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Semiconductores PDF
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MÓDULO I
TEORÍA DE
SEMICONDUCTORES
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
MÓDULO I
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores que permiten una circulación mayor de corriente
por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulación de corriente, se encuentra una gama de materiales con
propiedades propias que se denominan semiconductores ellos tienen una
conductividad que varía con la temperatura, pudiendo comportarse como
conductores o como aislantes dependiendo del valor de esta.
Todos los semiconductores se caracterizan porque en su última capa de electrones
de su estructura atómica poseen cuatro electrones llamados electrones de valencia.
El elemento semiconductor más usado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que también son usados en la fabricación
de circuitos. El silicio es el segundo elemento más abundante en la naturaleza,
después del oxígeno, constituye aproximadamente el 28% de la corteza terrestre.
Además, el Si presenta propiedades eléctricas buenas debido a que su resistividad
eléctrica que a temperatura ambiente es intermedia entre la de los metales y los
aislantes y su conductividad puede ser controlada agregando pequeñas cantidades
de impurezas. En la industria del acero se usa como un constituyente de las
aleaciones de acero al silicio las cuales se utilizan para hacer los núcleos de los
transformadores eléctricos porque esta aleación disminuye la histéresis magnética.
Su purificación es relativamente sencilla (llegándose a Si puro del 99,99999%) y el
Si se presta fácilmente a ser oxidado, formándose SiO2 (dióxido de silicio) y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnología
CMOS. Aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de
elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente [GaAs
(Arseniuro de Galio), InP (Fosfuro de Indio), AsGaAl (Arseniuro de Galio y
Aluminio), CdTe (Teluro de Cadmio), CdSe (Seleniuro de Cadmio) y CdS (Sulfuro
de Cadmio)] de la tabla periódica. Últimamente también se usa el azufre (S).
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 2
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Electrones en
Elemento Grupo
la última capa
Cd II A 2 e-
Al, Ga, B, In III A 3 e-
Si, Ge IV A 4 e-
P, As, Sb VA 5 e-
Se, Te, (S) VI A 6 e-
Tabla N° 1
Esto hace que se forme una malla de átomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por átomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares tal
como se puede apreciar en las figuras 1.1a y 1.1b.
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrón
geométrico. La gran proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones
de su última capa sufran la interacción de los átomos vecinos.
En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, así que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
Un aumento en la temperatura hace que los átomos en un cristal por ejemplo, de
silicio, vibren dentro de él, a mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo que
un electrón se puede liberar de su órbita, y deja un hueco (Vacío que deja un
electrón al ser liberado de su orbita), que a su vez atraerá otro electrón, y así
sucesivamente.
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Fig. 1.1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1.1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio
(GaAs)
Fuente: www.ele.uva.es
(a) (b)
Fig. 1.2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 1.2b.- Cristal de
Silicio (Si) después del aumento de la temperatura.
Fuente: El Autor
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Solapamiento de la Banda de
Valencia y la Banda de conducción
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
ni = n = p Ec 1.1
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⎛ −E g ⎞
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎜ 2 * k *T ⎟
ni = B * T 3 / 2 * e ⎝ ⎠
Ec 1.2
Donde:
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*1015 cm-3K-3/2, para el Arseniuro
de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2 y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2.
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 8
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio (Sb), las cuales son llamadas también
Impurezas Donadoras ellas añaden un electrón libre al cristal a temperatura
ambiente, los cuatros electrones de valencia restantes forman enlaces covalentes
con los átomos vecinos del semiconductor. Estas impurezas introducen un nivel
donador entre la banda de valencia y la banda de conducción pero mas cercano a
esta última.
