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Energies-13-02319 en Es
Energies-13-02319 en Es
Artículo
1
Instituto de Sistemas de Accionamiento Eléctrico y Electrónica de Potencia, Technische Universität München,
80333 Múnich, Alemania; mohammed.shamshuddin@tum.de (MAS); ralph.kennel@tum.de (RK)
2
Departamento de Ingeniería Eléctrica, Universidad de Santiago de Chile, 8320000 Santiago, Chile; matias.diazd@usach.cl
3
Departamento de Ingeniería Eléctrica, Universidad de Chile, 8320000 Santiago, Chile; rcardenas@ing.uchile.cl
4
Departamento de Ingeniería Eléctrica, Ponti fi cia Universidad Católica de Chile, 7500000 Santiago, Chile; jepereda@ing.puc.cl
* Correspondencia: felix.rojas@usach.cl
Resumen: El aumento de la demanda mundial de energía y las limitaciones de los combustibles fósiles han fomentado una proporción creciente de
recursos de energía renovable en la red de servicios públicos. Por consiguiente, en las redes de distribución de energía se ha observado una mayor
penetración de fuentes de energía y cargas de corriente continua (CC) (por ejemplo, energía solar fotovoltaica y vehículos eléctricos) así como la
necesidad de un control activo del flujo de energía. Los transformadores pasivos son susceptibles a la compensación de CC y no poseen capacidad
de control cuando se emplean en redes inteligentes. Los transformadores de estado sólido (SST) se identifican como una solución potencial para
modernizar y armonizar las redes eléctricas de corriente alterna (CA) y CC y como soluciones adecuadas en aplicaciones como la tracción, los
barcos eléctricos y la industria aeroespacial. Este documento proporciona una descripción general completa sobre SST: conceptos, topologías,
clasificación, convertidores de potencia, selección de materiales y aspectos clave para los criterios de diseño y esquemas de control propuestos en
la literatura. También propone una terminología simple para identificar y homogeneizar el gran número de de fi niciones y estructuras reportadas
actualmente en la literatura.
Palabras clave: transformador de estado sólido (SST); clasificación de TSM; transformador de electrónica de potencia (PET); transformadores pasivos; redes
inteligentes
1. Introducción
Los transformadores pasivos han sido componentes indispensables en los sistemas de energía eléctrica desde que Zipenowsky et al.
demostró el primer transformador comercial en 1885 [ 1 , 2 ]. Posteriormente, Tesla propuso la aplicación de transformadores para un sistema de
distribución eléctrica en 1888 [ 3 ]. Aunque los transformadores pasivos pueden lograr la regulación de voltaje a través de cambiadores de
tomas, los transformadores de estado sólido (SST), también conocidos como transformadores electrónicos de potencia (PET), son capaces de
compensar caídas de voltaje y distorsión armónica, interconectando redes asíncronas, interconectando puertos CC y CA (s ), compensando la
potencia reactiva, regulando la magnitud de la tensión, aislando las perturbaciones de la fuente y carga o viceversa, y eliminando el uso de
actuadores mecánicos o cambiadores de tomas. Estas características hacen de SST una solución muy atractiva para reemplazar los
transformadores pasivos de baja frecuencia (LFT) en varias aplicaciones [ 4 ]. Sin embargo, las SST no deben implicarse explícitamente como
un reemplazo completo de las LFT, ya que pueden no ser factibles en ciertas aplicaciones (por ejemplo, transformadores especiales como
transformadores o transformadores de desplazamiento de fase) [ 5 , 6 ]. Por lo tanto, la viabilidad de un SST debe adjudicarse en función de la
El concepto de SST fue propuesto por primera vez en 1970 por WilliamMcMurray como un convertidor de potencia CA / CA de enlace de
alta frecuencia [ 7 ]. Sin embargo, la primera introducción del término SST fue como una alternativa al autotransformador basado en un convertidor
reductor AC / AC y convertidor reductor AC / AC, que fue propuesto por JLBrooks en 1980 para sistemas navales [ 8 , 9 ]. Es en 1999 que Sudhoff
et al. Informó en una patente sobre la capacidad de un SST como transformador de distribución. [ 10 ] y también en una publicación de Moonshik
Kang et al. [ 11 ]. En 2001, Lothar Heinemann et al. [ 12 ] propuso la utilización de SST como un transformador de distribución universal basado en
electrónica de potencia para sistemas de distribución de media tensión / baja tensión (MT / LV). Recientemente, ha habido un renovado interés en
las SST debido a una creciente demanda de interconexión de niveles de voltaje medio de CA y CC utilizando convertidores de potencia de alta
densidad de potencia con alto rendimiento y capacidad de control en aplicaciones como tracción y futuras redes inteligentes [ 13 , 14 ]. Debido a la
frecuencia media de operación, las SST tienen un volumen y peso reducidos, logrando una mayor densidad de potencia y una huella más
pequeña. Además, la disminución de los costos y el aumento de la disponibilidad de dispositivos semiconductores de bajo voltaje (LV) de alto
rendimiento, así como los avances en nuevos materiales magnéticos con mayor densidad de flujo de saturación y menores pérdidas específicas
del núcleo han contribuido a que las SST sean técnica y económicamente viables, lo que atrae el interés de la investigación global.
Los SST se caracterizan por tres características principales: (1) Conexión a al menos un puerto de media tensión (MV) (o alta tensión
(HV)) (ya sea CA o CC); (2) Etapa (s) de aislamiento de frecuencia media, y (3) Capacidad de control sobre los parámetros eléctricos de
entrada y / o salida [ 4 , 13 ]. Recientemente, también se exige un puerto de comunicación (COMM) como una de las características clave de los
SST [ 15 , dieciséis ]. Las SST han evolucionado rápidamente y se han propuesto y nombrado numerosas topologías como SST. Sin embargo,
solo las topologías que satisfacen estas tres características clave se consideran una SST y se incluyen en esta revisión (el puerto de
comunicación no se considera una característica obligatoria de las SST).
Las SST han encontrado numerosas áreas de aceptación tales como: redes inteligentes [ 17 - 20 ] debido a su capacidad de control sobre
voltaje, corriente y frecuencia; tiene un control completo de la potencia activa y reactiva. Además, debido a su alta frecuencia de conmutación,
puede cumplir con los requisitos dinámicos elevados para el filtrado de armónicos. Los SST también son capaces de proporcionar servicios
auxiliares a la red, como detección de isla, aislamiento de la red, operación en la red y modo de operación híbrido y autónomo con gestión de
energía en micro y nano redes locales [ 21 ]. Se prevé que los SST se utilicen como encaminadores de energía en la red del sistema de energía
prevista en el futuro [ 15 ] e incluso en la futura red de distribución de energía submarina [ 22 ]. Además, las aplicaciones de SST se pueden ampliar
para puntos abiertos suaves (SOP) en el sistema de red de distribución, ya que permite la conexión en paralelo de un SST con un transformador
pasivo de diferentes potencias nominales y puede proporcionar control de flujo de potencia activa y reactiva en funcionamiento normal [ 23 ]. Los
SST brindan aislamiento de fallas y restauración de voltaje / suministro en condiciones anormales. Además, el aislamiento galvánico con puerto
(s) de CC ayuda a integrar los vehículos eléctricos (EV) y puede facilitar la carga rápida de los EV [ 24 ], sistemas de almacenamiento de energía e
integrar fuentes de energía renovables como la energía solar fotovoltaica [ 25 ], energía eólica [ 26 ] y micro sistemas hidroeléctricos. Por lo tanto,
una SST que funciona como conversión MVAC / LVDC aislada se puede utilizar en cargas críticas como centros de datos [ 14 ]. Debido a su huella
reducida y bajo peso, las SST también son adecuadas para los próximos sistemas de tracción con propulsión distribuida y vehículos de bajo perfil
con equipo de tracción montado en la parte superior [ 13 , 27 , 28 ]. Las aplicaciones de las SST pueden ampliarse aún más a los buques eléctricos
MVDC [ 29 ], sistemas de energía de aeronaves [ 30 , 31 ], y también para subestaciones subterráneas de distribución de energía, donde hay
limitaciones de espacio que se benefician de la reducción de la relación volumen / peso de SST [ 32 , 33 ].
Los SST se pueden utilizar con las redes de distribución de energía existentes sin necesidad de reemplazar o ampliar la
infraestructura eléctrica actual. Varias industrias están trabajando en SST como ABB, Suiza; General Electric Co., Estados Unidos; Alstom
SA, Francia; Mitsubishi Electric Corporation, Japón; Siemens AG, Alemania; Schneider Electric SE, Francia; y Cooper Power Systems,
Brasil [ 34 ]. Algunas nuevas empresas que trabajan en SST son Varentec, EE. UU. Y Amantys, Reino Unido, y esta última se centra en
aplicaciones de parques eólicos [ 35 ]. Se prevé que la tasa de crecimiento global del mercado de SST sea
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expandirse a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 21,7% de 2019 a 2027 y se proyecta que Europa liderará el mercado con
una CAGR del 23,4% [ 36 ]. Por lo tanto, la creciente adaptación de las SST en la academia y la industria apunta a la SST como un próximo paso
revolucionario en la comunidad de electrónica de potencia.
En este trabajo, se presenta una descripción general de SST, discutiendo y clasificando sus conceptos, topologías y aplicaciones. El
documento está organizado de la siguiente manera: Sección 2 introduce las arquitecturas SST y propone una terminología para una clasificación
simple. Sección 3 presenta la composición de las SST utilizando la nomenclatura propuesta para las SST. En la sección 4 , se informa una descripción
general de varias clasi fi caciones y subclasi fi caciones de TSM. Sección 5 detalla las topologías de convertidor de potencia disponibles para
interconectar el lado de MT y BT de la SST junto con una breve revisión de los esquemas de modulación. Sección 6 revisa los aspectos constructivos
de las SST en términos de selección de semiconductores y criterios de diseño de un transformador de frecuencia media (MFT). En la sección 7 , se
revisan los esquemas de control para las aplicaciones de SST más relevantes. Sección 8 presenta problemas de seguridad y protección para las
2. Arquitectura SST
La arquitectura de las SST se ha clasificado en función del número de etapas de conversión de potencia y las características eléctricas
que la componen, como propusieron por primera vez Lothar Heinemann et al. en [ 12 ] e ilustrado en la Figura 1 . Esta clasificación fue
adoptada por Xu She et al. en [ 37 ] con la etapa única sin enlace de CC como tipo A, dos etapas con enlace de CC de BT como tipo B, dos
etapas con enlace de CC de AT (o MT) como tipo C, y tres etapas con enlace de CC de MT y BT link como tipo D. Sin embargo,
considerando el estado actual de la técnica en SST, esta clasificación no es lo suficientemente amplia y varias de las topologías SST
reportadas no están cubiertas por esta clasificación. Por lo tanto, en este trabajo se propone una terminología simple e intuitiva para una
clasificación universal de las TSM. La terminología se basa en las tres características clave que definen una SST, es decir, conexión a MT o
AT al menos en un puerto, etapa de aislamiento de MF y control de variables eléctricas de entrada / salida, siendo lo suficientemente general
para incluir cualquier tipo de SST.
