TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Wladimir Malfla, Cristian Picoita, Kevin Silva

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos
Escuela Politécnica Nacional
Quito-Ecuador
wladimir.mafla@epn.edu.ec,cristian.picoita@epn.edu.ec, kevin.silva@epn.edu.ec

Resumen- Este documento presenta el preparatorio de la

práctica número 8, en la misma se precederá a comprender y Las semejanzas y diferencias entre JFET y TBJ son: [1]
después implementar la polarización de circuitos JFET para así [2]
poder utilizarlo en circuitos que previamente se han estudiado
dentro de la materia..
FET TBJ SEMEJANZAS
Baja ganancia de Alta ganancia de Tienen 3
I. OBJETIVOS
voltaje voltaje materiales
Alta ganancia de Baja ganancia de Son
 Analizar e implementar circuitos de polarización corriente Corriente semiconductores
para JFET.
Alta impedancia Baja impedancia
de entrada de entrada
II. PREPARATORIO
Generación de Generación de
ruido baja ruido media
A. Consultar las principales características de los Tiempo de Tiempo de
transistores de efecto de campo y presentar un cuadro con las
conmutación alta conmutación
semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de
juntura bipolar. media
Controlado por Controlado por
Es una familia de transistores que se basan en el campo tensión entre corriente de base
eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un puerta y fuente
material semiconductor. Es un dispositivo de 3 terminales de Gm (factor de B (beta factor de
juntura NP, donde permite controlar una corriente por medio transconductancia amplificación)
de un voltaje. Existen 2 tipos: JFET (Juntura) y MOSFET )
(Compuerta Aislada). [1] ID es una función IC es una
de Vgs función de Ib
Dispositivo Dispositivo
Unipolar Bipolar
Tabla 1. Semejanzas y diferencias entre JFET y TBJ

B. Revisar las hojas de datos de al menos 4

transistores de efecto de campo y presentar un cuadro con
los valores de los parámetros más importantes.

Fig 1. JFET canal n y p VGD = Voltaje Compuerta-Drenaje

VDS = Voltaje Drenaje-Fuente
Cuando estos transistores funcionan como amplificadores VGS = Voltaje Compuerta-Fuente
suministran una corriente de salida que es proporcional a la VGS(OFF) = Voltaje de Corte de Compuerta a Fuente
tensión aplicada a la entrada. Las características generales IG = Corriente Compuerta
son: ID = Corriente Drenaje
IDSS = Corriente Máxima de Drenaje
 Por el terminal de control no se absorbe corriente. IGSS = Corriente Máxima de Compuerta
 Una señal muy débil puede controlar el componente. grs = Transconductancia
 La tensión de control se emplea para crear un campo
JFET 2N3819 (Valores máximos)
eléctrico. [2]
VGD 25 V
VDS 25 V
VGS 25 V
IG 10 mA
 IDSS 20 mA
IGSS 2 nA
Tabla 2. Datasheed del 2N3819

MOSFET 2N3821

VG -50 V (min)
VGS -2 V
IDSS 2.5 mA
IGSS -0.1 nA
grs 6500 uS
VGS(OFF) -4 V
Tabla 3. Datasheed del 2N3821 Fig 2. Circuito 1
Divisor de Voltaje
JFET 2N3824
VG = 27 V *(10K/(10K+2.2M))
VG -50 V (min) VG = 0.1222 V
IDSS (MIN) = 2 mA (Dato)
VGS -7.5 V
VGS(OFF) = -8V (Dato)
IDSS 20 mA 2
VGS
IGSS
grs
-0.1 nA
6500 uS
I D=I DSS∗ 1− ( VGOFF )
Tabla 4. Datasheed del 2N3824 VGS = VG – VS = 0.1222 – 3.3K * (10mA*(1-(VGS/-8)2))
VGS = 0.1222 – 0.6 (1 + (VGS/4) + VGS2/64)
MOSFET 2N3821 VGS = 0.183 * VGS2 + 2.65 VGS + 6.478 = 0
VGS1 = -2.74 VGS2 = -22.96
VG -50 V (min) ID = 874.5 uA
VGS -4 V VG = 0.1222 V
IDSS 10 mA VS = 2.85 V
IGSS -0.1 nA VG = 0.1222 V
grs 6500 uS VD = 26.52 V
VGS (OFF) -6 V
Tabla 5. Datasheed del 2N3821

C. ¿Qué es el voltaje de corte de compuerta a fuente

(VGS(off))?

Es el voltaje de corte de un transistor FET, donde es

necesario el voltaje para apagar el transistor, es decir que es el
voltaje cuando ya no existe paso de corriente entre drenaje y
fuente (ID).

D. ¿Qué es el voltaje de estrangulación (VP)?

Es el voltaje donde la corriente de drenaje es cero, para lo Fig 3. Circuito 2

cual es necesario aumentar el voltaje VGG hasta que dicha
corriente mencionada se convierta en cero.
VGS = VG – VS
E. Resolver los siguientes circuitos de polarización, VS = 0
forma de la curva ID contra VDS y forma de la curva ID VGS = VG = -2 V
contra VGS: ID = 2mA*(1 - (-2/-8))2
ID = 1.125 mA
VD = 12 – (1K*1.125mA)
VD = 10.875 = VDS
 Fig 7. Circuito 1 simulado en QUCS
Fig 4. Circuito 3

VGS = VG – VS
VG = 0V
VGS = -3.3K *(2mA*(1-(VGS/-8)2)
VGS = -6.6 * (1+(VGS/4) + (VGS2/64))
VGS = -6.6 -1.63VGS – 0.103 VGS2
VGS1 = -2.79 V
VGS2 = -22.93 V
ID = -VGS/RS = 845.45 uA
VS = 2.79 V
VDS = 5.75 V
VD = 8.54 V CIRCUITO II

Las formas de curva son iguales para los 3 circuitos, aquí una
representación de cómo serían:

Fig 5. Forma de onda resultante del JFET

F. Realizar las simulaciones de los circuitos Fig 8. Circuito 2 simulado en PROTEUS

presentados en QUCS y Proteus.

CIRCUITO I

Fig 6. Circuito 1 simulado en PROTEUS

Fig 9. Circuito 2 simulado en QUCS

CIRCUITO III
 Fig 10. Circuito 3 simulado en PROTEUS

Fig 11. Circuito 3 simulado en QUCS

G. Presentar los voltajes de polarización

CIRCUITO I

VG = 0.12V
VS = 0.95 V
VD=26.8V

CIRCUITO II

VG = -1.98 V
VS = 0 V
VD = 12V

CIRCUITO III
VG = 0V
VS = 0.84 V
VD=14.4V

Referencias

[1] EcuRed, Transistores de efecto de campo.,

https://www.ecured.cu/Transistor_de_efecto_campo
[2] Nubia Navarro, Conocimientos, Field Effect transistore,
http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/02/diferencias-entre-el-jfet-
y-el-bjt.html

[3] http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/N/3/8/2N3822.shtml