Diodos Potencia Rectificadores

ELECTRÓNICA DE POTENCIA I
ING. JESUS HERNAY

2019
A mis padres, mi esposa Julia del Valle y a mis hijos
Ana Julia y Jesús David
i
Contenido
Prólogo................................................................................................................................................................ x
CAPÍTULO 1 ...................................................................................................................................................... 1
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA ..................................................................... 1
1.1 INTRODUCCIÓN .................................................................................................................................. 1
1.2 ELECTRÓNICA DE POTENCIA ....................................................................................................... 2
1.3 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA ................................................................... 2
1.4 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA........................................................... 4
1.5 EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA ..................................................................................... 7
1.6 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA....................................................... 8
1.7 EFECTOS PERIFÉRICOS ................................................................................................................ 12
RESUMEN ................................................................................................................................................... 13
PREGUNTAS .............................................................................................................................................. 14
REFERENCIAS .......................................................................................................................................... 14
CAPÍTULO 2 ................................................................................................................................................... 15
FÍSICA BÁSICA DE SEMICONDUCTORES .......................................................................................... 15
2.1 INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................... 15
2.2 PROCESOS DE CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES ................................................. 16
2.2.1 Metales, Aislantes y Semiconductores ......................................................................... 16
2.2.2 Electrones y Huecos ............................................................................................................... 16
2.2.3 Semiconductores Dopados ................................................................................................ 17
2.2.4 Recombinación........................................................................................................................ 19
2.2.5 Arrastre y Difusión ................................................................................................................. 20
ii
2.3 UNIONES PN ...................................................................................................................................... 20
2.3.1 Barrera de Potencial en Equilibrio Térmico ............................................................... 21
2.3.2 Polarización Directa e Inversa........................................................................................... 22
2.4 RUPTURA DE AVALANCHA......................................................................................................... 25
RESUMEN ................................................................................................................................................... 26
PREGUNTAS .............................................................................................................................................. 26
REFERENCIAS .......................................................................................................................................... 26
CAPÍTULO 3 ................................................................................................................................................... 27
DIODOS DE POTENCIA.............................................................................................................................. 27
CIRCUITOS RECTIFICADORES ............................................................................................................... 27
3.1 INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................... 27
3.2 DIODOS DE POTENCIA.................................................................................................................. 27
3.3 ESTRUCTURA BÁSICA ................................................................................................................... 29
3.4 CARACTERÍSTICAS I-V .................................................................................................................. 30
3.5 CONTROL DEL LÍMITE DE LA ZONA DE DEGRADACIÓN .............................................. 31
3.6 MODULACIÓN DE CONDUCTIVIDAD ...................................................................................... 34
3.7 CARACTERÍSTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE POTENCIA ....................................... 34
3.7.1 Transitorio de Encendido .................................................................................................... 35
3.7.2 Recuperación Directa ............................................................................................................ 37
3.7.3 Transitorio de Apagado........................................................................................................ 37
3.7.4 Recuperación Inversa ........................................................................................................... 38
3.8 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL DIODO DE POTENCIA ........................................ 40
3.8.1 Modelos Estáticos del Diodo .............................................................................................. 40
3.8.2 Diodo en Estado de Bloqueo .............................................................................................. 41
3.8.3 Diodo en Estado de Conducción ....................................................................................... 42
3.8.4 Pérdidas de Estado Activo................................................................................................... 44
3.9 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA............................................................................................. 46
3.9.1 Diodos de Propósito General ............................................................................................. 47
iii
3.9.2 Diodos de Recuperación Rápida ....................................................................................... 47
3.9.3 Diodos Schottky ....................................................................................................................... 48
3.10 GAMA, CARACTERÍSTICAS Y CÁPSULAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA ........... 49
3.11 ASOCIACIÓN DE SEMICONDUCTORES ................................................................................ 51
3.11.1 Diodos Conectados en Serie............................................................................................. 51
3.11.2 Diodos Conectados en Paralelo ...................................................................................... 55
3.12 RECTIFICADORES NO CONTROLADOS ............................................................................... 57
3.12.1 Parámetros de Rendimiento en Rectificadores....................................................... 58
3.12.2 Rectificador Monofásicos de Media Onda.................................................................. 61
3.12.2.1 Rectificador monofásico de media onda con carga resistiva .................... 62
3.12.2.2 Rectificador monofásico de media onda con carga RLE.............................. 64
3.12.3 Rectificador Monofásicos Onda Completa ................................................................. 67
3.12.3.1 Rectificador monofásico onda completa tipo puente con carga resistiva
................................................................................................................................................................ 70
3.12.3.2 Rectificador monofásico onda completa tipo puente con carga RLE .... 71
3.12.4 Rectificadores Trifásicos en Puente ............................................................................. 76
3.12.4.1 Rectificador trifásico tipo puente con carga resistiva .................................. 79
3.12.4.2 Rectificador trifásico tipo puente con carga RLE ........................................... 81
RESUMEN ................................................................................................................................................... 84
PREGUNTAS .............................................................................................................................................. 84
PROBLEMAS.............................................................................................................................................. 85
PRÁCTICA 1 ............................................................................................................................................... 87
CARACTERIZACIÓN DEL DIODO DE POTENCIA ....................................................................... 87
RECTIFICADOR MONOFÁSICO PUENTE ....................................................................................... 87
REFERENCIAS .......................................................................................................................................... 90
CAPITULO 4 ................................................................................................................................................... 91
TIRISTORES ................................................................................................................................................... 91
RECTIFICADORES CONTROLADOS ..................................................................................................... 91
iv
CONTROLADORES DE TENSIÓN ALTERNA ..................................................................................... 91
4.1 INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................... 91
4.2 GENERALIDADES ............................................................................................................................ 92
4.3 ESTRUCTURA BÁSICA ................................................................................................................... 93
4.4 CARACTERÍSTICAS I-V .................................................................................................................. 94
4.5 MODELO DEL TIRISTOR EMPLEANDO DOS TRANSISTORES ...................................... 96
4.6 ESTADO DE BLOQUEO DEL TIRISTOR ................................................................................... 98
4.6.1 Fenómenos Internos en Bloqueo Directo ..................................................................... 99
4.6.2 Fenómenos Internos en Bloqueo Inverso ................................................................. 100
4.6.3 Pérdidas Eléctricas .............................................................................................................. 101
4.7 ESTADO DE CONDUCCIÓN DEL TIRISTOR........................................................................ 103
4.7.1 Fenómenos Internos en Conducción ........................................................................... 103
4.7.2 Características Eléctricas. Parámetros de Intensidad......................................... 105
4.7.3 Pérdidas en Conducción .................................................................................................... 106
4.8 FORMAS DE DISPARO ................................................................................................................ 109
4.8.1 Disparo por Tensión Excesiva ........................................................................................ 110
4.8.2 Disparo por Derivada de Tensión ................................................................................ 110
4.8.3 Disparo por Impulso de Puerta ...................................................................................... 112
4.8.3.1 Características de puerta .......................................................................................... 114
4.9 TRANSITORIO DE ENCENDIDO Y LIMITACIONES DE DIF/DT ................................. 116
4.10 TRANSITORIOS DE APAGADO ............................................................................................ 120
4.11 TIEMPO DE APAGADO Y LIMITACIONES EN REAPLICAS DE DVF/DT................ 122
4.12 ENCAPSULADO ........................................................................................................................... 124
4.13 TIPOS DE TIRISTORES ............................................................................................................ 125
4.13.1 Tiristor Desactivado por Compuerta GTO .............................................................. 126
4.13.1.1 Estructura básica, símbolo y características i-v.......................................... 126
4.13.1.2 Encendido del GTO ................................................................................................... 128
4.13.1.3 Apagado del GTO ....................................................................................................... 129
4.13.1.4 Gama de características y cápsulas de los GTO ............................................ 131
v
4.13.2 Tiristor Controlado por Puerta Integrada IGCT ................................................... 131
4.13.3 Tiristor Bidireccional: Triac y Alternistor .............................................................. 132
4.13.3.1 Modos de conducción y de disparo del triac y alternistor ...................... 133
4.13.3.2 Gama de características y cápsulas de triac y alternistores .................. 136
4.13.3 Rectificador Controlado de Silicio Fotoactivado (LASCR) ............................... 137
4.14 CONEXIÓN SERIE DE TIRISTORES..................................................................................... 138
4.15 CONEXIÓN PARALELO DE TIRISTORES .......................................................................... 140
4.16 RECTIFICADORES CONTROLADOS.................................................................................... 141
4.16.1 Rectificador de Media Onda Controlado con Carga Resistiva ........................ 143
4.16.2 Rectificador de Media Onda Controlado con Carga RLE .................................. 145
4.16.3 Rectificador Monofásico Controlado de Onda Completa con Carga Resistiva
................................................................................................................................................................. 149
4.16.4 Rectificador Monofásico Controlado de Onda Completa con Carga RLE . 153
4.16.5 Rectificador Trifásico Controlado Completo ....................................................... 153
4.17 CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA ........................................................................... 165
4.17.1 Control de Encendido Apagado ................................................................................... 168
4.17.2 Controlador Monofásico Bidireccional con Carga Resistiva ........................... 170
4.17.3 Controlador Monofásico Bidireccional Con carga Inductiva .......................... 172
4.17.4 Controladores Trifásicos de Tensión Carga Resistiva Conectada en Estrella
................................................................................................................................................................. 178
4.17.5 Cicloconvertidores ............................................................................................................ 182
4.17.5.1 Cicloconvertidor monofásico .................................................................................. 182
4.17.5.2 Cicloconvertidor trifásico ....................................................................................... 186
RESUMEN ................................................................................................................................................ 189
PREGUNTAS ........................................................................................................................................... 190
PROBLEMAS........................................................................................................................................... 191
PRÁCTICA 2 ............................................................................................................................................ 194
CARACTERIZACIÓN DEL TIRISTOR SCR ................................................................................... 194
RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO DE MEDIA ONDA .................................. 194
vi
REGULADOR DE TENSIÓN ALTERNA MONOFÁSICO .......................................................... 194
REFERENCIAS ....................................................................................................................................... 197
CAPITULO 5 ................................................................................................................................................ 198

TRANSISTORES DE POTENCIA .......................................................................................................... 198
CONTROLADORES DE TENSIÓN CONTINUA ............................................................................... 198
INVERSORES .............................................................................................................................................. 198
5.1 INTRODUCCIÓN ............................................................................................................................ 198
5.2 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) ........................................................................... 198
5.2.1 Estructuras Verticales de Transistores de Potencia BJT..................................... 198
5.2.2 Características I-V del BJT ................................................................................................ 202
5.2.3 Física de Operación del BJT ............................................................................................. 203
5.2.4 Ruptura Secundaria del BJT ............................................................................................ 204
5.2.5 Cuasisaturación del BJT..................................................................................................... 206
5.2.6 Tensiones de Ruptura del BJT ........................................................................................ 207
5.2.7 Transistor BJT en Corte y en Saturación .................................................................... 208
5.2.8 Características en Estado Permanente del BJT ....................................................... 209
5.2.9 Características de Conmutación del BJT .................................................................... 213
5.2.10 Áreas de Operación Segura del BJT ........................................................................... 216
5.3 MOSFET DE POTENCIA.............................................................................................................. 217
5.3.1 Estructura Básica del MOSFET ....................................................................................... 218
5.3.2 Característica I-V del MOSFET ....................................................................................... 220
5.3.3 Física de Operación del MOSFET................................................................................... 222
5.3.4 Modelos de Circuitos MOSFET ....................................................................................... 224
5.3.5 Tensión de Ruptura del MOSFET .................................................................................. 227
5.3.6 Características Dinámicas del MOSFET ...................................................................... 227
5.3.6.1 Conmutación del MOSFET con carga resistiva ................................................ 228
5.3.7 Pérdidas por Conducción en Estado Activo del MOSFET ................................... 232
5.3.8 Área de Operación Segura (AOS) del MOSFET ........................................................ 233
vii
5.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA IGBT........................................... 234
5.4.1 Estructura Básica del IGBT .............................................................................................. 235
5.4.2 Características I-V del IGBT ............................................................................................ 236
5.4.3 Operación en Estado de Bloqueo del IGBT ............................................................... 238
5.4.4 Operación en Estado Activo del IGBT ......................................................................... 238
5.4.5 El Latchup en IGBT .............................................................................................................. 240
5.4.6 Características de Conmutación del IGBT ................................................................. 241
5.4.7 Límites de Dispositivos y AOS del IGBT ..................................................................... 243
5.5 CONVERTIDORES CD-CD .......................................................................................................... 245
5.5.1 Control de Convertidores de CD .................................................................................... 246
5.5.2 Principio de Operación Reductor .................................................................................. 246
5.5.2.1 Principio de operación reductor carga RL ........................................................ 249
5.5.3 Principio de Operación Elevador .................................................................................. 254
5.5.3.1 Principio de operación elevador carga resistiva ............................................ 255
5.5.4 Parámetros de Funcionamiento .................................................................................... 257
5.5.5 Reguladores de Modo de Conmutación ...................................................................... 257
5.5.5.1 Reguladores reductores ............................................................................................ 258
5.5.5.2 Reguladores elevadores ............................................................................................ 261
5.5.5.3 Reguladores reductores y elevadores................................................................. 263
5.5.5.4 Reguladores de Cúk .................................................................................................... 266
5.6 INVERSORES CD-CA .................................................................................................................... 269
5.6.1 Análisis Mediante Series de Fourier ............................................................................ 271
5.6.2 Parámetros de Rendimiento ........................................................................................... 272
5.6.3 Principio de Funcionamiento Inversor Monofásico Puente con Modulación
de Onda Cuadrada ........................................................................................................................... 273
5.6.4 Principio de Funcionamiento Inversor Monofásico Puente con PWM y VSI
................................................................................................................................................................. 277
5.6.4.1 Conmutación bipolar .................................................................................................. 277
5.6.4.2 Conmutación unipolar ............................................................................................... 278
viii
5.6.4.3 Definiciones y consideraciones relativas a la modulación PWM ............ 279
5.6.4.4 Armónicos en la modulación PWM ...................................................................... 281
5.6.5 Inversores Trifásicos .......................................................................................................... 285
5.6.5.1 Inversor de seis pasos ................................................................................................ 285
5.6.5.2 Inversor trifásico PWM ............................................................................................. 289
RESUMEN ................................................................................................................................................ 290
PREGUNTAS ........................................................................................................................................... 291
PROBLEMAS........................................................................................................................................... 292
PRÁCTICA 3 ............................................................................................................................................ 294
CARACTERIZACIÓN DE TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN............................................... 294
REGULADOR DE TENSIÓN CONTINUA REDUCTOR, ELEVADOR ................................... 294
INVERSOR MONOFÁSICO EN MEDIO PUENTE ....................................................................... 294
REFERENCIAS ....................................................................................................................................... 298
ix
Pró logo
La Electrónica de Potencia se centra en el estudio de los circuitos y técnicas que

permiten la manipulación de la energía eléctrica utilizando semiconductores. Esta
permite transformar la electricidad entre distintas frecuencias y tensiones de forma
segura, eficiente y rentable
Las conversiones energéticas básicas están condicionadas por la forma en la que se

presenta la energía: en continua o en alterna. Partiendo de una fuente primaria de
energía (red eléctrica, una batería, un sistema fotovoltaico, un generador eólico o
cualquier otra forma de energía eléctrica), la cual, nos presenta la energía eléctrica en
una determinada forma, se debe ser capaz de entregarla a una carga, de la forma más
eficiente posible, respetando los condicionantes y especificaciones que la fuente y la
carga nos imponga. Todo esto se puede realizar mediante una topología de potencia,
propiamente dicho un circuito electrónico, cuyo estudio es objeto de la Electrónica de
Potencia. En este circuito de potencia solo hay interruptores gobernados
(semiconductores), inductancias, transformadores y condensadores. La estructura de
conversión energética, se completa con un circuito de mando, que habitualmente
pertenece al campo de la Electrónica Analógica, de la Instrumentación Electrónica o
de la Electrónica Digital. Este actúa de la forma necesaria sobre la topología de
potencia para obtener las prestaciones deseadas.
En cuanto a sus aplicaciones no debemos pensar, que en la Electrónica de Potencia

todo es desmesurado y descomunal. Se puede decir que las necesidades de manejar
energía están en lo pequeño, en lo mediano, en lo grande y, por supuesto, en lo
descomunal. Realmente, la Electrónica de Potencia está presente en toda la tecnología
existente y estamos rodeados de tecnología. Sus usos pueden darse en pocos mW
para alimentar pequeños dispositivos como marcapasos o implantes electrónicos en el
cuerpo humano, en equipos domésticos (Iluminación, equipos de música, televisión,
video, electrodomésticos, …) con potencias del orden de la centena de vatios, en
aplicaciones industriales (cargadores de baterías, vehículos eléctricos, sistemas de
grúas, centrales telefónicas, motores,…) donde las potencias pueden alcanzar niveles
de kilovatios, y las grandes aplicaciones de la Electrónica de Potencia, la generación
y transporte de corriente continua en alta tensión (HVDC), donde ya se manejan
niveles de potencia de megavatios, con tensiones de miles de voltios y corrientes de
miles de amperios.
Este es un campo que está en continua evolución, nuevos dispositivos de prestaciones

cada vez mayores, hoy día están siendo el motor del desarrollo tecnológico en el
mundo de la energía eléctrica y la electrónica de potencia. En el pasado los ingenieros
x
dedicados a esta disciplina aprendían de las notas técnicas de las firmas pioneras
sobre desarrollo de componentes, de los catálogos de estos, de los manuales de
aplicación y de las escasas monografías que algunos fabricantes de componentes y de
equipos, y pocos centros de desarrollo, editaban. No fue sino hasta finales de los años
setenta y primeros de los ochentas, que los libros generales de la disciplina hoy
conocida como Electrónica de Potencia comenzaron a editarse.
El presente libro electrónico teórico-práctico, es una herramienta introductoria a la

electrónica de potencia, dirigida principalmente a los estudiantes universitarios de la
carrera de ingeniería eléctrica. El contenido de esta asignatura va más allá del alcance
de un semestre. Sin embargo, el material digital aquí incluido, ha sido seleccionando
a partir de las bases y fundamentos de la electrónica de potencia que están bien
establecidos, y no cambian con rapidez.
Este ejemplar ha sido creado, de modo que el orden de los temas sea lineal. El
desarrollo de los capítulos ha sido dirigido a los componentes y circuitos básicos en la
electrónica de potencia, aun cuando existe gran variedad en estos, se ha considerado
los que irrumpe con mucha fuerza es este campo. Cada capítulo contempla la
información constructiva del dispositivo, los circuitos convertidores donde son
aplicados y el diseño de las experiencias prácticas de laboratorio. La particularidad
consagrada bajo la condición de ser un libro digital, es estar concebido con enlaces
activos para la búsqueda instantánea de información adicional, estos hipervínculos
distinguidos en color azul y subrayado se encuentran presentes desde la tabla de
contenido, y a lo largo del desarrollo de los temas, con el fin de lograr un máximo
aprendizaje. Adicionalmente, cuenta con la posibilidad de ser actualizado
continuamente.
Está proyectado que el estudiante haga uso de herramientas (calculadoras científicas)

y software de simulación disponibles, para la solución de circuitos electrónicos de
potencia. En la resolución de problemas y prácticas de laboratorio son requeridas
técnicas de análisis numérico. Depende del estudiante el seleccionar y adaptar las
herramientas informáticas disponibles.
Se incluye ejercicios de simulación utilizando PSIM, como complemento a las técnicas

de solución analítica de circuitos. Contar con experiencia previa en el manejo de PSIM
puede servir de ayuda, sin embargo, es una herramienta muy sencilla de utilizar y
para mayor facilidad puede remitirse a la Ayuda del programa o su manual. Utilizar la
simulación, añade una dimensión adicional al proceso de aprendizaje del alumno
imposible de adquirir con la estricta manipulación de las ecuaciones. Observando las
formas de onda de la tensión y la corriente en una simulación por computador se
logran algunos de los objetivos propios de las experiencias de laboratorio. En una
simulación, todas las corrientes y tensiones del circuito pueden ser estudiadas,
normalmente con resultados más eficientes que en un laboratorio real. Resulta más
sencillo llevar a cabo variaciones en el comportamiento de un circuito cambiando
xi
componentes o parámetros de funcionamiento en una simulación por computador
que en el laboratorio.
xii
CAPIÍ TULO 1
INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los siguientes
• Adquirir una perspectiva de la electrónica de potencia y la historia de su desarrollo

• Adquirir una perspectiva de diversos tipos de dispositivos semiconductores de
potencia y sus características de conmutación
• Aprender las clases de convertidores de potencia
• Conocer los recursos para localizar fabricantes de semiconductores de potencia
• Conocer los recursos para localizar artículos publicados de electrónica de potencia
y sus aplicaciones.
1.1 INTRODUCCIÓN
La Electrónica de Potencia trata del manejo de la energía eléctrica, mediante

componentes controladores de la corriente, buscando algún tipo de transformación en
su modo de presentación y con un rendimiento energético adecuado en el proceso. En
esta moderna disciplina es importante tanto reducir pérdidas como obtener ondas de
corriente y tensión limpias, fieles al patrón senoidal que se espera en una red cuidada.
Para ello, son frecuentes equipos atentos a esta combinación de criterios de
rendimiento y de fidelidad, y, entre los más representativos están, los filtros activos
basados en convertidores de alta frecuencia.
El rango que llega a manejar este arte ingenieril ha crecido notablemente desde sus
inicios con las válvulas de vacío (1904) y de gas (1914) y los primeros
semiconductores de potencia (años cincuenta). En los últimos años el campo de la
electrónica de potencia tuvo un desarrollo considerable debido a la confluencia de
varios factores, entre ellos: los avances en el campo de la microelectrónica, avances
en la tecnología de la manufactura de semiconductores haciendo posible la mejora
significativa de las capacidades de manejo de voltajes y corrientes así como de las
velocidades de conmutación de dispositivos de semiconductores de potencia, la
clasificación de topologías, métodos de exploración (análisis y síntesis), así como
procedimientos de simulación. Todos los factores antes mencionados han allanado
enormemente el desarrollo de esta disciplina en la que se manejan componentes,
recursos e instalaciones costosas. [1]
1
1.2 ELECTRÓNICA DE POTENCIA
En la electrónica de potencia se combinan la potencia, la electrónica y el control. El

control tiene que ver con las características de estado estable y dinámicas de sistemas
de lazo cerrado. La potencia tiene que ver con el equipo estático y rotatorio para la
generación, transmisión y distribución de la energía eléctrica. La electrónica tiene que
ver con los dispositivos y circuitos de estado sólido para el procesamiento de señales
que cumplan con los objetivos deseados en el control.
Electrónica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrónica de

estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica, con un
rendimiento elevado y fidelidad a las formas de ondas buscadas
La electrónica de potencia se basa principalmente en la conmutación de dispositivos

semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnología de los
semiconductores de potencia, las capacidades de manejo de potencia y la rapidez de
conmutación de los dispositivos de potencia ha mejorado en forma considerable. El
desarrollo de los microprocesadores y la tecnología de las microcomputadoras tienen
un gran impacto sobre el control y la sintetización de la estrategia de control para los
dispositivos semiconductores de potencia. El equipo moderno de electrónica de
potencia emplea 1) semiconductores de potencia que se pueden considerar como el
músculo, y 2) la microelectrónica, que tiene el poder y la inteligencia de un cerebro
[3].
1.3 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
La historia de la electrónica de potencia se inicia en 1900 con la introducción del

rectificador de arco de mercurio. Después se introdujeron en forma gradual el
rectificador de tanque metálico, el de tubo al vacío controlado por la rejilla, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón (Figura 1.1). Estos dispositivos se aplicaban para el
control de potencia hasta la década de 1950.
La primera revolución electrónica comenzó en 1948, con la invención del transistor

de silicio en los Bell Telephone Laboratories, por Bardeen, Brattain y Schockley. La
mayor parte de las tecnologías modernas de electrónica avanzada se pueden rastrear
a partir de ese invento. La microelectrónica moderna ha evolucionado a través de los
años a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente adelanto, en 1956,
también fue logrado en los Bell Laboratories, o sea la invención del transistor de
disparo PNPN, que se definió como tiristor, o rectificador controlado de silicio (SCR).
La segunda revolución electrónica comenzó en 1958, con el desarrollo del tiristor

comercial, por la General Electric Company. Fue el principio de una nueva era de la
electrónica de potencia.
2
Desde entonces se han introducido muchas clases distintas de dispositivos
semiconductores de potencia y de técnicas de conversión. La revolución
microelectrónica nos permitió tener la capacidad de procesar una cantidad gigantesca
de información con una rapidez increíble. La revolución en la electrónica de potencia
nos está permitiendo conformar y controlar grandes cantidades de potencia con una
eficiencia siempre creciente. Debido al enlace entre la electrónica de potencia, el
músculo, con la microelectrónica, elcerebro, están surgiendo hoy muchas aplicaciones
potenciales de la electrónica de potencia, y esta tendencia va a continuar. Dentro de
los siguientes años, la electrónica de potencia conformará y acondicionará la
electricidad en algún lugar de la red de transmisión entre su generación y todos los
usuarios. La revolución de la electrónica de potencia ha adquirido un gran impulso
desde las postrimerías de la década de 1980 y a principios de 1990 [3].
Rectificador de arco de Tubo al vacío controlado por

mercurio la rejilla
Tiratrón
Ignitrón
Figura 1.1 Válvulas electrónicas [1]
3
1.4 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Desde que se desarrolló el primer tiristor de SCR a finales de 1957, ha habido

progresos impresionantes en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta
1970, los tiristores convencionales se habían usado exclusivamente para el control de
potencia en aplicaciones industriales. A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos
de dispositivos semiconductores de potencia, que entraron al comercio. La figura 1.2
muestra una clasificación de los semiconductores de potencia, que se fabrican con
silicio. Estos dispositivos se pueden dividir en forma general en tres clases: 1) diodos
de potencia, 2) transistores y 3) tiristores.
SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
DIODOS TIRISTORES TRANSISTORES
SCR (Rectificador
BJT (Transistor de
Propósito General Controlado de Silicio
Unión Bipolar )
)
MOSFET (Transistor
GTO (Tiristor
Alta Velocidad (o de Efecto de Campo
Apagado por
recuperación rápida) Metal Oxido
Compuerta)
Semiconductor )
IGCT (Tiristor
IGBT (Transistor
Schottky Conmutado por
Bipolar de
Compuerta
Compuerta Aislada)
Integrada )
TRIAC (Triodo para

Corriente Alterna)
Figura 1.2 Clasificación semiconductores de potencia [3]
A continuación se muestra en la tabla 1-1 alguna de las características y capacidades

comerciales de los dispositivos semiconductores de potencia, en la figura 1.3 un
resumen de las capacidades de dispositivos de semiconductores de potencia y en la
figura 1.4 alguna de sus aplicaciones.
4
Tabla 1-1: Capacidades de dispositivos semiconductores de potencia [3]
Frecuencia Resistencia en
Tipo de Dispositivo Capacidad de máxima Tiempo de estado cerrado
dispositivo corriente/voltaje (Hz) conmutación (µs) (Ω)
Diodos de Diodos de Propósito 4000 V/4500 A lk 50-100 0.32 m

potencia potencia general 6000 V/3500 A lk 50-100 0.6 m
600 V/9570 A lk 50-100 0.l m
2800 V/1700 A 20 k 5--10 0.4 m
Alta velocidad 4500 V/1950 A 20 k 5--10 1.2 m
6000 V/1100 A 20 k 5--10 1.96 m
600 V/17 A 30 k 0.2 0.14
Schottky 150 V/80 A 30 k 0.2 8.63 m
Transistores Transistores Sencillo 400V/250 A 25 k 9 4m

de potencial bipolares 400 V/40 A 30 k 6 3l m
630 V/50 A 35 k 2 15 m
Darlington 1200 V/400 A 20 k 30 10 m
MOSFET Sencillos 800 Vn.5 A 100 k 1.6 1
COOLMOS Sencillos 800V/7,8A 125 k 2 1.2 m

600 V/40 A 125 k 1 0.12 m
1000V/6.l A 125 k 1.5 2Ω
IGBT Sencillos 2500 V/2400 A 100 k 5--10 2.3 m

1200V/52 A 100k 5--10 0.13
1200V/25 A 100k 5--10 0.14
1200 V/80 A 100k 5-10 44 m
1800V/2200 A 100 k 5--10 1.76 m
SIT 1200 V/300 A 100k 0.5 1.2
Tiristores Tiristores Conmutados 6500 V/4200 A 60 100-400 0.58 m

(rectifica- de control por línea, baja 2800 V/1500 A 60 100-400 0.72 m
dores de fase velocidad 5000 V/4600 A 60 100-400 0.48 m
controlados) 5000 V/3600 A 60 100-400 0.50 m
de silicón 5000 V/5000 A 60 100-400 0.45 m
Tiristores Alta 2800 V/1850 A 20 k 20-100 0.87 m

de abertura velocidad 1800 V/2100A 20 k 20-100 0.78 m
forzada bloqueo inverso 4500 V/3000 A 20 k 20-100 0.5 m
6000 V/2300 A 20 k 20-100 0.52 m
4500 V/3700 A 20 k 20-100 0.53 m
Bidireccional 4200 V/1920 A 20 k 20-100 0.77 m
RCT 2500V/1000 A 20 k 20-100 2.l m
GATT 1200 V/400 A 20 k 10-50 2.2 m
Fotoaccionados 6000 V/1500 A 400 200-400 0.53 m
Tiristores GTO 4500 V/4000 A 10 k 50-110 1.07 m

de autocerrado HD-GTO 4500 V/3000 A 10 k 50-110 1.07 m
Pulso GTO 5000 V/4600 A 10 k 50-110 0.48 m
SITH 4000 V/2200 A 20 k 5--10 5.6 m
MTO 4500 V/500 A 5k 80-110 10.2 m
ETO 4500 V/4000A 5k 80-110 0.5 m
IGCT 4500 V/3000 A 5k 80-110 0.8 m
TRIAC Bidireccionales 1200 V/300 A 400 200-400 3.6 m
MCT Sencillos 4500 V/250 A 5k 50-110 10.4 m

1400 V/65 A 5k 50-110 28 m
5
Figura 1.3 Resumen de las capacidades de dispositivos de semiconductores de
potencia [2]
Figura 1.4 Aplicaciones de los dispositivos de potencia [3]
6
Aunque hay muchos dispositivos semiconductores de potencia, ninguno de ellos tiene
características ideales deseadas. En forma continua se mejoran los dispositivos
existentes y se están desarrollando otros nuevos. Para aplicaciones de alta potencia en
la red de 50 a 60 Hz, los tiristores de control de fase y los bidireccionales son las
opciones más económicas. Los COOLMOS y los IGBT son los reemplazos potenciales de
MOSFET y BJT, respectivamente, en aplicaciones en potencias intermedias. Los GTO y
los IGCT son más adecuados para aplicaciones de gran potencia donde se requiera una
conmutación forzada. Con los continuos avances de la tecnología, los IGBT se emplean
cada vez más en aplicaciones de grandes potencias, y los MCT pueden encontrar
aplicaciones potenciales donde se requieran voltajes bidireccionales de bloqueo. [3]
1.5 EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA
Un equipo electrónico de potencia consta fundamentalmente de (Figura 1.5):
Figura 1.5 Diagrama de bloques de un equipo electrónico de potencia [1]
a) Un circuito de potencia, compuesto por semiconductores de potencia y elementos

pasivos (transformadores, bobinas, condensadores, resistencias, etc.), que
relaciona la fuente de energía con la carga.
b) Un circuito de control, que elabora información para comandar adecuadamente al

primero a partir de consignas propias y de señales recibidas de la fuente, del
propio circuito de potencia y de la carga, proporcionando finalmente unas señales
de excitación que determinan la secuencia de conducción y corte de los
semiconductores controlados (tiristores, transistores). Generalmente la potencia
consumida por el circuito de control es despreciable frente a las pérdidas en el
circuito de potencia. El circuito ele control está asociado a veces con un sistema de
comunicaciones que permite la supervisión remota del equipo con fines de
mantenimiento y de gestión.[1]
7
1.6 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
Para un estudio sistemático de la electrónica de potencia es útil categorizar a los

circuitos de potencia en términos de su forma de entrada y salida o frecuencia. En la
mayor parte de los sistemas de electrónica de potencia, la entrada proviene de la
fuente generadora de energía eléctrica. Según la aplicación, la salida a la carga podrá
tener una de las siguientes formas:
CC: CA:
a) magnitud regulada (constante) a) frecuencia constante, magnitud ajustable
b) magnitud ajustable b) frecuencia ajustable y magnitud ajustable
El sistema de suministro de electricidad y la carga de CA, de manera independiente,

podrá ser monofásico o trifásico. Por lo general, el flujo de energía es de la entrada del
sistema eléctrico público a la carga de salida. Sin embargo, hay excepciones. Por
ejemplo, en un sistema fotovoltaico interconectado con la red eléctrica pública de
generación, el flujo de energía es del sistema fotovoltaico (una fuente de entrada de
CC) al sistema público de CA (como carga de salida). En algunos sistemas, la dirección
del flujo de energía es reversible, dependiendo de las condiciones de operación.
El circuito de potencia en la Figura 1.5 consisten por lo general en más de una etapa
de conversión como se muestra en la Figura 1.6, donde la operación de estas etapas se
desacopla en forma instantánea por medio de elementos de almacenamiento de
energía tales como capacitares e inductores. Por tanto, la potencia instantánea de
entrada no tiene que ser igual a la potencia instantánea de salida. Nos referiremos a
cada etapa de conversión de potencia como convertidor. Por ende, un convertidor es
un módulo básico (bloque componente) de los sistemas de electrónica de potencia. El
convertidor usa dispositivos de semiconductores de potencia controlados por señales
electrónicas (circuitos integrados) y quizás elementos de almacenamiento de energía,
como inductores y capacitares. [2]
Figura 1.6 Diagrama de bloques de un procesador de potencia [2]
Con base en la forma (frecuencia) en ambos lados, los convertidores se dividen en las
siguientes categorías principales [3]:
1. CA a CC 2. CA a CA
3. CD a CD 4. CC a CA
8
Un “convertidor” término genérico para referimos a una sola etapa de conversión de
potencia, podrá realizar cualquiera de las funciones ya enumeradas. Los dispositivos
en los convertidores que se muestran a continuación sólo son para ilustrar los
principios básicos. La acción de conmutación de un convertidor puede ser efectuada
por más de un dispositivo. La elección de determinado dispositivo depende de los
requisitos de voltaje, corriente y rapidez del convertidor.
Convertidor CA a CC. En esta categoría se tiene los rectificadores de diodo, circuito

que convierte el voltaje de ca en un voltaje fijo de cd, Figura 1.7. El voltaje de entrada
vi al rectificador podría ser tanto monofásico como trifásico.
Figura 1.7 Circuito rectificador monofásico con diodos [3]
Otro tipo de convertidor de la misma categoría se muestra en la Figura 1.8 con dos
tiristores conmutados naturales, el valor promedio del voltaje de salida vo se puede
controlar variando el tiempo de conducción de los tiristores, o el ángulo a de retardo
de disparo. La entrada podría ser una fuente monofásica o trifásica. Estos
convertidores se llaman también rectificadores controlados.
Figura 1.8 Circuito rectificador monofásico controlado [3]
9
Entre las aplicaciones de este convertidor se tiene:
 Alimentación de todo sistemas electrónicos, donde se necesite energía eléctrica en

forma de corriente continua.
 Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Máquinas,
herramienta, sistemas elevadores y transportadores, trenes de laminación.
 Transporte de energía eléctrica en corriente continua en alta tensión (HVDC).
 Procesos electroquímicos, cargadores de baterías, etc.
Los dispositivos semiconductores de potencia empleados en tales convertidores son,

típicamente, diodos y tiristores.
Convertidores de CA-CA. Estos convertidores se usan para obtener un voltaje variable

de ca, vo, con una fuente fija de ca y un convertidor monofásico con un TRIAC, como se
ve en la Figura 1.9. El voltaje de salida se controla variando el tiempo de conducción
de un TRIAC, o el ángulo de retardo de disparo α. Estas clases de convertidores de
voltaje también se llaman controladores de voltaje de ca.
Figura 1.9 Controladores de voltaje de ca monofásico [3]
Las aplicaciones más comunes de éste tipo de regulador son:
 Calentamiento industrial (control de temperatura)

 Control de intensidad luminosa en lámparas incandescentes
 Accionamiento de motores de CA
 Arranque suave de motores de inducción
 Compensación de energía reactiva
 Control de transformadores
típicamente, tiristores.
10
Convertidores de CD-CD. Un convertidor de cd a cd se llama también recortador de
picos, o regulador de conmutación, Figura 1-10. El voltaje promedio de salida vo se
controla haciendo variar el tiempo de conducción t del transistor Q1. Si T es el periodo
de recorte, entonces t1 = δT. A δ se le llama ciclo de trabajo del recortador.
Figura 1.10 Convertidores de cd-cd [3]
Las aplicaciones más comunes de éste tipo de regulador son:
 Alimentación y control de motores de continua.

 Alimentación de equipos electrónicos a partir de baterías o fuentes autónomas de
corriente continua.
 Vehículos híbridos
 Sistemas de alumbrado.
típicamente, transistores.
Convertidores de CD-CA. A un convertidor de cd a ca se le llama también inversor. En

la Figura 1.11 se ve un inversor monofásico de transistor. Si los transistores M1 y M2
conducen durante medio período, y M3 y M4 conducen durante la otra mitad, el
voltaje de salida es alterno. El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo
de conducción de los transistores.
Figura 1.11 Convertidor cd-ca monofásico [3]
11
Entre las aplicaciones de este convertidor se tiene:
 Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones

industriales.
 Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales
como la fotovoltaica o eólica
 Calentamiento por inducción.
 Sistemas de alimentación ininterrumpidas UPS

típicamente, transistores.
También se puede dar una clasificación de convertidores según el tipo de

conmutación de los dispositivos dentro del convertidor. Existen tres posibilidades [2]:
1. Convertidores de frecuencia de línea (de conmutación natural), donde las

tensiones de la línea de alimentación presentes en un lado del convertidor
facilitan la desconexión de los dispositivos de semiconductores de potencia.
Del mismo modo se conectan los dispositivos, con la fase enganchada a la
forma de onda de la tensión de línea. Por tanto, los dispositivos se conectan y
desconectan con la frecuencia de línea de 50 o 60 Hz.
2. Convertidores de conmutación (conmutación forzada), donde los interruptores

controlables en el convertidor se conectan y desconectan con frecuencias altas
en comparación con la frecuencia de línea. A pesar de la alta frecuencia de
conmutación interna del convertidor, la salida del convertidor ya podrá ser de
CC o en una frecuencia comparable con la frecuencia de línea. Un comentario
adicional: si la entrada en un convertidor de conmutación aparece como fuente
de tensión, entonces la salida debe aparecer como una fuente de corriente, o
viceversa.
3. Convertidores resonantes y cuasirresonantes, donde los interruptores

controlables se conectan y/o desconectan con tensión cero y/o corriente cero.
1.7 EFECTOS PERIFÉRICOS
Los convertidores electrónicos de potencia son conocidos como cargas no lineales, su

funcionamiento basado principalmente en la conmutación de dispositivos
semiconductores de potencia, trae como consecuencia, la introducción de armónicas
(tensiones o corrientes sinusoidales con una frecuencia que es un múltiplo entero de
la frecuencia del sistema de distribución, denominada frecuencia fundamental 50 o 60
Hz) en el sistema de suministro y en la salida de los convertidores. Esas armónicas
pueden causar problemas de distorsión del voltaje de salida, en el sistema de
12
suministro e interferencia con los circuitos de comunicación y señalización. En el caso
normal es necesario instalar filtros a la entrada y la salida del sistema convertidor,
para reducir el valor de las armónicas hasta una magnitud aceptable. La Figura 1.12
muestra el diagrama de flujo de un convertidor generalizado de potencia [3].
Figura 1.12 Sistema generalizado de un convertidor electrónico de potencia [3]
La aplicación de la electrónica de potencia al suministro de cargas electrónicas

sensibles impone un desafío respecto a asuntos de la calidad de la potencia, y produce
problemas y asuntos que deben resolver los investigadores. Las cantidades de entrada
y salida de los convertidores podrían ser tanto de ca como de cd. Factores como
distorsión armónica total (THD, de sus siglas en inglés total harmonic distortion),
factor de desplazamiento (DF, de sus siglas en inglés displacement factor) y factor de
potencia a la entrada (IPF, de sus siglas en inglés input power factor) son medidas de
la calidad de una forma de onda. Para determinarlos se requiere determinar el
contenido de armónicas de las formas de onda. Para evaluar el funcionamiento de un
convertidor, los voltajes y las corrientes a la entrada y a la salida se expresan en una
serie de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se aprecia por la calidad de
sus formas de onda de voltaje y corriente.
La estrategia de control para los convertidores de potencia desempeña una parte

importante en la generación de armónicas y la distorsión de la forma de onda de
salida, y se puede tratar de minimizar o reducir esos problemas. Los convertidores de
potencia pueden causar interferencia de radiofrecuencia, debida a la radiación
electromagnética, y los circuitos de compuerta pueden generar señales erróneas. Esta
interferencia se puede evitar con blindaje a tierra.
RESUMEN
A medida que se desarrolla la tecnología de dispositivos semiconductores y circuitos

integrados de potencia, se ensancha el potencial para las aplicaciones de la electrónica
de potencia. Ya existen muchos dispositivos semiconductores de potencia que se
13
consiguen en el comercio, y sin embargo continúa el desarrollo en esta dirección. Los
convertidores de potencia por general son de cuatro categorías: 1) convertidores
ca-cd, 2) convertidores ca-ca, 3) convertidores cd-cd, 4) convertidores cd-ca. El diseño
de circuitos electrónicos requiere diseñar los circuitos de potencia y de control. Las
armónicas de voltaje y de corriente que generan los convertidores de potencia se
pueden reducir, o minimizar, con una elección adecuada de la estrategia de control
[3].
PREGUNTAS
1 ¿Qué es electrónica de potencia?

2 Resuma ¿cómo evolucionó la electrónica de potencia?
3 ¿Cuál tiristor posee mayor capacidad?
4 ¿Cuál transistor el más rápido en su conmutación?
5 ¿Qué es conmutación?
6 ¿Qué es una conmutación de línea?
7 ¿Qué es una conmutación forzada?
8 ¿Qué es un convertidor?
9 ¿Cuál es el principio de la conversión de ca-cd?
10 ¿Cuál es el principio de la conversión de ca-ca?
11 ¿Cuál es el principio de la conversión de cd-cd?
12 ¿Cuál es el principio de la conversión cd-ca?
13¿Cuáles son los efectos periféricos del equipo electrónico de potencia?
REFERENCIAS
[1] García, Salvador y Gil, Juan. (2006) “Electrónica De Potencia Componentes,

Topologías y Equipos”, 1ª. Ed., Paraninfo, S.A, España, Cap. 1.
[2] Mohan, Ned; Undeland, Tore y Robbins, William. (2008) “ELECTRONICA DE

POTENCIA Convertidores, aplicaciones y diseño”. 3ª. Ed., McGraw-Hill, México,
Cap. 1.
[3] Rashid, Muhammad H. (2004). “ELECTRÓNICA DE POTENCIA Circuitos, Dispositivos

y Aplicaciones”. 3ª. Ed., Prentice Hall, México. Cap. 1.
14
CAPIÍ TULO 2
FÍSICA BÁSICA DE SEMICONDUCTORES
Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los siguientes
• Adquirir una perspectiva general sobre los materiales semiconductores

• Conocer los factores que influyen en las características conductivas de los
materiales semiconductores.
2.1 INTRODUCCIÓN
En la actualidad los dispositivos semiconductores de potencia cuentan con

características casi ideales. Estas propiedades incluyen:
1. Grandes tensiones de ruptura

2. Tensiones y resistencias bajas de estado activo
3. Encendido y apagado rápidos
4. Gran capacidad de disipación de potencia
Pese a los avances significativos en el desarrollo de los dispositivos de potencia, no

existe ninguno que tenga todas estas propiedades en forma simultánea. En todos los
tipos de dispositivos hay una concesión entre las tensiones de ruptura y las pérdidas
de estado activo. En los dispositivos bipolares también hay una concesión entre las
pérdidas de estado activo y las velocidades de conmutación.
Estas concesiones significan que no existe un solo tipo de dispositivo útil para todas
las aplicaciones. El requerimiento de la aplicación específica se tiene que adaptar a las
capacidades de los dispositivos disponibles. A menudo esto requiere planteamientos
ingeniosos e innovadores de diseño. Por ejemplo, quizá se tengan que combinar varios
dispositivos en conexiones paralelas o en serie a fin de controlar cantidades grandes
de potencia.
En este ámbito, es importante que el usuario tenga una comprensión cualitativa firme
de la física de los dispositivos de potencia, así como de su fabricación y empaque. El
conocimiento superficial de dispositivos de estado sólido de baja potencia es
insuficiente para el uso eficaz de dispositivos de alta potencia. Es más, una
extrapolación ingenua de conocimientos de dispositivos de baja potencia al régimen
15
de alta potencia podría perjudicar e incluso destruir el dispositivo de alta potencia. [2]
2.2 PROCESOS DE CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES
2.2.1 Metales, Aislantes y Semiconductores
La corriente eléctrica fluye en un material si contiene portadores de carga (por lo

general, electrones) libres para moverse en respuesta a la aplicación de un campo
eléctrico. La cantidad de portadores libres en diferentes materiales varía en un rango
extraordinariamente amplio. En metales como cobre o plata, la densidad de electrones
libres es del orden de 1023 cm-3, mientras que en aislantes como cuarzo u óxido de
aluminio la densidad de electrones libres es menor que 103 cm -3. Esta diferencia de
densidades de electrones libres es la razón por la cual la conductividad eléctrica en
metales es del orden de 106 mhos-cm -1, mientras que es del orden de 10- 15 mhos-cm- 1
o menos en un aislante bueno. Un material como el silicio o el arseniuro de galio, con
una densidad de portadores libres intermedia entre la de un aislante y un metal (108 -
10 19 cm -3), se llama semiconductor.
En un metal o un aislante, la densidad de portadores libres es una constante del

material y no puede cambiarse en un grado significativo. Sin embargo, en un
semiconductor se puede cambiar la densidad de portadores libres por órdenes de
magnitud, ya sea por la introducción de impurezas en el material o por la aplicación
de campos eléctricos a estructuras de semiconductores correspondientes. Esta
capacidad para manipular la densidad de portadores libres en grandes cantidades es
lo que hace del semiconductor un material tan único y útil para las aplicaciones
eléctricas. [2]
2.2.2 Electrones y Huecos
Un solo cristal de semiconductor como el silicio, con cuatro electrones de valencia,

está compuesto por un arreglo regular o retículo de átomos de silicio. Cada átomo de
silicio está ligado a cuatro vecinos más cercanos, como lo ilustra la Figura 2.1,
mediante relaciones covalentes compuestas por electrones compartidos entre los dos
átomos colindantes.
En temperaturas superiores a cero absoluto, algunos de estos enlaces se rompen por

energía conducida por el átomo de silicio debido a su movimiento térmico aleatorio
alrededor de su posición de equilibrio. Este proceso, conocido como ionización
térmica, crea un electrón libre y deja atrás una carga positiva fija sobre el núcleo del
átomo de silicio donde se rompió el enlace, como se muestra en la Figura 2.1.
16
Figura 2.1 Retícula de silicio ionización térmica y creación de electrones libres
En algún momento posterior t2, como el indicado en la Figura 2.2b, otro electrón libre
puede ser atraído a la carga positiva y quedar atrapado en el enlace que se rompió en
un momento anterior t1, como lo indica la Figura 2.2a, lo que de este modo lo enlaza.
Sin embargo, el átomo de silicio de donde procedió este electrón libre tiene ahora una
carga positiva, y el resultado final de la transacción es el movimiento de la carga
positiva, como se muestra en la Figura 2.2c en el instante t3. Esta carga positiva en
movimiento se llama hueco porque proviene de un enlace vacío que normalmente está
ocupado por un electrón. El mecanismo de ionización térmica genera un número igual
de electrones y huecos. [2]
Figura 2.2 Movimiento del hueco en semiconductores
2.2.3 Semiconductores Dopados
La densidad del equilibrio térmico de electrones y huecos se cambia si se agregan
17
átomos de impureza correspondientes al semiconductor. En el caso del silicio, las
impurezas correspondientes son elementos de la columna III de la tabla periódica,
como boro, o de la columna V, como fósforo.
Los elementos como el boro sólo tienen tres electrones (de valencia) disponibles para
el enlace con otros átomos en un cristal, así que, cuando se introduce boro en un
cristal de silicio, necesita un electrón adicional para el enlace con los cuatro átomos de
silicio colindantes, como lo muestra la Figura 2.3a. El boro adquiere o acepta muy
rápido el electrón que necesita de la retícula de silicio mediante la captura de un
electrón libre. Esto inmoviliza un electrón libre y deja un hueco libre para moverse a
través del cristal. El resultado es que el silicio tiene ahora más huecos libres, que
ahora se llaman portadores mayoritarios, que electrones libres, que ahora se llaman
portadores minoritarios. Se dice que el silicio está dopado del tipo p con una impureza
receptora.
Los elementos de la columna V, como el fósforo, tienen cinco electrones de valencia,

pero sólo se necesitan cuatro para el enlace en una retícula de silicio. Estos átomos se
ionizan fácilmente en forma térmica cuando se colocan en un cristal de silicio y se
libera el quinto electrón, como lo ilustra la Figura 2.3b. La carga positiva resultante en
la impureza del donante (se llama así porque dona el quinto electrón a la retícula de
silicio) representa un hueco atrapado o enlazado. Se dice que el silicio es dopado de
tipo n.
Figura 2.3 Dopaje por receptores y donantes para crear material de tipo p y n: a)
silicio tipo p; b) silicio tipo n
18
Los niveles de impureza que normalmente se usan en dispositivos semiconductores
(1019 cm-3 o menos) son órdenes de magnitud menores que la densidad (cerca de 1023
cm-3) de los átomos de semiconductores. De este modo, la presencia de impurezas en
un semiconductor no afecta el índice de ruptura de los enlaces covalentes por
ionización térmica y el relleno posterior por electrones libres (recombinación de
electrón-hueco).
Un semiconductor dopado (extrínseco) es eléctricamente neutral, la carga positiva por

unidad de volumen en el material extrínseco es la suma de la densidad de huecos y la
densidad de átomos donantes ionizados, mientras que la densidad de la carga
negativa es la suma de la densidad de los electrones y la densidad de átomos
receptores ionizados. [2]
2.2.4 Recombinación
Las cantidades fijas de electrones y huecos libres requieren mecanismos para la

desaparición o recombinación de ellos con la misma velocidad con que se generan en
el equilibrio térmico. Estos mecanismos son la recombinación directa de electrones y
huecos (la captura de un electrón libre en un enlace covalente vacío) y la intercepción
de portadores por impurezas o imperfecciones en el cristal. El tiempo de
desintegración característico (creación y la desaparición de un electrón libre) o la
constante de tiempo T se llama tiempo de vida del portador excedente, característica
importante de los dispositivos de portadores minoritarios.
El valor del tiempo de vida de los portadores excedentes tiene importantes efectos en
las características de dispositivos de potencia de portadores minoritarios (que
también se llaman bipolares). Valores mayores del tiempo de vida reducen las
pérdidas de estado activo pero también tienden a desacelerar la transición de
conmutación de encendido a apagado y viceversa. Por tanto, el fabricante de
dispositivos busca un control muy preciso y reproducible del tiempo de vida durante
el proceso de manufactura. Dos métodos comunes de control del tiempo de vida son el
dopaje con oro y la irradiación de electrones. El oro es una impureza en los
dispositivos de silicio que actúa como centro de recombinación. Entre más alta sea la
densidad del dopaje de oro, más cortos serán los tiempos de vida. Cuando se usa la
irradiación de electrones, los electrones de energía alta (unos cuantos millones de
electrovoltios de energía cinética) penetran profundamente (la profundidad de
penetración es una función de la energía) en un semiconductor antes de chocar con la
retícula cristalina. Cuando ocurre una colisión se crean imperfecciones en la retícula
cristalina que actúan como centros de recombinación. La dosis incidente de electrones
de energía alta se controla fácilmente, por lo cual se controla bien la densidad final de
los centros de recombinación y por ende el tiempo de vida. Desde hace unos años, este
método es el preferido para controlar el tiempo de vida porque se puede aplicar
durante la fase final de fabricación como una "puesta a punto" o "ajuste fino" de las
19
características del dispositivo que dependen del valor del tiempo de vida. [2]
2.2.5 Arrastre y Difusión
El flujo de corriente en un semiconductor es la suma del flujo neto de huecos en el

sentido de la corriente y el flujo neto de electrones en el sentido opuesto. Los
portadores libres se mueven por medio de dos mecanismos: arrastre y difusión.
Cuando se imprime un campo eléctrico a través de un semiconductor, los huecos

libres se aceleran por el campo y adquieren un componente de velocidad paralelo al
campo, mientras que los electrones adquieren un componente de velocidad
antiparalelo al campo, como se muestra en la Figura 2.4.
Figura 2.4 Arrastre de electrones y huecos bajo la influencia de un campo eléctrico

aplicado
Esta velocidad se denomina velocidad de arrastre, y es proporcional a la fuerza del

campo eléctrico. Por otro lado, si hay una variación en la densidad espacial de los
portadores libres, habrá un movimiento de portadores desde regiones de mayor
concentración hacia regiones de menor concentración. Este movimiento se llama
difusión y se debe a la velocidad térmica arbitraria de cada portador libre. Estas
variaciones espaciales en la densidad de portadores se obtienen mediante diversos
métodos, como una variación en la densidad de dopaje.
De forma general, el flujo de la corriente por ambos mecanismos se tiene que

considerar en forma simultánea. [2]
2.3 UNIONES PN
Una unión pn se forma cuando una región de tipo n en un cristal de silicio está
adyacente o contigua a una región de tipo p en el mismo cristal, como lo ilustra la
20
Figura 2.5. Estas uniones se forman por difundir impurezas de átomos receptores en
un cristal de silicio tipo n, por ejemplo. También se emplea la secuencia opuesta
(difundir átomos donantes en silicio de tipo p).
Figura 2.5 Unión PN
La unión suele caracterizarse por el cambio del dopaje de tipo n a tipo p cuando se
cruza la unión. La unión también se caracteriza por las densidades de dopaje relativas
en cada lado de la unión. Si la densidad del receptor en el lado de tipo p es muy grande
en comparación con la densidad del donante en el lado de tipo n, la unión a veces se
denomina unión p+n. Si la densidad del donante no es más grande que n; en el ejemplo
anterior, la unión puede llamarse unión p+ n-. Se permiten otras variaciones sobre este
tema que se encuentran en dispositivos semiconductores. [2]
2.3.1 Barrera de Potencial en Equilibrio Térmico
Debido a su repulsión mutua, los electrones libres en el lado n tienden a dispersarse

en cualquier dirección. Algunos electrones libres se difunden atravesando la unión.
Cuando un electrón libre entra en la región p se convierte en un portador minoritario.
Con tantos huecos a su alrededor, este electrón tiene un tiempo de vida muy corto.
Poco después de entrar en la región p, el electrón libre cae en un hueco. Cuando esto
sucede, el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en un electrón de valencia.
Cada ocasión en la que un electrón se difunde a través de la unión, crea un par de
iones. Cuando un electrón abandona el lado n, deja un átomo pentavalente al que le
hace falta una carga negativa; este átomo se convierte en ión positivo. Una vez que el
electrón cae en un hueco en el lado p, el átomo trivalente que lo ha capturado se
convierte en ión negativo.
En la Figura 2.6 se muestran estos iones a cada lado de la unión. Los signos más (+)
representan los iones positivos, mientras que los signos menos (-) representan los
iones negativos. Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los
enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los electrones libres y
los huecos, esto crea una capa de carga espacial en cada lado de la unión. Cada
pareja de iones positivo y negativo en la unión se llama dipolo. La creación de un
dipolo hace que desaparezcan un electrón libre y un hueco. A medida que aumenta el
21
número de dipolos, la región cercana a la unión se vacía de portadores. A esta zona sin
portadores se la conoce como zona de deplexión donde los portadores de difusión
dejan atrás impurezas ionizadas inmóviles y ahora no cubiertas por portadores libres
en cantidad suficiente para la neutralidad eléctrica.
Figura 2.6 Unión pn con una capa de carga espacial o capa de degradación mostrada
Cada dipolo posee un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo que lo
forman; el campo eléctrico aumenta en fuerza conforme se exponen más impurezas
ionizadas debido a los portadores de difusión. El campo, sin embargo, tiende a
retardar el proceso de difusión porque empuja los electrones de regreso al lado de
tipo n y los huecos de regreso al lado de tipo p. Se alcanza un equilibrio cuando el flujo
de portadores causado por la difusión se equilibra con el flujo de portadores debido al
campo eléctrico (arrastre). En equilibrio, el flujo de huecos y el flujo de electrones por
separado suman cero, en lugar de que sólo la corriente total sea cero. De lo contrario
habría una acumulación de electrones y huecos en un lado de la unión.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada
barrera de potencial. A 25ºC la barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V
para diodos de germanio y de 0,72 V para diodos de silicio. [2]
2.3.2 Polarización Directa e Inversa
Cuando se aplica una tensión externa entre las regiones p y n, como se muestra en la
Figura 2.7, aparece completamente a través de la región de carga espacial debido a la
resistencia grande de la capa de degradación en comparación con el resto del material.
Si el potencial aplicado es positivo en el lado p se opone al potencial de contacto y
reduce la anchura de la barrera de potencial (w), y se dice que la unión es de
polarización directa.
22
Figura 2.7 Unión pn con tensión aplicada en sentido directo. W0 es el ancho de la capa
de degradación con polarización cero
La batería empuja huecos y electrones libres hacia la unión. Si la tensión aplicada es

menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen suficiente energía
para atravesar la zona de deplexión. Cuando entran en esta zona; se ven empujados de
regreso a la zona n. A causa de esto no circula corriente a través de la unión.
Cuando la fuente de tensión es mayor que la barrera de potencial, la batería empuja de

nuevo huecos y electrones libres hacia la unión. Esta vez los electrones libres tienen
suficiente energía para pasar a través de la zona de deplexión y recombinarse con los
huecos. Para hacerse una idea básica, imaginemos todos los huecos en la zona p
moviéndose hacia la derecha y todos los electrones libres desplazándose hacia la
izquierda. En algún lugar próximo a la unión estas cargas opuestas se recombinan.
Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho y
continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo, existe una corriente continua
a través de la unión.
Una tensión de polarización directa baja la barrera de potencial y trastorna el

equilibrio entre arrastre y difusión en favor de la difusión, esto produce un
incremento enorme de las densidades de portadores minoritarios (electrones en el
semiconductor tipo p y huecos en el semiconductor tipo n) en las regiones
eléctricamente neutrales en ambos lados de la unión inmediatamente adyacentes a las
regiones de degradación. Este incremento, que a veces se llama inyección de
portadores, es una densidad de portadores excedentes, es decir, por arriba de los
valores del equilibrio térmico. El componente de difusión de la corriente es el
componente dominante de la corriente total (el componente de arrastre es
insignificante en esta región porque las grandes densidades de portadores inyectados
ponen en cortocircuito al campo eléctrico que se necesita para cualquier corriente de
arrastre significativo).
Cuando la tensión aplicada hace que el lado n sea más positivo, como se indica en la
23
Figura 2.8, se dice que la unión es de polarización inversa y la anchura de la barrera
sube (w)
Figura 2.8 Unión pn con tensión aplicada en sentido inverso. W0 es el ancho de la capa
de degradación con polarización cero
El terminal negativo de la batería atrae los huecos y el terminal positivo los electrones
libres; por ello, los huecos y electrones libres se alejan de la unión; como resultado, la
zona de deplexión se ensancha.
¿Cuánto aumenta la anchura de la zona de deplexión? Cuando los huecos y los

electrones se alejan de la unión, los iones recién creados hacen que aumente la
diferencia de potencial a través de la zona de deplexión. A mayor anchura de dicha
zona corresponde mayor diferencia de potencial. La zona de deplexión deja de
aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensión
inversa aplicada. Cuando esto sucede los electrones y los huecos no se alejan de la
unión. La anchura de esta zona sombreada es proporcional a la tensión inversa. A
medida que la tensión inversa crece, aumenta también la zona de deplexión.
¿Existe alguna corriente después de haberse estabilizado la zona de deplexión? Sí.

Incluso con polarización inversa hay una pequeña corriente. La energía térmica crea
continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que significa que a ambos lados
de la unión existen pequeñas concentraciones de portadores minoritarios. La mayor
parte de éstos se recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan
dentro de la zona de deplexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión. Cuando
esto sucede, por el circuito externo circula una pequeña corriente.
Supóngase que la energía térmica ha creado un electrón libre y un hueco cerca de la

unión. La zona de deplexión empuja al electrón libre hacia la derecha, provocando que
un electrón deje el extremo derecho del cristal. El hueco en la zona de deplexión es
empujado hacia la izquierda. Este hueco extra en el lado p ocasiona que un electrón
24
entre por el extremo izquierdo del cristal y se recombine con un hueco. Como la
energía térmica está creando constantemente pares electrón-hueco dentro de la zona
de deplexión, se producirá continuamente una pequeña corriente en el circuito
externo.
La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos

térmicamente se llama corriente inversa de saturación. El nombre representa el hecho
de que no se puede obtener una corriente de portadores minoritarios mayor que la
producida por energía térmica; es decir, aumentar la tensión inversa no hará que
crezca el número de portadores minoritarios creados térmicamente.
Además de la corriente de portadores minoritarios producidos térmicamente,

también existe una pequeña corriente que circula sobre la superficie del cristal. Esta
corriente se denomina corriente superficial de fugas, que es causada por impurezas en
la superficie del cristal e imperfecciones en su estructura interna.
La corriente inversa total en un diodo es una corriente de portadores minoritarios

muy pequeña y dependiente de la temperatura y una corriente de fugas superficial
muy pequeña y directamente proporcional a la tensión aplicada. [2]
2.4 RUPTURA DE AVALANCHA
Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican. Por
tanto, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar
una unión pn sin correr el riesgo de destruirla. Una vez alcanzada la tensión de
ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la
zona de deplexión y la unión conduce descontroladamente.
¿De dónde vienen estos portadores? Se producen por el efecto de avalancha que
aparece con tensiones inversas elevadas, es causada por un mecanismo físico llamado
ionización por impacto.
Si un electrón libre con suficiente energía cinética choca con un átomo de silicio,
puede romper un enlace covalente y liberar un electrón del enlace. Si la energía
cinética proviene de un campo eléctrico aplicado, como tensiones inversas aplicadas a
través de una capa de carga espacial, la liberación del electrón del enlace se llama
ionización por impacto. Este proceso es importante porque el electrón recién liberado
gana energía suficiente del campo aplicado para romper un enlace covalente cuando
choca con un átomo de silicio, lo que libera un electrón adicional. Este proceso sigue
para formar una cascada (avalancha) muy rápidamente en forma parecida a una
reacción en cadena, produciendo un gran número de electrones libres y por ende una
corriente grande, y la disipación de potencia grande destruirá rápidamente la unión
pn. [1]
25
RESUMEN
En este capítulo se repasaron las propiedades básicas de los semiconductores. Los

conceptos importantes son los siguientes:
1. La corriente en un semiconductor se conduce tanto por electrones como huecos.

2. Electrones y huecos se mueven tanto por arrastre como por difusión.
3. El dopaje intencional del semiconductor por impurezas ocasiona que la densidad
de huecos y electrones sea enormemente distinta.
4. La densidad de portadores minoritarios aumenta exponencialmente con la
temperatura.
5. Una unión pn se forma mediante el dopaje de una región para el tipo n y la región
adyacente para el tipo p.
6. Una barrera de potencial se erige a través de una unión pn en equilibrio térmico
que equilibra el arrastre y la difusión de portadores a través de la unión de modo
que no fluya ninguna corriente neta.
7. En sentido inverso se forma una región de degradación en ambos lados de la unión
pn, y sólo fluye una corriente pequeña por arrastre.
8. En sentido directo, se inyectan grandes cantidades de electrones y huecos a través
de la unión pn y grandes corrientes fluyen por difusión con pequeñas tensiones
aplicadas.
9. Se crean grandes cantidades de pares de electrones/huecos por medio de la
ionización por impacto si el campo eléctrico en el semiconductor excede un valor
crítico.
10. La ruptura de avalancha ocurre cuando la tensión de polarización inversa es lo
bastante grande para generar el campo eléctrico crítico.
PREGUNTAS
Elabore un breve resumen sobre cada ítems abordado en el capítulo.
REFERENCIAS
[1] Malvino, Albert. (1999) “PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA”, Sexta Edición, McGraw-

Hill, España, Cap. 2.