MVAC LVAC MVAC MVDC LVAC MVAC LVDC LVAC MVAC MVDC LVDC LVAC
C.A. corriente continua C.A. corriente continua corriente continua
C.A. corriente continua C.A.
C.A. corriente continua C.A. corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A.
Figura 1. Terminología de SST reportada [ 12 , 37 ]: ( un) SST de una etapa; ( segundo) SST de dos etapas con enlace MT DC; ( C) SST de dos etapas con enlace de
Figura 2 muestra la de fi nición propuesta de dos grupos diferentes de etapas de conversión de potencia,
para simplificar, denominado bloque de transformador de estado sólido (SST bloque) y bloque aislado de transformador de estado sólido (SST Yo
bloqueo ), que pueden considerarse los componentes básicos de cualquier SST. Por lo tanto, el SST Yo bloqueo corresponde a una unidad de conversión
de potencia aislada con conexión a niveles MT o HV mientras que la SST bloquear corresponde a una unidad de conversión de potencia no aislada,
cuyos puertos pueden conectarse indistintamente a la gama de BT y / o MT. El SST Yo bloqueo por sí mismo satisface las tres características clave a
ser
denominado como SST. Por lo tanto, SST Yo bloqueo representa la forma más simple de una SST, es decir, una SST de una sola etapa. Los SST de
una sola etapa tienen un solo puerto disponible en el lado primario y secundario del MFT.
En consecuencia, varios SST de una sola etapa se pueden subclasificar como: un solo primario solo secundario (SPSS) AC ‖ AC SST, SPSS AC ‖ DC
donde el simbolo ‖ representa la identi fi cación del aislamiento galvánico. Por lo tanto, SST bloquear pueden considerarse como etapas de extensión
Figura 2. Bloques de construcción de una sola entrada y salida (SISO) para la formación de SST: ( un - re) etapa de conversión de energía aislada, denominada
La SST de dos etapas se puede construir usando una SST Yo bloqueo y una SST bloque. Esta interconexión genera un enlace de
acoplamiento, que se considerará como puerto solo si está destinado a uso externo.
interconexión; de lo contrario, solo se considera un enlace energético. Por lo tanto, en función de la ubicación
de la SST Yo bloqueo , se puede crear un puerto adicional en el lado primario de MFT para back-end
SST Yo bloqueo o en el lado secundario del MFT para SST frontal Yo bloqueo . En consecuencia, la topología de SST en la figura 1 b, c se puede
definir como doble primario único secundario (DPSS) CA / CC ‖ AC SST y sencillo
primaria dual secundaria (SPDS) CA ‖ DC / AC SST, respectivamente. Autores en [ dieciséis ] presentó una configuración de SST de
front-end aislada con un enlace de CA y complejidad y volumen reducidos para los convertidores de MT, que se presenta en la Figura 3 a.
Aunque esta topología no está incluida en la clasificación presentada en la literatura (ver Figura 1 ), según la terminología propuesta, se
define como SPDS AC ‖ AC / DC SST. Suponiendo que el enlace de CA no está diseñado para una interconexión externa, entonces la
topología debe nombrarse como SPSS AC ‖ AC / DC SST. Esto aclara que el SST está diseñado solo para
un puerto de entrada de CA y un puerto de salida de CC, con un enlace de CA después de la SST Yo bloqueo .
(un) (segundo)
Figura 3. Topologías SST excluidas de la terminología SST existente: ( un) SPDS AC ‖ AC / DC SST [ dieciséis ] y ( segundo) SPTS AC ‖ CC / CC
/ CA SST [ 38 ].
Asimismo, una SST de tres etapas como la Figura 1 d se forma usando una SST Yo bloqueo y dos
SST bloquear formando un primario dual secundario dual (DPDS) AC / DC ‖ CC / CA SST. Además, los autores de [ 38 ] propuso una SST de
tres etapas denominada transformador semiconductor inteligente bidireccional
como se muestra en la Figura 3 b, destinado a sistemas de distribución inteligente y microrredes. Usando la terminología propuesta, esto puede
ser referido como un solo primario triple secundario (SPTS) AC ‖ CC / CC / CA SST.
Por lo tanto, una SST con cualquier número de etapas se puede clasificar fácilmente. Interconexión de dos o
más SST Yo bloqueo se considerará como una interconexión de SST separados, a menos que todos los SST Yo bloqueo y SST bloquear se
controlan como una sola unidad, sin control independiente para cada bloque. En ese caso,
la terminología permanece sin cambios y el símbolo ‖ Denotará el número de SST Yo bloqueo dentro de la SST.
El concepto presentado en la Figura 2 ha asumido solo un puerto de entrada y un puerto de salida por SST Yo bloqueo ,
es decir, SISO SST Yo bloqueo . Sin embargo, como se presenta en la Figura 4 , el concepto se puede ampliar para SST Yo bloqueo ( s) con múltiples puertos de
entrada y salida múltiple (MIMO). Por lo tanto, los bloques MIMO pueden interactuar con un
número de m-entrada (s) y suministro de energía a n puertos de salida. Observe que los puertos de voltaje para MIMO SST Yo bloqueo En figura 4 a – d
comparten la misma naturaleza (es decir, CA o CC). También es posible construir un MIMO
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SST Yo bloqueo con puertos de voltaje de diferente naturaleza (es decir, CA y CC) definidos como puerto híbrido MIMO SST Yo bloqueo y se muestra
en la Figura 4 e — completando así la generalidad de la terminología propuesta.
MVAC LVAC
MVAC LVAC MVAC LVDC MVDC LVAC MVDC LVDC (o MVDC) y LVDC
PAGS 1 PAGS' 1 PAGS 1 PAGS' 1 PAGS 1 PAGS' 1 PAGS 1 PAGS' 1 PAGS 1 PAGS' 1
PAGS 2
C.A.
PAGS' 2 PAGS 2
C.A. PAGS' 2 PAGS 2
corriente continua PAGS' 2 PAGS 2
corriente continua PAGS' 2 PAGS 2
C.A.
PAGS' 2
C.A-
C.A. corriente continua C.A. corriente continua corriente continua
PAGS metro PAGS' norte PAGS metro PAGS' norte PAGS metro PAGS' norte PAGS metro PAGS' norte PAGS metro PAGS' norte
Figura 4. Bloques de construcción MIMO para la formación de SST [ 20 , 39 ]: ( un) MIMO SPSS AC ‖ AC SST, ( segundo) MIMO SPSS AC ‖ DC
SST, ( C) MIMO SPSS DC ‖ AC SST, ( re) MIMO SPSS DC ‖ DC SST y ( mi) Puerto híbrido MIMO SPSS AC ‖ AC-DC SST.
Figura 5 muestra los diferentes niveles de integración para comprender la composición de una SST. Como se discutió
anteriormente, la generación de diferentes arquitecturas SST se puede lograr utilizando el
combinación de la SST definida Yo bloqueo y SST bloque. La definición de estas arquitecturas se ha realizado a nivel de sistema de integración.
Con el fin de identificar y clasificar las diferentes topologías de
SST propuesto en la literatura, se requiere mirar en el SST propuesto Yo bloqueo y SST bloquear presentado en la figura 2 y establecer algunas
de fi niciones sobre su construcción. Figura 5 de fi ne los tres diferentes
niveles de integración. En primer lugar, el concepto de módulos de potencia integrados (IPM) [ 40 ], que se define como la unidad electrónica de potencia
autónoma más pequeña. Por lo tanto, un IPM (también conocido como bloque de construcción de electrónica de potencia (PEBB)), definido como un
nivel de integración de módulo, se compone de dispositivos semiconductores, controladores de compuerta, sensores, protecciones, fuentes de
alimentación, puertos de comunicación, elementos pasivos y los circuitos necesarios para crear un módulo. Un ejemplo típico de un IPM sería una rama
de un convertidor de potencia. Cuando se utiliza un IPM para crear un SST, se denominará transformador de estado sólido integrado
módulos de potencia (SST IPM). Asimismo, y como se muestra en la Figura 5 , la interconexión de SST IPM forma una llamada celda transformadora de
estado sólido (SST celda ), Si se utiliza un MFT dentro de la interconexión, forman una celda aislada por transformador de estado sólido (SST i-celda). Esto
representa el siguiente nivel de integración, es decir, el nivel de integración del convertidor de potencia. Finalmente, la interconexión de una o más
SST celda ( o SST i-celda)
de fi ne una SST bloquear o SST Yo bloqueo ). Por tanto, la complejidad de un SST bloquear o SST Yo bloqueo ) se define por el número de SST IPM en
cada SST celda ( o SST i-celda) y el número de SST celda ( o SST i-celda) en cada uno de los
SST bloquear o SST Yo bloqueo ).
(o SS yo- T bloquear)
Nivel de convertidor
integración SST celda SST celda
(o SST i-celda) (o SST i-celda)
En el nivel de integración del módulo, un SST IPM puede tomar cualquier forma. Comúnmente, disponible comercialmente
Los módulos de potencia integrados se utilizan para crear una SST. IPM. Por lo tanto, una SST IPM podría ser un tramo de fase de medio puente, un tramo de fase de
convertidor de matriz [ 41 ], o un tramo de fase del convertidor de varios niveles o un puente H en cascada
(CHB) o tramo de fase del convertidor multinivel modular (MMC) como se muestra en la Figura 6 .
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Celda
Celda
norte
Celda
Celda
Figura 6. Equivalente topológico de SST IPM a nivel de módulo: ( un) Tramo de fase de medio puente [ 40 ], ( segundo) Tramo de fase del convertidor de matriz [ 41 ], ( C)
Tramo de fase del convertidor de matriz utilizando IGBT de bloqueo inverso [ 41 ], ( re) Neutral
tramo de fase del convertidor de punto sujetado [ 42 , 43 ], ( mi) Tramo de fase del condensador de vuelo [ 44 ], ( F) Tramo de fase de puente H en cascada [ 45 , 46 ] y ( gramo)
A SST bloquear se compone de una sola SST celda , es decir, un solo convertidor de potencia, como se muestra en
Figura 7 a, o puede formarse utilizando varias unidades SST celda . Normalmente, la interconexión de varios
SST celda son necesarios para manejar los altos niveles de voltaje o corriente presentes en los terminales de una SST. La interconexión en
serie ayuda a alcanzar altos niveles de voltaje con semiconductores de BT. Similar,
La interconexión en paralelo es adecuada para manejar altos niveles de corriente. En consecuencia, se pueden resaltar tres interconexiones
diferentes: serie de entrada serie de salida (ISOS), serie de entrada salida en paralelo (ISOP) y conexión de entrada en paralelo salida en
paralelo (IPOP), como se muestra en la Figura 7 b – d.
SST bloquear
(o SST Yo bloqueo)
SSTcell SSTcell
SST celda
(o celda SSTi) (o celda SSTi)
SSTcell SSTcell
SST celda
(o celda SSTi) (o celda SSTi)
SSTcell SSTcell
SST celda
(o celda SSTi) (o celda SSTi)
SSTcell
SSTcell SSTcell
(o celda SSTi)
SST celda
(o celda SSTi) (o celda SSTi)
C.A.
