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Vin=60 v ± 10 %
Vout=170 v
Pot =1kW
Fre=200 kHz
I =¿ 3.03 A
V O +V D
D MAX=
V ¿(MIN ) +V O +V D
170+0.5
D MAX= =0.739
60+170+ 0.5
V O +V D
D MIN=
V ¿(MAX ) +V O +V D
170+0.5
D MAX= =0.720
66+170+ 0.5
PASO (CALCULAR VALOR INDUCTOR)
I O∗V O
∆ I L= ∗40 %
V ¿ ( MIN )
A∗170
∆ I L =3.03 ∗40 %=3.43 A
60
y la inductancia para L1 y L2 es:
V ¿( MIN)
L 1=L2=L= ∗Dmax
∆ I L∗f
60
L 1=L2=L= ∗0.720=5.7 µH
3.43∗220 Khz
El valor estándar más cercano de un inductor estándar es de 6.8 µH. La corriente máxima
del inductor de entrada es:
I 0∗V 0 +V D 40 %
I L 1(PICO)= ∗(1+ )
V ¿(MIN ) 2
3.03∗170+ 0.5 40 %
I L 1(PICO)=
60
∗ 1+
2
=10.33 A ( )
La corriente máxima para L2 es:
40 %
I L 2(PICO)=I 0∗(1+ )
2
40 %
I L 2(PICO)=3.03∗ 1+ ( 2 )
=3.636 A
El voltaje de drenaje nominal para el MOSFET debe ser mayor que V ¿ +V O. ( R DS(ON )= 8 mΩ
y QGD= 10 nC) se selecciona en este diseño. La corriente de accionamiento de la puerta IG
del LM3478 es 0.3A. La pérdida de potencia estimada es:
A∗10 n∗220 K
PQ 1=10 2∗8 m∗0. 72+ ( 60+170 )∗13.96 =2.23 w
0.3
PASO (CALCULO DE DIODO DE SALIDA)
El voltaje inverso nominal del diodo debe ser mayor que V ¿ (60+60 ±10 % )+V O (170)y la
corriente promedio del diodo es igual a la corriente de salida a plena carga.
170+ 0.5
I CS(RMS)=3.03
√ 60
=5.10 A
Suponiendo que la ondulación (V OND ) pico a pico es del 10% del voltaje de salida de 3.3V,
la ESR del condensador de salida es:
V OND∗0.5
ESR ≤
I L1 ( PICO ) + I L2 ( PICO )
(0. 10∗60)∗0.5
¿ =2.1 mΩ
10.33+3.63
y el capacitor es:
I O∗D MAX
CO≥
V OND∗0.5∗f
3.03∗0. 720
¿ =3 pF
(0.0 10∗60)∗0.5∗22 0 K
PASO (SELLECIONAR EL CAPACITOR DE ENTRADA
∆ I L 3.43
I CIN (RMS )= = =6.86 A
√12 √ 12
Se selecciona un capacitor cerámico de 10 µF
LOS SIGUIENTES VALORES SE DEBEN HALLAR PARA EL ENCAPSULADO
USADO, PERO PARA UN CIRCUITO SIN ENCAPSULADO YA SE HALLARON
LOS VALORES NESESARIOS
Si R1 = 20 kΩ, entonces:
V REF 1.26
R 2= ∗R 1= ∗20 K=42 K Ω
V O−V REF 60−1.26
130 mV 130 mV
R SN = = =9.3 mΩ
I Q 1 (PICO) 13.96