Cap. 19.
26
CAPIÍ TULO 3
DIODOS DE POTENCIA
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los objetivos de aprendizaje para este capítulo son los siguientes
• Comprender las características de los diodos de potencia y sus modelos

• Aprender el funcionamiento de los diodos de potencia en serie y en paralelo
• Estudiar las aplicaciones de los diodos de potencia en circuitos rectificadores
3.1 INTRODUCCIÓN
Los diodos de potencia, son más complicados en su estructura y características

operativas que sus contrapartes de baja potencia, con los cuales la mayoría de
nosotros tiene algún grado de familiaridad. La complejidad adicional proviene de las
modificaciones en los dispositivos sencillos de baja potencia para adaptarlos a
aplicaciones de alta potencia. Estas modificaciones son de naturaleza esencialmente
genérica; es decir, las mismas modificaciones básicas se hacen a todos los dispositivos
semiconductores de baja potencia para incrementar sus capacidades de potencia.
El estudio de los dispositivos semiconductores de potencia empieza con el diodo,

tanto los dispositivos de unión pn como las barreras de Schottky, son los dispositivos
semiconductores más sencillos. La manera más fácil de considerar las modificaciones
para la operación de alta potencia es hacerlo a partir de este dispositivo. Además, el
diodo o la unión pn es el ladrillo básico de todos los demás dispositivos
semiconductores. Será mucho más fácil comprender los demás dispositivos
semiconductores si se entienden primero con claridad las características del diodo.[2]
3.2 DIODOS DE POTENCIA
Un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn con dos terminales. Cuando el

potencial de ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo está
polarizado directo, y conduce electricidad. Un diodo en conducción tiene una caída
directa de voltaje a través de él relativamente pequeña; la magnitud de esta caída
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unión. Cuando el
potencial del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, se dice que el diodo está
polarizado inverso. Bajo condiciones de polarización inversa; pasa una corriente
27
pequeña inversa (que también se llama corriente de fuga o corriente de pérdida), en
del orden de micro o miliamperes; esta corriente de fuga aumenta de magnitud en
forma paulatina hasta que se llega al voltaje de avalancha o ruptura.
Los diodos de potencia juegan un papel importante en los circuitos electrónicos de

potencia, para la conversión de la energía eléctrica. Un diodo funciona como
interruptor que efectúa diversas funciones, como por ejemplo, conmutadores en
rectificadores, corrida libre en reguladores conmutados, inversión de carga de
capacitor y transferencia de energía entre componentes, aislamiento de voltaje,
regreso de energía de la carga a la fuente de alimentación, y recuperación de energía
atrapada. [3]
Las técnicas de construcción de los semiconductores de potencia han llegado a un

grado de perfección extremada, consiguiéndose componentes de larguísima vida si
trabajan dentro de las condiciones especificadas. Una de las más utilizadas es la de
difusión que, aplicada a la fabricación de diodos, consiste básicamente en el proceso
siguiente:
Se parte de un cilindro monocristalino del elemento semiconductor (Ge o Si) dopado

con impurezas tipo N (donadoras de electrones) que ha sido fabricado por
crecimiento de un cristal semilla en un baño de semiconductor fundido, Figura 3.1.
Figura 3.1 Dopado de sustrato por difusión [1]
28
El cilindro, que puede tener uno o más centímetros de diámetro y varios de largo, se
corta en discos mediante una sierra de hilo finísimo de tungsteno. El disco de material
se introduce en un horno con atmósfera inerte en la que se ha inyectado una
determinada cantidad de impurezas aceptadoras, tales como átomos de indio. Estas se
difunden por una de las caras del disco hasta conseguir una determinada penetración
y concentración. Por último, se efectúa otro dopado tipo P (o con impurezas
aceptadoras de electrones) muy intenso y de poca penetración por la misma cara que
el anterior, para reducir la resistencia eléctrica de la soldadura al terminal de ánodo.
La técnica que permite controlar de forma más exacta el espesor de la pastilla y grado
del dopado es la de crecimiento epitaxial (Figura 3.2). Sobre una lámina de cristal
semiconductor puro o sustrato se depositan nuevos átomos procedentes de una fase
gaseosa. Este gas puede impurificarse con átomos de donadores o aceptadores que
sustituyen algunos átomos de la red cristalina. La reacción química principal es la
reducción del tetracloruro de silicio o de germanio. [1]
Figura 3.2 Dopado de sustrato crecimiento epitaxial [1]
3.3 ESTRUCTURA BÁSICA
La realización práctica del diodo para aplicaciones de potencia se ilustra en la Figura

3-3. Consiste en un sustrato muy dopado de tipo n+ encima del cual se cultiva una capa
epitaxial n- ligeramente dopada de un espesor específico. Al final se forma la unión pn
difundiendo una región de tipo p+ muy dopada que forma el ánodo del diodo. Los
espesores normales de la capa y los niveles de dopaje se muestran en la Figura 3.3.
29
Figura 3.3 Símbolo y sección transversal de un diodo de potencia [2]
El área de sección transversal del diodo varía según la cantidad de corriente total para
cuya conducción se diseña el dispositivo. Para diodos que conducen varios miles de
amperios, el área puede ser de varios centímetros cuadrados (se usan obleas con
diámetros hasta de 4 pulgadas en la producción de dispositivos de potencia). El
símbolo de circuito para el diodo de potencia se muestra en la Figura 3.3 y es el mismo
utilizado en diodos de baja potencia.
La capa n- suele llamarse región de arrastre, es la característica estructural principal

que no se encuentra en diodos de baja potencia. Tiene la función de absorber la zona
de degradación o deplexión de la unión p+ n- de polarización inversa. Esta capa es
bastante ancha con tensiones inversas grandes. La región de arrastre establece la
tensión de ruptura inversa del dispositivo. Esta región relativamente larga y un poco
dopada agrega una resistencia óhmica significativa al diodo cuando tiene polarización
directa, situación que produce una disipación de potencia inaceptablemente grande
en el diodo cuando conduce corriente. Sin embargo, otros mecanismos que
describiremos en breve reducen de manera importante este problema notorio. [2]
3.4 CARACTERÍSTICAS I-V
La característica i-v del diodo se muestra en la Figura 3.4. En el sentido directo la

corriente crece en forma lineal con la tensión de polarización directa y no en forma
exponencial. Las grandes corrientes en un diodo de potencia crean caídas óhmicas que
ocultan las características exponenciales i-v. La caída de tensión en la región poco
dopada explica una parte de esta resistencia óhmica.
30
VBR
Figura 3.4 Característica i-v del diodo de potencia [2]
En sentido inverso sólo fluye una corriente de dispersión pequeña e independiente de

la tensión de sentido inverso, hasta que se alcanza la tensión inversa de ruptura VBR.
Cuando se alcanza la ruptura, la tensión parece permanecer en esencia constante,
mientras que la corriente aumenta de manera drástica, sólo limitada por el circuito
exterior. La combinación de una tensión grande de ruptura y una corriente grande,
lleva a una disipación excesiva de potencia que puede destruir el dispositivo con
rapidez. Por esta razón, se debe evitar la operación del diodo en ruptura. [2]
3.5 CONTROL DEL LÍMITE DE LA ZONA DE DEGRADACIÓN
Las uniones paralelas planas que supusimos de forma implícita hasta este momento
son una idealización no realista en la práctica. Las uniones en los dispositivos reales se
forman por medio de difusiones de impurezas que causan invariablemente que la
unión pn resultante tenga cierto grado de curvatura, como se muestra en la Figura 3.5.
Figura 3.5 Unión pn formada por una difusión de impurezas en el sustrato [2]
31
La cantidad de curvatura, especificada por el radio de curvatura R (indicado en la
Figura), dependerá del tamaño de la máscara de difusión, del tiempo de difusión y la
magnitud de la temperatura de difusión. La curvatura es el resultado de que las
impurezas se difunden con igual rapidez de manera lateral y vertical en el sustrato. En
estas uniones, la descripción del plano paralelo es imprecisa cuando el radio de
curvatura se hace comparable al ancho de la zona de deplexión. En estas
circunstancias, el campo eléctrico en la zona de degradación pierde uniformidad
espacial y tiene su mayor magnitud donde el radio de curvatura es más pequeño. Esto
produce una tensión de ruptura más pequeña en comparación con una unión de plano
paralelo de dopaje similar.
La acción para contrarrestar esta reducción potencial de la tensión de ruptura es

mantener el radio de curvatura lo más largo posible. Un método es el uso de placas de
campo eléctricamente flotantes que se ilustran en la Figura 3.6. Las placas de campo
actúan como superficie equipotencial y, por medio de su colocación correcta, como se
indica en la Figura, redirigen las líneas del campo eléctrico e impiden que la zona de
degradación tenga un radio de curvatura demasiado pequeño.
Figura 3.6 Placas de campo en un diodo de unión pn para control de la curvatura del
límite de la zona de degradación [2]
El precio de este planteamiento es que las placas de campo requieren una cantidad
considerable de silicio. Otro método para controlar la zona de degradación es el de
anillos de guarda, como se ilustra para una unión pn simple en la Figura 3.7. Se
permite que los anillos de guarda tipo p floten eléctricamente. Las capas de
degradación de los anillos de guarda se fusionan con la creciente zona de degradación
de la unión pn de polarización inversa, lo que impide que el radio de curvatura se haga
demasiado pequeño. Como los anillos de guarda son eléctricamente flotantes, no
adquieren la tensión de polarización inversa completa, y por tanto la ruptura no
ocurre a través de sus capas de degradación aunque sus radios de curvatura sean lo
bastante pequeños.
32
Figura 3.7 Diodo de unión pn con anillos de guarda [2]
En algunos dispositivos, la unión metalúrgica se extiende hasta la superficie del silicio,

y la zona alta de degradación de campo atraviesa el límite de semiconductor/aire,
aunque la unión metalúrgica propia sea una estructura plano-paralela Figura 3.8.
Figura 3.8 Campo en la superficie del semiconductor [2]
Los campos eléctricos que los rodean o están cerca de la superficie pueden causar
rupturas prematuras o interactuar con impurezas de la superficie que al final
degradan el desempeño del dispositivo. Por ende, a menudo se necesita modelar los
contornos topológicos del dispositivo para minimizar los campos eléctricos
superficiales, ejemplo de ello, el biselado mostrado en la Figura 3.9. Además, el
recubrimiento de las superficies con materiales apropiados, como dióxido de silicio u
otro aislante, ayudan a controlar los campos eléctricos en la superficie. [2]
33
Figura 3.9 Moldeado topológico [2]
3.6 MODULACIÓN DE CONDUCTIVIDAD
En estado activo hay una reducción sustancial de la resistencia de la región de arrastre

debido a la gran cantidad de inyección de portadores excedentes a la región de
arrastre. Esta modulación de conductividad, como se denomina a veces, reduce en
forma considerable la disipación de potencia sobre lo que se estimaría en la base de la
conductividad de equilibrio térmico de la región de arrastre. Considere el modelo del
diodo de potencia unidimensional que se muestra en la Figura 3-10.
Figura 3.10 Inyección de portadores excedentes en la región de arrastre desde ambos

extremos [2]
En estado activo, la unión pn con polarización directa inyecta huecos a la región de

arrastre de tipo n-. En niveles bajos de inyección, los electrones de equilibrio térmico
neutralizan sin dificultad la carga de espacio de los huecos; pero en niveles de
inyección altos, la carga de espacio de huecos es lo bastante grande para atraer
electrones de la región n+ a la región de arrastre. Esto lleva a la inyección de
electrones a través de la interconexión n+n- a la región de arrastre. Estos electrones y
huecos inyectados se difunden, recombinándose, en la región de arrastre uno hacia el
otro. Esto es el origen de la llamada inyección doble. [2]
3.7 CARACTERÍSTICAS DINAMICAS DEL DIODO DE POTENCIA
Un diodo de potencia requiere un tiempo finito para conmutar del estado de bloqueo
(polarización inversa) al estado activo (polarización directa) y viceversa. El usuario se
debe preocupar no sólo del tiempo requerido para las transiciones, sino también de
34
cómo varía la tensión y la corriente del diodo durante las transiciones. Tanto el tiempo
de transición como la forma de las formas de onda se ven afectadas por las
propiedades intrínsecas del diodo y por el circuito en que se incrusta el diodo. Las
propiedades de conmutación de un diodo se dan a menudo en hojas de
especificaciones (corrientes de diodos con un tiempo especificado de cambio, di/dt).
La razón de ello, es que los diodos de potencia son muy frecuentes en circuitos con
inductancias que controlan el índice de cambio de la corriente, o se usan como diodos
de circulación libre donde el apagado de un dispositivo de estado sólido controla
di/dt. Durante la conmutación las características de interés particular son la
sobretensión momentánea durante el encendido y lo pronunciado de la caída de la
corriente inversa durante la fase de apagado. La sobretensión momentánea durante el
encendido no se observa en diodos de baja potencia.
3.7.1 Transitorio de Encendido
En la Figura 3.11, para un diodo de potencia sometido a una señal alterna de onda
cuadrada, parte de encendido en las formas de onda del diodo está cubierta por los
tiempos marcados t1 y t2.
Figura 3.11 Formas de onda de tensión y corriente en diodo de potencia durante la

conmutación [2]
35
Durante estos intervalos, dos procesos físicos ocurren en secuencia. Primero, la carga
de espacio almacenada en la región de degradación (ubicada sobre todo en la región
de arrastre) se retira (descarga) por el crecimiento de la corriente directa. Cuando la
zona de degradación se descarga a su nivel de equilibrio térmico (intercepción de la
curva de voltaje con el eje horizontal t), la unión metalúrgica adquiere una
polarización directa y la inyección de portadores excedentes a través de la unión a la
región de arrastre empieza durante el intervalo de tiempo t1 lo que marca el inicio de
la segunda fase y el final de la primera. Durante la segunda fase, se inyectan
portadores excedentes a la región de arrastre desde ambos extremos con huecos que
se inyectan desde la unión p+ n- y electrones desde la unión n+ n-. La distribución de
portadores excedentes en la región de arrastre crece hacia el valor de estado
permanente que soporta la corriente de polarización del diodo IF.
Mediante una interpretación sencilla de esta secuencia de eventos esperaríamos que

la tensión del diodo aumentara suave y monótonamente desde su valor negativo
grande (VR) hasta un valor de polarización directa de estado permanente de
aproximadamente 1 V. Sólo se observaría un intervalo distinto, que sería la descarga
de la capa de carga espacial, análoga a la descarga de una capacitancia. De hecho, la
zona de despoblación en condiciones de polarización inversa se modela a menudo
como condensador (capacitancia de carga espacial).
Sin embargo, esta interpretación no explica la sobretensión momentánea en la forma

de onda de la Figura 3.11. El defecto de la interpretación es que no considera el efecto
de la resistencia óhmica de la región de arrastre, ni la inductancia equivalente de la
oblea de silicio y de los cables de enlace que llevan. Conforme la corriente directa
crece con el tiempo, existe una caída de tensión cada vez más grande a través de la
región de arrastre, pues no hay modulación de conductividad (disminución inmediata
de la resistencia equivalente) de la región sino hasta que se descarga la capa de carga
espacial a su valor de equilibrio térmico. La inductancia también agrega una caída de
tensión significativa si se aplican valores grandes de di/dt. El efecto combinado de
estos dos factores es una sobretensión momentánea que puede llegar hasta varias
decenas de voltios, es decir, lo bastante grande para afectar gravemente la operación
de algunos circuitos de electrónica de potencia.
El crecimiento de la tensión del diodo desacelera y al final se invierte cuando la región

de arrastre se pone en cortocircuito por la gran cantidad de inyección de portadores
en él. Además, la contribución inductiva termina cuando se estabiliza la corriente del
diodo en IF· El intervalo durante el cual la tensión cae desde el valor pico de
sobretensión al valor de polarización directa de estado permanente marca el término
del crecimiento de transitorios de la distribución de portadores excedentes en la
región de arrastre.
La duración de la descarga de la capa de carga espacial y el crecimiento de la

distribución de portadores excedentes en la región de arrastre se determina tanto por
36
las propiedades intrínsecas del diodo como por el circuito externo en el cual está
incrustado. Un valor grande de di/dt reduce el tiempo requerido para descargar la
capa de carga espacial. Sin embargo, un valor grande de IF y del tiempo de vida de
portadores en la región de arrastre alarga el tiempo requerido para que se complete la
parte de portadores excedentes del transitorio. Los valores normales para estos
tiempos de conmutación en diodos de alta potencia se encuentran en los cientos de
nanosegundos para t1 y en el rango de microsegundos para t2. Existen dispositivos
con tiempos de encendido más rápidos, pero su desempeño mejorado en este aspecto
se logra sólo mediante la reducción del tiempo de vida. Así, al recortar los transitorios
de encendido se compensan las pérdidas mayores en estado activo. [2]
3.7.2 Recuperación Directa
Cuando el diodo pasa de bloqueo a conducción, se necesita cierto tiempo para que los
mayoritarios de ambas capas inunden la zona de carga espacial y se establezca en esta
el potencial de unión en conducción. Mientras tanto aparece un potencial positivo
entre ánodo y cátodo provocado por el circuito exterior que tiende a poner el diodo en
conducción. Dicho potencial puede ser de un valor considerable de voltios y es tanto
mayor, cuanta más alta es la derivada de intensidad y el valor final de la misma. Este
fenómeno es llamad recuperación directa y se define el tiempo de recuperación
directa (t1+t2) como el que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo
se hace positiva y aquel en que dicha tensión se establece definitivamente en el valor
nominal de conducción Venc. Este tiempo es menor comparado con el de recuperación
inversa y no suele producir pérdidas de potencia ni trastornos de funcionamiento
apreciables. La tensión directa máxima alcanzada en el proceso se llama tensión de
recuperación directa. [2]
3.7.3 Transitorio de Apagado
La parte de apagado de la forma de onda de conmutación está cubierta por los

tiempos marcados t3, t4 y t5 de la Figura 3-11, y es en esencia lo contrario del proceso
de encendido. Primero se tienen que eliminar los portadores excedentes almacenados
en la región de arrastre antes de que las uniones metalúrgicas (terminales) adquieran
una polarización inversa.
Una vez eliminados los portadores por la acción combinada de recombinación y

barrido de corrientes negativas del diodo, la zona de degradación adquiere una
cantidad considerable de carga espacial de la tensión de polarización inversa y se
extiende a la región de degradación desde ambos extremos (uniones).
Mientras haya portadores excedentes en los extremos de la región de degradación, las

uniones p+n- y n+n- poseen polarización directa. De este modo, la tensión del diodo
Venc sufrirá poco cambio de su valor de estado activo excepto una pequeña
disminución debido a caídas óhmicas causadas por la corriente inversa. Pero después
37
de que la corriente se convierte en negativa y el barrido de portadores ocurre durante
el tiempo suficiente (t4) para reducir la densidad de portadores excedentes en una o
las dos uniones a cero, la unión o uniones adquieren una polarización inversa. En este
punto, la tensión del diodo se vuelve negativa y rápidamente adquiere valores
negativos sustanciales conforme las regiones de degradación de las dos uniones se
extienden hacia la región de arrastre, una hacia la otra. En este momento, la
distribución de portadores excedentes no soporta la corriente negativa del diodo que
exige la inductancia de dispersión del circuito exterior porque no quedan suficientes
portadores. La corriente del diodo suspende su crecimiento en sentido negativo y cae
rápidamente, hasta llegar a cero después del tiempo t5. La corriente inversa tiene su
máximo valor inverso, lrr, al final del intervalo t4. [2]
3.7.4 Recuperación Inversa
Si el circuito exterior fuerza la anulación de la corriente previa IF con cierta velocidad

diR/dt para llevar al diodo al estado de bloqueo aplicándosele una tensión inversa,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe en la unión una cierta
cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el
diodo conduzca temporalmente en sentido contrario al ordinario. La tensión inversa
entre ánodo y cátodo no se establece hasta después de un tiempo llamado tiempo de
almacenamiento, t4, en que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión
la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo t5 o tiempo de caída
en descender a un valor despreciable a medida que va desapareciendo el exceso de
portadores por recombinación con cargas de signo contrario.
La suma de t4 y t5 se llama tiempo de recuperación inversa, trr, medido a partir del

cruce inicial de la corriente en el diodo con cero, hasta que la corriente en sentido
inverso llega al 25% de su valor máximo Irr. La variable trr depende de la temperatura
de la unión, de la velocidad de caída de la corriente en sentido directo diR/dt, así como
la corriente en sentido directo antes de la conmutación, IF. La razón t5/t4 se llama
factor de suavidad (SF, de sus siglas en inglés softness factor). Para fines prácticos uno
debe ocuparse del tiempo total de recuperación trr y del valor pico de la corriente en
sentido inverso Irr·
La carga de recuperación inversa Qrr es la cantidad de portadores de carga que

atraviesan al diodo en el sentido dirección inverso, debido a un cambio de conducción
directa a una condición de bloqueo inverso. Su valor se determina con el área
encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación inversa.
La carga de recuperación inversa aumenta con la intensidad directa previa al bloqueo

IF y con la derivada de intensidad diR/dt con que el circuito lo fuerza. Sin embargo,
para una determinada Qrr, una derivada de intensidad elevada ayuda a vaciar antes la
pastilla, de portadores, acortando trr. El tiempo de caída t5 depende de la carga de
recuperación almacenada Qrr, y de las características constructivas del diodo. De la
38
influencias entre parámetros resulta que, en las posibles aplicaciones de un diodo
concreto, es más dependiente del modo de operación del circuito el tiempo de
recuperación trr que la carga de recuperación Qrr (limita la frecuencia de
funcionamiento), por lo que algunos fabricantes prefieren suministrar este segundo
parámetro al primero para caracterizar la recuperación inversa. En tal caso, y a partir
del valor de Qrr (suministrado por el fabricante para una cierta gama de valores de I y
diR/dt), el diseñador puede deducir fácilmente el valor de trr e Irr para un determinado
valor de la derivada de intensidad. [2]
En efecto, y aun respetando un mínimo la complejidad del fenómeno de recuperación

inversa, se pueden realizar algunas simplificaciones que ayudan en la utilización del
parámetro Qrr en los diodos. En primer lugar puede suponerse triangular la evolución
De la corriente inversa durante la recuperación, con lo que
1 1 1
𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑤𝑤4 + 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑤𝑤5 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟
2 2 2
Es decir,
2𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅
𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟
La corriente pico en sentido inverso se puede expresar en función de diR/dt en sentido

inverso como sigue:
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ 𝑤𝑤4
𝑑𝑑𝑤𝑤
Se iguala IRR de ambas ecuaciones, donde se obtiene
𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑤𝑤4 ≅
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅 ⁄𝑑𝑑𝑤𝑤
Si t5 es despreciable en comparación con t4, lo cual suele ser el caso, entonces trr ≈ t4, y
las ecuaciones anteriores se convierte en
𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ �
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅 ⁄𝑑𝑑𝑤𝑤
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ �2𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟
𝑑𝑑𝑤𝑤
39
Ejemplo 3.1
Un diodo de potencia está sometido a un proceso de bloqueo inverso forzado tal que la
derivada de intensidad negativa de ánodo 𝑆𝑆𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑖𝐴 ⁄𝑑𝑑𝑤𝑤 = 100 𝐴𝐴/𝜇𝑓𝑓, y la carga de
recuperación inversa en condiciones de trabajo es 𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟 = 50𝜇𝐶. Calcular 𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟 , 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 , 𝑤𝑤4 .
[1]
2𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟 2 ∗ 50𝜇𝐶
𝑤𝑤𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ � =� = 1𝜇𝑓𝑓
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅 ⁄𝑑𝑑𝑤𝑤 𝐴𝐴
100
𝜇𝑓𝑓
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅 𝐴𝐴
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ �2𝑄𝑟𝑟𝑟𝑟 = �2 ∗ 50𝜇𝐶 ∗ 100 = 100𝐴𝐴
𝑑𝑑𝑤𝑤 𝜇𝑓𝑓
A partir de
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 ≅ 𝑤𝑤4
𝑑𝑑𝑤𝑤
El tiempo de almacenamiento es:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 100𝐴𝐴
𝑤𝑤4 ≅ = 1𝜇𝑓𝑓
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑅𝑅 𝐴𝐴
100
𝑑𝑑𝑤𝑤 𝜇𝑓𝑓
3.8 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL DIODO DE POTENCIA
3.8.1 Modelos Estáticos del Diodo
En estado de conducción, tres son los modelos que podemos utilizar para el diodo de
potencia en función de la precisión que se requiera en los cálculos. En la Figura 3.12
están representados junto con la curva tensión - intensidad que caracteriza a cada
modelo.
Figura 3-12 Modelos estáticos del diodo [1]
El primer modelo (modelo ideal) asemeja el diodo a un cortocircuito en polarización

directa y circuito abierto en polarización inversa, despreciando la tensión de codo E,
40
que sí es considerada en la segunda aproximación. En la tercera aproximación la
resistencia interna del diodo rd, junto a la tensión de codo también se considera.
3.8.2 Diodo en Estado de Bloqueo
Aplicando una tensión inversa a los terminales de un diodo de forma que la capa
anódica sea más negativa que la catódica (Figura 3.13), los portadores mayoritarios
de ambas son atraídos hacia los extremos de la pastilla, ensanchándose la zona de
carga espacial y vaciándose de portadores. Aparece una barrera de potencial en la
unión, del mismo valor aproximadamente que la tensión inversa aplicada
exteriormente. La corriente de mayoritarios IF cesa prácticamente y la de
minoritarios IR aumenta respecto del valor que tiene con la unión en equilibrio hasta
el que le permite la concentración de los mismos, que es prácticamente
independiente de la tensión aplicada pero crece con la temperatura. Esta corriente
inversa de saturación o corriente de fugas es muy pequeña, especialmente en el
silicio, y puede decirse que el diodo no conduce o está bloqueado.
Figura 3.13 Polarización inversa [1]
Cuando un diodo de potencia se encuentra en estado de bloqueo, existen una serie de

valores de tensión y corriente que puede soportar de manera momentáneamente o
continuada, sin que el dispositivo semiconductor corra el peligro de destruirse.
(a) (b)
Figura 3.14 (a) Grafica Vac- iA polarización inversa. (b) Tensiones características [1]
41
Puede verse en la característica Vac - IA que la intensidad inversa es muy pequeña y
que aumenta fuertemente con la temperatura. El fabricante suele definir en la zona
próxima a la avalancha tensiones características del diodo que orientan al usuario
para emplearlo correctamente, a saber:
• Tensión inversa de trabajo máxima (VRWM): puede ser soportada por el diodo de
forma continuada, sin peligro de calentamiento por avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): puede ser soportada en picos de 1 ms

repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): puede ser soportada por una sola vez
cada 10 minutos o más, con duración del pico de 10ms.
• Tensión de ruptura (VBR): si es alcanza, aunque sea por una vez y con duración de
10 ms o menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus características
eléctricas (salvo en los diodos de avalancha controlada operando dentro de sus
límites).
• Intensidad de fugas (IR). Intensidad que circula por el diodo cuando está bloqueado.
Hay que decir que no existe una norma universalmente aceptada para definir estos
parámetros y aquí se ha expuesto el criterio más corriente entre los fabricantes. Las
pérdidas de potencia en bloqueo son extremadamente bajas porque son iguales al
producto de la tensión inversa por la intensidad de fugas y esta es muy pequeña,
aunque pueda ser grande, normalmente suelen despreciarse frente a las pérdidas en
conducción. El circuito equivalente de un diodo en estado de bloqueo puede
aproximarse para la mayoría de los casos prácticos a un circuito abierto, aunque sería
más correcto desde un punto de vista teórico asimilarlo a una fuente de intensidad
muy baja dependiente de la temperatura. [1]
3.8.3 Diodo en Estado de Conducción
Si se aplica a los terminales del diodo una tensión directa, los portadores mayoritarios
son empujados desde los extremos de la pastilla hacia la unión a través de la región de
arrastre y pasan a la capa opuesta como minoritarios. En un primer instante las cargas
se recombinaran, pero a medida que el voltaje de polarización se incrementa la
región de agotamiento se reduce hasta su desaparición, momento en el que las cargas
no encuentran oposición y comienzan a moverse con libertad a través de todo el
diodo, generando una corriente dentro el diodo que será mayor si el voltaje de
polarización aumenta. Esta corriente IF aumenta enormemente respecto del valor que
tiene en equilibrio, esta circulación de corriente produce una pequeña caída de
tensión debido a la resistividad del semiconductor. La diferencia de potencial total VAC
(voltaje ánodo-cátodo) es la diferencia de las caídas resistivas y del potencial de
42
unión, que es de sentido contrario, estas son aproximadamente proporcionales a la
intensidad directa.
(a) (b)
Figura 3.15 (a) Polarización directa. (b) Grafica VAC-iA polarización directa [1]
Hay que hacer notar que en el estado de conducción el diodo no suele ser el
responsable de limitar la intensidad establecida en el circuito. De ello se encargan
normalmente los componentes pasivos, que en la Figura 3.15(a) se han reducido a la
resistencia R.
En la Figura 3.15(b) se muestra la característica eléctrica VAC - iA. A una temperatura

de la unión elevada (150 ºC) la caída ele tensión es menor porque los pares extra
generados térmicamente reducen el potencial de unión y aumentan la conductividad
del semiconductor. De esta forma la potencia generada en la pastilla disminuye con la
temperatura para una determinada intensidad, pudiéndose considerar este hecho
favorable como una especie de autodefensa del diodo contra el calentamiento. Sin
embargo, el efecto es contrario para intensidades mucho más altas que la nominal y en
tales condiciones aumenta la potencia disipada.
Igual que para la tensión en polarización inversa, el fabricante define intensidades

características que orienten al usuario:
• Intensidad media nominal IF(AV): Es el valor medio de la máxima intensidad de

impulsos senoidales de 180°, que el diodo puede soportar con la capsula mantenida a
una determinada temperatura (100 ºC normalmente).
• Intensidad de pico repetitivo IFRM: Puede ser soportada cada 20ms por tiempo
indefinido, con duración del pico de 1ms a determinada temperatura de la
cápsula.
• Intensidad de pico único IFSM: Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
43
cada10 minutos o más, con duración del pico de 10 ms.
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz IF(RMS) en lugar de darla
en valor medio, algo a tener en cuenta cuando se comparan diodos de distinta marca.
[1]
3.8.4 Pérdidas de Estado Activo
Casi toda la potencia disipada en un diodo ocurre cuando está en estado activo
(polarización directa). En altas frecuencias de conmutación puede presentarse una
cantidad considerable de disipación durante la conmutación de un estado a otro. En
aplicaciones de baja potencia, la tensión de polarización directa es la tensión de la
unión y a menudo se considera aproximadamente constante, pues la tensión depende
en forma logarítmica de la corriente. En un diodo de silicio, este voltaje constante es
de 0.7 a 1.0 V, y la disipación en estado activo sería entonces de P = 0.7 I, donde I
es la corriente a través del diodo.
En diodos de potencia, esta estimación sólo sería satisfactoria en niveles de corriente

bajos. En niveles de corriente altos , esto subestimaría gravemente la disipación
total porque se ignora la disipación en la región de arrastre del diodo de
potencia. Son precisamente estas pérdidas las que limitan la capacidad de potencia
máxima del diodo. Sin embargo, para una estimación de la potencia dispersada en la
región de arrastre se debe proceder con cuidado porque el valor efectivo de
resistencia de esta región en estado activo es mucho menor que el valor óhmico
calculado a partir del tamaño geométrico y las densidades de equilibrio térmico.
Un análisis simplificado resume varias características importantes de las pérdidas en

estado activo no sólo de diodos. Antes que nada, si el tiempo de vida de los portadores
se alarga lo suficiente para que la longitud de difusión sea compatible con la longitud
de la región de arrastre Wd, la caída de tensión a través de la región de arrastre se
reduce mucho y es aproximadamente independiente de la corriente. En segundo lugar,
el precio de las pérdidas reducidas en estado activo es una gran cantidad de carga
almacenada que pondrá en peligro a los tiempos de conmutación. En tercer lugar,
entre más grande sea la tensión de ruptura del dispositivo, más grande será la caída
de tensión V a través de la región de arrastre, pues esta tensión es proporcional al
cuadrado de la longitud Wd, y esta longitud debe ser mayor para tensiones de ruptura
mayores.
Considerando la tercera aproximación de modelo estático del diodo donde el circuito

equivalente en conducción puede representarse por una pila ideal de tensión E igual
al potencial de unión del semiconductor de que se trate, en serie con una pequeña
resistencia rd igual al a la pendiente promedio de la característica VAC - iA.
Las pérdidas en conducción directa están expresadas por:
44
1 𝑇
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = � 𝑉𝑉 𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑤𝑤
𝑇𝑇 0 𝐴𝐶 𝐴
Para una onda de intensidad determinada con periodo de repetición T. Para un cálculo
aproximado podría sustituirse la tensión ánodo-cátodo por la caída de tensión en el
diodo durante la conducción, resultando:
1 𝑇
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = � (𝐸 + 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑓𝑓𝐴 )𝑓𝑓𝐴 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝐸𝐼𝐼𝐴(𝐴𝑉𝑉) + 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝐼𝐼𝐴2
𝑇𝑇 0
Siendo IA(AV) el valor medio de iA e IA el valor eficaz. El fabricante proporciona, para

facilitar las cosas, las curvas que aparecen a continuación (Figura 3.16) para
corrientes pulsantes senoidales, que son las más normales en los equipos de
potencia, y para diversos ángulos de conducción.
Figura 3.16 Pérdidas en conducción [1]
Al tomarse como variable el valor medio, resulta que las pérdidas aumentan para
menores ángulos de conducción para un mismo valor de la intensidad porque el valor
eficaz de la corriente aumenta. También suele darse una familia de curvas similar para
impulsos rectangulares de corriente. Si las formas de las ondas reales de intensidad no
son senoidales ni rectangulares pueden asimilarse a ellas con ciertas precauciones y
seguir utilizando las curvas citadas para deducir las pérdidas en conducción por
aproximación.
Con objeto de hacer todavía más fácil la elección de un diodo y su disipador, los
catálogos suelen incluir curvas de intensidad máxima para una temperatura
determinada de la cápsula. También suele darse la intensidad máxima para una
temperatura dada del aire de refrigeración con una combinación diodo-disipador
determinada. [1]
45
Ejemplo 3.2
Un diodo de potencia de 100A medios nominales, está sometido a una corriente

𝜋𝜋 2𝜋𝜋
pulsante (120 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤) 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ ) la caída de tensión ánodo-cátodo se
3 3
considera constante e igual a 1,1V. La tensión inversa repetitiva máxima que soporta
el diodo es de 300V, para dicha tensión la corriente de fuga es de 5mA. [1] Calcular:
a) Potencia media disipada por perdidas de conducción.

b) Potencia media disipada en estado de bloqueo en condición estimada y por exceso.
c) Potencia media total de disipación despreciando las perdidas por conmutación.
Solución:
La potencia media disipada por perdidas de conducción es:

2𝜋𝜋
1 𝑇 1,1 3
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = � 𝑉𝑉𝐴𝐶 𝑓𝑓𝐴 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 120𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 21,01𝑊𝑊
𝑇𝑇 0 2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
Siguiendo la estimación por exceso indicada, durante los 300° en que no conduce el
diodo, de cada periodo de 360°, disipa una potencia de:
300𝑉𝑉 ∗ 5𝑟𝑟𝐴𝐴 = 1,5𝑊𝑊
Luego la potencia disipada promedio a lo largo de todo el periodo por estado de

bloqueo es:
𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞 = 1,5𝑊𝑊 ∗ 300°⁄360° = 1,25𝑊𝑊
Sumando la potencia de perdida en conducción y en bloqueo la potencia media total

de disipación es
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑖𝑟𝑟𝑖𝑝𝑐𝑐𝑐𝑐𝑖𝑜𝑜𝑛𝑛 𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤𝑐𝑐𝑙 = 21,01𝑊𝑊 + 1,25𝑊𝑊 = 22,26𝑊𝑊
3.9 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
En el caso ideal, un diodo no debería tener tiempo de recuperación inversa. Sin

embargo, el costo de fabricación de ese diodo podría aumentar. En muchas
aplicaciones no son importantes los efectos del tiempo de recuperación inversa y se
pueden usar diodos poco costosos. Dependiendo de las características de
recuperación y de las técnicas de manufactura, los diodos de potencia se pueden
clasificar en las tres categorías siguientes:
 Diodos normales, de propósito general
46
 Diodos de recuperación rápida
 Diodos de Schottky
Las características y las limitaciones prácticas de estos tipos restringen sus

aplicaciones. [1]
3.9.1 Diodos de Propósito General
Los diodos rectificadores de propósito (o uso) general tienen un tiempo de

recuperación inversa relativamente grande, en el caso típico de unos 25 µs, y se usan
en aplicaciones de baja velocidad, donde no es crítico el tiempo de recuperación (por
ejemplo, en rectificadores y convertidores de diodo, para aplicaciones con una
frecuencia de entrada baja, hasta de 1 kHz, y para convertidores conmutados por
línea).
Figura 3.17 Recuperación inversa de un diodo lento en la rectificación [1]
Como se ve ilustrado en la Figura 3.17, estos valores del tiempo de recuperación no

afectan a aplicaciones de baja frecuencia, pero se puede hacer inviable la aplicación
del diodo en circuitos de alta frecuencia. Para tales aplicaciones se fabrican diodos que
acumulan poca carga en conducción y presentan, por tanto, tiempos de recuperación
bajos.
Esos diodos de uso general cubren especificaciones de corriente desde menos de 1 A y

hasta varios miles de amperes, y las especificaciones de voltaje van de 50 V hasta 5 kV.
En general, esos diodos se fabrican por difusión. Sin embargo, los tipos de
rectificadores de aleación que se usan en las fuentes de poder para soldar, son lo más
económicos y robustos, y sus capacidades pueden llegar hasta 1500 V, 400 A. [1]
3.9.2 Diodos de Recuperación Rápida
Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de recuperación corto, en el caso
47
normal menor que 5 µs. Se usan en circuitos convertidores de cd-cd y de cd-ca, donde
la velocidad de conmutación tiene importancia crítica. Esos diodos abarcan
especificaciones actuales de voltaje desde 50 V hasta unos 3 kV, y de menos de 1 A
hasta cientos de amperes.
La carga acumulada en conducción es proporcional, entre otras cosas, al espesor de la

pastilla, por lo que los procesos de fabricación más interesantes para obtener diodos
rápidos son los que mejor controlan el gradiente de dopado y, por tanto, menor
espesor de pastilla. Para voltajes nominales mayores que 400 V, los diodos de
recuperación rápida se suelen fabricar por difusión, y el tiempo de recuperación se
controla por difusión de platino o de oro. Para especificaciones de voltaje menores
que 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades mayores de conmutación
que las de los diodos por difusión. Los diodos epitaxiales son angostos de la base, lo
que da como resultado un tiempo corto de recuperación tan corto como 50 ns. [1]
3.9.3 Diodos Schottky
El problema de almacenamiento de carga de una unión pn se puede eliminar o

minimizar en un diodo de Schottky. Esto se logra estableciendo un "potencial de
barrera" (o "barrera de potencial") con un contacto metal-semiconductor. Se deposita
una capa de metal sobre una capa delgada epitaxial de silicio tipo n. La barrera de
potencial simula el comportamiento de una unión pn. La acción rectificadora sólo
depende de los portadores de mayoría, y en consecuencia no queda exceso de
portadores de minoría que se recombinen. El efecto de recuperación sólo se debe a la
capacitancia propia de la unión del semiconductor.
Figura 3.18 (a) Estructura básica de diodo schottky. (b) comparación curva VAC-iA
de diodo schottky de potencia y diodo de unión pn. [1]
La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo

equivalente de unión pn. Ya que eso sólo se debe a la capacitancia de la unión, es
bastante independiente de la di/dt inversa. Un diodo de Schottky tiene una caída de
voltaje relativamente baja en sentido directo.
48
La corriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unión pn. Un
diodo Schottky con voltaje de conducción relativamente bajo tiene una corriente algo
alta, y viceversa. El resultado es que el voltaje máximo admisible para este diodo se
limita en general a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schottky
varían de 1 a 400A son ideales para fuentes de alimentación de gran corriente y alto
voltaje de cd. Sin embargo, esos diodos también se usan en fuentes de poder de poca
corriente, para tener mayor eficiencia. En la Figura 3.19 se puede observar una
presentación comercial de este diodo. [1]
Figura 3.19 Encapsulado de diodo Schottky
3.10 GAMA, CARACTERÍSTICAS Y CÁPSULAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA
Los distintos tipos de diodos de potencia se montan en cápsulas diversas dependiendo

de la intensidad que manejan y de la potencia que disipan. La tensión de bloqueo y el
propio tipo de diodo (ordinario, rápido, de avalancha controlada, Schottky, Zener,
Zener supresor) tienen menor influencia en la elección de la cápsula.
El encapsulado debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con

respecto a la atmósfera para evitar su deterioro químico, la conexión eléctrica al
circuito y la extracción del calor generado por las pérdidas eléctricas. Hay varios tipos
de cápsulas consagradas por el uso y cuyo empleo depende, sobre todo, de la
intensidad nominal del diodo.
FIGURA 3.20 Corte transversal de un diodo en cápsula de vástago roscado (stud). [1]
En la Figura 3-20 se presenta un tipo de capsula utilizada en diodos de 40A y 100 A.

Una cápsula similar con terminal de ánodo acabado en cable trenzado se emplea entre
100 A y 600 A. La pastilla está soldada por la cara inferior a una base de cobre con un
49
vástago roscado que permite fijarla a un disipador metálico que, además de asegurar
su refrigeración a través de la placa de cobre muy conductora del calor, permite la
conexión eléctrica al cátodo. Por la cara superior, la pastilla está soldada a un terminal
de cobre más pequeño que permite la conexión al ánodo. Las soldaduras se efectúan
mediante una aleación de coeficiente de dilatación térmica intermedio entre los de los
materiales a soldar para minimizar las tensiones mecánicas en el cristal
semiconductor con los cambios de temperatura. Suele utilizarse Au-Si para el silicio y
Au-Ge para el germanio. La pastilla se cierra herméticamente en atmósfera inerte
mediante una capsula cerámica, o bien metálica con cierre superior aislante.
En diodos de más intensidad (Figura 3.21) la base es completamente plana y se sujeta

al disipador mediante brida, de forma que se asegura un buen ajuste entre ambas
superficies.
FIGURA 3.21 Corte transversal diodo de potencia en cápsula de disco de doble cara
(capsule), utilizada entre 200A y 8.000A [1]
Los diodos de intensidad superior a 700 A suelen encapsularse con placas planas de
cobre a ambos lados de la pastilla, que se fijan a sendos radiadores para mejorar la
evacuación de las pérdidas. Una pastilla determinada puede trabajar a un 35% más de
intensidad con este encapsulado en disco, que con los de refrigeración por una sola
cara. Sin embargo, la capacidad para soportar sobrecargas transitorias no aumenta
porque depende casi exclusivamente del tamaño de la pastilla.
La Figura 3.22 muestra diversas conFiguraciones de los diodos de propósito general,

que caen casi siempre en dos tipos: tipo perno, o montado en perno, espiga o termina
y el otro de tipo disco, paquete prensado o puck de hockey.
Figura 3.22 Encapsulado de diodos de potencia en vástago roscado y en disco.
50
Existen otros tipos de cápsulas de diodos de potencia pensadas para facilitar el
montaje combinado formando puentes rectificadores de distinto grado de
complejidad aptos para diodos de 15A a 2.500A. Los diodos de 1A a 40A se encapsulan
en cajas pequeñas y variadas pensadas a veces para facilitar el montaje y la
refrigeración en las aplicaciones a que están destinados, Figura 3.23. [1]
(a) (b)
Figura 3.23 (a) Puente trifásico de diodos. (b) Puente monofásico de diodos.
3.11 ASOCIACIÓN DE SEMICONDUCTORES
Cuando o las exigencias de tensión de un circuito de Electrónica de Potencia exceden

las capacidades de los semiconductores individuales comercialmente disponibles, es
necesario recurrir a la conexión en serie de los componentes. Si se exceden las
posibilidades de intensidad, hay que recurrir a la conexión en paralelo. Mediante este
sistema es posible realizar instalaciones que manejen algunos cientos de miles de
voltios y varias decenas de miles de amperios, como es el caso de las estaciones
convertidoras para transmisión de corriente directa en alto voltaje (HVDC).
Desgraciadamente las tolerancias inevitables en las características eléctricas de los

semiconductores de un mismo tipo hacen necesario tomar precauciones necesarias
para asegurar el adecuado reparto de tensión o corriente entre los semiconductores,
de forma que no excedan sus límites de trabajo.
3.11.1 Diodos Conectados en Serie
En el caso de rectificación de tensiones muy elevadas y en otras aplicaciones se

presenta la necesidad de disponer varios diodos en serie para poder soportar la
tensión inversa que presenta el circuito.
En la Figura 3.24 puede verse el reparto desigual de tensión estática en los diodos
debido a las desviaciones entre sí de las características con polarización inversa. El
diodo de menor intensidad de fugas tiende a soportar la mayor tensión y viceversa,
con peligro de que en algún diodo se sobrepase la tensión inversa permitida. Un
51
remedio sencillo consiste en conectar en paralelo con cada diodo una resistencia
elevada R, que tienda a igualar la resistencia equivalente del conjunto diodo-
resistencia y así ecualizar las tensiones soportadas.
FIGURA 3.24 Diodos en serie. Distribución de tensión inversa [1]
Naturalmente, una solución perfecta en este sentido consistiría en medir una a una la
resistencia inversa de cada diodo a la tensión de trabajo esperada y conectarle en
paralelo una resistencia de valor óhmico adecuado. Esto aumentaría el tiempo de
montaje y haría difícil las reparaciones, por lo que se prefiere, aun a costa de menor
grado de utilización en tensión de los diodos, disponer resistencias iguales en toda la
cadena que sirvan con cualquier unidad de un mismo tipo.
El cálculo sencillo de estas resistencias, suponiendo que no hay tolerancias entre ellas
puede hacerse como sigue:
Vtot la tensión inversa total a soportar.

Vinv la tensión inversa de trabajo de los diodos.
IinvM la intensidad inversa máxima de los diodos para la tensión anterior.
n el número de diodos en serie.
Resistencia equivalente mínima del diodo:

𝑉𝑉𝑖𝑛𝑛𝑣
𝑅𝑅𝑒𝑞.𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 =
𝐼𝐼𝑖𝑛𝑛𝑣𝑀
Parámetro introducido para facilitar el cálculo:
𝑅𝑅𝑒𝑞.𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛
𝑃𝑃 =
𝑅𝑅
52
Figura 3.25 Ecualización de tensión en diodos en serie (resistencias en paralelo) [1]
El peor caso para un diodo se daría suponiendo que tiene una intensidad inversa nula
y todos los demás la máxima (Figura 3.25). Aun en este caso, la tensión V1 del diodo
debe ser menor o igual a Vinv
En el divisor de tensión de la Figura citada, la tensión V1 resulta:
𝑅𝑅
𝑉𝑉1 = 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤 ∗
𝑅𝑅 ∗ 𝑃𝑃𝑅𝑅
𝑅𝑅 + (𝑆𝑆 − 1)
𝑅𝑅 + 𝑃𝑃𝑅𝑅
Ya que la resistencia de cada conjunto diodo-resistencia, exceptuando Dl, es
Bajo la condición
𝑉𝑉1 ≤ 𝑉𝑉𝑖𝑛𝑛𝑣
Se deduce que debe cumplirse

𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤 ∗ ≤ 𝑉𝑉𝑓𝑓𝑆𝑆𝑣
𝑅𝑅 + (𝑆𝑆 − 1)
(𝑉𝑉𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤 ⁄𝑉𝑉𝑓𝑓𝑆𝑆𝑣 ) − 1
𝑃𝑃 ≥
𝑆𝑆 − (𝑉𝑉𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤 ⁄𝑉𝑉𝑓𝑓𝑆𝑆𝑣 )
53
Finalmente sustituyendo:
𝑉𝑉𝑖𝑛𝑛𝑣
𝑅𝑅𝑒𝑞.𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 =
𝐼𝐼𝑖𝑛𝑛𝑣𝑀
𝑅𝑅𝑒𝑞.𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛
𝑃𝑃 =
𝑅𝑅
(𝑉𝑉𝑡𝑜𝑡 ⁄𝑉𝑉𝑖𝑛𝑣 )−1
En 𝑃𝑃 ≥
𝑛𝑛−(𝑉𝑉𝑡𝑜𝑡 ⁄𝑉𝑉𝑖𝑛𝑣 )
𝑉𝑉𝑖𝑛𝑣 𝑛𝑛−(𝑉𝑉𝑡𝑜𝑡 ⁄𝑉𝑉𝑖𝑛𝑣 )

Se tiene: 𝑅𝑅 ≤
𝐼𝐼𝑖𝑛𝑣𝑀 (𝑉𝑉𝑡𝑜𝑡 ⁄𝑉𝑉𝑖𝑛𝑣 )−1
La ecualización estática de tensión no resuelve por completo la conexión serie de los

diodos. Es necesario considerar las diferencias de los tiempos de recuperación y de
entrada en conducción, que pueden ocasionar sobretensiones fuertes en los diodos
más rápidos. La ecualización dinámica se resuelve mediante la conexión en paralelo
con cada diodo de un condensador de capacidad adecuada. [1]
Ejemplo 3.3
Se quiere ecualizar en tensión tres diodos de 100A conectados en serie mediante

resistencias iguales en paralelo de valor R. La tensión inversa total a soportar es de
3000V, la tensión inversa de trabajo de los diodos es de 1400V y la intensidad inversa
máxima para la tensión anterior de 4mA. Se pide:
1. El valor óhmico máximo de la resistencia de ecualización R necesaria para asegurar

que, en el peor caso de presentar un diodo una intensidad inversa nula y los otros dos
diodos la máxima, la tensión en aquel no sobrepase la tensión de trabajo.
2. La potencia disipada en la resistencia R en el caso peor de estar sometida a la
tensión de trabajo ele 1.400 V. [1]
Solución:
El valor de la resistencia viene dado por:
1400𝑉𝑉 3 − (3000⁄1400)
𝑅𝑅 ≤ = 262,5𝑘Ω
4𝑟𝑟𝐴𝐴 (300⁄1400) − 1
La potencia disipada es
1400𝑉𝑉 2
𝑃𝑃 = = 7,47𝑊𝑊
262,5𝑘Ω
54
3.11.2 Diodos Conectados en Paralelo
Para manejar intensidades elevadas es necesario disponer diodos en paralelo, pero las
tolerancias en las características de conducción provocan un desigual reparto de
corrientes que no permite utilizar los diodos al 100% de su intensidad. En la Figura
3.26 se describe el reparto de corriente de dos diodos en paralelo.
FIGUHA 3.26 Diodos en paralelo. Distribución de intensidad directa [1]
El diodo D1 presenta una caída de tensión directa menor que D2 y absorbe más
intensidad. La curva característica intermedia a la de los diodos representa la
característica de conducción de un hipotético diodo equivalente que se comporta
como la pareja Dl-D2, tomando en el eje de intensidades doble corriente que para los
diodos reales.
Puede resolverse la ecualización de corrientes eligiendo diodos que tengan la

característica de conducción casi idéntica, pero esto supone problemas de suministro
y de reparación. Suele ser más aconsejable sobredimensionar los diodos en intensidad
o en el número de ellos, de forma que con las mayores desviaciones previstas de la
característica de conducción no haya ningún diodo que sobrepase su intensidad
límite. También suele recurrirse a mejorar la ecualización mediante resistencias o
bobinas en serie con los diodos.
Hay que resaltar que el hecho de que a temperatura creciente de la unión disminuya la
tensión directa supone un inconveniente más en la conexión de diodos en paralelo. El
diodo que absorba mayor intensidad se calentará más y, reduciendo su tensión más
que los otros, todavía aumentará su intensidad.
En la Figura 3.27 se presentan las características de conducción de los diodos

descritos en la Figura anterior modificadas mediante sendas resistencias iguales, R, en
55
serie. Se aprecia inmediatamente el efecto ecualizador de las mismas.
FIGURA 3.27 Ecualización de diodos en paralelo (resistencia en serie) [1]
Para estudiar numéricamente el problema sean
𝑉𝑉𝐴𝐶1 = 𝐸1 + 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝐼𝐼𝐴1
𝑉𝑉𝐴𝐶2 = 𝐸2 + 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝐼𝐼𝐴2
Las expresiones simplificadas de las características de conducción de los diodos Dl y

D2 respectivamente, y
𝑉𝑉1 = 𝐸1 + (𝑟𝑟𝑐𝑐 + 𝑅𝑅)𝐼𝐼𝐴1
𝑉𝑉2 = 𝐸2 + (𝑟𝑟𝑐𝑐 + 𝑅𝑅)𝐼𝐼𝐴2
Las características de los diodos en serie con las resistencias de ecualización R. Se

toma por sencillez la misma resistencia dinámica rd para D1 y D2.
Sea
∆V la máxima diferencia esperada entre los potenciales de unión
∆IA la máxima diferencia de intensidad permitida entre los dos diodos
Como la caída en ambas ramas ha de ser la misma, se deduce igualando
𝐸1 + (𝑟𝑟𝑐𝑐 + 𝑅𝑅)𝐼𝐼𝐴1 = 𝐸2 + (𝑟𝑟𝑐𝑐 + 𝑅𝑅)𝐼𝐼𝐴2
𝐸2 − 𝐸1
𝑅𝑅 = − 𝑟𝑟𝑐𝑐
𝐼𝐼𝐴1 − 𝐼𝐼𝐴2
Teniendo en cuenta las definiciones anteriores

∆𝑉𝑉
𝑅𝑅 ≥ − 𝑟𝑟𝑐𝑐
∆𝐼𝐼𝐴
56
Normalmente la caída de tensión en R, con una intensidad igual a la de pico repetitivo
permitida en el diodo, viene a ser del orden de 1,5 V. Este método de ecualización es
simple pero empeora el rendimiento porque aumenta las perdidas en conducción.
Para tensiones elevadas la caída de tensión en conducción sigue siendo relativamente
baja a pesar del aumento que comportan las resistencias, y el procedimiento de puesta
en paralelo es completamente aceptable. [1]
3.12 RECTIFICADORES NO CONTROLADOS
La red de energía eléctrica disponible en nuestro país está compuesta por una red
trifásica que proporciona tensiones alternas senoidales a 60Hz, pero existe un gran
número de aplicaciones en las que se requiere una alimentación en forma de tensión
continua. Así, por ejemplo, nos surge el problema de cómo alimentar un ordenador
cuyos circuitos electrónicos requieren de una alimentación en forma de tensión
continua. Aunque en algunos equipos electrónicos, normalmente equipos portátiles de
bajo consumo, se utilizan pilas o baterías, en la mayor parte de los casos, por razones
de economía, es necesario utilizar la red eléctrica como fuente primaria de energía. En
este caso se precisa de un subsistema electrónico que convierta la tensión alterna de
la red en tensión continua, a este subsistema se le conoce con el nombre de
rectificador.
Un rectificador convierte corriente alterna en corriente continua. La finalidad de un

rectificador puede ser generar una salida continua pura o proporcionar una onda de
tensión o corriente que tenga una determinada componente continua. Entre el gran
número de aplicaciones existentes que utilizan circuitos rectificadores podemos citar
las siguientes:
• Fuentes de alimentación.
• Alimentación y control de motores.
• Procesos metalúrgicos, galvanoplastia.
• Equipos de soldadura.
• Equipos de calentamiento inductivo y capacitivo.
• Cargadores de baterías.
• Procesos electroquímicos.
• Etc.
En un importante sector de estas aplicaciones se requiere la obtención de una tensión

de salida variable, dando lugar a los rectificadores controlados que serán objeto del
siguiente capítulo.
En este capítulo se estudiarán las topologías de los rectificadores monofásicos y

trifásicos no controlados, su principio de funcionamiento y sus principales
57
características. Las diferentes topologías existentes quedan recogidas en el siguiente
esquema:
RECTIFICADORES NO
CONTROLADOS
MONOFÁSICOS TRIFÁSICOS
MEDIA ONDA ONDA COMPLETA MEDIA ONDA
TOMA CENTRAL ONDA COMPLETA
PUENTE
Figura 3.28 Clasificación rectificadores no controlados [3]
En la práctica, los rectificadores de media onda se utiliza principalmente en

aplicaciones de baja potencia, ya que estos inyectan una componente de corriente
media a la red de suministro no nula y una corriente media distinta de cero puede
causar problemas de saturación en el funcionamiento de los transformadores.
Aunque el propósito del rectificador de onda completa es básicamente el mismo que el

del rectificador de media onda, los rectificadores de onda completa presentan varias
ventajas fundamentales: la componente de corriente media del rectificador de onda
completa hacia generador de alterna es nula, por lo que se evitan los problemas
asociados al generador y transformadores; la salida del rectificador de onda completa
presenta menos rizado que el rectificador de media onda.
Cuando la potencia requerida es elevada se recurre a rectificadores trifásicos debido a

su menor ondulación de salida y elevado rendimiento. En este capítulo analizaremos
para distintos tipos de carga los convertidores monofásicos y trifásicos de onda
completa no controlados. [3]
3.12.1 Parámetros de Rendimiento en Rectificadores
Aunque el voltaje de salida en un rectificador es de cd, es discontinuo y contiene

armónicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe producir un voltaje
de salida de cd con un contenido mínimo de armónicas. Al mismo tiempo debe
mantener la corriente de entrada tan sinusoidal como sea posible, y en fase con el
58
voltaje de entrada, para que el factor de potencia sea cercano a la unidad. La calidad de
procesamiento de potencia de un rectificador requiere la determinación del contenido de
armónicas de la corriente de entrada, el voltaje de salida y la corriente de salida. Se
pueden usar desarrollos en series de Fourier para determinar el contenido de
armónicas de voltajes y corrientes. Los rendimientos de un rectificador se evalúan, en
el caso normal, en función de los siguientes parámetros:
El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), Vcd.
1 𝑇
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑓𝑓(𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤
𝑇𝑇 0
El valor promedio de la corriente de salida (o de carga), Icd.

La potencia de salida en cd, Pcd = Vcd*Icd.
El valor de raíz cuadrada media (rms) del voltaje de salida, Vrms.
1 𝑇
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � 𝑓𝑓(𝑤𝑤)2 𝑑𝑑𝑤𝑤
𝑇𝑇 0
El valor rms de la corriente de salida, Irms.
La potencia de salida rms, P = Vrms*Irms
La eficiencia (o razón de rectificación) de un rectificador, que es una Figura de mérito,
y permite comparar la eficacia, y se define como:
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐
𝜂𝜂 =
𝑃𝑃
Se puede considerar que el voltaje de salida está formado por dos componentes: 1) el
valor de cd y 2) el componente de ca o rizo. El valor efectivo (rms) del componente de
ca en el voltaje de salida es:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = �𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2 − 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 2
El factor de forma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
𝑅𝑅𝑅𝑅 =
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
El factor de rizo (RF, de ripple factor), que es una medida del contenido alterno
residual, se define como:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2
𝑅𝑅𝑅𝑅 = �
𝑅𝑅𝑅𝑅 = � � − 1 = �(𝐹𝐹𝐹𝐹)2 − 1
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
El factor de utilización de transformador (TUF, de transformer utilization factor) se
define como
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇 =
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠
59
En donde Vs e Is, son el voltaje rms y la corriente rms en el secundario del
transformador, respectivamente.
Consideremos las siguientes formas de onda (Figura 3.29), donde vs es el voltaje

sinusoidal de entrada al rectificador, is, es la corriente instantánea de entrada
generada a partir del funcionamiento del rectificador, e is1 es la componente
fundamental a 60Hz obtenida a partir de la descomposición por serie de Fourier de is.
Figura 3.29 Formas de onda del voltaje y corriente de entrada en un rectificador.
Si ∅ es el ángulo entre los componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de

entrada, a ∅ se le llama ángulo de desplazamiento. El factor de desplazamiento (DF) se
define como:
𝐹𝐹𝐹𝐹 = cos ∅
Distorsión Armónica Total (THD). Surge de la necesidad de poder cuantificar

numéricamente los armónicos existentes en un determinado punto de medida.
𝐼𝐼𝑠𝑠 2 − 𝐼𝐼𝑠𝑠1 2
𝑇𝑇𝐻𝐻𝐻𝐻 = �
𝐼𝐼𝑠𝑠1 2
Donde Isl es la componente fundamental de la corriente de entrada Is: Tanto Is1 como
Is, se expresan en valor rms.
El factor de potencia (fp) se define como

𝑉𝑉𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠1 𝐼𝐼𝑠𝑠1
𝑓𝑓𝑓𝑓 = cos ∅ = cos ∅
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠
El factor de cresta (CF, de crest factor), que es una medida de la corriente pico de
entrada ls(pico) en comparación con Is, su valor rms, interesa con frecuencia para
60
especificar las capacidades de corriente pico de los dispositivos y los componentes. El
CF de la corriente de entrada se define por
𝐼𝐼𝑟𝑟1
𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓𝑓 =
𝐼𝐼𝑟𝑟
Notas:1. THD es una medida de la distorsión de una forma de onda.
2. Si la corriente de entrada is es puramente sinusoidal, Is1 = IS y el factor de potencia
fp es igual al factor de desplazamiento FD. El ángulo de desplazamiento ∅ viene a ser
el ángulo de impedancia 𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿�𝑅𝑅 para una carga RL.
3. Al factor de desplazamiento FD se le llama con frecuencia factor de potencia de
desplazamiento (DPF, de displacement power factor).
4. Un rectificador ideal debería tener η = 100%, Vca =0, RF = 0, TUF = 1, THD = 0 y FP
= PDF = 1. [3]
3.12.2 Rectificador Monofásicos de Media Onda
Un rectificador monofásico de media onda es el tipo más simple, pero en el caso

normal no se usa en aplicaciones industriales (se usa en fuentes de poder de bajo
costo, para artículos electrónicos como radios). Sin embargo, es útil para comprender
el principio del funcionamiento del rectificador. En la Figura 3.30 se ve el diagrama de
circuito con una carga resistiva.
(a) (b)
Figura 3.30 (a) Rectificador monofásico de media onda. (b) Formas de onda.
Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada vs, el diodo D1 se polariza en
directa y conduce, el voltaje de entrada aparece a través de la carga. Durante el medio
61
ciclo negativo del voltaje de entrada vs, el diodo está en condición de polarización
inversa (bloqueo) y el voltaje de salida es cero.
Observe que las unidades en el eje horizontal están expresadas en términos de ángulo
(wt). Esta representación resulta útil porque los valores son independientes de la
frecuencia. Para simplificar, se considera que los diodos son ideales. Por "ideal" se
quiere decir que el tiempo trr de recuperación en sentido inverso, y la caída de voltaje
E en sentido directo, son despreciables. Esto es, que trr = 0 y vD = 0. [3]
3.12.2.1 Rectificador monofásico de media onda con carga resistiva
La componente continua de la tensión de salida vo, es el valor medio de la sinusoide

rectificada de media onda:
1 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑚𝑚
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 =
2𝜋𝜋 0 𝜋𝜋
La componente continua de la corriente para la carga resistiva pura es

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 =
=
𝑅𝑅 𝜋𝜋𝜋𝜋
La potencia de salida en cd absorbida por la resistencia de carga puede calcularse a
2 2
partir de 𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 ∗ 𝑅𝑅 = 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 /𝑅𝑅.
La potencia aparente a la salida del rectificador o también llamada potencia eficaz

2
absorbida por la resistencia de carga puede calcularse a partir de 𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 ∗ 𝑅𝑅 =
2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 /𝑅𝑅. Cuando la tensión y la corriente son sinusoides rectificadas de media onda:
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � [𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 =
2𝜋𝜋 0 2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = =
𝑅𝑅 2𝑅𝑅
La idea del valor eficaz surge de la necesidad de medir la eficacia en el suministro de
potencia a la carga resistiva. El valor eficaz de una corriente periódica es la corriente de
cd que suministra la misma potencia promedio a una resistencia que la corriente
periódica.
El valor máximo de la corriente y tensión inversa presentes en el diodo, son

respectivamente:
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑀𝐷 = 𝑉𝑉𝑅𝑅𝑀 = 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑅𝑅
62
Hasta ahora, hemos supuesto que el diodo era ideal. Para un diodo real, la caída de
tensión en el diodo causará que la corriente y la tensión de la carga se reduzcan,
aunque no de forma apreciable si Vm es alta. El rectificador monofásico es poco
utilizado ya que la tensión de salida tiene un alto rizado, y la intensidad tiene una
componente de continua que, en el caso de que se emplee un transformador nos
obliga a sobredimensionarlo (peor aprovechamiento del transformador respecto
otros tipos de rectificadores). [3]
Ejemplo 3.4
Para un rectificador de media onda con carga resistiva el voltaje de entrada es de 120
Vrms alternos a una frecuencia de 60 Hz. La resistencia de carga es de 5 Ω. Determine:
(a) la corriente media en la carga, (b) la potencia media absorbida por la carga y (c) el
factor de potencia del circuito. [3]
Solución
(a) La tensión en la resistencia es una sinusoide con rectificación de media onda, con
un valor de pico 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 120 ∗ √2 = 169.7𝑉𝑉. La corriente media es:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟 169.7

𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = = = = 10.8𝐴𝐴
𝑅𝑅 𝜋𝜋𝜋𝜋 3.1415 ∗ 5
(b) La tensión eficaz en la resistencia para una sinusoide con rectificación de media
onda es
𝑉𝑉𝑟𝑟 169.7
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = = = 84.9𝑉𝑉
2 2
La potencia absorbida por la resistencia es

2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 84.92
𝑃𝑃 = = = 1440𝑊𝑊
𝑅𝑅 5
(c) El FP de entrada para una carga resistiva se puede calcular con

𝑃𝑃 𝑃𝑃 1440
𝐹𝐹𝐹𝐹 = = = = 0.707
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠 𝑉𝑉
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑚𝑚 120 ∗ 17
2𝑅𝑅
Donde Vs e Is, son el voltaje rms y la corriente rms del secundario del transformador,
en este rectificador la corriente rms de carga es igual a la de la fuente de alterna por
ser prácticamente un circuito serie.
Con una carga resistiva, la corriente de carga tiene forma idéntica a la del voltaje de
salida.
63
3.12.2.2 Rectificador monofásico de media onda con carga RLE
En la práctica, las cargas industriales contienen típicamente una cierta inductancia,

además de resistencia, la mayor parte de las cargas son inductivas hasta cierto grado,
y la corriente de carga depende de los valores de la resistencia de carga R y de la
inductancia de carga L. Se agregará una batería de voltaje Vcc con el objeto de deducir
ecuaciones generalizadas, especialmente relacionadas a la aplicación de rectificadores
en la alimentación de motores de corriente continua. [3]
(a) (b) (c)
(d)
Figura 3.31 (a) Rectificador de media onda con carga RLE (Resistencia, Inductancia,
Generador). (b) Circuito para la respuesta forzada del generador de corriente alterna.
(c) Circuito para la respuesta forzada del generador de corriente continua. (d) Formas
de onda. [1]
La Figura 3.31(a) representa un rectificador de media onda, la carga está formada por
una resistencia, una inductancia y una tensión continua. Comenzando el análisis en
wt=0 y suponiendo que la corriente inicial es nula, sabemos que el diodo permanecerá
en bloqueo mientras la tensión instantánea del generador de corriente alterna sea
menor que la tensión continua
Haciendo α igual al valor de wt que causa que la tensión del generador sea igual a Vcc.
𝑉𝑉𝑟𝑟 sin 𝛼𝛼 = 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝛼𝛼 = sin−1 � �
𝑉𝑉𝑟𝑟
El diodo entra en conducción en wt = α. Una vez que el diodo conduce, la ley de
64
Kirchhoff para las tensiones proporciona la ecuación:
𝑑𝑑𝑑𝑑(𝑡𝑡)
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑅𝑅(𝑡𝑡) + 𝐿𝐿
+ Vcc
𝑑𝑑𝑑𝑑
La solución de la ecuación anterior está formada por una respuesta forzada y una
respuesta natural
i(t)= 𝑖𝑖𝑓𝑓 (𝑡𝑡) + 𝑖𝑖𝑛𝑛 (𝑡𝑡)
La corriente if(t) se determina utilizando la superposición de los dos generadores.

