Diodo 3

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID
ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS

DE TELECOMUNICACIÓN
TESIS DOCTORAL
Crecimiento, fabricación y caracterización

de diodos electroluminiscentes basados en
pozos cuánticos de InGaN
FERNANDO B. NARANJO VEGA
2003
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID
ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE
INGENIEROS
DE TELECOMUNICACIÓN
Tesis Doctoral
Crecimiento, fabricación y caracterización

de diodos electroluminiscentes basados
en pozos cuánticos de InGaN
Presentada por:
D. Fernando B. Naranjo Vega

Licenciado en Ciencias Físicas
Director:
D. Enrique Calleja Pardo

Catedrático de Universidad
Madrid 2003
Tribunal nombrado por el Mgfco. Y Excmo. Sr. Rector de
la Universidad Politécnica de Madrid, el día ............... de
........................ de 20.......
Presidente D. ...................................................................
Vocal D. ...................................................................
Vocal D. ...................................................................
Vocal D. ...................................................................
Secretario D. ...................................................................
Realizado el acto de lectura y defensa de la Tesis el día

............ de ..................... de 20........en ....................................
Calificación ..................................................................
EL PRESIDENTE LOS VOCALES
EL SECRETARIO
A mis seres queridos
RESUMEN
Teniendo en cuenta la energía del gap de los binarios que forman el ternario
InGaN (GaN, 3.4 eV; InN, 0.9 eV), es fácil ver que con este material se puede barrer
todo el espectro visible. De hecho, sus propiedades físicas (localización excitónica,
gap directo) hacen que sea el semiconductor idóneo para la emisión desde el azul
hasta el ultravioleta cercano (2.8 eV a 3.3 eV), donde no hay ningún otro que pueda
competir con sus prestaciones. La utilización de pozos cuánticos de InGaN/GaN e
incluso InGaN/AlGaN añaden una estabilidad con la temperatura a la emisión mayor
que la obtenida con otras familias de semiconductores, gracias a la gran estabilidad
térmica de los nitruros y a la diferencia de energías de gap entre el material que actúa
como barrera y el del pozo.
El objetivo de esta Tesis es estudiar el crecimiento por MBE y las propiedades
del InGaN, con la finalidad de fabricar un diodo electroluminiscente eficiente con capa
activa compuesta por pozos cuánticos de InGaN con barreras de GaN. La fabricación
del LED conlleva también el estudio del dopaje tipo p en el GaN, empleando
Magnesio.
En esta memoria, después de la presentación teórica de las propiedades del
InGaN y de las técnicas experimentales empleadas, se abordará la optimización del
crecimiento de GaN sobre zafiro y GaN-templates. Los segundos ofrecen la posibilidad
de crecimiento en pseudoepitaxia, lo que llevará a la obtención de las capas de mayor
calidad que cuando se crece sobre zafiro.
A continuación, se estudia el crecimiento de capas gruesas de InGaN como
paso previo al crecimiento de pozos cuánticos, prestándose particular interés a la
dependencia de la calidad óptica y estructural de las capas en función de la
temperatura de crecimiento, la relación de flujos de átomos de elemento III (In y Ga) y
V (N) y la proporción de flujo de átomos de In frente al total de átomos metálicos. Se
ha determinado una temperatura de inicio de evaporación del Indio de la superficie de
crecimiento en torno a 560º C, obteniéndose las mejores capas para temperaturas de
substrato ligeramente superiores a ésta y con relación III/V ligeramente superior a la
unidad. En el apartado óptico, se ha observado que la amplitud de las fluctuaciones
locales en el contenido de Indio en las muestras aumenta cuando se incrementa el
contenido promedio de éste. Combinando medidas de Rayos X y transmisión, se ha
obtenido un parámetro de curvatura de la relación energía de gap frente a contenido
de Indio de 3.4 eV, extrapolado para muestras relajadas.
Una vez optimizado el crecimiento de InGaN en volumen se pasa a estudiar el
crecimiento de pozos cuánticos de InGaN con barreras de GaN, que constituirán la
capa activa de los diodos LED. Las condiciones de crecimiento de pozo y barrera son
optimizadas en función de la calidad óptica de las muestras, obteniéndose los mejores
resultados cuando se mantiene fijo el flujo de Galio durante pozo y barrera y se
favorece la formación de una capa de Indio segregada a la superficie durante el
crecimiento del pozo. A partir de las propiedades de la emisión en cada caso se
establece un mayor dominio sobre la energía de la misma de los campos
piezoeléctricos en pozos de espesor mayor de 4 nm y de las fluctuaciones de Indio en
pozos con éste menor de 3 nm.
Con la técnica de crecimiento de pozos cuánticos desarrollada, y empleando
cinco pozos de Inx Ga (1-x)N(~2 nm)/GaN (~5 nm) como capa activa de los LEDs, se han
crecido y fabricado dispositivos emitiendo desde el ultravioleta cercano (3.4 eV) hasta
el verde (2.4 eV) variando el contenido de Indio de los pozos desde 0 % hasta 25 % de
Indio.
Como método de mejora de los dispositivos se ha estudiado la incorporación
del LED a una cavidad resonante centrada en el verde (510 nm), realizada con un
espejo superior de Aluminio y un reflector de Bragg de AlGaN/GaN como espejo
inferior. La potencia de emisión obtenida de este modo es 7 µW a 20 mA, con una
intensidad 10 veces mayor que la del LED convencional de la misma longitud de onda
en la dirección perpendicular al diodo.
Otro de los métodos de mejora estudiados es la optimización del dopaje de
GaN empleando Mg, en el que se ha realizado un estudio del comportamiento eléctrico
y óptico de las muestras en función de la temperatura de célula de Mg, fijando la
temperatura de substrato en 690º C. El intervalo útil de temperaturas de la primera
queda delimitado por el extremo inferior (~375 ºC) por la concentración residual que
posean las capas, que ha de ser vencida por el dopaje. El extremo superior (~450º C)
queda definido por la generación de defectos en las muestras, lo que puede llevar a un
cambio de la polaridad de la capa, produciendo una caída en la incorporación del Mg.
Las condiciones óptimas de dopaje se alcanzan para TMg= 435º C, con una
concentración de huecos de 3E 17 cm-3.
ABSTRACT
The physical properties of the InGaN, as the excitonic localization and direct
bandgap (from 3.4 eV for GaN to 0.9 eV for InN at room temperature), make this
semiconductor as the best candidate for the emission in a wide range of wavelengths.
In fact, it is the most efficient material for wavelengths between 2.4 eV to 3.3 eV. The
devices based on InGaN/GaN and InGaN/AlGaN multiple quantum wells (MQWs)
active layer have a high thermal stability than using other semiconductors multilayers,
due to the high thermal stability and the high band offset between barrier and well.
The purpose of this Thesis is to study the growth conditions by Molecular Beam
Epitaxy (MBE) and their relation with the optical and structural properties of InGaN bulk
layers and InGaN/GaN quantum wells (QWs). The latter will be used as the active layer
an efficient LED emitting in the visible range. The LED fabrication includes the study of
the doping of GaN using Magnesium.
In this work, after the summary of the theoretical properties of the InGaN and
the characterization techniques employed for the study, the optimisation of the GaN
growth on sapphire and MOCVD-grown GaN-templates is performed. The use of GaN-
templates as pseudosubstrates following a process close to the homoepitaxy leads to
the best layers.
The growth of InGaN bulk layers is studied as a previous step for the
InGaN/GaN MQW growth. The relationship between the structural and optical quality of
the layers and the growth conditions, as the III(Ga+In)/V(N) ratio and the growth
temperature is studied. A significant In desorption occurs at growth temperatures
above 560ºC in InGaN layers grown on sapphire and GaN-templates. InGaN layers
with the best optical quality were grown using III/V ratio above the stoichiometric
conditions and growth temperature above the temperature for In desorption (560-
580ºC). The In content of the layer with this growth conditions is slightly lower than the
ratio φ In/(φIn+φ Ga), being φIn and φ Ga the atomic fluxes of In and Ga, respectively. The
increase of both, the absorption band edge broadening and the FWHM of the RT-PL
emission with the In composition, together with the S-shaped temperature dependence
of the PL emission energy, is attributed to a strong local fluctuation of the In content
that induces localization of carriers. The inhomogeneous distribution of In depends on
the specific In content.
Once the InGaN bulk growth was studied, the growth conditions for InGaN well
and GaN barrier were optimized to obtain efficient InGaN/GaN MQW structures for
their use as active layers of the LED devices. The best results in terms of optical quality
were obtained when keeping constant the Ga flux during well and barrier, with a
segregated In layer to enhance the GaN barrier growth. The dominant PL emission of
the MQWs shows a redshift when increasing the well thickness for a given In-content
due to the internal piezoelectric fields. This effect dominates the emission energy for
well thickness above the excitonic Borh radius (~3.4 nm). For thinner wells (<3 nm),
excitonic localization in potential minima formed by In-content fluctuations in the well
determines the emission energy. For well thickness above the critical thickness of the
InGaN, the piezoelectric field strength decreases and the emission energy recovers the
value considering a square potential well.
Five Inx Ga1 - XN (2nm) /GaN (5 nm) MQWs were used as the active layer of
standard LEDs. Varying the In content from 0 to 25%, the room temperature
electroluminescence emission energy can be tuned from 3.4 eV (ultraviolet) to 2.4 eV
(green).
The performance of the green device improves when placing the active layer in
a resonant cavity (RC). The cavity was fabricated with a semitransparent AlGaN/GaN-
based distributed Bragg Reflector as bottom mirror and Al coating as top mirror. The
electroluminescence emission intensity of these devices is increased by a factor ten
compared to standard light emitting diodes. An output power of 7 µW for 20 mA drive
current has been measured for the green (λemis~510 nm) RCLED.
An optimisation of p-type doping in GaN using Mg was performed in order to
improve the emission efficiency of the devices. The relationship between the Mg
effusion cell temperature and the optical and electrical properties of the Mg-doped GaN
samples is analysed, keeping constant the rest of the growth parameters (substrate
temperature of 690ºC and III/V ratio). The Mg cell temperature to obtain p-type doped
is determined by the residual concentration (low Mg temperature) and the formation of
compensation defects induced by the presence of Mg at the surface during growth
(high Mg temperature). This range is established for Mg cell temperatures between
~375 and ~450ºC, using a growth temperature of 690ºC. Within this range, a hole
concentration of 3E17 cm-3 for TMg~435ºC was obtained.
AGRADECIMIENTOS
Desde que, hace unos cinco años y medio comencé con el doctorado, multitud
de personas me han ayudado sabiéndolo o sin saberlo y directa o indirectamente.
Tanto a empezar en esta andadura como en el día a día me han animado y
ayudado fundamentalmente mis padres y hermanos, así como mis amigos, en
particular Placi, David y, en los primeros años, Ana. A todos ellos, gracias.
Durante mis primeros pasos en el mundo científico, me ayudaron,
enseñándome y soportando mis dudas y problemas los doctorandos que en aquel
momento ya se habían “establecido”, como Fernando José, Eva, José Antonio y Jorge
Julián, a ellos les agradezco el aprender la dinámica del trabajo en el laboratorio en
general.
En la etapa intermedia, mi trabajo se realizó fundamentalmente a la par que el
de mis compañeros con la misma “edad científica”, Jorge Hernando, José Luis y Ana,
con los que he pasado muy gratos momentos y creo que hemos aprendido mucho
juntos.
Durante los últimos años también he de agradecer el buen humor y las
discusiones científicas de los que he disfrutado junto con mi compañero del “Barrio”,
José María Ulloa.
La última etapa de mi trabajo se ha visto desarrollada compartiendo proyecto y
descubrimientos con Susana, a la que quiero dar las gracias por mantener viva la
ilusión en momentos difíciles. Su paciencia y aliento durante la escritura y corrección
del manuscrito y su perseverancia en el crecimiento de los reflectores para los
dispositivos de cavidad resonante han sido claves para que esta Tesis llegase a buen
puerto.
También he tenido la oportunidad de compartir mi tiempo con otros
compañeros como José María Tirado, Esperanza, Adrián, Alejandro, Heberto y Jelena;
y más recientemente, con David, Jorge y Carlos, a ellos les agradezco el haberme
hecho un poco más fácil la vida de doctorando.
En cuanto al crecimiento por MBE, he de agradecerle al doctor Miguel Ángel
Sánchez su ayuda y paciencia en un tema que requiere tanta dedicación. En este
sentido, el doctor Álvaro de Guzmán también ha sido muy importante en mi formación,
su disponibilidad y amabilidad son dignas de imitación.
Al doctor Fernando Calle, le tengo que agradecer sus consejos y ayuda tanto
en la interpretación resultados como en el plano personal. Al doctor José Luis Sánchez
de Rojas le agradezco el haberme introducido en el tema de los campos
piezoeléctricos y el haberme dado una herramienta de simulación eléctrica de las
estructuras de pozo cuántico. El doctor Ignacio Izpura ha sido también clave en
momentos difíciles, y su visión eléctrica de algunos problemas también me ha
ayudado.
En lo que al crecimiento del InGaN respecta, ha sido fundamental la ayuda y
paciencia de los doctores Oliver Brandt, junto con Patrick Waltereit, A. Trampert y K.H.
Ploog, del Paul Drude Institut (PDI) de Berlín, sin sus consejos y explicaciones me
habría costado mucho más realizar esta Tesis. También he de agradecerles el
haberme permitido usar su programa de simulación de difractogramas de Rayos X que
ha resultado fundamental en el desarrollo de este trabajo.
No puedo dejar de agradecer al resto de los compañeros del ISOM, por los
ratos que hemos pasado juntos, como son Rocío, Lucas, Miguel, David, y, en
particular, a Oscar de Abril, por las medidas de EDX en las muestras de InGaN. A
Claudio Aroca le debo el buen funcionamiento de los Rayos X del Instituto y su
disponibilidad en todo momento.
A los doctores Javier Gandía y Julio Cárabe les agradezco la facilidad con que
me han permitido el realizar las medidas de Transmisión en el CIEMAT.
La realización de los dispositivos emisores de luz no habría sido posible sin los
ataques mesa realizados por los doctores Fernando José y Marina Verdú en el CIDA,
a ellos les tengo que agradecer además su amabilidad, profesionalidad y paciencia en
este proceso.
Por su dedicación y buen hacer, mi agradecimiento a Julián Sánchez Osorio, a
Alicia Fraile y más tarde a Maite Pérez por la realización de los trabajos de tecnología.
Oscar García, Fernando Contreras y José Miguel han estado siempre dispuestos a
ayudarme en el taller mecánico, facilitándome la realización de la Tesis en el día a día.
En el apartado administrativo he contado todo momento, y en especial a la hora
de entregar el manuscrito, con la ayuda inestimable de Mariano González, además de
Julián Pajuelo y, más recientemente, Montserrat Juárez.
A los Catedráticos Elías Muñoz y Enrique Calleja, mi director de tesis, les
agradezco el que me hayan dado la oportunidad de realizar mi Tesis en un centro de
investigación puntero en España. Los consejos y la visión crítica del segundo han sido
fundamentales para el desarrollo de la Tesis.
Por último, a todos los que, sin querer, haya olvidado, muchas gracias también.
ÍNDICE
1.- Introducción y objetivos ..................................................................................1
1.1.-Introducción ...............................................................................................1
1.2.-Objetivos.....................................................................................................9
1.3.-Estructura de la tesis................................................................................11
2.-Propiedades básicas de los nitruros de Galio e Indio ........................... 13
2.1.- Introducción………………………………………………………………....13
2.2.- Propiedades estructurales ......................................................................14
2.2.1.- Estructura cristalina .................................................................14
2.2.2.- Propiedades mecánicas ..........................................................17
2.2.3.- Vibraciones de la red...............................................................18
2.2.4.- Defectos estructurales ............................................................19
2.2.4.1. Dislocaciones .............................................................19
2.2.4.2. Fronteras de grano.....................................................21
2.3.-Estructura de bandas ..............................................................................22
2.3.1.- Diagrama de bandas y masas efectivas .................................23
2.3.2.- Alineación de bandas en los Nitruros del grupo III .................24
2.4.- Propiedades ópticas ...............................................................................26
2.5.- Campos piezoeléctricos .........................................................................27
2.5.1.- Polarización espontánea .........................................................27
2.5.2.- Polarización piezoeléctrica......................................................29
2.6.- Propiedades específicas del ternario InGaN..........................................31
2.6.1.- Separación de fases................................................................31
2.6.2.- Parámetros de curvatura (bowing) para contenidos
medios de Indio.......................................................................35
3.-Técnicas de caracterización ......................................................................... 39
3.1.- Introducción ............................................................................................39

3.2.- Técnicas de caracterización estructural.................................................39
3.2.1.- Difracción de electrones de alta energía
por reflexión (RHEED) ............................................................40
3.2.2.- Difracción de Rayos X de Alta Resolución (HRXRD).............43
3.2.3.- Técnicas de microscopía.........................................................49
3.2.4.- Espectroscopía de masas de iones
secundarios (SIMS) …………...………………………………..51
3.3.- Técnicas de caracterización óptica........................................................51
3.3.1.-Fotoluminiscencia (PL).............................................................52
3.3.2.- Transmisión (Tr) ......................................................................57
3.4.- Técnicas de caracterización eléctrica....................................................58
3.4.1.- Medida de efecto Hall……………… .....……………………….59
3.4.2.- Medida de Capacidad-Voltaje (C-V Profile)…….. ……………61
4.-Crecimiento y caracterización de capas de GaN..................................... 63
4.1.- Introducción ............................................................................................63

4.2.- Sistema de crecimiento de Epitaxia de Haces Moleculares asistido
por Plasma (PAMBE) ..………………….................................………….64
4.2.1.- Descripción del sistema de crecimiento PAMBE ...................64
4.2.2.- Substratos empleados…………… ..…………………………. 70
4.3.- GaN no dopado……………… .............…………………………….……..74
4.3.1.- Crecimiento de GaN sobre Si(111)………...………………….77
4.3.2.- Crecimiento de GaN sobre Al2O3…………… ..... …………….80
4.3.3.- Crecimiento de GaN sobre GaN templates ......………………92
4.3.3.1.- Caracterización de los templates de partida… .. …..92
4.3.3.2.- Crecimiento de GaN no dopado
sobre GaN-template………………..…………………..94
4.4.- Crecimiento de GaN dopado tipo p ........................................................98
4.4.1.- Dificultades del dopaje tipo p en GaN…… ..………………….98
4.4.2. Consideraciones previas del dopaje con Mg……… ..……….100
4.4.2.1.- Efectos intrínsecos al dopaje con Mg……… . ……100
4.4.2.2.- Efecto de las condiciones de crecimiento por MBE
sobre el dopaje con Mg…………… ..... ……………..104
4.4.3.- Crecimiento y caracterización de capas de GaN:Mg... …….106
4.4.3.1.- Efecto de los parámetros del crecimiento en
la incorporación del Mg en las capas .......................106
4.4.3.2.- Caracterización de las capas……....... ……………108
4.5.- Conclusiones……...……………………………………………………….112
5.-Crecimiento y caracterización de capas gruesas

de InGaN ....................................................................................................115
5.1.- Introducción y objetivos…………… .........………………………………115

5.2.- Crecimiento de capas gruesas de InGaN sobre zafiro........................116
5.2.1.- Determinación de la temperatura óptima de substrato.... ….116
5.2.1.1.- Crecimiento y caracterización óptica .....................116
5.2.1.2.- Caracterización estructural y morfológica..............118
5.2.2.- Cambio en el BEP de Galio...................................................120
5.2.2.1.- Crecimiento y caracterización estructural……... …120
5.2.2.2.- Caracterización óptica………......………………….125
5.2.2.3.- Caracterización morfológica………......…………. 126
5.2.3.- Estudio del efecto de la temperatura de crecimiento…... ….128
5.2.3.1.- Crecimiento y caracterización óptica…..………….128
5.2.3.2.- Caracterización estructural………...……………….130
5.2.4.- Modelo de crecimiento de capas gruesas de InGaN... …….133
5.3.- Crecimiento de capas gruesas de InGaN sobre template…… .. …….137
5.3.1.- Variación de la temperatura de substrato………… ..……….137
5.3.1.1.- Crecimiento y caracterización estructural…….. ….137
5.3.1.2.- Caracterización óptica............................................140
5.3.2.- Estudio de la variación de la relación III/V............................141
5.3.2.1.- Crecimiento y caracterización de las capas ..........141
5.4.- Estudio de la localización excitónica en las
capas de InGaN en volumen……… ...………………………………..144
5.5.- Parámetro de curvatura de la relación EG
frente al contenido de Indio…… .. …………………………………….154
5.6.- Conclusiones……...……………………………………………………….156
6.- Crecimiento y caracterización de
pozos cuánticos de InGaN....................................................................159
6.1.- Introducción y objetivos…………………………………………..………159

6.2.- Crecimiento y caracterización de pozos cuánticos simples
de InGaN....................................................................................... …160
6.2.1.- Crecimiento y caracterización estructural
de las estructuras de pozo cuántico………………………….160
6.2.2.- Caracterización óptica…………………………......................165
6.2.3.- Estudio de los campos eléctricos en el pozo…… ................167
6.2.4.- Resultado de las simulaciones…… ..........…………………..170
6.3.- Crecimiento y caracterización de pozos cuánticos múltiples
de InGaN/GaN……………… ............................................................172
6.3.1.- Efecto de la variación del tiempo de crecimiento del pozo...173
6.3.1.1.- Crecimiento de las estructuras....………………….173
6.3.1.2.- Caracterización estructural………...........…………175
6.3.1.3.- Caracterización óptica… .................................. …..178
6.3.2.- Efecto de la variación del BEP de Indio en el pozo..............179
6.3.2.1.- Crecimiento y caracterización estructural ..............179
6.3.2.2.- Caracterización óptica… ........................................181
6.3.3.- Efecto de la variación del flujo de Galio
entre pozo y barrera. .............................................................183
6.3.3.1.- Crecimiento y caracterización estructural ..............183
6.3.3.2.- Caracterización óptica… ........................................185
6.3.4.- Discusión de los resultados obtenidos..................................186
6.3.5.- Estudio de los campos piezoeléctricos en las muestras…..189
6.3.6.- Estudio de la localización de Indio en los pozos cuánticos ..192
6.4.- Conclusiones… ....................................................................................197
7.-Crecimiento y caracterización de diodos electroluminiscentes .......201
7.1.- Introducción ..........................................................................................201

7.2.- Crecimiento y caracterización de las uniones p-i-n .............................202
7.2.1- Estructura y condiciones de crecimiento ...............................202
7.2.2.- Caracterización de las estructuras .......................................204
7.3.- Fabricación de los dispositivos.............................................................205
7.4.- Caracterización de los dispositivos ......................................................207
7.4.1.- Caracterización eléctrica y característica I-V........................207
7.4.2.- Caracterización óptica y características L-I..........................211
7.5.- Fabricación y caracterización de un LED de cavidad resonante.........214
7.5.1.- Crecimiento y caracterización estructural del RCLED .........214
7.5.2.- Caracterización eléctrica y óptica del dispositivo..................217
7.6.- Medida de la potencia de emisión de los LEDs...................................219
7.6.1.- Sistema experimental y obtención de los resultados ...........219
7.6.2.- Análisis de los resultados obtenidos .....................................221
7.7.- Optimización del dopaje tipo p con Mg ................................................222
7.7.1.- Introducción y justificación ....................................................222
7.7.2.- Credimiento y caracterización de capas de GaN no dopadas
empleando una fuente de rediofrecuencia EPI....................222
7.7.3.- Crecimiento y caracterización de las capas
dopadas con Mg ....................................................................225
7.7.3.1.- Crecimiento de las capas .......................................225
7.7.3.2.- Caracterización óptica............................................226
7.7.3.3.- Caracterización eléctrica........................................230
7.7.3.4.- Caracterización estructural.....................................233
7.8.- Conclusiones… ..........................................................…………………235
8.-Conclusiones y trabajo futuro ....................................................................237
8.1.- Conclusiones generales… ... …………………………………………….237

8.1.1.- Crecimiento de GaN………… ...............................................237
8.1.2.- Crecimiento de InGaN……............................................ ……238
8.1.3.- Crecimiento y fabricación de los dispositivos emisores .......240
8.2.- Trabajo futuro.......................................................………………………241
Apéndice.- Tecnología .......................................................................................243
A.1.- Contactos en GaN................................................................................243

A.2.- Limpiezas utilizadas .............................................................................246
Bibliografía............................................................................................................247
Capítulo 1
Introducción y objetivos.
1.1 Introducción.
Desde la aparición en el mercado de los primeros diodos electroluminiscentes

(Light Emitting Diode, LED) de color rojo, basados en AlGaAs [Nishi85], buena parte
de la investigación aplicada en el campo de los semiconductores se ha enfocado hacia
la obtención de diodos emisores de luz en el azul, verde y amarillo. Ahora bien, para
conseguir menores longitudes de onda es necesario disponer de semiconductores con
mayor energía de banda prohibida (gap). Como candidatos potenciales para alcanzar
longitudes de onda menores se barajaron el SiC, el SeZn y el GaN. El primero de
ellos, SiC, tiene el inconveniente de ser de gap indirecto, y por tanto no ofrece una
eficiencia alta como material emisor [Edmon94]. En el SeZn la probabilidad de
generación de defectos es muy alta, dada su baja energía de formación, por lo que los
dispositivos emisores de SeZn tienen un tiempo de vida corto [Xie92], [Land98]. El
primer LED verde-azulado, basado en nitruros del grupo III y muy poco eficiente, se
consiguió utilizando una estructura tipo metal-aislante-semiconductor [Pan71]. Tras
esta demostración de la utilidad real de los nitruros del grupo III para la emisión en el
visible, se han realizado muchos esfuerzos y dedicado un enorme trabajo al estudio de
esta familia de semiconductores. El GaN y sus derivados (InGaN, AlGaN) son
candidatos idóneos al ser semiconductores de gap directo que cubren un amplio
espectro de longitudes de onda. Además, estos materiales semiconductores poseen
una alta estabilidad térmica y química, incluso en ambientes corrosivos, cualidades
que derivan de la elevada energía de enlace entre el Nitrógeno y el Galio (Al e In).
Los nitruros del grupo III pueden cristalizar según tres tipos de estructura:
wurtzita (hexagonal compacto), también denominada α-GaN; zinc-blenda (cúbico) o
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
esferalita, denominada β-GaN; y rocksalt (con estructura de cloruro sódico). Las dos
primeras son las más comunes, siendo la estructura de wurtzita la más estable a
temperatura ambiente, mientras que la zinc-blenda es metaestable. La estructura
rocksalt puede inducirse en AlN mediante el uso de muy altas presiones (mayores de
25 kbar) [Grocz91].
La estructura wurtzita es hexagonal, por lo que necesita de dos constantes de
red para quedar definida, la constante de red a, contenida en el plano basal del prisma
hexagonal y la c, o altura del prisma hexagonal. Está formada por dos subredes con
estructura hexagonal compacta (HCP) entrelazadas, una formada por los átomos
metálicos (Al, Ga o In) y la otra por los átomos de Nitrógeno. Las dos subredes están
desplazadas la una con respecto a la otra 5/8 del parámetro de red c, definido a lo
largo del eje del prisma hexagonal que forma la celdilla unidad de la red (figura 1.1a).
En el caso de la estructura zinc-blenda la celda unidad es cúbica idéntica a la del
diamante, es decir, dos subredes cúbicas centradas en las caras y desplazadas en la
diagonal del cubo ¼ de su longitud (figura 1.1b). Las estructuras wurtzita y zinc-blenda
son similares en el sentido de que cada átomo metálico está coordinado con cuatro no
metálicos y viceversa. De hecho, sólo difieren en la secuencia de apilamiento de los
planos diatómicos N-Metal. En la estructura wurtzita la secuencia en la dirección
<0001> es ABABAB, mientras que en la zinc-blenda el apilamiento es tipo ABCABC en
la dirección <111>. Esta similitud hace posible que aparezcan inclusiones de tipo zinc-
blenda en capas con estructura de wurtzita, especialmente en zonas en las que haya
defectos de apilamiento [Lei93] [Brow00]. Todas las muestras estudiadas en el
presente trabajo tienen estructura wurtzita, siendo la de mayor desarrollo en los
últimos años al ser la más estable.
c
a
a) b)
Figura 1.1. Estructuras más comunes de los nitruros del grupo III. a) estructura wurtzita
(α-GaN); b) estructura zinc-blenda (β-GaN)
2
INTRODUCCIÓN Y OBJETIVOS
____________________________________________________________________________
Parámetros de red ( Å ) EG (300K) (eV)

α-AlN a = 3.112. c = 4.982 6.2
β-AlN a = 4.38 5.11 ( teórico)
α-GaN a = 3.189. c = 5.185 3.39
β-GaN a = 4.52 3.2
α-InN a = 3.548. c = 5.705 1.89, 0.9
β-InN a = 4.98 2.2 ( teórico)
Tabla 1.1. Parámetros de red y energía de gap de los nitruros del grupo III a temperatura
ambiente. [Gil98]
Una de las principales ventajas que presenta el α-GaN es la posibilidad de

formar aleaciones ternarias de gap directo con el Al y el In, permitiendo abarcar un
espectro de energías desde 1.9 eV (InN) hasta 6.2 eV (AlN) a temperatura ambiente,
lo que se corresponde con todo el espectro visible más el UVA, UVB y parte del UVC
[Ambac98]. Este rango podría ser aún más amplio si se confirman algunos estudios
recientes, que indican que el gap del InN sería en torno a 0.9 eV [Bech02] [Hori02]. La
figura 1.2 muestra las energías de gap y los parámetros de red de los principales
semiconductores con energía de gap en el rango visible o cercano (entre 3.09 eV y
1.77 eV), junto con la curva de la respuesta espectral del ojo humano, centrada en el
amarillo (línea de puntos).
Longitud de onda (nm)

1239 619 413 310 248 206
7
CdTe Gap directo
ZnTe MgSe
Parámetro de red (Å)
CdSe Gap indirecto

6
Respuesta relativa
InP CdS
AlAs
MgS
ZnSe
del ojo (u. a.)
GaAs
GaP AlP ZnS
5 1
4
InN InN
3 6H-SiC GaN AlN
2
0 1 2 3 4 5 6 7
Energía de gap (eV)
Figura 1.2. Energía de gap y parámetro de red de las familias de semiconductores con gap en
el visible [Shar74], [Naka97], [Akas97], [Palm02].
3
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
A partir de la demostración del primer LED basado en GaN [Pan71], los

trabajos de investigación se centraron en el crecimiento del GaN y sus aleaciones
ternarias con In y Al. El primer problema aparece relacionado con la disponibilidad de
un sustrato de calidad con un parámetro de red lo más parecido posible al del GaN,
junto con un coeficiente de expansión térmica similar, dado que el GaN se crece a alta
temperatura y es sometido a un enfriamiento tras el crecimiento. A lo largo de dos
décadas se han empleado substratos diversos con mayor o menor acoplo de red y
térmico, pero nunca ideales. El GaAs, de tecnología bien conocida y de gran calidad,
fue utilizado frecuentemente en los primeros trabajos de investigación sobre el GaN
[Kim96]. El Si(111) es otro candidato dada su alta calidad, su tecnología muy
desarrollada, y su bajo precio [SanG00], apreciándose en los últimos años una notable
expansión en su uso. El SiC, con parámetros de red y de expansión térmica muy
similares al GaN, y con muy buenas características de disipación térmica, es hoy en
día uno de los más utilizados desde el punto de vista comercial, una vez que se
solventaron problemas iniciales derivados de su baja calidad cristalina, pureza y precio
excesivo [Torv99]. Finalmente, el zafiro (Al2O3), aún teniendo el inconveniente de ser
aislante eléctricamente (que no es tal en algunas aplicaciones específicas), posee una
configuración atómica apropiada para la heteroepitaxia del GaN [Ohb97], siendo hoy
en día el más utilizado. Recientemente, los mejores resultados se han obtenido
utilizando “pseudosustratos”, es decir, capas finas (de 3-5 µm) de GaN crecidas sobre
zafiro (templates) [SanG99] en los que el crecimiento epitaxial se acerca mucho a las
condiciones de homoepitaxia. También se han empleado como substratos capas
gruesas (>100 µm) de GaN crecidas por epitaxia en fase vapor con hidruros (Hydride
Vapor Phase Epitaxy, HVPE) que posteriormente se separan del substrato (ablación
láser) obteniéndose un substrato de GaN libre (free-standing substrates). Sin embargo,
la calidad de tales substratos en cuanto a la densidad de dislocaciones y a la
conductividad residual no es particularmente buena [Oda00].
Las técnicas más utilizadas para el crecimiento epitaxial de GaN y sus
aleaciones ternarias son, la epitaxia por haces moleculares (Molecular Beam Epitaxy,
MBE) y la deposición en fase vapor con precursores organometálicos (Metal-Organic
Chemical Vapor Deposition, MOCVD). De ambas técnicas, la primera permite unas
interfases más abruptas y la monitorización in-situ del crecimiento usando la difracción
de electrones de alta energía (RHEED), mientras la segunda permite mayores
temperaturas (condición de mejora en el caso del AlGaN) y velocidades de crecimiento
más altas. Cabe añadir que la técnica de MBE, al crecer a menores temperaturas,
permite aleaciones de InGaN con mayor contenido de In. Ambas técnicas han
demostrado ser útiles para el crecimiento del GaN y sus aleaciones ternarias. Por
4
____________________________________________________________________________
último, citaremos el empleo la epitaxia en fase líquida a muy altas presiones (20.000
atm de N2) con las que se consigue material de GaN en volumen con espesores del
orden de 300 µm, de muy alta calidad cristalina (densidad de dislocaciones del orden
de 100-1000 cm-2) y baja concentración residual. El área de estos cristales de GaN es
muy reducida (pocos cm2), por lo que su utilización está más bien orientada hacia
semillas (seeds) en el crecimiento posterior por HVPE, esta vez, perfectamente
homoepitaxial [Poro98].
El crecimiento heteroepitaxial de GaN sobre substratos con mal acoplo de red y
térmico genera una alta densidad de dislocaciones (>1010 cm-2), lo que, aunque parece
no afectar a la luminiscencia del material [Lest95], reduce sustancialmente la vida
media de los dispositivos. Esto es debido a que el mecanismo de difusión de los
metales de contacto a través de las dislocaciones degrada la calidad de los
dispositivos [Naka99], particularmente en el caso de diodos láser de potencia que
trabajan a altas corrientes y elevadas temperaturas. Para reducir la densidad de
dislocaciones y paliar el problema de la degradación de los dispositivos se han
empleado capas amortiguadoras, generalmente de AlN o GaN, con el objetivo de
mejorar la nucleación de la capa epitaxial posterior. El uso de estas capas
amortiguadoras, crecidas bajo condiciones muy estrictas, permite mejorar
sustancialmente la calidad del GaN epitaxial en cuanto a su planaridad (aspecto
fundamental para las heteroestructuras) y a una menor densidad de dislocaciones, del
orden de 109 cm-2 en estos casos.
Los avances más relevantes en cuanto a reducción de dislocaciones se han
producido mediante técnicas específicas que favorecen el crecimiento lateral del GaN,
como en el caso de la técnica ELOG (Epitaxial Lateral Overgrowth) [Usu97], [Park98].
Dicha técnica (figura 1.3) se basa en abrir fotolitográficamente un patrón de ventanas
en un dieléctrico (SiO2) depositado sobre una capa de GaN crecida previamente. Al
sobrecrecer sobre las ventanas, se favorece el crecimiento lateral, produciéndose un
“doblado” de las dislocaciones ascendentes. La técnica ELOG requiere varios pasos
(deposición del dieléctrico, fotolitografía, apertura de ventanas) y altas temperaturas de
crecimiento, por lo que este método sólo es viable creciendo mediante HVPE o
MOCVD. Esto es debido a que la epitaxia por MBE se ha de producir en condiciones
de presión que garanticen el régimen molecular (< 10-4 Torr), lo cual limita la
temperatura del substrato a un máximo de 750o C a 800o C, ya que la desorción del Ga
y la alta presión de vapor de N2 a estas temperaturas exige unos flujos de Ga y N2
(célula Knudsen y RF) incompatibles con la presión límite de régimen molecular.
Mediante la técnica ELOG se reduce la densidad de dislocaciones hasta valores en el
rango de 107-106 cm-2 [Usu97]. Si bien esta técnica no es la única que permite una
5
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
reducción eficaz de la densidad de dislocaciones (Akasaki et al. obtienen densidades

de dislocaciones similares mediante el uso de capas amortiguadoras intermedias
[Akas02]), sí es la más utilizada. Usando substratos ELOG para la fabricación de
dispositivos láser se han obtenido los mayores tiempos de vida, del orden de 104 h
[Naka98].
Regiones de baja densidad de dislocaciones

Región en
la que se curvan
las dislocaciones Capa de GaN (~1-2 µm)
(alta densidad de dislocaciones)
SiO2
Zafiro
Figura 1.3. Estructura transversal de una capa de GaN ELOG.
Las capas de GaN crecidas mediante técnicas “estándar”, bien MBE o

MOCVD, poseen una conductividad residual tipo n del orden de 1015-1017 cm-3
[Jain00], debida fundamentalmente a contaminación con oxígeno y/o generación de
vacantes de Nitrógeno (donantes ambos). Este hecho facilita el dopaje tipo n,
normalmente usando Si, pero dificulta enormemente el dopaje tipo p, ya de por sí difícil
debido a la alta energía de ionización de los aceptores en el GaN [Wang01], [Mire98].
El problema del dopaje tipo p se hace aún mayor en el caso del material crecido
mediante MOCVD, ya que el Hidrógeno presente en el reactor forma un complejo con
el Mg (aceptor más usual), inhibiendo su comportamiento como aceptor. Ello hace
necesario un proceso posterior de activación del dopante (destrucción del complejo
Mg-H), bien mediante un aleado térmico a alta temperatura [Naka91], o bien mediante
la irradiación del GaN con electrones de baja energía [Aman89]. La necesidad de
activación del dopante no existe en el caso del crecimiento por MBE, en el que los
niveles de Hidrógeno son mucho menores.
Una vez reducido el problema del dopaje tipo p del GaN, la vía para la
fabricación de uniones p-n, y por tanto, de dispositivos optoelectrónicos, quedó abierta.
6
____________________________________________________________________________
Las investigaciones posteriores se centraron en la obtención del material que forma la

capa activa del dispositivo emisor de luz (LED), es decir, el InGaN en el caso de los
LEDs azules, los primeros en ser comercializados. Las dificultades inherentes del
crecimiento del InGaN estriban en la gran diferencia existente entre las energías de
enlace Galio-Nitrógeno e Indio-Nitrógeno. La relativamente baja energía de enlace In-
N impone bajas temperaturas de crecimiento para evitar la desorción del Indio. A esto
hay que añadir la necesidad de una mayor presión parcial de Nitrógeno para
estabilizar el InN debido a la mayor presión parcial de equilibrio del N en InN respecto
al GaN [Amb98]. Además, debido a la gran diferencia entre las energías de enlace
antes comentada, existe un fenómeno de separación de fases GaN-InN para
determinadas condiciones de crecimiento del InGaN [Taka00]. Debido a las bajas
temperaturas de crecimiento empleadas en MBE comparado con MOCVD, aquél se
presenta potencialmente como candidato ideal para el crecimiento de capas de InGaN
y heteroestructuras basadas en InGaN, con altos contenidos de Indio. Los primeros
intentos para fabricar LEDs eficientes mediante MOCVD, utilizando capas activas de
InGaN, se basaron en la técnica de codopaje con Si y Zn, de modo que la emisión de
fotones procedía de la recombinación vía pares donante-aceptor. Esta técnica se
utilizó para soslayar la dificultad en obtener capas de InGaN con suficiente calidad y
contenido de Indio adecuado a la emisión en el verde. La recombinación en este tipo
de LEDs era, por tanto, poco eficiente al tratarse de recombinaciones donante (Si)-
aceptor (Zn) [Naka94]. Más tarde, cuando el crecimiento de InGaN por MOCVD se
hubo optimizado y se consiguieron contenidos de Indio mayores, se utilizaron pozos
cuánticos de InGaN como capa activa sin dopar, con el correspondiente aumento en la
eficiencia de emisión [Naka99]. Por el contrario, la técnica MBE tuvo un desarrollo más
lento en el crecimiento de los nitruros al no existir en un principio fuentes eficientes
para la generación de Nitrógeno [Jain00].
Por ultimo, es de suma importancia para la optimización de los LEDs el estudio
de los contactos metálicos, utilizándose generalmente bicapas Ni/Au y Ti/Al,
respectivamente para material tipo p y n. A esto debe añadirse la dificultad en el
procesado de estructuras “mesa” mediante ataques químicos secos (Reactive Ion
Etching, RIE), imprescindibles para fabricar dispositivos LED sobre sustratos no
conductores (caso del zafiro). El trabajo realizado a lo largo de esta memoria pretende
contribuir al desarrollo de cada uno de los pasos anteriores, que plantean aún
aspectos no bien conocidos, estudiando cada una de las facetas necesarias para el
crecimiento por MBE y la fabricación de un diodo electroluminiscente basado en
InGaN.
7
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
Las aplicaciones de los LEDs emitiendo en el espectro visible son variadas,

desde las comunicaciones ópticas a través de fibra óptica de plástico, pantallas en
exteriores con un ángulo de visibilidad mayor que el que ofrecen las actuales, señales
de tráfico luminosas con una visibilidad mayor (las actuales son difícilmente visibles
cuando reflejan la luz solar), hasta, por último, la generación de luz blanca con gran
eficiencia [Hump02]. Los LEDs, por otra parte, cuentan con la ventaja de tener un
consumo energético mucho menor (65% menos) que las bombillas incandescentes,
una duración 8 veces mayor, no necesitan filtros para la obtención de los colores, lo
que aumenta su eficiencia, y cuando comienzan a envejecer, pierden su potencia
paulatinamente, y no bruscamente, como en el caso de las bombillas incandescentes
[Naka97]. Estas ventajas, entre otras, confieren gran importancia práctica al tema de la
fabricación de diodos LEDs.
La figura 1.4 muestra el avance en los últimos años en el desarrollo de LEDs
basados en nitruros, desde el inicio del crecimiento del material [Akas02].
η ext de los LEDs azules basados en nitruros
HVPE
MOVPE
MBE
(flip-chip)
LT-buffer p-n junction Commercial LED

Año
Figura 1.4. Evolución histórica de la eficiencia cuántica externa, ηext., de los LEDs
basados en nitruros.
8
____________________________________________________________________________
1.2 Objetivos.
El principal objetivo del trabajo reflejado en esta memoria es estudiar el

crecimiento por MBE y las propiedades del GaN y sus compuestos ternarios con Indio,
con la finalidad de fabricar un diodo electroluminiscente (LED) eficiente con capa
activa compuesta por pozos cuánticos de InGaN con barreras de GaN.
Para alcanzar el objetivo anterior se han de conseguir varios objetivos
intermedios:
OBJETIVO 1: Crecimiento y caracterización de la capa activa de InGaN.

- Crecimiento de capas gruesas de InGaN, calibración del contenido de Indio y
establecimiento de las condiciones óptimas para la epitaxia del ternario. Las capas
crecidas se emplearán además para estudiar las características ópticas y estructurales
del InGaN en función del contenido de Indio.
- A partir de los resultados en capas gruesas de InGaN, se estudiará el
crecimiento de pozos cuánticos de InGaN con barreras de GaN, con especial interés
en la relación entre las condiciones de crecimiento y las características ópticas de las
capas, ya que de su calidad óptica depende la calidad final del dispositivo. La
simulación de las estructuras permitirá comprender el origen de la fotoluminiscencia en
función de las características del pozo y de las condiciones de crecimiento. Para la
realización de las simulaciones habrá que tener en cuenta el efecto de los campos
piezoeléctricos y las fluctuaciones en el contenido de Indio en el pozo.
OBJETIVO 2: Crecimiento y estudio de capas de GaN dopadas tipo p.

- Estudio del dopaje tipo p de las capas de GaN utilizando Mg. De esta tarea
se obtendrán las condiciones para un dopaje más efectivo, teniendo en cuenta el
efecto de la velocidad de crecimiento, la relación III/V y la temperatura de crecimiento,
así como la temperatura (flujo) de la célula del dopante.
OBJETIVO 3: Crecimiento de la estructura de LED.

- En este objetivo se aúnan en un dispositivo LED los resultados obtenidos en
los dos objetivos anteriores, ya que la estructura LED necesita de una capa de GaN
tipo p y una capa activa con pozos cuánticos de InGaN. El estudio de las condiciones
de crecimiento para la estructura completa es fundamental, ya que, al crecerse los
pozos cuánticos de InGaN a menor temperatura que el GaN tipo n y p, las condiciones
9
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
en las que se realice el paso de un material a otro determinarán en buena medida las
características del dispositivo.
- Una vez crecida la estructura de capas completa, se procesará
tecnológicamente hasta la fabricación del dispositivo terminado. El aislamiento de
LEDs individuales mediante ataque MESA y la deposición de los contactos metálicos
en las zonas p y n, constituyen las fases clave en el procesado del dispositivo, cuyo
aspecto final se esquematiza en la figura 1.5.
Disponer de una tecnología suficiente es imprescindible para lograr dispositivos
con buenas prestaciones. Las limpiezas químicas, metales y aleados de los contactos
se elegirán de modo que permitan obtener un buen dispositivo, quedando fuera de los
objetivos de esta Tesis la optimización sistemática de la tecnología.
Contacto semitransparente
Contacto P
GaN:Mg
MESA
Pozos de (In XGa(1 - X) N/GaN)
GaN:Si
GaN template
Contacto N
Zafiro
Figura 1.5. Estructura de un diodo LED de GaN/InGaN convencional crecido sobre zafiro.
- Por último, el análisis de los dispositivos LED permitirá proponer métodos

para mejorar los resultados en trabajos futuros. Uno de estos métodos de mejora que
ya se puede adelantar es la incorporación de la estructura de diodo en una cavidad
resonante, ajustando los espesores de las capas en la cavidad de manera que se
obtenga una resonancia en la longitud de onda de emisión del LED. Para formar la
cavidad se utilizará un reflector Bragg de AlGaN/GaN, crecido previamente sobre el
10
____________________________________________________________________________
substrato, y un espejo cercano al 100% de reflectividad mediante un recubrimiento de

Aluminio depositado sobre la superficie.
1.3 Estructura de la Tesis.
La presente memoria está dividida en ocho Capítulos. Tras la introducción, en

el Capítulo 2 se estudiarán las propiedades ópticas, eléctricas y elásticas básicas del
GaN y del InGaN, con especial hincapié en este último. También se mostrarán los
efectos de los campos piezoeléctricos en las heteroestructuras de nitruros. El Capítulo
3 se ha dedicado a la presentación de las técnicas experimentales utilizadas para la
caracterización estructural, eléctrica y óptica de las capas. De cada una de ellas se
expondrá el modo de empleo y la información obtenida. Las condiciones generales
para el crecimiento MBE del GaN sobre zafiro y templates, así como el problema del
dopaje tipo p, serán estudiados en el Capítulo 4.
Los Capítulos 5 y 6 se dedican al crecimiento del ternario InGaN, dedicándose

el primero al estudio del efecto de las condiciones de crecimiento en el contenido de
Indio y en la intensidad de luminiscencia de capas gruesas de InGaN. El Capítulo 6
está dedicado al crecimiento y caracterización de pozos cuánticos de InGaN con
barreras de GaN, con especial interés en el efecto de los campos piezoeléctricos
sobre la intensidad y energía de emisión de los pozos. En el Capítulo 7 se estudiará el
crecimiento y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos
cuánticos de InGaN con barreras de GaN, así como el efecto que produce la
introducción del diodo en una cavidad resonante. Por último, en el Capítulo 8 se
resumirán las conclusiones obtenidas a lo largo de la Tesis y se propondrán mejoras y
nuevas líneas de investigación para la continuidad del trabajo presentado en esta
memoria.
11
CAPÍTULO 1
____________________________________________________________________________
12
Capítulo 2
Propiedades básicas de los Nitruros de

Galio e Indio.
2.1 Introducción.
En este Capítulo se comentarán las principales características estructurales,

eléctricas y ópticas de los binarios GaN e InN. Normalmente, los valores de los
coeficientes que determinan las propiedades del InGaN se obtienen realizando una
interpolación lineal entre los valores de los binarios (ley de Vegard [Veg21]). Sin
embargo, este método es sólo una aproximación que se aleja en muchos casos de la
realidad, como ocurre con la energía de gap en función del contenido de Indio.
La segunda mitad de este Capítulo se ha dedicado a las propiedades del
ternario InGaN, aunque en muchos casos los datos dados son teóricos, al no existir
muestras de calidad que cubran todo el espectro de composiciones de Indio sobre las
que se hayan realizado medidas experimentales sistemáticas y fiables. Ello se debe
principalmente a la inmiscibilidad existente entre el GaN y el InN para ciertas
composiciones. Esto implica que cuando se utilizan técnicas de crecimiento en
condiciones de equilibrio termodinámico, como es el caso del MOCVD, no se pueden
obtener con facilidad capas de contenidos altos de Indio. No es el caso cuando se
considera la técnica de MBE, en la que el crecimiento está determinado por efectos
cinéticos, lejos del equilibrio termodinámico.
Debido a que normalmente las capas de InGaN se crecen sobre GaN, ya sea
para formar pozos cuánticos o, simplemente para facilitar la obtención de superficies
de alta calidad, el compuesto ternario suele estar bajo compresión biaxial. Esta
deformación en la capa de InGaN conduce a cambios en la estructura de bandas, en
la energía de gap y, sobre todo, a la aparición de campos piezoeléctricos de gran
importancia (del orden del MeV/cm). Los estudios teóricos existentes en la literatura
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
sobre estos efectos serán también presentados en este Capítulo, como base para una
mejor comprensión de los análisis que se realizarán en las muestras crecidas en la
presente memoria.
Como se ha dicho en el Capítulo 1, los nitruros del grupo III suelen adoptar en
general estructuras cristalinas tipo zinc-blenda o wurtzita. La primera de ellas es
metaestable, es decir, la configuración de átomos en la red se corresponde con un
mínimo relativo de energía total del sistema, por lo que al suministrarle energía la
estructura puede derivar a un mínimo absoluto, que corresponde al tipo wurtzita. Por
este motivo a lo largo de esta memoria todas las muestras estudiadas tienen
estructura wurtzita, y las propiedades que se estudiarán en el presente Capítulo se
refieren en su mayor parte a esta estructura.
2.2. Propiedades estructurales.
2.2.1 Estructura cristalina.
La principal característica de los nitruros, desde el punto de vista químico, es la

alta energía de enlace entre el Nitrógeno y el elemento del grupo III, que es máxima en
el AlN y disminuye progresivamente en el GaN y el InN. El carácter fuertemente
covalente del enlace colabora además en que la estabilidad térmica y mecánica de los
nitruros sea muy elevada. La tabla 2.1 resume algunas de las características
estructurales más significativas de estos nitruros, como son la energía de enlace, el
parámetro de red y el coeficiente de expansión térmica.
Debido a esta elevada energía de enlace, la temperatura de fusión de los
nitruros es considerablemente alta, de 3487 K, 2791 K y 2146 K, para el AlN, el GaN y
el InN, respectivamente [Edg94]. La diferencia de energía de enlace entre ellos
también lleva asociada una diferencia en la energía de descomposición en vacío,
siendo menor para el InN, en cuyo caso las temperaturas de crecimiento deben ser
considerablemente menores que en el caso del GaN, o bien con sobrepresiones muy
altas de Nitrógeno. La temperatura de descomposición de los binarios, obtenida
[Amb96] a partir de la medida de la presión parcial de Nitrógeno en vacío al calentar
de AlN, GaN e InN, es de 1040 ºC, 850 ºC y 630 ºC respectivamente, considerando
dicha temperatura como aquella a partir de la cual la presión parcial de Nitrógeno
crece exponencialmente.
14
PROPIEDADES BÁSICAS DE LOS NITRUROS DE GALIO E INDIO
____________________________________________________________________________
α-AlN α-GaN α-InN Referencia

Energía de
2.8 2.24 1.93 [Harr89]
enlace N-metal
2.88 2.20 1.98 [Edg94]
(eV)
% de covalencia 81 % 80 % 72 % [Harr89]
Longitud de 1.892 1.949 2.156 [Matt99]
enlace (Å) - 1.948 2.158 [Taka00]
Parámetro de red 3.112 3.189 3.54 [Edg94]
a (Å) - 3.1896±0.0002 - [Degu99]
Parámetro de red 4.982 5.185 5.705 [Edg94]
c (Å) - 5.1855±0.0002 - [Degu99]
Parámetro u 0.382 0.377 0.379 [Amb02]
Coeficiente de
expansión 5.3 3.17 - [Gil98]
térmica (∆c/c0) - 3.17 2.7-3.7 [Akas97]
(x 10-6 K-1)*
Coeficiente de
expansión 4.2 5.59 - [Gil98]
térmica (∆a/a0) - 5.59 3.4-5.7 [Akas97]
(x 10-6 K-1)*
Tabla 2.1. Parámetros de red y energías de enlace de los nitruros del grupo III, a T=300 K. El
parámetro interno, u, se define como la relación entre la longitud del enlace Metal-N y el
parámetro de red c.(*Para el caso de los coeficientes de expansión térmica: 300 K <T < 700 K).
Como se ha mencionado en el Capítulo 1, la estructura wurtzita está formada

por dos subredes HCP desplazadas la una con respecto la a la otra 5/8 del parámetro
c. Para definir las direcciones y planos en dicha estructura utilizaremos los índices de
Miller. En esta notación se emplean cuatro números, entre corchetes si se refieren a
una dirección del cristal y entre paréntesis si se refieren a un plano. Los índices de
Miller en este caso son cuatro [i j k l], los dos primeros relativos a la descomposición
de la proyección de la dirección considerada en los vectores unitarios de la base del
prisma hexagonal y el tercero definido como: k = - (i + j), cuya función es la de
identificar direcciones equivalentes en la estructura hexagonal. El cuarto índice se
refiere a la proyección de la dirección en el eje “c” del cristal. Todos los índices se
expresan en unidades de los vectores unitarios que definen la red, reducidos al menor
de los conjuntos de números enteros posibles. La figura 2.1 muestra algunas de las
direcciones que serán de utilidad a lo largo de la memoria, junto con los cuatro
vectores unitarios a los que están referidos los índices de Miller; a1, a2, a3,y c [Cull78].
15
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
[0001]
a3 [1100]
[1100] a2
a1
[1210]
[2110]
[1010] [0110]
[1120]
Figura 2.1. Direcciones de la estructura wurtzita de interés para el presente trabajo.
Por tanto, si [UVW] son los índices de una dirección referidos a un sistema de
referencia de tres ejes y [uvtw] son los referidos a un sistema de cuatro ejes (índices
de Miller), la relación entre ambos viene dada por:
U=u–t u = (2U – V) / 3
V=v–t v = (2V – U) / 3
W=w t = -(u + v) = - (U + V) / 3
w=W (2.1)
De este modo, la dirección [100] viene dada por [2-1-10] utilizando los índices
de Miller. Como se ha dicho anteriormente, los planos similares poseen en esta
notación índices similares. Así, los planos correspondientes a las caras del prisma
hexagonal vienen dados por los índices (10.0), (01.0), (-11.0), (-10.0), (0-1.0), y (1-
1.0), referidos a tres ejes. La anterior notación no da una idea intuitiva de que sean
planos equivalentes, sin embargo, en su notación de Miller, dichos planos resultan ser:
(10-10), (01-10), (-1100), (-1010), (0-110) y (1-100), respectivamente, lo que sí da una
idea inmediata de la equivalencia entre ellos [Cull78].
16
____________________________________________________________________________
2.2.2. Propiedades mecánicas.
La relación general entre las tensiones, σij, y las deformaciones, εij, (ley de
Hooke) para un cristal con estructura hexagonal es de la forma [Lov44]:
 σ xx   C11 C12 C13 0 0 0   ε xx 

  
 
 σ yy   C12 C11 C13 0 0 0   ε yy 
   C13 C13 C 33 0 0 0   
 σ zz =   ε zz 
 x ε  (2.2)
 σ yz   0 0 0 C 44 0 0
   0 0 0 0 C 44 0   yz 
 σ zx     ε zx 
 σ   0 C11 − C12   
0 0 0 0   ε xy 
 xy   2 
, donde Cij son los coeficientes elásticos del sólido. Normalmente, y en general en este
trabajo, el cristal se crece según la dirección [0001] por lo que en tal caso εij= 0 si i es
distinto de j, es decir, el tensor de deformaciones es diagonal. El cristal se crece
habitualmente sobre un substrato con distinto parámetro de red en el plano de
crecimiento, dando lugar a la aparición de una tensión o compresión, y a la
correspondiente deformación en dicho plano, dada por:
a − a rel
ε xx = ε yy = (2.3)
a rel
, siendo a el parámetro de red medido en el cristal crecido y arel el parámetro de red

del cristal relajado. Cuando se cumplen las condiciones anteriores la relación entre εxx,
εyy y εzz es (teniendo en cuenta la ecuación 2.2):
2C13
ε zz = − ε xx (2.4)
C 33
El conocimiento de los coeficientes elásticos en los nitruros es de gran

importancia, ya que en muchas ocasiones el crecimiento es pseudomórfico con el
substrato en el plano de crecimiento, y conocido el parámetro de red del substrato se
puede estimar la deformación en la dirección de crecimiento. Esta deformación influye
en el valor de los campos piezoeléctricos que se generen en el semiconductor, así
como en su energía de gap.
17
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
En la tabla 2.2 se resumen los coeficientes elásticos utilizados en la presente

memoria (subrayados), junto con los más comúnmente utilizados en la literatura.
AlN GaN InN Referencia

373 [Degu99]
C11 (GPa) 396 367 223 [Wrig97]
345 374 190 [Tsub81],[Taka96],[Shel79]
141 [Degu99]
C12 (GPa) 137 135 115 [Wrig97]
125 106 104 [Tsub81],[Taka96],[Shel79]
80.4 [Degu99]
108 93 [Sala99]
C13 (GPa)
108 103 92 [Wrig97]
120 70 121 [Tsub81],[Taka96],[Shel79]
93.6 [Degu99]
399 199 [Sala99]
C33 (GPa)
373 405 224 [Wrig97]
395 379 182 [Tsub81],[Taka96],[Shel79]
116 95 48 [Wrig97]
C44 (GPa)
118 101 10 [Tsub81],[Taka96],[Shel79]
Tabla 2.2. Coeficientes elásticos de los nitruros, los valores que aparecen subrayados son los
empleados en este trabajo, mientras que los valores en cursiva son los calculados
teóricamente.
2.2.3. Vibraciones de la red.
Las vibraciones de la red (fonones), observables en los nitruros con estructura

wurtzita mediante espectroscopía Raman, se encuentran relacionadas en la tabla 2.3.
Modo de vibración AlN GaN InN

