ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL ALTIPLANO - PUNO

FACULTAD DE: ING. MECÁNICA ELÉCTRICA ELECTRÓNICA Y
SISTEMAS
ESCUELA PROFESIONAL DE: ING.ELECTRÓNICA

CIRCUITOS DE RADIO FRECUENCIA

GRUPO: B

INFORME

PARAMETROS DEL TRANSISTOR: PARAMETRO S

DOCENTE: ING. VINDANGOS PONCE GABINO REY

ESTUDIANTES:

➢ QUISPE CORNEJO WILTON ANTONY 170032

➢ ROQUE ROQUE BARTOLOME 170412

➢ MAMANI MAMANI JUAN HARRIS 171701

➢ LIMA NUÑEZ RONNY ALEX 171006

PUNO – PERÚ

2020

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INTRODUCCIÓN

Los parámetros de dispersión o parámetros-S son propiedades usadas en ingeniería

eléctrica, ingeniería electrónica, e ingeniería de telecomunicaciones y se utilizan para
complementar el comportamiento básico de redes eléctricas lineales cuando se someten a
varios estímulos de régimen permanente por pequeñas señales. Son miembros de una
familia de parámetros similares usados en ingeniería electrónica, siendo otros
ejemplos: Parámetros-Y, Parámetros-Z, Parámetros-H, Parámetros-T (también
llamados Parámetros-ABCD).

A pesar de ser aplicables a cualquier frecuencia, los parámetros-S son usados

principalmente para redes que operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias de microondas,
ya que representan parámetros que son de utilidad particular en RF. En general, para redes
prácticas, los parámetros-S cambian con la frecuencia a la que se miden, razón por la cual
esta debe especificarse para cualquier medición de parámetros-S, junto con la impedancia
característica o la impedancia del sistema. Los parámetros-S se representan en una matriz y
por lo tanto obedecen las reglas del álgebra de matrices. Muchas propiedades eléctricas
útiles de las redes o de componentes pueden expresarse por medio de los parámetros-S,
como por ejemplo la ganancia, pérdida por retorno, relación de onda estacionaria de
tensión (ROEV), (coeficiente de reflexión y estabilidad de amplificación.

El término 'dispersión' (del inglés, scattering) es probablemente más común en

ingeniería que en ingeniería de RF, pues se refiere al efecto que se observa cuando
una onda electromagnética plana incide sobre una obstrucción o atraviesa medios
dieléctricos distintos. En el contexto de los parámetros-S, dispersión se refiere a la forma
en que las corrientes y tensiones que se desplazan en una línea de transmisión son
afectadas cuando se encuentran con una discontinuidad debida por la introducción de una
red en una línea de transmisión. Esto equivale a la onda encontrándose con
una impedancia diferente de la impedancia característica de la línea.

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PARAMETROS S O SCATTERING

Se utilizan para describir el comportamiento eléctrico de redes eléctricas lineales

cuando se someten a varios estímulos de régimen permanente por pequeñas señales. Son
miembros de una familia de parámetros similares usados en ingeniería electrónica, siendo
otros ejemplos: Parámetros-Y, Parámetros-Z, Parámetros-H, Parámetros-T.

A pesar de ser aplicables a cualquier frecuencia, los parámetros-S son usados

principalmente para redes que operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias
de microondas, ya que representan parámetros que son de utilidad particular en RF. En
general, para redes prácticas los parámetros-S cambian con la frecuencia a la que se miden,
razón por la cual ésta debe especificarse para cualquier medición de parámetros-S, junto
con la impedancia característica o la impedancia del sistema.

Los parámetros-S se representan en una matriz y por lo tanto obedecen las reglas
del álgebra de matrices. Muchas propiedades eléctricas útiles de las redes o de
componentes pueden expresarse por medio de los parámetros-S, como por ejemplo
la ganancia, pérdida por retorno, relación de onda estacionaria de
tensión (ROEV), coeficiente de reflexión y estabilidad de amplificación.

El término 'dispersión' (del inglés, scattering) es probablemente más común

en ingeniería óptica que en ingeniería de RF, pues se refiere al efecto que se observa
cuando una onda electromagnética plana incide sobre una obstrucción o
atraviesa medios dieléctricos distintos. En el contexto de los parámetros-S, dispersión se
refiere a la forma en que las corrientes y tensiones que se desplazan en una línea de
transmisión son afectadas cuando se encuentran con una discontinuidad debida por
la introducción de una red en una línea de transmisión. Esto equivale a la onda
encontrándose con una impedancia diferente de la impedancia característica de la línea.

➢ El amplificador con parámetros S tiene los mismos parámetros a encontrar

(Estabilidad, ganancias, acoples, etc.)

➢ Los parámetros S están dados por las hojas de especificaciones del transistor
utilizado para el amplificador

➢ Los parámetros a encontrar son: estabilidad, MAG, y coeficientes de reflexión I/O

(i.g. admitancias I/O el modelo anterior)

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I. LA MATRIZ DE PARAMETROS-S GENERICA

Para la definición de una red multi-puerto genérica, se asume que todos los puertos
salvo el que se encuentra bajo consideración o el par de puertos bajo consideración tienen
una carga conectada a ellos idéntica a la impedancia del sistema y que cada puerto tiene
asignado un entero 'n' que varía de 1 a N, donde N es el número total de puertos. Para un
puerto n, la definición de parámetros-S asociados se realiza en función de 'ondas de
potencia' incidente y reflejada, an y bn respectivamente.
Ondas de potencia son versiones normalizadas de las ondas viajeras de tensión
incidente y reflejada correspondientes, respectivamente, de acuerdo a la teoría de
líneas de transmisión. Estas están relacionadas con la impedancia del sistema Z0 de la
siguiente manera:

Para todos los puertos de la red, las ondas de potencia reflejadas pueden definirse
en términos de la matriz de parámetros-S y las ondas de potencia incidentes a través de la
siguiente ecuación:

Los elementos de los parámetros-S se representan individualmente con la letra

mayúscula 'S' seguida de dos subíndices enteros que indican la fila y la columna en ese
orden de la posición del parámetro-S en la matriz de parámetros-S.

La fase de un parámetro-S es la fase espacial a la frecuencia de prueba, y no la

fase temporal (relacionada con el tiempo).

II. REDES DE DOS PUERTOS

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La matriz de parámetros-S para una red de dos puertos es probablemente la más

común y sirve como base para armar matrices de órdenes superiores correspondientes a
redes más grandes. En este caso, la relación entre las ondas de potencia reflejada e incidente
y la matriz de parámetros-S está dada por:

Expandiendo las matrices en ecuaciones, se tiene:

Cada ecuación da la relación entre las ondas de potencia reflejada e incidente en

cada uno de los puertos de la red, 1 y 2, en función de los parámetros-S individuales de la
red, S11, S12, S21 y S22 Si consideramos una onda de potencia incidente en el puerto 1
(a1) pueden resultar ondas existentes tanto del puerto 1 mismo (b1) o del puerto 2 (b2). Sin
embargo, si, de acuerdo a la definición de parámetros-S, el puerto 2 está terminado en una
carga idéntica a la impedancia del sistema (Z0), entonces, debido al teorema
de transferencia de potencia máxima, b2 será absorbida totalmente haciendo a2 igual a
cero. Por lo tanto.

De forma similar, si el puerto 1 está terminado en la impedancia del sistema, entonces a1

se hace cero dando

Donde:

S11 es el coeficiente de reflexión de la tensión del puerto de entrada

S12 es la ganancia de la tensión en reversa
S21 es la ganancia de la tensión en directa
S22 es el coeficiente de reflexión de la tensión del puerto de salida

2.1 RECIPROCIDAD

Una red será recíproca si es pasiva, lineal y con dieléctrico isótropo que influyan la
señal transmitida. Por ejemplo, atenuadores, inversores, cables, divisores y combinadores
son todas redes recíprocas y Smn = Snm en cada caso, es decir, la matriz de parámetros-S
es igual a su traspuesta y además, |Sij|=|Sji|. Todas las redes que incluyen materiales
anisótropos como medio de transmisión, como los que contienen componentes
de ferrito serán no recíprocos. A pesar de que no necesariamente contiene ferritos, un
amplificador es otro ejemplo de una red no recíproca.

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Una propiedad interesante de redes de tres puertos es que no pueden ser simultáneamente
recíprocas, libre de pérdidas y perfectamente adaptadas

2.2 RED DE PERDIDA LIBRE

Una red libre de pérdidas es una en la cual no se disipa potencia, o: La

suma de las potencias incidentes en todos los puertos es igual a la suma de las potencias
reflejadas en todos los puertos. Esto implica que la matriz de parámetros-S es unitaria, o
(S)*(S) – (I) = 0 donde (s)* es el complejo conjugado de la traspuesta de (S) e (I) es la
matriz de identidad.

2.3 RED CON PERDIDAS

Una red con pérdidas es una en la cual la suma de las potencias incidentes en todos los
puertos es mayor que la suma de las potencias reflejadas en todos los puertos. Por lo tanto,
disipa potencia, o en este caso

III. COEFICIENTES DE REFLEXIÓN

Γ= Coeficiente de reflexión
Γ= Vreflejado / Vincidente

Donde: Zn es la impedancia normalizada = ZL / Z0

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➢ Si ZL es igual a Zo* la onda incidente es absorbida totalmente por la carga y no

hay onda reflejada.
➢ Si Zo* es diferente ZL parte de la onda incidente no es absorbida por la carga y es
reflejada de nuevo la fuente.
➢ Si la impedancia Zg es igual a Zo* la onda reflejada podría ser absorbida por la
fuente y no reflejaría ninguna porción de la onda reflejante
➢ Si Zg es diferente a Zo* parte de la onda reflejada por la carga es re-reflejada por
la fuente hacia la carga, y el proceso se repite indefinidamente.
➢ El radio de la onda reflejada a la onda incidente es lo que se conoce como
coeficiente de reflexión Γ.

❖ a1 la onda que va de la fuente a la entrada del dispositivo.

❖ b1 es la porción de la onda a1 que es refleja la red a la fuente.
❖ b2 es la porción de la onda a1 que es transmitida por la red a la carga.
❖ a2 es la porción de la onda b2 que se refleja de la carga a la red nuevamente.

✓ S11: Coeficiente de reflexión de entrada

✓ S12: Coeficiente de transmisión reflejado
✓ S21: Coeficiente de transmisión hacia delante
✓ S22: Coeficiente de reflexión a la salida

La ganancia reflejada del transistor (S12), representa la realimentación. Esto hace que
los coeficientes de reflexión Гi de entrada y Гo de salida sean dependiente.

a. Coeficiente de reflexión de carga ГL

El ángulo del coeficiente de reflexión de carga lo determina el negativo del ángulo del valor
intermedio C2

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b. Coeficientes de reflexión de generador Гg

• Los procedimientos hechos, corresponden a un modelo de amplificación estable de

parámetros S.
• El paso siguiente es acoplar la entrada y la salida por los métodos de red o por carta
de Smith. Las cargas de los extremos son de 50 Ω
• Y la potencia que se encuentra es la MAG, aunque también se puede determinar
una carga arbitraria.

IV. ESTABILIDAD

La estabilidad está determinada por los parámetros S y en este modelo se obtiene valores
intermedios iniciales.

V. GANACIA EN POTENCIA

De acuerdo a la red de la figura. La función de transferencia de bs a b2, permite evaluar

la ganancia con la ayuda de las reglas de Mason. La ganancia en potencia del amplificador
corresponde:

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- Por regla de Manson, se halla la función de transferencia de b2/bg y se obtiene que

la ganancia es:

La máxima ganancia en potencia MAG se obtiene en condiciones óptimas y es:

VI. ESTABLES

➢ La ganancia en potencia del amplificador en óptimas condiciones corresponde a la

MAG
➢ Para ganancias arbitrarias (de usuario) menores que la ganancia MAG, se logra
mediante un desacople selectivo que consiste en controlar la ganancia
➢ El método de desacople selectivo del transistor es a través de un circuito de
ganancia constante graficado en la carta de Smith que se representa por una
geometría de puntos (impedancias de carga).
➢ Se sigue un procedimiento en la carta de Smith, el cual consiste de la siguiente
forma:
o Se elige el transistor que sea estable y además se obtiene la ganancia MAG
la cual debe ser mayor que la ganancia arbitraria, de lo contrario hay que
elegir otra opción.
o El resultado es un círculo en la carta de Smith, el cual en todo el perímetro
corresponde a la ganancia arbitraria o de usuario; las expresiones que
representan el circulo son:

Centro del circulo

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Radio del circulo

VII. ESTABILIDAD DE ROLLET

La estabilidad de Rollet es análoga a estabilidad de Sturn en parámetros Y. Se expresa así:

Si K>1 el transistor es estable, de lo contrario es inestable.

VIII. INESTABLES

Los transistores que sean inestables por el método de Rollet, hay formas de estabilizarlo
haciendo una combinación de los coeficientes de carga y de fuente.
Un método es calcular las impedancias de fuente y carga que podrían causar inestabilidad
con el transistor con los parámetros de diseño.
Los círculos de inestabilidad se pueden diagramar en la carta de Smith, de igual forma que
los círculos de ganancias arbitrarias, y se siguen los siguientes pasos:

A. Círculo de inestabilidad de entrada

los círculos de inestabilidad que se pueden diagramar en la carta de Smith de centro en Rg
y radio en Pg, con las expresiones.

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B. Círculo de inestabilidad de salida

Los círculos de inestabilidad de salida tienen centro en R L y radio en P L, con las
expresiones.

IX. EJEMPLOS

1. Hallar la reflexión para el circuito mostrado

Solución: normalizando la impedancia de carga

2. Verificar si el transistor MA42120, que se utiliza para diseñar un amplificador en

una frecuencia de 500 MHz, Con Ic=1.5mA y VCE=10V, es estable Solución: De
las hojas de datos del transistor MA42120, con las especificaciones requeridas se
obtuvo:

La estabilidad se calcula con el criterio de ROLLETT: con K > 1, para que el transistor sea
estable. Se calculan los valores intermedios:

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BIBLIOGRAFÍA

• Guillermo González, Microwave Transistor Amplifiers, Analysis and Design, 2nd. Ed.,
Prentice Hall, New Jersey; ISBN 0-130254335-4
• David M. Pozar, Microwave Engineering, Third Edition, John Wiley & Sons Inc.;
ISBN 0-471-44878
• «S-Parameter Design», Agilent Application Note AN 154, Agilent Technologies

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