Fig. 1.4.- Cristal de Silicio contaminado con átomos de Fósforo (Liberación de un electrón) y
átomos de Boro (Absorción de un electrón). Fuente: www.acapomil.cl
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Fig. 1.5. Nivel donador o dador introducido por los átomos pentavalentes
Fuente: El Autor
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más huecos que electrones, los cuales serán llamados portadores mayoritarios y
portadores minoritarios respectivamente, contrario a los semiconductores
extrínsecos tipo N. En la figura 1.4 se puede ver un cristal de silicio al cual se le ha
añadido o agregado un átomo de boro (B) el cual genera un hueco. En la figura 1.6
se muestra el nuevo nivel de energía añadido en un semiconductor con átomos
aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la
banda de valencia. Los electrones son promovidos fácilmente al nivel aceptor
dejando agujeros positivos (○) en la banda de valencia. El semiconductor es de tipo-
P.
Fig. 1.6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los átomos trivalentes
Fuente: El Autor
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
n * p = ni2 Ec 1.3
negativas esta constituida por la suma de los iones negativos N A y los electrones
n , ( N A + n)
ND + p = N A + n Ec 1.4
n ≈ ND ⇒ nn ≈ N D Ec 1.5
ni2
pn = Ec 1.6
ND
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:
n p * p p = ni2 pp ≈ NA
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ni2
np = Ec 1.7
NA
6.- Movilidad y Conductividad
En los semiconductores la corriente eléctrica es el resultado del movimiento de
ambas cargas, es decir, de los electrones libres y los huecos, esto esta asociado a
dos fenómenos físicos.
Densidad de Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga)
Densidad de Corriente de Difusión.
6.1 Densidad De Corriente de Arrastre
Este primer fenómeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se le
aplica un campo eléctrico al material semiconductor. Cuando las cargas son
aceleradas por el campo eléctrico se produce un aumento de la energía térmica la
cual va a fomentar el movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los
portadores de carga se ven afectados de la siguiente manera:
Electrones libres: La fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre los electrones
provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo eléctrico aplicado. De
este modo se origina una corriente eléctrica. La densidad de corriente eléctrica
(número de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo)
J n = μn * n * q * E Ec 1.8
Donde:
J n : Densidad de corriente de los electrones [A / cm2]
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E Instante
t1
t2
t3
t4
Huecos Electrones
La carga neta del hueco vacante es positiva y, se puede pensar en el hueco como
una carga positiva moviéndose en la dirección del campo eléctrico. Se puede ver en
la figura 1.7 que los electrones individuales del enlace se involucran en el llenado de
los espacios vacantes por la propagación del hueco, no muestran movimiento
continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve únicamente una
vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrón libre se mueve de forma
continua en la dirección opuesta al campo eléctrico.
Análogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de los
huecos viene dada por:
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J p = μp * p * q * E Ec 1.9
Donde:
J p : Densidad de corriente de los huecos [A / cm2]
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J = −D * q * ∇n Ec 1.11
Donde:
J : Densidad de corriente [A/cm2].
D : Constante de Difusión o Difusividad [cm2/s].
q : Carga eléctrica [1,6 * 10-19 C]
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Dn Dp
= = VT Ec 1.13
μn μp
k *T
VT = Ec 1.14
q
Donde:
k : Constante de Boltzmann [1,38*10-23 J/ K]
T : Temperatura en Kelvin [K]
q : Carga del electrón [1,6*10-19 C]
μn
B Dn Dp μp
Semiconductor E g (eV ) −3 −3 / 2 (cm 2 / V * s )
(cm K ) (cm 2 / s ) 2
(cm / s ) (cm 2 / V * s )
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Ejercicios Resueltos
k = 86 * 10 −6 eV / K
ni = ?
⎛ − Eg ⎞
⎜ ⎟
⎜ 2 * k *T ⎟
La concentración intrínseca viene dada por la ecuación ni = B * T 3/ 2
*e ⎝ ⎠
−1, 4 eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 300 K
ni = 2,10 * 1014 cm − 3 K − 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
n i = 1, 797 * 10 6 cm − 3
2.- Determine la concentración de portadores Mayoritarios y minoritarios del silicio Si
al cuál se le ha añadido una concentración de átomos de arsénico de 6x1018 cm-3 a
una temperatura de 20 ºC
Datos:
k = 86 * 10 −6 eV / K
N D = 6 * 1018 cm −3
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 20
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ni = ? n = ? p = ?