(o DC)
Lado primario MFT Lado secundario
(mi) Célula (s) de SST (F) Célula (s) de SST
Figura 7. Integración a nivel de convertidor [ 48 - 50 ]: ( un) SST simple celda , ( segundo) múltiples SST celda con interconexión ISOS, ( C) múltiples
SST celda con interconexión ISOP, ( re) múltiples SST celda con interconexión IPOP, ( mi) equivalente topológico de SST celda y ( F) equivalente
Un modelo topológico equivalente de SST celda se muestra en la Figura 7 mi. Del mismo modo, una SST i-celda se forma utilizando solo una
MFT y su modelo topológico equivalente se muestra en la Figura 7 F. Se compone de
anMFT colocado entre el lado primario y / o el lado secundario SST celda ( s) (solo una SST celda se requiere). Una red reactiva de alta
frecuencia suele estar presente en el lado primario y secundario del MFT.
para controlar la transferencia de energía, crear resonancia y permitir la operación de conmutación suave en SST celda [ 50 , 51 ]. El MFT no solo proporciona
aislamiento galvánico, sino que también produce una gran transferencia de voltaje y corriente.
muestra en la Figura 7 C.A. Observe que una SST Yo bloqueo formado usando una sola SST i-celda tiene una MFT única y centralizada [ 4 , 52 ], mientras
que una SST Yo bloqueo formado usando múltiples SST i-celda posee
varias MFT distribuidas [ 53 , 54 ]. El MFT implementado en un SST i-cell ver figura 7 f) puede tener varias con fi guraciones, como se muestra en la
Figura 8 a – f. Estas diferentes con fi guraciones de MFT se pueden utilizar en la misma
manera de crear un SST i-celda como se presenta en la Figura 9 .
Figura 8. Configuraciones de MFT utilizadas en SST: ( un) transformador monofásico [ 4 ], ( segundo) transformador trifásico [ 49 ], ( C) transformador
monofásico de múltiples devanados [ 55 ], ( re) transformador trifásico de múltiples devanados [ 56 ], ( mi) transformador de bobinado dividido [ 57 ] y ( F) transformador
scott [ dieciséis ].
SST i-celda
SSTcell SSTcell
SSTcell SSTcell
SSTcell
SSTcell SSTcell
Figura 9. Diferentes tipos de SST i-cell [ 32 ]: ( un) SST i-celda formado con transformador monofásico y SST simple celda , ( segundo) SST i-celda formado
con transformador monofásico y múltiples SST celda , ( C) SST i-celda para transformador de múltiples devanados, ( re) SST i-celda utilizando
transformador trifásico y SST trifásico celda , y ( mi) SST i-celda formado utilizando un transformador trifásico y múltiples SST monofásico celda .
Un solo SST i-celda se puede combinar con SST adicional celda ( s) extender las etapas a nivel celular
como se muestra en la Figura 10 C.A. Además, varias unidades de SST de varias etapas celda se puede interconectar en la configuración ISOP o ISOS
respectivamente. Es de destacar que la SST de varias etapas Yo bloqueo como se muestra en la Figura 3 tiene un enlace de CC común a diferencia de la SST de varias
etapas i-celda como en la figura 10 d, e que tiene múltiples puertos de CC aislados e independientes.
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SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda SST celda
(un)
SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda SST celda
SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda SST celda
(segundo)
SST celda SST i-celda SST celda SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda SST celda
Figura 10. Extensión del estadio a nivel celular y formación de SST Yo bloqueo utilizando SST de varias etapas celda [ 54 , 58 ]: ( un) SST de dos etapas celda , ( segundo)
SST de dos etapas celda , ( C) SST de tres etapas celda , ( re) SST de dos etapas celda en la configuración ISOP, y ( mi) SST de tres etapas celda en la configuración
ISOS.
MIMO SST Yo bloqueo se compone de varias unidades de cualquiera de los SST i-celda o SST de varias etapas celda que están interconectados para
crear múltiples puertos de entrada y / o salida para lograr un grado adicional de libertad en
términos de enrutamiento de energía. Un MIMO SST de tres puertos Yo bloqueo formado usando SST i-celda y SST de varias etapas celda se muestra en la Figura 11 a,
Figura 11. Formación de MIMO SST Yo bloqueo [ 58 ]: ( un) MIMO: SST de tres puertos Yo bloqueo usando SST i-cell,
( segundo) MIMO: SST de tres puertos con SST de dos etapas celda , ( C) MIMO: SST de puerto híbrido Yo bloqueo .
Los SST se clasifican en función de: (a) etapas de potencia, (b) niveles de voltaje, (c) control de la etapa de aislamiento, (d) modularidad y (e)
Uno Dos Tres MV / LV AT / MV Desacoplado Acoplado Voltaje Poder Fase SISO MIMO
etapa etapa etapa Controlar Controlar Interconexión Interconexión Interconexión
SST SST SST
[SPSS]
DPSS DPDS
Resonante Totalmente modular Fase híbrida
TPSS circuitos SST SST modular
Celda híbrida
SST modular
Según las características clave de un SST [ 13 ], al menos un puerto de la SST debe estar conectado a MV, ya sea CA o CC. Así, en
cuanto a sus niveles de tensión, se pueden de fi nir las siguientes clasi fi caciones: (a) configuración MT / BT y (b) configuración AT / MT.
LVAC MVAC
MVDC LVDC
(un) (segundo)
Figura 13. Clasificación de la SST basada en niveles de voltaje: ( un) Con fi guración MT / LV [ 48 , 49 ]; ( segundo) Configuración de HV / MV [ 59 , 60 ].
Figura 13 a muestra la configuración de MT / BT SST, una entrada de MT de baja frecuencia (LF) está interconectada en
el puerto del lado primario de la SST que se procesa utilizando una sola SST celda o múltiples SST células .
La SST del lado primario celda ( s), que también puede poseer un enlace MVDC, aumenta la frecuencia para proporcionar voltaje de
frecuencia media (MF) al lado primario del MFT, que, además de proporcionar aislamiento,
reduce la magnitud del voltaje. Dependiendo de la estructura y aplicación de la electrónica de potencia, se puede implementar un rango de
frecuencia de 1 kHz a varios cientos de kHz. Del mismo modo, el lado secundario
SST celda ( s) proporciona salida LVAC y / o LVDC. Una evaluación extensa de los estándares de niveles de voltaje de MT y BT se presenta en [ 12 ].
La mayoría de las publicaciones relacionadas con SST se informan para voltaje MT / BT
niveles, siendo una solución atractiva y económicamente viable para interconectar sistemas eléctricos a niveles de media tensión principalmente en
Además, en la Figura 13 b, aplicaciones típicas de SST adoptadas en niveles de alto voltaje (HV) como
Las turbinas eólicas marinas para la con fi guración HVDC / MVAC se informan en [ 59 , 61 , 62 ]. Para esta aplicación, la menor relación peso / volumen de las
SST en comparación con los transformadores pasivos es una característica clave que hace que la SST sea económicamente atractiva. Además, los autores
de [ 60 ] han enfatizado estos beneficios en la red de distribución de AT / MT, destacando el reemplazo y el costo más rápidos para transportar SST usando
Además, la de fi nición de media tensión es amplia y puede interpretarse de manera diferente según los distintos códigos de red
nacionales y / o internacionales [ 63 ]. Mesa 1 describe los rangos de voltaje definidos en la IEC 60038 [ 64 ]. La norma alemana BDEW 2008
define el rango de MT para los recursos energéticos distribuidos (DER) conectados a la red de MT que van desde 1 kV a 66 kV [ sesenta y
cinco ] y, en Francia, el nivel de voltaje medio podría referirse al rango HVA (> 1 kV a <50 kV) ya que los niveles de voltaje por debajo de 1
kV se definen como voltaje bajo en [ 66 ].
Niveles de voltaje CA EVA LVA LVB - HVA: (1 kV – 50 kV) HVB: (> 50 kV) Decreto francés de 2008 Nº 88–1056
Las SST se pueden clasificar según el control de la SST i-cell o etapa de aislamiento) a saber [ 67 , 68 ]: (a) Control desacoplado de la etapa
de aislamiento y (b) Control acoplado de la etapa de aislamiento.
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En este tipo de control, la SST del lado primario y secundario celda como se muestra en la Figura 7 f se controlan de forma
independiente sin utilizar la red reactiva del MFT colocada en el primario y / o secundario
lado del MFT. El transformador actúa como un elemento pasivo y transforma el voltaje que aparece a través de su devanado primario. De
hecho, la propuesta más antigua de Moonshik Kang et al. en [ 11 ] demostró la regulación de voltaje utilizando este enfoque. El ángulo de
cambio de fase ( φ), que es la diferencia de fase entre
las señales de conmutación de la SST del lado primario y secundario celda , se pone a cero. Además, los autores destacaron que no se utilizó ningún
la etapa se informa en [ 4 , 52 ].
El control acoplado de la etapa de aislamiento utiliza SST del lado primario y secundario celda junto con la red reactiva como se muestra en la
Figura 7 F. Se requiere una red reactiva, que se utiliza para la transferencia de energía,
lograr la conformación de la corriente y la conmutación suave [ 50 ]. Se informan dos circuitos diferentes [ 67 , 68 ] a saber: (a) circuitos no
resonantes y (b) circuitos resonantes.
El concepto de transferencia de energía no resonante se puede asociar con el principio de puente activo dual (DAB) que fue
introducido por primera vez por De Doncker et al. En 1991 [ 69 ] para conversión CC / CC aislada de alta densidad de potencia como se
destaca en la Figura 14 a. La red reactiva consta de una inductancia de fuga conectada en serie conectada al MFT, que se utiliza para el
almacenamiento temporal de energía que permite controlar un ángulo de cambio de fase ( φ) entre voltajes de entrada y salida. También es
posible lograr una conversión CC / CC aislada no resonante utilizando una topología push-pull aislada [ 70 ] o usando la topología de
duplicador actual como se informa en [ 71 ]. Florian Krismer detalla una clasificación extensa de convertidores CC / CC aislados con sus
topologías y modulaciones en [ 50 ].
Autores en [ 72 ] presentó una etapa AC / AC aislada como se muestra en la Figura 14 segundo. El control de
esta topología se basa en el principio de DAB; los autores se refieren a él como AC / AC DAB para SST y demostraron transferencia de
energía, regulación de voltaje y conmutación suave utilizando la inductancia de fuga distinta de cero. Además, el autor de [ 73 ] destaca las
limitaciones para lograr la conmutación de voltaje cero (ZVS) en AC / AC DAB, ya que requiere circuitos auxiliares adicionales para ampliar
el rango ZVS.
