Transistores BJT

Universidad de La Salle, Informe, No 4
TRANSISTORES BJT
Electrónica Analógica
Ludy Uva
Julian Camilo Bustos
Universidad De La Salle-Sede Candelaria
Facultad De Ingeniería Eléctrica

23/03/2019
1
Tabla de Contenidos
Resumen …………………………………………………………………………………................ 4
Abstract…………………………………………………………………………………………… 4
Introducción………………………………………………………………………………………... 4
Objetivos……………………………………………………………………………………...……. 5
Objetivo general ………………………………………………………………………………… 5
Objetivos específicos ………………………………………………………………………….... 6
Marco teórico ……………………………………………………………………………………. 6
Cálculos, tablas y simulaciones…………………………………………………………………... 14
Análisis de resultados ………………………………………………………………...…………. 21
Conclusiones ……………………………………………………………………………………. 22
Referencias …………………………………………………………………………………….... 23
2
Lista de figuras
Figura 1. Configuración como amplificador……………………………………………….………….5
Figura 2. Aspectos a tener en cuenta con la superposición .……………………………………….6
Figura 3. Circuito equivalente en DC………………………..……………………………………….6
Figura 4. Circuito equivalemte en AC………………………………………………………………….7
Figura 5. Nomenclatura para un amplificador………………………………………………………….8
Figura 6. Modo de conexión……………………………………………………………………………….9
Figura 7. Recta de carga estatica..…………………………………………………………………….10
Figura 8. Analisis y sentido de la corriente Ic………………………………………………………….11
Figura 9. Rectas de carga estattica y dinamica………………………………………………………….12
Figura 10. Significado de la recta en carga dinamica……………………………………….………….5

Fig 11. Ejercicio propuesto # 1.………………………………………………..…………………………….6
Fig 17. Ejercicio propuesto #7.………………………………………………..…………………………….6
3
Lista de tablas
Tabla 1. Valores calculados y simulados 1…………………………………………………….………….5
Tabla 2. Valores calculados y simulados 2………………………………………………………………….6
Tabla 5. Valores calculados y simulados 5.……………………………………………………………….8
RESUMEN
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a
su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. Por medio de varios experimentos se pretende
4
usar como un amplificador de tensiones y corrientes, para analizar, experimentar y clasificar las
diferentes configuraciones que tiene y las ganancias que estas presentan.
Palabras Clave: BJT, AMPLIFICADOR, GANANCIA.
ABSTRACT
The bipolar transistor is a three-terminal device - sender, collector and base - which, depending on
its manufacture, can be of two types: NPN and PNP. By means of several experiments they are used
as a voltage and current amplifier, to analyze, experiment and classify the different configurations
that it has and the gains that are present.
Keywords: BJT, AMPLIFIER, GAIN.
INTRODUCCION
En este documento se analizó el transistor BJT un dispositivo multifuncional que es sin duda uno de
los mejores inventos del hombre diseñado para operar en circuitos electrónicos como amplificador.
El término Transistor es un acrónimo de transfer y resistor (resistencia de transferencia) y se
compone de tres terminales: colector, base y emisor. En estos temas estudiaremos las principales
características de configuración del transistor bipolar como un amplificador de tensiones y
corrientes, así como sus aspectos físicos, sus estructuras básicas y Las simbologías utilizadas para
cada uno de ellos. Se abarcará igual el tema de la polarización, el encapsulado y la prueba de los
transistores con multímetros tanto digital como análoga que son indispensables en estos dispositivos
mencionados anteriormente
OBJETIVOS
General
Comprender y analizar las diferentes configuraciones de amplificación del transistor BJT
Específicos
- Analizar las posibles configuraciones del transistor como amplificador.
- Identificar los funcionamientos de las ganancias transistor BJT
- Conocer el funcionamiento del transistor BJT como amplificador.
- Identificar los funcionamientos de los acoplamientos capacitivos
MARCO TEORICO
Bipolar Junction Transistor ( BJT ): Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado
sólido de tres terminares, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal, estos
dispositivos son altamente no lineales.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad.
5
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de

entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito que está conectado. (El transistor bipolar).
Transistor BJT como amplificador con acoplamiento capacitivo.
En el circuito de figura 1 se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con un

