Alumno: Guajardo Rodríguez Johan

1E4 - Electrónica Analógica

Diac
Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se
llegue a su tensión de cebado o de disparo(30v aproximadamente, dependiendo
del modelo).

Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo
VBO; la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al superar
dicha tensión la corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como
consecuencia, la tensión anterior. La aplicación
más conocida de este componente es el control
de un triac para regular la potencia de una
carga. Los encapsulados de estos dispositivos
suelen ser iguales a los de los diodos de unión o
de zener.

El DIAC es conocido por trabajar en varios

voltajes y dependiendo del modelo del mismo
puede catalogarse como DB3, DB4,DB6 entre otros; en donde el ultimo
numero de los códigos representa el voltaje de activación en alterna, es decir para
el DB3 el DIAC tendrá un voltaje de activación de 30v, para el DB4 de 40v y para
DB6 de 60v.

Una aplicación común de este dispositivo es utilizarlo como circuito de disparo

para un triac.
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Existen dos tipos de DIAC:

1) DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.

2) DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti

paralelo, lo que le da la característica bidireccional.

Principio de operación y curva característica

La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN
hasta un voltaje de ruptura equivalente al  del transistor bipolar. Debido a la
simetría de construcción de este
dispositivo, la ruptura puede ser en
ambas direcciones y debe procurarse
que sea la misma magnitud de voltaje.
Una vez que el dispositivo empieza a
conducir corriente sucede un
decremento en el voltaje de ruptura ,
presentando una región de impedancia
negativa (si se sigue aumentando la
corriente puede llegar hasta la segunda
ruptura), entonces se logra que el
dispositivo maneje corrientes muy
grandes.

Especificaciones.
Voltaje de ruptura VBO: 32 V típicos
Simetría del voltaje de ruptura |VBO1 - VBO2| Max: 3 V
Corriente de ruptura IBO Max: 100 μA
Corriente pico repetitivo en conducción Max. (20 μs, 100 Hz): 2 A
Potencia disipada Max: 150 mW
Encapsulado: DO-35G
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Transistor FET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad
en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que
se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Puesto que hay una tensión positiva entre el

drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa
según la configuración del mismo), aunque
hay que notar que también fluye una corriente
despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unión
canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido

inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la
batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la
misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde,
cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas
libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También
tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y
potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El
parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor
de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las
hojas de características de los distintos dispositivos.

Elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del
canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero
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(d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el

collar.

Símbolos gráficos para un FET de canal N/Símbolos gráficos para un FET de

canalP

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

1.- ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta

zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor
de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta
el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

2.- ZONA DE SATURACIÓN: En esta

zona es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de

drenador es nula (ID=0).
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A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I
(se trata de un dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la

de un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes
y corrientes son de sentido contrario.

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como
de la puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la
corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0   e      Id = ƒ(Vds, Vgs).
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en
el gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y
Vgs en esta forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la

inversa de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd
es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es
igual a la separación vertical entre las características que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
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Circuitos de aplicación
La polarización fija es la peor forma de polarizar al transistor JFET puesto que
depende mucho del transistor empleado la cual es una de las pocas
configuraciones a FET que pueden resolverse tanto por un método matemático
como por uno gráfico.

Configuración de auto polarización o también conocida como auto polarizado por

resistencia de fuente: en este circuito solo se usa una fuente, que es la del
drenador suprimiendo la fuente de puerta. Y se acopla una resistencia de surtidor.
Este circuito es más estable que el anterior. La configuración de auto polarización
elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje de control de la compuerta a
la fuente ahora lo determina el voltaje a través del resistor RS, que se conecta en
la terminal de la fuente de la configuración.
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Transistor IGBT
El transistor IGBT procede esencialmente de la tecnología MOSFET de potencia;
por lo que su estructura y funcionamiento son similares. Es un transistor híbrido
que combina un MOSFET y un BJT, por eso tiene terminales puerta (del
MOSFET), colector y emisor (de BJT) El material de partida es una oblea tipo P.
Su estructura consiste en 4 capas (PNPN), la unión adicional PN creada reduce la
resistividad y la caída de tensión Vce (on) en conducción, esto se conoce como
"Modulación de la resistividad" y permite aumentar la intensidad. Sin embargo la
unión adicional P introduce un transistor parásito, que en caso de ser activado
puede destruir el dispositivo.
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Hay dos versiones de IGBT

conocidas como IGBT PT e
IGBT NPT, la diferencia radica
en que el IGBT NPT no tiene
capa de separación n+ y
presenta una caída de tensión
en estado on, menor. Un IGBT
con estructura de PT presenta
velocidades de conmutación
más bajas.

Funcionamiento
Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da
una tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a
la región p de la puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN
permitiendo la circulación de corriente colector-emisor. Para el apagado basta con
quitar la tensión de la puerta. Esto requiere de un circuito de control simple para el
transistor IGBT.

Características
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·Es adecuado para altas frecuencias de conmutación, por lo que ha sustituido al

BJT en muchas aplicaciones
Se pueden combinar IGBTs en paralelo para manejar corrientes muy grandes y
altas tensiones con señales de entrada pequeñas (15V) , por ello se usan en
aplicaciones de grandes potencias y energía (la operación en paralelo provoca
mayores pérdidas de calor).
Es muy importante a la hora de conectar los IGBTs en serie que se activen y
desactiven al mismo tiempo y que posean las mismas características de ganancia,
transconductancia, voltaje de umbral, voltaje en estado activo, tiempo de
encendido y tiempo de apagado.
Para conectarlos en paralelo los IGBTs deben tener idénticos parámetros de
ganancia, transconductancia, voltaje de saturación, tiempo de encendido y
apagado.
Una gran Ic (Corriente de colector) puede producir enclavamiento (Latch up)
Tiene pequeñas perdidas de conmutación debido a la corriente de cola en el
apagado.
V_GE (tensión puerta-emisor) está limitada por el espesor del óxido de silicio,
soporta temperaturas de 150ºC
La V_CE (tensión colector-emisor), tensión de ruptura es muy baja y apenas varía
con la temperatura.
Está diseñado para que soporte corrientes de corto circuito V_GEmax (tensión
máxima puerta-emisor) 4-10 veces la nominal durante 5-10us y se pueda actuar
cortando desde la puerta. Al contrario que los MOSFET, los tiempos de
conmutación no dan información sobre las pérdidas de conmutación.

Características de MOSEFET Y BJT

Alta impedancia de entrada (MOSFET)
Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET)
Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT)
y se suele usar en condiciones de:
Bajo ciclo de trabajo, Aplicaciones de alta tensión (>1000V), Alta potencia (>5kW)
Aplicaciones
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Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de

soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la
circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero
también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos
IGBT que controlan los motores eléctricos.
Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de
electrónica realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta
20KHz. Los IGBTs han estado todo momento con nosotros y han sido claves en el
desarrollo de la electrónica de potencia.
Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para mejorar
sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo estos transistores han
permitidos ser integrados en teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash de
xenón realmente potente.
Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los
pixeles en las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de
edificios o centrales de conmutación telefónica. Incluso ya existen algunos
desfibriladores que incorporan IGBTs.
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Tabla comparativa
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Graficas de IGBT de saturación, corte, etc.

La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor bipolar.

Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la zona de avalancha,
saturación, corte. Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la
corriente en dirección hacia adelante es decir del colector a emisor, a diferencia de
los MOSFET que tienen capacidades de conducción de corriente en forma
bidireccional. Controladas hacia adelante e incontrolables hacia atrás. Se puede
implementar un PWM de alto voltaje control de velocidad, fuentes de alimentación
conmutadas, y conversores de CC a CA empleando energía solar que operan en
el rango de KHZ.
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Experimentación de la puerta y los parámetros parasitarias