E2 (cm-1)
215 137 85
(baja frec.)
E2 (cm-1)
652 592 485
(alta frec.)
A1-TO (cm-1) 640 546 449
A1-LO (cm-1) 883 732 587
E1-TO (cm-1) 668 555 457
E1-LO (cm-1) 922 741 596
Referencia [Tütü00] [Tütü00] [Tütü02]
Tabla 2.3. Energías de los modos vibracionales de los nitruros en estructura wurtzita.
LO: Longitudinal Óptico; TO: Transversal Óptico.
18
____________________________________________________________________________
Como se verá más adelante, la energía del fonón óptico longitudinal (LO) es la
que puede intervenir con mayor probabilidad en los procesos radiativos que involucren
tres partículas. En este sentido, el conocimiento de su energía será de utilidad para la
interpretación de las emisiones en los espectros de fotoluminiscencia. El valor de la
energía de dicho fonón para el GaN está en torno a 90 meV (92 meV, [Gross00]
[Tütü00] [Ponc96]; 86 meV, [Nipk98]). Para el caso del InN, los estudios teóricos
indican que la energía del fonón óptico longitudinal ha de ser menor que la del GaN,
obteniéndose valores de 74 meV [Gross00], 73 meV [Tütü02] y 86 meV [Land71]. Los
resultados experimentales apoyan los cálculos teóricos antes citados. Así, Yang et al.
obtienen un valor de 75 meV para la energía del fonón en InN hexagonal a partir de
medidas Raman y de fotoluminiscencia [Yang00]. En algunos espectros de
fotoluminiscencia los valores que se obtienen son mayores, en torno a 84 meV,
posiblemente debido a la existencia de múltiples emisiones en la capa de InGaN
[Smith97], [Pech02].
2.2.4 Defectos estructurales.
Los defectos estructurales se dividen en puntuales y extensos. El estudio de los

primeros en GaN tipo wurtzita se realiza en el Capítulo 4, mientras que los defectos
extensos con gran relevancia en los nitruros, como son las dislocaciones, faltas de
apilamiento y fronteras de grano, se estudian a continuación.
2.2.4.1 Dislocaciones.
La principal fuente de defectos estructurales en los nitruros proviene del

desacoplo de red existente entre el substrato y la capa. Este desacoplo de red puede
ser absorbido por la capa que crece con una deformación biaxial (tensil o compresiva,
dependiendo del substrato) hasta cierto espesor, denominado “crítico”, hc, a partir del
cual la energía acumulada en la capa es suficiente como para que se genere una
dislocación, comenzando la relajación de la capa [Wee66], [Zhang99] [Jain00].
Una dislocación, por tanto, es un desorden cristalino que genera la introducción
(o pérdida) de un plano cristalino extra. Se denomina línea de la dislocación a la
frontera que delimita la región de dicho desorden en el cristal. Una dislocación queda
entonces definida conociendo la línea de la dislocación y su vector de Burgers, b.
Dicho vector se define realizando un circuito (circuito de Burgers) alrededor de la línea
de la dislocación que pase por los nudos de la red del cristal lo suficientemente lejos
de dicha línea como para que el cristal no esté deformado (circuito MNOPQ en la
19
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
figura 2.2a). A la diferencia vectorial entre el circuito anterior y un circuito similar en un

cristal idéntico pero sin dislocación, se le denomina vector de Burgers de la dislocación
(vector QM en la figura 2.2b). La aparición del vector de Burgers es debida al plano
extra que introduce la dislocación.
Vector de Burgers
a) b)
Figura 2.2. Obtención del vector de Burgers (vector MQ) para una dislocación en arista.
A cada dislocación le corresponde un único vector de Burgers, que además es

invariable en cualquier punto de la misma. Esta condición implica que una dislocación
no puede empezar o acabar en el interior del cristal, porque b variaría desde cero
hasta un valor dado. Una dislocación sólo puede empezar o acabar sobre sí misma, en
un defecto o en un extremo del cristal, incluyendo intercaras con otro cristal (como
entre la capa y el substrato).
Las dislocaciones más usuales son de dos tipos: en arista (edge dislocation) y
helicoidales (screw dislocation). Las primeras se caracterizan por poseer un vector de
Burgers perpendicular a la línea de la dislocación (figura 2.2), mientras que en las
segundas el vector de Burgers está contenido en la línea de la dislocación. La figura
2.3 muestra una dislocación helicoidal en representación tridimensional.
Línea de la dislocación
Vector de Burgers
Figura 2.3. Representación de una dislocación helicoidal.
20
____________________________________________________________________________
Además de estos dos tipos, pueden existir mezclas de ambas, denominándose

en este caso dislocaciones mixtas. La mayor parte de las dislocaciones que se
observan en los nitruros son dislocaciones ascendentes (threading) generadas en la
intercara entre el substrato y la capa. Dichas dislocaciones suelen ser usualmente de
tipo arista, con el vector de Burgers: b=1/3<11-20>, [Pot98], [Jahn98], [Kais98] si bien,
al disminuir el espesor de la capa, el porcentaje de dislocaciones mixtas aumenta, con
una componente helicoidal y su vector de Burgers con una componente en la dirección
[0001] [Wu96]. Las dislocaciones helicoidales puras aparecen en zonas del cristal en
las que la dirección [0001] esté ligeramente inclinada con respecto a la del substrato
[Ning96].
2.2.4.2 Fronteras de grano
El crecimiento de GaN sobre substratos con gran desacoplo del parámetro red
genera inicialmente la formación de microcristales hexagonales independientes
(granos) que tienden a coalescer al aumentar el espesor de la capa. La aparición de
estos granos, inicialmente independientes, se debe al proceso de minimización de la
energía del sistema durante el crecimiento. La diferente orientación entre micro-
cristales individuales puede deberse a la inclinación del eje c de cada uno de ellos
respecto a la dirección de crecimiento (tilt), o bien al giro en torno al eje c de cada uno
de los microcristales (twist) [Ponc97]. La figura 2.4 muestra esquemáticamente ambos
tipos de desorientación.
tilt twist
Figura 2.4. Representación de la inclinación (tilt) y del giro (twist) de la estructura

columnar en el GaN.
En el primer caso, tilt, la frontera entre los microcristales (frontera de grano)

está formada por dislocaciones helicoidales, mientras que en el segundo caso, twist, la
21
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
frontera de grano está formada por una red de dislocaciones en arista

[Ponc97][Rouv97].
2.3. Estructura de bandas.
La característica más importante de los nitruros del grupo III en cuanto a

aplicaciones como emisores de luz es que poseen gap directo. La principal diferencia
entre los nitruros de tipo wurtzita y otros semiconductores como el GaAs es la rotura
de la degeneración de la banda de valencia debido a la interacción de los huecos con
el campo cristalino. Por un lado, la simetría hexagonal y el carácter ligeramente iónico
del enlace hacen que se genere una asimetría en el campo local en el que están los
electrones de valencia, cuya dirección es la del eje del prisma hexagonal (denominado
z). Puesto que en los nitruros la banda de valencia está casi totalmente compuesta de
estados tipo p, la interacción con el campo cristalino genera valores distintos de
energía para el estado tipo pz con respecto a la de los estados px y py. Si se añade el
efecto de acoplamiento espín-órbita, resultan tres subbandas de valencia. La figura
2.5a muestra esquemáticamente el efecto de las interacciones espín-órbita (∆SO) y
campo cristalino (∆CC) en las subbandas de valencia.
Banda de conducción
A(Γ9)
Γ7
Γ6
B(Γ7)
Eg
Γ8(J=3/2)
Γ15
Γ15 Γ 9)
A (Γ
Banda de valencia
∆ cc
∆ so Γ 7)
B (Γ ∆ EAB
∆ EBC
Γ7(J=1/2) Γ 7)
C (Γ
Γ1 C(Γ7 )
Ambos
Efecto del Acoplamiento
campo cristalino spín-órbita
k k⊥
a) b)
Figura 2.5a. Efecto de las interacciones de espín-órbita y del campo cristalino sobre el
máximo de la banda de valencia. 2.5b. Esquema del diagrama de bandas del GaN en
la dirección paralela y perpendicular al eje c [Gil98].
22
____________________________________________________________________________
2.3.1 Diagramas de bandas y masas efectivas.
La figura 2.5b muestra el diagrama de bandas de los nitruros con estructura

wurtzita, en torno al punto Γ de la red recíproca. Como se ha dicho anteriormente,
existen tres bandas de valencia debido a los desdoblamientos de la banda de valencia
por las interacciones de spin-órbita y del campo cristalino [Gil98]. Las energías
correspondientes a las subbandas de valencia A (Γ9), B (Γ7) y C (Γ7) mostradas en la
figura 2.5 vienen dadas, en relación con la intensidad de la interacción con el campo
cristalino y el espín-órbita, por las expresiones [Wei96]:
E ( A(Γ9 )) = 1 (∆ SO + ∆ CC ) (2.5)
2
2
[
E ( B(Γ7 )) = + 1 (∆ SO + ∆ CC ) 2 − 8 (∆ SO ∙∆ CC )] 2
3
1
(2.6)
E (C (Γ )) = − 1 [(∆ + ∆ CC ) 2 − 8 (∆ SO ∙∆ CC )]
1
2 (2.7)
7 2 SO 3
La magnitud de las interacciones ∆CC y ∆SO no pueden ser medidas

directamente, pero sí se puede medir la diferencia entre subbandas de valencia, es
decir, ∆EAB y ∆EBC, y de ellas obtener los valores de ∆CC y ∆SO, ya que:
∆E AB = E ( A(Γ9 )) − E ( B(Γ7 )) (2.8)
∆E BC = E ( B(Γ7 )) − E (C (Γ7 )) (2.9)
La tabla 2.4 recoge los valores de las interacciones del campo cristalino y spin-
órbita en las subbandas de valencia calculados por diversos autores.

-104 30 57 [Pugh99]
∆CC (meV) -217 42 41 [Wei96]
21 17 [Yeo98]
11 11 11 [Pugh99]
∆SO (meV) 19 13 1 [Wei96]
11 3 [Yeo98]
Tabla 2.4. Valores de la energía del desdoblamiento debido al campo cristalino (∆CC) y a la
interacción espín-órbita (∆SO) de la banda de valencia en los nitruros.
Al haber tres bandas de valencia se definen entonces seis masas efectivas

para huecos, la perpendicular y paralela al eje c para las tres bandas. Para el caso de
23
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
los electrones, al formarse la banda de conducción principalmente con estados tipo s,

sólo existen dos masas efectivas diferentes, la perpendicular y paralela al eje c
[Suzu96]. La tabla 2.5 recoge las masas efectivas para electrones y huecos en los
nitruros, en unidades de la masa del electrón, m0.

0.17 0.1 [Yeo98]
m*e (⊥)
0.18 0.12 0.1 [Pugh99]
0.19 0.11 [Yeo98]
m e (!)
*
0.27 0.16 0.14 [Pugh99]
0.14 0.11 [Yeo98]
m*LH (⊥)
0.20 0.11 0.09 [Pugh99]
1.76 1.56 [Yeo98]
m LH (!)
*
2.04 1.27 1.56 [Pugh99]
1.69 1.68 [Yeo98]
m*HH (⊥)
2.08 1.02 1.25 [Pugh99]
1.76 1.56 [Yeo98]
m HH (!)
*
2.04 1.27 1.56 [Pugh99]
1.76 1.39 [Yeo98]
m*CC (⊥)
1.71 1.36 1.46 [Pugh99]
0.14 0.1 [Yeo98]
m*CC (!)
0.24 0.14 0.12 [Pugh99]
Tabla 2.5. Masas efectivas de los electrones y huecos en los nitruros, en unidades de m0.
Las masas efectivas de huecos y electrones que se utilizarán para las

simulaciones son una “media” de las masas efectivas de cada partícula. Así, los
valores de la masa efectiva de huecos y electrones para el GaN serán 0.8m0 y 0.2m0,
respectivamente. En el caso del InN, se emplearán 0.5m0 y 0.1m0 como masa efectiva
de los huecos y electrones, respectivamente [Gil98]. Las masas efectivas de los
portadores en el ternario InGaN se obtendrán mediante interpolación lineal entre los
valores correspondientes al InN y el GaN.
2.3.2 Alineación de bandas en los Nitruros del grupo III.
Al poner en contacto dos semiconductores con distinta energía de gap se

produce una discontinuidad en la banda de valencia y en la de conducción. El
conocimiento de las discontinuidades de bandas entre semiconductores es importante
para determinar las propiedades de los pozos cuánticos, ya que de ellas depende la
profundidad del pozo de potencial formado, y, por tanto, la posición energética de los
niveles en él confinados. Wei et al. calculan teóricamente las discontinuidades de la
banda de valencia en la intercara AlN/GaN y GaN/InN, obteniendo que la
24
____________________________________________________________________________
discontinuidad en la banda de valencia es el 30% del total de la discontinuidad entre

gaps [Wei96].
La presencia de deformaciones en el InGaN puede modificar el reparto de la
diferencia de gaps entre la banda de conducción y de valencia en la intercara
InGaN/GaN, ya que la deformación afecta de modo diferente a las bandas de
conducción y de valencia. Una compresión biaxial en el plano de crecimiento puede
descomponerse en una compresión hidrostática y una tensión uniaxial perpendicular a
dicho plano. Sobre la banda de valencia, la compresión hidrostática produce una
disminución de la energía, pero la tensión uniaxial produce, además de un
desdoblamiento de las subbandas, un aumento de energía en el máximo de la banda,
con lo que prácticamente ambas variaciones de energía se cancelan. La banda de
conducción, por el contrario, sólo se ve afectada por la componente de compresión
hidrostática que produce un aumento en la energía de la banda [Walle97b] [Chuan97]
[Wag00].
El valor de la discontinuidad de la banda de valencia entre el InN y el GaN
relajados, obtenido a partir de medidas de espectroscopía de fotoemisión de Rayos X
[Mart96], es de 1.05 eV. Puesto que la banda de valencia del InGaN no depende
significativamente del grado de compresión biaxial (párrafo anterior), podremos
considerar una interpolación lineal del tipo ∆EV =1.05∙x eV (siendo x el porcentaje de In
de la aleación) para la discontinuidad de la banda de valencia del ternario InGaN,
prácticamente independiente de la deformación. Si este valor, ∆EV, se compara con el
valor del gap del InGaN bajo compresión biaxial, ∆EG = 3.28∙x [Wag00], se obtiene
∆EV/∆EG = 0.32 (y, por tanto, ∆EC/∆EG = 0.68) para contenidos de Indio menores del
15%. La expresión anterior es válida suponiendo que no existe “bowing” y
considerando el InGaN pseudomórfico sobre GaN. Se comprende fácilmente que este
valor del 32% se modificaría para capas de InGaN con distinto grado de deformación.
Este resultado se ha confirmado en medidas de fotoluminiscencia de la banda
amarilla-roja, transición entre un donante ligero y un aceptor profundo. Este último se
supone en un nivel energético constante e independiente del contenido de Indio. El
desplazamiento de la emisión amarilla-roja, permite estimar el cambio de la
discontinuidad de la banda de conducción, obteniéndose un valor con un 10% de
variación con respecto al obtenido en la discusión anterior [Manz99].
En general, para llevar a cabo simulaciones se suele tomar el valor del 70/30 %
para las discontinuidades de banda de conducción y de valencia, respectivamente,
entre el InGaN pseudomórfico y el GaN relajado [Sala99], [Mayr00].
25
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
2.4. Propiedades ópticas.
Como ya se ha señalado anteriormente, el desdoblamiento de la banda de

valencia en los nitruros de tipo wurtzita da lugar a tres excitones libres diferentes,
denominados A, B y C (ver apartado 3.3). La energía de enlace más comúnmente
aceptada para el excitón A es de 25 meV, considerándose el mismo valor para los
excitones B y C [Korn99], [Step99], [Mone02].
También se ha mencionado cómo la posición de las bandas varía con la
deformación a la que esté sometido el material, de modo que gap varía según el
coeficiente δEG/δεxx de 15.4 eV [Shik97], si bien, cada subbanda de la banda de
valencia cambia su posición de modo diferente con la deformación, ya que cambia el
campo cristalino. Funato et al. han obtenido los coeficientes de variación de la energía
de los excitones A, B, y C siendo: 16.4±0.5, 16.0±0.6 y 16.5±0.7 eV respectivamente.
Las energías de los excitones A, B, y C calculadas para capas relajadas de GaN a 0 K
se resumen en la tabla 2.6 [Liu97], junto con una comparación con datos
experimentales obtenidos a 4 K en capas gruesas (400 µm) de GaN que se suponen
relajadas [Liu02]:
Energía (eV) Energía (eV)

(Exp, 4 K) (teórico, 0 K)
FXA 3.480±0.001 3.484±0.002
FXB 3.486±0.001 3.490±0.002
FXC 3.503±0.001 3.512±0.004
Tabla 2.6. Energía de transición los excitones libres en el GaN
El cambio del gap con la temperatura se suele ajustar generalmente a dos

expresiones. Una de ellas, la ecuación de Varshni, es de la forma:
αT 2
E g (T ) = E g (0) − ( 2.10)
β +T
, donde Eg(0) es la energía de gap a 0 K, α es una constante de proporcionalidad y β

es una constante relacionada con la temperatura de Debye [Vars67]. Aunque esta
expresión es muy usada, el significado físico de las constantes no está claro, ya que β,
que en teoría debería estar relacionada con la temperatura de Debye, en algunos
casos es negativa [Vars67]. La segunda expresión utilizada para ajustar la variación
del gap con la temperatura es fenomenológica, y se obtiene al considerar la
26
____________________________________________________________________________
renormalización del gap por la interacción con los fonones de la red. Por tanto, la
expresión contiene el factor estadístico de Bose-Einstein:
a
E g (T ) = E g (0) − θ
B
(2.11)
( E)
e T
−1
En esta expresión, propuesta por Fan [Fan51], θE es la temperatura de Einstein,

mientras aB es una constante relacionada con la intensidad de la interacción de las
bandas con los fonones. La tabla 2.7 recoge los valores de los ajustes de la energía
del gap con la temperatura para el AlN, GaN e InN, junto con la referencia.
Eg(0) α β Eg(0) aB θE Referencia

(eV) (meV/K) (K) (eV) (meV) (K)
AlN 6.126 1.799 1462 6.125 942 725 [Guo94]
3.489 0.887 874 - - - [Lero99]
GaN 3.479 0.87 884 3.478 94 271 [Calle97]
3.492 0.531 432 - - - [Trip99]
InN 1.996 0.245 624 1.994 87.8 466 [Guo94]
Tabla 2.7. Valores de Eg(0) y de los coeficientes α, β, aB y θE de los nitruros, obtenidos

del ajuste de la variación de la energía de gap con la temperatura según las
expresiones de Varshni y de Fan (ecs 2.10 y 2.11)
Por otro lado, hay que tener en cuenta que los coeficientes indicados dependen
del grado de deformación que esté soportando la capa [Jain00], ya que la energía del
gap depende de ésta.
2.5. Campos piezoeléctricos.
2.5.1 Polarización espontánea
Los nitruros, tanto en estructura de wurtzita como en zincblenda, presentan un

eje polar, lo que rompe la simetría de inversión respecto al plano perpendicular a dicho
eje. En la estructura zincblenda dicho eje es el <111>, mientras que en la estructura
wurtzita es el <0001>. A lo largo de ese eje los enlaces acaban en Nitrógeno en una
dirección y en el catión correspondiente (Al, Ga ó In) en la otra. La polaridad de un
monocristal de nitruro se define entonces en función de la capa de átomos orientada
hacia la superficie en cada bicapa, denominándose polaridad en Galio o en Nitrógeno
cuando la bicapa acaba en Ga o N, respectivamente.
27
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
En el caso de la estructura wurtzita, el crecimiento se suele realizar según la

dirección <0001>, por lo que se pueden crecer capas con ambos tipos de polaridad,
siendo algunas de las propiedades de la capa muy dependientes de la polaridad de la
misma. Experimentalmente se ha observado que el crecimiento bajo condiciones de
polaridad en Galio conduce a superficies más planas que en el caso de polaridad en
Nitrógeno [Poc96] [Brow00]. Debe distinguirse bien entre polaridad y el tipo de átomos
de la última monocapa de la superficie, ya que una capa con polaridad en Galio puede
estar acabada con átomos de Nitrógeno y viceversa. La figura 2.6 muestra la
diferencia entre ambos tipos de polaridad.
superficie
[0001] bicapa [000-1] bicapa
N
Ga
substrato
Polaridad Ga Polaridad N
Figura 2.6. Polaridades posibles en capas de nitruros con estructura wurtzita.
Debido a que en la estructura cristalina de los nitruros tipo wurtzita los

tetraedros están ligeramente alargados en la dirección [0001], se genera un pequeño
dipolo en cada tetraedro, lo que conduce a la aparición de polarización macroscópica
espontánea. El valor de esta polarización fue calculada en capas relajadas de GaN
por Bernardini et al. y los resultados se resumen en la tabla 2.8 [Bern01]. Para los
cálculos se ha definido el sentido positivo del eje [0001] como aquel hacia donde la
capa tiene polaridad en Galio (ver figura 2.6).
AlN GaN InN

Psp (C/m2) -0.090 -0.034 -0.042
Tabla 2.8. Polarización espontánea en los nitruros[Bern01].
La gran diferencia del valor de la polarización espontánea entre el AlN, por un

lado, y el GaN e InN, por el otro, se debe a que el primero posee la estructura
28
____________________________________________________________________________
tetraédrica que más se aleja de la ideal, definida esta por la relación c =(8/3)1/2a y una
longitud de enlace entre el anión y el catión en la dirección (0001) de 0.375 c para la
estructura wurtzita (ver tabla 2.1).
2.5.2 Polarización piezoeléctrica.
Por el mismo motivo por el que existe polarización espontánea, si a un cristal

de nitruro con estructura wurtzita se le aplica una tensión o compresión biaxial en el
plano (0001) se deforman los tetraedros y aparece una polarización inducida por
deformación, denominada polarización piezoeléctrica. La magnitud de dicha
polarización está relacionada con la deformación que la produce mediante el tensor
piezoeléctrico, según la expresión 2.12. La estructura wurtzita es la de mayor simetría
compatible con la existencia de polarización espontánea, por lo que el tensor
piezoeléctrico tiene tres componentes distintos de cero [Bern97]:
 ε xx 
 
 ε yy 
0 0 0 0 e15 0  
  ε zz
P Pz = 0 0 0 e15 0 0  x  (2.12)
 ε yz 
e 0 0 0   
 31 e31 e33
 ε zx 
ε 
 xy 
,donde eij son los coeficientes piezoeléctricos, de los que sólo tres son independientes.
Si se considera el caso más habitual, en el que un cristal es sometido a una
deformación biaxial perpendicular al eje [0001], la expresión para la polarización
piezoeléctrica, teniendo en cuenta la expresión 2.12, es entonces:
PPzX = PPzY = 0 (2.13)
a − a0  C 
PPzZ = 2  e31 − e33 13  (2.14)
a0  C 33 
Es decir, en los nitruros del grupo III, el campo piezoeléctrico estará orientado en la
dirección [0001] si el cristal está comprimido, y en el sentido opuesto, [000-1], si está
tensionado. La tabla 2.9 recoge los valores de los coeficientes piezoeléctricos para los
nitruros del grupo III:
29
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________

-0.6 -0.49 -0.57 [Bern97]
e31 (C/m2) -0.36 [Byk97]
-0.53 -0.34 -0.41 [Zoro01]
1.46 0.73 0.97 [Bern97]
e33 (C/m2) 1 [Byk97]
1.5 0.67 0.81 [Zoro01]
e15 (C/m2) -0.3 - [Byk97]
Tabla 2.9. Coeficientes piezoeléctricos de los nitruros.
En el cristal deformado la polarización total, Ptot, es la suma de la espontánea y

de la piezoeléctrica, que dará lugar a un campo eléctrico en el interior del cristal cuyo
valor es:
Ptot
E=− (2.15)
ε ∙ε 0
En muestras gruesas este campo se apantalla parcialmente por los portadores

de la propia muestra, provenientes del propio residual, trampas y estados superficiales
[Fior99], de modo que la caída de potencial total en el semiconductor es, como mucho,
la anchura del gap, ya que cuando el nivel de Fermi alcanza una de las bandas, la
densidad de portadores generados se hace muy grande.
En el caso de pozos cuánticos de InGaN/GaN existe un cambio abrupto en la
polarización al pasar del material de barrera (GaN, generalmente relajado), al material
del pozo (InGaN en compresión biaxial). Este cambio en la polarización se traduce en
la acumulación de cargas de polarización, σpol, en las intercaras, y en la aparición de
un campo eléctrico en el pozo. La carga de polarización acumulada es igual a la
diferencia en la polarización al pasar de la barrera al pozo, mientras que el campo
generado es proporcional a la cantidad de carga acumulada en las intercaras, según
las expresiones 2.16 y 2.17.
σ pol = Ptotpozo − Ptotbarrera (2.16)
− σ pol
E pozo = (2.17)
εε 0
30
____________________________________________________________________________
La figura 2.7 muestra la dirección de las contribuciones de la polarización

(espontánea y piezoeléctrica) y del campo eléctrico resultante en un pozo de InGaN
pseudomórfico con barreras de GaN.
PSp GaN
+σ [0001]
P PPz PSp InGaN -σ
E
Polaridad Ga
PSp GaN
Substrato
Figura 2.7. Sentido del campo piezoeléctrico, PPz, y de polarización espontánea, PSp,
en un pozo cuántico de InGaN pseudomórfico con barreras de GaN.
En el cálculo del valor del campo generado en heteroestructuras, debido a la

discontinuidad en la polarización, es necesario conocer la constante dieléctrica
estática de los diferentes materiales. La tabla 2.10 recoge los valores de las
constantes dieléctricas más utilizadas en la literatura.

8.5 10 15.3 [Gil98]
ε 9.5 12 [Mayr00]
10.3 14.6 [Sala99]
ε∞ 4.75 5.5 8.4 [Gil98]
Tabla 2.10. Constantes dieléctricas de los nitruros.
2.6. Propiedades específicas del ternario InGaN.
2.6.1 Separación de fases.
Cuando se intenta crecer una aleación ternaria como el InGaN a partir de dos
binarios, GaN e InN, que se diferencian mucho en la longitud y energía de enlace, y en
consecuencia en parámetros de red, la aleación tiende de forma espontánea a
segregarse en fases binarias como forma de minimizar la energía total [Taka00]. Este
es un hecho que ocurre con generalidad en aleaciones cuyos componentes binarios o
31
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
ternarios presentan características estructurales muy diferentes. Ho et al. [Ho96] han

estudiado la estabilidad termodinámica de las aleaciones de InGaN utilizando la
aproximación VFF (valence-force-field) y basándose en cálculos de equilibrio
termodinámico en la estructura, es decir, considerando la energía libre de mezcla de
Gibbs de la aleación como la suma de la entalpía de mezcla (primer término de la
ecuación) y la entropía de mezcla (segundo término), de la forma [Strin89]:
∆G = Ωx(1 − x) + kT [x ln( x) + (1 − x) ln(1 − x)] (2.18)
, donde x es el contenido de Indio, k es la constante de Boltzman y Ω es el parámetro

de interacción que Ho et al. calculan utilizando el modelo VFF. Dicho parámetro
depende de las constantes elásticas de la aleación ternaria, que a su vez dependen
del porcentaje de Indio, por lo que Ω será dependiente del porcentaje de Indio. Por
simplicidad, Ho et al. toman un promedio entre el valor de Ω del InN y del GaN. El
punto de solubilidad del InN en GaN queda definido a una temperatura dada por la
condición ∂G ∂x = 0 , mientras que el punto en el que la aleación es termo-
dinámicamente inestable es aquel para en el que ∂ 2 G ∂x 2 = 0 , para cada contenido

de Indio [Strin89]. De este modo, se obtienen dos curvas en el espacio contenido de
Indio-temperatura, que quedan determinadas por las dos condiciones anteriores. La
curva que cumple la primera condición delimita la región estable de la aleación frente a
la metaestable, y se denomina curva binodal, mientras que la que cumple la segunda
condición separa la región de metaestabilidad de la de inestabilidad, y se denomina
curva espinodal. La figura 2.8 resume los resultados obtenidos por Ho et al.
Temperatura (ºC)
Figura 2.8. Diagrama de estabilidad del ternario InGaN en función del contenido de
Indio y de la temperatura. Se ha representado la curva espinodal a trazos y la binodal
en continuo [Ho96].
32
____________________________________________________________________________
Como se puede observar, por encima de la temperatura crítica de 1250ºC

[Ho96] cualquier contenido de aleación es termodinámicamente estable.
Desafortunadamente, esta temperatura para el InGaN se encuentra por encima de la
temperatura de fusión del InN.
Takayama et al. han estudiado a su vez la deformación acumulada al
mezclarse el GaN y el InN en distintas proporciones para formar la aleación ternaria
utilizando el mismo modelo VFF anterior, pero considerando la variación del parámetro
Ω con el contenido de Indio [Taka00]. De este modo, obtienen una temperatura crítica
de 1694ºC para el InGaN con estructura wurtzita. La figura 2.9 muestra el valor de la
energía acumulada en el ternario en función del contenido de Indio de la aleación.
2500
Energía de deformación
InGaN (WZ) InGaN (Ideal WZ)

Ω :7.81 kcal/mol Ω :6.66 kcal/mol
2000
(cal/mol)
1500
1000
500
0 0.5 1
Contenido de Indio
Figura 2.9. Energía de deformación acumulada en la capa al mezclarse el InN con el

GaN, en función del contenido de Indio [Taka00].
Hasta ahora se ha supuesto que la aleación ternaria está relajada, pero en

general, el crecimiento del InGaN se realiza sobre substratos con distinto parámetro de
red, como el caso del GaN, por lo que se produce una deformación en el InGaN.
Karpov ha analizado el efecto de esta deformación sobre la separación de fases en
InGaN, teniendo en cuenta que la energía elástica por mol, acumulada en la red por
estar deformada, es: [Kar98]:
2
 ∆a  (2.19)
H elás = BN A Λ ∙ 
 a 
C132
B = C11 + C12 − 2 (2.20)
C33
33
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
 3 2
, donde ∆a=(a-asubs), Cij son las constantes elásticas del material y, Λ =  a c

 4 
, es el volumen molecular del ternario. Teniendo en cuenta esta nueva entalpía,
Karpov llega al resultado de que las curvas espinodal y binodal son ahora asimétricas
en función del contenido de Indio, con el máximo para un 79% de Indio y una
temperatura crítica de 735ºC. Este resultado teórico es más acorde con el
experimento, ya que las técnicas de crecimiento MOCVD y HVPE, ambas bajo
condiciones de equilibrio termodinámico, permiten alcanzar contenidos de Indio
relativamente altos en pozos cuánticos de InGaN [Yama99]. La figura 2.10 muestra el
efecto de la tensión sobre la espinodal y binodal [Kar98].
El efecto de descomposición en fases, considerado bajo condiciones de
equilibrio termodinámico, debe suponerse menos crítico cuando el crecimiento se
realiza fuera de tal equilibrio, como es el caso de la técnica MBE, en las que las capas
pueden estar en equilibrio metaestable (entre las curvas binodal y espinodal),
pudiendo alcanzarse un contenido de In aún más alto. Adelman et al. han crecido
capas de InN por MBE [Adel99] a temperaturas inferiores a 560ºC; y Lu et al. también
obtienen InN por debajo de 590ºC [Lu00]. Sin embargo, la segregación en fases
aparece en capas de InGaN crecidas por MBE cuanto se procede a un tratamiento
térmico (annealing) prolongado a alta temperatura [Sing97].
(K)
Binodal
Te
m
pe
Espinodal
rat
ur
a
Composición
de la fase sólida
Figura 2.10. Diagrama de estabilidad del ternario InGaN en función del contenido de Indio y de
la temperatura, suponiendo que la capa se crece pseudomórfica sobre GaN [Kar98].
34
____________________________________________________________________________
2.6.2. Parámetros de curvatura (bowing) para contenidos medios de In.
Normalmente los parámetros físicos que determinan las propiedades de la

aleación ternaria, InGaN, suelen obtenerse por interpolación lineal entre los valores
correspondientes a los binarios GaN e InN, siguiendo la ley de Vegard [Veg21]. Si bien
la linealidad es una primera aproximación, el siguiente término de aproximación es
cuadrático, denominado parámetro de curvatura. Este término es especialmente
importante en el caso de la energía de gap del InGaN, que tiene ahora la expresión
[Zung83] [Walt97] [Ferh02]:
EG ( Inx Ga1− x N ) = x∙EG ( InN ) + (1 − x)∙EG (GaN ) − bx∙(1 − x) (2.21)
, donde b es el denominado parámetro de curvatura, o bowing parameter.

El conocimiento preciso del parámetro de curvatura del gap resulta relevante ya
que, conocido el contenido de Indio y el grado de deformación de la capa de InGaN
mediante Rayos X (ver Capítulo 3), se puede predecir el gap de la aleación. Como el
gap varía con la deformación de la capa y con la temperatura, sólo tiene sentido definir
un parámetro de curvatura para una deformación y temperatura fijas. En particular, los
bowing parameter de mayor interés para el InGaN son los obtenidos para relajación
total o crecimiento pseudomórfico sobre GaN y a temperatura ambiente. La tabla 2.11
recoge los parámetros de curvatura para el InGaN junto con la técnica experimental
utilizada (fotoluminiscencia, PL; fotoreflectancia, PR; y Photothermal Deflection
Spectroscopy, PDS ) y el estado de relajación de la capa, a temperatura ambiente. Es
importante tener en cuenta para calcular el bowing que la emisión de PL puede tener
su origen en estados localizados formados en regiones de mayor contenido de Indio,
mientras que el contenido de Indio de la capa obtenido por Rayos X da un valor
promedio de todos los que haya en ella. El problema del parámetro de bowing será
abordado en el Capítulo 5 de esta memoria.
Nakamura et al. [Nak97] dan un valor inicial de 1 eV, si bien, tanto éste valor,
como el obtenido por Shan et al. [Shan96], 1.02 eV, pueden resultar subestimados por
un error (sobreestimación) en la determinación de los contenidos de Indio por Rayos
X, si no se ha tenido en cuenta la deformación de las capas [McCl98]. Además,
recientes resultados teóricos [Bell99], [Ferh02] y experimentales [Park99], [McCl98]
apuntan a que b podría no ser constante, disminuyendo al aumentar el contenido de In
en la aleación.
35
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
Para bajos contenidos de Indio algunos autores utilizan una aproximación en la

que la energía del gap varía linealmente con el contenido de Indio, es decir, una
relación de la forma Eg (InxGa1-xN)=Eg (GaN) – k∙x, donde k es un coeficiente obtenido
experimentalmente, si bien, en la mayoría de los casos, un ajuste teniendo en cuenta
un parámetro de curvatura adecuado también permite describir los resultados
experimentales. Los valores obtenidos para el coeficiente k varían desde 3.93 eV (0 <
x < 0.12) [McCl98] pasando por 3.28 eV (0 < x < 0.15) [Wag99] hasta 1.5 eV (0 < x <
0.25) [Wrig01], todos relativos a aleaciones totalmente comprimidas (pseudomórficas).
In % Estado Técnica b (eV) Referencia

0 < x < 0.2 Comprimido PR 1.02 [Shan96]
PR 2.6
Comprimido
0 < x < 0.2 PL 3.2 [Wetz98]
Relajado PR 3.8
Comprimido PL 3.4
0 < x < 0.25 [Park99]
Relajado PL 4.1
0 < x < 0.2 Comprimido PL 3.2 [Take97]
Comprimido PDS 3.0
0 < x < 0.15 [Sche99]
Parcial. relajado PDS 2.65
0 < x < 0.15 Relajado PR 3.2 [Wag99]
Tabla 2.11. Parámetro de curvatura del gap del InGaN en la ecuación 2.18.
Recientes cálculos teóricos de Bernardini et al. y Ambacher et al. demuestran

que el parámetro de curvatura existe también en las relación entre los coeficientes
piezoeléctricos de la aleación ternaria y los de los binarios. De este modo, el valor de
la polarización espontánea del InGaN vendría dada en función del contenido del
Indio por la expresión [Bern01] [Amb02]:
PInGaN (x)= – 0.042x – 0.034 (1 – x) + 0.037 x(1 –x) C∙m-2 (2.22)
y la polarización piezoeléctrica del InGaN crecido pseudomórfico sobre el GaN sería,

en función del contenido de Indio [Bern01] [Amb02]:
PInGaN/GaN (x)= 0.148x – 0.0424x(1 – x) C∙m-2 (2.23)
Estos cálculos se han realizado también por Bernardini et al. [Bern01] para
aleaciones de AlGaN, que demuestran que al considerar la no linealidad de los
coeficientes piezoeléctricos se obtiene un ajuste más preciso entre los resultados
36
____________________________________________________________________________
teóricos y experimentales en el caso de heteroestructuras AlGaN/GaN. Por el

contrario, la predicción de acumulación de cargas en las intercaras GaN/InGaN
cuando se tiene en cuenta la no linealidad de los coeficientes piezoeléctricos no
coincide con los resultados experimentales; siendo la discrepancia entre la teoría y el
experimento similar a la obtenida cuando se supone una linealidad en los coeficientes
piezoeléctricos. El origen de esta discrepancia ha sido atribuido a la formación de
zonas de mayor contenido de Indio en el ternario (fluctuaciones) [Amb02].
37
CAPÍTULO 2
____________________________________________________________________________
38
Capítulo 3
Técnicas de caracterización.
3.1. Introducción.
Una vez crecido el material se precisa una caracterización básica para

determinar la calidad del mismo y obtener las mejores condiciones de crecimiento. Las
técnicas de caracterización que se han utilizado a lo largo de esta Tesis se presentan
en este Capítulo. Dichas técnicas se dividen, según el tipo de información que dan, en
tres categorías: estructurales, ópticas y eléctricas.
Las técnicas estructurales utilizadas son: difracción de electrones de alta
energía (RHEED), difracción de Rayos X de alta resolución (HRXRD), microscopías
electrónicas de barrido y de transmisión (SEM y TEM), microscopía de fuerza atómica
(AFM), y por último, espectroscopía de masas de iones secundarios (SIMS). En cuanto
a técnicas de caracterización óptica, se presentarán la fotoluminiscencia (PL) y la
transmisión (Tr). Finalmente, las técnicas de caracterización eléctrica se basan en
medidas de efecto Hall y de capacidad-voltaje (C-V).
La mayoría de las técnicas de caracterización mencionadas se aplican en
capas epitaxiales ya crecidas y fuera de la cámara de crecimiento (caracterización ex
situ). La única excepción la constituye el RHEED que se realiza in-situ y en tiempo real
durante el crecimiento, es decir, en la propia cámara de crecimiento en virtud de las
bajas presiones de trabajo del MBE.
3.2. Técnicas de caracterización estructural.
Las técnicas de caracterización estructural ofrecen información sobre la

calidad, estructura y morfología de las capas, como por ejemplo el tipo de superficie
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
que se genera durante el crecimiento (plana o rugosa), la deformación a la que están

sometidas, los espesores y contenidos de Indio en pozos cuánticos de InGaN/GaN, e
incluso, el perfil de distribución de una impureza. Esta información, además de servir
de pauta para la optimización del crecimiento epitaxial, permite en muchos casos
esclarecer el origen del comportamiento eléctrico y óptico de las muestras.
3.2.1. Difracción de electrones de alta energía por reflexión (RHEED).
Como se verá en Capítulo 4 (epígrafe 4.2.1), el sistema MBE incorpora un

cañón de electrones en el interior de la cámara de crecimiento, cuyos electrones, con
energía de 13.3 KeV, inciden sobre la muestra que se está creciendo bajo un ángulo
pequeño (rasante). La difracción de estos electrones en la superficie de la muestra
genera una imagen (patrón de difracción) en una pantalla fosforescente situada
enfrente del cañón. La importancia de esta técnica estriba en que al realizarse en
tiempo real durante el crecimiento, permite realizar las modificaciones necesarias de
las condiciones de crecimiento para obtener el tipo de material deseado (compacto,
bidimensinal, columnar, etc.). Dado que los electrones inciden con un ángulo rasante
(1-5º), poseen un momento pequeño en la dirección perpendicular a la muestra, por lo
que la profundidad de penetración (y por tanto, la región de la muestra de la que se
obtiene la información) es pequeña, del orden de unas pocas monocapas atómicas.
De este modo, los patrones de difracción dan información sobre la periodicidad en
volumen y sobre las reconstrucciones superficiales.
La difracción de los electrones se produce cuando interfieren haces reflejados
en distintos planos del cristal, de modo que la condición de interferencia constructiva
para dichos haces viene dada por la ley de Bragg [Bragg13]:
2d ∙senθ = nλ ( 3.1)
, donde d es la distancia entre planos atómicos, θ es el ángulo entre el plano en el que

se difractan los electrones y el del haz incidente, n es el orden de la interferencia y λ
es la longitud de onda de los electrones. Esta última viene dada en función del
potencial acelerador por la expresión:
h
λ= ( 3.2)
(e∙V ) 2
2m∙e∙V +
c2
40
TÉCNICAS DE CARACTERIZACIÓN
____________________________________________________________________________
, siendo h la constante de Plank, m y e, la masa y carga del electrón, respectivamente,

V el voltaje acelerador y c la velocidad de la luz. La expresión 3.2 tiene en cuenta la
corrección relativista de la energía del electrón. En nuestro caso, con voltajes
aceleradores de 13.3 keV, resulta una longitud de onda de 0.102 Å.
Cuando se estudian superficies muy planas, que actúan como cristales
bidimensionales, el espacio recíproco del cristal se convierte en cilindros en la
dirección perpendicular a la superficie estudiada. Se dice entonces que una de las
condiciones de Bragg para la difracción se ha relajado (en este caso, la tercera
condición de Bragg). En teoría de difracción, se define la esfera de Ewald en el
espacio recíproco como aquella que posee un radio igual al módulo del vector de onda
del electrón, es decir, r =k =2π/λ. Los puntos del espacio recíproco que intersecten con
dicha esfera definen las direcciones en las que se produce difracción en el espacio
real. La figura 3.1 muestra gráficamente cómo se genera el patrón de difracción de la
muestra teniendo en cuenta lo anterior.
Pantalla de RHEED
Máximo de Bragg de orden n
Haces difractados
Espacio
recíproco
Línea de sombra
θ
2θ
Haz incidente
Muestra Esfera de Ewald
Figura 3.1. Esquema de la generación de un patrón de RHEED.
A partir del patrón de difracción se obtiene información acerca de la morfología

de la superficie, la cristalinidad del material y su modo de crecimiento (bidimensional,
islas, etc.) y el tipo de reconstrucción superficial (estequiometria).
Respecto a la morfología de la superficie, el patrón de RHEED permite
distinguir si la superficie del cristal (frente de crecimiento) es rugosa o plana. Si la
superficie es rugosa, deja de ser bidimensional, por lo que la tercera condición de
41
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
Bragg no se relaja y el espacio recíproco pasa a estar formado por puntos,

obteniéndose un patrón de difracción punteado (spotty). Por el contrario, si la
superficie es plana la tercera condición de Bragg se halla relajada, y se genera un
patrón de difracción formado por líneas (streaky).
Respecto a la cristalinidad, la información se obtiene de la periodicidad de las
líneas de difracción principales (aquellas que se corresponden con varias monocapas
del cristal). Como se ha dicho anteriormente, este patrón de difracción incluye el efecto
de las reconstrucciones superficiales, que aparecen como líneas de menor
periodicidad. Cuando el material crecido es amorfo el diagrama de RHEED presenta
unos anillos sobre fondo difuso, que se corresponden con el orden a corta distancia en
el cristal. Si el crecimiento produce una estructura de tipo mosaico, es decir, con
granos de distinta orientación, y éstos están dentro de la región “iluminada” por el haz
de electrones, se observan conos en vez de líneas o puntos finos. Si se está creciendo
un monocristal con orientación única, generado a partir de un crecimiento 2-D, se
observan líneas que se corresponden con las intersecciones de la esfera de Ewald con
los nudos de la red del espacio recíproco, que en este caso son cilindros.
Mediante RHEED también se puede conocer si los átomos de la última capa se
encuentran en configuraciones de mínima energía diferentes de las del material en
volumen. En este caso, se dice que la superficie se “reconstruye”, dando lugar a la
superposición del patrón de difracción de la estructura cristalina superficial con el de
las capas inferiores. Las reconstrucciones se nombran según se transforme la celda
unidad, mediante el plano reconstruido y el factor por el que se multiplica el parámetro
de red en el plano referido en dos orientaciones ortogonales. La nomenclatura para
nombrar las reconstrucciones, establecida por Wood [Woo64], denomina (hkl)-(m x n)
a una reconstrucción (m x n) en el plano (hkl). Así, por ejemplo, en nuestro caso, una
reconstrucción (0001)-(2 x 2) se refiere a que los átomos se han situado en el plano
(0001) formando una red hexagonal con parámetro de red doble del cristal en
volumen. A un parámetro de red doble en el espacio real, le corresponde uno mitad en
el espacio recíproco, por lo que en el patrón de difracción aparece una línea de menor
intensidad situada a la distancia mitad entre las correspondientes al material en
volumen. En general, aparecen m-1 y n-1 líneas nuevas entre dos máximos de
difracción del patrón inicial. Dado que, normalmente y en particular en este trabajo, las
capas se crecen en la dirección [0001], se suele omitir el nombre del plano en que se
produce la reconstrucción, al ser siempre el (0001), nombrándose las reconstrucciones
(0001)-(m x n) como “reconstrucción (m x n)”.
Por último, otra de las aplicaciones del RHEED es la determinación precisa de
la velocidad de crecimiento. Cuando el frente de crecimiento es plano y el crecimiento
42
____________________________________________________________________________
se produce capa a capa (hasta que no se completa una capa no se inicia la siguiente)
se produce una oscilación en la intensidad del haz difractado durante el crecimiento.
En una interpretación simple, la oscilación alcanza un máximo cuando se deposita una
monocapa entera (mínima dispersión) y un mínimo cuando se ha depositado la mitad
de la monocapa (máxima dispersión). El período de esta oscilación determina la
velocidad de crecimiento en tiempo real con gran exactitud, ya que el período se
corresponde exactamente con la deposición de una monocapa [Her96] [Arth02].
3.2.2. Difracción de Rayos X de Alta Resolución (HRXRD).
Esta potente técnica de caracterización estructural, además de tener la ventaja

de ser no destructiva, permite conocer parámetros básicos del material, como son la
mosaicidad de la capa, su grado de inclinación respecto al substrato, el estado de
deformación y la composición promedio en materiales ternarios.
Se basa en el mismo principio de interferencia de ondas electromagnéticas de
longitud de onda λ por reflexiones en estructuras de planos periódicos que el RHEED
(Ley de Bragg). En el caso de materiales cristalinos, la difracción se produce entre
planos del cristal espaciados una distancia d∼λ. Al igual que en el caso de difracción
de electrones, el ángulo necesario entre la onda incidente y la familia de planos del
cristal para que se produzca difracción viene dado por la ley de Bragg (ecuación 3.1)
[Brag13]. Sin embargo, a diferencia de la técnica descrita anteriormente (RHEED), la
longitud de onda de los Rayos X es comparable al parámetro de red del material, es
decir, del orden del Angstrom. La figura 3.2 muestra gráficamente el cumplimiento de
la condición de Bragg (ecuación 3.1), indicando la familia de planos de la red cristalina
en los que se produce la difracción.
Haz difractado
Haz incidente
λ
Superficie de
la muestra
θB θB
Planos (0001) d
Figura 3.2 Representación de la condición de interferencia constructiva (Ley de Bragg).
43
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
Las medidas de Rayos X utilizadas en este trabajo fueron realizadas con un

difractómetro D3 de Bede Scientific, perteneciente al Instituto de Sistemas
Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM), y con un difractómetro D5000 HR de
Huber, del Servicio Interdepartamental de Investigación (SIdI) de la Universidad
Autónoma de Madrid. Ciertas medidas realizadas en muestras de InGaN crecidas
sobre templates de GaN fueron realizadas por el doctor B. Jenichen, del Paul Drude
Institut de Berlín, en un difractómetro D3 de Bede Scientific. En todos los casos, los
Rayos X utilizados corresponden a la línea Kα1 del Cu, de λ=1.54056 Å.
Un esquema del difractómetro tipo D3 del ISOM se muestra en la figura 3.3.
Este difractómetro, denominado de “tres ejes” (señalados en la figura 3.3) consta de
un tubo de Rayos X (no mostrado en la figura) con ánodo de cobre y óptica
acondicionadora del haz (eje 1) que selecciona la línea Kα del cobre. Un
portamuestras, que permite el movimiento de la muestra en torno al eje 2 (denominado
ω), y según las direcciones y ángulos mostrados en la figura 3.4. Tras este segundo
eje, se encuentra el tercer eje o cristal analizador, que se emplea para medidas de
mayor resolución angular. Después del tercer eje, está situado el detector, con un
rango dinámico de entre 0.15 y 106 c. p. s. (cuentas por segundo).
Eje 1
Haz de
Rendijas Rayos X
θ
Detector θ
2θ
ω
Eje 3
Eje 2
3
Figura 3.3. Esquema del Difractómetro Bede D del Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y
Microtecnología (ISOM) utilizado para las medidas de Rayos X del presente trabajo
44
____________________________________________________________________________
ω”
“ω
“Gonio”
Muestra
Z
“Rotary”
Y
Figura 3.4. Direcciones y ejes en torno a los cuales es posible mover la muestra para la
realización de medidas de Rayos X en el sistema utilizado en la presente Tesis.
Para el estudio de las capas se han utilizado dos tipos de medidas de

difracción:
-Medidas con detector fijo, (ω o rocking curve): en este tipo de medidas se
mueve la muestra en torno al eje ω (figuras 3.3 y 3.4) en las cercanías de un máximo
de difracción mientras el detector permanece fijo en la posición de condición de
máximo Bragg. Si hay granos cristalinos con distinta inclinación respecto al substrato
la condición de Bragg se alcanza en ellos sucesivamente al girar la muestra en torno al
máximo (figura 3.5). Estas medidas dan información de la desorientación de los
distintos granos del material con relación al plano del substrato, o tilt (misma
constante de red con distintas orientaciones) a través del valor de la anchura a media
altura (full width at half maximum, FWHM) del pico de difracción.
Haz difractado Haz incidente Haz difractado Haz incidente
sustrato sustrato
Figura 3.5. Esquema de la medida ω. La intensidad del haz para un ω dado es

proporcional al volumen del cristal en el que se produce la difracción.
45
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
-Medidas con el detector móvil (θ/2θ): en este tipo de medidas el detector se

mueve un ángulo doble que aquél que se mueve la muestra. La posición de las
reflexiones obtenidas con este tipo de medidas se relaciona directamente con
diferencias de parámetro de red en el cristal (composición, deformación). La figura 3.6
muestra esquemáticamente la realización de esta medida. En el caso de multicapas, la
simulación del espectro permite conocer anchuras de capas y número de pozos.
[Her95].
2δθ
Haz incidente Haz incidente

Haz difractado θ1 θ1 θ2
Haz difractado θ2
1
2
sustrato s us tr ato
δθ
Figura 3.6. Esquema de la medida (θ/2θ). La región de la muestra en el que se da la

difracción depende del ángulo de incidencia.
Ambos tipos de medidas se denominan simétricas si se realizan para estudiar

planos paralelos a la superficie del cristal, ya que en este caso, cuando se cumple la
condición de Bragg, el ángulo que forma el detector con la muestra es el mismo que el
formado entre el haz incidente y la muestra. En el caso de los nitruros se suelen
utilizar los planos (0002), (0004) y (0006) [Schu99], [Li96], [Wag99], [Take97] dado que
los órdenes de difracción impares no están permitidos debido al factor de estructura de
la wurtzita. Mediante medidas simétricas solo se obtiene, por tanto, información sobre
parámetro de red perpendicular a la dirección del crecimiento, normalmente el c.
La información acerca del parámetro de red del plano de crecimiento, es decir,
el a, se obtiene a partir del estudio de planos que no son paralelos a la superficie del
cristal. Como se puede observar en la figura 3.7, cuando se da la condición de Bragg
para estos planos, el ángulo formado entre el detector y la muestra no es el mismo que
el formado entre el haz incidente y la muestra, de ahí que a este tipo de medidas se le
denomine asimétricas. Las medidas asimétricas más usadas en wurtzita se
corresponden con los planos (10.5) y (20.5) [Schu99], [Li96] [Wag99]. La medida se
puede realizar de dos formas, en incidencia rasante (-105) o en salida rasante (105).
46
____________________________________________________________________________
Haz difractado
Haz incidente
Superficie
θB 2θB
de la muestra Ω
θB
χ
Plano (10.5) ó (20.5)
Figura 3.7. Posición angular en la que se cumple la condición de Bragg para una
medida asimétrica y planos en los que se da la difracción.
De igual modo que realizando medidas tipo ω en torno a una reflexión simétrica
se obtiene la difracción de la misma familia de planos cristalinos en granos del cristal
que forman un ángulo distinto con respecto al sustrato (tilt), el mismo tipo de medida
en torno a una reflexión asimétrica da información acerca del grado de giro entre los
distintos granos del cristal (twist) (Capítulo 2). En ambos casos la información se
obtiene a través de la anchura a media altura del pico de reflexión [Bow98]. La
anchura de la reflexión da además información sobre el tipo de dislocaciones que
predomina en la capa. Si son helicoidales con vector de Burgers paralelo al eje c, su
presencia tendrá efecto sobre las medidas simétricas. Sin embargo, si las
dislocaciones son de tipo arista o mixta con vector de Burgers con componente en el
plano (0002), solo serán apreciables mediante medidas ω en torno a reflexiones
asimétricas [Hey96].
En un compuesto ternario como el InGaN, en el que tanto la aleación
(contenido de In), como el estado de deformación, afectan al valor del parámetro de
red c, su determinación mediante reflexión simétrica no permite separar ambas
contribuciones. Para ello son precisas una medida simétrica y dos asimétricas (entrada
y salida rasante). En el presente trabajo todas las capas de InGaN se han crecido
sobre una capa de GaN, a su vez sobre un substrato de zafiro (Capítulo 5). La medida
θ/2θ de una reflexión simétrica permitirá estimar el parámetro c del GaN y del ternario,
tomando como referencia la posición angular del substrato de zafiro.
En el caso del GaN (binario), a partir de su parámetro c se puede conocer el
parámetro de red a mediante las constantes elásticas C13 y C33 (ec. 2.4, Capítulo 2).
47
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
Una vez conocidos los parámetros a y c del GaN se obtiene el valor del ángulo
entre la familia de planos (105) y el (0002), χ, así como el ángulo de Bragg de la
reflexión, θB, (ver figura 3.7) mediante el sistema de ecuaciones [Bow98], [Schu99]:
λl
c= (3.3)
2 sin θ B cos χ
λ 4 / 3 h 2 + hk + k 2
a= (3.4)
2 sin θ B sin χ
, donde la reflexión estudiada tiene por índices de Miller (hk.l).

A partir de los ángulos χ y θB deducidos anteriormente se obtiene el valor del
ángulo formado entre la muestra y el haz incidente, ΩGaN (figura 3.7), para incidencia
rasante, indicada con el subíndice “-“ (ec. 3.5) y salida rasante, con subíndice “+” (ec.
3.6) mediante:
ΩGaN
− = θB − χ (3.5)
ΩGaN
+ =θB + χ (3.6)
Hay que tener en cuenta que en condición de Bragg el ángulo entre haz
incidente y difractado siempre es 2θB. Una vez conocidos Ω±GaN, podemos utilizarlos
como referencia en las medidas asimétricas, y a partir de ellos, conocer Ω±InGaN,
teniendo en cuenta la distancia angular, ∆ωInGaN-GaN, entre las reflexiones del GaN y del
InGaN obtenidos directamente de cada medida asimétrica, es decir:
Ω ±InGaN = Ω GaN
± + ∆ω InGaN −GaN (3.7)
Utilizando los valores Ω ±InGaN , es posible conocer el ángulo que cumple la
condición de Bragg de los planos (10.5) del InGaN, θ B

InGaN
, así como el ángulo entre
dichos planos y la superficie, χ BInGaN , (figura 3.7) mediante el sistema de ecuaciones:
1 InGaN
θ BInGaN = (Ω + + Ω −InGaN ) (3.8)
2
48
____________________________________________________________________________
1 InGaN
χ BInGaN = (Ω + − Ω −InGaN ) (3.9)
2
Una vez obtenidos θ B y χ BInGaN , los parámetros de red c y a del InGaN se

InGaN
obtienen mediante las expresiones 3.3 y 3.4. Si la capa está relajada, la distancia
entre el pico de difracción del InGaN y el GaN en las medidas asimétricas debe ser la
misma para la incidencia rasante y la salida rasante [Bow98]. El contenido de Indio del
ternario se puede estimar a partir de los parámetros de red utilizando las expresiones
2.3 y 2.4; teniendo en cuenta que los coeficientes C13 y C33 dependen del contenido de
Indio. La expresión 2.4 se ha de resolver entonces gráficamente, obteniéndose el
contenido de Indio, y, con este, el valor de los parámetros de red del InGaN relajado
correspondientes al mismo contenido de Indio, y el grado de relajación de la capa
(ecuación 5.1).
Representando en el plano las medidas ω y θ/2θ realizadas en torno a un
máximo de difracción es posible conocer la “forma” de este en el espacio recíproco,
denominándose esta medida mapa del espacio recíproco. Cuando el mapa del
espacio recíproco se realiza en torno a una reflexión asimétrica, mediante un cambio
de ejes se puede conocer el valor de los parámetros de red paralelo y perpendicular a
la dirección de crecimiento, y, por tanto, el grado de deformación de la capa [Bow98].
En cualquier caso, es necesario que en el mapa del espacio recíproco aparezca un
máximo de difracción que se tome como referencia, por ejemplo, el GaN, y es con
respecto a éste, como se puede determinar los parámetros de red del ternario, en
nuestro caso, el InGaN.
3.2.3. Técnicas de microscopía
Microscopía electrónica de barrido (SEM).