Autores en [ 68 ] presentó una SST de conmutación suave formada utilizando una etapa de CA / CA aislada construida con puentes
de fuente de corriente y funcionando como un DAB. Esta topología utiliza inductancia de magnetización del transformador en lugar de la
inductancia de fuga para la transferencia de energía, y esta topología se conoce como convertidor de corriente dinámica o dyna C en [ 74 ]
y se muestra en la Figura 14 C. Autores en [ 75 ] destacó varios problemas complejos de fabricación al adoptar un DAB CC / CC aislado
trifásico en SST, ya que el transformador trifásico requiere inductancias de fuga simétricas. Además, optimizar el rendimiento mediante
esquemas de modulación avanzados, como los basados en formas de onda triangulares o trapezoidales, puede no ser factible para un
DAB trifásico. Por lo tanto, las etapas DAB CC / CC aisladas monofásicas son la topología más comúnmente adoptada en SST multicelda.
Falcones y col. en [ 76 ] adoptó el puente activo múltiple (MAB) en SST, a saber, puente activo cuádruple (QAB), como se muestra en
la Figura 14 d destinado a integrar sistemas de almacenamiento de energía y generación distribuida. Además, Costa et al. en [ 77 ] destaca
los beneficios de MAB, ya que se informa que conservan las ventajas de DAB y ofrecen una ventaja adicional de un número reducido de
transformadores y módulos. Se encuentran detalles extensos de varios convertidores CC / CC aislados multipuerto en [ 78 ].
Energias 2020, 13, 2319 11 de 35
RN
corriente continua
corriente continua
Ll
C.A. C.A. C.A. Ll
Ll
C.A.
C.A. corriente continua C.A. C.A.
RN RN
RN ( segundo)
SSTi-celda corriente continua C.A.
(un) SSTi-celda
Ll Ll
Figura 14. Control acoplado: etapa de aislamiento (SST i-celda) basado en etapas no resonantes: ( un) puente activo dual [ 69 , 76 ] ( segundo) AC /
El concepto de convertidores resonantes fue propuesto por primera vez por Schwarz en 1970 [ 79 ]. La red de alta frecuencia reactiva del
lado primario generalmente se compone de inductancia de fuga con una combinación de inductor y / o condensador en serie y / o paralelo para
formar: convertidor resonante en serie (SRC), convertidor resonante en paralelo (PRC), LCC híbrido en serie-paralelo y Tipo LLC para lograr
una transformación CC / CC aislada de frecuencia media [ 68 ], y esto se muestra en la Figura 15 anuncio. Se puede lograr un fl ujo de potencia
bidireccional en convertidores resonantes utilizando dispositivos activos en el puente secundario y controlando el ángulo de fase ( φ) entre los
voltajes de entrada y salida [ 68 , 80 ]. Un ejemplo de control acoplado en etapa de aislamiento que utiliza circuitos resonantes se puede ver en [ 38 ],
que utiliza una etapa de conversión de potencia CA / CC aislada basada en LLC como se muestra en la Figura 15 mi.
RN RN RN
SSTi-celda SSTi-celda SSTi-celda (C)
(un) (segundo)
Llave:
C.A. C.A.
corriente continua C.A.
L l Cs L lCs RN - Red reactiva
LP LP
C.A. corriente continua
C.A. corriente continua
RN RN
SSTi-celda
SSTi-celda
(re) (mi)
Figura 15. Control acoplado: etapa de aislamiento basada en etapa de resonancia [ 38 , 68 , 79 ]: ( un) etapa DC / DC aislada basada en circuito de
resonancia en serie, ( segundo) etapa DC / DC aislada basada en circuito de resonancia paralelo, ( C) etapa DC / DC aislada basada en circuito de
resonancia LLC híbrido, ( re) etapa DC / DC aislada basada en circuito de resonancia híbrido LCC, ( mi) etapa aislada AC / DC basada en circuito
LLC.
Se informa que la conversión CC / CC aislada usando SRC en modo de conducción discontinua proporciona una potencia bien regulada
en un amplio rango de carga con sensores mínimos [ 19 ]. Además, el modo de conducción discontinua de medio ciclo (HC-DCM) SRC ha
recibido más atención en SST debido a una mayor densidad de potencia, eficiencia y posibilidad de implementar métodos de conmutación
suave [ 81 ]. A diferencia de DAB, el rendimiento de SRC depende de la precisión de la frecuencia de resonancia del circuito, que puede cambiar
a medida que los componentes pasivos envejecen o los cambios de carga empeoran su rendimiento. Por lo tanto, DAB se ha convertido en una
opción preferida sobre SRC, especialmente para SST en sistemas distribuidos [ 55 ]. Por lo tanto, la selección de la etapa de aislamiento basada
en circuito de resonancia o no resonancia depende de la aplicación.
Energias 2020, 13, 2319 12 de 35
Kolar y col. en [ 49 ] presentó tres grados de libertad en términos de modularidad de fi nidos en base a: dirección del fl ujo de
energía, conexión al sistema trifásico y conexión a los niveles de voltaje de MT. Un concepto similar se extiende al concepto propuesto de
SST (ver Figura 2 ) y se define como: (a) modularización basada en la dirección del fl ujo de potencia (eje P), (b) modularización basada en
niveles de voltaje / corriente (eje V), y (c) modularización basada en interconexión de fase ( ψ- eje).
La modularización en la dirección del fl ujo de energía se logra agregando SST bloquear s) para crear
etapas de potencia adicionales, como SST de dos o tres etapas, obteniendo así grados adicionales
de libertad en los puertos de control e interfaz, por ejemplo, la presencia de un enlace de CC para desacoplar el lado de baja frecuencia y el lado de
alta frecuencia [ 49 ]. Figura dieciséis muestra el grado de modularización a lo largo del eje P.
Note que el SST Yo bloqueo ( o SST bloque) a lo largo del eje P solo se forman utilizando una única SST i-cell o SST celda ) solamente.
No modular
Dos etapas Tres etapas Eje P
[Escenario único]
(segundo) (C)
(un)
No de etapas de potencia
SST Yo bloqueo SST Yo bloqueo SST bloquear SST Yo bloqueo SST bloquear SST bloquear
Figura 16. Modularización en la dirección del fl ujo de energía: ( un) SST no modulares o de una sola etapa, ( segundo) SST de dos etapas y ( C) SST
de tres etapas.
La modularización basada en niveles de voltaje / corriente se de fi ne en base al no. de SST celda ( o SST i-celda)
por etapa de potencia (ver Sección 3.2 ) y se puede subclasificar como: (a) SST no modulares, (b) celda híbrida
SST, y (c) SST multicelda completamente modular como se muestra en la Figura 17 . Figura 17 b destaca una célula híbrida
SPDS SST con SST Yo bloqueo formado usando múltiples unidades de SST i-celda y una SST bloquear formado usando una sola unidad de SST celda y
se resalta su ubicación en el plano PV.
SST Yo bloqueo
(segundo)
SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda
Eje V
SSTi-celda
SST celda SST i-celda SST celda SST i-celda
Figura 17. Modularización basada en niveles de voltaje / corriente: ( un) SST no modulares, ( segundo) SPDS SST de células híbridas y ( C) SST multicelulares
totalmente modulares.
Figura 18. Modularización basada en interconexión de fases: ( un) SST no modulares, ( segundo) SST modulares semifásicos y ( C) SST modulares
completamente en fase.
La modularidad logra escalabilidad y redundancia. Por lo tanto, es crucial para SST ya que
asegura la confiabilidad del sistema y, en consecuencia, simplifica la producción en masa, logrando menores costos de producción. El
tridimensional (PV ψ- plano) para trabajos de investigación anteriores se ilustra en la Figura 19 . Se encuentra una revisión comparativa de las
capacidades funcionales de las topologías SST anteriores en [ 82 ]. Las siguientes subsecciones presentan una revisión de publicaciones
anteriores para estas subclasificaciones.
PAGS
BIST [38]
CONSEJOS [5 6]
ABB [10]
FREEDM Gen I [15]
ETH [33]
]
[58
TT
PE V
Dyna C [74]
Celda híbrida Totalmente modular
modular
multicelda
Semifase
e
fas
modular
nte
me
lar
tal
du
To
mo
UNIFLEX [39]
EPRI [20]
Figura 19. Modularidad definida en fotovoltaica ψ avión: [ 10 , 15 , 20 , 33 , 38 , 39 , 56 , 58 , 74 ].
La mayoría de las primeras SST de una sola etapa propuestas en la literatura se demostraron principalmente para niveles de bajo voltaje.
Autores en [ 83 ] adaptó la topología propuesta y el concepto de McMurray [ 7 ] y demostró modulación de fase utilizando convertidores matriciales
monofásicos para un transformador de 3 kVA. Autores en [ 11 ] presentó una topología similar para un transformador electrónico monofásico de 10
kVA, 240/246 V junto con un enfoque multinivel. Autores en [ 84 ] propuso un esquema de modulación simétrica para lograr transiciones suaves para
esta topología. De manera similar, el primer SPSS AC propuesto ‖ DC SST como se muestra en la Figura 2 b fue presentado por los autores en [ 85 ]
utilizando una metodología de control de fase dirigida a sistemas de fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS). Recientemente, los autores de [ 57
] resaltado SPSS AC de una sola etapa ‖ AC SST para 7.2 kV
Energias 2020, 13, 2319 14 de 35
de entrada y reportó algunas limitaciones, como la ausencia de un enlace de CC, que puede requerir un mayor tamaño de los filtros, lo que
afecta el factor de potencia de entrada.
Además, los autores de [ 86 ] demostró un DPSS AC / DC de dos etapas ‖ AC SST como se ilustra en la Figura 1 b para abordar problemas de
calidad de la energía tales como: corrección del factor de potencia, regulación de voltaje, eliminación de caídas y aumentos de voltaje y reducción de
parpadeos de voltaje. Normalmente, esta configuración de SST se puede emplear en barcos eléctricos basados en MVDC o en colectores de CC
para plantas fotovoltaicas a gran escala [ 29 , 87 - 89 ]. Además, los autores de [ 4 ] presentó un SPDS AC de dos etapas ‖ DC / AC SST como se muestra
en la Figura 1 c dirigido a redes de distribución de energía de cuatro cables que utilizan MMC para SST e informó que la topología tenía una huella
reducida y elementos en la SST que se validaban a través de un modelo dinámico y un sistema de control desacoplado. El autor en [ 90 ] informó sobre
la viabilidad y las ventajas de un DPDS AC / DC de tres etapas ‖ DC / AC SST como se muestra en la Figura 1 d sobre un transformador convencional
Figura 20 a – c muestra diferentes con fi guraciones de SST completamente modulares y modulares de celda híbrida como se informa en la
literatura. Autores en [ 91 ] demostró un SPSS AC multicelular completamente modular ‖ AC SST como se muestra en la Figura 20 un; las celdas están
7,2 kV / 120 V SST. Del mismo modo, los autores de [ 58 ] presentó un PET destinado a la tracción como se muestra en la Figura 20 by estos ambos se
pueden clasificar como SST completamente modular. El SST presentado como patente por Sudhoff et al. en [ 10 ] se puede definir como una SST
en [ 92 ] informe utilizando la técnica de eliminación de fases, es decir, activando o desactivando SST celda ( s) basado en el punto de operación del sistema podría
mejorar la eficiencia pero es perjudicial para la confiabilidad del sistema a medida que aumenta
el estrés térmico. Por lo tanto, los autores proponen un concepto de enrutamiento de energía para implementar el control térmico activo a través de SST cargada de
manera desigual células para mejorar la eficiencia del sistema y aumentar la SST celda toda la vida.
