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LA ESTRUCTURA

DE LOS SÓLIDOS
SIMPLES
WILMER NARVÁEZ
DESCRIPCIÓN DE LA ESTRUCTURA DE LOS SÓLIDOS
La mayoría de compuestos inorgánicos se presentan
como sólidos e incluyen los arreglos ordenados de
átomos, iones o molécula.

METALES: sólidos cuyas estructuras pueden


describirse en términos de arreglos regulares que
saturan el espacio con átomos metálicos Estos
centros interactúan a través de ENLACE METÁLICO.

LOS SÓLIDOS IÓNICOS se unen a través de ENLACE


IÓNICO y los iones de diferentes elementos se unen
en arreglos rígidos y simétricos como resultado de
las atracciones entre sus cargas opuestas.

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SISNTEMAS CRISTALINOS
Por convención, el ángulos entre a y b es γ, entre b y c es α y entre a y
c es β .

CELDAS UNITARIAS Y DESCRIPCIÓN DE ESTRUCTURAS CRISTALINA

RED: Es un arreglo tridimensional infinito de puntos.

PUNTOS DE REDES: Puntos que están rodeados de una manera idéntica


por puntos vecinos que define la estructura básica que se repite en un
cristal.

ESTRUCTURA CRISTALINA: Se obtiene al asociar una o más unidades


estructurales idénticas (como las moléculas, o los iones) con cada punto de
red.

CELADA UNITARIA: Es una región imaginaria paralelo limitada


(paralelipíedo) a partir de la cual es posible construir el cristal completo con
solo realizar desplazamientos traslacionales.

PARÁMETROS DE LAS CELDAS UNITARIA (parámetros de red): Los


ángulos (α,β,γ), y las aristas (a, b, c) se usan para definir el tamaño y las
formas de las celdas unitarias.

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CELDAS UNITARIAS Y DESCRIPCIÓN DE
ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Las celdas unitarias se pueden elegir de entre una


diversidad de formas, pero por lo general se prefiere la
más pequeña.

En el plano bidimensional (ver fig. 3.1) se pueden elegir


diferentes celdas unitarias aquí se prefiere dos posibles
elecciones para la unidad que se repite, se prefiere (b)
sobre (a) porque posee la mitad del área.

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CELDAS CÚBICAS
CÚBICA SIMPLE: posee un solo punto de red en la celda
unitaria, 8x1/8= 1
scc bcc fcc = ccp
CÚBICA CENTRADA EN EL CUERPO: Posee dos punto de
red. 1+8x1/8 = 2

CÚBICA CENTRADA EN LAS CARAS Posee 4 puntos de


red 8*1/8+6*½=4

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LOS SIETE SISTEMAS CRITALINOS
(α,β,γ), y las aristas (a, b, c)

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CORDENADAS ATÓMICAS FRACCIONARIAS Y PROYECCIONES

Un método más claro y rápido para representar


estructuras tridimensionales consiste en dibujarla
estructura como una proyección donde se aprecia
una de las caras de la celda unitaria mirándolo desde
arriba, siguiendo por lo general a uno de sus ejes. Las
posiciones de los átomos relativas al plano de
proyección (la cara superior) se denotan mediante la
coordenada fraccionaria a la que se ubica por encima
del plano de la base (la cara sobre la cual descansa la
celda) y se escriben a continuación del símbolo que
define al átomo en la proyección. Si dos átomos se
ubican uno arriba del otro, ambas coordenadas
fraccionarias se anotarán entre paréntesis.