La respuesta forzada del generador de corriente alterna (Figura 3.31b) es
(Vm/Z)sen(wt-ϴ). La respuesta forzada debida al generador de corriente continua
(Figura 3.31c) es – Vcc/R. La respuesta forzada completa es:
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
𝑖𝑖𝑓𝑓 (𝑡𝑡) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) −
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑: 𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝑤𝑤)2 , 𝜃𝜃 = tan−1 � �
𝑅𝑅
La respuesta natural tiene la forma:

𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐿𝐿
𝐴𝐴 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑: 𝜏𝜏 =
𝑅𝑅
Sumamos las respuestas natural y forzada para obtener la respuesta completa:
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝛽𝛽
𝑍𝑍 𝑅𝑅
Utilizando la condición inicial de i(α) = 0 se despeja A

𝛼𝛼
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
A = �− sin(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + � 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
La respuesta completa para la corriente es:
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝛼𝛼 − 𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + ��− sin(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + � 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤 � 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅 𝑍𝑍 𝑅𝑅
El ángulo de extinción, β, se define como el ángulo para el que la corriente alcanza el
valor cero
𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝛼𝛼 − 𝛽𝛽
0= sin(𝛽𝛽 − θ) − + ��− sin(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + � 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤 � 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
No existe ninguna solución analítica para β y se necesita la aplicación de algún método

numérico iterativo.
65
La potencia media absorbida por la resistencia es:
2
𝑃𝑃𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 *R
La corriente rms es:
1 𝛽𝛽 2
𝐼𝐼 =� � 𝑖𝑖 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2𝜋𝜋 𝛼𝛼
La potencia media absorbida por el generador de corriente continua es:
Pcd= Icd*Vcc
La corriente media es:
1 𝛽𝛽
𝐼𝐼 = � 𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑐𝑐𝑐𝑐 2𝜋𝜋 𝛼𝛼
Suponiendo que el diodo y la bobina son ideales, no habrá potencia media absorbida
por ninguno de los dos. La potencia entregada por el generador de alterna es igual a la
suma de la potencia absorbida por la resistencia y el generador de continua,
2
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 *R + Icd*Vcc
Ejemplo 3.5
Para un circuito rectificador monofásico de media onda la carga es R = 2Ω, L = 20mH y

Vcc = 100V. El suministro es de 120Vrms a 60 Hz. (a) Determine una expresión para la
corriente del circuito. (b) Determine la potencia absorbida por la resistencia. (c)
Determine la potencia absorbida por el generador de continua. (d) Determine la
potencia entregada por el generador de alterna y el factor de potencia del circuito. [3]
Solución
A partir de los parámetros dados:

𝑉𝑉𝑟𝑟 = 120 ∗ √2 = 169,7𝑉𝑉
𝑍𝑍 = �𝑅𝑅 2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 7,80Ω
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝜃𝜃 = tan−1 � � = 1,31𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
𝛼𝛼 = sin−1 � � = 36,1° = 0,630𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐿𝐿
𝑤𝑤𝜏𝜏 = 𝑤𝑤 = 3,77𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
66
(a) Utilizando la expresión de la corriente i(wt) se tiene:
𝑤𝑤𝑤𝑤
− 3,77
𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75,3 𝑒𝑒
El ángulo de extinción β se obtiene de la solución de
𝛽𝛽
− 3,77
𝑖𝑖(𝛽𝛽) = 21,8 sin(𝛽𝛽 − 1,31) − 50 + 75,3 𝑒𝑒
Haciendo uso de un método de resolución iterativo (calculadora HP) con un valor de

arranque de π el resultado para β = 3,37rad (193°)
(b) Utilizamos la expresión anterior para i(wt) , mediante un programa de integración

numérica (calculadora HP), obtenemos la corriente eficaz
1 3,37 −
𝑤𝑤𝑤𝑤
𝐼𝐼 = � � (21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75,3 𝑒𝑒 3,77 )2 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 3,98𝐴𝐴
𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2𝜋𝜋 0,63
Lo que hace que 𝑃𝑃𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = 3,982 ∗ 2 = 31,7𝑊𝑊
(c) La potencia absorbida por el generador de continua es Icd*Vcc
1 3,37 −
𝑤𝑤𝑤𝑤
𝐼𝐼 = � 21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75,3 𝑒𝑒 3,77 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 2,25𝐴𝐴
𝑐𝑐𝑐𝑐 2𝜋𝜋 0,63
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 2,25 ∗ 100 = 225𝑊𝑊
(d) La potencia entregada por el generador de alterna es
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑃𝑃𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 + 𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 31,7𝑊𝑊 + 225𝑊𝑊 = 256𝑊𝑊
El factor de potencia es
𝑃𝑃 256
𝑓𝑓𝑓𝑓 = = = 0,54
𝑆𝑆 120 ∗ 3,98
3.12.3 Rectificador Monofásicos Onda Completa
El rectificador en puente y el rectificador con transformador de toma media son los

dos rectificadores básicos de onda completa que pueden ser utilizados con
alimentación alterna monofásica. En la Figura 3.32 se muestran el rectificador con
transformador de toma central y las formas de onda de tensión para una carga
resistiva.
67
Figura 3.32 Rectificador monofásico con transformador de toma media [3]
Observaciones básicas sobre este circuito:
Cada mitad del transformador, con su diodo correspondiente, actúa como un

rectificador de media onda, y la salida de un rectificador de onda completa se ve en la
Figura 3.32
Sólo un diodo puede conducir a la vez. La corriente de carga puede ser positiva o nula
pero nunca negativa
La ley de Kirchhoff para las tensiones en el devanado secundario del transformador, y

para D1 y D2 demuestra que la tensión máxima en un diodo polarizado en inversa es el
doble del valor de pico de la tensión de carga.
La corriente en cada mitad del secundario del transformador se refleja al primario,

produciéndose una corriente media del generador nula.
El transformador proporciona aislamiento eléctrico entre el generador y la carga.
La pulsación fundamental de la tensión de salida es 2w, ya que se originan dos
periodos en la salida por cada periodo de la entrada.
El rectificador en puente es más adecuado para las aplicaciones de alta tensión debido
a la menor tensión de pico en borne de los diodos. El rectificador con transformador
de toma media, además de proporcionar aislamiento eléctrico, sólo presenta la caída
de tensión de un diodo entre el generador y la carga, por lo que es adecuado para
aplicaciones de baja tensión y alta corriente.
68
A continuación nos centraremos en el rectificador tipo puente de onda completa, pero
las explicaciones también se pueden aplicar con carácter general al rectificador con
transformador de toma central. El rectificador en puente es el mostrado en la
Figura 3.33.
(a) (b)
Figura 3-33 (a) Rectificador monofásico onda completa tipo puente. (b) Formas de
onda [3]
Principios de operación del rectificador puente:
Con la polaridad de vs indicada en la Figura (semiciclo positivo) los diodos D1 y D2 se

polarizan en directa y conducen al mismo tiempo siendo la tensión en la carga (vo) la
indicada en la Figura 3-33 (D3 y D4 poseen polarización inversa). Luego al cambiar la
polaridad de vs (semiciclo negativo) los diodos D1 y D2 se polarizan en inversa
quedando bloqueados y simultáneamente los diodos D3 y D4 se polarizan en directa
manteniéndose la tensión con la polaridad antes indicada.
La funcionalidad de los diodos asegura que D1 y D3 no pueden conducir al mismo

tiempo, de la misma manera, D2 y D4 no pueden conducir simultáneamente.
La corriente se transfiere de un par de diodos al otro cuando cambia de polaridad la

tensión de alimentación. La corriente a través de la carga puede ser positiva o cero,
pero nunca negativa.
La tensión máxima en un diodo polarizado en inversa VRM es el valor de pico de vs, lo
69
cual se demuestra mediante la ley de tensiones de Kirchhoff para las tensiones
existentes en el bucle formado por el secundario de transformador, D1 y D3. Cuando D1
conduce, la tensión en D3 es -vs.
Evaluando la terminal superior del secundario del transformador, la corriente eficaz

sale de esta terminal en el semiciclo positivo y entra en el puente rectificador (iD1),
luego en el semiciclo negativo la corriente entra por esta terminal desde el puente
rectificador (iD4). De esta forma la corriente por el secundario del transformador es
simétrica respecto de cero. Por tanto, la corriente media por el transformador es cero.
La pulsación fundamental de la tensión de salida es 2w, donde w es la pulsación de la

entrada alterna, ya que se originan dos periodos a la salida para cada periodo de la
entrada. La serie de Fourier de la salida está compuesta por un término de continua y
los armónicos pares de la frecuencia del generador. [3]
3.12.3.1 Rectificador monofásico onda completa tipo puente con carga resistiva
La componente continua de la tensión de salida vo, es:
1 𝜋𝜋 2𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 =
𝜋𝜋 0 𝜋𝜋
La componente continua de la corriente para la carga resistiva pura es

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 2𝑉𝑉𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 =
=
2 2
La potencia aparente a la salida del rectificador o también llamada potencia eficaz o

rms absorbida por la resistencia de carga puede calcularse a partir de 𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
2
∗ 𝑅𝑅 =
2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 /𝑅𝑅.
𝜋𝜋 0 √2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = =
𝑅𝑅 √2𝑅𝑅
Donde la Irms en una rectificación de onda completa es la misma que para una onda
senoidal sin rectificar. El valor máximo de la corriente y tensión inversa presentes en
el diodo, son respectivamente:
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑀𝐷 = 𝑉𝑉𝑅𝑅𝑀 = 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑅𝑅
70
El resto de los parámetros de rendimiento se calculan de acuerdo a las ecuaciones
antes indicadas.
Ejemplo 3.6
Para un rectificador monofásico de onda completa tipo puente el voltaje de entrada es

de 120 Vrms alternos a una frecuencia de 60 Hz. La resistencia de carga es de 5 Ω.
Determine: (a) la corriente media en la carga, (b) la potencia media absorbida por la
carga y (c) el factor de potencia del circuito. [3]
Solución
(a) La tensión en la resistencia es una sinusoide con rectificación de onda completa,

con un valor de pico 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 120 ∗ √2 = 169.7𝑉𝑉. La corriente media es
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 2𝑉𝑉𝑟𝑟 169.7

𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = = = = 20.16𝐴𝐴
𝑅𝑅 𝜋𝜋𝑅𝑅 3.1415 ∗ 5
(b) La tensión eficaz en la resistencia para una sinusoide con rectificación de onda
completa es
𝑉𝑉𝑟𝑟 169.7
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = = = 120𝑉𝑉
√2 √2
La potencia absorbida por la resistencia es

2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 1202
𝑃𝑃 = = = 2880𝑊𝑊
𝑅𝑅 5
(c) El FP de entrada para una carga resistiva se puede calcular con

𝑃𝑃 𝑃𝑃 2880
𝐹𝐹𝐹𝐹 = = = =1
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝐼𝐼𝑠𝑠 𝑉𝑉 120 ∗ 24
𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑚𝑚
√2𝑅𝑅
Donde Vs e Is, son el voltaje rms y la corriente rms del secundario del transformador.
Con una carga resistiva, la corriente y el voltaje de entrada están en fase.
3.12.3.2 Rectificador monofásico onda completa tipo puente con carga RLE
Este circuito (Figura 3.34a) presenta dos modos posibles de operación: el modo de
conducción continua y el modo de conducción discontinua. En el modo de corriente
continua, la corriente de carga siempre es positiva cuando se opera en estado
estacionario (Figura 3.34b). La corriente de carga discontinua se caracteriza porque la
corriente se hace nula en cada periodo (Figura 3.34c). [3]
71
(a)
(c ) (b)
Figura 3.34 (a) Rectificador de onda completa en puente con carga RLE. (b) Corriente
de carga continua. (c) Corriente de carga discontinua [3]
Si 𝑣𝑟𝑟 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) es el voltaje de entrada, la corriente en la carga, io,
cuando un par de diodos entra en conducción simultáneamente, se puede calcular a
partir de:
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤)
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓(𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑑𝑑𝑤𝑤
cuya solución es de la forma:
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑆𝑆: 𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 , 𝜃𝜃 = tan−1 � �
𝑅𝑅
Caso 1: Corriente de carga continua. (Figura 3-33b) La constante A se puede

determinar de la condición para wt = 0, i(wt) = Io
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 0
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(0 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝐴𝐴 = 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝜃𝜃) + + 𝐼𝐼𝑑𝑑
𝑍𝑍 𝑅𝑅
72
Sustituyendo
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − +( 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝜃𝜃) + + 𝐼𝐼𝐼𝐼 ) 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
En estado permanente la corriente al inicio y al final de cada periodo de rectificación
es igual, i(wt = π) = Io
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝜋𝜋
𝐼𝐼𝐼𝐼 = 𝑖𝑖(𝜋𝜋) = sin(𝜋𝜋 − 𝜃𝜃) − +( 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝜃𝜃) + + 𝐼𝐼𝐼𝐼 ) 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
Simplificando se obtiene el valor de Io como:
𝜋𝜋
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 �1 + 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 � 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝐼𝐼𝐼𝐼 = sin(𝜃𝜃) 𝜋𝜋 − 𝐼𝐼𝑜𝑜 ≥ 0
𝑍𝑍 (1 − 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 ) 𝑅𝑅
Después de sustituir Io en i(wt) y simplificar, se obtiene la ecuación que define la

corriente de carga:
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 2 −
𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = � sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) + 𝜋𝜋 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝜃𝜃) 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤 � −
𝑍𝑍 1 − 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑅𝑅
0 ≤ (𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) ≤ 𝜋𝜋 𝑦 𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) ≥ 0
La corriente promedio en cada diodo se puede determinar:
1 𝜋𝜋
𝐼𝐼𝐼𝐼 = � 𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑
2𝜋𝜋 0
La corriente Id circula por un par de diodos a la vez, la corriente a través de la carga se

puede determinar, como:
𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼 = 2𝐼𝐼d
La corriente rms en cada diodo se puede determinar como:
1 𝜋𝜋 2
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � � 𝑖𝑖 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑
2𝜋𝜋 0
y la corriente rms a través de la carga se puede determinar entonces combinando la

corriente rms de cada diodo, como:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √2𝐼𝐼𝑟𝑟
1 𝜋𝜋 2𝑉𝑉𝑚𝑚
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 =
𝜋𝜋 0 𝜋𝜋
73
La tensión eficaz de salida es:
𝜋𝜋 0 √2
Caso 2: Corriente de carga discontinua. Esta se muestra en la Figura 3-33c. La corriente

de carga únicamente fluye durante el intervalo
𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝛽𝛽 Los diodos comienzan a conducir cuando wt = α, donde:
𝛼𝛼 = sin−1
𝑉𝑉𝑚𝑚
En wt = α, i(wt) = 0
√2 𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝛼𝛼
0= 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝛼𝛼
𝐴𝐴 = � − 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑅𝑅 𝑍𝑍
Sustituyendo obtenemos la ecuación que define la corriente de carga:
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝛼𝛼−𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − +� − 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅 𝑅𝑅 𝑍𝑍
En wt = β la corriente cae a cero e i(wt = β) = 0. Esto es:
√2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑠𝑠 𝛼𝛼−𝛽𝛽

𝑖𝑖(𝛽𝛽) = 0 = sin(𝛽𝛽 − 𝜃𝜃) − +� − 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑒𝑒 𝑤𝑤𝑤𝑤
De esta ecuación trascendente se puede determinar β, mediante un método iterativo

(prueba y error). Se inicia con β = 0, Y se aumenta su valor una cantidad muy pequeña,
hasta que el lado derecho de la ecuación se hace cero.
La corriente promedio en cada diodo se puede calcular de la siguiente forma:

1 𝛽𝛽
𝐼𝐼𝐼𝐼 = � 𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼𝐼 = 2𝐼𝐼d
La corriente rms en cada diodo es:
74
1 𝛽𝛽 2
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � � 𝑓𝑓 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
y la corriente rms a través de la carga se puede determinar entonces combinando la

𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √2𝐼𝐼𝑟𝑟
1 𝛼𝛼 1 𝛽𝛽 1 𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
𝜋𝜋 0 𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋 𝛽𝛽
La tensión eficaz de salida es:
1 𝛼𝛼 1 𝛽𝛽 1 𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � [𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
𝜋𝜋 0 𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋 𝛽𝛽
Nota: En muchas aplicaciones, al conectar una carga que tenga una bobina serie con
alta inductancia se produce una corriente de carga esencialmente continua (I) bajo
esta condición 𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = I
Ejemplo 3.7
Para un rectificador monofásico de onda completa: L = 6,5 mH, R = 2,5 Ω, Vcc=10V. El

voltaje de entrada es Vs =120 rms a 60 Hz. a) Determinar a) la corriente de carga en
estado permanente, Io, en wt = 0. b) la corriente promedio en cada diodo, Id, c) la
corriente rms en cada diodo, Ir y c) la corriente rms de salida, Irms. [3]
Solución
No se sabe si la corriente en la carga es continua o discontinua. Se supondrá que es

continua y se procederá con la solución. Si la consideración no es correcta, la corriente
en la carga es cero, y se pasa al caso de una corriente discontinua.
𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 3,5Ω
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝜃𝜃 = tan−1 � � = 44,43º = 0,77𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
75
(a) La corriente de carga en estado permanente, cuando wt = 0, es Io = 32.8 A.
Ya que Io >0, la corriente de carga es continua, y la hipótesis es correcta.
(b) Por integración numérica de la ecuación se obtiene la corriente promedio en
cada diodo Id = 19.61 A.
(c) Por integración numérica de i(wt) entre los límites wt = 0 y π, se obtiene la
corriente rms en cada diodo como Ir = 28.5 A.
(d) La corriente rms de salida es 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √2𝐼𝐼𝑟𝑟 = 40.3 A.
3.12.4 Rectificadores Trifásicos en Puente
Un rectificador trifásico en puente se utiliza frecuentemente en aplicaciones de alta

potencia, para producir tensión y corriente continuas para grandes cargas. En la
Figura 3.35 se muestra el rectificador trifásico en puente de onda completa, y puede
operar con o sin transformador, y produce rizos de seis pulsos en el voltaje de salida.
[3]
Figura 3.35 Rectificador trifásico en puente [3]
El generador trifásico de tensión está equilibrado y la secuencia de fases es a-b-c.
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑛𝑛 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤)

𝑉𝑉𝑏𝑛𝑛 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 120)
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑛𝑛 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 240)
Las combinaciones de voltajes en el puente rectificador presentan los voltajes de

línea:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 = 𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑏 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 + 30)
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 30)
𝑉𝑉𝑏𝑐𝑐 = 𝑉𝑉𝑏 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 90)
𝑉𝑉𝑏𝑐𝑐 = 𝑉𝑉𝑏 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 150)
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 210)
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 = 𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑏 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 270)
76
vo
Figura 3.36 Formas de onda en rectificador trifásico en puente [3]
77
En la Figura 3.36, para una fuente trifásica conectada en Y, se muestran las tensiones
de fase, las combinaciones de las tensiones línea resultantes, la tensión rectificada vo y
la tensión ánodo-cátodo en un diodo durante un periodo vD1. De igual manera se
muestra la corriente de cada diodo del puente para una carga resistiva.
En el análisis inicial del circuito se supondrá que el generador o transformador y los

diodos son ideales.
Principio de operación:
Las tensiones de fase (an, bn, cn) aplicadas al circuito muestran que sólo puede
conducir un diodo a la vez en la mitad superior del puente (D1, D3 o D5). El diodo en
estado de conducción tendrá su ánodo conectado a la tensión de fase de mayor valor
en ese instante.
Las tensiones de fase también muestran que sólo puede conducir un diodo a la vez en
la mitad inferior del puente (D2, D4 o D6). El diodo en estado de conducción tendrá su
cátodo conectado a la tensión de fase de menor valor en ese instante.
D1 y D4 no podrán conducir al mismo tiempo como consecuencia de las dos primeras

observaciones. De la misma manera, tampoco podrán conducir simultáneamente D3 y
D6, ni D5 y D2.
La tensión de salida en la carga es una de las tensiones de línea. Por ejemplo, cuando
𝜋𝜋 2𝜋𝜋
D1 y D2 conducen entre 𝑦 , la tensión de salida es Vca. Además, la tensión línea de
3 3
mayor valor determinará los diodos que estarán en conducción.
Existen seis combinaciones de tensiones línea (tres fases combinadas de dos en dos).
Si consideramos que un periodo son 360º, la transición de la tensión línea a línea de
mayor valor deberá producirse cada 360º/6 = 60º. El circuito se también se denomina
rectificador de seis pulsos debido a las seis transiciones que se producen en cada
periodo de la tensión del generador. La pulsación fundamental de la tensión de salida
es 6w, donde w es la frecuencia angular del generador trifásico.
Los diodos conducen por pares (6, 1), (1, 2), (2, 3), (3, 4), (4, 5), (5, 6), (6, 1), ... . Los
diodos se activan siguiendo la secuencia 1, 2, 3, 4, 5, 6, 1, ... . La corriente en un diodo
en conducción es igual a la corriente de carga.
La tensión inversa máxima en los terminales de un diodo es la tensión de línea

máxima. De acuerdo a la Figura 3-35, cuando D1 conduce la tensión entre sus
terminales es nula (Vánodo - Vcátodo = Van – Van = 0). Si D1 está en bloqueo la tensión
entre sus terminales es Vab cuando conduce D3, ya que el terminal de ánodo de D1
siempre está conectado a la fase a mientras que a la terminal de cátodo llega el voltaje
78
de fase b a través de la conducción de D3 (Vánodo - Vcátodo = Van – Vcn = Vab). Y
finalmente, la tensión entre los terminales de D1 es Vca cuando D5 conduce (Vánodo -
Vcátodo = Van – Vcn = Vac).
Para calcular la corriente en cada fase del transformador se aplica la ley de Kirchhoff
para las corrientes en los nodos a, b y c:
ia = iD1 − VD4
ib = iD3 − VD6
ic = iD5 − VD2
En la Figura 3-35 la grá fica de corriente ia se obtuvo de la resta de la corriente iD1 e iD4.
3.12.4.1 Rectificador trifásico tipo puente con carga resistiva

2𝜋𝜋
1 3 3√3
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � √3𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 𝑉𝑉 = 1,654𝑉𝑉𝑚𝑚
2𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝑚𝑚
6 3
La componente continua de la corriente para la carga resistiva pura es:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 3√3𝑉𝑉𝑚𝑚
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = =
2 2
La potencia aparente a la salida del rectificador o también llamada potencia eficaz o

rms absorbida por la resistencia de carga puede calcularse a partir de 𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
2
∗ 𝑅𝑅 =
2
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 /𝑅𝑅.
2𝜋𝜋
1 3 2 3 9√3
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � �√3𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)� 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � +
2𝜋𝜋 𝜋𝜋 2 4𝜋𝜋
6 3
3 9√3
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑟𝑟 �2 + 4𝜋𝜋
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = = = 1,655𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑅𝑅 𝑅𝑅
El valor máximo de la corriente y tensión inversa presentes en el diodo, son

respectivamente:
√3𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑀𝐷 = 𝑉𝑉𝑅𝑅𝑀 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑅𝑅
79
El valor rms de la corriente en un diodo
2𝜋𝜋
2 3
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � � [𝐼𝐼𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 0,5518𝐼𝐼𝑚𝑚
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
También: 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑟𝑟 =
√3
El valor promedio de la corriente en un diodo
2𝜋𝜋
2 3
𝐼𝐼𝑐𝑐 = � 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 0,3183𝐼𝐼𝑟𝑟
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
También: 𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑑𝑑 =
3
El FP de entrada para una carga resistiva se puede calcular con:
𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃
𝐹𝐹𝐹𝐹 =
3𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
donde Vs es el voltaje rms de una fase e Is es la corriente rms por el secundario del
transformador:
2𝜋𝜋
4 3
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � � [𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 0,7804𝐼𝐼𝑟𝑟
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
También:
2
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
3
Ejemplo 3.8
Un rectificador trifásico en puente entrega a una carga de 10Ω un voltaje continuo de

280V, determine el voltaje inverso máximo por diodo y la corriente máxima por diodo.
[3]
Solución
El voltaje inverso máximo por diodo viene dado por:

𝑉𝑉𝑅𝑅𝑀 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟
A partir de:
80
2𝜋𝜋
1 3 3√3
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � √3𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉 = 1,654𝑉𝑉𝑟𝑟
2𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝑟𝑟
6 3
Obtenemos el voltaje máximo por fase Vm
280
𝑉𝑉𝑟𝑟 = = 169,7𝑉𝑉
1,654
Finalmente
𝑉𝑉𝑅𝑅𝑀 = √3 ∗ 169.7 = 293,9 𝑉𝑉
Para la corriente se tiene

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 280
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = = = 28𝐴𝐴
𝑅𝑅 10
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 28
𝐼𝐼𝑐𝑐 = = = 9,33
3 3
A partir de la ecuació n
2𝜋𝜋
2 3
𝐼𝐼𝑐𝑐 = � 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 0,3183𝐼𝐼𝑟𝑟
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
9,33
Obtenemos 𝐼𝐼𝑟𝑟 = = 29,32𝐴𝐴
0,3183
3.12.4.2 Rectificador trifásico tipo puente con carga RLE
En la Figura 3.37 se muestra el rectificador trifásico en puente con carga RLE.
Figura 3-37 Rectificador trifásico en puente carga RLE [3]
81
La corriente en la carga, i0, se puede calcular a partir de:
𝜋𝜋 2𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 = √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤) 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤
3 3
Donde Vab es el voltaje rms de entrada, de línea a línea. La corriente de carga io se

puede determinar partiendo de que:
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
𝑑𝑑𝑤𝑤
cuya solución es de la forma

√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑅𝑅
𝜋𝜋
La constante A se puede determinar de la condición para 𝑤𝑤𝑤𝑤 = , i(wt) = Io
3
𝜋𝜋
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 3
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � − 𝜃𝜃� − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝐸 𝜋𝜋
𝐴𝐴 = �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
Sustituyendo este valor en i(wt) obtenemos la corriente de carga:
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝜋𝜋 𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + ��𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤 � 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅 𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝜋𝜋−3𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤
Bajo condiciones de estado permanente 𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 2𝜋𝜋�3� = 𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋�3�, Esto es,
𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 2𝜋𝜋�3� = 𝐼𝐼𝑜𝑜 Aplicando esta condición se obtiene:
2𝜋𝜋
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 2𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 𝜋𝜋−3 3
𝐼𝐼𝑑𝑑 = sin � − 𝜃𝜃� − + �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 3 𝑅𝑅 𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
82
Simplificando:
2𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝜋𝜋
−
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 sin � 3 − 𝜃𝜃� − sin � 3 − 𝜃𝜃� 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝜋𝜋 −
𝑍𝑍 �1 − 𝑆𝑆 −3𝑤𝑤𝑤𝑤
� 𝑅𝑅
Introduciendo el resultado de Io en i(wt) se obtiene la expresión de la corriente que

circula a través de la carga.
Nota: al conectar una carga que tenga una bobina serie con alta inductancia se
produce una corriente de carga esencialmente continua (I) bajo esta condición
𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤) = I
La corriente promedio en cada diodo se puede calcular de la siguiente forma:

2𝜋𝜋
1 3
𝐼𝐼𝑑𝑑 = � 𝑓𝑓(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
𝐼𝐼𝑉𝑉𝑑𝑑 = 3𝐼𝐼d
La corriente rms en cada diodo es:
2𝜋𝜋
1 3
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � � 𝑓𝑓 2 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝜋𝜋
3
La corriente rms a través de la carga se puede determinar entonces combinando la

𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √3𝐼𝐼𝑟𝑟
También: 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
𝐼𝐼𝑟𝑟 =
√3
La componente continua y eficaz de la tensión de salida vo, es igual que el caso de
carga resistiva.
Ejemplo 3.9
Para un rectificador trifásico en puente: L = 1,5 mH, R = 2,5 Ω, Vcc = 10V. El voltaje de
entrada es Vab = 208 Vrms, 60 Hz. a) Determinar a) la corriente de carga en estado
𝜋𝜋
permanente, Io, en wt = . b) la corriente promedio en cada diodo, Id, c) la corriente
3
rms en cada diodo, Ir y c) la corriente rms de salida, Irms. [3]
Solución
83
A partir de los parámetros dados,
𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 2,56Ω
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝜃𝜃 = tan−1 � � = 12,74º = 0,22𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
(a) La corriente de carga en estado permanente, es Io = 105,77A.

(b) Por integración numérica de la ecuación i(wt) se obtiene la corriente promedio
en cada diodo Id = 36,09 A.
𝜋𝜋 2𝜋𝜋
(c) Por integración numérica de i(wt) entre los límites 𝑦 , se obtiene la
3 3
corriente rms en cada diodo como Ir = 62,73 A.
(d) La corriente rms de salida es 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √3𝐼𝐼𝑟𝑟 = 108,31 A.
RESUMEN
Las características de los diodos prácticos difieren de los diodos ideales. El tiempo de
recuperación en sentido inverso juega un papel importante, en especial en
aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Se pueden clasificar los diodos en tres
tipos: 1) diodos de uso general, 2) diodos de recuperación rápida y 3) diodos de
Schottky. Aunque un diodo de Schottky se comporta como un diodo de unión pn, no
tiene unión física, y en consecuencia un diodo de Schottky es un dispositivo de
portadores de mayoría. Por otra parte, un diodo de unión pn es un diodo de
portadores tanto de mayoría como de minoría. Si los diodos se conectan en serie para
aumentar la capacidad de voltaje de bloqueo, se requieren redes de voltaje
compartido bajo condiciones de estado estable y condiciones transitorias. Cuando se
conectan los diodos en paralelo para aumentar la capacidad de conducción de
corriente, también se necesitan elementos de corriente compartida.
Existen diferentes tipos de rectificadores, dependiendo de las conexiones de los

diodos y del transformador de entrada. Se definieron los parámetros de rendimiento
de los rectificadores, y se ha demostrado que esos rendimientos varían en los distintos
tipos. Los rectificadores generan armónicas en la carga y en la línea de alimentación,
las cuales se pueden reducir mediante filtros. También, los rendimientos de los
rectificadores están influidos por las inductancias de la fuente y de la carga. [4]
PREGUNTAS
1. ¿Cuáles son los tipos de diodos de potencia?

2. ¿Qué es la corriente de fuga en los diodos?
3. ¿Qué es el tiempo de recuperación en sentido inverso de los diodos?
84
4. ¿Qué es la corriente de recuperación en sentido inverso de los diodos? ?
5. ¿Cuál es la causa del tiempo de recuperación en sentido inverso en un diodo de
unión pn?
6. ¿Cuál es el efecto del tiempo de recuperación en sentido inverso?
7. ¿Por qué es necesario usar diodos de recuperación rápida en conmutación de alta
velocidad?
8. ¿Qué es el tiempo de recuperación en sentido directo?
9. ¿Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión pn y los diodos
de Schottky?
10. ¿Cuáles son las limitaciones de los diodos de Schottky?
11. ¿Cuál es el tiempo típico de recuperación en sentido inverso de los diodos de uso
general?
12. ¿Cuál es el tiempo típico de recuperación en sentido inverso de los diodos de
recuperación rápida?
13. ¿Cuáles son los problemas de los diodos conectados en serie, y cuáles son las
soluciones posibles?
14. ¿Cuáles son los problemas de los diodos conectados en paralelo y cuáles son las
soluciones posibles?
15. ¿Qué es un diodo de marcha libre y cuál es su finalidad?
16. ¿Qué es la energía aprisionada en un inductor?
17. ¿Cómo se recupera la energía aprisionada con un diodo?
18. ¿Qué es un rectificador?
19. ¿Cuáles son los parámetros de rendimiento de un rectificador?
20. ¿Qué es la eficiencia de rectificación?
21. ¿Cuáles son las ventajas de un rectificador trifásico en comparación con uno
monofásico?
PROBLEMAS
1. Un diodo de silicio con una tensión de ruptura de 2000V que conduce una corriente
directa de 2000A se apaga con un constante diR/dt = 250A/µs. Estime
aproximadamente el tiempo requerido para apagar el diodo.
2. El tiempo de recuperación en sentido inverso de un diodo es trr = 5µs, y la rapidez

de bajada de la corriente en el diodo es diR/dt = 80A/µs. Si el factor de suavidad es
SF = 0.5, determine a) la carga almacenada Qrr y b) la corriente pico en sentido
inverso Irr.
3. Para la conexión en paralelo de dos diodos D126A determine la resistencia de

conexión serie. La corriente total es de 250A y se divide por igual entre los diodos.
4. Para la conexión en serie de dos diodos D1809N determine la resistencia de

conexión paralelo. La tensión inversa total a ser manejada es de 9600V.
85
5. Para el diodo RA20 indique la potencia disipada si a través del mismo circula una
corriente promedio de 1600 A con ángulo de conducción de 180°.
6. Un rectificador monofásico en puente tiene una carga puramente resistiva R = 10Ω,

el voltaje pico de suministro Vm = 170 V y la frecuencia de suministro es f = 60Hz.
Calcule la eficiencia del rectificador. Valide los resultados usando el software de
simulación (PSim)
7. Un rectificador trifásico en puente tiene una carga puramente resistiva R = 100Ω y

es abastecido por una fuente trifásica de 280V, 60 Hz. El primario y el secundario
del transformador de entrada están conectados en Y. Determine el factor de
potencia en la entrada del rectificador. Valide los resultados usando el software de
simulación (PSim)
8. Un rectificador monofásico en puente debe suministrar un voltaje promedio Vcd =

400V a una carga resistiva R = 10Ω. Calcule las especificaciones de voltaje y
corriente de los diodos.
9. Un rectificador trifásico en puente debe suministrar un voltaje promedio Vcd =

750V con una corriente sin rizo Icd = 9000A. El primario y el secundario del
transformador se conectan en Y. Calcule las especificaciones de voltaje y corriente
de los diodos.
10. Un rectificador monofásico de onda completa tiene L = 4.5mH, R = 5Ω y Vcc = 20 V.

El voltaje de entrada es V = 120V a 60 Hz. a) Calcule 1) la corriente de carga en
estado permanente Io; 2) la corriente promedio en cada diodo Id; 3) la corriente
rms en cada diodo Ir y 4) la corriente rms de salida. Valide los resultados usando el
software de simulación (PSim)
11. Un El rectificador trifásico de onda completa tiene una carga de L = 2.5mH, R =

50Ω y Vcc = 20V. El voltaje de entrada de línea a línea, es Vab = 208V, 60Hz.
Determine: 1) la corriente de carga Io en estado permanente; 2) la corriente
promedio en cada diodo Id; 3) la corriente rms por el diodo Ir y 4) la corriente rms
de salida. Valide los resultados usando el software de simulación (PSim)
86
LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA I
PRÁCTICA 1
CARACTERIZACIÓN DEL DIODO DE POTENCIA

RECTIFICADOR MONOFÁSICO PUENTE
PLANIFICACIÓN:
1. Elegir los valores nominales y adquirir los siguientes semiconductores:
Diodo rectificador básico

Diodo rápido
Diodo Schottky
Diodo rectificador de potencia
2. Interpretar el datasheet de cada semiconductor.
3. Diseñar un circuito para testear el diodo rectificador de potencia seleccionado.
4. Diseñar un circuito para determinar las características v-i de los diodos

seleccionados, considerar para el diseño una fuente de tensión-corriente variable
disponible en laboratorio.
5. Diseñar un circuito para visualizar el tiempo de recuperación inversa de los diodos

seleccionados, considerar para el diseño, un generador de funciones disponible en
laboratorio, con una tensión de alimentación de +Va/0V y +Va/-2V.
6. Diseñar un circuito rectificador monofásico tipo puente con carga resistiva-

inductiva y corriente de carga continua, utilizar un transformador de relación
120/12 o 24V, (para minimizar el riesgo de choque eléctrico).
7. Diseñar el filtro de entrada y salida para el rectificador tipo puente para minimizar
la perturbación armónica a un 5%.
EJECUCIÓN:
En el orden en que han sido enumerados, armar los circuitos diseñados y realizar las
mediciones requeridas por el procedimiento seleccionado.
EVALUACIÓN:
En la ejecución de la experiencia práctica se debe lograr y hacer énfasis sobre los
87
siguientes puntos:
1. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un diodo mediante el uso de un

multímetro al no disponerse del datasheet?
2. Representación de las características v-i para cada uno de los diodos seleccionados
y análisis mediante un solo gráfico comparativo.
3. Comparación del tiempo de recuperación inversa de los diodos seleccionados,

determinado experimentalmente y el especificado en el datasheet. ¿Cómo influye
en el experimento del tiempo de recuperación inversa el que la señal de la fuente
tenga una componente negativa?
4. Análisis comparativo del desempeño teórico (parámetros de rendimiento) con los

resultados experimentales, del rectificador monofásico carga resistiva-inductiva
con y sin el filtro.
5. Formas de onda de corriente y voltaje en la carga, diodos y fuente de alimentación

alterna, las formas de corriente tomarla en los extremos de una resistencia de 1Ω
insertada en el punto de interés. ¿Cómo afecta el fenómeno de recuperación
inversa del diodo en el puente rectificador?
DESCRIPCIÓN DE LOS CAMPOS DEL REPORTE DE PRÁCTICA.
Portada
Estará conformada por el membrete y logotipo de la institución y en una enmarcación

central de la hoja de portada colocar el siguiente cuadro con la información respectiva.
Asignatura: Docente
Trabajo Práctico: Nota:
Fecha de Ejecución: Observaciones:
Fecha de Informe:
Integrantes N° Grupo:
C.I Nombre Apellido
1
2
3
4
5
88
Objetivo o Competencia
Describir claramente el conocimiento, habilidad o competencia que se pretende

alcanzar con la realización de la práctica.
Fundamentos
Marco teórico: Información necesaria para llevar a cabo la práctica, fenómenos,

principios, leyes, teorías, postulados, funcionalidad de componentes y circuitos, que
serán la base para la solución de la práctica del laboratorio.
Condiciones: Parámetros de diseño considerados en la elaboración de cada circuito,

incluyendo además, las respuestas a las preguntas planteadas por el profesor durante
el desarrollo del experimento. (Máximo 10 hojas)
Procedimiento
Diagramas, Cálculos, Simulación: Los diagramas indicarán la forma en que se

alambraran los componentes y donde se llevaran a cabo las mediciones del circuito.
Los cálculos respectivos al diseño de la práctica deberán ser ordenados y claros,
subrayando o encuadrando los resultados significativos. En cuanto a la simulación se
presentarán capturas de pantalla y cuadros de datos emitidos por el software de
simulación de manera correlacionada.
Equipo: Lista de equipos y herramientas necesarios para la realización de la práctica.
Material: Lista los componentes del circuito a armar, valores y datos nominales.
Desarrollo de la práctica: Se indicará la secuencia en que se llevará a cabo el

experimento, anotando los principios, leyes, ecuaciones que se utilizaron al llevar la
práctica. También deberá anotarse los problemas surgidos durante el experimento, la
forma en que se resolvieron, el principio aplicado.
Resultados y Conclusiones
La Recopilación de Datos: El conjunto de lecturas y observaciones registradas durante

el experimento, serán presentadas en forma de tablas y/o en forma gráfica (p.ej.
pantallas del osciloscopio, indicando claramente los datos que se representan).
Resultados: El análisis o interpretación de los datos obtenidos, ya sean valores,

graficas, tabulaciones, etc., debe contestar lo más claramente posible, lo sucedido
durante el desarrollo de la práctica.
Conclusiones: Explicación breve del análisis de los datos y de los resultados.

Señalando las observaciones más importantes y las fuentes de error. Efectuar una
comparación de los resultados experimentales con los teóricos y los simulados e
89
indicar cuál fue el aprendizaje adquirido.
Bibliografía y Anexos
Se listara la bibliografía utilizada, sean libros y/o páginas de internet haciendo uso de
las normas APA. En cuanto a los anexos, podrán incluirse hojas de datos de
componentes, fotografías de circuitos, copias del manual de sustituciones (ECG-NTE),
así como cualquier documento al cual se pueda hacer referencia en el desarrollado en
la práctica.
Nota: El reporte de práctica, podrá ser entregado en físico o por vía virtual en la
dirección electrónica indicada por el profesor.
REFERENCIAS


Cap. 20.

y Aplicaciones”. 3ª. Ed., Prentice Hall, México. Cap. 2,3.
90
CAPITULO 4
TIRISTORES
RECTIFICADORES CONTROLADOS
CONTROLADORES DE TENSIÓN ALTERNA
Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los siguientes:
• Aprender las características y limitaciones de los tiristores como interruptores

• Aprender distintos tipos de tiristores, como SCR, GTO, IGCT, TRIAC, LARSCR
• Comprender las características de compuerta y los requisitos de control de
compuerta de distintos tipos de tiristores
• Comprender la operación y las características de los rectificadores controlados
• Aprender los tipos de rectificadores controlados
• Comprender los parámetros de rendimiento de los rectificadores controlados
• Aprender las técnicas para analizar y diseñar circuitos de rectificadores
controlados
• Estudiar los efectos de la inductancia de carga sobre la corriente en la carga
• Comprender la operación y las características de los controladores de voltaje de ca
• Aprender los tipos de controladores de voltaje de ca
• Comprender los parámetros de rendimiento de los controladores de voltaje de ca
• Aprender las técnicas para el análisis y el diseño de controladores de voltaje de ca
4.1 INTRODUCCIÓN
El tiristor en la modalidad de rectificador de silicio controlado unidireccional, o SCR

(Silicon Controlled Rectifier), ha sido el primer semiconductor de alta potencia,
alcanzando tras no muchos años de su invención en 1957capacidades de conducción
de corriente de miles de amperios y bloqueo de tensiones de miles de voltios. Con él la
Electrónica de Potencia adquirió el estatus de tecnología consolidada con carácter y
aplicaciones propias, en la frontera entre la Electrotecnia y la Electrónica, a ello ayudó,
la robustez inherente de este semiconductor. Tienen una construcción única de cuatro
capas y son interruptores de bloqueo que se encienden por una terminal (compuerta)
de control, pero no se apagan por la compuerta. Las características del tiristor (en
particular su gran capacidad de manejo de potencia) aseguran que siempre tendrán
importantes aplicaciones en la electrónica de potencia. La imposibilidad de bloqueo
por señal de puerta (más tarde incorporada en los GTO o Gate Turn-Of thyristor)
91
establece la limitación de su uso a circuitos donde la extinción de la corriente anódica
sea espontánea (como en los rectificadores controlados), o bien su aplicación en
topologías con incorporación de circuitos extras para conseguir el bloqueo.
Surgió así una Electrónica de Potencia robusta pero incómoda, con limitaciones
inherentes importantes en cuanto a la frecuencia de conmutación alcanzable. Sin
embargo el rendimiento obtenido en los equipos que pueden realizarse con tiristores
es elevado, estos componentes muestran, una relativamente baja tensión de
conducción comparada con la elevada tensión que soportan en bloqueo, y una
corriente de fugas en bloqueo también baja comparada con la corriente posible en
conducción. Definitivamente la Electrónica de Potencia se liberó con estos dispositivos
de la limitación de rendimiento pobre que la elevada caída de tensión en conducción
de sus predecesoras las válvulas (tiratrones e ignitrones) imponían a buen número de
aplicaciones. [1]
4.2 GENERALIDADES
Caen dentro de la denominación general de tiristores todos aquellos componentes

semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la
realimentación regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de
esta familia, de los cuales el más empleado con mucha diferencia es el rectificador
controlado de silicio (SCR), por lo que suele aplicársele el nombre genérico de
tiristor.
Es un componente de conducción unidireccional con dos terminales principales,

ánodo cátodo, y uno auxiliar para disparo o puerta. Brevemente explicado, su
funcionamiento es el siguiente. Con la puerta al aire ó cortocircuitada al cátodo, el
tiristor es capaz ele bloquear tensión directa o inversa aplicada los terminales
principales hasta cierto valor límite. Con tensión positiva entre ánodo y cátodo, el
tiristor entra en franca conducción si se le aplica un impulso de intensidad adecuada
en puerta. Este estado se mantiene aún en ausencia de la corriente de puerta gracias a
un proceso interno de regeneración de portadores. Para volver al estado de bloqueo
es necesario que el circuito de potencia en el que está inmerso a través de sus
terminales principales ánodo y cátodo, reduzca la corriente de ánodo por debajo de
cierto valor y durante un determinado tiempo, al menos.
En el tiristor ordinario, o SCR, la puerta no tiene influencia apreciable para propiciar

el paso de conducción a bloqueo. Tampoco está preparado para ser utilizado en
conducción cátodo a ánodo aunque de hecho la intensidad de fugas en bloqueo
inverso resulta aumentada por la excitación de puerta, lo mismo que en bloqueo
directo (efecto transistor bidireccional).
Puede decirse que el tiristor se comporta como un diodo rectificador con iniciación de
92
la conducción controlada por la puerta (de ahí su nombre). Posee casi tocias las
excelentes cualidades del diodo de silicio (funcionamiento a temperaturas altas,
fiabilidad, robustez, etc. Frente a sus homólogos por conducción gaseosa, los
tiratrones e ignitrones, presenta una tensión de saturación mucho menor (entre 1,5 V
y 2 V aproximadamente) y, por lo tanto menor disipación y rendimiento más elevado.
Sus excelentes características multiplicaron su utilización en circuitos de potencia

que anteriormente empleaban tiratrones e ignitrones mejorando en muchos casos su
funcionamiento y permitieron la elaboración de otros muchos nuevos. [1]
4.3 ESTRUCTURA BÁSICA
La sección transversal de un tiristor genérico se muestra en la Figura 4.1a. Se indican

tanto los espesores aproximados de cada capa alterna de dopaje tipo p y tipo n que
comprenden la estructura como las densidades aproximadas de dopaje. En términos
de sus dimensiones laterales, los tiristores se encuentran entre los dispositivos
semiconductores más grandes. Es posible usar un chip completo de silicio de hasta
10cm de diámetro para fabricar un solo tiristor de alta potencia.
En la Figura 4.1b, se muestran algunas vistas planas de dos disposiciones de

compuerta y cátodo. La estructura distribuida de compuertas corresponde a un
tiristor de dimensiones grandes, y la estructura de electrodos de compuerta
localizada, a un tiristor de diámetro más pequeño. En general, la disposición de las
compuertas y cátodos de tiristores varía mucho según el diámetro del tiristor, su
capacidad planeada de di/dt y su rango planeado de velocidades de conmutación.
El símbolo de circuito para el tiristor se ve en la Figura 4.1c, es en esencia el símbolo

de un diodo (o rectificador) que además tiene una tercera terminal de control, la
compuerta. Las convenciones de tensión y corriente para el tiristor se muestran en la
Figura.
Las técnicas de construcción más empleadas son la difusión y la de crecimiento

epitaxial y el material empleado es casi exclusivamente el silicio. La capa anódica, p+,
tiene un espesor relativo moderado y está muy dopada en la superficie exterior para
facilitar el contacto eléctrico con el terminal metálico del ánodo.
La capa de bloqueo, n-, es la de mayor espesor y tiene baja concentración junto con la
capa anódica forma el diodo o unión de ánodo que bloquea el paso de corriente en
sentido inverso cátodo-ánodo. Esta zona del tiristor absorbe la zona de degradación o
agotamiento en bloqueo directo. La capa de control, p, es más estrecha que las
anteriores porque deberá permitir fácilmente la llegada a n- de los electrones emitidos
por n+ en el estado de conducción. Forma con n- la unión de control que bloquea el
paso de corriente en sentido directo, o lo permite en el estado de conducción gracias
93
al proceso regenerativo. La capa catódica, n+, es la más delgada y está muy dopada
para facilitar la emisión de electrones hacia la unión de control y el contacto eléctrico
con el terminal eléctrico de cátodo. Forma con la capa de control el diodo o unión de
cátodo, de gran corriente inversa y bajo poder de bloqueo. [3]
(a)
b) (c)
Figura 4.1 Tiristor genérico: a) sección transversal vertical; b) disposiciones de

compuerta y cátodo; c) símbolo. [3]
4.4 CARACTERÍSTICAS I-V
La singularidad del tiristor se encuentra sobre todo en su característica i-v (corriente

del ánodo iT como función de la tensión de ánodo a cátodo VAK), que se muestra en la
Figura 4.2. En el sentido inverso, el tiristor es similar a un diodo de polarización
inversa que conduce muy poca corriente hasta que ocurre una ruptura de avalancha.
Para un tiristor, la máxima tensión inversa de trabajo se denomina VRWM (hay
dispositivos con valores de VRWM hasta 7000 V). En el sentido directo, el tiristor tiene
dos estados o modos de operación estables conectados entre sí por medio de un modo
inestable que aparece como resistencia negativa en la característica i-v. La zona de
94
corriente baja y tensión alta es el estado de bloqueo de polarización directa o estado
pasivo, y el modo de tensión baja y corriente alta es el estado activo. Ambos estados se
indican en la característica i-v. En el estado activo, un tiristor de alta potencia conduce
corrientes con un promedio de 2000 a 3000A con caídas de tensión de estado activo
de sólo unos cuantos voltios.
Figura 4.2 Característica de corriente-tensión de un tiristor [4]
Los valores específicos de tensión y corriente en el cuadrante de polarización directa

de la característica i-v son de interés para el usuario y aparecen en las hojas de
especificaciones.
En el estado de conducción, la corriente anódica se limita por la impedancia externa,

RL, como se ve en la Figura 4.2. La corriente anódica debe ser mayor que un valor
llamado corriente de retención IL para mantener el flujo necesario de portadores a
través de la unión; en caso contrario, el dispositivo regresa a la condición de bloqueo,
cuando se reduce el voltaje de ánodo a cátodo. La corriente de retención IL es la
corriente anódica mínima necesaria para mantener al tiristor en estado de encendido,
inmediatamente después de haberse activado y retirar la señal de la compuerta.
Una vez encendido el tiristor por una señal de compuerta, y siendo mayor su corriente
anódica que la corriente de retención, el dispositivo continúa conduciendo, por
retroalimentación positiva, aun cuando se retire la señal de compuerta. Una vez que
un tiristor conduce, se comporta como diodo conductor y no hay control sobre el
dispositivo y éste continúa conduciendo, sin embargo, si la corriente en sentido
directo del ánodo se reduce por debajo de un nivel conocido como corriente de
95
mantenimiento IH, se desarrolla una región de transición alrededor de la unión J2 y el
tiristor entra en estado de bloqueo. La corriente de retención está en el orden de
miliamperios y es mayor que la corriente de mantenimiento, es decir, IL > IH. La
corriente de mantenimiento IH es la corriente mínima de ánodo para mantener al
tiristor en el estado de encendido.
Para el estado de bloqueo de polarización directa, las cantidades de interés son el

voltaje de bloqueo de polarización directa VBO (a veces denominado transición
conductiva VBO, porque se rompe la curva i-v y va a la parte de estado activo de la
característica) y la corriente respectiva de transición conductiva IBO. Un tiristor se
puede encender aumentando el voltaje VAK en sentido directo a más de VBO, pero ese
encendido podría ser destructivo. En la práctica, el voltaje en sentido directo se
mantiene menor que VBO y el tiristor se activa aplicando un voltaje positivo entre su
compuerta y su cátodo.
Con una corriente de puerta positiva al tiristor, la transición o desviación al estado

activo se presenta con valores pequeños de tensión de ánodo a cátodo. Como se
señala en la Figura 4.2 con línea segmentada, el tiristor conmuta al estado activo con
valores bajos de VAK si la corriente de compuerta es razonablemente grande estando
ésta dentro del rango dado por el fabricante. Aunque no se indica en la característica
i-v, la señal de compuerta no tiene que ser una corriente de CC, sino, en cambio, un
impulso de corriente con una duración mínima. Esta capacidad de encender el tiristor
por medio de un impulso de corriente es la base de aplicaciones extensivas del
dispositivo.
No se puede usar la compuerta para apagar el dispositivo, la única manera de apagar

un tiristor es que el circuito exterior fuerce a la corriente a través del dispositivo para
que sea menor que la corriente de mantenimiento durante un periodo de tiempo
mínimo especificado tq. Existen diseños especiales de tiristores, denominados GTO
gate tum-off (apagado de compuerta), en los que se usa la compuerta para apagar el
dispositivo. [4]
4.5 MODELO DEL TIRISTOR EMPLEANDO DOS TRANSISTORES
La acción regenerativa o de retención debida a la retroalimentación positiva se puede

demostrar con un modelo de tiristor hecho con dos transistores. Se puede considerar
que un tiristor equivale a dos transistores complementarios, un transistor pnp, Q1, y
otro transistor npn, Q2, como se ve en la Figura 4.3a. El modelo del circuito
equivalente se ve en la Figura 4.3b. La corriente IC del colector de un transistor se
relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unión
colector-base, ICBO, como sigue:
𝐼𝐼𝐶 = 𝛼𝛼𝐼𝐼𝐸 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂
96
Figura 4.3 (a) Modelo de dos transistores para el tiristor. (b) Circuito equivalente [4]
La ganancia de corriente en base común se define como 𝛼𝛼 ≈ 𝐼𝐼𝐶 ⁄𝐼𝐼𝐸 . Para el transistor
Q1, la corriente del emisor es la corriente anódica IA, y la corriente del colector IC1 se
puede determinar con la ecuación:
𝐼𝐼𝐶1 = 𝛼𝛼1 𝐼𝐼𝐴 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂1
Donde 𝛼𝛼1 es la ganancia en corriente e 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂1 es la corriente de fuga para Q1. De igual
modo, para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es
𝐼𝐼𝐶2 = 𝛼𝛼2 𝐼𝐼𝐾 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂2
Donde 𝛼𝛼2 es la ganancia en corriente e 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂2 es la corriente de fuga para Q2. Por ley de
corrientes de Kirchhoff , se combinan IC1 e IC2 para obtener
𝐼𝐼𝐴 = 𝐼𝐼𝐶1 + 𝐼𝐼𝐶2 = 𝛼𝛼1 𝐼𝐼𝐾 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂1 + 𝛼𝛼2 𝐼𝐼𝐾 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂2
Si la corriente de disparo, control, de compuerta es IG, IK = IA + IG, y despejando IA de la

ecuación se obtiene
𝛼𝛼2 𝐼𝐼𝐺 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂1 + 𝐼𝐼𝐶𝐵𝑂2
𝐼𝐼𝐴 =
1 − (𝛼𝛼1 + 𝛼𝛼2 )
La ganancia en corriente 𝛼𝛼1 varía con la corriente del emisor 𝐼𝐼𝐴 = 𝐼𝐼𝐸 ; 𝛼𝛼2 varía con IK =
IA + IG. Si aumenta en forma repentina la corriente de compuerta IG, por ejemplo de 0 a
1mA, aumenta de inmediato la corriente anódica IA, que hace aumentar más 𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2 .
La ganancia en corriente 𝛼𝛼2 depende de IA e IG. El aumento en los valores de 𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2
hace aumentar más IA En consecuencia, hay un efecto regenerativo, o de
retroalimentación positiva. Si (𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2 ) tiende a la unidad, el denominador de la
ecuación tiende a cero, resulta un valor grande de la corriente anódica IA, y el tiristor
97
se enciende con una pequeña corriente de compuerta. En el estado de bloqueo, la
suma de 𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2 debe ser mucho menor que la unidad para que la corriente del ánodo
IA se mantenga muy pequeña, desde microamperios para dispositivos de baja
corriente hasta unos cuantos miliamperios para tiristores de alta corriente.
Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones pn, que se ven en la
Figura 4.4, influyen sobre las características del tiristor.
Figura 4.4 Modelo de dos transistores para tiristor en estado transitorio [4]
Si un tiristor está en un estado de bloqueo, un voltaje que aumente con rapidez

aplicado a través del dispositivo causaría un flujo alto de corriente a través de los
capacitores de la unión. La corriente por el capacitor Cj2 se puede expresar con la
ecuación:
𝑑𝑑(𝑞𝑗2 ) 𝑑𝑑(𝐶𝑗2 𝑉𝑉𝑗2 ) 𝑑𝑑�𝐶𝑗2 � 𝑑𝑑�𝑉𝑉𝑗2 �
𝑓𝑓𝑗2 = = − 𝑉𝑉𝑗2 + 𝐶𝑗2
𝑑𝑑𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑤𝑤
En la que Cj2 y V12 son la capacitancia y el voltaje de la unión J2, respectivamente; qj2 es
la carga en la unión. Si la rapidez de aumento de la tasa dv/dt del voltaje es grande,
entonces ij2 sería grande, y eso causaría mayores corrientes de fuga ICBO1 e ICBO2. De
acuerdo con la ecuación para IA los valores suficientemente altos de ICBO1 e ICBO2
pueden causar que (𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2 ) tienda a la unidad, y causen un encendido no deseado del
tiristor. Sin embargo, una corriente grande a través de los capacitores de la unión
también puede dañar al dispositivo. [4]
4.6 ESTADO DE BLOQUEO DEL TIRISTOR
En el estado de bloqueo inverso, el ánodo es de polarización inversa respecto del

cátodo. Las uniones J1 y J3 son de polarización inversa y J2 es de polarización directa.
98
La unión J1 debe soportar la tensión inversa porque J3 tiene una tensión de ruptura
baja como consecuencia del dopaje pesado en ambos lados de la unión. La capacidad
de bloqueo inverso de la unión J1 suele estar limitada por la longitud de la zona n- (n1).
En el estado de bloqueo directo, las uniones J1 y J3 son de polarización directa y J2 es

de polarización inversa. Las densidades de dopaje en cada capa son tales que la capa
n- (n1) es donde aparece la zona de degradación de la unión de polarización inversa J2,
y así esta zona de nuevo determina la capacidad de tensión de bloqueo, esta vez para
el estado de bloqueo directo. Por lo general, el tiristor está diseñado de modo que el
voltaje de bloqueo directo VBO será más o menos el mismo que el voltaje de bloqueo
inverso VRWM·
En ambas situaciones el tiristor está bloqueado y permite el paso de la intensidad de

fugas que tenga la principal unión encargada del bloqueo. Los valores de VBO y VRWM
empiezan a caer con rapidez al aumentar la temperatura cuando la temperatura de la
unión supera los 150 ºC, por lo que la mayoría de los fabricantes de dispositivos
especifica la temperatura máxima de la unión de sus tiristores en 125 ºC. [1]
4.6.1 Fenómenos Internos en Bloqueo Directo
La barrera de potencial de una unión pn (J2) polarizada inversamente se establece por

desplazamiento de mayoritarios que dejan una zona de cierto espesor con los iones
fijos sin neutralizar eléctricamente. En la Figura 4.5 se representan las curvas de
distribución de carga y de potencial en un tiristor en bloqueo directo y para facilitar la
comparación se da en línea de puntos las distribuciones con el ánodo y cátodo en
cortocircuito.
En esta situación el tiristor tiene las propiedades de bloqueo de la unión de control

n1p2 y aparece una barrera de potencial en la unión, del mismo valor
aproximadamente que la tensión aplicada Vs. Circula una corriente de fugas directa de
ánodo a cátodo que es la de portadores minoritarios siendo despreciable la corriente
de difusión de mayoritarios. Como se vio en el caso de diodos esta corriente de fuga
aumenta fuertemente con la temperatura y puede ser del orden de 20mA para un
tiristor de 100A nominal a 125ºC en las uniones.
La corriente de fuga circula en sentido directo a través de las uniones de ánodo y

cátodo sin modificar apenas las distribuciones de carga y potencial respecto de las que
se establecen en el caso de no polarización. Crece lentamente con la tensión directa
hasta llegar a valores próximos a la zona teórica de avalancha para la unión de control,
en la que finalmente aumenta hasta cierto valor llamado intensidad de ruptura directa
IBO pasando el tiristor al estado de conducción. Este parámetro es muy variable de
unas unidades a otras dentro de un mismo tipo de tiristor y disminuye con
temperaturas crecientes.
99
Figura 4.5 Tiristor en bloqueo directo. Distribución de carga espacial y de potencial
eléctricos en el sentido del eje de las uniones [1]
4.6.2 Fenómenos Internos en Bloqueo Inverso
En este caso la unión de control puede conducir libremente por quedar directamente
polarizada. No obstante, las uniones de ánodo y cátodo se polarizan inversamente y
bloquean la corriente que podría establecerse en el circuito exterior. De estas dos
uniones, la de cátodo tiene las zonas próximas más dopadas y tiene peores
características de bloqueo. Por lo tanto, es la unión de ánodo la que soporta casi toda
la tensión inversa exterior al estar ambas en serie y tener mayor resistencia
equivalente. La Figura 4.6 muestra esta situación, siendo VA la tensión soportada por
la unión de ánodo y VK la soportada por la de cátodo. Ambas deben sumar la tensión
exterior VS.
La unión de control no cambia apenas sus distribuciones de carga y potencial respecto

de la situación sin polarizar porque la corriente de fugas inversa que permiten las
uniones de ánodo y cátodo es muy baja y la atraviesa en sentido directo. De lo anterior
100
se deduce que las propiedades del tiristor en bloqueo inverso dependen casi
exclusivamente de la unión de ánodo, que a este propósito se construye con las capas
de ánodo y el bloque n- de gran espesor y poco dopado en las proximidades de la
unión. Como en el caso de bloqueo directo, la corriente de fugas inversa también
aumenta mucho con la temperatura y muy poco con la tensión inversa exterior,
excepto en la zona próxima a la avalancha inversa en que la curva tensión-intensidad
se acoda fuertemente. [1]
FIGURA 4.6 Tiristor en bloqueo inverso. Distribución de carga espacial y de potencial

eléctricos en el sentido del eje de las uniones [1]
4.6.3 Pérdidas Eléctricas
Las características eléctricas resultantes de los fenómenos anteriormente descritos se

han representado en la Figura 4.7 El fabricante da, lo mismo que en el caso del diodo,
cuatro tensiones características con los mismos nombres y significado. Estas
tensiones vienen a diferir entre sí unos 100V para un tiristor de 1000V de tensión de
101
pico repetitivo y suelen coincidir los valores de bloqueo inverso con los homólogos de
bloqueo directo.
FIGURA 4.7 Característica VAC-iA del tiristor en bloqueo, valores característicos de

tensión [1]
El tiristor puede ser destruido por una tensión inversa superior a la de ruptura. En
caso de tensión directa, sin embargo, al superarse la tensión de ruptura se pasa al
estado de conducción y, si el circuito exterior al tiristor limita la corriente de ánodo a
un valor tolerable, el componente no sufre daño alguno. En este sentido podría decirse
que el tiristor es autoprotegido contra destrucción por excesiva tensión directa, lo que
proporciona al componente una robustez funcional pasiva nada despreciable.
Tanto en bloqueo directo como en bloqueo inverso, la energía disipada viene dada por
integral del producto de la tensión instantánea ánodo-cátodo por la corriente
instantánea de fugas. No suelen proporcionarse datos de los valores instantáneos de la
característica de bloqueo sino un valor máximo de la intensidad de fugas a
determinada temperatura de las uniones y tensión de bloqueo. Puesto que las
pérdidas en estado de bloqueo normalmente son muy pequeñas comparadas con las
producidas por conducción directa, y por las operaciones de bloqueo y disparo, suele
ser suficiente obtener para aquellas un valor medio por exceso suponiendo que la
corriente de fugas es constantemente igual al valor máximo especificado. Pueden
expresarse así, tanto para bloqueo directo como inverso
1 𝑇 1 𝑇
𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞𝑢𝑒𝑜𝑜 = � 𝑓𝑓𝐴 𝑉𝑉𝐴𝐾 𝑑𝑑𝑤𝑤 ≤ 𝐼𝐼𝑓𝑓𝑢𝑔𝑐𝑐 𝑟𝑟á𝑥 � 𝑉𝑉𝐴𝐾 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝐼𝐼𝑓𝑓𝑢𝑔𝑐𝑐 𝑟𝑟á𝑥 ∗ 𝑉𝑉𝐴𝐾𝑟𝑟
𝑇𝑇 0 𝑇𝑇 0
102
Siendo 𝑉𝑉𝐴𝐾𝑟𝑟 el valor medio de la tensión ánodo-cátodo en bloqueo directo o inverso.
Para la mayoría de las aplicaciones el circuito equivalente de un tiristor bloqueado
puede asimilarse en primera aproximación a un circuito abierto porque, como en los
diodos de silicio, la intensidad de fugas es muy pequeña comparada con la nominal. No
obstante, y como también se ha dicho al final del apartado antes mencionado, es más
correcto un circuito equivalente formado por una fuente de intensidad (la de fugas)
dependiente exclusivamente de la temperatura de la unión. [1]
4.7 ESTADO DE CONDUCCIÓN DEL TIRISTOR
Se caracteriza por una caída directa de tensión muy pequeña (entre 1,5V y 2V
aproximadamente) casi constante, con una intensidad de ánodo elevada controlada
por el circuito exterior al tiristor. La puerta no ejerce ninguna influencia importante
en un tiristor en conducción. El estado de conducción, al que puede llegarse de
diversas formas como veremos luego, se mantiene mientras la corriente de ánodo no
disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento IH durante un tiempo
determinado. [1]
4.7.1 Fenómenos Internos en Conducción
Las uniones de ánodo y cátodo no ofrecen dificultades a la conducción en sentido

directo salvo los pequeños potenciales de unión que se oponen. Lo anormal de este
estado es la conducción en sentido inverso de la unión de control J2, que pierde sus
cualidades de bloqueo por la abrumadora abundancia de minoritarios a ambos lados,
los cuales no dejan que se establezca la zona de carga espacial. La situación se
automantiene gracias a un proceso regenerativo descrito a continuación con
referencia a la Figura 4.8.
Las uniones de ánodo y cátodo están polarizadas directamente e inyectan en las capas
de bloqueo (n1) y control (p2), respectivamente, gran cantidad de minoritarios. Estos
atraviesan por difusión dichas zonas poco dopadas y, al llegar en su mayoría a la unión
de control, son aceleradas por la barrera de potencial de la misma.
Como consecuencia de esta aceleración cruzan la unión de control, luego ambos tipos
de portadores generan por choque con la red cristalina nuevos pares electrón-hueco
que engrosan los que llegan por difusión y pasan a la zona opuesta como mayoritarios.
Entre estos mayoritarios y los minoritarios que inyectan ánodo y cátodo se establece
una atracción mutua, acelerando aquellos la difusión de estos y favoreciéndose así la
traslación de los mayoritarios hacia las zonas de ánodo y cátodo. Este proceso se
automantiene compensándose las pérdidas de portadores, debidas a la recombinación
que existe en las zonas de control y bloqueo, mediante la generación de pares la unión
de control. Además, los mayoritarios que llegan a la unión de ánodo y de cátodo
aceleran por atracción electrostática la inyección de huecos y electrones,
103
respectivamente.
FIGURA 4.8 Tiristor en conducción. Distribución de carga y de potencial en el sentido

axial de las uniones. Flujo de portadores [1]
En la Figura 4.8 se aprecia cómo aumenta la concentración de carga positiva en la

zona ánodo a consecuencia de la inyección de huecos y cómo disminuye el exceso que
existe sobre la concentración en equilibrio en la región próxima a la unión de control,
debido a la corriente de electrones en sentido contrario. Lo mismo se puede decir de
la carga negativa las zonas de cátodo y de control.
También puede verse en la misma Figura la deformación de la distribución de

potencial respecto de la situación de no polarización. Se observa que el potencial de la
unión de control favorece la conducción, siendo la caída total VTO necesaria para
mantenerla ligeramente superior a la de un solo diodo en conducción. Suele ser de 1,5
104
a 2V, como se ha dicho antes, a valores de la intensidad de ánodo próximos al
nominal.
Si el circuito exterior al tiristor hace que disminuya iA hasta un valor muy pequeño, los
pocos mayoritarios que llegan a la unión de control son insuficientes para compensar
por generación de nuevos pares las pérdidas por recombinación en las capas de
bloqueo y control. El proceso no se automantiene y el tiristor pasa inmediatamente al
estado de bloqueo directo o inverso según el signo de la tensión forzada entre ánodo y
cátodo por el circuito exterior.
El valor mínimo ele iA por debajo del cual no se automantiene el estado de conducción
se llama corriente de mantenimiento, como ya se ha indicado al principio de esta
sección. Para un tiristor de 100A de corriente nominal, puede ser de unos 150mA
como máximo. [1]
4.7.2 Características Eléctricas. Parámetros de Intensidad
El tiristor presenta en conducción una caída de tensión VTO del orden de 1,3V para
baja corriente, que aumenta a 2V o algo más para el valor máximo de intensidad
permitido en régimen continuado. La elevación de la caída de tensión con la
intensidad es aproximadamente lineal, de forma que la característica es similar a la de
un diodo con 1,3V de tensión de codo. En primera aproximación puede escribirse
𝑉𝑉𝑇𝑂 = 1,3𝑉𝑉 + 𝑟𝑟𝑇 𝑓𝑓𝐴
Siendo rT la resistencia dinámica, tanto menor cuanto mayor sea la corriente nominal
del tiristor (Figura 4-9).
FIGURA 4.9 Característica VAK - iA en conducción de un tiristor de unos 100A de

intensidad media nominal [1]
105
Esta curva no cambia apreciablemente de una unidad a otra de un mismo tipo de
componente. El fabricante suele proporcionar una curva de caída típica y otra de
máxima caída tensión. Sin embargo hay que constatar que la caída de tensión es
dependiente de la temperatura de las uniones debido, como en el caso de un diodo, a
que la mayor concentración de minoritarios hace disminuir los potenciales de unión.
Este hecho es, obviamente, beneficioso para la refrigeración del componente; sin
embargo hay que tener en cuenta que, para corrientes instantáneas varias veces
superiores a la nominal, la caída de tensión aumenta con la temperatura, lo que
debilita la capacidad del componente para soportar sobreintensidades cortas con las
uniones calientes.
Los tres parámetros característicos de intensidad definidos para los diodos;

intensidad media nominal, de pico repetitivo y de pico único, son empleados también
para definir en corriente a un tiristor. Algunos fabricantes emplean el valor eficaz en
lugar del medio para dar la corriente nominal, pudiendo establecerse la definición así:
Intensidad eficaz nominal: Es el valor eficaz de la máxima corriente de impulsos

senoidales de 180° que el tiristor puede soportar con la cápsula mantenida a
determinada temperatura.
El valor eficaz de la onda de intensidad aludida es lógicamente mayor que el medio y

hay que tener en cuenta este punto cuando se comparan tiristores de distinto
fabricante, así como las temperaturas de la cápsula utilizadas como referencia. El
hecho de que no haya una norma universalmente aceptada en este sentido hace que se
puedan cometer errores de comparación fácilmente. [1]
4.7.3 Pérdidas en Conducción
Normalmente son las pérdidas más considerables en un tiristor. Sin embargo, en los
circuitos de alta frecuencia (1 kHz o más), las pérdidas por conmutación (disparo y
bloqueo) pueden ser tan grandes como aquellas o superiores. La caída de tensión
ánodo-cátodo en conducción, dada en el apartado anterior inmediato, no es nada
despreciable al multiplicarse por la corriente iA a la hora de calcular la potencia de
pérdidas instantánea, pudiendo resultar valores de 2000W y más para un tiristor de
100A de intensidad nominal media sometido a una punta fuerte de intensidad. De la
expresión citada se deduce, para la potencia media a lo largo de un periodo T de
funcionamiento, una fórmula igual a la encontrada para las pérdidas en conducción
del diodo en la que el potencial de unión se ha sustituido por la tensión de codo, 1,3 V,
del tiristor. Es decir,
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = 1,3𝐼𝐼𝐴𝑟𝑟 + 𝑟𝑟𝑇 𝐼𝐼𝐴2
Siendo IAm el valor medio de la intensidad de ánodo, IA el valor eficaz y rT la resistencia

dinámica del tiristor en cuestión. Esta fórmula aproximada de las pérdidas en
conducción pone de manifiesto, como en el caso del diodo, que las pérdidas crecen,
106
para una intensidad de valor medio determinado, con el factor de forma. En general,
cuanto más estrechos y altos los impulsos de corriente, más altas son las pérdidas. El
fabricante suele proporcionar una familia de curvas para la determinación de las
pérdidas en conducción en función de la intensidad media de ánodo, para intensidad
continua y para senoidal de media onda con ángulos de conducción de 180°, 120°, 90°,
60° y 30° (Figura 4.10).
FIGURA 4.10 Pérdidas en conducción con intensidad senoidal para varios ángulos de
conducción en función de la intensidad media, para un tiristor típico de 100A
nominales [1]
También es corriente dar estas curvas para onda rectangular con los mismos ángulos
de conducción citados.
Puesto que el objeto de calcular las pérdidas es principalmente la elección del

disipador de calor apropiado, para facilitar esta tarea es normal que se den en
catálogo familias de curvas en las que se puede leer directamente la corriente media
permitida con las formas de onda de intensidad antes citadas para:
- Diversas temperaturas de la cápsula, dejando al usuario la tarea de calcular el

disipador en función de la temperatura ambiente;
- Diversas temperaturas del aire de refrigeración con el tiristor montado en un
determinado disipador, bien de refrigeración natural por aire o bien de
refrigeración forzada por aire o por líquido.
Las tres familias de curvas citadas suponen despreciables las pérdidas por otros
conceptos que no sean el de conducción directa. Si la forma de onda de la intensidad
de ánodo no es ninguna de las señaladas en las curvas, se puede elegir la más próxima,
quedando al buen criterio del diseñador la corrección que se haya de hacer del valor
107
de pérdidas señalado en las mismas.
Para una corriente de ánodo determinada, las pérdidas descienden ligeramente al

pasar de un tiristor a otro de más corriente nominal, por disminuir su resistencia
dinámica. No dependen apenas de la tensión nominal del componente. [1]
Ejemplo 4.1
Un tiristor montado en un rectificador monofásico con filtro muy inductivo conduce

durarte medio periodo de la red y esta bloqueado durante otro medio periodo, y así
sucesivamente. Durante los semiperiodos de conducción es atravesado por una
intensidad constante de 100A y durante los semiperiodos de bloqueo inverso soporta
una tensión senoidal de 300V de pico. La caída de tensión en conducción con 100A es
de 1,9V, y la corriente de fugas para tensiones de bloqueo inverso no superiores a la
soportada puede aproximarse a 10mA independientemente de dicha tensión. Se
supone por sencillez una conmutación limpia sin anomalías en las ondas de intensidad
y de tensión. [1]
Se pide:
1) Calcular la potencia media disipada por pérdidas de conducción.