C.A. C.A.
C.A. corriente continua corriente continua
C.A.
C.A. corriente continua C.A. corriente continua
Figura 20. Modularidad en la interconexión de tensión: ( un) células de una etapa totalmente modulares [ 91 ], ( segundo) celdas de dos etapas totalmente modulares [ 58
Figura 21 ilustra una SST modular en fase completa como lo demostraron los autores en [ 54 ] usando siete
convertidores de puente H en cascada trifásicos de nivel en configuración espalda con espalda, cada SST celda consta de un convertidor CC / CC
aislado colocado entre dos puentes H. Del mismo modo, Lai et al. en [ 93 ] presentado
un SST completamente modular de fase de 4,16 kV / 480 V que lo refiere como transformador universal inteligente (IUT) destinado a aplicaciones de media
tensión.
Energias 2020, 13, 2319 15 de 35
MVAC
SST de tres etapas celda Fase R LVAC Fase Y Fase B
Bloque i de SST
corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A.
corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A.
corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A. corriente continua corriente continua C.A.
Además, los autores de [ 53 ] presentó una SST modular de fase híbrida de 1 MVA 10 kV / 400V y destacaron la idoneidad de
HC-DCM SRC en un módulo CC / CC aislado para SST modulares de fase, ya que se informa que logran una alta eficiencia operativa. Los
autores también han destacado sus limitaciones, como la incapacidad para controlar el fl ujo de energía, y además propusieron estrategias
de mitigación para superar la propagación de la fluctuación de potencia monofásica a través de HC-DCM SRC debido al acoplamiento
dinámico en la etapa CC / CC.
Autores en [ 55 ] revisó las SST modulares de fase como se muestra en la Figura 22 y presentó una topología SST modular entre fases como se
muestra en la Figura 22 re. Los autores afirman una mejor capacidad de gestión de fallos en topologías modulares entre fases en comparación con la
redundancia, una configuración modular de fase necesitaría tres SST adicionales i-cell uno de cada fase) en comparación con la SST
modular entre fases que necesitaría solo una SST adicional i-cell.
Fase B
C.A. corriente continua Fase Y
C.A.
corriente continua
corriente continua
norte
corriente continua corriente continua V b_dc
SST Yo bloqueo
(un) (segundo)
Fase B
Fase Y
Ll
r corriente continua norte
C.A. C.A.
y y Ll
Ll
segundo C.A.
C.A. corriente continua corriente continua
Ll
Ll
norte
corriente continua C.A. C.A. C.A. corriente continua
segundo Ll
V r_dc
corriente continua corriente continua
C.A. corriente continua
Ll
norte
corriente continua C.A. C.A.
rr
C.A.
norte
y
SSTi-celda
norte
segundo
V y_dc
SSTi-celda norte
r
norte
y
norte SSTi-celda V b_dc SSTi-celda
norte
segundo
norte
(C) (re)
Figura 22. SST modulares de fase presentados en [ 19 , 55 , 77 , 94 ]: ( un) utilizando MMC frontal y DAB posterior en ISOP, ( segundo) CHB con
DAB en con fi guración ISOP, ( C) QAB en la con fi guración de ISOP y ( re) interfase QAB en la configuración de ISOP.
Energias 2020, 13, 2319 16 de 35
Convertidor (es) de potencia, integrado en la SST celda ( s), son un elemento clave para el funcionamiento de un SST.
Hay cuatro metodologías diferentes reportadas en la literatura [ 19 , 32 , 48 , 90 ] que se utilizan para interconectar el nivel de voltaje de MT, a saber: (a)
dispositivos semiconductores de BT conectados en serie, (b) dispositivos semiconductores basados en banda ancha, (c) convertidores multinivel y (d)
enfoque multicelda. La clasificación disponible actual para LV-IGBT es de alrededor de 1700 V. Un posible medio para interconectar los niveles de MV
usando una estructura de puente de dos niveles (Figura 6 a) y los dispositivos semiconductores de BT se realizan mediante conexión en serie de
dispositivos de BT; sin embargo, el equilibrio dinámico de voltaje es una tarea desafiante [ 48 ]. Además, los circuitos de amortiguación adicionales hacen
que este enfoque sea menos atractivo en comparación con otras soluciones.
Recientemente, con la disponibilidad de dispositivos semiconductores con brecha de banda ancha como el MOSFET SiC de 15 kV / 10A y los
IGBT SiC de 15 kV / 20A [ 95 ], es posible adoptar estructuras de puente de dos niveles para niveles de MT inferiores; sin embargo, para niveles de MV
más altos, es posible que aún sea necesario conectar estos dispositivos en serie. Autores en [ 95 ] han realizado un análisis para IGBT de SiC y
SiCMOSFET conectados en serie en el lado de MT para un DAB, el MOSFET de SiC de 10 kV conectado en serie muestra una disipación de potencia
muy baja hasta una frecuencia de conmutación de 50 kHz en comparación con el IGBT de SiC de 15 kV; sin embargo, se requieren circuitos
amortiguadores adicionales para realizar este enfoque debido a la capacidad de bloqueo de voltaje más bajo.
Además, una estructura de puente de dos niveles como topología para alcanzar los niveles de MT tiene un peor rendimiento armónico en
comparación con los convertidores multinivel. Por lo tanto, los convertidores multinivel con dispositivos semiconductores con brecha de banda
ancha parecen ser un mejor candidato para interconectar niveles de MT. Entre los convertidores multinivel, las topologías más utilizadas son las
siguientes: (a) Punto neutro sujeto (NPC) o diodo sujeto [ 42 , 43 ]; (b) Condensador volante (FC) [ 44 ]; (c) Puente en H en cascada (CHB) [ 46 , 96 , 97
]; y (d) Convertidor modular multinivel (MMC) [ 47 ].
La topología NPC se adopta generalmente en tres niveles (Figura 6 d) y prácticamente factible hasta
a cinco niveles [ 13 ]. A niveles de voltaje de salida más altos, puede haber desafíos en el equilibrio del voltaje del capacitor y también un requisito de
varios diodos conectados en serie que resultan en pérdidas de conducción más altas. Gabriel Ortiz en [ 32 ] ha presentado un diseño detallado de una
celda de potencia que utiliza un convertidor CC / CC aislado compuesto por una rama de medio puente NPC en el lado de MT y un puente completo
en el lado de BT para una transformación de 2 kV / 400 V. Krishna Mainali y col. en [ 56 ] han demostrado un DPDS AC / DC ‖ DC / AC SST con el lado
de MT formado por NPC de tres niveles en una configuración adosada utilizando interruptores SiC de 15 kV para aplicaciones de subestaciones
eléctricas.
El FC es en principio similar al NPC; la principal diferencia es que los diodos de sujeción se reemplazan por condensadores
voladores [ 98 ]. Una gran cantidad de condensadores permite que el voltaje pase durante cortes cortos y caídas de voltaje. Para un mayor
número de niveles de voltaje, los convertidores FC requieren una gran cantidad de condensador de almacenamiento y el sistema tiende a
ser voluminoso y costoso. Aunque el NPC y el FC se pueden adoptar en SST modulares, no son modulares ni escalables para niveles de
alto voltaje.
El CHB es un tipo de convertidor multinivel que es modular y está formado por una conexión en serie de celdas de puente H en el que cada
celda de puente H está conectada a una fuente de CC individual. Autores en [ 99 ] han analizado convertidores de potencia modulares utilizados en
SST, es decir, CHB y MMC, y destacan que, en una configuración de CHB sin voltaje de CC para suministrar, sus celdas tienen un rendimiento
limitado en términos de potencia reactiva y compensación armónica y, por lo general, el condensador de las celdas. el voltaje en tales con fi
guraciones se mantiene cerca de un voltaje promedio objetivo. La mayoría de las configuraciones de SST que adoptan topologías CHB están en
configuración modular de fase completa [ 54 ] o configuración modular de células híbridas [ 94 , 100 ].
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Autores en [ 94 ] han presentado una comparación cualitativa para un CHB en cascada con un puente activo dual (DAB) y un puente activo cuádruple
(QAB); los autores informan un ahorro de costos en semiconductores solamente de US $ 2350,08 por usar QAB en lugar de DAB. Sin embargo,
QAB presenta mayores complejidades de control. Además, los autores de [ 100 ] presentan un procedimiento de puesta en marcha para la SST
modular de tres etapas de fase híbrida basada en CHB. Una característica distintiva de la topología CHB es su incapacidad para proporcionar un
Finalmente, el MMC es una topología de convertidor multinivel reciente [ 47 ]. A diferencia de CHB, MMC no requiere suministro de voltaje de
CC individual; en cambio, utiliza condensadores flotantes para la transferencia de energía y es de naturaleza modular. Un MMC podría ser un mejor
candidato en comparación con la otra topología de convertidor multinivel en el lado de MT (o HV) debido a su naturaleza robusta y modular al
tiempo que obtiene una calidad de energía mejorada [ 4 , 101 - 104 ].
Este grupo de convertidores generalmente interconecta el extremo de carga y está conectado al devanado secundario del MFT. Los
convertidores de matriz directa o indirecta pueden adoptarse sin dispositivos semiconductores conectados en serie para la conversión CA / CA.
En cuanto a los convertidores basados en enlace de CC, el puente secundario es principalmente una configuración de puente completo o medio
puente de 2 niveles. Además, el inversor de back-end puede ser un inversor de fuente de voltaje NPC de 2 niveles o de 3 niveles según la
aplicación. Además, el inversor de fondo es capaz de interconectar una salida de CA de cuatro cables utilizando convertidores de cuatro patas.
Autores en [ 105 , 106 ] han presentado amplios detalles sobre convertidores de cuatro patas y su control.
Es esencial comprender los esquemas de modulación disponibles para la SST celda con fi guraciones discutidas en la subsección
anterior. Una de las primeras revisiones sobre convertidores de matriz se remonta a
Wheeler y col. [ 107 ] en 2002 y revisiones similares sobre conversión y control AC / AC se encuentran en [ 108 , 109 ]. Una revisión sobre
control y modulación para convertidores matriciales se explica en detalle en [ 41 , 110 ]. Además, los autores de [ 111 ] han detallado varias
técnicas de modulación para convertidores multinivel.
