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Memresistor (memristor).
Materia: Diseño Electrónico
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica, Electrónica y Computación
Universidad Nacional De Colombia - Sede Manizales
Profesor: Luis Enrique Avendaño
Presentado por: Yeison Hoyos Rengifo 810031
Octubre 3 de 2012

I. INRODUCCI ÓN
En el marco del conocimiento de los circuitos, se tiene
la relación entre cada una de las variables, corriente,
tensión, carga, pero no con exactitud un parámetro que
relaciones al flujo magnético, es ahı́ donde nace la idea
de que deberı́a existir un cuarto elemento pasivo que no
pudiera ser combinación de los otros tres (capacitancia,
inductancia y resistencia) y que relacionara el flujo
magnético con la carga, es ası́ que por la carencia de
relación de dichas variables eléctricas el señor Leon
Chua hizo el modelado de un cuarto elemento conocido
como memresistor o memristor, pero solo fue postulado
teóricamente hasta que cuatro décadas después de su
diseño analı́tico, fue creado fı́sicamente.
II. M ARCO T E ÓRICO
II-A. Memristor y Memristancia (M)
En teorı́a de circuitos eléctricos, el memristor es un
elemento de circuito pasivo. Ha sido descrito como el
cuarto elemento de los circuitos pasivos, junto con los
tres mejor conocidos: el condensador, la resistencia y
el inductor. El nombre es una palabra compuesta de
memory resistor (resistencia-memoria).2
Un memristor efectivamente almacenarı́a información
porque el nivel de su resistencia eléctrica cambia cuando
es aplicada la corriente. Donde una resistencia tı́pica
proporciona un nivel estable de resistencia, un memristor
puede tener un alto nivel de resistencia que puede ser
interpretado en una computadora en términos de datos
como un “1”, y un bajo nivel que puede ser interpretado
como un “0”. Ası́, controlando la corriente, los datos
pueden ser guardados y reescritos. En un sentido, un
memristor es una resistencia variable que, con su resis-
tencia, refleja su propia historia.2
El memresistor es un elemento en el que el flujo
magnético ΦB es una función de la carga eléctrica q que
fluye a través del dispositivo. Es decir, ΦB = ΦB (q). La
tasa de cambio del flujo con carga
dΦB
M (q) =
dq
La tensión V a través de un memristor está relacio-
nado con la corriente I por el valor instantáneo de la
memristencia:
V (t) = M (q(t))I(t)
Ası́, en cualquier instante dado, un memristor se com-
porta como una resistencia ordinaria. Sin embargo, su
“resistencia”M(q) depende de la historia de la corriente.
Un memristor lineal (uno para el cual M es constante)
es indistinguible de una resistencia lineal, con M = R.2
La memristancia o memresistancia produce una co-
rriente tal que la tasa de variación de corriente es
proporcional a la tasa de variación de tensión a través
del elemento. Relaciona flujo y carga según la relación
dΦ = M dQ 1
El cuarto elemento pasivo, el memristor, fue teorizado
por Leon Chua en una publicación cientı́fica de 1971,
pero un componente fı́sico demostrando memristancia
no fue creado hasta treinta y siete años más tarde. Fue
informado el 30 de abril de 2008, que un memristor
funcional habı́a sido desarrollado por un equipo dirigido
por el cientı́fico R. Stanley Williams de HP Labs.Con
el advenimiento del memristor, cada par de las cuatro
variables ahora pueden ser relacionadas. Los memristors
pueden almacenar un bit de memoria no volátil. Pueden
ser utilizados en lógica programable, procesamiento de
señales, redes neuronales y sistemas de control, entre
otros campos. Porque los memristores son variantes en
el tiempo por definición, no se incluyen en modelos de
circuitos lineales invariantes en el tiempo (LTI).1
III. CONCLUSIONES
Sabiendo que el cuarto elemento pasivo, es capaz
de almacenar información, su uso puede minimizar
el tamaño de memorias, porque no se deberı́a hacer
un circuito capaz de almacenar información, sino
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que el elemento solo con su naturaleza es capaz de

hacerlo.
Como la configuración del elemento eléctrioc
(memristor) es totalmente sencilla viéndola desde
un punto de vista maciza, entonces puede remplazar
a memorias RAM y otras, porque su velocidad es
muy superior a las de la actualidad.
La capacidad de éste elemento puede generar, ma-
yor rendimiento y versatilidad, ya que según los
estudios hechos puede almacenar más información
de la que se puede guardar o manipular en las me-
morias tradicionales, es ası́ su capacidad que puede
llegar a guardar 128 Terabytes de información.

R EFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Elemento eléctrico
[2] http://es.wikipedia.org/wiki/Memristor