ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE MATERIALES SEMI-CONDUCTORES

POR CRECIMIENTO EPITAXIAL

La epitaxia es el crecimiento ordenado de una capa monocristalina que mantiene una relación
definida con respecto al substrato cristalino inferior.

El crecimiento epitaxial se utiliza para la fabricación de capas semiconductoras de calidad. Para

muchas aplicaciones la oblea es únicamente un soporte mecánico.

La epitaxia es un modo de controlar de manera precisa el perfil de dopaje para optimizar

dispositivos y circuitos y el grosor de la capa epitaxial puede variar desde 0.1 μm hasta 100 μm
según la aplicación. De menor espesor para aplicaciones de alta velocidad. De mayor espesor para
aplicaciones de potencia.

Los procesos epitaxiales se diferencian de los procesos de crecimiento de volumen en que la capa
epitaxial puede crecerse a temperaturas substancialmente más pequeñas que las del punto de
fusión del material (sobre un 30-50 % más bajas).

El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categorías muy amplias:

 Homoepitaxia: la capa que se

crece es químicamente similar al
substrato. Es la epitaxia más
simple e involucra la extensión de
la red del substrato en una red de
material idéntico (autoepitaxia u
homoepitaxia), Ejemplos: Si sobre
Si, GaAs sobre GaAs., AlGaAs
sobre GaAs. Hay una
desadaptación de la constante de
red del 0.13 % (homoepitaxia).
 Heteroepitaxia: la capa que se
crece difiere en términos químicos, estructura cristalina, simetría o parámetros de red con
respecto al substrato. Ejemplos: materiales III-V ternarios o cuaternarios sobre GaAs
(AlGaAs sobre GaAs, GaN sobre SiC), GaAs sobre Si (existe un 4.5 % de desadaptación en la
constante de red, Silicon on Insulator (SOI).

Clasificación de las técnicas de crecimiento epitaxial

Todas las técnicas están basadas en el transporte físico del material semiconductor hacia la oblea
calentada (en fase líquida, en fase de vapor, etc.)
VPE (Vapor Phase Epitaxy)

 Se utiliza actualmente para Si y GaAs

 Es un proceso en el que una capa sólida delgada se sintetiza partiendo de una fase gaseosa
mediante una reacción química.
 Este tipo de epitaxia tiene lugar a alta temperatura
 Diferentes especies químicas que van a formar la capa epitaxial (Si, Ga, As, también
pueden transportar dopantes) se transportan en forma de vapor (fase gaseosa) a través de
compuestos químicos gaseosos (normalmente por H2) a la temperatura de reacción, hacia
la oblea.
 En la oblea se depositan en la superficie del material para formar la capa epitaxial
mediante la correspondiente reacción química.
 Estos compuestos se depositan ordenadamente siguiendo la cristalografía del substrato o
de la oblea.
 Puede llevarse a cabo a presión atmosférica, evitando la necesidad de realizar un sistema
de vacío y reduciendo la complejidad.

LPE (Liquid Phase Epitaxy)

 Se utiliza principalmente para crecer materiales compuestos (ternarios y cuaternarios)

muy uniformes, delgados y de elevada calidad.
 Involucra el crecimiento de capas epitaxiales sobre substratos cristalinos por precipitación
directa desde la fase líquida (Cristalización de las fases a partir de una solución).
 Se basa en la SOLUBILIDAD de un soluto en un disolvente a una temperatura dada.
 Las velocidades de crecimiento típicas son de 0.1- 1 μm/minuto.
 El crecimiento se controla mediante un enfriamiento de la mezcla.
 Puede producirse un dopaje mediante la adición de dopantes.

MBE (Molecular Beam Epitaxy)

 Hoy en día es la técnica más prometedora, sobre todo en el área de heteroestructuras

(crecimiento epitaxial) donde se requiere un control preciso sobre impurezas múltiples y
de deposición de capas muy delicadas.
 Permite el crecimiento de múltiples capas monocristalinas con espesores atómicos.
(superredes).
 La velocidad de crecimiento es aproximadamente 1nm/sec (es muy baja) lo que permite la
variación gradual de la composición del material.
 Es una operación versátil y simple
 El entorno de vacío ultra-alto (UHV) da lugar a que los haces de átomos o moléculas sean
direccionados hacia el cristal del substrato donde se forma la capa cristalina.
 No hay reacciones químicas complejas.
 Gran calidad de los substratos obtenidos.