Escuela Profesional de

Ingeniería Electrónica -
UNMSM

Laboratorio Circuitos Electrónicos III

LABORATORIO N.º 02

 Profesor: MSc. Ing. Raúl Hinojosa Sánchez

 TEMA: AMPLIFICADORES DE RF CON PEQUEÑA SEÑAL

 Alumnos integrantes:

Andrade Siancas Junior Aldair 17190006

Gutierrez Ayala Diego Marcelo 16190162

Ciclo 2020-1

OBJETIVO:
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El objetivo de esta práctica es diseñar e implementar un amplificador de RF pequeña
señal, sintonizado a una frecuencia de trabajo y un ancho de banda a partir de las
especificaciones dadas por el fabricante del dispositivo mediante los parámetros “y”

I. BREVE REPASO DE CONCEPTOS TEORICOS

Parámetros Y.

Son usados para caracterizar el comportamiento de un transistor en ciertas frecuencias y

puntos de polarización. La Fig. 1 muestra los montajes que se utilizan.

Fig. 4.1 Montajes para un transistor BJT.

A Emisor Común B. Base Común C. Colector Común

Una configuración de “caja negra” es usada para crear la caracterización de los

“parámetros Y”. Fig. 2

Fig. 4.2 Cuadripolo generalizado

Los parámetros Y o de corto circuito para la configuración de 2 puertos son:

2
 Dónde:

 yi = Admitancia de entrada de corto circuito

 yr = Admitancia de transferencia inversa de corto circuito
 y f = Admitancia de transferencia directa de corto
circuito
 yo = Admitancia de salida de corto circuito

Matemáticamente, las ecuaciones que caracterizan el cuadripolo generalizado se

muestran en las ecuaciones (5.20) y (5.21).

Cuadripolo Generalizado

Fig. 4.3 Parámetros de Admitancia

Se emplean los parámetros de admitancia del cuadripolo en C.C.

• Para operación lineal con señal débil el dispositivo activo se puede caracterizar
por un cuadripolo con las siguientes ecuaciones:
De estas ecuaciones se derivan:

a. Ganancia de Voltaje:

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 b. Ganancia de Corriente:

c. Admitancia de entrada

d. Transferencia de Voltaje inversa:

e. Admitancia de salida:

Estabilidad del Amplificador

El amplificador es inestable si parte de la energía de salida se retroalimenta al puerto de

entrada con la fase adecuada.

• El acoplamiento se efectúa a través de la capacitancia de retroalimentación c y

la posibilidad de oscilar es mayor en RF
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 • El objeto del diseño en RF es alcanzar máxima ganancia en potencia con un
grado de estabilidad predecible

a. Factor C de estabilidad: Estabilidad de Linvill

Es la medida de estabilidad bajo condiciones hipotéticas del peor caso, es decir con ambos
puertos en circuito abierto.

El factor C de Linvill está dado por:

𝑔𝑖=parte real de 𝑌𝑖 ; 𝑔𝑜 parte real de 𝑌𝑜 , Re (...) denota la parte real de (…)

 Si C=1 El dispositivo es CRITICAMANTE ESTABLE

 Si C<1 El dispositivo es ESTABLE INCONDICIONALMENTE
 Si C>1 El dispositivo es POTENCIALMENTE INESTABLE

Muchos transistores son potencialmente inestables en algún rango de frecuencias a causa

de las capacidades internas de retroalimentación

EJEMPLO: Un transistor tiene los siguientes parámetros “y” a 90 MHz con 𝑉𝐶𝐸 = 9 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠
𝐼𝐶 = 4.5 𝑚𝐴.

