Plantilla Word Carta

TRABAJO DE POTENCIA 15%
DARCY MARYOLY GARCÉS OJEDA
COD. 1.116.810.013
ING. ABELARDO MEJIA BUGALLO
GRUPO: E
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
FACULTAD DE INGIENERIAS Y ARQUITECTURA
PAMPLONA - N. SANTANDER
2020
“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia 1
Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
SC-CER96940 www.unipamplona.edu.co
Estimació n experimental
MOSFET IRFZ44N
Hoja de características
Imagen del circuito en proteus

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Tabla obtenida
IRFZ44N
MODO DE
VGS(V) ID (mA) VDS(V) VGS-VTH(V) RDon(mῼ)
OPERACIÒN
3,57 2 19 0 SATURACION -
3,6 27,7 19,4 0,03 SATURACION -
3,65 145 17,1 0,08 SATURACION -
3,7 350 13 0,13 SATURACION -
3,75 634 7.32 0,18 SATURACION -
3,8 989 0,22 0,23 ZONA ÒHMICA 0,22
3,85 994 0,13 0,28 ZONA ÒHMICA 0,13
3,9 995 0,1 0,33 ZONA ÒHMICA 0,1
3,95 996 0,08 0,38 ZONA ÒHMICA 0,08
4 996,5 0,075 0,43 ZONA ÒHMICA 0,075
4,05 996,8 0,07 0,48 ZONA ÒHMICA 0,07
4,1 997 0,065 0,53 ZONA ÒHMICA 0,065
4,15 997,3 0,06 0,58 ZONA ÒHMICA 0,06
4,2 997,6 0,055 0,63 ZONA ÒHMICA 0,055
4,25 997,7 0,045 0,68 ZONA ÒHMICA 0,045
4,3 998 0,04 0,73 ZONA ÒHMICA 0,04
4,35 998,3 0,038 0,78 ZONA ÒHMICA 0,038
4,4 998,6 0,037 0,83 ZONA ÒHMICA 0,037
4,45 998,8 0,036 0,88 ZONA ÒHMICA 0,036
4,5 999 0.035 0,93 ZONA ÒHMICA 0,035

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Grafica de RDon vs VGS
RDON vs VGS
0.25
0.2
f(x) = 0.5 x² − 4.31 x + 9.35

0.15 R² = 0.86
0.1
0.05
0
3.75 3.85 3.95 4.05 4.15 4.25 4.35 4.45 4.55
Grafica de regresión y coeficiente de correlación R2
ID vs VGS
700
600 f(x) = 17089.95 x² − 121574.53 x + 216211.97

R² = 1
500
400
300
200
100
0
3.56 3.58 3.6 3.62 3.64 3.66 3.68 3.7 3.72 3.74 3.76
Ecuació n
17090 x2 −121575 x +21621 2

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
mA
Kn=17090
V2
V TH =3,57 V
MOSFET IRFIZ44N
Datos de hoja de características

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Tabla obtenida
IRFIZ44N
MODO DE
VGS(V) ID (mA) VDS(V) VGS-VTH(V) RDON(mῼ)
OPERACIÒN
3,57 2,81 19,9 0 SATURACION -
3,6 31 19,4 0,03 SATURACION -
3,65 154 16,9 0,08 SATURACION -
3,7 363 12,7 0,13 SATURACION -
3,75 653 6,94 0,18 SATURACION -
3,8 990 0,2 0,23 ZONA ÒHMICA 0,23
3,85 994 0,13 0,28 ZONA ÒHMICA 0,13
3,9 995 0,1 0,33 ZONA ÒHMICA 0,1
3,95 996 0,08 0,38 ZONA ÒHMICA 0,08
4 996,5 0,075 0,43 ZONA ÒHMICA 0,075
4,05 996,8 0,07 0,48 ZONA ÒHMICA 0,07
4,1 997 0,065 0,53 ZONA ÒHMICA 0,065
4,15 997,3 0,06 0,58 ZONA ÒHMICA 0,06
4,2 997,6 0,055 0,63 ZONA ÒHMICA 0,055
4,25 997,7 0,048 0,68 ZONA ÒHMICA 0,048
4,3 998 0,047 0,73 ZONA ÒHMICA 0,047
4,35 998,3 0,046 0,78 ZONA ÒHMICA 0,046
4,4 998,6 0,045 0,83 ZONA ÒHMICA 0,045
4,45 998,8 0,044 0,88 ZONA ÒHMICA 0,044
4,5 999 0.043 0,93 ZONA ÒHMICA 0,043

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
RDON vs VGS
0.25
0.2
0.15 f(x) = 0.56 x² − 4.78 x + 10.32

R² = 0.83
0.1
0.05
0
3.75 3.85 3.95 4.05 4.15 4.25 4.35 4.45 4.55
ID vs VGS
700
600 f(x) = 17135.59 x² − 121808.16 x + 216465.19

R² = 1
500
400
300
200
100
0
3.56 3.58 3.6 3.62 3.64 3.66 3.68 3.7 3.72 3.74 3.76
Ecuació n
17136 x 2−121808 x +21646 5
mA
K=1713
V2

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
V TH =3,57 V
MOSFET IFR630

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Tabla obtenida
IRF630
VGS(V) ID (mA) VDS(V) VGS-VTH(V) MODO DE OPERACIÒN RDON(mῼ)
3,92 0,26 20 0 SATURACION -

4 11,9 19.8 0,08 SATURACION -
4,08 40,8 19,2 0,16 SATURACION -
4,16 87 18,3 0,24 SATURACION -
4,24 151 17 0,32 SATURACION -
4,32 231 15,4 0,4 SATURACION -
4,4 329 13,4 0,48 SATURACION -
4,56 577 8,45 0,64 SATURACION -
4,72 894 2,11 0,8 SATURACION -
4,8 962 0,76 0,88 ZONA ÒHMICA 0,79
4,88 967 0,66 0,96 ZONA ÒHMICA 0,68
4,96 970 0,59 1,04 ZONA ÒHMICA 0,6
5,2 973 0,55 1,28 ZONA ÒHMICA 0,56
5,4 976 0,48 1,48 ZONA ÒHMICA 0,49
5,44 979 0,42 1,52 ZONA ÒHMICA 0,43
6 983 0,35 2,08 ZONA ÒHMICA 0,35
6,48 984 0,32 2,56 ZONA ÒHMICA 0,32
7 992 0,21 3,08 ZONA ÒHMICA 0,2

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
RDON vs VGS
0.9
0.8
0.7 f(x) = 0.1 x² − 1.4 x + 5.14
0.6 R² = 0.95
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
4.6 5.1 5.6 6.1 6.6 7.1 7.6
ID vs VGS
1000
900
f(x) = 1349.37 x² − 10541.5 x + 20588.03
800 R² = 1
700
600
500
400
300
200
100
0
3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 4.2 4.4 4.6 4.8

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Ecuació n
1349,4 x 2−10542 x +2058 8
mA
K n=1349,4
V2
V TH =3,92V
MOSFET IRF610
Hoja de características datasheet
Circuito proteus

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Tabla obtenida
IRF610
VGS- MODO DE
VGS[ ID[mA VDS( VTH[ OPERACIÓ RDON[m
V] ] v) V] N Ω]
3,95 0,02 15,00 0,000 Saturación -
3,96 0,05 15,00 0,005 Saturación -
3,96 0,08 15,00 0,010 Saturación -
3,97 0,01 15,00 0,015 Saturación -
3,97 0,02 15,00 0,020 Saturación -
3,98 0,03 15,00 0,025 Saturación -
3,98 0,04 15,00 0,030 Saturación -
3,99 0,47 15,00 0,035 Saturación -
3,99 0,58 15,00 0,040 Saturación -
4,00 0,72 15,00 0,045 Saturación -
4,00 0,86 15,00 0,050 Saturación -
4,01 1,02 15,00 0,055 Saturación -
4,10 6,68 15,00 0,150 Saturación -
4,20 18,00 14,90 0,250 Saturación -
4,30 34,90 14,80 0,350 Saturación -
4,40 57,20 14,70 0,450 Saturación -
4,50 84,90 14,60 0,550 Saturación -
4,60 118,00 14,40 0,650 Saturación -
4,70 152,00 14,20 0,750 Saturación -
4,80 200,00 14,00 0,850 Saturación -

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
4,90 249,00 13,80 0,950 Saturación -
5,00 303,00 13,50 1,050 Saturación -
5,10 360,00 13,20 1,150 Saturación -
2200,0
7,65 4,02
0 3,700 Saturación -
2210,0
7,80 3,96
0 3,850 Saturación -
2220,0
7,95 3,90
0 4,000 Ohmica 1,76
2230,0
8,10 3,85
0 4,150 Ohmica 1,73
2240,0
8,25 3,80
0 4,300 Ohmica 1,70
2250,0
8,40 3,76
0 4,450 Ohmica 1,67
2260,0
8,55 3,72
0 4,600 Ohmica 1,65
2260,0
8,70 3,68
0 4,750 Ohmica 1,63
2270,0
8,85 3,65
0 4,900 Ohmica 1,61
2281,0
9,00 3,62
0 5,050 Ohmica 1,59
2280,0
9,15 3,60
0 5,200 Ohmica 1,58
2290,0
9,30 3,57
0 5,350 Ohmica 1,56
2290,0
9,45 3,55
0 5,500 Ohmica 1,55
2300,0
9,60 3,52
0 5,650 Ohmica 1,53
2300,0
9,75 3,50
0 5,800 Ohmica 1,52
2300,0
9,90 3,48
0 5,950 Ohmica 1,51
2310,0
10,00 3,46
0 6,050 Ohmica 1,50
2310,0
10,20 3,45
0 6,250 Ohmica 1,49

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
ID vs VGS
350.00
300.00
f(x) = 270.55 x² − 2132.86 x + 4203.52
250.00 R² = 1
200.00
150.00
100.00
50.00
0.00
3.50 3.70 3.90 4.10 4.30 4.50 4.70 4.90 5.10
RDON vs VGS
1.80
1.75
f(x) = 0.03 x² − 0.7 x + 5.28
1.70 R² = 1
1.65
1.60
1.55
1.50
1.45
1.40
1.35
7.50 8.00 8.50 9.00 9.50 10.00 10.50
Ecuació n
270,55 x 2−2132,9 x + 4203 ,5

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
mA
K n=270,55
V2
V TH =3,95V
MOSFET IRF530

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Imagen del del circuito en proteus
Tabla obtenida
IRF530
VGS[V VGS- MODO DE
] ID[mA] VDS(v) VTH[V] OPERACIÓN RDON[mΩ]
3,90 1,58 15,00 0,00 Saturación -
3,95 18,00 14,90 0,05 Saturación -
4,00 51,00 14,70 0,10 Saturación -
4,05 99,40 14,54 0,15 Saturación -
4,10 162,00 14,20 0,20 Saturación -
4,15 238,00 13,80 0,25 Saturación -
4,20 326,00 13,40 0,30 Saturación -
4,25 430,00 12,90 0,35 Saturación -
4,30 537,00 12,30 0,40 Saturación -
4,35 657,00 11,70 0,45 Saturación -
4,40 787,00 11,10 0,50 Saturación -
4,45 926,00 10,40 0,55 Saturación -
4,50 1070,00 9,64 0,60 Saturación -
4,55 1230,00 8,86 0,65 Saturación -
4,60 1390,00 8,05 0,70 Saturación -
4,65 1560,00 7,21 0,75 Saturación -

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
4,70 1730,00 6,34 0,80 Saturación -
4,90 2490,00 2,54 1,00 Saturación -
4,95 2690,00 1,53 1,05 Saturación -
4,97 2780,00 1,12 1,07 Saturación -
4,98 2800,00 1,01 1,08 Ohmica 0,361
5,00 2810,00 0,93 1,10 Ohmica 0,331
5,10 2850,00 0,76 1,20 Ohmica 0,267
5,25 2870,00 0,64 1,35 Ohmica 0,223
5,40 2880,00 0,58 1,50 Ohmica 0,201
5,55 2890,00 0,53 1,65 Ohmica 0,183
5,70 2900,00 0,49 1,80 Ohmica 0,169
5,85 2900,00 0,47 1,95 Ohmica 0,162
6,00 2910,00 0,45 2,10 Ohmica 0,155
6,15 2910,00 0,43 2,25 Ohmica 0,148
6,30 2920,00 0,41 2,40 Ohmica 0,140
6,45 2920,00 0,40 2,55 Ohmica 0,137
6,60 2920,00 0,39 2,70 Ohmica 0,134
6,75 2920,00 0,38 2,85 Ohmica 0,130
6,90 2930,00 0,37 3,00 Ohmica 0,126
7,05 2930,00 0,36 3,15 Ohmica 0,123
ID vs VGS
3000.00
f(x) = 1741.24 x² − 12787.73 x + 23344.46

2500.00 R² = 1
2000.00
1500.00
1000.00
500.00
0.00
3.80 4.00 4.20 4.40 4.60 4.80 5.00 5.20

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
RDON vs VGS
0.400
0.350
0.300 f(x) = 0.08 x² − 1.05 x + 3.55

R² = 0.92
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
4.90 5.40 5.90 6.40 6.90 7.40
Ecuació n
1741,2 x 2−12788 x +2334 4
mA
K n=1741,2
V2
V TH =3,90V
MOSFET IFR510

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Tabla obtenida
IRFE510
MODO DE
VGS[V] ID [mA] VDS[V] VGS-VTH[V] RDON[mῼ]
OPERACIÒN
3,332 5,58 19 0 SATURACION -
3,42 10,52 19,4 0,08 SATURACION -
3,516 26,29 17,1 0,184 SATURACION -
3,603 50,4 13 0,271 SATURACION -
3,7 105,2 7.32 0,368 SATURACION -
3,795 183,7 0,22 0,463 SATURACION -
3,885 330 0,13 0,553 SATURACION -
3,97 438 0,1 0,638 SATURACION -
4,01 560 0,08 0,678 SATURACION -
4,08 689 0,075 0,748 SATURACION -
4,16 840 0,07 0,828 SATURACION -
4,23 940 0,065 0,978 ZONA ÒHMICA 0,75
4,31 976 0,06 1,058 ZONA ÒHMICA 0,56
4,39 985 0,055 1,128 ZONA ÒHMICA 0,45
4,6 986 0,045 1,208 ZONA ÒHMICA 0,41
4,54 998 0,04 1,288 ZONA ÒHMICA 0,36
4,62 987 0,038 1,308 ZONA ÒHMICA 0,34
4,7 988 0,037 1,468 ZONA ÒHMICA 0,32
4,8 994 0,036 1,558 ZONA ÒHMICA 0,31
4,97 997 0.035 1,638 ZONA ÒHMICA 0.30
RDON vs VGS
0.8
0.7
f(x) = 0.88 x² − 8.65 x + 21.5
0.6 R² = 0.93
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
4.1 4.3 4.5 4.7 4.9 5.1 5.3

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750
Grafica de resistencia en Excel con regresión y valor de R
ID vs VGS
900
800 f(x) = 1643.9 x² − 11311.34 x + 19458.18
R² = 1
700
600
500
400
300
200
100
0
3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 4.2 4.4
Ecuació n
1643,9 x2 −11311 x+ 1945 8
mA
K n=1643,9
V2
V TH =3,332V

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750

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TRABAJO DE POTENCIA 15%

DARCY MARYOLY GARCÉS OJEDA

ING. ABELARDO MEJIA BUGALLO

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Imagen del circuito en proteus

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

f(x) = 0.5 x² − 4.31 x + 9.35

Grafica de regresión y coeficiente de correlación R2

600 f(x) = 17089.95 x² − 121574.53 x + 216211.97

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Imagen del circuito en proteus

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

0.15 f(x) = 0.56 x² − 4.78 x + 10.32

Grafica de regresión y coeficiente de correlación R2

600 f(x) = 17135.59 x² − 121808.16 x + 216465.19

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

3,92 0,26 20 0 SATURACION -

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Grafica de regresión y coeficiente de correlación R2

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Hoja de características datasheet

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Grafica de RDon vs VGS

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Grafica de regresión y coeficiente de correlación R2

f(x) = 1741.24 x² − 12787.73 x + 23344.46

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

0.300 f(x) = 0.08 x² − 1.05 x + 3.55

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

Grafica de RDon vs VGS

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

“Formando líderes para la construcción de un nuevo país en paz”

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