1er CURSO I. T.
TELECOMUNICACIÓN – CURSO 2009-2010
TECNOLOGÍA Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS Y FOTÓNICOS - EL DIODO DE UNIÓN PN
Libro “El diodo PN de unión”:
- Problemas resueltos: Apéndice A: 2.1, 2.2, 2.3, 3.2, 4.1.a, 5.1.a
- Problema con solución: B.1,
- Problemas propuestos de final de Capítulo: 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7,
3.3 (a,b,c,d-i, d-iii, e-i, e-iii, g), 3.5, 3.6, 4.1, 5.1,
1) Las resistividades de los dos lados de una unión abrupta de Silicio a temperatura
ambiente son de 5 Ωcm en el lado N y de 2,5 Ωcm en el lado P. Calcular la altura de
la barrera de potencial Vbi.
2) Representa la densidad de carga, ρ(x), el campo eléctrico, E(x), y el potencial
V(x), en una unión N+P en equilibrio para dos densidades de impurezas aceptadoras
NA1>NA2.
3) Representa la densidad de carga, ρ(x), el campo eléctrico, E(x), y el potencial
V(x), en una unión NP+ polarizada inversamente, para ND1>ND2>ND3.
4) Considerar dos uniones P+N en las que el dopado de la región tipo N es
ND1 > ND2. Suponer τp1 = τp2. Para la misma polarización inversa en las dos uniones:
a) Representar gráficamente el campo eléctrico.
b) Representar gráficamente las densidades de portadores minoritarios.
c) Representar las corrientes de electrones y huecos.
d) ¿En cuál de las dos uniones la capacidad de transición será mayor?
Indicar en las gráficas los detalles que se consideren importantes.
5) Considerar una unión PN+ (NA << ND) a temperatura ambiente que se quiere
polarizar en directa con voltajes VA y VB, siendo VB>VA>0.
a) Representar gráficamente:
(i) las densidades de portadores minoritarios
(ii) y las corrientes de electrones y huecos
para las dos tensiones de polarización VA y VB, indicando claramente en las
gráficas las diferencias entre ambas.
b) Se aplica un pulso de voltaje que hace pasar a la unión bruscamente de
polarización directa a inversa. Según que el voltaje de polarización en
directa antes del pulso sea VA o VB, ¿en cuál de estos dos casos será mayor
el tiempo de recuperación en inversa (trr) de la unión?
6) Considerar una unión P+N a temperatura ambiente a la que se aplican dos
tensiones que la polarizan en inversa, VA,VB < 0, siendo |VB| > |VA| >> (kT/q)
a) Representar gráficamente en función de la distancia a la unión
(i) las densidades de portadores minoritarios
(ii) y las corrientes de electrones y huecos
para las dos tensiones de polarización VA y VB.
b) Razonar brevemente para cuál de las tensiones de polarización será
mayor la capacidad de la zona de vaciamiento.
7) Considerar dos uniones PN de silicio a temperatura ambiente. En ambas, el
dopado de la zona N y de la zona P son iguales: NA1=ND1= N1, y NA2=ND2=N2.
Suponer N1<N2 y que el tiempo de vida media de los electrones en el lado P es
mucho mayor que el de los huecos en el lado N en ambas uniones, τn >> τp. Para
la misma polarización directa en las dos uniones:
a) Representar gráficamente el campo eléctrico, comparando con la
situación en equilibrio.
b) Representar gráficamente las densidades de portadores minoritarios.
c) Suponiendo que en ambas uniones la ruptura se produzca por avalancha,
razonar muy brevemente en cuál de las dos la tensión de ruptura será
mayor.
Indicar en las gráficas todos los detalles que se consideren importantes.
8) Suponer una unión P+N a temperatura ambiente. Si ND aumenta, ¿cómo se
modifican los siguientes parámetros?
τp E(0) CJ W VBR
9) Considerar dos diodos de unión N+P de silicio a temperatura ambiente, cuya
única diferencia es el dopado de la zona P:
D1, NA = 1014 cm-3 D2, NA = 1015 cm-3
a) Representar esquemáticamente las densidades de carga y el campo eléctrico
en equilibrio. Especificar todos los detalles de las gráficas que se consideren
importantes.
b) Al aplicar a los dos diodos la misma polarización directa, ¿en cuál de ellos
será mayor la corriente de electrones? Razonar muy brevemente la
respuesta.
10) Se tienen 2 uniones PN de silicio a temperatura ambiente. Los tiempos de vida
media de los portadores minoritarios son iguales para ambas uniones. En cuanto a
los dopados:
diodo 1: NA1 = ND1 = 1016 cm-3
diodo 2: NA2 = ND2 = 1015 cm-3
a) Representar para ambos el campo eléctrico en equilibrio en función de la
distancia a la unión.
b) Si ambos se polarizan en directa con idéntico voltaje VA,
(i) ¿cuál de los dos tiene mayor corriente?
(ii) ¿cuál tendrá mayor capacidad de difusión?
c) Si tuviéramos un diodo de arseniuro de galio con igual dopado que el
diodo 1, ¿cuál de los dos tendría mejor comportamiento rectificador a
temperaturas elevadas?
11) Suponer un diodo PN de silicio en el que ND = 5NA a temperatura ambiente.
a) Cuando se encuentra polarizado en directa, representar las densidades de
portadores minoritarios en ambos lados de la unión, destacando los detalles
que se consideren importantes.
b) Si aumenta la temperatura, ¿cómo se modifican los siguientes
parámetros?
(i) Potencial de contacto
(ii) Corriente inversa de saturación
12) Sea un diodo PN de Silicio con dopados NA = 2ND. Se encuentra en equilibrio
térmico a temperatura ambiente. Representar:
a) densidad de carga en función de la posición x.
b) campo eléctrico E(x).
c) potencial electrostático V(x).
d) si se polariza en directa el diodo, las densidades de portadores
minoritarios en ambos lados de la unión en función de la distancia a la
misma.
Especificar claramente los puntos representativos de cada diagrama.
13) Considerar una unión PN+(NA << ND) a temperatura ambiente, con un
tiempo de vida media de los electrones τn.
a) Representar (cualitativamente) las densidades de corriente de
electrones y huecos en función de la distancia a la unión, cuando ésta
se halla polarizada en directa. Si se hiciera τn más pequeña,
representar las nuevas densidades de corriente.
b) Si se aumenta el dopado del lado P, ¿cómo varían los siguientes
parámetros?
(i) voltaje de ruptura VBR (suponer ruptura por avalancha)
(ii) capacidad de la zona de vaciamiento CJ
(iii) resistencia en directa en pequeña señal rD
c) Si la temperatura aumentase, ¿qué le ocurre al campo eléctrico en
equilibrio en la unión E(0)?
14) Suponer un diodo P+N (NA>>>ND) de silicio.
a) Si la unión se encuentra en polarización directa a temperatura ambiente,
representar gráficamente las densidades de corriente de electrones y
huecos Jn,p(x) en función de la distancia a la unión.
b) Si se aumenta la temperatura, razonar la variación del potencial de
contacto Vbi y de la anchura de la zona de carga espacial en equilibrio W.
c) El diodo se ilumina uniformemente con luz de intensidad constante y,
después de un tiempo suficientemente largo para alcanzar el estado
estacionario, se le aplica polarización inversa. La corriente que circulará
en estas condiciones, ¿será mayor, menor o igual que la corriente inversa
de saturación en condiciones normales (obscuridad)?
15) Suponer un diodo de unión en el E (x)
que el campo eléctrico en equilibrio a -xp0 xn0
temperatura ambiente tiene la forma x
representada en la figura, donde
xp0 = xn0.
a) Representar xp0 = xn0
esquemáticamente su E0
 diagrama de bandas en equilibrio.
b) Si se polariza en directa este diodo, representar cualitativamente las
densidades de corriente de electrones y huecos Jn(x) y Jp(x) en función de la
distancia a la unión en ambos lados de la misma.
c) Considerar el diodo en polarización inversa. Si se aumenta la temperatura,
la capacidad de vaciamiento ¿aumenta, disminuye o no varía?
b) Si se polariza en directa este diodo, representar cualitativamente las
densidades de portadores minoritarios pn(x) y np(x) en función de la
distancia a la unión en ambos lados de la misma.
c) Considerar el diodo en polarización inversa. Si se aumenta la
temperatura, la capacidad de vaciamiento ¿aumenta, disminuye o no
varía?

16) El campo eléctrico de un diodo de unión PN a temperatura ambiente en 19) En la figura adjunta se
equilibrio se representa en la figura. Las longitudes de difusión de los portadores representan las concentraciones
minoritarios son iguales en ambos E de portadores dentro de una nn0 = 1015 cm-3
-xp xn = 10xp pp0 = 1014 cm-3
lados de la unión. unión PN de Silicio a
a) Para este diodo en temperatura ambiente.
polarización inversa V1 < 0, a) Razonar si el diodo está ZCE
representar las polarizado en directa o
concentraciones de electrones en inversa y calcular el
y huecos, np(x) y pn(x). -E0 voltaje aplicado. 0.2 µm 0.2 µm
b) Si aumenta la temperatura, b) ¿Se cumplen las
razonar cómo se modifica: np0
condiciones de pn0
(i) el valor del campo eléctrico en la unión en equilibrio, E0. inyección débil en las 0 -3
np(x) 10 cm pn(x)
(ii) la corriente inversa de generación térmica IO. zonas neutras? -1 -3
10 cm
c) Representar de forma -xp xn
17) En una práctica de laboratorio, por error se confundieron dos diodos, D1 y D2. esquemática el campo
Los dos eran diodos P+N con todos los parámetros iguales, excepto el dopado del eléctrico que presenta esta unión PN en equilibrio.
lado N, que llamaremos ND1 y ND2, respectivamente. Para identificar D1 y D2, se d) Calcular las corrientes de difusión de portadores minoritarios en los
decidió medir la capacidad de la unión en inversa, CJ, y obtuvieron que CJ1 > CJ2. bordes de la zona de carga espacial y la corriente total que circula por el
a) ¿Cuál de los dos diodos tendrá mayor potencial de contacto Vbi en diodo.
equilibrio? Datos: µn = 1360 cm2/Vs; µp = 460 cm2/Vs. El dibujo no está a escala.
Considerar que np y pn varían linealmente con x cerca de la zona de carga
b) ¿En cuál de los dos el voltaje de ruptura VBR será mayor? espacial.
c) Si, para identificar los diodos, se hubiera decidido polarizar ambos en
directa con el mismo voltaje y medir la corriente resultante, ¿en cuál de 20) Se tienen 2 uniones P+N de silicio a temperatura ambiente, el diodo D1 con
ellos sería mayor? un dopado ND1 = 1016 cm-3, y el diodo D2 con ND2 = 5·1016 cm-3. Ambos diodos
tienen tiempos de vida media de los portadores minoritarios iguales.
a) Representar para ambos el campo eléctrico en equilibrio en función de la
18) Suponer un diodo de unión en el que el E (x) distancia a la unión.
-xp0 xn0
campo eléctrico en equilibrio a Si los dos se polarizan en directa con idéntico voltaje VA:
temperatura ambiente tiene la forma x b) ¿En cuál de los dos la corriente será mayor?
representada en la figura, donde xp0 = 2·xn0. c) ¿cuál tendrá mayor capacidad de difusión?
a) Representar esquemáticamente su xp0 = 2·xn0
diagrama de bandas en equilibrio. -E 0
21) Se tiene un diodo DA de silicio PN+. Para dos voltajes de polarización en directa 23) Como se puede observar, el diodo
V1 > V2 > 0: de la figura (Silicio, 300K) se P
10
10 pn0 N
a) Representar el campo eléctrico E(x). Incluir también la gráfica para la unión encuentra en polarización directa. Para
en equilibrio. el mismo diodo sin polarizar, se sabe
b) Representar la densidad de portadores minoritarios en la unión. que la capacidad de la zona de 10
10 np0
pn(x)
c) Comparar la capacidad de difusión CD. vaciamiento es CJ(0V)=10pF y el
Repetir el apartado (b) para un diodo DB con todos los parámetros iguales al DA, campo eléctrico en la unión es np(x)
pn0= 2·np0
salvo la densidad de centros profundos, lo que hace que en DB el tiempo de vida |E(0)|=1,2·104 V/cm. Área del diodo:
2
media de los portadores minoritarios sea mayor que en DA. 0,1 mm . np0 x (µm)
a) Calcular el voltaje aplicado VA.
b) Representar las densidades de corriente de electrones y huecos en función
de la distancia a la unión para esta polarización VA.
22) En la figura se c) Calcular el dopado en ambos lados de la unión.
Lado P Lado N
representa la distribución de 14 -3 d) Representar el campo eléctrico y el potencial eléctrico en equilibrio en
13 -3 pn(xn)=10 cm
portadores minoritarios en np(-xp)=10 cm
ZCE función de la distancia a la unión.
las regiones neutras de una e) Si se aumenta el voltaje en directa con respecto a VA, ¿la resistencia en
unión PN polarizada en pn(x)
directa del diodo sería mayor o menor?
directa. Para este diodo, np(x)
Wp - xp = 4 µm, 24) En la figura se representa la concentración de portadores en el
pn0
Wn- xn = 3µm, np0 lado N de dos diodos P+N bajo diferentes
polarizaciones a temperatura ambiente. Se ha pn(x)
Dn = 25 cm2/s y 10
13 -3
(cm ) N
Dp = 10 cm2/s. El área de la -Wp -xp xn Wn medido la conductividad de la zona N, que es
unión es de 10 µm . 2 igual en ambos diodos, y se ha obtenido 10
12

a) Calcular la corriente de huecos inyectada en la zona N del diodo. σ = 2.18 Ω-1·cm-1. También el área de los dos
b) Calcular la corriente de electrones inyectada en la zona P del diodo y dar una diodos es igual. D1 D2
expresión de la característica I(V) de este diodo. a) Calcular el voltaje aplicado a cada diodo,
c) Calcular la capacidad de difusión asociada con el almacenamiento de portadores VA(D1) y VA(D2). pn0
en el lado N del diodo. x (µm)
b) ¿En cuál de los dos será mayor la
d) Calcular la capacidad de difusión asociada con el almacenamiento de portadores xn
corriente I para los voltajes que aparecen
en el lado P del diodo.
en la figura?
e) ¿Cuánto debería ser aumentar el voltaje en la unión si se desea doblar la corriente
a través del diodo? c) Comparar los tiempos de vida media de los huecos en la zona N
f) ¿Cuál es la relación de dopados en la unión, NA/ND? en los dos diodos.
d) Representar gráficamente el campo eléctrico en función de la
distancia a la unión para los dos diodos, tanto en equilibrio
como para el voltaje indicado. Hacer la representación de forma
cualitativa.
e) Representar gráficamente las densidades de corriente de
electrones y huecos en función de la distancia a la unión para
los dos diodos.
25) Dos diodos P+N de silicio son físicamente idénticos, excepto el dopado y el
tiempo de vida media del lado N.
Diodo D1
a) ¿Cuál tendrá mayor potencial de contacto
Vbi? N
+
b) ¿Cuál tendrá mayor corriente inversa de P 14
ND1 = 10 cm
-3

saturación IO? τ1 = 3 µs
c) Si ambos están polarizados en directa con el
mismo voltaje, representar cualitativamente Diodo D2
las densidades de portadores minoritarios, N
mostrando muy claramente las diferencias. +
P 14 -3
d) ¿Cuál tendrá mayor capacidad de ND2 = 4·10 cm
vaciamiento CJ? τ2 = 1 µs
e) ¿Cuál tendrá mayor voltaje de ruptura VBR?

26) En la figura se muestra el campo eléctrico de dos diodos P+N de silicio a

temperatura ambiente en equilibrio, cuyo
área es de 0.1 mm2. El tiempo de vida E
xn1 = 1.05µm
media de los portadores minoritarios es el
mismo para ambos.
a) Calcular el potencial de contacto
-E01=-1.62·104 V/cm
para cada diodo y representar el
voltaje V(x).
b) ¿Cuál tendrá mayor corriente en
E
inversa? xn2 = 0.62µm
c) Si ambos se polarizan en directa con
el mismo voltaje, dibujar las
distribuciones de portadores
minoritarios indicando valores
numéricos en las gráficas siempre -E02=-2.87·104 V/cm
que sea posible.
d) A partir de las gráficas, razonar cuál tendrá mayor voltaje de ruptura.
e) Razonar cuál de los dos tendrá mayor resistencia en directa.
f) Cuando se encuentran en régimen de conmutación ¿en cuál será mayor el
tiempo de almacenamiento?