𝑦𝑖 = 7 + 𝑗4 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠 𝑦𝑓 = 30 + 𝑗10 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠

𝑦0 = 1 + 𝑗2 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠 𝑦𝑟 = 0 + 𝑗0.5𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠

Diseñar un amplificador que provea máxima ganancia de potencia en la fuente con 50 y
en la carga con 50Ω a 90 MHz

Solución:

1. Cálculo del factor de estabilidad de Linvill:

C = 0.79 >>> El dispositivo es incondicionalmente estable

2. Cálculo de MAG :
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 3. Cálculo de las admitancias de fuente y de carga para acoplamiento conjugado
simultáneo:

Por tanto, la admitancia de fuente que el transistor debe “ver” para máxima transferencia
de potencia es 5.28 − 𝑗14.5 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠 en consecuencia la admitancia de entrada del
transistor debe ser 5.28 + 𝑗14.5 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠. Para la carga:

Para máxima transferencia de potencia la admitancia de carga debe ser: 0.754 −

𝑗3.07𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠 luego la admitancia de salida del transistor debe ser el conjugado complejo:
0.754 + 𝑗3.07𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠. Fig. 4.4.

Fig. 4.4 Redes de entrada y de salida del ejemplo

Para el diseño de la red de acoplamiento de entrada se emplea la carta de Smith que se

trabaja con valores normalizados y para 𝑦𝑠 = 5.28 − 𝑗14.5 𝑚𝑚ℎ𝑜𝑠.

Empleando 𝑁 = 100, por tanto:

𝑦𝑠′ = 100 × (5.28 − 𝑗14.5) = 0.528 − 𝑗1.45 𝑚ℎ𝑜𝑠

El circuito de acople de entrada debe transformar la impedancia de fuente de 50 Ω

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(normalizada: 50⁄100 = 0.5) a en la admitancia de salida representada por 𝑦𝑠′, que se muestra
en la Fig. 4.4. Partiendo del punto A en la curva de la carta de Impedancia debe interceptar
en B la curva que parte que se origina en el punto C en la carta de admitancias.

Fig. 4.5 Carta en la red de acople de entrada

En consecuencia, se tiene una red de dos elementos que corresponden en la carta al

camino más simple y conveniente por costos:

𝐴𝑟𝑐𝑜 𝐴𝐵 = 𝐶 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 = − 𝑗1.1 Ω

𝐴𝑟𝑐𝑜 𝐵𝐶 = 𝐿 𝑒𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜 = − 𝑗1.97 𝑚ℎ𝑜𝑠

Valor de los componentes:

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El circuito correspondiente de la red de entrada y de salida se indica en la Fig. 4.6.

Fig.4.6 Circuitos de acople de entrada de salida

4. Diseño de la red de acoplamiento de salida: con un procedimiento similar, pero

empleando N=200 se normaliza 𝑦𝐿.

𝑦𝐿′ = 200(0.754 − 𝑗3.07) = 1.5 − 𝑗0.65 𝑚ℎ𝑜𝑠

Escogiendo una red de 2 elementos, como se indica en la Fig. 5.15, se obtiene:
𝐴𝑟𝑐𝑜 𝐴𝐵 = 𝐶 𝑒𝑛 𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 = −𝑗1.06Ω
𝐴𝑟𝑐𝑜 𝐵𝐶 = 𝐿 𝑒𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜 = − 𝑗 2.514 𝑚ℎ𝑜𝑠

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 Fig. 4.7 Diseño de la red de acople de salida del ejemplo

Diseño del circuito de polarización:

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Fig. 4.8 Circuito de Polarización del Ejemplo

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7. Circuito final incluyendo la red de polarización

Fig.4.9 Circuito final del ejemplo

II. PREINFORME:

Diseñar un amplificador de RF pequeña señal empleando un transistor comercial donde se

conocen los parámetros “y” con fuente de alimentación de +15 volts., impedancias de
entrada y salida de 50 Ω, montaje: Emisor Común, frecuencia de operación de10 MHz,
polarización según datos del fabricante. Señal de entrada 1 𝑚𝑉𝑜𝑙𝑡𝑖𝑜 𝑝𝑖𝑐𝑜 y Ganancia en
voltaje del orden de 100 en magnitud.

Para diseñar el sistema primero necesitamos calcular la estabilidad con los parámetros Y,
definiéndolos:

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1. Cálculo del factor de estabilidad de Linvill:

Puesto que C<1 el circuito es

incondicionalmente estable y en
consecuencia se puede proceder con el
diseño. Sin embargo, se debe tener
cuidado con el acople, pues podría
generar inestabilidad.

2. Cálculo de MAG:

3. Cálculo de las admitancias de fuente y de carga para acoplamiento conjugado

simultáneo:

Para la fuente:

La admitancia de fuente que el transistor debe ver para máxima transferencia de

potencia es: 6.95-j12.41 mmhos. La admitancia del lado de transistor debe ser:
6.95+j12.41 mmhos
– Para la carga:

– Para máxima transferencia de potencia la admitancia de carga debe ser: 0.347-

j1.84 mmhos.

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4. Diseño de la red de acople de entrada: Debe acoplar la impedancia de la fuente de
50 ohm a la entrada del transistor:

Empleando un factor de
normalización de 50: el acople se realiza entre A=1 ohm y C= 50(6.95-j2.42) =0.34 – j
0.62 mho.
Red de acople de entrada

 Empleando un factor de normalización de 200, la

red de acople de salida tiene como entrada:
y salida: 50/200=0.2.5 ohm
Red de acople de salida:

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1. Punto de polarización: Ic=5 mA , V CE =15 volt ; Vcc= +20, b= 50.

2. Asumiendo VE=2.5 v e I E =5 mA

3. V C =15−2.5=12.5 volts .

4. Cálculo de RE y RC:

VE 2.5
R E= = =500 Ω;
I E 5 × 10−3
V CC −V C 15−12.5
RC = = =0.5 K Ω
IC 5 ×10−3

IC
5. Cálculo de R1 y R2: I B= =0.1 mA; V BB =2.5+0.7=3.2 volt
β

V BB 3.2 V CC −V BB 20−3.2
R 1= = ≈3 K Ω R 2= = ≈ 15 K Ω
I BB 1 ×10−3 I BB + I B 1.1× 10−3

V CC −V C 20−12.5
RC = = ≈1.5 K Ω
IC 5 ×10−3

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 Simulación en Proteus:

f(Mhz) 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8

Vi 353mV 353mV 353.5mV 353.4mV 353.47mV 353.41mV 353.48mV 353.50mV
Vo 1.35V 1.33V 1.259V 1.36V 1.39V 1.364V 1.362V 1.50V
f(Mhz) 8.9 9 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6
Vi 353.52mV 353.53mV 353.53mV 353.55mV 353.52mV 353.56mV 353.58mV 353.60mV
Vo 1.369V 1.362V 1.492V 1.42V 1.389V 1.355V 1.27V 1.344V
f(Mhz) 9.7 9.8 9.9 10 10.1 10.2 10.3 10.4
Vi 353.57mV 353.62mV 353.52mV 353.59mV 353.58mV 353.62mV 353.72mV 353.83mV
Vo 1.38V 1.50V 1.44V 1.337V 1.45V 1.433V 1.53V 1.168V
f(Mhz) 11.3 11.4 11.5 11.6 11.7 11.8 11.9 12
Vi 353.69mV 353.66mV 353.822mV 353.64mV 353.64mV 353.701mV 353.65mV 353.73mV
Vo 1.481V 1.43V 1.267V 1.391V 1.411V 1.393V 1.421V 1.496V
f(Mhz) 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9 11 11.1 11.2
Vi 353.69mV 353.67mV 353.48mV 353.66mV 353.80mV 353.51mV 353.613mV 353.82mV
Vo 1.5V 1.411V 1.407V 1.6461 1.412V 1.47V 1.378V 1.401V
Tabla de ganancias para las frecuencias:

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5. Conclusiones y observaciones

 El amplificador de RF Trabaja en altas frecuencias, y generalmente suele estar

sintonizado, por lo que trabaja a unas frecuencias determinadas por un rango

 Existen etapas amplificadoras de RF, estas etapas de un transistor amplifican

la señal de RF a un nivel suficientemente elevado para operar la antena.

 El acoplamiento entre amplificadores de RF aprovecha las características de

los circuitos resonantes paralelos para adaptar las impedancias

 Los transistores RF son de reducidas dimensiones, ya que trabajan con

señales débiles y de alta frecuencia.

 Transistor de efecto de campo aprovecha las ventajas del transistor bipolar

además de remplazar la baja impedancia por la alta impedancia de entrada.

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