Para pasar de grado Celsius a Kelvin se la suman 273 a la temperatura dada.
η i = 8.69 x10 9 cm −3
Como N D es mucho mayor a ni se puede decir que:
nn ≈ N D = 6 * 1018 cm −3 Concentración de Portadores Mayoritarios
nn * p n = ni2
ni2
Quedando la concentración de portadores minoritarios pn =
ND
pn =
(8.69 * 10 cm )9 −3 2
= 12,58cm − 3
18 −3
6 * 10 cm
p n = 12.58cm −3 Concentración de Portadores Minoritarios
3.- Determine la densidad de corriente de arrastre del germanio Ge cuando es
dopado con una concentración de 10x1020 cm-3 de átomos de Boro a una
temperatura de 300 K, y se le aplica un campo eléctrico de 150 V/cm.
Datos:
B = 1,66 * 1015 (cm −3 K −3 / 2 )
T = 300K
Eg = 0,67eV
k = 86 * 10 − 6 eV / K
N A = 10 * 10 20 cm −3
E = 150V / cm
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 21
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
J Arrastre = ?
Se realiza el calcula la concentración intrínseca del material
−0 , 67 eV
eV
2*86*10 − 6 *300 K
ni = 1,66 * 1015 cm −3 K −3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
η i = 1,98 x10 13 cm − 3
Como N A es mucho mayor a ni se plantea que:
n p * p p = ni2
ni2
Quedando la concentración de portadores minoritarios n p =
NA
np =
(1,98 * 10 13
cm −3 )
2
= 392,04 * 103 cm − 3
10 * 1020 cm − 3
J Arrastre = J An + J Ap
cm 2 V
J An = qμn nE = 1,6 * 10 −19
C * 3900 * 392,04 * 103 cm − 3 * 150
V *s cm
J An = 36 ,69 * 10 −9 A / cm 2
cm 2 V
J Ap = qμ p pE = 1,6 * 10 −19 C * 1900 * 10 * 1020 cm − 3 * 150
V *s cm
J Ap = 45 , 6 * 10 6 A / cm 2
J Arrastre = 45,6 * 10 6 A / cm 2
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 22
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
4. Calcule la corriente de Difusión para una porción de GaAs la cual es dopada con
una concentración de átomos de fósforo de 5x1015e-3x cm-3 a una temperatura de
300 K.
Datos:
B = 2,10 * 10 14 (cm −3 K −3 / 2 )
T = 300K
Eg = 1,4eV
−6
k = 86 * 10 eV / K
N D = 5 * 10 15 * e −3 x cm −3
J Difusion = ?
Se calcula la Concentración Intrínseca:
−1, 4 eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 300 K
ni = 2,10 * 1014 cm − 3 K − 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
nn ≈ N D = 5 * 1015 * e −3 x cm−3 n n = 5 * 10 15 e − 3 x cm −3
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 23
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
J Dn = D n * q * ∇ n JDp = −Dp * q * ∇p
cm 2
J Dn = 1,6 * 10 −19 C * 220 * −15 * 1015 e − 3 x cm − 3 = −0,528e − 3 x A / cm 2
s
cm 2
J Dp = − 1, 6 * 10 − 19 C * 10 * 19 ,37 * 10 − 4 e − 3 x cm − 3 = − 3, 09 * 10 − 21 e 3 x A / cm 2
s
J Dp = −3,09 * 10 −21 e 3 x A / cm 2
(
J Difusion = − 0,528e −3 x − 3,09 * 10 −21 e 3 x A / cm 2 )
Si x = 0 la corriente de difusión es aproximadamente igual a:
Ejercicios Propuestos
1.- Calcule la concentración intrínseca para una porción de Germanio (Ge) a una
temperatura de 45 ºC
2.- ¿Cuál es la conductividad de un material del Si dopado uniformemente con 1016
cm-3 de átomos de fósforo (P)?
