ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL

Electrónica de Potencia
Componente Práctico

X Preparatorio Desarrollo Informe

(Marque con una X según corresponda)

Práctica #: 5
Tema: CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

Realizado por - Santiago David Núñez Solís

CP_Electrónica_Potencia: GRUPO 4

(Espacio Reservado para instructor)

Fecha de entrega: ____ / ____ / ____ f. _________________________
Año mes día Recibido por:

Sanción: ____________________________________________________

PERÍODO ACADÉMICO
2020 – A
TEMA

CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

OBJETIVOS

Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia. 2.2. Conocer las características de
conmutación de los MOSFET’s.

TRABAJO PREPARATORIO

TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base a esta determinar
las zonas de operación en aplicaciones de electrónica potencia. Indicar las condiciones para el
encendido (Vth) y el apagado del MOSFET.
El MOSFET en el campo de la electrónica de potencia son muy populares para aplicaciones donde se emplea y requiere
baja tensión, baja potencia y conmutación resistiva a altas frecuencias (orden de los KHz), como fuentes de
alimentación conmutadas, motores sin escobillas y un sinnúmero de aplicaciones en la robótica, CNC y
electrodomésticos. En la Fig. 1. se observa las curvas de operación de este dispositivo y las zonas de operación que
posee, que son las siguientes:

Fig. 1. Curvas características de funcionamiento del MOSFET.

• Región de corte.

Cuando VGS < Vt, el MOSFET equivale eléctricamente a un circuito abierto entre los terminales drenador-fuente y de
acuerdo con el modelo ideal, en esta región el dispositivo se encuentra apagado.

• Región óhmica.

Cuando VGS > Vt y VDS < (VGS - Vt), un MOSFET esta polarizado en la región óhmica , equivale a una resistencia
variable entre drenador-fuente. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga el voltaje entre
compuerta y fuente.
• Región de saturación.

Cuando el voltaje entre el drenador y la fuente supera un valor fijo, llamado voltaje de saturación el dispositivo se
encuentra en la zona de saturación, este valor mencionado viene dado en los datasheet del fabricante. En esta zona la
corriente que circula por drenador permanece constante, independientemente del valor de tensión que haya entre
drenador-fuente. Por lo que equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Esta región se obtiene cuando VDS > (VGS - Vt)
• Región de ruptura.

En esta región, el MOSFET pierde sus propiedades semiconductoras y se llega a romper el componente físico.
• Encendido y apagado del MOSFET.

Para el encendido y apagado de este dispositivo se debe tomar en cuenta que para encenderlo y que se encuentre
trabajando en la región óhmica, el voltaje VDS debe tener un valor mayor al voltaje umbral del MOSFET, dato
encontrado en el datasheet del fabricante, por contraparte, este se encontrara en la región de corte, es decir, estará
apagado.[1]
4.2. Explicar la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. ¿En qué rango debe
estar la misma y por qué?
Cuando la resistencia base RB es muy alta, el voltaje VGS también aumenta , así que la zona activa se eleva
ocasionando pérdidas.

Cuando RB tiende a cero RB=0, genera una oscilación de alta frecuencia provocando en el equipo interferencias
electromagnéticas conjuntamente con su mal comportamiento.

Se puede concluir que el valor RB debe estar en el rango de las descenas para un mejor disparo del mosfet.

4.3. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o iguales a 1[KHz],
10[KHz] y 30[Khz], además debe poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ < 0,9. Utilizar el
circuito de la practica 1 con el integrado 555 funcionando como aestable.

Fig.1. Simulacion del circuito

a) Frecuencia de 1 kHz

𝐹 = 1 𝑘𝐻𝑧
1 1
𝑇= =
𝐹 1000
𝑇 = 1 𝑚𝑠
𝑇
𝑇𝑐 = = 0,5 𝑚𝑠
2
Para hallar el tiempo en bajo y alto uso los valores del ancho de pulso:
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ bajo = 0,1 ∗ 0,5𝑚𝑠 = 50 𝑢𝑠
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ alto = 0,9 ∗ 0,5𝑚𝑠 = 450 𝑢𝑠
 Asumo: Valor comercial para C=100nF
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0.693(RA + RB + Rpot) C
𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 + 𝑅𝑝𝑜𝑡 = 6,49 𝑘 𝑜ℎ𝑚
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_𝑏𝑎𝑗𝑜 = 0.693(𝑅𝐵 ) 𝐶
𝑅𝐵 = 721,5 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠
Valor comercial: 𝑅𝐵 = 680 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠
𝑅𝐴 = 4,81 𝑘 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠 y 𝑅𝑝𝑜𝑡 = 1 𝑘 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠
Valor comercial: 𝑅𝐴 = 4,7 𝑘 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠
b) Frecuencia de 10 kHz

