60 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 88.4 mH.
219
La figura 5.61, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas
experimentalmente, con un control HOSM Supertwisting, al conectar en la salida del
inversor una resistencia de 42.2 serie con un inductor de 173.5 mH.
Figura 5.61 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 173.5 mH.
Figura 5.62 Formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con un control HOSM
Supertwisting, para una carga RL en serie, R= 42.2 Ω y L= 297.0 mH.
220
5.9.4 Resultados experimentales para el control HOSM
Supertwisting para cargas no lineales.
La figura 5.63, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control Supertwisting, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 215.7 Ω y C = 220 F, con FC = 1.096.
221
La figura 5.64, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control Supertwisting, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 452.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.043.
La figura 5.65, muestra las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas con
un control Supertwisting, al conectar en la salida del inversor un rectificador de onda
completa con una carga RC en paralelo, R = 1000.0 Ω y C = 220 F, con FC = 1.019.
222
5.10 Análisis de resultados experimentales.
223
5.10.2 Análisis del desfasamiento experimental de los
controladores con cargas resistivas-capacitivas y resistivas inductivas.
224
La tabla 5.27 muestra los resultados experimentales para los ángulos de
desfasamiento y las corrientes pico, empleando cargas del tipo resistivo-inductivo.
Para validar estos resultados experimentales, se colocan los valores calculados de
forma fasorial en el capítulo 4, para analizar las diferencias que se presenten.
225
5.10.3 Análisis de la forma de onda de corriente experimental para
cargas no lineales de los controladores.
226
De acuerdo con la tabla 5.28, para los picos de corriente y duraciones de la espiga
obtenidos experimentalmente presentan diferencias notables con los valores
obtenidos en simulación, estas diferencias se deben a que el tiempo muestreo
experimental 50 s, es 50 veces mayor comparado con el paso de muestreo del
simulador PSIM 11.0 de 1 s, esta razón mejora las formas de onda obtenidas en
simulación.
De acuerdo con la figura 5.67, para un filtro en la salida del rectificador onda
completa de R=215.7 y C=220 F, el control P+CRES y PI presenta un 20% menos
pico de corriente que el algoritmo ISMC en lazo de corriente; para un filtro de salida
del rectificador de R=452.0 y C=220 F, el control P+CRES y PI presenta un
10%menos pico de corriente que el algoritmo ISMC en lazo de corriente; para un
filtro de salida de R=1000.0 y C=220 F, la diferencia entre los porcentajes no es
mayor al 10% en todos los algoritmos; siendo los algoritmos de modos deslizantes
en particular el ISMC en lazo de corriente que presenta mayores picos de corriente
en todos los filtros RC de salida del rectificador.
227
La figura 5.68, muestra la duración en ms de las espigas de corriente obtenidos
experimentalmente para cargas no lineales de un rectificador de onda completa con
filtro RC, para cada uno de los algoritmos de control analizados.
De acuerdo con la figura 5.68, para un filtro en la salida del rectificador onda
completa de R=215.7 y C=220 F, el control P+CRES y PI presenta un 7% más
tiempo de duración de la espiga de corriente que el algoritmo HOSM Supertwisting;
para un filtro de salida del rectificador de R=452.0 y C=220 F, el control P+CRES
y PI presenta un 9.5%más tiempo de duración de la espiga que el algoritmo HOSM
Supertwisting; para un filtro de salida de R=1000.0 y C=220 F, la diferencia entre
ambos controladores aumenta en un 25%.
228
La figura 5.69, muestra los porcentajes de THDv obtenidos experimentalmente
para cargas no lineales de un rectificador de onda completa con filtro RC, para cada
uno de los algoritmos de control analizados
De acuerdo con la figura 5.67, los algoritmos ISMC en lazo de corriente y HOSM
Supertwisting presentan porcentajes de TDHv menores al 5%, para todos los filtros
de salida del rectificador de onda completa; las formas de onda de voltaje para estos
algoritmos poseen un mejor seguimiento a la consigna de referencia. El algoritmo
P+CRES y PI presenta porcentajes mayores al 5% para todos los filtros de salida, por
lo que no cumple con la norma IEEE-519.
229
230
Capítulo 6
Conclusiones y recomendaciones
231
232
En este capítulo se presentan las conclusiones obtenidas en el desarrollo de este
trabajo. Se mencionan las principales aportaciones de la tesis y las recomendaciones
para trabajos futuros.
6.1 Conclusiones.
233
De acuerdo con los resultados experimentales en el caso de cargas resistivas,
todos los controladores tienen porcentajes de distorsión armónica total de voltaje
(THDv) menores al 5% y cumplen con la norma IEEE-519; se observa que el
controlador ISCM en lazo de corriente tienen los menores porcentajes para todo
el rango de resistencias de carga.
234
6.3 Aportaciones.
235
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243
244
PUBLICACIONES
XVII Congreso nacional de ingeniería electromecánica y de sistemas (CNIES
2018)
"Aplicación del control de modos deslizantes a inversores monofásicos
operando en modo isla"
Noviembre 2018, CDMX, México.
J.L. Mata Ledesma, Jesús Pacheco Montiel, José Arturo Maysse Roque, R.
Ortega, J.J. Rodríguez, O. Carranza
245
246
ANEXOS
247
248
Anexo A “Criterio de estabilidad de Lyapunov”
La teoría establece que para toda condición inicial 𝑥(𝑡 ) ∈ ℝ que se encuentra
dentro de la región de atracción: “Si el sistema tiene un estado de equilibrio
asintóticamente estable, la energía acumulada del sistema dentro del dominio de atracción
cae al incrementarse el tiempo, hasta alcanzar un valor mínimo en su punto de equilibrio”.
La región de atracción significa que para cada solución de la trayectoria 𝑥(𝑡) que
empieza suficientemente cercana a cero, a partir de un tiempo inicial 𝑡 se aproxima
al origen "𝑂" al incrementarse el tiempo, es decir: 𝑡 + 𝑡 → ∞. Se dice formalmente
que un estado de equilibrio es estable en el sentido de Lyapunov, si para cualquier
𝜀 escalar positivo existe una 𝛿 escalar positivo tal que ‖𝑥(𝑡 )‖ < 𝛿 ⟹ ‖𝑥(𝑡)‖ <
𝜀, 𝑡 ≥ 𝑡 . En otras palabras, cualquier trayectoria que se inicie en cualquier punto
𝑥 = 𝑥(𝑡 ) dentro de la región hiperesferica de radio 𝛿 permanece siempre en la
región hiperesferica de radio 𝜀.Un punto de equilibrio es asintóticamente estable si:
es estable y 𝑥(𝑡) ⟶ 0 conforme 𝑡 ⟶ ∞, esto es que cada trayectoria que parte del
interior de la región 𝛿 converja al origen a medida que el tiempo avance
indefinidamente. La figura A.1 muestra un plano de fase que muestra la estabilidad
asintótica, por último, un estado de equilibrio es inestable si no es estable [38],[39].
249
Método directo de Lyapunov o segundo método de Lyapunov: El método se basa en
la determinación de una función escalar 𝑉(𝑥) de signo definido (definida positiva o
definida negativa) que verifica 𝑉(0) = 0, a la que se denomina función de Lyapunov,
de cuyas propiedades se deduce la estabilidad o inestabilidad.
Teorema de estabilidad de Lyapunov: Si existe una función escalar 𝑉(𝑥) continua en
la solución 𝑥(𝑡) de tal forma que cumple:
𝑉 𝑥(𝑡) = 0 lo cual es equivalente a 𝑉(0) = 0.
𝑉 𝑥(𝑡) = 𝑉(𝑥) > 0 para 𝑥 ≠ 0.
𝑉(𝑥) ⟶ ∞ si ‖𝑥(𝑡)‖ ⟶ ∞.
lim 𝑥(𝑡) ⟶ 0
→
250
Anexo B “Programas en Matlab”
251
GiL_d_1=((2*Vi)/(Za_1+ZL));
% Diagramas de Bode para la funcion GiL_d
figure(1);
bode(GiL_d_1,w);
grid on;
hold on;
title('Funciones de transferencia de GiL_d(s)');
% Funciones Gvo_d para diferentes cargas resistivas
Gvo_d_1=(2*Vi*Za_1)/(Za_1+ZL);
% Diagramas de Bode para la funcion Gvo_d
figure(2);
bode(Gvo_d_1,w);
grid on;
hold on;
title('Funciones de transferencia de Gvo_d(s)');
% Lazo corriente
wc_deseada = 2*pi*(1/(2*pi*sqrt(Linv*Cinv)));
h= 1;
Kh = 100;
Bh = 2*pi;
Kp = ((Linv*wc_deseada)/(Ri*Fm*2*Vi));
CRes = ((Kh*Bh*s)/(s^2+Bh*s+(h*Wn)^2));
Gs = (Kp+CRes);
% Calculo del diagrama de Bode de lazo de corriente en lazo abierto
Ti_1=GiL_d_1*Ri*Fm*Gs*RD_s;
figure(3)
bode(Ti_1,w);
hold on;
grid on;
title('Funciones de transferencia de Ti(s) en lazo abierto');
figure(4)
margin(Ti_1)
hold on;
grid on;
Gi = Ti_1/(Ri*(1+Ti_1));
% Funcion de Transferencia Gvo_vc
Gvo_vc = Za_1*Gi;
%Empleamos sisotool para obtener el controlador PI
sisotool(Gvo_vc*Beta);
% Control PI obtenido en sisotool
PI = 0.6450*((s+6202.5)/s);
% Calculo de la Funcion Tv
Tv_1 = Gvo_vc*Beta*PI;
figure (5)
margin (Tv_1);
grid on;
hold on;
figure (6)
bode(Tv_1,w);
xlabel('Frecuencia','FontName','Arial','FontSize',14);
title('Funcion de transferencia de Tv(s) con el controlador
PI','FontName','Arial','FontSize',14);
grid on;
hold on;
252
%Discretizacion de los controladores
%Control de Corriente
Gsd=c2d(Gs,1/20000,'tustin');
[NUM,DEN] = tfdata(Gsd,'v');
%Control de Voltaje
PId=c2d(PI,1/20000,'tustin');
[NUM,DEN] = tfdata(PId,'v');
253
B.2 Programa en Matlab: Diagrama de Bode del SMC.
