Teoria Del 1º Previo de Electronica II

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REPASO
CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
1.- POLARIZACIÓN POR BASE.- Esta polarización es la peor cuando se trata de fijar el punto Q. La
razón es que en la zona activa la corriente de colector, depende de la corriente de base y del ß
(Beta), y esto hace muy sensible a la ganancia de corriente. En un circuito como éste, el punto Q se
desplazó a lo largo de toda la línea de carga con cambios del transistor o de temperatura.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente I B:
‒ VCC + IB.RB + VBE = 0. → IB.RB = VCC - VBE = → IB= (VCC - VBE ) / RB =;
IE= IB(1+β)=, IC= IB.β=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE:
‒ VCC + IC.RC + VCE = 0. → VCE = VCC ‒ IC.RC=. Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuación anterior para hallar la I C(sat), y
hacemos VCE=0, entonces tenemos 0= VCC ‒ IC(Sat).RC, de donde
IC(Sat)= VCC / RC=, y lo mismo para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y
obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de base, colector y emisor,
hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes. Como el
emisor no tiene resistencia su voltaje es VE=0. Ahora podemos hallar el VB por medio de VBE=VB ‒
VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC hacemos la malla y obtenemos: ‒
VCC + IC x RC + VC =0; → VC = VCC ‒ IC x RC =; Para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente fórmula: PD= VCEQ. ICQ=.
2.- POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DEL EMISOR.- Para estabilizar el punto Q se
introdujo una resistencia en el emisor y se obtuvo esta polarización. El proceso de racionamiento es
el siguiente: Sí IC aumenta, VE crece y también VB. Mayor VB significa menor tensión a través de RB,
con lo que disminuye IB, en contraposición al aumento de IC. Se le llama realimentación porque el
cambio de tensión de emisor alimenta hacia atrás el circuito de base. También se denomina se
negativa porque se opone al cambio original de corriente de colector.
En la polarización con realimentación de emisor nunca llegó a ser popular. El desplazamiento del
punto Q es todavía grande para la mayoría de aplicaciones de fabricación masiva.
Recorremos la malla1 para obtener la corriente I B:
‒ VCC+IB.RB+VBE+IE.RE=0. Como IB=IE/(1+β)=, → IE/(1+β).RB +IERE = VCC -VBE →
IE(RB /(1+β)+RE) = VCC - VBE = → IE= (VCC - VBE ) / (RB /(1+β)+RE) =; IB= IE/(1+β)=;
IC= IB.β=. Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE: ‒ VCC + IC.RC + VCE +
IE.RE = 0. → VCE = VCC ‒ IC (RC+RE). Para obtener los puntos de corte de la recta
de carga de C.C tomamos la ecuación anterior para hallar la I C(sat), y hacemos
VCE=0, → 0= VCC ‒ IC(Sat)x (RC+RE), de donde IC(Sat)= VCC /(RC+RE) =, y lo mismo
para hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para
hallar los voltajes de base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para
hallar cada uno de esos voltajes. ‒ VE + IE x RE = 0 → VE = IE x RE =; para
hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: ‒VB + VBE + IE x RE = 0 → VB = VBE + IE x RE=; ahora
hacemos la malla para hallar el VC: ‒ VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el VC = VCC ‒ IC x RC =; para
hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente fórmula: P D= VCEQ x ICQ =.
La finalidad de la polarización de retroalimentación del emisor es compensar las variaciones en β;
esto equivale a que RE sea mucho mayor que RB/(1+β).
En circuitos prácticos, sin embargo, no se puede hacer R E lo suficientemente grande como para
compensar los efectos de β sin saturar el transistor. Esto hace que la polarización de
retroalimentación de emisor sea casi tan sensible a los cambios de β como en la polarización de
base. Por lo tanto, la polarización de retroalimentación de emisor no es una forma preferida de
polarización, por lo que se debe evitar su uso.
3.- POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE.- En los circuitos de polarización anteriores la
corriente de polarización IcQ y el voltaje VCEQ de
polarización eran una función de la ganancia de
corriente (β) del transistor. Sin embargo, debido a
que el β es sensible a la temperatura de los
transistores, lo mejor sería desarrollar un circuito
que fuera independiente de la beta del transistor. El
circuito al que nos referimos es la polarización por
divisor de voltaje de la figura 3. Si se analiza sobre
una base exacta la sensibilidad a los cambios en β,
resulta ser muy pequeña. Si los parámetros del
circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de Ic Q y de VCEQ pueden ser casi
totalmente independientes de beta. Existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar la
polarización por divisor de voltaje. El primero que vamos a demostrar es el método exacto que
puede aplicarse a todos los circuitos polarizados por divisor de voltaje. Al segundo se le llama
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método aproximado y puede introducirse sólo si es satisfecha la siguiente condición específica:

10xR2 ≤ βxRE.
Análisis exacto.- El lado de la base del circuito 3(a) puede volver a dibujarse según se muestra en
la figura 4(a) para el análisis en C.C. El circuito equivalente de Thévenin a la izquierda de la terminal
de la base puede dibujarse como el de la figura 4(a).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(a). RTh= R1 ƖƖ R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh la fuente de voltaje Vcc regresa al circuito, y el circuito para hallar el voltaje
Thévenin queda como el de la figura 6(a) y se calcula de la siguiente manera: primero se calcula el
V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V 2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y haciendo la malla
vemos que el V2= VTh=.
Después se vuelve a dibujar el circuito de Thévenin cómo se muestra en la figura 7(a) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(a): - VTh + RThxIB + VBE + IExRE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+β), tenemos RThxIB + IB(1+β)RE = VTh – VBE. Resolviendo para IB tenemos que:
IB = (VTh – VBE) / (RTh +(1+β)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las demás corrientes por medio de estas dos ecuaciones, I E=
IB(1+β)= e IC= IB.β=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura 7(a)
para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. → VB= VBE + VE=VBE+ IE.RE =; VCE =VCC‒ICx(RC+RE ); VE =
IExRE =; VC = VCC ‒ IC x RC =.
El lado de la base del circuito 3(b) puede volver a dibujarse según se muestra en la figura 4(b) para
el análisis en C.C. El circuito equivalente de Thévenin a la izquierda de la terminal de la base puede
dibujarse como el de la figura 4(b).
Para hallar la RTh la fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica
en la figura 5(b). RTh= R1 ƖƖ R2 = ( R1xR2) /( R1 + R2)=.
Para hallar el VTh las fuentes de voltaje Vcc y VEE regresan al circuito, y el circuito para hallar el
voltaje Thévenin queda como el de la figura 6(b) y se calcula de la siguiente manera: primero se
calcula el V2, aplicando la regla del divisor de voltaje, V 2=(Vcc + VEE).R2 /( R1 + R2)=, y luego
hacemos la malla indicada: - VTh + V2 - VEE=; → VTh = V2 - VEE=.
Después se vuelve a dibujar el circuito de Thévenin cómo se muestra en la figura 7(b) e I B puede
calcularse al aplicar primero la ley de voltaje de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj
para la malla 1 que se indica en la figura 7(b): ‒ V Th + RThxIB + VBE + IExRE ‒ VEE = 0.
Sustituyendo IE= IB(1+β), tenemos RThxIB + IB(1+β)RE = VTh – VBE + VEE. Resolviendo para IB tenemos
que: IB = (VTh – VBE + VEE) / (RTh +(1+β)RE) =.
Una Vez que se conoce la IB, se hallan las demás corrientes por medio de estas dos ecuaciones, I E=
IB(1+β)= e IC= IB.β=. Conocidas las corrientes podemos hacer las mallas indicadas en la figura 7(b)
para hallar los voltajes de VB, VE, VC y PD. → VB=VBE +VE-VEE =VBE+IE.RE - VEE =; VCE
=VCC+VEE‒ICx(RC+RE ); VE = IExRE - VEE =; VC = VCC ‒ IC x RC =.
Analisis aproximado.- La sección de entrada de la polarización por divisor de voltaje se
representa por el circuito de la figura 8. La resistencia Ri es la
resistencia equivalente entre la base y tierra para el transistor con un
resistor de emisor RE. La resistencia reflejada entre la base y el
emisor está definida por Ri=(1+β)RE. Si Ri es mucho mayor que la
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resistencia R2, la corriente IB será mucho menor que I2 (la corriente siempre busca la trayectoria de
menor resistencia), e I2 será aproximadamente igual a I1, entonces R1 y R2 pueden considerarse
elementos en serie. El voltaje a través de R 2, que en realidad es el voltaje base, puede calcularse
mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ahí el nombre para este circuito de polarización
esto es: V2=Vcc. R2 /( R1 + R2)= VB. Debido a que Ri=(1+β)RE ≈ β.RE, la condición que definirá, en
caso que pueda aplicarse a la aproximación, será la siguiente: β.R E ≥ 10.R2. Si la inecuación se
cumple, la aproximación podrá aplicarse con un alto grado de precisión.
Una vez determinado V2= VB, el nivel de VE puede calcularse a partir de VB = VBE+VE=, entonces
VE =VB - VBE=. Como VE= IE.RE =, entonces IE= VE / RE =, → IB= IE / ( 1 + β )=, e IC = IB x β=.
El voltaje del colector-emisor se encuentra determinado por V CE = VCC ‒ ICxRC +IExRE=, pero dado
que ICQ ≈IE → VCE = VCC ‒ ICx( RC + RE ) =; VC = VCC ‒ IC x RC =; PD= VCEQ x ICQ=. Pero las anteriores
ecuaciones también las podemos hallar haciendo las mallas que se indican en la figura3.
Nótese que en la secuencia de cálculos no hemos utilizado el β y que la I B no fue calculada. El punto
Q (que es determinado por ICQ y VCEQ) y es por lo tanto independiente del valor de β.
4.- POLARIZACION DEL EMISOR. – algunos equipos electrónicos de tienen una fuente de
alimentación que produce tensiones positivas y negativas. La figura 9 muestra un circuito con dos
fuentes de alimentación: + VCC y – VEE. La fuente negativa polarizada directamente el diodo del
emisor VB=y la positiva lo hace con el diodo del colector. A este circuito o se le conoce con el
nombre de polarización de emisor.
Análisis.- Cuando este tipo de circuito está diseñado correctamente, la
corriente de base será suficientemente pequeña como para ser ignorada, lo que
equivale a decir que la tensión de base es de 0V aproximadamente. Como el
VB= VBE+VE=0V, entonces VE = - VBE = - 0,7V.
La resistencia de emisor, desempeña un papel clave a la hora de calcular la
corriente de emisor. Para hallar esta corriente, se aplica la ley de Ohm a la
resistencia de emisor como sigue: la parte superior de la resistencia de emisor
tiene una tensión de – 0.7V y la parte inferior a – V EE. Por tanto, la corriente en
el emisor es igual a la diferencia que hay entre las dos corrientes dividida por la
resistencia emisor. Ósea IE= (VEE – 0,7)/ RE =. Debido a que β no aparece en
esta fórmula, el punto Q es fijo. Cuando se dispone de una fuente de
alimentación dividida debe utilizarse una polarización del emisor.
También se puede hallar haciendo la malla 1: I B.RB+VBE+IE.RE – VEE =0, como la IB = 0A tenemos
+VBE+IE.RE – VEE =0, donde IE= (VEE – 0,7) / RE =. Una Vez que se conoce la IE, las cantidades
restantes del circuito pueden establecerse de la misma manera como fueron desarrolladas para el
circuito de polarización por retroalimentación del emisor.
Hacemos las mallas que se indican en la figura 9: I B= IE / ( 1 + β )=, e IC = IB x β=; → VCE = VCC +
VEE ‒ IC x ( RC + RE ) = VC – VE =VC + 0,7= VCC + 0,7‒ IC x RC=; VB =VBE + IE x RE=; VE = IE x RE – VEE =
0,7; VC = VCC ‒ IC x RC =; VB= VBE+VE= VBE+ IE.RE =; para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente fórmula: PD= VCEQ x ICQ =.
La clave para un buen diseño y de un circuito con polarización de emisor es el Valor de R B; este
debe ser pequeña, ¿pero qué tanto? Por una deducción similar a la dada para la polarización de
divisor de voltaje, la fórmula exacta para la corriente de emisor es: I E= (VEE – VBE) / (RE + RB/β).
Cuando un circuito de polarización de emisor está bien diseñado, su tensión es similar a la de
polarización por divisor de tensión, cumpliendo la regla de 100:1, tenemos: R B < 0,01 βxRE.
Para este caso, se simplifica las ecuaciones para el análisis: V B≈0V; IE= (VEE – 0,7) / RE =;
VC = VCC ‒ IC x RC =; VCE = VCC + VEE ‒ IC x (RC + RE ) = VC – VE = VC + 0,7= VCC + 0,7‒ IC x RC=.
Una fuente de error en este cálculo simplificado es la pequeña tensión a través de la R B de la figura
9. Si una pequeña corriente circula por esta resistencia, existirá una tensión negativa entre la base y
tierra. En un circuito bien diseñado, está tensión de base es menor de – 0,1V.
5.- POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DE COLECTOR.- La figura 10 muestra la
polarización por retroalimentación de colector (también llamada auto polarización). El resistor de
base retorna al colector en lugar de a la fuente de alimentación. Esto es lo que distingue la
polarización de retroalimentación de colector de la polarización de base.
Acción de la retroalimentación.- Pues bien suponiendo que la temperatura
aumente, origina que el β aumente y por consiguiente la Ic, el voltaje V CE
disminuye debido a la gran caída de voltaje en Rc. Esto significa que hay
menos voltaje en la resistencia de la base, y esto da origen a que haya una
disminución en IB. Con la IB más pequeña, compensa el incremento original en
la Ic. Como se ve, la polarización por retroalimentación del colector es más
efectiva que la polarización por retroalimentación de emisor para estabilizar el
punto Q. Aunque el circuito es todavía sensible a los cambios de ganancia de
corriente, se utiliza en la práctica dada su sencillez y tener una mejor
respuesta en frecuencia.
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Hacemos la malla 1 para obtener la corriente IB: ‒ VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE= 0. Como IB = IC / β → (IC /
β).RB+IC.RC=VCC ‒VBE →IC.(RB/β + RC) =VCC ‒ VBE → IC=(VCC ‒ VBE )/ (RB/β + RC) =. Conocida la IC
podemos hallar las otras dos corrientes: I B y la IE por medio de las siguientes formulas: IB = IC / β=, y
IE= IB(1+β)=. Ahora recorremos la malla
2 para obtener el VCE: ‒ VCC + IC.RC + VCE = 0. → VCE = VCC ‒ IC.RC=. Para obtener los puntos de
corte de la recta de carga de C.C tomamos la ecuación anterior para hallar la I C(sat), y hacemos
VCE=0, entonces tenemos 0= VCC ‒ IC(Sat).RC, de donde IC(Sat)= VCC / RC=, y lo mismo para hallar el
VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de base,
colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes. Como el
emisor no tiene resistencia su voltaje es VE=0. Ahora podemos hallar el VB por medio de VBE=VB ‒
VE= 0.7V, como VE=0 entonces VB = VBE=0.7V. Para hallar el VC hacemos la malla y obtenemos: ‒
VCC + IC x RC + VC =0; → VC = VCC ‒ IC x RC =. Para hallar la potencia que disipa el transistor
utilizamos la siguiente fórmula: PD= VCEQ. ICQ=.
La polarización por retroalimentación de colector tiene otra ventana sobre la polarización de emisor;
no se satura el transistor. Conforme decrece la resistencia de base, el punto de operación se mueve
sobre la línea de carga de cc hacia el punto de operación. Pero éste nunca llega a saturación, no
importa lo baja que sea la resistencia de base
6.- POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN DE COLECTOR Y DE EMISOR.-Las
polarizaciones con retroalimentación de emisor y de colector representan los primeros esfuerzos por
obtener polarizaciones más estables para los circuitos con transistores. A pesar de que la idea de la
realimentación negativa es buena, esos circuitos se quedan a mitad de camino
al no proporcionar la suficiente realimentación negativa para lograr su objetivo.
Por ello, el circuito que serie en la figura 11. La idea básica es usar una
combinación de una resistencia de emisor y una resistencia de colector. Como
se verá, más cantidad no siempre significa más calidad. En este caso la
combinación de los dos tipos de realimentación en un circuito de desierta
ayuda, pero esto sigue siendo insuficientes para los niveles necesarios en la
producción en serie.
Para hallar las ecuaciones hacemos primero la malla 1 y obtenemos:
‒ VCC+ IC.RC+IB.RB+VBE+IE.RE=0; como IE= IB(1+β)=, y IC= IB.β=; reemplazamos
en la ecuación IB.β.RB + IB.RB +IB(1+β)RE = VCC ‒VBE →
IB( β.RB +RB +(1+β)RE) = VCC ‒VBE → IB= VCC ‒VBE /( β.RB +RB +(1+β)RE). Una vez conocida la IB
Hallamos IE= IB(1+β)=, y la IC= IB.β=.
Ahora recorremos la malla 2 para obtener el V CE: ‒ VCC + IC.RC + IE.RE + VCE = 0. → VCE = VCC ‒
IC.RC+IE.RE =, como IC ≈ IE tenemos VCE = VCC ‒ IC x ( RC + RE ) = . Para obtener los puntos de corte
de la recta de carga de C.C tomamos la ecuación anterior para hallar la I C(sat), y hacemos VCE=0,
entonces tenemos 0= VCC ‒ IC(Sat). (RC + RE ) =, de donde IC(Sat)= VCC / ( RC + RE ) =, y lo mismo para
hallar el VCE(Corte), ahora hacemos IC=0 y obtenemos que VCE(Corte) = VCC. Para hallar los voltajes de
base, colector y emisor, hacemos la respectiva malla para hallar cada uno de esos voltajes.
‒ VE+IExRE = 0 → VE =IExRE =; para hallar el VB hacemos la malla y obtenemos: ‒VB+VBE + IE x RE =0
→ VB = VBE + IE x RE=; ahora hacemos la malla para hallar el VC: ‒ VCC + IC.RC + VC = 0 de donde el
VC = VCC ‒ IC x RC =. Para hallar la potencia que disipa el transistor utilizamos la siguiente fórmula:
PD= VCEQ. ICQ=.
PROBLEMAS SOBRE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR
1.- Para el circuito de la figura 1, 2, 3, 4, 11 y 12 calcular: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD. Si el β=200
2.- La figura 7 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA. Determine, si el β=200: a).- El
valor de RB, RE y RC. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
3.- Con la información que proporciona la figura 8 y un β=80, determine: a).- El valor de RB, RE y RC. b).- Los
voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC ) y el PD.
4.- Con la información que proporcionan las figuras 9 y 10 y un β=100 para cada uno de los transistores,
determine: a).- El valor de R1. b).- Los voltajes y corrientes de c.c (IE, IB, IC, VB, VE, VC) y el PD.
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5.- En el circuito que se muestra en la figura 11, sea el β=100. a) Encuentre VTH y RTH para el circuito de la
base. b) Determine: IE, IB, IC, VB, VE, VC y el PD.
6.- Para el circuito de la figura 12 calcular: IE, IB, IC, IRL, IRC, VB, VE, VC, VRC y el PD. Si el β=200
RESPUESTAS A LOS PROBLEMAS DE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