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CORDENADAS ATÓMICAS FRACCIONARIAS Y PROYECCIONES
Ejercicio: Convierta la red cúbica centrada en las caras (fcc) en un diagrama de proyección

(0,1)

1/2 (0,1)

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scc bcc fcc = ccp

EMPAQUETAMIENTO DE ESERAS
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a) Una capa simple de esferas idéntica figura a), el mayor
número de vecinos inmediatos es de 6 y hay una solo forma
EMPAQUETAMIENTO de construir es capa compacta
DE ESFERAS
b) Una segunda capa compacta de esferas se forma al colocar
esferas en los espacios entre las esferas de la primera capa ,
nótese que solo la mitad de los espacios de la primera capa
van a ser ocupados, ya que no es posible colocar esferas en
todos ellos.
La tercera capa puede ubicarse en cualquiera de las dos
formas.
c) En la estructura de empaquetamiento hexagonal compacto,
cada esfera de la tercera capa se ubica justo encima de una
esfera de la primera capa. Estructura tipo ABA

d) En la estructura de empaquetamiento cúbico compacto ccp


, cada esfera de la tercera capa se acomoda en un hueco que
está justo encima del hueco de la primera capa . Estructura
tipo ABC

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EMPAQUETAMIENTO
DE ESFERAS
Vista separada de a) una estructura de empaquetamiento
hexagonal compacta tipo ABA y b) una estructura de
empaquetamiento cúbico compacto TIPO ABC.

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Ejercicios: Cálculo del espacio no ocupado en una arreglo
compacto
r= radio de una esfera; 81/2r = arista; 4r hipotenusa
(según pitágoras)

VOLUMEN DEL CUBO, Vc = (81/2r)3

PUNTOS DE RED DE LA CELDA UNITARIA ccp= 8x1/8+6x1/2 = 1+3 = 4


(total de esferas en la celda unitaria)

VOLUEMEN DE LAS 4 ESFERA Ve = 4(4/3πr3)

4
4(3𝜋𝑟 3 ) 16 𝝿
FRACCIÓN OCUPADA = = = 0.74 = 74%
( 8 𝑟)3 3( 8 )3

FRACCIÓN NO OCUPADA = 0.26 = 26%

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Ejercicios: Cálculo la fracción de espacio ocupado por esferas idénticas en una celda cúbica simple

FRACCIÓN NO OCUPADA = 0.48 = 48 %


FRACCIÓN OCUPADA = 0.52 = 52 %

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HUECOS EN ESTRUCTURAS
COMPACTAS
Huecos octaédricos: se ubica entre dos
triángulos planares de esferas en capas
contiguas (figura 3.15 a).

Para un cristal que consiste de N esferas en


una estructura compacta. Hay N huecos
octaédricos.

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Esferas completas= 3
Medias esferas= ½*2 0 =1
Vértices= 1/6*12= 2
Total de esferas= 6

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Cálculo del tamaño de un hueco octaédrico

Según Pitágoras:

(r+rh)2+(r+rh)2= (2r)2

2(r+rh)2 = 4r2

(r+rh)2 = 2r2

r+rh = 2r.

rh = 2r - r

rh = r( 2 - 1)

rh = 0.414r

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Se forma con un triángulo plano de esferas en
contacto coronadas por una esfera simple que
se sitúa en el espacio entre ellas
Los huecos tetraédricos pueden dividirse en dos
conjuntos: en uno el apéndice del tetraedro está
dirigido hacia arriba (T) y el otro hacia abajo (T´)
En un arreglo de N esferas empacadas hay 2N
huecos tetraédricos en total

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HUECOS TETRAEDRICOS

Los huecos tetraédricos pueden


dividirse en dos conjuntos: en uno el
apéndice del tetraedro está dirigido
hacia arriba (T) y el otro hacia abajo
(T´)

En un arreglo de N esferas
empacadas hay 2N huecos
tetraédricos en total

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ESTRUCTURA DE METALES Y ALEACIONES
Los estudios de difracción de RX revelan que muchos
elementos metálicos poseen estructuras compactas, poco
carácter covalente. Una consecuencia de este
empaquetamiento es que los metales presentan altas
densidades.

