I.

INTRODUCCIÓN silicio y permite el paso de corriente a

Este presente informe dará a conocer el
funcionamiento el desarrollo de la
experiencia n°5 el transistor bipolar
npn: características básicas, se muestra
los resultados obtenidos en el
laboratorio mediante la medición de
diversos circuitos respecto al tema, se
analizas resultados, se muestran
simulaciones de los circuitos
experimentados, gráficos errores
porcentuales etc., los instrumentos más
usados son el osciloscopio multímetro
conectores diodos etc. Así cuyos
objetivos planteados al desarrollar son:
Verificación de las condiciones del
transistor NPN y características de
funcionamiento
II. MARCO TEORICO
El tra nsisto
r es
probablemente el dispositivo
electrónico más importante que se
conoce, desde detectores inductivos
normalmente utilizados en la industria
hasta los microprocesadores utilizados
en los ordenadores de casa, en todos
ellos podemos encontrar dispositivos
electrónicos compuestos por uno o
varios transistores.
El transistor fue inventado en 1947 y
vino a sustituir a la válvula termoiónica
de tres electrodos o también llamada
tríodo, básicamente este compuesto por
través de cristales semiconductores de
tipo N y de tipo P.
El transistor tiene una entrada de
corriente (puede ser el emisor - E), una
salida de corriente (puede ser el colector
- C) y una entrada de señal (la base - B)
que cuando actúa facilita la transmisión
de electrones entre el emisor y el
colector.
Dicho de otra manera, un transistor
actúa como un interruptor, únicamente
pasará corriente entre E y C cuando
actúe B.
Las tres regiones de trabajo que tiene un
transistor son transistor en corte,
saturación y en activo.
Llamamos transistor en corte cuando
entre colector y emisor no pasa
corriente, por ejemplo, si utilizáramos
un transistor para encender una
bombilla, cuando hablamos de la región
de corte significa que por la bombilla no
pasará nada de corriente por lo tanto
estará apagada.
La otra opción que tenemos es utilizar
la región saturación del transistor, en
este caso utilizando el ejemplo de la
bombilla, la corriente estaría pasando
por la bombilla y estaría encendida.
El último caso sería utilizar el transistor
en su zona activa, esto significa que si
utilizamos el ejemplo de la bombilla no
estaría ni apagada ni totalmente
encendida, sino que estaríamos en una
posición entre apagado y encendido, por
ejemplo, el mismo resultado que
obtenemos cuando regulamos con un
potenciómetro la luminosidad de la
bombilla.
Dependiendo de la polarización la
región activa del transistor puede
ser: región activa directa o región activa
inversa.
Modos de trabajo de un transistor
Normalmente los transistores trabajan
en la región activa directa, esta región
es la que se utiliza para amplificar la
señal que entra por el transistor.
e.
III. MATERIALES
● Osciloscopio
● Multímetro
● Generador de señales
● Fuente de poder DC
● Punta de prueba de osciloscopio
● Transformador de 220V/12V
● Resistores
● Potenciómetros
● Capacitor
IV. PROCEDIMIENTO
1. Considerando los valores nominales
de los componentes utilizados, realizar
la simulación del circuito mostrado en
la figura 5.1. Considere todos los
casos indicados en el paso 3. Llenar
los valores correspondientes en las
tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5
2. Verificar el estado operativo del
transistor, usando la función
ohmímetro del multímetro. Llene la
tabla 5.1
3. Implementar el circuito de la figura
5.1
a. Medir las corrientes que circulan por
el colector (Ic), el emisor (Ie) y la base
(Ib) cuando el potenciómetro P1 está
ajustado para tener una resistencia de
0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–
emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe)
y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla
5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos
(a) y (b), y anotar los datos en la tabla
5.3
Aumentar las resistencias de P1 a
100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ.
 Observar lo que sucede con las
corrientes Ib y con la tensión Vc (usar
Re=0) llenar la tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a
50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. R1(68kΩ) Ic(mA Ie(mA) Ib(uA Vce Vbe Ve
Observarla salida Vo con el ) )
osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5. Teóricos 6.88 6.91 41.8 3.9 0.717 1.55
Simulado 6.85 6.91 41.2 3.6 0.720 1.52
s
Medidos 6.2 7.2 37.9 3.8 0.7 1.47

V. RESULTADOS
Tabla 5.3

Tabla 5.1
resistencia directa Inversa
Base - 559Ω Muy
emisor alta
Base – 571Ω
colector
Base –
emisor