BIPOLAR PROPUESTOS
Para la figura 1: RTH = 300KΩ; V2= 20V; VTH = 0V; IB = 10,677μA; IC = 2,135mA; IE = 2,146mA; VB
= 3,203V; VE =3,903V; VC = ‒ 7,186V; VCE = 11,0899V; PD = 23,683mW.
Para la figura 2: IB = 11,348μA; IC = 2,269mA; IE = 2,281mA; VB = 3,437V; VE = 2,737V;
VC = 10,246V; VCE = 7,509V; PD = 17,043mW.
Para la figura 3: V2= 6,697V; IE = 789,167μA; IB = 3,926μA; IC =785,241μ A; VB = 11,302V;
VE =1 2,002V; VC = ‒ 10,854V; VCE = 22,856V; PD = 17,947mW.
Para la figura 4: IB = 21,318μA; IC = 4,263mA; IE = 4,285mA; VB = 10,872V; VE = 11,572V;
VC = 10,232V; VCE = 1,339V; PD = 5,711mW.
Para la figura 5: IB = 9,881μA; IC = 1,9762mA; IE = 1,986mA; VB = 177,859mV; VE = 877,859mV;
VC = ‒ 6,664V; VCE = 7,542V; PD = 14,904mW.
Para la figura 6: IB = 7,939μA; IC = 1,5878mA; IE = 1,5957mA; VB = 119,086mV; VE = 819,086mV;
VC = ‒ 4,189V; VCE = 5,008V; PD = 7,952mW.
Para el punto 2, figura 7: IC = 3mA; IB = 15μA; IE = 3,015mA; IC(SAT.)= VEE / (RC+RE)= 9mA; (RC+RE)=
VEE / IC(SAT.)=; (RC+RE)= 18/9mA=2KΩ; Rc=4,5/3mA=1,5KΩ; RET=500Ω; RE=400Ω; RB=1.052.833,333
Ω; Vc= 4,5V; VE= 16,4925V; VB=15,7925V; VCE = 11,992V; PD = 35,977mW.
Para el punto 3, figura 8: IC = 2mA; IB = 25μA; IE = 2,025mA; Vc= 7,6V; VE= 2,4V; VB=3,1V=;
VCE = 5,2V; Rc=2,2KΩ; RE= 1.185,185Ω; RB= 356KΩ; PD = 10,4mW.
Para el punto 4, figura 9: Vc=12V; IC = 1,276mA; IB = 12,765μA; IE = 1,289mA; VE= 1,547V; V B=
2,247V=V2; R1=39.255,141Ω; VCE = 10,452V; PD = 13,343mW.
Para la figura 10: IB = 20μA; IC = 2mA; IE = 2,02mA; VC = 10,6V; VCC = 16V; VB = 3,124V=V2; VE =
2,424V; R1=41.997,439 Ω; VCE = 8,176V; PD = 16,352mW.
Para el punto 5, figura 11: Nos ayudamos con la figura 13 que se muestra y hacemos las mallas 1 y
2 RTH = 54687,5Ω; I2= 28,125 μA; VTH = ‒ 3,031V; IB = 2,2668μA; IC = 226,689μA; IE = 228,955μA; VB
= ‒ 3,155V ; VE = ‒ 3,855mV; VC = ‒ 3,665V; VCE = 7,5207V; PD = 1,7048mW.
Para el punto 6, figura 12: Nos ayudamos con la figura 13. IB = 4,236μA; IC = 847,2906μA; IE =
851,527μA; IX = 1,6236mA =IC + IL =; IL =776,3546 μA; VB = ‒ 42,3645mV; VE = ‒ 742,3645mV; VC
=3,881V; VCE =4,623V; PD = 3,917mW.
TEMA PARA EL PRIMER PREVIO

ANALISIS MATEMATICO DE LOS AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES
BIPOLARES (B.J.T)
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AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

Después de que un transistor se haya polarizado con el punto Q cerca de la mitad de la recta de
carga de cc, se puede acoplar una pequeña señal de ac en la base. Esto produce fluctuaciones de
igual forma y frecuencia en la corriente del colector. Si la señal de entrada es senoidal y a una
frecuencia de 1kHz, la salida será una señal senoidal con una frecuencia de 1kHz. El amplificador es
se llama lineal (o de alta fidelidad) si no cambia la forma de la señal.
Si la amplitud de la señal es pequeña, el transistor solo usara una pequeña parte de la línea de
carga y la operación será lineal.
Pero si la señal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la línea de carga excitaran al
transistor a saturación y corte. Esto cortara los picos de una onda senoidal y el amplificador ya no
será lineal. Si se escucha con mucha atención una salida con un parlante.se oirá un sonido terrible
porque la señal esta distorsionada.
EL TEOREMA DE SUPERPOSICION PARA AMPLIFICADORES
En un amplificador transistorizado, como el de figura 1, la fuente de cc proporciona corrientes y

voltajes fijos. La fuente de ac produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma más
simple para analizar el circuito es la división del análisis en dos partes: un análisis de cc y un análisis
de ac. A esto se le llama el teorema de superposición y se utiliza cuando se analizan amplificadores
transistorizados.
Estos son los pasos a seguir para la aplicación del teorema de superposición de circuitos
transistorizados:
Figura 1.- Amplificador en la configuración de emisor común con resistencia de emisor totalmente desacoplada. 40 >
Av ≤ 400
1.- Redúzcase la fuente de ac a cero; esto significa poner en corto una fuente de voltaje o abrir una
fuente de corriente. Ábranse todos los capacitores. Al circuito restante se le llama circuito
equivalente de cc. Con este circuito se pueden calcular los voltajes y corrientes de cc.Ver figura 2.
2.- Redúzcase la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto una fuente de voltaje o abrir
una fuente de corriente. Pónganse en corto todos los capacitores de acoplamiento y de paso. Al
circuito restante se le llama circuito equivalente de ac. Este es el circuito que se utiliza para el
cálculo de voltajes y corrientes de ac. Ver figura 3.
3.- La corriente total en cualquier rama del circuito es la suma de las corrientes de cc y ac que se
encuentran presentes en esta rama; el voltaje total aplicado en cualquier rama es la suma de los
voltajes de ac y cc que se encuentran aplicados en esa rama.
Figura 2.- Circuito equivalente de cc Figura 3.- Circuito equivalente de ac

Notación. Para mantener una diferencia entre cc y ac es práctica general utilizar mayúsculas en las
letras y los subíndices para las cantidades de cc. Por ejemplo: I E; IC; IB para las corrientes de cc;
VE;VC;VB los voltajes de cc a tierra; VBE; VCE; VCB para los voltajes entre los terminales.
De la misma forma, se utilizan minúsculas en las letras y los subíndices para los voltajes y corrientes
de ac: ie; ic; ib para corrientes de ac; ve; vc; vb para voltajes de ac a tierra; vbe; vce; vcb para
voltajes de ac entre terminales.
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Es usual también utilizar el signo menos para indicar que dos voltajes senoidales están desfasados
1800° uno con respecto al otro. Por ejemplo, la ecuación vo = - vin significa que el voltaje de salida
está desfasado 180° con respecto al voltaje de entrada.
RESISTENCIA DEL DIODO DE EMISOR EN A.C.-
Para establecer el punto Q, se ha visualizado el transistor de la figura 4a reemplazado por el circuito
equivalente de la figura 4b (el modelo de Ebers-Moll). Hasta la presente se han hecho
aproximaciones de VBE a 0.7V.
La figura 4d muestra la cuerva del diodo que relaciona a I E con VBE. En ausencia de una señal de
ac, el transistor opera en el punto Q, el cual normalmente está colocado en la mitad de la línea de
carga de cc. Cuando una señal de ac excita a un transistor, se produce un cambio en voltaje y
corriente de emisor; si la señal es pequeña, el punto de operación varia senoidalmente desde Q
hasta un pico positivo de corriente en A, luego a un pico negativo de corriente en B, y de regreso
otra vez al punto Q, donde se repite el ciclo. Esto produce variaciones senoidales en I E y VBE como
se indica.
Si la señal es pequeña, los pico A y B están muy cercanos a Q, y la operación es aproximadamente

lineal. En otras palabras, el arco entre A y B es casi una línea recta y debido a esto los cambios en
voltaje y corriente son aproximadamente proporcionales. En lo referente a la señal de AC, el diodo
aparece como una resistencia dada por r’e=ΔV BE/ΔIE=, donde r’e=resistencia del emisor en ac;
ΔVBE= pequeño cambio de voltaje de base-emisor; ΔI E= cambio correspondiente en la corriente de
Emisor.
Como los cambios en VBE y en IE son equivalentes a la corriente y al voltaje de ac la resistencia se
escribe normalmente como r’e = vbe / ie=; donde r’e = resistencia en ac del emisor; vbe = voltaje
aplicado a los terminales base-emisor; ie = corriente de ac a través del emisor. Por ejemplo, si vbe
es 10mV e ie = 0,4mA, entonces r’e = 10mV / 0,4mA = 2,5Ω
La figura 4c muestra el modelo de Ebers-Moll para AC, que se utiliza cuando se analiza un circuito
equivalente de AC de un amplificador. En este modelo, el diodo base a emisor es sustituido por una
resistencia de emisor a la AC
Las variaciones base-emisor son senoidales, como se indica en la figura 4d. Si la señal es pequeña,
las variaciones en corriente de emisor serán también senoidales; pero cuando la señal de entrada es
grande, la corriente de emisor ya no será senoidal debido a la no linealidad de la curva del diodo.
Cuando la señal es demasiado grande, la corriente de emisor se extenderá sobre el semiciclo
positivo y será comprimida en el semiciclo negativo, como se indica en la figura 4e. Una onda
distorsionada como esta no se escuchara como señal de entrada cuando excite una bocina.
LA FORMULA DE r’e.- Como r’e es la relación entre la variación de VBE y la variación de IE, su valor
depende de la localización del punto Q. Cuanto más alto está Q en la curva, r’e, será más pequeña
debido a que el mismo cambio en voltaje base-emisor produce un cambio mayor en la corriente de
emisor; la pendiente de la curva del diodo en el punto Q determina el valor de r’e.
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Su valor es r’e= 25mV / IE =.

Por ejemplo, si el punto Q tiene una IE de 1 mA, entonces r’e=25mV/1mA=25Ω o, para un punto Q
con una IE= 5mA r’e decrece a r’e = 25mV/ 5mA=5Ω
Se sabe como se calcula IE en los circuitos de polarización; por lo tanto, cuando se tiene I E se puede
encontrar el valor que corresponda a r’e. Debe recordarse que r’e es una cantidad de ac cuyo valor
depende de una cantidad de cc (IE). Esto significa que el punto Q determina el r’e .
La ecuación r’e= 25mV/IE es válida para una temperatura ambiente de alrededor de 25°C. La
resistencia r’e aumenta aproximadamente 1% por cada 3°C de aumento. Además, la ecuación r’e=
25mV/IE supone una unión pn rectangular. Debido a que la forma de la curva del diodo cambia con
una unión no rectangular, el valor de r’e puede diferir algo del que se indica en la ecuación r’e
=25mv/IE. A pesar de esto, para localización de fallas y diseño preliminar amplificadores de señal
pequeña, r’e =25mv/IE es un excelente principio para cualquier transistor.
BETA DE A.C.- La figura 5 muestra una gráfica característica de Ic en función de I B. βcc es la razón
de la corriente de colector de cc Ic a la corriente de base a cc IB. Como la gráfica no es lineal, βcc
depende de las coordenadas del punto Q. Por eso, en las hojas técnicas βcc queda especificada
para un valor particular de Ic.
FIGURA 5 La curva de corriente de cc de colector contra la corriente de cc de base no es lineal
El beta de AC (designada como βac o simplemente β) es una cantidad de pequeña señal que de
pende de la localización de Q. En términos de la figura 5, beta se define como: β=ΔIc / ΔI B o,
como las corrientes alternas son las mismas que los cambios en las corrientes, β = ic/ib.
Gráficamente, β es la pendiente de la curva en el punto Q; por esta razón, tiene diferentes valores a
diferentes ubicaciones del punto Q.
En las hojas técnicas β es identificada como hfe. Obsérvese que los subíndices de hfe son letras
minúsculas, mientras que los subíndices de hFE son letras mayúsculas. Por lo tanto, cuando se
consultan las hojas técnicas no deben confundirse estas ganancias de corriente en cc y ac. La
cantidad hFE es la relación de IC /IB, también como βcc. La cantidad hfe es la relación es la relación
ic/ib, o sea β.
EL AMPLIFICADOR DE EMISOR COMUN
La figura 1 muestra un amplificador de emisor común con resistencia de emisor totalmente
desacoplada. Como el emisor está acoplado a tierra por medio de un capacitor, a este amplificador
algunas veces se les llama amplificador con emisor a tierra: esto significa que el emisor está a tierra
de ac, pero no a tierra de cc. Tiene acoplada a la base una pequeña onda senoidal, lo cual produce
variaciones en la corriente de base.
La corriente de colector es una forma de onda senoidal amplificada de la misma frecuencia, debida
a β. Esta corriente senoidal de colector, fluye por la resistencia de colector y produce un voltaje
amplificado de salida.
INVERSION DE FASE.- Debido a las fluctuaciones de ac en la corriente de colector, el voltaje de
salida de la figura1 varia senoidalmente en la parte superior e inferior del voltaje estático o de
reposo. Debe notarse que el voltaje de salida de ac está invertido con respecto al voltaje de ac de
entrada, lo cual significa que está desfasado 180° con respecto a la entrada. Durante el primer ciclo
positivo del voltaje de entrada aumenta la corriente de base, dando origen a un incremento en la
corriente de colector. Esto produce una caída de voltaje mayor en el resistor del colector; por lo
tanto, el voltaje de colector disminuye y se obtiene el primer semiciclo negativo del voltaje de salida.
Por el contrario, en el ciclo negativo del voltaje de entrada, fluye menos corriente de colector y
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disminuye la caída de voltaje en el resistor de colector. Por esta razón, el voltaje de colector a tierra
aumenta y se obtiene el semiciclo positivo del voltaje de salida.
Análisis matemático del amplificador de emisor común con resistencia de emisor totalmente
desacoplada para hallar los parámetros en cc utilizamos el circuito equivalente de cc de la figura 2.
Para hallar los parámetros: Av, Ai, Ap, Zin, Zin(BASE), Zo; partimos de los circuitos equivalentes
del amplificador según las figuras 3 y 6.
Av=Vo/Vin → Vo –ic.rc=0 → Vo= ic.rc; Vin+ic.r’e =0 → Vin= ic.r’e= Vb. Luego Av= ic.rc / ic.r’e
→ Av=rc/r’e; Ai= io/iin=ic/ib=; →Ap= po/pin=Vo.ic /Vin.iin= → Ap=Av.Ai = Av.β=;
Zin=R1//R2//Zin(BASE)=; Zin=( Rb // Zin(BASE)) =; → Zin(BASE)=Vb/ib= icxr’e / ib=; pero =ic / ib = →
ib =ic / = → Zin(BASE)= ic. r’e / (ic/ )= → Zin(BASE)= β.r’e=; Zin= R1//R2//β.r’e=; Vo=Vc y Vo= Av.Vin=;
Ve= 0V; Zo=rc=Rc//RL=; Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=.
La figura 7 nos muestra un amplificador en la configuración de emisor común con resistencia de
emisor dividida o parcialmente desacoplada. Este amplificador tiene una ganancia de voltaje entre
mayor de 10 y menor o igual a 40. Para poder hallar sus parámetros tanto en cc como en ac
debemos utilizar los circuitos equivalentes de cc figura 8 y el circuito equivalente de ac figura 9 y 10,
que nos facilita el calculo
Figura 7.- Amplificador de emisor común de R E dividida. Figura 8.- Circuito equivalente de cc
Av= Vo / Vin →  Vo – ic.rc = 0 → Vo =  ic.rc=; Vin + ic.(r’e+ rE) = 0 → Vin = ic. (r’e+ rE ) = Vb.
Luego Av= ic.rc / ic. (r’e+ rE ) → Av= rc / (r’e+ rE); Ai= io/iin= ic/ib=; Ap=
po/pin=Vo. ic /Vin. iin= → Ap=Av.Ai = Ap=Av.β=; Zin=R1//R2//Zin(BASE)=; Zin=(Rb// Zin(BASE))=;
Zin(BASE)=Vb/ib= ; Zin (BASE)=ic.(r’e+ rE)/ib=; pero =ic/ib →ib=ic/= → Zin(BASE)=ic.(r’e + rE )/(ic/ )=
→ Zin(BASE)=β.(r’e+rE) = → Zin=R1//R2// β(r’e+ rE ) . Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve= ie.rE;
Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=; Zo=rc=Rc//RL=.
Figura 9.- Circuito equivalente de ac Figura 10.- Circuito equivalente para ac de un