%*********************************************************************
% Diagrama de Bode control SMC estructura integrada inversor *
% Autor: Ing José Luis Mata Ledesma Date: 10/10/2018 *
% Tesis Maestria: Aplicación del Control de Modos Deslizantes *
%*********************************************************************
close all;
clear all;
clearvars;
format long
s=tf('s');
w=logspace(1,7,10000000);
set(cstprefs.tbxprefs,'FrequencyUnits','Hz');
% Datos
Linv = 7e-3; % Inductancia filtro LC de salida
Cinv = 1e-6; % Capacitancia filtro LC de salida
% Resistencias de carga a probar
Rload_1=42.2; % Constante minima de la carga resistiva
Rload_2=47.0; % Constante minima de la carga resistiva_2
Rload_3=53.0; % Constante minima de la carga resistiva_3
Rload_4=60.8; % Constante minima de la carga resistiva_4
Rload_5=70.1; % Constante minima de la carga resistiva_5
Rload_6=84.3; % Constante minima de la carga resistiva_6
Rload_7=104.9; % Constante minima de la carga resistiva_7
Rload_8=141.4; % Constante minima de la carga resistiva_7
Rload_9=215.7; % Constante minima de la carga resistiva_7
Rload_10=452.0; % Constante minima de la carga resistiva_7
% Funciones de transferencia para el control equivalente ueq=Vi/Vo
func_1=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_1)) 1]);
func_2=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_2)) 1]);
func_3=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_3)) 1]);
func_4=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_4)) 1]);
func_5=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_5)) 1]);
func_6=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_6)) 1]);
func_7=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_7)) 1]);
func_8=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_8)) 1]);
func_9=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_9)) 1]);
func_10=tf([0 0 300],[Linv*Cinv (Linv/(Rload_10)) 1]);
% Diagramas de bode para cada una de las cargas
bode(func_1);
hold on;
bode(func_2);
hold on;
bode(func_3);
hold on;
bode(func_4);
hold on;
bode(func_5);
hold on;
bode(func_6);
hold on;
bode(func_7);
hold on;
254
bode(func_8);
hold on;
bode(func_9);
hold on;
bode(func_10);
hold on;
grid on;
xlabel('Frecuencia','FontName','Arial','FontSize',14);
title('Respuesta en frecuencia para distintas cargas conectadas con SMC
L=7 mH y C = 1 uF','FontName','Arial','FontSize',14);
255
% Calculo de las funciones de transferencia para Vo(s)/iL(s) = b/s+a;
f_1= (b/(s+a1));
f_2= (b/(s+a2));
f_3= (b/(s+a3));
f_4= (b/(s+a4));
f_5= (b/(s+a5));
f_6= (b/(s+a6));
f_7= (b/(s+a7));
f_8= (b/(s+a8));
f_9= (b/(s+a9));
f_10= (b/(s+a10));
% Diagramas de Bode de las funciones de transferencia
figure(1)
bode(f_1);
hold on;
bode(f_2);
hold on;
bode(f_3);
hold on;
bode(f_4);
hold on;
bode(f_5);
hold on;
bode(f_6);
hold on;
bode(f_7);
hold on;
bode(f_8);
hold on;
bode(f_9);
hold on;
bode(f_10);
hold on;
grid on;
xlabel('Frecuencia','FontName','Arial','FontSize',14);
title('Diagrama de bode para Vo(s)/IL(s) para diferentes cargas
conectadas control ISMC','FontName','Arial','FontSize',14);
sisotool(f_1)
% Diseñando el control PI
kp = 0.001;
ki_1 = ((a1+b*kp)^2)/(4*b)
ki_2 = ((a2+b*kp)^2)/(4*b)
ki_3 = ((a3+b*kp)^2)/(4*b)
ki_4 = ((a4+b*kp)^2)/(4*b)
ki_5 = ((a5+b*kp)^2)/(4*b)
ki_6 = ((a6+b*kp)^2)/(4*b)
ki_7 = ((a7+b*kp)^2)/(4*b)
ki_8 = ((a8+b*kp)^2)/(4*b)
ki_9 = ((a9+b*kp)^2)/(4*b)
ki_10 = ((a10+b*kp)^2)/(4*b)
256
Figura B.3 Controlador PI, diseño del control ISMC en lazo de corriente
obtenido con la herramienta sisotool de Matlab.
257
B.4 Programa en Matlab: Calculo de los coeficientes
%*********************************************************************
% Calculo de las constantes c1 y c2 del controlador Supertwisting *
% Autor: Ing José Luis Mata Ledesma Date: 10/10/2018 *
% Tesis Maestria: Aplicación del Control de Modos Deslizantes *
%*********************************************************************
% Instrucciones Generales
close all;
clear all;
clearvars;
format long
% Datos
Linv = 7e-3; % Inductancia filtro LC de salida
Cinv = 1e-6; % Capacitancia filtro LC de salida
Rload_1=42.2; % Constante minima de la carga resistiva
Vp = 180; % Voltaje pico maximo a la salida
il = 4; % Corriente maxima a la salida
q = 0.5; % Coeficiente q = 0.5 seleccionado
x1=(1/(Rload_1*Cinv)^2); % Calculo del termino (1/RC)
x2=(-1*(1/(Linv*Cinv))); % Calculo del termino (-1/LC)
x3=(1/(Rload_1*Cinv*Cinv)); % Calculo del termino (1/RC^2)
x4= Vp*(2*pi*60)^2; % Calculo del termino (Vp/(2*pi*60)^2)
% Calculo de la funcion phi(x,t) ecuacion 3.119
phi =abs((x1+x2)*Vp-(x3*il)-(x4));
% Calculo de Gamma_min y Gamma_max 295 y 305 Rango de Voltajes
% de entrada DC_Link
Gamma_min=(295)/(Linv*Cinv);
Gamma_max=(305)/(Linv*Cinv);
% Calculo de los coeficientes c1 y c2
c2_1 = (phi/Gamma_min);
c2 = 0.5;
c1 =sqrt(2/(Gamma_max*c2-
phi))*(((Gamma_min*c2+phi)*Gamma_max*(1+q))/((Gamma_min^2)*(1+q)));
258
Anexo C “Configuración del DSC TMS320F28335”
C.1 Proyectos en Code Composer Studio.
Un proyecto en CCS está compuesto por diferentes tipos de archivos, los cuales
son necesarios para generar un programa ejecutable a partir del código de la
aplicación, los cuatro tipos de archivos principales tienen las extensiones:
Cada proyecto debe tener un nombre único lo que permite abrir varios proyectos
simultáneamente, la información de cada proyecto se guarda en un único archivo
con la extensión (*.pjt), Cada proyecto se genera con dos configuraciones por
defecto: Debug y Release.
259
Funciones de inicialización: Configuran los registros básicos para el
funcionamiento tanto del sistema como de los periféricos. Los cuales no son
accesible al usuario de manera directa, ya que un valor incorrecto en uno de los
registros puede provocar una falla en el sistema. Estas funciones únicamente son
llamadas desde el código principal (main) en el orden correcto.
Funciones de actuación sobre periféricos: Permite leer y escribir sobre los
periféricos con que se trabaja (PWM y ADC).
Interrupciones: En estas rutinas son llamadas por las funciones que actúan en los
periféricos. Al abandonar la interrupción se deben limpiar las banderas de
control de interrupciones del DSC para que sean atendidas nuevamente las
interrupciones.
260
C.3 Configuración del módulo PWM.
1 𝐹
𝑇𝐵𝑃𝑅𝐷 = (C.1)
2𝐹 ∗ 𝐶𝐿𝐾𝐷𝐼𝑉 ∗ 𝐻𝑆𝑃𝐶𝐿𝐾𝐷𝐼𝑉
Para una frecuencia de 20 kHz el valor del registro TBPRD es 3750, el cual
representa la frecuencia de conmutación de los IGBT’s para los controladores
diseñados. El siguiente paso es definir las acciones de los pines EPWM1 y EPWM2
de salidas PWM, con la escritura en el registro AQCTLA (acción de cualificación).