Tabal 5.2

R1(56 Ic(mA Ie(mA Ib(uA Vce Vbe Ve

kΩ) ) ) )
Teóri 8.32 8.41 51.5 1.821 0.725 1.85
cos

Simul 8.36 8.40 51.6 1.820 0.723 1.88

ados

Medi 9.8 9.8 35 1.39 0.72 2.2

dos
 Frecuencia Vs(mV) Vo
100 Hz 150 400mV
1k Hz 160 2.38V
Tabla 5.4 10kHz 154 5.8V
Vi Vo 100kHz
Av Ai 154
Av(sinCe 9.12V
500kHz ) 154 8.4V
1MHz 153 7.2V
R1(56KΩ) teóricos 2MHz 140 4V
Simulados 50mV 848mV 16. 4.34
96
medidos 50mV 848mV
R2(68KΩ) teóricos
Simulados 50mV 850mV 17 4.32
medidos 50mV 850mV

Tabla 5.5

valore Ic Ie Ib Vce Vbe V

e
s
P1 teóricos
100kΩ Simulado 2.06 2.07 12.9 9.48 0.682 0
s
medidos 2.25mA 2.19mA 9uA 10.2 0.7 0

P1 teóricos
250kΩ Simulado 0.86m 0.89m 31.6n 11.9 0.31 0
s A A A 4
medidos 0.52m 0.5mA 2uA 11.2 11.2 0
A
P1 Teóricos
500kΩ Simulado 1.10uA 1.27uA 51.2n 12 0.45 0
s A 0
medidos 9.31 9.22 113.98 11.4 0.1 0
5
P1 Teóricos 11.8m 11.9m 132uA 0.16 0.73 0
1MΩ A A 3 5
Simulado 11.8m 11.9m 132uA 0.16 0.73 0
s A A 3 5
medidos 9.71m 9.59m 140uA 0.37 0.72 0
A A

Tabla 5.6
Circuito 5.1
 3. ¿En qué regiones de trabajo se
encuentran los puntos de la tabla 5.2 y
5.3?

Los puntos de trabajo son:

Q 1={IcQ=8.34 mA Vce=1.8 V

Q 2={IcQ=6.87 mA Vce=3.6 V
4. ¿Qué sucedería con el punto de
operación si cambiamos R1 a
VI. CUESTIONARIO 150KΩ? Explicarlos valores e
indicar el valor simulados.
1. Explicar el comportamiento del
transistor al hacer su verificación Obteniendo asi:
operativa con el multímetro en función
ohmímetro.
Observamos que en un transistor de tipo
NPN la resistencia de base - emisor es
ligeramente mayor que la base –
colector, la resistencia de colector
emisor es muy alta.
2. Representar la recta de carga en un
gráfico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos
correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y
5.4.
Para las tablas 5.2 y 5.3 tememos Q1 y
Q2 respectivamente

R1(150kΩ Ic(mA Ie(mA Ib(uA Vce Vbe Ve

) ) ) )