También debe tener en cuenta que, Además
de las capacidades parásitas, También están
presentes inductancias parásitas en el
circuito de control de puerta, capaz de
resonar con las capacidades y el
gatillo fluctuaciones en el voltaje en la puerta.
Estas oscilaciones, aunque silenciado, Ellos
pueden tener altos picos capaces de
encender de nuevo el IGBT, de modo que se
apaga en el hipo, con gran aumento de las
pérdidas de conmutación. a la inversa, al
comando de ignición, las oscilaciones
pueden presentar la puerta voltajes más altos a los soportable por la capa de
óxido que lo aísla de la pastilla de silicio internamente en el voltaje de la puerta,
con el comando incierta.
Por estas razones, siempre hay una resistencia de amortiguación en serie al
portón, lo que a menudo es diferente para el comando de encendido y el apagado.
esto debería ser elegido con un compromiso entre las pérdidas por resistencia en
el mismo (R Bassa) y la amortiguación necesaria para reducir las pérdidas de
conmutación (R alto), a valor a través de la ficha técnica. Con las precauciones
que se describen ahora es posible obtener una bastante rápido descenso de la
tensión de puerta, el comando OFF: esto presenta un ligero descenso "paso”, que
sería muy pronunciada si el comando no se decidió lo suficientemente.
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Aplicaciones
IGBT
Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de
soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la
circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero
también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos
IGBT que controlan los motores eléctricos.
Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de
electrónica realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta
20KHz. Los IGBTs han estado todo momento con nosotros y han sido claves en el
desarrollo de la electrónica de potencia.
Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para mejorar
sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo estos transistores han
permitidos ser integrados en teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash de
xenón realmente potente.
Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los
pixeles en las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de
edificios o centrales de conmutación telefónica. Incluso ya existen algunos
desfibriladores que incorporan IGBTs.
TRIAC
Estas son algunas de sus principales aplicaciones.
El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso de dos tiristores
para muchas aplicaciones de baja potencia. Cuando se necesitan potencias
superiores, casi siempre se utilizan dos tiristores colocados en "anti-paralelo".
Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:
- Para reguladores de luz.
- Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
- Para los controles de motor pequeños.
- Para el control de pequeños electrodomésticos.
- Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido,
los circuitos de control de fase, interruptores de potencia, etc.
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SCR

Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes

alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de
determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos, pasando
por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como
rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de
puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace
variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de
conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. Además el tiristor
se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya
que en este momento empezará a recibir tensión inversa. Por lo anteriormente
señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas están las
siguientes:
· Controles de relevador.
· Circuitos de retardo de tiempo.
· Fuentes de alimentación reguladas.
· Interruptores estáticos.
· Controles de motores.
· Recortadores.
· Inversores.
· Ciclo conversores.
· Cargadores de baterías.
· Circuitos de protección.
· Controles de calefacción.
· Controles de fase.
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FET
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la base
de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el
MOSFET de canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n
están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está
apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal
cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal
de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están
típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente desde la fuente al
desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales
analógicas entre trayectos (multiplicación). En este concepto se basan el tablero
de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia
de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la
configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además
en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido
del motor de combustión interna, donde las capacidades de conmutación rápida y
bloqueo de voltaje son importantes.

Aislador o separador (buffer)

Amplificador de RF
Mezclador
Amplificador con CAG
Amplificador cascodo
Troceador
Resistor variable por voltaje
Amplificador de baja frecuencia
Oscilador
Circuito MOS digital
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DIAC
Se emplean en circuitos que realizan un control de fase de la corriente de un
TRIAC. Estos sistemas se utilizan en control de iluminación con intensidad
variable. Calefacción eléctrica con regulación de temperatura. Control de velocidad
en motores
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito
representado en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que
se alcanza la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la
descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en
el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando
como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la
tensión media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de
potencia.
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Circuitos simulados:
Motor CA

Motor CD

Nota: Tuve problemas en este simulador, ya que no encontré un motor de CD,

talves es porque solo tengo el programa pero solo la demostración, pues nunca
pude descargarlo completo, de igual manera le mando pruebas del inteto.