transistor BJT en emisor común polarizado en la zona activa. Con él se trata de amplificar una
tensión cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una carga que simbolizamos por la
resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador, que, en este caso, lo constituye un
transistor BJT en la configuración emisor común. El cual, convenientemente polarizado en la zona
activa, es capaz de comportarse como un amplificador de tensión como ya se mencionó en el
informe anterior.
Fig. 1 Configuracion como amplificador.
Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de acoplo y sirven para

bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la tensión que queremos
amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la posible componente continua que
esta tensión pudiera tener. Si no bloqueásemos esta continua se sumaría a las corrientes de
polarización del transistor modificando el punto de funcionamiento del mismo. Por otra parte, el
condensador C2 nos permite acoplar la señal amplificada a la carga, eliminando la componente
continua (la correspondiente al punto de polarización del transistor) de forma que a la carga
llegue únicamente la componente alterna.
El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misión es la de proporcionar un camino

a tierra a la componente alterna. En el capítulo anterior se analizó el efecto de la resistencia RE
desde el punto de vista de su efecto en la estabilización del punto de polarización. Sin embargo,
en este capítulo veremos cómo desde el punto de vista de la amplificación, esta resistencia hace
disminuir la ganancia del amplificador. Al añadir el condensador de desacoplo conseguimos
que la continua pase por RE mientras que la alterna pasaría por el condensador C3 consiguiendo
que no afecte a la amplificación.
6
1.1.- Principio de Superposición. En esta parte vamos a abordar el análisis de este tipo de
circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos el principio de superposición. En cada punto o
rama calcularemos las tensiones y corrientes de continua y de alterna por separado, de forma
que al final las tensiones y corrientes finales serán la suma de las calculadas en cada parte. Para
ello vamos a suponer que el valor de la capacidad de los condensadores, así como la frecuencia
de las señales que tenemos es tal que la impedancia que presentan los condensadores es lo
suficientemente pequeña para considerarla nula. Mientras que, en continua estos condensadores
presentarán una impedancia infinita. Es decir, consideraremos que en continua los
condensadores se comportan como circuitos abiertos (impedancia ∞) mientras que en alterna
equivaldrán a cortocircuitos (impedancia 0).
Fig 2. Aspectos a tener en cuenta con la superposición.
Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC que

tendremos que resolver separadamente.
Si en el circuito amplificador de la figura 1 aplicamos la condición de que los condensadores se
comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito equivalente en continua (6). Podemos
ver como este circuito es, precisamente, el circuito de polarización del transistor cuyo estudio
ya se abordó en el tema anterior y de cuya resolución obtendríamos las tensiones y corrientes de
continua presentes en el circuito.
Fig 3. Circuito equivalente en DC
Si por el contrario, al circuito de la figura 1 le aplicamos las condiciones para obtener el circuito
equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se comportan como
7
cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensión de continua, el circuito que

obtendríamos es el mostrado en la figura 4.
Fig 4. Circuito equivalente en AC.
En este capítulo abordaremos el estudio y la resolución de este circuito abordando un modelo

para el transistor que nos permita el cálculo de las tensiones y corrientes en el circuito.
1.2.- Nomenclatura.
Al aplicar el principio de superposición, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura de

las distintas variables eléctricas para no confundir ni mezclar las variables de alterna con las de
continua. En la figura 5 se muestra la nomenclatura que vamos a seguir.
Fig 5. Nomenclatura para un amplificador.
Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a definir un par de
conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de un circuito amplificador
con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga estática y dinámica.
1.3.- Recta de Carga Estática.
La Recta de Carga Estática representa la sucesión de los infinitos puntos de funcionamiento que
puede tener el transistor. Su ecuación se obtiene al analizar la malla de salida del circuito
equivalente en continua. La Recta de Carga Estática está formada por los pares de valores
(VCE, IC) que podría tener el transistor con esa malla de salida. Para
obtener su ecuación matemática f(VCE,IC) = 0, planteamos las tensiones
en la malla de salida del circuito equivalente en DC.
8
V CC =R E∗I E + V CE + RC ∗I C
Fig 6. Modo de conexión.
β +1 β+1
Si tenemos en cuenta que I E =
β (
∗I C. Nos queda V CC = R C + R E
β )
∗I C + V CE  si
suponemos que  >> 1 obtendríamos la ecuación que relaciona la VCE y la IC del transistor,
dicha ecuación representa una recta en el plano de las características de salida, y se conoce con
Recta de Carga Estática
Fig 7. Recta de carga estatica.
Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos de
funcionamiento que podrá tener el transistor con esa malla de salida. El punto de
funcionamiento Q se fijará mediante el circuito de polarización de entrada fijando la IB
correspondiente.
1.4.- Recta de Carga Dinámica
La Recta de Carga Dinámica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito equivalente de
AC. Está formada por la sucesión de los pares de valores (Vce, Ic). Notar que a diferencia del
caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna más continua) tanto de
tensión como de corriente. Para obtener la ecuación matemática de esta recta f(Vce, Ic) = 0,
analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna.
9
Fig 8. Análisis y sentido de la corriente Ic
Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una señal se puede