Amplificador de EC con RE dividida
La figura 11 nos muestra un amplificador en la configuración de emisor común con resistencia de
emisor sin desacoplar. Este amplificador tiene una ganancia de voltaje entre mayor de 0 y menor o
igual a 10. Para poder hallar sus parámetros tanto en cc como en ac debemos utilizar los circuitos
equivalentes de cc figura 12 y el circuito equivalente de ac figura 13 y 14, que nos facilita el calculo
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Figura 11.- Amplificador de EC de RE sin desacoplar. Figura 12.- Circuito equivalente de cc.
Av= Vo / Vin →  Vo –ic.rc = 0 → Vo = ic.rc; Vin + ic.(r’e+ RE) = 0 → Vin = i c. (r’e+ RE ) = Vb.
Luego Av= ic.rc / ic.(r’e+ RE ) → Av=rc / (r’e+ RE); Ai= io/iin= ic/ib=; Ap=
po/pin=Vo. ic /Vin. iin= → Ap=Av.Ai = → Ap= Av.β=; Zin=(Rb// Zin(BASE))= R1//R2// β.(r’e+ RE )=; →
Zin(BASE)=Vb/ib= ic.(r’e+ RE) /ib=; pero =ic/ib →ib=ic/ = → Zin(BASE)= ic. (r’e +RE )/ (ic / )= →
Zin(BASE)= β.(r’e+ RE )=; Zin= R1//R2// β.(r’e+RE). Vo=Vc y Vo= Av.Vin=; Ve= ie. RE;
Vin=Vf.Zin/(Rf+Zin)=; Zo=rc=Rc//RL=.
Figura 13.- Circuito equivalente de ac Figura 14.- Circuito equivalente para ac de un

Amplificador de EC con RE sin desacoplar
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN DE COLECTOR COMÚN
A este amplificador se le conoce también como amplificador seguidor de emisor, porque la señal de
entrada está en fase con la señal de salida y es casi de la misma magnitud en la carga. Este difiere
de los demás amplificadores, porque es el único que tiene la carga en el emisor.
Av=VO /Vin=;→ VO =ic.Re=Ve; donde Re= RE // RL=; y la Vin: → Vin+ie.r’e+ ie .Rs =0 Vin= ie.r’e+
ie .Rs = →Vin= ie (r’e+Re) =; como ic ≈ ie → Vin= ic (r’e+Re) =; → Av= ic.Re / ic (r’e+Re) = → Av=
ic.Re / ic (r’e+Re) =; → Av= Re / (r’e+Re) =; Si Re >>>>r’e → Av≈1; Ai =io / iin=ic / ib = β; → Ap=
(pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin = Rb // Zin(BASE) =; → Rb = R1 // R2=; y Zin(BASE) = Vb / ib =; si Vb =
Vin y ic =  / ib =; → Zin(BASE)= ic (r’e+Re) / ib / =; →Zin(BASE)=  (r’e+Re) =; → Zin = R1// R2// 
(r’e+Re) =.
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Rb=R1//R2= R1xR2 / (R1+R2)= y Re=RE//RL= RE x RL / (RE + RL)
Para hallar la Zo(EMISOR), (la impedancia vista desde el emisor) se hace thevenin desde de la
base y hallamos la RTH que es igual a Rf//R1//R2, y también se halla el VTH que es el mismo Vin
que hemos hallado hasta ahora es decir. Vin=Vf( Zin / (Rf + Zin), y el circuito equivalente es:
Zo(EMISOR) =Rth/β + r’e =; como Zo = Re// Zo(EMISOR) y Re >>>> Zo(EMISOR) → Zo ≈Zo(EMISOR)=Rth/β + r’e =.
PAR DARLINGTON: Este amplificador Darlington es un circuito transistorizado ampliamente
utilizado, que consiste en emisores seguidores conectados en cascada, por lo general un par es
como el que se muestren la figura. La ganancia total de voltaje es cercana a la unidad. El resultado
principal es un incremento muy grande en la impedancias de entrada y un decremento igualmente
grande en la impedancia de salida.
V2=VB1= Vcc.R2 / (R1+R2); VE1=V2 – VBE=; VE2= VE1 – VBE=V2 –2 VBE; Vc1=Vc2=Vcc; IE2= (V2 – 2VBE) /
RE; IB2=IE2/(β+1); Ic2=β.IB2; IE1 =IB2 = IE2 / β+1); IB1= IE1/(β+1)= IE2 / (β+1) / (β+1)= IE2 / (β+1)(β+1);
IB1= IE2/ (β+1)(β+1); Ic1=β.IB2. Ganancia de corriente en c.c AI= Io / Iin= IE2 /IB1=(β+1)(β+1). Para la
Ai en a.c es la misma ósea Ai=(β+1)(β+1). La ganancia de vlotaje es: Av= VO/Vin= Re/ (r’e2+Re)
=;→ VO= Av.Vin= ie2.Re=Ve2; donde Re= Rs // RL=; y la Vin: → -Vin+ie1.r’e1+ ie2. r’e2 +ie2 .Rs = 0
AMPLIFICADOR PAR DARLINGTON Y SU CIRCUITO EQUIVALENTE EN A.C

Vin= ie1.r’e1+ ie2. r'e2 +ie2.Rs = → Vin ≈ ie2 (r’e2+Re) =; como ic2 ≈ ie2 → Vin= ic2 (r’e2 +Re) =; →
Av= ic2.Re / ic2 (r’e2 +Re) = → Si Re >>>>> r’e → Av≈ 1; Ai = io / iin= ic2 / ib1=; Ai =(ie2 )/(ie1/ ( β
+ 1 ))=; como ie1≈ ib2 y ie1 =ie2/ ( β + 1 ) → Ai = ie2. ( β + 1 ) / ( ie2 / ( β + 1 ))=; → Ai =(β+1)(β+1).
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Ap=(pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; → Rb=R1//R2=; y Zin(BASE)Q1=β(r’e1+

Zin(BASE)Q2)
Ai =(β+1)(β+1). Ap=(po / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; → Rb=R1//R2=; y
Zin(BASE)Q1=β(r’e1+ Zin(BASE)Q2) =; Zin(BASE)Q2=Vb2/ ib2=; si Vb2=Vin2 y ib2 =/ic2=;
Zin(BASE)Q2=ic 2(r’e2+Re) / ib2 /β=; →Zin(BASE)Q2=  (r’e2+Re) =; → Zin(BASE)Q1=β(r’e 1+ 
(r’e2+Re) ) =; Zin=R1// R2// Zin(BASE)Q1 =. Como Rb<<<<<<Zin(BASE)Q1. → Zin ≈ Rb= R1// R2=.
Zo ≈ZO(EMISOR)Q2 = (ZO(EMISOR)Q1/β)+r’e2 → ZO(EMISOR)Q1= (Rth/β) + r’e1= → Zo
(EMISOR)Q2 =((Rth/β) + r’e1) / β + r’e2= → Zo (EMISOR)Q2 = (Rth+β.r’e1) / β.β + r’e2≈Zo
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
Este amplificador es de muy baja impedancia de entrada y es tan baja que sobrecarga la mayor
parte de las fuentes de señal y por esto la mayor parte de la señal de entrada se pierde en la
resistencia de la fuente (Rf). Este amplificador en forma discreta no se usa a bajas frecuencias, su
aplicación es sobre todo en circuitos de alta frecuencia por encima de los 10 MHz. Los
dos circuitos que se muestran a continuación sólo tienen estas dos clases de polarización que se
emplean para esta configuración. Lo único que difiere de estos dos circuitos es el circuito de
polarización; porque el circuito equivalente de a.c. es igual para los dos amplificadores así tengan
diferente circuito de polarización.
Av= Vo / Vin = → Vo – ic.rc = 0 → Vo = ic.rc =; - Vin+ic.r’e = 0 → Vin = Ve = ic.r’e = Vf

x Zin / (Zin+ Rf )=; → Av= ic.rc / ic.r’e → Av=rc / r’e; Ai= io / iin = ic / ie = α; Ap = po /
pin = Vo. ic / Vi x iin= → Ap= Av x Ai =; Ap = Avxα =; Av= VO/Vin=;→ VO=
Av.Vin= ; VO=io. rc=; como io= ic → VO=ic.rc=Vc; donde rc = Rc // RL=; Vb= 0 V;
Zin(BASE)=NO HAY PORQUE LA BASE ESTA A TIERRA. Zin = RE // r’e =; como RE >>>>>> r’e →Zin ≈
r’e; y r’e =25mV/IE; Zo = rc = Rc // RL=.
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PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE SEÑAL

PEQUEÑA RESUELTOS PARA ANALIZAR
1- Con la información que ofrece la figura 1. Determine, si el β=200
a).- Los voltajes y corrientes de a.c. y la potencia que disipa el transistor.
b).- La ganancia de potencia real que disipa R C
c).- La ganancia de corriente real en RL.
2- De la figura 2. Determine, si el β=200

a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c. y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa R L.
C ).-La ganancia de corriente real en Rc.
Problema 1.-Comprobamos si 10xR2<βxRE→10x60K<200(3,05K+75), como se cumple, lo hacemos

por el método aproximado, y hallamos el V2. V2=(18+18)X60K/(340K+60K)=5,4V →IE=(5,4 – 0,7) /
(3,05K+75)=1,504mA; r’e=25mV/1,504mAr’e=16,622Ω; rC=6K//9K=3,6K; Av=3,6K / (16,622+75)=
Av=39,291; Zin(BASE)=200(16,622+75)=18324,742Ω; → Zin=340K//60K//18324,742=13480,779Ω; →
Vin= VF.Zin / (RF + Zin)=; Vin=120mVX13480,779/(1,5K+13480,742)=107,984mV=Vb;
V0=107,984MvX39,291=4,242V=Vc; ic =4,242/3,6K=1,178mA; ib=1,178mA/200=5,892μA;
ie=201X5,892μA=1,184mA; Ve=75X1,184mA=Ve=88,835mV; iRL=4,242V/9K=471,433 μA;
iRC=4,242/6K=707,15μA; if=(120mV–107,984mv)/1,5K= if=8,01μA; AiRealRC=707,15μA/8,01μA
=88,28; AvReal=4,242/120mV=35,357 ApRealRC=88,264X35,357=3121,379; AiRealRL=471,433 μA /
8,01μA=58,853
Problema 2.- IE=(12 – 0,7)/(11,2K+100)=1mA; r’e=25mV/1mA=25; rC=6K//12K=4K; Av=4K/(25+100)=

Av=32; Zin(BASE)=200(25+100)=25K; Zin=16K//25K=9756,097; Vin= 180mVX9756,097/ (9756,097+2K)
Vin =149,377=Vb; V0=149,377mVX32=4,78V=Vc; ic =4,78/4K=1,195mA;
ib=1,195mA/200=5,975μA; ie=201X5,975μA=1,2mA; Ve=1.2mAX100=120,099mV; iRL=
4,78/12K=398,34μA; AvReal= V0 / Vin = AvReal=4,78/ 180mV=26,556;if=(180mV–
149,377mV)/2K=15,311μA; AiRealRL=398,34μA/15,311μA; AiRealRL=26,016; ApRealRL=
26,555X26,016=690,888; iRC=4,78/6K=796,68μA; AiRealRc=796,68μA /5,975μA=52,032.
3-El transistor de la figura 3 tiene un β=200, ¿Calcular?
a).-Los voltajes y corrientes de a.c.
C).-La ganancia de corriente real en RC
4-Con la información que ofrece la figura 4. Determine, si el β=200

a).-Los voltajes y corrientes de a.c.
b).-La ganancia de potencia real que disipa R C.
C ).-La ganancia de corriente real en la carga.
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Problema 3.-Comprobamos si 10xR2<βxRE→10x40K<200x7,6K, como se cumple, lo hacemos por el

método aproximado, y hallamos el V2. V2=(15+15)X40K/(80K+40K)=10V; IE=(10 – 0,7)/7,6K=
IE=1,223mA; r’e=25mV/1,223mA=20,43Ω; rC=4K//8K=8K/3; Av=(8K/3) / (20,43+100)=22,142;
Zin(BASE)=200(20.43+100)=24086; Zin=40K//80K//24086=12655,367Ω; → Vin= 200mVx12655,361/
(12655,361+1,5K)=178,806mV=Vb; V0=178,806mVX22,142=3,959V=Vc; ic
=3,959/(8K/3)=1,484mA; ib=1,484mA/200=7,423μA; ie=201X7,423μA=1,492mA;
Ve=1,492mAX100=149,215mV; iRL=3,959/8K= 494,875μA; if=200mV-178,806mV/1,5K=14,128μA;
AiRealRL=494,875 μA /14,129μA= AiRealRL =35,028; AvReal=3,959/0,2=19,796;
ApRealRL=19,795X35,028=693,434; iRC=3,959/4K= iRC=989,822μA; AiRealRc= iRC / if =; AiRealRc= 989,75μA
/ 14,129μA=70,056.
Problema 4.- IB=(20 – 0,7)/{6K(200)+(440K+260K)+201(1,5K+100)}=8,687μA; IE=(20)X8,687μA=

IE=1,746mA;r’e=25mV/1,746mA=14,317Ω; rC=260K//6K//18K=4423,44Ω; Av=4423,44/(14,318+100)=
Av=38,694; Zin(BASE)=200(14,318+100)=22863,4031Ω; Zin=440K//22863,6=21734,052Ω;
Vin=180mVX21734,23/(1,2K+21734,23)=170,581mV=Vb; V0=170, 581mVX38,694=6,6V= Vc ;
iC= 6.6/4423,44=1,492mA; ib=1,492/200=7,46μA; ie=201X7,46μA=1,499mA; Ve=1,499mAx100=
Ve=149,964mV; iRC=6,6/6K=1,1mA; if=(0.18mV– 170,581mV) / 1.2K=7,848μA;
AiRealRc=1,1mA/7,849=140,145; AvReal=6.6/0,18=36,669; ApRealRC=140,145X36,666=5139,82;
iRL=6,6/18K=366,698μA; AiRealRL=366.666 μA/7,848 μA=46,721.
Analice los 4 ejercicios resueltos para que tengan idea de cómo se resuelven los problemas que les
envié y los puedan resolver
. PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

PARA RESOLVER
1.- Con la información que ofrecen las figuras 1, 2 y 4. Determine, si el β=200
a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
C).-La ganancia de corriente real en Rc.
2.- De la figura 3. Determine, si el β=180
a).- El valor de R1 y Vcc.
b).- Los voltajes y corrientes de c.c y a.c. y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa Rc.
d).- La ganancia de corriente real en R L.
3.- Con la información que ofrecen las figuras 5, 6, 7, 9. Determine, si el β=200
a).-Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
b).-La ganancia de potencia real que disipa R C.
C).-La ganancia de corriente real en la carga.
4._ La figura 8 tiene las siguientes especificaciones: ICQ=1/3 IC(SAT.); IC(SAT.)= 9mA. Determine, si el β
=200
a).- El valor de RB, RE y Rc.
b).- Los voltajes y corrientes de c.c y a.c, y la potencia que disipa el transistor.
c).- La ganancia de potencia real que disipa RC.
d).-La ganancia de corriente real en la carga.
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RESPUESTAS A LOS 9 PROBLEMAS

Figura 1.- V2=20V; RTH=300K; V TH=0V; IB=10,677μA; IE= 2,146mA ; IC=2,135mA; VB=3,203V;
VE=3,903V; Vc= – 7,186V;VEC=11.089V; PD=23,653mW; rC=2,4KΩ; r’e=11,648Ω; Av=206,037:
Zin(BASE)=2329,672Ω; Zin=2311,721Ω; Vin= 16,443mV=Vb; Vo =3.387V=Vc; ic =1,411mA:
ib=7,058μA; ie=1,418mA; Ve=0V; if =7,113 μA; iRL=846,992μA; iRC= 564,661μA;
AirealRL= 119,075 AVreal= 169,398; APrealRL= 20171,175 ; AirealRC= 79,383.
Figura 2.- IB=7,427μA; IE= 1,492mA ; IC=1,485mA; VB=133,699mV; VE=833,699mV; Vc= –5,771V;
VEC=6.605V; PD=9,812mW; rC=1,2kΩ; r’e=16,745Ω; Av=10,278: Zin(BASE)=23349,008Ω;
Zin=10164,261Ω; Vin=138,979mV=Vb; Vo =1,428V=Vc; ic =1,19mA: ib=5,952μA; ie=1,196mA;
Ve=119,64mV; if =13,673μA; iRL=238,091μA; iRC=952,364μA; AirealRL= 17,412; AVreal=7,936;
APrealRL=138,194; AirealRC= 69,651.
Figura 3.- IB=20μA; IE= 3,62mA ; IC=3,6mA; VB=7,94V=V2; VE=7,24V; Vc= – 12V; Vcc=22,8V;
R1=18715,365 ;VEC=4,76V; PD=14,28mW; rC=2,25kΩ; r’e=6,906Ω; Av=325,8; Zin(BASE)=1243,093Ω;
Zin=1043,975Ω; Vin= 16,784mV=Vb; Vo =5,468V=Vc; Ve=0V; ic =2,43mA: ib=13,502μA;
ie=2,443mA; if =16,077 μA; iRL=607,599μA; iRC=1,822 mA; AirealRL= 113,375 AVreal=169,398;
APrealRC=30999,158; AirealRL= 37,791.
Figura 4.- V2=7,272V; IE= 2,629mA; IB=13,080μA; IC=2,616mA; VB=12,727V; VE=13,427V; Vc= –
9,535V;VEC=22,963V; PD=60,072mW; rC=2,6666kΩ; r’e=9,508Ω; Av=280,436: Zin(BASE)=1901,798Ω;
ie=1,797mA; if =10,7183μA; iRL=596,125μA; iRC=1,192mA; AirealRL= 55,6174 AVreal=238,45;
APrealRL=13262,00153; AirealRC= 111,2349
Figura 5.- IB=10,929μA; IE= 2,196mA; IC=2,185mA; VB= – 19,345V=; VE= – 20,045V; Vc= – 12,241V;
VEC=7,804V; PD=17,0598mW; rC=3657,474KΩ; r’e=11,379Ω; Av=321,4; Zin(BASE)=2275,959Ω;
ie=1,559mA; if =7,797μA; iRL=506,803μA; iRC=1,013 mA; AirealRL= 129,994 AVreal=169,398;
Figura 6.- V2=12V; IE= 1,486mA; IB=7,397μA; IC=1,479mA; VB= – 6V; VE= – 6,7V; Vc= 9,123V;
VCE=15,823V; PD=23,409mW; rC=3,6KΩ; r’e=16,814Ω; Av=30,818: Zin(BASE)=23362,831Ω;
Zin=13375,691Ω; Vin= 183,931mV=Vb; Vo =5,668V=Vc;; ic =1,574mA: ib=7,872μA;
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ie=1,582mA; Ve=158,243mV; if =13,39μA; iRL=629,824μA; iRC=944,737μA; AirealRC= 70,551;

AVreal=28,342; APrealRC=1999,5 78; AirealRL= 47,034.
Figura 7.- V2=10,818V; IE= 1,264mA; IB=6,289μA; IC=1,257mA; VB= – 9,818V; VE= – 10.518V;
Vc= 12,452V; VEC= 22,9704V; PD= 28,895mW; rC= 3428,571Ω; r’e= 19,774Ω; Av= 173,381;
Zin(BASE)= 3954,937Ω; Zin= 3810,534Ω; Vin= 18,54mV=Vb; Vo =3,214V=Vc; Ve= 0V;
ic = 937,579μA: ib= 4,687μA; ie= 942,267μA; if = 4,865μA; iRL= 401,819μA; iRC= 535,759 μA;
AirealRC= 110,112; AVreal=160,727; APrealRC=17698,211; AirealRL= 82,584.
Figura 8. - IC= 3mA; IB=15μA; IE= 3,015mA; Rc= 1,5KΩ ; RE=500 Ω; RB=1'052.833,333Ω; Vc= 4,5V
VE= 16,4925V; VB= 15,7925V; VEC= 11,9925V; PD= 35,9775mW; rC= 1,2KΩ; r’e= 8,291Ω;
Av= 144,72; Zin(BASE)= 1658,374Ω; Zin= 1655,766Ω; Vin= 16,932mV=Vb; Vo =2,45V=Vc; Ve=
0V; ic = 2,042mA: ib= 10,21μA; ie= 2,052mA; if = 10,226μA; iRL= 408,403 μA;
iRC=1,633mA; AirealRC= 159,748; AVreal=160,727; APrealRC=19572,535; AirealRL=39,937.
Figura 9.- IB= 11,521μA; IE= 2,315mA ; IC= 2,304mA; VB= –13,826V=V2; VE= – 14,526V; Vc= –
6,913V; VCE=7,613V; PD=17,543mW; rC=2kΩ; r’e=10,975Ω; Av= 185,2707; Zin(BASE)=2159,002Ω;
ie=1,634mA; if =8,146μA; iRL=542,106μA; iRC=1,084mA; AirealRC= 133,093 AVreal=162,631;
ANALISIS MATEMATICO DE LOS AMPLIFICADORES MULTIETAPAS
Para analizar este amp. multietapa de tres etapas como el de la figura1, aplicamos el teorema de
superposición para analizar primero el circuito de corriente continua y luego el circuito de a.c.
Para analizar el circuito de corriente de continua se cortocircuita la fuente de voltaje de a.c, y los
condensadores se comportan como interruptores abiertos quedando el circuito de la figura 1 como el
se muestra en las figuras 2, 3 y 4.
Ahora analizamos cada circuito por separado en la parte de corriente continua:
Hallamos el valor de V 2-1 en la figura 2: V 2-1=Vcc.R2-1/(R1-1+R2-1)=, y el V2-1=VB1 . Hacemos la malla 1
para hallar la IE2: → ‒ V2+VBE+VBE+IE2.RE=0 → IE2=(V2 ‒ 2VBE)/ RE =; Hallada la IE2 puedo hallar las
demás corrientes: IE1= IB2 = IE2 / ( β + 1 )=; IC1= IB1.β=; IC2 = IB2β=; IB1= IE1 /( β+1)=( IE2 / (β+1)) / (β+1)=
IB1=IE2 / (( β + 1 ) ( β + 1 )) =. Hallamos los voltajes de cada uno de los transistores:
VB1=V2; VE1=V2 ‒VBE=VB2; VE2=VE1‒ VBE= V2 ‒ 2VBE= IE2.RE=; VC1=VC2=VCC.

Analizamos el circuito de la figura 3 que es la segunda etapa esta polarizado por divisor de voltaje.
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Hallamos el valor de V2-2 en la figura 3: V2-2=Vcc.R2-2/(R1-2+R2-2)=, y el V2-2 = VB2. Hacemos la malla 1

para hallar la IE3: ‒ V2 + VBE + IE2.RET = 0 → IE3=(V2 ‒ VBE)/ RET =; IB3 = IE3 / ( β + 1 )=; IC3= IB3.β=. RET =
RE + rE =. Conocida las corrientes hayamos los voltajes:
VB3 = V2 = VBE3 + IE.RET =; VE3 = V2-3 ‒VBE= IE3.RET=; ‒ VCC + IC3.RC2 + VC2 = 0 →
VC=VCC‒IC x RC =; ‒VCC+IC.RC+ VCE + IE.RE=0 → VCE =VCC‒IC (RC+ RE )=.
Analizaremos el circuito de la figura 4 que es la tercera etapa y esta polarizado por divisor de voltaje
y hacemos el mismo análisis que en el circuito de la segunda etapa.
V2-3 = Vcc. R2-3 / ( R1-3 + R2-3) =, y el V2-3 = VB3. Hacemos la malla 1 para hallar la I E4: ‒ V2 + VBE +
IE4.RE = 0 → IE4=(V2 ‒ VBE)/ RE =; IB4 = IE4 / ( β + 1 )=; IC4= IB4.β=. Conocida la corriente hallamos los
voltajes:VB = V2 = VBE + IE.RE =; VE = V2 ‒VBE= IE.RE=; ‒ VCC + IC.RC + VC = 0 →
VC=VCC‒IC x RC =; ‒VCC+IC.RC+ VCE + IE.RE=0 → VCE =VCC‒IC (RC+ RE )=.
Aplicando la segunda parte del teorema de superposición, para analizar el circuito de corriente
alterna, reducimos la fuente de cc a cero; esto equivale a poner en corto la fuente de voltaje de C.C.
Ponemos en cortocircuito los capacitores de paso y acoplamiento, como se muestra en el circuito5,
las resistencias RE2 y RE3 se anulan por el efecto de los condensadores de paso
FIGURA 5
Las resistencias R1-1; R1-2; RC2; R1-3 y RC3 que están a tierra las bajamos a la tierra de abajo para
dejar una sola tierra y poderlo analizarlo mejor como se muestra en el circuito 6, vemos que en la
primera etapa tenemos R1-1 y R2-1 están en paralelo y la cambiamos por una resistencia equivalente
que la llamaremos RB1, y en la segunda etapa aparecen RE2; R1-2 y R2-2 están en paralelo y la
cambiamos por una resistencia equivalente que la llamaremos R B2 y por último estudiaremos la
tercera etapa y vemos que la resistencias R C2; R1-3 y R2-3 están en paralelo y la cambiamos por una
resistencia equivalente que la llamaremos R B3. Las resistencias RC3 y RL conforman la resistencia
equivalente de carga y están en paralelo y la llamaremos r c4.
FIGURA 6
Ahora hacemos el circuito equivalente del amplificador en ac completo, o sea cambiando los
transistores por sus circuitos equivalentes como se muestra en la figura 7.
Como la ganancia de voltaje del amplificador es igual A V1x AV2xAV3, en la primera etapa la ganancia es
aproximadamente igual a 1, en la segunda etapa la ganancia de voltaje está entre 10 y 40, y la
tercera etapa un la ganancia de voltaje está entre 40 y 400.
Comenzamos calculando las ganancias de voltaje en cada una de las etapas: A v1=Re / (r’e2+Re)=.
Donde Re= RE1 //RB2 //Zin(BASE)3=, y r’e2=25mv/ IE2=. La segunda etapa la AV2= - rc2 /(r’e3+rE)=.
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Donde rc2=RC3 // RB3 //Zin(BASE)4=, y la tercera etapa la AV3= - rc3 / r’e4=. Donde rc3=RC4 // RL=.
Podemos hallar todas las impedancias de base: Zin(BASE)1= β ( r’e1 + Zin(BASE)2 ) =;
Zin(BASE)2= β (r’e2 + Re) =; Zin(BASE)3= β (r’e3+rE) =; Zin(BASE)4= β. r’e4=.
FIGURA 7
Ahora calculamos la Zin para hallar el V in y poder calcular los demás voltajes. Zin=RB1//Zin(BASE)1=;
V in= VFxZin / (RF + Zin)= V b1; → VO =AVTxV in = V C4; → Vo1= V inxAV1= V e2= V b3; → Vo2= Vo1xAV2=;
Vo2= V C3= V b4=; → V e1= V in - i e1x r’e1 =; → V e1= V b2=; → V e3= i e1x rE3=; → V e4=0V.
Hallaremos las corrientes que las vamos a necesitar para hallar algunos voltajes:
i b1= V b1 / Zin(BASE)1=; → i e1= (β+1) i b1=; → i C1= i b1x β=; → i b2= V b2 / Zin(BASE)2=; → i e2= (β+1) i b2=; → i
C2= i b2x β=; → i b3= V b3 / Zin(BASE)3=; → i e3= (β+1)i b3=; → i C3= i b3x β=; → i C4= V C4 / rc3=; →
i b4= i C4 / β=; → i e4= (β+1)i b4=.
PROBLEMA DE TRABAJO PARA ENTREGAR EL DIA DEL PREVIO
FIGURA 8
En el amplificador de la figura 8, c/u de los transistores tienen un β=200 calcular:
a.- Los voltajes y corrientes de cc y ac en c/u de las etapas del amplificador, y la potencia que disipa
c/u de los transistores.
b.- La impedancia vista desde la base de Q1.
c.- La ganancia de corriente real que recibe la base de Q 3.
d.- La ganancia de corriente real que recibe Rc 4.
e.- La ganancia de potencia real que disipa la R L.
DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON TRANSITORES BIPOLARES (BJT) DE UNA O MAS

ETAPAS ESTE ES EL CAPITULO 2 Y ES EL TRABAJO QUE HAY QUE HACER.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA SIN

DESACOPLAR
PROBLEMA DISEÑO. Diseñar un amplificador emisor común con resistencia de emisor sin
desacoplar que cumpla con los siguientes parámetros: AV= - 8; Vf=300mVpp; R L=4k; Fc= 25Hz;
Vcc= 15V; Ic= 3mA; β=200
Vc=Vcc/2; VRC =Vcc-Vcc/2=Ic.Rc= → Rc=VRC/Ic=; Av= - rc/ (r’e+RE)=; rc=Rc //RL. Como RE>>>r’e.
Entonces Av= -rc/RE → RE= -rc/Av; Ic=IE; VRE=IC*RE; V2=VE+VBE= IE.RE +0.6; V1=Vcc – V2=;
IB =Ic/ß(Medido); I1=11IB; I2=10IB; R1 =V1/I1;R2=V2/I2; Ccin=1 / (2πfcZin);
Cco=10/(2πfcRL)=; Zin=R1//R2 //Zin(BASE)=; Zin(BASE)= ß(r’e+RE)≈ß.RE
Los valores de las resistencias y de los condensadores, si no son
exactos se aproxima a un valor que se consiga en el comercio.
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Para medir la Zin: abrimos el circuito en el nodo formado entre el Ccin y las R1 y R2.Introducimos
un potenciómetro con una R igual a cero .Giramos el potenciómetro hasta obtener la mitad de la
señal que había en la carga. Quitamos el potenciómetro y medimos la R entre los puntos 1 y 3 y
esa será la Zin del amplificador
Para medir la Zo: quitamos la R L y en su lugar montamos el
potenciómetro. Giramos el potenciómetro hasta alcanzar la mitad de la
señal que había en un principio en la carga. Quitamos el potenciómetro
y medimos la Resistencia entre los puntos 1 y 3, esta será la
impedancia de salida.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE

EMISOR DIVIDIDA
PROBLEMA DISEÑO.; Diseñar un amplificador cuya resistencia de emisor se divide en dos, y una
de ellas es desacoplada, este circuito deberá cumplir con los siguientes parámetros: Av.=35
fC=30Hz; Vcc=15V.; Ic=5mA; RL=4K Ω ; Vf=120mVpp; β=200.
VC = VCC /2= VRC = Vcc - Vcc / 2 Rc = Vcc / 2IC=.El VRE, es la
resistencia de emisor total y la tomamos como: V E=Vcc/6=VRET=; y
RET=rE+RE=;RET= Vcc / 6Ic=; Como Ic = IE →VCE =Vc -VE=; Av=-rc/(r’e+
rE)=; como rE es mucho mayor que r’e → rE = - rc/ Av =
La rE calculada, la recalculamos, para así lograr la ganancia requerida
por el circuito. A la rE calculada le quitamos un 30% ósea r*E=70%.rE=;
RE= RET - r*E=; VRET=Vcc/6=; VR2=VRET+VBE =; VR1=Vcc - VR2 =; Pero si
VBE=0.6V; → VR2 = Vcc/6 +0.6=; IB=Ic/ß(Medido)=; I1= 11.IB=; I2 =10.IB; R1=
V1 / I1=; R2 =V2 /I2=; Ccin =1/(2πfoZin)=; Zin = R1 // R2 // Zin(BASE)=; Zin(BASE)= ß(ŕe+ r*E) ≈ßr*E=;
Cco= 10 / (2πfcRL)=; Cbp = 10 / (2πfcRE)=.
AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE EMISOR
TOTALMENTE DESACOPLADA
PROBLEMA DISEÑO. Diseñar un amplificador emisor común con resistencia de emisor totalmente
desacoplada, este circuito deberá cumplir con los siguientes parámetros: Av = 160; V F = 20mVpp;
fo = 30Hz ; RL = 6.8K Ω ; ß(Medido) =
RL rC = R L – ( X % ) R L Av
TABLA PARA
CALCULAR 500 a 3kΩ rC = R L – ( 20 % ) R L 40 a 400
3k Ω a 5kΩ rC = R L – ( 60 % ) R L 40 a 100
rc
rC = R L – ( 80 % ) R L 100 a 400
5KΩ a 10kΩ rC = R L – ( 70 % ) R L 40 a 100
rC = R L – ( 55 % ) R L 100 a 400
10KΩ a 20kΩ rC = R L – ( 90 % ) R L 40 a 100
rC = R L – ( 85 % ) R L 100 a 400
20KΩ a 50kΩ rC = R L – ( 96 % ) R L 40 a 100
rC = R L – ( 90 % ) R L 100 a 400
NOTA: Esta tabla se aplica para los 60KΩ a 150kΩ rC = R L – ( 98 % ) R L 40 a 400
diseños de los amplificadores de resistencia de emisor totalmente desacopladas y también en los
diseños de base común.
Av hallo rC . Si rC= R L – ( X % ) R L. Conocida rC hallo Rc. Si rC = Rc ∙RL / (Rc + RL )= → Rc= rC∙RL /
(RL – rC) = Av= - Rc / r’e = → r’e = - rC / Av=; y r’e= 25mv / IE ≈ Ic =. Para el valor de VE lo tomo entre
0.5V ≤ VE ≥ 3.5V. Tomamos un valor aproximado entre 2V y 3V. V E=VRE= RE.IE= → RE = VE / Ic =;
Vcc= VRC+ VCE+ VE=; VR1 = Vcc - VR2 =; Pero VR2 = VRE + VBE =
VR2 = RE.IE + 0.6=; IB = Ic / ß(Medido) =; I1=11IB; I2=10IB; R1= V1 /I1=; R2 = V2 / I2 =; Ccin =1 / (2πfoZin)=;
Zin =R1 // R2 //Zin(BASE) =; Zin(BASE)= β.r'e=; Cco= 10 /(2.π.fo.RL)=; Cbp= 10 / (2.π.fo.RE).
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR COLECTOR COMUN
PROBLEMA DISEÑO. Diseñar un amplificador colector común que cumpla con los siguientes
parámetros: Av ≈ 1;Vf= 1Vpp; fo= 30H; RL= 560Ω; Zin ≥ 10kΩ; Ic = 2,5ma; β=200.
PROCEDIMIENTO
Cálculo la RE=K∙RL=;→“K”es una constante que puede tener un valor
entre 5 ≤ “K” ≤ 20.
Cálculo VRE= RE∙Ic=; Cálculo la Vcc C = 2VRE =; Cálculo de los voltajes en

R1 y R2: VR1 = Vcc - VR2 Y VR2= VRE + 0.6 =. IB = Ic / ß(Medido) =; I1=11IB;
I2=10IB; R1= V1 /I1=; R2 = V2 / I2 =; Ccin =1 / (2πfoZin)=; Zin =R1 // R2
//Zin(BASE) =; Zin(BASE) = ß(r'e+Re) ≈ß.Re=; Ccin= 1/(2.π.fo.Zin)=;
Cco = 10 / (2.π.fo.RL)=
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DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR BASE COMUN

PROBLEMA DISEÑO. Diseñar un amplificador base común que cumpla con los siguientes
parámetros: Av=150; Vin=20mVpp; fo=30Hz; RL=6,8K Ω; ß(Medido) =200.
PROCEDIMIENTO
Vout=Av xVinpp= ; VCE =Vout +K y K≥ 1. Por medio de la tabla anterior
hallo rC. Si Si rC= R L – ( X % ) R L=; → Rc= rC∙RL / (RL - rc) =; Av= - rC / r’e
→ r’e= - rC /Av=. Como r’e=25mV /IE =. → (IE ≈ Ic)=25mV/ r’e= Llevo el
valor de Ic a un valor exacto por ejemplo si me da 1.88mA lo llevo a 2mA
para asi obtener valores de resistencias exactas.
Para obtener el valor de VE lo tomo entre 1V ≤ VE ≥ 4V → RE=VE / Ic=; →
Vcc= VRC+ VCE+ VE =; → VR1=Vcc -VR2=; Pero VR2= VRE+0,6=, e IB=Ic/ß=;
→ I1=11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=; Ccin=1 / (2πfoZin)=; Zin≈r’e; Cco= 10 / (2πfoRL)=; Cbp=
10 / πfoR2)=.
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR PARAFASICO PROBLEMA DISEÑO._
Diseñar un amplificador parafásico que cumpla con los siguientes parámetros: Av=1; Vin=120mVpp;
fo=30Hz; Ic=2mA; β=200; RL1=RL2=5,6KΩ; Zin≥15KΩ.Cálculo la
RE=K∙RL=;→“K”es una constante que puede tener un valor entre 1 ≤
“K” ≤ 5; RL1=RL2; Rc=RE
VRE=VRC=RE∙Ic=; VCE≥VRE; Vcc= VRC +VCE+ VRE=; como VRE=VRC,
entonces tenemos Vcc=2VRE+VCE=.
El VCE se le dar un valor mayor que el de VRE de tal forma que se
obtenga un Vcc de 12V; 15V; 18V; 24V ó 30V. V R2= VRE + 0,6 =; VR1=
Vcc - VR2=IB = Ic / ß(Medido)=; I1=11.IB; I2=10.IB; R1=V1 / I1=; R2=V2 / I2=;
Ccin=1 / (2πfoZin)=; Zin= R1 // R2 // ß(Medido)(.Re+ r’e); Cco= 10 /
(2πfoRL)=; Cco=Cco1=Cco2.
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE RC
PROBLEMA DISEÑO._ Diseñar un amplificador de acople
RC que tenga los siguientes parámetros: Av=3600:
Vf=2mVpp; RL=6,8KΩ; S=8; ß(Medido ) =200; fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda: AvT=Av1 x Av2= Diseño
de la segunda etapa: Vout=Avt xVinpp=; →
Vce2=Vout+K ; “K”es una constante K≥1 El
voltaje de RE2 lo asumimos 0.5<RE2<3.5V; rc=RL-(X
%)RL. La(X%) tomamos de la tabla que está en función de
Av y de RL: Rc= RL . rc /( RL - rc). Calculamos
la IC: →
Ic=25mv/r’e ; r’e= rc/Av2;la corriente Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor al
que nos dio en el caculo. Para obtener valores de resistencias que se consigan en el comercio. La Ic
≈ IE.
Cálculo de la resistencia de emisor RE: → RE=VRE / Ic. Cálculo del voltaje en Rc: → VRc= IcxRc.
Cálculo de la fuente de Vcc: → Vcc= VRc+VcE+ VRE2=. Cálculos de los voltajes en R1 y R2 →
VR1=Vcc-VR2=; Y VR2=VRE2+VBE. Cálculo de R1 y R2 → R2= SxRE2 = ; ”S” es el factor de estabilidad
dado en los parámetros del diseño. R 1= VR1XRin/VR2=. Donde Rin= R2//βxRE2=; Cálculo de Zin →
Zin2= R1 // R2 // β.r'e
DISEÑO DE LA PRIMERA ETAPA
Para diseñar la primera etapa, tenemos la fuente de Vcc, que ya fue calculada en la segunda etapa,
y tenemos la resistencia de carga (RL1) que corresponde a la Zin de la segunda etapa, conocidos
estos datos procedemos a diseñar la primera etapa que es un amplificador con resistencia de emisor
dividida.
Para cálculos de polarización para esta etapa debemos tener en cuenta el voltaje de colector a tierra
Vc, para así poder facilitar los cálculos de Rc.
*Cálculo de Rc
Vc=Vcc/2= VRc=Vcc - Vcc/2= VRc=Vcc/2= Rc= VRc /Ic
La corriente de colector para esta clase de circuitos la puede dar el diseñador, teniendo en cuenta
que la Ic1 ≥ Ic2
*Cálculo del VRET
El voltaje en RET para esta clase de circuitos se toma como: VRET=(1/6)xVcc
*Cálculo de RET *Cálculo de VCE *Cálculo de rE1 y RE1
RET= Vcc/6Ic= VCE=Vc-VE rE1=rC1 /Av RE1= RET- rE1 rc1=Rc1//Zin2
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La rE1 calculada solo tomamos el 70%, para así lograr perfectamente la ganancia requerida por el
circuito: →r*E1 = 0.7rE1 RE1= RET- rE1*
*Cálculo del voltaje en R1 y R2 * Cálculo de R1 y R2.
VR2=VRET+VBE=(1/6xVcc)+VBE=; y VR1=Vcc-VR2=; R2=SxRE =; R1=VR1XRin/ VR2. Donde Rin=R2//ßr’e
Cálculo de Zin: Zin= R1 // R2//ßx(r’e + r*E)=
*Cálculo de los condensadores de acople..
Ccin= 1 / (2.π.fc.Zin)=; Cco= 10 / (2.π.fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2.π.fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2.π.fc. RE2)=
Cp= 10 / (2.π.fc (RC1 + Zin2))=
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE DIRECTO
PROBLEMA DISEÑO._ Diseñar un amplificador de acople directo que cumpla con los siguientes
parámetros: Av=3600:Vf=1,5mVpp;RL=6,8KΩ;S=8;ß(Medido)=200 ;fc=30Hz.
Se recomienda que la Av de la primera etapa sea menor
que la Av de la segunda: AvT=Av1 x Av2=
Diseño de la segunda etapa
Vout=Avt. Vinpp=;Vce2=Vout+;“K”es una constante K≥1
Calculamos la IC: → Ic=25mv/r’e ; r’e= rc/Av2;la corriente
Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor
al que nos dio en el caculo. Para obtener valores de
resistencias que se consigan en el comercio. La Ic ≈ I E.
Selección del voltaje en la resistencia de RE2: →
RE2= VRE2 / Ic=.
Debemos recordar que este es un acople directo y
debemos seleccionar un voltaje en RE2 adecuado para facilitar los cálculos de polarización de la
primera etapa y así lograr una buena señal sin distorsión a la salida de cada etapa. El voltaje de R E2
lo asumimos VRE2≥ 3V. rc=RL-(X%)RL. El valor de (X%) lo tomamos de la tabla que esta en función
de Av y de RL, y hallamos la: Rc= RL .rc /( RL - rc)=; Cálculo del voltaje en Rc: → VRc= IcxRc.
Cálculo de la fuente de Vcc: → Vcc= VRc+VcE+ VRE2=; → Cálculo de Zin; Zin2 = ßxr’e=RL1
Para diseñar la primera etapa, tenemos que partir de que ya contamos con una fuente de Vcc
calculada en la segunda etapa, que contamos con un voltaje de colector a tierra de la primera etapa,
y que es igual al voltaje de base a tierra de la segunda etapa, (V C1=VB2= VRE2+0,6); y tenemos una
resistencia de carga (RL1) que corresponde a la Zin2 de la segunda etapa, conocidos estos datos
procedemos a diseñar la primera etapa.
Vc1, para así poder facilitar los cálculos de Rc.
*Cálculo de Rc: →Vc1=VRE2+0,6=; → VRc=Vcc - Vc1= → Rc= VRC1/Ic1
La corriente de colector de la primera etapa la seleccionamos de acuerdo a la corriente de colector
de la segunda etapa. Para unos buenos cálculos de polarización de la primera etapa, siempre
tomamos teniendo en cuenta que la Ic1 ≤ Ic2
*Cálculo del VRET: El voltaje en RET para esta clase de circuitos se puede asumir como V RET≥2. .
*Cálculo de RET= r*E + RE1= *Cálculo de VCE *Cálculo de rE
RET= VRET / Ic= VCE= Vc - VE= rE=rc1/Av = rc1=Rc1//Zin2
La rE calculada solo tomamos el 62%, para así lograr perfectamente la ganancia requerida por el circuito:
r*E = 0.62rE RE1= RET-r*E=
VR2= VRET+ VBE=; y VR1=Vcc-VR2=. R2= SxRE =; R1= VR1XRin / VR2. Donde Rin= R2//ßxRET
Cálculo de Zin: Zin= R1 // R2//ßx(r’e + r*E )=
*Cálculo de los condensadores de acople y de paso.
Ccin= 1 / (2.π.fc.Zin)=; Cco= 10 / (2.π.fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2.π.fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2.π.fc. RE2)=.
DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA DE ACOPLE CON DIODOS
PROBLEMA DISEÑO._ Diseñar un amplificador multietapa de acople con diodos que cumpla con
los siguientes parámetros:
Av=2800:Vf=1,8mVpp; RL=6,8KΩ; S=8;ß(Medido)=200 ; fc=30Hz
Se aconseja que la Av de la 1º etapa sea menor que la Av de la 2º etapa: vT=Av1 x Av2
Diseño de la segunda etapa; Vout=Avt xVinpp=; → Vce 2=Vout+K ; “K”es una constante K≥1
El voltaje de RE2 lo asumimos VRE2≥3V; rc=RL-(X%)RL. El valor de (X%) lo tomamos de la tabla
que esta en función de Av y de R L, y hallamos la: Rc= RL . rc / ( RL - rc) = Calculamos la IC: →
Ic=25mv/r’e ; r’e= rc/Av2; la corriente Ic la aproximamos a un valor exacto que puede ser mayor al
que nos dio en el caculo. Para obtener valores de resistencias que se consigan en el comercio
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La Ic ≈ IE. Cálculo de la resistencia de emisor RE: → RE=VRE / Ic. Cálculo del voltaje en Rc: → VRc=
IcxRc.
Cálculo de la fuente de Vcc: → Vcc= VRc+VcE+ VRE2=; Cálculo de Zin2: → Zin2 = ßxr’e=
Para diseñar la primera etapa, tenemos que partir de que ya contamos con una fuente de Vcc
calculada en la segunda etapa, y tenemos una resistencia de carga (R L1) que corresponde a la Zin2
de la segunda etapa, conocidos estos datos procedemos a diseñar la primera etapa que es un
amplificador con resistencia de emisor dividida.
Vc, para así poder facilitar los cálculos de Rc.
*Cálculo de Rc: → Vc1=Vcc/2=:→ VRc=Vcc - Vcc/2=; → VRc=Vcc/2=; → Rc= VRc /Ic=.
La corriente de colector para esta clase de circuitos la puede dar el diseñador,
Teniendo en cuenta que la Ic1 ≤ Ic2
*Cálculo del VRET.
El voltaje en RET para esta clase de circuitos se toma como: VRET=(1/6)xVcc
*Cálculo de RET= r*E + RE1=; → RET= Vcc/6Ic=; Cálculo de VCE: → VCE=Vc-VE=; Cálculo de rE1 y RE1:
rE=rc1/Av =, y rc1=Rc1//Zin2. La rE calculada solo tomamos el 65%, para así lograr perfectamente la
ganancia requerida por el circuito. r*E = 0,65rE RE1= RET- r*E=
VR2= VRET+ VBE=; y VR1=Vcc-VR2=; R2= SxRE =; R1= VR1XRin/ VR2. Donde Rin= R2//ßx RET
Cálculo de Zin: Zin= R1 // R2//ßx(r’e + r*E )=.
*Cálculo de los condensadores de acople.
Ccin= 1 / (2.π.fc.Zin)=; Cco= 10 / (2.π.fc.RL)=; Cbp1= 10 / (2.π.fc.RE1) =; Cbp2= 10 / (2.π.fc. RE2)=.
Calculo de los diodos de acople.
Los diodos a utilizar son de silicio que tienen un voltaje de 0,6V, el número de diodos que se
utilizarán en el acople se determinarán como sigue a continuación: # de diodos=(Vc 1 - VB2) / 0,6=
Si Vc1=Vcc/2=; y VB2=VRE2+VBE.
Se puede también utilizar un diodo zener tomando esa diferencia de voltaje: Vz= Vc 1 - VB2=.
Se recomienda utilizar en paralelo con los diodos ó el diodo zener un condensador de 0,1µf para
evitar perdidas en la ganancia del circuito debido a la caída de tensión que produce la resistencia
interna de los diodos.
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. (FET= Field Effect Transistor)
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para
aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporción, a las del transistor BJT. Aunque
existen importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, también es cierto que tienen
muchas similitudes que se presentarán a continuación.
Pueden hacerse unas cuantas comparaciones generales entre los dispositivos FET y BJT y los
circuitos resultantes.
1.-El FET tiene una resistencia de entrada extremadamente alta con un valor típico de casi100MΩ.
(La resistencia típica de entrada de un BJT es de 2KΩ).
2.-El FET no tiene voltaje de unión cuando de utiliza como interruptor o muestrador.( El BJT tiene un
VBE =0,7V).
3.-El FET es hasta cierto punto inmune a la radiación, aunque el BJT es sumamente sensible ( el
beta es el que afecta en particular).
4.-El FET es menos “ruidoso” que el BJT y, en consecuencia, mas apropiado para etapas de
entradas de amplificadores de bajo nivel (se utiliza en los receptores de FM de alta fidelidad ).
5.-El FET puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica que el BJT.
6.-El FET es mas pequeño que el BJT y por ello mas popular en los CI.
Algunas desventajas del FET son la A V y el ancho de banda relativamente pequeñas comparadas
con el BJT, así como su mayor susceptibilidad de dañarse cuando se manipula.
La diferencia básica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un
dispositivo controlado por corriente es decir, la corriente Ic es una función directa del nivel de I B,
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como se muestra en la figura 1. Para el transistor FET es un dispositivo controlado por voltaje, y
observamos como la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada
como se muestra en la figura 2. En cada caso, la corriente del circuito de salida está controlada por
un parámetro del circuito de entrada, en la figura 1 se trata de un nivel de corriente y en la figura 2
de un voltaje aplicado.
Así como existen transistores bipolares npn y pnp; donde el prefijo bi indica que el nivel de
conducción es una función de dos portadores de carga, los electrones y los huecos. El FET es un
dispositivo unipolar que depende unicamente de la conducción o bien, de electrones (canal-n) o de
huecos (canal-p).
El término “efecto de campo” se debe a un campo eléctrico que se establece mediante las cargas
presentes que controlaran la conducción del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto
directo entre las cantidades controladoras y controladas.
CONSRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS JFET
Como se indico anteriormente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con un terminal capaz
de controlar la corriente de las otras dos, y contiene una unión p-n básica y puede construirse como
un FET de unión (JFET: junctión FET) ó como un transistor de efecto de campo FET metal-oxido-
semiconductor MOSFET (por las siglas en inglés de Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-
Transistor).
La construcción básica del JFET de canal-n y el canal p se muestra en la figura 3. Obsérvese que la
mayor parte de la estructura es de material tipo n que forma el canal entre las capas interiores del
material tipo p.
La parte superior del canal tipo-n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la
terminal referida como el drenaje (D)(por la sigla en inglés de, Drain), mientras que el extremo
inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a un terminal referido como
la fuente (S)(por la sigla en inglés, Source). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados
entre sí y también a una terminal de compuerta (G)(por la sigla en inglés, Gate). Por tanto, el drenaje
y la fuente se hallan conectados a los extremos del canal tipo-n y la entrada a las dos capas de
material tipo p. Durante la ausencia de un de-potencial en sus terminales, el JFET tiene dos uniones
p-n bajo condiciones sin polarización: El resultado es una región de agotamiento en cada unión, lo
cual se asemeja a un diodo sin polarización.
La figura 4 muestra las polarizaciones normales para polarizar un JFET de canal n ó canal p. Si es
de canal n se le aplica un voltaje VDD positivo entre el drenador y la fuente, estableciendo un flujo de
electrones libres de la fuente hacia el drenador, si es de canal p sucede lo contrario. Puesto que los
electrones pasan a través del canal, el flujo de corriente depende del ancho del canal.
Obsérvese que se aplica un V GG negativo si es canal N, o positivo si es canal p, entre el graduador ó
compuerta y la fuente ó surtidor, lo que es estándar para todas las aplicaciones del JFET.
POLARIZACION DE UN JFET
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Como podemos observar en la figura 4 el graduador esta polarizado inversamente, según la teoría
vista del diodo entre más grande sea el voltaje del graduador, el canal se hace más estrecho porque
las capas de agotamiento se aproximan más.
VOLTAJE DE CORTE DE GRADUADOR-SURTIDOR (VP)
Cuando el voltaje de graduador alcanza su máximo valor las capas de agotamiento hacen
contacto y el canal de conducción se estrangula (desaparece). En este caso se corta la corriente del
drenador. El voltaje de graduador que provoca el corte se simboliza como V GS(apagado)=VP
CORRIENTE DE FUGA DEL GRADUADOR
Puesto que la unión graduador-surtidor es un diodo polarizado inversamente, a través de él
fluye sólo una pequeña corriente inversa. Idealmente, la corriente de graduador es cero, y por tanto,
la corriente del drenador es igual a la corriente del surtidor. Por esta razón, la única corriente
significativa en un JFET es la corriente del drenador, simbolizada como I D.
ALTA RESISTENCIA DE ENTRADA
Hay una diferencia muy grande entre un JFET y un transistor bipolar; la impedancia de entrada a
bajas frecuencias. Puesto que por el graduador casi no circula corriente inversa, la resistencia de
entrada de un JFET es de decenas o cientos de megohmios. Por lo tanto, es preferible usar un JFET
en las aplicaciones en que se requiere un alta impedancia de entrada, lo malo de alcanzar esta alta
impedancia de entrada es tener un menor control sobre la corriente de salida, y una menor ganancia
de voltaje. En otras palabras, un JFET necesita mayores variaciones en el voltaje de entrada para
producir pequeñas varaciones de corriente a la salida. Por esta razón, un amplificador con JFET
tiene mucha menor ganancia de voltaje que un amplificador bipolar.
SIMBOLOS
Los símbolos gráficos para los JFET de canal-n y canal p se presentan en la figura 5. Obsérvese
que la flecha se encuentra apuntando hacia adentro para el dispositivo de canal n, con el objeto de
representar la dirección en la cual fluiría I G si la unión p-n tuviera polarización directa. La única
diferencia en el símbolo es la dirección de la flecha para el dispositivo de canal p.
CURVAS DEL DRENADOR

