Universidad nacional del altiplano-puno

Ingeniería electrónica

Parámetros de transistor en RF parámetros Z y Y

presentado por:
Gomez Quispe Luis Alberto Código: 174900
Mamani Flores Cristhian Rosendo Código: 160211
Andrey Yanarico Apaza Código: 062108
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Materiales de los transistores de Rf
 Son llamados Amplificadores de bajo ruido (LNA).
 Existen dos métodos de fabricación empleados en el espacio de RF: 1)Transistores de juntura bipolar (BJT) y Transistores por efecto de
campo (FET).
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

 Transistores usados en el diseño de RF

Se emplean variedad de transistores, entre los que se incluyen: Los MOSFET, de Arsenurio de
galio (GaAs), FET con material metal-semiconductor (MESFET), transistores hetero juntura
bipolar GaAs/InGaP (HBT), nitrito de galio (GaN), transistores de alta movilidad electrónica
(HEMT), y FETs de Silicio carburado (SiC).
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Parametros de impedancia.
 Los parámetros de impedancia y de admitancia se emplean comúnmente en las síntesis de
filtros.
 Son útiles en el diseño y en el análisis de redes de acoplamiento y de impedancia, así como
para las redes de distribución de potencia.
Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Impedancia z
 Los parámetros Z dan las tensiones del circuito en función de las corrientes.
Cada parámetro se obtiene midiendo la tensión en un puerto dejando todos los
demás menos uno en circuito abierto (corriente 0). En la conexión de circuitos en
serie, los parámetros Z se suman.
 Al analizar el circuito se obtiene la siguiente equivalencia matricial
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Parámetros de impedancia Z
Los parámetros de impedancia son llamados parámetros Z, para poder
evaluarlos podemos fijar los puertos de entrada o de salida a cero como
I1=0, I2=0. Estos parámetros se conocen como parámetros de impedancia
en circuito abierto
y se evalúan de la siguiente manera: 
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Curiosidades de parámetros z
 Algunas veces Z11 y Z22 se denominan impedancias en el punto de alimentación, en tanto
que Z12 yZ21 se llaman impedancias de transferencia.
 Cuando Z11 = Z22 se dice que la red es simétrica
 Caudno la red de los puertos es lineal y no tiene fuentes dependientes, las impedancias de
transferencia son iguales (Z12=Z21), y se dice que los dos puertos son reciprocos.
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Parámetros de admitancia Y

 Los términos Y se les conoce como parámetros de admitancia y sus

unidades son los siemens.
 Los valores de los parámetros pueden determinarse dejando V1=0 (puerto
de entrada en corto circuito), o V2=0(puerto de salida en corto circuito).
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
 Parámetros de admitancia (Y) Sean V1 y V2 las variables independientes, e I1 e I2 las dependientes.
Luego, el cuadripolo quedara caracterizado como

Las cuatro constantes Yij (i,j = 1,2) están definidas como:

Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Luego, Y11 puede calcularse (o medirse) cortocircuitando los bornes 2-2' y conectando una
fuente de tensión de 1 V y midiendo, o calculando I 2. Planteos similares valen para los otros
parámetros. Los Yij se obtienen con los bornes 1-1 o 2-1' cortocircuitados, por lo que se
denominan parámetros admitancia en cortocircuito. En caso de trabajar en CC hablaremos de
conductancias.
• Y11, Y22 son las admitancias de entrada vistas desde 1-1' o 2-2’,
• Y12, Y21 son las admitancias de transferencia.
En notación matricial será:
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

Parámetros Y

 Para una red dos puertos que es lineal y sin fuentes dependientes, las admitancias de
transferencia son iguales (y12=y21).
 Esto se prueba de la misma manerda que en el caso de parámetros Z.
 Si la red no es reciproca, se respeta la red general.
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
A partir de estas ecuaciones podemos sintetizar un modelo de cuadripolo como el de la Figura.

En resumen, cualquier cuadripolo lineal a parámetros concentrados sin fuentes independientes

puede describirse unívocamente mediante dos ecuaciones en función de las tensiones y
corrientes de entrada. Se deduce entonces que, al menos en lo referente al comportamiento en
bornes, el cuadripolo puede caracterizarse unívocamente por su matriz de admitancia en
cortocircuito.
 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y
Ejercicio Hallar la relación entre los parámetros Z y los Y.
Esta relación es particularmente importante puesto que se intercambian los roles de las variables
independientes y las variables dependientes. Las ecuaciones y se resuelven por Cramer para I 1 e I2:

Estas ecuaciones están en forma de parámetros Z, por lo que:

 Parámetros del transistor en RF parámetros Z y Y

En general, visto que los Zij son los elementos de la matriz inversa Y^-1 será:

Cualquier juego de parámetros puede definirse en función de cualquiera de los otros, pero para algunas
redes, una o más de las matrices puede no existir, tal como ocurre con los parámetros Z o Y para el modelo
simplificado del transistor.
GRACIAS