Además, el esquema de modulación más comúnmente adoptado en un DAB es una modulación de desplazamiento de fase única
(SPS) o modulación rectangular que opera el DAB a una frecuencia constante y
un ciclo de trabajo fijo de la SST del lado primario (D1) y secundario celda ( D2) como 50%. El flujo de potencia en esta técnica se establece
controlando el ángulo de cambio de fase ( φ) entre la primaria y secundaria
puentes, que, a su vez, controla el voltaje inducido a través de la inductancia de fuga, logrando así el control de potencia desde el puente
principal hasta el retrasado [ 50 , 89 , 112 ]. Aunque esta técnica es más simple y logra un alto flujo de potencia junto con una alta dinámica, tiene un
rango de conmutación suave limitado y posee una gran corriente cuadrática media (RMS) del transformador. Para reducir las pérdidas de
apagado del semiconductor, Schibli en [ 112 ] discutió un esquema de modulación de corriente trapezoidal y triangular. En un esquema de
modulación trapezoidal, se agrega un tiempo de supresión al ciclo de conmutación mediante el cual cuatro interruptores pueden lograr una
conmutación suave. En consecuencia, hay dos interruptores en el lado de MT y dos en el lado de BT, lo que reduce las pérdidas de conmutación
y logra una eficiencia ligeramente superior. Sin embargo, no puede funcionar cuando
el SST secundario celda el voltaje es cero, es decir, para condiciones sin carga y no es adecuado para condiciones de carga baja. Además,
posee una participación asimétrica de pérdidas en el medio puente para desigualdades
niveles de voltaje. En el caso de la modulación triangular, que es un caso especial de modulación trapezoidal, uno de los bordes de voltaje del
primario y secundario se superpone, logrando una corriente triangular y la posibilidad de que seis interruptores logren la capacidad de
conmutación suave [ 89 ], Lo que lo convierte en la modulación de pérdidas de conmutación más baja de los métodos de conmutación dura. El
autor en [ 112 ] también ha propuesto un esquema de modulación combinado mediante la conmutación de esquemas de modulación
rectangular, trapezoidal y triangular según las condiciones de funcionamiento. Autores en [ 113 ] discutió un modelado y optimización
generalizados para los primeros tres esquemas de modulación. Además, los autores de [ 114 ] han ilustrado gráficamente las regiones límite de
conmutación de corriente cero (ZCS) y conmutación de voltaje cero (ZVS) para todos
Energias 2020, 13, 2319 18 de 35
cuatro de los esquemas de modulación actuales. Autores en [ 115 ] han realizado una evaluación comparativa de estas técnicas de
modulación para aplicaciones DAB y SRC.
Para aumentar la e fi ciencia, los autores de [ 116 ] discutió un esquema de modulación de desplazamiento de fase extendido (EPS) que
tiene como objetivo expandir el rango de regulación de la transmisión de energía, reducir las altas corrientes RMS del transformador y reducir la
corriente circulante. Autores en [ 117 ] propuso una modulación de cambio de fase dual (DPS) destinada a reducir la potencia reactiva y la
capacitancia de salida de manera similar, y los autores en [ 118 ] discutió DPS para lograr un amplio rango de operación de voltaje. En el caso de
EPS, uno de los puentes genera formas de onda cuadradas de dos niveles mientras que el otro puente genera formas de onda de tres niveles
regulando los ciclos de trabajo en contraste con el DPS que utiliza formas de onda de tres niveles para ambos puentes [ 119 ]. EPS y DPS ofrecen
dos grados de libertad en caso de EPS, ya sea D1 o D2 y φ, mientras que, en DPS, el desplazamiento intra-fase D1 y D2 son iguales y
controlados con φ. Además, para ampliar el rango operativo para condiciones de carga amplias, los autores de [ 120 ] discutieron una modulación
de cambio de fase triple (TPS) con tres grados de libertad, es decir, D1, D2 son desiguales en comparación con DPS y también un control en φ. Autores
en [ 121 ] han presentado un esquema de control de TPS compuesto para operar ZVS sin carga y lograr una corriente RMS baja y reducir las
pérdidas del núcleo en condiciones de carga baja. Autores en [ 122 ] proporcionó una descripción general completa de SPS, EPS, DPS y TPS para
convertidores CC / CC aislados que operan con principios resonantes y no resonantes, y los autores también han discutido su respectiva
caracterización y rango de conmutación suave. Además, para reducir las complejidades computacionales que involucran cálculos en línea y en
línea, los autores de [ 123 , 124 ] propuso una estrategia fundamental-óptima basada en el análisis de componentes fundamentales y la modulación
de funciones fundamentales.
Las SST consisten principalmente en SST celda y MFT. Esta sección proporciona un resumen y analiza los
semiconductores disponibles para formar SST IPM y también materiales y consideraciones de diseño para construir MFT para una SST.
Los convertidores electrónicos de potencia se componen principalmente de dispositivos semiconductores de potencia y elementos de almacenamiento de
energía pasiva, como inductores y condensadores. Los dispositivos de potencia de estado sólido son un elemento clave en los convertidores de potencia y la
selección de estos dispositivos depende de la topología del convertidor de potencia adoptada, que, a su vez, depende de los niveles de voltaje / potencia. El autor
en [ 125 ] presenta el estado actual de la técnica en dispositivos semiconductores de potencia y enumera los parámetros importantes para la selección de
dispositivos de potencia, a saber: (a) valores nominales de voltaje, (b) valores nominales de corriente, (c) frecuencia de conmutación y (d) temperatura máxima de
unión . Además, un buen dispositivo semiconductor debe poseer un alto voltaje de bloqueo, alta capacidad de transporte de corriente y bajas pérdidas en el estado
de encendido. La mayoría de los convertidores de potencia conmutados forzados se pueden construir utilizando IGBT; sin embargo, se prefieren los MOSFET para
convertidores CC / CC debido a sus menores pérdidas a frecuencias más altas. Además, las tendencias y los avances en los dispositivos semiconductores de
banda prohibida amplia, principalmente SiC y GaN, se han informado en [ 126 ]. El campo eléctrico crítico Ec es de aproximadamente 2 V / µ m para material de Si y
Ec es de alrededor de 300 V / µ m para materiales semiconductores con brecha de banda ancha [ 125 ]. Autores en [ 127 ] han realizado una evaluación de pérdidas
para un convertidor CC / CC aislado utilizando la última compuerta de zanja Si-IGBT y SiC-MOSFET y han informado de una eficiencia alcanzable de
aproximadamente el 99% o más para el uso de SiCMOSFET, mientras que una eficiencia máxima alcanzable del 97,4% para el uso Si-IGBT. Autores en [ 126 ]
también destacan los beneficios de los interruptores unipolares de SiC, como SiC JFET para el rango de voltaje de 1,2 a 1,7 kV, ya que tiene una resistencia en
estado de encendido ultra baja en comparación con Si-MOSFET y las pérdidas dinámicas son bajas para aplicaciones de conmutación rápida en comparación con
Si -IGBT. Además, en aplicaciones tales como plantas aeroespaciales y nucleares, los dispositivos semiconductores de potencia pueden ser susceptibles de fallar
debido a las radiaciones cósmicas y deben reducirse para un funcionamiento confiable. Autores en [ 128 ] informó que los SiCMOSFET de voltaje más alto pueden
requerir una reducción de hasta un 45% para lograr una tasa de falla del módulo de 100 FIT (tasa de falla en el tiempo), mientras que, con un voltaje más bajo de
SiCMOSFET de 1,2 kV, la reducción puede requerir solo alrededor del 25% para lograr una tasa de falla similar.
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Los transformadores de frecuencia media son elementos clave en las SST. Un MFT junto con un convertidor de potencia logra un
espacio reducido y una mayor densidad de potencia al tiempo que mejora su e fi ciencia [ 49 , 129 ]. Las densidades de potencia más altas
acompañan a una mayor densidad de pérdida. Por lo tanto, para un buen diseño de MFT de alta potencia, se deben considerar
cuidadosamente numerosos parámetros tales como: material del núcleo y su geometría, material de bobinado y configuración, aislamiento y
manejo térmico al diseñar un MFT eficiente. También es importante tener en cuenta los efectos parásitos magnéticos y eléctricos. Un análisis
extenso de un diseño de MFT se informa en [ 130 , 131 ]. Los parámetros mencionados anteriormente son interdependientes y un diseño
eficiente consideraría la compensación entre ellos. Esto podría resolverse utilizando un enfoque de optimización multiobjetivo para obtener un
diseño equilibrado. Autores en [ 132 ] han considerado un enfoque basado en algoritmos genéticos para minimizar la pérdida de potencia, peso
y volumen; de manera similar, los autores en [ 133 ] presentan un enfoque estadístico utilizando análisis de Pareto-front para obtener un
conjunto óptimo de valores.
El material del núcleo es típicamente un material magnético blando que se puede magnetizar y desmagnetizar fácilmente. Se deben
considerar cuatro características para la selección de un material magnético de alto rendimiento, a saber: (a) bajas pérdidas en el núcleo, (b)
alta densidad de flujo de saturación, (c) alta capacidad de temperatura de funcionamiento continuo y (d) alta permeabilidad relativa.
Hay cinco tipos principales de materiales magnéticos blandos [ 130 ], a saber: (a) hierro en polvo, (b) acero al silicio, (c) ferrita, (d)
amorfo y (e) núcleos de base nanocristalina. El núcleo de hierro en polvo posee
baja permeabilidad relativa µ r y altas pérdidas específicas en el núcleo, lo que lo hace inadecuado para operaciones de frecuencia media de
alta potencia. Para los materiales centrales restantes, Tabla 2 resume y detalla el
propiedades de los materiales magnéticos [ 134 ]. Una revisión extensa sobre las compensaciones de diseño basadas en magnéticos
propiedades del material tales como pérdidas específicas del núcleo, densidad de flujo de saturación B se sentó, magnetostricción de saturación
λ s, y permeabilidad µ r se encuentra en [ 135 ]. Vale la pena señalar que la temperatura de Curie es el límite operativo térmico teórico, mientras
que los límites térmicos reales están determinados por laminación y recubrimientos.
que son las temperaturas máximas de trabajo.
Acero al silicio orientado al grano Fe97Si3 > 1000 2 9 2000–35 000 ∼ 120
Permalloy cristalino estándar I Permalloy Ni45Fe55 > 150 1,55 25 12.000–80.000 130
cristalino estándar II Ni45Fe55 > 100 1,5 25 60.000-125.000 130
Acero al silicio avanzado Fe93.5 Si6.5 40 1.3 0,1 16 000 130
Fe- aleación amorfa Fe76 (Si, B) 24 18 1,56 27 6500–8000 150
Ferrita de alto rendimiento MnZn 17 0,5 21 1500-15 000 100/120
Permalloy cristalino avanzado Ni80Fe20 > 15 0.8 1 150.000–300.000 130
Aleaciones co-amorfas a Co73 (Si, B) 27 5 0,55 <0,2 100.000-150.000 90/120
Aleaciones co-amorfas b Co77 (Si, B) 23 5.5 0,82 <0,2 2000–4500 120
Aleaciones co-amorfas c Co80 (Si, B) 20 6.5 1 <0,2 1000-2500 120
Aleaciones nanocristalinas I FeCuNbSiB 4 1,23 0,1 20.000–200.000 120/180
Aleaciones nanocristalinas II FeCuNbSiB 4.5 1,35 2.3 20.000–200.000 120/180
Aleaciones nanocristalinas III FeCuNbSiB 8 1,45 5.5 ∼ 100.000 120/180
De la tabla 2 , acero al silicio y acero al níquel se utilizan típicamente en baja frecuencia convencional
transformadores. Sin embargo, estos tienen pérdidas considerables a mayor frecuencia, lo que los hace inadecuados para su aplicación en MFT.