Las acciones que realiza el registro AQCTLA cuando el TBCTR alcanza los
valores del registro CMPA, los cuales son provenientes del cálculo del ciclo de
trabajo o del control equivalente para el caso de algoritmos deslizantes, esta
comparación genera la modulación bipolar aplicada al puente inversor.
261
La salida A de los módulos PWM debe ser complementaria a la salida B, lo cual
activa los módulos IGBT’s en la secuencia correcta. Los registros de cualificación
están configurados como:
EPwm1Regs.AQCTLA.bit.CAU = AQ_CLEAR;
EPwm1Regs.AQCTLA.bit.CAD = AQ_SET;
EPwm1Regs.AQCTLB.bit.CAU = AQ_SET;
EPwm1Regs.AQCTLB.bit.CAD = AQ_CLEAR;
EPwm2Regs.AQCTLA.bit.CAU = AQ_SET;
EPwm2Regs.AQCTLA.bit.CAD = AQ_CLEAR;
EPwm2Regs.AQCTLB.bit.CAU = AQ_CLEAR;
EPwm2Regs.AQCTLB.bit.CAD = AQ_SET;
Figura C.1 Señal triangular portadora, acciones de cualificación con el valor del
registro CMPA.
Los IGBT’s se encienden más rápido de lo que se apagan, debido a esto existe
un momento en que ambos interruptores están encendidos al mismo tiempo, esto
esencialmente crea un cortocircuito a través del suministro, lo que resulta en una
corriente alta que fluye a través de los dispositivos y una distorsión de los mismos
en la forma de onda del voltaje de carga. Una de las formas más fáciles de prevenir
lo anterior, es implementando un tiempo muerto, el cual es un periodo de tiempo
cuando dos IGBT’s del mismo tramo están apagados durante la transición evitando
el corto circuito.
262
La configuración de la unidad de banda de tiempo muerto se basa en la
configuración de los registros:
EPwm1Regs.DBCTL.bit.IN_MODE = DB_DISABLE;
EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = DB_FULL_ENABLE;
EPwm1Regs.DBCTL.bit.POLSEL = DB_ACTV_HIC;
EPwm1Regs.DBFED = 100;
EPwm1Regs.DBRED = 100;
El registro IN_MODE habilita la fuente de entrada para los registros FED y RED
de tiempo muerto, para este caso es PWMxA. El registro OUT_MODE habilita el
retardo en el flanco de subida DBRED y de bajada DBFED, el registro POLSEL
selecciona la polaridad en alto complementario, para configurar el tiempo de
duración de los tiempos muertos, calculamos los valores DBFED y DRED mediante:
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 ∗𝐹
𝐷𝐵𝑅𝐸𝐷 = 𝐷𝐵𝐹𝐸𝐷 = (C.2)
𝐶𝐿𝐾𝐷𝐼𝑉 ∗ 𝐻𝑆𝑃𝐶𝐿𝐾𝐷𝐼𝑉
Con un valor de 100 para los registros DBRED y DBFED, se garantiza un tiempo
muerto de 666.66 ns, que es un valor suficiente para permitir la conmutación de los
IGBT’s, la figura C.2 muestra la operación del tiempo muerto para la opción
seleccionada.
263
El registro CMPCTL controla la funcionalidad “shadow” de los registros CMPA
y CMPB. Las sombras o registros de fondo se usan para preparar un nuevo valor
para el próximo período, mientras que el período actual se está ejecutando y
depende del valor en primer plano. El registro CMPCTL contiene los campos
LOADxMODE que define el evento hardware que copiara el valor del registro
sombra en el registro CMPx correspondiente, y el campo SHDWxMODE que
habilita o deshabilita el modo de actuación, la configuración de los registros es la
siguiente.
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.LOADAMODE = CC_CTR_PRD;
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.LOADBMODE = CC_CTR_PRD;
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.SHDWAMODE = CC_SHADOW;
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.SHDWBMODE = CC_SHADOW;
Alto
Bajo
Alta impedancia
Ninguna acción tomada
El módulo de disparo trip-zone, tiene una lógica rápida independiente del reloj
para una ruta de alta impedancia de los pines de salida EPWMxA y EPWMxB
cuando existe condiciones de sobrecorriente o cortocircuitos de los pines. El registro
CBC realiza la habilitación de la interrupción ciclo por ciclo, los registros del módulo
trip-zone están protegidos, por lo que debe emplearse EALLOW para cambiar los
valores. Una vez modificados se protegen con la instrucción EDIS, parte de la
configuración de la función PWM_Disable(void) se muestra a continuación donde
se deshabilita el PWM ante la presencia de un fallo.
EALLOW;
EPwm1Regs.TZSEL.bit.OSHT5 = 1;
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZA = TZ_FORCE_LO;
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZB = TZ_FORCE_LO;
EPwm1Regs.TZFRC.bit.OST = 1;
EPwm1Regs.TZEINT.bit.OST = 1;
EDIS;
264
El siguiente paso es configurar el ADC para que se realicen lecturas ante eventos
generados por el módulo PWM, se configura el módulo PWM para que active la
lectura del ADC ante un evento programado, el submodulo disparador de eventos
ETSEL se configuró para que active una interrupción, cuando el contador de base de
tiempo TBCTR es cero o TBPRD, para hacer que el módulo PWM active una
interrupción primero es necesario configurar el registro de selección de eventos
INTSEL y decirle que habilite la conversión ADC con el pulso EPWMxSOCx en el
registro ETPS, la configuración de dichos registros es:
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTSEL=ET_CTR_PRD;
EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCASEL=ET_CTR_PRD;
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTEN=1;
EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCAEN=1;
EPwm1Regs.ETPS.bit.INTPRD=ET_1ST;
EPwm1Regs.ETPS.bit.SOCAPRD=ET_1ST;
AdcRegs.ADCTRL2.bit.EPWM_SOCA_SEQ1=1;
265
La expresión que representa el bit menos significativo es:
(𝑉 −𝑉 )
𝐿𝑆𝐵 = (C.3)
2 −1
Donde:
"𝑉 " "𝑉 ": Son voltajes de referencia utilizados para limitar el intervalo de
voltaje analógico. Cualquier voltaje superior al voltaje de referencia creara un
número saturado.
"𝑛": Es el número bits que se emplean para representar una señal analógica
digitalmente.
Se debe limitar la entrada al ADC debido a que el rango de las lecturas se sitúa
entre 0 y 3 V, un voltaje superior puede dañar de forma permanente el módulo, por
tal motivo el módulo inversor TIDM-SOLAR-ONEPHINV emplea circuitos divisores
de voltaje que delimitan el valor máximo de entrada, en la tabla 5.4 se presentan los
factores de escalamiento para las variables de estado.
266
La configuración de los registros del convertidor analógico digital es:
AdcRegs.ADCTRL1.bit.ACQ_PS=7;
AdcRegs.ADCTRL1.bit.CPS=0;
AdcRegs.ADCTRL1.bit.SEQ_CASC=1;
AdcRegs.ADCTRL1.bit.CONT_RUN=0;
AdcRegs.ADCTRL2.bit.INT_ENA_SEQ1=1;
AdcRegs.ADCTRL2.bit.INT_MOD_SEQ1=0;
AdcRegs.ADCTRL2.bit.EPWM_SOCA_SEQ1=1;
AdcRegs.ADCTRL3.bit.ADCCLKPS=0;
AdcRegs.ADCMAXCONV.all=2;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV00=1;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV01=2;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV02=3;
267
La configuración de los registros de interrupción es:
EALLOW;
PieVectTable.ADCINT = &adc_isr;
PieVectTable.EPWM1_INT=&epwm1_isr;
PieVectTable.EPWM1_TZINT = &epwm1_tzint_isr;
PieVectTable.EPWM2_TZINT = &epwm2_tzint_isr;
EDIS;
PieCtrlRegs.PIEIER1.bit.INTx6=1;
PieCtrlRegs.PIEIER3.bit.INTx1=1;
PieCtrlRegs.PIEIER2.bit.INTx1 = 1;
PieCtrlRegs.PIEIER2.bit.INTx2 = 1;
IER |= M_INT1;
IER |= M_INT2;
IER |= M_INT3;
EINT;
ERTM;
𝑑𝜃 (C.4)
=𝜔
𝑑𝑡
2𝜋 (C.6)
∆𝜃 = = 0.01884955592
333.333
268
Implementando lo anterior se obtiene:
sine_ref.angle=sine_ref.angle+sine_ref.K_TS;
if(sine_ref.angle>=TWO_PI)
{
sine_ref.angle=0;
}
sine_ref.vout=sine_ref.amplitude*sin(sine_ref.angle);
269
Figura C.3 Diagrama de flujo en modo operación normal de los algoritmos de
control.
270
Figura C.4 Diagrama del flujo de proceso de las funciones y estructuras de
control para el algoritmo P+CRES y PI.