La figura 6 muestra una familia de curvas del drenador de un JFET. Obsérvese la similitud con las
curvas del colector de un bipolar. Se encuentra una región de saturación, una región activa, una
región de ruptura y una región de corte. Para V GS=0 corresponde a la condición de graduador en
corto circuito ya que es equivalente a conectar directamente el graduador con el surtidor. Cuando el
VGS=0 la ID se incrementa rápidamente hasta su máximo valor que es la I DSS.
El subíndice de IDSS se refiere a una corriente del drenador con el graduador en corto circuito y es la
máxima corriente de drenador que un JFET puede producir.
El nivel de VGS que dá por resultado I D=0 mA se encuentra definido por V GS=VP, siendo VP un
voltaje negativo para los dispositivos de canal-n y un voltaje positivo para los de canal p.
RESUMEN
Una cantidad importante de parámetros y relaciones se han presentado hasta ahora. Otros cuya
referencia será frecuente en el análisis del JFET, asi como otros en el siguiente analisis de los JFET
de canal-n, se describen a continuación:
La corriente máxima se encuentra definida como I DSS y ocurre cuando VGS=0v y VDS ≥ |VP|.
Para los voltajes del drenador a la fuente V GS menores que (más negativos que) el nivel de
estrechamiento, la corriente de drenador es igual a 0A (I D=0A).
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Para todos los niveles de V GS entre 0Vy el nivel de estrechamiento, la corriente I D se encontrará en
el rango entre IDSS y 0 amperios.
Se puede desarrollar una lista similar para los JFET de canal p.
CURVA CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA O DE TRANSCONDUCTANCIA.
Para el transistor BJT la corriente de salida Ic y la corriente de
control IB fueron relacionadas por (β) beta, considerada como
constante para el análisis que fue desarrollado. En forma de
ecuación,
En esta ecuación existe una relación lineal entre Ic e I B. Si se duplica el nivel de IB e Ic, se
incrementará también por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades de salida y de entrada de un
JFET. La relación entre ID y VGS se encuentra definida por la ecuación de Shockley:
El término cuadrático de la ecuación dará por resultado una relación no lineal entre I D y VGS,
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de V GS.
Las curvas características de transferencia definidas por la ecuación de Shockley no resultan
afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.
Se puede obtener la curva de transferencia utilizando la ecuación de Shockley o a partir de las
características de salida en la figura 6. En la figura 7 se proporcionan dos gráficas con la escala
vertical en miliamperios para cada gráfica. Una es una gráfica de I D en función de VDS, mientras que
la otra es de ID en función de VGS. Con las características de drenaje a la derecha del eje y es
posible dibujar una línea horizontal desde la región de saturación de la curva denotada V GS=0 y al
eje ID. El nivel resultante de corriente para ambas gráficas es I DSS. El punto de intersección en la
curva ID en función de VGS será el que se mostró antes, ya que el eje vertical está definido
Como VGS= 0v.
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CIRCUITOS DE POLARIZACION.
Así como en los transistores bipolares se utilizaron unos circuitos de polarización para ubicar el
punto Q, también se utilizarán unos circuitos de polarización muy similares a los del bipolar.
Estos circuitos de polarización son:
Polarización de graduador o compuerta.
Polarización por Autopolarización.
Polarización por divisor de voltaje.
Polarización por surtidor o fuente.
Polarización por fuente de corriente.
POLARIZACION DE GRADUADOR O COMPUERTA.
La figura 8a es un ejemplo de polarizaciòn de graduador (similar a la polarización de la base de un
transistor bipolar). La figura 8b muestra un diagrama simplificado. Esta es la peor forma posible de
Fijar el punto Q para un amplificador JFET lineal. La razón es que existe una variación considerable
entre los valores mínimos y máximos de los parámetros de un JFET.
Esto implica que las curvas de transferencia mínima y máximo están separadas como se muestra en
la figura 8c. La polarización por graduador proporciona un voltaje fijo en el graduador, y esto hace
que la ubicación del punto q dependa fuertemente del JFET empleado.
Para hallar los parámetros del circuito polarizado por graduador de la siguiente ecuación:
VGS=VG - VS=; como VS=0V, entonces VGS=VG= - VGG. Conocido el VGS podemos hallar la ID, y así
los demás parámetros por mallas. I D=IDSS(1-(-VGG)/VP)²=; -VDD+ID.RD+VD=0 →VD=VDD- IDRD=;
PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR AUTO-POLARIZACION.
La figura 9a muestra la auto-polarización, que es otra forma de polarizar un JFET. Nótese que sólo
se usa una fuente de alimentación en el drenador; no hay alimentación en el graduador. La idea es
usar el voltaje que se encuentra en el resistor del surtidor R S para producir el voltaje inverso en el
graduador (graduador-surtidor). Esta es una forma de retroalimentación local similar a la que se
utiliza con transistores bipolares. Teniendo presente la función de esta retroalimentación, se ve que
si la corriente de drenador se incrementa, la caída de voltaje en R S; esto aumenta el voltaje inverso
de graduador-surtidor, lo que provoca que el canal se haga más angosto y que reduzca la corriente
de drenador. El efecto resultante es desajustar parcialmente el incremento original de la corriente de
drenador.
VOLTAJE DE GRADUADOR.-Puesto que el graduador esta polarizado inversamente (fig. 9a), la
corriente de graduador que fluye a través de R G es despreciable, por lo que el voltaje de graduador
respecto a tierra es cero: VG=0V.
El voltaje de surtidor a tierra es igual al producto de la corriente de drenador y la resistencia de
surtidor o fuente: VS=IDRS= .
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El voltaje graduador-surtidor es igual a la diferencia entre el voltaje de graduador y el voltaje de

surtidor: VGS=VG - VS =0V - IDRS= VGS = - IDRS.
Esto significa que el voltaje de graduador-surtidor es igual al valor negativo de voltaje en el resistor
de surtidor, de tal forma que cuanto mayor sea la corriente de drenador, más negativo se hace el
voltaje de graduador.
LINEA DE AUTOPOLARIZACION.-Todo circuito auto-polarizado tiene una curva de trans-
conductancia y una línea de auto-polarización como se muestra en la figura 9b. La pendiente de la
línea de auto-polarización es -1/Rs puesto que esta línea es la gráfica de la ley de Ohm para la
resistencia Rs. La única forma de satisfacer tanto la ley de Ohm como la curva de trans-
conductancia es ubicando el punto Q en el punto de intersección.
EFECTO DE LA RESISTENCIA DE SURTIDOR.- La figura 9c muestra la variación del punto Q
cuando cambia la resistencia de surtidor. Cuando Rs es grande, el punto Q desciende sobre la curva
de trans-conductancia o de transferencia y la corriente de drenador es pequeña. Cuando Rs
es pequeña el punto Q asciende sobre la curva de trans-conductancia y la corriente de drenador
es grande. Existe un valor óptimo de Rs que fija el punto Q cerca del centro de la curva de trans-
conductancia.
DISEÑO POR EL METODO MATEMATICO.-Una vez conocido el V GS = ─ IDRS. Despejamos la ID;

ID= ─ VGS/Rs=; y la igualamos con la ID de la formula que es ID=IDSS(1─VGS/VP)²=;
─VGS/Rs = IDSS(1─VGS/VP)² → ─VGS/Rs.IDSS=1 ─ 2VGS/VP+(VGS/VP)²; Si multiplicamos por VP²
tenemos: ─VP²VGS/Rs.IDSS= VP² ─2 VGS VP+VGS². Ahora ordenamos la ecuación y obtendremos una
ecuación de 2º grado: VGS² ─(2VP─VP²/Rs.IDSS)VGS+VP²=0; →
VGS={(2VP─VP²/Rs.IDSS) √(2VP─VP²/Rs.IDSS) ─4VP²}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| ≤ | VP |.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID:→ ID=─ VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
demás parámetros por medio de mallas por ejemplo: ─VDD+ID.RD+VD=0 →VD=VDD ─ IDRD=; también
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; VDS =VD─VS= → VDS=VDD ─IDRD ─ (─ IDRS)=;
VDS=VDD ─ ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
DISEÑO POR EL METODO GRAFICO.- Para diseñar un circuito auto-polarizado por el método
gráfico se toma la hoja técnica del JFET que incluye una curva de trans-conductancia en el cual
tiene las coordenadas de IDSS y VP y se hace lo siguiente: desde el valor de IDSS se traza una
horizontal al eje de las X (VP), luego tomo el valor de VP y trazo una vertical paralela al eje de la Y
(IDSS). Trazo una recta pendiente que se forma entre el punto de intersección de las dos rectas que
acabo de trazar y el punto de origen, esta recta corta la curva de trans-conductancia que es
exactamente donde se obtiene el punto Q optimo. Tómese la lectura de las coordenadas del punto
Q, y la razón de voltaje a corriente proporciona el valor de diseño de Rs:Rs = -V GS/ID. Ver la figura
9d
POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE.-La figura 10a muestra la polarización por divisor de
voltaje que es muy similar a la usada con el transistor bipolar. Si el voltaje de Thévenen V TH aplicado
a graduador o compuerta: VTH=(R2/(R1+R2))xVDD. Este es el voltaje de cc del graduador a tierra. A
causa de VGS, el voltaje de surtidor o fuente a tierra es: Vs=V TH-VGS. Por lo tanto, la corriente de
drenador es igual a: ID=(VTH-VGS)/Rs.
Si VTH es lo suficientemente grande como para despreciar la V GS, la corriente de drenador es
aproximadamente constante para cualquier JFET, como se muestra en la figura 10b.
Sin embargo, existe un problema: En un transistor bipolar el V BE es aproximadamente 0.7 V, con
variaciones mínimas de un transistor a otro, pero en los JFET V GS puede variar varios voltios de un
JFET a otro. Con voltajes típicos de alimentación, es difícil hacer el V TH lo suficientemente grande
para despreciar a VGS. Por esta razón, la polarización por divisor de voltaje es menos efectiva en los
JFETs que en los transistores bipolares.
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Si se grafica la ecuación de I D=(VTH-VGS)/Rs=, se obtiene la línea de polarización mostrada en la

figura 10c. Nótese como la corriente del drenador se incrementa al pasar de Q 2 a Q1. Cuanto mayor
sea el VTH, la línea de carga se hará más horizontal, pero existe un límite superior para el valor de
VTH. Por lo tanto, aunque se obtiene una gran mejoría en la polarización por divisor de voltaje no es
lo suficientemente buena para proporcionar el punto Q fijo que se está buscando.
Como ambas ecuaciones de ID están en función de VGS, y VGS no lo conocemos, entonces igualamos
las dos ecuaciones y despejamos a V GS: (VTH-VGS)/Rs= IDSS(1-VGS/VP)²; así hemos eliminado la ID,
continuamos con el despeje: (V TH─VGS) / Rs.IDSS=1 ─ 2VGS/VP+(VGS/VP)²; Si multiplicamos por VP²
tenemos: VP²(VTH─VGS)/Rs.IDSS= VP² ─2 VGS.VP+VGS². La ordenamos y obtendremos una ecuación
de 2ºgrado: VGS² ─ (2VP─(VP² / Rs.IDSS))VGS+VP²+ VP²VTH / Rs.IDSS =0;
→ VGS={(2VP--VP²/Rs.IDSS) √ (2VP--VP²/Rs.IDSS)-4 VP²(1─(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS| ≤ | VP |.
Hallado el valor de VGS podemos calcular la ID:→ ID=─ VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS =VD─VS=→ VDS=VDD ─IDRD ─
(─ IDRS)=; VDS=VDD ─ ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR SURTIDOR O FUENTE.- La figura 11 muestra la polarización por surtidor
similar a la polarización de emisor. La idea es que de las variaciones de V GS no sean marcadas. Ya
que la mayor parte de VSS aparece en Rs, la corriente de drenador es aproximadamente igual a:
ID=(Vss-VGS)/Rs.
Para que la polarización por surtidor opere bien, Vss debe ser mucho mayor que V GS. Sin embargo,
un intervalo típico para VGS está entre -1 y -5 V, donde es claro que no es posible despreciar el
efecto de VGS usando voltajes típicos de alimentación.
Como ambas ecuaciones de ID están en función de VGS, y VGS no lo conocemos, entonces igualamos
las dos ecuaciones y despejamos a VGS: (Vss─VGS)/Rs= IDSS(1─VGS/VP)²; así hemos eliminado la ID,
continuamos con el despeje: Vss─VGS/Rs.IDSS=1 ─ 2VGS/VP+(VGS/VP)²; Si multiplicamos por VP²
tenemos: VP²(Vss─VGS)/Rs.IDSS= VP² ─2 VGS.VP+VGS². La ordenamos y obtendremos una ecuación
de 2º grado: VGS²─(2VP─(VP²/Rs.IDSS))VGS+VP²+(VP²Vss/Rs.IDSS)=0 Resolvemos la ecuación de 2º
grado para hallar el VGS:
VGS={(2VP--VP²/Rs.IDSS) √ (2VP--VP²/Rs.IDSS)-4 VP²(1─(VTH/ Rs.IDSS)}/2=.
El VGS toma dos valores el cual uno sirve y el otro no, se toma aquel que cumpla que:|V GS|≤|VP|.
Hallado el valor de V GS podemos calcular la ID:→ ID=─ VGS/Rs=; calculada la ID podemos hallar los
podemos hallar VDS por mallas o de la siguiente forma; V DS =VD─VS=→VDS=VDD ─IDRD─(VEE ─
IDRS)=; VDS=VDD + VEE─ ID(RD+RS)=; y PD=VDSxID=.
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE.-Existe una forma de obtener un punto Q estable
en los JFETs: se necesita producir una corriente de drenador independiente de V GS. La polarización
por divisor de voltaje y la polarización por fuente se intento realizar esto, pero como se explico es
difícil despreciar el VGS con valores típicos de alimentación ya que V GS puede ser de varios voltios.
Aquí se analizan dos circuitos: con fuente de alimentación bipolar (ver figura 12a) y con fuente
monopolar (ver la figura 13), en los que el efecto de V GS realmente es despreciable.
FUENTE DE ALIMENTACION BIPOLAR.-Como el transistor bipolar esta polarizado por emisor, la

corriente de emisor está dado: I C=(VEE-VBE) / RE=. Puesto que el transistor bipolar actúa como una
fuente de corriente de cc, ésta fuerza a la corriente de drenador del JFET a ser igual a la corriente
del colector: IC ≈ IE=ID.
La figura 12b muestra cuán efectiva es la polarización por fuente de corriente. Puesto que Ic es
constante. Los dos puntos Q tienen los mismos valores de corriente de drenador. La fuente de
corriente elimina la influencia de V GS. Aun cuando VGS es diferente para cada punto Q, ya no influye
en los valores de corriente de drenador.
Una vez hallada la ID puedo hallar los demás parámetros como: ─VDD+ID.RD+VD=0 → VD=VDD
─ IDRD=; también podemos hallar V DS por mallas: -VDD + IDRD+VDS+VCE+IDRE ─ VEE =0;
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VDS=VDD+VEE ─ VCE ─ ID(RD+RE)=;y VCE = VC VE=; por mallas VE=VEE ─ IE.RE=, y Vc=Vs=VGS; VCE
= VGS─( IE.RE ─VEE)= → VCE = VGS ─ IE.RE + VEE=, y VDS=VDD─VGS─ ID.RD =;VG=0V;VB=OV;
PD=VDS x ID, y PD=VCE.ID
FUENTE MONOPOLAR.-Cuando no se dispone de una fuente de alimentación bipolar, puede
utilizarse un circuito como el de la figura 13 para fijar una corriente de drenador constante. En este
caso, el transistor bipolar se polariza por divisor de voltaje. Suponiendo un divisor de voltaje fijo,
las corrientes de colector y emisor son constantes independientes del transistor bipolar. Esto fuerza
a que la corriente del drenador del JFET sea igual a la corriente de colector del transistor bipolar.
Como la polarización es por divisor de voltaje, hallo el V 2 hago la malla y obtengo lo siguiente:
V2=VDD.R2/ (R1+R2)=, e IE≈Ic=ID=V2 ─ VBE/ RE=. Los demás parámetros se hallan lo mismo que el
anterior o sea por mallas porque ya conoce la I D
TRANSCONDUCTANCIA O TRANSFERENCIA.- Antes de analizar los amplificadores JFET se
requiere analizar un parámetro de ac llamado trans-conductancia, que se designa como gm y se
define de la siguiente manera: gm=∆ID/∆VGS. Ya que las variaciones de ID y VGS son equivalentes a
corrientes y voltajes de ac, y puede escribirse como la ecuación: gm=id/vgs.
Esta es una fórmula para señal pequeña, exacta para cambios infinitesimales, y se utilizará como
una aproximación para gm siempre que el valor pico a pico de id sea menor que el 10% de la
corriente de drenador en el punto Q. Su unidad es el siemens (S), anteriormente denominada mho.
Esta unidad representa la conductancia, la razón de corriente a voltaje.
INTERPRETACION GRAFICA.-la figura 14 representa la interpretación de gm en términos de la
curva de trans-conductancia. Entre los puntos A y B, un cambio de V GS produce un cambio en ID.
La razón de cambio en ID al cambio de VGS es igual al valor de gm entre A y B. Si se selecciona otro
par de puntos mas arriba de la curva, en C y D, se obtiene una mayor variación en I D para un cambio
dado en VGS.
Por tanto, gm tiene un valor mayor en la parte superior de la curva. En pocas palabras, gm dice
cuanto control tiene el voltaje de graduador sobre la corriente de drenador. Cuanto mayor sea gm
mas eficaz será el control del voltaje del graduador sobre la corriente de drenador.
MODELO SIMPLE DE UN JFET.-la figura 15 muestra un circuito equivalente simple de ac para un