2) Calcular la potencia media que disipa el tiristor en estado de bloqueo.
3) Calcular la potencia media total de disipación despreciando las pérdidas por
conmutación.
4) Calcular el porcentaje que supone la potencia de pérdidas por bloqueo vista en 2)
en el total de potencia de pérdidas vista en 3).
Solución:
1) Calculando directamente se multiplica la intensidad por la caída de tensión y

dividiendo por dos, puesto que solo conduce medio periodo
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛𝑐𝑐 = 100𝐴𝐴 ∗ 1,9𝑉𝑉 ∗ 0,5 = 95𝑊𝑊
2) La potencia de pérdidas por estado de bloqueo puede calcularse fácilmente. El dato

Ifugamáx se sustituye en este caso, y siguiendo el enunciado, por el valor de 10mA. La
tensión en bloqueo inverso media VAKm se obtiene para la media onda como sigue
300𝑉𝑉
𝑉𝑉𝐴𝐾𝑟𝑟 = = 95,5𝑉𝑉
𝜋𝜋
Aplicando la ecuación
1 𝑇 1 𝑇
𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞𝑢𝑒𝑜𝑜 = � 𝑓𝑓𝐴 𝑉𝑉𝐴𝐾 𝑑𝑑𝑤𝑤 ≤ 𝐼𝐼𝑓𝑓𝑢𝑔𝑐𝑐 𝑟𝑟á𝑥 � 𝑉𝑉𝐴𝐾 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝐼𝐼𝑓𝑓𝑢𝑔𝑐𝑐 𝑟𝑟á𝑥 ∗ 𝑉𝑉𝐴𝐾𝑟𝑟
𝑇𝑇 0 𝑇𝑇 0
108
Se obtiene
𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞𝑢𝑒𝑜𝑜 = 𝐼𝐼𝑓𝑓𝑢𝑔𝑐𝑐 𝑟𝑟á𝑥 ∗ 𝑉𝑉𝐴𝐾𝑟𝑟 = 10𝑟𝑟𝐴𝐴 ∗ 95,5𝑉𝑉 = 0,955𝑊𝑊
3) Sumando las potencias de pérdidas de conducción y de bloqueo antes halladas se

tiene:
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑖𝑟𝑟𝑖𝑝𝑐𝑐𝑐𝑐𝑖ó𝑛𝑛 𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤𝑐𝑐𝑙 = 𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛𝑐𝑐 + 𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞𝑢𝑒𝑜𝑜 = 95𝑊𝑊 + 0,955𝑊𝑊 = 95,955𝑊𝑊
4) Las pérdidas en bloqueo suponen un porcentaje de las pérdidas totales de
(𝑃𝑃𝑏𝑙𝑜𝑜𝑞𝑢𝑒𝑜𝑜 ⁄𝑃𝑃𝑐𝑐𝑖𝑟𝑟𝑖𝑝𝑐𝑐𝑐𝑐𝑖ó𝑛𝑛 𝑤𝑤𝑜𝑜𝑤𝑤𝑐𝑐𝑙 ) ∗ 100 = (0,955𝑊𝑊 ⁄95,955𝑊𝑊 ) ∗ 100 = 0,995%
El porcentaje es muy bajo, por lo que normalmente en los tiristores las pérdidas en
bloqueo se desprecian.
Ejemplo 4.2
Un tiristor cuya tensión de codo de conducción es de 1,3V y cuya resistencia dinámica

en conducción es de 0,006Ω está sometido a un régimen de trabajo por el que la
intensidad de corriente media y eficaz que lo atraviesa es de 47,7A y 106,1A
respectivamente. Calcular la potencia de perdidas promedio por conducción. [1]
Solución:
Haciendo uso de la ecuación

𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = 1,3𝐼𝐼𝐴𝑟𝑟 + 𝑟𝑟𝑇 𝐼𝐼𝐴2
Se tiene
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑜𝑜𝑛𝑛 = 1,3𝑉𝑉 ∗ 47,7𝐴𝐴 + 0,006Ω ∗ (106,1𝐴𝐴)2 = 129,6𝑊𝑊
4.8 FORMAS DE DISPARO
Se llama disparo al paso del estado de bloqueo al de conducción de forma estable. El

paso de bloqueo a conducción consistirá en la creación de las condiciones necesarias
para que la densidad de corriente en algún punto de la pastilla alcance un valor
suficiente para que se mantenga el proceso regenerativo que caracteriza este estado.
Esta zona inicial de conducción se extiende inmediatamente al resto de la pastilla si el
circuito exterior permite suficiente intensidad de corriente, reduciéndose la barrera
de potencial en la unión de control al valor normal de conducción, del orden de 0,7V, y
estableciéndose la caída de tensión ánodo-cátodo entre 1,5V y 2V.
La intensidad de fugas en bloqueo directo depende de la tensión ánodo-cátodo y de la

temperatura. Esta intensidad de fugas puede elevarse por encima de la corriente de
retención IL aumentando la tensión ánodo-cátodo, también puede conseguirse
109
mediante la elevación rápida de dicha tensión debido al efecto de la capacidad
parásita de las uniones, por radiación electromagnética (luz) de intensidad y longitud
de onda adecuada incidente en la pastilla o mediante la inyección de una corriente
entrante en puerta.
Las cuatro formas citadas de aumentar la intensidad de fugas dan lugar a cada uno de
los procedimientos de disparo que se describen a continuación. El disparo real de un
tiristor es causado muchas veces por la acción combinada de dos o más de los efectos
citados y está influenciado por la temperatura de la unión, que si es elevada facilita el
disparo debido al enriquecimiento de portadores en las uniones por los pares
generados térmicamente. [1]
4.8.1 Disparo por Tensión Excesiva
Si se acerca la tensión ánodo-cátodo al valor de ruptura en sentido directo, parte de

los portadores minoritarios que atraviesan la unión de control adquieren energía
suficiente para generar por choque con la red cristalina nuevos pares electrón-hueco
que pasan a engrosar la corriente de mayoritarios en las zonas de bloqueo y control.
Estos nuevos portadores pueden, a su vez, ocasionar la generación de otros pares
antes de abandonar la zona de carga espacial de la unión de control, teniendo lugar un
aumento considerable de la corriente de fugas por un fenómeno de ruptura en dicha
unión.
Esta corriente se traduce en una afluencia de huecos hacia la zona de cátodo que
inyecta electrones por atracción electrostática, y en una afluencia de electrones hacia
la zona de ánodo que inyecta huecos en menor cantidad. Estos nuevos portadores
engrosan a su vez la corriente de fugas, de forma que cuando esta alcanza un valor
similar al de mantenimiento, una reacción en cadena hace pasar al tiristor al estado de
conducción. La tensión ánodo-cátodo cae a unos 1,5V al desaparecer la zona de carga
espacial de la unión de control y el circuito exterior permitirá el aumento de corriente
por el tiristor con un retardo que dependerá de la inductancia de aquel, pudiéndose
considerar que el componente ha entrado en conducción definitivamente cuando la
intensidad de ánodo ha superado el valor de retención.
Esta forma de disparo es raramente empleada para pasar intencionalmente a

conducción. Sin embargo se da de forma fortuita provocada por sobretensiones
anormales en los equipos y proporciona una suerte de protección inherente del
componente contra destrucción por sobretensión, siempre que el circuito asociado
limite la velocidad de crecimiento de la intensidad y su valor final a valores
admisibles. [1]
4.8.2 Disparo por Derivada de Tensión
Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo con
110
tiempo de subida muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un
desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensión exterior aplicada. No hay
tiempo para que se reorganicen las distribuciones de concentración en n1 y p2 y
adquieran la situación de bloqueo directo, de forma que permanecen con el mismo
perfil que en el caso de no polarización pero desplazadas, la de huecos hacia la unión
catódica y la de electrones hacia la unión anódica (Figura 4.11).
FIGURA 4.11 Desplazamiento de las distribuciones de portadores en la unión de

control ante un escalón positivo de tensión ánodo-cátodo [1]
A consecuencia del desplazamiento de cargas antedicho, la unión de control queda

vacía de portadores mayoritarios, ensanchándose su zona de carga espacial. Aparece
en esa unión una diferencia de potencial elevada que se opone a la tensión exterior y
un campo eléctrico capaz de acelerar fuertemente los minoritarios de las
proximidades. Estos atravesarán la unión arrancando por choque con la red cristalina
pares electrón-hueco si el campo acelerador es suficientemente elevado, aumentando
así la intensidad de fugas. Parte de estos nuevos portadores, que se dirigirán a las
uniones de cátodo y ánodo como mayoritarios, se recombinarán antes de llegar a las
mismas. Otra parte provocará a su llegada la inyección de minoritarios en las capas de
control y bloqueo por las uniones de cátodo y ánodo respectivamente. Como se dijo
para el caso de disparo por tensión excesiva, si la intensidad de fugas alcanza el valor
suficiente para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrará en conducción
estable y permanecerá así una vez pasado el escalón de tensión que lo disparó. El
circuito exterior debe permitir la elevación de la corriente de ánodo por encima de la
de enclavamiento.
111
Para producir este tipo de disparo bastan escalones de tensión de un valor final
bastante menor que el de tensión de ruptura por avalancha, con tal de que el tiempo
de subida sea suficientemente corto. El valor necesario de la derivada de tensión
dv/dt es dependiente de la tensión final y de la temperatura siendo tanto menor
cuanto mayores sean estas.
Muchos circuitos someten a los tiristores a derivadas bruscas de tensión en

funcionamiento normal y sería indeseable el disparo en esas condiciones. Para
aumentar la inmunidad del tiristor a este fenómeno el fabricante acude a veces a una
técnica de construcción consistente en cortocircuitar parcialmente las zonas de
control y de cátodo, de forma que parte del exceso de intensidad de fugas provocado
por el escalón de tensión se deriva por el cortocircuito y no provoca la inyección de
electrones por el cátodo. En los tiristores pequeños, en los que la puerta tiene bastante
influencia en toda la pastilla, también es aconsejable conectar una resistencia exterior
entre puerta y cátodo para derivar parte de la corriente de fugas provocada por el
escalón de tensión en la unión de control. [1]
4.8.3 Disparo por Impulso de Puerta
El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor consiste en la

aplicación en puerta de un impulso positivo (entrante) de intensidad mediante la
conexión de un circuito excitador adecuado entre los terminales de puerta y cátodo,
mientras se mantiene una tensión positiva ánodo-cátodo. En dicho control los
circuitos excitadores aplican los pulsos de activación a través de circuitos de
interconexión mediante acoplamiento óptico (optoacopladores) o magnético
(transformadores de pulso), estos tienen la ventaja de eliminar los ruidos eléctricos
producidos por las corrientes de retorno y de conmutación, además de ofrecer un
aislamiento entre el circuito de control y el circuito de potencia.
En la Figura 4.12 se ilustra la pequeña parte de la pastilla que alberga el área

intermedia entre los terminales de puerta y cátodo. La tensión ánodo-cátodo es alta y
la barrera de potencial de la unión de control se ha visualizado a lo largo de toda la
unión con ayuda de signos + y - indicativos de las cargas eléctricas presentes en la
zona de carga espacial.
Al iniciarse el impulso de intensidad de puerta ip, una nube de huecos parte del
terminal de puerta a través de la capa de control en un recorrido lateral hacia la parte
más próxima de la unión de cátodo. Simultáneamente una nube equivalente de
electrones es inyectada por la unión de cátodo en la capa de control e inicia su
recorrido lateral al encuentro de los huecos. Lo mismo que estos, tienden por difusión
a acercarse a la unión de control. Algunos de los electrones son captados por la
elevada barrera de tensión de la unión de control y se aceleran hacia la capa de
bloqueo n1, arrancando pares electrón-hueco por choque con los átomos de la red
cristalina. La velocidad de generación de pares depende obviamente de la intensidad
112
de puerta y de la tensión ánodo-cátodo soportada por la unión de control.
Figura 4.12 Disparo de un tiristor por impulso de puerta [1]
Los huecos generados por choque se dirigen a la unión de cátodo y a su llegada

extraen una nube de electrones por atracción electrostática, que a su vez se dirigirá en
parte a la unión de control y puede generar nuevos pares. Un proceso análogo tiene
lugar con los electrones que van a la unión de ánodo. Se provoca así un área local de
conducción en la parte de la pastilla cubierta por el terminal de cátodo y vecina al
terminal de puerta. Si la densidad de corriente alcanzada es suficiente, la conducción
se automantendrá independientemente del impulso de puerta y se extenderá el área
de conducción a toda la pastilla, supuesto que el circuito exterior permita intensidad
suficiente.
Los portadores inyectados por la corriente de puerta siguen teniendo influencia

durante cierto tiempo después de la anulación de ip hasta que desaparecen por
recombinación. [1]
113
4.8.3.1 Características de puerta
El circuito puerta-cátodo de un tiristor equivale al diodo P2N2 en serie con la

resistencia del camino relativamente largo que los portadores deben recorrer
lateralmente por la zona de control. Contrariamente a lo que sucede en un diodo
normal, la dispersión de la curva característica VGK-IG de una a otra unidad de un
mismo tipo es muy grande, de forma el fabricante se ve obligado a proporcionar las
curvas límite dentro de las cuales estará situada la característica real de un dispositivo
cualquiera. La Figura 4-13 reproduce dichas curvas límite.
Figura 4.13 Características de puerta de un tiristor [1]
Las condiciones del circuito ánodo-cátodo no influyen sobre estas características con
el tiristor en bloqueo, ya que con tensión directa la unión de control bloquea y aísla el
circuito de puerta y con tensión inversa la unión de ánodo hace la misma función.
Sería interesante conocer el valor de la intensidad y tensión de puerta que dispara a

cada tiristor de un mismo tipo. Estos valores no dependen apenas de la tensión ánodo-
cátodo para valores de ésta suficientemente altos, pero sí varían mucho con la
temperatura, necesitándose mayor tensión o intensidad cuanto menor sea aquella.
También existe en estos valores una dispersión muy grande entre los individuos de un
mismo tipo.
114
Como el problema en el diseño de circuitos suele ser asegurar el disparo con un cierto
impulso de puerta, por una parte, y asegurar que no haya disparo entre los impulsos,
por otra, el fabricante facilita para cada tipo de tiristor los siguientes valores que
resuelven la cuestión:
• VGK mínima CD: es la tensión puerta-cátodo mínima con disparo del tiristor a
una determinada temperatura.
• VGK máxima SD: es la tensión puerta-cátodo máxima sin disparo del tiristor a
una determinada temperatura.
• IG mínima CD: es la intensidad mínima de puerta con disparo del tiristor a una
• IG máxima SD: es la intensidad de puerta máxima sin disparo del tiristor a una
Como se aprecia en la Figura 4.13, estos cuatro parámetros anteriormente definidos

dividen el área encerrada por las características limites en tres zonas: una superior de
disparo seguro, otra inferior de disparo imposible o de no disparo, y una intermedia
de disparo incierto.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thévenin para determinar la

recta de carga sobre la curva característica VGK-IG. Para el ejemplo de la Figura 4.13 la
recta de carga cortará a los ejes en los puntos de 8V (tensión en vacío del circuito de
disparo) y de 8𝑉𝑉 ⁄16Ω = 0,5𝐴𝐴 (intensidad de cortocircuito). La recta de carga debe
pasar por la zona de disparo seguro cuando se pretende iniciar la conducción. Cuando
el circuito de disparo se haya desactivado, la recta de carga debe pasar por la zona de
no disparo para asegurar que el tiristor no entra en conducción.
Existen unos límites máximos de tensión puerta-cátodo y de intensidad de puerta que

no deben sobrepasarse para evitar el deterioro del tiristor. Asimismo, la potencia
entregada al circuito puerta-cátodo tiene unos límites que varían con el factor de
trabajo (duty ratio) del impulso de disparo, es decir, con la relación entre la duración
de un impulso y el tiempo entre el comienzo de dos impulsos consecutivos, expresada
en tanto por ciento (Figura 4-14). Estos límites marcan un área de trabajo permitida
en las características VGK-IG que deben respetarse.
Figura 4.14 Factor de trabajo[1]
115
Se supone una repetición periódica de pulsos iguales. Cuanto mayor sea el factor de
trabajo menos potencia máxima podrá consumirse en el circuito de puerta-cátodo. Si
la potencia consumida por el circuito de puerta-cátodo es muy grande, se alcanza una
temperatura muy alta que puede dañar al tiristor.
[1] Se deben tener en cuenta los siguientes puntos para diseñar el circuito de control
de compuerta.
1. La señal de compuerta debe retirarse después que haya encendido el tiristor. Una
señal de control continua aumentaría la pérdida de potencia en la unión de la
compuerta.
2. Aunque el tiristor está polarizado en sentido inverso, no debe haber señal de
compuerta, porque de lo contrario puede fallar a causa de un aumento en la
corriente de fuga.
3. El ancho del pulso en la compuerta puede ser mayor que el tiempo necesario para
que la corriente anódica aumente hasta el valor de la corriente de retención IL. En la
práctica, el ancho del pulso se hace, en el caso normal, mayor que el tiempo de
activación ton del tiristor, dado por el fabricante.[1]
Ejemplo 4.3
Para el circuito mostrado ¿qué voltaje se requiere en el

punto X para disparar el SCR?
Solución
El voltaje entre el punto X y el cátodo debe ser suficiente para polarizar directamente
la unión entre los puntos G y K, y también ocasionar que la corriente de activación
fluya a través de la resistencia de 150 Ω. Consultando la hoja de fabricante, la
corriente de compuerta necesaria para disparar un 2N3669 es 20mA bajo
condiciones normales, por otro lado no se dispone de información adicional para la
curva característica de compuerta, al ser un tiristor de baja potencia se puede
considerar una caída voltaje en la unión p2n2 de polarización directa de cerca de 0.7 V.
Con base en la ley de Ohm VXG = (20 mA)* (150 Ω) = 3.0 V. Por tanto, el voltaje total =
3.0 + 0.7 = 3.7 V.
4.9 TRANSITORIO DE ENCENDIDO Y LIMITACIONES DE DIF/DT
Para describir el transitorio de encendido de un tiristor supondremos que el
116
dispositivo está integrado en el circuito de un rectificador trifásico controlado por
fases. El encendido de un tiristor se realiza mediante la aplicación de un impulso de
corriente de magnitud y duración especificada a la compuerta del dispositivo. La
corriente de la compuerta se aplica en t = 0, como se muestra en la Figura 4-15, al
tiristor asociado a la fase (a) cuando la tensión en la fase (a) es mayor que en las otras
dos fases. Las resultantes formas de onda para la corriente del ánodo y la tensión
ánodo-cátodo se muestran en la Figura 4.15.
FIGURA 4.15 Formas de onda de tensión y corriente de un tiristor durante el

encendido [3]
La corriente del ánodo aumenta con una velocidad fija diF/dt, establecida por el
circuito exterior debido a los intervalos de conmutación de otros dispositivos o a una
inductancia parásita en el circuito. Se definen tres intervalos: el tiempo de retraso de
encendido td(enc), el tiempo de subida tr, y el tiempo de extensión tps. Para los dos
primeros, el final de cada uno suele tomarse respectivamente en los instantes en que
iA alcanza el 10% y el 90% de su valor final. El comienzo de td(enc) se toma cuando el
impulso puerta adquiere suficiente intensidad para disparar el tiristor con seguridad.
A la suma de los dos tiempos td(enc) y tr se llama tiempo de disparo, td, del tíristor.
El tiempo de disparo es muy pequeño en todos tiristores y suele estar comprendido

entre 0,5μs y 3μs. El tiempo de retardo suele ser dos tercios del de disparo y depende
de la corriente de puerta y de su tiempo de subida, siendo más corto con impulsos
enérgicos y rápidos. Por otro lado, en un circuito con inductancia apreciable, la
definición dada para el tiempo de disparo pierde significación en este caso porque el
tiempo que tarda la intensidad en adquirir el 90% de su valor final depende
117
exclusivamente del c:ircuito exterior, por lo tanto el parámetro td describe una
cualidad del propio tiristor. El tiempo de duración mínimo del impulso de disparo
para asegurar la conducción permanente en los circuitos inductivos puede ser muy
largo y está fija por el tiempo que iA tarda en alcanzar el valor de retención IL.
Durante el tiempo de retraso de encendido, el tiristor parece permanecer en el estado

de bloqueo. Sin embargo, la corriente de compuerta durante este tiempo inyecta
portadores excedentes en la capa de control p2 (la base del transistor npn en el
circuito equivalente) en las inmediaciones del contacto de la compuerta, como se
ilustra en la Figura 4.16.
FIGURA 4.16 Inyección de portadores durante el tiempo de retraso de encendido [3]
Este incremento de portadores excedentes causa que aumente la suma de los factores
de transporte de base 𝛼𝛼1 𝑦 𝛼𝛼2 hasta igualar la unidad. En este punto, el tiristor está en
transición conductiva y empieza una fuerte inyección de electrones hacia la capa p2
desde la capa del cátodo n2, y una inyección de huecos desde la capa p1 hasta la capa n1
en las inmediaciones de las zonas de la compuerta, como se ilustra en la Figura 4.17.
La corriente del ánodo empieza a aumentar y esto marca el final del tiempo de retraso
de encendido y el inicio del intervalo de subida.
FIGURA 4.17 áreas iniciales encendidas del tiristor en las inmediaciones del electrodo
de compuerta [3]
118
Durante el intervalo de subida se acumula en las inmediaciones de las zonas de la
compuerta una gran densidad de portadores excedentes, o plasma, que luego se
extiende lateralmente a través de la faz del cátodo hasta que el área entera de sección
transversal del tiristor se llena de una densidad alta de portadores excedentes. Al
mismo tiempo sucede el comienzo y crecimiento de la inyección de portadores desde
la zona del ánodo p1 hacia la capa n que forma la base del transistor pnp. La velocidad
de subida de la corriente es por lo regular lo bastante grande para que la corriente del
ánodo alcance su valor constante de estado activo en tiempos considerablemente más
cortos de lo que requiere la inyección de portadores excedentes para extenderse de
modo lateral a través de la faz entera de la zona del cátodo. La obtención del valor de
estado activo de la corriente del ánodo marca el final del intervalo de subida.
Conforme se establece y crece la densidad de portadores excedentes, como se ve en la

Figura 4.17, la tensión de ánodo-cátodo empieza a decaer. Durante el intervalo de
subida, la caída de la tensión es muy rápida porque las zonas localizadas de las
densidades altas de portadores excedentes en las inmediaciones de las zonas de
compuerta proporcionan una reducción significativa de las capacidades de bloqueo
del tiristor. Incluso después de que termina el intervalo de subida, el plasma continúa
su expansión a través del área lateral del tiristor, hasta que el tiristor está por
completo en cortocircuito por las grandes densidades de portadores excedentes. El
tiempo requerido para que se extienda el plasma desde las zonas iniciales alrededor
de las terminales de puerta hasta la sección transversal completa del dispositivo es el
tiempo de extensión del plasma tps. Los índices normales de extensión de plasma se
dan en términos de la velocidad de extensión del plasma, con valores de 20 a 200
µm/µs. Para dispositivos de áreas grandes con diámetros de centímetros, pueden
pasar varios cientos de microsegundos para encender el dispositivo por completo si el
plasma se tiene que extender a partir de un electrodo de compuerta individual. La
velocidad de la caída de tensión durante el tiempo de extensión del plasma es más
lenta porque tps es más grande que tr, y porque la mayor parte de la caída sucede
durante el intervalo tr.
Es importante que la velocidad de subida de la corriente del ánodo se mantenga

menor que un valor máximo dado en la hoja de especificaciones del tiristor. Si diF/dt
excede esta velocidad máxima, el dispositivo se puede dañar e incluso fallar. Este daño
puede ocurrir porque las velocidades de crecimiento altas de la corriente significan
que el tiempo de subida será corto y, por consiguiente, el área encendida alrededor de
la zona de compuerta del tiristor será muy pequeña al final del intervalo de subida en
comparación con el área de la sección transversal del dispositivo. Un área pequeña de
encendido además significa que la tensión a través del tiristor no desciende muy por
debajo del valor de estado de bloqueo durante el intervalo de subida. Por tanto, la
disipación de potencia instantánea durante el intervalo tr será grande y estará
confinada a un volumen relativamente pequeño. En esta situación, la capacidad de
retirar el calor generado por la disipación, y por ende la temperatura interna de la
zona, puede crecer tanto que produzca un desbordamiento térmico, lo cual provocaría
119
un daño o avería del dispositivo.
Los valores de corriente de compuerta mayores durante los intervalos td(enc) y tr

aumentan el tamaño del área encendida mediante la provisión de una mayor cantidad
de portadores excedentes. Una mayor área encendida reduce la disipación de potencia
instantánea pico. Por esta razón, la corriente de compuerta aplicada suele ser grande
al principio del intervalo de encendido y poco a poco se reduce conforme avanza el
tiempo, como en la Figura 4.18. También hay modificaciones estructurales que
mejoran las especificaciones de diF/dt.
FIGURA 4.18 Corriente de compuerta para maximizar áreas iniciales de encendido [3]
Cualquiera que sea el procedimiento de disparo, la conducción comienza en un área

pequeña de la pastilla y se extiende de forma automática a toda ella en décimas de
microsegundo. Si el circuito exterior forzara una intensidad de ánodo con crecimiento
rápido, podría darse el caso de que la densidad de corriente en el área que entra en
conducción fuera demasiado elevada y se destruyera el tiristor. El fabricante indica
una derivada máxima permitida para la intensidad de ánodo al entrar en conducción
(diF/dt)máx que no debe sobrepasarse, en la práctica, la tasa di/dt se limita agregando
un inductor Ls, en serie con el tiristor, conocido como elemento de amortiguamiento o
snubber. [3]
4.10 TRANSITORIOS DE APAGADO
Para describir el transitorio de apagado supondremos que el tiristor está integrado en

el circuito de un rectificador trifásico puente controlado por fases. El apagado del
tiristor requiere que se ponga en polarización inversa por el circuito externo durante
un periodo de tiempo mínimo. Para el tiristor asociado a la fase a (T1), el apagado
empieza cuando el tiristor de la fase b (T2) se enciende, lo que se haría cuando la
tensión en la fase b fuese mayor que en la fase a. La tensión mayor de la fase b
claramente pondrá T1 en polarización inversa tan pronto T2 esté encendido por
completo. El tiempo de encendido de un tiristor es notablemente más corto que el
tiempo de apagado; por tanto, en lo referente al análisis del apagado de T1, el
encendido de T2 es casi instantáneo.
Sin embargo, la conmutación de corriente de T1 a T2 no es instantánea, sino que se da a
120
través de un periodo largo, como se muestra en las formas de onda de apagado en la
Figura 4.19. En una percepción general; la corriente a través de T1 empieza a
disminuir en t=0 con una velocidad fija de diR/dt, regida por el circuito externo, el cual,
fuerza una reducción de la intensidad de ánodo e intenta la conducción en sentido
inverso, los portadores de las uniones no pueden ajustarse instantáneamente al ritmo
de cambio necesario, y cuando dicha intensidad se anula o pasa por cero la pastilla
está todavía llena de portadores, de forma que puede conducir en sentido cátodo-
ánodo a expensas de los portadores almacenados. Conforme disminuye la corriente,
los portadores excedentes en las cuatro zonas del tiristor disminuyen a partir de los
valores de estado por la acción combinada de recombinación interna y barrido de
portadores.
Figura 4.19 Formas de onda de tensión y corriente del tiristor durante el apagado [3]
Evaluando el fenómeno de manera detallada; conforme avanza el tiempo, se da la

disminución de la corriente y pronto pasa por cero en un tiempo t1, para crecer luego
a valores negativos durante el intervalo de tiempo t1-t2. Al comienzo de este intervalo
las tres uniones están llenas de portadores y mantienen las mismas densidades de
carga y potenciales que en conducción, por lo que la caída de tensión ánodo-cátodo se
mantiene hasta que la unión J1 o la J3 empieza a adquirir una polarización inversa, lo
que ocurre hasta que la densidad de portadores excedentes en una unión haya caído a
cero. Por lo común, la unión de cátodo J3 adquiere una polarización inversa primero
121
(tiempo t2) y luego entra muy rápido en ruptura de avalancha conforme la tensión de
ánodo-cátodo se vuelve negativa, porque el fuerte dopaje en las capas n2 y p2 significa
que la capacidad de bloqueo inverso de esta unión no es muy grande (normalmente de
20 a 30 V).
En el tiempo t2 o poco después, la distribución de portadores excedentes en el tiristor

ya no es lo bastante grande para sostener la constantemente creciente corriente
negativa del ánodo, y de este modo la corriente logra su valor pico negativo lrr que
empieza a disminuir rápidamente al principio y lentamente después, despejándose las
uniones del exceso de portadores al cabo de cierto tiempo t3. Finalmente, cuando los
portadores escasean, en la unión de ánodo J1 se establece la zona de carga espacial, el
tiristor empieza a bloquear tensión inversa y la intensidad comienza a disminuir
respecto del valor que solicita el circuito exterior.
Si se aplicara tensión directa entre ánodo y cátodo antes de t2, la unión de bloqueo,
que no estaría aun completamente vacía de portadores, comenzaría el fenómeno de
generación de pares a expensas de los portadores que todavía quedan, y el tiristor
entraría en conducción. Por otro lado, en cuanto a la tensión en el tiristor, se tiene un
crecimiento de la tensión negativa de ánodo-cátodo que empieza en t2 y sobrepasa el
valor VREV = Vb – Va (Voltaje de línea), que al final se impone sobre el tiristor T1 por el
circuito externo. El sobreimpulso de tensión surge de la inductancia del circuito y está
regido por la velocidad con que la corriente del ánodo cae a cero desde su valor
inverso pico de lrr. [3]
4.11 TIEMPO DE APAGADO Y LIMITACIONES EN REAPLICAS DE DVF/DT
En el caso del diodo de potencia, el transitorio de recuperación inversa se definió

como terminado cuando la corriente inversa cayó hasta un valor convenientemente
1
pequeño, como 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟 lo que está marcado en la forma de onda de la corriente del ánodo
4
en la Figura 4.19 como el tiempo t3. Sin embargo, esta definición no es conveniente
para tiristores. Incluso en un tiempo como t3, aún queda un número considerable de
portadores excedentes en las zonas n1 y p2 en el tiristor. Si se aplica de nuevo una
tensión directa al tiristor con una velocidad de dvF/dt, como en la Figura 4.20, fluiría
un pulso de corriente directa en descenso y una corriente de recuperación directa,
mientras los portadores excedentes restantes que acabamos de mencionar
continuarían su recombinación interna en forma simultánea y fuesen barridos por la
tensión directa creciente.
El pulso de la corriente de recuperación directa puede acarrear las mismas

consecuencias que un pulso deliberadamente aplicado de corriente de compuerta. Si
la corriente de recuperación directa es lo bastante grande puede encender al tiristor
aunque no se haya planeado el encendido. Mientras más grande sea el valor de dvF/dt
más grande será el pico de la corriente de recuperación directa, se tienen que hacer
122
dos cosas para impedir el encendido accidental. Primero, se debe prolongar el tiempo
que el tiristor se mantiene en modo de bloqueo inverso más del tiempo t3. Los
fabricantes de dispositivos especifican un tiempo de apagado tq para sus tiristores que
representa el tiempo mínimo que su tiristor debe permanecer en modo de bloqueo
inverso antes de aplicar de nuevo alguna tensión directa. Este tiempo de apagado
suele tener una longitud de varios tiempos de vida de los portadores excedentes.
Figura 4.20 Corriente de recuperación directa [3]
Se define como tiempo de apagado tq, al menor de los tiempos que debe transcurrir entre
el instante en que la intensidad de ánodo se invierte y la reaplicación de tensión ánodo-
cátodo positiva para que el tiristor no entre de nuevo en conducción. El tiempo de
apagado es menor cuanto mayor es la tensión inversa aplicada y tanto mayor cuanto
mayor es la derivada de tensión positiva al final del mismo. Aumenta con la temperatura
debido al aumento de pares electrón-hueco generados térmicamente, y también
aumenta con la intensidad de ánodo previa al proceso ele bloqueo.
Segundo, la velocidad de crecimiento dvF/dt de la tensión directa aplicada de nuevo se

debe mantener debajo de un valor máximo también especificado por el fabricante del
dispositivo. Este valor máximo se obtiene a partir de la magnitud de una corriente de
desplazamiento que un dvF/dt dado lleva a través de la capacitancia de carga espacial
de la unión J2. Si esta corriente de desplazamiento Cj2 dvF/dt excede la corriente de
transición IBO asociada al voltaje de ruptura en directo (VBO), puede presentarse el
encendido del dispositivo. Los valores máximos de dvF/dt abarcan desde quizás
100V/µs para dispositivos lentos diseñados para aplicaciones de control de fases por
frecuencia baja hasta varios miles de voltios por microsegundo o más en dispositivos
diseñados para aplicaciones de inversores de frecuencias mayores y CC de alta
tensión. En la práctica se limita la tasa dv/dt conectando el capacitor Cs como
elemento amortiguador en paralelo con el tiristor. [3]
123
4.12 ENCAPSULADO
Varían ampliamente los tipos de encapsulado según la intensidad nominal del tiristor
como se muestra en la Figura 4.21.
Figura 4.21 Tipos de encapsulado de tiristor [1]
La Figura 4.22 muestra un encapsulado que fue inicialmente muy normal en tiristores
ele 15A a 100A y que ha quedado parcialmente sustituida por cápsulas modulares
apilables.
Figura 4.22 Encapsulado de tornillo de tiristor de difusión [1]
El terminal de ánodo termina en un vástago roscado que permite la conexión eléctrica

y térmica a un disipador de calor. Los terminales de puerta y cátodo son más delgados
y salen al exterior a través de una cubierta de material aislante que cierra
124
herméticamente la cápsula y mantiene dentro una atmósfera inerte de nitrógeno que
evita el deterioro químico de la pastilla.
Como en el caso de los diodos, el borde de la pastilla está sometido en condiciones de

bloqueo a un elevado gradiente de tensión que propende a la entrada en avalancha.
Mediante el biselado del mismo y protegiéndolo con una capa de óxido de silicio y
barniz, el tiristor mejora las características de bloqueo y su estabilidad con el tiempo.
La soldadura de los terminales a la pastilla se hace mediante una o dos láminas de

metales o aleaciones duras que reducen la fatiga térmica y aseguran un buen contacto
eléctrico. Si la temperatura en funcionamiento no va a ser alta, se emplea en tiristores
de pequeña intensidad soldadura blanda a base de estaño y plomo.
En tiristores de más de 100A la placa de ánodo es usual que presente una superficie
plana por completo y la sujeción al disipador se hace por brida. En los de más de 200A
se ha extendido el empleo de capsula de doble cara plana (tipo disco), como se ha
indicado para los diodos grandes, porque facilita la evacuación de calor. El fabricante
da un pequeño terminal unido al cátodo en los tiristores medianos y grandes para
facilitar la conexión eléctrica al circuito disparo.
Con objeto de facilitar el montaje se han desarrollado encapsulados con dos o más
tiristores, tiristores y diodos, y diodos solos con las pastillas aisladas de la placa
metálica externa; esquina superior derecha de la Figura 4.21. Se facilita tanto la
evacuación del calor como la sujeción mecánica. El material aislante eléctrico entre las
pastillas y la cápsula debe, no obstante, ser buen conductor del calor y exhibir cierta
elasticidad mecánica que absorba las tensiones mecánicas producidas por los cambios
de temperatura. [1]
4.13 TIPOS DE TIRISTORES
La familia de los tiristores contiene, además del tiristor unidireccional común, otros
dispositivos muy importantes que han sido creados para facilitar y ampliar las
aplicaciones, en unos casos, o para sacar el mayor partido de sus posibilidades físicas,
en otros. El GTO (Gate Turn-Off switch) nació para eliminar la necesidad de circuitos
de bloqueo extras en aplicaciones de conmutación forzada y sigue empleándose por su
robustez, sobre todo en el campo de la tracción, a pesar de la competencia del más
moderno IGBT. El TRIAC y los alternistores suponen la conjugación en un único
componente bidireccional de una pareja de SCR en antiparalelo para empleo en el
control directo de corriente alterna. El abaratamiento de los primeros en cápsulas
plásticas propició su empleo masivo en reguladores y estabilizadores de alterna.
Además de estos tiristores de potencia, también se han desarrollaron muchas otras

variantes entre ellas: el ASCR (Asymetrical Silicon Controlled Rectifier) es un SCR o
125
tiristor ordinario en el que se ha sacrificado la posibilidad de bloqueo inverso
(innecesaria en muchas de las aplicaciones) con un diodo en antiparalelo en una
misma capsula, teniendo mejoras en otras características. El (SCS y DIAC) utilizados
en aplicaciones de muy baja potencia y como elementos auxiliares de disparo eléctrico
y tiristores accionados por luz (tiristores fotosensibles) con el propósito de facilitar el
aislamiento galvánico de puerta mediante la excitación directa de la pastilla con fibra
óptica en muchas aplicaciones de media y alta potencia. En especial interés se detallan
los siguientes tiristores:
4.13.1 Tiristor Desactivado por Compuerta GTO
Es un tiristor con posibilidad de ser bloqueado mediante un impulso de corriente

negativa por puerta, la posibilidad antedicha del GTO se basa en una geometría de la
zona de puerta tal que la influencia de esta sobre el resto de la pastilla es mayor que
en el tiristor convencional. Para ello se ramifica el cátodo por gran parte de la zona de
puerta mediante una técnica de interdigitación ilustrada en la Figura 4.23, de manera
que la polarización negativa de la puerta extrae más fácilmente los portadores que
saturan la unión de control cesando el proceso regenerativo que mantiene el estado
de conducción.
Figura 4.23 GTO lado del cátodo interdigitado sobre la puerta.
Los GTO por lo general deben usarse con circuitos amortiguadores (snubbers) y en
aplicaciones de potencia media a alta, donde no sólo los niveles de tensión y corriente
son altos, sino también es probable que los demás componentes de estado sólido que
se puedan usar con el GTO sean lentos. Los GTO conducción tiene más caída de
tensión que el tiristor convencional (un GTO de 1200 V, 550 A, suele ser 3.4 V. debido
al mayor espesor exigido en la pastilla para optimizar el apagado por puerta). [1]
4.13.1.1 Estructura básica, símbolo y características i-v
La sección transversal vertical de un GTO con su estructura de compuerta-cátodo muy
126
interdigitada se muestra en la Figura 4-24
Figura 4.24 Sección transversal vertical y panorámica de un GTO [3]
El GTO conserva la estructura básica de cuatro capas del tiristor y su perfil de dopaje.
El espesor de la capa de base p2 es por lo general un tanto más pequeño en un GTO que
en un tiristor convencional. Hay tres diferencias fundamentales entre un GTO y un
tiristor convencional. En primer lugar, las estructuras de compuerta y cátodo están
muy interdigitadas, con varios tipos de formas geométricas para disponer las
compuertas y cátodos, incluso estructuras intricadas complicadas. La meta básica es
maximizar la periferia del cátodo y la distancia desde la compuerta hasta el centro de
una zona del cátodo. En segundo lugar, las áreas del cátodo suelen formarse mediante
el grabado del silicio que rodea a los cátodos, con contornos como de islas o mesas,
según se aprecia en la Figura 4.24. Cuando se empaca el GTO, las islas de los cátodos
se ponen en contacto directo con un disipador de calor de metal que también forma la
conexión catódica con el mundo exterior. Una tercera diferencia importante se
observa en la zona del ánodo del GTO. En intervalos regulares, las zonas n+ penetran
el ánodo tipo p (capa p1) para hacer contacto con la zona n- que forma la capa de base
n1. Las zonas n+ se revisten con la misma metalización que hace contacto con el ánodo
tipo p, lo que produce un llamado cortocircuito del ánodo. Con la estructura del
cortocircuito del ánodo se acelera la desconexión del GTO. Algunos GTO se fabrican
sin este cortocircuito del ánodo, de modo que el dispositivo bloquea tensiones
inversas.
La característica VAK-IA en sentido directo es idéntica a la de un tiristor convencional.

Sin embargo, en sentido inverso, el GTO no tiene prácticamente ninguna capacidad de
bloqueo debido a la estructura de cortocircuito del ánodo. La única unión que bloquea
en el sentido inverso es la unión J3, cuya tensión de ruptura es muy baja (por lo
general de 20 a 30 V) debido a las grandes densidades de dopaje en ambos lados de la
127
unión. El símbolo del circuito del GTO se presenta en la Figura 4.25. La convención de
las flechas de doble sentido en el conductor de la compuerta distingue al GTO del
tiristor convencional. [1]
Figura 4.25 Símbolo de circuito de un GTO [3]
4.13.1.2 Encendido del GTO
La secuencia de sucesos dentro del GTO durante el proceso de encendido es en

esencia la misma que la que vimos para el tiristor convencional. Durante el encendido,
tanto la velocidad del incremento de la corriente de compuerta, diG/dt, como la
corriente pico de compuerta, IGM, debe ser grande para asegurar que todas las islas de
cátodos empiecen a conducir y que haya una buena compartición dinámica de la
corriente anódica. De lo contrario, sólo un pequeño número de islas puede conducir la
corriente total y se puede presentar un desbordamiento térmico, lo que provocaría la
destrucción del GTO.
Se proporciona un valor grande de IGM para un tiempo lo bastante extenso, por

ejemplo, 10 µs, para asegurar que se complete el proceso de encendido. Después de la
finalización del encendido debe fluir una corriente mínima continua de la puerta IGT
durante todo el periodo de estado activo para prevenir una desconexión no deseada a
veces a esta corriente se le llama corriente "backporch". Si la corriente de la
compuerta es cero y la corriente anódica disminuye demasiado, algunas de las islas de
cátodos pueden dejar de conducir, y si se incrementara después la corriente anódica
es posible que las islas conductoras restantes no puedan manejar la corriente y el GTO
se destruya por el desbordamiento térmico subsiguiente.
Un pulso típico de activación en la compuerta, y sus parámetros importantes, se ven

en la Figura 4-26. Los valores mínimos y máximo de lGM se pueden deducir de las hojas
de datos. El valor de la tasa diG/dt en función del tiempo de activación se ve en las
hojas de datos del dispositivo. La rapidez de aumento de la tasa de corriente de
compuerta, diG/dt, afecta las pérdidas por conducción del dispositivo. La duración del
pulso de IGM no debe ser menor que la mitad del mínimo de tiempo que aparezca en
las especificaciones de la hoja de datos. Se requiere mayor periodo si la tasa di/dt de la
corriente del ánodo es baja, para poder mantener a IGM hasta que se establezca un
valor suficiente de la corriente anódica.
128
Figura 4.26 Pulso típico de encendido de un GTO [4]
Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sentido directo de la
compuerta durante todo el periodo de conducción, para asegurar que el dispositivo
permanezca en conducción. En caso contrario, no puede permanecer en conducción
durante el periodo en estado de encendido. La corriente de estado de encendido en la
compuerta debe ser, como mínimo, 1 % del pulso de activación, para asegurar que la
compuerta mantenga la retención. [1]
4.13.1.3 Apagado del GTO
El GTO se apaga mediante la aplicación de una corriente negativa grande, como se

observa en la Figura 4.27.
Figura 4.27 Corriente anódica típica en función del pulso de apagado [4]
129
La corriente de compuerta debe ser muy grande, de 1/5 a 1/3 (correspondiente a
ganancias de apagado de 3 a 5) de la corriente anódica que se está apagando, pero por
fortuna esta corriente negativa grande sólo se requiere para un tiempo relativamente
corto. El diG/dt negativo debe ser grande a fin de tener un tiempo de almacenamiento
breve y un tiempo de caída de la corriente anódica, y para reducir la disipación de la
potencia de la compuerta. Sin embargo, un valor demasiado grande de diG/dt negativo
produce la corriente anódica de cola. Por ende, diG/dt se debe mantener dentro del
rango especificado por el fabricante del dispositivo.
Durante el primer intervalo, el tiempo de almacenamiento tgq, la creciente corriente

de compuerta negativa retira la carga almacenada en las capas p2 y n2 en la periferia
de las islas de cátodos. Conforme continúa el retiro de la carga almacenada de la
periferia, el tamaño de la zona libre de plasma crece al expandirse en sentido lateral
hacia los centros de las islas de cátodos con una llamada velocidad de compresión. En
esencia, esta eliminación del plasma es lo contrario de su establecimiento durante el
encendido. Cuando se retira una cantidad suficiente de carga almacenada se detiene la
acción regenerativa en el GTO y empieza a disminuir la corriente anódica. Esto marca
el final del intervalo de almacenamiento. El intervalo de caída de la corriente anódica
termina cuando los portadores excedentes en la unión de compuerta-cátodo se barran
y la unión recupere su capacidad de bloqueo inverso.
El funcionamiento de un GTO en el apagado está influido por las características del

circuito de apagado de compuerta por lo que éste debe cumplir con los requisitos de
apagado dados por el fabricante. La cantidad de extracción de carga es un parámetro
del dispositivo, y su valor no se afecta en forma importante por las condiciones del
circuito externo. La corriente pico inicial de apagado y el tiempo de apagado,
parámetros importantes del proceso de apagado, dependen de los componentes del
circuito externo.
En la Figura 4.27 se muestra la gráfica típica de corriente anódica en función del pulso
de apagado. La hoja de datos del dispositivo contiene valores típicos de IGQ. El GTO
tiene una larga cola de corriente al final del apagado, y el siguiente encendido debe
esperar hasta que se haya disipado la carga residual del ánodo, por el proceso de
recombinación. Se recomienda mucho que el GTO no se encienda hasta que se haya
apagado durante un tiempo especificado, por la posibilidad de mala compartición
entre las diversas islas de cátodos. Algunos portadores minoritarios excedentes
permanecen en el GTO por un tiempo muy extenso, debido a los tiempos de vida
largos, y estos portadores remanentes causan que las pocas islas de cátodos en las
inmediaciones de los portadores tengan una mejor característica de conducción que el
resto de las islas de cátodos. Por tanto, si se intenta encender antes de que todos los
demás portadores se hayan recombinado o barrido, la mayoría de la corriente se
conducirá por estas pocas islas (mala compartición de corriente), y la consecuencia
puede ser la destrucción del dispositivo.
130
Del mismo modo, el GTO se debe mantener en estado activo por un periodo
especificado antes de iniciar la desconexión. De nuevo, la razón es porque de lo
contrario puede existir una mala compartición de corriente entre las diferentes islas
de cátodos.
Los GTO se usan principalmente en los convertidores de fuente de voltaje, donde se

requiere un diodo en antiparalelo de recuperación rápida a través de cada GTO. Así los
GTO no necesitan, normalmente, tener capacidades de voltaje inverso. A esos GTO se
les llama GTO asimétricos. Esto se consigue con una capa llamada amortiguadora, que
es una capa n+ muy dopada al final de la capa n. Los GTO asimétricos tienen menor
caída de voltaje y mayores especificaciones de voltaje y de corriente. [1]
4.13.1.4 Gama de características y cápsulas de los GTO
El GTO es un componente que comercialmente se ha destinado a intensidades y

tensiones elevadas. Se dispone de componentes de 250A medios y 1.300 V de pico
repetitivo con capacidad de bloqueo directo e inverso, y de 3000A y 4500 V con
capacidad de bloqueo directo exclusivamente, o GTO asimétrico. Las cápsulas son
ordinariamente de disco con doble cara de refrigeración, como las ya vistas en los
diodos de potencia y en los tiristores ordinarios, y modulares paralelepipédicas. Dada
la complejidad del circuito de control impuesta por la extracción de corriente
significativa en el bloqueo, en algunos casos se fabrican los GTO integrando en estas
cápsulas buena parte del circuito de excitación. [1]
4.13.2 Tiristor Controlado por Puerta Integrada IGCT
(Integrated Gate Commutated Thyristor) IGCT es una variante del GTO en la que el
proceso de bloqueo se optimiza mediante un excitador asociado (tarjeta de circuito
impreso multicapa) que procura un impulso negativo de puerta muy elevado y muy
rápido (excitador duro, o hard driver), que alcanza aproximadamente un tercio de la
intensidad de cátodo o toda la corriente del cátodo y la lleva a la compuerta
aproximadamente en 1 µs, para asegurar un apagado rápido (se llega a valores de
diG/dt en torno a 3000 A/µs).
[1] Con esta variación de la corriente de compuerta, el transistor npn del lado del
cátodo se apaga en su totalidad en menos de aproximadamente 1 µs, y de hecho el
transistor pnp del lado del ánodo se deja con una base abierta, y se apaga en forma
casi inmediata. Debido a la muy corta duración del pulso, se reduce mucho la energía
de encendido de compuerta y se reduce al mínimo el consumo de la misma. El
requisito de potencia de encendido de compuerta disminuye en un factor de cinco, en
comparación con el del GTO. Para aplicar una corriente de subida rápido y alta
corriente en la compuerta. En el IGCT se trata en especial de reducir todo lo posible la
inductancia del circuito de la compuerta.
131
Según ABB, principal impulsora de esta tecnología estos excitadores duros liberan a su
vez el diseño de la pastilla semiconductora de algunos de sus compromisos y esta
puede hacerse más delgada, consiguiéndose como resultado conjunto afianzar la
reducción en caída de tensión en conducción frente al tiristor ordinario y tiempos de
paso del estado de conducción al de bloqueo y viceversa de muy pocos
microsegundos, con el consiguiente ahorro en pérdidas por conducción y
conmutación. No obstante, y dado que estos componentes están destinados a
aplicaciones límite en intensidad, tensión y frecuencia de conmutación, las pérdidas
por este concepto siguen siendo evadas y el componente tiende a comercializarse
asociado no solo a un excitador, sino también a un sistema de refrigeración. En la
siguiente Figura 4.28 se muestra el símbolo y presentación de un IGCT. [1]
Figura 4.28 Símbolo y presentación comercial con excitador y refrigerador como un

módulo único de tiristor IGCT. [1]
4.13.3 Tiristor Bidireccional: Triac y Alternistor
La aplicación del tiristor convencional al campo de la corriente alterna mediante

parejas en antiparalelo indujo a los investigadores a desarrollar otro tiristor más apto
para conducción controlada en dicho campo. El Triode AC semiconductor (TRIAC) es
un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir corriente en ambos sentidos
entre los terminales principales Tl y T2. Está preparado para operar en aplicaciones
de corriente alterna de 50 Hz y 60Hz. Su estructura básica, símbolo y curva
característica aparecen en la Figura 4.29.
132
Figura 4.29 Estructura, símbolo y curva característica del triac [1]
Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo, pues la

característica en el cuadrante I de la curva VT2-T1 es casi igual a la del cuadrante III.
Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente
iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si se supera la
tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace casi inmune a destrucción por
sobretensión si la carga limita la corriente.
La estructura contiene seis capas, aunque funciona siempre como un tiristor de

cuatro. En sentido T2T1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido T1T2 a través de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa.
La complicación de la estructura del TRIAC lo hace más delicado que un tiristor

unidireccional en cuanto a soportar di/dt, dv/dt y sobreintensidades. De hecho, no
admite operar con frecuencias de red superiores a 60 Hz por la elevación que ello
supone en los dos primeros parámetros antedichos; de ahí que se hayan desarrollado
tiristores bidireccionales similares a los TRIACS pero fabricados para funcionar a
frecuencias medias (400 Hz a 2 kHz) llamados alternistores. En ellos se han acortado
los tiempos de recombinación de portadores para que la estructura adquiera
rápidamente las condiciones de bloqueo tras los estados de conducción.
4.13.3.1 Modos de conducción y de disparo del triac y alternistor
El TRIAC y el alternistor pueden ser disparados en cualquiera de los dos cuadrantes I

y III mediante la aplicación entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de
disparo. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro
modos posibles de disparo.
133
Modo I+: Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Funcionan
las capas P1N1P2N2 como tiristor con puerta en cortocircuito, ya que la metalización
del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa N2 con la P2. La corriente de
puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unión P2N2 y en parte a través de
la zona P2 (Figura 4.30). Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2, que
es favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2
la circulación lateral de corriente de puerta. Esta caída de tensión se simboliza en la
Figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la
unión P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la
conducción.
Figura 4.30 Funcionamiento del TRIAC y el alternistor modo I+ [1]
Modo I- : Terminal T2 positivo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente.

Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
Como se muestra en la Figura 4.31. El disparo de la primera se produce como en un
tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. Toda la estructura auxiliar se
pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta
electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura
principal, que soporta la tensión exterior, es invadida electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conducción.
Figura 4.31 Funcionamiento del TRIAC y el alternistor modo I- [1]
134
Modo III +: Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante. Como se
muestra en la Figura 4.32. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de
puerta remota. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. La inyección de
electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I+. Los que alcanzan por difusión
la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora.
El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1
próxima a ella que la próxima a T1, por lo que se provoca una inyección de huecos de
P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y
se produce la entrada en conducción.
Figura 4.32 Funcionamiento del TRIAC y el alternistor modo III+ [1]
Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente. Como se
muestra en la Figura 4.33. También se dispara por el procedimiento de puerta remota,
conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más
conductora la unión P2N1. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la
unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta
huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.
Figura 4.33 Funcionamiento del TRIAC y el alternistor modo III- [1]
135
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad a la excitación,
siendo los modos I+ y III- los más sensibles, seguidos de cerca por el I-. El modo III+
es el de disparo más duro y debe evitarse su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de características eléctricas en bloqueo, conducción y de

disparo por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor unidireccional. [1]
4.13.3.2 Gama de características y cápsulas de triac y alternistores
La pastilla se fabrica a partir de un sustrato tipo N mediante un proceso de dopados

sucesivos similar al empleado en los tiristores. Se utilizan máscaras para el dopado
selectivo de las áreas que darán lugar a las zonas N2, N3 y N4. En la Figura 4.34 puede
verse una pastilla seccionada por un plano diametral. El espesor se ha exagerado por
claridad.
Figura 4.34 Sección de la pastilla semiconductora de un triac o alternistor [1]
Los TRIACS se fabrican para intensidades desde algunos amperios hasta unos 40 A
eficaces con tensiones desde 400V hasta 1000V de pico repetitivo. Las cápsulas
comenzaron siendo metálicas, como la de montaje por inserción a presión (press fit)
para pasar más tarde a utilizarse las capsulas híbridas metal-plástico como la TO-220
(en triacs de 6A a 15A eficaces), la TOP-3 (de 25 a 40A) y la RD 91 (de 30A a 40A) con
terminales faston, que abarataron enormemente estos componentes contribuyendo a
su empleo masivo. En cápsula metálica de vástago roscado TO-48 y TO-65 se fabrican
triacs De 15A a 60A y de 200V a 1000V. Los alternistores se fabrican en las mismas
gamas y cápsulas antedichas para los triacs a las que se añaden dispositivos de 100A a
200A eficaces y de 100V a 1200V de pico repetitivo en cápsulas metálicas de vástago
roscado tipo TO-94 y TO-93.
136
FIGURA 4.35 Cápsulas empleadas en triacs y alternistores a) Cápsula T0-220. b)
Cápsula TOP-3. c) Cápsula RD-91. d) Cápsula TO-65. e) Cápsula TO-94. f) Cápsula
TO-3 [1]
4.13.3 Rectificador Controlado de Silicio Fotoactivado (LASCR)
Generalmente el aislamiento del circuito de disparo suele resolverse para pequeñas

potencias con transformadores de impulsos y, para grandes potencias, mediante
fuentes flotantes individuales aisladas, circuitería generadora del impulso adecuado y
un dispositivo desencadenante del disparo. Este dispositivo es a menudo un diodo o
transistor fotosensible comandado por una fibra óptica.
La anterior condición resulta enormemente simplificada si el propio tiristor de

potencia a excitar es fotosensible, pues para dispararlo no hay más que dirigir a él una
fibra óptica (aislante eléctricamente por su naturaleza vítrea o plástica) desde un
circuito de control. Han sido las aplicaciones de elevada intensidad y tensión, en las
que se necesita asociar muchos interruptores en serie, las que han impulsado el
desarrollo de estos dispositivos por la simplificación del disparo que comportan. Se
trata de componentes de la mayor potencia disponible, con pastillas discoidales de
unos 100 mm aprovechadas fundamentalmente en tensión, que barren miles de
amperios de intensidad con miles de voltios de tensión de pico repetitivo. Poseen
pocas diferencias constructivas entre los fabricantes que los comercializan (EUPEC,
Mitsubishi, Toshiba, etc.), la estructura de la pastilla semiconductora es la de un
tiristor ordinario para control de fase con mejoras en la región de puerta. En el centro
se modifica un área pequeña para ser activada por la luz de una fibra óptica (tiristor
137
fotosensible piloto) desde la cual se extiende el estado de conducción al resto de la
pastilla, Figura 4.36.
FIGURA 4.36 Cápsula de tiristor activado directamente por fibra óptica [1]
Este dispositivo enciende por irradiación directa, con luz, de la oblea de silicio. Los
pares electrón-hueco que crea la radiación producen la corriente de disparo, bajo la
influencia del campo eléctrico. La estructura de la compuerta se diseña para
proporcionar la sensibilidad suficiente para hacer la activación con fuentes luminosas
normales (por ejemplo, diodo emisor de luz, LED), y para obtener grandes
capacidades de las tasas di/dt y dv/dt.
Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo HVDC,
transmisión y compensación de potencia o VAR reactivos. Un LASCR ofrece un
aislamiento eléctrico completo entre la fuente luminosa de activación y el dispositivo
de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial hasta de
algunos pocos kilovolts.
Algunas marcas integran protección contra sobretensión asegurando que a partir de

un determinado voltaje entre ánodo y cátodo una zona de la pastilla entra en
conducción extendiendo su estado al resto de forma segura y evitando la destrucción
del componente. [1]
4.14 CONEXIÓN SERIE DE TIRISTORES
La conexión de tiristores en serie presenta el mismo problema de ecualización estática

de tensión explicado para los diodos, pero ahora en el doble aspecto de bloqueo
directo e inverso. En la Figura 4.37 se aprecia el efecto de la dispersión de las
características de bloqueo en el desigual reparto de tensión para dos tiristores en
serie.
138
FIGURA 4.37 Características de dos tiristores en estado apagado [1]
El tiristor con menor intensidad de fugas absorbe mayor diferencia de potencial. La

solución en este caso también consiste en la conexión de resistencias en paralelo con
cada semiconductor, debiendo hacerse un cálculo igual al descrito para los diodos,
tanto para el bloqueo directo como inverso y tomando la resistencia menor de ambos
resultados.
La diferencia de los tiempos de retardo entre tiristores origina esta situación, en la

que el tiristor de menor tiempo de retardo en este caso T2 anula su tensión antes que
su compañero a pesar de recibir impulsos de disparo simultáneos. Toda la tensión del
circuito debe ser soportada por el tiristor más lento, T1, pudiendo producirse puntas
indeseables de tensión en él.
También se produce una situación análoga al pasar de conducción a bloqueo debido a

diferencias en el tiempo de recuperación. El tiristor de menor tiempo de recuperación
absorbe toda la tensión del circuito, pudiendo entrar en avalan inversa.
La solución de estos dos últimos problemas consiste en conectar en paralelo con cada
tiristor un condensador de capacidad adecuada. Estos condensadores, junto con la
inductancia serie del circuito exterior, normalmente de valor suficiente, no permiten
una elevación brusca de la tensión en el tiristor, de forma que los escalones de tensión
de los tiristores se producen más lentamente y de forma más simultánea. El valor del
condensador necesario debe calcularse según los datos del fabricante y siguiendo el
criterio expuesto en trabajos especializados.
La descarga del condensador sobre el tiristor al ser disparado produciría un pico

indeseable de intensidad con elevada di/dt. Para evitar efectos perjudiciales se
conecta en serie con cada condensador una resistencia de pocos ohmios que no
reduzca la efectividad de la ecualización dinámica y rebaje a un valor soportable el
pico de intensidad de descarga.
139
En la Figura 4.38 aparecen dos tiristores en serie con las resistencias R de
ecualización estática de tensión y las redes R'C de ecualización dinámica.
FIGURA 4.38 Redes para la ecualización estática y dinámica de tiristores en serie [1]
La limitación de picos de tensión durante las conmutaciones de cadenas de tiristores

en serie se realiza también con supresores bidireccionales S que aparecen en la Figura
en paralelo con cada tiristor. Pueden acompañar o sustituir las redes de ecualización
dinámica R'C, pero no pueden sustituir a las resistencias R de ecualización estática
cuando la cadena de tiristores permanece en bloqueo durante una proporción de
tiempo importante, pues los supresores están dimensionados para trabajo transitorio,
y no para trabajo permanente o semipermanente. Los supresores tampoco eliminan la
necesidad de las redes de ecualización dinámica para limitar las derivadas de tensión.
El disparo de tiristores montados en serie debe ser exactamente simultáneo, con

impulsos potentes y de flanco de subida rápido para intentar disminuir las diferencias
naturales del tiempo de retardo. Por otra parte se presenta un problema de
aislamiento galvánico porque cada generador de impulsos de puerta debe estar
conectado al cátodo de su tiristor y estos presentan grandes diferencias de tensión en
estado de bloqueo. La solución clásica válida hasta algunos miles de voltios, consiste
en utilizar transformadores de aislamiento para la señal común de disparo e incluso
para alimentar el generador de impulsos y otra solución es a base de acoplamiento
por fibra óptica. [1]
4.15 CONEXIÓN PARALELO DE TIRISTORES
El acoplamiento de tiristores en paralelo presenta el problema de reparto de corriente

descrito para los diodos y puede resolverse también mediante la selección de
140
tiristores con características de conducción muy parecida, por conexión de
resistencias en serie o mediante o inductores acoplados magnéticamente, como los
que se ven en la Figura 4.39. Si aumenta la corriente por el tiristor T1 se puede inducir
un voltaje de la polaridad contraria en los devanados del tiristor T2 y se puede reducir
la impedancia a través de la trayectoria por T2 aumentando así el flujo de corriente
por T2.
FIGURA 4.39 Corriente compartida entre tiristores en paralelo [1]
Aquí, sin embargo, se presenta la cuestión del disparo de las unidades más lentas
porque la unidad con menor tiempo de retardo anulará la tensión ánodo-cátodo de las
demás, que podrían no entrar en conducción aunque recibieran un disparo adecuado.
Este problema se minimiza empleando las resistencias o bobinas citadas, que tienden
a elevar la tensión de ánodo residual que queda inmediatamente después del colapso
de tensión ánodo- cátodo del tiristor más rápido.
Algunos fabricantes ofrecen tiristores en paralelo encapsulados dentro de un mismo

recipiente para ser utilizados como un único componente. Se trata de unidades
seleccionadas con características de conducción y de disparo muy similares. El
disparo suele hacerse a través de un pequeño tiristor auxiliar conectado entre ánodo y
puerta común, que también está contenido en la misma cápsula. [1]
4.16 RECTIFICADORES CONTROLADOS
Como se vio en el capítulo anterior, los circuitos rectificadores con diodos realizan la
conversión de la tensión alterna de la red en tensión continua. Pero este tipo de
rectificadores no permite controlar el valor medio de la tensión en la carga,
dependiendo ésta de la tensión alterna y del tipo de rectificador empleado. Dado que
en la industria existe un gran número de aplicaciones tales como los cargadores de
baterías, alimentación y control de motores, equipos de calentamiento inductivo y
capacitivo, equipos de soldadura, etc., en las que es necesario controlar el valor medio
de la tensión en la carga, resulta de sumo interés el estudio de aquellos sistemas
electrónicos que, además de realizar la rectificación, nos permitan realizar este
control. [2]
141
Si en los circuitos ratificadores con diodos se sustituyen, total o parcialmente, los
diodos por tiristores, se obtendrán sistemas de "rectificación controlada" que
permiten la regulación del valor medio de la tensión en la carga controlando el ángulo
de retardo o de disparo de los tiristores. A diferencia del diodo, el SCR no entrará en
conducción en cuanto la señal de entrada sea positiva. La conducción no se inicia
hasta que se aplica una corriente de puerta, lo cual es la base para utilizar el SCR como
medio de control. Una vez que el SCR conduce, la corriente de puerta se puede retirar
y el SCR continúa en conducción, siendo desactivado por conmutación natural o de
línea, cuando la corriente se hace igual a cero.; en caso de que la carga sea muy
inductiva, se desactiva disparando otro tiristor del rectificador durante el medio ciclo
negativo del voltaje de entrada.
Un convertidor controlado se muestra en la Figura 4.40a en forma de diagrama de

bloques.
Figura 4.40 Convertidor de frecuencia de línea controlado [3]
El voltaje promedio del lado de CD puede controlarse desde un valor máximo positivo
hasta un valor mínimo negativo de manera continua. La corriente CD del convertidor
Id no puede cambiar de sentido. Por tanto, un convertidor de este tipo sólo opera en
dos cuadrantes (del plano Vd-Id), como se muestra en la Figura 4.40b. Aquí los valores
positivos de Vd e Id implican rectificación donde el flujo de energía es desde el lado de
CA al lado de CD. En un modo de inversor, Vd se convierte en negativo (pero Id se
mantiene positiva) y la potencia se transfiere del lado CD al lado AC. El modo de
operación del inversor en forma sostenida sólo es posible si una fuente de energía, por
ejemplo, baterías, está presente en el lado de CD.
Los rectificadores controlados son sencillos y su eficiencia es, en general, superior al
142
95%. Se usan en forma extensa en aplicaciones industriales, teniendo un uso especial
en propulsores de velocidad variable y en aplicaciones con altos niveles de potencia,
donde es necesario o deseable tener la capacidad de controlar el flujo de potencia en
ambos sentidos entre los lados de CA y CD. Algunos ejemplos de estas aplicaciones son
convertidores en la transmisión de energía de alto voltaje de corriente directa (HVDC)
y accionamientos motrices de CD y CA con capacidades regenerativas de energía, tal y
como ocurre en el frenado de un motor cd en un tren.
Los rectificadores controlados se pueden clasificar en dos tipos, que dependen de la

alimentación: 1) convertidores monofásicos y 2) convertidores trifásicos. Cada uno de
esos tipos se puede subdividir en a) semiconvertidor, b) convertidor completo y c)
convertidor dual. Un semiconvertidor es un convertidor de un cuadrante, y tiene su
voltaje y corriente de salida de una polaridad. Un convertidor completo es uno de dos
cuadrantes, y la polaridad de su voltaje de salida puede ser positiva o negativa. Sin
embargo, la corriente de salida del convertidor completo sólo tiene una polaridad. Un
convertidor dual puede operar en cuatro cuadrantes y su voltaje y corriente de salida
pueden ser positivos o negativos.
En cuanto a los rectificadores controlados que serán explicados a continuación, para

simplificar, se considera que los SCR son ideales. Por "ideal" se quiere decir que el
tiempo de encendido, tiempo de apagado y caída de tensión en sentido directo, son
despreciables. Adicionalmente, aun cuando son explicados los casos de cargas
puramente resistivas, la aplicación de los rectificadores controlados está
especialmente relacionada a la alimentación de motores de corriente continua. [4]
4.16.1 Rectificador de Media Onda Controlado con Carga Resistiva
El circuito de la Figura 4-41a, muestra un rectificador monofásico de media onda con

carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de alimentación, el ánodo
del tiristor es positivo con respecto a su cátodo, y se dice que el tiristor está
polarizado en forma directa. Cuando se dispara el tiristor T1 en wt = α, el tiristor
conduce y a través de la carga aparece el voltaje de entrada. Cuando el voltaje de
entrada comienza a ser negativo en wt = π, el ánodo del tiristor es negativo con
respecto a su cátodo, y el tiristor T1 tiene polarización inversa y se desactiva. El
tiempo transcurrido después de que el voltaje de entrada comienza a ser positivo y se
dispara el tiristor en wt = α, se llama ángulo de retardo o de disparo α.
La Figura 4-41b muestra las formas de onda del voltaje de entrada, voltaje de salida,
corriente en la carga y voltaje a través de T1. Este convertidor no se usa en el caso
normal en aplicaciones industriales, porque su salida tiene un alto contenido de rizo
de baja frecuencia. Sin embargo, explica el principio del convertidor monofásico de
tiristor. La operación de este convertidor es solo en el primer cuadrante, donde el
voltaje y la corriente de salida tienen una sola polaridad.
143
a)
b)
Figura 4.41 Rectificador monofásico con carga resistiva [2]
La componente continua de la tensión de salida vo, es el valor medio de la sinusoide

rectificada de media onda:
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑚𝑚 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = (1 + cos 𝛼𝛼)
2𝜋𝜋 𝛼𝛼 2𝜋𝜋
144
El voltaje raíz cuadrática media (rms) de salida es
1 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑟𝑟 1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 2𝛼𝛼

𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � [𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = � �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + �
2𝜋𝜋 𝛼𝛼 2 𝜋𝜋 2
La secuencia de disparo para el tiristor es la siguiente:
1. Generar un pulso de señal en el cruce con cero positivo del voltaje de alimentación
vs.
2. Retardar el pulso el ángulo α deseado y aplicarlo entre las terminales de compuerta
y cátodo de T1 a través de un circuito de aislamiento de compuerta.
Nota: Tanto el voltaje de salida como la corriente de entrada no son sinusoidales. El

rendimiento de un rectificador controlado se puede medir con los mismos parámetros
que los de los diodos rectificadores. [4]
Ejemplo 4.4
Si el convertidor de la Figura 4-41a tiene una carga puramente resistiva, y el ángulo de

retardo es α = π/2, determinar a) la eficiencia de rectificación. [4]
Solución
Para el ángulo de retardo α = π/2:

Vcd = 0.1592Vm
Icd = O.1592Vm/R
Vrms = 0.3536Vm
Irms = 0.3536Vm/R
Pcd = Vcd*Icd = (0.1592Vm)2/R
Pca = Vrms*Irms = (0.3536Vm)2/R.
La eficiencia de rectificación es
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 (0.1592𝑉𝑉𝑟𝑟 )2
𝑃𝑃 = = = 20.27%
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 (0.3536𝑉𝑉𝑟𝑟 )2
4.16.2 Rectificador de Media Onda Controlado con Carga RLE
La Figura 4.42a presenta un rectificador con una resistencia, una inductancia y un

generador de continua en serie. El análisis de este circuito es muy similar al del
rectificador no controlado de media onda expuesto anteriormente.
145
a)
b)
Figura 4.42 Rectificador monofásico controlado media onda con carga RLE [2]
La principal diferencia es que, para el rectificador no controlado, la conducción

comienza tan pronto como la tensión del generador de alterna alcanza el nivel de la
tensión continua. Para el rectificador controlado, la conducción se inicia cuando se
aplica una señal de puerta al SCR, siempre que el SCR esté polarizando en directa. Por
tanto, la señal de puerta puede aplicarse en cualquier instante en el que la señal del
generador de alterna sea mayor que la del generador de continua.
En lo que se refiere a la caída de tensión en el tiristor se tiene que mientras que el

tiristor se encuentra en conducción, vAK =0. El resto del periodo donde el tiristor no se
encuentra en conducción su caída de tensión vale: vAK = vs - Vd. [4]
La tensión promedio en la carga:
1 𝛼𝛼 1 𝛽𝛽 1 2𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑑𝑑 = � 𝑉𝑉 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 0 𝑐𝑐 2𝜋𝜋 𝛼𝛼 2𝜋𝜋 𝛽𝛽 𝑐𝑐
146
Debido a la presencia de la fuente de continua en el lado de la carga, para que el
tiristor comience a conducir deberá dispararse en un ángulo eléctrico mayor que 𝛼𝛼𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛
cuyo valor viene dado por:
𝑉𝑉𝑟𝑟 sin 𝛼𝛼 = 𝑉𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑉𝑐𝑐
𝛼𝛼𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 = sin−1 � �
𝑉𝑉𝑟𝑟
Una vez disparado el tiristor, durante el tiempo en que se encuentra en conducción la

tensión en la carga vo sigue a la de la fuente, la ley de Kirchhoff para las tensiones
proporciona la ecuación:
La solución de la ecuación anterior está formada por una respuesta forzada y una
respuesta natural
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑜𝑜 𝑓𝑓(𝑤𝑤)
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + Vd
𝑑𝑑𝑤𝑤
𝑓𝑓(𝑤𝑤) = 𝑓𝑓𝑓𝑓 (𝑤𝑤) + 𝑓𝑓𝑛𝑛 (𝑤𝑤)
La corriente if(t) se determina utilizando la superposición de los dos generadores.

