UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

FACULTAD DE INGENIERÍA
'Y
CARRERA DE INGENIERh\ ELECTRONICA

ELECTRONICA

MEMORIAS DE CATHDRA

\_1

I .a Paz - Bolivia

:
:_. 2009

tt
 TEMARIO

I DIODO EN LOS CIRCUITOS

II TMNSISTORES EN LOS CIRCUITOS
III AMPLiFiCADORES
IV AMPLIFICADORES MULTIETAPA
V AMPLiF]CADORES REALIMENTADOS
VI AMPLIFICADORES DE POTENCiA
VII CIRCUiTOS iNTEGMDOS
VIII APLICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGMDOS
x APLICACIÓru Tru ALTERNA CoN CIRCUIToS INTEGMDoS
X FILTROS ACTIVOS

) BIBLIOGRAFIA

integrada
1. Electrónica Millman y Halkias
Circuitos y Sistemas Analógicos y Digitales
2. Circuitos electrónicos discretos e integrados Schilling Belove
-,,. 3. Ingeniería electrónica Giaccoleto
4. Colección SEEC Adiler, Gray, Searly,
Thornton
5. Principios de electrónica Gray, Searly
6. Electrónica teoría de circuitos Robert Boylestad,Louis
Nashelsky
electrónicos
7. Análisis y diseño de circuitos Donald A Neamen
sisLemas
B. Diseño electrónico circuitos y Savant, Roden, Carpenter
9. circuitos con amplificadores operacionales Berlin
10.El amplificador operacional y sus aplicaciones Marchais
11.operalionalamplifierscesignandaplications Huelsman
l2.Amplificadores operacionales National

U. M. S. A.
 .:i';'r'.r:

CAPITULO I: DIODOS

EL'DIODO EN LOS CIRCUITOS

7, fntroduccíón

EI componente no lineal básico que participa en un circuito es el diodo

de unión
como la
realizado en base a semiconductores, para el que la electrónica se defina
ciencia del movimiento controlado de partículas cargas en un sólido, en consecuencia
en esta unidad se realizará una introducción a lcs materiales semiconductores
destacando sus propiedades y características físico-eléctricas
para el control del
y
movimiento de las cargas. Nos introduciremos a los semiconductores intrínsecos
extrínsecos a fin de móstrar objetivamente e[ comportamiento eléctrico
de un diodo
como unión de dos semiconductores extrínsecos, estableciendo los mecanismos
de

conducción en estos dispositivos, los que permitirán determinar

las aplicaciones de este
componente en los circuitos.

Detallaremos las ecuaciones fundamentales que permiten determinar los

parámetros y características tensión-corriente con los que se realizara el análisis
y

diseño de circuitos para diferentes aplicaciones que también serán

desarrollados.
:

2. Teoría de las bandas de energía

de
Durante varios años, se han identificado una serie de partículas elementales
y
gran importancia para el m"ecanismo de la conducción eléctrica y se midieron la masa
-urgu
de cada uno de ellos, quedando establecido la estructura del átomo y que los
electrones adoptan órbitas o niveles de energía

Sin embargo existen ciertas discrepancias cuantitativas entré los distintos niveles
de energía que i. le pueden asignar a un átorno aislado y los niveles de un átomo que
forma parte de un cristal. Estas diferencias pueden atribuirse a que en un sólido los
electrones no son completamente libres, sino que están influenciados por los átomos
del retículo cristalino y por los restantes electrones'

Al estudiar en detalle estas discrepancias, vemos que aparecen ciertas

características nuevas que permiten comprender a los aisladores, los semiconductores y
los conductores. Esta teoría extendida se llama teoría de bandas y nos referiremos
solamente a sus aspectos cualitativos.
dvti'
'
rj .'
ff::,,. r,','i

ELECTRONICA
!
CAP.I-I

:,-.-- ¿-:,1*
 :. -...... :... -..,-- CAi"ITULúi:l)lú¡il:
;

2,í Bandas de energía

.
de un sólido
1'. -
:.-.-l....':-.:,..:'':..i'-..::'.::iil.i..'..|
Conside¡emo5 un módélo de un cristal'fórmado;por.un número muy grande de
átomos idénticos, dispuestos de la misma manef_? que en un cristal tverdadero, e
imaginemos qye !a dlstancia entre los átomos puede variar¡,q a vroluntad. Tendremos
una idea dg la'egtructura de los niveles energéticos de un cristal, si analizamos la
transición gradga! de nuestro modelo desde un eqtado de sepaiación interatómico muy
. :".i
granoe a uno 9e 9epaiacron muy
. j, ,::,.:.,:l
:i
pequeno.
.'''..
Si la distancia interatómica es muy grande, los niveles de energía de los electrones
en el cristal coinciden con los niveles correspondientes al átomo aislado y no hay
posibilidad alguna de que un electrón pase de un,átomo a otro.
': ...-t-;:,, ..- -: - .':.1t1, .,.-.,
,;,,,.','.:, ,."
Si a continuac!ón: reducimos la distanciar intérató¡tlCg . 6u manera que los
electrones exteriores de cada átomo se aproximen !o suficienle a otro átomo como para
quedar sometidos a las fuezas ejercidas por éste, cabe egperar que los niveles de
'electrones de estos niveles podrían
energía se alteren conslderablemente. Los
intercambiar su posición Y pasar de'un átomo al siguiente. '

Esto efectivamente ocurre y cada nivel de gnergía del átomo aislado se divide en
un número muy grande de niveles distintos '(tantos como átomos tenga el cristal).
Estos niveles son tan numerosos y su separación promedio tan pequeña, que es mejor
considerarlos como una distribución continua con una cierta densidad p(E) que se
extiende desde un nivel de energía superior Em"' 3 otro nivel inferior Em¡n¡ dando lugar
a la formación de bandas de energía permitida y prohibida. El ancho de la banda
permitida aumenta a medida que se reduce la distancia interatómica.

Otra característica indicada en la figura 1.1 es la probabilidad de superposición de

las bandas para distancias interatómicas suficientemente pequeñas. Este hecho tiene
un marcado efecto en las propiedades físicas del cristal.

2.2 Características eléctrícas de un crístal

Para describir las propiedades eléctricas de un elemento determinado, debemos

combinar las ideas expuestas anteriormente sobre las bandas de energía de un cristal
con el principio de exclusión de Pauli, el cual limita la posibilidad de ocupación de
cada uno de los niveles de una banda a solamente un electrón. Además se debe
asociar en la estructura de bandas en los sólidos, a tres bandas de energía, una banda
permitida libre de electrones denominada banda de conducción, una banda permitida
totalmente ocupada'por electrones denominada banda de valencia y, una,banda
prohibida separando las bandas anteriores.

ELECTR.NIC^
t^'''-'
 '1 -:) t.

:'i :^l
C.'\PITULO I: DIODOS

Niveles
'; bnergta
oe Banda

Banda Permitida (Ocupada)

Distancia
Interatómica

'
Figura: 1. l Bandas de, enerst; urr ur>er
en un
energía crr hipotético erl
cristal rrlpoEeflco en cr que se
el t{us considere variable la distancia entre átomos'
>E Le¡¡e¡usrs

2,3 Estructura de banda de los conductores

Los metales se caracterizan por tener una estructura de bandas cuyos niveles
grande de niveles vacíos. Esta
superiores ocupados son contiguos a un número muy
:banda está parcialmente llena, o si bandas adyacentes
condición se verifica s¡ una
próx¡mas al tope de los niveles ocupados se superponen, lo cual du,l?.:olti:'id{
prohibida tal-como
necesaria en la distribución de niveles, además que no existe banda
se ve en la figura 7.2.

,: ,, Además, un ,l'reqúisito esencial que debe satisfacel ,,un conductor

eléarico, ;;;; ¡-"ngá un'gran número de etectrones:.cuyas energías estén
dentro de un ,"ngo'en et cual haya muchos estados no ocu;pados con energía
muy próxima a la de'los electrones en cuestión. En la !e9rí9 de las banda-s que
estamos considerando. esta condición se verifica sólo si una dada banda de niveles de
energía está parc¡almbnte ocupada por electrones y no se verifica si la banda está
completamente ocupada, ni si la banda desocupada más proxima está separada de la
banda ocupada por una banda prohibida suficientemente grandl., .
-l': ::.-
:" :
:por consiguiente, un conductor se caracteriza por la presencia de numérosos
'

niveles vacíos adyacentei al 'nivet más alto ocupado. La banda flena más externa se
llama. banda de- valencia Y tlg ,ilmediata Superior parc¡?$?ntg *gcupada , banda de
ionJri¿¡¿n.
,:, -. .11'..- ,ti.,-".
- ia

ELECTRONIC.\
i.r''. cAp.r-3
 CAP¡-i-LrLO i¡ DIüDOS
r.r- :,.. ., ¡ r':,:.:
2.4 Est¡tqctura de bandas de los aisladores
',

t' rt

' : ; '1::::t. : .'",

. .': ,,,,,. :
A, difeiehgia dé lo qué ocurre en fos conductores (mgtEles), en un aislador las
bandas que contienen electrones están totalmente.ocupadas,, La banda de conducción
no contiene ningún electrón y está separada de la banda de valencia por una banda
prohibida cuya: separación es de varios etectrón-vott. Paia el diamante (una forma
cristalina del'cárbo¡o),la'banda prohibida tiene una separación de 6 a 7eY, tal como se
. ":. i-.
ve en la figura 1.2. l:- .:

Nota.-Para fine5l, de la física microscópica el Ergio es una unidad de energía

demasladá grande y pogo práctica para medir, la unidad más usual es el electrón
voltio, !u.e es la énerqía cinética de un electrón aceleia.áo por una diferencia de
potencial'de lv.
1[eV]= 1,6x1g-12[erg]
..
En general la banda prohibida es tan grande en los aisladores que a temperatura
ambiente difícilmente algún electrón adquirirá suficiente energíá como para saltar a la
banda vacía de conducción.

2,5
i

Estructura de bandas de los semiconductores

Se denomina semiconductor a un sólido que presenta una conductividad

intermedia entre la de los conductores y los aisladores. La característica de un
semiconductor es su reducida banda prohibida, estas sustancias son aisladores a
temperaturas suficientemente bajas (próxinias a 0"K), pero a temperatura ambiente
(300'K) un apreciable número de electrones pueden pasar de la banda de valencia
ocupada a la banda de conducción vacía, debido a la agitación térmica atribuyéndole
conductividad. Un material con las propiedades descritas se denomina semiconductor
intrínseco, tal como se ve en la figura I.2.
,': .

Los materiales semiconductores más importantes son el Germanio (Ge) y el Silicio

(S¡). Para estos elementos el ancho de la banda prohibida a O"K es: Ge 0r785eV y Si
1121eV

Puesto que el ancho de la banda prohibida es función de la separación

interatómica, no es'sorprendente que esté dependa de, la. temperatura. Se ha
determinado, experimentalmente que, efectivamente el ancho de la banda prohibid,:
disminuye algo'con la temperatura. Para temperatura ambiente (300oK) es: Ge
O,72eYySi 1rleV "
i '|'

ELECTRONICA
cAP.t{
 C.-\PITULO I: DIODOS

Niv'eles i., .

". riductor ( Semiconductoi

i : -.,. ,, .' '..,'
de .

Energía Banda de Banda de

Banda de
Conducción Conducción uonoucclon

Banda
Banda
Prohibida Prohibida

Banda de Banda de
Valencia Valencia

F¡gura: 1. 2 Bandas de energía de un metat aislador y semiconductor inkínseco.

El Germanio en la,tabla periódica de los elementos tienen un número atómico de

32, esto significa que t¡ene 32 cargas pos¡tivas concentradas en el núcleo Y 32 cargas
negat¡vas (electrones) distribuidas en capas y subcapas alrededor del núcleo, puesto
quá el átomo es eléctricaménte neutro; los átomos tienen cuatro capas R, L,M y N
cada una con 2, 8, 18 y 32 electrones respectivamente, dependiendo del número de
electrones cada capa tiene subcapas s, P, d Y con 2, 6, 10 f
14 electrones y
respect¡vamente; la capa K tiene una subcapa sr la capa L tiene dos subcapas s y p, la
capa M tiene tres subcapas s/ py d, finalmente la capa N tiene cuatro subcapas s, P, d
y f; considerando esta,estructura de los átomos para el Ge resulta:, '
*'.
Ge-+NA=32-+K=2; L=8(s=2, p=6)i Fl=18(s=2, p=6, d=10)i N=4(s=2, P=2,
d:-q, f=0) Iíbres p=4, d=70, f=74 i l',i '
l .

',El Si tiene un número aió*i.o de 14 por lo que su estructurales

t
la siguiente:
r I , , . . ,
, ,1
Si-+NA= L4-+K=2; L=8(s= 2, p=6)i M=4(s=2, P=2, d=0) Iibres p=4 d=70
..' : , ,'

y
Al Si Ge se los conoce por la estructura de ta última capa que tiene cuatro
electrones denominados electrones de valencia, causa por la cual ocupa [a cuarta
fami|iaenlatab|aperiódic'qdetoselementos..'...'']
Hasta ahora hemos considerado cristales semiconductorés pe,téctjs o intrínsecos
como.gl pe, ó,Si los que,tienen ligaduras covalentes tg¡rtre átqmos es decir qug
comparten dos electrones como el que se observa en la f,rgqg 1.3a). Sin embargo, la
':*Í','
'"..
ELECTRONICA
cAP.l-5
-
i", ..t.':
:"
 CAPITüLC¡ i: DlOI)OS

presencia de impqrezas lafecta marcadamente las propiedades eléctricas del cristal.

Esto es conseCuentia-de,Que tales impurezas intqrrumpen !a'regularidad del retículo
cristali¡o e ' il,trodqgen poftadores 'adicion?!-et dentro de l' las bandas. Estos '
I --::-'l extrínsdcos.'
semicóndüctoreg¡ sg:óenominan semiconductores
':- '
'.1'':"''-- ' '-,..''
tion,
La'clase. más simple de semiconductorer ó*trínsucos aquellos en los cuales
una pequená rricc¡On ¡ro-t a lo:to¡ de los átom9s dgl cristál fu.rán ,..rplazados por
átomos de un plemento cuya valencia es diferente a la del material que forma el sólido.

Las impr,¡rezq¡ dé,mayor interés son las pertenecientes, á los grupos III (Boro 5,
Indio 49, Galio 31.) ,f :,!- (Antimonio 51, Fósforo 15, Nrs-énico 33) de la tabla
periódica. En 'cualquier'á de los: dos casos, el átomo de,!a irnpureza reemplaza a un
átomo del cr!9tgl, semiégnducto¡ sin alterar pqra .nada l? eqyÉyra cristalina desde el
punto de vista,cristqlográfiCo. No obsta¡te, pueslo que el qtgmo de impureza tiene o
un electrón de-'valenc-ia: demás, ol uno de, mgnos quá'el átomo del material
semlcgnductor, el resüitado de la sustitución e.s la aparición de ¡1n electrón en exceso o
la falta de un elec[rón
,en la
estructura. ' ,,

Consideremos primero el caso de impurezas pentavalentes, como el Antimonio,

Fósforo y Arsénico. Puesto que estos elementos tienen cinco electrones de valencia, al
sustituir a un átomo de Si. en el cristal, cuatro de los cinco electrones entran en las
ligaduras covalentes con cuatro átomos de silicio próximos. El quinto electrón queda
solo débilmente ligado'al núcleo y la energía de ionización requerida para liberarlo es
mucho menor que la necesaria para romper un enlace covalente. Debido a ello, aún a
bajas ,temperaturas éste electrón puede liberarse y convertirse en un electrón de
conducción. Esta descripción se observa en la figurc i.3b). Puesto que cada átomo de
Antimonio, o en general cada átomo del grupo V, da lugar a la aparición de electrones
en exceso, se las denomina impurezas donoras.

Por otro lado, si un elemento del grupo IIi como el Boro, Indio y Galio que tienen
tres electrones en su última,órbita, sustituye a un átomo de Si., sólo tres de los cuatro
átomos vecinos ven satisfechos sus enlaces covalentes. Esto crea un déficit de enlace o
hueco, como se indica en la figura 1.3c), para -satisfacer los cuatro enlaces, las
impurezas del grupo III aceptarían fácilmente un electrón del cristal. Por esta razón,
estos elementos se llaman impurezas aceptoras. La aceptación de un electrón por
parte del átomo aceptor debe por supuesto crear un hueco en alguna parte del cristal.
Así, elmovimiento del hueco puede considerarse como una transferencia de la
ionización de un átomo a otro, efectuada por el movimiento de los electrones ligados
entre sus enlaces covalentes.
- -.-., --- l
. :

Un semiconductor: que tiene impurezas donoras se llama semiconductor de tipo

N, uno que contengátimpurezas aceptoras se denomina semicoriductor de tipo P.

ELEcrRo)-lcA
cAP'l-6
 C,\PITULO I: DIODOS

Figura: 1.3 Representac¡ón simUofica en dos.dimensiones de Ia estructura cristalina de un semiconductor a) Puro o

in¡.inseco y extrínseco. b) Agregado de impurezas donoras que suministra electrones de conducción.
,, ., de impurezas aceptoras que suministran huecos de conducción.
.Ol*ado _.
.

I de ,¡mpurezas modit¡ca ligeramente la distribución de los estados

cuánticos dentro del 'ciistal. Las impurezas donoras crean nuevos estados'de
energía perm'it¡dos,dentro de la banda prohibida, ligeramente por debajo del
fondo de la banda de conducc¡ón, y por lo tanto, a temperatura ambiente, cas¡
todos los electronesien"':exceso" del átomo donor pasan a la banda de conducción. De
igual manera, las impurezas aceptoras crean niveles permitidos ligeramente
for encima del tope de la ,banda de vatencia. Estos niveles de energía'están
dibujados en la figura, 1.4. Puesto que se necesita muy poca energía ;para que un
electrón alcance el nivel aceptor, a temperatura ambiente se producirán'huecos en la
banda de valencia y son los que intei-vienen en e[ proceso de conducción, ó los
electrones de los niveles donores pasan a la banda de conducción.
t

..
Nivel Donor'1
Banda Prohibida

Nivel Aceptor

Banda de Banda de
Valencia Valencia
(extrínseco (extrínseco
tipo P) , tipo N)

ELECTRONICA
cAP.r-7
/ l, r:i
 t
- , lt', .' I .'r;f,;-:'
'- r' :' "''. 'r-,,'
''

2.6 ,Función dp distribución de Fermi-Dirac

.,: tt ''" .:,.:'.':t;j i'li
nnora depemo,l ánalizar cómo se comportan toi ,éi.e.trori;¿ oet 'ci¡stat en
condiciones de equilibrio térmico a una temperatüra T, Ung descripción detallada del
sistgmp de_tantos electrones como hay:en una m.ugstra macroscópica (10-
dinán_ri,co'
electrones po¡;cmq) .rtu'fuera de las posibilidades de cálculo, la adopción del punto
de vista estadístico paral estudiar la ocupación' de los niveles de energía por los
poftadores, sil'ésp..!R.u, cuáles ,.
un.u.ntran én un dete¡minado instante con una
dada energía,'Estaq jdeas nos conducen a introducir una f1.¡nción de distribución que
p-ar9 el caso de los:elgctro-hes que satisfacen el pringipio de P,aulf (un estado cuántico
dado puede estar ocupado por sólo un electrón) es la, función de distribución de
Fe¡:mi:Dirac, cuyo nivel de energía Er €s característ¡co p?F todos los elementos y está
rep[esentadopor: ,,',:':t, ',, ' r
l,',',:. ,:.¡-¡'' .' r,;;.1',, .
tr -.LF ? rn
p-:i:---:ea'¡1¡1ilr
'24mn

Donde:

Eu= último nivel de la banda de valencia ocupado.

Ec= primer nivel de la banda de conducción desocupado
fllo= fT'ldSd .el nUeCO
rT'ln= rTldSd del electrón
si
v r ¡rrp Lrr f-
m-:m-=m
¡lrIl se obtiene:
tr +tr
!c--
1

Lo que indica que el nivel de Fermi, para un semiconductor intrínseco, está en la

mitad de la banda prohibida. En general es mocmn, y €l nivel de Fermi se halla más
próximo a la banda de valencia; el nivel de Fermi se eleva levemente a medida que
aumenta la temperatura, aunque para los casos de interés podemos considerar
despreciable esta variación.

2,7 Nivel de Fermi en un semíconductor ertrínseco

:

En un cristal que contiene impurezas donoras o aceptoras, la posición del nivel de

Fermi depende sólo de la concentración de impurezas y su cálculo no es tan sencillo, la
ubicación del nivel de Fermi (E¡) se indica en la figura 1.5.
, l ' _:..,. .:.. , ., :

ELECTRO¡'.lCA
CAP.IS
 l ii.:.
Jj i,^-
.l.l;+li:¡'.i '
,',-'
'': .l;:'

CAPITULO I: DIODOS

Banda de, Banda de

.

LOnOUCCTO¡ ,

Er------------ Er
Banda de Ba¡rda de Banda de
Valencia Valencia Valencia
(ertrínseco (intrínseco) (extrínseco
tipo P) tipo N)

donor
Figura: 1.5 Dibujo simplificado de la disEibución de portadores en un semiconductor intrínseco; extrínseco
tiPo N.
por
En estas condiciones la densidad de electrones en la banda de conducción está dada
la ecuación. r..,

n: N.eF

Este número, s¡ despreciamos el efecto de la banda de valencia, debe ser igual a

la densidad de átomos donores ionizados N;, dada por:

\T
N; =NDn-f(E)l:-:?-E"
i*g *,

S¡ suponemos que (E¡Ee)>kT, podemos despreciar' la un¡dad frente al

exponenc¡al en el denominador resulta:

. Ea-Ee..';:,. l
lr.I-
I\ n --hI nL
j.\ p kT

-t: . ,,,, I ,,:-.

Luego,igua|andolas-ecuacionesobtenemos:
:

E. KT, N,.,
E^ +
,2 " '+-ln "
E--

Esta ecuación es la expresión det nivel de Fermi para un semiconductor extrínseco

a bajas temperaturas. 'Pára T=0"K el nivel de Fermi está
:'
exactamente en'la
mitad entre la bandá de'conducc¡ón y el nivel donor. ': ' '''

i
Na de impurezas
:'.-:.
: r :'

ELECTROI{IC.{
 ,, ,t-. ...,- ,".,1 -. ,,,'"'," ,'l'.-t 'CAF¡TULoI:DICDOS
'.... .-.tt--i'....,t,r' i
'
tt-'' i':''.tti.'r'
.-l .' . , : , t

aceptoras, el n'¡vel dg Fermi a OoK está entre el borde superior de la banda de valencia
y el nivel aceptor. ;:r:gl :áumentar la,temperatura,:pqsan:electiones de la banda de
valencia al nivel ápgpto¡, "" -,\,_
{ejando huecos en la'prirnera:,' , .

'Al mismo tiqmpo, se producen pares electrón-hueco, pqra,altas temperaturas, el

nivel de Fermi retoina a la posición intrínseca, es decir a la m!!,-ad de la banda prohibida.
En la figura 1,.6 se ha representado la variación'del nivel de'F.ermi en función de la
tempe.ratura, utilizandq la,densidad de impureza5 como pa¡qm-étros, para el caso de un
semiconductqr!!p?PilN(tíneadqtr¡zos).:]'i.......-.
Un semiconductor gxtrínseco'tipo P tiene dos tipos de portadores, los huecos (po)
que son los pórtadp.rQsr,mayoritarios y los electrones (np) q-ue son los portadores
minorltarios; gn cam6io bn e! semiconductor ext¡ín¡ec.o- tipo N los portadores
mayoritarios son los electrones :(nn) y los huecos (p"). son los portadores minoritarios,
antes de realizar la unión el nivel de Fermi en el semiconductoi P,se encuentra próximo
a la banda de valencia, en cambio en el semiconductor N se encuentra próximo a la
banda de conducción tal como se muestra en la figura r.s.

Banda de
tr^ LOnOUCCIOn

tr.
tr^

E E.-Et'
Le
r =
2

tr-
Ea ru Er,
LF

tr..
Banda de
v alencla T"K

Figura: 1. 6 Variación del nivel de Fermi en funcíón de la temperatura.

'

2,8 Movitidad de los portadores

La conducción eléctrica se debe al desplazamiento neto de poftadores móviles

como consecuencia de la aplicación de una diferencia de potencial externo,, el cual
origina un campo eléctrico interno en el sólido. En los semiconductores, los
portadores móviles son electro.nes y huecos.
,."i"r
En ausencia de'un campo eléctrico externo, los portadores"móviles se mueven

ELECTRONIC.{ :.
 ':r,.,.^,..,.1,i: ' :. ' ,:r,i:':,.,'.''i-¡:,. ,..r-- -

'. ". :.

muy rápidamente en todas direcciones, sufriendo numerosas colisiones al azar con los
átomos det retículo crirtaLino, debido a Ia energía térmicarldel cristal. Este movimiento
;i .;;; no:¿u lugar'á,un 'desplazamiento:que
netó de, portadores en 'ninguna dirección,
puesto que en piomedio, hay tantoS se mueven en una dirección como .en la'
opuesta.

Al aplicar un campo eléctrico externo, se modilrica el movimiento al'azar de los

portadores, de manera que resulta un desplazamiento neto de carga en la dirección del
campo. Este desplazamiento constituye.una corriente eléctrica.

El campo eléctrico externo ejerce sobre los portadores una fueaa que los acelera,
provocando un aumento del-número de choques de los portadores considerados por
unidad de tiempo. Et efecto de las colisiones es oponerse al movimiento de los
portadores, de manera similar a Una fueza de roce o fricción.

El parámetio qúe toma en cuenta estos efectos es la movilidad (p) de los

portadores, y se define como la velocidad promedio que adquiere un portador por
unidad de camPo eléctrico.
VqT
LIn

que.tarda
En general, tanto la movilidad ¡r como el tiempo de relajacióil T (tiempo
y
en portador entre colisiones) dependen del mecanismo de colisión de los portadores
serán por lo tanto función de la temperatura. A bajas tempeiaturas el m.ecanismo
de

colisión está gobernado por la presencia de las impurezas. A continuación se indican

valores típicos de movilidad en materiales suficientemeltg puros para una
la
temperatura T=300oK:
Germanio ¡-tn=3.900 (cm2lv. seg)
.^
Fp=1.900 (cmzlV.seg)

Silicio r-rn= 1.500 (cm2/V.seg)

Fp= 600 (cm2/v.seg)

Donde los subíndices n y p indican respectivamente la movilidad,de electrones y

:'
huecos.
2.9 Conductt'vidad , . ." ,r :,, :

',....il...-. :' !.
-.-,. . ., . :-

l;.-,,,1_,--
t'pórtadores'.
En un conduáoi metálico, en el cual los únicos .t; i:t.. ,:.:
móviles so¡ los
- .:

ELECTRO¡iICA
cAP.l-ll
 CAPITULO I: DIODOS

de conducción pebido a un campo

. a: :1t: .:..'.,',

donde g=,-e es la carga del electrón, n es la densidad de electrones móv¡les por

unidad de volumén y v'su veloc¡dad promedio.

j=qn¡lE=oE

Que es la expresión microscóp¡ca de la Ley de Ohm, siendo o la conductividad del

material (expresada en síemens
- - por
r- metro), definido como: :
.

o: qnp: -- l -sl
q'nrI
|
lnN LInJ

omo en un material semiconductor ex¡sten simultáneamente dos tipos de

potadores que tienen cargas de signos opuestos, sometidos a la acción de un campo
eléctrico se moverán en sentidos opuestos, podemos escribir para los electrones y los
huecos:

v-:-Lt
n
:u
rn-E vp ?p"F.

El signo negativo de la ecuación se origina en la carga negativa de los electrones,

e indica que éstos se desplazan en sentido opuesto al campo eléctrico y los huecos se
desplazanen|am¡Smadireccióndelcampoeléctrico:

La densidad de corriente de conducción para los electrones es:

-.

J"n : -gtrvn

y para los huecos:

^- :
J epp qpv_

Puesto que la magnitud de la carga negativa que se mueve hacia la derecha es

igual a la carga positiva que se mueve hacia la izquierda, la densidad total de corriente
de conducción es:

J:J.n *J.o:-qnvn*gPVp

I,,'
Sustituyendo lp,:e,xpiesión de vn y vp,.se obtiene: ,

J=J.n +Jcp:-qn (-1:oE ) +qp ( Uoe ¡

ELECTRONICA
cAP.l-12
 T-¡nrr FInnrr
w-Yrrl.r--!'YtJfr=" E ---) ,T: lnf
. v- l +n¡ ) OE
\ rrI!r--'yl.1el v-

caso
.....'. i
.i

I
Siendo, en este
-
'
.i

o= (np-+pir") q

El recíproco de la conductividad es Ia resistividad p:

1

l?
¡/nrr
\,,tsn *nrr
.t/}J¡r\ r'r
1

Puesto que la conductividad está relacionada con la movilidad y concentración de

los portadores, es posible analizar el comportamiento de la conductividad como función
de la temperatura.
B
¿1
g

2.70 Teoría de la iunturas J]

' _Cuando dos mateiiales se ponen en contacto íntimo se produce una redistribución
de las cargas hasta alcanzar una condición de equilibrio. Esto equivale a decir que los
niveles de Fermi de:ahibos materiales se han igualado, esta regla vale tanto para el
caso de los metales' :como para un metal un semiconductor para dos y o
semiconductores, este Contacto entre dos materiales da lugar a la aparición de una
corriente de difusión'debido;al gradiente de la concentración de.portadores, el que
será analizado posteriormenté., . , ,' , '.'' ..
Como consecuencia'de la redistribución de cargas en la':región de contacto se
forma una capa bipolar: etectrostática o zona de transición cuyq.ldimel91ón dependerá
de los materiales en cuestión. Un tratamiento riguroso de esta propiedad implica el uso
de mecánica estadísti9a,y termodinámica que están fuera de nugst¡o.alcance. Por ello
retuiriremos a la intulción frsica que nos permitirá visualizar él mgcanismolque da lugar
al mencionado fenómeno. ;. ,
I :';1r;
j
''" i:-:- -'¡"'t:':-t '
'
Además las junturas según su comportamiento frente'al paso de la corriente
eléctrica, se clasifican én ohmicas y rectificantes. En una jultu¡a'metal-metal, la
zona de transición o capa bipotar la forman las capas superticialeg a ambos lados del
contacto, tal contacto, sé denomina ohmico, ya que los electioirés pueden moverse
libremente de un matei¡ai a otro en ambas direcciones. ;

....,.'.::;i'...'...'....]'...l"'..',.;..
En una juntura ,inetal semiconductor en cambio el contacto puede ser tanto
ohmico como rectificante,-
' :
Un contacto rectificante es Dor
'
definición.
tt
un contacto donde
¡ , ¡
la corriente fluye .fácilmente en uria, dirección que en la ;opuesta ino'fluye corriente.
Veremos en la sección siguiente
_
que éste hecho está íntímáriiente
.j:,r.j.:,.,, vinculado
..:.
coh el
| , i.::.. .

cAP.I-13
 CAPITULO I: DIODOS

.l-, r,, " :.., ,l , .. . _, ,-.,,¡,. .,

!., :' ,: ; ,' ,.'
,
,
3 Junturás P¡y
' : : ..t, ; : ' :' .: '
t ."
': :- ," : ,

;'
Considet,afemos el cá_sg,de una juntura fo¡qada ppr u1 crjst¿! sem¡conductor tipo
P y un crista[ tipo' N;'denominada comúnmente juntura PN. Estudiaremos como
referencia uná juntura P$ abiupta, es dec¡r aquella en el que la transición en la
concentración de impurezas que distingue e! sgmiconductor tipo P del tipo N -''''' i'."
se produce abiruptamente il juntura. ",'. I
"n
Cuando se realiza Ja,''únión de ambos materiales P y N se produce la juntura y los
niveles de Fermi:debe¡r igualarse en ambos sistemas, ldan¿o oiigen a uná d¡fusi¿n Oe
portadores de íos de'máyor concentración'haciallos Oe mé1oi concentración, este
movimiento de portadores. tiene lugár hasta lgualar los ¡!ye!es''de Fermi de ambos
materiales; [a desigualdad de los niveles en el momento del 'equilibrio o unión se
traduce en una barrera de energía potencial y la aparición dq'una zona de transición
libre de poftadores en la región de la unión del material tipo y N, por el movimiento I
de los portadores mayoritarios (huecos de P a N, elect¡'ones de N a P) dejan el
semiconductor tipo P cargado negativamente y el tipo N'cargadg positivamente en las
proximidades de, la zona de transición, esto da lugar a lar''aparición de un campo
eléctrico dirigido de N hacia P, oponiéndose al paso. de portadorei mayoritarios de cada
semiconductor y manteniendo la corriente nula en equilibrio dinámico.

Nota.- En la zona de transición debido al campo eléctrico se presenta la corriente

de conducción qué depende del campo eléctrico, al' ser esta reducida
prácticamente la corriente de conducción es 0.

centraciones de electrones en los

materiales N y P respectivamente; pp y pn representan la concentración de huecos en
los materiales P y N respectivamente. Puesto que los huecos dejan atrás iones
aceptores cargados negativamente, mientras que los electrones dejan atrás iones
donores cargados positivamente, el resultado del paso de portadores a través de la
juntura es cargar positivamente la región N y negativamente la región P.

Concluimos que el campo eléctrico en la zona de transición es tal que tiende a

permitir el paso de los portadores minoritarios y mayoritarios'a través de la juntura que
se encuentran sobre la barrera de energía potencial, estableciendo un estado de
equilibrio dinámico en el cual las dos corrientes de difusión; la debida a los portadores
mayoritarios y m!¡pritarios son iguales,.y, de sentidos opuestos, de manera,'que la
corriente neta a través de la juntúra sea nula.

I
cAP.l-I.
 , ' '. :' ,':'
CAPITULO I: DIODOS
.' '1,,,i.''.: ' ,'l

- --l t
- la
La energía potencia!,de contacto Eo=qV., es igual a diferenc¡a de las funciones

Banda de Banda de
Conducción Conducción

T]

E.rp

Banda de Banda de
Valencia Valencia
Tipo P Tipo N

.. .:.. :

Figura: 1. 7 Diagrama de energía potencial de una juntura PN en equilibrio.

Cuando a una juntura PN se aplica una tensión externa, el equilibrio entre las
corrientes de difusión,. de portadores mayoritarios y minoritariog,, se rompé.
Supongamos que se aplica una tensión V tal que la región N se'hace'negativa respecto
'región
de la P, tenemós entonces una juntura directamenle:pQlg,riza{a o de baja
resistencia. Esta tensión V tiene el efecto de disminuir la ,altura de Ia barrera de
potencial qV. en la cantidad gVo proporcional a la tensión externa aplicada, :corTto
indicá la fiqura 1.8.
.

Esta disminución.dé lá barrera de potencial provoca el aumento de la corriente de

portadores mayoritarios y este aumento es tanto mayor cuanto mayor es la tensión V
(tensión externa aplicada).
' ,..
Por otra parte'-lá',-gorriente rdebida a los portadores'
minoiitários
pfáct¡camentg c.g¡stqnté;,ya que no dependen áe la barrera',{g pqtqnqial..
',',i-,... '='. 1': :
:, .i . ,'...:1' :1 ..,' ' .,",, .,. i

ELECTRONICA
cAP.t-15
 CAPTTULO i: DIODOS

Q(V.-V") f'lnu- DP

!\'--'i':t''_

::
..BV::BV.
Figura: 1. 8 D¡agrama de energía potencial de una juntura PN directamente polarizada.

Si la tensión aplicada es tal que hace positiva la región N respecto a la P, se tiene

una juntura ¡nversamente polarizada ó de alta resistencig, tal como se muestra
en la figura 1.9.

Erv

BV BV

Figura: 1. 9 Diagrama de energía potencial de una junbrra PN inversamente polarizada.

,
Este caso está indicado en la figura, 1.9, aquí la altura de la barrera de potencial se
eleva en una cantidad qVo respecto de qV., siendo extremadamente difícil que los

ELECTRO\ICA
cAP.r-16
 CAPITIILO I: DIODOS

portadores mayoritarios , puedan sobrepasarla reduce y la corriente se

considerablemente. ¡:i.i; Eo, ,r€olidad, la corriente de poftadores minoritarios crece
,;
' - I ,.
ligeramente para tenéioneg inversad de valores pequeños (del orden del 'potencial de'
.l
contacto), pero se satüra rápidamente a un valor constante para valores grandes de V.

De'la descripción a'nterior'se concluye que una juntura PN es un dispositivo

rectificador,Yd que permite la conducción en una dirección y noen la opuesta.

Obsérvese que en el tratamiento de la juntura PN, hemos supuesto que las caídas
de potencial en las regioneS exteriores a la capa de agotamiento, son despreciables (lo
cual no es estrictamente cierto) pues estas regiones tienen una cierta resistividad
eléctrica por lo que no todo el poiencial se aplica en ia región de agotamiento, (región
en la que se establece un campo). Vamos ahora a indicar la concentración de
portadores en los bordes de la zona de agotamiento de Ía juntura. Sabemos que la
densidad de electrones en la banda de conducción de un material tipo N, es:
''

. 1.
/¡-- r-m\: l.-1 :.-1
¿Illtt-¡ir r:
n - II r 'l
lt -
v - -¡,i o
\h')
La densidad de electrones por encima de la barrera de potencial, se obtiene de
manera análoga al casb anterior, ya que lo único que ha variado es el límite inferior de
energía. Resulta así: :

ai -=c -q!:
n :lr.l o kT
¡¡i

o sea:
..^..',
t,c
fl.t :FI.€ ki

oonoe:
:

¡,.r , -.;.. .,:i.-

., . ,

nn=€s la densidad de electrones en el material N.

En ausencia de polarización externa, los electrones minoritarios de la región p

debenigua|arse?[eoparaverificar|acondicióndeequi|ibrio,luego:
_ Y'c
KT

.[a
S¡ dhora aplicariñs á ,juntura un potencial Vo, polarizando
''..altura efectiva de la barrera de potencial es q(v;-%):dgnde directamente la
juntura, la Vo es una'pafte

ELECTRONICA

cAP.l-t7
 CAPIIULO I: I;iOüOS

de v 1¡,r la densidad de eléctrones sobre la barrera en ra reg!ón N es:

tr-l
ta de electrones que cruza la juntura estará
corriente Qe difusión neta
determ'inada po¡ ql paso de los portadores (dados por la ecuación' nny desde ra región
oe mayor a ra de menordensidád. i:': . 't'."',
Porotra pafte, si en la ecuación de no tomamos logaritmos'naturales resultando:

Vc-
kT- n^
: - q I¿I..Do
- t,, ,,. '
i
Expresión que permite estimar el valor del potencial de contacto Vs o s€dl
KT Nl NT

v¡- rtr :-----;-

-Y '.i

Cálculos realizados utilizando la expresión anterior dan como valores típicos a

temperatura ambiente:

Vc=0,20[V] Para el Germanio

Vc=0,60[V] Para el Silicio

3.7 Características estátícas de una juntura PN,

Cuando en una ¡egión del sólido la densidad de portadores no es uniforme, se

produce un flujo desde la región de mayor a la de menor densidad, tendiendo a
uniformizarse en toda la región. Este proceso se denomina difusión. La corriente de
portadores que se produce, es proporcional al gradiente de concentración. Así, la
densidad de corriente de portadores está dada por la Ley de Fink:
-rO^
!.J -:KVU

donde:
Y6=gradienie de la concentración
k=QDn

Jn=qDnVn
j'
-'""'
D,r:constáñte de áirusión . "' ,' ''

ELECTRO¡*lCA
cAP.l-r8
 t' ; -',";1
)
,I---:..

CAPITULO I: DIODOS

Debemos destacar que en el caso de un cr¡stal semiconductor conformando una

juntura, la densidad ':de: portadores en exceso (valor superior cofrespondle1te al
Lquilibrio térmico) que da"órigen a Ia difusión, disminuye tendiendo'a desaparecér por
efecto del fenómeno de recombinación en el medio. En ei proceso de recombinación,
un electrón se une 6s¡.ur1 hueco desapareciendo ambos como portadoresy entregando
la energía de unión al retículo cristalino sobreelevando la temperatura. La velocidad de
recombinación es proporcional a la densidad de portadores en exceso, por lo que Ia
densidad de corriente producto del exceso de concentración (nnu-np) de poftadores
sobre la barrera de energía potencial es:

qD- - qD,n.- I
J": * in-.--n^1.::
'L-L-.\) l=''= -1") |

donde:
h= denominada iongitud de difusión, QU€ es la distancia promedio que recorre
un portador anles de recombinarse. :

f]nv-op= exceso,de portadores por encima del equilibrio.

','.'
De manera análogá para los huecos tenemos:

gD.
_ -lp.,-p.l qD"p. l --o; \
io=
'L^!.\),
=? 1."-t I

Luego, la corriente de difusión total para la juntura PN es

(n¡n \f \ qi:
r=i-+J^:l:
' v L-
*-
^¡r.
llt"-1
L" /\ I

I )
.'..'.
3.2 . Capacidad de una iuntura ' ', '; ;

"
. '.,,
-l',. ,1' , . ir', ,.¡'',.' ' ' ¡
En la sección anterior vimoi que el proceso de difusión de portadores a través de
una juntura determ¡ná'la formación a ambos lados de ella, de una zona desprovista
parcialmente de cargas móviles que se denomina región de agotamiento o de
transición. Para determinár la distribución de campo eléctrico y de potencial en la
región de agotamiento debemos resolver la ecuación de Poisson:

Para una

ELECTRO¡,¡lC.{,
cAP.l-19
 CAPITI-]LO I: DIODOS

t. ai t | .
'i
dimension la ecuación'de Poisson se escribe: ^

.:-

Pára oQte4er la expresión de la capacidad de junfura, recordemos que la definición

de capacidad ,"l es¡
.^r\ v\¿
L:-
dV

l-á carga remanente.en la región de transición resulta:

I : . , ,¡''.,
A-ahl v
\-/-qt\nÁ_-L4r\ y
- -r- A- -p -a\l
.-¡-'D"n
.,....'
Luego la capacidad de transición C¡ ó capacidad de la reg!ól de transición ó de
JUntura es:
:'

de d(qNox") d(qNox")
-t.- * - * - *
dVc oVc QVc

Utilizando la ecuación de la corriente de difusión se obtiene:

1
T -'1-
leqN"N^ I:
- t1 u ¡
1
^
-
-l tl
_

L2 (NA+ND)l JV.

donde:
Ct= es Ia capacidad por unidad de área (Faradios/m2).

La capacidad de transición también puede obtenerse a paft¡r de la ecuación de xn

ó xo de la zona de transición, considerando a la zona de agotam¡ento como un
capacitor plano cuyas placas están separadas una distancia x* y con un dieléctrico de
permitividad e entre ellas, o sea:

^-
-t

Si realizamos el mismo análisis cuando se aplica a la juntura una tensión externa

Vo se obtiene la expresión:

.I sqN,N^.12
.-1
1
C.-l '-' ,

' l)¡Ni+NT\l |
i
/\/-\/ 'o
L- \.'A'.'D/l v'C
-'-"

ELECTRO¡-ICA
cAP.l-20
 CAPITULO I: DIODOS
,

Cuando la tensión externa Vo es negativa (polarización inversa), vemos que la

capacidad de la juntura disminuye respecto del valor en condición de equilibrio (sin
tensión externa aplicada).'' Obsérvese también, QUe con la polarizaiién inveisa'el'ancho
de la zona de agotamiento aumenia. La polarización directa produce el efecto
contrario;'es decir la,capacidad aumenta y el ancho de la zona de agotamiento
disminuye

3.3 Ecuación de difusión conduccíón y recombinación

En las secciones anterio¡e-s se introdujeron las ideas fundamentales referentes al

movimiento de huecos-y electrones de difusión y conducción en un semiconductor. Los
procesos que mencionamos son:

'
.

a) Conducción; en respuesta a un campo eléctrico. ..

J.: (U"n+li"p) qE

b) Difusión; resultado natural del movimiento de los portadores cuando la

concentración en el espacio no es uniforme.

J,:qD^Vn+qD"Vp

c) Recombinación neta; por el cual ambos tipos de portadores tratan de

mantener las concentraciones en equilibrio
,.i,
J.-Jn:0 -+ J,:Jn
:
..:t '. ..
., '
IComo se estableciór el dispositivo básico que se puede .fabricar en base a
elementos semiconductores tipo P y N de Silicio ó Germanio es el diodo de unión,
corresponde analizal de este dispositivo las características eléctricas que permitan su
utilización en los cir:cuitos para diferentes aplicaciones, estos están vinculados
directamente con las corrientes, tensiones y las relaciones matemálicas o modelos que
describen el comportamiento del componente y que permite analizar y diseñar circuitos.

En las secciones-anteriores se analizo la densidad de corriente, afectando a esta

con el área [ransvársat'de los semiconductores que forman la unión:ie tiene la corriente
de difusión qúe circula en el diodo, puesto que Ia corrientéde,difu9_ión:depende.de la
-bbrrerá'de'energf¿
concentración de portadores que se encuentran sobre la pstencial

ELECTRONICA
cAP.I-21
 C.A.P¡TUI-O I: , -,- JS

que sd::forma al realizaf la unión e igualarse los niveles de Fermi. . Las corrienies de
difusión están formadas por: 1) concentración de portadores negativos (electrones)
: ' ' ''' ::
mayoritaricis que'se desplazan de N hacia P imponiendO.'una'corr iente en sentido
contrario al movimiento, de portadores (In,); '2) c.oncentración de portadores
minoriiariós (elebtrones) que se desplazan de P hacia N imponiendo una corriente en
sentido conirario':(Inp),- estableciendo una corriente neta formala por la difusión de
elgctrones
t,' ,','
In:In. -Ino
.:
De manera,''sim'ilar ocurre con la difusión de portaQores positivos (huecos)
mayoritarios que se desirlazan de P hacia N, imponiendo una corriente en el mismo
r.r.'t¡Oo y dirección al movimiento del p_ortador (Ip1), difusión fe ¡ottaOores
minoritar:ios
sentido
huecos que serd'esplazán Oe ru hacia P imponiendo,Un,lt_9:ile1lure.1f^mismo
(Ipn), estableciendo una corriente neta formada por la difusión de huecos.
.

A^-i^ !n

La difusión de los portadores y las corrientes se resumen en la figura

1.10.

portadores
portadores ma¡'oritarios
minorita¡ios electrones no
electrones l-lo

poñadores
portadores minorita¡ios
mayoritarios huecos pn
huecos pp

F¡gura: 1. 10 Corrientes de difusión'

Se ha definido el sentido positivo de la corriente cuando esta coincide con

la

dirección y sentido de desplazamiento de los huecos o tiene la dirección

y sentido
resulta:
opuesta al desplazamiento de los electrones, por lo tanto lá corriente del diodo

.
I^:I-+I-:I^
u ¡¡ y -I^,.p +i-tP -I.
rj T
| =t +t'T -t -l
YP vn

ELECTRONICA
cAP.l-22
 !,'i '

, ,', ,, ,, . ' C.{PITULO l: DIODOS

..,-,.
Como el exceso de la concentración de portadores mayoritarios y minoritarios por
enc¡ma'de la barreralde enerqía potencial en- ambos lados de la.zona de transición de la
.r. , ..:..,\, .. .i; - .. ;, r
juntura tiene el mismo válor, por el concepto de la igualdad de los niveles de Fermi
t.

resulta que la coriiente de diodo (Ip) es igual a 0, es decir 'que'en equilibrio y en

I t. t \
ausencia de polarización (tensión externa aplicada al diodo), la corriente a:través de ella
es nula resultando:
I | ----1 | + I ¡ I :ll
=f ..p -
': ."; - yE

Por lo tanto:

T -T:O--)T =T ";
'_?

T -T:0->T:T
FP

'

De las ecuaciones;se deduce que la corriente de los portadores mayoritarios por

encima de la barrerá,' de energía potencial es igual a la corriente de portadores
minoritarios por enc¡Fa de ta barrera de energía potencial, es decir que en equilibrio la
corriente neta es igual a 0

g,4 Ecuación del díodo en polarización directa

1
', .

'Cuando se
poláriza.'en forma directa aplicando uod tensión positiva al
semiconductor tipo P ion respecto al tipo N, se vio que la barrera de energía potencial
disminuye proporc¡onalmente a la tensión externa aplicada para los portadores
mayoritarios y no se produce variación alguna para los poftadores minoritarios, en estas
condiciones la corriénte de difusión de los portadores mayoritar:ios pe ,É a N (huecos
Iop"llpn) y de N a P.(eÍect¡ones Innu>Ino) se incrementa en la,1nlsma proporción de la
disminución de la bariera de,energía potencial, en cambio las corrientes
. ''; de difusión,de
los portadores minoritarios,de P a N (electrones y
Inp) de N a P (huecos lon) se
mantiene del mismo valorrque en el caso de la juntura sin polarización, con lo que la
corriente de un diodo poiarizado directamente resulta: . :.'
..
La corriente neta en las uniones

| :l +l -T ^'p -'T v"

vpv
.

| +l :l A
j',.'. t ', ':
: :

ELECTRONICA
cAP.t-23
 I CAPITI'LO i: DIúDüS

::.,. q cvc -v)

T+T:TakT
Ypv
.;-
.l a. qV. qv: l

| -{-t o ^loAr
=t
:'nv .. rpv

La cornente resulta:
qv

¿n :T
T +T -T -T tsn *n _T
\, T *q-EKT-T-s

(ev \
"-tt | .ñ-r
r^:f-
\,/
I

En esta ecuación si V es muy grande frente al equivalente té¡mico de la tensión es

decir:

V>> _KT :Vr

Y.

qV
por lo que uF>>1, en la ecuación Io se puede despreciar la unidad frente al

exponencial, resultando la ecuación de corriente del diodo en polarización directa.

qV
I :lo^¡
-s"

La ecuación de la corriente del diodo, en un s¡stema de ejes tensión y corr¡ente

(V,I) son representados por una característica exponencial tal como se ve en la figura
i.11.

3.5 Ecuación det diodo en polarización ¡'nversa

Cuando se polariza en forma inversa aplicando una tensión negativa a.

semiconductor tipo P con respecto al tipo N, se vio que la barrera de energía potencial
aumenta para los portadores mayoritarios y no se produce variación alguna para los
poftadores minor¡tarios, en estas condiciones las corrientes de difusión de los
poftadoresmayoritariosdePaN(huecoslpp,,r(Ipn)ydeNaP(electroneslnnu(fpn)
disminuye en la m¡sma proporción del aumento de la barrera de energía potenc¡al, en
cambio las corrientes de difusión de los portadores minoritarios de P a N (electrones
Inp) y de N a P (huecos lpn) se mantienen del mismo valor que en el caso de la juntura
sin polarización, con lo que la corriente de un diodo polarizado inversamente resulta:
- ; 1..1..-' : ' : -1
:. . ,ii :'

ELECTRONICA
cAP.I-24
 CAPITULO l: DIODOS

T
*D _T *:*. I T
-p;u
i
-.,
T
-p.

'': r-li'r'i' ' : i i"t ."'.''

llamandó:. .
' _:':
T't +T :J o t-:T :*s

| +l é
-...-
c l','- -'; )

F..,
=l

q'.: _ q'.'
_
:

I +l -l a t-o,:-

La corriente resulta:

_q;
fn:I- +I.
_p;, -I"
_LJ _i._, _:, -I-:. . r
---) *s-o 'r -T
-) =T -s

(
-r'' \
T :T lo t:-1
-D -sl-
|

\t\/
:...
En esta ecuac¡ón debido al signo negativo del componente exponencial se puede
escnDlr:
/\
lrI t
T -T
an-I" I r
-l_
I

- 't l--{ |
I

I ^kr I

Considerando que si V es muy grande frente al equivalente térmico de la tensión,

es decir:

. oür'tt --- ;;¡I ...r

- ,,,,s -/L
-
fi,,.
e--
\\¿
'

. '' :

Despreciando el exponenc¡al negativo frente a la unidad resulta:

T =-T

_ A una temperatura amb¡ente de 25"C es dec¡r aproximadamente a 290óK, el

equivalente térmico de la tensión (kf/d es aproximadamente 25mV a 26mV. De las
ecuaciones de las corrientes del diodo se concluye que:

.. En polarizaqiOn=Oiiéctg.,la corriente se, incrementa exponencialmente i-on la

tension aplicada al diodo, es decir que para pequeñas var¡ac¡ones de la tensión
"
..
-'
.
'.,
. ,t'
cAP.l-25

'' ,',,'.; ; . t' ' a t ,

.. .
 ' , ':.,1j, .:. : : I CAPITULOI:DIODOS

;'se presenta.n grandes incrementos de la corriente en :el diodo tal como se

representa en la figura 1.11, además de la naturaleza exponencial de la relación
,:t9n;ió1 corriente sq pijede obseruár que'paia tgns!óneq.¡éouliitai ta'iórr¡ünte en
el djodo e.s apenas pérceptible, esto sucede alrededor dq 0r5v para el Si, y 0r1v
para el Ge., siendo apreciable la corriente a partir de 0r6V para el Si. y O,ZV
para bl .G€,,,? esta tensión'característica de los diodos'lse los conoce como
tensión de arranque (Vr), llegando la cqrriente a su:valor máximo para una
tensión' en ,el diodo de'0,8V en el Si. y Ot,4Y en el Ge., alrededor de esta
corrienle máxima el sé destruy€: , ,, '.
{iodo ,
En polarización inversa la corriente se mantiene, constante en un valor reducido
(It) conocido con: el nombre de corriente inversa: de ,saturación que para los
diodos de Si. es del orden de los nanoamper¡or '(nA) para el Ge. de y
microamperiosr(¡rA), cuando la tensión inversa excede el voltaje inverso de
ruptura'(BVo=y*), la corriente inversa aumenta bruscamente de unos pocos nA
ó FA a varios miliamperios (mA) o amperios (A), esto se produce por el campo
eléctrico que se crea en la zona de transición, este campo eléctrico produce
aceleración de portadores y la consiguiente multipiicación de los mismos por
efectos de choque incrementando la corriente, pudiendo llegar a la destrucción
del diodo, la característica se representa en la figura 1.11.

tl
llL4r----ts
RV
Polarización RV
Inversa Polarización
Di¡ecta

Figura: 1. 11 Polarización directa e inversa del diodo, símbolo circuital y eracterísticas tensión - corriente.

De las ecuaciones del diodo y de los parámetros de los que depende, se pueden
observarqueeldiodoessensiblea|asvariacionesde|atemperatu[d::
',
. La corriente inversa de saturación I, aumenta con la temperatura, del análisis de
:

ELECTRO\IC.{
cAP.l-26
 . ,r,,. . -,. . .CA'ITULOI:DIODOS

la física de ,los ''semiconductores, se puede demostrar que esta corriente se

incrementa en 6 ó 8o/o por cada grado centígrado de aumento de temperatura
pá¡u .f S¡. ,i Ge., respectivamente, se acoidó 'considerar en promedio un
que
¡ncremento de la corriente inversa de unjolo para ambos máter¡ales, de lo
se'establece'que:pára una temperatura.Tr se tiene Ir1-y pára Tz S€ tiene I'2,
como Tz eS mayor .que T1 corresponde también fa misma relación para las
corrientes resultando para cada grado centígrado de aumento de temperatura:
I,+0, 07I.:1 , 0? I,

Estableciéndose que para un incremento de la temperatura resulta Un

^T
incremento de''la corriente in?eria de satürát¡ón en (1r07)^r, se
puede

determinar que Para de 10"C

^T
duplica por cada 10oC de aumento de temperatura, resultando la siguiente
relación:
. ':

T pk{:2-::}
-sl- =T*s:, -

Donde: X=0t07
.

. L3 tensión de árranque V, disminuye en -2,2 ó -2r5mv por cada "C de aumento

de temperatura para el Si. o Ge., estableciéndose:

%., =v0., - k -T:

( T: )

Donde: K es un coeficiente negativo k=2,5

o La tensión de ruptura en la polarización inversa se m?ntiene constante

para

. grandes variaciones de corrierrte por incremento del carn?o gléctrico en la zona

'' áe transición (efecto Zener) y por la emisión _secundaria o multiplicación de
portadorus por éf.cto de choque conocido también como'ruptura por avalancha.
':
9.6 Modelos del diodo

La naturaleza exponencial de la ecuación del diodo dificulta su empleo directo en

el análisis y diseño dercircuitos; por lo que resulta útil contar,con unl.aproximación de
la característica tal que pe¡mita obtener el comportamiento del dlsRo',siiivo.
. ,

En las aplicaciones,del diodo de unión PN, normalmente ge,empfearan tensiones

' de continuq (c-d) sqpgrpueslas con tensiones de alterna (pfl ,q,ue, dan.lugar 9 una
circulación de'coirienié O. continua y alterna como respuesta a las tensiones aplicadas,
por lo que es posibie tener: do¡ modelos del diodo: para las compone¡Jes d1 contlnua y
;

ELECTRONICA
cAP.l-27
 '' -., . ;_--.,'..',.-:..-',.r... .,,. ...,.: :,¡.:, CAPITULOI:DIODOS
t. ',
',ti.'..,' -.,.,,,t',t .. . '. ',., '
para tlds
t'
componentes de alterna.
-
L :. ,':::l::..1:.,..: ri- t.i -
-' -li','.:"."1;'"'l .- :

,ij.:" '.'"'"" I .,.t..... ., - .,,

a.) Modelo,dg.'continua.- Si en la aplicación de un;dio{o en un circuito se

. .; tens¡ones de cont¡nua, esta polariza al diodo,r es decir que deja un
utiliza ;solamente
punto"de:trabajo sobrer las característicasrdirectá o1 ¡nve¡,sa.i del componente, en
.j

respuesta a la cd aplicqda
' ' : .1...
se establece una co-rriente eléctrica'también de continua a
''
través del componente. Si la polaridad de la tensión aplicada corresponde a la
,

polarización directa circula una gran corriente, la caída de voltaje que produce es muy
pequeña del orden entre el 016 a 0,8V ó O,2 a 0,4V en' los diodos de Si. o Ge.
respectivamente, lo que -significa que el.diodo s.e comporta como una res¡stencia muy
pequeña, se pue-de c'onsjderar sin cometer mucho erigr como que el dispositivo tiene
una resistencia nula o',[:n coftocircuito, es decir el diodq ss puede]representar como una
llave cerrada y un ügftaje: de diodo ó e! diodo de Si. o Ge.
.!" ,o,rY
respectivamente,oidea!menteunacaíd9depotencia!{e0V'''......
,9:1u _?1ra
: .. :

Si la polaridad de la tensión aplicada corresponde a la pola¡ización inversa, circula

una pequeña corriente (Ir):y la caída de voltaje que pr.oduce es muy grande casi del
orden de la tensión aplicada, lo que significa que el diodo se compota como una
resistencia muy grande,:esto se puede considerar sin cometer mucho error como que el
dispositivo tiene una resistencia infinita o un circuito abierto, es decir que el diodo se
puede representar como una llave abierta y una corriente de valor 0.

b) Modelo de alterna.- Si en la aplicación de un diodo se usa tensiones de

alterna superpuestas a una tensión de continua, con la ca muy pequeña frente a la cd
(diodo con señal reducld3) y la componente de alterna no ilroduce cambio de
polarización; si la cd"polariza directamente al diodo, fija un punto de trabajo en las
características tensión corriente Q(VprIp); una pequeña variación en la tensión (*)
entorno al punto de trabajo, fijado por la cd, las variaciones están'relacionadas por la
pendiente tangencial de la característica V-I del diodo en el ,punto de polarización
'no es constante sino que varía con' Vo e fo, por esta
Q(VorIo), esta pendiente
condición resulta de utilidad obtener una ecuación para esta pendiente, QUC tiene
dimensiones de resistencia y se la conoce como resistencia dinámica (r¿) del diodo,
partamos de su ecuación: ,

(q;¡ \
r : I i a ^¡ - -lI I
-D -sl-
ri

ELECTRONICA
cAP.l-28
 (r,c \
- -\.le*-rl
i.:r.
)
q¿-
.lr ñ
Y-
I ó¡--
-------=-=:
dv.ú) K'l' .

.'
Las pequeñas variaciones asimilamos a los incrementos resulta:

.Qvo

dio aip Isé kr'_s.

= ^ l..T
AI
c(t
OV^ AV^
f,i

por tanto

KT
1¡
r:-:é
ñl
Yd
:

ambiente

De la ecuación rd se concluye que en condiciones de polaiizációnldirecta esta

resistenc¡a es muy peqüeña,j y se reduce a medida que la polarización directa aumenta.
. ...:- .
'.i,.:'.'].....'....|.|.'.'',...
r- --:-., 1, - -:-r.
La ecuación tamb¡én es válida cuando la tensión de continua apl¡cáda al diodo es
 'r ',- . CAPITULO I: DIODOS
t : t--,-t,
'l: .--.''t,:':'_ ,tt.t,l,t'
' : ':l ' ;'t -.. - I r'-' ': I ''-
.1. i'1.-:. ':¡ ' : '':'- ''
tampoco producen variag!ón de la corr¡ente del diqdo la que está formada por el
portadores minoritarios y es reducida tendiendo a 0, por lo que la r¿ en
, : ., de
movimiénto
. . '
polarización
.
:\
inversa
:::....
se cons¡dera
--,:ia,:.:-..: ..-.",
de un Valor muy grqnde ap!:gxlmandose a un clrculto
abierto;,pueslo eue Io .g orden de los ¡rA para e! German:o o nA para el Silicio.
:él
Si no se aplica al diodo componente de continua o s¡ la componente de alterna es
muy grande comparada,con la continua para establecer el compo¡tamiento del diodo se
usa la resistencia:promedio definida ,'-: como:
a." .' ..

to' -tot
!',0"":
ior _ io,
,,. . .:'" -.
Esta resistenciá tiene un compoftamiento similar a 16 Qn las. dos condiciones de
polarización. Los detálles gr:aficos de lo desarrollado se muestrg'g.n'la figura 7.t2.
:- ':,,,: ," ,. . ,..

Inz

Io
Iol
dvn

V., VPl VP VP2

Figura: i. 12 Resistencia dinámic¡ del diodo.

4 Recta de carga
En muchas aplicaciones del diodo en los circuitos se suele utilizar fuentes de
tensión continua y alterna, e fl algunos casos en forma conjunta y en otros
separadamente, en ambos casos para establecer o calcular el valor de las corrientes
que circula en el circuito o las tensiones que se establece se puedén realizar por med¡o
de la aplicación del,las ecuac¡ones del diodo y las,leyes Qup,,r€suelve¡ los circuitos, en
estos casos resultan ecuaciones trascendentes cuya solución,es complicada, por

ELEcrRo\lcA
cAP'1-30
 . CAPITULO I: DIODOS

ejemp_lo en el circuito dg,[a:figura, 1:13 establezcamos las ecuaclones:que determinan

las corrientes y tensiones,, .

: .l.: , -'ii ''

. : ,'i;_',,'; ,-.... ::-.: .1,. -.lill_J
En'este .¡r.uito;iilhá.rtuuiese presente'=la'ca (v¡), la ténsióñ de continua (vs)
polariza.en forma áireaa. ái O¡odo, supongámos'además que la ca no produce cambios
sustanciales en el tipo''derpolarización del diodo (Vi<V5);,,Además,para resolver €l
circuito se utiliza la siguiente notación:

. Letra mayúscula,con subíndice mayúscula para',representar una tensión (Vs) ó

corriente (I5) de continua.

. Letra minúscüla,ton subíndice minúscula para representar una'tensión (vr) ó

corriente (ir) de alterna.

. Letra mayúscula con subíndice minúscula para repfesentar los valores máximos ó
eficacesdeloséomponentesdea|terna(V,,I,).
; j.
" i
.;..

. Letra minúsculá.con subíndice'mayúscula para representar los valores 'totales

formado por componentes de continua y alterna (vr, ir).

(l

\
V
Vs 1
. -.. .'.; .,. ...r_ :,.r.... ..:
Figun: 1. 13 - '', r Circt¡ito en la que se superpone componentes de
. :. - -: ;:_._..:- tt.. , :.

::''!: :": : " : '

Aplicando la notaC!ón desarrollada al circuito de la figura

v,=v^+i^R,:.

\-

\,
 CAPITULO I: DIODOS

La ecuac¡ón desarrollada tiene dos partes un-a de continua y otra de alterna,

aplicando el te-orema de SUperpos¡ción Separamos en SuS componentes:
...':r .

cd -+ Vr:Vof foRo . ...

:' i

ca -> v-r=vo*ioRr'
.'''
De la ecuación de continua despejamos la corr¡ente del diodo.

v'-Vo
¡^=

En esta ecuación consideramos:

a) Si Vo=0

V^
r^-
T_J
-D
-"L

b) Si Io=0

vn - vc

Ubicamos sobre los ejes de las características V-I del diodo lo establecido en a y
b, uniendo ambos por una recta, ésta repr:esenta la recta de carga de continua con una
pendiente URu en la intersección de esta recta con la característica del diodo
determinamos los valores de Vp, Ip (punto de trabajo Q) que tiene el diodo, y que
resultan las soluciones de la ecuación exponencial de este dispositivo para las
componentes de continua. Trazando la componente de alterna (v¡) punto a punto
alrededor de Vs, y por los extremos (Vs+V¡ y Vs-V¡) del eje de tensiones y con una
pend¡ente URr que también es la recta de carga para alterna, en este caso (en otras
topologías circuitales suele ser diferente la pendiente debido a la variación de la carga
para cd y ca) trazamos la recta de carga de alterna, en la intersección de estas rectas
con la característicá V-I del diodo se determina la solución exponencial de este

ELECTRONIC.4
' cAP.l-3z
dispositivo para las componentes de alterna, los detalles se muestian en la'figura I.I4:
:i't"

v^-v
lD
D
¡\ L

Vo: Ys

Vp

v6=i¿r¿

, Figura:,l, 14 . , I Recta de carga de continua y alterna.

'. ::
Nota.- En el''caso de que e[ 'circuito de aplicación delrd!o$.o tiene :una carga de
cont¡nua diferente de la componente de aiterna, las rectas,de'caigaino coinc¡den
como en el caso anterior, este caso se presenta normalmente en aquellos circuitos
en la que ex¡sten iios resistenc¡as acopladas capac¡tivamente en paralelo tal como
se indica en la figura 1.15, en este caso las ecuaciones resuitan:

: -.... , : , ¡.i.,,-_:._
.-.
(Vr+vr) : (Vr+vo) + ( ID+id) Rz ':...

Rz €r'l cd es nr poi Que el capacitor para cd se comporta como cirCuito

.
abierto.
,' '. l-: '': "'
! '... -' -.

Rz €fi ca es R1 €n paralelo coft Rz por que e[ capacitor pard éa.se comporta lomo
corto circuito. i .:

Reemplazando en la ecuación y separando en sus compone'ntes resulta:

 CAPITULO I: DIODOS

R,//R2

Rr

vo

v¿=i¿16

';
.. Figura: 1. 15 Circr¡ito con carga de altema diferente a la de,continua.

En caso de no apl¡car el método de la recta de carga en la solución del circuito, se

hubiese'tenido que resolver la siguiente ecuac¡ón del ,, diodo.
( qoo \ / 9(vo*vo¡ \
'
i-=T l"F- rl-(rD+ic):Ist-
-D-st- lo *t -r-l I

\/:\/,.,:
Separando en sus componentes de cont¡nua y alterna se t¡ene: j

Parte de continua

\(cvo
- I ;;11
fp=I. le^'-_ r :

\/
Parte dé.alterna
-i '. '..
^ ._.t' .,-:. ,.,...,' -:li'"r:¡
i .J-., . 'll',,"

ELECTRONICA
CAP.I-3J
 C.\PITULO I: DIODOS

Figura: 1. 16 Circuito con diodo, solución ee¡ación trascendente.

Para el circuito resulta:

Vrr:I'R+V, "':
/ -'j-.- \
| I
Como: rr:r, i u'= -i I

\)
|/-'-\rl |
\/ =T I o - -'1-1 |I R+v:
R+\/
\/
La ecuación resulta trascendente en Vo, es decilque la dependencia es
exponencial y lineal efl Vp, dificultando la solución.
17 17
t3s tD
-T : -__j:-_-__:-
-R

El cálculo de lo::dépende del valor de Vp, de lo expuesto se concluye que el

método de la recta de carga en'la solución de los circuitos de'api¡cación, es útil por la
linealización debido a la polarización de los dicdos, es deCir la polarización y el
desarrollo de las ecuác¡ones alrededor del punto de trabajo permiten la aplicación de las
leyes básicas en la solución de circuitos, más aún se puede linealizar las características
del diodo por tramos.
'.:
5 Linealización de las características por tramos
:

La solución qe 1lluchas ,aplicaciones del diodo son facilitados por medio de la

, 'l;'-'.- '.; i. , ;
aproximación de las' características V-I por, segmentos,
"caoa
de rectas utilizando los
conceptos del diodo ideai.y dé ,tas bendientes para iramo; ls¡ el'¡A*.rf oá iig*ot
'..
ELECTRONICA
:
cAP.l-35
 CAPITULO I: DIODOS
1..-
--, :"i :. , . . :"' .' ..
i r': '
.

en. la ciue se segmgnla uñd característica V-I q'grande mayor es la aproximación

logradp, para demostra¡ lo detallado, realicemos la aproximación:por cuatro tramos de
la caraherística V-I del dlodo, estos segiiientos,se mueitran.en !a siguiente figura.

La región I y II
l :
corresponden
-::: - ¡
a la polarización directa, III y IV polarización
ll'lV€fSd: r ', j'r. ' ,.

La región I représentada por la pendiente tangente a la característica expresada

como relación de AV¡/AI¡ Que es una resistencia, esta, pendienté se presentará en el
circuito para una tensión mayor ó igual a V, (tensión de arranque), esto será simulado'
por una resistencia Qe ya[or r¡ en serie con un'diodo ideal polar:izado en inversa para
toda tensión menor a V, (circuito abierto) y polárizado en Qirectg (circuito cerrado) para
toda tensión igual ó mayor a
i, '
\. .'

La región II al no tener pendiente es decir que este segme¡to coincide con el eje
de tensiones tiene una'pendiente de valor infinito, o seq representa un circuito abierto,
ésta región se extiende desde 0 hasta V, y será simulada con un diodo ideal polarizado
en inversa (circuito abie¡to) para toda tensión enke 0 y Vt

i
t.:
liVo
ti r
r
|:"I

--f-: a
^il:l I

AV
irv,
?I i--- L av,,,
II i,rl I AIril
i^rv
:
I
I

I
AVrv I lt
vI

I
I
T
f
I

Tr¡
lY
AIrv
Tr¡
liv

:. Figura: 1. 17 Aproximación por cuaEo bamos.

:

La región III
representada por una pendiente tangentg a la característica
expresada como re"lación de AV¡s/AIrg estd pendiente tiene validez para las tensiones
uniru 0 y Va (tensión de ruptuiáj, rerá simulado por una ¡esistéhcia de valor rr en
serie con un diodo ideal polarizado en directa en el tercer cuadrahte para toda tensión

ELECTR'NIC¡\
cAP'l-36
 .;,''t'''-'.,'J;; t "tt::
;:" .

CAPITLTLO I: DÍODOS

mayor (negativamente) a 0v:

:: .'
La:,regiól IV ,1:ePresentada p;o¡"i Una P$ndie¡te ,tangente ,...?.,,, la, cq¡a$g;ísti1g
expresado como ¿Vrv/^Iñ esta pendiénte tiene Validez a parti¡ de l.a tensión de
ruptura Vn €fl el tercer cuadrante, por to que esta región será simulada'por una
!
resistencia de valor r¿ un diodo ideal polarizado'en forma directa.para toda tensión
mayor (negativamente) ó igual d Vn.

Los circuitos que simulan cada región se'conecta en paralelo y este conjunto
representa la característica de un diodo en el caso de las regiones I y II, ambos son
reemplazados por el circuito que repi'esenta la región I por que el comportamientcj de
este circuito representa a ambas regiones satisfactor!?*..1h., e[ circuito linealizado por
tramos puede ser utilizado para resolver aplicaciones del diodo. ,

"l
*lY

Figurá: 1. 18 Circuito aproximado por tramos del diodo. .1, ,. ,

:-
''.''
Del circuito de !a'figura 1.18 se ve que la región I y,II pue$e.ser representada
I
solamente por el dd Lu,iegión y este equivalente cumple,'ádécuadamente con el
desairollo, los de la iegió'n,Iff r7.fV, cuando Ia tensión externa.si.rpéra negativamente a
Vs, los diodos p, y Dise pofariian ambos en directa por lo q'ue las resistencias r,Y Í¿
aparecen en paralelo, estg equivalente debe ser menoi que rr;,' ,, ,.,,' ,

El lector podrát verificar el funcionamiento aproximado del circuito por tramos

como equivalente del diodó, aplicando tensiones positivas de ánodo (Á) a cátodo (K) y
negativos. ',..,',,1..,.
,, t -

'; 1':
' 1-t' ':
Veremos ahora átgunas de las aplicaciones de los diodos-en los circuitos, para su
análisis utilizaremos los modelos ideales de linealización por liamos, la recta de carga y
la aplica_ciór,r en cq{a:,qgsó e,!ás oitglgntes ¡qg!1.9'o leyes dgLp¡ girquitós lineales.':
..i.l1;l....j....:...',i'i',.'.'.].'i.

ELECTRONICA
cAP.l-32
 ' cnPllul,o l: DIoDos

- se presehtá 'en los

. ,.'1 .,,
circuitos
partes de yng señal o desplazando
el nivél.de tensi,é¡ d.e tonlinua o la simulación de una ecuación,de trcnsferencia que
responda a una ley matemática. i, ...'
" : .' :' i

6,7 Limitadores:
':-:.,.,.r
': :.
,
:
:

Los circuitos limitadores en base a diodos se usan para eliminar porciones de una
'-1 t t-'
\-:-^rl
señal que esté por encima ó por debajo de un nivel espectncaoo o restablecer el valor
medio a una onda con'un valor medio 0, estas aplicaciones del diodo dependen de la
topología circuital; analizaremos algunos circuitos de éste
' :'" t'
' tipo:
.i' i
a)
Limitado¡ a nivet máximo.- Estos circuitos se pueden presentar como
limitadores a un nivel positivo o negativo dejando pasar las secciones de onda por
debajo" de V (ó ¡V), dependiendo de la posición y de la tensión de continua que se
aplique, presentaremos el caso de la limitación a nivel positivo en dos topologías
circuitales que realizan la misma función, para su análisis utilizaremos los conceptos del
diodo ideal, los circuitos son'los siguientes. '
'

vo

Figura: 1.19 Circuito limitador a máxima.

En los circuitos de la figura 1.19 se supone que la tensión de alterna es mayorque

la de continua (v¡>V) para este caso el circuito I) realiza la siguiente función:

... En el semiciclo positivo cuando v¡(V, el diodo se, encuentra polarizado en

inversa pofque la tensión del ánodo es menos positiva que Ia del cátodo, ei diodo
' representa ¡rn.circuito abierto no clrcula corriente en el clrcuifo, la salida toma el
Ij mismó valor'Que la tensión de altórna (vo=v¡) esta condició¡ sei presenta.hasta
antes de igualar las tensiones de alterna y continua (v¡=V).

ELECTRO\ICA
cAP.l-38
 . .:
. E! el semiciclo poiitivo cuando v¡)V, el diodo se encuentra polarizado en directa
porque la tens'r.ó¡¡:del ánodo . es más positiva que la del cátodo, el diodo
representa un óbrtocircuito, c!iCüiar una'i6iiiente'en et circuitó'6de'lá:fuenté'del
alterna hac'r,a la- üe continua),: produciendo una ca'rda . de potencial 'en la
réiistencia'restañdo a la tensión v¡, porrcsto ó porque el diodo es un corto
circuito la tensión de salida toma el valor de V (vo=V), eliminando de la onda
senoidal la paite superior a V.

. En el semiciclo negativo'se cumple Que v¡(V, el diodo se encuentra polarizado

en inversa repitiénd.ose el primer caso y la salida toma e[ valor de la tensión de
alterna (vo=v¡),.
;
En el caso del circuito II) su funcionamiento es de la siguiente manera: ,'.

: ,:.1,. . ;.'

En el semiciclo positivo cuando v¡(V, el diodo se encuentra polarizado. én

directa, pofqu-e !a tensión del ánodo es más positiva'que-la del cátodo, gifyLu
una corriente én eL circuito (de la fuente de contínua hacia la fuente de aliei¡á),
produciendo una caída de potencial en R1 restándose ala tensión V, como el
diodo representa un cortocircuito la tensión de salida es igual a la tensión de
alterna de ehtr,áda (v-o=v¡).

. En el semiciclo;positivo cuando v¡)V, el diodo se encuentra polarizado en

inversa porque lA tensión del cátodo es más positiva que la del ánodo, el diodo
representa un cí¡cuito abierto, no circula corriente en ef circui¡0, ta tensión de
salida toma el,y¿¡s, de V,(vo=y), eliminando de la,,onda'senoidal la parte
superior a V. r.;, ,,
,,-.':
, .,,,
-: ; .._.- r :,"..'-,
. ",
En el semiciclo,.negativo el diodo nuevamente está nolalllqdg en forma directa,
representando.u¡ cortocircuito repitiéndose el primer gasó,y,'la'.salida toma el

. Del análisis realizado.!e. ve.que ambos circuitos realizan la,misma,funcíón, pero el

comportamiento del-:diodó en . qada caso es diferente pá¡a, éad9.',;écción de la
componente de alterna. .Si en los circuitos analizados invertiinoS la tensión de continua,
la porción de la. onOá .$g. .alterna que se recorta serán los picos:ileigativos, con un
razonamiento similar,át featizaOo ie verifica esta afirmación. ',' , ,, '

ELECTRONICA
 CAPITULO I: DIODOS

. '-' Figura: 1.20 Circuítos limitadores á mínlma. , .

', , ,','::: ' .,1¡ .:" i, '. .

En los circuitos de.,!a figura L.20 se supone que lg tensión de alterna es mayor que
la de continua (v¡>V), .el añátisis de estos circuitos se real¡za de manera similar al de
Ios circuitos de:fijación a nivel máximo, por lo tanfo Qeja¡emos.que el lector pueda
practicar, sin embargo como referencia presentaremos un resumén del mismo.

En el circuito I)

. En el semiciclo positivo si v¡<V, diodo polarizado en directa, vo=V, esto ocurre

hasta antes de igualar las tensiones de alterna y continua (v¡=V).
:

:
e En el semiciclo positivo si v¡>V, diodo polarizado en inversg, vo=v¡.

. En el semiciclo negativo v¡(V, diodo polarizado en directa, u9=V.

':.-
En el circuito II)
. En el semiciclo positivo si v¡(V, diodo poiarizado en inversa vó=V, esto ocurre
hasta antes de igualar las tensiones de alterna y continua v¡(V.

. En el semiciclo positivo si v¡>V, diodo polarizado en directa, circula corriente de

la fuente de alterna hacia la de continua produce caída de potencial en R
sumándose a V, la salida es vo=v¡.

. En el semiciclo negativo, diodo polarizado en inversa Y vo=V.'

Del análisis resumido se ve que ambos circuitos realizan la misma función, pero el
comportamiento en cada caso es diferente para cada sección de la componente de
alterna. Si en los circuitos analizados invertimos la tensión de continua, la porción de la
onda de alterna que deja pasar serán los picos negativos, gon un razonamiento similar
al:realizado se verifica esta -" aflrmación. : "' '
,..,. ,.; . .",.:.i,--'- . 'r:-.-.
,,,., . 1,1;.ri,.-i;:,,:"
,
"

ELECTRONICA
c.{P.l{0
6.2 Enclavadores

Una operación qde .deFe realizai5e con uná;onda periódica es fijai:el pico positivo
ó negativo a cierto nivel,constante de referencia V, los circuitos empleados para llevar a
cabo esta operación'impiden que,,dicho extremo de la onda sobrepase el valor de V,
estos reciben el nombre de circuitos lenclavadores. La,necesidad'de enclavar el
extremo positivo ó negátivo de la señal a cierto nivel de referencia se presenta con
frecuencia cuando una, señal ha pásado a través de una red de acoplamiento capacitivo,
en este caso la .señal ha perdido su componente de continua, y el circuito de
enclavamiento intioduce,dicha"componente de continua independientemente de la
forma de onda; para realizar esta función el cir:cuito enclavador utiliza entre Ia fuente
de alterna y el diodo' un elemento reactivo como ser un capacitor, el circuito es el
mostrado en la figura t.ZI

.j. Figuia: 1.21 Circuito enclavador.

En el análisis del circuito supongamos que el funcionamiento

del mismo es el siguie¡te¡
',i;
,'.,, ,' -r -l
. En el semicicio. positivo, . supongamos que inicialmente :el' capacitor está
descargado; cuando la ténsión v¡ llegue a su valor máximo; et capapcitor se
carga ñasta el:üalorde v¡ (para v¡(v á oio¿o se polariza:el lnvg.rsa,y representa
un circuito abierto, el capacitor se carga: para vi>V h.qsta'llegar al máximo, el
diodo se polariza en directa y representa un cortocircuito y el capacitor continúa
-apacitor
cargándose); el adquiere la máxima carga, se OiCe Que este sigue las
variaciones de,la terÍsíón de alterna (vc=v¡), en estasrcondiciones la tensión de
salidaquedaene|aivada.ofrjadaenelva|ordeV(vo=V);..'.1-....
. En el semicicló, positivo, i.r.¡ando lal tensbn oe atterñá ,cbi¡i.itru á disminuir, el
diodo se polariza en inversa representando un circuito'.uU¡.rtá, ini¿iufr.nté .l
gondensado{ no-pltgd9 ¡desc,.3rgarse,. po¡ lo si¡s e*remos
,gr1. ]u rlgnsiQn,enlie
pérmanece ógnstanié (vs=yi), €n estas iondiciones ja tg¡gión.de salida tóma el
',r'.',i. 1,, ' , 'i. . -. t,, t,.
:t ' ,' r':.' -.:,-' i ,
' ':'i_i :_:

-1.-
 CAPITULO I: DIODOS

' De la ecuación se deduce que cuando v¡ está en el rná*¡ro (senort=l), la

de.salida es O (vo=0), es decir que et origen ;. ;;;-t de satida queda
lgnsión
fijada en gl.valor de V. . :

:,
-,
. En el semiciclo neQativo, las cond¡ciones del circuito no camb¡an, es decir que el
diodo cont¡núa.:polarizado en inversa, tu r"l¡ou ..;Áñ;a- üs var¡ac¡ones ,de
entrada dqsplaz¡das en el valor de V. .,

La descripc!ó¡rrealizada es independiente de la forma de onda de v¡ y el circuito

tiene el mismo compoftamlento.

6,3 Conformadores

Los diodos se pueden conectar en serie ó en paralelo para ponderar algunos de

sus parámetros, como por ejemplo incrementar la corriente máxima ó la tensión; pero
también se puede utilizar estas topologías para generar curyas características V-I que
simule funciones matemáticas, por ejemplo veamos un circuito que simula la ecuación
),
X=y..|atopo|ogiacircuita|semuestraenlafigura1.22.

I'u I I

. Figura: 1.22 Circuito que sirnufa x=y2.

En estas aplicaciones generalmente se realizan aproximaciones por tramos, cuanto

más tramos se use mgjor la aproximación,,además se debe indicar qué parámetro del
circuito se identificará con la función a simular, en nuestro casoiadoptaremos que x

ELECTRONICA :

c.{P.l{2
 a't . ,

" ..:

C.\PITULO I: DIODOS

corresponde a la corriente i, y a Ia tensión v, para nuestra aplicación usemos cuatro

tramos, además recordem_os que cada sección de la función debe ser representada por
I ,l '
i ' ':' -'l
una rama en paraletó en'fá'topologíatircuítá1. '"- I

Para el análisis se supone que la componente de alterna tiene su valor máximo

mayor que las fuentes,'de tensión'de continua que se usan ,en"el circuito, por la
topología circuital y por la función a ser simulada solo se usa los semiciclos positivos de
la componente de alterna, conviene utilizar la definición de conductancias para los
elementos resistivos y para las mallas las ecuaciones de corriente, resultando:

. Cuando v¡(V, los diodos D1, Dz, Ds y D+... s€ polarizan en inversa

representando ,circuitos abiertos (i2=i3=i+=,,.0) por lo que en el circuito se
cumPle i¡=ir Y la ecuación resulta:

l-: -11-\JVi

Esta ecuación es válida pdrd v¡=Q hasta vi=V, por lo que también se'puede
escribir la relación:

. Cuando Vsvis2v, el diodo ,Dr se polariza en directa y representa un

cortocircuito, y los diodos.Dz,'Ds, Dq.,., se polarizan en inversa.representando
circuitos abiertos'por lo que en el nodo A se cumple que:
; ¿i
!. -i
!: -!1
¡ ¿.

con:

ir:Gv' ..

. :-:
i.:ZG (vi-V) ,

.:
Reemplazando resulta :

i, :i, +i, -+ i, :Gv +2G (vi -V)

Desarrollando resulta
:'

1, =3Gv. -zGV

En base a la ecuación se realiza el siguiente análisis:

ELECTRONICA
CAP.I-13
 CAPTTULO l: DIODOS
t t- - -'
'AF¡i**.,E!¡''r'.'.','.

' '¡
' i
.i .:
rí-¿\Jvi
-t1--- rr:4GV
I -
; ',, 1." , ,
. Cuando 2VSv¡53V, los diodos Dr y Dz se polarizan en'd¡recta y representan un
cortoc¡rcuito, los d¡odos Da y D+... se polar¡zan en,inversa representando
circuitos abieftos, por lo que en el nodo B se cumple que:
I :'I -{- 1 -+- l

..1
Il-\JVr
-^--

i -2C 1rr -\/\

ir:2G (vr-2V)

En la ecuac¡ón de corriente se tiene:

i -.i +i
ti--1 +i :Cr¡ +?C lv \7\
--J iLi-uvit¿s\vi-v)¡¿V r a/- /-- 1\I\
\V,-¿vl
't2't3 -
1 :\t-\7 -\/
-hf

A partir de esta ecuac¡ón se realiza el siguiente análisis:

a) Si v¡=2Y

ELECTRONICA
cAP.l-4{
 CAPITULO I: DIODOS

Cuando 3Viv¡<'4V,:los diodos Dr, Dz y Dg se polar¡zan en rd¡recto y representan

un corto circuito, el diodo D+ se polariza en ¡nversa representando un circuito
abierto, por lo que en el nodo C se cumple que:
'i!i-rIT-L?Tf3-f.i
-'i +i +i +'i .
:

l-, -\l v :

tr:2G (vr-2V)

LI=ZG (v, -3v) '

Reemplazando:

ir:i, +i.+ir+i, -) i,:Gv, +2G (vi-V) +2G (v, -2V) +2G (vr-3V)
ir:7Gvr-12GV

A partir de esta ecuac¡ón se realiza el siguiente anál¡s¡s.

a) Si v¡=3V

i, =7Gv, -L2G 2\t

J
t-
""
ir:3Gv, -+ i,=9GV
b) Si v¡=4V ',

ii=7Gvi-12G

se:éstablece que la

\-
l,
 CAPTIULO I: DIODOS

Para asimilar a la_. ecuación matemática que se. s¡mula resulta:

:
(,, \'
vi '

' ^-- | -----=- I -+ x:v'

¡ I l,- 2
l-.:GV
'

\v ), ,'
.'
RepresentandqenunSiStemadeejesSet¡ene]

Figura: 1.23 Característica de la simulación x=t'.

6.4 Discriminador de porción de onda

En esta aplicación del diodo, el circuito perm¡te seleccionar una parte de la onda
de entrada durante un interualo de tiempo, es dec¡r que la salida es una cop¡a exacta
de la señal de alterna durante el intervalo de tiempo conocido con el nombre de tiempo
de muestreo, en este tierirpo a los .diodos_ se aplica una tensión de continua de un valor
tal que permita la'polarización'directa y fuera de ese tiempo se aillica'una tensión que

ELECTRO¡-lCA
CAP.I-4ó
 C-{PITULO I: DIODOS

polariza en ¡nversa a los diodos, en esta aplicación la tensión de continua. no está

relacionada con el valor'de,la señal de alterna, la que debe estarsincronizada con la
porción de la señal Oá'álterna del qúe se quiere tomar la muestra en el tiemilo de
muestreo o tienrpo de polarización en directa o inversa de los diodos. El circuito que
permite realizar esta función es el indicado en la figura t.24'-

En el circuito de la figura 7.24 vi es la señal de alterna de la cual se toma una

muestra en et tiempo Tt y no se toma en el tiempo T2, la fuente'de'tensión que
permite este muestreo es un generador de onda rectangular y el funcionamiento del
circuito es el siguiente:

. Durante el tiempO Tr del generador de muesirec el nodo A se hace positivo con

respecto al,nodo B por la aplicación de una tensión de valor V, los diodos Dr,
Dz, Da ! Da se polarizan en directa y se comportan como cortocircuitos, en estas
condiciones entre el nodo C y el D se tiene un cortocircuito, acoplando durante
el tiempo T1 e[ generador de alterna v¡ d ld carga R¡, la tensión de salida vo
copia una porción de v¡.

. Durante el tiempo Tz del generador de muestreo el nodo A se hace negativo con

respecto al nodo B por la aplicación de una tensión de valor V, los diodos Dr,
Dz, Ds Da se polarizan en inversa y se.compoftan como circuitos abiertos, en
!
estas condiciones' entre el nodo C Y el D se tiene un circuito abierto,
desacoplando durante el tiempo Tz el generador de alterna v¡ d€ la carga R¡, la
tensión de salida vo toma el valor de 0V.

vc

+V

Figura: 1. 24 Discriminador de porción de onda.

. ,1,-. ,,
:

De la descripció¡.del funcionamiento del circuito se deduce que lá componente de

no nui¿ circular iorriente por la carga R¡, ei* decin que los'diodos
cont¡nua se
;;;.¿.;om;-ri r..l.run .ápul¡tores aislandJ la lutsu' de eka cornpon.nt. de

ELECTRONTCA
cAP.l-47
 .-._.
' : t,
,:. ,,
tt t -.',
. .

, r .-'- . - . ; ,,'
' r .: .:-,'.i. : .'::¡.'-
l : '' .. .,1
'.
...,t.:- _,,
,,t..-...,,,..,
,:
. I .
cApITULo I: DIoDos

continua y acoplandg selectivgmente la de alterna.

.1''.;'',':..,..','i,;:'.'l:,';'
i',, ) '; ' "' '
7 CÜnvérsdies ie pbi'tencia "'-:r ' " '

'...
Los converiores Son circu¡tos que transforman una clase'de energía en otra, por
ejemplo convie-ften 'un:voltaje de alter:na a un voltaje de contirlpa, en ártu pro.eso se
'i -
establece un pa¡ámetro,que perm¡te medir la eficiencia de convers!ón, los circuitos en
f.
base a diodos Qu€',.realizan este proceso de , conversión
l.

l
|
--
---
el nombre de
lr , .. '
reciben
rect¡ficadores, hay dos tipos de estos circuitos, los de media:'onda y los de onda
completa,'egtop conversores.sg emplean como fuentes de atiméntación para polarizar
componentes electró¡icos,'
tii'
por lo que deben presentar, una alta eficiencia de
-- -..- -.! r-
conversión, Pdrd lgSrgi optimizar los parámetros de conversión los rectificadores utilizan
'.

capacitivos y/o indu{jvos y en muchos casos además se emplean reguladores d.e

fltro.l
tension y/o corrie¡te, .el,' diagrama en bloques de este conversot ,se muestra en la
''
siguiente figura. : :ir ',

Figura: 1.25 Diagrama en bloques de un conversor de alterna en continua.

Los rectificadores son circuitos que aceptan como señal de entrada una
componente de alterna y su salida es una señal pulsante que contiene una componente
de continua y alterna, la característica tensión corriente del diodo que se usa para este
proceso es la que se encuentra en el primer cuadrante; es decir que el diodo trabaja
solame¡te en su zona de polarización directa para dejar pasar un semiciclo de la señal
de alterna y bloquear el otro semiciclo, puesto que el diodo entra'al tercer cuadrante o
de polarización inversa.

7.1 Rectifícador de media onda

En este conversor se emplea la tensión de línea de la red de distribución eléctrica

como entrada para realizar la conversión ó se emplea un transformador elevador ó
reductor para la componente de alterna en la entrada y así lograr en el proceso de
conversión el nivel de continua deseado en la carga, en la figura 1.26 se muestra el
circuito
- rectificador
i': , . dg media onda en la
que se utiliza un diodo,.con esta topología se
,....- ..., . i .,, '; "
obtiene' a la salida'uñ-a tensión positiva, en caso de requerir ünd'tensión negativa en la

ELECTRONICA
cAP.t-48
 '.".',..: : l

CAPITULO I: DIODOS

salida es suficiente invertir el diodo.

Laltensión e'n el qéCundario del transformador tiene la misma"forma que la del

primario y éste es senoidal:' ' ':
v, :V_s rncot
'

El valor medio de esta señal periódica es cero.

. Durante el semiciclo positivo de v¡, el diodo se polariza en directa, dejando

circular una corriente en el circuito (ia diferente de cero) como la malla es
resistiva, la corriente tiene la misma forma que el semiciclo positivo de v¡, esta
corriente prodtice una caída de potencial en la resistencia de carga R¡ (vo), el
que tiene la misma forma QUe v¡.

Durante el semiciclo negativo de vi¡ el diodo se .polariza en inversa,

comportándose como..l.rn circuito abierto y no circula corriente en el circuito (i¿=0), por
lo'que la caída de :potencial en la resistencia de carga R¡ €s cero (vo=0), lo que
significa que el diodo recorta los semiciclos negativos de Ia tensión de entrada. ,

' ' . Figura: lJ6 Rectificador de media onda.

1..'
- j-
- - ,
Las formas de onda de v¡'y vo se indican en la figura 1.26_; del circuito la ecuación
de tensiones resulta:

vi:vd+vo
,':
Con: '¡- l1
:

: '

1¡ :i r
vd-ldrc

\f :l k
'o -C"L

ELECTRONIC^{,
cAP.l-49
 CAPITULO I: DIODOS

r- i.. i-

La ecuación palg la tensión vo sobre la carga: , .

r.: *F sinc¿t
. td 'r)L :

''
Las ecuaciones de ia y vo confirman que ambos tienen la misma forma, solo
difieren en el valor de la amplitud, en la f¡gura L.26 resulta ev¡dente que:

a) t.: *- sin<¡r. ) Io: *

!c I r\t

r¿:I-sinc¡t É O en O < c¡t < n

b) io:g efl n < c¡t < 2n

Estas variac¡ones se rep¡ten en forma periódica, Ia tensión de salida vo tiene la

misma forma que Ia corriente ia, por lo que el análisis es vál¡do para ambos
parámetros; la tensión de entrada v¡ €s una onda periódica conlvalor medio 0, la
corriente i¿ y la tensión vo por su forma tienen valor med¡o distinto de 0, para
conf¡rmar lo expuesto desarrollemos la onda i6 según la serie de Fourier:

,I_=- I* +, I" Sanot_

^.:-..! 2I^,. -^^---L _2T^
cosZot_ cos4ot-
2f
cos6c¡t
-n2n3n15n
- - 35n

El primer término en el desarrollo es la componente de valor medio ó componente

de continuar la modiflcación realizada por el diodo €Ft v¡ confirma el hecho de la
conversión de una forma de onda en otra, el valor de continua obtenida es (I./¡)
reducido, pero aún se t¡enen componentes de alterna, ésta convers¡ón se puede
optimizar adicionando al circuito filtros que mejoren la componente de continua y
reduzcan aún más las componentes de alterna
.-- |-
El rectificador de media onda se puede utilizar como una fuente de continua, para

ELECTRO\IC,\
cAP.¡-50
esta aplicación son importantes algunos parámetros, cuyas ecuaciones para su cálculo
posterior se deducen,det¡as formas de onda y de las definiciones de lq sgrie de Fourier,
uttor parámetros,.iohi"L'corr¡ente 1r-ténsiónüé'"aontiñüa (rcc, vCü), la'poienciá de
continua en la carga (Pcc), la potencia de alterna (P.u) que se suministra al circu.ito
(entrada); el rendimiento dé conversión (n); fáctor de riple o rizado (FR); tensión pico
inverso (VIP) y la regulación (Reg).' Desarrollaremos cada uno de estos,parámetros
que permiten dimensionar un rectificador de media onda.

a) Corriente y tensión de continua,- Representan la corriente y la tensión de

continua que se quiere entl.egar a la carga (Rr) a pañir de una componente de alterna,
la definición por identificación de la serie de Fourier resulta:
'

1 ¡l:1
r..: ¿Í\
^| -)[= i"a t"t)
Desarrollando para'la forma de onda de la figura t.26:
,l
lr
T_ II I-¡-LrruLu\wu/
T -iir¿rt-Al¿ri- \ * I T < i nr,¡f ri lr,rf \
¿T7 zn
^l r
'
j:
:.!

En esta ecuación el segundo termino del segundo miembro es igual a cero por que
el diodo no conduce'en este semiciclo de la onda de entrada, por lo tanto la integral
resulta.

I-r:I-/ :- --
I..=-::
LL 2n cosotl;'"
(cosn-cosO)
2n '.

Como cos¡=-1 y cos0=1, resulta

T
*a :
-\aa
l:-
n
':
Como:

\/
l--

ra +Kr

Reemplazando en la ecuación de lcc.

-rCC---ro \ T v-
tCC- __
n - n ( q+KLl
'
La tensión de cóntinua (Vcc)
l-

. .: ,.,,,, r.. '.. i-,..'

í'
en la carga
-
'-
resulta:
t i
"

ELECTRONIC.{
cAP.l-51
 CAPITULO I: DIODOS

;i!__gli_L__
'cc
n ( rd +KL)

de Icc y Vg6 repr€sentan la corriente y tensión de continua en la

carga a partir de la componente de alterna en el circuito de entrada.

b) Potencia de continua sumin¡strada a la carga.- Representa la potencia de

cont¡nua desarrollada en la carga por la corriente y/o tensión de continua obtenida a
partir de la alterna de entrada y se def¡ne como:
t..
:.'
P :V'cc-cc
-cc T :f ' P'- ".':
.

Reemplazando Icc y/o Vcc se obtiene

V_,
D:nD
-cc nrlq+Rr), ^'t

c) Potencia de alterna en la entrada del circuito.- Es la potencia de entrada

en el secundar¡o del transformador para que el rectiflcador pueda convert¡rlo en
cont¡nua, como se refiere a una potenc¡a de alterna, esta se define en función del valor
ef¡caz de corriente o tensión en el circuito, la resistencia que representa el circuito está
formado por Ia carga, la resistencia dinámica del diodo y la resistencia del secundario
del transformador que normalmente es de un valor muy reducido, razón por la cual se
desprecia en el cálculo, por lo tanto la ecuación es:

P
-ca =I2, \ .-ci +R
+deíf--(r ' \L/
)

EI valor eficaz de la corriente se define como:

l-
-cett

Reemplazando la corriente ia en la ecuación del valor eficaz y por la definición de

los límites de integración solo corresponde a un semiciclo resulta:

Il-
r.",r=./i fn

\¿n -I
i;= in2c¡td (c,¡t )

La relación trigonométrica de sin2(ort), es:

.. . ',-_
,a,..,-'- . ., , -

-
ELECTRONICA
cAP.l-52
 ., '-.: ¡.,i]
..,. -
.i , ; '.
,jr¡¡:. .:-'.- 1.
.¡.:"', ; -: :

Los límites de'integración son 0 y n '

..
lf
l-deÍ:--=1l^l-
¡-,1-cos2c¡t
| T- _.-d(ot)-
.2
^:
\2n úl^

lr3 lln \ (t '' )l

r.",,:,,/f I [ ; -o I - t ; sin2n - e'lo,l
;- 0 )J
\JZnl\t :, \-
IL
, I

La potencia de alterna resulta:

-. -r?
t-
p :Ii \-d--.L, -¡? p--- '.- (r,*R,)
tta- nL,/ +
-7 P.,:
tca * rr
\-C +R \
'ca -deff--(r-+R.l 4""- -7 At- \t) \2 : "L/

t¡3
p:
-ca
tm

4 (ro+R.)
.- .: : :

:d) Rendimientá.0 ¿nciencia de rectificación,- Este ,parámetro representa la

capaciáad que t¡ene di,circü¡to dé conver:tir la potencia de alte¡1a regigida e¡ la entrala
dél circuito ei1 poteq_ó]a Qe ,.qontinua entregáda en la carga,".en rcondiciones !{eal9s
debería tener un valoi,.de iob"z"; eF dec¡r que todo lo que igSjtie lo transforma y nada
se p¡erde en el proceio, el rendimiento del 100o/o representa'a un óonversor ideal en
nuestro caso debería.áproximarse a ese valor, el rendimiento se define como el cociente
de la potencia de cont¡nua en la salida sobre la potencia de alteina en la entrada.
.. i.' ' . : . .' l
Potencia:-de iáIida
.i . i
100
Pocencr_a Oe entraoa

3:.:

ELECTRONICA

: : .::
:',tr 3
;, -!.i.

..:
-. : : r' \j:;.1.:.t1r.:a::a
vi
 CAPITULO I: DIODOS
- -:. ,.,:;. ".: .::.

De las ecuacipnes de la pptencia de continua en la salida

.,,'..i.-'
la de alterna en la
entradi.del circuito resulta: - '..
'¡::' ;.
' -;. . r, '.r
': :.(
':: '
a ' i
i \7'
ut
'r ; -
p
¡:s100
'
-aa
ñ
- ^
-+ n:----:-::_-=.l.|-100
' t7¿
,l..lv*.
4 (ro+Rr)

4R_
' n'r*R
f UU
-d :'.L
-
Transformandgsgtobt¡enei ,,r, ,, j
'
40,6 ^ ,o

r+!

Normalmente la res¡stencia dinámica del dioCo es muy pequeña frente a la

resistencia de carga por lo que el cociente 16 d R¡ tiende a 0 con lo que se obt¡ene un
rendim¡ento teórico de r1=4gr60/olo que significa que del 100o/o de energía de alterna
rec¡bida, solo el 4},60/o se transforma en energía de continua en la salida, perdiéndose
cerca del 60Vo como potencia disipada por efecto loule en los elementos res¡st¡vos, en
condiciones reales el rendimiento que se obt¡ene con el rectificador de media onda es
mucho menor que el teórico de 4},60/o, esta condición será mejorada sustanc¡almente
con el rect¡f¡cador de onda completa.

e) Factor de riple o rizado.- Es un parámetro que indica la componente de

alterna que circula en la carga superpuesta a la de continua, es decir que en forma
similari al rendimiento éste parámetro establece la importancia de la conversión, el
desarrollo de la serie de Fourier para la forma de onda en la carga nos mostró las
componentes de alterna que se tenía, por lo tanto el factor de riple o rizado se define
como el cociente del valor eficaz de la componente de alterna en la carga, sobre el
valor medio o la componente de continua en la carga.

FR:
Valor medio en 1a carga
Se puede tomar la definición para las tensiones o las corrientes en la carga.
T
¿eff\v¡¿lan I : ¡:rn:
vs¿Yu/ \
ñ
!!\- u-
T Y¡-
-cc
.':. .- ':

La corriente eficaz se refiere a la componente de alterna que circula en la carga

ELECTRONICA
cAP.r-51

-
 ;, i;i .l ,

cuyo valor no se conóCe con exactitud, se podría calcular a partir del .desarrollo de
Foúrier, pero también.¡ sg podría realizar un cálculo indirecto tomando en cuenta que en
r ¡-{i-. .. j . ¿ ,::.r,. -j r

la carga circula una'compbnente de continud Icc superpuesta con úna componente de

alterna i', por lo que la corr¡ente en la carga sería:
. rt
1 :l
^cc-|- * 1

Nos interesa el valor eficaz de i':

r L^^
-!:

Donde i¿ es la cotflente de alterna entregada en el secundario del transformador e

Icc €s la componente'de continua ya deducida, de la definición de valor eficaz para i'
resulta:

reff- ! i'n (i')ta (c¡t)

2n e r'.

Reemplazando i':

I 1 rlr
T' I ' l-"
*efÍ =1l^ l.i ¿^^/ ]?á
l" \-d -T
lr,rt )
s\wv,
YZn "
.

r' t ll

r¡t T +t?--lcl rr,rt)

=/
reÍf-ll^ f-- r*c -2i
-*i'c:'¿.^/v\wu/
Y./n "'L

Como el valor ef¡caz de la corr¡ente del diodo es:

| ;t-

- | ilr./,.f'\
r¡L¡,\t¡JL,/
I
-2n4 ,

. :. : ¡.:. : l
. ri.:. ,:.

y el valor de continua de la corr¡ente del diodo es:

.1. . : : .

Í"": 2lÉn I i^d (c¡t )

¿n 'J

Resulta el valor éficaz de alterna en la carga:

t-2
I"rr:VIi"¡.-2I¡c+I¿c
^-2 .

rlta
I"ff:V ro"fr - fcc

Por tanto: 1
-1.::i

ELECTRONICA . '.¡ .. .

"cAP.l-55

-"r: ! -:,1 ¡'r: '

 CAPITULO I: DIODOS

lr¿ +Z

----Z iir:- { fo.rr - rcc

' ... , ¡,
'l ,r'r._:,.-,_,
"r. f,

l-
tn

-:
-=
A

t-
-m
7
t^
FR:V( L, 51 )'-I -+ FR:l, 21

Este resultado nosÍndica que la componente de alterna es mayor que la de

cont¡nua en la carga. ''
'

O Tensión pico'inverso.- Representa la tensión de polarjzación inversa qqe el

diodo debe soportar 9¡ cada ciclo de la componente de alterña en la entrada del
circuito, el cual es el valor máximo de la componente de alterna (V-) esta tensión no
debe superar la tensión de ruptura del diodo:
\7Tn-r7

g) Regulación.- Este parámetro representa la capacidad que tiene el

rectificador de entregar la m¡sma tensión de continua cualquiera sea'la condición de la
carga, es decir que expresa la relación de la tensión de continua de salida en función de
la corriente de continua en la carga, y se la define como la razón de la tensión sin carga
menos la tensión a plena carga sobre la tensión a plena carga, idealmente este
parámetro debería valer 0, es decir que la tensión de continua del rectificador s¡empre
es del mismo valor cualquiera sea la corriente de continua que entrega a la carga.

- Tension sin carga-Tension plena carga a A^ó

ffi

rTtanci ¡n ci n
v"
J. gilDI\-rrr -rll \-o!ua-
^lrra=
n

..L
Tpn q'i
I U¡¡JIVIl ¡n nl on a Uc'!Ud.-
VTg]Iq ^- ":-
; r"-*
\/\/p
,n rn ..L

Rorr:
; -; r.*,
i.j.

ELECTRO}*ICA
cAP.l-56
 CAPITULO I: DIODOS

n ^ ^- Lu
^'-:J
R

En la aplicació¡ de los rectificadores de media onda como fuentes de tensión de

continua, normalmente'se cumple Que R¡))r¿, por lo tanto la regulación tiende al
valor de 0.
Con este:,parámetro ,hemos completado las lecuacion€s ,QU€ pern'liten
dimensionar un rectiflcador de media onda.

7.2 Rectifíador de onda completa

El rectificador de media onda que se analizó contiene mas componentes de alterna

que de continua, esto se expresa en el parámetro de rizacio, condición que para muchas
aplicaciones resulta inaceptable. Este rizado puede reducirse considerablemente
empleando rectificadores de onda completa.

El r:ectificador dei onda completa, entrega corriente en el mismo sentido y dirección

a la carga durante el s'emiciclo positivo y negativo de la tensión senoidal de entrada. Se
tiene dos topologías circuitales que realizan la rectificación de onda completa.

a) Rectificador de onda compteta con derivación central.- Este circuiio

está formado por dos rectificadores de media onda conectados de tal forma que Ia
conducción se realiza por un diodo durante el semicic¡s, positivo:de la tensión de
entrada y por el otro durante'el semiciclo negativo, la corriente en la carga (que fluye
en la misma dirección y sentido) es la suma de las dos corrientes de cada semiciclo,
como el mostrado en la figura 1.27.

Vi
VM

1Á't

Id
v-1
r\Dr' ,i

'Dz 'D,i ' ' 'Dt'

0¡2n3n4r W¡

i
Figura: 1.27 Rectificador de onda completa con derivai¡án ¿entiai;

Para esto se usá'un transformador con dos bobinados secündarios ,._ r. l exactamente
iguales, conocido-con.el nomb¡e.de derivación central, el sgntido del bobinado de los
¿os secundar¡os debé ser' tul qu€ induzca una tensióñ ,: -.
en
.l
cada
::
secundario de

ELECTRO\1C.{
cAP.r-57
 : , ,:., r: .
. ,

...''-'
.'t' , .l

polaridades aditivas en
: ,
'cada semiciclo de la onda de entrada en el primario del
.- -i-, ---:
transformador, como el mostrado en el circuito de la figura 7.27.
:.
La,tensión en cada uno de los secundarios del trahsformador tienen la misma
forma que'la del primario y este es seno¡dal.
.,::
v,=\siru,lt t .

Con el circuito de la figura 1.27 se obtienen tensiones positivas, si inveftimos los

diodos se obtienen tensiones negativas, el circuito funciona de la siguiente manera:
.t.. :

. Durante el semiciclo positivo de v¡ se polariza en directo el diodo D1 ! en inversa

el diodo Dz, e! dj.odo Dr conduce la corriente i61 Qu€ circufa por la resistencia de
cargaye|d!odqD2-S€comportacomouncircuitoabiefto...

. Durante el semiciclo negativo de v¡, s€ polariza en invérsa el díodo D1 ! en

directa elldiodo Dz, El diodo Dr se comporta como circuito abiefto y el diodo Dz
conduce la corriente i¿z QU€ circula por la resistencia de carga.

. Las corrientes i¿r € i62 producen una diferencia de potencial con la misma
polaridad en la resistencia de carga (vo) con lo que la tensión de salida tiene la
misma forma que las corrientes mostradas en la figura 1.27, la tensión de la
ecuación de salida resulta:

\7 :\7 +1/
"d "o

En el semiciclo positivo (i61+0, i¿z=O).

r¡:i
'd r
*ci1-d1

\f" o:'i *d1"L

R

En el semiciclo negativo (ior=0, i¿z*O).

r¡ :'i* d:-ci2
r

r¡" o :i *C2-RtL

Como los diodos son iguales i61=ior-i¿, r¿1=t'62=r¿, po¡lo tanto:

vi:vd+vo -) v, :j-drd+ioR,

\r't
i.: I .

'' '' rc*Rl ' "I '::'I 't :..' ,

ELECTRO¡iICA
cAP.t-58
 i" , .¡ ,i.i-¡ ¡
¿i(í
' ''':'.
t .;i ti ....1:

i :T qinr.rf

\T
Donde: r-:
"'
'=
r+Q!¡
'¡\:

La ecuación pará la tensión de salida vo=i¿Rr sobre la carga:

\/p
v _ !\-
V^- >-Ll!(rL
- r. +R,
- ;

Para el diagrama de ondas de la figura L.27 se tiene:

.-'
a) En el semiciclo.positivo
\/
->.1--=-r+* !¡ ¡ ¡\T

enO<c¡t<n
io.:0en0<o:tln
b) En el semiciclo negativo

ior:0 €ñ n S. t¡t I 2n

.v-.v-
!:- I ¡:4
L)a
r-LP "' r*R
-d'"L .