obtener restando el valor de continua al valor total.
Haciendo este cambio de variable en la expresión anterior obtenemos la ecuación de la Recta de

Carga Dinámica
Tenemos la ecuación de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y cuya
pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.
Fig 9. Rectas de carga estática y dinámica.
La Recta de Carga Dinámica siempre tiene más pendiente que la Recta de Carga Estática.
Únicamente en el caso de un circuito en el que RE = 0 y la salida esté en circuito abierto (RL =
∞) ambas rectas coincidirán. La Recta de Carga Dinámica representa los pares de valores Ic y
Vce en cada instante como se puede ver gráficamente en la figura 9.
10
Fig 10. Significado de la recta de carga dinámica.
CÁLCULOS, SIMULACIONES Y TABLAS
1. For the networks of Figura 1:

a. Determine Zi and Zo.
b. Find Av.
c. Repeat parts (a) and (b) with ro = 20 kΩ
Fig 11. Ejercicio propuesto # 1

V CC =12V
V BE =0.7 V
R B=220 K Ω
RC =2.2 K Ω
r o =40 K Ω
β=60
Malla BE
V CC−V BE
−V CC +V RB +V BE =0 ⇒−V CC + R B I B + V BE=0⇒ I B=
RB
11
12 V −0.7 V
I B= =51.363 μA
220 K Ω
Malla CE
V CC −V BE
V CC −V RB −V BE =0 ⇒V CC −V BE−I C RC =0 ⇒ I C =
RC
12V −0.7 V
I C= =5.13 mA
2.2 K Ω
El valor de IE
I E =( β+ 1 ) I B ≅ I C ⇒ I E=( 60+1 ) 51.363 μA ≅ 5.13 mA

I E =5.13 mA ≅ 5.13 mA
Para el voltaje de base
V CC −V B =RB∗I B
V B =V CC −220 K Ω∗51.36 µA =0.7008 V
Como el emisor está a tierra Ve=0 y Para el voltaje de Colector- Emisor
V CE =V CC −I C ∗RC =12−(3.08 µA∗2.2 µA )=5.22 v
Para el voltaje del colector
V C =V CC−V CE =12−5.22=6.77 v
El valor de re
26 mV 26 mV
re= = =8.298 Ω
IE 3.13 mA
a. Zi y Zo
Z e=r e ( β +1 )=8.298 Ω ( 140+1 )=506.194 Ω

220 K Ω∗506.194 Ω
‖
Zi =RB Z e =
220 K Ω+506.194 Ω
=505.032 Ω
40 K Ω∗2.2 K Ω
Z o=r o‖R C = =2.085 K Ω
40 K Ω+ 2.2 K Ω
b. AV
12
r o‖RC Z o 2.085 K Ω
AV = = = =251.302 Veces
re re 8.298 Ω
c. Desarrolle los puntos a y b con una ro=20 KΩ
Z e=r e ( β +1 )=8.298 Ω ( 140+1 )=506.194 Ω

220 K Ω∗506.194 Ω
‖
Zi =RB Z e =
220 K Ω+506.194 Ω
=505.032 Ω
20 K Ω∗2.2 K Ω
Z o=r o‖R C = =1.981 K Ω
20 K Ω+2.2 K Ω
r o‖RC Z o 1.981 K Ω
AV = = = =238.850 Veces
re re 8.298 Ω
VARIABLES TEORICO SIMULADO