El acero al silicio avanzado muestra una pérdida menor pero presenta una densidad de flujo de saturación reducida. Por lo tanto, los tres
materiales magnéticos blandos restantes: ferrita, aleación anfórfa y nanocristalino pueden ser preferidos para operación de frecuencia media y
alta potencia. Aunque los núcleos de ferrita tienen pérdidas de potencia moderadas y alta permeabilidad relativa, posee un flujo de saturación
bajo, lo que requiere un gran volumen de transformador. Amorfo tiene un costo razonable para los núcleos y tiene una alta permeabilidad y
densidad de flujo de saturación, pero posee pérdidas ligeramente más altas que los núcleos nanocristalinos. Los núcleos anfórficos disponibles
comercialmente de Metglas, EE. UU. Se utilizan ampliamente. Nanocristalino
Energias 2020, 13, 2319 20 de 35
los núcleos con los nombres de Vitroperm, Finemet, NanoPhy están disponibles en los fabricantes Hitachi, Japón; Vaacuumschuleze, Alemania e
IMPhY, Francia respectivamente; sin embargo, Finemet y Vitroperm se adoptan ampliamente. Un análisis extenso sobre la selección de núcleos se
informa en [ 48 , 130 , 133 , 136 - 138 ]. Además, en el caso de MFT para DAB, se utiliza una inductancia de fuga del transformador o agregando una
capa de fuga regular. Autores en [ 51 ] recomiendan material de ferrita para núcleos enrollados en cinta para DAB MFT, ya que los transformadores
construidos con material amorfo y nanocristalino, incluso sin una capa de fuga, presentaron pérdidas de núcleo tres veces mayores en condiciones
de transferencia de potencia máxima en comparación con la ferrita que mostró pérdidas de núcleo insignificantes.
Las pérdidas típicas del núcleo se determinan utilizando el método de separación de pérdidas, el método empírico y el enfoque en el dominio del tiempo, donde
el método de separación de pérdidas tiene en cuenta las pérdidas por corrientes parásitas, las pérdidas por histéresis y las pérdidas anómalas. El método en el dominio
del tiempo utiliza un método de separación de pérdidas de núcleo en el dominio de la frecuencia. Sin embargo, el método más comúnmente adoptado es un método
Además del material del núcleo, la geometría del núcleo también es un factor importante para decidir el diseño compacto, la disipación de calor y
las relaciones de transferencia de voltaje alcanzables para un MFT [ 37 ]. En la literatura se informan cuatro geometrías de núcleo diferentes [ 130 , 140 ] a
saber: (a) tipo de núcleo, (b) tipo de capa, (c) tipo de matriz [ 37 , 141 ], y (d) tipo de bobinado coaxial (CWT) [ 32 ] como se muestra en la Figura 23 .
Figura 23. Geometrías del núcleo del transformador [ 130 , 140 , 141 ]: ( un) tipo de núcleo, ( segundo) tipo de concha, ( C) tipo de matriz, y ( re) CWT.
La elección típica de un material de bobinado es cobre o aluminio debido a la baja resistencia eléctrica. Sin embargo, la selección del
material del devanado se ve influida por la corriente de cortocircuito del transformador debido a sus puntos de fusión y se encuentra una
discusión extensa sobre la selección del material del devanado en [ 142 ]. Además, las pérdidas como la piel y los efectos de proximidad son
dominantes en frecuencias más altas. La profundidad de la piel para conductores circulares de sección transversal se reduce a frecuencias más
altas. Por tanto, esto limita la posibilidad de conductores de forma circular. Por lo tanto, se prefieren conductores de alambre litz o de lámina
para un MFT. Además, el uso de conductores litz o de aluminio depende de las compensaciones del diseño, como las dimensiones de la
ventana, la utilización de la ventana o el factor de llenado de la ventana y el número de vueltas, ya que se informa que los cables litz tienen un
factor de utilización de ventana bajo, lo que requiere más área de ventana. . Las consideraciones de diseño óptimas para la elección del material
de bobinado se presentan en [ 143 ]. Además, la frecuencia de funcionamiento de un cable litz depende del número de hilos y del calibre del hilo [ 144
]. Con base en el factor de reducción de resistencia para conductores litz y sólidos, existe una frecuencia óptima de operación y frecuencia de
cruce para las cuales el rendimiento del cable litz es mejor que el que se logra típicamente con cables sólidos. Por lo general, está por encima
de 10-20 kHz [ 145 ]. Además, para reducir las pérdidas del devanado con un gran número de capas, se sugiere intercalar el devanado de alta y
baja tensión [ 146 ]. Autores en [ 147 ] argumentan que el entrelazado se puede evitar con un diseño eficaz.
La alta conductividad térmica y el alto factor dieléctrico acompañados de tolerancia a descargas parciales es un requisito típico para
la selección de un buen material aislante. Se prefiere el aire para enfriar. Por lo general, en un transformador de tipo seco y altamente
compacto, se utiliza epoxi como material dieléctrico cuando el aire es insuficiente para manejar niveles de alto voltaje [ 37 ]. El papel Nomex
para bobinados y el aceite mineral como refrigerante y material de aislamiento primario se adoptan en [ 148 ].
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Autores en [ 149 ] han evitado el aceite como medio aislante por razones medioambientales y de seguridad. Alternativamente, la aplicación
de aceites biodegradables en transformadores es un desafío actual en la industria. Entre los aceites biodegradables, se prevé que el aceite de
silicona o el tipo éster se bene fi cien en el futuro para reducir la huella de los transformadores a base de aceite biodegradable [ 150 ]. Se
recomienda cinta de mica como aislamiento para bobinados en [ 149 ]; Además, los autores han demostrado el análisis térmico y el diseño de
enfriamiento considerando los puntos calientes para un MFT refrigerado por agua en SST. Autores en [ 151 ] realizó un transformador de alta
frecuencia con una densidad de potencia alcanzada de 75 kW / kg y el rendimiento del informe del sistema de refrigeración influye en la densidad
de potencia y el rendimiento de un transformador [ 152 ]. Además, debido al volumen reducido de un MFT, el aislamiento galvánico se convierte en
un problema que restringe su volumen / tamaño. Por lo tanto, se necesita una selección cuidadosa del material aislante y algunos materiales
aislantes típicos junto con sus propiedades esenciales como se informa en [ 153 ] están resaltados en la Tabla 3 .
En la Introducción se han detallado varias aplicaciones diferentes de las SST. La mayoría de las aplicaciones se benefician de su volumen y
peso reducidos. Autores en [ 154 ] reportan una reducción de peso del 75% y una reducción del tamaño del 40% con una SST monofásica de 13,8
kV / 270 V. Además, los autores de [ 33 ] proporcionan una discusión completa sobre el volumen, peso y costo de la SST en comparación con un
transformador convencional e informan aproximadamente la mitad de las pérdidas y un tercio de la reducción de peso y volumen de las SST en
comparación con los transformadores convencionales en aplicaciones de CA / CC. Autores en [ 155 ] realizó un MVAC / LVDC
SST celda con una densidad de potencia de 24,6 W / in 3. Además, la utilización de SST en una aplicación se decide por el costo total de
propiedad (TCO). Autores en [ 156 , 157 ] han presentado el cálculo del TCO
incorporando costos ambientales como la huella de carbono del transformador. Autores en [ 17 ] informan que el precio probable de un AC / AC
SST es al menos de 10 a 25 veces mayor que el de un LFT con la misma calificación. Además, los autores presentan una amplia evaluación
de la aplicabilidad de las SST en las redes de distribución en función de diferentes aplicaciones. Además, los autores de [ 158 ] presentan varios
impulsores del mercado que afectan la comercialización de SST para diferentes aplicaciones de SST. Esta sección revisa los lazos de control y
la funcionalidad de SST aplicada en algunas aplicaciones importantes.
Los beneficios de la flexibilidad y la capacidad de control de la SST se aprovechan para aplicaciones de turbinas eólicas. Xu She y col. en [ 159
] han propuesto la aplicación de SST en el sistema de energía eólica para suprimir las fluctuaciones de voltaje causadas por la naturaleza
intermitente de la energía eólica sin requerir un compensador de potencia reactiva adicional. Normalmente, un DPDS AC / DC de tres etapas ‖ La
arquitectura DC / AC SST se propone más comúnmente para turbinas eólicas.
En figura 24 , un DPDS AC / DC de tres etapas ‖ DC / AC SST se adopta para la integración de red de una turbina eólica basada en generador
de inducción doblemente alimentado (DFIG) en [ 160 ]. La operación de velocidad variable de DFIG está asegurada por un control lateral del rotor,
desarrolló bucles de control basados en sus etapas de potencia: bucle de control para el extremo delantero SST bloquear se define como el control de interfaz
El SST medio Yo bloqueo utiliza control acoplado usando circuitos no resonantes para mantener un nivel de voltaje LVDC constante mientras
logra una transformación de voltaje de 1,15 kV a 50 kV. Finalmente, el back-end
SST bloquear tiene dos modos de funcionamiento, en el que el modo normal cumple con los requisitos de la red y garantiza
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que la potencia activa generada por un aerogenerador se suministre a la red. Además, durante el modo de falla, el objetivo de control se
establece para cumplir con la potencia reactiva requerida.
ϕ
+V*
Pi L dc PWM
_
C.A. V L_dc
aBC
PWM V g_abc
dq PLL
corriente continua
V g_q
+_ +
aBC
ω* r V L_abc (ref) 0 Pi yo*gq
dq
V *gq _ _
_ +
PWM
ωr 0 dq
PLL θ Pi ωL yo gq
aBC
yo
qr *
PI + Pi aBC
V L_abc ωL yo gd
_ +
dq
_
V L_d (ref) _ +_
θ θ +
yo q_r
PLL PLL dq V L_d V * + Pi yo*gd
aBC gd
V g_d
7.2. Tracción
Gabriel Ortiz en [ 32 ] ha presentado una discusión exhaustiva sobre la aplicación de las SST en tracción. Autores en [ 58 ] presentó un AC
multicelda completamente modular ‖ DC SST como se ilustra en la Figura 25 y han adoptado una plataforma de control ABB AC 800 PEC. El
convertidor frontal tiene dos bucles de control: un bucle de corriente de línea interno implementado con controladores resonantes proporcionales en
un marco de referencia estacionario y un bucle de control de voltaje CC externo basado en controladores integrales proporcionales que apuntan a
mantener un voltaje constante. Los convertidores CC / CC basados en resonancia LLC funcionan en un modo de bucle abierto a través de señales
PWM sincronizadas.
