Universidad Nacional “Pedro Ruiz Gallo”

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

ALUMNO:
CARHUATOCTO PEREZ IVIC ARIAN

CODIGO:
020161675K

CURSO:
ELECTRONICA INDUSTRIAL

TEMA:
TRABAJO DE INVESTIGACIÓN

DOCENTE:
CHAMBERGO LARREA CARLOS
 Universidad Nacional “Pedro Ruiz Gallo”
Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

El transistor bipolar fue el primer dispositivo
activo de estado sólido. Fue inventado en 1949
en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J.
Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio
Nobel en 1956). También se suele denominar
por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction
transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos
uniones y que tiene tres terminales (llamados
emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y
pnp.
Estos transistores cuentan con tres terminales,
emisor, base y colector. La zona central se
denomina base, y las laterales emisor y colector.
Estos pines se representan por la inicial del
nombre de la zona respectiva: E (emisor), B
(base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente
dopada, es la zona en cargada de “emitir” o
inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado
netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al
de las capas exteriores. Su misión es la de dejar
pasar la mayor parte posible de portadores
inyectados por el emisor hacia el colector.

-La zona de C (colector), es encargada de

Figura 1. Estructura y símbolo de un transistor
bipolar npn (izquierda) y pnp (derecha)
recoger o “colectar” los portadores inyectados
que han sido capaces de atravesar la base por
parte del emisor. Es la zona con un nivel de
dopado inferior de las tres.

¿Dónde se utilizan los transistores BJT?

Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones
en el campo de la electrónica, pero comúnmente
son utilizados como interruptores electrónicos,
amplificadores de señales o como conmutadores
de baja potencia. Como ejemplo se usan para
controlar motores, accionar reveladores y
producir sonidos en bocinas. Estos transistores
son muy comunes y de uso general los cueles
pueden encontrarse en cualquiera de los
aparatos de uso cotidiano como en radios,
alarmas, automóviles, ordenadores, etc. 

Estructura de los transistores BJT

Los transistores BJT están formados por dos
uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos
semiconductores.

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo

NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las
capas de material semiconductor que están El BJT como fuente de corriente
construidos. controlada por voltaje
En este apartado vamos a introducir el BJT
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos como una fuente de corriente controlada por
capas de material tipo “N” y separadas por una tensión. Supongamos una unión PN polarizada
capa tipo “P”. en inverso. Se puede considerar que es una
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos fuente de corriente casi ideal porque la
capas de material tipo “P” y separadas por una corriente que la atraviesa es independiente de
capa tipo “N”. la tensión entre sus extremos.
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Sin embargo, presenta un inconveniente: la
corriente es muy pequeña (IS) y está limitada
por la generación térmica de minoritarios en las
cercanías de la unión. Esta corriente podría, no
obstante, incrementarse generando minoritarios,
por ejemplo, mediante luz.
Además, con la intensidad de la luz podemos
controlar la intensidad de la fuente de corriente.
Sería bueno poder hacer esto eléctricamente.
Para ello, podríamos añadir una unión más al
sistema, puesto que en una unión P+N se
inyectan huecos desde la zona P+ en la zona N y
el número de huecos inyectados depende de la
tensión aplicada en esta unión. Por tanto, se
tiene entonces una fuente de corriente
controlada por tensión (que determina el
número de huecos inyectados en el
semiconductor N).
Figura 2. Una unión PN en inverso se comporta
como una fuente de corriente: la corriente no
depende de la tensión en inverso aplicada, sino
de lo rápido que se reponen los minoritarios que
caen por la barrera de potencial.
Figura 3. El incremento de la concentración de
minoritarios puede realizarse con luz (a) y
provoca el aumento de la corriente inversa (b).
Sería deseable contar con otro procedimiento de
inyección de minoritarios (c) que pudiésemos
controlar eléctricamente.
Las corrientes en el BJT
En un transistor bipolar pnp polarizado se
producen los siguientes flujos de portadores:
 1: huecos inyectados que se
recombinan sin llegar al colector.
 2: huecos inyectados en el colector.
 3: corriente inversa de saturación en la
unión PN de la base y el colector.
 4: electrones suministrados por el
contacto de base para recombinarse
con los huecos en la base.
 5: electrones inyectados en el emisor
debido a que el emisor y la base
forman una unión PN polarizada en
directo.
Figura 4. Polarización en activa de un BJT pnp
Figura 5. Flujo de portadores en un transistor
pnp polarizado en activa
En un buen transistor es deseable que se
verifiquen las siguientes condiciones:
 Casi todos los huecos aportados por el
emisor llegan al colector. Por tanto, se
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requiere que exista poca recombinación
en la base, lo cual se consigue haciendo
que la base sea estrecha (Wb << Lp).
Se define el factor de transporte:
(Por tanto, se busca que B sea aproximadamente
1).
 La corriente de emisor se debe casi
exclusivamente a los huecos
inyectados, no a los electrones
procedentes de la base (para ello, hay
que dopar el emisor mucho más que la
base). Se define la eficiencia de
emisor como:
(Por lo que, en un buen transistor, se debe
cumplir que γ sea aproximadamente igual a 1).
Calculemos ahora cuál es la relación existente
entre las corrientes de colector y emisor
(ganancia en base común):
En un buen transistor se cumple que αF es casi
1, puesto que el factor de transporte y la
eficiencia de emisor son próximos a 1.
Por otra parte, la relación entre las corrientes de
colector y base (ganancia en emisor común):
De donde también se deduce que:
Cuanto más próximo a 1 sea el valor de αF  V
mayor será la ganancia en corriente βF. Valores
típicos de βF son 200 para transistores de baja
potencia y 50 para transistores de potencia.
Modos de operación del BJT
Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, puede
operar según 4 modos diferentes, según estas
uniones estén en directa o en inversa. Estas
regiones de operación son:
Activa
Es el modo anteriormente analizado:
 Unión BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
 Unión BC en inverso
 