En este tipo de microscopía se realiza un barrido punto a punto de la muestra
con un haz de electrones. Los electrones retrodispersados desde la muestra son
detectados, dando lugar a la formación de una imagen. El microscopio electrónico
proporciona una imagen de hasta 100.000 aumentos, lo que permite estudiar la
morfología superficial de las capas, así como su espesor, con gran detalle. En este
trabajo se han tenido en cuenta dos tipos de imágenes, una de la superficie y otra de
la sección transversal. La imagen de superficie permite conocer el tipo de crecimiento
que ha tenido lugar (columnar o compacto), mientras que la medida del espesor
proporciona una estimación de la velocidad de crecimiento.
49
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
Para realizar la medida es preciso que las muestras no sean eléctricamente

aislantes, ya que los electrones del haz incidente pueden cargar negativamente la
superficie, repeliendo la llegada de nuevos electrones. Para evitar este efecto, las
muestras se metalizan por “sputtering” con una fina capa de oro, de entre 10 y 100 nm
de espesor que se conecta a tierra a través del portamuestras. El equipo que se ha
empleado para la realización de las medidas es un Microscopio JEOL 5800 SM
perteneciente al Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM).
Microscopía electrónica de transmisión (TEM).

Con esta técnica de microscopía se puede obtener una imagen de alta
resolución (se pueden alcanzar resoluciones de unos pocos Å) a partir de la
información de un haz de electrones que atraviesa la muestra. Dado que el espesor de
las muestras ha de ser pequeño para que puedan ser atravesadas por el haz de
electrones, su preparación requiere de un proceso especial. En nuestro caso, las
muestras fueron adelgazadas mediante pulido mecánico seguido de un ataque con
iones de Argón (Ion Beam Milling) para obtener un pulido más fino.
Mediante esta técnica será posible conocer la densidad y tipo de dislocaciones
de las muestras, así como el tipo de interfases y la transición entre ellas. El modo de
alta resolución (HRTEM) ha sido empleado en este trabajo para estimar el espesor de
las distintas capas de pozo y barrera en muestras de pozos cuánticos, comparándose
estos valores posteriormente con simulaciones de HRXRD. Las medidas de HRTEM
han sido realizadas en un Microscopio Jeol JEM 3010 trabajando a 300 kV, por el
Profesor Achim Trampert en el Instutito Paul Drude (PDI) de Berlín.
Microscopía de fuerza atómica (AFM).

El microscopio de fuerza atómica, de reciente invención por Binnig et al.
[Binn86], se basa en la fuerza de atracción que sufre una punta de tamaño atómico,
denominada cantilever, cuando se aproxima mucho a la superficie de un material.
Aprovechando este fenómeno se puede obtener una imagen de la topografía de la
superficie analizada. En nuestro caso, el microscopio ha sido utilizado en el
denominado modo de contacto. En él, la punta se mueve sobre la superficie de la
muestra en el plano x-y a una distancia constante de la superficie. Para ello, la fuerza
de atracción punta-superficie se mantiene constante durante el barrido, variando el
potencial aplicado a un piezoeléctrico que sostiene la punta. El análisis de la variación
de la fuerza del piezoeléctrico sobre la punta (es decir, del potencial aplicado al
piezoeléctrico) en función del punto en el plano x-y da una imagen de la topografía de
la muestra.
50
____________________________________________________________________________
La resolución de esta técnica es muy alta, permitiendo obtener medidas de 1 Å

en el eje perpendicular a la punta y 5 Å en el plano perpendicular a la punta. Mediante
un tratamiento matemático de la imagen obtenida se puede conocer un valor promedio
de la rugosidad superficial de la muestra (root mean square, RMS) como forma de
cuantificar la calidad superficial de la muestra. Este técnica se ve limitada por la
existencia de pequeñas vibraciones que pueden enmascarar la medida. Las medidas
de microscopía de fuerza atómica de este trabajo han sido realizadas en el Laboratorio
de Láminas Delgadas del Instituto de Energías Renovables (IER) del Centro de
Investigaciones Energéticas Medioambientales y Tecnológicas (CIEMAT) de Madrid,
utilizando un microscopio Topometrix TMX 2000.
3.2.4. Espectroscopía de masas de iones secundarios (SIMS).
Esta técnica se aplica para obtener perfiles y concentraciones (distribución) de

dopantes, constituyentes, e impurezas no deseadas (contaminación) en las muestras,
y, al igual que el TEM, tiene el inconveniente de ser una técnica de caracterización
destructiva. Se basa en la detección de las especies químicas arrancadas de un
material mediante el bombardeo con iones, generalmente de Cs+ o de O2+. El análisis
de la relación masa a carga de las especies químicas (iones secundarios) que se
emiten ionizadas espontáneamente de la zona erosionada (cráter), da un perfil de su
concentración con la profundidad.
La limitación de esta técnica estriba en que no siempre se conoce la velocidad
de ataque con exactitud, sobre todo en el caso de ternarios, y en el efecto memoria de
determinadas especies durante el ataque, lo que puede enmascarar la concentración
absoluta de especies en la muestra. Además, para tener un valor fiable de la
concentración de dopantes es necesario disponer de una muestra de calibración
(standard). Por otra parte, es importante que el frente de ataque (sputtering) sea plano,
ya que en caso contrario puede mezclarse la información proveniente de diferentes
profundidades. Las medidas de SIMS para el presente trabajo han sido realizadas por
la compañía PROBION Analysis, en Francia.
3.3. Técnicas de caracterización óptica
Este tipo de técnicas, no destructivas, permite conocer la calidad óptica de las

capas, así como, en el caso de un ternario, la energía de la emisión ligada al valor de
la aleación (Fotoluminiscencia) y el gap promedio (Transmisión). Su relación con las
51
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
condiciones de crecimiento resulta fundamental para la optimización de las capas. La

calidad de las capas se manifiesta por la presencia de emisiones de fotoluminiscencia
excitónicas, estrechas e intensas, así como por la ausencia de emisiones por debajo
del gap, generalmente asociadas a impurezas y a defectos del cristal.
3.3.1. Fotoluminiscencia (PL).
Esta técnica de caracterización se basa en la detección de la emisión

espontánea de fotones por la muestra cuando se recombinan radiativamente pares
electrón-hueco. La generación de dichos pares se produce mediante excitación óptica,
utilizando para ello un haz láser de energía mayor que la del gap del semiconductor.
La forma de generación de los pares electrón-hueco es lo que distingue esta técnica
de la electroluminiscencia (EL), de la que se hablará en el Capítulo 7, y en la que la
generación de portadores ese produce por inyección de portadores mediante una
corriente eléctrica.
La figura 3.8 muestra esquematizado el sistema de medida de PL empleado en
el presente trabajo. Una vez el haz láser incide sobre el semiconductor, la emisión de
la muestra se focaliza mediante un sistema de lentes, y se separa según su longitud
de onda con ayuda de un monocromador. Finalmente, se mide su intensidad en
función de su longitud de onda con ayuda de un fotomultiplicador y sistema lock-in y
los datos obtenidos se graban en un ordenador en tiempo real.
Los pares electrón-hueco creados por la excitación óptica se pueden
recombinar de forma radiativa o no radiativa. La primera de las dos suele ser la
dominante a bajas temperaturas, dependiendo mucho de la calidad del material el que
además sea dominante a temperaturas superiores. Por este motivo, las medidas de
fotoluminiscencia se realizan en primera instancia a baja temperatura.
Las recombinaciones radiativas se dividen a su vez en dos tipos,
recombinaciones intrínsecas, debidas a características del material libre de defectos, y
extrínsecas, ligadas generalmente a un defecto o impureza.
Un par electrón-hueco creado en un semiconductor puede permanecer tiempo
enlazado por atracción coulombiana, denominándose excitón. En el excitón, el electrón
y el hueco pertenecen cada uno a su banda correspondiente pero poseen capacidad
de moverse por el cristal como un solo ente, cediendo su energía de formación al
recombinarse [Kitt75]. La energía de enlace del excitón depende de las propiedades
del material (masas efectivas, etc.), siendo, en el caso del GaN, del orden de 25 meV
[Step99] [Korn99]. Esta energía es similar a la energía térmica (kT) a temperatura
ambiente (~26 meV), por lo que la recombinación excitónica puede dar información
52
____________________________________________________________________________
relevante en los nitruros incluso a temperatura ambiente. El caso mencionado se

refiere al excitón libre, pero el ente electrón-hueco puede estar a su vez ligado a un
átomo (donante, aceptor), caso en el que se habla de excitón ligado.
Espejos
Láser
Filtro
neutro
Chopper
Amplificador
Lock-in
Ordenador
Lente
Muestra
Monocromador
Fotomultiplicador
Criostato
Figura 3.8 Esquema del sistema de PL empleado en el presente trabajo.
Las recombinaciones más usuales que se detectan mediante esta técnica son
las siguientes:
Recombinaciones intrínsecas:
- Recombinación de excitones libres (FX). Dado que la banda de valencia está
desdoblada en tres, se pueden distinguir tres excitones libres, según la banda a la que
pertenezca el hueco, denominados FXA, FXB y FXC. La energía de emisión debida a
la recombinación de un excitón libre viene dada por:
Eb
E FX = EG − ( 3.10)
n2
53
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
donde EG es la energía del gap del semiconductor; Eb es la energía de enlace del

excitón, o energía necesaria para obtener un electrón y un hueco libres a partir de un
excitón, y n representa el nivel energético del excitón. Según el modelo hidrogénico, Eb
viene dada por:
e4 µ
Eb = ( 3.11)
2hε 2
En esta última expresión µ representa la masa efectiva reducida, dada por

1 = 1 * + 1 * . La variación con la temperatura de la energía de esta emisión es
µ me mh
la misma que la del gap, y se puede ajustar según las ecuaciones de Varshni y Fan
(Capítulo 2).
La evolución con la temperatura de la anchura a media altura (FWHM) de la
emisión por excitones da información de los mecanismos de scattering involucrados.
El ensanchamiento de la emisión se produce fundamentalmente por dos mecanismos:
uno inhomogéneo e independiente de la temperatura y otro homogéneo, que aumenta
con la temperatura. Suponiendo que la anchura de la emisión de PL está directamente
relacionada con la de la recombinación excitónica, se puede expresar de la forma
[Koro96]:
ΓLO
FHWM (T ) = ΓI + ΓH (T ) = ΓI + γ AC T + (3.12)
exp( hν LO
) 1
 kT − 
donde ΓI y ΓH denotan el ensanchamiento inhomogéneo y homogéneo de la emisión,

respectivamente, mientras que γAC y ΓLO son parámetros que describen la interacción
excitón-fonón.
Recombinaciones extrínsecas:
- Recombinación de excitones ligados. Los excitones pueden estar ligados a un
aceptor o a un donante neutros, denominándose A0X ó D0X, respectivamente. La
energía de localización de los excitones se ha relacionado con la energía de ionización
del aceptor o donante mediante una ley empírica, la regla de Hayne [Hayn60], de la
forma:
54
____________________________________________________________________________
E LD = E FXA − E DX = αE D (3.13)
E LA = E FXA − E AX = βE A (3.14)
, donde los coeficientes α y β se derivan de la teoría semiempírica de Hayne y valen

0.2 y 0.1 para donantes y aceptores, respectivamente. La evolución de la posición
energética de estas emisiones con la temperatura sigue al gap hasta que la energía
térmica (kT) sea similar a la de ligadura del excitón al átomo neutro, EL, momento en
que el excitón pasa a ser libre y sigue de nuevo la dependencia térmica del gap.
-Recombinaciones libre a ligado (F-B). Estas recombinaciones se producen
entre un portador libre de una banda (hueco o electrón) y un portador ligado a un
aceptor o un donante (e-A) y (D-h). La energía de esta recombinación es:
E FB = EG − E A, D + kT ( 3.15)
2
, siendo EA,D la energía del aceptor (donante). A baja temperatura domina el término
cinético, kT/2, mientras que a alta temperatura tiene mayor importancia la variación del
gap.
-Recombinaciones donante-aceptor (DAP). También denominadas par
donante-aceptor. Se producen entre un electrón ligado a un donante y un hueco ligado
a un aceptor y su energía depende de la distancia r entre el donante y el aceptor
según:
e2
E DA = EG − ( E A + E D ) + ( 3.16)
4πεr
, donde el último término tiene en cuenta la energía de atracción coulombiana entre el

hueco ligado al aceptor y el electrón ligado al donante en el semiconductor de
permitividad ε. Este término tiene en cuenta el aumento de la energía del aceptor y el
donante debido al grado en que “comparten” el par electrón-hueco. Los aceptores y
donantes sustitucionales sólo pueden estar en posiciones de la red discretas, por lo
que la distancia entre ellos también lo es, de modo que los valores que toma r
dependen estadísticamente de la distribución de las impurezas. De hecho, la
recombinación DAP genera una banda en la que a veces se puede apreciar un
“rizado” debido a las distancias posibles entre pares donante-aceptor (D-A) en la red
[Ren97]. Dado que la emisión representa una distribución estadística dependiente de
55
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
la distancia entre pares D-A, debe tenerse en cuenta que los pares cercanos tienen
una mayor energía coulombiana de enlace y que la velocidad de recombinación es
mayor entre pares cercanos que lejanos [Ding71]. Estas dos circunstancias explican el
comportamiento de la energía promedio de la emisión con la temperatura y la potencia
de excitación. Al aumentar la temperatura, los donantes que se ionizan crean una
población de electrones que apantalla los pares D-A más lejanos, predominando la
recombinación entre pares cercanos con mayor energía coulombiana y tiempos de
recombinación más cortos, y la emisión se desplaza a energías mayores [Pan75].
Los donantes en GaN tienen una energía de ionización siempre menor que la
del aceptor, ya que la masa efectiva de electrones es menor que la de los huecos.
Cuando la temperatura es suficiente como para que se ionice el donante, el par D-A se
transforma en una recombinación de tipo libre-ligado en la que el portador libre es el
electrón en la banda de conducción y el ligado es el hueco ligado a un aceptor.
Por otro lado, al aumentar la potencia de excitación se aumenta la densidad de
pares electrón-hueco generados en la muestra, pero al ser más rápida la
recombinación entre pares D-A cercanos, éstos dominan la emisión frente a los
lejanos, que quedan saturados. De nuevo, en este segundo caso, la emisión se
desplaza a mayores energías y se estrecha [Pan75].
La intensidad integrada de una emisión disminuye a medida que se aumenta
la temperatura, primero de forma suave, y más tarde (mayor temperatura) de forma
drástica (quenching térmico). El proceso de extinción térmica de la emisión puede dar
lugar a que se beneficien otras emisiones, radiativas o no. El ajuste de la evolución de
la intensidad de la emisión con la temperatura proporciona información acerca de la
energía de activación característica del proceso de extinción de la emisión que se esté
analizando. La expresión normalmente utilizada que permite ajustar la intensidad
integrada de la emisión en función de la temperatura es:
I (0)
I (T ) = ( 3.17)
 − E act 
1 + C exp 
 kT 
En esta expresión, I(0) es la intensidad integrada de la emisión a 0 K, C es una

constante que tiene en cuenta los tiempos de vida de recombinación radiativa y no
radiativa [Lero99], y Eact es la energía de activación térmica del proceso que conduce a
la extinción de la emisión estudiada (quenching térmico). Esta energía depende del
proceso que esté teniendo lugar, y puede estar relacionada con la energía de
ionización térmica de un donante o un aceptor, pero también con la energía de escape
56
____________________________________________________________________________
de portadores en un pozo cuántico. Esta energía se estima a partir de la ecuación 3.17

mediante una representación de Arrhenius de la intensidad integrada [Pan75]. Si hay
dos procesos que se activen térmicamente compitiendo al mismo tiempo para la
extinción de la emisión, la expresión utilizada es [Lero99], [Gil98]:
I (0)
I (T ) = ( 3.18)
 − E1,act   − E2,act 
1 + C1 exp  + C 2 exp 
 kT   kT 
   
Para la medida de la fotoluminiscencia se ha utilizado un sistema automatizado

perteneciente al Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, cuya fuente
de excitación consiste en un láser de He-Cd, emitiendo a 325 nm, y un láser de Ar
(línea de 514 nm) acoplado a un doblador (SHG-ICAD-257) con un cristal no lineal de
KDP (KH2PO4).que convierte la emisión a 257nm. Con ambas fuentes láser se pueden
obtener potencias de hasta 20 mW sobre la muestra, cubriendo el rango necesario
para el GaN y AlGaN hasta un 50% de Al. La potencia incidente se varía con ayuda de
un filtro neutro (figura 3.8). La temperatura de la muestra se controla con un criostato
APD Cryogenics HS-4 de doble circuito de Helio que permite bajar hasta 4 K, y que
dispone de ventanas de zafiro para evitar efectos de absorción por el propio sistema.
La emisión es recogida mediante lentes de cuarzo y llevada a la entrada de un
monocromador (Jobin-Yvon THR 1000) de 1 m de distancia focal, que permite detectar
longitudes de onda de entre 170 y 700 nm. El error en la región que se va a utilizar es
0.5 meV. Para evitar la aparición del segundo armónico del láser se ha empleado un
filtro a 425 nm. La emisión se detecta con un fotomultiplicador de cátodo de GaAs,
RCA60ER polarizado a 1600 V y refrigerado mediante un sistema Peltier. La señal se
procesa con un amplificador lock-in EGG 5207 y chopper.
3.3.2. Transmisión (Tr).
Esta técnica permite determinar el gap promedio en el caso de un ternario, y

brinda información sobre el grado de localización de los excitones a partir de la
diferencia energética con la emisión de fotoluminiscencia (Stoke’s shift). En el presente
trabajo se ha medido la transmisión para, a partir de ella, obtener la absorción
mediante la relación:
α ( E ) ∝ − Ln(T ) (3.19)
57
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
El uso de esta expresión no considera las pérdidas por reflexión en las

intercaras substrato/capa y aire/capa, ni la dispersión de la luz en superficies y la
absorción por impurezas. Sin embargo, suponiendo estos efectos similares en todas
las muestras, esta técnica simple permite determinar tendencias al variar el contenido
de Indio en el ternario. Para obtener el gap promedio, la absorción se ajusta a una
función sigmoidal del tipo:
α0
α (E) = ( 3.20)
 EG ,eff − E 
1 + exp 
 ∆E 
, donde α0 es una constante que representa la absorción a energías muy por encima
de la energía del gap, EG,eff es la energía de gap efectiva y ∆E es el ancho del borde
de absorción. Estos dos últimos parámetros serán de gran importancia en capas
gruesas de InGaN en las que determinar la energía de gap resulta especialmente
complicado mediante fotoluminiscencia debido a la formación de regiones ricas en
Indio en la capa (inhomogeneidad). En efecto, si esto ocurre, la energía de emisión de
PL depende de la potencia de excitación (band filling) y de la temperatura
(localización). La medida de la transmisión permite entonces la estimación de la
energía de gap efectiva mediante el ajuste de la absorción de la capa utilizando la
expresión 3.20. Esta energía de gap promedio se puede correlacionar con el contenido
de Indio promedio en la capa estimado a partir de medidas de Rayos X y teniendo en
cuenta el grado de relajación de la capa, como se explicará en el Capítulo 5.
Las medidas de transmisión óptica se realizaron con un espectrómetro
ultravioleta-visible Perkin-Elmer Lambda 9 en el Laboratorio de Láminas Delgadas del
Instituto de Energías Renovables (IER) del CIEMAT de Madrid. Con este equipo se
pueden realizar medidas desde el infrarrojo hasta 200 nm.
3.4. Técnicas de caracterización eléctrica
Las medidas de caracterización eléctrica se han enfocado principalmente al

estudio del control del dopaje, así como a la determinación del origen y concentración
de portadores residuales en las capas. Su interpretación, junto con las medidas
ópticas y estructurales permitirá conocer la eficiencia del dopaje y su relación con las
condiciones de crecimiento.
58
____________________________________________________________________________
3.4.1. Medida del efecto Hall.
Mediante la medida del efecto Hall se obtiene la concentración de portadores,

n, y movilidad en las capas,µ. La medida Hall proporciona la resistencia de hoja, rs y el
coeficiente Hall, RH. Suponiendo que las propiedades de transporte de la capa son
uniformes en todo el espesor de la capa, d; la resistividad de la capa, ρ, concentración
de portadores, n (p), y movilidad Hall, µn (µp) se relacionan con los parámetros
medidos mediante:
ρ = rs d ( 3.21)
rH
n, p = ( 3.22)
eRH (n, p)
RH (n, p)
µn , µ p = ( 3.23)
rH ρ
donde e es la carga del electrón, y rH es el factor Hall de scattering, que depende de

los mecanismos de dispersión de los portadores y varía entre 1 y 2, aunque
generalmente, como primera aproximación, se toma igual a la unidad [Götz99]
[Bloo92]. El signo del coeficiente Hall determina el tipo de conducción dominante en el
semiconductor, si es positivo, el semiconductor es tipo p, y si es negativo, tipo n.
De la medida Hall con la temperatura se puede obtener la energía de activación
(o de ionización térmica) de los donantes (aceptores) ligeros a partir de la
concentración de electrones (huecos) libres en función de la temperatura, n(T),
mediante la expresión:
ND
n(T ) + N A = ( 3.24)
g ∙n(T ) E 
1+ exp D 
NC  kT 
En esta ecuación ND y ED representan la concentración y energía de activación

de los donantes, y NA la concentración de aceptores compensadores o residuales. NC
es la densidad de estados de la banda de conducción, g es la degeneración de los
estados donantes y k es la constante de Boltzman. La expresión anterior es válida
también para huecos cambiando donantes por aceptores, banda de conducción por
banda de valencia y electrones por huecos. El factor de degeneración, g, es igual a 2
59
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
tanto para donantes como para aceptores para el GaN tipo wurtzita, al estar rota la
degeneración en el punto k=0 de la banda de valencia [Bloo92], [Götz99].
La ecuación 3.24 se puede simplificar para dos situaciones: si el efecto de la
compensación no es importante y el semiconductor no está degenerado, aplicando la
estadística de Maxwell-Boltzman se obtiene:
NC N D  − ED 
n(T ) = exp  ( 3.25)
g  2kT 
Por otro lado, si el efecto de la compensación es importante, se obtiene:
ND − N A  − ED 
n(T ) = N C exp  (3.26)
gN A  kT 
Las expresiones anteriores son análogas para el caso de un semiconductor tipo

p y el cálculo de la energía de activación del nivel aceptor. La energía de activación
térmica de un dopante, entendida como la energía del estado correspondiente en el
gap, es única y precisa. Sin embargo, en función de la propia concentración del
dopante, lo que se determina con esta medida es una energía “aparente”. Sin tener en
cuenta la compensación, la energía de activación térmica que se mide disminuye al
aumentar la concentración de dopante, como consecuencia del acercamiento del nivel
de Fermi a la banda y a la formación de una banda de impurezas (aceptores o
donantes). La energía de activación así obtenida suele ser menor que la distancia
entre el nivel del dopante y la banda correspondiente, variando entre el valor real y
cero (conducción metálica). En el caso de dopajes bajos el valor de la energía de
activación térmica medida coincide con la del nivel energético del dopante en el gap.
Las medidas de efecto Hall han sido realizadas en el sistema Hall del Instituto
de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología de la UPM. Para ello se ha utilizado la
geometría de Van der Pauw [Pauw58] depositando cuatro contactos sobre un trozo
cuadrado de muestra de 4 mm de lado (Apéndice). Para que el resultado de la medida
sea fiable se requiere contactos que sean óhmicos en el rango de temperaturas
estudiado, así como el uso de substratos semiaislantes para eliminar efectos de
conducción por dos canales. El campo magnético utilizado es de 0.3 T, y la
temperatura de la muestra durante la medida se ha variado utilizando un criostato CTI
Criodine 21, de circuito cerrado de He (45 a 360 K). El control de la temperatura se
60
____________________________________________________________________________
realiza mediante un diodo de GaAs (∆T ± 1 K) y para determinar la temperatura en la

muestra durante la medida se ha utilizado un termopar tipo E.
3.4.2. Medidas capacidad-voltaje (C-V Profile).
Esta medida permite conocer el número de aceptores o donantes totales

(ionizados o no) que hay en la capa. Esta información, junto con la de SIMS y Hall,
permite conocer la concentración en volumen del dopante y su carácter (impureza en
posición substitucional, eléctricamente activa, intersticial, o formando complejos), así
como la proporción ionizada a temperatura ambiente, o factor de ionización, que en
definitiva establece la densidad de portadores.
Para la realización de la medida se fabrica un contacto Schottky en el
semiconductor (Apéndice). En este tipo de contacto el nivel de Fermi del
semiconductor y la banda de conducción del metal se alinean, haciendo que las
bandas en el semiconductor se curven y que aparezca una zona de vaciamiento (o de
carga espacial) en el semiconductor, en la que los donantes o aceptores
(semiconductor tipo n o p) se encuentran totalmente ionizados [Sze81].
A ambos lados de la zona de vaciamiento se produce una acumulación de
carga formando un condensador, de modo que la técnica de capacidad-voltaje se basa
precisamente en el comportamiento capacitivo del contacto Schottky. La anchura de la
zona de vaciamiento, x, depende del voltaje aplicado al contacto Schottky, Vext, de la
concentración de donantes o aceptores, ND y de la altura de la barrera de potencial
formada en la intercara semiconductor-metal, φi, de la forma:
2εε 0 (φ i − Vext )
x= ( 3.27)
eN D
Esta es la anchura que representaría la separación de carga en planos

paralelos de un condensador equivalente en función del potencial externo aplicado, y
aumenta al polarizar el diodo en inversa (rectificador). Al mismo tiempo, al modificar la
tensión externa aplicada, la carga acumulada varía, resultando un condensador cuya
capacidad depende de la tensión aplicada del modo:
εε 0 εε 0 eN D
C=A =A ( 3.28)
x 2(φ i − Vext )
61
CAPÍTULO 3
____________________________________________________________________________
, donde A, es el área del contacto Schottky. De este modo, representando 1/C2 frente
al voltaje aplicado se obtiene la concentración de donantes o aceptores en el
semiconductor y la altura de la barrera del contacto (φi) [Sze81]. Para ello, obviamente,
es necesario que la distribución del dopante sea homogénea
Las medidas se han realizado utilizando un capacímetro HP 4284A con un
rango de frecuencias desde 1 Hz hasta 1 MHz. La frecuencia a utilizar depende de la
velocidad de respuesta de los electrones en los átomos. Para donantes se utilizaron
frecuencias de hasta 100 kHz, y para aceptores, de entre 1 kHz y 10 kHz, teniendo la
precaución, en todo caso, de no medir a la frecuencia de corte característica del propio
diodo Schottky debida a su constante RC. En todas las medidas se usó una amplitud
de la señal AC de excitación de 50 mV.
62
Capítulo 4
Crecimiento y caracterización de capas de

GaN.
4.1. Introducción.
El presente Capítulo está dividido en cuatro partes, de las que la primera

(epígrafe 4.2) detallará los temas relacionados con el sistema de crecimiento por
epitaxia de haces moleculares (MBE) y los distintos substratos utilizados.
En el epígrafe 4.3 se estudiará el crecimiento por MBE de GaN no
intencionadamente dopado (nid) sobre substratos de Si(111), Al2O3 y GaN “templates”.
Se prestará especial atención a los dos últimos tipos de substratos, dado que sobre
ellos se crecerán las capas de InGaN y los dispositivos LED (Capítulos 5, 6 y 7). Este
epígrafe incluye además una revisión teórica de los defectos puntuales en el GaN y su
efecto sobre la concentración residual de portadores en capas no intencionadamente
dopadas.
El epígrafe 4.4, está dedicado al dopaje con Mg del GaN, tanto desde el punto
de vista teórico, como experimental. Como en el caso del GaN nid, los substratos
empleados para el estudio serán el Si(111), Al2O3 y GaN templates. Una ampliación de
este epígrafe se puede encontrar en el Capítulo 7 de esta memoria, en el que,
haciendo uso de una fuente de radio frecuencia de la compañía EPI se estudiará el
dopaje con Mg creciendo sobre GaN-templates.
Para finalizar este Capítulo, se detallarán las conclusiones que se hayan ido
obteniendo a lo largo del mismo.
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
4.2. Sistema de crecimiento de Epitaxia de Haces Moleculares

asistido por Plasma (PAMBE).
4.2.1. Descripción del sistema de crecimiento PAMBE.
El sistema de MBE en el que se han crecido las muestras para esta Tesis es un
equipo comercial, de la compañía francesa MECA2000, ubicado en el Instituto de
Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM), en la Escuela Técnica Superior
de Ingenieros de Telecomunicación. El sistema lleva funcionando desde 1994, siempre
dedicado a nitruros. El esquema de la figura 4.1 muestra los componentes principales
que conforman el sistema de crecimiento de MBE.
El equipo de MBE consta de dos cámaras, la cámara de introducción y la
cámara de crecimiento, separadas por una válvula de ultra alto vacío de guillotina.
La cámara de introducción, permite la introducción de los substratos y recogida
de las muestras ya crecidas. En nuestro caso posee un carrusel con espacio para
cuatro porta substratos, denominados “molyblocks”. El cometido de esta cámara es el
de evitar que la cámara de crecimiento tenga que estar a presión atmosférica durante
el proceso de carga y descarga de substratos y muestras. La cámara cuenta con una
conexión a una bomba turbomolecular con rotatoria que permite alcanzar una presión
inicial de 10-6 Torr, con una velocidad de bombeo de 300 l/s. Para alcanzar presiones
menores, se emplea una bomba iónica, de 200 l/s, con la que se alcanza una presión
de 8 x 10-9 Torr, suficiente para poder transferir el substrato sin riesgo de contaminar la
cámara de crecimiento. De las cuatro posiciones disponibles para colocar los
molyblocks en el carrusel, una de ellas posee un filamento calefactor que permite
desgasificar un molyblock, a unos 350ºC, a baja presión antes de transferirlo a la
cámara de crecimiento. Esta desgasificación inicial se realiza para eliminar trazas de
agua antes de la transferencia a la cámara de crecimiento.
Un brazo mecánico (brazo de transferencia) permite el traslado de los
molyblocks desde la cámara de introducción hasta la de crecimiento.
La cámara de crecimiento es donde se realiza propiamente el crecimiento
epitaxial. Dispone de instrumentos que permiten: alcanzar y mantener una baja
presión, tanto previa como durante el crecimiento; evaporar los elementos
constituyentes del cristal; monitorizar el crecimiento in situ, conocer la composición de
gases residuales en la cámara y la cantidad de cada elemento constituyente que llega
al substrato (flujo); y, por último, calentar el substrato a la temperatura adecuada
durante el crecimiento.
64
Sonda Bayard-A pert
A phert
para a med da de f u os (retraíb e)
Cañón de e ectrones Ana zador de gases res dua es (RGA)
de s stema RHEED
Cé u as de efus ón
Knudsen (In, A , S ) Cr opane es
Bombas ón cas
Fuente RF Carruse para 4 mo yb ocks

Con f amento ca efactor
de n trógeno
65
Brazo de transferenc a
P rómetro
Cámara de introducción
utilizado para el crecimiento de las muestras del presente trabajo.

Figura 4.1 Esquema del sistema de epitaxia de haces moleculares
Cé u as de efus ón
Knudsen (Ga, Be, Mg) Bomba cr ogén ca
(en a parte super or)
Panta a de RHEED
Cámara de crecimiento
____________________________________________________________________________
CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE CAPAS DE GAN
Man pu ador
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
Los instrumentos que permiten alcanzar la presión de trabajo y mantenerla son:

-Una bomba turbomolecular con una rotatoria a la salida, que sólo se utiliza
para obtener una presión baja desde presión atmosférica, cuando se pone la cámara
de crecimiento a dicha presión para recargar materiales o reparar algún defecto en los
instrumentos.
- Una bomba iónica, de 400 l/s, que mantiene la presión baja (9 x 10-10 Torr)
cuando en la cámara no se está creciendo (stand-by). Esta bomba no se utiliza
durante el crecimiento, ya que al introducir el Nitrógeno la presión de cámara alcanza
valores del orden de 1x10-5 Torr, a los que no es aconsejable utilizar este tipo de
bomba. Además, la bomba iónica funciona ionizando las moléculas (de ahí su
nombre), por lo que no resulta eficiente en el caso de las moléculas de Nitrógeno, que
poseen una alta energía de enlace.
- Junto con la bomba iónica la presión se mantiene baja en condiciones de
stand-by con una bomba de sublimación de Titanio (TSP). En ella, se calienta un
filamento de Titanio haciendo pasar una corriente eléctrica (40 A), hasta que comienza
a sublimar. Este, al depositarse en las paredes frías de la cámara, reacciona con las
moléculas activas de gas de la atmósfera de la cámara, formando compuestos no
volátiles, es decir, actúa como “getter”. Al mismo tiempo, el Titanio favorece que la
bomba iónica actúe con mayor eficiencia.
- Durante el crecimiento la presión de trabajo la mantiene una bomba
criogénica, CTI Criogenics, modelo CTI-10. Esta bomba funciona manteniendo sus
paredes a muy baja temperatura (11 K), lo que hace que las moléculas queden
atrapadas al contacto con ellas. Posee además una alta velocidad de evacuación para
gases como el Nitrógeno y vapor de agua (9000 l/s).
- En las paredes de la cámara de crecimiento existen unos contenedores que
se rellenan de Nitrógeno líquido (LN2) antes del crecimiento, lo que reduce su
temperatura y, funcionando con el mismo principio que la bomba criogénica, hacen
que la presión disminuya en la cámara.
Con los dos últimos elementos y la bomba iónica se alcanzan presiones base
del orden de 10-10 Torr, previamente al crecimiento.
Las fuentes de los elementos necesarios para el crecimiento de los cristales
son de dos tipos:
- Para los elementos del grupo III (Al, Ga, e In) y los dopantes (Si, Be, Mg) se
utilizan células de efusión Knudsen. Estas constan de un termopar, un filamento
calefactor y un crisol de PBN. En el crisol, el material se calienta cuando se hace pasar
una corriente eléctrica al filamento calefactor, siendo la temperatura controlada por el
termopar. Al calentarse parte de los átomos del material se evaporan, dirigiéndose
66
____________________________________________________________________________
hacia el substrato. Las células incorporan un obturador integrado (shutter) que permite
interrumpir la salida del material hacia el substrato.
-Para obtener el Nitrógeno atómico se emplea una fuente de radiofrecuencia.
Dado que el Nitrógeno molecular es muy estable debido al enlace triple existente entre
los átomos de Nitrógeno de la molécula, la disociación de la misma requiere una alta
cantidad de energía (946.04 kJ/mol). Es conocido que bajo la influencia de un plasma
a baja presión, la molécula de N2 se disocia de modo eficiente, este es el método
empleado en nuestra cámara para obtener el Nitrógeno activo. Un plasma generado
mediante rediofrecuencia (13.56 MHz) en el interior de un crisol da lugar a un haz de
especies derivadas del Nitrógeno o Nitrógeno activo (N+2, N+, N, etc), que se dirige
hacia el substrato. La gran reactividad de estas especies hace que reaccionen al llegar
a la superficie del substrato y formen el Nitruro con las especies químicas existentes
en él. Esta técnica de crecimiento, bastante estudiada en la literatura, [Gil98] [Jain00]
[Mous01] se denomina MBE asistido por plasma, o PAMBE, término empleado por
Hoke et al. en el primer trabajo realizado en crecimiento de nitruros III-V utilizando una
fuente de plasma [Hoke91].
La fuente de Nitrógeno lleva asociados distintos elementos que se detallan en
el esquema de la figura 4.2. Para el crecimiento de las muestras en el presente trabajo
se han utilizado fundamentalmente dos tipos de fuentes de rf, una refrigerada con
Nitrógeno líquido (Oxford CARS25) y otra refrigerada con agua (Oxford HD25), ambas
de la empresa Oxford Applied Research. La segunda es una versión mejorada de la
primera. El crisol de PBN donde se genera el plasma está comunicado con la cámara
a través de una “tapa” intercambiable, denominada apertura, que posee una serie de
agujeros. La fuente HD25 puede funcionar con distintas aperturas, una de 37 agujeros
de 0.5 mm de diámetro, similar a la que emplea la CARS25 y otra de 276 agujeros de
0.2 mm de diámetro, que permite obtener una mayor eficiencia en la HD25. La fuente
de RF consta de un solenoide donde se genera la radiofrecuencia, un circuito de
refrigeración y una unidad de ajuste manual de los condensadores que estabilizan la
radiofrecuencia. Este ajuste manual permite obtener el máximo rendimiento para una
potencia dada, minimizando la potencia reflejada en el plasma.
La cantidad de Nitrógeno activo generado en el crisol se monitoriza mediante
un detector, que da una lectura en voltios, denominada O.E.D. (del inglés optical
emision detection). El detector, un fotodiodo de silicio, está centrado en 745 nm, para
detectar la línea de emisión en 746.8 nm atribuida a la transición 3s4P-3p4S en el
Nitrógeno atómico [Vaud94]. De este modo, la intensidad de la emisión en 745 nm
detectada en el crisol se puede considerar proporcional a la cantidad de Nitrógeno
atómico en el mismo.
67
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
Circuito de refrigeración por agua
Entrada
Medidor de
Salida flujo de agua
Fibra
óptica
O.E.D
Termopar
Bomba Turbomolecular
Cámara
MBE
Controlador de flujo
(MFC)
(rango 0-10 sccm)
Filtro
2 µm
Crisol
Válvulas
de UHV Válvula
Filtro-purificador de aguja
(calentado a 350ºC) Control
Pureza a la salida de 8N de la potencia
reflejada
Bombona de
N2 ultrapuro (6.5 N)
Figura 4.2 Esquema de la fuente de radiofrecuencia utilizada para obtener el Nitrógeno

activo.
La potencia con la que se genera el plasma puede elegirse hasta un máximo

de 600 W, siendo las empleadas normalmente para el crecimiento de entre 350-550
W. Un controlador de flujos (mass flow controller) permite seleccionar la cantidad de
Nitrógeno molecular que se utiliza para generar el plasma. El flujo de Nitrógeno
empleado para el crecimiento suele estar entre 0.8 y 1.5 sccm (standard cubic
centimeter). El Nitrógeno molecular se toma de una bombona, con una pureza inicial
del 99.99995 % (6.5 N). Esta pureza se aumenta hasta un 99.999999% (8 N) mediante
un purificador de West Associates, situado en la línea de Nitrógeno. El purificador
funciona al ser calentado hasta 350 ºC, mediante un pequeño calefactor de mica.
Los instrumentos para el análisis y monitorización son:
- La presión existente en la cámara se mide mediante una sonda Bayard-Alpert.
Una sonda similar, denominada sonda de flujos, permite medir la cantidad de átomos
que llegan al substrato de cada elemento. Para ello, la sonda de flujos está situada en
un brazo móvil (figura 4.1), pudiendo ser situada justo en la posición en la que estará
68
____________________________________________________________________________
el sustrato durante el crecimiento. La lectura que se obtiene de dicha sonda es una

presión (BEP, o presión molecular equivalente), no un flujo de moléculas. Si bien,
mediante esa medida y con consideraciones geométricas se puede saber la relación
entre átomos de dos especies que llegan al substrato. La relación entre el número de
átomos por segundo y unidad de área que llegan al substrato y el BEP medido de las
dos especies es [Alex85]:
1/ 2
φA P η M T 
= C AB EA B  A A  ( 4.1)
φB PEB η A  M B TB 
donde φA,B representan los flujos incidentes de las especies A y B sobre el sustrato (en
átomos/cm2∙s) ; PEA,EB son las presiones equivalentes medidas con la sonda de flujos
(en Torr), MA,B son las masas atómicas del elemento considerado y TA,B, las
temperaturas absolutas de la célula de efusión de cada elemento; CAB es una
constante que tiene en cuenta la distinta disposición geométrica de las células de
efusión de ambos elementos respecto al sustrato, y ηA,B es la sensibilidad a la
ionización de un elemento determinado por la sonda de flujos. Esta sensibilidad η
viene determinada por el número atómico Z del elemento considerado, según la
expresión:
 0.4∙Z 
η = + 0.6  ( 4.2)
 14 
Para el Ga y el In, η vale 1.4857 y 2.0, respectivamente.

A partir de la relación 4.1 se puede estimar el tanto por ciento de una aleación
ternaria, empleando la igualdad 4.3, cuando el crecimiento se realice en condiciones
estequiométricas o ricas en elemento V y el coeficiente de pegado de ambos
elementos del grupo III sea la unidad. En el caso del InGaN ambas condiciones se
cumplen para condiciones ricas en Nitrógeno y temperaturas de sustrato bajas, como
se estudiará en el Capítulo 5.
φA 1
= (4.3)
φA + φB φ
1+ B
φA
69
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
- Para conocer la composición de la atmósfera en la cámara, y evitar el que

haya impurezas en exceso (una concentración de una impureza en un semiconductor
en partes por millón puede actuar como dopante) se utiliza un analizador de gas
residual, o cuadrupolo. Este da una lectura de la concentración de cada una de las
especies en la cámara detectando las especies químicas, en función de su cociente
masa/carga, ya que para detectar la especie la ioniza anteriormente. Así, el Nitrógeno
posee una relación masa/carga de 14 si está ionizado una vez. Detecciones de
relaciones masa/carga de 12 y 16 están relacionadas con C y O, no siendo
recomendable el crecimiento cuando estén presentes en la cámara.
- Durante el crecimiento se puede monitorizar la calidad del frente de
crecimiento (las últimas monocapas que se están creciendo) utilizando la difracción de
electrones de alta energía (RHEED). Para ello, el haz de electrones de alta energía
generado por un cañón se hace incidir con un ángulo pequeño sobre la superficie de la
muestra. Los electrones difractados por la muestra impactan sobre una pantalla de
fósforo situada enfrente del cañón (ver figura 4.1), dando lugar a una imagen visible,
que no es otra que el patrón de difracción de los electrones con la muestra. El haz de
electrones empleado se acelera con un potencial de 13.3 keV. El fundamento teórico
de esta técnica de caracterización fue explicado en el epígrafe 3.2.1.
- La temperatura del substrato se mide durante el crecimiento mediante un
pirómetro óptico Ircom, de la serie V, situado fuera de la cámara, y que recibe la
radiación proveniente del substrato a través de una fibra óptica situada enfrente del
mismo.
Para calentar el substrato se emplea un filamento calefactor que permite
alcanzar temperaturas de hasta 900ºC. El filamento no está directamente en contacto
con el substrato, sino que la radiación emitida por el filamento es la que calienta el
substrato. Por este motivo, los molyblocks dejan sin recubrir el substrato por su parte
posterior, sosteniéndolo mediante unas pinzas y dejando que la radiación del filamento
calefactor llegue directamente a la parte posterior del substrato. Este tipo de molyblok
se denomina “indium-free”, ya que no necesita de Indio para sostener el substrato,
sino que se hace por medios mecánicos.
4.2.2 Substratos empleados.
En este trabajo se han empleado tres tipos de substratos: Si(111), zafiro

(Al2O3) en orientación (0001) y templates de GaN crecidos por MOCVD sobre zafiro,
con espesores de entre 2 y 4 µm. Los dos primeros se han utilizado en obleas de una
pulgada, y el tercero en cuadrados de 1.8 mm de lado, medida que permite el máximo
70
____________________________________________________________________________
aprovechamiento (4 trozos cuadrados del máximo tamaño) partiendo de una oblea de

dos pulgadas.
El Si(111) posee la ventaja de tener una tecnología muy desarrollada, y aunque
cristaliza con estructura de diamante (cúbico), el plano perpendicular a la dirección
(111) tiene simetría hexagonal, lo que facilita la epitaxia de GaN en ese plano. En la
relación de epitaxia GaN/Si(111) las direcciones [11-20] del GaN y la [1-10] del Si se
sitúan paralelas, al mismo tiempo que la [0001] del GaN y la [111] del Si. La figura 4.3
muestra la simetría hexagonal del Si en el plano (111).
Si (100)
Figura 4.3. Representación de la relación de epitaxia entre los nitruros y el Silicio en el

plano (111).
El desajuste de red entre ambos substratos se calcula entonces teniendo en

cuenta que el lado del hexágono en el Si(111) en la perpendicular a la dirección [111]
vale:
aSi (100 )
a Si (111) = ( 4.4)
2
La tabla 4.1 muestra los valores del desacoplo del parámetro de red y de
coeficiente de expansión térmica entre los nitruros y el Si(111), teniendo en cuenta la
expresión 4.4.
71
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
∆ aepi / asubs αa ∆ αepi / αsubs

a (Å)
(%) (10-6 K-1) (%)
InN 3.54 -7.8 3.4-5.7 -5.3 – 58.7
GaN 3.189 -17 5.59 55.7
AlN 3.111 -19 4.2 17
Si(100) 5.430 - 3.59 -
Si(111) 3.840 - 3.59 -
Tabla 4.1. Desacoplo en el parámetro de red y de coeficiente de expansión térmica entre los
nitruros y el Si(111), teniendo en cuenta la relación de epitaxia [Amb98], [Edg94].
El zafiro tiene estructura hexagonal pero con un parámetro de red mucho

mayor que el del GaN en su plano basal (4,758 Å frente a 3,189 Å, respectivamente).
La relación de epitaxia entre el GaN y el zafiro sitúa las direcciones [2-1-10] del GaN
paralelas a la [1-100] del zafiro, al igual que los planos (0001) en ambos cristales. Es
decir, los hexágonos que conforman el GaN están girados 30º con respecto a los del
zafiro, como se muestra en la figura 4.4.
[2-1-10] [1-100]
GaN Al2O3
[0-110] GaN
GaN
Al2O 3
[-1-120]
Al2O3
Figura 4.4. Representación de la relación de epitaxia entre los nitruros y el zafiro en el

plano (0001).
En este caso y debido a este giro, la relación de epitaxia hace que el

parámetro de red del GaN que hay que tener en cuenta para el crecimiento sobre
zafiro sea:
a 'GaN = 3aGaN ( 4.5)
72
____________________________________________________________________________
La tabla 4.2 muestra el desacoplo de red y de coeficiente de expansión térmica

entre los nitruros y el zafiro, teniendo en cuenta la relación de epitaxia entre ambos.
aepi
efectivo (Å) ∆ aepi / asubs αa ∆ αepi / αsubs
a (Å)
(%) (10 K-1)
-6
(%)
( 3a )
InN 3.54 6.131 28.8 3.4- 5.7 -54.6 - -24
GaN 3.189 5.523 16.1 5.59 -25.5
AlN 3.111 5.388 13.2 4.2 -44
Zafiro 4.758 - - 7.5
Tabla 4.2. Desacoplo en el parámetro de red y de coeficiente de expansión térmica entre los
nitruros y el zafiro [Amb98], [Edg94].
Las capas de GaN crecidas sobre zafiro en el plano (0001), presentan una
deformación residual de tipo compresivo. Ambacher et al. [Amb98] estudian esta
deformación residual acumulada en la capa tras el crecimiento de 1 µm de material. A
temperatura ambiente resulta ser de -0.2%, mientras que a la temperatura de
crecimiento (800ºC) el desacoplo de red es de un –13.75 %. Un estudio mediante TEM
permite concluir que las dislocaciones ascendentes generadas durante el crecimiento
debido al desacoplo de red entre la capa de GaN y el substrato de zafiro hacen que el
semiconductor crezca prácticamente relajado. Es la diferencia en los coeficientes de
expansión térmica la responsable de la deformación residual, que aparecería durante
el enfriamiento posterior al crecimiento, desde la temperatura del mismo hasta
temperatura ambiente. Cálculos teóricos indican que la deformación residual de origen
térmico debería ser de –0.12 %, mucho más cerca del valor experimental que la
debida a desacoplo de red. Las dislocaciones ascendentes que deforman
plásticamente la capa y reducen el desacoplo de red son del orden de 1010 cm-2, la
disminución de esta alta densidad sólo se consigue mediante el uso de capas
amortiguadoras, o, buffer. Además, hay que tener en cuenta que durante el
enfriamiento también se generan dislocaciones. Keckes et al. analizan la tensión en la
capa en función de la temperatura mediante Rayos X, obteniendo un resultado similar
al de Ambacher, que apoya el origen térmico del estado de compresión de las capas
de GaN crecidas sobre zafiro [Keck01].
73
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
4.3. GaN no dopado.
A pesar de la baja concentración intrínseca, del orden de 10-10 cm-3, que

debería presentar el GaN debido a su alta energía de gap, normalmente las capas
tienen una conductividad tipo n alta, mayor de 1016 cm-3. Esta alta concentración
residual se debe, por tanto, a defectos en el cristal. Dentro de estos, se pueden
considerar dos clases, defectos intrínsecos y extrínsecos, o impurezas.
Estudios teóricos señalan a las vacantes (tanto de Galio como de Nitrógeno) y
al Nitrógeno intersticial como los defectos puntuales intrínsecos más probables en el
GaN, debido a su menor energía de formación frente a la colocación de Galio en
posición substitucional del Nitrógeno, el Nitrógeno en posición substitucional del Galio
y el Galio intersticial [Neug94], [Bogus95]. El resultado es debido a la diferencia de
radio covalente entre el Galio y el Nitrógeno (rGa=1.26 Å frente a rN=0.75 Å) [Neug94],
esto hace que la colocación de átomos de Galio en posición intersticial requiera una
gran distorsión de la red, no así para el caso de Nitrógeno, al ser más pequeño. Por el
mismo motivo, la colocación de Nitrógeno en posición de Galio o del Galio en posición
de Nitrógeno conlleva una alta distorsión en la red y, por tanto, una alta energía de
formación del defecto.
La figura 4.5 muestra la energía de formación, calculada por Neugebauer et al.
[Neug94] de los diferentes defectos en función de la energía de Fermi en el material,
tomándose como origen el borde superior de la banda de valencia. Los cálculos están
realizados para la estructura zinc-blenda, si bien, su extensión a la estructura wurtzita
conduce a resultados similares [Matt97],[Neug94].
Los cálculos realizados por Neugebauer establecen que la vacante de
Nitrógeno formaría un estado cercano al borde de la banda de conducción, actuando
como un donante simple. El cambio en la pendiente en una de las líneas de la figura
4.5 indica un cambio en el estado del defecto, de modo que la vacante de Nitrógeno
puede pasar a ser un donante triple (donaría tres electrones a la banda de conducción)
cuando el nivel de Fermi está cerca de la banda de valencia, es decir, en material tipo
p. Lo contrario ocurre con la vacante de Galio, que actúa como un aceptor triple que
puede pasar a ser simple en material tipo p. Ambos efectos actúan en contra del
dopaje intencionado, es decir, cuanto más se dope el material tipo p, más probable es
que se formen vacantes de Nitrógeno, que actúan como donante, compensándose el
material. Para el caso de material tipo n, serían las vacantes de Galio las que harían
de impurezas compensadoras, actuando como aceptores. Aunque en un principio se
pensó que el origen del residual tipo n era la vacante de Nitrógeno [Jenk92], esta
74
____________________________________________________________________________
hipótesis se ha descartado, debido a su alta energía de formación cuando el nivel de

Fermi se aproxima a la banda de conducción [Neug94] [Matt97] y el elevado valor del
residual obtenido en algunos casos, superior a 1018 cm-3.
Energía de Formación (eV)
Energía de Fermi (eV)
Figura 4.5. Energía de formación de defectos intrínsecos en el GaN en función de la posición

del nivel de Fermi [Neug94]. El origen de energía para el nivel de Fermi se ha tomado en el
borde de la banda de valencia
Por otro lado, como se puede observar en la figura 4.5, las energías de
formación de los defectos tipo antisitio e intersticiales de Galio resultan muy altas
como para que la probabilidad de formación sea apreciable, en contra de lo que ocurre
con otros compuestos III-V, como el GaAs. La baja energía de formación de las
vacantes tiene su origen en que pueden estar cargadas, lo que contribuye a estabilizar
el defecto. La figura 4.6 muestra los niveles donantes y aceptores a los que dan lugar
los distintos defectos [Neug94], [Jenk92].
75
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
BC
BV
VGa VN NI VGa VN
(a) (b)
Figura 4.6. Representación esquemática de la posición de los niveles correspondientes a

defectos tipo vacante y Nitrógeno intersticial, según Jenkins (a) [Jenk92] y Neugebauer (b)
[Neug94]. Cada defecto está representado en estado neutro. Los círculos negros indican un
estado lleno con un electrón, los vacíos indican un hueco.
Tras un estudio sistemático de la concentración residual en capas crecidas

empleando diferentes técnicas, aparecen como principales responsables de la
concentración residual las impurezas, como el Si y el O [Pear99]. Estas impurezas
poseen una energía de incorporación en la red teóricamente baja, y ambas actúan
como donantes en el GaN, con una alta solubilidad, limitada sólo por la formación de
Si3N4 y Ga2O3 [Walle98]. La primera de ellas posee una energía de ionización de en
torno a 29 meV, mientras que para el segundo dicha energía es de 35 meV [Mone02].
La figura 4.6 muestra las energías de formación de ambos tipos de donante en función
de la posición del nivel de Fermi. El Silicio puede provenir de la descomposición de
partes de cuarzo de la cámara durante el crecimiento, en el caso del MOCVD y HVPE.
El Oxígeno es una impureza que aparece en las capas de GaN con independencia de
la técnica de crecimiento empleada, su presencia se debe a la descomposición del
vapor de agua residual de la cámara, además de ser una impureza en los precursores
del Nitrógeno (NH3, N2). Concentraciones superiores a 1018 cm-3 de ambos elementos
han sido medidas en muestras crecidas por HVPE, MOCVD, GSMBE y PAMBE
[Grand99], [Pear99], [Mone02], [Neu03].
76
____________________________________________________________________________
Energía de Formación (eV)
Figura 4.7. Energía de formación de las impurezas que podrían ser responsables del residual
tipo n en el GaN [Walle98] junto con la de formación de la vacante de Galio.
4.3.1. Crecimiento de GaN sobre Si(111).
El crecimiento de GaN sobre Si(111) fue desarrollado en este mismo sistema

de crecimiento por el doctor M.A. Sánchez-García utilizando substratos de Si(111) on-
axis ±0.5, con resistividades mayores de 100 Ω∙cm [SanG00]. Tras un estudio
comparativo entre capas de GaN crecido directamente sobre el substrato y utilizando
capas buffer de AlN crecido a alta temperatura [SanG98], Sánchez-García et al. llegan
a la conclusión de que los mejores resultados se obtienen con la capa buffer de AlN
crecida a alta temperatura.
El método de crecimiento sobre Si(111) desarrollado por Sánchez-García et al.
tiene los siguientes pasos:
-Limpieza con el método Shiraki modificado RGA del substrato de Si(111)
previo a la introducción en la cámara de crecimiento [SanG00].
-Desgasificación previa del substrato en la cámara de introducción a 350ºC
durante una hora para eliminar restos de agua.
-Desgasificación del substrato en la cámara de crecimiento a 850ºC durante
30’, obteniendo una reconstrucción 1x1 del silicio clara en el patrón del RHEED.
77
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
- Al reducir la temperatura tras la desgasificación se obtiene una reconstrucción

7x7 típica del Si(111) [Sch59], lo que indica que el substrato está preparado para el
crecimiento [Hellm98b], [Bour98].
-Antes del crecimiento de la capa buffer de AlN de alta temperatura se
depositan unas monocapas de Al, observándose la fase γ del Al en el patrón del
RHEED. Este hecho indica que le Aluminio se ha enlazado con el Si(111),
recubriéndolo y evitando que el Nitrógeno activo que llegue al iniciar el crecimiento
forme Si3N4, que es amorfo. El tiempo de deposición (y, por tanto el espesor) del
recubrimiento de Al influye en las características de la capa buffer, siendo el tiempo
establecido como óptimo de 30”, lo que equivale a 30 Å de crecimiento para un BEP
de Al de 3.5x10–7 Torr, y una temperatura de substrato de 800ºC [SanG00], [Call98].
-A continuación, sobre la capa de Aluminio, se crece la capa buffer de AlN
hasta que se obtiene una reconstrucción 2x2 en el RHEED. Esta reconstrucción es
indicativa de una buena superficie para el crecimiento de GaN. Suele aparecer en
torno a un espesor de unos 100 nm de AlN, cuando éste se crece en iguales
condiciones de flujo de Aluminio y temperatura de substrato que las utilizadas para la
deposición de la capa de Aluminio, y con un O.E.D. de 0.57 V [SanG00], [Call98].
Estas condiciones de crecimiento llevan también a las capas de AlN con menor
rugosidad superficial (7.6 nm de RMS), lo que repercute en el crecimiento posterior del
GaN [SanG97].
-Crecimiento de la capa de GaN. La obtención de las condiciones óptimas de
crecimiento se realiza cambiando la presión equivalente de Galio para una cantidad de
Nitrógeno activo (O.E.D.) y una temperatura de substrato fijas. La figura 4.8 muestra el
resultado de dicha calibración, realizada por Sánchez-García et al. [SanG98].
La curva de variación de velocidad de crecimiento para una temperatura y
Nitrógeno activo fijos y variando el BEP de Galio presenta dos regiones distintas. En la
primera, la velocidad de crecimiento aumenta con la cantidad de Galio incidente
durante el crecimiento. En la segunda, se produce una saturación de la velocidad de
crecimiento, que permanece constante aunque se aumente el BEP de Galio. Este
comportamiento se debe a que en la primera de las regiones se crece con exceso de
Nitrógeno, en este caso, un aumento en el BEP de Galio lleva a que se incorpore más
a la capa, aumentando la velocidad de crecimiento. En la segunda región, se tiene
más Galio que Nitrógeno, por lo que un aumento en el BEP no lleva a un incremento
en la velocidad de crecimiento, sino a la formación de gotas de Galio en la superficie.
78
____________________________________________________________________________
0.60
0.55
Velocidad de Crecimiento (µm/h)

0.50
0.45
0.40
Tsubs = 660ºC
Tsubs = 720ºC
0.35 Tsubs = 770ºC
OED signal = 0.57V
0.30
0.25
0.20
-7 -6 -6 -6 -6 -6
5.0x10 1.0x10 1.5x10 2.0x10 2.5x10 3.0x10
B.E.P. de Ga (Torr)
Figura 4.8. Resultados de la optimización de la capa buffer de GaN sobre Si(111)