3.- Se tiene una muestra de Si la cual esta dopada con 1014 átomos de boro (B) por
cada cm3, ¿Cuáles son las concentraciones de los portadores de carga a 300 K?
4.- Determine la corriente de arrastre del GaAs a una temperatura de 470 K cuando
se le aplica un campo eléctrico de 120 V/cm, el cual es dopado con átomos de Galio
a una concentración de 106 cm-3
5.- Calcular la corriente de arrastre de los huecos y la corriente de difusión de los
electrones, sabiendo que la densidad de corriente solo depende de estas y su valor
es de 6.3 A/cm2; se desea conocer el campo eléctrico que se aplica para estas
x
−3
respuestas. Se conocen los siguientes datos: n = 10 cm , p ( x ) = 10 15 e L cm − 3 ,
16
L = 12μm , D p = 12 cm 2 , μ η = 1000 cm 2 / V .s
s
6.- Determine la concentración de portadores Mayoritarios y minoritarios del
Germanio Ge al cuál se le ha añadido una concentración de átomos de Antimonio
de 12x1018 cm-3 a una temperatura de 55 ºC.
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 24
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
MÓDULO II
TEORÍA DE DIODOS
TEORÍA DE DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
MÓDULO II
TEORÍA DE DIODOS
1.- El Diodo
Un diodo no es más que la unión de un semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N al que se le han añadido 2 terminales uno en la parte P y otro en la parte N,
para poder acoplarse a un circuito. En la figura 2.1 se puede observar una
representación idealizada de la unión PN.
Hueco
Electrón
TEORÍA DE DIODOS 2
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P, cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de huecos es casi nula (Semiconductor N),
comienzan a desplazarse hacia el semiconductor tipo N.
Ahora bien, tal como lo haría un gas, los huecos que se encuentran en la frontera
con el semiconductor N comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor
tipo N, con el propósito de equilibrar la concentración de huecos a lo largo de toda la
unión PN.
Ocurre exactamente lo mismo con los electrones del semiconductor N que se
encuentran en la frontera con semiconductor tipo P donde apenas hay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo P.
¿Que ocurriría si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de
la zona N se dirigen a la zona P?
Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con
los huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, también
se recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona próxima a la unión
se produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando
por lo tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada
positivamente en el semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conformé
se va formando esa región de carga espacial o también conocida como región de
→
agotamiento, entorno a la unión, se va creando un campo eléctrico E en dicha
región de carga, y dirigido de la parte positiva a la negativa como se puede
observar en la figura 2.2.
TEORÍA DE DIODOS 3
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Neutro Neutro
→
E
Fig. 2.3.- Unión PN en equilibrio. Fuente El Autor
TEORÍA DE DIODOS 4
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
→
E
→
ED
VD
Fig. 2.4.- Polarización en Directo de la unión PN
Fuente: El Autor
→
El hecho de aplicar esa tensión VD hace que se forme un campo eléctrico E D que
atraviesa toda la unión PN, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo
se superpone en sentido opuesto al campo eléctrico que había en la región de carga
espacial el cual disminuye, provocando que se reanude la difusión y que se genere
una corriente eléctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona
n y el flujo de electrones hacia la zona p. En tal situación la región de carga espacial
habrá disminuido. Situación que se puede observar en la figura 2.5.