JFET. Una resistencia muy alta RGS está entre el graduador y el surtidor. Su valor es del orden de
los cientos de megohmios. El drenador del JFET actúa como una fuente de corriente con un valor de
gm.vgs. Si se conoce gm y vgs puede calcularse la corriente de ac de drenador.
Este modelo es una primera aproximación ya que no incluye la resistencia interna rds de la fuente de
corriente, las capacitancias internas del JFET, etc. Para bajas frecuencias, este modelo simple de ac
puede utilizarse en la localización de fallas y modelo preliminar.
VALOR DE LA TRANSCONDUCTANCIA.-Cuando VGS=0V, gm tiene su valor máximo, el cual se
denota gmo, la relación entre gm para cualquier punto Q y la gm máxima, dada por:
gm=gmo (1-VGS/VP)=.
Nótese que gm decrece linealmente cuando VGS se hace más negativa, como se muestra en la
figura 16. Esta propiedad es útil en el control automático de ganancia mas adelante.
Vp=VGS(apagado)= -2IDSS/gmo. Es muy difícil medir en forma precisa el valor de V P. Por otro lado, IDSS
y gmo pueden medirse con alta precisión. Por lo tanto, el procedimiento normal es medir I DSS y gmo
para después calcular el VGS (apagado).
El AMPLIFICADOR DE SURTIDOR COMUN.-En la figura 17 muestra un amplificador en
configuración surtidor común (CS). Cuando se aplica una pequeña señal de ac en el graduador,
esta produce variaciones en el voltaje entre graduador y surtidor, que a su vez proporciona una
corriente de drenador senoidal. Ya que una corriente alterna fluye a través del resistor de
drenador,se obtiene a la salida un voltaje de ac amplificado.
INVERSION DE FASE.--Un incremento en el voltaje entre el graduador y el surtidor producen mas
corriente de drenador, lo que significa que el voltaje del drenador está disminuyendo. Puesto que el
semiciclo positivo del voltaje de entrada produce el semiciclo negativo del voltaje de salida, el
amplificador en configuración CS produce una inversión de fase.
La figura 18 muestra el modelo de ac de un amplificador CS. Nótese que el modelo de ac es similar
al de un amplificador en la configuración de emisor común.
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DISTORSION.- En virtud de que la curva de trans-conductancia no es lineal el JFET distorsiona a

señales grandes, como se muestra en la figura 19. Dado un voltaje de entrada senoidal, a la salida
se obtiene una corriente no senoidal en la que el ciclo positivo está alargado y el semiciclo negativo
está comprimido. Este tipo de distorsión recibe el nombre de distorsión de ley cuadrática ya que la
curva de trans-conductancia es parabólica. En cuanto a amplificadores lineales se refiere, la
distorsión es indeseable. Una forma de hacer mínima la distorsión de ley cuadrática en los
amplificadores JFET es mantener la señal pequeña. En este caso solo se usa una pequeña parte de
la curva de trans-conductancia, lo cual significa que la operación es aproximadamente lineal.
Para hallar los parámetros como son Av, Ap, Zin y Zo. Porque Ai no hay. Utilizamos los mismos
métodos que en los transistores bipolares.
Hacemos mallas para hallar la Av= Vo/Vin=; ─ Vo + id rd=0 → V0 = ─ id rd=; donde rd = RD / /
RL y la id =
gmVgs → Vo= ─ gmVgs rd=; y la Vin =Vg =Vgs =0 : Av= ─ gmVgs rd / Vgs = ;
Av=─ gm rd=. Ai no hay. Ap=(Vo) ²/ Zo/ (Vin) ²/ Zin=;Ap=Av²(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=:y Zo=
rd Zo =RD//RL=.
CON RESISTOR DE COMPENSACION.- Algunas veces incluye un resistor de compensación
sumado a la resistencia del surtidor, como se muestra en la figura 20.
De esta manera, el surtidor ya no está a tierra de ac. La corriente de drenador, al circular por rs
produce un voltaje de ac entre el surtidor y tierra. Si rs es lo suficientemente grande, la
retroalimentación local puede hacerse mínima la linealidad de la curva de transconductancia.
Entonces la ganancia de voltaje se aproxima al valor ideal de -rd/rs que es la razón de la resistencia
equivalente de drenador a la resistencia de surtidor sin capacitor de paso.
Nótese la similitud con la ganancia de un amplificador bipolar con resistencia de emisor dividida.
Para hacer el análisis matemático: La figura 21 nos muestra el circuito equivalente de ac. Ya que
la Rin de un JFET tiende a infinito, toda la corriente de drenador de ac fluye a través de rs,
produciendo una caída de voltaje de gmVgs.rs.
Después de hecho el análisis matemático se sacan dos conclusiones: primero, la resistencia de
compensación reduce la Av; segundo las variaciones de gm de un JFET a otro tienen menos efecto
en la Av.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; ─ VO ─id rD=0 → VO= ─ id rD; donde rD = RD / /RL y
la id = gmVgs →VO= ─ gmVgsrD y la Vin: → ─ Vin+Vgs + id rs=0: → Vin= Vgs +gmVgs.rs= Vgs(1+
gm.rs)= → Av= ─ gmVgs r D / Vgs (1+ gm.rs)= → Av= ─ gm. r D /( 1+ gm.rs)=;→ Av= ─ rD / ( 1/
gm+rs)= ; donde 1 / gm es la resistencia dinámica del dispositivo. Ai no hay. Ap=( VO) ²/ Zo/
(Vin)²/ Zin=; Ap=Av²(Zin /Zo)=; Zin= R1// R2=:y Zo=rD Zo =RD//RL=.
EL AMPLIFICADOR DE DRENADOR COMUN (CD).- la figura 22 muestra un amplificador en
configuración de drenador común.
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Es similar a un seguidor de emisor. Una señal de ac excita al graduador produciendo una corriente
de drenador de ac, la cual fluye a través del resistor equivalente de surtidor, que no tiene capacitor
de paso y produce un voltaje de ac de salida que es aproximadamente igual al voltaje de entrada y
con la misma fase. Esta es la razón por la que el circuito se denomina surtidor seguidor. En virtud de
su alta impedancia de entrada, este seguidor de surtidor se utiliza con frecuencia en la entrada de
los instrumentos de medida como voltímetros electrónicos y osciloscopios.
En la figura 23 se muestra el circuito equivalente de ac. Puede observarse que un voltaje de entrada
se encuentra aplicado a la impedancia de entrada. En la polarización por divisor de voltaje Zin es el
paralelo de r1 y r2. En una autopolarización, Zin es igual a RG y asi para las otras formas de
polarización. En la salida se encuentra la Zo la cual es igual a Rs en paralelo con 1/Gm.
Hacemos mallas para hallar la Av: Av= VO/Vin=; ─ VO+ id.Rs=0 → VO= id.Rs; donde Rs= Rs // RL=; y
la id = gmVgs → VO= gmVgs. Rs y la Vin: → ─ Vin+Vgs + id .Rs =0: → Vin= Vgs + gmVgs.Rs =
Vgs(1+ gm.Rs)= → Av= gmVgs Rs / Vgs (1+ gm. Rs)= → Av=gm. Rs /(1+ gm. Rs)= Rs / (1/
gm+ Rs)=; Av= Rs / (1/ gm+ Rs)=; Si Rs >>>>> 1/ gm entonces la AV≈1; donde 1/ gm es la
resistencia dinámica del dispositivo. Ai no hay. Ap= (VO) ² / Zo/ (Vin) ² / Zin=; → Ap=Av²(Zin /Zo)=;
Zin= R1// R2=: y Zo=1/gm // Rs ≈ 1 / gm.
EL AMPLIFICADOR DE GRADUADOR COMUN(CG).- la figura 24 muestra un amplificador

graduador común (GC).
La figura 25 muestra el circuito equivalente de ac de base común. El voltaje de ac de salida es igual
a la corriente del drenador por rd. Por tanto, la impedancia de entrada de un amplificador de
graduador común es baja, a diferencia de los amplificadores (CS y CD), donde la impedancia de
entrada se aproxima a un valor infinito para bajas frecuencias. A causa de la baja impedancia de
entrada con que cuenta el amplificador de CG, este tiene muy pocas aplicaciones.
Vo/Vin=; ─ VO +id Rs =0; VO = ─ id Rs; donde Rs = Rs / /
Hacemos mallas para hallar la Av: Av=
RL y la id = gmVgs → Vo = ─ gmVgs Rs y Vin=Vgs +gmVgs Rs = Vg → Av= ─ gmVgs Rs /Vgs
+ gmVgs rs =;
Av= Rs / (1/gm+rs)=; Ai=No hay. Ap=(VO) ²/ Zo/ (Vin) ²/Zin=; Ap= Av²(Zin /Zo)=;
Zo(surtidor)=1/gm=: y
Zo =1 / gm =. id rd
EL TRANSISTOR MOSFET
El transistor MOSFET (metal-oxide semiconductor FET). Cuenta con un surtidor, un graduador y un

drenador. A diferencia del JFET, en el MOSFET el graduador está aislado del canal, por lo que la
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corriente del graduador es extremadamente pequeña sin importar que el graduador sea positivo o
negativo. Al MOSFET en algunas ocasiones se le denomina FET con graduador aislado.
MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAR.- En la figura 26 muestra un
MOSFET canal tipo n, una barra conductora de material tipo n con una región tipo p a la derecha y
un graduador aislado a la izquierda. Los electrones libres pueden fluir desde el surtidor o fuente al
drenador a través del material tipo n. La región tipo p recibe el nombre de sustrato (o cuerpo); esta
reduce físicamente la trayectoria de conducción a un canal angosto. Los electrones que fluyen del
surtidor al drenador deben pasar a través de este canal angosto.
A la izquierda del canal se deposita una capa delgada de oxido de silicio (SiO 2). El oxido de Silicio es
lo mismo que el vidrio; un aislante. En un MOSFET el graduador es metálico. Ya que el graduador,
está aislado del canal, la corriente en el graduador es despreciable aun cuando el voltaje de
graduador sea positivo. El diodo pn que existe es un JFET se ha suprimido en el MOSFET.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO.- La figura 27a muestra un MOSFET con graduador polarizado
negativamente. La alimentación de V DD fuerza a los electrones libres a fluir del surtidor al drenador.
Estos electrones fluyen a través del canal angosto a la izquierda del sustrato tipo p.
Como antes, la tensión del graduador puede controlar el ancho del canal. Entre más negativo sea el
voltaje en el graduador, más pequeña será la corriente del drenador. Cuando el voltaje del
graduador es lo suficientemente negativo, la corriente de drenador se corta. Por lo tanto, con un
voltaje negativo en el graduador, la operación de un MOSFET es similar a la de un JFET. Puesto
que el efecto del voltaje negativo del graduador consiste en empobrecer de electrones libres el
canal.
MODO DE ENRIQUECIMIENTO O DECREMENTAL.- Ya que el graduador de un MOSFET esta