[SanG98]
La estequiometría se define entonces como el punto en el que la cantidad de

elemento III y de elemento V que llega a la muestra es el mismo, teniendo en cuenta la
reevaporación que se produce debido a la temperatura del substrato. En este punto se
produce la saturación de la velocidad de crecimiento. Las mejores capas en términos
de compacidad se obtienen, tanto para AlN como para GaN, creciendo en condiciones
ligeramente ricas en metal, lo que se denomina ligeramente por encima de
estequiometría. Un defecto de elemento III da lugar a superficies rugosas e incluso a
crecimiento columnar, mientras que según se va aumentando la cantidad de metal que
llega a la capa se obtienen capas más compactas, hasta llegar al punto en el que se
forman gotas metálicas en la superficie con el Galio sobrante. Por tanto, existen dos
modos de crecimiento, teniendo en cuenta su velocidad, uno limitado por Galio (o rico
en Nitrógeno), en el que existe defecto de Galio y en el que un aumento en el flujo de
Galio lleva a un aumento de la velocidad de crecimiento. Y el segundo limitado por
Nitrógeno (o rico en Galio), en el que hay exceso de Galio. En este régimen, un
aumento en el flujo de Galio lleva a la formación de gotas de este en la superficie sin
aumento en la velocidad de crecimiento (figura 4.8).
La figura 4.9 recoge el espectro de fotoluminiscencia de una muestra no
intencionadamente dopada crecida sobre Si(111), siguiendo el método descrito
anteriormente y con una temperatura de substrato de 750ºC, un O.E.D. de 0.57 V y un
flujo de Galio de 2.0E-6 Torr. La emisión predominante se asocia a una recombinación
79
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
excitónica ligada a donante residual, dado que a baja temperatura predominan éstas
sobre las recombinaciones de excitones libres.
0,018
0,016 8 8K K 3.462 eV
Intensidad de PL (u. a.)
0,014 He-Cd
He-Cd
PPexc=1=mW
1 wM
exc
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6
Energía (eV)
Figura 4.9. Espectro de fotoluminiscencia de baja temperatura de una muestra crecida sobre
Si(111).
Dado que el principal objetivo de la presente Tesis es el crecimiento de InGaN

sobre zafiro y GaN templates, no se han desarrollado otros métodos de crecimiento
sobre Si(111) que el utilizado por el doctor M.A. Sánchez-García. Este será empleado
para el estudio del dopaje del GaN con Mg crecido sobre Si(111) (epígrafe 4.4.3)
4.3.2. Crecimiento de GaN sobre Al2O3.
Los substratos de zafiro utilizados son de una pulgada, orientados en la

dirección (0001), es decir, se crece sobre el plano c del zafiro. Antes de su utilización,
se metalizan con 25.000 Å de Ti por su parte posterior, para facilitar un calentamiento
homogéneo de la oblea y la lectura de la temperatura de crecimiento con el pirómetro.
Tras la limpieza con orgánicos del zafiro, previa a la carga en el MBE (Apéndice), este
se desgasifica en la cámara de introducción a 350º C durante una hora para eliminar
los restos de agua fuera de la cámara de crecimiento. Una vez transferido a esta
última, se desgasifica a 850º C durante 30 minutos, quedando preparado para
comenzar el crecimiento. La secuencia de crecimiento sobre zafiro tiene tres partes
fundamentales: nitridación, capa buffer y capa de GaN.
80
____________________________________________________________________________
Ya que lo que interesa es conocer el efecto de la nitridación y de la capa buffer

sobre la capa de GaN final, el proceso seguido para la optimización de las capas sobre
zafiro fue el siguiente:
Como punto de partida, se escogió un proceso de nitridación “estándar” sobre
el que crecer las capas buffer y la capa posterior de GaN de alta temperatura (GaN-
HT). Las razones para escoger esta nitridación serán explicadas más adelante. Fijadas
unas condiciones de crecimiento para la capa de GaN-HT, se estudiaron dos tipos de
capa buffer, una de GaN (GaN LT) y otra de AlN (AlN HT) crecidas a baja y a alta
temperatura, respectivamente. De la caracterización de las capas de GaN-HT crecidas
sobre ambos tipos de capas buffer se seleccionó la mejor para una primera
optimización. A continuación, se estudió el efecto de la nitridación sobre la estructura
buffer+capa de GaN-HT. Por último, una vez aseguradas la nitridación y capa buffer
adecuadas se optimizó de nuevo el crecimiento de GaN-HT. La figura 4.10 muestra
esquemáticamente el proceso seguido para la optimización del crecimiento sobre
zafiro, con los pasos descritos anteriormente.
Capa buffer de GaN LT

+
Capa de GaN-HT
Selección
Nitridación Optimización Optimización
de la capa
inicial capa GaN-HT de la nitridación
buffer
Capa buffer de AlN HT

+
Capa de GaN-HT
Figura 4.10. Diagrama de flujos que muestra esquemáticamente los pasos seguidos en esta
memoria para la optimización del crecimiento de GaN sobre zafiro.
Nitridación
Se denomina nitridación del zafiro a la exposición del mismo a un flujo de

Nitrógeno activo (N o NH3). Este proceso se realiza previamente al crecimiento, y
produce unas monocapas de AlN en la superficie del zafiro [Mous92], observables
mediante RHEED por la aparición del patrón de difracción del AlN superpuesto al del
zafiro. En este punto, cabe aclarar, que el objetivo de la nitridación no es producir una
81
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
capa buffer de AlN, sino variar la energía de la superficie del zafiro para mejorar la
deposición posterior del buffer [Liu02].
La nitridación tiene tres parámetros importantes: la duración del proceso, la
temperatura del substrato durante el mismo y la cantidad de Nitrógeno activo
empleado. En el presente estudio, la tercera variable ha sido fijada utilizando la misma
cantidad de Nitrógeno activo que la empleada para el crecimiento posterior del GaN.
Respecto a la temperatura del proceso, temperaturas excesivamente altas (1020º C),
pueden dar lugar a la formación de una capa amorfa de AlNxO1-x para tiempos de
nitridación superiores a 5 minutos [Kum97] [Uchi96]. Estudios realizados por Paek et
al. muestran que la temperatura de nitridación estaría relacionada con un espesor
límite para la misma. Superado este espesor límite, que aumenta al disminuir la
temperatura, se produce una relajación de la capa nitridada, con un aumento de la
mosaicidad de la misma [Paek99]. Creciendo por MBE, se puede realizar, por tanto, de
dos modos, o a altas temperaturas (800-850ºC) y cortos tiempos (menos de 30’)
[Mous92], [Grand96], [Balak98]; o a bajas temperaturas (200-400ºC) y tiempos
mayores (más de 60’) [Widm99] [Nam00] [Liu02]. Ambos métodos llevan a la
obtención de una buena superficie para el inicio del crecimiento. En cualquier caso, el
espesor de la capa generada durante la nitridación ha de ser suficiente como para
acomodar la superficie del zafiro para el crecimiento posterior de la capa buffer,
Hashimoto et al. estiman este espesor del orden de 0.6 nm [Hasi99].
Teniendo en cuenta lo anterior, el tiempo y temperatura de nitridación en
nuestro caso se estableció en función de la aparición en el RHEED del patrón de
difracción del AlN superpuesto al del zafiro, fijando la temperatura del substrato en
800ºC. A esta temperatura y a partir del minuto 20 de exposición del substrato al
Nitrógeno activo, se observa la aparición de dicho patrón en el RHEED, por lo que se
tomaron estas condiciones como punto de partida para el crecimiento sobre zafiro.
Este método es el más seguro, eficiente y corto, ya que el empleo de menores
temperaturas de substrato (200-400ºC) requiere tiempos mayores (más de una hora)
para la obtención de resultados similares [Liu02], lo que no tiene significado práctico
para el estudio del crecimiento de capas gruesas de GaN HT, objeto de esta memoria.
Capa buffer
Normalmente, las capas buffer más utilizadas en la literatura son las de GaN
crecido a baja temperatura [Kim99] (MOCVD), [Kimu00] (MBE) y las de AlN crecido a
alta temperatura [Akas89] (MOCVD), [Mous01] (MBE). También se han empleado
capas finas de InN [Kach98] (MOCVD) y múltiples capas buffer de AlN crecido a alta
82
____________________________________________________________________________
temperatura [Kiku00] (MBE) o de GaN a baja temperatura [Uchi98] (MOCVD) en un

intento por disminuir la densidad de dislocaciones. Creciendo por MBE, la temperatura
de substrato para las capas buffer de GaN suele ser de unos 500º C, mientras que
para el AlN se suelen emplear temperaturas de entre 750 y 800º C, ya que
temperaturas inferiores de crecimiento para esta última reducen su calidad [Kirch99].
En el presente trabajo se han estudiado dos tipos de capa buffer, una de GaN
crecida a baja temperatura (500º C) y otra de AlN de alta temperatura (800º C), similar
a la utilizada sobre Si(111).
Capa buffer de GaN de baja temperatura.
Para crecer la capa buffer de GaN de baja temperatura se comenzó utilizando

la misma presión equivalente de Galio utilizada para la capa posterior de GaN-HT, de
3.0 E-6 Torr, y tiempos de crecimiento de 15’ (∼80 nm), a una temperatura de
substrato de 500ºC y con un O.E.D. de 0.4 V. Durante el crecimiento de la capa buffer
el patrón del RHEED pasa por distintas fases. Primeramente, tras abrir el obturador del
Galio después de la nitridación desaparece el patrón que existía de AlN, sin mostrarse
patrón alguno. Tras un tiempo de entre 40” y 1’30” reaparece el patrón del GaN
“spotty”, que va evolucionando hacia un patrón streaky a partir del minuto 10. Es de
destacar que espesores de capa buffer inferiores a los 80 nm (15’) conducen a la
aparición de desorientación en el patrón de RHEED (patrones superpuestos de
regiones de la muestra con distinta orientación) al aumentar la temperatura para el
crecimiento posterior del GaN de alta temperatura, desorientación que se conserva
hasta el final del crecimiento. La figura 4.11 muestra la imagen de SEM de la superficie
de tres capas de GaN, de 600 nm de espesor, crecidas sobre un buffer de 80 nm. En
las muestras se ha variado la temperatura de crecimiento de la capa de GaN de alta
temperatura entre 700º C y 750º C, manteniendo fija la presión equivalente de Galio en
3.0E-6 Torr y un O.E.D. de 0.4 V. Durante el crecimiento de la capa de GaN de alta
temperatura el patrón de RHEED permanece streaky si la temperatura de substrato es
de 700º C, cambiando hacia un patrón streaky entrecortado para temperaturas
superiores a esta.
83
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
700 ºC 725 ºC
10 µm
750 ºC
Figura 4.11. Imagen de SEM de tres muestras crecidas sobre zafiro empleando una
capa buffer de 80 nm de GaN de baja temperatura crecidas a distintas temperaturas.
La superficie de las muestras evoluciona desde la aparición de gotas de Galio

creciendo a 700º C, con una rugosidad superficial (RMS) entre gotas medida por AFM
de 7.5 nm, a la aparición de una rugosidad superficial importante, de 16.7 nm cuando
se crece a 750º C. Esta evolución se asocia al cambio en la estequiometría durante el
crecimiento, desde rica en Galio hasta rica en Nitrógeno, respectivamente. Sin
embargo, en este caso, no existe una transición suave entre las dos morfologías, lo
que se puede deber a que la capa buffer no está optimizada. En este sentido, el uso
de relaciones III/V distintas en la capa buffer no lleva a mejores resultados de los que
se obtienen cuando se emplea un buffer de AlN de alta temperatura, como se presenta
a continuación.
Capa buffer de AlN de alta temperatura.
Para crecer la capa buffer de AlN, se partió de las condiciones empleadas para
el crecimiento sobre Si(111), con una presión equivalente de Aluminio de 3.5 E-7 Torr,
un O.E.D. de 0.4 V y una temperatura de substrato de 800º C. El espesor de las capas
84
____________________________________________________________________________
buffer estudiadas es de unos 100 nm, lo que equivale a tiempos de crecimiento de

20’. De modo similar a como ocurría para la capa buffer de GaN de baja temperatura,
la apertura del obturador de la célula de Aluminio produce la desaparición del patrón
de RHEED del AlN generado durante la nitridación. A los 30” de crecimiento reaparece
el patrón del AlN segmentado difuso, mejorando a medida que se crece la capa, sin
llegar a ser streaky, tras los 20’ de crecimiento.
Sobre esta capa buffer se crecieron capas de GaN fijando la presión
equivalente de Galio en 2.2 E-6 Torr, el O.E.D. en 0.4 V, y variando la temperatura de
crecimiento entre 675ºC y 715ºC. En este caso el RHEED es streaky durante el
crecimiento, sin reconstrucción al enfriar, para todo el rango de temperaturas de
substrato estudiadas.
Como ocurría utilizando capas buffer de GaN, la rugosidad superficial de las
capas disminuye al bajar la temperatura de crecimiento, desde 6.2 nm de RMS para
715 ºC hasta 4.6 nm para 675 ºC, si bien esta medida está hecha entre gotas de Galio,
que aparecen con temperaturas de crecimiento menores de 700º C, coincidiendo con
lo observado al crecer sobre capas buffer de GaN.
Dado que la aparición del patrón de difracción (1x1) del AlN se produce a los
30” de capa buffer y se mantiene durante el tiempo restante, se realizó un estudio del
efecto del espesor de dicha capa sobre la de GaN de alta temperatura posterior. Para
ello, se crecieron dos muestras con iguales condiciones de crecimiento de GaN-HT
pero una sobre una capa buffer de AlN de 100 nm y otra sobre un buffer de AlN de
menor espesor, unos 10 nm. La capa de GaN de alta temperatura se creció a 700ºC,
con un O.E.D. de 0.4 V y un BEP de Galio de 2.2E-6 Torr. Para ambas capas buffer se
emplearon las condiciones de crecimiento descritas en el párrafo anterior. El resultado
del estudio es que el uso de capas buffer de AlN de bajo espesor lleva a una
rugosidad superficial menor, de 4.3 nm, coincidiendo con los estudios de otros autores
[Ebel99], [Amim01].
En general, las muestras crecidas con capa buffer de GaN de baja temperatura
muestran una rugosidad superficial mayor que la obtenida con capa buffer de AlN de
alta temperatura (entre 7.5-17 nm frente a 4.3-10.3 nm de RMS medido por AFM,
respectivamente). La figura 4.12 muestra, como ejemplo, una comparación entre
capas de GaN crecidas sobre una capa buffer de AlN, de 10 nm de espesor y otra de
GaN de baja temperatura, de unos 80 nm, crecidas con flujos de Al de 3.5 E- 7 Torr, y
Ga de 1.5E-6 Torr en la capa buffer, respectivamente. Las condiciones de capa de
GaN de alta temperatura son similares, con una temperatura de substrato de 700 ºC,
un BEP de Galio de 2.2 E-6 Torr y un O.E.D. de 0.4 V.
85
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
a)
b)
Figura 4.12. Efecto del buffer sobre la rugosidad superficial de la capa de GaN. (a) buffer de
GaN; (b) buffer de AlN.
Otro aspecto estudiado en función de la capa buffer es la generación de

dislocaciones y su propagación a la capa. La intercara entre el buffer y la capa de GaN
de alta temperatura es más abrupta en el caso del buffer de AlN que en el de GaN,
como muestra la imagen de XTEM de la figura 4.13 [SanG99]. Este último presenta
defectos planares que no se propagan a la capa de GaN de alta temperatura y actúan
como filtros de dislocaciones ascendentes, pero aumentan la rugosidad de la intercara
buffer /GaN. De este modo, medidas de PVTEM muestran que el número de
dislocaciones ascendentes en las capas de GaN crecidas sobre ambos tipos de capas
buffer es el mismo, del orden de 3x109 cm2.
El grado de deformación en la capas de GaN de alta temperatura fue medido
en función de la capa buffer, mediante la estimación del parámetro c de la capa de
GaN HT a partir de la medida de Rayos X. Los resultados muestran que las capas
crecidas sobre capa buffer de GaN de baja temperatura tienen un grado de
deformación compresiva menor (εzz ∼10-4 ) que las crecidas empleando una capa
buffer de AlN de alta temperatura (εzz ∼10-3 ), como ha sido observado en la literatura
[Amim01]. Esto es debido a que el desacoplo entre la capa buffer y el GaN de alta
temperatura es distinto en cada caso, por lo que una misma densidad de dislocaciones
lleva a un estado de relajación distinto.
86
____________________________________________________________________________
a) b)
200
200 nm
nm 200
GaN 200 nm
nm
GaN
GaN
GaN
AlN
AlN
GaN
GaN(Baja
(BajaT)
T)
Al
Al22O
O33
Al
Al22O
O33
Figura 4.13. Imagen XTEM de una capa de GaN crecida sobre una capa buffer de AlN de alta
temperatura (a) y de GaN de baja temperatura (b).
La concentración de portadores residual en las capas fue estimada realizando

medidas de efecto Hall, empleando contactos de Ti/Al en geometría de Van del Pauw
(ver Apéndice). La concentración residual de portadores en las capas de GaN HT es
de 1-3x 1017 cm-3, independientemente de la capa buffer empleada.
Teniendo en cuenta las medidas estructurales, que muestran una intercara más
abrupta entre el buffer de AlN y la capa de GaN; y las morfológicas, (menor rugosidad
en capas de GaN crecidas sobre buffer de AlN), se tomó dicha capa buffer como la
apropiada para la realización de estudios de optimización de la nitridación y de la capa
de GaN.
Optimización de la nitridación.
Para estudiar el efecto del tiempo de nitridación en la capa se fijó la cantidad de

Nitrógeno activo durante el proceso con un O.E.D. de 0.4 V, una temperatura de
substrato 800ºC y se varió el tiempo de duración del proceso entre 20 y 80 minutos.
Sobre cada substrato de zafiro nitridado se creció una capa buffer de AlN de 10 nm de
espesor crecida a 800º C, con una capa de GaN posterior de 0.5 µm, crecida con un
O.E.D. de 0.4 V, un flujo de Galio de 2.2 E-6 Torr y una temperatura de substrato de
700º C. La figura 4.14 muestra el efecto del tiempo de nitridación sobre la capa de
GaN en términos de rugosidad superficial de la capa (RMS) medida por AFM.
87
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
10 Área: 10 x 10 µm
RMS (nm) 8
20 30 40 50 60 70 80
Tiempo de nitridación (minutos)
Figura 4.14. Efecto del tiempo de nitridación sobre la rugosidad superficial de la capa de GaN.
Los mejores resultados se obtienen para 20 minutos de duración del proceso,

es decir, al poco tiempo de aparecer el patrón de difracción correspondiente al AlN en
el RHEED. Este resultado coincide con el obtenido por Uchida et al. y Kum et al. que
observan una degradación de la capa para largos tiempos de nitridación [Uchi96]
[Kum97]. Al mismo tiempo, la calidad óptica las capas de GaN HT se degrada para
tiempos de nitridación superiores a los 20’, coincidiendo con lo observado por
Grandjean et al. [Grand96].
Capa de GaN de alta temperatura.
Para optimizar las condiciones de crecimiento del GaN sobre zafiro se utilizó
una capa buffer de AlN de alta temperatura de 10 nm de espesor. Después del cambio
en la fuente de Nitrógeno activo, de una Oxford CARS25 a una Oxford HD25, las
condiciones de crecimiento empleadas hasta ahora se recuperan empleando una
temperatura de crecimiento de 720ºC, y un O.E.D. de 0.51 V. A continuación, se creció
una serie de capas variando el BEP de Galio de la capa de GaN, manteniendo el resto
de las condiciones de crecimiento fijas. La presión equivalente de Galio, se varió entre
2.0 E-6 Torr y 2.7E-6 Torr. Todas las muestras fueron caracterizadas óptica y
estructuralmente, mediante medidas de fotoluminiscencia y SEM.
En los espectros de PL de baja temperatura (9 K, ver figura 4.18), las capas
muestran una emisión excitónica ligada al donante residual, que suele aparecer entre
88
____________________________________________________________________________
3.481 eV y 3.476 eV. Esta energía es mayor que las obtenidas en muestras crecidas
sobre Si(111), de 3.462 eV, ya que el sentido de la deformación residual es opuesto
(comprimidas frente a tensionadas, respectivamente). El estado de compresión en las
capas sobre zafiro se confirmó en nuestro caso midiendo el parámetro c de las capas
mediante difracción de Rayos X. Además de la recombinación dominante, se observa
una emisión cercana a 3.27 eV de poca intensidad y que se ha relacionado
generalmente con la existencia de carbono en la capa. Por último, destacar que
ninguna de las muestras posee banda amarilla, de gran importancia en nuestro caso,
en el que las capas de GaN se utilizarán como base para el crecimiento de InGaN,
pudiéndose enmascarar alguna emisión proveniente del mismo con dicha banda.
Del estudio de la anchura a media altura y de la intensidad de la emisión
dominante se deduce que las mejores propiedades se obtienen utilizando la presión
equivalente de Galio menor, de 2.0 E-6 Torr, como muestra la figura 4.15.
20
15

FHWM (meV)
15
10
10 5
5 0
1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8
-6
Φ (x 10 Torr)
Ga
Figura 4.15. Anchura a media altura e intensidad de la emisión ligada al borde de banda en
función de la presión equivalente de Galio empleada durante el crecimiento.
El segundo aspecto importante para el crecimiento del ternario InGaN sobre

estas muestras será la calidad superficial del GaN. La figura 4.16 muestra la superficie
de la capa de GaN crecida utilizando un BEP de Galio de 2.0 E-6 Torr, con el resto de
las condiciones anteriormente presentadas. Como se puede observar, la calidad es
aún insuficiente como para el crecimiento de capas gruesas de InGaN.
89
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
1 µm
Figura 4.16. Imagen de SEM de una capa de GaN crecida a 720º C sobre una capa buffer de
AlN de 10 nm de espesor.
Para obtener capas con calidad superficial mayor, se realizó un estudio

creciendo una serie de muestras en las que se varió la temperatura de crecimiento de
la capa entre 685º C y 750º C, fijando la presión equivalente de Galio en 2.0E-6 Torr y
el Nitrógeno activo, con un OED de 0.51 V. Los mejores resultados se obtuvieron para
temperaturas de crecimiento de 700º C. La figura 4.17 muestra la superficie de una
muestra crecida a 700º C, en la que se observa una calidad superficial alta. Al mismo
tiempo, y como cabe esperar por efecto de la evaporación de Galio al aumentar la
temperatura, con el resto de los parámetros fijos, la velocidad de crecimiento
disminuye desde 0.8 µm/ h para la muestra crecida a 685º C hasta 0.5 µm/ h para la
muestra crecida a 750º C, demostrando lo crítico del control de la temperatura en el
crecimiento de nitruros.
1 µm
Figura 4.17. Imagen SEM de una muestra crecida a 700º C sobre capa buffer de AlN
de 10 nm de espesor.
90
____________________________________________________________________________
La alta calidad superficial coincide además con una buena calidad óptica. La
figura 4.18 muestra el espectro de fotoluminiscencia de la capa de GaN crecida en las
condiciones optimizadas descritas anteriormente, de 700ºC de temperatura de
substrato, sobre una capa buffer de AlN.
0.020
0.020
1 mW
3.471 eV
8K
0.015
0.015 3.474 eV
0.010
0.010
0.005
0.000
0.005 3.46 3.47 3.48 3.49
0.000
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
Energía (eV)
Figura 4.18. Espectro de fotoluminiscencia de una muestra crecida sobre zafiro con las
condiciones de crecimiento optimizadas descritas en el texto.
El espectro de fotoluminiscencia se caracteriza por dos emisiones cercanas al

borde de banda, centradas en 3.476 eV y 3.471 eV, con anchuras a media altura de
3.8 meV y 6.6 meV, respectivamente. Estas emisiones se asignan a recombinaciones
excitónicas ligadas a donantes neutros, teniendo en cuenta la posición esperada del
FXA, de ~3.485 eV debido a la deformación residual de la capa, de εzz~5 E-4, obtenido
mediante Rayos X [Shik97]. Estos valores son mejores que los de las muestras
recogidas en la figura 4.15, manteniendo una intensidad similar a la mejor de ellas.
Además, se puede observar una banda en torno a 3.4 eV, de menor intensidad
y asignada a defectos estructurales cerca de la interfase con el AlN [SanG98b], y por
último, se puede comprobar la ausencia de la banda amarilla en las muestras.
91
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
4.3.3. Crecimiento de GaN sobre GaN-templates.
El crecimiento sobre templates es de gran importancia para el objetivo de la

Tesis, ya que, creciendo por MBE, sobre este substrato se suelen obtener los
dispositivos de mejores características [Lauk01] [Dalm01]. Si bien, como se verá más
adelante, la calidad de la capa crecida dependerá mucho de la del template empleado.
La ventaja que ofrecen los templates de GaN para el crecimiento de nitruros es
la eliminación del desacoplo de red, dando lugar a una cuasi-homoepitaxia. Ahora
bien, ya que los GaN-templates son capas de GaN crecidas mediante MOCVD sobre
zafiro, tienen una deformación residual, además de una densidad de dislocaciones que
se propaga a la capa crecida por MBE, haciendo que el crecimiento no sea una
homoepitaxia pura [Tars97].
4.3.3.1. Caracterización de los Templates de partida.
Los templates utilizados en el presente trabajo han sido crecidos por MOCVD
en substratos de zafiro en orientación (0001). Su espesor varía entre 2 y 4 µm,
teniendo dos orígenes, el CRHEA (CNRS) de Valbonne, Francia (B. Beaumont y D.
Schenk) y la empresa AIXTRON. Estos substratos fueron suministrados dentro del
proyecto ESPRIT AGETHA, en el marco del cual se desarrolló parte de esta Tesis
[AGE99].
Para su utilización, los templates son recubiertos con 25.000 Å de Titanio por la
parte posterior y cortados en trozos de 1.8 x 1.8 cm. Previamente al crecimiento se
limpian con orgánicos de manera estándar (Apéndice).
La caracterización previa de los templates empieza con una inspección con
microscopio óptico Nomarski, para determinar si tienen gotas en la superficie o zonas
macroscópicas de defectos. A continuación, son analizados mediante difracción de
Rayos X, para conocer su calidad cristalina; SEM para tener una estimación más
precisa sobre su espesor y la calidad superficial; Hall para obtener su concentración
de portadores residual; AFM, para conocer su rugosidad superficial y PL para estimar
su calidad óptica. Todas estas técnicas de caracterización se aplican, en general, para
los substratos que serán utilizados para experimentos en que sean críticas sus
propiedades (crecimiento de pozos cuánticos), siendo de aplicación general a todos
ellos la PL, el SEM y los Rayos X.
El análisis de Rayos X arroja resultados similares en la mayoría de los casos,
con deformaciones residuales, εzz, de 7.5±2.5 E-4, y anchura a media altura de la
rocking curve en torno a la reflexión (0002) del GaN de 5.3 ± 0.6 arcmin. La rugosidad
92
____________________________________________________________________________
superficial (RMS), obtenida mediante AFM, es de 1.4±0.5 nm. La concentración

residual de portadores, en ocasiones dada en las especificaciones del template o
medida en nuestro laboratorio mediante efecto Hall, resulta del orden de 1017 cm-3, con
movilidad de portadores a temperatura ambiente superior a 300 cm2/V∙s.
El aspecto general de la superficie de los substratos se puede observar en la
imagen de SEM de la figura 4.19.
2 µm
Figura 4.19. Imagen de SEM de la superficie de un template de GaN empleado como

pseudosubstrato en este trabajo.
Los espectros de fotoluminiscencia de los templates muestran también su

buena calidad óptica, con emisiones provenientes de recombinaciones excitónicas,
como muestra la figura 4.20, para un template típico.
0,7
0
P=1 mW D X 3.481 eV
0,6
325 nm (He-Cd) FWHM=2 meV

0,5 9K
0,4
0,3
3.488 eV
0,2 FWHM=4 meV
FXA
0,1
3.475 eV
3.494 eV
0,0
3,44 3,46 3,48 3,50
Energía (eV)
Figura 4.20 Espectro de PL representativo de los templates utilizados.
Se observan varias emisiones, cuya asignación en la figura 4.20 ha sido

realizada teniendo en cuenta la deformación residual de la capa εzz~9 E-4. Así mismo,
93
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
los templates también muestran la emisión denominada “banda amarilla”, centrada en

2.2 eV, típica de las muestras crecidas por MOCVD.
La caracterización anterior lleva a concluir que los templates son apropiados
para el crecimiento de estructuras complejas sobre ellos, como lo son los pozos
cuánticos y las estructuras de diodos con pozos cuánticos como capa activa.
4.3.3.2. Crecimiento de GaN no dopado sobre GaN-template
El procedimiento estándar para buscar la estequiometría del crecimiento sobre

template, es el mismo que sobre Si(111) y zafiro. Manteniendo fija la presión
equivalente de Galio, se crece una serie de muestras variando la temperatura de
substrato, obteniéndose muestras crecidas por debajo, cerca, y por encima de la
estequiometría (figuras 4.8 y 4.11). Este cambio se observa al disminuir la temperatura
de substrato y con ésta, la velocidad de evaporación del Galio. La figura 4.21 muestra
una comparación de tres muestras crecidas en las condiciones anteriores, con una
presión equivalente de Galio fija en 2.0 E-6 Torr, un OED de 0.55 V y una temperatura
de crecimiento que varía entre 680º C y 720 ºC.
a) 680ºC b) 700ºC
0.5 µm 1 µm
c) 720ºC
1 µm
Figura 4.21 Aspecto superficial del GaN crecido sobre GaN templates a distintas temperaturas
de crecimiento.
94
____________________________________________________________________________
Para una temperatura de substrato de 680ºC (figura 4.21a), se obtiene una

capa con gotas en la superficie, es decir, rica en Galio; a temperatura de crecimiento
ligeramente superior, 700ºC (figura 4.21b), la superficie es plana, lo que indica un
crecimiento en condiciones cercanas a la estequiometría. Un aumento de la
temperatura de substrato hasta 720ºC lleva a que la superficie sea rugosa, como
corresponde a un crecimiento rico en Nitrógeno (figura 4.21c).
Dado que el rehacer la figura 4.8 empleando como substratos los templates
requiere muchos crecimientos, después del experimento descrito en el párrafo
anterior, el crecimiento de GaN sobre template se ha optimizado haciendo uso del
patrón de difracción del RHEED. Así, una vez conseguidas unas condiciones de
partida cercanas a la estequiometría se creció una capa gruesa fijando la temperatura
durante el propio crecimiento mediante la caracterización in situ del mismo con el
RHEED. Cuando la capa se está creciendo en condiciones apropiadas, es decir, un
poco por encima de la estequiometría, se observa un patrón de RHEED 1 x 1 streaky.
En estas condiciones se puede observar, en unas ocasiones más claramente que en
otras, una reconstrucción 2 x 2 cuando se interrumpe el crecimiento, cerrando el
obturador de Galio pero manteniendo el del Nitrógeno abierto. El tiempo que tarda en
producirse dicha reconstrucción depende del recubrimiento inicial de Galio que
hubiese en el momento de cerrar el obturador, ya que el Nitrógeno que llegue a la
superficie reaccionará con el Galio que allí hubiera. Si aparece después de más de 30”
el recubrimiento de Galio es demasiado alto, y continuar creciendo en estas
condiciones llevará a la formación de gotas de Galio en la superficie. Por el contrario,
si tarda menos de 5” en aparecer la reconstrucción, o el RHEED se vuelve spotty es
que no había Galio en la superficie de la muestra. La temperatura del substrato se
ajusta entonces en función del resultado de la prueba anterior, subiéndola en caso de
que se puedan formar gotas o bajándola si la reconstrucción aparece demasiado
pronto. Este procedimiento ha sido utilizado anteriormente por otros grupos [Brand99].
La comprobación anterior se realiza al principio de cada capa, cuando se ha
crecido lo suficiente como para que se haya podido acumular Galio en la superficie.
Con este método se obtienen las mejores capas y de modo repetitivo, al depender las
condiciones finales del estado del sistema de crecimiento durante la propia epitaxia.
Así, se han conseguido rugosidades superficiales que mantienen la del substrato de
partida (desde 1.9 nm del template de partida hasta 2.3 nm en la capa crecida sobre el
template), demostrando un crecimiento 2D apropiado para el crecimiento de
heteroestructuras. La figura 4.22 muestra la imagen de la superficie de un template y
la superficie de la muestra tras 1.2 µm de crecimiento empleando con esta técnica.
95
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
a) b)
1 µm 1 µm
Figura 4.22. (a) GaN Template y (b) GaN MBE crecido sobre el template de la figura (a).
La figura 4.23 muestra los espectros de PL del template y la capa de GaN

crecida sobre él. En general, si el template tiene una calidad óptica baja (baja
intensidad y alto FWHM en las emisiones), la capa crecida sobre él mantiene la
intensidad y supera su calidad en términos de FHWM, por ejemplo, desde 21.6 meV
(template) hasta 9.6 meV (capa MBE) en la emisión centrada en 3.483 eV. Cuando la
calidad óptica del template es alta, la PL de la capa de MBE es menos intensa pero
conserva el valor del FWHM de las emisiones del template. Es decir, la calidad óptica
de la capa crecida por MBE es comparable a la del template e incluso puede reducirse
el FWHM de las emisiones.
GaN template GaN template

10
1 GaN MBE / GaN template GaN MBE / GaN template
Pexc= 1 mW Pe xc= 1 mW
9K 9K
1
0.1
0.01 0.1
1E-3
0.01
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4

3.46 3.48 3.50 3.52
Energía (eV)
Energía (eV)
Figura 4.23. PL de un substrato y de una capa crecida sobre él, junto con la región de alta
energía ampliada.
96
____________________________________________________________________________
La calidad superficial del template de partida es determinante dada la baja

capacidad del MBE para el crecimiento lateral, de modo que los defectos del substrato
se propagan a la superficie durante el crecimiento, como se observa en la figura 4.24,
en la que se puede comparar la superficie de una capa crecida sobre un substrato con
alta densidad de defectos superficiales con la del propio substrato.
a) b)
3 µm
Figura 4.24. Propagación de los defectos desde el substrato (a) a la capa (b).
La concentración residual de electrones de las capas crecidas sobre GaN

templates se obtuvo a través de la medida C-V (figura 4.25) de un contacto Schottky
de Ni/Au y un óhmico extendido de Ti/Al (ver Apéndice). Este procedimiento se utilizó
para evitar efectos de conducción paralela por el substrato. El residual obtenido por
este procedimiento en distintas capas oscila entre 7 x 1016 cm-3 y 3 x 1017 cm-3, en
buena concordancia con los residuales obtenidos en capas crecidas sobre zafiro.
21
5,5x10 300 K
1 kHz
21
5,0x10
1/C (F )
-2
21
4,5x10
2
21
4,0x10
16 -3
ND=7 x 10 cm
21
3,5x10
-3 -2 -1 0
Voltaje (V)
Figura 4.25. Resultado de la medida de Capacidad-Voltaje de una capa crecida sobre
template.
97
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
La técnica anteriormente descrita para el crecimiento de GaN sobre templates

permitió la optimización del crecimiento cuando se cambió la apertura de la fuente de
Nitrógeno HD25 utilizando la de la CARS25. Esto conduce a que se hayan conseguido
buenas capas empleando flujos de Galio de 1.5 E-6 Torr, con temperaturas de
crecimiento de 660-690º C, dependiendo de las condiciones de la fuente de RF.
Comparando con muestras crecidas sobre zafiro, la calidad óptica y superficial
de las capas de GaN es mayor cuando se crece sobre template, lo que hace que sea
el mejor substrato para el crecimiento de dispositivos basados en pozos cuánticos.
4.4. Crecimiento de GaN dopado tipo p
En el presente trabajo se ha puesto especial interés en el GaN tipo p, ya que el

GaN tipo n fue estudiado y desarrollado por el doctor M.A. Sánchez-García sobre
Si(111) en su Tesis doctoral realizada en este sistema de crecimiento [SanG00].
4.4.1. Dificultades del dopaje tipo p en GaN.
El dopaje tipo p en el GaN plantea varias dificultades: primero, es necesario

sobrepasar el alto dopaje residual tipo n, típico en las capas de GaN no
intencionadamente dopadas (epígrafe 4.3). Otro de los problemas que presenta es
que, debido a la alta masa efectiva de huecos en el GaN (0.8me), la energía de
ionización de los aceptores es muy alta (mayor de 100 meV) como para que haya una
apreciable densidad de huecos a temperatura ambiente. Como energía de ionización
de un aceptor se entiende la energía necesaria para que pase desde su estado neutro
hasta un estado ionizado, en el que ha capturado un electrón. En primera
aproximación, esta energía puede estimarse similar a la de un átomo hidrogenoide (ec.
3.11) utilizando la permeabilidad y la masa efectiva del hueco en el GaN (Capítulo 2).
Esta aproximación da un límite mínimo teórico de dicha energía, por lo que la obtenida
experimentalmente suele ser mayor. Teniendo en cuenta un potencial hidrogenoide en
la impureza y mediante un hamiltoniano k∙p, Wang et al. calculan un valor de
ionización para el aceptor hidrogenoide de 150.4 meV [Wang01]. Este sería, el límite
mínimo teórico para la energía de ionización de cualquier aceptor en GaN, bajo la
aproximación de masa efectiva.
La tabla 4.3 muestra las energías de ionización de los aceptores más utilizados
en el GaN, obtenidas teórica (última columna) y experimentalmente, junto con la
técnica de caracterización empleada en cada caso, normalmente, PL y Hall.
98
____________________________________________________________________________
Método de Técnica Resultado

Aceptor EA (meV) Referencia
crecimiento experimental teórico
Be MBE PL 100 [Myer00]
Be MBE PL 90 [San98b] 190ª, 211b
Be MBE PL 90 [Dews98]
C MBE PL 230 [Birk99] 161ª, 240b
Ca MOCVD Hall 169 [Zolp96] 295ª,273b
Cd VPE PL 225 [Lager74] 597ª
Mg MOCVD Hall 208 [Götz99]
Mg MOCVD PL 203 [Kauf98]
Mg MOCVD Hall 160 [Kauf00] 224ª, 223b
Mg MBE PL 224 [Lero99]
Mg MBE PL 225 [Ptak01]
Zn HVPE PL 400 [Skro00]
355ª, 379b
Zn MOCVD PL 340 [Strite92]
Tabla 4.3. Energía de ionización estimadas experimentalmente de los aceptores más utilizados
en el GaN, junto con el resultado teórico obtenido por Wang et al. [Wang01] y Mirelas et al.
[Mire98], denotadas por a y b, respectivamente.
En la medida de PL la energía de ionización se estima como la diferencia entre

la energía de la emisión ligada al aceptor y la energía del gap del semiconductor,
(ionización óptica, ecuación 3.15), mientras que en la media Hall este valor se obtiene
a través de un ajuste de Arrhenius de la variación de la concentración de huecos en la
capa con la temperatura (ionización térmica, ecuaciones 3.25 y 3.26). En general, la
energía de ionización óptica es mayor que la térmica, y la diferencia tiene su origen en
la configuración del átomo aceptor en cada caso. En la medida de PL se detecta una
recombinación entre un electrón de la banda de conducción y el aceptor en estado
neutro, A0, el cual permanece en la configuración que corresponde a este estado, q0,
tras la recombinación (figura 4.26). Sin embargo, en la medida de efecto Hall, la
generación de huecos en la banda de valencia lleva a que el aceptor pase a su
configuración energética cargada, q-. La diferencia de energía entre ambas
configuraciones, denominada energía de relajación Erel, es el origen de la discrepancia
entre ambos tipos de medidas (ver figura 4.26) [Walle01], ya que EPL=Eg-EA-Erel, y
según la definición de ionización óptica, EAopt=Eg-EPL=EA+Erel.
99
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
Energía
A0+e
EPL
Eg-EA
A-
Erel
q- q0
Coordenada de configuración, q
Figura 4.26. Representación esquemática de la diferencia entre las energías de ionización

óptica y térmica de un aceptor.
La mayoría de los aceptores en el GaN se sitúan en posición substitucional del

Galio, siendo aceptores simples, excepto para el caso del C, que lo hace en posición
del N. El aceptor más ligero (con menor energía de ionización), tanto teórica [Bern97]
como experimental es el Be (tabla 4.3), como se ha determinado a partir de medidas
de PL [Dews98], [San98b].
De todos los aceptores del GaN, el más utilizado es el Mg, debido a que es con
éste con el que mayores concentraciones de huecos se han obtenido. A pesar de que
cuando se crece mediante MOCVD requiere su activación después del crecimiento,
debido a la formación de complejos que involucran Mg e Hidrógeno. Así, los mejores
resultados se obtienen irradiando la muestra con electrones de baja energía (LEEBI)
[Aman89] o bien mediante un aleado posterior en atmósfera de Nitrógeno, a 700º C,
durante 20 minutos [Naka91].
En esta Tesis se han empleado como dopantes el Mg, Be y el codopaje
Be+Mg. Sólo se han obtenido capas con conductividad por huecos dopando con el
primero de ellos, por lo que centraremos nuestra discusión a partir de ahora en éste.
4.4.2. Consideraciones previas del dopaje con Mg.
4.4.2.1. Efectos intrínsecos al dopaje con Mg.
Además de las dificultades debidas a de la baja eficiencia de ionización y el

residual tipo n que se ha de superar, otro de los grandes problemas del dopaje tipo p
es la formación de complejos y defectos compensadores. Van de Walle et al. realizan
un estudio de los posibles defectos compensadores en GaN dopado con Mg, en
100
____________________________________________________________________________
primera aproximación consideran que el límite de solubilidad del Mg en GaN, antes de

formar Mg3N2 es el que permite la máxima concentración de Magnesio en el material.
Teniendo en cuenta la restricción anterior, Walle et al. calculan la energía de formación
en función de la posición de Fermi de los defectos e impurezas que pueden actuar
como centros compensadores en el GaN:Mg en el equilibrio termodinámico en GaN
con estructura zinc-blenda, si bien la extensión a la estructura wurtzita lleva a
resultados similares [Walle98] (figura 4.27). Así, defectos del tipo MgN y MgI (donante
triple y doble, respectivamente) tienen una energía de formación alta, por lo que su
aparición no es probable en material tipo p (figura 4.27). Sí es probable, por tener una
baja energía de formación, la generación de vacantes de Nitrógeno y la incorporación
de Hidrógeno a la capa, hecho de vital importancia en el caso del crecimiento por
MOCVD[Walle98]. El hidrógeno actúa como donante en material tipo p, y como
aceptor en material tipo n, actuando siempre como defecto compensador, con una
energía de formación baja [Walle97]. En la figura 4.27, el punto en el que la curva
perteneciente al MgGa cambia de pendiente (~0.150 eV) se corresponde con un
cambio en la carga del defecto, desde neutro hasta –1, determinando el comienzo del
comportamiento aceptor, lo que da una estimación de la posición energética del nivel
aceptor de Mg en el gap, en concordancia con otras estimaciones teóricas (tabla 4.3).
Energía de formación
Figura 4.27. Variación de la energía de formación teórica del Mg en distintas posiciones en la

red, el H y la vacante de Nitrógeno en función de la posición del nivel de Fermi [Walle98].
101
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
La figura 4.28 muestra la relación entre la concentración de átomos de

Magnesio, estimados con medidas SIMS, y la concentración de huecos en las
muestras, a temperatura ambiente (Hall), en muestras crecidas por MBE (símbolos
rellenos) y por MOCVD (símbolos huecos) obtenida por diversos autores.
, Alves et al.
1E18 Orton et al.
Oh et al. (1)
Kaufman et al.
[p]HALL(RT) (cm )
-3
1E17 (2)
1E16
1E18 1E19 1E20
-3
[Mg]SIMS (cm )
Figura 4.28. Concentración de huecos medidos por efecto Hall a temperatura ambiente frente
a la concentración de Mg medidos por análisis SIMS para muestras crecidas por MBE
(símbolos rellenos) y MOCVD (símbolos huecos) de las publicaciones [Alves01], [Orton99],
[Oh98], [Kauf00].
Debido a la alta energía de ionización del Mg (~200 meV), existe una diferencia
entre la concentración de huecos a temperatura ambiente y la concentración de Mg en
la capa de entre uno y dos órdenes de magnitud. A lo anterior hay que añadir efectos
de compensación tanto por defectos como por complejos que pueden involucrar al
propio Mg, disminuyendo su eficiencia como aceptor.
En capas crecidas por MOCVD, la compensación se produce por las vacantes
de Nitrógeno, VN y los complejos VNH y VNMg [Alves01], [Kauf00]. Diversos estudios
teóricos señalan que la formación de complejos Mg-H podría ser poco importante en
GaN tipo p, siendo más favorable que el Hidrógeno se una a un complejo VNMg
[Neuge96b], [Lee99], [Rebor99]. La alta densidad de defectos compensadores
generados hace que creciendo por esta técnica se obtenga un límite máximo de
huecos en torno a 7-8x1017 cm-3, con una concentración de Mg en la capa de 2-5x1019
cm-3. Por encima de esta concentración de Mg, los efectos de la autocompensación,
junto con la formación de defectos estructurales inducidos por el este en la capa llevan
102
____________________________________________________________________________
a una disminución en la concentración de huecos (línea (2) en la figura 4.28)

[Venne02] [LiliW99].
En el caso del crecimiento por MBE los defectos compensadores son la
vacante de Nitrógeno, VN, y para concentraciones de Mg superiores a 5x1019, los
defectos estructurales inducidos por el Mg [Alves01], [Lero02]. Dado que durante el
crecimiento por MBE el Hidrógeno no está presente en igual proporción que en el caso
del MOCVD, las capas crecidas por el primer método no necesitan de una activación
posterior del aceptor después del crecimiento. De este modo, algunos autores señalan
incluso la posibilidad de obtener capas con concentración de huecos a temperatura
ambiente de hasta 1018 cm-3 creciendo por MBE y sin tratamientos posteriores al
crecimiento (figura 4.28) [Alves01] [Smor00].
Los defectos estructurales inducidos por el Mg que aparecen en capas crecidas
tanto por MOCVD como por MBE para concentraciones de Mg mayores que 5x1019
cm-3 son dominios de inversión piramidales (PIDs). Estos tienen el vértice orientado
hacia la dirección de polaridad en Galio y base hexagonal contenida en el plano
(0001), formada fundamentalmente por átomos de Mg, formándose en ella Mg3N2. La
coalescencia vertical de estos defectos lleva a la formación de dominios de inversión
columnares, mientras que la coalescencia lateral produce una frontera de inversión
(IDB) [Lero02]. Un cambio de polaridad en toda la capa, como el mostrado en la
imagen de TEM de la figura 4.29, se puede producir si estos defectos coalescen
horizontalmente a lo largo de la misma, lo que coincide con que en la superficie haya
una monocapa de Mg [Lero02] [Grand03] [Ramac99]. En términos de concentración de
Mg, este hecho se da cuando se superan los 1020 cm-3 [Roman00]. Si no se llega a
producir el cambio en la polaridad, la densidad de estos defectos para concentraciones
de Mg superiores a 1020 cm-3 es tal que las capas se vuelven muy resistivas [Smor00]
[Oh98] [Off97] (línea 1 en la figura 4.28).
Polaridad N
Polaridad Ga
Figura 4.29. Imagen de HRTEM de una frontera de inversión inducida por el Mg en una
capa crecida por MBE [Grand03].
103
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
4.4.2.2. Efecto de las condiciones de crecimiento por MBE sobre el dopaje

con Mg.
El modo en que se incorpora el Mg a la capa de GaN durante el crecimiento por

MBE viene determinado por el recubrimiento con átomos de Mg de la superficie del
semiconductor. Para recubrimientos menores de ¼ de monocapa, el Mg actúa como
surfactante, aumentando o disminuyendo la velocidad de crecimiento según el
crecimiento sea rico en Galio o Nitrógeno, respectivamente [Daud00b]. En este caso,
su presencia en la superficie evita la formación de gotas de Galio, aumentando la
movilidad de éste en la misma [Cheng99], [Sipe02]. Para recubrimientos superficiales
de ¼ a ½ de monocapa de Mg, se produce su incorporación a la capa. Si el
recubrimiento por el Mg está entre ½ y 1 monocapa, comienzan a darse efectos de
autocompensación del dopante debido a su alta concentración. Por último, para
recubrimientos superiores a 1 monocapa, se produce la inversión de polaridad desde
polaridad de Galio hasta polaridad de Nitrógeno. Dado que la incorporación de Mg es
menos eficiente en capas con polaridad de Nitrógeno, cuando ocurre el cambio en la
polaridad, disminuye la concentración de Mg incorporado a la capa [Ramac99]
[Roman00] [Ptak01].
En el presente trabajo sólo se estudiará la incorporación del Mg para obtener
material con conductividad tipo p, saliéndose de los objetivos de esta Tesis el estudio
del comportamiento del Mg actuando como surfactante.
Uno de los principales problemas del dopaje con Mg por MBE es la
reevaporación del mismo desde la superficie de la capa que se está creciendo debido
a su alta presión de vapor. Así, se estima que la incorporación máxima de Magnesio
está relacionada con la temperatura de crecimiento según la expresión:
[Mg]=[Mg0] exp (E/kTG) (4.6)
,siendo TG la temperatura de crecimiento y E la energía de activación para la

evaporación, estimada en ~2.7 eV [Guha97], [Haus02]. Este valor es similar al que se
obtiene para el Galio, de 2.2±0.2 eV [Guha96], por tanto, el flujo de átomos de Mg que
llegan a la capa para vencer su evaporación debe ser comparable al de aquél.
De la expresión 4.6 se deduce que la evaporación de Mg desde la superficie de
la capa se puede reducir disminuyendo la temperatura de crecimiento. Sin embargo,
una temperatura de crecimiento demasiado baja lleva a que los átomos no se
incorporen en posición adecuada en la red, dando como resultado que las capas estén
parcialmente compensadas y que presenten conductividad n o comportamiento
104
____________________________________________________________________________
semiaislante [Haus02]. La segunda opción para incrementar la incorporación (o

disminuir la reevaporación) es aumentar el flujo de Mg, ahora bien, como se ha
comentado antes, cuando en la superficie se estima que hay una monocapa de Mg se
produce la inversión de polaridad de la capa [Ptak01] [Ramac99] [Roman00]. La figura
4.30 resume gráficamente el comportamiento del Mg en función del recubrimiento
superficial durante el crecimiento.
17 19 20 18 -3
10 10 10 10 [Mg]SIMS (cm )
¼ ½ ¾ 1 Recubrimiento (MLs)
Efecto Incorporación
+ Inversión de polaridad
surfactante
Incorporación Segregación a la
superficie Menor incorporación
Dopaje eficiente (SIMS)
Figura 4.30 Representación esquemática de la incorporación del Mg medida por SIMS

en función del recubrimiento de la superficie durante el crecimiento.
Teniendo en cuenta lo presentado hasta ahora, se puede explicar lo observado

por Guha et al. [Guha97], que no encuentran una relación clara entre el flujo de Mg y
su concentración en la capa, en el rango de temperaturas de célula de Mg estudiado
(300-400ºC). Dos efectos pueden ser el origen: el primero, propuesto por Guha et al.
tiene en cuenta que el número de “lugares” en la superficie (vacante de Galio) en los
que el Mg se puede incorporar en forma substitucional en el lugar del Galio, es
limitado. Este número se estima en 10-3 del total de lugares de Galio, haciendo que un
aumento en el flujo de Mg no lleve a una incorporación adecuada, sino más bien a la
segregación del mismo a la superficie [Cheng99]. El segundo modelo, propuesto por
Orton et al. [Orton99] supone que el Mg puede estar en superficie ligado a la capa de
dos modos, mediante un enlace químico o mediante uno físico, más débil. Los átomos
que estén unidos mediante enlace físico pueden pasar a estarlo químicamente cuando
haya un lugar adecuado para ello en la superficie. Pero también pueden reevaporarse.
Cuando la velocidad de evaporación, que viene dada por la temperatura de
crecimiento, supera a la de incorporación a la capa, aunque se aumente el flujo de Mg
no se consigue una incorporación mayor. En este sentido, Orton et al. encuentran
experimentalmente que el crecer en condiciones ligeramente ricas en Nitrógeno
105
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
favorece la incorporación a la capa, debido a una mayor cantidad de vacantes de Galio

en la superficie [Orton99].
4.4.3. Crecimiento y caracterización de capas de GaN:Mg
4.4.3.1 Efecto de los parámetro de crecimiento en la incorporación del Mg

en las capas.
La figura 4.31 resume las muestras más representativas crecidas en el

presente trabajo, empleando las fuentes de radiofrecuencia Oxford CARS25 y HD25,
sobre Si(111), zafiro y GaN templates en función de la temperatura de substrato y de
la de la célula de Mg.
475 18 1x 10
19
(SA) 3x 10 ↓ Vcrec
(SA)
450 17
5.4x10 *
(SA)
17 18
2x 10 5x 10
425
TMg ( ºC)
18 17
2x 10 (Res) [p]~1x 10
(SA) (SA)
400 (SA)
(2 x 2)
(3 x 3), (6 x 6)
375
18 Si(111)
(SA) 7 x 10
Al2O3
350
(Res) GaN-template
625 650 675 700 725 750 775 800

TSubstrato( ºC)
Figura 4.31. Figura resumen de las muestras dopadas con Mg, representadas según su
temperatura de crecimiento y la temperatura de la célula de Mg. Las siglas “SA” indican un
comportamiento semiaislante, mientras que “res” indica resistivo.
Se muestra, en cada caso, la concentración de átomos de Mg medida mediante

SIMS. También se da la concentración de huecos (Hall) en el caso en que se pudo
medir.
106
____________________________________________________________________________
La línea de trazos es la frontera que representa un cambio de polaridad en la

capa debido al recubrimiento superficial con Mg, desde polaridad en Galio a polaridad
en Nitrógeno (muestras situadas a la derecha e izquierda de la línea,
respectivamente). La situación de esta línea la determina, en primer lugar, el hecho de
que la concentración de átomos de Mg cae drásticamente cuando se crece a 690 ºC y
se aumenta la temperatura de la célula de Mg desde 350 a 400 ºC. En segundo lugar,
las capas situadas a la izquierda de la línea muestran una reconstrucción del patrón de
difracción de RHEED de tipo (3 x 3) y (6 x 6) (figura 4.32) durante el enfriamiento. Esta
reconstrucción ha sido asociada en la literatura a capas de GaN con polaridad
acabada en N [Ramac99b], [Hellm98]. Por otro lado, las situadas a la derecha de la
línea mostraron las reconstrucciones (1 x 1) y/o (2 x 2), asociadas a polaridad en
Galio. Por último, las muestras situadas a la izquierda de la línea presentan
resistividades 3 órdenes de magnitud mayores que la más alta de las demás.
a) b)
Figura 4.32. Patrón de difracción de RHEED da la reconstrucción 3 x 3 en los azimut:

[11-20] ,(a), y [1-100], (b).
Para apoyar la hipótesis del cambio de polaridad en las capas se realizó un

ataque húmedo con una disolución acuosa de KOH 6M, a 80ºC durante 15 minutos,
según el procedimiento descrito por T. Palacios et al. [Pala00]. Las capas situadas a la
izquierda de la línea tienen una velocidad de ataque superior (~ 50 nm/min) a las
situadas a la derecha (~2 nm/min), en concordancia con lo esperado para la polaridad
en Nitrógeno y Galio, respectivamente [Hellm98].
Es de destacar que la velocidad de crecimiento influye en la incorporación del
dopante. Esta influencia se da porque, a menores velocidades de crecimiento, los
átomos de Mg tienen más tiempo para moverse por la superficie y pueden encontrar
un lugar apropiado para incorporarse al cristal. Así, en dos muestras crecidas en
107
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
condiciones similares se ha aumentado la incorporación de Mg en la capa desde 2

x1017 cm-3 hasta 5 x1018 cm-3 al reducir la velocidad de crecimiento (muestras
rodeadas con un círculo en la figura 4.31).
4.4.3.2 Caracterización de las capas
Caracterización eléctrica
Las medidas de tipo eléctrico se realizaron en las muestras crecidas sobre

zafiro y GaN-template ya que en las capas crecidas sobre Si(111) la formación de un
canal altamente dopado tipo p (con Al, proveniente de la capa buffer de AlN) en el
substrato de Si(111) evita la caracterización eléctrica de la capa [Call98]. Para realizar
las medidas de efecto Hall se depositaron contactos de Ni / Au en la geometría de Van
der Pauw, aleados a 450ºC durante 10’ en atmósfera de Nidrón.
La tabla 4.4 resume el resultado de la caracterización eléctrica, a temperatura
ambiente, de las muestras crecidas sobre zafiro y GaN-template que aparecen en la
figura 4.31. En el caso del GaN-template, las muestras con polaridad en Nitrógeno son
muy resistivas como para la medida Hall, por lo que sólo se muestra la caracterización
de la capa con polaridad en Galio.
Tsusb Vcrec [p]Hall µHall ρ

Substrato TMg (ºC) (µm/h) [Mg]SIMS
(ºC) (cm ) -3 2
(cm /V∙s) Ω∙cm)
(Ω
Al2O3 450 720 0.45 2E17 - - Res.
Al2O3 450 740 0.35 5E18 1E17 10 6
- Res
GaN-temp 350 690 0.3 7E18 -
(280)
Tabla 4.4. Tabla resumen de la caracterización eléctrica de las capas de GaN:Mg

crecidas sobre diferentes substratos.
La capa crecida sobre zafiro con una concentración de Mg de 2E17 cm-3 resulta
muy resistiva, de modo que en ella no se obtuvieron contactos óhmicos,
imposibilitando su caracterización eléctrica. En la muestra con una concentración de
Mg de 5E18 cm-3 se obtuvo conductividad tipo p, con valores de movilidad y
resistividad (tabla 4.4) similares a los obtenidos en la literatura [Guha97]. Respecto a
la capa crecida sobre GaN-template con polaridad en Galio, a pesar de tener una
108
____________________________________________________________________________
concentración de Mg parecida a la anterior (7E18 cm-3), no presenta conductividad tipo

p. Este hecho se puede deber a que la muestra crecida sobre template está
fuertemente compensada, como indica el perfil de impurezas de SIMS, en el que la
concentración de Oxígeno es el triple de alta que en la muestra crecida sobre zafiro
(6E18 cm-3 frente a 2E18 cm-3).
Caracterización óptica
La figura 4.33 muestra los espectros de PL a 9 K de la muestras con

concentración de Mg de 5E18 cm-3 y 7E18 cm-3 crecidas sobre zafiro y template,
respectivamente, analizadas en el apartado anterior. Se muestra además, el espectro
de una muestra crecida sobre Si(111), con una concentración de Mg de 1E19cm-3.
Con independencia del substrato empleado, se observan dos grupos de
emisiones (figura 4.33a). El primero de ellos relacionado con recombinaciones ligadas
al borde de banda y el segundo situado en torno a 3.27 eV. Para establecer el origen
del primer grupo de emisiones se ha de tener en cuenta la deformación residual
existente en las capas, ya que la energía de gap depende de ella, disminuyendo o
aumentando con respecto al valor correspondiente al del cristal relajado, si la
deformación es tensil o compresiva, respectivamente. Dicha deformación depende del
substrato utilizado y del espesor de la capa, como se ha presentado en el epígrafe
4.4.2. De este modo, las capas crecidas sobre Si(111) están sometidas a una
deformación residual de tipo tensil, mientras que en las crecidas sobre Al2O3 y GaN
templates esta es compresiva. Por ello, el grupo de emisiones se encuentra
desplazado en cada substrato en función de la deformación soportada por la capa. La
posición del excitón A varía linealmente con la deformación de la capa, por lo que
conociendo esta, se puede estimar la primera [Les96]. Dicha estimación aparece
señalada con una flecha en la figura 4.33b.
109
CAPÍTULO 4
Intensidad normalizada de PL (u.a.) ____________________________________________________________________________
Intensidad normalizada de PL (u.a.)

