AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR DE

EFECTO DE CAMPO
Ramiro Benavides, Danilo Vásconez.
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Politécnica Nacional
ramiro.benavides@epn.edu.ec, ulbio.vasconez@epn.edu.ec

Resumen- Este documento presenta el informe de la novena

práctica de Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, en esta Zi Zo Av
práctica se analiza e implementa un circuito de polarización
para JFET y se analiza e implementa un amplificador usando
FC Zi=R1 || R2 Zo= RD || rd Av=-gm*RD
JFET. Zo≈RD si (rd ≥ 10 RD)

I. INFORME CC Zi=Rs || 1/gm Zo= RD || rd Av=-

gm*RD(rd ≥
A. Consultar sobre el diseño de los diferentes tipos de Zo≈RD si (rd ≥ 10 RD) 10 RD)
configuraciones de amplificadores con JFET y
MOSFET.
DC Zi=RG Zo= rd || Rs || 1/gm Av=(gmRs)/
Fuente Común ( 1+gmRs)
Zo≈Rs||1||gm si (rd
≥10RS)

B. Tabular un cuadro en el cual consten los valores

medidos, los teóricos del preparatorio. Calcular el
error y justificarlo.

Fig. 1. Amplificador con JFET en configuracion de Fuente

Comun
Compuera Común

Como se ve los errores tienen un bajo valor por lo que se

puede concluir que se hizo la práctica con una medición.

C. Realizar los cálculos necesarios para determinar la

ganancia de voltaje, compararla con el valor teórico y
Fig. 2. Amplificador con JFET en configuracion de calcular los errores.
Compuerta Común
Circuito 1
Drenaje Común Calculado
gm =(-2IDSS)/VP*(1-VGS/VP)
gm =4.5ms
Av= (-gm*RL`)/(1+gm*RS1)=-8.0
Medido
gm = 4.6ms
Av =-8.1
Error%=1.25%

Circuito 2
Fig. 3. Amplificador con JFET en configuracion de Drenaje Calculado
Comun. gm =(-2IDSS)/VP*(1-VGS/VP)
gm =4.6ms
Av=-gm*RL`=-7.07
Medido
gm =4.59ms
Av=-6.66
Error%=5.79%

Circuito 3
Calculado
gm =(-2IDSS)/VP*(1-VGS/VP)
gm =4.38ms
Av=(gm*RL`)/(1+gm*RL`)
Av= 0.81

Medido
gm = 4.33ms
Av=0.9
Error%=11.11%

D. Graficar en hojas de papel milimetrado las señales

observadas en el osciloscopio.

Anexo #1 y #2

II. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

 La corriente IDSS (máxima) y el Vp (voltaje de

estrangulamiento) son datos del fabricante y se lo
puede ver en el datasheet, o nosotros mismo
calcularlos.

 En esta práctica se comprobó que los JFET según su

región de polarización actúan como amplificadores
de corriente o de tensión, característica principal
debido a su alta impedancia de entrada con niveles
que pueden ser de uno hasta varios cientos de mega
ohmios, en comparación con los transistores BJT.

 El comportamiento de los transistores de efecto de

campo se caracteriza por sus curvas características
en las que se representa la corriente que entra o sale
por el Drenaje en función de la tensión aplicada
entre éste y la Fuente. Se pudo comprobar que la
corriente de drenaje que depende del voltaje
compuerta fuente, obedece casi exactamente a la
ecuación de Shockley.

 Hay que tener cuidado con el uso o traslado de los

JFETS ya que son sensibles a la estática y por este
motivo no se tiene que tocar las terminales de este
objeto con las manos.

REFERENCIAS
[1] Kevin Huillcahuaman Cuchuyrumi (2016) Monografías. Mediciones y
errores. Laboratorio de física
http://www.monografias.com/trabajos82/mediciones-errores-laboratorio-
fisica/medicione

[2] R. Boylestad, L. Nashelsky. Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. Prentice Hall. 7th Edition. 2006.