Los elementos ubicados en la parte baja del bloque d, cerca


del Iridio y el osmio incluyen a los sólidos más densos
conocidos en condiciones normales de T y P

Tabla 3.2 Estructuras cristalinas adoptadas por los metales en Politipismo: Una estructura compacta puede presentar
condiciones norlames gama infinita de politipos compacto ya que los planos de
Estructuras cristalinas Elementos átomos pueden apilarse en una secuencia más compleja de
Hexagonal compactas (hcp) Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn capas A, B, C o incluso en una secuencia casi aleatoria.

Cúbica compacta (ccp) Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt

Cúbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, metales


(bcc) alcalinos
Cúbica simple (cs) Po

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Estructuras no compactas

➢ una estructura no compacta es la cúbica centrada en el cuerpo


(cúbica-I o bcc) (3.20), tiene NC: 8.

➢Una estructura bcc es menos compacta que las estructuras ccp


y hcp

➢En condiciones estándares todos los metales alcalinos y los


metales de los grupos 5 y 6 adoptan una estructura bcc, se
llama tipo Tungsteno.

➢La estructura metálica menos común es la cúbica simple (sc) (


3.21), el NC = 6

➢El Po α es el único ejemplo de (sc)

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Polimorfismo de metales
➢Polimorfismo: es la capacidad para adoptar diferentes formas cristalinas bajo distintas condiciones de presión y
temperatura.

➢Es una consecuencia común de la baja direccionalidad del enlace metálico

➢Los sistemas polimórficos de los metales pro lo general (aunque no siempre de manera sistemática) son designados
como α, β y γ , conforme aumenta la temperatura.

➢Ejemplo: El Fe α, es bcc, hasta 906ºC, luego Fe γ , es ccphasta 1401ºC, finalmente a mayor temperatura se vuelve a obtener el Fe α,
hasta alcanzar el p.e. a los 1530ºC. El Fe β se forma a altas temperatura

➢ La estructura bcc es común a altas temperaturas para los metales que son compactos a bajas temperaturas debido a
que la creciente amplitud de vibración atómica en el sólido cada vez más caliente da como resultado una estructura
menos compacta.

➢Para el Ca, Ti, Mg la temperatura de transición se encuentra por arriba de la temperatura ambiente.

➢Para otros como el Li y Na la temperatura de transición está por debajo de la temperatura ambiente

➢Una estructura bcc se ve favorecida cuando los metales poseen un pequeño número de electrones de valencia por
orbital

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RADIOS ATÓMICOS METÁLICOS

Tabla 3.3 Variación de radio


con el número de
coordinación ➢ El radio de un elemento aumenta con el aumento del número
Número de Radio relativo de coordinación.
coordinación
➢En la tabla 3.3 se observa que el radio de un átomo con número
12 1 de coordinación 12 se presenta más grande que uno con un
8 0.97
6 0.96 número de coordinación 8 , 6 y 4
4 0.88

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ALEACIONES
➢ Una Aleación es una combinación de elementos metálicos preparada mediante el mezclado
de los componentes fundidos que generan un sólido que exhibe propiedades metálicas luego
de su enfriamiento

➢ La aleaciones pueden ser soluciones sólidas homogéneas y se clasifican en:

➢Soluciones sólidas sustitucionales: es una solución sólida cuyos átomos del metal disuelto
ocupa alguno de los lugares de los átomos del metal disolvente (fig. 3.24 a)

➢Soluciones sólidas intersticiales: es una solución sólida en la cual los átomos del soluto
ocupan los intersticios (los huecos) ente los átomos del disolvente (fig. 3.24 b) . Esto no es
definitivo ya que a menudo los átomos intersticiales se ubican en arreglos definidos (fig. 3.24
c).