En esta región de operación se cumple que:
Se usa sobre todo en aplicaciones analógicas
(por ejemplo, como amplificador).
Corte
Las dos uniones están en inverso, por lo que no
hay inyección de portadores del emisor al
colector y todas las corrientes son prácticamente
nulas.
 
Saturación
En esta región de operación:
 Unión BE en directo: |VBE| @ 0.7 V
 Unión BC en directo: |VBE| @ 0.8 V
En estas condiciones existe inyección de
portadores desde el emisor, pero también desde
el colector y, por tanto, se verifica (como luego
comprobaremos con más detalle) que:
Además, se cumple que la diferencia de tensión
entre el emisor y el colector es baja (del orden
de 0.1-0.2 V). Por ejemplo, para un pnp:
Los modos de corte y saturación se emplean
sobre todo en aplicaciones digitales.
Activa inversa
Este modo de operación es parecido al de
la región activa, pero intercambiando los
papeles de colector y del emisor. Es decir:
 Unión BE en inverso
 Unión BC en directo: |VBC| @ 0.6
 
Normalmente el transistor no opera en
esta región. Recuérdese que el BJT no es
completamente simétrico y está
optimizado para trabajar en modo activo
normal (por ejemplo, el emisor se dopa
más que el colector).
Característica de transferencia IC-VCE
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Estas características de transferencia tienen la
forma mostrada en la siguiente figura:
 
VCE es casi plana (tiene una pequeña pendiente
debida al Efecto Early, que comentaremos
posteriormente).
Fijado el valor de VBB, al disminuir el valor
de VCB va cobrando importancia el otro
sumando de las ecuaciones de Ebers-Moll, y va
disminuyendo el valor de las corrientes de
emisor y de colector. Cuando  VCB es igual a
cero, estamos en la frontera entre las regiones
activa y saturación. Para valores inferiores, la
unión CB está en directo y la tensión VCB es
pequeña. Las regiones activa y saturación están
separadas en la gráfica IC-VCE por una curva de
tipo exponencial. En efecto:

Figura 6. Familia de curvas características ic-

vce con ib como parámetro.

Cada una de las curvas se corresponde con un

valor constante de la intensidad de base (IB) o,
lo que es lo mismo, de la tensión VBE. Para
entender por qué tiene esta forma la
característica   recordemos las
ecuaciones de Ebers-Moll:

En la región activa:

Como vemos, fijado el valor de VBB está fijado

también el valor de las corrientes que circulan,
que son independientes de la tensión en la otra
unión (VCB) y, por tanto, también de la
tensión VCE = VCB + VBE. Por eso, la curva IC-
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TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO

Los transistores más conocidos son los llamados
bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la
conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones, pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.  los proporcionan los fabricantes en las hojas de
Existen unos dispositivos que eliminan este
inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo
tipo de portador de cargas y, por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Combinación de portadores
 Puesto que hay una tensión positiva entre el
drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según
la configuración del mismo), aunque hay que
notar que también fluye una corriente
despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unión
canal – puerta, esta polarizado inversamente.
potencia disipada por el transistor es
especialmente crítico con la temperatura, de
modo que esta potencia decrece a medida que
aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalación de un radiador o
aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos
características de los distintos dispositivos.
Elementos o terminales
Un transistor de efecto campo (FET) típico está
formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud
por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas
conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una
conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

En el caso de un diodo polarizado en sentido

inverso, donde inicialmente los huecos fluyen
hacia la terminal negativa de la batería y los
electrones del material N, fluyen hacia el Figura 2. La figura muestra el croquis de un
terminal positivo de la misma. FET con canal N.
Lo anteriormente dicho se puede aplicar al
transistor FET, en donde, cuando se aumenta
VDS aumenta una región con empobrecimiento
de cargas libres.

Figura 3.  Símbolos gráficos para un FET de

canal N

Figura 1.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos
que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales.
También tendremos que conocer una serie de
valores máximos de tensiones, corrientes y
potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parámetro de la
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Figura 4. Símbolos gráficos para un FET de

canal P
Zonas de funcionamiento del transistor
de efecto de campo (FET)

ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el

transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un
parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es

donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por
VGS.

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador

es nula (ID=0).

Figura 5.