DAP a) b)
FXA
[1]
Si(111) Si(111)
TMg=450ºC ε = -7E-4 TMg=450ºC
zz
[1]
FXA
Al2O3
Al2O3 TMg=450ºC
TMg=450ºC ε = +9E-4
zz
GaN-template
TMg=350ºC
GaN-template
[1]
TMg=350ºC FXA
ε = +4E-4
zz
2,8 2,9 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 3,6 3,7 3,40 3,45 3,50
Figura 4.33. a) Espectro de PL tomado a 9 K de capas de GaN:Mg crecidas sobre diferentes

substratos, b) Detalle de la región de alta energía de los espectros.
Las emisiones que forman la banda observada en la región de 3.40 a 3.50 eV

en los espectros han sido discriminadas mediante ajustes gaussianos. La tabla 4.4
muestra las energías de las distintas emisiones, su separación de la energía del
excitón libre A y la deformación residual de cada capa, calculada a partir de las
medidas de Rayos X. La deformación, calculada a temperatura ambiente, ha sido
extrapolada a baja temperatura suponiendo que la capa está totalmente relajada a la
temperatura de crecimiento, y por tanto, toda la deformación de las capas se asume
de origen térmico [Amb98].
Las emisiones observadas a energías inferiores a la de FXA se atribuyen a
recombinaciones excitónicas ligadas a donantes o aceptores, pudiéndose estimar la
energía de ionización térmica de los mismos mediante la regla de Hayne (Capítulo 3).
La recombinación situada 6 meV por debajo del FXA en la muestra crecida sobre GaN
template se corresponde con el donante residual, con una energía de ionización de 30
meV [Neu03] [Mone02]. El que se observe esta emisión que para dopajes altos con
Mg debería desaparecer concuerda con el carácter compensado de la capa. En todas
las capas se observa una recombinación situada entre 11 y 14 meV a menores
energías del FXA, teniendo en cuenta la regla de Hayne, se trataría de una impureza
con energía de ionización de 55 y 70 meV ó 110 y 140 meV si se trata de un donante o
un aceptor, respectivamente. En la literatura ha sido ligado a ambos tipos de
110
____________________________________________________________________________
impurezas [Lero97], [Mone02], siendo difícil de esclarecer su origen. Por último, la

emisión detectada a 21 meV en las muestras crecidas sobre Al2O3 y GaN-template se
corresponde con un aceptor con energía de ionización de 210 meV, probablemente el
Mg [Lero97].
EPL cXRD εzz εzz FXA(10 K) FXA[1]-EPL

Substrato
(eV) (300 K), (Å) (300 K) (10 K) (eV) [1] (meV)
Si(111) 3.455 5.1830 -5E-4 -6.7E-4 ~3.466 11
Al2O3 3.490 0
3.478 5.1908 +7E-4 +9.3E-4 ~3.490 12
3.469 21
GaN-temp 3.478 6
3.470 5.1872 +3E-4 +4E-4 ~3.484 14
3.463 21
Tabla 4.5. Tabla resumen de las emisiones ligadas al borde de gap observadas en
muestras de GaN:Mg crecidas sobre diferentes substratos. [1] Estimación de la posición del
FXA teniendo en cuenta la deformación de la capa [Les96].
El segundo grupo de emisiones observado (figura 4.33a) está formado por una
emisión más intensa, centrada en 3.270 eV, 3.278 eV y 3.275 eV, para Si(111), Al2O3 y
GaN template, respectivamente, seguida de dos emisiones, de menor intensidad y
separadas entre 90-94 meV de la emisión principal. Dada la relación de intensidades
entre las emisiones y su separación energética, cercana a la energía del fonón
longitudinal óptico en el GaN (92 meV, [Poc96]) éstas son atribuidas a réplicas fónicas
de la primera (primera y segunda réplica fonónicas).
La primera emisión de este segundo grupo se corresponde a la recombinación
un DAP entre el Magnesio actuando como aceptor substitucional del Galio y el
donante residual, y aparece en capas dopadas con concentraciones de Mg por debajo
de 1019 cm-3, crecidas tanto por MBE como por MOCVD [Lero99].
Considerando que la energía de recombinación óptica del par donante aceptor
viene dada por:
EDA= EG – ED – EA + Ecoul (4.7)
donde EG es la energía del gap del GaN, ED representa la energía de ligadura del
donante residual, de unos 30 meV, como se ha obtenido en la muestra crecida sobre
GaN template, y Ecoul es la energía de interacción coulombiana entre el aceptor y el
111
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
donante de Ecoul = 15 meV [Lager74]. Teniendo en cuenta que la energía del gap se
puede obtener a partir de la del excitón libre A sumándole la energía de enlace del
excitón, de 25 meV, se obtiene una energía de ionización óptica para el Mg de 214±10
meV, en buen acuerdo con la esperada (Tabla 4.3). La discrepancia entre estos
valores y los obtenidos a partir de la energía del excitón ligado al aceptor tiene su
origen en que la regla de Hayne es una aproximación empírica, afectada de error.
Es de destacar que los espectros de PL no muestran recombinaciones ligadas
a defectos profundos en el gap, como la banda amarilla, centrada a 2.2 eV. Tampoco
se observan bandas de emisión ligadas a la autocompensación del Mg, como la banda
azul, centrada en 2.8 eV, que aparece en capas fuertemente dopadas con Mg,
crecidas por MOCVD [Naka97].
4.5. Conclusiones
Crecimiento de GaN no dopado:
Crecimiento sobre zafiro: Se han comparado dos tipos de capas buffer, una de
GaN crecida a 500º C y de 80 nm de espesor y otra de AlN crecida a 800º C y de 10
nm de espesor, siendo la calidad del GaN crecido en iguales condiciones sobre ambas
superior cuando se emplean capas buffer de AlN de 10 nm. La nitridación ha sido
estudiada en función del tiempo de exposición del zafiro al Nitrógeno activado, siendo
obtenidas las mejores capas empleando una nitridación de 20 minutos de duración y
un O.E.D. de 0.4 V, con una temperatura de substrato de 800º C.
Utilizando las condiciones de nitridación y capa buffer de AlN optimizadas, las
mejores capas de GaN se obtienen con unas condiciones de crecimiento óptimas de
700º C de temperatura de substrato y una presión equivalente de Galio de 2.0 E-6
Torr, manteniendo un OED de 0.4 V. Con estas condiciones de crecimiento se
obtienen rugosidades superficiales (RMS) de 3.4 nm medidas por AFM, y espectros de
PL con 3.5 meV de FWHM en la emisión atribuida a una recombinación excitónica
ligada al donante residual, en 3.471 eV. En el apartado eléctrico, se obtienen
concentraciones residuales de en torno a 1017 cm-3.
112
____________________________________________________________________________
Crecimiento sobre templates: El método de crecimiento utilizado hace uso del

RHEED para la caracterización durante el propio crecimiento del frente de crecimiento,
permitiendo crecer capas de calidad a pesar de cambios en el Nitrógeno activo.
En este caso, y dada la baja velocidad de crecimiento lateral del MBE, la
calidad de las capas depende de la del substrato inicial, ya que los defectos
superficiales de los templates, se propagan a la capa. De modo que, por ejemplo,
sobre substratos con una rugosidad superficial (RMS) de 2.9 nm, tras una capa de 0.5
µm crecida por MBE la rugosidad se mantiene en torno a 3.1 nm. La calidad óptica del
template se mejora en la capa crecida por MBE si la del primero hubiese sido baja, y
mantenida si aquella fuera alta.
La caracterización eléctrica de las capas, realizada mediante medidas de C-V,
permite estimar una concentración de donantes residuales de 0.7-1.3x1017 cm-3, similar
a la obtenida creciendo sobre zafiro.
Crecimiento de GaN dopado con Mg
El estudio de las condiciones de crecimiento para el dopaje con Mg lleva a la

conclusión de que existe una fuerte dependencia de la incorporación de Mg con la
temperatura de crecimiento, siendo menor cuando se aumenta la temperatura de
crecimiento.
El recubrimiento con más de una monocapa de Mg de la superficie de la capa
durante el crecimiento puede llevar a un cambio de polaridad de la misma. Las capas
en las que se ha producido el cambio de la polaridad (desde Galio a Nitrógeno)
presentan resistividad alta, junto con la aparición de la reconstrucción 3 x 3 en patrón
de RHEED durante el enfriamiento de la muestra posterior al crecimiento. Además,
estas muestras se pueden atacar con una disolución acuosa de KOH. El que se
produzca un recubrimiento de la superficie por el Mg se favorece cuando se emplean
altas temperaturas de célula (TMg>400ºC) y bajas temperaturas de crecimiento
(Tsubs<670ºC).
Empleando condiciones de crecimiento que evitan el cambio en la polaridad
(Tsubs = 740ºC; TMg = 450ºC) se ha llegado obtener concentraciones de huecos de 1x
1017 cm-3 a temperatura ambiente creciendo sobre zafiro.
Un estudio del dopaje con Mg, creciendo sobre templates y empleando una
fuente de rf de la compañía EPI se detallará en el Capítulo 7 de la presente memoria.
113
CAPÍTULO 4
____________________________________________________________________________
114
Capítulo 5
Crecimiento y caracterización de capas

gruesas de InGaN.
5.1. Introducción y objetivos.
Este Capítulo se centrará en el estudio de las condiciones de crecimiento y su

efecto sobre las propiedades de las capas de InGaN no dopado. Los substratos que se
utilizarán son el zafiro y templates de GaN.
Para estudiar el crecimiento de capas gruesas de InGaN hay que tener en
cuenta que, como en el caso del GaN, los parámetros fundamentales a considerar son
la temperatura y la relación III/V. Ahora bien, al tratarse de un ternario en el que la
presión de vapor de uno de los elementos del grupo III (In) es mucho mayor que la del
otro (Ga), el contenido de Indio de la capa crecida dependerá mucho de la temperatura
de crecimiento. Se estudiará, además, la generación de regiones de mayor contenido
de Indio (clusters) y su efecto en la energía de emisión de fotoluminiscencia.
Asimismo, se determinará la relación entre la formación de estas zonas y el contenido
promedio de Indio en las capas.
El objetivo del presente Capítulo es la optimización de las condiciones de
crecimiento del ternario en volumen, como paso previo a la obtención de estructuras
de pozo cuántico, en las que, como se verá en el Capítulo 6, idénticas condiciones de
crecimiento no conducen necesariamente a iguales contenidos de Indio.
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
5.2. Crecimiento de capas gruesas de InGaN sobre zafiro.
Como en el caso del GaN (Capítulo 4) el estudio del efecto de los parámetros
de crecimiento en las propiedades del InGaN se inició utilizando el zafiro como
substrato. Ya que el objetivo aplicado de este trabajo es fabricar un diodo
electroluminiscente, en el que la capa activa de InGaN se crece sobre GaN, el estudio
se ha realizado en capas de InGaN crecidas sobre GaN. La estructura de las capas
crecidas se muestra en la figura 5.1.
InGaN ~ 0.3 µm
GaN ~ 0.35 µm
Buffer de AlN (~10 nm)
Al2O3
Figura 5.1. Estructura de las capas crecidas para el estudio del crecimiento de InGaN
en volumen
5.2.1. Determinación de la temperatura óptima de substrato.
5.2.1.1 Crecimiento y caracterización óptica
El primer parámetro importante para optimizar el crecimiento de InGaN es la

temperatura del substrato. Por ello, la primera serie de muestras se creció
manteniendo fijos los flujos (BEP) de Galio e Indio y el O.E.D., variándose la
temperatura de crecimiento entre 515º C y 570º C. La cantidad de Nitrógeno activo
empleada es la misma que la relativa a las capas de GaN, pero se redujo el BEP de
Galio a la mitad y se añadió el flujo de Indio. Para escoger este último se tuvo presente
que el InGaN será la capa activa de LEDs emitiendo en el verde [AGE99], lo que
requiere contenidos de Indio en torno a un 25% [Naka99]. Por ello, se empleó un flujo
116
CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE CAPAS GRUESAS DE INGAN
_______________________________________________________________________________________________
de Indio entre un 20 % y un 30 % del total de átomos metálicos (In+Ga) que llegan a la

muestra [Chen99]. Las condiciones de crecimiento de esta serie de muestras se
detallan en la tabla 5.1.
Muestra TSUBS (ºC) ΦGa (Torr) ΦIn (Torr) PRF (W) O.E.D. (V)
Capa de
700 2.0E-6 - 455-462 1.78
GaN
M473 515 1.0 E-6 2.0 E-7 455 1.78
M474 540 1.0 E-6 2.0 E-7 462 1.78
M475 570 1.0 E-6 2.0 E-7 462 1.78
Tabla 5.1. Condiciones de crecimiento de una serie de capas de InGaN en la que

se ha variado la temperatura de crecimiento (en negrilla).
En la secuencia de crecimiento, después de crecer la capa de GaN, se cierran

los obturadores de las células de Galio y Nitrógeno y, manteniendo el plasma activado,
se reduce la temperatura del sustrato lentamente desde los 700ºC hasta la
temperatura requerida para el InGaN (tabla 5.1). Al mismo tiempo se redujo la
temperatura de la célula de Ga para obtener el BEP fijado para el crecimiento del
InGaN. El tiempo que lleva todo el proceso es, en general, de 5 a 10 minutos, ya que
es necesario bajar lentamente la temperatura de la célula Galio para evitar el
desbordamiento del crisol. Una vez que el sustrato y la célula de Ga han alcanzado la
temperatura requerida se abren los obturadores de N, Ga e In, por ese orden y los dos
últimos a la vez.
La figura 5.2 muestra el espectro de fotoluminiscencia de baja temperatura (9K)
de las tres muestras de la serie. Las tres capas tienen un espectro de PL similar, con
emisiones dominantes en la región de 2.9 a 3.3 eV. La intensidad decreciente con la
energía de emisión y la separación entre los picos (80-94 meV) permite pensar que
son réplicas fonónicas de la emisión más energética de las tres (3.265, 3.274 y 3.257
eV, para las muestras M473, M474 y M475, respectivamente). Este grupo de
emisiones, de tipo DAP, aparece generalmente en el GaN dopado ligeramente con Mg
o C [San98], siendo la diferencia en energías entre ellos la correspondiente al fonón
óptico longitudinal del material matriz (Capítulo 3). Sin embargo, en las muestras M473
y M474, se observa una emisión, señalada con una flecha en la figura 4.2, que
contrariamente a lo que hacen el resto de las emisiones, no sufre ningún
117
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
desplazamiento al cambiar la potencia de excitación 3 órdenes de magnitud. Dicha

emisión podría ser un indicio de carácter excitónico de InGaN en la capa, pero su
posición, solapada con las emisiones DAP no permite establecer un origen claro.
3,0
2,8
9K
2,6
Intensidad normalizada de PL (u. a.)
2,4
2,2
2,0 M475 Tsubs=570 ºC
1,8
1,6
1,4
1,2 Tsubs=540 ºC
M474
1,0
0,8
0,6
0,4 Tsubs=515 ºC
0,2
M473
0,0
2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6
Energía (eV)
Figura 5.2. Espectro de fotoluminiscencia de la serie M473-M475.
5.2.1.2 Caracterización estructural y morfológica
Para establecer si se ha crecido InGaN en las muestras se realizaron medidas

de Rayos X, utilizando reflexiones simétricas y asimétricas. Las primeras muestran un
pico a menores ángulos de Bragg que el del GaN. Como ejemplo, la figura 5.4 muestra
el espectro de difracción de la M474. Si este pico está relacionado con el InGaN, la
capa debería tener un contenido de In en torno a un 30-40 %, dependiendo de su
estado de relajación. Una capa con un 30% de Indio y totalmente comprimida, lo que
representa el caso de mayor gap de entre los posibles, tendría un valor de gap de 2.6
eV [Park99], [Wetz98]. Sin embargo, este valor queda muy por debajo de la energía de
118
_______________________________________________________________________________________________
emisión que podría ser atribuida al InGaN observada en los espectros de PL, en torno
a 3.26 eV (figura 5.2). Por tanto, no es posible establecer si se ha crecido InGaN en
las muestras teniendo en cuenta las medidas anteriores. Sin embargo, esta serie de
muestras sí permite establecer el punto de partida para la siguiente serie.
Un análisis de la morfología de las capas con el microscopio Nomarski (figura
5.3), muestra que todas ellas tienen gotas en su superficie, lo que indica que el
régimen de crecimiento es rico en metal. Además, las regiones entre gotas presentan
una evolución de una muestra a otra: comenzando por una morfología rugosa para la
M473 (figura 5.3.a), se pasa por una superficie más lisa, típica de una temperatura
óptima o cercana pero con exceso de elemento III para la M474 (Fig. 5.3, b); hasta
llegar de nuevo a una morfología rugosa típica de alta temperatura (M475, Fig. 5.3,c).
a) b)
50 µm 50 µm
c)
50 µm
Figura 5.3. Imagen del microscopio Nomarski de la superficie de las muestras

M473, (Tsubs=515 ºC) (a); M474, (Tsubs=540 ºC) (b); y M475, (Tsubs=570 ºC) (c).
Dado que todas las muestras tienen gotas en la superficie, y no se obtiene una
emisión clara de InGaN en los espectros de PL, el siguiente paso fue disminuir el BEP
de Galio para favorecer la incorporación de Indio [Adel99] [Bött98]. Como temperatura
de substrato se escogió 540ºC, por ser la temperatura que dio lugar a la muestra con
menor rugosidad entre gotas (figura 5.3).
119
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
5.2.2. Cambio en el BEP de Galio.
5.2.2.1 Crecimiento y caracterización estructural
La tabla 5.2 resume los parámetros de crecimiento de la siguiente serie de

muestras, en la que el BEP de Galio se ha variado entre 4.0E-7 Torr y 8.0E-7 Torr,
manteniendo el resto de los parámetros de crecimiento fijos. La muestra M474, de la
serie anterior, ha sido incluida para una mejor comparación.
Muestra TSUBS (ºC) ΦGa (Torr) ΦIn (Torr) PRF (W) O.E.D. (V)
M474 540 10 E-7 2.0 E-7 462 1.78
M479 540 8.0 E-7 2.0 E-7 462 1.78
M480 540 6.0 E-7 2.0 E-7 462 1.78
M481 540 4.0 E-7 2.0 E-7 462 1.78
Tabla 5.2. Condiciones de crecimiento de InGaN en un grupo de muestras en las

que se varió el flujo de Galio.
El difractograma de Rayos X en torno a la reflexión simétrica (0002) de las

capas muestra (Figura 5.4), junto con el pico de GaN (θ∼17.25º), dos picos que se
pueden atribuir al principio al InGaN, etiquetados como A y B. En particular, la muestra
M474, crecida con el mayor BEP de Galio posee un solo pico (B) que se
correspondería con InGaN de entre un 40 y un 30 % de Indio, si el InGaN estuviese
totalmente relajado o totalmente pseudomórfico sobre el GaN, respectivamente. Para
esclarecer el origen de los picos obtenidos en las medidas simétricas y comprobar si
corresponden a regiones de la muestra con distintos contenidos de Indio (fases), se
realizaron medidas en torno a la reflexión asimétrica (105), en las configuraciones de
incidencia y salida rasante, lo que permite conocer contenidos de Indio y deformación
de manera independiente (véase el Capítulo 2).
120
_______________________________________________________________________________________________
18
10
(00.6) Al2O3
16
(00.2) InGaN
10 (00.2) GaN
14 B
10
M474
Reflectividad (c. p. s)
12
10
A
10
10 B
M479
8
10
A
10
6 B
4
M480
10
2 A
10
B
0 M481
10
16 17 18 19 20 21
θ/2θ (º)
Figura 5.4. Difractogramas de Rayos X de la serie M479-M481 y de la M474.
Las figuras 5.5a y 5.5b muestran los difractogramas de entrada y salida

rasante, respectivamente, para la reflexión (105) correspondiente a la muestra M480.
Los posibles contenidos de Indio se determinaron mediante ajuste por gaussianas,
siendo el pico A el que se corresponde con el menor contenido de Indio, y el B con el
mayor. En el caso de entrada rasante (-105) los dos picos están resueltos, no así para
el caso de la salida rasante, en la que se reconoce la aparición del segundo pico por la
asimetría del pico asociado al InGaN. Estos picos se corresponden con los etiquetados
de igual modo en la figura 5.4, apareciendo, tanto en las medidas de Rayos X
simétricas como en las asimétricas en la muestra M480. Sin embargo, en las muestras
M479 y M481, sólo se observa un pico en las medidas asimétricas, que se
corresponde con el etiquetado como A en las simétricas. Por último, en la M474 no se
detectó ningún pico en las medidas asimétricas.
121
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
250 35
a) b)
GaN (-10.5)
30 GaN (10.5)
200
Reflectividad (c. p. s.)

25
150
20
InGaN (10.5)
15
100
InGaN (-10.5)
10
50
A A
5
B
B
0 0
-15000 -10000 -5000 0 5000 -15000 -10000 -5000 0 5000
Ángulo relativo (segundos de arco) Ángulo relativo (segundos de arco)
Figura 5.5. Difactrogramas de Rayos X para la dirección (10.5) de la muestra M480; a)

entrada rasante (-10.5), b) salida rasante (10.5).
La tabla 5.3 resume los resultados de la caracterización de Rayos X de las

muestras. Los subíndices A y B indican el pico de difracción en las reflexiones
simétricas y asimétricas (figuras 5.4 y 5.5 a y b) del que se han obtenido el contenido
de Indio y el estado de relajación (R). Este último, se da en tanto por uno, en función
del parámetro de red a de la capa de GaN sobre la que se creció el InGaN, según la
expresión:
Medido
a InGaN − asubstrato
R = relajado (5.1)
a InGaN − a substrato
,en la que se toma como substrato la capa de GaN. En todas las muestras la capa de
GaN está comprimida, como corresponde a la relación epitaxial del GaN sobre zafiro
(Capítulo 4). La deformación del GaN en la dirección del eje c resulta ser de alrededor
de εzz= 6.5 E-4, definiendo
c − c0
ε zz = (5.2)
c0
,y tomando c0=5.1856 Å como el parámetro de red del GaN relajado [Les96].
122
_______________________________________________________________________________________________
Muestra InA (%) RA aA (Å) cA(Å) InB(%) RB aB(Å) cB(Å)
M474 - - - - 43-31 - - 5.437

M479 20 0.71 3.238 5.302 43-30 - - 5.430
M480 29 0.74 3.263 5.359 35 0.69 3.272 5.403
M481 37 0.77 3.289 5.408 41-29 5.423
Tabla 5.3. Tabla resumen de los resultados obtenidos del análisis de Rayos X de las muestras
de InGaN. En el caso de que el pico B no se detectase en medidas asimétricas se dan los
casos extremos de contenido de In, de capa totalmente relajada y pseudomórfica sobre el GaN.
Si se compara entre fases A en cada muestra (tabla 5.3), se observa un

aumento de la relajación en la capa de InGaN, R, al aumentar el contenido de Indio.
Esto se debe a que cuanto menor es el contenido de Indio más se aproxima el
parámetro de red del ternario al del GaN. Por tanto, menos hay que deformar la capa
para que se crezca con ajuste de red (pseudomórfica) y mayor será el número de
monocapas que se habrán de crecer, o espesor crítico, para que la red acumule
suficiente energía como para comenzar la relajación. Este efecto se traduce en que,
como en nuestro caso, al tener las capas un espesor similar, la deformación
acumulada en una capa de menor contenido de Indio es mayor, porque su espesor
crítico es mayor [Wee66], [Zhan99].
Es además la fase A la que ocupa un mayor volumen de la muestra (tiene
mayor intensidad en el difractograma) y la que se corresponde con el gap promedio
medido mediante absorción, ya que el contenido de Indio obtenido del pico A en cada
muestra es coherente con la variación de la energía del gap de una muestra a otra,
como se verá en el epígrafe 5.5.
En las muestras en las que el pico B no se detectó en las medidas asimétricas,
no fue posible concretar el segundo contenido de In. En estos casos, en la tabla 5.3 se
dan los límites de InGaN totalmente relajado (mayor contenido de Indio) y totalmente
comprimido (menor contenido de Indio) estimados a partir de la medida simétrica de
Rayos X.
A la vista de los resultados obtenidos y resumidos en la tabla 5.3, la aparición
de un doble pico en las medidas de Rayos X, no está asociada a la existencia de dos
fases de InGaN con igual contenido de Indio pero distinto grado de relajación, como
observan S. Pereira et al. [Per01]. Tampoco es asociable el pico B, que aparece en la
medida simétrica pero no siempre en la asimétrica, a una fase cúbica de InGaN, ya
123
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
que el parámetro de red del InGaN cúbico viene dado según: a0(InxGa1-xN)= 0.48x +
4.5 Å [Taka00] que corresponde con ángulos de Bragg de entre 20.01º (c-GaN) y
18.02º (c-InN), que no coinciden con los observados en las muestras en la figura 5.4.
La figura 5.6 muestra un mapa del espacio recíproco de la muestra M479 en
torno a la reflexión (-105) (véase el Capítulo 2). En la representación de la figura 5.6 se
ha tomado qx= 1/a y qz= 1/c, es decir, q es la inversa del parámetro de red en la
dirección especificada en cada caso. El pico del InGaN observado en esta medida de
espacio recíproco se corresponde con el etiquetado como A en la figura 5.4. La línea
de puntos vertical indica la posición en la que debería aparecer el InGaN si estuviera
crecido pseudomórficamente, es decir, con el mismo parámetro de red en el plano del
crecimiento, a, que el GaN. Por el contrario, el círculo indica el lugar en el que debería
aparecer el pico de difracción (-105) de una capa de InGaN con igual contenido de
Indio que la estudiada (20%) pero totalmente relajada. Como se puede observar, la
capa de InGaN está parcialmente relajada, confirmando lo obtenido a partir de las
medidas simétricas y asimétricas de Rayos X.
0,195
0,194
0,193 GaN
0,192 Totalmente
relajado
0,191
qz(Å )
-1
0,190
0,189 InGaN
0,188
0,187 Pseudomórfico
0,308 0,310 0,312 0,314
-1
qx(Å )
Figura 5.6. Mapa del espacio recíproco de la muestra M479 en torno a la reflexión (-105).
124
_______________________________________________________________________________________________
5.2.2.2 Caracterización óptica
La figura 5.7 muestra el espectro de PL a baja temperatura (9K) de la serie

M479-M481. En ninguna de las muestras se observaron recombinaciones
provenientes del GaN crecido bajo el InGaN, apareciendo una sola emisión que se
atribuye a recombinaciones en el segundo, dada la energía a la que aparece y la
comprobación por Rayos X de que las capas contienen InGaN, como se ha
demostrado en el epígrafe 5.2.2.1. Como se puede observar, la disminución del flujo
de Galio hace que la emisión se desplace a menores energías a la vez que el
contenido de Indio aumenta en la capa (ver tablas 5.2 y 5.3).
0.010 9K
M479
0.008
Intensity (a. u.)
0.006
0.004 M480
0.002 M481
0.000
1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
Energía (eV)
Energy (eV)
Figura 5.7. Espectros de fotoluminiscencia de la serie M479-M481.
En los espectros de PL no se refleja la existencia de dos emisiones

correspondientes a regiones con dos contenidos de In diferentes, a diferencia de lo
que mostraban los Rayos X. Para aclarar si esta diferencia se debía a una capa de
InGaN crecida cercana a la intercara con el GaN y detectable mediante Rayos X pero
no en PL se realizaron medidas de PL incidiendo con el láser a través del zafiro,
125
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
detectándose sin embargo las mismas emisiones que las obtenidas al excitar por la
cara del InGaN.
La aparición del pico B de InGaN en los difractogramas de Rayos X puede ser
debida a la existencia de separación de fases en las muestras. Dado que las curvas
binodal y espinodal dependen de la deformación a la que esté sometida la capa
(Capítulo 2), se obtiene teóricamente una región de metaestabilidad de la aleación con
contenido de Indio del 60 al 40%, si estuviese crecida totalmente pseudomórfica sobre
la capa de GaN; y un 0-10% si estuviese totalmente relajada [Kar98][Ho96]. Estados
de relajación intermedios llevarán a regiones de metaestabilidad en la aleación con
contenido de Indio entre los dos extremos comentados. Es de esperar, dados los
resultados de Rayos X en la M480, que la fase B esté parcialmente relajada, y, por
tanto, entra dentro de los márgenes de contenido de In deducidos teóricamente. Así,
N. A. El-Masry et al. observan separación de fase mediante Rayos X en muestras
crecidas por MOCVD con contenidos de Indio superiores al 40%, pero en muestras
con contenidos inferiores sólo es posible detectar la segunda fase usando TEM y SAD
(Selected Area Diffraction) [Masr98]. Por otro lado, R. Singh et al. [Sing97] encuentran
separación de fases en muestras con contenidos en Indio superiores al 30%, si bien, el
contenido de Indio lo obtienen con una medida de Rayos X simétrica y considerando
que la capa está totalmente relajada, lo que puede llevar a una sobreestimación del
contenido de Indio [Görg00]. Teniendo esto último en cuenta, los resultados son
comparables a los obtenidos en esta Tesis. Las regiones de mayor contenido de Indio
pueden estar distribuidas en el volumen de la capa, como ha sido observado por otros
autores [Selk99], [Moon99].
5.2.2.3 Caracterización morfológica
La figura 5.8 recoge la imagen de SEM de la serie de muestras analizadas

anteriormente (M479-M481). Se puede observar una evolución de la superficie de las
muestras, desde no tener gotas y tener una superficie ligeramente “porosa” en la
muestra M481, hasta una superficie con gotas en la M479. Esta evolución indica que
se está pasando desde un crecimiento por debajo de estequiometría, en la M481;
hasta un crecimiento rico en metal en la M479.
126
_______________________________________________________________________________________________
a) 1 µm b) 1 µm
c) 1 µm
Figura 5.8. Imágenes SEM de la superficie de las muestras M479 (a), M480 (b) y M481 (c).
Las imágenes de SEM de la figura 5.8, junto con el cambio en el patrón de

RHEED desde punteado en la muestra con menor BEP de Ga (M481) hasta formar
líneas difusas en la de mayor BEP de Ga (M479), indican un frente de crecimiento
mejor en el último caso, y, por tanto, una mayor calidad cristalina en el material, lo que
justifica el que la intensidad de la emisión observada en el espectro de PL sea superior
en esta muestra (figura 5.7).
127
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
5.2.3 Estudio del efecto de la temperatura de crecimiento
5.2.3.1. Crecimiento y caracterización óptica
Una vez conocidas las condiciones de crecimiento para las que se obtienen
capas gruesas de InGaN, se realizó un estudio del efecto de la temperatura de
substrato. Para ello se fijó el BEP de In en 2.0 E-7 Torr, el de Ga en 6.0E-7 Torr y el
Nitrógeno activo con un O.E.D. de 1.48 V, obtenido con una potencia de RF de 350 W.
La temperatura de crecimiento del InGaN se varió desde 505ºC hasta 595ºC. Las
condiciones de flujos metálicos son, por lo tanto, similares a los empleados en la
muestra M480 (tabla 5.2).
El espectro de PL tomado a 9K de todas las muestras crecidas entre 505ºC y
540ºC tiene una sola emisión que permanece centrada en 2.0 eV. Cuando la
temperatura de substrato es mayor de 540ºC la emisión se desplaza a mayores
energías, alcanzándose energías de emisión de 2.6 eV para temperaturas de
crecimiento de 595ºC. Como se verá más adelante, este cambio en la energía de
emisión se debe a la disminución del contenido de Indio de las capas al aumentar la
temperatura de substrato, produciendo la evaporación del mismo. La figura 5.9
muestra la variación de la energía de emisión al aumentar la temperatura de
crecimiento, junto con la una imagen del patrón de difracción de electrones
correspondiente a la capa de InGaN tras 20’ de crecimiento a distintas temperaturas
de substrato, según el azimut [11-20]. En todas las capas se partió de una superficie
lisa como demuestra la aparición de la reconstrucción 2x2 al bajar la temperatura de
substrato para el crecimiento del InGaN desde la del GaN. Durante el crecimiento del
ternario, el patrón de RHEED evoluciona desde streaky al empezar hasta punteado
tras un tiempo de crecimiento que aumenta al incrementarse la temperatura de
substrato. Así, para la muestra crecida a 505ºC se vuelve punteado al comenzar a
crecer el InGaN, mientras que tarda 5’ y 10’ en ocurrir para temperaturas de
crecimiento de 525ºC y 545ºC, respectivamente. A temperaturas superiores, (560ºC)
puede modularse ligeramente tras 15’ y si aumentamos más la temperatura (590ºC)
permanece streaky durante los 30’ de crecimiento.
128
_______________________________________________________________________________________________
2,6
9K
Energía de emisión de PL (eV)
2,4
2,2
2,0
500 520 540 560 580 600

Temperatura de crecimiento (ºC)
Figura 5.9. Energía de la emisión de PL a baja temperatura con la temperatura de

crecimiento, la flecha indica la tendencia de la evolución. Se muestra en algunos casos el
patrón de RHEED según el azimut [11-20] tras 20’ de crecimiento.
129
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
El cambio en el patrón del RHEED desde streaky a punteado durante el

crecimiento de la capa comentado en el párrafo anterior ha sido atribuido a un paso de
crecimiento bidimensional a crecimiento 3D cuando la capa se relaja [Bött98]. De
hecho, como se verá a continuación, los valores de relajación para la última serie de
muestras indican que cuanto menos tarda el patrón de RHEED en cambiar, más
relajada está la capa final. En estas capas se ha observado además una disminución
en la velocidad de crecimiento al aumentar la temperatura de substrato, desde 0.5
µm/h para temperaturas menores de 550ºC hasta 0.3 µm/h para la capa crecida a
mayor temperatura (595ºC).
5.2.3.2. Caracterización estructural.
El aumento de la energía de emisión con la temperatura de substrato (figura

5.9) se ve acompañado por una disminución del contenido de Indio en las capas,
estimado con una medida simétrica de Rayos X. Este puede ser desde un 30% en la
crecida a menor temperatura hasta un 17% en la de mayor temperatura, si estuviesen
totalmente relajadas; o desde un 19% hasta un 12% si estuviesen crecidas de modo
pseudomórfico sobre el GaN.
El contenido de In en las capas puede ser acotado de forma más precisa que el
amplio margen que ofrece la medida de Rayos X de una reflexión simétrica. Para ello
se ha de tener en cuenta la relación que existe entre la energía de gap obtenida por el
ajuste sigmoidal de la absorción a temperatura ambiente (ec. 3.20), la variación de
dicha energía con la deformación a la que esté sometida la capa (ec. 5.3); y la relación
entre el gap de la capa totalmente relajada y el tanto por ciento de In medido por
Rayos X utilizando medidas simétricas y asimétricas (ver sección 5.5). Lo que se debe
cumplir es que la energía de gap obtenida de la absorción a RT y el parámetro c
medido por Rayos X mediante una medida simétrica deben de corresponder a una
capa que, con el grado de relajación adecuado, siga a la curva que relaciona el
contenido de Indio y la energía del gap. Matemáticamente [Per01b]:
dE g
E grel ≈ E gmedido − ε zz ∙ (5.3)
dε zz
130
_______________________________________________________________________________________________
y, sustituyendo las ecuaciones 5.8 y 5.2 se obtiene:

medido
cInGaN − c0
3.41(1 − x) + 1.89 x − b(1 − x) x = Egmedido − 15.4∙ (5.4)
c0
dE g
, donde se ha tomado = 15.4 eV, la dependencia de la energía del gap con la
dε zz
deformación [Per01]. Este valor es el calculado para GaN, y puede cambiar
con el contenido de In, en el caso del InGaN, aunque dado que los contenidos de In
que están siendo estudiados son pequeños, podemos suponer que este valor no
cambia mucho. El valor estimado del bowing, cuyo cálculo se mostrará en el epígrafe
5.5 es de 3.4 eV. El contenido de Indio calculado de esta forma para la muestra
crecida a 595ºC es de un 14%, con un grado de relajación de 0.35, mientras que para
la muestra crecida a 565ºC el contenido de In ya es de un 22%, con un grado de
relajación de 0.46. Para el caso de la muestra crecida a 545ºC el contenido de Indio es
el 30% con un grado de relajación del 0.94. Estos valores estimados de relajación en
función de la temperatura de crecimiento coinciden con lo indicado por el patrón de
RHEED durante el crecimiento, como se explicó en el epígrafe anterior (figura 5.9)
La disminución en el contenido de Indio al aumentar la temperatura de
substrato se explica teniendo en cuenta la baja energía de enlace entre el Indio-
Nitrógeno frente a la del Galio-Nitrógeno (Capítulo 2). Esta diferencia hace que el Indio
sea desorbido de la capa con mayor rapidez que el Galio al aumentar la temperatura
de crecimiento [Adel99].
Todos lo efectos observados en la caracterización de las muestras se pueden
explicar partiendo de una situación de baja temperatura y rica en elemento III, en la
que la velocidad de crecimiento está limitada por la cantidad de Nitrógeno, y el Indio
sobrante queda acumulado en forma de gotas en la superficie (fig. 5.10a)). Si se
aumenta la temperatura, se evaporan las gotas de Indio, aunque no varía la velocidad
de crecimiento, puesto que se está por encima de estequiometría (fig. 5.10b)). A una
temperatura de substrato superior, comienza a evaporarse demasiado Indio, de modo
que el contenido de Indio en la capa disminuye, la velocidad de crecimiento baja, y se
pasa al régimen en el que el elemento III limita la velocidad de crecimiento (fig 5.10c)).
Al mismo tiempo, al disminuir el contenido de Indio, la relajación de la capa tarda más
en producirse y el RHEED se mantiene streaky. Teniendo en cuenta lo anterior, se
puede estimar la temperatura a la que comienza la evaporación de Indio en torno a
560ºC (figura 5.9).
131
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
(a) (b) (c)
Figura 5.10. Esquema de las distintas etapas por las que pasa la superficie
de la capa de InGaN al subir temperatura de crecimiento, desde condiciones de exceso
de metal con formación de gotas (a) hasta exceso de Nitrógeno y disminución de la
velocidad de crecimiento (c).
El cambio en la energía de la emisión de PL con la temperatura, mostrado en la

figura 5.9, conlleva unos cambios en la anchura a media altura (FWHM) e intensidad
de la emisión, mostrados en la figura 5.11. Así, la intensidad aumenta y el FWHM de la
emisión disminuye al aumentar la temperatura de crecimiento (téngase en cuenta que,
en la figura 5.11, la escala de la intensidad de la emisión es logarítmica). Lo anterior
indica una degradación de la calidad del material crecido a baja temperatura. La
disminución de la intensidad no puede ser atribuida a un recubrimiento metálico en la
superficie, ya que las muestras se limpian con HCl antes de la medida.
0,40
9K
Anchura a media altura de PL (eV)
0,35
Intensidad de PL (u .a.)
0,30
10
0,25
0,20
0,15
1
500 520 540 560 580 600
Figura 5.11. Evolución de la anchura a media altura de la emisión de PL (cuadrados negros) y

la intensidad de la emisión (triángulos blancos) con la temperatura de crecimiento del InGaN.
132
_______________________________________________________________________________________________
5.2.4. Modelo de crecimiento de capas gruesas de InGaN.
Las muestras estudiadas en el apartado 5.2.2 (M479, M480 y M481), están

crecidas a 540ºC y, por tanto, teniendo en cuenta el epígrafe 5.2.3, es de esperar que
durante su crecimiento la evaporación de Indio sea despreciable. En estas capas se
realizó un análisis de la relación φIn/(φIn+φGa) frente al contenido de Indio medido por
Rayos X. Para establecer la relación entre BEP y flujos atómicos se ha empleado las
ecuaciones 5.5 y 5.6,
1/ 2
φA P η M T 
= C AB EA B  A A  (5.5)
φB PEB η A  M B TB 
φA 1
= (5.6)
φA + φB φ
1+ B
φA
La constante CAB (≡CInGa) se obtuvo a partir de las expresiones 5.5 y 5.6 con las
condiciones de la muestra M481 y el tanto por ciento de Indio obtenido de Rayos X. La
elección de una muestra con exceso de N está justificada ya que la expresión 5.5
considera que todo el elemento III se incorpora a la capa y forma parte de la aleación
(no hay evaporación ni se forman gotas de ningún elemento del grupo III). La muestra
M481 está crecida con la menor cantidad de elemento III (4.0 E-7 Torr y 2.0 E-7 Torr
de BEP de Galio e Indio, respectivamente) y no presenta gotas en la imagen de SEM
(figura 5.8), indicando un crecimiento con exceso de Nitrógeno. Tomando las
condiciones de flujos metálicos de esta muestra se obtuvo un valor de CInGa de
1.26±0.06. Hay que recordar que esta constante depende de la configuración
geométrica del propio sistema de crecimiento por lo que el valor estimado es válido
para todas las muestras crecidas en este sistema y en las condiciones anteriormente
indicadas.
El resultado del estudio se encuentra representado en la figura 5.12, en la que
se ha añadido la muestra M474, sin contenido de Indio claro. Las muestras M474 y
M479 tienen un contenido de Indio más bajo que el estimado considerando los flujos
atómicos de los elementos del grupo III.
133
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
0.40
M481
0.35
Fracción molar de In (%) (XRD)
0.30 M480
0.25
0.20
M479
0.15
0.10
0.05
M474
0.00
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
Relación de flujos (φIn /( φGa +φIn ))
Figura 5.12. Relación entre la proporción de flujos atómicos de In frente al total de

átomos metálicos (In+Ga) que llegan a la muestra y el contenido de In medido por Rayos X. La
línea recta indica la relación 1:1.
El que las muestras M479 y M474 aparezcan bajo la relación 1-1 en la gráfica
indica que no todo el Indio se ha incorporado a la capa, pero a la vez no puede
haberse evaporado, dada la temperatura de crecimiento (540ºC). Además, la M474 y
M479 tienen gotas metálicas en su superficie (figura 5.3 y 5.8), y las demás muestras
analizadas en la figura 5.12, no. Sólo queda una alternativa y es que las gotas que
presentan estas muestras en su superficie sean de Indio. Para confirmar esta última
hipótesis, la muestra M479 fue analizada mediante EDX (energy-dispersive X-ray).
Estas medidas fueron realizadas por Oscar de Abril en el microscopio electrónico de
Barrido del ISOM. El resultado se encuentra reflejado en la figura 5.13. Como se
puede observar en las imágenes de contraste (figuras 5.13b y c), las gotas tienen un
alto contenido de Indio (figura 5.13c), mientras que el resto de la capa presenta una
mayor cantidad de Galio (figura 5.13b).
134
_______________________________________________________________________________________________
a) 2 µm b) 2 µm
c) 2 µm
Figura 5.13. Imagen de EDX de las gotas de la muestra M479 (a) Imagen SEM de la
muestra, (b) Mapa de detección de Ga (zona clara), (c) mapa de detección de In (zona clara).
Lo que ha ocurrido es que al aumentar el flujo de Galio hemos pasado de una

situación de exceso de Nitrógeno (M481 y M480) a una situación rica en metal (M479
y M474), en la que el metal sobrante ha formado gotas en la superficie debido a que la
temperatura de crecimiento aún es baja como para que se produzca la evaporación. El
metal que forma las gotas es el que tenga más tendencia a segregarse debido a su
menor energía de enlace con el N y a su mayor tamaño, de ahí que las gotas estén
compuestas fundamentalmente de In. Además, una vez formadas las gotas de Indio,
actúan como atractoras del Indio que hubiese en la superficie, dando lugar a que la
gota crezca y disminuya el contenido de Indio de la capa que se va creciendo
[John97]. Por ello, cuando la cantidad de Galio es muy alta, (M474) no se detecta
135
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
InGaN en las medidas de PL. Este efecto ha sido observado por otros autores en
muestras similares, creciendo mediante MBE [Chen01], [Bött98].
El modelo que explica este comportamiento, propuesto por Chen et al. tiene en
cuenta la formación durante el crecimiento de una bicapa de átomos de elemento III en
la superficie del InGaN [Chen01], (figura 5.14). Los átomos de Indio que estén en la
capa 1 se pueden intercambiar por uno de Galio que llegue a la capa 2, debido a que
la energía de enlace In-N es menor que la del Ga-N, de este modo se puede producir
la segregación de Indio, que no se incorporaría a la capa.
In
Capa 2
Ga
Capa 1
N
(0001)
Figura 5.14. Representación esquemática de la bicapa metálica formada durante el

crecimiento del InGaN [Chen01].
En condiciones ricas en elemento III el crecimiento está limitado por el

Nitrógeno y todo él se incorpora a la capa, pues la superficie está recubierta de
átomos metálicos. Ahora bien, un aumento en el flujo de Galio lleva a que más átomos
de Galio pasen a la capa 1, intercambiándose con el Indio que allí hubiera y
expulsándolo a la capa 2, lo que reduce la proporción de Indio que se incorpora al
material en volumen. En capa 2 el Indio puede permanecer, ya que su energía es 0.16
eV menor que si formase parte de una gota [Chen01]. Ahora bien, cuando la
concentración de Indio en la capa 2 es alta, se forma la gota.
En condiciones ricas en Nitrógeno, la cantidad de átomos metálicos en la capa
2 es baja, y la evaporación se produce directamente desde la capa 1. En estas
condiciones se suprime la segregación, y el Indio que no se evapora térmicamente se
incorpora a la capa, junto con el Galio [Chen01], [Bötch98], [John97].
136
_______________________________________________________________________________________________
5.3. Crecimiento de capas gruesas de InGaN sobre templates.
Una vez establecidas las bases de crecimiento del InGaN sobre zafiro, los
siguientes crecimientos se realizaron sobre templates. Dado que para estos se usa un
portasustratos diferente, lo primero que se varió fue la temperatura de crecimiento
para luego estudiar el cambio en la relación III/V. Al igual que en el caso del zafiro,
sobre el template se crecerá siempre una capa de 0.3 µm de GaN para confirmar las
condiciones de crecimiento de este y el estado de la cámara (Capítulo 4).
5.3.1. Variación de la temperatura de substrato.
5.3.1.1. Crecimiento y caracterización estructural.
La primera serie de muestras sobre templates se creció manteniendo la

relación de flujos constante: φGa =6.0E-7 Torr, φIn =2.0E-7 Torr con un O.E.D. de 1.52
V, fijando la temperatura de substrato en 520ºC, 540ºC y 560ºC (muestras M548,
M549 y M550, respectivamente). Por tanto, teniendo en cuenta las ecuaciones 5.5 y
5.6, y tomando la constante CInGa ~1.26±0.06 (epígrafe 5.2.4), las muestras están
crecidas con una relación φIn/(φIn+φGa) ~ 0.27.
El contenido de Indio en las muestras se obtuvo mediante un análisis de Rayos
X, empleando reflexiones simétricas y asimétricas. La figura 5.15 muestra los
difractogramas de Rayos X, en torno a la reflexión (0002). Como ocurría en las capas
crecidas sobre zafiro (epígrafe 5.2.2.1), en las medidas de Rayos X simétricas se
pueden discriminar dos picos correspondientes al InGaN que no siempre aparecen en
las medidas asimétricas.
137
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
12
10 (0002) GaN
(00.2) GaN
11
(000.2)
(0002) InGaN
InGaN
10
10
10 A
9
10 Tsubs
8 M550
10 560º C
7
10 A
6
10
5
B
10 540ºC
4
M549
10
3 A
10
2 B
10
520ºC M548
1
10
0
10
16.0 16.5 17.0 17.5 18.0
θ/2θ (º)
Figura 5.15. Difractogramas de Rayos X de las muestras de InGaN crecidas sobre

GaN-template.
Los contenidos de In y el grado de relajación obtenidos a partir de las medidas

de Rayos X están resumidos en la tabla 5.4. En el caso en el que se han detectado
dos picos de difracción tanto en las medidas con reflexiones simétricas y asimétricas
se detallan las características de los dos ternarios correspondientes, denotados como
A y B.
Muestra TCrec InA (%) RA aA (Å) cA(Å) InB (%) RB aB(Å) cB(Å)
M548 520ºC 27 0.87 3.27 5.336 37 0.74 3.283 5.409

M549 540ºC 24 0.59 3.236 5.337
M550 560ºC 20 0.54 3.224 5.315
Tabla 5.4. Resumen de los resultados obtenidos del análisis de Rayos X de las
muestras con relación (φIn/φIn+φGa)=0.27
138
_______________________________________________________________________________________________
Como ya se ha comprobado sobre zafiro, cuando se disminuye la temperatura

de crecimiento, siempre por encima de una temperatura umbral, el contenido de Indio
de la capa aumenta (Tabla 5.4). Según el modelo expuesta en el epígrafe 5.2.4, el
contenido de Indio máximo que se incorpora al material en volumen está limitado por
la relación φIn/φIn+φGa y la temperatura de crecimiento. Partiendo de una temperatura en
la que se produzca evaporación, según se disminuye la temperatura de crecimiento
nos acercamos más al valor máximo de contenido de In en la capa dado por la
relación de flujos, este proceso se ve acompañado por la aparición de una segunda
fase de InGaN (figura 5.15). Así, en la serie M548-M550, crecida con una relación
φIn/φIn+φGa ~0.27, en la muestra crecida a menor temperatura (520ºC, M548), se
identifica mediante medidas de Rayos X, además de la fase con un 27% de Indio, una
segunda fase de un 37 %, pero con menor intensidad en los difractogramas (tabla
5.4). Esta segunda fase está menos relajada que la mayoritaria lo que junto con la
menor intensidad de su pico de difracción asociado indica que ocupa un menor
volumen.
Las condiciones de crecimiento de la muestra M549 son directamente
comparables con las de la muestra M480 (estudiada en el epígrafe 5.2.2.1) en la que
el contenido de Indio es de un 29 % (ver tabla 5.3). Dos causas justifican el distinto
contenido de Indio, por un lado, el cambio de substrato, que conlleva un cambio en el
grado de relajación de la capa afectando a la incorporación de Indio [Off98]; y por otro,
una diferencia entre las temperaturas de substrato real y medida.
El contenido de Indio en las muestras de la serie M548-M550 también fue
corroborado mediante Espectroscopía de Iones Secundarios (SIMS) utilizando la
denominada técnica M-Cs+, [Kova98] en la que se determina el contenido en Indio del
ternario empleando la expresión:
X C + In
=K S (5.7)
(1 − X ) C S + Ga
, en la que K es una constante que no depende de la concentración del ternario, y que

se toma a partir de una muestra patrón. La tabla 5.5 muestra el resultado obtenido de
la medida de SIMS de las muestras. Primeramente, se halló el valor de la constante K
para que el contenido de Indio hallado por SIMS coincidiese con el calculado a partir
139
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
de las medidas de Rayos X en las tres muestras, este valor se recoge en la cuarta
columna de la tabla 5.5. Dado que en dos de ellas K tiene un valor muy cercano a 0.71
se tomó éste valor como standard para el cálculo de las concentraciones de Indio en
las muestras; el resultado de dicho cálculo es el que se refleja en la quinta columna de
la tabla 5.5.
% In % In (SIMS) Espesor
Muestra Cs+Ga/Cs+In K
XRD para K=0.71 (nm)
M548 27 1.92 0.710 27 300

M549 24 2.24 0.707 24 280
M550 20 3.01 0.752 19 290
Tabla 5.5. Resumen de los resultados obtenidos del análisis de las medidas SIMS de
las muestras con relación (φIn/φIn+φGa)=0.27.
5.3.1.2. Caracterización óptica.
La figura 5.16 muestra el espectro de PL a 9 K para esta serie de muestras. El

aumento de la temperatura de crecimiento del InGaN produce un desplazamiento de la
emisión a mayores energías (menor contenido de Indio) y un aumento de la intensidad
de emisión, (nótese que los espectros de las muestras que emiten a menor energía
están multiplicados por un factor 2 y 4). Ambos efectos son idénticos a los observados
creciendo sobre zafiro (figura 5.7). La intensidad de PL de las muestras crecidas sobre
template es superior a la de las crecidas sobre zafiro para una misma energía de
emisión, teniendo en cuenta que el espesor de InGaN en ambos casos es similar. En
las muestras crecidas sobre template la emisión está modulada por unas oscilaciones
tipo Fabry-Perot. Las interferencias se producen en la cavidad formada por el GaN del
template (∼2 µm), el GaN crecido por MBE (∼0.4 µm) y la capa de InGaN (∼0.3 µm), a
causa del salto de índice de refracción existente en las intercaras GaN/zafiro e
InGaN/aire. El ajuste de los máximos y mínimos de la intensidad de la emisión da un
valor de espesor de cavidad de 2.72 µm, en buen acuerdo con el espesor total de la
cavidad, en torno a 2.7 µm.
140
_______________________________________________________________________________________________
0,12
9K
(a)
0,10 X1
0,08
0,06 (b)
X2
0,04
0,02 (c)
X4
0,00
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8
Energía (eV)
Figura 5.16. Espectros de fotoluminiscencia de tres muestras crecidas a distinta

temperatura de substrato sobre template. (a) 560ºC, (b) 540ºC, (c) 520ºC.
5.3.2. Estudio de variación de la relación III/V.
5.3.2.1. Crecimiento y caracterización de las capas.
Para estudiar el efecto de la relación III/V se crecieron series de muestras con

distinta relación φIn/φIn+φGa, manteniendo el O.E.D. fijo y variando la temperatura de
substrato en cada serie. Las relaciones de flujos se han calculando tomando la
constante CInGa ~1.26±0.06 obtenida en el epígrafe 5.2.4. La tabla 5.6 recoge las
condiciones de crecimiento de las series analizadas.
Serie Tsubs O.E.D. GaBEP InBEP (GaBEP+InBEP) φIn/(φ

φIn+φ
φGa)
(ºC) (V) (Torr) (Torr) (Torr)
1 540-570 1.05 5.7 E-7 1.7 E-7 7.4 E-7 0.25

2
520-580 1.52 6.0 E-7 2.0 E-7 8.0 E-7 0.27
(M548-M550)
3 550-565 1.05 4.3 E-7 1.7 E-7 6.0 E-7 0.31
Tabla 5.6. Condiciones de crecimiento de las tres series de muestras de InGaN en las
que se varió la relación (φIn/φIn+φGa).
141
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
La necesidad de cambiar la relación de flujos para obtener capas con una

emisión de PL en el verde ( ~2.6 eV a baja temperatura) viene dada por un cambio en
la apertura de la fuente de Nitrógeno, y, por tanto, en el O.E.D.
La figura 5.17 muestra la energía de emisión de los espectros de PL a 9 K para
cada una de las muestras de las series anteriores. La energía de la emisión se
recuperó para las muestras crecidas con una relación de especies metálicas de 0.25.
2,7
2,6 0.25
2,5 0.27
Energía de PL (eV)
2,4
2,3
2,2
0.31
2,1
2,0
520 530 540 550 560 570 580
Figura 5.17. Energía de emisión de PL a 9K de tres series de muestras crecidas con

distinta relación (φIn/φIn+φGa). Dicha relación se encuentra especificada para serie.
Dentro de cada serie estudiada, la intensidad de la emisión disminuye al

disminuir su energía, como se observó creciendo sobre zafiro (figura 5.11). Esto se
debe a un aumento en la inhomogeneidad de la aleación, como demuestra el aumento
en la anchura a media altura de la emisión al disminuir la energía de la misma,
mostrado en la figura 5.18. Además, las muestras crecidas sobre template tienen un
FWHM inferior a las crecidas sobre zafiro, para energías de emisión y contenidos de
Indio similares(comparar figuras 5.18 y 5.11), confirmando la calidad óptica superior de
las muestras crecidas sobre template.
142
_______________________________________________________________________________________________
240
φIn / (φIn+φGa)
220
0.25
FWHM (meV) 200 0.27
180 0.31
160
140
120
100
80
PL, 9 K
60
2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7
Energía de emisión (eV)

Figura 5.18. FWHM de la emisión de PL a 9K de las muestras analizadas en este
epígrafe.
El contenido de Indio de las capas fue obtenido usando medidas de Rayos X

en reflexiones simétricas y asimétricas. Así, para temperaturas de crecimiento de
560ºC el tanto por ciento de Indio disminuye desde un 30 % hasta un 20% cuando la
relación de flujos se reduce desde 0.31 hasta 0.25.
En las series de muestras analizados se observa que el segundo pico en los
difractogramas de Rayos X (figura 5.15) aparece también cuando, una vez fijada la
temperatura de crecimiento se aumenta la relación de flujos hasta que comienza la
aparición de gotas en la superficie, como muestra la figura 5.19. En estas condiciones
se favorece también la formación de otra fase, como ocurría al bajar la temperatura de
substrato. Así, para la muestra crecida con una relación de flujos metálicos de 0.31 se
detectaron dos picos, uno que se corresponde con un 30% de Indio y un segundo con
un 34%. En este caso también se cumple que el menor contenido de Indio está más
relajado (0.64 frente a 0.34).
Por tanto, dos causas pueden hacer que se produzca la separación de fases.
Los efectos térmicos, es decir, una disminución de la temperatura de substrato por
debajo de aquella en la que se forman gotas, y la segregación de Indio, cuando se
aumenta la proporción de Indio frente al total de átomos metálicos y al hacerlo se
supera el punto de estequiometría.
143
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
8
10 Tsubs~560º C (00.2) GaN
7
10 (00.2) InGaN
Reflectividad (c.p.s.)
6 20 % In
10
φIn/(φIn+φGa)
5
10
0.27
4
10
3 30 % In
10
34 % In
2
10
1
10 0.31
0
10
-1
10
16.0 16.5 17.0 17.5 18.0 18.5
θ / 2θ (º)
Figura 5.19. Difractogramas de Rayos X dos muestras de InGaN crecidas con distintas
relaciones de flujos de átomos metálicos.
Por otro lado, es importante destacar que cuando se comparan muestras

crecidas con distinta relación φIn/φIn+φGa pero con igual energía de emisión de PL,
siempre tiene mayor intensidad la emisión de la muestra crecida a mayor temperatura.
Teniendo en cuenta además que a temperaturas de crecimiento superiores a 600ºC no
se ha detectado emisión originada en el InGaN en los espectros de PL de las
muestras, en buen acuerdo con lo obtenido por Adelman et al. [Adel99].
5.4. Estudio de la localización excitónica en las capas de

