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DISEÑO TERMICO
Consideraciones previas: Algunas definiciones usadas en Sistemas Térmicos.

ENERGÍA
En física se define como la capacidad para realizar un trabajo. Todos los cuerpos contienen
energía, sin excepción. Según el tipo la podemos clasificar en cinco sub-tipos.
 Mecánica.
 Química.
 Nuclear.
 Eléctrica.
 Térmica.
La ley de conservación de la Energía nos dice que “En un sistema aislado la Energía
permanece constante”.
Otra forma de decirlo, es la 1º Ley de la Termodinámica: “La energía no se crea ni se pierde, y
solo es susceptible de ser transformada”.

TEMPERATURA y calor
Es común usar indistintamente los términos temperatura y calor en el habla cotidiana. En física,
no obstante, los dos términos tienen significado muy distinto.
Vamos a definir la temperatura en términos de su medición.
El concepto de temperatura se origina en las ideas cualitativas de “caliente” y “frío” basadas en
nuestro sentido del tacto. Un cuerpo que se siente caliente suele tener una temperatura más alta,
que un cuerpo similar que se siente frío. Esto es un tanto vago y los sentidos pueden engañarse.
Sin embargo, muchas propiedades de la materia que podemos medir dependen de la temperatura.
La longitud de una barra de metal, la presión de vapor en una caldera, la capacidad de un cable
para conducir corriente eléctrica y el color de un objeto brillante muy caliente: todo esto depende
de la temperatura.
La temperatura también se relaciona con la energía cinética de las moléculas de un material.
Una de las definiciones mas aceptadas dice:
“La temperatura es la medición de la energía cinética promedio de las moléculas, referida al
sistema de medición empleado”, o lo que es lo mismo “La temperatura es la medición de la
Energía vibracional promedio de las moléculas”
Temperatura y Energía Térmica suelen confundirse. Para la
temperatura ya hemos adoptado una definición y para
Energía térmica decimos “Es el total de la Energía cinética
del cuerpo o volumen considerado:
Si consideramos por ejemplo la
temperatura de un clavo de hierro con
una barra de hierro de exactamente el
mismo material, que a su vez están a la
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misma temperatura. La barra contendrá una Energía Térmica superior al clavo puesto que la
masa de la misma es superior a la del clavo.
¿Qué sucede cuando introducimos una cucharita fría en el pocillo de café caliente?: La cucharita
se caliente y el café se enfría, llegando a un nuevo equilibrio térmico. Lo que sucedió es que
hubo una transferencia de Energía desde el café (inicialmente a mayor temperatura) a la
cucharita (inicialmente a menor temperatura), transcurrido un tiempo finito ambos cuerpos
tienen la misma temperatura y el “calor” desaparece.
La transferencia de energía que se da exclusivamente por una diferencia de temperatura se
denomina flujo de calor o transferencia de calor, en tanto que la energía así transferida se llama
calor. O en otras palabras “Calor es la energía vibracional cinética en tránsito”.
La energía viaja de zonas de mayor temperatura a zonas de menor temperatura, o de un
cuerpo de mayor temperatura a otro de menor temperatura, esta energía en tránsito es CALOR.
Un cuerpo NO CONTIENE CALOR, contiene energía térmica interna.
La unidad de medición para el calor al ser ENERGIA, es el Joule [J] en el Sistema Internacional
también se mide en Caloría [cal] otra unidad utilizada es: Unidad Térmica Británica [BTU].

TRANSFERENCIA DE CALOR
La Energía Térmica puede ser transferida de un cuerpo a otro por uno o todos de los siguientes
mecanismos.
 Transferencia por Conducción
 Transferencia por Convección
 Transferencia por Radiación.
 Cambio de estado (no es una transferencia propiamente dicha).

CALOR ESPECIFICO DE LOS MATERIALES:

El calor específico es la cantidad de calor que se necesita por unidad de masa
para elevar la temperatura un grado Celsius (ºC) o Kelvin (K). considerada
generalmente a 1 atmosfera y a 25ºC.
Si bien el Agua [4183 J/kg.K] ha sido tomada generalmente como la sustancia
con mayor calor especifico, podría considerarse que el Hidrogeno es elemento
con mayor calor especifico [14.421,00 j/kg.K].
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La importancia del calor especifico, reside en que será eventualmente un líquido el que nos
ayude a transportar la potencia de pérdidas de un semiconductor a un lugar donde nos sea mas
fácil su evacuación a la atmosfera. Dicho en otras palabras mientras mayor sea el poder
calorífico, (término usado en la jerga pero sin rigor científico), el cual está directamente
relacionado con el calor especifico, de la sustancia en cuestión utilizaremos menor sustancia (en
kg/W/segundo).
Ejemplo de lo anterior seria refrigerar con aceite de oliva (2000 J/kg.K) o con agua (4183
J/kg.K), claramente usaremos menos de la mitad de agua para transportar la misma energía.
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Consideraciones:
El interruptor perfecto de potencia no está aún disponible. Todos los semiconductores de
potencia disipan energía internamente, durante el encendido y apagado del los mismos y en la
transición entre ambos estados. La cantidad de energía disipada internamente generalmente nos
habla de los incrementos de la potencia consumida de la línea, en conformidad con la posibilidad
de manejar potencia por el semiconductor. La capacidad de un interruptor semiconductor para
operar en un circuito particular dependerá, por lo tanto, de la cantidad de potencia disipada
internamente y el aumento de la temperatura de juntura del semiconductor que esta potencia le
ocasiona.
Es por tanto muy importante el estudio del comportamiento térmico del sistema. Los
diseñadores se deberían familiarizar con las características térmicas de los semiconductores de
potencia y ser de esta manera capaces de calcular las potencias límites y temperaturas de
operación de nuevos sistemas como así también poder analizar otros sistemas y corregir sus
fallas.

Introducción:
El parámetro con mayor impacto en el diseño de componentes semiconductores de
potencia, es la potencia que se genera y que se tiene que disipar. Esta disipación de potencia
contiene subidas de temperatura y fracturas de uniones, debido a la desigual expansión entre el
sustrato de silicio y sus uniones con el encapsulado. Deben tomarse especiales precauciones
para disipar este calor al ambiente para evitar excesivas elevaciones de temperatura en el
componente.
Veremos las pérdidas que tienen lugar en los semiconductores de potencia, sus
características térmicas, y las técnicas que se utilizan para enfriar los componentes.

Pérdidas de potencia en semiconductores

Hay cuatro fuentes principales de pérdida de potencia en un semiconductor:

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I. Pérdida de potencia durante la conducción directa. Para un diodo es el producto entre la

corriente que atraviesa el componente y la caída de tensión directa en sus bornes. Lo
mismo se aplica para el tiristor, pero ya que el ángulo de conducción puede variar,
normalmente en las hojas de datos, se dan curvas de pérdida de potencia (figura 1), donde
se utiliza la corriente promedio sobre todo el ciclo de conducción. Para un transistor, la
pérdida de conducción directa está dada por el producto entre la corriente y la tensión de
colector-emisor, a la que se añade la disipación de base, igual al producto entre la
corriente y la tensión de base-emisor. Normalmente las pérdidas de base son pequeñas
comparadas con las pérdidas de colector. Veamos un ejemplo

Angulo de conducción = 30º = 60º = 90º = 120º = 180º
Pérdidas de Potencia 320 W 210 W 180 W 160 W 145 W
Ejemplo de utilización de gráficos para calculo de perdidas. IAF =125 A

II. Pérdida por fugas, cuando el semiconductor de potencia está bloqueando tensión directa
o inversa. Esto puede ocurrir cuando un diodo o tiristor está polarizado en inversa, o
cuando un transistor o tiristor está polarizado en directa pero no conectado. Estas
pérdidas normalmente son pequeñas en comparación con las pérdidas de conducción
directa.

III. Pérdidas de conmutación durante la conexión o desconexión del semiconductor de

potencia. Aunque relativamente pequeñas, estas perdidas pueden ser apreciables cuando
el componente está trabajando a altas frecuencias.

Pueden ocurrir debido a los procesos graduales de conexión y desconexión, que permiten
que fluyan grandes cantidades de corriente mientras las tensión en bornes del componente
todavía es alta. La figura 2 muestra la potencia a disipar producto del encendido de un
tiristor. Vemos que al no bajar la Tensión VAK, a cero en forma instantánea, esta implica
una cierta potencia de perdida en el dispositivo.
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En la figura 3 es mostrada la corriente y potencia en un ciclo típico a bajas frecuencias,

vemos que existe picos de corriente en la conexión y desconexión del semiconductor.
IV. Pérdidas en el terminal de control del semiconductor de potencia. La pérdida en la base
de un transistor ya se ha considerado como parte de la pérdida de conducción directa en
el punto (I), ya que siempre está presente mientras el componente está conduciendo. Sin
embargo, los componentes como los tiristores pueden activarse sólo por pulso, por lo
que la pérdida de potencia de puerta se puede separar de la pérdida por conducción
directa. Normalmente se definen dos parámetros; la potencia pico de puerta PGM, es decir
el valor máximo del producto entre la corriente de puerta directa y la tensión permisible:
la potencia promedio de puerta PG(AV) , que son los correspondientes valores inversos.

Características térmicas de los semiconductores:

Un semiconductor de potencia montado en
un disipador puede analizarse con analogía a los
circuitos eléctricos, de forma que el flujo de
corriente se reemplaza por transferencia de calor y
las impedancias eléctricas por resistencias térmicas.
La unidad de transferencia de calor se mide en julios
por segundo o vatios, y la unidad de resistencia
térmica se mide en grados centígrados por vatio.
Por lo tanto, si Q es la potencia térmica que se está
disipando en un componente, en vatios, y dT es la
diferencia de temperatura en el componente en
grados centígrados, entonces la resistencia térmica
Rth del componente está dada por:

dT  º C 
Rth  (1)
Q  W 
Un circuito térmico complejo, tal como un semiconductor de potencia montado en un
disipador, se puede separar en partes y analizarlo utilizando la ecuación (1). La figura 4 muestra
el circuito equivalente de tal disposición.
Si TJ y TC son las temperaturas de la unión del semiconductor y su encapsulado, y R th(j-c)
la resistencia térmica entre la unión y el encapsulado, entonces para un flujo de potencia de Q
[W] entre la unión y el encapsulado, la resistencia térmica será:
(T  TC )
Rth( j c )  J (2)
Q
De forma similar, pueden obtenerse las otras resistencias térmicas entre encapsulado y
disipador, y disipador y ambiente. La figura 4 también muestra las capacidades térmicas (Cja,
etc.), que normalmente pueden ignorarse en cualquier cálculo rms y se utilizan sólo para análisis
transitorios. La resistencia térmica entre encapsulado y ambiente normalmente es grande
comparada con la del disipador, por lo que también se puede ignorar. Por lo tanto, el circuito
equivalente se simplifica a tres elementos en serie, y para este sistema total la resistencia térmica
entre la unión del semiconductor y el ambiente es la de la ecuación 3 y el aumento de
temperatura por la ecuación 4.
Rth( j a )  Rth( j c )  Rth(ch)  Rth( ha ) (3)
TJ  Ta  Q.Rth( j  a ) (4)
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Hasta aquí, las discusiones se han ocupado exclusivamente de casos en los que hay
pérdida de potencia estática en un semiconductor. Sin embargo, a menudo sólo se necesita
funcionamiento intermitente, y las figuras 5a y 5b muestran el efecto de un escalón de potencia
en la temperatura de la unión. El componente de potencia, junto con cualquier disipador
utilizado, presenta una masa térmica finita, por lo que la temperatura de la unión incrementa
gradualmente. Ya que la resistencia térmica se define como la relación entre el aumento en
temperatura y el incremento de potencia, esta impedancia aumentará con el tiempo, como el la
figura 5c y esto se define como resistencia térmica transitoria (Rth(t)). Generalmente es difícil
calcular la resistencia térmica transitoria de forma precisa para un montaje, por lo que se mide
experimentalmente y se presenta en una gráfica en las hojas de datos.

Se observa que esta información se aplica para una célula totalmente en conducción, tal
como funciona en condiciones de fallo, y no se puede utilizar para componentes de potencia que
están en el proceso de conectarse, ya que el área de conexión todavía se está extendiendo.
La figura 6 muestra algunos ejemplos de pulsos de potencia , y como puede calcularse el
aumento de temperatura bajo estas condiciones. El pulso individual mostrado en la figura 6a
puede considerarse que está formado de dos pulsos, Pm que empieza en t1 y –Pm que empieza en
t2. El aumento de la temperatura de la unión en el instante t3 está dado por

dT(3) = Pm Rth(t1) - Pm Rth(t2) = Pm [Rth(t1) - Rth(t2)] (5)

En el caso de los pulsos múltiples de potencia, mostrados en la figura 6b, pueden

considerarse como una serie de pulsos individuales superpuestos, y el aumento de temperatura en
el instante t7 está dado por

dT(7) = Pm1 [Rth(t1) - Rth(t2)] + Pm2 [Rth(t3) - Rth(t4)] + Pm3 [Rth(t5) - Rth(t6)] (6)

En la situación del tren de pulsos mostrado en la figura 6c, los últimos pulsos son los
únicos que realizan contribuciones individuales, y el resto puede promediarse, por lo que el
aumento de temperatura está dado por:

 t 
dT(5) = PM  m  + PM R    R  R
th t1 th (t 2) th (t 3) 
 Rth(t 4)  (7)
ts  tm 

El último ejemplo de funcionamiento transitorio que hay que considerar es el de un pulso

no cuadrado. Esto se puede aproximar a una serie de pulsos rectangulares, como en la figura 6d.
El aumento de temperatura en el instante t20 está dado por:
dT(t20) = Pm1 Rth(t1) + (Pm2 - Pm1) Rth(t2) + (Pm3 - Pm2) Rth(t3) +......=

  P m( n) 
 Pm( n 1) .Rth(tn) (8)

Rth(t): Para las ecuaciones 5, 6, 7 y 8 se extraen de las curvas del fabricante.

Veremos ahora en detalle el método para determinar las temperaturas, trabajando con pulsos de
onda rectangular y otros tipos de onda.
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Operación: Pulso de Potencia.

Cuando un semiconductor de potencia es sometido a una carga pulsante, se darán altos picos de
potencia. Los materiales en un semiconductor de potencia tienen una capacidad térmica bien
definida, y así la temperatura crítica de juntura no se alcanzará instantáneamente, igual cuando
una potencia excesiva es disipada por el dispositivo. El límite de disipación de potencia se puede
extender para la operación intermitente. El tamaño de la extensión dependerá de la duración de la
operación (ancho del pulso) y la frecuencia con que la operación ocurre (ciclo de trabajo = duty
cycle).

Si se aplica potencia a un semiconductor de potencia, el dispositivo inmediatamente comienza a

calentar (Figura 7a). Si la disipación de potencia continúa, se llegará a un balance entre la
generación de calor y la extracción del calor (PE vía ambiente), resultando esto en la
estabilización de Tj y Tj-mb . Algo de la energía [de calor], será almacenada por la capacidad

térmica del dispositivo, y las condiciones estables serán determinadas por las resistencias
térmicas del dispositivo y su ambiente térmico. Cuando la disipación de poder cesa, el
dispositivo enfriará (las leyes de calentamiento y enfriamiento serán idénticas, ver Figura 8). Sin
embargo, si la disipación de potencia cesa antes de la temperatura del semiconductor se
estabilice, los valores de pico de Tj y Tj-mb será menores que los valores alcanzados para el
mismo nivel de disipación continua de potencia. (figura 9)
Si aplicamos un segundo pulso, idéntico al primero, pero lo aplicamos antes que se enfríe,
el pico la temperatura alcanzada por el dispositivo al final del segundo pulso, estará a mayor
temperatura que al final del primer pulso.
.
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Los pulsos adicionales formarán una curva creciente de temperatura hasta que se logre una
nueva situación estable (Figura 10). La temperatura del dispositivo, en esta condición estable,
fluctuará por arriba y abajo del valor medio. Si las excursiones ascendentes extienden en la

región de Tj muy alta, entonces la expectativa de vida del dispositivo puede verse reducida. Esto
puede suceder con pulsos de alta potencia y bajo valor de trabajo (duty factor), aunque la
potencia promedio es menor que la continua del dispositivo.

La figura 11 muestra un área de operación segura para Corriente Continua de un Power

Mosfet (BUK 553-100). El correspondiente pulso rectangular en el área de operación con un
factor de trabajo (o sea T→∞)y un tiempo de pulso tp como parámetro es mostrado
también. Estos límites representan la mayor extensión del área de operación segura para un
tiempo de pulso en particular.
Cuando el tiempo del pulso se hace muy corto, la disipación de potencia no tiene una
acción limitante y el valor del pulso de corriente y el de tensión son los que determinan los
máximos. Este rectángulo representa el mayor pulso posible en el área de operación segura.
En general, al acortar el pulso y disminuir la frecuencia, baja la temperatura de juntura
alcanzada. Podemos decir entonces que:

TJ  Tmb
PtotM  (V)
Z thj mb

donde Zthj-mb es la impedancia térmica transitoria entre la juntura y la carcasa (base del
dispositivo). Esta depende de la duración del pulso y del factor de trabajo 
tp
 (VI)
T
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donde tp es el ancho del pulso y T es el periodo de pulso. La figura 12 muestra una típica
familia de curvas de impedancia térmica contra la duración del pulso, con el factor de trabajo 
como parámetro.

TmbK. Es generalmente 25 ºC y es el valor de Tmb máximo por encima del cual, se debe reducir la
potencia máxima a disipar, en forma lineal (gráfico 7b).

Nuevamente, el máximo pulso de disipación es limitado por la temperatura máxima de juntura o

por la máxima diferencia de temperatura entre juntura y carcasa Tj-mbMax
T j  mb _ max
Esto es: Ptot _ maxK  (VII)
Z thj mb
cuando Tmb  Tmb K  y:
T jmax  Tmb
Ptot _ M _ max  (VIII)
Z thjmb
cuando Tmb > Tmb K. Al aumentar la temperatura de carcasa la máxima potencia de disipación
debe ser reducida linealmente (figura 7b).

Pulso de corta duración (figura 13-a)

Como el pulso la duración llega a ser muy corto, las fluctuaciones de la temperatura de juntura
pueden llegar a ser insignificantes, debido al la capacidad térmica interna del semiconductor.
Consecuentemente, solo el factor a ser considerado es la calefacción de la juntura, por la
potencia promedio de disipación; esto es:

Ptot( AV )   .Ptot _ M (IX)

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La impedancia térmica transitoria llega a ser:

tp
lim 0 Z thjmb   .Rthjmb
(X)

Las curvas de impedancia térmica

transitoria juntura - carcasa [Zthj-mb],
aproximan este valor asintoticamente a
la disminución del ancho de pulso [tp].
La figura 12 muestra que, para el ciclos
de trabajos en la gama 0.1 a 0.5, los
valores límite dados por la ecuación (X)
tienen el valor de tp = 10- 6 s = 1 s

Pulso de larga duración (figura 13-b)

Como la duración del pulso aumenta, la
temperatura de juntura se acerca un valor
estacionario hacia el fin de un pulso. La
impedancia térmica transitoria tiende al
mismo valor de la resistencia térmica
para la disipación continua de potencia;
esto es:

tp
lim  Z thjmb  Rthjmb (XI)

La figura XII muestra que Zthj-mb

se aproxima al valor cuando tp es grande.
En general, los efectos térmicos
transitorios terminan en la mayoría de
los dispositivos de potencia dentro de los
0,1 a 1,0 segundos. Este tiempo depende
del material y construcción del
dispositivo en cuestión, el tamaño de la
carcasa, la manera que se monta, y otros factores.
Los pulsos de potencia con una duración grande, de este tiempo tienen aproximadamente
el mismo efecto que una carga continua.

Pulso único (figura 13-c)

Como el factor de trabajo llega a ser muy pequeño, la juntura tiende a enfriarse completamente
entre pulsos. Por lo que cada pulso puede tratarse individualmente.
Cuando consideramos solo pulso, la Zthj-mb toma el valor  = 0 (Figura 12). Dando esto
resultados bastantes precisos.

CÁLCULO DE LAS TEMPERATURAS DE JUNTURA.

La mayoría de las aplicaciones que incluyen semiconductores de potencia comúnmente
involucran alguna forma de operación de modo de pulso. Veremos ahora algunos ejemplos de
cómo se pueden calcular estas temperaturas para distintas formas de onda aplicadas a los
elementos semiconductores.
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 Forma de ondas periódicas.

 Pulso único de potencia.
 Forma de ondas compuestas.
 Un Pulso tipo ráfaga.
 Pulsos No Rectangulares.

Desde el punto de vista de confiabilidad es muy importante que se sepa a que

temperatura pico de juntura estará el dispositivo cuando la forma de onda de potencia se aplica y
también cual es el promedio de la temperatura de juntura.
La temperatura pico de juntura ocurrirá comúnmente al final de un pulso aplicado y su
cálculo involucrará la impedancia térmica transitoria.
La temperatura promedio de juntura (si es aplicable), es calculada usando la resistencia
térmica (régimen permanente) y la potencia promedio disipada.

Cuando consideramos la temperatura de juntura en un dispositivo, la siguiente formula es

la utilizada:
T j  Tmb  T j mb (XIV)

donde Tj-mb se encuentra despejando de la ecuación (VII).

En todos los ejemplos que veremos a continuación asumimos que la temperatura de

carcasa (Tmb) esta a 75ºC.

 Pulso rectangular periódico.

La figura 14, muestra un ejemplo de pulso periódico rectangular.

Este tipo de pulsos es muy común en aplicaciones de llaves conmutadoras (switching).
100 W son disipados cada 400 s, por un período de 20 s, esto representa un ciclo de
trabajo () de 0,05. El pico de temperatura de juntura es calculado de la siguiente manera:
Tj PICO; t  20s

P  100W
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20
  0,05
400
Zthjmb  0,12 º C / W (figura 15)

T j mb  P  Zthjmb  100W  0,12º C / W   12º C

T j  Tmb  T j mb  75  12  87º C

Tj PROMEDIO;
Pav  P    100  0,05  5W

T j mb( av)  Pav  Z thjmb( 1)  5  2  10º C

T j ( av)  Tmb  T j mb ( av)  75  10  85º C

El valor para Zth j-mb se toma desde la curva= 0,05 mostrado en la figura 15.
El cálculo anterior muestra que la temperatura promedio de juntura será de 85°C y la Pico 87ºC.

 Pulso rectangular único.

La figura 16 muestra un ejemplo de un pulso único rectangular El pulso usado es igual al del
ejemplo anterior. Debe destacarse las diferencias de cálculos térmicos entre pulsos
periódicos y pulso único.
Para un único pulso, el período de tiempo entre pulsos es el infinito, el factor de trabajo
es igual a cero (). En este ejemplo 100W se disipan para un período de 20 s. Para
encontrar la temperatura pico de juntura se procede como sigue:

t  20s P  100W  0
Z thjmb  0,04 º C / W T j mb  P  Z thjmb  100  0,04  4º C
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El valor para Zth j-mb se toma desde la curva= 0 mostrado en la figura 16.

El cálculo anterior muestra que la temperatura pico de juntura será de 4°C, por arriba de la
temperatura de carcasa.

 Pulso rectangular compuesto

En práctica, un dispositivo de potencia frecuentemente tiene que manejar formas de onda
compuestas, más que simples pulsos rectangulares. Este tipo de señal puede simularse por
superposición de varios pulsos rectangulares, los que tienen un periodo común, pero estas
tienen amplitudes positivas y negativas, además de valores apropiados de anchos de pulso (tp)
y ciclos de trabajo (
Como ejemplo de esto, consideremos la forma de onda ilustrada en la figura 18. Para
mostrar la manera en que el método usado para pulsos rectangulares periódicos es extendido
para ser utilizado para cubrir las formas de onda compuestas, la forma de onda mostrada ha
sido elegida para ser una extensión del pulso rectangular periódico del ejemplo. El período es
400 s, y la forma de onda consiste de tres pulsos rectangulares, específicamente 40W para
10 s, 20W para 150 s y 100W para 20 s. La temperatura pico de juntura, puede
calcularse en cualquier punto en el ciclo. Para ser capaz de agregar los diversos efectos de los
pulsos en este momento, todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar al tiempo tx
en el primero cálculo y en ty en el segundo cálculo. Los pulsos Positivos aumentan la
temperatura de empalme, mientras los pulsos negativos la disminuyen.
El cálculo para el tiempo tx:

T j mb @ x  P1  Z thjmb (t1)  P2  Z thjmb (t 3)  P3  Z thjmb (t 4)  P1  Z thjmb (t 2)  P2  Z thjmb (t 4) (XV)

En la ecuación 15, los valores para P1, P2 y P3 se conocen:

P1=40W, P2=20W y P3=100W.
Los valores de Zth se toman de la figura 12. Para cada término en la ecuación, se debe
determinar el valor del ciclo de trabajo (equivalente. Por ejemplo el primer pulso
superpuesto dura un tiempo t1 = 180 s, esto representa un ciclo de trabajo de 180/400 =
0,45 = . Estos los valores pueden entonces usarse conjuntamente con la figura 12, para
encontrar el valor de Zth, que en este caso es 0.9K/W. La tabla K da los valores calculados
para este ejemplo.

t1 t2 t3 t4
180 s 170 s 150 s 20 s
Repetitivo  0,450 0,425 0,375 0,050
T = 400 s Zth 0,900 0,850 0,800 0,130
Pulso único  0,000 0,000 0,000 0,000
T= Zth 0,130 0,125 0,120 0,040
TABLA K, Parámetros de pulso compuesto para tiempo tx

Sustituyendo estos valores en la ecuación (XV), para Tj-mb@x tenemos:

Repetitivo:
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T j mb @ x  40  0,9  20  0,85  100  0,13  40  0,85  20  0,13  29,4º C

T j  Tmb  T j mb  75  29,4  104,4º C

Pulso único:
T j mb @ x  40  0,13  20  0,125  100  0,04  40  0,125  20  0,04  5,9º C

T j  Tmb  T j mb  75  5,9  80,9º C

Por lo tanto el valor de Tj es de 104,4 ºC para el caso repetitivo y de 80.9ºC para el pulso
único.
El cálculo para el tiempo ty:
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T j mb @ y  P2  Z thj mb(t 5)  P3  Z thjmb(t 6)  P1  Z thjmb(t8)  P2  Z thjmb(t 6)  P3  Z thjmb(t 7) (XVI)

Donde Zthj-mb(t) es la impedancia térmica transitoria para el pulso de tiempo t.

t5 T6 t7 t8
380 s 250 s 230 s 10 s
Repetitivo  0,950 0,625 0,575 0,025
T = 400 s Zth 1,900 1,300 1,250 0,080
Pulso único  0,000 0,000 0,000 0,000
T= Zth 0,200 0,160 0,150 0,030
TABLA M, Parámetros de pulso compuesto para tiempo ty

Sustituyendo estos valores en la ecuación (XVI) para Tj-mb@y tenemos:

Repetitivo:
T j mb @ y  20  1,95  100  1,3  40  0,08  20  1,3  100  1,25  21,2º C

T j  Tmb  T j mb  75  21,2  96,2º C

Pulso único:
T j mb @ y  20  0,2  100  0,16  40  0,03  20  0,16  100  0,15  3,0º C

T j  Tmb  T j mb  75  3,0  78,0º C

Por lo tanto el valor de Tj es de 96,2 ºC para el caso repetitivo y de 78ºC para el pulso único.
La potencia promedio y la temperatura promedio de la juntura pueden ser calculadas de la
siguiente manera:

25  10  5  130  20  100
Pav   7,25 W
400

T j mb( av)  Pav  Z thjmb( 1)  7,25  2  14,5 º C

T j ( av)  Tmb  T j mb ( av)  75  14  89,5 º C

Claramente, la temperatura de juntura al tiempo tx debería ser más alta que al tiempo ty, y
esto se prueba en los cálculos mas arriba realizados.

 Tren de pulsos
Los dispositivos de potencia se someten frecuentemente a un tren de pulsos. Este tipo de
señal, puede tratarse como una onda compuesta y como en el ejemplo previo simulamos por
superposición a varios pulsos cuales tienen un período común, pero con amplitudes positivas
y negativas, además de valores apropiados de anchos de pulso (tp) y ciclos de trabajo (
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Considere la forma de onda mostrada en la figura 20. El período es 240 s, y la ráfaga
consiste de tres pulsos rectangulares de 100W poder y 20 s de duración, separada por 30
s. El pico de temperatura ocurrirá al final de la ráfaga, al tiempo t = tx = 140 s. Para ser
capaz de agregar los diversos efectos de los pulsos en este momento, todos los pulsos,
positivos y negativos, deben terminar al tiempo tx. Los pulsos positivos aumentan el la
temperatura de juntura, mientras los pulsos negativos disminuyen la misma.

T j mb @ x  P  Z thjmb (t1)  P  Z thjmb (t 3)  P  Z thjmb (t 5)  P  Z thjmb (t 2)  P  Z thjmb (t 4) (XVII)

donde Zthj-mb(t) es la impedancia térmica transitoria para un pulso de tiempo t.

Los valores de Zth se toman desde la figura 12, para cada término en la ecuación (XVII),
estos valores pueden ser utilizados en combinación con los de la Figura 12, para encontrar
un valor para Zth. La Tabla O da los valores calculados para este ejemplo.

t1 t2 t3 t4 t5
120 s 100 s 70 s 50 s 20 s
Repetitivo  0,500 0,420 0,290 0,210 0,083
T = 400 s Zth 1,100 0,800 0,600 0,430 0,210
Pulso único  0,000 0,000 0,000 0,000 0,000
T= Zth 0,100 0,090 0,075 0,060 0,040
TABLA O, Parámetros de pulso tipo ráfaga

Sustituyendo estos valores en la ecuación XVII da:

Repetitivo:
T j mb @ x  100  1,10  100  0,60  100  0,21  100  0,80  100  0,43  68º C

T j  75  68  143º C
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Pulso único:

T j mb @ x  100  0,10  100  0,075  100  0,04  100  0,09  100  0,06  6,5 º C

T j  75  6,5  81,5 º C

Por tanto el valor de Tj es de 143 ºC para el caso repetitivo y de 81,5ºC para el pulso único.
La potencia promedio y la temperatura promedio de la juntura pueden ser calculadas de la
siguiente manera:

3  100  20
Pav   25 W
240

T j mb ( av)  Pav  Z thjmb ( 1)  25  2  50 º C

T j ( av)  75  50  125 º C

El ejemplo de arriba para la forma de onda repetitiva, destaca un caso donde la temperatura
promedio de juntura (125°C) es bien dentro de límites, pero el cálculo compuesto de pulso
muestra, la temperatura pico de juntura, será significativamente más alto. Por razones de
confiabilidad a largo plazo es usual operar los dispositivos con una temperatura pico de
juntura por debajo de los 125°C.

 Pulsos No rectangulares
Los ejemplos trabajados anteriormente tienen solamente formas de onda rectangulares. Sin
embargo, las formas de onda triangular, trapezoidal y sinusoidal son también comunes. A fin
de aplicar los cálculos térmicos anteriormente vistos a formas de onda no rectangulares, la
forma de onda será aproximada por una serie de pulsos rectangulares. Cada rectángulo
representa parte de la forma de onda. El rectángulo equivalente debe ser igual, en el área a la
sección de la forma onda que es representada (igual energía) y también serán así los picos de
potencia. Nos referiremos a la figura 22, una forma de onda triangular se ha aproximado
con un pulso rectangular en el primer gráfico (22a), y con dos en el segundo (22b),
obviamente aumentando el número de pulsos, se mejorará en exactitud referente a los
cálculos térmicos. (esto es descomposición de la onda).
En el ejemplo primero, hay uno único pulso rectangular, de duración 50ms, disipando 50W.
Ahora nuevamente usando ecuación (XIV), y despejando de la ecuación (VII), tenemos:

T j mb  Ptot  Z thjmb

Pulso único: T j mb  50  0,065  3,25 º C

T jpico  75  3,25  78,5 º C

10% de Ciclo trabajo: T j mb  50  0,230  11,5 º C

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T jpico  75  11,5  86,5 º C

50% de Ciclo T j mb  50  1,000  50 º C

T jpico  75  50  125 º C

Cuando la forma de onda se divide en dos pulsos rectangulares:

T j mb  P3  Z thjmb (t 3)  P1  Z thjmb (t1)  P2  Z thjmb(t 2)

Para el ejemplo P1 = 25W, P2 = 25W, P3 = 50W, la tabla Q muestra el resto de los parámetros.
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t1 t2 t3
75 s 50 s 37,5 s
Pulso único  0,000 0,000 0,000
T= Zth 0,085 0,065 0,055
10% Ciclo trabajo  0,075 0,050 0,037
T = 1000 s Zth 0,210 0,140 0,120
10% Ciclo trabajo  0,000 0,000 0,000
T = 200 s Zth 0,100 0,090 0,075
Tabla Q Cálculos: Pulso No - Rectangular

Sustituyendo estos valores en la ecuación XVIII, tenemos:

Pulso único: T j mb  50  0,055  25  0,085  25  0,065  3,25 º C

T jpico  75  3,25  78,5 º C

10% de ciclo de trabajo: T j mb  50  0,12  25  0,21  25  0,14  7,75 º C

T jpico  75  7,75  82,5 º C

50% de ciclo de trabajo: T j mb  50  0,42  25  0,7  25  0,5  26 º C

T jpico  75  26  101 º C

Para calcular la temperatura promedio de juntura se realiza lo siguiente:

50  50
10% de ciclo de trabajo: Pav   2,5 W
1000
T j mb ( av)  Pav  Z thjmb ( 1)  2,5  2  5 º C

T j ( av)  75  5  80 º C

50  50
50% de ciclo de trabajo: Pav   12,5 W
200
T j mb( av)  Pav  Z thjmb ( 1)  12,5  2  25 º C

T j ( av)  75  25  100 º C

Conclusión:
Los métodos y ejemplos mas arriba vistos, nos dan una alternativa actual para el cálculo de
temperaturas (y regímenes que le correspondan), para semiconductores de potencia, relacionadas
con pulsos transitorios del tipo rectangulares o de otras diversas formas, permitiendo el cálculo
sencillo de estos.
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