➢Ejemplos de aleación:

➢LATÓN: hasta 38% de Zn en Cu

➢BRONCE: Cualquier metal a excepción del Zn y Ni en Cu

➢Bronce colado: 10% Sn y 5% de Pb

➢ACERO: 12% Cr en Fe

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SOLUCIONES SÓLIDAS INTERSTICIALES DE LOS NO METALES

En una solución sólida intersticial, los huecos de la red de la estructura del metal original son
ocupados por pequeños átomos adicionales

➢ Las soluciones sólidas intersticial a menudo se forman entre metales y átomos pequeños como
B, C y N que pueden ocupar los intersticios del metal preservando la estructura original

➢ Compuestos estequiométricos, se presenta una sencilla relación de números enteros simples


entre los átomos del metal y los intersticiales, forman verdaderos compuestos

➢Compuestos no estequiométricos, los átomos pequeños se distribuyen de manera aleatoria en


los huecos disponibles en el metal.

➢Para una estructura hcp el átomo de soluto debe tener un r=0.414r

➢En los aceros el C ocupan algunos de los huecos otaédricos de la malla bcc del Fe, suelen
contner entr 0.2 y 1.6% de átomos de C.

➢Si se incrementa el contenido de C los aceros se vuelven más duros y más fuerte, pero menos
maleables

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CONCIDERACIONES ENERGÉTICAS DEL ENLACE IÓNICO
Un compuesto tiene a adoptar la estructura cristalina que corresponde a la energía de
Gibbs más baja. En consecuencia, si para el proceso

M+(g) + X-(g) → MX(s) ∆G°

El ∆G° (cambio de energía molar estándar de Bibbs) es más negativo para la formación de una
estructura A que para una B, entonces la transición de B a A es espontánea en las condiciones
prevalecientes y podemos esperar que el sólido se presente con la estructura A.

El proceso de formación de un sólido a partir de los iones en fase gaseosa es tan exotérmico que a
temperatura ambiente o cerca de ella la contribución de la entropía al cambio de energía de Gibbs
(como en ∆G° = ∆H° + T∆S° ) puede despreciarse. Lo cual es cierto a T=0. Por tanto se puede
aproximar ∆G° ≈ ∆H° y los cálculos termodinámicos de los sólidos suelen hacerse en función de los
cambio de entalpía ∆H°

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Tabla 3.7 Entalpías de red de algunos sólidos inorgánicos simples
Compue Estructura tipo ∆H°red (kJmol- Compuesto Estructura ∆H°red (kJmol-
sto 1) tipo 1)

LiF Sal gema 1030 SrCl2 Sal gema 2125


liI Sal gema 757 LiH Sal gema 858
NaF Sal gema 923 NaH Sal gema 782
NaCl Sal gema 786 KH Sal gema 699
NaBr Sal gema 747 RbH Sal gema 674
NaI Sal gema 704 CsH Sal gema 648
KCl Sal gema 719 BeO Wurtzita 4293
KI Sal gema 659 MgO gema 3795
CsF Sal gema 744 CaO Sal gema 3414
CsCl Cloruro de Cesio 657 SrO Sal gema 3217
CSBr Cloruro de Cesio 632 BaO Sal gema 3029
CsI Cloruro de Cesio 600 Li2O Antifluorita 2799
MgF2 Rutilo 2922 TiO2 Rutilo 12150
CaF2 Fluorita 2597 CeO2 Fluorita 9627

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Entalpia de red y ciclo de Born-Haber
La entalpía de red se determina a partir de los datos de entalpía utilizando el ciclo de Born-Haber; La estructura cristalina más
estable del compuesto es, por lo general, aquella con la mayor entalpía de reden condiciones prevaleciente

La entalpía de red, ∆Hred° ,es el cambio de entalpía molar estándar que acompaña la formación de un gas de
iones a partir de un sólido

MX(S) →M+(g) + X-(g) ∆Hred,° = +

Entalpia estándar de formación: M(S) + X(g) →MX(s) ∆Hf° =

Entalpia estándar de descomposición: MX(s) → M(S) + X(g) ∆Hdes = -∆Hf

Entalpia estándar de red: MX(s) → M+(g) + X-(g) ∆Hred°

Entalpia estándar de formación de red a partir de los iones gaseosos: M+(g) + X-(g) → MX(S) -∆Hred°