IC 3.08uA
IB 51.36uA
IE 3.13mA
VC 5.22V
VE 0V
VB 700mV
VCE 5.22V
Tabla 1. Valores calculados y simulados 1
2. For the network of Figura 2:

a. Determine Z i and Z o.
b. Find Av.
c. Repeat parts (a) and (b) with ro = 20 kΩ
13

V CC =20 V
V BE =0.7 V
R B=390 K Ω
RC =2.2 K Ω
R E=1.2 K Ω
r o =100 K Ω
β=140
Malla BE
−V CC +V RB +V BE +V ℜ=0 ⇒−V CC + R B I B +V BE + R E I E=0
Como I E =( β+ 1 ) I B Si lo reemplazamos en la ecuación tenemos:
−V CC + R B I B +V BE + R E ( β+ 1 ) I B =0 ⇒ I B ( RB + R E ( β +1 ) )−V CC + V BE=0
Despejando IB se tiene:
V CC −V BE 20 V −0.7 V
I B= = =34.513 μA
R B + [ R E ( β +1 ) ] 390 K Ω+ [1.2 K Ω (140+1 ) ]
Como ya se comprobó anteriormente I E =( β+ 1 ) I B ≅ I C entonces:
I E =( β+ 1 )∗I B= (140+ 1 )∗34.513 μA=4.866 mA
Para el voltaje de Colector- Emisor se tiene que:
V CE =V CC∗I C (R ¿ ¿ C+ R E )=20−4.83 µA (2.2 KΩ+1.2 KΩ)=3.57 V ¿
Para el voltaje de Colector:
V C =V CC−(I ¿ ¿ C R C )=20−4.83 µA∗2.2 KΩ=9.37 v ¿
Para el voltaje de Emisor se tiene:
V E=V C −V CE =9.37 v −3.57 v=5.8 v
Para el voltaje de Base se tiene:
V B =V BE +V E =0.7 v +5.804 v=6.504 v
El valor de re
14
26 mV 26 mV
re= = =5.342 Ω
IE 4.866 mA
a. Zi y Zo
Haciendo LVK en la malla se tiene:

−V i +V ℜ+V ℜ=0 ⇒ V i=I B r e ( β +1 ) + R E β I B
Y como:
V i I B r e ( β+ 1 )+ R E β I B
Z e= = =r e ( β +1 ) + RE β=5.342 Ω ( 140+1 ) +1.2 K Ω ( 140 )=168.753 KΩ
IB IB
168.753 KΩ∗390 K Ω
‖
Zi =Z e RB =
168.753 KΩ+ 390 K Ω
=117.786 K Ω
100 K Ω∗2.2 K Ω
Z o=r o‖R C = =2.152 K Ω
100 K Ω+2.2 K Ω
b. AV
Vo RC 2.2 K Ω
AV = = = =1.825
V i r e + R E 5.342 Ω+1.2 K Ω
c. Desarrolle los puntos a y b con una ro=20 KΩ
168.753 KΩ∗390 K Ω
‖
Zi =Z e RB =
168.753 KΩ+ 390 K Ω
=117.786 K Ω
20 K Ω∗2.2 K Ω
Z o=r o‖R C = =1.981 K Ω
20 K Ω+2.2 K Ω
Vo RC 2.2 K Ω
AV = = = =1.825
V i r e + R E 5.342 Ω+1.2 K Ω

IC 4.83mA
IB 44.51uA
IE 6.87mA
VC 4.37V
VE 5.84V
VB 6.54V
VCE 9.37V
15
3. For the network of Figura 3:

a. a. Determine r e.
b. b. Find Z i and A v.
V CC =22V
V BE =0.7 V
R B=330 K Ω
RC =5.6 K Ω
R E 1=1.2 K Ω
R E 2=0.47 K Ω
R ET =1.67 K Ω
r o =40 K Ω
β=80
Malla BE
16
−V CC +V RB +V BE +V RET =0⇒−V CC + RB I B +V BE+ I E R ET =0
Como I E =( β+ 1 ) I B Si lo reemplazamos en la ecuación tenemos:
−V CC + R B I B +V BE + R ET ( β+ 1 ) I B =0 ⇒ I B ( RB + R ET ( β +1 ) )−V CC +V BE =0
Despejando IB se tiene:
V CC −V BE 20 V −0.7 V
I B= = =45.8 μA
R B + [ R ET ( β +1 ) ] 330 K Ω+ [1.67 K Ω ( 140+1 ) ]
Para la corriente de colector se tiene:
I C =β∗I B =45.8 µA∗80=3.66 mA
Para la corriente de emisor se tiene:
I E =I C + I B =3.66 µA + 45.84 µA=3.71 mA
Para el voltaje de Base se tiene:
V B =V CC −I B∗R B=22−( 3.70 mA∗1.67 KΩ ) =6.886 V
V E=I E∗R E=3.69 mA∗( 1.2 KΩ+ 0.7V )=6.179 V
V CE =V CC −( I C∗RC ) −V E =22− (3.66 μA∗5.6 KΩ )−6.179 V =−4.675 v
Para el voltaje de Colector:
V C =R C∗I C =5.6 KΩ∗3.66 μA=20.496 V
a. El valor de re
26 mV 26 mV
re= = =7 Ω
IE 3,71 mA
17
b. El valor de Zi , Zo y VA
Haciendo LVK en la malla se tiene:
−V i +V ℜ+V RET =0 ⇒ V i =I B r e ( β+ 1 )+ R ET β I B
Y como:
V i I B r e ( β+ 1 )+ R ET β I B
Z e= = =r e ( β +1 ) + RET β=5.342 Ω ( 140+1 ) +1.67 K Ω ( 140 ) =234.553 KΩ
IB IB
234.553 KΩ∗330 K Ω
‖
Zi =Z e RB =
234.553 KΩ+ 330 K Ω
=137.104 K Ω
40 K Ω∗2.2 K Ω
Z o=r o‖R C = =2.085 K Ω
40 K Ω+ 2.2 K Ω
Vo RC 2.2 K Ω
AV = = = =1.313
V i r e + R ET 5.342 Ω+1.67 K Ω

IC 3.66 mA
IB 45.8 μA
IE 3.70 mA
VC 1.05 V
VE 6.18 V
VB 6.88 V
VCE 4.07 V
4. For the network of Fig. 4:

a. Determine re.
b. Calculate V B, V CE, and VCB.
c. Determine Z i and Z o.
d. Calculate A v
e. Determine A i
18
Para el voltaje de colector se tiene que es el mismo de la batería ya que Rc va conectado a

tierra y por tanto:
V CC =V C =16
Vcb = 16 v
Malla para la corriente de base se tiene que:
V CC−V BE 16−0.7
I B= = =26.98 µA
R B + R E ( β+ 1) 270 KΩ+(110∗27 KΩ)
Para la corriente de colector se tiene:
I C =β∗I B =26.98 µA∗110=2.93 mA
Para la corriente de emisor se tiene:
I E =I C + I B =2.93 mA +26.68 µA=2.98 mA
V E=I E∗R E=2.96 mA∗2.7 KΩ=7.99 v
V CE =V CC −V E =16−7.99 v=7,95 v=8 v
Para el voltaje de Base se tiene que:
V B =Rb( Ib)=(270)(26,86)=7,25 v
26 mV
ℜ=
Ie
19
26 mV
ℜ=
2,98 mA
ℜ=8,72 Ω
Zb=βre+ ℜ ( β +1 )
Zb=( 110 )( 8,72 ) + ( 2,7 )( 111 )
Zb=300,95 k Ω
Zi=RB ∣∣ Zb
Zi=(270 kΩ ∣∣ 300,95 kΩ)
Zi=142,25 kΩ
Zo=ℜ∣∣ ℜ
Zo=2,7 ∣∣ 8,72
Zo=8,69 kΩ
ℜ
∆ v=
ℜ+ ℜ
2,7
∆ v=
2,7+8,69
∆ v=0,997 veces
−∆ v (Zi)
∆ i= ℜ
−0,997 (142,25)
∆ i=
2,7
∆ i=52,52 veces

