TEM415L_CPR1 – LAB.

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PREPARATORIO N°3
SCR - SIMULACIÓN

MALDONADO CELI JORGE DANIEL

18 de Mayo del 2016

polarización en directo el SCR se comporta también como
I. OBJETIVOS un diodo común, siempre que el SCR ya haya sido activado
(On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente
 Comprobar el funcionamiento básico del tiristo de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a
r SCR cuando se polariza con alimentación DC. cátodo es menor (VC). [2]

II. DESARROLLO
1. Consulte y resuma la estructura interna, modo
de operación y aplicaciones del SCR.

Son implementados como dispositivos de control, es un tipo

de tiristor de 4 capas, pueden estar estructurado
internamente como PNPN o NPNP. Está constituido
por 3 terminales de conexión: ánodo (A), cátodo (K) y gate
(G); en donde la compuerta es la encargada de controlar el
paso de corriente entre ánodo y cátodo.

Imagen 1: Estructura interna SCR [1]

Su operación básica es de funcionar como un diodo

rectificador controlado; mientras no se aplique ninguna
tensión en su compuerta no existirá conducción, por lo cual
permite el paso de la corriente en un solo sentido.
Tiene como objetivo principal retardar la entrada en
conducción del mismo cuando en su compuerta se envía un
impulso de cebado. El ángulo de retardo en un parámetro
principal para su selección correcta.

Imagen 3: Simbología, distribución de pines SCR [3]

Una aplicación muy frecuente de los SCR es el control de

Imagen 2: Curva Caracteristica SCR [2]
Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta
como un diodo común (ver la corriente de fuga
característica que se muestra en el gráfico). En la región de
potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lámparas,
calentadores eléctricos y motores eléctricos. [4]
En la Imagen 3, se muestra un circuito de control de fase de
media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y
B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la
carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de
una lámpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente
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y R2 es un potenciómetro que ajusta el nivel de disparo para
el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede
disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en
alterna entre 0 y 180º, como se aprecia en la Imagen 3. [4]
Imagen 4: (a) Conducción durante 180°; (b) Conducción durante 90°.
Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo
(aproximadamente a 0º) (a), conduce durante
aproximadamente 180º y se transmite máxima potencia a la
carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda
(b), el SCR conduce durante aproximadamente 90º y se
transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste
de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo así una
cantidad variable de potencia a la carga. [4]
Imagen 5: Disparos cíclicos para control de potencia
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no
conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo
positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como
se ilustra en la Imagen 4. El diodo se coloca para evitar que
voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR. [4]
2. Explique el funcionamiento del SCR mediante
el modelo de los dos transistores.
Imagen 6: Operación tiristor SCR (2 transistores)
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y
colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1
es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una
corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la
base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más
corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de
Q1, y…… este proceso regenerativo se repite hasta saturar
Q1 y Q2 causando el encendido del SCR. [2]
3. Anote las características generales para los
SCR’s.
Tabla 1: Caracteristicas generales SCR´s [2]
 VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG =
0)
 VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG =
0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre
compuerta y cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida
en la compuerta (G) para el cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para
mantener cebado el SCR
 dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir
cebado.
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada
antes de destruir el SCR. [2]
WEB-GRAFIA
[1 GUIA DE PRÁCTICAS DE LABORATORIO,
] 2016.
[2 Unicrom, «Electronica Unicrom,» 09 Junio 2009.
] [En línea]. Available: http://unicrom.com/scr-
silicon-controled-rectifier/. [Último acceso: 16
Mayo 2016].
[3 O. Semiconductor, «Onsemi,» 08 Abril 2006. [En
] línea]. Available:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N6504
-D.PDF. [Último acceso: 16 Mayo 2016].
[4 J. L. Molina, «Profesor Molina,» 11 Abril 2002.
] [En línea]. Available:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/eni
ca_pot.htm. [Último acceso: 17 Mayo 2016].
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