271
Anexo D “Programas de los algoritmos de control”
272
AdcRegs.ADCTRL3.bit.ADCCLKPS=0; // EPwm1Regs.TBCTL.bit.PHSEN =
ADC Clock FCLK = HSPCLK/1/ADCCLKPS = TB_DISABLE;
25MHz EPwm1Regs.TBCTL.bit.SYNCOSEL =
AdcRegs.ADCMAXCONV.all=2; // Número TB_CTR_ZERO;
de conversiones a ADCMAXCONV +1; en EPwm1Regs.CMPCTL.bit.LOADAMODE =
este caso son dos CC_CTR_PRD;
//Se configura la conversión en EPwm1Regs.CMPCTL.bit.LOADBMODE =
secuencia de A0 y A1 CC_CTR_PRD;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV00=1; EPwm1Regs.CMPCTL.bit.SHDWAMODE =
// Leer la entrada A1 del ADC CC_SHADOW;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV01=2; EPwm1Regs.CMPCTL.bit.SHDWBMODE =
// Leer la entrada A2 del ADC CC_SHADOW;
AdcRegs.ADCCHSELSEQ1.bit.CONV02=3; EPwm1Regs.AQCTLA.bit.CAU = AQ_CLEAR;
// Leer la entrada A3 del ADC EPwm1Regs.AQCTLA.bit.CAD = AQ_SET;
} EPwm1Regs.AQCTLB.bit.CAU = AQ_SET;
/* Deshabilita convertidor EPwm1Regs.AQCTLB.bit.CAD = AQ_CLEAR;
analógico-digital */ EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE =
void ADC_Disable(void) DB_DISABLE;
{ EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE =
AdcRegs.ADCTRL1.all=0; DB_FULL_ENABLE;
AdcRegs.ADCTRL2.all=0; EPwm1Regs.DBCTL.bit.POLSEL =
AdcRegs.ADCTRL3.all=0; DB_ACTV_HIC;
} EPwm1Regs.DBFED = 100;
/* Obtiene el resultado de EPwm1Regs.DBRED = 100;
conversión del ADC */ EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA = 0;//Ciclo
void ADC_Read(void) de trabajo de prueba
{ EPwm2Regs.TBCTL.bit.PRDLD =
adc_inv.AdcBitsIoinv=AdcMirror.ADCRE TB_SHADOW;
SULT0; EPwm2Regs.TBPRD=PWM_MODULO;
adc_inv.AdcBitsVoinv=AdcMirror.ADCRE EPwm2Regs.TBPHS.half.TBPHS =0;
SULT1; EPwm2Regs.TBCTR = 0;
adc_inv.AdcBitsVdcinv=AdcMirror.ADCR EPwm2Regs.TBCTL.bit.CTRMODE =
ESULT2; TB_COUNT_UPDOWN;
} EPwm2Regs.TBCTL.bit.HSPCLKDIV =
/* Inicializa el PWM */ TB_DIV1;
void PWM_Init(void) EPwm2Regs.TBCTL.bit.CLKDIV =
{ TB_DIV1;
InitEPwm1Gpio(); EPwm2Regs.TBCTL.bit.PHSEN =
InitEPwm2Gpio(); TB_ENABLE;
//Configura EPWM1 EPwm2Regs.TBCTL.bit.SYNCOSEL
EPwm1Regs.TBCTL.bit.PRDLD = =TB_SYNC_IN;
TB_SHADOW; EPwm2Regs.CMPCTL.bit.LOADAMODE =
EPwm1Regs.TBPRD=PWM_MODULO; CC_CTR_PRD;
EPwm1Regs.TBPHS.half.TBPHS =0; EPwm2Regs.CMPCTL.bit.LOADBMODE =
EPwm1Regs.TBCTR = 0; CC_CTR_PRD;
EPwm1Regs.TBCTL.bit.CTRMODE = EPwm2Regs.CMPCTL.bit.SHDWAMODE =
TB_COUNT_UPDOWN; CC_SHADOW;
EPwm1Regs.TBCTL.bit.HSPCLKDIV = EPwm2Regs.CMPCTL.bit.SHDWBMODE =
TB_DIV1; CC_SHADOW;
EPwm1Regs.TBCTL.bit.CLKDIV = EPwm2Regs.AQCTLA.bit.CAU = AQ_SET;
TB_DIV1; EPwm2Regs.AQCTLA.bit.CAD = AQ_CLEAR;
EPwm2Regs.AQCTLB.bit.CAU = AQ_CLEAR;
273
EPwm2Regs.AQCTLB.bit.CAD = AQ_SET; /* Habilita el PWM */
EPwm2Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = void PWM_Enable(void)
DB_DISABLE; {
EPwm2Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = EALLOW;
DB_FULL_ENABLE; EPwm1Regs.TZCLR.bit.OST=1;
EPwm2Regs.DBCTL.bit.POLSEL = EPwm1Regs.TZCLR.bit.INT=1;
DB_ACTV_HIC; EPwm1Regs.TZCLR.bit.CBC=1;
EPwm2Regs.DBFED = 100; EPwm2Regs.TZCLR.bit.OST=1;
EPwm2Regs.DBRED = 100; EPwm2Regs.TZCLR.bit.INT=1;
EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA = 0;//Ciclo EPwm2Regs.TZCLR.bit.CBC=1;
de trabajo de prueba EDIS;
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTSEL=ET_CTR_PR }
D; /* Actualiza el ciclo de trabajo el
EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCASEL=ET_CTR_P ePWM1 */
RD; void PWM_UpdateDutyePWM1(uint16_t
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTEN=1; pwm_value)
EPwm1Regs.ETSEL.bit.SOCAEN=1; {
EPwm1Regs.ETPS.bit.INTPRD=ET_1ST; EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA =
EPwm1Regs.ETPS.bit.SOCAPRD=ET_1ST; pwm_value;
EALLOW; //Configuración de pin TZ5 }
GpioCtrlRegs.GPAPUD.bit.GPIO16 = /* Actualiza el ciclo de trabajo el
0;//Habilita PULL UP de TZ5 ePWM2 */
GpioCtrlRegs.GPAQSEL2.bit.GPIO16 = void PWM_UpdateDutyePWM2(uint16_t
3; // TZ5 se configura como entrada pwm_value)
asincrona {
GpioCtrlRegs.GPAMUX2.bit.GPIO16 = 3; EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA =
//GPIO16 se habilita como TZ5 pwm_value;
EDIS; }
PWM_Disable(); /* Inicializa GPIO*/
} void GPIO_Init(void)
/* Deshabilita el PWM */ {
void PWM_Disable(void) EALLOW;
{ //Configura led1.led2,led3,led4 como
EALLOW; GPIO
EPwm1Regs.TZSEL.bit.OSHT5 = 1; GpioCtrlRegs.GPAMUX1.bit.GPIO7=0;
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZA = GpioCtrlRegs.GPAMUX1.bit.GPIO9=0;
TZ_FORCE_LO; // EPWM1A will go low GpioCtrlRegs.GPAMUX1.bit.GPIO11=0;
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZB = GpioCtrlRegs.GPAMUX2.bit.GPIO31=0;
TZ_FORCE_LO; // EPWM1B will go low GpioCtrlRegs.GPBMUX1.bit.GPIO34=0;
EPwm1Regs.TZFRC.bit.OST = 1; GpioCtrlRegs.GPBMUX2.bit.GPIO49=0;
// Turn off the PWM //Configura led1.led2,led3,led4 como
EPwm2Regs.TZSEL.bit.OSHT5 = 1; SALIDAS
EPwm2Regs.TZCTL.bit.TZA = GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO7=1;
TZ_FORCE_LO; // EPWM1A will go low GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO9=1;
EPwm2Regs.TZCTL.bit.TZB = GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO11=1;
TZ_FORCE_LO; // EPWM1B will go low GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO31=1;
EPwm2Regs.TZFRC.bit.OST = 1; GpioCtrlRegs.GPBDIR.bit.GPIO34=1;
// Turn off the PWM GpioCtrlRegs.GPBDIR.bit.GPIO49=0;
EPwm1Regs.TZEINT.bit.OST = 1; GpioCtrlRegs.GPBQSEL2.bit.GPIO49=2;
EPwm2Regs.TZEINT.bit.OST = 1; //Entradas cualificada
EDIS; GpioCtrlRegs.GPBCTRL.bit.QUALPRD2=25
} 5; //Periodo de cualificación
274
EDIS; else
} GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO9=1;
/* Deshabilita GPIO */ if((gpio_value&2)==2)
void GPIO_Disable(void) GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO11=1;
{ else
EALLOW; GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO11=1;
//Configura led1.led2,led3,led4 como if((gpio_value&4)==4)
entradas GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO31=1;
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO7=0; else
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO9=0; GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO31=1;
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO11=0; if((gpio_value&8)==8)
GpioCtrlRegs.GPADIR.bit.GPIO31=0; GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO34=1;
GpioCtrlRegs.GPBDIR.bit.GPIO34=0; else
EDIS; GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO34=1;
} }
/* Escribe un dato al GPIO */ /* Lee un dato de la entrada GPIO */
void GPIO_WriteData(uint16_t uint32_t GPIO_ReadData(void)
gpio_value) {
{ return 0;
if((gpio_value&1)==1) }
GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO9=1;
275
D.3 Programa Presonante.c
// Presonante.c sine_ref.vout=sine_ref.amplitude*sin
TESIS APLICACIÓN DEL CONTROL DE (sine_ref.angle);
MODOS DESLIZANTES A INVERSORES }
MONOFÁSICOS OPERANDO DENTRO DE UNA /*Ejecuta la acción de control PI */