La respuesta forzada del generador de alterna (Vm/Z)sen(wt-θ). La respuesta forzada
debida al generador de corriente continua es – Vd/R. La respuesta forzada completa
es:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑑𝑑
𝑓𝑓𝑓𝑓 (𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) −
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑅𝑅
La respuesta natural tiene la forma:
𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐿𝐿
𝐴𝐴 𝑒𝑒 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑: 𝜏𝜏 =
𝑅𝑅
Sumamos las respuestas natural y forzada para obtener la respuesta completa:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝛽𝛽
𝑍𝑍 𝑅𝑅
La constante A se calcula a través de la condición inicial de que en el momento en que

se dispara el tiristor, la intensidad que circula por la carga vale cero:
Utilizando la condición inicial de i(wt=α) = 0 se despeja A
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝛼𝛼
𝐴𝐴 = �− sin(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + � 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
147
𝑉𝑉𝑟𝑟, 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + � − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
En wt = β la corriente cae a cero como se mencionó anteriormente, i(wt = β) = 0. Esto

es:
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐸 𝐸 √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝛽𝛽
0= sin(𝛽𝛽 − 𝜃𝜃) − + � − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
De esta ecuación trascendente se puede determinar β mediante un método iterativo.
Ejemplo 4.5
Para un circuito rectificador controlado monofásico de media onda la carga es R = 2Ω,

L = 20mH y Vd = 100V. El suministro es de 120Vrms a 60 Hz. El ángulo de disparo α es
de 45º. (a) Determine una expresión para la corriente. (b) Determine la potencia
absorbida por la resistencia. (c) Determine la potencia absorbida por el generador de
continua de la carga. [4]
Solución
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 120 ∗ √2 = 169,7𝑉𝑉
𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 7,80Ω
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝜃𝜃 = tan−1 � � = 1,31𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑐𝑐
𝛼𝛼𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 = sin−1 � � = 36,1° = 0,630𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐿𝐿
𝑤𝑤𝜏𝜏 = 𝑤𝑤 = 3,77𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑅𝑅
𝛼𝛼 = 45° = 0,785𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
(a) Primero, se determina si 𝛼𝛼 = 45° es admisible. El ángulo de disparo mínimo es
𝑉𝑉𝑐𝑐
𝛼𝛼𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 = sin−1 � � = 36,1° = 0,630𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝑉𝑉𝑟𝑟
148
Lo que indica que 45º es un valor permitido, con la expresión de la corriente i(wt):
𝑤𝑤𝑤𝑤
−
𝑖𝑖(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75 𝑒𝑒 3,77
Para 0,785 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 3,37𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
El ángulo de extinción β se obtiene de la solución de

𝛽𝛽
− 3,77
𝑓𝑓(𝛽𝛽) = 21,8 sin(𝛽𝛽 − 1,31) − 50 + 75 𝑆𝑆
Haciendo uso de un método de resolución iterativo (calculadora HP) con un valor de

arranque de π el resultado para β = 3,37rad (193°)
(b) Utilizamos la expresión anterior para i(wt) , mediante un programa de integración

numérica (calculadora HP), obtenemos la corriente eficaz
1 3,37 −
𝑤𝑤𝑤𝑤
𝐼𝐼 = � � (21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75 𝑒𝑒 3,77 )2 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 = 3,90𝐴𝐴
𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2𝜋𝜋 0,785
2
La potencia absorbida por la resistencia es 𝑃𝑃𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 ∗ 𝑅𝑅
𝑃𝑃𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = 3,902 ∗ 2 = 30,4𝑊𝑊

(c) La potencia absorbida por el generador de continua es Icd*Vd
1 3,37 −
𝑤𝑤𝑤𝑤
𝐼𝐼𝑉𝑉𝑑𝑑 = � 21,8 sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 1,31) − 50 + 75 𝑆𝑆 3,77 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 2,19𝐴𝐴
2𝜋𝜋 0,785
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 2,19 ∗ 100 = 219𝑊𝑊
4.16.3 Rectificador Monofásico Controlado de Onda Completa con Carga

Resistiva
La Figura 4.43 muestra un convertidor monofásico controlado de onda completa con

carga resistiva y sus respectivas formas de onda. Un tiristor de la parte superior del
circuito conducirá junto al de la rama contraria de la parte inferior. Así, T1 y T2 se
encontrará en funcionamiento a la vez, y T3 conducirá junto a T4. La operación de
este convertidor es solo en el primer cuadrante, donde el voltaje y la corriente de
salida tienen una sola polaridad. [4]
Antes de que se produzca el disparo de la primera pareja de tiristores 0 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝛼𝛼 ,

los cuatro semiconductores están apagados, por lo que se cumple que:
𝑓𝑓𝑜𝑜 = 𝑓𝑓 𝑇1 = 𝑓𝑓 𝑇2 = 𝑓𝑓 𝑇3 = 𝑓𝑓 𝑇4 = 0
𝑉𝑉𝑜𝑜 = 0
149
Figura 4.43 Rectificador monofásico controlado onda completa con carga resistiva [2]
150
La caída de tensión en los tiristores T1 y T2, cumple la siguiente expresión:
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑉𝑉𝐴𝐾1 + 𝑉𝑉𝐴𝐾2 + 𝑉𝑉𝑜𝑜
Como v0=0 en este intervalo de funcionamiento, suponiendo tiristores

prácticamente idénticos se tiene que:
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑉𝑉𝐴𝐾1 + 𝑉𝑉𝐴𝐾1 + 0
𝑉𝑉𝑟𝑟 ≈ 2𝑉𝑉𝐴𝐾1
𝑉𝑉𝐴𝐾1 ≈ 𝑉𝑉𝐴𝐾2 ≈ 𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄2
Para los tiristores T3 y T4 se cumple que:
𝑉𝑉𝐴𝐾3 ≈ 𝑉𝑉𝐴𝐾4 ≈ − 𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄2
Si el disparo de la pareja de tiristores T1 y T2 se produce dentro del intervalo

0 ≤ 𝛼𝛼 ≤ 𝜋𝜋 la tensión de entrada Vs se encuentra en su semiciclo positivo, T1 y T2 se
encuentran polarizados directamente y comienzan a conducir, mientras que T3 y T4
permanecen apagados por estar polarizados inversamente. Durante este tiempo, la
tensión de salida V0 sigue a la de alimentación Vs. Las intensidades iT1 e iT2 que
circulan por T1 y T2 respectivamente y la intensidad de la fuente is valen i0, esto es,
Vs/R. Como T1 y T2 se encuentran en conducción, la caída de tensión en cada uno de
ellos vale cero (condición ideal). Las caídas de tensión en T3 y T4 se calculan haciendo
uso de la ecuación:
𝑉𝑉𝐴𝐾3 = 𝑉𝑉𝐴𝐾4 = 𝑉𝑉á𝑛𝑛𝑜𝑜𝑐𝑐𝑜𝑜 − 𝑉𝑉𝑐𝑐á𝑤𝑤𝑜𝑜𝑐𝑐𝑜𝑜 = −𝑉𝑉𝑟𝑟
En 𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋, la corriente tiende a circular en sentido inverso por los tiristores T1 y T2,
pero al tratarse de una carga resistiva, ambos tiristores dejan de conducir. Como aún
no se ha provocado el disparo de T3 y T4, los cuatro semiconductores estarán
apagados, por lo que de nuevo:
𝑓𝑓𝑜𝑜 = 𝑓𝑓 𝑇1 = 𝑓𝑓 𝑇2 = 𝑓𝑓 𝑇3 = 𝑓𝑓 𝑇4 = 0
𝑉𝑉𝑜𝑜 = 0
𝑉𝑉𝐴𝐾1 ≈ 𝑉𝑉𝐴𝐾2 ≈ 𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄2
𝑉𝑉𝐴𝐾3 ≈ 𝑉𝑉𝐴𝐾4 ≈ − 𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄2
En 𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋 + 𝛼𝛼 se dispara la pareja de tiristores T3 y T4, que comienzan a conducir al

estar polarizados directamente (Vs negativa), mientras que T1 y T2 permanecen
abiertos. Como se puede ver, la disposición de T3 y T4 en el circuito rectificador
151
permiten que la tensión Vo en la carga sea positiva y la corriente io mantenga la misma
dirección. Nótese que al ser la carga resistiva y dado que α se encuentra comprendido
entre 0 y π, la tensión de salida tiene siempre un valor medio positivo o cero, por lo
que siempre funcionará como rectificador. Además, la intensidad que circula por la
carga vale cero cuando ninguno de los cuatro tiristores se encuentra en conducción,
por lo que el modo de conducción es discontinua (será continua sólo si los tiristores se
disparan en α=0, esto es, como si se tratase de diodos). [4]
La componente continúa de la tensión de salida vo, se determina a partir de:
1 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = (1 + cos 𝛼𝛼)
𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋
El voltaje raíz cuadrática media (rms) de salida es

1 𝜋𝜋 1 𝛼𝛼 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆( 2𝛼𝛼)
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � [𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � − +
𝜋𝜋 𝛼𝛼 2 2𝜋𝜋 4𝜋𝜋
Ejemplo 4.6
Para un rectificador monofásico de onda completa controlado el voltaje de entrada es

de 120 Vrms alternos a una frecuencia de 60 Hz. La resistencia de carga es de 20 Ω. El
ángulo de disparo es de 40°. Determine: (a) la corriente media en la carga, (b) la
potencia media absorbida por la carga y (c) la potencia entregada por el generador
(en VA). [4]
Solución
(a) La tensión media de salida es:
𝑉𝑉𝑟𝑟 √2 ∗ 120
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = (1 + cos 𝛼𝛼) = (1 + cos 40) = 95,4𝑉𝑉
𝜋𝜋 𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 95,4
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = = = 4,77𝐴𝐴
𝑅𝑅 20
(b) La potencia absorbida por la resistencia es
√2 ∗ 120 1 0,698 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆( 2 ∗ 0,698)

𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � − + = 5,80𝐴𝐴
20 2 2𝜋𝜋 4𝜋𝜋
𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2 ∗ 𝑅𝑅 = (5,80)2 ∗ 20 = 673𝑊𝑊
152
(c) La corriente eficaz en el generador también es 5,80A y la potencia aparente del
generador es
𝑆𝑆 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 ∗ 𝐼𝐼𝑟𝑟 = 120 ∗ 5,80 = 696𝑊𝑊
El FP de entrada para una carga resistiva se puede calcular con
𝑃𝑃 673
𝑅𝑅𝑓𝑓 = = = 0,967
𝑆𝑆 696
4.16.4 Rectificador Monofásico Controlado de Onda Completa con Carga RLE
En la Figura 4.44 se muestra el arreglo del circuito de un convertidor monofásico

completo, con una carga RLE. La operación de este convertidor es en dos cuadrantes
(primero y cuarto), donde el voltaje de salida puede ser positivo o negativo y la
corriente de salida tienen una sola polaridad.
Figura 4.44 Rectificador monofásico controlado onda completa con carga RLE [2]
En el circuito anterior se considerar dos casos, según la conducción de la corriente en

la carga sea continua o discontinua.
Caso de io continua: supóngase que en el circuito la relación L/R es muy grande

(carga altamente inductiva), por lo que la corriente que circula por ella se considera
prácticamente constante y no contiene rizo. Durante el medio ciclo positivo, los
tiristores T1 y T2 tienen polarización directa, y cuando se disparan en forma
simultánea esos dos tiristores, en wt = α, la carga se conecta a la fuente de
alimentación a través de T1 y T2. Debido a la carga inductiva, los tiristores T1 y T2
continúan conduciendo después de wt = π, aun cuando el voltaje de entrada sea ya
negativo. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4
tienen polarización directa, y el disparo de esos tiristores aplica el voltaje de
alimentación a través de los tiristores T1 y T2 en forma de voltaje de bloqueo inverso.
T1 y T2 se desactivan por conmutación de línea o natural, y la corriente de carga es
153
transferida de T1 y T2 a T3 y T4. De igual forma que en los rectificadores no
controlados la corriente por el secundario del transformador es simétrica respecto de
cero.
La Figura 4.45 muestra las formas de onda del voltaje de entrada, voltaje de salida y
corrientes de entrada y de salida.
Figura 4.45 Formas de onda corriente en la carga continua
Durante el periodo de α a π, el voltaje de entrada Vs y la corriente de entrada is son

positivos, y la potencia pasa de la fuente a la carga. Se dice que el convertidor opera en
modo de rectificación. Durante el periodo de π a π+α, el voltaje de entrada Vs es
negativo y la corriente de alimentación is es positiva, y pasa potencia inversa de la
carga a la fuente. Se dice que el convertidor está operado en modo de inversión. Este
convertidor se usa en forma extensa en aplicaciones industriales hasta de 15 kW.
Dependiendo del valor de α, el voltaje promedio de salida podría ser positivo o
negativo, y proporciona una operación en dos cuadrantes. [4]
A partir de la forma de onda de v0 puede deducirse el valor medio de la tensión en la

carga:
1 𝜋𝜋+𝛼𝛼 2𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑑𝑑 = � 𝑉𝑉𝑟𝑟𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = cos 𝛼𝛼
𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋
154
La tensión eficaz en la carga es:
1 𝜋𝜋+𝛼𝛼 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑓𝑓 = � � [𝑉𝑉𝑟𝑟𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 =
𝜋𝜋 𝛼𝛼 √2
La operación del convertidor se puede dividir en dos modos idénticos: el modo 1,

cuando conducen T1 y T2, y el modo 2, cuando conducen T3 y T4. Las corrientes de
entrada durante esos modos son parecidas, y sólo se debe examinar un modo para
determinar la corriente de salida io.
El modo 1 es válido para 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝜋𝜋 + 𝛼𝛼. Siendo 𝑣𝑟𝑟 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) el
voltaje de entrada, la corriente io en la carga se puede calcular a partir de:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + Vd
𝑑𝑑𝑤𝑤
Cuya solución es de la forma

𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 −𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑆𝑆: 𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 , 𝜃𝜃 = tan−1 �
�
𝑅𝑅
La constante A se puede determinar de la condición inicial cuando wt = α, io(α) = Io
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 −𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐸 𝛼𝛼
𝐴𝐴 = �− 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + + 𝐼𝐼𝑑𝑑 � 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
Sustituyendo A en io(wt) obtenemos la corriente de carga
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝛼𝛼−𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + �− 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + + 𝐼𝐼𝑑𝑑� 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
Al final del modo 1 en la condición de estado permanente, la corriente al principio y al

final del modo son iguales, esto es, io(wt = π + α) = Io Se aplica esta condición a la
ecuación de 𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) y se despeja Io el resultado es:
𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝜃𝜃 − 𝛼𝛼) − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑑𝑑
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝜋𝜋 −
𝑍𝑍 (1 − 𝑆𝑆 −𝑤𝑤𝑤𝑤 ) 𝑅𝑅
155
La corriente eficaz que circula por cada tiristor es:
1 𝜋𝜋+𝛼𝛼 2
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � 𝑓𝑓𝑑𝑑 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
La corriente eficaz en la carga se puede determinar sumando las corrientes de los dos
modos de operación del rectificador, esto es combinando la corriente eficaz por cada
par de tiristores, como:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑅𝑅 2 + 𝐼𝐼𝑅𝑅 2 = √2𝐼𝐼𝑅𝑅
La corriente promedio en cada tiristor se puede determinar
1 𝜋𝜋+𝛼𝛼
𝐼𝐼𝐴 =� 𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
La corriente promedio en la carga se puede determinar sumando las corrientes de los
dos modos de operación del rectificador:
𝐼𝐼𝑉𝑉𝑑𝑑 = 𝐼𝐼𝐴 + 𝐼𝐼𝐴 = 2𝐼𝐼𝐴

La potencia entregada por el generador de alterna es igual a la suma de la potencia
absorbida por la resistencia y el generador de continua
2
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 ∗ R + Icd ∗ Vd
Caso de io discontinua: Si el convertidor alimenta a una carga poco inductiva, la
corriente por la misma podría anularse durante parte del periodo. En este caso, la
corriente en la carga sería discontinua, como se muestra en la Figura 4.46. La tensión
promedio en la carga:
1 𝛽𝛽 1 𝜋𝜋+𝛼𝛼
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑑𝑑 = � 𝑉𝑉𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋 𝛽𝛽
Para que la corriente sea discontinua Io = 0, El valor crítico (αc) en el que Io se vuelve
cero se calcula a partir de:
𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑟𝑟 sin(𝜃𝜃 − 𝛼𝛼𝑐𝑐 ) − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼𝑐𝑐 − 𝜃𝜃)𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑑𝑑
0= 𝜋𝜋 −
𝑍𝑍 (1 − 𝑆𝑆 −𝑤𝑤𝑤𝑤 ) 𝑅𝑅
De esta ecuación trascendente se puede determinar 𝛼𝛼𝑐𝑐 mediante un método iterativo.

Cuando α ≥ αc, Io = 0. La corriente en la carga, sólo pasa durante el período α ≤ wt ≤ β.
Cuando wt = β, la corriente en la carga llega a cero de nuevo. A partir del valor de wt
que causa que la tensión del generador de alterna sea igual a Vd se evalúa el valor
mínimo que puede tomar α para una rectificación satisfactoria:
Vd
𝛼𝛼𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 = sin−1
𝑉𝑉𝑟𝑟
156
Figura 4.46 Formas de onda corriente en la carga discontinua
Al disparar (T1, T2), dicha pareja de tiristores entra en conducción, por lo que la
tensión de salida seguirá a la de la fuente de alimentación: v0=vs, como la carga es
inductiva y la intensidad por una bobina no puede variar de forma brusca, T1 y T2
siguen conduciendo hasta que se anule la intensidad por la carga, lo cual tiene lugar en
wt=β. El ángulo de conducción 𝛾 de la pareja de tiristores es 𝛾 = 𝛽𝛽 − 𝛼𝛼. A partir de
𝑤𝑤𝑤𝑤 > 𝛽𝛽 y hasta que se produzca el disparo de la pareja de tiristores T3 y T4 en
𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋 + 𝛼𝛼 todos los tiristores están apagados, por lo que la caída de tensión en la
carga vale Vd. Durante el tiempo de conducción, la tensión en la carga vo sigue a la de la
fuente, la ley de Kirchhoff para las tensiones proporciona la ecuación:
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑜𝑜 𝑓𝑓(𝑤𝑤)
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + Vd
𝑑𝑑𝑤𝑤
Sumando las respuestas natural y forzada para obtener la respuesta completa:

𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝛽𝛽
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑅𝑅
La constante A se calcula a través de la condición inicial de que en el momento en que

se dispara el tiristor, la intensidad que circula por la carga vale cero, Utilizando la
157
condición inicial de i(wt=α) = 0 se despeja A
𝐴𝐴 = �− sin(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) + � 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑟𝑟, 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + � − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
En wt = β la corriente cae a cero como se mencionó anteriormente, i(wt = β) = 0. Esto

es:
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐸 𝐸 √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝛽𝛽
0= sin(𝛽𝛽 − 𝜃𝜃) − + � − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)� 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
De esta ecuación trascendente se puede determinar β mediante un método iterativo.

La corriente eficaz que circula por cada tiristor es
1 𝛽𝛽 2
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � 𝑓𝑓𝑑𝑑 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
La corriente eficaz en la carga se puede determinar, como:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑅𝑅 2 + 𝐼𝐼𝑅𝑅 2 = √2𝐼𝐼𝑅𝑅

La corriente promedio en cada tiristor se puede determinar
1 𝛽𝛽
𝐼𝐼𝐴 = � 𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
La corriente promedio en la carga se puede determinar mediante:
𝐼𝐼𝑉𝑉𝑑𝑑 = 𝐼𝐼𝐴 + 𝐼𝐼𝐴 = 2𝐼𝐼𝐴

La potencia entregada por el generador de alterna es igual a la suma de la potencia
absorbida por la resistencia y el generador de continua
2
𝑃𝑃𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 ∗ R + Icd ∗ Vd
Ejemplo 4.7
Un convertidor monofásico completo tiene una carga L = 6.5 mH, R = 0.5 Ω y Vd = 10V.
El voltaje de entrada es Vs = 120 Vrms a 60 Hz. Determinar a) la corriente Io en la
carga cuando α = 60°; b) la corriente promedio por tiristor; c) la corriente rms por
158
tiristor; d) la corriente rms de salida; e) la corriente promedio de salida y f) el ángulo
crítico de demora αc.
Solución
α = 60°, R = 0.5 Ω, L = 6.5 mH, f = 60 Hz, w = 2*π*60 = 377 rad/s, Vs, = 120 V y
𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 78.47°
a. Corriente de estado permanente en la carga cuando wt = α, Io = 49.34 A.

b. Por integración numérica de io(wt) se obtiene la corriente promedio por tiristor
IA=44.05 A.
c. Por integración numérica de io(wt) se obtiene corriente eficaz por tiristor
IR=63.71A.
d. La corriente rms de salida es Irms, = √2𝐼𝐼𝑅𝑅 = √2 ∗ 63.71 = 90.1 𝐴𝐴
e. La corriente promedio de salida es 2𝐼𝐼𝐴 = 2 ∗ 44.05 = 88.1 𝐴𝐴
f. Haciendo uso de un método de resolución iterativo αc = 73.23°.
4.16.5 Rectificador Trifásico Controlado Completo
Los convertidores trifásicos se usan en forma extensa en aplicaciones industriales

altamente inductivas y fundamentalmente en aplicaciones de alta potencia donde se
requiera operación de dos cuadrantes. En los sistemas prácticos no se suele usar este
convertidor para cargas resistivas puras. En la mayoría de sus aplicaciones es
necesario controlar el flujo de potencia desde el lado de alterna al lado de continua y
viceversa. Como ejemplos de tales aplicaciones cabe destacar las siguientes:
• Transporte de energía eléctrica en corriente continua (HVDC).

• Accionamiento de motores de corriente continua con posibilidades regenerativas.
En estos convertidores, el instante en que los tiristores conducen o dejan de conducir

depende tanto de las tensiones de alterna a frecuencia de línea como de las propias
señales de control. Así, el control de la tensión media en la carga y de la potencia
media transferida a la misma se realiza a través del control del ángulo de disparo de
los tiristores. De esta forma, en función del valor que adquiera α, el convertidor
funcionará como rectificador (Vo>0) o como inversor (Vo<0). Para este último caso se
requiere una fuente de energía en el lado de continua conectada con la polaridad
adecuada.
En la Figura 4.47 se muestra un rectificador trifásico controlado completo de seis

pulsos con transformador de alimentación conectado en Y en el secundario. La
conducción no se produce hasta que se aplica una señal de puerta estando el SCR
polarizado en directa. Por tanto, se puede retrasar la transición de la tensión de salida
a la tensión instantánea máxima línea a línea del generador.
159
Figura 4.47 Rectificador trifásico controlado onda completa [4]
Principio de operación:
Los ángulos de disparo α están referenciados con respecto al punto donde comenzaría
a conducir los SCRs si fuesen diodos. Cada 60° se dispara un tiristor, conduciendo
siempre una pareja de tiristores. El encendido de un tiristor impar provoca el apagado
de otro tiristor impar, y el encendido de un tiristor par provoca el apagado de otro
tiristor par. Nótese (Figura 4.47) que los tiristores impares tienen su cátodo
conectado a un mismo punto, y que los tiristores pares tienen su ánodo conectado al
mismo punto común.
En la Figura 4-48, se muestra el proceso de rectificación, el voltaje de salida para un

ángulo disparo de 𝛼𝛼 = 60° y el voltaje ánodo-cátodo del tiristor T1 (VAKT1) durante un
ciclo de la tensión alterna de entrada.
Cuando 𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋/6 + 𝛼𝛼, el tiristor T6 ya está conduciendo, y el tiristor T1 se activa.

Durante el intervalo 𝜋𝜋/6 + 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 𝜋𝜋/2 + 𝛼𝛼, los tiristores T1 y T6 conducen y
aparece el voltaje de línea a línea Vab (= van - Vbn) a través de la carga. Cuando
𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋/2 + 𝛼𝛼, se dispara el tiristor T2 a través del cual inmediatamente el tiristor T6
se polariza en sentido inverso. T6 se desactiva por conmutación natural. Durante el
intervalo 𝜋𝜋/2 + 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ 5𝜋𝜋/6 + 𝛼𝛼 conducen los tiristores T1 y T2 y aparece el voltaje
de línea a línea vac a través de la carga. Si se numeran los tiristores como se indica en
el diagrama de la Figura 4-47 la secuencia de disparo es 12,23,34,45,56 Y 61.
La tensión inversa máxima en los terminales de un tiristor es la tensión de línea

máxima. De acuerdo a la Figura 4-48, cuando T1 conduce, la tensión entre sus
terminales es nula (Vánodo - Vcátodo = Van – Van = 0). Si T1 está en bloqueo la tensión
entre sus terminales es Vab cuando conduce T3, ya que el terminal de ánodo de T1
siempre está conectado a la fase a mientras que a la terminal de cátodo llega el voltaje
de fase b a través de la conducción de T3 (Vánodo - Vcátodo = Van – Vbn = Vab). Y
finalmente, la tensión entre los terminales de T1 es Vca cuando T5 conduce (Vánodo -
Vcátodo = Van – Vcn = Vac), véase VAKT1 en la Figura 4.48. Cuando 𝛼𝛼 > 𝜋𝜋⁄3, el voltaje
instantáneo de salida, Vo tiene una parte negativa. [4]
160
Figura 4.48 Formas de onda de tensión en rectificador trifásico controlado [4]
161
La Figura 4.49 muestra las formas de onda de la corriente de entrada, la corriente de
salida y la corriente a través de los tiristores. Debido a la carga altamente inductiva, la
intensidad que circula por la misma se considera constante y de valor Io.
Figura 4.49 Formas de onda de corriente en rectificador trifásico controlado [4]
Siendo la corriente en la carga continua, la tensión media de salida Vo puede

controlarse en módulo y signo a través del ángulo de disparo de los tiristores. Así, si 𝛼𝛼
toma un valor comprendido entre 0° y 90°, el valor medio de la tensión de salida
tendrá signo positivo. Variando 𝛼𝛼 en este intervalo se varía el módulo de Vo. Sin
embargo, si 𝛼𝛼 toma cualquier valor entre 90° y 180°, la tensión media de salida es
negativa, y si se varía 𝛼𝛼 en este rango Vo también varía.
En la práctica, el ángulo de disparo 𝛼𝛼 se encuentra limitado por el ángulo de

conmutación µ (presente cuando se considera la inductancia de la fuente trifásica de
alimentación), y por el tiempo tq en que se requiere aplicar una tensión negativa entre
los terminales de cada tiristor una vez anulada la corriente que circula por ellos. Así, si
el tiempo en que se aplica la polarización inversa entre los terminales del tiristor es
menor que el tq especificado por el fabricante, el semiconductor podría encenderse
originando un fallo en la conmutación y la pérdida del control. Por tanto, para el
correcto funcionamiento como inversor debe cumplirse que: [4]
𝛼𝛼 + 𝜇 ≤ 180 − 𝑤𝑤𝑤𝑤𝑞
donde wtq suele oscilar entre los 15º y los 30º.
162
Voltaje promedio en la carga:
𝜋𝜋
3 2 +𝛼𝛼 𝜋𝜋 3√3𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = � √3𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 �𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = cos 𝛼𝛼
𝜋𝜋 𝜋𝜋+𝛼𝛼 6 𝜋𝜋
6
Voltaje eficaz en la carga:
𝜋𝜋
3 2 +𝛼𝛼 𝜋𝜋 1 3√3
𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = � � √3𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 �𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = √3𝑉𝑉𝑟𝑟 � + 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓 2𝛼𝛼
𝜋𝜋 +𝛼𝛼
𝜋𝜋 6 2 4𝜋𝜋
6
Para una corriente de carga continua y en base al voltaje rectificado se tiene que
durante la conducción de T1-T6:
𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 = √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆 �𝑤𝑤𝑤𝑤 + � 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 + 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ + 𝛼𝛼
6 6 2
Lo cual es igual a:
𝜋𝜋 2𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 = √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 + 𝛼𝛼 ≤ 𝑤𝑤𝑤𝑤 ≤ + 𝛼𝛼
3 3
La corriente en la carga, io(t), se puede calcular de forma generalizada considerando

una carga de tipo RLE, para lo cual se tiene:
𝑑𝑑𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤)
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤) + 𝐿𝐿 + V𝑐𝑐
𝑑𝑑𝑤𝑤
Cuya solución es de la forma
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + 𝐴𝐴 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 𝑅𝑅
𝑤𝑤𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑆𝑆: 𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 , 𝜃𝜃 = tan−1 �
�
𝑅𝑅
𝜋𝜋
La constante A se puede determinar de la condición inicial 𝑤𝑤𝑤𝑤 = + 𝛼𝛼; 𝑓𝑓𝑜𝑜 = 𝐼𝐼𝑜𝑜
3
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝜋𝜋+3𝛼𝛼

𝐴𝐴 = �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
Sustituyendo el valor de A en io(wt) obtenemos la corriente de carga:
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝑉𝑉𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝜋𝜋+3𝛼𝛼−3𝑤𝑤𝑤𝑤

𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) = sin(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − + �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝑤𝑤
163
Bajo condiciones de estado permanente 𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 2𝜋𝜋�3 + 𝛼𝛼� = 𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝜋𝜋�3 + 𝛼𝛼�, Esto
es, 𝑓𝑓𝑜𝑜 �𝑤𝑤𝑤𝑤 = 2𝜋𝜋�3 + 𝛼𝛼� = 𝐼𝐼𝑜𝑜 Aplicando esta condición:
2𝜋𝜋
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 2𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑐𝑐 √2𝑉𝑉𝑃𝑃𝑏 𝜋𝜋 𝑉𝑉𝑑𝑑 𝜋𝜋+3𝛼𝛼−3( 3 +𝛼𝛼)
𝐼𝐼𝑑𝑑 = sin � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� − + �𝐼𝐼𝑑𝑑 − 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆 � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� + � 𝑆𝑆 3𝑤𝑤𝜏𝜏
𝑍𝑍 3 𝑅𝑅 𝑍𝑍 3 𝑅𝑅
Se obtiene el valor de Io como:
2𝜋𝜋 𝜋𝜋 𝜋𝜋
√2𝑉𝑉𝑐𝑐𝑏 sin � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� − sin � + 𝛼𝛼 − 𝜃𝜃� 𝑆𝑆 − 3𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑜𝑜 = 3 3 −
𝜋𝜋
𝑍𝑍 �1 − 𝑆𝑆 −3𝑤𝑤𝑤𝑤 � 𝑅𝑅
Introduciendo este resultado de Io en la ecuación de 𝑓𝑓𝑑𝑑(𝑤𝑤𝑤𝑤) se obtiene la expresión de

la corriente por la carga.
La corriente eficaz por tiristor:
2𝜋𝜋� +𝛼𝛼
2 3
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � 𝑓𝑓𝑜𝑜 2 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝜋𝜋�
3+𝛼𝛼
La corriente eficaz en la salida se puede determinar combinando la corriente eficaz

por cada tiristor:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑅𝑅 2 + 𝐼𝐼𝑅𝑅 2 + 𝐼𝐼𝑅𝑅 2 = √3𝐼𝐼𝑅𝑅
La corriente promedio en cada tiristor se puede determinar:

2𝜋𝜋� +𝛼𝛼
2 3
𝐼𝐼𝐴 = � 𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝜋𝜋�
3+𝛼𝛼
La corriente promedio en la carga se puede determinar mediante:
𝐼𝐼𝑉𝑉𝑑𝑑 = 𝐼𝐼𝐴 + 𝐼𝐼𝐴 + 𝐼𝐼𝐴 = 3𝐼𝐼𝐴
La corriente eficaz en la salida del transformador es:
2
𝐼𝐼𝑟𝑟 = � 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
3
164
Ejemplo 4.8
Un rectificador trifásico controlado tiene una carga L = 1.5 mH, R = 2.5Ω y Vd = 10V. El
voltaje de entrada, de Línea a línea, es Vab = 208V (rms), 60Hz. El ángulo de retardo es
𝛼𝛼 = 𝜋𝜋⁄3. Determinar a) la corriente de carga en estado permanente Io; b) la corriente
promedio por tiristor; c) la corriente rms por tiristor; d) la corriente rms de salida; e)
la corriente promedio de salida. [4]
Solución
𝛼𝛼 = 𝜋𝜋⁄3, R = 2.5Ω, L = 1.5mH, f = 60 Hz, w = 2*π*60=377rad/s, Vab, = 208V

𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 2,56Ω y 𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 12.74°
(e) La corriente de carga en estado permanente, es Io = 20,49A.

𝜋𝜋 2𝜋𝜋
(f) Por integración numérica de la ecuación io(wt) entre los límites + 𝛼𝛼 𝑦 + 𝛼𝛼,
3 3
se obtiene la corriente promedio en cada tiristor IA = 17,42 A.
𝜋𝜋 2𝜋𝜋
(g) Por integración numérica de la ecuación io2(wt) entre los límites + 𝛼𝛼 𝑦 +
3 3
𝛼𝛼, se obtiene la corriente promedio en cada tiristor IR = 31,32 A.
(h) La corriente rms de salida es 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √3𝐼𝐼𝑅𝑅 = 54,25 A.
(i) La corriente promedio de salida es 𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 = 3𝐼𝐼𝐴 = 52,26𝐴𝐴
4.17 CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA
En los rectificadores, tanto controlados como no controlados se realiza una

transformación de las características de la energía de entrada al convertidor, pasando
de tensión alterna a tensión continua, de valor constante, si nos referimos a
rectificadores no controlados, o de valor variable, si nos referimos a rectificadores
controlados. Existen aplicaciones en las que nos interesa cambiar únicamente el valor
eficaz de la tensión suministrada por la red, que tiene un valor constante, si
despreciamos las pequeñas variaciones de la red eléctrica. Este cambio de valor eficaz
de la tensión interesa que sea variable de manera continua en la mayoría de
aplicaciones. Para dar solución a este problema aparecen los convertidores ac-ac,
denominados comúnmente "reguladores de corriente alterna".
Si se conecta un interruptor de tiristor entre la fuente de ca y la carga, se puede

controlar el flujo de potencia haciendo variar el valor rms del voltaje de ca aplicado a
la carga, y a este tipo de circuito de potencia se le llama controlador de voltaje de ca.
El elemento base está formado por dos tiristores montados en conexión cruzada
llamada también paralelo inverso o antiparalelo y colocados entre la fuente y la carga.
Desde el punto de vista funcional, son varias las topologías de convertidores ca-ca
existentes. Así, algunos de estos convertidores únicamente regulan el valor eficaz de la
165
tensión alterna de salida, manteniendo su frecuencia fija (igual a la de la tensión de
entrada). Convertidores ca-ca de tales características reciben el nombre de
controladores de tensión alterna. Para la transferencia de potencia se usan en este
caso, dos tipos de control:
l. Control de encendido apagado

2. Control por ángulo de fase
Sin embargo, existen convertidores ca-ca que controlan no sólo la magnitud de la

tensión alterna de salida, sino también su frecuencia. Tal es el caso de los
convertidores en cascada y de los cicloconvertidores.
En el control de encendido apagado, los interruptores de tiristor conectan la carga a la

fuente de ca durante algunos ciclos de voltaje de entrada y lo desconectan durante
algunos otros ciclos. En el control por ángulo de fase, los interruptores conectan la
carga con la fuente de ca durante una parte de cada ciclo de voltaje de entrada.
Los controladores de voltaje de ca se pueden clasificar en dos tipos: 1) controladores

monofásicos y 2) controladores trifásicos, y cada tipo se subdivide en a) control
unidireccional, o de media onda, y b) control bidireccional, o de onda completa. Hay
varias configuraciones de controladores trifásicos, que dependen de las conexiones de
los interruptores de tiristor y del tipo de conexión de la carga al regulador (conexión
estrella o conexión triángulo).
Como el voltaje de entrada es de ca, los tiristores son conmutados por la línea y no hay
necesidad de circuitos adicionales de conmutación, los tiristores de control por ángulo
de fase, que son relativamente poco costosos y más lentos que los tiristores de
conmutación rápida, son los que se usan en el caso normal. Para aplicaciones hasta
400Hz, se suelen usar dispositivos TRIAC que cumplen con las especificaciones de
voltaje y corriente para determinadas aplicaciones.
Las aplicaciones más comunes de los controladores de voltaje de ca son: calefacción

industrial, cambio de conexión de transformador con carga, controles de alumbrado,
controles de electroimanes de ca, control de velocidad de motores monofásicos y
polifásicos de inducción. En el control de velocidad de motores, la eficiencia
energética es mala, especialmente a bajas velocidades. El gran deslizamiento que se
produce a bajas velocidades provoca grandes pérdidas en el rotor. Las aplicaciones
típicas son aquéllas en las que la carga es pequeña, como en los motores monofásicos
con potencia igual a una fracción de caballo de vapor, o donde el periodo de operación
a baja velocidad es corto. Otra aplicación de interés es el control de VAR estático
(compensador estático de reactiva) Se suelen conectar condensadores en paralelo con
las cargas inductivas para mejorar el factor de potencia. Si el valor de VAR (voltio-
amperios reactivos) necesario para una carga es constante, podremos seleccionar un
condensador fijo para corregir el factor de potencia e igualarlo a uno. Sin embargo, si
166
el valor de VAR necesario es variable, al seleccionar un condensador fijo se obtendrá
un factor de potencia variable. El circuito de la Figura 4.50 representa una aplicación
del controlador de tensión alterna, que mantiene un factor de potencia unidad para
valores de VAR variables en la carga. El condensador de corrección del factor de
potencia entrega una cantidad fija de potencia reactiva, normalmente superior a la
que necesita la carga. La bobina en paralelo absorbe una cantidad variable de potencia
reactiva en función del ángulo de disparo de los SCR. La potencia reactiva neta
entregada por la combinación del condensador y la bobina se controla para igualarla a
la absorbida por la carga. Al cambiar el valor de VAR necesario para la carga, se
ajustará el ángulo de disparo para mantener un factor de potencia unidad. Este tipo de
corrección del factor de potencia se denomina control de VAR estático. (Los SCR se
colocarán en la rama de la bobina en lugar de en la rama del condensador, porque se
podrían producir corrientes muy altas al conmutar un condensador con un SCR). [2]
Figura 4.50 Control de VAR estático [2]
La ventaja del control de VAR estático es que permite una adaptación rápida a la
variación de la carga. Con el control de VAR estático es posible ajustar de forma
continua la potencia reactiva, al contrario de lo que sucede con los bancos de
condensadores que se activan y desactivan mediante disyuntores, los cuales
proporcionan un control en niveles discretos. El control de VAR estático prevalece en
instalaciones que requieren una potencia reactiva que varíe rápidamente, como los
hornos de arco voltaico. Suele ser necesario utilizar filtros para eliminar las corrientes
armónicas producidas por la inductancia conmutada.
A continuación, se analizan con detalle alguno de estos convertidores ca-ca, y se

abordará de forma breve los cicloconvertidores. Por la naturaleza de las formas de
onda de salida, no es sencillo el análisis para las deducciones de ecuaciones explícitas
de los parámetros de rendimiento de los circuitos, en especial para los convertidores
controlados por ángulo de fase con cargas RL. Para simplificar, se consideran cargas
resistivas. Sin embargo, se debe tener en cuenta que para el diseño y el análisis de los
controladores de voltaje de ca las cargas prácticas son de tipo RL, en dicho caso se
recomienda el uso de software de simulación. [2]
167
4.17.1 Control de Encendido Apagado
El esquema de dicho regulador se observa en la Figura 4.51a. En la Figura 4.51b se

pueden ver las formas de onda de la tensión de entrada Vs, la tensión aplicada a la
carga Vo, y la intensidad que circula por la carga io, que es igual a la que circula por la
fuente de entrada is.
a)
b)
Figura 4.51 a) Circuito b) Formas de onda [4]
El principio de funcionamiento consiste en aplicar pulsos a la puerta del tiristor T1 en

el semiciclo positivo, y al tiristor T2 en el semiciclo negativo, con un ángulo de retraso
α=0, durante un número n de ciclos de la tensión de entrada, y no aplicar pulsos a la
puerta de los tiristores durante un número m de ciclos. El funcionamiento es
equivalente a un interruptor que se cierra durante n ciclos y se abre durante m ciclos
de la tensión de entrada.
168
Este tipo de control sólo es utilizado, en aquellas aplicaciones que tienen alta inercia
mecánica o alta constante de tiempo térmica (inercia térmica) (ejemplo: control de
velocidad de motores con grandes cargas mecánicas y hornos industriales), ya que de
esta forma el sistema apenas sufre variación durante el tiempo en el que no le
aplicamos pulsos a las puertas de los tiristores. Debido a la conmutación de los
tiristores en el paso por cero de la intensidad (carga resistiva), los armónicos
generados en la intensidad que circula por la fuente de entrada son muy bajos. [4]
Para el voltaje de entrada, 𝑉𝑉𝑟𝑟 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤). Este se conecta con la carga durante n
ciclos y se desconecta durante m ciclos, el voltaje rms de salida (o de carga) se puede
determinar como sigue:
2𝜋𝜋
𝑆𝑆 2 𝑆𝑆
𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � �√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)� 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � = 𝑉𝑉𝑟𝑟 √𝑘
2𝜋𝜋(𝑆𝑆 + 𝑟𝑟) 0 𝑆𝑆 + 𝑟𝑟
Donde k = n/(m + n) y k se llama ciclo de trabajo. El voltaje rms de fase es Vs.
La corriente pico en el tiristor es Im = Vm/R. La corriente promedio de los tiristores es:

𝜋𝜋
𝑆𝑆 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆 𝑘𝐼𝐼𝑟𝑟
𝐼𝐼𝐴 = � 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = =
2𝜋𝜋(𝑆𝑆 + 𝑟𝑟) 0 𝜋𝜋(𝑆𝑆 + 𝑟𝑟) 𝜋𝜋
La corriente rms de los tiristores es
𝜋𝜋
𝑆𝑆 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � [ 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)]2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = �
2𝜋𝜋(𝑆𝑆 + 𝑟𝑟) 0 2 𝑆𝑆 + 𝑟𝑟
En el caso de carga RL se debe considerar el desfasamiento entre la tensión y la

corriente provocada por la carga. Para que la corriente pueda pasar efectivamente aunque
su onda este desfasada 𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 respecto a la onda de tensión, es preciso que cuando iL
(corriente de carga) quiera pasar por T1, la señal de cebado todavía se mantenga en la puerta
de T1 y que la señal de cebado este en la compuerta de T2 cuando iL vaya a hacerse negativa y
pase a través de T2. Ello supone se verifique alguno de los casos siguientes:
 Empleo de señales de cebado muy anchas o tren de pulsos (90° si la carga es

inductiva y de argumento muy variable como el caso de motores).
 El envió permanente de un tren de un tren de impulsos a las compuertas.
 La alimentación de las compuertas a partir de tensiones anódicas.
Si la señal de compuerta no cumple las condiciones requeridas para los tiristores, el

tiristor que este conduciendo dejara de hacerlo en el momento en que iL se anule y el
otro no podrá cebarse.
169
Ejemplo 4.9
Un controlador de voltaje ca monofásico con carga resistiva R=10Ω, el voltaje de

entrada es Vs = 120 (rms), 60Hz. El interruptor de tiristor está cerrado durante n = 25
ciclos, y abierto durante m=75 ciclos. Determinar a) el voltaje rms de salida, b) el
factor de potencia (FP) en la entrada y e) la corriente promedio y rms de los tiristores.
[4]
Solución
𝑛𝑛 25
R= 10Ω, L =1.5mH, f = 60 Hz, Vs = 120V, 𝑉𝑉𝑟𝑟 √2 ∗ 120 = 169.7𝑉𝑉, 𝑘 = = = 0.25
𝑟𝑟 + 𝑛𝑛 100
a) El valor rms del voltaje de salida es:
𝑆𝑆
𝑉𝑉𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � = 120√0.25 = 60𝑉𝑉
𝑆𝑆 + 𝑟𝑟
La corriente rms en la carga es lo = V/R = 60/10 = 6.0 A.
b) La potencia en la carga es Po = Io2*R = 62 * 10 = 360 W. Como la corriente de entrada

es igual que la corriente en la carga, la entrada de volt-amperes (VA) es
VA = 120V * 6A =720W
El FP de entrada es
FP = Po/VA = 360/ 720 = 0.5 en retraso
c) La corriente pico en el tiristor es Im = Vm/R = 169.7/10 = 16.97A. La corriente

promedio de los tiristores es
𝑘𝐼𝐼𝑟𝑟 0.25 ∗ 16.97

𝐼𝐼𝐴 = = = 1.33𝐴𝐴
𝜋𝜋 𝜋𝜋
La corriente rms de los tiristores es
𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑆𝑆 16.97
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � = √0.25 = 4.24𝐴𝐴
2 𝑆𝑆 + 𝑟𝑟 2
4.17.2 Controlador Monofásico Bidireccional con Carga Resistiva
La Figura 4.52a muestra un controlador monofásico de onda completa con una carga
resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, se controla el flujo de
la potencia haciendo variar el ángulo de retardo del tiristor T1, y el tiristor T2 controla
170
el flujo de potencia durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada. Los pulsos
de disparo de T1 y T2 se mantienen desfasados 180°. Las formas de onda del voltaje de
entrada, voltaje de salida y señales de disparo para T1 y T2 se ven en la Figura 4.52b.
a) b)
Figura 4.52 a) Controlador de onda completa carga resistiva, b) Formas de onda [4]
Si 𝑉𝑉𝑟𝑟 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) es el voltaje de entrada, y si el ángulo de retardo de los tiristores

T1 y T2 son iguales (α2 = π+ α1, el voltaje rms de salida se determina como sigue:
2 𝜋𝜋 2 1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2𝛼𝛼)
𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � �√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)� 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + �
2𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋 2
La corriente promedio por tiristor es:
𝜋𝜋
1 √2𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐼𝐼𝐴 = � √2 𝑉𝑉𝑟𝑟 sin 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝐼𝐼𝐴 = (𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓 𝛼𝛼 + 1)
2𝜋𝜋𝑅𝑅 𝛼𝛼 2𝜋𝜋𝑅𝑅
La corriente rms de tiristor es
𝜋𝜋
1 2 𝑉𝑉𝑟𝑟 1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2𝛼𝛼)
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � 2
� �√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤)� 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = � �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + �
2𝜋𝜋𝑅𝑅 𝛼𝛼 √2𝑅𝑅 𝜋𝜋 2
171
Ejemplo 4.10
Un controlador de voltaje ca monofásico bidireccional tiene una carga resistiva R =

15Ω, el voltaje de entrada es Vs = 120 (rms), 60Hz. Determinar a) el ángulo de disparo
necesario para entregar 500W a la carga, b) la corriente eficaz de la fuente, c) la
corriente eficaz y promedio por tiristor, d) el factor de potencia (FP) en la entrada. [4]
Solución
a) La tensión eficaz necesaria para entregar 500W a una carga de 15Ω es:
Po = Vo2/R
𝑉𝑉𝑜𝑜 = �𝑃𝑃𝑜𝑜 ∗ 𝑅𝑅 = √500 ∗ 15 = 86.6𝑉𝑉

Resolviendo numéricamente la siguiente expresión:
1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2𝛼𝛼)
86.6 = 120� �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + �
𝜋𝜋 2
De donde se obtiene
𝛼𝛼 = 1.54𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑 = 88.1°
b) La corriente eficaz de la fuente es:
𝑉𝑉𝑜𝑜 86.6
𝐼𝐼𝑜𝑜,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = = 5.77𝐴𝐴
𝑅𝑅 15
c) Las corrientes en los SCR se obtienen utilizando las ecuaciones
𝑉𝑉𝑟𝑟1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2𝛼𝛼) 120 1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2 ∗ 1.54)

𝐼𝐼𝑅𝑅 = � �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + �= � �𝜋𝜋 − 1.54 + � = 4.08𝐴𝐴
√2𝑅𝑅 𝜋𝜋 2 √2 ∗ 15 𝜋𝜋 2
√2 ∗ 120
𝐼𝐼𝐴 = [𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓(1.54) + 1] = 1.86𝐴𝐴
2𝜋𝜋 ∗ 15
El FP de entrada es
FP = Po/VA = 500/ 120*5.77 = 0.72
4.17.3 Controlador Monofásico Bidireccional Con carga Inductiva
En la práctica, la mayor parte de las cargas son inductivas. En la Figura 4.53a se ve un

controlador de onda completa con una carga RL.
172
a) b)
Figura 4.53 a) Controlador de onda completa carga RL, b) Formas de onda [4]
Supongamos que el tiristor T1 dispara durante el medio ciclo positivo y conduce la

corriente de la carga. Debido a la inductancia en el circuito, la corriente del tiristor T1
no baja a cero cuando wt = π, que es cuando el voltaje de entrada comienza a ser
negativo. El tiristor T1 continúa conduciendo hasta que su corriente i1 baja a cero
cuando wt = β. El ángulo de conducción del tiristor T1 es δ = β - α, y depende del
ángulo de retardo α y del ángulo θ del FP de la carga. En la Figura 4.53b se
muestran las formas de onda de la corriente del tiristor, pulsos de disparo y voltaje de
entrada, mientras que las formas de onda del voltaje Vo de salida, corriente io de salida
y voltaje VT1 a través de T1 se ven en la Figura 4.54. Puede haber un corto ángulo de
sostenimiento γ después del cruce de la corriente, que se va a hacer negativa, con cero.
Si 𝑉𝑉𝑟𝑟 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) es el voltaje instantáneo de entrada, y el ángulo de retardo del

tiristor T1 es α, se puede determinar la corriente i1 en el tiristor como sigue: [4]
𝑑𝑑𝑓𝑓1 (𝑤𝑤)
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤) = 𝑅𝑅𝑓𝑓1 (𝑤𝑤) + 𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑤𝑤
La solución de la ecuación tiene la forma
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = sen(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) + 𝐴𝐴1 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍
𝑤𝑤𝐿𝐿 𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑆𝑆: 𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 , 𝜃𝜃 = tan−1 � � , 𝜏𝜏 =
𝑅𝑅 𝑅𝑅
173
La constante A1 se puede determinar con la condición inicial: cuando wt = α, i1 = 0
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼
𝐴𝐴1 = − sen(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃) 𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑍𝑍
La sustitución de A1 en la ecuación de 𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) da como resultado
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = �sen(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃) − sen(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤 �
𝑍𝑍
Figura 4.54 Formas de onda típicas de un controlador monofásico de voltaje de ca

carga RL [4]
El ángulo β, cuando la corriente i1 baja a cero y el tiristor T1 se desactiva, se puede

determinar con la condición i1 (wt = β) = 0 en la ecuación y de define con la relación
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝛽𝛽
𝑓𝑓(𝛽𝛽) = 0 = �sen(𝛽𝛽 − 𝜃𝜃) − sen(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤 �
𝑍𝑍
El ángulo β, que también se llama ángulo de extinción, se determina con esta ecuación
trascendental y requiere resolverla con un método iterativo. Una vez conocido β, se
174
puede determinar el ángulo de conducción δ del tiristor T1
δ=β-α
El voltaje rms de salida es
2 𝛽𝛽 1 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2𝛼𝛼 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2𝛽𝛽

𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � 2𝑉𝑉𝑓𝑓 2 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑤𝑤𝑤𝑤 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � �𝛽𝛽 − 𝛼𝛼 + − �
2𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝜋𝜋 2 2
Corriente rms por Tiristor:

1 𝛽𝛽 2
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � 𝑓𝑓 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
2𝜋𝜋 𝛼𝛼 1
Combinando la corriente rms de cada tiristor, la corriente rms en la carga es:
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑅𝑅2 + 𝐼𝐼𝑅𝑅2 = √2𝐼𝐼𝑅𝑅

Corriente promedio por tiristor:
1 𝛽𝛽
𝐼𝐼𝐴 = � 𝑓𝑓 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤
Las formas de onda observadas en las Figuras 4.53b y 4.54 corresponden al caso en el
que 𝛼𝛼 > 𝜃𝜃, ángulo de disparo de los tiristores mayor que el ángulo de desfase de la
carga. En este caso, es suficiente aplicar un pulso de corta duración a la puerta de los
tiristores para el correcto funcionamiento del convertidor. La tensión y la intensidad
a su salida son no senoidales y discontinuas, pero permiten su control variando el
ángulo. Como el ángulo de conducción δ de cada tiristor no puede ser mayor a 𝜋𝜋 , se
deduce que para que la tensión e intensidad de salida del convertidor puedan
controlarse, el ángulo debe oscilar entre:
𝜃𝜃 < 𝛼𝛼 < 𝜋𝜋
Cabe destacar el modo de funcionamiento en el que 𝛼𝛼 < 𝜃𝜃, que a su vez, se puede
dividir en dos nuevos modos de funcionamiento en función del tipo de pulso aplicado
a la puerta de los tiristores.
1) Si 𝛼𝛼 < 𝜃𝜃 y aplicamos un pulso de larga duración 𝜋𝜋 − 𝛼𝛼, o bien un tren de pulsos a la

puerta de los tiristores, con el fin de disminuir la disipación de potencia en la puerta
de los tiristores; la tensión aplicada a la carga sería igual a la tensión de entrada, por lo
que no tendremos control sobre la potencia suministrada a la carga, funcionando el
conjunto de ambos tiristores en antiparalelo, como un interruptor estático. Las formas
de onda para este modo de funcionamiento se pueden observar en la Figura 4.55. [4]
175
Figura 4.55 Regulador monofásico bidireccional 𝛼𝛼 < 𝜃𝜃 y pulso de larga duración [4]
2) Si 𝛼𝛼 < 𝜃𝜃 y aplicamos un pulso de corta duración, obtenemos las formas de onda que
se observan en la Figura 4-56. Como vemos, sólo entra en conducción el tiristor T1, el
tiristor T2 nunca llega a dispararse, ya que cuando aplicamos un pulso a la puerta de
este tiristor, la corriente todavía no ha dejado de circular por el tiristor T1
(polarización inversa del tiristor T2). Para cuando esta corriente pase por cero y el
tiristor T2 se encuentre en condiciones para conducir (polarizado directa) ya no habrá
pulso aplicado a la puerta del tiristor. El resultado es que sólo funciona el tiristor T1 y
causa formas asimétricas de onda del voltaje y la corriente de salida. En este modo de
funcionamiento la tensión aplicada a la carga tiene un valor medio positivo. Igual
ocurre con la intensidad que circula por la carga y por la fuente, que será
unidireccional, con la mencionada componente de continua circulando por el
secundario del transformador, se daría problemas de saturación en su núcleo. [4]
176
Figura 4.56 Regulador monofásico bidireccional 𝛼𝛼 < 𝜃𝜃 y pulso de corta duración [2]
Ejemplo 4.11
Para un controlador de voltaje ca monofásico bidireccional se utiliza una fuente de

voltaje de entrada de Vs = 120V (rms), 60Hz, y la carga es una combinación serie R-L,
siendo R = 20Ω y L = 50mH. El ángulo de disparo α es de 90°. Determine (a) la
expresión de la corriente de carga para la primera mitad del periodo, (b) la corriente
eficaz en los SCR, (c) la corriente eficaz en la carga, (d) la corriente media en los SCR.
Solución.
(a) La expresión de la corriente. A partir de los parámetros dados obtenemos,
𝑍𝑍 = �𝑅𝑅2 + (𝑤𝑤𝐿𝐿)2 = 27.5Ω
𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 0.756 rad
𝑤𝑤𝜏𝜏 = 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 0.943 𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
𝛼𝛼 = 90° = 1.57 𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑
177
Utilizando la ecuación 𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) la corriente se expresa del modo siguiente
√2 ∗ 120 1.57−𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = �sen(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 0.756) − sen(1.57 − 0.756)𝑆𝑆 0.943 �
27.5
−𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤𝑤𝑤) = 6.18 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆(𝑤𝑤𝑤𝑤 − 0.756) − 23.8𝑆𝑆 0.943
El ángulo de extinción 𝛽𝛽 se obtiene resolviendo numéricamente la siguiente ecuación
√2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝛼𝛼−𝛽𝛽
𝑓𝑓(𝛽𝛽) = 0 = �sen(𝛽𝛽 − 𝜃𝜃) − sen(𝛼𝛼 − 𝜃𝜃)𝑆𝑆 𝑤𝑤𝑤𝑤 �
𝑍𝑍
𝛽𝛽 = 3.83 𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑 = 220°
El ángulo de conducción 𝛿 = 𝛽𝛽 − 𝛼𝛼 = 2.26𝑟𝑟𝑃𝑃𝑑𝑑 = 130° es menor que el límite de

180°.
(b) Corriente rms por tiristor:

(c)
1 𝛽𝛽
𝐼𝐼𝑅𝑅 = � � 𝑓𝑓1 2 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 1.92𝐴𝐴
2𝜋𝜋 𝛼𝛼
(d) La corriente rms de salida es 𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �𝐼𝐼𝑟𝑟2 + 𝐼𝐼𝑟𝑟2 = √2𝐼𝐼𝑅𝑅 = 2.71A.
(e) Corriente promedio por tiristor:
1 𝛽𝛽
𝐼𝐼𝐴 = � 𝑓𝑓 (𝑤𝑤𝑤𝑤)𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = 1.04𝐴𝐴
4.17.4 Controladores Trifásicos de Tensión Carga Resistiva Conectada en

Estrella
En la Figura 4.57 se muestra un controlador de tensión trifásico con una carga

resistiva conectada en estrella. El ángulo de disparo a en cada SCR controla la potencia
entregada a la carga. Cada tiristor se activa con un desfase de 60º, según la secuencia:
T1, T2, T3, T4, T5 y T6. El ángulo de disparo de los tiristores se empieza a contar a
partir del paso por cero de las tensiones de fase. Las señales de puerta se mantendrán
durante todo el ángulo posible de conducción. La tensión instantánea en cada fase de
la carga viene determinada por cuáles SCR estén en conducción. En cualquier instante
estarán activados tres SCR, dos SCR o ningún SCR. Siguiendo la Figura 4-57, la tensión
178
instantánea de carga será una tensión de línea a neutro cuando estén activados tres
SCR. Será la mitad de una tensión línea a línea si son dos SCR los que se encuentren
activados o cero si ningún SCR está activado. [4]
Figura 4.57 Controlador trifásico bidireccional [4]
Cuando estén activados tres SCR (uno en cada fase) se conectarán las tres tensiones
de fase del generador a la carga, lo que corresponde a un generador trifásico
equilibrado conectado a una carga trifásica equilibrada. La tensión en cada fase de la
carga es la tensión línea a neutro correspondiente. Por ejemplo, si están activados T1,
T2 y T6, van = vAN, vbn = vBN y vcn = vCN. Cuando estén activados dos SCR, la corriente
pasa únicamente por dos de las líneas, considerándose la tercera de ellas en circuito
abierto, la tensión línea a línea de las dos fases asociadas a los dos tiristores activados
se dividirá a partes iguales entre las dos resistencias de carga conectadas. Por
ejemplo, si sólo están activados T1 y T2, van = vAC/2, vcn = VCA/2 y vbn = 0. Los SCR
conducirán en función del ángulo de disparo α y de las tensiones de alimentación en
un instante determinado. Cada tiristor se apaga cuando la intensidad que circula por
él se anula y tiende a hacerse negativa. Éstos son los rangos de α que producirán tipos
particulares de tensiones de carga: [4]
Para 0 ≤ 𝛼𝛼 < 60° en este rango de 𝛼𝛼 conducirán dos o tres tiristores al mismo
tiempo.
Para 60° ≤ 𝛼𝛼 < 90° sólo hay dos tiristores que conducen en cualquier momento.
Para 90° ≤ 𝛼𝛼 < 150° en este modo solo pueden conducir dos tiristores a la vez.
Además, en algunos intervalos no conducirá ningún tiristor. Cuando 𝛼𝛼 ≥ 150°, no

existirá ningún intervalo en el que los tiristores estén polarizados en directa al aplicar
una señal de puerta, por lo que la tensión de salida será cero. El intervalo del ángulo
de retardo es por tanto:
0° ≤ 𝛼𝛼 ≤ 150
179
Las Figura 4.58 muestran para un controlador trifásico con carga resistiva en estrella
para y 𝛼𝛼 = 60°, las formas de onda de fase y de línea a la entrada, así como el período
de conducción de cada uno de los tiristores y la tensión de la fase an en la carga. Las
formas de onda de las intensidades de fase (que no han sido dibujadas) coinciden con
las de las tensiones de fase, pero están escaladas en un factor de 1/R. [4]
Figura 4.58 Formas de onda para un controlador trifásico bidireccional. 𝛼𝛼 = 60° [4]
La ecuación del voltaje rms de fase de salida depende del intervalo de los ángulos de
retardo. El voltaje rms de salida, para una carga conectada en Y, se puede determinar
como sigue. [4]
Para 0 ≤ 𝛼𝛼 < 60°

1 2𝜋𝜋 1 𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2𝛼𝛼
𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � 𝑉𝑉𝑃𝑃𝑆𝑆2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = √6𝑉𝑉𝑟𝑟 � � − + �
2𝜋𝜋 0 𝜋𝜋 6 4 8
180
Para 60° ≤ 𝛼𝛼 < 90°
1 2𝜋𝜋 1 𝜋𝜋 3 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2𝛼𝛼 √3 cos 2𝛼𝛼

𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � 𝑉𝑉𝑃𝑃𝑆𝑆2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = √6𝑉𝑉𝑟𝑟 � � + + �
2𝜋𝜋 0 𝜋𝜋 12 16 16
Para 90° ≤ 𝛼𝛼 < 150°
1 2𝜋𝜋 1 5𝜋𝜋 𝛼𝛼 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2𝛼𝛼 √3 cos 2𝛼𝛼

𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � 𝑉𝑉𝑃𝑃𝑆𝑆2 𝑑𝑑𝑤𝑤𝑤𝑤 = √6𝑉𝑉𝑟𝑟 � � − + + �
2𝜋𝜋 0 𝜋𝜋 24 4 16 16
Siendo 𝑉𝑉𝑟𝑟 el valor eficaz por fase de la tensión de entrada
Ejemplo 4.12
Un controlador trifásico bidireccional alimenta a una carga resistiva conectada en Y,

de R = 10Ω el voltaje de entrada, de línea a línea es 208 V(rms), 60 Hz. El ángulo de
retardo es α = π/3. Determinar a)el voltaje de fase de salida rms, b) el FP en la entrada.
[4]
Solución
𝑉𝑉𝑤𝑤= 208𝑉𝑉, 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 208⁄√3 = 120𝑉𝑉, 𝛼𝛼 = 𝜋𝜋⁄3 , 𝑅𝑅 = 10Ω
a) El voltaje de fase de salida rms es
1 𝜋𝜋 (𝜋𝜋⁄3) 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 2(𝜋𝜋⁄3)

𝑉𝑉𝑜𝑜 = √6 ∗ 120 � � − + � = 100.9𝑉𝑉
𝜋𝜋 6 4 8
b) La corriente rms de fase en la carga es 𝐼𝐼𝑐𝑐 = 100.9⁄10 = 10.09𝐴𝐴, la potencia de

salida es:
𝑃𝑃𝑜𝑜 = 3𝐼𝐼𝑐𝑐2 ∗ 𝑅𝑅 = 3 ∗ 10.092 ∗ 10 = 3054.24𝑊𝑊
Como la carga está conectada en Y, la corriente de fase es igual a la corriente de

línea, 𝐼𝐼𝑤𝑤 = 𝐼𝐼𝑐𝑐 = 10.09𝐴𝐴. Los VA de entrada son
𝑉𝑉𝐴𝐴 = 3𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐼𝐼𝑤𝑤 = 3 ∗ 120 ∗ 10.09 = 3632.4𝑉𝑉𝐴𝐴

El FP es
𝑃𝑃𝑜𝑜 3054.24
𝑅𝑅𝑃𝑃 = = = 0.84(en retraso)
𝑉𝑉𝐴𝐴 3632.4
181
4.17.5 Cicloconvertidores
[1] Los controladores de voltaje de ca proporcionan un voltaje de salida variable, pero

la frecuencia de ese voltaje es fija, y además el contenido de armónicas es alto, en
especial en las zonas de bajo voltaje de salida. Se puede obtener un voltaje y una
frecuencia variable de salida mediante conversiones en dos etapas: ca fija a cd
variable (por ejemplo, rectificadores controlados) y cd variable a ca variable, con
frecuencia variable (por ejemplo, los inversores que se describieron en el capítulo
siguiente). Sin embargo, los cicloconvertidores pueden eliminar la necesidad de uno o
más convertidores intermedios. Un cicloconvertidor es un cambiador directo de
frecuencias, que convierte corriente alterna con una frecuencia en corriente alterna a
otra frecuencia, por conversión ca-ca, sin un enlace intermedio de conexión.
La mayor parte de los cicloconvertidores tienen conmutación natural, y la frecuencia

máxima de salida se limita a un valor que sólo es una fracción de la frecuencia de la
fuente. En consecuencia, las aplicaciones principales de los cicloconvertidores son en
excitadores de motores de ca y baja velocidad, hasta 15.000 kW, con frecuencias de 0
a 20 Hz.
Con el desarrollo de las técnicas de conversión de potencia, y los métodos modernos

de control, los excitadores de motor de ca alimentados por inversor están ganando
terreno. Sin embargo, los adelantos recientes en conmutación rápida de dispositivos
de potencia y en microprocesadores permiten sintetizar e implementar estrategias
avanzadas de conversión para cambiadores directos de frecuencia por conmutación
forzada (FCDFC, force-commutated direct-frequency changer) para optimizar la
eficiencia y reducir los contenidos de armónicas. Las funciones de conmutación de los
FCDFC se pueden programar para que combinen las de los convertidores ca-cd y los
convertidores cd-ca. [4]
4.17.5.1 Cicloconvertidor monofásico
El principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofásicos se puede

explicar con la ayuda de la Figura 4.59. Los dos convertidores monofásicos
controlados se operan como rectificadores puente. [3] El control del conjunto consiste
en regular los ángulos de retardo de los convertidores individuales de manera que
sus tensiones de salida sean en todo momento iguales pero de sentido contrario. Si αP
es el ángulo de retardo del convertidor positivo, el ángulo de retardo del convertidor
negativo es αN = π - αP. El voltaje promedio de salida del convertidor positivo es igual y
182
opuesto al del convertidor negativo (Vcd2 = -Vcd1).
Figura 4.59 Circuito cicloconvertidor monofásicos [4]
Cada convertidor conduce la corriente durante un semiciclo y actúa alternativamente

como inversor y como rectificador. La modulación de la fase de los impulsos de
disparo se efectúa del siguiente modo: con αP = αN = 90° la tensión de salida es cero (se
vienen despreciando los armónicos). Para generar el semiciclo positivo de tensión
debe hacerse αP < 90º y αN > 90º. Para el semiciclo negativo se opera a la inversa. Para
obtener en cada semiciclo una onda fundamental senoidal se modula la fase de los
impulsos de disparo así:
Al principio del semiciclo positivo, αP es muy poco inferior a 90°; los sucesivos αP van
siendo cada vez más pequeños, hasta llegar a su valor mínimo, que se da en la mitad
del semiciclo. Tras este instante αP va aumentando poco a poco hasta que al final del
semiciclo vale de nuevo 90°. Para el semiciclo inverso αP > 90°. La relación αN = π - αP,
se cumple en cualquier instante para el caso ideal que estamos considerando en que la
distorsión de la onda de salida es cero.
En la realidad, la tensión de salida de cada convertidor tiene rizado y sus valores

instantáneos no coinciden en valor absoluto. Por consiguiente, con el control supuesto
ya no pueden conectarse directamente las salidas de ambos convertidores, puesto que
ello acarrearía la circulación entre ambos de una intensidad de rizado infinita. Para
eliminar o rebajar a un valor aceptable dicha intensidad circulatoria hay que hacer uso
de algún medio adicional:
183
El primer método consiste en impedir completamente la corriente circulatoria
mediante un apropiado control de las señales de excitación de los tiristores, de
manera que solo el convertidor que proporciona la corriente de la carga está en
conducción y el otro está bloqueado. Este entrará en conducción tan pronto como el
sentido de la intensidad de la carga se invierta, a la vez que aquel se bloquea.
El segundo método consiste en permitir una pequeña corriente de circulación con el

modo de control descrito anteriormente para el caso ideal en que las tensiones de
salida de los convertidores no tienen rizado y se verifica la relación Vcd2 = -Vcd1. Para
ello la intensidad circulatoria se limita a un nivel aceptable conectando entre ambos
convertidores una bobina de limitadora.
El primer método es más simple para intensidad de la carga sin discontinuidades. En

caso contrario es mejor el segundo, con el inconveniente de precisar un componente
más.
[1]La Figura 4.60 muestra las formas de onda del voltaje de salida y las señales de
disparo de los convertidores positivo y negativo para el primer método; el convertidor
positivo está activado durante el tiempo To/2, y el convertidor negativo funciona
durante el tiempo To/2. La frecuencia del voltaje de salida es fo = 1/To. [4]
Figura 4.60 Cicloconvertidor monofásico carga resistiva [4]
184
Ejemplo 4.13
El voltaje de entrada de un cicloconvertidor es de 120 V(rms), 60 Hz. La resistencia de

carga es 5Ω y la inductancia de carga es L = 40mH. La frecuencia del voltaje de salida
es de 20Hz. Si los convertidores trabajan uno a la vez y el ángulo de retardo αp = 2π/3,
determinar a) el voltaje de salida rms, b) la corriente rms de salida de cada tiristor, c)
el FP en la entrada. [4]
Solución.
Vs = 120V, fs = 60 Hz, fo = 20 Hz, R= 5Ω, L = 40mH, αp = 2π/3, XL = 2*π*20*0.04 =

5.027Ω.
a) El voltaje de salida se obtiene a partir de la expresión de voltaje para un

controlador monofásico bidireccional con cargas resistivas
1 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2𝛼𝛼) 1 2𝜋𝜋 𝑓𝑓𝑓𝑓𝑆𝑆(2 ∗ 2𝜋𝜋⁄3)

𝑉𝑉𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 � �𝜋𝜋 − 𝛼𝛼 + � = 120� �𝜋𝜋 − + � = 53𝑉𝑉
𝜋𝜋 2 𝜋𝜋 3 2
𝑍𝑍 = �52 + (5.027)2 = 7.09Ω

𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 5.027⁄5 = 45.2°
b) La corriente rms en la carga es:
Io = Vo / Z = 53/7.09 =7.48 A,
La corriente rms por cada convertidor es
𝐼𝐼𝑃 = 𝐼𝐼𝑁 = 𝐼𝐼𝑜𝑜 ⁄√2 = 7.48⁄√2 = 5.29𝐴𝐴
La corriente rms por cada tiristor
𝐼𝐼𝑅𝑅 = 𝐼𝐼𝑃 ⁄√2 = 5.29⁄√2 = 3.74𝐴𝐴.
c) La corriente rms de entrada es
𝐼𝐼𝑟𝑟 = 𝐼𝐼𝑜𝑜 = 7.48𝐴𝐴.
La especificación de VA es
𝑉𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝐼𝑆 = 897.6𝑉𝑉𝐴𝐴
La potencia de salida es
𝑃𝑃𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑜𝑜 ∗ 𝐼𝐼𝑜𝑜 ∗ cos 𝜃𝜃 = 53 ∗ 7.48 ∗ cos 45.2 = 279.35𝑊𝑊
Por lo tanto el factor de potencia a la entrada es
𝑃𝑃𝑜𝑜 279.35
𝑅𝑅𝑃𝑃 = = = 0.311 (𝑆𝑆𝑆𝑆 𝑟𝑟𝑆𝑆𝑤𝑤𝑟𝑟𝑃𝑃𝑓𝑓𝑑𝑑)
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐼𝐼𝑟𝑟 897.6
185
4.17.5.2 Cicloconvertidor trifásico
[1] En la Figura 4.61 se ve el diagrama de circuito de un cicloconvertidor

trifásico/monofásico.
Figura 4.61 Circuito cicloconvertidor trifásico/ monofásico [4]
Dos convertidores ca-cd son rectificadores controlados trifásicos. La síntesis de la

forma de onda para una frecuencia de salida de 12 Hz se ve en la Figura 4.62.
Figura 4.62 Formas de onda cicloconvertidor trifásico/ monofásico carga resistiva [4]
El convertidor positivo funciona durante la mitad del periodo de la frecuencia de

salida, y el convertidor negativo durante el otro medio periodo. El análisis de este
cicloconvertidor es parecido al de los cicloconvertidor monofásico.
186
En el control de los motores de ca se requiere un voltaje trifásico con una frecuencia
variable. El cicloconvertidor de la Figura 4-61 se puede ampliar para dar una salida
trifásica, teniendo 6 convertidores trifásicos como se ve en la Figura 4.63.
Figura 4.63 Circuito cicloconvertidor trifásico/ trifásico [4]
En esta condición si se usan seis convertidores trifásicos de onda completa, se

requerirían 36 tiristores. Otra alternativa consiste en 6 tiristores por fase, como se ve
en la Figura 4.64, y se requiere un total de 18 tiristores.
Figura 4.64 Circuito cicloconvertidor trifásico/ trifásico simplificado [4]
[1]En las Figuras 4.60 y 4.62 se puede observar que el voltaje de salida no es
puramente sinusoidal, y en consecuencia contiene armónicas. El FP de entrada
depende del ángulo de retardo de los tiristores, y es malo, en especial cuando el
voltaje de salida es bajo. Como se explicó anteriormente, el voltaje de salida de los
cicloconvertidores se forma, básicamente, por segmentos de voltajes de entrada, y el
valor promedio de un segmento depende del ángulo de retardo para ese segmento. Si
los ángulos de retardo de los segmentos se variaran en tal forma que los valores
187
promedio de los segmentos correspondieran, tanto como fuera posible, a las
variaciones del voltaje sinusoidal que se desee, se podrían minimizar las armónicas en
el voltaje de salida. Como ya se ha visto, el voltaje promedio de salida de un segmento
es una función coseno del ángulo de retardo. Los ángulos de retardo para segmentos
se pueden generar comparando una señal coseno a la frecuencia de la fuente
𝑣𝑐𝑐 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 cos 𝑤𝑤𝑟𝑟 𝑤𝑤 con un voltaje sinusoidal ideal de referencia, a la frecuencia de
salida 𝑣𝑟𝑟 = √2𝑉𝑉𝑟𝑟 cos 𝑤𝑤𝑜𝑜 𝑤𝑤. La Figura 4.65 muestra la generación de señales de disparo
para los tiristores del cicloconvertidor de la Figura 4.61. [4]
Figura 4.65 Generación de señales de disparo de tiristor [4]
El valor rms del voltaje de salida es:

2𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑜𝑜 =
𝜋𝜋
Ejemplo 4.14
El voltaje de entrada de un cicloconvertidor es de 120 V(rms), 60 Hz. La resistencia de

carga es 5Ω y la inductancia de carga es L = 40mH. La frecuencia del voltaje de salida
188
es de 20Hz. Si los ángulos de retardo del cicloconvertidor se generan comparando una
señal coseno a la frecuencia de la fuente, con una señal sinusoidal a la frecuencia de
salida y el ángulo de retardo αp = 2π/3, determinar a) el voltaje de salida rms, b) la
corriente rms de salida de cada tiristor, c) el FP en la entrada. [4]
Solución.
Vs = 120V, fs = 60 Hz, fo = 20 Hz, R= 5Ω, L = 40mH, αp = 2π/3, XL = 2*π*20*0.04 =

5.027Ω.
a) El voltaje de salida se obtiene a partir de la expresión de voltaje para un
controlador monofásico bidireccional con cargas resistivas
2𝑉𝑉𝑟𝑟 2 ∗ 120
𝑉𝑉𝑜𝑜 = = = 76.39𝑉𝑉
𝜋𝜋 𝜋𝜋
𝑍𝑍 = �52 + (5.027)2 = 7.09Ω
𝜃𝜃 = tan−1 𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 = 5.027⁄5 = 45.2°
b) La corriente rms en la carga es Io = Vo / Z = 76.39/7.09 = 10.77 A, la corriente rms

por cada convertidor es 𝐼𝐼𝑃 = 𝐼𝐼𝑁 = 𝐼𝐼𝑜𝑜 ⁄√2 = 10.77⁄√2 = 7.62𝐴𝐴 y la corriente rms por
cada tiristor 𝐼𝐼𝑅𝑅 = 𝐼𝐼𝑃 ⁄√2 = 7.62⁄√2 = 5.39𝐴𝐴.
c) La corriente rms de entrada es 𝐼𝐼𝑟𝑟 = 𝐼𝐼𝑜𝑜 = 10.77𝐴𝐴, la especificación de VA es

𝑉𝑉𝑆 ∗ 𝐼𝐼𝑆 = 1294.2𝑉𝑉𝐴𝐴 y la potencia de salida es 𝑃𝑃𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑜𝑜 ∗ 𝐼𝐼𝑜𝑜 ∗ cos 𝜃𝜃 = 76.39 ∗ 10.77 ∗
cos 45.2 = 579.73𝑊𝑊 por lo tanto el factor de potencia a la entrada es
𝑃𝑃𝑜𝑜 579.73
𝑅𝑅𝑃𝑃 = = = 0.449 (𝑆𝑆𝑆𝑆 𝑟𝑟𝑆𝑆𝑤𝑤𝑟𝑟𝑃𝑃𝑓𝑓𝑑𝑑)
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝐼𝐼𝑟𝑟 1294.2
RESUMEN
Existen diferentes tipos de tiristores con funcionalidades específicas, entre ellos los
GTO e IGCT son dispositivos apagados por compuerta. Cada uno tiene sus ventajas y
desventajas. Las características de los tiristores prácticos difieren en forma apreciable
de las de los dispositivos ideales. Aunque hay distintos medios de encender los
tiristores, el control por compuerta es el más práctico. Debido a las capacitancias de
las uniones y al límite de encendido, los tiristores se deben proteger contra fallas por
altas tasas di/dt y dv/dt. En el caso normal se usa una red amortiguadora para
protegerlos contra alta tasa dv/dt. Debido a la carga recuperada, algo de energía se
almacena en los inductores parásitos y la tasa di/dt y, y se deben proteger los
dispositivos contra esa energía almacenada. Las pérdidas de los GTO por conmutación
189
son mucho mayores que las de los SCR normales. Los componentes amortiguadores de
los GTO son críticos para su rendimiento. Debido a las diferencias en las
características de tiristores del mismo tipo, las operaciones de los tiristores en serie y
en paralelo requieren redes de voltaje y corriente compartidos, para protegerlos bajo
condiciones de estado permanente y transitorio. Es necesario un medio de
aislamiento entre el circuito de potencia y los circuitos de compuerta. Un aislamiento
con transformador de pulsos es sencilla, pero efectiva. Para las cargas inductivas, un
tren de pulsos reduce la pérdida en el tiristor, y se usa en el caso normal para activar
compuertas de tiristores, en lugar de un pulso continuo.
En el caso de los rectificadores controlados, el voltaje promedio de salida (y la

potencia de salida) de los convertidores ca-cd se puede controlar haciendo variar el
tiempo de conducción de los dispositivos de potencia. Dependiendo de los tipos de
alimentación, los convertidores podrían ser monofásicos o trifásicos. Los
convertidores completos permiten la operación de dos cuadrantes. Los convertidores
trifásicos se usan en forma normal en aplicaciones de alta potencia, y la frecuencia de
los voltajes de rizo en la salida es mayor. La corriente de carga puede ser continua o
discontinua, dependiendo de la constante de tiempo de la carga y del ángulo de
retardo. Para el análisis de los convertidores se usa el método de series de Fourier, sin
embargo, se pueden usar otras técnicas. El control de ángulo de retardo no afecta la
caída de voltaje debida a las inductancias de conmutación, y esa caída es igual a la de
los rectificadores normales con diodo.
Los controladores de voltaje de ca pueden usar control encendido apagado o control

por ángulo de fase. El control encendido apagado es más adecuado para sistemas con
una constante de tiempo grande. Lo que se usan normalmente en las aplicaciones
industriales es controladores bidireccionales. Debido a las características de los
tiristores, una carga inductiva hace que sean más complejas las soluciones de las
ecuaciones que describen el rendimiento de los controladores, y conviene más
adoptar un método iterativo de solución. El FP de entrada de los controladores, que
varía en función del ángulo de retardo, en general es malo, en especial en el intervalo
de los bajos voltajes de salida. Los controladores de voltaje proporcionan un voltaje de
salida con frecuencia fija. Dos rectificadores controlados por fase, conectados como
convertidores duales, pueden funcionar como cambiadores directos de frecuencia, y
se llaman cicloconvertidores. Con el desarrollo de dispositivos de potencia de
conmutación rápida, es posible que los cicloconvertidores tengan conmutación
forzada; sin embargo, se requiere sintetizar las funciones de conmutación para los
dispositivos de potencia. [4]
PREGUNTAS
1 ¿Cómo es la característica v-i de los tiristores?