→
E
Hueco
Electró
Ι
Ι
→
ED
V
Fig. 2.5.- Circulación de Corriente en la Unión PN
Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 5
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
→
ED
VD
Fig. 2.6.- Polarización en Inverso de la Unión PN
Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 6
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
→
E
Tipo Tipo
“p” “n”
→
ED
V
Fig. 2.7.- Aumento de la Región Carga Espacial
Fuente: El Autor
Esta es la expresión Ι =f(VD) de una unión ideal. En una unión real, es similar pero
no del todo idéntica.
Donde:
Ι: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo (A)
VD: Es diferencia de tensión en los extremo del diodo (V)
ΙS: Es la intensidad de corriente de saturación (Es decir valores negativos de VD)
TEORÍA DE DIODOS 7
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
V T = 0,0259 V = 25 ,9 mV
La gráfica de esta relación tensión corriente es evidente:
Si a la unión PN se le aplica una tensión inversa muy grande, entonces por ella
circulará una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
TEORÍA DE DIODOS 8
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unión en sentido de P
hacia N en función de la tensión directa será:
TEORÍA DE DIODOS 9
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Donde:
TEORÍA DE DIODOS 10
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
TEORÍA DE DIODOS 11
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
dV
rD = Ec 2.3
dI
rD Se llama resistencia o dinámica de la unión, que corresponde a la resistencia
interna del diodo.
TEORÍA DE DIODOS 12
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
ΔV
rD = Ec 2.5
ΔI
Prácticamente se toma una pequeña variación de la ΔΙ alrededor del punto de
polarización Ι y se nota la variación correspondiente del ΔV. Esas variaciones deben
ser pequeñas porque la característica se aproxima a una recta y eso es exacto
sobre un pequeño intervalo ΔΙ alrededor de Ι.
TEORÍA DE DIODOS 13
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
¾
A la tensión inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturación
ΙS
Esos efectos se denominan “Derivas Térmicas”.
La corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rápidamente cuando aumenta la temperatura.
TEORÍA DE DIODOS 14
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
ΔV D = k v Δ T Ec 2.9
T1 , T2 : Temperatura
kv Coeficiente de temperatura V/°C (usado en termómetros)
-2,5 mV/°C Germanio
-2,0 mV/°C Silicio
-1,5 mV/°C Schottky
TEORÍA DE DIODOS 15
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Fig. 2.14 Curva Característica de la Carga Almacenada vs. Tensión Inversa Aplicada.
Fuente: El Autor.
dq
C j = J
Ec 2.10
dV R VR = VQ
Fácilmente derivando se puede hallar una expresión para Cj. Si se trata la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas se obtendrá una
expresión idéntica para Cj.
εS A
Cj = Ec 2.11
Wagot
Donde:
TEORÍA DE DIODOS 16
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Donde:
C jO : Capacitancia con polarización cero es decir VR = VQ = 0
⎛ N * N ⎞
Vo = V T ln ⎜ A D
⎟ Ec 2.13
⎝ n 2i ⎠
El análisis precedente y la expresión para Cj se aplican para uniones en las que la
concentración de portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera de la
unión. Una fórmula más general para Cj es
C
=
jO
C j m Ec 2.14
⎛ VR ⎞
⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ VO ⎠
TEORÍA DE DIODOS 17
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Se observa de la figura 2.15 que cuanto mayor sea la tensión inversa, mayor es el
ancho Wagot de la región de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia,
menor la capacidad Cj.
De manera análoga, si aumenta la tensión directa, Wagot disminuye y Cj aumenta. En
ciertos circuitos se utiliza este efecto de la variación de la capacidad con la tensión
de una unión PN polarizada inversamente.
TEORÍA DE DIODOS 18
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
8.2.-Capacidad de Difusión
De la descripción de la operación de la unión PN en la región de sentido directo se
observa que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de portadores
minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones P y N con
carga neutra. Si cambia la tensión entre terminales, este cambio finaliza antes de
que se alcance un nuevo estado estable. Este fenómeno de carga y
almacenamiento da lugar a otro efecto capacitivo, muy diferente del que se debe al
almacenamiento de carga en la región de agotamiento.