MICRORRED void User_PIControlTask(float
ALUMNO: JOSE LUIS MATA LEDESMA x_med,driver_pi_struct *pi_s)
7/05/2019 // {
#include "User_common.h" //Actualiza el valor medido en la
driver_pi_struct pi_tension; salida de la planta
driver_pres_struct pres_corriente; pi_s->x_act=x_med;
driver_sine_wave sine_ref; //Obtiene el error conrespecto a la
float I_sensor; referencia
float V_sensor; pi_s->x_error=(pi_s->x_ref)-(pi_s-
uint16_t cnt_sample_cv; >x_act);
driver_inv_sm SM_INVERTER=INV_INIT; //Ejecuta acción integral
driver_inv_sm pi_s->h_act=(pi_s->KI*pi_s-
SM_INVERTER_NEW=INV_INIT; >x_error)+(pi_s->h_prev);
uint16_t led_counter; //Obtiene el valor de salida del
uint16_t blink_index; controlador PI
uint16_t push_count; pi_s->y_out=(pi_s->KP*pi_s-
uint16_t push_press; >x_error)+(pi_s->h_act+pi_s-
/*Convierte la señal obtenida por el >h_prev);
ADC a tensiones y corrientes del //Guarda el valor del registro
inversor*/ actual para la siguiente iteración
void User_GetElectricalSignals(void) pi_s->h_prev=pi_s->h_act;
{ //Ventana Antiwindup verifica que la
ADC_Read(); acción se encuentre entre los
adc_inv.AdcVoltsIoinv=K_ADC*((float) valores de saturación
adc_inv.AdcBitsIoinv); if((pi_s->y_out)>(pi_s->y_high_lim))
adc_inv.AdcVoltsVoinv=K_ADC*((float) {
adc_inv.AdcBitsVoinv); pi_s->y_out=pi_s->y_high_lim;
adc_inv.AdcVoltsVdcinv=K_ADC*((float pi_s->h_act=0;
)adc_inv.AdcBitsVdcinv); pi_s->h_prev=0;
adc_inv.Ioinv=K_IAC*adc_inv.AdcVolts pi_s->flag_sat=0XFF;
Ioinv-OFFSET_IAC; }
adc_inv.Voinv=K_VAC*adc_inv.AdcVolts else if((pi_s->y_out)<(pi_s-
Voinv-OFFSET_VAC; >y_low_lim))
adc_inv.Vdcinv=K_VDC*adc_inv.AdcVolt {
sVdcinv; pi_s->y_out=pi_s->y_low_lim;
} pi_s->h_act=0;
/*Obtiene la señal de referencia de pi_s->h_prev=0;
tensión*/ pi_s->flag_sat=0XFF;
void User_GetVoltageReference(void) }
{ //Limpia bandera de saturación
sine_ref.angle=sine_ref.angle+sine_r else
ef.K_TS; {
if(sine_ref.angle>=TWO_PI) pi_s->flag_sat=0;
{ }
sine_ref.angle=0; }
}
276
/*Ejecuta el control P+RESC*/ {
void User_PRESControlTask(float //Inicializa estructura de
x_med,driver_pres_struct *pres_s) controlador PI
{ pi_tension.KI=KI_CV;
pres_s->x_act=x_med; pi_tension.KP=KP_CV;
// señal de error, e(k)=x_ref-x_med pi_tension.y_high_lim=HIGH_LIM_CV;
pres_s->x_error=(pres_s->x_ref)- pi_tension.y_low_lim=LOW_LIM_CV;
(pres_s->x_act); pi_tension.x_error=0;
//obtiene h(k)=e(k)-a1*h(k-1)- pi_tension.flag_sat=0;
a2*h(k-2) pi_tension.h_act=0;
pres_s->h_0=(pres_s->x_error)- pi_tension.h_prev=0;
(pres_s->a1*pres_s->h_1)-(pres_s- pi_tension.x_act=0;
>a2*pres_s->h_2); pi_tension.x_ref=0;
//obtiene señal de salida pi_tension.y_out=0;
y(k)=kp*e(k)+b0*h(k)+b2*h(k-2) //Inicializa estructura de
pres_s->y_out=(pres_s->KP*pres_s- controlador PRES
>x_error)+(pres_s->b0*pres_s- pres_corriente.KP=KP_RES;
>h_0)+(pres_s->b2*pres_s->h_2); pres_corriente.a1=A1_RES;
//Guarda valores actuales para la pres_corriente.a2=A2_RES;
siguiente iteración pres_corriente.b0=B0_RES;
pres_s->h_2=pres_s->h_1; pres_corriente.b2=B2_RES;
pres_s->h_1=pres_s->h_0; pres_corriente.flag_sat=0;
//Ventana Antiwindup verifica que la pres_corriente.h_0=0;
acción se encuentre entre los pres_corriente.h_1=0;
valores de saturación pres_corriente.h_2=0;
if((pres_s->y_out)>(pres_s- pres_corriente.x_act=0;
>y_high_lim)) pres_corriente.x_error=0;
{ pres_corriente.x_ref=0;
pres_s->y_out=pres_s->y_high_lim; pres_corriente.y_out=0;
pres_s->h_0=0; pres_corriente.y_high_lim=HIGH_LIM_C
pres_s->h_1=0; I;
pres_s->h_2=0; pres_corriente.y_low_lim=LOW_LIM_CI;
pres_s->flag_sat=0XFF; //resetea contador de tiempo de
} muestreo del controlador de tensión
else if((pres_s->y_out)<(pres_s- cnt_sample_cv=0;
>y_low_lim)) //Inicializa driver de referencia
{ sinusoidal
pres_s->y_out=pres_s->y_low_lim; sine_ref.K_TS=K_V_SINE;
pres_s->h_0=0; sine_ref.TS=TS_V;
pres_s->h_1=0; sine_ref.omega=WE_V_SINE;
pres_s->h_2=0; sine_ref.amplitude=AMP_V_SINE;
pres_s->flag_sat=0XFF; sine_ref.angle=0;
} sine_ref.vout=0;
//Limpia bandera de saturación //Inicializa las variables de
else corriente y voltaje, contadores y
{ boton de inicio en cero
pres_s->flag_sat=0; I_sensor=0;
} V_sensor=0;
} led_counter=0;
/* Inicializa los lazos de control blink_index=0;
del inversor */ push_press=0;
void User_InitControl(void) }
277
/* Ejecuta los lazos de control del led_counter=0;
inversor */ }
void User_RunInv(void) break;
{ case INV_RUN:
uint16_t pwm_value; User_RunInv();
User_GetVoltageReference(); if(led_counter==BLINK_TOP)
pi_tension.x_ref=sine_ref.vout; {
V_sensor=GAIN_SENSOR_TENSION*adc_inv blink_index^=0xFF;
.Voinv; if(blink_index)
User_PIControlTask(V_sensor,&pi_tens GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
ion); else
pres_corriente.x_ref=pi_tension.y_ou GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_3);
t; led_counter=0;
I_sensor=GAIN_SENSOR_CORRIENTE*adc_i }
nv.Ioinv; break;
User_PRESControlTask(I_sensor,&pres_ case INV_FAULT:
corriente); if(led_counter==BLINK_TOP)
pwm_value=(uint16_t)(User_ScalePWM(p {
res_corriente.y_out)); blink_index^=0xFF;
EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; if(blink_index)
EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
} else
/* Escala el valor del pwm, realiza GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS);
la comparación con la señal led_counter=0;
triangular */ }
float User_ScalePWM(float v_control) break;
{ default:
float pwm_value; break;
pwm_value=M_PWM_MODULO*v_control+B_P }
WM_MODULO; if(ON_BUTTON==ON_PRESS)
return pwm_value; {
} push_count++;
/* Ejecuta la máquina de estado de if(push_count>=PUSH_TOP&&push_press=
la aplicación */ =0)
void User_ProcessSM(void) {
{ push_count=PUSH_TOP;
led_counter++; if(push_press==0X00)
switch(SM_INVERTER) {
{ switch(SM_INVERTER)
case INV_INIT: {
User_InitControl(); case INV_STOP:
RELAY_ON(); PWM_Enable();
SM_INVERTER=INV_STOP; RELAY_ON();
break; User_InitControl();
case INV_STOP: SM_INVERTER=INV_RUN;
if(led_counter==BLINK_TOP) break;
{ case INV_RUN:
blink_index^=0xFF; PWM_Disable();
if(blink_index) User_InitControl();
GPIO_WriteData(SET_LEDS); SM_INVERTER=INV_STOP;
else break;
GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS);
278
case INV_FAULT: break;
PWM_Disable(); }
User_InitControl(); push_press=0XFF;
SM_INVERTER=INV_STOP; }
break; }
default:
} /* Detiene la ejecución de máquina
else de estado*/
{ void User_GotoFaultSM(void)
push_count=0; {
push_press=0; PWM_Disable();
} SM_INVERTER==INV_FAULT;
} SM_INVERTER_NEW==INV_FAULT;
}
279
#define OFFSET_IAC ((float)10.329) #define B2_RES
#define OFFSET_VDC ((float)0.00) ((float)0.015704101534022)
#define MAX_IAC ((float)8.45) #define HIGH_LIM_CI ((float)0.5)
#define MIN_IAC ((float)-8.45) #define LOW_LIM_CI ((float)-0.5)
#define K_ADC ((float)7.326e-4) //Macros utilizadas para activar los
//Tiempo de muestreo relevadores y leds