IC 3.34mA
IB 30.36uA
IE 3.37mA
VC 16V
VE 9.09V
VB 9.80V
VCE 8.91V
Tabla 5. Valores circuito fig 5

a. Determine AvNL, Z i, and Z o .
b. Determine AvL and Avs.
c. Calculate AiL.
d. Change RL to 5.6 kΩ and calculate Avs. What is the effect of increasing levels of RL
on the gain?
20
e. Change Rs to 0.5 kΩ (with RL at 2.7 kΩ) and comment on the effect of reducing
Rs on Avs.
f. Change RL to 5.6 kΩ and R s to 0.5 kΩ and determine the new levels of Z i and Z o.
How are the impedance parameters affected by changing levels of RL and Rs ?
26 mV
ℜ=
Ie
26 mV
ℜ=
3,37 mA
ℜ=7,715 Ω
Rl
AVNL=
ℜ
2,7 kΩ
AVNL=
7,715
AVNL=−350,19
Zi=Rb ∣∣ βre
Zi=560∣ ∣ ( 80 ) ( 7,715 )
Zi=616,52Ω
Zo=Rc
Zi=4,3 kΩ
21
−Rc ∣ ∣ Rl
AVL=
ℜ
−4,3 ∣∣2,7
AVL=
7,715
AVL=−214,98 veces
Zi
AVS= AVL
Zi + Rs
616,52
AVS=(−214,98)
6161,52+1 k Ω
AVS=−81,99
Rs+ Zi
AIS=−AVS ( )
Rl
1 k +616,52
AIS=(81,99)( )
2,71 k
AIS=49,04 veces
 Cambiando RL a 5,6 k Ω
−Rc ∣ ∣ Rl
AVL=
ℜ
−4,3 ∣∣5,6
AVL=
7,715
AVL=−315 , 27 veces
Zi
AVS= AVL
Zi + Rs
616,52
AVS=(−315 , 27)
6161,52+ 1 k Ω
AVS=−120,23 veces
Aumenta
 Cambiando Rs a 0.5 k Ω ( con RL A 2,7 k Ω)
22
Zi
AVS= AVL
Zi + Rs
616,52
AVS=(−214,98)
6161,52+0,5 k Ω
AVS=−118,70 veces
Aumenta
 Cambiando RL a 5,6 k Ω y Rs A 0,5 k Ω
No cambia Zi ni Zo por que no dependen de RL ni Rs

a. Determine AvNL, Z i , and Z o .
b. Determine AvL and Avs.
c. Change Rs to 1 kΩ and determine AvL and Avs. What is the effect of
increasing levels of Rs on the voltage gains?
d. Change R s to 1 kΩ and determine AvNL, Z i , and Z o . What is the effect of
increasing levels of Rs on the parameters?
e. Change R L to 5.6 kΩ and determine AvL and Avs. What is the effect of
increasing levels of RL on the voltage gains? Maintain Rs at its original level of 0.6
kΩ.
f. Determine Ai = Io/ Ii with RL = 2.7 kΩ and Rs = 0.6 kΩ.
R2 12
Vth=Vcc =20 =2,33V
R 2+ R 1 12+ 91
23
R 1 91
Rth= = =10,6 KΩ
R 2 12
Vth−Vbe 2,33−0,7
Ib= = =10,46 µA
Rth+ ( β+1 ) ℜ 10,6+ ( 121 ) (1,2)
IE=( β+ 1 ) Ib=( 121 ) 10,46 µA=1,26 mA
26 mV 26 mV
ℜ= = =20,54 Ω
IE 1,26 mA
ℜ 1,2
AVNL= ℜ+ ℜ = =0,983
20,54 +1,2
Zi=R 1 ∣∣ R 2 ∣∣ βre (ℜ)=91 ∣∣12 ∣∣ ( 120 )( 20,54 )(1,2)=9,89 K Ω
Zo=ℜ∣∣ ℜ=1,2∣∣ 20,54=20,19Ω
Rl 9,89 k
AVL=AVNL =( 0,976) =0,88 veces
Rl+ Zo 9,89 k +1 k
Cambiando RL a 5,6 k Ω
RL
AVL=AVNL
RL+ Zo
5,6
AVL=(0,983)
2,7+ 20,19
AVL=2,02 veces
Zi
AVS= AVL
Zi + Rs
9,89 K
AVS=(2,02)
9,89 K + 1 K
AVS=1,83 VECES
Aumenta
7. For the Darlington network of Fig. 7:

a. Determine the dc levels of VB1, VC1, VE2, VCB1, and VCE2.
b. Find the currents IB1, IB2, and IE2.
c. Calculate Z i and Z o .
d. Determine the voltage gain A v = V o / V i
e. Determine the current gain A i = Io /Ii
24
Configuración súper beta con colector común