𝐹 = 10 𝑘𝐻𝑧
1 1
𝑇= =
𝐹 10000
𝑇 = 0,1 𝑚𝑠
𝑇
𝑇𝑐 = = 0,05 𝑚𝑠
2
Para hallar el tiempo en bajo y alto uso los valores del ancho de pulso:
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ bajo = 0,1 ∗ 0,05𝑚𝑠 = 5 𝑢𝑠
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ alto = 0,9 ∗ 0,05𝑚𝑠 = 45 𝑢𝑠
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0.693(RA + RB + Rpot) C
𝐶 = 10 𝑛𝐹
8.0V

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us 500us
V(R7:2)
Time

c) Frecuencia de 30 kHz

𝐹 = 30 𝑘𝐻𝑧
1 1
𝑇= =
𝐹 30000
𝑇 = 33,33 𝑢𝑠
𝑇
𝑇𝑐 = = 16,67 𝑢𝑠
2
Para hallar el tiempo en bajo y alto uso los valores del ancho de pulso:
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ bajo = 0,1 ∗ 16,67 𝑢𝑠 = 1,67 𝑢𝑠
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_ alto = 0,9 ∗ 16,67 𝑢𝑠 = 15 𝑢𝑠
𝑇𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜_𝑎𝑙𝑡𝑜 = 0.693(RA + RB + Rpot) C
𝐶 = 3,33 𝑢𝐹
4.4. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 4 (potencia y control), para un
valor de voltaje obtenido del sistema de rectificación y la resistencia de carga de 5 ohmios. Indicar las
formas de onda de voltaje de compuerta, voltaje y corriente en los terminales Drain-Source del
Mosfet y el voltaje de la carga.

La optonand soporta un voltaje de V= 1.3[V] y una corriente de I= 10[mA] , entonces:

𝑉𝐷𝐶 5 − 1.3
𝑅1 = = = 390[Ω]
𝐼 10[ 𝑚𝐴]

Con la corriente del transistor del opto I_max = 50mA, se puede obtener R2

𝑉𝐶𝐶 12
𝑅2 = = = 240 [Ω]
𝐼𝑀𝐴𝑋 50 [𝑚𝐴]

Es recomendable que el valor de Rg no pase los 100 Ω, por lo que se asumirá un valor de 50Ω para esta resistencia.

De la carga se tiene

𝑅 = 5[Ω]

Este valor de la resistencia se necesita para ver la ID y buscar el Mosfet apropiado

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 120 − 3

𝐼𝐷 = = = 23.4[𝐴]
𝑅 5

Se necesitará un MOSFET que soporte la corriente antes calculada, para eso se a optado por el 2N6766.

Simulación
 20V

0V

SEL>>
-20V
V(Q1:G)
200V

100V

0V
V(Q1:D,0)
200V

100V

0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(R10:2)
Time

Figura. Gráfica de los voltajes Vg,Vds,Vcarga

30A

20A

10A

0A

-10A

-20A

-30A
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
ID(M2) (IS(M2)+IB(M2))
Time

Figura. Gráfica de la corriente Ids

4.5. Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo de conmutación rápida (Fast

Recovery) para trabajar con una carga altamente inductiva.
REFERENCIAS

[1] 1] “El Transistor MOSFET – Electrónica Práctica Aplicada”. [En línea]. Disponible en:
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet. [Consultado: 12-julio-2020].

[2] Dispositivos Semiconductores - FIUBA Dr. Ing. Ariel Lutenberg. Disponible en:
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Clase22_apunte.pdf

[3]https://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-pdf/view/50064/FAIRCHILD/2N6765.html

[4] “4N25 Datasheet pdf - 4N25 · General Purpose Phototransistor Optocoupler - Agilent (Hewlett-
Packard)”. [En línea]. Disponible en:
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/4/N/2/5/4N25.shtml. [Consultado: 12-julio-2020].