A diferencia del transistor BJT, los terminales

drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere
apreciablemente la característica V-I (se trata de
un dispositivo simétrico).

Comparativa de las gráficas de

funcionamiento (curva de entrada o
característica I-V y curva de salida) de
los diferentes tipos de transistores de
efecto de campo
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FAMILIA LÓGICA CMOS

El circuito mostrado en la Figura 2 representa
un INVERSOR CMOS y está formado por un
Los diseñadores de circuitos integrados transistor de canal tipo P (QP1) y otro de canal
solucionan los problemas que se plantean en la tipo N (QN1).
integración, esencialmente, con el uso de
transistores. Esto determina las tecnologías de
integración que, actualmente, existen y se deben
a dos tipos de transistores que toleran dicha
integración: los bipolares y los CMOS y sus
variantes.

A) Tecnología TTL: Lógica de Transistor a

Transistor. Esta tecnología, hace uso de
resistencias, diodos y transistores bipolares para
obtener funciones lógicas estándar.
B) Tecnología CMOS: Lógica MOS
Complementaria. Esta tecnología, hace uso
básicamente de transistores de efecto de campo
NMOS Y PMOS.

Puertas lógicas de la familia CMOS

A)INVERSORES CMOS. Un dispositivo Figura 2. Esquema del INVERSOR CMOS.

CMOS consiste en distintos dispositivos MOS
interconectados para formar funciones lógicas.
Los circuitos CMOS combinan transistores
PMOS y NMOS, cuyos símbolos más comunes
son los que se muestran en la Figura 1.
Figura 1. Símbolos más comunes de los
transistores PMOS y NMOS.
La circuitería del INVERSOR CMOS básico se
muestra en la Figura 2. El INVERSOR CMOS
tiene dos MOSFET en serie de modo que, el
dispositivo con canales P tiene su fuente
conectada a + VDD (un voltaje positivo) y el
dispositivo de canales N tiene su fuente
conectada a masa. Las compuertas de los dos
dispositivos se interconectan con una entrada
común. Los drenajes de los dos dispositivos se
interconectan con la salida común.
B)COMPUERTA NAND CMOS. Se pueden
construir otras funciones lógicas diferentes del
INVERSOR básico. La Figura 3 muestra una
compuerta NAND formada por la adición de un
MOSFET de canales P en paralelo y un
MOSFET de canales N en serie al INVERSOR
básico. Para analizar este circuito conviene
recordar que una entrada de 0 V enciende el P-
MOSPET y apaga el N-MOSFET
correspondientes, y viceversa para una entrada
+VDD. Cuando ambas entradas (A1 y B1) están
en nivel alto (+VDD), hacen que los transistores
QP1 y QP2 entren en corte y se encienden
ambos N-MOSFET (transistores QN1 y QN2),
con lo cual ofrece una baja resistencia de la
terminal de salida a tierra (la salida pasa a bajo
(0) a través de QN1 y QN2).
En todas las otras condiciones de entrada, de
cuando menos un P-MOSFET estará encendido
en tanto que al menos un N-MOSFET estará
apagado. Esto produce una salida ALTA (a
través de QP1 y QP2). Las entradas no usadas
de una compuerta CMOS no se pueden dejar
abiertas, porque la salida resulta ambigua.
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Cuando sobra alguna entrada de una compuerta
CMOS se debe conectar a otra entrada o a uno
de los dos terminales de alimentación. Esto
también es válido para circuitos secuenciales y
demás circuitos CMOS, como, por ejemplo,
contadores, Flip-Flops, etc.
D) COMPUERTAS AND Y OR. Las
compuertas AND y OR CMOS se pueden
formar combinando compuertas NAND y NOR
con inversores.
PD aumenta con la frecuencia
En la siguiente gráfica, Figura 5, podemos
observar como la disipación de potencia en
función de la frecuencia de una compuerta TTL
es constante dentro del rango de operación. En
cambio, en la compuerta CMOS depende de la
frecuencia.

Figura 3. Esquema de la compuerta NAND

CMOS

C)COMPUERTA NOR CMOS. Una

compuerta NOR CMOS se forma agregando un
Figura 5. Curva de potencia en función de la
P-MOSFET en serie y un N-MOSFET en
paralelo al inversor básico (Figura 4). frecuencia

Una vez más este circuito se puede analizar

entendiendo que un estado BAJO en cualquier
entrada enciende P-MOSFET (QP1 y QP2
entran a conducción) y apaga el N-MOSFET
(QN1 y QN2 entran a corte) correspondiente. La
salida pasa a alto (1) a través de QP1 y QP2.

Las entradas en un estado ALTO, hacen que los

transistores QP1 y QP2 entren en corte y ambos
transistores QN1 y QN2 en conducción (la
salida pasa a bajo (0) a través de QN1 y QN2).

En las parejas de transistores ya sean de canal n

ó de canal p, si cualquier entrada es baja, uno de
los transistores entra a corte y otro a
conducción. La salida pasa a bajo (0) Figura 6. Curva característica
acoplándose a través de transistores en
conducción a tierra.

Figura 4. Esquema de la compuerta NOR

CMOS.