Universidad Nacional Autónoma de México

Facultad de Ingeniería

Física de semiconductores

Grupo 1

Profesora: Fátima Moumtadi

Técnica de fabricación epitaxial

Semestre 2018-2
Introducción

La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos

integrados. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o substrato,
se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina
que este.

Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en
el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta
el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de
base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.

El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categorías muy amplias:

Homoepitaxia: La capa que crece es químicamente similar al substrato, es la epitaxia

más simple e involucra la extensión de la red del substrato en una red de material
idéntico, Si sobre Si.

Heteroepitaxia: La capa que crece difiere en términos químicos, estructura cristalina,

simetría o parámetros de red con respecto al substrato, GaAs y Si.

El crecimiento epitaxial, es una tecnología estándar en la fabricación de dispositivos,

permite la fabricación de dispositivos electrónicos y fotónicos extraordinariamente
avanzados.

● Tecnología de crecimiento de heteroestructuras láser

● Tecnologías de semiconductores para diseño de circuitos integrados

● Crecimiento de dispositivos y estructuras semiconductoras

El control extremo del espesor en los métodos epitaxiales actuales permite el estudio de
fenómenos químicos y físicos, útiles en la búsqueda de nuevos materiales
semiconductores.

TÉCNICA EPITAXIAL EN FASE LÍQUIDA

(LPE,”LIQUID PHASE EPITAXY”)

Históricamente es la epitaxia más antigua y la más simple. Fue utilizada por primera
vez por H. Nelson (1963) para el crecimiento de uniones p-n de GaAs. Se utiliza
principalmente para crecer materiales compuestos (ternarios y cuaternarios) muy
uniformes, delgados y de elevada calidad.

Involucra el crecimiento de capas epitaxiales sobre substratos cristalinos por

precipitación directa desde la fase líquida.

Cristalización de las fases a partir de una solución

● Se basa en la SOLUBILIDAD de un soluto en un disolvente a una Temperatura dada.

● El substrato (la oblea donde se quiere crecer la capa) se pone en contacto con una
solución:
 ■ Con un solvente previamente escogido saturada del material semiconductor

■ A una Temperatura apropiada

■ En condiciones próximas al equilibrio entre la disolución y el substrato, se

puede crecer el semiconductor sobre el substrato de manera lenta y uniforme.

● Las velocidades de crecimiento típicas son de 0.1- 1 µm/minuto.

● El crecimiento se controla mediante un enfriamiento de la mezcla.

● Puede producirse un dopaje mediante la adición de dopantes.

Sistema LPE

● Montaje experimental

○ Un contenedor de grafito dentro de un tubo de cuarzo que se introduce en un horno.

○ El horno permite calentar la solución hasta la temperatura deseada: T0.

○ Se hace circular H2 (hidrógeno purificado) para eliminar las películas de óxido del
material solvente (óxido de Galio)

○ Dos regiones para depositar el substrato y la mezcla

○ Al alcanzar T0 el horno se inclina y la fase líquida cubre al substrato

○ Después se reduce la temperatura y como consecuencia, crece la capa epitaxial sobre

la superficie del substrato.

○ El proceso termina cuando el horno regresa a la posición inicial, y la fase líquida se

retira de la superficie del substrato

Procedimiento de Nelson (caso particular para el crecimiento de una capa de GaAs)

● · PASO 1: SATURACIÓN DEL FUNDIDO.

○ Se prepara una solución saturada de As en Ga (Temperatura de saturación: 850 °C)

(punto a del diagrama) poniendo en contacto el Ga fundido y unos cristales de GaAs.

○ En la solución de Ga sólo pasa la cantidad de átomos de As que corresponda

a la solubilidad de As en el Ga a una Temperatura dada

○ El número de átomos de As es igual al número de moléculas de GaAs que pasan a

formar parte de la fase líquida.

○ Si la solución se enfría lentamente (paso del punto (a) al punto (b)) unos pocos grados
(∆T=5-20ºC), la mezcla se vuelve supersaturada (demasiados átomos de As para esa
temperatura).
 ● PASO 2: INTRODUCCIÓN DEL SUSTRATO.

○ Se gira el sistema para que la disolución líquida

“moje” a la oblea de GaAs sobre la que queremos
hacer el crecimiento (T<1238ºC, luego la oblea no se
funde).

● PASO 3. CRECIMIENTO DEL MONOCRISTAL .

○ Al mojar la oblea, los átomos de As se incorporan al

GaAs y lógicamente el disolvente pierde átomos de As

○ La solución se vuelve más rico en Ga (movimiento)

LPE: SISTEMA HORIZONTAL

● Se utiliza para obtener crecimientos epitaxiales de diferentes capas

● El montaje contiene un bote de grafito de tipo panal. Se compone de dos partes: tronco
y deslizador

○ El tronco (fijo) en cuyas cavidades se alojan las fases líquidas de diferentes

composiciones (con GaAs, con AlGaAs, etc.)

○ El deslizador tiene una cavidad en la cual se deposita el substrato, y se desliza en

relación con el tronco

● Este sistema se mueve de modo que el substrato se pone en contacto con cada una de
las fases líquidas contenidas en las cavidades.

● La composición de la capas epitaxiales cristalizadas depende de la Temperatura y

composición de las fases líquidas

● Es necesario conocer los diagramas de fase, ya sean soluciones ternarias o

cuaternarias.

● El espesor de las capas puede regularse variando el intervalo de la Temperatura en el

que se realiza el proceso de cristalización o variando el volumen de la fase líquida.

Características de las capas crecidas

● Las capas crecidas mediante este método se caracterizan por tener un tiempo de vida
media de minoritarios elevados (pocas impurezas profundas): se utiliza mucho en la
realización de dispositivos optoelectrónicos: láseres de heteroestructuras de capas
múltiples de GaAs y AlGaAs

● El control del crecimiento de la capa desde la fase líquida puede realizar mediante un
enfriamiento controlado de la disolución o mezcla. Las velocidades de crecimiento LPE
son extremadamente bajas

● La introducción de impurezas se reduce fuertemente.

● Se puede realizar un dopaje mediante un añadido de impurezas a la disolución.

● Es un método utilizado principalmente para el crecimiento de materiales SC

compuestos III-V en los cuáles el Ga o In son el elemento tipo III, dado que estos metales
forman soluciones a temperaturas bajas.

Ventajas LPE

● Es un proceso simple que requiere un equipo modesto. Se puede realizar en

condiciones normales de laboratorio

● Menos costosa y mayor velocidad de crecimiento que la MBE (epitaxia de haces

moleculares)

● Baja concentración de defectos

● Excelente control de la estequiometria

Desventajas LPE

● Las condiciones de solubilidad restringen en gran manera al número de materiales a

los cuales es aplicable esta técnica.

● El control de la morfología (orientación cristalina) es muy difícil

● La calidad superficial es pobre

TÉCNICA EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR ( VPE)

Se utiliza actualmente para Si y GaAs. Es un proceso en el que una capa sólida delgada
se sintetiza partiendo de una fase gaseosa mediante una reacción química. El propósito
de la epitaxia es crecer una capa de Silicio de grosor uniforme y en la cual se puedan
controlar las propiedades eléctricas y proporcionar un sustrato perfecto en el procesado
del dispositivo para cada tipo de aplicación. Este tipo de epitaxia tiene lugar a alta
temperatura.

Características:

Diferentes especies químicas que van a formar la capa epitaxial (Si, Ga, As, también
pueden transportar dopantes) se transportan en forma de vapor (fase gaseosa) a través
de compuestos químicos gaseosos (normalmente por H2) a la Tª de reacción, hacia la
oblea En la oblea se depositan en la superficie del material para formar la capa epitaxial
mediante la correspondiente reacción química. Estos compuestos se depositan
ordenadamente siguiendo la cristalografía del substrato o de la oblea.

Puede llevarse a cabo a presión atmosférica, evitando la necesidad de realizar un

sistema de vacío y reduciendo la complejidad Tasas de crecimiento elevadas.

La técnica VPE en Silicio tiene lugar en reactores como los que se observan en las figuras
inferiores. El corazón de un epi-reactor es la cámara de reacción, fabricada típicamente
en cuarzo.

Dentro de la cámara hay un crisol en forma de barquilla que sirve de apoyo de los
substratos (grafito recubierto de carburo de silicio). Se calienta hasta 900-1250 ºC (no se
alcanza el punto de fusión del Si). Tiene entradas y salidas de gases de modo que puedan
fluir en su interior. Estos gases contienen compuestos de silicio volátiles y algunos
compuestos dopantes. Todos los productos son gaseosos y las reacciones tienen lugar
aproximadamente a 1200 ºC. Esta alta temperatura es necesaria para que los átomos
de dopantes adquieran la energía suficiente para moverse y formar los enlaces
covalentes.

La geometría del reactor se utiliza según la manera de sujetar las obleas.

Fundamentalmente dos: El disco (tarta, o tipo de oblea único) las obleas están
dispuestas horizontalmente. El de forma piramidal (o tipo de barril) las pirámides
truncadas mantienen las obleas dentro de cavidades situadas en sus caras
prácticamente verticales, tiene la ventaja de procesar un gran número de obleas al
mismo tiempo.

La técnica VPE en Silicio: El proceso de crecimiento es muy simple: Desde el punto de

vista químico: Se utiliza un gas para depositar el material: silano(SiH4), tetracloruro de
Si (SiCl4), triclorosilano(SiHCl3). Se utiliza un segundo gas para el dopaje) las fuentes:
fosfina (PH3), diborano(B2H6), arsina (SbH3) durante la deposición epitaxial, los
átomos dopantes se descomponen y forman parte de la capa. La epitaxia proporciona
una manera de controlar precisamente el perfil de dopaje para optimizar dispositivos y
circuitos.

Desde el punto de vista de la cinética: la velocidad de crecimiento y el dopaje son

proporcionales al flujo de gas. Desde el punto de vista estructural: se deposita una fina
película en toda la superficie de la oblea.
La técnica VPE en Silicio: En general, los diferentes pasos que ocurren en un proceso
VPE son: Transporte de especies gaseosas hacia la superficie de crecimiento. Procesos
superficiales: absorción, difusión en superficie, incorporación en cluster de islas o en
kinks. De absorción de los reactivos desde la superficie de deposición y transporte de las
mismas de nuevo a la fase gaseosa. La dependencia con la temperatura de la velocidad
de crecimiento tiene un comportamiento general, que se establece dependiendo de cuál
de los pasos previamente comentados es el paso determinante.

A bajas temperaturas es la cinética de la reacción el paso que limita la velocidad de

crecimiento, dando lugar a velocidades de crecimiento que dependen fuertemente de la
temperatura. A temperaturas elevadas, el transporte de gases es el que marca la
velocidad. Para temperaturas intermedias, depende fuertemente del tipo de gas
utilizado y del tipo de la configuración geométrica del reactor.

Modelo UHV-CVD-5000:(Vacío ultra alto_ CVD)

Utilización para procesado multi-oblea de capas epitaxiales dopadas, incluyendo

materiales como Si y SiGe.

Aplicaciones: componentes de SiGe(amplificadores de RF y microondas, conmutadores,

HBTs discretos, MMICs de bajo ruido) utilizados en aplicaciones de comunicaciones sin
hilos: como telefonía móvil, pagers, reces de área local (LAN), telemetría y sensores.
Características: El reactor de horno interior de fuente térmica consiste en un sistema
de calor con tres regiones controlado por precisión. Se obtienen rangos de temperatura
de 1050 ºC. Las líneas de proceso de gas incluyen válvulas de aislamiento con tubos
especiales. El sistema de control consiste en un sistema automático controlado por
ordenador con una capacidad de control manual: capacidad de modificar las variables
del sistema (flujo de canales, región de la reacción, temperatura, presión del reactor,
etc.), mostrar el estado del sistema en tiempo real, etc.

TÉCNICA EPITAXIAL MOCVD

El MOCVD es una técnica de crecimiento epitaxial en fase vapor donde se utilizan

precursores metalorgánicos como material fuente, de los elementos a depositar.

Generalmente se considera que la investigación en esta técnica empezó con los trabajos
de Manasevit y Simpson a final de los sesenta y principios de los setenta, aunque
recientemente se han dado a conocer dos patentes que remontan a 1953, donde Scott y
colaboradores utilizan Te In y SbH3 para formar In Sb, y una posterior para el
crecimiento de Ga As.

Las nuevas exigencias impuestas a los dispositivos electrónicos requieren de complejas

estructuras de alta pureza que la mayoría de las veces necesitan hetero estructuras con
uniones abruptas. Como hemos visto la LPE y la VPE se encuentran con serias
dificultades a la hora de llevar a cabo estos dispositivos, lo que llevó a la investigación
de otro sistema de crecimiento que cumplieran estos requisitos. El MOCVD y el MBE se
han mostrado como dos técnicas capaces de producir dispositivos de estas
características.

Esta técnica tiene ciertas ventajas como su alta versatilidad, sus uniones abruptas y
una alta pureza; pero como todo, tiene sus desventajas en este tipo de técnica, las
desventajas por mencionar algunas son las fuentes caras, el control de los parámetros
muy cuidadoso y que son precursores potencialmente peligrosos.