Vcc=Ib 1 Rb+ Rb 1+ Vbe1+Vbe2+Ie2Re
Vcc−VbE 1−vBE 2
Ib1 =
ℜ+ ( β 1 β 2+1 ) ℜ
16−1,4
Ib1 =
2,4 M + ( 6001 ) 610
Ib1 = 2,67 µA
IE 2= ( β 1 β 2+1 ) IB
IE2 = (6001) (2,67 µA)
IE2 = 16,02 m A
Vcb1 = IB1 *Rb
Vcb1 = (2,67) (2,4kΩ)
Vcb1 = 6,4 V
VC1 = 16 V
Vb1= Vc1 – Vcb1
Vb1 = 16 – 6,4 = 9,6 V
Ve2 = Ie2*RE
Ve2 = (16,02 m A)(510) = 8,17 V
Vce2 = Vcb1+2Vbe
Vce2 = 6,4 + 1,4 = 7,8V
25
Zi = RB // β (RE// RL)
Zi = 2,4M //( 6000)(510//1,2k)
Zi = 1,13 MΩ
AV ≤ 1
Ai = β re / RB + β (RE// RL)
Ai = (6000)(2,4M) / 2,4M (6000) (510//1,2k)
Ai = 3,15 x10 ^3
Análisis de resultados
Se pudo observar en la realización del trabajo el comportamiento del transistor polarizado BJT y
como este nos permite llevarlo a cabo un funcionamiento de amplificador de tensiones y corrientes
implementándolo a diversos circuitos. Su función principal de amplificar está compuesta por la
configuración de los capacitores a la hora de analizarlo en AC, pues su comportamiento en DC es el
mismo al que analizamos en la práctica pasada, es importante porque nos ayuda a controlar el tipo
de ganancia que necesitemos ya sea de corriente o tensión, en caso de que la carga aumente, puede
que aumente o disminuya la ganancia dependiendo de la necesidad del transistor, comenzara a
actuar en el punto en que se halla establecido su valor de corriente máxima o tensión, esos valores
están limitados al voltaje o corriente máxima que coloque de soporte la fuente DC. evitando así
sobrepasar este límite previamente establecido, protegiendo los equipos que se puedan ver
expuestos cuando se llegue a sobrepasar este límite. Este comportamiento se puede evidenciar
mediante la gráfica en la que se observa la saturación de este transistor y cuyo comportamiento nos
muestra como al llegar al límite de corriente máxima de salida actúa y no permite sobrepasar este
límite.
Conclusiones
• Ofrecen una buena ganancia de amplificación.
•El transistor debe operar en zona activa directa.
•En la hoja de características del fabricante aparece la ganancia en corriente del transistor, beta, que
no es desconocida y necesaria a la hora de determinar la amplificación que necesitamos.
•Si la corriente Ic tiende a cero, el transistor operará en la Zona de Corte.
•El Transistor no acumula carga: Toda la corriente que entra a él debe salir.
•β =Ic/Ib
26
•Para un transistor PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de la base.
Bibliografía
[1] http://www.learningaboutelectronics.com/Articulos/Diferencia-entre-transistores- amplificadores-

PNP.php
[2]http://global.oup.com/us/companion.websites/fdscontent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students/bj
t/TIP110-
st.pdfhttp://datateca.unad.edu.co/contenidos/243006/Contenidos/Circuitos_con_diodos/circuitos_limitado
res_sujetadores_y_multiplicadores_de_voltaje.html
[3]. Guide electronics laboratory. LaSalle University. Faculty of Electrical Engineering and Automation
Engineering.
[4]. http://www.educachip.com/amplicador-de-voltaje-BJT/
[5]. http://www.educachip.com/amplifiador-de-Corriente-BJT/
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[7]. http://construyasuvideorockola.com/proyect_Aamplifier_dual_.php
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf
[8]. http://www.ross.com.es/ross01/pdf-fullwat/transistor_led.pdf
ANEXOS
P2N2222A
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N2222A-D.PDF
TIP110/112 TIP115/117
http://global.oup.com/us/companion.websites/fdscontent/uscompanion/us/pdf/microcircuits/students
/bjt/TIP110-st.pdf
27
28