#define TS_I #define RELAY_ON()
((float)0.00005)//frecuencia 20000Hz GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO7=1
#define TS_V #define RELAY_OFF()
((float)0.00005)//frecuencia 2000Hz GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO7=1
#define WE_V_SINE #define ON_BUTTON
((float)376.991118) GpioDataRegs.GPBDAT.bit.GPIO49
#define K_V_SINE #define ON_PRESS 0x00
((float)0.01884955592) #define RUN_SET_LED_2 0x04
#define AMP_V_SINE #define RUN_SET_LED_3 0x08
((float)0.3)//amplitud de la #define STOP_SET_LEDS 0x0C
referencia #define FAIL_SET_LEDS 0x0C
#define TWO_PI ((float)6.283185307) #define SET_LEDS 0x0C
#define TOP_CNT_SAMPLE_CV 10 #define CLEAR_LEDS 0x00
#define GAIN_SENSOR_TENSION #define BLINK_TOP ((uint16_t)10000)
((float)0.006) #define PUSH_TOP ((uint16_t)7500)
#define GAIN_SENSOR_CORRIENTE //Funciones empleadas para las
((float)0.2) estructuras
#define M_PWM_MODULO ((float)3750) void
#define B_PWM_MODULO ((float)1875) User_GetElectricalSignals(void);
//Macros utilizadas por el control // Lectura del ADC de las distintas
PI de tensión variables de control
#define KP_CV ((float)0.645) void User_GetVoltageReference(void);
#define KI_CV // Referencia senoidal a 60 Hz
((float)0.1000145375)//en realidad void User_PIControlTask(float
se calcula como KI*Ts/2 x_med,driver_pi_struct *pi_struct);
#define HIGH_LIM_CV ((float)1) // Control PI
#define LOW_LIM_CV ((float)-1) void User_PRESControlTask(float
//Macros utilizadas por el control x_med,driver_pres_struct
resonante de corriente *pi_struct); // Control P+CRES
#define KP_RES ((float)0.6972) void User_InitControl(void);
#define A1_RES void User_RunInv(void);
((float)1.999330699561244) float User_ScalePWM(float
#define A2_RES v_control);
((float)0.999685917969320) void User_ProcessSM(void);
#define B0_RES #endif /*
((float)0.015704101534022) USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_ */
280
driver_inv_sm SM_INVERTER=INV_INIT; /* Inicializa lazo de control */
driver_inv_sm void User_InitControl(void)
SM_INVERTER_NEW=INV_INIT; {
uint16_t led_counter; //Inicializa estructura de
uint16_t blink_index; controlador SMC estructura integrada
uint16_t push_count; SMC_tension.x_ref=0;
uint16_t push_press; SMC_tension.x_act=0;
/* Convierte la señal obtenida por SMC_tension.x1=0;
el adc a tensiones y corrientes del SMC_tension.x1_ant=0;
inversor */ SMC_tension.x2=0;
void User_GetElectricalSignals(void) SMC_tension.u1=0;
{ SMC_tension.ueq=0;
ADC_Read(); SMC_tension.lambda = lambda_SMC;
adc_inv.AdcVoltsVoinv=K_ADC*((float) SMC_tension.alfa = alfa_SMC;
adc_inv.AdcBitsVoinv); // Resetea contador de tiempo de
adc_inv.Voinv=K_VAC*adc_inv.AdcVolts muestreo del controlador de tensión
Voinv-OFFSET_VAC; cnt_sample_cv=0;
} //Inicializa la referencia
/* Obtiene la señal de referencia de sinusoidal
tensión */ sine_ref.K_TS=K_V_SINE;
void User_GetVoltageReference(void) sine_ref.TS=TS_V;
{ sine_ref.omega=WE_V_SINE;
sine_ref.angle=sine_ref.angle+sine_r sine_ref.amplitude=AMP_V_SINE;
ef.K_TS; sine_ref.angle=0;
if(sine_ref.angle>=TWO_PI) sine_ref.vout=0;
{ V_sensor=0;
sine_ref.angle=0; led_counter=0;
} blink_index=0;
sine_ref.vout=sine_ref.amplitude*sin push_press=0;
(sine_ref.angle); }
} /* Ejecuta lazo de control */
/* Ejecuta la acción de control void User_RunInv(void)
SMC_estructura integrada */ {
void User_SMCControlTask(float uint16_t pwm_value;
x_med,driver_SMC_struct *SMC_s) User_GetVoltageReference();
{ SMC_tension.x_ref=sine_ref.vout;
// Actualiza el valor medido en la V_sensor=GAIN_SENSOR_TENSION*adc_inv
salida de la planta .Voinv;
SMC_s->x_act=x_med; User_SMCControlTask(V_sensor,&SMC_te
//Obtiene el error conrespecto a la nsion);
referencia pwm_value=(uint16_t)(User_ScalePWM(S
SMC_s->x1=(SMC_s->x_act)-(SMC_s- MC_tension.ueq));
>x_ref); EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value;
//Calculo de la derivada EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value;
SMC_s->x2=((SMC_s->x1)-(SMC_s- }
>x1_ant))*20000; /* Escala el valor del pwm, realiza
SMC_s->x1_ant=(SMC_s->x1); la comparación con la señal
//Calculo del control equivalente triangular */
SMC_s->u1=(SMC_s->x2)+(SMC_s- float User_ScalePWM(float v_control)
>lambda*SMC_s->x1); {
SMC_s->ueq=(SMC_s->alfa*SMC_s->u1); float pwm_value;
}
281
pwm_value=M_PWM_MODULO*v_control+B_P break;
WM_MODULO; }
return pwm_value; if(ON_BUTTON==ON_PRESS)
} {
/* Ejecuta la máquina de estado de push_count++;
la aplicación */ if(push_count>=PUSH_TOP&&push_press=
void User_ProcessSM(void) =0)
{ {
led_counter++; push_count=PUSH_TOP;
switch(SM_INVERTER) if(push_press==0X00)
{ {
case INV_INIT: switch(SM_INVERTER)
User_InitControl(); {
RELAY_ON(); case INV_STOP:
SM_INVERTER=INV_STOP; PWM_Enable();
break; RELAY_ON();
case INV_STOP: User_InitControl();
if(led_counter==BLINK_TOP) SM_INVERTER=INV_RUN;
{ break;
blink_index^=0xFF; case INV_RUN:
if(blink_index) PWM_Disable();
GPIO_WriteData(SET_LEDS); User_InitControl();
else SM_INVERTER=INV_STOP;
GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS); break;
led_counter=0; case INV_FAULT:
} PWM_Disable();
break; User_InitControl();
case INV_RUN: SM_INVERTER=INV_STOP;
User_RunInv(); break;
if(led_counter==BLINK_TOP) default:
{ break;
blink_index^=0xFF; }
if(blink_index) push_press=0XFF;
GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2); }
else }
GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_3); }
led_counter=0;
} else
break; {
case INV_FAULT: push_count=0;
if(led_counter==BLINK_TOP) push_press=0;
{ }
blink_index^=0xFF; }
if(blink_index) /* Detiene la ejecución de máquina
GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2); de estado */
else void User_GotoFaultSM(void)
GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS); {
led_counter=0; PWM_Disable();
} SM_INVERTER==INV_FAULT;
break; SM_INVERTER_NEW==INV_FAULT;
default: }
282
D.6 Programa SMControl.h
// SMControl.h #define WE_V_SINE
TESIS APLICACIÓN DEL CONTROL DE ((float)376.991118)
MODOS DESLIZANTES A INVERSORES #define K_V_SINE
MONOFÁSICOS OPERANDO DENTRO DE UNA ((float)0.01886842435)
MICRORRED #define AMP_V_SINE ((float)1.077)
ALUMNO: JOSE LUIS MATA LEDESMA //amplitud de la referencia
7/05/2019 // #define TWO_PI ((float)6.283185307)
#ifndef // Sensor de voltaje
USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_ #define TOP_CNT_SAMPLE_CV 10
#define #define GAIN_SENSOR_TENSION
USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_ ((float)0.00002)
//Estructura definida para el SMC #define M_PWM_MODULO ((float)3750)
typedef struct #define B_PWM_MODULO ((float)1875)
{ //Macros utilizadas por el control
float x_act; SMC de tensión
float x_ref; #define alfa_SMC ((float)-0.000002)
float x1; #define lambda_SMC ((float)1000000)
float x2; //Macro para modo de activacion
float x1_ant; #define RELAY_ON()
