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Juan Sebastian Callejas Ochoa Cc.

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¿Cuáles son las aplicaciones en las que es más apropiado usar los diferentes tipos de
dispositivos discretos (BJT, FET, IGBT, Tiristor)?

Un dispositivo electrónico discreto es un componente físico que esta encapsulado uno a uno, es
decir, sus características eléctricas son singulares y propias de cada dispositivo discreto, estos
permiten formar circuitos electrónicos que, al ser energizados, con voltaje o corriente, destacan
sus características al circular energía por sus terminales dándole sentido práctico, al diseño del
circuito teórico y realizar una determinada función.

Un ejemplo de estos componentes discretos es el “transistor” que es un dispositivo electrónico


semiconductor utilizado para entregar una señal de salida como respuesta a una señal de entrada,
usando una fuente de alimentación de DC; esta singularidad les permite ser implementados en los
circuitos como elementos amplificadores, osciladores, conmutadores o rectificadores, siendo
útiles en radios, televisores, computadoras, circuitos integrados, celulares etc. Debido a su amplia
gama de aplicaciones el transistor se ha desarrollado para adecuarse a las necesidades de cada
circuito, cumpliendo con la función de diseño inicial, por lo que hasta el momento existen
diferentes tipos de transistores, entre estos el BJT, FET, IGBT Y Tiristor. No es parte de este
documento realizar una descripción detallada de cada uno, pero se intenta por medio de sus
características de funcionamiento mas relevantes, identificar para que tipo de aplicaciones utilizar
alguno de estos es más conveniente en cuanto a la función del circuito.

El transistor por lo general consiste de una unión de materiales semiconductores con tres
terminales llamados base, colector y emisor, aunque en algún tipo u otro se nombren diferentes
los terminales, la participación de cada terminal en los diferentes tipos es homologa ; por ejemplo,
el BJT (transistor de unión bipolar) solo permitirá el paso de corriente siempre y cuando entre
base y emisor exista una diferencia de potencial de 0.7 V, cuando esto ocurre el BJT tiene la
capacidad de amplificar la corriente que circula entre el colector y el emisor, el FET (transistor de
efecto campo) donde se diferencia del BJT en el voltaje aplicado a la base y la fuente que controla
la corriente entre colector y emisor, el transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) posee
las características de las señales de puerta (base) de los FET con capacidad de alta corriente y el bajo
voltaje de saturación del BJT, adicionado con una puerta aislada, el Tiristor es un conjunto de
componentes electrónicos que utiliza realimentación interna para producir una conmutación.

A partir de las características de cada tipo de transistor su implementación en circuitos eléctricos y


electrónicos está sujeto a sus limitantes físicas, en especial la potencia disipada al ser energizados.
Por lo tanto, al momento de utilizarse alguno de estos se debe tener cuidado con la temperatura
máxima que puede soportar el dispositivo para no destruirlo.

Para concluir con base en lo anterior escoger cual tipo de transistor es más conveniente para una
determinada aplicación, luego de estimarse la potencia de operación, y las necesidades a cumplir
del circuito a implementarse; son las características singulares de cada transistor y la capacidad de
potencia que puede disipar las variables determinantes a escoger el dispositivo a usarse en el
montaje, por ejemplo, usar el BJT como interruptor en aplicaciones de baja potencia, o como
amplificador de señales baja potencia en sistemas de control; el FET debido a su gran impedancia
de entrada y baja impedancia de salida es útil en amplificadores de audio y para conmutar señales
analógicas de sistemas multiplexados; el IGBT es útil en aplicaciones de electrónica de potencia
como variadores de frecuencia, sistemas de arranque de maquinas eléctricas y sistemas de
alimentación interrumpidas como en el caso de las bobinas de encendido en un motor de
combustión interna, por último los tiristores son útiles en circuitos donde hay voltajes y corrientes
elevadas.

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