Para pequeñas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de
polarización, podemos definir la capacitancia de difusión a pequeña señal Cd como:
dQ
Cd = Ec 2.15
dV
Y se pode demostrar que
⎛τ ⎞
C d = ⎜⎜ T ⎟⎟ I Ec 2.16
⎝ VT ⎠
Donde Ι es la corriente del diodo en el punto de polarización. Es de Notar que Cd es
directamente proporcional a la corriente Ι del diodo y es, por lo tanto, tan pequeña
que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Es de notar también
que para mantener una Cd pequeña, el tiempo de tránsito τT debe hacerse pequeño,
lo cual es un requisito importante para diodos destinados para operación a alta
velocidad o alta frecuencia.
¾ Modelo Ideal
¾ Modelo de caída de voltaje constante
¾ Modelo Lineal por tramos
TEORÍA DE DIODOS 19
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Un modelo útil para una gran variedad de instancias del análisis es el “ideal”, que
describe al diodo como una válvula unidireccional, esto es, como un conductor
perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el ánodo, negativo en el
cátodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente.
La figura 2.16 muestra la grafica el modelo ideal.
TEORÍA DE DIODOS 20
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
Fig. 2.17 Modelo de caída de voltaje constante de la característica directa del diodo y la
Representación de su circuito equivalente.
Fuente: El Autor
Fig. 2.18 Modelo lineal por tramos de la característica directa del diodo y su circuito
equivalente. Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 21
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TEORÍA DE DIODOS 22
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TEORÍA DE DIODOS 23
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TEORÍA DE DIODOS 24
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TEORÍA DE DIODOS 25
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a b
Fig. 2.21 Verificación del estado de un diodo con un ohmetro.
a.- Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, la lectura del ohmetro es baja
b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ohmetro indica una
resistencia muy alta (infinita).
Fuente: Revista Multimetro
TEORÍA DE DIODOS 26
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Ejercicios Resueltos
1.- Calcule la corriente de polarización directa en una unión PN. Considere una
unión PN a T = 300 K en la cual ΙS = 5*10-14 A y VD = 0,65V.
Datos:
T = 300 K
ΙS = 5*10-14 A
VD = 0,65V
Ι=?
Datos
T = 300 K
N A = 1016 cm −3
N D = 1015 cm −3
C jo = 0,5 pF
VR = 2V
Para determinar la capacitancia de unión se usa la ecuación de (2.14) y para ello se
debe calcular el potencial de la barrera de la unión que viene dado por la siguiente
TEORÍA DE DIODOS 27
FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
n i = 1, 499 * 10 10 cm −3
⎛ 1016 * 1015 ⎞
Vo = 25,9mV ln⎜ ⎟ = 0,635V
⎝ (
⎜ 1,499 * 1010 )2 ⎟
⎠
0,5 pF
Cj = = 0,245 pF
2V
1+
0,635V
Ejercicios Propuestos
1.- Se tiene un diodo de silicio a una T = 300 K que tiene una corriente de
saturación inversa de ΙS = 10-13 A. El diodo esta polarizado en directo y por el circula
una corriente de 1 mA. Determinar la tensión del Diodo.
2.-Se tiene una unión PN de silicio a T = 300K la cual es dopada de 1016 cm-3 de
átomos donadores y de 1017 cm-3 de átomos aceptadores, se sabe que tiene una
capacitancia de transición de 0,8 pF cuando se le aplica una tensión inversa de 5V.
Determine la capacitancia de la unión de polarización cero.
3.- Determine la corriente en un diodo de unión de Germanio ideal para voltajes de
polarización directa de 0.4 V y 0.5 V si la corriente de saturación de inversa es de ΙS
= 10-13 A.
4.- Calcule VO en una unión de Arseniuro de Galio a temperatura ambiente para una
concentración de átomos donadores igual a la concentración de átomos
aceptadores de 1015 cm-3.
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