Teóricos 2.4 2.4 15.5 9 0.7 252m

Q1 V

Simulados 2.51 2.50 15.4 8.96 0.69 251m

Q2 0 0 V

Medidos

Q 3={IcQ=2.49 mA Vce=8.9 V

5. Indicar las diferencias más importantes
entre el circuito este experimento
(transistor NPN) con respecto al
anterior (transistor PNP).
Ambos NPN y PNP son transistores de
unión bipolar (BJTs). Los BJT son
transistores controlados por corriente
que permiten la amplificación de
corriente.
Una corriente en la base del transistor
permite una corriente mucho mayor a
través de los cables del emisor y del
colector. NPN y PNPs son exactamente
iguales en su función: proporcionan la
capacidad de la amplificación y / o de la
conmutación.
Tan técnicamente, alcanzan y hacen la
misma cosa exacta.
Cómo difieren es cómo la energía se
debe asignar a los pernos terminales
para que proporcionen esta
amplificación o traspuesta. Dado que se
construyen internamente de manera
muy diferente, corriente y voltaje deben
ser asignados de manera diferente para
que puedan trabajar. Un transistor NPN
recibe voltaje positivo al terminal de
colector y voltaje positivo al terminal de
base para un funcionamiento correcto.
Un PNP transistor recibe un voltaje
positivo al terminal emisor y un voltaje
negativo en el terminal base (o, más
bien, un voltaje más negativo o más
bajo que el suministrado en el terminal
del emisor).
Dado que la asignación de tensión es
diferente, la forma en que funciona el
flujo de corriente para activarlos es
diferente. Un transistor NPN está
alimentado cuando se suministra una
corriente suficiente a la base del
transistor. Por lo tanto, la base de un
transistor NPN debe estar conectada a
una tensión positiva para corriente a
flujo en la base. Un transistor PNP es lo
opuesto. En un transistor PNP, la
corriente fluye fuera de la base
(corriente negativa a la base) dando a la
terminal de base una más negativa (una
inferior) tensión que lo que es
suministrado al terminal emisor.
Mientras el voltaje en el terminal base
es menor que en el terminal emisor en
un transistor PNP, la polarización
correcta y la corriente negativa efecto se
logrará.
Así que sabiendo esto, con un transistor
NPN, la corriente necesita ser originada
a la base del transistor para su
funcionamiento. Esto significa que las
necesidades actuales deben fluir hacia la
base. En un transistor PNP, la corriente
se obtiene o se hunde desde la base del
transistor a tierra para el
funcionamiento. Esto significa que la
corriente deben salir de la base. Así que
un enfoque simple de pensar en ello es
un transistor NPN requiere una
corriente positiva a la base, mientras
que un PNP requiere corriente negativa
a la base (la corriente debe salir de la
base a tierra). Así que sabiendo esto,
con un transistor NPN, la corriente
necesita ser originada a la base del
transistor para su funcionamiento. Esto
significa que la corriente deben fluir Polarización De Voltaje y Corriente
hacia la base. En un transistor PNP, la
Transistor NPN
corriente se obtiene o se hunde de la
base del transistor a tierra para su
funcionamiento. Esto significa que la
corriente deben salir de la base. Así que
un enfoque simple de pensar en ello es
que un transistor NPN requiere una
corriente positiva a la base, mientras
que un PNP requiere una corriente
negativa a la base (la corriente debe
fluir desde la base a tierra).
Otro concepto que diferencia los
transistores NPN y PNP es que dado  
que el voltaje se asigna de manera
diferente, tienen corrientes de corriente
opuestas en la salida. En un transistor Un transistor NPN recibe tensión
NPN, la corriente de salida fluye desde positiva en el terminal del colector. Este
el colector al emisor. En un transistor voltaje positivo al colector permite que
PNP, la corriente de salida fluye desde la corriente fluya a través del colector al
el emisor al colector.  emisor, dado que hay una suficiente
corriente base para encender el
La Asignación De Tensión Y El flujo transistor. 
De Corriente Se Conmutan
Transistor PNP
Dado que los transistores PNP y NPN
están compuestos de diferentes
materiales, la forma en que el voltaje
está sesgado a ellos para producir el
flujo de corriente es diferente, y su flujo
de corriente es opuesto también.
Los transistores PNP están formados
por dos capas de material P intercalando
una capa de material N, mientras que
los transistores NPN están formados por
dos capas de material N que emparedan
una capa de material P. Realmente Un transistor PNP recibe tensión
opuestos. positiva en el terminal emisor. El
voltaje positivo al emisor permite que la
Por lo tanto, para producir flujo de corriente fluya desde el emisor al
corriente en un transistor NPN, se da colector, dado que hay una corriente
una tensión positiva al terminal de negativa a la base (corriente que fluye
colector y la corriente fluye desde el desde la base a tierra). 
colector al emisor. Para un transistor
PNP, se da un voltaje positivo al
terminal del emisor y la corriente fluye VII. CONCLUSIONES
desde el emisor al colector.
● Según las gráficas mostradas obtenemos
distintos resultados donde el transistor
muestra distintas operaciones y
observamos que la mejor zona de
trabajo se encuentra en Q1 con una
mayor amplificación de corriente.

● Se puedo verificar experimentalmente y

de forma simulada las formas de onda
que cada circuito proporcionaba.
● Siempre es recomendable colocar de
buena forma las puntas de prueba del
osciloscopio para evitar distorsiones en
la obtención de las ondas.

VIII. REFERENCIA
BIBLIOGRÁFICAS

 https://www.infootec.net/transisto
r-npn-y-pnp/
 https://www.ecured.cu/Rectific
adores

 http://www.learningaboutelectroni
cs.com/Articulos/Diferencia-entre-
transistores-NPN-y-PNP.php