float u1; GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO7=1
float ueq; #define RELAY_OFF()
float lambda; GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO7=1
float alfa; #define ON_BUTTON
}driver_SMC_struct; GpioDataRegs.GPBDAT.bit.GPIO49
//Estructura máquina de estado #define ON_PRESS 0x00
typedef enum #define RUN_SET_LED_2 0x04
{ #define RUN_SET_LED_3 0x08
INV_INIT, #define STOP_SET_LEDS 0x0C
INV_STOP, #define FAIL_SET_LEDS 0x0C
INV_RUN, #define SET_LEDS 0x0C
INV_FAULT #define CLEAR_LEDS 0x00
}driver_inv_sm; #define BLINK_TOP ((uint16_t)10000)
typedef struct #define PUSH_TOP ((uint16_t)7500)
{ void
float amplitude; User_GetElectricalSignals(void);
float omega; void User_GetVoltageReference(void);
float TS; void User_SMCControlTask(float
float K_TS; x_med,driver_SMC_struct
float angle; *SMC_struct);
float vout; void User_InitControl(void);
}driver_sine_wave; void User_RunInv(void);
// float User_ScalePWM(float
#define K_VAC ((float)302.00) v_control);
#define OFFSET_VAC ((float)600.3) void User_ProcessSM(void);
#define K_ADC ((float)7.326e-4) #endif
#define TS_V ((float)0.00005) /* USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_
//frecuencia 20 kHz */
// Señal senoidal de referencia
283
D.7 Programa ISMControl.c
// ISMControl.c /* Ejecuta la acción de control PI
TESIS APLICACIÓN DEL CONTROL DE para el ISMC*/
MODOS DESLIZANTES A INVERSORES void User_ISMCControlTask(float
MONOFÁSICOS OPERANDO DENTRO DE UNA x_med,driver_ISMC_struct *ISMC_s)
MICRORRED {
ALUMNO: JOSE LUIS MATA LEDESMA //Actualiza el valor medido en la
7/05/2019 // salida de la planta
#include "User_common.h" ISMC_s->Vout=x_med;
driver_ISMC_struct ISMC; //Calculo del error
driver_lazo_struct lazo; ISMC_s->error=(ISMC_s->Vref)-
driver_sine_wave sine_ref; (ISMC_s->Vout);
float I_sensor; //Calculo del control PI
float V_sensor; ISMC_s->h1=(ISMC_s->error*ISMC_s-
uint16_t cnt_sample_cv; >KI)+(ISMC_s->h0);
driver_inv_sm SM_INVERTER=INV_INIT; //Calculo del control PI
driver_inv_sm ISMC_s->VPI=(ISMC_s->error*ISMC_s-
SM_INVERTER_NEW=INV_INIT; >KP)+(ISMC_s->h1)+(ISMC_s->h0);
uint16_t led_counter; //Calculo del control PI
uint16_t blink_index; ISMC_s->h1=(ISMC_s->h0);
uint16_t push_count; }
uint16_t push_press; /* Ejecuta la acción del lazo de
/* Convierte la señal obtenida por control de corriente */
el adc a tensiones y corrientes del void User_LazoControlTask(float
inversor */ x_med,driver_lazo_struct *lazo_s)
void User_GetElectricalSignals(void) {
{ lazo_s->Iref=x_med;
ADC_Read(); //obtiene la señal de error:
adc_inv.AdcVoltsIoinv=K_ADC*((float) //e(k)=x_ref-x_med
adc_inv.AdcBitsIoinv); lazo_s->uismc=(lazo_s->Iref)-
adc_inv.AdcVoltsVoinv=K_ADC*((float) (lazo_s->VPI);
adc_inv.AdcBitsVoinv); //e(k)=x_ref-x_med
adc_inv.Ioinv=K_IAC*adc_inv.AdcVolts lazo_s->ueq=(lazo_s->alfa*lazo_s-
Ioinv-OFFSET_IAC; >uismc);
adc_inv.Voinv=K_VAC*adc_inv.AdcVolts }
Voinv-OFFSET_VAC; void User_InitControl(void)
} {
/* Obtiene la señal de referencia de //Inicializa estructura de
tensión */ controlador PI del ISMC
void User_GetVoltageReference(void) ISMC.KP=KP_ISMC;
{ ISMC.KI=KI_ISMC;
sine_ref.angle=sine_ref.angle+sine_r ISMC.error=0;
ef.K_TS; ISMC.Vref=0;
if(sine_ref.angle>=TWO_PI) ISMC.Vout=0;
{ ISMC.h1=0;
sine_ref.angle=0; ISMC.h0=0;
} ISMC.VPI=0;
sine_ref.vout=sine_ref.amplitude*sin //Inicializa estructura del lazo de
(sine_ref.angle); control
} lazo.VPI=0.0;
lazo.alfa=alfa_i;
284
lazo.Iref=0.0; /* Ejecuta la máquina de estado de
lazo.uismc=0.0; la aplicación */
lazo.ueq=0.0; void User_ProcessSM(void)
// Resetea contador de tiempo de {
muestreo del controlador de tensión led_counter++;
cnt_sample_cv=0; switch(SM_INVERTER)
//Inicializa driver de referencia {
sinusoidal case INV_INIT:
sine_ref.K_TS=K_V_SINE; User_InitControl();
sine_ref.TS=TS_V; RELAY_ON();
sine_ref.omega=WE_V_SINE; SM_INVERTER=INV_STOP;
sine_ref.amplitude=AMP_V_SINE; break;
sine_ref.angle=0; case INV_STOP:
sine_ref.vout=0; if(led_counter==BLINK_TOP)
I_sensor=0; {
V_sensor=0; blink_index^=0xFF;
led_counter=0; if(blink_index)
blink_index=0; GPIO_WriteData(SET_LEDS);
push_press=0; else
} GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS);
/* Ejecuta los lazos de control del led_counter=0;
inversor */ }
void User_RunInv(void) break;
{ case INV_RUN:
uint16_t pwm_value; User_RunInv();
User_GetVoltageReference(); if(led_counter==BLINK_TOP)
ISMC.Vref=sine_ref.vout; {
V_sensor=GAIN_SENSOR_TENSION*adc_inv blink_index^=0xFF;
.Voinv; if(blink_index)
User_ISMCControlTask(V_sensor,&ISMC) GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
; else
lazo.VPI=ISMC.VPI; GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_3);
I_sensor=GAIN_SENSOR_CORRIENTE*adc_i led_counter=0;
nv.Ioinv; }
User_LazoControlTask(I_sensor,&lazo) break;
; case INV_FAULT:
pwm_value=(uint16_t)(User_ScalePWM(l if(led_counter==BLINK_TOP)
azo.ueq)); {
EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; blink_index^=0xFF;
EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; if(blink_index)
} GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
/* Escala el valor del pwm, realiza else
la comparación con la señal GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS);
triangular */ led_counter=0;
float User_ScalePWM(float v_control) }
{ break;
float pwm_value; default:
pwm_value=M_PWM_MODULO*v_control+B_P break;
WM_MODULO; }
return pwm_value; if(ON_BUTTON==ON_PRESS)
} {
push_count++;
285
if(push_count>=PUSH_TOP&&push_press= break;
=0) default:
{ break;
push_count=PUSH_TOP; }
if(push_press==0X00) push_press=0XFF;
{ }
switch(SM_INVERTER) }
{ }
case INV_STOP: else
PWM_Enable(); {
RELAY_ON(); push_count=0;
User_InitControl(); push_press=0;
SM_INVERTER=INV_RUN; }
break; }
case INV_RUN: /* Detiene la ejecución de máquina
PWM_Disable(); de estado */
User_InitControl(); void User_GotoFaultSM(void)
SM_INVERTER=INV_STOP; {
break; PWM_Disable();
case INV_FAULT: SM_INVERTER==INV_FAULT;
PWM_Disable(); SM_INVERTER_NEW==INV_FAULT;
User_InitControl(); }
SM_INVERTER=INV_STOP;
286
#define K_VAC ((float)302.00) #define alfa_i ((float)-0.001111111)
#define K_IAC ((float)6.26) //Macro para la maquina de estado
#define K_VDC ((float)301) #define RELAY_ON()
#define OFFSET_VAC ((float)498.3) GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO7=1
#define OFFSET_IAC ((float)10.329) #define RELAY_OFF()
#define OFFSET_VDC ((float)0.00) GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO7=1
#define MAX_IAC ((float)8.45) #define ON_BUTTON
#define MIN_IAC ((float)-8.45) GpioDataRegs.GPBDAT.bit.GPIO49
#define K_ADC ((float)7.326e-4) #define ON_PRESS 0x00
//Tiempo de muestreo #define RUN_SET_LED_2 0x04
#define TS_I #define RUN_SET_LED_3 0x08
((float)0.00005)//frecuencia 20000Hz #define STOP_SET_LEDS 0x0C
#define TS_V #define FAIL_SET_LEDS 0x0C
((float)0.00005)//frecuencia 2000Hz #define SET_LEDS 0x0C
#define WE_V_SINE #define CLEAR_LEDS 0x00
((float)376.991118) #define BLINK_TOP ((uint16_t)10000)
#define K_V_SINE #define PUSH_TOP ((uint16_t)7500)
((float)0.01884955592) void
#define AMP_V_SINE User_GetElectricalSignals(void);
((float)1.9)//amplitud de la void User_GetVoltageReference(void);
referencia void User_ISMCControlTask(float
#define TWO_PI ((float)6.283185307) x_med,driver_ISMC_struct
#define TOP_CNT_SAMPLE_CV 10 *ISMC_struct);
#define GAIN_SENSOR_TENSION void User_LazoControlTask(float
((float)0.006) x_med,driver_lazo_struct
#define GAIN_SENSOR_CORRIENTE *lazo_struct);
((float)0.2) void User_InitControl(void);
#define M_PWM_MODULO ((float)3750) void User_RunInv(void);
#define B_PWM_MODULO ((float)1875) float User_ScalePWM(float
//Macros utilizadas por el control v_control);
ISMC void User_ProcessSM(void);
#define KP_ISMC ((float)1000) #endif /*
#define KI_ISMC ((float)0.001) USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_ */
//Macro para el lazo de corriente
287
adc_inv.Voinv=K_VAC*adc_inv.AdcVolts stwisting_s-
Voinv-OFFSET_VAC; >vraizc=sqrt((stwisting_s->vabsol));
} // Calculo del producto de la raiz
/* Obtiene la señal de referencia */ por la funcion signum
void User_GetVoltageReference(void) stwisting_s->vproduc=(stwisting_s-
{ >vraizc)*(stwisting_s->signum);
sine_ref.angle=sine_ref.angle+sine_r // Calculo de la segunda parte del
ef.K_TS; control
if(sine_ref.angle>=TWO_PI) stwisting_s->u2=(stwisting_s-
{ >vproduc)*(stwisting_s->c2);
sine_ref.angle=0; // Calculo del control equivalente
} suma de u1 + u2
sine_ref.vout=sine_ref.amplitude*sin stwisting_s->u=(stwisting_s-
(sine_ref.angle); >u1)+(stwisting_s->u2);
} // Factor para acoplamiento
/* Ejecuta la acción de control stwisting_s->ueq=(stwisting_s-
Supertwisting */ >u)*(stwisting_s->factdes);
void }
User_SuperTwistingControlTask(float /*Inicializa control del inversor*/
x_med,driver_Supertwisting_struct void User_InitControl(void)
*stwisting_s) {
{ //Inicializa estructura de
//Actualiza el valor medido en la controlador Supertwisting
salida de la planta stwisting.Vref=0;
stwisting_s->Vout=x_med; stwisting.Vout=0;
//Calcula la superficie deslizante stwisting.sp=0;
error de la salida menos la entrada stwisting.signum=0;
stwisting_s->sp=((stwisting_s- stwisting.vabsol=0;
>Vout)-(stwisting_s->Vref)); stwisting.vraizc=0;
//Calcula la funcion Signum del stwisting.vproduc=0;
error obtenido stwisting.u=0;
stwisting_s->signum=((stwisting_s- stwisting.u1=0;
>sp)==0.)? 0:(((stwisting_s->sp)>0)? stwisting.u1_A=0;
1 :-1); stwisting.u2=0;
//Calcula la integral de la funcion stwisting.h1=0;
signum stwisting.h1_A=0;
stwisting_s->u1=(stwisting_s- stwisting.ueq=0;
>signum)*(stwisting_s- stwisting.c1=c1_st;
>c1)*(stwisting_s->Periodo); stwisting.c2=c2_st;
{ stwisting.Periodo=Periodo_st;
stwisting_s->h1=(stwisting_s- stwisting.medio=medio_st;
>h1_A)+((stwisting_s- stwisting.factdes=facdes_st;
>Periodo)*(stwisting_s- //resetea contador de tiempo de
>medio)*((stwisting_s- muestreo del controlador de tensión
>u1)+(stwisting_s->u1_A))); cnt_sample_cv=0;
stwisting_s->h1_A=(stwisting_s->h1); //Inicializa driver de referencia
stwisting_s->u1_A=(stwisting_s->u1); sinusoidal
} sine_ref.K_TS=K_V_SINE;
// Calculo del valor absoluto sine_ref.TS=TS_V;
stwisting_s- sine_ref.omega=WE_V_SINE;
>vabsol=fabs((stwisting_s->sp)); sine_ref.amplitude=AMP_V_SINE;
// Calculo de la raiz cuadrada sine_ref.angle=0;
288
sine_ref.vout=0; }
V_sensor=0; break;
led_counter=0; case INV_RUN:
blink_index=0; User_RunInv();
push_press=0; if(led_counter==BLINK_TOP)
} {
/* Ejecuta lazo de control */ blink_index^=0xFF;
void User_RunInv(void) if(blink_index)
{ GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
uint16_t pwm_value; else
User_GetVoltageReference(); GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_3);
stwisting.Vref=sine_ref.vout; led_counter=0;
V_sensor=GAIN_SENSOR_TENSION*adc_inv }
.Voinv; break;
User_SuperTwistingControlTask(V_sens case INV_FAULT:
or,&stwisting); if(led_counter==BLINK_TOP)
pwm_value=(uint16_t)(User_ScalePWM(s {
twisting.ueq)); blink_index^=0xFF;
EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; if(blink_index)
EPwm2Regs.CMPA.half.CMPA=pwm_value; GPIO_WriteData(RUN_SET_LED_2);
} else
/* Escala el valor del pwm, realiza GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS);
la comparación con la señal led_counter=0;
triangular */ }
float User_ScalePWM(float v_control) break;
{ default:
float pwm_value; break;
pwm_value=M_PWM_MODULO*v_control+B_P }
WM_MODULO; if(ON_BUTTON==ON_PRESS)
return pwm_value; {
} push_count++;
/* Ejecuta la máquina de estado de if(push_count>=PUSH_TOP&&push_press=
la aplicación */ =0)
void User_ProcessSM(void) {
{ push_count=PUSH_TOP;
led_counter++; if(push_press==0X00)
switch(SM_INVERTER) {
{ switch(SM_INVERTER)
case INV_INIT: {
User_InitControl(); case INV_STOP:
RELAY_ON(); PWM_Enable();
SM_INVERTER=INV_STOP; RELAY_ON();
break; User_InitControl();
case INV_STOP: SM_INVERTER=INV_RUN;
if(led_counter==BLINK_TOP) break;
{ case INV_RUN:
blink_index^=0xFF; PWM_Disable();
if(blink_index) User_InitControl();
GPIO_WriteData(SET_LEDS); SM_INVERTER=INV_STOP;
else break;
GPIO_WriteData(CLEAR_LEDS); case INV_FAULT:
led_counter=0; PWM_Disable();
289
User_InitControl(); push_count=0;
SM_INVERTER=INV_STOP; push_press=0;
break; }
default: }
break; /* Detiene la ejecución de máquina
} de estado */
push_press=0XFF; void User_GotoFaultSM(void)
} {
} PWM_Disable();
} SM_INVERTER==INV_FAULT;
else SM_INVERTER_NEW==INV_FAULT;
{ }
290
#define GAIN_SENSOR_TENSION #define STOP_SET_LEDS 0x0C
((float)0.005) #define FAIL_SET_LEDS 0x0C
#define M_PWM_MODULO ((float)3750) #define SET_LEDS 0x0C
#define B_PWM_MODULO ((float)1875) #define CLEAR_LEDS 0x00
//Macros utilizadas por el control #define BLINK_TOP ((uint16_t)10000)
Supertwisting de tensión #define PUSH_TOP ((uint16_t)7500)
#define c1_st ((float)0.5) void
#define c2_st ((float)1.5) User_GetElectricalSignals(void);
#define Periodo_st ((float)0.00005) void User_GetVoltageReference(void);
#define medio_st ((float)0.5) void
#define facdes_st ((float)-1.0) User_SuperTwistingControlTask(float
#define RELAY_ON() x_med,driver_Supertwisting_struct
GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO7=1 *st_struct);
#define RELAY_OFF() void User_InitControl(void);
GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO7=1 void User_RunInv(void);
#define ON_BUTTON float User_ScalePWM(float
GpioDataRegs.GPBDAT.bit.GPIO49 v_control);
#define ON_PRESS 0x00 void User_ProcessSM(void);
#define RUN_SET_LED_2 0x04 #endif /*
#define RUN_SET_LED_3 0x08 USER_INCLUDE_USER_INVCONTROL_H_ */
291
Anexo E “Esquemáticos del módulo inversor TIDM
SOLARONEPHINV”
292
E.2 Esquemático del inversor monofásico.
293