SST Yo bloqueo
metro
V gramo yo gramo metro corriente continua
yo corriente continua yo carga de cc
C.A. corriente continua
MVAC V ml LVDC V corriente continua
V corriente continua
corriente continua
V ml
corriente continua
Actual
V gramo
Controlador
C.A. corriente continua
+
yo árbitro
gα
V árbitro _ YO gramo
corriente continua corriente continua corriente continua
*
+ Yo re yo árbitro
_ corriente continua
V corriente continua
Voltaje
dc / αβ
C.A. corriente continua Controlador
Dos etapas
V * gd mi jwt
SSTcell
corriente continua corriente continua
yo dc_load V corriente continua
PLL V gramo
metro
Se reclama en [ 15 ] que el despliegue de SST en el alimentador de distribución podría lograr un 1,4% de reducción de pérdidas, por lo
que SST podría funcionar como enrutadores de energía. Además, Sixifo Falcones et al. en [ 57 ] han afirmado que la aplicación de SST en la
futura red eléctrica prevista podría conducir a un funcionamiento estable y óptimo del sistema de distribución utilizando SST y una red COMM
segura.
Autores en [ 39 ] en el marco de un proyecto UNIFLEX han analizado el control de potencia reactiva para una SST modular totalmente fase de
tres puertos como se ilustra en la Figura 26 y presentó un control de supervisión para mantener la potencia reactiva entre los tres puertos. Se
discuten dos métodos para equilibrar la potencia reactiva: (a) método de control lógico difuso (FLC) y (b) método de equilibrio de potencia reactiva
proporcional (PRP). El primer método de FLC utiliza un conjunto de reglas predefinidas para gobernar la potencia reactiva del puerto 1 en función de
las potencias activas del puerto 2 y del puerto 3. El segundo método establece la potencia reactiva en el puerto 1 proporcional a
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un valor limitado de potencia activa en el puerto 2. Además, los autores sugieren un esquema de control híbrido, ya que FLC supera al PRP en
determinadas condiciones de funcionamiento y PRP muestra un mejor rendimiento en determinadas otras condiciones.
Fase B
Fase Y
C.A.
corriente continua corriente continua
P2
Controlar
Sistema
árbitro
Q árbitro
1
Q2 Q árbitro
3
PAGS
2 árbitro
Zona Lógica Q, Q
Detección Controlar Calc 2 ula 3 colina
PAGS
3 árbitro
Los SST son capaces de interconectar redes y cargas asíncronas; uno de esos prototipos construido para aplicaciones asincrónicas se
destaca en la Figura 27 utilizando un SPSS AC ‖ AC SST [ 161 ]. Una red de 50 Hz suministra una carga que funciona a 60 Hz utilizando el control
predictivo del modelo de conjunto finito (MPC) con compensación de retardo. Los valores predichos se utilizan en la función de costo del sistema
predefinida para obtener el estado de conmutación más adecuado que logre un costo mínimo. Del mismo modo, los autores de [ 54 ] para un SST
modular de fase completa, destacan las ventajas del conjunto de control finito MPC sobre las técnicas de control tradicionales, como la capacidad de
evitar bucles de control en cascada, la fácil inclusión de restricciones y la rápida respuesta transitoria.
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400 V, 50 Hz 190 V, 60 Hz
Función de costo y
YO*
o
Selección de estado
Existe un alcance significativo en los dominios de seguridad y protección de las SST y muy pocos artículos abordan este tema. Aunque las
SST tienen un control completo sobre los parámetros eléctricos, como el voltaje y la corriente, las SST son susceptibles a fallas inciertas, como
fallas de semiconductores, fallas termomecánicas, errores de medición y control, cortocircuitos o sobretensiones y sobretensiones [ 162 ]. Aunque la
presencia de un enlace de CC desacopla el sistema de BT y MT, las fallas externas que surgen del lado de MT y BT deben tratarse por separado.
Los dispositivos semiconductores tienen una capacidad limitada de manejo de sobrecorriente y tampoco están equipados para manejar
sobrevoltajes por encima de su capacidad de bloqueo, por lo que requieren esquemas de protección externos. Autores en [ 163 ] han discutido
varias fallas y recomendado un esquema de protección que emplea seccionadores, disyuntores, fusibles y supresores de sobretensión en el lado
primario y secundario de la SST. Además, se agrega un interruptor de precarga y bypass en el lado primario para limitar la corriente de entrada.
Del mismo modo, los autores de [ 164 ] proponen un esquema de protección que emplea un interruptor de CA de acción rápida, fusible y un varistor
de óxido metálico en el lado de entrada, mientras que una protección de sobrecorriente y sobre / bajo voltaje se implementa en una placa de
protección separada para apagar los pulsos PWM. Además, los autores recomiendan agregar interruptores de acción rápida en los terminales
positivos y negativos de los puertos de CC. Autores en [ 153 ] informan problemas de interferencia electromagnética (EMI) para las SST empleadas
en aplicaciones de tracción debido a la conmutación de alta frecuencia y componentes perdidos y presentan soluciones para superar los problemas
de EMI conducidas. Autores en [ 162 ] recomiendan y destacan las ventajas de emplear interruptores automáticos de estado sólido y limitadores de
corriente para el sistema de MT. Además, es igualmente importante garantizar la estabilidad de la red al adoptar las SST; previendo una alta
penetración de SST en las redes eléctricas, los autores en [ 165 ] han destacado las posibles inestabilidades en las redes debido a la resonancia
armónica y han enfatizado en un criterio de diseño para un filtro de entrada SST para mitigar estas inestabilidades.
9. Conclusiones
Esta revisión resumió las contribuciones más importantes en control, topologías, aspectos constructivos, protecciones, topologías
de convertidores de potencia y aplicaciones de SST. La revisión también introduce una nueva metodología para la clasificación de SST,
como un intento de incluir algunas de las topologías de SST.
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que no se incluyen actualmente en los esquemas de clasificación reportados propuestos en la literatura. También se ha incluido en este
trabajo una amplia discusión sobre aspectos relacionados con el diseño e implementación de transformadores de media frecuencia.
En este artículo, se han discutido y analizado ampliamente las principales ventajas de las SST y se ha comparado el rendimiento de
las SST con el obtenido con los transformadores heredados. Los transformadores de estado sólido se pueden utilizar para proporcionar
compensación de potencia reactiva, reducción de la distorsión armónica, protección inteligente, control de paso de fallas e interconexión de
redes de diferentes frecuencias y voltajes. En este trabajo también se han discutido aplicaciones seleccionadas de SST, como, por ejemplo,
la utilización de SST en sistemas de energía eólica, la tracción y la utilización de SST para sistemas de distribución de 4 tramos, y su
impacto en las redes de distribución futuras. también se han discutido en este trabajo.
Teniendo en cuenta las ventajas de las SST y el creciente interés en la comunidad de la electrónica de potencia en esta área de
investigación, se prevé que se realizarán más avances en el campo de los transformadores de estado sólido en un futuro próximo, por
ejemplo, la integración en energía renovable a gran escala. recursos a las redes de distribución, reemplazo gradual de transformadores
pasivos por SST, redes inteligentes y aplicaciones de microrred, comunicaciones entre SST y otros elementos de la red, y la aplicación de
SST en la red híbrida CC / CA (como, por ejemplo, para integrar una gran cantidad de paneles solares a la red de CA y permitir una
integración eficiente de vehículos eléctricos y elementos de almacenamiento de energía, como baterías). Además, este documento destaca
otras aplicaciones de SST en sistemas de CA / CC, como fuentes de alimentación a nivel de rack para centros de datos,
Aunque, como se presenta en este trabajo, existe una gran cantidad de literatura sobre las SST y sus aplicaciones, todavía se puede considerar como una tecnología no
madurada. Hay ciertos aspectos que aún permanecen en investigación, y ciertamente serán el foco de investigación en los próximos años, tales como: (a) capacidad de comunicación
en tiempo real entre diferentes SST dentro de una red: esto es muy importante para asegurar el sistema eléctrico estabilidad cuando la red del sistema de energía está compuesta por
SST y transformadores pasivos, (b) control del flujo de energía híbrida (CC y CA) en redes complejas: cuando una SST tiene dos o más puertos, la capacidad de la SST para regular la
distribución de energía de los flujos de energía de CC y CA dentro de la SST es una característica importante para optimizar su uso, que no se ha informado hasta ahora, (c) redes de
distribución de cuatro cables: Aunque muchas obras informadas afirman aplicar la SST en las redes de distribución, pocas de ellas conducen con redes de cuatro hilos no balanceadas,
que son las redes de distribución de BT más comunes. Para lidiar con los armónicos y el contenido desequilibrado en la salida de la SST manteniéndose libre de oscilaciones de baja
frecuencia, la MFT también es un tema desafiante que no se ha informado, (d) esquemas de modulación y topologías de SST para lograr una huella pequeña y una alta eficiencia, (e)
protecciones y confiabilidad de las SST, (f) capacidad de recuperación de fallas de las SST, (g) nuevas topologías de electrónica de potencia considerando materiales de núcleos
magnéticos avanzados y semiconductores de potencia, y (h) viabilidad económica, como el análisis del costo de vida útil de las SST vs. transformadores convencionales. que son las
redes de distribución de BT más comunes. Para lidiar con los armónicos y el contenido desequilibrado en la salida de la SST manteniéndose libre de oscilaciones de baja frecuencia, la
MFT también es un tema desafiante que no se ha informado, (d) esquemas de modulación y topologías de SST para lograr una huella pequeña y una alta eficiencia, (e) protecciones y
confiabilidad de las SST, (f) capacidad de recuperación de fallas de las SST, (g) nuevas topologías de electrónica de potencia considerando materiales de núcleos magnéticos
avanzados y semiconductores de potencia, y (h) viabilidad económica, como el análisis del costo de vida útil de las SST vs. transformadores convencionales. que son las redes de
distribución de BT más comunes. Para lidiar con los armónicos y el contenido desequilibrado en la salida de la SST manteniéndose libre de oscilaciones de baja frecuencia, la MFT
también es un tema desafiante que no se ha informado, (d) esquemas de modulación y topologías de SST para lograr una huella pequeña y una alta eficiencia, (e) protecciones y confiabilidad de las SST, (f) capacidad
Contribuciones de autor: Conceptualización, MAS y FR; metodología, MAS y FR; redacción: preparación del borrador original, MAS, FR y RC; redacción:
revisión y edición, MAS, FR y RC; recursos, FR, JP y
MARYLAND; supervisión, FR y RK Todos los autores han leído y están de acuerdo con la versión publicada del manuscrito.
Conflictos de interés: Los autores declaran no tener ningún conflicto de intereses. Los financiadores no tuvieron ningún papel en el diseño del estudio; en la
recopilación, análisis o interpretación de datos; en la redacción del manuscrito o en la decisión de publicar los resultados.
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Abreviaturas
LF baja frecuencia
LV baja tensión
MAB puente activo múltiple
MF frecuencia media
MFT transformador de frecuencia media
MPC modelo de control predictivo
MV voltaje medio
NLC control de nivel más cercano
SST IPM Transformador de estado sólido módulo de potencia integrado cambio de fase
TPS triple
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