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Ciclo de Born-Haber para el KCl

0 = (ΔH°des(1) + ΔH°sub(2) + ΔH°ion(3) + ΔH°diso(4) + ΔH°ion(5) + ΔH°form.red(6)) K+(g) + Cl(g) + e-

ΔH°dis(4)= 122 ΔH°g.e(5)= -355


-ΔH°form.red = (ΔH°des(1) + ΔH°sub(2) + ΔH°ion(3) + ΔH°diso(4) + ΔH°ion(5) )
K+(g) + e- + ½Cl2(g)
K+(g) + Cl-(g) → KCl(s) ΔH°form. red(6) K+(g) + Cl-(g)
ΔH°ion(3)= 425

K(g) + ½Cl2(g)
KCl(s) → K+(g) + Cl-(g) ΔH°red = -ΔH°form. red(6) x= ΔH°fromación de red(6)
ΔH°subl(2)= 89
K(s) + ½Cl2(g) -x= ΔH°red
ΔH°red = (ΔH°des(1) + ΔH°sub(2) + ΔH°ion(3) + ΔH°diso(4) + ΔH°ion(5) )
ΔH°des(1) = 438

ΔH°red = (438 + 89 + 425 + 122 – 355) = 719 kJ mol-1


KCl(s)

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K(s) → K(g) ΔH°sub = +89 kJ mol-1

1/2Cl2(g) → Cl(g) ΔH°dis = +122 kJ mol-1

K(g) → K+(g) + 1e- ΔH°ion = +425 kJ mol-1

Cl(g) + 1e- → Cl-(g) ΔH°g.e = -355 kJ mol-1

Cl-(g) + K+(g) → KCl(s) ΔH°f.red = ?


________________________________________________
K(s) + 1/2Cl2(g) → KCl(s) ΔH°f = -438

-438 = 89 + 122 + 425 – 355 + ΔH°f.red

-ΔH°f.red =438 + 89 + 122 + 425 – 355 = 719

-ΔH°f.red = ΔH°red = 719

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Elabore el ciclo de Born-Haber para el LiF

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Elabore el ciclo de Born-Haber para el LiF

Li+(g) + F(g) + e-

ΔH°dis(4)= 75.3 ΔH°g.e(5)= -328

ΔH°red = (ΔH°des(1) + ΔH°sub(2) + ΔH°ion(3) + ΔH°diso(4) + ΔH°g.e(5) ) Li+(g) + e- + ½F2(g)

ΔH°ion(3)= 520 Li+(g) + F-(g)


ΔH°red = (594.5 + 155.2 + 520 + 75.3 - 328) = 1017 kJmol-1
Li(g) + ½F2(g)
x= ΔH°fromación de red(6)
ΔH°subl(2)= 155.2
Li(s) + ½F2(g) -x= ΔH°red

ΔH°des(1) = 594.5

LiF(s)

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Elabore el ciclo de Born-Haber para el MgBr2
Sublimación de Mg(s): +148; Ionización del Mg(g) a Mg2+(g): +2187; Vaporización Br2(l): +31;
Disociación del Br2(g): +193; Ganancia electrónica de Br(g): -331; Formación de MgBr2(s): -524

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Elabore el ciclo de Born-Haber para el MgBr2
Sublimación de Mg(s): +148; Ionización del Mg(g) a Mg2+(g): +2187; Vaporización Br2(l): +31; Disociación
del Br2(g): +193; Ganancia electrónica de Br(g): -331; Formación de MgBr2(s): -524

ΔH°red = (ΔH°des(1) + ΔH°sub(2) + ΔH°ion(3) + ΔH°diso(4) + ΔH°g.e(5) )

ΔH°red = (524 + 148 + 2187 + 31 + 193 -662) = 2421 kJ mol-1

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Tabla 3.2 Estructuras cristalinas adoptadas por los metales en condiciones norlames
Estructuras cristalinas Elementos
Hexagonal compactas (hcp) Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cúbica compacta (ccp) Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cúbica centrada en el cuerpo (bcc) Ba, Cr, Fe, W, metales alcalinos
Cúbica simple (cs) Po

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ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE LOS SÓLIDOS
Un enfoque sencillo consiste en tratar a un sólido como una sola molécula enorme y extender las
ideas de la teoría de orbital molecular para número muy grande de orbitales.

