Electrónica de Potencia

Presentado a:
Jorge Enrique Arboleda
Tutor(a)

Entregado por:

Maria Fernanda Ramirez Feo

Código: 1015471363

Grupo: 203039_11

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS

7 de mayo del 2020

 Actividades a desarrollar

Fase 3 - Diseñar la etapa de potencia y filtrado.

Individuales:

3.1 Se debe construir y explicar la etapa de control de los Mosfet, mediante el uso de circuitos
Driver.

Cuando se logra la señal sinusoidal modulada, estos pulsos es esencial llevarlos a una etapa de
potencia, con la cual es admisible amplificarlos en corriente, ya que la señal modulada
normalmente es de baja potencia. La etapa de potencia está constituida por el puente H y los
drivers de los Mosfet.

Drivers IR2101

Estos se encargan de hacer una separación de la impedancias de los circuitos de baja y alta
potencia, y segundo, son los encargados de activar y desactivar los Mosfet, tendiendo en cuenta
que dos Mosfet que se encuentran conectados en serie, nunca deben ser activados en el mismo
instante ya que se produciría un cortocircuito, y los Mosfet se encuentran en la parte superior, se
encargan de tener una tierra virtual, siendo asi suministrada mediante estos drivers.
 Tomado de: https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/ir2101/

En la figura, se verifica un diagrama de conexión del IR2101

Puente H.

Un puente H, es un arreglo de 4 transistores, que en este caso se utilizaron Mosfet, y su nombre

se debe a la configuración en la que normalmente se colocan debido a que parece una H, como se
mostrará a continuación:

Tomado de: https://nomadaselectronicos.wordpress.com/tag/puente-h/

Al conseguir y aplicar corrientes en ambas direcciones a dispositivos específicos que tengan

polaridad.
Se selecciona el mosfet IRFZ44N, Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–
Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características
que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso
(PWM).

Tomado de: https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet

Y se diseña el circuito en proteus:

FALTA

2. Calcular la frecuencia de corte del filtro pasa bajos y los respectivos valores del circuito
LC que filtrará la salida del puente inversor

FALTA

3. Proponer teóricamente un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente

a la distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.
Cuando se conectan cargas no lineales a la red, estas consumen corrientes que no son senoidales,
o sea, tienen un contenido importante de armónicos, así mismo este consumo de corrientes no
senoidales, aplicada a una red eléctrica de impedancia no nula, produce una distorsión en la
forma de la tensión en los puntos de conexión de los equipos a la red.

Para solucionar esto se propone la implementación de un filtro activo de potencia, ya que el

propósito de un filtro activo es el de reducir los dos problemas anteriores; de forma que la
corriente que circule por la red eléctrica sea senoidal y que la tensión aplicada a las cargas
también lo sea. También cabe señalar que los filtros activos presentan como principales ventajas
frente a los pasivos; que pueden adaptarse a las condiciones cambiantes de la carga y de la propia
red eléctrica