Transistores BJT

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Universidad de La Salle, Informe, No 4

Julian Camilo Bustos

Universidad De La Salle-Sede Candelaria

Facultad De Ingeniería Eléctrica

Figura 3. Circuito equivalente en DC………………………..……………………………………….6

Figura 4. Circuito equivalemte en AC………………………………………………………………….7

Figura 5. Nomenclatura para un amplificador………………………………………………………….8

Figura 6. Modo de conexión……………………………………………………………………………….9

Figura 7. Recta de carga estatica..…………………………………………………………………….10

Figura 8. Analisis y sentido de la corriente Ic………………………………………………………….11

Figura 9. Rectas de carga estattica y dinamica………………………………………………………….12

Figura 10. Significado de la recta en carga dinamica……………………………………….………….5

Fig 12. Ejercicio propuesto # 2.………………………………………………..…………………………….6

Fig 13. Ejercicio propuesto # 3.………………………………………………..…………………………….6

Fig 14. Ejercicio propuesto # 4.………………………………………………..…………………………….6

Fig 15. Ejercicio propuesto # 5.………………………………………………..…………………………….6

Fig 16. Ejercicio propuesto # 6.………………………………………………..…………………………….6

Fig 17. Ejercicio propuesto #7.………………………………………………..…………………………….6

Tabla 2. Valores calculados y simulados 2………………………………………………………………….6

Tabla 3. Valores calculados y simulados 3………………………………………………………………….6

Tabla 4. Valores calculados y simulados 4………………………………………………………………….7

Tabla 5. Valores calculados y simulados 5.……………………………………………………………….8

Palabras Clave: BJT, AMPLIFICADOR, GANANCIA.

Keywords: BJT, AMPLIFIER, GAIN.

El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de

Transistor BJT como amplificador con acoplamiento capacitivo.

En el circuito de figura 1 se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con un

Fig. 1 Configuracion como amplificador.

Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de acoplo y sirven para

El condensador C3 es un condensador de desacoplo, su misión es la de proporcionar un camino

Fig 2. Aspectos a tener en cuenta con la superposición.

Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC que

Fig 3. Circuito equivalente en DC

cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensión de continua, el circuito que

Fig 4. Circuito equivalente en AC.

En este capítulo abordaremos el estudio y la resolución de este circuito abordando un modelo

Al aplicar el principio de superposición, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura de

Fig 5. Nomenclatura para un amplificador.

1.3.- Recta de Carga Estática.

Fig 6. Modo de conexión.

Fig 7. Recta de carga estatica.

1.4.- Recta de Carga Dinámica

Fig 8. Análisis y sentido de la corriente Ic

Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una señal se puede

Haciendo este cambio de variable en la expresión anterior obtenemos la ecuación de la Recta de

Fig 9. Rectas de carga estática y dinámica.

Fig 10. Significado de la recta de carga dinámica.

CÁLCULOS, SIMULACIONES Y TABLAS

1. For the networks of Figura 1:

Fig 11. Ejercicio propuesto # 1

I E =( β+ 1 ) I B ≅ I C ⇒ I E=( 60+1 ) 51.363 μA ≅ 5.13 mA

Para el voltaje de base

Como el emisor está a tierra Ve=0 y Para el voltaje de Colector- Emisor

V CE =V CC −I C ∗RC =12−(3.08 µA∗2.2 µA )=5.22 v

Para el voltaje del colector

Z e=r e ( β +1 )=8.298 Ω ( 140+1 )=506.194 Ω

c. Desarrolle los puntos a y b con una ro=20 KΩ

Z e=r e ( β +1 )=8.298 Ω ( 140+1 )=506.194 Ω

VARIABLES TEORICO SIMULADO

2. For the network of Figura 2:

Fig 12. Ejercicio propuesto # 2

−V CC +V RB +V BE +V ℜ=0 ⇒−V CC + R B I B +V BE + R E I E=0

Como I E =( β+ 1 ) I B Si lo reemplazamos en la ecuación tenemos: