1.

¿Cuántos
¿Cuántos protones
protones contiene
contiene el núcleo
núcleo de un átomo de
de cobre?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
3. Si a un átomo
átomo de cobr
cobre
e se le extr
extrae
ae su elec
electr
trón
ón de vale
valenc
ncia
ia,, la carga
carga
resultante vale:
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
4. La atracción
atracción que experime
experimenta
nta hacia
hacia el núcleo
núcleo el electrón
electrón de valencia
valencia de un
átomo de cobre es:
a. Ninguna
b. Débil
c. Fuerte
d. Impos
Imposib
ible
le de
de desc
describ
ribir 
ir 
5. ¿Cuántos
¿Cuántos electrones
electrones de
de valencia
valencia tiene
tiene un átomo
átomo de silici
silicio?
o?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
6. El semic
semicond
onduct
uctor
or mas empl
empleado
eado es:
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ning
Ninguno
uno de
de los
los anter
anterior
iores
es
7. ¿Qué numero
numero de protones
protones posee
posee un átomo de silicio?
silicio?
a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8. Los átomos
átomos de silicio
silicio se combinan
combinan en una estruct
estructura
ura ordenada
ordenada que recibe el
el
nombre de:
a. Enla
Enlace
ce cov
coval
alen
ente
te
b. Cristal
c. Semi
Semico
cond
nduc
ucto
tor 
r 
d. Orbi
Orbita
tall de
de vale
valenci
ncia
a
9. Un semic
semicond
onduct
uctor
or intr
intrín
ínse
seco
co prese
present
nta
a algu
algunos
nos huec
huecos
os a temp
tempera
eratu
tura
ra
ambiente causados por:
a. El dopaje
b. Elec
Electr
tron
ones
es libr
libres
es
c. Ener
Energí
gía
a térm
térmic
ica
a
d. Elect
Electron
rones
es de
de vale
valenci
ncia
a
10.Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un:
a. Enla
Enlace
ce cov
coval
alen
ente
te
b. Elec
Electr
trón
ón libr
libre
e
c. Hueco
d. Reco
Recomb
mbin
inac
ació
ión
n
11.La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de:
a. Enla
Enlace
ce cov
coval
alen
ente
te
b. Tiem
Tiempo
po de vida
ida
c. Recom
ecombi
bina
naci
ción
ón
 d. Energía Térmica
12.A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:
a. Una batería
b. Un conductor 
c. Un aislante
d. Un hilo de cobre
13.El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su desaparición se
conoce como:
a. Dopaje
b. Tiempo de vida
c. Recombinación
d. Valencia
14.Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por:
a. Electrón ligado
b. Electrón libre
c. Núcleo
d. Protón
15.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
16.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
17.Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan:
a. Distanciándose del potencial negativo
b. Hacia el potencial positivo
c. En el circuito externo
 d. Ninguna de las anteriores
18.¿Cuántos huecos presenta un conductor?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energía térmica
d. El mismo numero que de electrones libres
19.En un semiconductor intrínseco el numero de electrones libres es
a. Igual al numero de huecos
b. Mayor que el numero de huecos
c. Menor que el numero de huecos
d. Ninguna de las anteriores
20.La temperatura del cero absoluto es igual a
a. -273ºC
b. 0ºC
c. 25ºC
d. 50ºC
21.A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta:
a. Pocos electrones libres
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ni huecos ni electrones libres
22.A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene:
a. Algunos electrones libres y huecos
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ningún hueco
23.El numero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco
aumenta cuando la temperatura:
a. Disminuye
b. Aumenta
c. Se mantiene constante
 d. Ninguna de las anteriores
24.El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos
circulan hacia:
a. La izquierda
b. La derecha
c. En cualquier dirección
d. Ninguna de las anteriores
25.Los huecos se comportan como:
a. Átomos
b. Cristales
c. Cargas negativas
d. Cargas positivas
26.¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
27.¿Qué numero de electrones de valencia tiene un átomo donador?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
28.Si quisiera producir un semiconductor tipo p, ¿Qué emplearía?
a. Átomos aceptadores
b. Átomos donadores
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29.Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:
a. Extrínseco
b. Intrínseco
c. Tipo n
 d. Tipo p
30.¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energía térmica
d. El mismo numero que de huecos
33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p. Si en el
izquierdo el cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los portadores
mayoritarios?
R. Hacia la derecha
34. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los otros
tres?
a) Conductor 
b) Semiconductor 
c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina
35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la
temperatura ambiente?
a) 0 º C
b) 50 º C
c) 25 º C
d) 75 º C
36. ¿Cuántos electrones hay en la orbital de valencia de un átomo de silicio
dentro de un cristal?
R. 8
37. Los iones positivos son átomos que:
R. Han perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
 d) Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y:
R. Iones negativos
40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres
41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?
a) Huecos
b) Electrones libres
c) Iones
d) Portadores mayoritarios
42. ¿A qué se debe la zona de deplexión?
R. A los iones
43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de
R. 0.7 V
44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la
tensión aplicada debe superar:
R. 0.7 V
45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:
R. Muy pequeña
46. La corriente superficial de gas es parte de:
R. La corriente inversa
47. La tensión que provoca el fenómeno de avalancha es:
R. La tensión de ruptura
48. La difusión de electrones libres a través de la unión de un diodo produce:
R. Polarización directa
49. Cuando la tensión inversa crece de 5V a 10V, la zona de deplexión:
R. Crece
50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de electrones
libres y huecos puede producir:
R. Calor, Luz, Radiación
51. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la zona de
deplexión será:
R. 0.7V
52. Cada grado de aumento en la temperatura en la unión decrece la barrera de
potencial en:
R. 2mV
53. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la
unión se incrementa:
R. 10 º C
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta:
R. 7 por 100
PROBLEMAS
1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?
R. La carga es -3
2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus electrones
de valencia?
R. La carga neta es +4
3. Clasifique cada uno de los siguientes como conductor o semiconductor:
a) Germanio: Semiconductor 
b) Plata: Conductor 
c) Silicio: Semiconductor 
d) Oro: Conductor 
5. Clasifique cada uno de los siguientes como semiconductor tipo n o tipo p:
a) Dopado por un átomo aceptador: Tipo p
b) Cristal con impurezas pentavalentes: Tipo n
c) Los portadores mayoritarios son huecos: Tipo p
d) Se añadieron átomos donadores al cristal: Tipo n
e) Los portadores minoritarios son electrones: Tipo p
Preguntas de entrevista de trabajo.
2.- ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor?
Debido a su estructura atómica de cada material se puede clasificar como
conductor o semiconductor o aislante, los mejores conductores cuentan con un
electrón de valencia mientras que los mejores aislantes cuentan con 8, un
semiconductor debe estar en un 1 medio entre los dos mencionados, es decir 
cuenta con 4 electrones en su capa valencia.
4.- De la idea básica de semiconductores dopados.
Se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su
conductividad eléctrica.
6.- Diga porque hay una corriente muy pequeña en un diodo polarizado en inversa:
La energía eléctrica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo
que significa que en ambos lados de la conexión P-N, existen pequeñas
concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estas se
recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hayan dentro de la
zona de deflexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión. Cuando esto
sucede, por el circuito externo circula una pequeña corriente.
8.-¿ Por qué un diodo emisor de luz produce luz?
La tensión aplicada eleva los electrones a niveles superiores de energía, cuando
estos electrones caen de nuevo a niveles de energía inferiores desprenden
energía, en forma de luz en el caso del diodo emisor de luz (led).
10.- ¿Qué es la corriente superficial de fugas?
Es una pequeña corriente que circula sobre la superficie del cristal. Es causada
por impurezas en la superficie del cristal.
12.-¿En qué se diferencian el silicio extrínseco y el intrínseco?
Como intrínseco el silicio se comporta como aislante en el extrínseco se le agrega
un electrón de valencia haciéndolo actuar como conductor.
14.- En la unión pn de un diodo ¿Cuáles son las cargas portadoras que se
mueven, huecos o electrones libres?
Los huecos son las cargas portadoras que se mueven.

PROBLEMAS RESUELTOS
2-6 Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas de 0C a
75c. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo de la barrera de potencial?
Vmax= (-2x10-3)(0ᵒC-25ᵒC)
Vmax= 50mV
Vb= 0,7V+0,05V= 0,75V

Vmin= (-2x10-3)(75ᵒC-25ᵒC)
Vmin= -100mV
Vb= 0,7-0,1=0,6V

2-7 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacion de 10nA a 25ᵒC. Si debe
funcionar en el rango de 0ᵒC a 75ᵒC, cuales serán los valores máximos y
minimos de la corriente de saturación?
El cambio de temperatura es:
∆T= 0ᵒC -25ᵒC= -25ᵒC
∆T= 75ᵒC-25ᵒC= 50ᵒC

Según la ecuación(2-5), la corriente se dobla siete veces entre 5ᵒC y 80ᵒC

Is= ( )(10nA)= 1280nA

Y tomando como referencia la ecuación (2-6) hay cinco adicionales entre 5 y 80

Is= (1,0 )(1280)1795nA

2-7 Si la corriente superficial de fugas es 2nA para una tensión inversa de 25V
¿Qué valor toma la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de 35V?
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