InGaN en volumen.
La formación de zonas con mayor contenido de Indio es un efecto que, como

se estudió en el Capítulo 2, aparece en las muestras de InGaN debido a la diferencia
de energía de enlace In-N, y el Ga-N [Amb98]. Esta diferencia hace que durante el
crecimiento se generen regiones en la muestra con mayor contenido de Indio y, por
tanto, gap menor que el del material matriz [Zhen00], lo que favorece que los excitones
144
_______________________________________________________________________________________________
se “localicen” en estas zonas y se recombinen desde allí, resultando una energía de

emisión inferior a la del gap promedio de la muestra.
La existencia de estas zonas de mayor contenido de Indio se observa, por
ejemplo, realizando medidas de PL variando la temperatura. Las figuras 5.20a y 5.20b
muestran la evolución con la temperatura del espectro de PL de una capa de InGaN
del 20% de Indio crecida sobre template de GaN. En la figura 5.20b se ha
representado también la evolución del gap según la ecuación de Varshini (ec 5.8), que
no tiene en cuenta el cambio en la energía de emisión debido a la localización
excitónica en la muestra, es decir,
αT 2
E g (T ) = E g 0 − (5.8)
T +θD
Donde los valores Eg0=2.544 eV, α=1.95x10-3 eV/K y θD=830 K se han tomado de un
ajuste experimental a una muestra de un 25% de Indio de la referencia [Bai00].
Como se observa en la figura 5.20b, la energía de emisión sufre un
desplazamiento en forma de “S” al aumentar la temperatura (S-shape), lo que es
característico de muestras en las que existe una localización excitónica [Cho98]. Esta
es debida a que las bandas de valencia y conducción presentan una distribución
aleatoria de mínimos, que se corresponde en el espacio real con una distribución de
distintos contenidos de Indio en la muestra (zonas ricas o con defecto de Indio con
respecto al material matriz). A bajas temperaturas (menor que 100 K en la figura
5.20b) los pares electrón-hueco generados durante la medida de PL no tienen energía
térmica suficiente como para escapar de los mínimos. Entonces, la recombinación se
da en todos los mínimos de la distribución, y la anchura a media altura de la emisión
(FWHM) se corresponde con la anchura de tal distribución. Al aumentar la temperatura
(100-200 K en la figura 5.20b) los excitones pueden escapar de unos mínimos y
superar la barrera de potencial que les permita “caer” a mínimos de inferior energía. El
resultado de este proceso se observa en una disminución de la energía de emisión
con la temperatura mayor que la correspondiente solamente al gap en una capa
uniforme, que viene dada por la ecuación de Varshni (ec. 5.8) (línea de puntos en la
figura 5.20b). En este intervalo de temperaturas, el valor del FWHM de la emisión
disminuye, ya que las zonas de menor gap de la distribución de mínimos participan
mayoritariamente en la emisión. Si se sigue aumentando la temperatura (por encima
145
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
de 200 K en la figura 5.17b) los excitones tienen energía térmica suficiente para poblar
los mínimos de mayor energía de la distribución, por lo que la emisión se desplaza a
mayores energías. Este aumento en la energía compensa la disminución en la energía
del gap debido a la temperatura, llegando incluso a superarla y dando lugar a la forma
de S. Para estas temperaturas, la emisión viene de nuevo de toda la distribución,
llevando a un aumento en su FWHM.
5 2.56 0.19
20%
20%InIn
R=0.51
R=0.54
a) 2.54 b)
0.18
4
2.52
9K
Intensidad normalizada de PL
Anchura a media altura (eV)

20 K 2.50 0.17
3 40 K
60 K 2.48
80 K 0.16
100 K 2.46
2 120 K
140 K 2.44 0.15
170 K
2.42
1 200 K
225 K 0.14
250 K 2.40
275 K
300 K
0 2.38 0.13
2.0 2.5 3.0 0 50 100 150 200 250 300
Energía (eV) Temperatura (K)
Figura 5.20. Evolución de la emisión de una muestra del 20% de Indio y con un grado
de relajación de un 54%. a) Espectros a distintas temperaturas b) Energía y anchura a media
altura de la emisión mostrada en la figura 5.20a.
La figura 5.21 muestra gráficamente los diferentes regímenes de temperaturas

explicados en el párrafo anterior. Partiendo de baja temperatura (figura 5.21a),
pasando por una temperatura intermedia, con una disminución de la energía y anchura
a media altura de la emisión (figura 5.21b). Hasta llegar a alta temperatura, con un
aumento de la energía y anchura a media altura de la emisión (figura 5.21c).
146
_______________________________________________________________________________________________
E E E
X
X X
Intensidad de PL Intensidad de PL Intensidad de PL

a) b) c)
Figura 5.21. Posibles distribuciones de los electrones fotogenerados cuando se

aumenta la temperatura en una muestra con fluctuaciones de potencial debido a una
distribución no homogénea del contenido de Indio.
Según la explicación anterior, la temperatura a la que se da la mínima energía

de emisión debería tener el menor FWHM. En la muestra analizada en la figura 5.20b
no se ha obtenido este resultado, posiblemente porque la distribución de diferentes
contenidos de Indio no es homogénea. Hay que tener en cuenta que en la figura 5.20b
la energía de emisión se toma a partir de un ajuste gaussiano del pico, lo que
convoluciona todas las emisiones contenidas en él. Esto hace que, si bajo el ajuste
existen en realidad dos emisiones predominantes y una de las dos tiene menor
dispersión, cuando domina (es más intensa) la anchura promedio de la emisión
detectada disminuye. Es decir, la emisión puede venir de dos distribuciones de
fluctuaciones de contenido de Indio centradas en torno a dos contenidos de Indio
“principales”, embebidos en una matriz de menor contenido de Indio. Si la distribución
con contenidos de Indio mayores tiene una dispersión alta, su intensidad es baja y su
anchura de emisión grande. Por ello cuando domina, (100-150 K, figura 5.20b, mayor
diferencia entre la emisión esperada según la ecuación de Varshni y la energía de
emisión detectada), el FWHM ya ha empezado a aumentar. Cuando domina la
distribución centrada en un contenido de Indio menor, se produce la reducción del
FWHM detectada. Es de destacar que la muestra que se está analizando (M550) no
presentó doble pico en los difractogramas de difracción de Rayos X, ni en medidas
simétricas ni en asimétricas (Figura 5.15).
El efecto descrito anteriormente debido a la existencia de dos distribuciones de
Indio no ha sido observado en muestras con mayor contenido de Indio promedio. Esto
147
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
que parece indicar que la inhomogeneidad puede ser menor en estas muestras, o que
ésta aparece a mayor escala, como indica la aparición de un segundo pico en las
medidas de difracción de Rayos X (figura 5.15). Las figuras 5.22 a y b muestran la
evolución de la emisión de PL con la temperatura de una de estas capas, con dos
picos en las medidas de Rayos X que corresponden al 27 % y 37 % de Indio y un
grado de relajación de 0.87 y 0.74, respectivamente.
5 2,20 0,40
27% In
R=0.87
4 a) b)
9K 0,35

Intensidad normalizada de PL
20 K 2,15
40 K
3 60 K
FWHM (eV)
80 K
100 K 0,30
120 K
2 140 K
160 K
2,10
180 K
200 K 0,25
220 K
1
240 K
260 K
280 K
300 K
0 2,05 0,20
1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 0 50 100 150 200 250 300
Energía (eV) Temperatura (K)
Figura 5.22. Evolución de la emisión de una muestra del 27% de Indio y un grado de relajación
de 0.87. a) Espectros de PL obtenidos a distintas temperaturas b) Energía y anchura a media
altura de la emisión mostrada en la figura 5.22a.
La energía asociada a la extinción de la emisión en las muestras se ha

estimado mediante un ajuste de la evolución de la intensidad de PL con la
temperatura. Para ello se han supuesto uno o dos procesos compitiendo para la
extinción de la emisión, es decir, una o dos energías de activación para el escape de
portadores desde la recombinación estudiada, EB y EC. Para estimar dichas energías
se ha utilizado la expresión 5.9:
I0
I= (5.9)
− EB −E
1 + B exp( ) + C exp( C )
k BT k BT
148
_______________________________________________________________________________________________
En la expresión 5.9, I0 es la intensidad de la emisión a 0 K, y B y C son

constantes relacionadas con el cociente entre probabilidades de recombinación
radiativa y no radiativa [Pan75]. Esta expresión ya ha sido aplicada para el estudio de
la localización en InGaN por otros autores, utilizando tanto uno o dos procesos de
extinción de la emisión [Sche00], [Adel00] y en semiconductores en general [Pan75].
La figura 5.23 muestra el ajuste de la intensidad integrada de la emisión frente
al inverso de la temperatura empleando la ecuación 5.9, en muestras con distintos
contenidos de Indio crecidas sobre template. Para el ajuste se ha tenido en cuenta
tanto una sola energía de activación para la extinción de la emisión (línea de puntos),
es decir, tomando C=0 en la expresión 5.9, como dos energías para el proceso de
extinción (línea continua). A partir del ajuste a una sola energía de activación para el
proceso de extinción, se obtiene un valor de entre 31 y 35 meV. Estos valores están
dentro del margen que se encuentra en la literatura para capas de InGaN cuando se
supone la existencia de un solo proceso involucrado en la extinción de la emisión.
Ahora bien, el valor obtenido es mucho menor que la anchura a media altura de las
emisiones a baja temperatura (FWHM > 120 meV en cualquier caso). Teniendo en
cuenta que este último valor da una estimación de la anchura energética de la
distribución de mínimos, se puede pensar que un solo proceso de extinción no
describe plenamente lo que está ocurriendo.
Intensidad integrada de PL (a. u.)
0.01
1E-3
M550 20% In
M549 24% In
M548 27% In
1E-4
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12

-1
1/T (K )
Figura 5.23. Intensidad integrada de PL frente al inverso de la temperatura para tres

muestras de InGaN sobre template.
149
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
En el caso del ajuste teniendo en cuenta dos energías de activación, se

obtienen los valores 11 y 69 meV; 12 y 64 meV; y 5 y 51 meV para las muestras con
un 20, 24 y 27 % de Indio, respectivamente. El valor de menor energía se asocia a un
proceso que actúa a bajas temperaturas, y que hace que el ajuste a una sola energía
(línea de puntos) se aleje de los resultados experimentales para bajas temperaturas
(1/T > 0.02) [Sche00]. El proceso sería el escape de los portadores desde niveles altos
en las zonas donde la fluctuación de Indio es menor al material matriz, lo que se refleja
en el espectro de fotoluminiscencia en una disminución de la intensidad en la parte de
alta energía de la emisión al aumentar la temperatura, como se puede observar en la
figura 5.24 para una muestra con un 20 % de Indio.
0.12
In
InxGa -xN
xGa11-xN
0.10 xx~~0.2;
0.2; RR~
~0.54
0.51 9K
40 K
Intensidad de PL (u.a.)
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
Energía (eV)
Figura 5.24. Espectros de fotoluminiscencia de baja temperatura de una muestra de

InGaN con un 20% de Indio.
El segundo valor de energía de activación se corresponde con lo que sería el

escape de portadores desde las zonas de mayor contenido de Indio hacia el material
matriz. Este origen se ve apoyado por el hecho de que, cuando ajustamos a dos picos
la emisión (figura 5.19) la diferencia de energías entre las dos componentes es de
alrededor de 70 meV (frente a 69 meV de energía de activación para el proceso de
extinción), para el caso de un 20% de Indio. Esta energía se correspondería por tanto
con la energía necesaria para que los electrones escapen de las zonas de localización
150
_______________________________________________________________________________________________
de Indio, alcancen el material matriz y puedan moverse y alcanzar puntos de

recombinación no radiativa (defectos, etc.). En esta muestra, una anchura del borde de
absorción de 62 meV ha sido determinada mediante el análisis, empleando la
ecuación 3.20, de medidas de fotoluminiscencia de excitación (PLE) a baja
temperatura (17 K).
Para estimar la dependencia del grado de localización (Stokes-Shift) en función
del contenido de Indio se realizaron medidas de transmisión de las muestras, crecidas
sobre zafiro y GaN-templates. La transmisión se transformó en absorción por la capa
según se explica en el Capítulo 3 (ecuaciones 3.19 y 3.20) obteniéndose el gap
promedio de la capa, EG, y la anchura del borde de absorción, ∆EAbs.
La tabla 5.7 recoge los resultados de dichos ajustes junto con las energías de
emisión de PL, a temperatura ambiente, el contenido de Indio y el grado de relajación,
R, en cada caso. Las muestras marcadas con un asterisco mostraron doble pico en el
difractograma de la medida simétrica de Rayos X, si también se detectó en las
medidas asimétricas se dan los dos contenidos de Indio y sus relajaciones
correspondientes. La siguiente columna, ∆E, contiene el valor del cambio del gap,
teniendo en cuenta el grado de relajación, con respecto al valor del gap si la muestra
estuviese totalmente relajada, calculado utilizando la expresión 5.3. Las siguientes tres
columnas muestran, por orden: la energía de emisión de la PL a temperatura
ambiente, si tiene intensidad suficiente; el valor de dicha energía tras la corrección
teniendo en cuenta el grado de deformación de la capa (∆E), y la anchura a media
altura de la emisión. Las últimas tres columnas resumen los resultados de la
absorción: energía del borde de absorción, dicha energía corregida teniendo en cuenta
el grado de deformación de la capa, y la anchura del borde de absorción.
El valor del grado de relajación de las muestras depende no sólo del contenido
de Indio sino también del substrato utilizado, de hecho, muestras crecidas sobre
template pueden tener distintos grados de relajación si se crecen en templates
diferentes, aunque las condiciones de crecimiento sean nominalmente iguales. En
nuestro caso, la serie M548-M550 fue crecida sobre un mismo template (tem),
mientras que la M553 y la M574 sobre otro diferente (tem’), dando lugar a grados de
relajación diferentes para el mismo contenido de Indio. Este efecto ha sido observado
por otros autores, por ejemplo, J. Off. et al. [Off98] obtienen cambios en el contenido
de Indio de hasta un 50% en capas crecidas en iguales condiciones pero cambiando la
capa buffer, y, por tanto, la deformación de la capa de InGaN y su calidad.
151
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
EPL EPL FWHM EGAbs EGAbs

∆E ∆EAbs
Muestra Subs. In % R (RT) (Cor.) (PL) (RT) (Cor.)
(meV) (eV)
(eV) (eV) (eV) (eV) (eV)
0.37 0.74 -96 2.009 2.218
M548* Tem 2.105 0.257 2.314 0.210
0.27 0.87 -35 2.070 2.279
M549* Tem 0.24 0.59 -82 2.234 2.152 0.252 2.475 2.393 0.188
0.27 0.69 -78 2.155 2.404
M574* Tem’ 2.233 0.466 2.482 0.194
0.24 0.70 -70 2.163 2.412
M553 Tem’ 0.21 0.74 -52 2.231 2.179 0.402 2.574 2.522 0.187
M550 Tem 0.20 0.54 -79 2.446 2.364 0.186 2.603 2.524 0.153
M481* Zaf 0.37 0.77 -93 2.190 2.097 0.334
M532 Zaf 0.30 0.94 -24 2.390 2.366 0.462
0.35 0.69 -108 2.236
M480* Zaf 2.344 0.304
0.29 0.74 -71 2.273
M479* Zaf 0.20 0.71 -41 2.465 2.424 0.474 2.676 2.635 0.225
Tabla 5.7. Resumen de las medidas de fotoluminiscencia, absorción y Rayos X de las

muestras más representativas de InGaN en volumen crecido sobre template y zafiro.
Por otro lado, observa un aumento del FWHM de la emisión de PL y de la

anchura del borde de absorción al aumentar el contenido de Indio, sobre todo al
comparar muestras de la misma serie, es decir, M548-M550 y M479-M481. Este efecto
ha sido observado por otros autores [Mart99] y se atribuye a una mayor dispersión del
contenido de Indio en la capa al tratar de incorporar un contenido de Indio mayor. Los
altos valores del borde de absorción obtenidos para el caso de las muestras crecidas
sobre zafiro (tabla 5.7) pueden estar ligados a una calidad inferior de la capa, dado
que el número de dislocaciones en estas muestras debe ser mayor, como demuestra
el que no posean intensidad de PL apreciable a temperatura ambiente. Asimismo, las
muestras crecidas sobre el template denominado tem’ en la tabla 5.7 poseen una
menor calidad óptica que la serie M548-M550, debido a una calidad menor del
template de partida.
En todas las muestras se observa una diferencia entre la energía de gap
obtenido de la medida de absorción y la de emisión (PL) a la misma temperatura. Esta
diferencia, denominada Stokes-Shift [Zhen00] es debida a que la absorción se produce
152
_______________________________________________________________________________________________
fundamentalmente a energías iguales o superiores a la del gap promedio del material,

en este caso, la matriz de bajo contenido de Indio. Por el contrario, la emisión se
produce principalmente desde zonas de mayor contenido de Indio, que al ocupar poco
volumen no son centros eficientes de absorción aunque sí de emisión. La emisión se
produce, por tanto, en el borde inferior de la absorción. La figura 5.25 muestra los
espectros de absorción y de PL a temperatura ambiente para una muestra con un 20%
de Indio (M550). En la figura 5.25 se observa la diferencia en energías entre el borde
de absorción y la emisión, junto con el ajuste gaussiano utilizado para estimar la
energía de emisión (línea de puntos).
0.012 8
InXGa1-XN PL
0.010 X~20 % Eg =2.446 eV 7
R=0.54
Intensidad de PL (a.u.)
0.008 6
- Ln (TR) (a. u.)

Abs
Eg =2.603 eV
0.006 5
0.004 4
0.002 3
0.000 2
1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
Energía (eV)
Figura 5.25. Espectro de PL y absorción de una muestra de InGaN con un 20% de

Indio a temperatura ambiente.
El tamaño típico de las regiones con mayor contenido de Indio es estudiado en

muestras en volumen por Moon et al., apuntando un tamaño de estas regiones del
orden de 30 nm [Moon99], si bien este depende de la técnica de crecimiento y dentro
de cada técnica, de las condiciones de crecimiento y el contenido de Indio promedio
de la capa.
153
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
5.5. Parámetro de curvatura de la relación Eg frente a

contenido de Indio.
El parámetro de curvatura de la relación Eg, a temperatura ambiente, frente a

contenido de Indio en las muestras ha sido calculado teniendo en cuenta el grado de
relajación de la capa. En el caso de que la muestra presente dos contenidos de Indio
claramente definidos, el valor escogido como representativo es el que resulta
coherente con el resto de las muestras a la hora de estimar dicho parámetro y aparece
en negrilla en la tabla 5.7.
El gap promedio en cada muestra ha sido estimado del ajuste de la absorción
(ec 3.30), obtenida a partir de medidas de transmisión (ver epígrafe 3.3.2). El valor
obtenido ha sido extrapolado suponiendo la capa totalmente relajada, empleando las
expresiones 5.2 y 5.3 [Per01B], donde se ha tomado como valor de la variación del
gap con la deformación, dEg/dεzz=15.4 eV [Shik97]. Una vez extrapolado el valor de la
energía del gap para una capa totalmente relajada, se realizó un ajuste matemático de
esta energía de gap en función del contenido de Indio, según la expresión:
E g ( Inx Ga1− x N ) = 3.41(1 − x) + 1.89 x − b(1 − x) x (5.10)
,donde b es el denominado “parámetro de curvatura” o bowing (epígrafe 2.5.2). El

resultado del ajuste se muestra en la figura 5.26.
Del ajuste mostrado en la figura 5.26 se obtiene un valor de b=3.4 eV, en
concordancia con el obtenido por otros autores en muestras relajadas de InGaN y a
temperatura ambiente, midiendo la energía del gap mediante fotoreflectancia, 3.8 eV
[Wetz98], 3.2 eV [Wag99]. Parker et al. [Park99] obtienen un valor de 4.112 eV
mediante PL, si bien el rango de contenidos de Indio estudiados está entre el 0 y el
25%, y diversos estudios muestran que el bowing es dependiente del contenido de
Indio y disminuye al aumentar éste [McCl98]. Por otro lado, la obtención del gap
directamente de la energía de emisión de PL no resulta fiable, ya que depende del
grado de localización de las muestras, hecho que se evita en la medida de absorción.
Es también de destacar que, como es de esperar el parámetro de curvatura es
intrínseco al material, y no depende por tanto del substrato, ya que para su cálculo se
154
_______________________________________________________________________________________________
ha corregido la diferencia entre substratos que podría repercutir en distinto grado de

relajación para un mismo contenido de Indio [Off98].
3,6
3,4
InGaN/zafiro
3,2 InGaN/template
3,0
2,8
EG(eV)
2,6
2,4
2,2 300 K
2,0
-0,05 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40
Contenido de In (Rayos X)
Figura 5.26. Ajuste del contenido de Indio frente a Energía de gap, en condiciones de
relajación total en las capas
Investigaciones recientes apuntan la posibilidad de que el gap del InN tuviese

un valor de entre 0.7 y 0.9 eV [Davy02a] [Hori02]. La expresión 5.10 considera que el
gap del InN es de 1.89 eV, ahora bien, suponiendo un gap de InN de 0.7 eV se obtiene
un bowing de 2.0 eV, en concordancia con el obtenido por los autores que proponen
esta energía de gap, de 2.3 y 2.5 eV [Davy02b][Hory02].
155
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
5.6. Conclusiones.
A lo largo de este Capítulo se han sentado las bases para el crecimiento del
InGaN, estudiando la región de temperaturas y flujos de los elementos Ga e In que
conducen a contenidos de Indio entre el 14 y el 37 %.
Con respecto a la temperatura de crecimiento, se observa una evaporación de
Indio a temperaturas de pirómetro superiores a ~560ºC.
Por otro lado, el aumento del flujo átomos de Galio por encima de la
estequiometría a bajas temperaturas de crecimiento (540ºC) lleva a la formación de
gotas metálicas en la superficie, formadas fundamentalmente por Indio. La formación
de gotas conlleva una disminución en el contenido de Indio en la capa.
Cuando se trasladan las condiciones de crecimiento a templates se obtienen
capas de mayor calidad óptica debido probablemente a la superior calidad el sustrato
de partida. Se observa, además, una diferencia en el contenido de Indio al crecer en
iguales condiciones sobre ambos substratos, debido a la diferencia del grado de
relajación de la capa de InGaN y a diferencias en la temperatura de crecimiento por el
cambio en el portasubstratos.
El crecimiento de InGaN en volumen tiene entonces las siguientes
características: partiendo de condiciones ricas en Nitrógeno un aumento del flujo de
átomos de Indio produce un aumento en el contenido de Indio de la capa. La relación
contenido de Indio en la muestra frente a la proporción φIn/φIn+φGa es lineal hasta que la
relación III/V es mayor a la unidad. En este punto se forman gotas de Indio en la
superficie, permaneciendo constante el contenido de Indio en la capa y disminuyendo
si se aumenta el flujo de Galio, debido a un efecto de segregación de Indio. Se ha
observado la aparición de una segunda fase de InGaN en los difractogramas de Rayos
X a temperaturas bajas de crecimiento (inferiores a la de comienzo de la evaporación
de Indio) o para condiciones de crecimiento ricas en elemento III.
Las condiciones de crecimiento óptimas se han encontrado para relaciones
III/V ligeramente superiores a la unidad, y a temperaturas de substrato superiores a la
del inicio de la desorción de Indio (560-580º C). El contenido de Indio de la capa es
entonces ligeramente inferior al que viene dado por la relación φIn/φIn+φGa.
Las muestras presentan fluctuaciones locales en el contenido de Indio que han
sido detectadas mediante PL y transmisión, obteniéndose una dependencia en la
156
_______________________________________________________________________________________________
dispersión en contenidos de Indio con el contenido de Indio promedio medido

mediante Rayos X utilizando reflexiones simétricas y asimétricas. La dispersión y
profundidad (en energía) de las fluctuaciones en el contenido de Indio aumenta con
éste, como demuestra un aumento del FWHM de la emisión de PL y del borde de
absorción.
Finalmente, combinando las medidas de Rayos X y las de transmisión se
obtiene un parámetro de curvatura de la relación EG frente a contenido de Indio de 3.4
eV, extrapolando para muestras relajadas, dentro de los valores presentados por otros
autores en la literatura. El parámetro de curvatura así obtenido tiene en cuenta las
fluctuaciones en el contenido de Indio, al considerar el gap promedio a temperatura
ambiente obtenido mediante absorción junto con el contenido de Indio promedio
obtenido de Rayos X.
Parte del trabajo presentado en este Capítulo ha sido publicado en la revista
Applied Physics Letters [Nar02].
157
CAPÍTULO 5
____________________________________________________________________________
158
Capítulo 6
Crecimiento y caracterización de pozos

cuánticos de InGaN.
6.1. Introducción y objetivos.
En este Capítulo se estudiará el efecto de las condiciones de crecimiento de los

pozos cuánticos de InGaN/GaN en sus propiedades ópticas y estructurales. En este
caso, sus propiedades son diferentes a las del material en volumen, ya que la capa de
InGaN tiene un grado de deformación mayor, así como un espesor menor, dando lugar
a la aparición de campos piezoeléctricos que cambiarán la energía de los niveles
confinados en el pozo.
El Capítulo está dividido en tres partes, de las que la primera y segunda están
dedicadas al estudio de los pozos cuánticos simples y múltiples, respectivamente, de
InGaN con barreras de GaN. En la tercera parte se estudia el efecto del campo
piezoeléctrico y las fluctuaciones en el contenido de Indio sobre la energía de emisión
de los pozos. Finalmente, se resumirán las conclusiones obtenidas en el Capítulo.
Dado que el objetivo aplicado de la Tesis es la fabricación de un diodo
electroluminiscente, el estudio de los pozos se centrará sobre todo en sus propiedades
ópticas. La finalidad es obtener las condiciones de crecimiento y la estructura que
conduzca a las mejores propiedades ópticas.
Todos los pozos cuánticos que se van a estudiar en el presente Capítulo han
sido crecidos sobre GaN templates, sobre los que se obtienen capas de GaN con
superficies más planas (ver Capítulo 4).
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
6.2. Crecimiento y caracterización de pozos cuánticos simples

de InGaN.
6.2.1 Crecimiento y caracterización estructural de las estructuras de pozo

cuántico.
Después de haber obtenido InGaN en volumen, el siguiente punto crucial para

el crecimiento de pozos cuánticos es la selección de las condiciones de crecimiento
para la barrera de GaN, ya que este último se crece a mayor temperatura que el
InGaN (ver Capítulos 4 y 5). Debido a la alta presión de vapor de N en InN (10-4 Torr a
800º C [John97]), comparado con las presiones empleadas en el crecimiento, del
orden de 10-5 Torr, subir la temperatura del substrato tras crecer el InGaN para crecer
la barrera de GaN produce la descomposición del ternario. Para evitar este efecto se
empleó la misma temperatura de substrato para la barrera y el pozo.
Por otro lado, ya que los tiempos de crecimiento de pozo y barrera son cortos
(menores de 2 minutos), no se pueden cambiar parámetros de crecimiento que
requieran un tiempo de estabilización largo. Por ello, el BEP de Galio empleado para el
pozo y la barrera será el mismo.
El mantener fijos el BEP de Galio y la temperatura de substrato durante el
crecimiento de toda la heteroestructura es posible gracias a que durante el crecimiento
del InGaN parte del Indio se segrega a la superficie. Allí actúa como surfactante para
el crecimiento del GaN en condiciones ricas en Nitrógeno, ayudando a obtener una
buena superficie incluso a la baja temperatura de substrato empleada [Adel99b],
[Daud00], [Walt01].
Una serie de tres muestras (M553-M555) se creció para el estudio de los pozos
cuánticos simples. En todos los casos se partió de una capa de 300 nm de GaN
crecida sobre template. Durante esta última se optimizan las condiciones de
crecimiento y se busca un frente de crecimiento lo más plano posible, como se explicó
en el Capítulo 4 de esta memoria. La primera muestra de la serie (M553) es una capa
de InGaN en volumen crecida como referencia, mientras que las muestras M554 y
M555 son pozos cuánticos simples de InGaN seguidos de la barrera de GaN. Todas
las muestras de la serie se crecieron con un O.E.D. fijo de 1.52 V. El BEP de Galio
utilizado es de 2.0 E 6 Torr y 6.0 E-7 Torr para el GaN de alta temperatura (buffer) y el
160
CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE POZOS CUÁNTICOS DE INGAN
____________________________________________________________________________
de la barrera, respectivamente, mientras que el de Indio es de 2.0 E-7 Torr. La

temperatura de substrato se fijó en todas las muestras en 570º C.
El único cambio entre las dos muestras de pozo cuántico es el tiempo de
crecimiento del pozo, de 1 minuto en la muestra M554 y 2 minutos en la M555, siendo
el tiempo de crecimiento de la barrera de GaN de 3 minutos, en ambos casos. Los
espesores correspondientes se dan en la Tabla 6.1.
Las muestras de esta serie fueron analizadas mediante difracción de Rayos X,
empleando reflexiones simétricas (0002) y asimétricas (105) y (–105). Para obtener la
estructura de capas se simularon los difractogramas con un programa desarrollado en
el Paul Drude Institut (PDI) de Berlín [Brand02] hasta que se obtuvo un buen ajuste
con los datos experimentales. El programa permite estimar contenidos de Indio,
espesores y grados de relajación de las distintas capas de la heteroestructura. La
figura 6.1 muestra el resultado de la medida de Rayos X, θ/2θ de la reflexión (0002),
para las muestras de M554 y M555, junto con la correspondiente simulación,
mostrando el buen ajuste obtenido entre ambas.
12
10
11
10 InGaN/GaN Medida
10 Simulación
10 SQW
9
10 (0002) GaN (0006) Al 2O3
Reflectividad (c.p.s.)
8
10
7
10 M555
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1 M554
10
0
10
16 17 18 19 20 21
θ (º)
Figura 6.1. Difractograma de la reflexión (0002) de las muestras M555 y M554.
161
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
La figura 6.2 muestra los difractogramas de Rayos X de las reflexiones

asimétricas (105) y (-105) de la muestra M555. Los difractogramas confirman, además,
la incorporación del Indio al pozo.
3 experimento (105) GaN (-105) GaN

10 experimento
simulación 3
10 simulación

2
10 2
10
10
1 (105) InGaN 1 (-105) InGaN
10
0 0
10 10
-10000 -5000 0 5000 -10000 -5000 0 5000

θ (º) θ (º)
Figura 6.2. Difractograma de las reflexiones (105) y (-105) de la muestra M555, junto
con la simulación en cada caso.
Los espesores, relajaciones y contenidos de Indio deducidos de las

simulaciones de Rayos X se encuentran detallados en la tabla 6.1, definiéndose el
grado de relajación, R, según la expresión 5.1. La capa de InGaN en volumen (M553),
crecida bajo las mismas condiciones que los pozos, tiene un contenido de Indio de un
21 %, con un grado de relajación de 0.74. Por otro lado, en la muestra M554 no se
obtuvieron picos claros en el difractograma de las reflexiones asimétricas por lo que el
margen de error de las estimaciones es mayor. Diversos autores señalan que el InGaN
puede crecer pseudomórfico sobre el GaN con espesores por debajo de 30 nm y
contenidos de Indio menores del 15 % [Reed00], [Wag99]. Jahnen et al. [Jahn98]
hallan un límite teórico para que comience la relajación del ternario de 100 nm para
contenidos de Indio del 20%. En nuestro caso, sin embargo, la simulación de Rayos X
de la muestra M555 indica una ligera relajación (27%), a pesar de que el contenido de
Indio no es alto (12%). Ahora bien, como se vio en el Capítulo 5 con capas de InGaN
en volumen, el grado de relajación y el contenido de Indio de la capa dependen
también de la calidad de la capa buffer crecida bajo el InGaN y del sustrato utilizado.
Más adelante, apoyaremos la hipótesis de la parcial relajación de la capa cuando se
estudien los espectros de PL y la simulación de la posición energética de los niveles
confinados en el pozo.
162
____________________________________________________________________________
tpozo T pozo tbarrera Tbarrera dpozo dbarrera

Muestra %In R
(min) (ºC) (min) (ºC) (nm) (nm)
M553 30 570 300 nm InGaN grueso 21 0.74
M554 1 570 3 570 8±2 19 15±3 -
M555 2 570 3 570 14±0.5 19 12±1 0.27
Tabla 6.1. Relación de muestras de pozo cuántico simple analizadas.
En la muestra M555 se realizaron medidas de TEM, obteniéndose un espesor

de pozo de 14.1±0.5 nm confirmando la estimación realizada a partir de las
simulaciones de los difractogramas de Rayos X (~14 nm), dentro del margen de error
de la medida. Las medidas de TEM fueron realizadas por el doctor P. Vennegues del
CRHEA de Valbonne (figura 6.3)
50 nm
14.1 nm
Figura 6.3. Imagen de TEM del corte transversal de la muestra M555, en la que se puede
observar el pozo cuántico de InGaN y se puede estimar su espesor en 14.1 nm.
La imagen de TEM de alta resolución de la muestra M555 (figura 6.4) revela

una distribución inhomogénea del Indio en el pozo, además de una intercara pozo-
barrera poco abrupta, sobre todo en el caso en que se pasa de ternario a binario.
Ambos hechos ensanchan los picos de Rayos X (figura 6.1) y repercuten en las
propiedades ópticas del pozo, como se verá más adelante.
163
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
Figura 6.4. Imagen de HRTEM del corte transversal de la muestra M555, en la que se puede
observar el pozo cuántico de InGaN.
Las medidas de AFM muestran una rugosidad superficial (RMS) de la capa de

3.3 nm, 1.3 nm y 1.2 nm analizando áreas de 9x9 µm, 3x3 µm (figura 6.5) y 1 x 1 µm,
lo que indica que, a pesar de que la intercara InGaN/GaN no sea abrupta, el método
de crecimiento empleado es una base aceptable para el crecimiento de pozos
cuánticos múltiples.
600nm
Figura 6.5. Imagen de microscopía de fuerza atómica (AFM) en un área de 3 x 3 µm de la

superficie de la muestra M555. La rugosidad (RMS) de la superficie mostrada es de 1.3 nm
164
____________________________________________________________________________
6.2.2 Caracterización óptica.
La figura 6.6 muestra los espectros de PL tomados a 8 K de las tres muestras

de la serie. La gráfica insertada muestra el detalle de las emisiones en torno a 3.485 y
3.49 eV, asociadas a la barrera de GaN, y que están presentes en las muestras de
pozo cuántico pero no en la de InGaN en volumen. Los espectros están modulados
por oscilaciones Fabry-Perot que se producen en la cavidad formada desde la
intercara GaN template-zafiro y GaN de la barrera-aire. En el caso de la muestra de
InGaN en volumen (M553) y la muestra M555 la emisión detectada es asimétrica, con
una cola hacia menores energías. Dicha asimetría, ya observada en las capas de
InGaN en volumen (Capítulo 5) se asocia a la existencia de inhomogeneidades en el
contenido de Indio en las muestras. En pozos cuánticos crecidos por MOCVD se han
observado asimetrías en la emisión de PL debidas a defectos en V en intercaras
InGaN/GaN [Pozi00]. Esta posibilidad ha sido descartada en las muestras analizadas,
al no observarse este tipo de defectos en las imágenes de TEM. Tampoco se pueden
asociar a réplicas fonónicas de la emisión principal, como observan Pecharromán et al.
[Pech02], dado que no varía su posición al variar la temperatura o la potencia de
excitación durante la medida.
0.04 M553
1E-3
M554 x 62
M555 x 10
0.03
1E-4 8K
3.46 3.48 3.50

0.02 Ener gía (eV)
0.01
0.00
1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
Energía (eV)
Figura 6.6. Espectros de PL a 9 K de dos pozos cuánticos simples (M554 y M555) y

una muestra de InGaN en volumen crecida en iguales condiciones(M553). La gráfica insertada
muestra la región de alta energía del espectro para las capas M554 y M555.
165
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
Puesto que la muestra M555 de pozo cuántico simple es la que da mayor

intensidad de emisión, nos centraremos en ella. La figura 6.7 muestra la evolución del
espectro de PL de la muestra M555 con la potencia de excitación, a baja temperatura
(8 K, figura 6.7a), y con la temperatura, a una potencia fija (1 mW, figura 6.7b).
Generalmente, en pozos de InGaN/GaN en los que existe un fuerte campo
piezoeléctrico, la presencia de emisiones a altas temperaturas y con bajas potencias
de excitación se atribuye, a que los portadores localizados en regiones de mayor
contenido de Indio no se ven afectados por recombinaciones no radiativas que se dan
en la intercara InGaN/GaN [Pozi00]. Cuando no se da la localización de los
portadores, estos son “empujados” en presencia del campo piezoeléctrico hacia las
intercaras InGaN/GaN, favoreciéndose recombinaciones no radiativas en estas
regiones. Dada la baja temperatura a la que desaparece la emisión en el caso de la
M555, (tan sólo 150 K), es de esperar que, aunque exista localización, el peso de los
caminos no radiativos en la muestra sea importante. Esta hipótesis se ve justificada si
se tiene en cuenta la baja calidad de las intercaras barrera/pozo que se observa en las
figuras 6.3 y 6.4.
M555
M555 a) 1 mW b)
8K 150 K
Intensidad Normalizada de PL (a.u.)
Intensidad Normalizada de PL (a. u.)
100 K
15 mW
50 K
1 mW 25 K
0.05 mW 9K
2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1
Figura 6.7. Espectros de fotoluminiscencia de la muestra M555, obtenidos fijando la

temperatura a 8 K y variando la potencia de excitación (a); y fijando la potencia de excitación
en 1 mW y variando la temperatura de la medida (b).
166
____________________________________________________________________________
Teniendo en cuenta la simulación del perfil de bandas de la muestra, que será

presentada en el epígrafe 6.2.3, es posible establecer la hipótesis de que los espectros
contienen dos emisiones; una relacionada con estados extendidos en el pozo, y otra
con estados localizados en fluctuaciones en el contenido de Indio, centradas
aproximadamente en 2.9 eV y 2.7 eV, respectivamente. Al aumentar la temperatura,
una vez que la primera se extingue (50 K), predomina en los espectros la segunda,
mientras que a baja temperatura y potencia de excitación se detectan ambas.
6.2.3 Estudio de los campos eléctricos en el pozo.
Para estimar la posición de los niveles en el pozo, incluyendo el efecto de los

campos piezoeléctricos, se ha utilizado el programa desarrollado por el doctor J.L.
Sánchez de Rojas [SanR00], con pequeñas modificaciones para su uso con el ternario
InGaN. Este programa resuelve la ecuación de Schrödinger, pero no la de Poisson,
por lo que no se pueden estimar directamente los efectos de apantallamiento del
campo piezoeléctrico en el pozo debido a acumulación de portadores, lo que puede
cambiar la posición energética de los niveles confinados [Sala99].
Las discrepancias entre el campo piezoeléctrico real en el pozo y el estimado
teóricamente pueden tener tres orígenes: una relajación estructural del InGaN del
pozo, el apantallamiento del campo por carga libre [Sala99] y un error en el cálculo
teórico de los coeficientes piezoeléctricos[SanR00], [Take97]. El primero de ellos se ha
tenido en cuenta a través de la relajación del material, R, que se encuentra
multiplicando a la deformación a la que está sometido el ternario (expresión 6.1) y
repercute en los campos piezoeléctricos generados según la expresión 6.2 (ver
epígrafe 2.5.2):
a − a0
∆a ' = (1 − R ) = ∆a (1 − R) ( 6.1)
a0
C13
PPz = 2∆a' (e31 − e33 ) ( 6.2)
C33
, donde a es el parámetro de red del GaN (sobre el que el InGaN crecería

pseudomórfico), y a0 es el parámetro de red del InGaN totalmente relajado. El segundo
167
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
y tercer origen de las discrepancias entre teoría y experimento se ha introducido

artificialmente en las simulaciones eléctricas variando el parámetro R por encima del
obtenido de los Rayos X.
Debido a la diferencia de polaridad entre el vacío y el GaN, el nivel de Fermi se
encuentra anclado en la superficie del semiconductor (para polaridad en Galio en el
borde de la banda de valencia) [Fior99], dando lugar a la existencia de un campo cerca
de la superficie y generando una zona de vaciamiento de portadores. Este campo
puede apantallar el campo piezoeléctrico en el pozo, por lo que habrá que tenerlo en
cuenta en la simulación eléctrica del mismo. El espesor de la zona de vaciamiento
depende del dopaje residual en la muestra según la expresión:
2 E g εε 0
ws = ( 6.3)
e2 N D
Por ejemplo, para un dopaje residual tipo n de ND=1E18 cm-3 la anchura de la

zona de vaciamiento sería de 60.4 nm. El campo generado por la zona de vaciamiento
es de la forma:
− eN D
F ( z) = ( ws − z ) ( 6.4)
εε 0
, donde z tiene su origen en la superficie.
Al incluir el pozo, con un campo piezoeléctrico que se opone al debido a la
zona de vaciamiento, esta se hace más grande, según la expresión 6.5:
eFPz d
w's = ws 1 + ( 6.5)
Eg
, donde ws viene dada por la expresión 6.3, y w’s es la nueva anchura de la zona de
vaciamiento teniendo en cuenta el efecto del pozo. El campo en la zona de
vaciamiento queda modificado, de modo que la expresión 6.4 sigue siendo válida pero
tomando w’S en lugar de wS. La figura 6.8 ilustra gráficamente el efecto de añadir un
pozo en el espesor de la zona de vaciamiento, para un dopaje residual fijo.
168
____________________________________________________________________________
~EG
ωs
~EG
superficie
ω’s
Figura 6.8. Perfil de potencial en la zona de vaciamiento al introducir un pozo.
El campo generado en la zona de vaciamiento puede hacer que los huecos

sean expulsados del pozo, efecto más difícil que se dé para los electrones, dado que
la altura de la barrera de potencial es mayor para estos últimos. A causa de lo anterior,
residuales altos, que llevan a zonas de vaciamiento pequeñas y campos altos cerca de
la superficie pueden hacer que el pozo no emita [Mayr00], [Fior99]. La figura 6.9
muestra el efecto de disminuir la zona de vaciamiento al aumentar el dopaje residual
en la estructura de pozo cuántico simple de la muestra M555, con un espesor del pozo
de 14 nm situado a 19 nm de la superficie. Utilizando las expresiones 6.3 y 6.5 se
obtienen dopajes residuales de 5.2 E 17 cm-3 y 2.9 E 17 cm.3 para anchuras de zonas
de vaciamiento de 90 nm y 120 nm, respectivamente. Como se ha explicado en el
párrafo anterior, para el caso de 90 nm, no hay confinamiento de huecos en el pozo.
Además, si se diese acumulación de carga en el pozo, se disminuye el espesor
de la zona de vaciamiento, si bien, este efecto es despreciable dadas las
concentraciones residuales de las muestras que se analizarán en esta memoria
(ND<1018 cm-3).
Por tanto, como parámetros de ajuste en la simulación de los niveles en el pozo
se utilizarán, tanto el apantallamiento de los portadores en el pozo, a través del grado
de relajación, como el espesor de la zona de vaciamiento.
169
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
0,5
0,0
-0,5
Suiperficie
Superficie
-1,0
Energía (eV)
-1,5
-2,0 W s=900 Å
W s=1200 Å
-2,5
-3,0
-3,5
-4,0
-200-150-100 -50 0 50 100 150 200
z (Å)
Figura 6.9. Efecto del dopaje residual en el perfil de potencial de un pozo situado cerca de la
superficie.
6.2.4 Resultado de las simulaciones.
Utilizando el procedimiento descrito anteriormente, las simulaciones que

conducen a recombinaciones cercanas a 2.9 eV tienen un porcentaje de probabilidad
de recombinación pequeña (del orden de 0.02 %). Para ello se ha considerado una
anchura de zona de vaciamiento de en torno a 115 nm, que correspondería a un
residual de 6 E 17 cm-3, junto con un grado de relajación de 0.75. Este último tiene en
cuenta las incertidumbres en el cálculo teórico de los coeficientes piezoeléctricos, el
apantallamiento de los campos en el pozo debido al dopaje residual y el propio grado
de relajación de la capa. La figura 6.10 muestra el perfil de bandas obtenido.
170
____________________________________________________________________________
1.5 Superficie
1.0
0.5
0.0
Energía (eV)
-0.5
-1.0
-1.5 2.94 eV
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-200-150-100 -50 0 50 100 150 200
z (Å)
Figura 6.10. Resultado de la simulación del primer nivel confinado de electrones y de huecos
para la muestra M555.
El pequeño valor de la probabilidad de recombinación en el pozo debido al bajo

solapamiento de las funciones de onda hace suponer que la emisión observada pueda
no venir directamente de niveles confinados en el pozo, sino de una combinación de
estos y de estados localizados formados en zonas de mayor contenido de Indio.
Además, cualquier otra combinación de parámetros de simulación (con sentido) que
lleve a energías de recombinación inferiores a 2.8 eV conduce a probabilidades de
recombinación nulas, debido a que la anchura del pozo estudiado es muy alta (14 nm).
El aumento en la energía de emisión con respecto a la estimada teóricamente
teniendo en cuenta los campos piezoeléctricos en pozos anchos ha sido observado
por Mee-Yi Ryu et al. [Ryu01]. Así, la energía de emisión obtenida para un pozo de 16
nm de espesor y 15 % de Indio es mayor que para el pozo 4 nm de espesor,
manteniendo el contenido de Indio. Es de destacar que la energía de emisión del pozo
de 16 nm (15 % Indio) es en torno a 2.87 eV, muy cercana a la obtenida en la muestra
M555. Ramakrishnan et al. [Rama00] obtienen emisiones de PL a energías similares
(2.92 eV) para un pozo de 12 nm de espesor y 13 % de Indio. En ambos casos, la
energía de emisión es mayor que la esperada debido a la relajación de los campos
171
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
piezoeléctricos, como posiblemente ocurre en nuestro caso, ya que, si no fuese así, la

probabilidad de recombinación sería nula.
Por tanto, en la muestra M555 parece haber dos emisiones, una proveniente
del nivel extendido en el pozo con el campo piezoeléctrico relajado centrada en 2.9 eV
y otra, que domina la emisión cuyo origen son las fluctuaciones en el contenido de
Indio, centrada en torno a 2.7 eV. La formación de zonas de mayor contenido en Indio
haría que la emisión se desplazase a menores energías al disminuir la potencia
incidente, dependiendo de la profundidad de los niveles en las zonas de mayor
contenido de Indio (ver figura 6.7a y 6.7b).
Eliseev et al. [Elis00] calculan teóricamente la dimensión de estas zonas de
mayor contenido de Indio, que tendrían forma de discos, en torno a 24 nm de
diámetro. Dicho valor es aplicable a fluctuaciones laterales en el pozo, lo que no da
una idea de lo que ocurre en la dirección de crecimiento.
6.3. Crecimiento y caracterización de pozos cuánticos

múltiples de InGaN/GaN.
Después del crecimiento de la estructura de pozo cuántico simple se estudió el

crecimiento de los pozos cuánticos múltiples, que constituirán la capa activa de los
dispositivos LED de la Tesis. La utilización de pozos cuánticos múltiples como capa
activa los LED se debe a su mayor eficiencia de emisión al aumentar el volumen de
capa activa, y a que, fijada la anchura de la zona intrínseca del dispositivo, el campo
interno en cada pozo disminuye al aumentar el número de estos, llevando a una
situación más cercana a la banda plana (flat-band). Las estructuras crecidas en este
epígrafe se esquematizan en la figura 6.11.
Como en el caso de las capas de InGaN en volumen y de los pozos cuánticos
simples, los pozos cuánticos múltiples se crecieron sobre una capa de GaN grueso de
300 nm para optimizar las condiciones de crecimiento in-situ y alejarse de la superficie
del template, que puede tener impurezas y defectos.
172
____________________________________________________________________________
5 pozos InGaN/GaN
Parada del crecimiento

MBE ~ 300 nm GaN
MOCVD- ~ 2-3 µm
GaN
Al2O
Figura 6.11. Esquema de las muestras de múltiple pozo cuántico estudiadas.
El estudio del crecimiento de pozos de InGaN / GaN se realizó con los

siguientes experimentos. Primeramente, para estudiar el efecto de la anchura del pozo
sobre la intensidad de la emisión se cambió el tiempo de crecimiento del pozo. En un
segundo experimento enfocado a aumentar el contenido de Indio en el pozo, se varió
el flujo de Indio durante el mismo; por último, se estudió el efecto del flujo de Galio
durante el pozo y barrera en la calidad de esta última. Este último estudio se realizó
utilizando dos células de Galio para poder cambiar de flujo rápidamente.
En los epígrafes 6.3.1 a 6.3.3 se estudiará el crecimiento y la caracterización
de cada serie de muestras, mientras que en los epígrafes 6.3.4 a 6.3.6 se realizará un
análisis de todas las muestras en su conjunto, teniendo en cuenta los campos
piezoeléctricos y las fluctuaciones en el contenido de Indio en el pozo.
6.3.1. Efecto de la variación del tiempo de crecimiento del pozo.
6.3.1.1 Crecimiento de las estructuras.
En la primera serie de muestras de cinco pozos cuánticos múltiples se varió el

tiempo de crecimiento del pozo, como se detalla en la tabla 6.2. Para el crecimiento de
los pozos se han utilizado los mismos BEP que en el caso de los pozos cuánticos
173
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
simples, es decir, 2.0 E-7 Torr y 6.0E- 7 Torr para Indio y Galio, respectivamente. El
Nitrógeno activo se mantuvo fijo en todas las capas, con un O.E.D. de 1.48 V.
Muestra T crec (ºC) tInGaN tGaN

M575 570 30’ InGaN en volumen
M576 570 30” 60”

M577 570 20” 60”
M578 570 10” 60”
Tabla 6.2. Tiempos de crecimiento de pozo y barrera para la serie de muestras estudiada.
El crecimiento de los pozos se realizó de igual modo que el del pozo cuántico
simple descrito en el epígrafe 6.2, manteniendo fijos la temperatura y los BEP de los
elementos III y V, abriendo el obturador de la célula de Indio para crecer el InGaN del
pozo y cerrándolo al pasar a la barrera. El tiempo de crecimiento del pozo se ha
reducido comparado con el empleado para los pozos cuánticos simples (epígrafe 6.2),
con el objeto de disminuir su espesor y minimizar el efecto de los campos
piezoeléctricos, buscando obtener una mayor eficiencia de emisión.
En todas las muestras se observó una reconstrucción (2x2) en el patrón de
RHEED durante el enfriamiento del substrato desde la temperatura de crecimiento del
GaN hasta la del InGaN (figura 6.12). Así mismo, después de cerrar el obturador de
Indio tras el crecimiento del pozo cuántico, y transcurrido un tiempo de crecimiento de
la barrera, se observa una reconstrucción (1x3) en el azimut [1-100], (figura 6.12) que
ha sido asociada a un recubrimiento parcial de la superficie por el Indio que se
segrega durante el crecimiento del ternario [Walt01].
Hasta la aparición de la reconstrucción (1x3) en el patrón del RHEED, se puede
suponer que el Indio segregado durante el crecimiento del InGaN se ha ido
evaporando o incorporando a la capa. Esta hipótesis se ve confirmada por la aparición
de dicha reconstrucción en los instantes posteriores a la apertura de la célula de
efusión de Indio al comenzar a crecer cada pozo, momentos en los que se puede
producir una acumulación del mismo debido a la sobrepresión que se produce al abrir
la célula (transitorio).
174
____________________________________________________________________________
( 2x2 ) ; azimut [11-20] ( 2x2 ) ; azimut [1-100]
( 1x3 ) ; azimut [11-20] ( 1x3 ) ; azimut [1-100]
Figura 6.12. Patrones de difracción de RHEED tomados durante el crecimiento de las

muestras de múltiple pozo cuántico, el azimut se encuentra especificado en cada caso.
6.3.1.2 Caracterización estructural.
La estimación de los espesores de barrera y pozo se obtuvo a partir de la

simulación del difractograma de Rayos X utilizando la reflexión simétrica (0002). Al
tratarse de espesores de pozo bajos la simulación se ha realizado suponiendo que los
pozos de InGaN están crecidos pseudomórficamente sobre las barreras de GaN. La
figura 6.13 muestra la evolución en el difractograma de Rayos X al variar el tiempo de
crecimiento del pozo.
175
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
Simulación GaN (002)

Medida
SL (0)
M576 SL(-1)
SL(+1)

GaN (002)
SL (0)
M577 SL(-1)
SL(+1)
GaN (002)
SL (0)
M578SL(-1)
SL(+1)
-5 -4 -3 -2
θ(º)
Figura 6.13. Difractograma de Rayos X de las muestras
M576-M578.
Lo primero que se observa en el difractograma es la aparición de los picos

satélites debidos a la superestructura de los pozos. Entre ellos aparecen las
oscilaciones de pendellösung, en un número de n-2, siendo n el número de
repeticiones InGaN/GaN de la estructura. En nuestro caso, aparecen 3, indicando que
la estructura posee 5 pozos cuánticos. El ensanchamiento de los picos satélites al
aumentar el tiempo de crecimiento del pozo, desde la M578 hasta la M576, puede
estar relacionado con una peor calidad en la intercara InGaN/GaN [Krost95] [Chen00].
La tabla 6.3 resume los resultados obtenidos de la simulación de los
difractogramas de Rayos X mostrados en la figura 6.13. La velocidad de crecimiento
de InGaN obtenida teniendo en cuenta los tiempos de crecimiento “nominales”, t,
resulta muy alta (tabla 6.3) frente a la del GaN (~0.5 µm). Teniendo en cuenta que
hasta que aparece la reconstrucción (1x3) en el patrón del RHEED se sigue
incorporando Indio a la capa, es natural tomar como tiempo real de crecimiento de
pozo, t’, el nominal más el tiempo que tarda en aparecer la citada reconstrucción en el
RHEED en la barrera. Las velocidades de crecimiento calculados de esta manera
aparecen en cursiva en la tabla 6.3. Con este procedimiento, se obtienen velocidades
176
____________________________________________________________________________
de crecimiento más acordes con las esperadas teniendo en cuenta las condiciones de
crecimiento.
tpozo tbarrera dpozo dbarrera t’ t’ vpozo v’pozo

Muestra %In pozo barrera
(seg) (seg) (Å) (Å) (seg) (seg) (µm/h) (µm/h)
M575 30’ 300 nm de InGaN grueso con 24 % Indio. R=0.7
M576 30” 60” 50 60 16 50” 40” 0.6 0.36
M577 20” 60” 40 55 16 40” 40” 0.72 0.36
M578 10” 60” 25 55 14 30” 40” 1.08 0.30
Tabla 6.3. Relación de los resultados obtenidos a partir de las simulaciones de Rayos X y la
velocidad de crecimiento correspondiente en cada caso; teniendo en cuenta y sin tener en
cuenta el tiempo de aparición de la reconstrucción (1x3) durante el crecimiento la barrera.
Como ocurría en las muestras de pozo cuántico simple (epígrafe 6.2), el

contenido de Indio obtenido es menor que el de la capa de InGaN grueso crecida en
iguales condiciones (tabla 6.3).
Para comprobar la calidad estructural de las muestras se realizaron medidas de
TEM de alta resolución en el PDI de Berlín por el doctor A. Trampert, en la muestra
con el pozo más estrecho, M578 (figura 6.14).
GaN ~ 5nm
Dirección de
crecimiento GaN
InGaN ~ 2.6nm
Figura 6.14. Imagen de Alta Resolución tomada con el microscopio de Transmisión de

Electrones (HRTEM) de la muestra M578.
177
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
La imagen de HRTEM (figura 6.14) confirma la medida de espesores de pozo y

barrera estimados mediante la simulación del difractograma de Rayos X, además de
mostrar la alta calidad de las intercaras InGaN/GaN en la muestra, lo que concuerda
con la baja anchura a media altura de los picos satélites de la heteroestructura
detectados por Rayos X (figura 6.13). El aumento en la calidad de la intercara con
respecto al pozo simple (figura 6.4) se debe a que en aquél había comenzado la
relajación del ternario, y no en este caso.
Los espectros de PL de la serie de capas M576-M578 se muestran en la figura

6.15. Lo primero que se destaca es un desplazamiento de la emisión al aumentar la
anchura del pozo (de la M577 a la M576), lo que se debe a la existencia de fuertes
campos piezoeléctricos en las capas, y será estudiado en el epígrafe 6.3.5 del
presente Capítulo. Como en muestras anteriores crecidas sobre template, los
espectros están modulados por una oscilación Fabry-Perot. La intensidad de la
emisión no está directamente correlacionada con el espesor de pozo, como observan
otros autores [Bai00], (en la figura 6.15 los espectros de la muestra M577 y M576
están multiplicados por un factor 10 y 5, respectivamente).
0,040
8K
0,035 M577 x 10
E = 2.605 eV
1 mW
FWHM = 110 meV
Intensidad de PL (a. u.)
0,030 M578 x 1
E = 2.763 eV
0,025 M576 x 5 FWHM = 114 meV
E = 2.395 eV
0,020 FWHM = 114 meV
0,015
0,010
0,005
0,000
1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4
Energía (eV)
Figura 6.15. Espectros de PL de baja temperatura (8 K) de la serie M576-M578.
178
____________________________________________________________________________
La emisión centrada en torno a 2.3 eV observada en la muestra M577, puede

tener su origen en una segunda fase de InGaN que aparece debido a una relajación
parcial del ternario en el pozo, dado el espesor total de todos los pozos (20 nm). El
volumen de esta segunda fase debe ser pequeño, puesto que como se observa en la
figura 6.16, su intensidad satura cuando aumentamos la potencia de excitación.
El análisis de la energía e intensidad de la emisión en función del espesor y el
contenido de Indio del pozo se realizará en el apartado 6.3.4 de este Capítulo.
0,020 15 mW
1 mW
Intensidad de PL (a. u.)
8K
0,015
0,010
0,005
0,000
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
Energía (eV)
Figura 6.16. Espectros de PL de la muestra M577 tomados con dos potencias de

excitación.
6.3.2. Efecto de la variación del BEP de Indio en el pozo.
La siguiente serie de muestras se creció teniendo en cuenta que el cambio de

la apertura de la fuente de Nitrógeno da lecturas de O.E.D. menores (1.05 V frente a
1.52 V), reduciéndose la velocidad de crecimiento del GaN hasta 0.38 µm/h (frente a la
179
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
obtenida hasta ahora, de 0.53 µm/h). Por ello, para mantener las condiciones de
estequiometría en el GaN de alta temperatura se disminuye el BEP de Ga desde 2.0
E-6 Torr hasta 1.3 E-6 Torr.
Del mismo modo, los BEP de Galio e Indio para el InGaN se redujeron a 4.0 E-
7 Torr y 1.0 E-7 Torr, respectivamente. En estas condiciones se creció la muestra
M678 crecida para estudiar la nueva velocidad de crecimiento. A continuación se
crecieron las muestras (M684 y M685) cambiando el BEP de Indio durante el pozo y
manteniendo el resto de las condiciones de crecimiento fijas (ver tabla 6.4).
La tabla 6.4 muestra, además de las condiciones de crecimiento, el contenido
de Indio y el espesor de pozo y barrera obtenido de la simulación del espectro de
Rayos X (figura 6.17). La velocidad de crecimiento se ha calculado teniendo en cuenta
la aparición de la reconstrucción (1x3) durante la barrera.
ΦGa ΦIn
tpozo tbarrera Tpozo dpozo dbarrera t’pozo v’pozo
Muestra ( x 10
-7
( x 10
-7 %In
(seg) (seg) (ºC) (Å) (Å) (seg) (µm/h)
Torr) Torr)
M678 25” 120” 570 4.0 1.0 6 20 90 30” 0.23
M684 25” 120” 570 4.0 1.8 8 25 95 35” 0.23
M685 25” 120” 570 4.0 1.4 7 20 95 33” 0.22
Tabla 6.4. Condiciones de crecimiento, contenido de Indio y espesores de pozo y barrera

obtenidos mediante Rayos X de la serie de muestras analizadas en este epígrafe.
La figura 6.17 muestra los resultados de las medidas de difracción de Rayos X

en las muestras, junto con la correspondiente simulación. Kwon et al. [Kwon99]
observan un incremento en la anchura a media altura de los picos satélites de la
difracción de Rayos X al aumentar el contenido de Indio. En nuestro caso no se
observa una tendencia clara con el contenido de Indio, aunque sí es claramente mayor
para la muestra M678, indicando una mayor variación del espesor en el pozo cuántico
múltiple en esta muestra. Como ha sido observado por otros autores, un incremento
en el BEP de Indio durante el crecimiento del pozo, lleva a intercaras más abruptas, en
concordancia con unos picos satélites más definidos en los difractogramas de Rayos X
(muestra M684) [Brand02b].
180
____________________________________________________________________________
Simulación
(c. p. s.)
Medida
p. s.)
M678
Reflectividad
Reflectividad (c.s.) M679
M684
M685
-1 0 1
θ (º)
Figura 6.17. Difractogramas de Rayos X de las muestras M678, M684 y M685; y su

correspondiente simulación.
Los espectros de PL de esta última serie de muestras se recogen en la figura

6.18. Todas las muestras tienen una emisión de mayor FWHM (casi el doble) que las
de la serie presentada en el epígrafe 6.3.1. Esta calidad óptica inferior no está
relacionada con una menor calidad estructural, ya que, como se puede observar en la
figura 6.17 los difractogramas poseen unos picos satélites más definidos que los de la
serie anterior. Por ello, la inferior calidad óptica puede tener su origen en una mayor
inhomogeneidad en el contenido de Indio en los pozos, originada por el aumento del
BEP de Indio. Nótese que el aumento en el BEP de Indio no se corresponde con el
aumento en el contenido de Indio en el pozo.
181
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
a) 9K b)
9K
M684
Intensidad Normalizada de PL (u. a.)

X1
M678
Iexc= 17 mW
X1
M684
X3
M685 Iexc= 1 mW
2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4
Figura 6.18. a)Espectros de PL de baja temperatura de las muestras M678, M684 y

M685. b) Espectro de PL de baja temperatura de la muestra M684 tomados con dos potencias
de excitación.
En todas las muestras se observa la modulación en la emisión debido a

oscilaciones Fabry-Perot. Además, aparecer una emisión centrada en 3.27 eV,
señalada con una flecha en la figura 6.18a. Esta emisión se atribuye a impurezas en el
GaN de la barrera crecido a baja temperatura ya que su intensidad satura cuando se
aumenta la potencia de excitación, como se puede observar en la figura 6.18b para la
muestra M684. Su intensidad se ve además incrementada debido al alto espesor de la
barrera comparada con la serie anterior.
182
____________________________________________________________________________
6. 3. 3. Efecto de la variación del flujo de Galio entre el pozo y barrera.
En la siguiente serie de muestras se estudia el efecto que tiene el defecto o

exceso de elemento III durante el crecimiento de la barrera en la rugosidad de las
intercaras y en la calidad óptica de las heteroestructuras.
Hasta ahora, las heteroestructuras se han crecido manteniendo fijo el BEP de
Galio entre el pozo la barrera. En esta serie se cambiará este parámetro, manteniendo
fijo los BEP de Indio y Galio durante el pozo en 1.8 E- 7 Torr y 3.0 E-7 Torr,
respectivamente. El BEP de Galio durante el crecimiento del pozo se ha disminuido
con respecto a la serie anterior para facilitar una incorporación mayor de Indio al pozo.
El cambio de BEP de Galio entre el pozo y la barrera requiere de dos células de Galio,
dada la diferente temperatura de crisol, de modo que, la barrera se crece con la suma
de los flujos de las dos células de Galio. La tabla 6.5 resume los BEP de Indio y Galio
empleados en cada una de las muestras de la serie. Todas las muestras tienen un
tiempo nominal de crecimiento de pozo y barrera de 30 y 90 segundos,
respectivamente, empleándose un O.E.D. de 1.05 V, y una temperatura de substrato
de 570º C para todas las heteroestructuras.
Φ (In) Φ (Ga)Pozo Φ (Ga)Barr.

Muestra
(Torr) (Torr) (Torr)
M734 1.8 E-7 3.0 E- 7 3.0 E- 7
M747 1.8 E-7 3.0 E- 7 3.8 E- 7
M748 1.8 E-7 3.0 E- 7 4.7 E- 7
Tabla 6.5. Conjunto de muestras crecidas para el estudio del efecto del cambio en el flujo de
Galio durante el pozo y la barrera.
Los difractogramas de Rayos X de esta serie se muestran en la figura 6.19

junto a su correspondiente simulación.
183
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
Medida
GaN
Simulación
SL (0) M734
SL (-1)
SL (+1)
Reflectividad (c. p. s)
M747
M748
-1 0 1
θ (º)
Figura 6.19. Difractogramas de Rayos X de serie de muestras analizadas.
La tabla 6.6 resume los resultados de la caracterización de Rayos X, los

tiempos de crecimiento de pozo y barrera tienen en cuenta la aparición de la
reconstrucción (1x3) en el RHEED, como en los casos anteriores.
t’pozo t’barrera dpozo dbarrera v’pozo v’barrera

Muestra %In
(seg) (seg) (Å) (Å) (µm/h) (µm/h)
M734 53” 67” 10 25 45 0.17 0.24
M747 55” 65” 13 30 50 0.20 0.28
M748 30” 90” 12 20 80 0.24 0.32
Tabla 6.6. Conjunto de muestras crecidas para el estudio del efecto del cambio en el flujo de
Galio durante el pozo y la barrera.
Respecto a las muestras de la serie anterior, se ha conseguido aumentar el

contenido de Indio, desde un 8 hasta un 10 % (comparar muestras M734 y M684).
Además, el aumento en el BEP de Galio en la barrera lleva acompañado un aumento
en la velocidad de crecimiento de la misma. Por otro lado, en la muestra M748 no
apareció la reconstrucción (1x3), indicando que el Indio que se hubiese podido
segregar durante el crecimiento del pozo no se incorpora a la barrera. Como se
184
____________________________________________________________________________
observó en el Capítulo 5 en capas de InGaN en volumen, un aumento del Galio en la

barrera podría hacer que el Indio segregado no se incorpore a la capa, quedándose en
la superficie. Además, el contenido de Indio del pozo aumenta y su velocidad también,
puesto que en cada pozo se añade el Indio segregado y que no se incorporó durante
la barrera.
Los espectros de PL a baja temperatura de esta serie de estructuras (figura

6.20) muestran emisiones muy débiles (entre 2 y 7 veces menos intensas que la serie
anterior), excepto para el caso de la M734, que es además la que tiene difractograma
de Rayos X con los satélites más marcados. Por otro lado, la muestra M734 es la
muestra con mayor intensidad de emisión de entre las dos últimas series, como
observan otros autores al disminuir la relación III/V en el pozo [Stee00].
9K
Intensidad normalizada de PL (u. a. )
1 mW
X1
M734
X 30
M747
M748
X 30
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6

Energía (eV)
Figura 6.20. Espectros de fotoluminiscencia de la serie de muestras analizada.
Los mejores resultados en términos de rugosidad de intercara (Rayos X) se

obtienen cuando se usa un BEP de Galio fijo en toda la heteroestructura. En este
sentido, es importante mantener una capa de Indio segregado en la superficie durante
185
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
el crecimiento, resultando fundamental el observar en el RHEED el correspondiente

ciclo de reconstrucciones, la (1x1) en el pozo y la (1x3) en la barrera. De hecho, como
se ha demostrado, la aparición de la reconstrucción (1x3) en el RHEED durante el
crecimiento de la barrera determina el momento en que deja de incorporarse el Indio a
la capa.
6. 3. 4. Discusión de los resultados obtenidos.
En el presente apartado se estudiarán los espectros de PL mostrados en los

epígrafes 6.3.1 a 6.3.3 para establecer qué factor determina la energía de emisión, ya
sean los campos piezoeléctricos [Chich99], [Take97], [Hang98], [Ribl99] y/o, las
fluctuaciones en el contenido de Indio [Kawak97], [Mone99], [Elis00], [Pophr99].
Para identificar el tipo de recombinación involucrada en la emisión (localizada
en una región de mayor contenido de Indio que el promedio, Capítulo 5, o en un nivel
confinado en el pozo) se estudiará la intensidad, posición y anchura a media altura de
la emisión de PL, cambiando la temperatura y la potencia de excitación. La tabla 6.7
resume el comportamiento que puede presentar una emisión determinada al variar las
condiciones de la medida de PL dependiendo de su origen, si bien esta tabla es
orientativa, y algunos casos particulares pueden salirse de la norma.
Nivel
Tipo de Estado Donante-
Parámetro confinado en
medida localizado Aceptor
el pozo
Se desplaza
Energía de
Sigue el gap Forma de S hacia mayores
emisión
energías ∼ kT
PL vs T
Disminuye y
Aumenta
FWHM aumenta a alta Aumenta
∼ kT
T
Energía de Aumenta con la Aumenta con la Aumenta con la
emisión potencia potencia potencia
PL vs P
Aumenta con la Aumenta con la Aumenta con la
FWHM
potencia potencia potencia
Tabla 6.7. Cuadro resumen del comportamiento de la anchura a media altura y la

energía de la emisión de PL al variar la temperatura y la potencia de excitación para los
distintos tipos de recombinación que se pueden encontrar en los pozos analizados
186
____________________________________________________________________________
La tabla 6.7 tiene en cuenta que en el caso de que el origen de la emisión sea
un nivel confinado en el pozo, existen campos piezoeléctricos que desplazan la
emisión hacia menores energías. También pueden ser responsables de un
ensanchamiento, ya que fluctuaciones en la deformación de la capa o en la anchura
del pozo varían los campos piezoeléctricos localmente. El apantallamiento del campo
piezoeléctrico por los portadores fotogenerados es el que produce el aumento de
energía de la emisión al aumentar la potencia de excitación (tabla 6.7). Este efecto se
observa para condiciones de alta potencia de excitación, que den lugar a densidades
de carga en el pozo del orden de 1013 cm-2 [Sala99].
La tabla 6.8 resume los resultados de las medidas de Rayos X y PL de todas
las muestras presentadas en los apartados 6.3.1, 6.3.2 y 6.3.3. Se ha incluido en la
última columna de la tabla 6.8 la energía del gap del InGaN crecido pseudomórfico
sobre el GaN, para el contenido de Indio considerado y empleando un parámetro de
curvatura de 2,6 eV [Wetz98]. Las energías, anchuras e intensidades de emisión que
se muestran se han obtenido realizando un ajuste gaussiano de los espectros de PL.
dpozo dbarrera EPL* FWHM* I(Gauss)* EG

Muestra % In
(Å) (Å) (eV) (meV) (u.a.) (eV)
M576 16 50 60 2.395 114 6.5 2.895
M577 16 40 55 2.605 110 2.3 2.895
M578 14 25 55 2.763 114 37 2.959
M678 6 20 90 3.048 200 6 3.257
M684 8 25 95 3.043 214 5.5 3.181
M685 7 20 95 2.993 221 1.8 3.219
M734 10 25 45 2.805 265 23 3.100
M747 13 30 50 2.589 253 0.7 2.998
M748 12 20 80 2.660 315 0.7 3.033
Tabla 6.8. Tabla resumen de los resultados de caracterización mediante Rayos X y PL de las
muestras de múltiple pozo cuántico. * Las medidas de energía, FWHM e intensidad del ajuste
gaussiano de la emisión a 9 K y con 1 mW de potencia de excitación.
La diferencia entre la energía de emisión obtenida experimentalmente y la

energía de recombinación en un pozo con de perfil de potencial cuadrado (que sería
mayor que el gap) puede tener dos orígenes, o bien la existencia de fluctuaciones en
187
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
el contenido de Indio, o bien, los campos piezoeléctricos. Lo primero que observan

diversos autores al comparar pozos de InGaN/GaN con igual contenido de Indio, es un
comportamiento diferente entre muestras con pozos “estrechos” y pozos “anchos”
[Ryu01] [Rama00]. Esta diferencia se justifica teniendo en cuenta un mayor efecto del
campo piezoeléctrico en pozos anchos y de la localización excitónica en regiones de
mayor contenido de Indio en pozos estrechos. El comportamiento de la energía de
emisión frente a la anchura de pozo para un contenido de Indio fijo se encuentra
representado en la figura 6.21, tomada del trabajo de Ramakrisnan et al. [Rama00], en
la que se comparan las energías de emisión de PL para pozos simples de distinto
espesor con un contenido de Indio del 13% con la esperada suponiendo un pozo con
perfil de potencial cuadrado. Cuando la anchura del pozo es tal que comienza la
relajación del ternario, se produce una disminución en el campo piezoeléctrico y un
aumento en energía de emisión, llegándose a alcanzar el valor que tendría si no
existiese campo piezoeléctrico [Ryu01] (el campo debido a polarización espontánea es
muy pequeño en pozos de InGaN/GaN). Este último efecto ha sido también observado
en el caso de pozos cuánticos simples en el epígrafe 6.2.
3.4
300 K
3.3
Resultado experimental
Cálculo para un pozo
3.2
Energía de emisión (PL)
de potencial cuadrado
3.1
3.0
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
0 5 10 15 20 25
Anchura de pozo (nm)
Figura 6.21. Efecto de aumentar la anchura del pozo en la energía de emisión de PL incidiendo
con 3.81 eV de energía de excitación en pozos simples de InGaN/GaN. [Rama00]
188
____________________________________________________________________________
6.3.5 Estudio de los campos piezoeléctricos en las muestras.
El potencial total que se genera en el pozo y que varía su energía de emisión,

viene dado aproximadamente por la magnitud d∙FPz, donde, d, es el espesor del pozo y
FPz depende del contenido de Indio y del grado de deformación del mismo. Por ello,
para realizar un estudio de la magnitud de los campos piezoeléctricos en pozos de
InGaN/GaN se necesita un conjunto de muestras en las que permanezca fijo el
contenido de Indio y varíe el espesor del pozo, suponiendo que el pozo de InGaN está
crecido pseudomórfico sobre el GaN.
Entre la serie de muestras crecidas, las más adecuadas para realizar este
estudio son la M576 y M577, con un espesor de pozo de 50 y 40 Å, respectivamente y
un contenido de Indio fijo de un 16%, siendo de esperar que las fluctuaciones de éste
sean similares en ambas. En ellas, la emisión se desplaza a menores energías al
aumentar el ancho del pozo, lo que concuerda con una caída de potencial mayor en
una que en otra debido al aumento de d (Tabla 6.8, figura 6.15).
Para estimar el campo piezoeléctrico existente en dichas muestras se tuvieron
en cuenta dos factores, el primero es el de la anchura de la zona de vaciamiento, y el
segundo es el grado de apantallamiento de los campos piezoeléctricos, a través del
coeficiente R que ya se introdujo en el epígrafe 6.2 del presente Capítulo.
Hay que tener en cuenta que el programa de simulación utilizado permite
simular múltiples pozos cuánticos pero de uno en uno, y estando desacoplados. Los
parámetros del programa que se pueden variar son el número de pozos, que se tendrá
en cuenta para calcular el campo total generado por todos los pozos, y la anchura de
la zona de vaciamiento.
La zona de vaciamiento generada en la superficie juega ahora el mismo papel
que en el caso de un solo pozo cuántico, y la ecuación 6.5 sigue siendo válida,
teniendo en cuenta que ahora la zona donde actúa el campo piezoeléctrico, “d”, es la
suma de las anchuras de todos los pozos, haciendo que la zona de vaciamiento se
ensanche. Esto hace que el FWHM de la emisión aumente debido a que la posición de
los niveles es distinta en cada pozo, ya que el perfil de potencial en las cercanías de
cada pozo no es el mismo [Mayr00] [Mone02].
Para las simulaciones se ha fijado la zona total de vaciamiento en 150 nm, que
equivalen a los 115 nm obtenidos para el caso del pozo cuántico simple si se tiene en
cuenta el espesor de todos los pozos de InGaN, utilizando la expresión 6.5, además
189
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
del mismo residual fijado en aquél. Por tanto, todos los pozos de las muestras están
dentro de la zona de vaciamiento (tabla 6.8).
El programa de simulación de estructuras considera una caída de voltaje lineal
en la zona de vaciamiento, aunque realmente dicho perfil de potencial es parabólico.
Por ello, tomando la aproximación de la nueva zona de vaciamiento, más ancha por la
existencia de los pozos, la simulación dará energías correspondientes a la
recombinación del pozo más alejado de la superficie. Para simular el más cercano a la
superficie deberemos tener en cuenta la zona de vaciamiento de 115 nm y simular un
solo pozo, ya que de esta forma, la aproximación al potencial de las zonas cercanas al
pozo es mas realista.
Una vez fijada la zona de vaciamiento, de 150 nm, el siguiente parámetro que
se varía es el grado de apantallamiento de los campos piezoeléctricos, hasta ajustar
los valores de recombinación obtenidos experimentalmente de la emisión de PL. El
apantallamiento del campo en el pozo debido a los pares electrón-hueco
fotogenerados se considera despreciable, dada la potencia de excitación utilizada para
la medida de PL, de 1 mW, lo que, tomando una superficie iluminada por el láser en la
muestra de 2.5 E- 3 cm2 equivale a una densidad de energía de 0.4 W / cm2. T.
Takeuchi et al. [Take97] no observan apantallamiento del campo para densidades de
potencia inferiores a 2 W / cm2, utilizando el mismo láser que el empleado en el
presente trabajo, de He-Cd, de modo que para estudiar dicho efecto emplean una
densidad de potencia de 200 kW / cm2.
La figura 6.22 muestra los resultados de la simulación que más se aproxima a
los datos experimentales de emisión obtenidos de los espectros de PL. Las constantes
piezoeléctricas utilizadas para la simulación se detallaron en el Capítulo 2. El grado de
apantallamiento empleado para el ajuste es de 0.14. De éste, se deduce un cociente P
/ P0 de 0.86, siendo P el campo piezoeléctrico calculado y P0 el obtenido teóricamente
para el contenido de Indio considerado. Este valor es bastante cercano al obtenido por
Oriato et al., de 0.8 [Oriat02]. Utilizando los parámetros anteriores de relajación y
anchura de zona de vaciamiento, resulta un valor de campo piezoeléctrico generado
en el InGaN de -2.47 MV / cm. Dicho valor es lineal con el contenido de Indio (Ver
Capítulo 2), por lo que se obtiene un valor aproximado del campo piezoeléctrico en
función del contenido de Indio de:
FPz = -15.44x MV / cm
190
____________________________________________________________________________
siendo x el contenido de Indio de la capa. El coeficiente anterior está entre los

obtenidos por T. Takeuchi et al. [Take97], de -8.31x MV/cm y F. D. Sala et al.
[Sala99], que obtiene -16.25x MV/cm. En todos los casos el signo del campo es
negativo, ya que las capas tienen polaridad acabada en Galio y el campo se dirige
hacia el sustrato, quedando los electrones confinados en la intercara InGaN/GaN más
cercana a la superficie y los huecos en la opuesta.
3.1
3.0 EG ( In0.16Ga0.84N )= 2.895 eV
2.9
2.8
2.7
Energía (eV)
2.6
2.5
2.4
Energía de emisión (PL)
2.3 Cálculo (presente trabajo)
2.2 T. Takeuchi et al. [Take97]
F. D. Sala et al. [Sala99]
2.1
2.0
30 35 40 45 50 55 60
Anchura de Pozo (Å)
Figura 6.22. Efecto del aumento de la anchura del pozo en muestras con anchura de
pozo alta, M576, con 40 Å y M577, con 50 Å.
Hay que tener en cuenta que el campo que hay en el pozo realmente depende
de la estructura completa, es decir, de la anchura de pozos y barreras y de la anchura
de la zona de vaciamiento, así como del pozo considerado. De este modo, el valor del
campo total promedio en los pozos para la muestra M577 es de -1.8 MV/cm, mientras
que el obtenido para la muestra M576 es de -1.9 MV/cm. Este resultado es
comparable al obtenido por B. Gil et al., de –2.6 MV/ cm, en pozos de InGaN/GaN con
un 18% de Indio [Gil01].
En la figura 6.22 se ha añadido además una línea que indica la posición de la
energía del gap del InGaN del 16 % pseudomórfico sobre GaN. Nótese que en todos
los casos la energía de la emisión se encuentra por debajo de la energía del gap y
aumenta con la anchura de pozo, lo que demuestra el efecto del campo piezoeléctrico
en los pozos de InGaN/GaN.
191
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
6.3.6 Estudio de la localización de Indio en los pozos cuánticos
Para estudiar la localización de portadores en los pozos en zonas de mayor

contenido de Indio, se simuló en primer lugar la posición de los niveles confinados en
los pozos para el resto de las muestras detalladas en la tabla 6.8. Para ello se tomó el
valor de la anchura de la zona de vaciamiento y el coeficiente de apantallamiento del
campo piezoeléctrico obtenidos en el epígrafe 6.3.5 (figura 6.22). Como en ese caso,
el parámetro de curvatura de la relación energía de gap frente al contenido de Indio
empleado en las simulaciones es de 2.6 eV [Wetz98]. En la figura 6.23 se han
representan las energías de recombinación calculadas entre el primer nivel de
electrones y de huecos confinados en el pozo, (E1-H1); junto con la energía de
emisión obtenida de los espectros de PL en cada caso. En todos los casos, el pozo de
InGaN, que se supone crecido pseudomórfico sobre las barreras de GaN tiene un
espesor entre 20 y 30 Å, y se varía en contenido de Indio. Las muestras a las que se
refieren las simulaciones y datos experimentales se encuentran especificadas en la
figura 6.23, y sus estructuras se recogen en la tabla 6.8.
3.4 E1-H1 calculada

3.3 Eemis (PL)
Energía de emissión (PL)
3.2 EG (InXGa1-XN)
3.1
3.0 M678
2.9 M685
2.8
M734
2.7 M578
2.6 9K
M747
2.5
2 4 6 8 10 12 14 16
Contenido de Indio (%)
Figura 6.23. Energías de recombinación experimental (PL) y calculada en función del

contenido de Indio. El espesor de pozo es en todos los casos de entre 20 y 30 Å.
192
____________________________________________________________________________
La aparición de la energía de emisión muy por debajo de la calculada hace

pensar que la emisión proviene de regiones de mayor contenido de Indio. Hay que
tener en cuenta que ni considerando los valores de campo piezoeléctrico teóricos ni
variando la anchura de vaciamiento se obtienen valores cercanos a los de la energía
de emisión experimental observada en las muestras representadas en la figura 6.23.
Otra posibilidad sería que el origen de la emisión fuese una recombinación de tipo par
donante-aceptor, sin embargo, la evolución en forma de S de la energía de emisión
frente a la temperatura descarta esta última posibilidad.
Para las todas las muestras analizadas, la energía de emisión está más de 190
meV por debajo de la estimada entre niveles confinados en el pozo. Estos valores
están cerca de los obtenidos por otros autores respecto a diferencia entre el primer
nivel confinado en el pozo y la energía de emisión, por ejemplo, Narukawa et al.
obtienen una diferencia de 250 meV en estructuras láser [Naruk97].
Así, en las muestras analizadas se ha observado que el FHWM de la emisión
aumenta con la diferencia entre la energía de recombinación calculada y la
experimental, como se muestra en la figura 6.24. Este hecho demuestra que la
emisión está relacionada con estados localizados, en una distribución más ancha a
medida que son más profundos, como se observó en las capas de InGaN en volumen
(Capítulo 5).
0.28
9K
0.26 M747
M734
0.24
M685
PL FWHM (eV)
0.22
M684
0.20
0.18 M678
0.16
0.14
0.12
M578
0.10
0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
Eteo -Eexp (eV)
Figura 6.24. Relación entre el FWHM de la emisión y la diferencia entre la energía de emisión
calculada y la obtenida en los espectros de PL.
193
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
En la figura 6.25 se muestra una comparación de la evolución de la energía de

emisión con la temperatura de la muestra M578 (14 % In y 25 Å de pozo) y una
muestra de InGaN en volumen con un 20 % de Indio, y un grado de relajación del 0.54
(ver epígrafe 5.3). La clara similitud obtenida en la evolución lleva a la hipótesis de que
el tipo de emisión obtenida procede en ambos casos de fluctuaciones en el contenido
de Indio.
2,80
InxGa1-xN/GaN MQW
2,75 InxGa1-xN capa gruesa
2,70
2,55
2,50
2,45
0 50 100 150 200 250 300

Temperatura (K)
Figura 6.25. Evolución de la energía de emisión de fotoluminiscencia para una muestra

de pozo cuántico (M578) y una muestra de InGaN en volumen (M550).
Para apoyar esta hipótesis se realizó un estudio de la variación de la intensidad

integrada de la emisión con la temperatura, al igual que en capas gruesas de InGaN
(Capítulo 5 de esta memoria). El ajuste a los datos experimentales se realizó
suponiendo dos procesos de extinción de la emisión, con sus respectivas energías de
activación (ec 5.9). El resultado del ajuste se muestra en la figura 6.26.
En la muestra de pozo cuántico múltiple, una de las energías obtenidas para la
activación de la extinción de la emisión es muy similar a la obtenida para capas
gruesas, 11 meV. Por ello, su origen se atribuye al mismo efecto, es decir, el escape
de portadores desde las zonas de InGaN menos “localizadas”, o niveles superiores de
la localización. La segunda energía de obtenida, de 86 meV, es similar a la obtenida
para la capa gruesa, de 69 meV y se atribuye al escape de portadores desde las
zonas de mayor a las de menor contenido de Indio. De este modo, la intensidad de
emisión disminuye los mismos órdenes de magnitud en un caso que en otro, indicando
194
____________________________________________________________________________
que no hay ningún otro mecanismo de confinamiento de portadores que juegue un

papel importante en el caso del pozo.
Intensidad Integrada de PL (a. u.)

InGaN capa gruesa
EB=69 meV; EA=11 meV
InGaN/GaN MQW
EB=86 meV; EA=11 meV
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14

-1
1/T (K )
Figura 6.26. Evolución de la intensidad integrada de PL para una muestra de pozo

cuántico (M578) y una muestra de InGaN en volumen (M550).
Diversos autores atribuyen la aparición de los estados localizados en el pozo a

la aparición de regiones en forma de discos anchos y aplastados de entre 3-5 nm de
espesor [Naruk97] [Lin00] y menores de 0.1 µm de anchura en el plano del pozo
[Mone99] (por ejemplo, 60 nm [Chich00], 24 nm [Elis00]). Normalmente se suelen
representar como una distribución gaussiana de distintos contenidos de Indio centrada
en una región del espacio [Mone99b]. El considerar este tipo de potenciales y
distribuciones de Indio justifica el que los portadores en el pozo puedan saltar de un
mínimo a otro, dando lugar a la forma de S en la evolución de la energía de emisión
frente a la temperatura, como se muestra en la figura 6.25. Si bien, la probabilidad de
“salto” depende de la longitud de difusión de portadores y de la separación entre zonas
de acumulación de Indio. De hecho, la existencia de una densidad de dislocaciones
alta puede hacer que este comportamiento se anule si los portadores encuentran la
dislocación antes de alcanzar otro mínimo, el efecto se hace importante para densidad
de dislocaciones mayores de 1E 9 cm-2 [Elis00]. Esto explica el que no todas las
muestras de pozos cuánticos presentadas en esta memoria en las que predomina el
efecto de localización tengan emisión de PL a temperatura ambiente, ya que se
195
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
crecieron sobre diferentes templates y la densidad de dislocaciones puede haber

variado de una a otra.
La figura 6.27 muestra la evolución de la energía y la intensidad de emisión al
variar la potencia de excitación de la medida de PL para la muestra M734, que es la
muestra con mayor diferencia entre la energía de emisión y la energía de la simulación
que aparece en la figura 6.24. Por ello, en dicha muestra se ha supuesto que la
emisión se produce desde estados con mayor contenido de Indio. Como se puede
observar en la figura 6.27, la emisión sufre un corrimiento hacia el azul que se podría
explicar como llenado de los estados de diferente contenido de Indio. Al mismo tiempo,
la intensidad de la energía frente a la emisión sigue una ley con la potencia de
excitación del tipo: I ∝ Pn, donde n resulta ser 0.99, lo que se atribuye normalmente a
una recombinación de origen intrínseco, ya que una de origen extrínseco saturaría al
aumentar la potencia [San98]. Dado que el campo piezoeléctrico generado en el pozo
sigue una relación lineal con el contenido de Indio [Chich99], de la estimación
realizada para las capas de un 16 % de Indio (figura 6.22) se tiene que, para esta
muestra, con un 10% de Indio, el campo piezoeléctrico es de en torno a -1.5 MV/cm.
Este campo hace que exista de un campo interno en el pozo de –0.85 MV/ cm, según
las simulaciones, lo que lleva a una caída de potencial estimada en el pozo de,
FPz∙L≈212 meV, ya que el espesor del pozo es de unos 25 Å. Como la barrera para
huecos es de ∆EV = 100 meV, el pozo tendrá forma triangular para los huecos, y la
función de onda de éstos se encontrará en dicho triángulo [Chich99]. Esto lleva a que,
debido al campo piezoeléctrico, se pueda explicar un corrimiento hacia el azul de la
emisión, pero no un aumento lineal de la intensidad de la emisión con la potencia de
excitación, ya que esto debería aumentar el solapamiento entre las funciones de onda.
Sin embargo, el desplazamiento hacia el azul sí puede ser explicado teniendo en
cuenta una distribución de contenidos de Indio y un llenado de los mismos (band-
filling). Además, también se han observado desplazamientos hacia el azul de la
emisión al aumentar la potencia de excitación en muestras de InGaN grueso, en las
que la emisión proviene de portadores localizados en regiones de mayor contenido de
Indio (Capítulo 5).
Todas las muestras de pozo cuántico múltiple analizadas en este Capítulo
poseen igual estructura que la presentada en la figura 6.27a, aunque en el caso de las
muestras M576 y M577, con una anchura de pozo de 50 y 40 Å, respectivamente, la
separación entre el electrón y el hueco confinados es mayor que el radio de Bohr del
196
____________________________________________________________________________
excitón en el GaN, de ~34 Å [Chich99]. Por esto, en estas dos muestras los efectos del
campo piezoeléctrico determinan la energía de emisión del pozo. Por el contrario, las
demás muestras analizadas, poseen espesores de pozo menores de 30 Å, en estas, la
energía de emisión viene determinada por las fluctuaciones en el contenido de Indio
en el pozo. De cualquier modo, ambos efectos están presentes en todas las
muestras analizadas, pero no con igual peso en la energía de emisión.
2.88
9K 9K
2.86
a) b)
Intensidad Integrada de PL (u. a.)

2.84
0.01
0.5
2.82
2.80 0.0
Energía (eV)
2.78 3.184 eV
1E-3
2.76 -3.0
2.74 -3.5
-40-30-20-10 0 10 20 30 40
M734
Z (Å)
2.72
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0.1 1 10
Potencia (mW) Potencia (mW)
Figura 6.27. Evolución de energía y anchura a media altura (a) y de la intensidad de la

emisión de PL (b) con la potencia para una muestra de múltiples pozos cuánticos con un 10 %
de Indio y 25 Å de anchura de pozo (M734).
6. 4. Conclusiones.
La primera conclusión que se refiere a que las mismas condiciones de

crecimiento no llevan a iguales contenidos de Indio en capas gruesas y pozos
cuánticos, seguramente debido al diferente estado de relajación entre ambos.
El tomar como tiempo de crecimiento del pozo el tiempo nominal más el que
transcurre hasta que aparece la reconstrucción (1x3) en la barrera lleva a
197
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
estimaciones más apropiadas de los espesores de pozo y barrera, como se ha

observado en la literatura [Walt01].
A la hora de conocer y explicar el origen de los diversos fenómenos de
comportamiento de la emisión con la temperatura y potencia de excitación, en función
del contenido de Indio y de la anchura del pozo se ha de tener en cuenta:
- La existencia de zonas de localización de Indio en el plano de crecimiento,
que se pueden formar en función de las condiciones de crecimiento, y aún es un
debate en la literatura si se formen en regiones cercanas a dislocaciones o defectos en
V [Lin00] o si se forman independientemente de la existencia de éstas [Chich99b].
- Una vez formadas estas regiones, el que dominen en la emisión depende
fundamentalmente de la anchura del pozo, y su comparación con el radio del excitón
que se pueda formar en el pozo, dicho radio se estima en 3.4 nm [Chich99].
- Superado el espesor de 3.4 nm los campos piezoeléctricos juegan un papel
más importante, ya que pueden separar el electrón y el hueco, provocando el que la
recombinación se produzca entre electrones y huecos y no a través de excitones
[Take97].
- Un aumento mucho mayor de la anchura del pozo conduce a la relajación
del ternario y, por tanto, del campo piezoeléctrico en el mismo, llevando de nuevo a la
situación en la que se emite desde zonas de alto contenido en Indio [Rama00].
Además de la explicación anterior hay que tener en cuenta que ambos efectos
están siempre presentes en las muestras de pozos cuántico de InGaN con
deformación, y dependiendo del contenido de Indio y del espesor del pozo puede
dominar una o la otra.
En las muestras de la presente memoria se ha constatado el anterior
comportamiento. Partiendo de muestras con pozos de anchuras menores o iguales a 3
nm (apartado 6.3.6), que presentan forma de S en la evolución de la emisión frente a
la temperatura, indicando el dominio de los estados localizados en la emisión.
Pasando por muestras en las que aumentar la anchura de pozo desplaza la emisión,
indicando una gran influencia de los campos piezoeléctricos, (pozos con anchuras
mayores de 4 nm, apartado 6.3.5). Hasta llegar a una situación de recuperación del
corrimiento hacia el rojo al que llevan los campos piezoeléctricos al aumentar el
espesor del pozo hasta 14 nm, en el caso del pozo cuántico simple descrito en el
apartado 6.2.
198
____________________________________________________________________________
El campo piezoeléctrico estimado en nuestras capas es de –15.44x MV/cm, en

el rango de los obtenidos por otros autores en la literatura [Sala99], [Take97], [Gil01].
Parte del trabajo presentado en este Capítulo ha sido publicado en las revistas
“Materials Science and Engineering B” [Nar02b] y “physica status solidi (a)” [Nar02c].
199
CAPÍTULO 6
____________________________________________________________________________
200
Capítulo 7
Crecimiento y caracterización de diodos

electroluminiscentes.
7.1 Introducción.
En el presente Capítulo se emplearán los conocimientos adquiridos en los

Capítulos 4, 5 y 6 para el crecimiento de una estructura de diodo electroluminiscente
(LED). Una estructura LED es básicamente una unión pn polarizada en directa que
emite luz al sacar del equilibrio térmico al semiconductor mediante la inyección de una
corriente eléctrica. La luz es emitida cuando los huecos y electrones inyectados se
recombinan radiativamente.
En los LED que se estudiarán en esta Tesis, la región del semiconductor en la
que se recombinan los portadores radiativamente, denominada capa activa, no está
dopada, por lo que la estructura es en realidad de tipo p-i-n. La capa activa estará
constituida por cinco pozos cuánticos de InGaN con barreras de GaN, en la que la
radiación se emite por recombinación banda-banda de los portadores en el ternario.
Para minimizar los efectos debidos a los campos piezoeléctricos, que
disminuyen la eficiencia de emisión y desplazan ésta hacia el azul al aumentar la
inyección de corriente [Muka99] [Wang01b], la anchura de los pozos de InGaN ha sido
fijada en 2 nm, siendo el espesor de las barreras de GaN de 5 nm. Como se demostró
en el Capítulo 6, para este espesor de pozo la recombinación se produce
fundamentalmente en las regiones de localización de Indio, produciéndose una
aumento en la eficiencia del dispositivo [Wang01b] [Wag00].
La estructura de este Capítulo es la siguiente: primeramente se presentarán las
condiciones de crecimiento de los diodos, así como su caracterización como
heteroestructuras (epígrafe 7.2). En el epígrafe 7.3 se tratará la tecnología de la
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
fabricación de los dispositivos. Posteriormente se analizarán las características ópticas

y eléctricas de los diodos (epígrafe 7.4). A continuación, en el epígrafe 7.5 se estudiará
el comportamiento de un dispositivo emitiendo en el verde (510 nm) en una cavidad
resonante (Resonant Cavity LED, RCLED), formada por un reflector de Bragg de
AlGaN/GaN como espejo inferior y otro de Aluminio en la parte superior, para la
emisión a través del espejo de AlGaN/GaN. El objetivo de alcanzar la emisión en el
verde viene establecido por el proyecto europeo “Amber/Green emitters Targeting High
Temperature Applications”, AGETHA [AGE99], en el marco del cual se realizó parte de
esta Tesis. El propósito de este proyecto es la fabricación de un RCLED emitiendo en
510 nm para comunicaciones mediante fibra de plástico (POF, Plastic Optic Fibre).
El epígrafe 7.6 se ha dedicado al estudio de la medida de la potencia absoluta
de los LEDs, y su comparación con la del RCLED. Por último, se estudiará la
optimización del dopaje tipo p como método para mejorar las características de los
dispositivos (epígrafe 7.7). Finalmente serán presentadas las conclusiones obtenidas a
lo largo del Capítulo.
7.2 Crecimiento y caracterización de las uniones p-i-n.
7.2.1 Estructura y condiciones de crecimiento.
Las uniones p-i-n han sido crecidas sobre templates de GaN, sobre los cuales,
como se estudió en los Capítulos 4 y 5, se obtienen las capas de mayor calidad. Para
las zonas dopadas n y p se emplearon las condiciones de crecimiento optimizadas en
el Capítulo 4, mientras que en el caso de los pozos de InGaN/GaN se utilizó el método
de crecimiento descrito en el Capítulo 6. La tabla 7.1 resume la estructura y
condiciones de crecimiento de las uniones p-i-n estudiadas en el presente Capítulo.
Capa Espesor (nm) Tcrec (ºC) Tdop. (ºC)
GaN:Si 600 690 1150

InGaN 2 570-550 -
GaN 5 570-550 -
GaN:Mg 150 690 350
AlGaN:Mg 20 700 350
GaN:Mg 150 690 350
Tabla 7.1. Estructura de capas de las uniones p-i-n analizadas en el presente Capítulo,
la zona activa está formada por cinco pozos de InGaN/GaN.
202
CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE DIODOS ELECTROLUMINISCENTES
____________________________________________________________________________
La primera capa, que constituye el contacto tipo n de la unión, está dopada con
Silicio utilizando una temperatura de célula de 1150ºC. Con esta temperatura se
obtienen concentraciones de electrones superiores a 1019 cm-3, según estimaciones a
partir de medidas de efecto Hall realizadas en muestras de calibración crecidas sobre
Si(111) [SanG99b].
Después de la capa de GaN:Si, la temperatura del substrato se disminuye para
el crecimiento de los pozos. Durante la disminución de la temperatura se observa una
reconstrucción 2 x 2 clara en el patrón de difracción del RHEED, indicando que la
superficie es de calidad suficiente para el crecimiento de la capa activa. Como se
explicó en el Capítulo 6, una vez alcanzada la temperatura de substrato para el
crecimiento de los pozos, esta se mantiene constante durante el crecimiento del pozo
y la barrera. Para conseguir una emisión en el verde (510 nm, 2.4 eV) a temperatura
ambiente, se varió el contenido de Indio de los pozos manteniendo los espesores de
pozo y barrera deseados, de 2 nm y 5 nm, respectivamente. El aumento en el
contenido de Indio, desde un 16% hasta un 25% se obtuvo reduciendo la temperatura
de crecimiento desde 570º C hasta 550º C. La capa activa está constituida por cinco
pozos de InGaN/GaN crecidos de esta forma.
Después de la capa activa, la temperatura de substrato se aumenta para el
crecimiento del contacto tipo p, dopado con Mg a la temperatura de célula a la que se
obtuvo el mejor comportamiento eléctrico en capas de calibración, es decir, 350º C
(Capítulo 4). Hay que tener en cuenta que, aunque las capas aisladas son resistivas la
resistividad de la capa es menor cuando se mide en la dirección del crecimiento que
en perpendicular, y es la primera de ellas la que se ha de tener en cuenta cuando se
realiza una estructura vertical. La capa fina de AlGaN con un contenido de Aluminio de
alrededor de un 5% introducida en el contacto tipo p (tabla 7.1) tiene la finalidad de
obtener una distribución más homogénea de la corriente en el dispositivo, al tratarse
de una capa de resistividad mayor que la de GaN [Guo01].
Durante todo el crecimiento se mantiene la cantidad de Nitrógeno activo
constante, con las condiciones de fuente de RF que conducen a un OED de 1.05 V.
La presión equivalente (BEP) de Galio empleada durante los contactos es de 1.3 E-6
Torr. Siendo la utilizada para el crecimiento de los pozos de 3.0 E-7 Torr y 1.8 E-7 Torr
para el Galio y el Indio, respectivamente. Por último, para el crecimiento de la capa de
AlGaN se aumentó la temperatura de crecimiento ligeramente, (tabla 7.1) empleando
un BEP de Aluminio de 8 E-8 Torr.
El patrón de RHEED permanece alargado durante el crecimiento de los
contactos n y p, siendo más brillante durante el crecimiento de las capas dopadas con
Magnesio. Durante el crecimiento de los pozos de InGaN/GaN en el RHEED se
203
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
observan los ciclos correspondientes de aparición y desaparición de la reconstrucción

(1x3). El significado de estos ciclos fue explicado en el Capítulo 6 de este trabajo.
7.2.2 Caracterización de las estructuras.
Las muestras fueron analizadas utilizando la difracción de Rayos X para

estimar mediante la simulación de los difractogramas el espesor de los pozos y las
barreras así como el contenido de Indio en los primeros. La figura 7.1 recoge el
resultado de la medida junto con la simulación de Rayos X que más se ajusta a esta.
La aparición de los satélites así como de las oscilaciones pendellösung (señaladas con
una flecha en la figura 7.1) correspondientes a la estructura periódica de los cinco
pozos cuánticos, es indicador de la calidad de la capa crecida [Kim98].
En particular, la estructura mostrada en la figura 7.1 posee pozos con un
contenido de Indio del 21% y espesores de pozo y barrera de 25 Å y 50 Å,
respectivamente, muy cercanos a los espesores nominales de la estructura. En
general, la anchura de los pozos y las barreras obtenidos de la simulación de los
difractogramas de Rayos X es de 20± 5 Å y 50± 5 Å, respectivamente.
5
10 Medida (0002) GaN
Simulación
4
10
3 InGaN/GaN (MQW)
10 SL(0)
2
10 SL(-1) SL(+1)
1
10
0
10
-4000 -2000 0 2000
θ (segundos)
Figura 7.1. Difractograma de Rayos X de una de las estructuras p-i-n. Las flechas indican las
oscilaciones de pendellösung, indicadoras de buenas intercaras.
204
____________________________________________________________________________
7.3 Fabricación de los dispositivos.
Los pasos seguidos para la realización de la estructura son los siguientes:
1.- Ataque hasta la zona n de la unión, denominado “ataque mesa”.
Dado que la estructura LED está crecida sobre un substrato aislante, como es
el zafiro sobre el que se crece los templates, para la fabricación de los dispositivos es
necesario la realización de un ataque, denominado ataque mesa, para poder acceder
a la zona n de la unión e inyectar la corriente entre las capas n y p. El ataque mesa se
realiza mediante iones reactivos, o RIE, (Reactive Ion Etching), el cual se basa en el
bombardeo de la muestra con iones de un plasma generados por radiofrecuencia. Los
iones son acelerados hacia la muestra porque ésta se encuentra a un potencial
respecto del plasma. Para determinar en qué zonas de la muestra atacan los iones y
dónde no, sobre la muestra se definen unos motivos mediante un proceso litográfico,
depositando un metal, denominado máscara, que es atacado por los iones más
lentamente que la muestra.
350 µm
150 µm
GaN template
Zafiro
Figura 7.2. Estructura mesa definida mediante el ataque RIE.
El ataque se realizó en el Centro de Investigación y Desarrollo de la Armada,

CIDA por los doctores M. Verdú y F.J. Sánchez. El gas utilizado para el ataque fue
205
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
SF6, con una potencia de plasma de 170 W, y un voltaje acelerador de 400 V. La

velocidad de ataque del GaN utilizando esta técnica fue de 10 nm/min, si bien, esta
varía con la compacidad de la capa. Para definir las mesas se utilizó una máscara de
Níquel, metal para el que la velocidad del ataque es en torno a 2 nm/min. Aunque es
posible obtener velocidades de ataque mayores usando otros gases [Pear00] el
sistema empleado está optimizado para SF6. Las mesas definidas en forma de L,
están representadas en la figura 7.2 junto con sus dimensiones.
Una vez realizado el ataque y medido mediante un perfilómetro la altura de la
mesa (profundidad del ataque) para confirmar que es la apropiada, la máscara
sobrante de Níquel se retira mediante un ataque químico con HCl, quedando las
mesas realizadas en el material, y la zona n del dispositivo al descubierto.
2.- Deposición del contacto en la zona n.
El contacto tipo n se deposita mediante una evaporación con cañón de

electrones en el ISOM. Está formado por la bicapa Ti/Al, con espesores de 300 / 700
Å. Tras la evaporación de este contacto se realiza una aleación del mismo mediante
RTA (rapid thermal annealing) a 850º C durante 30” en atmósfera de Nitrógeno. Este
aleado se emplea para disminuir la resistencia del contacto, ya que, al tratarse de
capas altamente dopadas, los contactos resultan óhmicos directamente tras su
deposición.
3.- Deposición del contacto en la zona p.
El contacto en la zona p del dispositivo posee dos partes, en un primer paso se

deposita un contacto semitransparente de Ni/Au (50/50 Å) para facilitar la emisión de
la luz por la parte superior del LED. En el extremo del semitransparente se deposita un
contacto de Ni/Au de 300/2000 Å que actúa como asiento de soldadura para los hilos
de Au, una vez fijada la muestra en un TO. El contacto se alea a 450º C durante 10’ en
atmósfera de Nidrón. Este aleado tiene dos objetivos: por un lado, conseguir una
disminución de la resistividad del contacto p (si bien, su ohmicidad no está del todo
optimizada). Y, por otro, aumentar la transmitividad del contacto semitransparente,
desde un 40% del contacto sin alear, hasta un 80% par el aleado [Cao02]. El aspecto
final del dispositivo se muestra en la figura 7.3.
Una vez realizados los dispositivos, se seleccionan los que interesan para ser
soldados midiéndolos en una estación de puntas, donde se puede además comprobar
en primera aproximación sus características eléctricas y lumínicas. Tras la selección
206
____________________________________________________________________________
se pegan en un TO con laca conductora del calor pero aislante eléctrico y se sueldan
con hilo de Al, el contacto tipo n; y con hilo de Au, el contacto p.
Contacto semitransparente
Contacto P
GaN:Mg
AlGaN:Mg
MESA
Pozos de (InXGa(1-X)N/GaN)
GaN:Si
GaN
GaN template
template
Contacto N
Zafiro
Zafiro
Figura 7.3. Esquema del resultado final tras la fabricación del dispositivo.
7.4 Caracterización de los dispositivos.
La caracterización de los dispositivos tiene dos partes. En la primera de ellas

se estudiará el dispositivo desde el punto de eléctrico, el efecto de los contactos y de
la conductividad transversal de las capas. En la segunda parte, la caracterización
óptica, se analizarán las propiedades ópticas de las capas activas, su emisión y su
comportamiento con la corriente de inyección.
7.4.1 Caracterización eléctrica y características I-V.
La relación entre el voltaje externo aplicado, V, y la corriente, I, que fluye a

través de una unión p-n se puede expresar según la ecuación 7.1 [Sze81]:
 eV − eIRS − Vbi 
I = I 0 exp  ( 7.1)
 nkT 
207
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
,donde I es la intensidad de corriente medida, e es la carga del electrón, Rs es la

resistencia serie del dispositivo, n es el coeficiente de idealidad del dispositivo, y Vbi es
el voltaje generado en la unión al formarse la unión p-n (“built-in voltage”), debido a la
diferencia de la posición del nivel de Fermi entre las zonas n y p de la unión. En diodos
ideales, el coeficiente n es igual a la unidad cuando la corriente es de difusión,
mientras que vale 2 si es de generación-recombinación.
La figura 7.4 muestra la característica I-V más representativa de los diodos,
realizada con un parametrizador modelo HP4145B. En general, los diodos muestran
un voltaje de codo en torno a 4-5.7 V, un voltaje necesario para alcanzar los 20 mA de
7-8 V y una corriente en inversa entre 40 y 80 µA para –5 V. Los altos voltajes de codo
se pueden atribuir a que el contacto tipo p no está optimizado, ya que al no ser óhmico
tiene un comportamiento rectificante, lo que añade un voltaje extra que ha de ser
superado para que el diodo comience a conducir. Por otro lado, las corrientes de fuga
son superiores a las mostradas por diodos crecidos por MOCVD, debido posiblemente
a la no pasivación de las dislocaciones ascendentes en el caso del MBE, en el que la
concentración de H en la cámara de crecimiento es menor [John99].
0,01 RT
1E-4
Corriente (A)
1E-6
1E-8
1E-10
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
Voltaje (V)
Figura 7.4. Característica I-V típica de las uniones p-i-n estudiadas.
Los factores de idealidad, n, calculados ajustando a una exponencial la

corriente para voltajes menores de 2 V y mayores de kT, resultan ser superiores a 6,
indicando una corriente asistida por túnel o con gran componente de ella. Estos
coeficientes de idealidad altos son usuales en los diodos basados en nitruros, y, en
general, en semiconductores de gap ancho [Case96] [Dalm01]. A altos voltajes, la
corriente que fluye por el dispositivo se ve limitada por la resistencia serie del mismo.
208
____________________________________________________________________________
Dada la complejidad de la expresión 7.1, para estimar la resistencia serie de la

unión se obtiene primeramente el voltaje realizando el logaritmo neperiano a ambos
lados de la expresión 7.1. El límite cuando la corriente tiende a infinito de la derivada
del voltaje en función de la corriente (ecuación 7.2) da un valor estimativo de la
resistencia serie del dispositivo (ecuación 7.3) [Huh00].
dU d  kT I V 
=  ln + bi + IRS  ( 7.2)
dI dI  e I0 e 
dU  kT 
lim = lim + RS  = RS ( 7.3)
I →∞ dI

I → ∞ eI

Empleando la expresión 7.3, la resistencia serie obtenida varía entre 20 y 98 Ω,

dependiendo del dispositivo considerado. Esta resistencia serie no está lejana de las
obtenidas en dispositivos crecidos mediante otras técnicas de crecimiento [Nak97],
[Grand98], [Dalm01], lo que lleva a pensar que la baja conductividad lateral medida en
las capas tipo p puede ser debida a la mosaicidad del material, siendo, sin embargo, la
resistividad baja en la dirección del crecimiento. La figura 7.6 muestra el resultado del
ajuste empleado para la obtención de la resistencia serie del dispositivo.
300
Resistencia dferencial dV/dI (Ω )
300 K
250 RS= 20 Ω
200
150
100
50
0
0 50 100 150
1/I (1/A)
Figura 7.5. Cálculo de la resistencia serie del dispositivo.
La medida de la capacidad de la unión pn en función del voltaje en inversa

aplicado al dispositivo ofrece información acerca del dopaje en el mismo. A diferencia
del caso de una unión Schottky (ver epígrafe 3.4.2), la zona de vaciamiento se
209
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
extiende ahora a ambos lados de la unión pn, de modo que se cumple que, la
capacidad de la unión vale:
εε 0 e N N
C=A ∙ A D (7.4)
2(φ i − Vext ) N A + N D
Por tanto, de la medida C-V se puede obtener la concentración de impurezas

N=NAND/(NA+ND). Cuando la concentración de impurezas de un lado de la unión es
mucho mayor que el otro, N, equivale a la concentración de estas en la zona menos
dopada. Si esta concentración es similar a ambos lados, N es una media de las
concentraciones de impurezas a ambos lados. El primer caso es al que pertenecen los
diodos estudiados en esta memoria. Para que los aceptores pudieran seguir el campo
en la medida, la frecuencia de excitación que se empleó fue de 1 kHz. La figura 7.6
muestra el ajuste lineal de la inversa de la capacidad al cuadrado frente al voltaje en
inversa aplicado a la unión. Valores cercanos al obtenido, de 3 x 1018 cm-3 , han sido
obtenidos en diodos basados en nitruros por otros autores, con estructuras similares a
la estudiada [Mon99], [Zoht98]. Por otro lado, el valor estimado concuerda con la
concentración de Mg obtenida mediante SIMS, de 7x 1018 cm-3 en la muestra de
GaN:Mg crecida en iguales condiciones de crecimiento (epígrafe 4.4.3.2).
19
1,0x10
18
9,5x10
T= 300 K
18
9,0x10
18
8,5x10
1 / C (F )
-2
18
8,0x10
2
18
7,5x10
18
7,0x10 18 -3
NA = 3 x 10 cm
18
6,5x10
18
6,0x10
-1 0 1 2 3 4 5 6 7
Tensión inversa (V)
Figura 7.6. Variación de la inversa del cuadrado de la capacidad con la polarización en

inversa de una de las estructuras p-i-n analizadas.
210
____________________________________________________________________________
7.4.2 Caracterización óptica y características L-I.
La figura 7.7 muestra una imagen tomada con el microscopio Nomarski de un

diodo emitiendo a 485 nm (azul), con una corriente de inyección de 20 mA. La
inhomogeneidad espacial en la emisión (figura 7.7) y el que la máxima intensidad no
se alcance cerca del contacto n (“crowding”) son indicativos de una alta resistencia
lateral en el dispositivo, posiblemente en la capa tipo p [Guo01]. Por otro lado, los
puntos más intensos, de entre 1 y 5 µm de diámetro, se atribuyen a fluctuaciones en el
contenido de Indio, como apuntan otros autores [Xia02], [Fis00].
n
100 µm
Figura 7.7. Fotografía tomada con el microscopio Nomarski de un diodo

electroluminiscente. Los contactos n y p aparecen etiquetados.
La medida de la electroluminiscencia (EL) de los dispositivos se realizó

utilizando un sistema similar al de PL (figura 3.8), donde no se utiliza un láser de
excitación, sino que se detecta la emisión de la muestra al inyectarle corriente en
directa. La figura 7.8 muestra el efecto de variar el contenido de Indio en el pozo
manteniendo constante el espesor de pozo y barrera en la zona activa. Como ocurría
en capas de InGaN en volumen y en pozos cuánticos, la emisión se desplaza a
menores energías (Capítulos 5 y 6, respectivamente). Además, la energía de emisión
es menor en todos los casos a la estimada con las simulaciones eléctricas,
aumentando la diferencia entre ambas con el contenido de Indio (169 meV, 207 mV y
232 meV, para un contenido de Indio de 16 %, 21 % y 25 %, respectivamente).
211
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
Intensidad normalizada de EL (u. a.)

contenido de In:
1,0
X~0
X~16 %
0,8 X~21 %
X~25 %
RT
0,6 CW@20 mA
0,4
0,2
0,0
1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 3,6
Energía (eV)
Figura 7.8. Electroluminiscencia de los LED a temperatura ambiente.
Como ha sido observado por distintos autores, la anchura a media altura de la

emisión aumenta con la longitud de onda de la misma, como se recoge gráficamente
en la figura 7.9. Este efecto se puede deber a una combinación de un empeoramiento
de la calidad del material al incrementar el contenido de Indio y a un mayor cambio de
la energía de emisión debido a los campos piezoeléctricos por fluctuaciones en el
espesor del pozo y en el contenido de Indio [Odon97], [Midd97], [Lest98].
220
XIn ~ 25 % RT
CW@20 mA
200
EL FWHM (meV)
180 XIn ~ 21 %
X In ~ 16 %
160
XIn ~ 0 %
140
2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4

Figura 7.9. Anchura a media altura de la emisión de EL para distintos dispositivos al
variar la longitud de onda de emisión.
212
____________________________________________________________________________
La intensidad integrada, L, de los dispositivos se ha analizado en función de la

corriente inyectada, I, mediante un ajuste de los datos experimentales a la expresión
7.5.
L∝ Im ( 7.5)
, donde m es un coeficiente que se corresponde con el origen de la luminiscencia. Si m

es mayor que 1 la emisión se produce con un proceso de saturación de centros no
radiativos, si es cercano a 1 toda la corriente inyectada contribuye a la emisión, y si es
menor que 1 indica un calentamiento del dispositivo y/o saturación de aceptores
[Mar97], [Yang00b].
La figura 7.10 muestra las curvas L-I de los dispositivos. Para la realización de
las curvas se utilizaron medidas en continua para corrientes inferiores a 20 mA.
Empleándose medidas en pulsado, con un ciclo de trabajo de un 1 % y un tiempo de
repetición de 1 µs, para corrientes superiores a 20 mA. El cambiar de tipo de inyección
de corriente se realiza con el objetivo de evitar el deterioro del dispositivo.
Intensidad integrada (u.a.)
0,1
0,01
1E-3 Contenido In:

X~16 %
X~21 %
X~25 %
1E-4
1 10 100
Corriente inyectada (mA)
Figura 7.10. Curvas L-I de los dispositivos.
La tabla 7.2 resume los resultados del ajuste para cada diodo en las regiones
de alta inyección (I > 20 mA) y baja inyección (I < 20 mA).
213
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
EEmis. (20 mA) % In M (I < 20 mA) M (I > 20 mA)

2.784 eV 16 3.4 1.9
2.528 eV 21 1.1 0.9
2.478 eV 25 1.1 1.3
Tabla 7.2. Tabla resumen del resultado del ajuste de la medida L-I.
Como se desprende de la tabla 7.2, el diodo con el menor contenido de Indio

muestra una dependencia superlineal con la corriente, con un comportamiento
totalmente distinto a los anteriores e indicando una fuerte pérdida de la corriente en
centros no radiativos. Este origen se ve apoyado por el voltaje de codo de este
dispositivo, el menor de todos los estudiados, y en torno a 2.45 eV, menor que el gap
del GaN e indicador de que hay una alta componente de la corriente que no es de
difusión. En el caso del diodo con el 21% de Indio, puede aparecer un ligero
calentamiento, que reduce el valor del coeficiente p por debajo de 1. Por último, el
resultado obtenido para el diodo con el 25% de Indio indica una alta componente de
corriente a través de trampas incluso a altas corrientes, posiblemente debido al alto
contenido de Indio del dispositivo.
7.5 Fabricación y caracterización de un LED de cavidad

resonante.
7.5.1 Crecimiento y caracterización estructural del RCLED.
Un LED de cavidad resonante (RCLED) es una estructura LED situada en una

cavidad vertical formada entre dos espejos, estando la anchura de la cavidad
(distancia entre espejos) diseñada de forma que su longitud de onda de resonancia
sea la de emisión del LED. Paralelamente, la zona activa de los pozos cuánticos se ha
de situar en un antinodo de la onda estable formada en la cavidad [Benis98]. El
concepto de LED de cavidad resonante fue introducido en 1992 por Schubert
[Schu92]. La eficiencia de emisión de este tipo de dispositivo es mayor que la del LED
convencional, ya que se disminuye el tiempo de vida de la recombinación espontánea
de longitud de onda en resonancia con la cavidad. Como consecuencia, se favorecen
las transiciones con esta longitud de onda frente al resto. Además, la existencia de la
cavidad produce una emisión más direccional que en el caso de un LED convencional,
214
____________________________________________________________________________
y tiene la ventaja de que la energía de emisión es más estable con la temperatura

[Benis98].
En el RCLED que se va a estudiar en este trabajo, como espejo inferior se ha
utilizado un reflector de Bragg (DBR, Distributed Bragg Reflector) de AlGaN/GaN
crecido primeramente sobre template por MBE, el espejo superior de la cavidad lo
formará una capa de Aluminio. El crecimiento del DBR se sale de los objetivos de esta
Tesis, por lo que para conocer sus detalles se remite al lector a las referencias
[Fern01] [Fern02]. Sobre el reflector se crece in-situ (sin sacar la oblea de la cámara
de crecimiento) el LED convencional con igual estructura que los estudiados en los
epígrafes 7.2, 7.3 y 7.4. Los espesores de zona n y p se ajustaron de modo que se
obtuviese una cavidad 3λ para 510 nm (emisión en el verde, [AGE99]). Estos
espesores son, 310 y 316 nm de zona n y p, respectivamente. Al igual que para el
caso del LED convencional, cuya estructura se detalló en la tabla 7.1, el lado n está
constituido por GaN:Si; y el p, por una capa de AlGaN:Mg de 20 nm situada entre dos
capas de GaN:Mg de 148 nm de espesor cada una. Para el crecimiento de la
estructura se utilizaron las mismas condiciones que las empleadas para los LED
convencionales (epígrafe 7.2).
Ni (5 nm)/Au (5 nm) Semitransparente

Espejo superior
de Aluminio (200 nm) 148 nm GaN:Mg
R ~ 90 %
20 nm
AlGaN:Mg
5x(InXGa(1-X)N/GaN) MQW
GaN:Si
MOCVD GaN template AlXGa1-XN / GaN DBR
Zafiro
Ti (30 nm) / Al (70 nm)
Contacto n
Emisión
Figura 7.11. Estructura del diodo de cavidad resonante estudiado.
215
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
La zona activa del diodo de cavidad resonante fue crecida de modo similar a la
utilizada para el crecimiento del diodo convencional emitiendo en verde. Está formada
5 pozos cuánticos de InGaN/GaN con un 25 % de Indio, y espesores de pozo y barrera
de 2 y 5 nm, respectivamente.
El dispositivo está diseñado para la emisión a través del substrato, como
muestra la figura 7.11, utilizándose un DBR de menor reflectividad que el espejo de Al
para que la emisión se produzca a través del primero. El DBR está centrado en 510
nm con una reflectividad del 33 % y un ancho de banda de 38 nm. Su estructura es de
7 períodos de AlGaN/GaN de 54.3 y 52.8 nm, respectivamente, con un contenido de Al
del 17%, para evitar la formación de grietas (“cracks”) debido al desacoplo de red entre
el AlGaN y el GaN [Fern02b].
La tecnología de fabricación del dispositivo es la misma que la empleada para
el LED convencional. Una vez hecho el ataque mesa hasta la zona n mediante RIE, (la
corriente no tendrá que fluir a través del reflector) se deposita el contacto de Ti/Al
(30/70 nm), con un aleado RTA a 850ºC en ambiente de N2. Después de la
evaporación y aleado del contacto semitransparente de Ni/Au (5/5 nm) se deposita el
espejo superior de Al (200 nm), que cubre toda la parte superior de la mesa. Este
espejo, tiene una reflectividad del 90 % en la longitud de onda deseada (510 nm). La
figura 7.11 muestra la estructura del LED de cavidad resonante estudiado.
La figura 7.12 muestra el difractograma de Rayos X de la estructura RCLED.
En la que se observan, junto con las interferencias debidas a los pozos cuánticos de
InGaN/GaN, las producidas en el DBR de AlGaN/GaN, (comparar con la figura 7.1).
6
10 Simulación.
5 Medida. DBR
10
4
(0002) GaN
10
3
10 InGaN/GaN
2 SL (0)
10 SL (-1) SL (+1)
1
10
0
10
-4000 -2000 0 2000
θ (segundos)
Figura 7.12. Difractograma de Rayos X del diodo de cavidad resonante.
216
____________________________________________________________________________
7.5.2 Caracterización eléctrica y óptica del dispositivo.
Las medidas de electroluminiscencia (EL) tomadas de forma normal al plano

del dispositivo muestran que la intensidad del LED de cavidad resonante es diez veces
mayor que la del convencional (figura 7.13, nótese que el espectro del LED
convencional está multiplicado por 5). Este aumento en la intensidad de emisión tiene
dos orígenes. Por un lado, la alta direccionalidad del RCLED; y por otro, su mayor
eficiencia de emisión frente al LED convencional. Ambos efectos se pueden separar
haciendo medidas de potencia absoluta en ambos diodos, (epígrafe 7.6). Junto con el
aumento en la intensidad se produce una disminución de la anchura a media altura de
la emisión debido al efecto del DBR, siendo esta de 44 nm para el LED convencional y
de 32 nm para el RCLED. La existencia de la cavidad en el diodo RCLED estudiado ha
sido demostrada por otros autores realizando medidas de EL variando el ángulo entre
el detector y el diodo, en las que se observa que varía la longitud de onda de
resonancia con el ángulo de detección, como corresponde a la existencia de una
cavidad [Royc02]. La gráfica insertada en la figura 7.13 muestra una comparación de
la característica I-V de ambos diodos; como se puede observar, la introducción del
espejo de Aluminio no influye de manera importante en dicha característica.
0.8
RCLED 0.04
0.7 LED convencional X5
Intensidad de EL (u. a.)
0.03
Corriente (A)
0.6 20 mA DC 0.02
T = 300 K
0.5 0.01
0.00
0.4 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10
Voltaje (V)
0.3
0.2
0.1
0.0
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2
Energía (eV)
Figura 7.13. EL a temperatura ambiente y con 20 mA de corriente de inyección de un

LED convencional y de un RCLED emitiendo en el verde.
Las características L-I de ambos diodos se encuentran comparadas en la figura

7.14, en ella se puede observar la calidad superior del RCLED como emisor. Las
217
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
medidas con corriente de inyección por encima de 20 mA se realizaron en pulsado,

con un ciclo de encendido de un 1%. La intensidad de la medida en pulsado ha sido
multiplicada por 100 para poder ser incluida en la misma gráfica. La coincidencia en la
intensidad a 20 mA indica que el dispositivo no ha sufrido calentamiento durante la
medida en contínua hasta esta corriente de inyección.
Intensidad integrada de EL (u. a.)
0.5 RCLED DC
RCLED AC: δ =1%
0.4 LED DC
LED AC: δ =1%
0.3
0.2
0.1
0.0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Corriente inyectada (mA)
Figura 7.14. Características L-I de dos diodos emitiendo en el verde (510 nm), uno
convencional (círculos) y otro de cavidad resonante (cuadrados).
Dado que el proyecto AGETHA tiene como objetivo la obtención de un RCLED

para comunicaciones por fibra de plástico en automoción, es importante conocer la
respuesta del dispositivo, tanto en intensidad como en longitud de onda de emisión,
frente a la temperatura. Para conocer sus propiedades en este sentido se realizaron
medidas de EL a una corriente fija, de 20 mA, en función de la temperatura ambiente
alrededor del diodo. La figura 7.15 muestra el resultado estas medidas, de las que se
pudo obtener un coeficiente de variación de longitud de onda con la temperatura de
∂λ/∂T = 0.033 nm/K y un coeficiente de variación de intensidad de emisión frente a la
temperatura de ∂I/∂T = -0.31 % / K, en el rango de temperaturas estudiado, de entre
250 y 340 K. Este coeficiente está dentro de las especificaciones requeridas por el
proyecto AGETHA, de –0.4 %/K [AGE99]. La baja pérdida de intensidad al aumentar la
temperatura de trabajo en comparación con otros sistemas de materiales, come el
AlInGaP se debe a la gran diferencia entre el gap del material emisor y el de la barrera
[Muka99].
218
____________________________________________________________________________
Longitud de onda de emisión (nm)
Intensidad integrada de EL (u. a.)

1.10
511.0 DC @ 20 mA
1.05
510.5
1.00
510.0
0.95
509.5 0.90
509.0 0.85
260 280 300 320 340
Temperatura (K)
Figura 7.15. Evolución de la longitud de onda de emisión y de la intensidad integrada

frente a la temperatura
7.6 Medida de la potencia de emisión de los LEDs.
7.6.1 Sistema experimental y obtención de los resultados.
El problema de la medida de la potencia absoluta de un LED requiere para su

resolución de un sistema de medida que tenga, o bien una esfera integradora que
recoja la luz emitida por el diodo en todas las direcciones, o bien un goniómetro que
permita el giro de la muestra o del detector en torno al diodo. En este segundo caso,
se detecta primero la intensidad de la emisión en función del ángulo para integrar
posteriormente a todos los ángulos posibles. Para el presente trabajo, al no disponer
de una esfera integradora, se ha utilizado un sistema de medida con un goniómetro,
cuyo esquema se encuentra en la figura 7.16. El detector empleado es de Si calibrado
de 6 x 6 mm de área, con una responsividad para la longitud de onda estudiada (∼500
nm ) de 0.2526 A / W. La señal obtenida del detector es amplificada con ayuda de un
amplificador lock-in.
219
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
Chopper
Fuente
de corriente
δθ
Amplificador
Muestra (LED) Lock-in
Detector de Si calibrado
Figura 7.16. Esquema del sistema empleado para la medida de la potencia de emisión
de los LEDs.
En el sistema empleado, la muestra se encuentra a 42 mm del detector, por lo

que se ha tomado una medida cada 8º, ya que este es el ángulo subtendido desde la
muestra por el detector. Se ha supuesto una emisión con simetría cilíndrica en torno al
eje perpendicular al diodo, de modo que el valor de la potencia emitida obtenido para
cada posición del detector ha sido extrapolado a su sección correspondiente de la
esfera. Para ello, se ha multiplicado el valor de potencia obtenido por el número de
veces que está contenido el detector en el área de la sección correspondiente. El
procedimiento se encuentra explicado esquemáticamente en la figura 7.17.
detector
LED
θ1
θ2 A=2πr2(cos θ1-cos θ2)
Figura 7.17. Ángulos y procedimientos empleados para la obtención de la intensidad

total de emisión.
220
____________________________________________________________________________
7.6.2 Análisis de los resultados obtenidos.
Teniendo en cuenta lo explicado en el epígrafe 7.6.1, se ha medido la potencia

de emisión de un RCLED y de un LED convencional emitiendo en el verde. Para una
corriente de inyección de 10 mA y a temperatura ambiente se ha obtenido una
potencia de 3.5 µW para el RCLED y de 1.1 µW para el LED convencional. Es
importante hacer notar que aunque la intensidad integrada de EL resultó ser cerca de
10 veces más alta para el RCLED (figura 7.13), la intensidad total es sólo 3 veces más
alta, indicando una alta direccionalidad de la emisión del RCLED, ya que en la medida
de EL la emisión se recoge en perpendicular a la muestra.
Suponiendo que la emisión aumenta de forma homogénea con el ángulo, se ha
extrapolado la potencia de emisión de los LEDs para 20 mA, teniendo en cuenta los
valores de intensidad integrada obtenidos con la medida de EL. La tabla 7.3 resume
los resultados obtenidos, en función de la longitud de onda de emisión.
λ emisión Pout @20 mA

500 nm (RCLED) 7 µW
500 nm 2.3 µW
490 nm 8.2 µW
445 nm 2.1 µW
365 nm 3.6 µW
Tabla 7.3. Resumen de la potencia óptica de emisión de los LEDs en función de la

longitud de onda de emisión.
Aunque los resultados obtenidos son comparables a los que se pueden

encontrar en la literatura para diodos crecidos por MBE [Lauk01] [Grand99b], son
menores que los obtenidos creciendo mediante MOCVD. En general, esta diferencia
en la potencia de emisión se atribuye a que la presencia de Hidrógeno en la cámara
durante el crecimiento por MOCVD puede pasivar las dislocaciones en la zona activa,
haciendo que no actúen como caminos de recombinación no radiativos. Otro efecto a
tener en cuenta es la contaminación de Oxígeno en la cámara de MBE, que disminuye
el dopaje tipo p además de afectar a la recombinación en los pozos, crecidos a menor
temperatura [Brand02][John99]. Por último, hay que tener en cuenta que las
condiciones de crecimiento empleadas para el dopaje tipo p no han sido plenamente
optimizadas. Un intento por mejorar las prestaciones del LED pasa por optimizar el
221
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
dopaje tipo p en las capas, y por ello, se hizo un estudio en profundidad del mismo,
recogido en el epígrafe 7.7 como mejora del dispositivo.
7.7 Optimización del dopaje tipo p con Mg.
7.7.1 Introducción y justificación
La optimización del dopaje es uno de los métodos que se pueden emplear para
mejorar las características de los LED, en este sentido, el cambio de la fuente de rf
que genera el Nitrógeno activo en el sistema de crecimiento abre una nueva
posibilidad para dicho estudio, ya que, con la empleada a lo largo de esta Tesis la
–3
concentración residual obtenida es muy alta (>1E 17 cm ) como para obtener un
dopaje eficiente. Por ello, aunque el dopaje ya fue objeto de estudio en el Capítulo 4
(epígrafe 4.4), los experimentos realizados con la fuente EPI pretenden arrojar luz
sobre los ya presentados y ofrecer una base para un trabajo futuro.
Estudios comparativos realizados por Ptak et al. muestran la superioridad de la
fuente de radiofrecuencia EPI frente a las Oxford (empleadas en esta memoria),
mostrando que la primera produce un plasma con menor proporción de iones, siendo
éstos perjudiciales para el crecimiento de capas de calidad [Ptak99]. Es este sentido,
la fuente EPI genera, no solamente una menor densidad de iones, sino que además,
estos son menos energéticos (10 eV frente a 3 eV, para Oxford y EPI,
respectivamente). Al mismo tiempo, el empleo de esta fuente lleva a concentraciones
de portadores residuales entre 10 y 100 veces menores y movilidades tres veces
mayores que con las fuentes de Oxford [Ptak99]. La calidad superior de las muestras
está ligada a la mayor proporción de Nitrógeno excitado frente a especies iónicas en el
plasma generado por la fuente EPI, ya que las segundas pueden deteriorar la calidad
de la capa.
7.7.2 Crecimiento y caracterización de capas de GaN no dopadas

empleando la fuente de radiofrecuencia EPI para generar el Nitrógeno activo.
Para el crecimiento de GaN sobre templates utilizando la fuente EPI se fijó un

BEP de Galio de 1.3E-6 Torr y una temperatura de substrato de 690ºC. El flujo de
Nitrógeno se fijó de modo que la presión de cámara durante el crecimiento fuese de
1.1 E-5 Torr, obteniéndose un frente de crecimiento plano, con un patrón de RHEED
222
____________________________________________________________________________
streaky para una potencia de 175 W y un flujo de Nitrógeno de 0.7 sccm. Debido a una
película de PBN (nitruro de Boro pirolítico) en la base del crisol, no se puede detectar
directamente el plasma, por lo que el O.E.D. en detectado en esta fuente es mucho
menor, del orden de ~0.200 V.
La figura 7.18 muestra el espectro de PL de una muestra crecida utilizando las
condiciones de crecimiento señaladas anteriormente, junto con el del template
empleado como substrato.
GaN MBE/ GaN template

2.5
GaN template
0
2.0
1 DX
9K
1.5
PL Intensity(a. u.)
FXA
0.1 1.0 X10
X20
0.5
FXB
0.01 0.0 FXA-LO
3.44 3.46 3.48 3.50 3.52
FXA-2LO
1E-3
1E-4
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
Energy (eV)
Figura 7.18. Espectro de fotoluminiscencia de baja temperatura de una muestra crecida sobre
un template empleando la fuente de rf EPI.
La intensidad de las emisiones excitónicas es siempre de igual magnitud o

superior que la del substrato, llegándose a obtener muestras 20 veces más intensas
(figura 7.18), nótese que en la gráfica insertada de la figura 7.18 el espectro del
template está multiplicado por 20. La anchura a media altura de estas emisiones suele
ser comparable (3-5 meV). Como se puede observar en la gráfica insertada de la
figura 7.18, se distinguen las emisiones correspondientes al excitón libre A, (FXA en la
figura 7.18) y al ligado al donante residual (DX0), junto con la primera y segunda
réplica fonón de la primera de ellas. Por otro lado, las bandas ligadas a impurezas,
como la centrada en 3.27 eV y la banda amarilla desaparecen en las muestras
crecidas por MBE.
A continuación, y una vez establecidas unas condiciones de crecimiento, se
estimó la concentración de portadores residual de las capas creciendo sobre un
template semiaislante. Los contactos óhmicos resultan muy resistivos, por lo que para
223
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
conocer el residual se utilizó un contacto Schottky, realizándose una medida de tipo C-

V (ver epígrafe 3.4.2). La caracterización eléctrica de los contactos Schottky muestra
un coeficiente de idealidad de 2.4, el más bajo de los obtenidos en las muestras
crecidas sobre templates (figura 7.19).
0.1
0.01 GaN MBE/GaN template
RT
1E-3
1E-4 n=2.4
Corriente (A)
1E-5
1E-6
1E-7
1E-8
1E-9
1E-10
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6
Voltaje (V)
Figura 7.19. Característica I-V de un diodo Schottky de Ni depositado sobre una capa de GaN
crecida sobre template.
La figura 7.20 muestra el resultado de la caracterización C-V. Ajustando los

datos experimentales a una recta y empleando la ecuación 3.28 se obtiene un valor de
la concentración de impurezas de 1E16 cm-3. Para la obtención de la altura de la
barrera Schottky, φb, a partir de los datos experimentales, se ha tenido en cuenta la
expresión:
φb=VAjuste+ (EC-EF) (7.6)
,en la que, Vajuste representa el voltaje de corte del ajuste lineal de los datos
experimentales 1/C2 frente a V (figura 7.20), y (EC-EF)=kT/q∙Ln (NC/ND) es la distancia
entre el nivel de Fermi y el borde de la banda de conducción. Tomando la densidad de
estados efectiva en el borde de la banda de conducción y la concentración de donante
como NC=2.3E18 cm-3 y ND=1E16 cm3, respectivamente, se obtiene un valor de EC-EF
~0.113 eV.
224
____________________________________________________________________________
Teniendo en cuenta el valor de Vajuste de 0.797 (Figura 7.20), se obtiene un

valor de la altura de la barrera del contacto Schottky de Ni de 0.91 eV, en buen
acuerdo con los resultados que se pueden encontrar en la literatura para este metal
(0.86 eV)[Mon99], (0.96 eV) [Yu98]. Sin embargo, es algo menor al que se obtiene
teóricamente, de 1.07 eV a partir de su función de trabajo, de 5.17 eV [Guo96] y la
afinidad electrónica del GaN, de 4.1 eV [Khan95]. Este efecto podría estar ligado a la
formación de Ga4Ni3 en la intercara entre el Níquel y el GaN [Guo96], [Mon99].
500
-3
400 ND=1.0E16 cm
qφB=0.91 eV
300
1/C (nF )
-2
200
2
RT
10 kHz Vajuste
100
0
-2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0
Voltaje en inversa (V)
Figura 20. Resultado de la medida C-V del diodo Schottky cuya I-V se representa en la figura
7.19.
Una vez obtenidas unas capas con una concentración de portadores residual
suficientemente baja, se pasó a dopar con Mg.
7.7.3. Crecimiento y caracterización de las capas dopadas con Mg.
7.7.3.1. Crecimiento de las capas.
Las capas dopadas se crecieron en iguales condiciones que las no dopadas

pero abriendo el obturador de Mg con la célula a distintas temperaturas, partiendo de
225
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
350ºC y hasta 450ºC, aumentando 25ºC entre una capa y la siguiente. Para evitar el
efecto de la zona de vaciamiento sobre las medidas de caracterización eléctrica
[Her96], las muestras crecidas tienen un espesor superior a 1 µm. Durante el
crecimiento de todas las muestras el patrón de difracción del RHEED fue streaky, sin
reconstrucción al enfriar, excepto para la muestra crecida a 450ºC, en la que se
observa una reconstrucción 3 x 3 durante el enfriamiento de la muestra.
7.7.3.2 Caracterización óptica.
La figura 7.21 muestra el espectro de PL en la región de alta energía de las

capas, la temperatura de la célula de Mg empleada durante el crecimiento está
especificada en cada caso. Partiendo de la muestra no intencionadamente dopada,
n.i.d, la emisión situada en 3.4818 se atribuye al FXA teniendo en cuenta el grado de
deformación compresiva existente en las capas. La medida de Rayos X lleva a un
valor de εzz~3.4 E-4 a temperatura ambiente, lo que a baja temperatura se puede
extrapolar a εzz~5 E-4, suponiendo que la capa está relajada a temperatura de
crecimiento (es decir, εzz~0). Con este valor de deformación, se obtiene un valor para
el excitón libre A teórico de ~3.480 eV [Les96]. Considerando una energía de enlace
del excitón de 25 meV, el gap del semiconductor resulta de 3.507 eV a esta
temperatura (9K). La emisión separada de la anterior 7.2 meV, centrada en 3.4890 eV,
se atribuye al excitón libre B (FXB), Por último, la emisión más intensa (etiquetada
como DBE) situada en 3.4740 eV tendría su origen en una recombinación excitónica
ligada a un donante neutro, responsable del residual tipo n de la capa. La energía de
ligadura del excitón a este donante es, por tanto, de 7.6 meV, lo que, empleando la
regla semiempírica de Hayne (epígrafe 3.3.1) lleva a un valor de la energía de
activación del donante de 38 meV. Este valor es el encontrado normalmente en capas
no intencionadamente dopadas, el donante residual podría ser el Oxígeno.
226
____________________________________________________________________________
D2BE ?
TMg
ABE1 450 ºC
Intensidad de PL (u.a.)
425 ºC
400 ºC
375 ºC
350 ºC
DBE FXA FXB n.i.d.
3.44 3.46 3.48 3.50 3.52

Energía (eV)
Figura 7.21. Región de alta energía del espectro de PL de las capas dopadas con Mg. Se ha
añadido el de una capa no dopada para una mejor comparación
En las muestras dopadas con Mg (excepto en el caso de la muestra dopada

con 450ºC de célula de Mg) se observa la aparición de dos emisiones a menor energía
que las tres comentadas anteriormente para la muestra n.i.d. La primera de ellas,
denominada D2BE, se atribuye a una recombinación excitónica ligada a una impureza;
está centrada en 3.4645 eV en la muestra dopada con TMg= 350ºC, desplazándose
hasta 3.4693 eV para temperaturas de Mg superiores a 375ºC, lo que lleva a una
energía de ligadura del excitón a la impureza de entre 17.5 meV y 13 meV,
respectivamente. Teniendo en cuenta la regla de Hayne se obtiene que, si el excitón
estuviese ligado a un aceptor, éste tendría una energía de activación de entre 175 y
130 meV, mientras que, en el caso de ser un donante, la energía sería de entre 87.5 y
65 meV. Parece más probable el segundo caso, dado la temperatura a la que la
emisión desaparece en los espectros de PL (ver figura 6.22). La segunda emisión,
227
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
centrada en torno a 3.463 eV, estaría relacionada con una de activación del aceptor de
unos 200±15 meV, teniendo en cuenta la dispersión en las muestras. Esta energía se
corresponde con la del Mg actuando como aceptor [Kauf98].
La asignación de las emisiones se ha realizado teniendo en cuenta la evolución
de los espectros con la temperatura, ya que, cuando la temperatura es suficiente como
para vencer la energía de localización de los excitones en los donantes y aceptores
neutros, éstos se convierten en excitones libres, aumentando la intensidad de estas
emisiones. Este hecho se puede observar en la figura 7.22.
DX
FXA
9K
FXB
D2X 20 K
ABX
40 K
60 K
100 K
3.44 3.45 3.46 3.47 3.48 3.49 3.50 3.51 3.52

Energía (eV)
Figura 7.22. Evolución con la temperatura de la región de alta energía del espectro de
PL de las capas dopadas con una temperatura de Mg de 400º C.
La figura 7.23 recoge el resultado del ajuste de la variación de la energía del

excitón A con la temperatura, los valores obtenidos permiten establecer que el origen
de la emisión es el mismo a lo largo de todo el rango de temperaturas, pues la
variación de su energía sigue la que corresponde al gap según la ecuación de Varshni
(ecuación 2.10). El resultado del ajuste se encuentra indicado en la figura 7.23, los
valores obtenidos para α, β y EFXA son similares a los obtenidos en la literatura (tabla
2.7). El ajuste extrapolado a temperatura ambiente da una energía de gap de GaN de
3.435 eV, en buen acuerdo con los datos que se pueden encontrar en la literatura.
228
____________________________________________________________________________
3.485
3.480
3.475
Energía (eV)
3.470
σ
α == 800
800±±8080µeV/K
µeV/K
β = 690 ± 54 K
3.465 θDFXA
=690 ± 54 K
E (0 K) = 3.4835 ± 0.0005 eV
EFXA(0 K)=3.4835 eV
3.460
0 20 40 60 80 100 120 140 160

Temperatura (K)
Figura 7.23. Evolución con la temperatura de la posición de la transición FXA mostrada

en la figura 7.22. La curva corresponde al ajuste de los datos con la ecuación de Varshni.
La región de energía entre 2.9 y 3.4 de los espectros de PL muestra una

emisión de tipo DAP en torno a 3.27 eV, con sus réplicas fonónicas (Figura 7.24). La
posición de la recombinación permite obtener un valor para la energía de activación
óptica del aceptor de 214±3 meV (ecuación 3.16), lo que, además de aproximarse a la
energía obtenida del ABE, concuerda con la energía de activación esperada para el
Mg actuando como aceptor.
T (Mg)
425 ºC
400 ºC
375 ºC
350 ºC
n.i.d.
2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

Energía (eV)
Figura 7.24. Espectro de PL de las capas dopadas con Mg. Se ha añadido el de una
capa no dopada para una mejor comparación
229
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
La intensidad de dicha recombinación aumenta con la temperatura del dopante,

como se muestra en la figura 7.24, en la que se representa el espectro de las distintas
muestras normalizado de forma que la intensidad de la emisión excitónica más intensa
en la región mostrada en la figura 7.21 sea 1. La tendencia cambia para la muestra
crecida empleando 450ºC de célula de Mg (figura 7.25), y en la que además, se
observó la reconstrucción 3x3 en el RHEED durante el enfriamiento. En este sentido,
los estudios de Ptak et al. demuestran que la incorporación del Mg en GaN cuando la
capa es de polaridad Galio es superior a cuando tiene polaridad en N [Ptak01].
1 9K
Intensidad normalizada de PL (u.a.)
TMg=425ºC
TMg=450 ºC
(x10)
0
2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5
Energía (eV)
Figura 7.25. Espectro de PL de dos capas dopadas con Mg empleando una
temperatura de célula de 425º C y 450º C.
Por último, es de destacar que ninguna de las muestras tienen emisiones en la

región verde-amarilla del espectro.
7.7.3.3. Caracterización eléctrica.
Para estudiar el comportamiento eléctrico de las capas, se depositaron

contactos de Ni/Au en geometría de Van der Pauw que fueron aleados a 450ºC
durante 10 minutos en atmósfera de Nidrón para obtener contactos óhmicos. Las
medidas de efecto Hall se realizaron a distintas temperaturas, para poder estimar una
energía de activación del dopante.
La tabla 7.4 resume los resultados obtenidos de la caracterización eléctrica a
temperatura ambiente. La concentración de portadores de la muestra no dopada se ha
estimado con la medida C-V, como se explicó en el epígrafe 7.7.2.
230
____________________________________________________________________________
Conc.
TMg [Mg] Movilidad Resistividad EAct
-3 Tipo portadores 2 ND/NA
(ºC) (cm ) -3 (cm /V∙s) Ω∙cm)
(Ω (meV)
(cm )
n.i.d. - n 1-3 E 16* - - - -
350 4 E 17 Resis - - - - -
375 9 E 17 n/p 5 E 15 - - - -
400 1.7 E 18 p 4.8 E 16 10.8 12.01 195 0.123
425 3.5 E 18 p 2 E 17 8.3 3.9 186 0.045
450 3 E 17 Resis - - - - -
Tabla 7.4. Resumen de los resultados de caracterización eléctrica de las capas

dopadas con Mg
La evolución de las medidas con la temperatura de célula de Mg se interpreta

teniendo en cuenta la compensación que ha de superar el dopaje tipo p debido al
residual tipo n del GaN. Así, la muestra dopada con 350ºC de célula de Mg tiene una
resistividad muy alta, lo que hace imposible su caracterización mediante Hall. En la
muestra dopada con 375ºC las medidas arrojan un resultado que oscila entre p y n,
debido a que la muestra está compensada. Para temperaturas superiores a 375ºC e
inferiores a 450ºC se obtiene conductividad tipo p clara. Finalmente, para 450ºC la
muestra es muy resistiva, indicando, junto con lo observado en el patrón del RHEED y
en los espectros de PL, un cambio en la polaridad de la capa desde Ga a N. La figura
7.26. muestra gráficamente los resultados de la caracterización eléctrica de las capas
a 300 K, junto con la concentración de Mg, medida por SIMS.
1E19
Polaridad N?
1E18
[p]RT, [Mg]SIMS (cm )
-3
1E17
1E16
tipo p ?
? tipo n/p
1E15 [Mg] SIMS
S.A.
Concentración
residual
1E14
340 360 380 400 420 440 460
TMg (ºC)
Figura 7.26. Concentración de portadores (Hall) y de Mg (SIMS), a temperatura
ambiente de las capas estudiadas, en función de la temperatura de la célula de Mg
231
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
La concentración de Mg en cada muestra es entre uno y dos órdenes superior

a la de huecos a temperatura ambiente (figura 7.26), debido a la alta energía de
activación del dopante. Además, las muestras en las que en los espectros de PL no se
observa la emisión ligada a donante (muestras dopadas empleando TMg de 400 y 425,
figura 7.21), muestran conductividad tipo p clara, ya que en ellas el dopaje
intencionado tipo p ha superado el residual tipo n.
Empleando la expresión 7.7 se ha calculado la energía de activación del
aceptor para las muestras que tienen un comportamiento tipo p claro:
NA − ND  − EA 
p (T ) = NV exp  (7.7)
gN D  kT 
La estimación del cociente ND / NA junto con la de la energía de activación de

ambas muestras se encuentra recogido en la tabla 7.4. La figura 7.27 muestra el
ajuste a los datos experimentales del que se han obtenido ambos valores. Debido a la
disminución de la concentración de huecos al disminuir la temperatura, el error en la
medida Hall se hace muy grande, y no es posible obtener datos fiables por debajo de
250 y 200 K para las muestras crecidas usando una temperatura de Mg de 400 y
425ºC, respectivamente.
T (K)
500 400 300 200
1E18
Concentración de portadores (cm )
-3
TMg= 425ºC
EA= 186 meV
ND/NA=0.045
1E17
1E16
TMg= 400ºC
EA= 195 meV
ND/NA=0.123
1E15
2 3 4 5 6
-1
1000/T (K )
Figura 7.27 Variación de la concentración de huecos en las muestras dopadas con Mg

con la temperatura. El resultado del ajuste a la ecuación 7.7 se muestra en cada capa.
232
____________________________________________________________________________
La energía de activación calculada, aumenta con la concentración de

aceptores, desde 195 meV para la muestra con una concentración de huecos de
4.8E16 cm-3 hasta 186 meV para la de 2E17 cm-3. Este efecto es debido a la formación
de una banda de aceptores cuya anchura aumenta con la concentración de éstos.
Teniendo en cuenta los resultados de SIMS y el cociente ND / NA , se obtiene una
concentración de donantes compensadores de ND~2E 17 cm-3 en ambas muestras. El
aumento de la concentración de donantes residual en estas capas frente a las capas
no dopadas (1 E 16 cm-3) tiene su origen en la disminución de la energía de formación
de vacantes de Nitrógeno al acercarse el nivel de Fermi a la banda de valencia
durante el crecimiento [Alves01],[Walle97]. Por otro lado, las energías de ionización
térmica calculadas son menores que las obtenidas a través de medidas ópticas, como
se explicó en el Capítulo 4.
Un aumento de la concentración de huecos hasta 3E 17 cm-3 se obtuvo en
capas crecidas manteniendo el resto de las condiciones de crecimiento iguales a las
de la serie analizada e incrementando la temperatura de Mg hasta 435ºC, dentro de la
tendencia esperada teniendo en cuenta la figura 7.26.
7.7.3.4. Caracterización estructural.
Para conocer el grado de deformación en las capas así como su calidad en

términos estructurales se realizaron medidas de Rayos X tanto de las muestras como
de los substratos, las medidas realizadas son de tipo simétricas en torno a la reflexión
(0002), empleándose barridos tanto θ/2θ como ω. El resultado es que las muestras
poseen una anchura a media altura de la reflexión inferior 0.96-0.97 veces la del
substrato en todos los casos. Además, el grado de relajación es similar a la del
substrato, sin encontrarse un cambio al variar la temperatura de la célula de Magnesio.
Uno de los métodos para confirmar la polaridad de la capa de GaN es medir la
velocidad de ataque húmedo de la misma en una disolución de KOH [Hellm98]. La
figura 7.28 recoge la velocidad de ataque obtenida en las muestras en una disolución
acuosa 6M de KOH durante 15’ a 80ºC. En la figura 7.28 se puede observar además el
aspecto superficial de las capas tomado con el microscopio Nomarski tras el ataque,
en ellas se observa un deterioro de la misma excepto en la muestra sin dopar, en la
que la velocidad de ataque es nula, y la capa dopada con TMg=450º C, en la que el
ataque es el más rápido y homogéneo de todas. La línea de puntos en la figura señala
la velocidad de ataque obtenida por T. Palacios et al. empleando una disolución
similar en muestras con polaridad acabada en Nitrógeno crecidas sobre Si(111)
[Pala00]. En el presente estudio, la muestra crecida con 450ºC de Magnesio tiene una
233
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
velocidad de ataque superior a las demás, y a la obtenida por T. Palacios et al.

indicando un posible cambio en la polaridad de la capa.
GaN:Mg
100 µm
TMg=350 ºC.
GaN n.i.d. 100 µm GaN:Mg

100 µm
TMg=375 ºC.
70
Velocidad de ataque (nm/min)
KOH 6 M
60 80 ºC 15'
50
40 T. Palacios et al.
30
20
10
0 350 375 400 425 450
TMg (ºC)
GaN:Mg GaN:Mg
100 µm 100 µm
TMg=450 ºC. TMg=400 ºC.
GaN:Mg
100 µm
TMg=425 ºC.
Figura 7.28 Variación con la temperatura de la célula de Mg de la velocidad de ataque

en una disolución acuosa de KOH de las capas de GaN:Mg. Las imágenes tomadas con el
microscopio Nomarski muestran la superficie de las capas tras el ataque.
234
____________________________________________________________________________
En las muestras no se han observado al microscopio óptico indicios de

defectos piramidales invertidos, como señalan [Cros97] et al. en muestras crecidas
mediante MOCVD.
7.8 Conclusiones.
En el presente Capítulo se ha demostrado la posibilidad del crecimiento por

MBE de emisores de luz con distintas energías de emisión, barriendo un amplio
espectro desde el ultravioleta cercano (360 nm) hasta el verde (510 nm). En ellos, y
conforme a otros estudios realizados en la literatura, la anchura de la emisión aumenta
con su longitud de onda, debido a una peor calidad de la aleación y a un mayor efecto
de los campos piezoeléctricos al aumentar el contenido de Indio en el pozo.
Utilizando un reflector de AlGaN/GaN crecido por MBE en el mismo equipo, se
ha crecido un LED de cavidad resonante emitiendo en el verde. Las características
ópticas de este segundo dispositivo son superiores al LED convencional, mostrando
una emisión diez veces más intensa que la de este último.
Los diodos LED obtenidos poseen una potencia de emisión de entre 3 y 8 µW
con una corriente de inyección de 20 mA, estando este valor en el orden de los que se
pueden encontrar en la literatura empleando pozos cuánticos de InGaN/GaN como
capa activa.
Como método para mejorar las características emisoras de los LED se ha
presentado una optimización del dopaje con Mg, siendo posible obtener capas con
conductividad tipo p para temperaturas de célula de Mg entre 375º C y 435º C. La
concentración máxima de huecos, de 3E 17 cm-3, se obtiene para TMg=435º C. Cuando
se utiliza una temperatura de TMg=450º C se observan indicios de cambio de polaridad
en la capa, inducido por el Mg.
El trabajo presentado en este Capítulo ha sido publicado en las revistas
“Applied Physics Letters” [Nar02d] y “physica status solidi (a)” [Nar02c].
235
CAPÍTULO 7
____________________________________________________________________________
236
Capítulo 8
Conclusiones generales y trabajo futuro.
8.1 Conclusiones generales.
8.1.1. Crecimiento de GaN.
Crecimiento de GaN no dopado:
Crecimiento sobre zafiro: Las capas de mayor calidad se han obtenido

empleando la siguiente secuencia de crecimiento:
∙ Nitridación del substrato durante 20 minutos, a 800ºC y empleando el mismo
O.E. D. que el de la capa.
∙ Capa buffer de AlN de 10 nm de espesor crecida a 800ºC en condiciones
ligeramente superiores a la estequiometría (razón III/V>1).
∙ Capa de GaN a 700º C en condiciones ligeramente por encima de la
estequiometría.
Con estas condiciones de crecimiento se obtienen rugosidades superficiales
(RMS) de 3.4 nm medidas por AFM, y espectros de PL con 3.5 meV de FWHM en la
emisión atribuida a una recombinación excitónica ligada al donante residual, en 3.471
eV. En el apartado eléctrico, se obtienen concentraciones residuales de en torno a
1017 cm-3.
Crecimiento sobre GaN-templates: El método utilizado hace uso del RHEED

para la caracterización del frente de crecimiento durante el mismo, permitiendo crecer
capas de calidad en función del estado del propio sistema de crecimiento. La calidad
de las capas depende de la del substrato inicial, ya que los defectos superficiales de
CAPÍTULO 8
____________________________________________________________________________
los templates se propagan a la capa. De modo que, por ejemplo, sobre substratos con
una rugosidad superficial (RMS) de 2.9 nm, tras una capa de 0.5 µm crecida por MBE
la rugosidad se mantiene en 3.1 nm. La calidad óptica del template se mejora en la
capa crecida por MBE si la del primero hubiese sido baja, y se mantiene si aquella
fuera alta.
La caracterización eléctrica de las capas, realizada mediante medidas de C-V,
permite estimar una concentración de donantes residuales de 0.7-1.3x1017 cm-3, similar
a la obtenida creciendo sobre zafiro.
Crecimiento de GaN dopado con Mg:
El estudio de las condiciones de crecimiento para el dopaje con Mg lleva a la

conclusión de que existe una fuerte dependencia en la incorporación de Mg con la
temperatura de substrato, disminuyendo al aumentar esta debido a la evaporación del
dopante. Temperaturas de substrato bajas (<670º C) y temperaturas de célula de Mg
altas (>425º C) pueden provocar una inversión de polaridad en las capas durante el
crecimiento debido a un recubrimiento superficial con Mg de la muestra durante el
crecimiento. Cuando se emplean condiciones de crecimiento que evitan el cambio en
la polaridad se ha llegado obtener en muestras sobre zafiro concentraciones de
huecos de 1x 1017 cm-3 a temperatura ambiente.
Un estudio del dopaje con Mg empleando una fuente de rf de la compañía EPI
se ha presentado como método para mejorar las características emisoras de los LED.
Teniendo en cuenta lo estudiado en ese punto, las muestras se crecieron a una
temperatura de substrato de 690º C siendo posible obtener capas con conductividad
tipo p para temperaturas de célula de Mg entre 375º C y 435º C. La concentración
máxima de huecos, de 3E 17 cm-3, se obtiene para TMg=435º C. Para temperaturas
superiores a 450º C se observan indicios de cambio de polaridad en la capa, inducido
por el Mg.
8.1.2. Crecimiento de InGaN.
Crecimiento de InGaN en volumen
Se ha estudiado la región de temperaturas de substrato y flujos de los

elementos Ga e In que conducen a contenidos de Indio entre el 14 y el 37 %. Con
respecto a la temperatura de crecimiento, se observa una evaporación de Indio a
temperaturas de substrato superiores a ~560ºC.
238
CONCLUSIONES Y TRABAJO FUTURO
____________________________________________________________________________
El crecimiento de InGaN en volumen tiene las siguientes características:

partiendo de condiciones ricas en Nitrógeno un aumento del flujo de átomos de Indio
produce un aumento en el contenido de Indio de la capa. La relación contenido de
Indio en la muestra frente a la proporción φIn/φIn+φGa es lineal hasta que la relación III/V
es mayor a la unidad. En este punto se forman gotas de Indio en la superficie,
permaneciendo constante el contenido de Indio en la capa y disminuyendo si se
aumenta el flujo de Galio, debido a la segregación del primero.
Las condiciones de crecimiento óptimas se establecen para relaciones III/V
ligeramente superiores a la unidad, y a temperaturas de substrato superiores (560-
580º C) a la del inicio de la desorción de Indio. El contenido de Indio de la capa es
entonces ligeramente inferior al que viene dado por la relación φIn/φIn+φGa.
Empleando PL y transmisión se han detectado fluctuaciones locales en el
contenido de Indio en las capas, obteniéndose una dependencia de las mismas con el
contenido de Indio promedio medido mediante Rayos X. La dispersión y profundidad
(en energía) de las fluctuaciones en el contenido de Indio aumenta con éste, como
demuestra un aumento del FWHM de la emisión de PL y del borde de absorción.
Finalmente, las medidas de Rayos X junto con las de transmisión permiten
obtener un parámetro de curvatura de la relación EG frente a contenido de Indio de 3.4
eV, extrapolando para muestras totalmente relajadas y a temperatura ambiente.
Crecimiento de pozos cuánticos de InGaN/GaN
En lo que respecta a las condiciones de crecimiento, los mejores resultados se

han obtenido utilizando el mismo flujo de Galio en el pozo y la barrera, y teniendo una
capa de Indio segregada en la superficie del pozo que facilita el crecimiento de la
barrera. El tomar como tiempo de crecimiento del pozo el tiempo nominal más el
tiempo hasta que aparece la reconstrucción (1x3) en la barrera lleva a estimaciones
más apropiadas de los espesores de pozo y barrera.
A la hora de conocer y explicar el origen de los diversos fenómenos de
comportamiento de la emisión con la temperatura y potencia de excitación,
dependiendo del contenido de Indio y de la anchura del pozo, se ha de tener en cuenta
la existencia de zonas de localización de Indio en el plano de crecimiento. El que estas
regiones dominen en la emisión depende de su profundidad, de la anchura del pozo, y
su comparación con el radio del excitón que se pueda formar en el pozo, dicho radio
se estima en 3.4 nm. En pozos con un espesor mayor de 4 nm los campos
piezoeléctricos, fundamentalmente, determinan la energía de emisión, ya que pueden
239
CAPÍTULO 8
____________________________________________________________________________
separar el electrón y el hueco, provocando el que la recombinación se produzca entre

electrones y huecos y no a través de excitones.
Un aumento mayor (14 nm) de la anchura del pozo lleva al apantallamiento del
campo por carga libre y por un inicio en la relajación del InGaN, llevando de nuevo a la
situación en la que se emite desde regiones de alto contenido en Indio.
Por encima de la explicación anterior hay que tener en cuenta que ambos
efectos están siempre presentes en las muestras de pozos cuántico de InGaN, y
dependiendo del contenido de Indio y del espesor del pozo domina una o la otra.
En las muestras de la presente memoria se ha constatado el anterior
comportamiento. Las muestras con pozos de anchuras menores o iguales a 3 nm
presentan una la evolución de la energía de emisión frente a la temperatura con forma
de S, indicando el dominio de los estados localizados en la emisión. Muestras con
pozos de anchuras mayores de 4 nm tienen una dependencia entre la anchura de
pozo y la energía de emisión, para un contenido de Indio fijo, indicando una gran
influencia de los campos piezoeléctricos. El campo piezoeléctrico estimado en estas
últimas es de –15.44x MV/cm, siendo x el contenido de Indio en el pozo. Por último, al
aumentar el espesor del pozo hasta 14 nm se recupera la emisión desde estados
localizados, desapareciendo el corrimiento hacia el rojo al que llevan los campos
piezoeléctricos.
8.1.3. Crecimiento y fabricación de los dispositivos emisores.
Se ha demostrado la posibilidad del crecimiento por MBE de emisores de luz

con distintas energías de emisión, barriendo un amplio espectro desde el ultravioleta
cercano (365 nm) hasta el verde (510 nm). En ellos, y conforme a otros estudios
realizados en la literatura, la anchura de la emisión aumenta con su longitud de onda,
debido a una peor calidad de la aleación y a un mayor efecto de los campos
piezoeléctricos al aumentar el contenido de Indio en el pozo.
Los diodos LED obtenidos poseen una potencia de emisión de entre 3 y 8 µW
con una corriente de inyección de 20 mA, estando este valor dentro de los que se
pueden encontrar en la literatura empleando pozos cuánticos de InGaN/GaN como
capa activa y crecidos por MBE.
Utilizando un reflector de AlGaN/GaN crecido por MBE en el mismo equipo, se
ha crecido un LED de cavidad resonante emitiendo en el verde. Las características
ópticas de este dispositivo son superiores al LED convencional, con una emisión diez
veces más intensa en la dirección perpendicular al diodo.
240
CONCLUSIONES Y TRABAJO FUTURO
____________________________________________________________________________
8.2 Trabajo futuro.
Las siguientes líneas se proponen como forma de mejorar y completar el

estudio llevado a cabo en esta memoria.
En lo relativo al material InGaN, quedan por establecer las condiciones óptimas

de crecimiento y las propiedades ópticas y estructurales de aleaciones con más del
50% de Indio, llegando hasta el InN. Este estudio puede permitir extender el rango de
aplicaciones del ternario hacia mayores longitudes de onda.
Como trabajo futuro para la mejora de los dispositivos se proponen las

siguientes líneas:
Aplicación del estudio de optimización del dopaje con Mg realizado con la

fuente EPI al diodo LED. Además, el estudio del codopaje con Mg y Be ha quedado
abierto, pudiendo dar lugar a un incremento en la concentración de huecos.
El estudio del crecimiento de puntos cuánticos de InGaN, aprovechando el gran

desacoplo de red existente entre el InGaN y el GaN, que favorece el crecimiento
según el modo Stranski-Krastanow, representa una de las llaves para obtener diodos
emisores más eficientes.
Por último, queda por comprobar el funcionamiento de los dispositivos en otros

substratos, como el Si(111). Este substrato es más barato que los empleados en esta
memoria, permite realizar estructuras verticales, eliminando los efectos que aparecen
por inhomogeneidades en la distribución de corriente en el dispositivo, además de ser
un semiconductor de tecnología altamente desarrollada.
241
CAPÍTULO 8
____________________________________________________________________________
242
Apéndice
Tecnología.
En este Apéndice se presentarán los tipos de contactos y limpiezas empleados
a lo largo de esta memoria. Los primeros han sido utilizados para la caracterización
eléctrica de las muestras, mediante medidas de efecto Hall (contactos óhmicos) y C-V
(contactos Schottky); y para poder fabricar el dispositivo LED (contactos óhmicos n y p
y contacto semitransparente). Por otra parte, las limpiezas son necesarias para
preparar la superficie del material antes de la deposición de los contactos y para la
preparación de los substratos para el crecimiento.
A.1 Contactos en GaN
Según la teoría de Schottky-Mott [Rho88] y en el caso ideal, cuando un metal y

un semiconductor se ponen en contacto, en la interfase entre ambos se ha de
mantener la continuidad en el nivel de vacío. Cuando esto sucede, se produce un
traspaso de carga desde un material a otro hasta que el nivel de Fermi de ambos se
iguala, lo que genera un escalón entre el nivel de Fermi del metal y la banda de
conducción del semiconductor y la curvatura de las bandas del semiconductor en la
interfase.
De la curvatura de bandas producida en el semiconductor depende el que el
contacto tenga una característica rectificante (contacto Schottky) o no (contacto
óhmico). El tipo de contacto formado depende de la diferencia entre la función de
trabajo del metal, φm, y la del semiconductor, φs, entendiendo estas como la energía
necesaria para llevar un electrón desde el nivel de Fermi hasta el nivel de vacío. De
otro modo, φs=χs+EC-EF, donde χs es la afinidad electrónica del semiconductor. La
figura A1 muestra gráficamente los tipos de contactos que se pueden formar, tanto en
un semiconductor tipo n como en uno p.
APÉNDICE
____________________________________________________________________________
Contacto Schottky Contacto Óhmico
Metal Semiconductor Metal Semiconductor

Nivel
de vac ío Nivel χs
de vac ío φ EC
φ χs
m
Semiconductor m φ b
tipo n EF EC EF
EV
EV
φ m> χ s+EC -EF φ m< χ s+EC -EF
Metal Semiconductor
Metal Semiconductor
Nivel Nivel
de vac ío χs de vac ío
Semiconductor EC
φ χs
tipo p φ m m
EF EC
EV
φ b
EF EV
φ m< χ s+EC -EF

φ m> χ s+EC -EF
Figura A1. Barreras formadas entre un semiconductor y un metal dependiendo de su

función de trabajo y del tipo de semiconductor(n o p)
Por tanto, el conocimiento de la afinidad electrónica del GaN resulta

imprescindible para escoger el metal que se empleará para cada tipo de contacto.
Dentro del margen de error encontrado en la literatura, esta es aproximadamente 4.1
eV [Amb98] [Khan95]. Teniendo en cuenta la función de trabajo de los metales (tabla
A1) y la condición que se ha de cumplir entre esta y la afinidad electrónica del GaN
para cada tipo de contacto (figura A1) se tiene que sobre n-GaN se obtendrían
contactos Schottky con Pt, Ni, Pd, y Au; y óhmicos con In. Por otro lado, los metales
Ag, Pb, Al y Ti formarían contactos Schottky sobre GaN tipo p, y, según la teoría de
Schottky-Mott, no se podrían obtener contactos óhmicos sobre GaN tipo p. Hay que
tener en cuenta que aunque esta teoría permite una primera aproximación, en el caso
real, las impurezas, estados superficiales en el semiconductor y el efecto túnel
permiten la obtención de contactos óhmicos sobre GaN tipo p [Pear99].
244
TECNOLOGÍA
____________________________________________________________________________
Metal φm (eV)
Pt 5.65
Ni 5.15
Pd 5.12
Au 5.1
Ti 4.33
Al 4.28
Pb 4.27
Ag 4.26
Ta 4.25
Ga 4.3
In 4.12
Tabla A1. Función de trabajo los metales de interés para los nitruros [Rho88].
Contactos Schottky
Los metales más empleados en la literatura para contactos Schottky sobre GaN
tipo n son el Pt, Ti, Au, Ni y Pd [Pear99] [Mon99]. Por tener una base inicial más
estudiada en nuestro laboratorio por la doctora E. Monroy [Mon99], en este trabajo se
ha utilizado el Ni (30 nm), sobre el que se deposita una capa de Au (200 nm) para
minimizar la resistencia del contacto.
Sobre material tipo p se han intentado contactos Schottky empleando tanto Ti
como Au, que son los metales más utilizados en la literatura [Pear99] pero, en general,
se han obtenido contactos con fugas muy altas, que evitan el que se puedan utilizar
para una caracterización tipo C-V.
Contactos Óhmicos
Para los contactos óhmicos sobre tipo n se han empleado In:Sn (2%) y la
bicapa Ti/Al (30/70 nm). El primero posee baja estabilidad térmica y, al no depositarse
mediante un proceso litográfico, la reproducibilidad en cuanto a distancias y tamaños
de contacto es baja. Por ello, sólo se ha empleado, tras un aleado a 350ºC durante 5’
en atmósfera de Nidrón (95% N2+5% H2), para obtener un resultado rápido en medidas
de efecto Hall, puesto que el valor de la medida es similar al obtenido con contactos de
Ti/Al con un error del 10%.
245
APÉNDICE
____________________________________________________________________________
Los contactos de Ti/Al se han utilizado con un aleado posterior con RTA a
850ºC durante 30” en atmósfera de Nitrógeno, según el procedimiento desarrollado
por el doctor J.A. Garrido [Garr00]. Este proceso lleva a contactos estables y de baja
resistividad, gracias a la formación de una capa altamente dopada, formada por TiN,
en la interfase entre el contacto y el GaN. Al mismo tiempo, durante el aleado, el Al y
el Ti reaccionan, formando Al3Ti, el cual es más resistente a la oxidación que el Al o el
Ti [Liu97].
Sobre GaN tipo p se ha empleado la bicapa Ni/Au que es el más utilizado para
LEDs y láseres en la literatura [Naka99], con un aleado posterior a 450ºC durante 10’
en atmósfera de Nidrón. Para este contacto se realizó un estudio de la resistencia del
mismo con la temperatura de aleado, obteniéndose los mejores resultados para las
condiciones indicadas.
A.2 Limpiezas utilizadas.
Las limpiezas empleadas van orientadas a la eliminación de restos de suciedad

para la preparación de los substratos para el crecimiento y de muestras previamente a
la deposición de contactos y la realización de medidas ópticas. En todos los casos se
ha empleado primeramente una limpieza desengrasante con los disolventes orgánicos
Tricloroetileno (C2HCl3), a ~60ºC, Acetona (CH3-CO-CH3) a ~40ºC y Metanol
(CH3OH), a temperatura ambiente; por ese orden y durante 10‘ en cada uno de ellos.
Para los substratos de zafiro y GaN-templates la limpieza de orgánicos se realizó
empleando al mismo tiempo ultrasonidos para asegurar una limpieza en mayor
profundidad.
Para la deposición de contactos se ha empleado, además de la limpieza
anterior, una limpieza de 30” en HF al 10%, tras el proceso litográfico y justo antes de
introducir las muestras en la evaporadora para eliminar los restos de Oxígeno
adsorbidos en la superficie y mejorar la adherencia el contacto.
246
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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID

ESCUELA TÉCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS

Crecimiento, fabricación y caracterización

FERNANDO B. NARANJO VEGA

Crecimiento, fabricación y caracterización

D. Fernando B. Naranjo Vega

D. Enrique Calleja Pardo

Realizado el acto de lectura y defensa de la Tesis el día

EL PRESIDENTE LOS VOCALES

2.-Propiedades básicas de los nitruros de Galio e Indio ........................... 13

3.-Técnicas de caracterización ......................................................................... 39

3.1.- Introducción ............................................................................................39

4.1.- Introducción ............................................................................................63

5.-Crecimiento y caracterización de capas gruesas

5.1.- Introducción y objetivos…………… .........………………………………115

6.1.- Introducción y objetivos…………………………………………..………159

7.-Crecimiento y caracterización de diodos electroluminiscentes .......201

7.1.- Introducción ..........................................................................................201

8.-Conclusiones y trabajo futuro ....................................................................237

8.1.- Conclusiones generales… ... …………………………………………….237

Apéndice.- Tecnología .......................................................................................243

A.1.- Contactos en GaN................................................................................243

Desde la aparición en el mercado de los primeros diodos electroluminiscentes

Parámetros de red ( Å ) EG (300K) (eV)

Una de las principales ventajas que presenta el α-GaN es la posibilidad de

Longitud de onda (nm)

CdSe Gap indirecto

3 6H-SiC GaN AlN

A partir de la demostración del primer LED basado en GaN [Pan71], los

reducción eficaz de la densidad de dislocaciones (Akasaki et al. obtienen densidades

Regiones de baja densidad de dislocaciones

Figura 1.3. Estructura transversal de una capa de GaN ELOG.

Las capas de GaN crecidas mediante técnicas “estándar”, bien MBE o

Las investigaciones posteriores se centraron en la obtención del material que forma la

Las aplicaciones de los LEDs emitiendo en el espectro visible son variadas,

LT-buffer p-n junction Commercial LED

El principal objetivo del trabajo reflejado en esta memoria es estudiar el

OBJETIVO 1: Crecimiento y caracterización de la capa activa de InGaN.

OBJETIVO 2: Crecimiento y estudio de capas de GaN dopadas tipo p.

OBJETIVO 3: Crecimiento de la estructura de LED.

Pozos de (In XGa(1 - X) N/GaN)

- Por último, el análisis de los dispositivos LED permitirá proponer métodos

substrato, y un espejo cercano al 100% de reflectividad mediante un recubrimiento de

1.3 Estructura de la Tesis.

La presente memoria está dividida en ocho Capítulos. Tras la introducción, en

Los Capítulos 5 y 6 se dedican al crecimiento del ternario InGaN, dedicándose

Propiedades básicas de los Nitruros de

En este Capítulo se comentarán las principales características estructurales,

2.2. Propiedades estructurales.

2.2.1 Estructura cristalina.

La principal característica de los nitruros, desde el punto de vista químico, es la

α-AlN α-GaN α-InN Referencia

Como se ha mencionado en el Capítulo 1, la estructura wurtzita está formada

Figura 2.1. Direcciones de la estructura wurtzita de interés para el presente trabajo.

2.2.2. Propiedades mecánicas.

 σ xx   C11 C12 C13 0 0 0   ε xx 

, siendo a el parámetro de red medido en el cristal crecido y arel el parámetro de red

El conocimiento de los coeficientes elásticos en los nitruros es de gran

En la tabla 2.2 se resumen los coeficientes elásticos utilizados en la presente

AlN GaN InN Referencia

2.2.3. Vibraciones de la red.

Las vibraciones de la red (fonones), observables en los nitruros con estructura

Modo de vibración AlN GaN InN

2.2.4 Defectos estructurales.