Parcial 2.

Electrónica Digital II
Semestre I - 2020

Nombre: _________________________________________ Código: __________________

1. (20%)
a. De acuerdo al diagrama del Datapath visto en clase, determine la palabra de control para realizar las siguientes
micro-operaciones:

 𝑅7 ← 𝑠𝑟𝑅5
 𝑅0 ← 𝑅3 ∧ 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡 𝐼𝑛
 𝐷𝑎𝑡𝑎 𝑜𝑢𝑡 ← 𝑅4
 𝑅5 𝐷𝑎𝑡𝑎 𝐼𝑛
 𝑅2 𝑅7 − 1

b. Determine los valores en Hexadecimal de la simulación, para las microoperaciones requeridas:

a. 𝑅3 ← 𝑠𝑙𝑅3

b. 𝐷𝑎𝑡𝑎 𝑜𝑢𝑡 ← 𝑅6

c. 𝑅5 ← 𝑅7 + ̅̅̅̅
𝑅2 + 1

d. 𝑅6 ← 𝐷𝑎𝑡𝑎 𝑖𝑛

e. 𝑅7 ← 𝑅3 + 6

f. 𝑅0 ← 𝑅2⨁𝑅5

2. (20%) Realice y explique el diseño del ALU utilizando sumadores completos. Muestre el código en VHDL.
3. (20%)
a. Utilizando la arquitectura basada en pila del segundo criterio de la clasificación del set de instrucciones,
escriba el listado de micro operaciones para realizar la siguiente instrucción:

𝑋 = [(𝐴 ∗ 𝐵)/(𝐶 + 𝐷)] ∗ 𝐸

 b. Determine el código de operación de longitud variable, utilizando la codificación de Huffman, asignando un 0
al nodo de mayor valor. Determine la longitud media del código variable y compárelo con el correspondiente
código de operación de longitud fija.

Tipo de instrucciones Frecuencia de uso

ADD 30%
MOV 24%
SHR 20%
OR 10%
AND 8%
DIV 3%
LDA 3%
JMP 2%

4. (30%) Respecto al esquema del procesador monociclo, determine las operaciones RTL e indique como se
implementaría las nuevas instrucciones:

a. Branch if not Carry

b. Suponga que R0 es un registro que esta precargado con ceros. Diseñe una instrucción para clarear o colocar
en ceros cualquier otro registro del banco de registros. La instrucción es CLR
c. Branch on Overflow

Dibuje las modificaciones de hardware que se deben tener en cuenta en las líneas de control del diagrama del
procesador monociclo, explique.

5. (10%)
a. Muestre el diagrama bidimensional y tridimensional de una memoria ROM de 32Kx10.
b. Explique cómo es el funcionamiento de los transistores de compuerta flotante y en qué tipo de memorias se
utilizan.