2 ¿Qué es una condición de estado apagado de los tiristores?
190
3 ¿Qué es una condición de estado encendido de los tiristores?
4 ¿Qué es la corriente de retención de los tiristores?
5 ¿Qué es una corriente de mantenimiento de los tiristores?
6 ¿Cuál es el modelo de dos transistores para tiristores?
7 ¿Cuáles son los métodos para activar los tiristores?
8 ¿Qué es el tiempo de activación de los tiristores?
9 ¿Cuál es el objeto de la protección contra la tasa di/dt?
10 ¿Cuál es el método común de protección contra la tasa di/dt?
11 ¿Cuál es el objetivo de la protección contra la tasa dv/dt?
12 ¿Cuál es el método común de protección contra la tasa dv/dt?
13 ¿Qué es el tiempo de apagado de los tiristores?
14 ¿Cuáles son los tipos de tiristores?
15 ¿Qué es un SCR?
16 ¿Cuál es la diferencia entre un SCR y un TRIAC?
17 ¿Cuál es la característica de apagado de los tiristores?
18 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los GTO?
19 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los LASCR?
20 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los tiristores bidireccionales?
21 ¿Cuál es la técnica común para compartir voltaje de tiristores conectados en serie?
22 ¿Cuál es la técnicas común para compartir corriente de tiristores conectados en
23 ¿Qué es un rectificador controlado?
24 ¿Qué es el modo de rectificación de los convertidores?
25 ¿Qué es el modo de inversión de los convertidores?
26 ¿Cuál es el principio de control por fase?
27 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del control de encendido apagado?
28 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas del control por ángulo de fase?
29 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los controladores unidireccionales?
30 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los controladores bidireccionales?
31 ¿Cuál es el intervalo de control del ángulo de retardo para los controladores
monofásicos bidireccionales?
32 ¿Qué es un cicloconvertidor?
33 ¿Cuál es el principio de operación de los cicloconvertidores?
PROBLEMAS
1) Un rectificador controlado monofásico de media onda se opera con una fuente de

120V, 60 Hz, y la carga resistiva es R = 10Ω. Si el voltaje promedio de salida es 25%
del voltaje promedio máximo posible, calcule a) el ángulo de retardo; b) las
corrientes rms y promedio de salida; e) las corrientes promedio y rms del tiristor, y
d) el factor de potencia en la entrada.
2) Un rectificador de media onda controlado utiliza un generador de alterna de 120V

rms a 60 Hz. La carga está formada por una inductancia, una resistencia y un
191
generador de corriente continua conectados en serie, cuyos valores son: L = 100
mH, R = 12Ω y Vd = 48 V. El ángulo de disparo es de 45º. Determine (a) la potencia
absorbida por el generador de tensión continua; (b) la potencia absorbida por la
resistencia. (c) el factor de potencia.
3) Utilice un software de simulación (PSim) para determinar el ángulo de disparo

necesario para que el generador de continua del problema 2 absorba 35 W.
4) Un rectificador monofásico controlado en puente presenta una carga resistiva de

40 Ω y está conectado a un generador con una tensión eficaz de 120V a 60Hz. El
ángulo de disparo es de 35º. Determine (a) La corriente media de carga. (b) La
corriente eficaz de carga. (c) La corriente eficaz del generador. (d) El factor de
potencia.
5) Un rectificador monofásico controlado en puente utiliza un generador de alterna de

120V rms a 60 Hz. La carga está formada por una inductancia, una resistencia y un
generador de corriente continua conectados en serie, cuyos valores son: L = 5mH, R
= 2Ω y Vd = 12V. El ángulo de disparo es de 45º. Determinar a) la corriente Io en la
carga; b) la corriente promedio por tiristor; c) la corriente rms por tiristor; d) la
corriente rms de salida; e) la corriente promedio de salida y f) el ángulo crítico de
demora αc.
6) Utilice un software de simulación (PSim) para simular el rectificador del ejercicio 5

trabajando como inversor y determine el ángulo de disparo necesario para
entregar a la fuente de alterna el 25% de la potencia absorbida por la resistencia.
7) Un rectificador trifásico controlado tiene una carga L = 1.5 mH, R = 2Ω y Vd = 12V.

El voltaje de entrada, de Línea a línea, es Vab = 208V (rms), 60Hz. El ángulo de
retardo es α=π⁄3. Determinar a) la corriente de carga en estado permanente Io; b)
la corriente promedio por tiristor; c) la corriente rms por tiristor; d) la corriente
rms de salida; e) la corriente promedio de salida. Utilice un software de simulación
(PSim) para comprobar resultados.
8) Diseñe un controlador de tensión alterna monofásico bidireccional que entregue

potencia en el rango de 750 a 1.500 W a una resistencia de 30Ω utilizando una
fuente de 240 V eficaces a 60 Hz. Determine la corriente eficaz y la corriente media
máximas en los dispositivos de conmutación y la tensión máxima en los
dispositivos.
9) Un controlador de tensión alterna monofásico bidireccional utiliza una fuente de

120V eficaces a 60 Hz. Los valores de la carga R-L serie son R = 18Ω y L = 30 mH. El
ángulo de disparo es α = 80°. Determine (a) La expresión de la corriente por
tiristor. (b)La corriente eficaz en la carga. (c)La corriente eficaz en los SCR. (d) La
potencia absorbida por la carga. (e)Dibuje las formas de onda de la tensión de
192
salida y la tensión en los SCR.
10) Utilice un software de simulación (PSim) para determinar el ángulo de disparo

necesario en un controlador de tensión alterna monofásico bidireccional para
entregar 400 W y 700 W a una carga R-L con R = 15Ω y L = 15 mH, utilizando una
fuente de 120 V eficaces a 60 Hz.
11) Un controlador de tensión trifásico utiliza una fuente de 480V eficaces de línea a
línea y una carga resistiva de 35Ω conectada en Y. Simule el circuito utilizando un
software de simulación (PSim) para determinar la potencia absorbida por la carga
si el ángulo de disparo α es 20°, 80°, 115°.
12) Un controlador de tensión trifásico conectado en estrella utiliza una fuente de

240 V eficaces línea a línea a 60 Hz. La carga en cada fase es una combinación serie
R-L con R = 16Ω y L = 50 mH. El ángulo de disparo α es de 90°. Simule el circuito
utilizando un software de simulación (PSim) para determinar la potencia absorbida
por la carga. Indique los intervalos de conducción de cada SCR en una gráfica de un
periodo de la corriente en la fase a. Realice el análisis para la corriente en régimen
permanente.
13) El voltaje de entrada a un cicloconvertidor monofásico es 120 V, 60 Hz. La

resistencia de carga es 2.5Ω y la inductancia de carga es L = 40 mH. La frecuencia
del voltaje de salida es 20 Hz. Si el ángulo de retardo de los tiristores es αp = 2π/4,
determine a) el voltaje rms de salida; b) la corriente rms de cada tiristor, y e) el FP
en la entrada.
193
PRÁCTICA 2
CARACTERIZACIÓN DEL TIRISTOR SCR

RECTIFICADOR MONOFÁSICO CONTROLADO DE MEDIA ONDA
REGULADOR DE TENSIÓN ALTERNA MONOFÁSICO
PLANIFICACIÓN:
Rectificador controlado de silicio SCR

Tiristor bidireccional TRIAC
10. Diseñar un circuito en corriente continua para testear SCR seleccionado. El

funcionamiento del SCR será en modo interruptor para una carga resistiva, se debe
ofrecer en dicho circuito la posibilidad de variar la corriente de compuerta IG y la
corriente de carga IT.
11. Diseñar un circuito en corriente continua para testear TRIAC seleccionado. El

funcionamiento del TRIAC será en modo interruptor para una carga resistiva, se
debe ofrecer en dicho circuito la posibilidad de variar la corriente de compuerta IG
y la corriente de carga IT.
12. Diseñar un circuito rectificador de media onda controlado con carga resistiva-
inductiva y control para el ajuste del ángulo de disparo del SCR, utilizar un
transformador de relación 120/12 o 24V, (para minimizar el riesgo de choque
eléctrico).
13. Diseñar un circuito regulador de tensión alterna básico, para la regulación de

luminosidad de un bombillo incandescente, el control del ángulo de disparo del
TRIAC hecho a través de DIAC, alimentación directa de la red 120V, 60Hz. Tomar y
mantener las precauciones necesarias (ejecución de la experiencia bajo supervisión
continua del profesor) .
EJECUCIÓN:
194
EVALUACIÓN:

siguientes puntos:
6. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un SCR mediante el uso de un

7. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un TRIAC mediante el uso de un

8. Identificar las características de control y de carga en cuanto a corriente (IG, IL, IH)
que activan y desactivan al SCR seleccionado, y su posterior comparación con los
datos especificados en datasheet.
9. Identificar las características de control y de carga en cuanto a corriente (IG, IL, IH)
que activan y desactivan al TRIAC seleccionado, y su posterior comparación con los
datos especificados en datasheet.
10. Análisis comparativo entre el desempeño teórico (parámetros de rendimiento)

con los resultados experimentales para un ángulo de disparo dado, y también en
cuanto al rango de regulación del rectificador monofásico media onda controlado
con carga resistiva-inductiva.
11. Análisis comparativo entre el desempeño teórico con los resultados

experimentales para un ángulo de disparo dado, y también en cuanto al rango de
regulación en el circuito regulador de alterna.
12. Formas de onda de corriente y voltaje en la carga, SCR y fuente de alimentación

alterna, para el rectificador monofásico media onda controlado. Las formas de
corriente tomarla en los extremos de una resistencia de 1Ω insertada en el punto
de interés. ¿Cómo afecta el fenómeno de recuperación inversa del SCR en el
rectificador?
13. Formas de onda de corriente y voltaje en la carga, TRIAC y fuente de alimentación

alterna, para el regulador de tensión alterna. Las formas de corriente tomarla en los
extremos de una resistencia de 1Ω insertada en el punto de interés.
Portada
195
Asignatura: Docente
Fecha de Informe:
C.I Nombre Apellido
1
2
3
4
5

Fundamentos

Procedimiento


196



la práctica.
REFERENCIAS

Topologías y Equipos”, 1ª. Ed., Paraninfo, S.A, España, Cap. 4, 5, 6.
[2] Hart, Daniel. (2001). “Electrónica de Potencia”. 2da. Edición. Prentice Hall. Madrid,
Cap. 4, 5.

Cap. 23.

y Aplicaciones”. 3ª. Ed., Prentice Hall, México. Cap. 7, 10, 11.
197
CAPITULO 5
TRANSISTORES DE POTENCIA
CONTROLADORES DE TENSIÓN CONTINUA
INVERSORES
Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los siguientes:
• Aprender sobre distintos transistores de potencia, como BJT, MOSFET, IGBT.

• Aprender las limitaciones de los transistores como interruptores
• Comprender las características, los requisitos de control de los transistores de
potencia.
• Explicar la técnica de conmutación para conversión de cd-cd y los tipos de
convertidores cd-cd
• Estudiar el funcionamiento de los convertidores cd-cd
• Comprender los parámetros de funcionamiento de los convertidores de cd
• Aprender las técnicas de conmutación de los convertidores cd-ca llamados
inversores
• Estudiar la operación de los inversores
• Aprender los parámetros de rendimiento de los inversores
• Aprender técnicas de modulación para obtener una forma de onda de salida lo más
senoidal posible en un inversor
5.1 INTRODUCCIÓN
La necesidad de una tensión de bloqueo grande en estado pasivo y una gran capacidad
de conducción de corriente en estado activo significa que un transistor de unión
bipolar (BJT) debe tener una estructura sustancialmente diferente a la de su
contraparte del nivel lógico. La estructura modificada produce diferencias
significativas de las características de i-v y del comportamiento de conmutación entre
los dos tipos de dispositivos. En este capítulo exploramos éste y otros temas tanto
para los BJT como para los MOSFET e IGBT.
5.2 TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)
5.2.1 Estructuras Verticales de Transistores de Potencia BJT
Un transistor de potencia tiene una estructura de orientación vertical de cuatro capas
198
de dopaje alternante de tipo p y tipo n, como el transistor npn de la Figura 5.1.
Figura 5.1 Sección transversal vertical de un BJT de potencia normal tipo npn y
símbolo de circuito para el transistor [3]
El transistor tiene tres terminales, como lo indica la Figura, que se denominan

colector, base y emisor, respectivamente. El símbolo de circuito del BJT se muestra en
la misma Figura. Un transistor pnp, cuyo símbolo de circuito también se muestra en la
Figura 1, tendría el tipo de dopaje opuesto en cada capa. Los transistores npn se usan
mucho más que los transistores pnp como interruptores de potencia.
Se prefiere una estructura vertical para los transistores de potencia porque maximiza
el área de sección transversal a través del cual fluye la corriente en el dispositivo. Esto
reduce la resistencia del estado activo y por ende la disipación de potencia en el
transistor. Además, un área grande de sección transversal disminuye la resistencia
térmica del transistor y de este modo ayuda también a controlar los problemas de
disipación de potencia.
Los niveles de dopaje en cada capa y su espesor tienen un efecto significativo en las
características del dispositivo. El dopaje en la capa del emisor es muy grande,
mientras que el dopaje de la base es moderada. La región n- que forma la mitad de
colector de la unión C-B (colector-base) suele llamarse región de arrastre del colector,
y tiene un nivel de dopaje leve. La región n+ que termina la región de arrastre tiene un
199
nivel de dopaje parecido al del emisor. Esta región sirve como contacto del colector
con el mundo exterior. El espesor de la región de arrastre determina la tensión de
ruptura del transistor y, por tanto, puede estar en un rango desde decenas hasta
cientos de micrómetros de extensión. El espesor de la base se reduce lo más posible a
fin de tener buenas capacidades de amplificación, sin embargo, si el espesor de la base
es demasiado pequeño, se pone en peligro la capacidad de la tensión de ruptura del
transmisor. De este modo, los espesores de la base en dispositivos de potencia son una
solución compensada entre estas dos consideraciones en competencia. Suelen tener
un espesor de varios micrómetros hasta unas cuantas decenas de micrómetros, en
comparación con la pequeña fracción de un micrómetro de espesor para los
transistores de nivel lógico.
Los transistores de potencia prácticos tienen sus emisores y bases interfoliadas como
dedos angostos, como se muestra en la Figura 5.2.
Figura 5.2 Sección transversal vertical de un transistor npn de emisores múltiples [3]
El propósito de este arreglo es sobre todo reducir los efectos de apiñamiento de

corriente proveniente del emisor, fenómeno que produce una segunda ruptura y la
posible falla del dispositivo. Este diseño de emisores múltiples también reduce la
resistencia óhmica parasítica en la ruta de la corriente básica, lo que ayuda a reducir
la disipación de potencia en el transistor.
La base relativamente gruesa que se encuentra en estructuras de transistores de

potencia ocasiona que la ganancia de la corriente, 𝛽𝛽 = 𝐼𝐼𝐶 ⁄𝐼𝐼𝐵 , sea muy pequeña, por lo
general de 5 a 10. Para algunas aplicaciones esto es muy poco, y por esta razón se
desarrollaron diseños monolíticos para pares de BJT de conexión Darlington, como se
muestra en la Figura 5.3.
200
Figura 5.3 Transistores de potencia en configuración Darlington.
La ganancia de la corriente de un par Darlington está dada por
𝛽𝛽 = 𝛽𝛽𝑀 𝛽𝛽𝐷 + 𝛽𝛽𝑀 + 𝛽𝛽𝐷
De modo que, a pesar de que cada transistor individual tenga una beta pequeña, la
beta efectiva del par aún será muy grande. Se agrega el diodo discreto D1, como se
muestra en la Figura 5.3, para acelerar el tiempo de apagado del transistor principal.
Se agrega el diodo discreto D2, que también se muestra en la Figura 5.3, para
aplicaciones de circuitos de medio puente o de puente completo. La sección
transversal vertical de un Darlington monolítico se muestra en la Figura 5.4. [3]
Figura 5.4 Sección transversal vertical de un par de transistores bipolares

monolíticos de conexión Darlington [3]
La protuberancia de dióxido de silicio a través de la capa p (la región base de ambos
201
transistores) aísla las dos bases eléctricamente entre sí. En la Figura 5.5 aparecen
transistores NPN de varios tamaños.
Figura 5.5 Transistores NPN de varios tamaños [4]
5.2.2 Características I-V del BJT
Las características de salida (iC versus vCE) de un transistor habitual de potencia npn se
muestran en la Figura 5.6.
Figura 5.6 Características de corriente-tensión de un BJT de potencia npn [3]
202
Las diversas curvas se distinguen entre sí por el valor de la corriente de la base. Las
características de Darlington monolíticas son muy parecidas a las que se muestran en
la Figura. Se deben observar varios elementos de estas características. Primero, hay
un voltaje máximo de colector-emisor que se sustenta a través del transistor cuando
lleva una corriente sustancial del colector. Este voltaje suele denominarse BVsus. En el
límite de la corriente de base cero, el máximo voltaje entre colector y emisor que se
sustenta aumenta un poco hasta un valor denominado BVCEO, el voltaje de ruptura de
colector-emisor cuando la base está en circuito abierto. Este último voltaje se usa a
menudo como medida de la capacidad aislante del voltaje del transistor, porque, por
lo general, la única vez que el transistor ve grandes tensiones es cuando la corriente
de base es cero y el BJT está en corte. La tensión BVCBO es el voltaje de ruptura de
colector-base cuando el emisor está en circuito abierto. Se aprovecha que esta tensión
sea mayor que BVCEO en los llamados circuitos de apagado de transistores de emisores
abiertos.
Si se sobrepasa la tensión máxima permitida entre colector y base con el emisor

abierto BVCBO, o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base
abierta, BVCEO, la unión colector-base, polarizada inversamente, entra en un proceso
de ruptura similar al cualquier diodo, que puede degradar o destruir el transistor.
Esto es lo que suele llamarse avalancha normal o avalancha primaria en el transistor.
Esta zona de ruptura primaria se debe evitar debido a la gran disipación de potencia
que claramente acompaña a esta ruptura.
La zona denominada ruptura secundaria también se debe evitar porque también le

acompaña una gran disipación de potencia, en particular en lugares dentro del
semiconductor. El origen de la ruptura secundaria es diferente del origen de la
ruptura de avalancha, y la consideraremos a continuación en detalle. La falla del
transistor bipolar a menudo se asocia a la ruptura secundaria. [2]
La diferencia observable más importante entre las características i-v de un transistor

de potencia y las de un transistor de nivel lógico es la zona denominada
cuasisaturación en las características de transistores de potencia de la Figura 5.6.
Como explicaremos en detalle en una sección posterior de este capítulo, la
cuasisaturación es una consecuencia de la región de arrastre del colector un poco
dopada en el transistor de potencia. Los transistores de nivel lógico no tienen esta
zona de arrastre y por tanto no muestran la cuasisaturación. Por lo demás, todos los
elementos principales de la característica del transistor de potencia también se
encuentran en las características de dispositivos de nivel lógico. [3]
5.2.3 Física de Operación del BJT
En la zona activa, la unión B-E (base-emisor) es de polarización directa, y la unión C-B,

de polarización inversa. Se inyectan electrones a la base desde el emisor, y se inyectan
203
huecos desde la base al emisor. De hecho, la corriente total que fluye a través de la
unión B-E es casi por completo corriente de difusión, igual que para el diodo de unión
pn. A diferencia del diodo de unión pn de polarización directa, la corriente de base que
entra al lado de tipo p de la unión B-E desde la fuente de polarización de la unión B-E
no es igual a la corriente (del emisor) que sale del lado de tipo n. Las corrientes son
desiguales porque la estructura del transistor ofrece una alternativa aparte de la
terminal de base para electrones inyectados a la base desde el emisor para salir de la
zona.
Los electrones inyectados a la base desde el emisor salen de la base por el colector en
lugar de la terminal de la base por tres razones. Primero, el espesor de la zona de base
se reduce en gran medida en comparación con la longitud de difusión de electrones en
la base, de modo que es improbable que se recombinen allí. Segundo, el área del
colector es mucho más que el área del emisor o el contacto de base, como se muestra
en la Figura 5.1, por lo que es mucho más probable que los electrones que se difunden
alejándose del emisor encuentren el colector y no otra cosa debido a la distancia corta
entre emisor y colector. Tercero, la densidad de los electrones en la unión C-B es en
esencia de cero, porque los campos eléctricos altos en la unión C-B de polarización
inversa barren a todos los electrones en difusión hasta el borde de la zona de carga
espacial a través de la unión y de la zona del colector. La facilidad relativa con la que
los electrones pueden, atravesar la unión en polarización inversa se comprende si se
considera que para la unión en polarización inversa, los electrones aparecerán como
portadores minoritarios engrosando la corriente de fuga por dicha unión. En otras
palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios.
Esto significa que la corriente de la base será mucho menor que la corriente del
emisor y que la corriente del colector será casi igual a la corriente del emisor. Una
corriente de base pequeña causa el flujo de una corriente mucho más grande entre el
colector y el emisor, y por tanto se obtiene una cantidad sustancial de ganancia entre
la corriente de entrada de la base y la corriente de salida del colector. Esto es el
mecanismo básico de ganancia del BJT. La ganancia se caracteriza cuantitativamente
por la relación entre la corriente del colector iC y la corriente de la base iB (beta o β del
transistor). [3]
5.2.4 Ruptura Secundaria del BJT
Los transistores bipolares y hasta cierto grado también otros tipos de dispositivos de
portadores minoritarios tienen un modo de fallo potencial, por lo común llamado
ruptura secundaria. Esto aparece en las características de salida del BJT como una
caída en picada de la tensión de colector-emisor con grandes corrientes del colector.
Conforme disminuye la tensión del colector, a menudo hay un aumento significativo
de la corriente del colector y un aumento significativo de la disipación de potencia. El
riesgo particular de esta situación para el BJT es que la disipación no se extiende de
204
manera uniforme a través del volumen entero del dispositivo, sino que se concentra en
zonas muy localizadas donde la temperatura local puede subir muy rápido a valores de
altura inaceptable. Si esta situación no termina en un tiempo muy breve, provocará la
destrucción del dispositivo. Cuando se analizan dispositivos destruidos de esta
manera, a menudo muestran evidencia drástica de la disipación de potencia
localizada, así como el calor que conlleva en forma de silicio fundido y luego
recristalizado.
La ruptura secundaria no proviene de la ionización por impacto y la consecuente

ruptura de avalancha de una unión pn. Esto queda claro porque una caída de tensión
acompaña la ruptura secundaria, mientras que no se observa esta caída en la ruptura
de avalancha.
Se combinan varios aspectos intrínsecos del transistor para hacer que el BJT sea
propenso a la ruptura secundaria. Primero que nada, existe la tendencia general de los
dispositivos de portadores minoritarios al desbordamiento térmico cuando la tensión
a través de ellos se mantiene más o menos constante conforme sube la temperatura
del dispositivo. Los dispositivos de portadores minoritarios tienen un coeficiente de
temperatura negativo de resistividad (la resistividad disminuye conforme sube la
temperatura). Esto significa que la disipación de potencia aumenta conforme
disminuye la resistencia, mientras la tensión se mantenga constante. Si el índice de
aumento en la disipación de potencia con la temperatura es mayor que en la región
lineal con la temperatura (el índice de eliminación de calor es lineal con la
temperatura, es decir, si se caracteriza por una resistencia térmica), surgirá una
situación inestable cuando la potencia disipada exceda la velocidad con que se elimina
el calor (una función de la resistencia térmica). La situación es entonces un caso
clásico de realimentación positiva donde la disipación de potencia produce aumento
de temperatura, lo que genera aumentos adicionales de la disipación de potencia, y así
sucesivamente, hasta que el dispositivo queda destruido. Con frecuencia, y de manera
muy apropiada, se denomina desbordamiento térmico.
Este potencial de desbordamiento térmico es aún mucho más peligroso si la densidad

de la corriente en el dispositivo no es uniforme a través de la sección transversal del
dispositivo. Pueden presentarse filamentos de corriente donde la densidad de la
corriente sea mucho mayor que en las áreas circundantes, lo que aumenta las
probabilidades de un desbordamiento térmico.
La formación de filamentos de corriente y el subsiguiente desbordamiento térmico

localizado requiere sólo una falta de uniformidad en la densidad de la corriente y
suficiente disipación de potencia para ocasionar un incremento sustancial de la
temperatura del filamento. De hecho, el incremento de la densidad de los portadores
en el filamento de corriente a menudo puede causar una caída de la tensión externa a
través el dispositivo, si es considerable la resistencia externa en serie con el
dispositivo, y aun así puede destruirse el dispositivo. Cuando el efecto de cortocircuito
205
del filamento es lo bastante fuerte para causar esta caída de tensión, se dice que el
dispositivo se encuentra en ruptura secundaria.
Así, parece que la clave para evitar la segunda ruptura es 1) controlar la disipación
total de potencia y, aún más importante, 2) evitar toda falta de uniformidad de
densidad de la corriente, en especial durante el encendido y apagado, cuando es
mayor la disipación de potencia instantánea. Sin embargo, la construcción básica del
transistor origina limitaciones de la corriente por medio de mecanismos como el
apiñamiento de la corriente del emisor. Si bien es posible posponer el apiñamiento de
corriente hasta alcanzar niveles específicos de corriente, una vez excedidos estos
niveles, la constricción de la corriente es lo bastante grave para producir la formación
de un filamento de corriente y tal vez un desbordamiento térmico localizado. Otras
medidas para reducir la posibilidad de una segunda ruptura son un índice controlado
de cambios de la corriente de base durante el apagado, circuitos protectores, como
amortiguadores y diodos de circulación libre, y ubicar la trayectoria de conmutación
dentro de los límites del área de operación segura (SOA), tema que abordaremos en
breve. [3]
5.2.5 Cuasisaturación del BJT
Para entender el fenómeno de la cuasisaturación se generaliza el modelo

unidimensional del BJT, como se muestra en la Figura 5.7.
Figura 5.7 Sección transversal del transistor de potencia [3]
Supondremos que el transistor está al principio en la zona activa y ahora se permite

que aumente la corriente de la base. Conforme sube la corriente del colector en
respuesta a la corriente de la base, cae la tensión C-E debido a la caída de tensión
aumentada a través de la carga del colector. Sin embargo, hay un incremento
simultáneo de la caída de la tensión en la región de arrastre como resultado de su
resistencia óhmica debido al aumento de iC. Esto significa que la polarización inversa a
través de la unión C-B real (la unión n-p), se reduce más y en algún punto la unión será
de polarización directa.
Cuando esto ocurre, comienza una inyección de huecos desde la base hasta la región
de arrastre del colector. Al mismo tiempo, la neutralidad de la carga espacial requiere
que también se inyecten electrones a la región de arrastre más o menos en las mismas
cantidades que los huecos. Estos electrones se obtienen con facilidad de la cantidad
206
tan grande de electrones que se suministra a la unión C-B mediante la inyección desde
el emisor y la difusión subsecuente a través de la base. Conforme empieza a ocurrir
esta acumulación de portadores excedentes en la región de arrastre, se entra en la
zona de cuasisaturación de la característica i-v. Si la resistencia óhmica de la región de
arrastre es Rd, el límite entre la zona de cuasisaturación y la zona activa en la Figura
5.6 está dado por
𝑣𝐶𝐸
𝑓𝑓𝐶 =
𝑅𝑅𝑐𝑐
En la cuasisaturación ocurre la doble inyección en la región de arrastre de manera

similar a la de la región de deriva del diodo de potencia de polarización directa. Sin
embargo, la carga almacenada se acumula en la región de arrastre sólo desde un lado
de la región de arrastre, es decir, el lado de la unión C-B (o lado pn-), En el transistor,
la inyección de electrones a través de la unión n-n+ es mucho menos perceptible
porque hay un suministro mucho más abundante de electrones en la unión pn-
(debido a los electrones inyectados desde el emisor) en comparación con el diodo de
la unión pn, donde no existe tal suministro de electrones. Conforme aumenta el
número de portadores inyectados, la región de arrastre se pone poco a poco en
cortocircuito y baja la tensión aunque la corriente del colector sea grande. En la
cuasisaturación, la región de arrastre no se pone por completo en cortocircuito por la
inyección de alto nivel; por tanto, la disipación de potencia en el BJT es mayor que
cuando se entra en la saturación severa.
La saturación severa se obtiene cuando la densidad de portadores excedentes llega al

otro lado (el lado n+) de la región de arrastre. Esto requiere una cantidad mínima de
carga almacenada. En esta situación, el espesor efectivo de la base es más o menos la
suma del espesor normal de la base más la longitud de la región de arrastre. Toda
carga almacenada adicional, empuja al transistor más profundamente en saturación
severa. La caída de tensión a través de la región de arrastre es pequeña, y la disipación
de potencia en estado activo se reduce en comparación con la cuasisaturación. [3]
5.2.6 Tensiones de Ruptura del BJT
Cuando el BJT está en el estado de bloqueo, la unión C-B debe soportar la tensión
aplicada. Un BJT no puede bloquear la tensión de polaridad opuesta porque la unión
B-E tiene una tensión de ruptura mucho más baja que la unión C-B debido al dopaje
tan grave con que se incrementa la beta. Las tensiones de ruptura normales son de 5 a
20 V.
Al diseñar un transistor que soporte una tensión específica, el dopaje en la región de

deriva del lado del colector de la unión C-B disminuye tanto que la zona de
degradación se ubica predominantemente en el lado del colector, donde hay espacio
para ella. Como en el caso de los diodos de alta tensión, se diseña con cuidado una
207
región de arrastre (la región de arrastre del colector) un poco dopada para acomodar
el ancho de la zona de degradación con el voltaje máximo aplicado, pero no demasiado
largo, lo que produciría pérdidas mayores en estado activo. El espesor de la base se
debe mantener pequeño, de modo que se puedan realizar valores respetables de beta
(β). Esto significa que no se puede tolerar ninguna invasión importante de la base por
la zona de degradación. Es inevitable cierto grado de invasión y disminuye el espesor
efectivo de la base y ocasiona un aparente incremento de beta. Este efecto se
denomina modulación del espesor de la base y se muestra como la pendiente finita en
la parte de la zona activa de las curvas ic-vCE. Si la base del transistor presenta una
invasión significativa por la zona de despoblación C-B, se tiene que engrosar, lo que
tiene el efecto indeseable de bajar beta.
El espesor de la base en un BJT de potencia es por tanto una solución negociada entre
establecerlo pequeño para un beta grande y uno grande para reducir los problemas de
penetración. Este compromiso genera mayores espesores de la base que los de los
transistores de nivel lógico y por consiguiente betas más pequeños, con valores
normales de 5 a 10.
En una configuración de emisor común la tensión de ruptura BVCEO es más pequeña

que BVCBO. Existe una relación semiempírica entre estos dos parámetros, dada por:
𝐵𝑉𝑉𝐶𝐵𝑂
𝐵𝑉𝑉𝐶𝐸𝑂 = 1�
𝛽𝛽 𝑛𝑛
Donde n = 4 para transistores npn y n = 6 para transistores pnp. La consecuencia de

esta relación es que los transistores con altas tensiones de ruptura tienen valores
pequeños de beta. Para transistores npn de alta tensión, donde beta es entre 10 y 20,
el valor de BVCEO será más o menos de la mitad de BVCBO. [3]
5.2.7 Transistor BJT en Corte y en Saturación
Las principales características que han de considerarse en un transistor BJT de

potencia para estas condiciones son:
IC Intensidad máxima de colector.

VCEO Tensión de ruptura colector-emisor con la base abierta.
VCEsat Tensión en saturación colector-emisor.
hFE Ganancia de intensidad en corriente continua.
Pmáx. Potencia máxima disipable en régimen Permanente.
El comportamiento de los transistores de potencia en la zona activa para aplicaciones

en amplificadores de continua y alterna en baja y alta frecuencia, fuentes serie y
208
paralelo, etc., no comporta diferencia sustancial respecto del ya bien conocido
funcionamiento de transistores de señal en condiciones similares. Sin embargo, en la
electrónica de potencia los transistores de potencia se emplean como interruptores,
utilizando los estados de corte y saturación exclusivamente (switching mode operation).
Las aplicaciones más corrientes con esta modalidad de trabajo son las fuentes
conmutadas, los troceadores cd-cd (choppers) y los inversores. En este caso interesa
que el transistor se comporte lo más cercanamente posible a un interruptor ideal
considerado entre sus terminales de colector y emisor.
Para que el transistor esté cortado y pueda soportar tensión colector-emisor con la
menor circulación de corriente (corriente de fugas) se puede mantener la base
abierta. En la Figura 5.6 puede verse que en esta situación (IB=0) la intensidad de
colector es muy baja, y crece moderadamente con la tensión colector-emisor. Puede
conseguirse una situación de corte mejor cortocircuitando la base al emisor, o mejor
todavía con una polarización inversa de la misma de algunos voltios. De esta forma la
intensidad de fuga del colector disminuye a la vez que el transistor puede soportar
mayor tensión colector-emisor sin entrar en avalancha.
Para saturar bien el transistor, y que se comporte lo más parecidamente posible a un

cortocircuito entre colector y emisor, es necesario aportar una intensidad entrante de
base (en los transistores NPN, los más habituales) tanto mayor cuanto más elevada
vaya a ser la corriente de colector. Si esta se acerca a la corriente máxima permitida, la
intensidad de base debe ser a veces tan elevada como 1/2 de la de colector, debido a la
pobre ganancia de intensidad ya mencionada que presentan los transistores de
potencia con corriente alta.
En la misma Figura 5.6 puede verse que la caída de tensión en la zona de saturación es
aproximadamente proporcional a la intensidad de colector si se mantiene una elevada
intensidad de base. El circuito equivalente de colector-emisor puede muy bien
aproximarse en esta situación a una pequeña resistencia. La caída de tensión para un
transistor de germanio es de unos 0,5 V con intensidades cercanas a la máxima, y de 2
V aproximadamente para el silicio. [1]
5.2.8 Características en Estado Permanente del BJT
Aunque hay tres configuraciones posibles para un transistor: colector común, base
común y emisor común, la configuración emisor común, que se ve en la Figura 5.8a
para un transistor NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de
conmutación. En la Figura 5.8b se muestran las características típicas de entrada de
corriente de base IB en función del voltaje base-emisor VBE.
Como ya se mencionó anteriormente hay tres regiones de operación: corte, activa y

saturación. En la región de corte, el transistor está abierto o apagado, y las dos
209
uniones (C-B y B-E) están polarizadas inversamente. En la región activa, el transistor
actúa como un amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia
determinada, y el voltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base.
La unión C-B está polarizada inversamente, y la unión B-E tiene polarización directa.
En la región de saturación, la corriente de base es suficientemente alta como para que
el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor actúa como un interruptor. Las dos
uniones (C-B y B-E) tienen polarización directa.
Figura 5.8 Configuración emisor común [4]
La característica de transferencia, que es una gráfica de VCE en función de IB, se

Figura 5.9 Características de transferencia [4]
En un transistor NPN la ecuación que relaciona las corrientes es
𝐼𝐼𝐸 = 𝐼𝐼𝐶 + 𝐼𝐼𝐵
La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente del colector es la de

salida. La relación de la corriente de colector IC entre la corriente de base IB se llama
210
ganancia de corriente en sentido directo, βF
𝐼𝐼𝐶
𝛽𝛽𝐹 = ℎ𝐹𝐸 =
𝐼𝐼𝐵
Para el circuito de la Figura 8, donde el transistor se opera como interruptor.
𝑉𝑉𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐼𝐵 =
𝑅𝑅𝐵
𝛽𝛽𝐹 𝑅𝑅𝐶
𝑉𝑉𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶 𝑅𝑅𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶 − (𝑉𝑉𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐸 )
𝑅𝑅𝐵
𝑉𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝑉𝐵𝐸
es decir
𝑉𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑉𝐵𝐸
La ecuación indica que siempre que VCE ≥ VBE, la unión CB tiene una polarización
inversa, y el transistor está en la región activa. La corriente máxima de colector en la
región activa se puede obtener igualando VCB = 0 y VBE = VCE, por lo tanto
𝑉𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐸 𝑉𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐼𝐶𝑀 = =
𝑅𝑅𝐶 𝑅𝑅𝐶
y el valor correspondiente de la corriente de base es
𝐼𝐼𝐶𝑀
𝐼𝐼𝐵𝑀 =
𝛽𝛽𝐹
Si la misma corriente de base aumenta arriba de IBM, entonces VBE aumenta, la
corriente de colector aumenta y el VCE baja a menos de VBE. Esto continúa hasta que la
unión colector-base tiene polarización directa, con VBC aproximadamente de 0.4 a
0.5V. Entonces el transistor pasa a la saturación. La saturación de un transistor se
puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base no
aumenta en forma apreciable la corriente de colector.
En la saturación, la corriente de colector permanece casi constante. Si el voltaje de

saturación de colector a emisor es VCE(sat), la corriente de colector es
𝑉𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐸(𝑟𝑟𝑐𝑐𝑤𝑤)
𝐼𝐼𝐶𝑆 =
𝑅𝑅𝐶
y el valor correspondiente de la corriente de base es
𝐼𝐼𝐶𝑆
𝐼𝐼𝐵𝑆 =
𝛽𝛽𝐹
211
En el caso normal, el circuito se diseña para que IB sea mayor que IBS. La relación de IB
a IBS se llama factor de sobresaturación (ODF, de overdrive factor):
𝐼𝐼𝐵
𝑂𝐹𝐹𝑅𝑅 =
𝐼𝐼𝐵𝑆
y la relación de ICS a IB se llama β forzada:
𝐼𝐼𝐶𝑆
𝛽𝛽𝑓𝑓𝑜𝑜𝑟𝑟𝑧𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 =
𝐼𝐼𝐵
La disipación total de potencia en las dos uniones es
𝑃𝑃𝑇 = 𝑉𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐼𝐵 + 𝑉𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐼𝐶
Un valor alto de ODF no puede reducir en forma apreciable el voltaje de colector a
emisor. Sin embargo, VBE aumenta debido al incremento de la corriente de base, y el
resultado es mayor disipación de potencia en la unión BE. [4]
Ejemplo
Un transistor bipolar NPN tiene un valor nominal de βF en el intervalo de 8 a 40. La

resistencia de la carga es Rc = 11Ω. El voltaje de suministro de cd es Vcc = 200V, y el
voltaje de entrada al circuito de la base es VB = 10 V. Si VCE(sat) = 1V y VBE(sat) = 1.5 V,
determinar a) el valor de RB que produzca saturación con un ODF de 5. b) la βforzada
y c) la disipación de potencia PT en el transistor.
Solución
a) El valor de la resistencia de base se obtiene a partir de:
𝑉𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐸(𝑟𝑟𝑐𝑐𝑤𝑤) 200 − 1

𝐼𝐼𝐶𝑆 = = = 18.1𝐴𝐴
𝑅𝑅𝐶 11
𝐼𝐼𝐶𝑆 18.1
𝐼𝐼𝐵𝑆 = = = 2.2625
𝛽𝛽𝑟𝑟𝑖𝑛𝑛 8
Se define la corriente de base para un factor de sobresaturación de 5,

𝐼𝐼𝐵 = 5 ∗ 2.2625 = 11.3125𝐴𝐴
A partir de la ecuación se despea RB
𝑉𝑉𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐼𝐵 =
𝑅𝑅𝐵
𝑉𝑉𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐸(𝑟𝑟𝑐𝑐𝑤𝑤) 10 − 1.5
𝑅𝑅𝐵 = = = 0.7514Ω
𝐼𝐼𝐵 11.3125
212
b) El valor de βforzada es
𝐼𝐼𝐶𝑆 18.1
𝛽𝛽𝑓𝑓𝑜𝑜𝑟𝑟𝑧𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = = = 1.6
𝐼𝐼𝐵 11.3125
c) La disipación total de potencia es
𝑃𝑃𝑇 = 𝑉𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐼𝐵 + 𝑉𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐼𝐶 = 1.5 ∗ 11.3125 + 1 ∗ 18.1 = 35.07𝑊𝑊
Nota: Para un ODF de 10, IB = 22.265 A y la disipación de potencia es PT = 1.5 *22.265

+ 18.1 = 51.5 W. Una vez que el transistor está saturado, el voltaje de colector a emisor
no se reduce en relación con el aumento en la corriente de base. Sin embargo, la
disipación de potencia sí aumenta. A un valor alto del ODF se puede dañar el
transistor, debido a una avalancha de corriente causada por la temperatura. Por otro
lado, si el transistor está subsaturado (IB < ICB), puede funcionar en la región activa, y
aumenta VCE causando mayor disipación de potencia. [4]
5.2.9 Características de Conmutación del BJT
La unión pn con polarización directa contiene dos capacitancias en paralelo: una

capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusión. Por otra parte,
una unión pn con polarización inversa sólo tiene la capacitancia de agotamiento. Bajo
condiciones de estado permanente, esas capacitancias no juegan papel alguno. Sin
embargo, bajo condiciones transitorias, influyen sobre el comportamiento del
transistor en su encendido y apagado.
El modelo de un transistor bajo condiciones transitorias se ve en la Figura 5.10, donde

Ccb y Cbe son las capacitancias efectivas de las uniones C-B y B-E, respectivamente.
Figura 5.10 Modelo de transitorios en BJT [4]
La transconductancia gm de un BJT se define como la relación de ∆𝐼𝐼𝐶 𝑃𝑃 ∆𝑉𝑉𝐵𝐸 . Esas

capacitancias dependen de los voltajes en las uniones y de la construcción física del
213
transistor. La capacitancia Ccb afecta en forma apreciable a la capacitancia de entrada.
Las resistencias de colector a emisor y de base a emisor son rce y rbe, respectivamente.
A causa de las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. La

Figura 5.11 ilustra las formas de onda y los tiempos de conmutación.
Figura 5.11 Tiempos de conmutación de transistores bipolares [4]
Cuando el voltaje de entrada vB aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a

IB1, la corriente de colector no responde de inmediato. Hay un retardo, llamado tiempo
de retardo td, para que haya un flujo de corriente por el colector. Este retardo se
requiere para cargar la capacitancia de la unión BE hasta el voltaje de polarización
directa VBE (unos 0.7 V). Después de ese retardo, la corriente de colector sube hasta el
valor ICS de estado permanente. El tiempo de subida tr depende de la constante de
tiempo determinada por la capacitancia de la unión BE.
En el caso normal, la corriente de base es mayor que la necesaria para saturar al

transistor. El resultado es que el exceso de carga debido a los portadores minoritarios
se almacena en la región de la base. Mientras mayor sea el ODF, más alta será la
214
cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esa carga adicional, llamada carga
de saturación, es proporcional al exceso de excitación de la corriente de base.
Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a - V2 y la corriente de base también

cambia a -IB2, la corriente de colector no cambia durante un tiempo ts, llamado tiempo
de almacenamiento. Se requiere el ts para remover la carga de saturación de la base.
Como vBE todavía es positivo, aproximadamente sólo de 0.7V, la corriente de base
invierte su dirección debido al cambio de polaridad de vB, desde V1 hasta -V2. La
corriente -IB2 en sentido inverso ayuda a descargar la base y a remover la carga extra
de la base. Si no hay -IB2, la carga de saturación debe removerse por completo por
recombinación, y el tiempo de almacenamiento sería mayor.
Una vez removida la carga adicional, la capacitancia de la unión BE se carga hasta el

voltaje de entrada -V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de caída tf depende
de la constante de tiempo, que está determinada por la capacitancia de la unión BE
con polarización inversa.
La Figura 5.12a muestra la carga de almacenamiento extra en la base de un transistor

saturado. Durante el apagado esta carga adicional se remueve primero en el tiempo ts,
y el perfil de la carga cambia de a a c, como se ve en la Figura 5.12b. Durante el tiempo
de caída, el perfil de la carga baja desde el perfil c hasta que se remueven todas las
cargas. [4]
Figura 5.12 Almacenamiento de carga en transistores bipolares saturados [4]
El tiempo de encendido o tiempo de activación, tenc, es la suma del tiempo de retardo

td y el tiempo de subida tr:
𝑤𝑤𝑒𝑛𝑛𝑐𝑐 = 𝑤𝑤𝑐𝑐 + 𝑤𝑤𝑟𝑟
y el tiempo de apagado o tiempo de desactivación, toff, es la suma del tiempo de

almacenamiento ts y el tiempo de caída tf:
𝑤𝑤𝑐𝑐𝑝𝑐𝑐𝑔 = 𝑤𝑤𝑟𝑟 + 𝑤𝑤𝑓𝑓
215
5.2.10 Áreas de Operación Segura del BJT
Las áreas de operación segura, o SOA, son un método muy conveniente y conciso para
resumir los valores máximos de corriente y tensión a las que se va a someter el BJT.
Dos SOA separados se usan en conjunto con BJT, y por lo general ambos aparecen en
hojas de especificaciones. La llamada área de operación segura de polarización directa
(FBSOA) que se muestra en la Figura 5.13, y el área de operación segura de
polarización inversa (RBSOA), en la Figura 5.14. Los términos polarización directa y
polarización inversa se refieren a que la fuente de polarización de la corriente de base
ponga a la unión B-E en polarización directa o inversa (lo cual sería lo correcto para
apagar el BJT).
Figura 5.13 FBSOA de un BJT de potencia [3]
Varios mecanismos físicos están activos en la determinación de los límites del FBSOA
de la Figura 5.13. La corriente ICM es la corriente máxima del colector incluso como
pulso que se debe aplicar al transistor. Si se excede esta corriente se pueden evaporar
los hilos de soldadura o metalizaciones en la oblea, o pueden dejar de funcionar. El
límite térmico es un límite de disipación de potencia establecido por la resistencia
térmica del transistor y la máxima temperatura permisible de la unión. El límite de la
segunda ruptura representa las máximas combinaciones permisibles de tensión y
corriente sin entrar en la zona del plano iC-vCE donde puede ocurrir la segunda
ruptura. La parte final del límite del FBSOA es el límite de tensión de ruptura BVCEO.
Si el transistor se opera como interruptor, los límites del FBSOA se expanden, como se
indica en la Figura. En términos sencillos, la expansión del SOA ocurre para la
operación de modo conmutado porque la oblea de silicio y su empaque tienen una
capacitancia térmica y por tanto la capacidad de absorber una cantidad finita de
216
energía sin que la temperatura de la unión suba a niveles excesivos. Si el transistor se
enciende en unos cuantos microsegundos o menos, la cantidad de energía que se
absorbe es demasiado pequeña para causar un aumento apreciable de la temperatura
de la unión y, por consiguiente, el FBSOA es en esencia cuadrado y sólo está limitado
por ICM y BVCEO. El SOA es en particular útil cuando la trayectoria de conmutación, está
trazada sobre él, porque esta construcción revela de inmediato si la operación del
circuito pone al transistor fuera de su rango de especificación.
Figura 5.14 RBSOA de un BJT de potencia [3]
En forma parecida está construido el RBSOA. El área comprendida por el RBSOA que
es un SOA con pulsos es algo más grande que el FBSOA debido a la extensión del área
de tensión más alta que BVCEO, arriba de BVCBO con corrientes bajas del colector. Es
posible operar el transistor hasta la tensión más alta porque la combinación de la
corriente baja del colector y la corriente de base inversa redujeron la beta, de modo
que la tensión de ruptura sube hacia BVCBO. [3]
5.3 MOSFET DE POTENCIA
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere una

pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos
de conmutación son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia están
encontrando aplicaciones cada vez más numerosas en convertidores de baja potencia
y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de fenómenos de segunda
avalancha, como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de descarga
electrostática y requieren cuidados especiales en su manejo. Además, es relativamente
difícil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito. [1]
217
5.3.1 Estructura Básica del MOSFET
Un MOSFET de potencia tiene una estructura de orientación vertical del dopaje

alterno de tipo p y tipo n que se muestra en la Figura 5.15. Para una celda individual
de las múltiples celdas paralelas de un dispositivo completo. Un MOSFET completo
está compuesto de muchos miles de celdas conectadas en paralelo para lograr una
ganancia grande y una resistencia baja en estado activo.
Figura 5.15 Sección transversal vertical MOSFET [3]
La estructura n+pn-n+ se denomina MOSFET de canal n de modo de intensificación.

También se fabrica una estructura con el perfil opuesto: MOSFET de canal p. El dopaje
en las dos capas extremas n+, llamadas fuente y drenaje, es aproximadamente igual en
ambas capas y muy grande. La capa central de tipo p suele llamarse cuerpo y es la
zona donde se establece el canal entre fuente y drenaje. La capa n- es la región de
arrastre de drenaje. Esta región de arrastre determina la tensión de ruptura del
dispositivo.
A primera vista parece que no hay manera de que fluya la corriente entre las
terminales del dispositivo, porque una de las uniones pn (ya sea la unión de cuerpo-
fuente o la unión drenaje-cuerpo) se pondrá en polarización inversa por una de las
polaridades de tensión aplicada entre el drenaje y la fuente. No puede haber inyección
de portadores minoritarios en la zona del cuerpo por medio de la terminal de
compuerta porque la compuerta está aislada del cuerpo por medio de una capa de
dióxido de silicio (SiO2) a menudo denominado óxido de compuerta y que es un muy
buen aislante y, por tanto, no hay operación de BJT. Sin embargo, la aplicación de un
potencial positivo a la compuerta respecto de la fuente convierte la superficie de
silicio debajo del óxido de compuerta en una capa o canal de tipo n, lo que conecta la
fuente con el drenaje y permite el flujo de corrientes apreciables. El espesor del óxido
de compuerta, el ancho de la compuerta (como se visualiza en la Figura 5.16) y el
número de zonas de compuerta/fuente conectadas eléctricamente en paralelo son
218
importantes para determinar la cantidad de corriente que fluirá para una tensión de
compuerta a fuente dada.
Figura 5.16 Perspectiva de un MOSFET de potencia de canal n [3]
La estructura de la Figura 5.15 suele denominarse VDMOS, que significa MOSFET de

difusión vertical. Se deben notar otros aspectos de la estructura MOSFET de la Figura
5.15. Primero, la fuente está construida con muchos miles de pequeñas áreas de
manera poligonal conectadas en paralelo y rodeadas por la zona de la compuerta. La
forma geométrica de las zonas de la fuente influye hasta cierto grado en la resistencia
en estado activo del MOSFET, La razón fundamental para las múltiples zonas
pequeñas de fuente es maximizar la anchura (la dimensión lateral perpendicular al
sentido de flujo de la corriente en el canal) de la zona de compuerta en comparación
con su longitud (la longitud del canal). El ancho de la compuerta del MOSFET es la
longitud periférica de cada celda multiplicada por el número de celdas que
constituyen el dispositivo. Es deseable una relación muy grande entre el ancho y el
largo de la compuerta, pues así se maximiza la ganancia del dispositivo.
En segundo término, hay un BJT npn parasítico entre los contactos de fuente y drenaje,
como se muestra en la Figura 5.15, donde la zona de cuerpo de tipo p sirve como base
del BJT parasítico. Para reducir la posibilidad de que este transistor jamás se
encienda, la zona de cuerpo de tipo p se pone en cortocircuito con la zona de fuente
mediante el traslape de la metalización de fuente sobre la zona del cuerpo de tipo p.
Como resultado de este cortocircuito del cuerpo hay un diodo parasítico conectado
entre drenaje y fuente del MOSFET. Este diodo integral sirve en convertidores de
semipuente y de puente completo.
En tercer término, el traslape de la metalización de compuerta a través de la región de

arrastre n-, donde sobresale hacia la superficie del chip. Este traslape de la
metalización de la compuerta tiene dos propósitos. Primero, tiende a intensificar la
conductividad de la región de arrastre en la interconexión n- SiO2 al formar una capa
219
de acumulación (zona de conductividad intensificada), lo que ayuda a disminuir la
resistencia en estado activo. En segundo lugar, la metalización tiende a actuar como
placa de campo cuando el MOSFET está apagado, lo que impide que el radio de
curvatura de la zona de despoblación del drenaje-cuerpo pn se reduzca demasiado y
de este modo también la tensión de ruptura del dispositivo. [3]
El símbolo de circuito para un MOSFET de canal n se muestra en la Figura 5.17a, y

para un MOSFET de canal p, en la Figura 17b.
Figura 5.17 Símbolos de circuito para a) MOSFET canal n, b) MOSFET de canal p [3]
5.3.2 Característica I-V del MOSFET
El MOSFET, como el BJT, es un dispositivo de tres terminales donde la entrada, la

compuerta en el caso del MOSFET, controla el flujo de corriente entre las terminales
de salida, la fuente y el drenaje. La terminal de la fuente es común entre la entrada y la
salida de un MOSFET. Las características de la salida, la corriente de drenaje iD como
función del voltaje drenaje a fuente vDS con el voltaje compuerta a fuente VGS como
parámetro, se muestran en la Figura 5.18 para un MOSFET de canal n.
Figura 5.18 Características de corriente-tensión (iD-vDS) de MOSFET de modo de

intensificación de canal n [3]
220
Las características de la salida para un dispositivo de canal p son las mismas, excepto
que las polaridades de corriente y tensión están invertidas, de modo que las
características para el dispositivo de canal p aparecen en el tercer cuadrante del plano
iD-vDS.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden
de los nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de
drenaje ID y la corriente de compuerta IG no es un parámetro importante. La
transconductancia, que es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de
compuerta, define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante. Hay tres regiones de operación: 1) la región de corte, donde 𝑉𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑉𝐺𝑆(𝑤𝑤ℎ) ;
2) la región activa, donde 𝑣𝐷𝑆 = 𝑉𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑉𝐺𝑆(𝑤𝑤ℎ) ; y 3) la región óhmica, donde
𝑉𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑉𝐺𝑆(𝑤𝑤ℎ) > 𝑣𝐷𝑆 > 0 .
En aplicaciones de electrónica de potencia, el MOSFET sirve como interruptor para

controlar el flujo de potencia a la carga de una manera análoga al BJT. En estas
aplicaciones, el MOSFET atraviesa las características de iD-vDS desde el corte a través de
la zona activa hasta la zona óhmica conforme se enciende el dispositivo, y de nuevo
cuando se apaga.
El MOSFET está en estrangulamiento cuando la tensión de compuerta-fuente es menor

que la tensión de umbral VGS(th), que suele ser de unos cuantos voltios en la mayoría de
los MOSFET de potencia. El dispositivo es un circuito abierto y debe rechazar la
tensión de la fuente de alimentación aplicada al circuito. Esto significa que la tensión
de ruptura de drenaje-fuente BVDSS que se muestra en la Figura 18 debe ser mayor que
la tensión externa aplicada de drenaje-fuente para evitar la ruptura y la disipación alta
de potencia que conlleva. Cuando ocurre una ruptura, se debe a la ruptura de
avalancha de la unión de drenaje-cuerpo.
Cuando el dispositivo se acciona por una tensión grande de compuerta-fuente, se lleva

a la zona óhmica, donde el voltaje de drenaje-fuente VDS(enc) es pequeño. En esta zona,
la disipación de potencia se mantiene dentro de límites razonables cuando se
minimiza VDS(enc), aunque la corriente de drenaje sea muy grande.
En la zona activa, la corriente de drenaje es independiente de la tensión de drenaje-

fuente y sólo depende de la tensión de compuerta-fuente. Se dice que a veces la
corriente se satura, y por consiguiente esta zona se llama a veces zona de saturación o
zona del pentodo. La llamaremos zona activa, para evitar el uso del término saturación
y la confusión que crea con la saturación en BJT.
En la Figura 5.19 se muestra la curva de transferencia de un MOSFET de potencia

(iD-vGS), en general es muy lineal, en contraste con la curva de transferencia parabólica
221
del dispositivo de nivel lógico. [3]
Figura 5.19 curva de transferencia de un MOSFET de modo de intensificación de

canal n [3]
5.3.3 Física de Operación del MOSFET
La parte de la compuerta de la estructura MOSFET de la Figura 5.1 es la clave para

entender cómo trabaja el MOSFET. La parte de la compuerta consta de la metalización
de la compuerta, el dióxido de silicio debajo del conductor, que se denomina óxido de
la compuerta, y el silicio debajo del óxido. Esta zona forma un condensador (o
capacitor) de alta calidad, como se muestra en la Figura 5.20a, y a veces se le
denomina condensador MOS.
Aunque el condensador que se muestra suele estar compuesto por metalización de

aluminio, aislante SiO2 y una capa de fondo de silicio, la misma estructura básica se
fabrica en otros semiconductores, como arseniuro de galio, y se usan otros aislantes,
como nitruro de aluminio o nitruro de silicio, para el aislante. La capa superior de
metalización también puede ser algún material conductor diferente. El polisilicio,
metales refractorios como el tungsteno y otros metales se han usado en dispositivos
MOSFET.
Cuando se aplica una tensión positiva pequeña de compuerta-fuente a la estructura

del capacitor en el diagrama simplificado del MOSFET de canal n de la Figura 5.20a, se
forma una zona de degradación en la interconexión entre el SiO2 y el silicio. La carga
positiva inducida en la metalización superior (el lado de la compuerta) por la tensión
aplicada requiere una carga negativa igual en la placa inferior, que es el lado de silicio
del óxido de la compuerta. El campo eléctrico desde la carga positiva repele los huecos
de portadores mayoritarios de la zona de interconexión y de esta manera expone a los
receptores de carga negativa, con lo que se crea una zona de degradación.
222
a)
b)
c)
Figura 5.20 a) Formación de la zona de degradación. b y c ) Capa de inversión en la
interconexión de Si-SiO2 conforme aumenta la tensión de compuerta-fuente [3]
Los incrementos adicionales en vGS causan que la zona de degradación aumente su

espesor, como se muestra en la Figura 5.20b, para proporcionar la carga negativa
adicional. El crecimiento de esta zona de degradación se modela aproximadamente
223
como una unión de paso unilateral. Cuando se incrementa la tensión, el campo
eléctrico en la interconexión de óxido-silicio aumenta de tamaño y empieza a atraer
electrones libres así como a repeler huecos libres. La fuente inmediata de los
electrones es la generación de electrones-huecos mediante la ionización térmica,
mientras que se empuja a los huecos libres al bulto del semiconductor delante de la
zona de degradación. Los electrones atraídos por la fuente n+ debido a la carga
positiva de los huecos neutralizan a los huecos excedentes.
A la larga, conforme se incrementa la tensión de polarización, la densidad de los

electrones libres en la interconexión será igual a la densidad de los huecos libres en el
bulto de la zona de cuerpo lejana a la zona de degradación. La capa de electrones
libres en la interconexión es muy conductiva y tiene todas las propiedades de un
semiconductor de tipo n. En este punto, la capa de electrones libres se llama capa de
inversión, como se ilustra en la Figura 5.20c. Esta capa es una ruta o canal conductivo
entre el drenaje de n+ y las zonas de fuente (de donde proviene el término canal), que
permite el flujo de corriente entre fuente y drenaje. Esta capacidad de modificar el
tipo de conductividad del semiconductor inmediatamente inferior al aislante de la
compuerta por medio de una tensión aplicada o campo eléctrico se llama efecto de
campo. El efecto de campo intensifica la conductividad de la interconexión y por eso
se le llama transistor de modo de intensificación del efecto de campo, que se basa en
este mecanismo.
El valor de vGS donde se considera que se forma la capa de inversión se denomina

tensión de umbral VGS(th). Conforme vGS excede VGS(th), la capa de inversión se espesa un
poco y, más importante aún, adquiere más conductividad conforme la densidad de los
electrones libres crece en tanto aumenta la tensión de polarización. La capa de
inversión protege a su zona de degradación contigua de los incrementos adicionales
de la tensión de polarización, de modo que el espesor de la zona de degradación ahora
permanece constante. El valor de la tensión de umbral es una función de varios
factores. Los fabricantes de dispositivos ajustan VGS(th) a cualquier valor deseado (por
lo común, unos cuantos voltios). Se hacen ajustes mayores por medio de la selección
de la metalización de la compuerta, la densidad de dopaje de la zona del cuerpo y el
espesor del óxido de la compuerta. Los ajustes menores de la tensión de umbral
durante la fabricación se hacen por medio de la implantación de iones de impurezas
en la zona del cuerpo justo debajo del óxido de la compuerta. [3]
5.3.4 Modelos de Circuitos MOSFET
Los MOSFET son intrínsecamente más rápidos que los dispositivos bipolares porque
no tienen portadores minoritarios excedentes que se deban introducir o sacar del
dispositivo cuando se enciende o apaga. Las únicas cargas que se tienen que mover
son las que están en las capacitancias de disipación y las capacitancias de las zonas de
degradación que se muestran en la sección transversal del MOSFET de la Figura 5.21.
224
Figura 5.21 Vista transversal de un MOSFET de canal n, capacitancias parásitas que
rigen la velocidad de conmutación del dispositivo [3]
Estas capacitancias se modelan con el circuito equivalente de la Figura 5.22, que es

válido cuando el MOSFET está en corte o en la zona activa. Se necesitan modelos de
circuitos como éste para un estudio detallado de las características de encendido y
apagado del MOSFET de modo que se diseñen los circuitos de accionamiento de
compuerta correspondientes.
Figura 5.22 Circuito equivalente de MOSFET para el análisis de transitorios [3]
La capacitancia de drenaje-fuente que se muestra en la Figura 5.21 no se incluye en el

circuito equivalente porque no afecta materialmente a ninguna de las características
de conmutación ni a las formas de onda; sin embargo, se debe tener en cuenta para el
diseño de amortiguadores, donde se necesita un amortiguador de capacitor sin
pérdidas en topologías de convertidores de conmutación a cero volts. En este caso, Cds
puede ser parte del requerimiento de capacitancia total del amortiguador.
225
La fuente de corriente controlada por tensión de la compuerta que se muestra en el
circuito equivalente es igual a cero cuando VGS < VGS (th) y es igual a gm (VGS - VGS(th))
cuando el dispositivo está en la zona activa. Este método de explicar el flujo de la
corriente de drenaje en la zona activa se colige porque la característica de
transferencia de la Figura 5.19 es lineal sobre la mayor parte de este rango. La
pendiente de la característica de transferencia en la zona activa es la
transconductancia gm.
El MOSFET entra en la zona óhmica cuando vDS es igual o menor que VGS - VGS (th). En
aplicaciones de poder de modo conmutado, Ves ≫ VGS (th) cuando el dispositivo está
encendido, de modo que los criterios para entrar en la zona óhmica se simplifican a
vDS < vGS. En la zona óhmica, el modelo de la fuente de corriente dependiente ya no es
válido porque la capa de inversión ya casi no está estrangulada en el extremo de
drenaje del canal, sino que tiene un espesor casi espacialmente uniforme, pues vDS es
muy pequeño. La capa de inversión esencialmente pone en cortocircuito el drenaje y
la fuente. Se agrega una resistencia de estado encendido rDS (enc) y se tiene el circuito
equivalente de la Figura 5.23, para dar cuenta de las pérdidas óhmicas que surgen
sobre todo de la zona de arrastre del drenaje. Hay otras contribuciones a la resistencia
en estado activo, como pérdidas óhmicas en el canal, pero por lo regular son pequeñas
en comparación con la contribución de la zona de arrastre del drenaje.
Figura 5.23 Circuito equivalente MOSFET en la zona óhmica [3]
En este último aspecto es conveniente advertir que los MOSFET de potencia suelen
especificarse más que por caída tensión en conducción, por la resistencia equivalente
drenaje-fuente rDS (enc) con una determina tensión puerta-fuente, denominada RDS (on)
en los catálogos en inglés. Así puede verse en las hojas de características del transistor
IRFPS40N50L, que el fabricante lo caracteriza en las primeras líneas con las
características: [1]
VDSS = 500V RDS(on) typ. = 0,087Ω ID = 46A
226
5.3.5 Tensión de Ruptura del MOSFET
Los MOSFET tienen dos tensiones especificadas que no se deben exceder: VGS (máx) y
BVDSS. La máxima tensión permisible de puerta-fuente VGS (máx) está determinada por el
requerimiento de que no se debe romper el óxido de compuerta por grandes campos
eléctricos. En teoría el SiO2 resiste un voltaje de compuerta-fuente de 50 a 100V. Las
especificaciones normales para VGS (máx) son de 20 a 30V, lo que indica que los
fabricantes de dispositivos incluyen un margen de seguridad en sus especificaciones.
Esto es así porque una ruptura del óxido de compuerta significa la avería permanente
del dispositivo. Incluso una carga estática que se ponga inadvertidamente sobre el
óxido de puerta debido a un descuido en el manejo basta para romper el óxido. El
usuario del dispositivo debe conectarse con cuidado a tierra antes de manejar un
MOSFET para evitar cualquier problema de carga estática. Si existe la posibilidad de
que haya tensiones de compuerta-fuente en exceso de VGS (máx), la compuerta se debe
proteger mediante una conexión en serie de dos diodos zener conectados espalda con
espalda entre las terminales de compuerta y fuente. La tensión de ruptura de los zener
debe ser menor que VGS (máx).
El máximo voltaje de drenaje-fuente admisible BVDSS es el voltaje más alto que el