Conductividad de los sólidos inorgánicos: Un conductor metálico es una sustancia con una
conductividad eléctrica que disminuye con el aumento de la temperatura, mientras que un
semiconductor es una sustancia con una conductividad eléctrica que aumenta con el incremento
de temperatura.

Las propiedades metálicas como brillo, conductividad eléctrica y térmica y su maleabilidad,


surgen de la capacidad de los átomos para aportar electrones a un "mar" común.

El brillo y las conductividades eléctricas se basa en la movilidad de estos electrones como


respuesta al campo eléctrico oscilante de un rayo de luz incidente o una diferencia de potencial .
La conductividad térmica se debe a que un electrón puede colisionar con un átomo que está
vibrando, tomar su energía y transferirla a otro átomo en cualquier parte del sólido.

La maleabilidad es la facilidad con la cual los metales pueden deformarse mecánicamente es


otro aspecto de la movilidad electrónica ya que el mar de electrones se reajustan con
rapidez a una deformación del sólido y continúa uniendo a los átomos

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BANDAS FORMADAS MEDIANTE TRASLAPO ORBITAL

El traslapo de una gran catidad de orbitales atómicos en un


sólidoda lugar a una gran número de orbitales moleculares
cuya separación en energía es pequeña y permite la
formación de bandas casi continuas de nivelesde enegìa
(figuta adjunta) las bandas están separadas por brechas entre
bandas donde no hay orbitales moleculares.

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ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE LOS SÓLIDOS

Conductor metálico: Es una sustancia con una conductividad eléctrica


que disminuye con el aumento de temperatura.

Semiconductor: Es una sustancia con una conductividad eléctrica


que aumenta con el aumento de temperatura.

Semiconductor: Es una sustancia con una conductividad eléctrica


muy baja, sin embargo, cuando esa conductividad se mide, se ve que
aumenta con la temperatura como en el caso de un semiconductor.
(figura 3.47).

Superconductor: Constituye una clase especial de material que tiene


una resistencia eléctrica por debajo de una temperatura crítica.

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BANDAS FORMADAS MEDIANTE TRASLAPO ORBITAL

En el caso de los átomos de Hidrógeno hay un solo orbital s, para dos átomos
hay dos orbitales moleculares una de enlace lleno y otro antienlazante vacio,
para cuatro átomos ahora hay cuatro orbitales moleculares dos de enlace y dos
de antienlace.
Si la longitud de la cadena es muy larga, hay tantosorbitales loleculares que la
separación de energìas entre ellos se vuelve estremadamente pequeña lo que
origina la formación de una banda, continua de estado de energìa

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BANDAS FORMADAS MEDIANTE TRASLAPO ORBITAL

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SEMICONDUCTOR

En el germanio los enlaces son puramente convalente. En el arseniuro de galio la


diferencia en electronegatividades introduce polaridad a los enlaces, los átomos de
galio son menos electronegativos que el arsenico y el germanio lo cual se refleja en un
desplazamiento hacia arriba de las energías de los orbitalesatómicos del galio, los
átomos de As son más electronegativos que el Ga y Ge lo cual se refleja en un
desplazamiento hacia debajo de las energías de los orbitales atómicos. La introducciòn
de polaridad de enlace aumenta el espacio de banda de 0.67 eV para el Ge y 1.43 eV
para el GaAs
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