aislado del canal, podemos aplicarle un voltaje positivo, como se muestra en la figura 27b. El voltaje
positivo en el graduador incrementa el número de electrones libres que fluyen a través del canal.
Cuanto más positivo sea el voltaje en el graduador, mejor será la conducción de surtidor a drenador.
La operación del MOSFET con un voltaje positivo de graduador se basa en el enriquecimiento de la
conductividad del canal. En cualquiera de los modos de operación, a causa de la capa aislante, la
corriente que fluye por el graduador es despreciable. La resistencia de entrada de un MOSFET es
increíblemente alta, por lo común del orden de los diez mil MΩ a diez mil millones de megohmios.
CURVAS DEL DRENADOR.- Para un MOSFET tipo empobrecimiento las curvas características del
drenador son muy similares a las de un FET.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA.-La curva de transconductancia de un MOSFET es muy
similar a la de un FET y podemos tomar como ejemplo la
figura 7 donde se representa las curvas de drenador y las
curvas de transconductancia. IDSS sigue representando la
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corriente de drenador cuando el graduador está en corto, o sea que es su máxima corriente que
puede circular por el canal. La relación entre la corriente de drenador y el voltaje graduador-surtidor
es todavía parabólica, por lo que puede aplicársele la ecuación de la ley cuadrática definida para un
FET, con la diferencia de que el valor de VGS puede ser ahora positivo o negativo.
SIMBOLOGIA.-La figura 28a muestra el símbolo con que se representa un MOSFET DE CANAL N o
de tipo de empobrecimiento. A la derecha del graduador o compuerta está la línea vertical que
representa el canal N. La terminal del drenador sale de la parte superior del canal, y la terminal del
surtidor o fuente se conecta a la parte inferior. La flecha en el sustrato tipo P apunta al material tipo
N del canal. En algunas aplicaciones, puede suministrarse un voltaje al sustrato para tener un mayor
control de la corriente de drenador. Por esta razón algunos MOSFET tiene cuatro terminales
externos. Por lo regular, el fabricante conecta internamente el sustrato al surtidor, resultando un
dispositivo de tres terminales cuyo símbolo se muestra en la figura 28a.
Existe también un MOSFET DE CANAL P, o de tipo de empobrecimiento. Consiste en una barra de
material tipo P con una región tipo N a la derecha y un graduador o compuerta aislada a la izquierda.
El símbolo convencional para un MOSFET con canal tipo p es similar al de MOSFET con canal tipo
n, excepto que la flecha apunta hacia fuera como se muestra en la figura 28a.
POLARIZACION DEL MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO.- ya que el MOSFET del tipo
de empobrecimiento su modo de operar es muy similar a los de un FET, por lo que se puede usar
todos los métodos de polarización estudiado para los FET. Estos incluyen. Polarización del
graduador, auto polarización, polarización por divisor de voltaje y polarización por corriente del
surtidor. Además de estos métodos de polarización los MOSFET del tipo de empobrecimiento puede
operar, ya sea en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, puede
fijarse el punto Q en la coordenada de la ID, o sea que el VGS sea igual a cero. Por
lo tanto una señal de ac de entrada aplicada al graduador produce variaciones
arriba y abajo del punto Q. El hecho de que V GS pueda ser cero es una ventaja
cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarización que se
muestra en la figura 29. A este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al
graduador, ni al surtidor. Por lo tanto, VGS=0 e I D=IDSS. El voltaje de cc en el
drenador es: VDS=VDD-IDSSxRD. La polarización cero de la figura 29 es una
característica peculiar de los MOSFET. No es aplicable en transistores bipolares o
en FET.
PROBLEMAS SOBRE EL FET Y MOSFET
1.-En el circuito de la figura 1 calcular: VG, VD, VS, ID e IDSS, si el VP=6V.
Como el FET es de canal P, se busca el Terminal más positivo para indicar que
este es el surtidor. La flecha que indica (14V) es el voltaje que hay, desde este
punto con respecto a tierra y según la teoría sería el V S=14v y hago una malla:
-22+2KID +14=0 → ID= (22-14)/2kΩ =; ID=4mA. Hallo el voltaje V2, polarizo las
resistencias y hago una malla alrededor de V 2, VGS y VRS:→
V2=(22+22)1,1M/(1,1M+11M)=4; –V2+ 2k.4mA –VGS=0; VGS= – 4 + 8 = 4
-VD +4mA4k-22=0; VD= -22 + 16 = - 6; VSD=VS – VD =; VSD=14-(-6)=20V; IDSS=
ID/(1–VGS/VP)² = → IDSS= 4mA / ( 1 – 4/6 )² ; IDSS=36mA
2.-Complete el diseño del circuito de la figura 2 que cumpla con los siguientes parámetros:
Vp= -8V; Vs= -36V; Av= -8V y un VDS= 12V. Calcular los voltajes y corrientes de cc y ac y la
ganancia de potencia real en la carga.
Como puedo hallar V2 y tengo el valor de Vs puedo hallar ID y después el VGS. V2= 44 x 440K / (440K
+ 4.4M) = 4V. Hacemos una malla para hallar Is. – Vs + 2KID – 44=0. Como conocemos Vs,
despejamos la ID. →ID = (44+(–36))/2K = 4mA. Hacemos una malla para
hallar VGS. –V2+VGS+2K.4mA=0; VGS= 4V –8V = –4V; –VG + 4V– 44 = 0;
VG = – 40V; VDS = VD – VS=; VD = VDS + VS= 12+(–36)=; VD= –24V. IDxRD + VD
= 0 ; RD= –VD/ID ; RD = – (–24)/4mA = ; RD=6K; IDSS= ID/( 1 – VGS/VP)²= ;
IDSS =4mA /( 1 – 4/8 )² =; IDSS =16mA; gm = – ( 2 IDSS /– VP)(1 – VGS / VP )=;
gm=(–(2x16mA)/–8)(1–( –4v/–8v))=; gm=2mS; Av=–gm∙rD=; rD= –Av/gm=;
rD=–(– 8 ) /2mS = 4KΩ; RL = RD. rD / (RD – rD ) =; RL= 6K.4K / ( 6K– 4K)=;
RL= 12KΩ; Zin = Rg = R1 // R2 =; Zin = Rg = 4,4M x 440K /
(4,4M + 440K) = 400KΩ; Vs = 0V; Vin = 150mv x 400K / (400K + 100K )=;
Vin =120mv; Vin = Vg =Vgs=120mv; Vo =Vd =Av x Vin =(-8 ) x 120mv= – 960mv; id = Vgs x gm
=; id = 120mv x 2mS = 240mA; if = (Vf – Vin) / Rf =; if = (150mv – 120mv) / 100K = 300nA;
ApREALRL= PRL / Pf =( Vo² / RL ) / (Vf.if )=; ApREALRL= ( (960mv)²/ 12k) / (150mv.300nA)=1706,666;
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3.-El amplificador de la figura 3 tiene los siguientes parámetros: Av= – 8; Vp= – 8V. Si la máxima
corriente que puede circular por el canal N es de 16mA, y su punto de trabajo (Q) en la curva
característica del drenador es de 4mA y 12V. Calcular los voltajes y
corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en RD.
Como conocemos IDSS=16mA; ID=4mA, y Vp= – 8V. Podemos calcular VGS
a partir de la formula ID= IDSS (1 – VGS/VP)²=, despejamos a:
VGS = Vp (1 ± √ ID / IDSS) = ( –8 )( 1 ± √4mA / 16mA ) = – 4V y –12V.
Tomamos el VGS = – 4V, porque es valor que esta entre 0V y – 8V
Calculamos el voltaje de V2.
V2=(22+22)∙2,2M/(2,2M+22M) = 4V; 4V+(– 4V)+4mA.Rs=0
Rs= 8 / 4mA= 2KΩ. Como conocemos el valor de Rs, hallamos el valor de
Vs por la siguiente malla: –Vs+4mA.2K – 22 = 0→ Vs=–22+8= – 14V; como VDS=12V y VDS =
VD – Vs = entonces VD= VDS + Vs= 12+(– 14)= – 2V; para hallar el valor de RD hacemos la siguiente
malla; – 22+ 4mA.RD +(–2) =0 → RD= (22+2) / 4=6KΩ; también podemos conocer el valor de VG por
medio de: VGS= VG – Vs= → VG= VGS+Vs= –4+(–14)= – 18V.
gm=((–2)16mA/(–8))(1– (–4v/–8v))=; gm=2mS; Av=–gm∙rD=; rD= –Av/gm=; rD=–(– 8)/2mS= 4KΩ;
RL=RD.rD/(RD – rD ) =; RL= 6K. 4K /( 6K– 4K)=;RL= 12K; Zin = Rg = R1 // R2 = R1. R2 /( R1+ R2) =
Zin=Rg=2,2M.22M / (2,2M + 22M) = 2MΩ; Vin =Vg=Vgs=Vf.Zin /(Zin+Rf)= 200mv.2M /(2M +500K=
Vin =Vg=Vgs =160mv; Vo=Vd =Vin.Av=160mv.(-8)=1.28V; id =Vgs.gm =160mv.2mS =; id =
320mA;.
if=(Vf - Vin) / Rf =(200mv - 160mv) / 500K =80nA; ApREALRD= PRD / Pf =( Vo² / RD ) / (Vf.if ).
ApREALRD= (1.28V)² / 6k) / (200mv.80nA)=273,6µw / 16nw = 17066,666;
4.-Complete el diseño del circuito amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 4, que
cumpla con los siguientes parámetros: ID=3mA; Av= - 12; Vp=5V;
rm=250Ω y un VD = – 21V. Calcular los voltajes y corrientes de cc y ac y
la ganancia de potencia real en la carga.
gm= 1 / rm= 1/250= 4mS. Como se conoce sus formulas y sus valores
de: ID= IDSS (1 –VGS/VP)² =; gm = (2IDSS –VP)( –VGS / VP)=, despejamos en
las dos ecuaciones la IDSS y las igualamos: ID/( 1 –
VGS/VP)² =gm.Vp /2. (1 – VGS/VP)→ 2ID=gm.Vp(1–VGS/ VP)
2ID=gmVp – gmVGS →VGS=(gm.Vp+2ID)/gm=((4m.5 ) –2x3m) /4m =
VGS=3.5V; V2=33x33M /(33M+330M)=3V; conocido VGS y V2 hacemos
una malla y hallamos la Rs: → +3+3.5 – 3mA.Rs =0 → Rs = 6.5 / 3mA=
Rs =2,166 KΩ; Vs = -ID.Rs = → Vs = - 3mA.2,1666K= - 6,5V; VG= –V2= - 3V. Hacemos una malla y
hallamos la RD: → 33 – 3m.RD – 21=0; → RD=12 / 3m=4KΩ; IDSS=3mA(1−(3.5/5))²=33,333mA; Av= –
gm ∙ rD=; → rD= – Av/gm=–(–12)/4mS=3KΩ; RL=RD.rD /(RD– rD)= → RL=4K.3K / (4K–3K)=12K;
Zin=330M//33M=30MΩ; Vin=150m.30M/(30M+500K)= 147,54m Vin=Vg = Vgs =147,54mv; Vo =Vd
Vo ==Av.Vin = (-12).147.54mv=1.77V=; id = Vgs.gm = → id =4m.147.54m=590.163mA; Vs=0V;
if=(Vf - Vin) / Rf =(150mv – 147,54mv)/500K =4,918nA. Ap REALRL= PRL / Pf =( Vo² / RL ) / (Vf.if )
ApREALRL=VO² / (RL.Vf.if )=1.77²/(12K.150mv.4,918nA)=353904,026.
5.-Complete el circuito del amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 5, para obtener
los siguientes parámetros: ID=4mA; Av= –10; Vp= – 8V; rm=250Ω y un VD = 2V. Calcular los voltajes
y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en la carga.
gm= 1/rm= 1/250=4mS;ID= IDSS ( 1 – VGS/VP)² =; gm = – ( 2 IDSS / – VP )(1 – VGS / VP )=, despejamos
IDSS en las dos ecuaciones, y las igualamos: ID/(1–VGS/VP)² = –gm.VP /2(1–VGS/VP); →
2ID=gm.Vp(1–VGS/VP → 2ID=–gm.Vp+gm.VGS =; → VGS=(gm.VP +2ID)/ gm= → VGS = (4m (-8) +
2.4m) / 4m = –6V; hallamos V2 V2=(22+22)22M / (22M+220M)= 4V; - 4 + (-6) + 4mA. RST = 0 → RST
=10 / 4mA = 2,5KΩ; Rs =2,5KΩ - 50=; Rs=2,45KΩ; - 22+4m2.5K+Vs=0; Vs= -10+22=-12V; → IDSS=
4mA(1- (-6/-8))²= IDSS=64mA; VGS= VG – VS= → VG=VGS + VS=
→ VG= -6 +(-12)= -18V; VDS=VD–VS = 2 - (-12)= 14V; - 2 -
RD.4m + 22= 0; RD=20/4m=5KΩ; Av= - rD / ( rm + rs )=; rD=-Av.
(rm+rs)=; rD= (10)(250+50)=3KΩ; RL=RD.rD/(RD–rD) =;
RL=5K.3K/( 5K–3K)=7.5K; Zin=R1.R2/ R1+R2=;
Zin=220M//22M=; Zin=20M; Vin=Vg=Vf.Zin / (Zin+Rf) =;
Vin=200mv.20M / (20M+500K)=; Vin
=195,121mv;Vo=Vin.Av=; Vo=195,121mv.(-10)= -1.951V=Vd ;
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id =Vo /rD=1,951/3K= 650,406 µA; Vs= id.rs=650,406µA.50=; Vs= 32,52mv; id=gm.Vgs=

→Vgs=id/gm=; Vgs=650,406 µA / 4mS=162,601mv; if=(Vf - Vin) / Rf; if=(200mv - 195,121mv) /
500K =9,756nA; ApREALRL= PRL / Pf =; ApREALRL= ( Vo² / RL ) / (Vf.if )=; ApREALRL=
((1.951V)²/7.5k)/(200mv.9,756nA)=; ApREALRL=507,52µw /1,951nw =260133,265.
6.- Complete el circuito del amplificador con MOSFET que se muestra en la figura 6, que cumpla
con los siguientes parámetros: Vo= -2,4V; Vs= 11,1V; Vp=4V y un VDS = 12.6V. Calcular los voltajes
y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real en R D. Hacemos la siguiente malla: -Vs
-1,8K.ID+16,5=0 → ID=(16,5-Vs)/1,8K=;ID=(16,5-11,1)/1,8K= ID=3mA. Calculo el V2: V2=
(16,5+16,5).33M /(33M+330M)= 3V. Hallo el VGS por la siguiente malla: 3 + VGS - 1,8K.3mA = 0;
VGS=5,4 -3 = 2,4V. Como VGS=VG – VS= → VG= VGS+ VS=; VG= 2,4 + 11.1= 13,5V; VSD =VS –VD =;
VD =VS – VSD =11,1–12,6= VD = - 1,5V; 16,5 – 3m.RD + (-1.5) = 0;
RD= 15 / 3mA=; RD = 5KΩ; IDSS =3mA/(1−(2,4/4))²=18,75mA;
gm=(2x18,75mA)/4)(1-2,4/4)=3,75mS; Av=Vo/Vin→ Vo=Av.Vin= y
Vin=Vf.Zin /(Zin+Rf)=; Zin=330 //33 M=; Zin=30MΩ;
Vin=161,1mv.30M /(30M + 300K) =160mv; Av=-2,4/160mv= -15;
Av=–gm∙rD=; rD=Av/gm=; rD=(15)/3,75mS=4KΩ; RL=RD.rD /(RD–rD)
=; RL= 5Kx4K / (5K–4K) = 20K; Vs=0V; Vin=Vg = Vgs = 160mv;
Vo =Vd = 2,4V; id = Vgs x gm =; id = 160mv x3,75mS =600mA ;
ApREALRD=PRD /Pf=(Vo² / RD)/(Vin.iF)=; if=(Vf - Vin) / Rf=; if=(161.6mv
-160mv)/300K= 5.333nA Pf =Vin.if)= 161,1mv.5,333nA=861.866nw; PRD= Vo² / RD=((2.4)²/
5k)= 1,152mV; ApREALRD=1,152mV/ 861.866nw =1336633,663
7.- Complete el circuito del amplificador con FET que se muestra en la fig 7, que cumpla con los
siguientes parámetros: ID=4mA; Vo= ─1.28V ; IDSS =16mA ; gm=2mS y un VD = 20V. Calcular los
voltajes y corrientes de c.c y a.c y la ganancia de potencia real que disipa R L.
Tomamos las ec. de ID y gm: ID= IDSS(1– VGS/VP)² = ;
gm = ( 2 IDSS / – VP )(1 – VGS / VP )=, y observamos que no tenemos ni
VGS, ni Vp, despejamos una de estas incógnitas de las formulas y las
igualamos.
ID / IDSS = ( 1 – VGS/VP)² y gmVp / 2 IDSS = ( 1 – VGS/VP);
(gm.Vp / 2IDSS) ² = ( 1 – VGS / VP)²; ID / IDSS = (gm.Vp / 2 IDSS)² →
Vp= (2/gm)√ ID.IDSS=; Vp=( 2/2mS)√4m.16m=; Vp=±8V. Tomamos el
valor de VP=8V positivo por ser de canal P, y despejamos el VGS de
una de las ecuaciones anteriores.
2m.8/(2.16m)=1- VGS/8 → VGS/8 =1/2 → VGS=8/2=4V. Hallamos V2: V2=(33x3,3M) /(3,3M+33M)= V2
= 3V. Hacemos una malla alrededor de VGS y obtenemos el valor de Rs: 3 + 4 - 4m.Rs =0→
Rs=7/4m=1,75K; - VD + 4mRD=0 → RD = 20/4m=; RD=5KΩ; - VG – 3 + 33=0; VG=30;-VS-7+33=0;
VS=26V; VSD=VS-VD=; VSD=26-20=6V; Zin=33M//3,3M=3M; Vin=176mv.3M ⁄ (3M+0.3M ) = 160mV Av
= vo / vin =; Av = -1.28v / 160mv =; Av =- 8; Av= - gm.rD=; rD = -Av / gm =; rD= -(-8)/2ms rD=4K;
RL =5K.4K / (5K-4K)=20K; Vin=Vg = Vgs = 160mv; Vs = 0V; Vo =Vd = -1.28V; id = Vgs.gm =;
id =2ms.160mv=320µA; ApREALRL=(Vo²/RL )/(Vf.if )=; if=(Vf - Vin) / Rf =1,76mv-160mv=53,333nA
ApRL =((-1.28v)²/ 20K) / 1,76mv.53,333nA =; ApRL = 8727,272

Teoria Del 1º Previo de Electronica II

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método aproximado y puede introducirse sólo si es satisfecha la siguiente condición específica:

RESPUESTAS A LOS PROBLEMAS DE CIRCUITOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

TEMA PARA EL PRIMER PREVIO

AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN

EL TEOREMA DE SUPERPOSICION PARA AMPLIFICADORES

En un amplificador transistorizado, como el de figura 1, la fuente de cc proporciona corrientes y

Figura 2.- Circuito equivalente de cc Figura 3.- Circuito equivalente de ac

Si la señal es pequeña, los pico A y B están muy cercanos a Q, y la operación es aproximadamente

Su valor es r’e= 25mV / IE =.

FIGURA 5 La curva de corriente de cc de colector contra la corriente de cc de base no es lineal

Figura 9.- Circuito equivalente de ac Figura 10.- Circuito equivalente para ac de un

Figura 13.- Circuito equivalente de ac Figura 14.- Circuito equivalente para ac de un

Rb=R1//R2= R1xR2 / (R1+R2)= y Re=RE//RL= RE x RL / (RE + RL)

AMPLIFICADOR PAR DARLINGTON Y SU CIRCUITO EQUIVALENTE EN A.C

Ap=(pO) / pin)=; Ap= Ai . Av =; Zin=Rb//Zin(BASE)Q1; → Rb=R1//R2=; y Zin(BASE)Q1=β(r’e1+

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN

Av= Vo / Vin = → Vo – ic.rc = 0 → Vo = ic.rc =; - Vin+ic.r’e = 0 → Vin = Ve = ic.r’e = Vf

PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE SEÑAL

2- De la figura 2. Determine, si el β=200

Problema 1.-Comprobamos si 10xR2<βxRE→10x60K<200(3,05K+75), como se cumple, lo hacemos

Problema 2.- IE=(12 – 0,7)/(11,2K+100)=1mA; r’e=25mV/1mA=25; rC=6K//12K=4K; Av=4K/(25+100)=

4-Con la información que ofrece la figura 4. Determine, si el β=200

Problema 3.-Comprobamos si 10xR2<βxRE→10x40K<200x7,6K, como se cumple, lo hacemos por el

Problema 4.- IB=(20 – 0,7)/{6K(200)+(440K+260K)+201(1,5K+100)}=8,687μA; IE=(20)X8,687μA=

. PROBLEMAS SOBRE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES

RESPUESTAS A LOS 9 PROBLEMAS

ie=1,582mA; Ve=158,243mV; if =13,39μA; iRL=629,824μA; iRC=944,737μA; AirealRC= 70,551;

VB1=V2; VE1=V2 ‒VBE=VB2; VE2=VE1‒ VBE= V2 ‒ 2VBE= IE2.RE=; VC1=VC2=VCC.

Hallamos el valor de V2-2 en la figura 3: V2-2=Vcc.R2-2/(R1-2+R2-2)=, y el V2-2 = VB2. Hacemos la malla 1

i b4= i C4 / β=; → i e4= (β+1)i b4=.

PROBLEMA DE TRABAJO PARA ENTREGAR EL DIA DEL PREVIO

DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON TRANSITORES BIPOLARES (BJT) DE UNA O MAS

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA SIN

AMPLIFICADOR EN LA CONFIGURACION DE EMISOR COMUN CON RESISTENCIA DE

Cálculo VRE= RE∙Ic=; Cálculo la Vcc C = 2VRE =; Cálculo de los voltajes en

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El voltaje graduador-surtidor es igual a la diferencia entre el voltaje de graduador y el voltaje de

DISEÑO POR EL METODO MATEMATICO.-Una vez conocido el V GS = ─ IDRS. Despejamos la ID;

Si se grafica la ecuación de I D=(VTH-VGS)/Rs=, se obtiene la línea de polarización mostrada en la

FUENTE DE ALIMENTACION BIPOLAR.-Como el transistor bipolar esta polarizado por emisor, la

MODELO SIMPLE DE UN JFET.-la figura 15 muestra un circuito equivalente simple de ac para un

DISTORSION.- En virtud de que la curva de trans-conductancia no es lineal el JFET distorsiona a

EL AMPLIFICADOR DE GRADUADOR COMUN(CG).- la figura 24 muestra un amplificador

El transistor MOSFET (metal-oxide semiconductor FET). Cuenta con un surtidor, un graduador y un

MODO DE ENRIQUECIMIENTO O DECREMENTAL.- Ya que el graduador de un MOSFET esta

id =Vo /rD=1,951/3K= 650,406 µA; Vs= id.rs=650,406µA.50=; Vs= 32,52mv; id=gm.Vgs=

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