,:;. - i., ,,,. ,

io.=I*sinclt *'0 en n S. olt < 2n

Estas variac¡onei.ie repiten en forma periódica, tu .o*ü ,e afirmó ia tensión de

sal¡da vo t¡ene la misma forma que las corrientes, por lo que el anális¡s es válido para
ambos parámetros; la tensión de entrada v¡ €s una onda per¡ód¡ca con valor medio 0,
en camb¡o la onda de salida tiene valor medio distinto de 0, realicemos el desarrollo de
la onda i6 según la ser:i¡,dé fourier,;resultando:
,. ,, ,,,
': .-,

ELECTRONICA
 l

;:r.,..::-.,'":'-'.-,,"t,..- " : t.r ::,,'r:r:,,,,',

'.;',,'':;..','.].....:.,'.'.::-'.
.lt , ,;...:, .. l

El primel !é¡m]no -eq et desa¡rollo es la componente de valor medio o componente

de continua y gue res,uJta el doble del que sq teníq'en e! rectificador de media onda,
además se puede oOieúaí, que no está presente la componente fundamental de la
onda, este hecho reduce las restricciones al momento de'diseñar el filtro de ialida que
mejorala co¡npoñgnte de continua y reduce las cornponentes de,alterna,

Los parámetros del lrectificador de onda completa son los mismos que los de
media onda. Los mecanismos empleados para la deducción son similares, obviamente
con mejor resultado.l El lector aplicando los mismos procedi'mientos puede deducir sin
dificultad los parámetros,
: .. ,.
para referencia resumiremos las ecuaciones obtenidas para
estecaso: .,1, ..
. :....'
a)'Corriente V teiisión'de continua.- l. ,

)\l
¿v-.n:
-J^^- -------.----i- ;-l'
nfr+R1
¡¿\!dlr\L/

17 ¿/ \tvmr\L
<

n (q+Rr)

b) Potencia de continua suministrada a la carga.-

f")-lD
4V'
nzl r +R \z

c) Potencia de alterna en la entrada al circuito.-

\t"
'n
ñ
-
2 (ro+Rr)

d) Rendimiento o eficiencia de rectificación.-

^a
vLlL ^
I-i- -b
r
1+ 'd
RL
-

e) Factor de riple o rizado.-

FR:O, 4B

. f) Tensión pico inverso.-

'.
VI p:,2V* -
.,-',1

ELECTRONICA
c.A.P.t-60
 CAPITULO I: DIODOS

g) Regulación.-
';1'! r :
", i i-i
Keo= ñ

El lector deberá ': realizar en I base a las ecuaciones r'las ' conclusiones que
corresponden.

b) Rectificador Onda Completa en Puente

'

Este circuito está formado por cuatro diodos dispuestos de tat manera que en
cada semiciclo conducen dos dicdos simultáneamente, la corriente en la carga es la
suma de las dos corrieñtes en cada semiciclo, el potencial que produce en la carga tiene
la misma polaridad para cada semiciclo de la tensión de entrada; en este rectificador el
transformador tiene un solo seCundario, el diagrama eS el siguiente:

Vi
Vv

W1

ld

DrD; DuD., DrD, nn

ulvl

0¡2¡i;r4n W1

Figura: 1.28 Rectificador onda completa en puente'

,:
Con el circuito o€.td,lgura t,2B se obtienen tensiones poÉ¡tivas en la carga, si
invertimos los diodos se obtienen tensiones negat¡vas, el circuito funciona de la
siguientemanera:.j...i'.]...u.
. Durante el semidicio positivo. de vi se polariza en direCo los diodos D1, D3 ! €r'l
inversa D2, Da; fos diodos Dr y Dg conducen la corriente i¿1 Que circula por la
resistencia de carga y los diodos D2 y D¿ se comportan como circuitos abiertos.
.,.,;.-::,', ,.,. .. . "1'

. Durante el semiciclo negativo de v¡ se pOlar¡zan

:
inve¡sa, !o¡ diodos Dr, Ds y
. :
el
. ..

en directa Dz, D+i los diodos,Dr y D3 S€ comportan cómo c¡reÚ¡toS aO¡ertos y los
diodos Dz y D¿ conducen la corriente i62 Que circula pói.iá resistgncii de carga.
_
. '-..
Las co[r¡entes ia'i e
iqz (Cue,circulan
.
en la misma,fliiecc¡O¡,y ¡entido'por la
tt :

resistencia de iarga) producen una Caída de tensión bon ia. misma polaridad en

ELECTRO}iICA
cAP.l{l
 CAPITULO I: DIODOS

la res¡stencia de carga.
r¿.-
Como
. ::. 'i
se habrá notado
.' .::
el funcionam¡ento del circuito',es similar a la del rectificador
onda completa con'derivación central; por lo tanto ta¡nbién sbn válidas las ecuac¡ones
detalladas.para e.ste tircuilo., rp este rectificadollpuéiite ¡e la diferenci-a en la
ilene
tensión,pico inverso que,é-n nuestro caso resulta:' . .
, ' , ^, ,

vrp:V" ,,, ._ , ,

8 Filtros

La corriente o tenqién obtenida de un rectificador de media pnda u onda completa

contiene componentes, de continua y alterna tal como se-puso:de manifiesto en.el
desarrollo de la serie,de Fourier y'en otros parámetros de'¡os rectificadores, para
reducir las componentes de alterna se emplean filtros capacitivos y/o inductivos, al
introducir estos flltroi en él circuito rectificador se cambian considerablemente las
características de conducción del o los diodos logrando una mayor componente de
continua con un valor reducido de alterna, esta componente de alterna remanente se
puede reducir aún más usando a continuación del filtro un regulador. Analicemos los
circuitos rectificadores con filtros capacitivos tal como se muestra en la figura 1.29.

_l vo

\ ¡t
Cx II¡l
\/I ca C{ tl
--\) il
O{ tl {t
II

I
I

Figura: 1.29 Rectificador con filtro capaciüvo.

El funcionamiento de los rectificadores de media onda y onda completa ya fueron

detallados en la anterior sección, veremos cómo funcionan con el filtro capacitivo:

; En el 'semiciclo positivo el' diodo D(Dr) se lpolariza en 'directa conduciendo

r corriente i6(i¿¡), el, capacitor C-se carga a través del diodo'![ valor máximo (V*)
de la componente de alterna en la entrada.

ELECTR.NI.A
cAP'l-62
 . Al disminuir la señal de entrada a partir del máximo positivo, el capacitor
mantiene su carga y,el diodo queda polarizado en inversa, puesto que ta tensión
.; -n .''-'. .'.i.,.- ..,
de.1:ánodo del diodo es menos positiva que la tensión del cátbdo, por lo que no
conduce, es decir.que se comporta como circuito abierto.
.,, ,. , _-1,,1j
. El capacitor se descarga a través de,Rr- con una constante de tiempo t=RrC, si
la constante de'tiempo de la,descarga es'mayor que el periodo de la tensión de
entrada, el condensador en dicho periodo no se descarga totalmente hasta que
el diodo en el .próximo sémiciclo'positivo se polarice nuevamente en directa y
reponga la carga perdida en el condensador.

De la descripción.iealizada se concluye que por la resistencia de carga no,deja de

circular corriente, eléctrica, por. lo 'que el valor medio del rectificador mejora
considerablemente, : disminuyendo la componente de alterna; las condiciones de
selección del capacitor son menos restrictivas en el rectificador de onda completa que
en el de media ,ondqr' porgue las repeticiones.de recarga son más frecuentes' en el
rectificador de onda completa que en el rectificador de media onda además puesto que
en el de onda completa no existe Ia fundamental y en el de media onda si está
presente. '
-

. La determinación det voltaje de alterna (v"(t)) superpuesta a la de continua es

necesario para el diseño de un circuito con una cantidad-de rizo"aceptable. Con
una muy buena , aproximación el voltaje de salida a través del circuito R¡, C
puede escribirse.como:

rrvo\lf e/\-\/
-:
6 i
'r::<"

Donde: , ',.

t=RlC constante de tiempo de descarga del capacitor. ;

tese|tiempodespuésque|asa|idatomaelvalorpicoV'¿*
'.,.
Vr"* componentg de alterna máxima en proporción con lá:tens¡ón de entrada.
--t'l '..'
vo(t ) :V*.*€ rrs. :; I

,',t,,,, : ., '

. ..;,.
Cuando el condeñsador está en proceso de descarga a tiaúés de R¡ (diodo
-
polarizado en inversa), el voltaje mínimo que alcanza se pr.á. expresar como:

cAP.l-63
 '. .i-¡.:

CAPITULO I: DIODOS

1
1; ,ir.' ,'r"'' t '.'t "
,,
/ t.\
Viv*.*--vr,*e:{t; %=v-,"* | r-. ;
.: '':':""'l \ I
¡

' ; ( .n,\l
\/-\/
|ll-l' ' rl
V,-V*a*l'-lr-;ll
L \ r}t'" /J
'l
. Tt
\., =\/
'r 'max ñ
' Ár-u
^

En todas las aPlicaciones se requ¡ere una tens¡ón de rizo reducido, para esto se
debe tomar lo mas Próximo a Tp, s€ puede adoptar T'=Tp,, con lo que resul¡a la
T'
tensión de rizo:
T
ur-
"nax
""
"L-

En un rectificador de media onda To es ¡gual al periodo de la onda de entrada

(Tp=T), en uno de onda:completa To es la mitad del periodo (To=f/2), por lo que la
frecuencia resulta:

En el rectificador de media onda

-r
I:-:-
1
TTo

En el rectificador de onda completa

' ':' 1 r,,.1,:i-r':l
I:-:-
T 2To

ELECTRO}-.ICA
cAP.l-64
 r .: "- -1'

CAPITULO I: DIODOS

Reemplazando !a ecuación en la tensión de rizado.

'.^:
En el rectificador demedia onda.. . .. ; :::

. ,.,

t: - t
Í¿,{
f R.C

En el rectificador de onda completa

ur-ua¿r
2f R,C

Con estas ecuac¡ones se determina el valor del capacitor que se requiere para
filtro y para una tensión de rizo prefijado.

8.1 Corriente en el diodo

En los rectificadores de media y onda completa con filtro, el diodo conduce
durante un ¡ntervalo,de tiempo (At) reducido, tal como se observa en la figura 1.30, en
este intervalo la corriente del diodo suministra la carga perdida por el capacitor durante
el tiempo de descarga'en la que el diodo no conduce. Si recordamos del desarrollo en
serie de.Fourier realizado, las armónicas tienen variaciones 'cosenoidales ,asimilando
dichas variaciones a la alterna superpuesta a la'de continua en el intervalo ¡t, además
suponemos que la tensión de arranque (Vr) de los diodos es despreciable, se tiene:

\cosc,:At:%-V,
Si el voltaje dé' rizo es pequeño entonces orAt es pequeña, pol lo tanto
desarrollando en una:,série cos(rrrat) y nos quedamos con losl primeros 'términos se
obtiene:
t"
(t¡at )"
cosolat:1-
?,
Reemplazando en la ecuación resulta
'Í^a-'

\coso:at:%-v= + v- t- ty =*-*
l |

I rr,rntyzl .-- t- rnrAr.)3l (" V.)

lr- \wuL/
l=v--v- -+ -- l1-'*-"'
v-
L 2 l,_-.-...- V-'L
2 l:v- J Iv^)
r

t'''l "l'
'

ELECTRONICA
cAP.r-65
 CAPITULO I: DIODOS

¡ i:inr 12"

']. ;
t, -.

La corriente de! diodo (i¿) durante la conducc¡ón en ef tjempo se muestra en la

^t la carga R¡ y la
figura 1.30, gqtb corriente se distribuye una parte (iJ que cilcufa por
otra (is) parq reponer la carga perdida por el capacitor durante el tiempo de no
conducción del dió,do,'por lo que la carga suministrada al capaciior a través del diodo

. ::
Q.=i.at.- ,
:,',i,::
' t,'

La carga perdida por e! capacitor durante el tiempo de desca¡ga es:

I

VD-v vr

V¿

Figura: 1.30 Corriente en el diodo durante la conducción.

La condición para que el condensador recupere la carga perdida debe ser Qo=q.,
reemplazando por sus ecuaciones se obtiene

i.At:CV, * i.:-At+
Reemplazando en la ecuación el tiempo de carga At resulta:

ELECTRO¡iICA
cAP.t{6
 a\\ V.
. u 7

l--...-l

l'\L ,\/
¿.-
: -f 7 ?' , :,;r ,:r: :
-,:'lj'1',¡¡'.',-'.';:'
'';.. .rt, '

,]
Además se vio que:

En el rectificador de media onda

1
l-
- "r -T7'max
^\r
-"L

En el rectificador de onda completa

^4ñ

Estas ecuac¡ones son las que se usa para calcular el valor del condensador para el
rectificador media y onda completa y cómo a=2nf r' reemplazando en la ecuación de la
corr¡ente sobre el condensador se establece:

Para el rectif¡cador de media onda:

'1\/

rTr
------:-
2nf\
rk
-"L

\
\/ f-
1 :/Í lv.
-R 1l;
I - Yr

Para el rectificado¡.de onda' completa:

I

,
a\l
V V-
I -j5
=-
1
¿ln I \/
t/-
,.il
uYum \r

It
,V-
H
"L

" l''' .t, -

cA?.1{7

i-
 : ' .'l '

. , , ., ..:l-,.I :

, I :' ,-'':!i-
rCqn lo qú,g sg detgrr.n¡na la corr¡ente instantánea de los diódos del rectificador:
, :.'..' t,'

Para el rectificador de media onda:

. Los valores que se obtienen con estas ecuac¡ones nos .sirven para verificar que los
diodos son capáces de goportar estas corrientes sin destruirse.

9 Multíplicadores de voltaje
. :.
tas aplicaciones del diodo como multiplicadores de voltaje utilizan topologías
circuitales similares a los rectificadores de media y onda completa, adicionando
condensadores, sobre los que se produce la multiplicación del voltajei como referencia
analizaremos ef caso dg un duplicador de tensión, el circuito de aplicación es el
siguiente:

+
, '-..]J-:
vo

t
,' 'i.' :,.''1'-:'
' '' "::' li¡ -:
I ,t ':t.i ','', , '
.'.., ..
" :; .
cAP.l-68
'.'
''.*ii .
l..,a;1,r..," - I. r''" 'l.'i ,, i;,tr - "'
 APITULO I: DIODOS
_ ..
El duplicador de tensión funciona de la siguiente forma:

. Durante el semiciClo positivo de la tensión de entrada, el diodo O1 sei'polariza en

directa y el diodo Dz €Fr inversa; con Pr conduciendo'y la tlave L abierta el
condens¿dor Cr se carga al valor máximo (Vn.,) de v¡ manteniéndose en dicho
valor; cuando en el semiciclo positivo empieza a disminuir vi polarizando D1 €Fr
inversa y manteniéndose en Cr la tensión V, con polaridad positiva hacia el
cátodo del diodo D1 (vq1=!.).

. Durante el semiciclo negativo de la tensión de entrada, el diodo D1 se polariza

en inversa y el diodo D2 efl directa; con D2 conduciendg V la llave L abierta el
condensador C2 be carga al valor máximb (Vn,,) de vi manteniéndose en dicho
valor; cuando en el semiciclo negativo empieza a disminuir v¡ polarizando Dz eFl
inversa y manteniéndose en Cz la tensión V- con polaridad negativa hacia el
ánodo del diodo D2 (V62=!n.).

. La tensión sobÉ la carga Rr- (vo) por las polaridades descritas en cada semiciclo
en V61 y Vcz es prácticamente la suma de los voltajes en los condensadores.

vo:V., *VO

vo =% +%

vo:2V-

De lo descrito serestablece'que el circuito realiza la duplicación de la tensión de

entrada.

70 Reguladores de tensión
.:'''
.,..r - ;, .',':, '-'' :' ' '

En muchas aplicaCiones se debe reducir a valores muy peqúeños las componentes

de alterna o tensión de';rizado, aún más reducido que el obtenído con el filtro en un
rectificador, estas componéntes de'alterna son tan perjudicialés qüe én algunos casos
llegan a enmascarar ld.s:,señalés útiles ó introducen ruido a los amplifiqadoies, por esto
la necesidad de utilizár reguladores para atenuar o "eliminar" el ri2ado. Hay dos
topologías básicas para estos circuitos, los reguladores serie y pQralelo, para analizar el
principio en el que se!:Qgru! usaremos los circuitos de la fi$ura 7.32,:en la que se
simula la fuente rectifi!?{a y .nllráda por una fuente de .tensió¡ , continua (V), una
fuente de alterna (v) y_1ü¡a resistencia'(R¡) dispuesto en un eqúiválente,de fneuiÁin, en
ambos tircuitos ios regr,rlad.gres sg,iimulan por los poiengióm,glros, (R¡)_cuyo elemento
de control es éensiblé a;ras,ryiialio.n9r de tensión y/o corrieni. qüe se puede próducir
ene|circuitoporvariacióndelrlzadoóde|acarga(Rr)..'].:.....-.l..-.].,.]
'''

cAP.I-69
 _ :' .,r r-
CAPITULO I: DIODOS

.t ¿

Veamos cómo funcionan estos circuitos:

a) Regulador gerie.l
'1 En este circuito el elemento regulador Rp se dispone en
serie entre la;fuente'de tensión y la carga s¡ la tensión de rizado (v) es cero y,'las
..
res¡stencias son constántes, la corriente ir- es cor'rstante y la caída de potencial en Rr
t. .'-
(vo) siempre es del miSmo valor, en caso de variar algun parámetro
--
!-. -t.-- y para mantener
constante la tensión (v") 9e hace:

. Si v aumenta y R¡ constante, la corriente en el circuito se incrementa,

por
consiguiente aumenta el valor de vo, para mantener esLa tensión (vo) constante
se debe incrementar Rp en un valor proporcional al incremento de la corriente,
de tal manera de aumentar la caída de potencial en esta resisLencia (Rp) y
mantener la tensión de salida (vo) constante.

. Si v disminuye y Rr_ constante, las variaciones son de la misma manera pero en

-''-
el sentido opuesto al caso anterior.

. Si es consiante y Rr- aumenta, la tensión sobre la carga (R¡) tiende a

v
aumentar, por ¡q ilue se debe incrementar Rp para disminuir la,corr¡ente en el
circuito y mantener constante la tensión de salida (vo).

. Si v es constante y Rr- disminuye las variaciones sucede¡ exactamente en el

sentido opuesto al caso anterior.

. En las aplicaciones normalmente suceden simultáneamente las variaciones de

uno o más parámetros, por lo que Rp debe ser sensible a estas variaciones para
compensarlas.y mantener la tensión de salida constante.

, b) Regutador paralelo.- En este circuito el elemento regulador (Rp) se dispone

en paralelo con la fuente de tensión y fa carga, si la tensión de rizado (v) es 0 y las
; , /. \
resistencias son constantes, la corriente (i¡) es constante y la caída de potencial en Rr
-.'

(vo) siempre es del mismo valor, en caso de variar algun parametro y para mantener
, . . : t t..¿ ;

i,.

ELECTROI(ICA
. cAP-1-70
constante la tensión (v._) se hace:
;'i - .',...-r- ü ,,,.,
.
.

Si v;durn€nta!,y.iprrconstante,
.:l la corriente en él circuitó,.se',inciementa por
cons¡guiente aumenta el valor de vo, para mantener esta tensión (vo) constante
se'debe disminuir Re en un valor proporc¡onal al incremento de la corr¡ente, de
tal manera de aumentar la corriente que circula por esta resistencia y'disminuir
la corriente que circula por. R¡ y mantener la tensión de salida constante.

. Si v disminuye. y Rr- constante,.las variaciones se suceden de la misma manera

pero en el sentido opuesto al caso anter¡or.

. Si v es constanle yaumenta la tensión sobre la carga tiende a aumentar, por

Rr-
lo que se debg disminuir Rp pdrd aumentar la corriente'que circula por el y de
esta manera disminuir la corriente (i¡) que circula pof la carga y mantener
constante la tensión de salida.

. Si v es constante y, Rr disminuye, las variaciones se suceden de la misma

manera pero eñ el sentido opuesto al caso anter¡or.
'. En las aplicacio¡es normalmente sucede simultáneamente las variaciones de v y
R¡, por'lo'que,.iio debe."ser sensible a estas variaciones para compensarlas y
mantener la tensión de salida constante.

-En los circuitosde,la figurá t.3Z Rp €s reemplazada por un diodo,(Zener) o por un

transistor para realizar la regulación; normalmente en la regulación serie o paralelo se
usa un transistor y co,rTlo lensión de referencia un diodo Zener," perqltambién en la
regulación en paralelo se usa diodos Zener solamente, como aplicación de su
característica de tercer.tüadrante.

ELECTRONICA

..?.-. _ _ __
 ':i..

CAPITULO I: DIODOS

.i:,,'
- i.
..;t¡

Vo r-\
'.::.\

T
"" ,' ' '-'*:fí
Figurai l.3J ófcuito equ¡valenié'i¡é una fuente'iéctirica¿a y filtrada.
j'+ ' '' '
'_.
Tal como se ihdicó, ¡lo que se pretende es obtener una tensión de rizado sobre la
carga (vo) de valor myy reducido con respecto aquel que se obtiene de -la fuente
rectificada y flltiada (üi), para esto definiremos un factor,'de estabilización de las
variaciones de vo frente a v¡.
..,.'l
.

Este factor de estabilización k, debe ser lo más reducido posible, idealmente debe
tomar el valor 0; veremos ahora un circuito regulador de tensión en paralelo utilizando
un diodo Zener.

70.7 Regulador con dr'odo Zener

El diodo Zener es utilizado para regular la tensión aplicada a una carga, para este
propósito el diodo se dispone en el circuito en paralelo con la carga y la fuente de
tensión tal como se muestra en la siguiente figura.

+ Solo
altema
Vo

'l
l.)

Figura: 1. 34 Circuito de regulación en deriv-ación'

Én el circúito del fegulador'en paralelo se agregó la res.lstihcia fu' para limitar la

ELECTRO}iICA
cAP.l-72
 :. APITULO I: DIODOS

nua que circulará por el diodo Zener cuando la resistencia de carga

sea de un valor muy grande tendiendo al circuito abierto, R¡ €s la resistenciá interna de
la fuente,rectiflcada'y';fiiirada, teóricamente debe ser de un valor rnr;y'i'éducido'por la
definición de fuente de tensión; por la topología circuítal de la figura 1.34, el diodo
Zener está polarizado en inversa por la tensión de continua V, esta debe ser superior a
la tensión de ruptura del diodo,para:que este pueda trabajar como regulador,,tal 'como
se puede apreciar en el diagrama detallado de la siguiente figura:

L
Ir*n,

Rgúra: 1.35 Característica de un regulador con diodó Zener.

:, :.
En este circuito en. Rs se incluye la resistencia interna (Pq) del rectificador y fiJtro,
además de la res¡steni¡d R'5 ?gr'€gada para la protección del Zeher ,óuando la carga
tome un valor muy gighd" o de qircuito abierto, con esto se l'evita la destrucción del
diodo Zener por sobreÍqalentamiento' o disipación excesiva de. potencia, además la
resistencia Rs contribuirá a la estabilización de la tensión vo frente a variaciofles de v¡,
como vo representa .
la tensión
:; ,'..,rr'i. ,
de.. ..rizado en la carga después del iegulador Zenér esta
componente de alterná.$ebe serpeqqeña; del circuito de alterna de la'fi.g,ura 1,34 se ve
que se puede obteneiijsta tensión pequeña con una buena relación entlá [a resistencia
agregada (Rs), la iesist-éiitia O9! felef (r¿) en ia región de ruptu¡a V iaiÉrga (R¡), para
esto apliquemos al clrtüito la definii¡ón del factor de estabilidad (k,) páia el circuito dé

ELECTRONICA
cAP.I-73
 ."
j-: :",.rr'

CAPITLILO I: DTODOS

Lrr=/ /R,
ir(R.+r-l /Rr)

De esta ecuación, ée deduce que vo será reducida si Rs 9s grande frente al

paralelo de r. y Rr, asimismo la resistencia del Zener debe ser pequeña frente a la
'resulta
resisteniia de carga (rr<Rr), con estas cons¡deraclones la siguiente relación
para ks.

De la relación matemática de ks se ve que para tener un buen factor de

estabilización (kr=Q), se debe seleccionar R5 grdnde y rz pequeña. Del circuito de
alterna de la figura t.34 también se deduce la impedancia de sal¡da (4) de la fuente
regulada y este resulta el cociente entre vo € ir- Cotl v¡=Q obteniéndose:

to rD
"9. ;
:- -:.ts
r*R

Por lo tanto:

oo- Lz

Lo que muestra que la fuente de tensión regulada tiene una resistencia interna
reduc¡da, cumpliendo con la deflnición de fuente de tensión.

Para dimensionar Ia resistencia Rs y seleccionar un diodo Zener apropiado en un

regulador paralelo, para una cierta tensión de rizado en la salida y mantenerla dentro
de ciertos límites no obstante las variaciones de tensión de línea en la entrada del
tralsformador V{,o lq ¡esistenci3 C9 g1g_X R: Para g-,sto los dato; tu di5pone son:
'Qr..
.
' Lu tensión de entiada incluyendo el rizaóo (del rectificador más filtro) mínimo y

ELECTRONICA
cAP.l-71
 C.-\PITULO I: DIODOS

máximo (V¡,nin=V-V¡.i V¡."t=V*V¡m).

. L?,corr¡ente de cárga mínima'y máxima requer¡das (Ir-*¡n; Ir-"r).que:representa

la variación de la res¡stencia de carga (Rr).

. La tensión de salida mínima y máxima (Vo,n¡ni Vo,nur). ! L:

.Para establecer .las ecuaciones .que permitan. calcular los parámetros requeridos
usaremos el circuito de la figura 1.36; para el diodo Zener utilizaremos el circuito
equivalente por tramos para la región IV de las características del diodo mostrado'en la
figura 1.16, el circuito resultante'se planteará para dos casos extremos:

a) Cuando €s mínimo, la corriente que circula por la carga es máximd (Iln."r),

R¡-
en el extremo esto representa el caso de un corto circuito (RL=0) en la salida, en estas
condiciones la tensión de sallda es mínimd (Vo.¡n), como el Zener está en paralelo con
R¡, la corriente que circula por el dispositÍvo es mínima (Ir-in), la caída de potencial en
el Zener es mínima y la tensión en la carga es mínima, por lo tanto la tensión'entregada
por el rectificador más el filtro debe ser mínima (V¡-¡n).

b) Cuando Rr_ es máximo, la corriente que circula por la carga es mínima (Ir-'in),
en el:eltremo esto r:epresenta:el caso de un circuito abierto (R¡="o) en la salida, en
estas condiciones la, tensión de. .salida es máximd (Vo-"*), :como el Zener está en
paralelo con R¡, la corriente que circula por el dispositivo es máximd (Ir."r), la caída de
potencial en el Zener es,máxíma y la tensión en la.carga es máxima, por lo tanto la
tensión entregada por el rectificador más el filtro debe ser máximd (Vin'r,).

''.
Del análisis realizado resultan los siguientes circuitcs. para ,la deducción de las
ecuaciones de dimensionamiento y selección de componentes.

ELECTRONICA
cAP.1-75
 ' Deducireñóp,taseg-qacj-gnes que permitan
'reducc¡ón calculár tát¡.rirténcia Rs de
protécción,
res¡stehcii del ' ij¡obo, 2enéil üara una , áu¿cüáaái, d'e 'la tensióri de rizado; ei

va.lor O'é 19 tensión ge zénffi

y la potdñcia déld¡sipación'Pz del diodo Zeqer' pán una
adecuada'selección de e'ste cémponente.

óel circuito de la figura 1.36 a) resulta:

¡. i
.,.,.;' .. .i- .''.,-rl. i';rt$,
V¡*rn=IRr*Vb*rn I' i
i.
'

Y,nin
:(Ion¡n +Iho )Rs *{n'in
...

Del circuito y en el diodo Zener se tiene: ':

Yomi.n-f zminLz' uz

razmin- "omin-\/"z
\/
-
-
.':

Reemplazando lr-¡n'en la ecuación de V¡n ¡n, despejando Vom¡n se t¡ene:

' (v -v
vi^i": (r,.rn*r*"*)Rs*%oin i \*:n: t=T-= *r*"* ) *.*%=r.
|
\tt)

Procesando en la ecuación:

(v )ln
\/'omin :\/'imin _ | 'onin-\/'; +T
-inax
| __ l"S
\ Tz' )
\/'omin-z
r=\/ 'imin-:r-\/ 'omin^.S
R +\/R rR
'z"S -T-Lmax-:"S

\/uomin\tz r+\/P
lr+R' rrg/\:\/ uimintz I
rP
-Ttinaztz"s
":tts

H
!\a
\/'imin +. ¡-.
'l\/-l
Uz r'l
--lflax-¿/
r
vomin - D
l\c
l-T
-Tz
..,t'...
,.'i,ir . i
Por analogía' aplicando el para el circúito b) de la figura 1.36

ELECTRO.\-ICA
- cAP.l-76
 C,\PITI-jLO I: DIODOS

se obtiene:

K
'\/+-t\/-tr\. "q ,-.
'::.-::t' \ tz t-.::,t:/
r
%*., D
¡\e
I+-
r
'z

Si realizamos la operac¡ón de:restar, la ecuación de Vsm¡n de Vor"x.se tiene una

ecuación del rizado en la salida en.función del rizado en la entrada y los componentes
del circuito resultando:

v -v .: v,..=,.-vt-.,..*Rr( r-.*,-r--"r.)
1+5
r -:

En esta ecuación se tiene dos incógnitas Rs y ru para resolver este inconveniente

a paftir de la ecuación V¡m¡n despejamos Rs obteniéndose:

^
\/
':-i. - \/
¡.q
-TtT
-::::. - h:<

En esta ecuación se adopta lzmin=lmA ó el 10%o de I¡-", la que sea mayor, Ia

corriente f'*¡n debe s-er suministrada en la peor condición, para que el diodo Zener se
mantenga en la región IV de su característica V-I, que es la característica de
regulación esta condición se muestra en el c¡rcuito a) de la figura 1.36. Con el valor de
Rs calculado y de la ecuación Vomax-Vomin, se despeja la relalión para la resistencia del
Zener (rr) resulta:

R-,
-z \/
ri¡:.' -\/ Yi-;-

V"==* -Y"=i.

Con el valor de,rr,calculado y a part¡r cie la ecuación l.-in del circuito a) de la

figura 1.36 se despeja la relación para la tensión de Zener (Vr).
\/': :\/ 'cn:n - | r
^:=in-z

:l circuito
:
se establece que la máxima disipación en el diodo zener
ocurre cuando Rr tiende a un valor muy elevado o circuito abierto (rr=0) y esto se
muestra en el c¡rcuito b) de la figura 1.36 del que determinamos fa relación de lr."r.

-+7¡av
\/ui.^. -\- Vz/
r+P¡ ¡\q
!7

e lecrnoxrc,r
cAP.t-77
 _!,
'' r_::'tj
. :. CAPITULd I: DIODOS
.*. 1Fr

...'.. ,..- ;: * l'i I !ti:

,t :.
La potencia máxima
::; e'n el circuito resulta: '

P -T2
-zmax r-!Tj
*zmax-z \/
' -zmax'z ':':

Reemplazando I..", resulta:

-vr.".-v,
p -
-zmax
Vr*"*-% ur^.'-u,
f -' * t,'' )
.,^

4+R. (. q*R.'_t r.*R. )

Con esto quedan establecidas todas las relaciones que permiten determinar y
dimensionar el circuito regulador.

ELECTRCNICA
cAP.l-78
 TT . pOT.ARTZACIÓN DEL TRA.\SISTOR
^¡bffiñ^

EL TRANSISTOR

f ntoducción

Los dispositivos de tres terminales son los componentes básicos de los

y
amplificadores, de los que existen de dos tipos, denominados:'transistores bipolares
transistores unipolares, los transistores se caracterizan por la composición de las
corrientes en sus terminales, €s.d-e_cjr, que en los bipolares las corrientes están
formados por el movimiento de dos tipos de portadores los electrones (n) y los huecos
(p), en cambio en los unipolares las corrientes están formados únicamente por el
movimiento de un solo tipo de portador los electrones (n) ó los huecos (p). Además los
transistores bipolares y unipolares se diferencia por el control de las corrientes en su
Terminal de salida: En le transistor bipolar la corriente de salida se controla por la
corriente de entrada y en el transistor unipotar la corriente de salida se controla por una
tención en el circuito de entrada. Ambos transistores constituyen la base de los
amplificadores, por lo que estudiaremos cada uno de ellos por separado a fin de
establecer las topologías básicas de su aplicación, los parámetros con que aportan estos
componentes en los circuitos, determinando los parámetros de los amplificadores en los
que trabajan los transistores.

para un mejor comprensión y análisis de los transistores es recomendable utilizar

analogías, como estos dispositivos son de tres terminales, esa es la primera analogía a
ser establecida, en el transistor bipolar a sus terminales se designa como Emisor (E),
Base (B), Colector (C); en el transistor unipolar a sus terminales se designa como
Fuente (S), Compuerta (G), Drenador (D), en este caso el emisor es análogo a la
fuente (E=s), la base es análoga a la compuerta (B=G), el colector es análogo al
drenador (C=D); la segunda analogía a establecer se refiere a'las corrientes en cada
terminal, la corriente en el emisor t* t.pt.t.nta por iE, €Fl la fuente por is (i6=is), la
corriente en la base se representa por is, €t'l la compuerta por i6 (is=i6), la corriente en
el colector se representa por is, €o el drenador por ie (i6=ie), la tercera analogía a ser
establecida se refiere a las tensiones entre terminales por ejemplo entre colector y base
v6s, €ntre drenador y compuerta voc la analogía €s vss=\tDG, de manera similar para
los otros terminales, la cuarta analogía a ser establecida se refiere a las topologías en
que se usan los transistores en el bipolar Base común (BC), Emisor común (EC) y
Colector común (CC), para el unipolar Fuente común (SC), Compuerta común (GC) y
Drenador común (DC), las analogías en esta caso son BC=9C,.EC=SC Y CC=DC.
,',, 1.,-.. , f;-.,.,,:.- ,i3k-.,o.i,.. :
Detallaremos primero a los tra¡sistores bipolares y luego a,los,unipolares.

¡¡¡ctaó¡¡'rca " - cAP'2-1

 : PO].ARTZACTóN DSI, TRA}¡SISTOR

Tranqistores Bi
Los transls¡,orbs; bipolarés
ton dirpositivos-5- de tres capas y se forrnan por la unión
de ties,se m c-e¡ d ucto'g,s o
i

9i¡" i ; ié"
j ;¡ ;i ;-(;í";ffi
!i, r ; J ffi ; :, H
q.t oe lipo9_c
e ó u1q " de tipo'P entre oos ráé'tipo ¡

llo_1 ! il!!?
caso, se conslgug
lapa N; en et
,unq ggtructurg PNP y en el segundo una NflN. A estos dispositivos
primer

se denom¡na t¡ansigtorgsr su estructura se compone dé ,dos junturas llamadas

emisor (Je) y'Colgctór (Jc). Estos dispositivos tienen tres terminales denominadas:
base: (B), g.misgr (E) v cotgctol (c). Par!:,que este''disposit¡vo trabaje como
amplificador !a junlurq cofqctora debe "qstar po!9r.jzgda en ferma' inversa y lá
¡untura
emisora'Rolarizala en fo¡¡ng directa: Si'represéñ¡ámo¡, en un la concentración
¡ráRco
de impurezas en los semicoñductores que representan á las tres capas del transistor tal
como se aprecia en la figura 2.1, existe un desequilibrio entré él,emisor y colector con
respecto a Ia bgs-e debido a'que e! emisor provee los'portadores que se difunden en la
'estableciendo
base y llegan al colector, la coriente de colector (este desequilibrio se
justificará cuando se'deduzcan los parámelros físicos del transistor). Las
concentraciones NÁ' dgl emisor y colector, no' tienen porque'ser simétricas, existen
muchas característ¡cas.di¡ti,Atas de concentraciones respecto q la, base.

Jp Jc

p N
r P .C
Emisor -Co, ector
\
Zona de'
c
transic Juntura I Junrura
Colector Zona de
C
transición

Figura 2.1 Concentración de impurezas.

EI,ECTRONICA

cAP.2-2
básico, en este transistor ré tiunu que lográ¡ que inyectando uña Córr¡énte én emisor:Ir
se obtlngaruna corriente ri
én el coteáó.y qr. s.u ig'üai'a'la det !*itor; es decir 9f .
efecto transistor qr" quiere obtener, es que lá corriente inyectada en la juntura dél '
i.
emisor, polarizada en forma directa aparezca en la región del colector, donde la juntura
está polarizada en forma inversa (se pretende que ambas corrientes .sean de igual
vator). Significa que los portadores han pasado de una región de baja resistencia que
es la juntura emisora (J¡) (polarizada en forma directa), a una región de alta resistencia
que es la juntura de colector (lc) (polarizada en forma inversa).

Si bien éste mecanismo nos permite transportar la misma corriente de emisor a

colector, se ha conseguido que fluya dicha corriente en dos medios resistivos de
diferente valor, porque lo que se observa a la entrada (Jr) es distinto de lo que se
observa en la salida (Js), teniendo la misma corriente y por to !a¡!o_se ha variado los
niveles de potencia. La topología de ésta conexión particular det dispo:itiu.?,,,?.,
denomina de base común (BC), es decir el terminal de base es común al circuito'de
entrada y salida.
t- f-

P N P
C
T v

<-T^
IE rL

"tl "
:-
.t

En la figura 2.2 e\ circuito de entrada (emisor, base) y.el 'deisalida (colector,

base) están conectados a través de u1 elemento común que es la ba!9,';Esta es una de
las formas de utilizar al transisior, yd que la corriente que e¡t¡a"en emisor (Ie), es la
r colector (Is) sin inyectar prácticamente nada en la base.

Para polarizar el dlodo PN en forma directa se <Jebe aPlicar el Polo negativo de la

potencial
batería' a la base y el positivo al emisor reduciendo así, la barrera,de energía
para los portadores mayoritaiios en un valor proporcional a la tensió¡ externa aplicada;
para polarizar el diodo NP e¡ forma inversa se,debe anjica¡ et g9t9 positivo a la base y
el negativo al colector, aumentando la barrera de energía potencial, para los portadores
mayo-ritarios en'un valor pr:opo5giq¡al a la tensión externa aolicada, tal como se indica
en la f gur a 2.3.
I gitt''' ':':'"':' ' '" I'
. ,,,,...'I
t-.:. .,,.._.
I; l

ELECTRONICA ,

:- ,,. ',- ' .',,"i. :;':,:;'^'

,-'.. ,' . . .',;-.'",tl. ,r::. 1':' -
 POI.ARIZACION DEt TRANSISTOR

alguno con la
los portadores

--,'J¡

E C

"_> <-
IE I6

r li
"
c)

Figura 2.3 a) Polarización de la juntura de colector; b) Potarización de la juntura emisora; c) polarización del
h-ansistor pNp y NpN.

Si ahora se juntan los dos diodos polarizados de la manera indicada, tal que
constituya un sistema'indivisible'la idea básica es la siguiente: una corriente de
portadores'mayoritarios.(en este caso huecos), que pasa de la región'p emisor a la
base N (figura 2.3c); estos portadores del emisor, se difunden en la base'una parte
pasa alrcolector y la otra'se recombiña en'lu but. con los electiones quelsón los
,-
e¡¡crRó¡¡rce
 |/; :
-.'.:, , _.

portadores mayoritarios en esta región y que se encuentran por OeUajo de la barrera de

energía potencial, entqr"rc,e.s la fuente dg tenslgn qYe polgriza la juntura es ila. que
entrJga los electrcn.t un':iéposición de^lob portadoréi'perdidos por la:recombinación en
labaSe. t': ., , '
.

En forma análogá para ios transistores NPN, es decir una cor¡lente de portadores
mayoritarios (en este caso electrones), que pasa de la región N emisor a la base P
(figura Z.3c), estos portadores del emisor, se difunden en la base una parte pasa al
colector y la otra se recombina en la base con los huecos que son los portadores
mayoritarios en esta región y.que se encuentran por debajo de laibarrera de energía
potencial, entonces la fuenté de tensión que polariza la juqtura es 19 que entrega los
huecos en reposición üe ios pórtadores perdidos por la recombinación en la base.
Es

decir si de alguna manera sé togra que los portadores que se difunden en.la base no
se

recombinenselogra'qlefectodeseadoguelc=I¡}aQUeIe€spequeña;comoésta
corriente está:'coñdigr-onada al número de portadores que se recombinan en lq pase,
nág..6. al colector lá mayor cantidad de portadores (huecos en PNP y electrones'en

I paia evitar las ieCombinaciones el ancho de la base "W" debe ser pequeñá para
disminuir la recombinaÉión V así posibititar que una mayo.r cantidad de
portadores
pueda llegar al colector; es decir que el mayor número posible de portadores inyectados
de la r.gión del emisor:lleguen al colector (sin que se hayan recombinado en la'base
perdiéndose, en ü;$iábru-¡*portancia la corrient. re): Hacer cug, el anchó de la
que es la
base sea pequeño.r.sn.réspecto.al parámetro natural !e los,0grtadores
longitud de difusión (t), ei décir que I'W" debe ser pequeño con reipecto a la longitud
por tanto
de áifus¡ón, parámetro q'ue es proporcional a la recombinación de portadores,
y
si W es pequeño con reipe.tg; Ln ó Lp, no.habría recombinac!ón en la base todos
(o

casi
lodos)
los portadorg.¡.Pasarían a la región de colector: ., . , .

bipolares
:

paiámetro de los tralfistores '.. ',t -

I i - ,.
_
",-
,r -.-" ,li , l , ,,.. ,
i;,'r .r,,. i
. : :e

natur¡!.güe ie-Oénne para estudiar a loítiqnsls-tór'es bipolares, es el

Ét parámetro
parámetro eficiencia de corriente y ie lo llama arg (F=fordWard, B=base) definido
como: La retación entlg la v.ariación de la corriente de colector a la corriente
de emisor, manteniendo la tensión de colector constante.

dI"
org: ,-l I

orE lu.=or.
r- ; \!r ,I ';.i.- . '.i
1-
El
-comportámíbnto--de dispositivo de tres transistoQ será
a.

f:r.FclTlc[rfc]\
cJrP. 2-5
 ' l
-. :
Ic=-oFBlE*I*o
':,, :'.,.:: _:,:..1..- . ,), .- , .. ,. .: :. :::....:
Donde:
fleb es,1a cofr¡ente que circula en el colectol,,f9r1n9Oa de portadores
minoritarios del colector y la base, es la corriente en'la juntura del colector
cuando no se ilVecta portadores del emisor (I¡=0). ,

Estructura de bandis del transistor " r '

-, t,,':,.'i.,.,'¡,,: jr':,,
-",t,. ., t^,,-t '''' -; : ',t,-'-,-'",-,,.

La figura 2,a pués!¡g la Jq nolg¡izad1 en forma difecta y €n forma inversa,

. la Jc
asÍ como las concentrqciones respectivas de poftado¡gs mayoritarios y minoritarios en
cada semicondüctor del'transistor PNP. Debido ¿ ia polarización diiécta entre el emisor
y la base el nivel de Fermi de la base sube con respecto'a la del émisor (disminuyendo
..: de energía Éótengial), por lo tanto sube la ¡anda de'ya!.encia y de conducción
la barrera
de la base con respecto- a la:del emisor, permitiendq el p¿so de porladores mayoritarios
(electrones) áe N a P'(de:la base al emisor), pero:simultáneamente los potadores
mayoritarios (huecos)rdel emisor pasan a la base de P a N, Ahgra estos portadores
(huecos) son los que se. transpoftan en la base y se difunden (difusión de portadores
minoritarios en la base), por efectos de recombinación en la gase'la distribución de
huecog'(inyectados del emisor) disminuyé en esta región, próximo a !a Jc, dado que
todo portador en fas proximidades de Jc es atrapado por el colector y este flujo de
poftadores establece la corriente de .
'-, ,, colector. :
- 1.,

Si consideramos la región del colector, las bandas de valencia y conducción suben

respecto a las de la base, debido a que Jc está polarizada inversamente, este efecto
crea una gran barrera de energía potencial para los portadores mayoritarios, evitando
que dichos poftadores puedan difundirse de la base al-colector y del colector a la base,
solamente podrán difundirse los portadores minoritarios, huecos'de la base al colector y
electrones del colector a la base ya que no tienen ningú¡ efecto de,barrlra (np. y pnu).

Fn
L, ¡ lr
¡s roniÁn
¡ ey,v¡ ¡ de la base, por los efectos de recombinación la corriente de difusión

resulta:

i* : qADoVp
1

Donde: A= área
...,r de la iuntura
'j,

Dp= conbtant'e de difusión de huecos

ELECTRONICA
cAP.2-5
 ; ;.
.-, .i,i': ,ir+11,ilitf'Ji-,'.'r,;
.. ,.:1i... ... ,

CEP¡TU'T.O II : POI,AR.IZ¡CTÓN DET TRANSISTOR

V p= gradiente de la concentración p (en la base) '

P li,i- '.r-'j \IP

I1¡g\'- npe

\
BC
<_ lp.
\

l*-"'
qffc+V)

' .Jr-

E
Zona de
zona.de. trancisión BV
Po.r- Pn¡
- [anclston
:r

y la juntura
Figura 2.4 Diagrama de bandas dél fansistor PNP con la juntura emisora potarizada'en forma directa,
de colector polarizada en forma inversa.
\:
base. Para calcular la
El gradiente es la relación del desequilibrio en la longitud-de
corr¡ente de difusión, lo único que se tiene que hacer es detel'minar el gradiente de la
concentración en el origen;:supon¡endo que sea lineal, el gradiente 1o es más que una
pend¡ente/ o sea: . . ::-
".,. :- .1

t':
Desequilibrio .': :
='APt¡ "_
Longitud de la base W --,:,,.' t, ,'-

El desequilibrio es conocido porque corresponde a un diodo poiarizado en forma

directa (se inyectan portadores p del emisor a la base en un,transistoi PNP), por lo
tanto:

polarizada pasan del eimisor

a la base son comoensáddi'con'llos portadores :basd' al eiiisor,

EI,ACTRONICA
c+P.2-1
 Yá tenemos las éiprésiones de las corrientes Iie e'I¡p;:.La suma'de Ip" con In6,
nos da la corriénte total de emisor I¡=Ips*fnu. I , ',,
Los portadores (électrones) inyectados de la base a! emisor no llegan al colector,
esta condición impone que la base (semiconductor N) debe estar muy poco dopado con
respecto al emisor.

Los portadores que se difundieron en la base (huecos inyectados del emisor) y no

se recorñbinaron son los que llegan al colector, por lo que la corriente de colector esta
formada por los portadores inyectados del emisor, esto impone que el semiconductor
del emisor debe estar muy dopado con respecto a la base, si crps=1, se lograría que
toda la corriente que entra por emisor sea la misma que sale por colector. Esto nos
dice qué si inyectamos corriente a un cierto nivel de resistencia en la entrada (la lr está
polarizada directamente) y sacamos la misma corriente a un nivel 'de resistencia en la
salida distinto al de entrada (la lc está polarizada inversamente), algo se ha ganado en
el medio, hemos ganado potencia; si entra 16 sale Ig QUe es prácticamente Ig
!
(Ie=Ic)) es decir la diférencia entre estas corrientes es muy peqúeña (Is), por tanto
para que esté en equilibriq debe ser: IE=Ic+IB
, ] ..-:
La configuración analizada del transistor es la de base común (BC), es decir que
se inyectan portadores del emisor a la base y se obtiene en el colector la misma
cantidad de portadores, manteniendo la base común a los circuitos de entrada y salida.
Si cambiamos la configuración del dispositivo por ejemplo a emisor común (EC),.de tal
manera qqe sg lnyecta qna psqueña corriente Ie por la base (la correspondiente d la de
recombinación), para qbtener Ii=1., manteniendo el emisor común a los circuitos de
,.,l ¡ . '' \ .. ':
entraoa y salrca/ es dectr que Inyecta una pequena cornente en la Dase y crrcula por el
,

'

rrrcraóNtc¡
cAP.2-8

,r{. I
 ,'1:'.ii;'¡'i:i'l :ri,l,t,t',,.'' ,i: i 1, 1..'*.,i.,11;:
, . r':-;-
;. :" i':'!*;
t: rl.,:,.,,',;-li,:' .: .: , "'
c¿Prrttro ri : Porar,izecróx DEL TF.A}¡sfsTcR

dispositivo una alta c?lienie (en!1e emisor y colector), De manera similar corresponde
el funcionamiento la r gonf,gurac¡ón cglectol comqn (CC), malteniendo ; e! co]gct?r
común a los circúitos O,e.ientraqa y salida inyectando una pequeña corriente I",'p?f -11
base, para obtener una-'coriiente por:el emisor Ic=Ie, tenemos así una ganancia.de
corriente este dispositivo funciona en base a corrientes

,Cátculo de la cdrriente lceo.- La corriente inversa cje saturación establecida por

el movimiento de los portadores minoritarios del colector a la base, si se desconecta 9l
emisor al estar la Jg pola rizada en inversa, continúa circulando una corriente reducida
por el movirniento de portadores minoritarios por el colector, la corriente de colector en
condiciones normales está dada por:

I. = -col, + i.*.: '

. ..-'r,:,:-:,I '

para calcutar Isss.Se utiliza la condición de corriente nula en el emisor (Ie=Q); 5¡

se elimina vr €s decir no se polariza la Jr, con la ecuación del diodo se puede caicular
la corriente de saturalión l6ss €n función de los portadores minoritarios.

reno: o[^"o";ie Dogr, ,l]

Donde:
Ao= área de !a juntura del colector'
A*= área de la juntura del emisor.
El primer sumando es la Corriente de saturación inversar$e colector- El segundo
: proviene de admitir que está presente la J¡, pero que no conduce es
decir que no circula co¡rie1t9,. . .t: .
," |
-r,i,,:':_,,., , , i:::.- '
,,- -: -...
,,5¡ .y=1 la ecuac¡ón Oe ia corriente inversa del transistor es simila¡ a la ecuación de
ta cbrriente inversa del diodo,, peró puesto que y es aproximadamente igual a 1
y no
- -ia de' la Jr hace que la corriente inversa (cuando no circula corriente
Fl;,"Tii'lT*"[,;i'l laiiá'lul.,ruda en,n oiool';')ü;: il;;Fil ;;
basei también podrían ir a pgra¡ u
difunden en la regióñ ,Oe región emisora.
,l?
Evidentemente la juntura está presente, no la podemos eliminar y los portadores se
enteran porque físicamente ellos se difunden en cualquier región y en particular se van
a la región de emisór: ' , ^ ..

er.scdRóN-rcA
 Figura 2.5 Símbolo de los b-ansistores PNP y NPN. .

Ca ra cte rís tica s te n s ió n co rrie n te

.. - r,,

La aplicación de los transistores en los circuitos electrónicos'radica en utilizar

adecuadamente las características tensión-corriente (V-I), características que nos
provee el fabricante en las hojas técnicas del componente, de no disponer de ésta
información se puede obtener en laboratorio con el auxilio de un multímetro, fuente de
tensión, resistencias y potenciómetros implementando un circuito' sencillo para el
propósito ó por medio de un relevador de parámetros para tránsistores bipolares ó
unipolares y en cualquier topología.

Los transistores bipolares existen dos tipos (PNPy NPN) que son similares en sus
principios y que difieren €fl, ld polaridad de las tensiones aplicadas y la dirección y
sentido de las corrientes que fluyen en sus terminales, realizaremos un análisis
generalizado para las características V-I y los diferenciaremos con los signos
correspondientes en cada caso, para el análisis aplicaremos la ecuación fundamental de
los transistores. Los transistores bipolares se puede utilizar en tres topologías básicas
como ser: Base Comúr (BC), Emisor Común (EC), Colector Común (CC).

sLEcrnóNrcA
 ' t
, I cAprÍr-Lo rr rlior.¡¡rzecróN DE! TRANSTST.R

En la topología BC el terminal de base es común al circuito de entrada y salida, la

señal se aptica en el terminal de emisor y-'la salida s_e obtiene en el terminal de colector.
'....'.'..,.j'.ir.¡'.;1;..
En ia topología EC.e! terminal de emisór es común al circüiio de'entrada y salidá,
la señal se aplica':en,gl'terminal de base y la salida se obtiene en et términal de
colector.

En la iopología CC el terminal de colector es común al circuito,de entrada y,salida,

la señal se aplica én el terminal de base y la salida se obtiene en el terminal de emisor.

Estas topologías de aplicación del transistor se muestran en la figura 2.6.

--> + ->+
l¡ Ves
ll

v
Rc

+
vo

:t-'

Figura 216.configuraciones o topologías básicas dei transistbr PNP y NPN

1) Configuración base común (BC)

., t

Ef-ECTROITCA
cAP.2-11
 r t l\/ t l'
^c= .^l\'cB,¡E,/
1_.
veg.:I2 (v6s,1EJ

Las corrientes y tqnsiones en estas funciones tal como se,,estableció en el diodo,

qomponentes de continua y alterna, resultando: '
E,^- ^-.--'-
^.t!-
estan formadas por
-
'-r ,. - ' : i -.
, ..i,,,i. .
lc rl" : I,(Ycs +v.o,l, r - \
Y , 'f /\r .. i
*l.)

Vr, + v.o = fr(V.B + v.b,lE + i.)

En aplicación del principio de superposición pueden ser separados para el análisis

correspondienteenlapaftedecontinuaya|terna:
.

Parte de continua:
I.,: f,(V.",Ir)
'
'
V-rr,=f2(VcB'IE)

Parte de alterna:

1. : It(v.u,l.)

v.o = fr(v.o,i.)

En este unidad solo consideraremos las componentea de continua resulbandol

I. = t(V.r,lr)

%, : f2(VcB,lE)

En.los circuitos normalmente se toman para las tensiones polaridades relativas tal
c.omo
9n lo¡cu1Qrip9l9t Llferlprqp,al termi¡al común,al circuitoldg entr:ada y salida, es
decir'que'el terminal-común siempre es negativo y los terminaiés de entrada salida i
- ..l
::
.
ELECTRONICA .
caP.2-72
son positivos; para las'ccrrlentes se toman como positivos la dirección y sentido
entrantes al cuadripolo.:, Para, establecer las características V-I de los. transistores
,....:-',l'-':-..'=.'.,-:.'.'.'..l,:¡''1..,:.
previamente delerminbrümos las polaridades reales de,las tensiones. la .'dirección v
:";il; il;,i;;iil;;:',-
Recordaremos que:uná'córriente es positiva cuando este coincide con la dirección
y -sentido del movimiento .de' los rportadores positivos (huecos) ó es,opuesta a la
dirección y sentido del movimiento de los: prlrtadores ¡e.AatlroS (electron..t) . Como,se
tiene dos tipos de transistores bipolar:es (PNP y NPN) detallaremos el análisis para los
transistores PNP y dejarem-q¡ i¡dicados en gráficos y ecuaciones para los transistores
NpN que el lector puedj deducif.g,manera de repaso. Para el anátisis tomemos.como
referencia la figura 2.7 'en la que ie reptesenta el ti'ansistoi en la configuración BC
representada en bloques mostrando los semiconductores Que: lo componen y en otra
util¡zando los simbgios,normalizados los signos (+ ó -) marcados en las tensiones y
corrientes son las que sS determinan en el análisis.
, : ..;',;r
,.-.,,:,;;:lr,,i,j,.,.'- :
En los circuito5 de la figura 2.6 se ve que las polaridades de las tensiofles," ¡¿
dirección y sentldo.,de
'
las corrientes se adoptaron de la representación de los
- i :'. .
cuadripolos, es décir_,e\.le estas son relativas, las tensiones positivas respecto al terminal
rpositivas 'entrantes al cuadripolo. Veremos detalladamente
común y las corrientes
juntura por juntura el casoide iascorrientes y tensiones. :

a) Juntura Emisora (Jr)

Esta juntura formádd:Por el émisor (tipo polarizada
directamente por aplicatión de lá tensión (Vrr) a la base
resultando: : : -'
,'-:';',: ,

E¡ECSRO}rICA
cAP.2-13
 Fisura 2'7 rransistor potarizado de ras tensiones' dirección v
'"ffiTi::;:::i::il'::'iil,*#.:¡idades
b) Juntura Colectora (-7c)

Esta juntura formada por el colector (tipo P) y !a base (tipo N) está polarizada
inversamente por aplicación de la tensión (Vcc) negativo al colector y pos¡tivo a la'base
resultando:
i.
 C}.PITI'LO II : .POI,ARIZ¡C¡óN DEL TRANSISTOR

. La polaridad relativd marcada pdrd Vss (positivo al colector y negativo a la base)

no coincide con'l-ás polaridades de la tensión (Vcc), por lo que concluimos que
Vss €s negativa (-i). ..,..,' 1 , : ,, . .'.;
:,;': ,....i ;' ,

. La polaiización inversa aumbnta ta barreia de energía potencial p-ára los

pqrtadores mayoi¡tarios, es decir que los portadores mayoritarios de la base
(electrones) y del colector (huecos) no se difunden a través de la juntura, en
cambio los portadores m¡noritarios,huecos de la base y electrones del colector se
difunden libremehte a través,de la juntura, por lo que,también,los portadores
inyectados del emisor (huecos) que se difunden en la base y no se recombinaron
pasan libremente - la juntural colectora porque en la ,base' los'huecos son
portadores minoritarioi y.'la polarización inversa no produ-e acción alguna para
estos portadores,.t[a corrieqte de colector está formada mayormente de estos
portadores y ccjmo'los hüecos se difunden'en dirección'y.sentido contrario a la
corriente del termina! de colector (Ic) por lo que se concluye que esta corriente
esnegativa.(:)'..i-.,.':..'...
. Puesto quei:la',cori'iente de colector está formada mayormente por los portadores
inyectados'Qel,-emisor, este hecho nos hace concluir.qug,,"l serniconductor,''del
emisor se,'debe dopar con muchas impurezas y la base se debe dopar con muy
pocas impurezas,:además si la base está muy poco dopada la recombinación es
'' reducida por lo qúe la corriente de base (Is) es muy pequeña.
. ..
Finalmente si íé1,'ern¡sor no se inyecta portadores, es decir los terminales de
entrada están'én'circuito abierto y la Jc está polarizada inversamente, por esta
juntura solo fluyen los portadores minoritarios elgctionep del colector hacia la
base y huecos de la bqrg hacia el.colector: e¡lalleciÉn.O:tg qna.,corriente lceo
solo por el movirnjento de los portadores minoritarios ppr lo qu.g, esta corriente es
de un valor muy reducido del orden de los microámperlos (fr{) en el Ge. y
nanoamperios (nA) en el Si. y como ésta corriente coincide con la dirección y
sentido de los elect¡ones y opuesto a la de los huecos,.por lo que concluimos
que esta es negativ? (-).
''
De lo expuesto-9-qqntinuación se presenta un resumen: '.,- ., ,

Para transistores PNP .'

(, G) (+) . .. ' '.''
| -f
rg (v T \
- r¡\ YCBrrE,/
¡

(+) G) (*)
\/vO --Fnt T\
12\ v69:r¡,/

El transistor PNP 'tiene e! siguiente resumen de srgnos. para las corrientes y

tensiones: , ' :..1.:
' :..

Ie(+), Ic(-), Ie(-), ice¡(-), VÉB(+), Vca(-), Vce(-).

EI,ECTROIÍICA
arD ?-1 q
 i,.t,r .:l i-

CAPITI'I.O II, :. POI.AR.] ZACION DEI, TR,A}ISISTOR

.
:.j

:.

.:i'
...7 ).

resumen- de signos para las corrientes y

' a: . .,,,

. ,-1r., .
' ., ,, , ..;. ,, ,;.'
Vce(+j ,: ,,'.: - ',,,
Iu(:), i6(+), Is(+)l lgqo(*), vrr(:), vce(+), .-

Establecidas las polaridades para las tensiones, la dirección,.yselli1o reales.para

las corrientes, las'. funclones fr y f2 r€pr€s€ntan las característ¡cas V-I de salida y
entrada del translstor en la topología BC. ".''
.

Características de^:entrada.- En la función fz si mantenem?s como parámetro

Vce y producimos variaciones de Vee (por polarización Qirecta), para pequeñas
variaciones d€ Ve' se producen grandes variac¡ones en la cor:rient-e Ie r€corddr que la
relación entre estos es exponencial porque corresponde a un diodo polarizado en
directo, por lo que la característica de entrada del transistor coincide con la de un diodo
produce
en el primer cuadrante, cualquier variación de Vca (por polarización inversa) no
influencianotableenlacaraCteríSticadeentrada.

0 (l-lceo)

VEs
Vcs
.:)
Figura 2.8 Características V-I de entrada y salida en B-C.':i

ELECTRONICA
cAP.2-16

l:.,..r.i'i"i. '
 TRANSISTOR

Caracterírtícas'de salida.- En la función fr si mantenemos como parámetro Ie

Y producimos variación de Vcs (por polarización inversa), para grandes variaciones de
esta tensión no se piOdücen variacionés en la cor:riente de colector (16), esté toma:casi
.i"r¡r*o'válor (atr) qúá'la corrienteüe emisor (16),:es decii que la"récomb¡nación en
base es muy reducida,;{5¡u .aracterística es similar a la del diodo en el tercer cuadrante
con la diferencia de la difusión de,portadores del emisor que llegan al:colector,' por lo
tanto para cada valor diferente de'Ir se produce una corriente de colector similar al de
emisor. Cuando la corriente de emisor es 0 (IE=0) la corriente de colector toma el
valor establecido por el movimiento de los portadores minoritarios y este recibe el
nombre de corriente inversa de saturación (Ic=Iceo). Estas ,características V-I son
representadas en la figqra 2.8.

Estas dos características están relacionadas por la ecuación fundamental de los

transistores que se representa como:
i i-

,l , ",, ":

Veremos fundamental del transistor es única para las corrientes

qure la,,écuación
en'diiección y senlidgl,,pu* esto realizaremos un análisis por separado para transistores
pNp y NpN, y:comptétaremos el detalle para las tres corrientes en las ter:minales del
transistor:

Transistor PNP en BC
() (') (-)
:
Ic {1.* I.ro

T _^ T T
-Ic--LTFBIE-rCBo

Cambiando los signqs en ambos miembros de la ecuación se obtieqe:

' -i"'!
- ' . , "
Y _- i- l '"'
lc:oFBIEfICeO
'!

,'..., .,., i: ,.t.,. :,,'

-
Para las corrientes en loi terminales de los transistores resulta:

(*) O G)
I +T +T :O
'i

T T I _r\
IE-rC-re-u

er,EcrRóN¡cA
ceP.2-17,
 -,',.1q"'
-t;¡;
: ¡';;-"
.:,,..:'. - ''
, ,;.,

Las ecuaciones de corrientes de ambos transistores son iguales, esto facilitara la

aplicación'de
' tl''
!gs'ecuac¡ones fundamentales de los transistores en los circuitos.

Completaremós el análisis del transistor realizando las tensiones entre terminales

de los transistores;, pu€sto que estos dispositivos representan una malla cerrada, por lo
que la sumarde las tensiones entre terminales debe ser igual a cero¡

Transistor PNP en BC
G) (+) G) ',: ,
\¡ \7 I¡
'
VEB-r
--:.-
YcB - VCE

-vcB : vre - \cE :'

v^^-v^--v--
LD LI ED

Transistor NPN en BC
(+) C) (+)
V^-
LD
= V--+V^-
ED Ltr

V.u=-Vuu+V.u

Vc, : V., -Vr"

"
En las Caracte¡íg!¡cas
' -' '
V-I dg l9s,t¡anpistores, claramente se.distingue tres regrones
regi
,:+;;pír
denominadas reqión:?r

::
ETECTRONICA
.. .:,. cAP.2-18

- ::I,:r'ir¡1lrri,-¡: i;'
',_..",.:, --
"."i.,
 ) II
CAPI?L]LO ¡r : POI,ARIZACIóN DEL TRANSISTOR

., , I '

Regíón activa.- La corriente de colector depende proporc¡onalmente de la

corr¡ente inyectada del emisor, es decir en esta región el transistor trabaja coTo
amplificadoi con la li
polarizado directamente la Jc polarizadó jnver.samenle. En
¡1 'de la:tensión colector base y
esta zona la corriente'de colector es independiente
está comprendida desde Ir=0 (Ic=Iceo) hasta Vca=0 es decir el eje de cor:iente
(Ic) y el eje de tensiones (Vss), el comportamiento del transistor"en esta región es
lineal.

Regíón de saturacién.- La corriente de colector depende exponencialmente de la

tensión colector base, es decir que la J¡ ! Js se. polarizan directamente, es la zona
de la característica comprendida entre el eje de corrienie de colector y la porción
izquierdadelejerdetensióncolectorbaseapartír:deV6j=Q,enestaregiónel
transistor tiene un comportamiento totalmente alineal y se dice que trabaja como
un conmutador cerrado.

Región dé corté.:, La corriente de colector es nula, es'decir que la Je Y Jc; se

polarizan inversamente, es la zona de la característica comprendida entre IE=0
(Ic=Iceo) y la pqrlg infer:ior a partir de rs=g del eje de corriente de colector, en
.sia reg¡ón el transistor tiene un comportamiento totalmente alineal y se dice que
trabaja como un conmutador abierto.

2) Confíguración, Emísor'Com ún (EC)

Esta es la topología :de mayor aplicación de :l transistor en los circuitos, el
comportamiento del transistor es similar a la de BC ya analizada pero tiene diferencias
cualitativas y cuantitativas que hacen importante a esta topología.

Lasfuncione5queseestabIeceneSestecasoson:

Las corrientes y teinsiones en estas funciones tal cómo se estableció en la

topología base común, están formadas por componentes :de continua Y alterna,
resultando:

+v* : fr(Vcr +v..,r,; Iu +io) j

Vrr ,.
,:', - .. 1r i ,. '

En apticac¡ón deipi¡nc'f^*,:^:?,.:f:':::n.pueden sef para el análisis

:eparados
correspondiente en la parte decontinua y alterna:,.,:.:,r:;,.
.', -- n .,, :'
¡,1

EI,ECTRONIC¡
c¡P.2-19

:,-''
 \.g¿¡uw lI : POI.ARIZACION DE! rRANSISTOR
';:ti'
:'' tt:t;' ''
La compgnerlte de continua resulta:

'j;,:

Tal como ya fue estqblecido en este un¡dad solo consideraremos las componentes
de continua
'i resultando:..,, ",
"i. ' ' ' :,
T -fl\/ T\
^c rl\
'
YcErrB,/

\¡vse --€rz /\t i \

l. v6¡ r rg,,

Previamente al desarrollo de las características V-I real¡zaremos un análisis

resum¡do de las polaridades de las tensiones, las direcciones, y sentidos de las
corrientes, en eqta topología, el circuito resulta el indicado en la figura 2.9:

Figura 2.9 Transistor como amplificador en EC.

En esta topología se inyecta unos pocos portadores en la base para compensar la

recombinación y controlar un flujo grande de portadores entre emisor y colector que el
lector podrá verificar fácilmente, la dirección y sentido (signo) de las corrientes en los
terminales y Ia polaridad de las tensiones entre terminales se derivan de la figura 2J
considerando el transistor en emisor común resultando el siguiente resumen:

Transistor PNP en EC
(-)
T - T /\I
(-) I \
(-)

IC-l¡\Y6g,tg),.....

ELECTRONICA
cAP.2-20
 ,. .:,.'-.,". ;,11¡',';;\'.'.:'.1;1.1:
í;;1:¡i.-,i,':.i.';f¡i'J: .:
ti:,'a | '
.'-...;¡' t';' 'r-ii':"
' '
:
CAPITULo II : POI,ARTZACIóN DET TRANSISTOR

-"',,'.:1. '.
'.'',:'
Resultando,,paia' el ,transistor NPN el siguiente resumen de signos pará las
:-
I i
: -: 'j ";,
'
i ''t rtt..ii:,, r '
Ie(-), Ic(+), In(].)r Iceo(+), Vss(+), Vce(+), Vcs(+)'
" ;""'i:)'::"'
"'
En, ta ropotogía,EC¡ la corriente de colecior se controla por la corriente de base, Ia
ecuación fundame¡¡jl'flgl:f¡¿nsistor establecido para la topología BC; se modificará
para esta conf¡guración (EC),'en:ella se mostrará la diferencia'cualitativa y cuant¡tat¡va
del tiansistor'por camb¡o $e lopología, para esto'partamos de !a ecuación fundamental
ya demostrada como única,para'transistores PNP y NPN
',,

I.:ol.*1."0
Ie=Ie*Ic reemplazando resutrtá:
: cI, +cJ. *I."0

Si llamamos:

\-
Por tanto
 ': ' 1':'j' 'j:;:'l- '
''';".':''
l'. .-,t.','
' l
: , '- ¡-:'-: . , 'l t . , , i -

una gran dispersión en esta

-
.t :' -.
'.,
topoloqía. :

Características
'..: ,,ri. : .t:;-:1,: de entrada y salida .

'a"l'. . 'l
. : : ., .' -

*\
Establecid?g laq las tensiones, !a dirección y sentido reales para
polaridades para
las corrientes y'la' ecuación fundamental del transistor en la cbnfiguración EC,'las
funciones fr y fz determinan las características V-I de salida y entrada. La
característica de entrada es la m¡sma que la obtenido en la topologíá BC, en cambio en
Ias salida existe diferd¡cia cualitativa y cuantitativa que se estáblece a partir de la
ecuación fundamental, que el lector podrá deducir adecuadamentg, estas características
están representadas en lá figura 2.70.
jl
-.; l

Ig

IB*r*

Ie: 0 (16=(1+B)lss6)

Vy VBEsat Vee

En forma similar a la topología BC también se observa las tres zonas de trabajo

del el a
transistor, lector manera de repaso puede realizarr las analogías
correspondientes.
l

En las características de salida en EC también se graflca la potencia disipada en el

transistor, utilizando la siguiente relación:

Disipación

PD:\/ T
' 'cB^c

La tensión colector base resulta

\/ -\¡
Y^--Y^F-Vr
LD Lc
\/cB

¡lBcrnóNrce
 -: ;" :.1¡": :1'
,- ,".F;;-'i:....j,--;1..,r '
. ...

CAPITULO II : POI,ARIZACIóN DEL TR.ANSISTOR

Como %u 0 +V." V.r, resulta:

= .-' =
po=V*la ,',."i, ,' ' ' ',i - .,"',,,'.t . | ...,

Que representa u¡1a hipérbola en la característica V-I de'salida del transistor,

De las características V-I det transistor se establecen:
valores típicos de las
tensiones entre sus terminales, que son importantes al momento de analizar o diseñar
los circuitos. Como la topología EC es la más utilizada, detallaremos para está
configuración:
. Tensión de arran{ue V;, Es la mínima tensión de polaiización directa aplicada
a la lr
para el que la corriente de entrada deja de valer cero ó sea apreciable.
. Tensión de coirte en Ia entrada Va*ort- Es la mínima tensión de polarización
inversa aplicada a la le para el que la corriente de entrada toma valor cero
(Ie=O) o la corriente de colector tome el valor de la corriente inversa de
saturación (Ic=Icso)
. Tensión actíva":en la entrada Var"a.- Es la tensión de polarización directa
aplicada a la entrada para el que el transistor trabaja en la zona lineal.icomo
amplificador.
. Tensíón de saluracíón Varoú, Vcrot.- Es la máxima tensión aplicada en la
entrada o mínima tensión aplicada en la salida del transistor para el que las
corrientes en sus terminales tomen el máximo valor'

Los valores características de estas tensiones en los. transistoies' de Silicio ó

Germanio se resumen en el siguiente cuadro (estos valores pueden variar en el entorno
indicado).

Transistor V.F'a'ifvl VeE Vnr'.r[V1 v"l-vl Vsr"¿'tIVl

"t[V]
0.8 0,7 0,6 .,0
Silicio 0,3
Germanio 0;'1 4,4 0,3 0,2' 0,1.

. ': ,-l:

La ecuación fundamental del transistor en la topología eC estáblece: cuando la

corriente de emisor toma et valor cero (I¡=0), la corriente'de colector es igual a la
corriente inversa de saturación (Is=lcso), análogamente en lá configuración EC cuando
la corriente de base tola el valor.cero (Is=Q), la corriente de cgJgctgrres igual a la
corriente inversa de,saturación (Is=Isss=(P+l)IcBo) que en este,caso es mucho
mayor que en la topóloga BC, tal como se vio en el diodo, la corriente inversa de
saturación es sensiblg¡.tEs-Vjriaiiones térmicas, desplázando las cái'qcle{sticas V-I de
salida'del'-transistor. Áhálog'amente la tensión base emiéor (V"S) -:'
es,sensible',a las
i, j
, : ,-'.
variaciones térmicas,'desplazando lai características V-I de e-ntiada: ", .' . '' ,t'

erEcrgó¡l.rcA
c}.P.2-23
 CAPITUI,O II : POIARIZACION DEt TRANSISToR

Se puede aflrmar que:

., ;' .j ' 1.-- t.'": , : I ¡ i
Iceo se duplfca por cada lOoC de aumento de la teinperqtura (Ge polo/oC, S¡
6o/oloc) adoptáremoé'un valor intermedio de 7d/oloC-de:.variación de
-.l la
temperatura..
--'...
Vss disminuye en -2r5mv por cada oc de aumento de la temperatura.
B varia con''.'.'la temperatura y el fabricante, la mayor variación se debe a la
dispersión del fabricante.
Resultando Jas siguientes relaciones par las variaciones térmiqa¡

Icror, : I.ror,"-**-n' con k=0, 07l"C

: :.:".:.'
' :'1.?

Vr., :Voor. -k(Tr.=l) con k=2,51"C

DL II
. t!;, r.-_.;t ,.
, :... il.! r.!

La dispersión de B es de 3:1 hasta 6:1.

3) Configuración colector común (CC).-
Esta topología es similar en todos los detalles a la topología EC, razón por la que
el análisis de este podrá ser realizado por el lector.

Tra n sisto r co m o a m p lifica do r

Si consideramos al transistor como dos junturas, la entrada polarizada en forma
directa (baja resistencia) y la de salida polarizada en forma inversa (alta resistencia), si
en los teiminales de entrada se produce un incremento de la tensión, esto ocasiona un
aumento de la corriente de emisor y por el efecto transistor se produce la misma
variación en la corriente de colector. La variación de la corriente de emisor (^Ie) circula
por una baja resistencia en la entrada (JE polarizada en forma directa) y la variación de
la corriente de colector (AIs) circula por el paralelo de una alta resistencia en la salida
(Js polarizada en forma inversa) y la resistencia de carga (R¡) como R¡ €s menor que la
resistencia de la juntura, el paralelo resulta ser R¡ y a su vez este es mucho mayor que
la resistencia de entrada (Jr en directa), entonces se produce una ganancia de tensión,
es decir:

Si en la entrada se produce un incremento en la tensión (AV¡) ocasionando un

incremento en la corriente de emisor (¡Ir), por el efecto transistor presenta un
incremento en la corriente de colector (A16), resultando

AIa:c,AI, : - -':

Como avi=re;lE, con r" lj resistenbia del diodo de entradá, y'la tensión de salida

¿-craóxrce
 CAPITT'IO DE! TRANSISIOR

AV¡=pr6¡6 requlta la rélación de tensiones:

Como: cr:0r9O,rora,'-01995¡j:resulta que la ganancia'.de tensión da valores

aprec¡ables por que es el cociente de una resistenc¡a grande (Rr) y una de valor
reducido(r")..,..'..,-'.
-:-..'-
r .;t,'
EItransistorconseñalyPolarizado : ". ' -,
' ,''1

,...'''--1r'
t' i'l-: ' i: '1
. ,:: ,:.1 .a,.
I -1i_ 1
': '

':., Los transistores bibolares para su utilización en los'circuitos electrónicos'se'debe

aplicar una tensión de continua para polar¡zar la juntura de entrada en forma directa y
la juntura de salida un'io¡ma inversa (fijar un punto de trabajo en sus características V-
I) además se debe aplicar un generador de alterna en la juntura de entrada para
aprovechar el efecto transistor y:producir amplificación lineal"át rededor: del punto de
trabajo.'El tratamientó.dél,transiitor en un circuito se lo realiza"medianté las variables
totales, es decir las tensiones y corrientes tienen componentes de continua y alterna, el
circuito de aplicación sé muest¡a en la figura 2.11. .' '1 i'-," , .-:
' r:.r.i - r-:".

<__

EI.ECTRO¡I-:CA
-':l' : - '
 es minúsbül¡s, ¡gg:cómponentes máximas de É alte'rná y,, efrcpces se representa
subíndides
con letra mayúscula: seguidp'de subíndice minúscula resultandq:,.'.,

v^-
LE

v, = V,rcos{Dt
. ..',

En.la malla base em¡sor y colector emisor del circuito de t3 nOyra 2.11 se tiene:

\r P {r¡
vT --i IBI\B ¡ vBE

\/ P
'cc -; ¡c^\c-Lrrv cE
,i -,
Exfresandb en sus óomponentes de cont¡nua y alterna en la mqlla de entrada:
;i'
ir
Ves
,
+Vi : (IB
)r
f,: lu/Ks
\D j6l
r(vse rvu.J
.¡rr \

Separando la parte de continua'y alternai "-

vBB : IBI(B -1-I rtvBE

.¡ :i P -f-r¡

Despejamos las corr¡entes

Parte cont¡nua
]... :
'",'.br;"

sr,ecrRówlcA
cl.P.2-26
 Como la caracterrstica V-I de entrada del transistor es ldéntico.a.la del diodo y la
dependencia tensión.i corr¡ente' 95 ,:exponencial; pequeñas i variáciones de tensión
producen grandes variacioñes de corriente en polarización directa,.por,esta condición la
tensión de alterna base'emisor (v6.) en la ecuación anter¡or se desprecia (además en la
reg¡ón activa desde la tensión de arranque a la saturac¡ón en la entrada es de 0r2V)
resultandoi :i, .',,i.,'. :

'
.'';.: : ., :'.
v:
i,^b: ----!- -+ i. = gCOSClt
RB'^b RB-"
i'
' Expresando en s,iJS compones de continua y alterna en el circuito de salida:
,
: Gc +i.)Rc.' +CVcr + v..)
,'
Vcc

Separando la parte $e continua y alterna:

..

V.. = I.R. +V., . ,

0=i"Ra+v..

Despejando las Corrientes

' ''r"J'i:

Parte de continua
. :-t. -:

,-Lp-v..-V., " "

"c
.: , :

Parte de alterna ,:' : '

'Rc
l- - --

de malla en sus compo¡entei de cont¡nua y

del
perposición (

aLECtBOtfrc¡
 CAPITLrIO II : POLARIZACIóN DET TR.A}¡SISTOR
':.'

+<-
It
-\,.+ v.r '

> ile =-,

Re"
L
I t-
\-t, ^E

r'ü
Y

+ <_ .+
1o
rc
v€ ü
o
I

Y i.

I
I

Figura 2.L2Circuitos de Continua y Alterna

Con las ecuaciones de continua se traza la recta de carga en las características de

entrada'y salida, con las ecuaciones de alterna se traza la recta de carga de alterna en
las ca,racterísticas de entrada y salida, que para este caso ambas rectas de carga tienen
la misma pendiente. La intersección de las rectas de carga y las. características del
transistor determinan el punto de trabajo (Q) del transistor en las características de
entrada y salida, ambos puntos están relacionados por la ecuación fundamental del
transistor, :

Para construir la recta de carga se parte de las ecuaciones de continua de la

siguiente manera: .

En el circuito de entrada

,oRu
-
|:L
Iñ
Vu, -Vo,

1. Si Vu.=g resulta Iu : +*
t(B

2. Si Is=Q resulta Vr, = V*

Con estos dos puntos se construye la recta de carga en las características de

entrada tal como se indica en la figura 3.13

En el circuito de salida
. i :,r.:., . .i,

pr-rcrnóNrc¡
cAP.2-28
 ' . . ' .l'
'fr"
.APTfrIN fT . . POI,ARIZACION DEL TRANSTSTOR

. \/\ea- \/Yei :r.i;.

- t
i¡
"R- ^'c
\¡
1. Si V6r=g
- resulta I. : lT
RC

2. Si 16=9 resulta V., : V..

Con estos dos puntos se construye ia recta de carga en las características de

salida tal como se indicáen la figura 3.13

Con las ecuaciones de alterna se determinan los puntos A y B sobre .las

características dei transistor y las rectas de carga con un procedimiento similar al
realizado para la recia de continua.

El punto de trabajo en el circuito de entra esta definido como: Q=f(IsrVer) y en

el tircuito de salida esta definido como: Q=f(Ic, IarvcE), en cada caso se debe colocar
para las corr¡entes y táS tensiones el signo que corresponde.

T^
¡ó

,_vm
'R- D

I.q: FIao+(P+1)IcBo
Ise

\/
Vy YBE- YBB VcE: Vcc "t

Figura 2.13 Recta de carga de continua y altema

./
En esta unidad estudiaremos el comportamiento del trañsistor,a las componentes
de continua, es decir.lá,polarización y en la siguiente trataremos'el comportamiento del
transistor a las compoiiéntes deialterna.
''

.i

Ej¿LIKVÑI\A

c?a.2-29
 Polarizar un' transistor significa determinar las corrientes de continua de la base,
emisor y colector adecuadas para una aplicación en particular y Como estas corrientes
(Is,' I¡ € Is)), están. relacionadas por la ecuación fundamental del transistor
(Is=BIs*(P+lXcBo) y que los términos de esta ecuación son variables que depende
del circuito de aplicación,,-¡as tensiones de polarización, las resisteñcias y del transistor,
a travéS del cohipongliq jas variaciones de [emperatüra..tql como se analizó
lclivo .clg
para el caso de l6ss y Vee, el parámetro ganancia de corriente,(F),del transistor.es
variable'con la temperaturá, pero la mayor variación está en la dispersión del fabricante
del transistor, p'uestorque'este parámetro para un mismo .componente y del mismo
fabricante tíene u¡a va¡lació¡ de 3 a 1 o más. Las'¡arlaciones de los parámetros de la
ecuación fundamental producen variaciones del punto !q trabajo,del transistor llevando
y
a este a saturación produciendo distorsión en el amplificador, es decir, que de
amplificador lineal pasa a'ser alineal y esta es una dewentaja en cualquier aplicación.

De lo expuesto se concluye que se debe mantener estable el punto de trabajo

fijado por las componentes de continua y evitar las dlstorsiones, en los amplificadores
para las componentes de alterna, además se pueda comparar la eficiencia de los
circuitos' de polarización en diferentes topologías y aplicaciones, para los que se
establece algunos factores de estabilidad para el punto de trabajo, el análisis de la
estabilidad se centrará a.. las variaciones de las corrientes de' colector y base por
variación de la temperatura, se establpce que la estabilidad del circuito es ideal cuando
el desplazamiento de la corriente c la estabilidad es cero para variación de la
temperatura. Para este análisis adoptemos la siguiente función:

I. : f(l.ro, I r, B)

Como:

Iu : f(Vur)

Por lo tanto, la corriente del colector resulta

I. : f(l.ro,Vr., F)

ELECTRONICA
 . .,".l: --:,. , .. . , . ,_..,.' . . -:r',' .
;' ,i,;';,¡.;, ;1:.
,;..,i.', . , ,
'--
,::'-: ,,i', ::. , .:. ...'
:' '";",. I ,
. t,' , : cA.nrrltto'rri , poi¡irz¡'cró¡¡ DEr rRANSrs:oR
-'.t..

La variación de la corriente dé colector por las variaciones'de Isss,',Vs¡, p con la

temperatura se puede ..gjiresar¡
': .,
' '' :.ri,l::irdl:r :

at. :jLo,.* *'f!-6v", **¿9

dl.* y,ee
:
dP

Como las variaciones se producen simultáneamente complicando la.obtención de

los parámeiros de esta ecuación, para facilitar el análisis y la deducción de las
ecuaciones, adoptaremos la parametrización de la ecuación manteniendo dos
parámetros constantes y expresando la variación de una sola, de esta manera se tiene:
t.

S,rcB _ JT LI I
olceo lv;r=*.¡=*.

q
"vaE-dl. l

dVaa l,.o-*n.,p=*.

^
\
dt.l
= -----:-l
¿nl
-ts llc'r=cne;VBE=cnc

Resultando la ecuación de dispersión

aI. = S,*,AI."o *Su"rAVr, +SuAp

De la ecuación se concluye, para que el incremento dé corriente,de colector sea

nulo (AIs=O) debe suceder QUe Alcao, AVee y sean nulos o que los factores de
^F
estabilidad (Srceo, Sv"e^lSp) sean-nulos, es imposible que !,a, Frimerg condición.se
cumpla porque depende. de. los,pdrámetros físicos intrínsecos,q! transistor, en cambio
los f.actores de estabilidad, s!,pueden aproximar a la condición dé cero, iomo veremos,
por que estos dependen de los elementos del circuito externos al transistor. , ,r
'
. -.-,: --
.r : .'.t ..,". :.. --
:

Posteriormente- demostra[emos que si se garantiza,,.fa 'estabilidad para las

variaciones de Iceo, aüiomáticamente queda estabilizada parb las,variatiónes de la Ver
y F, por está condición a continuación estableceremos la ecuacióñ Sr.ceo y que además
nos será útil para comparar diferentes circuitos de polarización. Pará la deducción
partiremos de la ecuación fundamental.
' :

Ff..'¡cTRo!{IcA
cAP.2-31
 '_.i:
' ".):'-'

RémplazañOo,én
'
la
.
ecuación
t.t
', ,'t .,.,',,' 'i
. ," t ' .' =. t,',
' -. :t rr , :' ,li,"' , .' .' ,,' ,,, 'i
'1:Ptl" +(P+1)+ :

' dla '' . 'S,.". ,, 1

.. i., ',;.. ,'.,,,1-:q1' ' ' , 'l:". i r,1, -r :. . 'i.'' .:

-:"'r ;
Despeja i.^o^'iésnlta::
ndo- S¡qeo,ré9ulta r'
' 'r'':- ;-, ,:':..t;:,;i. . ' : ,'.."a , j,t,
:i.;1...,',:, :.-"'¡,a;*,
.:l .

e-:_lap_:lt',,f,,.*.-,t ."' ,

'to''- g]u-t"'t t
-o
'
'
l-U._-
'dI. ''''
' ,-
l

.', '.,
:

,;i ,'-9

La:tecuación Srcso será utilizado para comparar las diférentes topologías para la
'cuando este parámetro.no sea
polarizacton quq son utili-zados en los amplificadores,
[p,¡t":es Oéc¡r, resulte',de un valor elevado, 'másno anal¡zar:eltr-rLs'llg.l"otros paÉmetros
(Svee,,;Su), en, casé' dé'.que Srceo sea lo peguelg posible, en este caso
inuliruru*os los ot¡os parámetros (Svee, Sp) a fin de determinar las cond¡ciones
posible
circuitales para él Que la estabilidad sea la más reducida
,-...1.

Características del
...
Transistor ' '' ' : "
.";: I -

,.'l . i .,.
conocer algunoS Parámetros del
[ar:a polarizar un'tfansistor es recomendable
'
alguno de
compon'énte, que'el fabricante nos informa en la hoja técnica del dispositivo,
estos válores se indican en la siguiente lista: .\
.
., r.' lt ..

Tránsistor ACl27: ':

para seleccionar el valor de la tensión de polarización de la juntura de salida.

\r
vcBo,n"* :-aa\I.
J¿Y t
\/YcEo..*..- I¿ v
-11\/ ':

Para seteccionar la corriente del

, I^--.. = 500m4
' :
'.¡. ,, -, -
.- :l'i l-.'
:'
' :1.1.,-
-- ' . ,.. j. ¡'
.
"'-'
Para évitar el escape termlco.

nr,scrRóNlcA
c}.9.2-32
 Po:340mW; eo tO'/r,
.l
rr , ..' . 11 .,".1....-
. , ;.--
'.
.

Para deducir la estabilidad -'

Icro :15p,A.; h., : P:160tiPico

Para selecc¡onar la corriente de base o la protección de base (Re)

Ir..r = 25mA

'...
Polarízacíón
- :,..."1,-
En el sentido mps amplio, el transistor se utiliza como un amplifica.dor o como,gn
conmutador. El que désempeñe una u otra de estas funciones dependen esenc¡almente
de la polarización o Selección del punto de funcionamiento estático y de:la amplitud'dé
la señal de entiada.l-':Ño obstante; para lograr la amplificación; es necesario polarizar el
transistor en la región activa (lr en directa y J6 en inversa) definiendo un punto Q de
trabajo que determiná.ios valores Ic, Ia yVce, estudiaremos en detalle varios aspectos
de las redes de polarilación ,de los amplificadores para esto veremos: cómo establecer
un punto de, trabajo,'dado y cómo determinar una t?d qY., el punto de
.¡rantelSa
trabajo estable a pesar de las variaciones de los parámetros del kansistor. r,

Las redes de polarización de los amplificadores deben diseñarse apropiadamente

para evitar oos- ieRciencias de los transistores. Primero que los parámetros
incrementales de : u¡. transistor (pa-ra componen!.: lu: .9:
alterna) yaría1
apreciablemente con lá temperatura. Segundo que en,tre t¡an9lstores que llevan el
mismo número QU-c so,: suponen exactamente iguales se producen variaciones
sustanciales de los párámetros 'de los transistores de la misml tamilil Por ejgmplo, en
los transistores bipolards e! p puede tener una dispersión de tres,a u1o, o más en una
serie de fabricación, de .unidades que se suponen exactamente iguales; de esta
consideración podemgs deilucir que tenemos dos problemas.. Eieg'¡r un, pLnto Q=f(Ic,
Ie, Vce) específico por medio de un circuito de polarización adécuado.' Mantener el
pirtó fijo no ob'stante los efectos de la temperatura, el envejecimiento y ante
ó
cambios de transistorés. ;.
'--,.'."
para que un tránsjstor trabaje como amplificador, se dgbe pofarj-zar h JE €n
directa y la Jc en inveisa,rpara conseguir esta condición se débe utilizai dos fuen.tes de
tensión continua J. uufotÉs adecuadó, puru no sobrepasar las gondiciones tímiies de

T.ELIKVAIq
 la
las

Polarización fija en.emisor común

,ll ,'

El circuito de polarización de un amplificador con el transistor en la configuración

EC, se realiza meQiante una resistencia Rg con€ctada entre eitterminal de base del
transistor y el terminaf positivo de una fuente de tensión continua (Vee) para polarizar
ld Je en directa Y ,gue sumjnistre a la base del transistor la corilente de continua Ig
requerida, mientras'que al tolector del transistor se congcta una re.sistencia Rc y este al
terminal positivo de .una fuente de tensión de continua (Úc.) pára. polarizarla en inversa
la Js y suministre la cor:rienle de continua (16) requerida, como en ambas junturas la
polaridad de la, fuente'd-e tensión de continua es la misma, esta condición nos indica
que se puede utilizar una única fuente de tensión de continua (Vcc), este circuito esta
indicado en la Figura 2.14

Vcc

Rc
lr
I t^
Y^L
-+-

V.t
Vcc
ü i*. T.
c.
I t*"
Y;^ ü.1
I l^

vce
R¡ ver
ü i*.
I

V;- c.
J, .l
vl"
T

\t..

Figura 2.14 Circúito de polarizacjón fija.

ELECTRONICA
c¡P.2-3{
 '' t .i - t'
' ''t ;t' :
"tl'''
':.

CAPIfl'I,O TI : POI,ARIZ¡C¡óN DEL TRANSISTOR

En este .'r.r¡¡o la corriente de base es constante veamos porque:

Ene|circuito'de€qiradaysalida.;.l]j..'l....:'..'.i^'.';.
Vc.=IBRB+VBE

\t T T) r \I
vcc-rcr\cTYcE
-

Despejando las corrientes de base y colector

T :vtt-v"'
^BD
t\Q
r.

1- : vtt -Vt'
'R.
Como la VsE=Qr6,Y en el Si. y 0r2 en el Ge, estos valoies son'reducidos frente al
valor de la tensión de'continua (Vcc) aplicada al circuito, por lo que se puede despreciar
en la ecuación de la corriente de base.

, -v..
Dn
I\D

De esta ecuac¡ón prov¡ene el nombre del circuito de polarización, ya que,latensión

de la fuente de continua Vcc y RÉ son constantes, por lo tanto, la corriente de base es
fija. para determinar la estabilidad del punto de trabajo de[ circuito es suficiente
elablecer la derivada de la corriente de base respecto de [a corriénte de colector
resultando en este caso:

-Io: v". dl-

" ):=":o
RB di. '.t. '
i
Por tanto, reempiazando esta derivada en la ecuación de Srceb' se obtiene

S, :B+l
-lcm r

';
Como el factor de estabilidad Srcgo del cii'cuito de pola.rlzación fija es F+1. De
este resultado concluimos.(ue para toda variación de Iceo en.el transistór por variación
térmica, la corriente de colector varía P+1 veces la variación Issd, es decir, para p-50,
resulta S¡ceo=51, lo cüa! implica gu9 Ic se incrementa mucho máq ggé,ióro. Un valor
de Srceo tan grande produce una fuga térmica con este cirCuito (desplazamiento del
punto Q de trabajolo:distorsión en el amplificador. Con las.écu¿iciones de corrientes
de base y colector se tiaza lás"rectas de carga en las características V-I del transistor y
' " tr,, .,,i " . ' ,',t:.,',,,- '- .
llr.tclTlol{-IcA
cAP.2-35

!,' ''
i: ,
t'. i
 variac¡ón de la

lJ lo
t

lü I'

= BI"o+(B+1)l.uo il
VY Vsea Vcrq Vce = Vcc
Vce

Figura 2.15 Recta de carga.

Pola rkació n colector base

Como es lógico si en un circuito la resistencia es constante y varía la tensión

'como consecuen-cia varía la corriente que circula por el circuito y está es
aplicada
proporcional a la variación de la tensión. Si con este principio observamos el circuito de
polariz-ación fija en especial en la figura 2.15 de Ia recta de carga en las características
V-I de salida, se ve que cuando la temperatura aumenta incrementd lceo, con lo que
se incrementa B+1 veces la corriente de colector, reduciendo la tensión colector
emisor. De manera similar sucede que si el factor p gánancia de corriente aumenta por
variación térmica ó cambio de transistor, ocasiona un aumento de la corriente de
colector, reduciendo la tensión colector emisor.

De esta observación se concluye que una mejora en la estabilidad se obtiene si la

resistencia Rg del circuito anterior es retornada al terminal del colector, en vez que al
terminal de la batería; tal conexión se indica en la figura 2.t6

;1: í,j

ELECTRONICA
 Vcc
+ tu
*;[¡f"Ic
üIc
.+
Vcc
VcE

tT_
Y

vi
V..
;
V1.

, Figura 2.16 Circr¡ito de polarización colector a base

Calcularemos el facto¡: estabifidad Srcso para el.circuito':de' oolarizaciÓn colector

base, para esto apl¡cando la ley de tensión de Kirchoff (KVL) al circuito de la figura
2.t6
Vc. : 0, +lc)Rc +IBRB +VBE

Despejamos la coiriente de base

, _ v.. -lcRc -vBE

Rc+R'

Tal como se estableció en la ecuaciór'l Srceo realizamos la derivada de la coriiente

de base respecto de colector:
,.tf
ole D
t(c
_
dt- R".R' ;: '

Reemplazando la derivada en la ecuación de Srceo

-
. ,--- ' l, .: '. .''
.
"''-.
i .- : t, ... -.;.-

ET.ECSROTÍICA
raD t-?1
 \l
s,' -
---
--
-l t.7
at
¡cBo
26"
. "',
Si en la ecuación de Srceo consideramos que Rc=2Re 1p.>Ra), obteniéndose
l+F
Rr,: 2Ru * S,.un
')
l1--D
.J

5l
-rcso
S, -''-
i4.13

Si en la ecuación Srceo cons¡deramos que Re=2Rc (Ra>Rc),:obtenemos

..i, ".'

R^:2R^+S,
^'B -^-C '-lceo
:- 1+p
,,8
t r-
a
,J

q
'c80
: 5l :2.88
17,66

Si en la ecuación Srceo hacemos QU€ Rs=Q, obtenemos

1+B
R^=0+S,
D ,cB" l+p

s, -1 ¡cm
'
'.; ' ,:,",:

sLEcraóNrcA
cAP.2-38

,., ti_r ,
.,,'; i';r'¡ir
 C¡,PIrÚIO II : POLARIZACION DEL TRANSISIOR

. Si en la ecuaqión Srcao hacemos que Rc-O, obtenemos

'l'l -:
t) r 'e --l¡'i.6 ..' '--r.ir, , .. ,i.,',t, ,. ,r.-' ,, :, .j . ..' '. :.
.t\^-u-2J,
^ -c =ñ' -.lru
"- lceo

S.
,CB¡]
=51

De los resultados numér¡cos se concluye:

1. Cuando Rc>Ra la estabilidad se aproxima al ideal práctico (SrcBo=1)

2. Cuando Rc<Re l-a estabilidad se aleja del ideal práctico (S1sB0>1)
3. Cuando Ra=01a estabilidad toma el valor del ideal práctico (Srceo=1)
4. Cuando Rc=0 la estabilidad es la misma que la del circuito de polarización fijo
(Srceo=1+P).,
En todos los casos se tiene buena estabilidad respecto de Igss excepto cuando
Rc=0 resulta SrcBo=1.+p

En base al análisis realizado se puede establecer algunas aproximaciones en la

ecuac¡ón de la estabilidad, para esto procesemos la ecuación:

l+p _.-il.*
sQ _(I+BXRC+RB)
Jf.* :
Q -l
l+B 'tc
'Rc+RB
1I+P)R.+R"

Si (1+F)R. >> R" la ecuac¡ón de estabilidad resulta:

^
5.
R.+R
- 'B-+S, :l*"8 R-
-rcm- R^t
rcEo R^
', ,.,1' ' ,:
'

S¡ Rc>Re resulta-S¡..
=1, .. .: t ; l

iTal como se ve eñ fai ecuaciones, sí se cumple la condición'de (l+p)Rc>>Rs, la

estabilidad es opt¡ma,está tondición impone que ei transistor.tenga B elevado (caso de
un buen transistor) ó, .que Rc sea elevado o ambos a la vez; hacer R6 de un valor
elevado significaría Que ,también se debe cuidar la selécción de , la tensión de
polarización (Vcc); debemos recordar la condición establecida ((1+p)Rc>>Re) puesto
que también se nos presé1tará en otros parámetros de estabilldád.'
,

Como ya se oqtuvo, puena estabilidad, es decir, variacioles pequeñas de la

corriente de colector ''-.p.f ra -las variaciones de lqss, c.orresponde ahora analizar con las
; -C
variacióneld.éÉviaÚ;;deltrañsistorienIapolarizaciónéo|éct9,|abase...
. --,,,,, ..-, '1,.. . . -,;,..:.i., ,,., :,

EI.ECTROI¡-:CA
cAP.2-39
 lrabajo frgnte a variaciones de F, para eslo partiremos de la ecuación
punto:
!e
fundamentaldelt¡anssto¡e1|atopo|ogíaEC..]
l. : . ,^ t_1ff l
ljlu +(p':+1)I.ro

Del circuito de la figura 2.16 se determina la corriente de base

':,. : ':': . :

rlo-...,....-
_vcc-lcRc-vBE
" Rt*Ro
^-8.
'

Reemplazgndo lq cql¡ie¡te de base en la ecuación f¡rndamenlal '

,
\/ r R -\/"
! ¡ "cc-'c'tc-
1^-g "BE +ll+R)I^^^
R.;R, . T\r-r-P/Iceo
','

t,. "

Procesando la ecuación despejamos la corriente de colector para esto

consideramos que p>>1. '

p(vcc - lcRc - vur) + (l + B)lcBo(Rc + RB)

T_ =
Rc +RB

Ic(Rc + Rr) : 9(Vcc - I.R. - Vur) + (1+ l3)l.ro(R. + R")

-:',.
I.[(1 + 0)R. * Rr] : F(Vcc - V"r) + (1 +P)I.".(R. - Re)
:
rr.
, -F[Y..-Vur*I.uo(R.+Rr)]
BRC + RB
:

De la ecuación se obserua para que está sea independiente de p se debe cumplir

que BFtc>)Re.La desigualdad propuesta no siempre se puede realizar en todos los
circuitos prácticos, Por lo tanto, notar que aún cuando Rc es tan pequeño (nc-Re/p)
la sensibilidad para las variaciones en p es la mitad que si se usara polarización fija

Estabilidad respecto de Ia Vsr en Ia polarizacíón colector a base

: Veremos ahora el. comportamiento del circuito de polarización colector a base
frente a las variaciones de ld VeE. lal como se realizó con la eÉtabitidaO del circuito con
los parámetroS Oe iluo y F del transistor,'en este caso manteñdremos constante estos

sl'ctnóNrcA
c¿".2-40
 ,t.','.i.'- : ri-: - '"-"ili
r 1r. :
.
-1.. ':..'
I '|l'.
"- '-'"
,.-'
l.
.:'. :..':.1- '',:.\f: i',,, 'i. ':,..rr-.-i
CEPITÚLO II : POI'A¡.iZACIóN DEL TRANSISTOR

..

parámetros (Icso'y,p) y realizaremos la derivada de la corriente de colector con

respecto a la tensión Uqse em¡sor: :
' .. . ' '"- :-j:'il't'"" ' '-.-':t'' 1 l:' :J' i i ,"..1., .',i-;; , ''.;. ,.;; ;
'

,rc :-- F[-V.. - Vu. +.I.*](R. + Rt)] '" , '

BR. - R,

5,.
veE:-
dvffi pRc + RB

En esta ecuación'vemos para que la dispersión de la corriente .de colector sea

reduc¡da se debe cumplir lq condición FRc>>Rt.
.:
Del análisis de la estabilidad del circuito de polariiación colector base se concluye
que si la resistencia puesta en el colector (Rc) es elevada el circuito tiene una buena
estabilidad, es decir,'que el puntode trabajo práciicamente no varía con los cambios- qe
temperatura ni del'transistor. El circuito de polarización es deficiente cuanto Rc 3f ,Ée
un valor reducido.:El, incremento de la estabilidad del circuito de polarización cólector
base sobre el de la polarización fija se debe a [a realimentación desde el terminal
de
salida (colector) nacia el .terminal de entrada (base) a través de Re. La ganancia de
voltaje de corriente álterna de los amplificadores realimentados es menor que s¡ no
fueran realimentados. lAsí, si incrementa el vottaje de la señal de entrada, se produce
un incremento en la corriente de base, i. tiende a incrementarse por lo que la vce
disminuye y la componente de la,'corriente de base que se deriva desde Re disminuye
oponiéndosealacorrientedelgeneradordeexcitación
por tanto, el cambio neto de la corriente de base es menoi qüe el que tendríamos
si ,Ra fuera conectado'a un potencial fijo antes que ai t9r-minal de colector. Esta
partes
degeneración en la ganancia de la señal puede ser evitada d¡viO¡endo Re en dos
y conectando la un¡ón d.'estas resistencias a t¡erra a travé¡ 9e qn -caPdcitor C cqmo
índica la figura Z.I6i,t,'El valor de C debe ser tal qu.e a las fre¡yenCiaq más bajas a
reproducir por el amplifrcado.iáa un corto circuito. Notar que si 19 1$géOancia de salida
de la fuente de señat es pequeña comparada con fa resisteniia,rijé entrada del
transistor, entonces el ,:capacitor C no es de necesarig .poique -[á corriente
realimentación en Rg €s dérivada a tierra a través de la impedancia del generador de
señales y no contribúye a la corriente de base' . ,1" , . '

Curua de Polarización
I '.,
r '
-:i..:-.,
: .. . ;t:,'',,:,',r*,:il ;'
, ',
Si los valores de.los--c.gmponentes del circuito de poiaiiZgcióñ cbiector báse están
espec¡ficados, el,puntotq!?¡ico de trabajo se determina coqno óiO¡,u' '',
i. .
t".,',-t 1,,,..'. ';:r'r.; ,:-:- ', ,l t;.
,.,. .'. '

FT.F'Mñffi'L .f.;.¡" ':,.

,:1,_;
cAP.2-41
.".4¡
.,':: _i
:i
 ._j
: 'POIARIZACION DEL rRN{SISTOR

i.r... , ,,t, ... --.¡ .,j:

:t ",.

Só_bre la caracte¡ística V-I de sal¡da del transistor pgrp cada valor de Ie dado se
calcula el voltaje colector e¡nisór tomando como Vs6=p¡6V'o' 0r2V dependiendo del
transistbr (Si o'. Gd!. cón lá sióúiente ecuación determinada del circujto.
.': : .'
' 'l;l ' -,. .
:i ,-'-' ' '

Vá,:IBRB+V;E., 'i . , . ,,,*

.
El,lugar geométrico de'los puntos Vce d Is dibujqdos sgQré la característica del
emisor. se dé¡oming "curua de polarización".r : La interseCCión de la recta de
'común
carga y de la curvg de polarlzación determina el punto estático. ,
"
.-,.';:..'..
..'
Circuito Autopolari2ado , ': ,. :i '

t. '.
: -' .,.'' .'. , ,". ,, :
;.,t,

Del análisis (-e! ci¡:cúilp de polarización colector base:sg estable.ció que la estabilidad
del punto de trAbajo es deficiente si la resistencia de caig.a R. e.s Fuy pequeña, como
por ejemplo, en uni ciicuito acoplado a transforniádor al colector, por lo tanto para
valores ieducidos'de Rc no hay mejora en la estabilización del circuito de polarización
colector base sobr.e el'circuito de polarización fija. Un circuito et cual puede ser usado
aún si hay ,na resistencia (Rc) igual a cero en serie con el terminal del colector es la
configuración de,autopolarización, posteriormente justlfica¡emos ef nombre del circuito,
e[ circuito esta rgpresentado, gn la figura 2.77. : '' :

En el circuito de la figura 2.77 para polarizar la juntura de entrada en forma directa:

.a
. Se ha colocado un divisor de tensión resistivo compuesto por Rr Y Rz puesto
entre el terminal de base del transistor, el terminal positivo de la fuente de
tensión Vcc Y el común del circuito
.

rcado una resistencia Rr entre el terminal de emisor y el común del

circuito.

Para polarizar la juntura de salida en inversa:

. Se ha colocado una resistencia Rr enir€ el terminal de emisor y el común del

circuito. Esta resistencia conjuntamente con la resistencia puesta en el colector
Rc protegen al transistor en el circuito de salida y además determinan la recta de
carga en las características V-I de salida'

para analizar el circuito de polarización es conveniente aplicar Thebenin para el divisor

de entrada obteniendo la tensión Vea y resistencia Rs equiv?lente entre el terminal de
base.y el Eomún del circuito.
-':'R:Vci'"p R'R'
a, :
*
R. R, 1t'u R, + R,

pr-scrRóNrcA
cAP.2-42
 .!r.:

I'l

e.'" j
ü'
+
'vc
+
.'Vb.
l¡2 Ii,
R¿' Re
.T
t,I
Figura 7.L7 Circuito de autopolarización '
' :: -

El circuito modifitado',se muestra en la figura 2.18 b). CQn. esta nueva estructura
analizaremos como funciona el circuito.
. '.' .:' l'i''''
1 .'
.:
- -: --:'- .

Vcc

--> +
Ie Vse
L Rg ,,, :-
R¡

\g

EI.ACTRONIC¡,
 1.':r-!_!- .':''r-
¡.;, POL.LRI?IACION DEI, SRANSISTOR

.. . . .i r . ,,.

Fr..otfien!e,.',Ce:reff,1¡or Ie {Ie =Ic*Ie) C!9.ci1qu!? pof lq registencia Re produce

una caída de potenc[al sobre está resistencia'cón una, polariQqd tal que polariza en
inversa'la J¡, por otrq;.parte la ténsión de Thebenin'(Vqa):pofa¡iza djrgctamente esta
juntura, esto significa gyé la Je esta'polarizada por,¡rna difeienciá.de pótencial (Vss
VnE) Y esta debe sér pgs!üv? para polarizar en directa dicha juntura, de esta run.ár.
-
tiene las condiciones del, polarización para un amptif¡CaOor. Ta,l,',tomo se obserua del
:' ..-
circuito la caída'fe poteñcial eR RE €s:
\/vR. -_TltÑ'
P

Como Ie =fc*Ie
.. .i .-'

V- : \^c +l^)R-
'KE fi- :81^'E ' -"

....:.
(Is), si
Como se óbserva de la ecuación, Vp¡ es función de:la corrienie de colector
recordamos de:'fá ecuaé¡ón fundamentai Oef transistor'esta"coriente también esta
compuesta de Icso por lo que cualquier variación de está corriente son reproducidos en
Vs¡, lo cual ocasiona una variación de la polarización de la JE. De manera similar la
variación de la tensión base emisor (Vee) con la tempe¡atura ocasiona un aumento de
Is, produciendo- un aumento de Vps, Vdridndo también la polarización de Je,
'....
Veamos lo afirmaQo éon'detalle, si la temperatura de las junturas del transistor
sube, esto ocasiona que Icso se incrementa, por la
ecuación fundamental
(16=pls+(p+l)IcBe), p veces lcso se incrementa Ia corriente de qolector, en este valor
crece el potencial de Vp¡, lo que significa que proporcionalmente a este valor disminuye
la polarización directa (Vae- Vnr) de la J¡, con lo que se'reduce la corriente de base del
transistor y por la ecuación fundamental del transistor disminuye la corriente de
colector compensando el incremento inicial de esta corriente, produciendo una mejora
en la estabilidad Srceo debido d fceo.

Como se podrá observar del análisis realizado la mejora de la estabilidad se logra

por aplicación del principio de realimentación negativa a través de la Rr, y que en el
proceso detallado no interuiene la resistencia puesta en ei colector (Rc), este hecho
podrá ser verificado posteriormente.

También veremos que para mejorar la estabilidad Rr y/o Rz deben ser elegidos
tan pequeños como sea posible. La razón física para un mejoramiento en la estabilidad
con Rs es la siguiente.

S¡ Ic tiende a incrementarse, porque Isss crec€, como resultado de un aumento

de la temperatura. La corriente en R1 disminuye y como consecuenc.ia él incremento
de Vne en RE la',"Coiriente de base,disminuye por', [o que larr,:lpolariza menos en
autopolarizaciólRF-,!-' .:,.. -; 1

: ,,,, ,.. ; ''i, '.11;,'.¡ ... '

-;,.
.:i

práüiamente. a' la". deducc¡ón de las etuaciones de -estabilidad del circuito

autopolarizado determiqaremos las ecuaciones de las rectas de caiga en el circuito de
salida y'entrada y"la curva de 'polarización. Para"la recta ,de caiga.en el circuito de
salida, planteamoi lu de tensiones de la,malla de salida.
".ru.ión
!..: I.R. +V.= +IrR,

Como Ie=Ic*Ia resulta:

V.. - I.R. +IcR; + IBRE + VcE

Despejamos la iorriente de colector

, _ v.. - IBRE -'v^E

:

'c R.*Rr'
La ecuación fundamental del transistor en EC es:

I. = Fi" +(P+1)1."0

SuPongamos Por el momento l6ss=$

rra --or *r -Ic

Pra --- te -;-
v

por lo que Ie es pequeña, la caida de tensión IaRE €S despreciable frente d IcRE

en la ecuación de tenrlonu, en la malla de salida, por lo tanto, ia corriente de colector
óa.
e5:
r ' ,. -.',
-t.,t: 'l
'- V..-V.r *J
-'l'' , r
t¡
LnrT.)
-
Kc-ñE . .

\/
1. Si el transistor éstá en saturación Vc, :0 + I. :;.it- :
l<-i-K|
r\C ¡\E

2. Si el tranSistor- está en corte I. =0 * Vc! : Vcc

',:- '

Para la recta de cárga en el circuito de

':
entrada, plánteamos la.ecuación de
tensiones de la malla'de
,,.,.
entrada.
-i_..... ':
- i
,;\._:: i" ,.tr:
;
. 1 , l. ,

'', '

Vr": IrR" +VBE +I;'RE

,,
. '
.,,,
- i. ..:
,, ,

r ...- -,.
EI,ECTRONICA 1: .
cAP.2-45
 . I .' .'a
,a'¡.ii; ::.,., , :-".-,1
' í:lrr'-l

i: ' .':
.¡...: ':
Despejando la corriente de
tl base
- l "'''
.:-' ';''-
:
:
':;":t'' '; ' "

T
vYBB-.YBE.
" -1r '

^B- R" + (i + p,¡n,

I'A - ------------:--- ,

' D .. ':1 .-
t ''
t -t:.., ' .;;.:;,;..,- :'
t.
1. Si !a V"r:0+Ir:ffiln- rrg \1 ', t'/--E
.i.

.;

2. Si la I" = 01,+ V;, Y""

' ::
= :
Para la curua de polarización s¡ se conocen los componentes del circuito es fácil
determinar la ecuación que perm¡ta trazar Ia curua de polarización y la intersección con
la recta de carga: determina e-l punto de trabajo. Para esto a partir de la ecuac¡ón de
tensiones de la'malla de'sal¡da se obtiene
;' ' ::'" : -

V.. : FI'R. + PIBRE + trBRE + V.,

\rvcE I
-'r[pRc
-
-\t vcc + (B + 1)Rr]

En,'la ecuac¡ón de la tensión colector emisor, adoptando la corriente de base de

las características V-I de salida se calcula la Vs¡, por este valor obtenido se traza una
p.rpundi:iular hasta inter,céptar con la curva de Is, uniendo los puntos así obtenidos se
tiene lal curva de polarlzación, que interceptado con la recta de carga determina el
punto de trabajo
...:
Estabilidad frente EI fceo

Para el circuito de autopolarización deduciremos la expresión analítica para el

factor de estabilidad Srcso pdrd esto utilizaremos el circuito de la figura 2.18" el que
t¡ene dos mallas l'elacionadas, planteamos la ecuación de tensiones para la malla de
entraoa.

sl,rcrnól.¡tcA
 1
',:¡'.]
'a

.II
'; ;" '''
'",'.': POI.ARIZACIóN DEL TR¡NSTSTOR
CA.PITIJI,o

V"u : IuR, + Vr. * 0B + Ic)RE

' .';
' ".','
Despejandolac'oriientedebase.-''.' ,.-"i,'.''¡' .

, _V..-V..-1.R.'
"*:
'B Ru+R'

De la ecuación de estabilidad de la Is respecto de Iceo se debe realizar la derivada

de la Ie respecto de Ig, considerando a la Vs¡ y B constantes obteniéndose:

dlu:- R,
dl. RB+RE i.,",

sustituyendo,esta derivada en la ecuación de srcso, resulta:

C :
l+R
t'P l+p
Jt*, - il --:Q
-ot.- -
l-R*'B ^ RE
1+$-
^ -dl. RE+RB

Procesando la ecuación:

ir+pr[r-'*)
s"tc¡,_(l+PXRE+RB)__+S,
¡c'i =
+
RE + RB FR, t*o*Ru
RE

que permita
A partir de la ecuación d€ S16ss, realizaremos un .anál¡iis numérico
determinar los parámeirtji del circuito de autopolarización qu:e mgjole la estabilidad,
a

fin de establecer algunos criterios de diseño del circuito. Para:esto veamos lo

que

sucede con las ,resiientids Re y Rr, para éste análisis suponemos

que el transistor
tiene un factor F=50.'. .' ,.. ,i .

Er"acgRorflcA
c?8.2-41
 , '. .:. -,,,'i,..i.1..
, 51 , .'i
S,:
'c'o 17,66 t.:.'
.-
I
, :,,',t,t,,
'i.l :

. , Si en la ecuación Siceo hacemos qu€ Rs=Q, obtenemos

'rt",'.'

, : i, ::'',"1,:t¡ ¡ :

':
R" : o -> S,
11P,
.cBo
I +B
: '. :

e
Vr
lc8o
:l L

-;;,..
. Si en la ecuación Srcao hacemos Que Rs=Q, obtenemos

R-:0-+S,
--r, ' - :1+B
-lcao ' r
.'
^ r' :)l
5
.:.-'!-;.
De;.lo-s
I :.r
resultadgs numéricos se concluye: ,,,. i

1.-iuando Re)Re la estabilidad se aproxima al ideal práctico (Siceo=1)

2.'Cuando RE(Rs la estabilidad se aleja del ideal práctico (S¡6so>1).
3.'Cuando Re=0 la estabilidad toma el valor del ideal práctico-((Srceo=1).
4. Cuando Rr=0 la estabilidad es la misma que la del circuito de polarización fija
(Srceo=1+p).
En todos los casos se tiene buena estabilidad. respecto de Icao excepto cuando
Re=0 resulta Srcso=1+p. En el circuito de autopolarización la estabilidad es
independiente del'valor de la resistencia puesto en el colectoi (Rc).En base al análisis
realizado se puede establecer algunas aproximaciones en la ecuación de la estabilidad,
para esto procesemos la ecuación:

.,: a:,-.' .:"!;

n¿pcrnóx¡c¡
c¡P. 2-{8
 I r rl .:..ri:-; :..1.r: :i ¡\'::l' :
.;
..'-
CAPITIILO TI : POI¿RIZ¡C¡óN DEL TRA}¡SISTOR

1+g
"1*:
Q
R, "t'- _(1+pxRE+RB)
__-q
(1+P)RE+R,
:: '
r+g
'R¡ ¡i'":;: . , ','
j,R;t,l.. ..:;','.

si (i+F)R. >> R"

,!u
gcuación de estabilidad resulta:

S,
-lce,r
:Rr+4r)S,.rc¿o:1+5
RE R-E

Si Re>Rs resulta S,..0 :

Tal como se ve; en las .ecuac¡ones que sí se cumple la condición de
(1+p)RE>>Re, la estabiiidad es optima está condición impone que.el transistor tenga
un p elevado (caso Oe,un buen transistor) o que Rr s€d elevado o ambos.a la vez, h?::t
Re de un valor elevado significaría que también se debe cuidar la selección de
la tenéión
l
dá polarización (Vcc)..,Nótase que Srceo varía entre para valores pequeños de Re/Re
y (1+p) para valores grandes de Rg/Re.

Con un valor pequeño de Re se mejora la estabilización. Hemos notado

ya que
cuandO Re S€ apro"ira a cero, el valor Srceo no puede reducirse
por debajo -de la
Re
unidad. por lo que se ioncluye que Is se incrementa siempre más Que l6ss. Cuando
Rr,
se reduce en tanto que:RE se mantiene constante, la. corriente obtenida de la malla
Vcc'
Rz duril€ota Is, lo cuat'implica que para mantener el punto Q se'deberá disminuiF
También si Re se incr:ementa mientraslRe'S€ mantiene gonfnte, operando con
la
mejora
misma corriente estática debe íncrementarse la magnitud VCo, En ambos casos
la estabilidad pero se tiene una pérdida de potencia en lo:,:g*ponentes de alterna es
la desventaja que,acomPañ1 a un mejoramiento en Ia estabilldad.

para evitar la redutción dg la ganancia para los,compolgnté{ de gltern3 debida a

la realimentación introducida poi Rr. debe colocarse en paralelo eoq esta resistencia un
capacitor, (mayor a afOUF) tat que su reactancia a la frecuencia más baja que
reproduce el amplificador sea muy pequeña.

Como ya se obtuvo"brrnu estabilidad, es decir, váriác¡ones pequeñas''de Ia

corriente de colector para,las variaciones de Isss, corresponde ahora analizar con las
variaciones de p y Ia vsE del transistor en la polarización. .
;

::
Estabitización frán'té a las vairiacíones de la Vs6 I

ELECTRONICA
cAP.2-¿9

.i.:.¡
l +:,1
 CAPITUÍP TI : POI.A¡IZACIóN DE! IRANSIS?OR

a temperatura qmbientg y para el de Ge. es de alrededor de Or2V. Cuando la

temperatura se incrementa la Vs¡ disminuye a razón de 2r5mV/oC tanto para el Ge
comop'arae|5¡.::..;:;¡'.;¡i.:.i'¡i':.
t'r '. l r'
,"i
n respecto a las variaciones de la
vs¡, s€ supone constanteg rceo y p, quedando la función resumida a:
T
rc -fl\/
- r\ vBE,,\

Esta relació¡ se conoce como característica de transferencia del transistor, De la

ecuación del circuito de entrada se tiene:
t t '
.': ,

vr, : IuR" +V¡,

-- +(Io + Ic)RF . :-
Despejando q corridnté de base

, voo - v", - I"R,

"
r:vvvv\L

Ru *R'
De la ecuación del transistor

I.:FIo +G+1)lcro

Reemplazando la corriente de base con la ecuación fundamental del transistor.

V""-V -T^c^'E
R
J^ -
-c B buP BE
+P
+ 11
\^ + B)l^^"
i-./^cBo
'D
"

,
| B(V."
| \DD
- Vr, - I.Rr) + (l + D)l.uo(R, + Rr)
,.
-
ft"*Re
I lA -rP
¡c\r\B \= pffr, - Vu, - I.Rr)\r/1
. r\E.,, rQ\T
+ (1 + lD +-L'Rr)
D)l.ro(R,

I.[(i+F)R. +Ru]:0(vru -vrr)+(1+0)I."0(Ru +Re) ,

QT\/ - \/se + I.uo(R. + Ru)]

r - PL "es
' RP *PI\B
YT\E

Está característica de transferencia se representa en la figura 2.19

La característica de transferencia se desplaza hacia la izquierda a razón de

2,5mV/oC (Iceo. constante) para temperatura crec¡ente. Examinaremos en detalle el
desplazamiento de'las -características de transferencia con las variaciongs de Isss, B y
Ver de la ecuacion anterior despejamos ld Vee obteniéndose: .

ELECTRONTCA
cAP.2-50

,- ;,:::¡
 . '.,, 'i:'-;,:;j,1ili.j",1;i;i;i¡irtr, - "
-' t tt..
I :T' .' '-
,
CAPITULO II :.POI,ARIZACIóN DEL ÍRANSISTOR

I6
Tz>Tr

."',:..'FigUra2.19Característicadetransferen.i"'-,'],

Está ecuac¡ón representa:una recta,.de carga en.el,s¡stema:'de',ejesrortogoflales Ic,

Ver y está representado en la f¡gura Z.tg en está gráf¡ca se há.tomado como:
R+l
'q.
*
V'= (Re + Re )?Iceo '

1 . .
::;,- '.: : -

' '
.

Si p>>1 resulta,i
':.-,r,,.'. ,, . .:'t.. ,'.,:. ,.' t..'.,.,-
''
. .

,t'
v':(R" +Rr)Ia;.-.., -r r'..
-.]'"....],.-..i....,,.'n,.'..'i..i.,.].. ,,'1,-.'t'. .'.,1' l

Luego la interseCción'de la recta dé carga sobié el ejg .,Vqe es uná, función de la

temperatura porque I-ceó se incrementa con T. La pendiente d. l? recta de Larga es:

o:

9¡P:2-51
'',.'....
-:.-;-;: - ¿:- ;.
. .i , :
 CEPITITI.O fI : POÍ.ARIZACIóN DEL ThA}TSÍSTOR

. .:
característica dg transfelencia determina la corriente de polarización del transistor Ic.
Veamos que Icz para Tz €s mayor que Icr para T1 porque Iceo, F y Vee varían todos
con|a.temperaturá'.'j..,...,;;','. ' .]:

Deduciremos ahora la ecuación del factor de estabilidad de la'úariación de rs con

respecto s ld Vee definido por: :'

: dt^
'8E -.:-:-l
I
Drr--
dV"" L
-- | rCBO =clte;p=cne

Donde fgs6 corno p son consideradas constantes. De la ecuación de la Vee

deducido anteriormente, derivamos respecto de la Ic se obtiene:

s.,
YBE-- p' ' '

Rr+Rr(l+p) :.

Procesando esta ecuación se obtiene

:l
ñl
,D
l\c
^
. "Vse
+F *il R_
a

Si aplicamos la misma condición que se tenía para mejorar la estabilidad de la

corriente de colector frente a la variación de lcso.
D
(B+t)tt+ y B>>1
RE

La ecuación de Svse se reduce a:

R.
L

De esta ecuación se establece que s¡ seleccionamos para el circuito de

autopolarización un valor elevado de Re se tiene una variación muy reducida de la
corriente de colector frente a las variaciones de la Ver con la temperatura.

Si procesamos la ecuación de Sy3s para tenerlo como función de S¡sss, podremos

afirmar que si mejoramos la estabilidad pdrd Iss6 también se mejora pdrd ld Vs¡,
partimos recordando la ecuación de Srceo
'

ELECTRONICA
c}"P.2-52
 '!

CAPITI'I,o If : POI,ARIZACIóN DEL TRANSISTOR

c- 1+p
"r*, R.
l +P---::E-:'
I\-
'i ¡ l\ñ

Procesando resulta

_ (1+ pXR, * R") .

c"rcs' S'.*
(t + p)RE + RB (1 + pXR. * Rr) (1 + P)RE + RB

Como:

q __ F .,
"Vee p +RE(l+p)

Reemplazando el denominador se obtiene:

Q :-
S,B
¡ce'
"%. 'BE /r ,
(l F)Rr + RB)
+ ^\
...
De esta ecuación se ve que si Srceo es reducido, Svsr es aún más reducido que
Srceo y esto también se demuestra por la condición de ((F+l)Rr>Re) es la misma
para ambas ecuac¡ones.

Estabílidad frente a variaciones de P

La variación de la corriente de colector con respecto a p esta dada por el factor de

estabilidad de Sp definido Por:

Donde tanto Iceo como Vse son consideradas constantái. Si derivamos la

ecuación de la Is con réspecto a'p y procesandc se obtiene:

I^S,
e-Ltcgo
"P F(l +p)

Por los términos que componen está ecuación se presenta una dif¡cultad en el
cálculo de Sp problema que no se presenta con Srceo Y Sver. Para evitar este problema,
en la variación de tg'Ic debido ? un cambio en B es que.se procede a determinar la
ecuación Sg aplicando'ef método de los incrementos, tal coñio se;ve, a continuaciQl_.

L
EI,ECTRO}{.ICA
:
cAP.2-53
 II : POIARIZACION DEL rRA}¡SISTOR

, .^ - -tq-i ,- ",,: ' --l

corriente de colector
'.,:. : t-,.L-. r.-. i-.
, :_ plVuo -Vu, +V']
' (1+p)RE+RB
Para la temperaturd Tz
rrt
t -Pr[v"B-vBE+v'] ^

-----------------
f
' ,,,. -' .: '':':'
Para la temperatufp T+

r^r'r -9'[v""-vBE+v]
----l-------l
(i+B,)Rr+Ru

Procesando ambas ecuaciones:

.''..'.
Fr[Vou-VBE+V']
'c2 _ (1+ Fr)RF,+ RR
T T
9, [(l * 9,)R, + R"]
I -,- F, [Vuu - Vr, + V'] I., g,
[(t * gr)R, + Rr]
(1+ Br)RE + RB

p,
[(i +8,)n, + n"]- pi
[(r + F,)nr + nr]
9,[(l*F,)Rr+Ru]

Se establece para la ecuación de la estabilidad de la 16 respecto de las variaciones

del parámetro p del tiansistor.

o _AIa_ I.,S,.*,,
" ap B,(1 + pr)

Donde:

l+9u
s,= r,n
.CBOI
R,
If pr--
" R" *Ro

Srceoz g,s el. vgtor del factor de estabilidad Srcso Para p=pz, eS deCir, p a la
temperatura
- -.,
Tz .o cambio de transistor. Esta claro de,.]a 'ecuación de Sp que
t ". i,¡
minimizando isrdaoz también se 'minimiza' Sa."Esto significa que 4a razón Re/Rr debe

sLscrnów¡cA
cAP.2-54
I i,. ,.i
I :¡
::;
ser pequeña. Del análisis realizado para los tres factores de estabilidad se establece
que adoptando la condición (p+1)RE>Rs, los factores (Srceo, Sp, S¡igr):on mgjgrados,
es decir, que la variadión de la Ic entorno al punto de trabajo es muy reducido, otra
condición deseable es usar una resistencia de emisor RE tan grande como sea práctico
y para la selección de Re será necesario usar un valor de compromiso.

Si recordamos la:ecuación general de la dispersión de la Ic con respecto a la

variación térmica, se tiene:

aI. = S,.",AI.ro I Su..AVru + SuAp

Esta ecuación desarroliamos álrededor del punto de trabajo resultando

AIc : S, AI."o avr, * g" 4-P-

t "''* a 5..
L "*' "P
Ic Ic

Si reemplaza*ó, 'lu, ecuaciones obtenidas para los factores :de estabiiidad

observaremos que'.é1.'c¡rcuiio de autopolarización tiene mejor estabilidad cuando
seleccionamos una mayor caída de potenciaI en Re (RE 16), por lo que se concluye que
la estabilidad en este:ciicuito de polarización se basa en el principio de realimentación
desarrollada en la resistencia puesta en el emisor. Un resumen de los factores de
estabilidad desarrollados se presente a continuación:

q dl. al. *'lcmal."o = al."o * I"4L

-lt"' : dl."o -- al.* ---''
Ic Ic RE Ic

S.,r9!
*^c
ñl
_ al. .o aV"r_ ----7 Jt.
aVu,
A\¡ I
"Es IC T D
dv^-
oc
A YBE TCI\E
-
R
:/ Y2 1
."."--1.

^"P dl. al. ' al. -[',

l. . F,
dp-Ap ,I. 9,

El factor dominante en la estabilización contra variaciones de lceó, Vsr Y p es la

caída de potencial en R6 a mator caída en RE mayor estabilidad. , D. lo expuesto
resumiremos algunosr,éritérios que se siguen. para la selección dé coinponentes del
circuito de autopolarización, se recomienda no usar todas las aproximaciones en un
mismo circuito, si no que debe agotarse previamente todas las ecudcionéS de cálculo de
los componentes que se obtiene del circuito.
- -:: : : _

1rc) {-nz =4IB,i ¿,._:--¡..,1.-. ' , ,, ¡¡l ; ,., .

....1r1
'-
-:'::..- l'.:

Donde x>r poi ejéihpto "

i*r=lole
t.",-
t.
1- .'
-, t-' .]'
,.'
rr.ncTTrómcA .:"1.,. . -:,,,
cAP.2-55
 c¡i¡gur,o, rr : potaRrz¡c¡óu DErJ ERnltsrsroR

CE

üI* t": T
IE
'' I *
Re
;1 .r

Figura 2.2O Criterios para el circuito autopolarizado.

2oo) IsR¡=Vcc/y

Donde y>1 poi ejemplo:

V
I"Ro
L E
: ]+ (tOy" de V6s), cuando Vcc €s de valor reducido
10

r.Rr:3 o 4v, cuando Vg6 es de un valor apreciable

3'o) De las condiciones de estabilidad
.P
P+1>;l
'R- Como P>1

,n
Poitanto 3¡5
'R- L

FRr>Re Para establecer la igualdad un factor de 10 es un buen criterio.

BRr = 10Ru

Cofl Bmin

n - 9.,nR,
" 10

4io¡ 1p+1)RE>10Rez Este criterio se aproxima al 1'o

rr i-,

c¡P.2-56
 , CAPISITLO II : POI,ARIZACIóN DET TRANSISTOR

ESCApe -tI €frñilCo

, Los transistores,bipólares producen prócesos'de: autocalentamiento'por sobre

elevación de temperatura en sus junturas y esta variación térmica ocasiona incremento
de la Is ! como consecuencia produce incremento de la temperatura.en sus jurturas,
para tomar en cuenta estos eféctos'los fabricantes,de transistores nos especifican la
potencia de disipación máxima del dispositivo y el rango de'temperatura en la que el
componente tiene un comportamiento previsible.

La potencia de disipación está ,limitada por la températura que la Js puede

soportar. Para transislores de Si. están en el rdnQo, d€ 150 a 225"C y par el Ge',
entre 60 y 100oC., La temperatura de la juntura se incrementa debido a que la
temperatura ambiente aumenta o a causa de autocalentamiento por el efecto descrito.
La máxima disipación está especificada usualmente a temperatura ambiente de 25"C.
El problema de autocaléntamiento que se menciona resulta d.q la potencia disipada en
la juntura colector4; estableciéndose la siguiente secuencia de sobre elevación de
temperatura. ',''
,?. ,,ll 4 t
T-l--+
-,{r
.
^
1r 14
l."o | -+ 'l. l-> (lcV..)
4
I l4lcro
| -+ PD l-+ -4
r
l-+ lc ^| -.-

Resistencia Térmíca

Entre la potencia disipada por los transistores y la sobre elevación de temperatura

existe una constante de proporcionalidad que se denomina "resistencia térmica" que
depende del tamaño del tiansistor y de la convección o radiación hacia el exterior, de la
sobre elevación de temperatura.

AT=T -T =$Po
t-"''].
- .t'' .,'
,,0= resistencia térmicá IoCAV]
:

Los valores típicos de 0 varían desde O,zoClW para un transistor de potencia con
un eficiente disipador térmico, hasta 1.000oC/W para un transistor de baja potencia al
aire libre. Los parámetros del transistor son especificados a 25"C, el fabricante
informa en la hoja técnica la potencia de colector Ps p€rmisible para una operación
segura, para una tem¡ieratura mayor esta potencia disminuye, tal es así que para la
máxima temperatura'de fusión de la juntura esta potencia diiminuye hasta cero,
perdiendo su eficiencia el transistor, edte efecto se muestra én,¡a,ng ura 2.2I.

ELECTRON-TC¡
cA.P.2-57
 .:-.: .,a ,..

DEt.IR]AI{SISTOR

7.50C 25:C'T,9C
4

Los procésos ide sobre elevación de temperatura expuestas en las secciones

previas, establecieron un,'dlspiazamiento del punto de trabajo sobre las características
V-I de salida del transistor, analizaremos este desplazamiento con respecto a las
gráficarde potencia de disipación constante que puedé también representarse sobre las

i. Acoplado por
transformador
"

'::- " Yccl2

I
.
Figura 2.22 Recta de carga e hipérbolas de disipación. ', ' i
,,¡:--:,-', . ,; :" ' .:'
:
las hioérbolas
tr..i:\:¡'.,r'1. de
Ij'
disioación
i '
de
punto' de" tángencia representa

E],ECTRON]CA
cAP.2-58
 :

sobre el eje de tensiones la mitad del valor de la fuente de polarización de la Jc, Y

cualquier desplazamlerlto ? partir del, punto de tangencia ya sea por incremento o
reducción de'la 16 poi''próblemas téimicos,'e[ .punto de trabajo se aproxima a una
característica de menor disipación, por lo que se concluye que este punto de trabajo (C)
:. .
o uno que signifique un? menor tensión colectoi emisor debe ser el seleccionado.

Los problemas de seleccionar el punto de trabajo en las ,cond¡ciones analizadas se

presenta cuando Ia resistencia puesta en colector es de un valor muy reducido como
por ejemplo en el caso de acoplamiento por transformador (línea de segmentos en la
figura 2.22) a la carga efectiva.

Loana|izadopodemosresumiralasiguientemanera:
':
Si el punto de tra,bajo es Qr
-r\^l
[. l-+Po*
.

Si el punto de tiabajo es Qz
..,A
Ic l-+ rD ,\ I

Por tanto:

Si

\/utt :

v..
LE
< a - I. t-+ Po J
z-

Si

\/
v., >
!E2-:
lfq + I. t-+ Po t
' ,, 1-i,

Condicion es pa ra eita ül¡da d térm ica

Tenemos dos parámetros del transistor relacionados con la sobre elevación de la

temperatura, estos son'la potencia disipada y la potencia dé transformación de
continua en alterna, en todo sistema para evitar cualquier: $eneración de sobre
elevación se debe cumplir que la velocidad de transformación tiene que ser menor que
la capacidad de disipación referido ,¿l parámetro fkico, en.qaso de ser la relación
opuesta se pro.{g5e,iobre.e!9v¡ción.del parámetr:o.físico en ,luestrb caso de la
temperatura, expresado matemáticamente esta condición representa: ::-

er.EcrRóN-rcA
cAP.2-59
 .'''..-'
DTL ÍR;A}{S]SIOR

- 4tl

Si recordamos !a ecggc¡ón de la disipación que se represent?ba por:

:o'

,. ::.. t t.l, i

j'' t'
'
respecto al parámetro fíÉico se obt¡ene.
:,_
.:

," l¡.:l'

. .i
'_i. .. ,la-,'., . . .
. :: .' .¿i,;_ I .

Réemplazando eh:lia relacién que no representa sobre evalqación del parámetro

físico resulta.
II
'{Pa
.g¡

*/iT A
^J

Esta es la relación' matemática y física que debe cumpl¡r para que en los
transistores y en especial en los circuitos de polarización'no 'se presente el corrimiento
térmico. Relacionamos está condición matemática y física con el circuito de polarización
empleada, en este caso usaremos el circuito autopolarizado, rep'resentado en la figura
2.23.

+ +
-+
IB
V.t
t
I6

lt'
Y
+
V"é VRE
T
I T
I 1
., . , Figura 2.23 Circuito autopolarizado

La potencia generada en el transistor se expresa

. ,,1;r,_.,
como: l
: 1.
.!
P =I V- .:
' '-:- "'\:.'+'j'¡']'!::

sLrctB,óxrcA
cAP.2-60
 1.,
i,¿j::.-
,r.;¡-i,i'!;i+-'.':i i:,!.€' '
'
-'.t , .:;:'

Pero la tensión colector base esta representado por

-'-.i
\/YcB -\/ YcÉ'- \/^r:ir:1:;---l
' .
.t :¡.;...,,.:,.:.... - ,,.i ¡:.: ,. ..i1,.
-, .vto
,
i ,,,r.. I , ,
., ,
L? Vee es 0r6V.o- 0¡2! para transistores de Si' o Ge' Por
generada para el circuito autopolarizado es:

.c _Itc \/tcB IIT

D - .c V'cE

Del circuito para el punto de trabajo determinamos ld Vcr

Vcc:i.(R.+REL+.Vcr- -- . :,
:

Vce=V..-16.(Rc*R.)
.' t::

,....-''
Reemplazando la Vce en la ecuación de la potencia generada en colector se t¡ene:
'-:.'
p. = I.V.. : I.V.c - 13.G. * R.)
.

'Lá ecuación que.wita la deriva térmica parametrizamos,respecto de la corr't€nte

de colector resulta: :',i'

dP^ I- \
dP-
L dI.L (-- I
dl 0
=!-<
dlc dIJ ,9.

La derivada parciat de la potencia generada en colector con respecto a la corriente

de Colector se obtiene.

urc
r{P
_ r¡ 1l^(R^ nE,/
YCC - ¿rCU\a + R")
!'
!L -.: '..r ''
dia
t','.
.,,,',,'':' ','
Keemplazando én la ecuación parametrizada :

:,,'i'
,'t ' -'"t1'
'.tl:tt
' r.-.";{1,, ;l-.', ' :

F..-2I.(R.+R")1+.+'
t'.1d1 e " Iil
' ; '': ri. '.-"
'rélacionada con la
La derivada de !a Ic corl respecto la temperatuia esta
estabilidad del punto de, t¡abajo ya. ánalizada con respecto a los parámetros d€ fsss,
VeeYpOel transls ' tor; estableciéndose: ._.:. .

'¡

)
t-41
^iD
 ,, C¡PITI,J]I rI : PJ:il!.r:z¡CIc1{ DE! -.í}.¡SISTOR
, .
' ..
Del análisis de la estábilidad realizada en apaftados, anter¡ores.se estableció que si
ir'l :i ' _'."
"

se obtiene las condicionesr'circuitales para tener una buena estabilidad de la corriente

,r.j.

de cofector frente a variationes de lcso, automáticamente todos las otras variaciones

quedaban estabilizadas por Io ': .'. " '.' ,i,,.
tanto: I- ] ¡ , '
''-
Ef'factor predominante es fcso (Iceo =7o/o I "C)

N.. - 2lc(Rc + R,)l+L-

,{T olg'
At
. !
I

'"dl.oo dl o

Tal como se estableció Que Isse tanto como para Ge como Si se incrementa
alrededor del7o/ol"C -
, a..-

r:
dI.
rr s,tcBo'Y ry: o,o7l"on
' LDv
urcBo dl
.,. . :
t

Sustituyendo estas relaciones resulta:

F.. - 2lc(Rc + Rr)]S,.- 0,O7lcBo < :

Recordando que Srceo e Iceo son positivos/ vemos que la desigualdad se satisface
si la cantidad entre corchetes es negativa.

[\t . -2lc(Rc + R.)] < 0 -+ V.. . 2lc(Rc + Rg)

Por tanto

v^^
r \ ----------lS-
'::. 1(12 ,r\E/\
¿u\c +P

Reemplazando en esta ecuación la corriente de colector resulta.

v-^
\L - v-- v^^
LE -, 'CC . v-^ v^-
'(r >
\/'CC
P
¡.\c r-P
¡ r\E 1(a
¿\r\c +P \
¡ r\E,/ P +P
r.\c P +P
¡ r\E r\c ¡ r\E 1(P rP
!\r\c ¡ ¡\E \/

\/ \/ \/'cc
-v-- > v^^
'cc - v^^ -+ -v^- > - v^^ -+ v^- < Y-^
rE2LLLE2."2 "C

Con lo que queda demostrado el análisis que se realizó sobre el punto de trabajo
para evitar el escape térmico.

ELECTRONICA
c}€.2-62

'ni t...'..t,.'
"
Díseño con amplitud de señal especificada a Ia salida
':' . - l'r.
;
''tll't:ttt''::'
En muchas aplicaciones de los ámplificadores se'suele especificar el diseño: del
circuito de polarización en función de la amplitud máxima de señal a la salida. La
especificación viene a ,ser lo mismo que detallar los valores:máximos y mínimos .de
corriente o tensión sobre las características V-I de salida, pero será necesario un
pequeño análisis para establecer la relación entre estos parámetros'

. La corriente total del colector ic debe ser siempre mayor que cero a fin de
mantener el transistor fuera del corte,'esto además nos impone que la tensión
instantánea totai del coiector vc: debe :"t siempre T.uyot que O'sV
aproximadám-ente para mantener el transistor fuera de saturación.

. De estos límites y de la amplitud de salida especificada podemos establecer la

corriente de coléctor máxima y mínima.

. -,..,
Determinemos ias consecuencias del límite impuesto ? is, suponiendo que las
señales son s¡nusoidales la intensidad de colector esta compuesto de dos componentes.

1.- ic>0 para mantener fuera del coite el ti'ansistor

vo:v*=-i.R,

I :- -
r\L

i.:1.*l.sinrot
:

, En esta ecuación reemplazamos la coi'riente máxima senoidat del colector en

función de la tensión máxima de señal Vo y teniendo en cuentá la restricción impuesta
B ic s€ tiene: :

'i.:(I.*I.sincot)>0 '' ,j'

...'
Asíobtenemos una expresión para la-corriente continuá mínima de polarización en
función de la amplitud de la señal de salida.

Si sincot : I -) I. 5
= RL

.
Estos cgngeglo:, se,:,puedgn reprgsentar gráficameotg las características de
?l
salida EC en dos iás"óg: -1) la,r,ecta de carga de continua coincidé con la recta de carga
de alterna y 2) cuando no coinciden, es decir se codan en un punto.

,i
,. - . . , .. -.

ElEcrRoNrcA ' 't " t '-

- cAp'2-63
"''
 'tt
Vg¡ = Vggvcr

En la figura 2.24.a,RF=O. De la geometría de la figura queda claro que para el

punto de trabajo Q ajustado como se indica la corriente de polarización debe ser tal
que. : : '',r. : 1.r .

':l
,. .' ':.,'
v
I^>'o
tp
. ^tL

En el caso de la figura 2.24b la ecuación que relaciona la'-corriente continua de

colector es.
:.;.,-.....
.

\/."-\/ vcc r m rD
-rg.\r\¡ r:Ite \,l
Ycri- '( t,: :

Que nos indica que la recta de carga tiene una pend¡"ntJ Je -rl(ne*R¡-),
mientras que la pendiente de la recta de carga para señales es -UK.
2.- yr¡" >0r5V para mantener fuera de saturacjón

Pasemos ahora a la limitación de la corriente de continua'del colector impuesto

por la restricción:

v.u > 0,5V ,t,.

 : tt'''tt-t't ' -''' t '

vie:V.riv;sinio-1.- -., . .

,, ..*i-.til,,.i,
t,..j - -.:-
:'..
:.,,- :.._l
_, ¡.r.¡, r;;*';'11'r¡|:".
paiá et cbndiciéfidñiE'oe la vcrJ-o-- '; :,'ii'--
:
Si sinort=1, tomando ei peor caso que corresponde cuando
negativo resulta

V.. - V" > 0,5 -+ Y., t 0,5 + V"

j_
.1:
Del circuito del amplificador deduzcamos la ecuación'de la Vce.

. ,::i''i:';

Impongamos a
Ja:.anterior
ecuac¡ón la condición ana[zada . '

v.. -I.(R, *R;)jt.9,5+\ -)vcc -(0,5*v;)>I.(Rr- +RE) ""' :

.''..:'
. :¡;;'.' ',j-.- . ' - :,
Esta condición'setraduce en una restricción impuesta.a' Ia intensidad continua
de

colector desPejando
' resulta. fi
.;" .; ' ;: .,,:,,:.-..,
'-:':-:'
,I -V..-¡Y"+0;5)
.-.
P +R '-
r\L ' t\E :
': i

Resulta út¡l viaualiiár,con,una construcción gráfica la recta de carga Ia

condición imPuesta. .'

Ic
Ic
Rc
Ic:
V.. ,.-
'-Vaa
E.
Rc

ELE TRONICA
 DEL TRA}ISISTOR

'V'o:
: e.- I^--..
!r¡r4
p
il

Tra n s isto res Un ip; s ¡¿ r.t

: ..
Este dispositivo a diferencia, de los transistores bipolareS, ''.. para
' ;-::. , su funcionamiento
; ; .. . , -.-;:. l. r ;.. I
no depende del paso de los poftadores pcjF lasjunturas;ique- creañ barreras de energía
potencial, este hecho eg{m¡t? és!ap,lecer diferengias gn tos'principios físicos
:U:lanciafes
de dopaje de !ó9;-senliconguctofes y de las',corrienles que,e'rculan por ellos, en
consecu,encia la mgnúfaAu¡a misma del dispositivo eS muy diferbntó, El transistor de
efecto'de campo,es un'dispositivo que para el control de la coii¡e-nte depende de un
campo eléctrico (campo eléctrico creado por la polarización, pero que no acelera los
portadores por !o tanto no se crean corrientes de conducción por campo). Hay dos
tipos de transistores de gfecto de campo:
.;r
. El transistor de efecto de campo de unión denominad.o, f ET que deriva del
Transistor , '
nombre inglés Field Effect
, , ,

. E! transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), denominado

usualrnente MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field':Effect Transistor).

Este dispositivo está fabricado en base a una barra semiconductora tipo N ó tipo
P, si la barra es !e'un-material tipo N, los portadores mayoritarios son electrones, y si
la barra es de un material tipo P los portadores mayoritariós -son huecos, este
movimiento de portadores es controlado por un campo eléctrico creado por
polarización. Al igual que los transistores bipolares éste Qispositivo tiene tres
terminales, la notación- de los terminales de los transistores de efecto de campo es
estándar.

Descripcíón del FET

Los terminales de este dispositivo se denominan: Fuente (S), Drenador (O) V

com R a ( G ).
f1.........e

Fuente: Oriqen,'ó fuentq',(S), es,,el':termina! a través;:.-def. c.llal'los portadores

mayoritarios enti'an a la barra. Convencionalmente la corriente que entra por este

nr,rcrRóNrce
cAP.2-66
 CAPIf(rI,O TI : POI,ARIZ¡CTóN DET TF¡NSISTOR
'

. ''.
terminal se designa Por i5. ,.]

Drehador:, Dlénáje.,;(o) eS :;€l..terminpl .a,. tlgyés',del -c!9!: ¡o¡ ,¡neit!9!r9s

mayoritarios, dejan lá baria. Convencionalmente Ia corriente'en el'terminal se designa
ñi i". t-a tens6n' .¡t':;'ó y l'r. designa pot ve5 y es positiVa, si D es más positiva
que S.

Compuerta: fn,ai¡Oos lados de la barra tipo,.N. t!) s1 forman uniones PN

fiunturas), por aleación, difusión o
'por otro procedimientg de fabricación. Estas
regiones de tipo p.(N) con impurezas aceptores (donoras) son llamadas compuerta.

canat: t-a región tlpP'U (P) del material, enire tas dos.compuertas de tipo P (N)
es,el canal a traVés:bel.cual se mueven los portado-res mayoritarios, de la fuente al
drenador; o sea de
.
! a,D.
ji.-,:-:.' ,

En el canal tipo,N (p) las dos regiones P (N) están.conecta.das eléctricamente

para formar el eleciá.¿'o )L'.oÁpuerta, la acción de control se realiza en la *g]9" q:l
canal mediante la zoria de transición que se forma en la
juntura; en esta región del
canal,estudiaremoS,ei ¡mecanismo de conducción; utiiizando el modelo rectangular
idealizado representaü'o en la figura 2.26 en el que se han deformado
las dimensiones
a tener
relativas: el canal es:al,me¡os diez veces más largo que ancho, pudiendo llegar
anchura'
una longitud de varios clgntos de,veces la
;
, Aunque basaremüs ,nuestro análisis en ul ciispositivo de canal
'N, el

comportamiento de los.dispositivos de canal P es totalmente analogo.

ftt u.ttlra básica del FET ó JFFÍ de cagal N' .

:
- f,éu.a Z.ZO '¡
:

.
,_
,, .. ;l ., . , ,,,

El canal N está OopáOo con una cantidad muy reducida dq lmg¡r¡qzás donoras con
respecto a la compugrta de tipo P .qu: está fuertemente .dopadg con impurezas
aceptoras, esta relació¡r,,dq Qopajesr.produce una mayo.f ,b9¡e.t"rac!ón $e la, zo|a {e
transición sobre ca¡ii tipo N y una reducida penetracióLsobig la -qompuerta tipo P,
9f
ta tongitud det-tánat,N,ré3 Lsegú¡,sé indica en la figula 1.Z6jet án¡!o-del clnalbs d 1
el ancho de la zona de transición sobre N es W.
En la, figuf1 2.26 puede verse el

EI,ECTRONICA
.^É t-C.1
-,',-..'.i -
:li;:;
. - :r;',-' . ' ': . ... ;.;
.
._..,"..
:.1
,"
I'i..i¿ii';,r.; - ,i' :'"
...
-..1, -,-rr i
"i
.t'-:,t:i.'ti;-
". "

,a: ,--:.¡-:.--: . -
 p¿! ¡¡w1JrsrUK

La acción de'iont¡gl'en este transistor,'t¡.n. lu,ggr,-gl'auméntar la polarización

inversa de las uniones, la zona de transición penetra más'profundamente en el canal,
reduciendo así en 2W eJ 'ancho efectivo del canal, disminuyen¿óriá conductanc¡a entré
drenador y fuenté, reduciendo de esta manera la corriente de S:a D tal como se ve en
lafigura2.27eintaqúeVes=O. I ' '' '"' ":'-'l
Para mayor sencillez, despreciaremos las caídag de tensión en las regiones tipo N
exterioies al canal estrecho (zona comprendida entre los semiconductores que trabajan
como compuerta).

Voo Ro

Figura 2.27 Zonas de transicíón difundidas en el canal.

t.

La zona de transición se produce totalmente en la zona N porque este está poco

dopado con respecto a la compuerta de tipo P. Se considera la barra tipo N.lpor el
dopajecomounresistor.dadopor|asiguienteecuación:.'.
' t';;
"'' ,t "i

¡r¡crRóxrc¡
c¡P.2-58
 :.
Analizaremos el comportamiento del canal que es una barra semiconductora tipo
N, cuando se jplica''üna 'tensión entre D y s (vos)' 'supongamos 'que G está
cortocircuitada a S (V65=Q) y Ves es menor que el potencial de contacto V.. At aplicar
una ,tensión entre .,D ly,S circulará ,una corriente compuesta por los
'portadores
mayoritarios (electronel), que van de S a D, en estas condiciones el dispositivo (el
canal) se comporta,.o. ü un resistor y por lo tanto se verifica la tey de Ohm. .Pero"la
caída de potencial no será uniforme a lo largo del canal, yarque.cerca de S será menor
que la caída de potericia! en las proximidades de D, por lo tantg esta. tensión creciente
uniformemente de S a D polarizará en inversa la juntura formada por el semiconductor
del canal (N) y la co'mpuerta (P) en forma variable, dando como resultado que la
penetración de la zona de transición en el canal N no es uniforme sino creciente
conforme nos acerquemos al D tal como se indica en la figura 2.27, por lo tanto en las
característ¡cas dé este- dispositivo tendremos una primera zona para valores reducidos
de Vos en la cual Je cumple la ley Ohm, pero a medida que aumenta Ve5, el canal se
estrecha hasta mantener la,corriente, a través del canal s¡ LJ¡'-vdlor constante por más
que se incremente Vos, poi' lo'tanto, este efecto se reflejara.en las'cdrdct€rísticas de
salida como una zona.'de;.corriente:constante para.diferentes valoreg de Ves, esta zona
se llama de saturación: , En la figura 2.28 se indica lo analizado. '

\I rl
Y Dsmar V Ds
- .J.

Er,ECrRol{'rCA
cAP.2-69
 Silincrem'entamós Vos'lrasta que sea igual o tuyéi qre'étlpotencial de contacto
V. el área de la'sáccipn.'x(d,-2w) en la Rgura:2.77.'qgmenzaiáta-:disminuir en razón a
que eliipotenclal:inversciige, lJ juntura' aumenta ierca'de D. ,El'ancho de la zona de
'pgr
transición W aumenta; lb tanto el área del resistor disminuye,'ya ho habrá relación
:elivál.or':de.laitéqsión, la resistencia
lineal eltré.V6u'. Iq. ,,A. medida que aumenta
::'' ,.-.: -'-::. 1 '
-, también áumenta. , l .': '"
1 .: n
eouivalgnte
-r-'.-:'- 'j.r''
i..'.'.,
;.:r1:;',:t"'.:ti',,::.,.-1. " -i..,,..'i:..'¡._
'.:
'Si'continu'a
; -'_
aumentando Vps, habrá un valor para e! cual la rggión de agotamiento
ó de transición súperior:entra én' contacto con la inferior-: El canal se estrangula, en el
: -i _. ;. : -', ¡ ' ;¡'i'
punto en el cual _se. únen lqs."Oos regiones, en esta"Con.dición se cumple que W=d 12. A
la tensión Vos QUe prodgqe el estrangulamiento de-l c,g':19! se denomina Voss (potencial
aplicado entre S y, D qgé producé Ia unión de las dosl¡egiong9 de agotamiento) la
tensión Voss €s conoéida' con el nombre de la tens!ón de Pinchoff (Vp). La segunda S
significa saturación, la ecuación de Vp55 €s. :
-'

\z - QNodt
vDSS= .r- '1,, , :

g, .u" '

':
I'ncrementando Vps, la zona de contacto se va ensanchando hacia el D tal como
se muestra en la figura 2.29. , En el momento de alcanzar la ¡eg!ón de saturación, la
corriente por el canal nó aumenta más.
' ' .'

voo ,,, So
, ::l.-. j
', , :\'..
ltl:'l,1.
-:,:': ' , ;..tr!.- ,-: -.: '-i-
Figura 2.29 Zona de esbangulamiento del c¡nal..:''

¿jEu¡Avl\r\.Á
 DEL TRANSISTOR

Nota.- En el-punt_o de unión de las dos zonas de agotamiento se forma un

potencial fijo en ei espacio. árealmente la corriente aumenta cuando se llega
á'ia:saturaciénZ1gl rÁspuesta es=,NO,'ya'qúe:e medida qu.e aumeñta Vos aqmenta
un poco Ja 'gorj'iente,-es decir iá caiacterística no es corñpletamente horizontal,
sino tiende: a..subir,r ests ,se explica considerando que el . poten-ial fijo que
, .mencionamos ánteiiormente
'no,es del todo
fijo, sino que,::se'desplaza.{evemente
hacia el terminal de D,'a medida que aumenta la Vp5, de modo que ta longitud del
canal disminuye y por ende la resistencia aumentando la corriente.
Los portadoresl'en movimiento (cuando se juntan las zonas de transición) circulan
por el canal igual que efl ,uÍl'transistor, es decircomo si,estuvieran superando una
barrera de energía potencial o mediante el efecto túnel'

CaracterístÍcas del, FET :

.'_. . ,,. i , l
.

Ahora pol4rizamo, urt.rnamente la compuerta tal .o*o se analizó en el cáso

anterior, supongamos,pflmero ,que Vp5 €s mucho menor que V6s*V. la zona de
transición se desplaza:;uniformemente hacia el canal y en proporción reducida hacia la
G, disminuyendo el' áncho.efectivo del canal, lógicamente la corriente que circula por el
canal será menor:quá,,cuando, no.se polariza,la compuerta. fuenle con una tensión
constante, debido a Vis,ql,dispositivo ve reducida su sección normal .del canal por una
po|arizacióninicia|cónstantetalcomoseindicaen|afigura2.30.
:

Figura 2.30 Zona de tnns¡c¡ón á¡fr¡naida sobre el canal con prepolarización de Füeita Fuente.

S¡ se aumenla lgs'(Vcs=gonstante), hasta aicanzar. el,Valor,.de V65*Vs, s:

produce el efecto indicádoién la figura 2.3I. La zona de transicióñ 6¡¡¡n6'ija en el canal
se ensancha hacia el D hasta estrangularse, formándose u¡ polencial fijo en el canal.
Si aumentuVogl Seensancha aún más
!a.reSióndel,D , ,',,'t,' ,,
...-'...'.",-','..:,....'.'
El poteñciáf 'vorsj .iiüe' prodüce la saturación cuándo,Vi5 éq' diferdnte de cero

EI,ECTRONICA
c¡.P,2-7L
 lil 1

: Voo Rp

Fígura 2.31 Circuito de polarización del FET y zona de transición difundida en el canal.

ID lD

Io$

vo$

:,
.fier*] g.2" Características tensión corriente del FET con cana!:prépolarizado.

ELEC?RONICA

', : -.1-l .:,:. , I

 1,.r: .,,1:

Las característicás'.de,D en la conexión de SC para un,FET típico de canal N se

grafica Io €r1 funciérl,.de tos coo V65 como pprglnetlo. Para vgr, cualltativamente
porque las características tienen Ia forina mostrada én la. figur91.32. consideremos por
ejemplo el caso Vcsig: 'Si ip=g el canal entre las uniones de pueÉa fuente y pyerta
drenador está completamerlte abieta. Si se aplica una tensióR:Vos pequeña, la barra
tipo N se comporta córnó una resistencia'semiconductora normal y la coriiente Io crece
linealmente con Vp5.

Conforme la corriente aumenta, la carda de tensión, entra la S y D polariza

inversamente la unión (cgryp.uérta-fuente) y la parte conductora del canal comienza a
estrecharse (por increm-entó de.la-zorra-de transición en la juntura). Como la caída de
tensión es a lo largot,del canal, el,estrechamienio no es.uniforme sino que es mas
grande conforme la dlstancia 9 S es mayor. Llegando ? u.nu t-e1sión Vo.: Plra,la cual el
canal se contrae ma¡lenié¡dosg constante. Esta es la tensión a partir de la cual la
corriente Io s€ aproxima a un valor constante
_. ...::,,, ,. ., . . , .

En printipio;.naturalmente, no es posible'que el canal se'cierre completamente

Io=0, porQU€:si,estó,'ocurriese" ta caída de tensión necesaria.para polarizar en inversa
la juntura compuerta ;{üente'desaparecería. Obsérvese que cada curua característica
presenta una región ppra valores pequeños de Vos en la cual Io €s proporcional a Vos.
También upuru.á un'üdu una de,ellas una región de corriente:constante (saturación)
para valores grandes d-e'Vp5, en la cual Io apenas depende de Vos.

polarice
Si se aplicu ,nuliánri¿n ¿" Cl.on r..rpucto de S (Ves) de taf lentido que
unión; la iontracción ocurrirá para valores de Vps más pequeños y la
Iomáximaseráinferior..;....':
La tensión máxima {ue puede aplicarse entre dos terminaleó cualesquiera del FET
es la tensión para el' que aparece la ruptura por avalancha .de !a barra de fuente
drenador.

Para un valor elevado de .V65, el dispositivo se pong- aai corte r¡ Fto conduce
corriente (las regiones di! transición eniran en contacto estreCho'lolo.pqr la aplicación
de Ves), esto significa qge no hay movimiento de portadores,:en,el canal. El valor de
V65 Qu€ estrangula totaim.ente ál canal para el cual Io:[ se déñomina potencial de
estrangulación ó. Pinciiooff (Vp =Vosi).
'',j:,¡.il;¡',1." -, ',j.. :
:r.t= :.,.. .
.'.1,1;:'1;i..-'''-......]':'....-'1:.-,.j]..]
Transistor de efectb de campo de compuerta aislada MOSFET
t ,i .,,
a- '
. .
'. l'
El desarrollo d?-^[ lecqqiogía
. a.'r};r': 11 g,establecido dos tipos,de irpirsjstoies
':-;.
unipola.res de
-n4OSfET:' r- inducción (enriquecimlento)
,;,;.',i- i -
ó canal inducido y los
compuerta aisladá; t9s dg
.:.-:]¡'..:;:..:.i....':..1.-l:::i.:1-:i'.....:

El,ACTRONICA
caP -2-73
 detalles de

MOSFET dq Índucgió.¡7,- l i'

.
,,, ,.
- ,,,
.,' ,

' En la figura,2.33 :,g, OrlgOe ver la estructura _iísipu de un t¡ansistor MOSFET de

inducción .uñal' N; Esto--q.¡r9.riq¡19res se constrüyeii cqn ¡ecngloOía de difusión u otros
mecanismos afines.' r. ',
' , , .i:. ., . ":
'. :,. ;, . . .':: -
,' ir:.....r ,.
Este disposilivo Con¡igte en un substrato tipo F llSefalenfe doPado en el que se
difunden dos regionug *gV dopadas tipo N.'A continu.ació1 se forma una capa de
bióxido de Silicio a t¡qvés de toda la superficie d-el semico¡duct9r, en esta capa de
I
óxido se practican ventanas sobre las'regiones tipo N Pfra'¡ealizar los contactos
eléctricos de S y''D. por último se deposita una pelicula metálica sobre la región tipo P,
esta pelcuta metalica se constituirá en el terminal eléctrico llamaQo G'
'

paia ilustrar la estructura con claridad es necesa¡i,o,lncremSntar las dimensiones

relativai. En realidad el área totai del substrato ocupado por un transistor MOSFET es
'(p=micras). Las regiones de fuente y drenador tienen
del orden de 150pm?
profundidades de entre 5 y 10¡rm y están separadas solamente entre 10 y 20pm (L
en la figura 2.33.), la capa de óxido suele tener un espesor de O'1¡¡m.

i.

+++++++

I
.,' Fisura'2.grlFt ¡u ril"riiaüu¿á (torrt oe ¡n¿uicún¡t t' '''l

ELECTRONICA
cAP.2-?4
 q t ',-/jr -a; i ---
,' :,.-" -.. ':, . : ,
I 'r ' [':"i:: ',-'
.'
,;Jr:t:.ir.,; .:.
-'.' :'-r, ir, : j.
. .. ;i:, ¡. .i:
.
' ',. -:,-

El conjunto, metal dieléctrica Si0z y el semiconductor del canal en la G, forman

un
capac¡tor plano. Se in$uce-n cargas posit¡vas y negat¡vas en las caras.
LdPoL|L\J|P|o|1v.-:;li-:-'.--:--'.''..'"i*'
Cu'ando el term.inal'de compuerta esté en circuito abierto entie S y D
".q.n??tu.
canal conductor, ái.'*ut¿rial del substr:ato entre estas regiones tiene una resistividad
elevada' pero finita, la i'egióh ' intermedia entre S y'r D' se: acoplan ,'a',través de
dos
junturas. Aplicandoruna tensión entre S y D de cualquier polar:idad,,por lo menos una
ie tas junturas estará polarizada en inversa impidiendo así la conducción.
El MOSFET, funCiona con un potencial positivo entre G.y S,.esta operación se
denomina de inducción .ó enriqugcimiento como lo demostraremos posteriormente.
cuando et terminai¿;C;r positivó respecto a las regiones s y D en la capa del dióxido
bajo el terminal ,de,,'G ,1e créa un campo eléctrico dirigido de !a carga positiva a la
negativa del sémiconductor: del substrato.

Si Ves., p.qúbña las cargas negativas necesarias pararcgmpefisaf las car$as

poi
lla polarización, son suministradas por los átomos de impurezas
positivas inducidas
aceptoras ionizados e.n 9t r¡aterial del substrato tipo P'
y.se
, S¡ V65 durTl€nta, las cargas fijas no son suficientes para [a compensación
produce un paso de .elgct¡ones de los semiconductores tipo N, de manera que puedan
compensar el incre*.nto producido de cargas positivas'd'ei ia compuerta.. Por
este
y'cuanto
efecto el canal comienza arlle¡arse de portadores de corriente,Glectrones)
mayor es Ves mayor,ierá;'ét'n'úmeio de portadores en e! Lánal;,1Enlonces, se forma
lo

que se ilama un .án"i inducido (enriquecido). Si ahora.se aRfica unl.Vo: tendremos

un flujo de corriente entle tos términales de S y D a través'dél canal inducido.

Variando Vcs, uáriu el número de portadores, por tanto vailg la conductividad del
canat. Las caraj;;írtÁ V-r de este dispositivo son muy patggio{s á
p'¡ del FET, pero
Vcs vdríd en distinto sentido' Este transistor funciona por enríqüecimiento o refueao,
saturándose la corrieqtg,á partj¡ de uná ' , -.'. . -. :.' -i,'''- .,., Vos. ,
'
. -,,.t',¡,'111,.1..',r,.;. .':,1- -¡ , . . ,;'i-,...' .:' " ,

Líneas de camÉó.'e]fctrjco-sg establecen entre et'm!,tatffe1n¡cónduTor;P?: .l

potencial aplicado u iá'¿o*puerta(iara pequeños potenciqtéS).- $i,el D és más positivo
que la S se genera unrcampo eléctrico dirigido del D a la G, opuesto al campo que
induce el canal tendlendo,,a eliminar los portadores, por [o que el cánal disminuye en
esa región. Para ,J?l.g¡es crecientes de Vos, qrgdomina.:el ,,CámPo opÚesto
desapareciendo éf ca{!¡fgradgafmenfe-a parlir de la reglón Qe.!rgbajo:1,',La corriente se
satuia invirtiendo fu pÜfaiiOad de Voi;lle forma una'regiqn Oe a,g,ó¡amiento én las zonas
próximas a N resultlnao óo1o dos dlodos en oposiciun oo: o,t:i: conducgión til
lo
' '--lfi,.-.:
,'., it','l'-":tl 1 ' ,
, 1,r,,,
'l"rl
.,,:,...:, ,.1.... -,. . .i

.',';:: ; ,, ."': ' -: .,'a,',i, ..:l-. . -,

caP.2-15
 ra¡NsIS?OA.

i
't"4iii;ru"i¿oi
.iral, .:tt.t'
.;. .' i ,:r:-:.
.
Figura 2,34 Cangl
: "..".i
.-t : -: .

inducidorOet t'tosrrr, Canal del MosFET de deplexión. a) Canal enriquecido, b) Canal en

polaridad¡nvertida.' .,1,^ I ' : l

Del análisis realizado se establece las característ¡cas V-I del MOSFET de

inducción, resultando:

ID

vos. , : vo,

Figura 2.35 Caracteísticas de tensión corriente. a) De salida. b) De entrada del MOSFET.

En las características, se observa Qu€ Vesr-Tur-on (conducción) valor a partir del

cual comienza a conduc¡r'en forma apreciable. El fabricante nos informa en la hoja
técnica Vcsr €
fp5s, pOr ejemplo: Vesr =lV, Ip5s=10mA. De lo analizado se ve
,clarqmente que este MOSFET funciona con una sola polaridad de Vcsi Los transistores
unipolalq¡ FET y MOSFET de inducción difieren gn.que el FEi de.canal N necesita una
tenslon de compuefta negativa, mientras que el'MOSFET de inducción de cana! N

ELECTRONICA

.|;
 i+:'!-','*:: r i-r-ilj r
Í'{".,,,1'r .,
.'ú¿:.'--j
i'* : i-É-#,ii ;:.
'' -il " "

, .. ,'.1;t'". DS! TRANSISTOR

,ir,¡'.-'t.,':r:'

utiliza una tens¡ón:Oéi.orprórta positiva. También, la proporcionalidad entre la

corriente de drenadof,y la tensión de compuerta es diferente. En el FET el aumento de
V", Jir*inuye Ia 'rééión del canal reduciendo la conductividad, 'Éii el MOSFET de
inducción el aumento ,de Vcs aumento la:densidad' de
"barga'en el canal y la
conductividad del mismo.

MOSFET de Deplexión'-
Se fabrica un segundo tipo de MOSFET difundiendo un canal N entre la fuente y
el drenador como se muest¡.a en la figura 2.?6. En este dispositivo circula una corriente
de drenador losi apreciable para una tensión de G a S nula Vcs=O. Si la tensión de G
es negativa se induce:'en el canal cargas positivas a través de! dióxido, puesto que la
corriente en un FETJse debe a los' portadores mayoritarios (electrones para un material
N) las cargas positivas inducidas hacen menos conductivo el canal y la corriente de D
produce
disminuye cuanto más,negqtivo es Vcs. La redistribución de catgas en el canal
una deplexión o'. empobrecimlento de portadores mayoritarios de donde procede el
nombre de MOSFrf ,de deplexión ó empobrecimiento, obsérvese.este caso en la figura
2.36 las característicai tensión corriente del MOSFET de deplexión son similares a los
del FET de unión.

er¡crnó¡¡-¡c¡
c}.P -2-77
 rl
¡l

Inducqión Vcs=0

,)

' Figura 2.37 Características de transferencia y salida del MOSFET.

Símbolos: Es posible sacar al exterior la conexiól del substrato, teniendo así un

dispositivo con cuatro terminales. Sin embargo la m¡yo¡ía de los MoSFET son de tres
terminales, conectándose ¡niernamente el substrato a la fuente, en la figura 2,37 se
muestran tos distintos símbolos utilizados por los fabricantes,' Algunas veces también se
utiliza el mismo símbolo de los FET de unión para representar el MOSFET de
deplexión, entendiéndose que SS (Gz) va conectado internamente a S.

fn la figura 2.38 se indica los símbolos, el sentido de la flecl-ra en la puerta del

FET y de los MosFETs indica el sentido en el que circularía la corriente de puerta si se
polarizá directamente dicha unión. :,'
.:
Polarización de los transistores unípolares'

Como se estableció en secciones anteriores.-existen dob tipos de transistores

unipolares: los de efecto de campo de unión FET, y los de efecto de campo de puerta
aislada MOSFET y ambos son de canal N o P, del MOSFET existen dos tipos, los de
deplexión o empobrecimiento (tienen canal físico), y los de inducción o enriquecimiento
ó acumulación (no tiene canal físico). Estos transistores tienen diferencias físicas en su
funcionamiento y control, pero se los utiliza corno un amplifiqador o un conmutador, el
que desempeñe una u otra de estas funciones depende esencialmente de la
: polarización ó punto'de funcionamiento e-stático y de la amplitud de la'señal de entrada.
Este punto de trabajo debe selecciona!'se,en la zona lineal d.q,9uS características V-I de
salida del transistoilzona de saturación), se pueden utillzai'las mismas topologías de
l:

ErEcrRoNrcA
cAP' 2-78
 ' ''': : cAPr:uLo rr : Por'ARrzÁcróN DEL TRA-\srsroR

'..,.. por
los circuitos de polarización de los transistores bipolares con,ligeras'mociificaciones
el hecho de las diferencías
. í ri ,
en su control'
.i- ..::
' -

FET Canal N FET Canal P

¡vIOSFET de DePiexión Canal N

J -l
FI
D

SS

G r-i
MOSFET de Inducción Canal N

Figura2.38Símbo|osdé|ostran5istoresuniPo|ares.'

En los transistores un¡polares f¡jar un punto de trabajo en la zona lineal

de las
característ¡cas v-r ás definir'el punto Q de trabajo frjando losvalores
de la corriente d.e
drenador, tensiories cómpuerta fuente y:Ore1adol fuente (I3,Ygtl Vot),1:A fiflrencla
de
áe tos tánsistores bipolar:es,. el punto Q de trabajo se m,ant!.enb e¡lab[e dentro
de dos
valores apropiadot puiu- las vár¡aciones térmicas, por ia cong¡rrSeiiiia simultánea
efectos en la ,onu ¿¿ftl.unul,l. en, cambio la dispersión eñl.'lg!, p4rametros de
los

transistores de ,la- misma :familia y

fabricante están presenies, por esto que el
trabajo no es necesarici realizarlo, si no más
tratamiento de la estabilidad del punto de'apliquán
bien utilizar c¡rcuitJ O.e potari=u.ión que la realimentación pára compensar la
dispersiónde|osparámetrosdeltransistor.''
., , . ._

En los transistore'ünipola¡es'el t-ontrol de la corriente-$e d¡enadoi',in-el circuito

de salida es por la acción de una tensión en el circuito de entrada, esta relación no es
lineál debido ur, f¿*in-j,cladrátiio'en ;ia ecuación de 5¡ockigv"qüb'controla"á los
transistoresFETyMoSFETdedepIexiónoempobrecimientcj..:':..

EI,ECTRO¡TCA
cAP.2-79
r;;,i-. ';1-' '',
,.,¡;_ -i:' -
L!.:_f.:',r ;: :,, . l
 ,i":'"*{tFi ' :.' ,i",ii.i:.. ..r_I
-En :'
los transistores MOSFET de inducción
ecuación de contro'l es:'-:
t
lt '
" '

ro:-1./1r
7 r' \?
K(vcs - vr)-

lo encendido
Con k=
(Vo, encendido - Vr)2

En los transistores. un¡polares

- -- por
r la estructura física y el tipo de polarización de
las junturas se aplica ¡o¡malmente la siguiente condición:
.1 .j.

Io:0 e Io:I, -

En base a lag ecuaciones de transferencia él análisis de la polarización

será un
enfoque gráfico y analítico, tomaremos básicamente la .onng*uJólr-ruente
común y al
finalizar haremos referencia a otras topologías

Polarización del FET

Parafijar un puno de trabajo en la zona lineal de las características V-I y que el

transistor trabaje como amplificador se debe polarizar en forma inversa
la juntura
formada por G y S, aplicar una tensión positiva al D con respecto a S en los
transistoresdecanalNynegativoalDconrespectoaSenlosde'canalp.

Potaf -ización frya compuerta fuente. ,, ,

El circuito de polarización simple y de fácil cálculo de sus componentes

es el de
polarización fija, el circuito utiliza dos fuentes de tensión
de,:continua, Vee para
polarizar en forma inversa Ia G con respecto s y la
otra vpp para permitir un flujo de
corriente de drenador hacla la fuente, el circuito esta representado en
la figura 2.3g.
Para las componentes de continua (f=0) los capacitores se comportan
como circuitos
abieftos, la resistencia Rc en el circuito es de un valor elevado para posibilitar que
la
señal de alterna pueda estar presente en el terminal de compuerta
del transistor, como
ia corriente de continua de ra compuerta toma er varor cero (16=0) porque jr;iür;
r.
, compuefta fuente esta polarizado en inversa por V66 por. ro q¡. i.ír.senta
un circuito
abierto,porlotanto,nocircu|acorrientedecontinuaporRo...].:-
';:i l

ELECTRONICA
 . . /'
CAPIrr'I¡
':

i:'.'

-L

vo

, : 1,. Figura 2.39 Circr¡ito de polarización fija del FET - .

v* * IoRo + Uir,: O

Como Ic=0 resulta para la tensión compuerta fuente.

'U5 : -V.-
V-. 'UU

De está ecuac¡ón,se.'concluye que ta tensión compuerta fuente.es de un valor

constante (Vce) y por'esto el circuito se denomina de polarizació!,,fija, normalmente del
FET a ser polarizado-se conoce la tensión de Pinchoff (Ve=vt55)' nos informa el valor
de esta tensión el fabiicahte en la hoja técnica o en las características V-i además:de la
corriente foss cofiente iháxima entre drenador y.fuente cuando no'se polariza la
juntura compuefta fuentá, poi lo que, detérm¡nando Vqs se cálcuial ia corriente'de
drenador (Ie) que impdné él circuito de polarización mediante la ecuación de Shockley.

(\2
io=rorr[r
f,j
Recordemos que paia tos FET de canal N Ves y Vp sofl n€galivoS¡ en cambio para
los de canal P son pori¡¡vo¡.,'lCon los valores Oe ro'y V9s Quedá d.ete-rmiriado el plnto
de trabajo estático del ciicuito de polarizac¡ón, iecordemog quq la resistencia puésta én
el drenador (Ro) es una,rresistencia de protección para evitar qüé Éor éi terminál de
drenador c¡riutá una -óorriente mayor que la máxima noi ,i¡diqa ei fabricante, qr.
planteando h ecuación'de tensiones del circuito de sálida
i''-,,:,;{--::-.'- 'i.' puedgn ebtablecer,.estos
' ,t '';"';''; ''
ValOfeS.,''''',t,'il.- .l ''.':

Ef.ECTRONICA
'..:
cAP.2-81
 \/
',Y oD
¡:

iEsta
j
".::

resultán:
r.

,Y"" : (Io * io)Ro * ffol + vr,)

Voo : IoRo * Vo. (componente de continua)
0: ioRo + vo. de alterna)
lcomponente
Con la ecuación de continua se traza la recta de carga sobre las
características V-I
desa|ida,de!am!smamáheracomosehizoen|ostransiItorespiporaies.---'--
1 .1.'-.: ,- , .: .:-"
'1 "
El circuito de qolarización analizado también ss puede",iesolver gráficamente
construyendo sobrg la curva de transferencia determinaOu poi lájécúac¡On
de Shockley
una recta de carga, para graficar la curva de transferencia.del transistor es suficiente
conocer lps5 QUe' representa el punto de intersección de la
Curua con el eje de
corrientes (Io) y la tensión Vp Que también es la intersección de la curva con
el eje de
tensiones (Ves). Es decir, determinando cuatro puntos de la curva de transferencia
con
los siguientes valores de la corriente de drenador ro=rossi ro=ross/2,- t"=t"*il,
t":0 se calculan los valores de Ves con la ecuación-d. iñ'o.tly,-io, los puntos así
determinados se traza la curva de transferencia con el valor. de V65 calculada
del
circuito de polarización se traza a una línea perpendicular al eje de tensiones
hasta
interceptar/ con la curua de transferencia con este punto se determina la corriente
Io
de polarización. , ,

En el circuito de polarización fija se usa dos fuentes de tensión de

continua, esto
constituye una desventaja de este circuito de polarización, para resolver este problema
--- r'
se usa el circuito de autopolarización. , ,,
A utopolarización det FET
''

La topología circuítal de autopolarización del FET es la misma que el

circuito de
autopolarización del transistor bipolar, por lo que las ventajas analizadas anteriormente
de este circuito para el transistor bipolar se aplican al transistor unipolar con
algunas
variantes recordemos que los transistores unipolares no tienen los problemas
téÁicos
de los bipolares, por lo que se requiere estabilizar solo la áispersión de los
parámetros del transistor, además la juntura compuerta fuente tiene qru
polarizado en invérsa y la corriente de compuerta (16) es ceró. Con esta "rtu,
consideración
el circuitg de autopolarización para un FET,de canal N es: r..r

Ef ,ECTRONICA
 Como en el circuito autopolarizado para los transistores bipolares, en el circuito del
FET sé ,aplica Thevenin entre el ,Terminal de compuerta y
el icomún al circuito
resultando':..''..i'.....1..i..'',..'.
' . '-, :
V..R, :

'Gc R, + R^ ti

R,R,
f\^
" --
R, *R,

El circuito resultante se representa en la figura 2.40, planteemos la ecuación de

' "::r"
tensiones en el c¡rcuito'üe éñtrada
Vco = IoRo -Vor- * IrR,

Como Ie =0 € lp=lr, y desPejamos V65 :

V.o=V¿r+loR,

Vo, : Vcc - IDRS .

En esta ecuación.V66 €s positivo, como la juntura de entrada compuerta

fuente
debe estar polar¡zada':¡nversamente, se concluye que la tensión IoRs debe ser
mayor

QU€ V66, es decir que la

polarización depende de la corriente del drenador (Io) -Vec'
y

Con la ecuación de la tensión compuerta fuerIte (Vcs) Y conociendo del FET

la

característica V-I de tralsferencia se traza la recta de carga

para el circuito de entrada,
en la intersección O. .rtu rectd y la curva de transferencia sé'determina el punto de
trabajo y los valores d1 io, Vnr, para esto:

l.-Si Io:0+Vcs:Vcc
: ,,.'. ' '
| . :-

z.-Si Vcs:0-)lo:F
RD

En muchas aplicaciones se reempiaza el divisor de tensión resistlVo del circuito de

entrada por una sola resistencia puesto entre la compuerta y el terminal común (Rr=0,
Rz=Rc)'en esta variante resulta Vec=O y lá ecuación de la matla de entráda se
transforma en. a

I
 *?
', Vos

ü1,

,l; ,

Rp Rp Rp

t
It
I,"
üI: '.r.
V',D
T
üT
!
I . Vos Vos Vos

I*Vo, t-
Yt Vcs
t-
Yr
t-
YI
¡5
Ra rs ¡s
R2
Vcc
R5 R5

:
. Figura 2.40 Circuito autopolarizado para el FET.

En este caso et potenc¡al IoRs se encarga de polárizar en inversa la juntura de

entrada, es decir, que la polarización depende , de la corr¡ente de drenador fo,
reemplazando la ecuac¡ón de Ves en la de Shockley se obtiene la solución matemát¡ca
del punto de trabajg determinando la corr¡ente de"drenador (ID) y la tensión compuefta
fuente (Vas) la ecuación resulta.

ELECTRONICA

c-AP - 2-84
 t"=',-"['H)': t

reIo,,[t+)'

I
Vot vcsq - D

r , ,1:r "::; .j .., ,,

Figura Z.+f áj f¿tia ct
de carga con divisor devoltaje b) Recta de carga ''.¡ándó -- = o
Vnn
' '.. .l:,,.;::i'.:.:,' - : t.,
, -''.'.

:'1"'-l r r l-
-';.:j- r- l rr ¡:,: F.-
Resolviendo la écuación se determina --
el valor de la corrien!9.:Oe 6rqnador
- que rUa
., -,.,sri,:,..' .: ,. -.,.ri.j.:-^-:,..: ; i-:
el punto de trabajo
-' r-' j:;.il vdlor de
-'--..-J.: :.ó'él .-.'-
la resistencia Rs Que perr.nite
'. _l . fijq.r el punto de trabajo
.:-.;ii -_ ' j i , -
-' ":,
i. ,l

EIACCRONICA
cAP.2-8,5

¡-i.it+-it:!É¡l;1dir r.¡ :;'

¡','
Y__
 '' ' i r..'
POI,LRIZACION DEL TRNISISTOR
'_ ''-: ""-

En,ambos
;
circuitgs de autopolarización planteamos la ecuación de tensiones en la
-i .1.:.. '

malla de salida para trazar:la recta de cprga sobre las características V-I de salida del
- -

transistor resultandó; ,
t--:r ri. .;l .:,.'I ' .'.,
'';r;.
' :,:. ,
. .'.: 1..-',, -. ' ;-.. I '- .-

., ,i. I ::r:'j.'
V-
'DD
:TrD¡\DR +V^.+l-R.
I
uJ r J
l

:'
Como eS Is=to
: ''
T
\/tDD- \/tDS
Inv --
D
ND-\s
'T)

' I
Para - la recta de ca¡ga'

1) Si ID :0 -> Vr;l-.'Vr?
,.:",-_-
2)Si VDS:0=+l?:¡}fu

Vcs=0

Vot Vot

2.42 Recta de carga en el circuito de salida.

.Figura

Tal como se indico veremos ahora la condición física por la que no se produce
desplazamiento en el punto de trabajo por variaciones térmicas, a esta polarización
realizada utillzando el efecto físico de la variación de corr¡ente que c¡rcula en el canal se
conoce con el.nombre de polarización par.a deriva nula. .:

sLEcrRóNrcA
cAr.2-86
 C.APITI'LO II : POI,ARIZ¡CTóN DEL F-A.\SISTOR

Polarización para deriva nula

. :.. , .. ir ,- , ,,.,
I
,Si en los traniistores FET representamos los efectos de.la':variación de las
características de t¡'ánsferencia con la temperatura encontralu,tgt..que Ip disminuye
con el aumento de'ia'temperatura, la zona de transición,del canal disminuye conforme
,""
aúmenta la temperatura y esto produce un aumento de la Io. Aclaremos ,como.sucede
estos dos efectos:
1. Cuando aumenta la temperatura en el semiconductor produce vibraciones de los
portadores en 'el'retkulo cristalino. disminuyendo !a.'movilidad'(p) de los
portadoresr como la corrienle en el semiconqr..tot,.: directlmgnte proporcional
a la movilidad, éhtonces paia un campo etéctrico:,dado [a velocidad:del portador
disminuye y esto reduce la corriente. Se verifica que'la reducción de la corriente
es de un O,7o/ol:C.
2. Cuando aumenta la temperatura disminuye la anchura de ]a zona de transición
aumentando'el.anchó Oet canal, con lo que aumenta la corriente de drenador/ se
- ha verificado que el aumento de la corriente de drenador equivale a una
variación de 2r2mV/"c de la tensión compuerta fuente (ves).
S¡ representamos estos. 'efectos las 'características de transferencia, se
en
determina que existe un punto de intersección de las características en la
que

concurren los dos efectos y la corriente de drenador no varía, tal.como se indica en la

l
figura 2.43. i

--.-.1r.
Figura 2.43 Característica de transferencia.

ELECCRONICA
 ecuación de Shockley y del parámetro de transconductancia

t:i
'" .. ¡"

1T
; ¿rDSS
-
."mo v^'
,"-. '- ', ' . .

Procesando la condición de deriva nula

etr¡+r-ur
0.0071I^l:0.0022e-
It.l- o.oo22
"'::::
: I ut ': g, orooT

l]'l : 0,314
I'
Reemplazando de la ecuación de Shockley y del parámetro resulta:
.,t. :. I

.i; : 1

r lur-uor)t
^Dss
I vP ) : 0,314 -+ lvrl-lvorl : 2(0.314)
2torrl%-vor)
t'\. % J

lv,l lv",l:0,63
' Como se conoce el transistor FET a polarizar, por Io que también se conoce el
valor de Vp, y con la ecuación anterior se calcula Vcs, y utilizando la ecuación de
:i'"',shockley:g
{dtepj¡a la'corriente,dg dre¡ador Ip, con lo Qu*g..99 esta-llece el punto de
trabajo,dei
' ' !. .-::.
.,
transistoi en las condicionés'dé der¡va
.,.....
'
,.
nula. i',ii,.i '."t
: '

' .,: "-- ', ,.'.

ELECTRONICA
 CAPITT'I.O fI : POI,¡RIZAiIóN DEL TRANSISTOR

Polarizacíón del MOSFET de deplexíón

' tpbi: l ,l

La Característ¡ca v-r 'de transferencia esta determinaOa ia ácuación de

Shockley, para el transistor MOSFET de deplexión o empo.brecimiento se usa los
circuitos de polarización y las propiedades del,FET, solo se;pqesgnta una pequeña
varianté, por el hecho de que este transistor-puede operar,con niüéles'de corriente de
drenador que exceden de foss y con.tensiones negativas y'positivas de-polarización de
la compuerta-fuente. Con la información del 'fabricante o con el análisis de los
principios físicos de su funcionamiento se dibuja la curva de transferencia de este
transistor, por lo éxpuesto no haremos más'referencia de los'circuitos de polarización,
en ta figura 2.44. se muestra la ,curva de t¡-ansferencia y un circuito de'polarización, el
lector puede establécer toda la semejanza con el FET.

Voo

Ro *i*
i*'
I tl t.
Vi^ :-
Y I Io -r-
.-) ¡D
Y
IF +
vo
C" üi*..
. vcs

T'' I

Vot \/v GSQ Vore Voo

Figura 2.44 Circuito Oe potáfáciOn del I'iOSFET de deplexión y caracteríitiia ü-¡ üe tranferencia.
1. ,'

Polarización del MOSFET de inducción

.I.

El control de ia corriente de drenador de este transistor es tigé1aménte diferente

del FET y MOSFET, de 'deplexión, tal como se estableció cuando analizamos las
características V-I de transferencia de este componente, además ia , ecuación de
contrc.l, es diferentg a la éÓuac¡ón de Shockley ya que en este,dlipositivo la ecuación de
transferenciaes: ,..... .' : : ' :'

gT.ECTRONICA
,4 ¡:.
'&',,, -"
i
g ü:-. ,.-'
- cAP.2-89
 CEPITT'I.O II :. POLARIZACION DEI TRANSISIOR

Io=k(Vo.-Vr)t
'' : i -. ,1¡
.:
En está ecuación Vr representa la tensión de umbral, es decir, QU€ para tensiones
compuetta fuente mayores% Vr la corriente de drenadoi es diferente de cero y crece
con una ley cuadrática qus depende de la tensión aplicada entre compuerta y fuente
(Ves), para tensiones menores o iguales d Vr la corriente de drenador es cero, k
representa el parámetro que nos indica la condición extrema de la tensión aplicada
entre compueda y fuente para el que la corriente de drenador se hace diferente de
cero y esta definido como:

ID*."ndi,ln
t\-
/1 f rr \,
t\ v^^ ,., - v_I ll-..-.
uJmcmoloo

Vp vcs

Figura 2.45 Característica de transferencia del MOSFET de inducción.

Para la polarización de este transistor MOSFET de inducción de canal N, la

tensión compuerta fuente debe ser necesariamente positivo, por esto básicamente se
utilizan dos circuitos de polarización que toma en cuenta la dispersión de los
parámetros del componente, los que se denominan como polarización drenador a
compuefta y el de autopolarización con divisor de tensión en el circuito de entrada, los
circuitos se muestran en la figura 2.46:

El análisis de estos circuitos de polarización se deja al lector puesto que son

similares a los realizados con transistores bipolares, para deducir las ecuaciones no
olvidar que en los MOSFET la corriente de compuefta es cero (16=0) y que la corriente
de drenador es la misma que la de fuente (Io=Is).

ELECTRONICA
 CAPIISULO III A}fPLICADOR DE U}qA ETAPA

AMPLIFICADORES

f nffoducción

Los transistores en los circuitos tienen aplicaciones como amplificadores lineales,

dependiendo la polarización de las junturas es decir, de la selección de un punto de
trabajo sobre las características V-I. La polarización o la réspuesta del transistor a las
componentes de continua ya fueron analizadas, .'corresponde determinar el
comportamiento a las señales de alterna superpuestas a las de continua que polarizaron
el transistor. Un amplificador es un circuito realizado con transistores que acepta una
señal eléctrica (tensión o corriente) de manera que exista una relación lineal entre las
señales de entrada y salida, por lo que la salida será una reproducción exacta de la
señal de entrada

para que un transistor pueda tener esta aplicación, queda claro que previamente
debe estar polarizado en su zona lineal, zona en la que se determinará los parámetros
concentrados del dispositivo los que establecerán los circuitos equivalentes del
transistor para su aplicación en los amplificadores, linealizado el transistor por medio de
la polarización, utilizaremos las reglas y teoremas de los circuitos para establecer las
expresiones con las que se determinara los parámetros de un amplificador.

En las aplicaciones de los amplificadores se debe acoplar la fuente de señal al

circuito de entrada, como también el circuito de salida del amplificador a la carga o
acoplar varios amplificadores a fin de obtener la amplificación apropiada de la fuente de
señal y desarrollar energía sobre la carga, para esto existen dos tipos de acoplamiento:
de continua y de alterna. , :

El acoplamiento de continua es aquella que se realiza por medio de una resistencia

o en forma directa, en este tipo de acoplamiento se produce modificación del punto de
trabajo o polarización del amplifi-ador en el caso de amplificadores de varias etapas
haciendo variar los parámetros del transistor y por lo tanto'modifica las características
del amplificador, su ventaja de este tipo de acoplamiento esta en que el amplificador
reproduce todas las características del generador de excitación sobre la carga en
especial aquel referido a la respuesta en frecuencia es decir, que el acoplamiento no
produce limitaciones en frecuencia, por lo que la respuesta solo depende de los
parámetros del transistor.

El acoplamiento de alterna es aquelta que se reali4ia por medio de elementos

sensibles a la frecuencia como las bobinas y los capacitores. El acoplamiento a bobina
o electromagnético'se dejo'det'ut¡lizar por lo volumiñoso'de éóte'componente, en
cambio el acóplamiento poi medio de un capacitor tiene una amplia apticación, con este
ur-sctnó¡{-rcA '
cAP.31
 ,
;j,
.i . :"
..+
. :, .: -,.,..-:..

: -,..1.-'.,,.t.
: i. i --'...-- cAprrur.o rrr AMplrcADoR DE uNA ETApA
tipo de acoplamiento no se produce modif¡cación del punto de trabajo o polar¡zación del
ampl¡f¡cador, por fo qüe no varían los parámetros del transistor, la desventaja de este
tipo de acgplamienfo esta en que limita la respuesta en frecuencia adicionalmente a las
limitaciones del. transistbr:, ' como el acoplamiento no produce"variaciones de los
parámetros de los transistores, esto nos obliga a realizar el análisis detallado de la
respuesta en frecuencia del' amplificador.
t,'
..
Amplificadores

Tal como qupdo establecido disponemos de dos tipos de transistores, los bipolares
y los unipolares, cuygs priircipios físico de funcionamiento ya fueion analizados, como
así las condiciones dd pblarización para que los transistores p-uedan trabajar como
amplificadores linealqs,, ¡q.mpién se tiene para esta aplicación los cil.cuitos integrados; el
desarrollo de los tr:ánsi5tores y los clrcuitos integrqdos en aplicacio¡es de amplificadores
Ios realizaremos en torma separada para cada uno de estos componentes, en esta
unidad trataremos los transistores bipolares y unipolares y sus limitaciones en su
respuesta a señales vgrigbles en frecuencia.

Amplifícadores con transistores bipola res

Los transistores se utilizan en los circuitos amplificadores en tres topologías por las
propiedades que tiene este componente, los parámetros de un transistor para cada
topología sus valores son diferentes por lo que los amplificadores tienen diferentes
propiedades para cada topología, estas topologías son: base común (BC), emisor
común (EC) y colector común (CC), repasemos las definiciones de cada uno:

. El transistor está en base común (BC) cuando el terminal de base es común al

circuito de entrada y salida, la excitación se introduce por el terminal de emisor y
la salida se obtiene por el terminal de colector.

. El transistor está en emisor común (EC) cuando el terminal.de emisor es común

al circuito de entrada y saiida, la excitación se introduce por el terminal de base
y la salida se obtiene por el terminal de colector.

. El transistor esta en colector común (CC) cuando el terminal de colector es

común al circuito de entrada y salida, la excitación se introduce por el terminal
de base y la salida se obtiene por el terminal de emisor
I

Detallaremos la aplicación del transistor bipolar en la topología EC, haremos un

análisis gráfico'y matemático para establecer los parámetros concentrados del transistor
para representarlo ccjmo circuito equivalente, y deducir a partir de este los parámetros
que identifican al ámplificador, Revisemos resumidamente la notacióh que usaremós en
la representación del circuito:
pr-¡crRówrc¡
 CAPITUI,O III ¡}'PLIC¡¡OR' DE UNA ETAPA

1. La variable 'total compuestq pof coniponentes de _continua.y.,alterna se

representarán'con letras minúsculas, seguido con subíndices mayúsculall. Ver,
'¡ I
VcE, VcBr isr isr iE. : :

Z. La componente de continua se representan con letras mayúsculas seguidos de

subíndices mayúsculas: Vs¡, Vcr,, Vca, Ie, Ic, Ie.
3. La componente de alterna se representara con letras minúsculas seguidos de
subíndices minúsculasl v6s, vce, Vcb, i6. I.' i".
4. La componente máxima o valor eficaz se representará con letras mayúsculas
secuido de subíndices minúsculas: Vb", V.", V.ul Iu, I., I".
Realizaremos un.análisis gráfico del amplificador con el transistor en la topología
EC, la representación del circuito del amplificador será referencial tal que peimita
identificar la notación a ser utilizada, el circuito es el siguiente. .

Ra
-+
\rB
; +. ü --> 't^
+
vEg
vrs
I lr
t-
Y
Yl
+- VCC

u*t T

En el circuito dela figura 3.1 el transistor esta polarizado con la Je efl directá y la
Jc €n inversa, por la apticación de las tensiones de continud Ves Y Vcc respectivamente/
en el circuito de entrada además se aplica una tensión de alternq v!, tal que su valor
máximo no cambie la pblarización de la Je de directa a inversa, es decir, QU€ Vim(Vee
(el amplificador es de pequeña señal). .
')
En estas condiciones planteemos la ecuación de tensionés en el circuito de
entrada y salida.

v-:i^R-*v--
V¿. : i.R. + v., . ,,. '

Donde:

vcE'- vcE -r
r¡'-:\/ -l-rr,
vce .," i
4+i:.,'¡,

1- '. I ',' ,,

vra:Vrr+v*

EI"ECTRONICA
cAP.3-3
 :. -.:,::.-': .: ,i i,
';
La señal del gene¡ador de alterna
a .. ;,,',¡,rl . : 1.,:,,.;,r,
resulta: "* -
',
,. :.,'1, : . i_ ,, ;
v¡,= \,rco¡cot'',t, lr'.it'
.. .*
Las ecuaciones, de tensiones resulta:
,'. :,,' , . :

U;, * v, : (I, + *
.. , )F;,*
vo.
,.¡,,
io
ryr,
-,,..:t:::.,. , ,,
-.:,
)
.1

vcc : G. +i.)R.1'ffJ, t-r"")

. ,.¿. -- ,¡,, . .
.j
_r ,..

Separando la parte'de cont¡nua y alterna se t¡ene:

Parte de continua:

V¡, : IBRB +VJE .

V.c:IcRc+VcE

Palte de afterna: ,

v, :10K, * vo"

Q:i"R.+v." ,l .
Con, las: €cudciooes de :cont¡nua se,'trazan .la recta , de.,carga sobre las
características V-I de entrada y salida en la que se determina el'punto de trabajo (Q)
del circuito tal como se muestra en la figura 3.2, con los máximos positivos y negativos
de la tensión de excitación (v¡) se determinan los puntos A y B, tanto el punto de
trabajo (Q),,como los extremos de los valores máximos y mínimos y en general todos
los valores de entr:ada y salida sobre las características'de entrada.y salida del transistor
están relacionados po¡: la ecuación fundamental.del transistor;lq=BIs*(F+1X¿eql está
qráfica se muestra en la fiqura 3.2.
a

a¡,scrnóNrcA
 ¡' .; :'- : '_:.* '

CAPIfU-LO III A}fPLIC¡DOR DE T'NA ETAPA

T_
v^^
LL
lo-
"RB
-

I.o:0laq=(F+1)l.uo

\/
V er Vceg .\/,
Y J Yorn Va¡ = vcc YcE = Vcc .v !t
Figura3.2Rectadecargaen|oscircuitosdeentradaysa|ida.

'Un ampl¡flcadolde pequeña señal es aquel en el que la señal aplicada es

punto
suficientemente pequeñq como para considerar que en un entorno reducido del
para que
de polarización del transjstor los:parámetros permanecen constantes'. Además
los parámetros del :transistor permanezcan constantes, el punto de trabajo a
(polarización) y las componentes de alterna debe mantenerse dentro de la zona lineal
por
Je las características V-r; cualquier circuiio pas¡vo y/o activo puede representarse
por
medio de un cuadripolo o caja negra figura 3.3, el que Se define completamente
medio de las tensiones y corrientes de entrada y salida

Figura 3'3 CuadriPolo ó caja negra

Con las ecuacionei de alterna y las características V-I se grafica'punto a punto

las formas de onda de corrientes y tensiones, observando q,re 9n et _cjrcuit. 99. entrada
la corriente y la tensión (i¡, vu") están en fase con la tensión de excitación (vi) y: en el
circuito de salida la corriente y la tensión (i., v.") están en oposición'de fase, pero la
corriente de'entrada (i¡) y la:-de,salida (i.) están en fase,99,dgcii, quq la configuración
rC óióduce inrlérs'ol.::q¡¡4e,entre tensiones, estos !i:,31'..: s1 ,9ns9orváñ '€n, ld
representación de la flgura 3.4.:' :;'..i',¡: '.:, - '', '.'i ' ' .

srrcrsó$rcA
c¡P.3-5
 CAPITUÍ.o III A}IPLTCADOR DE IJNA ETAPA

Figura 3.4 Formas de onda. :

Modelo híbrido de un transistor

El transistor puede representarse por medio de un cuadripolo o caja negra,

considerando al transistor en alguna de las tres topología (Bc, EC, CC), por
simplicidad, consideraremos un caso general en Ia que no se identifica el terminal
común al circuito de entrada y salida, desarrollaremos el modelo y luego la asociaremos
con las topoloEías del transistor.

Los cuatro parámetros que definen al cuadripolo son; i1, t2l yL', yz, si tomamos
dos de estos paiámetros como variables independientes y las otras dos como variables
dependientes estog (los dependientes) quedan deflnidas en función de las oos p?imeras
(los independientes).

er.¡crnóNrc¡
 En el cuadripolo"de la figura 3.5 se utiliza la notación de las tensiones y corrientes
totales o instantáneos-(formada por componentes de cont¡nua ú alterna), las flechás de
las corrientes indícán direcciones positivas, mientras que lasrflechas de las tenS!ó¡es
apuntan hacia los,,b_g¡nes en los cuales la tensión es positiva (conüención de la teo¡ia.,iJe
cuadripolos o c{jai.nggras tal como se indica en la figura 3.5)r Como se tiene,dos
variables 'indepgrldig¡tes 'y' ,dos :dependientes, 'pueden escribirse seis funciones
diferentes qüe r:elacion¡n las variables, de estas seis, cuatro son de interés "para el
estudio del amplificadór:, Estas funciones son:

Parámetro de impedancias Z

vt = i(i,,ir)

"i
 -i : , . , cAPrTUr.O rrx AMP¡rCADOR DE IJ¡¡A ETAPA
circuito-s eA,yiváJSnteq del t¡qnsistqr, según el tipo de aplicación. En el transistor bipolar
para las.aPlicaciongs cp¡yigne tomar como variables indepéndientes ia tensión de salida
y la cor¡ielt9 d9.gnlradq (y¡,9 i1) por ser las va¡iables natr¡rales del transistor y'como
variable.s dependienlg.!atqnsión Qe entrada y la corriente de splidg (vr e i2), resultando
Ias stgutentes funciones:
: ..,.'i.::Ii',l',l.:,' .. . .

v, : I, (1,, v2 )

i, : fr(i,,vr)

Estag funclones relacigladas con la teoría de cuadripolos permiten escribir:

vl : nt¡lt + l'Ll2v2 :

'.
ir=h,i,*hrrv,
Se dice que vz € i1 son las variables naturales e independientes del transistor
debido a que: Ia salida del transistor tiene una alta impedancia (Jc polarizada
inversamente) es conveniente medir allí tensión y como la entrada tiene una baja
impedancia (JE poJarizqda directamente) es conveniente medir !a co¡riente.

De estas relaciones se determinan los parámetros híbridos que definen a este tipo
de funcionamiento. Se llaman híbridos porque todas no tienen la misma dimensión, es
decir, estos parámetros representan una impedancia, una admitancia y dos cantidades
sin dimensiones. Donde:
t

i''
"ll
: ]il I

Ir l,r =o

Resistencia de entrada con la salida en corto circuito

I
V,
'"t2 l
I
1/
, |
2 ¡i, __o

Relación inversa de tensión con la entrada en circuito abierto.

.l
rtr, :
ll
.
I lr,: =0

Relación directa de corriente con la salida en corto circuito

 CAPITUIO III AT'PLIC.qDOR' DE U}IA ETAPA

Admitancia de se]lda con la entrada en circuito abiedo

... , .- .' ,. : : ! t^--
Pará retacionáiibó'diiectamente'ion'los transistores, los subíndióes núméricos se
--

reemplazan por subíndices literales, los que significan.

i=11=entrada (imput)

o=22=sdlida (ouput)

f=2 1 =transferencia directa (forward)

r= 12=transferencia inversa (reverse)

Resultando los parámetros h:

h¡=hrr imput (impedancia de entrada)

ho=hzz ouput (impedancia
-J---:- J^
de salida)
^^t:-¡ :tt ,t
,

hr=hzr forward (transferencia directa de corriente)

hr=h:.2 reverse (transferencia inversa de tensión)

Adoptando los subíndices mensionados las ecuaciones son:

.,\l -L;:L,, ""
- Il.LIl ' rlr\r
'l

:¡1 -L i ¿L,,
¡ llo!1
-Irfrl

Además se debe agregar un Segundo subíndice para indicar a que configuración o

tonología del transistor nos estamos refiriendo:

por ejemplo, para escribir la impedancia de entrada en emisor domun ponemos:

, ;..:
h¡s,,,pdfd base común: h¡6.!'para colector común: h¡.. , P9t, ahora trabajaremos
considerando a los parámetros como números reaies, no usaremos elementos reactivos'

Tomando como guía las ecuaciones que se desariollaion pdrd €l cuadripolo

podemos dibujar los circuitos de entrada y salida correspondientes a dichas ecuaciones.
.j
,

En la aplicación del transistor en los amplificadores interesa ei circuito de la figura

3.6 y no la caja negrg el circuito equivalente del transistor nos detalla los elementos con
cl
*,Y-ngs- se desarrolla un amplificador.

' eLscrRó¡EcA
c¡p. :-g
 C¡PITUI,o III A¡'IPLICADOR DE UNA ETAPA

. .':

Los transistores'en los amplificadores, deben estar polarizados en zona lineal por
tensiones y co¡rlenle.i de conlinúg y r.rponáer linealmente a lag ieñales de alterna, es
decir, el cuadripoló en la que se incluye el transistor debe considerar las variables
totales de tenSión coirlente, ren estas condiciones identifiquemos el desarrollo
y
realizado por ejemplo para un transistor en la topología
:
EC.
Considerando las variables totales, las variables independientes son is, v66 y lds
dependientes son ver € i6, las funciones resultan:

v.. = f, ( i., v., )

i. : fr(iu,v.r)

Como trabajamos con señales pequeñas podemos hacer el desarrollo según la

serie de Taylor alrededor del punto de trabajo (Q) V despreciar los términos de orden
superior y nos quedamos con los términos lineales, entonces se puede escribir:
rl

Ipl l d"
avuu : dv^-
dr^u |lvcE =cnc
aiu- +=l
dv^-l
I

au.,
-
Lt ltB =cÍle

l_\ v ^-
LE

Para los componentes de alterna desarrollados respecto al punto de trabajo (Q)

resulta:

Avu¡:v"r-\r:vo"
Ai :i -T .'b
^B

Av--
' LE
: v--
LT
- LE CC

er-scrnór'rrcA
cA.P. 3-10
 : :. :i. ¿.:.i¡ , :¡ -'
,'::-i ,i
.,::ii, .1r-'

C¿.PITIILO III A}PLICADOR DE LTNA ETAPA

Ai =i -I :i
"'a
:tí''o,
ni'ó''éñ tart' d esa rrol lo
., t-F
Ree m pr aza y ro)
componentes de alterna se obtiene

vo.:h,.io*h,.V..

i.:hr.io+h*\'..

El desarrollo realizado para un cuadripolo o caja negra, en la que se incluye un

transistor en una topología cualquiera (BC, EC, CC), el circuito obtenido representa el
circuito equivalente a,,:'parámetros concentrados del transistor, resultan los siguientes
circuitos equivalentes a parámetros híbridos del transistor:

Base Común Emisor Común Colector Común

FÍgura 3.8 Modelo híbrido de un transistor en BC' El, 44,..

:

De las relaciones de los cuadripolos se establece que existen varios circuiios

equivalentes para el tiansistor, pero el más usado es el desariollado con parámeiros
híbridos debido a las siguientes razones: ' .::l'
.: ,,' .
j .
.: . ..: ,: ;. ,. .
.

1. Los parámetros.quedap definidos por las variables naturalgf dispositivo.

-del
:iles de medir
3. Los podemos deducir"üiréctamenie de las caractei'ística5 estáticás V-I que da el
Frr.ri¡¡nla
¡ rara cada transistor,
oul lLol lLg F Jt t ti'azando sobre
Lt aLQt ¡uv Jvur L dichas características la recta de
carga a fin de establecer el punto de trabajo
la 'recta de carga se debe aplicar et método ya establecido o los
métodos de geometría analítica, para disponer como referencia repasemos este último
 :+!

CAPITUT¡ TTI .¡¡.IPLICADOR DE I'NA ETAPA

, vcE

. Figura 3.9 Recta de carga

1) Para vce =0
v^-^
i - "v +I Lv
" R.,

2) Para ic = O

\/
g__vce a,'S!9,_r¡^^
R." R- .''' '* fi :rl

ET,ECTRONTCA

cAP. 3-12
 VcE=vc.Q*l.qR*

Del desarrollo sólestablece la figuia :.g .ri'éi que se muestra Ía'iej.tu:ié;eáiija'

Los parámetros híbridos de un transistor.varían de u1 pu,nto a otro de las curvas

características V-I o sea 'dependen'del'punto de polarización'elegido,'estos parámetros
dependen de la corriente de colector, más que de la tensión de colector, también varían
con la temperatura; el fabricante del transistor en la hoja técnica incluye un gráfico que
a partir del valor nominal (25'C), pueden obtenerse los parámetros del transistor para
otras temperaturas y corrientes del colector.

A manera de ejemplo'realizaremos la determinación de dos parámetros híbridos

del transistor (h¡", ho.) a partir de las características V-I de estg componente mostrado
en la figura 3.9, el procedimiento es el siguienie:

. Sobre las características V-I de salida se fija e[ punto de trabajo (Q=Vcr, I*,.I.)
del circuito
',

. Para la vce='ctte,(v."=9, Vcr=ctte=Vcr) se traza una línea perpendicular al

l^ r^^-
^:^ ue Lc¡sione! po¡ el valor Vcr Y que pase por el punto de trabajo
e1e

. Se establece la'intersección con dos líneas de corriente de'base equidistantes del

punto de trabajo (Q) en la línea perpendicular que pasa por VqE, determinando
dos valores de:la,corriente de colector (is2 e icr) y dos de la corriente de base
(iez e ier) Y realizamos el cálculo con:

,^^rt di. I
h :-!-l
ni.
:------:-¡ I I., -1.,
di, l,_=n. aie 1,",*.
=-
I", -l'
t-, '. , t,l.:., ,, ,,
.,,
. Para la característica de !a corriente de base que pasá por: él punto de trabajo
(Q) ie=ctte. nbs fijamos dos puntos equidistantes del puntg de trabajo sobre
' iu=.tte., determ¡n#ós dos valores de la corriente de colec,tor (iéz; e icr,) y dos
de la tensión coiector emisot (vcrz,Y vcrr) y realizamos el táiculo con:

,--o¿
rlo.=;:. |
di. :^-¡i. I
- :'.;TI.. -1.,
I |
du* 1,.-n. ata, l.ron. Vart-V..''

Con lo que se,áétermina los dos parámetros níbri¿oi (h¿";'hr¿), utilizando un

procedimiento similar' se estabiecen en la característica',V-I , dé entrada los dos
parámetros restantes. , ,- , ,

El parámetro hr" tam.Ú!éq se Puede 'parámetro hrr

x - :"
utilizando la siguiente
._
ecuación:
,. , ';. al._lj..:i.l' ... ,..:.,r-', 1, :,,'.
, ,r.-.
t :
" '"':'
'."
ELECTRONICA -'.r:..
cAP.3-13
 CAPTTU1O IIT AMPLICEDOR DE UNA ETAPA

.,I ati,.,
'[ti; i i.
,; ':j

I_

Icz
I'cz
Isq '''
"I'cl - ,

Ici ,'

: \t
\/YcF
\¡
Vce¡ VcEe \/vcE:
\t
VCE: \tVCC
Figura 3.g Cu*"r caracterísücas en EC para determinar los parámetros.

Valores típicos de los parámetros híbridos de un transistor

Es interesante tener referencias de valores características de los parámetros

híbridos del transistor, en el siguiente cuadro resumiremos para un transistor en las tres
topologías los parámetros h desarrollados para un punto de trabajo en la zona activa.

Parámetro BC EC CC

t-
. I ti 2T,6Q 1.100o 1.100()

h,- 2,9"r04 2,5*!04 I

hr -0,98 50 -)1
-1

h
l¡o 0,5¡"rAlV 25pAN 2spA/V

Uho 2,O4MQ 40KO 40KO

El signo negativo en el parámetro hr €fl las topologías BC y,CC nos indica que la
corriente de salida esta en oposición de fase con la corriente de entrada.

¡r-scrRóNlcA

...n .; ,..i
 :,.,:

CAPITU1O III A}PLICA¡OR DE UNA ETAPA

Amplificador coi transístores bípolares (caso general)

.,...:-,''j;.,,.]i..''.1,

Al cuadripolo ^que a'nalizamos en la que se incluye un transistor en una topología

Cualquiera (BC, EC, CC) vamos a agregarle una carga en los terminales de salida y un
generador de señales en los terminales de entrada tal como se muestra en la figura
3.10, y lo utilizaremos como amplificador, es decir el cuadripolo representa un
amplificador cuyo transistor está en una topología (BC, EC, CC).

La carga puede ser una impedancia, una resistencia o inclusive otro transistor (o
su impedancia de entrada) y el generador de excitación puede ser un generador de
ondas senoidal o cosenoidql_ o. de cualquier forma de onda. Lo que se quiere
determinar en el amplificádor son las ganancias de corriente, tensión y potencia,
impedancia de entrada, y salida.

I
| -i-
Yi"
Transistor

1-1,.
t l-, :' '. :':',':"
F¡gura 3.10 Circuito amplificador con parámetros h (caSo geneíal) ;

Hay varias definiciones de ga¡ancja de corriente, tensión y potencia según que se

incluya o no el generádor ,de excitación. Las ecuacionéf a dedutir serán útiles para
cualquiera de laionfiguraciones.
: i -:
- -

Ganancia de Córrien'te o amplÍficación de corriente A¡

,:-.. .; ; : -.,1 ., :t:Í,,', -'
Definiremos la ganancia de corriente como la relación'entre la i:orriente que
circula por la carga tñl u lá corriente de entrada al cuadripolo (i1), Que se representa
como:

^ -ioI

ELTCTRONIEA
cAP.3-15
 : I.,:
.., :': I ., . .,- : .'-' : '. tt .,

.. '"
l¡lr:
.i . t: , '. c¡P¡ru¡o
. : ,r. l a¡'rPlrcADoR DE uNA ETAPA
Dtl
- ;,. circulto se ye q!.le io=-iz reemplazando en la ecuación de la ganancia de
corrienté
- se- obtienet
----:-:'-:
i . ',
, ,,-- .i ,..::'.. . ';

A :-2
' ^l
ll :

EnelcircuitodeSa|idaplanteamoslaecuacióndecorrienteS
t'li
I

l. : h r + h \t
¡¡f¡l ' ¡¡ov2

Del circuito se observa QU€ v2=yo, como v2=io$¡=-izRr resulta en la ecuac¡ón de

. '
corrientes: .... '

- ..,-
i :h^^f^l
i -h i' R, -+,-.2\. ,fo^\l__/ -=h
ir(1+. h"RL) ¡rf¡li
rr¡r,

r. L
rPi
'2 "f
^ ' -- -- i --
.1: --:--
l-rh P
-
I ¡ rror\L
^l

Vemos que la ecuación de ganancia de corriente depende de la impedancia de

carga (Rr), de ia admitancia
: , ,..._ de salida del transistor con la entrada en c¡rcuito abierto
y
ho la gananc¡a de corriente del transistor con la salida en corto circuito h¡ QUe es uno
de los parámetros más importantes del transistor.

fmpedancía de Entrada Z¡
Definiremos la impedancia de entrada del amplificador como la relación entre la
tensión á la entrada del cuadripolo (vr) y la corriente de entrada (ir), que se representa
LUIIIU.

Z:' v.i
',1

En el circuito de entrada olanteamos la ecuación de tensiones

r¡ :hi +h -¡
'l

Como vz=-izRl reemplazando en la ecuación de tensiones:

!r ¡-, u , P
vl-riiii-1lrl.f\L
-

De la ecuación de ganancia de corriente, obtenemos la corriente de salida

A - -. - . -.rl ¡l
ói - --a : - ^¡rt
^
:

'. lr
-l i' :' . i

. Al reemplazar en la ecuación de tensiones del circuito"de entrada, se tiene la

eLEcrnóNrcA
cAP. 3-16
, . :,,i,_,,, . , .. :. .,_
 ' :.
cep¡tur'd r¡r 'AMPucADoR DE uNA ETAPA
""
tensión de entrada (vr) en función de Ia corriente de entrada'(ir)rdel:cuadripolo'

Il 1l

Z,=hr* h,AiRr
coriente:, ' I
Reemplazando la..ecuación de la ganancia de '
'a-. .
. .

hh
¡¡r¡¡f
Z,:h. ' -
Y.+h" ,.
De las ecuaciénésvemos que.la impedancia de entraOá ¿ábunOe Oe la resist'éhcia
de carga del amplificador (Rr),,|a ganancia,de corriente:(A¡), del 'parámetro de
transferencia 'invers? de tensión (h.) con'la'entrada en circuito'abierto y'de la
impedancia de-entrada (h¡) con la salida en:corto circuito. Por lo que'se concluye ,que
el cuadripolo refleja:lá'resistencia de carga hacia la entrada del amplificador, -. '

Ganancia de ,\eisión ó Amplificacíón'de Tensióñ An

Deflniremos la ganancia dertensión del amplifi.áOor comó'la l'elación entre la
tensión sobre la resistlncia de carga (v.) y la tensión de entrada'(vr) al cuadripolo, que
se representa como:

V
'Ar=l
vt
','
i-
.,,
Efl el circuito Oer,lalOa
¡.e,cumRle lue vo=v2

A" = j
v.:-:':;.
v,
,_..l , a;
I.

La tensión vo sobre la résistencia de carga

r¡
Yo =i P
- rot\L

'v

Fi_,_
 : r::" ;-. - 1:,.
*;- - -;':'.,.' : ':!.:: \'::,
' :r" ii

t?? E}ÍPTJICADOR. DE I'NA ETAPA

ir)

'De las ecuaciones concluimos que la ganancia de tensión del ampl¡f¡cador,

depende de la res¡stenc¡a de:carga (R¡), ganancia de corr¡ente del amplificador (A¡) y la
impedancia de entrada (Z¡) y
por intermedio de estos, de loS parámetros h del
transistor.
I

fmpedancia de salida o admitancia de salida

Definiremos la impedancia de salida del amplificador como"la relación entre la
tensión {v2) la corriente (ir) de salida del cuadripolo, que se representa como:

Tal como fue establecido en los métodos de circuitos,; este parámetro del
amplificador se deduce coñ v¡=Q, RL=oo (circuito abierto) y aplicando una tensión
conocida en el circuito dé salida planteemos las ecuación de corrientes en la malla de
salida.

ir:hri, +hovz i ll,,

Dividiendo esta ecu.ación por la tensión de salida (v2)

,''::
y": i'
-'v2 * v5'=jti,

ELECTRONICA
cAP.3-18
 CAPITI'LO III AI@IICADOR DE UNA EÍAPA
Del circuito de'entrada con el generador de excitación cortocircuitado (v¡=0) se
tiene: ''
vi : 0-+ i,R, +h,i, +h,\', : 0

ue esrd
F\aa¡l+ ¡¡, r
ecuación despejamos. el
^l cociente
^^^in^l-n de
¡ln
la corriente de entrada (ir)
I
a -la
tensión de salida (v2) se tiene:

i, -- h,
vr h,+R,

Reemplazando en'la ecuación de la admitancia de salida se obtiene:

hl-
Ilfllr i
^o "o- h,+R.
Y:h

.,,
De la ecuación se ve que la admitancia de salida del amplificador'depende de la
resistencia interna (R¡) del generador de excitación y de los parámetros h del transistor.
Resumiendo la Z¡ y Yo dependen de Rr- y Ri respectivamente o sea que hay influencia
de la entrada sobre [a salida o de la salida sobre la entrada en cada parámetro.' Esto
.esta 'realimentada razón por .la cual se presenta la
significa que el ampiificador
interacción entre el circuito de entrada y salida y viceversa.
.5

Ahora vamos al deducir el parámetro de amplificación cuando tenemos en cuenta

al generador de corriente o tensión en la entrada, es decir, estableceremos la ganancia
de tensión y corriente refer¡da al generador de excitación. Definiremos'la ganancia de
tensión referido al generador de excitación como el cociente entre la tensión de salida
(vo) a la tensión de excitación (v¡), resultando:

o,':?
En el circuito de'salida üo=vz, multiplicando y dividiendo por la tensión de entrada
al cuadripolo (v1) se tiene.

v. v, \'. \'r --t v,

Ari : j * Ari : -- :.-- Ári : Á..
Vi ,Vi \tt vi -Vi

Del circuito de éntrada representado en la figura 3.11, deducimos la expresión del

divisor de tensión entre la tensión de entrada al cuadripolo (vr) y la tensión de
excitación (v¡).

sLEcrnóN¡cA
caP.3-19
 i';r::
- i;i1r
- :.1
'--:r'
, '':','

i1''

lr:
-: -J-
Figura 3.11 Circuito de entrada

vi : irRi +,\rz, ->i,

'
''¡l
, i. t,.

Cémo: ::i'i l:

v =i7 ::
' I 'r"i

Reemplazando ir se t¡ene:

v,
t.7.vl-¿'i
\ I - -l--------l- t-í ----7 --:
v; z,
Ri +Zi '
:-------:-
vi ,R, +2,

Luego la ganancla de tensión con respecto al generador de excitación del

amplif¡cador resulta:

A:=Au#
De esta ecuación conclu¡mos que: :

. Si &>Zi la ganancra de tensión Ay¡ €s menor Que Av

''-''',
. Si &<Z¡ la ganancia de tensión Av¡ es igual que Av ;

. 5i R¡=Z¡ la ganancia de tensión Av¡ €s la mitad Que Av

LOmO:

n - A,R,
i1.. _
'zi
-
7. .. R
A.. = A.
Ri+Zi :l 'R, fZi
: : r,. .r .'l '

Definirempg 19 ganancia de corriente referido al generador de excitación como el

cociente entre tj cóti¡ente que tircula poi'la carga (¡") y la coiriente del generador de
,.'.
excitación (i¡), resultando.

n¡,¡ctnóNrc¡
c¡P.3-20
 tj.- - -^-: -t

CAPITuLO III AMPI,ICADOR DE UNA ETAPA

o _i,
l;

t^
En el circuito de salida se cumple Que io=-i2, multiplicando y dividiendo por tu

corriente de entrada el,cuadripolo (i1) se tiene

Ai¡.' :;=
i, r A' - --- i.i,
i. -31- .
A,, = A,lli
li li lr li

Del circuito de entrada representado en la figura 3.12 deducimos la expresión del

divisor de corriente enlre la corriente de entrada al cuadripolo (¡r) y la corriente de
excitación (i¡). )1' .::.'lr,' '

Figura 3-12 Circuito de entrada

. D7
I\: ¿J: r. :14. R
r\;
r'
'l
:r
'i ------l----.!-:r
p 'l:i/ -1, 1
''r 't R +7
r\i ¿_7I Ll

cAP.-3-21
...,..,
 . :. .,. . C¡PITUTO III, ¡MPLICADOR DE UNA EIAPA
Ganancia de potencia
t..,-::.!.,, , ,.,I,.
;. ..1,.,,,..,: .

:. ,.,, ,
D.efir],imos la gqn?.rlg¡a
jde polenc¡q: del amptificador, corTto.la relación entre la
.
potencia que el
,cuadrlpolo enkega a la carga y la potencia de: eñtrada al cuadripolo,
suponemos que la carga
. r:. es
. resistiva
__,_.:__ y que los parámetros h son reales.
La potencia entregada a la carga es:
'
Pr: voi. = -vri,

La potencia entregada al cuadripolo es:

l" ''
Pr : t,i, '

La ganancia de potencia es:

A -P.-ro
'^P --t,it
P, v,i,

'p
A- : A..A, -+ A- : Al ^"
'zi
De la ecuación se concluye que si se conoce las ganancias de tensión y/o corriente
del amplificador, se determina inmediatamente la ganancia de potencia. Las ecuaciones
deducidas de los parámetros de un amplificador nos permiten realizar un cuadro
comparativo, en base a un mismo transistor y circuito de continua y alterna, para
tomarlo como referencia al momento de decidir en adoptar una topología del transistor

Parámetro BC EC CC

l|--
Ai Baja ¡\¡Ld
^ Alta

lr-- A lr^
¡\ILd
^ /'\ILd Baja

l+^
Z¡ Baja Media f1t
^ Lct

zo lr^ A lr-
AILd Baja
^

Transformación de los parámetros

El fabricante del transistor en las hojas técnicas presenta información de los
parámetros para una configuración que normalmente es la de EC, por esto es necesario
conocer los métodos de cálculo para transformar los parámetros de una configuración
a otra, para este propósito lo primero que,sq hace es dibujarel_circuito equivalente, en
la topología que el fabricante nos informa (EC) y otro en la topologíá cuyos parámetros
se quiere determinar, este segundo circuito simplemente es el redibujado del primero
E:-ictnóNrc¡
cAp 3-zz
 i i.: , olli; .¡:,.:";:jrt'i

CAPITI'LO,III AMPTICADOR' DE .UNA ETAPA

en la topología a sei transformado. Supongamos por ejemplo que se quiere obtener los
parám-etrosh,.g¡eG:ápáGirdelospá¡á.qet¡o5,enr-q'.
..,.,'.ii.;....:..:.'l..=-.!,1,:1;.li'',..:.o,1.,i.

+
Vb.
hr.v..

I EC
E'

FiSuq 3.13 Circuitos para la transformación de parámetros h de EC a BC

:':i.
. ,Para redibujailél'segundo circuito, se debe conservar la dirección y sentido de las
corrientes y las polaf¡dáOes relativas de las tensiones del circuito equivalente dato del
problema para,la transformación. Para determinar los cuatro parámetros híbridos se
parte de la definicién Oe''estos en cada caso, veamos el proceso mismo de la
transformación.

Cálculo de h¡t:- Aplicamos la definición del parámetro

h :vtb
"ib
le

'

La condición en,la definigión,y.6=0 indica que'se debe 5ortoci¡iuitar el colector

:este circuito se
con la.base en el qircuito r:edibujado resultando la fiEura 3'14,,'en
observa que: '., . ;,, -l-

: ll-
v.ce = -v.€o

'- ., a;:¿

EI,ECTROTÍICA
 CAPITUI,o III AI-ÍP¡ICADoR DE UNA ET]APA
malla de entrada
', t i' '
r..

En el E en el cir:cuito de la figura 3.14 se tiene i"ti,u*i.=O; resulta i"=-

(ls* l6)
La corriente de colector (i.) en el nodo formando por las dos ramas de salida
irC. :1" i +r¡ h
' 'Cerre
^^fe^b

Reemolazando la corriente colector

lc

;+;+hi-Fvlr-O
' ,b
^e. ^^fe^b 'ce,.oe

Por la condición de corto circuito colector a base vce=-veb

i'e +i
' 'b +h i -v 1r
^'fe'b 'eb"oe -0

Reemplazamos la corriente de base y despejamos la corriente de emisor:

.
t-h
i" --(1* hr")u"o - v"oho. :0
n;-

(i - h,.X1+ hr.) + h""h

i" _
h
^'ie

Reemplazando en la definición del parámetro

h,o : \/,tl -) hru :

|

re lu¿ (1- h,.Xl+ h*) * h*h,.

=o

Esta es la ecuación'exacta para la transformación del parámetro híbrido cie la

impedancla de entrada de EC o BC.,.. También se puedg.'obterler una ecuación
aprox¡mada para la tiansformación del parámetro, en la que se comete un error menor
que el \0o/o, si consideramos los valores característicos de los parámetros hibridos del
er'ecrRóNrcA
cA-P - 3-24
 cAlrrLf,o rrl AMPf,IC¡DOR DE t'l{A ETAPA

transistor se estabiece las siguientes aproximaciones'

-ti''t''-'" '' ' ;.' ':r;' 'i"'''l '-"t-t"-t'' *!':;::':''r'1 :'::r:
:
:
hr"((1Y h¡. hr;t'tokL + hr. ""':!"'r'¡r"-:'

Con estas consideraciones despreciamos la transferencia inversa de tensión (hr")

frente a la unidad, y el'producto impedancia de entrada por la admitancia de salida (h¡u
ho") despreciamos frente a la ganancia de corriente (hiu).
h
i-r.. :
l+n..
-
Circuito equivalente r híbrída o de Giacoletto
El circuito equivalente a parámetros h establecido del transistor es útil cuando las
aplicaciones como amplificador es para bajas frecuencias, pero cuando la aplicación es
para frecuencias altas es insuficiente para el análisis y di5eñ0, en estas aplicaciones es
útit el circuito equivatente de Giacoletto. Este modelo no se obtiene de un desarrollo
matemático sinohás bien de un análisis físico del comportamiento del transistor en un
circuito, el circuito equivalente responde a la polarización de las junturas, y al flujo de
cargas en las zonasllle transición de las junturas y la difusión de portadores en los
semiconductores, esté circuito equivalente- indica con elementos resistivos, las
condiciones de polarización de las junturas, con elementos reactivos (capacitivos) las
condiciones de la difusión de cargas y las zonas de transición de las junturas para la
topología EC, pero se puede utilizar en otras topologías redibujando el circuito como en
el caso de las transformaciones de parámetros. El circuito equivalente de Giacoletto se
representa de la siguiente manera:

Figura 3.15 circuito equivalente de Giacoletto

En el circuito:

o fbb' représenta la rest¡tgncia de dispersión del terminal, dp base y; dl clue¡po

''
mismo del semiconductór,. este eé de un valor rbducido que no"supeia los
1000. r. , .',,., .
- : i.r
li', ; i t .. . - ..

,',::.'- !. ,

'

EI,ECTRONICA
j, '.' cAP-"3-25
:

.,*','j..'

' ' .- l' -'

: '.-
-:
"
.-:
:.'_.; '1- ".
 El efecto de la variación de la polarizació4 $e la JE,'combinado con el efecto
transistor se tomq ep, euenla con la tran¡-c_onQuctanciq 91n €n el generador de
corriente controlados'Éor la tensión v;vii
bn el tircuito de salida.
Entre fOs !9rm!¡gle,s Qe colecto¡ y emisgr se tiene $os junturas, una polarizada
en directo y la otra en'inversa este efecto se loma en cuénta con la resistencia
rce. -

"
. Finalmente las capácidades C"=Co, C.=C¡, representan los efectos de la
polarización de las junturas (capacidad de juntura) y los efectos de difusión
(capacidad de difugión), los que serán detallados cuando analicemos la
respuesta en frecqencla. .. ', ' ,

Parámetros del mo'delo de Giacoletto . I

Los parámetros de, este modelo responden al proceso de funcionamiento del

transistor como es natural que así sea, los valores de estos parámetros se determinan a
partir de los parámetros híbridos, los que se establecen para un punto de trabajo
deflnido sobre las características V-I, por lo que los parámetros de Giacoletto también
están relacionados con el punto de trabajo. Para deducir los parámetros de Giacoletto,
supongamos conocer los parámetros h, en el proceso usaremos los siguientes circuitos.

B B
+) <_ +
I
¡c
vb. /ñ' vb.

vlE
\tce
1..
I

l_

Figura 3.16 Circuitos para determinar los parámetros de Giacoletto

Tra nscon ducta ncia del tra nsistor (g -)

El efecto transistór en los'circuitos equivalentes se expresa en el generaclor de
corriente controlado por un parámetro del circuito de entrada, en el caso del circuito de
ETECTRONICA

c¡-P. 3-25

::'l t 'r
 .. :]
1:
'''-.'.
Para determinar 'la corriente de coleaoi a partir del circuito equivalente de
Giacoletto, cortoc¡rcuitemos el colector con el emisor en el ,circuito de la figura 3.16,
resultando:

lc = Irver
..'.
De esta relación'ie deduce que la'transconductancia mutua,g. se definen colto l.a
derivada de la corriente de colector con respecto a la tensión base emisor (ve'r),
manteniendo la tensión vce=ctte (v."-0)
'1. ¡ :'' l
, r ''l''
l ,.
ái l'
s¡a
ts, - -;-i !t.. | :

oVo"
qL 1.,
rYcr=gn¿.
-: .

Si derivamos la ecuación fundamental del transistor con'respecto a la tensión,base

em¡sor resulta:
,'' ':
:
'
di" a .¡,, '
di,
--!-=
A,,
uvBE u"B€

Reemplazando en la ecuación de la transconductancia reóulta:

dir
g. = o-;-
--.,t':':-' -: -"'
" diodo se determinó que de la ténsión
, 'Cuando se anai¡zg el tema de núestro
a

la corriente representa'la resistenc¡a dinámica del caso,

correspondería a la rebistencia de la JE y resulta:
..
dv-DE
'e
Ol-:'
c.

Reemplazando'eh ia écuación de la transconductancia resulta:

g
o
r
''e

ELEqCRONICA
 ....; . ,'.',-..,,,
.

'':'i'::':':r.: ":r,-.i"-- , '

- i ;:.:':"
:- v-
'i ""'",:,;:,-.r', , ' cAprTul¡ IIr A}plIc¡DoR DE UNA ETApA
r":* con V,: xr :?5a26mY a temperatura ambiente ff=25og¡

De'']'...¡'9|,...,.'.;li;..;:'j..
la ecuac¡ón fundámdntal del transistor "r . ,:
'',
o : oi, : i. -l.ro
-', vr v;
Como fc))Icsor con lo que se obtiene la transconductancia mutua en el modelo
de Giacoletto

tT I
lrr-l
VT

De la ecuación de' gr,, se concluye que este parámetro depende del punto de
trabajo del transistor.

ResistencÍa base emisor (rt,u=r)

En el circuito equivalente de Giacoletto la resistencia rb,c=rp representa a la
juntura colector base poiarizada en forma inversa y por esta condición esta resistencia
es de valor muy'grande frente a la resistencia rb,e=r,. que representa a la juntura de
entradai polarizada en forma directa, por lo que concluimos que la corriente de base al
llegar al nodo B' solo circula por r6's y no por r6,s, €s decir

ru'. )) rb'" -) Io circula Por r5's

Resultando la tensióñ Vu.u del circuito:

vb,e lbrb,e
=

Como ya fue determinado el parámetro de transconductancia y el circuito de

salida tiene un generador de corriente controlado por'tensión que en el Giacoletto es
vs,g Si en el circuito de salida calculamos la corriente de colector coftocircuitando
colector con emisor resultando:

i =c r¡
'c bm 'b'e

Reemplazando Vb'e

i.:grvu.. =g,niuf¡..
'
Recordemos que el parámetro ganancia de corriente del transistor (h¡") se define
en la cbndición de cofto circuito'de col'éctor con ': ::'': emisor "
ELEcrRoNrcA
c¡.n. 3-zB
 CAPITULO III.AMPI,TCADOR DE I'¡¡A ETAPA

Reemplazando el cociente de la corriente de colector a la corriente base por h¡"

resulta:

h,-
^be ^i
g.

Reemplazando el parámetro de transconductancia

hho
fb'.
¡rfe
: f- =:-t= fb. : Í, : r^r_¿rrt't -+ 9¡t :9n: _Dm
g' - lrj
ll.l ,.
nr-

Como el parámetro híbrido hre y el parámetro de transconductancia dependen del

punto de trabajo (polarización) del transistor, por lo que el parámetro ro,e también
depende de la polarización del transistor.

Resistencía colector a base (rt,r=ro) t,'

. El parámetro ru;é=rp representa la resistencia de polarización inversa de.la Jc,

'circuitalmente también'representa la.relación entre el circuito de.salida y entrada, de la
m¡sma manera que él parámetro híbrido ,de transferencia inversa de tensión hr", si
aplicamos el método de cálculo del parámetro híbrido con el circuito de entrada en
circuito abierto (Iu= 0).

v.. I

rr." -
'' vl
-l'ce l¡.=6 :

Del circuito de la figura 3.i6 determinamos el divisor der,tensión de V6,s con

respecto 3 v." '.
..:
rr
tb'c : t^be
i.
.

v'ce :i(rr\rb,c *r' ¡b,c )

Reemplazando en la definición del parámetro h." se tiene:

I

t:
lfu'.
llre :\'¡tl
h 7 rhLLre: :,
-l
t.. l,o =o I (rb.e 'i- rb.c )
-:r' 1, * .{_.
_-..

DeestaecuaCióndespejamoSlareSiStenciar6'"'''',..
h (r *r \=r
"re \^b'e ^bb / 'b'e

EIiECTRONICA

], -..':.
 r :L r
'b'e '^re^bc
.,;:-. -, - ' : ,,,','
, ,':t,.1 "":
fr'- . ' : l r' ''
'. : : "' ' t .
fo-" fp = j: J gut h,.gut =
.hr. : l
- ::. - .. :., ... .
: i, .,. . :.
--.
-
' Como h.e=10..-¿ rur">>. rú'e, esto rat¡f¡ca
i una hipótesis usada anteriormente
,:i
ResÍstencia de dispepión de base
.-.: .1..:,..
;.'

;r...L'.i.-:'
,"

-_ _
(roil ,,r
r:
'...1a .,,:
.,;,,
S¡ recoroam,og) et'pql?lnetro hibrido de impedan-cia deientrali gqe se def¡ne com;
la relación de la'té¡sión'base emisor (vu") a ia cor¡:iente de basecon la sal¡da colector
em¡sor en corto gircuito-(ü..=0).:'
...-a.,..... .t..,:,,'.;.:- _. , .. , ,. .,-..a-,

,- - Vb"
^'ie
, lb v-
=0

Aplicando la,condicién,'de coÉo circuito de colector a emisor en la figura 3.16,

vemos que la resistencia 16,. €std en paralelo con la rs,., como 16,6))16," el paralelo
resulta Ser rs,u, escrjb¡mos Ia ecuación de tensiones gn el circuito de entrada.

: v.- :
vo. ioroo *iuru,"
-f rbb, * fb..

Reemplazando en la,ecuación de h¡u se obtiene:

J hi" : +: rbu * rb,"

.lu

r^bb.^^ie^b.e
=lr -r

Resistencia colector emisor (rrJ

F¡nalmente . nos queda
Finalmente determinar la
queda determtnar resistencia de
la reststencra de salloa oel mooelo
sal¡da del modelo 0ede
Giacoletto, este parámetr:o está relacionado con la admitancia de salida del circuito
equ¡valente híbrido ho", este se definió como la relación'de la corr¡ente de colector (i.),
, 'la tensión'colector em¡sor. (v.u) con la entrada en circuito abierto
'':;1
': ' iu=O
.. ... i i''.,;j,.,.. j- , t,. . ,,'- ,...':.i..,;. ..,,. ,-" ,''...,
: ,. |
flo. _
L
it-., .l,l:.r,.,,1._,
.i,r..,,.
r.r
_.r t
" .,,
i

-lvttl'o=o
. ..: .
.BlpcrRóNrce
cAP.3-30
 CAPITUIO III A}PLICADOR DE I¡iA ETAPA

En el circuito de'la figura 3.16, planteemos la ecuación de'corriente en el nodo del

colecto¡ con la ent¡1$¡,e.l.5ircuito anlqrto (i¡i!): ,,
,,, ,,
. :: \'..+ \'" * g.\'u,.
i. ---j-
r1.. r -ir
tb.. ,- fb..

En esta ecuación se nos presenta el inconveniente de obtener la tensión v6's, €n

vista que la corriente de base es cero (i¡=0), para resolver este problema recordemos
el parámetro híbrido de transferencia inversa de tensión h.", también definido en las
condiciones de i6=Q, de este parámetro obtendremos la tensión v¡'".

,hr. :3\'*. J vb..= h*v..

Reemplazando en la ecuación de la corriente de colector

i^c = V.. * u.. h

--o
:sm"re'e r'
rlce rtb'c'tbe
+f

De esta ecuación obtenemos la relación de la corriente de colector a la tensión

colector emisor y reeñiplazamos en la ecuación de la admitancia de salida ho".

;il
h*:!Jho.-'+--iS,h,. * .::,

V.. r.. rb. rb.

Como r6,s))r6,q y considerando las conductancias y réemplazando 9m Y hr" por

sus ecuaciones se tiene:

gu'
I" :a -!c -¿-o h
rle Sce , 5b.c , _=5,.^^fe .5'.
'',
Despejamos la conductancia g."

Como la 16,. eS de un valor muy elevado, por lo que gs'. tiende a cero (9."=ho"),
la inversa del parámetro gce es la resistencia de salida del circuito de Giacoletto.

Modelo híbrido ein EC símplificado '- I

Las ecuaciones ledugidas de la .gananc¡a de tensión, cor¡lgnle, impedanc¡a de

entndá y salida delos amplificadores iueron realizados tomandp'én Óuento todos los
parámetros del transistoi,'es decir, que las ecuaciones obtenicias son exacta5; veremos
ahora l'as condiciones que debe cumplir el circuito del amplifilador pará realizar algunas
simplificaci'ones en las ecuaciones de los parámetros del amplificador
'. ' y que permita
, ,

, - , .j ,
._ . , -.,
- ,
ELEcTRólfrcA
 ,:-' '-r.-'.-
Para el.análisis de los- circuitos tomaremos como referencia un
amplificador en la
.] topología EC, el circuito equivatente det amptificador se
::t_ ::ln¡islor¡sta
representa en la figura 1n,la
3.L7 a), en base a este circuito realizaremos las deducciones de
ras aproxlmac¡ones'en cada caso:
! - ..

.>
hr.iu -.
\,ce

ab
Figura 3.17: Circuito equivalente a parámetros h en EC

En el circuito de salida de Ia figura 3.17 a) tenemos en paralelo l/ho" y Rr-,

recordemos que la inversa'de la admitancia de salida (ho") del transistor toma un valor
aproximado de 4OKC¡ para un punto de trabajo en la zona lineal,de las caracterrsticas
V-I del transistor, para seleccionar un punto de trabajo en esta zona lineal con valores
razonables de tensión de polarización menores a la tensión de ruptura de la juntura de
salida (decenas de V) y corriente de colector en el orden de centenas de mA, se
obtiene resistencias de carga (Ri) del orden de unidades de Kf¿ esta condición nos
muestra, que el paralelo entre 1/hou ! R¡ en el circuito de salida, prácticamente es del
valor de la resistencia de carga (R¡).
'.

Por lo tanto en el circuito de salida :

t
-i-l/R,
h"
I R,
rl oa

Es decir que en el circuito de sarida del amplificador se cumple que:

't

_l_
l1
¡¡ p,
..oc

Concluimos que puede despreciarse ho" del circuito si ho"R¡<<1al despreciar ho"
la corriente de colector es.i.=hr"iu en el circuito de salida del amplificador,.onro.n
ál
circuito de entrada, se tiene el generador- de tensión controladg por- Ja tensión colector
emisor y el paiámetio'híbrido de'transférencia inversa de tensióh'(hruu."), al despreciar
' .,':
ho", la tensión v.u resulta iqR¡, pot lo tanto:
¡r,scrRówrcA
. 5-52

'- i"i
 CAPITT'LO IIi A}PLTCADOR DE UNA ETAPA

hr.\'.. = hr.hf.ibRl l

. '1,
' Pero el producto h¡sh¡g en todos los transistores es muy pequeño, normalmente
h¡gh¡e=0r01, entonces la tensión'del generador en el circuito de "entrada hr"v." es
mucho menor que la caída de tensión en h¡g por lo que despreciamos la tensión del
generador h."v.". Esto significa desprec¡ar el parámetro h.., lo consideramos como un
corto circuito a este parámetro

Realizadas estas simplificaciones el circuito resulta:

Figura 3.18 circuito simplificado del transistor en EC ii

t.
-

por lo tanto, si :Rr €s menor que !lho., podemos despreciar del circuito
equ¡valente los parámetros híbridos h,. Y ho"'

Hemos obtenido un circuito con solo dos par:ámetros híbridos. Ahora nos' falta
determinar cuanto error introducimos trabajando con este circuito simplificado con
reSpectoalexacto.DemostraremoSque:,-..i:
. ,:' ".'',
nr el eri'or cometido'
, Si h*R. + 0;l o:e.-Ipresado como:*, = n* ál calcular Ai, 7¡,
.'.
Au,4 con solo dos parámetros es menor que el LOo/o. ,ir :

De los valores característicos de h resulta pard R¡={Ka (valor de referencia)

Cálcuto con el móAen aproximado

'

Cuando analizamos gl amplificador con el transistor én EC se determino las

ecuac¡ones de la ganancia de corriente, tensión, impedancia de entradá y salida que por

cAP. .3-33
 ':: ,'.i rt ::¿+,:¡iÍliL,..3'fi.u;iq;i:" ' '

{: , .i.' :-,. ,. -.¡.'.,,, ,

' .t..,1j..,'''...-, ',,
.,'
" ......',:1.

:.. :
cltrryr:.I1j?qlipR DE UM ÁA¿gA
1l
i .r.
: :.; '.' tt : : - :l

..-n ' zr"'

,-1". ' a ,

.ri,_r^
, h¡.h¡"
---:-
.lá.- rloe
r nj. tKs
:
'.,'.' -.:
.'
Veamos cada uno de los parámetros, qons¡derando :que !q aprox¡mación es
realizada. , _* . ::-:-.. ,. . .. _ :
. ".', ' - :i'
-.
'
.' ,:,
l

Gananci4 de coriiente.- El parámetro oanancia deftorriente tomando el circuito !:' :- ,:; ' - i
I'
exacto es: .'''),:".j : ; ¡-t:,r
'..:..'-'.

, t. -,.,,
A- hr" .
--
: l+h*8,
.-r: -

introduc¡mos la' condición de aprox¡mación y que permite despreciar los

Si:_,
parameüos nre y hoe. Como hq"RL<Or1. De la ecuación de la ganancia de corriente se
despretia ho"irfrente a la unidad, obteniéndose: A¡=-hr" el error es menor al 10olo
en exceso.
'':;.l

fmpedancia de entrada.- La resistencia de entrada del amplificador tomando el

circuito exacto es:

Zi : h,. * h,"ArRl r
;. 1

-..'.
En, está ecuación sacamos factor común h¡" Y al segundo termino del segundo
miembro multiplicamos y dividimos por hr" Y ho" resultando' :

h*AiRL') ( uL
z,:h,"[t*r:[:-n-J
De los valores típicos

h.-h,-
.gt¡llt\ -^-
hh
^ ^ oe ^'ie

La ganancia de corriente exacta del amplificador resulta menor que la gananc¡a de

corriente de corto circuito del transistor.
' -.":' a t.:,

. lA,l. h,. - -.¡,¿i...

f:a11. .:'.te.. . .:¿ , :. .,.
i:- :.,:.;,:,:::,-, :
' '. ' '1, .''.':-, ,':'
La condición para obtener el circuito aproximado es:
eLEcrnól¡rcA
' cAP. 3-3¿
 I CA.PIT-\'!O III A¡€LICADOF DE UIIA ETAPA
h*RL < 0.1
., i.::,, ..
Con estas conciiiioires en la ecúación Oé ta'iinpedancra de entráila despreciamob ei
segundo término dei segundo miembro frente a la unidad, resultando:

Zi : o,.

Al calcular con esta ecuación la impedancia de entrada del amplificador, se sobre

estima en menos de un 5olo.

Ganancía de tensión.- La ganancia de tensión del amplificador tomando el

circuito exacto es: .: '

':
A:A,R.
^" - z,
,,,

Para la condición de hoeR¡<0,1 se vio que la ganancia de corriente se obtiene con

. un exceso de menos del 10o/o, la impedancia de entrada se sobre estima con un error
menor al 5o/o por lo que si aplicamos la aproximación a Ia ecuación de la ganancia de
- tensión del amolificador obteniéndose'
hR
t't--
*

Con esta ecuación'la ganancia de tensión se obtiene con un error en exceso de

- 5o/o.

Resístencia de salida.- La admitancia de salida del amplificador tomando el

circuito exacto es:

\=ho. *#
rrie¡r\s
'; "
.,,.t.- ., -. .
,

Para la condición de h;Rr<Orl se estableció que se desprecia h." con lo que el

segundo término del parámetro de admitancia, se desprecia o es nulo,'de igual manera,
la aproximación desprecia el parámetro ho", por lo que la admitancia de salida toma el
valor de cero cuya inversa es infinito.

\:0
Incluyendo la carga resulta

.l . ., ', '
2^=i-ltRl
\: 'l; '
-"" " -:

ELECTRONICA
aaD ?-?6
 '".::

' 'l'

CAPITUIO TII AMPUC.ADOR DE I]NA ETAPA

c{mo'F.y-5,;<.1,
:':
i¡:'n,
; .' - i 'i'
.

:::t .'-' :. '.;,: ,!:-;- ,t _,.

La; jmped.qncia, de un circuito abierto o el valor de

Fgiid,b del ampiificador, es
:
la
resistencia de ca¡9a. '.';', :, ' ' 't j'-'

Circuíto aproximado de Giaqoletto

Cuando se estab,leció et circuito equivalente de Giacoletto del transistor que se
emplea en los amplificadores se vio que los parámetros de este se obtienen a partir de
los parámetros h del transistor, esto significa que para el de Giacoletto también se
puede emplear la condición dg aproximación, por lo tanto, aplicando estos criterios al
circuito equivalente,de Gjqccjietto se tiene que en el parámetro della transconductancia
mutua (gn.,) no ténemos variación alguna por lo que resultf;',' .:,- ;
o=
Dm
l!1
VT

La resistencia base emisor (ru,") tampoco tiene variación aplicando la

aproxrmacron '

h,-
^b'e 'n
g,n

La resistencia base colector (ru,.), al depender del parámetro h.", parámetro que
se desprecia al cumplir la condición hoeR¡<0r1 lo que significa en la ecuación a la que
representa el parámetro 16.. este es:

Iu'.
'bc 'u 1

Ir.

I*,- r-"
:-=:-: >CO
h,. h,.

El parámetro 16'. representa un circuito abierto por Io que puede despreciarse este
parámetro. La resistencia colector a emisor o su inversa 'del circuito de Gicoletto
también se desprecia por que este depende del parámetro 16'., que toma el valor de
circuito abierto y hou que se desprecia al cumplir la condición de aproximación,

Finalmentg el cii.cuito equivalente de Giacoletlq del transistor queda solo con dos
parámetroS rn=¡0." Y 9^, tal como se indica en la figura ': 3.19: '
n¡-¡crRóNrca
cAP. 3-36
 l'
-t.: '.;
t-:', :-il;rrri;::,,'
' ',','',,.
.. I

C¿?ITI'I-O III A}PIICADOR DE IJNA ETAPA

-:>
vce

Figura: 3.19 circuito aproximado de Giacoletto

:.
Amplíficador EC'utílízando el circuíto de GíacoÍetto
para este ampliflcador utilizaremos los circuitos mostrados en la figura 3.20.

Vcc

vo

rvi
I
I
I
t-

-l-

vo ri
Y "-r
rb vo
D iD Rcl RL -
I I\l ln:
E
I
I
I
I
t.

<_
r-L
lr
-
ü'o

ols.vl'+
I -
RL-
Yo

I
Figura 3'20 Amplificador en EC Giacoletto
.''\.,
, . '';i;,l .,,,' ..,.;..... , .';ir..:.'.,. ,..i.¡.:; 'ir -. l:.' , . :..:"
En la sección correspondiente cuando realizamos ei ,:anál¡sis dei amplificador en
base a los parámetros híbridos, se obtuvieron las ecuacioneg exactás de los parámetros
,]

sr,EcrRór¡rcA
cAP. 3-3?
 " t
-,

' ':r. '',

,1',.¡.,ri.1.';l ".,;..:,,,, r , .:
,I
;'. : : ., .' . ,.
; ceprrl¡p rrr A¡{prrcADoR DE IJNA ETAeA
del amplificador,(Ai, Zi .Auy 7e), asimismo apl¡candg tás cond¡ciones para utilizar el
circuitoi.'equivalente reduciQo, se detérmino los parámetros aproximados del
ampl¡f¡cador, en: la5' q.Qe; se constató =que elr error cometido con: las ecuac¡ones
aproxirladas no supela,'e! '10olo. También se utiliza j el circuito equivalente de
Giacoletto del transistOr, parg determinar los parámetros del amplificador, para resumir
i. . ' ..-' :
los procedimientos aplicaremos, el circuito equivalente aproximado de Giacoletto,
veamos el circuito del aniplificaQor mostrado en la fiqura 3.20.; ' ' , ,

r ¡,-:.. . r .1.,:.a ;. :
-. - ,

Ganancía dQ !éns!ó.1 A,y

Realizaremos'la deduqcién de la ecuación Oe ia, ganancia de tensión como relación
de la tensión dq salida:soQie lá carga (vo) a la tensiónlbel generador de excitación (v¡).

¡L., -t
-
vo

. t'- ,

Planteemos la
':
ecuación de la tensión de salida en el circuito.
:, .' ..,':.l

vo:-g.VRz ..

Donde:
p
,-z -p^\c/ //f2
/ ¡\L

La tensión en el circuito de entrada

v¡ = i¡(R, + Rr//r") -+ i, =
=-*-
Ki + I(g//fn

La tensión en los terminales base emisor resulta:

't '

\/-ip
Y ¡ir\B/, l/,rf

Remplazando la corriente de entrada i¡

V : i,R"//r" -+ V : ,' , ,^ Rr//r^

'i
Ki + l(s//fo

Reemplazando V en Ia ecuación de la tensión de salida

vo:-g.vR z)Yo:-g.Jtn, r\i ¡ I\B//r!

Luego la' oanancia de tensión resulta

,t

sr.BctaóNlcA
cAP. 3-38

,i
 .: ., i ..]

CAPITT'TO III AYPIICADOR DE t'¡¡A ETAPA

. :::\'. -) 4,, :
A, -g,Rz
'. V, ;:;-*
:

Si realizamos algunas consideraciones en el circuito de entrada y aplicamos a la

ecuación de la ganancia de tensión.

Rr//r. tt Ri J A,, : -g-Rz

La condición anotada normalmente se cumple en la mayoría de los amplificadores

puesto que la resisténcia interna del generador de tensión es reducido (normalmente
50 o 754 y en algunos 600fi). Si en la ecuac¡ón de [a ganancia de tensión
aproximada reemplazamos el parámetro de la transconductancia mutua g*.
t
d :-

rf

Como

h :r
ttie -i-r
'bb ^¡

De los valores obtenidos para estos parámetros se vio F66.(l'n, por lo tanto

L
^^re --- _f

Se obtiene que la gananc¡a de tensión resulta:

hh
A,, -g,Rz -+ A., = -*R, + A,, -;|*t
,¡ ..re

, : -

Esta ecuac¡ón es la misma que se obtuvo con el circuito equivglente aproximado a

,1 ,

parámetros híbridos; támbién se obtiene las misma ecuación cqá¡ido él reemplazo de

los parámetros de Giacoletto sé los realiza en la ecuación que considera la resistenc¡a
del generador de excitáción.
'-,1'

hr.R, R"/fi.'
^'' _--- h,. R,+Rr//h,.
aa.

De lo expuesto se concluye que es indiferente utilizar los parámetrbs híbridos o los

de Giacoletto, puesto que se obtiene las mismas ecuaciones para los parámetros del
amplificador.
.' t. : '
..

Ga n a n cía de corrie-nte-A ¡
, -'--.., -..'--\-. ,l , '4.,,,i: ,' _ : r i:¡:..'.:.' ''.,, ,:.1..
La ganancia de'éoii¡entetés la relación entre la corriente que circuiá por la cáiga y
lacorrientequeentregae|generadordeexcitación

¡r'scrnóNrsq' t,',1,
' . :
cAp-3-39
'
,..¡ ,.t'.,,.¡..-..-. .:
-,,,
 ,.
:,.-,i; -i
.' : .., .j:] ., :
'1 .':
"
: .i, :r: ,,

,'.'....'..: , ..
i .. -.:¡ : rJ:; n
.-1:
CAPITUIP fII.¡MPJ,ICADOR DE T'NA ETAPA

'' '. .ii,?' :r'".:' :,i

,r,l,, I

generador de

V
Rrl/r^

La tensión de salida sobre la res¡stencia de carga es

': .r ".;:

' t . ,""_.,..,_..
' ,._rr,. , "

.uo=ioR, . '.'¡i.i.
,:;,_' *'t |'oi t.'
' r ,' , .1,,r - ,, ,

Tamlién.la !e¡siQ.1,'rde puede d-eterminar como'la:cbrriente que entrega

el generador de cor1gnie gontrolaoo
:u!!|u.sep;r
tensión por la res¡stencia -total ' -
.
' : t:
,.. -"-l

V.=-8.-V-#
. R^R; :

u vr¡r
D -LP r\C. ¡ ¡\L

Estas dos tensiones son iguales por lo que

pp
ioRr:
; : -grV;:*
')t
R.+RL

Déspejamos la corriente de salida

P t
r^-': -g-\ r D ^tC
TD
''
Ác-ñL

5t realzamos el cociente de la ecuación de la corr¡ente sobre l¿

corr¡ente que entrega elgenerador de excitación (i¡), se t¡ene la ganangia de corr¡ente.

. - \¡v
É-
Rc

A,:!:-""'
--r t:*R'-o, :-g.Rr//ro#n"
i, V
-

1"',u"
Si en esta ecuación consideramos que Rc>Rr, €l tercer término de la ecuac¡ón
toma el valor de uno, así mismo por los valores de los parámetros del transistor resulta
que Rs))r,, por: lo que el segundo término de la ecuación toma el valor'de rn,
reemplázando la ecuación d. d* en función d.e:.]os parámetr-os h (g'=hru/rn), el
segundo miembro,de la"ecuación toma el valor de'h¡",'que corrésponde a la gananciá
de corriente'del;,amplificador,..obtenido con el 'circuito gqpiva,lgnte aproximado a
pJ,mát.'r'..'..'.*..''..
Br'BctRó¡¡tc¡
c¿P - 3-40
 CAPITT'LO IIT A}'PLICADOR DE UNA E!.\PA

Impedancia de entrada Zi
La impedanciat'de''ehtrada vista desde.él gener'ádor de eicitación résulta el
cociente de la tensión de excitación a la corriente que entrega. i

z- v.

1
|

Del circuito si olateamos la ecuación de la tensión de entrada v¡=irR¡*ir(Re//r"),

resulta la:

Z,:R,-Rr//r-

Como el generador de excitación es de tensión, por Io que este tiene una baja
resistencia interna (&), por lo que

Rr//r, tt Ri - Zi= Rr//r'

Además Re>>lt la impedancia de entrada resulta igual al parámetro rn ó h¡"

fmpedancia de salida Zo
La impedancia de.salida vista desde'la carga representa un valor muy elevado
equivalente a la resistencia interna de un generador de corriente, que corresponde al
generador de corriente controlado por: tensión por lo que resulta Zo=oo, si se determina
la impedancia de salida vista desde la carga (R¡), la impedancia de salida es Rc.

Zo:Ra
:

Vista desde los terminales de satida es ' ,

Zo= R,
l

De lo expuesto concluimos que al realizar un amplifi9ado,l en !a19 a transistores

bipolares es indiferente utilizár el circuito equivalente a parámetros hlbridos o el circuito
equivalente de Giacolletto; los resultados obtenidos son los mis.mos.

Amp!ífícador en EC sín condensatdor (Ce) én derívación

autopolarízado
El circuito Oet ampiiRcador de múltiples aplicacionu, por'tqs pripiedades que
presenta, es el amplificador con el transistor en EC autopolarizado'en la que se elimina
el condensador.de derjvación*gon la .resistencia puesta en el emisor (C"),, el circuito ' -"
''
para e$a aprrcac ióñ se muestrá .n .n ta ngura 3 21 l' ,' :-

El circuito equivalente qúe utilizaremos para el transistor 3ér:á el dó Giacoletto a dos

- ELSCTRO¡rICA ':.
cAP.3-41
 ,: , : .:, .- 9¡II UI'! rrr- A¡,fprIcADOR DE UNA ErApA
parametros, para esto, prev¡amente se debe realizar lo siguiente:

' Polarizado -el tranóistor, para el punto de trabajo se determina los parámetros
[ríbridos (h,", h,.", tti"r:tt"").

o C-onlos parámet¡os híbridos y la resistencia de carga del circuito que en nuestro

caso es RzfRe, se verifica si se cumple la condición hoe(Rz*R6)<0¡1 de
cumplirse se adopta el circuito equivalente a dos parámetros.

. Con los parámetro h se determinan los parámetros de Giacoletto (los que sean
necesarios para el circuito)

. ' ':.''i

Finalmente dibujan0os el circuito resultante. .

+i
i.
I

Ito +
Ye Y
I lp.
Y'* t; vo
\y 'e

r i^
^^.
R1 Rc
Y
c"
Inr
1,
¡D Y+
I

+
i"-
V""
vo
+<- +
üi*' , .-
l!

Y'"
->,
.Í
lo
r \/tce
;
^c

i.
-- t'É \ro
-t- '1-

VR. \tR.
I
R¡
I
I
I
I

-:-> + tf -l-
rb Y-
+ Rr-
_
vn¡ I
.I

Fígura: 3.21 Amplificador EC con RE sin condensador (CE) en derivación

ET,FCTRONICA
cAP. 3-42
 'CAPITULO .III AMPIICADOR DE ,IJNA ETAPA

Del circuito.pláiteamos la ecuación de la tensión de

. i-'' ..i. ,.''.r ¡'
salida ,

l,:.''.:.,^.
_,*t'*:¡- ,,,r... .,, .r,.-:. i : ,,,;:i ':,t-.,..¡.; .. ,.

vo:-grVRz -1'' l '" ' ' 'i

:.- ,
t ,.': I.

, ..
' :

En el circuito de,entrada

\":v+VR, '

La tensión sobre la resistencia,de emisor resulta

/\
tv
V*, :l-+g*V lR,
I

- ,,,)
\rn .r'''
:

La corriente que entrega el generador de excitación es '

ti

-v*, , v ' -: ¡
ri, =-:--- .-.
r' .

' P
..B^r r "':"

' ."-1l'., :t---!

Con lo que la.tensión del generador de exc¡tación

v,¡ = i,R,
I r
+V"
Á8
'

' ,Reemplazando,la, corr:iente'de.'excitac¡ón (i¡), la tensión:'sobre la:resistencia de

:

polarización (Vne) en jla.resistencia de polarización de la baser(Re) se tiene:

nu v)^
:l lv*_ lv*v-- v)-
v,
'' +' lR,+V"
l--, KBJV,¡ =l|- _---5+: lR,+V+V.
¡ R r,n) J KE
I\r*BR, .t*).. \ t.g

Y
 CAPI:rUIP IIT AI'ÍPLICEDOR DE I'NA ETAPA

'''i:t'
. ¡::. .:

Ing¡¡ pOf h¡s y'despeja*ffi fa tensio r tbui¿ l.;

Rurnv, : V[rn + (1 +ho)R, + Rs]Ri * Rr[r, + (1+ h*)Rrl

.

R"r"v,
V_
[r" +(1+h")R, +R"]R, +R"[ro +(i+hr.)Rr]

Como la tensión en et circuito de salida es:

vo : -gm vKz

Reemplazanos la tensión (V) sobre Ia resistencia r" y despejamos la relación de

tensiones que define la ganancia de tensión

: -g.RrRrrn
Au, ---9- -) A +Ru]R, +Ru[r" +(l +h*)Rr]
I [r' +(l+h*)R,

Para interpretar adecuadamente el efecto que produce eliminar el capacitor de

derivación (C") de la resistenc¡a de emisor en el amplificador, debemos realizar algunas
modificaciones en la equación como por ejemplo:

Multiplicamos y dividimos por rr+(1*hre)Re

-g,R.Rrrn r"+(i+hr.)R,
u' +(1+h*)R, +Rs]Ri+Rr[r" +(1+h*)R.] r" +(1+hr.)Ru
[rn

Obseruando resulta

c't
bm^:
RrRu[r" + (1+ hr.)Rr]
r^ + (1+
hr.)R.
n lrn +(i+h*)R. +Rr1R, +Rnfr" +(l+h*)Rr]

Sacamos factor común Rs*[r"*(1*h¡")RE] en el denominador y ordenamos

ecuación

óu,

Si llamamos r'n=[r"+(1+hr")Rr] la ecuación resulta

ELECTRONICA
cAP. 3-44
 CAPITUIO III AMPTICADOR DE UNA ETAPA

_"f., p
''z ' ", ,.,t| .- .".' . ;,
;- l. u. ,-{i.'¿.. --'- ,'-, ." o¡t'
ñt- ' ¡.-; .;-, "Lj.:...-. :.,. -
i i i.;
Ri
D
r\B -L¡
, +r

.h
Si llamamos g-::rlfq
,f
la ecuación de la ganancia detensión se'convierte en:
'o

A,:-s-R,=**1;-
' R' + R¡//L
, ":i -

La estructura de'lá'ecuac¡ón'resulta de una:formá,rque es.idéntica a la obtenida

:cóndensador C", es'9ecir
cuando se tenía la resistencia de emisor (Re) derivada con el
que no part¡cipaba en las ecuaciones para componente de alterna, en este caso esto
rlsulta muy diierente,'.solo hay similitud en la ecuación, consideiando, la denomilación
..n lg.r términos (r'" , g'.), la ecuación sug¡ere la modificación'del
!e.,ia.ucración
circuito Dara la deducción resulta:

+
.>
t.
¡D

vbe

@
Il',,
Figura 3.22 Circuito reducido

Si en la ecuación 'de la ganahcia de

paÉ una adecuada interpretación resulta.

l-
ttfe
Rz
rtr
+11+h.
\ r_ ¡cl )R-,E
::

,'.':.' '.
(1 + hr.)R,

¡ ::
-:.t ..i-:,,

cAP.3-45

-. ..1 t' "'

 CAPITU¡.O TII A}IPLTCADOR DE UNA ET}PA
La¡,sst..'Én ¿e-,1?,1 .g.g.tlancia de tensión que se ,bbtuvo como relación de dos
resistencias, nos indica que el amplificador se Independizo,' de los parámétros del
transistor,.gs!o1 e9 pQsiblq,,,por el proceso de realimentación para componentes de
alterna que se presenta en gl circuito al eliminar el condensador de derivación (Cu).
. -:'. -' . ,. .1,,::',1 .' .,,', 1. . l. , :. ' . l

Ganancía de corriente A¡
;r.,. ;.., ]'-i'r-:',,," l
Paia realizar la deducción de la ecuación de la ganancia de co¡riente, utilizamos el
circuito repregentado en la figura 3.22, obteniéndose en este
. ' :.- . 9aso.
,

Ai :-e,RuC***:- ." ' '.

R.+Bt
. .', .t :

Se., obtiene una,. menor qanancia de corriente, esto :,debido al proceso de

feallmentaclon, -
.---l:----r--:i- ,-:-.
i:.
;:: ', ' i:,., '.;
i.
.

Impedancía de entrada Z¡
...'
El procedimiento para establecer la impedancia de entrada del amplificador no se
modifl cá, obteniéndose.
'

7:r':r \P
Li - Lr. rr *(1J-1n
1
\r ' rrferfr\E

Z i = R, * Rr//r^

De las ecuaciones se obserua que Ia impedancla de entrada del amplificador se ha

incrementado por el proceso de realimentación.

Impedancía de salida Zo
':
La ecuación de ia impedancia de salida del amplificador resulta

Zo:R.

Zo=R,

De las expresiones de las impedancias de salida se ve que en este caso la

realimentación no produjo modificación en este parámetro

Amptifícadores con transistores unipolares

Recordemos del transistor unipolar que su funcionamiento esta basado en el
'control de la'corriente mediante un campo eléctrico (tensión de,, polarización de la
juntura compuerta.fUente), además,que,Ja corrie¡te depende úniqamente del flujo de
un solo tipo de portador.. Estos'dispositivos se denominan también como transistores
de efecto de campo y existen dos tipos:
er¡clRóNrc¡
cAP. 3-46
 .tt...". ,:'
lr. ri', .'

, , .,. C-APITUi,O IILA,''Fi.:CADOR DE IJ'¡¡A ETAPA

1.Eltransistori1e'9-fectodecampodeuniónJFETóFET
, ,-i.,:.',.,1 '., : '. ..'..:- ..i;i,-
-
2. El):transistor de efecto de campo'puerta'aislada IGFET ó MOSFET '

' ' ';"-,i" - ,

Los transistores',FE-f v MOSFET se utilizan en los circuitos ampl¡flcadores en tres

topología, por las propiedabes que tiene el transistor en cada topología el valor de sus
parámetros son diferentei, estas topologías son: compuerta común (GC),.fuente común
(SC) y drenador común (DC), repasernos'las definiciones de'cada uno.

. El transistor está en compuerta común (GC) cuando el terminal de la compuerta

(G) es común'a! circuito de entrada y salida, la excitación se introduce por el
terminal de la fuente (S) y la salida se obtiene por el terminal del drenador (D).

. El transistor está en fuente común (SC) cuando el terminal de la fuente es

, común al circuíto de entrada y salida, la excitación se introduce por el terminal
de la compuerta y la salida se obtiene por el terminal del drenador.
¡-: , ,:l;':, ,.
. El transistor esta en drenador común (DC) cuando el terminal del drenador es
' ' común.al circuiio de entrada y salida, la excitación se introduce por et terminal
de la compuerta y la salida se obtiene porel terminal de la fuente.

Detallaremos la aplicación del transistor unipolar en la topología SC que es

analogo al de emisor,;común '(EC) en el transistor bipolar, realizaremos un análisis
gráfico y matemático para "establecer los parámetros concentrados del transistor para
representarlo como circuito equivalente, y deducir a partir de este los parámetros que
identifican a cada amplificador.
' ,,

Revisemos resumidamente la notación que se usa en ia representación del

circuito: ,,.tt
.,. , '. , ', ', ,,..

-r " :'¡.. .-
. Los valores:,totales comDuesto Dor componentes ,de continua' y alterna se
l

' '.'t I r-.,---, ,,^^

.--'l| - ^.
reDresentaran con letras -. --. mrnuscutas seguido de subíndice mayúscula: v6s, vp5,
i6, ip,i5. .=,..,_, -. :,t,.:.
.
,r,;,.r:,i,1.. ,. r;

Las componentei Ce continua se representan con letras mayúsculas seguidos de

subíndicesmáyÚscütaS:V65,Vos,Ic,Io,Is':.
. Las componentás Qé alterna se representan con letras minúsculás seguidos de
subíndices minúscula'sl ves, vdr, ig. ia. ir.
.,.,,1.,.-r,,.._:.., ,.. . - .,-..... .... .-. ,;

. Los componentes máximas o valores eficaces se rep¡esentaián con letras

mayúsculas seguido de subíndices minúsculas: Vsr, Vdr, Ie, 16, Ij.
'1/-..,r.,
Para el análisis y la identiflcáción de la notación usaremos ei transistor FET y
ampliaremos al MOSFET, el circuito ,: i es: i -l .
r ,j ' .: - ::.
.l' ' '

¡r.¡crnóu¡c¡
I
gAP. 3-4?
a
 üil-'-
nuTo'

Ro

¡.
i"-
N
1

Canal .

En el circulto de lii:f¡rgqra 3.23'el FET esta polarilado,Ja juntl¡ra compuefta fuente

en inversa, entre''et 'OiahaOoi y fuente (que no existé juntura)':seiaplica una tensión
positiva al dr.enaáor gg'n i*espeAo a'la fuente para un'FET de canál.N por aplicación de
i¿; i;;t¡tn.t Ju tÑnou'V66 y Voo respectivamente (en el FET':de :canal P las
polaridades de las tensiones aplicadas son inversas al caso del lET de cahal N).en el
circuito de entrgüa áOg¡¡ás 'se aplica una tensión de qlterna vi tal que su valor máximo
no cambie la polarización de Ia juntura, es decir, que la V¡6¡(V66 (el .amplificador es de
pequeña señal)r.'en egtas condiciones planteemos las ecuaciones de tensiones en el
círculo de entrada y salida: ,.

VDc:Voo*Vo*

io:lo+io
io = Io + ie (por las condiciones de polarización toma el valor de cero)

ir=Ir+i, '

Yr:Vccivi _,
- , I i .;l. ':"r-',:.
, .. . "' , .., ,r'',
v, = \*cosort '

ELECTRONICA
cAP.3-48
 CAPITULÓ III AMPLICADOR DE

Voo :0o +io)Ro +ffos *.'0,)

''.. ..:

Por la condición de polarización la corriente de'.conti n ua: y:alterna de" la compuerta

toma el valor cero, por lo tanto:

V^^+v:V^-+v
UUIU)gS

\¡v^^ D ' tdttD

i P -.r-\/-'+..
Y^" T \,-
' uu -T -D- -D Tl,ñ^,T
- l^.ñ^ ', .'Ds 'ds

Separando la parte de continua y alterna se tiene:

.:'
Parte de continua: :

TT _ I'
Y^^
(JU - Y^-U)

v^^:l^K^fv^¡
UUVVUJ

Pafte de alterna:

v'i --v'gsr: 0=i.R-+v.

" ,d,.D 'ds
.''
Con las ecuac¡onds de cont¡nua se determina el punto ,.qe. tFbajo sobre la
característica de transferencia y la recta de carga en las caraLterísticaS V-I de salida,
determinando el punto de trabajo (Q) del circuitó tal como se muestra en la figura 3.24.

ELECTRONIC¿
 . . ,'' ' 'i.¡'
,, .l '
,ar-..:;::,..;j. l".
:.:-,-.:i,'---".: '' ., t'i,,1,-,';. ;.. r¡:;,r -i ''¡ .
, .,..:t .
'' ' . : t .. .
. .. _ . :.':.-'. - ,,,. t-;-¡
' -:': .: ..- '. 1 : i :'
, l .
-

Con los máximos pos¡tivo o negativo de la tensión de excitación (v¡) se determina

Ios puntos A y B; el punto:de trabajo como los extremos A y B están reiacionados por
la ecuación de Shockley'ó la ecuación de transferencia en el MOSFET de acumutación.
la graflca Se muestra en la Siquiente fiqura. .'r4 !¿

t:

¡' ' í- ' - V-I

,Con las ecuaciones de alterna y las característicasse grafica punto a punto las
a- ,- J- |
formas de onda de corrientg y tensiones, de los Que se obsqrygique en el circuito de
-

entrada las tensiones (v¡;,ves) y la corriente de saiida (i¿) están en fase, en el circuito
de salida la corriente (i¿) y la tenaión (v¿,) están én oposición de fase, es decir, que la
configuración SC proOúé'inversió'n Oe fasl entre tensiones, tal como se muestra en la
figura 2.25.

Figura: 3,25 Formas de onda

I r^ ^*^li€i ^^A^- J^ pequeña .

es aquel en el que la señal que se aplica es
uu drrr¡-.,rrrruodor de ^^^,,,.x- señal
suficientemente pequeña como para considerar'que en un entorno,reducido del punto
de polarización del transistor los parámetros permanecen constantes. Además para que

¡lectnóNlce
. cAP. 3-50
 :.. CAPIrUÍ.O III A]'PLICADOR DE TNA ETAPA
los parámetros del transistor permanezcan constantes, el punto de trabajo a
(polarización) y las iomponentes de alte.rna debe mantenerse dentro de la zona lineal
de lasIcáracterísticas v-r lsaturacióñ) tualQuiér circülto pasivo'iy/o uétiüoIp'uede
representarse por medio de un cuadripolo o caja negra (figura 3.26), el que se define
completamente por medio de las tensiones y corrientes de éntrada y salida.

Modelo para peQueña señal del transistor unipolar

::
El transistor puede representarse por medio de un cuadripolo o caja negra, en la
que el componente activo" esta en alguna de las tres topologías (GC, SC, DC), este
método se aplicó en el desarrollo del circuito equivalente del transistor bipolar, por lo
que haremos extensivo al transistor unipolar, el circuito equivalente lineal de pequeña
señal del FET o MOSFET puede obtenerse de forma análoga a la que utilizamos para
determinar el modelo de un transistor bipolar.

En el transistor unipolar nos conviene tomar la corriente de drenador ie, como

función de la tensión de compuerta fuente vcs y del drenador fuente vos.

io : (vor, vor) ,.,

,, ,l
Desarrollemos esta función según la serie de Taylor alrededor del punto de
trabajo,, considerando_' que las.componentes de alterna son pequeñas frente a las
componentes de continua en estas condiciones nos quedamos con los dos primeros
términos del desarrollo.

l-,
uvDS

, :':- .

Como el amplifiqador es para pequeñas señales de alterna, por lo que asimilando

las diferenciales a pequeños incrementos alrededor del punto de polarización se tiene:

cAP..3-51

-,'..::]1'
 CATITULO III ¡¡'ÍPIfCADOR DE UNA ETEPA

. ri -

tránsconductancia mutua

'' dv,'r.
resistencia del drenador
' olD vCS =ctte :

Para las componentes de alterna desarrolladas respecto al punto de trabajo

resulta:

En la ecuac¡ón gm eS la conductanc¡a mutua o transconductancia, y que en alguna

bibliografía se denomina por Y¡5 o Gr, y se lo llama transadmitancia directa (fuente
común). El segundo par-ámetro r¿ de la ecuación es la resistencia del drenador o de
salida, la inversa'de r¿ gi !aconductancia del drenador g¿. También se denomina como
yos Gos se llama :conductancia de salida (fuente común); en los transistores
y
unipolares se define un factor de amplificación como cociente de la tensión de salida a
la tensión de entrada y se lo denomina ¡.r.

dv.,. I

I
ov^"
uJ L
llD =Clle

Reemplazando los incrementos por las componentes de alterna, multiplicando y

dividiendo por la corriente de drenador se obtiene.
I
rl
.. td
"ds
F-. l,{ v".
-
I

- -lÉ- I
llD =ctle

U: r¿9.
También se puede incluir al circuito equivalente las capacidades que existen entre
cada par de terminales que son de juntura (por la polarización inversa) y de difusión
(por la difusión de portadores en el canal).

El condensador Ce, representa la capacidad de juntura entre compuefta (G) y

fuente (S) y Csa entre compuerta (G) y drenador (D), el elemento C¿, representa la
capacidad drenador (D) fuente (S) del canal. El circuito se muestra en la figura 3.27.

El'c¡rcuito eqüivalente desairoitudo iorr.sponde al transistor"lÉET, el equivalenie a

los MOSFET tienen la misma estructura, la diferencia solo es cuantitativa en los
¡¡'¡ctRóNrca
eL) ?-q?
 CAPITL'IO III A}@LICADOR DE UNA ETAPA

parámetros. De la misma manera que en los transistores bipolares, los parámetros de

los FET y MOSFET s-e.püedan determinar a partir de las curyas característlqas V1I pgra
un puntó de trabajo:eitablecido. A maneral cie éjemplo realizaremos la determiriación
de los parámetros, el procedimiento es el siguiente:

. Sobre,las características V:I de,transferencia y salida,se fija'él punto de trabajo

(Q=Vcs, Io, Vos) del circuito'

. Para vcs=ctte (vcs=ctte=VGs, ves=0), se traza una línea perpendicular al eje

de tensiones compuerta fuente por el valor Ves Y que pase por el punto de
trabajo.

. Se establece doslpuntos equidistantes sobre el eje de tensiones (V652, Vesr) a

ambos lados de Ves y determinando en la intersección'con la característica de
transferencia, dos valores de la corriente de drenador (Ioz, Ior) y realizamos el
cálculo con: .:

I., - Ir.,
-*m \/Ycs: - \¡
"csl

<_'
Co, !d
I 8'nvgt vds
/1\ -l
\Y/
ISC
IS i_
I
-L

.l'\,_ : ri: .,. ;l

;:'"'
Figura: 3.27 Circuito equivalente det FET- ,.

'
cAP.3-53
 ,i:"-

'^
' t.,'.'-i t
,' ;' :l: :,' - ', :,' . :
' ,l t ' ::.:.. '' .. ," ,
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r-
Ll cálculo qg g,r'lpmbién se puede realizar e!!ribs"garacterísticas V-I de salida
,bon -.un.:-procedimiento
:,*.. l:,.',
similar alrededor del
-,-tf
punto de trabajo.
.:..,-,.-.:i:, .1r.--
,'.,,t..',,-, .'..
,
.
,,
-.. .. .t, I

En la característita de"óal¡da para'Vcs=ctte (vntidttelVe_s. vjj=0), sobre esta

.carqctgr¡Sticq,'s9 qblca dos punto- equidi:on*:, qef punto áe tiana¡o se y
determina los v.qlo¡es,dq Ip2,, Ior, y Vpsz, Vosri y.se'calcula la resistencia del
drgnadorcomo:''1:-.'^- ,'' : ''''-"r ' 'i'''^'¡':"'"1
Vor, -Vo'
,. -
Io'j -Io''

. ,,l'"'::
El parámetro gananc¡a de tensiófl ¡r s€ calcula rqalizando el producto de la

: '
,t
P: rdgr ,
', ,,,,,
,l "";
Con lo que qe concluye la determinación de los parámetros- d.el circuito equivalente
de|FET,paraelMosFETSeuSaelmismoprocedimiento.

Los fabricantes de transistores unipolares presentan la información del dispositivo

en sus hojas técnicas para la topología fuente común (SC), en consecuencia el circuito
equivalente en su genéralidad se lo usa en esta topología, cuando en la aplicación del
transistor unipolar se cambia la topología (GC ó DC), se usa el método que se vio para
los transistor, bipolares de redibujar el circuito equivalente de la topología SC a la nueva
topología en la aplicación; sin necesidad de realizar transformación de los parámetros.

Amptificador con FET fuente común ^- - FFq,8,---^L -^--a--

Del amplificador se deben determinar los parámetros de ganancia de tensión, de

corriente, impedancia de entrada y salida, usando los procedimientos ya vistos para los
transistores bipolares. E! circuito de aplicación es el que se muestra qn la figura 3.28.

En el circuito el transistor unipolar esta en la topología de fuente común puesto

que Ia fuente es común al circuito de entrada.y común al circuito de salida, la entrada
de la señal se realiza en la compuerta y la salida se obtiene en el drenador, la juntura
compuefta fuente esta polarizado en las condiciones de trabajar como amplificador, por
lo que el FET reemplazamos por su circuito equivalente, cuyos parámetros (gn,,, r¿) son
determinados para el punto de trabajo definido por la polarización, los capacitores (Cs,
C¿, C.) para las componentes de alterna se comportan como corto circuitos y los
.abiertos
capacitares internos al transistor se compoftan como circuitos y como el
transistor FET de canal N tal como se indico se remplaza por su clrcuito a parámetros
concentrados, resultando el circuito mostrado en la figura 3.28.

ELECTRONICA
 .'_.,:-- '"'.:. '

CAPI TE,o III A}IP¡ICADOR DE UNA ET.APA

Voo.-
ü i*o

* f'co t.
| "lo
+
Y
r;^.rv
Y'u
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o: RL

¡ I
I
I
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id I
Vds '
1¿ Vas Y
-L Vo +
vsJ
l:-
Yts
Vi

üi, R¡

I _l
I

+ +
&J vss
la'
Vds

I 9mvgs

Figura: 3.28 Amplificador fuente Común

Ganancía de tensién A¡
-1"' - ': :' '
''r':-'-'
Realizaremos la.'déducción de la ganancia de tensión cgmo.relacion de la tensión
de salida sobre la carga (vo) a la tensión del generador de excitación
i__
(v¡).
.._.: .. ..

A:--9
v :
t
^rl
\' '' t
' - '.t- ', '

',''..;
"'tt:"-
Planteemos la ecüación de la tensión en el c¡rcuito de'sálida.''''
. .l

:.t tt
'

srgcrRóNrcA
 carga (vo) a la

relación de' la

. I.'. , .:
LqJensión sobre la carga resulta
-,-t :
vo lol(L
-

La tensión en el circuito de sal¡da del amplificador

:
'.
vo' : ¡¡n
l¡f:t
-gmvcsrd//KD//t(L
.:
-; ,...,
Arfrbas tensiones son ¡quales

ioR, : -B.vr.1¿llRo/8,,,
: ..'.' : .

Resulta la corriente sobre

'.
la iárga

r,//R^//R,
.o Dm .gs
R,

En el circuito de entrada la corrient€ i¡ resulta

'':'.'

v""
, i,.=
nJft
r\i//r\G
-+ vss.= iiRiiiRc
. .l' . .':,'.. ..ir ',.
', ...,.,' ;.'i '' .. ,- ,r ..:1.;,,
..... ¡:i-:,,;
...- ,i:*.s..;
f.
l-.1".-1.. . . ,,.t, .,. :_ .:t'.i .ti;l

i.¡- ...

'
-

Por lo tantó la'ganancia de corriente es

:.'
ELECTRONICA
c¡P. 3-56
 -''
' .'.;i

A,,
',
:
:li r A,i -'l,t,,,r.
-r,{?+Ri//Rc
^t ,- ':,., ,-.: -:.. '.-.... ,-.: i,'.-,r:'.- 1.,.... ,.':. ,.
,, , ,,-;

fmpedancÍa de entrada
Como la juntura de entrada'del transistor esta polarizado en inversa, por lo.que
representa un circuito abierto, por lo tanto la impedancia de entrada resulta:

Z, =R,/,&.o ',
fmpedancía de salida
En el circuito de iati¿a del FET no se tiene juntura polarizada, corresponde a una
barra semiconductora el que tiene una resistenc¡a 16, porlo que la impedancia de salida
CS:

Zo: rolff.o ',' l'

'Con lo que se concluyó la deducción de los parámetros del amplificador con FET,
se puede apreciar iq"ue el método empleado es el mismo que cuando se analizo
transistores bipolares. Finalmente cuando se quiere usar los MOSFET en los
amplificadores, en lo'único que son diferentes es en el valor de los parámetros del
transistor (g-, ra), para la deducción de los parámetros del amplificador el método es el
mismo que el utilizado en los del FET.

Respuesta en fre,cuéncía de los amplifícadores :

De los circuitos equivalentes establecidos para los transistores bipolares y

unipolares como pel agoplamiento capacitivo se determina que los circúitos resultantes
tienen la topologia Oe un filtro, los capacitores de acoplamlento éntre el generador de
excitación, el transistor: y rla óarga como el de derivación de !a resistencia de emisor
(RE) son del or,den de unidade¡'o decenas de micro faradios (Uf) y que las capacidades
internas del transistor de juntura Oiful3n son del orden de unidades o decenas de
.V
pico faradios (pF) o nano faradios (nF), estos capacitores externos é internos al
transistor están dispuestos en el amplificador en una topología similar a un filtro pasa
banda, por lo que el:clrcuito amplificador tiene una respuesta en frecuencia, con dos
frecuencias de corte (fr y un ancho de banda (AB=f2-f1), '
{z) V ,
Comoen|osfiltros,enelamp|ificadorsecumple:
' l::'"''. ,:l¡ ,1 " ' ',',1'.... '','',r' t: :,:
.,,

tienen uná gangncia,&nstahte prácticamente inOediridienie de los capacitores

externoseinternos'al trarisistor. ,,' ,

sl.¡crnó¡¡rcA
 gananc¡a del gmplificador se hace despreciable o tiende a cero.
'.,:.:'::.-,::",L .'.-,,,... ,,.,: ..'i.,
..
. Para señales de excitación en et valor de la frecuencia superior de corte (fz), la
gananc¡a,'del qmplificador a disminuido su valor a p,7O7 9p ta ganancia dentro
del ancho de banda.

. Para señales con frecuencias por encima de la frecuencia de corte superior, la

gananciq del ar¡plihgador se hace despreciable o tie¡de, a gero.
. ,-- ,,
I ,r.
Del análisis reallzado podemos representar la relación. de la ganancia del
amplificador como fu¡üió¡. .de la variación de !a frecuencig de-.'excitación tal como se
muestra en Ia figura 3.2!,

-É = 0,707 A
1¿

Frecuencias Medias

Ancho de banda= AB: f:-fr

Figura 3.29 Respuesta en frecuencia de un amplificador.

Con la intención de mostrar objetivamente la influencia de las capacidades en la

respuesta en frecuencia, a su vez ratificar el análisis efectuado anter¡ormente y realizar
conclus¡ones con respécto a la relación de los condensadores con las frecuencia de
corte y las frecuencia medias realizaremos un ejemplo:'Consideraremos como valores
promedio para la comparación, la resistencia de entrada a un amplificador en base a
transistores y la resistencia de carga con el valor de lKf), par.a los condensadores
externoé tomaremos un valor de 8¡:F'y para'los conéensadoréS ¡ndrnos tomaremos un
valor de.8pF; realizaremos. el cálculo de las reactancias capacitivas para cuatro
ELEcrRoNrcA
c¡P. 3-58

n
;- :i ;t.i.,
frecuencias comprenOiOas,en la banda de audio frecuencia de 20H2, 2kHz,10kHz y
20kHz; para la comparáción realizamos dgs tablas en base a los valores impuestos, los
cuales se muestran eh',la fiqura 3.30: : ,

Frecuencia f t=20H2 fz=Zk1z f¡= 10kHz f +=Zak{z

j

A lr--^
Reactancia Bajas Medias Medias /'\tLo)

v<r (Cr=BpF) 995o 9,9f2 1,9f¿ 0,9e)

xs2 (C2=BpF) lOOMO 99,5Kf) 19,9Kf) 1KO

Comparación Rexcr l^nrnn:r:hlo

vvl ¡ ¡vur 9v¡L Corto circuito Corto circuito Corto circuito

Comparación R<+xcz Circuito abierto Circuito abierto Circuito abiefto Comparable

Frecuencias Frecuencias medias Frecuencias altas

Externos (¡rF) Corto circuito Corto circuito

,.'.'.
Internos (pF) Circuito'abiefto Circuito abierto Se toma en cuenta

Figura. 3.3O Cu.adro compar€tivo entre resistencia y reactancia capacitiva

De los cuadros de la figura:3.30 concluimos que: ',

. Los capacitores inte[nos (C,,, Cp del orden de los pF o nF) se los.considera como
circuito abierto a frecuencias bajas y medias (no participan en'el circuito), los
capacitores exter:nos, al transistor, es decir, los de acoplamiento (C6, C.) al
generador de excitación y la carga y el de derivación (C") de la resistencia Rr
que son del orden,dgl ¡rF son los que limitan la respüestá'en frecuencias bajas
(f<fr).
''''
. Los capacitores extérnos (Cu, C., C" del orden de los uF) e internas (C", Cu del
orden de los pF o nF) del transistor a frecuencias mediaS se los considera como
corto circuito y circuito abierto respectivamente, no participan en el circuito a
frecuencia medias (f1SfSf2).
. t....,1-. .. ,:. , '

. Los capacitoreg'dxté¡no.s a[ transistor (C6, C., d" del,ordgn de,los pF) se los
considera como.corto circuitos a frecuencias medias y altas (no participan en el
circuito), los cEp,ggltglT.jntgrnos(c,, cr_Oe] grden de iospF o nF¡ son los que
,limitan la respü*éSta énfrecüe.nclasqltas
' . '- ;-1.--r . :.:. ,,
-il (f>f2) r¡1',1;,:1 ,
,.i:.. ,1,.."., i ,
': rrl '', '
i ,, . ;
De lo expuesto se concluye'üue los amplificadores con acoplamiento capacitivo
se comportan como 'fittros p,qéa banda, los amplificaQtjiqs,, óon; acoplamiento
':
r.r.nCtaóf¡C¿
 ':
.z

Capacitores ¡ ',, Capacirores

extcmos al : Capacitores extemaos al fansistor se comportan inlemos al
tra¡sistor limitan como cortocircuitos, los intemos al tr¿¡sistor son t¡ansistor limita¡
la respuesta gn circuitos abiertos la respuesta en
bajas . . altas
frecuencias, los frecuencias. Ios
intemos al exlernos al
lranslstor son t¡ansistor son
circuitos abietos cono circuilos

Figura 3.31 Comportamiento de los capacitores

:;
En la respuesta en frecuencia de los amplificadores se presenta dos casos:

1. Analizar un amplif¡cador ya diseñado para establecer los parámetros del

amplificador sobre todo la respuesta en frecuencia determinando la frecuencia de
coÉe inferior (f1), de cofte superior (fz) y el ancho de banda AB=fz-fr; para esto
usamos:
'
. Para determinar Ia frecuencia de cofte inferior (fr), se hace como la sumatoria de
polos menos la sumatoria de ceros en la ecuación de transferencia.

at : ¿ItTt : rp-\-c
L- .1¿ -
. Para determinar la frecuencia de corte super¡or (fz) se hace calculando el menor
valor de los polos ó mediante el polo dominante del circuito

2. Diseñar un amplificador para una respuesta en trecuencia fijada, en este caso se

procede como s¡gue:

. Se asigna q Llnq:de los condensadores externos determinar la frecuencia de corte

inferior (ft), a los restantes condensadores externos se les asigna una frecuencia
de,cbrte una octava (fttz) o uná década'(frl10) por bajo'de la frecuencia de
corte inferior.

¡l¡crRóNrce
cA". 3-50
 CAPTTTiO III AMPUCADOR DE UNA ETAPA
. Con la frecuencfa de corte superior (fz) se determina, el valo¡.de la resistencia de
carga de altérrla que no modifica el punto de trabajo a fin.de. A! ,modiic,9¡ tos
valores de las c"apacidades internas del transistor. ,,.
,, '
Desarrollaremos las ecuaciones,de los parámetros del amplificador tomando en
cuenta la influencia que produce en las ganancias de tensión,.corriente como respuesta
a las señales variables en frecuencia, separadamente para transistores bipolares y
unipolares.

Respuesta en frecuencía del amptificador con transístor bipotar

EI amplificador en:esta topología se muestra en la figura3.32.

K^

ül

i-.'<_
:)-
L ¿;v,.
lC

C6 lbc Y'c
'
Rr
-I

<_
iu ruu' lC

I
8m V-
+
YRE
r-T
:i-

Figura:3.32AmpIificadorenEC,circuitoequivalente]
; l ::

Analizaremos el"amplificador en el que el transistor bipolai:se usa en la topología

EC: s.e supone qug del ciicuito se estableció la polarización,'delq¡minando el punto de
trabajo estático y los paramerros níbridos como así los Oe Ciacoietto, en este circuito
equivalente solo nos queda analizar ias capacidades distribuidqs de juntura y difusión

EI.ECTRONICA ' .1

c¡P. 3-61
 i' :. :. ' ,. ---r-' I "'
-. - .-i-.,-: .

-
t,
| | , . -. . .-.- :: cep¡r,¡¡,o rrr AMp¡,lcADoR DE uNA E?ApA
Se denom¡nan como Cp (C0,., C.) y C,, (C", C¡,"), estos
'i
oel
.transrstor{ loq .olle
parámetros los detalfaremoqr en el momento de desarrollar la respuesta en frecuencias
altas del amplificádor, el'cirCu-ito resultañté'se repreéenF,én la figura 3.32.' '
t: '-..
" . ., .r

Del circuilo equ¡valente para el ampl¡ficador, aplicando el teorema de

superposición tomando en cuenta los valores de los condensadores y la frecuencia se
desarrollan tres circuitos equivalentes que responde a cada rango de frecuencías tal
como se indica en' la figu¡a 3.33, dibujaremos el circuito que responde a frecuencias
bajas, medias y',attas;,'jr en base a estos detallaremos las ecuaciones que permiten
dimensionar los comRlnentl.r,' ,
,

Frecuencias lv{edias

Frecuencias Altas

Figura: 3.33 Circuito equivalente para bajas, medias y altas frecuencjas,

Análísis del amplifícador para frecuencias medias

Los parámetros del amplificador a frecuencia media (figura 3.34) ya fueron
obtenidos en anteriores acápites, corno las ecuaciones de la ganancia en frecuencia
bajas y altas, estáq en función de la ganancia en frecuenciasr. medias, para mayor
referencia repetiremos la ecuación obtenldg para la ganancia !e te¡sión en frecuencias
,.-.i.'.;-. ,'..,.-.-: ,,:i,,i' ,:-- ..,..,,:-
mgdiaS. ,

ELECTRONICA
.AD ?_A)
 CAPITULO III AMPTiCADOR DE UNA ETAPA

Figura: 3.34 Circuito equivalente a frecuencias medias

Análisis del amplífÍcador en bajas frecuencías

para el análisis
ric ántirerpmoq el )osición'realizaremos la deducción
áplicaremos el principio de superposic¡on'real¡zarem
de la ecuación de transferencia considerando la influencia de un solo condensador y los
otros suponemos como cofto circuitos, tal como se indica en la figura 3.35,
:polos y
determinaremos los ceros de la ecuación de transferencia, luego integraremos
en una Sola ecuación de transferencia para tener la respuesta completa'

1. para C6 (C"=Q, C.=0), et circuito para las frecuencias bajas resulta

.'..
Ftgura:.J.35 Circuito equivatente para C6 "t:'

Planteemos las ecuaciones, iniciamos con la tensión de salida sobre la carga.

-. \¡n
- ^
Yo--_gmvr\z

Luego la ecuación de tensiones de la malla de entrada

I
vi : i,(Ri *xco -Ru//r"), COñ x.o =
'\ . ' SCo
"r-
".-".,,11,,,.,,!.
Despejamos la corriente:
.:.
erEcrRóNrcA
cAP. 3-63

. lr.:-
 ...
CAPITUIP TII AI@IICADOR DE UNA ETAPA
Yi
l, .'
* +xq. +R,//+
;

Rr//r*

Reemplazando la tensión V resulta:

'I

RB//r-,' reemplazamos : ;l
x..bsc
, "-b

Despejamos la relación de la tensión de salida a la del generador de excitación:

R"//r" uo P
r\B//¡rt/,
l: -g.Rz * : -grRz
vi (R, +R"//r.)SCo +1
Yi
R. ,*++Rr//rn
SCo SCo

Esta relación representa la gananc¡a de tensión:

v-
A,,:i+4.,:-g-Rr#
R"//r-SCo
' vi vr s'n ' (R, + Rr//r")SCo + I

En el denominador de esta ecuación realizamos la operación de factorización del

producto de la capacidad C6 por el paréntesis de la suma de resistenc¡as resultando.

A,, : -grR,
,:. __r+ Ru//r")Co
(R, l S+Co(R,
__o _o, _oL_ -- +Ru//r_)_l l

-
Esta ecuación tiene un polo y un cero, los cuales resultan:
I
Polo de Co + S: - - =--:_ -
c6(Ri + Ru//r,)

Cero de C¡+ S=0 (en el origen)

En la ecuación de transferencia se observa que esta presente la ganancia de
tensión a frecuencias medias A',*.
'Pr
^_-nRu','r-
'P
É- ¡\ 7
l'.r_
.. ,.¡ -Pr\31.

Por tanto
rr-ecrRówlcA
c¡". 3-61
 At. : A"-
S+ '',.'|
Co(R, + R"//r,;

,2; Para Cs (C6=0, Ce=O) el circuito de:,[a figura 3.36,es par:a Jás'frecuencias bajas
resulta.

i. .r
-.-
¡h

. rf vo
1/
L

I
I

. : Figura: 3.35 Circuito equivalente para C" . ,,

- '
,'-,t ,

En el circuito de salida, entre el 'generador de corr¡ente controlado por tensión

(g.ov) y la resistenc¡a puesta en el colecto (Rc)'del transistor aplicamos el teorema de
Thevenin resultando:'

v* = -g.VR.
R*:R.
En et circuito modificado planteamos la ecuación de tensiones en la malla de salida

I
v* : io(R. * R' + xc. ), con *., : ¡F
--"
Despejamos la corriente de sal¡da

vrh
:- - -----------ll-
'o
--L --L-¡sc'
R^+R.
",-c

La tensión sobre la carga resulta

:--

i-
 l- ,. '"

CAPITUI¡ rII.A}ÍPTIC¡DOR DE UNA ETAPA

lj
La tensión de control (V) del generador dependiente resulta:
\/
V:=- - " Ro//rn
Ri *=Rs//rn
.''
Rémplazando e¡ la'tensién de salida : ', l

:..
-e-R^R;SC'
-,,, v u b vui p llr
'o
1¡ -
(Rc +RL)sc" #l ^\B"rr
R¡ +Rs//r,

Despejamos la ecuación de transferencia que representa la ganancia de tensión

^
^', -i-
-Vo \
^
^y, - "" - (R€ +\)Sq +l
&.RJ4
R"//r"
R' + Rs//r"
(R. + Rr )C"
C"(R. +R.)

Esta ecuación tiene un polo y un cero, los cuales resultan

"1

Pglo de C6--+,$: -
C.(R. * Rr)

Cero de C6-+S=O ( en el origen)

En la ecuación de transferencia se observa que esta presente la gananc¡a de

tensión en frecuencias medias.

Por tanto

A :A'^tm
t ^t,

c"(R. +Rr) t,, 1

EI,ECTRONICA
cAP.3-66
 -: .r:'
...'...'

3. Para Cs (C6=Q, C.=0) el circuito para las frecuencias bajas resulta el mostrado
en la f¡gura 1.37 '",,i'

?l¡ -+ i<- üio

*
& rb
.V vo
rt ,.
t V
VRr
RrTc. i
.
..Figura: 3.37 Circuito equivalente para C.

.. ,:í' emisor entre la resistencia

rn et clrcutro oet 'Ri'V :e[ capacitor .Ce en paralelo/
determinamos la impedancia equivalente.

RrX. I
Z,: R.rllxr, ) Z,: con xc. =
R=; Sq

D
IRE
^'E q.
,. =-ii SC.
42,=RSSlr
^t - sc. sc.

RE
Z,:
RESC. + I
.
El circuito resultante con la Z" en el emisor del transistor, por esta impedancia
podemos apl¡car el teorema de Miller, reduciendo la complejidad del circuito y el
proced¡m¡ento de deducción de la ecuación de transferencia, erl elcircuito resultd: ,

r, + (1 +bu)2,'
,,,,:,- ..
. r :..:.
,

g.:*Jg.:- -m
rtr i *(t +h,,|z, "
.

,
''
.

Reemplazando Z"
':
t. tiene:
ri =ro*1r+n.-)+5
^t"
RrSc. + I

o
om = tii¿ ,' "..
r. +(1+n"),ñ,,t- :¡--:'.
l.!
' ..:.:-.', ' ' ,,t' '"
""
La tensión de salida resulta:

Ef-¡lclRoNJcl\
'l:: '; :,.,'
@'"'t-tt
v :- .
Y.
 TJNA ETAP¡

v,R,//r-
'I--rr" -r . ^
.o= -g_VR,
v^ 'o :
Dm '^-¿ -) v^
.:
-g
or +Rr//fn--t
R-
R,
:Ji,

Dó¡oejamos !a gcuadióá de transferencia:

'.::
vDu-
A ---q
l\B//rr
'"¡ vi ' '1",
r [ =-o'R
Ém^:z
R, + R"//ri

R"r"
I
h Keff"
^^fe n
A.. =-^tlt R" - -l--:-
'rf rtr ^z R,(Rs *r")*Raro
-.--.-_----_:..-
R' *ro

Realizamos eltremos y medios:

Avi:-h.-R, *P hf.RzRB
¡s 'R,(R" *r^)*Rsrn-+A.. R,Rr+R,r-+Brt-

Agrupamos en r';r

hrbRTRu
R,R, +(R, +Rr)r,

Reemplazandor": . , ,,.,, ti

A __ nfeKzKB
-
^",
" r, +(1+hr.);--h
R,R, +(Ri +RB)l
L" REsc"+ll
I

Procesamos la ecuación a fin de establecer los polos y ceros:

hf.RzRB(RESC. + l)
RtRq(RñC. +i) +(Ri + Rq)[r,$RrSC. +1) r (l +hf.)REJ
:. .t '' ': " ..' ' :.t.-

EI,ECTRONTCA
cAP.3-58
 CAPITULO . III A¡,PLICADOR DE t'NA ETAPA
hf.RzRB(RESC. +1¡
RiRBRESQ. * R,R" + (R + Rr)i"R.SC;;+(Ri *Rn)[r" + (1 +hi.)Rr]

hf"RzRB(RESC. +1)
RESC.[RiR, +(R, -Ru)r,]+ RiRs +(R- +R")Lr" + (1 + h*)R, ]

Sacamos factor común los términos que multiplican AS:

RiRB +(Ri +RB)h" t(1+hf.)RE]

RrC.[R,R, + (R + n"tr"1[s+
REC.IRiRB +R, +R")t^]

Esta ecuación tiene un polo y un cero, los cuales son:

RiRB +(Ri +RB)[r" +(1+hr.)RE]

Polo de C. -+ S =
REC.IRiRB +(Ri+Ru)r"]

Cero de C.

En la ecuación de transferencia multiplicando y dividiendo por r¡, s€ tiene:

hr.RzRBl['.Ct)
R,R" +(Ri -Rs)ir" +(1+ho)R.]
(R,Rr + Rir, +n,r,)[s+
REC.IRiRB +(R,+R")+]

En la ecuación el.cociente h¡.lrorepresenta 9-, €ñ el denominador agrupemos los

términos €n R5:

g*R,R"rn[t.+t)
R,R, +(Ri + RB)[r" + (1 +hf")RE]
REC.IRiRB +(R +R")r.]

Vemos que en esta ecuación esta presente la ganancia a frecuencias medias-Au'

P -/ir
A" =-s-R,--^t{1."-
' R, * R;//r,
,l
La ecuación de transferéncia resulta:

ETECTRO}EC¡
3-69
,r r':, i: i
_ *:." rr
 Hemos concluido el análisis de la generación de polos y ceros por cada uno de los
capacitores externos al transistor, QU€ son los responsables de ta respuesta en
frecuencia baja del amplificador, para obtener la frecuencia de corte inferior (cor=2zfr)
del conjunto, aplicando el teorema de superposición se obtiene. :

r, : ÉP,
i=l
-ic,i=l ,..
.' .
,'l':.

I
, R,R, +(R, +R")[r.
.
+(l+h*)Rr]
+ I ¡ u I u, I

Co (R, + Ru//r¡ ) , C. (Rc + RL ) REC.IRiRB + (R¡ + Ru)r.] R.C.

Con el teorema de superposición también se obtiene la ecuación de transferencia

para las frecuencias bajas.
/.
t1l \
lS+
I
¡

RrC. J
'n 'iñ
s+----1- R,R, +(R, +R")[r, +(l+h,.)Rr]l
S+
Co(R, + Rr//r") c.(R. *Rr)
[.* +R")r"f I
L REc.[R,RB.+(R,

Análisis resumido para el polo de Cu:

.,
\i-:\I
I _., R,R"+(Ri+Rr)[r"+(1+h*)Rr]
'

:C.Rr REC"IRiRB +(Ri +Rr)r,]

Igualando los términos se tiene:

D REIRiRB +(R. +Rr)r"]

^t-B

Operando en esta ecuación se tiene:

.,[;g*+)r*, *R,)
T)
r\T -

+*t*rn,*(1+hr.)RE
..,, -,. r.- - ,_ "',,: '-. , ,,,! . -. ,, .. '',,-ri:
Sacamos factor común (hr"+1) en el'denominador se tiene: ',

sr-sc:RówrcA
cAP. 3-70
 C¡.PI?'JLO-III A}@LICADOR, D9 II}{A ETAPA

R'Ro
-tr.
D
r\i JD| *...
p
r\E- .---- ^B
---------i. . .
I - flf.
R,Ro
' " tr -tr
D
,.i -!D
, ,rB
(1+ hr.) +R-s
l*hr"

Luego

p I R,¡¡R" +t, '1

"tI i+h,-. ) . n _n
R,: : I\- r¿,,R,//Rr+r"
-t r\- ¡ C r,t
I+oi¿

Análisis del circuíto equívalente de Gíacoletto en frecaencia

.En el modelo n-híbrido o de Giacoletto, tenemos dos capacitores los que
corresponden a la difusión y juntura, analizaremos la relación con los parámetros del
transistor en condiciones de corto circuito en la salida tal como se muestra en la figura
3.38.

<-'
\/
l9' 1c

v
(' Rr-:0
v;
vce

T E
I I

,,,,".1 " Figura:3.38Circuitoequivalente ,,_, , ,.

El parámetro importante deí transistor es la ganancia de corriente (A¡) con la
salida en corto circuito, deduzcamos este parámetro del circuito de Giacoletto en la que
se incluyo las capacidades, el circuito resulbnte se muestra en la figura 3.38 con el
colector y em¡sor er_r .corto circuito, en estas condiciones la resistenc¡a r¡, (ó ru,.) de
valor muy elevado (MO) esta en paralelo con la res¡stenc¡a r,, de yalor muy bajo,(KO),
cuyo resultado es apróximadamente rn, también los capacitores ,Cu y C,, están en
paralelo cuyo resultado .es la suma de ambos capac¡tores (C1=Q¡aCn),.en el circuito la
corriente en la carga (gq$o circuito) resulta: io=-i.
. r -,1.: , , - i- : I
:

i^c --ocm V'

B¡.scrRóN¡cA
cAP.3-71
 . l- ... . -l ll'
,,.i
'.,1,,','
:,. .! C¡PITUI.O III ¡XPLIC¡DOR DE UNA ETAPA
Lg,tensión de: control ,del generador de corriente,'se $educe del circuito de
entrada, para el cálculo degpreciamos 166. (O) f¡ente o r, (!(Q)'y consideramos la
admitancia poi tener los'elemento en paralelo. '.'' : ,j . .I
.:
- ,.r.. ,

\¡ - lb
g.+jcrl(C,+C")

Reemplazqndo esta tens¡ón en la ecuación de la corriente en la carga se obtiene la

ganancia de corriente en condiciones de corto circuito.

i^c o
A
-
I
-
Dm
como: g" =!+A,
rr

como 9mr,=fr",
-r
: , ,

4.__ lf.', .,,,

' 1+ jol¡"(C, + Cu)

En esta ecuación se ve que la frecuencia de corte del transistor ó frecuencia a la

que la ganancia cae 3dB resulta.

-P
1s-
r"(C" + Cu) u h*(C" + Cu)

Con Io que la ecuación de la ganancia de corriente resulta:

^-hr"
' . .c0
l+1-
"tu
'.
De esta ecuación se concluye que para frecuencias muy bajas (o=0) la ganancia
de corrient€ A¡=-[¡tu, condición que se obtuvo en el circuito equivalente del transistor,
es decir, que cuando se considera las capacidades parásitas del transistor, la ganancia
de corriente en corto circuito es menor que la obtenida a frecuencias muy bajas, rop €s
la frecuencia a la cual la ganancia de corriente ha caído a O,7O7 del valor a bajas
frecuencias (hr"), tal como se ve en la gráfica de la figura 3.39.
l

De la gráfica que representa la respuesta en frecuencia del transistor figura 3.39,

se puede observar otro valor característico, la frecuencia or¡, frecuencia para el que la
ganancia de corriente toma el valor 1. Esta conclusión de la respuesta en la frecuencia
del transistor en EC en especial de frecuencias altas nos muestra la limitación a la que
por Io. que se puede tomar como parámetro de selección del
esta sometido el tran5istor,'buenJ
transistor para teneruna r.tpuátiu en alias frecuencias;'' la relación entre ror y
rD' se deriva de la ganancia de corriente en ó=or ecuación en la que se desprecia la

er'¡ctaó¡¡¡ce '
cAP.3-?z
 . CAPIATEO :III A}PT,TCADOR DE I'NA ETAPA

un¡dad frente a la,ielación,de frecuencias, por que la respuesta en fre.cuencia depende

de los 'l del
- factores',.reactiVps circuito equivalente-;- ' t.;).
i- - i i:: ' j "1 :':1. '- 'i -.; ,..j .:..,
.; ;;,..i
t'. . ,'|
, - ,:.4r,..1

¡1,

20 log h¡.'

3 d8..... 6dB/octava
o
0 dB/decada

Log fi Log f
Figura: ¡.gg Va¡aeón de la ganancia de corriente en corto circuito en la frecuencia

Como

ur'
lel:l-
I rr (Dr

,+
.:
Por lo tanto

{D, = hr.cDu ,r'

' .: .. . ';::
= '

' Por lo que páia; téner una buena respuesta en frec.ue¡cias ,altas se debe
1,.':'_. ..:--. :.. :-
seleccionar el transistorj que tiene la menor gananc¡a de' corriente (hi"). Si en la
ecuación reemplazamds'orp fesulta.
g. :.

{D, : hr.{Du -> f.Dn : hn

ho(c" + cu)

C. + C,.

cAP. 3-?3'
:- :- -
 _.. 1
w¡ls¡ry III A}ÍPLTC}DOR DE I'NA EAAPA
: ,.l ,' ,.r, -
30 o 40veces más giande gue ro (r¡r=30c¡; cor=4Oro), por lo tanto como:
' ": J :
:::,.
:
g.t.: cor(Cn +Cu). '
':: .
'-a, -- ..-.t

Para ro resulta
'!

g. )) co(C" + Cu)

Esta relac!ón será tomada en cuenta en la deducción de la ecuación de

transferencia para altas frecuenc¡as.

Análisís det amptificador a frecuencia alta

:.

por la topotogía O'et circuito equivalente del transistor ngUrl ].a0 se ve que la
ecuación de transíerencia tiene poros de segundo orden, para simplificar
el análisis
t-rÁ-i.r1os los conceptos de polo dominante, para reducir la ecuación de transferencia
a un solo polo, el ciicúitb del que se deduce la ecuación de transféiencia'

c,, lc
li"
Y-f-
gntV vo
c.
R¡

I
J-

Figura:3'40Circuitoequivalenteparaaltasfrecuencias

En e[ circuito de entrada aplicamos Thevenin en el nodo A figura

3.40.

:
rn:V,=
Vr,
'R, lt=
*Ru 'rRrn
Ri//RB

Con esta modificación el circuito resulta el indicado en la figura

3.4L.

_.>
I' Rr tuu' I +
<-->& Vo
R¿

:'r" -_ t'_
I
Figura: 3.41 Circuito reducido para frecuencias altas

¿l¿LInvrrr15
c¡P.3-?4
 .i cApITLrto. IrI, AMPUCADOR DE IJNA ETAPA
En el circuito la resistencia en serie llamamos
i 't 1

pt:-p *-, rbb * ,,, '.,1't'. - \¡li;;r;,',,,, .'

.rs .rTh

Por la topología circuital resultante conv¡ene aplicar las ,ecuaciones de nodos o

ecuación de corrientes al circuito.

En el nodo de entrada

v.Gi : (G, + g, + SC- + SCu )V - SCur'"

En el nodo de salida

0 : (g, -SCl,)V +(Gz +SCp)vo

De la ecuación' del nodo de salida despejamos la tensión de control (V) del

generador de corriente.

\/
G-¿ +SC lt ,,Yo
v -- --^l-
o
-m -\t"-u

- Reemplazando la tensión V en la ecuación del nodo de entrada y despejamos la

- ecuac¡ón de transferencia como relación de la tensión de satida a la de entrada.

V,Gs : -(G, + g. + SC. + SCu )#o vo - SCuvo

-\t" -lr
--n

v,Gr(g. -sc,) : -(Gs * go *SC" +SCuXGz +SCu)vo -(9,' -SCu)SCuv"

Vo= Gr(g* -SCu)

vs (G, + g, + SCo'+ SCuXGz + SCu) + (g. - SCu)SCu

Desarrollamos los términos en S del denominador y ordenando la ecuación queda:

o-
Gs(g, -SCu)
;-- 5
(G, +g")G, +S(C, +Cu)Gz +S2CoCu +StCl+SCu(Gs +g,)+SCr,g. -StCi

i us(g, - sur)
t/q]..+S[Cu(Gs*8o*9.+G,)+GZC"]+(G,+8-)Gz
's - -n-tr ' "Lrl¡\-S 5¡ 5m "2,, "Z"tJ \'

: -j_ iéémplazando y sacando común denominador,

1

Como G,.P ,'

, -tZ
". t"'"
"
't. I . ir,. ..
; : r"
r'
¡r,¡ctnóNrc¡ '
cAP.3-?5
 GrRr(g. -SC*)
szc4cuRz +S[c* + cFRz(g; * r" I,g*) *
,a .,,
...1 .
lr'1],tg,ti:)
I . .:,:;1, .,,.,,

Dg esta ecuac¡ón de trqnsferencia se obserue que en e! numerador tiene un cero y

en el denominador se tiene una función en S de segundo orden, puesto que este tiene
la forma aS2+bS+c=0, cuya solución tiene dos
:1
:' polós: ,
s- -u+.,[t-a* YSz=
-b-Jb'-4ac
2a 2a

Posiblemente uno de los polos se encuentra en el semiplano positivo (derecha) de

las características, transfo-rmando al amplificador én'inestable y este puede oscilar en
una determinada frecue¡éia, para evitar las oscilaciones en,ellampllficador, utilizamos el
concepto de polo dominante a fin de evitar el polo en el semiplano-iderecha, la ecuacig¡r
de transferencia, tomandO enl-cuenta el cero y los polos tendrá la fo¡ma.

s
(s-slxs-sr)

Al determinar el polo dominante la ecuación de transferencia se transforma con un

solo polo para esto sg debe tomar en cuenta la frecuengia de gananc¡a unitaria.

g*=rD1(Cn+Cu)

El amplificador tendrá una respuesta en altas frecuencias con ganancias de

corriente mayor a uno para o<(ro¡, coosiderando que la transformada en S esta
directamentere|acionadaconol.Porloquesecumple:
||I,'
lscul<< g,

Como Cn<<Cp, se tiene:

lsc-l<<
¡ ^l
s-

Basándonos en estas dos relaciones, si en la primera multiplicamos por Rz y la

s'egunda relación multiplicamos por SC¡,R¿, con lo que la ecuación de transferencia
tiene un solo polo y el cero en el origen, por lo tanto la ecuación resulta.

lsc-nrl
<< I,R,
<< SCuRrg;
ls'c-c-nrl
'.,.i i:. , ,.,:; -
;,'r::.
Con la primera ielación eh la ecuatÍón de'transferencia podemos despreciar SCu
frente d gm, en el numerador y el término cuadrático S2CzcCpRz frente al término lineal
sl,rctaóN¡cA
 ti
,
r, .,,,"'''
ff i:..,ilit,:|,'*i ;;,

CAPITI'TO III AMPIIC¡DOR DE UNi ETAPA

SCpR2, con lo que,la ecuación de transferencia tiene un solo polo y el cero en el origen,
por lo tanto la ecuación resulta:
' -: "';:" \
!;,:
aj:,'

':
'J
:

l¡ r.lP a
,t
-
o- -s'tzém
s
Stq . gFrGf g" * 9-) + C"l + (G, * gJ

La ecuación de transferencia resultante tiene un solo polo; además que

r h- :
!?!rfc o
5m

Se puede despreciar g* frente a gn'

.a
La ecuación cueda:

o- GrRrg*
' \,, S[C" + CuRz(Gs + g.) + C,] + (Gr + g^)

Sacamos factor común el coeficiente de S

,\ o-
ór'---_-
Gr*g^
'[c cu+cuRr(Gr+g*)+c"

El polo de esta ecuación es

Gr+g
s-- * CuRr(G, + g*) + C"
Cu
:

".
El denominado úbt poto de la ecuación de transferencia podemos denominarlo
como ,,,,.,,,

C, : C" + Cu[1 +.Ri(G, + g*)]

' - ;.

Este cambio de denominación en la capacidad, es similar a la aplicación del

teorema de Miller a !a capacidad Cu, el cual se deriva al circuitg de entrada y salida, por
el valor derivado solo'tiene efecto en el circuito de entrada tál como se muestra en el
circuito de la figura 3.!2, en cambio en el circuito de salida no produce limitación en la
respuesta en frecuenCjg., del amplificador, con la aplicación del teorema de Miller se a
unilateralizado el circuiib es el mostrado en la figura 3.42.
.'
A partir del circúito al que se aplica el teorema de Miller se obtiene la misma
:
.,', :
1"

cAP. 3-?7
 R' üi*
ri
IIRI
vi" !i'.,
:l
I lnz i-
vos -t 'A Yds

Y Vcs
t-.
V15
t-
Y1'

Rs-T-c.
.I
I ln'l
II
c' I
I
I
t-

Ce¿

Figura 3.43 Amplific¿dor con transistores FET.

Analizaremos'el amplif¡cador en el que el transistor unipolar se usa en la topología

fuente común tal como se muestra'en el cjrcuito de la figura 3.a!¿ cabe aclarar que los
circuitos equivalentes de'los transistorei FET y MOSFET de deflexión y de inducción

rr'¡ctaóNlc¡
cAP. 3-78
 C.FJTTI.IlO III AMPLICADOR DE UNA ETAPA

son topológicamente iguales, las'diferencias son cuantitativas en sus parámetros por lo

que el desarrollo se presentará para el FET y :.gti extensivo parq g.l MOSFET además
en unidades anteriorbs se.estableció'la polar,ijáción detdrminando'éi,pünto de trabájo
estático y los parámetros del circuito equivalente del transistor, solo resta analizar las
capacidades distribuidas de juntura y difusión las que se denominan en el caso del FET
como Ces, Csa y C¿r,:éstos parámetros los detallaremos en el momento'de desarrollar la
respuesta en altas frecuencias del amplificador.

Del circuito equivalente del transistor no incluiremos en la deducción de los

parámetros del amplificador la resistencía r¿ del drenador por ser de un valor muy alto,
por lo que el circuito de salida estará representado por una .fuente .de corriente ideal
controlado por la tensióñ Ver. Del circuito equivalente del amplificador en aplicación del
teorema de superposición dibujaremos el circuito que responda a frecuencias bajas,
medias y altas tal como se indica en los circuitos de la figura 3.44; en base a estos
circuitos detallaremos las ecuaciones que permiten dimensionar los componentes del
amplificador.

Frecuencias Bajas

Frecuencias Medias

Freóuencias Altas

p.

.;1). , r,
Frgura 3.4¿ t¡.ar¡to equivalente para bajas, medias y afpi, frecuenSias. .., :..,

'. :-, :,:;l :..,.:i. ... . : l-j,:,]..,, .

Los parámetros del amplificador con transistores FET, a frecuencias medias ya

''
atEcrF.ó¡{-rc¡ , , ,',
cAP.3-79
 , - .: i-, :.j-r.:: j i-'f;ii*í,
'' rii
" ll 'i '"

lo*

\ro

, " .: l, : . i. : .l,r :

:t
Del circuito;

Vo : -g6vgsR, con R, : rol/Ro//R,

\¡v --- v,Rc

ss Ri +Rc

\';Rc
'o : -g-R,
v^ -m-t¿
Ri + Rc

*vI\e
'ih ! ñ , ñ
vi li -KG

Si en el circuito resulta que: RG>>&, la ecuación de transferencia resulta:

A
'^t". =-o¡m^'Z
R

Anátisis det amplifica:dor en bajas frecuencias

El método empleado para el análisis del amplificador con transistor unipolares es
similar al realizado en el ampl¡f¡cador con transistor bipolar, para esto aplicaremos el
principio de superposición, realizaremos la deducción de la ecuación de transferencia
considerando la influencia de un solo condensador y los otros los suponemos como
corto circuitos tal como se ¡nd¡ca en el circuito mostrado en la figura 3.46, deduciremos
los polos y ceros de la ecuación de transferencia, luego por el principio de superposición
integraremos en una sola ecuación de transferencia para tener la respuesta completa.

1. Para (C,=0¡ Co=0), el circuilo gara frecuenciat Oul*?,¡

!s fas :utu,*
I:'

er-¡crRóNrc¡
cAP. 3-80
 CAPITUIO,III AMPIICADOR DE UNA ETAPA

Planteemos las ecuaciones; iniciemos con la.tensión"de salida-sobre la carga

t.'
.

,'-, ,.

v^u = -g-r'--R,
erx g) L
.'
La tensión de control del generador de corriente deducimos del circuito de entrada

.rP i
.V¡I\¡, .. 1
¡

E) R, * x.. + Ro COn X.'t =-SC,

V__:------*

.1

Reemplazando en la ecuación de la tensión de salida

: -9tRz t'R^
-t u
vo

Despejamos la reiá¿ión de la tensión de salida a la:terÍsión de excitación, relación

que representa la ganancia de tensión

.'
':

el denominador sacamos factor común el

coeficiente de S
, ..: .'.'

A", -g.Rz
=
(Ri +Rg)c,lr*
C!(Ri * Ro)

l&ELIruAIS

cAP- 3-81
 DE I'NA EIAPA
I

t.:
de

At' = Ar*
1 ,,t

C*. (B¡,+¡Ro)

2. Para C6 (Cn=$i'C"=0) el circuito para las es el mostrado en

fa figura 3.47.: ." '," ,,.:": ' ,.',

vo
vgs

-'
'I
l

En el circuito de salida entre, el generador de corriente controlado por tensión

aplicamos el teorema
1g.Vss) y la resistencia puesta en el drenador (Ro) del transistor,
de Thevenin resultando:-

V¿
.rr¡
= -$-V".i(o
vr¡r é5

D _T)
ñth - ñD

La tensión de salida sobre la carga resulta:

r¡ =i P
'o

En el circuito modificado planteamos la ecuación de tensiones en la malla de salida

\/rTh :ilR
1

ro\¡\D +R,+x^),conx.
' --L --Cdr, ---. --L6 er\
.j-."..-_UVd'

. .-1...:
Despejamos la corriente dé salida
'
,j'l;' '
'''" 'r'"
:: .,-,,
'"
i

ELECTRONICA
cA.P.3-82
 i.* ,. t,iI f..:;. !-.:. . -;.. li ,:"-. .

' . r., .:i

CAPITUTÓ III A},fPLICADOR DE UNA ETAPA

-;r
:: .'. -

Reemplazando la tensión de Thevenin y.,la.corr¡ente €tl,la ecuación de la tensión

de salida l

vo = ioR. 9 \'o = -----f¡- I n,

R.-R,- *-
5U,
:.
'.:r:.:::1
vTh -g.vrrReRl
o
:
Rr-)vo=
R^+R,+
ULSCo
1
Ro + R, .U;
.'

-g*r'"rRoRrSCo
v
o _-------..-------
(Ro + RL)Scd + I

La tensión de coñtrol (Vgr) del generador de corriente, deducimos del circuito

de

entrada '' ,

\',R"
ss R' +Ro
:

Reemplazando eñ Ia tensión de salida

-g-RoL.S!s_ v,Rc
r 'o:- (Ro+RL)sCd+1Ri +Rc

\, Despejamos la ieiac¡ón de la tensión de salida a la téniión de excitación, relación

que repr¿sánta la ecüación de transferencia o gananc¡a de tens!óñ' '
_ :,':
a _¡, a -.,: -g*RoRiSCo Rc '
vo -.,,.
' vi " ^'' r;" (Áo
'^v'=
(R., ?
+ Rr )SCd + l R, + Ro
r\L./JU¿

Procesamos la ecuación de transferencia

''-.'
A..

EI.ECTRONICA
 a

,.:. ,.

DE T'NA EIAPA

Esta écuacién- tie¡le

:'-: :-,.':; q¡ polo y un cero, los cuales resultan
: . I

PotodeC¿+S:-'
.:
'1
- cd(RD"tRL)

Cero de Ca-+S=O ( en el origen)

3. Para C' (Cs=o, Ca=ó) el circuito par las freCuencias mostrado en la

figura 3.48 '_1,'
-- :'-:"'.-
' . . ..:-:.'

+
+ I¿ +
ü'
vgs 9*vet
\ro

*'T I
I

,i Figura: 3.¿18 Circuito equivalente para Cs

En el circuito de la fuente (S) entre la resistencia Rs y el capacitor C, en paralelo,

determinamos la impedancia equivalente.
¡l

.:.
J !¡
R"x^
s r L' -+Z-:
Z-:R"llx^ '
cofl x"vr
SC,
R.+x^
--5 '-Lt

- --s- -s
^" sc-
D l-
S
sc.
- -S

Procesando la ecuacion

La tensión dg salidq resulta

.Jo = -9.vgrR¿"';''t ,ll,'

E],ECTRONICA
cAP. 3:84
 i"- j.-i4-'
. -"''' - : !

CAPTTUIo ,III :A¡'@LICADOR DE .I'NA ETAPA

, La tensión de control (Ve,) del generador .de corriente, deducimos del circuito de
:
i '- ''| | '
entrada : ; :r. .. .'.'"'i'''-,.1,.
': :1i1.{r-.',';..:,'1. ..,,-..,-,' l

, - .V,Rc
vgr+g.vo¿r:E:ü

vr,(1+ g^2,):ffi
vRo

Despejamos la tensión Ves

v-gs
R,+ Ro l+ -s^

Reemplazando en la tensión de salida :

---^Y) IEs- I
vo:-g.r(z\..R;1._e.4

Despejams5 ¡¿,,ré!ación de la tensión de isalida a la de excitación, relación'que

constituye la ecuación;de transferencia o ganancia de tensión.

: \'- ^'': -9rRz-' R" 1

A"_
"' -:vi -) A,.. +
:'^ R, Rc |
* g^2,

En esta ecuación en el segundo miembro, los dos pr¡meros cocientes representan

la ecuación de ganancia de tensión del amplificador a frecuencias medias'

A',:A'-
r+g^Z;.,
i-,
'-.t; '
Reemolazando [a écuación de Z' se tiene:
!.4,
' ,,I
4", = At-
R.
'
l-?O'>
bm
Rrsc, + i

Procesamos la ecüación a fin de establecer los polos y ceros

::i'- .l

: R*SP, +1
6",

BT.ECSRON'IC¡
cAP- 3-85
' -,.-..: , :
 CAPIruf€ III ^A¡.{PLICADOR DE IrI.tA ETAPA

., . RrC,

Esta ecuación tiene un polo y un cero, los cuales resultan

' t-g*Rs
Polo C -> S:
'. RrC,

Cero de C. -> S:
R,C,

Hemos concluido el análisis de la generación de polos y ceros por cada uno de los
condensadores externos al transistor que son los responsables de la respuesta en
frecuencias bajas del amplificador, para obtener la frecuencia de corte inferior
(orr=2zrfr) del conjunto, aplicando el teorema de superposición se obtiene
,i. n n
,,.
wt
:\-P
,/ ,Li -\ir- ,/ ,vi
i=l i=l

1 , l+g*R, I
0¡r': T---
c"(Ri * Ro) Co(Ro + Rr) R,C, R,C,

Con el teorema de superposición también se obtiene la ecuación de transferencia

para las frecuencias bajas.

^t
5+-
R,C,
A :A
'im
S+ s+ g*i+g*R,
c*(Ri + Rc) cd(RD * RL) RrC,

Análisis del circuito eguivalente del FET en frecuencía

En el circuito equivalente de los transistores unipolares como el que se muestra en
la figura 3.49, tenemos dos capacitores los que corresponden la difusión de a
poftadores, polarización de juntura en los FETs, adicionalmente los que corresponden
al aislamiento entre el terminal de compuerta y el canal del dispositivo, que con los
parámetro resistivos son los que limitan la respuesta en frecuencia de los transistores
FETs.

ELECTRONICA
cAP.3-86
 III A}ET,ICADOR D5 UNA ATAPA

' i' !'.t;' ;t ' .

-Co
I
I
I
I I

ñgura: 3.49 Circuito equivalente del FET

Como en los transifores bipolares, el parámetro impoftante del transistor unipolar

es la ganancia de coriiente con la salida'en corto,c¡rc úito, deduzcamos este Parámetro
del circuito equivalente en lo que se incluye las capacidades distribuidas representadas
en el circuito equivalente como elementos concentrados, con el drenador y fuente en
corto circuito, en estas condiciones el condensador Cea esta en paralelo con Css, culo
resultado es la suma de ambas capacidades (c1=f,s,*cea), la resistencia r¿ y la
capacidad C¿s Flo se toman en cuenta porestar en corto circuito, la corriente en Ia
carga (corto circuito) resulta:
:r¿ -- -Emves
^ ,,

La tensión de control, del .generador de corriente deducimos del circuito de

entrada, para esto planteamos la ecuación de corrientes en el nodo de la compuefta y
del drenador.

En el nodo de la comPuerta

i' : r'r,(SC", +SCn¿)

En el nodo del dienador

g.ve, : vrrsCga lia .

De esta ecuac¡ón despejamos la tensión Vss .:

i,
ss o. _ SCra
'
Reemplazando en la ecuación de la corr¡ente en .l nodo de la compuerta
ql- +Q^
,l: -, l¡ "-g, -Jugd - -
-
g. -SCn¿
,,.....,.,.i.,,, .,.. :
: -1
La ganancia de corriente en cond¡ciones de corto circuito resulta el cociente de la
corriente de- drenador a la corr¡ente de'entrada.
sr,EcrRó¡r¡cA
cAP.3-87
 i-;o^d : o* - JUra
. ___---------
'-:
^.-'- ii scs.+SCe¿ , : . ',

En'esta ecuaci'ón si tomamos los valores típ¡cos de Cna=0105pF y g,.,.,=1mÁ/V y

frecuencias máximas de f=100MH2, se determina que óCno<<g., pór lo que una
buena aproximac!9n na,3 gananqia de corriente resulta.
la
A- It
SCr. +SCga

Para el tranbistor FET se define fr la frecuencia para el que la gananc¡a de

corrienie de corto circuito toma el valor de 1, resultando .
t t' '':
., '

Para f :fr+A,-1.
--
, ,"'t ,.
'g
r-bm
lr - --'-------------
' 2n(Cr, + C*o)

Esta frecuencia es un parámetro del transistor y este es ¡ndependiente del circuito,

la estructura de la ecuación es idéntica a la obtenida en el transistor bipolar, por lo que
en la respuesta en frecuencias altas consideramos los conceptos aplicados en los
transistores bi polares.

Análisis del amplificador en frecuencias altas

Por la topología del circuito equivalente del amplificador con transistores FET,
simular ala del transistor bipolar tal como se muestra en la figura 3.50, por lo tanto la
respuesta del amplificador. con FET se desarrollará de manera similar al realizado para
los transistores bipolares. Del circuito equivalente se observa que en este caso también
se tendrá polos de segundo orden, para simplificar el análisis y determinar la respuesta
en frecuencia, utilizaremos el concepto de polo dominante, con lo que la ecuación de
transferencia se reduce a un solo polo, el circuito para el anál¡sis en frecuencias altas es
el siguiente.

Figura: 3.50 Circuito equivalente para frecuencias altas '

ELECTRCNICA
cAP. 3-88
 CA?ITT'LO ITI A},IPLICADOR DE UNA ETAPA
''Para
deducir la ecuación de transferencia del circuito aplicamos las ecuaciones
de nodos (corrientes),

En el,nodo de entrada (G)

_... l

viG, : (G, + Gn .' SCs + SC"¿)\'g, - SC*ayo !'"' "'

En el nodo de salida (D)

O:(o
v -Sl- \r, +(G-+SC.)v
\_<m -reed/!5 , \vZ u"gdl'o

En la ecuación del nodo'de salida despejamcs la ecuación de,[a tensión de control

del generador de corriente.

G
-z'-+ SC-,
v'gs ---r
- - aa1
8t - JLn.
O

Reemplazando la tensión Vn, en la ecuación del nodo de entrada y'despejamos la

ecuación de transferencia como relación de la tensión de salida a la tensión de entrada.

: 6, + SC.,
viG, -[G, + Gc + S(C- = C"¡)]#vo - SC"ovo
5m - --gd

v,G, (g_ - SC"o) = -[G, - Go + S(Cr, + C*o)J(Gz + scsd)vo - (g, - SC*u)SC"av"

G,(g. -SCsd)
' ^"e vi + SCro) - (g. - SCsd)SCsd
[G, + Go - S(C* + C*)J(Gz

Desarrollamos los términos en S del denominador ,'

A :- '
'^" (G, + Gc)Gz +S(C*, + C"o)G, +SCe¿(Gi +Gc)+S=C]o +StCroCn -" SCsa -StC;o
':
Ordenado la ecuación en términos de S, reemplazancio: en la ecuac¡ón de
transferencia:

-:..., G,(g, -SCra)

41,
'^uc q:r- c
-
+S[C*,Gz+Cro(G, *Go+Gr+g,)]+(G +Go)G,
- -ed-gs '

Como G, : reemplazando y sacamos común denominadoi i

R,.:
=l]

e¡scrRóxrcA
. cAP. 3-89
 :f

CAPTfUIP III AMPIICADOR DE I'}TA ETAPA

l:I,

A:vo
s?c*oc*,Rz + slg;-+ cra + croR¿(Gi t GG + g*)l + Gi + Gc
i 1.. ;, .r;. ,.,...' . , .t:,_*f:.4, (i
iq
tran
De esta ecuac¡ón de transferencia se observa que en el denominador se tiene una
función, en S de segundo orden, puesto que este tiene la forma aS2+bS+c=O, cuya
solución tiene dos pólos.

-b+ -b-

El numerador tiene un cero, posiblemente uno de los polos se encuentra en el

semiplano positivo (derecha) de las características, transformando al amplificador en
inestable y este puéde oscilar en una determinada frecuencia, para evitar las
oscilaciones en e[ amplificador utilizaremos el concepto de polo dominante a fin de
evitar el polo en el semiplano derecho, la ecuación de transferencia, tomando en cuenta
el cero y los polos tendrá la forma.

v" k(S-So)
-
v. (S - SrXS - Sr)

Al determinar el polo dominante, la ecuación de transferencia se transforma con

un solo polo, para esto se debe tomar en cuenta la frecuencia de ganancia unitaria.

g,n:ror(C*.*C*o)

El amplificador tendrá una respuesta en altas frecuencias con una ganancia de

común mayor a uno para co((04, considerando que la transformada en S esta
directamente relacionar con al.

1. Se supone que R6>>fu

lsa_,1
(( e,

Como Cs6(Css, se tiene:

isc*l
(( 8*

Por lo que el término SCsa del numerador de la ecuación de transferencia se

desprecia frente d g-.

2) Basándonos en estas dos relaciones, si en la primera multiplicamos por R¿ y la

segunda relación multiplicamos por SCsrRz, con lo que la ecuación de transferencia
tiene un solo polo y el cero en el origen, por lo tanto la ecuación'resulta.

¡r'PctRÓNrca
cAp. 3-90
 CAPTTULO .III AMPLICADOR.DE UNA ETAPA

lsc*nr[<< s.R¿

lsrc"ocoRrf
<< SCuaRzg, ,,. I

' Con relación .delpreciarTros,:"e I rtermino :ruadrátlco,;S?CndCn;Rz ,-frente "al

esta ., - :

término.|inealSQgaRi.,.rcon:|olqU€.|d.€CUdCiófl:'de..tr:ansferencia.tieneun.solo.po|o-y-e|
cero en el origen, por lo tanto"la ecuación resulta:

G'R'S'
Avn: -
S[Cr, + cnd + csdRr(G, + Go + g,)]+ G¡ + Gc

Sacamos factor tomún el coeficiente de S

G,RtB
G' +9o
[Co *Cr¿ -CroR.(G, * co + s,llfs *
cn, + cga + c*¿Rr(G, *Gc + g,)

El polo de esta ecuación es

,Gi * Gc
s--
C", * Cn¿ +C*¿Rz(G, * Gc + g,)

Si observamos'la:'topología del circuito para frecuencias'altas,'en'este también se

aplica para facilitar la Solución el teorema de Miller: con el que simplifica el circuito.

EI,ECSROTüC¡'
 CAPIjrUIO TV AMPLIFICADOR },ÍI'LTIETAPA

AM PLIFICADORES M U LTIETAPA

fnffoduccíón

Los amplificadores en su generalidad requieren entregar a una resistencia de

carga energía representada por corriente o tensión ó ambos a la vez a partir de un
transductor de muy poca energía, estas condiciones normalmente no se logran con los
amplificadores de una sola etapa, pai'a resolver el problema se recurre al empleo de
mas de un amplificador formado por transistores bipolares y/o unipolares o una
combinación de ambos, acoplado en cascada (uno tras otro) ó en paralelo, para
incrementar el parámetro a ser amplificado, dependiendo las características del
transductor o generador de señales y de la carga, se seleccionará la topología de los
transistores que se utilizará en las diferentes etapas del amplificador multietapa'

para et análisis de los amplificadores multietapa utilizaremos los circuitos y

conceptos que se establecieron en los amplificadores con un solo transistor, de manera
que pueda evaluarse con facilidad los amplificadores multietapa como asociación de
varias etapas conformadas cada una con un solo transistor. Utilizaremos dos tipos de
acoplamiento entre las etapas del amplificador: Acoplamiento de alterna y acoplamiento
de continua

El acoplamiento de alterna aísla las componentes de continua de una etapa con la

otra, es decir que no hay influencia entre los puntos de trabajo de cada etapa, para
este propósito utilizaremos el acoplamiento por medio de un condensador puesto entre
cada etapa, el generador de excitación y la carga.

El acoplamiento directo o de continua produce interacción entre los puntos de

trabajo de cada etapa, en este tipo de acoplamiento, la polarización se debe calcular en
forma integrada.

A mp lífica do res M u ltieta Pa

Es la disposición circuital de amplificadores que permiten elevar señales de muy
bajo nivel a valores o niveles útiles, tales que puedan hacer funcionar un transductor en
condiciones adecuadas de pleno acoplamiento entre la carga y el generador de
excitación (entre transductores), presentando un valor apropiado de la impedancia de
entrada y salida del amplificador, por estas exigencias de la aplicación utilizaremos la
conexión en "cascada", tal c-o,Jnp. se indica en la figura 4.LBs decir que la salida de una
etapa esta acoplada a la entiada de la etapa siguiente. Cada bloque esta formado por
un circuito de polarización y un transistor que puede ser bipolar y/o unipolar, dispuestos

ET,ECTSO}fICA
 t.-, , :.- - .,, "',
.'.' ,.- |.- '
,
,- ,',) cAprtufo rv a{plrfltcADoR ugLTTETAPA
en una topotogra que gea adecuada para cumplir con las exigencias de la impedancia de
entrada v saliáa;abecuados que perm¡tan acoplar al transductor de entr'ada y la carga,
;;;;:í l;fin$¡.J ea'áü¿l'ó requiere1?
i'.
:u's:,.(t_.i'lg_1y{:_:?'li.nte).
con er
objeto de fam¡lializainoq,col gl método de análisis, utilizaremos traniistores bipolares
y óue los_ transisto¡gs estéii; dispuestos en una sola tofología. ' ,

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Zonti. 17
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.....--.-....: I Lo

.i
Figura¡ 4.] Diasrama en bloques ue amRlifica.!o5s muftietana

puesto que con transistores bipolare: excitados por

las etápas están estructuradas
un generador de lensiqn que representa al transducto¡ de eltiala en,la
lase ó em¡sor
de L última etapa
del-transistor de lá primera etapa, y cargando el colector o e! emisor
con una resistencia'R¡- (quá representa ál transductor de'salida)
tal como ;e indica en la
figura 4.2, en la estructura de!:amplificador multietapa se tiene;

vrr: tensión de entrada de Q1

vzr: tensión de salida Q1 y entrada de Qz

Rcr: resistencia de carga du Qt

vn-r: tensión de salida Qn-r Y entrada dt Qn

Rcn-rl resistencia de carga Qn-r

Rcnr resistencia de carga Qn

:-

v,.,: tensión de salida de Qn

vo: tensión sobre la carga (R¡)

,+i,
ll2 :-l-
hi

Fi gura: 4.2 Amplifi cadores multietapa

¿]¿LI^VÑr\5
 cAprrulo iv ¡-ler,r¡'rc¡ooR ¡IuITTETA?A .

Consideramos a las diferentes etapas encerrados dentro de una. caja negra o

cuadripolo como el:mostrábo con línea de segrientog en J9s figuras 4:l ó {.2, esta caja
negra gue es t' ''' la estruciura análiiáda dé un amplificádor por lo que
r.''u'.,
estableceremos los parámetros del amplificador (ganancia de tensión, corriente,
impedancia de entrada y salida), del análisis de las ecuaciones.generales que definert
estos'parámetros extenderemos el análisis hasta individualizar, los componentes de
estos parámetros. Veamos la ganancia de tensión: Este parámetro esta deflnido como
el cociente de la tensión de salida sobre la carga (vu) a la tensión de entrada al
cuadripolo (v1).

A" = 5: lnlLg
vl

La ecuación esta formada por un modulo y una fase, si,la definición del cociente
de tensiones que corresponde al cuadripolo incluido por la línea de segmentos'de la
figura 4.I ó 4.2, desanollamos en función de los cudripolos individuales resulta: .'.ir:

5: n¿5 vr .... \'o vn

'
Vl Vt \'1 \'j : - \'n-, \'n '

A,' = 5 +"'+
V t r, I r r - | t. ll . lrn , ,
+e'
^ +0,
^ 0"., + 0"
t,
= lal¡g = i..r,lle.ile,l--.lA".,llA"lle,
'l
i

De estas ecuaciones se deduce que Ia amplificación total Au es igual al producto

de los módulos de las ganancias de cada etapa, y que la fase (0) es igual a la suma de
las fases de cada etapa.

El modulo corresponde a:

l^l-lr: llr llr I l,r ll,r I

. lAl lArllA:llA¡1"'lA".rl!ñnl

La fase corresponde a: '

' ,,'
0:0,.¡-0'*0,+...+en.l.+en.-,.-'.':
Como cada cuadripolo cont¡ene un transistor en alguna topolc$ía apropiada, lior lo
que supondremos que cada transistor esta representado por el circuitc equivalente a
parámetros híbridos (h) tal como se indica en Ia figura 4.2, en estas condiciorles las
ecuaciones de cada etapa es:

Ganancia de corriente:
L -;',',, l+..it;',, -r .,,
' A _ nf ¡--+.i'i. i'r- . : :.:.',!'
l+hoRL,.,, -:",r.,r-',.,.:,',,,'
,t

sractp,óx¡ce
CIr.P. 4-3
 ';.. : ,i

Admitancia de salida:
I. 'i

h.h.
t r ':''
-o '--o h +P
Y-:h--
f+i .'.:is

Ganancia de te¡¡ión desde la carga hasta el generador de excjtación

A*:A*#ó;*:+
Ganancia dé corriente -desde la carga hasta el generador de corr¡ente

A,
--ri
--r óA A,
:A,tP R s :-+
-A",R,
r\i +7
rai 'i R
^'L

Tomando como reférencia las ecuaciones de los parámetros- del amplificador de

una etapa anal¡zaremos una etapa general¡zada (k-esima) con la influencia recibida por
la etapa siguiente y la anterior a la analizada, estableciendo los parárnetros de este
amplificador. :
::'

+<'
¡ñ- I

V¡
R*t-l

¡
'rr' Figura: 4.3 Etapa k-ésima
ir

de una cadena de amplificadores

.:
Tal como se estableció,,,en la metodología de cálculo para una etapa,
comodidad resumii'nééia
-1 '
continuac¡én:' .
-i ll.,

ELECTRONICA
cAP.4-4
 C¡PITI.]IO TV ¡}Pf.IFICADOR ¡ÍUI,TIATAPA
1. Se deduce y calcula la ganancia de corriente Ain

2. Se deducé y catculá ia resistencia:de entrada R¡n , ',:,''-:- !.,¡-i-

3. Se deduce y calcula la ganancia de tensión Aun

4. Se deduce y calcula la resistencia de salida R.n

Este procedimiento queda justificado cuando detallamos la ecuación de Aur €n

función de la ganancia de cori'iente A¡¡, de la resistencia de entrada R¡r Y de la carga
Rcr de la etapa k.

¡
AR
_ ttikttck
¿\.,. ----'---
ñ
t(,,.

De esta ecuación'concluimos que para realizar este cálculo es necesario primero

determinar la ganancia de corriente de la etapa, luego su resistencia de entrada, para
esto es necesario conocer la resistencia de carga de la etapa, pero en nuestro caso la
única resistencia de carga que conocemos por ser la única independiente es:el de la
última etapa, puesto,'que en las etapas intermedias la resistencia de carga esta fol-mada
por el paralelo de la impedancia de entrada de la siguiente etapa y la resistencia puesta
en el colector del transistor de la etapa que se analiza, por lo que comenzamos el
cálculo por la ultima etaoa.

Por tanto de la última etapa (etapa n) la ganancia de corriente

n_
--tsT
A
_-_,n--F
"' - I+ h*R^
, La resistencia Oá cárgu de la etapa para señales, normalmente esta formado por el
paralelo de la resisfencia puesta en colector (&') y la resistencia de carga (R¡).
'- I
' *r" = R.,//R, ,t .
.

La resistencia de'enirada de'la etapa depende de la reslsténcia de carga R¿n

Zrn: hr* + hr*AinRz,

Con estos dos valores ya podemos calcular Aun (ganan. de tensión de la eiapa n)

n - A,nRrn

'

,
La iesistencia de salida de, la etapa n, no se puede,
Qqtgr,mina¡ pqeslo
que este
depende de la resistencia del generador de excitación que en huestro caso'es la-etapa

e¡,¡crRóNtc¡
cAP.4-5
 .:,. :
'i
., 1

. .,r-r.. ,ar - : ..
',. :'":..:,-:::,:;:.....1 ,' , ,
_-_,__^ _,
' c¡Prrufo -:-_.
rv AlfPlrFrcADoR lfu],rrEraPA
: ,:',:.:,r.:¡ ,t.,'.',, . ,,
r' .!
, \ -- '-r!' | |
pasamos a 4--l
n-1, por to que -¡
final de esta sección.
- para
--.-- el
-r Ahora
't
-de3amos ta oeouccrón
los párámetros Oe'iá eJápa,'n1f; par? calcular la gananclu 9" corriente Aín-r, hace falta
conocer Rzn -ri pof la estructura del circuito esta res¡stenc¡a,de carga esta formada por
el paralelo áé fli,re-sisténiia'puesto en el colectorl{=e. e5ta'etapa y la impedancia de
entrada de,la etápa n (2¡n) que fue determinado anteriormente.
'
.
: : ñ rt?.
. Kr"-, Ka"-,i/lin
:"
_
D
R.rn-l.R,n '

L¡4- Rt *R'n
vn-l'
1
.: ''"' '

,- qanancia de corriente de la etapa

Resultando la n-1'
': :

A hf"n-t 'i '

A'
'^in-l -
l+h:
r I lroen_lr\Zn-l
T¿
,'
'. ',. ."
Calculada la:,:ganancia de corriente A¡n-r de la etapa tr-1, calculamos Su

impedancia de entradd Z¡n-r resultando.

-
7 -h"ien-l *hr.n-,Ain-,R^-,
lin-l

Con la ganancia de corriente, la res¡stencia de entrada obtenida de la

etapa' se
termina la ganancia de tensión.

a
AP
nin-l^\zn-l
Arn-l --
r\ in 'l

De esta forma continuamos con todas las eiapas estableciendo estos tres
parámetros (A¡, R¡, Au) a part¡r de la última hacia la primera etapa del amplificador
multietapa

para determinar la resistencia de sal¡da del amplificador multietapa, se com¡enza

estableciendo la resistencia de salida de la pr¡mera etapa puesto,
que éste parámetro
tsistenc¡a interna de
ue !a IL',.' (Rs),
!d fuente de excitación en nuestro caso para
\'\s''' L'' ruerrLc
iJffilt1ilJol...Jta:-
LL
lrrellrfel
' \/
'ol 'i*, -L.
h,., * R,

Irrpnn
Lguvv Jv determina la res¡stencia de salida,de la segunda
sp etapa, para esto la
resistencia del generador de excitac¡ón está formada por el paralelo de la resistencia
de
salida de la primerá e.tapá: (1/:tor) vista desde el terminal de salida del transistor
y la

resistencia puesta en el iolector (Rcr) del transistor de la primera etapa; resultando.

cA". ¿-5
 Donde: Rr : R"r/8., ' ,

Continuamos con este procedimiento hasta obtener la resistencia de salida de la

última etapa. Con el proceso detallado anteriormente se determina los parámetros
individuales de cada etapa del amplificador multietapa, para obtener los parámetros del
conjunto del amplificador se procede a:

. La ganancia de corriente_ del

:amplificador es igual al producto de las ganancias
de corrienle decada etapa. : ,

. La ganancia de tensión del amplificador es igual al producto de las ganancias de

tensión de cada etapa. , ,:

. La resistencia de entrada del amplificador es igual a la resistencia de entrada de

la primera etapa.
'' .;.':
. La resistencia,,dé salida del amplificador es igual a la resistencia de salida de la
última etapa.

De lo expuesto se ve que el proceso de calcular estos parámetros del amplificador,

se debe realizar con.detalles que.toman en cuenta las impedancias de entrada y salida
de cada etapa, por lo que trataremos de simplificarlos, por,ejemplo para conocer la
ganancia de tensión solo hace falta conocer la ganancia de corriente total del
amplificador y la resistencia de salida y de entrada.

Se puede calcular Ia ganancia de tensión total como: ".,,.. ,r

,

^' :48^
aL,, -
R,r '.','.,'
- .

Donde A¡ es la ganancia totaf de corriente:

^_
nt -l-
_ i* _, io,
io
:

. l¡r lur !ur:

4..'
Detallando el cociente de corrientes en función de las'corrientes de cada etapa
resulta:
:

i, tr!....5t!
..
t" :
- ..Jur l, lj .= lo-, .r. .-
lur ,lo-r ,:. , ,. _

ELECT'Á.CNIC¡
cAP.4-7
' '' :' 1:1i
. . L, ,.:.r:,_.i
 .-'r',' r' __ .-
La ganangig:d".'cor¡[gnte en. la primera etapa,e.¡ la relación de la corriente de
colector a la corr:iénte de la-.base: La particularidad''de la ga¡angia de corriente de las
. . - ,::.r . r | . r | -'-i-.r
etapas intermediasi¡gp-¡esénta la relación de la corriente de qgléctor de la etapa a la
-

corriente
'. '1.,,.i
de la etapa: anterior: I ".,.;,,,'r,
.i-
.',:t.'.-'.1 '. ,,,,. , -

' ' li'"'::"1'*

:
:

l.'
A,u:|
tr-r
(coledgr-colecto|
,i- :

t
'- ,, t,'1,1,.
,_ ,_:.4
:t'-,
tr ',. j, .
'

Estg ecuación se pue(e descomponer como

'. 1 ' ,:'...:' :
- ,.'.',

r' - tr. - lL
nik---.-:-
luL

,
' to-, 1lr. fr-r :

Donde el , primer cociente corresponde a la ganancia de corriente de la etapa k-

ésima (relación de corrientg'de colector a la base de la de la etapa'k)'
-l

.t,.,,\
A* ::r- (colector - base) , I

lut
,:

y'el segúndo cociente corresponden a un divisor de corrientes del circuito de la etapa K

' ,i
se tiene."

iou R.u-,
:¡k-l -
-D
':" r\ck-l -LD
I r\ik
( .- ¡' -

Por lo tanto resulta

A ¡
R^
\^_l
,
¡1,'-
tx --
f1,i- ¡ñ D -LT)
^tck-l ' "ik

También se puede calcular la gananc¡a con respecto a is

-

i 7'

Bl¡crnóN¡c¡
cAP.4-8
 j,l:! -.t

CAPIT'TO TV A}@UFIqqDOR MT'LTTETAPA

:la ecuación de la ganancia de tensión se'obtiene el parámetro
Reemplazando en
Au del amplificador multietaPa.
-J r, _-1' ' - t:l,,.tr-. ::.. .:. : :
': .i ;.;l.,lr'.,.',:¡'*';',,¡-.sy.l--.
in del transist'
Elección de la'''gonfiguracíón transistor en un amplifícador en
cascada
Los transistores en los amplificadores multietapa se pueden utilizar en diferentes
topologías dependiendo la aplicación, veremos que configurggió1 ,se usa ¡ua1Oo 11
co-locaá amplificadores en cascada ya que las ecuaciones obtenidas son igualmente
validas para BC, EC y CC.

por ejemplo parg una aplicación.del amplificado¡-multietapa supongamos que se

requiere obtener,la mayor amplificación posible de tensión det amplificador, para este
propósito que configuración de los transistores conviene utilizar para satisfacer el
requerimiento.
'
l-; ::'
"-'

La topología iC,no es útil en este caso, por que la amplificación de tensión

es

menor que la unidad,"én cambio las topologías BC y EC, tiene una ganancia de tensión
mayor que la unidad; pero en el caso de BC, si colocamos varios transistores en
cascada la única etail-a que ganará tensión es la última, pues las etapas intermedias
están cargadas con,'la impedancia de entrada de las elapas siguientes que es muy
reducida (unos pocos Ohms) y coi-no la ganancia de tensión en esta topología .t'
.-
o : A'R^
"r: R:

La ganancia de Corriente A¡:en BC es prácticamente igual .? !u. unidad o alg.o

inferior, pues ta corriente (i") de emisor es mayor. o igual. a ]1 (¡S),'1e c.olector' nO1m11
Rzn :y R¡r son de valor aproximadamente iguates como -4' ,y , R*/$ii, son
valores
..i¿unor a la unidad,A, también lo es para el base común'por !o Que descartamos
r--ui !- ^^L^.^-OlOgía..
tam.Dren esta topologla. i '"
.. , .
La topología de EC a pesar de que- la resistencla de sallQa (R") no es tan grande
Í
como en BC aparece cargada por !? Rc (no es tan grandg) por la, re¡'lStencia de entra
de la etapa siguiente.que puedé' valer alrededor de decenas de KQ cargada con
unidades de XOr.tritu'qr. es un'valor comparable con Ri,-o séa que qn la ecuación
la relación Rc/F.¡ es i.
Pero sucede en este caso que Ai es mqclro mayor que la

unidad, entonces el resultado del producto Ai Rc/R¡ es máyor Que urio'

En conclusión pu.u ob,.ner la mayor amplificación de teniión en una conexión en

cascada hay que usar siempre iransistores en la topología EG,. . ,,
:,.
. :l,,.!,.i.';-,:-::lt'],..1.¡':.i'...
para ta iélecc¡ón dé la."prlmera y última etapa se debé go¡sideial principalmente
la condición'de la impedancia interna del generadoi de.excitatión y la resistencia
1 '., . '. .

' tI '-'

ELECT-RONICA
cAP. 4:9
 :,t.l
)t..t :.
' CAPITT'I,O TV AbfPLIFTCADOR MULTIETAPA
.-:. _
..

de carga del amplificqdor, por ejemplo s¡ el gene¡aQor tiene una impedancia de

salida baja convlene pára tener máxima tralsfer:e¡r.gia $e,:gnqrgía, un transistor
*:.
en EC ó CC.
.
..,. ,_ , , ..:_
Si el gengrador de excitación tiene una impedancia de sallda alta, conviene para
tener,máximat:
transferencia de enerqía se debe usar un transistor en CC.
: :t .,;l ...
.'
En la última,etapa es importante tener en iuenta la resistencia de carga y la
respuesta-en:frecuencia que se quiere lograr'con él ampiificador, el análisis de la
selección de la topología del transistor a manera de repasar el análisis realizado,
dejamos para el lector. ,
,-,, , :.

A m p Ii fica d ore s, m u!t!e ta pa usa n d o e I ci rc u i tg de, G!-a co I e tto

La aplicació¡ del circuito equivalente de Giacoletto del transistor permite obtener
los mismos resultados i¡ue usando los p-arámetros híbridos (h) del transistor, en este
caso realizaremos el a¡.q!i¡!s considerando las condiciones de aproximación, para esto
se consideran los siguientes pasos:

1. Polarizar el transistor, determinando para el punto de trabajo los parámetros h

de los transistores.
.:
2. Para cada etapa verificamos que se cumpla la condición hoeR.S0,1, de
cumplirse despreciamos los parámetros h.e y ho. del circuito equivalente.

3. Realizamos los cálculos a fin de determinar los parámetros del circuito

equivalente de Giacoletto (g', rn).

En el circuito de un amplificador formado por dos etapas con los transistores en

emisor común comq el mostrado en la figura 4.4, supondremos que se verifica la
condición de aproximación por lo que reemplazamos los transistores por el circuito
equivalente de Giacoletto a dos parámetros. En el circuito equivalente del amplificador
formado por dos etapas realizaremos la deducción de los parámetros del amplificador

Ganancía de Tensión A,
Definimos la ganancia de tensión como el cociente de la tensión de salida a la
tensión del generador de excitación:

v
Ar:J
V.

En el circuito la tensión de salida

vo : -g*z%Rz

Br.BcrRóNrce
w- g-ru
 CAPITTITO
': rv AMPIIFICADOE MUTTIETAPA

ú+ rro -t-
',lcr .

' l. .vcÉt -La

+ 'uru, vo
veei
f.-l¡r lü ii,
Y
rr_'
Ret Rsz
T"t

*+ +
*!i . -.
. lcl' I
+ r cl + vo
vu.l
Y
t-l.r t*l

Re, Rez -c",

l'-

Tt.' II
I

1'

ü i*.,
-.
C¡:

I y+
Cu¡ ,i: 1"r '
-- V^.r
+ +
=>
l¡
R'l vu.t u*1
+ ü ¡;¡ R¡
c.r I ;'
R¡¡ RE:

--J> -i +-{
ii& l¡u
Vu.z

R2 - nt,l nj Rl-
Rr | :'-.. .li-
: '

.>
l¡
I:-!
*to '

vo

Erf.¡rcTRo¡üc4
cAP- 4-11
 '
,:ti. , -, .: ,.,' ' :

': I CAPITIII€ f\I AIPLfFIC¡DOR Ifl¡TIEIIPA

- . .. :: ,- ..i'-.; t. ,
La tensión' de salida de la pr¡mera etapa resulta.
. ..t
:] ,

v;:-g-,V,(R.,m";Á'), , '.,.' .. i._

':

La tensión de entrada entre base y em¡sor de la primera etapa en función de la

tensión de excitación'resuita.
' :
I ' '.:
r. ' :t .. :,, _
:

\/- Ví p i.
'l -
Yr
,,
------:
R +p
n-¡ , rlurl/f,l ^tBl,r^¡l
j

Reemplazgndo
,. €n
_,V2 :.: . :.
,"
. ,,D il-
\rvZ - -Bml tD llp.
^ \ñCt// r\82//77".\..."ir\Bl//rnl
Lrz )
;--l;- | -
I(i -i- I(Bl//frl t

Reemplazando en Vo y'despejamos el cociente de la tensión de salida a la tensión

de excitación obtenemos la ganancia de tensión

: (-g.rRrX-g*,(R.,//R
:

vo = -g.zVzR, -) vo ,rl/r,")f
om
.
A,' ::.
v r A, = (-g,zRz)[-g.,(R.,//Rrr//r.r)];j;]--
P-//r"r
vi '*-- Ri * Rr,//r=,

Tal como se estableció cuando realizamos el cálculo usando los parámetros

híbridos, en este caso también iniciamos la deducción en la última etapa hacia la
entrada, ratificando el método propuesto y que el resulta obteniendo es el producto de
las ganancias de tensión de cada etapa.

Ganancia de corriente A¡
Definimos la ganancia de corriente como el cociente de la corriente sobre la carga
(io) a la corriente que entrega el generador de excitación (i¡).

;
-'o
^ li

En el circuito la tensión sobre la resistencia de carga (R¡) resulta.

vo : ioR,-

La tensión de salida en función del generador controlado por te.nsión es: .

n¡,ncreóxlc¡

',(.,; - -.- '

 1

:, .'

CEPTTuLO TV AMPTIFICADOR MULTIETA?A

DD
¡\c2+\L.
\.r
u e'E
<-a t a
- R; *.R'.'.'
. . \j-'.- .:,: ¡:
:

Como las tensiones de salida

pP
r\4.?r\L
o L = -9-,V":
l-K. - P
r\c?, -¡-R
r\L

Despejamos la corr¡ente de- Salida sobre la resistencia de cal.ga

lo = -8o,:
, R,-
V2;l=;
KC, - KL.

La tensión dé sallda de la primera etapa :

¡; ,....
% = -g.,V, (R.,/Srr//r.: ) ' , i,r'; : '
,,.
i, ;".
La tensión de eiitrada entre base y em¡sor de la primera etapa función de la
corr¡ente de excitacióri :

V, : i.R,//r,,//R"i-,''
la carga.
; , , ' . ; -

Reemplazando ias tensiones (Vz, Vr) en la ecuación de la corriente sobre

R. g', (RcrR r=//r"r )i,R¡//r"¡/Rer

io = g,: ;:f;
Rar*Rt.,' .
:.-
:,.
:.
l

Despejamos el tociente de la corriente de salida a la corriente de excitaciién,

se

obtiene la ganancia de,Corriente.

, j
.','' .

,'R-
i A :o -'"
' d :g--+
ni ^o o .1R.,//R",llru)R,/lr,'R", : :"'.
-:i',
a-^i édp
l, +R Dml\- , . Ñe-NL ..
. : l:;.-Jr -r . . _,..'_
'' ; .-

Como se ve del',resultado,.Qe la ecuación la ganancia de'corriente resulta ser el

producto de las ganancias de corriente de las etapas individgales: ., . ''
,.l.'', ,.,. ' ,, :.

fmpedancía de Qñ.{iada
t' '' '" t"'11: '" j
.. ,' ,ti..'11.'. -. , -
Realizamos una inspección al circuito de entrada del amplific¿dor resültando.
' '
. - ,t'a , ' , . . '

Z,=RJftnr^":
..,''
La.impedancia deientraqa,qel amplificador multietapE¡es.u[tg lSual a la impglancla
j'
oeenfrbo'a'de{a br¡niéiieapá;-i , .' -', .l=n:"=l,l' ,;', , ] ,.'l :'.'
Amplificadores de acoplamiento directo o de continua
'La particularidad de.gstos amplificadores multietapa esta en que los puntos de
trabajo interactúañ, p9.¡:,[o::qqre el diseño de Ia polarización de_be real¡zarse en forma
integrada, tres- son los" amplificadores que tienen esla particularidad: , el amplificador
Cascodo, el Darlingtqn,y el Diferencial. Dos de estos amplificadore5 de acoplamiento
qe co1¡ortan comg'un solo'transistor narám5tros mej.9fq!t, estos son el
{irego y qaililgton, lon
Caséodo el por las particutaridades anotadas se analizará por separado
cada uno de los qmplif¡cado!'-es. ,:

Amplíficador cascodo' '

El circuito de este amplificador esta formado por dos transistores puestas en

serie para las componentes de continua y en cascada Para las !e alternada, siendo la
cascada:constituida por un transistor en EC, seguido de otro en'BC, "

FiSura: 4.5 Circuito de un amplificador Cascodo '

El circuito del amplificador cascodo de la figura 4.5 se estructura en base a dos

transistores, el conjunto se compofta como un solo transistor con parámetros
mejorados, este tiene la impedancia de entrada hrr y la transferencia directa de
coriiente hzr del transistor EC, una transferencia inversa de tensión h12 (realimentación
de la salida a la entrada) mas pequeña que la de los transistores'individuales, este
parámetro .es Qesplggjable y Ia admitg¡9la de salida. trzz d!! !1a¡si¡!or'9n BC,,para
demostrar to dgtallaijo'utilizaremos las definiciones de los parámetros híbridos.. '

elPcreóxtcA
cAP. 4-14
 ' :' c¡Prrltl,o rv AMPLTFTcADo!' IfüLTTETAPA

I de la fiqura 4.5 se ha considerado una caja negra (línea llena) que

' -'' --- - :i:T:
.uo,..lL,'j
' fi:#.i'¿::xJJ:,T.liJ'f !:i::ja nesra existen orras dos (rínea
lá¿á.ünálcontienl'ün transis'tór, en'esti estructúia áplicaremoÉ lá'
::rn:nt[ti]; laÉ*.tros híbridos, para e[ y los cuadripolos identificándolos en cada
caSo,paracomparar|oSconlosVa|orescaracterísticos.

Impedancía de entrada htt

I

*trrt --ll\'tl
Il 1,, =o

Si hacemos v2=$, la salida d. Q, colector base en corto circuito, la carga du Qt

es justamente h¡uz la impedancia de entrada de Q2 en la topología BC' Dicha
impldancia es bája,; del orden de 254 para_ i21=-irz de lmA, pero si [a corriente es
mayor, h¡uz €s aün más pequeña. así que prácticamente la salida del transistor Qr esta
en corto circuito (vriid), á¿emás dél circuito observamos qLle vr=v11, ir=iri,:éstá
condición es la definición del parámetro

De Ia comparación en la definición del parámetro h11 corr€sponde al parámetro

híbrido de la caja negra que contiene al transisior Qr y este está en la topologh
EC,
por lo tanto eL pará-metro impedancia de entrada del 9mn$cad9r cascodo queda
identificado y este es igual a la impedancia de entrada del transistor Qr en EC'

h,, = h,., ,; .' ., ,,,t.

,.r ' ,r,
:
'
-r ,.'.,. .l
Et amplificador cascodo tiene el paráme_tro impedancia de entrada con la salida en
corto circuito igual a tu,Og un,transistor en EC. ,,.'i ,

:.l,ar ; , I ,:

Tra nsferen cía dírecta hzt

- i'l
"n:r::l ^t lu, =o

Si hacemos v2=e, ¡j -iib. d. Q, colector base en corto circuito reproduciendo las

condiciones del parámetro híbrido hrr, además se obserua en el circuito que las
corrientes iz=izz, -izi'=it¿, ir=irri an uttut condiciones la definición del parámetro hzr:

O",:-
i ' ;:.-:-.,
¿(
ni
I . ; . : <:

EI.ECTRONICA
cAP. 4-15
 h,,:h*;.'.....'.,...'
El amplificador éascobo tiene el parámetro transferencia directa de corriente con la
sal¡da en cofto circuito igua! a !a de un transistor en EC.

Admitancia de salida hzz

r
t' ll
¡f I
h :.¿l
"12 vz
|

l¡, =o

Si i1=g el circuito de entrada de Qr esta en c¡rcuito abierto, Pot Io que la

impedancia de salida de Qr es uho" aprox¡madamente igual a 40Ko
por le valor
elevado de esta resistencia de salida d. Q, y por la topología del circuito de salida
de
la resisten:iu un generador de
Q1 (fuente de corriente.controlada) conesponde.a -d9.
Jxciiac¡ón para el transistor Qz, por esta condición y el valor de t.lho" se dice
que la
entrada ,del transistol (emlsor base) de Q2 esta en circuito abierto,
por lo que
corresponde a la condición de la definición del parám€tro hzz del transistor Q2, es decir,
que coincide con Ia admitancia de salida del transistor Q2, por lo tanto

hzz:ho¡z -1'

El amplificador cascodo tiene el parámetro admitancia de salida en condiciones del

circuito de entrada abiedo, igual a la de un transistor en BC

Transferencia ínvergíI h 72

,t,r:!l
v, 1,, =o ':
.i .]';: : ,.. .. . . ,.,;': . . ¡ , .n ', ,'', 1., I r,.1-. ,¡.:'

Si hacenios i:.=0 la entiada du Qt esta en circuito abierto, reproduciehdo las

BLscraóxrcA
c¡-P.4-15
 CAPITtTI,O IV A}@LIFICADOR }'II'ITIETAPA

condiciones del parámetro h22, además se Observa en el circuito que V1=v11, vzt=vtz
y' yz=yzz, en estas'c.gnQicj-ones la definición del Pqrámgtro hrz r€sultd: ,
,' : 1 ii,:+,",,; \,,',;'
.._' .1, .
I
! | I rr
_-:--l I

' vzi vz li,=o

De la comparación con la definición del parámetro, en el segundo miembro de la

ecuac¡ón el cociente de v'
,? v21 (con lr=g) representa la .transferencia inversa de
tensión en c¡rcu¡to abierto del transistor Qr en la topología EC;,el cociente de vzr 3 vrz
por la condición anotada (de ser iguales) toma el valor de 1; finalmente el cociente de
vrz d v22 t"€pf€senta la transferencia inversa de tensión del transistor Qz en la topología
BC puesto QU€ i12=Q'pór ser alta la impedancia de salida de Qt; por Io tanto.

h,,
'-
: ].-i u" *'t' t''t
\'': \':: Ili, =o
Ii, =o !':'
\',

Como los vatOr:és de h." y h¡6 Sot'l muy pequeños, el producto es aún más
reducido por lo QUs h12=Q. Hemos concluido el análisis de los parámetros híbridos para
el amplificador cascodo con lo que se demostró que el.conjunto se comporta como un
solo transistor con par.ámetros mejorados, a continuación resumimos los parámetros de
este amplificador:

h,,:h, :hi.,i hr¡ =hr:hr:,i hrr=ho:ho61 , h,r:h.:0

Corresponde ahora realizar el'análisis del circuito de aplicación del amplificador

cascodo, desde la polarización hasta obtener los parámetros del amplificador, para este
propósito utilizaremos el circuito mostrado en la figura 4.6.
:''. ' i. .- .',.,.t,.
, -

A partir de este circuito para el análisis separamos en dosi

'..
'- ,

1. para las coniponentés rde continua que se utilizara " pAra .el análisis de la
i polarización 1sé considera las reactancias capacitivas co.T,rg qrcüitos abiertos).

Z. para las componentes,'de alterna que se utiliz¿ia,'para el'análisis de los

, I r.¡--r--- - -' - - -'-'- - capacitivas
-- -- -i
paramerros det. amplificador (se considera las reactancias como corto
circuitos). ' ., :, '

Polarizacíón ¿eiaApiiicaaqr Cascodo I l,

1ili:.,:: .' ,",t;' , . .'t ,. . .,; r: ' ,il.,
: :r:.:i'.
Cuando se trátó la polarización de transistores se vio que los capagitores se
comportan com.o. circuitos abiertos ' para ]as .comPonentes . de lontinÚa por que la
frecuencia de eitas gotnppnentes es cero (f=0), para el qgg, la reactancia capasitiva es
infinita,rcon'esta condlcióñ'el ciicuito para la polarización qé $üdstra én la figura {.7.

cAP. 4-1?
,r 1i;'
 i i ,i

C¡PITUI.O rv ¡}fPLIAIC¡DOR }IULTIEIAIA

Vcc
+

rl-
Y,*
T
vc€:
+
,t":

* t* vxr

R1 R.

l¡: Q:

Figura 4.6 Aplicación del amplificador cascodo

En este tipo de amplificador, para la polarización normalmente se tiene como

datos: la fuente de tensión de continua Vss, los transistores por lo que se coñoc€ p1,
Fz y el punto de trabajo, eS decir, VcE1, VcEz e lcr, Icz (la corriente de colector de
ambos transistores son ,iguales, los transistores. están en serie, por lo que lo
denominaremos solamente por Is). Los criterios de polarización a ser utilizados son los
mismos que se aplicaron en la unidad correspondiente, que para el circuito del
amplificador cascodo se plantea de la siguiente manera: '

. Consideramo3'la cóndición de esc'ape térmico en forma:,iQdirecta, recordemos

..
sLEctRóN¡cA
cAP. 4-18
 ¡¡eurrc¡ooR MI'f,TTETAPA
ceD¡rwcj .lv
que para evita¡ e!.escape térmico deberá ser VcrSVccl2, esta condición en el
iir.rito interpr:Ébmos como VncSVcc/2, puesto.que en-serjg,,con.,Rcr tenemos
dos resisr.né¡á'tü; Re) y tasl'téiisionés'-CL.'¿e los transisióie5 Qr'V Q2, por'to
tanto se cumple sagsfactoriamente la condición de escape térmico.
\/ "' '.'
V*., : IaRa, :Jg-

Vcc

* +
-R,
\ V*, )l;c'
'l-
I l*, I
lr tct
I I
V Y
;> ts¡ V6E¡-VSE¡ +
'r
V.t,
I Io'
v; II'
v
) V*-, T
Rz- -, Vo"t
,'I
t* I1"
I
V let - V6g2-VsE2 + Y
.> +
Vcez

I^- +
I u':' I Itt
v
]: !
Y
v +
Rj Rez / Ysrz

transistor .Qz

Vcc
V^
KE=
10

\+-

4-19
 Con estos tres criteriog de polarización, deducirembs las écuaciones que permiten
.tr. ::, - _.1: . ,:-,;
calcular, los componentes del circuito.
-
. ,,1'- , ' . ,1,. r.-':l
t 'tl :':: !:':

Cátculo de tos'eleneiitos del circuito de polarización

y
En la malla de sallda planteamos la ecuación de tensiones despejamos
Rcz

V^- V^ + V,- + V-- + V. + V"' Ks con V" : I.R..

'Cc = ' nct I CE¡ ' CE: ' Rc¡ Kc: L !¡

v'cc V..
v.. - v*., - vc., - v.r, - v*, v^^
'cc-
2 'cE'-vcEr
-v.. l0
n
I\¡ v2 -
Ic
_
T
4V.. -10CV., * V.r, )
r\^-
f)'-
'.
1Olc
':
En la malla de entrada. del transistor Qz plante?mos la ecuación de tensiones y
despejamos R3
T

l0lB.Rj:Vur, *Vn, COfIlg Vee::0,6V, V*u. '+

v^^
e
a 'c
'pz^
^Br

n -ff..+6)Fr
' 100Ic

de er; de fa condición indirecta de estabilidad, planteamos la ecuación de tensiones y

cAP. {-20
con:

T \/'cc \¡Ync r\/ V..

113R.:O.6v+V
ñ.cc --- ' taE - vcE, - 0,6v
P:
)'-t!.] 10

(4V.. - l0VcE )9'

R,:
1 tOlc

Finalmente, -en Íá malla áe la base y colector.dei transistof Qr, planteamos Ia

ecuación de tensiones y despejamos R1.

"'. '. f^ T-
I*,R, =V*., *VcB,
*: con: I*,:f +ll;q, V.r,:V.r, -0,6V
Pr P:
P=
(v."f 2Y., -i,2)F19,
\ LL LCI
rtl
2t(1 1ft - L)
lti_t:. .l

Lo expuesto es un,método más de los muchos que ex¡sten para determinar los
elementos del circuito de polarización del amplificador cascodo'

Parámetro del aimptifícador cascodo :

Determinaremos los parámetros del amplificador cascodo como ganancia de

tensión, corriente, impedancia de entrada y salida. Previo a la deducción de las
ecuaciones una vez réálizáda la polarización y determinado el pulto de trabajo de cada
transistor y sus parámetios híbridos, procedemos a verif¡gar la condición para usar el
circuito equ¡valente aprox¡mado a dos parámetros, por la topoloQía de ios transistores,
rdel transistor ¿e .(atta impedancia de salida y baja ,impedancia de entrada)
BC '.ÉatiOa
con seguridad se cumple la condición ho¡Rz<0,l Y para Q2 que es EC se cumple
hoe(Rcz*h¡6)S0r1 (puesto que Rcz debe ser de valor reducido para permitir que V6¡
de los transistores corresponda a la zona lineai) por lo tánto, usamos los circuitos
equivalente a dos parámetros mostrado en la figura 4.8.

Ganancia de tensión
Para deducir la ecuación de la ganancia de tensión, empleamos el método ya usado en
otroSamplificadoreS,deducimoslatensióndesalida(vo)..'

Ef,rcrRo$IcA
cAP. 4-21
 '.

CAPITUI¡ TV ¡}IPLIETCADOR MI'LTIETAPA

ln"r ln'r
ü *
Cct
: Ccl

* 1,,
...i0, Qt +
lcl:
vcrt vo
ü,.,

ü Lr* * i.:+ I
I
t*' +a
vcE: + Vce:

ü t*: U": ü t.-

Rs Rg

B!-- Q'
+ +: t;+
li Ri ?*\
)"- Vuez
*
V..
1c2
l.l
v cbl
v^o
vo

2
R¡-
& I
:-> + <_ ri+
R'I 1uz
Yz
* i.l v¡o
Vcbl
r^ R.-
R3 L 1tt

8m: V: l

Figura 4.8: Circuito del amplificador cascodo para componentes de altema

COmo hter=9mr¡n.1

r¡Y, - fnl9r2 r¡Yr

- ¿
' l+h
^ ,'fel
'

p¡.scrRóurcA
c.AP. 4-22
 ' CAPITUI,O IV AMPUFTCADOR MULTIEÍAPA

Establecemos la ecuación de la tensión Vz. :

.,¡ r,,R,¡fnrl¡il' ':i :'

- - Ri + R¡l/R://r':
Yr -

Reemplazando en la ecuación de Vz.

., - -I*l-Qn: r',Rr/'R''//r-'
' 1+hr., R,+R'lR,//r-

Reemplazamos en la ecuación de la tensión de salida

vo = --e,:v:R, + *1" = -r.,*'#**Sfth"'

el cociente de la tensión de salida (v") la tensión de excitación (vi) se
tiene la ganancia de tensión.

:
\'-
__9 __: 1 :
r,,9-r
_d _D _ __:=jJ!l__
RrllR,llr,',
'I ^v =ni- ¿
vi 1 * hr., Ri * R;/lR.//r,,

Una primera observación de esta ecuación se ve que la resistencia (Rcz) puesta en

el colector del transistor Qz no participa en la ecuación, ordenando- esta ecuación se
tiene:
(
r--s-,) R./¡R,/i.-,
A,:-g*,R.1:l-#
Y er¡r¡ '[1 * hro R, + Rr//R,//r"
,J 2

Como hrez=9mzr,z y hrez)>1, el término dentro del parámetro eS igual a 1

P.t/lRt//r'.i
A.Y:-e-,R,
eür'
R' * Rr//R'//r',
l

Si r.ollrrzllr,z>)R-, e[ tercer termino de la ecuación es iguaf 'a 1, por lo tanto:

A" = -9.R ..
:,-
Esta ecuación nos múestra que el conjunto de dos transistores gue constituyen el
amplificador cascodo,'se comporta como un solo transistor con par{metros mejorados.
'

Ganancia de corriente
Para dedugir la ,ecuación de la ganancia de corrienle empleamos el método ya
"r' --_: .... , planteamos
usado en otros a'molificadores, la ecuación della.: tensión
. de salida sobre la
:. ,. :¡. 1 .:..
 Ambas tensiones son iquates. : ,

,., . :,
R^R
o -L : -g-,V
qmt lo ^tc'^tL
",-.
i^R,
*R,. :..
^.Cr;r..-r. . .-l
,- . ..,,:,r,)i"i,, :.,,.,,1.:,:,'
i

De¡pejamo¡ la igrriélle de salida. t, ' , '

R^
Lt ..'' t:
i^ : -g-,\¡, '

'R^
--Lt +R
: --L '
-" '

Deducimos Ia ecuación de tensión V1.

V : g,zvz
-t.+ g.,Vr
lol

Como hrer=9mrrn1, despejdrnoS Vr.

r.g
! 'r _ ^¡lcml 1r.
'¿
l+h

Del:circuito planteamos la tensión Vr en fufición de i¡.

V, : i,R,//R,//Rr//r*,
Reemplazando efl Vz r€sultd _,

v,. :
?d

;+=
l*hr.z
i,R,l lR rl lF..rl lr*
,

Reemplazando en la ecuación de la corriente de salida

^'c, ¿-
i'o : -sotz^ R^ *Pt,*, llr.rl/r.r/lru
Rc, *Rl t*f,f"2
$
i;

,..:-.. . í¡ii., '-.,"-',i'i.'.. ,;:... -,',1- ;

' La ganancia de Corriente resulta
. .;lrl

ELECTRONICA
 C¡.?iTtIf.O IV A}@LIFICADOR }{JI.TIETAPA

Como hrez=9mzf¡2 ! h¡g2)>1 resulta

A, : -g- Rt' R,//R.//R,//',

Rt' + R,-

Esta ecuación ratif,rca lo mencionado en la ecuación de la ganancia de tensión, que

el conjunto de dos transistores que constituyen el amplificador cascodo, se comporta
como un solo transistor:'con,paráryletros mejorados. : :

fmpedancia de entrada
Observando el 'circuito de entrada del amplificador cascodo se establece la
impedancia de entrada del amplificador. '

Z, : R, +R¡/lR;//r¿
Impedancia de salída
Observando el circuito de salida del amplificador cascodo se establece la
impedancia de salida del amplificador.

Zo:R.,//R,- ,, : .

Con esto hemos concluido el análisis de alterna del amplificador cascodo

A m p I ifica dor Da rlín gto n

. Cuando estudiar¡ói el circuito emisor común en ausenciaidel condensador de

desacople (C") o ellcircuito seguidor emisivo se estableció que tenía una alta
impedancia de entrada debido a la resistencia puesto en el emisor (Rr) Y la ausencia
del condensador de derivación (C"), pero para ciertas aplicaciones se necesita una más
y
alta impedancia para cumplii con este propósito se usa un amplificador de
acoplamiento de continua conocidó con el nombre de Darlington, en la que se disponen
dos o más transistores qúé se conectan en un punto común los colectores y se acopla el
emisor de uno con la baSe del siguiente tal como se muestrd,€fl ld figura 4.9.
...i'|.li.-'-.,'........:..l,'-,....'...'
Se puede observar que en.algunas aplicaciones se aconseja uná configuración EC
en cascada; el conjunto de los transistores puestos como ámplificad.or Darlington, se
comportan como un.,So_lg, transistor con parámetros mejoradas,, en este. caso los
parámetrós que'se módif¡can soh: la impedancia de éntrada, su valor se incrementa en
el valor de la impedanéiá'de eiitrada müttipt¡cado por ia ganbncia de corriehte-en'corto
'

' erEcrRórücA '. :. .'

.l
 . ,_'

Figura: 4.9 topología de un amplificador Darl1 nston rr '

El amplificador: Darlington se utiliza en la configuración c!, colocandoes la

una

res¡stencia de carga (resisteñcia en el emisor) a la

salida,:la resistencia de emisor
;;;i;i;;;i; o. .uróá iét trans¡stor Q2 en el circuito y Tte esta 9n la topolosía colector
común, la resistencia de emisor Oe fa primera etapa
es 11 impelancia de entrada
que refleja el transistor Qz, así que son dos etapas en cc
-Q-r puestas en cascada'

;e ve que la corriente de emisor de la primera etapa

es la corriente de
se puede usar como EC y en
base en la segunda, la ionfiguración Dar'lington tamblén
esta topología la resistencia d. .atgu se conecta como una,resisttltll. en el colector es
por emisor o CC y como
decir que se la puede uóar en las áos formas, como seguidor
que se
eC, pára usar el circuito equivalente simplificado del transistor',:u?gndtemos
equivalente a despreciar los
cumple la condición,ho"zRrsorl o ho"zRc<Or1 lo que T también se
parámetros hrez V ft"* á'ei transistoi Qz, en el circuito de entrada de Qz
cumple que hr"rRut
jñ,", por lo que la-resistencia de entradp. h¡s¿ s€ pueda despreciar
parámefos h
frente a h¡g2R6, .ón ,"guriOuO qru la -condición para despreciar algunos
,por lo- que para este se usa el' circuito equivalente
del transistor Q1 no ,á cumple;
'
completo.
parámetros del
En aplicación del procedimiento establecido par? deducir los
ecuación de la ganancia de
ampfificador, ro primero que se debe hacer es deducir ra
corriente A¡, impeJancia de entrada R¡ y la ganancia
de tensión Au de la etapa de salida
Iuego estos parametros la etapa de eniradá, finalmente
la impedancia de salida R" de
la e-tapa de entrada hacia la etapa de salida'
:

para el ci¡cuito,,de la figu¡a,4'9,9ll,la elaqa.d5 sa.tida,.:l está en cc' en

ilql:iTor
simplificadé resulta.
estas condiciones lá gananciá oe corriéñte del circuito

ELECTRONICA
cAz - 4-26
 CAPITuLO, rv }}{PI,IFICADOR MULTIETAPA
.:

j''l:

7 -hr¡ier+11+hr.r)R,
u.¿ \ ¡ .^¡.2 ,r^ - E
' : ta ,
'
. En esta ecuación por el valor de hi"z se puede desprecia!'h¡áz frente al producto
hr"zRei esta resistencia de.entrada del transistor Q2 resulta [a resistencia puesta en el
em¡sor del transistor,Qr'es decir,l ' ', '
R-
'-bt
:2, -
-t: .

--
.,,,,i ,.,,,...,
st vertrtcamqsilá condición de la aproximación para ut¡l¡zAr el circuito equivale-nte
aproximado de,, dos¡ parámetros.para el transistor Q1,!esulta' ho"rRerS0rl;-,eSta
condición no se'cumpie por que Rer r€sulta de un valor elevado,,puesto gü9',es
R¡1=(1+h¡s2)R¡;,',pgr..'¡o que para Qr se emplea el circuito eQuivalente a cuatro
parámetros, la ganancia de corr¡ente,A¡ de esta etapa resultando:
i

:É
I, lrfc,'1..
l- -rt::=-
i, I + ho",2,.

Como hr., = 1+ h¡.,:y ,h*, = ho., resulta:

Ai,
I + h*,hft2R;*
.;1r!i:ij.!..
. . ..,,1...1j':i
:

La oanancia de coiriente del

';. :t'
: !. lo lz
Ai
l, iu ii :4ia;
i \i":s.: r
,
,,';i.x4;::''' i:'1 ;

1 :a:,

EI,ECSRO¡ÍICA ....
Y .l r. cl,.s. .4-27

Y
\'
 C¡PITI¡I¡. TV AMPLIFICADOR UI'LTIETAPA
-' ''t
ri r : ' ':
l

., i. 1+h;,hrRe )

Si los translsto¡es son iguales resulta:

,t
1
'o (l + nfe)-
- -
. l.-t 1+ ho"hf"RE

La impedancla d9 entrada para la pr¡mera etapa (transistor Q1) resulta:

7 :h. +A I

uir' "ier ' t'irZ¡,

: ..
Ahora se puede encontrar las resistencias de entrada del cgnjunto es decir del
ampl¡f¡cador Da:rlington (que es la resistencia de entrada de Qr) V esta representada
poi la ecuacióri ánierior,:en esta expresión se puede'despreciar h¡ár frente al segundo
término resultando: '

- r¡_(I+h,.)'R.
l + ho.hr.R,

para tomarlo como referencia, veamos cual es el valor de la impedancia de

entrada al sistema cuando Re=4Kf) Y hru=50'

2,,=204Kel Y 2,, =l,73MQ

59 puede agregar aún una etapa más pues el tímite para los Darlington es de tres
transistores, esté lÍmite se debe a que la corriente inversa de saturación Iceo S€
incrementa en el valor det producto de la ganancia de corriente de cqrto circuito (hr")
de cada, transistor del Darlington por lo que cualquier variación térmica produce
grandés variaciones del punto de funcionamiento estático del conjunto de transistores.

El parámetro ganancia de tensión del amplificador Darlington resulta:

A, :5 =:: = A',A,,
vi Vz Vi

Tal como se vio la ganancia de tensión del conjunto resulta ser igual al producto
de las ganancias de tensión de cada etapa que participa en la configuración Darlington

Au : Au,Au,

En este caso
'
el amplificador Darlington se esta usando en la topología CC, en esta
r - r r - -^a!^
topotogra ra ganantia de tensión
^
es menor que üno, por lo que !a gcuación,r,esulta.
' t
,t

er'sctnÓN¡cA
' c¡-n 4-2E
 CAPITUTO IV A}PLIFICADOR MT'LTIETAPA

'- '":i ' _' :

. t.
Realrzanoo operacrones se oDuene

hhh'
"ic
A :l- -ttit-l
v .{ 7 '7'. A 7:
¡1:¡t ¿-.t: t-. ¡: n. ¡l L
r:

Esta última fórmula indica que'la disminución de A,, con,respecto a la topología

seguidor misivo con un solo tránsistor es.pequeña puesto que el según y cuarto término
¿e la ecuación tie¡dé' ..a "'Ai; .':la ' ,amplificación, ,,de tensión del Darlington es
aproximadamente igúal a la del seguidor por emisor. ; :

, : ' l'
h. : . ,;..,
A.' =1-^''.
Z,¡: - ,i'.".' :
l,'. .'r.

Para tener todgg los parámetro del amplificador Darlington, solo resta deducir la
-^a^:^- l^-
impedancia de salidd; para la deducción utilizaremos el procedimiento de Itrr rsJor ro)
impedancias del circuito de entrada en el emisor del transistor a parlir del primer
transistor hacia el últimO, resultando.

R. * h,.
-,
-or1,r, I*hr.

. 4r es la resistencia de la fuente de excitación para el transistor.Qz, resultando la

impedancia. ,',1 t:, i t,:'
,

:,..:._,.,
_l
7 -r-h ':
Lo,'llte
. "oz l+h :.' ",.
' L r llfc '.
,'., .

, ,:.,: l. _'. _, :
'11¡:i
Reemplazando 4{ . '

-- t.' , . :

Vemos Que 4z es mucho mas baja que para el caso del seguidor por emisor de
un, solo kansistor.::,
parámetros h):pero

Ef.r!cIiRolrlcA
cAP. 4-29
Potá ización del áni/tinca aor la rtin gton
''
Con. el amplificador Darlington hemos logrando gbtener una muy alta impedancia
.de entrada, que con el circuito'de puede-deteriorar:
irolarización se Completamente este
parámetro, ya que la resis!éncias de polarización puéÉtos en.la base de los transistores
;r i :. :...
estaran en paralelo con la impedancia de entrada, tal como'se pude apreciar en el
fiqura.
circuito de la siquiente ,,i ..,.,,, ,
'
-: .:t.'..,, .. .

t.
|
Y'*'i^.
.Dl

-_> +
Ql vcEr

Figura: 4.10 Circuito de polarización de un Darlingrton

En el circuito

Ru : R,//R,
Como:

Z,: (1+ hr"12R,

Z,: P.rllZ,

ELECTRONICA
cA?. ¿-30
 C¡PITI'iO TV ¡.!'P!IFICADOF. IIU],TIETAPA
La resistencia Rs está en paralelo con la impedancia de entrada del Darlington, el
valor de Re no es tan grande como la impedancia de entrada de esta configuración, po¡"
Io que el circuito ¿é détar¡Zación utilizádo no ésiadecuadó, entoncei,¿tómo se modiflta
el circuito'para que el sistema de polarización no afecte a la impedahcia de entrada?
rcircuito.de polarización,
Hay una forma'de corregir el deiecto introducido por el
recurriendo al teorema de Miller, para esto modificamos el ,circuito de polarización
levantando el punto común de R1, R2 y la base del transistor Qr y:conectando el nodo
de R1, R2 por medio de la resistencia Rg a la base del transistor Q1, además al punto
de unión de las tres resistencia (Rr, Rz, R3) se conecLa por medio de un condensador C
(cuyo valor es un cofto circuito a la frecuencia más. baja a reproducir por el
amplificador) al emisor-de Qz, el circuito modificado se muestra en la figura 4.11. En
caso de no agregar el condensador C en el circuito de polarización no se obtiene
mejoras en el resultado de la polarización frente a la impedancia de entrada del
amplificador Darllington¡ puesto que R¡ €n serie con el paralelo Rl, Rr esta en paralelo
con la impedancia de entrada del amplificador.

Qr vc¡r

\,t rRf
.vo
*t
lcr ¡

..Fis:n'411CírcuitodepolanzacróndeunDar|ineto1
Veamos ahora qúe"Sucede si se coloca el condensador C, entre el nodo de unión
R:., Rz, Rg y el emisor'de[ transistor, para componentes de altern¡ se ha conectado la
salida con el nodo de entrada, como C debe ser prácticamente un corto circuito para la
frecuencia más baja a ser amplificado, para que el nodo B y
E estén unidos
eléctricamente para componentes de alterna, en estas condicioneS lntroduzcamos una
señal v¡ €r'l la base dei transistor la tensión de salida vo está relacionado con v¡ €n lo
forma:

Ef-ECTRO}üCA
cAP.4-31
 ', :.;r :;iil;::i, r¡61 1'¡;:"t.,

\/,.].Y= \/ ,-\/
!D ri, t^

' i'''"':''';"''t1:.
vRr' = vi - A,vi vRr' = v, (i - Ar)
-
Como la ganancia de tensión A, en esta topologra es rguar a uno por lo que la
tensión sobre Ra (Vng) eg prect¡camente cero, lo que significa que los nodos B y E
están corto circuitadog. y, Irq circüla corriente por R3 , es_ decir, QU€ esta resistencia
representa un circuito'abielto o se? una alta resistencia indépendiente del valor de R3,
esta alta resistencia d.J, cir,cuito' de polarización se encuentra' en paralelo con It
impedancia de entrada' del amplificador Darlington, dando como resultado una
impedanciaaltad.e]conjuntoenpara|e|o.^,'.'-..
'. t
- ,

El efecto anaiizado se llama boots-troping "tirabotas", aunque la verdadera

traducción debería ser 'lpicaportes", pues lo que hace es que si v¡ aumenta o diminuye
en un extremo'd_e R3, esle efecto de bootstroping hace que en el otro extremo de Rg
aumente o disminuye en'!a misma proporción QUC v¡, o sga que sube tanto como si se
lo empr-rja desde abajo (como el picaporte).

De acuerdo al teorema de Miller la resistencia Rg modificado se refleja entre la

base y el nodo común como:
p
f\3
T't
i\-r:
" 1-A

Entre el emisol'y el nbdo común como:

:-
R.A.,
i(
cf^1
¡1..t, - I

Como Au es menor que la unidad, resultando una R*t negativo, o sea que la
resistencia en paralelo que refleja Rg sobre Re €s de un valor negativo muy grande, la
conductancia entonces pasa desaper:cibido frente a la resistencia RE que es de un valor
relativamente pequeño y esta en paralelo con Ia resistencia de salida de la etapa.

E t A m p Iifica d o r d ife re n cr'a I

El amplificador diferencial amplifica la dlferencia entre dos 'señales, 'o sea el
circuito realiza' la ' resta de dos señales y el resultado. ,e? , amplificado, estos
amplificadores son de ácoplamiento directo o sea amplificadores dé'continua.

ELECTRONICA
I
cAP.4-32
 -CAPIT$Í¡ . IV A}4?LIFICADOR MJT,TISTAPA

FÍgura: 4,12 Diagrama en btoque de un amplificador diferencial

Un amplificador de este tipo, se analiza como un sistema que admite dos entradas
yty yz, a la salida teñemos una tens¡ón vo que'resulta"la amplificación de tensión de la
diferencia entre las señales de entrada vr y v2, conoc¡do como señal diferencia v¿.

vo : Aovo COñ r'u = \'r - vl

vo=Ao(v,-vr)'

El,parámetro fu es la relación de transferenc¡a del amplificador diferenciál pero

este parámetro no, define totalmente un amplificador diferencial, porque en los
dispositivos en los que se aplica dos señales simultáneamente:Se V€ que además de la
diferencia entre dos:señales,'amplifica,también e[ valor ,medio de las dos señales
respecto a tierra, este. valor nredio es lo que se llama señal de modo común
representado como vc, o sea que llamaremos.
:'

Vd:Vt-v,seña[demododiferencial(va|ordiferencia)

. v, *v,
v. = +:! señál de:modo común
r--_t_--
' - (valor --r:-\ medio) '' ".i

, '. ,

' Este tipo de señgles. se bresenta en todos los sistemas que, lienen mas de una
entrada referidas a un nodo común, por lo que es importante su tiatamiento ya que en
determinadas condiclgnes el comportamiento del amplificador,diferencial responde a las
señales diferencia y recház.a a las señales de modo común, esta, réspuesta diferente de
un amplificador a este tipo de señales hace importante al amplificador diferencial,
veamos como se oresente estas condiciones en las señales,

Por ejemplo:

Si v1=+50¡rV Y vz=-50 FV

: (+s0pv) + (-50pv)
vd (+59pV; - q_r:0gt)- y:y",,= : .1¡ -';: ' ,
:: :

nr.qctRóNIcA
cAP.4-33
 Resulta
i: . -
v1*=100uvYvo=9pv :";-
.{ ..,. , ., .t -. .i ,.,'
,,rj... . ¡:
. .,,.
,..,. j,^,
1.,-.^.
'.:, rt",
' .,,1 .
.: .'i -: ..,,.,-." ,: , ,:
¡

:'i
', | .' ,,,^'-.' .,!. r ,.-,.,
.1

.";..
,
La:salida del ampllficadgr no es la misma que si
tl .t tr=*1050úV V vz=*950pV
, a, 1,:" - .1 ,' '
,.; .. .r^, . ', ..'
vo:= 1+195Opv) :(+950pV) y V" :
ry
Resulta

vo=100pV y Vc=1000¡rV
:-.
De los dos ejemplgg-¡lanteados, la respuesta del anplific¿dor diferencial no es la
misma a pesar.qyejg.-d¡felencla, en ambos caso.s e¡ isua],(1o0,t¡V); si aplicamos el
primer par de:''sgñál,es', ¡enOremos vc=0i mientrasr 'gue para, el segundo par
v.=1000pV; lo que sé'quiere con estos dispositivós eÉ un amplifrador diferencial que
responda a la señal dii mo(o diferente va y nada o:rechace a las señales de modo
comúnvc. , ,i | ' '- .' -

Pero lambién se pLlede interpretar que el amplificador diferencial para las señales
de modo común (v.) responde con un parámetro de transferencia de modo común A.,
y para las señalgs de modo diferencia (v6) responde con un parámetro de transferencia
de modo diferencia A6.
Esta doble respuesta del amplificador impone definir un
parámetro de calidad, egte parámetro mide la capacidad que üene el amplificador para
rechazar las señales de modo común y amplificar lo más QU€ se,puede las señales de
modo diferente, el parámetro se conoce como relación de rechazo de modo común
(RRMC).

Relación de rechazo de modo común

La propiedad del amplificador diferencial es que debe responder esencialmente a
la diferencia de dos señales, por este principio la ganancia en modo diferencial debe ser
mucho mayor que la ganancia en modo común (A¿>>A"), una manera de cuantificar
esta particularidad del amplificador es mediante el facto¡: de rechaio en modo común
(RRMC) que constituye la figura de mérito del amplificador diferencial, definido como

RRMC: e:
ltf
A fin de establecer esta relación realizamos el siguiente procedimiento: como en el
diagrama en bloques de la figura 4.I2 se tiene dos entradas (v1 y vz), el circuito para
cada una de estas señales responde con una transferencia A1 A2 respectivamente, si t
aplicamos el principio,de superposición, obtenemos para la tenSión:de salida:

ELECIRONICA
 5l v, = u -)
-l
vo :,srvr
' . ., ,,
r'
Si v, :0
.,., 1^

+
.,.1-
r'; :,''gol;-,-.,ii
A:\':

Po"r' tanto vo=if'o*vf lo se: tiene . la.'.ecuación

diferente se definió como '

vd:vl-v)
'..
-o1nún se definió como
La señal del modo

v, *v, 42\',:
^ ,"-:
V.!-) : -* \'t +V, ;

Sumanoo a ta senal del modo diferente la señal det modo común se obtiene:,
j."....

\'¡ ! n.;
)V.lqc¡= V, +2V -->1', :.V^ -FJ
L

Restando de la 5eñal del modo común la señal del modo diferente se obt¡ene:

t'!-
=2v- - v,
2v.ics¿') -) \'. : t'^ -

Reemplazando lás tensiones vr'y vz en la ecuación obtenida,por superposición

: vo = +e') :

: "[=f]-:.,t"(a'
'i - :, ,,1- :'.
"
:

Designamos como ta ganáncia del modo diferente.

ganancias individuales V la ganancia del modo comun a
individuales.

\l
 c¡Érrl¡¡,o w ¡i.Íp¡,¡r¡c¡¡oR MulrrErAPA
fstámos en gondiclonés de medir la ganancia de modo común y lu ganancia de *
modo difbrente'A6i. por. ejemplo si al amplificador aplica'mos una
'señal v1=v2=l\,f, is
acuerdo á las ecuacionés vemos QU€ v¿=ev y v.=lv, por Io que ,la salida del circuito
toma el-valor'de la ganancia del modo común vo=A{: En forma similar si al
amplificardor:aplicamo,q [na 9gñal d€ v1=Qr5V, v2=-gr!V, -.!e acuerQo a las
ecuaciones
vemos que v¿=lV y ü.=OV, por lo que la salida de circuito tgma el valor de la
ganancia.'delmodo.d!fe1énte'v"=Aa......
como definimos la relación de rechazo de modo común a:
l¡ |

RRMC: o - ii+
lA"l,.,.,,, .. i.,,,
, . -.
'-- ganancia
Despejamgs la J-:'-.'
de modo común
'
l
''1': ' : :' :'

.A,
^-u
'^c "p
Reemprazamos en la ecuación de la tensión de salida (vo) del amplificador
diferencial se tiene:
A
: A r,
Vo-ñdvd,.c. + A.^V^ -+ V^:
u ArV,
u u
+3U.
p

Sacando factor común el producto Aava'

vo = Aovo['.;t)

Del análisis de esta ecuación para que el amplificador diferencial responda

de

mejor forma a las señales de modo diferente, se concluye que:

1. La señal de modo común (v.) sea cero, esta condición con el tipo de señales
con las que opera el amplificador no siempre es posibfe cumplir con esta
condición, entonces.

Z. Se debe hacer,que la relación de rechazo al modo común sea extremadamente

grande, esta condición si es posible cumplir por que depende de los parámetros
que la
áel amplificador diferencial; en principio esto se puede cumplir haciendo
gunun.iu del 'modo diferente sea extremadamente- grande frente a la ganancia
áel modo común (Ao>>A"), esta es una condición circuital que fácilmente s9
puede satisfacer.
:

¿!¿LIAVS¡\.Á
cAP.4-36
 .. CAPITUTO IV.'AT.fPLIFICADOR MLIITIETAPA

Amplificador diferengial acoplado por emisor

El circuito que se -utiliza para implqmentar'el amplificador diferencial es el
acoplado por emiscr, formado básicamente por dos transistores del mismo tipo, en este
circuito en el nodo de unión de los emisores de ambos transistores se ,tiene una
resistencia (Rg) común para ambos emisores, tal':como veremos del valor de esta
resistencia depende el factor de merito de este amplificador, las excitaciones v1 ! v2 s€
introduce al amplificador por'la base de,cada transistor, .la,salida se ,obtiene por
cualquiera de los colectores o de ambos, en este últ¡mo caso se obtiene una saiida del
modo diferencial el .circuito,se muestra en la figura 4.13; para aprovechar la alta
resistencia de entrada, que impone'la resistencia puesta en el emisor y evitar que las
resistencia de polarizaaión de la base,de lostransistores deterioren esta condición, para
la polarización de este amplificador se usa dos fuentes de tensión una positiva (Vcc)
puesta a través de resistencias (Rc) al colector de cada transistor y otra fuente de
tensión negativa (Vee) colocada a través de la resistencia (R.E) a los emisores de los
transistores, el circuito se muestra en la siguiente figura.

Rc<
Y tcl i., ül
+ +l
VcEr Vce:
t-
Y ler i;+

. ' Figura: 4.13 Circuito del amplificadoi air"r"n.¡il - "" ' '

Como puede verse el circuito es un amplificador que tiene dos terminales de

entrada conectadas a la base de cada trarisistor a los qúe se áéobta respectivamente las
señales yt y yz, se ve que'es un dispositivo simétrico, ei tranqistoi Qt l.
supone que es
igual a Q2, estos tienen la misma resistencia de carga Rq puesto en los colectores y
tiene ta misma *iiii¿¡¿i¡ ¿éém¡sor R¡ por eio se"llamá'acoplado por.emisor'cada
transistor desde el punto de la fuenté d¿ excitación trabaja comq gmisoq común. Una
etapa con la otra tienen'acoplamiento de continUa, a través de la unión de rambos
gmiSOfeS. .:.., ',;,
1 _ ',, ' ..',.'':t' .:.:, ): .l ,, _ ',, - .

l': l

y para tener una estabilidad frerite a lbs

Desde el punto de.Vista de la potarizacron
i. r
problemas térmicos se requiere una muy alta resistencia' d. emisor, teneir una
I

ELECTRONTCA
 1. Polarización.- Los transistores Qr y Qz deben polarizarse en la zona lineal de
las características V-I de salida, es decir, que debe circular, una corriente de
base (Is1-Isz=Ie), tal que establezca una corriente colector, (Is1=lcz=Ic) por
lo tanto por la resistencia de emisor (Rr) circula el doble de la corriente de
emisor, por ser dos los transistores y que están polarizados en la zona lineal,
esto significa que la resistencia Re se presenta con el doble de su valor para
cada transistor, mejorando las condiciones de estabilidad del punto de trabajo.

2. Modo común.- Cuando a la bape de los transistores Qr _Y Qz se aplican las

señales de modo'común, como estas señales son de ia misma polaridad, en el
semiciclo positivo ambos transistores conducen más aumentando la corriente
que circula por el emisor de los transistores y por'la resistencia R6, Brl €l
semiciclo negativo ambos transistores conducen menos, disminuyendo la
corriente que circula por el emisor de los transistores y por la resilencia R¡, en
todo momento es decir en ambos semiciclos de las señales por la resistencia Rr
circula las corrientes de cada emisor, por lo tanto el amplificador diferencjal se
puede simular con un solo transistor en el que se conecta una resistencia puesta
en e[ em[gor,,del doble de, su valgf para dar la impresiQn,de. que circula el doble
de la.ori¡.nlu en emisor)'et c¡rcüitó de modo común qüé'simuta el amplificador

ELECTRONICA
c¿P.4-38

.¡.Ji
 -- se,mue$ra en la |gura 3.11...., :-,, .
..- 'lf.' l- c-: , A I A,
clrcurto
- ,:
i:,,
\

..'l ' :' .,..r. .-i,

3. Modo dífetrente.- Cuando a la báse-de,leJ-transistores Qr Y Qz se aplican dos
señales en oposición de fase (desfas?go?.9n 1B0o), es decir cuando la señal en
la,base de Q1:.esta-en el.rsemiciclc.:posiiivo haciendg''que:lcond[JZca mas el
transistor Qr, €r'r la base del transistoi Qz.está en el semiciclo negativo haciendo
que el transistor Q2'conduzca ñ1€Fros;'€ste^.,'gfecto .ocaciona que no circule
corriente de alterna por la 'resistencia ,puesta en el bmisor (Re), cuando los
semiciclos en las bases de los transistores se invieften, la condición se repite.
Este efecto del amplificador diferencial, nos muesira que se ha simulado la
existencia aparénte de un Condensador.puesto:en derivación con la RE pars,lds
cornponentes de alterna, en estas condiciones se obtiene una mayor ganancia
en el modo diferente este circuito se muestra en la figura 4.t4.

Lo expuesto se resume en los circuitos que se muestra en la siguiente figura:-:'

Vcc
* i*.

.++
ls vse

,' ,
Fisyra: 4.14 Amplificador diferencia| modo cornún y modo oí|elente
:
Análisisparala'polarizacióndelAD .i'' ''
- a t.

El circuito del amplificador diferencial presenta una topología completamente

simétrica, para realizar la deduci¡ón de fas ecuaciones para el cálculo de la polarización,
usamos esta condición, por lo tanto en el circuito de la figura 4.t3 se ve que:
:'
Ir, : lr, :1. i I., = 1., :1a t Ia, : lr, : lu
En el circuito de entrada se tiene:
':
VE:lrRr*Vrr,*irZn,
I ;¿

er.EcrRó!¡-rcA
cAP. 4-39
 -:

R.:
_ _ f ,.

=- Ycc

2Re ¡-
...................i "'
::: ":.ir
'"""'-'-l,l
Vre -VE¡ i:,'r

I Figu."t 4.15 Circuito de polarización de un AD

Reemplazando en la ecuación:

\'.r: IrR" +Vr, +lE2RE 4 Vr, :5R, +%, +lE2RE

flpe

Por, tanto.

,-
,¿--- %.-Vnup-
2R" + la
¡l FF
rE

En el circuito de colector se tiene:

-': -
V.. *%, = I.R. + V.e * IE2RE

Como: Ir = Ic, reemplazando en la ecuación

\t. *%, = I.(R. +2RE)*V.. :

Por tanto

, -V..*V.r-V.,
" Rc+2R,
Con las ecuaciones de las corrientes de colector y em¡sor se t¡ene esLablecido el
punto de trabajo de los transistores del amplif¡cador diferencial.
'l: '' ,1
tl

ELECTRONICA
cA?.4-40
 : .t. '': _.._.:
: - i .. '-' . i

'

CAPITIEO TV,¡T*ÍPLIFIC¡DOR MUITTETAPA

Anátisis de las componentes de alterna

'i..-''..'.l--.*.t':,..,.,...-.:....'.i'.''...'','.,,':....,.'.
, pára estas'conip'óiiéhtbs est¿bieceremos':las gañánciqs .de!;módo "común y del
modo,diferente, para esto en el modo común aplicando el,teorenia de Miller para
resolver el circuito de modo común resulta como el mostradolen la figura 4.t6. Como la
ganancia de corrien¡s:para'los par:ámetros h del'transistor resultaba: " ': -
A- hr.
^'--t*tt*R,
Aplicando al circuito Para
' ''l ;a:j i

ln -l\
Rr=R.+2Rrl-¡-:l "[ A' )

Despejamos A¡ resultando

h*2RE - hf¿
¡\i -
1+ h*(Rc + 2R.)

La impedancia de entrada es:

::_ - j
7 =h
¿ri +h A P
- LLie , lrre^i..2
'l

Para nuestro ciiéuito tomando en cuenta la resistencia del genérador y la reflejada

por Millar resulta: ,'i,',, 'l
. ..i
Z, = R, + (1 - Ai)2RE *hi. * h,.A,R.

Como: '':
',', ,:'

/ ', \
''

R, : R. +2Rrt+ l
. \¡1:l
\:.... 4
., ,,: ..:" , ,
t.'- '.-_..t-

Reemplazando se óbiiene:
v

E.@LIruN¡q
CAP.;4-41
.: .-
 ->;'
i-T
t
'o vaE

+. el. i-
| 1o*
? T
frc
Y Miller
<+v;
¡

ü.lc_tt* Y\É
vo '16
'lb Vb.
Rs
Rc- Re i-
¡c

II

Figura 4.16 Circuito de alteran modo común al que se aplica Millar.

Reemplazando A¡ y R¡

(2h*RE - h*)R.
f\., -
2RE(1+ h*) + (Rs + hi"x2h*R, + 1)

El circuito para el modo diferente es el mostrado en la figura 4.L7.

En el modo diferente para el circuito de modo diferente resulta:

^'d-l2 R,h"R.
+h."

Tenemos los componentes para definir el factor de calidad del amplificador

diferencial resultando la,siquiente relación de rechazo de modo común.

ELECTRONICA
cAP. {-42
 q4PITULO IV E}€TTFICADOR MuITIETAPA

la I

RRCi\f:p:=-+p= -h")R.
lA.l (2h*RE
2RE (l + h*) + Es + h,.)(2h*Ro + 1)

Vcc
* i*.

__>,
-r l
--*>,
.T T i...
"
Vu. V6.
rBE Rg

Figura 4.L7 Circuito de alteran modo diferente'

Para mejorar las condiciones en vez de la resistencia de emisor Rr para la
polarización se suele reemplazar esta resistencia por una fuente de corriente constante
formado por un transistor.en la.topología BC, el que tiene una alta impedancia de
salida para las componentes de alterna, para el circuito generador de corriente se tiene.

I*, : I, R_,:R,

p
I*, R, * Vu, : Vo * (vrr - V")
R=k
: -V"=**. -u= -t',.
r=R, % .1o

,, : l.
lR.
['.. compefsaclo¡r l3mr€ )'
El diodo se usa para la compensación térmica de la variación de la tensión base
emisor del transistor, en consecuencia el segundo y tercer término del segundo
miembro de la ecuación se anulan entre si

Por tanto '''' ... I ' l

ELECTROIrICA
cAP. 4-43
 Rc Rc
.l
ü t.' tcY

Vce¡ Vce:

ü-i;, i,.
_>
üi.Í
vir
+
vcrs
\r+
*+
-VEr

Figura4.lsAmplificadordiferencia|congeneradordecorriente.

Con esto se tiene dimensionado el arnplificador diferencial.

EIEUIKVBIS
cAP. 4-l¡4
 eAPITtiLO V ¡ A¡@IIFICADOR.ES F€AI-II€NTADOS

AM P LI FICAD O RES REALII"I ENTADOS

...
f ntoducción

En el diseño de amplificadores no es posible obtener un amplificador

totalmente lineal, es decir que la señal de salida no se¡'á una reproducción a esc¿la
de la señal de entrada. Aun cuando el amplificador sea razonablemente lineal en
cierto dominio la ganancia del amplificador variara con los cambios de la tensión
de polarización, variación del punto de trabajo establecido con la polarización y de
los parámetros del transistor con los cambios de la temperatura, estas y otras
alinealidades que se puedan pieséntar en los an",t!¡¡cadores realizados con
transistores, pueden hacerse mínimas o incluso introducir mayores imperfecciones
hasia llegar a la generación de frecuencias que no están presentes en el generador
de excitación aplicando al ampliflcador la realimentación.

La realimentación se presenta cuando parte o toda la señal de salida de un

amplificador se conecta a la entrada através de un circuito de tal forma que la
señal de salida afecte a la señal de entrada modificando los parámetros del
amplificador.

Existen dos tipos de realimentación: Realimentación Positiva (regenerativa) y

la Realimentación Negativa (degenerativa), nosotros,,.trataremos el tema de la
realimentación negativa puesto que per:mite mejorar algunos parámetros de los
amplificadores.

Caracteristicaza de los amplíficadores

Los amplificadores estudiados en unidades anteriores tienen algunos
parámetros que los identifican adecuadamente, de estos parámetros los
importantes son:
. Ecuación de transferencia o ganancia .-
(A)
. Impedancia de enirada {Zi)'
. Impedancia de salida (z¿)
. Ancho de banda, frecuencia de corte inferior y superior (AB, f1, f2)
. Distorsión
. Ruido, eic ,

Tres de estos parárnetros (ganancia, imPedarde entrada y salida) son

tanáncia, impedancia
muy importantes y permitenl.dgrupdr a los amplificadores en cuatro tiupos en

. i .. '. r-
!
1. Amplificador de Teniión (A')
2.' AmplificaOor dq,gorrieinte (Ri)

er.EcsRóNrcA
: :. i
(R.o.c. ,¡.H.u.L-I .: ri ,'i_.i
cAP.5-r
: ,:
!
:,
 . '. .. CAPITUTP V : A},ÍPI.IFICADORTS R:iLD{EÑTADOS

3. Amplificador de Transconductancia (Gn) y

4. Ampliflcador de Transresistencia (R.)
Las características ideales de estos amplificadores están relacionadas con la
transferencia, l¿5 impedancias de entrada y salida en comparación con la
impedancia del generador de excitación y la impedancia de carga respectivamente.
Veamos'cada uno de los casos:

Am plifica dor de Tensión

1
El amplificador de tensión se caracteriza por tener la relac¡ón de
transferencia (A") que es el cociente de la tensión en la carga (vo) a la tensión del
generador de excitación (vr), egte parámet¡'o debe ser lo mas elevado posible e
independiente del vglor de la resistencia de carga (Rr) y de'ia resistencia interna
del generador de eXcitación (Rr), el amplificador debe tener una impedancia de
entrada (Z¡) lo mas elevado posible (idealmente oo¡, impedancia de salida (Zo) lo
mas bajo posible (idealmente 0), el amplificador se representa por un circuito
equivalente de Thevenin, tal como se indica en la figura 5.1, en este circuito se
establecen las condiciones que debe reunir Dara considerarlo ideal.

Figura 5.1 Circuito equivalente del amplificador de tensión

En el circuito de salida:
Auv,:ioZo*ioR,
La tensión de sallda resulta:
vo:ioR,-
De la ecuación de la malla de salida se despeja la corriente io.
. 4.,v,
u Zo*R'
Remplazando la corrlente del circuito de salida en la ecuación de la tensión
sobre la carga resulta:
4.,v,
v^- ' ' R,L->v-- R,
" Z.+RL r¡ '' A \t
Z.*RL 'r
Para que la tensión de salida (vo) sea igual a la tensión del generador
controlado (Auv¡) se debe cumplir cualquiera de las siguientes consideraciones:
Que Zo sea igual a cero, por lo tanto vo:,A,.v,
¿. Que R¡ sea muy grande, es decir de valor co o circuifo ahiertn nnr ls
tanto vo:Auv,
 . i ., ..-i :, i'.ii..'.i'';,ri':;',
CAPI'rU1O V : ¡}PLIFICADORTS REAL]]4g¡¡TADOS

3. Que Rr->>Zo por lo tantoYo:,{,v,

Enelcircuitode.entrada:..l...'.|.,":.i1|.-....].:.'..
\'r:irR, *irZ¡
La tensión en la entrada del circuito equivalente del amplificador resulta:
v:i7
'i ^s"i
De la ecuac¡ón de la malla de entrada se despeja Ia corriente ir.
r :-l-
K +L
P.erpla.ando la corriente del circuiio de entrada del amplificador resulta:
\.
l-- L i-.:-\--
' R.iZi I -> ' Rr+Z, )

eura qr.
la tensión de entrada (v¡) del circuito equivalente del amplificador
sea igual a la tensión del generador de excitación se debe cumplir cualquiera:de
las siguientes consideraciones:
1. Que R, sea igual a cero, por lo tanto v,a,
2.QueZi.Sesmuygrande,esdecirdevalorcooc¡rcuitoabierto,porlo
tanto vi:v,
3. Que Zi))Rr Por lo tanto vi:v,
Si se cumplen las condiciones anotadas en el circuito de salida y entrada en
el amplificador de tensión se logra la condición ideal es decir que:
A-o V
- \/
ar_.
-
De lo erpuesto resumiremos las condiciones que se debe cumplir para tener
un amplificador de tensión ideal con el parámetro de transferencia (Au) lo más
grande posible:
v^
U t_ 7P) =m ó,Rr=g
\¡
S

A m plifica dor de Corrien te

El amplificador de corriente se caracteriza por tener la relación de
transferencia (A¡) que es el cociente de la corriente en la carga (io) a la corriente
del generador de excitación (i,) Io mas elevado posible e independignle del valor
de carga (Rr) y de la resistencia interna del generador de
de la resistencia 'amplificador
excitación (Rr), el debe tener una impedancia de entrada (Zi) lo mas
bajo posibte (iOeatmente 0), impedancia de salida (2") lo mas elevado posible
(idealmente-.cq), el amptffi.c"dor se representa por ug cir.luilo equivale¡t. .q.
Ñ;;;;-i;i ¿.á; i.-ináié'a en la fisura 5.2, en este'éircuito'se establecen las
cóndiciones que debe reuriir para considerarlo ideal.

urEcrnóxrcA (R-o.c. / Ir.H.L.)

c¡p.s-r
 q .-.;¡.
:..:ji:1.:j ;.::';,:..;r.-1' ,: ,:'.' i:,
.'"-:
.:.:
CAPITUI¡ AMPLIFTC¡DORES RE{LN.ÍENT.BDOS

'.
' t -'., -:t; -
;f+
t'':":i '¡:': ¡':".
R.v

: .. F¡Suia 5.2 Ci¡cuito equivalente del amplificador de corriente

'..'
En et circuito del nodo de salida:
v -vo
A'i,:
"7 --9 +----:-
R,
-:L
"o
La corriente de sálida resulta:
.v^
t-u
-oR,
^tL
De la ecuac¡ón del nodo de salida se despeja la tensión vo.

,,'o: A'i'Z;Ri 'i"

. z+p
uo ,^rL
Remplazando la tensión del circuito de salida en fa ecuación de la corriente
sobre la carga resulta:
. A,i,z^R,
-o z
(2" +RL )RL-7 ' 'o
L^_
Zo +R'
' '"'
Para que la corriente de salida (io) sea igual a la corriente det generador
controlado (A¡i¡) se debe cumplir -.P\.1
cualqu¡era de las siguientes considerac¡ones:

, 1. Que Zo sea muy grande, es decir de valor co por lo tanto io:A,i,

' 2. Que R¡ s€d igual a cero, o corto circuito, por lo tanto io:A,i,
3. Que Zo >> R¡ por Io tanto io:A,i,

En el circuito del nodo de entrada:

;t----i-- \'i
'- -V,
"R.2.
La corriente en la entrada del circuito equivalente del amplificador resulta:
.V;
1,:-
'zi
De la ecuacióndel nodo de entrada se despeja la tensión v¡.
i.R.z,>\'-
J r , R-2,
s I
' R.+2,. I .R,*2, i''
v:

felPlaza.ndo la tensión del circuito de entrada del cuadripolos en

ecuacion de la dé la corriente del circuito equivalente del amplificador resulta:
la

¡¡,BcrRóNtc¿ (R.o.c. / u.u.t -.t

CAP..<J
 cAPITtILo v : AI@LIFTCADORES RE-{LI}€NTADOS

.i : R.2..
- ' i R"
.R,-Z,''Z,:..R,uZ,:.'....''.....;...'.,.'..
l. ---- -) I,: --:-- l,

para que la corriente de entrada (i¡) del circuito equivalente del amplificador
sea igual a la corriente del generador de excitación se debe cumplir cualquiera de
las siguienLes considerac¡onesl

1. Que R, sea muy grande, es decir de valor co o circuito abierto, por lo

tanto ti:1,
2. Que Z¡ s€3 igual a cero por lo tanto ii:i,
3. Que R, >?-7i bor lo tanto -i,:i, :

Si se cumplen las condiciones anotadas en el circuito de salida y entrada en

el amplificador de corriente se logra la condición ideal es decir que:

A':i i

' 's

De lo expuesto resumiremos las condic¡ones que se debe cumplir para tener

un amplificador de corriente ideal con el parámetro de transferencia (A¡) lo más
grande Posible: ','
i^
A,:i | Rs >>
)) Zi, Z¡=U
Zi=O Oó Ks=co
Rr=co
¡. '|

Am p I ifíca do r de Tra nsco n d ucta n cia

ct --nr;Fi¡-dor
f,l dl I ¡plll lLd de ti-ansconductancia se caracteriza por tener la relación de
transferencij iCn¡ que ei el cociente de la corriente en la carga (io) a la tensión
del valor
del generador dé excitación (vr) '(R¡)lo mas elevado posible e independiente
de la resistencia de carga y de la resistencia interna del generador de
excitación (R,), el amplifi-ador debe tener una impedancia de entrada (Z¡) lo mas
posible
elevado poiiOLe (ideatmente co),'impedancia de salida (Zo) lo más elevado
(idealmente -), el' amplifi.udor se representa por un cjrguito equivalente de
Norton en el circuito de salida y de Thevenin en el circuito de entrada, tal como se
indica en la figura 5.3, en este circuito se establecen las.condiciones que debe
reunir para considerarlo ideal.

Figura 5.3 Circuito equivalente det amplificadoi de transconductancia

en el iircuito del noáo de'balida: : fii.,

er.acteóxrcA {R.o.c. /: H-}1.L.)

cAPS's
 \/vo Vo
G^v,: +
t t,'Lo.,R, '
,..;. .i
.
La corriente de salida resulta: .'

;:5
-o
R,
.i L
, De la ecuación del nodo de salida se despejá la tensión vo.
: G'V'Z.R'
uoTtD
z_o ¡ I\L

Remplazando la tensión'del circuito de salida en la ecuac¡ón de Ia corriente

sobre la carga resulta:.
G-v,Z
i_:
R,
= ' ' " _+i_:
7
-o
" (zo+RL)RL o Zo*R'Gs
r,,
¡

Para que la ccrriente de saiida (io) sea igual a la corriente del generador
controlado (Gsv¡) se debe cumplir cualquiera de las siguientes consideraciones:

1. Que Zo sea muy grande, es decir de valor @ por lo tanto io:Gnv,

2. Que R¡ s€d igual a cero, o corto circuito, por lo tanto io:G,v,
3. Que Zo >> R¡ por lo tanto io:Grv.

En el circuito de entrada:
vr:irR, +irzi
La tensión en la entrada del circuito equivalente del amplificador resulta:
-,-:7
i -rszJi
Y

De la ecuación de la rnalla de entrada se despeja la corriente ir.

V
^s
':J T') , 17
.t\s -1- z.i
Remplazando la corriente del circuito rje entrada en la tensión de entrada
del circuito equivalente del an'iplificador re.suita:

tr:-
V.
t:; --7 v,:-.--
Z,
v-I
'R+7r¡r2-r7
r\S,!i i\S rlJi

Para que la tensión de entrada (v¡) del circuito equivale nte del amplificaoor
sea igual a Ia tensiÓn del generadoi'de e::citación se dehe cumnlir cualoriiera cfp
las siguientes consideracíones:

1. Que R, sea igual a cero, por lo tanto vin, ,.

2. Que Z¡'SQa muy grande, es decir de valor co o circuito abierto, por lo

tanto vi :vr,- r,

¿r:crRóNrc¡ (R..o.c. / H.r4.L'.)

CAP.5{
 -
.
,. t,.a, ,:.

C¡-PITiJI-O V : AI@LIFICADOiSS F5¡II}GI¡TADOS

3. Que Z¡))R5 por lo tanto \"in,

Si.se cumplen"tás,condiciones,dnotadas..en,e[ circuito de salida,y entrada en
el amplificador de traniconductancia sé logra la condición ideal es decir que:
I

-g
s

De lo expuesto resumiremos las condiciones que se debe cumplir para tener

un amDlif¡cador de transconductancia ideal con el parámetro de transferencia (Gn)
lo más grande posible:
i
u. --- 'o
a\
Zo >> R¡, Zo=oo ó R.-=g

A mp li fica do r d e Tra n sres iste n cia

El amplificador de Transresistencia se caracteriza por tener la relación de

transferencia (Rr) que es el cociente de la tensión en la carga (vo) a la corriente
del generador de éxcitación (ir) lo mas elevado posible e independiente del valor
de la resistencia cle carga (Rr) y de la resistencia interna del generador de
excitación (Rr), elamplificador debe tener una impedancia de entrada (Z¡) lo mas
bajo posibie (idealmente 0), impedancia de salida (z') lo mas bajo posible
(idealmente 0), el amplificador se representa por un circuito equivalente de
Thevenin en el circuito de salida y por uno de Norton en el circuito de entrada, tal
como se indica en [a figura 5.4, en este circuito se establecen las condiciones que
debe reunir para considerarlo ideal.
+
i,l li,-'l _l l+--
z> (óR,i, lro

¿I

Figura 5.4 circuito equivalente del amplificador de transresistencia

En el circuito de salida:
R,i,:ioZo*ioRr-
La tensión de salida resulta:
r¡:iR
to ^o,*L
De la ecuación de la malla de salida se despeja la corriente io''
R'i'
ito: 7-o
-r.f\r
l-^ L
-o
Remplazando.la corriente del circuito de salida en la ecuac¡ón de la tensión
sobre la carga resulta:
.R"i -,
\' o- ^-f't R,L
7+R
"o ^'L

erEcraóNrca (R.o.c. / .s.v.L.j cAP.5-7

 :, .,. - .,¡, ..=ili'jli.,l.:, , _., ,:.r..
,. '::'
C¡.PIruf.O V : ¡¡@LI9ICADOR3S RLALI}jE}fl!¡DOS

' Para que ,lar tensión de salida (vo) sea igual a la tensión dei generador
controlado (R.i¡) se debe cumpl¡r cualquiera de tas siquientes cons¡deraciones:
:'. .' : ':
' 1. Que Zo sea iguai a cero, por lo tanto vo:R,ii
',2. que R¡ sed muy grande, es decir de valor co o c¡rcuito abierto, por lo
. tanto vo:Rrii
3. Que R¡))Ze por lo tanto vo:Rrii

En el circuito del nodo de entrada:

;-Vl*V;
5ñ
K.5l L.
La corriente en,la entrada del circuito equivalente del amplificador resulta:
.V;
'zi
' l:
-
-

De la ecuación de! nodo de entrada se despeja la tensión v¡.

V':-
i.R.z, R.Z,
' R.+2, -7 V':--i-
' r
Rr+Z,
Remplazando la tensión del circuito de entrada del circuito equivalente del
amplificador resulta:
:_RrZ, . 1 ,:_. R. :
' Rr*Z, ' Z, ' Rr*Z,
l:--I-
-
---7 l:--
5

(ii) del circuito equ¡valente cjel amplificador

Para que la corriente de entrada
-t-
sea igual a la corriente del generador de excitación sr' dphp rrrmnlir rrralcruiera de
las siguientes consideraciones:

1. Que R" sea muy grande , es decir de valor co o circuito abierto, por lo
tanto ir:i,
2. Que Z¡ s€d igual a cero por lo tanto i¡:i,
3. Que R, >> Z¡ por lo t¿nto ii:i,
Si se cumplen las condiciones anotadas en el circuito de salida y entrada en
el amplificador de transresistencia se logra la condición ideal es decir que:
1/
ñ
t(_:
.; -,s
De lo expuesto resumiremos las condiciones que se debe cumplir para tener
un amplificador de transresistencia ideal con el parámetro de transferencia (P.r) lo
más grande posible:

)) Zi, Zi=O ó Rr=oc

srncrRóNrcA (R.o.c. /
CAP.5-8
 . , CaPITI'LOV:AI@I,IFICADORESF¡ALI¡'ENTADOS

Condiciones de un Amplifícador fdeal'

¡
Tipo de Amplifióador
Parámetro
Tensión Corriente Transconductancia Transresistencia
7i 0 0

zo 0 @ 0
1t t
.¿-\: - -I u,--
^ --o R -'o
Transferencia " tt
s s

A m p t ífica do r Rea Í im e nta do

para aproximarnos a las condiciones ideales de los amplificadores, se utiliza
la realimentación negativa (degenerativa), en la 'realimentación se realizan dos
pro*ár básicos ,.el ei tratarñiento de la señal de tos amplificadores, estos
procesos son:

. Muestreó en el circuito de salida (de toda la señal o parte de ella), para

conducirla por medio de una red pasiva o activa a la entrada'
. Comparación en e[ circuito de entrada entre la señal muestreada y la

de excitación por medio de una red pasiva o activa a la entrada'

para
Se dice que un amplificador tiene realimentación negativa cuando
entrada es tal
cualquier incremento de la señal de salida, la realimentacióh hacia'lá
'.
que tiende . prouoiárlá áit*inrción de dícha señal de salida t
,t ,

Como todo' amplificador, los amplificadore s realimentados deben

ser
excitados adecuaáam.htu por medio de un generador de tensión
o corriente con
su respectiva impedahc¡á inteiná, así mismo el circuito de salida dei amplificador
de este
básico debe desarrollar su energía en un elemento de cargq, a,ün's!¡tem9
tipo se agrega lo5'dos pto..tót de toma de muesttu,?n,91 tif:Y'.to,de.salida'
para
iónoucc¡ó"n dÉ ta-;eñal muestieada por medio de una r9d {9 realimentación
É ;ñ;;ración corres'poiidiente con la señal dé e¡citqpjó1-en el 'circuito de
enkadj, tal como s9 múestra en-el d,iagrama en bloquet ¿s la fisyra 5,5'
...' I -

De todas maneras la estructura básica de un amptificador se repite

'decir generador de
adecuadamente en los amp!!ficadores realimentados es
excitación, amplificador,y carga, por esta característlca todos,!91 ¡mpt¡ficadores
método
realimentados o no se desarrollan por medio de la teoría de los cadripolos,
que también utilizaremos en este caso.

+!,- ¡
',-.i."t ,1,
'i
r

.. t:i r.', ''j:l

cAP.$'9

:,.'..,,',.i ,,
.,. '., ,
.-.i .r.,:...::-;.:-" ..-,-
 ', t
I ...,,, , . ' - ' 'tl
"
CAPIT{'I¡ V : T¡€I.IFIC¡DORES RE¡¡II€}{IADOS

Figura 5.5 Diagrama en bloques de un ampiific¡dor realimentado

Todos los amplificadores realimentados deben satisfacer

cuatro condiciones
dichos ampl¡ficadores'
fundamentales paia'permitir el análisis y síntesis de
1. La señal de entrada se trensmite a !a s¿lida a través det antplificador
B.
básico A y no a través de ta red de realimentación
Z. tu- rénuf de realimentación se transmite deyla salida a la entrada
por el amplificador
únicamánte a través red de reallmentación B no
básico A.
3. El factor de transferencia directa del amplificador básico
A dePende de
Zo, carga
la impedancia de entrada Z¡, saiida de la red de realimentación
Rr- Y de la fuente R.'.
. 4. Et factor de transferencia inversa de la red de realimentación B es
y
inO*p*Oiunte de la resistencia de carga la fuente (Rr R')'
de Y

Estas cuatro condiciones quedaran dernostradas cuando

se trate los métodos
de los amplificadores realimentadoi por medio de la teo.ría de .cuadripolos, los
así

mismo a estas cuatro reglas se conoce comc unílateralización de

amplincadores. Describiremos resumidamente cada uno
de los componentes del
arn plificaCor rea li mentado :

. Generador de excitación. Generalmente es un transcjuctor que

resisiencia (Rt)
representa un generadcr de tensión (vu) en serie con una
de valor reducl"do, ó un generador de corriente (i') en
paralelo con una
resistencia (Rr) de valor elevacjo
n Red ¿uioÁpuració¡t. Generaimente es una red pasiva pero también se
puedg utiiizar ufl3 I€d aciva como pcr ejemolo" un ani.plificador
dirérenc'Él; Já .o*paración se reaiiza en dos modos:
en paralelo o en
serie. En paralelo (nodo o corriente) de corriente o tensión depencliendo

slsctRó'NlcA (R.o.c. / H-M.L') cl..\ P.5- I 0

 , C.APITUT.O v : A¡'ÍPLIFICADORES R

del circuito de muestreo,,En serie (malla o tensión) de tensión o corriente

dependien4ónOet circuito {q,grulFttf;oi,. .;. -:;..^ ¡,.,, .:, ,
;..,..
. Amplifícadór básico,' Reiiresentá' ún amplificador de' una o barias
etapas con transistores unipolares, bipolares o con circuitos integrados
en cualquiera de ,las cuatro estructuras, de tensión, corrientes,
transconductancia y'transresistencia, con sus respectivas impedancias de
entrada y salida.
, Red de realimentación Generalmente es una red pasiva pero también
se puede utilizar una red activa en cualquiera de las cuatro estructuras,
de tensión, corrientes, transconductancia y transresistencia, con sus
respectivas impedancias de entrada y salida.
. Red de .ií'uestreo. -'Generaimente es: una red pasiva y toma una
muestia. de la señal de salida en cualquiera de las dos siguientes
estructuras: en paralelo, nudo ó derivación en este caso se toma muestra
de tensién de la salida, en serie ó malla en este caso se toma muestra de
la corriente de salida. ' '' '

. Cargá.,;Gqneralmente es un transductor sobre el que se desarrolla la

energla del amPlificador.

La realimeniqción negativa se utiliza para optimizar los parámetros de los

amplificadoi'es y aproximarlos a las condiciones ideales:

. La ganancia es relativamente independiente de las variaciones de los

parámetros de los componentes activos (estabiliza los cambios debido a
las tensiones de la fuente de alimentación) a causa dg las variaciones
que sufren las cáiacterísticas del transistor al varlar el punto de trabajo
en continua ó variaciones de la temperatura'
. Las impedancias de entrada y salida se aproximan a las condiciones
ideales de ,los amplificadores, es decir que se puede controlar dichas
imnorlanr-ias
,r ¡ ¡vese'

. Se mejora la respuesta en frecuencia de los amplificadores"ampliando

' . ,4. .., '
el
ancho de banda. l

. Reduce el.efecto de señales indeseadas o parásitás,cómo et zumbido de

la fuente de'a[imentación (debido al poco filtrado)' .;- ,,-, .,,
. Reduce ta:distorsión''(relación no lineal entre la.entrada y salida para
señales fuertes), ": '

Todas las mejoras del amplificador se obtieneni en OesmeOro de la

transferencia o amfi'if,rcac¡ó.n, es detir que en los ámplificadgres realimentados se
obtiene la mejora ¿e los parámetro5 por el efecto de reducción de la ganancia total
del amplificador. Esta desventaja se la compensa . 9on ". !o¡ ,.amPlificadores
multietapa, obteniendo una mayor ganancia y luego realinrentándola, para mejorar
los otros parámetros del j..4..; amptificador. tri..
_,.,-
,a.- -_ .

Ecuación de tra nsfeien'cia con realímentatlón:

cAP.5-ll
 I1' : '" ': CAPITIIÍ¡ V : A}ELIFICADORES i¡AI,I}GN]IADOS

I'Lot amplificadores realimentados tienen, una ecuación', de transferencia

s.nurui-¡ndóftieniá¡áá,ttipá'oá !ómá'de' muestra en el circuito' de salida y
éo*puru.ión"en el circuito de entrada. Detallaremos el método de análisis y
deducción que se debe seguir para obtener dicha ecuación de transferencia, para
lo que utilizaremos e! circuito general most¡'ado en la figura 5'6.
Arnplificador Realimentado Ai
Amplihcador Xo:Arxs
Basico

xf:Bxo i:-.lpd d;li - x"

' Figura 5.6 Diagrarna de un amplificador realimentado

En el .rqu"*u'de la figura 5.6 se utiliza !a siguiente nomenclatura para

representar las señales del am[tificador realimentado:

xs señdl de entrada al amplificadcr realimentado

x¡señal de entrada al amplificador básico (sin realimentación)
x¡ señal de realimentación
x¿ señal diferencia, QU€ significa X¿ = X¡ = Xs-Xr
xo señal de salida
es:
Las ecuaciones de transferencia en el amplificador realimentado
A Amplificador básico, que representa la siguiente relación'
^=:
B Red de realimentación, que representa la siguiente relación, B=:
.\o

Ar Amplificador realimentado, que representa la siguiente relación: o,=:

Tomando como referencia un amplificador realimentado deduciremos la
De la
ecuación de transferencia en base a las definiciones dadas anteriormente.
transferencia del amplificadoi' reallnientado se tiene:
A-U x
XS

De la definición para la señal diferencia se tiene:

xd:xi:xs -xf
De esta ecuación se obtiene la señal (xr) de entrada al amplificador
realimentado.
Iv
Ar-.ti '^f
Reemiltazando en la relación de transferencia del arnpiificador reaiimentado
se tiene:

(R.O.C. / H-M.L.)
EaECTRONTCA
cAP-i- i l
 .'¡*+:. i..:f,,i;¡1i-;: :''';i: ?1, .:,.,t¡.:1 ,;," .t,.t;.¡ffi1'l. ,:T,-!'ri,.... '
CEPITUI,O V" : AMPLiFICADORES REALIMEMTADOS

xo
a:Xo:
nf . -.---"---l-:.- -. .. : l
, X-s :¡._tr,. , .,!,;::í,il .',;.¡-;. ¡ :.¡*,.
:¡T:\t.'
'. ,.;'¡=: :; : liii*if::i i'=-:-" - -

En esta ecuacién'dividierido numerador y denominador por la señal del

amplificador básico se t¡ene:
x:

o,:"*ien A. 4..
el segundo termino del denom¡nuOor. div. y mult. por xo
___L -:- ____L

X,ll X.

xo
X, ,tt '
^
._'i.
' x, xrX^
xi Xo x,
Identificando cada uno de los cocientes se tiene: ;

A
A-r:
r\.._-_-.-..:.'"-
¡ 1'TlA
I -rIl¡\ :

Esta es la,'écuación general para los amplificadores realimentados, el cual

nos indica que,'la,,:ganancia obtenida (Ar) de un. amplificadgr real¡mentado
negativamente siempre es menor que la gananc¡a (A) del amplificador básico en
todos los casos.
.:
Los parámetros'de la ecuación general de los amplificadores realimentados
(Ar, A, B) se identifican de la siguiente manera:
''
.' . " ,i
AmplÍficador Básíco. El amplificador básico puede ser de cuatro ciases.
. :1. -'

'4..:
n
,

Amolificador de tensión': ^ -vo

^u----l
,:.: . I , ,.vi. ,
'.;l':'-"i¡
'I- ]:' '..
. Arflpliftcadorde'corrlente:
,;t
[,
, | -f9?: .
'li.'',,
:l

.' -.
. -.''-'.',-.- -.- ': ; '
..,., 'l:,l--:
. Amolificador de transconductancia: --.

..
' v'
. Amplificador de
,' . r .
transresistencia: tR,::tti
'...: ]
Las cuatro r.eiáciones antei¡ores se los representarán por Á como relación
de transferencia del"amplificador básico en la ecuación generai.

cAP.s-13

]-
 . Realimentación de iensión
-v : ' B":Il
..-|.:'......','.".j,i'...,.'..'.'-:''j'..,.,-...,1....-..."o...' :',. '-i..'
: - :J_;:: : ,:-.ti ..'t1" ':..:'. ;.i .:: .':r.'. l-; "
. Realimentación Je corriente:
lo

q Realimentación de transresistencia: B,:Is-

:, 1,

Realimentaclóndetransconductancia' tr:t ;

Las cuatro relac¡ones anteriores se los representan generalmente como B

relación de transferencia de la i-ed de ¡-ealimentación en la ecuación general.
'',i, .

Amplificador realímentado. Puede también ser representado por cuatro clases. :

. Amplificador de tensión
.
i ,a
r1.{-
vo

.. 1.. ' , V,

. Ampiifigador de
,!

corriente: A,,=i
.,
'
i
. Amplificador de transconductancia: G*:!\',
,
. Amplificador de transresistencia: R.,:5
" i.
Las cuatro relaciones anieriores se los representa generalmente corT'lo Ar
relación de transferenc¡a del amplificador realimentado en la ecuación general.
En la ecuac¡ón general de ios amplificadores realimentados se cumple
también las siguientes relaciones y definicíones:

Si lArl<lAl se cjenomina reaiimentación negativa

S¡ lArl>lAl se denomina realirnentación positiva ,

Ganancia de lazo. Se define como ganancia de lazo al siguiente productor X6 s€

multiplica por A al pasar por el amplificador, por B al pasar por la red de
realimentación y por -1 en el comparador l-A*B).

Diferencia de retorno. La diferencia entre la unidad y la ganancia de lazo se

denomina diferencia de retorno.(D)

D=1-(-AB)
D=1+AB
N:dB:roc"! l\lA :ro,oo
i
l-l-l
li+ABl

ELEc?RcNrcA (¡..o.c. / H.M.L.)

CA P.5.I1
 .. - .'r': ^.
. ; ' ... ,1 , ','. ..1 -

CA.PITT'LO V : AMPLI¡ICADORTS REATT},€NTADOS

Rp = N(+)
RN=N(-) . .',..,¡. ,' ., ,- -. ."-.:'.,..,:..-,::- .,, ..,:..
.r: l. ": ..,
-

Como se indico las mejoras . en el amplificador i'ealimentado se obtienen en

desmedro de la transferencia o amplif¡cación, reduciendo la ganancia en el valor de la
diferencia de retorno tal como se dedujo de la ecuación de transferencia de un sistema
realimentado negativamente. En,el mismo valor (la diferencia de retorno) se mejoran
los otros parámetros del amplificador conlo ser las impedancias de entrada y salida, la
respuesta en frecuencia, el ancho de banda, las distorsiones, etc. Esta afirmación
deberá ser probada de la misma manera que la ecuación de transfei'encia por medio de
las topologías circuitales de los amplificadores realimentados los procesos de y
muestreo y comparac'¡ón. Entretanto tomaremos corno hipótesis las mejoras en los
parámetros de los ampliflcadbres, los detalles para cada caso se muestran en el cuadro
de la figura 5.7.

Tipo de realimentación'
Señal o
relación Tensión en Corriente en Corriente en Tensión en
'serie paralelo serie paralelo
Xo tensron Corriente Corriente lensron
Xr, Xr, & lenston Corriente lensron Corriente
n - lo l^ .Ñ,-l-
=-9 n,-:- -Vo
.I ¡
I
ti

rl
n-I h- 'f R- o R -'f
B
' "o lo
.l
l. . vo
A'
^ -vo -l-R
^,r-* a A_U
iA . -vo- R,
Ar ': i,
ñ.¡l-*-
l+B,Ai ^"- ¡' - 1*g&

| '-
,t.2, Zo:2,(l+B,Gr)
Ztr 7 =7
.-rf ll+Rlr'' A'v \/
"r \'
'ir l+B;Ai

.7 ^, - . ''Zo
I- ^r - Z,r=2,(l+8,A,) 2.,=7,.(1+B,G r), 7-Zo
", l+8.A"
--::-
...';'.:;
L^t
. ":- .l+BgR,
-'l-

Figura 5.7 Parámétros de los amplificador realiüeritado

La mejora de los:parámetros del amplif,rcador dependen de los dos procesos que

se definió en los ampliflcadores realimentados, es dec¡r el de lgma de muestra en el
circuito de salida y el de comparación en el circuito de entrada, puesto que estos se
pueden realizar en :serie" ó : paralelo, combinando los p;ocesos menclonados se
establecen cuatro estructuras básicas para las topologías de la realimentación.
_
. ,.j:." : |_ ,...

Para el anál'rsig:y Seducción de las ecuaciones que goDrernan

j ' j ! |
ias diferentes
¡ i.^ | r¡ : i i r" . ' ' .';
topologtas 0e los ampltttcaoores'realr.mentaoos/ uülrzaremos los conceptos establec¡dos

ELECTRONICA
.AD q-1E
 ,,, r,' ¡,.:.jr"l.rt,.. ¡ '...''t,
.,'.'í,. , .' jt.'.,'i:,, ,,,,i¡i;, r,-,i,.ii !-¡lr,;rL. "

t -
.' 'lt.- : .,,, , ,.,.i.t . ,: -.''
en la teoría de'cuadripolog de la materia de redes, tqnto para el amplificador básico
como para la reO dé realimentación estarán represenüdos por ur.¡'cuadripolo como así
el.conjunJo d-el'áfnpl¡ncdq.oirealimentadg,eue tonlfld¡a',rqf 'cuadripoto del amplificador
básico,:como"al cuadripolif oe la red de' realim'entaCión;"tal'como se-muestra en el
diagra.ma.enb|oqueSreDreSentadoen|afigurá5'5..'.'
'".....,,',]''..'''.',.'..i
Para el. arnplifiCEd'ér, básico como para la red,d.9 ¡gali1neptgción se pueden tomar
los circuitos eguivalentés. a parámetros resistivos (z); pqrámetros, de admitancia (y) ó a
parámetros híbridos (h)'desarrollados para los t¡:ansisto¡.es u otros elementos activos,
solo se debrj'tener gqida-do en la definición de los parámetiqs en el momento de
establecer ei equivalente en cada caso. También se puedé definir los circuitos
eq'uivalentes desdq el punto de vista de Thevenin, Norton o uná combinación de ambos
teorías; :',, , ,' ':,,j

Topologías de los Circuitog Reatimentados '' - , . '

Los proceso de toma de muestra en el circuito de salita y el proceso de

.
comparación en"él'¿iróu¡to de entrada son determinantes'para definir'las topologías de
los amplificadores reatimentqdos, también se debg tomar en cuenta los parámetro de
las impedancias de ent¡ada y salida del amplificador básico y e! tipo de amplificador por
ejemplo amplificador' de tensión, en este caso lo que se quiere es diseñar un
amplificador de tensión que tenga las impedancias de entrada !a mas alta posible y de
salida la mas baja posible. Todos recordaran de la materia de redes que para disminuir
impedancias, ,estas se deben conectar en paralelo y para aumentar se deben conectar
en serie, de este análisis sencillo queda definido que la topología del amplificador
realimentado debe ser toma de muestra en paralelo y comparación en serie.

Por los procesos de toma de muestra en el circuito de salita y de comparación en

el circuito de entrada, se nos presentan cuatro topologías - básicas para los
amplifiiadores realimentados, los cuales quedan deflnidos por la toma de muestra en el
circuito de salida y son:
.. :

1. Realimentaciórr de tensión en serie (comparación ser,ie, muestra paralelo)

vr= Bvo
2. Realimentación de corriente en paralelo (comparación paralelo, muestra serie)
ir=Bio
3. Realimentación de corriente en serie (comparación serie, muestra serie)

4. Realimentación de tensión en paralelo , (comparación paralelo, muestra

Paralelo) ir=Bvo

Puesto que los circuitos se pueden conectar de dos maneras (serie ó paralelo),
desarrollaremos en principio dos casos considerados como, generales, los que
corresponden a ia toma'de,muestra y comparación en malla ó serie y toma de muestra
y comparación en nudg ó paralelo, estos modelos nos permitirán'establecer el mércdo

ELECTRONTCA
c¡P.5-15
 CAPITLTLO V : AI€:IFICADORES Rg4LI},€NTADOS

utilizado para y
el análisis diseño de amplificadores realimentaOos, "así mismo
combinando estos dos,modelos.se obtiene las:otras topologías de los amplificadores
-
realimentados, los que'tEhrbién serán expuestos:rñu u.. 'Eit-Éiáo4", '
"i;r;0,;;;;;;:
'Amplifícador de transconductancÍa con realimentación
- - de
corriente en serie (serie - serie)
Por los procesos de muestreo y comparación de esta topología se deduce que los
circuitos equivalentes del amplificador: básico como de la red de'réalimentación son los
que corresponden a aquellos que se mantiene como parámetro independiente a las
corrientes de entrada y safida, por lo que se expresa las tensiones de entrada v salida
como parámeti'os dependientes, resultando el circuito mostrado en la figura 5.8.
,.

Figura 5'8 Circuito de Ia topología de realimentación de corriente gn serie

Esta topología de réátimentación es óptima para mejorar los parámetros de un

amplificador de transconductancia, el muestreo es en série, malla'o de corriente, la
comparación es serie.,,maJla'ó'.de tensión, para los circuitgs.,:de'i los cuadripolos
utilizaremos los parámetros rásiitivos (z) definidos en circuitó abierto, tuf-.onr'iá
muestra en el circuito dé la iigura 5.8.
' I - - r t-.-. . ,',:,.'
. :
'.1
Deducción de la ecuación de transferéncía Á, :
Como se definió la ecuación de transferencia o ganancia de transconductancia
para el circuito realimentado como el cociente de la corriente de salida (io) a la tensión
de entrada (vr): i; .

Gn
r:
v^t- -io-
s¡ v, l+BrG" ,:
.";
li; .' l j

'.," ' ;', "1. -:

Del circuito planteamós¡lás. ecuaciones de malla qn el circr.lito de entráda y en et clrcutto

de salida tesuitando:" l':'' :'
i '', ., -lrr.j
: .:. : t .
i !. '
r

ELECTRO¡I-ICA

cAP.5-17
 -... -.
"
..- ..':,.,.1.'.' "'ti
'.'':l¡"t¿ -
. . ',. -'. = .,'' j1 ' . ";;i'1;'-',, .
:' '. -: ..1.'. :- . f . ,1:;: ;-i.,¡1':lr::,r,i
l" .:, -
. ._.'.:_'
' ,, ',,, c4prryro r, , *-"r"rcADoRES REALDTNTAD.'
,.tt ,
- .,r . .1: ,
a,, -, ,.,,-
:i, ( $; tz. +zib (z^*2.,6) : , . ', "',.
. ..V,
,' '
.._,--.f-.,; )+.io
_..; :
j'
'0:i,(zru*z*)+i"(zou*zob+R,)
,1. 1 .. \_--lv-J

' ':: '

"':''"O
TalcomoSeeSt?b]ecióparalosamplificadoresrea limentados se debe unilateralizar los
circuitos) por esta condición resulta: ,. .

I t t -l
lzt^l>>lZ:nlTransferencia directa solo por el amplificador báslco
'
rltt'
'Transferencia inversa solo por la red de realimentación
.tlr..l>>12,"
rut | ¡al|

Luego las ecuaciones resultan:

vs:irz,*iozro
. ,f j'
u:lizf^-f
^ lozo'' :

De lq.seglnda gcuación despejamos la corriente de entrada (i¡)

: iozo
r -
i -- --------l-

Reemplazamos la gorrient€ i¡ €n la ecuación de la malla de entrada y despejamos

el cociente io a vr.
lozo
vs :li zi tl,: oz- ro:-- --:-:- tr
z- t+ | oz- rb
' zfu
(\ Z^2, I
. I
vr:lo I zru- ---::----:
' \ zru) I

La ganancia de transconductancia del circuito realimentado resulta:

U-.f :-:-
r^ 1

.' sr v-5 7
z^2,
---:----:-
.i,i.'
"rb
Z.^
Zfu
' En esta ecuación tomamos como factor común el segundo termino del
denominador y real¡zamcs exlremos y med¡os resultando:
zf^
-
io zoz¡
V^r-- - -
-^./\ vs
I+ [2,¡
l-:
I
lz,u
\ zoz¡ )
En esta ecuación se ve que el termino del numerador ó el termino entre
paréntesis del denominador representa la ecuación de transferenc¡a o ganancia del
amplificador básico, al que se le agrego la impedancia de entrada y sal¡da de la red de
real¡mentación como también la resistencia del generador de excitación y la resistencia
de carga tal,como -se estableció al momento de definir la unilaterálización del circuito,
resultando i :.-.
, ;

'.:l

er,scrRóNlcA
cAP.5-18
, : 'j

e ' 'i:'l'
 CAPITI'IO 1' : AIPI-IFICADOR.ES REAII}€IITADOS

/- -lo - zfu
u.---- ".
I v' . zo1¡
l7
G* : - :- '- * un
Lir t Lc^

vi z¿zi
(zou*zoo+RL XR, *z,u*z¡6)
De los parámetros que participan en la ecuación detallada de transferencia del
amplificador básico quedara establecido el método de cálculo para los amplificadores
realimentados. Por otra parte en la ecuación de transferencia ganancia del o
amplificador realimentado el termino (2.6) en el denominador de la ecuación representa
la transferencia inversa de la red de reai¡mentación tal como se estableció al momento
de definir la unilateralización del circuito, por lo que la ecuación de B,. queda definido tal
como se calcula el pa¡ámetro z16 en los circuitos equiValentes del transistor o en los
parámetros de los cuadripolos:
V.
Br: .! :zrb '
lo

Del análisis realizado se verifica que la ecuación de transferencia de los sistemas

realimentados queda definido por la nueva deducción como:
G* i,.
- g¡ V, l+B,G"
--r:-:-

| 7 _ Vr
Donde: G*:*:-:':
- Y B,:
' ,t:r,,
vi zozi lo
Los cuales s€j .pueden calcular independientemente siguiendo la metodología
establecida.

Deduccíón de Ia impedancia de entrada Z¡¡

i
:j,.,

Definimos la impedancia de entrada del amplificador realimentado como el

coc¡ente de la tensión (vr) de excitación a la corriente de entrada'(i¡).en el circuito
\/
"if
It
' :-i:;

Del circuito planteamos las ecúaciones:

v,:i,( R, *z,u +z;j)+i" (z^+za)
z, ...'
-.Y-- .:.' -

0:i, (zr" +zo )+io (zo"izoo*R. )

..!-:-J
'' , .-o
'.
Tal como se estabtetió para ios amplificadores realimentados. se debe unilateralizar los
circuitos, por esta condicrón résulta:
,

lt,n ltt lz* lfransferencia

,1.,:",'.
directa solo por el amplificador básiio
---. ,
I r r.. | _j

lt,o ltt lz- | rransferé¡$ ¡nverig s9!o bor'ia ied de realimentacióñ,,

',,

EITCTRONICA
cAP.5-19
 1
:i:; jl' ' ,.i.;
"1-'
i:,.- i. :''
.' 1., . - :.j ,l
'. a.' .: .a
_
:l- -r'l

Luego las ecuaciones resultan:

i1v.:l'zi*|oZ,b.:-...'' ; l: ""1'
""0:irz^+ioZ'o: : "
:¡ t'l,t- ' ' "'' 'i ti ''-' ', ' '^'
'''': ll ''

De la segunda ecuación despejamos la tensión de salida (io)

l,z,^
lo:-..-
.2,
Reemplazamos la corr¡ente ¡o en la ecuación de la malla de entrada y
despejamos el cociente v, a i¡:
:-
t;Lr" \
(
rr :r'7 -i-r 7 :t't * z I| --.1----a I
I
's ^i-i l -rbl I

\2.)
\vt

t;\
l-l
. I LF.
vr:li I zi- zr,o-:- I

r7l -ol
|

\
La impedancia de entrada resulta:
t'u
7 :t'-t -,
li zo
Sacamos factor común z¡ resulta:
ft:\ zro
Z,r:z¡l1- t,o I
I

\ zoz¡ )
De manera similar que en la ecuación de transferencia resulta:
t\ zf^
un:-- Br:zrb
" tot, Y
Por Io tanto la ecuación de la impedancia de entrada queda:
^ /. \
Z,r:zi U+GgB, J

Reemplazando el valor de zi se tiene:

Z,r: (R, iz,u*z,b¡(f +Crn, )
En esta ecuación se ve que el termino del primer paréntesis representa la
impedancia de entrada del amplificado básico al que se agrego la impedancia de
entrada de la red de realimentación como también la resistencia del generador de
excitación y todo esto afectado por el mismo factor en que fue reducido la ecuación Ce
transferencia del amplificador real¡mentado, además la ecuación de Z¡r nos muestra qut
es mucho mayor que la impedancia de entrada que la del amplificador básico (z¡") con
lo que se demuestra que esta topología mejora este parámetro, quedando probado io
que se anoto para esta topología en el cuadro de la figura 5.7.

Deduccíón de ta impedancia de salida Zor

l.

En Ia materia de circuitos quedo establecido, que para obtener la impedancia de

salida se debe reemplazar la resistencia de carga (R¡) por una fuente de tensión V que

ELEcrRoNrcA
c¿P.5-zo
 --'t",i' \,.:'t..; ..1,' ;_i
., ,
!
.:
.

,. CAPITITLO V : AMPLIFICADORES P-CA].I}€NTADOS

|

entregue una corriente conocida I, además se debe remplazar la fuente de excitación

(v,=0) por su impedan.cia interna (R:),.!il c.on? indicg en la figura 5.9
le :,. ";

Figura 5.9 C¡icuito de la topología de realimentación de corriente en serie para el catculo de Z.¡

Definimos la impedancia de salida del amplificador realimentado como el cociente

de la tensión (V) de excitación en el circuito de salida a la corriente (I) que entrega el
generador que sustituye a R¡ €r-r el circuito

Lof-
vli
t O Iof-- -;

Del circuito planteamos las ecuaciones:

0:i, ( R, *z,uiz,o )+i(2," *.*)
Y:i (2. , -,5,/Tl{.
' .r \-ta *2. \=Tl z *z . \
:{:g)
zo

Tal como se estableció para los amplificadores realimentadosise debe unilateralizar los
circuitos, por esta condición resulta: :.' .
tt--tr--.
ltr" ltt
lz* ltransferencia'directa solo por el amplificador básico
I r- - | | - ; .' .
lz*l>>lz,^l Transferencia inversa solo por la red de realimentación
.. .

Luego las ecuaciones resultan:

0:i,2, *Iz,a ' l',
";' ,

Y:i z
Y -ri¿ta +Ih
r I--o

De la primera ecuáción despejamos la corriente de entrada (ii)

' ':'':
. f-IZ,^ "
'

i -- ---i9- _ . '.,,, t ,' , ' ,, .1. ..

' zi
'..,'
Reemplazamoq la'corrienté i¡ en la ecuación de nodos de la salida y despejamos
el cocienteVal: : : .
!t- i

ELECTRONICA
cAP.5-21
 . . :::,:. J,,.. .

C¡PITIII,o V : AUPLIFTCADORES REALIMENTaDoS

rz,r" '
; V:i¡zru*Izo:-1zailz
..,.i'.-'.j,::,:.Zi:i.l....o,,.-...,l.:.'.'.l:,]...'
:... ,/ Z,^ \ 'i :
".r.
,V:I | ."- atr^ I

[ " z¡ ''" ) |

La impedancia de salida resulta:

Lof
V: z^
:T:Zo---
IZ, -Zr^
Sacamos factor común zo y ordenamos la ecuación resultando:
./\IZ,^l
- l--+z*
Zor:zol |

\ zoz, -,,,"-'.)
De mangra sim¡lar que en la ecuación de transferencia resulta:

ur:-li
- Y B,:2,¡
zoZ¡
Por lo tanto la'ecuación de la impedancia de salida quedáa
t.
Zor:zo (1+GeB, )
Reemplazando el valor de zo se t¡ene:
Z or : (, oo*t oo) ( r +C* n,
)
En esta ecuación se ve que el pr¡mer paréntesis del segundo miembro representa
la impedancia de salida del amplificado básico al que se agrego la impedancia de salida
de Ia red de realimentación y todo esto afectado por el mismo factor en que fue
reducido la
ecuación de transferencia del amplificador realimentado, además la
ecuación de 7or nos muestra que es mucho mayor que la impedancia de salida que la
del amplificador básico (zo") con lo que se demuestra que esta topología mejora este
parámetro, quedando demostrado lo que se anoto para esta topología en el cuadro de
la ftqura 5.7.

Amplíficador de transresistencia con realimentación de tensión en

paralelo (paralelo paralelo)
Por los procesos de muestreo y comparación de esta topología se deduce que los
circuitos equivalentes del amplificador básico como de la red de realimentación son los
que corresponden a aquellos que se mantiene como parámetro independiente a las
tensiones de entrada y salida, poÍ lo que se expresa las corrientes de entrada y salida
como parámetros dependientes, resultando el circuito mostrado en la figura 5.10. Esta
topología de realimentación es óptima para mejorar los parámetros de un amplificador
de transresistencia, el muestreo es en paralelo, nudo o de tensión, la comparación es
en paralelo; nudo o de corriente, para los circuitos de los cuadripolos utilizaremos lcs
parámetros de a.d¡nitancia (y) def¡nidos. en cortocircuito, tal como se muestra en el
circuito de la fiaura S.f O.
-j

¡'ecrnóNrcA
cAp.5-22
 Figura 5.10 Círcuito de la topología de realimentación de tensión en paralelo

Deduccíón de la ecuación de transferencí€I A¡ ..

Como se definió la ecuación de transferencia o gananc¡a de transresistencia para

el circuito real¡mentado como el cociente de la tensión de salida (vo) a la corriente de
entrada (ir):
n R,
r\_.
" --Vo
-i,
-
I+B"R,
Del circuito planteamos las ecuaciones de nodo en el circuito de entrada y'Ln el
circuito de salida resultando:

ir:r,, ( g, -) * +y,u ¡+r'o ()'. +Y,u )

i',

0=,, (y,. *\',o )-i-¡,to ( )'oo *yoo *G' ) l

,\\;, ll,
--: ,t . Y-" . t, .
Tal como se estableció para los amplificadores realimentadosise dbbe unilateralizar los
circuitos, por esta condiciÓn resulta: ,

l"^fal-
l>>l,r - l--- -E-----:-
- rblTransferencia r:---ia snlo nnr el amnli
directa solo por amplificador básico
lr tJ
lv.,lttlv-
lr rb I l.t ra | r.unsierencia inversa solo
por la red de reaiimentación
Luego las ecuaciones resultan:
i:vv*v
's 'tJt' 'oYrb..:
' t
0:u, Y,¡ *vo Yo ,, .'. , ...

De la segunda écuáción despejamos la corriente de entradi (v¡)

ELECTRONICA
cep. s-z:
 ,:i,r l i
r-"
cApIrulo v : ¡¡tplrFIc¿DoRES n¡¡¡.n¡gNTADOS

ecuac¡ón del,nodo de entrada y despejamos el

.,'.'-'.
:i ':!'
.
!1..- - _
' "-:'
:,r , '
l
-'
' +-_'

i,:vo ( ,,r-&¿-l
yr^,)
\_
La ganancia de transres¡stencia del circuito realimentado resulta:
VI
'o
P_ - -
" i, YoY¡
Jrb__
v^
Jla

ecuació-n tomamos como factor común el segundo termino del

En esta
denominador reallzamog extremos y med¡os resultando:. '
y
yn
n J O¿
-vo -
Ñtr --:--
r_.\ |

ts
r+ l-á
\ /
Iv*
Y"Yr
En esta ecuac¡ón se ve que el termino del numerador: ó el termino entre
paréntesis del denominador representa la ecuación de transferencia o ganancia del
amplif¡cador básico, al que se le agrego la admitancia de entrada y salida de la red de
real¡mentación como también la admitancia del generador de excitación y Ia carga tal
como se estableció al momento de definir Ia unilateralización del circuito, resultando:
T) _
vv^
O_ Jla

li YoY¡
a1.

- -f
i; yoyi - -r +GL XG, +y,u *y,o )
(yoo *yoo
De los parámetros que participan en la ecuación detallada de transferencia del
arrlplificador básico quedara establecido el método de cálculo para los amplificadores
real¡mentados.

Por otra paÉe en la ecuac¡ón de transferenc¡a o ganancia del amplificador

realimentado el termino (yru) en el denominador de la ecuación representa la
transferencia inversa de la red de realimentación tal como se estableció al momento de
definir la unilateralización del circuito, por lo que la ecuación de Bn queda definido tal
como se calcula el parámetro yr¡ en los circuitos equivalentes del transistor o en los
parámetros de ios cuadripolos:
;
B_:!:\,-.
I Jro
V
lo

Br.¡craóNrca
 -,:. ¡ il ;''1,.':¡.:..---r":1.','
i'11'.. -':;', ¡'
.-,j. .i t :1 ' :i".
' '
.',t' -'

..'-
Del análisis realizadc:se verifica que la ecuac¡ón de transferencia de los sistemas
real¡mentados que{a
t Ce¡¡iOo-
por la nueva deducción ,.
"i.l¡--;'ir'.'-,. : como: : B
-.-., V 'O';1.1:'.
,, ."., :'.f;,.'1'l ..-',,.".;,'-*'.r¡.. ,',.'i
q_: 'o - 'tr1-
i, trB"Ri.
v^ Y' i,
. .

r td :y,o
DOnde: R,: .g =- y Br:f
l, YoY' vo
Los cuales se pueden calcular independientemente siguiendo la metodología
establecida

Deducción de la impedancia de entrada Zir , ,

li-."
Definimos la . imi2edahcia de entrada ,del ampilf¡cador.irealimentado como el
coc¡ente de la tensión (v') de excitación a la corr¡ente de entrada (i,) en el circuito
V I

Zn:j'
" i,
'''-'""

,..-
Por la topología iircuítal procederemos al cálculo de la admitanciaide entrada del
amplificado realimentado con la siguiente definición:
:'i
l, r :-
t't:{
t,
- - ::i'"
q
Del circuito flanteamos las ecuaciones:
i, ry, (
9,
+h tl,i; )+vo fv, *)',u )
i .." ', ,

0:v, (y,o *y,o )*uo ( yo. -you +GL )

:.,,.t', 1.:_11-¡]
Tal como se estableció para los amplificadores realimentados se debe únilateralizar los
circuitos, por esta condición resulta:

v
 ,',,'..t.;;i'' ;:¡;.:.ii.,,, . I CAPIIIE¡ V : AMPLIFIC¡DO:RES REALIMEÑEADOS

, : _.1 : ......,1, : ",,1.:

.',', -. Yru ':
-.lr:Vi_. fIYi-Yruj-=|: I '
'', \ . :,Yi') '; ..
, :

"'La admitancia de entraóa resulta:

'' .,.r lr --, -. Yru
-
.rif---Ji-Jrul-l-
vi Yo
Sacamos factor común y, resulta:
/,\
t\
Y,i:yi | 1- y,o i 't
t\ vv
J OJ I /
I
,l

De manera similar.que.en la ecuación de transferencia resulta:

V. ^ ¡r"
Rr:--3Y
' vv. Bn:)ru ' : .-:i

J OJ I 1 :'-'
.:;; .1.. .

Por lo tanto la ecuación de la admitancia de entrada queda:

/\'
Yir:Yi (1+R,Bg )
De esta ecuación obtenemos la impedancia de entrada:
r¡
Y( r 1

¿t,r: ,,i\/-:
^s - ^rf

s_
z,f
i, vi (t+n,n* )
De la ecuación determinamos la inversa de y¡ resultdndo z¡:
zi
L:.
I*R,Bg
En esta ecuac¡ón se ve que el termino del numerador representa la impedancia
de entrada del amplificador básico al que se agrego la impedancia de entrada de la red
de rea'limentación como también la resistencia del generador de excitación y todo esto
afectado por el mismo termino en el denominador en que fue reduc¡do la ecuación de
transferencia del amplificador real¡mentado, además la ecuación de Z¡r nos muestra que
es mucho menor que la impedancia de entrada del amplificador básico (z¡") con lo que
se demuestra que esta topología mejora este parámetro, quedando probado lo que se
anoto para esta topología en el cuadro de ia figura 5.7.

Deduccíón de la ímpedancía de salida Zor

En la materia de circuitos quedo establecido que para obtener la impedancia de
salida se debe reemplazar la resistencia de carga (R¡) por una fuente de tensión V que
entregue una corr¡ente conocida I, además se debe remplazar la fuente de excitación
(ir=0, circuito abierto) por su impedancia interna (G'), tal como se indica en la figura
\ tl

ELECTRONICA
c¿P.5-25
 '!.. i -. ; .-: ". .1 -¡,- ;*i.;,,f¡,:- -i,,1¡i:.'i i..u
" i- , -.i'
f':

C.¡.PTTULO V : AMPITFICADORES REALIMENTADOS

;.-"',i'¡',.,i: r:' ¡,.,

".''

Figura 5.11 Circuito de la topología de realimentación de tensión en paralelo para el calculo de Zo¡

Definimos la im'pedancia de salida del amplificador realimentado como el cociente

de la tensión (V) de excitación en el circuito de salida a la corriente (I) Que entrega el
generador que sust¡tuye a R¡ €ñ el circuito
j' l l
'7 ,',,,
-V O I^r,----- -
Lof--l
I "' ,Zoi V
Del circuito planteamos las ecuacionesl
o:, ( *)',u *),,0 )+v(l', *),,u )
9,
:::
I:v,(y,.^ +y,o )+V( y* *),ou )
r;-
Tal como se estableció para los amplificadores realimentados se debe unilateralizar los
circuitos, por esta condicíón resulta:
lv,"l"lv,o Transferencia directa solo por el amplificador básico : :

lv. l>>1.,
lJ rol lJ ta Transferencia inversa solo por la red de realimentación
Luego las ecuaciones rejsultan:
0:v, y, +Vy oi t l,l' ,, ., , , .,;, :

'
I:v,yrn*Vyo.t,',,, :,. , I .",,;;
''

De la primera ecuación despejamos

Y
Vv.
J fo
.,
i --

-
Reemplazamos la tensión v¡ efl ia ecuación de nodos de la salida y despejamos el
coc¡ente I a v:
t.
.'; j
..j..

I:v, lJy..^Ia +Vy^

':1 O' .^ _-. ,
y.-
J.la
*.vy.
I J O
=-'YY'u
 :-r.:il .: ...t.- .i ,,r1.-'.: :''
-".'.
V.,i
C¡.PIfl']¡ AMPLIFICADORES REAI¡IME}{IADOS

T v.,,'
Y.r:i:Y"-4Yru
,i' -, /. I ,.;:
-sacamos factor común yo y ordenamos la ecuación resultando:
'/\
\r:y"
I| l--=-+-y,o
y*,-, l
\ YoYr )
¡

De manera simllar que en la ecuación de transferencia resulta:

V.- ' .',i-i'
R,:--3-y B,a-*
É ¿tv
v v.
' J OJ I

Por lo tanto:lá eCuación de la admitancia de salida queda:

\¡ -. /,
Yor:yo R
".fI
\I+^-,-,
De esta ecuac¡ón obtenemos la impedancia de salida:
\/
u^c v¡i\, "1
V1
-or I
u^f
yo (t+n,n, )
De la ecuación determinamos la inversa de yo resultando zo:

7:Zn
"or i+R,B_
Reemplazanio el valor de zo se tiene:

Z^.:-zoo*zob
.7o{ 1+R,B"
En esta ecuac¡ón se ve qu: el termino del numerador del segundo miembro
representa la impedancia de salida del amplificado básico al que se agrego la
impedancia de salida de la red de realimentación y todo esto afectado por el mismo
factor en que fue reducido la ecuac¡ón de transferencia del amplificador realimentado,
además la ecuación de Zo¡ nos muestra que es mucho menor que la impedancia de
salida que la del amplificador básico (zo") con lo que se demuestra que esta topología
mejora este parámetro, quedando demostrado lo que'se anoto para esta topología en el
cuadro de la figura5.7.

Amplífícador de tensión con realimentación de tensión en serie

(paralelo - serie)
Esta topología'de realimentación es optima para mejorar, lps parámetros de un
amplificador de tensióh, el proceso de muestréo es en paraleloinudc o de tensión, el

el,scrnóNrcA
cAP.5-28
 CAPITLEO V : AIPLI!'ICADORES

proceso de comparación es serie o malla, para los circuitos de los cuadripolos

utilizaremos el paÉmétro híbridos (h),OenqiOgs en.condiciones dqcircuito abierto y
cortocircuito, puesto <i*é,:esta topoügia: det ciicuito tn¿i¡ói-üt¡n.;J3-15*át¿i=éir*itá
equivalente del transistor.'Además que estamos muy familiarizados en'la deducción de
las ecuaciones de transferencia para el circuito propuesto, el circuito es el mostrado en
la figura 5.12. ',

Figu!-a !.12 Circuito de la topología de realimentación de tensión en serie

Deducción de la ecuación de transferencia A,¡

Como se deiinió'la ganancia de tensión para el circuito realimentado como el
cociente de la tensión de sal¡da (vo) a la tensión de entrada (v,):
1/
.a^ri -'o
V,
Del circuito planteamos ias ecuaciones de malla en el circuito de entrada y de
nodo en el circuito de salida resuitando:

v.s:i ^r\.-s
( R +l- t'
.1,"*h,0.)="o(hru+hru)

i: -

o:i, (h,." +h,¡ )-vo ( +G. )

Ir.j+h;o
. ,.,, ho
, .-, ._i
Tal como se esiablecíó para los amplificadores realimentados se debe unilateralizar los
circuitos, por esta condición resulta:

Itt,.ltt lh,olrransferencia directa solo por el amplifrcador básico

lfr*lttltr,,l rránlr.rá¡.¡u ¡nveiiá soto por ta red de reatimenia.ióñ' '
.
Luego las ecuaciónes resultan:.
vr :i, h. *vo h ro .: .-.
.'..'-
O:i,h¡;
'
*yoh,;'--;1)', '
1
''',
.
.i' -, .-.,,,
,i.:.....,,..,:,)"-:. .l

De Ia segunda ecuación',despejamos la corriente de entradá (i¡)

ELECTRONICA
 ';l ;:t;, -. ;:

: AIÍPIIFICADO:RES REAL!{E}TTADOS
.1,-
i +..:j ; a.:.

' : l_
,\/h.
. v
^¡l^
- jr. I:¡ -- 1.
t

- -:- ta

'ReemplazamoS la cbr:fient€ i¡ e n la ecuación de'la malla de entrada y despejamos

el cociente vo a vs: . "
'

v,:i,h, *voh,u:- +- h,+voh,o

Ire :

(. h^h,)
v,:vo
[n'o- t; J
La ganancia de tensión del circuito realimentado resulta:
n -Vo-l- 1 '
---ul --

hru
En esta ecuación tomamos como fqctor común el segundo termino del
denominadoryrea|izámos-extremosymediosresu|tando:
h
rr fa

A O- hh
'^r'f - /\
t1^\
lh-.
s
1+l- t"u
h"h, ,i (,
En esta ecuación se ve que el termino del numerador ó el termino entre
paréntesis del denominador representa la ecuación de transferencia o ganancia del
amplificador básico, al que se le agrego la impedancia de entrada y salida de la red de
realimentación como también la resistencia del generador de excitación y la resistencia
de carga tal como se estableció al momento de definir la unilateralización del circuito,
resultando:
n -Vo-
.1., --
hru

vi hoh,

_ ¡u h.^ hr"
du
^ --
_ --t. ¡\v
A _
--
nolli +G. xR, +h+h\
(hou *hou
' rrro ^^¡[.,¡

De los parámetros que participan en la ecuación detallad¿I de transferencia del

amplificador básico quedara establecido el método de cálculo para los amplificadores
realimentados.

Por otra parte en la ecuación de transferencia o ganancia del amplificador

realimentado el termino (h,u) en el denominador de la ecuación representa la
transferencia inversa de la red de realimentación tal como se estableció al momento de
definir la unilateralización del circuito, por lo que la ecuación de B, queda definido tal
como se calcula el parámetro h.u en los transistores:

Bu:l:hiú, '

_o V

sr-pcrRóN¡cA
c¡,P. 5-30
 -:iiti+.:l-$¡:i-J;.1ir!,';,,,',':,,' i"l;-iijji,:fffi;|ffii¡i'i"
', i,,i]i i'..,,, ::r''::-' -'' ''1:i*:''.'"' ' '

.-'

Del análisis réali2ádorse verifica oue la ecuación de kansferencia de los sistemas

realimentados queda definido por la nueva deducción como.: ,l ,., ''l', ,''
1, '''"'"'" t' "' -;'' : t.
1"';'"-' ' '': ' ': ":
i - -i Á,li
Arf :-::
u. "'l'
vs l+8,,A'
".1.
:

v- hr- B":j:h,o
Au:].:-;= vr
Donde: y
vr flotrí vo
Los cuales se pueden calcular independientemente siguiendo la .metodotogía
establecida.
.: '.

Deducción de Ia impedancía de entrada Z¡¡

"r:

Definimos la impedancia de entrada del amplificador realimentado como el

cociente de la tensión'(vr) de excitación a la corriente de entrada (i¡) en el circuito
,]
V. I.¡t".-
'7s,:
L¡r-T "
" ii : .'.:r. ..' . '

Del circuito planieamos las ecuaciones:

' vs:i,(Rr+h, fh,;:)+vo(h,'+h,b)

0:i,(h,u+¡*¡+vo'(hou+hob+GL ) ' l

': :;-\-:l--l-:--rr
':.ho
Tal como se estableció.para los:amplificadores' realímentados,se debe unilateralizar los
circuitos, por esta condición'resulta :
lh,o I
ttlh,o lTransferencia directa solo
por el amptificador básico

lft,olttlh.l fransferencia inversa solo por la red de realimentación

despejamos

)-
 CAPITTrI.C v : AMPIIFIC¡DOF-ES F.EAtrIMENIADOS

l.
,
': .

'.''

De manera similai que en la ecuación de transferencia resulta:

. h._ ...-,,; . ..,
A":-;-f-
' hh
vI B..:h-"
v --ro
¡¡or¡i
Por lo tanto la ecuació-n de la impedancia de _e¡trada queda:
, ,)
Zn:h,(l+A"8"
, '

tiene:
.,a.,

ReemplazanOg
z,t:(R,+-h,"+h,o)(t+a"r")
ef'tglor de h¡ se , , , ..,,,,,
'
, ..: .:

En esta ecuación se ve que el termino del primer paréntesis representa la

impedancia de entrada' del amplificado básico a[' que sg agrego la impedancia de
entrada de la red de realimentación como también la resistencia del generador de
excitación y todo esto afectado por el mismo factor en que fue reducido lá ecuación de
transferencia del amplificador realimentado, además la ecuación de Zir nos muestra que
es mucho mayor que [a impedancia de entrada que [a del amplificador básico (h¡") con
lo que se demueslra que e-sta topología mejora este'parámet¡o, quedando demostrado
lo que se anoto para esta topología en el cuadro de la'figura
?.7.
Deducción de Ia impedancia de salida Zo¡ '

En los circuitos para obtener la impedancia de salida se debe reemplazar la

resistencia de carga (R¡) por una fuente de tensión V que entregue una corriente
conocida f,
además se debe remplazar la fuente de excitación (vr=0) por su
impedancia interna (Rr), tal como se indica en la figura 5.13. :

Definimos la impedancia de salida del amplificador realimentado como el cociente

de la tensión (V) de excitáción en el circuito de salida a la corriente (I) que entrega el
generador que sustituye a Rr-€n el circuito
7 -V , \r
Lof--7 O I^r-_---_-l
i"'z"fv
Del circuito planteamos las ecuaciones:
0:i, ( *hJ, )+V(h- +h,o )
$, :h,o
h,

I:i, (h,n +h* )+V( hoo *hoo )

ho

¡r,ecrB.óNrcA
 REALIMENT¡JOS

oi,

Figura 5.13 Circuito de la topotogía de reatimentación de tensión en seriá para el calculo de 4r

Tal como se estableció para los amplificadores realimentados se debe unilateralizar los
circuitos, por esta condición resulta:
l, t r,
lh,. I tt lh,o ltransferencia directa solo por el amplificador básico
r

.'
Itt'olttlh-l rransferencia inversa solo por la red de realimentación
Luego las ecuáciones resultan:
0:i,h, +Vh,u '

T:i h +Vh
r-rirrt" , Y ^^o
De la primera ecuación despejamos la corriente de entrada (i¡),
.li:---,.:Vh.*
h ¡

Reemplazamos la corriente i¡ en la ecuac¡ón de nodos de,la sálida y despejamos

el cociente I a V: ii, ,i '.' .,

l:i,h,o +vh":,, il,h; hr" +vho

n;
( v, ''t",\,
t:Vlho-': 'ohru | ,',_'.
\ n, , )
La admitan.¡u ¿. éulüu rurrlta:
Y"r:
I .'h,^,.
I :;:ho=;!lhu
- v -i,.h,
zor

':.
 I. : :

Ilo

hoo
7 - ---1'--1- *hoo l ..
r-^¡ - ..
'
1+4"B" ,'.
i t t' " '
t
,En esta: ecuación se ve que el termino del numerador representa la impedancia
de salida del amplificado,básico al que se agrego la impedancia de salida de la red de
realimentación y todo esto afectado por el mismo factor en que fue reducido la
ecuación de transferéncia del amplificador realimentado, además la ecuación de Zor nos
muestra que es;mucho,'menor que la impeda¡cia de salida que la del amplificador
básico (ho") con lo 'Que ,se demuestra que esta topología mejora este parámetro,
quedando demostrado lo que se anoto para esta topología en el cuadro de la figura 5.7.
.:
Amplificador de corriente con realimentación de corriente en
paralelo (serie - paralelo)
Esta topología de realimentación es óptima para mejorar los parámetros de un
amplificador de Corriente, el muestreo es en serie malla o de corriente, la comparación
es paralelo o nudo. Para los circuitos equivalentes de los cuadripolos que representan
transistores por ejemplo bipolares utilizaremos el circuito equivalente a parámetros
híbridos (h), tal como se muestra en el circuito de la figura 5.14.
l
Los circuitos equivalentes, a parámetros h fueron muy utilizados en el desarrollo de lcs
amplificadores en los capítulos precedentes por lo que nos presenta una relativa
facilidad en deducir las ecúaciones de transferencia, impedancia de entrada y salida,
como determinar los parámetros h del circuito, así mismo hemos practicado en realizar
transformaciones de tos parámetro y el circuito correspondiente para poder obtener una
topología circuítal que facilite la deducción de las ecuaciones de los amplificadores
realimentados. Por lo expuesto y para permitir que el lector pueda practicar en la
deducción de las ecuaciones correspondientes, solo nos limitáremos a transcribir las
ecuaciones que resulta para el amplificador de corriente realimentado.

ELEcrRoNrcA
. c¡-p.5-34
 Figura 5.14 Circuito de ta topología de realimentación de tensión en serie

lo
^ -
'^rf
t-!.

i
_4_u
-
'^11
-ti

D -^f
i-
-t
lo

v
'75
uii
I
^l

t/ I
7 I
¿-,r____
-'s -
"iY's 'rf
7zl
" l*AiB¡ ,
, -a
'

. Donde la ímpedanqje d" entrada del amplificador básico y la red Ce realimentación se

determina como: ir,- . ,
i' j
7:R-llh
"¡ ^'S ll"¡a llt'
ll"rb .:
'. .

'::
¿^r:-
VII
"' 'I J r^.:-:-
"' Yol7. V
¡l r

V]I
Z^,:L
"' r ó Y^,=
"'7'v ,¡ ,= ^

' "of
Zor:Zo(1+A,B, )':'.-,,
Zot : (zo"+z"o
/ r ,.'.
) (t -a, n, )
1:

Donde la impedancia de salida del amplificador basico y la red de realimentación

determina como: ;,: .,j

EI,ECTRONICA
cAP.5-35
 Figura 5.15 Diagrama en bloques de un amplificador lealimentadó Faso general

-Del desarrollo realizado en los acápites anteriores para la realimentación quedo

establecido que es ¡mportante reconocer la topología del circuito realimentado, el cual
se lo realiza a través de la variable que se muestrea y compara, estos dos procesos nos
obliga'a poner atención en la naturaleza de las interconexiones del generador de
excitación, amplificador básico y Ia red de realimentación. ' ,., I
'
En las figuras 5.8 y 5.12,la topología de los circuitos de entrada (comparación)
tiene claramente carácter de bucle o malla (serie), es decir, el generador de excitación,
el aimplificador básico y la red de realimentación se hallan conectádos en bucle o malla
(serie) por el comparador. En cambio en las figuras 5.10 y 5.I4, la topología de los
circuitos de entrada (comparación) tiene claramente carácter. de nuQo (paralelo), es
decir, el generador de excitación, el amplificador pásico y lq ¡ed de realimentación
comparten un par de nodos común (paralelo)' por el comparador. Al utilizar la
comparación de bucle o serie, normalmente se debe utilizar'generadores equivalentes
de Thévenin tal como se muestra en la figura 5.8, y se utilizan'generadores equivalente
de Norton para la comparación de nudo tal como s€ r¡ss5¡,a en la.figura 5.10, de no
presentarse de estas dos maneras conviene realizar transformaciones en los circuitos
para tener las topologías recomendadas.

De manera análoga, existen dos métodos topológicamente distintos para tomar

muestra de la'séñal a la salida del amplificador. En las figurás 5.8 y 5.14',la topología
det circuito de toma de muestra es de bucle o malla,(:erie o decor-riente) puesto quJla
salida del amplificador básico, la carga y [a red de realimentación.estáh coiiectados en

¿¡'ecrnóNrc¡
, :.' cAp.5-35
 REA¡I},€NT.}¡OS

Es de importancla primordial que se hagan estas identificaciones al princioio de

todo análisis o diseño, por que ias caracierísticas fundamentales del amplificador
realimentado, tales como las impedancias de entrada y de salida, dependen en forma
crítica del tipo de compar.ación y del tipo de muestreo, o de ambos a la vez. La
identificación de la comparación por nucjo o por malla puede efectuarse una vez
identiflcados los terminatés del generador de excitación, las entradas del amplificador
básico y los de é¡tráda de la red de realimentación. Análogamente, podemos
determinar si se ha' utilizado muestreo por nudo o por malla J la salida una vez
hayamos identificado iolterminales de la carga, de la ráf¡ou J.l urplificador básico y
de la salida de la red üq realimentación. tomúdo en cuenta g.;.rJ-d. rá
realimentación mostradb en la figura 5.6 para el proceso'r. "l¡iágr5;.
upiiün lós siguientes
paSOS: ', .,,1-- --
1. Identificar la topología.
- La señal. de.realimentación Xr €s una tensión o una corriente. En otras
palabrasÍ¡-é'9tá'aplicada en serie o en paralelo con la excitación exterior
- La muestrd,de señaI xo es una tensión o una corriente. En otras palabras la
muestra dg.sgñal está tomada del nudo o de la malla de salida.

2. Separar et amplificador básico y ta red de reatimentación Se cjebe

separar el amplificador realimeniado en dos Bloques empleando previamente
la unilateral¡zb'aión de los circuitos equivalentes de cada bioque:
a) el amplificádor básico A ''
b) lareddeiéalimentaciónB' . :, r. ,,
, t::iiiri:..':',:r,,_ .,, . r : ,.-_,.
3. Dibujar el 'Ciiéuilo ¡dé! amplificador básico sin 'réátimentación
_

siguiendo
lassiguientes,rfgias: :...-.-.,,'' ,' , .. ,l',,.;,, ,

Para halla'r.ét,ct'icuíto de entrada: Se hace: ,.,r-

''.,' :'
a. Hacer vo para ei in¡lestreo de tensión la salida)
=P para el muéstreo de corriente¡cortociriuitir
Ó. Hacer io =r-Q (abiir el circuito de sátiaa¡
Para el circuíto de salída.. Se hace:
a. Hacer v¡ =.0 para la comparación en paralelo (cortocircuita¡ la entrada)
b. Hacer ii.= glnutu la comparación en serie (abrir el circuito de entrada)
Este procedimiénto asegura que la realimentación se reduzca a cero s¡n
alterar la cargá'üel amplificador: básico, , ,.' ,,
, 1.'r,-,1:¡ , ', ' '''.r'.'
'; '' ' : :.".'; . .''',r :, ., ',

Emptear un genera¿.fu fnéveqiñ.si i, el una tensión y unb:de f.¡óÁon si x¡ e9

una corrieote.r;,. :.'

sLscrRóxrcA
cAP.5-37
 w¡rvw Y

,"5 '
- I :Ji.

,6. Red dg Rgplimg¡tac!ón Indicar xr.y Xo en,g!,, circuito obtenido por la

',^ aplicación los: ap.aftados 2,3 y 4. Evali.¡ar F = xrlxoj,,l,
..',. dé:..:. .
:' ':
.,', ', l.,l =:'-'..* ; ,' l .' . . , 1 1-:¡ -':..
,7. Catcular A,aplicando las leyes,de Kirghoff al circuito equivalente obtenido en
?ttL i':
rf .:' , i. :

B. Con A, y B .cplcular A¡, 7i¡, Zo¡, pe. aq,uerdo,, a !o. modelos circuitales
; l"''".-', ' r'''
utilizados. .*
I ::.
'-.r'. ,'
'. , .. ,7,,::.,,,.
. ,:. jr ,f
.
Veamcjs',g-n, de"tqlle y gráficamente
oráf
,
el pro.cedimientoi,establ
ceo¡m¡enloi;establecido para los
a m plifi cadores realil'**?!*9jl¡.:.y
méñtáOosi

Amplíficador con rgallmentación de corriente en lerie.

De acuerdo a los p?sos establecidos para la metodología de tratamiento de un
amplificador realimentado,: se debe proceder a la identificación de la topología circuítal,
lo que consiste en reconocer el proceso de toma de muestra y comparación y para este
caso consiste en tomar: la muestra en malla o de corriente y'la comparación también en
malla o de tensión, y precisamente la toma de muestra le da el nombre a la topología
del amplificador realimentado, resultando el circuito en diagrama en bloques de la
figura 5.16:

Amplificador de Transconductancia Realimentad

i¡ _ u9f io Mues
treo
Amplificador Bási

Red de Realimentación
Transresistencia
Br

Figura 5.16 Díagrama en bloques de un amplificador con realimentación.de corriente

|., j '

Reemplazgndo el diagrama en bloques por los circuitos dgl amplificador con los
equivalentes adecuados Se tiene'la figura'5.17. '
i'-'t';
." '

¿r-pcrRóNrca
ci,P. 5-38
 ''tl't
c¡¡rruio

Figura 5.17 Circuítos equivalentes de un amplifieador con realimentación de corriente :,.

Aplicamos la unilateralización de los ampl¡f¡cadores con la siguiente condición:

llrl
lzo l>> lz* lTranferencia directa solo por el amplificador básico (2ru=0)
llll
lz,ul>>lz*l Transferencia inversa solo por la red de realimentación (2.¡=o)

El circuito de la figura 5.I7 resulta:

De este
básico y la red de muesti6ó,. para este €aso las reglas estabieceni

ELECTRONTCA

cAP - 5-3 9
t, .¡, ;: I r'. '::
. ,;:,r.
 Red de Realimentación B

,r: Figura 5.19 Circuitos del amplificador básico y la

Jed de realimentación modificado

De los circuitos de la figura 5.19 se calcula el parámetro de transferencia del

ampl¡f¡cador básico (Gn), al que se a incluido el generador de ex¿¡tac¡ón su impedancia
interna (Rs), la impedancia de entrada de la red de realimentación (z¡u), el circuito de
entrada del amplificador básico, el circuito de salida del amplificador básico, la
impedancia de carga (Rr) y la impedancia de salida de la red de realimentación (i,u),
!e este amplificador también se determina las impedancias de':ánüada (Z¡) daf,áá
V
(Zo). Además se calcula.e_l parámetro de transferencia de la red de realimentá.ión
1r,.¡
con la definición del párámetro zrb, con las ecuaciones de Gn, zib, ha y Br,
reemplazamos en las formulas deducidas de Gsr, Zt y Zor se úene calculado el
amplificador realimentado. para diseñar se aplica el-mismo proceQlmiento.

Amplifícador con realimentación de tensión en paralelo

Como ya fue establecido la metodología de tratamiento de un amplificador
realimentado, se debe proceder a la identificación de la topología circuítal, lo que
consiste en reconocer el proceso de toma de muestra y comparación y para este caso
consiste en tomar la muestra en nudo o de tensión y la comparación también es en
nudo o de corriente, y precisamente Ia toma de muestra le da el nombre a la topología
del'amplificqgor realimentado, resultando el circuito en diagrama en bloques de-ta
figura5.2O: ' ,,..

¡r-¡crRóN¡ce
cAp.5-40
 REALIMEÑTADOS

por Ios circuitos con los

1.
-ti

.EI,ECTRONICA

v
 ' ":":_ ' : _:
De este paso,'corresponde establecer el circuito' de,,.entrada y salida del
amplificador básico y la red de muestreo, para este cqsq las reglas establecen:

Para nuestra topología que es muestreo de tens_ión, en el circuito de salida se

debe hacer vo=Q para hallar el circuito de entrada es decir cortocircuitar el circuito de
salida, para hallar el circuito de salida para la compáración en paralelo hacer v¡=0 es
decir cortocircuitar el circuito de entrada, con estas dos condiciones, el circuito resulta
el mostrado en la figura 5.23, así mismo se obtiene el circuito para la red de
realimentación y se muestra en la misma flgura.

Amplificador Básico A
Io
+\
Vol

-
i Red de Realimentación

Figura 5.23 Circuitos del amplificador básico y la red de realimenteción modificado

De los circuitos de la figura 5.23 se calcula el parámetro de transferencia del

amplificador básico (R.), al que se a incluido el generador de excitación su admitancia
interna (G5), la admitancia de entrada de la red de realimentación (y¡u), el circuito de
entrada del amplificador básico, el circuito de salida del amplificador básico, la
admitancia de carga (Gr) y la admitancia de salida de la red de realimentación (you), de
este amplificador también se determina las impedancias de entrada (zi) y salida (zo).
Además se calcula el parámetro de:transferencia de la red de rebljmeniuóiOn qen) con-É
definición del parámeiro yro, con las écuaciones de R., :.¡6, Ze,6 t, ¿r; ie.mpta.á*0, .n

EllLrÁuAr.*
cAp.5-42
 las formulas deducidas de y
.R*,7i¡ Zo¡ se tiene calculado el amplificador realimentado.
Parad|señarseaplicQe|.miqmoprocedimiento.'.
'r
Amptlifícado,r cin riq'limennición dettinr¡ón en série'¡
.- .
,,-.
_
,,, , ,

La metodologíq de tratamiento de un amplificador

realimentado se estableció con
el desarrollo realizádo,en las secciones anterioies, i.
c.n"'proi"JJr-u=iu-iJ;;t.,n;.i;;
de la topología circuítal, lo que consiste en reconocer el
comparación y para este caso consiste en tomar la mueftra
pd¿;¿-i;u
de muestra y
comparación es en malla o de tensión, y precisamente la
¿; o. rrd;o
t.nrión y la
nombre a la topología rlel_amplificador reálimentaoo, r.rrtturi"
toruJ.
iruestra le da el
.r lir.r',o en diagrama
en bloques de la fiqura 5.24:

AmplificaCor ie Tensión Rea[imentado

.A
I;
¡r- ^VI'' lo
AmplificaCor Básico
Tensión
Av

Red de Realimentación
Tensión
Bv

Figura 5.24 Dia!rama en bloques de un amplificador con realimentación

de tensión

Reemplazando ei,diagr.anra en bloques por los circuitos del amplificador

con los
circuitos equivalentes adecuados, que en este caso usamos el de parámetros
hibridos
se tiene la figura 5.25.

Figura 5.25

EI,ECTRONIqq

cAP.5.-43
 Figura 5.26 Circuitos unilateralizado de un amplificador con realimentación de tensión

De este pago corresponde establecer el circuito de entrada salida del y

amplificador básico y !a red de realimentación, para este caso las reglas establecen:
j

Para nuestra topología que es muestreo de tensión, en el circuito de salida se

debe hacer vo=Q para hallar el circuito de entrada es decir cortocircuitar el circuito de
salida, para hallar el circuito de salida para la comparación en serie hacer ii=0 es decir
abrir el circuito de entrada, con estas dos condiciones, el circuito resulta el mostrado en
la figura 5.27, así mismo se obtiene el circuito para la red de realimentación y se
muestra en la misma figura.

€*X ¡>+ h¡a

h¡orr

Figura 5.27 Circuitos del amplificador básico yla red de realimentación modificado

De los circuitos de la figura 5.27 se calcula el parámetro de transferencia del

amplificador básico (A"), al que se a incluido el generador de excilación su impedancia
interna (Rs), Ia impedancia de entrada de la red de realimentación (z¡6), el circuito de
entrada del amplificador básico, el circuito de salida del amplificador básico, la
impedancia de carga {Rr) y la:impedancia'de saljda de la red'd€.realimentación (zou),

¡l,scrRóNrcA
cA?.5-44
 ' C-APITIILo v : AIeLIFICADoRES F-E.\LI!€NTADOS

cie este amplificador también se determina las impedancias de entrada (Z¡) y salida
(2"). Además se calcula'ei parámqtro de transferencia de la red de. realimentación (8,)
con la befinición del parámetro h,u, , con las ecuaciones de A¡, . Zi6i , Zi6 y Bu,
reemplazamos en las formulas deducidas de A,¡., 7¡r y Zpise tiene-calculado el
amp|ificadorrea|imentado.Paradiseñarsehacee|mismoprocedimiento'
'.

Amplificador de corríente con realimentación de. corriente en

paralelo ' :' '

De acuerdo a los pasos establecidos para la metodología de tratamiento de un

amplificador realimenta{o, se''ciebe procedei'a.la ideniificación,,de-la topolcgía circuíta!,
lo que consisie en recono,cer-_el procg-go de toma de mugstra y.comparación y para este
caso consiste en tomar.la muestra en malla o de corriente y.la comparación también en
malla o de tensión, y precisamente la toma de muestra le da el nombre a la topología
del amplificacjor realimentado, resultando el circuito en diagrama en bloques de la
figura5.28: r

Figura 5.28 o¡agrama"en bloques de un amplificador con realimeniación de corriente

'-'.. ''
Reemplazando él diáQrama en bioques por los circuitos del ainplificador con los
equivalentes adecuados se tiele la figurq 5.29. L, i I

| = :-' 1.
Figura 5.29 Circuitos equivalentes de uh amplificador con realimentación de corriente

ELECTRONICA
cAP.5-45
 ':--, j- ' CA¡ITIJT€ v : A$PLIFfCADORES REAtD4ft{TADOS
.. .
:....?ti
.
, . ":*-¡1 . . .__,1
..-.1
. 1.-

.Aplicamos la unilaterajjzación de los amplif¡cadores con la siguiente cond¡ción:

:.',i, . t. . l, | .. , !-
"& directa sélo. por el amplificado'r.
rlhr,lttlh*lTransfererÍEia , ,_^. :::F
;. , :.'; ,"4 ',-,.,*
básico (hro=0)

,lh"lttlh,"l trq¡sl.r"ffiia inversa solo por la red de reáiimentación (h,¡=Q)

El circúito de la figura 5.29 resulta:

Figura 5.30 Circuitos unilateralizado de un amplificacior con realimentación de corriente

De este paso corresponde establecer el circuito de entrada y salida del

amplificador básico y la red de muestreo, para este caso las reglas establecen:
Para nuestra topolog¡a que es muestreo de corriente, en el circuito de salida se debe
hacer io=0 para hallar el circuito de entrada es decir abrir el circuito de salida, para
hallar el circuito de salida para la comparación en paralelo hacer v¡=0 es dec¡r
cortocircuitar el circuito de entrada, con estas dos condic¡ones, el circuito resulta el
mostrado en la figura 5.31, así mismo se obtiene el circuito para la red de
realimentación y se muestra en la misma figura.

Red de Realimentación Bi

:"

Figura 5.31 Circuitos del amplificador básico y la red de realimentación modific¡do

De los circuitos de la figura 5.31 se calcula el parámetro de transferencia del

amplificador básico (A¡), al que se a incluido el generador de excitación su impedancia
interna (R5), la lmpedancia de entrada de la red de realimentación (h¡¡), el circuito de
entrada del amplificador básico, el circuito de salida de! amplificador básico, la
impedancia de carga (Rr) y la impedancia de salida de la red de realimentación (ho6),
en el circuito se debe realizar algunas modificaciones para uniformizar las unidades y

¡ircrRox:c¿
c¿-P.5-46
 C¡prTI'lO V : AMPLIFIC¡DORES REALIMENTADOS

topologías circuitales, de este amplificador también se determina las

impedancias de
entrada (z) y salida (4). Además se calcula el parámetro de tr.ansrereniia
realimentación (B¡), realizando alguna modificación en , el circuitó
áál;;á ;;
transferencia inversa de corriente, con la definición del parámetro ;; t.r;;
l;
hru, cor-r : lds
ecuaciones de A¡, Zi,Zi Y Bi, reemplazamos en las formulas¿'éciueídas-de
Ñr;,ii:V i*
9e*.^t!g[e-,calculado-,ef= ¿¡¡p¡¡ficádoi' iealimentado. para diseñar -ie-.nace ,el -mismo
procedimiento.

,1- i, I
lrt'. .'

": I

EI.ECTRONTCA

cAP.5-47
"l
'1
,¿
 CAIITIJ]-O VI : A}@LIFICADOF€S DE POTEsCIA

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

f ntoduccíón

Los sistemas empleados para transformar energía eléctrica en un parámetro físico

generalmente requieren manejar potencia ya sea como alta lensión ó elevada corriente
y en muchas aplicaciones ambos parámeiros de valor considerable, los amplificadores
que manejan estos parámetros se denorninan amplificadores de potencia' Como la
potencia es el producto Ce la tensión y corriente se prefiere normalizarla tensión en un
valor fijo (12V, 24V,48V, etc) y hacer que la corriente tome un valor adecuado hasta
alcanzar por medio del producto e[ valor de la potencia que se quiere entregar al
transductor.

Generalmente en los sistemas que a partir de pequeñas señales físicas como

presión de aire, temperatura ó cualquier reacción físico-químico que representa una
pequeña señal de muy baja potencia y se requiere mediila con precisión ó aprovechar
esa' energía física, se utiliza una cadena de amplificadores dispuestos
en cascada; Ias
primeras etapas ion amplificadores de pequeña señal ó potencias bajas y las últimas
'
etapas son amplificadores de potencia, en esta unidad desarrollaremos los
potencias y los
amplificadores de potencia para audio frecuencia. Como se manejan
amplificadores realizan la amplificación de las señales útiles, también son amplificados
el ruido del ambiente y los ruidos generados por los componentes, por lo que también
se analizará a manera de introducción el ruido'

. Mostraremos resumidamente el caso de los amplificadores en los sistemas de

transmisión, recepción y equipo de audio frecuencia'

Transmisor

Es un sistema electrónico capaz de transmitir señales eléctricas a distancias

pequeñas ó grandes. Este es un sistema que se inicia en un transductor (micrófono)
que maneja señales de muy bajo valor (pV ó FA, mV ó mA) y termina en un
transductor (antena) que maneja señales de muy alto valor (V ó A, lry ó KA;) y
frecuencias muy altas. El diagrama en bloques Se muestra en la figura 6'1'

En el diagrama en blofiues se ve dos cadenas de amplificadores perfectamente

diferenciadas: iai *f{ r...-''r "ifr '
1

1. Señales de audio frecqencia, gu€ se inicia en el micrófono, continúa con dos o

EI,ECIT'oNICA
cAP. 6-1
 - r:''':':''t'
tt _:. , '
.: : ; CApITUIO Vt : AIIpLfFiCADORES DE pOa,E¡{CIA
'i

más etapas de amplificadores de aud¡o frecuencia (pequeñas

señales), que
f^r^.:: .ta_señar
de audio rrecuencia y un amprificadJ¡;;-;;".iiu puru esras
frecuencias. . ,

¿'
^
rr
una cadena de amplificadores de frecuencias muy
altas (cientos de KHz ó MHz)
que son ias'señajes a ser transmitidas, la rr".r"n.iu -.r-.1ü-
porque esta
tonsitud du, antena qrrecueiia ,rü
::::,:l::u.:?n-11
pequen?), esta cadena de amplificadores es procesada con el l.
de onda roné¡tr¿
amplificador de
conocida con er nomb-re de modufadort; amprincaoor
:::]::i'la',etapa
potencia pa¡a'radiofrecuencia. :
de

Transductor
Antena

Oscilador de Amplificador de
Rad iofrecuenc ia Amplificador
Rad iofrecuenc ia
de Potencia

Amplificador

Figura 6.1 Diagrama en bloques de un transmisor.

Receptor

Este sistema electrónico recibe las señales

transmitidas a distancia, para esto
utiliza una antena (elemento transductor) en
la que se inducen señales muy bajas (pv
ó FA) las cuales son sintonizados y amptificados por;i-n..,;;ild*
para luego recuperar la señal de audiofrecuencia.n ffr-dio frecuencia,
amplificada por un amplificador de potencia y
rn-Jur-orl-Jrr, esta señal es
reproducida en un parlante, el diagrama
en bloques se muestra en la figura 6.2.

Transductor Transductor
Antena Parl anre
Amplilicador de Amplrlicador de
Rad ¡ofrec ue nc ia Frec uenc ¡a Preamplr ticador {mpl r ñcador
lntermedta de Potencra

Figura 6.2 Diagrama en bloques de un receptor.

pr,¡c:nóNrc¡
 C:-?ITULO vI : A]@IIFIC¡DOBIS DE POTENCÍA

En el diagrama en bloques del receptor se ve la utilización de amplificadores de

radio frécuencia (frecuendias muy altas) tenla,Que será tratado .en..otr9. materia y
amplificadores de iudlo dé bajo nivel (señalesrpéqueñas) y amplificddoies de alto nivel
-:
ó de potencia.

Amplifícador de Audío Frecuencia

Este sistema electrónico recibe las señales en un transduCor que puede ser un
micrófono, un cabezal de grabadora, o un lector de CD, señales de bajo valor (pV ó
pA) que luego son ampliflcados por una cadena de amplificadoi'es de audio frecuencia
para luego ser reproducidos por un parlante, el diagrama en bloques se muestra en la
fiqura 6.3.
Transductor
Parlante

A
nrl
*^lifinorln¡
tutltlwquvr
¡
Ecualizador de Potencia

Figura 6.3 Diagrama en bloques de un amplificador.

En el diagrama en bloques se ve la utilización de los amplificadores y en general en

todos los sistemas que procesan señales a partir de transductores se usan
amplificadores.

En los tres casos se tienen problemas de ruido que pueden ser Atmosféricos, ruidos
locales, finalmente el ruido que generan los propios componentes, de ahí que es
importante que veamos el iuido generado pcr los componentes.

Ruido

Existe un límite en la ganancia que se puede obtener de un amplificador, la causa del

mismo es la aparición de Una señal en la salida, aún cuando no haya señal de
excitación en la entrada; a este fenómeno se lo denomina Ruido del Amplificador. Este
ruido puede enmascarar las señales útiles a reproducir, por lo que el amplificador
dejará de tener su utilidad.

Veamos las causas que pueden provocar estos ruidos'

. Ruido térmico de lohnson

. . i.
F'i.
. Efecto shofó Schottky "
,

':t '

eL€crRóN¡c;
cAP.6-3
 CA"irtjll,o 1II : ¡HPLIFICADORES DE POTENCIA

Ruido térmicol, de Johnson- "

..
.... . =,i -,, -.-..', .'...
:. 1':'..;.- ,1.-'-- -

.'.:...'-
Los electronés de: un conductor ó semiconductor poieen distintós valores
de
:l:lg,li^-1.b]Oo
a fluauaciones de ta temperatura del conductor, produciendo
varlaclones de energía en torno a los valores de la distribución más probable, estas
p-¡y pequglas pero sufic¡entes ;-;
luctuacloles"gon
dentro
;;il;; ;;;rciares de ruido
del conductor ó sem¡conductor y a esto se denomina ruido térm¡co.

Los valorés .qficaces de la tensión de ruido V¡ debido a Ia resistencia térmica

dentro del ancho de banda de un amplificador viene dado por la ecuación:
rV¡2 :¿TK IHl<
'n ':
l^"Y'),

Donde:

K constante de Boltzman 1.39* tO-23JlK

T Temperatura de la resisitencia en oK

R Resistencia en f¿
A¡chura de Banda Hz.
l=fr-f.
Si el conductor que estamos considerando es la resistencia de entrada de un
amplificador ideal (sin ruido), la tensión de ruído a la entrada del amplificador vendrá
dada por la ecuación de Vn, ésta tensión en las siguientes condiciones resulta.

Ej: Si R=1Mf¿ , T=25oC, B=10KHz

Vn= 13lrV

Efecto Shot ó Schottky

El ruido de Schottky se atribuye a la naiur aleza discreta de los portadores

de
corriente en los semiconductores. Normalmente se considera que la corriente
en un
transistor es constante pero esto no es cierto ya que se debe a un flujo
de portadores
(electrones y huecos), la fluctuación en el número de portadores
se denomina efecto
Schottky, el valor cuadrático medio de la corriente de ruido es un elemento será:

12 .r
ln :- lqlcd
-r

Donde: q CargS del portador

sL¿crnóNrcA

cAP.5-4
 :.^ : .:.'.:...]
-r;:: ,i,': :,:
at:

CAPITT'I,O VI DE POTENCIA

I.¿ Corriente continua

; .: :
B Antho de Banda . ..,+i--._- -
.¡1' I ' -
r. :; , .: ,i
j:
| - :
- '
. -,].:li ' ir'
_ ,. '- - .. j

Si la resistencia de carga en el transistor es Rc con el valor medio cuadrático de la

corriente se crea una tensión de ruido de valor.

Vn = InRa

/:---;----=^
\"=viql-,óK(

Figura o factor de ruido

Se ha introducido un factor de ruido NF para especiflcar cuantitativamente lo

ruidoso de un elemento ó amplificador. Por definición NF- es- la relación entre la
potencia del ruido,de,.salida de un circuito respecto a la potencia de ruido que se
obtendría en la salida con el mismo ancho de banda, si la única fuente de ruido fuera el
térmico en la resistencia interna Rs de la fuente de señal. Por lo tanto, el factor de
'cant¡dad que compara el ruido del amplificador real con et de un
ruido es una
amplificador ideal (sin"ruido). Normalmente NF se expresa en dB.

Vamos a deflnir los siguientes símbolos:

,a''a

Soi= Potencia de entrada de la señal

Sv¡= Tensión de entrada de la señal '

:

Not= Potencia de'e1tr.ada del ruido debido a Rs

Nv¡= Tensión de entrada del ruido debido a Rs

Soo= Potencia de salida de la señal

Suo= Tensión de salida de la señal ' .i

Noo= Potencia de salida de ruido debido a Rs Y a cualquier otra fuente de ruido

dentro del dispaositivo activo

Nuo= Tens¡ón dé salida de ruido debido a Rs y a cualquier otra fuente de ruido

dentrodel dispositivoactivo : .i ,,l
' : .1,. .

De la ecuación de la tensión del ruido térmico de Johnson se tiene:

\r .- \¡Yn -
..!\!i-- - +kTB_Rs l

¡¡¡craóN¡c¡
cAP.6-5
 _a"

CAPITI'LO \rI : AMPIIFTCADoRES DE PoTSNCIA

De la definición de factor de ruido

. ; :.' de Salida del ruido total
.-: Potencia
NF : 20lo'e
-. Potemcia
:' de salida debido n R
La pote¡cie Oe sallda del ruido debido a Rs representa el.ruido a la entrada del
amplificador (Np¡) ¡nultjpligado por la ganancia (Ao),der ampl!ficador.

:N'Po
NF=l0loe
" A"N^,

La ganancia de potencia del amplificador se define como

!a relación de la potencia
.
de salida a la polencia de entrada. , ;
:,

s_-
n-
^-fru
Pq--
-p¡

Reemplazando Ia ganancia de potencia del amplificador por su definición.

q
:.
: i 0logNS
*.n' : No'
NF
"Neiseo-+ NF lOlos
---o Spo

N'*

El cociente Sp/Np se denomina relación de potencia señal-ruido y los sutríndices i,

o hacen referencia a la entrada y salida del amplificador, por lo tanto el factor de ruido
es la relación de potencia señal-ruido a ia entrada dividida por la reiación de potencia
seña|-ruidoaIasalida,desarrol|andoe||ogaritmoresu|ta.

SS
NF:i0los- -o'-10los" "F
No, Noo

Si en vez de considerar las potencias de señal y ruido, consideramos las tensiones

S" S'.
NF: 20 loo
- N'', - 2o los Nro
."

Ruido de un Transistor

Además del ruido térmico de un transistor, existe un ruido debido al movimiento al

azar de los portadores' que atraviesan las uniones de emisor y colector y a la
recombinación fortuita de huecos y electrones en la base. Por'lo que la cantidad de

ELECTRONICA
 C¡PITI'LO \/I :.AMPLIFICADOR.ES DE POTENCIA

ruido generada depend-g también de las condiciones de reposo (punto de trabajo) y de

la resistencia de la,fuenlqRs de la seflal., for,lgta¡rtol,,,para especjlgr gl t'ul{g.fle un
transistor hay que indicaf [a frecuenci'a'él punto de fuilcionamiento ejstático V Rs.

Pol'ejemplo: 5gp6¡gamos el amplificador mostrado en Ia figura 6.4:

Rúido de,
Ruido propio Salida del
del transistor . Amplificador

Ruido debido a Rs
(ruido de entrada)
. ,.a -.

¡.J '
ueneraolor qe
Excitación
Con N,:O{. *N, )G

Del circuito de-la figura, el factor de ruido resulta el cociente del ruido a la.salida
(Ns) sobre el ruido u,Lu,.-nttuOa (N").
:

N
NF_' '
N.

- Tomando en cuenta las:relaciones mostrada en el circuito de la figura 6.4 resulta:

.

N:N+N.enestecasoN¡representae|ruidode|kansistot'..'
- s - c - t .-,: ,

Ne -¡-N-t
\[f --
NI
-e
i , ' '.,,,,,.::,,,.).
. , .

N N' : '
NF=|I"I --)"t,-NF-l .

NN ' t
. ,
l'' ,,.,
r .t_, .'t,. -,¡'.,.:
ruido '-',-.',
, .

Si consideramos:en la definición del factor de !

N +N V
"o
Nf'=:tt'rtt .

NV
- e o. -

' -" .- ' , i . ,

Como la ganancia de tensión del amplificador se define áomo

I'
o
--w

EI.ECTRONIC¡'
 lu
t,1,',.,
| . . - !....
.i.,i::
'':
l

CAPITUI,O \¡I : AIPTIFIC¡DORES DE POTENCIjA

:' .. , .
' -

"r
t-,---: , . l .
ruido,-.
Reemplazalda en la:definición de la figura de ,
i.', , .,,:.-',r,¿:, ;]t :"i.'' '. -t-;
, .i-.- '

*,-=
Nl L,
N-e + N.I G.,Y,
' NV.
- -e 'o

Procesan$o én ósta relación se obt¡ene

\
\r
lt'
NF = v"
t-N r {f \r.
\r !e + NI ,,lUu
'.
En esta ecuación al término del numerador denominamos como relación señal
.numerador a
ruido de entrada al y
como relación tunul- u- ta salida del rñ; ;r
amplificador, por tanto resulta:

(S,/N),
\rr : - -- -
_:__:____[dB]
^t rsiN)
\-/ .../9

rnfluencia del ruÍdo en un amprifícador en cascada

Cuando se presenta el caso de varios ampl¡f¡cadores conectados en cascada, se da

el caso que en los amplificadores que paft¡cipan no se distribuye la relación de ruido
entre los amplificadores, por ejemplo supongamos tres etapas tal como se muestra en
la figura 6.5:

Figura 6.5 Diagrama en bloques de tres etapas,

La ganancia del amplif¡cador mult¡etapa resulta igual al producto de las ganancias

de cada etapa.

G : G,G,G,
la
LCr finr tra Ao
¡'vu,o uc .¡rl^- *.,lli^r^^^
ruido del amplificador -
multietapa resulta:

\iE
l\I -- '*n
Nf !il .,, 1

-1\ c,

ELECTRONICA
 '''''.'..
' r' ':i i :
: -

CAPITIJf,O VI : AMPLIFICADORES DE PO?a:\CIA

faa¡.
LOmO: \o =- \l\. - \rN., Conde
\' A^^A^ ñl
N¡=N1,
-Nl l\2, Nl
¡\l f\3 in ¡rir
0e Caoa nlrr
etapa.
r:"'. -'i)'-- i- i ., , ,i,. .. .r . :. -. -,.:' ,.;',. ..r ' i
M,rlfinlir¡nrtn
¡ rvrLrHrrse¡ ¡uv y dividiendO por la ganancia del ampllircador mulüetapa,
\G
\F='o -
\-G
Como la salida se puede expresar en función de las señales de entrada afectadas
l--
^^- ro> 9olroilLro),
^-ñ-ñ^:--
PUr

NF=
\G
Prnr-pcendn

\-T- N*N.
- e - I 1- N. \t
-rt_ --
\.
\---.---v-
G, N. G,G, :\-
{F \T. -l \Fr 'l
-
-

NF. -1
\F: \F l^
\JI

De esta ecuación se concluye que la primera etapa tiene la mayOr influencia en el

factor de ruido, por lo que esta etapa debe tener la menoi Nr y la mayor ganancia
posible, puesto que la nanancia
:rv' '"' de esta etapa reduce el aporte a la figura de ruido de
l-- :
ld> gLépd>
^!^^-¡ -i^,
>r9ultrl
'i^^l^¡ lL€>.

Amplífícador de potencía , ,'l' ,,,,

,
't' t ,r,,
'

De lo expuesto án tas ,secciones anteriores, queda esta.bliciqá la necesidad de

"
utilizar varias etapas de amp,lificación incluidos los amplificadoies de potencia, Como
en.todos los amplificadores los de potencia para entregar energia (potqncia) a la carga/
transforman energía de continua recibida en el amplificadoi poi medio de la fuente de
polarizáción que fija el lpunto de trabajo del ampliflcador, la lra¡sfoimación se realiza
bajo el control de una señal de alterna de bajo valor recibido én la entrada de
información. La potencia de alterna transformada que se entreQá a'la cai'ga puede ser
como: tensión alta y baja corriente ó como tensión baja y alta corriente, ó como ambos
parámetros de valor elevado, en generál be ha normalizado tá ütilliaiión de tensión de
continua fijando estos e'n válores normalizados y se hace la cor¡iente variAble tal que el
producto- de la tensión-gofiie"nt!.pu-eda representar la potencia,dé.alteriiá qup_'se qu¡ere
entregar en 'lá''carga,:'como'tád poteircias requeridas enrmuchas apiicabiónbs tienen
: '', l.:'..,. ._.

gLECTRONICA

,:.' CLAP. 6-9

_ j
"
 ' '' : .t';;; 'tt*"rFrcADoRESDEporENcrA
"t',:
.t, .....t..j .,...;'.,_:...,
',;rjt'r,:,:,''
: " .a:'r... -: .. ,i,,
-¡ótencia
características'"e's-.ciáréit!n y capacidad lqq;,t¡ansformación, para estas
aplicaciones de los. transistóres en los amplificadores'seihan'ilasificado en iunción del
ángulo de corlducd'iqn en:,'clase A, AB,, e, C y D (digitales), talib¡én esta clasiR.u.rn
está relacionada con el punto de trabajo ó polarización del transistor en los
.
amp|ificado1es::.:.'..j..,'
r.:'
' t-;-, ' r " '
.
' '
"

' !l amplificador es clase A cuando la corriente de colector circula durante los

,.360o Qe unq onda senoidgl o que el punto de trabájo del'transistor se ubique en
la parte medla pg la zon-a activa de las características V-I tal que la corriente de
colectorresponda|inea|mentesindistori¡óna|aexcitación.
. "Un amplificador es',claie AB cuando la corriente de colector circula durante mas
de 180o y rireqosrde 3600 de una onda seno'Ou¡'6 que el punto de trabajo del
transistor se ubique en las proximidades de la zona deliorte ó de saturación pero
aún en'lalzona"áctiválcle lis caracterísf¡cas v-I, tal: cré lá;.or*nt. de colector
responda linealménle menos de 360o introduciendo distorsión por recorte de
una porc!ón de onda:de la excitación.

. Un amplificador es clase B cuando la corriente de colector circula durante 1g0o

de una onda senoidal ó que el punto de trabajo del transistor se ubique en el
límite entre la zona áctiva y la de corte ó entre-la zona activa y la de saturación
de las característlcas V-I, tal que la corriente de colector responde linealmente
durante 1800 introduciendo distorsión por recorte de un semiciclo de la onda de
excltaclon

. Un amplificador es clase C cuando la corriente de colector circula durante menos

de 180o de una onda senoidal de excitación ó que el punto de trabajo del
transistor se ubique más allá del corte o la saturación, pero fuera de la zona
activa de las características V-I tal que la corriente de 'colector responsa
alinealmente con- distorsión por recorte de más de un semiticlo de la onda de
excitación

. Un amplificador es clase D cuando la corriente de colector circula atravesando Ia

zona activa en forma de impulso en respuesta a un impulso de excitación ó que
el punto de trabajo del transistor se ubique en la zona de corte ó de saturación
tal que el transistor trabaje como un conmutador abierto (corte) ó cerrado
(saturado), este amplificador no está relacionado al ángulo de conducción, la
respuesta del amplificador no es lineal, se utiliza aplicaciones digitales en las que
para obtener la forma de onda para aplicaciones de audiofrecuencia se debe
Pl uLtr>dt '^
td señal digital.

También estos amplificadores se diferencian por el rendimiento ó capacidad de

transformación de las componentes de continua en alterna. ,en este sentido el
amplificador clase A'es el que menor rendimiento tiene, en cambioiel clase C es el que

ELECTRONICA
 C¡PITT¡¡,O 1¡I I : -]A]"ÍPLIFICADORES DI POTENCIA

- ." ...', ,;'. , - . :- ., .): l

:-i:;l ,: '.. . :r-'.'r.
rñiénto; otral característ¡ca es la di¡lorsión, ¿l clgsé A- es el que
presenta menor distottiql y el clase C d: ma.Yo¡,dist9,r1ión
9l
unli ru, upl .ui,onii.i¿' audio ;;- t;itrii';';r "; B y
or. i'r;L
un.piiniáili clase A; Pero
debido a su baio rendimiento, para estas aplicaciones se utiliza los amplificadores
ñ;;p;#; ;;l;'";.;;l.t
amplificadores Push Pull y Par cornplementario, el
sistema debe trabajar'en clase A'para disminuir la distorsión. ' Los amplificadores de
clase C no son utilizados en las aplicaciones de aud]o frecuencia en forma individual ó
en sistemas, porque no es posible.reducir la distorsión. . Los amplificadores clase D se
utilizan en las aplicaciones de audio frecuencia, esie no será desarrollado en esta
unidad ya que para su'cgmRren¡ió¡ s_e requiere conocimientos de sistemas digitales'
..¡-r!. , '

En los amplificaáores de potencia para su dimensionamiento consideraremos la

polarización de los transistores a fin de obtener un punto óptimo de trabajo sobre las
características , V:.Ii de los transistores, determinaremos . la potencia de continua
entregada por la fuente de polarización (Pcc) a fin de establecer la corriente_ máxima
:suministrai
que áebe dicha fuente; la poiencia disipada en el colector (Pp) para
establecer los sisteiñá de disipación y protección de los transistores; la potencia de
alterna disponible en'[a carga (P*); el rendimiento (n) a fin de establecer su capacidad
que
de transformación; el factor de mérito (FM) a fln de seleccionar el transistor óptimo
permita cumplir con'[ós req.uerimiento Ce potencia disipada por el transistor y potencia

Amplificadores de potencia clase A

En estos amplificadores la topología básica de los transistoies es 19 de emisor

común, pero también..r.,pueden usar las otras topologías, e! cir9.u1!ode polarización es
similar a los usados en los amplificadores de pequeña señal, con,]? difer:encia de que.no
se usa el capacitor de derivación en el emisor del transistor dqbido a las corrientes
elevadas que Se manejan, el circuito es el representado en la figura 6.6.
Vcc

fiéúrai 6.6 Amplificador clase A.

tr' F'TPÓNT'I
cAP.6-11
 -
1,' r¿":i ' r-. _-:.!;v
- :. :7:: ¿ ':, d
--:'r.:jr
r:,1 !r .!, -.F!::r :
- t;
1.:.t
,,..a.:,;t'i "j:,'.f:r;:':;;

ns¡stor obtenemos

':_,.'
Vcc = vce *'i.Rc +iERE :

De la formd colnq tig.baja el transistor en el lircu¡to de salida se cumple: i6=i. pe¡

lo tanto en la ecuac¡g1 de
lens¡ones del circuito de salida.'+ ;
_, - ti, . : ,. ,.,'..., .'. : -:'.
V.. +i^lR^ -tt,.,l-',:,t,,
LL = v^.
LE -L +.. R-)
a'Ft-
t -.. )-;-!-
:
, - , :..
:... -., ,,.

Las variables totales tienen componentes de continua y alterna resultando:

i. = I. +i. con i. = I.*cos{Dt
:
, ,.,,
. vce : V., * vr. cón., vc" : \.,rcos(rot + 0)

Reemplazalpo en la:ecuación de tensiones en el circuito de salida

':..
\/
'cc
:Al
-\"cE , v..)+(lc+i.xRc+RE)
-Lr

Esta ecuac¡ón tiene dos componentes: una de cont¡nua y otra de alterna,

separándolos se tiene:

Parte de continudl
;

V.. = V.. + I.(R. + Re )

i

Parte de alterna:

0 = u.. +i.(Rc + Re ) '

Como la resistencia'de em¡sor no tiene condensador en derivación (bypass), por lo

que la recta de carga de continua coinc¡de con la recta de carga de alterna,
en este
caso para tener una máxima salida y simétrica se debe cumplir para el punto de
trabajo:

v^-^
Lbq
: Vcc
.)
-

ELECTRONICA

cAP. 5-12
 j--;1.';'rv: i.:i': ¡r'Y'ril;-rre
. , " i..;. .. ::"!:: : :'-
j' .":¡,,.t':':i.-,'.,' "'-

cYrruLo vr : AMPLTFTCADOR-ES DE POtENCTA

Representarernos en la figura 6.7 la rpcta de carga y el punto de trabajo

\/^^
lc = ---i-:"
Rc+Re-

r^ _ Vcc
3(Rc-Rr )

\/^^
YVt
Ltr
Va r=Vcc
)

' i' , Onura 6.7 Recta de carga del amplificador clase A.

De la gráfica se éstablece para las variables totales

'
i. = I.o + i. Y la tensión vcE : V.re *
.l '
"".
. ..:1.

La máxima componente de alterna de la señal es entonces i.=I6oi vce=Vcre dado

que: ' ',

v^^
.i. : I.*cosot con l.* : I.o -,.,- ,,',
,- f *1 : ,
..:
-l ,..,

.:Portanto|aecuaéjónde|acorrientedea|ternaparaelco|eetorreSU|ta:

v'
.1'-....':.l...-......
Calcularemos la potencia sumin¡strada por la fuente de alimentación, potencia
disipada en t{c y Rr,.tp potencia disipada en el transistor y la potencia de alterna en la
carga' i,: t.l'
,;. I :..
.,t. , , i , ;. .
. i,i.'.
La poteniia suministrada ó disipada por cualquier dispositivo linéal o no lineal es:
 ': : , : ''" ' ' ¡;' :;-

CAPTTI'LO \¡I : AMPIIFICADORES DE POTENCIA

Donde: ,V(t) es la tensión aplicada al dispositivo (formada por cont¡nua y

alterna), I(t) es la corriente total oue circula en el circUito y T eg el periodo
..:';..-'...'.'¡...:..'..:.
Si: V(t)=Vav+v(t) y la corriente I(t)=l¿yai(t), donde: Vav, Iav son valores
medios o d-e cg¡¡tinqg y v(t), i(t) son componentes variables con el tiempo con un
valor rnedio de ce'ro.'

Por tanto:
1-
: | ?l

T¡'I [Vav+ v(t)][tav+i(t)]dt

P
=
:

Desarrollando el producto de los términos de los binomios de la ecuación

:

P:=I rT--
|
1 rT I ¡T
--\'/--
I ¡r
Vavlavdt+= I v(t)lavdt+= | Vavi(t)dt*=
T¡ T¡ ¡I T¡l'r(r)i(t)dt
lrFl¡l'l ¡rl.r
P:Vavlar,_ | dt+lav_ | v(t)dt+Var,-
" | i(r)¿t+:
" I r'(t)i(t)dt
ll_I T¡ T¡ T¡
0 por val.rnedio 0 pnr val m*;o

Por tanto:

P : Vavlav*
| -l

L v(t)i(r)dt
=l{
fh

Esta ecuación indica que la potencia media suministrada o disipada por un

dispositivo consiste en la suma de la potencia de los términos de cont¡nua (valor medio)
y los de alterna. Aplicaremos éste método de cálculo para el circuito del amplificador
representado en la figura 6.6.

Potencia de confinua sumiaÍstrada por la fuente de atimentación

La fuente de polarización del amplificador debe ser dimensionado de tal manera

que pueda entregar toda la potencia de continua para ser transformada en alterna. la
potencia de continua suministrada por la fuente es:

I ft__
^
P.. ==
T¡ L
V..i.dt

La corriente de colector (¡c) representa la variable total formada por una

componentq de continua y otra de alterna

i.:i.o+i.(t) .'

ELECTRONICA
l.-,.v. O-It
 CAPITIILO VI : AMPLIFIC¡DORES DE POTENCIA

Reemplazando en la ecuación de la potencia

.

P : - | \/ l'T
'l''T'.',...,:.,'.;J.i-.','.'..'.|';.'-..,-.'....::.,;..,.,::¡.¡1.,¡.:]''.'
¿r\lát
^CC - h'CCL'CQ -i rc\L/Jur
l-,

Desarrollando la ecuación

| ?l | ¡.
D I ¡ u[
f.. --\' \..I-,\-
r\r\\,Tt.LrTt,r I .lt-\i \rr- II il^\r,uL
lr\.lt
\-Y-
t-'
I 0 Fr ral m=i¡o

-/-

D :\/ 'CC^CQ
I
'CC

Por la estructura de la ecuación se ve que la potencia sumin¡strada es constante e

independiente de la potencia de señal en el supuesto de ausenc¡a de distorsión.

ll:dn nnp'
vevv Y"v. ' ,
.

\/'CC
I
rw = )(A +P \
:\¡\C I\E/

n^- F^á|-^
rUI LdIILU

1'l
\'cc
D =
1lD :D¡\E,/\
:tr\c

Como en el circuito del amplificador nc se usa condensador de derivación en la

resistencia Re y para evitar un mayor consumo en esta resistencia que se usa" para
estabilidad del punto de trabajo por l0 QUe R¡ debe ser pequeño frente s Rr-.
....:
Rc >> R. + P.. =;*!
i¡l^ . ''..

, ¿r\c

Potencia de Alterna en la'carga

La potencia entregada en la carga Rc es Pr-u.

-. =
P,LJI-¡,CL ll-T l' ilR.dt
l{

rt- --:lrnnlon¡i:rla:lt
fnmnf
LUf lu lc:
: -I lcmcoscrr resulta para la potencia de alterna en la carga
'- t.l' 'I
' I
.-

I rT . . '.' , ' :: t'

-D :'lrtCOS'ótRcdt
^Lac T S ^*' "'':"
:
: -: :. lr,
'' - 'll''' '....:
'-:' ''
'! :
el¡ctRó¡¡¡ce , ....,tt,:' '

cAP- 6-15
 pe fas relacidnes
::- tr.igonométricas
-:-'J----- para
| - el coseno se tiene: -
,-.,,--', ,l l

'.í'":. 1 )';i -
,..,,"1r1,. :, :...... .

..r... ) , : 1+cos2ó1,., I

. --:4-r
cos'ot l
'.
- ' ;.1,: ,'....),:,.,.,,, ..- ' - ,.-.,-,11',_
' ': ,'":
'l
: -..
Reemplazandg en la écuación de la potencia de alterna entrÉgada en la carga
't

P. :-l- | I'' ^' -""-,-'

{Lu"-Ttrr",---;, R at
KcOt

Resolviendo. la ¡ntegral se obtiene

1 _a,_ | ) ,'-,

=e¡.|
p,_.
^L¡c + ['¿,;1 f .",r,,$
2 l.l¡"'T$'-o-" 2 | i
. .;
\ll¡l':----f,---- 1l "','-'
':
D - Ii'R.
Hr .)
L'

. Como I..
: I.e =u85*J , la potencia de alterna entregada en la carga es:

P;--:l
-I
vcc -l'l-n
r¡
lR.

Ddc VÍ.R.
S(R.+Rr¡r ,':,
Como se impuso la condición de que la resistencia de carga (fu) sea mayor que la
resistenciapuestaene|emisor(Rg)de|transistor.
:

t¡2
Rc>>Ru+P,".:ts
!

Potencia media disipada en el colector

El transistor de potenc¡a disipa en ra juntura de salida una potencia debido a la

corriente que circula por colector, ésta potencia se calcula como:

IP¡
PD :-l- I rr i.{ti.-'-" t'
^
-. l" '.cE¡cu,t.\ ,i'ti,,

e¡,pcrRóNrce
 ,.. CAPITIILO VI : A¡4PLIFICADORES DE POTENCIA

En el circuito de,Sai¡¿a planteamos la ecuación de variables totales para la-tensión'

rrl .J. , :.-t-ii- '.--:: ,.r: ..",''r.". -r.tr,; ',,, .,. .l ,,,,;,',,'.¡-.-' -'-;.'.... .:,-l
V."=\..':'¡-1¡1;n.D,'t......j:'''.':.:..¡|!.:.,1::1f14]":...'-.,.l'...
" ' -' '
!L .LE. u \ r "E I .
: " , .,'.

Despejando|a.teñsiónde|ajunturadeSa|ida

vc. = Vcc -ic(Rc - Rr)

Reemplazando en la ecuación de la potencia disipada
,

P^
, = '
I rl-
f'[V..
LL
-i.(R.I )li.dr
+ R.E/JL
T¡,

Desarrollando la ecuación
'

1 --1
I al- I al -
P^=l
" T¡
I V--i-dt-:
TJL
I i:(R.*R.)dt
¡ : j.r
.i :t:;.,: :_:

Como corriente 'de colector de variables totales esta formada

la por una
componente de continua y otra de alterna
'

i. = IcQ + i. (t)

La componente ,, dé alterna , tiene la siguiente estructura i, = I.,ncgs{Dt,

reemplazando en la ecuación de la potencia de disipación procesando se tiene:

lrrl¡T
l'tt.o - i.(t)ldt -¡ l'tt.o i.(t)l'(R.
po = V.. * + RE)dt
f
p -\/ I I
'P 'cc^cQ T f,a,:-v..i f
*-¿-... \--+
,.(t)dt-r¿a(Rc.R,)+ f dt-21.0(Ri+R. ,+ f i.(odt-
I - 0ocrralormed¡o I 0 por valor medio

Po : V..l.o
Pcc
-;J

'1 ,.
n¡.¡crnóN:c¡
cAP.6-17
 '' -dj'' : --
.r..-i\ - ;. .jr"i 't." ",'e
:'-1:\-'
:r:
.,:.
1, .:r-.. ,. .::. ,
-
:

CEPITUI'O vI. : .¡¡{PLIE.ICADoRES DE PoIENCIA

- ..,a'

que la potencia disipada en colector es en

De las ecuaciones,de la potencia de alternp entregada a la carga y la potencia

disipada Por e!' tiansistor,'se ue que la máxima potencia- disipada .n
-.t
éolector es el
dqblq de la potgncia rsuministrada en la carga, por lo que el,ámplificador clase A es
poco eficaz. ;:.,i "'

Rendimiento ::

La,razón entre la potencia de corriente de alterna entregada en la resistencia de

carga y la potencia suministrada por la fuente se define como rendimiento:

,p^ I ^-
ll -
'p
'cc
-

\/2 p
t ccr\c

ñ:
^^
_ 8(R.- + R, )? _ 2(Rc + RE )v:cRc
' V¿c g(R. + Ro), Vj.
,(R.-&) :

1R^
'
L

4 R.*R.
si Rc>>Re la ecuación de rendimiento se modifica como sigue:

Vi.R.
'il : 8R1: -----------:-
2v:-R: Tl: I
' vÉ. 8R¿v¡ r.-t '' -4
---=-- :

2R" _ ,i. .:i ...?

'' - i "'i'-

ELECTRONTCA

.AD Á-1A
 - '
't.'t,'

CAPITTILO VI : AMPIIFICADORTS DE POTENCIA

\:25o^
¡!

Del valor del'ründimiento obtenido se'dádúce,'qué del 100%:de ia potenCia Oe

continua reciblda de la fuente de polarización solo el 25o/o se transforma en potencia
útil de alterna, el restante 75o/o S€ disipa como calor en el medio ambiente.

Factor de mérito

La relación entre la potencia máxima disipada en colector y la potencia máxima de

rtrnrn¡ nn tr ¡r,¡3 es r:r¡uu€l
<JrLtrl lro trl rrd Ldr9o tr> tJn buenlPolclllELl
Oarámefrn u nara la rcrsL
voto ta seler-Ción del tfanSiStOf.

Si Rc>)R6 s€ tiehe
p
r\ l t L¡c
f Lli --
p
^ D.ner .,'i,..
-
r ¡l
vcc
JR RR '!.
F\f = ''.c = ""c-\I:^ -+ F\f = l
\i. 4R.V¿.
-*"

P
' Drnl =)P
-' La.ns

Para sacar 1W en la carga se requiere un transistor que disipe 2W, por lo que
este parámetro es una buena referencia para seleccionar el transistor.
-:.
Selección de la resistencía de carga del amplificador clase A

Como la potencia éntregada a la carga depende del valor'dq la resistenc¡a de

carga para una buena selección de este se debe hacer:

tspectrtcar Vcc y Rs para QU€ P¡¿s sea máxima, si se cono¿e la resistencia térmica
y la temperatura de la juntura del transistor 0¡¡ , la ternperatura de'lá juntura del
transistor T:n.,á, y lai temperatura amb¡ente Te.á' se puede caldular la potencia de
disipación máxima del transistor Pe.5'.

p
T-T
^Jmar ^Ama¡
' -
.^
.:'
0,.
' ', :'
l
Para entregar la'-máxima .potencia de alterna a la carga Pr"¿rá' se neces¡ta las
mayores oscilaciones d€ vce e.ic, la recta de carga QUe sei,d€terniná un¡endo con una
recta los puntos Vcrn.'a, e Ic-á, sobre las características V .I de.salida del transistor

ELTCTRONTCA
cAP. 6-19
 ',.
CA9IT'LO \¡I.: AMPLIFICADORES DE POEENCAA

Icmax

'VcEr", Vce
Figura 6.8 Selección de la recta de carga para un amplificador clase A.

Esta resistencia de carga corta en dos puntos la hipérbola de disipación, toda la

porción de la recta de carga que se encuentra por encima:de la hipérbola
de disipación,
signific'á 'que el transistor se destruye por sobre calentam¡ento para
evitar este
problema se puede trazar una recta de carga a paft¡r de 1615, tangente
a hipérbola
la
de disipación, en este caso el transistor no se destruye por iónsiO"¡, pero la corriente
está en el límite, también se puede trazar una recta de carga tangente la
a hipérbola de
disipación a partir
9. v.u-r', en este caso el transistor ñ t.
áestruye por corriente,
pero la tensión está en el límite, una mejor solución se logra trazando una recta de
carga paralela a la primera y que sea tangente a la hipérbola de disipación por
ó el
punto de intersección de las rectas que limitan tensión ó corriente,
en este caso el
transistor queda protegido por tensión y corriente.

Como I.,n = 'CC para el punto de trabajo resulta:

-. ,

v..o - 'cc T _;
-
^cm
I

) ^cQ

Cuando la componente
:t cje continua circula por la Rg disipar'.una potencia igual
.. a

ELECTRONICA

\.-ry. o-zu
 ,:. '': , ':', -:
'

IóoR. como esta no'es una

potencta:- 5t la carga e.1tge tal
esta peroroa ce potencra pueoe
ser mejorada. .:',i,; : , ,
',.:
Consideremos ef rc¡rcuito mostrado en la figura 6.9:
t'..
?| ) i---tlR, Rcu.* RE

AE
,*,1T9 I

RE

p
D

v
r'Po
OD

-.v Vcc
Vr-r^= Vr-c= 2Vcc Vce
f¡Oú¿ e.S Circuito con transformador en colector y recta de carga.
',': ':
.,....
Como la resisteriCia de continua del primario del transformador es

Ro.=0+\'..o=\a.
Para que Iqq, Vcee:Vcc se'mantenga'se 'necesita una red de
la polarización
polarización adecuada en la base. Para oscilación simétrica la tensión pico a pico de
colector a emisor resulta: , ,

. : t"r-:; r. _ -,,

v;;l:2v..
. :.

'":,1'
t'.
.i.':..'-. . j

Por tanto psra :€vitdr la destrucción del transistor por la tenston de Dolanzaclon
't

inversa en la juntura de salida'debe ser: .':

::'", ;

ntt \ a\t ' i'

uv-.
¡ LC
¿ rv-^ IL
:

':'_-.-..'-
:.t'.,'':,: ' .' .:

La corriente de polarización del colector resulta:

i
PPi
I.rn - ^Dmer - ^Dmar '"
\\.' - \ t I t
Y--^
'chQ- V^^r'.
'cc '
'
.

1 - . .':
:

- :,,,t:.., -: t t '; :

Por tanto la cor:riehte plco a p¡co del colector resulta ' .-

1':''r''
.-' i.)
 PO]rENCIA

La maxrma
poténcia
'-.;
. ::'!.-
- .

i!i' '
D
ttac

t¡2
't!'
Ye¡
R, =
'P_^ Dnoi '

.1

La relación de transformac¡ón en función de las espirgs del bobinado del

transformador resulta: ".i- -.
.:,
"'"1:::

y l,
N, : N".
V,
' =:1|v,
'
N2 :t : =i1
N''
!'
i
N' ' ''
rr-
v,= N"'' --¡ v,: lN,)'u.
.¡, \-t
1\, -!ir | + | :i" como Nr= Np, Nz= Ns resulta:
i \N2/
- Lt'2Y.:'-
I\l n, RL

No /n,
t-
N 1/p
T^TL

La potencia de salida de alterna es

p
t -l2p
:

Lac ^c^'L

T^V
Pero I. = * resulta la potencia de alterna:

Pro. = I3uR,- donde i.u : I.,.

2.J2

p, : f I.p.)' R,- : v..nl.,n

-r Po,n"*
".
\2,12) 8 2

El valor de la poteniia disipada en el transistor es:

PDrn":V.rol.o:Vaclco

La .'.potencia
j,.. deentrada de [a fuente
- .. ': :;..:., de.alimentaci
;; -¡ ir-
,',; . t ' ' f' ,ti'
. : . "1',¿:.;

eLectnóNrcA
c¡€. 5-22
 CAPITI'LO vI : A!€LIFICADORIS DE POTENCI"p-

D
P.. : I.o\'.. : +\ \,'.. = Po,n.,
v^^
LL
. . .,1 ,;..i.".¡ _,i;.".,
.
:..i_-.
'
.r.,.: .. r .-,-
.:.r-_
..r I - ' .1.,1..';,
Por tanto el i'endimienio es:

p
ñ-
H
'hnl

n===___¿_=0.5_+n=50%
.DD
t CC t Dm".

De los resultados obtenidos se concluye que por la baja distorsión y por la

capacidad de transformación de potencia de continua en.alterna es recomendable ol
uso del amplificador clase A con acoplam¡ento a la carga por transformador.

Amplificadores de Potencia clase B (Push-Pull)

En el amplificador clase B la corriente de polarizació¡ Ice del transistor es mucho

menor que el valor máximo de la componente de alterna la de continua"teóricamente es
cero ya que el transistor esta polarizado en et límite del corte, eilo da lugar a una menor
disipación de potencia.en el colector y un aumento del rendimiento (78,5olo).

Fl fino de nolarización del transistor nos indica que'este solo amplifica un semiciclo
de la onda senoidal de excitación, por lo tanto para amplificar un ciclo completo
requiere dos transistores y un sistema sumador de semiciclos tal que pueda entregar a
la carga una onda senoidal completa, es decir que el sistema de dos'transistor es
mucho mayor que de un solo transistor, por lo que se logra amplificadores de mayor
potencia y rendimiento que un amplificador clase A con un solo transistor

Por el sistema sumador de semiciclos la configuración básiqa de este amplificador

recibe el nombre de pasos en contrafase ó amplificador Push-Pult,,.como.la polar:ización
de los transistores esta clase B (cada transistor en el límite del torte) coffio ambos !
transistores son PNP é Np¡1, se requiere que en el circuito exqltador de las bases de
ambos transistores t¿mbién exista el siste'ma sumador Oq s.eiiriciclos, esto se logra
acoplando la excitación de entrada por medio de un t¡angfoim-idor con,dos secundarios
cada uno acoplando base emisor de un transistor con el primario del transformador,
cada secundario solo'acopia un semiciclo de manera aditiva, y para qu.e la excitación
represente los 3609 un ciclo completo, esto se logra utilizándo el 'sentido de los
bobinados del secundarig, tal que laexcitación sea en contra fa,se, de.allíel,nombre del
amplificador, los colectores de los transistores se acoplan a la carga también por un
transformador, en este caso se tiene doble primario y un solo secundario, el circuito se
muestra en la siguiente figura 6.10.

: :-l '-'

EI-¡CTRONICA
cAP. 6-23
 CAPTTUI.O ¡¡I,: AMPLIFICADORES DE POTENCIA

+ <-;-
Yc e¡ ' Icl
- '= Vcc ',
.t.l

tB,-
-ilt-
'B
V¡r
'L 14
l¡r
rL :
+. €-

6.10 Circuito del amplificalor Push-Pull.

i!Sura

El funcionamiento para señales de este circuito-é¡ e¡ siguiente:

. En el semiciclo positivo en el transformador de exc¡tacíón del amplificador induce

en los secundar¡os:'luna tensión positiva' en la base de Qr con respecto a su
y
emisor negativo en la base de Qz con respecto u emisor, en estas t,
condic¡oneq el transistor Q1 del corte entra en su zona activa, conduciendo y
amplificando'este sem¡ciclo, circulando una corriente en su colector y eh el
primarlo del transformador de salida, el que induce un semiciclo en el secundario
entregando corrientg a la carga, en cambio el transistor Qz por el tipo de
polaridad aplicada en su base, del corte entra más en el corte, es decir que no
deja circular corrienle en su colector.

. En el semiciclo negat¡vo en el transformador de excitación del amplificador

induce en los secundarios una tensión negativo en la base du Q, con respecto a
su emisor y positiva en la base de Qz con respecto a su emisor, en estas
condiciones el transistor Q2 del cofte entra en su zona activa, conduciendo y
amplificando este semiciclo, circulando una corriente en su colector y en el
primario del transformador de salida, el que induce un semiciclo en el secundario
:entregando corriente a la carga, en cambio el
transistor Qr por el tipo de
purdnudu aplicada en su base, del corte entra más en el corte, es decir que no
^^t^-i-.t--¡ ^
deja circular corriente en su colector.

De la descripción se deduce que por la resistencia de carga del circuito circula

corriente en ambos'semiciclos, es decir que el transformador realiza la función de un
sumador de semiciclos por lo que la conducción es de 3600 eléctricos. La limitación de
la respuesta en frecuencia de estos amplificadores ocasiona que se dejó de lado esta
|.^^^t^^í^ ^^r^ c
Lupurugro/ rurL, ^ rndn€r-? ilustrativa realizaremos la deducción de sus ecuaciones.

Determínación de la recta de carga

Para este. propósito.s.g usa el circuiio mostrado en la figura 6.11,.

ELECTRONICA
c¡P. 6-24
 CAPIT1'f,O vI : A¡4PLIETCADORES DE POTEñCrA

.Vcc 2Vcc vce

VcEq,: Vcc

?:
: .: . Figura 6,11 Recta de carga,

Recta de carga Qe'corriente alterna

i. '', V..
I -,L-,7,-
: -----:-
r¡Pr¡¡¡rP
tcE ttl -
, ''tL
'' t:'" '

Cálculo de potencia

Como: i. : I*cos{Dt la forma de onda de las corrientes . de colector en los :;i..

.transistoreSeScomoSe-mUeStra'en|afigura6.L2'

lg

(l)t

l.' j ."' rqi,

ELECTRONICA
cap., g-zs
.'.?
_:-
, a :¡
 '''',: ,1,::.".., ,,',',.'. '' '':''-'. -;---"i-':¡;..,
' 't
' ::'
: ' l'r ;..',',:'', ' '
cap¡rú¡,o r¡ ', Ári¡.¡rrc¡ooREs DE porENcr¡
'.."
. .:,

Pote¡tcia de continua suministrada por Ia fuente potarización,-

,i
.r.: " .
. . .. .l ... .t 1....'. i
le
-'..", '1 ,

%. : l)nh [:. v..(i., (t) + i;: (t))drrrt

. L¿L
.:

Qesarrollando la ecuac¡ón considerando la conducción de cada transistor resulba:

.

l-1.r.
P.. : V..
LL + l.'i",c¡ (t)dcot
\/ .. '
+ V.. f-" i^. (t))dcot
'c.,: \'//-*'
2JT ¡ 2n k
,
l'¡1 rcrd
trÍ

T
t*' T,
rcml
P^^: 'cc. ,, +V
^cc V__ '..'cc-
. 7T

::
Cnmn T --¡|-V^- € Is6¡=Is¡1=Icm2
,vvrrv ,.,
:: r-

Por tanto el valor máximo es:

?\/l
D
rcc,na*
_ -'CC
- n'
7It(,L

Potencia de alterna transferida a la carga.-

Aplicando la definición de la potencia de alterna en la carga se tiene
1-
P.. = i [.(i.,(,) + i.](t))t
c:\// R.dcot
L ---
2nh

También se puede aplicar para el calculo de esta potencia el producto de la

.
corrrente y tension eficaz

P =Jlrcfrr\L
D .Añ I _ l.,n -^-,,t+--,¡^
^ L¡c LU¡ | tcfT - l; ttí)ulLdlluu
\z
l1
p
P -'ll D'
'Lac 1 ^cm'tL - -1'Il^crn^.¡
L:

r ¡l
¡D-"cc
, ^^--. - ------:-
/K \ l
-^

Potencia disípada en el colector de et y ez

p---p ; (el factor 2 significa que la disipáción es par¿ los'dos
2P - ^CC
-^D ^L¡ transistores)

ELECTRONICA
 :;
r.i -;:.'r1 . :::.::' , '

:
) R.I]
2P^ =
- =V..1-
-- .,n
-'l'Ll'-
7t . ': !- '¡..
:.',,

El valor máximo se,-encuentra

disipada con respedco'a I...
'lP 1 )l P
;rm"L
.1-tD
:-_v---2- -n
.'\.t )rrll -¡
'c ol- íc I

De esta ecuación despejamos la corriente I.. resultando:

¿ V: .-.:'
? rre
.. ,
, -

lcm = ---::
rR,.
. ..:
Para esta corriente se produce la máxima disipación de potencia en el amplificador
phus-pull, reemplazando la corriente en la ecuación de potencia se obtiene: i,-, I.-
'

¡ r¡-' '
)D =!'cc
"'ftnrr -/L pI\L

La potencia disipada-por cada transistor del amplificador,phus-pull es'la mitad de

lo obtenido para el sistema

üner=!vi'
P^
^
n Ra

,. ,
Rendimíento,- ' ' ,.,
:

El rendimiento del amplificador se obtiene del cociente de fa potencia de alterna

.
en.la carga sobre la potencia de continua suministrada por la fuenle de polarización es
decir; que representa la capacidad de transformación de la energía de cóntinua rec¡bida

-. ' :'..:'.,',,'.,:
.;:.,. . ,
._

t -, .' .' ,
.,-;.'
-.-' 't' ,'. ij""
v .: _'

1fi..
-,,
i ,: ;r:^'j.,':,;:,,, ' .,.' .t : '..:,
,,. r" .

n=;-+I=78,1%
+,,, ,. .:li, : ' ': . ,:,,, , :.,

. El valor encontrado-Dara el rendimiento nos indica que el amplificador Dus-Dull de

,.*.''.:..-.j\--;....'':'...",'i.
la energía"de continua recibiiJa,:transforma el 78o/o én atterná y:él,reétante'229,/o lo
orstpa en el meoto aTotente por e¡€

EI.ECTRONICA
c¡P..6-21

:
 c+fTryry vI : ¡¡lPLIFIcADoRss DE poTE¡¡cIA
. -,.:
Factor de mérito.-
:
:: _- ' ...'' ,.'. ,' :

fara poder seleccionar'el transistor apropiado:para:una determinada potencia de

alterna en la carga, ie define el factor de merito (FM) como el cociente de la potencia
de disipación del transisto¡ a la potencia de alterna en la carga.
': --r -,
vé.R.
p ---
FM: ;?
FM: ?qlo'. -+
Po,n", U+
:

7T'
.

n2
FM='" ,.
2 =5 .. ,,

De la relación obtenida, por Ej: si se quiere diseñar un amplificador que entregue

25w en la carga, se debe seleccionar los transistores que disipen 5w

Amplificadores de simetría complem en ta ria

El empleo de un solo transistor como etapa de salida de una cadena de

amplificación se traduce en una capacidad reducida de transformación de la energía de
continua entregada'al amplificador por la fuente de polarización en energía de alterna
entregada a la carga por el amplificador, es decir un rendimiento deficiente de la
cadena completa ya que del rendimiento de la última etapa depende el total de la
cadena. Además la potencia máxima que puede suministrar un solo transistor es
bastante reducida que la disponible en los bornes de un conjunto formado por dos
transistores idénticos dispuestos en simetría complementaria o en contrafase.

Desarrollaremos un sistema de amplificación que nos permita obtener un

rendimiento elevado y mejores condiciones de respuesta en frecuencia que un
amplificador pus-pul¡.

Etapa de salida de simetría complementaria

Está constituida por un par de transistores complementarios (NPN y pNp) que se

dispone en clase B cada transistor y el conjunto trabaja en clase A, excitados por otro
que trabaja en clase A, es Ia configuración más simple y por lo tanto la más atractiva y
se puede obtener potencias con un par de transistores hasta unos 20W. potencias
superiores están limitadas por el transistor excitador y por los transistores de salida,
este problema se resuelve recurriendo a las configu'raciones de transistores dispuestos
en Darlington y el gonjunto en par qomplgmentei¡o para Ia e'taqa de salida y a pares

e¡,¡crRóNrc¿
 ;.'r:.:.'l

CAPITUaO vI : .AMPLIFICADORTS DE POTENCIA

complementarios para la etapa de salida, con estas topologías se pueden. obtener

potencias muy altas;
, ,

El circuito'de la figu¡a 6.i3 es la configuración básica que permite detallar como

funciona'un amplificador par complementario además detalia como se obtiene potencia
sobre la carga, este'circüito.constituye el'pr:incipio:lógico de estos amplificadores. La
alimentación se hace con dos fuentes de coniinua de valor Vcc/2.

\-

-\

,
Is: a,
:.r E b L
ñgura 6.13 Circuito básico del amplificador par complementario.

Si en el .circuito,?justamos el cui'sor del potenciómetro en su posición media; por

el divisor de tensión que se'forma en el nodo C se t¡ene una tensión YcclZ,"pdrd
i.
verificar lo afirmado realizamos:

. 'Entre extremos'del ;'potenciómetro ,se ti€ne aplicada una tensión V66, €l

potenciómetro se divide en dos resistencias de igual valor (Ra y Re),
estableciéndose en el punto medio del potenciómetro (nodo C) una tensión de:

V..
\'^^:l(R.'R^)->l:
ll ' t ó:
P :P
I\I '¡\B

.:
como Ra=Re resulta
, ,.,1

La tensión (V o negativa dependiendo punto de referencia

el
nilp <a rnmé on la referencia es el nodo E y negativa si la
referencia es el nodo

. En el nodo
'v..':'Vif",,
'a ')

ELECTRONICA
cAP. 6-29
 r: :4. .,- .1 i:,- .a
.,-. .

CAPITUT,O \¡I . : A},fPIIFIC¡DORES DE POTENCIA

'',t -:, i '
, ": _.i ,,: 'I l
.:
, ,:,!a tensió¡,,(Vn) RUgde ser pos¡tiva o negatiya .depe¡diendo el punto de referencia
que se tome 9n el,c!¡'cu,itg'(positiva si la referenbia rés el noQo E y negativa'si la

': t ,1. ,.1 .:..:- ''i ''i : ' I '¡-'-

' ii . "¡-"
. Enel ngdg Q,;pu¡to de unión de tos emisores de los lransistores er y ez, como
.9¡tos sbn,corllplementarios es decir e1 (NpN) y e2 (pNp) y son iguales
(fabricados del mismo semiconductor), se tiene una tensióf;Yccl2, para verificar
--' . '
lo afirmado realizamos:
Los transistores Qr y Qz para los terminales:de base y emisor están en paralelo
en consec.uelcig,Vsrr=veE2 (Germanio vs6=_Q,2V; Silicio VeE=0r5v) por lo que
tensión .' nro,,q?.B - :'
la "n
, lesulta: . .' .
'

Vu:Vc*Vr., 9 V,:Y.+Vu'
\t \I | \¡'
-

Esta tensión 1ú-u1t puede ser positiva o

negativa dependiendo el punto de
referencia que ge tqmg en el circuito (positiva si la referencia es el nodo E y negativa si
la referencia es'el nodo D).1

Como las tension€S VsEl=Vaez y son de valor reducido (pudiendo despreciarse)

por lo tanto Vs=Vc, además a esta conclusión se puede llegar también del hecho de
Que Qr ! Q2 son seguidores emisivos para el nodo B, por lo tanto lo que ocurre en la
base debe ocurrir en'el emisor, además los seguidores emisivos ó colector común
tienen la ganancia de tensión de valor unitario, por lo que las variaciones de la tensión
en la entrada (nodo c) son las mismas que en la salida (nodo B) por lo tanto:

vr:*

Que los nodos C y B tengan el mismo potencial (Vcc/2) se puede obtener por
simple'observación de la'simetría del circuito.

Del análisis realizado se concluye que la diferencia de potencial entre el nodo C y

B es cero, puesto que:

Vcu : V. - Vo como resulta:

v.. \.'.
V.o =
L522Lrj - -+ V^^ = o

Et resultado obtenido significa que esta cortocircuitado la base y el ernisor de los

transistores Qr Y Qz, €s decir que la tensión Vs6 €s igual a cero, esta es la condición de
polalización de ios transistores (er, ez) cqrte
"a]

ELECTRONICA
 CÁ"ITIJLO VI : AIGLIFIC-ADORES DE POTEIICIA

La tensión sobre la resistenc¡a de carga (Rc) dei circuito se observa que:

. El nodo A tiene,una.polaridad positiva co-n,respecto al colecto¡- de Qz y negativo

respecto al colector de Qt y de valor:

\,.\1-

. El nodo B tiene una polaridad positiva con respecto al colector d. Q, y negatlvo

respecto al colector d. Qt y de valor:

\ ¡
\/LL
"l
. La diferencia de potencial en Rc resulta de valor cero, es decir

'Rc:vB_\,A

\t^. \i..
\.-(a = __!!_ _ .. __) \r. - 0
-
^
-,/-
^ ^a

Como: '

\'" : iR-
RC
u

La res¡stencia de'carga, R6,es diferente de cero, para que la tensión sobre la

resistenc¡a de carga sea cero la corriente I debe ser c€:ro (I=0)'

I
La corriente del circuito proviene del emisor de los transistores Qi y Q2, estos
están polarizados al corte (Is=O) por lo que la corriente de colector,'es igual a cero
(Ic=0) y esta cor:riente es igual a la corriente de emisor (feiO¡, po¡ Lo tanto en el
circuito no circula coriiente, r:atificando la condición de corte:dé !cjs,'transistores, en
estascondiciones el púntó,estático'de trabajo d. Q, Y Qz es Q=f(Vi¡=Yccl ,2; Ic=0).
.,..1,
Por lo expuesto se concluye que los transistores está¡r'polarizados para que
trabajen como clase 8., a partir de este punto de trabajo. veamos eomo funciona el
circuito:

. Si el cursor del potenciómetro P desplazamos hacia la part!, superior nodo D del

circuito, la tensión del nodo C (Vc) se hace mas positivo (incrementa), por lo
tanto Vq)Vs, la juntura base emisor del transistor Ql se polariza en directa, en
cambio la juntuia base emisor del transistor Qz se polariza más en inversa en
estas condicio'net.,.! t¡qnsistor Q1 conduce cqda ,vez..:mas ,hgsta :llegar a
satur:ación, en este pünto la tensión colector emisor del Qi se'a¡Íroxima a.cero
(Vceqr=O), por que el nodó B áumenta su tensión,de Vlc l2 ávc; (Ve=Vcc),
]o

eLEcraóNacA
cAP. 6-31
 c¿Prfltr,o vr' :

La corriente del transisto¡, Qr (Iqr¡ circula pQr la resistencia Rc del nodo B hacia
el A y toma el valor de:

V*.:Vs-Vo

V
Como Vu = V.. y : jsa ¡g5llli¿;
,Vo t
. :,,.-1.: , -...
,..,,,. .

.t
'
t/ -'i.
V^ :V^^-v.a'=.Vt.
KcLL.a-
,

LL

Y V*c : I.,R., por lo tanto: : : :

,^c,-v..
2R.

'Si retornamos el cursor del potenciómetro P del nodo D hacia el nodo C, el

transistor Qr de plena conducción (casi en saturación) vuelve a su condición
inicial de transistor coftado, en camb¡o el transistor Qz retorna del corte hacia su
posición inicial de corte; en este punto el transistor Qr y Qz se encuentran en
condiciones de reposo (Icr-Icz=0).
Si el cursor del potenciómetro P desplazamos hacia la parte inferior nodo E
(¡eferencia) del circuito, la tensión del nodo C (Vc) toma el valor cero (Vs=Q)
'por lo tanto Ve)Vc, la juntura base emisor del transistor Qi se polariza mas en
inversa, en cambio la juntura base emisor del transistor Q2 se polariza en
directa, en estas condiciones el transistor Q1 está cada vez más al corte y la
corriente de colector es igual a cero (Icr=0), en cambio el transistor Qz conduce
cada vez más hasta llegar a saturación, en este punto la tensión colector emisor
d. Q, se aproxima a cero (Vcrqz=0), por lo que el nodo B disminuye SU tensión
de Yccl2 a 0 (Vs=0), esta condición también se puede apreciar del hecho de
que el transistor Qz es seguidor emisivo y la ganancia de tensión toma el valor
de uno, por lo que la tensión del nodo B es la misma que la tensión del nodo C,
por lo tanto por el transistor Q2 circula una corriente Ig2.

. La corriente del transistor Q2 (Is2) circula por la resistencia Rc del nodo A hacia
el ¡odo.B y toma el valor,de:

ELECTRONICA

cA". 5-32
 AMPLI!'ICADORES DE POTENCIA

V*. V, - V^

Como Vu :0

\/ \/
V,''c))=0-'cc --'cc

y \'*. = I.,R., por lo tanto:

,c, __
f _ LL

2Rr

. Si retornamos'el cursor del potenciómetro P del nodo E hacia el nodo C, el

transistor Q1 retorna del corte hac¡a su posición inicial de corte, en cambio el
transistor Qz de ptena conducción (casi en saturación) vuelve a su condición
inicial de transistbr cortado; en este punto el transistor Qr y Qz se encuentran en
condiciones de' reposo (Ig1=l.z=0).

De lo expuesto se concluye que cuando el cursor del potenciómetro nodo C se

desplaza al nodo D ó E, en ambos casos la tensión máxima sobre Rc €s la tensión de la
batería Yccl2, en estas condiciones circula la máxima corriente entregada por uno de
los transistores sobre la resistencia Rs y su valor es:

,^cmer:v..
2Ra

Sen,in| rnnrlrtZCd
vvY9¡ LVr ru! Qr ó Qz la direCción de la COrriente a través,de Rc Cambiará en
cada caso, como así la polaridad de la tensión; la corriente se incrementa desde 0 hasta
Icmai en uno u otro sentido, circulando corriente variable permane.ntemente, la tensión
en Rc de la mismar:manera varía desde 0 hasta Yccl? col ,polaridád positiva ó
negativa, por lo tanto sería posible obtener una tensión de sallda pico a pico del valor
de Vss, tal como se muestra e,n la figura 6.14.
'
Si se trata de una tensión senoidal sobre la resistencia de carga Rs, la Éotencia máxima
teórica sería:
.

P,-r. = V'.olon

\/^
I - =it,
ts a -l
Donde: \,¡jen - *lll^'
reemDlazando en la definicion de ootencia resulta:
\Ll.¡ r/l
.:.
\/^:._l^: t,t,
p
'Lac
!! \f ¿

cAP.,6-33
 cAPrrulo DE POTENCIA

Q¡:conduce
Q2:cortado

Q¡:cortado
Q2:conduce

- ]&e
2

Figura 6.14 Forma de onda de la tensión de salida.

En este caso los valores máximos o picos de tensión y corriente son:

V.. ^ rA ___i_:
v"" _vaa
- ----::-
= e l' =
2 Rc 2R.
Por Io tanto la potencia máxima en la carga resulta:

p
^ l:c

p
'L"'-
V.l.
8R.

Del desarrollo queda perfectamente claro que la potencia en la carga es

directamente proporcional al cuadrado de Vs6 e inversamente proporcional a
fu.
Los circuitos como el analizado que utilizan dos fuentes de tensión de polaridad
opuesta/ para una adecuada transformación de las componentes de continua en
alterna, deben garantizar una perfecta simetría, esto constituye una deficiencia del
circuito, por lo que es recomendable reemplazar las dos fuentes de tensión de continua
por una sola, y para evitar que circule por la resistencia de c-arga Rs conrponentes
de
continua, se debe realizar el acoolamientg de qarga a los lrañslstores por medio de
la
un capacito'r, tal tomo se representa én la figura ,. 6.tS: i',

p¡-ecrRóHrc¡

c¡P. 6-34
 CAPITLJ:LO VI : A}€LIFICSDORIS DE POT¡NCIA

Vcc

/^-LI
\YL

rf-
n
¿ ^L
I

t_
Figura 6.15 Circuito del par complementario con una sola fuente de alimentación, ,

Del circuito vemos que las condiciones para los nodos B y C no,han cambiado
respecto del circuito analizado, portanto las tensiones en estos nodos sonl

Vu:-it
v^^ V^^
Y Vc=--!!-
t','

Como en el nodo B se tiene una tensión de continua, el condensador de

acoplamiento evita que circule corriente de continua en la carga, pero en el circuito de
salida se establece un circuito transitorio entre el capacitor y la resistencia de carga,
cargándose el capacitor con una constante de tiempo r=CRc hasta una tensión de
valor Vcc/ 2, en estas'condiciones cuando la tensión en el nodo C (Vs) aumenta hasta
Yccl2 adicionales Q1 conducirá y Qz se corta cargándose el capacitor C circulando una
corriente (Is1) entre el transistor Q1, el capacitor C y la carga R6, la tensión máxima
que desarrolla sobre la carga es:

r'
v..
'R. =\/ 'cc
2

En el circuito de la figura 6.15 se reproduce el caso analizado para el circuito de la

figura 6.13 para la condicign de incremento de V6

Cuando la tensión en el nodo. C (Vs) disminuye Q:. se corta y Qz conduce, el

capacitor C que se encontraba cargada con Yccl2 sq comportará como fuente de
tensión, circulando una c"orriente (Is2) entre el capacitor C, el transistor Qz y la
resistencia de carga Rc,,la tensión máxima que desarrolla sobre la carga es

sLEcraó¡¡rcA
aap Á-?5

__.1..,,
 CAPIT1I!o \T : AMPUFICADoRES DE PoTENCIA
j
.. r. ,__: ' a-

Volviendo a repet¡rse el caso anarizado, por lo que concluimos que el circuito con
una sbla fuentelf,e te¡¡ión funciong' exactamente igual que con dos fuentes de tensión
de continua se {gbe tener: c¡ridadp en la selección del Capacitor,'puesto que este debe
garantizar una respuesta en'bajas frecuencias y responder a lainar¡iC¡ones
de tensión.
Asl mlsmo se aclára las co¡diciones de tensión 'en el
.que capacitor C se repite si
primero conduce Q, y se corta e1

cador de símetría
'poten.¡ár.tro complementaria
se basó en la variación bel cu'rsor Oef p,:Ér:,iVariu.ion., del cursor
significaron cambios qn,'el punto de trabajo estático de los transistores
er y ez, €ste
mismo efecto se puede lograr si reempra.aror el potenciómetro p pori-]n'triñrirto,
(Qg) tal como se indica en el circuito de la figura 6.16.
-l : ,. ;'t{. .'
., _
En el circuitg {q, l? figura 6.16 la tensión de polarizác¡ón''de las bases de los
transistores Qr Y Q2 estarán fijadas por la fuente de tensión Vss, la resistencia R' y por
la tensión colector'emisor del transistor Q3, por lo analizado la tensión de las bases de
los transistores Q+ y Qa debe ser de valor Vgs/2, signlficando que en el circuito en R'
debemos tener una tensión:igual a la tensión colector emisor d.
e, y este debe ser de
valor Yccl2, por: lo tanto el'punto de trabajo del transistor Q3 está fijado en Vgs/2 y
debe ser clase A por que debe entregar una variación de tensión de 3600 eléctricos
para garantizar el funcionamiento du Qt Y Qz, veamos como funciona el circuito a partir
del punto de trabajo indicado,

In, Vger
-->' +

Figura 6.16 Amplificador par comptementario con excitación por b-ansistor,

Cuando Q3 conduzca más aumentando la corriente fs3,,-cor1 lo que Ve disminuirá

, 1..
Qr se bloquea y Q2 conduce. : .--:. .,
-.,
-.-l-,..,..,

ELECTRONICA
 .'
CAPI"ULO \rI'-. : A}@LIFICEDORES DE POTENCIA

Cuando Q3 conduzca menos disminuyendo la corriente lig, 60¡ le _Que Ve

aumenta Qz se bloquea, y Q1 conduce. El úalor. de Cs deb'e ser grande para evitar
r',;;
pérdidas en la:respuedtaten bajas freéurenb¡as Dijró estoñó es cítico';'o*.'-.'-""" '':''.:'

, Por. el tipo',,Qe 'polarización los tránsistoreg ,Qr y

Qz trabajan en ilase ' B
(conductión de 1800), recordémos'que los transistores bipolares tienen'una tensión tde
arranque (Vl ) en la juntura base emisor, para tensiones inferiores al de arranque los
transistores no conducen esta condición nos indica que los ,transistores Q1 y Qz
trabajan muy cerca de clase C (conducen menos de 1800), tal'como se muestra-en la
figura,6.17, por lo tánto,.qparecerá,una distorsión por crucé, ya que ninguno de los
transistores conduce en el -periodo fy,era_de esta región cuando alguno
i-" U
L*",
de los dos transistoréi conduce esdecir que la tensión'báse,emisor superó la tensión de
arranque, la te¡s!ón instantánea de salida en el emisor de los transistores del par
complementario ó en contrafase es:
-.-' 1. .'

\'. = \.0 -V* r:

Donde:

Vs=t€nsióndé:sal!daenlosemisoresdeQróQz
vu= tensión en las bases d. Qt ó Qt, ó tensión de salida d. Qt
Vsr= tensión base emisor de Qt ó Qz cuando conducen

ELTCTRONICA
cAP. 6-37
 . .-: ... :.1,":,.j^...t!
.. ::1:. ¡j-i'r:-^,
:... .t i-:;.i.
.. .:.¿....f.::.:-;:, .. I
,-,ii
,..- '-:..,.,:'.
,,:,. r';. , .----i:: A}'ÍPLTFICADORES DE POTENCTA
.' LI :-:' .:r- ' : -,.' . .- I .

?.eia eviFr: la, distorsió¡ introducida en gl "cruce 'por, céro de la tensión de

3xci,ta¡ro1 |e ia¡
base',d.d; ú¡si'táüo;i:6",,é";i;;.#;i#'Iu'ouo. preporarizar
l?s Da.sesidP lgq transislgies,de salida,.de tal.manera que sulpJ.¡nto de trabaio
beai en
clase AB',(conducción eléctrica de más'de 180ó y menos de 360ó)'para
lograr este
punto de t¡9na1o e¡,el amplificador se coloca una resistencia Rz entre las
baseJ de er y
Qz, la caída de tensión'sobre Rz será la sumá de las oJs tensiones vri-J.-il,
transistores Qr Y Q2 (Silicio ver=0,6v) en estas condiciones de polarización ilase
ae
de los transistores de salida, circulará una corriente de continua poiüt-5u,-.;';
c,olectores, produciendo una sobre elevación oe la'temperat;;; junturas, estos ;;l-s
dispositivos 'son -sensibles a
las variacionei tf¡micas, por ,lo qrut ,u presentan
váriaciones det punto de lrabajo, la yariación de tempeiatura produce variaciones
de
rsss (se duplicg. por gqda 109c de r de. el que ocasiona
fumento ;temperaiura¡
incremento de ia corriénte de: colector,' además las 'uariaciones i¿ir¡.ur p;;;;;;
disminución de ta tensión bases emison.i; i¿¡i
p.r-i-áá-oJ oe aumento de
temperatura) como consecuencia se ¡ncr.*Lntulu corii.ni. d;b;r.; ñ
.irr:-r?¿ ü;
colector introduciendo inestabilidad en el punto de trabajo de los'transistores
er y ez,
este efecto nos oUtigá intioduc¡r una nueva modificáciOí ¿et .ii.r'to para estabilizar el
punto de trabajo'de los transistores de salida, poniendo resistencias (Rs, R¿)en los
emisores de cada transistor,'los circuitos utilizados se muestran en ta figura 6.18.

Ig'
.:->

Bt fE Y'u.t
+

*\¡rÉ Vce
üI
&

¿r,¿crRó¡¡rc¿
 .. ¡

\rI : ¡]4LIFICADOR-ES DE POTENCIA

CAPITUTO
¡,;:..'-.'. .)',,i ',":..-:l;il. i--: , ' .
:-,: 'jr-:_:
,-'', ,?
;
' . a" '
El valor de R2,'(Qué,p ub prepolariza las bases de los transistores de salida) debe ser
pequeño para que la'excitación eri las bases de. ios trahsistores de salida no sean muy
diferentes entre si, las:iesistencias nrV no contiibuyen á'ia estabilización térmica de los
transistores, sus valores deben ser reducidcs pa::a no producir pérdidas excesivas de
potenciá, puesto qüe.nó's'é puede utilizar capácitores en derivación por las corrientes
que se manejan en los amplificadcres de potencia para evitar la realimentación de
alterna.

, El transistor Q3'deberá polarizar correctamente a los transistores Qr y Qz, Ia

tensión en el colector emisor d. Q= es Vcc/ 2 y la corriente que deberá manejar en el
colector (16) será por menos e_t valor de pico máximo (il, o ii ) que necesitan los
fo
transistores de salida en sus bases. Lo que significa que.la poiencia que debe manejar
este transistor (Q3) es grande, por esta condición y dependiendo de la potencia de
salida ciel amplificador, la corriente de base Q¡ es manejada por la corriente de
colector de Qo, cuyo emisor es retornado al nodo común de los emisores,de. los
transistores Qr y Qz estableciendo realimentación negaiiva de :continua . para
incrementar la estabilidad del circuito de oolarización del coniunto del amplificador.

Fu n cio n a m ie n to dín á m ico

En el transistor excitador (Q¡) del par complementario aplicamos una tensión de

alterna en la base, en el semiciclo negativo el transistor Q3 conduce menos,
disminuyendo la corriente de base (i63) con lo que disminuye la corriente de colector
(i6), aproximándose al corte, esto significa que aumenta la tensión colector emisor
(v..s), este aumento de tensión hace que el transistor Qr entre del corte'a conducción
y Qz del corte se va má¡ át, corte, en el semiciclo positivo de ia ténsión de alterna en la
baqe del transistor Q3. estQ conduce más aumentando la corriente de ba5e (ius) con lo
qre:aumenta la cori¡ente Je colector (i6) aproximándose:a satúración, esto significa
que disminuye la tensión colector emisor (v.":), esta disminución',de tensión hace que
el transistor Qr del 'corté éniré más al cofte y Qz entre del corie a conducción, Ios
detalles se muestran en la flgura 6.19.
: '.' .: .l

En estas condicionés del funcionamiento dinámico del circuito se tiene las

siquientes
'
tensiones en el nodo A.
:t'.

Con Q1 conducierido hasta saturarse (punto Ar)

LL - V-
\'.Ar = \'^- \/
LEls¡t - t R., .

Con Q2 conduciendo hpsta saturación (punto A2)

':...'''''.-,.'.,..:.i..j|...].."''.-|.
*
Yo, = V*, Vrr,r.,
*Va.,r",

ELECTRONTCA
cAP. 6-39

:.. :ji'-
 DE POTTNCIA

Vcel
;'Vn:

\: \\
,

.
'. \ f
Vnr Az
'. V BElsat
i sat

Figura 6.19 Fo¡ma de onda para el élculo de la máxima señal de salida.

Por lo tanto la tensión pico a pico de salida será:

Vl" :
sAtA2 \/^ -v^

Vl" : Vaa - Van,*, - V*, - Vn, Vuur*, - Vaar*,

De esta ecuac¡ón se calcula el valor ef¡caz de la tensión de salida como de la

ecuación desarrollada se puede ver que
f:
v^'
V*rr =:ll;
,/ \l ,/

De Ia ecuación desarrollada y del diagrama de onda de la figura 6.19 se puede ver

que:

V..
^2
v ^ f

En una primera aprox¡mación se desprecia todas las caídas de tensión en las

res¡stencias puestas en los emisores de los transistores de salida y obtener una primera
aprox¡mación en los cálculos.

ELECTRONICA
c¡P.6-40
 CAPITLEO 1'I : A¡@LIFICADORIS DE PoTENCIA

Por tanto

\,¡'- LL
Y. :.'';-,'

Como esta tensión se calcula la corriente de colector pico que circula por los
transistores de salida v la carqa en cada semiciclo de la tensión de entrada.

I'= Ycc \¡ \l
t'cc
'; lip *p =
-rn.*rt-.) 2(Rc-R*)

Las resistencias R: R¿ son de valores reducidos para ,disminuir la realimentación

y
negativa y posibilitar alguna estabilización del punto de trabajo frente a variaciones
térmicas, por ser de valores reducidos se puede despreciar.
\¡) (-('
l-
' lR.
-

También se deduce que la máxima tensión que soporta cada transistor de la etapa
de salida Qr y Qz es igual d Vcc y la corriente máxima de colector es la obtenida en la
ecuac¡ón deducida. Ambos valores deberán ser inferiores a las máximas que admiten
estos transistores.

Potencía dísipada en los transístores de salída

I os amnlificadores son sistemas que transforman la energía, de continua utilizada

p.,.u;;;;;.; ;;;'nr;. áril''.- I'i,iágaoa u tu .u.su, .tiu .onuuisión se ta reatiza
bajo el control de una señal reducida de alterna en la entrada del amplificador como el
proceso de la transformáción no es perfecto, la diferencia entre la énergía de continua y
las de alterna es la enerEía OisipaOa poi el sistema, la energía de alterná qr. controla el
proceso de transformación es reducidar,por lo cual despreciaremos en la ecuac¡ón
resultante. Por lo tanto',.|a :potencia disipada por los transistores de salida en el
amplificador es igual a la potencia suministrada por la fuente' de alimentación (Pcc)
menos la potencia entregada a la carga (Pr".)

P
^ D =P
'CC -P
'L¡c

I a notencia entreoada Dor la fuente de polarización del circuito es'

: I .l;
ln¡I
P.. V..ildr¡t :

ElECTRONTCA
cAP. 5-41
 1/ \ t^
P : vccv,
Lfa
LLñ
7[t(.

La potencia.-de alterna entregada a la carga:

,.,:i,. -.* .r
j :''.
,

P- :V T "'.t,\.
^Lac ''seffrscff
, t .- : : .
,j : '-
'' .' .. l¡'.' ., I'
. '".i,
v^. ,,'
e I*n =*
T^
I't':' ,

Como \"n:f
--':
l¿ta ta
la potencia de alterna resulta:
': 't¿

D
.V^I"'S 'S
^ [:c= .,t¿ l.
1.,!¿

\¡^ '

Como Il: ' Y-

--- -- -t!-
resulta:

.v t¡¡l
:
,

R,"
uu ?p =i-
':''1

Por lo tanto la potencia disipada en los transistores

',Po=P..-Pr"

Remplazando las ecuac¡ones obtenidas para la potencia de continua entregada por

la fuente de tensión de continua y la potencia de alterna entregada a la carga résulta:

p. = &.8- - -"1'
" : .V;^-f &. v," l
ftR. 2R. R.\ 7r 2 )
Potencia disipada en un solo transistor es la mitad de la anterior ecuac¡ón:

P_
_ v:, (v--
I LL _ v")
's I

2R.[ r 2)

produce :la maxrma

r¡,sctnóNrcA
 C¡PITLILO VI : AMPLIFIC¡DORES DE POTENCIA

disipación de potencia, para esto recurrimos a la ecuación matemática de ondas

'--:-.:: punto
cosenoidales buscando,-el T-'-- máximo
-. de inflexión que se ubica con la prime¡a
^*-.',.i.'
derivada el cual se iguala a cero.

dP^ l) \
v-- v'
L!
-
:
=ll
-_L=
,'{\/ P
- tj -Q
/lr\C ,.C

, Resultando la tensión de alterna pai'a el que la disipación es.máxima

\''r' = f;'

Por tanto la potencia disipada en cada transistor'resulta

!

n Y^^
':
ll
^ Dlma\ 4¡t
r
R-

Factor de mérito
partida
Normalmente para el diseño de los amplificadores de potencia, un dato de
es la potencia de uit"rnu (Pr".) que se quiere entregar a la carga y para'esto se debe
'potencia resultante del
seleccionar los transistores adecuados que puedan disipar la
cálculo relacionada con, la potencia .de. salida de alte¡:na en la carga para esto se define
un factor de mérito como relación de la potencia de alterna en la carga a la potencia
disipada por los transistores.
p
tr]\,f
p
^ Dlmer

"Remplazando las,ecuáciones obtenidas

para las potencias en la relación anter¡or
seobtienei ' .

'
' '. l'
," :'
-.1 ,:'
vcc :"t:'..
r\r- 8\
¡ rvl - -------i- -V;c4ÍrRc
= --------a-;-
ññ \t:
\/: v
cc óKc vcc
Ir]R-. ;

ft- , P.'
r, ---..
Flvf =" -4,9_+p^.
'" "Dlmar --L:)\Ta\
- 5
2

raGor.oe mér:itÓ iioi".muestra' que para tener una ,pote.nqig de alterna en la

tl
.i
'''! _
-

carga"PL"., los transistores debel disipar una quinta parté,1'1de éstá potenciaT'por
.

..

slEcrsóxrcA -'. .

cAP.6-43
 '- ' :" .::i

. .,-,'lt :..-1t l
. . CAPIfl'LO 1¡I : AMPLIFICADORES DE PoTENCIA
:.,. -
..
1'
,.
l
: t 'l'-"''
ejemp"lg se requ¡erg ula potencia de alterna en la salida de 10 vatios, los transistores
debeqi'disipar, 2 vatigg,cada uno.

Evidgntemente':li'póténcia disipad'a,'por cada'transistcjr..áebe sel inferior a la

potencia máxima permisible del dispositivo:
:

D
T'Jmax -T^
" A +A -ra
"JC'vcD'vDA

0,. = resistencia térmica entre la juntura y carcaza

Oco = resist-enc¡a térmica entre carcaza y disipador

0oo = disipador ambiente

, .''l :'

Rendimiento. .-,:-'
..'
Un parámetro i¡nportante del amplificador es la capacidad de conversión de la
energía de continua que'entrega la fuente de polarización en energía de alterna que se
entrega a la carga, este parámetro representa el rendimiento definido como el cociente
de estas potencias.

.. P,o.
- D
^cc

Remplazando las ecuaciones obtenidas para las potencias en la relación anterior

se obtiene:

vcc

'r, 8R.
11 :

v:^
-L(
'
V;.2n R.
RR
. "^.C-v-r-
'CC
2nR.

T
jl-n ,
't A -' TRsr:?eo./^
t-r: - -) t1 :78Yo

El resultado obtenido del rend¡miento nos indica que el BOo/o de la energía de

continua recibida se transforma en alterna y el 2}o/o se disipa como calor,

Transistor excitador

describió el.funcion?*i:nt9^di19mjco del amplificador par comptemenrario

!:ll9-t:..
establecio que el transistor excitador, (Q¡)tO¿¡e,estár polarizadó'en
se
clase A, la Variación

r:,ecrRóNrce
cAP. 6-4{
 '¡.il"

CAPITLTLO VI : AIPLIFICADCR-ES DE ?OTENCIA

de la tensión colector emisor (v."e) debe ser igual a la tensión de salida en la carga del
amplificador, ya que,los transistores Qr y Q2 son seguidores emisivos, la corrienie de
colector de:conlinua en-elt'colector dei transistor eicitadorl(Q:.'rcs):¿ébé ser mayor que
los valores máximos de las corrientes de base (ii,.ii,) de los transistores de salida'
Esto significa que la potencia que "debe manejar el transistor excitador debe ser
conslderable.

La corriente del punto de trabajo está dado por:

T
\'^_ - \'-L
tc¡- * L!
p
^\|

Como \". =\i^f' resulta Pdrd Ic¡ de Qt

I _
v^^
LL
'cl rD
:1\ I

Para la corriente de alterna, Qs s€ comporta como generador de corriente, la

corriente de colector.el los semiciclos es:

i., = i* - io, semiciclo negativo

i., = i*, - io semiciclo Positivo

En ambos casos la corriente por la resistencia Rr (inr) se suma a las corrientes de

los transistores de salida, la potencia desarrollafa en esta resistencia
(R1) no es aprovechado, ,por lo que se debe buscar un meca,nismo para reducir la
componente de la corriehte de alterna'que circula por esta resistéjnciá. Un mecanismo
que se podría utilizar-es incrementando la resistencia Rr pero, ésto significa variar ei
punto de trabajo del, transistor Q3 por lo tanto no está permitido, esta solución, para
evitar la variación .riu resistenciJ, t.
toma otra solución para disminuir ia corriente de
alterna que circula por Rr,::dividir en dos partes esta resistencfa,yien:e[ punto de unión
aplicamos el principio d.e bost-trape (t[ra botas) por medio dá,üri condensador conecta
do entre el nodo;; rÑ¿rt;u un',turtrei¡stenciásy el noáó de unión de las resistencias
puestas en los emisores dé'los transistores de salida, el principio bost-tra e se base en
el hecho de que la gahanCia de tensión de los transistores de salida toman el valor de
uno, es decir si la tensión én las basgs de Ql y Qz aumenta o disminuye, la tensión en
los emisores de es¡os .¡iansistoréd -tamOién Jumenta ó 'disminuyá e!
la m.isma
proporción, esta variación es acoplada y guiada por medio del condenSador de bos!-
trape al nodo ¿. ,ni¿n Oe la: resis¡enciás iel colector de Qa, lcaslgnairdb ta anulación
de [a c.orriente'de'alterna,qug circula'por una de las resistencial .ei óircuito fest¡tante
'O
es el que se muestra e"n la figura ZOI

e¡,rcraóN¡cA
' .: , :l cAP. 6-45
 +
vatrr
+--; ' ""1

Ir.

E)

Figura 6.20 Amplificador par complementario, circuitos con bost trape,

En el circuito observamos que R1 s€ dividió en Rr:. y Rrz por lo que: Rr=

R11*R12, como R2 es muy reducido y es utilizado para prepolarizar las bases de los
transistores de salida y evitar Ia distorsión por cruce, en el circuito de bost-trape se
debe adoptar el valor del capacitor tal que represente un cofto circuito a las frecuencias
más bajas a ser reproducidas por el amplificador, observando los circuitos resultantes
para alterna, cuando conduce Qr y se corta Qz ó cuando conduce
Qz y se corta er, tal
como se representa'en el circuito de la figura 6.20, en el circuito debe círcular las
componentes de alterna solo por la resistencia de carga (nc) V no por las resistencias
de polarización.

Supongamos que conduce Qz y se cofta Qr, se deben tomar en cuenta las

siguientes relacionesi Rrr>)Xc+para que la cori-iente de aiterna 5e derive por Ca hacia
la carga además Rrr))Rc.

Como X6a S€ considera corto circuito, la corriente de alterna solo circula por Rc,
adernás Rrz))X6a pord que la corriente de alterna se derive a las bases de los
transistores de salida.

Por lo tanto para un buen funcionamiento del circuito se debe adootar:

R,, :10R.
!r,;,
i,r' -,

ELECTRONICA

c¡P" 5-45
 - C¡'PIrULO vI : AMPLIFICADoRES DE POTENCIA

Como la resistencia Ri que es la suma de las resistencias Rrr Y Rrz, se determina

',.: -'-; ''''' ""."

el valor de R12, determinamos
del circuito.de pglari.zgciÓir y calculado Rrr, se determina
ra ari¿¿ Já'¡oiu¡.iui un Cri como
r : '.:i-':'":' :
'! :
.

V*,, =\tur, =l.,R,o

Como V*,. :i*,,R.,,, resu|ta para |a corriente de alterna Rrz

\/l^- rI¡ I¡
P
l\,n

rr:
¡ñ
R,,
. : - por lo tanto restJlta que lnrr es
Como Vee €s pequeña (0r6v), Rro 8S pequeña
pequeñ0.
que
Cuando conduce er y se corta Qz, sc tiene las mismas consideraciones
conduce Qz y se corta Qr, por lo tanto ratificamos la adopción de:

R,, = l0R.

De los circuitos se deduce que la corriente de colector del transistor Qg

debe ser:

Cuando conduce Qr Y se corta Qz

:l'

tar = I'b,
r +l
'R,t

Cuando conduce Qz Y se corta Qr

i.,:io,*i*,,
i La corriente de polarización de Q: (Ics) debe ser mayof' que'la coriente de
alterna para garantizár una exc¡tación permanente a los transistores de salida y no se
produzcan recortes en la señal de excitación'

l' r I'c'ma\
-= 'b'mer
^c'mat
'b,mar ]. h
r'fcmrntQ'
rlion'n,Q' ¡ ¡

er¡cÍRó¡.¡rcA
cAP. 6-4?
... ,i
' ". ., t:..
 -i'
l

I i:_. ,
CAPITUIO YI t:. A¡@LIFfCADORES DE POTENCTA

D
\/
r 6 -'CCr
- -')
. "Ql LJ
z '':.' .'-:,-,.,.. ,.I
. -1t:, -I;t: _ .- :i ..':
. :.:'-.- ,.: , jtl , I ,: .. ,:;!.

' 'óo*o el trynsistó.tq; fabaja'enlitasé lr:

n, por ro tanto la máxima disipación de
potencia se producirá en ausencia de ra señar
de arterna.
Los transistores de salida son seguidores emisivos, por lo que
la ganancia de
tensión de esta et1¡a és igual,u plra obtener una ganancia de tensión mayor a
uno recurrimos al mecanismo de ,rno,
la realimentación y puru"nrA;; pápósito utilizamos
muestreo por nudo (se toma muestra de la tensión de sarida) y
comparación por malla
(se compara tensionés) er circuito en bloque se
muestra en la figura 6.2r.

.L +
vb

+ +
I
I
I
t-
I
J_
:- :
Figura 6.21 Circuito para la deducción de la realimentación.

En el circuito de la figura
6.2I, A es la ganancia de tensión del amplificador sin
realimentación (vr=vuA), Av es la gananlia de tensión
del amplificador con
realimentación (vr=v.Au); planteamos la ecuación de
tensiones de la malla de
entrada:

ve:vb+vR

La tensión de comparación en la resistencia Rs determinamos

tensión.establecido entre Rs y Rs para la tensión de salida
del divisor de
v,
v-
v*" =:---a-Rs
R'+Ro

Reemplazando en la ecuación de tensiones de la malla

de entrada se tiene

r'
\: (
= rtI \ I -.--_- T)

R, =Ru
--'
f\<

La tensión de salida vs se determina a partir

de la tensión de error- v6
v. : \'oA
.-
.

Reemplazandc en ra ecuación de.tensiones de ra maila

de entrada.

ar,ecrnóxrc¡

cAP. 6-{8
 CAPITULO VT : A}@LIFICADORES DE POTENCIA

vA
V :\'.'o + 'b" R-
''t RroRut',. : -'-i'--:;-; t" ' :''.
, . .. 1 .' ' :,.i ;1,.:,': ,,.,
;
:1 .-
",'
(r\ '

\'.=\'blr=-K.r
lr I

\ R,*Ru')
La ganancia de tensión del amplificador realimentación resulta:

\', = \'.A,

. \'- ..-;
\-:-
ñ, ----z-
v' ¡\K5 \
\'oA

"'bllr*
\
p :p
": "6/
i
l

procesando la ecuación de ganancia de tensión del ampl¡ficador realir.nentado

resulta

^. \
' - l,, __-__
.t-
._'.
AR. l
lrr-.--
\ R' +RuJ
|

Jación,de,la ganancia de tensión del circuito realimentado se puede

despreciar la unidad frente al producto en'el denominador, por tanto:

).A:--
.^r ._-\:-
AR, ^ R.
R.-R.
- ':
-' S¡ en la red de realimentación adoptamos que R6)R5, es dec¡r que Rs es pequeño
-

en el numerador podemos despreciar R5 frente ¿ Re '

,\_ R.
11
"R..
En la ecuación resultante de la ganancia de tensión del cirCuito'realimentado se
tiene que es mayor que uno, mejorando la ganancia de tensión del seguidor em¡sivo de
la etapa de salida.

Estabilización de Ia temperatura ''

'
;istores Qr y Qz de la etapa de salida polarizados en clase AB, por lo que
en condiciones de iéposo circúla una corriente de colector permanentemente, este

.
E].ECTRONICA
: '" cAP' 6-49
' i'-''.t''.
' 'l :'
 ." , ,:_
:.3._: :',,._',.

,. . : ,- .t . ..,.:
- .

de inestabilidad térmica, las variaciones d€ rceo con ta

lt:1?,:f1t].1.^|j|b-!3_mas las.resistencias puestas en tos emisores de
:ontt?,lFl lediante
,t-T.ttl,.::Yli^t: de la tensión
er y ezi
iT -"T,',qt'one.s base emisór con la'temperatura de los transistores de la
etapa'de salida se estabilizan de la mejor manera y dinámicamente
utilizando el circuito
9: lu.lnrta
6.'?2,-e¡'este ciicuito tas variaciones .Ltié'üf
transistores Qr Y-Qz te.¡drqn que ser iguales a la var¡ac¡ón
emisor de tos i";;;t";;se
colector emisor ;; ;i.;riin
es declr que debeser tguat a dos veces Ia tensión base
11,11u":'_tlot'Qo.gtn¿untudoi,
emisor de los t¡ansistores de salida
:
l2(-2,ZmV/oC)1.

A
o-- Rel ülo Ie e¡ +
,,,', 'Ri -X
+
Vce
. Rel
tr
ü
I L

\'be
'.: I Y
Figura 6.22 Circuito de corrección de la distorsión por cruce.

Del circuito de la figura se deducen las ecuaciones'de compensación,

resultando la
tensión colector emisor d. eo.
:

V.r:loRo+lqo

En el circuito de la base del transistor se ve que IA=I*Ie

e¡ reernplazando.
V.. = (l + Iu )Ro + IRu

Para una estabilidad razonable para

Q¡ se considera ó adopta'i>)Is, pot- lo tanto
podemos despreciar Ig frente a I en la ecuación
de la tensión colector emisor.
V..:l(Ro+Ro¡
j

La tensión base emisor: del transistor

e¡ resulta:
Vo. = IRu

Realizamos el cociente de la tensión colector emisor a la tensión base emisor

resulta:

V., _ I(Ro +Ru): Ro *R,

Vuu IR u RB

( p
V." =lt+:-i \¡u^,
INIDC
\ ^o/,'

E].EC?RONICA
 C}PITIILO \/I : A¡@LIFICADOF'ES DE POTENCIA

se realiza la
Con la relación de las resistencias puestas en la base del transistor Q¡
potenciómetro
.o¡1p.nrución, en general en los sistemas amplificadores se coloca,-u¡
para establecer la relación deducida y se realiza'un ajuste preciso de lá compensaclon'

Protección de ta etapa de salída I ,,

",
' Los transistores de la etapa de salida para entregar la
potencia requerida manejan
corrientes de valor apreciable por' lo que estos transistores SOn costosos
muy y
por exceso de
sensibles a sobre eleva'ciones de las corrientes y fáciles de ser destruidos
protegerlos
potencia debido a ia sobre elevación de la corriente, por lo que es necesario
para cuando se presenté corto circuito, circuito abiertc;en 13 carga.ó transitorios'
Para

ia protección del par complementario de salida existen varios métodos, de estos dos
son los más comunes en su aplicación y son:

. Protección límite

. Protección por recode de corriente

dispuestos como par
En ambos caso5 para la protección se usan dos transistores
la etapa de salida'
complementario colocados entre las bases y emisores de

Protección Iímite
en la
La topología circuital de este método de protección se representa lgl:1
6.23,Ia protección del par complementario de salida se realiza a partir de cualquier

exceso de la coriiente de pico máximo establecido

para la carga a ser excitada en la
puede sel' por cualquiera de las
salida, Ia variación de corriente en la etapa de salida
causas anotadas.

figura 6.23 Circuito para la protección límite'

sLEctnóx:cA
cAP.5-51
 .- ' .' \PrTlf \¡l ' ¡qeLrFrcADoREs DE
,' ,, , l, ,, TT¡rcrA
De la flgura s9 ve'que el circuito de protección es completamente simétrico, el
transrsJor Qa Drotqsg allr:ansigtor Q1 y Qs protege a
funcici¡a Ot siguie¡te manera:
- 1 Qi, el .¡r.riio
., -,:fara la protección
' :,
lg :, ,,'¡,: i
'-
' Cuando el transistor Q, del cofte entra a la zona activa (ez está más
al corte)
circula uná"corr¡ente is1, produciendo una carda ¿e poiencial en R6, el cual
polariza al transistor Qo ai corte cuando la corrient€ fcr está
en su valor máximo
admisible ó por debajo de eila.

' Cuando por cualquier causa la corriente Icr sobre pasa el valor máximo
admisible, está sobre elevación de corriente produce un aumento en la ca¡Ja Je
potencial en RE, el cual polariza al transistor
Qn en la zona activa (e¡ del corte
entrg g lar cgngycCión¡, circulando uná coiriente Iqq en el colector de.eo,
corriente que es extraída de la corriente de base (Ier) d.
e, disminuyendo-la
corriente de Is1, este proceso se repite mientras se manteñga ta .urru de la
sobre elevación de lcr.

' Cuando el transistor Q2 del corte entra a la zona activa (e1 está más al corte)el
I proceso se repite de la misma manera como el que se describió para
e1, €n est€
caso Qs protege a Qz.

Para determinar los componentes del circuito de protección las ecuaciones

resultan:

vn. = Ia,R,

En el transistor e¡
V^ \/ D -'D
V"= - ^E 'BE ^tl ' r\:
"LA R, + R, R- -+f^Lr = RE R.

En este circuito de protección los transistores Q¡ y

Qa deben ser de potencia,
puesto que manejan corrientes y potencias muy similares a la de los transistores
de
salida Qr y Qz.

Proteccíón de recorte de corriente

La topología circuital de este método de protección se representa en la frgura

6.24
en este circuito la protección se realiza estableciendo la diferencia entre la variación de
la tensión colector emisor de los transistores de salida y la sobre elevación de la
corriente de salida, el funcionamiento del circuito es similar al detallado en el anterior
caso/ con la venlaj¡ que se usa transistores de protección Qq menor potencia.
.Qe

ET.ECTRONTCA

t.,,ry. b-52
 CA":TLILO \¡I : A.'€LIFICADORES DE POTENCIA

R;

*oc

Figura6.24Circuitodeprotecciónderecortedecorriente.

para determinar los circuitos de protección en.este caso las ecuaciones resultan:

'CE'
\-.rn=.-ñ.
R' 'R,

\¡^-
'bt, =V-,ln -\¡^r¿

Donde: V*, i.,R., reemplazando en la ecuación de la tensión base emisor del

transistor de Protección resulta
\/ ^-
!trr
Y

ÓEr- R' + R' R" + I" R.

V^-

Con el detalle de los cir:cuitos de protección hemos concluido el desarrollo de

los

amplificadores de potencia, para referencia dibujaremos el circuito resultante de este

amplificador.

ELECIRONICA
.--:. cAP. 6-53
,:.'
, -. .i
''
:.' '-g::ft_
'- .':ti':''
 .
A}IPLIFICADORES DE POTENCI]A

Vcc

R¡

l:-L

Rr+ Rs
,+
Rrz

Fígura 6.25 circuíto resultante del amplificador par complementario.

,:i.

ELECTRONICA

cAP. 6-5{
 CAPITLT:O VII : CIP'CUITOS INTEGR¡DOS

CIRCUITOS INTEGRADOS

f nffoducción
cada
El constante desarrollo de la electrónica y el requerimiento de amplificadores
vez más perfectos y de dimensiones reducidas para determinadas aplicaciones,
ha

impuesto la necesidad de crear en una pastilla de Silicio con una cantidad

de

transistores y resistencias interconectados en forma dii'ecta un amplificador de

varias
etapas de tal manera de lograr una respuesta casi perfecta y equilibrada, de
esta

manera surgieron los circuitos integrados para aplicaciones en dos campos

bien
diferenciados como son los amplificadores lineales y alinéales, trataremos
solo los
con transistores
circuitos integrados lineales. Comparando los amplificadores realizados
y los hechos con los circuitos integrados (cI), estos ofrecen a los diseñadores de
sistemas mejores características de funcionamiento y confiabilidad a.costos
reducidos'
de corriente y
Dentro de los crs lineales se distinguen los amplificadores de tensión,
transconductancia.
de tensión
Uno de los circuitos integrados de mayor utilización es el amplificador
conocido también como Amplificador operacional (Ao), estos amplificadores
cuyo
extrema eflciencia
origen es muy anterior a los circuitos integrados, son dispositivos de
y versatilidad. El nombre lo toman de su aplicación original en el campo de la
"operaciones" matemáticas.
computación analágica, donde cumplen distintos tipos de

La tecnología de integración en gran escala ha hecho que hoy

podemos contar
y en
con estos dispoiitivos en tlmaños no mayores que las de un transistor común
cantidad y precios que lo hacen sumamente adecuados para el uso en las distintas
diseñar sistemas
especialidades, el Ao es un dispositivo de bajo costo muy versátil.para
complejos, la ventaja' de este.dispositivo .: .qr.u.se
puede utilizar
91 ^t]
diseño de
pero para
sistemas sin necesidad de conocer Ia complejidad del circuiio interno del CI,
una mejor formación y conocimiento integrado presentaremo-s como está compuesto
internamente. Los CI ideales, tienen una ganancia infinita, impedancia de entrada
infinita e impedancia de salida cero, dos terminales de entrada, una salida y dos para-la
polarización.

Elem entos círcuita les básícos

Los CI relativamente complicados pueden descomponerse en una serie de blo-ques

elementales los cuales son: Etapa de entrada, de ganancia, de desplazamiento de nlvel'

e¡'¡crRóN¡c¡
cAP' ?-1
 , .' CAPITUT,o \rII :
- CTRCUTTOS INTEGRADOS
de sal'lda y de polarización, esta estructura se muestra en la figura7.r.

Eritradas

, I Fig,yfa 7.1 Diagrama en btoques de un cirgyl!9 integiado.

_. ,;, :.,,:;"1;, : ,

Etapa de entrada, tiene la característica fundamental de presentar una alta

impedancia de entrada y dos terminales de entrada a las cuales se puede aplicar
indistintamente la, seQa! de excitación, una de las entradas es inversora qi; y la otra no
inversora (NI); esta denominación se debe a que las señales aplicadas se obtienen en
la salida con inveisión. ó sin inversión de fase respectivamente.

Etapa de ganancíi, tiene la propiedad de disponer de una alta ganancia que

prácticamente impone la ganancia del CI.

Etapas de desplazamiento de nivel en continua, ésta etapa existe en algunos CIs

dependiendo de ia aplicación. Generalmente en los AO este circuito no ,. .ril.u.

Etapa de salida, tiene la característica fundamental de presentar una baja impedancia

de salida y generalmente es de potencia.
Etapa de polarízación, es la que se encarga internamente de polarizar a todos los
bloques y mantenerlos estables a todos los elementos activos del cI.

Circuito básico de la etapa de entrada

Se considera al amplificador diferencial balanceado la configuración óptima para

las etapas de entrada, por su inherente balance de tensión base - emisor y ganancia de
corriente de corto circuito de los dos transistores, los que se procesan en forman
idéntica durante la fabricación, por la posibilidad de evitar el uso de resistencias de
valor elevado y porque la ganancia de un amplificador diferencial es función de la
relación de las resistencias de colector y no de sus valores absolutos, además esta
configuración puede, proporcionar amplificación lineal en un rango muy amplio de
frecuencias, desde las componentes de continua hasta frecuencias muy elevadas, este
amplificador cumple con el requerimiento de tener dos entradas de infoimación con una
alta impedancia de entrada. i

ELECTRONICA
 jtr.i

CAPITI'LO VII : CIRCUITOS INTEGR¡DOS

Funcionamiento det circuito.- El par diferencial de transistores monolíticos Qr, Qz

mostrados en la frgura:..7,2, funcionán de , m-ahé.a
':¡
' a un t'"
i¡'¡ir';'"''i:similar
'
par de transistores
'': ' : r"' ' '.i''
discretos en una aoñnq¡;¿ion oe esetipo.

Vcc

t- I

llc' tel
YY

+
Q' Qt
+
voi Voz

I I
;

v tt

Ftgura 7,2 Am plifi cador diferencial.

El amplificadoi diferencial se polariza con dos fuentes de alimentación simétricas

y de polaridad opuesta (+V y -V)r también es posible el funcionamiento con fuente
única, aunque se requiere una red divisora externa para la polarización de las bases de
los transistores. :

En el circuito de la figura 7.2 resulta evidente que la suma de las corrientes de

emisor es siempre igual a la corriente suministrada por la fuente de. corriente Io. En
consecuencia un aumento de la corriente de una de los emisores va acompañado por
una disminución similar de la corriente del otro. El amplificador diferencial es una
configuración versátil que ofrece cierto número de modas de 9¡3exión,

Cuando ta nai¿ ¿e Qr ,.
urulu. positiva con respéctó ;r
a' ia de Q2 (entrada
diferencial) aumenta la corriente a través de Q1 y disminuye,la.de Qz en el mismo
grado, manteniéndose constante la suma de ambas e igual :á ia corriente Io de la
fuente. En estas condiciones Icr es mayor que Ig¡ y qpárece una diferencia de
potencial entre los colectores, siendo el colector de Qz positivo reSpecto de Qr. 'Es así
que la aplicación de una entrada diferencial produce una salida diferencial, este proceso
descrito de su funcionamiento se conoce como entrada y salida diferencial.
'

Por ejemplo si solamente la,tensión Ver aumenta,,en.'¡gntido positivo con

respecto a la referencia, la tensión de colector de Qr disminuye con respecto a la
misma referencia. Tomando la salida del colector de Qr el ampiincador funciona como
una etapa simple clásica con inversión de fase. Este modo de funcionamiento se
coilo e como entrada y salida simples'con inversión. ,'-,,,. ,' ., ,l

e¿¡creór¡c¡
atrD 1-1
 "Como ef qymeqto de corriente en
Q1 provoca una disminución de la corriente de
Qz (para man!,engr'5u süma constante e igual a Io) una tens¡ón increm'ental positiva en
vs1 pl'oVocarun"aumehto de la:tensión Ce co¡éáQr'de"q, respecto a la referencia
tomando la sali{g del colector'de Qz,'el mo!o',de.'fu'néionámiento puede describirse
comoentradaya?!idásimpjeisininversión.''..,.'..'.-.."-''..;....'
:También puede
utilizarse el modo de entrada diferencia! y salida simple; la salida
se toma del colector de Qr ó d. Qr y se aplica uqa ent¡:ada diferencial (ver- vs2) entre
lasbasesdelostiansistores., I i ,' : , .,,' '

Respuesta dg m,odo comú1.- p! las tensiones de base de ambos transistores del par
diferencial Qi y'Qz s{ aurirenta o disminuye simultáneaméntg (vale decir se aplica üna
tensión de e¡ltrada dbimbOo común) las corrientes de émisoi permanecen iguales y la
debe da5 fo; ponó'gongu"r.Ácia no qé p¡oduce tampoio .urnOio alguno en tas
:ut9
tensiones de'cglecto¡. ,!sta ausencia'de salida en:respuesta,á'una señal de entrada
aplicada simultáneamente a ambas bases del par'diferen-cial'cónstituye la capacidad del
amplificador de recházai señales de modo común. l El'grado de iechbzo depende de la
resistencia puesta en el 'emisor de los transistores Qr ty Q2, ésta depende de la
impedancia de la fuente de corriente constante que polariza al par diferencial. Como Ia
impedancia de la fuente de corriente es finita, siempre se produce una pequeña señal
de salida en respuesta a una señal de entrada de modo común.

Fuente de corriente constante.- La anterior exposición sobre el funcionamiento del

circuito básico indica la necesidad de una fuente de corriente constante, para asegurar
la constante de la suma de corrientes de emisor del par de transistores, además esta
necesidad se indica para tener un buen rechazo de señales de modo común. Una
fuente de corriente ideal presenta una impedancia interna de valor infinito, la manera
más simple de obtener una aproximación a dicha fuente es el uso de un transistor
trabajando en base co¡1ún, esta topología presenta a los emisores del par diferencial la
alta impedancia de salida (Uh"u).
:
, tt

Etapa de ganancia

La topología de los circuitos para la etapa de ganancia del CI son similares que
los circuitos de la etapa de entrada es declr se conecta varios amolificadores
diferenciales (como el mostrado en la figura 7.3) en cascada hasta obtener la ganancia
deseada del CI, tógicamente entre etapas de amplificadores diferenciales se ponen
transistores acopladores para poder adoptar las impedancias de las.etapas. ' '

E],ECIRONiCA
 Ceprrr¡¡,o vIi : CIRCUIToS INTEGR¡DOS

Figura 7'3 Circuitos de la etapa de ganancia'

',-:!- : r:ir "'

Etapa de polarízacion
El circuito ¿g'polarización de un CI forma parte integrante de la fuente de
corriente de los amplificadores diferenciales. Por lo tanto el análisis realizado para la
fuente de corriente.,constante puesto en los emisores de los transistores del
amplificador diferencial es válido para las etapas de polarización.

Etapa de salída
Si bien normalmente las etapas de salida se consideran 'lde potencia" aún los
para
amplificadores de baja potencia requieren el uso de algún tipo'de etapa de salida,
permitir acoplamiento y baja impedancia de salida, por lo que se utiliza diferentes
topologías circuitales como etapa de salida.

Etapa de satida clase A.- ,La mayoría de los CIs utilizan etapas de salida clase A.
Losiniveles de potencia'son bajas de modo que la disipación o el,cons¡rmo de [a fuente
de alimentación rarc vez plantean problemas, las etapas de salida más sencillas dejan
libre el colector del transistor'de salida' ':
-'.,.,; ' .'
También existen otros c¡riuitos integrados que em'p.leán resistores internos
integrados en la etapa de salida. Este criterio ofrece menor flexib¡l¡dad que el uso de
colector libre. Sin embargo la resistencia de salida permanece todavía alta, de modo
que la ganancia de tensión resulta función de la carga de la etaPar' ' ,

Salida con seguidor por emísor.- Frecuentemente se agrega al óircuito integrado

básico un seguidor por emiso¡ para reducir la impedancia dé salidá y de esta rnanera
disminuir el efecto de lá carga sobre la respuesta de gananciá y frecuencia, tal como el
mostradoenlafigurai.'4'-....i'1

ET,FCTRONICA
cAP. 7-5
 :
,r,., ,= . ,.: ¡i¡f $*;i,1,*li,il;,ii
CAPIrU1O..vrr .: CIRCUITOS III|EGRADOS

" "tt.l" -

' Figura 7.4 Circuito de salida.

Etapas de salida clase B.- Una dewentaja de las etapas de salida clase A reside en
su lentltuo para cargar ,y descargar una carga capac¡t¡va. Para evitar este
inconveniente en muchos Cls se suele utilizar etapas de salida dispuestos como
amplificadores par complementario con una impedancia de salida muy baja tal como se
requiere en el Cf, esta etapa de salida trabaja linealmente y está protegido contra
cortocircuitos en la carga del amplificador, tal como se muestra en la figura 7,5.

Figura 7.5 Circuito de salida.

En condiciones de reposo, los transistores del par complementario están polarizados al

corte por lo que no circula corriente por el terminal de salida; cuando se aplica el
semiciclo positivo d. iu señal a las bases de los transistores Qr y ez; el transistor Q1 del
cofte entra a la zona dctiva co¡duciendo una corriente qrá óirc-rta por.ta cprga, en
c¿jmbioQz.de|cohe'sej'vamásait'orte.'..,.

er,¡crnóNlce
 jl,:: llr,r -;,..
j-'i. 1:

CAPITT'LO 1rII : CMCUITOS INTEGRADOS

Cuando se aplica el semiciclo negativo de la señal a las bases de los transistores Qr Y

Qz, el transistor Qr del corte entra nrá1 g! corte. y el transistor Qz del corte entra a
la
.nu activa .onJr.i*dd;.; corriente'rque circuia 'por Ia cáigá; lói' transistÓres
funcionan como seguidores emisivos, en esta topología se tiene baja impedancia de
salida cumpliendo con el requerimiento del Ci.

Descripción del círcuito de un amplífícador operacíonal CA3OOB :

Para identificar las diferentes etapas de un CI real detallaremos resumidamente

las partes y su funcionamiento det CI CA 3008. Las etapas en que se divide un CI tal
como se indico en la.figura 7.I,-para el CI CA 3008"se compone de la siguiente
manera:

. Etapa de entrada. Es un amplificador diferencial formada por los transistores

Qr Y Qz, con qntr-ada y salida diferencial -: '
. Etapa de ganancia. Es un amplificador diferencial formada por los transistores
Qs Y Qa, con dos entradas y una sola salida

, Etapa de désplazamíento. Este CI no tiene esta etapa de los CI generales.

. Etapa de salida: Salida simple en cascada formada por los transistores Qe, Qs,
Qro'

, Etapa de potlarizacíón La polarización de las diferentes etapas de este CI esta

comnuesto
!v' ¡ ¡revrsv por generadores de corriente constante formados por los transistores
Qs Y Qz Y los d'rodos Dr Y Dz'

ta
Lu tonolooía
!v|/v¡v:r¡s circuital del CI CA 3008, se muestra en la figur:a 7.6, en base a este
circuito detallaiemos las,partes y desarrollamos resumidamenle. el juncionamiento del
circuito. : '.''::, :

,- ' ,',.; , ,, ,l ,
I
t:.."..a-=,':' ,; :

'.'Tal como se detallo;:elte CI formado por dos etapas difgrenciales Qr, Qz, Qa. Qq
y una etapa de salida'simpte énicascadd Qe, Qg, Qro. Los ánipiific.adoles diferenciales
proporcionan prácticaménte toda lá ganancia del CI, las entradas se apligan a las basgs
del par de entradd Qr, Q2, €stos transistores desarrollan ,señales que excitan a.1q
'polarización de
segunda etapa, Q6 estab!liza la Qr y Qi1:Ql e- -para compensacion
téim¡ca de la prime¡a ,etapa diferencial. La segunda etapa difere¡cia[ Q¡, Q4 esta
excitado en forma simétrlca por Qr y Qz, la polarÉación de Qr y Q+ se'éstabiliza por el
transistor Qz, ef diodo D2 €s para la estabilización térmicál, dé,.la,segunda etapa y
también de Qn, etapa dé sálida,
' ''-, ."'
I ,. ., _ -., . ;-.,

e5tesarroila reiührentación riegativa para reducir las feñaléS de qrror de,,'modo

común que se proOr.u¡ al aplicar la ñiisma iensión a amba!.éniraOas'del amplificador,

eLEcrnó¡¡rcA
cAP..?-7
 , -. '^j i',,.,. ' :'-, :;,".::'t
.:.'' " -.
r".,'tr'-.'"-.' ' ', ,,..', .: .! :-Cep¡n¡¿ó'¡rr : crRcurros TNTEGRADoS
para éllo tomq. pArte de señal en los. emisores de Qg y Q1.
la lomo la segunda etapa
diferencial está excitAda,gn forma simétrica, dicl.ra señ.a!"deberá ser nu[a si la primera
etapa y los circuitos basejémisor de la segun(a están,,coriectamente'balanceados y no
hay entrada de modo común. Cualquier señál de modo común o de error que aparezca
en l-os.emisorés de Q¿j y'Qo es:amplifica¿a y''aÉlicadalpo, Q, a través de Rz (resistor
común, de colgctor para Qr, Qz y Qs) con la faqg.adgcuada párp reducir el error. El
circuitg du Qu'¡efleja también parte de la'señal de qodo comÚn,a la fuente de corriente
constante QT.para ¡eduqir más gun la señal activqdora. I .',', .

Figura 7.6 Circuito Integrado CA 3008

Otra función de Q, es proporcionar realimentación para compensar los efectos de

modo común debida a la variación de las tensiones de polarización (+V y Por -V).
ejemplo, una disminución de la tensión de la fuente positiva, resulta en una disminución
de potencial en los emisores de Qs y Q+. Este cambio negativo se refleja en el circuito
emisor du Qr y va a las-'bases d. Qr y Qs, haciendo fluir menos corriente a través de
dichos transistores.

La disminución de la corriente de colector de Q7 provoca una reducción en la

corriente de colector de Q3 y Q+, tendiendo a aumentar la tensión de colector de las
mismas a fin de cancelar parcialmente la disminución de la tensión de alimentación.

La disminución parcialmente cancelada en el colector de Qo se acopla

directamente a la base de Qs y mediante el circuito de emisor de este último a'la base
del transistor de salida Qro. En este punto la disminución de tensión se ve cancelada
por el aumento de tensión de.colector de Qg, resultante dei desc.gnso de la corriente
previamente mencionada. !

ELECTRONICA
c¡9. ?-8
 .,..r, - i.: ; '..ij:.,:':'-:.,'';=,1'r.;.1,;ll:;':1;il'1, 1.'.,r.'',. ,

.:-.iti-tr;:.iri:'1'.;'.'',r1

C-ApITltLO VII : CIRCUITOS INTEGRADOS

De forma similar-:.Q5 desarrolla realimentación para compensar o cancelar los

efectos de un zufit€r-ltoi.de la tensi.ón positiva.de alimentación,o,variaciones de la
tensión de lá rr.nté-n.giüuu. oebido:;a'la.realimentaéión de Qs,''el'lci'tienet'uña aiti
relación de rechazo de modo común y excelente estabilidad en lazo abierto, resultando
poco sensible a lasrvariaciones de tensión de alimentación. Además de su función de
cancelar las variacioneS,de alimentación, los transistoreS Qe,'Qg Y Qró se utilizan como
circuito de salida simple 'del tipo seguidor por emisor. La salida del segundo ,
amplificador diferencial está acoplada en forma directa a la base d. Qr y cuyo emisor
excita el circuito de base de Qto.

La etapa de sálida tiéne una pequeña ganancia de tensión por la conexión de

refuezo de impedancia (bootstrap) del emisor de Qro al de Qe .Despreciando esta
conexión Qe podrn considerarse simplemente como una fuente de corriente constante
para es sin emba¡go la realimentación bootstrap permite una ganancia desde el
colector d. Qo a la
¡g,lida. ,
'

-.
t; "

La salida ¿ei Cil,se toma del emisor de Qro de modo,que el nivel de CC de la

salida es bastante menor que el nivel de polar:ización del colector de Qa.
,, .:'. ¿, ',
R15 durfl€ntall!;-cap¿ci¿a¿ de excursión negativa de la salida, cuando se una el
terminal L al K de modo que el resistor quede conectado entre la salida y la fuente
negativa,
:

Descripción del'círcuito del amplifícador operaciónal ¡Á747

En la figura 7.7 se'muestfa la topología del amplificador operacional pA741. En

este apartado y en -base. a este circuito detallaremos las partes y desarrollamos
resumidamenteelfuniionamientode|circuito.
: t':?" ' '

, Las diferentes etapas del CI pAJ,4! se compone de la siguient€

-1
manera:
, ."
..
. Etapa de entiada: Es un amplificador diferencial formada por los transistores
Qr, Qz, Q¡ Y Qq con doi entradas y una salida' I

. Etapa de ganaincía: ?s un amplificador simple en,cascada formada por los

transistores Qlo; Qr.9 Y Qrz, cot-l una entrada y una salida.'..
,,
''
. Etapa de'deipiazámie¡tto: Este CI no tiene esta etapa dg loi C_I generales.
.''l'i¡ - t: ,^,,', .; "...,;'.-. .1,
, Etapa de sal¡da: :salida'en,'Pfr complementario for-mada, por los transistores
Qzz, Qra, Qrs1.,Qis, Qir, Qr.i Y Qzo.

. Etapa de polariZacíón f-a, iolarización de las d ferentes:.tupus de este CI esta

,i 1' -
';' :.1: r.1,. ..

Ef .F'CirRC:rICA
cAP.7-9
;i. '.. - .t
 \ compu-isto pg¡ getngradqres de corriente consta.nte formaf,os por los transistores
''Qz, Qs,i Qo, Qg, Qrpi Qra, Qzs y los transi¡tores conectados como diodos es,
. Qrr, Qrz y Qz,+,1:.i..iti

.. Figura 7.7 Grcuito Integrado FAS70.

l
El transistor Qe conectado como diodo polai'iza a la fuente de corriente constante
Qn. Los transistores Qe y Qg son transistores igualados, de manera que las corrientes
de colector de Qs Y Qg son idénticas si sus voltajes emisor base son iguales. por tanto,
la corriente a través d" Qr establece su caída de voltaje, y la caída de voltaje a través
de Qr hace que la corriente de colector de Qe sea igual a la corriente que pasa por es.
A Qe se-le llama espejo de corriente de Qs.

:El Qu conectado como diodo polariza a la fuente de corriente constante

ers, y
el Qrr conectado como diodo polariza a la fuente de corriente constante e1s. La
resistencia de emisor Ra, reduce la corriente de la fuente Qro a más o menos el mismo
valor que :l de la fuente de corriente Qe.

Los transistores del, Qr al Qz y las resistencias R1, Rz y R: constituyen el

amplificador diferencial de entrada y su generador de corriente constante para la
polarización de la etapa de enlrada. Los transistores de entrada
er y ez son
seguidores emisivos que,alimentan a los transistores de base.común e: y e+. Las
bases d. Qr ! Qa son polarizadas por las fuentes de corriente constante
Qg y ero. La
alta impedancia de las fuentes de corriente constante mantiene alta la resistencia de
entradá de Q, Y'Q+. Qs Y Qq-son fuentes de corriente constante que establecen las
corrientes de'colectoi,de Qr, Q¡,'Qz y Q+. Las fuentes de corrientei'constante e5 y e6
:. .

¡r,rcrRóNrc¡
w. t-Lv
 C¡'plrur'O vII : CIRCUITOS INTEGR'ADOS

proporcionan también cargas de alta resistencia a Qs y Q+ de manera que la ganancia

de voltaje de los t¡:ansistbres de base común es elevada. Qz suni¡nistra él voltaje de
continua de base a Qs y Qu. Sin embárgo, con"üna señdl de alterná'de'éntrada;'Q7 es
un seguldor er^nisivo que alimenta la señal de colector de Q3 9.:la base de .Q0,. en fase.
Q5 inviette y amplifica la señal. El colector de Qo se vuelve negativo cuando el colector
d. Qo se vuelve negativo, y viceversa. Por tanto, la variac!ón"del voltaje de colector de
Qo se suma al de Qa:y pr:oporciona una ganancia de voltaje con un solo extremo mayor
que la que el amplificador,rdiferencial podría proporcionar en otro caso (alrededor de
1000).

Las conexiones de'multiplicación del desajuste van :una ? cada extremo de un

potenciómetro de lO,kO'cuyó:cursor va a -V. a medida que,se mueve el cursor, las
resistencias de emisoi de Qs y Qo varían, de manera que dus corrientes de colector
varían. La conexión,del potenciómetro se detalia en la hoja de especificaciones del CI'
Si la corriente de colector d. Q, y Qz se hace cariar, su volt¡je emiso¡ base varía, de
manera que el voltaje de desajuste de entrada se puede anular.

Si la temperátura det CI aumenta, el Vee du Qt y Qz disminuirá. Esto que hará

que sus corrientes Oá,totedor aumenten y la caída de voltaje a través de Qr aumente.
Un aumento en la c¿ída de voltaje du Q, hará aumentar: la Vce de Qe, €sto disminuirá
la corriente de colectolde Qg, disminuyendo la corriente de base de Qs Y Q+. La
disminución de la co¡riente de base du Q, y Q+ disminuirá',su corriente de col-ector.
Como Q: y Q+ están.,en se-rie con Qr Y Qz, la corriente de colector de Q1: Y Qz
dlsminuirá también. De esta manera, el amplificador diferenci,ql queda estabilizado ante
los cambios de temperatura.

ere es un segujdor ámisivo que excita al amplifié;¿¡t ¿e emisor común Qrz.

:amptificador diferencial,:,.|=a ginancla de voltaje de
e16 r€duce la carga a la saiida det
erz es muy eleváda,pgrQue la fuente de corriente,9onslaht9:rQra,,3ciúa como'una
ré-sistencia á. .urgu muy a[ta Qzz,es un seguidor emisivo Au!,1 Priporgloha ganancia de
corriente para impglsa¡ I.a qtapa complementaria de sáiida, Qt¡,y.'qrgi,Y.también reduce
la carga en el colector de Qrz,. EI diodo emisor base Superior de Q2,a estp polarizado en
inversa en condicioneó Oé 'operación normal. Si el cóieictor 'de Q17 se vuelve
excesivamente negativo porque Qro se vuelve demasiado pofitivo, el emisor superior de
Qzz sujeta al colecto¡ ,de, Q17. Esto impide QUe Qrz se sature !. mejora el tiempo
necesario para recupéiarqe del exceso de voltaje de entrada á1.'aO, ,. La fuente de
corriente constante :gúe es, el colector superior de Qrg ProPorciona corriente de
polarización a Qzz y mantiene su ganancia casi en 1. , :.

Qre con€ciado como diodo,,Qrs Y Rro constituyen,:¡1¡,cqmpiadgr de nivel de

continua. Qre V Rro polarizal a Qr,s d1 mal:ra qu9 s.Y V:l=_.l;2V..1-á función de Qrs
es polarizar a Qr+lV Qii,.o4p.ru.lón clase AB para evitar fg.distorsión de cruce, que se
"' '
explica en el párrafo siguientE.r : " i.-r'l- ,,', 1.. .', '
' t -..,'-!r.,,',..
.¡.; :t , l r,
.: .:ri.; . . ,. , ,1-;. .

'l''''i",' : '
''', .-

:: CAP',7-11
 v". (o,. )
IE(Qrr)max:ff

Qzr proporciona limitación de corriente para Q2s. Cuando la corriente de emisor

de Qtt es de más de unos 20mA, ezr €ntra en opeiación y hace que condu zca, lo e¡
cual retira el pulso de base de Qtu. Q16 hace entonces que el colector de
tanto, el emisor de Qzr, se vuelvan positivos. Esto reduce el pulso de base de
y, por lo e'
ezo y
limita su corriente de emisor.

El condensador de 30pF impide que el AO oscile

Descripción del amplificador operacionat TL19O

Para identificar las diferentes etapas del CI indicaremos las partes y su

funcionamiento del CI TL08O. Las etapas en que se divide este CI tal como se indica
en la figura7.B, para el cI TL0B0 se componen de la siguiente manera:

' Etapa de entrada: Es un amplificador diferencial formada por los transistores

,,nin^l^-^-
unrpotares Err
FET Q2
^
.,
y Q¡,
^ con dos entradas y una salida.
. Etapa de ganancia: Es un amplificador simple en cascada formada. por los
transistoresbipolares Qq, Qs y Qt, con dos entradas y una sola salida.

. Etapa de desplazamiento'. Este CI no tiene esta etapa de,los CI generales.

. Etapa de salida:" Salida clase B en par complem_entario formada por los

'transistores 'i:i
Qri. "'
j ' /) :; r: '
Qá; Qn, Qro, Qrs y
- "1

pr,rciRóN¡c;

, .. . i ;rl ,l
a:ltt.fl ;r
 , ..r. t:ii¡.t,r.

- ¿' |.:...

- .
C¿.DITULO VTT : CIRCUITOS :NTTGR¡DOS
. i. ,

. Etapa de Pola'rizacióq La polarización.de las difererrtes etapas de este CI esta

compuesto pcr'géqeradoreb de cor¡'ienle corlsJante formadol porlios..transistoi'es
Qr, Qo, Qz, y los'transistores cónec.tacios'como diodos Qrr, Qrz y ia iuente de
tensión regulada formada por'el tránsistor unipolar FET'Qrá; el diodo Zener y el
transistor bipolar Q15.

La descripción del funcionamiento del circuito se lo realiza tal como se hizo con los
dos anteriores CIs, en este caso dicha descripció.n lo dejamos llara que el lector putll¿j
praCcicar.

v¡l)<t
-ág-^r
Tl ftin

Comp. frec

Anulación de oÍísef .

TLOB 1

: ' Figura 7.8 Circuito Integrado TL08O/TL0B1.

Et AO en los cí,'c'uitos',t:.' tl

...'...-...'
Ta! corno se déscribió, un'ÁO no es otra cosa que un anipiificadoi ntultietapa Ce
acoplamiento de continua de muy alta ganancia y con posibilldacl de conexíón de
elerr:entos externos'.qrre:: controleh las características de respuer;ta del dispostiivo.
Generalrirente está compuesto cle un amplificador cliferencial
'de a1t.r imperjanc'n tlt
nn'-rr¡ r,.1rañ .rChO de banda,,elapa CJe al.;a gananCia y úna e[apli de ¡rCienCia C,':
cjt rLr cruo / uroil clr
tlaja impeCancia de salida-
. .,: :' . ,. - ...
El .ó-O es uno dé ,los,'componentes rrás int.pcrtanr.es quQ intervieneii en lo;
:

proTectcs de amplificadores de, señal; es posible realizá¡, con , éi una serie tle
opgraciones qúe cle otia.'ñ'anéra,resuttarían mu/ engorl'oso5..:i..
t :
" ' ,,' , I ;
t'i --, t.";' "
:':
.. ' , '' ;l::;i' -''
".':;'',

o r.nr mÁwrc¡
CI:P, 7-"3
 i*?iji::l.,-: j
11:;--:;¡";ir-';.¡fi

CAPITULO vII : CIRCUITOS fMTEGRADOS

.at] ! !!91e, Qnco terminales, dos pQra la polarización a los que se

aplicaiuna tensión pqqltiva.(+V) y a la otra,Llna tensión.negativá (-V), dos terminales
para la:entrada Oe ¡hfor'niación;'rnu que llamáremoS iriverso-¡-a (r) que se indica con el
signo negativo (-) y otra no inversora (NI) que se indica con el signo positivo (+) y un
terminal de salidai.en!r'q los terminales de entrada.inversor y no inversor la impedancia
de entrada es quy grande (Z¡=€) y en el terminal de salida una impedancia muy baja
(Zo=0), la disposición de los terminales y el símbolo que se usa en la representacíón én
los circuitos se {-nuestra:en la figura 7.9, este AO debe'tener una elevada ganancia de
tensión(Au="o).. ., 'r " ''

+ V
Nr - ---> +:
V,1
+vy to
v2

tr ;
J-

" Figura 7.9 5ímbolo de un Amplificador Operacional.

Entonces desde el punto de vista de la salida el AO se comporta como un

generador de tensión ideal con una cierta impedancia interna de valor Zs ?n serie, es
lógico suponer que este generador es dependiente de la diferencia de las señales de
entrada (V), o sea que su tensión tomara el valor del producto de la ganancia (A) del
AO por la tensión de entrada (A*V). De lo expuesto se conclúye que un AO con
entrada diferencial permite una mayor flexibilidad en la elección del t¡po de
retroalimentación en las diferentes aplicaciones a fin de controiar sus' parámetros. El
circuito equivalente de un AO se representa en la figura 7.tA:

Figura 7,10 Circuito equivalente de un amplificador operacional ideal,

' Entre las características

''
importantes que un AO ideai debe reunir están las
siguientes: :.

ELECTRONICA
 ó) ¡nrnri¡
-\ f\JOrrolrLro infinjlS
illlllI., e indeOendiente de la
, ,i.._i,i .,,
: ., , j
h\
vJ Tmnedancia
rr¡¡l-/!vsl cle'ehtrada infinita (Z¡=.o)

c) Impedancia de salida nula (Zs=Q)

d) Ancho de banda infinita (AB=.o)

e) Relación de rechazo al modo común infinito (RRMC='o)

f) Tensión y corriente de oif-set nulo (Vonset=0, Ionr"t=0)

g) Factor de ruidoinuio (NF='0)

h) Corriente dg polarización nula (I=0)

Se recuiere
JL TUHUIVIL oue
Ye"
la oananc¡a sea infinita pai'a controlarla usando elementos
externos (realimentación).

Se requiere impedancia de entrada infinita para que no represente carga a la

fuente de señal.

Se requiere impedancia de salida nula para poder entregar tanta cc)rriente como lo
requiera la carga.

Ancho de banda infinito para admitir señales de continua hasta frecuencias muy
altas y respuesta PIana.
';
Relación de recházo al modo común infinita para responder solo a las señales de
modo diferente. Se ilama modo común cuando las señales aplicadas a las entradas
son

de igual polaridad en eite caso la respuesta debe. ser cero,. ltutt modo diferencial
ll
cuando las señales aplicadas a las entradas son de polaridad'opugsta, en este caso la
respuesta debe ser inilnita,
.,:.
, Tensión y corriente de, off:set nulo para que la salida del amplificador sea cero
cuando el nivel de la entrada sea cero (ofl-set cero). i:t-

Factor de ruido nulo para no adicionar ruido a las señales útiles.

Corriente de polarización nula para no representar cafga para las fuentes de

polarización.

por supuesto qr,te éstas condiciones son ideales y no'té :püeOe obtener en la
práctica, pudiendo aproximarse a ellas solo en el caso d9 buenas AO. Las más
impOrtantes de estas'C.praC.terístiCaS sOn las tres primeraS (A=.o, Zi=ó, Zo-=0)
,l'-.. , -i ,

EI.ECrRONIC¡
c-\P.7-15
 , . '':

i3 r'&,milincadores ' "*"u"os rNrEcRADos

Modos ae uso opérí,f¡#É;.
!. ,- ,_-rl_' ,,:. , ',r1rif :.¡
Lps Amplificadores r'operacionalbdl sélpueden' ,üiilizar: 'en 'tres
-'.=. modos de
...--'-l'
runclonam¡ento son: el modo inversor, e! modo qo inüersor:y el modo diferencial,
que
en estos
!a:os el Ao"se 1o utiliza reálimentado''en forma neguiiuu para controlur lu
ganancla, tal como se representa en los circuitos
dg la figura 7.LL. La realimentación
tomando parte de la tensióii de salida :y' reinyectándola en la
1::1,1l9,_obtenemos'
entraoa lnversora/ e¡to se hace mediante una impedancid z¡. : ,

Í * V,x Vr :*
l
+ +
I

Ylr-> Vo +-) +:->)

vz ll
Vo Vo
I '!z l:
I r I
I

II

1 l- I
Figura 7.11 Circuíto del amplificador inversor, no inversor y diferencial con Amplificadores
Operacionales.

Para determinar la respuesta del AO en los circuitos de aplicación utilizaremos los

conceptos de realimentación, partiremos resolviendo la realimentación a través de
dipolos y luego haremos con bipueftas y por último resolveremo, ul .uro general, para
tener un panorama amplio de los sistemas de solución de circuitos que emplean AO.

Amplificador inversor

En este modo de aplicación del Ao la señal de entrada se introduce por el

terminal inversor (I), manteniendo ra entrada no inversora (NI) ;i tierra. Podemos
dibujar el circuito realimentado negativamente de la forma como se indica en la figura
7.12:

. <_lr
5>

FiguraT,L2 Amplificador inveÉor con AO. t,:

¿t pcraóNtc¡
 Conectamos ent¡e.la entrad¡ inversora (I=-) una resistencia,Rr Y la fuente de
excitación (v¡), la entradá no inveiso.ra,(NI=*),a ti,erra,'realimentando desde la.salida
naciá tu'Énirááu inversoiá a traves,j. ,ñu resistenéid Rz, obtendrémos'si'ponemol én
la entrada una señal v¡ ur-lts tensión vo en la salida.
: ,

Como las caracteiísticas del.AO ideal, la impedancia de entrada es infinita, por lo

que la corriente de enirada i al operacional toma el valor de cero y además el lO tiene
una ganancia A infinita, estas dos condiciones se transforman en dos postulados para
resolver los circuitos de aplicación del AO, resultando:

1) Como Zi=* por.lo tanto i=0 (i'=0, iv=0)

.:' '."1

2) ComO A=.o pOr lo tanto V=0 (V=vy-Vx=0r'ó v*=vr, ó vr=6, vv=0)

':
para deducir las ecuacionas de los circuitos de aplicación del AO en todos los
casos tomaremos como punto de partida los dos postulados que 'derivan de .las
condiciones ideales de los AOs, identificando en cada caso con el circuito de aplicación.
y
Aplicando las leyes de Kirchoff en el circuito vemos que la tensión de entrada
salida tiene las siguientes expresiones válidas.

\'=l,f(,-v
, \/

En el circuito del AO se tiene:

V:\',-\'.

A:5+V=5
VA ;--

, i=i,+i. '.:..,
Por los axiomas indicados se tien-e i=0 resulta que ir=-iz o.sea que la corriente
del generador de excitáción en la entrada circula también por la rama de
realimentación.
.realimentado
La ecuación de transferencia (ganancia) del circuito definiremos

A O \", :..
/1-:-- -
- \1,.
. --1
::-1..' .1 . ,. l : l.' '
-. I t;
-

' Despejando ei circuito'oe'éntráoá ténemos:

1. .

ELECTRONTCA
cAP.-?-17
 vD l\¡

vi *,,_ll,_8.'l
^
n
:

' A\ R,) "

El'signo negat¡vo es debido a que estamos trabajando con la entrada inversora y
como,gu nombre indica esta topología de uso del AO produce una rotación de fase
-e.l
de 1800 entre la tensióh de entrada y la de salida.

Supongamos.que el AO es ideal por lo tanto la ganancia es infihito (A=.o), luego

la ecuación anterior queda:

A.:-Rt
'R,
Esta es la fórmula aproximada que sirve para determinar la transferencia o
ganancia de tensión de la topología inversora en la aplicación del Ao.

Debido a que en los casos reales en la aplicu.ión de! Ao no se puede obtener un

ancho de bañda' infinito,(AB=oo), tampoco una ganancia de tensión en lazo abierto
infi¡jto (A=p), produciéndose una variación en la ganancia (A;) para altas frecuencias o

sr,ecrRówrcA
ttr. ,-ló
 . -: ;l \i,
'.
!': i,J j .í-:--1 ., 'Ja

CAPITI'IO vII : CIRCUTTOS INTEGRADOS

gananc¡a finita del AOi !a. rotación de fase dejará de ser 1800 para altas frecuencias y
ganancia de tensióñ;¡eQucida, esta condi.iÉl t.,,upt?.¡3,,?n la ecuació! d.99':'11,d:]1
'ganancia. disminuye para esas
ganancia de tensión a, I'azo cerrado (A") ya' que la
frecuenciasdebidoalapre9enciadepo|oso.lagananciafinitade|Ao.

En las aplicaciones ha de tenerse cuidado, en el caso de que el ancho de banda no

sea infinito, pues el desfase entre las tensiones'de entrada y salida dejará de ser 180o
e irá variando con la frecuencia y la ganancia del Ao, pudiendo,darse el fenómeno de
que la realimentación negativa se convierta en realimentación positiva, en cuyo caso el
sistema comenzará a oscilar, De modo que.desde el punto de.vista práctico es
fundamental tener en cuenta la respuesta en frecuencia y la ganancia del AO en caso
de que no se de las .ond¡.ion"s indicadas y el AO sea óptima, la expresión:

.R,
r\ I

Describe aceptablemenie el comportamiento del amplificador operacional cuando

la ganancia A es muY elevada.

Si obtenemos a:lá satida una tensión finita con una ganancia A infinita,
podemos
Itei érror.que la tensión de entrada del amplificador operacional es
igual a cero (v=0)" En ta realidad, si la ganancia es muy elevada (100.000
por
(pv) a
e]emplo) para obteÁer 1V a la salida es suficiente con tener algunos microvoltios
la entrada del AO.

Desde el puntó de vista de la señal de salida, la señal de entrada es

prácticamelle
cero si el amplificador gana 100.000; quiere decir que para el generador de excitación
el terminal inversor.Jtu figura 7.12 se convierte en tierra virtual, o sea se compofta
como,si fuera tierra o elemento de referencia. Esta es una de las ventajas del.AO
aprovechando de esta propiedad el amplificador nos permitirá realizar la operación
SUma de varias funcionei sin que haya interacción entre :
ellas. :

.l'
Amplífícador no ínversor
t : I
't:'1,''
En este modo ,de.aplicación del AO la señal de entrada se introduce por el
terminal no inversoru,lttt), manteniendo la entrada inversor (I) a tiera por medio de
una resistencia. Podemos dibujar el circuito realimentado negativamente de la forma
indicada en la figura7.t3:

eLEctnó!¡¡cA
cAP.7-19
 CAPTTU-LO VIf : CIRCUITOS INTEGRADOS

I
Figura 7.13 Amplificador no inversor con amplificador operacional.
,
Conectamos entre la entrada inversora (I=-) una res¡stencia Rr puesto al nodo de
referenc¡a (tierra) realimentando desde la salida hacia la entrdda inversora a través de
una resistencia R2; Ia füente de excitación (v¡) se conecta la entrada no inversora
(NI=+), obtendremos si ponemos en la entrada no inversora una cierta señal v¡ ur-ld
tensión vo en la salida.

Como los AOs son ideales y recordando los dos postulados de aplicación al CI
ideal:

1) Como Z¡=* por lo tanto i=0 (i*=0, iv=0)

2) Como A="o por lo tanto V=0 (V=vy-vx=O, ó vr=vy, ó vr=g, vv=$)

Aplicando las leyes de Kirchoff en el circuito vemos que la tensión de entrada y

salida tiene las siguientes expresiones válidas.

V, *V+i,R, :0
rr-.:i D -j-\/
v;:1)K)1!*\/, '

En el AO se tiene:

v:vr,-v*
\/ \t

\/v¡t ^

i:i+i
^ 'l 'l

Por los axiomas indicados se tlene i=0 resulta que ir=-iz o sea que la corriente
que circula por R1 también circula por la rama de real¡mentac¡ón,
' '. ' : .-.
La ecuación de la ganancia del circuiio realimentado deflriil"ros como:

nr,¡crRóNlce
w- t-¿9
 CAPITI'LO VII : CTRCUITOS INTEGRADOS
l'
a-o

'!

Despejando ir de la ecuación de tensiones en el circuito de entrada tenemos:

. r', +V
.R
l,:--
¡\|

Como it=-iz, si reemplazamos la corriente iz €r-r la segunda ecuación de tensiones

nos queda:

,r' *V
V^:*R"+V+r',
"R,
Reemplazamos el valor de V:

Y:
o
\'*I
\'--
A -\'
ot\'.
'o ^R.t I
Rl ' A

Procesamos esta ecuación:

R, r'. R- r'^
\' o=\--Í--?--i'.
'R, AR, A

\'- r'^ R, R,
o A AR,
\---t:-¡r
'R,

v-ll__
(. r lR.)l=\-. lR.,)
"[ A AR,l '[R, 1-:ll
)

t.l--tt(.I--R.\l ln" )
| [= v, l :)i+t
v^t
"l Al R,J[ '(R,'/
L \ | tJ
I

Luego la ecuación de transferencia ó ganancia resulta:

''

L n.)
I l+--- I

.. -\'o-
..r \r R' ,l
.. , / R,)
'' t-al t--Ri
A(
r

/
': - *..

EI.ECTRONICA
cAP. ?-21
 - ....,:', ;

CAPTTLTLO VII : CIRCUITOS TNTEGRADoS

ID\
A. :ll+-l:
\. R' / ,l--l r(, R,)
I

t
AI R'/
Supongamos que el AO es ideal por tanto la.ganancia es infinita (A=.o), luego la
ecuación anterior queda:
.n
^
A' .R,
, ¡\.
=lt.....-

F\ntri¡la
a ^,
ueoloo a que en los casos reales en la aplicación de! AO no se puede obtener un
ancho de banda infinito. (AB=co), tampoco una ganancia de tensión en lazo abierto
infinito (A="o) produciéndose una variación en la ganancia (Au) para altas frecuencias o
ganancia finita del AO, la rotación de fase dejará de ser 0o para altas frecuencias y
ganancia de tensión reducida, esta condición se aprecia en la ecuación deducida de lá
ganancia de tensión a lazo cerrado (A") ya que la ganancia: disminuye para esas
frecuencias debido a la presencia de polos o la ganancia finita del Ao.

Debe tenerse cuidado, en el caso de que el ancho de banda no sea infinito, pues
el desfase entre tensión de entrada y tensión de salida dejará de ser 0o e irá variando
con la frecuencia y la ganancia del AO, pudiendo darse el fenómeno de que la
realimentación negativa se conviefta en realimentación positiva, en cuyo caso el
sistema comenzará a oscilar. De modo que desde el puntorde vista práctico es
fundamental tener en cuenta la respuesta en frecuencia y la ganancia del AO en caso
de que no se de las condiciones indicadas y el AO sea óptima, la expresión reducida
para la transferencia del amplificador podrá ser usado:

R.
11 .R
Este modo de funcionamiento del amplificador tiene la particularidad frente al
modo inversor de presentar una impedancia de entrada muy elevada vista desde el
generador de excitación (v¡) hacia el AO, es decir que no representa una tierra virtual
como en el caso del modo inversor. De lo expuesto se desprende las siguientes
características: ;

Señal de entrada sobre el terminal inversor: Si A=.o Z¡=Rl (el terminal

inversor se compofta como tierra virtual)

señal de entrada sobre el terminal no inversor: si A=.o z¡=a(el terminal no

inversor no se compofta qomo tierra virtual) , . ;

ELECTRONICA

cAP. 7-22
 : I , CAPIEULO vlf : CIRCUITOS IÑIEGPIDOS

Análisis generalizado del amptificador operacional

t,,- i
, . , . : ,

Analizaremos la aplicaclón básica ,de los AO considÉirando la utilización de

concepros oe redes eléctricas tat como lo establece el método 'de utilizar los
componentes asociados al AO como ra este mismo considerándolos como bipuertas,
complementando con los métodos utilizados en los temas-tratados en la unidad de
y
realimentación, realizaremos el ánálisis para el amplificador inverso, no inversor el
amplificador generalizado de diferencia.
-:
Amplificador inversor
,.-'' ..'l'i

básico del amplificador inversor es el mostrado en la figura 7.14

.t- <--lr
5f.

El circuito básico de este ampliiicador se redibu rja como en la figura 7.I5, Para
asimilar a las topologíaS utilizadas en los circuitos realimentados

Amp.

_f-Realimentaciónl

figurá Z.rS A¡irplifiLdor inversor en topología de bipuertas y rqalimentación.

,...._.
Del circuito se vel que en esta configuración se emplea müestreo y comparación
por riudo. Deducifemos la eluáción de transferencia del circuito (ganancia de tensión)

EI€CIRONICA
cA-P. ?-23
 :' :l
' .C-APfTUtic.\rlI : CIRCUITOS INTEGRADOS
Vo/V¡1', consideraremos.!a ganancia de tensión a, lazg,ablel-to. del AO idealmente
infinito, analizaremps el circuito en función de loS btoquei del amplificador básico 'A" i
la red de realimentación "8"-,y considerando la ecuación de transferencia de un'circuito
realimentado que resulta:
"'-'"',,'' ''
.¡'t1 ^
,1a :
1+AB
-
Por la topología del circuito de la figura 7.t5 que emplea muestreo y
comparación por nudo; conviene utilizar los parámetros de Norton es decir representar
los generadores equivalentes y los parámetros del circuito por el método de Norton, el
bloque "A" y la'red de rdalimentación "8" debe ser un generádor de corriente asociado
con sus parámetror.n purál.lo. Al circuito de entradu:Ob¡ amplificador básico (AO) se
ha agregado !a resistencia interna del generador de" exciÉációñ, la impedancia de
entrada de la red de'realimentación, y al circuito de salida del amplificador básico se
agregó la resistencia de carga y la impedancia de salida de la red de realimentación, y
al amplificador básico (AO) también se lo representa corno equivalente de Norton, en
estas condiciones el circuito del bloque "A" completo será como el mostrado en la
fioura 7.16:

Amp. Básico Amp. Modif.

Figura 7.16 Amplificador básico modificado.

La transferencia del bloque "A"

es una transresistencia puesto que se representa
como la relación de la tensión de salida (v") al generador de excitación que es de
corriente (ir) que se deduce del circuito figura r<, planteando la ecuación de corrientes
en el circuito de entrada v salida.

\, \' _ \r v
- '¡-'rA
^s n ¡¡
l\, -r\ r

V
o+ o*Vyoe*\'r.nV¡ :0
R, RL o'

De ia primera ecuación despejamos la tensión de entrada (v¡), para luego

.an'-^r---,r^ ^ñ| rr
| trtril lPro¿ór ¡u g¡ rc SegUnda eCUaCión:
.. .i

ELEC:RONICA
 ll)*\ +l'"o.i:-''t"t' como .G, =
I

*- P
,.1

los elementos externos como la influencia de la impedancia del generador de excitación

la carga del ampliflcador y la red de realimentación resuita, se obtiene a partir de la
ecuación anterior: ,, , .

_ \'^ _ -( ]';"
'aR r,,..:.. )lt r,.. )
f - lH*G.'t'"^
\K:'' l[ R-*,*r".o]
/\Kr

El dato que nos.da el fabricante del ,,AO es Ao(rrr) ,y se deduce del circuito
mostrado en la figura 7.L7.

Y¡r-

',t-', i .:i -: ,: . ,1,.":

',..,, ,;' ..'.. ,, , I ..'; :
., "' : ':_

Figur:a 7.17Circuito equivalente det amplificador operac!9nal.'r 1

r,,", tt''\
"-:

qrjivalente del AO, planteamos la etuación'de nodos en el circuito de

sa|idaresu|tando'.'....
vryo¡*yr.¡,vr:0,-'.,
,l
:
.-..-
:,.*,-!1.... :.'',.:::j.
,,, ., .
Yz,
I
..
''
,,,..'. ' ' .
Despejamos de esta ecuación despejamos la tensión . '

.
... -." \._.
v:Yo¡ = -Y¡.rvt, vt :

t'-' l ?J:,:
*''.,., .¡ 'ii
)b1i r¡ --:' -. ,., .. rr ; -j tr.' r : . : .. .1.
t',,'
".t
'l; .:" 1- : : :"' rj .'

¡s.rCfnóU¡C¡
\-. cAP. .7-25
 ... - :.-f .
CAPITUIO vrI' : CIRCUITOS I}ÍfEGRADOS
,..
La ecuación de transfg¡éncia del AO resulta: .
l.-, ' ,l,,r,,1',:,'.
,.:l
.:". 'r'l:- '
v.
A"(co) -.j- -:s
v.^
, ,

:. Vl ,Yoe t - ' ':' '::

.,,'
De la ecuación de transferencia del AO despejamos yrn

y,o : -Ao(rrl)y"o

Cambia'el signo debido a que estamos_ en la configuración inversora,

reemplazando en Ia ecuación de "Ap" resulta: '

n _Vo_ A"(co)y"o
^*_r_ *^R +y,^l
; ..
' l_
I P
*G,+y^^ll
L ?UA II _
P
\t\t ,/\^tt "2 /

Procesamos el denominador de la ecuación de transferencia:

Ao (cJ)y",r

Dividimos numerador y denominador por yoa resultando:

A"(co)
r)+G, I
Dr, l
ñl)

En esta ecuación aplicamos la condición que el AO es ideal (Zi=a, Zo=0)

1r :e-->-:0
Zua Y, ¡

1 _^u
Y.r - -
-Z,p,

Con estas condiciones la ecuación de transferencia resulta:

_ _ A"((l))
^ lt I

Rr Rr

Solo resta determinar la transferencia inverga,de la red-de_realimentación B=yrs

para obtener este parámetro, aplicamos la definición de yre, Pdrd esto se debe abrir el

ELEcrRoNrcA
cAP. ?-26
 j-t¡';:.:i.+ +:i;í.¡';,
t't t -..: _, '
:

. ':- :'' -Figura 7.18 Red de realimentación.

Resultando el parámetro de la red de realimentación B:

B=)-,a=_--j_
t(,

Con esto hemoi.completado la determinación de los parámetros de la ecuación

general de los circuitos realimentados, reemplacemos en la ecuación y obtengamos la
transferencia del amDlificador inversor.
.
-,q..(r¡)
l1
A

-)Ao=
-*-
A.=
' 1+AB

i+ ft."lr
ll r*r l[ -'.,lj¡ n,
Ll. R, R, I -l

'.[[ +H"",-,)[*J]
R,R.
a\^ - --
^-t!ñD,D
ñl-ñ:

\/ e-9. ;1121
 el que A"(co)=oo, la

. ..:
-,¡.,'j¡,'i,r
t:l',',:i j,''-ji., , . j' .-.i
An = -Kz'

,
'

Esta es la ecuac¡ón de transferenc¡a

real¡zar la siguiente transformac¡ón para
tensiones i',,,:r'.,.,,r-;tt
'VrVA-
.{- - 'o : -'^R'o _+'-A_
' v, i_R, :Y R,
|5|,
. , . -- ; :.: .'

Reemplazando Ia ecuación de An se obt¡ene: -- -l-L!- ---

-. :;. -,
- I

A-
='^R -+A. --^-l
A.uPYp
R-

^tl .. ^'l

Esta es la ecuación qug se obtuvo para el ampl!ficadof inversor por otro método.
.:
Para el tipo de : muestreo y
comparac¡ón cuando tratamos los temas de
realimentación se determinaron las ecuaciones de las impedancias de entrada y sal¡da
que para el circuito resulta:

(r i \
X,, =l+.+*y,^'l(1*AB)
r\: '"- )i'
p p
'"' {\"1
l

.-
,,,,:..
( I \
Y.":li*G,-*v"o
)d' - l(t+AB)
[R= )'
'''
De estas ecuaciones conclu¡mos que la impedancia. de entrada y salida del circuito
real¡mentado son reducidas con respecto al AO sin realimentación.

Cuando se estudio':los circuitos realimentados se estableció que la ganancia del

circuito es aprox¡madamente la inversa del parámetro de lransferencia de la red de
realimentación.

A=
¡lR
11
-

' :i,.;i-

ELECTRONICA
cAP. 7-28
 , ; ;J iai;+i:t.,¡gi.t,-.jt',i
",
" _,':'': j . . ..¡:;1-ii"1íÍ1il'.f1i¡iirl.:a'i".':''-.li:
... ¡1:,;.:".:';:¡i., .,i..':r.,.1.'-t:..'. .t.-.'.',,',
' a t: '- ! \ '.' : r'

: VII : .CIRCUITOS INTEGRADOS

B=)',r! .t,
Como
,r K-j '
. -. _i._ t ?¡
r.i ii:j:., .'.: , , l'
' I
.: J
J r,1-

':, :
'

:
¡ ^--_-n
ro r\1
t/
. rtl

Por la topología del circuito; .dedujimos la : ecuacron de .'transferencia del

ampl¡f¡cador como una transresistencia.

A-o
dn-.
I.j
i:..r ._

La ecuación'de transferencia que gueremos lograr es una gananc¡a de tensión, por

lo que debemos transformar reemplazando en la ecuac¡ón de transresistencia la

corr¡ente i, por ir=V¡/Rr resultando:

\' \'o' >-4. - A"

-A' =-9= ^
u, irR, Rr

' l1l'
Reemplazando An se tienel

.
^-u-
\'^ R,
vi t(l ..

Obteniéndose la m¡sma ecuación que el caso anterior.

Amplifrcador no inversor

1 El esquema básico dél amplificador inversor es el mostrado eñ la figura 7.L9.

..:, :': '':,t,.", .' ,:.,i -.'.',, ,

Figura 7.1á Amplificador no invet'sor en topología de bipuertas y realimentación.

:t?.li.-]:.....c;:l1,':...t."]'.'.'.'
En esta eonf¡gúfá.tión se enrplea'muestreo por nqdo y,cgmpé¡gc¡ón Pór malla, esto

EI.ECTRONICA
c¡p. z-es
 ' 'i.' '. ,

cAPIruf€ ' \¡II. : CIRCUITOS IñTEGRADOS

flg¡¡ra 7.19, tal como se

Figura 7.20 Amplificador básico modific¡do. ' :

El circuito báslco de'este ampl¡f¡cador se redibujo para asimilar a las topologías

utilizadas en los circuitos realimentados.

Tal como se describió en el tema de realimentgción en esta topología del circuito

realimentado corresponde representar las bipuertas mediante el circuito equivalente a
parámetros híbridos "h", en la figura rx se individualizan los bloques del amplificador
básico A y la red de realimentación B.

Por la topología del circuito de la figura )c( que emplea muestreo en nudo y
comparación en malla, conviene utilizar los parámetros híbridos "h" es decir representar
el circuito de entrada como equivalente de Thevenin y el de salida como equivalente de
Norton en el bloque "A" y la red de realimentación 'lB'i

Al circuito de entrada del amplificador básico (AO) se ha agrégado la resistencia

interna -'del generador de excitación, la impedancia de entrada de la red de
realimentación, y al circuito de salida del amplificador básico se agregó la resistencia de
carga y la impedancia de salida de la red de realimentación, al amplificador básico (AO)
también se io representa como equivalente de parámetros híbridos. El circuito dei
bloque "A" completo será como el mostrado en la figura 7 21

La transferencia del bloque "A" es una relación de tensiones puesto que se

representa como la relación de la tensión de salida (v") a! generador de excitación (v¡)
que se deduce del circuito de la figura 7.2!, planteando la ecuación de tensiones en el
circuito de entrada y de corrientes en el cir-cuito de salida:

v,=i,Ro+i,h,n+i,lt,n

.rG !r¡h -frrh +h i =0

"o-L''o"oB''oltoA ^'fA^i
. : 1..-

ELECTRONICA
cAP. ?-30
 -.: ]CIRCUITOS I}TTEGRADOS
CAPITUIO'VII

" Figura 7.21 Amplificador básico y red de realinientación.

De la primera ecuación obtenemos i¡.

1t
ri
t_--_.=-_--
' D ¡ rlt.{ :l''
¡\G +h ' ¡¡tB

Reemplazando en la segunda ecuación:

L,, t
-llfAi
vo(G,_ * hoe * ho.n) : -hr^i, -+ t'o = i

(Ro +h,o +h,rXGL *hos *hoo)

_ -.
_ ..:. ..
La retaclon
. ' ..
6e rransfeiencia
:

del ampl¡ficador básico'modificádo resulta

.,

- l '.,.'

^-\to-
(Ro + h,i + h,rXGr- * hoe * lt"o)
.:
.i : , ,,,..
,.-l-...,.
El dato que no-s dá elrfabricante del AO es deduce del circuito
figura7.22. i:
mostrado en la

:',,.;.

\z
EI.ECTRONICA
cAP.7-31
\_1
 ' t,i .--:t '.1,.
,.1
'r-. t
. . '- .. .,,';.,:.. .:, CAPITUI,O \¡II : CIRCUITOS IIIIIEGRADOS
:' AO, planteamos la ecuación de lensión en el circuito
D,el circuito equiválente del
de entrada y'el'de nodoi gn-bl circuito de salida resultando:
''Y,
vi =irhiA+i, :*.
lli¡

v:ho¡*hroi, :0

Reemplazando la ecuación de la corrlente ir r€sulta:

t/
:
:

\',h^^
¿un
+ h,^ --J- 0
h
t'ra . r .'

-,,- ,'-t'..

v.h^^ : -h.. v' -) \'. : - h'o v'

'^ h,o ' hon h,,r

La ecuación de.transferencia del AO resulta:

A /,\\ _ v. h-
,,fA
¡\o \uJ/ - tr
vt fl,R fl o.q

De modo que podemos obtener hra en función del dato del AO que es A"(co)

"lA-
lr : -A
' -o lr'r\l'
L
t*,/lt¡.{rroA

Reemplazando h¡¡ €r1 la ecuación de iransferencia A del amplificador básico

modificado se tiene:

-(-A" (o)l'r"oh,n )
(Ro + h,o + iiioXG,- * Itou + h"o)

La ecuación de transferencia A del ampl¡f¡cador básico modificado que se obtuvo

es la expresión exacta, procesando esta ecuación se obtiene:

A..(co)h,,oh,.
¿1 -
(Ro + h,u)hoo + (G¡_ + hoo)h,..r + (Rc -i h,8)(GL + hos) * ho¡h,.r

A"(o)
(Ro -¡ h,r)(G,- + h".)
* (G,
(Rc + hiB)h"A + h"o)h'o ho.h'^
* -
hooh,,t hooh¡n ho.qh,.A ho.rh,.r

En esta ecuación si tomamos en cuenta la condición que el AO es ideal y que

7o=O y 9Om9
-
hu.r - l,f Z,por
-
lO que, hno e:c| QUg Z, :oCOfl1O.Z,:h,o por lO que
:".-j: ¡., , -.
;, ,i
h,o --) co feSUlta:

ELEcrRoNrcA
cA..' 7-32
 .-:_.;:;¡

CAPITULO. vIl : CIRCUITOS INTEGRADOS

,i.:
A = IA\o\w,,
' ¡r /r'r\
': B=hra
Solo resta determinár la transferencia invérsa:de la red de realimentación
para obtener este parámetro, aplicamos'la definición del Párámetro híbrido hre que es
ia relación de transferencia inversa de tensión en circ uito abierto, tal como se indica en
la figura 7.23.

W
hroVo

'' '' ' , Figura 7.23 Red de realimentación'

':'
Resultando el párámetro,de la red de realimentación B: ,

' R' '-

B=h,e==*+ R;
rt'
.'
con esto hemos completado la,determinación de los párámetros de la ecuación
general de los circuitos realimentados, reemplacemos en la ecuación y obtengamos
[a

iransferencia del amplificador no inversor.

'

': l''.
I !
A"(o>)Rr
A"(a:) Á,;{,,t)(R, + R..)
¡:'.' .,'1.: : . ...
1 i,
r .: :l:. -.i.l
A,
Ri

EI,ECTRONTC¡
CAP. 7-33
 CIRCUITOS IN:TEGRADOS

Que As(co)=.o, ld

R, +R. R.
'RrRl' '_)A.
.4...: :l+___-

Esta es lq ecuación q!. sq obtuvo para el amplificador inversor por otro método.

Para el I tlpo de ,imuestreo y

comparación cüando' tratamos los temas de
realimentación se determinaron las ecuaciones de las impedaircias de entrada y salida
'' n recr:rlta'
que para er crrcurt-

2," : (Ro -¡ h.o + h,BXl + AB)

\"r : (G' * hoo * ho, )(t + ee)

De estas ecuaciones concluimos que la impedancia de entrada es mayor y el de
salida es menor del circuito real¡mentado con respecto al AO sin realimentación.

Cuando se estudio los circuitos realimentados se estableció que la ganancia del

circuito es aproximadamente la inversa del parámetro de transferencia de la red de
realimentación.
l'l ¡
A..=l-
' B it,o
:-
Como B . ir,u = -Sk reemplazando en la ecuaciórr resulta:
- -t - - ¿

r¡l
A..: "o I :i+l: R.
' vi - lt,o ->A. Rr

Obteniéndose la misma ecuación que el caso anterior.

A m p I ifíca do r de d ífe re n cía

Analizaremos un caso general aplicando señales a las dos entradas del AO y en

los lalo¡, externgs .¡! amplificador ,colg5are_mos guadripoloJ, El hecho de poner
cuadripolos nos permitirá tener un campo de acción, para los posibles problemas que se

ELEcrRoNrcA
c¡'P- z-34
 cAPrruf.q .vrr : .crRcurTos TNTEGRADoS

:I ..,...i-:

A cada uno de estos cuadripolos A, B y C, los vamos a caracterizar mediante la

matriz de admitancia3, lo que haremos será relacionar las corrientes con las tensiones
mediante la relación fündamental de matrices por el teorema de Norton,
r.r r rr 1 l
[rJ = li'lIvl
Las ecuaciones para cada cuadripolo resulta:

i =r,' \'¿\' jl]A'-¡r' 11\

.'il.+'¡ \^/
't

i =w.'ll¡'l \., +\'.'::A'li' ()\

\-/
'3

.: ' :.
la córriente de

ELECTRONICA
':
 : . t.iri'
j,,, ,.,..r.,..,.i*,'..;. ,,.-i,,{' li' i ." i .r .. .,-. . ii:,t.;..;:,
}-i,.,,
'...,:-:.;]'.;:.1i+..''}';il¡i;:;;';1,...':;:''.'''..'..."..''';;:..:'.,j'.li;...:''.l¡
,. . ;,, t.::r:.tiri;:..
t.'. ,, : ::,._..,.... , 't ..,
,' ,l-,.,1t._.;,. _. . . :: ,.',1"-,i. ,,,1.,' ,-i.;,
.' .i. ., i. -
..., i ..:, .'.. .,,',' :..... .':1,
ltllfi¡9V2'-+Y:zcv.,r,-,'--tl,t' , ,'',r',.' .;- ;.., r .i . :
.:..''''...:'':,;,.;,;t,l-;..:.''..'...-i'..i'.;i.'''¡]'l1.
ii,t
.

' Yzc.I
..''.''...',.'¡:'-.'''.l..-'-i.''.';.-..'.':,.l.':...
. : ,. ., : - _ t- ,,

_
'..,_i{Yz,c]':,i..'......'...
¡ -- ll--l - ;-
v
z.
Y:uc Y::c
:Y

..
..i

..,..1 .:.a,...:,:,r'_.': , -.. .,

;-. ro
Este valor d.e reemplazamos en la ecuación de is y en la ecuación de is
' ':

i: = Y:ralr * I l, Yr'. I

Y:z¡ | ---
. ,'. .,i' -u, )
\Y::c 'Yzié
I

.,,t' '' t : .. -. -- -. ..;i ,' '.

'y,;"' -)''.'
,,.,..-t. .,,-.!. ,
(¡
is : y'u | =l!-++\i l+ yr:evo ','
'':
\Yz:c
'..' .r.- f,i:, )
.¡, :
_...
: :.,.i;
Debido a que Z,=*¡or lo que is=-is tenemos:
-- -. ::. .;..,.... .. . ..
. :,.,:

io ,'y::¡y:rc ..
yzrevr +yzz¡r; .-;*
y,," ;
u= :-[r=;'.,
- [ -Tr.-:
]'rray:rc .. -,. ,, )
-]'r:e'uJ

y:r¡vr ryz:a ir --**r,, : -lii. *l*k\,: \¡ \,' \r

-)',:a'o
,.' Y::c Y::c Y::c Y::c
:

Como Zi=* por lo que i+=0, eliminamos los términos correspondientes y

despejamoS v6 rlos queda: ;

.t ,' ,
')
Y", n r I y,,u
¿lt^-, * y,,o y,,. ,,
V6=-vr | | \':
tl'o \ Y:ic ) Yna
-t
'ESta ecuación determina la tensión de salida v6 €n función de lai entradas vr y vz.
La ecuación es válida solo en el caso en que consideramos un amplificador ideal para el
que la ganancia A vale infinito, pa¡'a cualquier valor de frecuenc¡a; caso contrario en la
fórmula intervendrá el valor de A,o(ar) dependiente de la frecuenciá.

En caso que se use la enirada inversora solamente/ en este coso v2=Q' y la

expresión de vo queda:

:
uu
" -bt,
y,:¡

' El cuadripolo C se'ha eliminado, quedando solo los cuadripotos A y B, la ganancia

de!,qiSte.m-a lyglvr:,es el cociente.ent¡g¡lapipdCnitgngias de:.-tránsferencia de lós dos
-'" i"":' 'il:''"',¡'' , 1
cuadripoios.'t'-' i1:r : i
"",, . "'
ELECTRONICA
cAP. 7-36
 , .'' cA?rau,,o vrr : crRcuiros TNTEGRAD.'
En caso que usemos la entrada no inversa, en este Cdso v1=Q y la expresión de
Ve S€fdi
-;',, ',.' '.' :
.'.
_ -.,1, ,' , .,N.' .

i )':ic
- )'r', )'::^ .).r:e
..Vó ;*:-_=il- ..1.
1

)'::c
Haciendo consideraciones sobre los cuadripolos del .circuito para este caso, se
puede llegar a las mismas'expresiones, ya calculadas.

Los cuadr¡polos se caracterizan por tener cuatro admitancias/ en el caso de .estar

compuestas por elementos pasivos sus.admitancias de transferencia (Yrz e yzr) son
iguales; si consideraryos a un d¡polo como si fuera un cuadr¡polo, sus cuatro valores de
admitancias tomarán el mismo valor, siendo iguales al valor de la admitancia que
caracter¡za al dipolo. No se tiene que olvidar que los signos de las admitancias de
transferencia son negativos, así por ejemplo en el caso de tener una resistencia, su
admitancia de transfelencia será -tlR.

Para utilizar AO y poder sintetizar funciones de transferencia es útil disponer de

una tabla de admitancias de transferencia de cuadri Polos, más adelante exPlicaremos
algunos casos utilizando las tablas de admitancias de transferencia'

Consideraremos'aI generador conectado sobre la entrada inversor¡ l, Ya que de esa

manera se lo puede utai como un. operador matemático solamente en algunos casos
utilizaremos las dos entradas del AO.
'

Límítaciones de Amplifícadores Operacionales

Los amplificadores operacionales de ultima generación tienen una gran

aproximación al amplifigqdOr ideg] hgsta ahora estudiado y g-n la mayoría de los casos
puede hacerse un {is.q_ño,supo¡riéndoio réalmente ideal, Por io,tanto !o.{o pose:
fO
limitaciones que son los defectos que lo aportan del ideal y que son especificadas por el
fabricante como características. Entre estos datos tenemos: :.':
' : ,'.
.,:.. ;,':-.
- u¡a
Efectos Oe gánancialfinita a lazo abierto.
-'.ll-'?---:-.:.t-,. - '.
Efecto de la impedancia de entrada flnita.
Erecto ¿. iá i'lü;ffi l. 'ulio- .. ;;ü.
rr.Já J. J¡ áí.n,; áá o-.0¿ n¡¡to.
Efectosdelrui$9...l1].....,.
Las corrientes de pplarización diferente de cero.
La corriente db.ofriei'o ápartamiento diferente de cero. , , ,l , ,. ''
rt offi¿t o ápártámientó dei,tánsión diferente de ceró,, ,., -

EI,ECIRONICA
n¡D '1-11
 t,
'

ProÍilemas de off-set-
'-.t.. '. ;.'.,,,,.
:....':.1,.'.1 ...:,.,,,., ,,,. .,::i.;.. i ;

Los AO ideales deóen estar perfectamente balanceados, es decir que cuanoo se

polariza el amplifica{or' áplicanf,o'u trt
terminales respéctrvas +V y -V la tensión de
salida debe ser gero (vo=0) para una tensión de entrada'cero (vr=0, vr=g¡ caso de
que se:use la enfrada jnversora o no inversor.a, adqmás se designa a las.corrientes de
entrada al AO cOmoiir=1"r, iy=Ísz, el circuito queda como e! de !á figura 7.75.

Figura 7.25 Circuito con AO que establece el offsel

En la práctica, siempre habrá una tensión de salida sin aplicar nada a la entrada,
ésta tensión de salida se denomina offset. De acuerdo a la literatura inglesa, se
denomina así allos problemas ocas¡onados por los desbalances que puede haber en la
primera etapa diferencial ó concretamente el offset puede ser consecuencla de dos
fuentes, la tensión y corriente de oftset presente a Ia entrada por desbalance en el
circuito de entrada o generado por el amplificador diíerencial de la primera etapa del
AO.
'Estas
dos entradas son independientes una de la otra y contribuyen al offset en
una forma que depende del circuito usado. Los offset por sí, no son un problema grave
ya que'siempre pueden anularse con otro efecto igual y contrario, el problema está en
que su valor cambi¿, con la temperatura, el tiempo y la tensión de polarización siendo
estos cambios los que se llaman desplazamientos. Sus efectos pueden analizarse por
medio del circuito de la figura 7.25.

Si el AO fuese ideal, la tensión a la salida tendría que ser necesariamente cero,

esto no ocurre en la realidad debido a lo siguiente: la corrient€ Ier que entra al circuito
por la entrada inversora que proviene de tierra y circula a través de Rr y Rz (el AO está
polarizado por una tensión positiva y otra negativa según se ve en la figura >c<) al estar
la entrada no inversora conectada directamente a tierra, su tensión respecto de tierra
es nula, en cambio sobre la entrada inversora, la tensión respecto de tierra no será nula
debido a qLje la corriente Ier circula a través de una resistencia equivalente al paralelo
de Rr y R2 lo:cual producirá la aparición de una cierta tensión en el nodo de la entrada
inversora Ce I'a figura 7.25. Es'á'tensión és interpretada por'ét AO como ri fr.ra ,na

¡r-¡crnówrc¡
cAP. ?-38
 cAPrru¡o vII : CIRCUITOS INTEG3.ADOS

señal. aDareciendo amplificada a la salida. Para evitar ese problema se pone a la

entrada. no.ir¡ve¡sora y tierra una resistgngia R de valor iqual al pargJelo entre Rr y Rz,
tal como se indica en la fiqura 7.26.

Suponiendo que en el circuito de la figura 7.26la corriente Is2 s€d igual a Is1, eS
decir la corriente de offset nula, la tensión que aparecerá en el nodo inversor de la
entrada será igual a'ia'tensión en el nocio no inversor luego la iensión V=0, por lo
tanto la tensión a la salida será cero.

Si no hubiésemos puesto la resistencia R, la tensión producida por la circulación

de ler por las resistentias Rr y R2 produciría una tensión V distinta de cero entregando
a la salida la siguiente tensión:

\/v' R,Rt
j3l, -r
A
- i^,
'LJI n ñ
Kr - K:..

Eliminamos ésta tensión agregando la resistencia R antes mencionada.

I' -'

El offset de coiriente también se puede analizar tenie.ndo en cuenta que los

I . , ,

transistores del amplificador diferencial de entrada del AO tienen ps diferentes y las

corrientes de polarizaiión de cada trans-istor serán diferentes (para iguaies corrientes de
colector). S¡ ias corrientes de polarización (Iei, Iez) son diferentes y se esta operando
al amplificador con 'uriá Ceter:minadal resistencia Rr aplicada-,á;.la entrada inversora y
otra R a la no inversora,' esas corrientes producirán diferentes tensiones sobre las
resistencias. .t,,.".
.

Por lo tanto comg piimera aproximación ii taS corrientes de polarización de las dos
bases son iguales, debemos dimensionar la resistencia R de ta! mgneia gue sea igual al
paralelo de Rr y Rz, €n caso,de que,las corrientes de polarización no.Sean iguales se
hace variable la resislen¡]a,1 Ouru po.der compensal la desigualdad Q.e corrientes

Tomando en diferenciatei desarroliado en otra unidad y

:u5+a los'amplrficgdoles
de lo expuesto se deffne como corriente de offset a:
' ;' .'"

c¡".7-39
,1 . ..
iriF: ;*.trj,
 '.:j

l'.''".'II-,.,'
-' :,1:,,.:-i,;i,-' "

i: .- .,, _-,,: .- :rt:;,.,

'l ''
,..
,1.'.rr, , -, . .cep¡ru¡,o vrr : crRcurros rñrEGRADos
lo; : Ir, - Ir,
Y-: (Modo diferencial)
..,.i:.,
, I'l
. .-l,¡i.,:,l;:.,
...:
Este dato,aparecg;en,,los manuales'Ii1;:I!2,corrientes.,de polarización de''cadá
transistordeentiáda..'..''.'..',-.'.",-..:..;:...'......
_).
De manéra similar sb define la corriente de polarización a:
I J-T
Io", =$ :. (Modo común)
r :.

Es decir, en el lenguaje de los anrplificadores diferenciales la corriente offset sería

corriente de modo diferencial'y la corrie¡te de polar.izacióq ser:ia la corriente de modo
I
comun. Es necesario por1o tanto que se'"tenEa estas do9*gorrientes (Io6, Ipor) o las de
entrada en cada termlnaf del operacional (Is1, Is2) como dato;'
'
:,:,I I

' ."''
Otra pafticularidad de los AO es lo que' se denom¡na la tensión de off-set,
generalmente ésta tensión es debida a que las tensiones Vs6 de los transisto¡es de
'corrientes de colector iguales.

Si las tensiones VsE son diferentes no se cancelan entre sí apareciendo una

tensión neta entre las entradas del AO que será amplificada a la salida. Definiremos la
tensión de oft-set como'la tensión que se debe aplicar a la entrada para que la tensión
de salida sea nula.

Esa tensión de off-set también es necesaria corregirla

si el operacional va a ser
utilizado como amplificador de continua, más adelante veremos los circuitos que se
utilizan para estos casos.

Para analizar el problema de la tensión de off-set simularemos dicha tensión como

si estuviera presente en la entrada del AO en el circuito de, la figura 7.27 lo
representamos como Vo
con una polaridad relativa cualquiera, puesto que esta
polaridad quedará re¿ilmente determinada del análisis que realizaremos, la tensión Vo
aplicada enire las entradas del AO debe ser tal que compense ó anule la tensión de
nۃ-^t- ^^ l^ ^^li,{^
unseL en td sauoa del amplificador.

;>
.r82

Eigura 7,?7 Circuiio para deducir- la compensación

ELECTT,ONIq4.
 -. CA-PITI'IO VII : CIRCUITOS INTEGR¡DOS
,-
Los efectos debidos al desplazamiento y al oft-set se analizan más fácilmente
conectando a masa las dos entradas a través de las resistencias Rr y R3;.tal,como se
muestra en el .¡t.üito de la figura 7.27 para obtener reiultacjosl generalizados para
ambos modos de funcionamiento del AO con inversión y sin inversión.
:
La tensión off-set Vo6 (Vo)es la tensión que hay que aplicai.'entre las terminales
de entrada del AO para obtener una tensión de salida cero, la corriente off-set lon'€s ld
diferencia entre las dos corrientes 'de entrads, Vorr, Ioff, R:., Rz Y Rs'afectan la tensión
de off-set resultante, esto será mostrado en las deducciones que' se expone a
continuación con relación a la figura 7.27.

Planteamos la ecuación de tensiones de la malla que incluys Rr, Rz Y Vs"r.

(1, + i.,)R, + I,R. = V, :0

Planteamos la ecuación de tensiones de la malla que incluye Rr, Vo Y R¡'

(1, + It)R, -Vo -l''R'. : 0

Al plantear esta ecuación debe tenerse en cuenta que no hay caída de tensión
entre 'las terminales iñversor'y no'inver:sor del amplificador operacional porque se han
suprimido los componentes,del amplificador y se reemplazaron por la tensión Vo entre
ambos terminales y se consideran exteriores a este.

Despejando Ii de la ecuación que incluye la malla de realirnentación:

I,R, +I,R, +l,R= *\t, :0

IrR, * IrR, : -V* - I,R, -+ I..(R, * Rr) = -(V-, + I,R')

T - Vl+1,R,
,r__
*, -*. ,

Reemplazamos 13 en la ecuación de la malla de entrada procesamos [a ecuación:

V ¿T R.
j**)R,
(t, - -\,, -1,R, = o
P
¡\r -r-D
' I\1

\/ *I D
¡,8, _ 'sl 't"t :0
:

R, _V^ - i,R=
R'+R,

+R,)-!t;,*ilRl)R, -%(R, +R,)-I,R3(Rr +R,) :

'

IrRr(Rr 0
...'.
I,Ri +lrRrR,-V;R,-i,Ri-V-(R,*Rr)-I,R,(Rr+Rr)=0 ,, , ,i, : l

el¡crnóu:cA
:.. '
.

| .
 ': :

SiIz fuese igual o.;rnuy-próxima a Ir, como en loS AO de alta calidad, Vs¿¡ s€
reduce a un mínimo haciendo los coeficientes de 12 e 11 iguales,
Vu qr. tien'en S'gno
', ,-,
contrario por lo tanto igualando sus coeficientes se obtiene:
:, :. .. .

I n,)
Rr:R.lt+:-l
\. R, )
Despejamos R¡ de esta ecuación resultando:

:
R,R,
i\r

La ecuación
-
de R3 indica que la condición deseada es hacer Rs igual a la
combinación paralela de Rr Y Rz. Haciendo el paralelo puede escribirse de nuevo la
ecuación de la Vr"¡ de la forma:

v,:-%(t.t,*rorrR:

De la ecuación resultante para la Vs¿¡ s€ concluye que si las corrientes de

polarización (Ier e Isz) son iguales, fon es igual a cero, la tensión de salida
se deberá
solo a la tensión V66, pol' lo tanto se debe aplicar una tensión igual y contraria a la
de
Vor d la entrada, con lo cual quedan cornpensadas las imperfecciones del AO.

¡¿ecrnóNtc¿
cAP.7-42
 ICUITOS TNTEGR.ADOS

Anulación del Offset

Aunque el AO ideal tiene una tensión y corriente de off-set nulas, esto no es

cierto en los amplificadores reales. La tensión equivalente a la entrada que produce la
tensión off-set de:salida depende de la ganancia:en lazo cerrado del circuito. La
corriente off-set equivalente'de entrada que produce y,la tensión'off-set depende de los
niveles de impedancia y de ta ganancia en lazo cerrado.del circuito. El-off-set total de
salida puede anularse empleando el circuito de la figura 7.28a en caso .que .se use la
entrada inversora y con el de la figura 7 -2Bb en caso que se use la entrada no
inversora; en el circuito de la figura 7.28 R1 ! R2 son los reslstencias que determinan la
ganancia, R+ es igual al'paralelo de Rr y,-R2 para disminuir.los efectos de la corriente
ofi-set, R3 es normalmente mucho mayor que Rr ó R, de forma que su efecto sobre la
impedancia total en paralelo que Rq debe equilibrar es despreciable, además una parte
de R: debe ser variable para ajustar la corriente de off-set con la fuente V¡ y el
potenciómetro Rp se debe ajustar la Von para que a la salida se tenga cero de tensión
debido a los oroblemas de off-set.

Figura 7.28) Circuitos de corrección del off-set.

ET,FCTRONICA
cAP. 7-43
 CAPITT'LO VIII : CIRCUITOS INTEGFADOS

APLICACIONES DE LOS CIRCUITOS INTEGR.ADOS

Introducción

En las aplicaciones que se detallan en esta unidad, no se utilizaran elementos

reactivos en las topologías circuitales, Poi lo que son aplicables tanto a circuitos
de
continua como de alterna

Detectores de tensión y comparadores

Estos circuitos se suelen emplear para detectar una determinada tensión

con
de entrada con
respecto a una tensión fijada por el usuario del AO ó comparar señales
solamente tiene dos
una tensión que consideramos como referencia. La señal de salida
que el de referencia'
valores, según que el voltaje que comparamos Sea mayor o menor
Estos circuitos se emplean en algunos medidores de parámetros
físicos como ser
temperatura, Presión, etc.

Detectores de tíPo diferencia

En esta aplicación se utiliza al Ao con su ganancia elevada o de

circuito abierto,
es decir que no se tiene realimentación del circuito de salida hacia
la entrada, para este
propósito se utiliza el circuito mostrado en la figura B'1'

+V
V¡
vy +
yt r \
T

- Vei Yo

Ii I
Figura 8'1 Detector del tipo diferencia'

En el análisis del circuito utilizaremos los postulados del AO establecidos

en la
anterior unidad que por comodidad repetimos en esta unidad:

Como los AOs son ideales y recordando los Oos póitutados de aplicación al CI
ideal:

sLEcrnóNrcA
cAP.8-1
 CAPITULO VIII : CIRCITITOS INTEGRADOS
1) Como Z¡=* por lo tanto i=0 (ir=O, iv=O)
2) Como A="o por: lo tanto V=0 (V=vy-vx=0, ó v¡=vyr ó v*=9, vv=0)
En el circuito de la fioura 8.1 se tiene:
v:vr'-v'
Vl:V,"fY\,*=*V,
En el AO en circuito abierto se cumple la ecuación de transferencia:
vo:V*A
Con las anteriores conciiciones resulta:
vo : (Vr.¡ V,)A

Donde:
A=Es la ganancia del AO a circuito abierto.
V."¡=Tensión de referencia.
Vr=Tensión que queremos detectar,
Se nos presenta dos casos:
1. Si V1>V.er, ld tensión de la entrada inversora es mayor que la no inversora por
lo tanto el amplificador satura a -V
2. Si Vr<V.er, ld tensión de la entrada no inversora es mayor que la inversora por
lo tanto el amplificador satura a +V
La transferencia del comparador se representa en la figura 8.2.

Vo

Vref>Vr

V r>Vref

Figura S,2Transferencia de un detector de tipo diferencia.

ELECTRONICA
cA.P. 8-2
 ITIII,O VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

Detectores con'las señales de entrada en el mismo termínal

t ,r- -- -:- vv, por lo que
En este tipo de detector realmente no estamos coriiparando
v* ibn
en forma indirecta
no consideramos el axioma que indica que vY=vx' en consecuencia
la figura B'3:
estamos Comparando Vr con Vrur. El circuito Se representa en

F-iguraS.3Detectordeltipodiferencia,con|asseñatesenlamismaentrada.

Como 7i=a por lo tanto i=0, por lo que se toma Ir=Iz

1,-V'-V, €--:I,=\'.-V,.i ycomo I, =1,

R, R.

V, - \'. v. - V,.r :0
- como r,_
Rr R'
\/\/R
Vt
R,
-_Yr.fJV,
R, I =-\r.-.)
"'Rt
Si en el circuito consideramos que Rr=10KQ' Rz=100Ko Y V'er=-15V resulta:
loKQ + :
, \
V. = -(-r5\r)
100KO
V, l-5V

La tensión en el circuito de salida será:

vo=(v,.-\'-)A
Si v'>v'Vr debe ser mayor que +1,5V y el ampl¡ncldor tt.t:t'l1u *
Se satura a +v'
Si vr<vr, Vr debe ser menor que +1r5V y el amplificador

Comparador
En esta aPlicación al AO se utiliza en circuito abierto, es decir s¡n
lo
real¡mentación, este ,circuito de aplicación se indica en la figura 8.4, el amplif¡cador
trabaja con la gananc¡a de lazo abierto'

gr,EcrRóxtcA
cAP.8-3
 CAPITUI.o \¡III : CIRCUITOS IIITEGAADOS

L
+
+
Vl
+
Vo
Vz
:
I I I
Figura 8.4 Circuito comparador de tensiones.

En el circuito si vr varia, manteniendo constante v2, lo tensión en el circuito de

salida def AO vo cambia con polaridad opuesta a la de v1.
En el circuito si v2.varia, manteniendo constante v1, ld tensión en el circuito de
salida del AO vo cambia con la misma polaridad a la de vz.

Seguidor de tensión
Como se estableció en la unidad anter¡or la utilización de los AO es con
realimentación negativa, aplicando la señal de salida hacia la entrada inversora, el
circuito básico con esta realimentación se t¡ene cortoc¡rcu¡tando la salida con la entrada
inversora y excitando con una tensión vr en la entrada no inversora/ tal como se
muestra en el c¡rcuito de la figura 8.5.
<.-
'I:.- f:
-l
VX

+
+y Vo
Jr
I I
Figura 8.5 Circuito seguidor de tensión.

Este circuito no utiliza resistencias de entrada ni de realimentación. La tensión de

salida vo es una reproducción exacta de la tensión de entrada v1.
vo : A,v, COmO Ar,=1 (Al, gananCia de tenSión COn realimentaCión)

ol

Por la topolcgía de realimentación que se usa en este circuito en la que se toma

muestra en nodo (paralelo) en el circuito de salida y comparación (malla) en el circuito
de entrada, por lo que la impedancia de entrada del circuito se incrementa con respecto
a la del AO, la impe.dancia de salida se reduce con respecto a la del 40, po¡ .lo tanto
este'circuito también'se lo utili2a como tra'nSformador de impedancias.
.

¿l¡crRóNrc¿
w- ó-{
 C}.PITLILO vIIi : Ci¡'CUTTOS INTEGRADOS

A mp lífí ca d o re s bás ícos

' 'n:
- a. - .;
.- :

Los Amplificadores Operacionales se pueden utilizar en tres modos de

funclonamiento que son: el modo inversor, el modo no inversor el
y modo de
diferencia en todos los casos el amplificador operacional se lo utiliza
fuedemente
realimentado en forma negativa para controlar la ganancia tal como
se indica en los
tomando parte de la
circuitos de la figura 8.6. Lá realimentación negativa la obtenemos
tensión de salida y reinyectándole en la entrada inversora, esto lo
podemos hacer
mediante una resistencia Rz'

*V1 +

+-)t Vc Vo
Vz
I
l:
iI I

8.6 Lt¡LurLU
ra o'o
FigUra del o¡¡'P'¡rlc¿(lor
Circuito ecr lIlvE¡>er', no
amp|ificador inversor, ¡¡rYgrJvl y
rrv inversor diferencia con Ao.

Amplíficador inversor
introduce por el terminal
En este modo de aplicación del Ao la señal de ent¡ada se
inversor (I), manteniendo la entrada no inversora (NI) a tierra'
Podemos dibujar el
figura B'7:
circuito realimentado negativamente tal como se muestra en la

Conectamos entre la entrada inversora (I=-) una resistenciá Rr Y

la fuente d.e
exc¡taiün-i"l,l. entrada no inversora (Nr=+) a tierra, realimentqndq desde la salida
hacia la entrada inversora a través de una resistencia Rz, obtendiemos
si ponemos en
la entrada una cierta señal v¡ uf-13 tensión vo en la salida.

romando én cqgnta los dos no¡tuiadgs qarl r91:l:l*i5:rl:lI':91,1:-?,llv,::

oe kiicrron en el circuito vemos que'la coiriente de entrada y salida tiene las siguientes
expresiones válidas.

EI.ECTRONICA
cAP.8-5

i... ,. .'".
 ,: . . . :"-..:f,j
: i j=

. -'
" ', t'),
",:t
,...
-¡j. .
;
'. ,.,..
.¡'
;.
',:. CAPITULO vfII : CIRCUImS IIIIEGRiADOS
-:'i ;
v, - V-
I.l-
,I ^
P
r ^tl \c;.

,.I v, -vo
"r- .: Rt r
;j : -

En el AO se tiene:

v : vyx-v .

VV
A: ---e- -+ V = --g CO¡O A="o -> V
\'A
:0
VA
\:"
Del axioma 2I resulta
:i.' ,'l ,
|

vi : Vr del circuito.V, : 0 -+ v, = 0
Del circuito resulta:

l,=l.i-l
l¿

Del axioma 1 se tiene i=0 resulta que ir=iz o sea que la corriente del generador
de excitación en la entrada circula también por la rama de realimentación, por lo tanto.

v'
--vo
Rr R2

La ganancia de tensión del circuito real¡mentado se define como:

' \/
_A_- "
V¡

De las ecuaciones, la ganancia de tensión resulta:

Vn R' '' :'

'
'^t'
A-u-
vl Rl

El signo negativo es debido a que estamos trabajando con la excitación en la

entrada inversora y como su nombre indica en esta topología, el AO produce una
rotacióndefasede18ooentrelatensióndeentradayladesa|ida'

o =-R,
Rr
.-:¡

ELECTRONICA
cAP.8-6
 CAPIrIJI,O VIII : CIRCUITOS TNTEGR¡DOS

Esta ecuación describe aceptablemente bien el comportamiento

del amplificador
operacional cuando la ganancia A es muy elevada' '.
--',. . .

En el amplificador inversor se define la impedancia

de entrada como la relación de
la tensión a la corriente que entrega el generador
de excitación resultando:

\¡
R.nt ::'
rl

Del circuito resulta para la corriente de entrada:

V, -V*
i,- ,eempia.ando en la ecuación de la resisiencia de entrada resulta:
'R,
R
taanl =
u' como vx=O --+ R-,
r¡l = R,
\t - \.
Rl

utilizada reduce la
De la ecuación se deciuce que el tipo de realimentación
res¡stenc¡a de entrada del AO'

En el amplificador inversor se deflne la impedancia

de salida como la relación de
la tensión a la corriente que entrega el AO resultando:

\,
nr=
I
Amplíficador no ínversor
por el
. En este modo de aplicación del AO la señal de entrá-da'ée introduce
ter;¡n;t ;;.";;;.-Ñ;;;;;ien¡endo la entrada inversor (r) a tierra
por,medio de
negativamente tal como se
una resistencia. podemos dibujar er circuito rearimentado
muestra en la figura B.B:

rr.sctnó¡¡lcA cAP.8-?

r 'i:
 C'üneaamos entre ra entrada inversora (r=;) ,ff"ffiffI'. ?ir"'li
H"o"ffi
referencia (tierra), realimentando desde la salida hacia la entradd inversora a través de
una resistencia Rz, !d füQnte de excitación (v¡) se conecta a la entrada' no iñversora
' (NI=+), obtendremos una tensión vo en la salida. :
Tomando en cuenta los dos postulados para los CIs ideales y aplicando las leyes
de Kirchoff en el cir:cuito vemos que la corriente de entrada y salida tiene las siguientes
expresiones válidas.

t',- o-u'
R,

. :t'-
;¡1 =Vr-Vo
'R- ¿

En el AO se tiene:

v:vr'-v'

A:vo -)V:5 comoA=- -+V:0

VA
Del axioma 2 resulta
V* : v' del circuito u, = v, -> v, = \¡
En la entrada inversora del AO se cumple:

I :l+l

Del axioma 1se tiene i=0 resulta que ir=iz o sea que la corriente que circula por
R1 €il la entrada inversora circula también por la rama de re¡limentación, por lo tanto,

0- u' : u* - t n como Vx=v¡ reemplazando, despejamos la tensión de salida vo

R¡ R,

0-v¡ :v,-\,..__V,: V,
_V,,
Rr R, Rr R, R,

Vo : v, * ,', -,,,.:fr*8.]"
R, R¡ R. \ R,J

La ecuación de l-a ganancia del circuito realimentado se define como:

ELECTRONICA
cAP.8-8
 a ,.1

: CIRCUITOS INTEGRADOS

Yi
A O L:
-
.: , V, '. .t .:. t ''; ..r :.. .'"r i¡. ,,' ¡
-il !

Por lo tanto la ganancia de tensión resulta:

p
A :la"l
"R'
La ecuación de transferencia en este caso no produce inversión de fase como
en

amplificador inversor, este modo de funcionamiento del amplificador tiene

la
el
particularidad de preseniar una impedancia de entrada muy elevada vista desde el
generador de excitación (v¡) haci-á'el AO, es decir que la entrada no inversora no
representa Una t¡erra virtual como en el caso del modo inversor'

Amplificador de granancia ai ustable

En muchas aplicaciones se requiere tener un amplificaCor con ganancia ajustable

para esta
sin que el proceso signifique variación de los parámetros del AO, el circuito
aplicación se muestra en la figura 8.9.

Figura 8'9 Amplificador de ganancia ajustable'

En el circuito de salida se t¡ene un divisor de tensión, la ecuación resulta:

v, = i'R.

Donde:

Yo
t:
R'+Rt :

Reemplazando en la ecuación de v2 resulta:

R
v, ::---=-Ío
Rr*R. " ,r.'

erEctRó¡r¡cA '
cAP.8-9

:.": - j
 .t
.., j '¡li¡"' ;

. . ii,...
. :

'':
^-"
!_

CAPITIII,O \rIII : CIRCUITOS I}IIEGRADOS

En el circuito se
. .
tiene:,'
.:,-...:. -l
:

y en la red de realimentación i, v'.lvr ,, '

'.=Ii-Y:- -r =
i,
R1 R2

En el nodo de la entrada inversora del AO se tiene:

i, =i+i,
Por los dos axiomas de los CIs se cumple que:

: ':_0
Z¡:ú -> i:0 -+ i,:i. Y. A = oc -> V :0 -+ vr v.

Reemplazando en las ecuaciones: , l

v;_v?V¡_VoD
J:_- ___l(,
P
r\l P
N2 D
r\¡ /Í', rT) \D
\ñ3 - ñ¡,/ñ:

La ganancia de tensión resulta:

., P +D P
'v,
^-to-r\irr\Jl\1
'1, -
- RrRl
En esta ecuac¡ón hacemos variable la resistencia R3, con lo que la ganancia de
tensión resulta var¡able.

También se puede hacer un c¡rcuito básico con varias resistencias puestas en

paralelo en la red de realimentación controlados por conmutadores realizados en base a
transistores que trabajan del cofte a la saturación, tal como se indica en el circuito de
la fiqura 8.10:

É-
\-
R:V L: <.- ¡J

<-
\

R¡V L;
i'
_>

V1

I
Figura8.10 Amplificador de ganancia ajustable controlado d¡gitalmente.

ELECTRONfCA
cAP. 8-10
 -".1i.';:..-'.;;1' j
I i- i. *-,.
. -.::'-'. rl. i ,: i

CAPITITLO,VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

Amplifrcador sumad;9r
. .:
.: :
,
. :_
Para'realizar la suma y amplif¡cac¡ón de' una serie de señales'eléctricas se puede
utilizar. el AO de dos maneras: como inversor y no inversor, detallaremos ambas _l

aplicaciones:

7. Sumador inversor

En esta topología de aplicación del AO las señales de entrada a ser sumados se

ingresan al amplificador por la entrada inversora, aplicando la propiedad de que este
terminal desempeña la función de tiei'ra viriual, esia propiedad'del AO no permite que
exista interacción entre los diferentes generadores de'excitáción. La topología circuítal
se muestra en la flqura 8.11:

: lqRa
l-
5nR, 5N
.5 +Vx
_v +
vzl
Yl:-> Vo

I
Figura 8.11 Amplificador sumador con inversión.

Del circuito
:

Ill +I +T +T
- rl T rj T lJ -=i r ,'

Cada generador de tensión entrega una corriente de valor:

l

, -Vt-v. ':''
,R
^'l

,Ir - vt -vt
.R,
-

-
T-JI
v- -v
,R
t, -

\J - a:

e¡EcrnóN¡cA
cAP..8-11
 . , -t :,,.',.i, ,'_-.,- ''-'.
-,:',...
' :.. '

'' CAPIfl.IIP \ruII : CIRCUITOS INTEGADOS

. v -v'\
T -'o

Tomando en'cuenta los dos postulados para los CIs ideales se tiene:

A; co -+ V = 0 -+ v, = v, del circuito vy=0

Zí: q -> i :0 del circuito fr*Iz*f¡-FIa=Q

v.-v v--v v.-v v -v
I

PRRR
I I I \ I
'-
I O \
-
ll

,.2 ^.j
^.1 ^t.1

,\ ."i.,'
vrv)v-v^^V.lvr,v:v:l
,+ , + .'+____:_:U_> .,-_l r-T-l
D D D D p NJ lP..t P
r\f R
I\l ñ? ñ.i I\{ \ 't j
I
./

V^ : -lln,' V, + jV, R, )
R, +---:V,
" lp p - p 'l
' r\l r\1
I

\\l r\¡ I

La ecuación resultante del circuito sumador corresponde a la suma con tres escalas
diferentes, una para cada generador de tensión que participa de la operación.

También se puede realizar la operación de suma con una sola escala/ para esto se
debe cumplir que las resistencias de los generadores de excitación sean iguales:
R1=ft2=ftg, la ecuación resulta

vo=--=(vl
¡\|
P / \
-\')r\'.-)
t(,

Finalmente se puede realizar la operación de suma sin escala, para esto se debe
cumplir que las resistencias de los generadores de excitac¡ón como el de realimentación
sean igual€sl R1=R2=ft3=R4, la ecuación resulta:

uo=-(u, +v,+v.,)

2. Sumador sin inversión

En esta topología de aplicación del AO las señales de entrada a ser sumados se

ingresan al amplificador por la entrada no inversora y el lazo de realimentación se
conecta a la entrada inversora/ el terminal inversor se conecta al nodo común por
medio de una resistencia. La topología c¡rcuí tal se muestra en la figura 8.12:

ELECTRONICA
cAP. 8-12
 1.::j

CAPITIJLO VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

+i, +
Vo

I
I

_Y3

II
Figura 8.12 Amplificador sumador sin inversiÓn.

Del circuito

T ¡ 11 -LI
ll -¡-I ' rj =i .l

I:+l-,:ir
cada generador de tensión entrega una corriente de valorl

\', - \',,
l,:-
'p ^'l

T_
\" - v..
l. -
'R,
-
r -'j
v. -v'Y
Jp
^t j

En la red de realimentación del AO se tiene:

I
vo\ -\'
I,
R

,,RJ
- o-u.
l< -

De las prop¡edades del AO se t¡ene:

..:r :".._,
'..

ELECSRONICA
cAP. 8-13
 LIKLUTIVD ¿A¡99ru'

-. .)

vI-V, v2.-Y"..v3-Vn
,----------v ^
RRRl
"l r)2
_: ...3

-
u-V* ,. ----------:--::-
Vo-V. _^.
v -
R5 Rr

Procesando estas ecuaciones resulta: De la ecuac¡on en la entrada no ¡nversora.

,..
: :. :

_:: .:r::,_.:::.:
V¡ -V" V2-V", V.-V., ^ v, v" Vr \',
:"+, r--i+--i-, \'- V)-n '
+- -0 ¡'l-
Rr R2 R3 Rr Rr R, R, R. R3

Vu V" 4-
v' :-+-
vr v1 , \-i ( t I I )- t', , \': , \'¡
':-----

R, R, R3 Rr R2 R.. '( R, R" - R, J Rr R, R.,

R,R,R. ,, v' ( v.. )

t RrR] + RrR, + RrR3 \ R¡ R, R, ,J

De la ecuación en la entrada inversora:

vv^vv\¡v^ \
- \ -l---!-- -0 .--:-+-l-:----:!
R5 R.¡ Rl R5 R{ R{

(t vn
1)t=____:¿_l R,R, vo
-, | _a_
^tR, R.J Rr
r'
x:_:___
R,*R.R.,

v:-v^ R.
^ Ro*R, v

Igualamos las ecuaciones obtenidas de las tensiones para las entradas ¡nversora y
no ¡nversora.
/\
Rs RrRrR., f n'' , \': , \': I

Ro + R, ' R,R, + RrRz + R,R: \ R, R. R, /

De esta ecuación despejamos la tensión de salida'(vo) del amplificador.

,.. 1... 'i

j'.
¡1
( ir.
,"
!

ELECTRONICA
cAP.8-14
 CAPITULO VIII : CIRCUMS INTEG¡¡DOS

v^=-
R'-R' ¡ pR :R: rl , \''r
1'
,
T-
t,
't
\
I
j

"p r\i R=R, + ^tl

R,+ pp
¡\l¡\ .i R';, ,R, Rr J

La ecuación resultante del circuito sumador corresponde a la suma con tres

escalas diferentes para cada generador de tensión que part¡cipa de la operación'

También se puede realizar,la operación de suma con dos escalas una variable que
depende del valor de las resistencias Ra, R5 und escala constante que depende del !
numero de generadores que particlpan en la suma, para esto se debe cumplir que las
resistencias de los Eeneradores de excitación sean iguales: R1=ft2=Rs=R, en este
caso la ecuación resulta:

R,+R.i, = \': * \
-3
Vn =
"R.J .(\'r \'_.
/

Finalmente se puede realizar la operación de suma sin escala, para esto se debe
cumplir que las resistencias cje los generadores de excitac¡ón como el de realimentación
sean igualesl R1=R2=ft3=Pq y 2Rs-R¿ para este caso la ecuación resulta:

Rr =l->.2R.=R,
R'+R' j
\^ - \t t r l.

Si se tiene n entradas yn resisiencias en el circuito no inversor la condición que

se debe cumplir es:

ln-l\R
\,..,/..j^.J -R

Amplíficador restador
para
Un circuito interesanté en la aplicación de los AO es el amplificador restador
esto, se conecta dos entradas de iniormación uno en la entrada inversora y la otra en la
no inversora, el circuito se muestra en la figura 8.13.

En el circuito de salida se tiene la tensión vo que depende de la diferencia de las

tensiones de excitación :

Del circuito:

I,*I':i..-';...:.,......':'
: ."r!
I,=I.+i"

¡r'rcrRór¡:c¡
cAP' 8-15
 rÑTEGRADOS

.,)
l. i -t
A RS

Rr +

+ t. Y"
5nRt
+ :),'f t_
V1 i.'
R¡

Y.

Illr II
,.""t-..
:j *"

Fígura 8.13 Amplificador restador.

Cada generador de tensión entrega una corr¡ente de valor:

r-lx v. -v
,P
r\ I

Vr - V..
T_¿J
.R
^'i

T_
rr. -0
-D
I\ !

En la red de realimentación del AO:

T :._
vo -v \
lr -
p
r\)

-
Tomando en cuenta los dos postulados para los CIs ideales se tiene:

A:co-+V:0-)v.:v,
7.i:o--+i - i :0 , .I ^t del circuito Ir*Iz=0 e Is=I+
En la entrada inversora:

vt -V*:-Vn-u. -V' -Vr:-to.*].

R.
r\l R. D
¡\l D
r\l D R..
^.1 ^.1

ELECTRONICA
cAP.8-16
 CA-PITIJLO VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

\r,
\
+lDI I

r\1./
:. ?:..-

En la entrada no inversora:

V:-V, t', -o \'l u,. t',

= -- - -
Rr Rr R., R1 R.

v1 t', \',
.........._=---.?t.=l-t- I R.,R, ) u,
Rr Rr R., ' ( R, - R, ,/R,

Igualamos las ecuaciones de vx Y vy resultando:

("^ r',)= I R..R., )*',

R,R,
Rr +R.IR, R,, \R,-R.JR,

De esta ecuación despejamos la tensión de salida vo:

R,R, t', R,Rr r-, R, Ro Rr

- RrR., _R,+R:Rr_" R,+R:uo= R,*Ro'.,r. - R'*Rt .r,
r'o
R'+RrR, Rr+RrR,
R, +R. R, R, +R, R'
o
V = ----.]----:---:-
R, Rr+R.'
\'r - ---V,
R, R,+R,

R, +R. R, R.
R' R,+R., :
¡i
o Rr

Esta ecuación representa Ia difei'encia de las señales vz Y Vr col-l diferentes

escalas, para tener uná sola escala en el coeficiente del primer termino del segundo
miembro se hace: R¿=Rz Y Rr=Rá, con lo que la ecuac¡ón resulta:

!'^: R, -]\'r R. --) \'^ = J(v'

R,, -v,)\
uR,-Rr
==v.

Finalmente para realizar la diferencia de las señales vz Y vr Sit't escalas se hace

Rr=Rz, con lo que la ecuac¡ón resulta:

vo:\'1 -vl

A mp I ifr ca d.g r resla do r g e n e ra liza do

t tt,'
, !
,."-
En base a los circuitos restadores se realiza un circuito interesante en la aplicación

er,¡crnóurc¡

:a ;: {i
ir-:' -.i i'r
 j' ::

, ' CAPITIE.O VIII : CIRCUITOS I}ITEGRADOS

de los,.Ao que es el amplificador restador generalizado para esto, se conecta a la
entradá inversora varias,:señales de tensión y de'manera similar a la entrada no
inversora, el circuito se muestra en la figura 8.14::
;.
5¡R¡
?; 5rr
r.
R.
vi.5'
_v3

-L
ttl J--L
i"
;.-r --\^R4 +'.
+ tttrt *, Vo

v4.-5' I
-V6

rltl ll_

Fi gura 8. 14 Am plifica dor restador general izado.

En el circuito de salida se tiene la tensión vo que depende de la diferencia de la

suma de las tensiones de excitación en cada entrada del AO, la ecuación resultante se
;,
deduce de igual manera al realizado en las anteriores aplicaciones, con lo que se
obtiene:

.
R, +R.
r\5
RrR.R..
R.Rr+R¡R,+R,R, f,:.:-]l-](',
[R, R, R,J
+r',+r',.)-
Rr

Se puede obtener esta operación con una sola escala:

p
vo =
*[(.'., * \': * t'u) - (u, - u. + \, )]
J\I

Finalmente para realizar la diferencia de la suma de las señales de cada entrada

sin escalas se hace Rr=R¿, con lo que la ecuación resulta:

vo : (\'r * v. * to)-(u, + v, + v.,)

Conversor corríente en tensíón

Una aplicación interesante del AO es la conversión de un generador de corriente

sr-scrRóNlcA
c¡P. B-18
 CAPITULO VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

con alta impedancia interna en un generador ideal de tensión con impedancia interna
muy baja, el circuito de aplicación se muestra'en la figui? 8.15: ', ''¡" _ I

ñ.' ,rR,u_ uu
)
ü

Figura 8.15 Circuito conversor de corriente en tensión'

En el circuito de salida se tiene la tensión vo que depende de la corriente de

excitac¡ón:

En el circuito de entrada se tiene:

r, r
I i l, -f

t. = I" - i,

Ir=l*+i.
I
En el circuito la corriente es entregado por el generador de corriente que se
quiere transformar y V, es la tensión de referencia para la transformación, Ro es una
resistencia de precisión, las corrientes en el circuito resultan:

cAP.8-19

: ! :' - " - -
 :. - : : . ':,,']:,
:; - ""r:;r'. . cA-Prrttlo vrrr : crRcurros I}TTEGRADOS

Tomando en cuenta los óos postulados para los CIs ideales se tiene:
-!

l[=oo-+V=0+v
.xy
:y-r
Zi:* *i, :ir:0 del.circuito l2=to g fg=Iq .

En la entrada inv-ersora se iiene:

V -v rl\ -',,, V \' \'

-l:I-:I-: o

Rr

Vo:-V, * u'-l+\->v.:-R.u *.L,,,. -lR^-r..

RoRrRrRooRr'R,\o\
,.

/- - \ ,p
f R, +R.
v:t--*lv _j\V_-lR
" ( Rr )^ Rr

En la entrada no inversora se tiene:

, V,-V, , vu-0 \.t. v' Vn.

li:-=1.:
'Rr"RjR,R.R, -).-::--

V; V, v, r. :t- I R. ).,
1,.
---
R2 Rr R, ' [R,-Rr/
Remplazando en la ecuación de la tensión de salida (vo) v, por vy resuita:

,: lR,*R")l R. )., R^..

v" | }_-s il :-_= lV, -:-q\; - IR"
" I, R¡ ,[R'-R], Rr

En el circuito y en esta ecuac¡ón s¡ se hace QUe R1-R2 ! R3=Ro, La tensión de

salida resulta r

vo = -lRo

Del resultado obtenido se concluye que el circuito de la figura 8.15 (i0.15)

transforma el generador de corriente en un generador de tensión.

Conversor de parámetros físicos en eléctricos

Fn los nrocesos
r' vvv de conversión de parámetro físicos en eléctricos con propósitos
de control o medida se utiliza AO en iá'conversión, este tipo de circuitos tienen la

n¡ecrnóNrc¡
cAP.8-20
 CAPITLTLO vIIf : CIRCUITOS INÍEGRADOS

topología de un puente de continua o alterna dependiendo del tipo de censor y

parámetro a sertransformado, el circuito de aplicación se mueStra en la figuia 8.16:

+ Vx
\1,
1/rz-:}

Figura 8.16 Circuito convemor de parámetro físico en eléctrico.

Para poder plantear las ecuaciones de conversión redibujemos el circuito tal como
se indica en la figura 8.17:

<-_
-1. A ;) p,
-- i 16 r\:
I

+Vx
5u- uu

Figura 8.17 Circuito modificado det conversor de parámetro físico en eléctrico.

En el circuito de salida se tiene la tensión vo que depende del parámetro físico a

convertirse en eléctr¡co:

Del circuito

I' =i' +l

r-t. f
I - It r 1^
":-
T =l'J +l'^

I'-I
¡ ¡i +i
, 11

].
La tensión de referencia (Vr) que entrega corriente al puente y al elemento
transductor, establece las corrientes en el circuito: '-

l ' '""-
ErEcrRoNrcA
 CAPITULO yIII ; CIRCUITOS INIEGRADOS
rF
l-x V-v
^lR
I tl,
,'- Vr'-U
,2-
R

_ v-u.'.
,lr-R
-

-
T_
vu-0
R(l + 6)

v. -0
r : ---f- .;i-
' R2
,,,.,
:

En la red de realimentación del AO se tiene:

,L/. -- v, -vo
"R.
-
De las prop¡edades del AO se tiene:

A=co->V=0-)v.:v,

Zi.: qe i, : il' : 0 del circuito I1=t e I'=Is

En la entrada no inversora se tiene:

-O=, u'-0
lr:1., *ls ->I+=
R _ll
R(r+6)
*
R,

V,-Vr: ut' v,
*Y, +\t
R R R(i+6) Rr-Y:tr+
R R R(1+5¡ R.

R R) ..r (l -Fl-¡-l
I n . R)
r
V_=V)'[n1t+a¡
l_+_+_l_+V_=v.
R RrJ !\,t*a RrJ

(t*t*D+-R) ..V- : V. (z*a R)

V- = V.. | I-+ r
' -'l
\,,6
1! RrJ '[t*s
I

R,/
--1--
Si consideramos la resistencia de realimentación mucho mayor que la del puente
(Rz>>R), yA que r10g interesq gue,lqs vqriaciones del voltaje de Salida sean grandes

ELECÍRONICA
cAP. 8-22
 CAPIT"TT'O VIII : CIRCUITOS INTEGRADOS

con pequeñas variaciones de entrada' 5R- - 0

-.(t+a\
\'t:V,i-.1
' \ '-:-o)
En la entrada inversora se tiene:

I,:l+i, como I:1,+lu->1,-ir-lu=ir ademási1=$ porloque Ir =1,+Iu

V, -\,. _ \'. -0 _ \'. -\'.. :0 _+ V, _ \', _ v, _ u* _ -vo :0

R R. - R R R R,R.
R

"o - v, - ''. * ''.-=l-.- -) \'^ = r,, i.3-+'lR, -V,L

R,RRRR,.o'[nRrJR
Remplazando v' por vy en la ecuación resulta:

\. = \ t_
t*a)lz 1),'
'o ,,((z*s/[R R.J il _T_ lr-\.
,,,,R,
_ i
-R

Como se considero que Rz>)R por lo que *-+0 aplicando esta condición en la
K.

ecuación se tiene:

,. R,J'o -',,
R. 2(1-d) ., jj-:-
V,?}f-\'. R= (:+ZS-z-6)
= \',p:i
'o
=
*^ .1

., R, o
l=Y
o r R 2+6

Los transductores normalmente sus variaciones con el parámetro físico

son muy
reducidas (S<1) por Io que en la ecuación anterior podemos despreciar en el
denominador 6 frente a 2 (6<< 2), la ecuación de la tensión de salida del circuito
resulta:

.. R. 6
v^:v--
" R2 :

Ri haber considerado que Rz>>R la ganancia del circuito. es muy grande por lo
que podemos conseguir que las pequeñas variaciones del parámetro físico sean muy
notables a la salida del circuito conversor. .

ELECTRONICA
cAP. 8-23

-,_r,¡.
f -.::
 CAPITI.ITO IX : CIRCUITOS INTEGRADOS

APLICACIONES EN ALTERNA CON CIRCUITOS INTEGRADOS

f ntoduccíón
En las aPlicaciones que se desarrollan en esta unidad, se
utilizaran elementos
reactivos en Ias toPologías circuitales,Potloquesonaplicablesacircuitoscon
comDonentes de alterna'

Am p lifica dor í n teg ra do r

entrada, en esta
La señal de salida representa la integral de la tensión de
por el terminal inversor,
aplicación del AO la tensión de excitación Se introduce
el circuito se muestra en la figura
manteniendo el no inversor en er nodo de referencia,
9.1.
C
+Vc

t
v1
Vo

I
I I
!

Figura 9'1 Circuito del amplificador integrador'

consideraciones:
En el análisis de los circuitos utilizaremos las siguientes
y del circuito de la
Tomando en cuenta los dos postulados para los cls
ideales
cumple que:
figura 9.1, se establece que en la entrada inversora se

i, = i' +i*

Como la corriente que entra al Ao es 0 (i'=g)' se

concluye que la corriente que
entrega el generador de excitación también circula
por et lazo de realimentación
(ir = iz).
en las placas de un capacitor
Como se estableció que la carga eléctrica acumulada
es directamente .proporcional a la.'tensión aplicada
(v) entre sus terminales y que el

coeflciente Oe propoicionalidad es la capacidad

(C) expresada en Faradios' se tiene:

ql¿g!^vr¡l.5
c¡P. 9-1
 CAPITUI¡ Xf : CXBC¡rrlOS I¡CIEGR;ADOS

q:
.C*C - ":9
ftlenrás se sabe que la corriente (i) es.la variación de la cqrga (q) en el tiempo
(t):
dQ
i:
dt

De esta relación se determina que la carga es la integral de la corriente en el

tiempo:
r..
q: Jrdt

La tensión en el capacitor resulta:

t-.
Irdt
C

Como la corriente que circula por el capacitor es la que nos entrega la fuente de
excitación en la entrada inversora del circuito se tiene:

V, -V.
l, =1.:---i-------i-
R

De los axiomas se cumple que V=0, por lo que vx=vy y del circuito se ve que
vy=O por lo que v*-0.

=l!
.R
i,

Reemplazando en la tensión del capacitor se tiene:

[]0, r[v,dt
a': ' R -+, \':
CCR
Dd cirn¡ito se ve que la tensión en el capacitor por el sentido de la coniente es
pc¡tivo hacia el terminal inversor y negativo hacia el terminal de salida del AO,
orsirJerando que el terminal inversor es un nodo de referencia (tierra vifrual) por lo
que la Endon en el capacitor es igual a la tensión de salida del AO pero con polaridad
irn¡ertilia (v=-vo). La tensión de salida del circuito se expresa como:

1-" : -1 4 r, : -l
CRJ¡u',a,

fFTmEnrirm
t tr[p - i2
 . CAPITI'I,o IX : CIRCUITOS I}¡TEGRADOS
"q
.C )v--
o=\'c

Además se sabe que la corriente (i) es.la variación de la carga (q) en el tiempo
rr\.

.uu)^
l=-
dt

De esta relación se determina que la carga es la integral de la corriente en el

tiempo:

c = Jiat

La tensión en el capacitor resulta:

., J
fi¿t
-

Como la corriente que circula por el capacitor es la que nos entrega la fuente de
excitación en la entrada inversora del circuito se tiene:

:t, -: lr v.r -v \
- -
R

De los axiomas se cumple que V=0, por lo QUe V'=vy y del circuito se ve que
Vy=0 por lo que v*-0.

.v,
'l
'ln =.j
t\

Reemplazando en la tensión del capacitor se tiene:

. \/
l--tdt I
J r? lvrdt
CCR
-\-

Del circuito se ve que la tensión en el capacitor por el sentido de la corriente es

positivo hacia el terminal inversor y negativo hacia el terminal de salida del AO,
considerando que el terminal inversor es un nodo de referencia (tierra virtual) por lo
que la tensión en el capacitor es igual a la tensión de salida del AO pero con polaridad
invertida (v=-vo). La tensión de salida del circuito se expresa como:

Vo : -\' -+ \',, : -
1r
ao Jv,Ot

ELECTRONiCA
\ cAP.9-2
 CAPITITLO IX : CTRCUITOS INTEGR\DOS

Otro procedimiento para determinar la ecuación de salida del amplificador

integrador sin recurrir a las definiciones clásica5 de la carga almacenqda en el- capacitor
es aquella que se emplea para resolver los circujtos por'medio de las transfoimaijas en
S, para mayor referencia aplicaremos el método para presentar dicha solución.

En la entrada inversora aplicamos la ecuación de corrientes se obtiene:

i, = i, +1,

Las corrientes son:

.t. \', - \',

.R
-

i,: =
-r .o con X. =-i
at
,\C SC

Tomando en cuenta los dos postulados para los CIs ideales y de la ecuación de
corrientes en la entrada inversora se obtiene:

-\"
i =i --tvl =\'t-\'o
'r'rRXc

Aplicando las propiedades del Ao a la ecuación se obtiene:

Vl-\',. \'* -\'o a't :_ t'o

= *
RXCRXC
v,=-Vo
=-tro
RXcRI-"'
SC

Despejamos la tensión de saljda vo obteniéndose:

v -- v,
" SCR
Esta ecuación corresponde a la transformada de la integral (US) por lo que
transformada inversa representa la integral de la tensión de excitación, por lo tanto:

. I r-
1 -+ v- : ---'-
v = --v, ¡ U lrt,dt
" SCR CRJ

ELECTROTTTCA
c¡P. 9-3
 '. ,..t..+
i'.-:rf,

CAPIrrtlO lX : CIRSUITOS TNTEGFADOS

A m p; l¡¡¡r, do r deriva dor

..'-.-:
La. señal de salida representa la derivadá de la tensión de éntrada, en. esta
aplicación del AO la tensión de excitación se introduce por el terminal inversor,
manteniendo el no inversor én el nodo de referencia, el circuito se muestra en la figura
o?
J.1.

I
, --->|
rl
V1

I
I

Figura 9'2 Circuito del amplificador derivador.

En el análisis del circuito utilizaremos las mismas cons¡derac¡ones que las del
amplificador integrador, en estas condiciones se establece que en la entrada inversora
se cumple que:

i, : i. +i,
Como la corriente que entra al AO es 0 (ir=Q), se concluye que la corriente que
entrega el generador de excitación también circula por el lazo de realimentación
(ir=iz).

Como se estableció que la carga eléctrica acumulada en las placas de un capacitor

es directamente proporcional a la tensión aplicada (v) entre sus terminales y que el
coeficiente de proporcionalidad es la capacidad (C) expresada en Faradios, se tiene:
q
q: VC
L

Además se sabe que la corriente (i) es la variación de la carga (q) en el tiempo

(t), por lo que la carga es proporcional a la integral de la corriente en el tiempo, es
decir que la corriente es proporcional a la derivada de la tensión en el tiempo y la
constante de proporcionalidad es la capacidad resultando:

. dq f,,^
i:l.-+dq=ldt-+9: Jtot
ot

La tensión en el capacitor resulta: I "

cAP. 9-4
 - ' . I , ,:ii

CAPTTITTO IX : CIRCUITOS INTEGRADOS

lidt
V-+-., i . . .,-.:,: ,:l,i-; ; :t:., .. .r1 .,..,.,
C

Derivando ambos miembros de la ecuación respecto al tiempo se t¡ene:

dv i ^dv
dtCdt
-=---tl:L-

La corriente que circula por el capacitor es la que nos entrega la fuente de

excitac¡ón en la entrada inversora del circuito, corriente que además circula por la rama
de realimentación por,lo que la tensión de salida vo se tiene:

\'.-vo=irR

De los axiomas se cumple que v=0' por lo QU€ vt=vv y del circuito se ve'que
vy=Q por lo QU€ vr=Q .'' '

Vo = -i'R

Jo en la corriente que circula por el capacitor en la ecuación de la

tensión de salida se tiene:

t'o = -i,R J'o :.*a*

Del circuito se ve que la tensión en el capacitor por et sentido de la corriente

es

positivo hacia el terminal inversor del AO, considerando que el terminal inversor es un
nodo de referenc¡a (tierra virtual) por lo que la tensión en el capacitor es igual a la
tensión de entrada al AO (v=v1). La tensión de satida del circuito se expresa como:

v- : -RC .lrr
"''
"dt
Otro proced¡m¡ento para determinar la ecuación de, salidá del amplificador
derivador sin recurrir. a las definiciones clásicas de la carga almacenadq en el capacitor
es aquella que se emplea para resolver los circuitos por medio de las transformadas en
S, para mayor referencia aplicaremos el método para presentar dicha solución.

En la entrada inversora aplicamos la ecuación de corrientes se obtiene:

i,=ir+i
Las torrientes
.:'. son:
j"\
': . ' ,t.
,
. ..

ELECTRONICA
cAP. 9-5
 CAPITULO Ix : CIRCUITOS MTEGRADOS

De los postulados del AO y de la ecuación de corrientes en la entrada inversora

se obt¡ene:

:l, -; l. \'l-V.
= -) ---
-tzx^R': -v*-Vo
-:--:----:

r^ ^ r^ ecuación . obtiene:
Aplicando las propiedades del Ao
^ a la ^^,,^-iA^ se

Vr -V":u.-to- u,=-t'o
XCRXCR

Vl-vo.Vtvo
XcRlR
SC

Despejamos la tensión de salida vo obteniéndose:

vo = -SCRr

Esta ecuación corresponde a la transformada de la derivada (S) por lo

que la
por lo tanto:
transformada inversa representa la derivada de la tensión de excitación,

vo: -SCRvr 4 vo = -a**

Funciones de transferencia de los amplifícadores integrador y

derívador

Una de las funciones de transferenc¡a mas simples es la de crear un

polo en el
origen, si se consigue ubicar este polo en el origen, desde el punto de vista de la
respuesta temporaa se t¡ene un ¡ntegrador en esta aplicación de! Ao la tensión de
excitación se introduce por el terminal inversor, manteniendo el no inversor en el
nodo
de referencia, el circuito se muestra en la figura 9'3'

¿L¿Lt^Vr\r'.4
c¡P.9-5
 CAPITUTO IX : CIRCUIÍOS INTEGRADOS

Entrada

^\"

Figura 9.3 Circu¡to det amplificador integrador y la respuesta temporal.

Si consideramos al circuito realizado en base a cuadripolos tanto en el circuito

de

entrada como en el de realimentación y el AO ideal, en este rcaso la transferencia

del

circuito se lo considera como la relación de las impedancias de transferencia de

cada
realiza tal
cuadripolo, concretamente seria la relación de721sdZrzt, cuya deducción se
como se planteo en una unidad anterigr, la ecuación resulta:

\¡'o 7
- "llB
\' L,..

por la transferencia obtenida en el circuito integrador se ve que se requiere una

relación de transferencia que represente un polo en el origen, es decir una ecuación
representada como:

o-
rl- s

Para establecer una relación de transferencia de US es sencillo obtener este

modelo observando en las tablas de las transformadas cuya relación de impedancias
nos represente el modelo con polo en el origen como ser:
1l
Z,=o=R y Z:,r=SC ó O:*
I

Resultando una transferencia de:

eLEcrRóN¡cA
cAP.9-7
 ::. :l
. :, ,,...1, I.

'l CAPrrur,o IX : CIRCIIITOS TNTEGRADOS

Y; I t

ri' f-P
v¡\ eu
.: rt, :'..: i, - . '

Realizando la transformada inversa de esta ecuación se obtiene'la inteqral de la

tensión de entrada:
,':i..
'
1

u-:-_J-fvdt l

RCJ

Este es el caso de un integrador ideal, pero en condic¡ones normales el capacitor C

tiene perdidas representada por una resistencia, esta resistencia de perdidas desplaza
el polo del origen hacia el semiplano ¡zquierdo, luego en vez de tener una función del
tipo 1/S tendrcmosruna del tipo 1/(S+a), la respuesta de este tipo en vez de ser una
rampa creciente com-o lo es de un integrador ideal es una del tipo exponencial, tal como
se muestra en la figura 9.4:

Figura 9.4 Respuesta en el tiempo de un integrador no ideal'

Resultando una ecuación de transferencla del tipo:

vo:- 'A
v, S+Sr

En este caso se busca en la tabla de transformadas un c¡rcuito que tenga las

siguientes relaciones :

A:- l^ y 5,
CR

Resultando la ecuación de transferencia como:

o-

cnls.
\.
-l-l
CRt,/

F' ¡^ññ^rrr^i
¿lEU I nvt\ a\é

cAP.9-8
 l,t-'..r ir: :-c
..-i-i ';

CAPTTT'LO IX : CIRCUITOS INTEGRADOS

en la que
La transformada inversa de esta eCUaCión corresponde a un integrador
se eiimina la perdida en e! c¿pacitor. . ..
-i .r.1,
En el caso del amplificador derivador se t¡ene la desventaja de tener un
capacitor
el ruido, es
en el circuito de entrada, ocasionando que'el circuito responde amplif¡cando
este tipo de
decir que este no tiene inmunidad al'ruido, puesto que la transferencia de
circuitos tiene un cero.en el origen, tal como Se muestra en [a figura
9'5 cuya ecuación
de transferencia resulta :

5 = -RCS

.ir? Entrada
+V 5¡
#¡
V1
V¡
+

Y"
I
I
II -l-

Figura 9.5 Amplificador derivador'

para resolver la deficiencia que presenta el ampl¡ficador derivador se recurre de

transferencia cuyo cero
la misma manera que en el integrador al ar'ciflcio de lograr una
este desplazado del origen, poaejemplo (S+1) y luego restar
a esta transferencia la
de entrada, para esto
unidad evitando de estJ manera tener un capacitor en el circuito
buscamos en las tablas de transíormadas una transferencia
del tipo:

Y
o
v-
-Z=r,
2,.

Donde:
I

Z:,u=A(ST+1) con A:2R Y T=T

'

Zra^= B: R :

EJ circuito resulta el mostrado en la figura 9.6:

eracrnóNlcA
cAP. 9-9

.:Jj

f
 IAl¿bru-

.".Fisura9.6AmP|¡f¡cadorderivadormodlfi?q:.l

Reemp!azand-oen|aecuacióndetransferenciaresulta:
(pc
¡nlc"-
\
Zl(l t J-r-ll 11 |
/^^^ \
""n \ "
'' ). v^ ^l )KL,,l
;=--
vi
- p -::--i
vi \ 2 )
-=''
5: -(SRC +2) -+ v" = -SRCv, -2u,

De esta ecuación vemos que se debe restar dos veces el valor de la tensión de
para
excrracron para obtener la transferenc¡a del circuito del amplificador derivador'
esto el circuito resultante se muestra en la figura 9'7:

+
-v' I vr
V1
./ + 2R
+
Vo

I
-l-
I
Figura 9.7 Circuito final que realiza la derivación.

La ecuación de transferencia de este circuito aplicando superposición resulta:

V = _l _Vl
(zP, +_V,
2R )
" \2R' R ')
I

ñ^^.J^,
TJUI IUtr.

er,scrRóNlcA
cAP. 9-10
 TY . í-T?.ITTTOS INTEGRASOS
^rDf+'Í^
v. : -SRCrl, - 2r', Y vr : \'i l

.''. :.... ]:
Reemplazando se tiene:
('tp ?R
-" r', \l->
t," = -l ''t ,'" + r'^ : SRCr', * 2v, -2v;
\2R R',)

vo : -SRCv,

La transformada inversa de esta ecuación resulta en ei derivador en el que se

elimino el problema de,ruido:
tt'
J..
\'- = CR
"dt

Variador de fase de amplitud constante

i
Una aplicación importante de los AO es el circuito variador de fase de amplitud
ve
constante, el que se logra variando la resistencia con un potenciómetro tal como se
en el c¡rcuito de la figu'ra 9,8:

.
.>
5r
14

+
l
V1 +
C
Y"
I
"ü''Fi
I

-L
I
, lFigu.a g.g circuito variador de fase de amplitud constante.
'

En la entrada inVersora aplicamos la ecuación de corrientgs se obtiene:

+r
tl '{ ' t\

En la entrada no inversora aplicamos la ecuación de corrientes se tiene:

i^l :i +i'v '

-' 'J

Con los postulados del AO, las corrientes resultan:

c3P. 9-11
 -;..
CAPITItÍ¡ IX : CIRCTTITOS I¡¡:IEGR;ADOS

.rj
..: 'r "'
i. j: ',',t'Y-
_r' : :
' .i,r.-*
11.-l
.

.
- v.v -0-
).
1,, - ------:-
R"
:

De la ecuac¡én de corrientes en la entrada inversora se obtiene:

.: .i

De la ecuac¡ón dé corrientes en la entrada no inversora Se obtiene:

.. Vr -,V, : V, t0 , ,
= ll T iv --)
lZ¿r'XaRP -i-- i, -
---

Aplicando las propiedades del AO (i¡=ir=Q; v'=vy) a las ecuaciones se obtiene:

En la entrada inversora:

Vl V. uo
- Vt -Vr = \'r
-v* = - -vo
RR RR
, \'l *Vo
vt ivo=/\'.9V*:--t-
^ -

En la entrada no inversora:

v,
v, v, :---: vr vv v'
XCXCRPlIRP
SC SC

v. _> : JVr
SCR-
SCr', -- ) +,
"- r = SCr,. Rp
v.r
SCR'+1

Igualamos vx con vy resultando:

Vr *\'o SCRp
- v, +(SCR'+l)(v, +v".):2SCRrv,
2 SCR' -+
1

,()LKp Í.,.;.
t)(vi -r vo):.2SCRiv,',-> (S9R,',,1)r'o =,''2SCRrr'' -SC\!,f.r
;
'j' 'l''

ELECTRONICA
cAP.9-12
 CAPTTUf-O IX : CIFCUITOS TNTXGRADOS

I - SCR"
V^:--\',
o
,,,, l t SC$n.t ' ._ ,,, -. ...

En la ecuación de la tensión de salida vo considerando los polos y ceros puede

demostrarse que la ecuación describe una func¡ón de transferencia que no discrimina
las frecuencias es decir que se comporta como pasa todo, si la tensión de excitación vr
es constante y varia la frecuencia de esta señal, la tensión de salida vo'es constante
solo varia la fase de vo respecto de v1 de 0o a 180o Conforme varia Rp de 0 a 'o.

Si Rp-g, la entrada no inversora del AO esta puesto a tierra y la topología

circuital correspond.,?!, amplificador inversor con ganancia unitaria, produciendo una
rotación de fase de 1800.

Si Rp=co en estas condicioneS vo=yr a cualquier frecuencia excepto en f=0,

por
que C y Rp forman un derivador de tensión y U(SC) es infinitamente mas pequeña
que Rp, por lo tanto el circuito se comporta en un amplificador no inversor con
ganancia unitaria.

El amplificador girador
Irnr oPllLd
ulld ¡nri¡¡ción interesante de los AO es el circuito girador, es decir que este
amplificador permite tr,ansformar un componente r:eactivo en,ot¡o gomo por ejemplo un
y
condensador se compoita como una inductancia cuyo valor depende del condensador
de la resistencia que.participa en el circuito, también se ,pu€d€ obtener inductores
variables a partir áe ,cin¿ensadores de valor fijo variando con un potenciómetro las
resistencias que participan del circuito, la topología circuital para esta aplicación se
muestra en la figura 9,9
'.
, El giradores un ti.p9 Oe circuito interesante que puede eventualmehte contribuir a
la eiiminación de bobinas en los filiros y circuitos sintonizado6. un girador es un circuito
d;;;; pr;rtui ,nu de cuyas propiedades es que si se coloba un condensador en una
puerta, la impedancia que se ve desde la otra puerta es induqtiva,

En el circuito se t¡ene dos Aó, plantearemos las ecuaciones dé corrientes para Ia

topología circuital en forma general se obtiene:

i=i
^t ^l +i'r

: -: ri

:r!

EI.ECTRONICA
cAP. 9-13
a ,: :-.i i
'..'"-
 CAPITU]P : CIRCUITOS I¡¡TEGR¡Dos

¡i:'

V¡

Y+ VX
+ V
V1
1
-
-'
<-3

Figura 9.9 Circuito girador.

Las corrientes en cada uno de los AO resulta:

En el AOr

V*t - \'.to'
!r- .
vrs. .iR:
Entrada no inversora, rB
. r^L-^.¡^ :^.,^-F^--
Entrada inversora.
.
i":r|V., - \'^,
3 Y i, --
, .10-
Vrr - 0
R R R

En el AOz:

Entrada no inversora. i. : \": -0

^jRtt6-xct ; i. --t''t
-Q
' i. - \'-t'R-\'-o' . Entrada inversora.

-V.1 .:
,,r--\'l r{--V.:-Vol
R ¡ R

De las propiedades del AO se tiene:

EnAOr Ar :6-)V:9-t,*, :r',, del circuito v,.r=\'r porloque vo,:2\',.

z,t:@ii,, :it¡'.:0 del circuito'resulta' i,

-
:irl*i,r Ji, :ir",''':' :.t ,
¡
..:

ELECTRONICA
' cAP. 9-14
 CAPITT'LO IX : CIRCUITOS INTEGRADOS

\', \'.., \',1 \'^,

=---:---:+¿--
'i',R a R ft.. ¡i ft, :' '':¡;j.,:11;¡,!':,. .. ' , ,. "
-
': --

i +i :v,-tl++-'+-+i.+i8 v-Il+l_l v, 2v,

^l ' ^8 -;-t\ I

RRR
RRRR

ELECTRONTCA
W: v-r3
 l

-:,.
i +; :-V,l ----i +ik : t' \,¡

.r2'¡8--E-t2'. SCtr
-],j :, ' -..
a

':, l'. '

La impedancia que se ve en los terminales de entrada del circuito torresponde a

la relación:
\/
7_l
r-t -
- 'l

Del CirCUitO resulta: i, :i.+i¡ -+ir:i, +i,, COmOI ir,:0, la COrriente de entrada
al circuito toma el valor i, : i, + is, la ecuación de la impedancia es:

v,
t
' |
=-
t)
+r
' tR

Remplazando en esta ecuación las expresiones obtenidas para la tensión y

corrientes se obtiene:

\,, vl
:-7L¡:
'I t
l: rIs
SCR2

Procesando la ecuación se obtiene:

Zr : SCRI

" De la estructura de la ecuación se ve que esta representa la impedancia de una

reactancia inductiva, Con el valor de la inductancia dada por:

L=CR'
nrre¿e ¡\teg¡¿r inductancias variables a partir de una capacidad fija, impon¡endo
se HVUvv
JU

en el circuito un potenciómetro en reemplazo de la resistencia R, de esta manera se

puede lograr circuitos sintonizados variables en frecuencia mediante el ajuste de un
nnfonriÁmof
l/VL9I ¡urVl rn

A m p t ifica do r Ia ga rítm ico

Como se sabe la corriente de un diodo representa una relación exponencial con

la

tensión aplicada:

¿L¿Lt^V¡\rS
cAP.9-16

:t, .t
 +:

.CAPITuro IX : CIRCUITOS INTEGRADOS

. ,o,:. '..,,. 1.,t.,.

;,t;!:., .. j,j . .

i, Corriente inversa de saturación del diodo

Vo tensión aplicada al diodo

r¡ toma el valor de 1 en e! Germanio y 2 en el Silicio

Vr eQuivalente térmico de la tensión, para temperatura ambiente toma el valor

de25mVa26mV
Generalmente Se cumple en la polarización directa del diodo que:
vo

enut >> I -

Por lo tanto la'ecuación de la corriente del diodo resulta:

vo
nV-
lD = lse' '

Tomando logaritmo neper¡ano (de base e=7,718281828..) se t¡ene:

v^ vD

lnlo = ln(l,eF) + lnlo = lnl, *lnenu'

.,
vp \/
lnlo = ln(l.equi ) + lnlo : lnl,.
*, +
5," v^
: lnl. +-:-
n\',
ldo = Inl,er" Jlnl^
.-r

TV,

De esta ecuación despejamos la tensión aplicada al diodo:

Vo : ljV, (lnlo -.lnl,)

Consideremos el circuito de la figura 9.10.

Def circuito resulta:

T f '''.
r,lv -- rñ -rr 'jI

EtECTROI{-rCA
cAP.9-1?
 ..'1

CAPITULO IX : CIRCUITOS IIXIEGRADOS

'Las
ecuaciones de.'corriente resulta:

.,Ir---Vi -V" ,:..:.::]

,: R
^-l

,. vD

I : T orlVr
-^D 's-

Figura 9.10 Círcuito del amplificador logarítmico'

La tensión del diodo Ve por la condición que la entrada inversora del AO es

tierra virtual resulta de igual valor y signo opuesto que la tensión de salida del
amplif¡cador:

Vo : -vD

De las propledades del AO se tiene:

EnAO A=co-+V:0-+v.:v" del circuito r', =0 porloque \', =0

Z, = * -+ i:0
Con estas condiciones las ecuaciones resultan;

I, : Io + -Vo : Vo : qVr(lnlo -lnlr) --) \'.. : -riVr(lnl, -lnlr)

,/\
v":-r1\(hil,-lnl,) -) \'o=-r1vr
{
t"*-lnl, l
\ ^tl )

vi
.
a,^:-¡V.ln
I.R,

Si los efectos de temperatura en V1 ! en I, fueran cons¡deradas despreciables, la

única variable en el segundo miembro seria la tensión de ent¡ada V¡ y podríamos
representar Ia salida como:

n¡,sctRó¡rrcA
cAP. 9-18
 .'DTryf^ TV cTP'TTTTOS INTEGRNDOS

vo : k,lnk,V

Con k, : -l\', y k, = -l,la 1

ecuación de la tensión de salida resulta que es

^^ er
^l
' IrR,
logaritmo natural de la tensión de excitación, por lo que se dice que el circuito
representado en la figura 9.10 es un amplificador logarítmico.

Amplifrcador logarítmíco con compensación de temperatura

La ecuación de transferencia del amplificador logarítmico posee dos términos que

dependen de la températura V1 e Ir. Para evitar su infiuencia en la ecuación se puede
utilizar un circuito que real¡za la compensación de estos parámetros, tal como se
i'eDresenta en la flqura 9.11.

rrDr f*j
; =)
lo + Vor-
¡x- ñ\

Figura 9,11 Circuito del amplificador logarítmico con compensación de la temperatura'

Los diodos Dr y Dz deben ser iguales y Rr depende de la ternperatura. Del

circuito planteamos las ecuaciones de tensiones:

En la entrada no inversora de AOz se tiene:

Vr=V,+Vo,

En la salida del AOr se tiene:

V, = -Vo, : -qVr(lnlo - lnl,)

,

En el diodo D2 se tiene:

Vo, = r¡Vrllnl*'- lnl,)

La corriente del diodo Dr €s:

Br'¡ctnóN¡c¡
cAP- 9-19

:¡-i.' :
 CAPITII!O IX : CIRCUTTOS NTEGRADOS

/.\ -'
v' : -l\
t \

- rnr,.J
['t -''
Remplazando en la ecuación de la tensión de entrada no inversora del AOz se
tiene:
^.

% lnl* - lnl,)

v2

En esta ecuación se elimino la corriente (I') que depende de la temperatura.

Ahora deduciremos la ecuación de salida del AO2 y como se ve la topología de este
amplificador ya es conocido por lo que la ecuación de transferencia resulta:

-.(. R, ) ,.íR,+R.+R.)
Y ¿[ R,+RTJ
e- v.tlT- i--, v- vrt-
I R,+R, )
- I

Remplazamos en esta ecuación la tensión de la entrada (V2) no inversora del AOz

se tiene:

u
-.1R,+R,+R")
i[
v-_\,rt_t___Zt.-__ttvrt_ittr_
.. 1R,+R,-R.), \'.
R' *Rr ) '\ R, 'R, / I*R'

La resistencia Rr se elige para compensar V1 puesto que ambos dependen de la

temperatura, en estas condiciones los factores de escala resultan:

. R, +R- +R, I
Nl
t,
--rt"r
-
tr\/

B, aB,
- \t
Y
t.

",-V*

Por lo tanto la ecuación de la tensión de salida resulta:

vo : k,lnk,\

ELECTRONICA
cAP.9-20
 CAPITULO IX : CIRCUITOS TIITEGRADOS

A m p I ifica d o r a n ti lo ga ritm i co
,, I ;. ' ,' , . t,
'.''-'.".t,:, ,; ', I 'i' li - "'., '
,. ,, 1:.;¡: .,-;-, ," .:.." - '

el circuito de le finrrra q 1) nara realizarse el amplificador

Consideremos tg ¡rYurs Y

antilogaritmico.

Figura 9.12 Circuito del ampliñcador antilogarítmico'

,i
Comoquedoestablecido,|aecUaciónde}acorrientede|diodoreSulta:
vp

I -Ienvt
^s-

La tensión en ei diodo resulta:

Vo = r1\(lnlo -lnl,)

De las propiedades del AO se tiene:

EnAoA:co-+V:0_)\,':v'de|circuitou,=0porloQUQv'=0

?,=a--+i:01,
.."-
De aquí deducimos que la entrada no inversora se compo.rta.como tierra virtual,
por lo que se concluyé quá ta tensión del diodo (Ve) es igual á'ia tensión de excitación
(vs). .:
:' t '
-, "'i :
Vo: tV'(lnlo -tiii,)
. -.': -.

Además que la éorriente que circula por el diodo es la m¡sma que c¡rcula por la

resistencia en el lazo de realimentación, por lo tanto:

r-r vó
l' -r l^ -
- -u
R ".. ,.

''''....,.'
Reemplalanqq éñ,1á ecüaclón dg la tensión de entrada:,
', , l
.. I,,r' r., , ;
,.,)r,,,.,,

ELECTRONICA

¡
 I ,:._-

C¡PITUI.O IX : CIRCUITOS TNTEGRADOS

La tensión de salida del amplificador antilogai'itmito resulta:

(v \
v-:-RI-ln''l " I
("\./

En esta ecuac!ón podemos designar a: k, : -RI, Y k: , por lo tanto:

Vo : krln'r(kr\)

La ecuación de la tensión de salida resulta que es el antilogaritmo natural de la

tensión de excitación, por lo que se dice que el circuito representado en la figura 9.12
es un amplificador antilogaritmo.

Amplíficador antilogarítm íco con compensación de temperatura

La ecuación de transferencia del amplificador antilogarítmico posee dos términos

que dependen de la temperatura Vr e Ir. Para evita¡' su influencia en la ecuación se
puede utilizar un circuito que realiza la compensación de estos parámetros, tal como se
representa en la figura 9.13.
z tPr
=;> Vot-
ir.Io^*
-Voz +

!, ,y +
Y\

+
rl
.>
1y
'r
VS t;Y
Y"
Rr
I
I
I I
--1-

Figura g.13 Circuito del amplifiedor antilogaritmico con compensación de temperatura.

la

Los diodos Dr y Dz deben ser iguales, del circuito planteamos las ecuaciones de
tensiones:

E!¿LrÁVrrf|é
cAP. 9-22
 i: ;., :.

. CAPITULO -IX : CIRCUITOS INTBGRADOS

En la entrada inversora de AOz se tiene:

-i ir l
.,-, ,l .'''i''
-....,.,,t.- ,.,-;,,,. 'i,. ,'i',-' i ¡ ..
-:- ',..,i.J:': i;-:-.
v*"':Vt +Vot9V, \¡
=\'*,-Vor

En la salida del AOr se tiene:

Vr : V,r - Vo, = v,, - q\(lnlo, - lnlr)

En la entrada no inversora del AOr se tiene:

Rl
v.=V-
r"r JR' *R''t :

En AO A = cc -+ V : 0 --) \', : v, del circuito r,, : 0 Por lo que v* : 0

Z,: ú -> i':0
con estas consideraciones en Ao1 se tiene v¡1=vv1 y del circuito:

v!r :v- R,
'R,+R.

De aquí resulta que V¡1=Vy1r reemplazandO en laS eCuacioo€S'S€ tiene:

R
Vr = \'.r -r¡\(lnlor -lnl,) J V, = \ Rik;-r¡\r(lnlo, -lnl,)

En el diOdO Dz S€ tiene como vy2=0 por lO QU€ vt2=vvziO resulta:

Vr:vrz-Vor+V,:-Vo=
:
':r''' - -
La tensión en el diodo Dz resulta:

Vo, : r1Vr(lnlo, - lnl,) .

.'
De donde se obtiene

V, = -Vo, +\ :'-r¡Vr(lnlo, - lni,)

:l
)
Reemplazando' la ecuación que se obtuvo pdrc V1 en - L!----- It
esta última ecuación

EÍ.ECTRONTCA
v cAP:.9-23
v .r';:":'.'.-
lij ,+t_-': -:4,. = ', -
-' - '
-_.=T,
-:" -"f-¡iÉ',,: :.:.''-
 u" R, : nv,f,,"]u\l
"R,*R, ''\ Vo )

En esta ecuación para cambiar el signo debemos invertir el cociente del

logaritmo:

'v- R' t'

.R' *R== nv-rnl-l*Rr/l
[
Despejamos la tensión de salida vo resultando:

\ R, =ml-,u: Ár
"'[I*n,)I-u"=-rnR¡r"-,f+=
" 1'=
=R,]
I
."
¡V,R,+R, \nVtRr

Si en esta ecuación llamamos k, = -l*R, Y k:

: 1 R'
la ecuación resulta,
q\/, R, + R,
en estas relaciones se ve que Vr es compensado con Rr Y Rz que dependen de la
temperatura.

vo = k'ln-lk'\
....
'i'.','

E!¿L I ¿S
^Vr¡ cAP. 9-24
 :

'i cAPrrttlo rx : crRculros TNTEGRAD.'

Utilizando los amplificadores logarítmicos y antilogaritmitos se realiza los

amplificadcres dg una razgn de tensio¡es, Prodlctq d9 te¡siones y o!.1_!1.---.,,; , ,,...,

AmpÍificador de una razón de tensíones

para realizar este amplificador se utiliza dos amplificadores logarítmicos, un amplificador

restadory un amplificádor antilogaritmito, tal como el representado en la figura9.I4.

P, I'D'
;r\- rD?vD-
!, f\

!5-, *
. *vJqü v\
-:> +
1., Vg
\ ;-> Vo
D.
lY
II
I

Figura 9.14 Circuito del amplificador de la razón de tensiones'

En el circuito de ia fiqura 9.14 a la salida de los amplificadores logarítmicos

tiene:

\,. = -nV- 1," l! - lnr.l

\ rrl

r ,)!-inr l
vo=_rVr[r*r,.,J

En el amplificador que realiza la resta se tiene:

R.
vi:¡;(r'.-vr)
. :-
Reemplazandolas tensiones v¡ Y v¿ resulta:
..

er,scraóNrcA
ceP.9-25

:
":i-
 r, .iij,,i':.ff*it¡',

v-
.:

.:

v5 : n",','n] i nu'lnl, + q\hl/' nu,'t,l

*11

' l ,., R. v,- nV-ln !r¡l

c)

\r. : V.ln-::
' l ' R, -lR,lL
1l
R,_l I
I

La ecuación del restador resulta: "': -

,.'-'.
R. V, il '¿

v. : v-In--.
'
R,
-1l V,,. "
La tensión de salida del amplificador antilogaritmico resulta:
'l

Vq¡¿J: K,IN'K.V.
, r -lr

Remplazando la tensión vs resulta:

r r -lr
'K. | "1
(r¿ r¡ l- v'l \
v = K,ln
, -II R n v.rn-V
I
|
I
\^tl 'z/

Desarrollando la ecuación finalmente se tiene:

r
\¡Yr
V^:K,-
" -,V,

De la salida del circuito de la figura 9.14 resulta el cociente de dos tensiones.

i -r-¡':'

e¡,¡ctnóNrc¡
c¡P.9-26
 CAPTT'I'LO X : CIRCUITOS INTEGR.C'OS

FILTROS ACTIVOS '- N-: ':.

Introducción

Los flltros activos son circuitos formados por resistencias, condensadores

y AO, la
característica de estos circuitos es que permitan que solo ciertas frecuencias
se usan en
seleccionadas sean transferidas de la entrada a la salida. Los filtros activos
casi todas las áreas de la electrónica poi'tanto merecen nuestra atención.

Filtro pasa alto

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias bajas

y mantener una
ganancia fija en las frecuencias altas, la topología circuital de este filtro se
muestra en
la figura 10.1:

<--
i- t--¡
¡
50.

I'
I
Figura 10.1 Filtro Pasa alto de primer orden.

para los CIs

En el análisis det circuito uiilizaremos los dos postulados establecidos
de la
ideales. En estas condiciones se establece que en la entrada inversora del circuito
figura 10.1 se cumPle que:
'

i, : i, +1.
Del circuito las ecuaciones de corrientes resulta:

v. -\¡
:-t\
donde Z, = R, + x.
'7

=
ut- u*
R' *x'
donde *.:#
Er.FCIT{ONICI\
cAP.10-1
 CAPITUIP X : CIRCUITOS
: - tn
"r
'r --
----R"
:
: :r'
i
Como i=0 resulta:

:¡r -: .1 * Vt-V* -V*-vo

-- R,+x. R,

Del circuito se ve que vy=0 por Io que vr=vy=O, reemplazando en las

ecuaciones resulta:

vt Vo R,
R, *xc R2- '-- R, *x.

Reemplazando Xs se tiene:

R, v^ icoCR,
r
o
---r,--
1 ' u, jcoCR'+i
R,*
' jcoC
Dividiendo numerador y denominador por joCRl se tiene:

joCR, Rr
v"__ jroCR, _rVo__ R,
vr jcoCR, + 1 vr I ..,_ 1

jcrlCR, jcoCR,

Para representar la ecuac¡ón de transferenc¡a o gananc¡a de tensión en un

s¡stema de ejes ortogonales ganancia de tensión versus frecuencia tal como en la figura
10.2, esta ecuación lo expresamos en dB.

le : 2otoc.& -:otonl, t
. jolCR,l
I = 2oloe5
i \ l¿e vr - Rr -l i

la r = 2oloe-L
| \ I¿e '""- - zoloo h *-1--
Rr (coCR'.¡:

De la ecuac¡ón se concluye que para o pequeña el segundo término resulta muy

grande y para cD grande el segundo término tiende a cero resultando en una ganancia
de tensión constante.

Cuando Xc=Rr resulta la frecuencia de corte del filtro.

.:. . : ,1.

B¡,pcrRó¡¡tc¡
 C¡PITurO X : CIRCUITOS INTEGRADOS

lR
| \rI¿g=zolonL-2olos
- Rl

En la ecuación se hace el siguiente análisis:

1.Si co>cl,, la relación de r,:1 a c¡ tiende a CerO, por lo que el modulo de la

nanancia
Yqrrq,
tiende a un valor constante
-'---' -- ia"lae=:Ofog*
| vt " Rl

('o), por
2.Si co,>co,la relación de olr a c': tiende a un valor cada veS más grande
lo que el modulo de la ganancia tiende a cero'
ganancia versus la
Con estas dos consideraciones resulta la representación de la
frecuencia mostrada en la figura 10.2

A
l-\

0,7074

1co
Ct Rt

en frecuencia de un filtro pasa alto

,tFigu." 10.2 Respuesta

para frecuenciái'menores que la de cofte ro1, el modulo de la .ecu.ación de

por década,'lo que
transferencia ó ganancia de tensión disminuye a una tasa de 20 dB
es equivalente a decir que la ganancia de tensión se divide entre 10 cuando
la

frecuencia se reduce entre 10'

Filtro pasa bajo

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias altas y mantener una

ganancia fija en las ffecuencias bajas, la topología circuital de este filtro se muestra en
la figura 10.3:

et,rcrnóNtcA
cAP.10-3
 :i:
,i l'':

Rtx
*:) nY
1 *vi':.
.Y" V
iV' + -v +
':' )l.>
lo R¡ llv Y"
i.üT.'
1 I I
tr''
I figurg 10.3i Filtro pri¡ orden.
pasa bajo de pr¡mer
:

En el análisis del c¡rcüito ut¡lizaremos los dos poitulados establecidos para los CIs
ideales. En estai cona¡ctongs se establece que en la entrada inversora del circuito de la

t¡l : t12 -+r

, rx

Del circuito las ecuaciones de corrientes resultan:

, - Vt -v.
.R,

Rr:-
i - V, -Vo donde
'r- L
z=:-4 )z:= jorCR.
R.
+
R' +-]- I

JÚJC

:11 --- v, -\'o

R-
^'2
jcoCR, + 1

Como i=0 resulta:

_:l¡ . Vt-V* _ V*-V"

- 'r ----7

Rr R2
jcoCR, + 1

Del circuito se ve que vy=0 por lo que vr=vr=Q, reemplazando en las

ecuaciones resulta:

¡l.scrRówrcA
cAP. 10-4
 CAPITIILO X : CIRCUT?OS TNTTGR¡DOS

:
R.
"l
\', _ _ .,.i,o. .,:. .. _ _ jc¡CR, +1 ., :,.' .,". :,.,
-- ?to-- 't
R
..1 R-: ||
^.1
ir,rf-F? + 1

t/t<l
'o 'tl

l- -
*, *c*-t
Para representar la ecuación de transferencia o ganancia de tensión en un
sistema de ejes ortogonales ganancia de tensión versus frecuencia tal como en la figura
10.4, esta ecuación en dB.
lo,expresamos

le,lae = 20loe5 :
" t'r 20log)
- Rr - 20logljcocR,
-r-
+ tl

In, I an = 2olog& - zotog!6cR.t' -r

De la ecuación se concluye que para o reducido el segundo termino es muy

pequeña resultando en unq ganancia de tensión constante y para or grande el segundo
termino tiende a un valor muy grande resultando en una ganancia de tensión tendiendo
a cero.

Cuando Xc=Rz resulta la frecuencia de corte del filtro'

1 -R.+r.- t
o,C RrC

l,
la, lan = 2olog$-
---- zorog,lg * t
R, -----1 {D.r
En la ecuación se hace el siguiente análisis:
,''
1. Si o:)co, la iélación de co 3 oz tiende a cero, por lo que el modulo de la
ganancia tiende a un valor constante le,lan:zOt"*ft
.:
2. Si co>c0", la retáción de c¡ a alz tiende a un valor cada ves más grande (.o), Por
lo que el modúlo de la ganancia tiende a cero.

Con estas dos consideiaciones resulta la representación de la ganancia versus la

frecuencia mostrada en la figura 10..4:

ELECTRONICA
cAP. 10-5
 CAPITIjIO X : CIRCUITOS I}TTEG¡DOS
' j; A
¿:,
';
'.:.
-;
'

0,707A

(J
': c'fu
Figura 10.4 Respuesta en frecuencia de yn filtro pasa bajo

Para frecuencias mayores que la de corte o2, €l modulo de la ecuac¡ón de

transferencia ó gananciA de tensión disminuye a una tasa de 20 dB por década, lo que
es equ¡valente a decir que la gananc¡a de tensión se divide entre 10 cuando la
frecuencia se incrementa por 10.

Fíttro pasa banda

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias bajas y altas,

manteniendo una ganancia flja entre las frecuencias bajas y altas, la topología circuital
de este filtro se muestra en la flqura 10.5:

--\
*=-)
'lr ^
v---ll¡'Lr
K¡
v1
+
Vo

I I
Figura 10.5 Filtro pasa banda de primer orden.

En el análisis del circuito utilizaremos los dos postulados establecidos para los CIs
ideales. En estas cond¡ciones se establece que en la entrada inversora del circuito de la
figura 10.5 se cumple que:

I¡l =i ¡) +t
'rt

Del circuito las ecuaciones de corrientes resultan:

r-": _l'
: f
' . ' l,i

ELECTRONICA
cAP. 10-5
 CAPITLTiO X : CIRCUITOS INTEGRADOS

1,:\'t
-v' donde
1
Z,:R,* jctG,-, l
.i Zt -: -'1 .,, ,' i:' .'.,,;.,;. -

I
R.
:4 J' C,
,- -+ L.:
R,
i,
' Z,
donde Z.
'= R,_-t
.--=_-
- jclC,R,+i
' joC'
Como i=0 resulta:

\t -\., V, -\'o
It:l:---- :--R-
-
P
' jr¡C' jcoC'R- + 1

Del circuito se ve que Vy=0 por lo que vx=vy=o, reemplazando en las

ecuaciones resulta:

_
-i'-
joC,R. + 1

I
P-L
' jrC,

r,"__jc¡C=R,+1*t'o=_ jcoC,R,
vr jcoC,R,+i \'¡ (joC,R, +1XioC,R, +l)
jc¡C,

En el denominador Sacamos iactor común jr¡CrRr obteniénjose:

.l
o-
jcoC,R.

jcoC,R,(l*-+;)(oC,R, 1
+l) vr Rr (l+t|-!)úra,R,,
jcoC,R,
+1)
jroC,R,
;'
Para representar la ecuación de transferencia o ganancia de tensión en un
sistema de ejes ortogonales ganancia de tensión versus frecuencia tal como en la figura
10.6, esta ecuación lo expresamos en dB.

vR. l1.+
= 20logl : 20log;l-20logl(1 +
ln,lan
' 'r
vr ' Rr -l XiarC,R,
jr,lC,R,' -

.:'.-/ -
D".,1l-
ln '),r I + (oCR2)2
| ,,log = 2oloe"R - || zoloe_
"r \..

ELECTRONICA
cAP.10-7
 C¿PTTUI¡ X : CIRCUTTOS TN|EGILADoS

se concluye que para r¡ reducido el segundo termino es muy

_,P" la,,ecu,9ciól
grande;.resultando en qnq ganancia de tensión tendiendo a-cero, para ¡¡ elevado el
segundo termino'es rnuy,grande resultando en una ganancia de tensión tendiendo a
cero de la ecuac!ón' se concluye que para c,l comprendido entre los dos valores
anteriores el segundo termino tiende a un valor muy pequeño resultando en una
ganancia de tensión constante, por lo tanto el circuito presenta dos frecuencias de
corte, los que re.sultan' , '

Cuando Xcr=R1 ¡esulta la frecuencia de cofte inferior del filtro.

l ' ,'
o,C, R,C,
'

Cuando Xc2=R2 ¡esulta la frecuencia de corte superior del filtro.

0rC',

Cuando Xcl=Rr resultd la frecuencia de cofte inferior del filtro.

1^t
O,C, R,C,
-:r\!.7uJ,:-

| \r : 2olog$
-Rr - [to,o*.,ffi + 2olog
l. "V ro-
le,,lan

En la ecuación se hace el siguiente análisis:

1. Si or,>cD)o' la relación de c¡r a ar tiende a cero y Ia relación de co a ro2 tiende a

cero, por lo que el modulo de la ganancia tiende a un valor constante
r^ r,^ ,uloq, ..--:
lA..loIJ:
R.
| ,r _
Rl

2. Si c'1,>cD)cD:,la relación de or1 d co | {o o cD2 tiende a un valor cada ves más

grande (.o), por lo que el modulo de la ganancia tiende a cero.

Con estas dos consideraciones resulta la representación de la ganancia versus la

frecuencia mostrada en la figura 10.6.
. .;'

ELECTRONICA
cAP_ 10-8
 t,':
i , '!

^¡.TffiT^ V . CT?'ITTTOS INTEGRADOS

0,707

:11r!'r
CtRr v2ñ2

Figura 10.6 Respuesta en frecuencia de un filtro pasa banda

Filtro pasa alto de segundo orden

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias bajas y mantener una

ganancia constante en las altas frecuencias y presentar en la frecuencia de corte una
respuesta con pendiente mayor que la de los filtros de primer orden, la topología
circuital de este filtro se muestra en la figura 10.7:

<.
5il
+
-Jl
rJ T -.>
I., Vo
Vr i.' Y2

i
rJ l5 >-J

I 4
; I
R:

"' Figura 10'7 Filtro pasa alto de segundo orden'

.
'r. : -'.1, ,,
En el análisis dél circuito utilizaremos los dos postulados bstablecidos para los CIs
ideales. En estas condiciones se establece que en la entrada inversora del circuito de la
figura 10.7 se cumple que:

i,.R,
=
Vo - v' como ir=0 resulta vo=Yt

En el circuito de-la entrada no ¡nversora se cumple que:

'
"tt
i :i tJ -Li t5 "''
'3 '

ur,EcrRóx¡c¡'
cAP' 10-9
 Remplazando en las'ecuaciones de corrientes resulta:

. v,-v" v,-v- Vr-V"

,j:r{-rS-z-:-:----
' Xc¡ Rl Xcz

. -+ vz-Vu vu-0
15: iO =-
Xcz R2

como vx=vy Y vx=vo por lo tanto resulta que vy=vo, remplazando en las
ecuac¡ones se tiene:

\,2 -Vr t', -0 Vr -\,o uo

= _) =
.xc: R' xc: R2

(v" - vo)R. : voxcr -+ vrR. : \,o(R2 + *a.)

Vr=\'^
R, * X.,JV":V^l l.il-:i *,-, )
R2 [ R,J
Remplazando xg2 resulta :

(.
V,=\'^11+ r )
\ sc,R, /
|

La ecuación de i3 resulta: :

_ a,..ij, . ..1..: . .. - ,,' ' '.: -.:-. i

¡!ecrRóNlcA
l'..g. IU-¡U
 CAPITTIIO X : CIRCUITOS INTEGRADOS

vr-v: Vr -Vo + \': -\'o -+SCr(r,, -r,,): u,ju" +SC,(v, -vo)

=
*ql Rl ', xc: '\'

Reemplazando v2 se tiene:

: (- I )
t
sc'[v' -""[' _
(. l )l-u"['*r.,*l-u" | ( I ).-1
+SC:L'"['.
=
**,.1] ff t.& j- ""]
,a,o,[u, -""[, *-k)] = ".[,.-k)-V. -r.,*,.[,,.['. *k)'"]
'o--¡-'sc.R, t"J-
-v"SC,R,_+= +SC,R,v". L
osc,R,
v,SC,R, -voSC,R, ' "sc.R.
irSCrRrSC,R, = voSC,R'SC,R, + r'oSCrRr + vo + SC,R'vo

stc,R,c,R.
\- Stc,R,c,R, + S(C,R, + Q,R,) + I

5-

'1-

pai-a obtener ia ecuación de transferencia del filtro pasa alto de segundo orden
también existe otro método que toma en cuenta las consideraciones siguientes:
1,.-
. El AO es ideal pór lo QU€ Zo=$ lo que significa que vo esta en serie con la
resistencia n, y el nodo de unión de los condensadores cr Y cz.

. La entrada inversora del AO se comporta como tierra.virtual por lo que la

resistencia Rz €std en p.aralelo con la tensión de salida Vo, Y como Vx=vy la Rz
esta también en serie con el capacitor C2'

En estas condiciones el circuito resulta el mostrado en la figura 10.8.

En el circuito resuitante planteamos las ecuaciones de tensiones de las dos
mallas resultando:
En la malla 1:

Vr - Vo =',[*, .*)
',*
En la malla 2:

EI,ECTRONICA
cAP. 10-11
 CAPfTULO X : CIRCUITOS IIITEGAADOS
-a:'

:Yo
: ,r[*
.:

X
:14,.lf
|
+ lVx +
¡._^ v
--t>
I

Ct vy + ü, Vo

ü'f
--llJ i, *-ltG! Vo

;
-L
i'ül Yq t
fiSli" 10.8 Circuito del filtro pasa alto de segundo orden.
,

La tensión de salida
'

: : por lO Cue i.:

resulta:vo:i,R, - 'o
1'
reemplazandO en las
R.
ecuac¡ones de las mallas se t¡ene.
En la malla 1:
( t ).',,''R,
v,-v:i,lR,+ l-
l. SC, i R,

voSC,(R, - Rr): i,(SC,R,R,

En la malla 2:

v (
t^:+l
u R, *R, *:^t ) r^^ .^
l-i,R, -+SC,R.r'o: \'olsc.1n, -R,)+l]-i,SC:RrR,
- :
R,[ SC./
qC R _,I
vo(SC1R,+SC:R:+i.SC'R,)=i,SC'R.R,+i,=\'offi

Reemplazando la corrieni€ ir en la ecuación de la malla 1 se tiene:

voSC,(R, - R,) : ,r" f{$(sc,R,R, + R,)- SC,R,r',
sc"R.,Rr '
vosrc,c,R,R,(R, - R,) : v"(SC,R, * 1)(SC,RrR, * Rr)- StC,R.C-R,R,r"
S]C,C"R-R,R. SC,R,R, '" SC,R.R, R.
'l
'o 'o o
s'c,c,R,R,R, stc,crR,RrR. stc,c.R=R,R= stc,c"R,R,R"
111
\
o u sc,R. o sc,R, 's'crc.R,R,
T\ T v | ! --:-
l '

ELECTRONICA
c¿". 10-12
 CAPIÍI'IO X : CIRCUITOS INTEGR.ADOS

t^
SjC,C,R,R, +SC.R, -SC,R, -l srcrc,RrR,
-t'o=vj s'c,coRrR, * SC.5, J-LCrRr + I
s'crc,RrR.

o_ 5-

^.^( t I ) I
" "I
\-j\

c,R, C,R= J crRrc.R.

Fíltro pasa bajo de segundo orden

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias altas y mantener una

ganancia constante en las bajas frecuencias y presentar en la frecuencia de corte una
respuesta con pendiente mayor que la de los filtros de primer orden, la topología
circuital de este filtro se muestra en la figura 10.9:

Rr+R:

Y"

I I
I

Figura 10.9 Filtro pasa bajo de segundo orden'

En el análisis del circuito utilizaremos las siguientes consideraciones:

En el análisis dei circuito utilizaremos los dos postulados. establecidos para los CIs
ideales. En estas condiciones se establece que en la entrada inversora del circuito de Ia
figura 10.9 se cumple que:
v'o-\.'*
l,' : como ir=O resulta vo=Yt
R'+R=

En el circuito de la entrada no inversora se cumple que:

| =r.¡ +l.j

i, : iu + i, como iz=O, Por lo que i. : iu

Estas corrientes del circuito resultan:

v, -v:
¡-
'i -
R,

ELECTRONICA
cAP.10-13

:; - .
 '¡,

. CAPfTUI,oX: CIRCUf,TOS INTEGRADOS

:.
. '..: l -

Remplazando en las ecuaciones de corrientes resulta:

'..

Como vx=vv Y vx=vo por lo tanto resulta que vy=vo, remPlazando en las
ecuac¡ones se tiene:

v.-v. v..-0 v.-v

¡ ! _ _'_l
v^

. Rr Xc: R, Xc:

(r'" - vo)x6z = voR: -+ v2xc. : vo(R, + xa,)

R.+x^" l. n.)
V2:vo ¿ L-)V::voll+-l
'! " *., \. x.t/

Remplazando xcz resulta:

: v. (1 + SC,R, )

La ecuación de i3 resulta:

v¡ -V: -u! * uj-u,

u, -v
Vr - V..
- R, -*=SC,(v:
) 1- ---:-------:
Rr X.l Rr R.

Reemplazando vz Y vy se tiene: '

cAP.10-14
 CAPITI'I-O X : CIRCUITOS INTEGR¡DOS

*
v"(l+sc,R,)-v,.
(t + SC.R, )- u,] E
"
- ^t: .'i tl '

v,R: - v"R, (l + SC.R, ) = SC,R,R, It'. (i + sC,R, )- u,] + v"R, (l * SC,R, ) - u"R,
v,R: : +r'oR, (l + SC,R,) + SC,R,R,
Iu" (t SC:R: ) - u"] v"R, (l
+ + i ra,Or) - u"R,
v,R: = voR, + r,"SC.R,R. * r'oSrC,RrC,R,R, * voRrSC,R,

t-
o-
src,R,CrR, + s(crR, + C,R,) + I

VI
^ C,R, C,R,
-)*-''-
+ I

crRrc"R, c,R,c,R,

o_ I

-t ^( r * r) - r I
t[.¡',
c,R,c,n, Is' -
.,\ J c,R s& ]
Para obtener la ecuación de transferencia del filtro pasa bajo de segundo orden
también existe otro método que toma en cuenta las consideraciones siguientes: :

. El AO es ideal por lo QUe Zo=Q lo que significa que vo esta en serie con el
condensador Ci y el nodo de unión de las resistenc¡as Rr y Rz.

. La entrada inversóra del AO se comporta como tierra virtual por lo que el

condensador.Cz esta en paralelo con la tensión de salida vo, Y como vx=vy ld
? ^'!- .'-mbién
L2 CSLd enI)slls
Ldilrurc-r I cr con la resistencia
ser¡e LtJl ''v'e .\¿.
Rz.

En estas cond¡ciones el circuito resulta el mostrado en la figura 10.10:

Vo

Figura 10,10 Circuito del filtro pasa bajo de segundo orden.

EI.ECTRONTCA
cAP.10-15
 CAPTTU¡.O X : CIRSUITOS IMTEGF.ADOS
En el circuito resultant8¿e la figura 10.10 olanteamos las ecuaciones de tensiones
de las dos mallás
,i;
resultdndo: ' : , :

En la malla i: j ' ..' :"' "' r' ' '' '

" :

(^
/
r) r
'\
V,-V^=l,ll(,i.-l-lr-
SC, / 'SC'

En la malla 2:
(^ r i) 1

u 'r
v^:l'll('i-
sC,
-lr-
'SC,
\ oL: SC,
ovl ) i r\

La tensión de salida resulta:u" =i,;|

5L.
por lo que i,:SC.r'o reemplazando en

,: se t¡ene.
las ecuaciones de las malias
En la malla 1: .
Vr
.( R,+ r' )l-i" r +SC,(u,
-Vo:i,l -^ .tc
-t'o):i,(sc,R, +i)-i'
SC,J -SC,
\
r',SC, -voSC, : i,SC,R, + ir - i,

t'oSC, : r',SC, - irSCrRr -i, +i, * i'' = " t?: l"tl' 't'
SC'R' + I

En la malla 2:
( I \ t T
=i2l *, '
*-l++ ^,^ ^ i,[StC,C.R.-"S(C, ^ .r
-C,)J-i,SCr
"
'o -\ - l-i,;:--+voSrC,C,:
SC, SC, J 'SL,

Reemplazando la corr¡ente ir en ld ecuac¡ón de la malla 2 se tiene:

vos'c,c, = i, [s'c,crR,
+ s(c,' + cr)]-
.') St#*aaa,
SC,R, + 1

Reemplazando la corriente iz €n esta ecuación se tiene:

: voSC.[stc,c,R. +S(Cr *c=)]-#ta.

'osrc,C. ¡¡
Procesamos hasta obtener la ecuación de transferencia del filtro pasa bajo de
segundo orden:

'oSC, - r -W
: \'"Istc,crR, * S(c, + c,)]
SLrKr +1
v'SC' --!'S-c' --l"SC'
= r,oSrc,C,R, + voSC, + r'oSC. -
'oSC, ; - 1, 1',,:. ,SCIR, +l

ELECTRONICA
cAP. 10-15
 CAPITI,'LO X : CIRCUITOS TNTEGRADOS
0: r',SrC,C,R,SCrRr + r'oSC,SC,R, + r'oSrC,CrR, + r,oSC, - v,SC, * voSCr -voSC,
0: voSrC,C;R, (SC,R;'+ 1) + r'oSC.SC,R, - v,SC, + voSC, .:- .
':', . .

v,SC, : voSrC,C,Rr(SC,R, +1) + v"SC.SC,R, + voSC,

o- SC'
-+vo=
I
srcrc.R,(scrRr + l) + SC.SC,R, = SC, vr SC,R,(SCrRr +l)+SC,R, +l
ó- 1

vt Src,R,CrR, + s(C:R2 + CrRr) + I

vo= I
* C'R'' I ]
C IR,C.n.lst
' ' -L = rCtRt
CrRrC.R, C,R,C=R,l
vo=
v'I i. i )
+-,--l
(r r I
C,R,C.R.lS:=Sl
-- L IC'R' C'R'/ C'R,C'R' I

Filtro pasa banda de segundo orden

La finalidad de este filtro es la de atenuar las frecuencias bajas altas, y

manteniendo una ganancia fija en las frecuenc¡as comprend¡das entre las bajas y altas,
presentar en las frecuencias de corte una respuesta con pendiente mayor que la de los
filtros de primer orden, la topología circuital de este filtro se muestra en la figura01.11:

.>..'Nr
. Ir
l.L

. Figura 10.11 Filiro pasa banda de segundo orden.

En el análisis del circuito utilizaremos las siguientes consideraciones:

;tulados establecidos para los CIs

ideales. En estas condic¡ones se establece que en la entrada no inversora del circuito de
la figura i0.11 se cumple que:

.-l
¡¡.scrnóNrcA
' cAP' 10-1?
i
i
 .¡.:;:;

CAPISUT,o X- : CIRCUITOS I}{TESR.ADOS

v.,-0
.J

,; : -i* : ,.-"
.i,
t,-- +-:-
R3
como iz=O resulta Qu€ ie=0 Y vv=0
:

13:l¡*l:*lO

ir: i, +ir como ir=O, por lo que i, : i,

Estas corrientes del circuito resultan:

. v, -v,
^3D
^tl
t.

. v.-v-
l.:- COtl x.,
Xcl SCt

v^-v I
i, :.---- COn xc, =
Xc: SC,

. v, -0
vT)
N2

. v. -v^
,R3
l":-

Remplazando en las ecuaciones de corrientes resulta:

vLv¿: t, -uo + vz -0 + u, -v,

I¡=l¿*tr*loJ-
Rr Xc, R2 xc:

: -: vr-v*
15:r7-.;: -v.-vo
&
COmO Vx=Vy Y Vy=o POr lo tantO resulta QU€ vr=$, remplazando en las
ecuaciones se t¡ene:

vr-0 0-v" v2 vn
lj:l7 ) ' *--:-)-l-
Xcz R] I R.
SCt

V,SC, =-Vo -+v.=-,tto

,, ,B:t:,,,
' SC'R'

ELECTRONICA
cAr. 10-18
 CAPTrULO X : CIRCUTTOS INTEGRADOS

La ecuación de ig resulta:

\',-\', \',-v^ r'.-0 + \',-0 \',-\', . v,

- --)-=5Lr(\'.-vo)r:--5L't.
=-
Ri Xc, R. Xc: Rr R,

R,(u, -v.) = SC,R,R.(t', - \'o)+ R,v, * SC,R,R,v,

R.\', = SC,R,R.i', + R,v, +SCrR:R¡V: * R:\': -SCrR,Rrvo

R,\', = (SCrR,R: + SCrR,R, + R, + R:)r': -SCrR,R:Vo

Reemplazando v2 se tiene:

R,v, : -(SCrR,R. * SC.R=R, - R, + R,hl= - SC,R,R.v

¡ I j o
'sc,R.,

SC,RrR.v, = -(SC,R,R: +SC:R:R, * R, * R,)vo -StC,R,RrC,Rrvo

SC,R,Rrr', = -[S:CrC.R,RrR, + SRrR:(C, + C.) + R, + Rz]v"

r'" _ _ SCrRrR,
vr SrCrC,RrR,R, * SRrR,(C, + Cr) + Rr + R:

uo SCtRtRt
= -
\,,
' C,C.R,R,R'lS-
t^.-S#+ R,+R, I
^R,R,(c,+c,)^-:-:---=-
C,C,RrR,Rr
|

L CIC,RrR,R3 -J

^1
r-D
o-
vr cr c ll I I .1 R,+R,
J -J --
R, (C, C. ) CrC,R,R,R,
t

Para obtener la ecuación de transferencia del filtro pasa banda de segundo orden
también existe otro método que toma en cuenta las consideraciones siguientes:

. El AO es ideal por lo QU€ Zo=Q lo que significa que vo esta en serie con el
condensador Cr y el nodo de unión de las resistencia5 Rr, Rz Y Cz,

. La entrada inversora del AO se comporta como tierra virtual por lo que el

condensador -C2 esta en paralelo con el condensador Cr y la tensión de salida
vo, y como Vrivy la Cz esta también en serie con la resistencia R3.

En estas condigiones el circuito resulta e[ mostrado en la figura 10.12:

 ,-i:':i,r.: l'ri

CAPITI'I¡ X : CIRCUITOS I!f,TECRADOS

.A
14l .->
Rl 5f
-:> iol ---t' + vx
'r3
+_>ü'
J-r
ls+ V
Y vy +
Rz Vo
V1 V2
v -.>
I.,
>J Y"
t.
I
I
J-
vr 8
I
Figura 10.12 Circuito del filtro pasa banda d9 seEundo orden.

En el circuito resultante de la figura 10.12 planteamos las ecuaciones de

corr¡entes en los nodos de la entrada inversora, para esto transformamos en el circuito
de entrada y salida en aplicación del teorema de Norton resultando:
En el nodo de entrada:
.v,
ir'=* y Rn,:R,
t(,
En el nodo de salida:

.No: :SC,vo --No - 1

i.,- 1..
I '¡,o "-l'o, y R¡.
*i*o SC,
SC.

Como la corriente de entrada al AO en la entrada inversora es i1=Q, en el

circuito resulta:
i, = i, + ir / resulta i. = i,
Del circuito se tiene:

ir:*eir:SC,(r'.-v.)
SC,

,l" _- _v* -Vo

,ñ .K.:

Como vx=0 remplazando esta condición en las ecuaciones se tiene:

i, :i, -+ SC2(v2 - V*):
\|

SCrv.
¿¿Rl: -5 J \'. : -SC.Rrv,

Ef,ECTRONICA
c¡P. 10-20
 I

i
I

CAPITUf,O X : CIRCUITOS INTEGRADOS

El circuito desarrollado en el nodo v2 cot'l las transformaciones realizadas resulta
el mostrado en la figura 10.13:

l.
t- +
I
Vl
t'
t-
f""
Rt
I

'-
t'
i F¡gura 10.13 Circr:ito equivatqnte del filtro pasa banda de segundo orden.

La ecuación en el nodo v2 r€SUltdl

(t ' \
u,l :+SC, +SC.
'(R, ++ i = ir-+ r,oSC,
R= / R,

u, (R, * R, + SCrRrR, r- SCrRrRr) = u,R, + r'oSC,R'R,

Reemplazando v2 se tiene:

+(R, * R. +SC,R,R. + SC,R,R,) = v,R, -+- 1',,SC,R,R,

SC.R.'j-r

-u" (R' * R, * SCrRrR. + SCrIlrRr) : v,SC,RrR:} -F voS2C,C,R'RrR,

-v,SC.R"R j..: \,o (R, * R: + SC,R,R: + SC:R,R,) * r,oSrC,C,11,R-rR,

i\l
sc.ll,R1
vr SrCrC,RrR,R, + S(CrRrR, + C,R,Rr) + Rr + R2
v" _ _ SC..R,R,
vt * s R,R,(C, C,) * R, R, I
+ *
: ¡ r
C,C.R,R.R.
' lst
'L crc.R,R,R, C|C,R,RrR,l
F%.:É

^l
5_
C'R'
I

v-
i'
t- ^, ^r(rIC,
o-

5-+5_l
R,
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C, )
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CrC,R,R,R,
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}] c¿P. 10-21

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