MOSFET puede repeler sin ruptura de avalancha de la unión pn de drenaje-cuerpo. Se
obtienen grandes valores de tensión de ruptura mediante la zona de arrastre de
drenaje un poco dopada. La región de arrastre de drenaje un poco dopada sirve para
contener la zona de degradación de la unión de drenaje-cuerpo de polarización
inversa. La longitud de la región de arrastre se determina por la tensión de ruptura
deseada especificada. El dopaje ligero de la región de arrastre en comparación con el
dopaje pesado de la zona del cuerpo asegura que la zona de degradación de la unión
no se extienda mucho a la zona de la fuente, de modo que se evita la ruptura por
medio de la penetración.
La curvatura relativamente aguda de la zona difundida del cuerpo de tipo p que se

muestra en la Figura 5.15 puede producir la reducción de BVDSS si no se toman las
medidas correctivas correspondientes. La extensión de la metalización de la
compuerta sobre la región de arrastre de drenaje actúa como una placa de campo que
reduce la curvatura de la zona de degradación. Esto a su vez impide una reducción
grave de la tensión de ruptura. [3]
5.3.6 Características Dinámicas del MOSFET
El comportamiento del MOSFET es más rápido que el del transistor BJT por estar
exento de los fenómenos de difusión de portadores minoritarios, principales
causantes de los retardos de conmutación de este semiconductor. El MOSFET en
aplicaciones de potencia es un interruptor destinado casi siempre a conmutar en alta
frecuencia, a continuación, se estudia bajo la distinción entre una situación con carga
resistiva y otra con carga inductiva. [1]
227
5.3.6.1 Conmutación del MOSFET con carga resistiva
En una conmutación con carga resistiva, de una manera simplificada se puede decir
que en un MOSFET la corriente de drenaje responde casi instantáneamente a la
tensión de la puerta. Es la capacidad parásita de puerta-fuente Cgs inherente a la
estructura del MOSFET, la que retrasa la respuesta de tensión de la puerta al circuito
de control. Las capacidades parásitas que también existen entre los otros terminales
no influyen tanto y se pueden despreciar en un análisis simplificado. En la Figura 5.24
se ejemplifica un esquema elemental para medir los tiempos de conmutación de un
MOSFET de potencia de unos 10A y 100V.
Figura 5.24 Características dinámicas de MOSFET de potencia con carga resistiva [1]
El interruptor permite conectar la puerta a la fuente de 10V ó a masa a través de R2,

que simula la resistencia de salida del circuito de excitación. Su acción se supone
instantánea. Las curvas muestran la evolución de las variables principales. La tensión
de puerta VGS sigue curvas exponenciales de carga y descarga de constante de tiempo
R2.Cgs. Cuando, en el proceso de paso a la zona óhmica VGS alcanza un cierto umbral de
conducción de unos 3V, la corriente de drenaje comienza a circular y alcanza luego su
valor final máximo de:
228
𝐸1 − 𝑉𝑉𝐷𝑆 100 − 1.5
𝑓𝑓𝐷 = = = 9.85𝐴𝐴
𝑅𝑅1 10
El proceso de corte es similar y también aparecen en él dos retardos bien

diferenciados. El primero, desde el instante de anulación de la tensión de excitación
VAS hasta que se descarga la puerta a una tensión de umbral de corte, para la cual el
transistor no puede mantener la corriente de drenaje previa, que comienza a
disminuir, El segundo, desde este momento hasta que la corriente cesa.
Pueden definirse los siguientes intervalos en el proceso hacia la zona óhmica:
Tiempo de retardo, tr: Es el transcurrido entre la excitación y el instante en que la

corriente de drenaje alcanza el 10% del valor filial. Este intervalo, el más corto de los
cuatro, depende de la tensión E2 de excitación, siendo menor con tensiones mayores
porque se alcanza antes el umbral de conducción en la puerta.
Tiempo de subida, ts: Es el que tarda la intensidad de drenaje en pasar del 10% al 90%
de su valor final. Disminuye con tensión de excitación E2 creciente porque la puerta
alcanza más rápidamente la suficiente tensión para inducir una corriente elevada de
drenaje. Por la misma razón, aumenta con mayor resistencia R2 de salida del circuito
de excitación, pero esta tiene poca influencia.
Para el proceso de corte pueden definirse los siguientes intervalos:
Tiempo de descarga, td: Es el que transcurre desde la desexcitación hasta el instante en

que la corriente de drenaje baja al 90% del valor máximo. Es el intervalo más largo
normalmente. Aumenta con tensión E2 de excitación creciente porque la puerta tarda
más en descargarse basta la tensión de umbral de corte. Aumenta también con R2
creciente por la misma razón, siendo en este case importante la influencia.
Tiempo de caída, tc: Es el que tarda la intensidad de drenaje en bajar del 90% al 10%
de su valor en saturación. No depende de la tensión de excitación porque esta no
influye en el proceso de descarga de Cgs una vez alcanzado el umbral de corte.
Aumenta con mayor resistencia R2 de puerta porque se hace más lenta la descarga de
la misma.
A la suma de los tiempos de retardo y subida se suele llamar tiempo de excitación te

del transistor y a la de los tiempos de descarga y caída tiempo de apagado ta
Para un MOSFET de 10A, los tiempos de excitación y apagado son del orden de 50ns a
100ns. Hay que hacer notar que estos tiempos son mayores para transistores de más
corriente nominal porque la construcción de la pastilla semiconductora a base de
múltiples celdillas-transistores en paralelo aumenta la capacidad total de puerta.
229
De los comentarios hechos relativos a la influencia de la resistencia de salida del
circuito de excitación sobre la duración de los tiempos de excitación y apagado, se
desprende que es conveniente reducir aquella para tener una conmutación rápida. Por
tanto, aunque en región óhmica el circuito de control no suministre apenas corriente,
sí debe ser capaz de entregar y absorber picos relativamente elevados de intensidad
durante los escalones e tensión de activación y corte. Ello es especialmente
importante en los circuitos que han de trabajar a frecuencias elevadas para minimizar
las pérdidas por conmutación, ya que, los MOSFET, por su extremada rapidez, se
emplean a frecuencias de conmutación muy elevadas (20 a 200 kHz).
En la práctica la mayor parte de las cargas manejadas por los circuitos de potencia son
inductivas y conviene estudiar su conmutación en detalle, sobre todo para sacar
conclusiones sobre el circuito de excitación. En la Figura 5.25 se ha representado un
circuito típico con carga inductiva y diodo de libre circulación. Se han dibujado las
inductancias parásitas LD y LS de los cableados de drenaje y de fuente, así como las
capacidades parásitas internas entre puerta y drenaje Cgd y entre puerta y fuente Cgs.
El circuito de excitación se representa por su equivalente Thévenin, con flancos de
subida y bajada exageradamente lentos por claridad. Se supone una corriente
constante I en la bobina de carga.
En el instante t0 comienza el impulso de excitación, retardado en puerta debido a Cgs,

Cgd y a la resistencia interna del circuito de excitación. En el instante t1 se alcanza el
umbral de conducción en la tensión puerta-fuente y comienza a circular corriente por
el drenaje, restándose de la corriente del diodo iD. La tensión drenaje-fuente
disminuye ligeramente debido al efecto ele la inductancia parásita LD. La bobina de
carga L sigue a tensión prácticamente nula porque el diodo continua conduciendo.
La tensión puerta-fuente se separa de su curva inicial en el instante t1, elevándose más

lentamente debido a la caída de tensión producida por el crecimiento de iD en la
inductancia parásita de fuente Ls, que se opone a la tensión de excitación. También se
retarda la elevación de la tensión puerta-fuente debido a la absorción de corriente del
circuito excitador a través de Cgd causada por disminución de la tensión de drenaje.
Este último fenómeno de realimentación negativa es llamado Efecto Miller y su
incidencia en el alargamiento del tiempo de saturación es menor cuanto menor sea la
resistencia interna del circuito excitador.
En el instante t2 la corriente en el diodo, tras anularse, ha alcanzado el valor inverso

de recuperación, quedando libre la carga para soportar tensión. Por tanto, VDS
disminuye rápidamente. El Efecto Miller se acentúa y mantiene, durante el intervalo
t2-t3, el valor mínimo necesario en VGS para soportar la corriente de carga. En el
instante t3 el paso a la zona óhmica se completa, y se anula VDS. El Efecto Miller cesa y
la tensión de puerta queda libre para elevarse hasta la tensión de vacío del circuito
excitador, retardada solamente por Cgs.
230
Figura 5.25 Características dinámicas de MOSFET de potencia con carga inductiva [1]
Los fenómenos de corte son parecidos. En el instante t4 comienza a disminuir la
231
excitación y en t5 se alcanza la tensión puerta-fuente mínima para mantener la
corriente de carga I. La tensión drenaje-fuente comienza a elevarse por entrar el
transistor en la zona de corriente constante. El Efecto Miller de nuevo gobierna el
proceso hasta el instante t6 en que VDS, alcanza el valor de alimentación E1, La
capacidad Cgd introduce una corriente en puerta mientras dura la elevación de VDS,
que retrasa la disminución de VGS manteniéndola en el valor mínimo necesario para
soportar la corriente de carga I. Cuanto menor sea la resistencia interna del circuito
excitador, más corriente Miller puede absorber y menor será el intervalo t5-t6. En el
instante t6, el diodo comienza a hacerse cargo de la corriente de la carga y la corriente
de drenaje disminuye al ritmo marcado por la descarga de Cgs, gobernada solamente
por el circuito de excitación.
De la descripción anterior se deduce que, también con carga inductiva, tanto el tiempo
de transición a la zona óhmica t0-t3 como el tiempo de corte t4-t7 disminuyen con
circuito excitador más rápido y de menor resistencia. Es importante rebajar estos
tiempos para reducir al máximo la energía disipada en la conmutación, representada
al final de la Figura 5.25, y poder trabajar a frecuencia elevada. [1]
5.3.7 Pérdidas por Conducción en Estado Activo del MOSFET
Salvo con frecuencias elevadas, en las cuales se incrementan las potencias de perdida
durante las conmutaciones, casi toda la potencia disipada en un MOSFET en una
aplicación de potencia de modo conmutado ocurre cuando el dispositivo está en
estado activo. La disipación instantánea de potencia en el estado activo del MOSFET
está dada por:
𝑃𝑃𝑒𝑛𝑛𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑜𝑜2 𝑟𝑟𝐷𝑆(𝑒𝑛𝑛𝑐𝑐)
La resistencia del estado activo tiene varios componentes, como se ilustra en la Figura
24. Con tensiones de ruptura bajas (unos cuantos cientos de voltios o menos), todos
estos componentes de resistencia contribuyen con mayor o menor igualdad a la
resistencia toral de estado activo. El fabricante del dispositivo intenta reducir todas
las contribuciones con el dopaje más pesado en cada zona, consistente con
requerimientos como los de la tensión de ruptura.
Dos de los componentes de resistencia, la del canal y la de la capa de acumulación, se

ven afectados tanto por la polarización de compuerta-fuente como por
consideraciones de dopaje y dimensiones. En ambos componentes, los valores
mayores de polarización de compuerta-fuente bajan estas resistencias. Por tanto, es
deseable el máximo valor de tensión de accionamiento de puerta-fuente posible en
consistencia con otras consideraciones, como la ruptura del óxido de la compuerta.
Para BVDSS mayores que unos cuantos cientos de voltios, la resistencia de la región de
arrastre del drenaje Rd domina la resistencia de estado activo.
232
Figura 5.26 Componentes de resistencia en estado activo en un MOSFET de modo de
intensificación de canal n. [3]
La resistencia en estado activo aumenta de manera considerable con la temperatura

de unión. Esto significa también que la disipación de potencia en estado activo
aumenta con la temperatura en la mayoría de las aplicaciones de electrónica de
potencia. El coeficiente positivo de temperatura de la resistencia en estado activo
surge de la disminución de movilidad de los portadores conforme se incrementa la
temperatura del semiconductor.
La disipación en la zona óhmica es importante, y muy similar a la de un transistor de

unión de silicio salvo en componentes de más de 500V, para los que los MOSFET están
en desventaja. Gracias al comportamiento resistivo descrito se pueden conectar en
paralelo MOSFET del mismo tipo directamente no siendo normalmente necesarias
resistencias de ecualización. [3]
5.3.8 Área de Operación Segura (AOS) del MOSFET
El área de operación segura (AOS) de un MOSFET de potencia se muestra en la Figura

5.27. Tres factores determinan el AOS del MOSFET: la máxima corriente de drenaje
IDM, la temperatura interna de la unión TJ, regida por la disipación de potencia en el
dispositivo, y la tensión de ruptura BVDSS. El MOSFET no tiene ninguna limitación de
ruptura secundaria como el BJT, de modo que ninguna se presenta en el AOS. Para
233
aplicaciones de modo conmutado, el AOS del MOSFET es cuadrado, como se indica en
la Figura 5.27. No hay distinción entre AOS de polarización y directa para el MOSFET:
son idénticos.
Figura 5.27 El AOS de un MOSFET de modo de intensificación de canal n [3]
5.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA IGBT
Los transistores BJT y MOSFET tienen características que se complementan en

algunos aspectos. Los BJT tienen pérdidas de conducción más bajas en estado activo,
sobre todo en dispositivos con mayores tensiones de bloqueo, pero tienen también
tiempos de conmutación más largos, en particular durante la desconexión. Los
MOSFET se encienden y apagan mucho más rápido, especialmente en dispositivos
especificados para mayores tensiones de bloqueo (algunos cientos de voltios y
mayores). Estas observaciones motivaron la combinación de BJT y MOSFET en forma
monolítica sobre el mismo chip de silicio para obtener un circuito o quizá incluso un
nuevo dispositivo que conjuntara las mejores cualidades de ambos tipos de
dispositivos.
Así, se fabricó el transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT, del inglés insulated
gate bipolar transistor), ahora el dispositivo preferido para la mayoría de las
aplicaciones nuevas. Otros nombres de este dispositivo son GEMFET, COMFET
(transistor de efecto de campo modulado por conductividad), IGT (transistor de
compuerta aislada). En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET.
Un IGBT tiene alta impedancia de entrada, como los MOSFET, y pocas pérdidas por
conducción en estado activo, como los BJT, y no tiene problema de segunda avalancha,
como los BJT. [3]
234
5.4.1 Estructura Básica del IGBT
La sección transversal vertical de un IGBT genérico de n canales se muestra en la

Figura 5.28.
Figura 5.28 Sección transversal vertical de un IGBT [3]
Esta estructura es muy parecida a la del MOSFET de difusión vertical. La diferencia

principal es la presencia de la capa p+ que forma el colector del IGBT. Esta capa forma
una unión pn (marcada con J1 en la Figura) que inyecta portadores minoritarios en lo
que parece la zona de drenaje de un MOSFET vertical. La compuerta y emisor del IGBT
están dispuestas en una geometría interdigitada parecida a la del MOSFET vertical. En
la Figura 5.29 se aprecia la perspectiva de un IGBT.
Figura 5.29 Perspectiva de un IGBT [1]
235
Los niveles de dopaje en cada capa del IGBT son similares a los de las capas
comparables de las estructuras verticales del MOSFET, excepto en la zona del cuerpo.
También es factible fabricar IBGT de canal p, al cambiar el tipo de dopaje en cada capa
del dispositivo.
En la Figura 5.28 también se muestra que la estructura del IGBT tiene un tiristor
parásito. El encendido de este tiristor no es deseable, y varios detalles estructurales de
una geometría práctica de un IGBT, sobre todo en la zona del cuerpo del tipo p que
forma las uniones J2 y J3, son diferentes de la geometría simple que se muestra en la
Figura 5.28 para minimizar la posible activación de este tiristor. El IGBT no retiene la
extensión de la metalización del emisor sobre la zona del cuerpo que también se usa
en un MOSFET de potencia. El cortocircuito de cuerpo-emisor en el IGBT reduce la
posibilidad de encendido del tiristor parasítico.
La capa de compensación n+ entre el contacto de colector p+ y la capa de arrastre n- no

es esencial para la operación del IGBT, y algunos IGBT se fabrican sin ella (algunas
veces se denominan NPT-IGBT, es decir, IGBT de no perforación, mientras que los que
tienen esta capa intermedia se denominan PT-IGBT: IGBT de perforación). Si se
selecciona bien la densidad de dopaje y el espesor de esta capa, su presencia mejora la
operación del IGBT en forma considerable.
Un símbolo de circuito para un IGBT de canal n se muestra en la Figura 5.29. La punta

de la flecha tendría una dirección contraria en un IGBT de canal p.
Figura 5.30 Símbolo de circuito de un IGBT de canal n [3]
5.4.2 Características I-V del IGBT
Las características i-v de un IGBT de canal n se muestran en la Figura 5.31. Las

características colector-emisor con tensión de puerta constante son similares a las del
MOSFET, salvo que están desplazadas hacia la derecha por un pequeño voltaje, es
decir, que existe un umbral de dicho valor en la tensión colector-emisor antes de que
el transistor conduzca significativamente. No obstante, la curva de saturación o región
óhmica es más vertical como en los transistores bipolares, y se obtienen caídas de
tensión menores que en los MOSFET para intensidades importantes de colector. En el
sentido directo, el parámetro de control es un voltaje de entrada, la tensión de
236
compuerta-emisor, en vez de una corriente de entrada. Las características de un IGBT
de canal p serían las mismas, excepto que las polaridades de tensiones y corrientes
estarían invertidas. [1]
Figura 5.31 Características de salida de corriente-tensión de un IGBT [3]
La unión marcada J2 en la Figura 5.28 bloquea todas las tensiones directas cuando el
IGBT está desconectado. La tensión de bloqueo inverso VRM indicada en la
característica i-v crece tanto como la tensión de bloqueo directo BVCES si el dispositivo
se fabrica sin la capa de compensación n+. Esta capacidad de bloqueo inverso es útil en
algunos tipos de aplicaciones de circuitos de CA. La unión marcada J1 en la Figura 5.28
es la unión de bloqueo inverso. Sin embargo, si se usa una capa de compensación n+ en
la construcción del dispositivo, la tensión de ruptura de esta unión disminuye en
forma significativa a unas cuantas decenas de voltios, debido al fuerte dopaje ahora
presente en ambos lados de esta unión, y el IGBT ya no tiene ninguna capacidad de
bloqueo inverso. La curva de transferencia iC-VGE de la Figura 5.32 es similar a la del
MOSFET de potencia.
Figura 5.32 características de transferencia de un IGBT [3]
237
La curva es razonablemente lineal a través de la mayor parte del rango de corriente de
colector, y se vuelve no lineal sólo con corrientes bajas de colector, donde la tensión
de compuerta-emisor se aproxime al umbral. Si VGE es menor que el voltaje de umbral
VGE (th), el IGBT está en estado pasivo. El máximo voltaje que se debe aplicar a las
terminales de compuerta-emisor suele estar limitado por la corriente de colector
máxima que se debe permitir fluir en el IGBT. [3]
5.4.3 Operación en Estado de Bloqueo del IGBT
El IGBT es básicamente un MOSFET, la tensión de compuerta-emisor controla el

estado del dispositivo. Cuando VGE es menor que VGE (th), no se crea ninguna capa de
inversión para conectar el colector y el emisor, y por ende el dispositivo está en estado
pasivo. La tensión de colector–emisor aplicada disminuye a través de la unión
marcada J2, y sólo fluye una corriente de disipación muy pequeña. Esta operación en
estado de bloqueo es en esencia idéntica a la del MOSFET.
La zona de degradación o de agotamiento de la unión J2 se extiende sobre todo a la

región de arrastre n-, pues la zona del cuerpo de tipo p se dopa a propósito de modo
mucho más grave que la región de arrastre. El espesor de la región de arrastre es lo
bastante grande para acomodar la capa de degradación, de modo que el límite de la
capa de degradación no toca a la capa de inyección p+. Este tipo de IGBT a veces se
llama IGBT simétrico o IGBT de no perforación, y bloquea tensiones inversas de una
magnitud tan grande como las tensiones directas para cuyo bloqueo está diseñado.
Esta capacidad de bloqueo inverso es útil en algunas aplicaciones de circuito de CA.
Sin embargo, es posible reducir el espesor requerido de la región de arrastre por un

factor aproximado de 2 si se usa una estructura llamada de perforación. En esta
geometría se permite que la capa de despoblación se extienda por toda la región de
arrastre con tensiones significativamente menores al límite deseado de tensión de
ruptura. La penetración de la capa de degradación a la capa p+ se impide mediante la
inserción de una capa de compensación n+ entre la zona de arrastre y la zona p+. Este
tipo de estructura del IGBT se llama a veces IGBT asimétrica o de perforación. La
longitud más corta de la región de arrastre significa pérdidas más bajas en estado
activo, pero la presencia de la capa de compensación significa que la capacidad de
bloqueo inverso de esta geometría de perforación será muy baja (unas cuantas
decenas de voltios) y por tanto inexistente en cuanto se refiere a aplicaciones de
circuito. [3]
5.4.4 Operación en Estado Activo del IGBT
Cuando la tensión de compuerta-emisor excede el umbral, se forma una capa de

inversión debajo de la compuerta del IGBT. Esta capa de inversión pone en
238
cortocircuito a la región de arrastre n- de la zona de emisor n+, igual que en el
MOSFET. Una corriente de electrones fluye a través de esta capa de inversión, como se
diagrama en la Figura 5.33, lo que a su vez causa una inyección sustancial de huecos
desde la capa de contacto del colector p+ hasta la región de arrastre n-, como también
se indica en la Figura.
Figura 5.33 Rutas de flujo de corrientes en estado activo en un IGBT [3]
Los huecos inyectados se mueven a través de la región de arrastre tanto por

derivación como por difusión, por una multitud de rutas, como se indica en la Figura
5.33, y llegan a la zona del cuerpo de tipo p que rodea a la zona de emisor n+. Tan
pronto los huecos llegan a la zona del cuerpo de tipo p, su carga espacial atrae
electrones de la metalización del emisor que hace contacto con la zona del cuerpo, y
los huecos excedentes se recombinan rápidamente.
La unión formada por la zona del cuerpo de tipo p y la región de arrastre n- "recoge"
los huecos de difusión y por tanto funciona como colector de un transistor de base
espesa pnp. Este transistor, diagramado en la Figura 5.34, tiene la capa de colector de
contacto p+ como emisor, una base compuesta por la región de arrastre n- y un
colector formado por la zona de cuerpo del tipo p.
Figura 5.34 Partes operativas efectivas de la estructura del IGBT [3]
239
A partir de esta descripción se puede desarrollar unos circuitos equivalentes para
modelar la operación del IGBT, estos se muestra en la Figura 5.35.
Figura 5.35 Corte transversal y circuito equivalente de los IGBT.
El circuito de la Figura 5.35a, modela el IGBT como un circuito Darlington con el

transistor pnp como transistor principal y el MOSFET como dispositivo de
accionamiento. La resistencia entre la base pnp y el drenaje del MOSFET representa la
resistencia de la región de arrastre n-.
A diferencia del circuito Darlington convencional, el MOSFET de accionamiento en el

circuito equivalente del IGBT lleva la mayor parte de la corriente total de terminal.
Esta división desigual del flujo de la corriente total es deseable por razones que tienen
que ver con el encendido potencial del tiristor parásito. [3]
5.4.5 El Latchup en IGBT
Las rutas que recorren los huecos inyectados en la región de arrastre (o transistor
pnp) son cruciales para la operación del IGBT. Un componente de la corriente de
huecos viaja por rutas de líneas muy rectas directamente a la metalización del emisor.
Sin embargo, la mayoría de los huecos es atraída a la cercanía de la capa de inversión
por la carga negativa de los electrones en la capa. Esto produce un componente de la
corriente de huecos que viaja lateralmente a través de la capa del cuerpo de tipo p,
como se diagrama en la Figura 5.33. Este flujo de corriente lateral desarrolla una caída
de tensión lateral en la resistencia óhmica de la capa del cuerpo (modelado como la
resistencia de extensión en la Figura 5.33, como se indica en la Figura. Esto tiende a
polarizar en forma directa la unión n+p (marcada como J3), en que la tensión más
grande a través de la unión se presenta donde la capa de inversión se junta con la de
emisor n+.
240
Si el voltaje es lo bastante grande, ocurre una inyección sustancial de electrones desde
el emisor hasta la zona del cuerpo, y se enciende el transistor parásito npn también
mostrado en la Figura 5.34. Si esto ocurre, se encienden tanto el transistor npn como
el pnp, y por ende se enclava el tiristor parásito y se presenta el Latchup. Para un IGBT
dado con una geometría especificada hay un valor crítico de corriente de colector que
causa una caída de tensión lateral lo bastante grande para activar el tiristor. Por esta
razón, el fabricante del dispositivo especifica la corriente de colector pico permisible
IC que fluye sin que se presente el Latchup. También existe un voltaje de compuerta-
emisor correspondiente que permite que esta corriente fluya y que no se debe
exceder.
Una vez que el IGBT está en Latchup, la compuerta ya no tiene control alguno de la
corriente de colector. La única forma de apagar el IGBT en esta situación es por medio
de la conmutación forzada de la corriente, exactamente igual que para un tiristor
convencional. Si el Latchup no se termina rápido, el IGBT se destruye por la excesiva
disipación de potencia. Un circuito equivalente más completo que incluye el transistor
parasítico npn y la resistencia de extensión de la capa del cuerpo se muestra en la
Figura 5.35b.
La descripción del Latchup que acabamos de presentar es el llamado modo de Latchup

estático, porque ocurre cuando el estado activo continuo excede un valor crítico. Por
desgracia, en condiciones dinámicas, cuando el IGBT conmuta de encendido a
apagado, puede enclavarse en valores de corriente de colector menores que el valor
de corriente estática. Consideremos el IGBT incorporado en el circuito de un
convertidor reductor. Cuando se apaga el IGBT, la parte de MOSFET del dispositivo se
apaga rápidamente, y la parte de la corriente total del dispositivo que lleva se va a
cero. Hay una acumulación rápida de tensión de colector-emisor correspondiente, que
se debe soportar a través de la unión de deriva-cuerpo J2. Esto genera una expansión
rápida de la zona de degradación debido a su bajo dopaje. Como consecuencia, se
cumplirán las condiciones para el Latchup a pesar de que la corriente de estado activo
antes del inicio de la desconexión haya sido inferior al valor estático necesario para el
Latchup. El valor de IC especificado por el fabricante del dispositivo suele referirse al
modo de trabado dinámico. [3]
5.4.6 Características de Conmutación del IGBT
Dinámicamente el IGBT se comporta como un transistor de unión BJT en el paso de

corte a saturación y como un MOSFET en el paso de saturación a corte. Por tanto, hay
que procurar que el punto de funcionamiento (ic en función de VGE) no salga de la zona
de funcionamiento seguro delimitada para el paso a saturación por curvas similares a
las AOS de un BJT. Para el paso a corte, la zona de funcionamiento seguro no depende
del tiempo del fenómeno y, como en los MOSFET de potencia, está delimitada por la
intensidad y tensión nominales de pico. El tiempo total de apagado es intermedio al de
241
un bipolar Darlington y un MOSFET. El de excitación es parecido al de un MOSFET.
Contrariamente a los primeros IGBT, hoy se fabrican en casi su totalidad con diodo
antiparalelo caracterizado y útil para su aprovechamiento.
Para una conmutación de un IGBT insertado en un circuito con carga inductiva, las
características de conmutación de un IGBT y un MOSFET son muy similares. La
principal diferencia con el MOSFET es que tiene una corriente de colector de cola
debido a la carga almacenada en la región de deriva.
La característica de conmutación proporciona información útil para determinar un

tiempo muerto apropiado entre el encendido y el apagado. La Figura 5.36 muestra las
formas de onda de activación y desactivación de corriente y voltaje correspondientes
a un IGBT.
Figura 5.36 Características dinámicas de un IGBT con carga inductiva [1]
Tiempo de retardo de encendido td(on): Se define como el tiempo desde que VGE = 10%
hasta que IC = 10% de su valor final. Durante este tiempo se forma el canal MOSFET.
242
Tiempo de subida (tr): Es tiempo en que IC tarda para aumentar del 10% al 90% de su
valor final. El tiempo de subida está influenciado por las características de la puerta
IGBT.
Corriente de encendido di/dt (on) y pendiente de voltaje dv/dt (on): Es la tasa de aumento
de la corriente (di/dt) y la tensión (dv/dt) durante el encendido. Ambas pendientes se
pueden controlar por medio de la resistencia de la puerta en el circuito exitador. En
particular, los transitorios de conmutación se reducen a medida que aumenta la
resistencia de la puerta.
Tiempo de retardo de apagado td(off): Se define como el tiempo desde que VGE = 90% de
su valor inicial hasta que IC = 90% de su valor inicial. Durante este tiempo, se elimina
el canal MOSFET y se corta el suministro adicional de electrones desde el emisor.
Tiempo de caída (tfall): se define como el tiempo entre IC = 90% a IC = 10% de su valor
inicial. El tiempo de caída también incluye el período de cola que representa el tiempo
necesario para recombinar las cargas en exceso almacenadas en la región de arrastre.
Una cola de alta corriente introduce altas pérdidas de conmutación y limita la
frecuencia de operación del dispositivo.
Energía de conmutación (Eon) y (Eoff): El tiempo de conmutación no es suficiente para

calcular la pérdida de conmutación, ya que hay una región en la que se producen
algunas pérdidas de conmutación, aunque no se incluyen específicamente en el
tiempo de conmutación. [1]
5.4.7 Límites de Dispositivos y AOS del IGBT
La máxima corriente de colector ICM se establece de manera que se evite el Latchup.

También existe un máximo voltaje de compuerta-emisor permisible V GE(máx). El valor
de este voltaje se determina por consideraciones de ruptura de óxido de la compuerta.
El IGBT está diseñado para que, cuando se aplique este voltaje de compuerta-emisor,
la máxima corriente que fluya en condiciones de avería (cortocircuito) sea
aproximadamente de cuatro a 10 veces la corriente nominal especificada. En estas
condiciones, el IGBT está en la zona activa con una tensión de colector-emisor igual a
la tensión del estado inactivo. Mediciones recientes indican que el dispositivo resiste
estas corrientes durante 5 a 10 microsegundos, según el valor de VCE, y se apaga por
VGE.
La máxima tensión de colector-emisor se establece por la tensión de ruptura del

transistor pnp. El beta del transistor es muy pequeño, por lo que su tensión de ruptura
es en esencia la tensión de ruptura de la unión de arrastre-cuerpo (la unión J2). Hay a
la venta dispositivos con capacidades de bloqueo de hasta 1700 V, y los dispositivos
243
con mayores voltajes especificados están en desarrollo.
La máxima temperatura permisible de la unión en IGBT disponibles es 150 °C. El IGBT

se puede diseñar para tener una tensión en estado activo que varíe poco entre la
temperatura ambiente y la máxima temperatura de la unión. La razón de esto es la
combinación del coeficiente de temperatura positivo de la sección de MOSFET y el
coeficiente de temperatura negativo de la caída de tensión a través de la región de
arrastre.
Existen IGBT individuales con especificaciones de corrientes nominales de hasta 200 a

400 amperes. Los IGBT se conectan en paralelo sin problemas debido al buen control
sobre la variación de los parámetros del IGBT de un dispositivo a otro, y también
debido a la escasa variación de la tensión en estado activo con la temperatura. En el
mercado existen módulos de hasta cuatro a seis IGBT conectados en paralelo con
especificaciones de corriente de 1000 a 1500 amperios, y las innovaciones para este
dispositivo se mantienen en el tiempo.
El IGBT tiene AOS (áreas operativas seguras) robustas durante el encendido y

apagado. El área de operación segura de polarización directa de la Figura 5.37 es el
cuadrado para tiempos de conmutación cortos, idéntico a los FBAOS del MOSFET de
potencia para tiempos de encendido menores que 1ms. Para tiempos de conmutación
más largos, el IGBT está limitado térmicamente, como se muestra en los FBAOS, y esto
también es idéntico al comportamiento de FBOAS del MOSFET de potencia.
Figura 5.37 AOS de polarización directa [3]
El área de operación segura con polarización inversa es un tanto diferente de los

FBAOS, como lo ilustra la Figura 5.38. La esquina superior del lado derecho del RBAOS
se recorta en forma progresiva, y el RBAOS se reduce conforme aumenta la velocidad
de cambio del voltaje de colector-emisor dvCE/dt. La razón de esta restricción del
RBAOS como función del dvCE/dt es evitar el Latchup. Un valor de dvCE/dt demasiado
grande durante el apagado causa el Latchup del IGBT exactamente como sucede en
tiristores y GTO. Por fortuna, este valor es muy grande y se compara favorablemente
244
con otros dispositivos de potencia. Además, el usuario del dispositivo puede controlar
con facilidad el dvCE/dt aplicado de nuevo mediante la selección correcta de la
resistencia RG de salida del circuito de excitación de compuerta.
Figura 5.38 AOS de polarización inversa [3]
5.5 CONVERTIDORES CD-CD
En muchas aplicaciones industriales se requiere convertir un voltaje fijo de una fuente

de cd en un voltaje variable de suministro de cd. Un convertidor cd-cd convierte en
forma directa de cd a cd y se llama simplemente convertidor de cd. Se puede
considerar que un convertidor cd es el equivalente en cd de un transformador de ca,
con una relación de vueltas que varía en forma continua. Al igual que un
transformador, se puede usar para subir o bajar el voltaje de una fuente.
Los convertidores de cd se usan mucho para el control de motores de tracción de

automóviles eléctricos, tranvías, grúas marinas, montacargas y elevadores de mina.
Proporcionan un control uniforme de aceleración, gran eficiencia y rápida respuesta
dinámica. Se pueden usar en el frenado regenerativo de motores de cd para regresar
la energía a la fuente, y esa propiedad permite ahorros de energía en los sistemas de
transporte que tienen frenados frecuentes. Los convertidores de cd se usan en los
reguladores de voltaje de cd, y también se usan en conjunto con un inductor para
generar una corriente de cd, en especial para el inversor de fuente de corriente.
Existen diferentes configuraciones para los convertidores cd, sin embargo, las
topologías básicas están representadas por el convertidor reductor y el elevador, por
lo tanto, se hará énfasis en el análisis de estos, el resto de los convertidores cd nace de
la combinación de ellos. Para condiciones de estudio, se analizarán los convertidores
en su estado permanente. Los interruptores se tratan como ideales, y se dejarán de
lado las pérdidas en los elementos inductivos y capacitivos. [2]
245
5.5.1 Control de Convertidores de CD
En los convertidores de cd, el voltaje medio de salida debe controlarse para que iguale
un nivel deseado, aunque quizá fluctúen el voltaje de entrada y la carga de salida. Los
convertidores de cd de modo de conmutación utilizan a uno o más interruptores para
transformar la tensión de un nivel a otro. En un convertidor cd con un voltaje de
entrada dado, el voltaje medio de salida se controla mediante el control de los tiempos
de encendido y apagado (tenc y tapag). Para ilustrar el concepto de conversión por el
modo de conmutación, se considera el convertidor cd básico que se muestra en la
Figura 5.39.
Figura 5.39 Conversión de cd en modo de conmutación [3]
El valor medio del voltaje de salida vo depende de tenc y tapag. Un método para controlar
el voltaje de salida emplea la conmutación con una frecuencia constante (por ende, un
periodo de conmutación constante Ts = tenc + tapag) y el ajuste de la duración de
encendido del interruptor para controlar el voltaje medio de salida. En este método,
llamado conmutación por modulación de anchura de pulsos (pulse-width modulation,
PWM), la relación de trabajo del interruptor k, que se define como la proporción de la
duración de encendido con el periodo de conmutación.
Otro método de control es más general, donde tanto la frecuencia de conmutación (y

por tanto el periodo), como la duración de encendido del interruptor, son variados.
Este método se emplea sólo en convertidores de cd que usan tiristores de
conmutación forzada. La variación en la frecuencia de conmutación dificulta filtrar los
componentes de ondulación en las formas de ondas de entrada y salida del
convertidor. [3]
5.5.2 Principio de Operación Reductor
Con la Figura 5.40 se puede explicar el principio de operación. Cuando el interruptor

SW, llamado interruptor periódico, se cierra durante un tiempo t1, aparece el voltaje
de entrada Vs a través de la carga. Si el interruptor permanece abierto durante un
tiempo t2, el voltaje a través de la carga es cero. Las formas de onda del voltaje de
salida y la corriente de carga también se ven en la 5.40b. El interruptor de este
246
convertidor se puede implementar usando 1) un transistor de unión bipolar de
potencia (BJT), 2) un transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor, de
potencia (MOSFET), 3) un tiristor de disparo en compuerta (GTO) o 4) un transistor
bipolar de compuerta aislada (IGBT). Los dispositivos prácticos tienen una caída finita
de voltaje, que va de 0.5 a 2 V, y para simplificar no tendremos en cuenta las caídas de
voltaje de esos dispositivos semiconductores de potencia.
Figura 5.40 Convertidor reductor con una carga resistiva.
El voltaje promedio de salida se define con:
1 𝑤𝑤1 𝑤𝑤1
𝑉𝑉𝑐𝑐 = � 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑓𝑓𝑤𝑤1 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑇𝑇 0 𝑇𝑇
Y la corriente promedio de carga es Ia = Va/R = kVs /R,
Donde:
T es el periodo de conmutación
k = t1/T es el ciclo de trabajo del interruptor
f es la frecuencia de conmutación.
El valor rms del voltaje de salida se determina con:
1 𝑘𝑇
𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � (𝑉𝑉𝑟𝑟 )2 𝑑𝑑𝑤𝑤 = √𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑇𝑇 0
Suponiendo que el convertidor no tiene pérdidas, la potencia de su entrada es igual

que la de su salida, y es:
1 𝑘𝑇 (𝑉𝑉𝑟𝑟 )2 𝑘(𝑉𝑉𝑟𝑟 )2
𝑃𝑃𝑖 = � 𝑑𝑑𝑤𝑤 =
𝑇𝑇 0 𝑅𝑅 𝑅𝑅
247
La resistencia efectiva de entrada, vista desde la fuente es:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑅𝑅
𝑅𝑅𝑖 = = =
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄𝑅𝑅 𝑘
Que indica que el convertidor hace que la resistencia de entrada Ri sea una resistencia
variable igual a R/k. Se debe notar que el interruptor de la Figura 5.40a se podría
implementar con un BJT, un MOSFET, un IGBT o un GTO. El ciclo de trabajo k se puede
variar desde 0 a 1, variando t1, T o f. En consecuencia, el voltaje de salida Vo se puede
variar de 0 a Vs, controlado k1 y el flujo de potencia se puede controlar. [4]
Ejemplo 2
El convertidor de cd tiene una carga resistiva de R = 10Ω, y el voltaje de entrada es

Vs = 220V. Cuando el interruptor del convertidor está cerrado, su caída de voltaje es
VH = 2V, y la frecuencia de conmutación es f = 1 kHz. Si el ciclo de trabajo, es 50%,
determinar a) el voltaje promedio de salida; b) el voltaje rms de salida; c) la eficiencia
del convertidor; d) la resistencia efectiva de entrada Ri del convertidor. [4]
Solución
a. El voltaje promedio de salida es: 0.5 ∗ (220 − 2) = 109 𝑉𝑉

b. El voltaje promedio de salida es: √0.5 ∗ (220 − 2) = 154.15𝑉𝑉
c. La eficiencia del convertidor es:
1 𝑘𝑇 (𝑉𝑉𝑟𝑟 )2 1 𝑘𝑇 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝐻 )2 𝑘(𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝐻 )2

𝑃𝑃𝑜𝑜 = � 𝑑𝑑𝑤𝑤 = � 𝑑𝑑𝑤𝑤 =
𝑇𝑇 0 𝑅𝑅 𝑇𝑇 0 𝑅𝑅 𝑅𝑅
0.5(200 − 2)2
𝑃𝑃𝑜𝑜 = = 2376.2 W
10
La potencia de entrada al convertidor se puede calcular con
1 𝑘𝑇 1 𝑘𝑇 𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝐻 ) 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝐻 )

𝑃𝑃𝑖 = � 𝑉𝑉𝑟𝑟 ∗ 𝑓𝑓 𝑑𝑑𝑤𝑤 = � 𝑑𝑑𝑤𝑤 =
𝑇𝑇 0 𝑇𝑇 0 𝑅𝑅 𝑅𝑅
0.5 ∗ 200(200 − 2)
𝑃𝑃𝑖 = = 2398 𝑊𝑊
10
La eficiencia del convertidor es
𝑃𝑃𝑜𝑜 2376.2 𝑊𝑊
= = 99.09%
𝑃𝑃𝑖 2398 𝑊𝑊
d. la resistencia efectiva de entrada Ri del convertidor es 𝑅𝑅𝑖 = 10⁄0.5 = 20Ω
248
Nota: El cálculo de la eficiencia, que incluye la pérdida por conducción del convertidor,
no tiene en cuenta la pérdida por conmutación durante el encendido y apagado de los
convertidores prácticos. La eficiencia de un convertidor práctico varía entre 92 y 99%.
5.5.2.1 Principio de operación reductor carga RL
En la Figura 5.41 se ve un convertidor de bajada con una carga RL.
Figura 5.41 Convertidor de cd de bajada con cargas RL. [4]
El funcionamiento del convertidor se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1,

el convertidor está encendido y la corriente pasa del suministro a la carga. Durante el
modo 2, el convertidor está apagado y la corriente de carga continúa pasando por un
diodo de marcha libre Dm. Los circuitos equivalentes para esos modos se ven en la
Figura 5.42.
Figura 5.42 Circuitos equivalentes y formas de onda para cargas RL [4]
249
Las formas de onda de la corriente de carga y del voltaje de salida se ven bajo la
hipótesis que la corriente de carga aumenta en forma lineal. Sin embargo, la corriente
que pasa por una carga RL sube o cae en forma exponencial, con una constante, de
tiempo. La constante del tiempo de carga 𝜏𝜏 = 𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 en general es mucho mayor que el
periodo de conmutación T. Así, la aproximación lineal es válida para muchas
condiciones en el circuito y se pueden obtener ecuaciones simplificadas dentro de
exactitudes razonables. [4]
La corriente de carga para el modo 1 se puede determinar con
𝑑𝑑𝑓𝑓1
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑅𝑅𝑓𝑓1 + 𝐿𝐿 +E
𝑑𝑑𝑤𝑤
que, con la corriente inicial i1 (t = 0) = I1 se obtiene la corriente de carga como
𝑤𝑤𝑅𝑅 𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑤𝑤𝑅𝑅

𝑓𝑓1 (𝑤𝑤) = 𝐼𝐼1 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 + (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
Este modo es válido para 0 ≤ 𝑤𝑤 ≤ 𝑤𝑤1 (= 𝑘𝑇𝑇); al final de este modo, la corriente de carga
es
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤 = 𝑤𝑤1 = 𝑘𝑇𝑇) = 𝐼𝐼2
La corriente de carga para el modo 2 se puede determinar con
𝑑𝑑𝑓𝑓2
0 = 𝑅𝑅𝑓𝑓2 + 𝐿𝐿 +E
𝑑𝑑𝑤𝑤
Con una corriente inicial 𝑓𝑓2 (𝑤𝑤 = 0) = 𝐼𝐼2 y redefiniendo el origen del tiempo (es decir
𝑤𝑤 = 0) al inicio del modo 2,
𝑤𝑤𝑅𝑅 𝐸 𝑤𝑤𝑅𝑅
𝑓𝑓2 (𝑤𝑤) = 𝐼𝐼2 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
Este modo es válido para 0 ≤ 𝑤𝑤 ≤ 𝑤𝑤2 (= (1 − 𝑘)𝑇𝑇); al final de este modo, la corriente de
carga es
𝑓𝑓2 (𝑤𝑤 = 𝑤𝑤2 ) = 𝐼𝐼3
Al final del modo 2, el convertidor se enciende de nuevo en el siguiente ciclo, después

del tiempo 𝑇𝑇 = 1⁄𝑓𝑓 = 𝑤𝑤1 + 𝑤𝑤2
Bajo condiciones de estado estable, 𝐼𝐼1 = 𝐼𝐼3 . Con las respectivas evaluaciones en la
variable t en las ecuaciones anteriores e igualaciones entre las ecuaciones resultantes
se tiene:
(1−𝑘)𝑇𝑅𝑅 𝐸 (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅
𝐼𝐼1 = 𝐼𝐼3 = 𝐼𝐼2 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
250
𝑘𝑇𝑅𝑅 𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑘𝑇𝑅𝑅
𝐼𝐼2 = 𝐼𝐼1 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 + (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆 𝑤𝑤 − 1 𝐸
𝐼𝐼1 = � 𝑇𝑅𝑅 �−
𝑅𝑅 𝑅𝑅
𝑆𝑆 𝑤𝑤 − 1
𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − 1 𝐸
𝐼𝐼2 = � 𝑇𝑅𝑅 �−
𝑅𝑅 𝑅𝑅
𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − 1
La corriente de rizo de pico a pico es

∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1
Que después de simplificar viene a ser
𝑘𝑇𝑅𝑅 𝑇𝑅𝑅 (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅

𝑉𝑉𝑟𝑟 1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 + 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
∆𝐼𝐼 = 𝑇𝑅𝑅
𝑅𝑅
1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
La condición de máxima variación es
𝑑𝑑(∆𝐼𝐼)
=0
𝑑𝑑𝑘
𝑘𝑇𝑅 (1−𝑘)𝑇𝑅
Y da como resultado 𝑆𝑆 − 𝐿 − 𝑆𝑆 − 𝐿 = 0, es decir, −𝑘 = −(1 − 𝑘), es decir, que
𝑘 = 0.5 . La corriente de rizo máxima de pico a pico (en k = 0.5) es
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑅𝑅
∆𝐼𝐼𝑟𝑟á𝑥 = tanh
𝑅𝑅 4𝑓𝑓𝐿𝐿
Cuando 4𝑓𝑓𝐿𝐿 ≫ 𝑅𝑅, tanh 𝜃𝜃 ≈ 𝜃𝜃, y la corriente de rizo máxima se puede aproximar con
𝑉𝑉𝑟𝑟
∆𝐼𝐼𝑟𝑟á𝑥 =
4𝑓𝑓𝐿𝐿
Nota: Las ecuaciones anteriores sólo son válidas para un paso continuo de corriente,
caso en el cual 𝐿𝐿⁄𝑅𝑅 ≫ 𝑇𝑇 ó 𝐿𝐿𝑓𝑓 ≫ 𝑅𝑅. Cuando el tiempo de apagado es grande, en especial
con baja frecuencia y bajo voltaje de salida, la corriente en la carga puede ser
discontinua. En caso de corriente discontinua en la carga, 𝐼𝐼1 = 0 y se tiene:
𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑤𝑤𝑅𝑅
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤) = (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
Y la ecuación
𝑤𝑤𝑅𝑅 𝐸 𝑤𝑤𝑅𝑅
𝑓𝑓2 (𝑤𝑤) = 𝐼𝐼2 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 − (1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 )
𝑅𝑅
251
Es válida para 0 ≤ 𝑤𝑤 ≤ 𝑤𝑤2 de modo que 𝑓𝑓2 (𝑤𝑤 = 𝑤𝑤2 ) = 𝐼𝐼3 = 𝐼𝐼1 = 0 con lo que
𝐿𝐿 𝑅𝑅𝐼𝐼2
𝑤𝑤2 = ln(1 + )
𝑅𝑅 𝐸
Ya que 𝑤𝑤 = 𝑘𝑇𝑇 se obtiene
𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤) = 𝐼𝐼2 = �1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 �
𝑅𝑅
y después de sustituir 𝐼𝐼2 en la penúltima ecuación se obtiene
𝐿𝐿 𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑇𝑅𝑅
𝑤𝑤2 = ln �1 + � � �1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 ��
𝑅𝑅 𝐸
Condición para corriente continua: para 𝐼𝐼1 ≥ 0, la ecuación da
𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑆𝑆 𝑤𝑤 − 1 𝐸
𝐼𝐼1 = � 𝑇𝑅𝑅 �− ≥0
𝑅𝑅 𝑅𝑅
𝑆𝑆 𝑤𝑤 − 1
𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑆𝑆 𝑤𝑤 −1 𝐸
� 𝑇𝑅𝑅 �− ≥0
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑆𝑆 𝑤𝑤 −1
Con la que se obtiene el valor de la relación de fuerza electromotriz (fem) x = E/Vs de

la carga:
𝑘𝑇𝑅𝑅
𝑆𝑆 𝑤𝑤 −1 𝐸
� 𝑇𝑅𝑅 �≥ =𝑥
𝑉𝑉𝑟𝑟
Ejemplo 3
Un convertidor de cd alimenta a una carga RL, con Vs = 220V, R = 5Ω L=7.5mH,

f = 1kHz, k=0.5, E=0V. Calcular a) la corriente instantánea mínima I1 por la carga; b) la
corriente instantánea pico I2 por la carga; c) la corriente de rizo máxima pico a pico; d)
el valor promedio de la corriente por la carga; e) la corriente rms por la carga f) la
resistencia efectiva de entrada vista desde la fuente; g) la corriente rms IR del
interruptor y h) el valor crítico de la inductancia de carga para una corriente continua
de carga. [4]
Solución
a) la corriente instantánea mínima I1 por la carga es:
252
0.5∗0.001∗5
220 𝑆𝑆 0.0075 −1 0
𝐼𝐼1 = � 0.001∗5 �− = 18.37𝐴𝐴
5 5
𝑆𝑆 0.0075 − 1
b) la corriente instantánea pico I2 por la carga:
0.5∗0.001∗5
220 𝑆𝑆 − 0.0075 − 1 0
𝐼𝐼2 = � 0.001∗5 � − = 25.63
5 5
𝑆𝑆 − 0.0075 − 1
c) la corriente de rizo máxima pico a pico es:
∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1 = 25.63 − 18.37 = 7.26𝐴𝐴
220
∆𝐼𝐼𝑟𝑟á𝑥 = = 7.33𝐴𝐴
4 ∗ 0.001 ∗ 0.0075
d) el valor promedio de la corriente por la carga es:
18.37 + 25.63
𝐼𝐼𝑐𝑐 = = 22𝐴𝐴
2
e) Suponiendo que la corriente de carga aumenta en forma lineal de I1 a I2, la

corriente instantánea por la carga se puede expresar como sigue:
∆𝐼𝐼𝑤𝑤
𝑓𝑓1 = 𝐼𝐼1 + 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 0 < 𝑤𝑤 < 𝑘𝑇𝑇
𝑘𝑇𝑇
El valor rms de la corriente de carga se determina:
1 𝑘𝑇
𝐼𝐼𝑜𝑜 = � � (𝑓𝑓1 )2 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 22.1𝐴𝐴
𝑘𝑇𝑇 0
f) La corriente promedio de la fuente es
𝐼𝐼𝑟𝑟 = 𝑘𝐼𝐼𝑐𝑐 = 0.5 ∗ 22 = 11𝐴𝐴
y la resistencia efectiva de entrada es 𝑅𝑅𝑖 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 ⁄𝐼𝐼𝑟𝑟 = 220⁄11 = 20Ω
g) La corriente rms por el convertidor se calcula como sigue:
1 𝑘𝑇
𝐼𝐼𝑜𝑜 = � � (𝑓𝑓1 )2 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 15.63𝐴𝐴
𝑇𝑇 0
253
h) Evaluando la condición para corriente continua
0.5∗0.001∗5
𝑆𝑆 𝑤𝑤 −1 0
� 0.001∗5 �− ≥0
220
Que, por iteración, da como resultado 0.096 mH.
5.5.3 Principio de Operación Elevador
Un convertidor se puede usar para aumentar un voltaje de cd, en la Figura 5.43 se ve

un arreglo para operación de subida.
Figura 5.43 Convertidor de cd arreglo para operación elevador [4]
Suponiendo que el flujo de corriente es continuo, la forma de onda de la corriente en

el inductor se ve en la Figura 5.441.
Figura 5.44 Forma de onda de corriente en inductor L [4]
Cuando se cierra el interruptor SW durante el tiempo t1 la corriente por el inductor L

aumenta y almacena energía. Si se abre el interruptor durante el tiempo t2, la energía
almacenada en el inductor se transfiere a la carga pasando por el diodo D1, y la
corriente por el inductor cae.
Cuando el convertidor se enciende, el voltaje a través del inductor es
𝑑𝑑𝑓𝑓
𝑣𝑤𝑤 = 𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑤𝑤
Que da como resultado la corriente de rizo pico a pico en el inductor:
𝑉𝑉𝑟𝑟
∆𝐼𝐼 = 𝑤𝑤
𝐿𝐿 1
254
El voltaje promedio de salida es:
∆𝐼𝐼 𝑤𝑤1 1
𝑣𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 + 𝐿𝐿 = 𝑉𝑉𝑟𝑟 �1 + � = 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑤𝑤2 𝑤𝑤2 1−𝑘
Si se conecta un capacitor CL grande a través de la carga, como se indica con líneas

interrumpidas en la Figura 5.43, el voltaje de salida es continuo y vo se vuelve el valor
promedio Va. De acuerdo a la ecuación de vo se puede notar que el voltaje a través de
la carga se puede aumentar variando el ciclo de trabajo k, el voltaje mínimo de salida
es Vs cuando k=0. Sin embargo, el convertidor no se puede conmutar continuamente
de tal modo que k=1. Para valores de k que tienden a la unidad, el voltaje de salida se
vuelve muy grande y muy sensible a los cambios de k. Este principio se puede aplicar
para transferir energía de una a otra fuente de voltaje, las condiciones para la
transferencia controlable de potencia son
0 < 𝑉𝑉𝑟𝑟 < 𝐸
Donde E representa una fuente de tensión presente en el lado de la carga. Esta

ecuación indica que el voltaje de suministro Vs debe ser menor que el voltaje E, para
permitir la transferencia de potencia de una fuente fija (o variable) a un voltaje fijo de
cd. En el frenado eléctrico de los motores de cd, cuando éstos funcionan como
generadores de cd en el momento en que son movidos por la inercia de la carga
mecánica acoplada a ellos, el voltaje entre terminales baja a medida que la velocidad
de la máquina baja. El convertidor permite la transferencia de potencia a una fuente
fija de cd o a un reóstato.
5.5.3.1 Principio de operación elevador carga resistiva
En la Figura 5.45 se muestra un convertidor respectivo, considerando la presencia de

una fuente de tensión continua como parte de la carga. Cuando se cierra el interruptor
S1, la corriente aumenta a través de L y el interruptor.
Figura 5.45 Convertidor principio elevador con carga resistiva [4]
El circuito equivalente durante el modo 1 se ve en la Figura 5.45b, y la corriente se

describe con:
255
𝑑𝑑𝑓𝑓1
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑤𝑤
Que, si la corriente inicial es I1, da como resultado
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑓𝑓1 (𝑤𝑤) = 𝑤𝑤 + 𝐼𝐼1
𝐿𝐿
Este modo es válido para 0 ≤ 𝑤𝑤 ≤ 𝑘𝑇𝑇; al final de este modo
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝐼𝐼2 = 𝑓𝑓1 (𝑤𝑤 = 𝑘𝑇𝑇) = 𝑘𝑇𝑇 + 𝐼𝐼1
𝐿𝐿
Cuando se abre el interruptor S1, la corriente del inductor pasa por la carga RL. el
circuito equivalente se ve en la Figura 42c, y la corriente en el modo 2 se describe con
𝑑𝑑𝑓𝑓2
𝑉𝑉𝑟𝑟 = 𝑅𝑅𝑓𝑓2 + 𝐿𝐿 +E
𝑑𝑑𝑤𝑤
Con una corriente inicial 𝐼𝐼2 da como resultado
𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 𝑤𝑤𝑅𝑅 𝑤𝑤𝑅𝑅

𝑓𝑓2 (𝑤𝑤) = �1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 � + 𝐼𝐼2 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
𝐿𝐿
Este modo es válido para 0 ≤ 𝑤𝑤 ≤ (1 − 𝑘)𝑇𝑇; al final de este modo, la corriente de carga
es
𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸 (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅 (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅
𝐼𝐼1 = 𝑓𝑓2 [𝑤𝑤 = (1 − 𝑘)𝑇𝑇] = �1 − 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 � + 𝐼𝐼2 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
𝐿𝐿
Con las respectivas evaluaciones en las ecuaciones resultantes se tiene:
(1−𝑘)𝑇𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘𝑇𝑇 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤 𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸
𝐼𝐼1 = (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅
+
𝐿𝐿 𝑅𝑅
1− 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘𝑇𝑇 1 𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝐸

𝐼𝐼2 = (1−𝑘)𝑇𝑅𝑅
+
𝐿𝐿 𝑅𝑅
1− 𝑆𝑆 − 𝑤𝑤
La corriente de rizo es
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘𝑇𝑇
∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1 =
𝐿𝐿
Estas ecuaciones son válidas para 𝐸 ≤ 𝑉𝑉𝑟𝑟 si 𝐸 ≥ 𝑉𝑉𝑟𝑟 y se abre el interruptor del
256
convertidor S1, el inductor transfiere su energía almacenada a través de R hacia la
fuente, y la corriente por el inductor es discontinua. [4]
Ejemplo 4
Un convertidor elevador de cd, tiene Vs = 220V, R = 5Ω L=6.5mH, f = 1kHz, k=0.5,

E=0V. Calcular a) la corriente instantánea mínima I1 por la carga; b) la corriente
instantánea pico I2. [4]
Solución
a) la corriente instantánea mínima I1 por la carga es
(1−0.5)∗0.001∗5
220 ∗ 0.5 ∗ 0.001 𝑆𝑆 − 0.0065 220 − 0
𝐼𝐼1 = (1−0.5)∗0.001∗5
+ = 3.64𝐴𝐴
0.0065 5
1 − 𝑆𝑆 − 0.0065
b) la corriente instantánea pico I2
220 ∗ 0.5 ∗ 0.001 1 220 − 0

𝐼𝐼1 = (1−0.5)∗0.001∗5
+ = 4.4𝐴𝐴
0.0065 5
1 − 𝑆𝑆 − 0.0065
5.5.4 Parámetros de Funcionamiento
Los dispositivos semiconductores de potencia requieren un tiempo mínimo para

encender y apagar. En consecuencia, el ciclo de trabajo k sólo se puede controlar
entre un valor mínimo kmín y un valor máximo kmáx, limitando así el voltaje mínimo y
máximo de salida. La frecuencia debería ser la mayor posible para reducir la corriente
de rizo en la carga, y para minimizar el tamaño de cualquier inductor adicional en
serie, en el circuito de la carga. Los parámetros de funcionamiento de los
convertidores de subida y de bajada son los siguientes: [4]
Corriente de rizo del inductor, ΔIL,

Frecuencia máxima de conmutación, fmáx,
Condición para corriente continua o discontinua por el inductor,
Valor mínimo del inductor para mantener una corriente continúa en él,
Contenido de rizo del voltaje y la corriente de salida, THD,
Contenido de rizo de la corriente de entrada, THD.
5.5.5 Reguladores de Modo de Conmutación
Los principios de operación antes explicados pueden ser usados en reguladores de
257
modo de conmutación, para convertir un voltaje de cd, normalmente no regulado, en
un voltaje de salida regulado de cd. Los elementos de los reguladores de modo de
conmutación se ven en la Figura 5.46. En el caso de la salida de los convertidores
básicos de cd con carga resistiva el voltaje de salida es discontinuo y contiene
armónicas. El contenido de armónicas se reduce en el caso normal con un filtro LC.
Figura 5.46 Elementos de reguladores de modo de conmutación [4]
Los reguladores de conmutación se consiguen en el comercio en forma de circuitos

integrados. El diseñador puede seleccionar la frecuencia de conmutación escogiendo
los valores de R y C del oscilador de frecuencia. Como regla aproximada, para
maximizar la eficiencia, el periodo mínimo del oscilador debe ser aproximadamente
100 veces mayor que el tiempo de conmutación del transistor; por ejemplo, si un
transistor tiene un tiempo de conmutación de 0.5 µs, el periodo del oscilador sería 50
µs, que equivale a la frecuencia máxima de oscilador de 20 kHz. Esta limitación se
debe a las pérdidas de conmutación en el transistor, que aumentan con la frecuencia
de conmutación, y por ello disminuye la eficiencia. Además, la pérdida en el núcleo de
los inductores limita el funcionamiento en alta frecuencia. El voltaje de control ve se
obtiene comparando el voltaje de salida con el valor que se desea. El vcr se puede
comparar con un voltaje vr en diente de sierra, para generar la señal de control PWM
para el convertidor de cd. Hay cuatro topologías básicas de los reguladores de
conmutación: [4]
1. Reguladores reductores
2. Reguladores elevadores
3. Reguladores reductores y elevadores
4. Reguladores de Cúk
5.5.5.1 Reguladores reductores
En un regulador reductor, el voltaje promedio de salida Vo es menor que el voltaje de

entrada Vs por ello el nombre "reductor"; es un regulador muy difundido. El diagrama
de circuito de un regulador reductor que usa un BJT de potencia se ve en la Figura
258
5.47 y se parece a un convertidor de bajada.
Figura 5.47 Regulador reductor conmutado [4]
De igual forma que se realizó anteriormente, el funcionamiento del circuito se divide

en dos modos. El modo 1 comienza cuando se cierra el transistor Q1 en un t = 0. La
corriente de entrada, que aumenta, pasa por el inductor de filtro L, el capacitor de
filtro C y el resistor de carga R. El modo 2 comienza cuando se apaga el transistor Q1
en t = t1=kT. El diodo de marcha libre Dm conduce, por la energía almacenada en el
inductor, y la corriente del inductor sigue pasando por L, C, la carga y el diodo Dm. La
corriente del inductor baja hasta que el transistor Q1 se enciende de nuevo, en el
siguiente ciclo. En los circuitos prácticos, el interruptor tiene una resistencia finita y
no lineal. En general, su efecto se puede despreciar, en la mayor parte de las
aplicaciones. De acuerdo con la frecuencia de conmutación, la inductancia y
capacitancia del filtro, la corriente del inductor puede ser continua o discontinua. Los
parámetros de funcionamiento que rigen al regulador reductor conmutado son: [4]
Voltaje promedio de salida:

𝑉𝑉𝑐𝑐 = 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟
Suponiendo que el circuito no tiene pérdidas, la corriente promedio de entrada:

𝐼𝐼𝑟𝑟 = 𝑘𝐼𝐼𝑐𝑐
La corriente de rizo pico a pico en el inductor L:
𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 ) 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘(1 − 𝑘)

∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1 = =
𝑓𝑓𝐿𝐿𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝐿𝐿
El periodo de conmutación T:
∆𝐼𝐼 ∗ 𝐿𝐿 ∗ 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑇𝑇 =
𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 )
La corriente promedio del capacitor

∆𝐼𝐼
𝐼𝐼𝑐𝑐 =
4
259
Voltaje de rizo pico a pico del capacitor
∆𝐼𝐼 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘(1 − 𝑘)

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 =
=
8𝑓𝑓𝐶 8𝐿𝐿𝐶𝑓𝑓 2
Condición para corriente continua en el inductor y voltaje continuo en el capacitor:
El valor crítico Lc del inductor

(1 − 𝑘)𝑅𝑅
𝐿𝐿𝑐𝑐 = 𝐿𝐿 =
2𝑓𝑓
El valor crítico Cc del capacitor es
1−𝑘
𝐶𝑐𝑐 = 𝐶 =
16𝐿𝐿𝑓𝑓 2
El regulador reductor sólo requiere un transistor, es sencillo y tiene una eficiencia

alta, mayor que 90%. La tasa di/dt de la corriente de carga se limita con el inductor L.
Sin embargo, la corriente de entrada es discontinua, y en el caso normal se requiere
un filtro de alisamiento en la entrada. Proporciona voltaje de salida de una polaridad,
y corriente unidireccional de salida. Requiere un circuito de protección para el caso de
un posible cortocircuito a través de la trayectoria del diodo. [4]
Ejemplo
Un regulador reductor tiene un voltaje de entrada Vs = 12V. El voltaje promedio

requerido de salida es va = 5V con R=500Ω y un voltaje de rizo de salida, de pico a pico,
de 20mV. La frecuencia de conmutación es 25kHz. Si la corriente de rizo pico a pico
del inductor se limita a 0.8A, calcular a) el ciclo de trabajo k; b) la inductancia L del
filtro; c) el capacitor C del filtro, y d) los valores críticos de L y C. [4]
Solución
a) El ciclo de trabajo k se obtiene a partir de:
𝑉𝑉𝑐𝑐 = 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟 → 𝑘 = 𝑉𝑉𝑐𝑐 ⁄𝑉𝑉𝑟𝑟 = 5⁄12 = 0.4167 = 41.67%
b) La inductancia L del filtro:
𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 ) 𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 ) 5(12 − 5)

∆𝐼𝐼 = → 𝐿𝐿 = = = 145.83𝜇𝐻𝐻
𝑓𝑓𝐿𝐿𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓∆𝐼𝐼𝑉𝑉𝑟𝑟 25000 ∗ 0.8 ∗ 12
c) El capacitor C del filtro
∆𝐼𝐼 ∆𝐼𝐼 0.8

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 = →𝐶= = = 200𝜇𝑅𝑅
8𝑓𝑓𝐶 8𝑓𝑓∆𝑉𝑉𝑐𝑐 8 ∗ 25000 ∗ 0.020
260
d) Los valores críticos de L y C.
(1 − 𝑘)𝑅𝑅 (1 − 0.4167)500
𝐿𝐿𝑐𝑐 = = = 5.83𝑟𝑟𝐻𝐻
2𝑓𝑓 2 ∗ 25000
1−𝑘 1 − 0.4167
𝐶𝑐𝑐 = = = 0.4𝜇𝑅𝑅
16𝐿𝐿𝑓𝑓 2 16 ∗ 0.00583 ∗ 250002
5.5.5.2 Reguladores elevadores
En un regulador elevador el voltaje de salida es mayor que el de entrada; de ahí el

nombre "elevador". En la Figura 5.48 se ve un regulador elevador que usa un MOSFET
de potencia.
Figura 5.48 Regulador elevador conmutado [4]
El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 comienza

cuando se cierra el transistor M1 cuando t = 0. La corriente de entrada, que aumenta,
pasa por el inductor L y el transistor Q1. El modo 2 comienza cuando el transistor M1
se apaga cuando t = kT. La corriente que pasaba por el transistor pasa ahora por L, C,
la carga y el diodo Dm. La corriente en el inductor cae hasta que se enciende de nuevo
el transistor M1, en el ciclo siguiente. La energía almacenada en el inductor L pasa a la
carga. Los parámetros de funcionamiento que rigen al regulador elevador conmutado
son:

𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑐𝑐 =
1−𝑘
𝐼𝐼𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑟𝑟 =
1−𝑘
𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 ) 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘

∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1 = =
𝑓𝑓𝐿𝐿𝑉𝑉𝑐𝑐 𝑓𝑓𝐿𝐿
261
∆𝐼𝐼𝑉𝑉𝑐𝑐 𝐿𝐿
𝑇𝑇 =
𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 )

𝐼𝐼𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 𝐼𝐼𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 )

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 = =
𝑓𝑓𝐶 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝑓𝑓𝐶

𝑘(1 − 𝑘)𝑅𝑅
2𝑓𝑓
𝑘
2𝑓𝑓𝑅𝑅
Un regulador elevador puede subir el voltaje de salida sin un transformador. Como

tiene sólo un transistor, tiene alta eficiencia. La corriente de entrada es continua. Sin
embargo, por el transistor de potencia debe pasar un gran pico de corriente. El voltaje
de salida es muy sensible a los cambios de ciclo de trabajo k y podría ser difícil
estabilizar el regulador. La corriente promedio de salida es menor que la corriente
promedio por el inductor, en un factor (1 - k) y pasaría una corriente rms mucho
mayor por el capacitor del filtro, con lo que se requiere usar un capacitor y un
inductor de filtro mayores que los de un regulador reductor. [4]
Ejemplo
Un regulador elevador tiene un voltaje de entrada Vs = 5V. El voltaje promedio

requerido de salida es Va = 15V y la corriente promedio de carga es Ia = 0.5A. La
frecuencia de conmutación es 25kHz. Si L=150uH y C= 220uF, calcular a) el ciclo de
trabajo; b) la corriente de rizo del inductor; c) la corriente pico por el inductor; d) el
voltaje de rizo del capacitor de filtro y e) los valores críticos de L y C. [4]
Solución
a) El ciclo de trabajo k se obtiene a partir de:
𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑐𝑐 = → 𝑘 = 2⁄3 = 0.666 = 66.6%
1−𝑘
262
b) La corriente de rizo del inductor:
𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 ) 5(15 − 5)

∆𝐼𝐼 = = = 0.89𝐴𝐴
𝑓𝑓𝐿𝐿𝑉𝑉𝑐𝑐 25000 ∗ 150𝑥10−6 ∗ 15
c) La corriente pico por el inductor
𝐼𝐼𝑐𝑐 0.5
𝐼𝐼𝑟𝑟 = = = 1.5𝐴𝐴
1 − 𝑘 1 − 0.666
∆𝐼𝐼 0.89
𝐼𝐼2 = 𝐼𝐼𝑟𝑟 + = 1.5 + = 1.945𝐴𝐴
2 2
d) El voltaje de rizo del capacitor de filtro
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 0.5 ∗ 0.666

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 = = = 60.61𝑟𝑟𝑉𝑉
𝑓𝑓𝐶 25000 ∗ 220𝑥10−6
e) Los valores críticos de L y C.
𝑉𝑉𝑐𝑐 15
𝑅𝑅 = = = 30Ω
0.666(1 − 0.666)30
𝐿𝐿𝑐𝑐 = = 133𝜇𝐻𝐻
2 ∗ 25000
0.666
𝐶𝑐𝑐 = = 0.44𝜇𝑅𝑅
2 ∗ 25000 ∗ 30
5.5.5.3 Reguladores reductores y elevadores
Un regulador reductor y elevador proporciona un voltaje que puede ser menor o

mayor que el voltaje de entrada; de ahí el nombre "reductor-elevador"; la polaridad
del voltaje de salida es contraria a la del voltaje de entrada. Estos reguladores también
se llaman reguladores inversores. En la Figura 5.49 se ve el arreglo del circuito de un
regulador reductor y elevador.
El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el

transistor Q1 está encendido y el diodo Dm tiene polarización inversa. La corriente de
entrada, que aumenta, pasa por el inductor L y el transistor Q1. Durante el modo 2, el
transistor Q1 se apaga y la corriente, que pasaba por el inductor L, pasa a través de L,
C, Dm y la carga. La energía almacenada en el inductor L se transfiere a la carga y la
corriente en el inductor cae hasta que el transistor Q1 se enciende de nuevo en el ciclo
siguiente.
263
Figura 5.49 Regulador reductor-elevador conmutado[4]
Los parámetros de funcionamiento que rigen al regulador elevador conmutado son:

𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘
𝑉𝑉𝑐𝑐 = −
1−𝑘
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘
𝐼𝐼𝑟𝑟 =
1−𝑘
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘

∆𝐼𝐼 = 𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1 = =
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 ) 𝑓𝑓𝐿𝐿
∆𝐼𝐼𝐿𝐿(𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 )
𝑇𝑇 =
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑐𝑐

𝐼𝐼𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑐𝑐
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑐𝑐

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 = =
𝑓𝑓𝐶 𝑓𝑓𝐶(𝑉𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝑟𝑟 )

(1 − 𝑘)𝑅𝑅
2𝑓𝑓
264
𝑘
2𝑓𝑓𝑅𝑅
Un regulador reductor y elevador proporciona inversión de voltaje de salida sin un

transformador. Tiene una eficiencia alta. Cuando hay una falla del transistor, la tasa
di/dt de la corriente de falla queda limitada por el inductor L, y será Vs/L. Sería fácil
implementar la protección contra cortocircuito. Sin embargo, la corriente de entrada
es discontinua, y por el transistor Q1 pasa un gran pico de corriente. [4]
La magnitud de salida del convertidor reductor-elevador puede ser menor o mayor

que la de la fuente, en función del ciclo de trabajo del interruptor. Si k > 0,5 la salida
será mayor que la entrada, y si k < 0,5 la salida será menor que la entrada. Por tanto,
este circuito combina las características de los convertidores reductor y elevador. Sin
embargo, la inversión de la polaridad en la salida puede ser una desventaja para
algunas aplicaciones. [2]
Ejemplo
Un regulador reductor-elevador tiene un voltaje de entrada Vs = 12V. El ciclo de

trabajo es k=0.25 y la frecuencia de conmutación es 25kHz. L=150µH y C= 220µF. La
corriente promedio de carga es Ia = 1.25A. Calcular a) el voltaje promedio de salida; b)
la ondulación pico a pico de voltaje de salida; c) la corriente de rizo de pico a pico del
inductor; d) la corriente pico en el transistor; y c) los valores críticos de L y C. [4]
Solución
a) El voltaje promedio de salida se obtiene a partir de:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘 12 ∗ 0.25
𝑉𝑉𝑐𝑐 = − =− = −4
1−𝑘 1 − 0.25
b) La ondulación pico a pico de voltaje de salida:
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 1.25 ∗ 0.25

∆𝑉𝑉𝑐𝑐 = = = 56.8𝑟𝑟𝑉𝑉
𝑓𝑓𝐶 25000 ∗ 220𝑥10−6
c) La corriente de rizo del inductor:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘 12 ∗ 0.25
∆𝐼𝐼 = = = 0.8𝐴𝐴
𝑓𝑓𝐿𝐿 25000 ∗ 150𝑥10−6
d) La corriente pico por el inductor
265
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 1.25 ∗ 0.25
𝐼𝐼𝑟𝑟 = = = 0.4167𝐴𝐴
1−𝑘 1 − 0.25
Como 𝐼𝐼𝑟𝑟 es el promedio de duración kT, la corriente pico a pico en el transistor

es:
𝐼𝐼𝑟𝑟 ∆𝐼𝐼 0.4167 0.8
𝐼𝐼2 = + = + = 2.067𝐴𝐴
𝑘 2 0.25 2
e) Los valores críticos de L y C.
𝑉𝑉𝑐𝑐 4
𝑅𝑅 = = = 3.2Ω
(1 − 0.25) 3.2
𝐿𝐿𝑐𝑐 = = 450𝜇𝐻𝐻
2 ∗ 25000
0.25
𝐶𝑐𝑐 = = 1.56𝜇𝑅𝑅
2 ∗ 25000 ∗ 3.2
5.5.5.4 Reguladores de Cúk
En la Figura 5.50 se ve el circuito del regulador de Cúk, usando un transistor de

potencia (IGBT).
Figura 5.50 Regulador reductor-elevador Cúk [4]
En forma similar al regulador reductor-elevador, el de Cúk proporciona un voltaje de

salida que es menor o mayor que el voltaje de entrada, pero la polaridad del voltaje de
salida es contraria a la del voltaje de entrada.
El funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 comienza

cuando el transistor Q1 se enciende en t = 0. Aumenta la corriente a través del
inductor L1. Al mismo tiempo, el voltaje del capacitor C1 polariza el diodo Dm en
sentido inverso y lo abre. El capacitor C1 descarga su energía al circuito formado por
266
C1, C2, la carga y L2. El modo 2 comienza cuando el transistor Q1 se apaga cuando t =
kT. El diodo Dm adquiere polarización directa y el capacitor C1 se carga a través de L1,
Dm y el suministro de entrada Vs. La energía almacenada en el inductor L2 pasa a la
carga. El diodo Dm y el transistor Q1 proporcionan una acción de conmutación
sincrónica. El capacitor C1 es el medio de transferencia de energía de la fuente a la
carga. Los parámetros de funcionamiento que rigen al regulador elevador conmutado
son:

𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘
𝑉𝑉𝑐𝑐 = −
1−𝑘
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘
𝐼𝐼𝑟𝑟 =
1−𝑘
La corriente de rizo pico a pico en el inductor L1:
𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐1 ) 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘

∆𝐼𝐼1 = − =
𝑓𝑓𝐿𝐿1 𝑉𝑉𝑐𝑐1 𝑓𝑓𝐿𝐿1
La corriente de rizo pico a pico en el inductor L2:
𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑐𝑐1 + 𝑉𝑉𝑐𝑐 ) 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘

∆𝐼𝐼2 = − =
𝑓𝑓𝐿𝐿2 𝑉𝑉𝑐𝑐1 𝑓𝑓𝐿𝐿2
∆𝐼𝐼1 𝐿𝐿1 𝑉𝑉𝑐𝑐1 ∆𝐼𝐼2 𝐿𝐿2 𝑉𝑉𝑐𝑐1
𝑇𝑇 = − =−
𝑉𝑉𝑟𝑟 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐1 ) 𝑉𝑉𝑐𝑐 (𝑉𝑉𝑐𝑐1 + 𝑉𝑉𝑐𝑐 )

𝐼𝐼𝑐𝑐1 = 𝐼𝐼𝑐𝑐
Voltaje de rizo pico a pico del capacitor C1
𝐼𝐼𝑟𝑟 (1 − 𝑘) 𝐼𝐼𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑟𝑟

∆𝑉𝑉𝑐𝑐1 = =
𝑓𝑓𝐶1 𝑓𝑓𝐶1 (𝑉𝑉𝑟𝑟 − 𝑉𝑉𝑐𝑐 )
Voltaje de rizo pico a pico del capacitor C2
∆𝐼𝐼2 𝑉𝑉𝑐𝑐 (1 − 𝑘) 𝑘𝑉𝑉𝑟𝑟

∆𝑉𝑉𝑐𝑐2 = =− =
8𝑓𝑓𝐶2 8𝑓𝑓𝐶2 𝐿𝐿2 𝑓𝑓 2 8𝑓𝑓𝐶2 𝐿𝐿2 𝑓𝑓 2
267
El valor crítico Lc1 del inductor

(1 − 𝑘)2 𝑅𝑅
𝐿𝐿𝑐𝑐1 = 𝐿𝐿1 =
2𝑘𝑓𝑓
El valor crítico Lc1 del inductor

(1 − 𝑘)𝑅𝑅
𝐿𝐿𝑐𝑐2 = 𝐿𝐿2 =
2𝑓𝑓
El valor crítico Cc1 del capacitor es

𝑘
𝐶𝑐𝑐1 = 𝐶1 =
2𝑓𝑓𝑅𝑅
El valor crítico Cc2 del capacitor es

1
𝐶𝑐𝑐2 = 𝐶2 =
8𝑓𝑓𝑅𝑅
El regulador de Cúk se basa en la transferencia de energía del capacitor. En

consecuencia, la corriente de entrada es continua. El circuito tiene pocas pérdidas de
conmutación y gran eficiencia. Cuando se enciende el transistor Q1 debe conducir las
corrientes de los inductores L1 y L2. Como consecuencia, pasa un gran pico de
corriente por ese transistor. Como el capacitor proporciona la transferencia de
energía, la corriente de rizo en el capacitor C1 también es alta. Este circuito también
requiere un capacitor y un inductor adicionales. [4]
Ejemplo
El voltaje de entrada de un convertidor de Cúk es Vs = 12V. El ciclo de trabajo es

k=0.25 y la frecuencia de conmutación es 25kHz. La inductancia y capacitancia de
filtro es L2=150µH y C2= 220µF. La capacitancia de transferencia de energía es C1 =
200µF, y la inductancia L1=180µH.La corriente promedio de carga es Ia = 1.25A.
Determinar a) el voltaje promedio de salida; b) la corriente promedio de entrada; c) la
corriente de rizo pico a pico del inductor L1; d) el voltaje de rizo pico a pico del
capacitor C1; e) la corriente pico a pico en el inductor L2; f) el voltaje de rizo pico a pico
del capacitor C2. [4]
Solución
a) El voltaje promedio de salida se obtiene a partir de:

𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘 12 ∗ 0.25
𝑉𝑉𝑐𝑐 = − =− = −4
1−𝑘 1 − 0.25
268
b) La corriente promedio de entrada es:
𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑘 1.25 ∗ 0.25

𝐼𝐼𝑟𝑟 = = = 0.42𝐴𝐴
1−𝑘 1 − 0.25
c) La corriente de rizo pico a pico del inductor L1:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘 12 ∗ 0.25
∆𝐼𝐼1 = = = 0.67𝐴𝐴
𝑓𝑓𝐿𝐿1 25000 ∗ 180𝑥10−6
d) El voltaje de rizo pico a pico del capacitor C1:
𝐼𝐼𝑟𝑟 (1 − 𝑘) 0.42(1 − 0.25)

∆𝑉𝑉𝑐𝑐1 = = 0.67𝑉𝑉
𝑓𝑓𝐶1 25000 ∗ 200𝑥10−6
e) La corriente pico a pico en el inductor L2:
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑘 12 ∗ 0.25
∆𝐼𝐼2 = = = 0.8𝐴𝐴
𝑓𝑓𝐿𝐿 25000 ∗ 150𝑥10−6
f) El voltaje de rizo pico a pico del capacitor C2
∆𝐼𝐼2 0.8
∆𝑉𝑉𝑐𝑐2 = = = 18.18𝑟𝑟𝑉𝑉
8𝑓𝑓𝐶2 8 ∗ 25000 ∗ 220𝑥10−6
5.6 INVERSORES CD-CA
En los convertidores estudiados anteriormente (rectificadores y reguladores)

transformábamos las características de la energía de entrada al convertidor (energía
suministrada por la red eléctrica), pasando de tensión alterna a continua, de tensión
alterna a alterna de diferente valor eficaz y de tensión continua a continua de
diferente valor eficaz; pero en ningún caso teníamos la posibilidad de variar la
frecuencia de esta tensión. Tampoco se tenía la posibilidad de obtener corriente
alterna a partir de fuentes de corriente continua (baterías, acumuladores, una celda de
combustible, celda solar u otra fuente de cd.). Para dar solución a estos problemas,
aparecen los convertidores DC-AC, denominados comúnmente "inversores". [2]
Existen aplicaciones en las que realmente lo que interesa, es la posibilidad de variar la

frecuencia en un amplio margen (a la vez que la amplitud de la tensión). Este es el
caso de los variadores de frecuencia utilizados en la regulación de velocidad de los
motores de alterna (asíncronos y síncronos).
269
En un inversor la alimentación se obtiene a partir de la tensión de red, alterna trifásica
o monofásica, obteniendo una etapa intermedia de tensión continua, denominada "DC
LINK", por medio del conjunto formado por un rectificador y filtro. A continuación se
coloca el inversor entre la " DC LINK " y el motor, como se muestra en la Figura 5.1.
Figura 5.51 Esquema de bloques de circuito de potencia de variador de velocidad [3]
Otras aplicaciones que utiliza el mismo esquema, serían la de calentamiento por

inducción, el inversor también es utilizado en fuentes de alimentación
ininterrumpidas (SAl). En este caso se requiere que a partir de energía continua,
previamente almacenada en baterías, se obtenga corriente alterna de frecuencia fija
(en la mayoría de los casos 60 Hz), para la alimentación de centros de consumo, donde
no se puede permitir una pérdida de suministro (quirófanos, unidades de cuidados
intensivos, etc). Por último las tensiones de salida de un inversor ideal, deberían ser
perfectamente senoidales, sin embargo en la realidad no lo son y contienen
armónicos. Para aplicaciones de baja y media potencia, tensiones con forma de onda
cuadradas o"casi cuadradas" pueden ser aceptables; pero para altas potencias se
requieren formas de onda con baja distorsión. Con la disponibilidad de
semiconductores de potencia de alta velocidad, el contenido de armónicos puede ser
reducido o minimizado significativamente, utilizando técnicas de conmutación
adecuadas. Los elementos semiconductores más utilizados en los inversores son: BJT,
MOSFET, IGBT, GTO.
En una clasificación general de los inversores, un primer nivel de división depende de

la alimentación utilizada. Por un lado se tienen los alimentados por fuente de corrient
(CSI, current source inverters), utilizados casi exclusivamente en el campo de la
regulación de velocidad para potencias elevadas, y, por otro, los alimentados por
fuente de tensión (VSI voltage source invertes), ampliamente utilizados en la mayoría
de aplicaciones. En el segundo nivel se dividen, según el tipo de la tensión alterna
obtenida, pudiendo ser monofásicos o trifásicos. La división en los últimos niveles se
realiza atendiendo, a las técnicas de control empleadas en la obtención de la forma de
onda de la tensión de salida.
[4] Los VSI se subdividen en las siguientes tres categorías generales:
270
1. Inversores de onda cuadrada. En estos inversores, el voltaje de CD de entrada
se controla a fin de controlar la magnitud del voltaje de CA de salida, y el
inversor sólo controlar la frecuencia del voltaje de salida. El voltaje de CA de
salida tiene una forma de onda parecida a una onda cuadrada, y por este
motivo estos inversores se denominan inversores de onda cuadrada.
2. l. Inversores modulados por ancho de pulsos. En estos inversores, el voltaje de

CD de entrada es esencialmente de magnitud constante. Por tanto, el inversor
debe controlar la magnitud y la frecuencia de los voltajes de CA de salida. Esto
se logra mediante PWM de los interruptores del inversor, y por ende estos
inversores se llaman inversores PWM. Hay varios métodos para modular los
interruptores del inversor por ancho de pulsos a fin de formar los voltajes de
CA de salida, de modo que sean lo más parecido posible a una onda sinusoidal.
3. Inversores monofásicos con cancelación de voltaje. En el caso de inversores

con salida monofásica es posible controlar la magnitud y la frecuencia del
voltaje de salida del inversor, aunque la entrada al inversor sea un voltaje de
CD constante y los interruptores del inversor no se modulen por anchura de
pulsos (y por ende la forma de onda del voltaje de salida sea como una onda
cuadrada). Por tanto, estos inversores combinan las características de los dos
inversores anteriores. Se debe notar que la técnica de cancelación de voltaje
sólo funciona en el caso de inversores monofásicos y no para trifásicos.
A continuación se abordará los inversores alimentados por fuente de tensión, en

primer lugar, el principio de funcionamiento del inversor monofásico puente con
modulación de onda cuadrada. Este principio, servirá de base para el buen
entendimiento de todos los métodos de control respecto a los inversores. De estos
diferentes métodos de PWM se analizará en detalle uno llamado PWM sinusoidal,
debido a su gran importancia en la industria. Una vez asimilados estos dos métodos de
control en inversores monofásicos pasaremos al estudio de los inversores trifásicos.
[3]
5.6.1 Análisis Mediante Series de Fourier
En los inversores, el método de las series de Fourier suele ser la manera más práctica
de analizar la corriente de la carga y de calcular la potencia absorbida en una carga,
especialmente cuando la carga es más compleja que una simple carga resistiva o RL.
Un enfoque útil en el análisis de inversores es expresar la tensión de salida y la
corriente de la carga en términos de una serie de Fourier. Si no hay componente de
continua en la salida [2].
∞
𝑣𝑜𝑜 (𝑤𝑤) = � 𝑉𝑉𝑛𝑛 sen(𝑆𝑆𝑤𝑤𝑜𝑜 𝑤𝑤 + 𝜃𝜃𝑛𝑛 )

𝑛𝑛=1.
271
∞
𝑓𝑓𝑜𝑜 (𝑤𝑤) = � 𝐼𝐼𝑛𝑛 sen(𝑆𝑆𝑤𝑤𝑜𝑜 𝑤𝑤 + ∅𝑛𝑛 )

𝑛𝑛=1.
La potencia absorbida por una carga con una resistencia serie se calcula a partir de
2
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 ∗ 𝑅𝑅, donde la corriente rms se puede determinar a partir de las corrientes eficaces
correspondientes a cada una de las componentes de la serie de Fourier:
∞ ∞ 2
2 𝐼𝐼𝑛𝑛
𝐼𝐼𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = �� 𝐼𝐼𝑛𝑛,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = ��
n=1 𝑛𝑛=1
√2
Donde
𝑉𝑉𝑛𝑛
𝐼𝐼𝑛𝑛 =
𝑍𝑍𝑛𝑛
y Zn es la impedancia de la carga para el armónico n. De igual manera, se puede

determinar la potencia absorbida en la resistencia de carga para cada frecuencia en
las series de Fourier. La potencia total se determina a partir de
∞
𝑃𝑃 = � 𝐼𝐼𝑛𝑛,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 2 ∗ 𝑅𝑅
n=1
Donde
𝐼𝐼𝑛𝑛
𝐼𝐼𝑛𝑛,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑆𝑆𝑓𝑓
√2
En el caso de una onda cuadrada, las series de Fourier contienen los armónicos
impares, y pueden representarse así:
∞
4𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑣𝑜𝑜 = � sen 𝑆𝑆𝑤𝑤𝑜𝑜 𝑤𝑤
𝑆𝑆𝜋𝜋
𝑛𝑛=1,..
5.6.2 Parámetros de Rendimiento
La salida de los inversores prácticos contiene armónicas, y la calidad de un inversor se

suele evaluar en términos de los siguientes parámetros de rendimiento.
Factor armónico de la n-ésima armónica (HFn). El factor armónico (de la n-ésima

armónica), que es una medida de la contribución individual de esa armónica, se define
como
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛
𝐻𝐻𝑅𝑅𝑛𝑛 = 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 𝑆𝑆 > 1
𝑉𝑉𝑜𝑜1
272
Donde Vo1 es el valor rms de la componente fundamental, y Von es el valor rms de la
n- ésima componente armónica.
Distorsión armónica total (THD). La distorsión armónica total, que es una medida de la
coincidencia de formas entre una onda y su componente fundamental, se define como
∞ 1�
2
1 𝑉𝑉𝑜𝑜 2 − 𝑉𝑉𝑜𝑜1 2
𝑇𝑇𝐻𝐻𝐹𝐹 = � � 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛 2 � =�
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑉𝑉𝑜𝑜1 2
𝑛𝑛=2,3,..
Factor de distorsión (DF). La THD expresa el contenido total de armónicas, pero no

indica el nivel de cada componente armónico. Si se usa un filtro a la salida de los
inversores, las armónicas de orden mayor se atenúan con más eficacia. Por
consiguiente, es importante conocer tanto la frecuencia como la magnitud de cada
armónica. El DF indica la cantidad de distorsión armónica que queda en determinada
forma de onda después de someter a las armónicas de esa onda a una atenuación de
segundo orden, es decir, dividirlas entre n2 Así, el factor de distorsión es una medida
de la eficacia de reducción de armónicas no deseadas, sin tener que especificar los
valores de un filtro de carga de segundo orden, y se define como sigue:
∞ 1�
2
1 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛 2
𝐹𝐹𝑅𝑅 = � � � 2� �
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑆𝑆
𝑛𝑛=2,3,..
El DF de un componente armónico individual (o el n-ésimo) se define como
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛
𝐹𝐹𝑅𝑅𝑛𝑛 = 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 𝑆𝑆 > 1
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑆𝑆2
Armónica de orden más bajo (LOH). La LOH es aquel componente armónico cuya
frecuencia se acerca más a la de la fundamental, y su amplitud es mayor o igual al 3%
de la componente fundamental. [4]
5.6.3 Principio de Funcionamiento Inversor Monofásico Puente con Modulación

de Onda Cuadrada
En la Figura 5.52a, se muestra un puente inversor (VSI, de voltage source inverter,

inversor de fuente de voltaje) monofásico para fuente de voltaje. Consiste en cuatro
interruptores periódicos. Cuando los transistores Ql y Q2 encienden en forma
simultánea, el voltaje de alimentación Vs aparece a través de la carga. Si los
transistores Q3 y Q4 se encienden al mismo tiempo, se invierte el voltaje a través de la
carga y es – Vs.
273
Figura 5.52 Inversor monofásico puente [4]
Observe que Q1 y Q4 no deberían estar cerrados al mismo tiempo, ni tampoco Q2 y Q3,

de otra manera habría un cortocircuito en la fuente de continua. Los transistores
reales no se abren y se cierran instantáneamente. Por tanto, deben tenerse en cuenta
los tiempos de transición de la conmutación al diseñar el control de los transistores. El
solapamiento de los tiempos de conducción de los transistores resultaría en un
cortocircuito, denominado en ocasiones fallo de solapamiento (shoot-through fault) en
la fuente de tensión continua. El tiempo permitido para la conmutación se denomina
tiempo muerto (blanking time).
La conmutación periódica de la tensión de la carga entre +Vs y -Vs genera en la carga

una tensión con forma de onda cuadrada. Aunque esta salida alterna no es sinusoidal,
puede ser una onda de alterna adecuada para algunas aplicaciones. La forma de onda
de la corriente en la carga depende de los componentes de la carga. En una carga
resistiva, la forma de onda de la corriente se corresponde con la forma de la tensión
de salida. Una carga inductiva tendrá una corriente con más calidad sinusoidal que la
tensión, a causa de las propiedades de filtrado de las inductancias. Una carga inductiva
requiere ciertas consideraciones a la hora de diseñar el circuito en puente de onda
completa, ya que las corrientes de los transistores deben ser bidireccionales.
Los transistores en el circuito en puente de onda completa deben ser capaces de

transportar tanto corrientes positivas como negativas para cargas RL. Sin embargo,
274
estos dispositivos electrónicos reales suelen conducir la corriente sólo en una
dirección. Este problema se resuelve situando diodos de realimentación en paralelo
con cada transistor. En el intervalo de tiempo en el que la corriente en el transistor
debería ser negativa, es el diodo de realimentación el que deja pasar la corriente. Los
diodos están polarizados en inversa cuando la corriente circula a través del transistor.
La Figura 5.52c muestra las corrientes de transistor y de diodo para una tensión con
forma de onda cuadrada y una carga RL.
Los módulos semiconductores de potencia suelen incluir diodos de realimentación

junto a los transistores. Por tanto, cuando los transistores Q1 y Q2 son apagados en la
Figura 5.52a, la corriente de la carga debe ser mantenida y se transferirá a los diodos
D3 y D4, haciendo que la tensión de salida sea -Vs antes de que Q3 y Q4 sean
encendidos. Luego se debe encender los transistores Q3 y Q4 antes de que la corriente
de la carga disminuya hasta cero. [2]
El voltaje rms de salida se puede calcular con
𝑇�
1 2
𝑉𝑉𝑜𝑜 = � � 𝑉𝑉𝑟𝑟 2 𝑑𝑑𝑤𝑤 = 𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑇𝑇 0
La onda cuadrada a la salida del inversor a través de la serie de Fourier se puede

descomponer en una sumatoria de senos que permite realizar cálculos y análisis en
régimen permanente de CA. El voltaje instantáneo de salida en forma de serie de
Fourier, es:
∞
4𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑣𝑜𝑜 = � sen 𝑆𝑆𝑤𝑤𝑤𝑤
𝑆𝑆𝜋𝜋
𝑛𝑛=2,3,5,..
Para n = 1, la ecuación expresa el valor rms de la componente fundamental:
4𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉1 =
√2𝜋𝜋
La corriente instantánea io para una carga RL es

∞
4𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑓𝑓𝑜𝑜 = � sen(𝑆𝑆𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃𝑛𝑛 )
𝑛𝑛=2,3,5,..
𝑆𝑆𝜋𝜋√𝑅𝑅2 + 𝑆𝑆𝑤𝑤𝐿𝐿2
Donde 𝜃𝜃𝑛𝑛 = tan−1 𝑆𝑆𝑤𝑤𝐿𝐿⁄𝑅𝑅
Corriente de alimentación de cd. Sin tener en cuenta las pérdidas, se puede

determinar la corriente cd de alimentación instantánea como sigue:
275
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑉𝑉𝑜𝑜1
𝑓𝑓𝑟𝑟 (𝑤𝑤) = 𝐼𝐼𝑜𝑜 cos 𝜃𝜃1 − 𝐼𝐼 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓(2𝑤𝑤𝑤𝑤 − 𝜃𝜃1 )
𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑜𝑜
En la que
Vo1 es el voltaje rms fundamental de salida,

Io es la corriente rms en la carga,
ϴ1 es el ángulo de impedancia de carga a la frecuencia fundamental.
La ecuación indica la presencia de una armónica de segundo orden del mismo orden
de magnitud que la corriente de alimentación cd. Esta armónica se inyecta de regreso
a la fuente de voltaje de cd. Así, el diseño debe considerar que de este modo se
garantiza un voltaje cd de enlace casi constante. Se conecta normalmente un capacitor
grande a través del voltaje de cd de la fuente, y ese capacitor es costoso y ocupa
espacio; ambas cosas son indeseables, en especial con fuentes de alimentación de
potencia intermedia y alta. [4]
Ejemplo
Un inversor monofásico puente tiene una carga resistiva de R = 2.4Ω y el voltaje

directo de entrada es Vs = 48 V. Determinar a) el voltaje rms de salida a la frecuencia
fundamental; b) la potencia de salida c) las corrientes promedio y pico en cada
transistor; d) el voltaje pico de bloqueo inverso de cada transistor; e) la THD, e) el DF
y g) el HF de la LOH. [4]
Solución
a) El voltaje rms de salida a la frecuencia fundamental:
4𝑉𝑉𝑟𝑟 4 ∗ 48
𝑉𝑉1 = = = 43.2𝑉𝑉
√2𝜋𝜋 √2𝜋𝜋
b) La potencia de salida es:

𝑉𝑉𝑟𝑟 2 482
𝑃𝑃𝑜𝑜 = = = 960𝑤𝑤
𝑅𝑅 2.4
c) La corriente pico en el transistor es IP = 48/2.4 = 20 A. Como cada transistor

conduce con un ciclo de trabajo de 50%, la corriente promedio por cada
transistor es IQ = 0.5 X 20 = 10 A.
d) El voltaje pico inverso de bloqueo es VBR = 48 V.
e) El THD viene dado por:
276
∞ 1�
2
1 𝑉𝑉𝑜𝑜 2 − 𝑉𝑉𝑜𝑜1 2 482 − 43.22
𝑇𝑇𝐻𝐻𝐹𝐹 = � � 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛 2 � =� = � = 48.34%
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑉𝑉𝑜𝑜1 2 43.22
𝑛𝑛=2,3,..
f) El DF viene dado por:

∞ 1�
2
1 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛 2
𝐹𝐹𝑅𝑅 = � � � 2� � = 5.38%
𝑉𝑉𝑜𝑜1 𝑆𝑆
𝑛𝑛=2,3,..
g) La LOH es la tercera
4𝑉𝑉𝑟𝑟 4𝑉𝑉𝑟𝑟
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑛𝑛 √2 ∗ 𝑆𝑆 ∗ 𝜋𝜋 ∗ 3 ∗ 𝜋𝜋 1
𝐻𝐻𝑅𝑅3 = = = √2 = = 0.3333 = 33.33%
𝑉𝑉𝑜𝑜1 4𝑉𝑉𝑟𝑟 4𝑉𝑉𝑟𝑟 3
√2𝜋𝜋 √2𝜋𝜋
5.6.4 Principio de Funcionamiento Inversor Monofásico Puente con PWM y VSI
La modulación por ancho de pulso (PWM, Pulse Width Modulation) proporciona un

método de disminuir el factor THD de la corriente de carga. Una salida de un inversor
PWM, con algo de filtrado, en general cumple las especificaciones de THD con más
facilidad que el esquema de conmutación de onda cuadrada. La salida PWM sin filtrar
tendrá un factor THD relativamente elevado, pero los armónicos tendrán unas
frecuencias mucho más altas que las de la onda cuadrada, haciendo más sencillo el
filtrarlos.
En la modulación PWM, la amplitud de la tensión de salida se puede controlar por

medio de las formas de onda moduladoras. Dos ventajas de la modulación PWM son la
reducción de los requerimientos de filtro para reducir los armónicos y el control de la
amplitud de salida. Entre las desventajas se puede citar que los circuitos de control de
los interruptores son más complejos, y que hay unas mayores pérdidas debidas a una
conmutación más frecuente.
El control de los interruptores para la salida sinusoidal PWM requiere (1) una señal
de referencia, llamada a veces señal de control o moduladora, que en este caso es una
sinusoide; y (2) una señal portadora, que es una onda triangular que controla la
frecuencia de conmutación. A continuación vamos a analizar los esquemas de
conmutación bipolar y unipolar. [2]
5.6.4.1 Conmutación bipolar
La Figura 5.53 ilustra el principio de la modulación por ancho de pulso bipolar

sinusoidal. La Figura 5.53a muestra una señal sinusoidal de referencia y una señal
277
portadora triangular.
Figura 5.53 Modulación por ancho de pulso bipolar [2]
Cuando el valor instantáneo de la sinusoide de referencia es mayor que la portadora

triangular, la salida está en +Vs y cuando la referencia es menor que la portadora, la
salida está en -Vs:
𝑣𝑜𝑜 = +𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 > 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑣𝑜𝑜 = −𝑉𝑉𝑟𝑟 𝑓𝑓𝑃𝑃𝑟𝑟𝑃𝑃 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 < 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
Esta versión de PWM es bipolar, ya que la salida toma valores alternos entre más y
menos la tensión de la fuente de continua. El esquema de conmutación que permitirá
implementar la conmutación bipolar utilizando el puente inversor de onda completa
de la Figura 49a, se determina comparando las señales instantáneas de referencia y
portadora: [2]
𝑄1 𝑦 𝑄2 𝑆𝑆𝑓𝑓𝑤𝑤𝑃𝑃𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 > 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖 (𝑣𝑜𝑜 = +𝑉𝑉𝑟𝑟 )

𝑄3 𝑦 𝑄4 𝑆𝑆𝑓𝑓𝑤𝑤𝑃𝑃𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 > 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖 (𝑣𝑜𝑜 = +𝑉𝑉𝑟𝑟 )
5.6.4.2 Conmutación unipolar
En un esquema de conmutación unipolar para la modulación por ancho de pulso,

Figura 5.54, la salida se conmuta de nivel alto a cero, o de nivel bajo a cero, en lugar de
entre niveles alto y bajo, como en la conmutación bipolar. En este caso los transistores
no son conmutados simultáneamente utilizando una única tensión de control, sino
278
que se controlan de forma independiente haciendo uso de dos señales de control. Un
esquema de conmutación unipolar tiene los siguientes controles de interruptores:
𝑄1 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 > 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖

𝑄2 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 − 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 < 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄3 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 − 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 > 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄4 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑣𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜 < 𝑣𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
Figura 5.54 Modulación por ancho de pulso unipolar [2]
Observe que los pares de transistores (Q1, Q4) y (Q2, Q3) son complementarios: cuando
un interruptor de uno de los pares está cerrado, el otro está abierto. Las tensiones va y
vb en la Figura 5.54b oscilan entre +Vs y cero. La tensión de salida vo = vab = va - vb es
tal y como se muestra en la Figura 5.54c. [2]
5.6.4.3 Definiciones y consideraciones relativas a la modulación PWM
Llegados a este punto, deberían apuntarse algunas definiciones y consideraciones que

resultan de utilidad al utilizar PWM.
279
1. Índice de modulación de frecuencia mf: La serie de Fourier de la tensión de salida
PWM tiene una frecuencia fundamental que es la misma que la de la señal de
referencia. Las frecuencias armónicas existen en y alrededor de los múltiplos de la
frecuencia de conmutación. Los valores de algunos armónicos son bastante grandes, a
veces mayores que la componente fundamental. Sin embargo, como estos armónicos
se encuentran en frecuencias altas, para eliminarlos puede bastar con un simple filtro
paso bajo. El índice de modulación de frecuencia mf se define como la relación entre
las frecuencias de las señales portadora y de referencia:
𝑓𝑓𝑝𝑜𝑜𝑟𝑟𝑤𝑤𝑐𝑐𝑐𝑐𝑜𝑜𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑓𝑓𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑟𝑟𝑓𝑓 = =
𝑓𝑓𝑟𝑟𝑒𝑓𝑓𝑒𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑐𝑐𝑖𝑐𝑐 𝑓𝑓𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜
Al aumentar la frecuencia de la portadora (aumento de mf) aumentan las frecuencias a

las que se producen los armónicos. Una desventaja de las elevadas frecuencias de
conmutación son las mayores pérdidas en los interruptores utilizados para
implementar el inversor.
2. Índice de modulación de amplitud ma: El índice de modulación de amplitud ma se

define como la relación entre las amplitudes de las señales de referencia y portadora:
𝑉𝑉𝑟𝑟,𝑟𝑟𝑒𝑓𝑓𝑒𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑐𝑐𝑖𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟,𝑟𝑟𝑒𝑛𝑛𝑜𝑜
𝑟𝑟𝑐𝑐 = =
𝑉𝑉𝑟𝑟,𝑝𝑜𝑜𝑟𝑟𝑤𝑤𝑐𝑐𝑐𝑐𝑜𝑜𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟,𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
Si 𝑟𝑟𝑐𝑐 < 1, la amplitud a la frecuencia fundamental de la tensión de salida, V1, es

linealmente proporcional a ma. Es decir,
𝑉𝑉1 = 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟
De esta manera, la amplitud a la frecuencia fundamental de la tensión de salida con

PWM está controlada por ma. Esto resulta importante en el caso de una fuente de
tensión continua sin regular, porque el valor de ma se puede ajustar para compensar
las variaciones en la tensión continua de la fuente, produciendo una salida de
amplitud constante. Por otra parte, ma se puede variar para cambiar la amplitud de la
salida. Si ma es mayor que uno, la amplitud de la salida aumenta al incrementarse el
valor de ma, pero no de forma lineal.
3. Interruptores: Los interruptores en el circuito en puente de onda completa deben

ser capaces de transportar la corriente en cualquier dirección para la modulación por
ancho de pulso, al igual que lo hacen para operación con una onda cuadrada. Así, son
necesarios diodos de realimentación en los dispositivos de conmutación. Otra
consecuencia de utilizar interruptores reales es que no se abren o se cierran
instantáneamente. Por tanto, es necesario tener en cuenta los tiempos de conmutación
en el control de los interruptores.
280
4. Tensión de referencia: La tensión de referencia sinusoidal debe generarse dentro
del circuito de control del inversor, o tomarse de una referencia externa. Podría
parecer que la función del puente inversor es irrelevante, porque se necesita que haya
una tensión sinusoidal presente antes de que el puente pueda generar una salida
sinusoidal. Sin embargo, la señal de referencia requiere muy poca potencia. La
potencia suministrada a la carga proviene de la fuente de potencia de continua, y éste
es el propósito que se persigue con el inversor. La señal de referencia no está
restringida a una señal sinusoidal. La señal podría ser una señal de audio, y el circuito
en puente de onda completa podría utilizarse como amplificador de audio PWM. [2]
5.6.4.4 Armónicos en la modulación PWM
La serie de Fourier de la salida de modulación PWM bipolar mostrada en la Figura

5.53b se calcula examinando cada uno de los pulsos. La forma de onda triangular está
sincronizada con la de referencia, como se muestra en la Figura 5.53a, y se elige una
mf que sea un entero impar. Entonces la salida PWM muestra una simetría impar, y se
puede expresar la serie de Fourier como:
∞
𝑣𝑜𝑜 (𝑤𝑤) = � 𝑉𝑉𝑛𝑛 sen(𝑆𝑆𝑤𝑤𝑜𝑜 𝑤𝑤)

𝑛𝑛=1.
Los armónicos en la forma de onda del voltaje de salida del inversor aparecen como
bandas laterales, centradas alrededor de la frecuencia de conmutación y sus múltiplos,
es decir, alrededor de los armónicos mf, 2mf, 3mf, etc. Este patrón general conserva su
validez para todos los valores de ma en el rango de 0-1.
Para una relación de modulación de frecuencia mf ≤ 9 (lo que siempre es el caso, salvo
en potencias nominales muy altas), las amplitudes armónicas son casi independientes
de mf, aunque mf define las frecuencias en las que ocurren. En teoría, las frecuencias
en las que ocurren armónicos de frecuencia se indican como
𝑓𝑓𝑛𝑛 = (𝑗𝑟𝑟𝑓𝑓 ± 𝑘)𝑓𝑓1

Es decir, el orden armónico h corresponde a la banda lateral número k de j veces la
relación de modulación de frecuencia mf
𝑆𝑆 = 𝑗(𝑟𝑟𝑓𝑓 ) ± 𝑘
Donde la frecuencia fundamental corresponde a n = 1. Para valores impares de j, los
armónicos existen solamente para valores pares de k. Para valores pares de j, los
armónicos existen solamente para valores impares de k.
El espectro de frecuencia normalizado de la conmutación bipolar para ma = 1 se

281
Figura 5.55 Espectro de frecuencia para PWM bipolar con ma = 1 [2]
Las amplitudes de los armónicos son una función de ma, porque la anchura de cada
pulso depende de las amplitudes relativas de las ondas sinusoidal y triangular. Las
primeras frecuencias armónicas en el espectro de salida están en y alrededor de mf. En
la Tabla 5.1 se indican los primeros armónicos de salida para PWM bipolar. Los
coeficientes de Fourier no son una función de mf si mf es elevado (≥ 9).
Tabla 5.1. Coeficientes de Fourier normalizados Vn/Vs para PWM bipolar [2]
ma =1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1
n=1 1,00 0,90 0,80 0,70 0,60 0,50 0,40 0,30 0,20 0,10
n = mf 0,60 0,71 0,82 0,92 1,01 1,08 1,15 1,20 1,24 1,27
n= mf ± 2 0,32 0,27 0,22 0,17 0,13 0,09 0,06 0,03 0,02 0,00
Con el esquema de conmutación unipolar, algunos de los armónicos que había en el

espectro en el esquema bipolar están ahora ausentes. Los armónicos en la salida
comienzan aproximadamente a 2mf, con lo que 𝑆𝑆 = 𝑗(2𝑟𝑟𝑓𝑓 ) ± 𝑘 y se elige una mf que
sea un entero par. La Figura 53 muestra el espectro de frecuencias para la
conmutación unipolar con ma = 1.
Figura 5.56 Espectro de frecuencia para PWM unipolar con ma = 1 [2]
282
La Tabla 5.2 muestra los primeros armónicos de salida para PWM unipolar.
Tabla 5.2. Coeficientes de Fourier normalizados Vn/Vs para PWM unipolar [2]
ma =1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1
n=1 1,00 0,90 0,80 0,70 0,60 0,50 0,40 0.30 0.20 0,10
n = 2mf ±1 0,18 0,25 0,31 0,35 0,37 0.36 0,33 0,27 0,19 0,10
n= 2mf ± 3 0,21 0,18 0,14 0.10 0,07 0,04 0,02 0,01 0,00 0,00
Este método tiene la ventaja de doblar "efectivamente" la frecuencia de conmutación

en cuanto a los armónicos de salida, en comparación con el método de conmutación
por voltaje bipolar. Además, los saltos de voltaje en el voltaje de salida en cada
conmutación se reducen a Vs, en comparación con 2Vs en el método anterior.
La ventaja de doblar "efectivamente" la frecuencia de conmutación aparece en el

espectro armónico de la forma de onda de voltaje de salida, donde los armónicos más
bajos (en el circuito idealizado) aparecen como bandas laterales del doble de la
frecuencia de conmutación. Es fácil entender esto si elegimos que la relación de
modulación de frecuencia mf sea par (mf debe ser impar para PWM con conmutación
por voltaje bipolar) en un inversor monofásico. Esto produce la cancelación de los
componentes armónicos en la frecuencia de conmutación en el voltaje de salida.
Además, desaparecen las bandas laterales de los armónicos de frecuencia de
conmutación. En forma parecida, se cancela el otro armónico dominante al doble de la
frecuencia de conmutación, pero no sus bandas laterales. [2]
Ejemplo
Utilizamos un puente inversor de onda completa para generar una tensión de 60 Hz

en bornes de una carga R-L serie, usando PWM bipolar. La entrada de continua del
puente es de 100V, el índice demodulación de amplitud es 0.8 y el índice de
modulación de frecuencia 21. La carga tiene una resistencia R = 10Ω y una inductancia
L = 20 mH. Calcule (a) la amplitud de la componente de 60 Hz de la tensión de salida y
la corriente de la carga, (b) la potencia absorbida por la resistencia de carga y (c) el
factor THD de la corriente de carga. [2]
Solución.
(a) La amplitud de la tensión y corriente de salida a frecuencia fundamental de 60

Hz es:
𝑉𝑉1 = 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟 = 0.8 ∗ 100 = 80𝑉𝑉
𝑉𝑉1 80
𝐼𝐼1 = = = 6.39𝐴𝐴
𝑍𝑍1 �102 + (1 ∗ 2 ∗ 𝜋𝜋 ∗ 60 ∗ 0.02)2
283
(b) la potencia absorbida por la resistencia de carga
Con mf = 21, los primeros armónicos tienen lugar para:
𝑆𝑆 = 𝑗(𝑟𝑟𝑓𝑓 ) ± 𝑘
𝑆𝑆 = 𝑟𝑟𝑓𝑓 = 21
𝑆𝑆 = 1�𝑟𝑟𝑓𝑓 � ± 2 = 19 𝑦 23
Utilizando la Tabla 1
𝑉𝑉21 = 0.82 ∗ 100 = 82𝑉𝑉
𝑉𝑉19 = 𝑉𝑉23 = 0.22 ∗ 100 = 22𝑉𝑉
Las corrientes correspondientes a cada uno de los armónicos se calculan a partir de:
𝑉𝑉𝑛𝑛 𝑉𝑉𝑛𝑛
𝐼𝐼𝑛𝑛 = =
𝑍𝑍𝑛𝑛 �𝑅𝑅2 + (𝑆𝑆𝑤𝑤1 𝐿𝐿)2
La potencia para cada frecuencia se calcula a partir de

2
2 𝐼𝐼𝑛𝑛
𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝑛𝑛,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 𝑅𝑅 = � � ∗ 𝑅𝑅
√2
Los resultados de las amplitudes de las tensiones, las corrientes y las potencias
resultantes a estas frecuencias, se resumen a continuación:
n fn(Hz) Vn(V) Zn(Ω) In(A) In,rms(A) Pn(W)

1 60 80 12.5 6.39 4.52 204
19 1140 22 143.6 0.15 0.11 0.1
21 1260 81.8 158.7 0.52 0.36 1.3
23 1380 22 173.7 0.13 0.09 0.1
La potencia absorbida por la resistencia de carga es:
𝑃𝑃 ≈ 204 + 0.1 + 1.3 + 0.1 = 205.5𝑊𝑊

Los armónicos de nivel superior aportan poca potencia, y pueden ser despreciados.
(c) El factor THD de la corriente de carga se calcula a partir de:
2
�∑∞
𝑛𝑛=2 𝐼𝐼𝑛𝑛,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 �(0.11)2 + (0.36)2 + (0.09)2
𝑇𝑇𝐻𝐻𝐹𝐹 = ≈ = 0.087 = 8.7%
𝐼𝐼1𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 4.52
284
Utilizando el desarrollo truncado en serie de Fourier mostrado en el cuadro resumen
de resultados, se subestima el factor THD. Sin embargo, como la impedancia de la
carga aumenta y las amplitudes de los armónicos en general disminuyen a medida que
aumenta n, la aproximación anterior debería ser aceptable (hasta n = 1 00, se obtiene
un THD de 9,1 %).
Ejemplo
En un circuito inversor de puente completo, Vs = 300V, ma =0.8, mf = 38 y la frecuencia

fundamental es 47 Hz. Calcule los valores rms del voltaje de frecuencia fundamental y
algunos armónicos dominantes en el voltaje de salida. Si se usa el método de
conmutación PWM de voltaje unipolar. [3]
Solución.
La tensión de salida a frecuencia fundamental de 47 Hz y algunos armónicos

dominantes es:
1 1
𝑉𝑉1,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 = 𝑟𝑟𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑟𝑟 = ∗ 0.8 ∗ 300 = 169,7𝑉𝑉
√2 √2
Conforme al análisis de la conmutación por voltaje unipolar, el orden armónico n se

escribe como
𝑆𝑆 = 𝑗(2𝑟𝑟𝑓𝑓 ) ± 𝑘
Donde los armónicos existen como bandas laterales alrededor de 2mf y los múltiplos
de 2mf, Como n es impar, k en la ecuación alcanza sólo valores impares. Haciendo uso
de la tabla 2, se tiene:
𝑆𝑆 = 2𝑟𝑟𝑓𝑓 − 1 = 75 𝑑𝑑 3525𝐻𝐻𝑧
300
�𝑉𝑉𝑜𝑜,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 �75 = ∗ 0.31 = 60.60𝑉𝑉
√2
𝑆𝑆 = 2𝑟𝑟𝑓𝑓 + 1 = 77 𝑑𝑑 3619𝐻𝐻𝑧
300
�𝑉𝑉𝑜𝑜,𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 �77 = ∗ 0.31 = 60.60𝑉𝑉
√2
5.6.5 Inversores Trifásicos
5.6.5.1 Inversor de seis pasos
La Figura 5.57 muestra un circuito que genera una salida de alterna trifásica a partir
de una entrada de continua.
285
Figura 5.57 Puente inversor trifásico [4]
La aplicación principal de este circuito es el control de la velocidad de los motores de

inducción, donde se varía la frecuencia de salida. Los interruptores se abren y se
cierran según el esquema mostrado en la Figura 5.58.
Figura 5.58 Esquema de conmutación y tensiones de línea-línea de salida [4]
Cada transistor tiene un ciclo de trabajo del 50 % (sin permitir tiempos muertos) y la
conmutación tiene lugar cada intervalo de tiempo T/6, lo que representa un intervalo
286
angular de 60°. Observe que los transistores Q1 y Q4 se abren y se cierran de forma
complementaria, al igual que los pares (Q2, Q5) y (Q3, Q6). Al igual que en el inversor
monofásico, estos pares de interruptores deben estar coordinados de manera que no
estén cerrados al mismo tiempo, lo cual daría como resultado un cortocircuito en la
fuente. Cuando se enciende el transistor Q1, la terminal a está conectada con la
terminal positiva del voltaje cd de entrada. Cuando se enciende el transistor Q4, la
terminal a se lleva a la terminal negativa de la fuente de cd. Los transistores se
numeran en el orden de sus señales de disparo (es decir, 123, 234, 345, 456, 561 y
612). Las señales de disparo que se ven en la Figura están desplazadas 60° entre sí,
para obtener voltajes (fundamentales) trifásicos balanceados.
La carga trifásica conectada a esta tensión de salida puede estar conectada en

triángulo o conectarse en estrella, con neutro sin toma de tierra. Para una carga
conectada en delta, las corrientes de las fases se pueden obtener en forma directa con
los voltajes de línea a línea. Una vez conocidas las corrientes de fase se pueden
determinar las corrientes de línea. Para una carga conectada en Y, se deben
determinar los voltajes de línea a neutro, para calcular las corrientes de línea (o de
fase). Para una carga conectada en estrella, que es la forma más común de conexión,
la tensión de la carga en cada fase es la tensión de línea a neutro, como se muestra en
la Figura 5.59.
Figura 5.59 Tensiones línea-neutro carga conectada en estrella sin toma de tierra [4]
A causa de los seis pulsos en las formas de onda de salida para la tensión línea a
neutro, que resultan de las seis transiciones de conmutación por periodo, al circuito
que posee este esquema de conmutación se le llama inversor de seis pasos. La serie de
Fourier de la tensión de salida tiene una frecuencia fundamental igual a la frecuencia
de conmutación. Las frecuencias de los armónicos son de orden 6k ± 1 para k = 1, 2,...
(n = 5, 7, 11, 13,... ). El tercer armónico y los múltiplos del tercero no existen, y los
armónicos pares tampoco. Para una tensión de entrada Vs la salida para una carga en
287
estrella sin toma de tierra tiene los siguientes coeficientes de Fourier:
4𝑉𝑉𝑟𝑟 𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑛𝑛, 𝑤𝑤−𝑤𝑤 =� cos �𝑆𝑆 ��
𝑆𝑆𝜋𝜋 6
2𝑉𝑉𝑟𝑟 𝜋𝜋 2𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑛𝑛, 𝑤𝑤−𝑁 =� �2 + cos �𝑆𝑆 � − 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓 �𝑆𝑆 ��
3𝑆𝑆𝜋𝜋 3 3
𝑆𝑆 = 5, 7, 11, 13, . . .
El factor THD de las tensiones línea-línea y línea-neutro es del 31%. La THD de las
corrientes depende de la carga y es menor para una carga R-L ya que le da mayor
forma senoidal a la corriente. La frecuencia de salida puede controlarse variando la
frecuencia de conmutación. El valor de la tensión de salida depende del valor de la
tensión de alimentación de continua. Para controlar la tensión de salida del inversor
de seis pasos, se debe ajustar la tensión continua de entrada continua. [4]
Ejemplo
Para el inversor trifásico de seis pasos, la entrada de continua es de 100V, y la

frecuencia fundamental de salida es de 60Hz. La carga está conectada en estrella,
siendo cada fase de la carga una conexión R-L serie, con R = 10Ω y L = 20 mH. Calcule
la distorsión armónica total de la corriente de carga. [4]
Solución
La amplitud de la corriente de carga para cada frecuencia es
100 𝜋𝜋 2𝜋𝜋
𝑉𝑉𝑛𝑛, 𝑤𝑤−𝑁 𝑉𝑉𝑛𝑛 𝑉𝑉𝑛𝑛, � �2 + 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓 �𝑆𝑆 � − 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑓𝑓 �𝑆𝑆 ��
= 3𝑆𝑆𝜋𝜋 3 3
𝑤𝑤−𝑁
𝐼𝐼𝑛𝑛 = =
𝑍𝑍𝑛𝑛 �𝑅𝑅 + (𝑆𝑆𝑤𝑤1 𝐿𝐿)
2 2 �10 + [𝑆𝑆(2𝜋𝜋60)(0.02)]
2 2
Los resultados de las amplitudes de las corrientes, se resumen a continuación:
n fn(Hz) Zn(Ω) In(A) In,rms(A)

1 60 12.5 5.08 3.59
5 300 39.0 0.33 0.23
7 420 53.7 0.17 0.12
11 660 83.5 0.07 0.05
13 780 98.5 0.05 0.04
�(0.23)2 + (0.12)2 + (0.05)2 + (0.04)2

𝑇𝑇𝐻𝐻𝐹𝐹𝐼𝐼 ≈ = 0.07 = 7%
3.59
288
5.6.5.2 Inversor trifásico PWM
La modulación por anchura de impulso se puede utilizar tanto para los inversores
trifásicos como para los inversores monofásicos. Las ventajas de la conmutación PWM
son las mismas que en el caso monofásico: pocos requisitos de filtrado para la
reducción de armónicos y el control de la amplitud a la frecuencia fundamental. La
conmutación PWM en el inversor trifásico es similar a la del inversor monofásico.
Básicamente, cada interruptor se controla comparando una onda sinusoidal de
referencia con una onda portadora triangular. La frecuencia fundamental de salida es
igual que la de la onda de referencia, y la amplitud de la salida viene determinada por
las amplitudes relativas de las ondas de referencia y portadora.
Al igual que en el caso del inversor trifásico de seis pasos, los transistores de la Figura
5.57 se controlan por parejas (Q1, Q4), (Q2, Q5) y (Q3, Q6). Cuando uno de los
transistores de la pareja está cerrado, el otro está abierto. Cada pareja de transistores
requiere una onda sinusoidal de referencia separada. Las tres ondas sinusoidales de
referencia están desfasadas 120º para producir una salida trifásica equilibrada. La
Figura 5.60 muestra una portadora triangular y las tres ondas de referencia.
Figura 5.60 Ondas portadora y de referencia para un control PWM con mf = 9 y ma =

0,7 y formas de onda de salida; la corriente se corresponde con una carga R-L.
289
El control de los transistores es como sigue:
𝑄1 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐴 > 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖

𝑄3 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐵 > 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄5 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐶 > 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄4 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐴 < 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄6 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐵 < 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
𝑄2 𝑉𝑉𝑑𝑑𝑆𝑆𝑑𝑑𝑢𝑉𝑉𝑆𝑆 𝑉𝑉𝑢𝑃𝑃𝑆𝑆𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑉𝑉𝐶 < 𝑉𝑉𝑤𝑤𝑟𝑟𝑖
Los armónicos se minimizarán si se elige una frecuencia de portadora igual a un

múltiplo impar de tres veces la frecuencia de referencia; es decir, 3, 9, 15,... veces la
referencia. Los coeficientes de Fourier para las tensiones de línea en el esquema de
conmutación trifásica PWM están relacionados con los de la modulación PWM bipolar
monofásica por medio de
𝑉𝑉𝑛𝑛3 = �𝐴𝐴𝑛𝑛3 2 + 𝐵𝑛𝑛3 2
𝑆𝑆𝜋𝜋 𝑆𝑆𝜋𝜋
𝐴𝐴𝑛𝑛3 = 𝑉𝑉𝑛𝑛 sen � � 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 � �
2 3
𝑆𝑆𝜋𝜋 𝑆𝑆𝜋𝜋
𝐵𝑛𝑛3 = 𝑉𝑉𝑛𝑛 cos � � 𝑓𝑓𝑆𝑆𝑆𝑆 � �
2 3
Tabla 5.3 Amplitudes normalizadas Vn3/Vs para las tensiones línea-línea trifásicas
PWM
ma =1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1
n=1 0,866 0,779 0,693 0,606 0,520 0,433 0,346 0,260 0,173 0,087
n = mf ±2 0,275 0,232 0.190 0,150 0,114 0,801 0,053 0,030 0,013 0,003
n= 2mf ± 1 0,157 0,221 0,272 0,307 0,321 0,313 0,282 0,232 0,165 0,086
RESUMEN
Entre los transistores de potencia se tienen: BJT, MOSFET e IGBT. Los BJT son
dispositivos controlados por corriente, y sus parámetros son sensibles a la
temperatura de la unión. Padecen la segunda avalancha y requieren una corriente de
base inversa durante el apagado, para reducir el tiempo de almacenamiento; sin
embargo, tienen bajo voltaje de saturación en estado activo. Los MOSFET son
dispositivos controlados por voltaje, requieren muy poca potencia de excitación de
compuerta, y sus parámetros son menos sensibles a la temperatura de la unión. No
tienen problema de segunda avalancha, y no necesitan voltaje negativo de compuerta
durante el apagado. Los IGBT, donde se combinan las ventajas de los BJT y los
MOSFET, son dispositivos controlados por voltaje, y tienen un bajo voltaje de estado
activo, similar al delos BJT. Los IGBT no tienen fenómenos de segunda avalancha. Los
transistores se pueden conectar en serie o en paralelo. El funcionamiento en paralelo
290
suele requerir elementos para compartir corriente. La operación en serie requiere
igualar los parámetros, en especial durante el encendido y el apagado. Para mantener
la relación entre voltaje y corriente de los transistores, durante el encendido y el
apagado, en general es necesario usar circuitos amortiguadores para limitar las tasas
di/dt y la dv/dt. Adicionalmente estos dispositivos presentan diferentes tipos de
encapsulado.
Un convertidor de cd se puede usar como un transformador para subir o bajar un

voltaje fijo de cd. También se pueden usar para reguladores de voltaje de modo
conmutado, y para transferir energía entre dos fuentes de cd. Sin embargo, se generan
armónicas en los lados de entrada y salida del convertidor, y esas armónicas se
pueden reducir con filtros en la entrada y la salida.
Los inversores pueden proporcionar voltajes de ca, monofásicos y trifásicos, a partir

de voltaje de cd fijo o variable. Hay varias técnicas de control de voltaje, y producen un
intervalo de armónicas en el voltaje de salida. La PWM es más efectiva para reducir la
LOH. Con una elección adecuada de los modos de conmutación en los dispositivos de
potencia, se pueden eliminar ciertas armónicas. [4]
PREGUNTAS
1. ¿Qué es un transistor bipolar (BJT)?

2. ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN?
3. ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT?
4. ¿Qué es la beta de los BJT?
5. ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?
6. ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT?
7. ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo en los BJT?
8. ¿Cuál es la causa del tiempo de almacenamiento en los BJT?
9. ¿Cuál es la causa del tiempo de subida en los BJT?
10. ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT?
11. ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT?
12. ¿Qué es el tiempo de encendido de los BJT?
13. ¿Qué es el tiempo de apagado de los BJT?
14. ¿Qué es una FBSOA de los BJT?
15. ¿Qué es una RBSOA de los BJT?
16. ¿Por qué es necesario invertir la polarización de los BJT durante su apagado?
17. ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?
18. ¿Qué es un MOSFET?
19. ¿Qué es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET?
20. ¿Qué es el voltaje umbral de los MOSFET?
21. ¿Cuáles son las características de transferencia de los MOSFET?
22. ¿Cuáles son las características de salida de los MOSFET?
23. ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo de compuerta durante su
291
apagado?
24. ¿Por qué es distinto el concepto de saturación en los BJT y en los MOSFET?
25. ¿Cuál es el tiempo de encendido de los MOSFET?
26. ¿Cuál es el tiempo de apagado de los MOSFET?
27. ¿Qué es un IGBT?
28. ¿Cuáles son las características de transferencia de los IGBT?
29. ¿Cuáles son las características de salida de los IGBT?
30. ¿Cuál es el principio de funcionamiento de un convertidor de bajada?
31. ¿Cuál es el principio de funcionamiento de un convertidor de subida?
32. ¿Qué es un inversor?
33. ¿Cuál es el principio del funcionamiento de un inversor?
34. ¿Cuáles son los parámetros de funcionamiento de los inversores?
35. ¿Cuáles son los objetivos de los diodos de retroalimentación en los inversores?
36. ¿Qué es PWM sinusoidal?
PROBLEMAS
1. Un regulador reductor tiene un voltaje de entrada Vs=15V. El voltaje de salida

requerido, promedio, es Va=5 V, y el voltaje de rizo pico a pico en la salida es
10mV. La frecuencia de conmutación es 20kHz. La corriente de rizo pico a pico en
el inductor se limita a 0.5A. Determine a) el ciclo de trabajo k; b) la inductancia L
del filtro; e) la capacitancia C del filtro, y d) los valores críticos de L y C.
2. Un regulador elevador tiene voltaje de entrada Vs=6V. El voltaje promedio de

salida es Va=15V, y la corriente promedio de carga es Ia = 0.5A. La frecuencia de
conmutación es 20 kHz. Si L = 250µH y C=440 µF, determine a) el ciclo de trabajo
k; b) la corriente de rizo ΔI en el inductor; e) la corriente pico I2 en el inductor; d)
el voltaje de rizo ΔVc del capacitor del filtro, y e) los valores críticos de L y C.
3. Un regulador de bajada y de subida tiene un voltaje de entrada Vs=12V. El ciclo de

trabajo es k = 0.6 y la frecuencia de conmutación es 25kHz. La inductancia,
L=250µH y la capacitancia C=220µF. La corriente promedio en la carga es Ia = l.5A.
Calcule a) el voltaje promedio de salida Va; b) el voltaje de rizo pico a pico en la
salida, ΔVc; e) la corriente de rizo pico a pico ΔI del inductor; d) los valores
críticos de L y C.
4. Un regulador de Cúk tiene un voltaje de entrada Vs=15V. El ciclo de trabajo es k =

0.4 y la frecuencia de conmutación es 25kHz. La inductancia del filtro es L2 = 350
µH y la capacitancia del filtro es C2=220µF. La capacitancia de transferencia de
energía es C1=400µF, y la inductancia es L1=250µH. La corriente promedio en la
carga es Ia=1.25A. Determine a) el voltaje promedio de salida Va; b) el voltaje de
rizo pico a pico ΔVc del capacitar C1; e) la corriente de rizo pico a pico ΔI del
inductor L1; d) el voltaje de rizo pico a pico ΔVc del capacitar C2; e) la corriente de
292
rizo pico a pico ΔI del inductor L2.
5. Un inversor de onda cuadrada tiene un generador de continua de 125V, una

frecuencia de salida de 60 Hz y una carga serie R-L con R = 20Ω y L = 20 mH.
Determine: a) La corriente rms de la carga. b) La corriente media de la fuente.
6. Un inversor de onda cuadrada alimenta a una carga R-L serie con R = 30Ω y L = 30
mH. La frecuencia de salida es de 120 Hz. Especifique la tensión de la fuente de
continua tal que la corriente de carga para la frecuencia fundamental sea de 2 A
rms y calcule el factor THD haciendo uso de software de simulación (PSim)
7. El generador de continua que alimenta un inversor con una salida PWM bipolar es
de 250 V. La carga es una combinación serie R-L con R = 20Ω y L = 50 mH. La
salida tiene una frecuencia fundamental de 60 Hz. (a) Indique el índice de
modulación de amplitud para generar una salida a la frecuencia fundamental de
160 V rms. (b) Si el índice de modulación de frecuencia es de 27, calcule el factor
THD de la corriente de la carga.
8. Diseñe un inversor con una salida PWM a una carga serie R-L con R = 14Ω y L = 28
mH. La frecuencia fundamental de la tensión de salida debe ser de 120 V rms a 60
Hz y el factor THD de la corriente de la carga debe ser menor del 8 %. Especifique
la tensión de entrada de continua, el índice de modulación de amplitud ma y la
frecuencia de conmutación (frecuencia de la portadora). Verifique la validez del
diseño haciendo uso de software de simulación (PSim)
9. Un inversor trifásico de seis pasos tiene un generador de continua de 250 V y una

frecuencia de salida de 60 Hz. Una carga equilibrada conectada en estrella está
compuesta por una resistencia en serie de 30Ω y una inductancia de 25 mH en
cada fase. Determine (a) el valor rms de la componente de 60 Hz de la corriente
de la carga. (b) el factor THD de la corriente de la carga.
10. Un inversor trifásico de seis pasos tiene un generador de continua de 400 V y una
frecuencia de salida que varía entre 25 y 100 Hz. La carga está conectada en
estrella y está compuesta por una combinación serie de una resistencia de 20Ω y
una inductancia de 30 mH en cada fase. Haciendo uso de software de simulación
(PSim) (a) Determine el rango que recorre el valor rms de la componente de
frecuencia fundamental de la corriente de la carga, a medida que varía la
frecuencia. (b) ¿Qué efecto tiene la variación de la frecuencia en el factor THD de
la corriente de la carga y en el factor THD de la tensión línea-neutro?
293
PRÁCTICA 3
CARACTERIZACIÓN DE TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

REGULADOR DE TENSIÓN CONTINUA REDUCTOR, ELEVADOR
INVERSOR MONOFÁSICO EN MEDIO PUENTE
PLANIFICACIÓN:
Transistor de unión bipolar BJT

Transistor de efecto de campo metal-oxido-semiconductor MOSFET
Transistor bipolar de puerta aislada IGBT
16. Diseñar un circuito excitador de base para el BJT seleccionado. El funcionamiento

del BJT será en modo conmutado, sirviendo de interruptor para una carga
resistiva, se debe ofrecer en dicho circuito la posibilidad de variar la corriente de
base IB y la frecuencia de conmutación.
17. Diseñar un circuito excitador de puerta para el MOSFET e IGBT seleccionado. El

funcionamiento del MOSFET e IGBT será en modo conmutado, sirviendo de
interruptor para una carga resistiva, se debe ofrecer en dicho circuito la posibilidad
de variar la tensión compuerta-fuente VGS, la tensión compuerta-emisor VGE y la
frecuencia de conmutación.
18. Diseñar un circuito regulador reductor dc con carga resistiva, corriente continua
en el inductor y voltaje continuo en el capacitor (se puede considerar para el diseño
la fuente de tensión-corriente variable y generador de funciones disponible en
laboratorio).
19. Diseñar un circuito regulador elevador dc con carga resistiva, corriente continua
en el inductor y voltaje continuo en el capacitor (se puede considerar para el diseño
la fuente de tensión-corriente variable y generador de funciones disponible en
laboratorio).
20. Diseñar un circuito inversor monofásico medio puente con modulación de onda
cuadrada. (considerar para el diseño la fuente de tensión-corriente variable
disponible en laboratorio)
294
EJECUCIÓN:
EVALUACIÓN:

siguientes puntos:
14. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un BJT mediante el uso de un

15. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un MOSFET mediante el uso de un

16. ¿Cómo testear e identificar los terminales de un IGBT mediante el uso de un

17. Evaluar las características de control y de carga en cuanto a corriente (IB, IC) en la
transición de conmutación del BJT seleccionado, y su posterior comparación con
los datos especificados en datasheet.
18. Evaluar las características de control y de carga en cuanto a tensión VGS y

corriente ID presentes en la transición de conmutación del MOSFET seleccionado,
y su posterior comparación con los datos especificados en datasheet.
19. Evaluar las características de control y de carga en cuanto a tensión VGE y

corriente IC presentes en la transición de conmutación del IGBT seleccionado, y su
posterior comparación con los datos especificados en datasheet.
20. Comparación de los tres transistores en cuanto a los tiempos de respuesta.

experimentales para un factor de trabajo k dado, y también en cuanto al rango de
regulación en el circuito regulador reductor.

experimentales para un factor de trabajo k dado, y también en cuanto al rango de
regulación en el circuito regulador elevador.

experimentales en el circuito inversor monofásico medio puente con modulación
de onda cuadrada.
295
24. Formas de onda de corriente y voltaje en la carga, transistor y fuente de
alimentación, para el circuito regulador reductor. Las formas de corriente tomarla
en los extremos de una resistencia de 1Ω insertada en el punto de interés.

alimentación, para el circuito regulador elevador. Las formas de corriente tomarla
en los extremos de una resistencia de 1Ω insertada en el punto de interés.

alimentación, para el circuito inversor monofásico medio puente. Las formas de
corriente tomarla en los extremos de una resistencia de 1Ω insertada en el punto
de interés.
Portada

Asignatura: Docente
Fecha de Informe:
C.I Nombre Apellido
1
2
3
4
5

Fundamentos

296
Procedimiento





la práctica.
297
REFERENCIAS

[2] Hart, Daniel. (2001). “Electrónica de Potencia”. 2da. Edición. Prentice Hall. Madrid,
Cap. 6, 8.

Cap. 21, 22.

y Aplicaciones”. 3ª. Ed., Prentice Hall, México. Cap. 4, 5, 6.
298

Diodos Potencia Rectificadores

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ELECTRÓNICA DE POTENCIA I

ING. JESUS HERNAY

Ana Julia y Jesús David

CAPITULO 5 ................................................................................................................................................ 198

La Electrónica de Potencia se centra en el estudio de los circuitos y técnicas que

Las conversiones energéticas básicas están condicionadas por la forma en la que se

En cuanto a sus aplicaciones no debemos pensar, que en la Electrónica de Potencia

Este es un campo que está en continua evolución, nuevos dispositivos de prestaciones

El presente libro electrónico teórico-práctico, es una herramienta introductoria a la

Está proyectado que el estudiante haga uso de herramientas (calculadoras científicas)

Se incluye ejercicios de simulación utilizando PSIM, como complemento a las técnicas

Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los siguientes

• Adquirir una perspectiva de la electrónica de potencia y la historia de su desarrollo

La Electrónica de Potencia trata del manejo de la energía eléctrica, mediante

En la electrónica de potencia se combinan la potencia, la electrónica y el control. El

Electrónica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrónica de

La electrónica de potencia se basa principalmente en la conmutación de dispositivos

1.3 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

La historia de la electrónica de potencia se inicia en 1900 con la introducción del

La primera revolución electrónica comenzó en 1948, con la invención del transistor

La segunda revolución electrónica comenzó en 1958, con el desarrollo del tiristor

Rectificador de arco de Tubo al vacío controlado por

Figura 1.1 Válvulas electrónicas [1]

Desde que se desarrolló el primer tiristor de SCR a finales de 1957, ha habido

DIODOS TIRISTORES TRANSISTORES

TRIAC (Triodo para

Figura 1.2 Clasificación semiconductores de potencia [3]

A continuación se muestra en la tabla 1-1 alguna de las características y capacidades

Diodos de Diodos de Propósito 4000 V/4500 A lk 50-100 0.32 m

Transistores Transistores Sencillo 400V/250 A 25 k 9 4m

MOSFET Sencillos 800 Vn.5 A 100 k 1.6 1

COOLMOS Sencillos 800V/7,8A 125 k 2 1.2 m

IGBT Sencillos 2500 V/2400 A 100 k 5--10 2.3 m

Tiristores Tiristores Conmutados 6500 V/4200 A 60 100-400 0.58 m

Tiristores Alta 2800 V/1850 A 20 k 20-100 0.87 m

Tiristores GTO 4500 V/4000 A 10 k 50-110 1.07 m

TRIAC Bidireccionales 1200 V/300 A 400 200-400 3.6 m

MCT Sencillos 4500 V/250 A 5k 50-110 10.4 m

Figura 1.4 Aplicaciones de los dispositivos de potencia [3]

1.5 EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA

Un equipo electrónico de potencia consta fundamentalmente de (Figura 1.5):

Figura 1.5 Diagrama de bloques de un equipo electrónico de potencia [1]

a) Un circuito de potencia, compuesto por semiconductores de potencia y elementos

b) Un circuito de control, que elabora información para comandar adecuadamente al

Para un estudio sistemático de la electrónica de potencia es útil categorizar a los

El sistema de suministro de electricidad y la carga de CA, de manera independiente,

Figura 1.6 Diagrama de bloques de un procesador de potencia [2]

Convertidor CA a CC. En esta categoría se tiene los rectificadores de diodo, circuito

Figura 1.7 Circuito rectificador monofásico con diodos [3]

Figura 1.8 Circuito rectificador monofásico controlado [3]

 Alimentación de todo sistemas electrónicos, donde se necesite energía eléctrica en

Los dispositivos semiconductores de potencia empleados en tales convertidores son,

Convertidores de CA-CA. Estos convertidores se usan para obtener un voltaje variable

Figura 1.9 Controladores de voltaje de ca monofásico [3]

Las aplicaciones más comunes de éste tipo de regulador son:

 Calentamiento industrial (control de temperatura)

Figura 1.10 Convertidores de cd-cd [3]

Las aplicaciones más comunes de éste tipo de regulador son:

 Alimentación y control de motores de continua.

Convertidores de CD-CA. A un convertidor de cd a ca se le llama también inversor. En

Figura 1.11 Convertidor cd-ca monofásico [3]

 Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones