FACULTAD DE ELECTRÓNICA –SISTEMAS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CICLO: X

SISTEMAS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

TEMA: DISPOSITIVOS DE ELECTRÓNICA DE

POTENCIA

DOCENTE: MSc. Javier Alfredo Herrera Morales

Universidad Nacional de Huancavelica

DIODOS DE POTENCIA

n=1 para Ge
n=2 para Si

Is=10-6 a 10-15A VT=KT/q

• % calculo de VT
• q=1.6022*10^(-19);% carga del
electrón ( C, Coulomb)
• K=273;% K°
• k=1.3806*10^(-23);% constante
de Boltzmann (J/K)
• C=25;%°C
• T=K+C;%Temperatura
• VT=k*T/q
Resultado: 0.0257V=25.7mV
• % calculo de corriente inversa
• %ID=Is(e^VD/nVt -1)=Ise^VD/nVt
• VD=0.1;% Voltios
• n=1;
• e=exp(1);
• VT=25.8*10^(-3);
• landa=VD/(n*VT);
• ID=e^(landa)% XIs; depende del
valor de Is
• Resultado: ID=48.2294Is
Régimen transitorio
Características del diodo de potencia
Parámetros en bloqueo
• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la
que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en
ruptura por avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la
que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es
aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o más.
• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque
sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las características del
mismo.
• Tensión inversa continúa (VR): es la tensión
continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo
Parámetros en conducción
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor
medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180º que el diodo puede
soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella
que puede ser soportada cada 20 ms , con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cápsula (normalmente 25°).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es
el máximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula
por el diodo cuando se encuentra en el estado
de conducción.
Características dinámicas
Tiempo de recuperación inverso
• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de
ta y tb.
• Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y
representa el área negativa de la característica de
recuperación inversa del diodo.
• di/dt: pendiente negativa de la intensidad.
• Irr: es el pico negativo de la intensidad.
• La relación entre tb/ta es conocida como factor de
suavizado "SF"
Trr=3*10^(-6);%tiempo de recuperación segundos
caidadecorriente=30;%A/us
Qrr=0.5*(Trr^2)*caidadecorriente%C=A/S
Irr=sqrt(2*Qrr*caidadecorriente)%A
El campo eléctrico máximo que
soporta el Silicio es teóricamente
300.000 V/cm, pero debido a
impurezas e imperfecciones de la
estructura cristalina, en la práctica
es de 200.000 V/cm.
PERDIDAS EN CONDUCCIÓN
Los diodos de potencia, son de tres tipos:
• Diodos de uso general; están disponibles hasta de 3000V y 3500A
• Diodos de recuperación rápida o de alta velocidad ; están disponibles
hasta 3000V y 1000A; y su tiempo de recuperación inversa varia de
0.1 a 5 u Seg.
• Diodos Schottky; su tiempo de recuperación es menor en el orden de
los nanosegundos y las tensiones y corrientes son bajos; la corriente
de fuga aumenta con la tensión directa y están disponibles de 100V y
300A
La caída de tensión en los diodos varía de 0.5 a 1.2V
Ejercicio
El diodo mostrado tiene una tensión de cebado (VB, VBO) de 10V. Si la
tensión de entrada se incrementa a 15V, Cual es la corriente por el
diodo.
Diodos conectados en serie
Diodos conectados en paralelo
Los Tiristores de Potencia: están disponibles de hasta 6000V y
3500 A y el tiempo de desactivación es de 10 a 20uSeg.
Ejercicio
El SCR siguiente tiene una tensión de disparo de 0.75V y una corriente
de disparo de 7mA, ¿ Cual es la tensión de entrada que ceba el SCR?; si
la corriente de mantenimiento es de 6mA ¿ Cual es la tensión máxima
que interrumpe la conducción de la corriente en el SCR?
Los Tiristores desactivado por compuerta GTO y Tiristor de
inducción estático SITH son tiristores auto desactivado; se
activan con un pulso positivo en al puerta y se desactivan con un
pulso negativo en la puerta
Los GTO están disponibles hasta 4000V y 3000A
Y los SITH están disponibles hasta 1200V y 300A
En el siguiente circuito, el interruptor esta
cerrado. Si el Triac esta disparado,
determinar la corriente que circula por la
carga de 22Ω
En la figura, asumamos que el voltaje de la fuentes es 115VRMS,
IGT=15 mA, y R1=3K. Se desea un ángulo de disparo de 90°. ¿ A qué
valor se debe ajustar R2?

En la figura la resistencia de carga es de 40Ω y el voltaje de fuente es

de 115VRMS, determinar la potencia promedio disipada por el SCR, si
la caída de tensión del SCR es de 1.5V y el Angulo de disparo es de 0°.
1 𝜋 𝑉𝑚 115𝑥√2
Solución: 𝑉𝑑𝑐 = 0
𝑉𝑚 𝑠𝑒𝑛𝑤𝑡𝑑𝑤𝑡 = = = 51.76
2𝜋 𝜋 𝜋
La corriente=(51.76-1.5)/40=1.25A; PAK=1.25A*1.5V=1.875W
Los Tiristores de conducción inversa de RCT y los Tiristor
desactivado con asistencia de compuerta GATT son tiristores de
alta velocidad ; los RCT se puede considerar como un tiristor que
incluye un diodo inverso en paralelo y se puede encontrar hasta
2500V y 1000A y un tiempo de interrupción de 40uSeg. Y los
GATT están disponibles hasta 1200V y 400A y con una velocidad
e interrupción de 8uSeg.
Transistor Bipolar de Potencia (TBP)
Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata de
interruptores de potencia controlados por corriente. Existen dos tipos
fundamentales, los “npn” y los “pnp”. En la realidad, la estructura interna de los
transistores bipolares de potencia (TBP) es diferente. Para soportar tensiones
elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con baja concentración de
impurezas (bajo dopado), la cual define la tensión de bloqueo del componente.
Los transistores de potencia son usados comúnmente en los
convertidores de energía a frecuencias menores que 10KHz , están
disponibles hasta 1200V y 400A
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los
MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello de debe al aislamiento
(óxido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos
básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrónica de
Potencia los más comunes son los primeros, por presentar menores pérdidas y
mayor velocidad de conmutación, debido a la mayor movilidad de los electrones
con relación a los agujeros.
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de
alta velocidad y están disponibles hasta 1000V y 50A y en un rango de
frecuencia de varios decenas de kilo Herz
Los IGBT son transistores de potencia controlados por tensión ,
son mas rápidos que los transistores bipolares pero no tan rápidos
como los MOSFETs , están disponibles hasta 1200V y 400 A
Los SIT es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia, son
de bajo ruido y baja distorsión y la velocidad de desactivación
son muy cortos, típicamente de 0.25uSeg. se dispone hasta
1200V y 300 A, y son muy utilizados en los amplificadores de
microondas o audio VHF/UHF.
MTO. Es un Mosfet y Gto. Supera las características de apagado
del GTO. Posee un terminal adicional denominado compuerta de
apagado, que permite desconectar al dispositivo con tensión.
Esto produce un pulso elevado de corriente negativa que
disminuye las perdidas asociadas al tiempo de almacenamiento.
SVS: Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en
antiparalelo, entrando en conducción si se supera la tensión
Límite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
Se conectarán en paralelo con el dispositivo o equipo que deba
ser protegido, así para proteger a un SCR, se elegirá un SVS de
forma que teniendo en cuenta las tolerancias de fabricación del
SVS para la corriente máxima prevista por el SVS no se alcance
la tensión VDRM o VRRM del SCR.
• http://es.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-
aplicaciones-y-funcionamiento
• https://www.google.com.pe/search?sclient=psy-
ab&site=&source=hp&btnG=Buscar&q=diodos+de+potencia#q=tiristo
res+de+potencia